第ｌｌ卷，第７期

电子与封装 总第９９期
Ｖ０１．１１．Ｎｏ．７ ＥＬＥＣＴＲｏＮＩＣＳ＆ＰＡＣＫＡＧ玳Ｇ ２０１１年７月

＠喾＠霸薰⑧瓣④
射频系统封装的发展现状和影响

龙乐
（龙泉天生路２０５号１栋２０８室，成都６１０１００）

摘要：电子产品小型化将进一步依赖微电子封装技术的进步。ＳｉＰ（系统封装）所强调的是将一个
尽可能完整的电子系统或子系统高密度地集成于单个封装体内，随着其技术的研究不断深入，封装
规模不断扩大，其作用不断提升，它在射频领域中的应用特性也Ｅ１趋突出，成为实现视频系统小型
化、轻量化、高性能和高可靠的有效方法。针对当前ＲＦ ＳｉＰ（射频系统封装）发展中的热点问题，评
述了近年来国内外其发展现状，剖析了所带来的影响，探讨了为改善ＲＦ ＳｉＰ电学性能而进行的封装结
构和工艺的改进，包括硅基基板、低温共烧陶瓷基板、多层有机基板等的ＲＦ ＳｉＰ。该评述可为封装产
业界正确应对ＲＦ ＳｉＰ提供一定的参考。
关键词：射频系统；系统封装；发展；影响
中图分类号：ＴＮ４，ＴＮ０１４ 文献标识码：Ａ 文章编号：１６８１—１０７０（２０１１）０７—０００９—０５

Ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ Ｓｉｔｕａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｆｏｒ Ｒａｄｉｏ—ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｏｆ Ｓｙｓｔｅｍ

ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ＬＯＮＧＬｅ

（ＴｉａｎｓｈｅｎｇＲｏａｄ２０５，１－２０８，Ｌｏｎｇｑｕａｎ，Ｃｈｅｎｇｄｕ ６１０１００，Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ｗｉｌｌ ｆｕｒｔｈｅｒ ｄｅｐｅｎｄ ｏｎ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏ—ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ

ｐａｃｋａｇｉｎｇ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．ＳｉＰ（ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ）ｅｍｐｈａｓｉｚｅｓ ｔｈａｔ ｉｔ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｓ ａｌｌ ｅｎｔｉｒｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｙｓｔｅｍ ｏｒ

ｓｕｂｓｙｓｔｅｍ ｉｎｔｏ ａ ｐａｃｋａｇｅ．Ａｓ ｔｈｅ ＳｉＰ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｇｏｉｎｇ ｄｅｅｐｌｙ，ｐａｃｋａｇｉｎｇ ｓｃａｌｅ ｅｎｌａｒｇｅｓ ａｎｄ ｔａｋｅｓ

ａｆｆｅｃｔ ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌｙ，ｉｔｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ａｐｐｌｉｅｄ ｉｎ ＲＦ（ｒａｄｉｏ—ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）ｒｅａｌｍ ａｌｓｏ ｂｅｃｏｍｅｓ ｂｅｔｔｅｒ ａｎｄ ｂｅｔｔｅｒ

ｄａｙ ｂｙ ｄａｙ．Ａ ＳｉＰ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｓ ａ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｒｅａｌｉｚｅ ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ，ｌｉｇｈｔｗｅｉｇｈｔ，ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ

ａｎｄ ｈｉｇｈ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｒａｄｉｏ—ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｙｓｔｅｍ．Ａｉｍｉｎｇ ａｔ ｔｈｅ ｈｏｔ ｔｏｐｉｃ ｏｆ ｔｈｅ ＲＦ ＳｉＰ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ，ｒｅｖｉｅｗ ｔｈｅ

ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ ｓｉｔｕａｔｉｏｎ ｏｆ ＲＦ ＳｉＰ ａｔ ｈｏｍｅ ａｎｄ ａｂｒｏａｄ ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ，ａｎｄ ａｎａｌｙｚｅ ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ＲＦ ＳｉＥ Ｔｈｅ

ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＲＦ ＳｉＰ ａｒｅ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ａｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ，

ｗｈｉｃｈ ｒｅｌａｔｅ ｔｏ ｓｉｌｉｃｏｎ・ｂａｓｅｄ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ－ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒ ｏｒｇａｎｉｃ

ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ａｎｄ ｓｏ ｏｎ．Ｔｈｅ ｒｅｖｉｅｗ ｃａｎ ｇｉｖｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｆｏｒ ｐａｃｋａｇｉｎｇ ｉｎｄｕｓｔｒｙ ｔｏ ｃｏｕｎｔｅｒ ｗｉｔｈ ＲＦ ＳｉＥ

Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｒａｄｉｏ—ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｙｓｔｅｍ；ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｐａｃｋａｇｅ；ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ；ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ

波波段低频端（３０ｋＨｚ）以上到远红外波段低频端
１ 引言 （４００ＧＨｚ）以下的宽阔的电磁波谱。ＲＦ系统主要包
括接收／发射转换开关、低噪声放大器ＬＮＡ、混频
在射频与微波工程中，广义地讲，ＲＦ（射 器、锁相环ＰＬＬ（一般由鉴相器ＰＤ、滤波器和压控振
频）就是无线电收／发所使用的频率，涵盖了从长 荡器ＶＣＯ组成）、功率放大器ＰＡ、滤波器和频率合

收稿日期：２０１１－０４－０６

．９．
 第１１卷第７期 电子与封装
成器等电路，负责完成信号的处理和传输功能，其优
劣是直接影响整机性能优异的关键。而且，射频与微
波常互跨疆界，用作无线电系统设计和实现的频率，
因其应用和发展充满活力而倍受关注。
随着通信、雷达、微波测量及各种便携式电
子产品的高速发展，对产品微小型、高性能、低成
本、高可靠和多功能提出了更高的要求，而随着工
作频率的不断走高，对射频、微波信号的处理变得
越来越重要和紧迫，原来基于单层电路板和器件
的设计和工艺已不能满足发展的需要，系统芯片
（ＳｏＣ）目前在这一领域的局限性也逐步显现出来。
微波单片电路（ＭＭＩＣ）和混合电路以及新型封装技
术的发展和进步，为提高ＲＦ系统性能和可靠性、降
低成本创造了条件。当前ＲＦ ＳｉＰ（系统封装）技术发
展的驱动力是结构、性能、市场、成本，运用微组
装和混合Ｉｃ以及高密度三维互连，能够把不同工艺
芯片以及各类无源元件等集成到一个封装体内，可
以有效而又最便宜地使用各种工艺组合，实现整机
系统的功能集成。
２ ＲＦ ＳｉＰ发展历程
在典型的ＲＦ设计中，大量采用各类电感、电容
及电阻，６０％～７０％的系统面积都被无源元件（如电
阻电容电感ＲＣＬ、滤波器、平衡一非平衡混频器）所
占据。同时，在ＲＦ系统中，通常包含多个集成电路
ＩＣ（如基带ＡＳＩＣ，１１］］ＢＢＩＣ以及ＲＦＩＣ收发机等），各
类元器件采用不同的工艺技术制作而成，例女ＮＢＢＩＣ
采用ＣＭＯＳ技术、收发机采用ＳｉＧｅ和ＢｉＣＭＯＳ技术、
ＲＦ开关采用ＧａＡｓ技术等。ＳｏＣ的优势是把所有功能
整合在同一块芯片上，目前一些低成本应用通信系
统中，将ＲＦ模拟电路和基带电路实现单片集成，但
却受到各种ｌＣ技术的限制，不能充分有效地利用多
项技术优势。
基于多重输入多重输出技术开发的新宽带无线
标准，要求通信机的前端电路越来越复杂。未来的
前端将具有多达１０个功率放大器和相关的低通ＲＦ滤
波器、耦合器和匹配电路，其所占用的电路板面积
将超过数字电路和存储器的电路板面积，而且ＲＦ前
端仍由各种ＲＦ电路芯片和分立无源元件组成。ＳｉＰ可
以对各种不同技术的不同电、热和机械性能要求进
行权衡，获得最佳的性能，大多数ＳｉＰ都不会在电路
板中占据过多的面积，因此，系统级集成封装技术
一ｌＯ．
成为主流方向，可采用ＲＦ ＳｉＰ技术实现下一代无线产
品。
美国率先开展ＳｉＰ研究，在上世纪九十年代将ＳｉＰ
确定为重点发展的十大军民两用高新技术之一。紧
随其后，欧盟、日本、韩国及其他地区的微电子巨
头也制定出ＳｉＰ发展规划，从３Ｄ逻辑ＳｉＰ、２Ｄ ＳｉＰ、
３Ｄ ＳｉＰ向ＲＦ ＳｉＰ、ＷＬＰ—ＲＦ ＳｉＰ、３Ｄ—ＲＦ ＳｉＰ等推进，
探索封装产业研发方向。从发展趋势上看，ＳｉＰ是混
合集成电路和多芯片微组件工艺之优势于一体的新
型封装技术，有很多相类似的地方，对整机系统进
行功能划分，分别选择优化的芯片及元件来实现这
些功能，采用封装工艺技术，它尽可能将一个完整
的电子系统或子系统高密度地封装集成在一个封装
尺寸的壳体或外壳内，在封装中构成系统集成。在
ＩＴＲＳ（国际半导体技术路线图组织）２００５版本中对
ＳｉＰ的定义是：ＳｉＰ是采用任何组合，将多个具有不同
功能的有源电子器件与可选择的无源元件，以及诸
圣ＮＭＥＭＳ（微机电系统）或者光器件等其他器件，
组装成为可提供多种功能的单个标准封装件，形成
一个系统或者子系统。在芯片封装技术中，ＳｉＰ是高
级别的封装，也可以是多芯片堆叠ＰｏＰ或三维的３Ｄ封
装内系统；而在芯片设计领域，ＳｏＣ贝ｌＪ是最高级别的
芯片，研发成本高，设计周期长，验证及生产工艺
复杂。从总体上来看，这两者又有很多相似之处，
分别提供实现不同级别电子系统的方法，ＳｉＰ涵盖
ＳｏＣ，其差异分析如表１所示，ＳｉＰ提高性能的同时降
低成本，在封装效率、性能和可靠性方面提高了１０
倍，尺寸和成本则有大幅度下降，设计和工艺灵活
性较大，内嵌入性好，不同类型元器件集成相对容
易，性价比高，技术上互为补充发展。
表１电子微系统．ＳｉＰ．ＳｏＣ的差异分析
名称 电子微系统 ＳｉＰ ＳｏＣ
系统 封装成系统 整合单芯片
构筑面积 大 小 小
！篓当
市时间
普通
一
快 差
高速化能力 普通 好或极好 极好
川兰兰
产成本
普通
…一 好 普通
篱
普通 好 极好
■■■＿一Ｉ Ｉ＿＿＿●＿－■■●●■－●■－＿●＿●●■■＿－－＿●●■●■●＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿●■■■＿＿＿●●＿■－＿●＿＿●●●一
在ＳｉＰ研发上推动学术和产业界积极投入巨资开
发ＳｉＰ的动力是小型化（３７％）、高性能（５１％）和
 第１１卷第７期
低价格（１２％），经过数年来的研发，ＳｉＰ技术在很
多领域已有重要突破，如多芯片模块ＭＣＭ、芯片堆
叠封装ＰｏＰ、芯片减薄、硅通孑ＬＴＶＳ、金属化、薄膜
导线、嵌入工艺、超薄晶圆、积层线路板、无源元
件集成等。据报道，目前ＳｉＰ的布线密度可达６０００ｃｍ／
ｃｍ２，热密度达到１００Ｗ／ｃｍ２，元件密度达５０００／ｃｍ２，
Ｉ／Ｏ密度３０００／ｃｍ２，代表着新型封装技术发展趋势。
ＳｉＰ开拓了一种低成本集成的系统思路与可行方法，
能较好地解决ＳｏＣ中诸如工艺兼容、信号混合、电磁
干扰、开发成本、芯片封装体积等挑战性问题，市
场突破１００ｔＬ美元，ＲＦ ＳｉＰ将系统前端射频电路二次
集成为多个模块，然后嵌入ＳｉＰ中，确保电路的完整
性和隔离度，构成系统或子系统，其应用从手机、
通信、便携式电子产品扩展到高可靠的其他领域。
ＲＦ ＳｉＰ发展历程源于ＳｉＰ，将以往在板级间解决
的问题，探索在ＳｉＰ内以创新应用方式进行内部解
决，同时也是ＳｉＰ的延伸和拓展，整合应用领域横
向需求和封装测试技术纵向扩展，打造新的价值链
和竞争力，其主要特点是可使用成本相对较低的基
础工艺来进行无源元件的高质量集成以及微磁电集
成元器件，布线密度高，互连线短，电学、机械，
热学性能优异，功能多样，可靠性高，此外也可以
将采用不同工艺技术（ＣＭＯＳ、Ｂｉ—ＣＭＯＳ、ＧａＡｓ、
ＯｅＳｉ）制作的有源器件与采用小节距的内部互连线
进行互连，从而使器件的性能达到最佳化。为了能
获得更大电容密度（＞４００ｎＦ／ｍｍ２）、更多功能并通
过ＲＦ ＳｉＰ将器件进一步小型化，可采用高介电常数
的介质（如ＡＬ，Ｏ，，ＨｆＯ，等）和ＴｉＮ之类的导体来制
作ＭＩＳ（金属一绝缘体一半导体）和ＭＩＭ（金属一绝
缘体一金属）沟槽，ＴＳＶ亥ＩＩ蚀和铜填充将可达到直径
１０ ｕ ｍ～１００ ｕ ｍ以及深度３０ ｕ ｍ一３００ ｕ
这些技术将使３Ｄ芯片和晶圆堆叠、具有小外形尺寸
的ＲＦ ＳｉＰ成为现实。
ＲＦ ＳｉＰ比板级方法的互连长度更短，互连线的缩
短可以使电路性能得到改善（降低互连损耗、减少
延迟和寄生效应），缩短了芯片一芯片和芯片一无
源元件（ＲＣＬ、滤波器、平衡一非平衡混频器）之间
的互连长度，可实现良好的电特性。
３ ＲＦ ＳｉＰ的发展现状
ＲＦ技术发展趋势是减少体积和重量，降低功
耗，提高可靠性和多功能化。另外，需要采用频率
龙乐：射频系统封装的发展现状和影响
选择性好的滤波器件和极为稳定的本机振荡器，并
保证电路在有限的电源供电下长时间稳定工作。为
此，ＲＦ电路需要进～步集成化，电容、电感和振荡
器等应该保持高Ｑ值（品质因数），传输线、开关和
天线等在阻抗匹配、插入损耗和隔离度方面也应该
满足较高的要求。ＲＦ技术与ＳｉＰ技术相融合，以系统
开发为导向，提供了新的解决途径，其优势日益凸
显，推进了ＲＦ ＳｉＰ的研发进展。
３．１ 硅基ＲＦ ＳｉＰ
下一代蜂窝射频器件将具有更高的集成度，并
倾向于使用３Ｄ（三维）封装。３Ｄ技术能提高封装密
度和封装效率，增强产品功能，提高速度，降低功
耗，降低噪声，实现整机的小型化和多功能化。以
硅技术为基础的集成无源器件（ＩＰＤ）成为一种ＲＦ
ＳｉＰ的解决方案，由于可实现电容和电感的高密度排
列，基带电路和射频电路保持良好的隔离，进行高
度集成的蜂窝射频ＲＦ器件模块的生产，基本上可以
提供与较ｔＪ、ＳＭＤ元件相似的外形，通过量产流程验
证，而且价格颇具竞争力。
硅基ＲＦ ＳｉＰ采用成本相对较低的芯片后端ＴＶｓ
工艺将无源元件集成到硅衬底上，采用原子层沉积
工艺淀积多重高介电常数介质（ＡＬ，Ｏ，）和导体层
（ＴｉＮ），由此制作金属／绝缘体／金属ＭＩＭ叠层，电
容密度达至１］４００ｎＦ／ｍｍ２，击穿电压大于６Ｖ，与有源器
件芯片或ＭＥＭＳ芯片一起形成一个高质量三维堆叠混
合集成的器件平台。饲如，一个无线电收发集成电
路可以倒装在这种含有无源元件的硅衬底上，以减
少互连寄生现象和所占面积，最后倒扣组装到标准
尺寸的引线框架封装中。另外，也可以运用不同的
工艺技术（ＣＭＯＳ、ＢｉＣＭＯＳ、ＧａＡｓ）来制作有源器
ｍ的典型值。 件，并采用小节距的内部互连线进行，从而使器件
的性能达到最佳化。下一阶段的目标是获得更大的
电容密度、更多的功能，器件进一步小型化，ＴＳＶ刻
蚀和铜填充的直径可达１０ ｕ ＩＴＩ～１００ ｕ ＩＴＩ、深度３０ ｕｍ
～３００ ｕ １ＴＩ的高深宽比值。
３．２ ＬＴＣＣ（低温共烧陶瓷）ＲＦ ＳｉＰ
ＬＴＣＣ技术为高集成度的ＲＦ ＳｉＰ提供了一个很好
的途径，其材料介电常数低（一般５≤１０以下），
布线密度高，布线导体方阻小，传输损耗小，热传
导性能优良，热膨胀系数与硅器件匹配，信号传输
线采用了Ａｕ、Ａｇ等良导体，信号传输速度快，具有
很好的微波性能。ＬＴＣＣ不但可以集成Ｒ、Ｌ、ｃ无源
元件，还可以将微波传输线、逻辑控制和电源线、
 第１ ｌ卷第７期 电子
————————————————————————————————————一
混合信号传输线等集成在同一个多层ＬＴＣＣ三维微波
传输结构中，ＬＴＣＣ基板＿Ｌ、下表面分别布置射频
电路和低频电路，其间埋置无源元件，将多芯片和
元器件集成在一个封装体内，最大限度地减少了系
统的体积、重量和元器件数量，提高了性能和可靠
性，降低了成本，是实Ｎｌｂ＿犁ｆｔ：、集成化、高可靠
性和低成本发展的重要途径。同时，基于ＬＴＣＣ的ＲＦ
ＳｉＰ可以采用密封的金属封装，满足苛刻环境条件下
的使用，特别适合高速、射频、微波等电子整机的
高性能系统集成。
研制成功基于ＬＴＣＣ技术的Ｋｕ波段多通道射频前
端电路，在很小的空间内集成了多个ＧａＡｓ ＭＭＩＣ（
砷化镓微波单片集成电路）芯片和ｃＭＯＳ控制电路芯
片及采用ＬＴＣＣ技术的微波带状线滤波器组，电路主
要由限幅器、前置低噪声放大器、单刀多掷开关、
两个双平衡混频器、第一中频放大器、第二中频放
大器、串行信号转并行信号驱动器等芯片及多个不
同频段的滤波器组成，由二次变频实现多通道、多
功能电路的应用。一个由移相器、功率放大器、低
噪声放大器、电调衰减器和Ｔ／Ｒ开关等多个单芯片
所构成的相控阵雷达收发组件在ＬＴＣＣ上实现，将射
频、数字、供电电路分别布置于不同的层次之中。
目前，对于ＲＦ ＳｉＰ产品的研发和生产来讲，高
频低损耗的ＬＴＣＣ多层基板已经成为众多制造厂商的
首选，特别是在高端电子设备中发挥越来越重要的
作用，典型的商品化高频低损耗、高密度多层互连
ＬＴＣＣ基板可做到１４～２０层（层间厚度公差２．５％ｆＡ
内），制成的无源元件公差可控制在３％～５％的范
围，烧结后陶瓷密度气密性好。采用ＬＴＣｃ技术，将
双工器、低通滤波器、ＳＡＭ滤波器和切换开关等无
源元件埋置在ＬＴＣＣ多层基板内部，制作出高密度集
成的手机前端ＲＦ ＳｉＰ．
研究微磁电集成元器件的ＳｉＰ，将产生新原理、
新概念器件，突破常规元器件的性能极限，实现电
子装备的微小型化、高功能密度化。微磁电集成元
器件也是微波／ＲＦ技术的重要组成部分，以ＬＴｃＣ为主
要制造方式，以电磁场理论和传输线理论为基础，
结合微电子器件，构成微磁电集成模块、微磁电集
成执行器及组成微波／毫米波集成电子整机系统，满
足频率高端电子整机的数字化、集成化、小型化和
高可靠性要求，比常规微波／毫米波元件的可靠性提
高１～３个量级，功耗减少ｌ～２个量级。
随着通信、雷达、微波测量及各种消费电子产
－１２一
与封装
品的高速发展，工作频率的不断升高，对高频微波
信号的处理变得越来越重要和紧迫，国内对ＬＴｃｃ微
波器件的设计、制造和应用研究等方面与国外存在
一定差距，ＲＦ ＳｉＰ运用微组装和互连技术，能够把各
种集成电路以及各类无源元件等集成到一个封装体
内，可以有效而又最便宜地使用各种工艺组合，器
件设计与工程实用性研究有效结合是今后ＬＴＣＣ发展
的重点．
３．３ 多层有机基板封装
利用ＬＴｃＣ还很难全面集成ＲＦ、数字和混合信号
技术用元器件。采用一种薄膜多层工艺，将液晶聚
合体ＬＣＰ和陶瓷填充聚四氟乙烯ＰＴＦＥ化合物结合在
一起，构成的先进ＲＦＣＸ路材料新工艺与电路布局技
术研制成功ＲＦ ＳｉＰ基板的多层有机ＭＬＯ（Ｍｕｌｔｉ．１ａｖｅｒ
Ｏｒｇａｎｉｃ）基板封装，在射频芯片的ＭＬＯ叠层基板嵌
入关键射频无源元件，构成先进ＲＦ电路材料的新型
工艺与电路布局技术。同时保持其低插损和高度隔
离，介电常数稳定，易于激光打孔，不易吸水并且
热稳定性良好。６）县ＭＬＯ就能实现１２～２０层ＬＴＣＣ的
功能，与其他ＲＦ多芯片封装方案相比，具有相当或
更好的性能，并能够对传统的多层陶瓷封装技术构
成挑战。
ＬＣＰ基板在射频／毫米波（高至１１０ＧＨｚ）微系
统封装中展现出可与ＰＴＥＥ材料相比拟的优异介电性
能，且兼具优异的热稳定性、高模量、可裁剪热膨胀
系数以及低吸湿率等特性。ＬＣＰＩ雏Ｊ性能契合了射频／毫
米波系统向更轻更小、更高性能以及更低成本方向发
展的需求，基于ＬｃＰ基板的射频／毫米波系统的研发得
到了重点关注，一些应用研究相继见诸报道。
ＭＬ０基板拥有一个或多个ＲＦ介质层，嵌入在
其他层压板之间，为表面贴装和ＲＦ芯片布置提供线
路、保护和焊接区域。其典型产品为叠层结构，外
层薄膜采用填有二氧化硅的碳氢化合物导热双层胶
和层压材料，具有刚性、较低的吸水性和低ｚ轴ＣＴＥ
（热膨胀系数），确保其可靠性。内部介质层在工
作频率下须做到低插损，厚度较薄以获得较高的电
容密度，并使封装高度尽可能低。研发成功层压板
厚度ｔ３沩２５“ｍ的ＬｃＰ和２５ ｕ ｍ厚的ＰＴＦＥ化合物，
可标准地多层和／或连续层压加工，在这些低插损介
质层上下采用屏蔽层制作的ＭＬＯ基板具备优异的ＲＦ
性能，用于制作完整的封装结构。该技术已被用干
开发多种ＲＦ产品，包括分立被动元器件、高集成ＲＦ
前端模块（ＦＥＭ）以及包含整个无线芯片组及前端
 第１１卷第７期
的嵌入式模块。利用ＭＬＯ，现已获得标准引线键合
技术组装的，含有ＧａＡｓ；ｆｌ：ｌＳｉＧｅ芯片的前端模块，并
通过了电子器件联合工程协会ＪＥＤＥＣ可靠性压力测
试，未出现失效或性能退化。
为完全利用ＭＬＯ的嵌入式器件功能，可制造
性设计是其研发中的关键因素，要求设计人员具备
可快速实现ＲＦ系统中使用的常规元器件的能力，
如匹配网络、滤波器、不平衡变压器、耦合器和双
工器，最终转化成集总参数结构，包括嵌入式电感
器、电容器和传输线，被刻蚀到覆铜介质层中。
４ ＲＦ ＳｉＰ带来的影响
ＳｉＰ综合了现有的芯核资源和生产工艺的优势，
有助予超越ＳｏＣ设计极限，包括使用者的ＩＰ集成、ＩＰ
重用、混合模拟／数字设计等，具有低设计风险、工
艺复杂性低、低开发成本和更短的上市时间等特点，
成为一种理想的ＲＦ年ＩＪ混合信号系统解决方案。ＲＦ
的目标是实现各类微波／毫米波电子器件与整机的模
块化、固态化、小型化、高性能化，为ＲＦ前端提供
更好的灵敏度、选择性、稳定性、动态范围和抗干扰
性。
ＲＦ ＳｉＰ将推进３Ｇ／４Ｇ手机ＲＦ前端的集成，为３Ｇ
和４Ｇ射频方案提供全面解决办法，包括放大器、开
关和滤波器，提高功率放大器集成度，提升其技术
含量。一部手机需要支持３Ｇ／４Ｇ的不同制式，同一
制式还需要多颗不同频段、不同制式的功率放大器
ＰＡ、滤波器与双工器等，集成的趋势有两种：一种
是沿信号线的集成，幽ｆｌＰＡ＋滤波器＋双工器；另
一种是频段相近的ＰＡ集成，都需要先进的工艺和封
装技术来支撑。开发能够实现多模、多频段工作的
ＰＡ，旨在未来采用１～２个功放，就可以完成以前６个
功放同样的功能。手机制造商愿意采用经过验证和
测试的集成无线电模块，以实现超小尺寸和更快上
市时间。
ＲＦ是个非常特殊的领域，涉及通信设备、网
络、航天、航空和国防等领域，市场的增长主要来
自移动设备的内容扩展和网络数据传输的视频传输
量增长这两个方面的推动，进而促进了对射频器件
的需求。据市场调查公司预测，ＲＦ市场正处于黄金
时期，未来３年其年复合增长率将在２０％左右，市
场需求巨大，ＲＦ器件主要包括放大器、开关和滤波
器、双工器、模块，这些产品的电压在不断升高，
龙乐：射频系统封装的发展现状和影响
不太容易集成在单一：艺＝片上，因此在这一领域，主
要是不同功能的集成，满足ＲＦ行业的大功率、多
功能、低电流、小尺寸的要求，而器件价值至少翻
番，甚至高达钆６倍，其发展潜力不可忽视。
ＲＦ ＳｉＰ在ＲＦ ＭＥＭＳ（射频微机电系统）和光学
ＭＥＭＳ封装中有很好的应用前景，除通常的ＭＥＭＳ
封装问题外，还需要考虑ＲＦ系统自身的复杂性，涉
及到对ＲＦ系统进行互连，封装结构和插入组件以及
芯片之间的相互作用，包括微电子封装、光电子封
装、射频封装、ＭＥＭＳ封装、多功能系统集成封装
等，按照ＲＦ系统最优化的原则设计、组合、集成构
建为微系统产品，基于这些技术的突破正改变着其
应用现状。
毫米波市场迅速增长，其应用急剧增加，包括
ＬＭＤＳ（２８ＧＨｚ）、ＷＬＡＮ（６０ＧＨｚ）和汽车防撞雷达
（７７ＧＨｚ）等。在目前情况下，限制这些元器件使
用频率的原因，往往不在ｌｃ芯片本身，而在于其封
ＳｉＰ 装的寄生参数，包括物理的、分布的和电磁场等方
面，严重损害了器件的频率响应，破坏了信号的完
整性。封装成为限制传输速度发挥的真正原因，工
作频率越高，封装的这种影响就越大，急需发展低
成本、小型化的ＲＦ ＳｉＰ。
综上所述，ＲＦ ＳｉＰ促进了电子封装与组装技术
的结合与进步，带动了相关制造装备的研究开发，
促成了新型封装材料与电子系统共性技术的发展，
推动封装产业以前所未有的速度向着更长远的目标
迈进。ＲＦ ＳｉＰ发展之势锐不可挡，不仅面临着更大的
机遇和挑战，也必将迅速带动封装技术的更新和变
革，孕育着更为广阔的发展空间。
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