1.Vật liệu bán dẫn là gì?

Vật liệu bán dẫn là loại vật liệu có khả năng dẫn điện giữa vật liệu dẫn điện và cách điện. Điểm đặc biệt của vật liệu bán dẫn là tính
chất dẫn điện của chúng phụ thuộc vào nhiệt độ và cấu trúc vùng năng lượng. Điều này có nghĩa là khi tăng nhiệt độ, khả năng dẫn
điện của vật liệu bán dẫn có thể tăng lên.

1. So với kim loại: Trong kim loại, khi tăng nhiệt độ, khả năng dẫn điện thường giảm đi do tăng cường sự va chạm giữa các
ion dương và electron tự do. Sự gia tăng của các tiến trình phân tán và va chạm khiến cho dòng điện gặp phải nhiều trở
ngại hơn, dẫn đến tăng điện trở và giảm khả năng dẫn điện.
2. So với chất cách điện: Trong chất cách điện, khả năng dẫn điện là rất thấp và thường không phụ thuộc vào nhiệt độ.
Thậm chí, khi tăng nhiệt độ, một số chất cách điện có thể trở nên dẫn điện tốt hơn do sự tăng cường của các hiện tượng
như dẫn điện bằng nhiệt hoặc phá vỡ các liên kết phân tử.

Do đó, trong khi vật liệu bán dẫn có thể có khả năng tăng khả năng dẫn điện khi tăng nhiệt độ, điều này không nhất thiết áp dụng
cho tất cả các loại vật liệu. Kim loại thường có khả năng dẫn điện giảm khi nhiệt độ tăng, trong khi chất cách điện có thể không có
sự thay đổi đáng kể trong khả năng dẫn điện của chúng.
1. Nguyên tắc hình thành bán dẫn loại n và p:
 Bán dẫn loại n: Để tạo ra bán dẫn loại n, các nguyên tử pha tạp được thêm vào vật liệu bán dẫn gốc để tạo ra
thêm electron tự do. Thông thường, các nguyên tử pha tạp như phosphorus hoặc arsenic được sử dụng. Các
 nguyên tử này có cấu trúc nguyên tử có thể cung cấp thêm electron tự do cho dải năng lượng dẫn của vật liệu
bán dẫn, làm tăng khả năng dẫn điện của nó.
 Bán dẫn loại p: Ngược lại, để tạo ra bán dẫn loại p, các nguyên tử pha tạp được thêm vào vật liệu bán dẫn gốc
để tạo ra "lỗ" (holes), là các vị trí trống trong dải năng lượng dẫn. Các nguyên tử pha tạp như boron hoặc
gallium thường được sử dụng để tạo ra các lỗ này.

Ví dụ cụ thể:

 Nguyên tử (Zn): Zn có cấu hình electron là [Ar] 3d¹⁰ 4s². Trong nguyên tử Zn, có hai electron ở lớp ngoài cùng, tức là 4s².
 Nguyên tử Oxygen (O): O có cấu hình electron là [He] 2s² 2p⁴. Trong nguyên tử O, có sáu electron ở lớp ngoài cùng, tức
là 2s² và 2p⁴.
=> Để tạo ra bán dẫn loại N từ vật liệu ZnO, ta cần thêm vào các nguyên tử pha tạp từ nhóm IIIA của bảng tuần hoàn (ví dụ như
nhôm - Al hoặc gali - Ga). Các nguyên tử từ nhóm IIIA có thể tạo ra các lỗ trong dải năng lượng dẫn của ZnO, làm cho nó trở thành
bán dẫn loại N. Khi nguyên tử pha tạp thêm vào, chúng cung cấp electron tự do cho dải dẫn của ZnO, tăng cường khả năng dẫn
điện của vật liệu.

Ví dụ: Thêm nhôm (Al) hoặc gali (Ga) vào ZnO để tạo bán dẫn loại N.

Để tạo ra bán dẫn loại N từ vật liệu ZnS(GaAs), ta cần thêm vào các nguyên tử pha tạp từ nhóm VA của bảng tuần hoàn (ví dụ như
phosphorus - P hoặc arsenic - As). Các nguyên tử từ nhóm VA có thể cung cấp electron tự do cho dải dẫn của ZnS, tăng cường khả
năng dẫn điện của vật liệu.

Ví dụ: Thêm phosphorus (P) hoặc arsenic (As) vào ZnS để tạo bán dẫn loại N.

Trong vật liệu SiC (Silicon Carbide), để tạo ra bán dẫn loại N, chúng ta cần thêm vào các nguyên tử pha tạp từ nhóm VA của bảng
tuần hoàn (ví dụ như phosphorus - P hoặc nitrogen - N). Các nguyên tử từ nhóm VA có thể cung cấp electron tự do cho dải dẫn của
SiC, tăng cường khả năng dẫn điện của vật liệu.

Ví dụ: Thêm phosphorus (P) hoặc nitrogen (N) vào SiC để tạo bán dẫn loại N.

3. Hệ số lấp đầy, hay còn được gọi là hệ số lấp đầy vùng dẫn hoặc vùng hóa trị, là một tham số quan trọng trong vật lý vật liệu bán
dẫn. Nó chỉ tỷ lệ phần trăm các vị trí dẫn điện được chiếm dụng trong dải năng lượng dẫn (vùng dẫn) hoặc các vị trí trống được
chiếm dụng trong dải năng lượng hóa trị (vùng hóa trị).

Ý nghĩa:

 Hệ số lấp đầy thường được sử dụng để mô tả mức độ dẫn điện hoặc cách điện của một vật liệu bán dẫn. Nó cho biết mức
độ mà các electron (trong trường hợp vùng dẫn) hoặc các lỗ (trong trường hợp vùng hóa trị) đã được chiếm dụng.
 Đối với các vật liệu bán dẫn, hệ số lấp đầy càng cao thì khả năng dẫn điện càng cao và ngược lại.
Vùng cấm (band gap) là khoảng năng lượng giữa vùng dẫn (conduction band) và vùng hóa trị (valence band) trong dải năng lượng
của vật liệu bán dẫn. Có hai loại vùng cấm chính:

1. Vùng cấm năng lượng (Energy band gap): Đây là khoảng năng lượng giữa vùng dẫn và vùng hóa trị. Nó quyết định tính
chất dẫn điện của vật liệu. Vùng cấm năng lượng nhỏ hơn cho phép electron dễ dàng di chuyển từ vùng hóa trị vào vùng
dẫn dưới tác động của năng lượng bên ngoài (như nhiệt độ hoặc điện áp), dẫn đến tính chất dẫn điện tốt. Trái lại, vùng
cấm lớn hơn làm cho vật liệu trở thành cách điện.
 2. Vùng cấm tần số (Frequency band gap): Đây là khoảng tần số giữa vùng dẫn và vùng hóa trị. Nó quyết định tính chất
quang học của vật liệu, bao gồm khả năng hấp thụ và phát quang ánh sáng. Vùng cấm tần số nhỏ hơn làm cho vật liệu
hấp thụ ánh sáng tốt hơn trong phổ quang phổ rộng, trong khi vùng cấm tần số lớn hơn thường dẫn đến khả năng phát
ra ánh sáng tốt hơn.

Tính chất của mỗi vùng cấm (bao gồm vùng cấm năng lượng và vùng cấm tần số) phụ thuộc vào cấu trúc và tính chất vật lý của vật
liệu bán dẫn đó. Đặc trưng của mỗi vùng cấm có thể được xác định thông qua thí nghiệm và tính toán vật lý.
1.Dựa vào kiến thức đã học, hãy giải thích tại sao nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần (ni) rất nhạy cảm với độ rộng vùng cấm
(Eg) và nhiệt độ của chất bán dẫn điện.

Độ linh động hạt tải thể hiện khả năng của vật liệu để chịu biến dạng mà không gây ra
sự phá hủy hoặc đứt gãy. Nó là một chỉ số quan trọng trong việc đánh giá tính linh hoạt
và độ bền của vật liệu, đặc biệt trong các ứng dụng yêu cầu tính chịu lực động như
trong sản xuất lốp xe, đồng hồ, đồ chơi, vv. Đối với một số ứng dụng, độ linh động hạt
tải cao có thể là một yếu tố quyết định để chọn vật liệu.

"Tán xạ mạng tinh thể" và "tán xạ tạp chất" là hai cơ chế khác nhau mà các phân tử
trong vật liệu có thể di chuyển để thích nghi với áp lực hoặc biến dạng. Dưới đây là sự
khác biệt giữa chúng:

1. Tán xạ mạng tinh thể:

 Trong tán xạ mạng tinh thể, các phân tử hoặc nguyên tử di chuyển hoặc
trượt qua các mặt tinh thể của vật liệu. Điều này thường xảy ra trong các
vật liệu có cấu trúc tinh thể rõ ràng như kim loại hoặc khoáng vật.
 Sự di chuyển của các phân tử theo tán xạ mạng tinh thể thường cần năng
lượng lớn hơn và thường xuyên gặp các rào cản trong cấu trúc tinh thể.
2. Tán xạ tạp chất:
 Tán xạ tạp chất xảy ra khi các phân tử trong vật liệu di chuyển xung quanh
hoặc trượt qua các tạp chất hoặc mảng tạp chất trong vật liệu. Các tạp
chất có thể là các hạt nhỏ, lỗ rỗng hoặc các phân tử có cấu trúc không
đồng đều.
 Sự di chuyển của các phân tử theo tán xạ tạp chất thường đòi hỏi ít năng
lượng hơn so với tán xạ mạng tinh thể vì các tạp chất thường không có
cấu trúc rất chặt chẽ và không gây ra nhiều rào cản.

Tóm lại, tán xạ mạng tinh thể xảy ra trong các vật liệu có cấu trúc tinh thể, trong khi tán
xạ tạp chất xảy ra trong các vật liệu có tạp chất hoặc cấu trúc không đồng đều.