Bài giảng

CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Bài 2: Vật liệu bán dẫn
• Trung tá TS. Trần Thị Hồng Thắm
• Bộ môn Kỹ thuật Xung số, vi xử lý/Khoa VTĐT
I. MỤC ĐÍCH, YÊU CẦU
A. Mục đích:
- Cung cấp cho học viên những kiến thức cơ bản về vật liệu bán dẫn: khái niệm,
cấu trúc và các tham số đặc trưng của các loại vật liệu bán dẫn thông dụng.
B. Yêu cầu:
- Yêu cầu học viên đọc trước tài liệu tại nhà.
- Tham gia học tập nghiêm túc.
- Trả lời các câu hỏi trắc nghiệm cuối bài học.

2
II. NỘI DUNG, TRỌNG TÂM
A. Nội dung
1. Định nghĩa và phân loại
2. Vật liệu bán dẫn thuần
3. Vật liệu bán dẫn tạp
4. Dòng điện trong vật liệu bán dẫn
B. Trọng tâm
3. Vật liệu bán dẫn tạp
4. Dòng điện trong vật liệu bán dẫn

3
III. THỜI GIAN, PHƯƠNG PHÁP
A. Thời gian:
- Tổng số tiết: 9 tiết
+ Lên lớp: 3 tiết
+ Tự học: 6 tiết
B. Phương pháp:
- Thuyết trình sử dụng trình chiếu bài giảng kết hợp, đặt các câu hỏi thảo luận
với học viên.
- Hướng dẫn và định hướng các nội dung nghiên cứu.

4
 Phần 2:
NỘI DUNG BÀI GIẢNG

5
I. Định nghĩa và phân loại

a. Định nghĩa
▪ Vật liệu bán dẫn là vật liệu có điện trở suất nằm ở giữa trị số điện trở
suất của vật liệu dẫn điện và vật liệu điện môi khi ở nhiệt độ phòng,
ρ = 10-4÷107 Ω.m;
▪ Vật liệu bán dẫn là vật liệu mà trong cấu trúc dải năng lượng có độ rộng
vùng cấm là 0 < EG < 2eV.

6
b. Phân loại
▪ Trong kỹ thuật điện tử hiện nay sử dụng một số chất bán dẫn có cấu trúc đơn
tinh thể. Quan trọng nhất là hai nguyên tố Gecmani (Ge) và Silic (Si).
▪ Đặc điểm của cấu trúc mạng tinh thể này là độ dẫn điện của nó rất nhỏ khi ở
nhiệt độ thấp và sẽ tăng theo lũy thừa với sự tăng của nhiệt độ và tăng gấp bội
khi có trộn thêm ít tạp chất. Do đó đặc điểm cơ bản của chất bán dẫn là độ dẫn
điện phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ môi trường và nồng độ tạp chất, ngoài ra còn
phụ thuộc vào ánh sáng, bức xạ ion hóa, ...

7
Phân loại theo thành phần hóa học
▪ Nguyên tố bán dẫn: Bo (B), Indi (In), Gali (Ga) ở
nhóm 3, Silic (Si), Gecmani (Ge) thuộc nhóm 4, Asen
(As), P, Sb (Antimony) thuộc nhóm 5, Selen (Se), lưu
huỳnh (S) ở nhóm 6,...

▪ Hợp chất bán dẫn: Một số hợp chất bán dẫn hay gặp được tạo ra bởi sự kết hợp
của nguyên tố thuộc phân nhóm chính nhóm III và nhóm V (gọi là hợp chất III -
V) hoặc nhóm II và nhóm VI (gọi là hợp chất II - VI). Một số loại hợp chất bao
gồm 3 nguyên tố hoặc nhiều hơn (HgCdTe, GaAlAs, GaInAr, GaInP,…), thậm chí là
có nguồn gốc hữu cơ.

8
Theo nguồn gốc phát sinh
▪ Thực ra đây không phải là tiêu chí cơ bản nhưng hiện nay vẫn được sử dụng trong
nhiều trường hợp cần so sánh. Theo tiêu chí này có bán dẫn vô cơ và bán dẫn hữu
cơ. Các loại chất bán dẫn có nguồn gốc hữu cơ thường được sử dụng trong những
trường hợp đặc biệt.

• Điốt phát quang hữu cơ (OLED)

• Pin mặt trời hữu cơ (Organic solar cell)
• Transistor trường hữu cơ (OFET)
• Transistor hoá điện (electrochemical transistor)
• Gần đây trong các ứng dụng cảm ứng sinh học.
• Chất bán dẫn hữu cơ có nhiều ưu điểm như dễ chế
tạo, linh hoạt cơ khí, và chi phí thấp.).

9
Theo đặc tính kỹ thuật - công nghệ: Đây là phương pháp phân loại bán dẫn cơ bản
nhất.
▪ Bán dẫn thuần: là các loại vật liệu bán dẫn sau khi đã trải qua một quy trình làm
sạch nhằm loại bỏ tạp chất để đạt đến một độ tinh khiết nhất định.
▪ Bán dẫn tạp: là bán dẫn được tạo ra từ bán dẫn thuần bằng cách thêm vào một
lượng tạp chất nhất định. Lưu ý rằng “tạp chất” trong trường hợp này được pha tạp
vào bằng một quy trình công nghệ rất khắt khe để tạo nên những tính chất đặc thù.
Có hai loại bán dẫn tạp:
• Bán dẫn tạp loại dẫn điện ưu tiên điện tử (loại N)
• Bán dẫn tạp loại dẫn điện ưu tiên lỗ trống (loại P).

10
 II. Vật liệu bán dẫn thuần
1. Cấu trúc mạng tinh thể của Si

▪ Silic thuộc nhóm IV của bảng tuần hoàn các nguyên tố hóa học, có bốn điện
tử ở lớp ngoài cùng, gọi là 4 điện tử hóa trị.
▪ Vật liệu đơn tinh thể được hình thành bằng liên kết đồng hóa trị của mỗi
nguyên tử Si với 4 nguyên tử Si lân cận gần nhất dưới dạng khối không gian
ba chiều rất đều đặn như ở hình vẽ.
11
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị
▪ Sự liên kết bền vững giữa các nguyên tử bằng các điện tử
hóa trị góp chung được gọi là liên kết đồng hóa trị.
▪ Mặc dù liên kết đồng hóa trị là lọai liên kết mạnh giữa các
điện tử hóa trị và nguyên tử gốc của chúng nhưng các điện
tử hóa trị vẫn có thể hấp thụ năng lượng đáng kể từ tự
nhiên để bẽ gảy các liên kết đồng hóa trị và tạo ra các điện
tử ở trạng thái tự do.

▪ Thuật ngữ “tự do” nói lên rằng sự di chuyển của các điện tử là rất nhạy cảm dưới tác dụng của điện
trường do một nguồn điện áp hay sự chênh lệch nào đó về hiệu điện thế; các ảnh hưởng của năng
lượng ánh sáng dưới dạng các photon; năng lượng nhiệt từ môi trường xung quanh.

12
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
▪ Ở nhiệt độ gần độ 0 tuyệt đối, toàn bộ các điện tử định
vị trong các mối liên kết đồng hóa trị góp chung giữa
các nguyên tử và không có điện tử tự do để tham gia
vào quá trình dẫn điện. Lớp ngoài cùng của nguyên tử
là đầy đủ và vật liệu giống như một chất cách điện.
▪ Khi tăng nhiệt độ, thì năng lượng nhiệt sẽ được bổ sung
vào tinh thể, lúc này một vài liên kết sẽ bị bẻ gãy, giải
phóng một lượng nhỏ điện tử cung cấp cho việc dẫn
điện.

13
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
▪ Mật độ các điện tử tự do này được gọi là mật độ các hạt tải điện cơ bản ni (cm−3) và được
xác định tùy theo đặc tính của vật liệu và nhiệt độ như sau:

• EG là mức năng lượng độ rộng vùng cấm, (eV);

• k là hằng số Boltzmann, 8,62x10−5, (eV/ K);
• T là nhiệt độ tuyệt đối, (K);
• B là thông số tùy thuộc vật liệu, (K−3 x cm−6);
Ví dụ, đối với Si thì B = 1,08x1031 (K−3 x cm−6)
▪ Mức năng lượng vùng cấm EG [bandgap energy] là mức năng lượng tối thiểu cần thiết để
bẻ gãy một mối liên kết trong tinh thể bán dẫn để giải phóng một điện tử cho quá trình dẫn
điện.

14
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
❖ Tính giá trị của ni trong vật liệu silic thuần ở nhiệt độ phòng (T = 300 K)?
B = 1,08x1031 (K−3 x cm−6); EG = 1.12 eV

15
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
❖ Câu hỏi 1: Tính giá trị của ni trong silic ở nhiệt độ phòng (T = 50 K, 325K)?
B = 1,08x1031 (K−3 x cm−6); EG = 1.12 eV

16
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
▪ Mật độ các điện tử tự do được biểu diển
bằng ký hiệu n [số electron/cm3], và đối với
vật liệu nguyên chất n = ni . Mặc dù ni là
một đặc tính cơ bản của mỗi chất bán dẫn
nhưng nó phụ thuộc rất nhiều vào nhiệt độ
đối với tất cả các vật liệu.
▪ Để đơn giản trong tính toán, ta lấy giá trị ni
≈ 1010 cm-3 ở nhiệt độ phòng đối với Si.

Chú ý: Mật độ các nguyên tử silicon trong mạng tinh thể vào khoảng 5x1022 cm-3, so sánh với
kết quả ở trên, suy ra rằng: ở nhiệt độ phòng, trong số xấp xỉ 1013 nguyên tử Si, thì chỉ có một
mối liên kết bị bẻ gãy.
17
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
▪ Một loại hạt tải điện khác thực tế cũng được tạo ra khi liên kết đồng hóa trị bị bẻ gãy.
Khi một điện tử mang điện tích âm -q, di chuyển ra khỏi liên kết đồng hóa trị, thì nó sẽ
để lại một khoảng trống trong cấu trúc liên kết bên cạnh nguyên tử silicon gốc. Khoảng
trống có điện tích hiệu dụng dương +q .
▪ Một điện tử từ liên kết lân cận có thể điền vào khoảng trống này và sẽ tạo ra một
khoảng trống mới ở vị trị khác. Quá trình này làm cho khoảng trống di chuyển qua khắp
các mối liên kết trong mạng tinh thể bán dẫn. Khoảng trống di chuyển giống như hạt
tích điện có điện tích +q nên được gọi là lỗ trống [hole]. Mật độ lỗ trống được ký hiệu
là p [lỗ trống/cm3].

18
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
▪ Như vậy, khi mỗi liên kết bị bẻ gãy có hai loại hạt tích điện được tạo ra đồng thời:
một điện tử và một lỗ trống, do đó đối với bán dẫn silicon nguyên chất ta có:

Chú ý: Tích pn cho ở trên chỉ đúng với điều kiện một chất bán dẫn ở điều kiện cân
bằng nhiệt, mà trong đó, các đặc tính của vật liệu bán dẫn chỉ phụ thuộc vào nhiệt
độ T, mà không có các dạng kích thích khác. Phương trình sẽ không đúng đối với
các chất bán dẫn khi có các kích thích ngoài như: điện áp, dòng điện hay kích thích
bằng ánh sáng.
19
2. Mô hình liên kết đồng hóa trị (tiếp)
▪ Ở điều kiện nhiệt độ ổn định (cân bằng nhiệt), người ta nhận thấy trong cả
bán dẫn thuần và bán dẫn tạp tồn tại trạng thái cân bằng động, ở đó nồng
độ động tử sinh ra bằng với nồng độ động tử tự do mất đi.
▪ Sở dĩ xảy ra hiện tượng này là do trong quá trình chuyển động trong lòng
vật liệu, các electron tự do gặp các lỗ trống. Vị trí của lỗ trống lúc này giống
như một “bẫy” năng lượng, có khả năng hấp thụ lại electron để chuyển nó
từ trạng thái tự do về mối liên kết đồng hóa trị. Hiện tượng đó được gọi
bằng một thuật ngữ là “hiện tượng tái hợp động tử”.
▪ Thời gian trung bình từ khi tạo ra cho đến khi tái hợp động tử được gọi là
“thời gian sống trung bình” của động tử.

20
3. Các tham số đặc trưng của bán dẫn Si nguyên chất
Dòng trôi trong các chất bán dẫn
▪ Điện trở suất ρ và đại lượng nghịch đảo của điện trở suất là điện dẫn suất [conductivity σ]
là đặc trưng của dòng điện chảy trong vật liệu khi có điện trường đặt vào. Dưới tác dụng
của điện trường, các hạt tích điện sẽ di chuyển hoặc trôi [drift] và tạo thành dòng điện được
gọi là dòng trôi. Mật độ dòng trôi j được định nghĩa như sau:

• Q là mật độ điện tích; v là vận tốc chuyển động của các điện tích trong điện trường.
▪ Để tính mật độ điện tích, ta phải khảo sát cấu trúc của tinh thể silicon bằng cách sử dụng cả
hai mô hình liên kết đồng hóa trị và mô hình vùng năng lượng trong các chất bán dẫn.
▪ Đối với vận tốc của các hạt tải điện dưới tác dụng của điện trường ta phải xét độ linh động
của các hạt tải điện.

21
3. Các tham số đặc trưng của bán dẫn Si nguyên chất
Độ linh động [mobility]
▪ Các hạt tải điện trong các chất bán dẫn di chuyển dưới tác dụng của điện trường đặt
vào. Sự chuyển động này được gọi là sự trôi và tạo thành dòng điện chảy trong chất
bán dẫn hay là dòng trôi. Các điện tích dương trôi cùng chiều của điện trường,
ngược lại các hạt mang điện tích âm trôi theo hướng ngược chiều của điện trường.
▪ Vận tốc trôi của các hạt tải điện v [cm/s] tỷ lệ với điện trường E [V/cm]; hằng số tỷ lệ
được gọi là độ linh động µ

▪ Độ linh động của điện tử và lỗ trống có giá trị lần lượt bằng 1350 và 500 cm2/V∙s đối
với bán dẫn Si thuần.

22
3. Các tham số đặc trưng của bán dẫn Si nguyên chất
Điện trở suất của bán dẫn Si thuần
▪ Để đơn giản cho việc xác định mật độ dòng trôi của điện tử và lỗ trống, ta giả sử
dòng chảy theo một chiều để tránh ký hiệu véc tơ ở phương trình

▪ Tổng mật độ dòng trôi sẽ là:

▪ Từ phương trình này sẽ xác định độ dẫn điện σ :

23
3. Các tham số đặc trưng của bán dẫn Si nguyên chất
❖Tìm điện trở suất của vật liệu silic thuần ở nhiệt độ phòng và phân loại nó là chất
cách điện, chất bán dẫn hoặc chất dẫn điện?

Độ linh động của điện tử và lỗ trống có giá trị lần lượt bằng 1350 và 500 cm2/V∙s đối
với bán dẫn Si thuần và n = p = ni ≈ 1010 cm-3

So sánh với bảng tham số điện trở

suất, ta thấy vật liệu bán dẫn thuần
là vật liệu cách điện kém 24
3. Các tham số đặc trưng của bán dẫn Si nguyên chất
❖Câu hỏi 2: Tìm điện trở suất của silic thuần ở nhiệt độ 50K và phân loại nó là chất
cách điện, chất bán dẫn hoặc chất dẫn điện? Biết Độ linh động của điện tử và lỗ trống
có giá trị lần lượt bằng 6500 và 2000 cm2/V∙s đối với bán dẫn Si thuần ở T=50K.

25
III. Vật liệu bán dẫn tạp
▪ Trong thực tế, các ưu điểm của các chất bán dẫn thể hiện rõ khi các tạp chất được bổ
sung vào vật liệu bán dẫn nguyên chất, mặc dù với một tỷ lệ rất thấp tạp chất nhưng
chất bán dẫn mới được tạo thành có ý nghĩa điều chỉnh đặc tính dẫn điện của vật liệu
rất tốt. Quá trình như vậy được gọi là sự pha tạp [doping], và vật liệu tạo thành gọi là
bán dẫn tạp.
▪ Sự pha tạp sẽ cho phép làm thay đổi điện trở suất của vật liệu trong một khoảng rất
rộng và định rõ hoặc nồng độ điện tử hoặc nồng độ lỗ trống sẽ điều chỉnh điện trở suất
của vật liệu.
▪ Ở đây ta xét sự pha tạp vào bán dẫn Si nguyên chất. Các tạp chất thường được sử dụng
nhiều là các nguyên tố thuộc nhóm III và nhóm V của bảng tuần hoàn các nguyên tố
hóa học.

26
1. Bán dẫn tạp loại n
▪ Các tạp chất dùng để pha tạp vào bán dẫn Si được
lấy từ các nguyên tố thuộc nhóm V, có 5 điện tử
hóa trị ở lớp ngoài cùng. Các nguyên tố thường
được sử dụng nhất là P, Ar.
▪ Khi một nguyên tử P thay thế một nguyên tử Si
trong mạng tinh thể, thì 4 trong số 5 điện tử sẽ
điền đầy vào cấu trúc liên kết đồng hóa trị với
mạng tinh thể Si, điện tử thứ 5 liên kết yếu với
nguyên tử P nên chỉ cần một năng lượng nhiệt rất
bé nó dể trở thành điện tử tự do.

27
2. Bán dẫn loại p

▪ Khoảng trống trong mối liên kết đồng hóa trị ở nguyên tử chất nhận B. Lỗ trống
được tạo ra sau khi nguyên tử B chấp nhận 1 điện tử.
▪ Lỗ trống lưu động khi di chuyển trong mạng tinh thể Si.

28
2. Bán dẫn loại p
▪ Việc electron “dư” (loại n) bứt ra khỏi tạp chất cho và electron “thiếu” (loại p) đến
được tạp chất nhận cần phải được bổ sung một năng lượng, gọi là năng lượng ion hoá
mạng tinh thể.
▪ Trong thực tế, ở nhiệt độ phòng thì các nguyên tử tạp chất ở các nhóm III và V sẽ bị ion
hoá hoàn toàn trong Germani và Silic.

29
3. Nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tạp
▪ Đối với bán dẫn tạp bao gồm cả tạp chất cho (donor) và nhận (acceptor) thì việc tính
nồng độ điện tử và lỗ trống như sau:
• Trong vật liệu bán dẫn đã được pha tạp, nồng độ của điện tử và lỗ trống là rất chênh
lệch.
• Nếu n >> p, thì vật liệu bán dẫn được gọi là bán dẫn tạp dạng n, và ngược lại nếu p >> n,
thì vật liệu được gọi là bán dẫn tạp dạng p.
• Hạt tải điện có nồng độ lớn hơn được gọi là hạt tải điện đa số, và hạt tải có nồng độ
thấp hơn được gọi là hạt tải điện thiểu số.
▪ Để tính toán chi tiết mật độ điện tử và lỗ trống, ta cần phải biết nồng độ các tạp
chất acceptor và donor:
• ND là nồng độ tạp chất donor [nguyên tử /cm3]
• NA là nồng độ tạp chất acceptor [nguyên tử /cm3]

30
3. Nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tạp
▪ Vật liệu bán dẫn phải trung hòa về điện tích, tức là: tổng điện tích dương và điện tích
âm bằng không. Các ion chất cho (donor) và các lỗ trống mang điện tích dương, ngược
lại, các ion chất nhận (acceptor) và các điện tử mang điện tích âm. Vi vậy, điều kiện
trung hòa về điện tích sẽ là:

▪ Tích của nồng độ điện tử và lỗ trống trong vật liệu bán dẫn thuần: np = ni2 có thể hiểu
một cách lý thuyết vẫn đúng đối với bán dẫn tạp ở điều kiện cân bằng nhiệt và vẫn có
giá trị cho một khoảng rất rộng của nồng độ pha tạp.

31
 3. Nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tạp
▪ 3.1. Đối với vật liệu bán dẫn tạp dạng n (ND > NA).

Vì vậy
▪ 3.2. Đối với vật liệu bán dẫn tạp dạng p (ND < NA).

32
3. Nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tạp
❖ Khi pha tạp vào vật liệu bán dẫn thuần theo dạng hỗn hợp nguyên tử B và P theo tỉ
lệ NA = 1016 /cm3 và ND = 2 × 1015 /cm3. Xác định loại bán dẫn tạo thành và tính mật
độ lỗ trống và điện tử?

❖ Vì NA > ND nên bán dẫn thể hiện tính chất của vật liệu bán dẫn loại p.
❖ (NA − ND) = 8×1015 /cm3; ni = 1010 /cm3; suy ra (NA − ND) >> 2ni

Sử dụng

33
3. Nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tạp
❖ Câu hỏi 3: Khi pha tạp vào vật liệu bán dẫn thuần theo dạng hỗn hợp nguyên tử B
và P theo tỉ lệ NA = 1016 /cm3 và ND = 2 × 1015 /cm3. Xác định mật độ lỗ trống và
điện tử ở 400K?

34
4. Mô hình vùng năng lượng

Mô hình vùng năng lượng của một chất bán Bán dẫn ở 0K có vùng hóa trị được điền
dẫn có độ rộng vùng cấm EG đầy và vùng dẫn trống

35
a. Sự phát sinh cặp điện tử-lỗ trống ở bán dẫn thuần
▪ Khi bán dẫn Si ở nhiệt độ rất thấp (≈0K), thì
các trạng thái năng lượng ở vùng hóa trị
hoàn toàn được điền đầy các điện tử, và các
trạng thái vùng dẫn là hoàn toàn trống;
▪ Khi nhiệt độ tăng lên trên 0K, năng lượng
nhiệt sẽ được bổ sung vào mạng tinh thể,
một vài điện tử nhận được đủ năng lượng
cần thiết vượt quá mức năng lượng của độ
rộng vùng cấm và sẽ nhảy từ vùng hóa trị
vào vùng dẫn. Mỗi điện tử nhảy qua vùng
cấm sẽ tạo ra một cặp điện tử - lỗ trống.

36
b. Mô hình vùng năng lượng đối với bán dẫn tạp loại n

▪ Các điện tử dư ở các nguyên tử cho (donor) đưa vào bán dẫn Si sẽ được định vị trên
các mức năng lượng mới trong phạm vi vùng cấm, tại mức năng lượng donor ED gần
với đáy của vùng dẫn.
▪ Giá trị của (EC−ED) của nguyên tử P vào khoảng 0,045 eV, do vậy chỉ cần một năng
lượng nhiệt rất nhỏ có thể đẩy các điện tử dư từ vị trí donor vào vùng dẫn.
▪ Mật độ các điện tử ở các trạng thái năng lượng trong vùng dẫn cao hơn, xác suất
tìm kiếm một điện tử ở trạng thái cho (donor) hầu như bằng không, ngoại trừ các
vật liệu pha tạp đậm (ND lớn) hoặc tại nhiệt độ rất thấp.
37
c. Mô hình vùng năng lượng đối với bán dẫn tạp loại p

▪ Một lượng tạp chất chất nhận (acceptor) thuộc nhóm 3, có nồng độ NA đã được bổ sung
vào bán dẫn. Các nguyên tử chất nhận đưa vào sẽ tạo ra các mức năng lượng mới trong
vùng cấm tại các mức năng lượng chất nhận EA gần với đỉnh của vùng hóa trị.
▪ Giá trị (EA−EV) của Boron (B) trong bán dẫn Si xấp xỉ 0.044 eV, và chỉ cần lấy năng lượng
nhiệt rất nhỏ để đẩy các điện tử từ vùng hóa trị lên các mức năng lượng chất nhận.
▪ Ở nhiệt độ phòng, chủ yếu toàn bộ các vị trí chất nhận là được điền đầy, và cứ một điện tử
được đẩy lên mức chất nhận sẽ tạo ta một lỗ trống tức là hạt mang điện (charge carrier) tự
do để tham gia vào quá trình dẫn điện.

38
d. Các chất bán dẫn hỗn hợp

▪ Trạng thái của một bán dẫn hỗn hợp bao gồm cả hai loại tạp chất nhận và chất cho,
cho trường hợp mà trong đó có các nguyên tử cho nhiều hơn nguyên tử chất nhận
(ND > NA).
▪ Các điện tử sẽ tìm các trạng thái năng lượng thấp có sẵn và chúng sẽ chuyển xuống
từ các vị trí chất cho để điền đầy toàn bộ vào các vị trí chất nhận có sẵn. Nồng độ
điện tử tự do còn lại được tính theo công thức: n = (ND − NA).

39
e. Độ linh động và điện trở suất bán dẫn tạp
▪ Việc đưa các tạp chất vào một chất bán dẫn chẳng hạn như Si, thực sự làm giảm độ linh
động của các hạt tải điện trong vật liệu. Các nguyên tử tạp chất có sự khác nhẹ về kích
thước so với các nguyên tử Si mà chúng thay thế vì thế phá vở tính chu kỳ của mạng
tinh thể. Ngoài ra, các nguyên tử tạp chất là được ion hóa và tương ứng với các vùng
điện tích được xác định mà trong đó sẽ không có tinh thể gốc (Si).
▪ Hai ảnh hưởng đó sẽ làm cho các điện tử và các lỗ trống phân tán khi chúng di chuyển
trong bán dẫn cũng như làm giảm độ linh động của các hạt tải điện trong tinh thể.

40
e. Độ linh động và điện trở suất bán dẫn tạp

▪ Hình bên cho biết sự phụ thuộc của độ

linh động vào tổng mật độ tạp chất
pha tạp n = (ND + NA) ở bán dẫn Si,
trong đó độ linh động giảm mạnh khi
mức pha tạp trong tinh thể bán dẫn
tăng lên. Độ linh động trong các vật
liệu pha tạp đậm đặc thấp hơn nhiều
so với độ linh động trong vật liệu pha
tạp loãng.
41
e. Độ linh động và điện trở suất bán dẫn tạp
▪ So sánh điện trở suất của bán dẫn tạp với điện trở suất của bán dẫn Si tinh khiết, ta
thấy rằng: việc đưa một phần rất nhỏ tạp chất vào mạng tinh thể Si sẽ làm thay đổi
điện trở suất rất lớn, tức là làm thay đổi vật liệu từ một chất cách điện thành chất
bán dẫn có giá trị điện trở suất nằm ở khoảng giữa dải điện trở suất của chất bán
dẫn.
▪ Sự pha tạp tạp chất cũng sẽ quyết định một trong hai loại vật liệu bán dẫn tạp dạng
n hoặc p và các biểu thức đơn giản có thể được dùng để tính độ dẫn điện của nhiều
loại vật liệu bán dẫn tạp.

- Đối với bán dẫn loại n

- Đối với bán dẫn loại p

42
e. Độ linh động và điện trở suất bán dẫn tạp
❖Tính điện trở suất của vật liệu silic pha tạp với mật độ cho ND = 2×1015/cm3. Đây là loại vật
liệu là gì? Phân loại mẫu là chất cách điện, chất bán dẫn hoặc chất dẫn điện?
❖Vì NA = 0, ND > NA và rất lớn hơn ni, nên

❖n > p, nên đây là vật liệu bán dẫn loại n.

❖Từ hình vẽ xác định được độ linh động

Đây là vật liệu bán dẫn

43
e. Độ linh động và điện trở suất bán dẫn tạp
❖Câu hỏi 4: Vật liệu Silic được pha tạp P với nồng độ phốt pho là 2×10^16/cm3. Xác định
NA và ND? Tính độ linh động của electron và lỗ trống là gì? Xác định điện trở suất?

44
 IV. Dòng điện trong vật liệu bán dẫn
Dòng khuếch tán
▪ Như đã giải thích ở trên, ta biết rằng nồng độ điện tử và lỗ trống trong chất bán dẫn
được quyết đinh bởi nồng độ tạp chất pha tạp NA và ND; ở đây ta ngầm giả thiết rằng
sự pha tạp trong chất bán dẫn là đồng nhất, nhưng vấn đề này là không thể có.
▪ Các thay đổi trong việc pha tạp là thường gặp trong các chất bán dẫn và sẽ có các độ
chênh lệch [gradient] ở các nồng độ điện tử và lỗ trống. Gradien về nồng độ các hạt tải
điện tự do này sẽ dẫn đến một cơ chế dòng điện khác được gọi là dòng khuếch tán
[diffusion].
▪ Các hạt tải điện tự do có khuynh hướng khuếch tán từ vùng có nồng độ cao đến vùng
có nồng độ thấp.

45
Dòng khuếch tán
▪ Mật độ dòng khuếch tán sẽ tỷ lệ với âm gradient hạt tải điện:

▪ Các hằng số tỷ lệ Dp và Dn được gọi là hệ số khuếch tán của điện tử và lỗ trống,

có đơn vị là (cm2/s). Độ khuếch tán và độ linh động có quan hệ với nhau bởi hệ
thức Einstein:

▪ Đai lượng (kT/q = VT ) được gọi là thế nhiệt VT , có giá trị xấp xỉ 0,025V ở nhiệt độ
phòng. Thông số VT thường được dùng trong các phần nội dung của môn học.
46
Dòng tổng
▪ Thông thường, dòng điện trong bán dẫn có hai thành phần: dòng trôi và dòng
khuếch tán. Mật độ dòng tổng của điện tử và lỗ trống có thể được xác định bằng
cách cộng các thành phần dòng trôi và dòng khuếch tán tương ứng của mỗi loại:

▪ Các biểu thức trên là những công cụ toán hình thành nên cơ sở lý thuyết cho
việc phân tích nguyên lý hoạt động của các cấu kiện bán dẫn.

47
 Phần 3:
TÓM TẮT, KẾT LUẬN

48
Tóm tắt nội dung
1. Định nghĩa và phân loại
2. Vật liệu bán dẫn thuần
▪ Cấu trúc mạng tinh thể của Si
▪ Mô hình liên kết đồng hóa trị
▪ Các tham số đặc trưng của bán dẫn Si nguyên chất
3. Vật liệu bán dẫn tạp
▪ Bán dẫn tạp loại n
▪ Bán dẫn tạp loại p
▪ Nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tạp
▪ Mô hình vùng năng lượng
4. Dòng điện trong vật liệu bán dẫn
▪ Dòng khuếch tán
▪ Dòng trôi
▪ Dòng tổng
49
Kết luận
• Nắm được khái niệm và phân loại các vật liệu bán dẫn thông dụng;
• Nắm được cấu trúc mạng tinh thể của vật liệu bán dẫn thuần (Si) và vật liệu
bán dẫn tạp (loại n và loại p);
• Nắm được các tham số cơ bản của các loại vật liệu bán dẫn như: điện trở
suất, điện dẫn suất, vận tốc và độ linh động của các động tử.
• Nắm được nguyên tắc hình thành cặp electron và lỗ trống;
• Nắm được các dòng điện trong vật liệu bán dẫn.

50
TRẢ LỜI CÁC CÂU HỎI
TRẮC NGHIỆM

51
 Quiz
Click the Quiz button to edit this object