DTCNTT-Diot-đã chuyển đổi

Điện tử cho CNTT
Electronics for Information Technology
Nguyễn Thị Thanh Nga

Bộ môn KTMT – Viện CNTT & TT
Trường ĐH Bách Khoa Hà Nội
Thông tin liên hệ
 Giáo viên: Nguyễn Thị Thanh Nga

 Bộ môn Kỹ thuật Máy tính,
Viện Công nghệ thông tin và Truyền thông
 Phòng làm việc: B1 802
 Mobile: 0904567424
 Email: ngantt@soict.hust.edu.vn
2
1
Đề cương môn học
 IT3420 2(2-1-0-4)
 Lý thuyết: 30 tiết
 Bài tập: 15 tiết
 Đánh giá: 50%-50%
 Tài liệu học tập:
› Bài giảng
› Một số tài liệu tham khảo:
 Introductory Circuit Analysis, 10th edition, Boylestad
 Electronic Device and Circuit Theory (2013), Robert L.Boylestad, Louis
Nashelsky
 Microelectronics circuit analysis and design, 4th edition, Donal A.Neamen
 Digital Electronics: Principles, Devices and Applications (2017), Anil
K.Maini
› Download tại:
https://bit.ly/2krs8QU
Nội dung
 Phần 1
› Chương 1: Khái niệm chung về Điện tử cho CNTT
› Chương 2: Cấu kiện điện tử
› Chương 3: Mạch điện tử cơ bản
 Phần 2
› Chương 1: Cơ sở lý thuyết mạch số
› Chương 2: Các cổng logic cơ bản
› Chương 3: Các mạch tổ hợp
› Chương 4: Các mạch dãy
2
Chương 2: Cấu kiện điện tử
Nội dung
1. Lý thuyết vùng năng lượng trong chất rắn
2. Linh kiện thụ động và ứng dụng
3. Linh kiện bán dẫn và ứng dụng
5
5

2.3 Linh kiện bán dẫn và ứng dụng
1. Vật liệu bán dẫn và đặc tính
2. Điôt và ứng dụng
3. Transitor và ứng dụng
6
6
3
2.1 Lý thuyết vùng năng lượng trong chất rắn
Mức năng lượng

Vùng dẫn
Vùng cấm
Vùng hóa trị Chất dẫn điện
Chất cách điện
Chất bán dẫn
 Một điện tử trong vùng hóa trị của Si phải hấp thụ 1 lượng
năng lượng lớn hơn điện tử trong vùng hóa trị của Ge để
trở thành điện tử tự do.
7

2.3.1 Vật liệu bán dẫn và đặc tính

 Là chất bán dẫn có độ dẫn điện ở mức trung gian
giữa chất dẫn điện và chất cách điện, hoạt động như một
chất cách điện ở nhiệt độ thấp và có tính dẫn điện ở nhiệt
độ phòng.
 Tính bán dẫn có thể thay đổi khi có tạp chất, những tạp
chất khác nhau có thể tạo tính bán dẫn khác nhau.
 Được chia thành 2 loại:
› Bán dẫn tinh khiết
› Bán dẫn tạp chất
4
2.3 Linh kiện bán dẫn và ứng dụng 2.3.1 Vật liệu bán dẫn và đặc tính
Cấu trúc nguyên tử

 Nguyên tử được cấu thành từ:
› Proton mang điện tích dương
› Neutron trung hoà điện Hạt nhân
› Electron mang điện tích âm
4 electron hoá trị Electron hoá trị

Cấu trúc nguyên tử

 Nguyên tử được cấu thành từ:
› Proton mang điện tích dương
› Neutron trung hoà điện Hạt nhân
› Electron mang điện tích âm
3 electron hoá trị 5 electron hoá trị
10
10
5
Liên kết hoá trị
 Trong tinh thể Si/Ge, 4 electron hoá trị của 1 nguyên tử

liên kết chặt chẽ với 4 nguyên tử xung quanh. 11
11

Liên kết hoá trị
 GaAs là 1 hợp chất bán dẫn nhóm 3-5, mỗi nguyên tử

được bao xung quanh là các nguyên tử loại kia. 12
12
6
Điện tích tự do
 Khi các điện tích hoá trị
hấp thụ 1 năng lượng đủ
lớn, nó sẽ bứt ra và trở
thành điện tích tự do.
 Nhiệt độ càng cao, năng
lượng của các electron
càng lớn.
 Vật liệu bán dẫn có hệ
số nhiệt điện trở âm:
nhiệt độ càng cao thì
tính dẫn điện càng tăng
→ trở kháng càng giảm
13
13

Điện tử và lỗ trống
 Khi các điện tích hoá trị hấp thụ 1 năng lượng đủ lớn, nó
sẽ bứt ra và trở thành điện tích tự do, tạo ra một trạng
thái trống tích điện dương trong liên kết hoá trị tại vị trí
electron vừa rời bỏ.
 Trạng thái này còn được gọi là lỗ trống
14
14
7
Dòng điện tử và dòng lỗ trống

 Khi nhiệt độ tăng, càng nhiều liên kết hoá trị bị phá vỡ
tạo ra càng nhiều electron tự do và trạng thái trống
dương.
 Nhiều electron di chuyển về phía bên phải tạo thành
dòng electron.
 Tương ứng nhiều lỗ trống được tạo thành ở phía bên trái
tạo thành dòng lỗ trống.
15
15

Phân loại chất bán dẫn

 Bán dẫn thuần (tinh khiết)
 Bán dẫn pha tạp chất
16
16
8
Bán dẫn thuần (tinh khiết)

 Có mật độ electron tự do bằng với mật độ lỗ trống
 Trong thực tế, là loại bán dẫn được giảm thiểu tạp chất
tới mức nhỏ nhất theo công nghệ hiện tại.
17
17

Bán dẫn tạp chất

 Là vật liệu bán dẫn có mật độ electron và mật độ lỗ trống
không bằng nhau bằng cách pha thêm tạp chất.
 Chia thành 2 loại:
› Bán dẫn loại n: mật độ electron tự do nhiều hơn
› Bán dẫn loại p: mật độ lỗ trống nhiều hơn
18
18
9
Bán dẫn loại n

 Là loại bán dẫn được
hình thành khi thêm
vào tạp chất có 5
electron hoá trị trên
nền Si.
 1 nguyên tử tạp chất
liên kết với 4 nguyên
tử Si xung quanh dẫn
đến thừa 1 electron
hoá trị.
 Được gọi là nguyên
tử cho.
19
19

Bán dẫn loại n

 Mặc dù dư electron hoá trị nhưng vẫn trung hoà về điện
 Các electron tự do cần hấp thụ ít năng lượng hơn để
chuyển lên vùng dẫn so với các electron trong liên kết
hoá trị.
Eg của vật liệu

Mức năng lượng cho
bán dẫn thuần
20
20
10
Bán dẫn loại p

 Là loại bán dẫn được
hình thành khi thêm
vào tạp chất có 3
electron hoá trị trên
nền Si.
 1 nguyên tử tạp chất
liên kết với 4 nguyên
tử Si xung quanh dẫn
đến thiếu 1 electron
hoá trị, tạo thành 1 lỗ
trống.
 Được gọi là nguyên tử
nhận. 21
21

Nồng độ hạt dẫn đa số

 Trong bán dẫn loại n: electron là hạt dẫn đa số và lỗ
trống là hạt dẫn thiểu số.
 Trong bán dẫn loại p: lỗ trống là hạt dẫn đa số và
electron là hạt dẫn thiểu số.
22
22
11
Lớp tiếp giáp pn

 Hai khối bán dẫn p-n tiếp xúc nhau
 Do chênh lệch nồng độ → hiện tượng khuếch tán của các
hạt dẫn đa số:
› Điện tử khuếch tán từ n → p
› Lỗ trống khuếch tán từ p → n
23
23

Lớp tiếp giáp pn cân bằng nhiệt

 Trên đường khuếch tán, các điện tích trái dấu sẽ tái hợp
với nhau → trong một vùng hẹp ở hai bên ranh giới có
nồng độ hạt dẫn giảm xuống rất thấp.
 Tại vùng đó, bên p hầu như chỉ còn ion nhận tích điện
âm, bên n hầu như chỉ còn ion cho tích điện dương.
Vùng nghèo 24
24
12
Lớp tiếp giáp pn cân bằng nhiệt

 Trong vùng nghèo tồn
tại rất ít electron tự do
hay lỗ trống.
 Chênh áp giữa hai
vùng được gọi là hàng
rào điện thế, được tính
bởi:
 Tại nhiệt độ phòng, VT

được gọi là điện áp
nhiệt, có giá trị: 25
25

Lớp tiếp giáp pn phân cực ngược

 Đặt một điện áp dương VR vào đầu n của lớp tiếp giáp pn
 Hàng rào điện thế tăng → vùng nghèo mở rộng → điện
trở tăng
 Dòng điện qua chuyển tiếp pn nhỏ và nhanh chóng đạt
trạng thái bão hoà.
26
26
13
Lớp tiếp giáp pn phân cực thuận

 Đặt một điện áp dương VD vào đầu p của lớp tiếp giáp pn
 Hàng rào điện thế giảm → hạt dẫn đa số tràn qua hàng
rào sang miền đối diện → tình trạng thiếu hạt dẫn trong
vùng nghèo được giảm bớt → bề dày vùng nghèo thu
hẹp → điện trở giảm
 Dòng điện qua chuyển tiếp pn lớn và tăng nhanh theo
điện áp.
27
27

Mối quan hệ Volt-Ampere lý tưởng

 Mối quan hệ lý thuyết giữa điện áp – dòng điện trong lớp
tiếp giáp pn được thể hiện bởi:
 IS: dòng bão hoà phân cực ngược, (10-18 – 10-12A)

 VT = 0.026V ở nhiệt độ phòng
 n: hệ số lý tưởng, 1 ≤ n ≤ 2
28
28
14
Mối quan hệ Volt-Ampere thực tế
 Phân cực ngược: dòng điện ngược gần như = 0

 Phân cực thuận: dòng điện là hàm mũ của điện áp. 29
29

Điện áp đánh thủng
Phụ thuộc nhiệt độ Phụ thuộc mật độ tạp chất

30
30
15
1. Vật liệu bán dẫn và đặc tính
2. Điôt và ứng dụng
3. Transitor và ứng dụng
31
31

2.3.2 Điôt và ứng dụng
1. Khái niệm
2. Ký hiệu
3. Đặc tính Volt-Ampere
4. Mô hình và phân tích 1 chiều
5. Mô hình và phân tích xoay chiều
6. Ứng dụng của điôt
32
32
16
2.3 Linh kiện bán dẫn và ứng dụng 2.3.2 Điôt và ứng dụng
Khái niệm
 Cấu tạo: là một linh kiện bán dẫn được tạo thành bằng
cách đặt 2 lớp vật liệu bán dẫn loại p và loại n tiếp giáp
với nhau.
 Ký hiệu:
33
33

Đặc tính Volt-Ampere

 Điện áp rơi trên điôt và dòng điện qua điôt có dạng:
 Trong đó:
• IS: dòng bão hoà phân cực ngược,
(10-18 – 10-12A) Vùng
• VT = 0.026V ở nhiệt độ phòng phân
(điện áp nhiệt) cực
• n: hệ số lý tưởng, 1 ≤ 𝑛 ≤ 2 thuận
Vùng phân cực ngược
34
34
17
1. Khái niệm
2. Ký hiệu
35
35

Mô hình và phân tích 1 chiều

 Điôt lý tưởng
 Phương pháp lặp và phân tích hình học
 Mô hình tuyến tính từng đoạn
36
36
18
Điôt lý tưởng
 Đặc tính Volt-Ampere lý tưởng
Mạch tương đương khi

phân cực thuận
Mạch tương đương khi

phân cực ngược 37
37

Điôt lý tưởng
 Xét mạch chỉnh lưu bao gồm:
› Nguồn xoay chiều 𝜐 '
› Điôt
› Điện trở R
Tín hiệu vào trước chỉnh lưu

38
38
19
Điôt lý tưởng
 Mạch tương đương 1 chiều
Phân cực thuận Phân cực ngược
39
39


40
40
20
Phương pháp lặp và phân tích hình học

 Phương pháp lặp sử dụng Thử và sai để tìm ra lời giải.
 Phân tích hình học vẽ hai phương trình đồng thời, giao
điểm của hai đường chính là lời giải.
41
41

Phương pháp lặp

 Xét mạch điôt đơn giản:
Mặt khác:
?
42
42
21
Phương pháp lặp

 Xét mạch điôt đơn giản:
 vD=0.6V → vế phải = 2.7V

 vD=0.65V → vế phải = 15.1V
 vD=0.619V → vế phải = 4.99V
43
43

Phương pháp phân tích hình học

Đường đặc tính
dòng điện-điên áp điôt
Điểm làm việc Q
Đường tải
44
44
22
45
45

46
46
23

47
47

Mô hình tuyến tính từng đoạn

 Xấp xỉ đặc tính dòng điện – điện áp sử dụng mối quan hệ
tuyến tính hoặc các đường thẳng.
 V ) > V+: xấp xỉ bằng một đường
,
thẳng có độ nghiêng =
-.
› r0: điện trở phân
cực thuận
› V+: điện áp
ngưỡng
48
48
24

 V ) < V+: xấp xỉ bằng một đường
// với trục VD ở giá trị dòng = 0
49
49


 Khi r0 = 0, điện áp qua điôt là 1
hằng số có giá trị V ) = V+ khi điôt
ở trạng thái dẫn.
50
50
25
1. Khái niệm
2. Ký hiệu
51
51

Mô hình và phân tích xoay chiều

 Xét mạch điện bao gồm:
› Nguồn 1 chiều VPS
› Nguồn xoay chiều 𝜐3
› Điôt
› Điện trở R
› 𝜐3<< VPS
52
52
26
Đặc tính Volt-Ampere xoay chiều

 IDQ: Giá trị dòng tại điểm làm việc
1 chiều của điôt.
 VDQ: Giá trị áp tại điểm làm việc 1
chiều của điôt.
53
53

Mô hình và phân tích xoay chiều

 Lần lượt phân tích 1 chiều và xoay chiều, sử dụng 2
mạch điện tương đương.
MTĐ 1 chiều MTĐ xoay chiều

Xác định chế độ làm Phân tích mạch đã được
việc (điểm làm việc) tuyến tính hoá xung quanh
điểm làm việc 54
54
27
1. Khái niệm
2. Ký hiệu
55
55

Ứng dụng của điôt

 Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ - cả chu kỳ
 Mạch lọc
 Mạch hạn chế và mạch dịch
56
56
28
Mạch chỉnh lưu
Sơ đồ nguồn cung cấp điện áp 1 chiều
57
57

Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

 Cho mạch điện:
 𝜐4 = ?
58
58
29

 Phương pháp giải: sử dụng phương pháp mô hình tuyến
tính phân đoạn để xác định vùng làm việc tuyến tính
(dẫn hay khoá).
› Xác định điều kiện điện áp vào để điôt dẫn. Tính toán điện áp
đầu ra trong điều kiện này.
› Xác định điều kiện điện áp vào để điôt khoá. Tính toán điện áp
đầu ra trong điều kiện này.

› 𝜐5 < V+: điôt khoá
→ 𝜐4 = 0
→ V ) = 𝜐5
› 𝜐5 > V+: điôt thông
→ 𝜐 4 = 𝜐5 − V+
→ V ) = V+ 59
59

• 𝜐5 > V+: điôt thông

→ 𝜐 4 = 𝜐5 − V+
→ V ) = V+
• 𝜐5 < V+: điôt khoá

→ 𝜐4 = 0
→ V ) = 𝜐5
60
60
30
Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ

 Tìm điện áp đầu ra?
61
61


62
62
31

• Nửa dương của chu kỳ • Nửa âm của chu kỳ
• Điện áp đầu ra
63
63

Mạch lọc
 Tìm điện áp ra?
64
64
32
Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ với bộ lọc RC
65
65

Mạch hạn chế

66
66
33
Mạch hạn chế

67
67

Mạch dịch
68
68
34
Mạch nhiều điôt

 Tìm hiểu kỹ thuật phân tích mạch chứa nhiều hơn 1 điôt.
69
69


 Xét mạch sau:
Mạch điện
Đặc tính truyền điện áp
70
70
35

Đặc tính truyền điện áp

Mạch điện
Điôt khoá
71 71


 Tìm hiểu kỹ thuật phân tích mạch chứa nhiều hơn 1 điôt.
 Sử dụng phương pháp tuyến tính từng đoạn, thông qua
đặc tính truyền điện áp có thể thấy vùng dẫn/thông và
vùng khoá/không thông của điôt.
 Với mạch nhiều điôt, các điôt có thể ở trạng thái
khoá/dẫn → Có sự kết hợp trạng thái.
72
72
36
Mạch nhiều điôt – Ví dụ 2.1

 Tìm:
 Khi:
73
73


 Đặc tính truyền điện áp:
74
74
37
Phương pháp giải mạch nhiều điôt

 Đối với mạch nhiều điôt, cần phải biết trạng thái hoạt động
của mỗi linh kiện là dẫn hay khoá.
1. Giả thiết trạng thái của 1 điôt.
 Nếu dẫn, V ) = V+
 Nếu khoá, I ) = 0.
2. Phân tích mạch tuyến tính với các trạng thái điôt đã giả thiết.
3. Đánh giá trạng thái kết quả của mỗi điôt.
 Nếu giả thiết ban đầu là khoá, và kết quả phân tích cho thấy I ) = 0 và V ) ≤
V+ thì giả thiết là đúng. Ngược lại, nếu I ) > 0 và/hoặc V ) > V+ thì giả thiết là
không chính xác.
 Tương tự, nếu giả thiết ban đầu là dẫn, và kết quả phân tích cho thấy I ) ≥ 0
và V ) = V+ thì giả thiết là đúng. Ngược lại, nếu I ) < 0 và/hoặc V ) < V+ thì
giả thiết là không chính xác.
4. Nếu giả thiết không chính xác thì cần đặt giả thiết mới, phân tích
mạch tuyến tính mới và lặp lại bước 3. 75
75

 Giả thiết D1 khoá Chính xác
 Điện áp ra:
76
76
38
 Từ đặc tính truyền điện áp:
 Giả thiết D1 và D2 dẫn:
 Mặt khác:
77
77


 Tìm:
78
78
39

 Giả thiết: D1, D2, D3 dẫn
 Như vậy:
 Dòng điện tại nút VA
 Vì: D2 Khoá
79
79


 Giả thiết: D1, D3 dẫn, D2 khoá
 Tính được:
D2 Khoá
80
80
40
Mạch nhiều điôt – Bài tập 2.1

 Giả thiết:
 Tìm:
 Trong các trường hợp
81
81

82
82
41
83
83

84
84
42
85
85


 Giả thiết:
 Trong các trường hợp
 Tìm:
86
86
43
87
87

88
88
44
89
89

90
90
45

DTCNTT-Diot-đã chuyển đổi

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

DTCNTT-Diot-đã chuyển đổi

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Điện tử cho CNTT

Electronics for Information Technology

Nguyễn Thị Thanh Nga

Thông tin liên hệ

 Giáo viên: Nguyễn Thị Thanh Nga

› Chương 4: Các mạch dãy

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Mức năng lượng

Vùng hóa trị Chất dẫn điện

Chất cách điện

Chất bán dẫn

Chương 2: Cấu kiện điện tử

2.3.1 Vật liệu bán dẫn và đặc tính

Cấu trúc nguyên tử

4 electron hoá trị Electron hoá trị

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Cấu trúc nguyên tử

3 electron hoá trị 5 electron hoá trị

Liên kết hoá trị

 Trong tinh thể Si/Ge, 4 electron hoá trị của 1 nguyên tử

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Liên kết hoá trị

 GaAs là 1 hợp chất bán dẫn nhóm 3-5, mỗi nguyên tử

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Dòng điện tử và dòng lỗ trống

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Phân loại chất bán dẫn

Bán dẫn thuần (tinh khiết)

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Bán dẫn tạp chất

Bán dẫn loại n

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Bán dẫn loại n

Eg của vật liệu

Bán dẫn loại p

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Nồng độ hạt dẫn đa số

Lớp tiếp giáp pn

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Lớp tiếp giáp pn cân bằng nhiệt

Lớp tiếp giáp pn cân bằng nhiệt

 Tại nhiệt độ phòng, VT

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Lớp tiếp giáp pn phân cực ngược

Lớp tiếp giáp pn phân cực thuận

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Mối quan hệ Volt-Ampere lý tưởng

 IS: dòng bão hoà phân cực ngược, (10-18 – 10-12A)

Mối quan hệ Volt-Ampere thực tế

 Phân cực ngược: dòng điện ngược gần như = 0

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Điện áp đánh thủng

Phụ thuộc nhiệt độ Phụ thuộc mật độ tạp chất

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Đặc tính Volt-Ampere

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Mô hình và phân tích 1 chiều

Mạch tương đương khi

Mạch tương đương khi

Chương 2: Cấu kiện điện tử

Tín hiệu vào trước chỉnh lưu

Chương 2: Cấu kiện điện tử