ДАРЛИНГТОНОВ СПОЈ

ДУШАН ЋИРКОВИЋ
Често је потребно да транзистор у појачавачу има веома велики коефицијент
струјног појачања В(На пример 10000).
Постоји посебна веза два (или више) транзистора који се понаша као транзистор
са јако великим коефицијентом струјног појачања Б; приказана је на сл.7.4.1а.
Оваква веза транзистора има такође три краја који уствари чине еквивалентни
колектор, базу и емитор и назива се Дарлингтонов спој. За примену оног кола је
важно одредити његове укупне параметре r πu и Вu. У следешим разматрањима
особина Дарлингтоновог споја сматраће се да су струје емитора и колектора
једног транзистора приближно исте. Нека је струја базе транзистора Т1 означена
са Ib1. Струја колектора овог истог транзистора је В’ пута већа од његове струје
базе , где је В’ коефицијент струјног појачања транзистора Т1 тј I’с1=B’*Ib1. Ова
струја чини струју базе другог транзистора Т2 и означена је са Ib2. Када се струја
базе другог транзистора Ib2 (која је уствари једнака струји колектора првог
транзистора и износи B’ *Ib1) помножи коефицијентом В’’ другог транзистора
добије се колекторска струја другог транзистора Ic1 која је приближно једнака.
Ic2=B’*B’’*Ib1= Bu*Ib1. 7.4.1
Где је еквивалентни (укупни) коефицијент струјног појачања Дарлингтоновог
споја:
Bu=B’*B’’. 7.4.2
Према једначини 7.4.2 може се закључити да је еквивалентини коефицијент Bu
Дарлингтоновог споја једнак производу коефицијента B.
Сл.7.4.1. а) Основни облик Дарлингтоновог споја;
б) одређивање унутрашње отпорности Дарлингтоновог споја;
в) Одређивање струје цурења код Дарлингтоновог споја;
г) Принцип смањења струје цурења;
д) Комплементарни Дарлингтонов спој;
ђ) Његова еквивалентна шема
Појединачних транзистора односно да је веома велик. Нека су пример оба
коефицијента B једнака 100, добије се да је еквивалентни коефицијент Bu једнак
100*100=10 000; у пракси се добије мања вредност јер је коефицијент В мали код
првог транзистора због мале колекторске струје. Улазна отпорност овакве везе
може се одредити ако се нацрта еквивалентна шема Дарлингтоновог споја, као
на сл.7.4.1б. За улазно коло на сл. 7.4.1б се може написати други Кирхофов
закон:
U1-r π’ *Ib1-r π’’Ib2= 0 7.4.3
Уместо Ib2 се може написати В’*Ib1, па јединична 7.4.3 постаје:
U1-r π ’ * Ib1 – r π’’B’ * Ib1 = 0 7.4.4
Из другог и трећег члана једначоне 7.4.4 може се извући Ib1, па она постаје:
U1-Ib1*(r π’+r π’’ *B’)=0 7.4.5
На левој страни се оставља члан U1, а они уз Ib1 пребацују на десну страну:
U1=Ib1*(r π ’ + r π’’ * B’). 7.4.6
Када се улазни напон подели улазном струјом, добије се улазна отпорност
Дарлингтоновог споја:

Урадићемо један пример израчунавања унутрашње отпорности Дарлингтоновог

споја. Нека је В’ ’= Б’’ = 100, Ицњ1=20uA. Тада је Ицњ=2мА. Сада је
док је r π ’’ 100 пута мањи (јер је колекторска струја другог транзистира 100
пута већа) износи 1.3Ком. Улазна отпорност Дарлингтоновог споја је
Ru1=130Kom+100*1,3Kom=260Kom
Очигледно је да Дарлингтонов спој има велику улазну отпорност и без
отпорника у емитору.
Из наведене анализе се види да је Дарлингтонов спој два транзистора
еквивалентан транзистору који има велики коефицијент струјног појачања Bu(на
пример 5000) и велики коефицијент r πu( на пример 300Ком). Погодан је за
употребу у колима где је потребно постићи велико струјно појачање и велику
улазну отпорност. Често се користи у појачавачима снаге где је потребно
постићи веома велико струјно појачање. Дарлингтонов спој има неке
недостатке. Иако у базу транзистора на сл 7.4.1B T1 не тече никаква струја,
може се десити да струја кроз транзистор Т2 буде знатна и то нарочито на вишој
температури.
Инверзна струја ICBO колекторског споја транзистора Т1(типична вредност је
око 1nA) Умножава се коефицијентом В’ѕ, па у базу транзистора Т2 тече струја
В’*ГСВО (у овом случају за В’ѕ=В’’ѕ=100 то износи око 100nA) Ова струја се даље
појазава коефицијентом струјног појачања В’’ѕ и износи В’ѕ*B’’s*I ово (у овом
случају то је 10uA). Повећањем температуре ова струја може знатно да порасте и
да битно поремети рад кола у којем се налази. Због ове струје није пожељно
формирати Дарлингтонов спој са 3 или више транзистора. Овај недостатак се
добрим делом отклања ако се између база и масе прикључе отпорници погодне
отпорности R’b и R’’b као на сл. 4.4.1г. Типична вредност отпорности R’b је 3Ком,
а R’’б је 300ом. Ови отпорници одводе већи део наведених струја на масу, али
такође смањују улазну отпорност Дарлингтоновог споја. Стављањем ових
отпорника се такође повећава колекторска струја, а са њом и коефицијент
струјног појачања. Често се производе транзистори снаге у Дарлингтоновом споју
у једном кућишту, као на пример BDX33(NPN) или BDX34(PNP); и код њих је
типична вредност оточних отпорности R’b=6Ком и R’’б=150Ком. Код транзистора
снаге у Дарлингтоновом споју је укупни коефицијент струјног појачања мањи и
обично је око 750. Поред наведеног основног облика постоји и тзв.
Комплементарни Дарлингтонов спој, који је приказан на сл 7.4.1д. Транзистор Т1
је PNP, a T2 je NPN типа. Струја базе Ib1 се појачава коефицијентом B’, па се
добије колекторска струја транзистора Т1. Добијена струја В’ * Ib1 чини струју
базе за транзистор Т2 чија колекторска струја износи B’*B’’*Ib1, као и код
нормалног Дарлингтоновог споја.
Струја базе Ib1, код кола на сл. 7.4.1.д, почиње да тече када напон између
емитора и базе транзистора Т1 пређе његов праг произвођења. Главна струја
тече од колектора ка емитору транзистора Т2. Пва варијанта Дарлингтоновог
споја се понаша као PNP транзистор, чији су еквивалентни прикључци емитора,
базе и колектора приказани на сл 7.4.1ђ; Често се користи као замена PNP
транзистора код појачавача снаге.
Из наведених анализа се види да је еквивалентни транзистор, који се добије
Дарлингтоновим спојем, истог типа као први транзистор у споју.