Professional Documents
Culture Documents
Фотоелектричен Ефект,Фоторезистори и Принципи На Действие
Фотоелектричен Ефект,Фоторезистори и Принципи На Действие
ефект,фоторезистори и
принципи на действие
Иван Иванов 10а
Фотоелектричен ефект
Схематична диаграма на
Откриване
фотоелектричния ефект
Фотоелектричен ефект е физично явление,
което се състои в отделянето на електрони от
повърхността на дадено вещество при
облъчването му със светлина. Фотоефектът е
открит от Хайнрих Херц през 1887 г., а
законът, с който се обяснява (на основата на
хипотезата на Макс Планк), е изведен от
Алберт Айнщайн през 1905 г., за което
получава Нобелова награда за физика през
1921 г.
Откривател
Принцип
Когато светлината пада върху фоторезистора,
Символ на фоторезистор
фотоните се абсорбират от полупроводниковия
материал. Енергията от фотона се абсорбира от
електроните. Когато тези електрони придобият
достатъчно енергия, за да разкъсат връзката, те
скачат в проводимата зона. Поради това
съпротивлението на фоторезистора намалява. С
намаляването на съпротивлението проводимостта
се увеличава.В зависимост от вида на
полупроводниковия материал, използван за
фоторезистор, обхватът на съпротивлението и
чувствителността им се различават.
Благодаря за вниманието!
.