Albert Climent i Bigas

grupccc.blogspot.com.es

grup.c3@gmail.com

Lefecte fotovoltaic va ser descobert per Alexandre-Edmond Becquerel el 1839.

El 1940, Russell Ohl va observar per primera vegada lefecte fotovoltaic en una uni PN de silici.

Els electrons dins dun tom se situen en un nivell energtic discret.

A la natura podem trobar la matria en tres estats: Gas Lquid Slid

Estructura Cristallina=Xarxa Bravais + Base atmica

de

En 3 dimensions podem agrupar els toms en 14 tipus diferents destructures cristallines.

Una banda denergia s el conjunt de nivells electrnics amb el mateix valor dindex n.

Aqu figuren les estructures de bandes dels tres principals semiconductors amb els quals sestudia.

Dopant el material es poden aconseguir nivells energtics dins la banda prohibida.

Radiaci dun cos negre per a diferents temperatures.

Lemissi de cos negre s lespectre que emet un cos amb equilibri termodinmic.

Contactes amb xids metllics, graf i nous materials. Estructures multicapa. Materials nanoestructurats (nanofils, nanopirmides, etc.).