Components i Circuits Electrònics

Enginyeria Electrònica de Telecomunicació

Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació

Unit 1: Física dels

semiconductors
i d t
(Part I)

Prof. Enrique Miranda Curs 2012-2013

Electrònica: estudi i aplicació pràctica del moviment dels
electrons a través de sòlids
sòlids, líquids
líquids, gasos ó el buid

• La càrrega
g elèctrica és una
propietat fonamental de la matèria
(com pot ser la massa)

• Existeix una força entre les

càrregues elèctriques

• Una de les principals característiques

de la càrrega elèctrica és que es
conserva

• La càrrega elèctrica és de
naturalesa discreta (Millikan, 1909).
Per raons històriques, als electrons
se'ls
se ls va assignar càrrega negativa
 CÀRREGA TRIBOELECTRICA

Càrrega obtinguda per contacte i posterior separació

• Sèrie tribológica: taula de

propietats de càrrega de
materials
t i l per contacte
t t

• El mes alt en la taula cedeix

electrons al mes baix i per tant es
carrega positivament

• La taula és solament indicativa

(depèn de la superfície, neteja,
pressió de contacte, etc.)
 Tub de Crooke
Es tracta d'un tub de vidre en
el qual s'ha fet buit

Són electrons que viatgen d'un

elèctrode a l'altre p
per l'aparició
p
d'un camp elèctric o una
diferència de potencial

El camp elèctric exerceix una força

sobre l'electró que ho fa moure's en
línia recta
E
- +
- +
F=qE
F qE - +
- +
q<0
q -
- F
+
+
- +
 Tub de Crooke

el pol nord de l'imant

l imant (vermell)
atreu els electrons

ell poll sud

ddde l'i
l'imantt (bl
(blanc))
repel·leix als electrons

F=q(vxB)
q( )
Aquest experiment permet
confirmar que la càrrega
dels electrons és negativa
Demòcrit va ser un filòsof i matemàtic
grec presocràtic que va viure entre els
segles V-IV a. de C.

• Va proposar la “teoria atòmica de l'univers”

• Aquesta teoria
teoria, igual que totes les teories
filosòfiques gregues, no fonamenta els seus
postulats mitjançant experiments, sinó que
s'explica mitjançant raonaments lògics

• Els àtoms són eterns, indivisibles, homogenis, incompresibles i

invisibles
• Els àtoms es diferencien solament en forma i grandària
grandària, però no
per qualitats internes
• Les propietats de la matèria varien segons l'agrupament dels
àtoms
Ernest Rutherford (1871-1937), va ser un
físic i químic neozelandès que va rebre el
Premi Nobel de Química de 1908 en
reconeixement a les seves investigacions
g
relatives a la desintegració dels elements

El model de Rutherford, que reemplaçava a l'anterior de Dalton, va

ser el primer model atòmic que va considerar a l'àtom com un petit
sistema solar: la "escorça", constituïda per tots els seus electrons,
girant a gran velocitat al voltant d'un "nucli"
"nucli", molt petit
petit, que concentra
tota la càrrega elèctrica positiva i gairebé tota la massa de l'àtom
Experiment de Rutherford
Les partícules alfa (nuclis d'heli) xoquen
contra alguna cosa dur i es dispersen
 Experiment de Rutherford

L'esquema mostra una analogia amb el camp

gravitacional per a la dispersió de partícules alfa
Niels Bohr (1885 -1962) va ser un físic danès
que va realitzar contribucions fonamentals per
a la comprensió de l'estructura de l'àtom i la
mecànica quàntica
q

Basant-se en les teories de Rutherford

va publicar el seu model atòmic en
1913, introduint la teoria de les òrbites
quantificades: els electrons giren al
voltant del nucli seguint òrbites ben
definides

En 1922 va rebre el Premi Nobel de Física pels seus treballs sobre

l'estructura atòmica i la radiació
 En el seu model, els electrons
podien caure (passar d'una
òrbita a una altra) des d'un
orbital exterior a un altre interior,
emetent un fotó. El procés
contrari també és possible
(absorció d'un fotó)

El model
d l permett explicar
li
els fenòmens relacionats emissió
amb les línies espectrals
dels elements
absorció
Erwin Schrödinger (1887-1961) va ser un
físic austríac
austríac, nacionalitzat irlandès,
irlandès que va
realitzar importants contribucions en els camps
de la mecànica quàntica i la termodinàmica
termodinàmica. Va
rebre el Premi Nobel de Física en 1933
El model atòmic de Schrödinger
concebia originalment els
electrons com ones de matèria

En la teoria actual es consideren

"núvols" o densitats de probabilitat
Animació que mostra dos àtoms d'oxigen fusionant-se per
formar una molècula de O2 en el seu estat quàntic
f
fonamental.
t l Els
El núvols
ú l d de color
l representen
t els
l orbitals
bit l
atòmics. Els orbitals de cada àtom es combinen per formar
orbitals moleculars que la mantenen unida.
que succeeix quan passem d'un àtom aïllat a un sòlid?

banda de
conducció
banda prohibida
banda de
valència

Pel principi d'exclusió de Pauli no pot haver-hi dos electrons en

el mateix estat quàntic: els estats discrets del model de Bohr
es transformen en bandes contínues
Denominem bandes d'energia a un conjunt continuo de nivells
energètics que poden ocupar els electrons dins d’un material cristal·lí.

n=3

n=2

n=1

Les propietats
electròniques dels
materials estan
fonamentalment donades
per per l'última capa
És una distància
ocupada
característica d'un
material
L'ample de la banda prohibida determina el tipus de material
 Aïllants

Els aïllants tenen electrons fortament lligats en l'òrbita exterior.

A
Aquests t electrons
l t requereixen
i una gran quantitat
tit t d'energia
d' i
per escapar.
Si apliquem una diferència de potencial ...
La força
ç sobre cada electró no és suficient per
p alliberar-ho i
per tant l'aïllant no condueix.
Els aïllants tenen una alta resistivitat/resistència
Conductors

Els conductors tenen electrons feblement lligats en la seva

capa externa. Es requereix poca energia per alliberar-los.
Apliquem
p q una diferència de p
potencial ...
La força sobre cada electró és suficient per arrencar als
electrons de les seves òrbites. El conductor condueix.
Els conductors tenen baixa resistivitat/resistència
 Semiconductors
Els semiconductors són un grup de materials amb conductivitats/resistivitats
entre la dels metalls i els aïlladors

Extrinsic Intrinsic
metals Semiconductors Semiconductors aillants

Els semiconductors es classifiquen com a elementals (Si, Ge) o compostos

(InSb, GaP, GaAs, InP). En aquest últim cas parlem de materials III-V o II-VI.

El Si és des de lluny el semiconductor més utilitzat en circuits integrats.

El GaAs és el més comú dels semiconductors composts.

Hi ha molts semiconductors composts complexos, com per exemple,

AlxGa11-xxAs,, InxGa11-xxAs,, TeCdHg
g
 II III IV V VI
907)
éyev
(1834-19
Mendelé

• El grup (II, III, …, VI) indica el nombre d'electrons en l'última capa atòmica
 l'àtom de silici (Si)
El silici té una valència de
4, és a dir té 4 electrons en
l seva últi
la última capa

Cada àtom de silici

comparteix els seus 4
electrons externs amb
altres 4 àtoms veïns

Aquests electrons
compartits (enllaços) es
mostren com a línies
horitzontals i verticals entre
àtoms

Regla de l‘octet (Lewis 1916): els àtoms tendeixen a combinar-se de manera de

completar amb 8 electrons la seva capa de valència
Considerem ara un cristall de silici:

Així es veu el cristall

a temperatura zero

No hi ha electrons
lliures, per tant el
material no condueix
i es comporta com un
aïllant
No obstant això,
això si elevem la temperatura una mica …

Un electró pot
guanyar suficient
energia
g p per trencar
un enllaç i
alliberar-se.

A partir d'aquest
moment, l'electró
està disponible per
a la conducció i és
lliure per viatjar
dins del material
Vegem en mes detall que ha succeït amb el que l'electró va
deixar a enrere

A l'absència de
l' ll h
l'enllaç ho
cridem forat,
(hueco hole)
(hueco,

Intentem
e e do donar-li
a
una mica més de
caràcter: pensem-
ho com una nova
partícula
El fforatt també
t bé es pott moure …

Un electró en un
enllaç proper pot
saltar a aquest
forat …

causant un
moviment efectiu
del forat
Hem vist que la
calor
l genera
electrons lliures en
el silici

Això origina parells

electrons-forats que
estan
es a d disponibles
spo b es
per a la conducció
 Conducció intrínseca

Considerem
C id un ttros
de silici …

i apliquem una
diferència de
potencial

el q
que origina
g
l'aparició d'un camp
elèctric

Quan apliquem calor s'allibera

s allibera un
electró
 Conducció intrínseca

L'electró
L' l t ó sentt una
força i es mou en el
camp p elèctric

Es atraído p
por el
electrodo positivo i
re-emès pel negatiu
 Conducció intrínseca

Si s'aplica
' li mes calorl
el procés continua

Mes calor …
Mes current ...
Menys resistencia
El silici està actuant
com un termistor

La seva resistència
di i
disminueix
i com lla
temperatura
 El termistor
• El termistor és una resistència sensible a
l ttemperatura
la t

• Q
Quan està tà fred
f d es comportat com un
aïllant, té una resistència molt alta

• Quan s'escalfa, es generen parells

electró-forat i la resistència es redueix

S'utilitzen para:
• mesurar la temperatura
• encendre o apagar dispositius
símbol
• amb els canvis de temperatura alarmes d'incendi
 Light Dependent Resistor (LDR)
• El LDR és molt similar al termistor, però
utilitza l'energia
l energia de la llum en lloc de el calor

• A les fosques la resistència és alta

• En il·luminar-ho la llum genera parells

electrons-forats
• Llavors la resistència es redueix

S'utilitzen para:
mesuradors de llum
control automàtic d'il·luminació
circuits operats per llum (alarmes) symbol
Des del punt de vista del diagrama de bandes:

banda de
La calor o la llum conducció
d ió
genera parells
electró-forat
banda de
valència

Si apliquem
li una
tensió els
electrons
l
“cauen” i els
f t “suren”
forats “ ”
 II III IV V VI
907)
éyev
(1834-19
Mendelé

• El grup (II, III, …, VI) indica el nombre d'electrons en l'última capa atòmica
 l'àtom de fòsfor (P)

El fòsfor té el
número 15 en la
taula periòdica

Té 15 protons i 15
electrons, 5 dels
electrons en la seva
última capa
 Dopatge: fent silici tipus n
Confiar en la calor o
en la llum per a la
conducció no genera
una electrònica molt
fiable

Suposem
p q
que llevem
un àtom de silici de
l'estructura cristal·lina
…

i ho reemplacem
amb b un àtom
àt d
de
fòsfor
Ara tenim un electró que no està lligat
i està lliure per a la conducció
 Dopatge: fent silici tipus n
Llevem un altre àtom de silici ...
i ho reemplacem
amb un àtom de
fòsfor

A mesura que hi ha
mes electrons
disponibles per a la
conducció, hem
augmentat la
conductivitat del
material

El fòsfor es Si ara apliquem una diferència

d
denominai ell d
dopantt de potencial
 Conducció extrínseca: dopatge tipus n

Fluirà un corrent
del contacte
positiu al negatiu
(per convenció
s'oposa
' all sentiti
dels electrons)

Ie
 Silici tipus n

 El silici dopat amb fòsfor és silici tipus n

 Això és a causa que la majoria de portadors de càrrega són
electrons: electrons portadors majoritaris
 Un petit nombre de portadors minoritaris (forats) existeix a
causa de la generació de parells electrons-forats per la
temperatura
 El silici és encara neutre ja que el nombre de protons és
igual al d'electrons
 A temperatura ambiente
ambiente, el nombre d'electrons
d electrons és igual al
nombre de àtoms dopants: nND (D:donor)
 II III IV V VI
907)
éyev
(1834-19
Mendelé

• El grup (II, III, …, VI) indica el nombre d'electrons en l'última capa atòmica
 l'àtom de bor (B)

El bor té el número
5 en la taula
periòdica

Té 5 protons i 5
electrons, 3 d'ells
en la seva última
capa
 Dopatge: fent silici tipus p

Com abans,
C b llllevem
un àtom de silici de
l'estructura
cristal·lina ...

Aquesta vegada ho
reemplacem amb un
àtom de bor

Notar que tenim un

forat en un enllaç que
és lliure per moure's
 Dopatge: fent silici tipus p

Si llevem
ll un altre
lt
àtom de silici
i ho reemplacem
amb un de bor
Com hi ha mes
forats disponibles
per a la conducció,
hem augmentat la
conductivitat del
material

En aquest cas el
d
dopant
téés ell b
bor si ara apliquem una diferència de potencial
 Dopatge: fent silici tipus p

Un corrent fluirà,
aquesta vegada
portada pels forats

Els forats es mouen

cap a la terminal
negativa

Els buits es
comporten com una
partícula p
p positiva
Ih
 Silici tipus p

 El silici dopat amb bor silici tipus p

 Això és a causa que la majoria de portadors de càrrega
són forats: forats portadors majoritaris
 Un petit nombre de portadors minoritaris (electrons)
existeix a causa de la generació de parells electrons-
electrons
forats per la temperatura
 El silici és encara neutre ja que el nombre de protons és
igual al d'electrons
 A temperatura
p ambiente,, el nombre de forats és igual
g al
nombre de àtoms dopants: pNA (A:aceptor)
 n.p=ni2

semiconductor intrínsec n = p = ni

semiconductor extrínsec de tipus n:

ni2
n>>p; n = ND; p
ND

semiconductor extrínsec de tipus p:

p >>n; p = NA; ni2

n
NA