DENEY NO: 3

NOKTA TEMASLI TRANSSTR(Bipolar Junction Transistor-BJT) ZERLER ve KK SNYAL MODELLENMES DENEYN AMACI: BJT lerin zerilerinin deneysel olarak elde edilmesinin renilmesi ve bu erilerden melez parametrelerinin karlmas. DENEY MALZEMES: BC237 veya BC238 transistr, 1k, 120k diren, l aleti (avometre), ayarl g kayna, balant telleri. N BLG: Bipolar transitrler, akm kontrol yeteneklerinin(gei iletkenliinin) yksek olmas sebebiyle eitli akm kontrol uygulamalarnda ok sk kullanlan yar iletken elemanlardr. Burada transistrn yar iletken yaps ile ilgili ayrntlara girilmeyecektir. Bu bilgiler [1] ve [2] nolu kaynaklardan edinilebilir. A) Transistrn DC Edeer Devresi NPN ve PNP transistri iin en sk kullanlan balant tipi ekil 1.1 de verilmitir. Emetrn hem giri hem de k ularnda ortak olmas sebebiyle bu devre tipine ortak emetrl devre denir. Bu deneyde ortak emetrl balant kullanlacaktr.
IC C N IB B VBE IE N E IE P IB VCE VBE B P E P N VCE C IC

IC C B VBE IE E VCE VBE IE

IC C B VCE E

IB

IB

ekil 1.1. NPN ve PNP tipi transistr iin ortak emetrl devre balants ve akmlarn referans ynleri

Aktif modda (kesimde veya doyumda olmayan) alan bir transistr iin akm-gerilim bantlar Tablo 1 de verildii gibidir. Tablo 1 de verilen eitliklerde; Is doyum akm, ortak emetr akm kazanc, ortak baz akm kazanc olarak adlandrlan parametrelerdir. ekil 1.2 de aktif modda alan BJT nin DC edeeri verilmitir. Transistrl bir devrede DC analiz yaplrken transistr yerine bu model kullanlarak analiz yaplabilir.
Tablo 1. Aktif moddaki BJT iin DC akm-gerilim bantlar

I C = I S e VBE / VT I I S VBE / VT IB = C = e I I I E = C = S e VBE / VT

I C = I E I C = I B I I B = (1 )I B = E +1 I E = ( + 1)I B

= =

1-

1+ kT VT = 25 mV (Oda ssnda) q

IB

+ VBE -

IC DB (IS/)
I S eVBE / VT

IE E ekil 1.2. Aktif modda alan transistrn DC edeer modeli

Bir transistrl devrede transistrn DC alma noktas(Q) DC analizle bulunur. DC alma noktasn devredeki kutuplama elemanlar(DC kaynak,diren, vb.) belirler. Transistrn alma noktasndaki akm ve gerilimleri(IB,Q, IC,Q, VCE,Q) bulunduktan sonra, bu alma noktasndaki transistrn AC sinyaller iin davrann gsteren AC edeer model ile AC analiz yaplabilir. AC analiz yaplrken DC besleme kaynaklar deimediinden dikkate alnmazlar. Aada BJT iin farkl AC edeer devre modelleri verilecektir. Bunlardan herhangi biri ile AC analiz yaplabilir. B) Transistr AC Edeer Devre Modelleri Burada verilecek AC modeller Q DC alma noktas etrafndaki kk genlikli AC deiimler iin transistrn davrann tanmlarlar. Bu modeller VBE zerinde 10 mVu amayan AC deiimler iin geerlidirler [1]. Bu modeller, DC Q alma noktas iin geerli baz parametreler ile tanmlanr. Transistrn bu parametreleri her Q alma noktas iin farkl olabilir. Bu parametreler transistr z erilerinden elde edilebilir. Bu deneyin amalarndan birisi de izleyen deney devreleri iin yaplacak AC analizlerde kullanlacak model parametrelerinin z erilerden elde edilmesidir.

a) Melez- Modeli
B C Tablo 2. ve T model parametreleri bantlar

ib

+ vbe r gmvb ro

ic

DC kutuplama akmlar cinsinden

gm =
ie E

IC VT VT VT = I IB B

re =

VT VT = I IE C VA IC

r =

ro =
gm

b) T Modeli
C ic gmvbe B ib + vbe re ro

gm cinsinden
re = gm
gm = re

r =

re cinsinden
r = ( + 1)re gm + 1 1 = r re

ve arasndaki bantlar
= 1 = +1 +1 = 1 1

ie E

b) Melez-h Modeli
hie B ib + hrevce + ic C

vbe

hfeib

1/hoe

vce

v be = h ie i b + h re v ce i c = h fe i b + h oe v ce

ie E

C) Transistr z Erileri ekil 1.1deki gibi kutuplanm bir transistr iin eitli akm-gerilim ilikilerini gsteren erilere veya eri ailelerine transistr z erileri denir. Bu eriler arasnda en nemli olanlar giri z erileri gei z erisi k z erileri VBE=f(VBE,VCE) IC=f(IB) IC=f(IB,VCE)

erileridir. Bu eriler kabaca ekil 1.3de verildii gibidir. Erilerden grlecei zere hem giri hem de k z erileri erisel(nonlineer)dir. Giri z erilerinin VCEye baml az olduundan genellikle tek bir eri ile verilirler.
IC IB4

Gei z erisi

Q IC

Q
VCE

IBQ IC

IB

IB2 IB1

IB

VCE

Giri z erisi

Q IB

VBE

VBE ekil 1.3. Transistr z erileri ve bu erilerden model parametrelerinin elde edilii

Transistr eriler zerinden kolayca belirlenebilen bir Q alma noktasnda kutuplanmken IBQ akm IB kadar ve VCEQ gerilimi VCE kadar deitirilirse, VBEQ ve ICQda meydana gelecek deiimler zeriler yardmyla ekil 1.3de gsterildii gibi belirlenebilir. Yukarda verilen modellerdeki parametreler de z erilerden bulunabilir. Bu parametrelerin tanmlamas giri z erileri VBE=f(VBE,VCE) ve k z erileri IC=f(IB,VCE) fonksiyonlarnn Q noktas civarnda Taylor serisine aarak yaplabilir.
VBE =

1 VBE 1! I B 1 VBE 1! VCE

.I B +
VCE = VCEQ

1 2 VBE 2! I B 2

.(I B ) 2 + .........
VCE = VCEQ

.VCE +
I B = I BQ

1 2 VBE 2! VCE 2

.(VCE ) 2 + .....
I B =IB Q

k z erileri

IB3

1 I C I C = 1! I B
+

VCE = VCEQ

1 2IC .I B + 2! I B 2

.(I B ) 2 + .........
VCE = VCEQ

1 I C 1! VCE

.VCE +
I B = I BQ

1 2IC 2! VCE 2

.(VCE ) 2 + .....
I B = I BQ

Q alma noktasndaki DC akm ve gerilim deerlerine gre kadarlk deiimlerin ok kk olduu dnlrse, yukardaki bantlardaki yksek dereceli terimler ihmal edilerek aadaki eitlikler elde edilir.
VBE = VBE I B .I B +
VCE = VCEQ

VBE VCE

.VCE
I B = I BQ

I C =

I C I B

.I B +
VCE = VCEQ

I C VCE

.VCE
I B = I BQ

Bu bantlar IB ve VCEnin kk deerli olmas artna bal olan yaklak bantlar olmakla beraber nemli zellikleri vardr. Bu bantlar dorusal (lineer) bantlardr. Dorusal olmalar sebebiyle transistre iyi bilinen dorusal zm yntemlerinin uygulanmasna imkan verecek dorusal edeer devre modellerinin elde edilmesinde kullanlabilirler. Yukarda elde edilen son bantlardaki Q noktas civarnda IB, IC, VBE, VCE kadarlk akm ve gerilim deiim byklklerinin, akm ve gerilimlerin deiken ve ani deerlerini belirtmek zere ib, ic, vbe, vce sembolleri ile ifade edilebilirler. u halde;
v be = VBE I B .i b +
VCE = VCEQ

VBE VCE

.v ce
I B = I BQ

ic =

I C I B

.i b +
VCE = VCEQ

I C VCE

.v ce
I B = I BQ

elde edilir. Bu denklem sistemindeki katsaylara transistrn ortak emetrl devre iin h parametreleri denir. Bu bantlar bize h parametrelerinin z eriler zerinden nasl bulunacan tanmlamaktadr. zetle; Tablo 3 de verilen eitlikler ile z erilerden AC edeer model parametreleri elde edilebilir. Parametrelerin boyutu tanmlamalardan aka grlmektedir. rnein hie diren boyutunda iken, hfe boyutsuzdur. Dierlerinin boyutunu siz belirleyin!

Tablo 3. Transistr z erilerinden model parametrelerinin elde edilme bantlar

h ie = h re = h fe = h oe =

VBE I B VBE VCE I C I B

VCE = VCEQ

VBE I B

r =
VCE = VCEQ

VBE I B VCE I C

VCE = VCE Q

I B = I BQ

VBE VCE I C I B

ro =
I B = I BQ

VBE = VBE Q

VCE = VCEQ

VCE = VCEQ

gm = re

I C VBE

IC = IC

I C VCE

I B = I BQ

I C VCE

I B = I BQ

1 gm

DENEYN YAPILII: 1. Transistr z Erilerinin Nokta Nokta Deneysel Olarak Elde Edilmesi: a. Giri z erisinin karlmas: ekil 1.4 deki devreyi kurunuz. (BC237 veya BC 238 transistrn kullannz.) VCC gerilim kayna ile VCE=7.5V sabit tutarak, VBB gerilim kaynan Tablo 4de verilen VBE deerlerini verecek ekilde ayarlaynz. R1 direnci zerindeki gerilimi lp kaydediniz. (Her VBE deeri iin VCE=7.5V olacak ekilde VCC kaynan her admda ayarlamay unutmaynz)

R2=1K R1=120K VCE VBE VBB C VCC E B

ekil 1.4. Deneyde kullanlacak ortak emetrl devre

b. k z erilerinin karlmas: ekil 1.4 deki devrede R1 direnci ularndaki gerilimi Tablo 5 de verilen deere gelinceye kadar VBB gerilim kaynan ayarlaynz. (VBB gerilim kaynan artrmaya 0Vdan balaynz). Sonra VCC gerilim kaynan artrarak VCE gerilimini ayarlaynz ve R2 direnci ularndaki gerilimi lerek tabloya kaydediniz.( VBB gerilim kaynan 7Vun zerine karmaynz). Ayn ilemi Tablo 6-Tablo 9 iin tekrarlaynz.

Tablo 4. Giri z erisi lm tablosu VCE=sbt VBE[V] 0.2 0.4 0,5 0.55 0.575 0.6 0.625 0.650 0.675 0.7 VR1[V] IB=[A]

Tablo 7. Giri z erisi lm tablosu VR1=sbt VCE[V] VR2[V] 0.2 1 3 5 7 9 11 13 15 IC=[mA]

7.5 V

0.30 V

Tablo 5. k z erisi lm tablosu VR1=sbt VCE[V] 0.2 1 3 5 7 9 11 13 15 VR2[V] IC=[mA]

Tablo 8. k z erisi3 lm tablosu VR1=sbt VCE[V] 0.2 1 3 5 7 9 11 13 15 VR2[V] IC=[mA]

0.10V

0.40

Tablo 6. k z erisi2 lm tablosu VR1=sbt VCE[V] 0.2 1 3 5 7 9 11 13 15 VR2[V] IC=[mA]

Tablo 9. k z erisi4 lm tablosu VR1=sbt VCE[V] 0.2 1 3 5 7 9 11 13 15 VR2[V] IC=[mA]

0.20V

0.50

2. Transistr z Erilerinden Grafiksel Olarak Model Parametrelerinin Bulunmas: a) Tablolara kaydettiiniz lm sonularn kullanarak, ekil 1.3deki verildii gibi transistrn zerilerini iziniz. (izim iin uygun leklemeyi yapnz) b) Elde ettiiniz erileri kullanarak VCE,Q=7.5 V, IC,Q=1 mA alma noktas iin tanml tm AC edeer model parametrelerini bulunuz. Parametrelerin boyutunu belirtiniz. (Bu parametreleri ileriki deneylerde kullanacaksnz!)
KAYNAKLAR [1] Sedra A. S., Smith K. C., Microelectronic Circuits, Oxford University Press, ISBN 0-19511690-9, Fourth Edition, 1998 [2] Boylestad R., Nashelsky L., Endstriyel Okullar iin Elektronik Elemanlar ve Devre Teorisi, ISBN 975-11-0873-X, M.E.B. Yaynlar, 1994