Dr.N.

Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

GÜÇ ELEKTRONİĞİ
Doç. Dr. Nurettin ABUT
Kocaeli Üniversitesi
Mühendislik Fakültesi

Elektrik Mühendisliği Bölümü

GÜÇ
ELEKTRONİĞİ
Doç. Dr. N. ABUT

1
eemdersnotlari.com

GÜÇ ELEKTRONİĞİ-1

Bu Kitap
C2
T1
D1

R4

D2
C3

RY

+

VS

L1=10mH

+

R2=12,5

35W
DGA
girişi 45
30V
10V 4W
R5
20KHz
100

C1=0,33
100V
Tr1
2N6292
50

GTO
L2
5mH
R3
15W0V

(b)

Doç.Dr.Nurettin ABUT
Kocaeli Üniersitesi
Mühendislik Fakültesi
2002

eemdersnotlari.com

REFERANS
ALINARAK DERS
ANLATILMAKTADIR
Genel Konularda

Referanslarda
Verilen Diğer
Kaynaklardadan da
Yararlanılabilir.
2

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

İÇİNDEKİLER
YARARLI EK
HATIRLATMALAR
Ek – A ÜÇ FAZLI SİSTEMLER Ek – D FOURIER ANALİZİ
VE DENKLEMLERİ
Ek

B
DEVRELER

MAGNETİK

(ELEKTRİK- ELEKTRONİK
PROBLEMLERİ İÇİN)

Ek – C DA GEÇİCİ DURUM
ANALİZİ
LAPLACE

Ek – E

YARDIMCI FORMÜLLER

(ve
REFERANS

KAYNAKLAR

DÖNÜŞÜMLERİ)
3
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Güç elektroniği yarıiletken devreler,
 Anahtarlama anında ve güç dönüşümünde
oluşan kayıpları azaltırlar.
 Çok kısa sürede anahtarlama yaparlar.
 Açma-kapama
anlarında
harmonik
bileşenler oluştururlar.
 Bu olumsuz etkileri yok etmek veya en
aza indirmek gerektiğinden, harmonik
önleme düzenekleriyle birlikte karmaşık
yapıda olmasına neden olur.
4
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Genel olarak güç yarıiletken elemanları;
Doğrultucu

diyotları,
Güç tranzistörleri
Güç MOSFET'leri (
Tristörler veya SCRs
Şeklinde sınıflandırılabilir.
eemdersnotlari.com

5

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DA
2

DA

GENEL KAPSAM

1

AA
4

3

AA

Şekil 1.1. Güç Elektroniğinde enerji dönüştürme
şekilleri
6
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Güç

elektroniği gelişmesinden önce, güç
denetimi klasik yöntemler kullanılmasına
karşılık, yarıiletken
teknolojisinin
gelişmesiyle yerini, güç elektroniği
elemanlı
devrelere
bırakmıştır.
Başlangıçta
açma-kapama
olarak
tasarlanan güç kumandası, sonraları hem
açma-kapama ve hem de denetim amaçlı
olarak geliştirilen yöntemler genel olarak
sınıflandırılacak olursa;
7

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ






GENEL KAPSAM

Elle (Manual) kumanda
Gaz tüpleriyle (Lambalar) kumanda:
Dirençle kumanda:
Değişken reaktansla kumanda:
Oto transformotorları ile kumanda:
Döner makinalarla kumanda:
i1

i2
B
i

l

+
v1 N1

[weber/m2 ]

Bdoy

-

r
N

+
N2

v2
-

Br
-Hc

A
H azalıyor

H artıyor
Başlangıç (B=0)

1 =+S 1
H [A-tur]

(a)
-Bdoy

(b)

Şekil B1.(a)Magnetik halka çekirdek, (b)teorik B-H mıknatıslama özeğrisi
eemdersnotlari.com

8
Şekil B5 Tek fazlı bir ototransformotoru

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

 Elle

(Manual) kumanda
 Gaz tüpleriyle (Lambalar) kumanda:
 Dirençle kumanda:
 Değişken reaktansla kumanda:
 Oto transformotorları ile kumanda:
 Döner makinalarla kumanda:

9
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Yarıiletken elemanlarla
kumanda:
Bu elemanlar;
 Diyotlar,
 Tristörler,
 Güç tranzistörleri ve
 Güç MOSFET'leri

olarak güç elektroniğinin
temel yarıiletken devre
elemanlarını
oluştururlar.
Yarıiletken (Diyot, SCR, Triyak, IGBT, MOSFET, GTO, LASCR,
MCT) görünüşü
eemdersnotlari.com

10

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Yarıiletken
elemanlarla

kumanda

11
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

1.2. ELEKTRONİK ANAHTARLAMA İLE
GÜÇ DENETİMİ

+Vcc

Güç denetiminde, bu yöntemlerin
kullanımı artık hemen hemen tarihe
Tr
karışmak üzeredir.
Günümüz
+Vbe
teknolojisinde güç denetiminin;
 Elemanlarının küçük boyutta olması,
 Ömürlerinin uzun olması,
F
 Otomasyonda bilgisayar denetimine
imkan
tanıması
gibi
birçok
avantajlarından dolayı elektronik
devrelerle
yapılması
tercih
edilmektedir.
eemdersnotlari.com

+VA
SCR
VG

12

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Faz denetimi:
 Faz denetim devreleri, genelde bir tristör ve bir
doğrultucu ünitesinden oluşmakta ve tek fazlı
bir yükü hem DA ve hem de AA olarak
besleyebilir.
R YAA
+

A AYükün denetimi

v YAA
vS

SCR
G v SCR

iG

iSCR

K
eemdersnotlari.com

13

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Faz denetimi: DA Yükün denetimi

+

vS

iSCR

RYDA vYDA
A
SCR
G vSCR
iG

K
14
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Tetikleme

kumanda darbeleri
(pulses) olmadan tristör iletime
geçmez. Tristörün tam peryotta
iletime geçmesi için her pozitif
yarı peryot başında tetiklenmesi
gerekir.
15

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ
vs
Vm
0

GENEL KAPSAM
vs
Vm

/3 

2

3

t

-Vm
vDA
Vm

0


/3 

2

3

t

-Vm
vDA
Vm

Şekil 1.2.(a) da bir
RY yükünün AA ile
besleme, (b) de DA
ile ve tek tristör
kullanılarak, beslenmesi

0

/3 

2

3

t

0

VG

VG

0

0

iSCR iY
Im
0

/3

/3

2

3

t

2

3

t

3

t

0

/3

2

3

t

vSCR
Vm
0

/3

/3

2

3

t

3

t

sırasında tristörün
60° de tetiklenmesi
sonucu tristör ve
yük akım-gerilimlerinin

değişimleri
görülmektedir.

vYDA
Vm

vYAA
Vm
0

2

iSCR =iY
Im

vSCR
Vm
0

/3 

/3

-Vm
eemdersnotlari.com

2
(a)

3

t

0

2
(b)

16

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ






GENEL KAPSAM

Elle (Manual) kumanda
Gaz tüpleriyle (Lambalar) kumanda:
Dirençle kumanda:
Değişken reaktansla kumanda:
Oto transformotorları ile kumanda:
Döner makinalarla kumanda:

 Sıfır

gerilim anahtarı ile denetim:

17
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

vY
Vm

12

(a)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

vY
Vm

12

12

1

t

12

1

t

12

1

t

(b)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

vY
Vm
12

11

11
(c)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Şekil 1.3.Sıfır gerilim anahtarı (a) Tam yük, (b) Yarım yük, (c) Yükü düşük oranda
besleme durumunda gerilim değişimleri.
18

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GENEL KAPSAM

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

vY
Vm

12

(a)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

vY
Vm

12

12

1

t

12

1

t

12

1

t

(b)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

vY
Vm

12

11

11

(c)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Şekil 1.3.Sıfır gerilim anahtarı (a) Tam yük, (b) Yarım yük, (c) Yükü düşük oranda
19
besleme durumunda gerilim değişimleri.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

Tr1
T2

T1
+

vS

-

+

Filtre
Devresi


1:1

RY

1:16
Tr2

Şekil 1.4.Tek fazlı evirici için prensip devre
20
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

v (t)
Vm

0

/3

2

3

4

t

/3

2

3

4

t

v (t)
Vm

0
v (t)
Vm

0

2

3

4

t

-Vm

Şekil 1.5.Elektronik güç denetimi devreleri çıkış eğrileri değişimi
(a)Faz denetimi, (b)Sıfır gerilim anahtarı, (c)Evirici.
eemdersnotlari.com

21

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

22
eemdersnotlari.com

Güç Elektroniği
W܆ aâÜxàà|Ç TUhg

Teşekkürler!!
gx~ÜtÜ z≠Ü≤áÅx~ ≤éxÜx
g{tÇ~ çÉâ yÉÜ |ÇàxÜxáà tÇw tààxÇà|ÉÇ

23
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

GÜÇ ELEKTRONİĞİ
Doç. Dr. Nurettin ABUT
Kocaeli Üniversitesi
Mühendislik Fakültesi

Elektrik Mühendisliği Bölümü

GÜÇ
ELEKTRONİĞİ
Doç. Dr. N. ABUT

1
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

YARIİLETKENLER

BÖLÜM-2
YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI

2.1.YARIİLETKEN
Jn=ATe-B/T A/cm2

(2.1)

A:Katot malzemesine bağlı bir katsayı,
T: Katot yüzeyinin mutlak sıcaklığı K,
B=e.W/K şeklinde malzemeye bağlı bir ısıl katsayı olup
e=1,6x10-19 C olarak elektronun yükü,
W=1…6 [eV] değeri arasında çıkış enerjisi,
K=1,38x10-23 Joule/K olarak Boltzmann sabitidir.

2
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

YARIİLETKENLER

YARIİLETKEN DEVRE ELEMANLARI
2.1.YARIİLETKEN

foto elektronik emisyon
Wp=hf=hc/

Joule

(2.2)

Wp:Bir fotonun taşıdığı enerji,
h: 6,62x10-34 Joule.s olarak Planc sabiti,
f:Elektro magnetik dalganın frekansı Hz,
:Dalga boyu m,
c: 3x108 m/s  olarak ışık hızıdır.

3
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

Kovalent
bağlar

YARIİLETKENLER

Şekil 2.1.Bir yarıiletken
malzemede valans
elektronları.
Valans
elektronları

Silisyum
iyonları
(Si 4+)

4
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

Kovalent
bağlar

YARIİLETKENLER

Serbest Kırılan
elektron kovalent bağ

Oyuk

Şekil 2.2.
Bir silisyum
kristalinde bozulan
kovalent bağ ve
serbest elektron
Valans
elektronları

Silisyum
iyonları
(Si 4+)

5
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

YARIİLETKENLER

Kovalent bağı
bozulmuş iyonlar

(a)

1

2

3

4 5

6

7

8

Kovalent bağlı
iyonlar

9 10 11 12

(b)
(c)
(d)
Şekil 2.3.Bir silisyum kristalinde oyukların hareketi
6

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

Serbest elektron

YARIİLETKENLER

Kovalent
bağlar

Şekil 2.4.
İçine antimon konmuş
bir silisyum kristali
Valans
elektronları

Silisyum
iyonları
(Si 4+)
Antimon
iyonu 5+
7
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

DİYOT

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

Negatif (alan)
iyon

eklem

Pozitif (veren)
iyon

ξ

xp

xn

uyb

0
p
oyuk

(a)

n
elektron

(c)

V volt

Şekil 2.5. p-n eklem diyotu (a)pn eklemi yapısı, (c)iletime.
8
eemdersnotlari.com

x

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

A

K

A

K

Şekil 2.5. p-n eklem diyotu
(d)iletime, (d)kesime
kutuplanması.
Metal
tabakalar

(b)

p
IA

DİYOT

p

n
V

(d)

(e)

n
V

IS
9

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT

Yayılım oyuk-akım yoğunluğu Jp;

dp
Jp  e  Dp
dt

A / m 
2

(2.4)

şeklinde tanımlanabilir.
Burada;
Dp:oyuklar (elektronlar için Dn) için difüzyon sabiti m2/s dır. Toplam
oyuk akımı veya difüzyon akımı;

10
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT

Toplam oyuk akımı veya difüzyon akımı;

dp
Jp  e   p  p    e  Dp
dt

A / m 
2

(2.5)

dır. Burada;
p: oyuk hareket kabiliyeti cm2/Vs
Genel anlamda bir iyonun hareket kabiliyeti olan ; v,
hız cm/s ve , elektriksel alan V/cm olmak üzere 1
[V/cm]’lik bir elektriksel alanda, bu iyonun
kazanabildiği =v/ hızıdır.

11
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT

Toplam elektron akımı ise;

dp
Jp  e   p  p    e  Dp
dt

A / m 
2

(2.6)

olur. Burada; n: elektron hareket kabiliyeti cm2/Vs dır.
(Silisyum eklemi için 300 K de 1500 cm2/Vs, germanyum için
ise yaklaşık 3900 cm2/Vs değerindedir). Her zaman, np dır.
Eklem bölgesinde, yük akışının ters yönünde, Şekil 2.5.(c) de
görüldüğü gibi;

K  TJ  N A  N D 
V 
ln 

2
e
n
i

[V ]

(2.7)

ile tanımlanabilen ve uzay yükü bölgesi potansiyeli de
denen bir gerilim oluşur ve bir akım akar.
12
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT

T2

+i A  mA

+iA  A

T1

vA
-VZ

0 +vA  V

-vA

0

+v A  V

sıcaklıklardan
T1 T2

+iA

(a)

Is

T2 T1

-iA   A

(b)
13

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

Katot uçları

DİYOT

VRRM
Renk kodu

Katot uçları
Katot uçları

(a)

(b)

(c)

(d)

(e)

(f)

(g)

14

Şekil 2.7.Çeşitli diyotların fiziksel görünüm ve bağlantı uç durumları.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT ve soğutucu profili

15
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT

•Diyot Denklemi; diyot iletime
teorik olarak;

V A / V

I A  IS e

1

[ A]

kutuplandığında,
(2.10)

şeklinde bir akım akar. Burada; IS, diyot tıkama
doyma akımı A, V:Diyotun iletime girmesini
sağlayacak eşik gerilimi V, : Yarıiletken malzemeye
bağlı bir sabit (Silisyum için normal akımda 2
alınabilir) tir.

Diyot IA akımı, yaklaşık;
V A / V

I A  IS  e

[ A]

(2.11)

şeklinde değişir. VA>V ise, IA > 0 olur.
eemdersnotlari.com

16

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT Eşdeğer devresi

A
+ i A  mA

+
-

4

-vZ

2

- 0,2

0,2 0,4 0,6

1 A

1/R f e ğimli
öze ğri
K
A+
0,8
+ v A  V

(b)

IS

-iA   A

1/R r e ğimli
öze ğri

IA
VA

(a)

K–

Rf
+
V
-

Rf

(c)

Şekil 2.9. (a)Uygulamada bir diyodun özeğrisi, (b)Diyot iletim
eşdeğer devresi (iletim bölgesindeki 1/Rf eğimli doğru), (c)uyb kaçak
akımları göz önüne alınarak oluşturulan kesim eşdeğer devresi
(kesim bölgesinde 1/Rr eğimli doğru ile ideale yakın diyot olarak lineer eşdeğer özeğrisi).
17
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT Eşdeğer devresi

R

+iA  mA
R
IA

VS/R

IAQ

ix
Q

VS

VA
(a)

VS
(b)

0

VAQ

Elektrik
devresi

Vx
(c)

VS +vA  V

Şekil 2.10.(a)Diyot devresi, (b)yük doğrusu, (c)herhangi bir
devre eleman eşdeğeri.
18
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

DİYOT Eşdeğer devresi

+iA  mA

+iA  mA
VS/R1

VS4/R
VS3/R
VS2/R

VS/R2

VS1/R

0

(a)

R1 R2 R3 R4

Q4

VS/R3

Q1 Q2

Q3
Q2

VS/R4

Q3
Q4

Q1

VS1 VS2 VS3 VS4 .+vA  V 0

(b)

VS

+vA  V

Şekil 2.11.(a)R sabit VS değişken, (b)VS sabit R değişken,
konumu için diyot yük eğrileri

19

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİ

GENEL KAPSAM

20
eemdersnotlari.com

Güç Elektroniği
WÜA aâÜxàà|Ç TUhg

Teşekkürler!!
21
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.ÖZEL DİYOTLAR
2.3.1. Zener Diyot
Zener diyotlar kesime kutuplamada özel bir
davranış gösterirler.
Zener, sabit devrilme gerilimine sahip bir diyottur.
İletim özeğrisi normal diyot gibi olup, kesim
özeğrisi ise VZ=VA geriliminde sabit kalıyor
kabul edilir.
Bu özelliğinden faydalanılarak sabit bir gerilim
elde etmede veya gerilim
ayarlayıcılarında
(regülatörlerinde) kullanılırlar.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

+iA  mA
K
-10V

VZ = -5V

vA  V

T1'de T2'de

T1  T2

0+
IZK

A
(a)

T1'de

T1'de

(b)

Şekil 2.15.Zener diyot (a)sembolleri ve (b)T1 ve T2
özeğrilerindeki farkları.
eemdersnotlari.com

sıcaklıklarında

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

K
+

VZ

VA

IZ

A

+

K
+
RZ
(dinamik) (a)
A

Şekil 2.16.(a)Zener +
IS
diyot eşdeğer
devresi, (b)küçük VS
sinyal eşdeğer devre
modeli, (c)ayar
devresi
eemdersnotlari.com

rz
(statik)

(b)

RZ
DZ
(c)

IZ

IY
RY

CT

+
VO
-

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

•Zener

diyotlar gerilim sınırlama yaparken sürekli
görev yapabilmeleri ve aşırı akımlardan zarar
görmemeleri için kullanıldıkları yerlerde;

•Ters kutuplamalı,
•Zener

geriliminden (üretici değeri) daha düşük
gerilim uygulanmamalı ve

•Bir

seri

dirençle akım sınırlaması yapılacak

şekilde
devreye bağlanmalıdır.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IS
+

+

RZ
IZ

R1

RY

IY
-

6V
400 mW
D
C
DZ

eemdersnotlari.com

+
-

+

(b)

2,2 K

DZ

(a)

VS

100K

10…30 V

RZ

1 741
6
2
4
R2

-

7

R3
+
VO  8 V
-

(c)
RY

Şekil 2.17 Zener diyot a)Gerilim
standardı, b)Yarım dalga
doğrultucu ayarı, c)Pratik bir
gerilim ayarlama uygulama devresi.

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.2. Tayrektör (Thyrector)
•Aard arda ters seri bağlı iki zener
diyodu gibi çalışır.
Geçici ve ani
yükselen gerilimleri önlemede kullanılan
bir diyottur. Her iki yönlü kutuplamalı
bağlantıda da aynı davranışları gösterir.
Diyotlardan biri her zaman açık, yani
iletime kutuplanmış görünür. Bu anda
diğer diyot aynı bir zener özeğrisi
gösterir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IA   A

T1
-VD

0

VD

VA  V

T2
(a)

(b)

Şekil 2.18.Thyrector a)sembolü ve b)iletim özeğrisi.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.3 . SCHOTTKY (Barrier=Engel) Diyodu
•Schottky engel diyodunda eklem bölgesi
metal yarıiletken devreden oluşur. Sonuçta
yarıiletken veya omik özellik gösterir. İki
tabakası arasındaki yük taşıyıcı yoğunluğu
farkından dolayı, engelde bir potansiyel oluşur.
Az katkılı silisyum (veya galyum arsenit)
kullanıldığında,
bu alüminyum-silisyum
ekleme Schottky diyot denir. Silisyum bir
diyotla schottky diyot özeğrisi karşılaştırılırsa
özeğriler arasında belirgin iki fark vardır.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Schottky
barier diyot

A

bariyer
n tipi
silisyum
çift n+
katkılı

+iA  mA

Silisyum diyot

K
(a)

(b)

Silisyum
diyot

Schottky barier
diyot

Is
(c)

V sc V si +vA
V

Şekil 2.19.(a)Schottky diyot sembolü, (b)yarıiletken
tabakaları, (c)Schottky ve silisyum diyot özeğrisi,
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

•Çoğunluk elektronlar metale engel
üzerinden aktarılarak metaldeki diğer
elektronlardan daha fazla enerjiye sahip
olmaları termal dengeyi sağlar. Bu
aktarılan elektronlar, sıcak elektron diye
adlandırılır.
Bazı
uygulamalarda
schottky diyota sıcak elektron diyodu
da denmektedir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
SMX Tipi Şotki diyotlarda kodlama

S S x b yy
Ters gerilim
9 = 90V
10 = 100V
TO-220AC

SMX Paketi
1 = SMA (DO-214AC)
2 = SMB (DO-214AA)
3 = SMC (DO-214AB)

SMA

SMB

eemdersnotlari.com

Engel Yüksekliği
• “Boş” = Standard
• H = Yüksek

SMC

Yüzeysel tip
Schottky Engel Diyodu

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
TO-220 & TO-3P Tipi

Şotki diyotlarda kodlama

MBR C xx b yy PP
Paket Tipi
• “boş” = tek TO-220AC, ITO-220AC or TO-263AB
• CT = Merkez uçlu TO-220AB, ITO-220AB or TO-263AB
• PT = Merkez uçlu TO-247AD
Ters Gerilim (V)
Engel Yüksekliği
• “Boş” = Standard
• H = Yüksek
Iletim Akımı (A)
Paket Sınıfı
• “Boş” = Standard
• B = Yüzey tipli TO-263AB
• F = Yalıtılmış TO-220

TO-220AC

TO-220AB

TO-247AD

TO-263

Orta (Medium) Eklem (Barrier) Şotki Diyot
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

100V Schottky Uygulamaları

Yüksek frekanslı güç kaynakları

Serbest geçiğ diyotları görevi

Kutuplama koruması

Akü-Pil doldurma düzenleri

Gözlem devreleri

AA/DA dönüştürücüler (Doğrultucular)

DA/DA dönüştürücüler (DA ayarlayıcılar)

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

+iA  A

A

30 -

metal bariyer

SiO2

uy bölgesi
n tipi silisyum tabaka

100

10

V
0,9

+vA  V

0

- 0,01
-0,1

0,5

-1
0.7

-10
(b)

0,5

-100

-iA  mA

Şekil 2.20.(a) schottky diyot yarıiletken tabakaları,
(b) Schottky ve pn diyot özeğrileri
eemdersnotlari.com

0,7 0,9

n bölgesi
akımı

10 -

K
(a)

0,5

20 -

SiO2

+

çift n katkılı
silisyum tabaka

V

1,0

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Seçim Tablosu
IF(AV)
(A)
1.5
2.0

10

20

Device
Eleman
SS29 - SS210
SB2H90 - SB2H100
MBR1090 - MBR10100
MBRF1090 - MBRF10100
MBRB1090 - MBRB10100
MBR10H90 - MBR10H100
MBRF10H90 - MBRF10H100
MBRB10H90 - MBRB10H100
MBR10H90CT - MBR10H100CT
MBRF10H90CT - MBRF10H100CT
MBRB10H90CT - MBRB10H100CT
MBR2090CT - MBR20100CT
MBRF2090CT - MBRF20100CT
MBRB2090CT - MBRB20100CT
MBR20H90CT - MBR20H100CT
MBRF20H90CT - MBRF20H100CT
MBRB20H90CT - MBRB20H100CT

eemdersnotlari.com

V(BR) Range Max VF @
IF
(V)
(V)
(A)
DO-214AA (SMB) 90 - 100
0.75
1.0
DO-204AC
90 - 100
0.85
2.0
TO-220AC
90 - 100
0.80
10
ITO-220AC
90 - 100
0.80
10
TO-263AB
90 - 100
0.80
10
TO-220AC
90 - 100
0.77
10
ITO-220AC
90 - 100
0.77
10
TO-263AB
90 - 100
0.77
10
TO-220AB
90 - 100
0.76
5
ITO-220AB
90 - 100
0.76
5
TO-263AB
90 - 100
0.76
5
TO-220AB
90 - 100
0.95
20
ITO-220AB
90 - 100
0.95
20
TO-263AB
90 - 100
0.95
20
TO-220AB
90 - 100
0.88
20
ITO-220AB
90 - 100
0.88
20
TO-263AB
90 - 100
0.88
20
Package
Paketi

TJ Max
(°C)
115
150
150
150
150
175
175
175
150
150
150
150
150
150
175
175
175

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.4. DIAC
•Seri ters bağlı iki diyot gibi çalışır.
Thyrector'den farklı olarak zener içermez.
Bu diyotlarda büyük akımlardan dolayı
oluşan yüksek sıcaklık, düşük devrilme
gerilimlerine
sebep
olmaktadır.
Dolayısıyla
tetiklemede
kolaylık
sağlanmaktadır.
•Genel olarak diyaklar geniş oranda SCR
ve triyak tetikleme devrelerinde yardımcı
eleman olarak kullanılmaktadırlar.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

•Diyak için bazı öz değerler;
•Diac tipi:

261-334

•VBD

= 32 V

•Ipk

= 1 A (TA=25 °C ve 20µs için)

•Tdepo = Tişltm = - 40 ile +150 °C
•TJmaks.= 100 °C
•PT
eemdersnotlari.com

= 150 mW (TA = 40 °C için)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

•Diac tipi:

BR100 261-930

•VBD = 32 V
•Ipk

= 2 A (TA=25 °C ve 20µs için)

•Tdepo = Tişltm =-55 ile +125 °C
•TJmaks= 100 °C
•PT
eemdersnotlari.com

= 150 mW (TA=40 °C)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IA  A

-VD
0

(a)

VD VA  V

(b)

Şekil 2.21 Diac elemanı (a)genel sembolü, (b)özeğrisi.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.5. SHOCKLEY Diyodu
•Şokley diyodu tetikleme devrelerinde
kullanılan bir yarıiletken elemanıdır.
Kesim bölgesinde normal bir diyot
gibi davranır. İletim bölgesinde ise
devrilme gerilimine kadar iletmez.
Sonra ani olarak iletir ve gerilim
düşümü düşük değerlerde olur.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IA  A

p
n
p
n

(a)

(b)

-VD
0

(c)

VD VA  V

(d)

Şekil 2.22 Shockley diyodu (a)Sembolü, (b)pn eşdeğeri,
(c)tranzistör eşdeğer devresi (d)akım gerilim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

s
R

+

V

Vs

C

-

t
(a)

(b)

Şekil 2.23.(a)Shockley diyotlu salınım
devresi, (b)tesdere dişi çıkış salınımı
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.6. SIDAC (Silicon Diode for Alternating
Current: AA’da iki Yönlü Yarıiletken Diyot)

•Sidak (sidac) elemanı, iki yönlü akım
iletebilen özel bir diyot olup diyak gibi
belirli devrilme geriliminde ileterek
üzerindeki gerilimi yaklaşık sıfıra
indirir ve iletken gibi davranır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

iA

RS eğimi

vA

(c)
(a)

(b)

Şekil 2.24.(a)Sidak sembulü, (b)akım-gerilimözeğrisi (teorik), (c)deneysel
gösterimi
(50V/div., 20mA/div. Ve RY=14K)
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Geçici koruma
amaçlı sidac

D S1
vS
f

Çıkış gerilimi
koruması

Ay arlay ıcı

C2

C1
(a)

v Y 100V
RY
D S2

vC
VB 0
R
+
_

V SV B0

DS
vC

t

0
iY

C

RY
iY
0

t

t
(c)

(b)

R  ( VS-VB 0)/IB 0
R  ( VS-VTM )/IH

t=RC[1/(1-VB 0/VS)]

Şekil 2.25.(a)AA/DA dönüştürücüde koruma amaçlı sidac kullanımı,
(b)sidaklı salınım üreteci devresi ve (c)çıkış sinyalleri değişimi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

DS
+

vS

iA
(VT, IT)

I5

iY

RY
Eğim=1/RY

(a)

RY RS

I3

(Vkpm, Ikpm)

(c)
IH
I1
(VB0, IB0)

0 V1 V2 V3 V4 V5

vA

(b)
(c)

Şekil 2.26.(a)AA’da R yüklü devrede sidak ve (b)akım-gerilim yük özeğrisi, (c)fiziksel görünüşü

V1..,V5: sırasıyla t=1, ...,5 anlarındaki gerilimler
I1..., I5: sırasıyla t=1, ...,5 anlarındaki akımlar

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IŞIKLA ÇALIŞAN
(OPTİK) ELEMANLAR
•Işık düzgün bir enerji dağılımına sahip
elektrik ve magnetik alandan oluşan bir
dalga olarak tanımlanabilir. Buna göre de
elektro magnetik spektrumda yer alır.
Fakat
ışığın
diğer
özellikleri
incelendiğinde, enerji taşıyan parçacıklar
da denen fotonlar dan oluşur.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.7. Foto Diyot
(Photo Diode, Işıkla Çalışan Diyot)

•Bir p-n eklemine ters kutuplamalı gerilim
uygulandığında, elektron ve oyuklar biri
birinden uzaklaşırlar. Eklemin uyb'si
büyümüş olur. Uygun dalga boyundaki
ışık ışınları bu bölgeye ulaştığında oyukelektron çiftlerinin doğmasına neden
olurlar. Kapama gerilimine ters yönde bir
akımın oluşmasına neden olurlar.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

•Işık fotonlarındaki enerji algılanma ile
beraber fotovoltaik etki ile de elektriğe
dönüştürülür. Bunun için de ayrıca
belirli bir gerilime ihtiyaç duymazlar.
Işık gerilimli hücre de denen bu
(photovoltaic cell) elemanlar ışıktan
elektrik elde etmede de kullanılabilirler.
•Eklem bölgesine ulaşan ışık ışınları
ters yöndeki akımı arttırmaya başlar.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

RF
K

is
işlemsel
kuvvetlendirici

A

is

K
eo= is RF

RY
eo= is RY

A
+
-

(a)

(b)

Şekil 2.28 Fotodiyotun (a)fotovoltaik, (b)fotoiletken özelliğinden
yararlanılarak kullanılan örnek devreler

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Foto diyot

tipleri

OP900SL

OP913SL

OP913WSL

A Işık akımı

14.0

120.0

40

ID nA Karanlık akımı

10.0

25.0

25.0

VRB, V Kesim devre gerilimi

150

32.0

32.0

tr Yükselme süresi ns 
tf Düşme süresi ns 

100
100

-

-

Voc, mV açık devre gerilimi

-

400.0

300.0

Isc, A kısa devre akımı

-

120.0

40.0

Cj pF toplam kapasitesi

-

150.0

150.0

ton ns açma süresi
toff ns  kapama süresi

-

50.0
50.0

50.0
50.0

Sembol
Ip

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
D e ğ iş ik dalg a bo ylu foto nlar
M av i K ırmızı K ızıl ö te s i
(İnfrare d)

optik
tabak a

K

Ko n tak

w - uyb

n tipi silisyum tabaka

A
(a)

(b)

+ i A  A

Iş ık s ız o rtam
ö ze ğ ris i
Iş ık lı o rtam
ö ze ğ ris i

VR B

+ v A  V
Vo c , açık de v re
(ış ık uç) g e rilimi
I k k ıs a de v re ış ık
e tk i ak ımı

D ire nç e ğ ris i
(c)

Şekil 2.29 Fotodiyot (a)sembolleri, (b)eklem yapısı ve ışık
etkisi, (c) özeğrileri
eemdersnotlari.com

+

p
tabakası
O k s it
tabak as ı

+

n
tabak a
Metal
kontak

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
%
100
GaAs

GaP:N
80
60

İnsan
gözü

40
20
0

200
Mor
ötesi

GaAs:Si

Germanyum
diyot

GaAs 0.15 P0.85 :N

GaAs 0.35 P0.65 :N

Silisyum
diyot

GaAs 0.35 P0.65 :N
500
Görülebilir

1000
Yakın kızıl ötesi

1500

2000
  nm
Orta kızıl ötesi ışınla

Şekil 2.30 Silisyum ve germanyum fotodiyotların bağıl hassasiyetlerinin
değişim özeğrileri
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.8. Işık Yayan Diyot
(LED : Light Emmiting Diode)
•LED’ler,

iletime kutuplandığında elektro
magnetik radyasyon yayarlar. Bu ışıma, elektro
magnetik spektrumda mor ötesi ile kızıl ötesi
arasında bir ışımadır. Yayılan ışınlar, eklem
bölgesinin dışı plastik veya metallerle kaplanarak
odaklanır. Dalga boyunu etkileyen faktör, elemanı
oluşturan yarıiletken malzemenin özelliğidir.
Çıplak gözle görülebilir spektral band'ta kırmızı,
sarı ve yeşil renklerde LED'ler üretilebilmektedir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

•LED'ler ile, değişik gösterge ışıkları, ses
donanımı, yedi parçalı sayısal göstergeler (seven
segment displays), ölçme devreleri, telefonlar,
konutlarda kullanım amaçlı sinyal ve bilgi
sistemleri, eğlence sistemleri gibi birçok alanda
kullanılmaktadırlar. Birden fazla flamanlı olup tek
renk dışında farklı ışıklar verebilen LED’ler de
vardır. Uzaktan kumanda donanımında olduğu
gibi. Yarıiletken radyasyonun, düşük işletme
sıcaklığı, titreşim-darbelerine karşı mekanik
dayanım, boyutlarının küçüklüğü gibi üstünlükleri
vardır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

e le ktronlar
e .VA

A

ile tim bandı
e .(VA -VS)

VS
ortalama

Eg
n

p

uyb

(a)

K

oyuklar
(b)

(c)

Şekil 2.31 LED eklemi (a)gerilim uygulanmamış durum, (b)iletime
kutuplama gerilimi ile iletme durumu, (c)LED sembolleri

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.9. Kızılötesi Işın Yayan Diyot
(IRED: InfraRed Emmiting Diode)
GaAs tipi bir fotodiyot olup, yaklaşık
900nm civarında dalga boyu ışın
yayarak yaklaşık 1,43eV luk eklem
aralığı enerjisine sahip özel diyotlardır.
Bu tip diyotlarda anahtarlama iletim
süresi 50ns civarındadır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Tablo 2.4 Bazı IRED'lere ait özdeğerler
Kılıf şekli

IRED
tipi

Yarım açı
 derece

Parlaklık mW/sr
(IA=100 mA'de)

VA
V

-IA A

LD242

60

2,5….12,5

Plastik

LD271

25

7,0 …. 20,0

5 mm plastik

LD273

25

15,0

5 mm

SFH400

6

12,5 … 64,0

Cam lens

SFH402

40

1,6 … 8,0

Yassı cam p.

SFH409

20

15,0

3 mm

OP123/4

24

2,34 mm herm.

1,5

100(-2V'da)

OP130/1/2

18

5 mm hermetic

1,75

100(-2V'da)

OP130W

50

5 mm hermetic

1,75

100(-2V'da)

OP290/1

50

5 mm plastik

4,0

100(-2V'da)

OP140A

40

4,57 mm plastik

1,6

100(-2V'da)

OP169A

46

4,19 mm plastik

1,6

100(-2V'da)

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Oksit tabakaları LED
sistemi
p

Plastik
Au tel

p

N-GaAs-Si

N-GaAs
Şeffaf

(a)

Anot

N-GaAs

Metal temas
tabakaları

Katot
(b)

Şekil 2.32 Kızılötesi ışık yayan (IRED) diyotun
(a) yarıiletken yapısı, (b)fiziksel gösterimi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.10. Lazer Diyot
•Birden fazla yarıiletken tabakalı
GaAlAs tipi
diyot olan lazer
diyotlarda, cevap verme süresi çok
kısadır. Al katkısının tümü aktif
bölgede bulunan diyotun yaydığı
ışınların dalga boyu 820-880nm
arasındadır.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
фe Radyasyon
[mW] gücü
12

Bağlantı
şeridi

Oksit maske

10

p
tabaka

GaAs

8

Aktif
bölge

6
4
Işın çıkış
n tabaka alanı

2
IA

0

Laser ışın
demeti

0

(a)

(b)

100

200

300  mA

Şekil 2.33 Lazer diyodu (a)Yarıiletken yapısı, (b)Anot akımı-radyasyon
gücü özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.3.11. Tünel Diyodu (Tunnel Diode)
•Normal bir p-n eklem diyotunun uzay yükü
bölgesi, p ve n tabakalarındaki potansiyeller
arasında bir duvar görevi yapar. Yarıiletkende
normalde bulunan katkı yoğunluğu 10-8'den, 103'e arttırılırsa, yarıiletken özelliği değişerek tünel
diyotunda olduğu gibi, normalde 5 mikron
civarında olan duvar genişliği, katkı atomu
yoğunluğunun karekökü ile ters orantılı olarak
değişir. Tünel diyotu bu özellikleri taşıyan
yarıiletkenlerden oluşmuştur.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IA
K

Ip
IV
Vp

A

(a)

Rs
VV

VF

Ls
CJ

VA

-Rn

Tünel akımı
Katkı yük akımı

(b)

Toplam diyot akımı

(c)

Şekil 2.34 Tünel diyodu (a)sembolü, (b)iletim-kesim özeğrisi,
(c)negatif (-Rn) direnç bölgesinde küçük işaret eşdeğer devresi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.4.TRANZİSTÖR
•Tranzistörler,

iki amaçla kullanılan üç
uçlulardır. Bu amaçlardan biri anahtar
olarak kullanılması, diğeri ise yükseltici
görevi yapacak şekilde kullanılmasıdır.
•Anahtar uygulamaları güç elektroniğinde
önemli yer tutarlar. Diyot ve tranzistörler
tek yönlü bir anahtar kabul edilebilir.
Tranzistörün iki ucu, tek kutuplu anahtar
gibi çalışır. Üçüncü uç ise bu iki ucu
harekete geçirme, denetleme görevi yapar.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

+

c
IC

VCB

+

b
IB

+
VB E
e
(a)

c
+ IC
VCE

IE

VCB
b IB
VEB
+
e
(b)

IE

(c)

Şekil 2.36 Bipolar tranzistör (a)npn, (b)pnp sembolleri, (c)fiziksel görünüşü

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Güç Elektroniği

WÜA aâÜxàà|Ç TUhg

Teşekkürler!!
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.4.TRANZİSTÖR
•Tranzistörler,

iki amaçla kullanılan üç
uçlulardır. Bu amaçlardan biri anahtar
olarak kullanılması, diğeri ise yükseltici
görevi yapacak şekilde kullanılmasıdır.
•Anahtar uygulamaları güç elektroniğinde
önemli yer tutarlar. Diyot ve tranzistörler
tek yönlü bir anahtar kabul edilebilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

c
+ IC
VCB
b
IB

+
VBE
e
(a)

+

c
+ IC
VCE

IE

VCB
b IB
VEB
+
e
(b)

IE

(c)

Şekil 2.36 Bipolar tranzistör (a)npn, (b)pnp sembolleri, (c)fiziksel görünüşü

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.4.1 İki Kutuplu Eklem Tranzistörü
(BJT:Bipolar Junction Transistor)
BJT Tranzistörde

uçlar;

Baz (base),
Emiter (emmiter) ve
Kolektör
(collector)
isimlendirilirler.
eemdersnotlari.com

diye

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Rc
25

Rc
25
c
s
+

Rb=5 b

Eb=5V

+

IC

-

(a)

s

Rb=5 b

-

IB +
VBE

-

Vcc
40V

e

IE
+

Eb=5V

c
-

IB
VEB

IC
+
IE

e
(b)

Şekil 2.37 İki kutuplu tranzistörlerin iletime kutuplanması
(a) npn iletimi (b) pnp iletimi

eemdersnotlari.com

Vcc

10V

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

RE
5K

IC  mA

RC
25

b

50

c
IC

IB +
VBE IE
- e
(a)

VCC=VE
+ 40V
-

IE=200 A

40

160

30

120

20

Q

80

10
0

Yük
doğrusu

40
0
2

4

(b)

6

8

ICE0

10

VCB  V

Şekil 2.38 2N2907A tipi npn tranzistörün (a) tek kaynağa bağlı ortak emiter
montaj devresi, (b)çıkış özeğrisi.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

a
v1 i1
b

+c
i2
Ki1

v2
b

RS
+

vs

i1
-

a
i2
Ki1

c
+
v2
-

RY

b
b (b)
(a)
Şekil 2.39.(a)İdeal bir akım denetlemeli akım kaynağı,
(b) devre modeli.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

E

n

p

C

n

IE
+

V

BE

-

IB

B

VCB
(a)

FIED

R ICD

IE
+ E

C

IED
IE
+ VED
(b)

-

-

IB B

Şekil 2.43.(a)npn tranzistör akımbileşenleri, (b)geniş sinyal
(veya DA) eşdeğer devresi
eemdersnotlari.com

ICD
VCB

IC
+

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IC
[mA]

-25

Doyma
bölgesi

E

İletim bölgesi
IE=25  mA

IE

RE
-15

15

+
VEE

-5
+1.0 0.8

0.4
(a)

+ IC
+
VEB - - VCB
IB

B

VCB  V
-0.4 -0.8 -1.2

VCC
+

-

5
0

C

(b)

IC0

Şekil 2.44.(a)Ortak baz montajlı 2N2907A (pnp Si katkılı) tranzistörün çıkış
özeğrileri (b)OB bağlantı devresi
eemdersnotlari.com

RC

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

I C  I CS (e
I E  I E 0 (e

VCB
V
VEB
V

 1)
 1)   R  I C

I C   F  I E  I C 0 (e
eemdersnotlari.com

VCB
V

 1)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

IE
 mA
8

VCB =10 V
1V

6

0V
4

Kollektör
açık

IC

RC
500 

IE

+ VCC
40 V
-

B
IB

2

0

C

0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 VEB  V
(a)

+
VB E
-

E
(b)

Şekil 2.39.Ortak baz montajlı tranzistörün (a) giriş özeğrisi,
(b)bağlantı şeması.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.4.2.Tranzistörün DA Modeli
Tranzistörlerin,
DA
modeli
çıkartılırken, ortak emiter ve ortak baz
montajı yaklaşık aynı devre modeli
ile modellenebilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

B

C

IB

VBE

+

R0

-

B

C

V IB

+

+

ICE(doy)
VFBE(doy)

BE(doy)

 F IB

-

-

E
(a)
Şekil 2.47 Bir npn tranzistörü a)DA modeli,
b)eklem bölgesi çalışma modeli

eemdersnotlari.com

E
(b)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

2.4.3.Tranzistörün Anahtar Eşdeğeri
•Kolektör-emiter
akımı, baz akımıyla
denetlenirken, tranzistör adeta bir anahtar gibi
davranır.
•Giriş gerilimi vs, anahtara kumanda eder.
tT1 durumunda vs=V1 olarak emiter-baz
tıkamaya girer.
•Pratikte vo=VCC alınabilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
v0

+VCC
IR

VCC

R
IC

IB + VBE

VCE(doy)

(a)

vs
V2

t

IC
IC(doy)

+VCC
T 1 T2

V1

t

+

v0
vs

-

0,9IC(doy)

RY
50 K

(b)

+

0,1IC(doy)
T1

-

(c)

td
ton

T2
tr

ts

tf

toff

Şekil 2.48.(a) Diyot gibi davranan npn tranzistör. (b)Anahtar tranzistör,
(c)vo ve ic'nin değişimleriyle gecikme, yükselme, depolama
ve düşme sürelerinin açma kapama sürelerine göre oranları.
eemdersnotlari.com

t

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Güç Elektroniği
WÜA aâÜxàà|Ç TUhg

Teşekkürler!!
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Tranzistör

2.4.4. Diyot Olarak Tranzistör
 Tranzistör

iki ekleme sahip olmasına
rağmen, diyot olarak kullanılabilir.
Tranzistörün iki kapısı kısa devre
edilerek
veya
tümdevre
(ICs)
üretimindeki tasarım sırasında dışarıya
sadece iki uç çıkartılarak diyot gibi
kullanılır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Darlington

2.4.5. Darlington Tipi Güç Tranzistörleri
 Güç

tranzistörlerinde, baz ucundan yapılan
sürme işlemi sırasında, büyük kolektör
akımlarında büyük baz akımları gerektirir.
Örneğin 100A'lik kolektör akımına sahip bir güç
tranzistöründe 10A'lık bir baz akımı gerekir. Bu
amaçla, bir tranzistör, diğer bir tranzistörü iletime
sürecek şekilde bağlanıp ortak kolektör beslemesi
şeklinde akım kazancı arttırılarak darlington
bağlantı oluşturulur.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Darlington

Vdent.

R(doy)
Sürücü Tr

D

(gerekli ise)

Rb2

+

Rb1

Rb1
Anahtar T r

Rb2

VCC

D

AnahtarT r
Sürücü T r

R(doy)

DGeç.Dur
RY
(a)

Vdent.

RY

Rb2
Rb1

D

Anahtar T r
Sürücü T r

+
VCC

Vdent.
Re1

RY

(c)

Şekil 3.49 Tranzistörlerin darlington bağlama şekilleri
eemdersnotlari.com

+
VCC

(b)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Darlington
+12V

Sürülecek
Darlington
Tr1

40 mF

R4

R1

D1

R2

D2

Tr4
T r5

2,2mF

47

R3 =100

Tr2
R3

C3 0,1F

8
47

D

CB

R10

6

R11

47

Tr3

16
7

10K

D3

R6

15 CA

R4 =435mF

10

L1

R5
11
14
4
5
10

C1 =10F

9

1,5K
R9

8

0,1

C2

Şekil 3.50 Darlington bağlı tranzistör ve sürücü prensip devresi
eemdersnotlari.com

R8

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Alan Etkili Tranzistörler

 2.5 ALAN

ETKİLİ TRANZİSTÖRLER

FET:Field Effect Transistor

 Üç

uçlu bir eleman olup geniş bir uygulama alanı
vardır. MOSFET ve JFET olmak üzere iki özel
yapı şekli tranzistör tipi bulunmaktadır. FET'ler
tümdevre yongası üzerinde, normal iki kutuplu
tranzistörlerden daha az yer kaplarlar. Örneğin
100.000 MOSFET,
tek bir yonga üzerinde
oluşturulabilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Alan Etkili Tranzistörler
n+

p+

G

G
S

S

p tipi kanal

n tipi kanal

D

D

Tranzistör
tutucusu
(Sıkıştırma yayı)

n+

p+

(c)

(a)

D
D
IG

ID

IG

+
VDS
-

ID
+
VDS
-

G +
VGS
-

G +
VGS
S

(b)

S

IS
(d)

IS

Soğutucu
profil

Şekil 2.52.(a)n kanal JFET yapısı ve (b)sembolü, (c)p kanal JFET yapısı ve (d)sembolü
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Alan Etkili Tranzistörler

 Alan

etkili tranzistörler FET ve JFET
olarak iki guruptur.
ID
mA 

O mik (ve ya
doyumsuz ) bölge

6

VGS=0,2V

5

VG G
+

ID
IG
+
VDS
G +
VG S
IS
- S
(a)

VG G
+

3

-1,0

2

-1,5
-2,0
-2,5

1

-3,0

0

10

20

30

(b)

Şekil 2.53.(a)2N4869 n-kanal JFET devresi, (b)çıkış özeğrileri.
eemdersnotlari.com

De vrilme
bölge si

0
-0,5

4

D

Sabit akım
(ve ya doyma)
bölge si

40

50
VDS V

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

 2.5.2.

Alan

Güç MOSFET'leri (Power MOSFETs)

etkili tranzistörlerin, güç
devrelerinde kullanılan tipidir. Son
yıllarda gelişen teknoloji ile MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor) ler 500V ve 30 A
sınırında çalışabilecek özelliklerde
üretilmektedirler.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

D
G

B

S

G

D
+
VDS
+
VGS S

D
G

B

D
G

S

Şekil 2.59 MOSFET sembolleri (arttırılmış ve eksiltilmiş tip)

eemdersnotlari.com

S

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

Güç

tranzistörlerinden
daha düşük güçte
kumanda sinyalleri ile
denetlenebilirler.

S
G

Yüksek

frekanslarda
kullanılabilirler. (özellikle
1-10GHz arasında)

(b)
eemdersnotlari.com

D

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

D
D

S

G

Al

Metal
G

-----p

n

S
n

(b)
SiO 2

n

+

n
p
(a)

D

+

p

Si
(c)

Metal
G
+++++++
+++++++

n

Şekil 2.55.(a)Arttırılmış modda çalışan n-kanal MOS yapısı,
(b)n-kanal kesiti, (c)p-kanal kesiti.
eemdersnotlari.com

S
p

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

D
D

S

G

Al

Metal
G

-----p

n

S
n

(b)
SiO 2

n

+

n
p
(a)

D

+

p

Si
(c)

Metal
G
+++++++
+++++++

n

Şekil 2.55.(a)Arttırılmış modda çalışan n-kanal MOS yapısı,
(b)n-kanal kesiti, (c)p-kanal kesiti.
eemdersnotlari.com

S
p

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

Kapıdaki metal alan ile n veya p

yarıiletken
bölge arası,
dielektrik
(elektriksel yalıtkan) oksit tabakası ile
yalıtımlı bir paralel kondansatör özelliği
gösterir. Dolayısıyla bu tip FET'lerin
kapıları yalıtılmış olur ve bu FET'ler
IGFET (Insulated Gate FET) olarak da
tanımlanır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

 2.5.3.VMOS

veya GüçFET'leri

 MOSFET'lerde

taşıyıcılar, sorce'den drain'e
yatay olarak akarlar. Modern üretim
teknolojileri ile, MOS'larda yüksek giriş
empedansı ve yüksek anahtarlama hızları elde
edilmektedir. Böyle MOSFET'lere, yüksek
yayılımlı MOS veya VMOS (Vertical MOS)
denir. Üretim özelliklerinden dolayı, akım
dikey olarak, elektronların akış yönünün ters
yönünde akar.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

+5V

R1 =270
+5V
IC1
4N35
Denetim
TTL gir.

R2
4.7k 4

3
5

8 Vcc
Reset
IC
555
Çık.
Dentl.
GND

C1

1

R3
7

220

+V
C4

R4

+

100
R6

6
2

C3 +
C2
0.047F

D1

1N914
D2

RY
4.7k

Tr1
2N3904

0.01F
C3 , C4 =10 F, 16 V

Şekil 2.63 Pratik MOSFET sürücü devresi

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet

 2.6

2.6. TEK EKLEMLİ TRANZİSTÖRLER
(UJT :Uni Junction Transistor)

 2.6.1.

Standart UJT

 Üç

uçlu bir eleman olan UJT, bir tranzistör
gibi davranır. Genel olarak, uygulamalarda bir
osilatör devresi olarak kullanılır. Bazen de
akım veya gerilim algılayıcısı görevi görür.
UJT'ler geniş oranda tristör tetikleme elemanı
olarak kullanılırlar.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve Mosfet
b2

b2
e

b2

b2
Rb2

Rb2

e

e

e

b1

b1

b1

(c)

(b)

(a)

n

Rb1

Rb1

b1

p

(d)

S
R2
220

50K

+
E
10V -

R3

vc
6,3V

b2
e
b1

t

0

t

+

R1 v o
100

C

+v o

(e)

Şekil 2.64.(a)UJT sembolü, (b)diyot eşdeğeri, (c)anahtar eşdeğeri
(d)p-n eklem yapısı, (e)UJT'li bir uygulama (tetikleme) devresi.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve UJT

2.6.2.CUJT

Sürekli

(Complementary UJT)

çalışma gerilimi düşük, daha
kararlı bir UJT'dir. Standart UJT ile
aynı öz değerlere sahiptir. Aralarındaki
fark, standart UJT'ye göre uygulanan
gerilimin ters kutuplu olmasıdır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

MOSFET’lere benzer bir yarıiletken
yapısı
olan
yalıtımlı
kapılı
tranzistörlerdir. MOSFET’ten en önemli
farkı, drain ucunu p+ tabakası oluşturur.
IGBT’ler, iki kutuplu tranzistörlerden
farklı olarak denetim parametreleri;
giriş akımı yerine, giriş ve gate-source
gerilimleridir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve IGBT
iD
VG S nin azalma
Yönü

iD
Drain

VG S4

D

Kollektör

VG S3

Gate

Gate

VG S2

G

G

0

VG S1
VRM

VG S(th)
(b)

0

VDSS

vG S

Emmiter E
Source S
(d)

(c)

vDS

(a)
C (2)

C (2)

D (1)

C

D (1)

S
n+

G

e3
e2
e1

G
SiO2

n+

p

n-

n+
p+

L (3)

L (3)
(e)

E
(f)

(g)

(h)

D

Şekil 2.57 IGBT için (a)akım-gerilim çıkış ve (b)aktarım özeğrisi, (c),(d), (e), (f) ve
(g) n kanal gösterim sembolleri, (h)yarı iletken yapısı
eemdersnotlari.com

C

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve IGBT

Drain
+

D

Drain

Re Ve1

D

Re

-

- Ve +
+
ID Rkanal
-

G

Source
(a)

G

Rk

S

Source

S

(b)

Şekil 2.58 IGBT için (a)normal çalışmada eşdeğer devre
(b)tam veya tristör eşdeğer devresi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
Tranzistör ve IGBT

 IGBT’lerin

Tipik bazı parametreleri;

VCES, Kollektör-Emiter Gerilimi (VGS = 0’da) :600 V

VGE, Kapı-Emiter Gerilimi

 IC,

: 20 V

Kollektör Akımı (sürekli ve TC =25 C de)

 ICM,

Kollektör Akımı (darbeli iletimde )

PT, Toplam Kayıp Güç (TC=25C de)

TJ, İşletme Sıcaklığı (Tdepo.)

TJ, Maksimum Eklem Sıcaklığı

TJC, Eklem-Gövde Isıl Direnci

VGE(th), Kapı Eşik Gerilimi

eemdersnotlari.com

:6A
:25 A
:40W

:-65 ile 150C
:150C
:3,25 W/C
:2,5 ile 5V arası

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IGBT
 td(on),

Gecikme Süresi

 tr, Yükselme
 td(o ff),

Süresi

Kesim Gecikme Süresi

:170 ns
:540 ns
:3,4 s

 IGBT’lerde

iletim kayıplarının MOSFET’lere
oranla daha düşük olmasından dolayı yüksek
gerilimli uygulamalarda, MOSFET’lerin yerine
tercih edilirler.

 Akımın

sıfır geçişinde anahtarlama veya rezonans
anahtarlama tekniklerinin kullanılmasıyla yüzlerce
KHz
anahtarlama
frekans
oranlarında
çalıştırılabilirler.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IGBT

! ... KARŞILAŞTIRMA
Tablo 2.5 IGBT, MOSFET ve iki kutuplu eklem tranzistörlerinin
karşılaştırılması (Dirençler 10A’lik akım değeri içindir)
Özdeğer
MOSFET IGBT Tranzistör
Akım [A]
20
20
20
*
Gerilim [V]
500
600
500
RDS(on) [ ](TJ= 25 C)
0,2
0,24
0,18
RDS(on) [ ](TJ= 150 C)
0,6
0,23
0,24
Anahtarlama süresi [ns]
40
200
200

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IGBT

 IGBT’lerin

MOSFET’lerden bir farkı da
ters
paralel
bağlı
bir
diyotlarının
olmayışıdır. Bu nedenle devre tasarımcıları,
motor denetiminde IGBT kullandıklarında
yükte oluşabilecek zıt emk’ların olumsuz
etkilerini önlemek için devreye ters paralel
bağlı bir diyot kullanırlar.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
IGBT
Tıkaç indüktans
eşdeğeri (LS)

Değişken
DA +
Kayn.
-

Kapı
Sinyal
Üreteci

Yarıletken
kısadevre
el.
Vgg
Lk
+

VSG
+

IY
Değişken
yük
LY

ic
Aktif
Kapı
Sürücü
Devre

C

-

iG G
+
+

vGE
-

vCE

E

Şekil 2.60 İndüktif yüklü IGBT koruma devresi
eemdersnotlari.com

Ölçme
Devresi

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ

Bölüm Sonu

gXfX^^ôe_Xe
N. ABUT
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 2.7.TRİSTÖR (SCR:Silicon Controlled Rectifier),
Yarıiletken denetimli doğrultucu
 Güç

denetimi ana
devre elemanlarının
en
önemlilerinden biridir. Dört ayrı yarıiletken
tabakadan oluşmuştur. Çalışması, seri bağlı npn
ve pnp tipli iki tranzistörün çalışması gibidir.
Tristörün tranzistör eşdeğer devresi, Şekil 2.69.(c)
den görüldüğü gibi, npn ve pnp tipi iki
tranzistörün
biri
birini
sürecek
şekilde
bağlanmasından oluşmuştur.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 Tristörün

anoduna (+) katoduna () olmak üzere
bir gerilim uygulandığında, tristör iletime
kutuplanmış olur.
Kapı
devresine,
açık

R

S anahtarı

kapatılarak,
bir
tetikleme gerilimi
s
uygulandığında,
belirli aşamalarla,
+
tristör
iletime VG
geçer.
eemdersnotlari.com

A

SC
R

G
IG

IA
K

(a)

+
Değişken
- VS

IA
[A]

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR Özeğrileri

(1)
(2)

IH
VRB

IGHIG1IG2IG3IGnIG0=0 (yani
tetikleme yok)

(8)

(7)
0 VH V1 V2 V3 Vn VFB(IG=0)

(5)

(4)
(4)
(6)

eemdersnotlari.com

Vlatc

VA [V]

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

R
A
SCR

+
VG
eemdersnotlari.com

-

G

s
IG

Değişken
+
VS
K

(b)

IA
[A]

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR Özeğrileri

(1)
(2)

IH
VRB

IGHIG1IG2IG3IGnIG0=0 (yani
tetikleme yok)

(8)

(7)
0 VH V1 V2 V3 Vn VFB(IG=0)

(5)

(4)
(4)
(6)

eemdersnotlari.com

Vlatc

VA [V]

R
R
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com
A

A

SCR

SCR

G

s
+
VG

IG

-

IA
K

(a)

IA
[A ]

-

G

+
s
Değişken
+
VS
VG
-

IG

Değişken
+
VS
K

(b)

(1)
(2)
IGH >IG1 >IG2 >IG3 >IGn >IG0 =0 (yani
tetikleme yok)

IH
VRB

(8)

(7)
0

(5)

V H V 1 V2 V3

(4)

Vn VFB(IG =0)

VA [V]

(3)

(6)

Vlatc
(c)

Şekil 2.71 Tristörün (a)iletime kutuplama, (b)kesime kutuplama,
(c)iletim-kesim-tıkama özeğrileri.
eemdersnotlari.com

A

A
A TRISTÖR-SCR
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK
FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

A
p1

G

e1

n1
G

p2

K

Anot

e3

n2

(a)

G

e2

n1

p1

Ie1 =IA

n1

Tr1

p2

K

(b)

Anot
p1

ep

n1

n1
p2

e2

n1 e2
p2

p2
n2

IG
G
(d)

p2

e3

Katot

(-)

Ic1
b2

Tr2

bp

Tpnp
cp
Icp

cep

G(K)

Ien

IE =IK

K

(c)

Ibp =IG(n) G(A)
Iep
cen

IG(p)=Ib
(f)

Icn
Tnpn

en

G

(-) tran zistör m odeli, (d)kap ı darbesi
Ş ekil 2.69 T ristörü n (a)sem bolü , (b)p-n eklemKatot
leri, (c) iki
(e) başlan g ıcı, (e)iletim an ın da tristör an ot
u ygu lan d ığ ın da tristörde kap ı akım
akım ın ın yarıiletken bölgelerde dağ ılım ı, (f)eklem kapasiteleri.
eemdersnotlari.com

c2
Ic2

e3
n2

IG(n) G(A)

e2

A
e1

n1

b1

IG(p)

(+)
p1

e1

G(K)

c1

n2

K
(+)

p2

e1

K

Ien =IK

A

A

A
p1

G

p2

K

n2

(a)

e2

n1

G

e3

(+)

n2

Anot

c

Ic
b2

IG(n) G(A)
c2
Ic2

1

Tr2

IG(p)

(+)

e2

IE =IK

K
A

p1
n1

n1
p2

n1 e2

e2

p2

p2
n2

IG
(-)

ep

e1

n1

Katot

G(K)

1

(c)

e1

(d)

b1

K

p1

G

p2

p2

K

e1

Tr1

n1

(b)
Anot

Ie1 =IA

p1

e1

n1
G

Dr.N. Abut KOÜA
MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com
TRISTÖR-SCR

p2

e3

e3
n2
G
(e)

Katot

(-)

bp

Tpnp
cp
Icp

cep

G(K)

Ien

Ibp =IG(n) G(A)
Iep
cen

IG(p)=Ib
(f)

Icn
Tnpn

en

Ien =IK

K

Şekil 2.69 Tristörün (a)sembolü, (b)p-n eklemleri, (c) iki tranzistör modeli, (d)kapı darbesi
uygulandığında tristörde kapı akımbaşlangıcı, (e)iletimanında tristör anot
akımının yarıiletken bölgelerde dağılımı, (f)eklemkapasiteleri.
eemdersnotlari.com

TRISTÖR-SCR

A

Dr.N. Abut KOÜ
A MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

A

A

Ie1 =IA

p1

p1

e1

n1
G

G

e2 G

p2

Anot

n1

Anot

(+)

(+)

e1

e1

n1

n1
n1

n1 e 2

e2

p2

p2

G

n2

(d)

Katot

Iep =IA

p1

IG
(-)

p2
e3

e3

n2
G
(e )

Katot

IE =IK

K

A

p1

p2

Tr2
e2

(c)

IG(n) G(A)
c2
Ic2

IG(p)

K

(b)

b1

Ic 1
b2

G(K)

p2

n2

K

(a)

Tr1
c1

p2

e3

n2

K

n1

e1

ep

bp Ibp =IG (n) G(A)
Iep

Tpnp
cp
Ic p

c ep

G(K)

Ien

c en

IG (p)=Ibn

(f)

Icn
Tnpn

en

Ien =IK

K

(-)

Şekil 2.69 Tristörün (a)sembolü, (b)p-n eklemleri, (c) iki tranzistör modeli, (d)kapı darbesi
uygulandığında tristörde kapı akım başlangıcı, (e)iletim anında tristör anot
akımının yarıiletken bölgelerde dağılımı, (f)eklem kapasiteleri.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

2.7.1.Tristörün
Tristörün

iletimi

anoduna () katoduna (+)
yönde bir gerilim uygulandığında, kapı
devresindeki s anahtarı kapatılsa bile
tristör iletmeyecektir.
Yani kesim
bölgesinde çalışacaktır. Bu bölgede,
tristör bir diyot gibidir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

R
A
SCR

+
VG
eemdersnotlari.com

-

G

s
IG

Değişken
+
VS
K

(b)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

R ayarlı direnci ile
tristör uçlarındaki, VRB
ters gerilimi arttırılarak
VFB pozitif devrilme
gerilimine (Voltage of
Forward
Breakover)
ulaştığında, diyotlarda
olduğu gibi, ters yönde
tristörden bir akım
akar ve tristör iletken
hale gelir.

Anot

p1
e1
n1

n1 e2
p2

p2
e3
n2
G
(e)

eemdersnotlari.com

(+)

Katot

(-)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 Tristörün

anoduna (+) katoduna () olmak üzere
bir gerilim uygulandığında, tristör iletime
kutuplanmış olur.
Kapı
devresine,
açık

R

S anahtarı

kapatılarak,
bir
tetikleme gerilimi
s
uygulandığında,
belirli aşamalarla,
+
tristör
iletime VG
geçer.
eemdersnotlari.com

A

SC
R

G
IG

IA
K

(a)

+
Değişken
- VS

IA
[A]

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR Özeğrileri

(1)
(2)

IH
VRB

IGHIG1IG2IG3IGnIG0=0 (yani
tetikleme yok)

(8)

(7)
0 VH V1 V2 V3 Vn VFB(IG=0)

(5)

(4)
(4)
(6)

eemdersnotlari.com

Vlatc

VA [V]

R
R
Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com
A

A

SCR

SCR

G

s
+
VG

IG

-

IA
K

(a)

IA
[A ]

-

G

+
s
Değişken
+
VS
VG
-

IG

Değişken
+
VS
K

(b)

(1)
(2)
IGH >IG1 >IG2 >IG3 >IGn >IG0 =0 (yani
tetikleme yok)

IH
VRB

(8)

(7)
0

(5)

V H V 1 V2 V3

(4)

Vn VFB(IG =0)

VA [V]

(3)

(6)

Vlatc
(c)

Şekil 2.71 Tristörün (a)iletime kutuplama, (b)kesime kutuplama,
(c)iletim-kesim-tıkama özeğrileri.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR
Tablo 2.7
VDRM
[V]
VRRM [V]
IT(ort)
[A]
IG
[mA]
VG
[V]
VDRMmaks. [V]
VRRMmaks. [V]
IT(or 180°) [A]
di/dt [A/µs]
Tjmaks. [°C]
dv/dt [V/µs]
IH
[mA]
IRRM [mA]
IDRM [mA]
RthJC [°C/W]
RthJA [°C/W]

THY500-40
500
500
40
60
2,5
500(TJ=125°C)
500(TJ=125°C)
40(TC=85°C)
100
125
200(TC=125°C)
25 tipik
10 maks
10 maks
0,5
-

eemdersnotlari.com

Bazı Tristörler için örnek
THY800-26
800
800
26
40
3
800(TC=125°C)
800(TC=125°C)
26(TC=80°C)
175(TJ=125°C)
135
200(TC=110°C)
25 tipik
5 maks
5 maks
1,1
-

BTY79-400R
400
400
6,4
30
3
400(TC=125°C)
400(TC =125°C)
6,4(TC =90°C)
20(TJ =125°C)
135
50(TC=100°C)
15 tipik
2,5 maks
2,5 maks
3,1
-

öz değerler
BTX18-400
400
500
1
5
2
400(TC =125°C)
500(TC =125°C)
1 (TJ =105°C)
100(TJ =125°C)
125
20 min
5 tipik
1,5 maks
1,5 maks
10
-

C203YY
60
60
0,8
0,2
0,8
60(TC=125°C)
60(TC=125°C)
0,8(TC=25°C)
125
20 tipik
5 maks
0,001
0,005
125
230

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 Tristörlerin
 i1-Gerilim

çeşitli şartlarda iletimi sağlanabilir.

etkisiyle iletim (VA > VFB)

1+2=1 olur.

Fakat işletmede bu tip iletime sürme şekli kullanılmaz.

 i2-Hız

etkisiyle iletim (Gerilim değişme hızı dVA/dtdVA/dtkrt)

 i3-Sıcaklık
 i4-Işıma

etkisiyle iletim (TJ  TJüretim)

enerjisiyle iletim

(ışık, radyoaktivite, elektromagnetik

dalgalar vs. etkisi)

 i5-Tranzistör

etkisiyle iletim (IG)

Tranzistörlerin bazına bir

gerilim uygulayarak, yani Şekil 2.70.(b) de G ucuna bir darbe gerilim
uygulanması durumunda tranzistör iletime geçer. Buna kapıdan tetikleme
veya tristörün ateşlenmesi denir. p bölgesinden çıkarılan kapı ucundan
tetiklenen tristörlere klasik tristörler denir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

VG
 mV

0
IA  A
0,9.IT

ton
td

tp td

tp

Anot

olursa SCR rahatlıkla iletime girer

p1

Kesim
komutu

tr

e1
n1

n1 e2

t  ms p

- di/dt söndürme G
(kesim)

di/dt

QR

IRRM

tq

eemdersnotlari.com

iyileşme
süresi

(e)

Katot

(-)

Tekrar
t  ms
poz. Ger.
VDRM
U

VR
VRRM

e3

n2

dv/dt dV/dt krtk.

V
0

p2

2

IT

0,1.IT
0
VA
 V

(+)

t  ms 

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR
IG
 mA

0

IA  A
VA  V
VT
0,9IA

Pth  W

t  ms 

Pth

IA

VA
0,1IA
0
t0

td t1

tr

t2

ts

t ms
t3

Şekil 2.73 SCR kapı darbesi sırasında kapı-katot akımları
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR
RY

+

LY

iA

SCR

~
v (t)=V m sin t

IG
RP

(a)
LP

RY

+

RY

LY

+

SCR

iA

~

CP
LY

iA

SCR

~
v (t)=V m sin t
(b)

IG

v (t)=V m sin t

IG

(c)

Şekil 2.74.(a)Omik-endüktif yükü denetleyen tristör iletimi, (b)yüke paralel bobin,
(c)yüke paralel olarak bağlanan seri direnç-kondansatör elemanları.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 2.7.2.

Tristörün Söndürülmesi

(Turn-off: Commutation: Kesim, Komutasyon)
 Tristörün

komutasyonu,
iletimden tekrar kesime
geçerek akımın sıfırlanmasıdır.

Tristör kısa devre edilmesi (anot-katot kısa devre),

Anot akımına başka bir yol bulunması (akım aktarımı),


Alternatif gerilimin negatifi yarı peryodundaki gibi, anodun
katoda göre daha negatif yapılması, veya

SCR akımını tutma akımı seviyesinin altına düşürmek (IAIH)

gerekir. Buna tristörün söndürülmesi veya komutasyonu
denir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 Örnek

tq

olarak; GE C158 tristörü için bu değerler:

= 25µs

TJ = +125°C
IT

= 150A

VR = 50 V
dv/dt = 200 V/µs
di/dt = 5A/µs ve (kapı değeri; VG=10V, IG=100mA)
şeklindedir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 i.Kapı Akımı

İle Kapama

Bu tür bir yöntem, küçük anot yüzeyine sahip tristörlerde
uygulanır. GTO (Gate Turn-off Thyristor: Kapıdan
Söndürmeli Tristörler) diye isimlendirilen bu tür
tristörlerde önceleri anahtarlama gücü düşük devre
uygulamaları yapılmakta iken günümüzde ilerleyen
üretim teknolojileri ile birkaç yüz KW gücünü aşan
MW mertebelerine yakın güç denetim devrelerinde
kullanılabilir hale gelmişlerdir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 ii.Negatif

Gerilim Etkisiyle Kapama

Negatif gerilim etkili söndürme ile tristörün kesim
konumuna alınması yani kapatılmasıdır. Tristör
anoduna
negatif bir gerilim
uygulanarak
gerçekleştirilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

Lsö

RY

LY

iA

s1

A 

-

Vsö

A

+
s2

SCR
isö

IG

+
IA =IY

VS

-

t

K
0

(a)

vA /iA
 V/A 

Im
(=IY )

IRM
vA t0

(di/dt)sö

t s
t1 t2 t3

t4

t5

t6

V

(dv/dt)sö

0

VT1-T2
t  s

0
IRRM

Depolama
yükü

(c)

dv/dt
ye göre
dolma

t s

Vsö
VRRM

(b)

Şekil 2.76.(a)Tristör söndürme devresi, (b)SCR, (c)Triyak için söndürme anında anot akım
ve gerilimi değişimleri.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

G
A

K
+ vA

IA =IY

-

+

+

vL
L

-

VS
-

+
vC

C
-

Şekil 2.77 Tristörün L-C rezonans
devresi ile söndürülmesi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

TRISTÖR-SCR

 ii.Negatif

Gerilim Etkisiyle Kapama

Negatif gerilim etkili söndürme ile tristörün kesim
konumuna alınması yani kapatılmasıdır. Tristör
anoduna
negatif bir gerilim
uygulanarak
gerçekleştirilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - PUT

 2.8.ÖZEL TİP TRİSTÖRLER
 2.8.1.PUT

(Programmable Unijunction Transistor)

 Bu

tip tristörün kapı elektrotu, p-n-p-n
bölgelerinden anoda yakın olan n tabakasından
alınmıştır.

 Normal
 PUT

tristör gibi özeğriye sahiptir.

elemanının zaman (geciktirme) devrelerinde,
mantık
ve
SCR
tetikleme devrelerinde
kullanılması tristörlerle en önemli farklarıdır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - PUT
A

A
G
G
K

(a)
K

IA
mA

V RB

(c)

+ Vs

RY
R3

IH
V FB V A V

0

VC

R2

v S(t)=V msint
f

P UT
R1

(b)

C

(d)

Şekil 2.78 PU T, (a)Sembolü, (b)Ö zeğrisi, (c)Tranzistör eşdeğeri,
(d)PU T ile tasarlanan bir SCR tetikleme devresi
eemdersnotlari.com

+

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - AGSCR

 2.8.2.AGSCR,

(The Amplyfying-Gate SCR: Yükseltici kapılı tristör )
 AGSCR

bir tristördür. Çok küçük değerler olan
50µA'den küçük tetikleme akımında çalışması bir
üstünlüğüdür.

 güç

denetiminde,
çıkılabilir.

 tümdevre

1000A ve

1200V'un

üzerine

olarak üretilirken, yükseltici kapı özelliği
kazandırılır. Kapı darbesi ile önce pilot SCR
eklemleri iletime girer.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - AGSCR

Yükse ltici
kapı yapısı

Kapı

Katot metal
yüzeyi
Pilot
SCR

n1
A

A

p1
n2
p2

Rp

G
K

G
K
(a)

(c)

Rp
Anot metal
yüzeyi

(b)

Şekil 2.79 AGSCR'nin (a)sembolü, (b)yarıiletken yapısı,
(d)SCR eşdeğer devresi
eemdersnotlari.com

IA

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - GTO

2.8.3.GTO Kapıdan Söndürmeli Tristör
(Gate Turn-off Thyristor)
 Normal

tristörlerden farkı, kesim konumuna
alınırken,
normal
tristörlerin
söndürme
yöntemlerinin dışında
kapı devresinden
de
söndürülebilmesidir.

 Tetiklemede
 Kapı

kapıdan bir darbe uygulanIr

darbe akımının tersi yönünde bir akım
uygulandığında kesime girerler.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - GTO

G

G

G

G

n+

n

+

+

+

p

p

+

n

n

+

+

p

p
K

K

+

+

n

n

G

G

K

+

A

A

K

(a)

+

+

p

p

+

plazma

A

n
(b)

plazma

+

n
A

(c)

Şekil 2.80 GTO tristörü (a)sembolleri, (b)kapı kesim akımı
başlangıcı anında, (c)daha sonraki aşamalarda plazma ve
yarıiletken bölgelerdeki yük dağılımları.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - GTO
C2
0,04 
600V
D1
RCA
D2201M

1N1345B
T1

D2

R4
200
35W

C3
15
200V

E

çekirdek
Siemens

L1 =10mH

R2 =12,5

C1 =0,33

35W
+

DGA
girişi 45
30V 10V 4W
20KHz

100V
Tr1
2N6292
R5
100

50

E55

(M 55)

G5001E
L2
5mH
R3
15W0V

Şekil 2.81 GTO ile örnek bir uygulama devresi
eemdersnotlari.com

RY

+

160V

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - GTO

BTW58-1300R GTO tristörü için özdeğerleri;
VDRM =1300V (Kapamada 1500V)

Tekrarlı kapama gerilimi

VD

=750 V

Sürekli kesim gerilimi

IAef

=7,5A

İletimde etkin akım

IAor

=6,5A

İletimde ortalama akım

IAden. =25A
tf

= 250ns

Denetlenebilen akım
Akımın azalma zamanı

Tdepo. =(40°C)-(+150°C)

Depolama sıcaklık aralığı

TJ

Eklem sıcaklığı

=120°C

PT =65W (TA=25°C'de)

Maksimum iletim kaybı

RthJC =1,5°C/W

İç ısıl direnç

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - GTO

RthCA =0,3°C/W

Dış ısıl direnç

dv/dt=10kV/µs (VGR=5V)

Gerilim yükselme hızı

=1kV/µs (VGR=10V)
VAT =3V (IA=5A, IG=0,2A)

Anot-katot gerilim düşümü

VGR =(3V) - (10V)

Kesim kapı gerilimi

VGT =1,5V (TJ=25°C, VG=12V)

İletim kapı gerilimi

IGT =200mA (TJ=25°C, VG=12V) İletim kapı akımı
td

=0,25µs [IA=5A, VA=250V, IGF=500mA] Açma a. Yay.gecikme süresi

tr

=1µs

ts

=0,5µs

tf

=0,25µs [VGG=10V, LG=0,8µH, IA=5A, VA=250V]

[IA=5A, VA=250V, IGF=500 mA]

Açma akm. yükselme süresi

[VGG=10V, LG=0,8µH, IA=5A, VA=250V]

şeklinde üretici kataloglarında verilir.
eemdersnotlari.com

Depolama süresi
Düşme süresi

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - SUS

2.8.4.SUS (Silicon Unilateral Switch  silisyumlu tek yönlü anahtar)
Tetikleme, lojik ve zamanlama devrelerinde kullanılan bir
yarıiletken elemandır. 0,5A ve 20V'dan daha küçük
kapasitelidir.
Örnek olarak 2N4987 SUS için bazı öz değerler,
VS=VFB= 6…10V

Anahtarlama gerilimi

IS = 0,5mA (maksimum)

Anahtarlama akımı

VH = 0,7V (25°C'de yaklaşık)

Tutma gerilimi

IH = 1,5mA

Maksimum tutma akımı

VF = 1,5V (IF=175mA'de) İletimdeki gerilim düşümü değeri
VRB= 30V
VG0= 3,5V
eemdersnotlari.com

Kesime kutuplama gerilimi
Kapı darbe gerilimi minimum tepe değeri

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - SUS

A
IA

G

G

A
+
VS=15V

mA

IF

(a)
K
VRB

(c)
IH

0 VH VF VFB=VS
(b)

R1
10K

K
C
VA V 0,1 µ

R2
20

-

Tetikleme
devresi
VO
(Darbe
genişliği)

(d)

Şekil 2.83 SUS (a)sembolü (b)özeğrisi (c)eşdeğer devresi
(d)Osilatör çıkış gerilimi ölçüm devresi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - SUS

2.8.5.SBS (Silicon Bilateral Switch :
Yarıiletken iki yönlü anahtar)
Her

iki yönde akım geçirir.

İki SUS'un
şeklidir.

Kapı

ters

paralel

bağlanmış

devresine zener bağlanarak AA ile
tetiklenen SBS'nin, tetikleme gerilimi
küçültülebilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - SBS

T1

T1

+IA
mA

G

R2

Dz2
-VRB

T2
(a) T1

+IH
-IH =-IS +VFB VA V

G

Dz1

R1

T2

-IA
T2 (b)

G

(d)

(c)

Şekil 2.84 SBS (a)sembolü, (b)SUS eşdeğer devresi (c)özeğrisi,
(d)tranzistör eşdeğer devresi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - SCS

2.8.6.SCS (Silicon Controlled
Yarıiletken Denetimli Anahtar)
 Dört

Switch

:

uçlu tristördür.

 PUT'daki

gibi bir anot kapı ve SCR'deki gibi bir
katot kapı vardır. Her iki kapıdan tetiklenebilir.

 Anoda

doğru, ters akıtılmak istenen büyük akımlar
SCS'yi kesime sokar. (OR) kapısı gibi çalışır.

 Zamanlama,

mantık ve
tetikleme
devresi
uygulamaları ile düşük güç
kapasitesine sahip
uygulamalarda kullanılmaktadır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - SCS

SCS'nin özeğrisi normal tristörler gibidir.
BRY39 294-176 tipi bir SCS için öz değerler;
VD=VR= 70V

IT = 250mA (TC=85°C),

IT =175mA (TA=25°C)

ITm

= 3A

VDRM =VRRM= 70V

di/dt

= 20A/µs

VGKm = 5V

IGKm

= 100mA

VGm

= 70V

Tdepo = 65°C ile +200°C

TJ

= +125°C

RthJA = 450°C/W

RthJA = 150°C/W (25°C'nin üzerinde)

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - SCS

A

A

AG
K

AG

KG

KG
K
(a)

(b)

A
K

KG

AG
(c)

Şekil 2.85 SCS (a)sembolü (b)tranzistör eşdeğer
devresi (c)BRY39 tipi SCS'nin fiziksel uç şekli
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - LAS

2.8.7.Işıkla Çalışan Tristörler
çalışan diyot tristör, LAS
Activated Switch)
 Dış

Işıkla
(Light

kapı bağlantısı yoktur.

 Işık,

pencere gibi olan kapısından
girdiğinde tetiklenir.

 Kapama

gibidir.
eemdersnotlari.com

ve iletim özeğrisi

tristör

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - LAS

Işıkla çalışan tristör,
Activated SCR)

LASCR

(Light

 LAS'den

farkı, bir ışık kaynağıyla
tetiklenebildiği gibi kapı devresinden bir
darbe gerilimi ile tetiklenebilir olmasıdır.

 Işık

olmadan da
normal
kapıdan tetiklenebilir.

eemdersnotlari.com

SCR gibi

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - LAS

Işıkla çalışan SCS
 Anot

veya katot kapılarıyla tetiklenebilmenin
dışında üçüncü yol olarak bir ışık kaynağıyla
tetiklenebilir.

LAPUT
 Normal

PUT’dan tek farkı, LAPUT'un aynı
zamanda ışıkla da çalışmasıdır.

 Bu

elemanın kullanımında da her iki tetikleme
şekli birlikte veya ayrı ayrı olarak kullanılabilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - LASCR
A

A

A

G

K
(a)

KG
(c)

A

K

(e)
A

A

KG
K
(b)

K

G

AG

G

AG

K
K
(d)

(f)

Şekil 2.86 Işıkla çalışan tristörler (a)LAS, (b)LASCR,
(c)ve tranzistör eşdeğer devresi, (d)LASCS,
(e)ve tranzistör eşdeğer devresi, (d)LAPUT
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - LASCR

RY

R1

vS(t)
=Vm sint Şekil 2.87 LASCR
(a)LASCR ile SCR
f
tetikleme uygulaması,
SCR
(b)normalde kapalı,
ışık ile tetiklenen
SCR, (c)normalde
açık, ışık ile kapanan
A
SCR

R4 LASCR
C

R2
R3
A

(a)

R1

R1

SCR

LASCR
R2

SCR

D1
LASCR
R2
K

K
(b)
eemdersnotlari.com

+

(c)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - LASCR
D1

D2

Rp

R1 =39K

RY
Triac

LASCR

C 0,1  F

(a)
D1

D2
Rp

D4

R 1 =33K

Diac 32 V

D3

C

0,1  F

(b)
eemdersnotlari.com

Şekil 2.88 Darlington
ile tetiklenen LASCR
ile tasarlanmış,
(a) normalde kapalı,
RY +v S(t) (b) normalde açık AA
220 V rölesi görevi yapan devre
Tri ac f=50 Hz

R2

LASCR

D 5 Tr1

f=50 Hz

Diac 32 V

D3

D4

+v S(t)
220 V

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC

2.8.8.İki yönlü tristör, TRIAC
Ters

paralel bağlı iki tristör gibi
tanımlanabilir. Her iki yönde de tristör
olarak görev yapar.

Triyaklar

iletime sürülürken, dört ayrı
iletim konumunda çalıştırılabilirler. Her
bir konumun tetikleme düzeneği
farklıdır.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC

T1

B1

T2

B2

G

(c)

Şekil 2.89 İki yönlü tristör TRIAC, (a)sem bolü,
(b)iletim -kesim özeğrisi,
(c)uç ve fiziksel görünüşleri
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC

I T1
m A 

T1

IF

B1
(-V FB ) V R B

G

IH

VF VH

0 VH VF
IH
T2
(c)

V FB V A V

B2
(b)

IF
I T2
m A 

Ş ek il 2 .8 9 İk i yön lü tristör T R IA C , (a )sem b olü ,
(b )iletim -k esim özeğ risi,
(c)u ç v e fizik sel g örü n ü şleri
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC

IT1
mA

T1

IF

B1
(-VFB) VRB

G

IH
VF VH
0 VH VF
IH

T2

VFB VAV

B2

(c)

(b)

IF
IT2

(c)

mA

Şekil 2.89 İki yönlü tristör TRIAC, (a)sembolü,
(b)iletim-kesim özeğrisi,
(c)uç ve fiziksel görünüşleri
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC

T1

T1
Gate

Gate

n2

p2
n1
p1

n3

p2

n4

n1
p1
n4

y

x

y

T2
x

T2

Şekil 2.90 Triyak yarıiletken yapısının farklı eksenlerden
kesit görünüşü
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC

(+ +)

T2
T2

p1

e1
e2
e3

n4

e5

n1
n2

p 2 n3

G (+)

G

T1

p1
n1
p2
n1
p2
n2

(+)
e4

(0)

(+ +)

(0) T1

(a)

Şekil 2.91 Triyak tetiklemesi için kutuplama konumları
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC

(+ +)

T2
T2

p1 n4

e1
e2
e3

e5

n1
n2

p2 n3

G (+)

(0)

G

T1
(a)

p1
n1
p2
n1
p2
n2

(+)
e4

T2

(+ +)

(0) T1

(+ +)
n4

e1
e2
e3

p1
n1
n2
(0)

p2 n3
T1

(+ +) T2
p1
n1
p2

e5
n1
p2
G(-)
G n3
e4
(-)
(b)

Şekil 2.91 Triyak tetiklemesi için kutuplama konumları
eemdersnotlari.com

n1
p2
n2
(0)T1

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC
(+ +)

T2
T2

p1

e1
e2
e3

n4

p 2 n3

n2

G (+)

G

e1
e2
e3

n1
n2

p2

(+ +) T2

n3
T1

n1
p2
G (-)
G n3
e4
(-)

(a)
(+) T1
e3
e2
e1

n2

n3

p2

G (-)

n3
p2
n1

(-)

T1

n4

(- -)

T2

e5
(c)

(+)
n3
p2
n1

n1
p1

T2 (-)

n3
p2
n1

e3
e2
e1

Şekil 2.91 Triyak tetiklemesi için kutuplama konumları
eemdersnotlari.com

n1
p2
n2
(0)T1

T1
G

e4

p1
n1
p2

e5

p1

(0)

(0) T1

T1

(+ +)
n4

n1
p2
n2

(+)
e4

(0)

p1
n1
p2

e5

n1

T2

(+ +)

(+)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC
(+ +)

T2
T2

p1

e1
e2
e3

n4

p 2 n3

n2

G (+)

G

e1
e2
e3

(+ +) T2

n1
p2
G (-)
G n3
e4
(-)

n1
p2

n2
(0)

n3
T1

(a)
(+) T1
e3
e2
e1

n2

n3

p2

G (-)

n3
p2
n1

(-)

(+) T1
T1

n4

(- -)

T2

e5
(c)

(+)
n3
p2
n1

n1
p1

(0)T1

T2 (-)

n3
p2
n1

(+)

G (+ +)
e4

e3
e2
e1

T1

n2

n3
p2

G
(+ +)

n1
p1

n4

(- -)

T2

n2
p2
n1

e5
(d)

Şekil 2.91 Triyak tetiklemesi için kutuplama konumları
eemdersnotlari.com

n1
p2
n2

(b)
G

e4

p1
n1
p2

e5

p1

(0) T1

T1

(+ +)
n4

n1
p2
n2

(+)
e4

(0)

p1
n1
p2

e5

n1

T2

(+ +)

p2
n1
p1
T2

p2
n1
p1
n1
p1
(- -) n4

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - TRIAC
T a b l o 2 .8 T ri ya k ö zd eğ erl eri
T riyak ö z d e ğ e ri
V DR M [ V ]
IT
[A ]
ITm ax

[A ]

d i/d t [A /µ s ]
I G m a x [A ]
P G m a x [W ]
P G o r t . [W ]
T d e p o [° C ]
TJ
[° C ]
U T 0 (= V Tm ) [V ]
d v /d t [V /µ s ]
IH
[m A ]
I D R M [m A ]

T riyak
2 6 2 -0 2 8
±400
0 ,3 5 (T A =

tip i
2 6 2 -7 3 1
±800
8 (T A C = 5 7 ° C )

4 5 °C )
(T J =
6
1 2 5 °C )

70

50
2
1
0 ,1
-4 0 , + 1 5 0
-4 0 , + 1 2 5
1 ,4 … . 1 ,7
2 0 (T J = 1 2 5 °C )
10
0 ,0 5

100
2
5
0 ,5
-4 0 , + 1 2 5
-4 0 , + 1 2 5
1 ,5 5
5 0 0 (T J = 1 0 5 ° C )
50
1 ,5 (T J = 1 0 5 ° C )

(T J = 1 2 5 °C )
I G T (+ )(K nm .1 ) [m A ]
(-)(K n m .2 )
(+ )(K n m .3 )
(-)(K n m .4 )
V G T [V ]
R th J C [° C /W ]

eemdersnotlari.com

5
10
10
5
2
100

50
50
50
50
2 ,5
5

TC
= 2 5 °C

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - MCT

2.8.9.MCT (MOSFET Controlled Thyristor)
•Tristör-tranzistör karışımı
olan MCT,
tristör gibi çalışan ve MOSFET gibi de
denetlenebilen bir elemandır.
•Yapısında iki MOSFET bulundurur. Aynı
kapı sinyaline bağlanan bu kapılardan biri
iletimde iken diğeri kesimde olur. Bu
nedenle bunlardan birine açık FET diğerine
de kapalı-FET denebilir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - MCT
Anot

Anot

A

Gate

Kapalı
FET
Gate

G

G

Kapalı
FET

Açık
FET

A

Açık
FET

Katot

K

(a)
Katot

Anot

K

A

(c)

Gate

Gate

G

G

Anot

A

Katot

K

(d)
Katot
(b)

K

Şekil 2.92 MCT için (a)p kanal eşdeğer devre ve (b)sembolü,
(c)n kanal eşdeğer devre ve (d)sembolü
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

OZEL SCR - QUADRC

2.8.10. QUADRAC (Triyak+Diyak)
•Tek paket içine yerleştirilmiş
bir triyak ve bunu
tetikleyecek şekilde bağlı diac
elemanlarından oluşur.

MT1
Quadrac
G

•Triyak gibi akımı her iki
yönde akıtabilir. AA
MT2
anahtarları ve faz denetimi
Şekil 2.93 Quadrac sembolü
yapmak üzere, hız, sıcaklık ve
ışık denetiminde kullanılmak
üzere geliştirilmiştir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

SCR SNUBBERS

2.9. TRİSTÖR KORUMA DEVRESİ
(SCR Snubber Circuits)

•Tristör iletime veya kesime girdiğinde,
indüktif bileşenli yükte gerilim yükselmeleri
oluşur.
•Buna göre RS, CS elemanları üzerinden
geçecek bir akım akar. Dolayısıyla RS, CS
koruma elemanlarını hesaplarken gerilimin
maksimum değeri önemli rol oynar.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

SCR SNUBBERS

•Tristöre paralel bağlı RC elemanının fonksiyonları;
 Devredeki ve yükteki geçici olaylarla yükselen
gerilimlerden tristörü koruması,
 Kapama durumunu destekleyerek ve dV/dt'yi
sınırlaması,
 Kesim geriliminin tepe değerini azaltması,
 Devrenin anahtarlama kayıplarını azaltması
Olarak tanımlanabilir.

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

SCR SNUBBERS

S

+

220V

~

vs (t)

L

RY
IY

A
SCR
G
IG

RS
VA

K

CS

Şekil 2.94 AA şebekeden beslenen tristör
koruma (gerilim söndürme) devresi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

SCR SNUBBERS

DFW

A

LSeri

A

IY
RY

+

SCR

IY

vs (t)

G

~

CS

IG
(a)

RS
VA

LY

RY

+
-

DS

-

A
RP

DS

K

A

.

CS
K

SCR

IG
G

RS

LS

CS
K

(c)

RS

CS

G IG
(b)

A

LS

IY

Vsda

K

RS

LSeri
GTO

(d)

IG
G

Şekil 2.95 (a)RY yükü ve tristör koruma devresi, (b)DA kaynağından, (c) ve (d)genel
RY-LY yükünü denetleyen GTO ve LS-DS-RS-CS koruma devresi,
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

SCR SNUBBER APPLICATIONS

Triyak
Ls
iYAA
D1
+
vs , f

Rs


i

Cs

DA Motoru D3
iYDA

(-)

(di/dt)sö

(+)
Ra

D4

La
D2

Şekil 2.99 Denetimsiz köpru doğrultucu ile triyaklı faz denetimi

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@hotmail.com

SCR SNUBBER APPLICATIONS

1A
50Hz
VCC Rgir

1 10V/ s
2

MOC
3021

6 180
0,1 
G

2,4K
C1

L=318mH

+

vS

1V/ s

 denetleyici

Şekil 2.101 Hassas kapı devreli triyak söndürme düzeni ve
faz denetimi yapan ışık bağlantılı tetikleme
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

2.10. TRİSTÖRÜN KAYIPLARI
Genel olarak bir tristördeki güç kayıpları:
Ø

Tetikleme (kapı devresi) kayıpları, (PG)

Ø Anahtarlama
kayıpları, (PS)
Ø

(iletim-kesim=açma-kapama)

İletim kayıpları, (Pİ )

Ø Kapama veya söndürme kayıpları (PD+PR )
dir.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

Tetikleme kaybı;

PG=VG.IG

W

Anahtarlama

PS0

W alınabilir.

Pozitif Kapama kayıpları;

PD=VDiD

W

(2.114)

Negatif kapama kayıpları;

PR=VRiR W

(2.115)

pi = viii

(2.116)

İletim kayıpları;

kayıpları,

W

•Tristörün ekleminde harcanacak güç, bir p-n ekleminin iletim
özeğrisinden yaklaşım yapılarak hesaplanabilir.
•İletimde olan bir yarıiletken p-n ekleminde Q çalışma noktası
için, vi=UT0+U ve küçük üçgenden, tg=U'/I=RT olarak bu
çalışma noktası için p-n ekleminin göstermiş olduğu direnç
bulunur.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR SOĞUTUCULARI

20
mm
(a)

100
mm

78 mm

12 mm

24
mm

8 mm
(d)

(b)

70 mm
110
mm

101,3 mm

(c) 20 mm
(e)

100 mm

Şekil 2.102 Tristörler için değişik şekillerde soğutucu profilleri
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI
90

P G = 2 W ( k a pı de vr e s i g ü ç k a y bı )

P io r [ W ]

di /dt | m a k s = 2 0 A / µ s
5 0 - 4 0 0 H z 'l i k f re k a n s l a rda
Ek l e m s ı ca k l ı ğ ı n da g ö s t e r i l m i ş t i r .

80
70

% 5 0 i ş l e tm e
fr e k a n s ı n da

% 33

60

% 25

50

% 1 6 ,7

40

% 8 ,3

30
t

20

T

10

% i ş l e tm e fr e k an s ı = 1 0 0 t/ T
0

10

20

30

40

50

60

70

Ii o r [ A ]

Ş e k il 2 .1 0 3 K a r e d a lg a ş e k lin d e k i b ir s in y a li
d e n e tle y e n tr is tö r iç in o r ta la m a ile tim k a y ıp la r ı
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A
Q

Ii

P
0

R

UT0  U Vi

VA  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A
Q

Ii

P
0

R

UT0  U Vi

VA  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A
Q

Ii

P
0

R

UT0  U Vi

VA  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A
Q

Ii

P
0

R

UT0  U Vi

VA  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A
Q

Ii

I

 U'
P

0

U T0

R
V A  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A
Q

Ii

I

 U'
P

0

UT0

R
 U Vi

V A  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A

vi=UT0+U
tg=U'/I=RT=U/Ii

Ii

Q

U=RTIi

I

vi=UT0+RTii

pi(t)= viii


 U'

=(UT0+RTii)ii
0

P
UT0

R
 U Vi

V A  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IA
 A

vi=UT0+U
tg=U'/I=RT=U/Ii

Ii

Q

U=RTIi

I

vi=UT0+RTii

pi(t)= viii
=(UT0+RTii)ii
0


 U'
P

R

U T0  U V i

V A  V

Şekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim özeğrisi
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

Tetikleme kaybı;

PG=VG.IG

W

Anahtarlama

PS0

W alınabilir.

Pozitif Kapama kayıpları;

PD=VDiD

W

Negatif kapama kayıpları;

PR=VRiR W

İletim kayıpları;

kayıpları,

pi = viii

W

(2.114)
(2.115)
(2.116)

•Tristörün ekleminde harcanacak güç, bir p-n ekleminin iletim
özeğrisinden yaklaşım yapılarak hesaplanabilir.
•İletimde olan bir yarıiletken p-n ekleminde Q çalışma noktası
için, vi=UT0+U ve küçük üçgenden, tg=U'/I=RT olarak bu
çalışma noktası için p-n ekleminin göstermiş olduğu direnç
bulunur.
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

1
Pi 
T

T

U

1
 iT dt 
T

T0

0

T

R

T

 i dt
2
T

0

T

T

1
1
2
 U T 0  iT dt  R T
i
T dt

T 0
T 0






I or

2
I eff

 U T 0  I or  R T  I eff2

W 

( 2 . 117 )

olarak iletim toplam kayıp gücü bulunur. Tristördeki
toplam güç kaybı PT ise tüm bu kayıpların toplamıdır.
PT = PG+PS+PD+ PR +Pi
eemdersnotlari.com

W

(2.118)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

•400Hz'in
alınabilir.

altındaki

frekanslarda

PTPi

•Yapılan deneysel çalışmalar sonucunda, bir
SCR'deki toplam kayıplar; iletim kayıpları ve iletim
kayıplarının yüzde onu toplamını geçmediği
görülmüştür. Pratik sonuçlara göre SCR elemanı
toplam kayıpları;

PT1,1Pi
olarak alınabilir.
eemdersnotlari.com

W

(2.119)

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

RY
iA
+
v(t)
~ Vm sin t
IG
IA  A
Im

(a)

(b)

0

-Im

eemdersnotlari.com

SCR

2

3

t s

Şekil 2.105.(a)SCR ile denetlenen
yük devresi, (b)Yük akımının
zamanla değişimine bağlı SCR kayıp süreleri

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KYIPLARI

IG

 mA

IA  A
Im

0

-Im


PD

2

Pi

PG +PS

3

t s

PR
PS

(b)

Şekil 2.105.(a)SCR ile denetlenen yük devresi, (b)Yük
akımının zamanla değişimine bağlı SCR kayıp süreleri
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

TRİAC KAYIPLARI

IA A
Im

RY

iA

+ v(t)
~ Vm sin t

TRİYAK
(b)

0 

+

2 2+ 3 ts

IA
 A

Im

Im

PD

Pi

PR
(a)

PG+PS

PS PG+PS

PS

0 T1
T

t  s

T2
(c)

Şekil 2.106.(a) İki yönlü akım ayarı dalga şekli, (b) Triyaklı AA ayarlayıcı devresi,
(c)Kare dalga fonksiyonu
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

TRİAC KAYIPLARI

VG mV
IA A0  tp
Im

0

+

t s 

2  2  +

3

2 2+

3 ts

(a)

Im
Şekil 2.106.(a) İki yönlü akım ayarı dalga şekli,
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

TRİAC KAYIPLARI

V G mV 
2 2  + 

I A A0  t p
Im

0

+ 

2  2 + 
(a)

Im

PD

P G +P S

Pi

P

R

Pi

P S P G +P S

. PD P i

P S P G +P S

Şekil 2.106.(a) İki yönlü akım ayarı ve tristördeki kayıplar,
eemdersnotlari.com

3

t s 

3  t s 

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Problem 2.15 Soğutucu ile çalışan bir
tristör
tarafından
denetlenen
devrede,
tristörden Şekil 2.149'daki gibi bir akım
akmaktadır.
Tristör
özdeğerleri;
UTo=1V,
RT=10m, iç ısıl direnç RthJC=0,15°C/W, dış ısıl
direnç RthCA=0,35°C/W, ortam sıcaklığı TA=25°C
ve işletme sıcaklığı –55 ~ +125°C arasındadır.
(a)PT=?, Toplam kayıp güç PT'yı, hesaplayınız.
(b)UT=?,
Çözüm 2.15 Verilenler: UTo=1V, RT=10m,
RthJC=0,15°C/W, RthCA=0,35°C/W, TA=25°C ve
işletme sıcaklığı –55~125°C arasındadır.
İstenenler: (a)PT=?, (b)UT=?

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

IA

 A

Im =150
Ior =Id
0

t1 =10

t2 =T=30

t s

Şekil 2.149.Problem 2.15 için SCR akımı
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

(a) PT = UTo Ior+ RT I²ef
Ior=(t1/T) Im =(10/30) 150 = 50 A
I²ef=(t1/T) I²m=7500 A²
PT = 150 +0,017500 = 125 W
(b)

eemdersnotlari.com

UT = UTo+RT  IT = 1+0,01x150= 2,5 V

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Problem 2.16 Tristör denetimli devreden
Şekil 2.150'daki gibi bir akım akmaktadır. Tristör
özdeğerleri;
UTo=1,2 V, RT=10 m, ortam
sıcaklığı
TA=40°C ve işletme sıcaklığı –
55~125°C arasındadır.
(a)Toplam kayıp gücü,
(b)Maksimum gerilim düşümünü hesaplayınız.
Çözüm 2.16 Verilenler: UTo=1,2V, RT=10m,
TA=40°C ve işletme sıcaklığı –55~125°C.
İstenenler: (a)PT=?, (b)UTmaks.=?
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

IA
 A

Im =20
Ior=Id
0

t1 =10

t2 =T=20 t  s 

Şekil 2.150.Problem 2.16 için SCR akımı
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

(a)

0 < t < 10
10 < t < 20

iT(t) = 20 A
iT(t) = 0 A

Ior=1020/20=10 A ve I2ef=10202/20=200 A2
PT=1,210+1010-3200 = 12,2 W
(b) UTmaks = UTo+RT ITmaks =1,2+0,0120 =1,4 V

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Problem 2.17 Soğutucu ile çalışan bir
tristör ile denetlenen devreden, Şekil 2.151'deki
gibi bir akım akmaktadır. Tristör özdeğerleri;
UTo=1V, RT=10 m, ortam sıcaklığı TA=45°C ve
işletme sıcaklığı –55~+125°C arasındadır.
(a)Toplam kayıp gücü PT,
(b)Maksimum gerilim düşümünü UTmaks. bulunuz.
Çözüm 2.17 Verilenler: UTo=1V, RT=10
m, TA=45°C ve işletme sıcaklığı –55 ~ +125°C
İstenenler: (a) PT=?, (b) UTmaks.=?
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

IA  A 
150

0

2

 t  ra d. 

Şek il 2.151 Problem 2.17 için SCR ak ımı
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

(a)

0 < t < 

iT(t)=150 sint A

 < t < 2

iT(t)=0 A

Ior = Im/ = 150/ = 47,75 A
I²ef= I²m/4 = 150²/4 = 5625 A²
PT=147,75+0,015625 = 104 W
(b) UTomaks=UTo+RT IA = 1+0,01150 = 2,5 V

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ
Problem 2.18 Bir tristörden, Şekil 2.152'deki gibi (a,b,c,d)
akımlar akmaktadır. Tristör özdeğerleri; UTo=1,1V, RT=2,2 m
değerlerindedir. Her bir akım şekli için toplam kayıp gücü (PT)
hesaplayınız.
IA  A

IA  A

200

200
Ior

Ior

0
IA  A

2

(a)

0

 t  rad. 

IA  A

2

 t  rad. 

(c)

200

200

Ior

Ior
0

 =  /3
(b)

2

 t  rad. 

0

 =  /3

(d)

Şekil 2.152 Problem 2.18 için SCR akım şekilleri
eemdersnotlari.com

2

 t  rad. 

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Çözüm 2.18 Verilenler: UTo=1,1V,
İstenenler: PT=?

(a)

RT=2,2 m.

Ior=Im/ = 200/ = 63,662 A
I²ef=I²m/4 = 200²/4 = 10 000 A²

PT=1,163,662+0,002210 000 = 92,028 W
(b) PT =1,147,746+0,00228044,989=70,219 W
(c) PT =1,1127,323+0,002220 000 = 184,055 W
(d)PT =1,195,492+0,002216089,977=140,439 W

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Problem 2.19 Doğrultucu olarak kullanılan
silisyum bir diyodun
iletimdeki
gerilim
düşümü, UA=0,85V+0,0009.iA amper şeklinde
değişken bir fonksiyondur. Şekil 2.152.(a) da
çıkış gerilim değişimi gösterildiği gibi,
1Ph1W1P çalışma konumunda omik bir yükü
beslerken akımın ortalama değeri Id=200 A
olduğuna göre ortalama güç kaybı ne olur?
Çözüm 2.19 Verilenler: UA=0,85V+0,0009.iA,
Id=200 A, ve çıkış eğrileri. İstenenler: PT =?

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

IA A

IA A

200

200
Ior

Ior

0
IA A

2

(a)

0

t rad.

IA A

2

t rad.

(c)

200

200

Ior

Ior
0

=/3 
(b)

2

t rad.

0

=/3 

2

t rad.

(d)

Şekil 2.152 Problem 2.18 için SCR akım şekilleri
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Çözüm 2.19
Ior=Id=200 A'dır
Id = Ior = Im/'den, Im= 200 = 628,318 A
I2ef= I2m/4 = 98696,044 A2
PT =0,85200+0,000998696,044 = 258,826 W

eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Problem 2.20 Tek tristörle denetlenen Şekil
2.153 daki devrede VS=220V, f=50Hz, UTo=1V,
RT=0,2 dur.
(a)=90° iken tristör ve yükteki gerilimlerin
değişimini çiziniz.
(b)İletimde güç kayıplarını hesaplayınız.
Çözüm 2.20 Verilenler: VS=220 V, f=50 Hz,
UTo=1 V, RT=0,2 , VZ=30 V, VC=VD=15 V,
RY=100
İstenenler: (a)=90° iken VA ve VY değişimi,
(b)PT=?
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

RY =100 
iY= iA
+

~ vs(t)=Vm sin

SCR
15V R

Rz

IG C
6F

DZ
30V

t

Şekil 2.153 Problem 2.20 için SCR denetimli devre
eemdersnotlari.com

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Çözüm
2.20

v SCR  V
220  2

(a)
=90°'de
0  = /2
(=/2)
tristör ve yük
-220  2
gerilimi
V Y V
değişimi Şekil
220  2
2.154'de
gösterilmektedir.
0

2

 t  rad. 

 = /2 

2

 t  rad. 

-220  2

Şekil.2.154  =90°'de V
eemdersnotlari.com

SCR

ve V Y değişimi

Dr.N. Abut KOÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ nurettinabut@yahoo.com

SCR KAYIP GÜCÜ

Çözüm 2.20
(b) Ior= 0,495 A

ve Ief2 =1,21 A²

PT=10,495+0,21,21 = 0,737 W olarak
hesaplanır.

eemdersnotlari.com