ELEKTRONIKA

Satnica: 2+2
LITERATURA
Petar Biljanovi:Poluvodiki elektroniki elementi,kolska
knjiga,Zagreb 1996.
J.ribar,J.Divkovi-Pukec:Elektroniki elementi, zbirka rijeenih
zadataka i izvoda, I i II dio, Element, Zagreb, 1996.
.Butkovi, J.Divkovi-Pukec,A.Bari: Elektronika I, Interna skripta
FER,Zagreb,2006
LITERATURA

Petar Biljanovi:Elektroniki sklopovi,kolska knjiga,Zagreb

Ivan Zulim,Petar Biljanovi:Elektroniki sklopovi, zbirka zadataka,
eljko Butkovi,Goran Zeli: Elektroniki sklopovi, zbirka zadataka
ELEKTRONIKI ELEMENTI - UVOD

U suvremenom svijetu vjerojatno vie ne postoji grana ljudske djelatnosti u

kojoj nije prisutna elektronika.U svakodnevnom ivotu mnoge elektronike
naprave ve su toliko uobiajene da je teko zamisliti ivot bez njih
(televizori,raunala,telefoni).
U klasinom strujnom krugu u kojem se protok elektrona moe kontrolirati
pomou prekidaa ili promjenljivog otpora. Prekidai i potenciometri
kontroliraju protok elektrona izvana promjenom fizikog poloaja
mehanikog ureaja
U elektronikom strujnom krugu koriste se posebni ureaji upravljani
pomou drugog toka elektrona ili napona U elektronici se koriste specijalni
ureaji koji mogu kontrolirati tok elektrona pomou drugog toka elektrona ili
promjenom napona.
Kljuna razlika izmeu elektrinog i elektronikog kruga je u tome kako je
upravljan protok elektrona..
 Aktivni ureaj je ureaj sa mogunou elektrinog upravljanja protoka
elektrona (elektronima upravljani elektroni) Da bi strujni krug bio stvarno
elektroniki, mora sadravati barem jedan aktivni element. Komponente koje
ne mogu kontrolirati struju pomou drugog elektrinog signala se zovu
pasivne. Aktivne komponente su: elektronske cijevi, tranzistori, SCR, TRIAC,
i dr.
Sve aktivne komponente upravljaju protokom elektrona kroz njih. Neke
aktivne komponente doputaju naponsko upravljanje struje, neki
strujno.Ureaji koji koriste naponsko upravljanje zovu se naponom upravljani
ureaji. Komponente koje rade kao strujom upravljane poznate su kao
strujom upravljani ureaji. Vakuumske cijevi su naponom upravljane
komponente, dok tranzistori mogu biti naponom i strujom upravljani.
 Elektronke naprave mogu se podijeliti prema funkcijama i sloenosti grae
na:
Eletronike elemente
Elektronike sklopove
Elektronike sustave
Elektroniki elementi su najjednostavnije elektronike naprave namijenjene
izvravanju osnovnih elektronikih funkcija:pojaanju signala i funkcija
sklopke.
Ako se vie elemenata spoji u elektroniku mreu s ciljem izvravanja
sloenijih funkcija, dobije se elektroniki sklop.
Elaktroniki sustavi su mree sloene od niza elektronikih sklopova
namijenjene obavljanju i najsloenijih elektronikih funkcija.
Elektronika je po definiciji znanost koja se bavi transportom elektriki
polariziranih estica kroz poluvodie, vakum i plinove, te izradom naprava
koje se tim transportom koriste u praktine svrhe.
Najznaajnije estice su elektroni.
Najznaajniji materijali su poluvodii.
 Povijesno, era elektronike poinje otkriem
elektronske cijevi, ureaja koji upravlja tokom
elektrona kroz vakuum promjenom malog napona
napona izmeu dvije metalne strukture unutar
cijevi.-prvi elektroniki element je bio vakuumska
dioda (1904.g.)-elektronska cijev s dvije elektrode-
uarena katoda-ugljen,volfram(-) emitira elektrone,
a hladna metalna -anoda(+) ih sakuplja pod
uvjetom da je izmeu tih dviju elektroda djelovalo
elektrino polje usmjereno od hladne elektrode
prema uarenoj.
elektroni su se gibali samo u jednom smjeru-od
katode prema anodi- obratno ne
-ponaa se kao ispravlja
 -drugi elektroniki element je bio vakuumska cijev sa tri elektrode trioda
izmeu katode i anode nalazi se jo jedna reetkasta elektroda-mreica koja
kontrolira protok elektrona od katode prema anodi-pri tome relativno male
promjene napona na reetki izazivaju relativno velike promjene anodne
struje- dobije se zavisni strujni ili naponski izvor
odgovarajuim naponom na mreici moe se potpuno prekinuti anodna
struja-funkcija sklopke
to su dvije osnovne elektronike funkcije: sklopka i kontrolirani izvor
 od tih elektronskih cijevi razvijeni su mnogi korisni elektroniki
sklopovi:pojaala, multivibratori, bistabili,analogna raunala...
paralelno razvoju primjena razvijala se i teorija rada, te analiza i sinteza
elektronikih sklopova :
teorija povratne veze
teorija informacija
analiza i projektiranje logikih sklopova
univerzalni raunski stroj
mikroprogramiranje
 razvijala se snana
elektronika industrija
-prvi elektroniki raunski stroj
ENIAC 1946.g
-18 000 elektronskih cijevi u
prostoru 10 X 13 m svakih
nekoliko sati se pokvarila
jedna cijev-
-5000 operacija zbrajanja u
sekundi (0.2 ms)
-elektronske cijevi-1000 puta
bre od mehanikih sklopki
(elektromagnetskih releja)
-20 sek potrebno za proraun
za koji mehaniki kalkulator
treba 40 sati
-teina: 30 t
-potronja: 160 kW
 Elektronske cijevi su poznate po svojoj nepouzdanosti i mnogo vremena
ENIAC je proveo na popravkama zbog zamjene izgorjelih cijevi. Zato je
uvedeno nekoliko novina:
ENIAC se nije nikada nikada gasio. U veini sluajeva elektronske cijevi su
se kvarile prilikom zagrijavanja i dok su se hladile, zbog efekta koji se zove
termalni stres. Ovom tehnikom inenjeri ENIACa trebali su promijeniti
prosjeno po jednu elektronsku cijev svaka dva dana.
napajanje komponenti je smanjeno 10% od nominalnog smanjenjem
napona smanjivala se optereenost unutar elektronske cijevi i time
produivao radni vijek
sve komponente su bile dostupne na prednjoj strani raunala to je
omoguavalo bru zamjenu elektronskih cijevi, te omoguavalo promatranje
rada raunala po paljenju i gaenju pojedinih
 Konstrukcijom prvog elektronskog raunala dole su do izraaja nedostaci.
Budui da su elektroniki elementi bazirani na vakuumskim cijevima nisu
zadovoljavali ni po dimenzijama ni po pouzdanosti za realizaciju sloenih
funkcija, razvoj je usmjeren na voenje struje kroz vrsta tijela.
Najpogodniji materijali za takva ispitivanja su bili poluvodii.
-nakon toga poinju intenzivna istraivanja mogunosti realizacije
elektronikih elemenata s dvije osnovne funkcije bez vakuumske cijevi, u
vrstom materijalu
 1948- otkriven je tokasti tranzistor od Ge, zatim od Si struja koja tee kroz
jedan kontakt upravljana je strujom koja tee kroz drugi kontakt, a ne
vanjskim elektrinim poljem-ovo otkrie jedno je od najvanijih dogaaja u
povijesti prolog stoljea
-spojni tranzistor-tokasti kontakti zamjenjeni pn-spojevima
Elektronska tehnologija dobiva zamah revolucionarnim otkriem tranzistora
Taj ureaj postie priblino isti efekt kao elektronska cijev, ali u znaajno
manjem volumenu odnosno koliini materijala.
 -tranzistor s efektom
polja JFET
-MOSFET
-planarna tehnologija
tunel dioda
Schottkyjeva dioda
(metal-poluvodi)
svijetlea dioda
diodni laser
diodni oscilator
planarna tehnologija
integrirani sklopovi - microchip
-Intel 8088 29000 tranzistora (1979.g.)
-Intel Pentium IV -42 000 000 tranzistora (2000.g.)
 Prvi DRAM ip razvijen 1970. je imao kapacitet 1 000 bita. 2005. godine 4
GB DRAM ip sadri 32 biliona bita - dovoljno za pohraniti kompletno
Shakespeare-ovo stvaralatvo etiri puta na jedan ip.
Slijedei graf demonstrira efekt Moore-ovog zakona. Konstantno poboljanje
poluvodike tehnologije je uvjetovano eksponencijalnim rastom broja
tranzistora koji mogu biti smjeteni u ip., smanjenjem cijene i poveanjem
performansi ipova- bri, bolji i jeftiniji svake godine.
 1964 Gordon Moore je uoio da broj komponenti na integriranim sklopovima
se udvostruuje priblino svakih 12 mjeseci uzrokujui smanjenje cijena
komponenti..
Moore-ov zakon vrijedi ve 40 godina. Znanstvenici vjeruju da e se
napredak poluvodike tehnologije ovim tempom nastaviti jo 10-15 godina.
1978 komercijalni let izmeu New York-a i Pariza kotao je 900 dolara i
trajao sedam sati. Ako bi Moore-ov zakon primjemili na avionsku industriju
taj let bi danas kotao stotinku dolara i trajao manje od jedne sekunde.
Danas cijena po bitu DRAM memorije iznosi 1 nanodolar (jedan bilioni dio
dolara)
 1948 tokasti tranzistor
1950 monokristal germanija
1952 spojni tranzistor
1952 monokistal silicija
1955 tranzistor s difundiranom bazom
1957 oksidni sloj
1960 planarni tranzistor
1960 - MOS tranzistor
1960 epitaksijalni tranzistor
1961 integrirani sklop
 Karakteristika dananje tehnologije: bre,bolje,jeftinije- karakterizira tehnoloke promjene i poboljanje
poluvodikih proizvoda
2000. g poluvodika industrija ulazi u eru nanotehnologije isporukom proizvoda manjih od 100nm i
oksidnim slojem na upravljakoj elektrodi tanjim od 1 nm.
2004 amerika industrija je implementirala 90 nm tehnologiju.
Kronologija broja tranzistora/radne frekvencije u Intelovim Pentium (32 bitni) procesorima:
* 1993. Pentium 60MHz i 66MHz - 3.1 milijun
* 1994. Pentium 90MHz i 100MHz - 3.2 milijuna
* 1995. Pentium 133MHz - 3.3 milijuna
* 1995. Pentium Pro 150, 166, 180 i 200MHz - 5.5 milijuna
* 1996. Pentium 150 i 166MHz - 3.3 milijuna
* 1997. Pentium 166 i 200MHz - 4.5 milijuna
* 1997. Pentium II 233, 266 i 300MHz - 7.5 milijuna
* 1998. Pentium II 450MHz - 7.5 milijuna
* 1999. Pentium III 500 - 733MHz - 28 milijuna tranzistora
* 2000. Pentium 4 1.40 and 1.50GHz - 42 milijuna
* 2001. Pentium 4 2.0GHz - 55 milijuna
* 2002. Pentium 4 3.06GHz - 55 milijuna
* 2003. Pentium M 1.60GHz - 77 milijuna
* 2004. Itanium (64 bitni procesor) - 25 milijuna CPU, s cache-om preko 200 milijuna tranzistora
 Pentium 4:
* P4 Willamette jezgra, 400MHz sabirnica (BUS), 256kb L2 cache bez
posebne oznake
* P4 Northwood jezgra, 400MHz sabirnica, 512kb L2 cache oznaka A
(npr P4 2,0A)
* P4 Northwood jezgra, 533MHz sabirnica, 512kb L2 cache oznaka B
(npr P4 2,4B)
* P4 Northwood jezgra, 800MHz sabirnica, 512kb L2 cache oznaka C
(npr P4 2,8C)
* P4 Prescott jezgra, 800MHz sabirnica, 1MB L2 cache oznaka E (npr
P4 3,2E)
* P4 Northwood jezgra, 800MHz sabirnica, 512kb L2 cache, 2MB L3
cache oznaka EE
* Oslabljene inaice Pentiuma - Celeron
* Itanium
Xeon
-s periferijama povezan s 1366
prikljuaka
-45nm tehnologija
-tranzistora: 774 milijuna
-povrina: 296 mm

-najnovije: Core i7, 32nm

-4 jezgre,45W,3,4GHz
-995 milijuna tranzistora
-216mm2
Poluvodii
-elementi su izgraeni od atoma
-ovisno o rasporedu atoma u strukturi, vrsta tijela
moemo podijeliti na amorfna i kristalina
-amorfna imaju nepravilan raspored atoma u kristalnoj
strukturi.
-
kristalina-imaju pravilan raspored atoma i
mogu se podijeliti u dvije skupine:
-monokristale koji imaju pravilan raspored
atoma u kristalnoj reetki s periodinim
ponavljanjem osnovne jedinine elije du
svih triju koordinatnih osi i
-polikristale koji imaju pravilan raspored atoma
u kristalnoj reetki u manjim dijelovima
ukupnog volmena zrnima; ta zrna imaju
razliite veliine i oblike.
 -atomi se sastoje od jezgre (protoni, neutroni) i elektrona
-negativni naboj elektrona jednak je pozitivnom naboju jezgre (protona)
-elektroni atoma poprimaju diskretne energije

-
-elektroni atoma poprimaju diskretne energije
-ako imamo dva jednaka atoma koji su dovoljno udaljeni
da ne utjeu jedan na drugoga, njihovi elektroni u
energetskom dijagramu zauzimaju iste vrijednosti.
-ako smanjujemo razmak izmeu ta dva atoma (na apscisi se
pomiemo od prema ishoditu, energetski dijagrami e biti
isti tisti tako dugo dok se atomi ne priblie na udaljenost kod
koje poinje interakcija
-ta interakcija se manifestira u tome da elektroni dva atoma koji
zauzimaju isti energetski nivo, kad su dovoljno blizu ne mogu
ostati na istom nivou, tj svaki elektron od ta dva atoma mora
zauzimati svoj posebni energetski nivo. Zbog toga dolazi do
cijepanja svakog energetskog nivoa u dva nivoa
-to to znai za realni kristal u kojem su atomi pravilno poredani
u kristalnu reetku kao na sl.1 c. Monokristal silicija u
periodinoj strukturi kristalne reetke sadri 51010 atoma u
kocki od 1 m3 . Ako pretpostavimo da cijepanje energetskih
nivoa poinje na razmaku od 1 m, onda se energetski nivo
jednog elektrona svakog od 51010 atoma u kocki dijeli u
51010 diskretnih energetskih nivoa koji su jako blizu jedan
drugom, tako da ih moemo smatrati pojasom energija. Dakle,
iz svakog diskretnog energetskog nivoa koji pripadaju
elektronima samostojeeg atoma nastaje jedan pojas energija
kristala.
-diskretna stanja stapaju se u energetske pojaseve
 Za elektrina svojstva poluvodia
vano je ponaanje elektrona u
vanjskoj ljusci atoma. Svaki
elektron u atomu moe se sa
fizikalnog stanovita opisati
energijom koju posjeduje. Pri
tome ja vano znati to da
pojedini elektroni ne mogu imati
bilo koju vrijednost energije, ve
da zauzimaju tono odreene
iznose energije koje zovemo
diskretni energetski nivoi.
Vrijednosti energije izmeu tih
nivoa elektroni ne mogu imati.
-ako za oznaena tri razmaka izmeu atoma prikaemo energetske pojaseve
prema slici, mogu se jasnije uoiti energetski pojasevi. Na sl 3 postoji
preklapanje valentnog i vodljivog pojasa. To znai da se ve elektroni iz
valentnog pojasa mogu slobodno gibati unutar kristalne reetke. Kristale s
takvim svojstvima zovemo vodii.
Na sl 1 postoji veliki energetski razmak izmeu vodljivog i valentnog pojasa,
obino iznad 5 eV. Kako su vanjski elektroni u atomu u valentnom
energetskom pojasu, uz veliki energetski razmak izmeu valentnog i
vodljivog pojasa vodljivi pojas je prazan. Takve materijale zovemo izolatori.
Sl 2 jako nalikuje slici 1. Razlika je u irini zabranjenog pojasa. Na sl 2
zabranjeni pojas je manji obino Eg<2,5 eV. Kristali s irinom zabranjenog
pojasa Eg<2,5 eV spadaju u skupinu poluvodia.
Na temperaturi apsolutne nule vanjska ljuska atoma potpuno je popunjena
valentnim elektronima. U dijagramu energetskih pojasa moemo prikazati
valentni pojas energija koji pripada valentnim elektronima.Iznad valentnog
pojasa nalazi se pojas zabranjenih energija Eg koje elektroni ne mogu
poprimiti. To znai da u pojasu energija Eg elektroni ne mogu egzistirati.
Iznad zabranjenog pojasa energija nalazi se vodljivi pojas.
Na koji nain provesti analizu koja je od interesa za elektroniku

.
Ako promatramo kocku od 1 cm3 onda imamo 1022 atoma, odnosno barem
toliko elektrona u vanjskoj ljusci atoma. Ako bi izraunali brzinu, energiju i
smjer gibanja svakog od tih 1022 elektrona, tako velika koliina podataka ne
bi mogla posluiti za neke korisne analize. Ovdje se promatra veliki broj
estica u jedinici volumena. Njihovo ponaanje nije mogue opisati
metodama klasine fizike. Bitnije je poznavanje moguih brzina i energija i
broja elektrona u odreenom intervalu energija ili brzina. U tome se koriste
metode statistike fizike.
 U analizama koje su od interesa za elektroniku prikladno je elektrone u
atomu promatrati preko njihove energije. Pri tome su zanimljivi samo
elektroni u vanjskoj ljusci (valentni elektroni) jer oni utjeu na elektrina
svojstva poluvodia. Elektroni ispod vanjske ljuske nisu vani za elektrina
svojstva poluvodia jer su vrsto vezani za jezgru atoma pa ne sudjeluju u
voenju struje. U energetskom dijagramu elektrone koji popunjavaju valentni
pojas prikazati prema slici. Iznad pojasa energija koji pripada valentnim
elektronima nalazi se pojas zabranjenih energija, a iznad pojasa zabranjenih
energija slijedi opet pojas dozvoljenih energija, tj. pojas energija koje
elektroni mogu posjedovati. Taj pojas energija zove se vodljivi pojas. Tako se
zove zbog toga jer elektroni koji posjeduju energije koje pripadaju vodljivom
pojasu mogu se slobodno kretati kroz kristalnu reetku materijala koji
sainjavaju. Drugim rijeima samo elektroni koji se (energetski) nalaze u
vodljivom pojasu slue za voenje struje.
 Kod poluvodia je na apsolutnoj nuli valentni pojas potpuno
popunjen elektronima. To znai da u vodljivom pojasu nema niti
jednog elektrona, odnosno da kroz poluvodi na apsolutnoj nuli
ne tee struja
Pitanje je sada na koji nain postii da kroz poluvodi ipak tee
struja. Jedini nain jest da barem jedan elektron atoma
zaposjedne energiju koja pripada vodljivom pojasu. Budui da su
elektroni u valentnom pojasu najblii vodljivom pojasu, njima je
potrebno dodati najmanji iznos energije da bi se prebacili u
prazan vodljivi pojas. Pri tome je elektronu koji se nalazi pri vrhu
valentnog pojasa potrebno dati energiju koja je jednaka ili vea
od energije koja odgovara irini zabranjenog pojasa. E>= EG
 Slijedee pitanje je na koji nain elektroni mogu dobiti potrebnu
energiju.Jedan nain jest da se materijal osvijetli odreenom
frekvencijom.Svijetlo jest mlaz fotona odreene frekvencije.
Frekvencija fotona treba biti takva da fotoni predaju valentnim
elektronima energiju E>= EG koja je dovoljna za skok iz valentnog u
vodljivi pojas.
Drugi nain jest bombardiranje subatomskim esticama. Trei jest
zagrijavanje materijala. Porast temperature dovodi do poveanja
vibracija kristalne reetke pri emu se emitiraju kvanti energije
elastinog vala fononi.U ovom sluaju fononi predaju energiju
valentnim elektronima. I fononi trebaju predati valentnom elektronu
energiju E>= EG da bi on mogao prijei iz valentnog u vodljivi pojas.
 Energija koju fononi predaju elektronima odreena je izrazom:
ET k T J
gdje je:
ET= energetski ekvivalent temperature u ulima
T = temperatura u kelvinima
k = 1,38 .10-23 J/K Boltzmanova konstanta
 Uobiajena jedinica energije za elektrone je 1 eV (elektronvolt). 1 eV
se definira kao kinetika energija elektrona koji je iz stanja mirovanja
ubrzan potencijalnom razlikom od 1 V. irina zabranjenog pojasa
poluvodia je obino EG< 2,5 eV . Zbog toga je nama prikladnije
prikazivati ET takoer u elektronvoltima. Pri tome vrijedi:
1eV= 1,602.10-19 J
k T
ET
T
eV
q 11605

q = 1,6.10-19 C (As) iznos naboja elektrona

 Na sobnoj temperaturi (T=290K) energetski ekvivalent temperature
u elektronvoltima iznosi ET=0,025 eV. To je ujedno i red veliine
srednje energije
koju fononi predaju valentnim elektronima. To je puno manje od
irine zabranjenog podruja poluvodia EG koje je reda veliine eV,
pa bi se moglo zakljuiti da na sobnoj temperaturi niti jedan elektron
ne moe dobiti energiju potrebnu za prijelaz u vodljivi pojas. U
stvarnosti ipak ima elektrona koji mogu prijei. Zato?
U kristalu poluvodia ima oko 1022 atoma po cm3 . Atomi Si imaju u
vanjskoj ljusci po 4 elektrona, dakle 4.1022 elektrona,to je jako veliki
broj. Zbog toga nema smisla odreivati energiju svakog elektrona
posebno. Srednja vrijednost energije svih valentnih elektrona u
poluvodiu jest mala, ali to ne znai da pojedini elektroni imaju ba tu
i istu vrijednos energije. Neki elektroni e imati veu, a neki manju
vrijednost energije. Zato se govori o statistikim srednjim
vrijednostima energije i vjerojatnosti da neki elektron ima odreenu
vrijednost energije.
 Vjerojatnost f da valentni elektron dobije energiju E>= EG moe se u
grubo prikazati proporcionalnou:

EG

1, 5 E
f e T

Dakle, vjerojatnost f da valentni elektron na danoj temperaturi prijee

u vodljivi pojas eksponencijalno opada sa irinom zabranjenog
pojasa.
 Da se dobije fizikalna slika to to znai moe posluiti slijedei
primjer koji nije egzaktan, ali daje redove veliina pojedinih
vrijednosti koje dobro ilustriraju problem.
Pretpostavimo da na T=290K imamo dva materijala: poluvodi
kojemu je
EG =1eV i izolator kojemu je irina zabranjenog pojasa EG =6eV.
Koncentracija atoma N=1022 atoma po cm3 .
ET=0,025 eV
Ako za sobnu temperaturu izraunamo vjerojatnost da elektron
prijee iz vodljivog u valentni pojas dobijermo:
 EG
1
1, 5 E
1, 50, 025
f1 e T
e
2,62 10 12
EG
6
1, 5 E
1, 50, 025
f2 e T
e
3,26 10 70
 Vidi se da su to vrlo male vrijednosti vjerojatnosti, ali ipak su
vee od nule.
Za poluvodi vjerojatnost 2,62.10-12 znai da na 1014 atoma
samo 262 elektrona ima dovoljnu energiju za prijelaz iz
vodljivog u valentni pojas. To jest jako malo. Ali ako uzmemo
koncentracija od N=1022 atoma po cm3 , onda uz pretpostavku
samo jednog valentnog elektrona po atomu dobijemo
=2,62.10-121022 =2,62.1010elektrona po cm3
Dakle, po 1 cm3 poluvodia dobije se 2,62. 1010 elektrona koji
se mogu pod utjecajem elektrinog polja nesmetano gibati
kroz kristal. To gibanje se manifestira kao elektrina struja.
Ako isto razmatranje primjenimo na izolator, dobijemo:
=3,26.10-701022 =3,26.10-48elektrona po cm3
to znai da uz zadane uvjete ne postoji niti jedan elektron koji
bi imao energiju dovoljnu da prijee iz valentnog u vodljivi
pojas, drugim rijeima kroz izolator ne moe tei elektrina
struja.
 Da se vidi utjecaj poveanja temperature na vodljivost poluvodia i
izolatora, pretpostavimo da se temperatura sa T=290K povisi na
T=340K, odnosno za neto vie od 17,2%.
k T T 340
ET 0,029
q 11605 11605

EG
1
1, 5 E

f1 e T
e 1, 5 0 , 029
1,04 10 10

EG
6
1, 5 E
1, 50, 029
f2 e T
e
1,25 10 60
 Za poluvodi se dobije:
=1,04.10-101022 =1,04.1012elektrona po cm3
to je poveanje od 39,69 puta.
Za izolator se dobije:
=1,25.10-601022 =1,25.10-38elektrona po cm3
to je jo uvijek puno manje od jednog slobodnog elektrona po cm3
a to znai da je izolator i dalje izolator.
Iz primjera se vidi da poveanje temperature za 17% nije utjecalo na
elektrina svojstva izolatora, dok se kod poluvodia broj elektrona
koji mogu prijei iz valentnog u vodljivi pojas poveala gotovo 40
puta.
Isto tako kristali s manjom irinom zabranjenog podruja bolje vode
struju.
 Dva poluvodia koja se najee pojavljuju su Ge i Si. Ge ima EG
=0,78eV, a Si EG =1,2eV na temperaturi apsolutne nule. irina
zabranjenog pojasa polako opada porastom temperature, pa je tako
na sobnoj temperaturi za Ge EG =0,72eV, a za Si EG =1,1eV.
Vrste poluvodia

-germanij, silicij
-dijamantna struktura
-etverovalentni element
-etiri valentna elektrona
-atomi se veu u kovalentnu vezu
-etiri znaka oznauju 4 elektrona u valentnom pojasu atoma, a +4
oznaava naboj ostatka tog atoma iona Si. Kako Si ima redni broj
14 u periodikom sustavu elemenata, kada se neutralnom atomu
oduzmu 4 valentna elektrona, ostaje dio kojemu fale ta 4 elektrona
da bi bio neutralan atom, dakle ion sa nabojem +4.
-na temperaturi apsolutne nule su sve valentne veze kompletne, a to
znai da je svaki valentni elektron vezan za svoj matini atom prema
sl.. U takvoj strukturi nema slobodnih elektrona koji bi se gibali kroz
kristal, a to znai da nema ni struje.
 Poluvodi ija se kristalna reetka sastoji od pravilno
rasporeenih atoma jednog elementa bez primjesa drugih
elemenata i nepravilnosti, naziva se intrinsian, isti ili
besprimjesni poluvodi. U realnom poluvodiu se uvijek nailazi
na strane atome koji mogu biti namjerno ili nenamjerno dodani
osnovnom kristalu. Pri tome se oni atomi koji nenamjerno dospiju
u kristalnu reetku poluvodia zovu neistoe, a oni koji se
namjerno dodaju, primjese ili dopandi. Zato se u poluvodikoj
tehnici koristi silicij koji je u tehnolokom smislu ist silicij
elektronike kvalitete koji ima ispod 1 atoma neistoa na 106
atoma silicija.
Primjese se dodaju da bi se promjenila fizikalna, u prvom redu
elektrina svojstva (vodljivost) poluvodia. Poluvodii sa
primjesama se zovu ekstrinsini ili primjesni poluvodii. Atomi
primjesa mogu se ugraditi u kristalnu reetku silicija na dva
naina.
Atom primjese smjeten je na onom mjestu u kristalnoj reetki na
koje ne dolaze atomi silicija. Takva primjesa naziva se
intersticijska.
Drugi nain: atom primjese smjeten je na onom mjestu u
kristalnoj reetki na koje dolazi atom silicija. Takva primjesa
naziva se supstitucijska (atom silicija supstituiran je atomom
primjese).
Primjese koje pripadaju treoj i petoj skupini periodikog sustava
elemenata prirodno tee zauzimanju supstitucijskog poloaja u
kristalnoj reetki silicija i germanija. Zato su one najbitnije kod
analize temeljnih svojstava ekstrinsinih poluvodia
 Ako imamo intrinsini poluvodi koji na apsolutnoj nuli ima sve
valentne veze kompletne, poveanjem temperature, zbog
termikog titranja kristalne reetke postoji vjerojatnost da neke
valentne veze apsorbiraju dovoljno energije da se elektron iz
valentnog pojasa prebaci u vodljivi pojas, odnosno da se neke
veze meu atomima razbiju. Dakle, apsorbiranjem kvanta
energije veeg od irine zabranjenog pojasa, elektron prelazi u
vodljivi pojas u kojem se moe slobodno kretati. Na mjestu
razbijene valentne veze nedostaje elektron, to se manifestira
kao pozitivni jedinini naboj koji zovemo upljina.
 U tom atomu postoji tendencija da se pokidana valentna veza
ponovo kompletira i neutralizira njen pozitivni naboj. Mjesto
upljine moe popuniti valentni elektron iz neke susjedne
kovalentne veze. Kad se to dogodi, upljina je sada u tom
drugom atomu. Opet postoji tendencija punjenja upljine
susjednim valentnim elektronom, tako da se taj proces
nastavlja. Na taj nain se gibaju elektroni u valentnom pojasu
zbog pokidanih valentnih veza.Treba uoiti da se sa svakim
popunjavanjem elektronom, upljina seli na mjesto elektrona
koji ju je popunio. Opisano gibanje u valentnom pojasu
moemo prikazati ili kao gibanje puno valentnih elektrona (koji
popunjavaju upljinu) ili kao gibanje jedne upljine u
suprotnom smjeru.
 Pojam upljine kao pozitivno nabijene estice
omoguava da se umjesto gibanja velikog broja
elektrona u valentnom pojasu prati gibanje relativno
malog broja upljina u suprotnom smjeru.
 U intrinsinom poluvodiu gibanje naboja obavlja se u dva energetska pojasa. Slobodni
elektroni gibaju se u vodljivom pojasu. upljine-fiktivne pozitivne estice koje zapravo
predstavljaju gibanje valentnih elektrona unutar valentnog pojasa, gibaju se u valentnom
pojasu.
U intrinsinom poluvodiu slobodni nosioci se stvaraju razbijanjem valentnih veza.Pojava
elektrona u vodljivom pojasu uvijek je praena stvaranjem upljine u valentnom. U istom
poluvodiu nosioci uvijek nastaju u parovima i za njihove koncentracije vrijedi
n=p=ni=pi
Koncentracije ni i pi nazivaju se intrinsine koncentracije i vrlo brzo rastu s temperaturom.
U energetskom dijagramu stvaranje parova elektron u vodljivom pojasu-upljina u valentnom
pojasu moemo prikazati prema sl.--- Samo postojanje elektrona u vodljivom pojasu jo nije
dovoljno za protok elektrine struje. Iako se slobodni nosioci neprekidno gibaju, to gibanjeje
kaotino, odnosno jednako vjerojatno u svim smjerovima.
Tek pod djelovanjem elektrinog polja kaotinom gibanju superponira se usmjereno gibanje
nosilaca u smjeru elektrinog polja i struja tee.
Treba uoiti da kod poluvodia imamo dvije vrste slobodnih nosilaca: elektrone u vodljivom
pojasu i uopljine u valentnom.
 Ako u kristalnu reetku poluvodia namjerno
dodamo atome nekog drugog elementa, onda
se mijenjaju i njegova elektrina svojstva, u
prvom redu vodljivost. Takav se poluvodi zove
ekstrinsini poluvodi ili primjesni poluvodi.
Siliciju i germaniju se redovito dodaju
trovalentni ili peterovalentni atomi. Oni u
kristalnoj reetki zauzimaju mjesta koja bi u
istom poluvodiu zauzimali atomi matinog
elementa. To su, dakle, supstitucijske primjese.
Dodavanjem trovalentnih neistoa nastaju
poluvodii p-tipa, a dodavanjem
peterovalentnih neistoa nastaju poluvodii n-
tipa.
Poluvodii n-tipa

Ako se poluvodiu dodaju peterovalentne

primjese: duik (N) ,fosfor (P), arsen (As),
antimon (Sb) dvodimenzionalni prikaz kristalne
reetke takvog poluvodia moemo prikazati
prema sl. Budui da ovi atomi u valentnoj ljusci
imaju pet elektrona, a etiri od njih su dovoljna
za formiranje kovalentne veze sa susjednim
atomima poluvodia, peti elektron e biti vrlo
slabo vezan za matini atom. Da bi se taj elektron
otrgnuo od svog matinog atoma dovoljno je
puno manje energije nego da bi se razbila
valentna veza. Za tipine donorske primjese
energija potrebna da bi taj elektron uskoio u
vodljivi pojas (energija ionizacije) jest 10 do 50
meV.
 To znai da na sobnoj temperaturi praktiki svi elektroni koji potjeu
od atoma neistoa su u vodljivom pojasu i slobodno se gibaju kroz
kristal odnosno gotovo svi primjesni atomi su ionizirani.
Peterovalentne neistoe daju elektrone u vodljivi pojas i zato se
zovu donorske neistoe.
Kada primjesni atom izgubi peti elektron, on postaje pozitivni
donorski ion supstituiran u kristalnoj reetki poluvodia i vie ne
doprinosi vodljivosti poluvodia.Peterovalentni atomi postaju
ionizirani donori s pozitivnim nabojem.
Uz donorske elektrone koji najvie poveavaju vodljivost n-tipa
poluvodia i ovdje su prisutni mehanizmi generiranja nosilaca u
parovima zbog razbijanja valentnih veza. Zbog toga u poluvodiu
postoji i odreena koliina upljina, samo puno manja od
koncentracije elektrona. Zato i u takvom poluvodiu postoje dvije
vrste slobodnih nosilaca. Zbog puno vee koncentracije elektroni su
veinski ili majoritetni nosioci, a upljine su manjinski ili minoritetni
nosioci. Poluvodi koji sadri peterovalentne neistoe zove se n-tip
poluvodia zato to su u njemu veinski nosioci elektroni.
 Energetski dijagram n-tipa poluvodia moe se prikazati
prema sl
energetski dijagram na temperaturi apsolutne nule. Prisutnost
donorskih atoma u poluvodiu moe se prikazati dodatnim
energetskim nivoom u zabranjenom pojasu poluvodia. Treba
uoiti da je jako blizu vrhu zabranjenog pojasa,odnosno dnu
vodljivog pojasa, odnosno da je elektronima koji posjeduju tu
energiju potrebno dodati jo vrlo malo energije da bi preli u
vodljivi pojas.. Taj diskretni energetski nivo zove se donorski
nivo i oznaava se sa EG. Kod visokih koncentracija
donorskih atoma (iznad priblino 1017cm-3)diskretni donorski
nivi cijepa se u pojas donorskih energija, tako da se moe
dogoditi da se taj pojas poklopi s dnom vodljivog pojasa. U
tom sluaju ak i na 0K nije potrebna dodatna energija
ionizacije da bi elektroni bili u vodljivom pojasu. Zato se kod
vrlo visokih koncentracija donorskih atoma poluvodi ponaa
kao metal pa se naziva pseudometal ili degenerirani
poluvodi. Za nedegenerirani poluvodi potrebno je
elektronima donora ddodati malu energiju za prijelaz u vodljivi
pojas. Dijagram energetskih pojaseva na sobnoj temperaturi
izgleda kao na sl.
Dakle, na temperaturi apsolutne 0 su svi donorski nivoi
popunjeni elektronima, a na sobnoj temperaturi su praktiki
svi donorski nivoi prazni.
Na sobnoj temperaturi su prisutni i upljine i elektroni koji
nastaju zbog razbijanja valentnih veza.
Poluvodii p-tipa

Ako se poluvodiu dodaju trovalentne primjese:

bor (B) ,aluminij (Al), galij (Ga), indij (In)
dvodimenzionalni prikaz kristalne reetke takvog
poluvodia moemo prikazati prema sl.
Trovalentnoj neistoi nedostaje jedan elektron da
kompletira valentnu vezu. Takav atom e stoga
vezati na sebe jedan valentni elektron susjednog
atoma. Na taj nain susjedni atom dobije upljinu
koju e popuniti jedan od valentnih elektrona
slijedeih susjednih atoma itd. Kod ovog tipa
poluvodia pogodnije je umjesto gibanja valentnih
elektrona promatrati upljine koje predstavljaju
pozitivan naboj i gibaju se u smjeru suprotnom od
gibanja valentnih elektrona. Trovalentne neistoe
kompletiraju valentne veze primajui elektrone iz
valentnog pojasa pa se nazivaju akceptorske
neistoe. Za popunjavanje upljina nastalih zbog
akceptorskih neistoa potrebna je vrlo mala
energija, tako da je energija ionizacije priblino
ista kao i kod donorskih neistoa (10-50 meV).
 Kada trovalentni atom primi etvrti elektron, on postaje negativni
akceptorski ion supstituiran u kristalnoj reetki poluvodia.
Trovalentni atomi postaju ionizirani akceptori s negativnim nabojem.
Uz upljine koje potjeu od akceptorskih atoma poveavaji
vodljivost poluvodia i ovdje su prisutni mehanizmi generiranja
nosilaca u parovima zbog razbijanja valentnih veza. Broj tako
generiranih parova elektron-upljina je zanemarivo malen u odnosu
na broj akceptorskih upljina. Zbog puno vee koncentracije upljine
su veinski ili majoritetni nosioci, a elektroni su manjinski ili
minoritetni nosioci. Poluvodi koji sadri trovalentne neistoe zove
se p-tip poluvodia zato to su u njemu veinski nosioci upljine.
 Energetski dijagram p-tipa poluvodia moe se
prikazati prema sl.
energetski dijagram na temperaturi apsolutne nule.-
prisutnost akceptorskih atoma u poluvodiu moe se
prikazati dodatnim energetskim nivoom u
zabranjenom pojasu poluvodia. Za razliku od
prethodnog sluaja dodatni energetski nivi je vrlo
blizu dnu zabranjenog pojasa,odnosno vrhu
valentnog pojasa,. upljinama koje posjeduju tu
energiju potrebno dodati jo vrlo malo energije da bi
preli u valentni pojas pojas. Taj diskretni energetski
nivo zove se akceptorski nivo i oznaava se sa EA.
Na apsolutnoj nuli elektroni jo ne posjeduju energiju
potrebnu za ionizaciju. Kod sobne temperature
praktiki svi akceptorski atomi primajui elektron iz
valentnog pojasa postaju negativni ioni. U valentnom
pojasu svaki od tih elektrona je ostavio jednu
upljinu, tako da u valentnom pojasu ima toliko
upljina koliko ima donorskih iona. I ovdje su na
sobnoj temperaturi prisutne i upljine i elektroni koji
nastaju zbog razbijanja valentnih veza.
Za p-tip poluvodia vrijedi dakle slino razmatranje
uz zamjenu uloga elektrona i upljina.
Ovisnost koncentracije slobodnih nosilaca o temperaturi
 Koncentracija slobodnih nosilaca u poluvodiu u ovisnosti o temperaturi prikazana je
na sl.
Na vrlo niskim temperaturama vibracija kristalne reetke nema ili je jako slabo, tako da
nema dovoljno energije za kidanje valentnih veza. Poveanjem temperature dolazi do
jaih vibracija kristalne reetke, a time i emisije fonona koja uzrokuje da neki elektroni
mogu preskoiti u vodljivi pojas. Na taj nain se generiraju parovi elektron-upljina.
Bitno je uoiti da ovaj mehanizam generiranja slobodnih nosilaca poveava
koncentraciju elektrona i upljina za isti iznos. U n-tipu poluvodia postoje i donorski
atomi koji u vanjskoj ljusci elektronskog omotaa sadre elektron kojem je potrebno
dodati vrlo mali iznos energije da prijee u vodljivi pojas. Porastom temperature ti
elektroni prelaze u vodljivi pojas ostavljajui u kristalnoj reetki poluvodia donorske
ione. Taj proces ionizacije intenzivan je na temperaturama do 100K. Na
temperaturama iznad 150K praktiki su svi donori ionizirani. Temperaturno podruje u
kojem slobodni elektroni nastaju ionizacijom donora zove se podruje ionizacije.
itavo vrijeme se poveavaju i koncentracije parova elektron-uplina u skladu s
zakonom o termodinamikoj ravnotei, ali je njihova koncentracija u odnosu na
koncentraciju veinskih nosilaca nastalih ionizacijom primjesa.Nakon to su svi donori
ionizirani, u irokom temperaturnom podruju se koncentracija veinskih nosilaca
moe izjednaiti s koncentracijom primjesa (kod n-tipa poluvodia s koncentracijom
donora). Ovo temperaturno podruje u kojem koncentracija veinskih nosilaca
praktiki ne ovisi o temperaturi, zove se ekstrinsino podruje. Daljnjim porastom
temperature se doe do temperature na kojoj koncentracija parova elektron-upljina
nastalih termikom generacijom poraste iznad koncentracije donora. Temperatura na
kojoj se to dogaa zove se intrinsina temperatura.
Sl nije jednoznana i ovisi o koncentraciji primjesa i vrsti poluvodia.
Generacija i rekombinacija
Do sada smo promatrali mehanizme stvaranja slobodnih nosilaca u
poluvodiu.
Slobodni nosioci u poluvodiu mogu se stvarati razbijanjem valentnh
veza. U ekstrinsinom poluvodiu dominantan je proces ionizacije
neistoa. U n-tipu poluvodia tako ionizacijom neistoa dobivamo
slobodne elektrone u vodljivom pojasu, a u p-tipu upljine u
valentnom pojasu. Taj proces stvaranja slobodnih elektrona i
upljina zove se generacija.
Kada bi se u poluvodiu slobodni nosioci samo stvarali, tijekom
vremena bi u poluvodiu imali sve vie slobodnih nosilaca, odnosno
vodljivost poluvodia bi se neprekidno poveavala. to se stvarno
dogaa, moe se provjeriti tako da se na uzorak poluvodia na nekoj
konstantnoj temperaturi prikljui istosmjerni napon i mjeri struja koja
tee kroz strujni krug. Kada bi se slobodni nosioci neprekidno samo
stvarali struja bi se trebala poveavati. U stvarnosti, bez obzira kako
dugo je napon prikljuen, struja e uvijek biti ista. To znai da je
tijekom vremena koncentracija elektrona u vodljivom pojasu i upljina
u valentnom konstantna. Odnosno, u svakom poluvodiu na stalnoj
temperaturi koncentracije slobodnih nosilaca su konstantne.
 To znai da u poluvodiu mehanizme koji generiraju slobodne
nosioce, mora postojati mehanizam koji slobodne nosioce jednako
odstranjuje ili rekombinira. Pri tome postoji dinamika ravnotea
izmeu generacije i rekombinacije nosilaca. To je u skladu s
principom detaljne ravnotee, jednim teoremom statistike fizike koji
tvrdi da se u stanju ravnotee svaki proces i njemu inverzan proces
moraju odigravati s jednakom uestanou. Generacija i
rekombinacija u poluvodiima se mogu odvijati na razliite naine.
Vana je injenica da bez obzira na specifine mehanizme
generacije i rekombinacije za danu temperaturu su ravnotene
koncentracije neovisne.
Prosjeno vrijeme izmeu generacije i rekombinacije jest prosjeno
vrijeme postojanja slobodnog para nosilaca zove se vrijeme ivota
nosilaca i obiljeava se sa . Kod silicija vrijeme ivota za slobodne
elektrone i upljine se kree u granicama od 10-3 do 10-9s.
 Za svaki poluvodi vrijedi da je umnoak koncentracija
slobodnih elektrona u vodljivom pojasu i upljina u
valentnom pojasu ovisi samo o temperaturi te je na
konstantnoj temperaturi konstantan.
Za intrinsini poluvodi vrijedi:n=p=ni=pi

ni pi ni2 f (T )
 Znamo da toplinska energija uzrokuje generiranje parova slobodnih
nosilaca elektron-upljina tako da intrinsina koncentracija ovisi
samo o temperaturi. Opi oblik za umnoak koncentracija slobodnih
elektrona i upljina u intrinsinom ili ekstrinsinom poluvodiu moe
se napisati:

n p ni2
 n p n 2
i

Produkt ravnotenih koncentracija elektrona u vodljivom pojasu

i upljina u valentnom pojasu u nekom poluvodiu na danoj
temperaturi konstantan je i jednak kvadratu intrinsine
koncentracije. Relacija se naziva zakon o termodinamikoj
ravnotei i predstavlja jedan od osnovnih zakona u poluvodikoj
elektronici. Iz tog zakona slijedi da e dodavanjem donora izazvani
rast koncentracije slobodnih elektrona automatski dovesti do pada
koncentracije upljina da bi umnoak np ostao konstantan. Isto tako
dodavanjem akceptora rast koncentracije upljina automatski dovodi
do pada koncentracije slobodnih elektrona.
 Intrinsina koncentracija ni ovisi o vrsti poluvodia, temperaturi i
irini zabranjenog pojasa i moe se izraunati pomou izraza:

( EG 0 / 2ET )
ni (T ) 3.58 10 T 16 3/ 2
e
gdje je
EG0 ekstrapolirana vrijednost irine zabranjenog pojasa na T=0K
Naime, irina zabranjenog pojasa ovisi o temperaturi, pa se EG0
dobiva linearnom aproksimacijom temperaturne ovisnosti irine
zabranjenog pojasa
Faktori za razliite temperature i poluvodie se raunaju iz tablica
 Svaki poluvodi ako nije pod utjecajem vanjskog napona je elektriki
neutralan. To znai da je ukupna suma pozitivnih naboja jednaka
ukupnoj sumi negativnih naboja. Pozitivni naboj u poluvodiu ini
zbroj naboja pokretnih upljina i nepokretnih donorskih iona.
Negativni naboj ini zbroj naboja pokretnih elektrona i nepokretnih
akceptorskih iona. U elektriki neutralnom poluvodiu ukupni protorni
naboj mora biti jednak nuli:

q( p N D ) q ( n N A ) 0

Ovaj izraz zove se zakon ravnotee prostornog naboja ili zakon

neutralnosti prostornog naboja ili zakon elektrike neutralnosti.
odnosno
p ND n N A
 U uvjetima termodinamike ravnotee vrijedi zakon
termodinamike ravnotee i zakon ravnotee prostornog naboja

n p ni2

p ND n N A
 Kombiniranjem ovih izraza dobije se kvadratna jednadba

Za koncentraciju slobodnih elektrona se dobije:

N D N A ( N D N A ) 2 4 ni2
n
2
Za koncentraciju upljina se dobije

N A N D ( N A N D ) 2 4 ni2
p
2
-za sluaj da je koncentracija akceptora vea od koncentracije
donora NA>ND poluvodi je p-tipa
-za raunanje koncentracije veinskih upljina moe se izraz
pojednostaviti uz slijedee uvjete:
1.Ako je neto koncentracija primjesa NA-ND puno vea od
intrinsine koncentracije u poluvodiu, pod korjenom izraza bit
e NA-ND >>4 ni pa se pojednostavljuje u:
p= NA-ND
-tako da je koncentracija veinskih nosilaca odreena iskljuivo
neto-koncentracijom primjesa; koncentracija manjinskih
nosilaca moe se izraunati pomou zakona termodinamike
ravnotee n2 n2
n i
i

p NA ND
2.ako je poluvodi p-tipa , princip elektrike neutralnosti glasi
n NA p

n p ni2

U ekstrinsinom temperaturnom podruju vrijedi:

p NA
ni2
n
NA
3. Ako temperatura raste prema intrinsinom podruju, intrinsina
koncentracija postaje usporediva s koncentracijom primjesa;vie nije NA
>>ni, pa koncentraciju veinskih upljina moramo raunati pomou
openitog izraza:

N A N A 4 ni2
2

p
2

-koncentraciju manjinskih elektrona

ni2
n
p
-porastom temperature poveava se intrinsina koncentracija
-dolazi do porasta termiki generiranih parova elektron-upljina
-koncentracija elektrona i upljina poveavaju se za isti iznos
-u intrinsinom temperaturnom podruju, prema visokim
temperaturama koncentracije i veinskih i manjinskih nosilaca tee k
intrinsinoj koncentraciji
-to je bitno zbog toga jer su praktiki svi poluvodiki elementi bazirani
na kontaktu izmeu poluvodia p-tipa i poluvodia n-tipa
-porastom temperature postepeno nestaju razlika izmeu p i n-tipa
poluvodia, a time i efekti bazirani na njihovoj razlici
-za sluaj poluvodia n-tipa, kada je koncentracija donora vea od
koncentracije akceptora, koncentraciju veinskih elektrona moemo
izraunati iz pojednostavljenog izraza uz slijedee uvjete:
1.Ako je neto koncentracija primjesa ND-NA puno vea od intrinsine
koncentracije u poluvodiu
N D N A 4ni

Izraz pod korjenom se pojednostavljuje u ND-NA

gdje je koncentracija veinskih elektrona odreena iskljuivo neto-
koncentracijom primjesa; koncentracija manjinskih nosilaca moe se
izraunati pomou zakona termodinamike ravnotee
ni2 ni2
p
n ND NA
2.za n-tip poluvodia, princip elektrike neutralnosti glasi

p ND n

-u ekstrinsinom temperaturnom podruju vrijedi:

n ND
2
n
p i

ND
3. Ako temperatura raste prema intrinsinom podruju, intrinsina
koncentracija postaje usporediva s koncentracijom primjesa; vie nije
NA >>ni, pa koncentraciju veinskih elektrona moramo raunati pomou
openitog izraza:

N D N D 4 ni2
2

n
2

-koncentracija manjinskih upljina

ni2
p
n
Fermijev nivo

f(E) funkcija koja izraava vjerojatnost da je neko dozvoljeno

energetsko stanje (stanje na energiji E) zaposjednuto elektronom
-distribucijska funkcija
-Fermijeva funkcija
-Fermijeva vjerojatnost i ima oblik:

f E
1
E EF

1 e ET
Fermijeva funkcija ili Fermijeva vjerojatnost- grafiki prikaz

-za temperaturu T=0K vrijedi: f(E)=1 za E<=EF

f(E)=0 za E>= EF
-EF je Fermijeva energija ili Fermijev nivo
-do Fermijevog nivoa su svi dozvoljeni energetski nivoi stvarno
zaposjednuti elektronima, a iznad Fermijevog nivoa elektrona nema
-za tonije odreivanje koncentracije slobodnih elektrona u vodljivom
pojasu koristi se Fermi-Diracova raspodjela koja openito govori o
broju estica ija energija lei u intervalu energija izmeu E i E+dE:

dn( E) S ( E) f E dE
-gdje je:
-dn(E) koncentracija estica (broj elektrona) u jedinici volumena s
energijom u intervalu energija dE
-S(E) broj dozvoljenih energija elektrona u jedininom intervalu
energija u jedinici volumena ili gustoa moguih ili dozvoljenih
kvantnih stanja
-Ova relacija je openita. Ovisno o konkretnom sluaju, mijenja se
matematiki oblik funkcija S(E) i f(E).
-Za elektrone u metalu ili poluvodiu funkcija dozvoljenih energetskih
stanja S(E) moe se prikazati zakonom drugog korijena prema slici
 f(E) funkcija koja izraava vjerojatnost da je neko dozvoljeno
energetsko stanje (stanje na energiji E) zaposjednuto elektronom
-Fermijeva funkcija ili Fermijeva vjerojatnost:

f E
1
E EF

1 e ET
Raspodjela elektrona po energijama:
-Ravnotene koncentracije elektrona i upljina ovise o poloaju
Fermijevog nivoa. U ekstrinsinom temperaturnom podruju
koncentracije se dobivaju jednostavno bez poznavanja poloaja
Fermijevog nivoa. Kod kontakta poluvodia p i n-tipa ima kljunu
ulogu.
-Kod odreivanja poloaja Fermijevog nivoa u poluvodiu treba znati
da je broj upljina u valentnom pojasu jednak manjku valentnih
elektrona. Zato se moe napisati izraz za vjerojatnost nalaenja
upljine na nekom energetskom nivou:
-fP(E)=1-f(E)
-koji kae da je vjerojatnost nalaenja upljine na nekom energetskom
nivou jednaka vjerojatnosti da na tom nivou nema elektrona. Fermijeva
vjerojatnost je antisimetrina u odnosu na Fermijev nivo
-Vjerojatnost nalaenja elektrona na nivou koji je za dE vii od EF
jednaka je vjerojatnosti da elektrona nema na nivou koji je za dE nii
od EF, odnosno jednaka je vjerojatnosti da se na tom nivou nalazi
upljina.
Grafiki postupak za odreivanje poloaja Fermijevog nivoa u

intrinsinom poluvodiu:
Grafiki postupak za odreivanje poloaja Fermijevog nivoa
u poluvodiu n-tipa:
Grafiki postupak za odreivanje poloaja Fermijevog nivoa
u poluvodiu p-tipa:
Mehanizmi voenja struje u poluvodiima
U uvjetima termodinamike ravnotee, bez djelovanja vanjskog
napona, slobodni nosioci se gibaju kaotino tj. svi smjerovi gibanja
su jednako mogui.
-Dakle slobodni nosioci u poluvodiu su elektroni koji na
termodinamikoj temperaturi imaju kaotino gibanje. Ako dovedemo
relativno malo elektrino polje na poluvodi, elektroni e se i dalje
nastaviti gibati kaotino samo to e pravocrtni segment te
trajektorije biti lagano pomaknut u desno.
-brzina kojom elektron prijee put l (sa slike) zbog djelovanja
polja E u intervalu vremena zove se driftna brzina
-driftna brzina je proporcionalna jakosti polja.
-driftna brzina elektrona usmjerena suprotno od polja.
-konstanta proporcionalnosti n se zove pokretljivost elektrona i
Izraava se u cm2/Vs
-predznak () je oznaka da je driftna brzina elektrona usmjerena
suprotno od polja
-pokretljivost elektrona proporcionalna je srednjem slobodnom
vremenu izmeu dva uzastopna sudara sa silama kristalne reetke I
obrnuto proporcionalna efektivnoj masi elektrona.

l qtn
vd n E
t mn
 Pokretljivost ovisi o svojstvima vrstog tijela i o temperaturi. U pravilu
e biti to manja to je temperatura i koncentracija neistoa via. Na
viim temperaturama su vibracije kristalne reetke intenzivnije i one
doprinose jaem rasprenju elektrona, odnosno umanjuju
pokretljivost.
Pokretljivosti upljina su manje, ali istog reda veliine kao i
pokretljivost elektrona.
U tehniki istim germaniju i siliciju pokretljivosti su slijedee:
- za germanij: N=3900cm2/Vs
P=1900cm2/Vs
- za silicij: N=1350cm2/Vs
P=480cm2/Vs
-ovisnost driftne brzine o jakosti elektrinog polja:
Pokretljivost nosilaca u siliciju (ovisno o koncentraciji atoma primjesa)
Vodljivost poluvodia

za intrinsini poluvodi vrijedi n=p=ni pa se specifina vodljivost

moe se zapisati kao :

Porastom temperature raste intrinsina koncentracija slobodnih

elektrona i upljina i padaju njihove pokretljivosti. Kako je rast
intrinsine koncentracije mnogo bri od pada pokretljivosti,
specifina vodljivost intrinsinog poluvodia brzo raste s porastom
temperature.
Specifina vodljivost poluvodia u opem sluaju

Pri tome se pretpostavlja da su svi akceptorski i donorski atomi

ionizirani. Specifina vodljivost ovisi izriito o temperature i
koncentracijama primjesa.
-specifina vodljivost p i n-tipa poluvodia
Difuzijska struja u poluvodiima

-Difuzijska struja je izazvana

promjenjivim iznosom koncentracije
nosilaca u volumenu poluvodia
-Difuzija je pojava koja dolazi do
izraaja kada koncentracija estica
nije konstantna, ve se u prostoru
mijenja. To se odnosi i na estice
poput plina i na nosioce elektriciteta:
elektrone i upljine. Difuzijsko
kretanje estica se obavlja s mjesta
vie koncentracije prema mjestu nie
koncentracije, a tendencija je da se
koncentracije izjednae.
 Ako promatramo upljine kojima se koncentracija mijenja samo kao
funkcija koordinate x, a u smjeru koordinata y i z je konstantna,
difuzijska struja e biti proporcionalna gradijentu koncentracije
upljina u smjeru osi x. Za taj sluaj gradijent je jednak dp
dx
i treba ga uzeti s negativnim predznakom, jer se neto gibanje upljina
obavlja s mjesta vie koncentracije prema mjestu nie koncentracije.
Ako imamo razliite estice istog gradijenta koncentracije, difuzijske
struje e se razlikovati zbog razliitih sposobnosti estica da
difundiraju. Ta sposobnost se definira preko difuzijske konstante.
Difuzijska konstanta upljina se oznaava sa DP.
Za gustou difuzijske struje upljina vrijedi relacija:
dp
J DP q DP ( )
dx

J DP q DP
dp
dx

A / cm 2
Gradijent koncentracije ima dimenziju cm-4,
a difuzijska konstanta cm2/s.
Za sluaj difuzije elektrona, gustoa struje se moe izraziti u A/cm2:

dn
J DN q DN ( )
dx

J DN q DN
dn
dx

A / cm 2
 Treba naglasiti da se upravo pomou difuzijska
struje objanjavaju osnovna svojstva pn dioda i
tranzistora.
-ukupna struja u poluvodiu

Ako u poluvodiu postoji elektriko polje i razlika koncentracije

nosilaca, ukupna struja za jednodimenzionalni sluaj jednaka je sumi
struje uslijed elektrikog polja JF i difuzijske struje JD:
Gustoa struje upljina je:
dp dU
J P J DP J FP qDP q p P
dx dx
Gustoa struje elektrona je:

dn dU
J N J DN J NP qDN q p N
dx dx
dU
-umjesto jakosti elektrikog polja uzet je gradijent potenijala
dx
 Izmeu difuzijske konstante i pokretljivosti za nedegenerirane
poluvodie postoji veza poznata kao Einsteinove relacije:

Dn n U T
Dp p UT

Naponski ekvivalent temperature u voltima:

ET k T
UT
T
V
q q 11605
Nehomogeni poluvodi-

koncentracija slobodnih nosilaca se

mijenja u prostoru
PN-spoj
 PLANARNA TEHNOLOGIJA NA SILICIJU

1958. Jack Kilby iz Texas Instrumentsa (TI)

-
Monolitni integrirani sklop 1958,
Planarni monolitni integrirani sklop
1959,
MOSFET 1960,
MOS monolitni integrirani sklop 1962,
CMOS 1963,
Mikroprocesor 1971,
VLSI sklopovi 1975,
PC 1981,
DSP 1982,
0,8 m proces (Pentium) 1991,
0,35 m proces (Pentium II) 1995,
0,18 m proces (Pentium III) 1999,
0,065 m proces (Pentium Dual Core)
2006.
 Podjela IC prema stupnju integracije

IC malog stupnja integracije ili SSI (Small Scale Integration)

Do 100 osnovnih elemenata,
-
IC srednjeg stupnja integracije ili MSI (Medium Scale Interacion)
Od 100 do 1000 osnovnih elemenata,

IC visokog stupnja integracije ili LSI (Large Scale Integracion)

Od 1000 do 10000 osnovnih elemenata,

IC vrlo visokog stupnja integracije ili VLSI (Very Large Scale Integration)
Od 10000 do 100000 osnovnih elemenata,

IC ultra visokog stupnja integracije ili ULSI (Ultra Large Scale Integration)
Od 1000000 do 1000000 i vie elemenata
-
PLANARNI PROCES
Epitaksijalni rast,
Oksidacija ili pasivizacija silicijeve povrine,
Litografija (Fotolitografija),
Difuzija primjesa i ionska implantacija,
Depozicija tankih slojeva
 Prednosti planarne tehnologije na siliciju
pn spoje je zatien oksidnim slojem od vanjskih utjecaja
mogunost proizvodnje vrlo velike serije komponenti istih karakteristika
dimenzije difuzijskih prozora se smanjuju do veliine ispod jednog
mikrometra
Planarni proces je toliko usavren da je najekonominiji
Bez obzira na najavljena fizika ogranienja koja ova tehnika moe dati, jo
uvijek se ne naziru granice mogunosti navedene tehnologije i utvreni trend
razvoja prati se ve 40 godina, te se ne nazire ulazak u zasienje.
Uvoenje odreenih poboljanja (SiGe sklopovi, BiCMOS, izolacija
komponenti oksidnim slojem, primjena bakra umjeso aluminija za povezivanje
komponenti, itd.)
Uspjeno je izveden prelazak sa litografije ultraljubiastom svjetlosti (foto-
litografije), koja je dostigla svoja fizika ogranienja, na litografiju X zrakama
tako da se dananji procesori i memorije proizvode u tvornicama sa
litografijom X-zrakama (60 nm, 45 nm postupci).
Veliina ploice (wafera) je dostigla 45 cm u promjeru, a broj tranzistora po
jednom IC 500 000 000 to je povealo ekonomsku efikasnost.
Epitaksijalni rast

Potrebno je da navedni sloj formira kristalnu strukturu sa to

manje defekata;
Primjese koje se tom prilikom dodaju trebaju imati eljeni iznos
koncentracije te da budu ravnomjerno rasporeene unutar ovog
sloja;
Debljina ovog sloja treba da odgovara zahtjevima projektiranog
IC

1250 C
SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl, silicij-tetraklorid SiCl4

1000 C
SiH4 2H2 + Si silan SiH4
u toku procesa dodaju se atomi primjesa
Oksidacija ili pasivizacija silicijeve povrine

Slui kao maska za difuzija primjesa u poluvodi

titi pn spojeve na povrini silicija od vanjskih uticaja,
Slui kao dielektrik MOS tranzistora,
Slui kao dielektrik kod kondenzatora,
Slui kao izolator za formiranje veza meu komponentama,
Slui kao izolator za formiranje izoliranih poluvodikih polja unutar
kojih se formiraju zasebne komponente.

formira se termikom oksidacijom u atmosferi kisika i vodene pare, pri

temperaturi 900 C do 1200 C
Si + O2 SiO2,
Si + 2H2O SiO2 +2H2.
trajanje oksidacije se odreuje potrebnom debljinom oksidnog sloj
Difuzija

Fickovi zakoni
Prvi zakon daje funkciju raspodjele atoma primjesa u vremenu i
prostoru
Drugi zakon govori o brzini kojom se izvodi proces preraspodjele
atoma primjesa
Difuzija

f(x,t) broj atoma primjesa koji prou u jednoj sekundi kroz kvadratni
centimetar povrine poluvodia;
D difuzijski koeficijent atoma primjesa izraen u kvadratnim
centimetrima po sekundi.
Iznos mu ovisi o vrsti primjese i raste eksponencijalno sa temperaturom
na kojoj se obavlja difuzija.

N(x,t) koncentracija difundiranih atoma primjesa na udaljenosti x od

povrine poluvodia kroz koju se vri difuzija, nakon vremena t od
poetka difuzije. Izraava se u broju difundiranih atoma po kubnom
centimetru.
 Difuzija uz konstantnu povrinsku koncentraciju
Temperatura difuzije: 900 C 1300C,
Trajanje difuzije: nekoliko minuta do nekoliko sati,
Difuzijski koeficient: 1014 do 1010 cm2s,
Karakteristina duina: 0,1 do 2m.

Difuzija iz ogranienog izvora

Litografija (Fotolitografija)
Upotreba izvora svjetlosti za fotolitografski postupak, sa najmanjim
detaljem koji je mogue postii sa datom svjetlosti
Metalizacija

Nizak iznos specifinog otpora,

Formiranje neispravljakih kontakata sa poluvodiem,
Dobro odvoenje topline,
Dobar spoj za podlogu silicij dioksida.
Nesimetrini skokoviti pn-spoj u ravnotenom stanju
a)raspodjela donora I akceptora ND i NA
b)gustoa prostornog naboja kao funkcija od x
c)koncentracija slobodnih nosilaca kao funkcija od x
c) ovisnost jakosti lektrikog polja o x
d)ovisnost potencijala o x
 Kontaktni potencijal:
Veinski elektroni su sprijeavani u prijelazu na p-stranu barijerom
potencijalne energije EK, a isto su tako sprijeavane veinske upljine
u prijelazu na n-stranu. Elektriko polje je toliko jako koliko je potrebno
da se odri stanje termodinamike ravnotee. To polje rezultat je
postojanja potencijalne razlike izmeu neutralne p i neutralne n strane.
qn-qp=qUK
UK je kontaktni potencijal, ugraeni potencijal ili difuzijski potencijal pn-spoja
n0 n p 0 p
U K U T ln 2
ni
U nedegeneriranom poluvodiu je: n0n= ND i p0p= NA, pa je:
NAND
U K U T ln 2
ni
Na sobnoj temperaturi je uz ND=1017cm-3 i NA=1014cm-3
u siliciju UK=0.63V
Ako se temperatura poveava ni raste, pa se UK smanjuje(poluvodii tee
intrinsinom stanju).
Ukupna struja diode:

U
pon DP n0 p DN UT
I S q( )(e 1)
LP LN

U
DP DN
I S q ni2 ( )(e UT 1)
n0 N L P p 0 p L N
U
DP DN
I S q ni2 ( )(e UT 1)
N D LP N A L N
DP DN
I S S q ni2 ( )
N D LP N A L N

I I S (e UT
1)
Karakteristika diode
-mehanizmi proboja reverzno polariziranog pn-spoja:
-lavinski
-zbog korpuskularne prirode slobodnih nosilaca
-lavinska multiplikacija
-probojni napon iznad 6V
-tunelski (Zenerov)
-zbog valne prirode slobodnih nosilaca
-kod napona ispod 5 V
-direktno tuneliranje elektrona s p na n stranu
Tunel (Esakijeva) dioda
Dinamika svojstva pn-dioda

Za idealnu pn-diodu ovisnost struje o naponu odreena je Shockley-

evom jednadbom. Budui da je ta ovisnost nelinearna, tona
analiza sklopova koji sadre diodu je sloena. Ako su amplitude
napona i struje na diodi dovoljno male, karakteristika diode oko
statike radne toke moe se aproksimirati pravcem-tangentom na
karakteristiku diode u statikoj radnoj toki. Nagib tangente ima
dimenziju vodljiosti i naziva se dinamika vodljivost, a njezina
reciprona vrijednost dinamki otpor. Dinamiku vodljivost moemo
dobiti iz Schokleyeve jednadbe deriviranjem struje kroz diodu po
naponu na diodi.
 I UD
I
UD
I IS
gd D I S (e UT 1) S e UT D
U D U D U T UT
 UT
rd
ID IS
Vidi se da dinamika vodljivost raste eksponencijalno s istosmjernim
naponom, odnosno linearno s istosmjernom strujom.
Ako kroz diodu tee istosmjerna struja ID, na koju je superponirana
izmjenina sinusna struja, id(t), ukupna struja kroz diodu je:
iD (t ) I D I dm sin(t )

Napon na diodi sastoji uD(t) sastoji se takoer od istosmjerne komponente

UD i na nju superponirane iznjenine komponente ud(t). U
Zbog nelinearne strujno-naponske karakteristike,
I D I S (e UT 1)
ako bi diodu pobuivali sinusnim naponom valni oblik struje bi bila izobliena
sinusna funkcija. Isto vrijedi i za strujnu pobudu-izmjenina komponenta
napona na diodi bit e manje ili vie izobliena sinusna funkcija.
Trenutni napon na diodi izrauna se iz relacije i D (t )
u D (t ) U T ln( 1)
IS
 iD (t ) I D I dm sin(t )
uD (t ) U D U dm sin(t )

Pri oznaavanju napona i struja vrijedit e slijedei dogovor:

1.veliko slovo veliine i veliko slovo u indeksu (npr. ID) koristi se za
istosmjerne veliine
2.malo slovo veliine i malo slovo u indeksu (npr. id) koristi se za
izmjenine veliine
3.malo slovo veliine i veliko slovo u indeksu (npr. iD) koristi se za
trenutne ukupne vrijednosti
4.veliko slovo veliine i malo slovo u indeksu (Idm) koristi se za
amplitude
 Da bi tangenta predstavljala dovoljno dobru aprokksimaciju
nelinearne karakteristike diode
uD U D ud UD ud

i D I S (e UT
1) I S (e UT
1) I S (e UT
e UT
1)

Da bi ovisnost struje o naponu bila linearna, odnosno da bi

izoblienje signala bilo zanemarivo, amplituda izmjeninog napona a
diodi mora biti puno manja od naponskog ekvivalenta
temperature(Udm<<UT)
Prijelazne pojave u pn-diodi

Diode se esto koriste u impulsnim sklopovima gdje postoje velike

skokovite promjene napona. Odziv diode na skokovite promjene
napona nije trenutaan zbog naboja ioniziranih prijesa unutar
barijere i zbog nakrcanog naboja manjinskih nosilaca uz barijeru.
Vremenski oblici napona i struje na diodi, ako napon izvora ima oblik
pravokutnog impulsa, prikazani su na slici.
 Kada dioda provede, poinje rasti nakrcani naboj manjinskih nosilaca uz rubove
barijere.Odziv diode ovisi o brzini kojom se taj naboj moe poveati.
Zbog toga promjena napona na diodi nije trenutna. Vrijeme potrebno da se
uspostavi novo stacionarno stanje zove se vrijeme porasta tr.
Prilikom iskljuivanja diode, tj. Kada amplituda impulsa na ulazu promijeni
vrijednost u negativnu, struja kroz diodu ne pada trenutno na vrijednost reverzne
struje zasienja. Nakrcanom naboju manjinskih nosilaca je potrebno konano
vrijeme da bi se uklonio.
Na sl.. je prikazana poetna raspodjela manjinskih elektrona na p-strani prije
nego amplituda napona na ulazu promijeni smjer u trenutku t=0 i konana
raspodjela kada se uspostavi novo stacionarno stanje nakon promjene amplitude
impulsa na ulazu u negativnu vrijednost( ). Naboj manjinskih elektrona oznaen
sjenanom povrinom izmeu poetne i konane raspodjele treba ukloniti do
uspostave novog stacionarnog stanja.
Kada bi se u trenutku t=0 prekinuo strujni krug, nakrcani naboj manjinskih
nosilaca uklonio bi se iskljuivo rekombinacijom s veinskim nosiocima
 Negativni napon izvora potjera struju kroz diodu u suprotnom smjeru, pa se dio
nakrcanog naboja manjinskih nosilaca ukloni izvlaenjem preko pn-spoja.
Elektrino polje e prvo povui nosioce najblie barijeri,pa e pasti koncentracije
nosilaca uz rubove barijere.Zbog toga e raspodjela manjinskih nosilaca uz rub
barijere imati oblik kao na slici...Maksimum koncentracije manjinskih nosilaca
vie nije uz rub barijere, ve dublje u kvazineutralnom podruju. Nosioci
difundiraju s mjesta maksimalne koncentracije prema rubu barijere nastojei
nadoknaditi gubitak manjinskih nosilaca uz rub barijere. Kako je truja kroz pn-
spoj jednaka difuzijskoj struji manjinskih nosilaca uz rub barijere, zbog suprotnog
polariteta gradijenta koncentracije, struja kroz diodu tee u suprotnom smjeru od
smjera kojim je tekla kada je dioda bila propusno polarizirana.
Nakon promjene napona izvora, napon na pn-spoju e biti propusan tako dugo
dok je koncentracija manjinskih nosilaca vea od ravnotene.Ako je napon izvora
puno vei od napona na diodi, struja kroz diodu e biti ogran iena serijskim
otporom, Uz konstantan napon izvora, struja e biti konstantna.
Nosioci bile barijeri difundiraju prema barijeri i tamo ih zahvati elektrino polje i
povue na drugu stranu. Nosioci dalje od barijere se rekombiniraju s veinskim
nosiocima.Struja kroz diodu e biti konstantna tako dugo dok je gradijent
koncentracije manjinskih nosilaca uz rub barijaere konstantan
 U trenutku t=ts koncentracija manjinskih nosilaca uz rub barijere
jednaka je ravnotenoj koncentraciji. Od tog trenutka dioda je
reverzno polarizirana i napon na njoj vrlo brzo poinje rasti u
reverznom smjeru, a struja opadati prema vrijednosti reverzne struje
zasienja.
Vrjeme za koje kroz diodu tee znatna konstantna struja u
nepropusnom smjeru naziva se vrijeme zadravanja. Vrijeme za
koje ta struja padane na 10% svoje vrijednosti naziva se vrijeme
pada. Ukupno vrijeme zadravanja i pada naziva se vrijeme
oporavka diode.
Dioda kao sklopka
Difuzijska admitancija
Unutar osiromaenog podruja pn-spoja postoje ionizirane primjese:
pozitivni donorski ioni na n strani barijere i negativni akceptorski ioni
na p strani barijere. Pri promjeni napona na pn-barijeri mijenja se
irina osiromaenog podruja odnosno barijere i zato dolazi do
pomjene naboja ioniziranih primjesa unutar barijere. Ta promjna
naboja s prikljuenim naponom oituje se kao barijerni kapacitet.
Neovisno o obliku raspodjele primjesa oko pn-spoja, za barijerni
kapacitet vrijedi izraz:
S
CB
dB
Gdje je:
S- povrina pn-spoja
dB-irina barijere
-dielektrina konstanta (perrmitivnost) poluvodia
 Izvan osiromaenog podruja, neposredno uz rubove pn-barijere ako
je pn-spoj propusno polariziran postoji koncentracija manjinskih
nosilaca vea od ravnotene. Ako je pn-spoj nepropusno polariziran,
koncentracija manjinskih nosilaca uz barijeru je manja od
ravnotene. Koncentracija nakrcanog naboja uz rubove barijere
mijenja se ovisno o naponu na barijeri. Pri promjenama napona na
pn-spoju potrebno je neko konano vrijeme da se taj naboj
preraspodjeli. Posljedica tromosti nakrcanog naboja uz barijeru
maifestra se kao dofuzijski kapacitet. Taj kapacitet je redovito puno
vei kod propusno polarizirne diode nego kod nepropusne. Iznos
difuzijskog kapaciteta ovisi i o frekvenciji prikljuenog izmjeninog
signala. Budui da i dinamiki otpor ovisi o frekvnciji, openito se u
dinamikim uvjetima dioda moe nadomjestiti paralelnom
kombinacijom dinamikog otpora i difuzijskog kapaciteta i to se zove
difuzijska admitancija.
 Difuzijska admitancija se definira kao omjer izmjenine komponente
difuzijske struje i izmjenine komponente napona:

i(t ) I p (0) I (0)

Y ( ) 1 j p n 1 j n
u (t ) UT UT

Iz izraza je vidljivo da vrijednost difuzijske admitancije ovisi o:

- poloaju statike radne toke (odreena istosmjernom
upljinskom i elektronskom komponentom struje kroz diodu)
- o vremenu ivota manjinskih nosilaca
- frekvenciji
 Kod realnih pn-dioda dobivenih postupkom difuzije primjesa obino
je jedna strana pn-strukture jae dopirana nego druga. Ako je to p
strana, tada je p0n>>n0p pa je priblino Ip(0)=I, tj Ip(0) je jednaka
ukupnoj istosmjernoj struji kroz diodu. Ako su i vremena ivota
I sastoji se slobodnih nosilaca
od realnog dijela-dinamike na pi imaginarnog
vodljivosti i n strani istog
dijela reda
difuzijske veliine, bit e:
susceptancije

i(t ) I
Y ( ) 1 j p
u (t ) U T
I sastoji se od realnog dijela-dinamike vodljivosti i imaginarnog
dijela difuzijske susceptancije
jC d
Iz izraza je vidljivo da vrijednost difuzijske admitancije ovisi o:
- poloaju statike radne toke (odreena istosmjernom
upljinskom i elektronskom komponentom struje kroz diodu)
- o vremenu ivota manjinskih nosilaca - frekvenciji
Nadomjesni sklop diode
Spoj metal-poluvodi
Bitni dio poluvodikih elemenata su kontakti. Njihova svojstva i pouzdanost
direktno utjee na ukupna svojstva poluvodikih elemenata. Budui da su
kontakti obino metalni, za kvalitetnu izvedbu bitno je poznavanje ponaanja
spoja metal-poluvodi.
Vano je da spoj metala i poluvodia ima to manji otpor.

Spoj metala i poluvodia vrlo je vaan u elektronici. Koristi se za realizaciju dioda

metal-poluvodi i kontakata poluvodikih elemenata.
Kada metal i poluvodi nisu u kontaktu, njihovi energetski dijagrami mogu sre
prikazati prema sl.... Referentni energetski nivo E0 je onaj koji pripada elektronu
koji se upravo oslobodio iz metala ili poluvodia. Za metale to je rad izlaza i u
energetskom dijagramu predstavlja razliku energija E0 i EF (Fermijeva energija).
Rad izlaza definira se kao najmanji iznos energije koji slobodan elektron u
metalu na termodinamikoj nuli mora primiti da bi se mogao osloboditi iz metala i
izraava se u eV. U veine metala rad izlaza iznosi tipino 3,5 do 5 eV.
 Kod poluvodia se rad izlaza definira formalno na isti nain. Kako se kod
poluvodia poloaj Fermijevog nivoa mijenja ovisno o koncentraciji primjesa, a
na EF elektroni ne mogu egzistirati (nalazi se u zabranjenom pojasu) definira se
elektronski afinitet kao razlika energija E0 i energije elektrona na dnu vodljivog
pojasa. Kod veine poluvodia elekronski afinitet iznosi oko 4eV. Kod
nedegeneriranog poluvodia rad izlaza je uvijek vei od elektronskog afiniteta.
Ako spojimo poluvodi n-tipa i metal prema sl... onda slobodni elektroni u
vodljivom pojasu poluvodia vide slobodne energetske nivoe u metalu iznad EF
. Zato se javlja jaka tendencija difundiranja slobodnih elektrona iz poluvodia u
metal. Zato dio elektrona difundira u metal, a u povrnskom sloju poluvodia
stvara se osiromaeno podruje nepokretnih ioniziranih donora. U poluvodiu se
tako stvara ugraeno elektrino polje usmjereno prema metalu, koje sprijeava
daljnju difuziju elektrona iz poluvodia u metal.
Ako spoj metal-poluvodi nije prikljuen na vanjski napon, ne tee ni struja -
uspostavlja se ravnoteno stanje. Zbog konstantnosti Fermijevog nivoa kroz
strukturu, izmeu metala i poluvodia javlja se energetska barijera koju vide
elektroni iz metala.
-tuneliranje elektrona kroz vrlo usku energetsku barijeru u spoju metala I
degeneriranog n+ poluvodia u uvjetima nepropusne i propusne polarizacije
-rad izlaza metala manji od rada izlaza poluvodia
-u povrinskom sloju poluvodia-obogaeni sloj (vie elektrona):
-p-tip poluvodia rad izlaza metala vei od rada izlaza poluvodia

-obogaeni sloj (upljina) uz povrinu

-neispravljaki kontakt
-p-tip poluvodia rad izlaza metala manji od rada izlaza poluvodia

-osiromaeni sloj (upljina) uz povrinu

-ispravljaki kontakt
Schottkyjeva dioda
BIPOLARNI TRANZISTOR

-bipolarni tranzistor se sastoji od dva pn-spoja:

pn spoj baza-emiter
pn spoj kolektor-baza
-budui da jedna elektroda pripada i ulaznom i izlaznom krugu,
tranzistor se u radu koristi kao aktivni etveropol za dvije osnovne
funkcije:
-funkcija pojaala (kao linearno pojaalo napona ili struje u reimu
malih izmjeninih signala)
-funkcija sklopke (kao nelinearni prekidaki element u reimu velikih
signala)
-danas se bipolarni tranzistori najvie koriste u sklopovima koji trebaju
dati velike snage ili velike brzine rada.
BIPOLARNI TRANZISTOR
Princip rada bipolarnog tranzistora

IC I nC ICB0

I E I nE I pE
I E I B I C 0
I C I nC I CB0

I B I pE I nE I nC I CB0
I R I nE I nC
I E I PE I NE
I E I B I C 0
I C I PC I CB0

I B I PE I NE I PC I CB0

I R I PE I PC
- faktor injekcije (efikasnost emitera):
-omjer emitirane i ukupne struje emitera

-za npn tranzistor:

I NE I
NE
I PE I NE IE

-za pnp tranzistor:

I PE I
PE
I PE I NE IE

-to se vei dio emiterske struje emitira u bazu to je tranzistor bolji.

-kod dobrog tranzistora treba biti to blie 1
-transportni faktor:

-omjer struje koju emitira emiter i struje pristigle u kolektor

-za npn tranzistor:

I NC I
* 1 R
I NE I NE

-za pnp tranzistor:

I PC I
* 1 R
I PE I PE
-to vei dio emiterske struje stie do kolektora to je tranzistor bolji
(manja rekombinacija u bazi)
-kod dobrog tranzistora transportni faktor treba biti to blie 1
Spoj zajednike baze

I E I B I C 0
I C * I E I CB0

I B 1 I E 1 * I E I CB0 1 * I E I CB0
-faktor strujnog pojaanja u spoju zajednike baze
*
I C I E I CB0

I B 1 I E I CB0
iC
iC i E
i E U CB
Spoj zajednikog emitera

I E I C I B
I C I E I CB0

I C ( I C I B ) I CBO

I C I C I B I CB0
I
IC I B CB0 I B I CE 0
1 1
- faktor strujnog pojaanja u spoju
zajednikog emitera:
i U BE U CE
C
i B U CE
1
I CB0
I CE 0 I CB0 1
1
Spoj zajednikog kolektora

-
Podruja rada tranzistora

-ovisno o polaritetima napona, mogua su etiri podruja rada

tranzistora:
1.normalno aktivno podruje
-emiter je polariziran propusno, a kolektor nepropusno (normalan
nain polarizacije kada tranzistor radi kao pojaalo, tj. aktivni
element)
2.inverzno aktivno podruje
-kolektor je polariziran propusno, a emiter nepropusno (tranzistor i tu
radi kao pojaalo, tj. aktivni element)
3.podruje zasienja (oba pn-spoja su propusno polarizirana)
4.zaporno podruje (oba pn-spoja su nepropusno polarizirana)
-
-
STATIKE KARAKTERISTIKE BIPOLARNOG TRANZISTORA

I C f U CB I E
U EB f U CB I E
I B f U EB U CB

I C f I E U CB

U EB f U CB I E
Spoj zajednike baze
SZB-ulazne karakteristike tranzistora

I E f U EB uz UCB kao parametar

-Si pnp
SZB-izlazne karakteristike tranzistora

I C f U CB uz IE kao parametar

-Si npn Si pnp

Spoj zajednikog emitera
 I B f U BE U CE
SZE-ulazne karakteristike tranzistora

I B f U BE
- uz UCE kao parametar

-ulazne karakteristike Si NPN i Ge PNP tranzistora u spoju zajednikog emitera

 I B f U BE U CE

-ulazne karakteristike tranzistora u spoju zajednikog emitera

SZE-izlazne karakteristike tranzistora

I C f U CE -uz IB kao parametar

-izlazne karakteristike Ge PNP tranzistora u spoju zajednikog emitera
DINAMIKA SVOJSTVA TRANZISTORA

-u primjeni tranzistori obino rade u dinamikim uvjetima, to znai da

uz istosmjerne napone napajanja, koji odreuju statiku radnu toku,
djeluju i izmjenini naponi (signali), zbog ega i struje sadre
izmjenine komponente
-nain dinmikog rada na kojem se temelje osnovne analize
tranzistorskih sklopova, je reim malih signala koji predstavlja
linearnu aproksimaciju strujno-naponskih ovisnosti
-bipolarni tranzistor, koji moe raditi u tri osnovna spoja ZE, ZB i ZC,
mogue je prikazati kao linearni aktivni etveropl sa dvije ulazne i
dvije izlazne stezaljke gdje je jedna ulazna i izlazna stezaljka
zajednika i to ona koja se odnosi na zajedniku elektrodu
-prema dogovoru u analizi etveropola uzima se kao pozitivan takav smjer
napona i struja kad naponi tjeraju struje prema unutranjosti etveropola.
-elektrine veliine etveropola potpuno su oreene sa etri promjenjive
veliine
-one se mogu na prikladan nain povezati u dvije linearne jednadbe sa dvije
nezavisne veliine i tako matematiki definirati etveropol
-tranzistor u spoju zajedniki emiter prikazan kao etveropol:
Rad u reimu malih signala
-impendantni parametri

U1 Z11 I1 Z12 I 2
U 2 Z 21 I1 Z 22 I 2
-impendantni parametri

Ub Ub
Z11 I C 0 Z12 I b 0
Ib Ic
U b Z11 I b Z12 I c Z 21
Uc Uc
I C 0 Z 22
U c Z 21 I b Z 22 I c Ib I b 0
Ic
-admitantni parametri
-
I ul Y11 U ul Y12 U izl
I izl Y21 U ul Y22 U izl
I ul I ul
Y11 U iz 0
Y12 U ul 0
U ul U iz

I iz I iz
Y21 U iz 0 Y22
U ul U ul 0
U iz
-admitantni parametri
-

I b Y11 U b Y12 U c
I c Y21 U b Y22 U c
Ib Ib
Y11 U C 0 Y12 U b 0
Ub Uc

Ic Ic
Y21 U C 0 Y22 U b 0
Ub Uc
TRANZISTOR KAO SKLOPKA

-u raznim impulsnim, digitalnim i logikim sklopovima tranzistor se koristi kao

sklopka
-
Valni oblici ulaznog napona, struje baze i struje kolektora

-
Valni oblici napona i struje tijekom ukljuivanja i iskljuivanja tranzistorske sklopke

-
SCHOTTKYJEV TRANZISTOR

-Schottkyjeva dioda izmeu kolektora i baze.

-skraivanje vremena zadravanja.
-kod propusne polarizacije spoja kolektor-baza provede Schottkyjeva dioda i
ogranii napon na napon koljena diode sprjeava ulazak tranzistora dublje
u zasienje
-napon tranzistora u zasienju uCE u BE u D 0,7 0,4 0,3V
FET (Field-Effect Transistors)

Unipolarni tranzistori
-osnovna ideja
-oblik kanala i barijera uz
-spojni FET s izvorima napajanja
Ispravna polarizacija FET-a

-spojni FET s n-kanalom

-spojni FET s p-kanalom

-oblik kanala uz napone UDS i DGS koji dovode do dodira barijera uz odvod

-oblik kanala uz napon UDS> DGS+UP

-karakteristika FET-a za male napone i struje
-izlazne karakteristike idealnog
spojnog FET-a s homogenim
kanalom n-tipa u spoju
zajednikog uvoda

-izlazne karakteristike realnog spojnog

FET-a n-tipa u spoju zajednikog uvoda
-prijenosne karakteristike u podruju zasienja za razliite
tehnoloke postupke u proizvodnji FET-a

-
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

MOS struktura
-
-
-dijagram energetskih pojasa i prostorni naboj uz meupovrinu Si-SiO2 uz
razne napone UGS na podlozi n-tipa
-napon UGS=0 povrina je akumulirani sloj
-meupovrina Si-SiO2
-definiranje napona praga

-dijagrami energetskih pojasa poluvodia

u MOS-strukturi u uvjetima definiranja
napona praga za p-tip poluvodia i
n-tip poluvodia
-dijagram energetskih pojasa i prostorni naboj uz meupovrinu Si-SiO2 uz
razne napone UGS na podlozi n-tipa
-napon UGS<0 povrina je istih svojstava kao i podloga
-raspodjela naboja
-dijagram energetskih pojasa i prostorni naboj uz meupovrinu Si-SiO2 uz
razne napone UGS na podlozi n-tipa
-napon UGS<0 povrina je osiromaeni sloj
-dijagram energetskih pojasa i prostorni naboj uz meupovrinu Si-SiO2 uz
razne napone UGS na podlozi n-tipa
-napon UGS<0 povrina je inverzijski sloj
-rad MOSFET-a je mogu
-MOS FET sa p-kanalom obogaenog tipa
-dijagram energetskih pojasa i prostorni naboj uz meupovrinu Si-SiO2 uz
razne napone UGS na podlozi p-tipa
-napon UGS=0 inverzijski sloj ve postoji . Inicijalni kanal
-rad MOSFET-a je mogu
-MOS FET sa n-kanalom osiromaenog tipa
-dijagram energetskih pojasa i prostorni naboj uz meupovrinu Si-SiO2 uz
razne napone UGS na podlozi p-tipa
-napon UGS=0 povrina je osiromaeni sloj, nema inicijalnog kanala
-rad MOSFET-a je mogu
-MOS FET sa n-kanalom obogaenog tipa
-osnovna prostorna geometrijska konfiguracija MOS FET-a sa n-kanalom
-izlazne karakteristike idealnog n-kanalnog MOS FET-a osiromaenog tipa

-izlazne karakteristike

-prijenosne karakteristike
-izlazne karakteristike realnog p-kanalnog MOS FET-a

-
-karakteristike MOS FET-a sa p kanalom u podruju linearnog promjenjivog
otpora

-
-suenje kanala

-zatvaranje kanala
-modulacija duine kanala
-
-
Energetske diode i tranzistori

-poluvodika energetska dioda

-presjek strukture
-simbol
-primjer izvedbe
-statike strujno-naponske karakteristike energetske diode
-bipolarni energetski tranzistori razlikuju se od obinog signalnog bipolarnog
tranzistora po tome to moraju biti u stanju izdrati puno vee napone i
gustoe struje. Posljedica toga su :
-toplinski uinci-stvaranje i odvoenje topline
-naponski probojni napon
-izraenija pojava modulacije irine baze
-ti zahtjevi unose promjene u konstrukciji bipolarnog energetskog tranzistora
Darlingtonov spoj bipolarnih energetskih tranzistora
Struktura n-kanalnog energetskog MOS tranzistora obogaenog tipa
Bipolarni tranzistor s izoliranom upravljakom elektrodom (IGBT)
Tiristori

-tiristori je zajedniki naziv za razliite vrste etveroslojnih npnp elemenata

-mogu biti izvedeni s dva,tri ili etiri prikljuka na vanjski elektrini krug
-mogu isklapati napone vie od 6kV i struje vee od 5kA.

-u energetskim pretvaraima se primjenjuju etiri lana porodice tiristora kao

sklopke:

-upravljivi silicijski ventil (SCR)

-trijak (TRIAC)
-upravljakom elektrodom isklopivi tiristor (GTO)
-MOS tranzistorom upravljivi tiristor (MCT)
-shematski prikaz i simbol tiristora s dvije elektrode dani su na sl.
-za ovaj element se koriste nazivi: jednosmjerni diodni
tiristor,dinistor,etveroslojna dioda ili Schokleyeva dioda.
-prikljuci su na vanjskim slojevima koji se nazivaju anoda i katoda.
-primjer:jednosmjerni diodni tiristor: shema,simbol
-karakteristika jednosmjernog diodnog tiristora
-karakteristika dvosmjernog diodnog tiristora
-jednosmjerni triodni tiristor
anodne karakteristike jednosmjernog triodnog tiristora
-simbol za dvosmjerni triodni tiristor (triac)
-simbol za tiristor s iskljuivanjem na upravljakoj elektrodi (GTO)
-tiristor u propusnom nevodljivom stanju s ucrtanim barijerama
-analogna predodba diodnog tiristora pomou dva tranzistora

I C I E I CB0

I B (1 ) I E I CB0

I C1 1 I A I CB01 I B 2 (1 2 ) I K I CB02

I CB0
IA
1 1 2
-tipina ovisnost faktora strujnog pojaanja 1 i 2 o anodnoj struji za dvije

razliite temperature
-ovisnost prijelomnog napona UPMO tiristora o temperaturi
-ovisnost prijelomnog napona UPM tiristora o struji upravljake elektrode
-prikaz triodnog tiristora pomou dva tranzistora

I K I A IG

I B1 (1 1 ) I A I CB0 I C 2 2 I K I CB02

2 I G I CB0
IA
1 1 2
-du/dt efekt
-di/dt efekt
 c hc hc 1.24
OPTOELEKTRONIKI ELEMENTI
f hf E E
Solarne elije-
- poluvodii mogu apsorbirati svjetlosnu energiju ako je energija fotona jednaka
ili vea od
irine zabranjenog pojasa; apsorbirani fotoni generiraju parove slobodnih
nosilaca to
stvara fotostruju u poluvodiu i pn spojevima
-proces konverzije svjetlosne energije u elektrinu zove se fotonaponski efekt
- konvertor na bazi pn spoja koji obavlja tu konverziju zove se solarna elija

Svjetlosne ili elektroluminiscentne diode pretvorba elektrine energije u

svjetlosnu
-LED diode
Emitiraju u -infracrvenom
-ultraljubiastom
-vidljivom dijelu spektra

Poluvodika laserska dioda-stimulirano stvaranje fotona

Peltierov element:
- na p-strani elektroni ulaze iz
vodia i pune upljine-
oslobaa se energija padaju
na nii energetski nivo-vrua
strana
-kada prelaze iz p-poluvodia u
vodi elektroni prelaze iz
nieg u vii energetski nivo i
apsorbiraju energiju-hladna
strana
-prijelaz iz vodia u n-tip
poluvodia- elektroni prelaze
u vii energetski nivo i
apsorbiraju energiju-hladna
strana
-prijelaz iz n-tipa poluvodia u
vodi - elektroni prelaze u
nii energetski nivo-oslobaa
se energija-vrua strana