ELEKTRONIKA DIGJITALE 1

MEMORIET
Memoriet janë pajisje elektronike të cilat përdoren për të mbajtur mend informatat
binare. Së bashku me mikroprocesorin, memoria paraqet komponentën më të
rëndësishme të sistemit mikrokompjuterik. Sistemet mikrokompjuterike kanë dy lloj
memoriesh:
 ROM dhe
 RAM
Memoria me qasje të rastit (RAM) shfrytëzohet për memorimin e mesrezultateve të
ndryshme gjatë përpunimit të të dhënave etj. të dhënat e shënuara në këto memorie, me
rastin e ndërprerjes së ushqimit me energji elektrike, humbin ashtu që sërish duhet
shënuar. Memoria me qasje të rastit emërohet kështu sepse adresave të caktuara iu qasemi
rastësisht, por edhe adresave te memoria ROM iu qasemi sipas ligjeve të rastit, prandaj
memoria RAM mund të quhet memorie për lexim dhe shkruarje RWM për tu dalluar nga
memoria vetëm për lexim ROM.
Elementi themelor i memories është bistabili apo flip-flopi, i cili mund të realizohet në
teknikën ECL, TTL, NMOS, CMOS etj. Kujtesa RAM është kujtesë operative (punuese)
e cila mund të jetë kujtesë statike dhe kujtesë dinamike RAM.
Memoriet Ram bazuar në mënyrën e realizimit të tyre ndahen në:
 Memorie statike RAM dhe
 Memorie dinamike RAM
Qelizat dinamike RAM kanë përmasa më të vogla se ato statike, por shpejtësia e punës
së memories statike RAM është me e madhe se asaj dinamike për arsye të nevojës së
freskimit të ngarkesës së kondensatorit të memories dinamike RAM.
Memoriet me mundësi maksimale të ruajtjes së të dhënave janë memoriet magnetike, të
realizuara në formë të disqeve magnetike, shiritave magnetik, bërthamave magnetike apo
floskave magnetike. Memoriet magnetike kanë përmasa më të mëdha se memoriet
gjysmëpërçuese. Përparësi e tyre është ruajtja e magnetizmit edhe pas ndërprerjes së
ushqimit me energji elektrike.

MEMORIET Fadil Gashi

ELEKTRONIKA DIGJITALE 2

Organizimi i memorieve me qasje të rastit (RAM)

Ruajtja e informatës binare në memorie duhet të realizohet në grupe bitësh, të
lidhura me fjalë binare, ku fjalët binare vendosen në regjistra të memories. Prandaj,
memoria paraqet bashkësi regjistrash dhe qarqe ndihmëse për lidhjen e regjistrave. Bllok
diagrami i njësisë memoruese me linjat për komunikimin rrethinë duket.

N hyrje për
të dhënat
Shkruaj (WRITE)
k linja për adresim
Njësia memoruese
(m fjalë, n bit për fjalë) Linjat kontrolluese

lexo (READ)

N dalje për të
dhënat

 Linjat kontrolluese përcaktojnë drejtimin e transferimit të të dhënave dmth.

Caktojnë se a do të bëhet shënimi i fjalës binare në regjistër të memories, apo
leximi i fjalës binare më herët të shënuar nga regjistri i caktuar.
 Linjat për adresim mundësojnë që fjala e caktuar binare të zgjedhet nga mijëra
fjalë të memoruara në njësinë memoruese.
 Linjat hyrëse mundësojnë sjelljen e informative në njësinë memoruese.
 Linjat dalëse mundësojnë nxjerrjen e informative (leximin) nga memoria.
Kapaciteti i memories caktohet me numrin e fjalëve që mund të vendosen në të dhe
numrin e bitëve për secilën fjalë.
k-bit për adresim mund të zgjedhin 2k – fjalë binare.
Kur njësia memoruese pranon sinjalin kontrollues “shkruaj” në të mund të shkruhet
informata. Kur njësia memoruese pranon sinjalin kontrollues “lexo” nga memoria mund
të lexohet informata.
 Memoriet statike RAM
 Memoriet dinamike RAM

MEMORIET Fadil Gashi

ELEKTRONIKA DIGJITALE 3

Memoriet gjysmëpërçuese
Memoria gjysmëpërçuese ka për detyrë që në momente të caktuara kohore të
pranoj dhe të ruaj informatën, dhe të mund ta shfrytëzoj përsëri pas ndonjë momenti
kohor. E metë e memorieve gjysmëpërçuese është fshirja e informatës (përmbajtjes) së
memories pas ndërprerjes së ushqimit me energji elektrike. Sot memoriet ndërtohen edhe
nga materialet optike dhe magnetike.
Sipas mënyrës së punës memoriet gjysmëpërçuese klasifikohen në:
 Memorie vetëm për lexim (ROM)
 Memorie të programueshme ROM (PROM)
 Memorie të programueshme ROM me mundësi të fshirjes (EPROM, EEPROM)
 Memoriet statike RAM dhe
 Memoriet dinamike RAM.

Memoria ROM
Elementet themelore memoruese mund të jenë: diodat, transistorët bipolar, MOS
transistorët N-kanalësh me kanal të induktuar dhe CMOS qarqet.
Përmbajtja e memories
ROM programohet gjatë
procesit të fabrikimit, ashtu
që në nyjën përkatëse lidhet
apo nuk lidhet transistori,
varësisht a dëshirohet që në
celulën e caktuar të
memorohet vlera binare 0
apo 1. programimi i tillë
është i përhershëm.
(Nëse dëshirohet vlera
binare 0 në atë celulë të
matricës vendoset
transistori, ndërsa për 1
logjik nuk vendoset
transistori).

Memoriet të programueshme ROM (PROM)

Te memoriet PROM gjatë fabrikimit në çdo nyjë të matricës vendosen diodat,
transistorët apo MOS elementet, ku secili element ka të lidhur në seri nga një siguresë, të
ndërtuar prej materialit me temperaturë të shkrirjes të ultë. Para programimit përmbajtja e
të gjitha celulave të memories është zero logjike. Programimi realizohet me djegien
selektive të siguresave me rryma të mëdha, me ç’rast në
celulat përkatëse regjistrohet vlera binare 1. Programimi
është i përhershëm dhe gabimi nuk mund të korrigjohet.

MEMORIET Fadil Gashi

ELEKTRONIKA DIGJITALE 4

Memoriet e programueshme ROM me mundësi të fshirjes (EPROM)

Te memoriet EPROM përdorën FAMOS transistorët. (FAMOS = Floating gate
Avalanche MOS = gejti lundrues). Këta transistor përveç gejtit të rëndomtë kanë edhe një
gejt të izoluar.
Në të gjitha nyjet e matricës vendosen FAMOS-ët. Programimin e bëjmë duke
lëshuar rryma më të mëdha përmes drejnit me ç’rast gejti i izoluar do të
elektrizohet negativisht, rreth -5V. Përmbajtja e EPROM memories fshihet me
rreze të forta ultravjollcë me të cilat duhet rrezatuar memorien 20 deri 30
minuta, me ç’rast elektronet e tubuara në gejtin e izoluar largohen dhe gejti
bëhet elektroneutral, pas kësaj ekziston mundësia e riprogramimit.

Memoriet e programueshme ROM me mundësi të fshirjes në mënyrë

elektrike (EPROM)
Memoria EEPROM teknologjikisht realizohet njëjtë si ajo EPROM (me transistor
FAMOS). Dallimi është se te memoria EEPROM fshirja e përmbajtjes së memories
kruhet përmes sinjaleve elektrike në mënyrë selektive, e jo si te memoria EPROM përmes
rrezeve ultravjollcë në mënyrë të tërësishme. Te FAMOS-ët e memorieve EEPROM
trashësia e shtresës së kuarcit (SiO2) nën gejt është shumë më e vogël se te familja
EPROM (diku rreth 150  ).

Vargjet logjike të programueshme (PLA)

Për realizimin e funksioneve komplekse logjike, me numër të madh qarqesh të
nevojshme themelore JO, OSE, DHE JODHE dhe JOOSE shfrytëzohet struktura PLA.
Struktura PLA realizohet me transistor bipolar, dioda, transistor NMOS apo me qarqe
CMOS.

Zakonisht realizohet
me mundësi të
programimit, përmes
djegies së siguresave
me temperaturë të ultë
të shkrirjes. Me
ndihmën e PLA,
mund të realizohen
funksionet logjike të
çfarëdoshme që
paraqesin shumën e
produkteve të
variablave hyrëse apo
komplementeve të
tyre.

MEMORIET Fadil Gashi