Elektronski fakultet u Nišu

ELEKTRONSKE KOMPONENTE

(Semestar II, 2010. god)

Zadaci sa računskih vežbi, drugi deo

ZADATAK 1: Odrediti koncentraciju donorskih primesa kojom mora biti dopiran
silicijum da bi na 300 K imao koncentraciju elektrona dvadeset puta veću od
koncentracije šupljina. Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj
temperaturi (300 K) je ni = 1.131010 cm3.
......................................
Rešenje:

Za poluprovodnike važi zakon o dejstvu masa:

n  p  ni2
Dato je da je koncentracija elektrona dvadeset puta veća od koncentracije šupljina:
n  20 p
Zamenom u prethodni izraz dobija se:
20 p  p  n i2
20 p 2  ni2

Odavde se zamenom brojnih vrednosti dobija:

n 1.13 1010
p i   0.25 1010 cm 3  2.5 10 9 cm 3
20 20

Znamo da je:
n  20 p
Odavde dobijamo:
n  5 1010 cm3

Kako su na sobnoj temperaturi sve primese jonizovane onda važi:

ND  n
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
N D  n  5  1010 cm 3
ZADATAK 2: Broj atoma u silicijumu je Nat = 51022 atoma/cm3. Ako se silicijumu
dodaju donorske primese u odnosu 1 atom primesa na 108 atoma silicijuma, naći
promenu specifične električne otpornosti u odnosu na sopstveni (besprimesni)
poluprovodnik na sobnoj temperaturi.
Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je
ni = 1.131010 cm3, a pokretljivosti elektrona i šupljina su n = 1450 cm2/Vs i
p = 500 cm2/Vs.
......................................
Rešenje:

Kada je poznata pokretljivost šupljina i elektrona, kao i njihova koncentracija u poluprovodniku,

specifična provodnost se izračunava prema izrazu:
  q ( n n  p p )
Specifična otpornost je onda:
1 1
 
 q(n n  p p )
U čistom (sopstvenom) poluprovodniku koncentracija slobodnih elektrona je jednaka
koncentraciji šupljina:
n = p = ni
Sada jednačina za specifičnu otpornost postaje:
1
i   2.83  105 cm
qni (  n   p )
Koncentracija donorskih primesa izračunava se na sledeći način:
N
N d  at8  5  1014 at / cm 3  5 1014 cm 3
10
S obzirom da su sve primese jonizovane na sobnoj temperaturi, onda je:
n ≈ Nd = 51014 cm3
Koncentracija šupljina se onda računa na sledeći način:
n2
p  i  3.38  105 cm 3
n
Specifična otpornost poluprovodnika se izračunava na sledeći način:
1 .......(1)

q ( n n  p p )
Za poluprovodnik n-tipa važi:
p n .......(2)
Iz (1) i (2) sledi:
1
n   8.62 cm
qn n

Odnos specifične otpornosti pre i posle dopiranja je:

i
 32830
n

Dodavanjem primesa specifična električna otpornost silicijuma se smanjila 3.3104 puta.

ZADATAK 3: Otpornost nekog poluprovodnika n-tipa po jedinici dužine iznosi
R’ =2 /cm. Koncentracija elektrona u poluprovodniku iznosi n = 1.251017 cm3.
Ako struja kroz uzorak kružnog poprečnog preseka prečnika d = 1 mm iznosi
I = 157 mA naći pokretljivost elektrona, specifičnu provodnost i driftovsku brzinu
elektrona.
......................................
Rešenje:

Zavisnost brzine e (driftovska brzina) od električnog polja može se izraziti na sledeći način:
 n  n  K
Otpornost poluprovodnika je:
l
R
S
Otpornost po jedinici dužine je:
 R
R'  
S l
S obzirom da se radi o poluprovodniku n-tipa (   qn n ) otpornost po jedinici dužine može se
izraziti na sledeći način:
1 1
R'  
S qn n S
Odavde se za pokretljivost elektrona dobija:
1
n 
qnR ' S
S obzirom da je poluprovodnik kružnog poprečnog preseka njegova površina je:
S  (d / 2) 2   7.85 10 3 cm 2
cm 2
 n  3184.7
Vs
Specifična provodnost je sada:
  qn n
  63.69 (cm) 1
Gustina struje kroz uzorak iznosi:
I A
J   20
S cm 2
J  K KJ

V
K  0.314
cm
Na osnovu ovoga za driftovsku brzinu se dobija:
 n  n  K
cm
 n  1000
s
ZADATAK 4: Specifična električna otpornost silicijuma p-tipa na sobnoj
temperaturi je 0.5 cm. Pod uticajem svetlosti u poluprovodniku se generiše 21016
dodatnih parova elektron-šupljina po cm3. Odrediti procentualnu promenu
specifične električne otpornosti uzrokovanu dejstvom izvora svetlosti. Poznato je da
je na sobnoj temperaturi (300 K): n = 1450 cm2/Vs, p = 500 cm2/Vs, i
ni = 1.131010 cm3.
......................................
Rešenje:

Poluprovodnik p-tipa
1
 .......(1)
q (n n  p p )
n  p .......(2)

Iz (1) i (2) sledi da je specifična otpornost poluprovodnika p-tipa:

1

qp p
Iz prethodnog izraza možemo izračunati koncentraciju šupljina:
1
p  2.5  1016 cm 3
q p
Koncentracija elektrona se onda računa na sledeći način:
ni2
n  5107.6 cm 3
p
Pod dejstvom svetlosti generišu se parovi elektron-šupljina
n  p  2  1016 cm 3

Koncentracije elektrona i šupljina sada iznose:

p1  p  p
n1  n  n

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

p1  4.5 1016 cm 3
n1  2 1016 cm 3

Na osnovu izraza (1) za specifičnu električnu otpornost se dobija:

1
1 
q (n1 n  p1 p )
1  0.12 cm

    1
  0.38 cm

 76 %


Procentualna promena specifične električne otpornosti uzrokovana dejstvom izvora svetlosti

iznosi 76%.
ZADATAK PN1: a) Odrediti temperaturu (u Celzijusovim stepenima) silicijumske
diode ako pri naponu na njoj VD = 0.6 V struja kroz diodu iznosi ID = 1 mA.
Inverzna struja zasićenja diode na toj temperaturi je IS = 1011 A.
b) Odrediti inverznu struju zasićenja IS pri istim vrednostima napona i struje
(VD = 0.6 V, ID = 1 mA) ako temperatura diode opadne za 50 oC u odnosu na
temperaturu izračunatu pod (a). Poznato je k=8.62105 eV/K.
......................................
Rešenje:

a) Iz izraza za struju diode možemo da izostavimo drugi član u zagradi (exp(VD/UT) >> 1) jer je
napon na diodi 0.6 V.
 VD 
I D  I S   e UT  1
 
Kako je U  kT izraz za struju diode sada postaje:
T
q
qVD
kT
ID  IS  e
Odavde možemo da izračunamo temperaturu silicijumske diode:
qV
ID D

 e kT
IS
I qV
ln D  D
IS kT
qVD 1  0.6
T  3
 377.866 K
ID 5 10
k ln 8.62 10 ln 11
IS 10

T= 104.866 oC

b) Kada temperatura diode opadne za 50 oC dobijamo:

T1= T-50 oC = 104.866-50= 54.866 oC T1= 327.866 K

VD= 0.6 V
ID= 1 mA
IS1= ?

qVD
kT1
I D  I S1  e
Zamenom brojnih vrednosti dobija se vrednost inverzne struje zasićenja IS1:
qVD 10.6
 
kT1 3 8.6210 5 327 .866
I S1  I D  e  10  e
13
IS1 = 610 A
ZADATAK PN2: Na slici je prikazano
osnovno ispravljačko kolo. Ako je
Vin = 1 V a inverzna struja zasićenja
silicijumske diode IS = 1014 A, odrediti
Vout ako je:
a) R=R1 = 0.5 k
b) R=R2 = 200 

......................................
Rešenje:

Struja diode pri direktnoj polarizaciji može se izraziti na sledeći način:

 V 
I D  I s  exp D  1 ...............(1)
 UT 
Za kolo na slici važi:
Vin  VD  Vout  VD  R  I D
Odavde se dobija:
VD  Vin  R  I D ...............(2)
Zbog eksponencijalne zavisnosti u (1) rešenje sistema (1) i (2) se nalazi grafičkim putem kao
presek zavisnosti I D  f VD  i radne prave VD  Vin  R  I D .
Korišćenjem izraza (1) možemo da izračunamo struju ID za različite vrednosti napona VD.
Rezultati su prikazani u tabeli, a kriva I D  f VD  je prikazana na grafiku.
VD (V) ID (mA) VD (V) ID (mA)
0 0 0.6 0.10524
0.05 5.84198E-11 0.625 0.27528
0.1 4.58127E-10 0.64 0.49015
0.15 3.19291E-9 0.65 0.72005
0.2 2.19043E-8 0.66 1.05779
0.25 1.49927E-7 0.665 1.28208
0.3 1.02585E-6 0.675 1.88344
0.35 7.01894E-6 0.68 2.28282
0.4 4.80235E-5 0.685 2.76687
0.45 3.28576E-4 0.69 3.35357
0.5 0.00225 0.695 4.06467
0.55 0.01538 0.7 4.92656
 5 T4
ID=f(VD)

R2

ID(mA)
3

T2
2
R1
1
0.673V
0.65V T1=T3

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
VD(V)

Na grafiku su prikazane i dve radne prave.

a) R1 = 0.5 k
Izraz (2) sada postaje:

VD  Vin  R1  I D
Za ID = 0 dobija se VD  Vin  1 V ; dobijamo tačku T1= (1 V, 0 A)
Za VD = 0 dobija se I  Vin  1
 2 mA ; dobijamo tačku T2 = (0 V, 2 mA)
D
R1 0.5 103
Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu.
Iz preseka radne prave i karakteristike diode (što je prikazano na grafiku) određujemo napon na
diodi VD  0.65 V
Odavde se dobija Vout  Vin  VD  0.35 V

b) R2 = 200 
Izraz (2) sada postaje:

VD  Vin  R2  I D
Za ID = 0 dobija se VD  Vin  1 V ; dobijamo tačku T3=T1= (1 V, 0 A)
Za VD = 0 dobija se I  Vin  1  5 mA ; dobijamo tačku T4 = (0 V, 5 mA)
D
R2 200
Povezivanjem T3 i T4 dobijamo radnu pravu.
Iz preseka radne prave i karakteristike diode (što je prikazano na grafiku) određujemo napon na
diodi VD  0.673 V
Odavde se dobija Vout  Vin  VD  0.327 V

Na osnovu dobijenih vrednosti zaključujemo da vrednost otpornosti u ispravljačkom kolu ne

utiče značajno na vrednost Vout usled eksponencijalne zavisnosti I D  f VD  .
ZADATAK PN3: Kroz kolo na slici protiče struja
I = 10 mA. Ako je otpornost otpornika R = 230  i
napon napajanja E = 3 V, izračunati inverznu struju
zasićenja silicijumske diode Is na sobnoj temperaturi.
Poznato je UT = 0.026 V.

......................................
Rešenje:

Odredimo koliko iznosi pad napona na diodi:

E  R  I  VD
VD  E  R  I  3  230  10  10 3  3  2.3  0.7 V

Iz izraza za struju diode možemo da izostavimo drugi član u zagradi. Dioda je direktno
polarisana, pa je exp(VD/UT) >> 1.
 VD 
I  I S   e  1
 UT

 
Izraz za struju diode sada postaje:
VD
UT
I  IS e
Možemo izraziti inverznu struju zasićenja diode:
VD

UT
IS  I  e
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
0.7

I S  10  10 3  e 0.026
 2  10 14 A
ZADATAK PN4: Dato je kolo na slici, pri čemu su
upotrebljene identične silicijumske diode (imaju jednako
Is). Izmerena struja kroz diodu D1 iznosi I1 = 10 mA, a
izmereni napon na diodi D2 je V2 = 0.68 V. Izračunati
vrednost otpornosti otpornika R1. Dato je: R2 = 1 k,
E = 3 V i UT = 0.026 V.

......................................
Rešenje:

Napon na diodi D2 je V2, a struju kroz ovu diodu označićemo sa I2. Za tu granu kola važi:
E  R2  I 2  V2
Iz prethodne jednačine možemo da izračunamo struju I2:
E  V2 3  0.68
I2    2.32 mA
R2 1000
Iz izraza za struju diode možemo da izostavimo drugi član u zagradi jer su diode direktno
polarisane (exp(VD/UT) >> 1).
 VD 
I  I S   e U T  1
 
 
Izraz za struju diode D2 sada postaje:
V2
UT
I2  IS  e
Možemo izraziti inverznu struju zasićenja diode:
V 0.68
 2 
UT 3
IS  I2  e  2.32  10 e 0.026  1.016  10 14 A

Struja kroz diodu D1 je I1, a napon na ovoj diodi označićemo sa V1. Za tu granu kola važi:
E  R1  I1  V1
Iz prethodne jednačine možemo da izračunamo vrednost otpornika R1:
E  V1 .................(1)
R1 
I1
Nepoznat nam je pad napona na diodi D1:
V1
UT
Iz izraza za struju diode D1: I1  I S  e možemo da odredimo V1:

I   10  10  3 
V1  U T  ln  1   0.026  ln    0.718 V
14 
 IS   1.016  10 
Sada iz (1) dobijamo:
E  V1 3  0.718
R1    228 
I1 10  10  3
ZADATAK PN5: Dve različite silicijumske diode
vezane su paralelno kao na slici. Izmerena ukupna
struja iznosi I = 100 mA. Ako su inverzne struje
zasićenja prve i druge diode IS1 = 1 pA i IS2 = 4 pA,
respektivno, izračunati:
a) Napon na diodama.
b) Struje koje protiču kroz svaku diodu na
sobnoj temperaturi.
Poznato je UT = 0.026 V.
......................................
Rešenje:

a) Inverzne struje zasićenja ovih dioda iznose:

I S1  1 pA
I S 2  4 pA

Treba izračunati napona na diodama (V=?), i struje koje protiče kroz njih (I1=?, I2=?).

Ukupna struja iznosi

I  I1  I 2

Kako su diode direktno polarisane možemo da zanemarimo drugi član u zagradi izraza za struju
diode (jer je exp(VD/UT) >> 1), pa se ukupna struja može izraziti na sledeći način:

I  I S1  exp(V / U T )  I S 2  exp(V / U T )

I  ( I S1  I S 2 )  exp(V / U T )

100 mA  (1 pA  4 pA)  exp(V / UT )

V
UT 100  103
e  12
 2 1010
5 10

Odavde se dobija napon na diodama

V  U T ln(2  1010 )  0.61669 V

b) Struje koje protiču kroz diode na sobnoj temperaturi iznose:

I1  I S1  exp(V / UT )  1  1012  2  1010  20 mA

I 2  I S 2  exp(V / U T )  4  10 12  2  1010  80 mA

ZADATAK PN6: Kroz kolo na slici protiče struja
I = 10 mA. Ako su silicijumske diode identičnih
karakteristika, otpornost otpornika R = 470  i
napon napajanja E = 6 V, izračunati inverznu
struju zasićenja dioda Is na sobnoj temperaturi.
Poznato je UT = 0.026 V.
......................................

Rešenje:

Diode su identičnih karakteristika, vezane su redno, pa važi:

VD1  VD 2  VD
Odredimo koliko iznosi pad napona na diodama:
E  R  I  2VD
Sređivanjem i zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
2VD  E  R  I  6  470 10 10 3  6  4.7  1.3 V
VD  0.65 V
Iz izraza za struju diode možemo da izostavimo drugi član u zagradi. Diode su direktno
polarisane, pa je exp(VD/UT) >> 1.
 VD 
I  I S   e U T  1
 
 
Izraz za struju diode sada postaje:
VD
UT
I  IS e
Možemo izraziti inverznu struju zasićenja diode:
VD

UT
IS  I  e
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
0.65

I S  10 10 3  e 0.026
 1.39 10 13 A
ZADATAK PN7: Za date ulazne napone (Vin) prikazane na slikama 1 i 2 nacrtati
oblike napona (Vout) na izlazima ispravljača.

Slika 1

Slika 2
......................................

Rešenje:

Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 1 iznosi:

Vmax out  Vmax in  0.7V  5V  0.7V  4.30V
Maksimalna vrednost je smanjena za 14%. Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 3.

Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 2 iznosi:

Vmax out  Vmax in  0.7V  100V  0.7V  99.30V
Maksimalna vrednost je smanjena za 0.7%. Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 4.
ZADATAK BJT1: NPN bipolarni tranzistor u kolu sa
slike ima strujno pojačanje  = 550, dok je RC = 1 k i
V + = 5 V. Odrediti minimalnu struju baze IB pri kojoj će
se tranzistor naći u zasićenju. Pretpostaviti da je
VBE = 0.7 V.

......................................
Rešenje:

Tranzistor će biti u zasićenju ukoliko su ispunjeni sledeći uslovi:

Oba spoja direktno polarisana: VBE  0 , VBC  0 .....................( I )

I C  I B .....................( II )

Iz (I) se dobija
VBC  0
VBE  VEC  0
VBE  VEC
VBE  VCE
VBE  V   I C RC

Iz ovog uslova se dobija:

I C RC  VBE  V 
V   VBE
IC 
RC
5  0. 7
IC   4.3 mA
1000

S druge strane iz uslova ( II ) je:

IC
I C  I B  IB 

4.3 mA
IB   7.82 A
550
ZADATAK BJT2: Na slici su

IC (mA)
2.0
prikazane izlazne
karakteristike bipolarnog IB=17.5A
tranzistora u kolu pojačavača 1.5
sa zajedničkim emitorom za IB=12.5A
slučajeve različitih baznih 1.0
struja. Odrediti radnu tačku i
režim rada tranzistora za date IB=7.5A
različite struje baze ako je 0.5

vrednost otpornika koji se IB=2.5A

vezuje u kolo kolektora: 0.0
a) RC1  2k ; 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
VCE (V)
b) RC 2  5k .
Poznato je VCC  3V .
......................................
Rešenje:
IC (mA)

2.0

IB=17.5A
T2
1.5

IB=12.5A
1.0

IB=7.5A
T4
0.5 RC2 RC1

IB=2.5A
T1=T3
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
VCE (V)

a) RC1=2 k VCE=VCCRC1IC
Za IC = 0 dobija se VCE  VCC  3 V
dobijamo tačku T1= (3 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I  VCC  3
 1.5 mA
C
RC1 2  103
dobijamo tačku T2 = (0 V, 1.5 mA)
Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu.

b) RC2=5 k VCE=VCCRC2IC
Za IC = 0 dobija se VCE  VCC  3 V
dobijamo tačku T3=T1= (3 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I  VCC  3
 0.6 mA
C
RC 2 5 103
dobijamo tačku T4 = (0 V, 0.6 mA)

Povezivanjem T3 i T4 dobijamo radnu pravu.

a) Za IB=2.5 A, IB=7.5 A, IB=12.5 A tranzistor je u aktivnom režimu
Za IB=17.5 A tranzistor je u zasićenju
b) Za IB=2.5 A tranzistor je u aktivnom režimu
Za IB=7.5 A, IB=12.5 A, IB=17.5 A tranzistor je u zasićenju

Radna tačka:

IB=2.5 A IB=7.5 A IB=12.5 A IB=17.5 A

a) VCE=2.48V IC=0.26mA VCE=1.47V IC=0.76mA VCE=0.46V IC=1.26mA VCE=0.04V IC=1.47mA
b) VCE=1.73V IC=0.26mA VCE=0.04V IC=0.59mA VCE=0.01V IC=0.59mA VCE=0.01V IC=0.59mA
ZADATAK BJT3: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog
tranzistora u kolu pojačavača
sa zajedničkim emitorom za

IC (mA)
4 IB=20A
slučajeve različitih baznih
struja. Prikazana je i radna
tačka M za slučaj kada je 3 IB=15A
struja baze IB=10 A.
M (VCE=3V, IC=2mA)
a) Odrediti vrednost otpornosti 2 IB=10A
otpornika koji je vezan u kolo
kolektora RC1.
b) Ako se otpornik RC1 zameni 1 IB=5A
otpornikom RC2 koji ima 4 puta
veću otpornost odrediti u kom
0
režimu radi tranzistor ako je 0 1 2 3 4 5 6
struja baze IB=10 A? VCE (V)
Poznato je VCC  6 V .
......................................
Rešenje:
IC (mA)

4 IB=20A

3 IB=15A

M (VCE=3V, IC=2mA)
2 IB=10A

T2 M
1
1 IB=5A
RC2=4RC1
T1
0
0 1 2 3 4 5 6
VCE (V)
a) Treba odrediti vrednost otpornosti
otpornika RC1.
U radnoj tačtki M važi:
VCEM=VCCRC1ICM.................................(1)
Odavde se dobija:
V  VCEM 63
RC1  CC   1.5 k
I CM 2  10 3
b) Ako se RC1 zameni otpornikom RC2= 4RC1=6 k
VCE=VCCRC2IC.................................(2)
Za IC = 0 dobija se VCE  VCC  6 V
dobijamo tačku T1= (6 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I  VCC  6
 1 mA
C
RC 2 6  103
dobijamo tačku T2 = (0 V, 1 mA)
Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu za slučaj RC2 =6 k.
Sa slike možemo videti gde je radna tačka M1 (za slučaj kada je struja baze 10 A).
Tranzistor je u zasićenju.
ZADATAK BJT4: Na slici su
prikazane izlazne IB=50A

IC (mA)
10
karakteristike bipolarnog
tranzistora u kolu pojačavača 8 IB=40A
sa zajedničkim emitorom za
M1
slučajeve različitih baznih 6 IB=30A
struja. Prikazane su i radne
M2
tačke M1 i M2 za slučaj kada 4 IB=20A
su struje baze 30 A i 20 A,
respektivno. 2
Odrediti vrednost otpornosti
otpornika koji se vezuje u 0
0 1 2 3 4 5
kolo kolektora RC i vrednost
VCE (V)
napona napajanja VCC.
......................................
Rešenje:

T2
IB=50A
IC (mA)

10

8 IB=40A

M1
6 IB=30A

M2
4 IB=20A

T1
0
0 1 2 3 4 5
VCE (V)
Treba nacrtati radnu pravu.
RC=?
VCC=?
VCE=VCCRCIC.................................(1)
Kroz tačke M1 i M2 provučemo radnu pravu.
Gde se radna prava preseče sa VCE osom dobijamo tačku T1
Gde se ta prava preseče sa IC osom dobijamo tačku T2

U tački T1= (5 V, 0 A) važi da je IC=0.

Iz izraza (1) se onda dobija:
VCE  VCC  5 V
Treba uzeti VCC=5 V.

U tački T2= (0 V, 10 mA) važi da je VCE=0.

Iz izraza (1) se onda dobija:
V  VCE 50
RC  CC   0.5 k
IC 10  103
Treba uzeti RC=0.5 k.
ZADATAK BJT5: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog
tranzistora u kolu pojačavača sa zajedničkim emitorom za slučajeve različitih
baznih struja. Prikazana je i

IC (mA)
radna tačka M1 za slučaj 4 IB=20A
kada je struja baze 10 A, a
kada je u kolu kolektora 3 IB=15A
priključen naponski izvor
VCC1. M (V =3V, I =2mA) 1 CE C
Kada se umesto naponskog 2 IB=10A
M (V =1V, I =2mA) 2 CE C
izvora VCC1 stavi naponski
izvor VCC2 pri struji baze 1 IB=5A
10 A dobija se radna tačka
M2 . Odrediti vrednost
0
napona naponskih izvora 0 1 2 3 4 5 6
VCC1 i VCC2. VCE (V)
Poznato je: RC=1.5 k.
......................................
Rešenje:
RC=1.5 k
VCC1=?
Ako je naponski izvor VCC1 onda važi:
VCEM1=VCC1RCICM1.................................(1)
Odavde se dobija:
VCC1= VCEM1 +RCICM1=3+1.51032103=6 V

VCC2=?
Ako je naponski izvor VCC2 onda važi:
VCEM2=VCC2RCICM2.................................(2)
Odavde se dobija:
VCC2= VCEM2 +RCICM2=1+1.51032103=4 V

Ako se u kolu kolektora ne menja vrednost otpornika RC radna prava ne menja nagib.
IC (mA)

4 IB=20A

3 IB=15A
RC
RC
M1 (VCE=3V, IC=2mA)
2 IB=10A
M2 (VCE=1V, IC=2mA)

1 IB=5A

T2 T1
0
0 1 2 3 4 5 6
VCE (V)
ZADATAK BJT6: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog
tranzistora u kolu pojačavača sa zajedničkim emitorom za slučajeve različitih
baznih struja.

IC (mA)
Odrediti vrednost otpornosti 4 IB=20A
otpornika RC koji treba da
se veže u kolo kolektora, 3 IB=15A
tako da pri struji baze od
10 A radna tačka
tranzistora bude u aktivnoj 2 IB=10A
oblasti.
Na raspolaganju su 1 IB=5A
otpornici sledećih vrednosti
otpornosti: 6.8 k, 3.3 k i
0
1.5 k. 0 1 2 3 4 5 6
Poznato je VCC  6 V . VCE (V)

......................................
Rešenje: T4
IC (mA)

4 IB=20A

3 IB=15A
1.5 k

2 IB=10A
T3
3.3 k
1 IB=5A
T2
6.8 k
T1
0
0 1 2 3 4 5 6
VCE (V)

Treba nacrtati radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC.

VCE=VCCRCxIC.................................(1)

Za IC = 0 dobija se VCE  VCC  6 V

dobijamo tačku T1= (6 V, 0 A)

Za VCE = 0 dobija se I  VCC

C
RCx
- Ako je RC=6.8 k dobijamo IC=0.882 mA. Označićemo ovu tačku sa T2 = (0 V, 0.882 mA)
- Ako je RC=3.3 k dobijamo IC=1.818 mA. Označićemo ovu tačku sa T3 = (0 V, 1.818 mA)
- Ako je RC=1.5 k dobijamo IC=4 mA. Označićemo ovu tačku sa T4 = (0 V, 4 mA)

Sada možemo da nacrtamo radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC. Može se videti da se za
otpornike otpornosti 6.8 k i 3.3 k tranzistor pri struji baze od 10 A nalazi u zasićenju. Ako
je otpornost otpornika 1.5 k tranzistor se pri struji baze od 10 A nalazi u normalnoj aktivnoj
oblasti.
Treba uzeti RC=1.5 k.
ZADATAK BJT7: Pri baznoj struji IB = 1 A, napon
između emitora i kolektora NPN tranzistora sa
uzemljenim emitorom (kao na slici), koji ima
koeficijent strujnog pojačanja  = 200, iznosi
VCE1 = 5 V. Kada kroz tranzistor protiče kolektorska
struja IC = 1 mA, napon između emitora i kolektora
tada iznosi VCE2 = 1 V. Izračunati koliko iznose
vrednosti napona napajanja VCC i otpornost otpornika
RC. Poznato je da VCES tranzistora iznosi 0.2V.
......................................
Rešenje:

IB = 1 A VCE1 = 5 V
IC = 1 mA VCE2 = 1 V

VCE = VCC - ICRC ...................(1)

Tranzistor je u normalnoj radnoj oblasti, pa važi:
IC= IB VCE1, VCE2=VCES
Zamenom u (1) dobija se:
VCE1 = VCC - IB1RC
VCE2 = VCC – IC2RC =VCC - IB2RC

Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:

5=VCC  2001106 RC ...................(2)
3
1=VCC  110 RC ...................(3)

Oduzimanjem (2)  (3) dobijamo:

800106 RC = 4

Odavde se dobija:
RC = 5 k

Iz (2) se onda dobija:

VCC = 6 V
ZADATAK BJT8: Koeficijent strujnog pojačanja NPN
tranzistora sa uzemljenim emitorom iznosi  =200. U
radnoj tački M struja baze iznosi IBM=5 A. Ako se struja
baze poveća na vrednost IB1=8 A, napon između
kolektora i emitora tranzistora tada iznosi VCE1=2 V.
Izračunati:
a) Otpornost RC u kolu sa slike.
b) Napon između kolektora i emitora u radnoj tački VCEM.
Napon napajanja u kolu sa slike je VCC  10 V . Poznato je
da VCES tranzistora iznosi 0.2V.
......................................
Rešenje:

Za kolo sa slike važi:

VCE=VCCRCIC .....................(1)

Pri strujama IBM i IB1 tranzistor je u normalnom aktivnom režimu, pa važi:

IC= IB
Zamenom u (1) dobija se:
VCEM = VCC - IBMRC .....................(2)
VCE1 = VCC - IB1RC .....................(3)

Iz (3) se dobija:
V  VCE1 10  2
RC  CC   5 k
  I B1 200  8  10 6

Iz (2) se dobija:
VCEM = VCC - IBMRC=1020051065103=5 V
IC (mA)

T2
2

(1)
IB1=8A

(M)
1 IBM=5A

VCEM
T1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VCE (V)
ZADATAK BJT9: Za kolo sa slike odrediti da li je tranzistor u zasićenju. Poznato
je: VBB=3 V, VCC=10 V, RB=10 kΩ, RC=1 kΩ, VBE=0,7 V, VCE(sat)=0,2 V, β = 50.

......................................
Rešenje:

Na osnovu kola baze može se napisati:

VBB = RB I B +VBE
odakle se za struju baze dobija:

VBB  VBE
IB = = 0.23 mA
RB
tako da je:

βI B = 11.5 mA
S druge strane, kada je tranzistor u zasićenju, na osnovu kola kolektora je:

VCC  VCE  sat 

I C  sat  = = 9.8 mA
RC
Pošto je:
I C  sat  < βI B

zaključuje se da je tranzistor u zasićenju.

ZADATAK BJT10: Tranzistor u kolu pojačavača sa zajedničkim emitorom sa slike
ima sledeće tehničke specifikacije: maksimalna snaga disipacije PD(max) = 800 mW,
maksimalni napon između kolektora i emitora VCE(max) = 15 V i maksimalna struja
kolektora IC(max) = 100 mA. Odrediti maksimalnu vrednost napajanja VCC za koju će
tranzistor raditi u okviru specificiranih vrednosti.
Poznato je: VBB = 5 V, RB = 22 kΩ, RC = 1 Ω, VBE = 0.7 V,  = 100.

......................................

Rešenje:

Maksimalne vrednosti snage disipacije, napona između kolektora i emitora i struje

kolektora se definišu za aktivni režim rada tranzistora.
Da bi tranzistor radio u okviru specificiranih vrednosti njegova radna tačka treba da se
nalazi unutar oblasti ograničene pravama VCE(max), IC(max) i krivom PD(max).

Kolo baze zadovoljava relaciju:

VBB=VBE + RBIB,
iz koje se za struju baze dobija:
VBB  VBE 5 V  0, 7 V
IB    195 µA
RB 22 k
U aktivnom režimu rada struja kolektora je određena vrednošću struje baze i iznosi:
IC   I B
IC  100 195 µA=19.5 mA

Ova vrednosti je manja od maksimalne struje kolektora IC< IC(max).

Za kolo kolektora važi relacija:
VCC=VCE + RCIC.
Vrednosti RC i IC su poznate tako da je maksimalna vrednost VCC određena ili
maksimalnom vrednošću napona VCE (VCE(max)) ili maksimalnom vrednošću snage
disipacije PD(max).
Kada je ograničavajući faktor napon VCE(max) za maksimalnu vrednost napajanja se dobija:

VCC(maxV)=VCE(max) + RCIC,

VCC(maxV)=15 V + 1 kΩ  19.5 mA= 34.5 V.

Kada je ograničavajući faktor snaga disipacije PD(max) napon između kolektora i emitora
VCE(maxP) za poznatu vrednost struje IC je:

VCE(maxP)= PD(max) /IC = 41 V.

S obzirom da je vrednost VCE(maxP) veća od specificirane dozvoljene vrednosti VCE(max) nju

ne možemo uzeti za proračun maksimalne vrednosti VCC.
Zaključuje se da maksimalni napon između kolektora i emitora predstavlja
ograničavajući faktor, tako da je maksimalna dozvoljena vrednost napona napajanja
VCC(max) = 34.5 V.
ZADATAK BJT11: Za kolo na slici u kome tranzistor radi kao prekidač odrediti:
a) Napon VOUT kada je VIN = 0 V.
b) Najmanju vrednost struje baze za koju će tranzistor ući u zasićenje, ako je
 = 125 i VCE(sat) = 0.2 V.
c) Maksimalnu vrednost RB za koju je obezbeđen uslov zasićenja ako je VIN = 5 V.
Poznato je: VCC = 10 V, RC = 1 kΩ, VBE = 0.7 V.

......................................

Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Napon na izlazu kola je:

VOUT = VCE = VCC - RCIC.

a) Kada je VIN= 0 V bazni spoj je zakočen tako da je IB = 0, a samim tim i IC ≈ 0. Odatle

sledi da je:
VOUT = VCC = 10 V.

b) Naponski uslov za tranzistor u zasićenju je VCE= VCE(sat). Za kolektorsko kolo važi

relacija:
VCC=VCE(sat)+RCIC,
odnosno u zasićenju struja kolektora iznosi:
VCC - VCE ( sat )
IC 
RC
10 V - 0.2 V
IC  = 9.8 mA
1 k

Strujni uslov zasićenja je IC <  IB odnosno IB > IC / .

Odavde se za najmanju vrednost struje baze koja obezbeđuje zasićenje tranzistora dobija:

9.8 mA
I B (min) = = 78.4 µA.
125

c) Kolo baze zadovoljava relaciju:

VIN =VBE + RBIB.

Maksimalna dozvoljena vrednost RB za uslov zasićenja se dobija pri minimalnoj

vrednosti struje baze:

VIN - VBE
RB (max)  .
I B (min)

5 V - 0.7 V
RB (max)   54.85 kΩ
78.4µA
ZADATAK BJT12: Odrediti radnu tačku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo napajano
preko naponskog razdelnika prikazano na slici. Poznato je: VCC = 10 V, RE = 560 Ω,
RC = 1 kΩ, R1 = 10 kΩ, R2 = 5.6 kΩ, VBE = 0.7 V,  = 100.

......................................

Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Napon na bazi tranzistora je:

VB = R2I2.

Istovremeno važi relacija:

VCC= R1(IB+I2)+ R2I2.

Kola napajana preko naponskog razdelnika se realizuju tako da je struja baze mnogo manja od
struje koja protiče kroz otpornik R2 (IBI2). Time se gornja relacija može pojednostaviti:

VCC≈ (R1+ R2)I2.

Za struju I2 se dobija:
VCC
I2  ,
R1  R2

odnosno za napon na bazi tranzistora:

R2
VB  VCC
R 1  R2
5.6 kΩ
VB  10 V=3.59 V
10 kΩ  5.6 kΩ

Napon na emitoru tranzistora je VE = VB-VBE = 3.59 V-0.7 V = 2.89 V, a na osnovu njega struja
emitora:
V 2.89 V
IE  E = = 5.16 mA
RE 560 
Struja kolektora je:

IC = I E - I B   I E  IE
 1
100
IC  5.16 mA  5.11 mA
100  1
Naponska relacija za kolo kolektora je:

VCC = RCIC + VCE + VE,

što za napon između kolektora i emitora daje:

VCE = VCC - RCIC - VE.

VCE = 10 V- 1 kΩ ·5.11 mA- 2.89 V = 2 V.

Radna tačka je određena vrednostima VCE = 2 V, IC = 5.11 mA.

ZADATAK BJT13: Odrediti radnu tačku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo prikazano
na slici. Poznato je: VCC = 12 V, RC = 560 Ω, RB = 330 kΩ, VBE = 0.7 V,  = 100.

......................................

Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Za kolo baze važi naponska relacija:

VCC = RBIB+ VBE,

na osnovu koje se struja baze određuje kao:

 VCC - VBE
IB 
RB
12 V- 0.7 V
IB = = 34.2 µA
330 k

Struja kolektora je IC=·IB= 100·34.2 µA = 3.42 mA, dok se za napon između kolektora i
emitora dobija:

VCE = VCC - RCIC

VCE = 12 V - 560 Ω · 3.42 mA = 10.1 V

Radna tačka je određena vrednostima VCE = 10.1 V, IC = 3.42 mA.

ZADATAK BJT14: Odrediti radnu tačku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo prikazano
na slici. Poznato je: VCC = 12 V, RC = 560 Ω, RB = 330 kΩ, RE =1 kΩ, VBE = 0.7 V,
 = 100.

......................................

Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Za kolo baze važi naponska relacija:

VCC= RBIB+ VBE + REIE.

Veza između struje emitora i struje baze je:

IE= IC+ IB=  · IB+IB = ( +1)IB.

Zamenom IE dobija se:

VCC = RBIB+ VBE + RE( +1)IB,

odnosno struja baze se određuje kao:
VCC - VBE
IB 
RB  RE (   1)
12 V - 0.7 V
IB = = 26.2 µA
330 k + 1 k (100+1)
Struja kolektora je:

IC=  ·IB= 100 ·26.2 µA= 2.62 mA,

a struja emitora:

IE= ( +1) IB= (100 +1)·26.2 µA = 2.65 mA.

Za kolo kolektora važi naponska relacija:

VCC = RCIC+ VCE + REIE,

dok se za napon između kolektora i emitora dobija:

VCE = VCC - RCIC - REIE

VCE = 12 V - 560 Ω · 2.62 mA - 1 kΩ · 2.65 mA = 7.88 V.

Radna tačka je određena vrednostima VCE = 7.88 V, IC = 2.62 mA.

ZADATAK BJT15: Odrediti radnu tačku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo prikazano
na slici. Poznato je: VCC = 10 V, RC = 10 kΩ, RB = 180 kΩ, VBE = 0.7 V,  = 100.

......................................

Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Za kolo baze važi naponska relacija:

VCC = RC(IC+IB) + RBIB+ VBE.

Struja kolektora je IC=  IB tako da se dobija:

VCC = ( +1) RCIB+ RBIB+ VBE.

Odavde se struja baze određuje kao:

 VCC - VBE
IB 
RB  (   1) RC
10 V - 0.7 V
IB = = 7.82  A
180 k + (100+1)  10 k

Za struju kolektora se dobija:

IC =  IB= 100 ·7.82 µA = 782 µA,

a za napon između kolektora i emitora:

VCE= VCC - RC(IC+IB)

VCE = 10 V - 10 kΩ ·(782 μA+7.82 μA) = 2.1 V.

Radna tačka je određena vrednostima VCE = 2.1 V, IC = 782 µA.

ZADATAK MOS1: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga
VT = 1 V, dužina kanala 5 m, širina kanala 50 m, pokretljivost elektrona u kanalu
n = 800 cm2/Vs i debljina oksida gejta 40 nm. Izračunati:
a) Kolika će biti struja drejna pri VDS = 4 V i VGS = 4.8 V?
b) Za koliko će se promeniti struja drejna ako se pri istom naponu na drejnu
(4 V) napon na gejtu poveća na vrednost 5.8 V?
Poznato je: o = 8.851014 F/cm i rox = 3.9.
......................................
Rešenje:

a) VDS = 4 V VDSsat  VGS  VT  4.8  1  3.8 V

VGS = 4.8 V VDS  VDSsat  tranzistor je u zasićenju
Struja drejna u oblasti zasićenja I Dsat može se izraziti na sledeći način:

I D sat  k (VGS  VT ) 2  kVDSsat

2 ,
Gde je:
 n oxW 800  8.85  1014  3.9  50  10 4 A
k  7 4
 3.4515  10  4 2
2tox L 2  40  10  5  10 V
2
I D sat  kVDSsat  3.4515  10 43.82  4.984 mA
b) VDS = 4 V VDSsat  VGS  VT  5.8  1  4.8 V
VGS = 5.8 V VDS  VDSsat  tranzistor je u triodnoj oblasti
Struja drejna u triodnoj oblasti I D može se izraziti na sledeći način:
 2
I D  k 2(VGS  VT )  VDS  VDS   2
 k 2(VGS  VT )  VDS  VDS  
 3.4515  10 4 2(5.8  1)  4  4   7.731mA
2

Struja drejna se promenila za:

I D  7.731  4.984  2.747 mA
Grafički prikaz:
ZADATAK MOS2: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga
VT = 1 V, dužina kanala 5 m, širina kanala 50 m, pokretljivost elektrona u kanalu
n = 800 cm2/Vs i debljina oksida gejta 50 nm. Izračunati:
a) Kolika će biti struja drejna pri VDS = 5 V i VGS = 5 V?
b) Za koliko će se promeniti struja drejna ako se pri istom naponu na gejtu
(5 V) napon na drejnu smanji na vrednost 3 V?
Poznato je: o = 8.851014 F/cm i rox = 3.9.
......................................
Rešenje:

a) VDS = 5 V VDSsat  VGS  VT  5  1  4 V

VGS = 5 V VDS  VDSsat  tranzistor je u zasićenju
Struja drejna u oblasti zasićenja I Dsat može se izraziti na sledeći način:
I D sat  k (VGS  VT ) 2  kVDSsat
2 ,
14 4
Gde je: k   n oxW  800  8.85  10  3.9  50  10  2.7612  10 4 A
7 4 2
2tox L 2  50  10  5  10 V
2
I D sat  kVDSsat  2.7612  10  4 4 2  4.41792 mA
b) VDS = 3 V VDSsat  VGS  VT  5  1  4 V
VGS = 5 V VDS  VDSsat  tranzistor je u triodnoj oblasti
Struja drejna u triodnoj oblasti I D može se izraziti na sledeći način:
 n oxW
ID 
2t ox L
 2
2(VGS  VT )  VDS  VDS   2
 k 2(VGS  VT )  VDS  VDS  
 
 2.7612  10  4 2(5  1)  3  32  4.1418 mA
Struja drejna se promenila za:
I D  4.41792  4.1418  0.27612 mA
Grafički prikaz:
ZADATAK MOS3: Odrediti radnu tačku (VDS, ID) za
tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 3 V. Merenjem je utvrđeno da je
napon VGS = 8.5 V.
Poznato je: VDD = 15 V, R1 = 10 M i RD = 4.7 k.

......................................
Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornik R1 ne protiče struja. Onda VG = VD. Odavde se dobija da je:
VGS = VDS = 8.5 V

Za napon VGS  8.5 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat  VGS  VT  8.5  3  5.5 V

Kako je VDS  VDSsat zaključujemo da je tranzistor u zasićenju.

Kako je IG = 0, kroz otpornik RD protiče samo struja ID.

Za kolo drejna onda važi relacija:
VDD = VDS +RDID
Odavde se dobija struja ID:
VDD  VDS
ID 
RD
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
I D  1.383 mA

Radna tačka je određena vrednostima: VDS  8.5 V i I D  1.383 mA .

ZADATAK MOS4: Za kolo prikazano na slici, napajano
preko naponskog razdelnika, uzeti su sledeći otpornici:
R1 = 10 M i R2 = 4.7 M. Ako je napon praga ovog
tranzistora VT = 5 V, a k = 2104 A/V2 da li je ovakvim
izborom otpornika R1 i R2 obezbeđen rad tranzistora u
zasićenju?
Poznato je: VDD = 10 V i RD = 1 k.

......................................
Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 teče ista struja I1:

VDD
I1 
R1  R2
Napon VGS se onda može izraziti:
R2
VGS  R2  I1  VDD
R1  R2
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
VGS  3.197 V
Kako je VGS < VT zaključujemo da je tranzistor zakočen.
ZADATAK MOS5: Odrediti radnu tačku (VDS, ID) za
tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 2 V, dok pri naponu na gejtu VGS = 4 V
struja drejna u zasićenju iznosi IDsat = 200 mA.
Poznato je: VDD = 24 V, R1 = 100 k, R2 = 15 k i
RD = 200 .

......................................
Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 teče ista struja I1:

VDD
I1 
R1  R2
Napon VGS se onda može izraziti:
R2
VGS  R2  I1  VDD
R1  R2
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
VGS  3.13 V
Kako je VGS > VT zaključujemo da tranzistor nije zakočen.
Pretpostavimo da je pri naponu VGS  3.13 V tranzistor u zasićenju. Tada važi:
I D sat  k (VGS  VT ) 2  kVDSsat
2 ......................................(1)

Potrebno je odrediti vrednost parametra k. Poznato je da pri naponu na gejtu VGS2 = 4 V struja
drejna u zasićenju iznosi IDsat2 = 200 mA. Odavde možemo da izračunamo vrednost parametra k.
I D sat 2 200 10  3 A
k   5 10 2 2
(VGS 2  VT ) 2 (4  2) 2
V
Zamenom brojnih vrednosti u (1) dobijamo:
I D sat  5  10 2 (3.13  2) 2  63.845mA

Za kolo drejna važi relacija:

VDD = VDS +RDID
Odavde se za napon VDS dobija:
VDS=VDDRDID
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
VDS  24  200  63.845 10  3  11.231 V

Za napon VGS  3.13 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat  VGS  VT  3.13  2  1.13 V

Kako je VDS  VDSsat zaključujemo da je tranzistor u zasićenju. Polazna pretpostavka je u redu.

Radna tačka je određena vrednostima: VDS  11.231 V i I D  63.845mA .
ZADATAK MOS6: Odrediti radnu tačku (VDS, ID) za
tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 5 V, a k = 2104 A/V2.
Poznato je: VDD = 10 V, R1 = 4.7 M, R2 = 10 M i
RD = 10 k.

......................................

Rešenje:

Kroz kolo protiču struje naznačene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 teče ista struja I1:

VDD
I1 
R1  R2
Napon VGS se onda može izraziti:
R2
VGS  R2  I1  VDD
R1  R2
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
VGS  6.803 V
Kako je VGS > VT zaključujemo da tranzistor nije zakočen.
Pretpostavimo da je pri naponu VGS  6.803 V tranzistor u zasićenju. Tada važi:
I D sat  k (VGS  VT ) 2  kVDSsat
2 ......................................(1)

Zamenom brojnih vrednosti u (1) dobijamo:

I D sat  2  10  4 (6.803  5) 2  0.65 mA

Za kolo drejna važi relacija:

VDD = VDS +RDID
Odavde se za napon VDS dobija:
VDS=VDDRDID
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
VDS  10  10 103  0.65 10  3  3.5 V

Za napon VGS  6.803 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat  6.803  5  1.803 V

Kako je VDS  VDSsat zaključujemo da je tranzistor u zasićenju. Polazna pretpostavka je u redu.

Radna tačka je određena vrednostima: VDS  3.5 V i I D  0.65 mA .
ZADATAK OPTO1: U kolu sa slike bipolarni
tranzistor (u ulozi prekidača) u sprezi sa LED-om
radi kao indikator stanja. Za VIN=VOFF =0 V LED ne
svetli, dok za VIN=VON LED daje intenzivnu svetlost.
Odrediti vrednosti otpornika RC i RB za koje je
obezbeđeno funkcionisanje indikatora, ako je struja
neophodna da LED daje intenzivnu svetlost 30 mA,
pri čemu je napon na njemu VLED=1.6 V.
Poznato je: VCC=9 V, VBE=0.7 V, VCE(sat)=0.2 V, β=50,
VON=5 V.

......................................

Rešenje:
Kada je na ulazu napon VIN=VOFF =0 V tranzistor je zakočen
(stanje otvorenog prekidača) i kroz njega ne protiču struje. Ni kroz
LED ne teče struja i on ne emituje svetlost. Time je ovim
indikatorom definisano isključeno stanje.
Kada je na ulazu VIN=VON=5 V tranzistor ima ulogu zatvorenog
prekidača i kroz LED treba da teče struja od 30 mA kojom je
obezbeđena intenzivna svetlost. Time je ovim indikatorom
definisano uključeno stanje.
Kada svetli, napon na LED-u je VLED= 1.6 V dok je struja kroz
LED istovremeno i struja kolektora tranzistora IC. Kada
predstavlja prekidač u zatvorenom stanju tranzistor radi u
zasićenju i napon između kolektora i emitora je VCE(sat).
Na osnovu datih podataka pišemo naponsku relaciju za
kolektorsko kolo:
VCC  RC  I C  VLED  VCE ( sat )
Pošto struja IC treba da ima vrednost od 30 mA za vrednost otpornika RC se dobija:
VCC  VLED  VCE ( sat )
RC  ,
IC
9 V  1.6 V  0.2 V
RC   240  .
0.03A
Da bi tranzistor bio u zasićenju mora da je ispunjena strujna relacija IC<IB odnosno da je:
I 0.03A
I B min  C   600µA .
 50
Za bazno kolo tranzistora važi naponska relacija:
VIN  VON  RB  I B  VBE .
Odavde se za otpornost RB dobija:
VON  VBE 5V  0.7 V
RB max    7.166 kΩ .
I B min 6 104 A
ZADATAK OPTO2: Kolo optokaplera sa slike
sadrži LED i fototranzistor. Ako je koeficijent
sprege (odnos struje kolektora fototranzistora i
struje direktno polarisanog LED-a - CTR) 8%,
odrediti vrednost napona polarizacije V1 za koju
će na izlazu kola biti naponski nivo logičke nule.
Poznato je: VCC=5 V, RC=50 k, R1=5 k,
VCE(sat)=0.2 V, VLED=1 V.

......................................
Rešenje:
Napon na izlazu kola jednak je naponu između
kolektora i emitora tranzistora VOUT=VCE. Za kolo
kolektora važi naponska relacija:
VCC  RC  I C VCE ,
odnosno:
VOUT  VCE  VCC  RC  I C .
Kada nema svetlosnog signala sa LED-a tranzistor
ne vodi (IC=0) i na izlazu je nivo logičke jedinice,
odnosno VOUT=VCC.
Kada sa LED-a na bazno-kolektorski spoj
fototranzistora dolazi svetlosni signal, postoji
određena struja kolektora IC proporcionalna
osvetljaju, odnosno struji kroz LED – I1.
Da bi na izlazu kola bio naponski nivo logičke nule fototranzistor treba da je u zasićenju
(VOUT=VCE(sat)) i njegova struja kolektora je tada:
V V
I C  CC CE ( sat ) ,
RC
5V  0.2 V
IC   96µA .
5 104 
Koeficijent sprege je:
IC
CTR  100% ,
I1
tako da se za struju LED-a dobija:
IC
I1 
100%
CTR
96µA
I1  100%  1.2 mA .
8%
Za kolo LED-a važi naponska relacija:
V1  R1  I 1 VLED ,
i za napon polarizacije LED-a se dobija:
V1  5 kΩ 1.2 mA  1V=7 V .