Chương 1 - Mạng tinh thể

1.0 Mở đầu
1.1 Các loại liên kết trong vật rắn
1.2 Mạng tinh thể
1.3 Bài tập

Chương 2 - Dao động của mạng tinh thể

2.0 Mở đầu
2.1 Lí thuyết cổ điển về dao động của mạng tinh thể
2.2 Lí thuyết lượng tử về dao động của mạng tinh thể
2.3 Nhiệt dung riêng của vật rắn
2.4 Sự nở vì nhiệt của vật rắn
2.5 Bài tập

Chương 3 - Lí thuyết vùng năng lượng của vật rắn

3.0 Mở đầu
3.1 Chuyển động của êlectrôn trong trường tuần hoàn của tinh thể
3.2 Mô hình êlectrôn liên kết yếu
3.3 Mô hình êlectrôn liên kết mạnh
3.4 Tính chất của êlectrôn trong lí thuyết vùng năng lượng
3.5 Kim loại, bán dẫn và điện môi
3.6 Bài tập

Chương 4 - Khí êlectrôn trong kim loại

4.0 Mở đầu
4.1 Mặt Fermi
4.2 Sự dẫn điện của kim loại
4.3 Nhiệt dung của khí êlectrôn
4.4 Bài tập

Chương 5 - Bán dẫn

5.0 Mở đầu
5.1 Sơ lược về tính chất
5.2 Bán dẫn tinh khiết
5.3 Bán dẫn pha tạp
5.4 Hiệu ứng Hôl trong bán dẫn
5.5 Lớp chuyển tiếp p-n
5.6 Bài tập
Chương 6 - Tính chất từ của vật rắn
6.0 Mở đầu
6.1 Chuyển động của hạt mang điện trong từ trường. Mômen từ
6.2 Lí thuyết nghịch từ
6.3 Nghịch từ Lanđao
6.4 Lí thuyết thuận từ, định luật Quyri-Vâyxơ
6.5 Thuận từ spin Pauli
6.6 Sắt từ. Lí thuyết trường phân tử Vâyxơ
6.7 Tương tác trao đổi mẫu Haidenbec
6.8 Sóng spin
6.9 Cấu trúc đômen của các vật sắt từ. Sự từ hóa
6.10 Lí thuyết phản sắt từ. Mẫu hai phân mạng

Chương 7 - Siêu dẫn

7.0 Mở đầu
7.1 Các tính chất của vật liệu siêu dẫn
7.2 Lí thuyết về hiện tượng siêu dẫn
7.3 Toán tử sinh hạt và hủy hạt trong lí thuyết siêu dẫn
7.4 Tương tác giữa êlectrôn và phônôn
7.5 Lí thuyết BCS
7.6 Siêu dẫn nhiệt độ cao
 Chương 1 - Mạng tinh thể
I. Mục đích
Cung cấp những hiểu biết ban đầu về cấu trúc tinh thể của vật rắn và mạng tinh
thể.
II. Yêu cầu
Người học cần nắm được các kiến thức về:
1. Các loại liên kết trong vật rắn
2. Mạng không gian và mạng tinh thể
3. 7 hệ tinh thể và 14 ô mạng Brave
4. Chỉ số Miller và cách xác định chỉ số Miller của mặt phẳng mạng và các
đường thẳng mạng
5. Các tính chất đối xứng của mạng không gian và biết cách xác định các yếu
tố đối xứng của 7 hệ tinh thể.
6. Mạng đảo và các tính chất của mạng đảo.
III. Nôị dung
Chương I gồm hai bài:
Bài 1. Các loại liên kết trong vật rắn (4 tiết)
Bài 2. Mạng tinh thể (6 tiết)
1. CÁC LOẠI LIÊN KẾT TRONG VẬT RẮN
I. Mục đính
Giúp cho người học hiểu được nguyên nhân hình thành vật răn, các loại liên
kết trong vât rắn.
Người học hiểu rõ hơn về đặc điểm của các liên kết trong vật rắn và vai trò,
ảnh hưởng của chúng lên các tính chất đặc trưng của vật rắn.
II. Yêu cầu
Người học cần nắm được các kiến thức:
1. Liên kết cộng hóa trị
2. Liên kết ion
3. Liên kết kim loại.
4. Liên kết Van de Vanxơ
5. Liên kết hiđrô.
Tương ứng với các liên kết đó sẽ hình thành các loại tinh thể khác nhau.
Một số lưu ý:
- Người học có thể tham khảo sách giáo khoa Hóa học dành cho lớp 11 hệ PTTH
chuyên ban A. Giáo trình này trình bày sâu hơn về các liên kết.
- Cần thấy được khi nào các nguyên tử liên kết theo liên kết ion, cộng hóa trị hay
liên kết kim loại.
- Các tính chất điện, quang… sẽ phụ thuộc vào các kiểu liên kết như thế nào?
- Thấy được sự phân biệt giữa liên kết ion và liên kết cộng hóa trị đôi khi chỉ là
tương đồi.
III. Nội dung
1. Tinh thể ion (1 tiết)
2. Tinh thể cộng hóa trị (1tiết)
3. Tinh thể kim loại (1/3 tiết)
4. Tinh thể khí trơ và tinh thể phân tử (1/3 tiết)
5. Tinh thể có liên kết hiđrô (1/3 tiết)

Ở các vật rắn kết tinh, các nguyên tử hoặc phân tử xếp đặt một cách có trật tự,
tuần hoàn trong không gian. Các vật rắn có tính chất khác nhau, chính là vì trong
mỗi loại, sự phân bố của các êlêctrôn và hạt nhân của các nguyên tử có những
đặc điểm riêng. Do đó để khảo sát tinh thể vật rắn, ta phải nghiên cứu một hệ gồm
số rất lớn các nguyên tử và êlêctrôn. Chẳng hạn, với tinh thể chỉ gồm một loại
nguyên tử, thì với N nguyên tử, ta phải xét một hệ N hạt nhân và NZ êlêctrôn, trong
đó Z là số thứ tự của êlêctrôn trong bảng tuần hoàn Menđêlêép. Việc xét hệ bao
gồm N hạt nhân và NZ êlêctrôn là rất phức tạp và không cần thiết, vì rằng các
êlêctrôn lấp đầy ở những lớp sâu (chẳng hạn các lớp K, L…), chúng liên kết chặt
chẽ với các hạt nhân của nguyên tử và tạo thành các lõi nguyên tử. Trong tinh thể,
sự phân bố của những êlêctrôn này không khác mấy so với ở các nguyên tử tự do.
Chỉ những êlêctrôn hóa trị là những êlêctrôn ở lớp ngoài, mới bị phân bố khác
nhiều so với ở các nguyên tử cô lập. Những êlêctrôn này thường là êlêctrôn s, p và
d. Như vậy, ta có thể coi như mạng tinh thể được tạo thành từ các lõi nguyên tử
mang điện dương, nằm ở các nút mạng và các êlêctrôn hóa trị, mà sự phân bố
của chúng phụ thuộc liên kết trong tinh thể. Bài toán bây giờ được rút về xét một hệ
gồm N lõi nguyên tử và n.N êlêctrôn hóa trị, trong đó n là hóa trị của nguyên tố tạo
thành tinh thể.
Trong mục này, ta sẽ tìm hiểu nguyên nhân giữ cho các lõi nguyên tử và các
êlêctrôn hóa trị nằm cân bằng trong tinh thể, đó là các liên kết trong tinh thể. Tính
chất của một vật rắn phụ thuộc nhiều vào bản chất của liên kết.
Có thể nói ngay rằng liên kết trong tinh thể hầu như hoàn toàn được bảo đảm
bởi lực tương tác tĩnh điện giữa các êlêctrôn mang điện âm và các hạt nhân
nguyên tử mang điện dương. Trong từng trường hợp, lực này được thể hiện dưới
các dạng khác nhau, chẳng hạn lực tương tác trao đổi, lực Van đe Vanxơ, liên kết
đồng hóa trị, liên kết ion, liên kết kim loại… Căn cứ vào các dạng liên kết, người ta
phân loại vật rắn thành các loại: tinh thể ion, tinh thể đồng hóa trị, tinh thể kim loại,
tinh thể phân tử, tinh thể có liên kết hiđrô.
1. Tinh thể ion (1 tiết)
Tinh thể ion được tạo thành như thế nào? Bản chất liên kết giữa các nguyên
tử trong tinh thể ion là gì?
a) Tinh thể ion được tạo thành bởi các ion dương và âm nằm xen kẽ với
nhau. Bản chất của liên kết ion là lực tương tác tĩnh điện giữa các ion mang điện
trái dấu.
Ví dụ về một số tinh thể ion?
Tinh thể muối của các kim loại kiềm hoặc kiềm thổ với halogien là tinh thể ion,
chẳng hạn tinh thể muối ăn (NaCl), liti florua (LiF), cêsi clorua (CsCl)… chúng
được tạo thành từ các ion dương kim loại (Na+, Li+, Cs+…) và các ion âm halogien
(Cl-, F-). Những ion này hình thành từ các nguyên tử trung hòa khi một êlêctrôn
chuyển từ nguyên tử kim loại sang nguyên tử halogien. Thí dụ cấu tạo các lớp
êlêctrôn của nguyên tử Liti là 1s22s của Flo là 1s22s22p6 còn cấu tạo của các ion
tương ứng trong tinh thể là: Li+: 1s2, F-: 1s22s22p6. Có thể nhận xét thấy rằng các
ion này có lớp vỏ êlêctrôn ngoài cùng đặc trưng cho các nguyên tử khí trơ, vì chứa
đầy êlêctrôn (He: 1s2; Ar: 1s22s22p6). Giống như ở các nguyên tử khí trơ, sự phân
bố điện tích trong các ion có tính đối xứng cầu.
 Tuy vậy trong tinh thể sự đối xứng này có bị biến dạng đôi chút ở chỗ các
nguyên tử lân cận kề sát vào nhau.
Dùng hình ảnh về các nguyên tử và các êlêctrôn hóa trị là cực đại ở xung
quanh ion âm (thí dụ ion F-) và gần như bằng không ở xung quanh ion dương
(h.1.1).
Những lực nào cân bằng với các lực hút liên kết giữa các ion trái dấu trong
tinh thể ion?
b) Để cho các nguyên tử nằm cân bằng bên trong tinh thể, bên cạnh lực liên
kết (có tác dụng hút các nguyên tử), phải có lực đẩy giữa chúng. Có nhiều nguyên
nhân gây nên lực đẩy giữa các nguyên tử.

Hình 1.1
Các ion trong tinh thể có cấu tạo lớp vỏ êlêctrôn giống như ở các nguyên tử
khí trơ, vì vậy lực đẩy giữa chúng giống như lực đẩy giữa các nguyên tử khí trơ.
Với các nguyên tử này, có thể coi là sự phân bố điện tích của êlêctrôn bên trong
nguyên tử bị giới hạn trong một quả cầu cứng. Do sự giới hạn về không gian, theo
nguyên lí bất định Haizenbec (Heisenberg) động năng của êlêctrôn tăng lên(1). Sự
tăng năng lượng khi quả cầu bị nén ứng với lực đẩy và có tác dụng chống lại sự
nén. Chính sự giới hạn điện tích êlêctrôn trong quả cầu cứng là một thành phần
của lực đẩy giữa các nguyên tử trong tinh thể.
Đóng góp quan trọng hơn vào lực đẩy là do sự phủ nhau của các đám mây
êlêctrôn của hai nguyên tử đặt gần nhau.
Khoảng cách giữa các nguyên tử càng giảm, các đám mây êlêctrôn càng phủ
nhau nhiều và năng lượng tĩnh điện của hệ biến đổi đi. ở những khoảng cách đủ
nhỏ, năng lượng tương tác do sự phủ của các đám mây êlêctrôngây nên là năng
lượng đẩy.

(1)
Giả sử êlêctrôn bị định xứ trong khu vực có kích thước Δx (trường hợp một chiều). Theo nguyên
h
lí bất định Haizenbec, sự không xác định về xung lượng là Δ(mv) ≥ với h là hằng số Plăng
Δx
h2
(Planck). Như vậy động năng của êlêctrôn có giá trị ít nhất bằng . Chẳng hạn, nếu Δx ≈
2 m ( Δx ) 2
10-8 cm (cỡ kích thước nguyên tử) thì động năng K ≈ 3eV. Kích thước Δx càng bé thì K càng lớn.
 Đối với các nguyên tử có lớp vỏ êlêctrôn đầy, thì năng lượng tương tác luôn là
năng lượng đẩy với mọi khoảng cách (trong khoảng từ 0,5 A0 đến 5 A0) mà chủ yếu
là do tác dụng của nguyên lí Paoli (Pauly). Nói một cách đơn giản, theo nguyên lí
này, hai êlêctrôn không thể cùng có tất cả các só lượng tử giống nhau. Như vậy hai
êlêctrôn không thể ở cùng một trạng thái lượng tử. Khi các đám mây êlêctrôn của
hai nguyên tử A và B phủ nhau, thì êlêctrôn của nguyên tử B có xu hướng chiếm
một phần các trạng thái trong nguyên tử A đã bị các êlêctrôn của nguyên tử này
chiếm , và ngược lại. Vì rằng nguyên lí Paoli không cho phép nhiều êlêctrôn chiếm
cùng một trạng thái, nên hai đám mây êlêctrôn chỉ có thể phủ nhau nếu các
êlêctrôn chuyển một phần lên các trạng thái lượng tử còn trống có mức năng lượng
cao hơn. Kết quả là sự phủ nhau của các đám mây êlectrôn làm tăng năng lượng
toàn phần của hệ, hay nói cách khác nó làm xuất hiện lực đẩy.
Dựa vào các kết quả thực nghiệm, người ta thấy có thể mô tả thế năng đẩy
giữa các nguyên tử khí trơ bằng biểu thức:
B
U= (1-1)
R 12

trong đó B là một hằng số dương, còn R là khoảng cách giữa các hạt nhân nguyên
tử.
Trong nhiều trường hợp, có thể sử dụng biểu thức thực nghiệm khác cho lực
đẩy dưới dạng hàm mũ:
R
−
ρ
U = A. e (1-2)
trong đó A là một hằng số dương, còn ρ là một đại lượng đặc trưng cho kích thước
của khu vực có tương tác.
Các tính chất của tinh thể ion?
c) Các tinh thể ion dẫn điện kém ở nhiệt độ thấp và dẫn điện tốt ở nhiệt độ cao
hơn. Các hạt tải điện trong trường hợp đó là các ion.
Tinh thể ion hấp thụ mạnh các bức xạ trong dải hồng ngoại.
Câu hỏi ôn tập:
1. Tinh thể ion được tạo thành như thế nào? Bản chất liên kết giữa các nguyên tử
trong tinh thể ion là gì?
2. Ví dụ về một số tinh thể ion?
3. Những lực nào cân bằng với các lực hút liên kết giữa các ion trái dấu trong tinh
thể ion?
4. Nguyên nhân của sự xuất hiện lực đầy khi các đám mây electron của hai nguyên
tử phủ nhau?
5. Các tính chất của tinh thể ion?
2. Tinh thể cộng hóa trị (1 tiết)
Tinh thể cộng hóa tri đựợc hình thành như thế nào?
a) Liên kết cộng hóa trị được tạo thành bởi các cặp êlêctrôn có spin đối song.
Đó là loại liên kết mạnh mặc dù là liên kết giữa các nguyên tử trung hoà.
Các ví dụ về tinh thể cộng hóa trị?
Tinh thể kim cương (gồm các nguyên tử cacbon), và các tinh thể Ge, Si có
cấu trúc giống kim cương là thí dụ về tinh thể cộng hóa trị. Trong các tinh thể này,
mỗi nguyên tử này nằm ở tâm một tứ diện được tạo thành từ bốn nguyên tử gần
nó nhất (h.1.2). Giữa hai lõi nguyên tử cạnh nhau, có một mối liên kết cộng hóa trị
kết

Hình 1.2
cộng hóa trị do hai êlêctrôn từ hai nguyên tử tạo thành.
Khác nhau giữa liên kết cộng hóa tri và liên kết ion như thế nào?
Hai êlêctrôn này có spin đối song. Chúng định xứ chủ yếu trong khoảng
không gian giữa hai lõi nguyên tử. Vì vậy, liên kết cộng hóa trị có tính phương
hướng rõ, khác với liên kết ion trong đó êlêctrôn hóa trị chủ yếu định xứ quanh
các ion.
Nguyên nhân xuất hiện lực hút giữa hai nguyên tử trong tinh thể cộng hóa
trị?
Theo nguyên lí Paoli như đã nói ở trên, các nguyên tử có lớp vỏ êlêctrôn đầy
thì đẩy nhau. Nguyên tử C, Ge, Si còn thiếu 4 êlêctrôn mới tạo thành lớp vỏ đầy,
nên nguyên tử của các nguyên tố này lại có thể hút nhau do sự phủ của các lớp vỏ
êlêctrôn.
Thí dụ đơn giản nhất về liên kết cộng hóa trị là liên kết giữa hai nguyên tử
hiđrô trong phân tử H2. Tùy theo sự định hướng spin của hai êlêctrôn trong hai
nguyên tử, mà lực liên kết giữa hai nguyên tử này có độ lớn khác nhau.
Khi 2 đám mây electron của hai nguyên tử phủ nhau, khi nào thì là lực hút khi
nào thì là lực đẩy?
 Nếu hai êlêctrôn có spin đối song, hai nguyên tử liên kết rất mạnh, tạo thành
phân tử hiđrô bền vững. Nếu hai êlêctrôn có spin đối song song theo nguyên lí
Paoli, khi có sự phủ nhau của các đám mây êlêctrôn, giữa hai nguyên tử xuất hiện
lực đẩy.
Tương tác trao đổi là gì?
Phần năng lượng tương tác giữa các êlêctrôn có giá trị phụ thuộc vào sự định
hướng tương đối của spin như vừa xét gọi là năng lượng trao đổi. Lực tương tác
ứng với nó là lực tương tác trao đổi.
Các tính chất của liên kết cộng hóa trị?
b) Các tinh thể cộng hóa trị có độ cứng cao và dẫn điện kém ở nhiệt độ thấp.
c) Nếu coi tinh thể cộng hóa trị và tinh thể ion là các trường hợp giới hạn, thì
giữa chúng còn có hàng loạt tinh thể trong đó liên kết có tính chất trung gian.
Bảng sau đây cho ta một số trường hợp điển hình. Từ đó, ta thấy NaCl có thể
coi là tinh thể ion (mức độ ion 0,94), SiC và GaAs có tính cộng hóa trị rõ (mức độ
ion 0,18 và 0,32).
Các nguyên tử có vỏ êlêctrôn gần giống với vỏ đầy (như Na, Cl) có xu hướng
tạo thành liên kết ion. Các nguyên tử nhóm III, IV và V của bảng tuần hoàn có xu
hướng tạo thành liên kết cộng hoá trị (như In, C, Ge, Si, As).
Tinh thể Mức độ ion Tinh thể Mức độ ion
Si 0,00 0,32
GaAs
SiC 0,18 0,26
GaSb
Ge 0,00
CuCl
ZnO 0,62 0,75
CuBr
ZnS 0,62 0,74
AgCl
ZnSe 0,63 0,86
AgBr
ZnTE 0,61 0,85
AgI
CdO 0,79 0,77
MgO
CdS 0,69 0,84
MgS
CdSe 0,70 0,79
MgSe
CdTe 0,67 0,79
LiF
InP 0,44 0,92
NaCl
InAs 0,35 0,94
RsF
InSb 0,32 0,96
 Sự phân bố không gian của êlêctrôn hóa trị phụ thuộc mức độ ion của liên
kết. Chẳng hạn, ở tinh thể InSb, mật độ êlêctrôn ở gần nguyên tử Sb lớn hơn ở
gần nguyên tử In. Còn ở tinh thể ZnS, êlêctrôn hóa trị chủ yếu tập trung quanh
nguyên tử S.
Câu hỏi ôn tập
1. Tinh thể cộng hóa trị được tạo thành như thế nào? Bản chất liên kết giữa các
nguyên tử trong tinh thể ion là gì?
2. Nêu một số vật liệu có liên kết cộng hóa trị?
3. Khác nhau giữa liên kết cộng hóa tri và liên kết ion như thế nào?
4. Ngyên nhân của lực liên kết giữa các nguyên tử trong tinh thể cộng hóa trị?
Độ lớn của lực liên kết phụ thuộc vào điều gì?
5. Khi 2 đám mây electron của hai nguyên tử phủ nhau, khi nào xuất hiện lực
hút khi nào thì là lực đẩy?
6. Tương tác trao đổi là gì?
7. Các tính chất của tinh thể cộng hóa trị?
8. So sánh liên kết cộng hóa trị và liên kết ion?

3. Tinh thể kim loại

Nguyên nhân của lực liên kết trong tinh thể ?
a) Trong tinh thể kim loại, êlêctrôn hóa trị không định xứ ở các nguyên tử mà
phân bố trong tinh thể và là chung cho cả tinh thể (êlêctrôn bị “ tập thể hóa”).
Những êlêctrôn này có thể chuyển động tự do trong tinh thể nên được gọi là
êlêctrôntự do. Mật độ êlêctrôn tự do tương đối lớn, cùng bậc với mật độ nguyên tử
(cỡ 10-22 cm-3), vì trung bình mỗi nguyên tử đóng góp một vài êlêctrôn tự do cho
tinh thể. Chúng tạo thành đám mây (hay khí) êlêctrôn trong tinh thể. Chính sự
tương tác giữa các đám mây êlêctrôn mang điện âm với các ion dương được sắp
xếp đều đặn tạo nên lực liên kết các nguyên tử thành tinh thể.
Lực này thắng lực đẩy tĩnh điện giữa các ion dương, nên tinh thể là bền vững.
Các tính chất của tinh thể kim loại ?
b) Các tinh thể kim loại dẫn điện tốt, dẫn nhiệt tốt và có độ dẻo cao.
4. Tinh thể khí trơ và tinh thể phân tử
Tinh thể khí trơ là gì? Lực liên kết trong tinh thể khí trơ là lực gì?
a) Tinh thể khí trơ được cấu tạo từ các nguyên tử khí trơ. Những nguyên tử
này có lớp êlêctrôn ngoài cùng hoàn toàn đầy. ở nguyên tử tự do, phân bố
êlêctrôncó dạng đối xứng cầu. Trong tinh thể, sự phân bố êlêctrôn không có thay
đổi lớn. Lực liên kết trong tinh thể khí trơ là lực Van đe Vanxơ. Đó là loại lực
tương tác giữa các nguyên tử trung hòa và tác dụng ở khoảng cách lớn.
Bản chất của lực Van đe Vanxơ ?
Bản chất của lực Van đe Vanxơ chỉ có thể hiểu được một cách sơ lược sự xuất
hiện của nó. Nếu vị trí trung bình của hạt nhân nguyên tử luôn trùng với tâm của
đám mây êlêctrôn hình cầu bao quanh hạt nhân, thì không thể có tương tác giữa
các nguyên tử trung hòa. Đó là vì ở bên ngoài nguyên tử, điện thế tĩnh điện gây bới
các đám mây êlêctrôn hoàn toàn bù trừ điện thế gây bởi hạt nhân. Như vậy, không
có sự liên kết giữa các nguyên tử khí trơ và không có được trạng thái rắn của khí
trơ. Tuy nhiên, trong thực tế có tồn tại các tinh thể khí trơ. Sở dĩ như vậy là vì các
êlêctrôn luôn chuyển động tương đối đối với hạt nhân, ngay cả khi chúng ở trạng
thái năng lượng thấp nhất. Kết quả là vị trí tức thời của tâm đám mây êlêctrôn có
thể không trùng với hạt nhân nguyên tử. Khi đó mômen lưỡng cực của nguyên tử
trở nên khác không. Mômen lưỡng cực tức thời này gây ra điện trường ở tâm
nguyên tử gần nó, làm cho nguyên tử này bị phân cực, tức là trở nên có mômen
lưỡng cực. Kết quả là xuất hiện lực tương tác giữa các mômen lưỡng cực của các
nguyên tử. Lực này là lực hút và có giá trị nhỏ. Nó đóng vai trò lực liên kết các
nguyên tử trong tinh thể khí trơ.
Ví dụ về một số tinh thể có liên kết Van đe Vanxơ ?
Lực Van đe Vanxơ cũng là lực liên kết chủ yếu trong các tinh thể phân tử, tức
là các tinh thể mà ở các nút mạng có các phân tử trung hòa. Hiđrô, Clo, CO2 và
nhiều chất hữu cơ, khi hóa rắn tạo thành tinh thể phân tử.
Tính chất của tinh thể khí trơ và tinh thể phân tử?
b) Tinh thể khí trơ và tinh thể phân tử có nhiệt độ nóng chảy thấp và dễ bị nén.
5. Tinh thể có liên kết hiđrô
Nguyên nhân hình thành liên kết hiđrô ?
Nguyên tử hiđrô trung hòa có một êlêctrôn. Trong một số trường hợp, nguyên
tử hiđrô có thể có liên kết bằng một lực hút đáng kể với hai nguyên tử khác, tạo
thành liên kết hiđrô giữa chúng. Có thể hình dung sự hình thành phân tử nhờ liên
kết hiđrô như sau: êlêctrôn của nguyên tử hiđrô liên kết với một nguyên tử, còn lại
proton thì liên kết với nguyên tử thứ hai. Kết quả là nguyên tử hiđrô liên kết với hai
nguyên tử, mặc dù êlêctrôn của nó chỉ có thể tham gia vào một liên kết cộng hóa
trị.
Vai trò của liên kết hiđrô ?
Liên kết hiđrô là dạng tương tác quan trọng nhất giữa các phân tử H2O. Cùng
với lực hút tĩnh điện giữa các mômen lưỡng cực, nó gây nên những tính chất kì lạ,
đặc biệt của nước và nước đá. Liên kết hiđrô đóng vai trò quan trọng trong các hợp
chất có chứa hiđrô cùng với các nguyên tố á kim như F, O, N, C, Cl và S. Nó gây
nên sự kết hợp các phân tử, sự pôlime hóa, nó tồn tại và đóng vai trò quan trọng
trong các tinh thể hữu cơ, các chất anbumin và các cơ thể sống.
Câu hỏi ôn tập
1. Nguyên nhân của lực liên kết trong tinh thể ?
2. Các tính chất của tinh thể kim loại ?
3. Tinh thể khí trơ là gì? Lực liên kết trong tinh thể khí trơ là lực gì?
4. Bản chất của lực Van đe Vanxơ ?
6. So sánh lực Van đe Vanxơ và lực liên kết trong tinh thể cộng hóa trị và tinh
thể iôn?
7. Tính chất của tinh thể khí trơ và tinh thể phân tử?
8. Nguyên nhân hình thành liên kết hiđrô ?
10. Vai trò của liên kết hiđrô ?

2. MẠNG TINH THỂ

I. Mục đích
Cung cấp các kiến thức về mạng tinh thể
II. Yêu cầu
Người học nắm được các kiến thức về:
7. Mạng không gian và mạng tinh thể
8. 7 hệ tinh thể và 14 ô mạng Brave
9. Chỉ số Miller và cách xác định chỉ số Miller của mặt phẳng mạng và các
đường thẳng mạng
10. Các tính chất đối xứng của mạng không gian và biết cách xác định các
yếu tố đối xứng của 7 hệ tinh thể.
11. Mạng đảo và các tính chất của mạng đảo.
III. Nội dung
1. Mạng không gian (1 tiết)
2. Các chỉ số Miller (1 tiết)
3. Các tính chất đối xứng của mạng không gian (1 tiết)
4. Các hệ tinh thể (1/2 tiết)
5. Cấu trúc tinh thể (1/2 tiết)
6. Một số cấu trúc tinh thể đơn giản (1 tiết)
7. Mạng đảo (1 tiết)
1. Mạng không gian (1 tiết)
Thế nào là mạng tinh thể?
Trong các vật rắn, nguyên tử, phân tử được sắp xếp một cách đều đặn, tuần
hoàn trong không gian tạo thành mạng tinh thể.
Thế nào là tinh thể lý tưởng?
Ta bắt đầu bằng việc khảo sát tinh thể lí tưởng, là tinh thể trong đó sự sắp xếp
các nguyên tử, phân tử là hoàn toàn tuần hoàn. Tinh thể lý tưởng phải hoàn toàn
đồng nhất, nghĩa là ở mọi nơi, nó đều chứa những nguyên tử như nhau, được
phân bố như nhau.
Tinh thể lý tưởng phải có kích thước trải rộng vô hạn để không có mặt giới
hạn làm ảnh hưởng đến tính chất sắp xếp tuyệt đối tuần hoàn của các nguyên tử,
phân tử khác.
Cấu trúc tinh thể được xây dựng như thế nào?
Có thể xây dựng nên tinh thể bằng cách lặp lại trong không gian theo một quy
luật nhất định các đơn vị cấu trúc giống nhau, gọi là các ô sơ cấp. Ở các tinh thể
đơn giản như tinh thể đồng, bạc, tinh thể kim loại kiềm, mỗi ô sơ cấp có thể chứa
nhiều nguyên tử. Ở các tinh thể phức tạp, mỗi ô sơ cấp có thể chứa nhiều nguyên
tử, phân tử.
Để mô tả cấu trúc tinh thể, ta coi như nó gồm các ô sơ cấp lặp lại tuần hoàn
trong không gian. Gắn với mỗi đỉnh của ô sơ cấp là một nhóm các nguyên tử.
Nhóm nguyên tử đó gọi là gốc.
Tinh thể lí tưởng có thể coi như gồm các nguyên tử phân bố trong mạng
không gian.
Thế nào là mạng không gian?

Mạng không gian được xây dựng từ ba vectơ a 1 , a 2 , a 3 gọi là ba vectơ tịnh
tiến cơ sở. Chúng có tính chất là khi khảo sát tinh thể từ một điểm tuỳ ý có bán kính
vectơ r , ta thấy nó giống hệt như khi ta khảo sát nó từ điểm có bán kính vectơ r ' :

r ' = r + n1 a1 + n 2 a 2 + n 3 a 3 (1-3)

trong đó n1, n2, n3 là các số nguyên tuỳ ý.

Tập hợp các điểm có bán kính vectơ r ' (sau này gọi là điểm r ' ) xác định theo
(1-3) với các giá trị khác nhau của n1, n2, n3 lập thành mạng không gian. Các
điểm đó gọi là nút của mạng không gian.
 Ba vectơ cơ sở a 1 , a 2 , a 3 (có khi kí hiệu là a , b , c ) cũng đồng thời xác định
các trục của hệ tọa độ trong tinh thể. Nói chung, đó là hệ tọa độ không vuông góc.
Ố sơ cấp là gì?
Hình hộp được tạo thành từ ba vectơ cơ sở chính là ô sơ cấp.

Hình 1.3
Sự lựa chọn ba vectơ cơ sở, và do đó lựa chọn ô sơ cấp không phải là duy
nhất. Hình 1.3 cho ta thấy một vài ví dụ về cách chọn mạng hai chiều.
Thế nào là ô Vicnơ-Daixơ?
Ngoài ra, trong nhiều trường hợp, còn có thể xây dựng ô sơ cấp sao cho nó
có dạng đối xứng trung tâm. Ô như vậy gọi là ô Vicnơ-Daixơ (Wignet-Seitz)
Các vectơ cơ sở và ô sơ cấp trong những ô này được giới hạn bởi các mặt
phẳng trung trực của các đoạn thẳng nối nút mạng đang cột với các nút mạng lân
cận. Dễ dàng thấy rằng theo các cách xây dựng khác nhau, ô sơ cấp có thể tích
không đổi trên hình 1.4 là ô Vicnơ-Daixơ trong mạng hai chiều.

Hình 1.4
Câu hỏi ôn tập
1. Thế nào là mạng tinh thể?
2. Thế nào là tinh thể lý tưởng?
3. Cấu trúc tinh thể được xây dựng như thế nào?
4. Thế nào là mạng không gian?
 5. Ố sơ cấp là gì?
6. Thế nào là ô Vicnơ-Daixơ?
2. Các chỉ số Milơ (Miller) (1 tiết)
Đường thẳng mạng là đường thẳng như thế nào ? Mặt phẳng như thế nào
được gọi là mặt phẳng mạng ?
Trong mạng không gian, đường thẳng đi qua vô số các nút mạng được gọi
là đường thẳng mạng. Có thể chứng minh được rằng nếu một đường thẳng đi qua
hai nút mạng, thì nó là đường thẳng mạng.
Mặt phẳng có chứa vô số nút mạng gọi là mặt phẳng mạng. Mặt phẳng chứa
ba nút mạng là mặt phẳng mạng.
Để xác định đường thẳng mạng và mặt phẳng mạng, ta sử dụng hệ tọa độ
xyz có các trục tọa độ dựa trên ba vectơ cơ sở a 1 , a 2 , a 3 . Gốc O của hệ tọa độ đặt
ở một nút mạng.
Chỉ số Miller là gì ? cách xác định chỉ số Miller của một mặt phẳng ?
Một mặt phẳng mạng cắt các trục tại các nút có tọa độ ( n 1 , a 1 , 0, 0), (0, n 2 ,
a 2 , 0), (0, 0, n 3 a 3 ) (h.1.5) để kí hiệu mặt phẳng này, ta dựng các chỉ số Milơ được
xác định như sau:

Hình 1.5
Viết tọa độ của các giao điểm của mặt phẳng mạng với các trục tọa độ theo
đơn vị a 1 , a 2 , a 3 tức là n 1 , n 3 , n 3 .

Lấy nghịch đảo của chúng

1 1 1
, ,
n1 n 2 n 3

Tìm bộ ba số nguyên h, k, l có trị số nhỏ nhất sao cho

1 1 1
h:k:l= : :
n1 n 2 n 3
 Bộ ba số h, k, l được đặt trong dấu ngoặc (h k l) và được gọi là chỉ số Milơ
của mặt phẳng mạng. Trên hình 1.5, ta có n 1 = 3, n 2 = 4, n 3 = 2, do đó:

1 1 1 4 3 6
h:k:l= : : = : : =4:3:6
3 4 2 12 12 12
Vậy chỉ số Milơ của mặt phẳng đó là (4 3 6).
Một số lưu ý về chỉ số Miller của mặt phẳng.
Các mặt phẳng mạngsong song nhau có cùng chỉ số Milơ. Và vậy chỉ số Milơ
(h k l) có thể kí hiệu một mặt phẳng hoặc một họ các mặt phẳng song song với
nhau.
Nếu mặt phẳng mạngsong song với một trục tọa độ, thì coi như nó cắt trục đó
ở vô cực và chỉ số Milơ tương ứng với trục đó bằng 0.
Nếu các mặt phẳng mạngcắt các trục tọa độ ở điểm có tọa độ âm, thì chỉ số
Milơ tương ứng có dấu âm, và được kí hiệu bằng dấu “ - ” bên trên chỉ số đó (thí dụ
(h k l)).

(010) (110)

(111)
Hình 1.6
Hình 1.6 trình bày các chỉ số Milơ của một số mặt phẳng quan trọng nhất
trong mạng lập phương.
 Các mặt bên của ô lập phương có chỉ số (100); (010); (001); ( 1 00); (0 1 0);
(00 1 ).
Mặt chéo chính có chỉ số (111). Mặt chéo song song với trục z có chỉ số (110).
Tập hợp các mặt phẳng mạngtương đương với nhau về tính chất đối xứng
được kí hiệu bằng bộ chỉ số đặt trong dấu múc {h k l}. Chẳng hạn, các mặt bên của
hình lập phương có kí hiệu là {1 0 0}, các mặt chéo chính là {1 1 1}…
Trong mạng lục giác, để thuận tiện chỉ số Miller của mặt phẳng được xác
định như thế nào?
Trong mạng lục giác, ô mạng có hình dạng hình trụ đứng, đáy là hình lục giác
đều. Riêng với mạng lục giác, để cho thuận tiện, người ta dựng 4 trục tọa độ x, y,
u, z trong đó trục z vuông góc với mặt phẳng đáy, còn các trục x, y, u nằm trong
mặt phẳng đáy và lập với nhau góc 120 0 . Gốc của các trục tọa độ đặt ở tâm O của
đáy lục giác. Chỉ số Milơ của mặt phẳng mạng được xác định theo phương phép
chung và được kí hiệu (h k l i). Có thể chứng minh rằng các chỉ số h, k và i không
độc lập với nhau, mà liên hệ với nhau bằng biểu thức:
i = - (h + k) (1-4)
Chính và vậy, không nhất thiết phải dựng trục u và chỉ số i. Tuy nhiên, việc
đưa thêm Chúng vào cho phép kí hiệu một cách tiện lợi các mặt phẳng tương
đương nhau về tính chất đối xứng. Chẳng hạn, nếu dựng ba chỉ số (h k l) thì cac
mặt bên của hình trụ lục giác có các chỉ số (100),( 1 10) (h.1.7), tức là có chứa số
các chữ số 1 và 0 khác nhau, nên không thể được kí hiệu chung dưới dạng {h k l}.
Nhưng nếu sử dụng thêm trục u thì cũng mặt phẳng đó có chứa các chỉ số (1 0 1
0) và ( 1 1 0 0), do đó Chúng được kí hiệu chung là các mặt phẳng {1 0 1 0}.

Hình 1.7
Chỉ số của một phương được xác định như thế nào?
Phương song song với một vectơ nào đó được xác định bằng bộ ba số
nguyên nhỏ nhất tỉ lệ với ba thành phần của vectơ đó trên các trục tọa độ, tính theo
đơn vị a 1 , a 2 , a 3 . Các số này được đặt trong ngoặc vuông: [h k l]. Thí dụ một vectơ
1 1
có tọa độ trên các trục là − a 1 ,
a 2 , 3a 3 , thì h : k : l = − 1 : : 3 = − 2 : 1 : 6. Do đó
2 2
phương song song với vectơ này có chỉ số: [2 1 6].
 Hình 1.8
Hình 1.8 cho ta chỉ số của một số phương trong mạng lập phương. Riêng với
mạng lập phương, phương [h k l] vuông góc với mặt phẳng có cùng chỉ số (h k l).
Tuy nhiên với các mạng khác thì nói chung không phải như vậy.
Họ các phương tương đương nhau về tính chất đối xứng được kí hiệu bằng
chỉ số trong dấu ngoặc nhọn: < h k l >. Chẳng hạn, các phương song song với các
cạnh của hình lập phương có chỉ số < 100 >.

Câu hỏi ôn tập:

1. Đường thẳng mạng là đường thẳng như thế nào ? Mặt phẳng như thế nào được
gọi là mặt phẳng mạng ?
2. Chỉ số Miller là gì ? cách xác định chỉ số Miller của một mặt phẳng ?
3. Một số lưu ý về chỉ số Miller của mặt phẳng?
4. Trong mạng lục giác, để thuận tiện chỉ số Miller của mặt phẳng được xác định
như thế nào?
5. Chỉ số của một phương được xác định như thế nào?
6. Hãy xác định chỉ số Miller của một số mặt phẳng chính và chỉ số của các
đường thẳng mạng của mạng lập phương?

3. Các tính chất đối xứng của mạng không gian (1 tiết)
Tính đối xứng của mạng không gian thể hiện như thế nào?
Đặc điểm cơ bản của mạng không gian là tính chất đối xứng của nó. Điều này
thể hiện ở chỗ mạng bất biến đối với một số phép biến đổi, hay nói cách khác,
mạng lại trùng với chính nó khi ta thực hiện một số phép biến đổi.
Thế nào là đối xứng tịnh tiến? vectơ tịnh tiến?
Mạng không gian có tính đối xứng tịnh tiến. Thật vậy, ta hãy thực hiện một
phép biến đổi toàn bộ mạng không gian đi một vectơ R , gọi là vectơ tịnh tiến:

R = n 1 a1 + n 2 a 2 + n 3 a 3 (1-5)
 Sau phép dịch chuyển này, một nút mạng nào đó đến chiếm vị trí của một nút
mạng khác. Toàn bộ mạng không có gì thay đổi.
Hai nút mạng bất kì được nối với nhau bằng vectơ tịnh tiến (1-5), trong đó
Chú ý rằng n 1 , n 3 , n 3 là những số nguyên. Nếu ta lấy điểm gốc ở một nút mạng,
thì R là vectơ vị trí của các nút mạng, gọi là vectơ mạng.
Thế nào là đối với phép quay?Những phép quay đối xứng có thể có của
mạng không gian?
Mạng không gian có tính đối xứng với phép quay quanh một số trục xác định.
Để minh họa điều này, ta hãy xột mạng vuông hai chiều (h.1.10). Có thể coi nó như
hình chiếu của mạng không gian trên mặt phẳng, nghĩa là phía trên và phía dưới
của mặt phẳng hình vẽ, ta có những mạng vuông giống hệt như vậy. Khi ta quay
π 1
mạng một góc (hay vòng tròn) quanh trục vuông góc với mặt phẳng, đi qua
2 4
một nút mạng(hoặc một trong các điểm có đánh dấu X trên hình 1.9),

Hình 1.9
thì mạng lại trùng với chính nó. Trục quay như vậy gọi là trục quay bậc 4, và
mạng đang xét đối xứng với phép quay quanh trục bậc 4.
Mạng không gian chỉ có thể có trục quay bậc n = 2, 3, 4 và 6. Khi quay mạng
2π
một góc ϕ = mạng lại trùng với chính nó. Không tồn tại các mạng có trục quay
n
bậc 5, bậc 7 hoặc cao hơn.
Thế nào là đối xứng nghịch đảo?
Mạng không gian có tính đối xứng nghịch đảo.

Phép nghịch đảo là phép biến đổi, trong đó vectơ vị trí đổi dấu: r biến thành
− r . Như vậy, mạng không gian có tâm đối xứng. Tất nhiên, mạng vuông trên hình
1.9 bất biến với phép nghịch đảo và có tâm đối xứng.
Mạng không gian có thể có tính đối xứng với phép phản xạ qua một số mặt
phẳng. Phép nghịch đảo chính là gồm một phép quay góc π và phản xạ qua mặt
phẳng vuông góc với trục quay và đi qua tâm đối xứng (h.1.10). Ở đây O là tâm đối
xứng, m là mặt phẳng phản xạ, C là trục quay góc π .
Các phép biến đổi đối xứng vừa nói ở trên, gồm các phép quay, phản xạ và
nghịch đảo có thể cùng tồn tại ở một mạng không gian. Tuy nhiên thực tế, mỗi
mạng không gian chỉ đối xứng với một số trong các phép biến đổi đó.

Hình 1.10
Câu hỏi ôn tập:
1. Tính đối xứng của mạng không gian thể hiện như thế nào?
2. Thế nào là đối xứng tịnh tiến? vectơ tịnh tiến?
3. Thế nào là đối với phép quay?Những phép quay đối xứng có thể có của mạng
không gian?
4. Thế nào là đối xứng nghịch đảo?
4. Các hệ tinh thể
Có bao nhiêu hệ tinh thể?
Căn cứ vào tính chất đối xứng của các loại mạng không gian, người ta chia
Chúng ra thành 7 hệ, ứng với 7 loại ô sơ cấp khác nhau, đó là các hệ: tam tà, đơn
tà, thoi, tứ giác, tam giác, lục giác và lập phương. Mỗi hệ được đặc trưng bởi quan
hệ giữa các vectơ cơ sở a 1 , a 2 , a 3 và các góc α, β, γ giữa các vectơ đó, như được
vẽ trên hình 1.11

Hình 1.11
Đặc điểm của 7 hệ tinh thể.
a) Hệ tam tà: các vectơ cơ sở a 1 , a 2 , a 3 có độ dài khác nhau, các góc α, β, γ
khác nhau. Hệ chỉ đối xứng với phép nghịch đảo.
b) Hệ đơn tà: a 1 ≠ a 2 ≠ a 3 ; α = γ = 90 0 , β ≠ 90 0 . Hệ có một trục quay bậc hai
(song song với a 2 ) và mặt phẳng phản xạ vuông góc với trục này.

c) Hệ thoi: a 1 ≠ a 2 ≠ a 3 ; α = β = γ = 90 0 . ô sơ cấp có dạng hình hộp chữ nhật.

Hệ có 3 trục quay bậc 2 vuông góc với nhauvà 3 mặt phẳng phản xạ vuông góc với
các trục quay.
d) Hệ tứ giác: a 1 = a 2 ≠ a 3 ; α = β = γ = 90 0 , ô sơ cấp có dạng hình lăng trụ
đứng, đáy vuông. Hai phương a 1 và a 2 tương đương nhau. Phương của a 3 phân
biệt với hai phương trên có khi gọi là phương c .

Hệ có một trục quay bậc 4 theo phương c , bốn trục bậc 2 vuông góc với trục
bậc 4 và 5 mặt phẳng phản xạ.

đ) Hệ tam giác (hay hệ lăng trụ thoi): a 1 = a 2 = a 3 , α = β = γ < 120 0 , ≠ 90 0 . Hệ

có một trục quay bậc 3, 3 trục bậc 2, cắt nhau dưới góc 60 0 và 3 mặt phẳng phản
xạ nằm giữa các trục bậc 2.
e) Hệ lục giác: ô sơ cấp có dạng lăng trụ đứng, đáy là hình thoi, có góc 60 0 .
Tuy nhiên, để nhấn mạnh đến tính đối xứng thuộc hệ lục giác, người ta thường gộp
thêm vào hai ô sơ cấp nữa, đặt lệch nhau 120 0 , để có ô dưới dạng lăng trụ đứng,
đáy lục giác, có nút mạng ở tâm hai đáy. Ô này có a 1 = a 2 ≠ a 3 ( a 3 gọi là c);
α = β = 90 0 , γ = 120 0 .

Hệ có một trục quay bậc 6, sáu trục quay bậc 2 cắt nhau góc 30 0 , một mặt
phẳng phản xạ vuông góc với trục bậc 6 và sáu mặt phẳng chứa trục bậc 6 và một
trục bậc 2
f) Hệ lập phương: a 1 = a 2 = a 3 , α = β = γ = 90 0 . Ô sơ cấp là hình lập phương.
Hệ có ba trục quay bậc 4 qua tâm của các mặt đối diện, bốn trục quay bậc 3 trựng
với các đường chéo chính của hình lập phương, sáu trục quay bậc 2 qua điểm
giữa của các cạnh đối diện, sáu mặt phẳng phản xạ đi qua các cạnh đối diện, ba
mặt phẳng phản xạ chứa trục bậc 4 và song song với các mặt hình hộp và một số
yếu tố đối xứng khác nữa..
Với một mạng không gian nhất định, có thể có nhiều cách lựa chọn hệ trục tọa
độ, cũng tức là lựa chọn ô sơ cấp. Bao giờ người ta cũng chọn ô sơ cấp sao cho
nó có tính đối xứng cao nhất có thể có được. ô sơ cấp như vậy không nhất thiết chỉ
chứa nút mạng ở các đỉnh của nó, mà có thể ở bên trong thể tích (ô tâm khối) hoặc
ở các mặt bên (ô tâm mặt), và như vậy không nhất thiết mỗi ô chỉ chứa một nút
mạng.

Hình 1.12
Ta hãy lấy thí dụ về ô mạng lập phương tâm mặt (h.1.12). Ta có thể chọn ô sơ
cấp có dạng lăng trụ thoi, với góc giữa các vectơ là 60 0 . Tuy nhiên với cách chọn
này, ta làm mất các trục quay bậc 4 là đặc trưng cho tính đối xứng của mạng lập
phương. Khi nói về hệ lục giác, ta đó thấy là để thể hiện rõ tính đối xứng của hệ, ta
chọn ô sơ cấp dưới dạng hình trụ lục giác, bằng cách ghộp 3 hình trụ thoi lại.

Hình 1.13
Với cách lựa chọn ô sơ cấp như vậy, trong 7 hệ tinh thể có tất cả 14 loại ô.
Chúngtạo thành 14 mạng Brave (Bravais). Các ô mạng được vẽ trên hình 1.13.
5. Cấu trúc tinh thể
Thế nào là gốc và cấu trúc tinh thể?
Bây giờ ta chuyển từ mạng không gian là mô hình mô tả là mô hình toán học
trừu tượng, sang cấu trúc tinh thể. Ta có được cấu trúc thực của tinh thể nếu ta đặt
nguyên tử hoặc nhóm nguyên tử vào mỗi nút mạng hoặc gần mỗi nút mạng. Chẳng
hạn, có thể đặt các nguyên tử sao cho ở trạng thái cân bằng, hạt nhân của Chúng
nằm ở các nút mạng không gian. Còn trong tinh thể hiđrô (ở thể rắn), tại mỗi nút
mạng là một phân tử H 2 . Trong các tinh thể phân tử, ở mỗi nút mạng là một phân
tử có chứa hàng chục, có khi hàng trăm nguyên tử. Nguyên tử hoặc nhóm nguyên
tử như vậy gọi là gốc. Do đó có thể viết một cách tượng trưng: mạng không gian +
gốc = cấu trúc tinh thể. Và lí do đó, cấu trúc tinh thể có thể có những yếu tố đối
xứng mà mạng không gian không có, đó là các trục xoắn ốc, và mặt phẳng trượt.
Nếu kết hợp đồng thời phép quay thông thường với phép tịnh tiến song song
với trục quay, thì ta được trục xoắc ốc. Trên hình 1.14 là trục xoắn ốc bậc 4, với
1
bước tịnh tiến là khoảng cách a giữa hai nút mạng (còn gọi là hằng số mạng a).
4
Mặt phẳng trượt xuất hiện từ sự kết hợp đồng thời phép phản xạ gương và
ghộp song song với mặt phẳng phản xạ. Để bảo toàn tính đối xứng tịnh tiến,
bước tịnh tiến chỉ có thể là một nửa hằng số mạng (h.1.15).

Hình 1.14 Hình 1.15

Câu hỏi ôn tập
1. Hãy nêu 7 hệ tinh thể và chỉ ra các yếu tố đối xứng của nó?
2. Hằng số mạng là gì?
3. Có bao nhiêu ô mạng Bravai ?

6. Một số cấu trúc tinh thể đơn giản (1 tiết)

Mô hình cấu trúc xếp chặt là như thế nào ? Các tinh thể nào thường có cấu
trúc xếp chặt ?
 Mô hình đơn giản và cũng tương đối phù hợp với cấu trúc thực của tinh thể là
cấu trúc xếp chặt các quả cầu.
Trong trường hợp các nguyên tử tạo thành tinh thể có đối xứng cầu, chẳng
hạn như các nguyên tử khí trơ có lớp êlêctrôn hóa trị đầy, ta có thể mong đợi rằng
sự xếp đặt của các nguyên tử trong tinh thể được mô tả tốt bằng mô hình xếp chặt.
Mô hình này cũng có thể áp dụng cho các tinh thể mà liên kết giữa các nguyên tử
không có tính phương hướng rõ, thí dụ như liên kết kim loại. Thật vậy, các kim loại
hóa trị một như đồng, bạc có cấu trúc tinh thể kiểu xếp chặt.
Số phối vị là gì?
Có nhiều cách xếp chặt các quả cầu, nhưng mỗi quả cầu luôn có 12 quả khác
ở sát bên cạnh. Ta nói rằng trong cấu trúc này, số phối vị là 12.
Cách xếp các quả cầu của cấu trúc (ABC) và (AB) hay (AC)?
Ta lần lượt xếp cácquả cầu thành từng lớp. Lớp thứ nhất hiển nhiên có đối
xứng lục giác (h.1.16). Mỗi quả cầu tiếp xúc với 6 quả cầu khác. Ở lớp thứ hai, các
quả cầu được đặt vào những chỗ lõm ở giữa 3 quả cầu của lớp thứ nhất. Tuy
nhiên, ở lớp này không thể xếp các quả cầu vào tất cả các chỗ lõm, mà chỉ lấp
được một nửa số các chỗ đó. Ta gọi hai loại chỗ lõm đó bằng chữ B và C (h.1.17),
cũng như hai cách xếp lớp này gọi là B và C.

Hình 1.16 Hình 1.17

Nếu ta xếp vào các vị trí B, thì các vị trí C bị trống. Đến lớp thứ ba, các quả
cầu lại có thể được xếp vào các vị trí hoặc là A hoặc là C.
Nếu là A, thì các lớp lặp lại theo trình tự ABABAB… Nếu ở lớp thứ 3, các quả
cầu xếp ở vị trớ C, rồi ở lớp thứ 4, lại ở vị trớ A, thì ta có trình tự lặp lại là ABC
ABC ABC…
Cấu trúc (ABC) có đối xứng cao hơn (AB) hay (AC). Các cách xếp khác có đối
xứng thấp hơn nữa.
Ta hãy xét cấu trúc (ABC). Đó chính là cấu trúc lập phương tâm mặt (h.1.18).
Đường chéo chính của hình lập phương chính là trục quay bậc 3. Tinh thể của các
khí trơ Ne, Ar, v.v… và nhiều kim loại hóa trị 1 trong đó tất cả các kim loại hóa trị
quý như Ag, Au, Pt … có cấu trúc lập phương tâm mặt.
 Hình 1.18 Hình 1.19
Cấu trúc (AB) phức tạp hơn, mặc dù tưởng có vẻ đơn giản. Đó là cấu trúc lục
giác xếp chặt có dạng hình lăng trụ đứng, đáy hình thoi có cạnh a 1 = a 2 = a , góc
120 0 , và chiều cao c = (8 3)1 2 a = 1,633. a (h.1.19).

c
Trong thể tích của ô còn có thêm nút mạng B ở chiều cao , nằm trên tâm
2
của tam giác đều tạo nên từ 3 nút mạng A. Chú ý rằng đây không phải là một ô
mạng Brave, và ô sơ cấp chứa 2 nguyên tử (2 nút mạng).
Như vậy gốc gồm một nguyên tử ở đỉnh của ô, một nguyên tử ở bên trong ô.
c
Tinh thể có tỉ số = 1,623 nên thuộc loại cấu trúc lục giác xếp chặt gần lí tưởng.
a
c
Kẽm có tỉ số = 1,86 , hơi lớn hơn trường hợp lí tưởng, nhưng cũng có thể coi như
a
có cấu trúc lục giác xếp chặt. Một số tinh thể có cấu trúc này là :
He: c a = 1,633

Be : c a = 1,581

Ti : c a = 1,586

Cd: c a = 1,886

Co: c a = 1,822

Y: c a = 1,574

Hình 1.20 Hình 1.21

 Nhiều kim loại ở những nhiệt độ xác định tương đối dễ dàng chuyển cấu trúc
từ lập phương tâm mặt sang lục giác xếp chặt và ngược lại. Chú ý rằng ở hai dạng
cấu trúc này số phối vị đều bằng nhau và là 12.
Một số các dạng tinh thể thưòng gặp.
b) Một số kim loại như Na, Li, K kết tinh theo cấu trúc lập phương tâm khối
(h.1.20). Ngoài nguyên tử nằm ở đỉnh hình lập phương có tọa độ (0, 0, 0), còn có
1 1 1 (1)
một nguyên tử nằm ở tâm, có tọa độ , , . Số phối vị trong trường hợp này
2 2 2
là 8.
c) Cấu trúc của cêsi clorua được trình bày trên hình 1.21, thuộc dạng lập
phương tâm khối. Có điều khác là nguyên tử ở tâm khác với nguyên tử ở đỉnh.
Và vậy mạng không gian là mạng lập phương đơn giản, trong mỗi ô sơ cấp
có một phân tử CsCl. Gốc gồm một ion Cs + có tọa độ (0, 0, 0) và một ion Cl − có
tọa độ
1 1 1
( , , ).
2 2 2
Các tinh thể có cấu trúc dạng CsCl là: TlBr, NH4Cl, CuZn (đồng thau β ), LiHg,
AlNi, BeCu v.v … Cũng có thể coi như mạng tinh thể CsCl được tạo thành từ hai
mạng con lập phương, một mạng chỉ gồm các ion Cs + , một mạng chỉ gồm các ion
Cl − . Hai mạng này đặt lệch nhau theo phương đường chéo chính của hình lập
phương một khoảng bằng nửa đường chéo này.

Hình 1.22
d) Tinh thể NaCl có cấu trúc lập phương (h.1.22). Ở các đỉnh của hình lập
phương và ở tâm các mặt của hình lập phương là những ion cùng loại. Còn ion loại
kia thì nằm ở trung điểm các cạnh và ở tâm hình lập phương, xung quanh mỗi ion
có 6 ion trái dấu gần nhất. Mạng Brave của NaCl là mạng lập phương tâm mặt, đặt
lệch nhau theo phương đường chéo chính của ô lập phương một khoảng bằng 1 4
đường chéo. Cũng có thể coi đó là mạng lập phương tâm mặt, có gốc gồm hai
nguyên tử ở vị trí (0, 0, 0) và ( 1 4 , 1 4 , 1 4 ) (h.1.23).
 Hình 1.23
Đặc trưng quan trọng nhất của cấu trúc này là liên kết tứ diện. Mỗi nguyên tử
nằm ở tâm một tứ diện mà ở các đỉnh là 4 nguyên tử khác. Ngoài cacbon, các tinh
thể của Si, Ge, thiếc xám có cấu trúc kim cương.
e) Dạng kết tinh lập phương của ZnS có cấu trúc giống như kim cương. Sự
khác nhau giữa hai cấu trúc này là ở chỗ trong mạng lập phương ZnS, mỗi mạng
con lập phương mặt chứa một nguyên tử kim loại (hoặc Zn, hoặc S). Hai mạng ion
cũng đặt lệch nhau 1 4 độ dài đường chéo chính của hình lập phương, theo
phương đường chéo (h.1.24).

Hình 1.24
Cấu trúc này cũng được đặc trưng bằng liên kết tứ diện. Mỗi nguyên tử nằm ở
tâm một tứ diện mà ở 4 đỉnh có các nguyên tử khác loại với nó. Ô sơ cấp có chứa
4 phân tử ZnS. Khác với kim cương, ở tinh thể ZnS, gốc gồm 2 nguyên tử khác
nhau (Zn và S). Và vậy mạng không có tính đối xứng nghịch đảo.
Đa số các hợp chất bán dẫn A III B V và A II B VI kết tinh theo cấu trúc ZnS lập
phương như: InSb, GaAs, HaTe, CdTe, SiC, ZnSe…
 Hình 1.25
f) Dạng kết tinh lục giác của ZnS được trình bày trên hình 1.25. Dạng lục giác,
cũng như dạng lập phương, có liên kết tứ diện. Mạng tinh thể gồm 2 mạng con xếp
chặt, mỗi mạng chứa một loại nguyên tử. Hai mạng lệch nhau dọc theo trục c một
3
khoảng u.c. Trong trường hợp lí tưởng, u = .
8
Để ý rằng ở mạng lập phương và mạng lục giác đều có liên kết tứ diện, nhưng
trong hai trường hợp, các tứ diện xếp đặt khác nhau, dẫn đến hai cấu trúc tinh thể
khác nhau.
Một số hợp chất A II B VI có cấu trúc lục giác giống ZnS, chẳng hạn CdS, CdSe,
ZnO, ZnTe…
Câu hỏi ôn tập:
1. Chứng minh rằng cấu trúc (ABC) là cấu trúc lập phương tâm mặt và số phối vị
bằng 12?
2. Chứng minh rằng cấu trúc (AB) hay (AC) là cấu trúc lục giác xếp chặt và số phối
vị bằng 12?
3. Chứng minh trong một ô sơ cấp của tinh thể cêsi clorua có một phân tử CsCl?
4. Tính số phân tử NaCl trong một ô sơ cấp của tinh thể muối ăn NaCl?

7. Mạng đảo (1 tiết)

Thế nào là mạng đảo?
r r r
Mạng không gian được xây dựng từ 3 vectơ cơ sở a 1 , a 2 , a 3 . Ta định nghĩa
r r r
mạng đảo là mạng được xây dựng từ bao vec tơ b 1 , b 2 , b 3 và được xác định như
sau:
 r r
⎧r [a2 ∧ a3 ]
⎪b 1 = 2 π. [r r ] r
⎪ a 1 ∧ a 2 .a 3
r r
⎪r [ a 3 ∧ a1 ]
⎨b 2 = 2 π. r r r (1-6)
⎪ [a 1 ∧ a 2 ].a 3
r r
⎪r [ a1 ∧ a 2 ]
⎪b 3 = 2 π. r r r
⎩ [a 1 ∧ a 2 ].a 3

r r r
Các vectơ b 1 , b 2 , b 3 là các vectơ cơ sở của mạng đảo.

Vị trớ các nút của mạng đảo được xác định bởi vectơ mạng đảo có dạng:
r r r r
G = m1b1 + m 2 b 2 + m 3 b 3 (1-7)

với m1, m2, m3 là những số nguyên.

Một số tính chất của vectơ mạng đảo.
r r r r r r r r
b 1 vuông góc với a 2 và a 3 ; b 2 vuông góc với a 3 và a 1 ; b 3 vuông góc với a 1 và
r
a2
r r r
r r [a 2 ∧ a 3 ].a 1
Xét tích vô hướng a 1 .b 1 = 2 π. r r r
[a 1 ∧ a 2 ].a 3
r r r r r r r r r
Để ý rằng [a 1 ∧ a 2 ].a 3 = [a 2 ∧ a 3 ].a 1 = [a 3 ∧ a 1 ].a 2 nên
r r
a 1 .b 1 = 2 π (1-8)
r r r r
Ta có kết quả tương tự a 2 .b 2 = 2 π , a 3 .b 3 = 2 π
r r r
r r
Ta xét tích vô hướng a 1 .b 2 = 2 π. r r r
[a 3 ∧ a 1 ].a 1
[a 1 ∧ a 2 ].a 3
r r r r r r r
Và [a 3 ∧ a 1 ] ⊥ a 1 nên a 1 .b 2 = 0 . Tương tự, ta có a i .b j = 0 nếu i ≠ j. Do đó, kết
r r
hợp với (1-8), ta có: a i .b j = 2 πδ ij (1-9) trong đó δ ij là ký hiệu croneccơ

(Kronecker):

⎧1 khi i = j
δ ij = ⎨
⎩0 khi i ≠ j
Độ lớn của vectơ mạng đảocó thứ nguyên nghịch đảo của chiều dài.
r r r
Hình hộp được dựng lên từ 3 vectơ cơ sở của mạng đảo b 1 , b 2 , b 3 tức là ô sơ
cấp của mạng đảo, có thể tích:
r r
[ r
v' = b 1 . b 2 ∧ b 3 ] (1-10)
 r
[r
]
Chú ý rằng b 2 ∧ b 3 là vectơ có phương vuông góc với mặt phẳng chứa b 2 và
r
r r r
b 3 , có môđun bằng diện tích hình bình hành dựng lên từ b 2 và b 3 . Do đó tích hỗn
r
hợp (1-10) cho ta diện tích hình bình hành với hình chiếu của b 1 lên phương vuông
r r
góc với mặt phẳng chứa b 2 và b 3 , tức là tích (1-10) bằng trị số thể tích v’ của hình
hộp.
Tương tự, ta có thể tích ô sơ cấp mạng không gian ( tức mạng thuận ) là:
r r r
v = [a 1 ∧ a 2 ].a 3 (1-11)

Từ (1-6), ta có:

[
r r
]
2
⎛ 2π ⎞ r r r r
b 2 ∧ b 3 = ⎜ ⎟ [[a 3 ∧ a 2 ] ∧ [a 1 ∧ a 2 ]]
⎝ v ⎠
Theo đồng nhất thức:

[ar ∧ [br ∧ cr]] ≡ br.(ar.cr) − cr.(ar.br )

ta có:

[
r r
]
2
⎛ 2π ⎞ r r r r r r r r
b 2 ∧ b 3 = ⎜ ⎟ {a 1 .([a 3 ∧ a 1 ]a 2 ) − a 2 .([a 3 ∧ a 1 ]a 1 )}
⎝ v ⎠
Số hạng thứ hai ở vế phải bằn không. Do đó

[r r
]
2 2
⎛ 2π ⎞ r r r r ⎛ 2π ⎞ r
b 2 ∧ b 3 = ⎜ ⎟ a 1 .[a 3 ∧ a 1 ].a 2 = ⎜ ⎟ .a 1 (1-12)
⎝ v ⎠ ⎝ v ⎠
Từ (1-10), (1-11) và (1-12), ta có:

v' =
(2π)
3
(1-13)
v
nghĩa là thể tích ô sơ cấp mạng đảo tỉ lệ nghịch với thể tích ô sơ cấp mạng
thuận.
Vùng Briloanh và cách xác định?
Cũng giống như với mạng thuận, trong mạng đảo, có thể xây dựng ô sơ cấp
dạng đối xứng trung tâm (kiểu ô Vicnơ - Daixơ của mạng thuận như ở hình 1.4).
Trong mạng đảo, ô này được gọi là vùng Briloanh (Brillouin) thứ nhất. Nó được
giới hạn bởi các mặt phẳng trung trực của các vectơ mạng đảo nối nút đang cột với
các nút lân cận.
Các định lý về mạng đảo
Định lý 1. Vectơ mạng đảo
r r r r
G = hb 1 + k b 2 + l b 3
 vuông góc với mặt phẳng (h k l) của mạng thuận.
Chứng minh:

Hình 1.26
Mặt phẳng (h k l) cắt các trục toạ độ ở các điểm có toạ độ lần lượt trên ba trục
r
là n1a1, n2a2, n3a3 (h.1.26) Vectơ G vuông góc với mặt phẳng (h k l), nếu ta chứng
minh được là nó vuông góc với hai vectơ không song song với nhau và cùng nằm
trên mặt phẳng. Ta chọn hai vectơ đó chẳng hạn, là:
r r r r
n 1a 1 − n 2 a 2 vµ n 3 a 3 − n 2 a 2
r
Nhân vô hướng vectơ G (h,k,l) với hai vectơ này và áp dụng (1-9) ta được:
( )
r r r r r r r r
G (n 1 a 1 − n 2 a 2 ) = h b 1 + k b 2 + l b 3 .(n 1 a 1 − n 2 a 2 ) =
= hn .2 π − kn 2 .2 π = 0

và từ cách xác định các chỉ số milơ của mặt phẳng (h k l), ta có:
1 1 1
h:k:l = : :
n1 n 2 n 3

Tương tự:

( )
r r r r r r r r
G(n 3 a 3 − n 2 a 2 ) = hb 1 + kb 2 + lb 3 .(n 3 a 3 − n 2 a 2 ) = 0

Định lý đó được chứng minh.

Định lý 2
Khoảng cách d(h k l) giữa hai mặt phẳng mạng liên tiếp nhau thuộc họ mặt
phẳng
r
(h k l) bằng nghịch đảo của độ dài vectơ mạng đảo G( h, k, l) nhân với 2π.

Chứng minh
 Hình 1.27
Trên hình 127 biểu diễn một số mặt phẳng mạng song song nhau thuộc họ
r
mặt phẳng (h k l). Từ định lý 1, ta có vectơ ( h, k, l) vuông góc với các mặt phẳng
G
đó.
r
Từ gốc O, ta vẽ vectơ mạng R của một nút mạng nằm trên mặt P(h,k,l). Hình
r
chiếu của nó lên phương vectơ G chính là đoạn OH. Mọi vectơ mạng có điểm cuối
r
nằm trên mặt phẳng mạng P(h,k,l) đều có hình chiếu lên phương G là đoạn OH:
r
r G( h, k, l)
R G = OH = R. r
G( h, k, l)
r
G( h, k, l) r
ở đây r là vectơ đơn vị theo phương G( h, k, l) cũng là vectơ phép
G( h, k, l)
tuyến đơn vị của mặt phẳng (h k l).
Ta có:

( )
r r r
r r r hb 1 + kb 2 + lb 3
R G = (n 1a 1 + n 2 a 2 + n 3 a 3 ). r
G( h, k, l)
n1 h + n 2 k + n 3 l 2 π.n
= 2 π. r = r
G( h, k, l) G( h, k, l)

với n là một số nguyên.

 2π
Như vậy, mặt phẳng P(h,k,l) cách gốc O một số nguyên lần r . Thay
G( h, k, l)
2π
đổi số nguyên n đi một đơn vị, thì RG tăng lên r . Mặt phẳng Q(h,k,l) nằm kề
G( h, k, l)
2 π( n + 1)
sát với P(h,k,l) như trên hình 1.27 ứng với hình chiếu R G = r
G( h, k, l)

Vậy khoảng cách giữa hai mặt phẳng (h k l) liên tiếp nhau là:
2π
d( h, k, l) = r (1-14)
G ( h, k , l )

Ví dụ xây dựng mạng đảo ứng với mạng không gian cho trước.
Từ các tính chất của mạng đảo, ta có thể xây dựng mạng đảo ứng với mạng
không gian cho trước bằng phương phép giải tích, dựa trên các công thức (1-6),
hoặc bằng phương phép hình học.
Để minh hoạ việc xây dựng mạng đảo, ta cột ví dụ mạng thuận là mạng lập
phương tâm mặt (h.1.28a). Các mặt phẳng mạng thuận vuông góc với các trục toạ
a r
độ x,y và z cách nhau một khoảng d = . Do đó vectơ mạng đảo G ứng với các
2
2π 4π
mặt phẳng này song song với các trục x,y,z và có độ dài G = =
d a
Các mặt phẳng (111) vuông góc với đường chéo chính và cách nhau
a 3
d= . Do đó vectơ mạng đảo ứng với họ mặt phẳng chéo này cũng hướng theo
3
2π 2π 3
đường chéo chính và có độ dài G = = . Và đường chéo cạnh của hình lập
d a
4π 4π r
phương cạnh có độ dài . 3 , nên vectơ mạng đảo G bằng nửa đường chéo
a a
r
chính của hình lập phương trong mạng đảo. Vectơ G này ứng với nút mạng
đảonằm ở tâm hình lập phương.
Vậy mạng đảo của mạng lập phương tâm mặt là mạng lập phương tâm khối
(h.1.28)
Khái niệm về mạng đảo được sử dụng rất thuận tiện để nghiên cứu các vấn
đề có liên quan đến các quả trình sóng trong vật rắn như lý thuyết về cung năng
lượng, lý thuyết về dao động của mạng tinh thể, hiện tượng nhiễu xạ trong tinh thể
v.v…
 a) lập phương tâm mặt b) Lập phương tâm khối
Hình 1.28
Câu hỏi ôn tập
1. Thế nào là mạng đảo?
2. Các tính chất của véc tơ mạng đảo?
3. Vùng briloanh thứ nhất
4. Các định lý về mạng đảo? (định lý 1; định lý 2)
5. Xây dựng mạng đảo của mạng lập phương tâm tâm khối?
 Bài tập chương 1
Bài 1.1
Thế năng thực giữa hai ion liền kề có thể biểu diễn bằng biểu thức:

Hãy tính năng lượng liên kết U0 theo A, B và n.

Với mỗi cặp ion Na+-Cl-, thế năng hút và thế năng đẩy giữa chúng là:

và

Hãy tính năng lượng liên kết U0.

Bài 1.2
Chứng minh rằng, các mạng không gian chỉ có thể có các trục quay 2, 3, 4 và 6,
không thể có các trục quay bậc 5 và cao hơn 6.
Bài 1.3
Đồng có bán kính nguyên tử bằng 0.128 nm, có cấu trúc lập phương tâm
mặt và khối lượng nguyên tử là 63.5g/mol. Tính khối lượng riêng của đồng.
Bài 1.4
Titan có cấu trúc lục giác xếp chặt, khối lượng riêng là 4.51g/cm3 và khối
lượng nguyên tử là 47.9g/mol.
a) Hãy tính thể tích của một ô đơn vị
b) Nếu tỉ số c/a là 1.58, hãy tính giá trị của a và c.
Bài 1. 5
Hỏi mặt phẳng có chỉ số Miller (1, 2, 5) cắt trên các trục toạ độ những đoạn
bằng bao nhiêu lần độ dài của vec tơ cơ sở tương ứng ?
Bài.1.6
Tìm chỉ số Miller của các mặt phẳng mạng trong tinh thể lập phương
Bài 1.7
Xác định các yếu tố đối xứng của các ô mạng Bravais (Hình 1.13 trang 22 sách
VLCR).
Bài 1.8
Chứng minh rằng, trong mạng lập phương, phương [h, k, l] luôn vuông góc với
mặt phẳng (h,k,l). Với các mạng khác, điều đó có đúng không ?
Bài 1.9
Ô sơ cấp của tinh thể Mg kim loại thuộc hệ lục giác, có các thông số mạng là
a = 3,2 Å ; c= 5,2 Å. Hãy xác định số ô sơ cấp có trong 1 cm3 tinh thể.
Bài 1.10
Xác định số nguyên tử Fe trong ô sơ cấp có cấu trúc lập phương. Cho biết cạnh
của hình lập phương a = 2,87 Å, khối lượng nguyên tử của Fe là A = 55,84 và khối
lượng riêng ρFe = 7800 kg/m3.
Bài 1.11
Xác định thể tích của ô sơ cấp qua bán kính của các nguyên tử coi như những
hình cầu giống nhau được xếp chặt trong mạng lập phương tâm khối, lập phương
tâm mặt và lục giác.
Bài 1.12
Mạng lập phương tâm khối bao gồm các nguyên tử giống nhau có bán kính r.

Chứng minh rằng phần thể tích ô sơ cấp bị các nguyên tử chiếm chỗ là .

Bài 1.13
Khối lượng riêng của NaCl là ρ = 2,15.103 kg/m3. Khối lượng nguyên tử của Na
và Cl lần lượt là 23 và 35,46. Hãy xác định hằng số mạng của tinh thể muối ăn
NaCl.
Bài 1.14
Vẽ ô sơ cấp và xác định số nguyên tử trong một ô sơ cấp và số phối vị trong
mạng tinh thể lập phương tâm khối, trong mạng tinh thể lập phương tâm mặt và
trong mạng tinh thể lục giác xếp chặt lý tưởng.
Bài 1.15
Trong mô hình cấu trúc xếp chặt các quả cầu, mạng lập phương tâm mặt có
cấu trúc (ABC). Hãy xác định: mặt xếp chặt, phương xếp chặt, bán kính xếp chặt
(theo cạnh a của ô sơ cấp) và mật độ xếp chặt.
Bài 1.16
Chứng minh rằng, mạng đảo của mạng lập phương tâm mặt là mạng lập
phương tâm khối và ngược lại.
Bài 1.17
Hãy xác định ô sơ cấp của mạng đảo, vùng Brillouin thứ nhất và thứ hai của
mạng vuông hai chiều.
Bài 1.18
Người ta ghi ảnh nhiễu xạ tia X của một tinh thể có cấu trúc lập phương đơn
giản với hằng số mạng a = 2,56 Å. Hỏi có thể có số vạch nhiễu xạ bậc một nhiều
nhất là bao nhiêu nếu độ dài bước sóng bức xạ tia X là λ = 1,789 Å.
Bài 1. 19
Dùng dòng electron được tăng tốc đến động năng 1 keV cho nhiễu xạ trên một
tấm kim loại có cấu trúc lập phương với a = 1Å. Tìm góc phản xạ Bragg cho vạch
cực đại đầu tiên.
Bài 1.20
Tia Rửntgen có bước sóng λ= 1.537 Å phản xạ từ mặt (111) của tinh thể nhôm
dưới một góc 1902’. Cho biết nhôm có cấu trúc lập phương tâm mặt, khối lượng
riêng ρAl = 2699 kg/m3, khối lượng nguyên tử A= 26,98. Tính số Avogadro NA theo
các kết quả thực nghiệm này.
 CHƯƠNG 2. DAO ĐỘNG CỦA MẠNG TINH THỂ
I. Mục đích
Cung cấp các lý thuyết cổ điển và lượng tử về dao động mạng
Ứng dụng các lý thuyết dao động mạng để tính nhiệt dung riêng và giải thích
sự giãn nỏ vì nhiệt của chất rắn.
II. Yêu cầu
Người học cần lĩnh hội những kiến thức về:
1. Dao động của mạng một chiều đơn giản
2. Hệ thức tán sắc của dao động (sự phụ thuộc của tần số ω vào véc tơ sóng q)
3. Dao động của mạng một chiều chứa hai loại nguyên tử
4. Dao động của mạng ba chiều
5. Sự xuất hiện hai nhánh âm học; quang học và vùng cấm
6. Ý nghĩa và sự lượng tử hóa của véc tơ sóng q
Một số lưu ý
Để nắm bắt được tốt kiến thức chương này, người học cần hiểu rõ các kiến
thức về dao động điều hòa; cơ lượng tử trong giải bài toán về dao động tử; các
kiến thức về nhiệt động lực học và vật lý thống kê.
Người học đã được trang bị các kiến thức toán học về Đại số tuyến tinh và
giải tích
III. Nội dung
Chương 2 gồm 4 bài:
Bài 1: Lý thuyết cổ điển về dao động mạng
Bài 2: Lý thuyết lượng tử về dao động mạng
Bài 3: Nhiệt dung riêng của vật rắn
Bài 4: Sự giãn nỏ vì nhiệt
 1. LÝ THUYẾT CỔ ĐIỂN VỀ DAO ĐỘNG CỦA MẠNG TINH THỂ
I. Mục đích
Mô tả dao động của mạng tinh thể bằng lý thuyết cổ điển.
Bước đầu cho thấy ý nghĩa của vùng Briloanh.
II. Yêu cầu
Người học cần nắm được:
1. Gải bài toán về dao động mạng một chiều đơn giản
2. Hệ thức tán sắc của dao động mạng (sự phụ thuộc của tần sô ω vào véc tơ sóng
q)
3. Ý nghĩa và sự lượng tử hóa của véc tơ sóng q
4. Dao động của mạng một chiều chứa hai loại nguyên tử
5. Sự hình thành các nhánh quang học; âm học và vùng cấm
6. Dao động của mạng ba chiều.
Lưu ý:
Việc nghiên cứu dao động mạng ba chiều được tiếp cận từ việc giải các bài
toán đơn giản hơn rất nhiều đó là dao động mạng một chiều đơn giản và dao động
của mạng một chiều chứa hai loại nguyên tử.
III. Nội dung
1. Năng lượng dao động (1 tiết)
2. Dao động của mạng một chiều đơn giản (1 tiết)
3. Dao động cua mạng một chiều chứa hai loại nguyên tử (1 tiết)
4. Dao động của mạng ba chiều (1 tiết)

1. Năng lượng dao động (1 tiết)

Đặc điểm của các nguyên tử, phân tử trong tinh thể?
Trong tinh thể, các nguyên tử, phân tử không nằm cố định ở các nút mạng
hoặc ở các vị trí xác định, mà luôn thực hiện các dao động nhỏ quang các vị trí cân
bằng. Ta hãy xét tinh thể gồm N ô sơ cấp, mỗi ô sơ cấp có một nguyên tử khối
lượng M. Năng lượng dao động của tất cả các nguyên tử trong mạng tinh thể là:
E = K + U(2-1)
Với
1 N r2
K= M ∑ rn (2-2)
2 n =1
 r
là động năng của các nguyên tử dao động, rn là độ lệch của nguyên tử khỏi
r r r
nút thứ n ứng với vectơ mạng R n , r&n là vận tốc của nguyên tử ở nút R n . Còn:
r r r
U = U ( l1 , l2 ,... lN ) (2-3)
r r r
U = U ( l1 , l2 ,... lN ) (2-3)

Hình 2.1
Nguyên nhân tạo nên thế năng tương tác trong tinh thể?
là thế năng của hệ được tạo nên do tương tác (đẩy và hút) giữa các nguyên
tử trong tinh thể. Thế năng U là hàm của toạ độ từng nguyên tử ở từng thời điểm.
r
Vectơ ln là vectơ vị trí của nguyên tử thứ n: (h.21)
r r r
ln = R n + rn (2-4)

Do đó
r r r r r r
U = U (R 1 + r1 , R 2 + r2 ,..., R N + rN ) (2-5)
r r
rn là độ dịch chuyển nhỏ quanh vị trí cân bằng R n , nên ta có thể phân tích U
r
thành chuỗi Taylo (Taylor) theo rn .

Biểu thức thế năng của các nguyên tử, phân tử trong tinh thể?
Trong hệ toạ độ Đêcac (Descartes), ta có:
N 3 ⎛ ∂U ⎞ 1 N N 3 3 ⎛⎜ ∂ 2 U ⎞⎟
U = U 0 + ∑ ∑ ⎜⎜ ⎟⎟ rnα + ∑ ∑ ∑∑ rnα rmβ (2-6)
n =1 α =1 ⎝ ∂l nα ⎠0 2 n =1 m =1 α =1 β=1 ⎜⎝ ∂l nα ∂l mβ ⎟⎠

r
rn có hình chiếu trên các trục là rnα ; α = 1,2,3 ứng với x,y,z. Trong (2-6),
r r r
U = U ( R 1 , R 2 ,...R N ) là giá trị thế năng khi mọi hạt đều ở vị trí cân bằng (tức là nằm
ở các nút mạng, và mọi rn = 0) Chỉ số 0 kí hiệu các đại lượng ở vị trí cân bằng. Ta
giới hạn khai triển ở số hạng bậc 2, tức là xét ở phép gần đúng điều hoà.
 Khi mọi nguyên tử đều nằm ở vị trí cân bằng, thế năng của hệ là cực tiểu. Do
∂U
đó các đạo hàm hạng nhất của thế năng U ở vị trí cân bằng bằng không: =0
∂l n

Nếu ta lấy gốc thế năng là giá trị U0, thì có thể bỏ qua số hạng không đổi đó.
Biểu thức (2-6) trở thành:
N 3 ⎛ ∂U ⎞ 1 N N 3 3 ⎛⎜ ∂ 2 U ⎞⎟
U = ∑ ∑ ⎜⎜ ⎟⎟ rnα + ∑ ∑ ∑∑ rnα rmβ (2-7)
n =1 α =1 ⎝ ∂l nα ⎠0 2 n =1 m =1 α =1 β=1 ⎜⎝ ∂l nα ∂l mβ ⎟⎠

Thế năng, theo (2-7), chỉ chứa số hạng bậc hai theo độ dời, đó là các số hạng
điều hoà.
Biết hàm thế năng U, có thể xác định được lực tác dụng. Thành phần β của
lực tác dụng lên nguyên tử thứ m là:
N 3 ⎛
∂U ∂ 2 U ⎞⎟
Fmβ =− = −∑ ∑ ⎜ r (2-8)
∂rmβ ⎜ ⎟ nα
n =1 α =1 ⎝ ∂l nα ∂l mβ ⎠

r
Lực này phụ thuộc vào độ dịch chuyển rn của nguyên tử khác vào các hệ số
⎛ ∂2U ⎞
có dạng ⎜ ⎟ . Hệ số này đặc trưng cho lực tương tác giữa hai nguyên tử
⎜ ∂l ∂l ⎟
⎝ nα mβ ⎠ 0
thứ n và thứ m. Nó không phụ thuộc vào vị trí cụ thể của từng nguyên tử mà vào
r r
khoảng cách giữa hai hạt khi chúng cùng ở vị trí cân bằng, tức là vào R n − R m .Ta
⎛ ∂2U ⎞ r r
có thể viết: ⎜ ⎟ = U αβ (R n − R m )
⎜ ∂l ∂l ⎟
⎝ nα mβ ⎠ 0
(2-9)

Biểu thức của định luật II Niutơn (Newton) cho nguyên tử thứ m theo (2-8) và
(2-9) là các phương trình có dạng:
N 3 r r
M&r&mβ = Fmβ = −∑∑ U αβ (R n − R m ).rnα (2-10)
n =1 α =1

Để biết được chuyển động của mọi nguyên tử, ta cần phải giải một hệ các
phương trình vi phân liên hệ với nhau (dạng 2-10) có số phương trình rất lớn (3N
phương trình!)
Trước khi giải quyết bài toán tổng quát, ta xét vài trường hợp đơn giản.
Câu hỏi ôn tập
1. Đặc điểm của các nguyên tử, phân tử trong tinh thể?
2. Nguyên nhân tạo ra thế năng tương tác giữa các nguyên tử, phân tử trong
tinh thể?
3. Biểu thức định luật II Newton cho nguyên tử thứ m trong tinh thể?
4. Tại sao không giải được trực tiếp bài toán dao động của mạng ba chiều?
2. Dao động của mạng một chiều đơn giản (1 tiết)

Hình 2-2
Trong trường hợp nào thì tinh thể ba chiều được xét như trường hợp một
chiều?
Trường hợp đơn giản nhất là trường hợp “mạng tinh thể một chiều” gồm các
nguyên tử giống nhau, đặt cách đều nhau trên một đường thẳng. Kết quả của bài
toán này cũng áp dụng được cho tinh thể ba chiều nếu ta xét trong một số trường
hợp đặc biệt, khi sóng đàn hồi là thuần tuý dọc hoặc thuần tuý ngang. Điều đó xảy
ra khi xét sự lan truyền của sóng đàn hồi theo phương có tính đối xứng cao như
<100>, <111>, <110>…Trong sóng dọc, các nguyên tử dịch chuyển song song với
phương truyền sóng, còn trong sóng ngang, cac nguyên tử dịch chuyển vuông góc
với phương truyền sóng. Trong các trường hợp này, các nguyển tử nằm trên cùng
một mặt phẳng tinh thể vuông góc với phương truyền sóng thì dao động giống
nhau (h.2-2). Vì thế, thay cho nghiên cứu chuyển động của mọi nguyên tử trong
tinh thể ta chỉ cần xét trên mỗi mặt phẳng tinh thể một nguyên tử. Bài toán được
qui về trường hợp mạng tinh thể một chiều.
Các gần đúng nào nào đã được đưa vào để giải bài toán dao động?
Để cho đơn giản giả thiết với dãy nguyên tử một chiều, ta chỉ xét sóng
ngang, và coi như chỉ có tương tác giữa nguyên tử đang xét với hai nguyên tử gần
nó nhất. Các nguyên tử cách đều nhau một khoảng a nên ô mạng có kích thước là
a. Ta viết lại phương trình chuyển động cho nguyên tử thứ m, nhưng bỏ chỉ số α,β,
vì đã giả thiết chỉ xét dao động vuông góc với dãy nguyên tử. Khi đó, theo (2-10), ta
có:
N
M&r&m = Fm = −∑ U (R n − R m )rn (2-11)
n =1

Vì chỉ có tương tác giữa hai nguyên tử gần nguyên tử thứ m nhất, nên trong
tổng ở vế phải chỉ còn lại các số hạng ứng với n = m, n = m - 1và n = m + 1. Ta lại
giả thiết rằng lực tương tác là lực đàn hồi, tức là tỷ lệ với độ dời khỏi vị trí cần
bằng. Ở đây, vị trí cân bằng ứng với rm = rm +1 = rm −1 = 0 . Do đó, phương trình
chuyển động là
M&r&m = −α( rm − rm +1 ) − α( rm − rm −1 )

hay:
M&r&m = −α(2 rm − rm +1 − rm −1 ) (2-13)

Nghiệm của các phương trình này là một hàm sóng mô tả sự dao động của
nguyên tử và sự lan truyền của dao động dọc theo tinh thể. Ta tìm nghiệm dưới
dạng sóng:

rm = Ae i ( qR m −ωt ) (2-14)

Ta có thể chọn gốc O sao cho Rm = a.m (h.2.3) thì

rm = Ae i ( qma −ωt ) (2-15)

Thay (2-15) vào (2-13), chú ý rằng:

r&m = Ae iqma (− iω)e − iωt

&r&m = Ae iqma (−iω) 2 e − iωt = −ω2 r

 Sau khi giản ước hai vế, ta có:

Mω2 = −α(2 − e iqa − e − iqa ) (2-16)

Sử dụng công thức eiqa = cosqa + isinqa, ta thu được:

Mω2 = 2α(1 − cos qa ) (2-17)

Từ đó ta tìm được biểu thức cho tần số góc của dao động:
2α α qa
ω2 = (1 − cos qa ) = 4 sin 2 (2-18)
M m 2
Biểu thức sự phụ thuộc của tần số dao động vào véc tơ sóng q?

α qa qa
hay ω=2 sin = ωmax sin (2-19)
m 2 2

α
với ωmax = 2
M

Hình 2-4
Biểu thức (2-19), cho ta sự phụ thuộc của tần số góc ω vào q và được gọi là
r
hệ thức tán sắc của dao động, q là độ lớn của vectơ sóng q . Vectơ này có cùng
phương chiều với hướng lan truyền của sóng.
Biểu diễn ω theo q như ở (2-19), ta được hình 2.4
Các tính chất của ω(q):
Ta có một số nhận xét sau đây về sự phụ thuộc ω(q):
ω là hàm tuần hoàn của q đối với chu kì 2π. Thật vậy, nếu có
2π
q' = q + thì
a

r ' m = Ae i ( q 'ma −ωt ) = Ae i 2 πm e i ( qma −ωt )

= e i 2 πm rm = rm
 vì e i 2 πm = 1
r r
Như vậy vectơ sóng q vµ q' mô tả cùng một trạng thái dao động của mạng
r r
tinh thể ứng với một giá trị ω của tần số dao động; nghĩa là q vµ q' tương đương
2π
nhau về tính chất vật lý. Do tính tuần hoàn này ta chỉ cần xét ω trong khoảng
a
2π
trên trục q. Người ta thường chọn khoảng đối xứng quanh gốc O, tức là
a
π π
_ ≤ q ≤ , khoảng này chứa mọi giá trị khả dĩ của ω.
a a
Các tính chất của ω(q) trong vùng Briloanh thứ nhất:
q có thứ nguyên nghịch đảo chiều dài, nên nó chính là đại lượng được xét
trong không gian mạng đảo. Trong trường hợp đang xét, mạng thuận có chu kỳ a
2π
thì mạng đảo có chu kỳ . Mạng đảo của mạng một chiều cũng là mạng một
a
chiều.
π π
Khoảng giá trị _ ≤ q ≤ trong mạng đảo (ở đây là trường hợp một chiều) gọi là
a a
vùng Briloanh thứ nhất.
Nếu xét tại một thời điểm, thì trạng thái dao động của tinh thể lặp lại một cách
tuần hoàn trong không gian, với chu kỳ là bước sóng λ. Dựa vào biểu thức sóng (2-
14), ta có:

Ae i( qRm −ωt ) = Ae i[q ( Rm +λ )−ωt ]

hay e iqλ = 1 . Điều đó chỉ có được nếu:
2π
q= (2-20)
λ
qa qa
- Ở tâm vùng Briloanh thứ nhất, tức là với qa<<1, thì sin ≈ . Do đó
2 2

α qa α
ω=2 = qa (2-21)
M 2 M
Ta tính vận tốc nhóm của sóng, tức là vận tốc truyền năng lượng dao động
trong môi trường:

dω α
vg = = .a = const (2-22)
dq M

Như vậy với giá trị q nhỏ, tức là với dao động có bước sóng λ lớn, vận tốc
truyền năng lượng dao động cũng là hằng số. Kết quả này cũng giống như đối với
sóng đàn hồi truyền trong môi trường liên tục. Điều này cũng dễ hiểu vì khi bước
sóng rất lớn so với hằng số mạng, thì chuỗi nguyên tử có thể coi gần đúng như một
sợi dây đàn hồi.
- Với những giá trị q lớn, vận tốc truyền sóng không còn là hằng số:

dω α qa
vg = =a cos (2-23)
dq m 2

π
Ở giá trị q = qmax = ± , vận tốc truyền sóng vg = 0.
a
Như vậy ở biên vùng Briloanh vận tốc truyền sóng bằng không ứng với sự tạo
thành sóng đứng.
π
Với qmax = ± , ta có λmin = 2a. Đó là giá trị bước sóng ngắn nhất có thể tồn tại
a
trong mạng tinh thể. Nó ứng với trường hợp hai nguyên tử lân cận dao động
ngược pha nhau.
Trong thực tế không có tinh thể lớn vô hạn mà chỉ có tinh thể chứa rất nhiều
nguyên tử N >> 1. Nếu tinh thể là hữu hạn, thì các tính chất của tinh thể vô hạn,
chẳng hạn như tính đối xứng tịnh tiến không còn nữa. Ta phải xét ảnh hưởng của
biên tinh thể. Trong trường hợp mạng một chiều đó chính là đầu và cuối của dãy
nguyên tử. Tuy nhiên nếu mạng tinh thể đủ lớn, thì ảnh hưởng của biên là rất nhỏ,
và tính chất của tinh thể cũng gần giống như khi là mạng vô hạn.
Điều kiện biên tuần hòan là như thế nào ?
Để bảo toàn tính đối xứng tịnh tiến của mạng tinh thể, ta đưa ra điều kiện
biên tuần hoàn Bo – Cacman (Born-Karman) như sau: dao động của nguyên tử ở
cuối dãy (nút thứ N) giống hệt như dao động của nguyên tử ở đầu dãy (nút thứ 1).
Bằng cách đó, ta coi như các dãy giống nhau được xếp kế tiếp nhau thành một dãy
dài vô hạn. Cũng có thể tưởng tượng là mạng một chiều có đầu và cuối nối nhau
thành một vòng kín. Giả thiết về diều kiện biên tuần hoàn giúp cho việc tính toán
được thuận lợi nhưng không ảnh hưởng gì tới kết quả vật lý.
Từ điều kiện biên tuần hoàn, ta thấy dao động của nguyên tử thứ m và m+N là
như nhau:
rm = rm+N

rm + N = Ae i [q ( m + N )−ωt ] = Ae i ( qma −ωt ) .e iqNa

Mà
= rm .e iqNa

Muốn vậy:
eiqNa = 1
hay qNa = 2nπ
 2 πn 2 π
hoặc q= = (2-24)
Na L
với n là số nguyên, dương hoặc âm; L là chiều dài của dãy nguyên tử.
π π
Trong mạng một chiều, _ ≤ q ≤ , vì vậy các giá trị của n nằm trong khoảng:
a a
N N
− ≤n≤
2 2
Hệ quả của điều kiện biên tuần hòan
Các giá trị này của n cho ta N giá trị khác nhau của q. Như vậy điều kiện biên
tuần hoàn đã đưa đến sự gián đoạn của giá trị vectơ sóng q. Các giá trị này cách
2π
nhau . Trong phổ ω(q) chỉ có các giá trị của ω ứng với N giá trị đó của q.
Na
Câu hỏi ôn tập:
1. Trong trường hợp nào thì dao động của mạng ba chiều có thể coi như dao động
của mạng một chiều?
2. Các gần đúng nào đã được đưa ra để giải bài toán dao động của mạng tinh thể
một chiều? Tại sao các giả thiết đó có thể chấp nhận được?
3. Hệ thức tán sắc và đồ thị mô tả ω(q)?
4. Các tính chất của ω và vận tốc nhóm của dao động tại tâm và biên vùng
Briloanh?
5. Điều kiện biên tuần hòan và hệ quả của điều kiện biên tuần hòan dẫn đến điều
gì?

3. Dao động của mạng một chiều chứa hai loại nguyên tử (1 tiết)
Ta xét trường hợp phức tạp hơn là trường hợp của mạng một chiều có chứa
hai loại nguyên tử khác nhau (hoặc là về khối lượng hoặc là về hằng số lực). Để
cho xác định ta giả thiết hai loại nguyên tử có khối lượng khác nhau. Bài toán này
cũng có thể ứng dụng cho mạng ba chiều, chứa hai loại nguyên tử khác nhau (thí
dụ tinh thể NaCl), khi xét sự lan truyền sóng dao động theo các phương đối xứng
(như phương <111>) nghĩa là khi phân biệt được sóng dọc và sóng ngang.
Lưu ý gì khi xét dao động mạng một chiều chứa 2 loại nguyên từ?
Để cho đơn giản, ta giả thiết các nguyên tử có khối lượng M1 và M2, đặt xen
kẽ nhau, cách đều nhau một khoảng a (h.2.5). Ta cũng giả thiết chỉ xét tương tác
giữa hai nguyên tử cạnh nhau, và bỏ qua các tương tác xa hơn, và chỉ xét song
ngang. Như vậy ô sơ cấp có kích thước 2a và mỗi ô chứa hai nguyên tử.
 Hình 2-5
Gọi độ lệch của các nguyên tử ở ô thứ m là r1,m và r2,m, ta có thể viết hệ
phương trình như sau:

⎧M 1&r&1,m = −α(r1,m − r2,m −1 ) − α(r1,m − r2,m )

⎨ (2-25)
⎩M 2&r&2,m = −α(r2,m − r1,m ) − α(r2,m − r1,m +1 )
Ta cũng tìm nghiệm dưới dạng sóng chạy mà biên độ sóng cho hai loại
nguyên tử là A1 và A2
⎧⎪r1.m = A 1 e i (2 qam−ωt )
⎨ (2-26)
⎪⎩r2.m = A 2 e i (2 qam−ωt )

Thay (2-26) vào (2-25), sau khi giản ước, ta có hệ phương trình:
⎧⎪− ω2 M 1 A 1 = −2αA 1 + αA 2 (1 + e − i 2 qa )
⎨ 2 (2-27)
⎪⎩− ω M 2 A 2 = −2αA 2 + αA 1 (1 + e −i 2 qa )

hoặc sau khi biến đổi, ta có:

⎧⎛ 2 2α ⎞
⎪⎜⎜ ω − ⎟⎟A 1 +
α
( )
1 + e −i 2 qa A 2 = 0
⎪⎝ M1 ⎠ M1
⎨ (2-28)
⎪ α 1 + e i 2 qa A + ⎛⎜ ω2 − 2α ⎞⎟A = 0
( )
⎪M 1 ⎜ M 2 ⎟⎠
2
⎩ 2 ⎝

Giải hệ phương trình này, ta tìm được các ẩn A1, A2 và ω(q). Điều kiện để hệ
phương trình có nghiệm không tầm thường là định thức các hệ số của A1, A2 phải
bằng không.
Do đó:

⎛ 2 2α ⎞
⎜⎜ ω − ⎟⎟
α
(
1 + e −i 2 qa )
⎝ M 1 ⎠ M1
=0 (2-29)
⎛ 2 2α ⎞
α
( )
1 + e i 2 qa A 1 ⎜⎜ ω − ⎟A 2
M 2 ⎟⎠
M2 ⎝

Đây là phương trình trùng phương đối với ω:

M1 + M 2 2 2α 2
ω − 2α
4
ω + (1 − cos 2qa ) = 0 (2-30)
M1 M 2 M1 M 2
 Giải ra ta có hai nghiệm:
2
⎛ 1 1 ⎞ ⎛ 1 1 ⎞ 4
ω = α⎜⎜
2
± + ⎟⎟ ± α ⎜⎜ + ⎟⎟ − . sin 2 qa (2-31)
⎝ 1
M M 2 ⎠ ⎝ M1 M 2 ⎠ M1 M 2

Ta xét nghiệm với dấu trừ ( ω − ):

Khi q = 0, ω − = 0

Khi q nhỏ, sin 2 qa ≈ (qa ) = q 2 a 2 . Do đó

2

α
ω− = .aq (2-32)
M1 + M 2

Vậy ở gần tâm vùng Briloanh, ω tỷ lệ với q

π
Khi q = ± , thì sin2qa = 1 và
2a

2α
ω− = (2-33)
M1

Ta xét tiếp nghiệm ω +

M1 + M 2
Khi q = 0, ω+ = 2α (2-34)
M1 M 2

π 2α
Khi q = ± , ω+ = (2-35)
2a M2

Giả thiết M1 > M2, thì sự phụ thuộc của ω theo q trong trường hợp mạng có
hai loại nguyên tử được biểu diễn trên hình 2.6. Ta nhận thấy rằng ω phụ thuộc vào
π
q một cách tuần hoàn với chu kỳ . Vì vậy ta cũng chỉ xét với các giá trị của q nằm
a
trong cùng Briloanh thứ nhất:
π π
− ≤q≤ (Nhớ rằng hằng số mạng là 2a)
2a 2a
Đồ thị ω(q ) gồm hai nhánh. Nhánh dưới ứng với ω − có dạng giống như ở
trường hợp mạng tinh thể có chứa một loại nguyên tử. Ở q = 0, ω = 0. Với các giá
π
trị q bé, ω tỉ lệ với q. Ở giá trị q = ± , ω = ωmax. Như vậy ở gần tâm vùng
2a
Briloanh, vận tốc truyền năng lượng dao động là hằng số, và bằng chính vận tốc
truyền âm. Vì vậy nhánh ứng với ω − còn được gọi là nhánh âm học.
 Hình 2.6
Nhánh trên biểu diễn ω + . Ở nhánh này, ω ít thay đổi theo q. Ở q = 0, ta có
M1 + M 2
ω+ max = 2α. .
M 1 .M 2

π 2α
Còn ở q = ± , ta có ω+ min = , nhánh này gọi là nhánh quang học.
2a M2

Ta trở lại xét các nghiệm r1,m và r2,m ở (2-26) xét khi q = 0, thay giá trị ω + ở (2-
A1 M A r
34) vào (2-28), ta thu được = − 2 . Mà 1 = 1,m , nên hai loại nguyên tử M 1
A2 M1 A 2 r2,m
và M 2 dao động ngược pha nhau (vì r1,m và r2,m trái dấu nhau). Trong tinh thể ion,
các nguyên tử M 1 và M 2 mang điện tích trái dấu nhau (h.2.7a). Khi chúng dao
động, mômen lưỡng cực điện do chúng tạo nên cũng biến đổi tuần hoàn. Ánh sáng
(sóng điện từ) tương tác mạnh với dao động mạng thuộc loại này. Nói cụ thể hơn,
vectơ điện trường E của ánh sáng tương tác mạnh với mômen lưỡng cực của tinh
thể, nếu ánh sáng có tần số bằng ω + . Chính vì lí do đó mà nhánh được gọi là
nhánh quang học.
Khi q = 0, thì với nhánh âm học ( ω − ), các nguyên tử dao động gần như cùng
pha với nhau (h.2.7b) giống như các dao động âm học có bước sóng lớn.

Hình 2.7
Nguyên nhân của sự xuất hiện hai nhánh âm học và quang học là gì?
 Sự xuất hiện hai nhánh: âm học và quang học trong phổ dao động của mạng
tinh thể là kết quả của việc mạng tinh thể có gốc, tức là trong một ô sơ cấp có hai
nguyên tử hoặc nhiều hơn. Để thấy rõ hơn điều này, bạn đọc hãy làm bài tập 2.1 ở
cuối chương.
Thế nào là vùng cấm?
Dựa vào hình 2.6, có thể rút ra một nhận xét quan trọng. Trên phổ ω(q ) có
2α 2α
một khoảng giá trị từ ω − = đến ω2 = không ứng với nghiệm nào của
M1 M2
phương trình sóng truyền trong mạng tinh thể. Nói khác đi, trong mạng tinh thể
không có dao động ứng với tần số trong khoảng đó. Đó là đặc điểm của mạng tinh
thể có nhiều nguyên tử trong một ô sơ cấp. Trong trường hợp này, ở biên vùng
Briloanh thứ nhất có một khu vực cấm. Sóng ứng với tần số trong khu vực đó
không lan truyền trong tinh thể được, mà bị hấp thụ mạnh.
Tóm tắt nội dung cần lưu ý
Do trong một ô sơ cấp có hai loại nguyên tử dẫ đến hình thành hai nhánh âm
học; quang học và một vùng cấm không có dao động nào ứng với tần số trong
khoảng đó. Nghĩa là sóng ứng vói tần số trong khu vụ đó không la truyền được
trong tinh thể.
4. Dao động của mạng ba chiều (1 tiết)
Trở lại bài toán dao động của mạng ba chiều chứa một loại nguyên tử ta cần
tìm nghiệm cho hệ phương trình dạng (2-10). Như đã thấy, nói chung tần số ω và
biên độ A của dao động đều là hàm của vectơ sóng q . Trong trường hợp ba chiều,
r m là vectơ có hình chiếu lên ba phương của không gia là rmβ ( β = 1, 2, 3 ứng với
x, y, z). Nghiệm của hệ phương trình (2-10) được tìm dưới dạng sóng là tổng hợp
các sóng có ω khác nhau và A khác nhau:
r r i [qrRr ( qr )t ]
∑ β )A(q )e
(
1 m −ω
rmβ = e q (2-36)
NM qr
r
với e β (q ) là các hệ số thực. Tổng lấy theo các giá trị của q trong vùng
Briloanh thứ nhất. Ta giả thiết mạng tinh thể đơn giản, trong mỗi ô sơ cấp có một
nguyên tử. Tinh thể có N 1 , N 2 , N 3 nguyên tử lần lượt theo các phương x, y, z. Ta
áp dụng điều kiện biên tuần hoàn cho cả ba phương, thì các giá trị hình chiếu của
q lên các phương cũng trở nên gián đoạn. tinh thể N = N 1 .N 2 .N 3 nguyên tử, thì
trong vùng Briloanh thứ nhất có N giá trị của vectơ sóng q . Như ta đã biết ở
8π 3
chương 1, thể tích vùng Briloanh (cũng là thể tích ô sơ cấp của mạng đảo) là
v
với v là thể tích ô sơ cấp của mạng thuận. Nếu tinh thể có thể tích V, và chứa N ô
 V 8π 3
sơ cấp thì thể tích một ô sơ cấp là v = . Do đó thể tích vùng Briloanh là .N và
N V
8π 3
ứng với mỗi vectơ sóng là một ô nhỏ có thể tích là của vùng Briloanh. Các
V
r
vectơ q có gốc ở tâm vùng Briloanh và có ngọn ở một trong các ô này. Như vậy
V r
trong một đơn vị thể tích của không gian đảo, có giá trị của vectơ q ở
8π 3
1
(2-36) là hệ số chuẩn hóa, với M là khối lượng của một nguyên tử. Thay rmβ
NM
theo
(2-36) và (2-10), ta có:
2 r r r i [qrRr m −ω( qr ) t ]
M ∑ ω ( q )e β ( q )A( q )e =
r
q

( )
r r
= ∑∑ U αβ R n − R m .∑ e α (q )A(q )e i [qR n −ω( q ) t ]
N 3
r r rr r

r
n =1 α =1 q

sau khi rút gọn, ta thu được:

⎡ 2 r r N 3 r r r 1qr ( Rr n −Rr m ) ⎤ r −iω( qr ) t
∑r ⎢ Mω ( q ) e β ( q ) − ∑∑ αβ n m α ).e
U ( R − R ).e ( q ⎥.A(q)e =0 (2-37)
q ⎣ n =1 α =1 ⎦
r r
Đây là các phương trình để tìm A(q ) . Vì A(q )e − iqω(q )t khác không, nên hệ
r

phương trình được thoả mãn nếu:

r r N 3 r r r r r r
∑r Mω2 (q)e β (q) = ∑ ∑ U αβ (R n − R m ).e α (q).e1q ( R −R n m)
(2-38)
q n =1 α =1

Phương trình này liên hệ nút mạng thứ m đang xét với tất cả các nút mạng
r r
khác thông qua khoảng cách R n − R m . Ta hãy đặt:
r r r
h = Rn − Rm (2-39)

và
r 1 r r
G αβ (q) = ∑ U αβ ( h)e iqh (2-40)
M h
thì sẽ có :
r r 3
r r
− ω2 (q)e β (q) + ∑ G αβ (q )e α (q) = 0 (2-41)
α =1

r
(2-41) là phương trình tìm e αβ (q) với β = 1, 2, 3. Muốn có nghiệm không tầm
thường thì định thức của các hệ số phải bằng không:
 r r r r
− ω2 ( q ) + G xx (q ) G yx (q ) G zx (q )
r r r r
G xy ( q ) − ω2 (q ) + G yy (q ) G zy (q ) =0 (2-42)
r r 2 r r
G xz (q ) G yz ( q ) − ω (q ) + G zz (q )

r
Định thức này là phương trình bậc 3 đối với ω2 (q) nên nói chung có 3 nghiệm
r r r r
: ω12 (q) ; ω22 (q) ; ω32 (q) , ứng với các tần số ω = ωs ( q ) , s = 1,2,3 (chỉ lấy nghiệm ω
dương).
r r
Vậy có 3 nghiệm ω(q) . Chúng ứng với 3 nhánh trong phổ của ω(q) . Muốn xác
r r r
định được các ω(q) , ta phải biết các ma trận G αβ (q) tức là biết U αβ ( h ) . Khi biết
r r
được ωs ( q ) , thay các giá trị của nó vào (2-41), ta tìm được các hình chiếu e β(s ) (q )
r r r r r
của vectơ e (s) (q) . Vì có 3 nghiệm ωs (q ) (s=1, 2, 3), nên cũng có 3 vectơ e (s) (q) .
r r
Ta hãy xét một số tính chất của e (s) (q) . Các hình chiếu của chúng là nghiệm
r
của phương trình (2-41) nên cũng là hàm riêng của ma trận G αβ (q) . Ma trận
r
G αβ (q) là ma trận tự liên hợp. Thật vậy theo (2-9),
r r r r
U αβ ( R n − R m ) = U βα ( R m − R n ) (2-43)
r r
nên U αβ ( h ) = U βα ( h ) (2-44)
r
Từ (2-40) và (2-44) ta suy ra G αβ (q) là tự liên hợp

Thật vậy:
1 r −iqhr r
G *βα = ∑
M hr
U αβ ( − h ).e = G αβ ( q ) (2-45)

Ta biết hàm riêng của các ma trận tự liên hợp ứng với các trị riêng khác nhau
r r
thì trực giao nhau. Ở đây ωs ( q ) chính là các trị riêng. Do đó các nghiệm e (1) (q) ,
r r r r
e ( 2 ) (q) , e (3) (q) của (2-41) trực giao nhau. Ta có thể chuẩn hoá các vectơ e (s) (q)
sao cho bình phương của vectơ bằng đơn vị. Điều kiện trực giao là:
r r
∑ e (αs) (q).e (αs1) (q) = δ ss1 (2-46)
α
 Hình 2-8
r r
Các vectơ e (s) (q) xác định sự phân cực của sóng. Mỗi vectơ đó cho biết ứng
r r
với giá trị vectơ sóng q , và ứng với tần số ωs ( q ) thì nguyên tử dao động theo
r
phương nào. Với các phương q tuỳ ý, nói chung sự phân cực là phức tạp. Tuy
nhiên trong một số trường hợp, có thể phân biệt được trong dao động của tinh thể
r r
một vectơ phân cực (chẳng hạn e (1) (q) ) dọc theo vectơ sóng q và hai vectơ còn
r r r
lại ( e ( 2 ) (q) và e (3) (q) ) vuông góc với nhau và vuông góc với vectơ q (h.2.8). Điều
r
này xảy ra khi vectơ q hướng theo các phương đối xứng của tinh thể, hoặc ở giới
hạn sóng dài (ứng với các giá trị q nhỏ), khi tinh thể có thể coi như môi trường
đẳng hướng. Trong trường hợp này, có một sóng dọcvà hai sóng ngang. Nói chung
r
với phương q bất kỳ, không có sóng thuần dọc hoặc thuần tuý ngang.

Các yếu tố ma trận G αβ (0) bằng không. Thật vậy, theo (2-40)

1 r
G αβ (0) = ∑
M hr
U αβ ( h )

Từ (2-8) ta thấy, nếu mọi nguyên tử đều dịch đi một khoảng b như nhau theo
cùng một phương, chẳng hạn phương α thì mọi rnα = b , và lực Fmβ là :
n r r
Fmβ = −∑ U αβ (R n − R m ).b (2-47)
n =1

Nhưng như vậy, có nghĩa là toàn bộ tinh thể đều dịch đi một đoạn bằng b theo
phương α, và do đó không có lực tác dụng lên nguyên tử thứ m. Vì vậy từ (2-47) ta
có :
N r r
b ∑ U αβ (R n − R m ) = 0
n =1

hay
N r r r
∑ αβ n m ∑r αβ ) = 0
U ( R − R ) = U ( h
n =1 h
 Từ đó G αβ = 0 (2-48)
r
Như vậy, theo (2-41) và (2-48), ωs ( q ) tiến đến không thì q → 0. Đó là đặc
r
trưng của các sóng âm truyền trong môi trường đàn hồi đẳng hướng. Vì vậy ωs ( q )
r
ứng với 3 nhánh âm học trong phổ ω(q) .(h.2.9). Theo các phương đối xứng, ta có
một nhánh âm ứng với sóng dọc và hai nhánh âm ứng với sóng ngang. trong
trường hợp chung, không phân biệt được nhánh nào ứng với sóng dọc, nhánh nào
ứng với sóng ngang, nhưng vẫn có 3 nhánh âm học.

Hình 2.9
Trong trường hợp ba chiều có bao nhiêu trạng thái trong vùng Briloanh thứ
nhât?
r
Trong vùng Briloanh thứ nhất có N giá trị của vectơ q . Vì có 3 phương phân
r r
cực ứng với e (s) (q) (với q.s = 1, 2, 3) nên có tất cả 3N trạng thái. Số trạng thái ứng
với số bậc tự do của các nguyên tử trong tinh thể (N nguyên tử 3N bậc tự do).
Vì có tất cả 3 phương phân cực, nên nghiệm (2-36) được viết dưới dạng có
chứa chỉ số s :
1 (s) r
3
r i [qr Rr m −ωs ( qr ) t ]
rmβ =
NM
∑∑ β
r
e ( q ) A s ( q )e (2-49)
q s =1

Nếu ô sơ cấp chứa p nguyên tử thì dao động của nguyên tử thứ j ở ô thứ m,
theo phương β được viết dưới dạng:
1 3p
r r i [qrRr m −ωs ( qr ) t ]
rjmβ =
NM j
∑∑ e (q)A js (q)e
r
(s)
jβ (2-50)
q s =1

Mj là khối lượng của nguyên tử thứ j, N là số ô sơ cấp trong tinh thể còn s lấy
giá trị từ 1 đến 3p. Lý luận tương tự như ở trên, thay cho (2-42), ta có phương
trình.
r ij ' r
ω2 ( q )δ ij' δ αβ − G αβ (q) = 0 (2-51)
 Biểu thức trong dấu định thức là công thức tổng quát cho các số hạng của
định thức. Định thức này có 3p hàng, 3p cột (2-51) chính là phương trình bậc 3p
đối với ω 2 . Nó có 3p nghiệm ω dương:
r
ω = ωs (q ) ; s = 1, 2, 3,…,3p (2-52)

Kết quả tính toán của mạng dao động ba chiều như thế nào?
r r
Trong số các nghiệm này, có 3 nghiệm ứng với ω(q) → 0 khi q → 0 . Chúng
ứng với các dao động âm học. Còn 3(p-1) tần số còn lại ứng với các dao động
r
quang học, có tần số không tiến tới không khi q → 0 . Phổ dao động của tinh thể
gồm 3 nhánh âm học và 3(p-1) nhánh quang học.
Toạ độ chuẩn
Nghiệm của phương trình dao động có thể biểu diễn dưới dạng khác nếu ta
đặt :
r r r
B s (q ) = A ¸ (q )e iωs ( q ) t (2-53)

Khi đó (2-49) trở thành:

1 r 3
r iqr Rr m
rmβ =
NM
∑∑ e (q)B s (q)e
r
(s)
β (2-54)
q s =1

và
1 (s) r &
3
r iqr Rr m
r&mβ =
NM
∑∑ β
e
r
( q ) B s ( q )e (2-55)
q s =1

Sử dụng nghiệm dưới dạng này, ta hãy tính năng lượng dao động mạng theo
(2-1), (2-2) và (2-7). Trước hết tính động năng của các nguyên tử. Theo (2-2):
r r r
( s ) r ( s1 ) r & r r
3
1 1 3 3 3
K= M ∑∑ (r&nβ )2 = ∑∑∑∑ ∑ β e ( q ) e β ( q ) B s ( q ) B s ( q ) ∑ e i( q + q1 )R n
(2-56)
2 n β =1 2 N β =1 qr qr 1 s =1 s1 =1 n

rr r
Ta hãy tính tổng cuối cùng. Nó có dạng ∑ e iqR n
, với R n là vectơ vị trí của nút
j

mạng thứ n. Nếu ta áp dụng điều kiện biên tuần hoàn cho cả ba chiều của tinh thể,
r
thì trạng thái dao động của nguyên tử ở nút có vectơ vị trí R n cũng giống như trạng
r r r r r r
thái dao động của nguyên tử ở nút R n + N 1 a 1 , ở nút R n + N 2 a 2 và ở nút R n + N 3 a 3 .
r
Thay các giá trị này của R n vào biểu thức của dao động 92-54) ta thấy điều
kiện biên tuần hoàn dẫn đến:
r r r r r r
e iqN1a1 = e iqN 2a 2 = e iqN3a3 = 1
Dựa vào các tính chất của vectơ mạng đảo, ta thấy các đẳng thức này được
thoả mãn nếu:
 r 2 πk 1 r 2 πk 2 r 2 πk 3 r
q= b1 + b2 + b3 (3-57)
N1 N2 N3

với k1, k2, k3 là các số nguyên. Thay (2-57) và

r r r r
R n = n 1a 1 + n 2 a 2 + n 3 a 3 (2-58)

vào, ta có:
⎛ k1 k2 k3 ⎞
rr 2 iπ ⎜⎜ n1 + n2 + n3 ⎟
1 1 N 3 ⎟⎠
∑ = ∑ ⎝ N1 N2
e iq R n
e (2-59)
N n N n1 , n 2 , n 3

Trong đó ni lấy các giá trị 0, 1, 2, …, Ni-1 (i = 1,2,3)

Nếu ki ≠ 0, sử dụng công thức cấp số nhân, ta có:
N i −1 i 2 πk i n i
1 − e i 2 πk i
∑e Ni
=
i
2 πk i
=0 (2-60)
n i =1
1− e Ni

r r r
Vì e i 2 πk i
= 1 . Do đó, vế phải của (2-59) chỉ khác không khi q = 0 hay = G , và
q
khi đó tổng (2-59) bằng 1. Vậy:
r r r
1 rr ⎧⎪1 khi q = 0, q = G
∑ e = ⎨⎪
i qR n
r r r (2-61)
N n ⎩0 khi q ≠ 0, q ≠ G
r r
Trong công thức (2-56) ở tổng theo n, q + q 1 cũng là vectơ sóng, do đó theo
r r r r r
(2-61), tổng này chỉ khác không khi q 1 = − q hay q 1 = − q + G các vectơ sóng khác
nhau một vectơ mạng đảo là tương đương nhau. Do đó ta chỉ cần giới hạn ở
r r
trường hợp q 1 = − q . (2-56) trở thành:

1 3 3 3
r r r r
K = ∑∑∑∑ B& s (q)B& s1 (− q)eβ(s ) (q)eβ(s1 ) (−q) (2-62)
r
2 β =1 q s=1 s1
r
Vectơ r m biểu diễn độ lệch của nguyên tử khỏi vị trí cân bằng, nên nó là thực
và do đó:

rm* β = rmβ

( rm* β là đại lượng liên hợp phức của rmβ ). Áp dụng vào (2-54), ta có :
rr r iqr Rr m
(s) r * r − iq R m (s) r
3 3
∑∑ β
r
e ( q ).B s ( q ) e = ∑∑ β
e ( q ).B s ( q
r
)e (2-63)
q s =1 q s =1

r r r r
Chú ý rằng e β(s ) (q ) là đại lượng thực, nên e β*( s ) (q ) = e β(s ) (q ) . q lấy các giá trị
r r
trong vùng Briloanh thứ nhất, tức là ứng với mỗi giá trị q thì có một giá trị − q trong
 r r
tổng. Vì vậy, ở vế phải của (2-63), có thể thay tất cả các vectơ q bằng − q . Muốn
cho đẳng thức (2-63) được thỏa mãn, thì:
r r
eβ( s ) ( − q ) = eβ(s ) (q ) (2-64)
r r
B *s (−q) = B s (q) (2-65)

Để ý đến (2-46), ta thu được biểu thức cho động năng như sau:
1 3
r r
K = ∑∑ B& s (q )B& *s (q ) (2-66)
r
2 q s=1

Theo (2-7), (2-9) và (2-53), thế năng các nguyên tử trong tinh thể là :
1 3 3 3 3
r r
U= ∑∑∑∑∑ ∑
2 NM α =1 β=1 qr qr 1 s=1 s1 =1
e(αs ) (q )eβ(s1 ) (q ) ×
(2-67)
( )
r r r r i (qR n + q1R m )
rr r r
× B s ( q )B s1 (q1 )∑∑ U αβ R n − R m e
n m
r r r
Đặt h = R n − R m , ta viết tổng cuối cùng của (2-67) thành :

( )
r r i (qR n − q1R m )
rr r r r iqrhr r r r
iR m ( q + q1 )
∑∑ αβ n m
U R − R e = ∑r αβ
U ( h ) e ∑ e (2-68)
n m h m

Do đó:
1 3 3 3
r r r 3 (s) r r
U= ∑∑∑ ∑ e (s)
β (− q )B s (q )B s (− q )∑ eα (q )G αβ (q ) (2-69)
2 β=1 qr s=1 s1 =1 1
α =1

r r
Tổng cuối cùng, theo (2-41), bằng ωs2 (q )eβ(s ) (q ) . Do đó:
3 3
r r 2 r 3 (s ) r (s1 ) r
U = ∑∑ ∑ B s (q )B s1 (− q )ωs (q )∑ eβ (q )eβ (q )
1
(2-70)
2 qr s=1 s1 =1 β=1

Sử dụng điều kiện trực giao (2-46), ta thu được biểu thức cho thế năng như
sau:
3
r r r
ωs2 (q )B s (q )B *s (q )
1
U= ∑∑
2 qr s=1
(2-71)

Năng lượng dao động của các nguyên tử trong tinh thể, bao gồm động năng
theo (2-66) và thế năng theo (2-71) là:

[ r r r r r
]
3
B& s (q )B& *s (q ) + ωs2 (q )B s (q )B *s (q )
1
E=K+U = ∑∑
r
2 q s=1
(2-72)

Hay
3
r
E = ∑∑ E s (q ) (2-73)
r
q s =1
 r 1 r 2 r r 2
E s (q ) = ⎡ B& s (q ) + ωs2 (q ) B s (q ) ⎤ (2-74)
2 ⎢⎣ ⎥⎦

Năng lượng dao động của tinh thể không biểu thị qua độ lệch rmβ của từng
r
nguyên tử mà qua các đại lượng B s (q ) là các toạ độ chuẩn (1). Ta có thể coi như (2-
r
54) là biểu thức chuyển từ tọa độ thường rmβ sang tọa độ chuẩn B s (q ) . Mỗi tọa độ
r
chuẩn B s (q ) là một nghiệm của phương trình chuyển động của dao động tử điều
hòa. Thật vậy, lấy đạo hàm hạng hai của (2-52) theo thời gian ta được:
&& (qr ) = −ω2 (qr )B (qr )
B (2-75)
s s s

r
Đó là phương trình chuyển động của dao động tử điều hòa. B s (q ) mô tả dao
r r
động của một dao động tử có tần số ωs (q ) và năng lượng E s (q ) .

Như vậy, ta có thể quan niệm năng lượng dao động của tinh thể theo hai
cách: như là tổng năng lượng dao động của các nguyên tử trong tinh thể, các
nguyên tử này có tương tác với nhau, còn năng lượng thì phụ thuộc các tọa độ rmβ
và đạo hàm của chúng r&mβ , hoặc như là tổng năng lượng của các dao động tử điều
r
hòa độc lập nhau, và năng lượng phụ thuộc vào các tọa độ chuẩn B s (q ) và đạo
r
hàm của chúng B& s (q ) .

Tóm tắt một số nội dung cần lưu ý:

Phổ dao động của tinh thể ba chiều gồm 3 nhánh âm học và 3(p-1) nhánh
quang học, trong đó p só nguyên tử trong một ô sơ cấp. Trong vùng Briloanh có 3N
trạng thái ứng với N giá trị của vectơ sóng q

2. LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ DAO ĐỘNG MẠNG

I. Mục đích
Bài học đưa ra một cách tiếp cận lượng tử về dao động mạng
II. Yêu cầu
Người học cần nắm được
1. Năng lựơng của hệ dao động tính theo quan điểm của cơ học lượng tử.
2. Thế nào là phônôn
Lưu ý
Trước khi học bài này người học cần xem lại các kiến thức về dao động tử
điều hòa
Mục 3 bài 1 “Lý thuyết cổ điển về dao động mạng” tìm hiều về cách chuẩn hóa
năng lượng của dao động mạng ba chiều.
III. Nội dung
1. Lượng tử hóa dao động mạng (1 tiết)
2. Phônôn (1 tiết)

1. Lượng tử hóa dao động mạng (1 tiết)

Trong cơ học cổ điển, phương trình chuyển động của dao động tử điều hòa là:
m&x& = − kx (2-76)
k
hoặc nếu ta đặt = ω2 , thì phương trình trở thành:
m

&x& + ω2 x = 0 (2-77)
Năng lượng toàn phần của dao động tử là tổng của động năng và thế năng :

mx 2 kx 2
E =K+U = + (2-78)
2 2
Ta có thể biểu diễn nó qua tọa độ x và xung lượng p, và được hàm Hamintơn
của dao động tử:

p 2 mω2 2
H= + x (2-79)
2m 2
Trong cơ học lượng tử, việc xét chuyển động của dao động tử được thực hiện
bằng cách chuyển các biến số tọa độ và xung lượng thành các toán tử tương ứng
x̂ và p̂ , khi đó toán tử năng lượng toàn phần hay toán tử Hamintơn của dao động
tử điều hòa (lượng tử) là :

ˆ pˆ 2 mω 2 2
H= + xˆ (2-80)
2m 2
Giải phương trình Srôđingơ ứng với toán tử Hamintơn này, ta tìm được biểu
thức cho năng lượng của dao động tử:

⎛ 1⎞
E n = hω ⎜ n + ⎟ (2-81)
⎝ 2⎠

Tại sao có thể lựong tử hóa được dao động trong mạng tinh thể?
Trong đó n = 0, 1, 2, 3… Lưu ý rằng theo cơ học lượng tử, giá trị nhỏ nhất của
1
năng lượng dao động tử là hω , ứng với n = 0 và được gọi là năng lượng dao
2
động bậc không. Ở mục trên đã nói rằng có thể biểu diễn năng lượng dao động
r
của các nguyên tử trong tinh thể thông qua các tọa độ chuẩn B s (q ) . Tọa độ chuẩn
r r
B s (q ) mô tả dao động của dao động tử điều hòa với tần số ωs (q ) , và là nghiệm của
phương trình (2-75). So sánh (2-75) với (2-77), ta thấy có thể xét bài toán với tọa
độ chuẩn theo quan niệm cơ học lượng tử như đã làm với tọa độ x. Ta thu được
năng lượng của mỗi dao động tử điều hòa lượng tử là:
r r⎛ 1⎞
E s (q ) = hωs (q )⎜ n qrs + ⎟ (2-82)
⎝ 2⎠

với n qrs = 0,1,2,3,…

Năng lượng của cả tinh thể là tổng năng lượng của các dao động tử điều hòa,
được xác định bởi:
r
E = ∑∑ E s (q ) (2-83)
r r
q s

Câu hỏi ôn tập:

1. Năng lượng của một dao động tử điều hòa được tính như thế nào?
2. Tại sao có thể lượng tử hóa được dao động của mạng tinh thể?
3. Biểu thức năng lượng của mỗi dao động từ điều hòa trong tinh thể?

2. Phônôn (1 tiết)
Tại sao phải sử dụng phương pháp chuẩn hạt để nghiên cứu các tính chất
của tính thể?
Việc nghiên cứu các tính chất của tinh thể gặp khó khăn vì phải xác định
chuyển động của rất nhiều hạt (nguyên tử, phân tử) tương tác với nhau. Vì vậy cần
thiết phải áp dụng các phương pháp gần đúng. Một trong các phương pháp đó là
phương pháp chuẩn hạt.
Phương pháp chuẩn hạt là như thế nào?
Theo phương pháp này, ta coi trạng thái kích thích của tinh thể như là trạng
thái của một khối khí lý tưởng gồm các kích thích sơ cấp không tương tác nhau.
Các kích thích đó mô tả chuyển động tập thể của các nguyên tử chứ không phải là
chuyển động của từng nguyên tử riêng lẻ. Các kích thích sơ cấp chuyển động
trong thể tích của tinh thể như là các chuẩn hạt có năng lượng và xung lượng xác
định. Năng lượng của trạng thái kích thích của vật rắn là tổng năng lượng của các
chuẩn hạt.
r
E = ∑ ε(p ).n pr (2-84)
r
p

r r
với n pr là số chuẩn hạt có xung lượng p và năng lượng ε(p ) .

Các tính chất của chuẩn hạt

 Khác với các hạt thông thường, chuẩn hạt không tồn tại ngoài các vật thể. Sự
tồn tại của chúng có quan hệ chặt chẽ với một cấu trúc xác định của vật thể vĩ mô.
Khi cấu trúc đó bị mất đi (chẳng hạn như khi có chuyển pha), thì chuẩn hạt tương
ứng cũng mất đi.
Ta hãy nêu một số tính chất của chuẩn hạt trong vật thể. Năng lượng của khí
chuẩn hạt được xác định bởi:

E = ∫ εf (ε, T )Z(ε )dε (2-85)

trong đó f (ε, T ) là hàm phân bố, cho ta biết số lượng trung bình của các chuẩn

Z (ε ) là mật độ trạng thái. Đại

1
hạt ở trạng thái có năng lương ε và nhiệt độ T,
V
lượng Z (ε )dε xác định số trạng thái trong hệ ở khoảng năng lượng từ ε đến ε + dε.

Vận tốc của chuẩn hạt là:

r r
v = gradpr ε(p ) (2-86)

- Mật độ dòng chuẩn hạt là :

r r
j = ∑ n pr grad pr ε(p ) (2-87)
r
p

xung lượng toàn phần của khí chuẩn hạt là :

r
P = ∑ n pr (2-88)
r
p

Chuẩn hạt cũng mang theo năng lượng. Mật độ dòng năng lượng mà các
chuẩn hạt chuyển tải được xác định bởi:
r r r r
U = ∑ n pr ε(p )gradpε(p ) (2-89)
r
p

Giả thiết rằng chuẩn hạt không tương tác với nhau chỉ là gần đúng. Ở các
phép gần đúng bậc cao hơn, có thể có tương tác giữa các chuẩn hạt, nghĩa là khí
chuẩn hạt không còn là khí lý tưởng nữa. Khi đó trạng thái của chuẩn hạt chỉ là
chuẩn dừng. Nếu thời gian sống của chuẩn hạt là ℑ thì độ bất định về năng lượng
của chuẩn hạt:
h
ΔE ≥ (2-90)
ℑ
Vì vậy ta chỉ có thể mô tả trạng thái kích thích của vật thể bằng các chuẩn hạt
nếu điều kiện sau đây được thỏa mãn:
r h
εs (p ) ≥ (2-91)
ℑ
Trong trường hợp nào có thể coi các trạng thái của tinh thể như là tập hợp
các chuẩn hạt ?
 Để ý đến (2-82), (2-83), (2-84), ta thấy rằng trong phép gần đúng điều hòa, có
thể coi trang thái kích thích yếu của tinh thể như là tập hợp các chuẩn hạt, mỗi
chuẩn hạt có năng lượng.
r
ε s = hωs (q ) (2-92)

và chuẩn xung lượng :

r r
p = ihq (2-93)

Chuẩn hạt được xác định bởi (2-92) và (2-93) gọi là phônôn. Theo (2-82) số
phônôn có năng lượng (2-92) có thể là tùy ý.

Hình 2-10
Hàm phân bố mô tả trạng thái của khí phônôn?
r
Với q và s xác định, các mức năng lượng, theo (2-82) là cách đều nhau và
r
khoảng cách giữa chúng là hωs (q ) (h.2.10). Ở trạng thái cân bằng nhiệt số phônôn
r
trung bình có năng lượng hωs (q ) được xác định bởi biểu thức phân bố Plăng
(Planck):
1
n qr s = r
hωÐ ( q )
(2-94)
e kBT
−1
Từ đó, ta thấy rằng khí phônôn ở trạng thái cân bằng nhiệt được mô tả bằng
hàm phân bố Bôdơ - Anhstanh (Bose – Einstein) với thế hóa học bằng không.
Khi các phônôn tương tác với nhau, định luật bảo toàn năng lượng được thỏa
mãn. Còn định luật bảo toàn xung lượng được thỏa mãn sai kém vectơ mạng đảo
r
G (theo (2-61)). Chẳng hạn có sự va chạm của hai phônôn có chuẩn xunglượng
r r r
hq1 và hq 2 để tạo thành một phônôn có chuẩn xung lượng hq (hoặc quá trình
r
ngược lại, một phônôn có chuẩn xung lượng hq tách thành hai phônôn có chuẩn
r r
xung lượng hq1 và hq 2 ), thì định luật bảo toàn năng lượng có dạng :
r r r
ωs1 (q1 ) + ωs2 (q 2 ) = ωs (q ) (2-95)
 Với chuẩn xung lượng, ta có đẳng thức:
r r r r
hq 1 + h q 2 = h q + h G (2-96)
r
Khi G = 0 , (2-96) trở thành:
r r r
hq 1 + hq 2 = hq (2-97)

hay
r r r
q1 + q 2 = q

nghĩa là tổng xung lượng hay tổng vectơ sóng được bảo toàn. Quá trình va
chạm trong đó đẳng thức (2-97) được thỏa mãn (xem hình 2.11a) gọi là quá trình
bình thường (quá trình N). Tương tác, trong đó tổng của vectơ sóng thay đổi đi một
r
lượng G gọi là quá trình “bật ngược” hay quá trình U). Đó là vì, trong qua trình (2-
r r r
96). Vectơ q 1 + q 2 này hoàn toàn tương đương với trạng thái ứng với vectơ q sai
r
khác với nó một vectơ mạng đảo G (h.211b).
r r
Trên hình vẽ, ta thấy hai vectơ q 1 và q 2 hướng theo chiều của trục x nhưng
r
vectơ q lại hướng theo chiều âm.

Hình 2-11
Quy luật tán sắc của phônôn được xác định bởi sự phụ thuộc của tần số góc
r
ωs vào vectơ sóng q . Quy luật tán sắc của phônôn có thể được xác định bằng
thực nghiệm nhờ quá trình tán xạ không đàn hồi của các hạt có kèm theo sự phát
( )
r
xạ hoặc hấp thụ phônôn. Nếu hạt có năng lượng ban đầu ε k a năng lượng cuối
( )
r r r
cùng ε k b với k a , k b là vectơ sóng của hạt lúc đầu và lúc cuối, thì theo định luật
bảo toàn năng lượng:

( ) ( )
r r r
ε k b = ε k a ± hωs (q ) (2-98)
r
với hωs (q ) là năng lượng của phônôn.
 r r
Xung lượng ban đầu của hạt là hk a , lúc cuối là hk b còn xung lượng của
r
phônôn là hq , thì:
r r r r
hk b = hk a ± hq ± hG (2-99)

Từ đó rút ra:

( ) [ ( ) ( )]
r r r r r
hωs k b − k a − G = ± ε k b − ε k a (2-100)
r
Vì ωs là hàm tuần hoàn của q , với chu kỳ là vectơ mạng đảo, nên
( ) ()
r r r
ωs k − G = ωs k . Từ (2-100), ta có:
r
(
r
) [ ( ) ( )]
1 r r
ωs k b − k a = ± ε k b − ε k a
h
(2-101)

( ) ( )
r r
Qua thực nghiệm ta đo được biến thiên năng lượng của hạt ε k b − ε k a và
( )
r r
biến thiên xung lượng: h k b − k a . Từ đó có thể tìm được quy luật tán sắc của
phônôn.

Hình 2-12
Phương pháp này có hiệu quả nhất để xác định quy luật tán sắc của phônôn
là nghiên cứu sự tán xạ không đàn hồi của các nơtrôn chậm. Với mục đích nghiên
cứu này, các hạt khác hoặc là có năng lượng hoặc là xung lượng không cùng cỡ
độ lớn với các đại lượng tương ứng của phônôn, nên không được sử dụng. Còn
g.cm
nơtrôn thì có nưng lượng cỡ 10-3 – 10-1e và xung lượng khoảng 10-19 – 10-18 ,
s
g.cm 2π
tức là so sánh được với xung lượng phônôn và cỡ hq − 10 −19 ,ở q= . Chính
s a
vì vậy mà bằng phương pháp tán xạ nơtrôn chậm, ta thu được các đường cong
thực nghiệm chính xác nhất của quy luật tán sắc của phônôn…Trên hình 2.12 là
các đường cong tán sắc của kim cương thu được bằng thực nghiệm (theo [2]). Chú
ý là có các nhánh quang học và nhánh âm học, đó là đặc trưng cho các tinh thể có
hai nguyên tử trong một ô sơ cấp.
 LA là ký hiệu của dao động âm dọc, LO: quang dọc, TA: âm ngang, TO:
quang ngang. Ở đây, ta xét theo các phương có tính đối xứng cao [111] và [100],
nên các nhánh dao động ngang có phân cực khác nhau thì trùng nhau. Mỗi nhánh
ngang TA và TO ứng với hai phương phân cực của sóng. Ô sơ cấp của tinh thể
kim cương có chứa p = 2 nguyên tử cacbon, cho nên có ba nhánh âm: một nhánh
âm dọc LA và hai nhánh âm ngang TA và 3(p-1) = 3 nhánh quang: một nhánh
quang dọc LO và hai nhánh quang ngang TO.
Các nội dung cần lưu ý:
Việc nghiên cứu các tính chất của tinh thể gặp khó khăn vì phải xác định
chuyển động của rất nhiều hạt (nguyên tử, phân tử) tương tác với nhau. Vì vậy cần
thiết phải áp dụng các phương pháp gần đúng
Khác với các hạt thông thường, chuẩn hạt không tồn tại ngoài các vật thể. Sự
tồn tại của chúng có quan hệ chặt chẽ với một cấu trúc xác định của vật thể vĩ mô.
Khi cấu trúc đó bị mất đi (chẳng hạn như khi có chuyển pha), thì chuẩn hạt tương
ứng cũng mất đi.
Năng lượng của khí chuẩn hạt được xác định bởi:

E = ∫ εf (ε, T )Z(ε )dε (2-85)

Quy luật tán sắc của phônôn được xác định bởi sự phụ thuộc của tần số góc
r
ωs vào vectơ sóng q . Quy luật tán sắc của phônôn có thể được xác định bằng
thực nghiệm nhờ quá trình tán xạ không đàn hồi của các hạt có kèm theo sự phát
xạ hoặc hấp thụ phônôn.
Đối với chuẩn hạt có thể áp dụng được các định luật bảo toàn năng lượng và
xung lượng.
Câu hỏi:
1. Phương pháp chuẩn hạt là như thế nào? Các tính chất của chẩn hạt?
2. Khí phonon tuân theo hàm phân bố nào?
3. Với điều kiện nào có thể coi dao động của mạng tinh thể là tập hợp các
chuẩn hạt?
 3. NHIỆT DUNG RIÊNG CỦA VẬT RẮN
I. Mục đích
Sử dụng các lý thuyết lượng tử về dao động mạng để tính toán nhiệt dung
riêng của vật rắn.
II. Yêu cầu
Từ việc xem xét sự không phù hợp khi tính nhiệt dung của vật rắn bằng lý
thuyết cổ điển dẫn đến phải tính toán lại trên cơ sở cơ học lượng tử, người học
phải hiểu được ý nghĩa và giới hạn của hi mô hình tính nhiệt dung riêng do
Anhstanh và Đơbai đề xướng.
Để tính toán nhiệt dung riêng của vật rắn Anhstanh và Đơbai đã sử dụng lý
thuyết chuẩn hóa dao động mạng trong mục 2 bài 2 người học cần phải học mục
này trước.
III. Nội dung
Bài học sẽ được học trong 4 tiết bao gồm các nội dung:
1. Định luật Duylông- Pơti
2. Mô hình lý thyết của Anhstanh
3. Mô hình lý thuyết của Đơbai

1. Định luật Duylông- Pơti (1tiết)

Theo lý thuyết cổ điển về nhiệt dung của vật rắn, người ta quan niệm tinh thể
là hệ gồm các nguyên tử, mỗi nguyên tử có ba bậc tự do. Trong mạng tinh thể, các
nguyên tử nút mạng luôn dao động nhiệt. Tuy dao động các nguyên tử có ảnh
hưởng lẫn nhau, nhưng ở nhiệt độ đủ cao, liên kết giữa các nguyên tử không còn
ảnh hưởng nhiều lắm đến dao động của chúng và có thể coi như các nguyên tử
dao động độc lập nhau.
Theo nguyên lý phân bố đều năng lượng theo các bậc tự do, mỗi bậc tự do
của nguyên tử ứng với năng lượng trung bình của dao động, bao gồm động năng
và thế năng, là:
ε = kBT (2-102)

với kB là hằng số Bônxơman (Boltzman), và T là nhiệt độ tuyệt đối.

Vì vậy nội năng của tinh thể có N nguyên tử là:
E = 3NkBT (2-103)
Do đó, nhiệt dung của vật rắn (không cần phân biệt đẳng áp hay đẳng tích vì
cả áp suất và thể tích của vật rắn không thay đổi đáng kể) là:
 dE
C= = 3Nk B (2-104)
dT
Nếu xét với 1kmol vật rắn, trong đó có chứa số nguyên tử bằng số Avôgđrô
NA, thì nhiệt dung của nó xác định nhiệt dung của vật rắn là:
Theo lý thuyết cổ điển, nhiệt dung của vật rắn đựoc tính như thế nào?
C = 3 N A k B = 3R (2-105)

Với R là hằng số chất khí.

Đó là nội dung của định luật Đuylông-Pơti (Dulong-petit) được tìm ra bằng
thực nghiệm. Nó cho thấy ở nhiệt độ đủ cao, nhiệt dung riêng của vật rắn không
phụ thuộc nhiệt độ và như nhau với mọi chất.
Nhưng sai khác của lý thuyết cổ điển trong việc tính nhiệt dung của vật rắn
so với kết quả thực nghiệm?
Tuy nhiên, ở những nhiệt độ thấp những kết quả thực nghiệm không còn phù
hợp với định luật này nữa. Khi nhiệt độ giảm, nhiệt dung riêng cũng giảm và khi T
→ 0 thì nhiệt dung riêng cũng tiến đến không theo định luật Necxt (Netst)
Câu hỏi ôn tập:
1.Theo lý thuyết cổ điển nhiệt dung riêng của vật rắn được tính như thế nào?
2. Những sai khác của lý thuyết cổ điển là do đâu?

2. Mô hình ký thuyết của Anhstanh (1tiết)

Để tính nhiệt dung của vật rắn Anhstanh đã đặt ra giả thiếy gì?
Lí thuyết đầu tiên về nhiệt dung riêng của vật rắn dựa trên cơ sở cơ học
lượng tử, cho phép giải thích có kết quả sự giảm của nhiệt dung riêng theo nhiệt độ
được Anhxtanh nêu ra năm 1906. Anhxtanh giả thiết rằng trong vật rắn, các
nguyên tử dao động với cùng một tần số gọi là tần số Anhxtanh ωE . Năng lượng
trung bình ε của dao động tử tuyến tính có tần số ωE là nhω E , trong đó n là hàm
phân bố Plăng (2-94), và ε bằng :
hωE
ε= hω£
(2-106)
e kBT − 1
Năng lượng của tinh thể là tổng năng lượng của 3N dao động tử, do đó có giá
trị :
3NhωE
E = 3N.nhωE = hω£
(2-107)
e kBT − 1
Từ đó, tính được nhiệt dung riêng theo Anhxtanh:
 hω£

e kBT
= 3N A (hω E )
dE
C=
2
2
(2-108)
dT ⎛ hω £ ⎞
2 ⎜ kBT
kBT e − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Những thành công của mô hình lý thuyết của Anhstanh?
Từ (2-108), ta thấy nếu xét trường hợp giới hạn của nhiệt dung riêng ứng với
những nhiệt độ cao, thì ta thu được C = 3NAkB tức là giá trị phù hợp với định luật
thực nghiệm Đuylông-Pơti.
Hạn chế của mô hình lý thuyết của Anhstanh là gì? Nguyên nhân vì sao?
Ở những nhiệt độ thấp, biểu thức (2-108) cho thấy nhiệt dung giảm theo nhiệt
−hωE

độ. Tuy nhiên C ~ e kBT

, trong khi thực nghiệm cho thấy nhiệt dung giảm theo bậc
3
ba của nhiệt độ : C ~ T .
Mô hình của Anhxtanh có hạn chế chính vì giả thiết cho rằng trong tinh thể chỉ
có một tần số dao động duy nhất. Tuy nhiên điều quan trong nhất, mà Anhxtanh
muốn chứng minh và đã chứng minh thành cùng qua lý thuyết của mình, là các dao
động của dao động tử cơ học cũng phải được lượng tử hóa, giống như Plăng đã
lượng tử hóa các dao động tử bức xạ. Bằng cách sử dụng mô hình trong đó vật
rắn được coi như hệ các dao động tử, Anhxtanh đã giải thích được vì sao khi T →
0 nhiệt dung của vật rắn giảm đến không.
Lý thuyết Anhxtanh mô tả khá tốt tính chất của các phônôn có tần số ứng với
nhánh quang học, gọi là các phônôn quang, vì như đã thấy, ở nhánh quang, tần số
r
dao động phụ thuộc rất yếu vào vectơ sóng q và có thể coi gần đúng như không
đổi. Vì vậy thuyết Anhxtanh vẫn được dùng để tính toán cho các phônôn quang.
Sự sai khác của lý thuyết này so với thực nghiệm ở nhiệt độ thấp là tất nhiên,
vì rằng ở khu vực nhiệt độ này các phônôn âm đóng vai trò chủ yếu, mà trong lý
thuyết lại không kể đến chúng.
Câu hỏi ôn tập
1. Những sai khác của mô hình lý thuyết của Anhstanh so với thực nghiệm ?
2. Tại sao mô hình này lại không phù hợp với thực nghiệm?

3. Mô hình lý thuyết của Đơbai (2tiết)

Giả thiết xuất phát của Đơbai là gì?
Lý thuyết phù hợp cả với thực nghiệm cho nhiệt dung ở nhiệt độ thấp là lý
thuyết Đơbai (Debye). Theo Đơbai, ta chỉ xét các phônôn âm học, và qui luật tán
sắc của chúng được thay bằng đường thẳng:
 r
ωs (q ) = u s .q (2-108)

với us là vận tốc truyền sóng ứng với phân cực s. Các vận tốc us lại được thay
bằng u là vận tốc truyền âm trung bình trong tinh thể.
r
Năng lượng trung bình của dao động có tần số ωs (q ) là:
r
r r hωs (q )
ε s (q ) = hω (qr ) Ð
(2-109)
e kBT
−1
Vì vậy năng lượng trung bình của các dao động trong tinh thể là:
r
r hωs (q )
E = ∑∑ ε s (q ) = ∑ hω ( qr ) (2-110)
r r Ð
q s q ,s
e kBT
−1
Tinh thể có chứa N nguyên tử, thì trong vùng Briloanh thứ nhất có N giá trị
r r r
của vectơ q . Vì N rất lớn, nên ta có thể thay tổng theo q bằng tích phân theo q :

V r
∑K → 8π ∫ K dq
q
3
r
(2-111)
q

V r
trong đó là số giá trị khác nhau của vectơ q trong một đơn vị thể tích của
8π 3

không gian mạng đảo, hay còn gọi là mật độ trạng thái trong không gian đảo Z(q).
Vì vậy (2-110) trở thành:
qD π 2π
3V huq
E=
(2π)3 ∫ ∫ ∫
q = 0 θ= 0 ϕ= 0
huq
q 2 dq sin θdθdϕ (2-112)
e kBT
−1
r
trong đó dq = q 2 dq sin θdθdϕ . Hệ số 3 có mặt ở đây vì ta tính đến cả ba nhánh
âm. Tích phân theo ϕ cho kết quả 2π, tích phân theo θ cho 2. Giới hạn của tích
phân theo q là qD sẽ được nói đến sau. Ta viết lại (2-112) thành:
qD
3V huq 3 dq
E=
2π 2
∫ huq
(2-113)
0
e kBT
−1
hay tính theo ω, là:
Biểu thức năng lượng của hệ tính theo giả thiết của Đơbai.
ω0
3V h ω 3 dω
E= 3 3
2π u
∫ hω
(2-114)
0
e kBT
−1
Để tính các biểu thức này một cách dễ dàng, Đơbai đã giả thiết thay vùng
briloanh thứ nhất bằng một hình cầu có cung thể tích với nó ở trong không gian
r
đảo. Hình cầu này có bán kính qD. Ta đã biết ứng với mỗi giá trị của vectơ q là một
 8π 3
ô nhỏ trongkhông gian đảo có thể tích . Số ô này bằng số các giá trị của vectơ
V
r
q và cũng bằng số ô sơ cấp N trong tinh thể. Vì vậy, qD được xác định từ:

4 3 8π 3
πq D = N. (2-115)
3 V
N
và q 3D = 6 π 2 (2-116)
V
r
Ta cũng có thể chuyển một tổng theo q , s thành tích phân theo tần số ω,
r
giống như đã làm với vectơ q , như sau:

∑ K → ∫ Z (ω)dω (2-117)
r
q ,s ω

Trong gần đúng của Đơ bai mật độ trạng thái được tính như thế nào?
So sánh (2-117) với (2-114), ta thấy trong phép gần đúng của Đơbai sự phụ
thuộc của mật độ trạng thái Z theo ω có dạng bậc hai:

Z (ω) =
3V
ω2 (2-118)
2π u
2 3

Số trạng thái trong khoảng tần số ω từ 0 đến giá trị giới hạn ωD phải bằng số
bậc tự do của tinh thể, tức là 3N:
ωD
3V
∫ ω dω = 3 N
2

2π 2 u 3 0

Từ đó, ta có:
N
ω3D = 6 π 2 u 3 (2-119)
V
Trong phép gần đúng Đơbai, mật độ trạng thái ZD(ω) có dạng:

⎧ 9 Nω 2
⎪ víi ω ≤ ω D
Z D (ω) = ⎨ ω3D (2-120)
⎪0 víi ω > ωD
⎩

Đường biểu diễn ZD(ω) được vẽ trên hình 2.13.

 Hình 2-13
Tóm lại, trong lý thuyết Đơbai, năng lượng dao động toàn phần của tinh thể là:
ωD
ω 3 dω
xD
3Vh 3Vk 4B T 4 x3
E= 2 3
2π u
∫ hω
= 2 3 3
2π u h
∫ e x − 1 dx (2-121)
0 0
e kBT
−1
hω hω D θ
Trong đó ta đặt x ≡ và x D ≡ ≡ (2-122)
kBT kBT T

Nhiệt độ Đơbai là gì?

Công thức (2-122) cũng là công thức định nghĩa cho nhiệt độ Đơbai θ qua
tần số ωD. Ta cũng có thể viết biểu thức cho θ như sau:
1
hu ⎛ 6 π 2 N ⎞ 3
θ= ⎜ ⎟ (2-123)
k B ⎜⎝ V ⎟⎠

và viết lại (2-122) thành:

3 xD
⎛T⎞ x3
B = 9 Nk B T ⎜ ⎟
⎝θ⎠
∫ e x − 1 dx (2-124)
0

Trong đó N là số nguyên tử trong tinh thể.

Muốn xác định nhiệt dung của tinh thể, ta chỉ cần lấy đạo hàm của E(2-121)
theo nhiệt độ. ta sẽ có :
hω
ωD 3 xD
3Vh 2 ω4 e kBT
dω ⎛T⎞ x4ex
C= 2 2 ∫ = 9 Nk B ⎜ ⎟ ∫ dx (2-125)
2π u k B T 2 0 ⎛ hω k B T
⎜e
⎞
− 1⎟
2
⎝θ⎠ 0 (e x
)
−1
2

⎝ ⎠
T
Đồ thị của nhiệt dung vật rắn theo tỷ số được trình bày trên hình 2.14. Từ
θ
đó cũng thấy được là với T >> θ, nhiệt dung riêng tiến tới giá trị cổ điển là 3NkB
 Hình 2.14

Ta hãy xét nhiệt dung riêng ở nhiệt độ rất thấp. Khi đó, theo (2-122), giới hạn
trên của tích phân (2-125) có thể lấy bằng vô cực

Ta hãy tính tích phân:

∞ ∞
x3 ∞ ∞
1 π4
∫ e x − 1 dx = ∫ x ∑ e dx = 6∑ 4 =
−ax
3
(2-126)
0 0 s =1 s =1 s 15

Công thức tính nhiệt dung C của vật rắn theo lýy thuyết của Đơbai
Do đó biểu thức năng lượng có dạng:

3π 4 Nk B T 4
E= khi T << θ
5θ 3
và nhiệt dung C là :
3 3
12 ⎛T⎞ ⎛T⎞
C = π 4 Nk B ⎜ ⎟ = 234 Nk B ⎜ ⎟ (2-127)
5 ⎝θ⎠ ⎝θ⎠
Lý thuyết Đơbai chỉ có thể áp dụng trong trường hợp nào ? Vì sao ?
Như vậy theo lý thuyết Đơbai, khi T → 0, nhiệt dung riêng của vật rắn do dao
động mạng gây nên tiến đến không theo định luật T3. Ở nhiệt độ đủ thấp, định luật
T3 của Đơbai phù hợp rất tốt với thực nghiệm, vì rằng khu vực nhiệt độ đó chỉ có
dao động của nhánh âm học ứng với các sóng dài là được kích thích. Những sóng
đó có tính chất giống như sóng âm trong môi trường liên tục.
Định luật T3 của Đơbai được quan sát bằng thực nghiệm ở nhiệt độ thấp đối
với nhiều nguyên tố như Be, Al, Co, Phương trình, ở dưới 20K, Nb, Mo ở dưới
10K, Zn, Si, V, Ta ở dưới 5K, Ag, In, Tl, Ge, Pb, Ti, Zr ở dưới 4K, C ở dưới 2K,…
Vì sao lý thuyết của Đơbai không áp dụng được cho trường hợp nhiệt độ
cao ?
 Theo (2-125) nhiệt dung dao động mạng của vật rắn là hàm chung các chất
T
theo tỷ số nhiệt độ . Điều đó là đúng cho nhiều vật rắn như Ag, Al, Graphit,
θ
Al2O3, KCl v.v… Tuy nhiên trong nhiều trường hợp, nhiệt độ Đơbai lại phụ thuộc
nhiệt độ. Nguyên nhân của sự sai lệch của lý thuyết Đơbai so với thực tế chính là
vì trong đó đã giả thuyết coi tinh thể như môi trường liên tục với tần số dao động
cực đại ωD.
Nói riêng, mật độ trạng thái Z chỉ tỷ lệ với ω2 ở những tần số thấp, được kích
thích ở nhiệt độ thấp. Ở tần số cao, có sự sai khác khỏi qui luật bậc hai. Chẳng
hạn, trên hình 2.15 ta có hàm mật độ trạng thái Z(ω) của bạc.
Một lý thuyết tốt hơn về nhiệt dung cần có sự kết hợp giữa công thức
Anhxtanh và công thức Đơbai, vì phải xét đến cả đóng góp của các dao động
quang học vào nhiệt dung.

Hình 2-15
Một số nội dung cần lưu ý
Trong mô hình ký thuyết của mình Đơbai chỉ xét các phônôn âm học, và qui
luật tán sắc của chúng được thay bằng đường thẳng:
r
ωs (q ) = u s .q

Đây chính là hạn chế của lý thuyết Đơbai dẫn đến mô hìh lý thuyết của ông hạn
chế so với thực nghiệm.
Vì: - trong tinh thể tồn tại cả những phônn quang học mà cần phải tính đến.
- qui luật tán sắc là đường thẳng chỉ khi gần tâm vùng Briloanh
- trong tinh toán Đơbai đã coi môi trường tinh thể là liên tục với tần số dao động
cực đại ωD.

Tóm lại
 Nhiệt dung tính theo lý thuyết cổ điển: 3R là một hằng số không phụ thuộc vào
bản chất vật liệu. Lý thuyết cổ điển chỉ đúng cho trường hợp nhiệt độ cao khi coi
các nguyên tử dao động độc lập.
Theo mô hình lý thuyết của Anhstanh ở nhiệt độ cao nhiệt dung cũng là 3R
phù hợp với thực nghiệm. Mô hình này không đúng ở nhiệt độ thấp do Anhstanh đã
coi toàn bộ các nguyên tử trong vật rắn dao dộng với cùng tần số tức là chỉ tính
gần đúng cho các phonon quang.
Mô hình của Đơbai phù hợp với thực nghiệm ở nhiệt độ thấp C ~ T3. Tuy
nhiên ơ nhiệt dộ cao nhiều trừong hợp lý thuyết này không phù hợp. Do Đơbai giả
thiết chỉ tính toán với các nhánh âm học.

4. SỰ GIÃN NỞ VÌ NHIỆT
I. Mục đích
Giải thích nguyên nhân của sự giãn nỏ vì nhiệt của vật rắn..
II. Yêu cầu
- Người học phải hiểu được nguyên nhân của sự giãn nở vì nhiệt là do thế năng
tương tác giữa các nguyên tử không phải là điều hòa. Nói một cách khác không thể
bỏ qua tương tác giữa các phonon.
- Yêu cầu người học cần nhớ lại khái niệm về phonon đã học trong mục 2 bài 2
III. Nội dung
Khi xét dao động mạng tinh thể ở trên đây, ta đã xét thế năng dao động của
tinh thể trong phép gần đúng điều hòa, tức là chỉ giữ lại đến số hạng bậc hai trong
khai triển, và bỏ qua số hạng bậc cao hơn trong khai triển (số hạng phi điều hòa).
Có thể chứng minh được rằng khi xét đến các số hạng bậc cao, thì không thể
coi dao động của tinh thể như là khối khí chuẩn hạt lí tưởng không tương tác, mà
khi đó, phônôn có tương tác với nhau.
Nguyên nhân của sự giãn nở vì nhiệt?
Sự giãn nở vì nhiệt là một hiện tượng liên quan đến sự phi điều hòa của thế
năng. Muốn hiểu được hiện tượng này, ta hãy xét một dao động tử cổ điển mà thế
năng có chứa các số hạng phi điều hòa, tức là có chứa các số hạng bậc cao hơn
hai theo độ lệch.
Gọi x là độ lệch của nguyên tử khỏi vị trí cân bằng (lúc nó ở 0K) thì thế năng
có thể viết dưới dạng:
U(x) = cx2 – gx3 – fx4 (2-128)
 Trong đó c, g, f là các hằng số dương. Số hạng có x3 mô tả sự không đối
xứng trong lực đẩy nguyên tử, số hạng có x4 mô tả sự giảm dao động ở biên độ
lớn v.v…
Ta hãy tính độ lệch trung bình của nguyên tử bằng cách sử dụng hàm phân
bố Bônxơman. Ta có:
+∞
− U ( x )k B T
∫ xe dx
−∞
x= +∞
(2-129)
− U ( x )k B T
∫e dx
−∞

Nếu các độ lệch là bé sao cho các số hạng phi điều hòa trong biểu thức năng
lượng có thể coi là nhỏ so với kBT, thì ta có thể khai triển các hàm dưới dấu tích
phân thành chuỗi:
1
+∞ +∞
−U ( x ) − cx 2 ⎛ gx 4 fx 5 ⎞ 3π 2 g
( )
3

∫e
kBT
dx ≈ ∫e
kBT
⎜⎜ x + + ⎟⎟dx = k B T 2 (2-130)
−∞ −∞ ⎝ kBT kBT ⎠ 4 c 52

và:
1
+∞ −u ( x ) +∞ − cx 2 ⎛ gx 3 fx 4 ⎞ + ∞ − cx
⎛ πk T ⎞
2
2

∫ e kBT
dx ≈ ∫ e kBT
⎜⎜ x + + ⎟⎟dx = ∫ e kBT
dx = ⎜ B ⎟ (2-131)
−∞ −∞ ⎝ kBT kBT ⎠ −∞ ⎝ c ⎠
Do đó, trong trường hợp này:
Khoảng cách trung bình giữa các nguyên tử phụ thuộc tuyến tính vào
nhiệt độ T
3g
x= kBT (2-132)
4c 2
Như vậy, khi kể đến số hạng phi điều hòa, g ≠ 0 thì độ lệch trung bình của
nguyên tử tỷ lệ với nhiêt độ. Giả sử ta xét theo phương trục x, vì khoảng cách trung
bình giữa các nguyên tử đều tăng lên theo nhiệt độ, nên vật thể bị dãn nở vì nhiệt.
Từ đó, ta thấy hệ số dãn nở nhiệt dài là:
1 ∂l
α= = h » ngsè
l ∂T
Ta hãy biểu diễn thế năng tương tác giữa hai nguyên tử lân cận trên hình
2.16. trong phép gần đúng điều hòa, thế năng có dang Parabol ( đường chấm
chấm).
Điều này chỉ đúng khi xét ở rất gần vị trí cân bằng (ở cực tiểu của thế năng),
Khi nhiệt độ tăng, biên độ dao động tăng lên. Vị trí của tâm dao động lệch về phía x
lớn hơn. Nghĩa là khoảng cách trung bình giữa hai nguyên tử tăng lên khi nhiệt độ
tăng.
 Hình 2-16

Bài tập chương 2

Bài 2.1
Chứng minh rằng, trong gần đúng Debye, nhiệt dung của mạng một chiều
gồm các nguyên tử giống hệt nhau thì tỉ lệ với T/θ ở nhiệt độ thấp (T<<θ). Ở đây, θ

là nhiệt độ Debye của mạng một chiều, được xác định bởi θ = hω MAX = hπu trong đó
KB kBa
a là khoảng cách giữa các nguyên tử, u là vận tốc truyền âm trong tinh thể.
Bài 2.2
Cho biết nhiệt độ Debye của vàng là 170 K. Giả sử lực tác dụng lên nguyên tử
thứ m trong tinh thể được xác định bởi
Fm= − α ∑ (rm − rn )
n

Hãy xác định hằng số lực đàn hồi α của vàng nếu khối lượng của nguyên tử
vàng là M = 197.97 MH ; MH = 1,66 . 10-27 kg.
Bài 2.3
Hãy xác định gần đúng vận tốc sóng âm trong tinh thể kim cương nếu nhiệt độ
Debye của kim cương là θ = 1860 K, a = 1.54 Å .
Bài 2.4
Chứng minh rằng năng lượng trung bình của một hệ cổ điển có thể được viết
dưới dạng:
d ln z
E = kT 2
dT
E ( p,q )

trong đó, z là tích phân trạng thái z = ∫∫ e kT

dpdq , p là xung lượng, q là toạ độ.
Bài 2.5
Xác định nhiệt dung của dao động tử không điều hoà cổ điển với biểu thức
thế năng:
V(x)= cx2-qx3
Bài 2.6
Một hệ có N phân tử, có thể nằm ở hai trạng thái năng lượng cách nhau một
khoảng ΔE. Xác định nhiệt dung của hệ.
 Chương 3 - Lí thuyết vùng năng lượng của vật rắn
1. CHUYỂN ĐỘNG CỦA e TRONG TRƯỜNG TUẦN HOÀN CỦA TINH THỂ
1. Bài toán chuyển động của êlêctrôn trong trường tuần hoàn
Việc nghiên cứu tính chất của êlêctrôn trong tinh thể là một trong những
nhiệm vụ quan trọng nhất của vật lí chất rắn. Đó là vì êlêctrôn là hạt có khối lượng
m bé, có mang điện tích (nguyên tố âm), là hạt rất linh động, tham gia vào nhiều
hiện tượng, quy định nhiều tính chất của vật chất. Đây cũng là một vấn đề khó, vì
rằng để mô tả chính xác tính chất của êlêtron trong tinh thể cần phải xét một hệ
gồm rất nhiều hạt tương tác với nhau: êlêctrôn, hạt nhân nguyên tử. Số lượng các
hạt này rất lớn, cùng bậc với số Avôgađrô (tức là cỡ 6.1023). Khi tính toán, ta phải
lập và giải một hệ phương trình rất lớn, đến mức ngay cả các máy tính mạnh nhất
hiện nay cũng không thể giải được.
Vì vậy, cần tìm cách đơn giản hóa các phép tính toán bằng cách sử dụng các
phép gần đúng.
Trong tinh thể vật rắn, các nguyên tử cấu tạo nên tinh thể tương tác với nhau.
Êlêctrôn trong từng nguyên tử của tinh thể chịu tác dụng của tương tác giữa các
nguyên tử. Những êlêctrôn ở các lớp ngoài của nguyên tử chịu ảnh hưởng nhiều
hơn những êlêctrôn ở các lớp bên trong. Đặc biệt, những êlêctrôn ở lớp ngoài
cùng tức là các êlêctrôn hóa trị, vốn liên kết với nguyên tử yếu hơn cả, nên trong
tinh thể các tính chất của chúng (như sự phân bố trong không gian) bị biến đổi rõ
rệt so với nguyên tử cô lập. Vì vậy, khi nghiên cứu vật rắn, ta thường chỉ giới hạn ở
việc khảo sát tính chất của các êlêctrôn hóa trị. Theo cách đó, ta coi như mạng tinh
thể được cấu tạo từ các lõi nguyên tử (gồm hạt nhân nguyên tử và những êlêctrôn
ở các lớp bên trong) mang điện dương, đặt ở các nút mạng, và các êlêctrôn hóa trị.
Đầu tiên, ta giả thiết rằng các lõi nguyên tử đứng yên đối với các nút mạng.
Với giả thiết này, ta xét chuyển động của êlêctrôn trong trường lực của các lõi
nguyên tử đứng yên, xếp đặt tuần hoàn trong mạng tinh thể. Sau đó, mới tiếp tục
xét đến ảnh hưởng của dao động mạng lên tính chất của êlêctrôn.
Tuy nhiên, ngay cả với giả thiết trên đây, bài toán vẫn còn rất phức tạp, vì ta
phải xét khoảng 1023 êlêctrôn tương tác với nhau. Vì vậy, bước đơn giản hóa tiếp
theo là sử dụng phép gần đúng một êlêctrôn. Theo cách này, ta giả thiết rằng có
thể xét chuyển động của từng êlêctrôn hóa trị riêng rẽ trong một trường thế V ( r )
nào đó không phụ thuộc vào bản thân êlêctrôn mà ta đang xét. Trường này được
gây ra bởi tất cả các êlêctrôn còn lại cùng với tất cả các lõi nguyên tử trong tinh
thể.
Đặc điểm quan trọng nhất của trường lực này là tính tuần hoàn của nó trong
không gian. Điều này được suy ra từ tính chất đối xứng tịnh tiến của mạng tinh thể.
Hàm thế năng V ( r ) tuần hoàn với chu kì là vectơ mạng:
 V (r + R) = V (r) (3-1)

trong đó r là vectơ vị trí, còn R là vectơ mạng (được xác định theo (1-5)).
Theo cơ học lượng tử, mọi thông tin về tính chất của các hệ vật lí được bao
gồm trong phương trình Srôđingơ (Schrodinger). Đối với êlêctrôn trong tinh thể,
hàm sóng của nó là nghiệm của phương tình Srôđingơ có dạng:

⎡ − h2 2 r⎤ r r
⎢ 2 m ∇ + V( r )⎥ ψ( r ) = Eψ( r ) (3-2)
⎣ ⎦

Với V ( r ) là hàm thế năng của êlêtrôn trong trường tuần hoàn của tinh thể,
ψ( r ) là hàm sóng của êlêctrôn, E là năng lượng.

Trước hết, ta hãy xét phương trình (3-2) với V ( r ) = V0 = hằng số. Đó chính là
trường hợp của êlêctrôn tự do, cũng là trường hợp giới hạn khi trường tinh thể rất
yếu. Nếu ta lấy gốc thế năng ở giá trị V0, thì V ( r ) = 0. Nghiệm của phương trình
Srôđingơ trong trường hợp này có dạng sóng phẳng:
r rr
ψ 0kr ( r ) = Ae ikr (3-3)

với k là vectơ sóng, A là biên độ. Đặt nghiệm dưới dạng (3-3) vào phương
trình

(3-2) với V( r ) = 0, ta có năng lượng của êlêctrôn tự do là:

h2 k 2 p2
E = 0
k = (3-4)
2m 2m
với:
r r
p = hk (3-5)

h
là xung lượng của êlêctrôn, h = ( h là hằng số Plăng). Như vậy êlêctrôn tự
2
do được mô tả bằng hàm sóng (3-3). Đó là sóng chạy mang theo xung lượng p và
năng lượng E. Ta có thể viết lại biểu thức năng lượng dưới dạng:
h2 2
E 0kr = ( k x + k 2y + k 2z ) (3-6)
2m
Ta thấy năng lượng của êlêctrôn được phân bố liên tục từ giá trị bằng không
đến những giá trị vô cùng lớn.
Ta xét chuyển động của êlêctrôn trong tinh thể. Trong trường hợp này, thế
r
năng V ( r ) phụ thuộc vào tọa độ r . Vì vậy toán tử xung lượng p = -i h ∇ không giao
hoán với toán tử Hamintơn ở (3-2) nữa. Như vậy, xung lượng của êlêctrôn không
được bảo toàn. Trạng thái của êlêctrôn không thể biểu diễn dưới dạng hàm sóng
phẳng (3-3), vì hàm sóng phẳng ứng với xung lượng xác định (3-5). Hàm sóng
ψ( r ) của êlêctrôn trong tinh thể được coi như chồng chất của nhiều hàm sóng
phẳng ứng với các vectơ sóng k khác nhau. Vì k biến thiên liên tục, nên:
r r rr r
ψ( r ) = ∫ c( k )e ikr dk (3-8)
r
k

trong đó c ( k ) là các hệ số phân tích của ψ( r ) theo các sóng phẳng. Tích
phân lấy trong không gian k ; d k là yếu tố thể tích trong không gian k . Sau này, ta
sẽ thấy hàm sóng ψ( r ) là hàm tuần hoàn với chu kì mạng.

Điều kiện tuần hoàn (3-1) của thế năng V ( r ) quyết định các tính chất của hàm
sóng và phổ năng lượng của êlêctrôn. Thế năng V ( r ) tuần hoàn trong không gian
mạng thuận, nên ta có thể phân tích nó thành chuỗi Furiê (Fourier):
r rr
V( r ) = ∑ VGr e iGr (3-9)
G

Với VGr là các hệ số phân tích. Với các thế tinh thể trong thực tế, thì khi các hệ
số VGr có xu hướng giảm nhanh khi G tăng. Từ (3-1) và (3-9), ta có:
r r r rr

∑V e
r
G
r
G
iG ( r + R )
=∑
r
G
VGr e iGr

Đẳng thức này thỏa mãn nếu với mọi R , ta có:

rr
e iGR = 1 (3-10)
hay
rr
GR = 2 πn (3-11)

nghĩa là G chính là vectơ mạng đảo (xem 1-7).

Thay các biểuthức của ψ( r ) (3-8) và V ( r ) (3-9) vào phương trình Srôđingơ
(3-2), ta có:
h2 r ikrrr r rr r ikr rr r r ikrrr r
2 m ∫kr
k 2
c( k ) e dk + ∑
r
G
VG
re
iG r
∫kr c( k ) e dk = E ∫kr )e dk
c( k (3-12)

rr rr r r
ở đây, ta đã thay ∇ 2
e ikr = − k 2 eikr . Nhân hai vế của (3-12) với e − ik r , rồi lấy 1

tích phân theo r , ta có:

h2 r i ( kr − kr ) rr r r r i ( hr + Gr + kr ) rr r r r i ( kr − kr ) rr r r
2 m ∫kr
k 2
c( k ) ∫rr e 1
d r d k + ∑Gr G ∫r
V r c( k ) e 1
d r d k = E ∫r )∫rr e
c( k 1
d r dk
k k

(3-13)
Theo tính chất của hàm δ Đirac, thì
 i( k−k ) r r
r r r r r
∫ = π δ − k1 )
3
e 1
d r 8 ( k (3-14)
r
r

r r
Với δ( k − k 1 ) là hàm đenta Đirac ứng với đối số k 1 . Hàm δ có tính chất quan
trọng sau:
r r r r r
∫
r
f ( k ) δ( k − k 1 ) dk = f ( k 1) (3-15)
k

Sử dụng (3-14) và (3-15), từ (3-13), ta thu được phương trình:

⎛ h 2 k 12 ⎞ r r
⎜⎜ − E ⎟⎟c( k 1 ) + ∑ VG
r c( k − G ) = 0
1 (3-16)
⎝ 2m ⎠
r
G

k 1 là một giá trị nào đó của vectơ sóng k , nên để cho tổng quát, ta thay k 1
bằng k . Ta thu được phương trình:

⎛ h2k 2 ⎞ r r
⎜⎜ − E ⎟⎟c( k ) + ∑ VG
r c( k − G ) = 0 (3-17)
⎝ 2m ⎠
r
G

Đây là phương trình cho phép ta xác định hệ số c ( k ). Hàm sóng ψ( r ) mô tả

rr
ikr
trạng thái êlêctrôn được xét trong biểu diễn tọa độ. Các hàm sóng phẳng e biểu
diễn trạng thái của êlêctrôn ứng với xung lượng xác định p = h k , do đó chúng
chính là các hàm riêng của toán tử xung lượng p . Trong (3-8), hàm sóng ψ( r )
được biểu diễn dưới dạng tổ hợp tuyến tính của các hàm sóng phẳng, do đó tập
hợp các hệ số c ( k ) chính là các hàm sóng của êlêctrôn trong biểu diễn xung
lượng. Biết được tất cả các hệ số c ( k ), ta có thể xây dựng được hàm ψ( r ), tức là
xác định được trạng thái của êlêctrôn.
Phương trình (3-17) là một dạng khác của phương trình (3-2). Những phương
trình dạng (3-17) là các phương trình đại số, còn (3-2) là phương trình vi phân.
Trong bài toán đang xét, thế năng V ( r ) là một hàm tuần hoàn, thì việc sử dụng hệ
phương trình vi phân đại số (3-17) thuận lợi hơn việc sử dụng phương trình vi
phân.

Theo phương trình (3-17), ứng với giá trị E và k đã cho, hệ số c ( k ) chỉ liên
hệ với các hệ số khác c( k ' ) mà đối số k ' khác với k một vectơ mạng đảo G , tức
là k ' = k + G . Vì vậy, hàm sóng ψ( r ) dưới dạng tích phân (3-8) biến thành tổng:
r r r i ( kr + Gr ) rr
ψ kr ( r ) = ∑
r
c( k + G )e (3-18)
G

Tổng lấy theo mọi giá trị của vectơ mạng đảo G , kể cả với G = 0.

Theo (3-17), các hệ số c ( k + G ) ở (3-18) thỏa mãn hệ phương trình đại số:
 ⎡ h2 r r 2 ⎤ r r r r r
⎢ 2m ( k + G ) − E ⎥ c( k + G ) + ∑ VG
r c( k + G − G ) = 0
1 (3-19)
⎣ ⎦
r
G
1

Hệ phương trình (3-19) gồm một số vô hạn các phương trình để tìm số vô hạn
ẩn số là các hệ số c ( k + G ). Giải hệ phương trình này, ta tím được các hệ số c
( k + G ), từ đó, xác định được ψk( r ) theo (3-18), tức là tìm được nghiệm của
phương trình Srôđingơ (3-2). ψk( r ) chính là hàm sóng mô tả trạng thái của êlêctrôn
trong tinh thể ứng với vectơ sóng k .
Muốn cho hệ phương trình (3-19) có nghiệm không tầm thường, thì định thức
các hệ số của các ẩn c( k + G ) phải bằng không. Vì vậy, nếu kí hiệu các định thức
đó là D (E, k ), thì:

D (E, k ) = 0 (3-20)

(3-20) đồng thời cũng là phương trình cho ta sự liên hệ giữa E và k , tức là
cho ta sự phụ thuộc hàm số E ( k ). Cách viết tường minh phương trình (3-20)
tương tự như đã làm trong khi xét dao động mạng (xem 2-29). Phương trình chứa
E với số mũ vô cùng lớn, vì vậy nghiệm của nó là vô số giá trị của E ứng với một
giá trị của k đã cho, mà ta có thể kí hiệu là E1 ( k ); E2 ( k ); … En ( k ); … Từ đó, ta
thu được phổ năng lượng của êlêctrôn trong tinh thể. Phổ này gồm các khu vực giá
trị En ứng với một giá trị của k khác nhau. Mỗi khu vực như vậy được gọi là một
vùng năng lượng (hay miền năng lượng).

Trong mỗi vùng, năng lượng là hàm tuần hoàn của k . Thật vậy, ta hãy để ý
đến hai hệ phương trình (3-17) và (3-19). Nếu ta thay k bằng k - G , thì hệ
phương trình (3-19) chuyển thành hệ (3-17). Hai hệ phương trình này thực ra chỉ là
một hệ, và chỉ khác nhau ở trình tự viết các phương trình trong hệ. Như vậy, các
nghiệm En ( k ) của phương trình (3-20) đối với hai hệ là như nhau. Do đó:

E n ( k ) = En ( k – G ) (3-21)

nghĩa là năng lượng E biến thiên tuần hoàn theo vectơ sóng k với chu kì là
vectơ mạng đảo G .
Trong trường hợp mạng một chiều, sự phụ thuộc En (k), tức là phổ năng
lượng, có dạng như trên hình 3.1. Ta thấy các vùng năng lượng En (k) và En+1 (k)
được ngăn cách bởi một khoảng. Êlêctrôn trong tinh thể không có giá trị năng
lượng nằm trong khoảng này. Vì vậy, khoảng năng lượng đó được gọi là vùng cấm
(hay miền cấm). Các vùng En (k), En+1 (k) ứng với các giá trị năng lượng của
êlêctrôn nên được gọi là các vùng được phép (hay miền được phép).
 Hình 3.1
Trở lại hệ phương trình (3-19), trong thực tế, người ta thường giải nó một
cách gần đúng sao cho: thay cho số vô hạn các phương trình, ta chỉ cần giải một
số ít, có khi chỉ là một, hai phương trình; ngoài ra, trong khai triển Furiê của thế
năng tuần hoàn V ( r ) theo (3-9), chỉ cần giữ lại một vài số hạng (một vài hệ số VGr ).
Chính nhờ có các cách gần đúng này, mà phương pháp tính toán đang xét mới có
khả năng được ứng dụng trong thực tế. Chẳng hạn, nếu hệ rút về chỉ còn hai
phương trình, thì định thức D (E, k ) là loại 2x2, và phương trình (3-20) tương ứng
sẽ cho ta hai nghiệm là hai giá trị của E. Thay hai giá trị đó của E vào hệ phương
trình, ta sẽ dễ dàng xác định được hai giá trị của c ( k ) sai kém một hằng số nhân,
tức là xác định được tỉ số giữa hai hệ số đó.
2. Hàm sóng Blôc (Bloch)
Ta viết lại biểu thức hàm sóng (3-18) dưới dạng:
r rr r r iGr rr
ψ kr ( r ) = e ikr ∑
r
c( k + G ).e (3-22)
G

Ta đặt:
r r r iGr rr
u kr ( r ) = ∑
r
c( k + G ).e (3-23)
G

thì
r rr
r
ψ ( r ) = e u kr ( r )
r
k
ik r
(3-24)
r
Hàm u kr ( r ) chính là một chuỗi Furiê theo các vectơ mạng đảo, vì vậy nó bất
biến đối với phép tịnh tiến vectơ mạng R , hay nói khác đi, nó là hàmtuần hoàn với
chu kì vectơ mạng.
r r
Thật vậy, ta hãy xét hàm u kr ( r + R) :
r r r r iGr ( rr + Rr ) r r iGr rr iGr Rr
u kr ( r + R) = ∑
r
c( k + G ).e = ∑r + G).e e
c( k
G G

rr
iGR
Vì G là vectơ mạng đảo, nên e = 1 và
r r r
u kr ( r + R) = u kr ( r ) (3-25)
 r
Hàm sóng có dạng (3-24), trong đó u kr ( r ) thoả mãn điều kiện tuần hoàn (3-
25) gọi là hàm Blôc. Ta có định lí Blôc, nói rằng: các hàm riêng của phương trình
sóng với thế tuần hoàn của hàm Blôc, và có dạng tích của hàm sóng phẳng exp
r
(i k r ) với hàm u kr ( r ) là một hàm tuần hoàn trong mạng tinh thể.

Hàm Blôc (3-24) khác với hàm sóng phẳng exp (i k r ) ở chỗ nó chứa thừa số
rr
r ikr
u kr ( r ) . Thừa số này có tác dụng biến điệu sóng phẳng e theo chu kì của mạng
tinh thể.
3. Chuẩn xung lượng

Từ dạng của hàm Blôc (3-24), với R là vectơ mạng, ta có:

r r r r rr
r r
ψ kr ( r + R) = e ikR e ikr u kr ( r + R) (3-26)

Từ tính chất (3-25), ta có:

r r r r rr
r
ψ kr ( r + R) = e ikR e ikr u kr ( r ) (3-27)

hay:
r r rr
r
ψ kr ( r + R) = e ikR ψ kr ( r ) (3-28)

Từ đó, ta thấy khi tịnh tiến đo một vectơ mạng R , thì hàm sóng của êlêctrôn
rr
(hàm Blôc) được nhân với một thừa số pha e ikR .
Trong trường hợp êlêctrôn tự do, hàm sóng có dạng (3-3). Khi thực hiện một
phép dịch chuyển một vectơ a , hàm sóng trở thành:
rr
pa
r r i r
ψ( r + a ) = e h ψ( r ) (3-29)

Trong đó p là toán tử xung lượng. Đối với êlêctrôn tự do, thì p = h k .

So sánh (3-28) với (3-29) ta thấy trong tinh thể, vectơ k đóng vai trò tương tự
p
như đối với êlêctrôn tự do, hay h k tương tự như p . Do đó, trong tinh thể, h k
h
được gọi là chuẩn xung lượng.Ý nghĩa của chuẩn xung lượng h k là ở chỗ nó xác
rr
định thừa số pha e ikR khi ta thực hiện phép dịch chuyển một vectơ mạng.

Tuy nhiên, giữa xung lượng p và chuẩn xung lượng h k có sự khác nhau.
Trong tinh thể, xung lượng p không được bảo toàn. Đó là vì trong Hamintonien của
hệ có chứa thế năng V ( r ), nên toán tử xung lượng p không giao hoán với Ĥ .
Trong khi đó, hàm sóng êlêctrôn trong tinh thể (3-24) lại được đặc trưng bằng giá
trị xác định của vectơ k , do đó trạng thái của êlêctrôn trong tinh thể có chuẩn xung
lượng h k hoàn toàn xác định.
Chuẩn xung lượng được xác định không đơn giá. Thật vậy, giả sử có hàm
r
sóng ψ kr ( r ) với k 1 = k + G , thì theo (3-28):
1

r r r r r r r
r rr
r
ψ kr ( r + R) = ψ kr + Gr ( r + R) = e i ( k + G ) R .ψ kr + Gr ( r ) = e1 kR ψ kr ( r )
1 1
(3-30)

Như vậy, đối với hai vectơ sóng k và k 1 = k + G , khi tịnh tiến một vectơ
r r
mạng R , thì hàm sóng êlêctrôn ψ kr ( r ) và ψ kr ( r ) đều được nhân với cùng một thừa
1
rr
số pha e ikR
. Do đó chuẩn xung lượng h k và h k 1 tương đương nhau về mặt vật lí,
hay vectơ sóng k và k + G là tương đương nhau.

Ta hãy xét tiếp sự liên hệ giữa p và chuẩn xung lượng h k . Cho toán tử xung
lượng p tác dụng lên hàm sóng (3-24). Để cho đơn giản, xét bài toán một chiều, ta
có:

r
p̂ x ψ ( r ) = − ih
r
k
∂ ikr x
∂x
r
e u kr ( r ) [ ]
⎡ rr
r rr
∂ r r⎤
= − ih ⎢ik x e ikr u kr ( r ) + e ikr u (r)
⎣ ∂x k ⎥⎦
r rr
= e ikr [hk x + p̂ x ]u kr ( r ) e i kx
rr
(3-31)

ở vế phải, ta thấy h k x được cộng với p̂ x .

Tác dụng toán tử p̂ x một lần nữa, ta có:

r rr
r (3-32)
p̂ 2x ψ kr ( r ) = e1kr (hk x + p̂ x ) 2 u kr ( r )
ở vế phải, h k x lại một lần nữa được cộng với p̂ x .
r
Đặt ψ kr ( r ) ở (3-24) vào phương trình (3-2), sử dụng (3-32), ta thu được
r
phương trình Srôđingơ cho u kr ( r ) :

⎡ (hk x + p̂ x )2 r⎤ r r r
⎢ + V ( r )⎥ u k ( r ) = Eu kr ( r ) (3-33)
⎣ 2m ⎦
Trong đó, ở Hamintonien:
(hk x + p̂ x )2 r
Ĥ = + V( r ) (3-34)
2m
toán tử động năng bao gồm tổng của hình chiếu xung lượng p̂ x và hình chiếu
chuẩn xung h k x . Từ (3-34), ta có:
 ∂Ĥ h
= (hk x + p̂ x ) (3-35)
∂k x m
rr
r
Nhân cả hai vế của (3-35) từ phía trái với eikr và từ phía phải với u kr ( r ) , có
chú ý đến (3-32), ta có:
rr
∂Ĥ r r h rr r
e ikr u k ( r ) = e ikr (hk x + p̂ x )u kr ( r )
∂k x m

h r
p̂ x ψ kr ( r )= (3-36)
m
r rr
r
Nhân (3-36) từ phía trái với ψ*k ( r ) = e − ikr u *kr ( r ) , rồi lấy tích phân trong không
gian toạ độ, ta có:

* r − ik r ik r ∂Ĥ r r h r r r
rr rr

∫ k
u r ( r )e e
∂k x
u kr ( r )d r = ∫ ψ *k ( r )p̂ x ψ kr ( r )d r
m

hay:

r ∂Ĥ r h
∫ u kr ( r ) ∂k u kr ( r ) = p x (3-37)
*

x m

∂Ĥ
Vế trái là trị trung bình của toán tử trong trạng thái ứng với hàm sóng
∂k x
r
u kr ( r ) , còn vế phải là trị trung bình của xung lượng trong trạng thái ứng với hàm
r h
sóng ψ kr ( r ) , nhân với . Vì vận tốc trung bình v x có liên hệ với xung lượng trung
m
p
bình theo biểu thức v x = x , nên vế phải của (3-37) chính là h v x .
m
Để tính vế trái của (3-37), ta xuất phát từ phương trình (3-33) mà ta viết lại
thành:
r
(
Ĥ − E u kr ( r ) = 0 ) (3-38)

Lấy đạo hàm theo k x , ta có:

r
∂u kr ( r ) ⎛ ∂E ∂Ĥ ⎞ r
(Ĥ − E )
∂k x
= ⎜⎜
∂
−
∂
⎟u kr ( r )
⎟ (3-39)
⎝ xk k x ⎠

r
Nhân cả hai vế từ phía trái với u *kr ( r ) rồi lấy tích phân theo r . Do tính chất
ecmit của toán tử Ĥ , và do (3-38), từ vế trái của (3-39) ta có:
 r r
r ∂u kr ( r ) r ∂u kr ( r ) * r r
∫ u ( r )(Ĥ − E) ∂k d r = ∫ ∂k (Ĥ − E)u kr ( r )d r
*r
k
x x
r r
∂u r ( r ) r r ∂u r ( r ) r r
= ∫ k Ĥu kr ( r )d r − ∫ k Eu kr ( r )d r = 0
∂k x ∂k x

Từ vế phải, ta có:

*r r ∂E r r r ∂Ĥ r r r
∫ k ∂k k
u ( r ) u ∫ k ∂k u k ( r )d r = 0
r ( r )d r − u *r ( r )
x x

Do đó vế trái của (3-37) là:

*r r ∂E r r r ∂Ĥ r r r ∂E
∫ k ∂k k
u ( r ) u ∫ k ∂k u k ( r )d r = ∂k
r ( r )d r = u *r ( r ) (3-40)
x x x

r
Ta thu được kết quả này vì E không phụ thuộc vào r , và u kr ( r ) là hàm chuẩn
hóa.
Từ (3-37) và (3-40), ta thu được biểu thức cho vận tốc trung bình của êlêctrôn
trong tinh thể:
1 ∂E
vx = (3-41)
h ∂k x

Ta thu được kết quả tương tự nếu xét theo các trục y và z. Vì vậy trong
trường hợp tổng quát, biểu thức cho vectơ vận tốc trung bình của êlêctrôn trong
tinh thể ở trạng thái ứng với vectơ sóng k , là:
r 1
v = grad kr E (3-42)
h
r ∂E r ∂E r ∂E
Với: grad kr E = i +j +k
∂k x ∂k y ∂k z

trong đó i , j , k là các vectơ đơn vị theo các trục x, y, z.

Đối với êlêctrôn tự do, biểu thức của năng lượng có dạng (3-4), (3-6) do đó
vectơ vận tốc trung bình là:
r 1
v = grad pr E (3-43)
h
So sánh (3-42) với (3-43), ta thấy sự liên hệ giữa vận tốc trung bình của
êlêctrôn trong tinh thể với đạo hàm của năng lượng theo chuẩn xung lượng h k
cũng giống như sự liên hệ giữa vận tốc trung bình của êlêctrôn tự do với đạo hàm
của năng lượng theo xung lượng p .
 Nếu tinh thể là hữu hạn, tính tuần hoàn tịnh tiến bị phá hủy. Khi đó, để đảm
bảo tính đối xứng tịnh tiến, ta sử dụng điều kiện biên tuần hoàn Boc- Cacman. Ta
đã áp dụng điều kiện Boc- Cacman khi nghiên cứu về dao động mạng ở chương 2.
Đối với êlêctrôn trong tinh thể, do điều kiện biên tuần hoàn mà các hàm sóng
của êlêctrôn phải thỏa mãn hệ thức:
r r r r r r r
ψ ( r + N 1a 1 ) = ψ ( r + N 2 a 2 ) = ψ ( r + N 3 a 3 ) = ψ ( r ) (3-44)

Với N1a1 = L1, N2a2 = L2, N3a3 = L3 là kích thước tinh thể theo ba phương, ứng
r r r
với các vectơ cơ sở a1 , a 2 , a 3 .

Vì các hàm sóng êlêctrôn trong tinh thể có dạng hàm Blôc và thỏa mãn hệ
thức(3-28), nên từ (3-44), ta có:
r r
r r r
r r r
r r
e ikN a ψ kr ( r ) = e ikN a ψ kr ( r ) = e ikN a ψ kr ( r ) = ψ kr ( r )
1 1 2 2 3 3
(3-45)

Muốn vậy:
r r r r r r
e ikN a = e ikN a = e ikN a = 1
1 1 2 2 3 3
(3-46)

Điều kiện (3-46) được thực hiện nếu vectơ sóng k có dạng:
r 2 πn1 r 2 πn 2 r 2 πn 3 r
k= b1 + b2 + b3 (3-47)
N1 N2 N3
r r r
Với n1, n2, n3 là các số nguyên và b 1 , b 2 , b 3 là các vectơ cơ sở của mạng đảo.
Như vậy, do điều kiện biên tuần hoàn mà chuẩn xung h k có các giá trị gián đoạn.

Do điều kiện tuần hoàn mà các vectơ sóng k của êlêctrôn trong tinh thể cũng
có một số tính chất giống như đã xét với vectơ sóng k của dao động mạng. Ở đây
sẽ không nhắc lại những điều này mà đề nghị xem lại chương 2.

Các vectơ sóng k khác nhau một vectơ mạng đảo G thì tương đương với
nhau về mặt vật lí. Vì vậy trong nhiều trường hợp, để cho thuận tiện, người ta chỉ
r
xác định các hàm sóng ψ kr ( r ) ở (3-18) ứng với các vectơ sóng k nằm trong vùng
Briloanh thứ nhất (tức là các vectơ k có ngọn nằm trong vùng Briloanh thứ nhất).
Vectơ k như vậy gọi là vectơ sóng rút gọn. Chẳng hạn, nếu ta có hàm Blôc:
r rr
r
ψ kr ( r ) = e ik r .u kr ( r )
,

, (3 - 48)
,

với k ' nằm ngoài vùng Briloanh thứ nhất, thì bao giờ cũng có thể chọn một
r
vectơ mạng đảo G, sao cho vectơ:
r r r
k = k , − G, (3-49)
 Hình 3.2
nằm trong vùng Briloanh thứ nhất (h.3.2). Khi đó từ (3-48), ta có:
r r
( r
)
rr rr r r
ψ kr ( r ) = e ik r u kr ( r ) = e ik r e iG r u kr ( r )
, , ,

, , ,

rr
r r
= e ikr u kr ( r ) = ψ kr ( r ) (3-50)

trong đó ta đã đặt:
r ,r
r r
u kr ( r ) ≡ e iG r u kr , ( r ) (3-51)
r r r ,
Sở dĩ ta đặt được như vậy là vì u kr ( r ) và eiG r
,

r
đều là các hàm tuần hoàn với chu kì là vectơ mạng thuận, do đó u kr ( r ) cũng
r
có tính chất đó và vì thế ψ kr ( r ) ở (3-50) có dạng hàm Blôc.

Từ những lí luận trên, ta thấy năng lượng E ( k ) ứng với vectơ sóng k ' nằm
ngoài vùng Briloanh thứ nhất, cũng bằng năng lượng E ( k ) ứng với k nằm trong
vùng Briloanh thứ nhất nếu k và k ' liên hệ với nhau theo (3-49). Như vậy, việc giải
bài toán xác định năng lượng của êlêctrôn trong các vùng được phép quy về việc
tìm các giá trị được phép của năng lượng ứng với các vectơ sóng nằm trong vùng
Briloanh thứ nhất. Mỗi vùng năng lượng chính là một nhánh của đường cong phụ
thuộc E ( k ). Khi biểu diễn năng lượng E ( k ) theo các vectơ sóng rút gọn, ta thấy
ứng với một vectơ sóng có nhiều giá trị của năng lượng. Cách biểu diễn này gọi là
biểu diễn theo sơ đồ vùng rút gọn. Mỗi giá trị của năng lượng chính là ứng với một
vùng năng lượng. Hai hàm sóng với cùng một vectơ k (theo (3-18)), nhưng ứng
với hai giá trị năng lượng khác nhau, là hai hàm độc lập nhau, mỗi hàm được thiết
r r r
lập từ các hàm sóng phẳng e i ( k + G ) r theo những cách khác nhau. Nghĩa là các hệ số
c ( k + G ) của các vùng năng lượng khác nhau thì cũng khác nhau. Cho nên, để
phân biệt giữa các vùng người ta thêm một chỉ số n chẳng hạn, để xác định số thứ
tự của vùng năng lượng và viết các hệ số phân tích trong hàm sóng dưới dạng Cn
( k + G ). Khi đó, hàm Blôc của êlêctrôn với vectơ sóng k ở trong vùng thứ n được
viết như sau:
 r rr
r r r i ( kr + Gr ) rr
ψ n , kr ( r ) = e ikr u n , kr ( r ) = ∑
r
C n ( k + G )e (3-52)
G

Có những trường hợp mà thuận tiện hơn lại là sử dụng cách biểu diễn với các
vùng Briloanh lặp lại tuần hoàn trong toàn bộ không gian k . Muốn vậy, ta tịnh tiến
vùng Briloanh theo các vectơ mạng đảo. Các vùng năng lượng cũng được tịnh tiến
từ vùng Briloanh thứ nhất sang các vùng Briloanh khác. Trong cách biểu diễn này,
mà ta gọi là biểu diễn theo sơ đồ vùng tuần hoàn, năng lượng là hàm tuần hoàn
trong mạng đảo:

E (k ) = E (k +G)

Chú ý rằng E ( k ) và C ( k + G ) ở đây ứng với cùng một vùng năng lượng. Còn
một cách biểu diễn nữa gọi là biểu diễn theo sơ đồ vùng mở rộng. Theo cách này,
các vùng năng lượng khác nhau được xếp đặt ở các vùng Briloanh khác nhau
trong không gian đảo.
Các cách biểu diễn vừa nói ở trên: theo sơ đồ vùng mở rộng, sơ đồ vùng rút
gọn và sơ đồ vùng tuần hoàn, trong trường hợp mạng một chiều, được trình bày
trên hình 3.3.

Hình 3.3
2. MÔ HÌNH ÊLÊCTRÔN LIÊN KẾT YẾU
1. Ta hãy xét bài toán về chuyển động của êlêctrôn trong trường hợp thế năng
V ( r ) của êlêctrôn trong trường tinh thể là yếu. Nói khác đi, êlêctrôn liên kết yếu với
các iôn ở nút mạng. Bài toán được giải theo phương pháp gần đúng êlêctrôn liên
kết yếu hay êlêctrôn gần tự do. Vì thế năng tuần hoàn V ( r ) là yếu, nên ta có thể
coi đó như một nhiễu loạn của cơ học lượng tử và áp dụng lí thuyết nhiễu loạn của
cơ học lượng tử để giải bài toán này. Mô hình êlêctrôn gần tự do áp dụng tốt cho
những êlêctrôn ở lớp ngoài cùng (êlêctrôn hóa trị) vì những êlêctrôn này chịu tác
dụng rất yếu của các lõi nguyên tử. Trên cơ sở mô hình này, ta có thể giải thích
được nhiều tính chất chung của vùng năng lượng trong vật rắn. Mô hình này còn
giúp ta giải quyết nhiều bài toán về êlêctrôn trong kim loại.
Nếu thế năng của êlêctrôn trong tinh thể là yếu, thì trạng thái của êlêctrôn
trong tinh thể gần giống như trạng thái của êlêctrôn tự do. Có thể coi như trạng thái
êlêctrôn tự do là trạng thái chưa bị nhiễu loạn, còn trạng thái của êlêctrôn trong tinh
thể là trạng thái bị nhiễu loạn.
Trạng thái chưa bị nhiễu loạn được xác định từ phương trình Srôđingơ với
êlêctrôn tự do:
) r r
H 0ψ 0 (r ) = E 0ψ 0 (r ) (3-53)
) − h2 2
trong đó H 0 = ∇
2m
)
Nghiệm của phương trình (3-53), tức là hàm riêng của toán tử H 0 , là hàm
)
sóng phẳng (3-3). Còn trị riêng của H 0 , tức là năng lượng của êlêctrôn tự do được
xác định theo (3-4).
Trạng thái bị nhiễu loạn được xác định từ phương trình Srôđingơ:
r r
Hˆ 0ψ ( r ) = Eψ (r ) (3-54)
) )
trong đó, toán tử H bao gồm H 0 và thế năng V ( r ) của êlêctrôn trong trường
tinh thể:
r
Hˆ = Hˆ 0 + V ( r ) (3-55)

Vì thế năng V ( r ) có giá trị nhỏ nên có thể coi là nhiễu loạn.
Hàm sóng của trạng thái bị nhiễu loạn được biểu diễn dưới dạng tổ hợp tuyến
tính của các hàm sóng của các trạng thái không nhiễu loạn. Nếu dừng lại ở gần
đúng bậc một, thì hàm sóng của êlêctrôn trong tinh thể có dạng:
r r r
r r ∫
r
ψ 0kr*1 ( r )V( r )ψ 0kr d r
r
ψ kr ( r ) = ψ 0kr ( r ) + r∑r r ψ 0kr ( r ) (3-56)
k1 = k Ek − Ek
0r 0r
1

Năng lượng của êlêctrôn trong tinh thể ở gần đúng bậc hai là:
 2
r r 0
∫ ψ ( r )V( r )ψ kr dr
0r *
k1
r r r
E kr = E 0kr + ∫ ψ 0kr* ( r )V( r )ψ 0kr dr + r∑r r
(3-57)
r
r k1 ≠ k E 0kr − E 0kr
1

Điều kiện để có thể áp dụng phương pháp nhiễu loạn là toán tử nhiễu loạn V
( r ) phải nhỏ, nghĩa là phải thỏa mãn bất đẳng thức:
0* r r 0 r r r
∫ ψ kr ( r )V( r )ψ kr d r << E kr − E kr , k1 ≠ k (3-58)
0 0
1 1

Ta hãy xét các yếu tố ma trận của toán tử V ( r ) trong các biểu thức trên đây.
r
Chú ý rằng ψ 0kr ( r ) được xác định theo (3-3) và V ( r ) được phân tích thành chuỗi
Furiê theo (3-9), ta có:
r r r r r r r r rr
Vkrkr = ψ 0kr* ( r )V( r )ψ 0kr ( r )d r = A 2 ∑
1 1 r ∫
e − ik r
VG
re
iG r ik r
e dr 1

r r r r
= A2 ∑
r
VGr ∫ e i ( k + G − k ) r d r
1

r r r r
= A2 ∑
r
VGr ∫ e i ( k + G − k ) r d r
1
(3-59)
G

Sử dụng các tính chất của hàm đenta (*), ta thấy yếu tố ma trận Vkr kr chỉ khác 1

r r
không khi k + G - k 1 = 0. Như vậy trong biểu thức của ψ kr ( r ) (3-56), chỉ còn lại các
số hạng ứng với:
r
k1 = k + G (3-60)
r
Việc lấy tổng theo k 1 luôn thỏa mãn (3-60) qui về việc lấy tổng theo G , do đó
từ (3-56) ta có:
r r 0 r r
∫ ψ r r ( r )V( r )ψ r ( r )d r
0*
r r r
ψ kr ( r ) = ψ 0kr ( r ) + ∑ k +G k
ψ 0kr +Gr ( r ) (3-61)
r
G≠0 E kr − E kr +Gr
0

r r r r
Yếu tố ma trận ∫ψ ( r )V( r )ψ 0kr ( r )d r chính là hệ số phân tích VGr trong hcuỗi
0*
r r
k +G

Furiê (3-9). Vì vậy:

r r VGr r
ψ kr ( r ) = ψ 0kr ( r ) + ∑ ψ 0kr +Gr ( r ) (3-61a)
G ≠ 0 E kr − E kr + G
r 0
r

Từ (3-57), ta có biểu thức cho năng lượng:

2
VGr
E kr = E + ∑ 0
r (3-62)
r k
G≠0 E 0kr − E kr + Gr

trong đó
 r r r r
V0 = VGr =0 = ∫ ψ 0kr*+Gr ( r )V( r )ψ 0kr ( r )d r

Trong (3-62), khi các số hạng ở vế phải do trường thế tinh thể gây nên có giá
trị nhỏ so với E 0kr thì năng lượng E kr gần bằng năng lượng của êlêctrôn tự do.

2. Trong các biểu thức (3-61) và (3-62), có thể xảy ra trường hợp mà VGr ≠ 0,
nhưng:
E 0kr = E 0kr + Gr (3-63)

Khi đó, các số hạng bổ chính do nhiễu loạn gây ra không thể coi là nhỏ được.
Theo (3-4), có thể viết lại (3-63) thành:

( k + G )2 = k2 (3-64)
Từ đó:

2 k G = - G2 (3-65)

Chú ý rằng k G = k G .G, với k G là hình chiếu của vectơ k lên vectơ G , từ (3-
65), ta có:
1
kG = - G (3-66)
2

Hình 3.4

Điều đó có nghĩa là các vectơ k thỏa mãn (3-65) có đầu mút nằm trên mặt
phẳng vuông góc với vectơ − G và đi qua trung điểm của vectơ này (h.3.4). Mặt
phẳng đó chính là biên của vùng Briloanh thứ nhất. Vậy, khi thỏa mãn điều kiện (3-
63) thì vectơ k nằm ở biên vùng Briloanh thứ nhất.
Rõ ràng là ở biên vùng Briloanh và cả ở gần đó, khi gần thỏa mãn (3-63), lí
thuyết nhiễu loạn mà ta đã dùng để tìm ra các biểu thức (3-61) và (3-62) không thể
sử dụng được nữa. Trong trường hợp này, có sự suy biến của các mức năng
lượng không nhiễu loạn: ứng với một mức năng lượng xác định theo (3-63), có hai
trạng thái khác nhau ψ 0kr và ψ 0kr + Gr . Ta cần áp dụng phương pháp nhiễu loạn khi có
suy biến.
Hàm sóng của trạng thái nhiễu loạn là chồng chất các hàm sóng không nhiễu
loạn:
ψ k = a kr ψ 0kr + a kr + Gr ψ 0kr + Gr (3-67)

Đặt (3-67) vào phương trình Srôđingơ (3-2), ta có:

r r
a kr E 0kr ψ 0kr + a kr + Gr E 0kr + Gr ψ 0kr + Gr + a kr V( r )ψ 0kr + a kr + Gr V( r )ψ 0kr + Gr =

= Ea kr ψ 0kr + Ea kr + Gr ψ 0kr + Gr (3-68)

Nhân hai vế của (3-68) với ψ 0kr ' rồi với ψ 0kr + Gr và lấy tích phân theo r , chú ý đến
điều kiện trực giao của các hàm sóng không nhiễu loạn, ta có:

E 0kr a kr + V0 a kr + VGr* a kr + Gr = Ea kr (3-69a)

E 0kr + Gr a kr + Gr + VGr a kr + V0 a kr + Gr = Ea kr + Gr (3-69b)

Chú ý rằng:
r r
VGr = ∫ ψ 0kr*+ Gr V( r )ψ 0kr d r (3-70)

nên: V−Gr = VGr0 (3-71)

(3-69) là hệ phương trình bậc nhất không có vế phải mà nghiệm của nó là các
hệ số a kr và a kr + Gr . Muốn cho hệ có nghiệm không tầm thường, định thức của các hệ
số phải bằng không:

V0 + E 0kr − E VGr*
=0 (3-72)
VGr V0 + E 0kr + Gr − E

Đây chính là phương trình xác định năng lượng E của êlêctrôn:

1 1 0r 2
E = V0 + (E 0kr + E 0kr + Gr ) ± (E k − E 0kr + Gr )2 + VGr (3-73)
2 4
Từ đó, ta thấy thế của trường tinh thể đã dẫn đến sự tách các mức năng
lượng ở gần biên vùng Briloanh: sự suy biến đã bị mất đi. Ở biên vùng Briloanh,
khi thỏa mãn (3-63) và (3-64), hai mức này (ứng với hai dấu + và - trong (3-73)
tách ra một khoảng bằng 2 VG . Ở gần biên vùng, độ tách còn lớn hơn.

Ta hãy làm rõ thêm điều này. Từ (3-69b), ta rút ra:

VGr
a kr + Gr = a kr (3-74)
E − E k + G − V0
0r r
 Thay biểu thức của E theo (3-73) vào, ta có hai giá trị của a kr + Gr là:

VGr
a ±kr + Gr = a kr (3-75)
1 0r* 1 0r 2
(E k − E 0kr*+ Gr ) ± (E k − E 0kr + Gr )2 + VGr
2 4

Đặt (3-75) vào (3-67), ta thu được biểu thức của hàm sóng:

⎛ ⎞
⎜ ⎟
⎜ VGr
±
ψ = a kr ψ kr +
0
ψ kr + Gr ⎟
0
(3-76)
⎜ 1 0r* 1 0r 2 ⎟
⎜ (E k − E 0kr*+ Gr ) ± (E k − E 0kr + Gr )2 + VGr ⎟
⎝ 2 4 ⎠

Ở biên vùng Briloanh, khi thỏa mãn (3-63) và (3-66), thì từ (3-76) và (3-73), ta
thu được biểu thức cho hàm sóng:
VGr 0
ψ± = a r
G
(ψ 0 Gr ± ψr ) (3-77)
−
2
−
2
VGr G2

và năng lượng:

E ± = V0 + E Gr ± VGr (3-78)
2
rr
Giả sử VGr < 0. Vì ψ 0kr = A eikr , xét theo phương x, từ (3-77), ta có:

1
ψ + = −2ia Gr sin( Gx) (3-79a)
2
2

1
ψ − = −2a Gr cos( Gx) (3-79b)
2
2

Như vậy, ở biên vùng Briloanh, trạng thái ψ + ứng với năng lượng E + , trạng
thái ψ − ứng với E − . Sự suy biến đã bị khử.

Sự phụ thuộc của năng lượng theo vectơ sóng ở biểu thức (3-73), khi xét
trong trường hợp một chiều (hoặc theo phương của một vectơ cơ sở của mạng
đảo) được biểu diễn trong sơ đồ vùng Briloanh rút gọn trên hình 3.5 và trong sơ đồ
vùng Briloanh mở rộng trên hình 3.6. Nét chấm chấm trên các hình là sự phụ thuộc
E 0k của êlêctrôn tự do (3-4).
 Hình 3.5 Hình 3.6
Từ hình vẽ, ta thấy ở xa biên vùng Briloanh, quy luật tán sắc (sự phụ thuộc
của E vào k ) của êlêctrôn gần tự do ít sai khác so với quy luật tán sắc parabol (3-4)
của êlêctrôn tự do. Càng gần biên vùng Briloanh, càng có sự sai khác so với quy
luật tán sắc parabol (3-4) của êlêctrôn tự do. Ở biên vùng Briloanh trong phổ năng
lượng của êlêctrôn gần tự do có chỗ gián đoạn. Vì vậy hình thành các vùng được
phép và vùng cấm.
Ta hãy xác định mật độ dòng xác suất (1) ở biên vùng Briloanh, theo phương
trục x chẳng hạn. Biểu thức của hình chiếu lên trục x của vectơ mật độ dòng xác
suất là:

ih ∂ψ * ∂ψ
jx = (ψ − ψ* ) (3-80)
2m ∂x ∂x
ở biên vùng Briloanh hàm sóng là ψ + và ψ − theo (3-79). Thay chúng vào (3-
1 1
80), chú ý rằng a G là đại lượng không đổi, còn sin ( Gx) và cos ( Gx) là thực, từ
2
2 2
(3-80), ta có:

j ±x = 0 (3-81)

Như vậy, mật độ dòng xác suất ứng với các vectơ sóng k ở biên vùng
Briloanh bằng không. Điều đó có nghĩa là sóng có vectơ k ứng với biên vùng
Briloanh bị phản xạ mạnh bởi các nút mạng tinh thể.
Kết quả tương tự như trong trường hợp mạng hai hay ba chiều. Ta hãy trở lại
biểu thức (3-65) xác định biên vùng Briloanh. Ta có:
r r
k.G = k G .G = k. sin θ.G (3-82)

với góc θ là góc giữa vectơ k và mặt phẳng vuông góc với vectơ G .
 Như đã nói ở chương 1, vectơ G xác định một họ các mặt phẳng tinh thể
vuông góc với nó. Vì vậy θ chính là góc giữa vectơ k và các mặt phẳng tinh thể.
Khoảng cách giữa các mặt phẳng tinh thể liên tiếp nhau và cùng vuông góc với G
là:
2π
d=
G
do đó
2π
G = n. (3-83)
d
Với n là số nguyên. Từ (3-82) và (3-68), ta suy ra:
π
k sin θ = n (3-84)
d
2π
Chú ý rằng k = , từ (3-84) ta rút ra:
λ

2d sin θ = n λ (3-85)
là điều kiện Brêgơ (Bragg) để có cực đại phản xạ đối với sóng đập vào tinh
thể.
Như vậy, điều kiện (3-65) xác định biên vùng Briloanh trùng với điều kiện
Brêgơ cho sự phản xạ của sóng đập vào mặt phẳng tinh thể (với điều kiện bước
sóng cùng cỡ độ lớn với khoảng cách giữa các nguyên tử).

Hình 3.7
Trở lại với hình 3.6, ta thấy ở biên vùng Briloanh có sự gián đoạn trong phổ
năng lượng, tạo thành các vùng được phép được ngăn cách bởi các vùng cấm.
Trong sơ đồ vùng mở rộng, ở mỗi điểm trên biên vùng Briloanh, năng lượng ở
vùng ngoài luôn lớn hơn ở vùng trong. Tuy nhiên, nếu xét trường hợp hai chiều
hoặc ba chiều, có thể xảy ra tình hình như được mô tả trên hình 3.7: năng lượng
thấp nhất của vùng ngoài theo hướng k 1 còn thấp hơn mức năng lượng cao nhất
của vùng trong theo hướng k 2 . Như vậy, xét chung cho tinh thể, thì giữa vùng
được phép ở dưới và vùng được phép ở trên không có vùng cấm ngăn cách vì
rằng các vùng được phép theo các phương khác nhau của vectơ sóng k phủ
nhau.
Bây giờ, chúng ta khảo sát mặt đẳng năng, là tập hợp những điểm trong
không gian ảo ứng với cùng một giá trị năng lượng E.
Trong trường hợp mạng tinh thể hai chiều, mạng đảo cũng là mạng hai chiều,
các mặt đẳng năng quy về các đường đẳng năng. Những đường đẳng năng của
mạng hai chiều hình vuông được vẽ trên hình 3.8. Ta nhận thấy ở gần tâm vùng
Briloanh (k = 0), đường đẳng năng là những đường tròn (đường 1,2). Đó là vì khi k
π
<< , tức là ở xa biên vùng Briloanh, quy luật tán sắc của êlêctrôn gần tự do rất ít
a
sai khác so với quy luật tán sắc của êlêctrôn gần tự do rất ít sai khác so với quy
luật tán sắc của êlêctrôn tự do (3-4). Vì vậy điều kiện E = const trên đường đẳng
năng dẫn tới phương trình của đường tròn:
k 2 = k 2x + k 2y = const

Khi xa tâm vùng Briloanh và ở gần biên vùng, trên đường đẳng năng xuất hiện
những chỗ lồi (đường 3). Sở dĩ như vậy là vì như ta thấy trên hình (3.6) hoặc (3.7),
ở càng gần biên vùng, năng lượng E càng chậm tăng theo k. Vì vậy, với cùng độ
tăng của năng lượng E giữa hai mặt đẳng năng, cần có độ tăng của k lớn hơn.
Những đường đẳng năng ứng với những giá trị năng lượng cao nhất (đường
4,5) cắt biên vùng Briloanh.
Có thể chứng minh được rằng các đường đẳng năng (trong trường hợp ba
chiều, là các mặt đẳng năng) lập với biên vùng Briloanh theo những góc vuông.
Thật vậy, nếu ta phân tích vectơ sóng k thành:
r r r
k = k Gr + k // (3-86)
r r
trong đó k Gr hướng dọc theo vectơ G , còn k // song song với biên vùng
Briloanh tức là vuông góc với vectơ G , thì từ (3-4) ta có:
∂E 0kr h 2 ∂E 0kr +Gr h 2
= kr; = ( k Gr + G ) (3-87)
∂k Gr m G ∂k Gr m

Do đó:

∂ h2
(E 0kr + E 0kr + Gr ) = (2 k Gr + G ) (3-88)
∂k Gr m
 Lấy đạo hàm (3-73) theo k Gr , ta có:

∂E h 2 h2 (E 0kr − E 0kr + Gr )G
= (2 k G + G ) ±
r (3-89)
∂k Gr m 4m 1 0r 2
(E k − E 0kr + Gr ) 2 + VGr
4

Ở biên vùng Briloanh, điều kiện (3-63) và (3-66) được thỏa mãn, vì vậy (3-89)
cho ta:
∂E
=0 (3-90)
∂k G

vectơ k G vuông góc với biên vùng Briloanh. Đạo hàm của E theo k G bằng
không, có nghĩa là ở biên vùng, khi đi dọc theo k G , năng lượng không thay đổi.
Điều đó có nghĩa là vectơ k G nằm trên mặt (đường) đẳng năng. Nói khác đi, mặt
(đường) đẳng năng tại biên vùng Briloanh thì vuông góc với biên vùng.
Biểu thức (3-90) còn có ý nghĩa vật lí khác. Từ (3-42) ta thấy:
∂E
= hv G = 0 (3-91)
∂k G

trong đó v G là vận tốc trung bình của êlêctrôn theo phương vuông góc với
biên vùng Briloanh. Do đó (3-90) phù hợp với kết quả (3-81) và có ý nghĩa là tại
biên vùng Briloanh, vận tốc trung bình của êlêctrôn có hình chiếu bằng không theo
phương pháp tuyến với biên vùng.
3. MÔ HÌNH ÊLÊCTRÔN LIÊN KẾT MẠNH
Ta xét trường hợp tinh thể trong đó êlêctrôn liên kết chặt chẽ với lõi nguyên
tử, mặc dù vẫn chịu tác dụng của thế của trường tinh thể. Trong trường hợp này,
trạng thái của êlêctrôn gần với trạng thái trong nguyên tử hơn là trạng thái êlêctrôn
tự do. Phương pháp gần đúng êlêctrôn tự do không áp dụng được một cách tiện
lợi (vì phải xét tổ hợp của rất nhiều hàm sóng phẳng). Ta phải áp dụng phương
pháp gần đúng elêctrôn liên kết mạnh. Phương pháp này thích hợp cho việc nghiên
cứu tính chất của các êlêctrôn ở những lớp bên trong nguyên tử.
Trước hết, ta xét một êlêctrôn trong nguyên tử tự do. Thế năng của nó trong
trường hợp do hạt nhân và các êlêctrôn khác của nguyên tử gây nên là Vnt ( r ), với
r là khoảng cách đến tâm nguyên tử. Nếu hàm sóng của êlêctrôn trong nguyên tử
r
là Φ nt ( r ) thì nó thỏa mãn phương trình Srôđingơ:

r ⎡ h2 2 r⎤ r r
Ĥ nt Φ nt ( r ) = ⎢− ∇ + V nt ( r )⎥ ψ nt ( r ) = E n Φ nt ( r ) (3-92)
⎣ 2m ⎦
 trong đó En là năng lượng của êlêctrôn ở trạng thái lượng tử n (hay mức n).
Để cho đơn giản, ta giả thiết mức năng lượng không suy biến, và giả thiết các hàm
sóng ψnt( r ) đã được chuẩn hóa.

Hình 3.9
Giả sử những nguyên tử giống hệt nhau được đưa lại gần nhau và tạo thành
tinh thể. Thế năng V ( r ) của êlêctrôn trong tinh thể là chồng chất của các thế năng
nguyên tử biểu diễn bằng đường liền nét trên hình 3.9. Nó là hàm tuần hoàn với
chu kì là vectơ mạng. Nếu ta đặt vào gốc của hệ tọa độ tại một nguyên tử xác định
r
trong tinh thể, thì vị trí của các nguyên tử khác được mô tả bởi các vectơ mạng R j .
Trong phương pháp gần đúng êlêctrôn tương tác mạnh, ta giả thiết trong tinh thể
êlêctrôn ở gần hạt nhân thứ j ít chịu ảnh hưởng của các nguyên tử khác, tức là khi
r
ngọn của vectơ r nằm ở gần R j , hàm sóng của êlêctrôn được xác định gần đúng
r
bởi hàm Φ ( r - R j ), còn năng lượng của êlêctrôn cũng gần với giá trị En trong
nguyên tử tự do.
Ta đặt
r r r r r
V' ( r − R j ) = V( r ) − V nt ( r − R j ) (3-93)
r r
thì V' ( r − R j ) cho ta sự sai khác giữa thế năng của êlêctrôn trong tinh thể đặt
ở vị trí r so với thế năng của êlêctrôn cũng ở điểm đó khi chỉ có một nguyên tử
r r
riêng lẻ đặt ở vị trí R j . Như vừa nói trên đây, V ( r ) sai khác rất ít so với Vnt ( r - R j ),
r r
do đó V’ ( r - R j ), rất bé. Từ hình vẽ, ta dễ thấy là V’ ( r - R j ) < 0.

Hàm sóng của êlêctrôn trong tinh thể dưới dạng một tổ hợp tuyến tính của các
hàm sóng nguyên tử. Mặt khác, vì ta xét êlêctrôn trong trường tuần hoàn của tinh
thể, nên hàm sóng phái là hàm Blôc. Ta chọn hàm này dưới dạng:
r 1 rr
r r
ψ krn ( r ) =
N
∑r e ikR
Φ n r − R)
( (3-94)
R
 1
với N là số nguyên tử trong tinh thể và là hệ số chuẩn hóa.
N

Hàm Φn ( r - R ) là hàm sóng êlêctrôn trong nguyên tử ở trạng thái n, là hàm

r
định xứ mạnh, có tâm đặt tại các nút mạng xác định bởi vectơ R . Hàm ψ krn ( r ) có
tính chất của một hàm Blôc (3-24). Thật vậy, giả sử thực hiện phép tịnh tiến một
vectơ mạng R 1 , ta có:
r r 1 rr
r r r
ψ krn ( r + R1 ) =
N
∑r Φ n ( r + R1 − R)
R
e ikR

r r r
[ ]
rr
r r r
1
∑
N Rr
e ik ( R − R )
= e ikR 1
Φ n r + ( R − R1 )
1
(3-95)

r
Tổng ở biểu thức cuối cùng này cũng chính là ψ krn ( r ) , do đó ta có thể viết:
r r rr
ikR1 r r
ψ ( r + R1 ) = e ψ kn ( r )
r
kn
(3-96)
r
Vậy ψ krn ( r ) thỏa mãn tính chất đặc trưng (3-28) của hàm Blôc.

Toán tử Haminton của êlêctrôn trong tinh thể là:

r
h2 2 r p2 r
Ĥ = − ∇ + V( r ) = + V( r ) (3-97)
2m 2m

Với V ( r ) là thế năng tuần hoàn của êlêctrôn trong tinh thể. Năng lượng của
êlêctrôn trong tinh thể, ở trạng thái (3-94) được xác định bởi biểu thức:
r r
E n ( k ) = ∫ ψ*krn Ĥψ krn d r (3-98)

Đặt ψ krn theo (3-94) vào, ta có:

r 1 r r r
* r
r r r r r r
E n ( k ) = ∑∑ e ik ( R − R 1 )
∫ n
Φ ( r − R 1 ) Ĥ ( p̂, r )Φ n r − R )d r
( (3-99)
N Rr Rr 1

Đặt:
r r r r r r
r = r1 + R; h = R − R1 (3-100)

Thì (3-99) cho ta:

r 1 rr
* r
r r r r r r
E n ( k ) = ∑∑ e ikh
∫ Φ n ( r1 + h ) Ĥ ( p̂, r1 + R )Φ n ( r1 )d r1 (3-101)
N Rr hr

Vì V ( r ) tuần hoàn với chu kì vectơ mạng theo (3-1), nên:

r r r r r
Ĥ(p̂, r1 + R) = Ĥ(p̂, r1 ) (3-102)

và (3-101) thành:
 r 1 rr
* r
r r r r r
E n ( k ) = ∑∑ e i kh
∫ Φ n ( r1 + h ) Ĥ ( p̂, r1 )Φ n ( r1 )d r1 (3-101a)
N Rr hr

Biểu thức trong dấu tổng không phụ thuộc R , do đó có thể đưa ra ngoài dấu
1
tổng theo R . Mặt khác, ∑ 1 = 1, do đó (3-101a) trở thành:
N R
r rr r
E n (k) = ∑
r
e ik h
ε n ( h ) (3-103)
h

trong đó:
r r r r r
ε n (h ) = ∫ Φ * n ( r + h )ĤΦ n ( r )d r (3-104)

Biểu thức (3-103) thỏa mãn điều kiện tuần hoàn theo vectơ mạng đảo (3-21).
Thật vậy, từ (3-103):
r r r r r r rr r
E n ( k − G) = ∑
r
e i( k − G ) h
ε n ( h ) = ∑
r
e i kh
ε n ( h ) (3-105)
h h
rr
vì h là vectơ mạng thuận, và theo (3-10) thì e − iGh = 1. So sánh (3-103) và (3-
105), ta tìm lại được (3-21).
r
Các hàm sóng nguyên tử Φ n ( r ) định xứ mạnh quanh khu vực các nguyên tử.
r r r
Vì vậy, hàm sóng Φ n ( r ) và Φ n ( r + h ) phủ nhau rất ít, và sự phủ của chúng giảm
r
nhanh khi khoảng cách h giữa hai nguyên tử tăng lên. Do đó, giá trị của ε n ( h) ở (3-
104) cũng giảm nhanh khi h tăng. Trong biểu thức (3-103) ta chỉ cần giữ lại số
r r r r
hạng ứng với h = 0 và h = h 1 , trong đó h 1 là các vectơ nối nút mạng đang xét với
các nút mạng khác ở gần nó nhất. Từ đó (3-103) trở thành:
r rr r
E n ( k ) = ε n ( 0) + ∑
r
e i kh
ε n ( h 1)
1
(3-106)
h1

Để hiểu thêm về ý nghĩa của các kết quả vừa thu được, ta áp dụng biểu thức
(3-106) cho trường hợp mạng tinh thể lập phương giản đơn. Trong mạng tinh thể
r
này, mỗi nguyên tử có 6 nguyên tử khác ở gần nó nhất, do đó 6 vectơ h 1 có tọa độ
là: (a, 0, 0); (-a, 0, 0); (0, a, 0); (0, -a, 0); (0, 0, a) và (0, 0, a). Ta giả thiết các hàm
sóng nguyên tử có tính đối xứng cầu (các hàm sóng của trạng thái s chẳng hạn),
đối với chúng không có phương ưu tiên. Năng lượng của êlêctrôn trong tinh thể,
theo (3-106) là:
r − ik a
E n ( k ) = ε n (0) + ε n (a )(e ik x a + e − ik x a + e y + e y + e ik z a + e − ik z a )
ik a
(3-107)

hoặc
r
E n ( k ) = ε n ( 0) + ε n (a )(cos k x a + cos k y a + cos k z a ) (3-108)

Có thể chứng minh được là ε n (a ) < 0.

 Từ biểu thức này, có thể rút ra một số kết luận quan trọng. Trước hết, ta thấy
phần phụ thuộc vào vectơ sóng k của E ( k ) là tuần hoàn theo vectơ sóng k . Để
cho k được xác định một cách duy nhất, ta giới hạn các giá trị của chúng trong
π π
vùng Briloanh thứ nhất, tức là ≤ k x ≤ - , v.v. Vậy vùng Briloanh thứ nhất là
a a
2π
một hình lập phương có các cạnh trong không gian k , mà gốc của vectơ k đặt
a
ở trên hình.
Vì -1 ≤ cos α ≤ 1, nên các giá trị của năng lượng theo (3-108) nằm trong một
vùng có bề rộng:
ΔE = 12 ε n (a ) (3-109)

Đáy của vùng ứng với các giá trị cos α = 1, tức là với k = 0 (tâm của vùng
Briloanh), ở đó năng lượng có giá trị:
r
E n ( k ) = ε n ( 0 ) − 6 ε n (a )

Đỉnh của vùng ứng với các giá trị cos α = -1, tức là với k x a = ± π , k y a = ± π ,
k z a = ± π (các góc của vùng Briloanh). Ở đó:
r
E n ( k ) = ε n ( 0 ) − 6 ε n (a )

Từ (3-304), ta thấy ε n (a) và do đó bề rộng của vùng năng lượng giảm đi khi
sự phủ hàm sóng của hai nguyên tử lân cận giảm đi. Từ đó ta thấy ngay rằng các
mức êlêctrôn bên trong ở nguyên tử tự do sẽ tạo nên những vùng năng lượng hẹp
trong tinh thể, còn các êlêctrôn càng ở bên ngoài thì ứng với các vùng năng lượng
càng rộng hơn.
Nếu các nguyên tử ở rất xa nhau, tức là a → ∞ , thì theo (3-104), ε n (a) → 0
vì sự phủ của hai hàm Φ ( r + a ) và Φ ( r ) tiến đến không. Khi đó, bề rộng của vùng
năng lượng ΔE → 0 và năng lượng En ( k ) tiến tới mức năng lượng En. Điều này
giúp ta giải thích sự tạo thành các vùng năng lượng trong tinh thể. Giả sử có N
nguyên tử đặt xa nhau, các nguyên tử này ở cùng một trạng thái. Trạng thái
elêctrôn được mô tả bởi hàm sóng nguyên tử Φn định xứ mạnh, và ứng với mức
năng lượng En. Vì rằng êlêctrôn ở tất cả các nguyên tử đều ở trạng thái Φn, nên
mức năng lượng En suy biến. Khi các nguyên tử được đưa lại gần nhau để tạo
thành tinh thể, chúng nhiễu loạn lẫn nhau, vì vậy sự suy biến mất đi và mức
êlêctrôn của nguyên tử tự do tách thành vùng năng lượng trong tinh thể (h.3.10).
Như thấy được trên hình, khi các nguyên tử đủ gần nhau, các vùng năng lượng
xuất phát từ các mức năng lượng khác nhau trong nguyên tử tự do có thể mở rộng
ra đến mức là chúng phủ nhau.
 Hình 3.10
Từ (3-108), với các giá trị k bé, khi mà ka << 1, ta có thể phân tích cos k x a
thành chuỗi theo k x a :

1
cos k x a = 1 − ( k x a )2 (3-110)
2
và tương tự cho cos k y a ; cos k z a . Khi đó, từ (3-108), ta có ở gần tâm vùng
Briloanh:
r
E n ( k ) = ε n ( 0 ) + 6 ε n ( a ) − ε n ( a )a 2 k 2 (3-111)

nghĩa là quy luật tán sắc có dạng hàm Parabol. Có thể viết lại (3-111) thành:
r h2k2
E n ( k ) = ε n ( 0 ) + 6 ε n (a ) − (3-112)
2m *
để thấy sự tương tự với biểu thức năng lương của êlêctrôn tự do (3-4). Ở đây
*
m đóng vai trò như khối lượng m của êlêctrôn tự do và được gọi là khối lượng hiệu
dụng của êlêctrôn trong tinh thể. Trong trường hợp này, biểu thức của nó là:

h2
m =− 2
*
(3-113)
2 a ε n (a )

Nhận xét (3-113), ta thấy khi ε n (a) càng bé thì m* càng lớn, nghĩa là bề rộng
vùng năng lượng càng nhỏ thì khối lượng hiệu dụng càng lớn.

Từ (3-111), ta có:

d2 E
2
= −2a 2 ε n (a ) (3-114)
dk
nên có thể viết lại (3-113) thành:

1 1 d2 E
= (3-115)
m* h 2 dk 2
 Dựa vào (3-111), có thể thấy ngay là ở gần tâm vùng Briloanh, các mặt đẳng
năng, là những mặt cầu, và theo (3-115) khối lượng hiệu dụng m* có tính đẳng
hướng.
Khi k tăng lên, các mặt đẳng năng bị biến dạng dần, và bị kéo dài về phía biên
vùng Briloanh. Đó là vì đạo hàm:
r
∂E n ( k )
= −2aε n (a ) sin k x a (3-116)
∂k x
r r
∂E n ( k ) ∂E n ( k )
(và tương tự , ) , có giá trị nhỏ ở gần biên vùng Briloanh.
∂k y ∂k z

Ở biên vùng, k x a = ± π , k y a = ± π , k z a = ± π , nên các đạo hàm đó triệt tiêu,

giống như đã thấy ở (3-90). Vậy, ở biên vùng Briloanh, các mặt đẳng năng vuông
góc với biên vùng.

Hình 3.11
Hình 3.11 cho thấy một mặt đẳng năng trong mạng lập phương đơn giản, ứng
với các mặt sóng không ở gần tâm vùng Briloanh.
Ở xung quanh các góc của vùng Briloanh, ta có thể đặt:
π
kx = ± + k' x (3-117)
a
1
Với k ' x << , và biểu thức tương tự cho k y và k z . Như vậy có thể phân tích
a
π
các hàm cosin thành chuỗi. Chẳng hạn ở gần góc k x = k y = k z = , thì:
a

( k ' x a )2
cos k x a = cos(π + k ' x a ) = − cos k ' x a = −1 + + ... (3-118)
2
và tương tự cho cos k y a , cos k z a .

Thay (3-118) vào (3-108), ta có:

r
E n ( k ) = ε n ( 0 ) − 6 ε n ( a ) + ε n ( a )a 2 k ' 2 (3-118a)

hoặc viết dưới dạng:

 r h 2 k '2
E n ( k ) = ε n ( 0 ) − 6 ε n (a ) + (3-119)
2 m*
trong đó:

h2
m* = (3-120)
2 a 2 ε n (a )

So sánh với (3-113), ta thấy ở gần các góc của vùng Briloanh, khối lượng hiệu
dụng có môđun bằng, nhưng có dấu ngược lại với khối lượng hiệu dụng ở tâm
vùng.

Hình 3.12
Từ (3-119), ta thấy ở gần các góc vùng Briloanh, mặt đẳng năng cũng là
những mặt cầu và quy luật tán sắc có dạng hàm parabol. Hình 3.12 cho ta đường
đẳng năng trong mặt phẳng k x . k y của hình lập phương trong phương pháp gần
đúng liên kết mạnh.
4. TÍNH CHẤT CỦA ÊLÊCTRÔN THEO LÍ THUYẾT VÙNG NĂNG LƯỢNG.
1. Phương trình chuyển động của êlêctrôn
Trạng thái của êlêctrôn trong tinh thể được xác định bởi hàm sóng Blôc (3-24)
ứng với vectơ sóng k .Vận tốc chuyển động của êlêctrôn liên hệ với tần số góc của
sóng êlêctrôn:
dω
v= (3-121)
dk
trong đó ω là tần số góc của sóng và liên hệ với năng lượng E của êlêctrôn
theo hệ thức:
E
ω= (3-122)
h
Do đó:
1 dE
v= (3-123)
h dk
 (ở đây để cho đơn giản, ta xét trường hợp một chiều ) (3-123) cho thấy, muốn
xác định được vận tốc của êlêctrôn, cần biết sự phụ thuộc của E theo k.

Hình 3.13

h2 k 2
Đối với êlêctrôn tự do, E = do đó ta có ngay v g = hk m = p m .
2m
Trong tinh thể, nói chung năng lượng không tỉ lệ với k2, mà phụ thuộc vào k
một cách phức tạp như đã thấy ở các mục trước. Giả sử, đường cong E (k) có
dE
dạng như trên hình 3.13a. Ở đáy và đỉnh của vùng năng lượng, v = 0 vì ở đó =
dk
0. Vận tốc đạt giá trị tuyệt đối cực đại ở k = k0 là điểm uốn trên đường cong E (k).
Để ý rằng bên trên điểm k0 vận tốc giám khi năng lượng tăng. Đó là điều hoàn
toàn khác so với trường hợp của êlêctrôn tự do.
Trong trường hợp ba chiều, biểu thức cho vận tốc êlêctrôn trở thành:
r 1 1r
v = grad kr E = ∇ kr E (3-124)
h h
Ta thấy lại hệ thức cho vận tốc của êlêctrôn như ở (3-42).

Khi có trường ngoài, chẳng hạn điện trường ξ , tác dụng vào êlêctrôn trong
tinh thể và giả sử lúc đầu êlêctrôn ở trong trạng thái k. Công δ E mà điện trường
thực hiện trên êlêctrôn trong khoảng thời gian δ t là:
δE = − eξvδt
 Vì rằng:
dE
δE = δk = hvδk
dk
theo (3-123), nên:
eξ
δk = − δt
h
và do đó:
dk
h = − eξ (3-125)
dt
Ở đây − eξ = F là ngoại lực tác dụng lên êlêctrôn. Vì vậy, phương trình
chuyển động của êlêctrôn trong trường hợp tổng quát là:
r
dk r
h =F (3-126)
dt
r
dk
Kết quả này cho thấy trong tinh thể h bằng ngoại lực tác dụng lên êlêctrôn.
dt
d( m v )
Còn với êlêctrôn tự do thì ngoại lực bằng . Điều đó không có nghĩa là trong
dt
tinh thể, định luật II của Niutơn bị vi phạm. Vấn đề là êlêctrôn trong tinh thể vừa
chịu tác dụng lực của mạng tinh thể, vừa chịu tác dụng của trường lực ngoài. Nếu
ta cố ý biểu thị chuyển động tổng hợp của êlêctrôn chỉ qua tác dụng của trường
lực ngoài, thì khôngcó gì lạ là phương trình chuyển độngcủa êlêctrôn không thể có
dạng đơn giản: F = m a .
Các phép tính đã cho thấy khi trường lực ngoài là từ trường không mạnh lắm
đến mức làm thay đổi cấu trúc vùng năng lượng của vật rắn, vẫn có thể áp dụng
công thức (3-124) cho lực Lorenx tác dụng lên êlêctrôn trong tinh thể đặt trong từ
trường. Khi đó, phương trình chuyển động của êlêctrôn trong từ trường không đổi
B có dạng:
r
dk r r
h = −ev ∧ B (3-127)
dt
hoặc, nếu áp dụng (3-124), ta có:
r
dk e r r
= − 2 ∇ kr E ∧ B (3-128)
dt h

Phương trình (3-128) mô tả chuyển động của êlêctrôn trong không gian k . Từ
đó, ta thấy trong từ trường êlêctrôn chuyển động theo phương vuông góc với
phương građien năng lượng, nghĩa là êlêctrôn chuyển độmg trên mặt đẳng năng.
 r
dk
Vectơ vuông góc với vectơ B , nghĩa là trong không gian k , chuyển động xảy
dt
ra trên mặt phẳng vuông góc với vectơ B . Quỹ đạo của êlêctrôn chính là giao
tuyến của mặt phẳng này với mặt đẳng năng.
2. Phương trình chuyển động của lỗ trống
Khái niệm về lỗ trống là một kết quả đặc biệt lí thú được rút ra từ lí thuyết
vùng năng lượng của vật rắn.
Ta hãy xét một vùng hóa trị của điện môi, vốn bị chiếm hoàn toàn, nhưng vì
một lí do gì đó, có một êlêctrôn bị bứt ra (chẳng hạn do hiệu ứng quang điện).
Thoạt nhìn, có thể nghĩ rằng bài toán này dễ giải hơn nhiều so với bài toán chuyển
động của một êlêctrôn ở vùng dẫn, vì ở đây, ta phải xét bài toán 2N – 1 êlêctrôn.
Tuy nhiên, hệ 2N – 1 êlêctrôn này có thể được xét như một hạt mà ta gọi là lỗ
trống. Nói khác đi, trạng thái êlêctrôn không bị chiếm ở trong vùng được phép
được gọi là lỗ trống. Có bao nhiêu trạng thái không bị chiếm thì có bấy nhiêu lỗ
trống. Nhiều thí nghiệm đã xác định được sự tồn tại và các tính chất vật lí của lỗ
trống.
Để hiểu được khái niệm lỗ trống, cần chú ý rằng các tính chất vật lí của lỗ
trống đều được rút ra từ sự kiện là êlêctrôn chiếm đầy tất cả các trạng thái còn lại
của vùng năng lượng.
Trước hết, ta hãy xét, vectơ sóng của lỗ trống. Muốn vậy, cần biết rằng tổng
vectơ sóng của tất cả các êlêctrôn trong vùng năng lượng bị chiếm đầy thì bằng
không:
r
∑ =0
k (3-129)

Kết quả này suy ra từ tính đối xứng của vùng Briloanh, theo đó, đã có trạng
thái ứng với vectơ sóng k thì cũng phải có trạng thái ứng với - k .
r
Giả sử êlêctrôn bị bứt ra từ trạng thái đặc trưng bởi vectơ sóng k e . Ta có thể
viết lại (3-129) thành:
r r r
ke + ∑ k − ke = 0
r r r
Tổng vectơ sóng k của hệ sau khi êlêctrôn bị bứt ra là ∑ k − k e = − k e . Đó
r
cũng chính là vectơ sóng k h của lỗ trống. Vì vậy:
r r
kh = - ke (3-130)
 Hình 3.14
Trên hình 3.14 biểu diễn vùng hóa trị và vùng dẫn gần nó nhất trong một tinh
thể điện môi. Một êlêctrôn bị bứt khỏi trạng thái A trong vùng hóa trị đầy chuyển lên
r
trạng thái B ở vùng dẫn. Nếu vectơ sóng của êlêctrôn ở A là k e thì khi chuyển lên
r r
B, vectơ sóng của nó vẫn là k e . Tổng vectơ sóng của vùng hóa trị bây giờ là - k e .
Đó cũng chính là vectơ sóng của lỗ trống và nó gần giống như vectơ sóng của
r
êlêctrôn ở trạng thái C (bằng - k e ).

Như vậy, sau khi xuất hiện một êlêctrôn tự do và một lỗ trống, tổng vectơ sóng
của hệ là (1):
r r r r
ke + kh = ke - ke = 0

Phương trình chuyển động của êlêctrôn trong tinh thể có dạng h(d k e dt ) =
F e theo (3-126), trong đó F e là lực tác dụng lên êlêctrôn. Từ đó, theo (3-130), ta có:
r r
dk h dk e r
h = −h = −Fe (3-131)
dt dt

Nếu F e là lực điện trường và từ trường, thì:

r
dk h r r r
h = e(ξ + v e ∧ B ) (3-132)
dt

đó là phương trình chuyển động của một hạt mang điện dương. Chú ý rằng v
được xác định theo (3-124), trong đó E ( k ) là hàm chẵn của k : E ( k ) = E ( − k ). Do
đó v là hàm lẻ của k và

v (k ) = - v (− k) (3-133)

Do tính đối xứng của vùng Briloanh mà ứng với vectơ k , có vectơ - k ; nên
ứng với vectơ v cũng có vectơ - v . Kết quả là tổng vận tốc trong vùng chiếm đầy
triệt tiêu:
 ∑v = 0 (3-134)
r
Nếu êlêctrôn bị bứt khỏi vùng đầy từ trạngthái ứng với vectơ sóng k e thì bằng
r
cách lí luận tương tự như với vectơ k e ở trên, ta có vận tốc tổng cộng của hệ là
r r r
− v e ( k e ) . Đó cũng chính là vận tốc của lỗ trống ứng với vectơ sóng k e :
r r r r
v h (k e ) = −v e (k e ) (3-135)
r
Thực ra, khi êlêctrôn bứt khỏi trạng thái k e thì lỗ trống tương ứng có vectơ
r r r
sóng k h = k e (theo 3-130). Do đó, vận tốc lỗ trống xác định theo vectơ sóng k h
của lỗ trống là:
r r r r
v h (k h ) = v e (k e ) (3-136)

Để cho thuận tiện, người ta thường lấy gốc tính năng lượng của êlêctrôn ở
đỉnh của vùng hóa trị (bịi chiếm đầy) như trên hình. Như vậy năng lượng E ( k e ) của
các êlêctrôn trong vùng hóa trị đều có giá trị âm. Lỗ trống xuất hiện khi êlêctrôn bứt
r
khỏi trạng thái k e có năng lượng E h dương:
r
E h = − E( k e ) (3-137)

Vùng năng lượng đối xứng với phép nghịch đảo: k → - k , nên E ( k ) = E (-
r
k ). Do đó năng lượng lỗ trống E h có thể coi như E h ( k h ), và:
r r
E h ( k h ) = − E( k e ) (3-138)

Tức là năng lượng của lỗ trống trái dấu với năng lượng của êlêctrôn bị bứt
khỏi trạng thái tương ứng. Việc xác định dấu của năng lượng êlêctrôn cà lỗ trống
như trên có ý nghĩa vật lí rõ ràng: quá trình bứt êlêctrôn từ trạng thái năng lượng
thấp đòi hỏi phải thực hiện một công lớn hơn so với quá trình bứt êlêctrôn từ trạng
thái năng lượng cao hơn trong cùng vùng năng lượng. Lỗ trống ở gần đỉnh vùng
hóa trị có năng lượng thấp hơn lỗ trống ở xa đỉnh:
Từ (3-136) và (3-124), ta có:
r 1r r
v h = ∇ kr E h ( k h ) (3-139)
h
Từ (3-132) và (3-136), ta viết được phương trình chuyển động của lỗ trống là:
r
dk h r r r r
h = e(ξ + v h ∧ B ) = Fh (3-140)
dt
r
với Fh là lực tác dụng lên lỗ trống. (3-140) chính là phương trình chuyển động
của hạt mang điện dương (có thể so sánh với các phương trình (3-125) và (3-127)
cho êlêctrôn).
 Để tìm hiểu về khối lượng hiệu dụng của êlêctrôn và lỗ trống, ta hãy xuất phát
từ phương trình của định luật II Niutơn cho êlêctrôn:
r r
* dv e
me = − eξ (3-141)
dt
và cho lỗ trống
r r
dv h
m *
h = eξ (3-142)
dt
r r
r r dv h dv e
Vì rằng theo (3-136) v h = v e nên = . So sánh (3-141) và (3-142) ta
dt dt
thấy khối lượng hiệu dụng của êlêctrôn và lỗ trống ở cùng một điểm trong vùng
năng lượng trái dấu nhau:

m*h = − m*e (3-143)

3. Tenxơ khối lượng hiệu dụng

Ta hãy xét kĩ hơn khái niệm khối lượng hiệu dụng của êlêctrôn trong tinh thể.
Như đã thấy ở trên, trong tinh thể, êlêctrôn được đặc trưng bởi khối lượng hiệu
dụng m * . Khối lượng hiệu dụng nói chung khác với khối lượng m của êlêctrôn tự
do. Tuỳ theo điều kiện cụ thể mà khối lượnghiệu dụng có thể lớn hơn hoặc nhỏ m.
Khối lượng hiệu dụng có thể có giá trị khác nhau theo các phương (có tính dị
hướng) và có thể có giá trị âm.
Từ biểu thức cho vận tốc êlêctrôn (3-123), lấy đạo hàm theo thoìư gian. Ta có:
2 2
dv −1 d E −1 d E dk
=h =h ( 2 ) (3-144)
dt dkdt dk dt
Theo (3-126) dk dt = F h , do đó:

dv ⎛ 1 d 2 E ⎞
=⎜ ⎟F
dt ⎜⎝ h 2 dk 2 ⎟⎠

hay

h2 dv
F= 2 2
. (3-145)
d E / dk dt

h2
(3-145) có dạng của biểu thức định luật II Niutơn, trong đó m * =
d 2 E / dk 2
đóng vai trò của khối lượng, được gọi là khối lượng hiệu dụng của êlêctrôn. Ta có
thể viết lại:
1 1 d2E
= (3-146)
m * h 2 dk 2
 1
là nghịch đảo của khối lượng hiệu dụng.
m*
Từ (3-146), có thể viết biểu thức xác định khối lượng hiệu dụng, trong trường
hợp ba chiều với mặt đẳng năng không đẳng hướng. Ta có tenxơ nghịch đảo khối
lượng hiệu dụng mà các thành phần của nó là:

⎛ 1 ⎞ 1 d2 E
⎜ *⎟ = (3-147)
⎝ m ⎠αβ h dk α dk β
2

Biểu thức của định luật II Niutơn có dạng:

dv α ⎛ 1 ⎞
=⎜ ⎟ Fβ (3-148)
dt ⎝ m* ⎠ αβ

trong đó α , β biểu thị x, y, z.

Tenxơ nghịch đảo khối lượng hiệu dụng có thể viết thành:

⎛ ∂2E ∂2E ∂2E ⎞

⎜ ⎟
⎜ ∂k 1 ∂k 1 ∂k 2 ∂k 1 ∂k 3 ⎟
2

⎛ 1 ⎞ 1 ⎜ ∂ E ∂2E ∂2E ⎟
2

⎜ *⎟= 2⎜ ⎟ (3-149)
⎝ m ⎠ h ⎜ ∂k 2 ∂k 1 ∂k 22 ∂k 2 ∂k 3 ⎟
⎜ ∂2E ∂2E ∂2E ⎟
⎜ ∂k ∂k ∂k 3 ∂k 2 ∂k 32 ⎟⎠
⎝ 3 1

Đó là một tenxơ đối xứng vì có giá trị các đạo hàm không phụ thuộc vào thứ
tự lấy đạo hàm.
Ta có thể chọn một hệ tọa độ trong đó tenxơ có dạng chéo:

⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞
⎜ * ⎟ = ⎜ * ⎟ δ αβ (3-150)
⎝ m ⎠ αβ ⎝ m ⎠ α

hay
⎛ ∂2E ⎞
⎜ 2 0 0 ⎟
⎜ ∂k 1 ⎟
⎛ 1 ⎞ 1 ⎜ ∂2E ⎟
⎜ *⎟= 2⎜ 0 0 ⎟
⎝m ⎠ h ⎜ ∂k 22 ⎟
⎜ ∂2E ⎟
⎜ 0 0
∂k 32 ⎟⎠
⎝
1
Nếu năng lượng E phụ thuộc k theo hàm parabol, thì các giá trị không
m*
phụ thuộc k. Đó là trường hợp xảy ra ở gần tâm và xung quanh các góc của vùng
Briloanh.
 Ở các tinh thể có cấu trúc lập phương, ba phương tinh thể tương đương
nhau. Trong trường hợp đó:
1 1 1 1
*
= * = * = (3-151)
m1 m 2 m 3 m *

4. Mặt đẳng năng

Năng lượng E của êlêctrôn trong tinh thể là một hàm phức tạp theo vectơ
sóng k (sự phụ thuộc này gọi là quy luật tán sắc của năng lượng). Trong vùng
Briloanh, hàm E ( k ) có cực trị (cực đại hoặc cực tiểu) ở một số giá trị của k .
r r
Giả sử năng lượng E n ( k ) , ở dải n có cực trị ở k = k 0 . Nếu viết
r r r
k = k 0 + ( k − k 0 ) thì ta có:
r r r r
[
E n (k) = E n k 0 + (k − k 0 ) ](3-152)
r r r
Nếu xét ở xung quanh k 0 , thì k − k 0 là một đại lượng nhỏ. Ta có thể khai triển
biểu thức của năng lượng theo (3-152) thành chuỗi:
r r 3
∂E
E n (k) = E n (k 0 ) + ∑ n (k α − k 0 ) +
α =1 ∂k α 0
(3-153)
1 3 3 ∂2E
+ ∑∑ ( k α − k 0 α )( k β − k 0β ) + ...
2 α =1 β=1 ∂k α ∂k β
0

các giá trị của α và β ứng với x, y, z và chỉ số 0 ở đạo hàm cho biết đạo hàm
r r
được tính ở k = k 0 , Vì năng lượng có cực trị ở k = k 0 , nên đạo hàm hạng nhất
∂En
triệt tiêu. Chú ý đến biểu thức của tenxơ nghịch đảo khối lượng hiệu dụng (3-
∂kα 0

147), ta có thể viết (3-153) thành:

r r h2 3 3
⎛ 1 ⎞
E n (k) = E n (k 0 ) + ∑∑ ⎜ m
α =1 β =1 ⎝
* ⎟
( k α − k 0 α )( k β − k 0β ) (3-154)
2 ⎠ αβ, n

Xét trong hệ tọa độ mà tenxơ nghịch đảo khối lượng hiệu dụng có dạng chéo
(3-150), thì năng lượng có biểu thức:
r r h2 3
⎛ 1 ⎞
E n (k) = E n (k 0 ) + ∑⎜ m
α =1 ⎝
* ⎟
(k α − k 0α )2 (3-155)
2 ⎠ α,n
r
Biểu thức (3-155) cho phép ta xác định dạng của các mặt đẳng năng E n ( k ) =
r
const ở gần các điểm cực trị. Nếu ở k = k 0 mà năng lượng có cực tiểu địa
r r
phương, thì E n ( k ) - E n ( k 0 ) > 0, và do đó, theo (3-150), các khối lượng hiệu dụng có
giá trị dương. Trong trường hợp này, mặt đẳng năng có dạng:
 (k x − k 0x )2 (k y − k 0y ) (k z − k 0z )2
2
+ + =1 (3-156)
a 2x a 2y a 2z

với

a =
2
α
2 m *α, n
h2
[E n (
r
k ) − E n (
r
k 0) ] (3-157)

Từ (3-156), ta thấy mặt đẳng năng là mặt êlipxôit (h.3.15)

r r r
Nếu k = k 0 , năng lượng có cực đại địa phương, thì E n ( k ) - E n ( k 0 ) < 0 và do
đó m α ,n < 0. Ta lại thu được biểu thức cho mặt đẳng năng tương tự như ở (3-156),
nhưng với:

a =
2
α
2 m*α, n
h2
[E (kr ) − E (kr )]
n 0 n (3-158)

Mặt đẳng năng cũng là mặt êlipxôit.

Hình 3.15
Khi đi khỏi các điểm cực trị địa phương, các mặt đẳng năng dần dần thay đổi
dạng, tuy lúc đầu vẫn là các mặt khép kín. Nhưng ở xa các điểm cực trị hơn, mặt
đẳng năng dần có dạng phức tạp và trở thành các mặt hở, là các mặt chuyển tiếp
giữa các mặt khép kín ứng với các cực tiểu địa phương và cực đại địa phương. do
tính tuần hoàn của năng lượng trong không gian vectơ sóng, mà các mặt đẳng
năng cũng lặp lại tuần hoàn.
 Hình 3.16
Trên hình 3.16 là các đường đẳng năng khép kín và các đường hở trong
trường hợp hai chiều ứng với quy luật tán sắc:
r
E( k ) = − A (cos k x a + cos k y a ) (3-159)

Biểu thức này có cực tiểu bằng -2 A ở k x a = 2 πn 1 ; k y a = 2 πn 2 với n 1 , n 2 là

các số nguyên. Ở gần các điểm cực tiểu m
1 1
cos k x a ≈ 1 − ( k x a − n 1 .2 π) 2 ; cos k y a ≈ 1 − ( k y a − n 2 .2 π) 2
2 2
thì đường đẳng năng là đường tròn:

( k x a − n 1 .2 π) 2 + ( k y a − n 2 .2 π) 2 = const (3-160)

⎛E ⎞
const = 2⎜⎜ + 2 ⎟⎟ (3-161)
⎝A ⎠
Ở k x a = (2 n 1 + 1) π , k y a = (2 n 2 + 1) π , biểu thức (3-159) có cực đại, bằng
2 A . Ở gần các điểm cực đại M, thì:

cos k x a ≈
1
[k x a − (2 n1 + 1)π]2 − 1
2

cos k y a ≈
1
2
[k y a − (2 n 2 + 1)π] − 1
2
(3-162)

Đường đẳng năng cũng là đường tròn:

[k xa − (2 n1 + 1)π]2 + [k ya − (2 n 2 + 1)π]2 = const (3-163)

⎛ E⎞
const = 2⎜⎜ 2 − ⎟⎟ (3-164)
⎝ A⎠

Biểu thức (3-159) triệt tiêu khi:

 ( k x + k y )a = (2 n1 + 1)π (3-165)

và khi
( k x − k y )a = (2 n 2 + 1)π (3-166)

Hai phương trình trên chính là các phương trình của các đường đẳng năng
ứng với E = 0, là các đường đẳng năng hở, ngăn cách hai khu vực quanh các cực
tiểu và cực đại.
Giao điểm của các đường (3-165) và (3-166) là các điểm yên ngựa s, có tọa
độ k x a = (2 n 1 + 1) π , k y a = (2 n 2 + 1) π , ở các điểm này:

∂2E ∂2E
= − A a 2
< 0; = A a2 > 0
∂k x
2
∂k y
2

Theo (3-150), thì điều đó có nghĩa là m x < 0; m y > 0, trường đẳng năng ở gần
điểm đó có dạng đường hypebol cân:

[k xa − (2 n1 + 1)π]2 − [k ya − 2 n 2 π]2 = 2E (3-167)

A

Hình 3.17
Trong trường hợp 3 chiều, có thể xảy ra hai loại điểm yên ngựa. Loại 1 ( s1 )
ứng với trường hợp một trong ba khối lượng hiệu dụng là dương, còn loại 2 ( s 2 ),
ứng với trường hợp một trong ba khối lượng hiệu là âm. Trên hình 3.17a là mặt
đẳng năng dạng hypebôlôit một lớp, khi m z < 0. Trường hợp có m x < 0; m y < 0;
m z > 0 được vẽ trên hình 3.17b; đó là hypebôlôit hai lớp. Trên hình 3.18 là một
phần của hệ các mặt đẳng năng hở trong tinh thể đồng.
Khái niệm về mặt đẳng năng sẽ được tiếp tục nghiên cứu khi khảo sát tính
chất của êlêctrôn dẫn trong kim loại, tính chất của các hạt mang điện trong bán dẫn
(êlêctrôn và lỗ trống)…
5. Phương pháp khối lượng hiệu dụng

Hình 3.18
r r
Trong biểu thức (3-155), hiệu E n ( k ) - E n ( k 0 ) là trị riêng của Hamiltônien hiệu
dụng:

h2 3 ⎛ 1 ⎞ ∂2
H hd, n = − ∑⎜ ⎟ (3-168)
2 α =1⎝ m ⎠ α, n ∂x 2α

Hàm riêng tương ứng với nó là hàm sóng của êlêctrôn tự do:
1 i ( kr − kr 0 ) rr
ψ= e (3-169)
Ω
Thật vậy, đặt H hd và ψ từ (3-168) và (3-169) vào phương trình:

H hd ψ = Eψ (3-170)

ta có:

h2 3 ⎛ 1 ⎞ ∂ 2 i ( kr − kr 0 ) rr r r r
− ∑⎜ ⎟ e = Ee i( k − k 0 ) r
(3-171)
2 α =1⎝ m ⎠ α, n ∂x 2α

Vì

∂ 2 i ( kr − kr 0 ) rr r r r
2 i( k − k 0 ) r
e = − ( k α − k 0α ) e (3-172)
∂x 2α

Nên trong (3-171)

 h2 3 ⎛ 1 ⎞ ∂2
E= ∑ ⎜ ⎟
2 α =1⎝ m ⎠ α , n ∂x α 2
( k α − k 0 α )2
r r
= E n ( k ) − E n ( k 0 )2

theo (3-155)
Nếu so sánh Hamintônien (3-2) với Hamintônien hiệu dụng (3-168), ta thấy
rằng khi xác định năng lượng của êlêctrôn trong tinh thể, thì ở gần các điểm cực trị,
ta có thể thay thể phương trình Srôđingơ cho hạt tự do với khối lượng được thay
bằng khối lượng hiệu dụng.
Khi có một trường ngoài, biến đổi chậm trong không gian, tác dụng lên tinh
thể, thì êlêctrôn trong tinh thể chịu tác dụng của thế V ( r ) của trường tinh thể và
thế năng U của lực ngoài. Trong trường hợp này, phương trình Srôđingơ có dạng:
∂ψ
ih = ( H 0 + U )ψ (3-174)
∂t

h2 2 r
trong đó H 0 = − ∇ + V( r ) là Hamintônien của êlêctrôn khi không có trường
2m
ngoài theo (3-2), với:
r r r
H 0 ψ kr ( r ) = E( k )ψ kr ( r ) (3-174)

Trong trường hợp này, ta bỏ qua chỉ số n biểu thị số thứ tự của vùng năng
lượng, vì với trường lực ngoài đủ yếu và biến đổi chậm, không xảy ra sự chuyển
trạng thái giữa các vùng năng lượng.
r
Phân tích hàm sóng ψ ở (3-173) theo các hàm riêng ψ kr ( r ) của toán tử H 0 ở
(3-74), ta có:
r r r
ψ( r , t ) = ∑
r
a ( k , t )ψ r (r)
k
(3-175)
k

Thay vào (3-173), ta thu được:

∂ψ r r
ih =∑ a ( k , t ) H ψ r ( r ) + Uψ (3-176)
∂t r 0 k
k

hay, kết hợp với (3-174), ta có:

∂ψ r r r
ih =∑ a ( k , t ) E ( k )ψ kr ( r ) + Uψ (3-177)
∂t r
k

Vì năng lượng E ( k ) là hàm tuần hoàn của vectơ sóng k với chu kì G , nên ta
có thể biểu diễn E ( k ) dưới dạng:
r rr
E( k ) = ∑
r
E r e i kR
R
(3-178)
R
 Thật vậy, theo (3-10) từ (3-178), ta có:

r r r r r rr rr
E( k + G ) = ∑
r
E re
R
i( k +G )R
= ∑
r
E re
R
ikR iGR
.e
R R

rr r
=∑
r
E Rr e ikR
= E( k ) (3-179)
R

nghĩa là chuỗi (3-178) thỏa mãn điều kiện tuần hoàn (3-21)

Trong (3-178), ta thấy vectơ sóng k bằng toán tử -i ∇ , thì:

r rr
E ( − i∇ ) = ∑
r
E r e ∇R
R
(3-180)
R

r
Cho toán tử (3-180) tác dụng lên hàm sóng ψ kr ( r ) ở (3-174), ta thu được:
r r rr
r
E( − i∇)ψ kr ( r ) = ∑
r
E r e ∇R ψ r ( r )
R k
(3-181)
R

ở (3-28), ta đã chứng minh:

rr
r r r
e ∇R ψ kr ( r ) = ψ kr ( r + R) (3-182)

Sử dụng điều kiện Blôc (3-28), ta có:

rr rr
∇R r ikR r r
e ψ (r ) = e ψk (r )
r
k
(3-183)

kết hợp (3-181), (3-183) với (3-178) ta có:

r r r r
E( − i∇ )ψ kr ( r ) = E( k )ψ kr ( r ) (3-184)

Từ đó, có thể viết (3-177) thành:

∂ψ
ih = H td ψ (3-185)
∂t
Với H td là Hamintônien tương đương:
r
H td = E(− i∇) + U (3-186)

Hamintônien H td xác định sự biến đổi của hàm sóng (3-175) theo thời gian.
So sánh (3-173) với (3-186), ta thấy khi có trường ngoài tác dụng, thì Hamintônien
H 0 của êlêctrôn trong trường hợp tinh thể được thay bằng E (-i ∇ ) (với E ( k ) là quy
luật tán sắc của êlêctrôn khi chưa có trường ngoài).
Nếu quy luật tán sắc của êlêctrôn có dạng (3-155), thì theo (3-186),
Hamintônien tương đương là:
 3
h2 ∂2
H td = E( 0) ∑ . 2 +U (3-187)
α =1 2 m α ∂x α

Như vậy, khi có trường lực ngoài với thế U biến đổi chamạ và đủ nhỏ tác dụng
lên tinh thể, thì ảnh hưởng của trường tinh thể lên êlêctrôn được kể đến bằng cách
thay khối lượng m của êlêctrôn bằng khối lượng hiệu dụng m.
Phương pháp nghiên cứu như vừa nói gọi là phương pháp khối lượng hiệu
dụng.
5. KIM LOẠI, BÁN DẪN, VÀ ĐIỆN MÔI

Như đã thấy ở Đ1, trong vùng Briloanh thứ nhất, có N vectơ sóng k khác
nhau (với N là số ô sơ cấp trong tinh thể). Vì mỗi êlêctrôn có vectơ sóng k có thể
có hai hình chiếu spin, nên trong mỗi vùng năng lượng có 2N trạng thái. Do đó theo
nguyên lí Paoli, trong một vùng năng lượng có thể có đến 2N êlêctrôn.
Êlêctrôn trong vùng năng lượng bị chiếm đầy (trên mỗi mức đều có 2 êlêctrôn
có spin đối song) không tham gia vào quá trình dẫn điện trong tinh thể. Đó là vì
trong vùng đầy, không còn trạng thái tự do. Khi có điện trường ngoài đặt vào tinh
thể, muốn có sự dẫn điện, phải có sự chuyển động có hướng của êlêctrôn tức là
vectơ sóng k của các êlêctrôn phải định hướng ưu tiên theo một phương. Vì mỗi
mức năng lượng (ứng với một giá trị của k ) đều có 2 êlêctrôn, nên không còn mức
năng lượng trống, nghĩa là êlêctrôn không thay đổi được giá trị của k và không thể
tham gia vào quá trình dẫn điện. Vùng năng lượng bị chiếm đầy hoàn toàn gọi là
vùng hóa trị.
Nếu vùng năng lượng có nhiều mức năng lượng còn trống, mà êlêctrôn trong
vùng có thể chuyển lên được dưới tác dụng của điện trường ngoài, thì vùng đó
được gọi là vùng dẫn.

Hình 3.19
Tính chất dẫn điện của tinh thể được quyết định bởi sự chiếm các vùng năng
lượng và sự xếp đặt tương đối của các vùng.
Ta xét tinh thể mà ở mỗi nút của nó có một ion của nguyên tố hóa trị một
(chẳng hạn liti, natri, kali, cêsi…). Vì mỗi nguyên tử ở nút mạng đóng góp một
êlêctrôn vào vùng dẫn, nên vùng dẫn chỉ bị chiếm một nửa (h.3.19a). Tinh thể như
vậy dẫn điện tốt. Đó là trường hợp của các kim loại.
Nếu ở nút mạng có các nguyên tử hóa trị hai (như beri, manhê, canxi, strônti,
bari) và mỗi nguyên tử đóng góp hai êlêctrôn vào vùng năng lượng, thì số êlêctrôn
trong vùng là 2N. Trong trường hợp đó, vùng năng lượng bị chiếm đầy và lẽ ra, tinh
thể không dẫn điện. Tuy nhiên, trong thực tế, các nguyên tố hóa trị hai đều là kim
loại. Đó là vì trong các kim loại này, vùng năng lượng ứng với mức năng lượng
nguyên tử cao hơn là một vùng trống, và vùng này phủ một phần lên dải năng
lượng bị chiếm đầy, ứng với mức năng lượng nguyên tử thấp hơn (h.3.10). Như
vậy, êlêctrôn ở vùng đầy có thể dễ dàng chuyển lên các mức năng lượng còn trống
ở vùng trên và tham gia vào quá trình dẫn điện giống như trong các kim loại kiềm
vừa nói ở trên (h.3.19b).
Nếu vùng đầy và vùng trống bên trên nó không phủ nhau, thì có thể có hai
trường hợp. Trong trường hợp bề rộng vùng cấm E ≤ k B T với k B là hằng số
Bônxơman, T là nhiệt độ tuyệt đối, thì ở T ≠ 0 K chuyển động nhiệt có thể chuyển
một số êlêctrôn từ vùng hóa trị lên vùng dẫn. Những êlêctrôn này, khi đã nằm trên
vùng dẫn, có thể dễ dàng chuyển lên các mức năng lượng cao hơn trong vùng và
tham gia dẫn điện. Chúng được gọi là các êlêctrôn tự do hay êlêctrôn dẫn. Các
trạng thái ở vùng hóa trị bị trống cũng tham gia dẫn điện.
Trong trường hợp E g >> k B T, chuyển động nhiệt không thể tạo nên một
lượng đáng kể các hạt mang điện, cho nên vật rắn không dẫn điện. Đó là trường
hợp của các điện môi (h.3.20b).
Trong một số tinh thể có thể xảy ra trường hợp là đáy của vùng dẫn nằm hơi
thấp hơn đỉnh của vùng hóa trị, như trên hình 3.21.
Khi đó, ở vùng dẫn có một số êlêctrôn tự do, ở vùng hóa trị có một số lỗ trống.
Nếu số lượng các hạt tải này tương đối nhỏ, thì vật rắn là một bán kim. Khi với kim
loại, ở bán kim có cả êlêctrôn tự do và lỗ trống với số lượng bằng nhau.

Hình 3.20
 Vì vùng hóa trị và vùng dẫn phủ nhau rất ít nên số hạt tải điện tính cho một
nguyên tử ở bán kim rất nhỏ so với trong kim loại. Chẳng hạn, ở bixmut (Bi), cứ
105 nguyên tử mới có một êlêctrôn dẫn.
Trong kim loại, số êlêctrôn dẫn hầu như không phụ thuộc nhiệt độ, số êlêctrôn
dẫn và lỗ trống tăng lên theo nhiệt độ.

Hình 3.21
Nếu vùng hóa trị và vùng dẫn không phủ nhau, nhưng đỉnh của vùng hóa trị
tiếp xúc với đáy của vùng dẫn, thì ta có bán dẫn không có vùng cấm.
 Bài tập chương 3
Bài 3.1
⎡ h 2∇ 2 r⎤ r r
Chứng minh rằng, nếu trong phương trình ⎢− + V (r )⎥ϕ (r ) = Eϕ (r ) , thế
⎣ 2m ⎦
r
năng V (r ) triệt tiêu thì nghiệm của phương trình này dưới dạng hàm Bloch
r rr
r
ϕ kr (r ) = e ikr U kr (r ) sẽ trở thành hàm sóng phẳng.

Bài 3.2
Tìm biểu thức năng lượng, từ đó suy ra khối lượng hiệu dụng của điện tử ở
lân cận tâm vùng Briloanh (k ≈ 0) trong gần đúng điện tử tự do một chiều với gỉa
thiết chỉ có hai số hạng sau là khác không:
V (− πa ) ≠ 0, V ( πa ) ≠ 0

Bài 3.3
Năng lượng ở gần bờ vùng hoá trị được mô tả bằng hệ thức Ek=-10-33 k2(J).
r r r
Có một điện tử dời khỏi trạng thái k = 10 7 k x (cm −1 ), (k x là véc tơ đơn vị theo phương
r
x trong không gian k ), các trạng thái còn lại bị chiếm đầy. Hãy xác định:
a. Điện tích và khối lượng hiệu dụng của lỗ trống
b. Véc tơ sóng, xung lượng. vận tốc của lỗ trống
c. Năng lượng của lỗ trống từ đỉnh vùng hoá trị
d. Mật độ dòng lỗ trống
 Chương IV. KHÍ ÊLECTRÔN TRONG KIM LOẠI
I. Mục đích
Đưa ra các cơ sở lí thuyết để giải thích các tính chất quan trọng của kim loại
theo quan điểm của lí thuyết lượng tử.
II. Yêu cầu
Người học cần lĩnh hội những kiến thức về:
7. Phân bổ của electron trong kim loại.
8. Áp dụng lý thuyết để gải thích một số các tính chất của kim loại
- Định luật Ôm
- Hiệu ứng Hall
- Nhiệt dung riêng của khí electron

Một số lưu ý
Trong chương này sự phân bố của khí electron tuân theo phân bố Fecmi-
Dirac. Lý thuyết về vấn đề này đã được trình bày trong giáo trình Nhiệt động lực
học và Vật lý thống kê.
Mô hình khí electron đựơc dựa trên cơ sở thực nghiệm cho thấy các electron
dẫn có tính chất giống như chất khí không tương tác (khí lí tưởng). Quãng đường
tự do trung bình của các electron dẫn lớn hơn rất nhiều so với hằng số mạng.
III. Nội dung
Chương 4 gồm 3 bài:
Bài 1: Mặt Fecmi (Fermi) (2 tiết)
Bài 2: Sự dẫn điện của kim loại (4 tiết)
Bài 3: Nhiệt dung của khí êlectrôn (1 tiết)
Kim loại dẫn điện tốt vì có chứa nhiều êlectrôn có thể chuyển động tự do trong
thể tích kim loại. Những êlectrôn này tải dòng điện trong kim loại nên được gọi là
êlectrôn dẫn. Đó chính là các êlectrôn hoá trị, liên kết rất yếu với các nguyên tử kim
loại.
Để giải thích nhiều tính chất quan trọng của kim loại, có thể sử dụng mô hình
êlectrôn tự do. Theo mô hình gần đúng này, ta bỏ qua lực tương tác giữa các
êlectrôn hoá trị với các lõi nguyên tử và coi như các êlectrôn có thể chuyển động tự
do trong toàn bộ tinh thể. Năng lượng toàn phần của êlectrôn chỉ gồm động năng,
còn bỏ qua thể năng.
Trước khi có lí thuyết lượng tử, mô hình êlectrôn tự do đã được sử dụng để
giải thích các tính chất của kim loại. Lí thuyết cổ điển thu được nhiều kết quả tốt,
tuy nhiên cũng bộc lộ nhiều thiếu sót nghiêm trọng. Thành tựu của nó là đã rút ra
được định luật Ôm, rút ra hệ thức giữa độ dẫn điện và độ dẫn nhiệt. Tuy nhiên nó
đã bất lực trong việc giải thích sự phụ thuộc nhiệt độ của nhiệt dung riêng và độ từ
cảm của êlectrôn dẫn.
Một trong những khó khăn của lí thuyết này còn là nó không giải thích được vì
sao êlectrôn dẫn có quãng đường chuyển động tự do rất lớn. Bởi vì thực nghiệm
cho thấy, các êlectrôn dẫn có thể chuyển động mà không va chạm với các êlectrôn
dẫn khác hoặc với các lõi nguyên tử, không bị lệch khỏi quỹ đạo thẳng, trên những
khoảng cách dài bằng nhiều lần hằng số mạng (có trường hợp đạt đến 108 – 109
hằng số mạng, tức là hàng centimet). Điều này làm nảy sinh ra câu hỏi: vì sao môi
trường vật chất rắn kết tinh lại có tính chất giống như tính chất của chất khí tạo
thành từ các hạt không tương tác.
Lí thuyết lượng tử có thể giải thích một cách đầy đủ và đúng đắn các tính chất
của kim loại. Trong các tinh thể kim loại, các ion được xếp đặt một cách đều đặn và
tuần hoàn trong mạng tinh thể. Vì các sóng có thể lan truyền tự do trong các cấu
trúc tuần hoàn, nên sóng êlectrôn có thể lan truyền tự do, không bị cản trở trong
tinh thể. Mặt khác do kết quả của nguyên lí Paoli, êlectrôn dẫn rất ít tán xạ lên các
êlectrôn dẫn khác. Như vậy, theo lí thuyết lượng tử, có thể coi các êlectrôn dẫn tạo
một chất khí gồm các êlectrôn tuân theo nguyên lí Paoli, tự do và không tương tác.
1. MẶT FECMI (FERMI)
1. Hàm phân số Fecmi – Dirăc (Fecmi – Dirac)
Sự phân bố êlectrôn tuân theo thống kê Fecmi – Dirăc. Hàm phân bố cân
bằng của êlectrôn ứng với hình chiếu spin xác định là:

[ ( )]
r
f Ek =
()
r
1
E k −ζ
(4 - 1)
k BT
e +1

Đó chính là hàm phân bố Fecmi – Dirăc. Nó cho ta xác suất để trong trạng thái
cân bằng nhiệt của khí êlectrôn lí tưởng, ở nhiệt độ T, trạng thái có năng lượng
r
E( k ) bị êlectrôn chiếm.
Đại lượng ζ là hàm của nhiệt độ, trong từng bài toán cụ thể, ζ được xác định
từ điều kiện tổng số êlectrôn của hệ có giá trị không đổi. Đại lượng ζ gọi là thế hoá
học.
 Hình 4.1
r
Ở nhiệt độ T = 0K, hàm phân bố (4 – 1) nhận giá trị bằng 1 nếu E( k ) < ζ0 v à
r
giá trị 0 nếu E( k ) > ζ0. ζ0 là giá trị của ζ ở T = 0K. ζ0 = E F được gọi là năng lượng
Fecmi. Vậy ở 0K, thế hoá học có giá trị bằng năng lượng Femi tại nhiệt độ đó.
Đường biểu diễn của (4-1) ở T = 0K có dạng như trên hình 4.1a. Ta thấy hàm phân
số giảm đột ngột từ giá trị 1 xuống 0 ở E = ζ0 = E F. Như vậy, EF chính là mức năng
lượng cao nhất bị êlectrôn chiếm ở T = 0K.
Khi T < 0K, hàm phân bố được biểu diễn trên hình 4.1b, c, d theo thứ tự nhiệt
độ tăng. Trong các trường hợp này, thế hoá học ζ được xác định từ điều kiện tổng
số hạt (êlectrôn) của hệ không thay đổi, tức là:
∞
n = ∫ f (E )Z(E )dE (4-2)
0

với n là mật độ hạt (số hạt trong một đơn vị thể tích). Z(E) là mật độ trạng thái,
Z(E) d(E) là số các trạng thái trong khoảng năng lượng từ E đến E + dE tính cho
một đơn vị thể tích vật rắn.
Từ (4-2), ta suy ra ở T = 0K, thì:
ζ0
n= ∫ Z(E )d(E) (4-3)
0
r
Từ (4-1), ta thấy rằng ở T > 0K, khi E( k ) = ζ0, thì h àm f(E) có giá trị bằng 1/2.
Theo hình 4-1, ta thấy ở T = 0K, các mức năng lượng E ≤ ζ0 bị chiếm hoàn
toàn (xác suất bị chiếm bằng 1) còn các mức với E > ζ0 bị bỏ trống hoàn toàn. Khi
T > 0K, trạng thái ứng với năng lượng E = ζ0 bị chiếm với xác suất 1/2. Một số
trạng thái ứng với E > ζ0 bị chiếm, còn một số trạng thái với E < ζ0 lại bị bỏ trống
(xác suất trạng thái bị chiếm nhỏ hơn 1)
2. Mặt Fecmi
a) Ta xét khi êlectrôn tự do. Phương trình Srôđingơ cho những êlectrôn này
là:
 − h2 2 r r r
∇ ψ k ( r ) = E kr ψ kr ( r )
2m
Nghiệm của nó là hàm sóng phẳng (3-3). Nếu ta áp dụng điều kiện biên tuần
r
hoàn, thì vectơ sóng k của êlectrôn lấy các giá trị gián đoạn theo (3-47).
Nếu hệ êlectrôn có tính đẳng hướng, thì năng lượng của êlectrôn được xác
định theo (3-6)

Hình 4.2
Ở trạng thái cơ bản (tức là trạng thái có năng lượng thấp nhất) của hệ điều
r
này xảy ra khi T = 0K, khi ta xét trong không gian k , êlectrôn chiếm các trạng thái
nằm trong một hình cầu (hình 4.2). Năng lượng ứng với mặt cầu chính là năng
lượng Fecmi. Mặt cầu đó gọi là mặt Fecmi. Vectơ sóng có điểm cuối trên mặt
Fecmi thì có độ dài kF thoả mãn điều kiện:

h2 2
EF = kF (4-4)
2m

r
Từ điều kiện (3- 47) cho các thành phần của vectơ k , ta thấy ứng với mỗi giá
r
k
trị kx, ky, kz là một yếu tố thể tích trong không gian có độ lớn
(2π )3
=
(2π )3
L1L 2 L3 V

Nếu ta xét trong một đơn vị thể tích của tinh thể (V = 1), thì thể tích của yếu tố
là (2π)3. Thể tích hình cầu Fecmi là 4π k 3F /3. Vì vậy số trạng thái được phép trong
hình cầu Fecmi là:

4πk 3F / 3 k 3F
2. = =n (4-5)
(2π)3 3π 2

với n là số êlectrôn tự do trong một đơn vị thể tích. Thừa số 2 trong công thức
(4-5) là để tính đến hai giá trị khả dĩ của hình chiếu spin êlectrôn ứng với mỗi giá trị
r
của k .
Từ đó, ta có:
 (
k F = 2π2 n )1/ 3 (4-6)

Nhận xét rằng bán kính hình cầu Fecmi kF chỉ phụ thuộc mật độ êlectrôn n mà
không phụ thuộc khối lượng m của êlectrôn. Năng lượng Fecmi có biểu thức:

EF =
h2
2m
(
3π 2 n
2/3
) (4-7)

Khi xét các tính chất của khí êlectrôn trong tinh thể, thì trong phép gần đúng
khối lượng hiệu dụng, ta phải thay khối lượng m của êlectrôn bằng khối lượng hiệu
dụng. Nếu tinh thể là đẳng hướng, thì khối lượng hiệu dụng có giá trị m* như nhau
theo mọi phương và trong các công thức trên đây, ta chỉ cần thay m* vào chỗ của
m.
Để có thể tính toán trong trường hợp tinh thể không đẳng hướng và mặt đẳng
năng có dạng elipxôit, ta xuất phát từ (4-2). Theo (2-11), thì:
2 r
Z(E )dE =
(2π)3 E ∫(k )
d k (4-8)

trong đó tích phân ở vế phải được tính trong phần thể tích của không gian
r
k nằm giữa các mặt đẳng năng E và E + dE. Thừa số 2 để tính đến hai giá trị hình
chiếu spin. Ở đây, ta xét trong một đơn vị thể tích tinh thể, nên V = 1.
Với tinh thể đẳng hướng, mặt đẳng năng là mặt cầu được xác định theo (3-6).

h2
E= *
k2 (4-9)
2m
r
Phần không gian k nằm giữa mặt đẳng năng E và E + dE có thể tích:

dVkr = 4πk 2dk

Vì vậy số trạng thái trong phần thể tích đó là:

2 2
Z(E )dE = .dVkr = 4πk 2 dk (4-10)
(2π) 3
(2π) 3

Hình 4.3
Từ (4-9), ta có:
 2 m* E
k2 =
h2

2m* dE
dk =
2h E
Vì vậy:

Z(E )dE =
1 (. 2m* )3 / 2 E1/ 2dE
2π 2 h3

Ta thu được biểu thức của mật độ trạng thái:

Z (E ) =
21 / 2. m* ( )3 / 2 E1/ 2 (4-11)
π 2 .h 3
Thay (4-11) vào (4-3), ta thu lại được biểu thức cho n và từ đó, thu được các
biểu thức đã nêu ở trên (4-5, 4-6, 4-7).
Trong trường hợp quy luật tán sắc có dạng bậc hai dị hướng, thì như đã nêu
ở chương 3, biểu thức của năng lượng có dạng:

h 2 k12 h 2 k 22 h 2 k 32
E = E0 + + + (4-12)
2 m1* 2m*2 2 m*3

1 1 1
trong đó + + là các thành phần chéo của tenxơ nghịch đảo khối
m1* m*2 m*3
lượng hiệu dụng. Mặt đẳng năng là mặt elipxôit với phương trình:

k12 k 22 k 32
+ + =1 (4-13)
a12 a 22 a 32

Các bán trục của elipxôit có giá trị:

aα =
(2m*α )
1/ 2
(E − E0 )1 / 2 (4-14)
h
thể tích của elipxôit với các bán trục a α như trên là:

Vkr =
4π
3
8π
(
a1a 2 a 3 = 3 2 m1* 2m*2 2m*3
3h
1/ 2
)
(E − E 0 )3 / 2
r
Phần không gian k nằm giữa hai mặt elipxôit đẳng năng E = const và E + dE
= const. Có thể tích:

dVkr =
4π
3
(
2m1* 2 m*2 2 m*3
1/ 2
)
(E − E 0 )1 / 2 dE (4-15)
 Số trạng thái trong phần thể tích đó là:

Z(E )dE =
2
dVkr =
(
21 / 2 m1*m*2 m*3 )1 / 2 (E − E0 )1/ 2 dE
(2π) 3
π2h3

Vì vậy ta có mật độ trạng thái:

Z(E ) =
(
21 / 2 m1*m*2 m*3 )1 / 2 (E − E0 )1 / 2 (4-16)
π2h3
So sánh (4 - 15) với (4 - 11), ta thấy trong trường hợp quy luật tán sắc có
(
dạng (4-12), đại lượng m1*m*2 m*3 )1/ 3 đóng vai trò của khối lượng hiệu dụng. Người
(
ta gọi đại lượng m 1* m *2 m *3 )1 / 2 là khối lượng hiệu dụng của mật độ trạng thái.
Tất nhiên, trong trường hợp quy luật tán sắc (4-12), mặt Fecmi cũng là mặt
elipxôit.
2. SỰ DẪN ĐIỆN CỦA KIM LOẠI
Theo thuyết êlectrôn, sở dĩ kim loại dẫn điện tốt là vì trong kim loại có nhiều
êlectrôn có thể chuyển động tự do ở khoảng không gian giữa các ion dương.
1. Thuyết êlectrôn cổ điển
Trong thuyết êlectrôn cổ điển (do Đruyđơ (Drude) năm `1900 và Lorenxơ
(Lorenz) năm 1905 đề xuất) người ta giả thuyết là trong kim loại có khí êlectrôn tự
do, tuân theo thống kê cổ điển. Khi không có trường ngoài, êlectrôn chuyển động
nhiệt hỗn loạn. Khi có điện trường ngoài tác dụng, cùng với chuyển động nhiệt, còn
có chuyển động có hướng, dẫn đến xuất hiện dòng điện. Khi êlectrôn va chạm vào
các ion ở nút mạng, nó nhường cho ion động năng mà nó thu được dưới tác dụng
của trường ngoài. Do đó kim loại bị nóng lên. Trên cơ sở quan niệm như vậy, lí
thuyết cổ điển đã thành công trong việc giải thích định luật Ôm, định luật Jun
Lenxơ, định luật Viđơman – Franx (Videman Franz) và tnsh được hằng số Hôl
(Hall)
Định luật Ôm
Chuyển động có hướng của êlectrôn tạo nên dòng điện. Mật độ dòng điện
được xác định bởi công thức:

jx = ne v x (4-17)

với n là mật độ êlectrôn, v x là giá trị trung bình của hình chiếu vận tốc theo
phương trục x, e là điện tích của êlectrôn (e < 0).
Theo định luật II Niutơn,
 dv x
m = Fx = e ξ x (4-18)
dt
với m là khối lượng êlectrôn, Fx là hình chiếu của lực lên trục x. ξ x là hình
chiếu của vectơ cường độ điện trường ξ lên trục x. Nếu ξ x không đổi theo thời
gian, thì vận tốc của êlectrôn được xác định theo:
e
vx = vx0 + ξx t (4-19)
m

với v x 0 là vận tốc ban đầu của êlectrôn theo phương x. Giá trị trung bình v x 0
của v x 0 sau nhiều lần va chạm của êlectrôn với các ion mạng là bằng 0. Vì rằng
xác suất để v x 0 có giá trị dương và âm là như nhau. Nói khác đi, sau mỗi lần va
chạm, êlectrôn mất hoàn toàn vận tốc chuyển động có hướng.
Gọi τ là thời gian trung bình của chuyển động tự do của êlectrôn. Giá trị trung
bình của vận tốc vx giữa hai va chạm được xác định bởi:
e 1∞ eτ
v x = ξ x ∫ tdt = ξx (4-20)
m τ0 2m

hay:

v x = μξ x (4-21)

trong đó, μ là độ linh động của êlectrôn:

eτ
μ= (4 -22)
2m
Vì vậy:

jx = neμ v x (4-23)
hoặc có thể viết:
jx = σ ξx (4-24)
với σ là điện dẫn suất (độ dẫn điện riêng) của kim loại:

ne 2 τ
σ= (4-25)
2m
Theo thống kê cổ điển, vận tốc trung bình của chuyển độngnhiệt cảu các phân
tử khi là:

8k BT
u= (4-26)
πm
Với êlectrôn tự do, m = 9,1/10-31 kg, nên ở T = 300K, ta có u ≈ 105 m/s«ng
 Ở những điều kiện thông thường, điện trường có cường độ không lớn lắm,
nên v x < u, do đó thời gian τ được xác định chủ yếu bởi vận tốc chuyển động nhiệt
u:
1
τ= (4-27)
u
trong đó 1 là quãng đường tự do trung bình của êlectrôn.
Từ đó, ta có:

ne 2 1
−σ= (4-28)
2mu
Như vậy, điện dẫn suất σ không phụ thuộc cường độ điện trường. Biểu thức
(4 -24) viết dưới dạng vectơ là:
r r
j = σξ (4 - 29)
Đó chính là biểu thức của định luật Ôm.
Điện dẫn xuất σ có thể xác định bằng thực nghiệm. Từ đó, ta tính được quãng
đường tự do trung bình 1 của êlectrôn trong kim loại. Chẳng hạn, với bạc ở nhiệt
độ phòng, σ = 6,7.107Ω-1m-1, n = 5,8.1028m-3, ta có 1 ~ 10-8m. Hằng số mạng của
bạc vào khoảng a ~ 10-10m. Như vậy, ở nhiệt độ phòng, êlectrôn dẫn trong bạc va
chạm với một phần trăm số nguyên tử bạc. Điều đó phù hợp với quan niệm về khí
êlectrôn tự dotrong kim loại.
Định luật Jun - Lenxơ
Theo (4-19), cuối quãng đường tự do trung bình, êlectrôn có động năng:
2
mv 2x m ⎛ e ⎞
= ⎜ v x 0 + ξx τ ⎟ (4-30)
2 2⎝ m ⎠
Khi va chạm với ion ở nút mạng, êlectrôn nhường cho ion phần năng lượng
∆W bằng hiệu của động năng (4-30) với động năng ban đầu của êlectrôn khi vừa
1
va chạm xong lần trước: mv 2x 0 . Do đó:
2
2
m⎛ e ⎞ m 2 e2 τ2 2
ΔW = ⎜ v x 0 + ξ x τ ⎟ − v x 0 = eξ x τv x 0 + ξx (4-31)
2⎝ m ⎠ 2 2m

Năng lượng trung bình mà các êlectrôn nhường cho các ion nằm trong một
đơn vị thể tích là:

ne 2 τ 2
ΔW = n Δ W = ξx (4-32)
2m

ở đây khi lấy trung bình, ta đã cho v x 0 = 0 như lí luận ở trên.

 Từ đó, ta thấy trong một đơn vị thời gian, trong một đơn vị thể tích kim loại,
các ion mạng tinh thể nhận được năng lượng:

ΔW1 ne 2 τ 2
= ξx (4-33)
τ 2m
Khi trạng thái dùng đã đạt được, thì năng lượng này đúng bằng nhiệt lượng Q
toả ra trong một đơn vị thể tích và trong một đơn vị thời gian, tức là bằng mật độ
công suất nhiệt toả ra ở kim loại:

ne 2 τ 2
Q= ξx (4-34)
2m
Nếu điện trường không lớn lắm thì theo (4-25) và (4-26) ta có thể viết trong
trường hợp điện trường có cường độ ξ:
Q = σξ2 (4-35)
Đó là biểu thức của định luật Jun – Lenxơ.
Hiệu ứng Hôl (Hall)
r
Ta cho dòng điện chạy qua một bản vật dẫn với mật độ dòng điện j . Một từ
r r
trường có cảm ứng từ B đặt vuông góc với j (xem hình 4.4) và vuông góc với
r r
bản. Khi đó theo phương vuông góc với j và B , trên hai mặt bên của bản xuất hiện
hiệu điện thế:
U=RjBd (4-36)
với d là bề rộng của bản, R là hằng số Hôl.

Trên hình 4.4 ta minh hoạ sự xuất hiện hiệu ứng Hôl trong trường hợp hạt tải
r
điện ở vật dẫn là êlectrôn. Vì êlectrôn mang điện âm (e < 0), nên vận tốc v e củael
r r
hướng ngược chiều j . Êlectrôn chuyển động với vận tốc v e trong từ trường có
r
cảm ứng từ B , nên nó chịu tác dụng của lực Lorenxơ.
r
[ r
]
r
F = e ve ∧ B (4-37)
 r
Trên hình vẽ, lực F tác dụng lên êlectrôn hướng xuống dưới. Vì vậy bờ dưới
r
của bản mang điện âm, còn bờ trên mang điện dương làm xuất hiện điện trường ξ
bên trong bản kim loại, hướng từ trên xuống dưới. Khi trạng thái cân bằng đạt
được, lực Lorenxơ (4-37) hướng xuống dưới có giá trị bằng lực điện trường
r
e ξ hướng lên trên:

eξ = e ve B (4-38)
Từ đó, vì j = n e ve,nên:
1
ξ= jB (4-39)
ne
Hiệu điện thế U giữa bờ trên và bờ dưới là:
1
U = ξd = jB d (4-40)
ne
Từ đó, ta có hằng số Hôl:
1
R= (4-41)
ne
Các kết quả thực nghiệm và tính toán lí thuyết hằng số Hôl của một số kim
loại được nêu ở bảng dưới đây:

Từ bảng trên, ta nhận thấy rằng ở một số kim loại, giá trị thực nghiệm và giá
trị lí thuyết của R có cùng bậc độ lớn và cùng dấu. Tuy nhiên ở Be, Zn, Cd, R lại có
giá trị dương mà theo (4-41) thì do trong kim loại, hạt tải điện là êlectrôn có điện
tích âm, nên R phải có giá trị âm.
Thiếu sót của thuyết êlectrôn cổ điển về tính dẫn điện của kim loại.
Qua các trường hợp trên ta thấy dựa vào thuyết êlectrôn cổ điển, ta có thể
giải thích được khá tốt định luật Ôm, định luật Jun – Lenxơ và hiệu ứng Hôl. Tuy
nhiên, nếu xét kĩ, ta thấy có nhiều điều không phù hợp giữa lí thuyết và thực
nghiệm.
Trước hết, theo thuyết êlectrôn cổ điển thì trong quá trình chuyển động
êlectrôn luôn va chạm với các ion dương nằm ở nút mạng. Tuy nhiên như đã thấy,
ta tính toán được quãng đường tự do trung bình của êlectrôn lớn gấp hàng trăm
lần hằng số mạng. Lí thuyết cổ điển không giải thích được vì sao êlectrôn lại ít va
chạm với các nút mạng như vậy.
nl
Theo (4-28) và (4-26), thì điện dẫn suất σ tỉ lệ với . Trong khi đó thì thực
T
1
nghiệm cho thấy ở khu vực nhiệt độ phòng, σ ~ . Như vậy, muốn cho σ phụ
T
1
thuộc nhiệt độ giống như theo thực nghiệm, thì phải giả thiết nl ~ . Tuy nhiên,
T
điều này là không có căn cứ.
Lí thuyết cổ điển cũng không giải thích được vì sao ở một số kim loại, hằng số
Hôl R lại có giá trị dương.
Những khó khăn trên đây của lí thuyết êlectrôn cổ điển cho thấy cần phải sử
dụng những quan điểm lượng tử để nghiên cứu êlectrôn dẫn trong kim loại.
2. Lí thuyết lượng tử về êlectrôn dẫn trong kim loại
Ta xét khí êlectrôn tự do theo quan điểm lượng tử. Như đã nói ở § 1, ở trạng
thái cơ bản của hệ, êlectrôn lấp đầy các trạng thái bên trong mặt cầu Fecmi
(H.4.5a)
Khi không có trường ngoài tác dụng lên hệ, do sự phân bố đối xứng của
r r
êlectrôn trong không gian k , nên tổng vectơ sóng k của mọi êlectrôn trong hệ triệt
tiêu:
r r r r
∑ k = 0. Vì m v = hk , nên ta có ∑ v = 0 và trong tinh thể không có dòng điện.
r
Bây giờ giả sử có ngoại lực F tác dụng lên các êlectrôn. Sau khoảng thời gian
r
δt, êlectrôn lúc đầu ở trạng thái với vectơ sóng k , chuyển sang trạng thái ứng với
r r
vectơ sóng k + δ k , theo (3-126) ta có:
r 1r
δk = Fδt (4-42)
h
 r
Xung lượng của mỗi êlectrôn biến đổi một lượng hδk . Điều đó có nghĩa là
r
toàn bộ hình cầu Fecmi dịch đi một vectơ δk như hình 4.5b, xung lượng mỗi
r
êlectrôn biến đổi một lượng hδk . Nếu hệ N có êlectrôn thì xung lượng toàn phần
r r
của hệ là N hδk . Năng lượng của mỗi êlectrôn tăng lên δE = ( hδk )2/2m.

Hình 4.5
Giả sử trường ngoài tác dụng lên hệ là điện trường. Nếu ở thời điểm t = 0
điện trường bắt đầu tác dụng, do phương trình chuyển động của êlectrôn là:
r
dk r
h = − eξ (4-43)
dt
nên ở thời điểm t, ta có:
r
r r ξ
k (t ) − k (0) = −e t (4-44)
h
r r
Phương trình này thu được bằng cách tích phân (4-43) với điều kiện k = k(0)
r r
ở t= 0 và k = k (t) ở thời điểm t. Kết quả là ở thời điểm t, hình cầu Fecmi có tâm
r
r ξ
dịch khỏi gốc toạ độ ( k = 0) một vectơ − e t . Vì rằng bao giờ cũng có sự va chạm
h
(tán xạ) của êlectrôn với các tạp chất, với khuyết tật (chỗ không hoàn thiện) của
mạng tinh thể, hoặc với phônôn, nên trong phương trình chuyển động phải thêm số
r r
hạng F' biểu thị lực cản do các va chạm đó gây nên. Lực F' đóng vai trò như lực ma
sát trong cơ học vĩ mô. Phương trình chuyển động trở thành:
 ( )
r r r r h r r
hk = −eξ + F' = −eξ − k − k 0 (4-45)
τ

r r r
k 0 là vectơ sóng k của êlectrôn trong trường hợp ξ = 0, tức là t rong trạng
h r r
( )
thái cân bằng. Ý nghĩa của số hạng − k − k 0 là như sau: giả sử ta cho điện
τ
trường tác dụng, rồi cho điện trường thôi tác dụng. Sau một thời gian do tác dụng
của những va chạm, êlectrôn lại trở về trạng thái như trước khi có điện trường tác
dụng (trạng thái cân bằng). τ là thời gian đặc trưng cho quá trình đó, gọi là thời gian
hồi phục.
r
Từ lúc đienẹ trường ngừng tác dụng, ξ = 0 và (4-45) trở thành:

( )
r h r r
hk = − k − k 0 (4-46)
τ
hay xét theo phương x và phân li biến số, ta có:
dk x dt
=− (4-47)
k x − k 0x τ

Tích phân phương trình này, ta thu được:

t
ln (kx – k0x) = − +c (4-48)
τ
Điều kiện ban đầu t = 0, kx = kx(0). Ở thời điểm t thì kx = kx(t). Từ đó ta có
nghiệm của (4-47):
t
−
k x (t ) − k 0 x = [k x (0) − k 0 x ]e τ (4-49)
r r
Ta có các biểu thức tương tự cho ky và kz. Do đó, ta thấy k (t) tiến tới k 0 khi
t
→∞
τ
Nghĩa là sau khoảng thời gian đủ dài, êlectrôn trở về trạng thái cân bằng.
Nguyên nhân gây ra sự hồi phục về trạng thái cân bằng chính là do có va chạm
(tán xạ) của êlectrôn lên các khuyết tật, tạp chất hoặc phôrôn.
r r r r
Nếu sự lệch khỏi giá trị cân bằng k 0 là không lớn, ta đặt δk = k - k 0 . Khi đó,

τ
(
h r r
) h r
có thể coi số hạng − k − k 0 = − δk ở (4-45) như là biểu thức khai triển của lực
τ
r
ma sát theo δk trong gần đúng bậc nhất.
 r
Khi trong kim loại có dòng điện không đổi, tức là khi có điện trường ξ tác
r
dụng, nhưng trạng thái dừng đã được thiết lập, thì trị trung bình của k triệt tiêu. Vế
trái của (4-45) bằng không, và ta có:
r τe r
δk = − ξ (4-50)
h
Khi đó có sự cân bằng giữa lực điện và lực ma sát.
r r r r
Khi k thay đổi một lượng ở δk trở thành k + δk , thì phân bố êlectrôn mà trước
r
đó ứng với điểm k được đặc trưng bởi năng lượng E – δE, bây giờ có năng lượng
E (xem hình 4.5c). Vì vậy:
fξ (E) = f (E - δE) (4-51)
trong đó fξ (E) là hàm phân bố êlectrôn theo năng lượng khi có điện trường tác
dụng.
Vì δE nhỏ, nên có thể phân tích (4-51) thành chuỗi:

∂f ∂f ⎛⎜ ∂E ∂E ∂E ⎞
f ξ (E ) = f (E ) −δE = f (E ) − δk x + δk y + δk z ⎟
∂E ∂E ⎜⎝ ∂k x ∂k y ∂k z ⎟
⎠ (4-52)
∂f r r
= f (E ) − ∇ E.δk
∂E k
Theo (3-124) và (4-50), ta có:

f ξ (E ) = f (E ) −
∂f
∂E
rr
τe vξ( ) (4-53)
r r r
Ta hãy tính mật độ dòng điện j . Biểu thức của j là : j = n e v . Ở đây êlectrôn
tuân theo phân bố fξ (E), vì thế nếu xét theo phương x thì ta có:
jx = - e ∫vxfξ(E) dΦ (4-54)
r r
dΦ là số trạng thái trong không gian k có trong yếu tố thể tích d k . Nếu ta xét
trong một đơn vị thể tích tinh thể, và để ý đến hai trạng thái spin thì:
2 r
dΦ = d k (4-55)
(2π) 3

Thay (4-55) vào (4-57), ta có:

r r ⎛ ∂f ⎞
jx = - e ∫vxfξ(E) dΦ + e2∫τvx ( vξ ) ⎜ − ⎟ dΦ (4-56)
⎝ ∂E ⎠
Số hạng thứ nhất ở vế phải triệt tiêu vì tích vx f(E) là hàm lẻ. Ta biển đổi (4-56)
thành:
 e2
jx = τv v ( )
r r ⎛ ∂f ⎞ dS
∫ ∫ x ξ ⎜⎝ − ∂E ⎟⎠ v dE (4-57)
4 π 3h E S

với S là mặt đẳng năng, ds là yếu tố diện tích trên mặt đẳng năng.
Theo (4-1), đạo hàm:

∂f (E ) e (E - ζ ) / k BT 1
− = (4-58)
∂E ⎛ E-ζ
2
⎞ k BT
⎜ k BT ⎟
⎜ e + 1 ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
có cực đại lớn ở E = ζ (h. 4-6)

Hình 4.6
∂f ( E )
Đạo hàm có giá trị càng lớn nếu f biến thiên đột ngột (nhiệt độ T thấp).
∂E
Trong gần đúng bậc nhất có thể coi đó là hàm đenta Đirăc:
∂f ( E )
- ≈ δ (E – ζ) (4-59)
∂E
Khi đó:

e2 ( )rr
τv x vξ
jx = 3
4π h S
∫ v
dS (4-60)
F

tích phân lấy trên mặt Fecmi SF với E = ξ. Dưới dạng vectơ:
r e2
j= 3 ∫
rr
τv x vξ
dS
( ) (4-61)
4π h S v
F
r
Xét hình chiếu j trên trục x, viết chi tiết biểu thức dưới dấu tích phân, ta thu
được:
 e2
jx = ∫
τ
( )
v x v x ξ x + v y ξ y + v z ξz dS (4-62)
4 π 3h S v
F

Tương tự với các trục y và z, ta có:

⎧ jx = σ xx ξ x + σ xy ξ y + σ xz ξz
⎪
⎨ jy = σ yx ξx + σ yy ξ y + σ yz ξz (4-63)
⎪
⎩ jz = σ zx ξ x + σ zy ξ y + σ zz ξz
trong đó:

e2 τ
σ αβ = 3
4π h S
∫ v
v α v β dS (4-64)
F

là tenxơ điện dẫn suất, (tenxơ độ dẫn điện riêng) α, βlấy giá trị x, y, z.
Như vậy, trong tinh thể, thành phần jx của mật độ dòng điện được gây nên bởi
cả 3 thành phần ξx, ξy, ξz của vectơ cường độ điện trường.
Nếu tinh thể có đối xứng lập phương, thì trong 9 thành phần của tenxơ điện
dẫn xuất, chỉ có 3 thành phần chéo là khác không và bằng nhau:σxx = σyy = σzz = σ.
Trong trường hợp đó, ta có:

e2 v 2x
σ=
4 π 3h S
∫ τ dS
v
(4-65)
F

và từ (4-63), ta tìm lại được biểu thức của định luật Ôm (4-29).
Từ (4-65), ta nhận thấy trong lí thuyết lượng tử, chỉ những êlectrôn dẫn có
r
vectơ sóng k nằm trên mặt Fecmi (hoặc rất gần mặt Fecmi) mới tham gia vào sự
dẫn điện và có đóng góp vào điện dẫn suất. Điều này cũng dễ hiểu vì rằng chỉ
những êlectrôn như vậy mới thay đổi được trạng thái dưới tác dụng điện trường,
còn các êlectrôn ở sâu bên trong mặt Fecmi không thể thay đổi được trạng thái, vì
mọi trạng thái xung quanh mỗi êlectrôn đó đều đã bị chiếm.
r
Nếu thời gian hồi phục τ chỉ phụ thuộc năng lượng, tức là phụ thuộc k2 hay k
mà không phụ thuộc vào các góc (phương của vectơ trong không gian) thì tán xạ
có tính đẳng hướng, trong (4-65), ta đưa được τ ra ngoài dấu tích phân, và τ = τ F
đặc trưng cho sự tán xạ trên mặt Fecmi:

e2τ F v 2x
σ=
4π 3h S
∫ v
dS (4-66)
F

Nếu θ là góc giữa vectơ v và trục x thì vx = vcosθ, và

 v 2x
∫ dS = ∫ vcos2 θdS
SF
v S F

Nếu năng lượng phụ thuộc k2, tức là quy luật tán xạ là bậc hai, đẳng hướng,
hk
thì mặt Fecmi là mặt cầu và dS = k 2F sin θd θd φ, và vì v = * , nên
m

π 2π
vx h h 4π 3
∫ dS = * k 3F ∫ cos θ sin θdθ ∫ dϕ = * kF (4-67)
SF
v m 0 0 m 3

Kết hợp với (4-5), ta tính được:

ne 2 τ F
σ= (4-68)
m*
Biểu thức này có dạng giống như (4-25) trong trường hợp lí thuyết cổ điển.
Tuy nhiên có sự khác nhau ở chỗ trong lí thuyết cổ điển, τ được xác định bỏi vận
1
tốc của chuyển động nhiệt (τ = ) còn trong lí thuyết lượng tử, τF là thời gian đặc
u
trưng cho quá trình tán xạ ứng với giá trị năng lượng trên mức Fecmi.
Ta có thể xác định được quãng đường tự do trung bình lF của êlectrôn ở mức
Fecmi giữa hai lần va chạm:
lF = vF τF (4-69)
với vF là vận tốc của êlectrôn có năng lượng Fecmi. Từ (4-68), và (4-69) ta có:

ne 2l F
σ= (4-70)
m* v F

Như vậy, với giá trị của σ được xác định bằng thực nghiệm, với mức Fecmi
được xác định qua n theo (4-7)ta tính được lF. Đối với nhiều kim loại, lF ở 00C có
giá trị vào cỡ hàng trăm Angstrom. Thuyết êlectrôn cổ điển đã không giải thích
được vì sao quãng đường tự do trung bình lại lớn như vậy.
Như đã thấy ở chương 3, nếu êlectrôn chuyển động trong một trường thế tuần
hoàn lí tưởng, thì vectơ sóng của nó không thay đổi nếu không có trường ngoài tác
dụng vào. Như vậy, do có bản chất sóng, nên êlectrôn có thể đi qua tinh thể lí
tưởng mà không bị cảntrở. Nếu tính thể là tuần hoàn lí tưởng, thì quãng đường tự
do trung bình lF phải lớn vô cùng. Tuy nhiên trong thực tế, không có tinh thể lí
tưởng, vì rằng bao giờ cũng có sự sai lệch khỏi tính tuần hoàn lí tưởng, khiến cho
êlectrôn bị tán xạ. Đó là nguyên nhân gây nên điện trở. Điều này có thể do những
nguyên nhân:
Dao động của mạng tinh thể
 Sai hỏng của mạng tinh thể như nút mạng bị khuyết, nguyên tử xen kẽ hoặc
lệch mạng
Có những nguyên tử tạp chất
Biên của tinh thể
Các nguyên nhân nói trên có ảnh hưởng đến điện trở của kim loại một cách
khác nhau và tuỳ thuộc vào các điều kiện: nhiệt độ, áp suất, loại tạp chất v.v…
1
Thực nghiệm cho thấy điện trở suất ρ = của các kim loại phụ thuộc nhiều
σ
vào nhiệt độ. Sự phụ thuộc này có dạng phức tạp và tuỳ thuộc vào từng trường
hợp (bản chất kim loại, tạp chất trong kim loại, điều kiện gia công tạo nên kim loại
v.v…)
Trong các nguyên nhân gây nên điện trở của kim loại đã nêu trên, sự tán xạ
của êlectrôn dẫn lên dao động của mạng tinh thể và lên tạp chất đóng via trò quan
trọng và phổ biến hơn cả. Có thể mô tả điện trở suất ρ của kim loại dưới dạng tổng:
ρ = ρt + ρm (4-71)
trong đó ρm là phần điện trở suất gây nên bởi dao động mạng, còn ρt là phần
điện trở suất gây nên bởi tán xạ êlectrôn lên các nguyên tử tạp chất.
Nếu mật độ tạp chất không lớn lắm, thì ρt tỉ lệ với mật độ tạp chất và không
phụ thuộc nhiệt độ.
Ở các kim loại đơn giản (các kim loại kiềm…) phần ρm phụ thuộc mạnh vào
nhiệt độ; ở nhiệt độ cao, ρm ~ T; còn ở nhiệt độ thấp dưới nhiệt độ Đơbai (T<<θ) thì
ρm ~ T5. Ở nhiệt độ cao, ρm ~ T vì rằng xác suất tán xạ của êlectrôn lên dao động
mạng tỉ lệ với số phôrôn, mà số này lại tỉ lệ với nhiệt độ.
Việc nghiên cứu sự phụ thuộc của điện trở suất kim loại vào nhiệt độ cho ta
nhiều thông tin về tính chất của kim loại. Dựa trên lí thuyết lượng tử, trong nhiều
trường hợp, có thể tìm được những kết quả lí thuyết phù hợp tốt với thực nghiệm.
3. NHIỆT DUNG CỦA KHÍ ÊLECTRÔN
1. Thuyết êlectrôn cổ điển không thể giải quyết được bài toán nhiệt dung của
khí êlectrôn. Thật vậy, vật lí thống kê cổ điển cho rằng tính trung bình, thì năng
3
lượng của một hạt tự do là k B T . Như vậy, đóng góp của mỗi hạt vào nhiệt dung
2
3
của khối khí gồm những hạt như nhau là k B .
2
Giả sử có N nguyên tử kim loại, mỗi nguyên tử góp một êlectrôn tự do. Như
vậy nhiệt dung của kim loại gồm hai phần: nhiệt dung của các nguyên tử bằng
3 3
NkB và nhiệt dung của khí êlectrôn tự do cũng bằng NkB. Theo cách lí luận này,
2 2
nhiệt dung riêng của kim loại (có chứa êlectrôn tự do) lớn hơn nnhiệt dung riêng
của tinh thể không dẫn điện, vì rằng trong kim loại có nhiều êlectrôn tự do. Tuy
nhiên, thực nghiệm lại cho thấy rằng sự đóng góp của êlectrôn vào nhiệt dung là
rất nhỏ, ở nhiệt độ phòng chỉ vào khoảng 1/100 giá trị vừa nêu ở trên. Vấn đề đặt
ra: vì sao các êlectrôn tham gia vào quá trình dẫn điện với tính chất giống như các
hạt chuyển động hoàn toàn tự do,thế mà thực tế lại không đóng góp đáng kể vào
nhiệt dung của tinh thể.
Để giải thích điều này, ta hãy nhớ lại là êlectrôn tuân theo thống kê Fecmi –
Đirăc (4-1). Ở T = 0K, các trạng thái ứng với năng lượng E ≤ EF bị chiếm hoàn toàn
(xác suất bị chiếm bằng 1). Ở T > 0K, một số trạng thái có E > EF trở nên bị chiếm,
một số trạng thái có E < EF trở nên trống. Kết quả là có một số ít êlectrôn ứng với
năng lượng ở xung quanh EF thu thêm năng lượng. Tuy nhiên, như đã thấy, nếu T
không lớn lắm thì số êlectrôn thu thêm năng lượng là rất nhỏ so với tổng số
êlectrôn của kim loại. Chỉ có những êlectrôn này tham gia vào nhiệt dung của khí
êlectrôn, vì vậy phần nhiệt dung này rất nhỏ so với kết quả dự kiến nếu coi như
toàn bộ số êlectrôn đều thu thêm năng lượng.
Ta có thể tính toán nhiệt dung của khí êlectrôn ở khu vực nhiệt độ thấp, là
nhiệt độ T thoả mãn điều kiện kBT << EF. Trước hết, ta tính năng lượng của khí
êlectrôn ở T = 0K:
EF
E0K = ∫ EZ(E)dE (4-72)
0

ở đây, ta đã lấy f(E) = 1 với E ≤ EF.

Ở nhiệt độ T ≠ 0K, năng lượng khí êlectrôn là:
∞
ET = ∫ f (E ).E.Z(E )dE (4-73)
0

Nhiệt dung đẳng tính của khí êlectrôn được tính bằng cách lấy đạo hàm của
năng lượng theo nhiệt độ:
∞
∂E T ∂f
Cel = = ∫ EZ(E ). dE (4-74)
∂T 0
∂T

Có những cách khác nhau để tính toán biểu thức này. Ở đây, chúng ta tính
gần đúng theo cách trình bày ở (2). Số êlectrôn N của hệ không đổi theo nhiệt độ vì
ta đang xét kim loại. Do đó:
EF ∞
N= ∫ Z(E)dE = ∫ f (E)Z(E)dE (4-75)
0 0

Nhân hai vế với EF, ta có:

 ∞
EFN = EF ∫ f (E )Z(E )dE
0

Lấy đạo hàm hai vế theo T ta có:

∞
∂N ∂f
0 = EF = ∫ E F Z(E ) dE (4-76)
∂T 0 ∂T

Trừ từng vế của (4-74) và (4-76), ta có:

∞
∂f
Cel = ∫ (E − E F ) ∂T .Z(E )dE (4-77)
0

Vì ta đang xét ở nhiệt độ rất thấp (kBT/EF < 0,01) nên đạo hàm ∂f /∂T chỉ có
giá trị lớn ở năng lượng E gần với EF, vì thế trong biểu thức dưới dấu tích phân,
Z(E) có thể thay bằng Z (EF) và đưa ra ngoài dấu tích phân:
∞
∂f
Cel ≈ Z(E F ) ∫ (E − E F ) dE (4-78)
0
∂T

Cũng vì ta xét ở nhiệt độ thấp, nên trong biểu thức của hàm phân bố f(E), có
thể thay thế hoá học ξ bằng giá trị năng lượng Fecmi EF = ξ0. Khi đó, theo (4-1) ta
có:
∂f E − E F exp{(E − E F ) / k BT}
= .
∂T k BT [exp{(E − E F ) / k BT} + 1]2
2

Đặt x = (E - EF) /kB T, ta viết lại (4-78) thành:

∞
Cel = Z( )(
E F k 2BT ) ∫ x 2 ex
dE (4-79)
− E F / k BT (e x
+1 )
2

Vì nhiệt độ T rất thấp, nên có thể thay cận dưới của tích phân bằng - ∞. Tích
phân trong biểu thức (4-79) tới cận dưới - ∞ đã được tính sẵn và có giá trị:
∞
2 exπ2
∫ x x 2 dx = 3
−∞ (
e +1 )
vì vậy, ta tính được nhiệt dung khí êlectrôn là :
1
Cel = π 2 Z(E F )k 2BT (4-80)
3
Nhớ lại rằng Z (EF) là mật độ trạng thái trên mặt Fecmi, được xác định bởi
biểu thức:
 dN
Z(E F ) = Z(E )E = E F =
dE E = E F

với N là số êlectrôn trong tinh thể. Theo (4-7), chú ý rằng N = nV với V là thể
tích tinh thể, ta tính được:
3/ 2
V ⎛ 2m ⎞ 3N
Z(E F ) = 2 ⎜ 2 ⎟ E1F/ 2 = (4-81)
2π ⎝ h ⎠ 2E F

Thay vào (4-80), ta thu được biểu thức khác cho nhiệt dung của khí êlectrôn:
1 k T 1 T
Cel = π 2 Nk B B = π 2 Nk B (4-82)
3 EF 2 TF

Kết quả này xác nhận cách giải thích trên đây về nhiệt dung của êlectrôn.Thật
vậy, nếu nhiệt độ rất thấp (T<< TF) thì nhiệt dung của êlectrôn dẫn có giá trị rất nhỏ.

Hình 4.7
Trên hình 4-7, ta biểu diễn tích Z(E). f(E). Đường liền nét ứng với T = 0K, tức
là f(E) = 1. Đường đứt nét ứng với T > 0K, nhưng kBT << EF. Phần gạch chéo biểu
thị các trạng thái bị chiếm ở 0K. Diện tích của nó được xác định bởi tích phân (4-3)
và cho ta mật độ êlectrôn (hoặc số êlectrôn của hệ nếu nhân với thể tích V của tinh
thể). Khi nhiệt độ của hệ tăng từ 0K lên T > 0K, năng lượng tổng cộng của êlectrôn
tăng lên, do một số êlectrôn ở khu vực 1 nhận kích thích nhiệt và chuyển lên khu
vực 2. Chú ý rằng các êlectrôn này có năng lượng nằm trong khoảng kBT xung
quanh mức Fecmi, nghĩa là chiếm phần rất nhỏ trong tổng số êlectrôn của hệ.
 Bài tập chương 4
Bài 4.1. a) Trong những kim loại hóa trị một, số điện tử tự do trong một đơn vị thể
tích gần bằng số nguyên tử trong cùng một thể tích. Tính mật độ điện tử tự do
trong kim loại đồng hóa trị một ở 20oC, biết khối lượng riêng của đồng là 8890
kg/m3 và khối lượng nguyên tử của đồng là 63,5 g/mol.
b) Trong một dây dẫn bằng đồng có tiết diện 0.2 cm2 có dòng điện 1 A chạy qua.
Tính vận tốc trung bình của điện tử dẫn.
Bài 4.2. a) Độ linh động của điện tử trong kim loại Na ở 0K bằng bao nhiêu nếu
điện dẫn suất của Na là 0,23.108Ω-1m-1 và mật độ hạt điện tử là 2,5.1028m-3.
b) Tính quãng đường tự do trung bình của điện tử dẫn ở nhiệt độ phòng.
Bài 4.3. Một dây dẫn bằng bạc có điện trở suất ủ = 1,54.10-8 Ω.m ở nhiệt độ phòng.
Khi điện trường dọc theo dây dẫn có độ lớn E = 1V/cm, hãy tính vận tốc trung bình,
độ linh động và thời gian hồi phục của điện tử biết mật độ điện tử trong dây dẫn là
5,8.1028m-3.
Bài 4.4. Hãy chứng minh rằng, khi T = 0oK động năng của khí điện tử tự do trong
không gian 3 chiều là:
E0= 3/5NEF
trong đó, N là số điện tử, EF là năng lượng Fermi.
Bài 4.5. Tính năng lượng cực đại của các điện tử trong kim loại ở 0K.
Bài 4.6. Giá trị thực nghiệm của mức Fermi đối với Li ở 0K bằng 3,5 eV, hãy tính
giá trị khối lượng của điện tử để thu được sự phù hợp giữa lý thuyết và thực
nghiệm biết khối lượng riêng của Li là 534kg/m3.
Bài 4.7. Mật độ điện tử trong kim loại Na là 2,5.1028m-3. Hãy xác định nhiệt độ
Fermi và vận tốc của điện tử ở mức Fermi.
Bài 4.8. Hãy tính hệ số Hall của đồng biết khối lượng nguyên tử của đồng là 63,5
g/mol, khối lượng riêng của đồng là 8890kg/m-3.
Bài 4.9. Chứng minh rằng với mạng hai chiều động năng của điện tử ở góc vùng
Briloanh thứ nhất lớn gấp hai lần động năng của điện tử ở giữa cạnh này.
 CHƯƠNG 5. BÁN DẪN
I. Mục đích
Các cơ sở lý thuyết về các loại bán dẫn và các tính chất của chúng.
II. Yêu cầu
Người học cần lĩnh hội những kiến thức về:
9. Sơ lược về tính chất của bán dẫn.
10. Bán dẫn tinh khiết.
11. Bán dẫn pha tạp.
12. Hiệu ứng Hall trong bán dẫn.
13. Lớp chuyển tiêp p – n.
Một số lưu ý
Các lý thuyết của các bán dẫn được xây dựng dựa trên lý thuyết vùng năng
lượng đã học ở chương 3.
Các tính chất của bán dẫn phụ thuộc rất mạnh vào nhiệt độ, hoặc các tác
nhân khác như chiếu sáng, bức xạ hạt nhân ...
III. Nội dung
Chương 5 gồm 5 bài:
Bài 1: Sơ lược về tính chất của bán dẫn. (3 tiết)
Bài 2: Bán dẫn tinh khiết (2 tiết)
Bài 3: Bán dẫn pha tạp (3 tiết)
Bài 4: Hiệu ứng Hall trong bán dẫn (1 tiết)
Bài 5: lớp chuyển tiếp p - n (2 tiết)

1. SƠ LƯỢC VỀ TÍNH CHẤT CỦA BÁN DẪN

1. Ở chương 3, chúng ta đã đề cập đến nhữn tinh thể bán dẫn. Đó là những
tinh thể mà về mặt cấu trúc năng lượng có một vùng hoá trị bị chiếm đầy và trên nó
là một vùng trống (gọi là vùng dẫn), vùng cấm nằm giữa hai vùng này có giá trị
không lớn lắm (dưới vài ba eV).
Xét về mặt tính chất điện, bán dẫn có giá trị điện trở suất trung gian giữa kim
loại và điện môi. Điện trở suất của kim loại nằm trong khoảng 10-8 đến 10-6 Ωm
(chẳng hạn ở nhiệt độ phòng, điện trở suất của Bạc là 1,58.10-8 Ωm, còn của hợp
kim nicrôm là 1,05.10-6 Ωm). Điện trở suất của bán dẫn nằm trong khoảng từ 10-4
đến 1010 Ωm tuỳ theo công nghệ chế tạo ra nó, còn cadimi sunfua có thể có điện
trở suất trong khoảng từ 10-5 đến 1010 Ωm. Các vật liệu có điện trở suất lớn hơn
108 Ωm được coi là điện môi (như mica, tuỳ theo thành phần cấu tạo, có điện trở
suất 1011- 1014 Ωm còn thuỷ tinh là 106 – 1013 Ωm).
Qua các thí dụ trên ta nhận thấy không có ranh giới rõ rệt giữa ba loại vật liệu
đó, xét theo giá trị của điện trở suất.
Cũng có thể phân loại các vật liệu trên dựa vào sự phụ thuộc của điện trở suất
theo nhiệt độ. Ở nhiều kim loại, điện trở suất ρ có thể coi gần đúng như tỉ lệ với
nhiệt độ tuyệt đối T:

ρ = ρ0 (1 + αt) ≈ ρ0 T (5-1)
T0
trong đó ρ0 là điện trở suất ở O0C, α là hệ số nhiệt của điện trở suất. Với một
số kim loại tinh khiết:
1
α≈ K hay T0 = 273K
273
Bán dẫn có điện trở suất phụ thuộc nhiệt độ theo biểu thức
ρ = ρ0 eB/T (5-2)
trong đó p0, B là những hằng số. Như vậy, khi nhiệt độ tăng, điện trở của bán
dẫn giảm(1). Các điện môi cũng có tính chất giống như bán dẫn, nhưng các đại
lượng ρ0, B có giá trị khác.
Ta có thể giải thích sự sai khác giữa kim loại và bán dẫn, xét về sự phụ thuộc
của điện trở suất theo nhiệt độ. Như đã thấy ở chương 3, trong kim loại luôn có
êlectrôn tự do. Số êlectrôn tự do không phụ thuộc vào nhiệt độ của kim loại. Nói
khác đi, để tạo ra êlectrôn tự do trong kim loại, ta không cần cung cấp năng lượng
cho tinh thể. Đối với bán dẫn thì khác hẳn. Ở gần độ không tuyệt đối, bán dẫn
không dẫn điện, nghĩa là giống như điện môi. Khi ta nâng nhiệt độ lên, trong bán
dẫn xuất hiện các hạt mang điện (êlectrôn và lỗ trống). Như vậy để tạo ra các hạt
mang điện trong bán dẫn, ta phải cung cấp năng lượng cho nó. Số hạt tải tự do
tăng rất nhanh khi nhiệt độ của tinh thể tăng. Ngoài cách làm nóng tinh thể, để làm
xuất hiện các hạt mang điện tự do trong bán dẫn, còn có thể cho các loại bức xạ
khác nhau (ánh sáng, bức xạ hạt nhân v.v…), hoặc điện trường, từ trường mạnh
tác dụng lên tinh thể.
2. Bán dẫn có thể là các nguyên tố hoá học như: Ge, Se B, C, Si, Sn – α (thiếc
xám) P, As, Se, Te, Lưu huỳnh v.v… cũng như các hợp chất hoá học. Ta có thể kể
một số hợp chất bán dẫn hai thành phần như:
AI BVII (CuCl, AgI…); AI BVI (CuO, Cu2O, CuS, Ag2Te…)
AI BV (KSb, CsSb…); AII BVII (ZnCl2, CdCl2, CdI2)
AII BVI (SnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgSe, HgTe…)

(1)
Như sẽ thấy sau này, trong một số điều kiện, điện trở của bán dẫn tăng khi nhiệt độ tăng (x.3)
 AII BV (CdSb, Zn3As2); AIII BVI (GaS, GaSe, InSe, InS, In2Se3...)
AIIIBV (GaP, GaSb, GaAs, InP, InSb, InAs, AIP, AISb, A IAs…)
AIVBVI (PbS, PbSe, PbTe, GeTe, SnTe, GeS…)
AIBIV (SiC, SiGe)
hoặc các hợp chất ba thành phần như:
AI BIII CVI (CuAlS2, AgInSe2…), AIV BV CVI (PbBiSe2)v.v…
Một số hợp chất hữu cơ cũng có tính chất bán dẫn.
Ngoài những bán dẫn có cấu trúc tinh thể, người ta còn phát hiện và đưa vào
sử dụng nhiều vật liệu vô định hình hoặc vật liệu dạng gốm có tính chất bán dẫn.
Tuy vậy, trong phạm vi của chương này,ta chỉ xét đến những tính chất của bán dẫn
có cấu tạo tinh thể.
3. Để làm thí dụ, chúng ta hãy xét silic, một vật liệu bán dẫn, nguyên tố được
sử dụng rộng rãi nhất hiện nay. Silic là nguyên tố thuộc phân nhóm 4 của bảng
tuần hoàn Menđêlêep. Nguyên tử Si có các lớp êlectrôn phân bố như sau: Si(14)(1s2
2s2 2p6 3s2 3p2). Nguyên tử Si có hoá trị 4, với lớp êlectrôn ngoài cùng gồm 2
êlectrôn ở trạng thái 3s và 2 ở trạng thái 3p.

Tinh thể silic thuộc loại tinh thể kim cương (xem hình 1.24) khi tạo thành tinh
thể sillic, những êlectrôn hoá trị tham gia vào việc tạo thành những liên kết đồng
hoá trị. Sơ đồ mang tinh thể cùng với những mối liên kết được tạo thành từ từng
cặp êlectrôn được biểu diễn trên mặt phẳng như trên hình 5.1a ở mỗi nút mạng có
lõi ion mang điện tích +4 và bốn êlectrôn hoá trị gắn với nó. Những êlectrôn này
cùng với các êlectrôn của 4 nguyên tử gần nhất tạp thành các mối liên kết bền
vững (quanh mỗi nguyên tử có 8 êlectrôn, nghĩa là lớp êlectrôn ngoài cùng đã
được lấp đầy). Tinh thể trung hoà về điện. Nếu ta đặt tinh thể vào điện trường, thì
không có dòng điện chạy qua nó, vì rằng mọi êlectrôn bị liên kết chặt và không có
hạt mang điện tự do.
Tình hình như trên xảy ra ở nhiệt độ T = 0K. Khi T > 0K, dưới tác dụng của
nhiệt, một số mối liên kết đồng hoá trị bị phá vỡ. Êlectrôn bức ra khỏi liên kết và trở
thành êlectrôn tự do. Mối liên kết bị phá vỡ trở thành lỗ trống (hình 5.1b).
 Toàn bộ tinh thể vẫn trung hoà về điện. Tuy nhiên, vì trong tinh thể xuất hiện
các hạt mang điện tự do, nên khi có điện trường tác dụng trong tinh thể xuất hiện
dòng điện. Nhiệt độ tăng thì số liên kết bị phá vỡ cũng tăng nhanh và mật độ hạt
mang điện trong bán dẫn cũng tăng nhanh. Do đó điện trở suất của bán dẫn giảm
nhanh khi nhiệt độ tăng.
Silic có cấu trúc tinh thể của kim cương vùng Briloanh thứ nhất ứng với mạng
tinh thể này có dạng như trên hình 5.2. Đó là một hình có 14 mặt: 6 mặt hình vuông
r r r
góc với 3 phương k x , k y , k z và 8 mặt hình lục giác đều. Trên hình, toạ độ của tâm
2π
các mặt (đánh dấu bằng chấm đen) được tính theo đơn vị với a là chiều dài
a
của cạnh của ô sơ cấp hình lập phương của mạng tinh thể.

Hình 5.2 Hình 5.3

Bằng cách kết hợp các phương pháp toán lí thuyết với cá kết quả đo đạc thực
nghiệm về các tính chất của tinh thể, người ta xác định được sự phụ thuộc của
r
năng lượng vào vectơ sóng E ( k ). Theo các phương khác nhau, sự phụ thuộc E
r r
( k ) cũng khác nhau. Trên hình 5.3 trình bày sự phụ thuộc E ( k ) theo hai phương
[100] và [111] đối với vùng hoá trị và vùng dẫn.
r
Ta nhận thấy ở k = 0, vùng dẫn suy biến. Nhánh của vùng dẫn theo phương
[100] có cực tiểu thấp hơn các cực tiểu khác của vùng. Vị trí của cực tiểu tuyệt đối
đó xác định đáy của vùng dẫn trong tinh thể Si.
Tổng cộng có 6 cực tiểu tương đương nhau trên các phương <100>. Mặt
đẳng năng quanh các cực tiểu tuyệt đối là các elipxôit tròn xoay có trục đối xứng
trùng với các phương <100> của tinh thể (hình 5.4).
Sự phụ thuộc của năng lượng vào vectơ sóng k ở lân cận các cực tiểu đó
được biểu diễn theo (3-155), và có dạng cụ thể:
 h 2 (k1 − k10 )2 + h 2 (k 2 − k 20 )2 h 2 (k 3 − k 30 )2
() ( )
r r
E k = E k0 + + (5-3)
2 m1* m*3

Trong đó m1* là khối lượng hiệu dụng ngang và m*3 là khối lượng hiệu dụng
dọc. Bằng thực nghiệm người ta đã xác định được với Si: m1* = 0,19 m; m*3 = 0,98
m, với m là khối lượng của êlectrôn tự do.
Vùng hoá trị có cực đại (đỉnh) ở tâm vùng Briloanh. Ở k = 0, có hai vùng hoá
trị suy biến (một giá trị năng lượng ứng với các trạng thái êlectrôn khác nhau. Khi đi
khỏi k = 0, hai vùng tách ra. Theo (3-147), ta thấy độ cong của các vùng xác định
giá trị của khối lượng hiệu dụng. Như vậy ở lân cận k = 0, ta có hai giá trị của khối
lượng hiệu dụng trong vùng hoá trị. Vì vậy ta nói có hai loại lỗ trống: lỗ trống nhẹ
(m* nhỏ) và lỗ trống nặng (m* lớn hơn). Những kết quả thực nghiệm cho ta khối
lượng lỗ trống nặng là m *k nặng = 0,34 m và lỗ trống nhẹ là m*k , nhẹ= 0,04. Mặt đẳng
năng ở lân cận k = 0 có dạng như trên hình 5.4b.

Hình 5.4
Ngoài ra, còn có một vùng hoá trị thứ ba, có đỉnh ở thấp hơn hai vùng trên. Đó
là vì trong trường hợp của vùng này, sự suy biến đã bị khử dưới ảnh hưởng của
tương tác giữa spin êlectrôn và từ trường do chuyển động của êlectrôn trên quỹ
đạo gây nên, gọi là tương tác spin - quỹ đạo.
Khoảng cách nhỏ nhất giữa đáy vùng dẫn và đỉnh dải hoá trị chính là bề rộng
Eg của vùng cấm. Trong trường hợp Si, như thấy trên hình 5.3, bề rộng vùng cấm
là Eg = 1,08eV. Ở đây, cực đại của vùng hoá trị ở k = 0 còn cực tiểu của vùng dẫn
r
ở k ≠ 0, vì thế ta nói silic có vùng cấm “nghiêng”.
Từ đỉnh 5.3, ta có nhận xét là các vùng năng lượng có dạng phức tạp và khác
nhau theo các phương. Tuy nhiên, ở lân cận các cực trị của vùng (đỉnh vùng hoá
trị, đáy vùng dẫn), có thể coi gần đúng các vùng có dạng parabol, tức là năng
lượng phụ thuộc bậc hai vectơ sóng (phù hợp với các kết luận được rút ra ở
chương 3). Trong thực tế, ở các điều kiện thông thường, khi mật độ êlectrôn và lỗ
trống không quá lớn, thì chỉ có những trạng thái ở rất gần đáy vùng dẫn bị chiếm
bởi êlectrôn và những trạng thái ở gần đỉnh vùng hoá trị bị chiếm bởi lỗ trống. Vì
vậy trong các phép tính toán sau này, ta coi như cực trị của các vùng đều có dạng
parabol.
Trên đây ta đã khảo sát tinh thể bán dẫn silic. Đối với các bán dẫn khác, ta
cũng có thể có những nhận xét tương tự. Tuy nhiên trong từng trường hợp do cấu
trúc tinh thể của bán dẫn, do thành phần của bán dẫn, do tính chất của liên kết
trong tinh thể, mà tính chất của bán dẫn khác nhau: có bán dẫn, cực trì của vùng
dẫn và vùng hoá trị đều ở tâm vùng Briloanh và vùng cấm “thẳng” (như CdTe
chẳng hạn), hoặc bề rộng vùng cấm Eg có giá trị khác nhau: như ở InSb thì Eg =
0,23 eV, ở Ge thì Eg = 0,66, hoặc như CdS có cấu trúc tinh thể lục giác thì cấu trúc
các vùng năng lượng cũng có đặc điểm khác…Chính là dựa trên sự đa dạng về
tính chất của các bán dẫn khác nhau, mà người ta đã tìm cách sử dụng từng vật
liệu vào các mục đích cụ thể.
2. BÁN DẪN TINH KHIẾT
Ta hãy khảo sát chi tiết tính chất điện của bán dẫn, trước hết là bán dẫn tinh
khiết. Như đã thấy ở chương 3, cấu trúc năng lượng của bán dẫn tinh khiết gồm
một vùng hoá trị bị chiếm đầy và một vùng dẫn bỏ trống ở T = 0K. Hai vùng này
ngăn cách nhau bằng vùng cấm không lớn lắm. Ta kí hiệu mức năng lượng ứng
với đáy của vùng dẫn là Ec, đỉnh của vùng hoá trị là Ev và bề rộng vùng cấm là Eg
thì:
Eg = Ec - Ev
Khi T > 0K, do thu thêm năng lượng một số êlectrôn từ đỉnh vùng hoá trị có
thể vượt qua vùng cấm và nhảy lên đáy vùng dẫn, trở thành êlectrôn tự do
(êlectrôn dẫn), làm xuất hiện những lỗ trống ở vùng hoá trị. Nhiệt độ càng cao, số
êlectrôn dẫn và lỗ trống càng lớn.
Ta hãy tính toán mật độ êlectrôn và lỗ trống trong bán dẫn ở trạng thái cân
bằng nhiệt động. Để cho đơn giản ta giả thiết bán dẫn có mặt đẳng năng hình cầu
và quy luật tán sắc bậc hai ở cả vùng dẫn và vùng hoá trị. Giả thiết này là phù hợp,
vì rằng ở nhiệt độ thông thường, mật độ êlectrôn và lỗ trống không lớn, nên
êlectrôn và lỗ trống chỉ chiếm các trạng thái ở gần đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hoá
trị.
Mật độ êlectrôn dẫn được tính giống như ở (4-2):
∞
n= ∫ f (E )Z (E − E )dE
Ec
e c (5-4)
 fe(E) là hàm phân bố Fecmi – Đirăc (4-1). Ở (5-4), năng lượng êlectrôn
được tính so với đáy vùng dẫn Ec, do đó theo (4-11), ta có:

Z(E − E c ) =
( )3 / 2 (E − Ec )1 / 2
21 / 2 m*
(5-5)
π2h3
Vì vậy:
∞
n = A e ∫ f e (E )Z(E − E c )1 / 2 dE (5-6)
Ec

với

Ae =
21 / 2 m*( )3 / 2 (5-7)
π2h3
Mật độ lỗ trống p được xác định bằng cách tương tự, ta có:
∞
p= ∫ f h (E )Z(− E + E v )dE (5-8)
Ev

với Z (- E + Ev) chính là mật độ trạng thái ở vùng hoá trị. Hàm phân bố của
lỗ trống fh(E) được xác định từ điều kiện:
fe (E) + fh (E) = 1 (5-9)
và do đó:
1
f h (E ) = 1 − f e (E ) = ζ−E
(5-10)
k BT
e +1
Để thuận tiện khi tính toán, ta lấy gốc tính năng lượng ở đáy vùng dẫn, tức
là Ec=0, Ev = - Eg.
Các biểu thức cho n và p trở thành:
∞
E1/2 dE
n = Ae ∫ E−ζ
(5-11)
0 k BT
e +1
−Eg
(- E - E g )1 / 2 dE
p = Ah ∫ ζ−E
(5-12)
−∞ k BT
e +1

Ở nhiệt độ thông thường, với vùng dẫn E – ζ >> kBT, với vùng hoá trị ζ – E
>> kBT, vì vậy hàm phân số Fecmi – Đirăc (4-1) có thể coi gần đúng bằng:
 ⎛ζ−E⎞
f e (E ) ≈ exp⎜⎜ ⎟⎟ (5-13)
⎝ k BT ⎠
và

⎛E−ζ⎞
f h (E ) ≈ exp⎜⎜ ⎟⎟ (5-14)
⎝ k BT ⎠
Ý nghĩa vật lí của điều này là ở chỗ, trong bán dẫn, mật độ êlectrôn ở vùng
dẫn (và mật độ lỗ trống ở vùng hoá trị) thường rất nhỏ so với mật độ êlectrôn trong
kim loại, nghĩa là xác suất trạng thái bị chiếm bởi êlectrôn là nhỏ: fe(E) <<1 (và
tương tự fh(E) << 1). Những bán dẫn thoả mãn điều kiện (5-13) và (5-14) được gọi
là bán dẫn không suy biến. Như vậy với bán dẫn không suy biến, hàm phân bố
Fecmi – Đirăc trở thành dạng hàm phân bố Bônxơman. Trong vật lí bán dẫn, người
ta thường gọi ζ là mức Fecmi,
Ta có thể tính dễ dàng mật độ êlectrôn và lỗ trống trong bán dẫn không suy
biến, nếu thay (5-13) và (5-14) vào vị trí của fe và fh ở (5-11) và (5-12). Ta thu
được:
3/ 2
⎛ ζ ⎞∞ ⎛ − E ⎞ 1/ 2 ⎛ 2πk BTm*e ⎞ ζ
n = A e exp⎜⎜ ⎟⎟ ∫ exp⎜⎜ ⎟⎟ E dE = 2⎜ ⎟ (5-15)
k T k T ⎜ h 2 ⎟ e k BT
⎝ B ⎠0 ⎝ B ⎠ ⎝ ⎠
và:
−ζ − Eg 3/ 2 − ζ+ Eg
⎛ E ⎞ ⎛ 2πk BTm*h ⎞
p = Ahe k BT
∫ exp⎜⎜ (
⎟⎟ − E − E g )1/ 2
dE = 2⎜
⎜ 2
⎟
⎟
e k BT
(5-16)
−∞ ⎝ k BT ⎠ ⎝ h ⎠
Ta hãy nhân hai vế của (5-15) và (5-16), sẽ thu được biểu thức:
3
⎛ k BT ⎞ ⎛ Eg ⎞
np = 4⎜ ⎟ (m m
e h )3/ 2
exp ⎜⎜ − ⎟⎟ (5-17)
⎝ 2 πh 2 ⎠ ⎝ k BT ⎠
Biểu thức này không chứa mức fecmi ζ. Đó là biểu thức của định luật khối
lượng hiệu dụng: ở một nhiệt độ xác định , tích của mật độ êlectrôn và lỗ trống là
một hằng số.
Trong trường hợp bán dẫn tinh khiết, mỗi êlectrôn khi chuyển từ vùng hoá
trị lên vùng dẫn đều tạo thành một lỗ trống, vì vậy mật độ êlectrôn và mật độ lỗ
trống bằng nhau: n= p. Người ta kí hiệu các đại lượng ứng với bán dẫn tinh khiết
bằng chỉ số i (chữ đầu của từ tiếng Anh intrinsic) để nhấn mạnh sự dẫn điện riêng
của bán dẫn, do đó ni = pi và theo (5-17), ta có:
3/ 2
⎛k T⎞ ⎛ Eg ⎞ ⎛ Eg ⎞
n i = p i = 2⎜ B 2 ⎟ (m e m h )3 / 4 exp⎜⎜ − ⎟⎟ = n 0 exp⎜⎜ − ⎟⎟ (5-18)
⎝ 2 πh ⎠ ⎝ 2 k BT ⎠ ⎝ 2 k BT ⎠
với :
 3/ 2
⎛k T⎞
n 0 = 2⎜ B 2 ⎟ (me m h )3 / 4 (5 -19)
⎝ 2πh ⎠
Biểu thức (5-17) có thể rút ra được bằng lập luận sau đây. Ở trạng thái cân
bằng, số êlectrôn chuyển từ vùng hoá trị lên vùng dẫn phải bằng số êlectrôn tái
hợp với lỗ trống (trong cùng một khoảng thời gian), mà xác suất chuyển êlectrôn
dưới tác dụng của chuyển động nhiệt từ vùng hoá trị lên vùng dẫn tỉ lệ với thừa số
Eg
−
Bônxơman e k BT còn số lần tái hợp êlectrôn - lỗ trống thì tỉ lệ với tích mật độ lỗ
trống p và mật độ êlectrôn n. Vì vậy ở trạng thái cân bằng nhiệt,
Eg
−
k BT
Ae =Bnp (5-20)
với A, B là các hằng số.
Với bán dẫn tinh khiết, n = p, nên từ (5-20), ta có:
Eg
−
k BT
n = n0 e (5-21)

A
với n0 = , tức là ta thu lại được kết quả như (5-18)
B
Trong trường hợp bán dẫn điện riêng thì n = p. Từ (5-15) và (5-16), ta có:
ζ ζ+ Eg
−
m 3e / 2e k BT = m 3h / 2 e k BT
(5-22)

Do đó, ta tính được vị trí mức Fecmi ζ:

Eg 3 m
ζ=− + k BT ln h (5-23)
2 4 me

Từ đó, ta thấy vị trí mức Fecmi phụ thuộc bậc nhất voà nhiệt độ (h.5.6). Nếu
Eg
mh=me thì ζ = − tức là mức Fecmi nằm chính giữa vùng cấm.
2
Vì rằng trong bán dẫn có hai loại hạt tải điện: êlectrôn và lỗ trống nên mật
độ dòng điện qua bán dẫn được xác định theo (4-26) và có dạng:

jx = ne v ex +pe v hx (5-24)

trong đó v ex và v hx là giá trị trung bình của hình chiếu lên phương x của
vận tốc chuyển động có hướng của êlectrôn và lỗ trống, còn e là độ lớn của điện
tích nguyên tố.
Ở trạng thái dừng, thì:

v ex = μe ξx; v hx = μh ξx (5-25)
 với μe, μh là độ linh động của êlectrôn và lỗ trống, ξx là hình chiếu của vectơ
r
cường độ điện trường ξ lên phương x. Từ đó:

jx = (ne μe + pe μh) ξx (5-26)

hay:
jx = σ ξx (5-27)
với điện dẫn suất σ được xác định theo.
σ = neμe + peμh (5-28)
Cần chú ý rằng êlectrôn và lỗ trống có điện tích trái dấu, do đó dưới tác
r
dụng của điện trường ξ , vận tốc chuyển động có hướng êlectrôn và lỗ trống có
chiều ngược nhau. Nhưng vectơ mật độ dòng do êlectrôn và lỗ trống gây nên lại có
cùng chiều.
3. BÁN DẪN PHA TẠP
1. Một số tạp chất và một số loại sai hỏng của mạng tinh thể có thể có ảnh
hưởng rất quan trọng đến tính chất điện của bán dẫn. Chẳng hạn, nếu ta pha thêm
vào silic một lượng Bo rất nhỏ (1 nguyên tử Bo cho 105 nguyên tử Si), thì cũng đủ
làm tăng độ dẫn điện của tinh thể lên hàng nghìn lần so với tinh thể Si tinh khiết ở
cùng một nhiệt độ. Ở các bán dẫn tạp chất, sự thiếu hụt một thành phần nào đó (so
với tỉ lệ hợp thức) cũng có tác dụng như tạp chất.
Ta hãy xét trường hợp tinh thể Si có pha lượng nhỏ tạp chất là nguyên tố
nhóm V như P, As, Sb…Trong tinh thể Si, nguyên tử của tạp chất thay chỗ cho
nguyên tử Si. Sau khi đã góp chung 4 êlectrôn với các nguyên tử Si ở xung quanh
nguyên tử tạp chất (P chẳng hạn) còn thừa một êlectrôn hoá trị (hình 5.5a).
Êlectrôn thừa này liên kết rất yếu với nguyên tử tạp chất. Vì vậy, ngay ở nhiệt độ
rất thấp êlectrôn này đã bứt khỏi nguyên tử tạp chất, để trở thành êlectrôn tự do,
và có thể tham gia vào sự dẫn điện. Ở nút mạng tinh thể còn lại ion P+. Về toàn bộ,
tinh thể vẫn trung hoà về điện. Nguyên tử tạp chất có khả năng cung cấp êlectrôn,
trường hợp này gọi là nguyên tử đôno (đôno nghĩa là cho). Như vậy trong trường
hợp Si pha tạp chất P, việc tạo thành êlectrôn dẫn từ các nguyên tử tạp chất không
kèm theo sự tạo thành lỗ trống (so sánh với quá trình tạo thành êlectrôn dẫn trong
bán dẫn tinh khiết).
 Hình 5.5
Tất nhiên, ở nhiệt độ xác định T ≠ 0K, vẫn xảy ra quá trình dẫn điện riêng như
đã nói ở §2. Kết quả là với Si pha P, số êlectrôn dẫn (và do đó mật độ êlectrôn
dẫn) luôn lớn hơn số (hay mật độ ) lỗ trống. Êlectrôn là hạt mang điện đa số, còn lỗ
trống là hạt mang điện thiểu số. Bán dẫn điện chủ yếu bằng êlectrôn dẫn, nên gọi
là bán dẫn loại n (từ tiếng Anh negative nghĩa là âm, để chỉ điện tích âm của
êlectrôn).
Trên biểu đồ năng lượng của bán dẫn loại n (hình 5.5b), trong vùng cấm có
mức năng lượng đôno ở rất gần đáy vùng dẫn. Cách đáy vùng dẫn một khoảng Ed.
Khi thu được năng lượng Ed, êlectrôn từ mức đôno nhảy lên vùng dẫn, trở thành
êlectrôn tự do. Vì vậy Ed gọi là năng lượng ion hoá đôno. Với Si pha P, Ed =
0,045eV. Với Si pha Sb, Ed = 0,089 eV.
Bây giờ ta xét trường hợp tinh thể Si có pha lượng nhỏ tạp chất là nguyên tố
nhóm III như B, Al, Ga…Nguyên tử tạp chất thay thế cho nguyên tử Si trong mạng
tinh thể. Tuy nhiên để tạo thành liên kết với 4 nguyên tử Si ở xung quanh, nguyên
tử tạp chất (B chẳng hạn) còn thiếu một êlectrôn (hình 5.6a). Chỉ cần thu được
năng lượng nhỏ, một êlectrôn từ mối liên kết gần đó có thể đến chiếm trạng thái
thiếu liên kết đó. Ở mối liên kết vừa bị mất êlectrôn đã tạo thành một lỗ trống này,
như vậy làm xuất hiện lỗ trống ở vị trí khác. Lỗ trống có thể chuyển động trong tinh
thể. Lỗ trống có tính chất như một hạt mang điện tích dương, vì vậy khi có một điện
trường tác dụng vào tinh thể bán dẫn, lỗ trống chuyển động có hướng và tạo thành
dòng điện. Nguyên tử tạp chất đã nhận êlectrôn trở thành ion âm (ion B- ). Ta gọi
nó là nguyên tử axepto (axepto nghĩa là nhận). Như vậy, trong trường hợp Si pha
B, việc tạo thành lỗ trống do sự có mặt của nguyên tử tạp chất gây nên, không kèm
theo sự tạo thành êlectrôn dẫn.

Hình 5.6
Ở nhiệt độ T > 0K, cùng với việc xuất hiện lỗ trống dưới tác dụng của tạp chất,
còn có sự dẫn điện riêng. Kết quả là với Si pha B, mật độ lỗ trống lớn hơn mật độ
êlectrôn dẫn. Lỗ trống là hạt mang điện đa số, êlectrôn là hạt mang điện thiểu số.
Bán dẫn như vậy dẫn điện chủ yếu bằng lỗ trống, nên gọi là bán dẫn loại p (từ chữ
positive, nghĩa là dương để chỉ điện tích dương của lỗ trống).
 Trên biểu đồ năng lượng của bán dẫn loại p (hình 5.6), trong vùng cấm có
mức năng lượng axepto ở gần đỉnh vùng hoá trị, cách vùng hoá trị một khoảng E.
Chỉ cần thu được năng lượng nhỏ Ea, êlectrôn có thể từ vùng hoá trị bị lấp đầy
chuyển làm mức axepto, làm xuất hiện lỗ trống trong vùng hoá trị. Vì vậy Ea là năng
lượng ion hoá axepto. Với Si pha B, Ea = 0,045 eV, với Si pha Ga, Ea = 0,065 eV
với Si pha In, Ea=0,16 eV.
Những tạp chất như vừa nói trên, ứng với năng lượng ion hoá nhỏ, gọi là
những tạp chất nông, vì các mức năng lượng ứng với chúng nằm ở gần bờ vùng
cấm. Có những loại tạp chất, mà các mức tương ứng với chúng nằm ở khu vực
sâu bên trong, gần giữa vùng cấm. Ta gọi chúng là những tạp chất sâu ( chẳng hạn
như Au trong Si). Trong phạm vi quyển sách này, chúng ta xét chủ yếu các bán
dẫn có tạp chất nông.
2. Ta hãy tính toán mật độ hạt tải điện trong bán dẫn pha tạp. Như đã thấy ở
trên, tạp chất làm thay đổi mật độ tải điện một cách đáng kể và do đó làm thay đổi
tính dẫn điện của bán dẫn.
Trước hết, ta hãy xét trường hợp bán dẫn pha tạp chất đôno, có mật độ tạp
chất Nd (số nguyên tử tạp chất đôno trên một đơn vị thể tích bán dẫn). Giả sử tạp
chất có hoá trị 1, tức là mỗi nguyên tử tạp chất có thừa một êlectrôn (chẳng hạn P
trong Si). Ở nhiệt độ T nào đó, một số nguyên tử tạp chất bị ion hoá, trở thành ion
tạp chất mang điện dương. Ta gọi mật độ các ion này là pd. Những êlectrôn bứt từ
những nguyên tử bị ion hoá chuyển lên vùng dẫn, trở thành êlectrôn dẫn. Ta gọi nd
là mật độ những nguyên tử đôno chưa bị ion hóa thì
pd = Nd - nd (5-29)
Nếu như ở mức năng lượng đôno, ở mỗi trạng thái có hai êlectrôn có spin đói
song, thì xác suất êlectrôn chiếm trạng thái đó phải được xác định bởi hàm phân
bố Fecmi – Đirăc như ở (4-1), trong đó thay cho E là năng lượng ứng với mức
đôno.
Tuy nhiên, trên mức đôno lại chỉ có có một êlectrôn. Êlectrôn này có thể có
một trong hai trạng thái spin. Vì vậy trạng thái đôno chưa bị ion hoá có trong số
thống kê gấp hai lần trạng thái đôno bị ion hoá. Áp dụng hàm phân bố Bônxơman,
có thể coi như:
pd 1
= − (E − ζ ) / k T (5-30)
n d 2e d B

Kết hợp với (5-29), ta tìm được mật độ êlectrôn trên mức đôno, cũng là mật
độ đôno chưa bị ion hoá :
Nd
nd = (5-31)
1 (E d − ζ ) / k BT
e +1
2
 Mật độ ino đôno dương là:
Nd
pd = (5-32)
2e (E d − ζ ) / k BT + 1
Ta xét tiếp bán dẫn được pha tạp chất axepto với mật độ Na. Để tạo thành liên
kết đầy đủ, axepto cần bắt một êlectrôn từ vùng hoá trị. Êlectrôn này có thể có một
trong hai trạng thái spin. Lí luận tương tự như trên, ta thấy độ suy biến của mức
axepto là 2, và mật độ lỗ trống trên mức axepto (tức là mật độ axepto chưa bị ion
hoá) là:
Na
pa = (5-33)
1 (ζ − E d ) / k B T
e
2
Mật độ êlectrôn trên mức axepto (tức là mật độ axepto đã bị ion hoá) là:
Na
na = Na – pa = ( E a − ζ ) / k BT
(5-34)
2e +1
Trong trường hợp tổng quát, ta có thể giả thiết bán dẫn có pha tạp cả đôno
lẫn axepto với mật độ nguyên tử tương ứng là Nd và Na. Điều kiện về sự trung hoà
điện của mỗi thế tích bán dẫn là :
n +na = p + pd (5-35)
với n là mật độ êlectrôn dẫn, p là mật độ lỗ trống.
Với các biểu thức của na (5-34) và pd (5-32) ta có thể viết lại điều kiện trung
hoà điện như sau:
(ni + nd) – (pi + pa) = Nd – Na (5-36)
Ta thay vào (5-35) các biểu thức (5-32), (5-34) và (5-15), (5-16) và thu được:

ζ ζ+ Eg
−
Na Nd
v e e k BT + ( E a − ζ ) / k BT
= v he k BT
+ (ζ − E d ) / k BT
(5-37)
2e +1 2e +1
với:
3/ 2
⎛ 2 πk BTm*e ⎞
v e = 2⎜ ⎟ (5-38)
⎜ h 2 ⎟
⎝ ⎠
và:
3/ 2
⎛ 2πk BTm *h ⎞
v b = 2⎜ ⎟
⎜ h 2 ⎟
⎝ ⎠
Xét riêng bán dẫn chỉ pha đôno (bán dẫn loại n) thì Na = na = 0 (không có
axepto). Từ (5-37), ta có:
 ζ ζ+ Eg
−
Nd
v e e k BT = v h e k BT
+ (5-39)
2e (ζ − E d ) / k BT + 1
ở nhiệt độ rất thấp, khi Eg + ζ >> kBT, thì số hạng thứ nhất ở vế phải có thể bỏ
qua.
Từ đó:
ζ
Nd
v e e k BT ≈ (ζ − E d ) (5-40)
k BT
2e +1
ζ
và ta thu được phương trình cho e k BT :
2
⎛ ζ ⎞ Ed ζ Ed
⎜ k BT ⎟ 1 k BT k BT N d k BT
⎜e ⎟ + 2e e −
2v e
e =0 (5-41)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Nghiệm của phương trình trên là:

1 − Ed / k BT ⎡ 8N d E d / k BT ⎤
e ζ / k BT = e ⎢− 1 + 1 + e ⎥ (5-42)
4 ⎣ v e ⎦
ở đây Ed = - E d vì mức đôno ở dưới đáy vùng dẫn.

Khi T →0 thì:
Ed
8N d k BT
e >> 1
ve

và (5-42) cho ta:

ζ − Ed
1 8 N d 2 k BT
e k BT = e (5-43)
4 ve

Ta có thể tính được:

1 1 8N d 1
ζ=− E d + k BT ln ≈ − Ed (5-44)
2 4 ve 2

Như vậy, khi T → 0, ở mức Fecmi ζ nằm ở giữa mức đôno và đáy vùng dẫn.
Ý nghĩa của điều này là ở chỗ khi nhiệt độ rất thấp, êlectrôn dẫn được tạo thành do
êlectrôn được giải phóng từ mức đôno chứ không phải từ vùng hoá trị.
Khi nhiệt độ tăng lên đến mức mà:
 Ed
8N d k BT
e << 1
ve

ε
thì từ (5-42), áp dụng phép tính gần đúng 1 + ε ≈ 1 + với ε << 1, ta có:
2
ζ
Na
e k BT ≈ (5-45)
ve

Nd
hay ζ ≈ kBT ln (5-46)
ve

T chính là nhiệt độ mà ở đó, mọi nguyên tử tạp chất bị ion hoá vì lúc đó n =
veeζ/kBT
= Nd
Nếu Nd >> ve, thì từ (5-46), ta có ζ > 0, tức là mức Fecmi nằm bên trên đáy
vùng dẫn, giống như ở các kim loại. Ta không tính gần đúng theo (5-13) được, mà
phải tính theo (5-11). Như vậy, nếu mật độ tạp chất lớn (Nd lớn), thì khi nhiệt độ đủ
cao, các nguyên tử tạp chất bị ion hoá hết và tạo thành êlectrôn dẫn với mật độ
lớn. Trong trường hợp này, tính dẫn điện của bán dẫn giống như của kim loại. Đó
là trường hợp bán dẫn suy biến. Phép tính cho thấy mức Fecmi giảm khi nhiệt độ
tăng.
Nếu Nd < < ve, thì theo (5-46), ζ < 0, nghĩa là mức Fecmi ở phía dưới đáy
vùng dẫn. Khi nhiệt độ tăng ve cũng tăng. Mức Fecmi cũng dịch chuyển khi nhiệt độ
thay đổi. Nếu ζ = - E d , thì mức Fecmi trùng với mức đôno. Từ (4-46), ta thấy điều
này xảy ra ở nhiệt độ:

E
Td =
νe
k B ln
N0

Chẳng hạn, nếu bán dẫn có Eg= 0,01 eV; Nd ≈ 1016 cm −3 ; m e = 10 −27 g thì Td
khoảng 10K.
Nếu ta tiếp tục tăng nhiệt độ, thì một số êlêctrôn ở vùng hóa trị chuyển được
lên vùng dẫn (xem số hạng thứ nhất ở vế phải của (5-39)). Nhiệ độ càng tăng, số
êlêctrôn này càng nhiều, do đó vai trò của tính dẫn điện riêng càng trở nên quan
trọng so với tính dẫn điện do tạp chất. Mặt khác, đến nhiệt độ đủ cao, mọi nguyên
tử tạp chất đều bị ion hóa. Khi đó, dù nhiệt độ cótăng nữa, thì số êlêctrôn dẫn do
tạp chất tạp nên cũng không tăng thêm. Vì vậy, nếu theo dõi sự thay đổi vị trí của
1
mức Fecmi ζ ở bán dẫn có tạp chất đôno, thì ta thấy khi T≈ 0K, ζ = − E d . Khi T
2
tăng, thì ζ tiến gần đến đáy vùng dẫn, sau đó đi xuống. Khi T = Td , ζ = − E d . Nhiệt
độ tiếp tục tăng thì mức Fecmi tiếp tục đi xuống và tiến tới vị trí ở giữa vùng cấm
ξ = −E g giống như trong bán dẫn riêng. Sự biến thiên vị trí của mức Fecmi theo
2

nhiệt độ ζ(T) được biểu diễn trên hình 5.7.

Hình 5.7
Ta cũng xét tương tự cho trường hợp bán dẫn chỉ pha tạp chất axepto (bán
dẫn loại p). Khi đó N d = n d = 0 , và trong phương trình (5-370 không có số hạng thứ
hai ở vế phải. Lặp lại lí luận như với bán dẫn loại n, ta thấy khi T→0 thì:
ξ Eg −Ea
− 1 8N a 2 k T
e k BT
= e B

4 νh

hay:

Ea − Eg 1 8N a E a − E g E a + E v
ξ= − k B T ln ≈ = (5 − 49) (5-49)
2 4 νh 2 2

Vậy ở nhiệt độ rất thấp, mức Fecmi ζ nằm giữa đỉnh vùng hóa trị và mức tạp
chất axepto. Nhiệt độ tăng, thì mức Fecmi tiến gần tới đỉnh vùng hóa trị. Nhưng
sau đó lại tiến về mức axepto. Ở nhiệt độ:
E a −E v
Ta = (5-50)
ν
k B ln h
Na

mức Fecmi ζ trùng với mức axepto: ζ = E a − E g khi nhiệt độ tăng đến mức
mọi nguyên tử tạp chất đều bị ion hóa, thì p = Na và:
νe
ζ = −E g + k B T ln
Na
Nhiệt độ tiếp tục tăng thì dần dần sự chuyển êlêctrôn từ vùng hóa trị lên vùng
dẫn càng trở nên đáng kể. Do đó mức Fecmi chuyển dịch dần dần về giữa vùng
cấm.
 3. Ta hãy xác định điện dẫn suất của bán dẫn loại n ở nhiệt độ rất thấp. Khi
đó, hạt tải điện tong bán dẫn là êlêctrôn dẫn (lỗ trống có mật độ rất nhỏ, nên bỏ
qua). Mật độ êlêctrôn dẫn được xác định theo (5-15). Ta thay vào đó biểu thức xác
định mức Fecmi của bán dẫn loại n theo (5-43), và biểu thức của ν e (5-38), thì thu
được:

n = N d (2πk B Tm e / h 2 ) 3 4 e − E d / 2 k BT
(5-51)

Điện dẫn suất của bán dẫn là:

Ed Ed
2πk B Tm e 3 4 − 2 k T −
σ = ne / μ e = eμ e Nd ( 2
) e = σ B

on
e 2k T B
(5-52)
h
Lấy logarit hai vế, ta có:
Ed
ln σ = ln σ on − (5-53)
2k B T

1
Từ đấy, ta thấy rằng lnσ phụ thuộc tuyến tính vào và tăng khi nhiệt độ tăng
T
(đoạn I trên hình 5-8), từ độ dốc của đường biểu diễn lnσ(1/T) ta có thể xác định
được Ed, tức năng lượng kích hoạt đôno.

Hình 5.8
Nếu ta tiếp tục tăng nhiệt độ sẽ đến lúc phần lớn các êlêctrôn ở các mức đôno
chuyển lên vùng dẫn. Khi đó, mật độ êleectrôn n có độ lớn cỡ Nd và hầu như không
phụ thuộc vào nhiệt độ. Ở khu vực này thì theo (5-28) điện dẫn suất σ phụ thuộc
chủ yếu là do độ linh động μe phụ thuộc nhiệt độ. Nếu nồng độ tạp chất nhỏ, thì độ
linh động của êlêctrôn là do sự tán xạ lên phônôn quyết định. Nhiệt độ tăng thì số
phônôn cũng tăng, nên độ linh động càng nhỏ, dẫn đến σ giảm đi (xem đoạn II trên
hình 5.8).
Nếu nồng độ tạp chất lớn, thì tán xạ của các êlêctrôn lên tạp chất có ảnh
hưởng quyết định đến độ linh động của hạt tải. Khi êlêctrôn tán xạ lên các tạp chất
đã bị ion hóa, thì theo tính toán (1) thời gian trung bình τ giữa hai va chạm của hạt
tải là:
 τ = v 3l (5-54)
trong đó và là vận tốc của hạt tải, còn l là quãng đường tự do trung bình. l tỉ lệ
nghịch với nồng độ tạp chất và thực tế không phụ thuộc nhệt độ. Vì vậy sự phụ
thuộc nhiệt độ của τ được xác định bởi sự phụ thuộc nhiệt độ của v.
Nếu khí êlêctrôn có mật độ lớn (ta gọi là khí êlêctrôn suy biến), thì v = vF, với
vF là vận tốc trên mặt Fecmi, và thời gian τ không phụ thuộc vào mật độ. Do đó μ
và σ không phụ thuộc nhiệt độ.
Nếu khí êlêctrôn không suy biến (có mật độ bé), thì vận tốc v chính là vận tốc
chuyển động nhiệt, và theo (4-35), v = u - T1/2. Từ (5-54), ta có:
τ ∼ T3/2
Do đó, theo (4-31), độ linh động phụ thuộc nhiệt độ:
μ ∼ T3/2
Trong trường hợp này, lnσ tăng khi T tăng.
Nếu nhiệt độ tiếp tục tăng, thì sự chuyển êlêctrôn từ vùng hóa trị lên vùng dẫn
cũng tăng lên. Sự dẫn điện riêng đóng vai trò chủ yếu trong sự dẫn điện của bán
dẫn (xem 5-18). Giai đoạn này ứng với phần III trên hình 5.8. Đoạn III có độ dốc
lớn hơn đoạn I vì Eg >> E d . Chẳng hạn, ở Si thì Eg ∼ 1,1 eV, còn E d ∼ 0,05 eV với
tạp chất đôno hóa trị 5, E a ∼ 0,08 eV với axepto hóa trị 3.

4. HIỆU ỨNG HÔL TRONG BÁN DẪN

Ta đã nói đến hiệu ứng Hôl trong trường hợp kim loại (xem chương 4). Sự
xuất hiện hiệu điện thế Hôl khi hạt mang điện là êlectrôn được minh hoạ ở hình 4.4.
Trường hợp dẫn điện bằng lỗ trống được trình bày trên hình 5.9. Nếu so sánh hai
trường hợp này thì từ hình vẽ, ta thấy êlectrôn và lỗ trống cùng chuyển dịch về một
phía của mẫu dưới tác dụng của từ trường.
Trong bán dẫn luôn tồn tại hai loại hạt mang điện. Êlectrôn và lỗ trống. Chúng
ta hãy xác định hằng số Hôl cho bán dẫn.

Mật độ dòng êlectrôn là:

 r r
je = − ne v e (5-55)
r
trong đó nếu có cả từ trường tác dụng B ≠ 0, thì theo (4-30) ta có:

( )
r r r r
v e = −μ e ξ + v e ∧ B (5-56)

Có dấu trừ ở vế phải vì êlectrôn mang điện tích âm. Nếu Bx = By = 0, Bz =B

như trên hình 5.9 thì từ (5-56) ta suy ra:
r
( r
jex = − neμ e ξ x + v ey B )
r
( r
jey = − neμ e ξ y − v ex B ) (5-57)

Tương tự, từ (5-56), ta có:

(
v ex = −μ e ξ x + v ey B )
v ey = −μ e (ξ y − v ex B) (5-58a)

Thay biểu thức của vex và vey từ (5-58) vào (5-57) bỏ qua các số hạng chứa B2
vì giả thiết từ trường là yếu, ta nhận được:
(
jex = − neμ e ξx − μ e ξ y B )
jey = − neμ e (ξ y + μ e ξx B) (5-58b)

Đối với lỗ trống, ta thu được các biểu thức bằng cách tương tự, chỉ cần lưu ý
rằng lỗ trống mang điện tích dương.
r r r
Khi cả êlectrôn và lỗ trống đồng thời tham gia vào sự dẫn điện, thì j = je + jh ,
và thay cho (5-58b), ta có:

(
jx = (− neμ e + peμ h )ξ x + − neμ e2 + peμ 2h ξ y B)
( )
jy = (− neμ e + peμ h )ξ y + neμ e2 − peμ 2h ξx B (5-59)

Trong hiệu ứng Hôl, jy = 0. Do đó từ phương trình thứ hai của (5-59) ta có:

neμ e2 + peμ 2h
ξy = ξx B (5-60)
− neμ e + peμ h

Thay biểu thức ξy vào phương trình đầu của (5-59), bỏ qua số hạng có chứa
2
B ta thu được:
jx
ξx = (5-61)
− neμ e + peμ h

Từ đó ta có:
 − neμ e2 + peμ 2h
ξy = jx B (5-62)
(neμ e + peμ h )2
Theo (4-39), ta xác định được biểu thức của hằng số Hôl:

pμ 2h − nμ e2
R= (5-63)
e(nμ e + pμ h )2

Trong trường hợp dẫn điện êlectrôn (bán dẫn loại n) thì p = 0 và từ (5-63) ta
suy ra:
1
Re = - <0 (5-64)
ne
tức là giống như biểu thức hằng số Hôl ở kim loại theo (4-41). Tuy nhiên, ở
bán dẫn laọi n, mật độ êlectrôn dẫn nhỏ hơn nhiều bậc so với ở kim loại. Do đó,
hằng số Hôl ở bán dẫn lớn hơn ở kim loại nhiều lần ở bán dẫn loại p, n = 0, do đó:
1
Rh = >0 (5-65)
pe
tức là hằng số Hôl ở đây có dấu dương.
Trong trường hợp chugn, dấu của hằng số Hôl phụ thuộc vào dấu của tử số
trong (5-63). Khi p μ 2h < n μ e2 thì hằng số Hôl là âm. Còn với p μ 2h > n μ e2 thì hằng số
Hôl là dương. Trong một số kim loại như ta thấy ở chương 4, hằng số Hôl có dấu
dương chính là vì ở những kim loại này (Be, Cd chẳng hạn) mật độ lỗ trống lớn
hơn mật độ êlectrôn nhiều.
Ở bán dẫn, mật độ êlectrôn n và lỗ trống p phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ (theo
hàm mũ), vì vậy hằng số Hôl cũng phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ. Với một vật liệu
bán dẫn cụ thể, có thể xảy ra là ở một khoảng nhiệt độ nào đó thì p μ 2h > n μ e2 và do
đó R>0, còn ở khoảng nhiệt độ khác thì p μ 2h < n μ e2 và do đó R < 0.

Ở nhiệt độ đủ cao, thì sự dẫn điện tạp chất là không đáng kể so với sự dẫn
điện riêng. Khi đó n ≈ p, và từ (5-63), ta có:

μ 2h − μ e2
R= (5-66)
pe(μ e + μ h )2

Như vậy ở nhiệt độ cao, dấu của hằng số Hôl phụ thuộc vào sự chênh lệch về
độ linh động của lỗ trống và êlectrôn.
Trong quá trình tính toán trên đây, ta coi như cá hạt mang điện mỗi loại đều
r r
có cùng vận tốc chuyển động định hướng là vận tốc trung bình v e và v h , tức là
không để ý đến sự phân bố thống kê của vận tốc. Tuỳ theo cơ chế tán xạ mà các
hạt mang điện có những hàm phân bố vận tốc khác nhau. Nếu xét đến điều đó thì
các công thức xác định hằng số Hôl (5-64) hoặc (5-65) có dạng:
 1
R =r (5-67)
en
Với các loại bán dẫn đồng hoá trị, khi các hạt mang điện tán xạ lên các dao
động âm học của mạng tinh thể, thì hệ số tỉ lệ:
3π
r=
8
Khi tán xạ lên các tạp chất bị ion hoá thì:
r = 1,93
Còn tán xạ lên các tạp chất không bị ion hoá thì r = 1.
5. LỚP CHUYỂN TIẾP p – n
1. Trên một mẫu bán dẫn, bằng cách pha tạp thích hợp, ta có thể tạo nên hai
khu vực có tính dẫn điện khác nhau: loại p và loại n, như trên hình 5-10. Ở mặt
phân cách hai khu vực hình thành lớp chuyển tiếp p – n. Lớp này có đáy tính chỉnh
lưu dòng điện: nó cho dòng điện đi qua theo một chiều dễ dàng hơn so với dòng
điện theo chiều ngược lại.

Để dễ thấy các hiện tượng vật lí xảy ra ở khu vực gần lớp chuyển tiếp p – n,
ta hãy giả thiết tạo ra lớp chuyển tiếp bằng cách cho một mẫu loại p tiếp xúc với
một mẫu bán dẫn loại n. Ở mẫu loại p có pha tạp axepto với mật độ Na. Ở điều kiện
nhiệt độ thông thường có thể coi như các nguyên tử axepto bị ion hoá hết, tạo nên
lỗ trống với mật độ p0 = ni. Tuy nhiên pi << p. Tóm lại, ở bán dẫn loại p ta có mật độ
lỗ trống là pp = Na + pi ~ Na và mật độ êlectrôn dẫn là np = ni << pp.
 Hình 5.11
Ở mẫu loại n có pha tạp loại đôno với mật độ N0. Lí luận tương tự như với loại
p, ta có mật độ êlectrôn dẫn ở bán dẫn loại n là nn ≈ Nd và mật độ lỗ trống là pn <<
nn. Sự phân bố mật độ êlectrôn và lỗ trống ở hai mẫu bán dẫn được biểu diễn trên
hình 5.11b, trong đó pn và np đã được lấy tăng lên nhiều lần. Giản đồ năng lượng
trong hai mẫu được biểu diễn ở hình 5.11c. Tình hình như vậy tồn tại khi hai mẫu p
và n chưa tiếp xúc nhau.
Khi hai mẫu p và n tiếp xúc nhau (h. 5. 12a) ta có một khối tinh thể bán dẫn
mà ở hai phần có sự chênh lệch về mật độ hạt tải điện. Mật độ lỗ trống ở phía mẫu
p lớn hơn và ở phía mẫu n nhỏ, làm cho lỗ trống khuếch tán từ phía p sang phía n.
Đồng thời, do mật độ êlectrôn bên phía n lớn hơn phía p, nên lại có sự khuếch tán
êlectrôn từ phía n sang phía p. Bên mẫu p, ở gần mặt phân cách, những êlectrôn
từ mẫu n sang tái hợp với lỗ trống. Vì vậy ở khu vực này chỉ còn lại chủ yếu là
những ion axepto, tạo nên diện tích không gian âm. Tương tự, bên mẫu n ở gần
mặt phân cách, còn lại những ion đôno tạo thành điện tích không gian dương. Ở
khu vực gần mặt phân cách có rất ít hạt mang điện tự do, vì vậy lớp này dẫn điện
rất kém.
 Hình 5.12
Những điện tích khối trái dấu ở hai phía mặt phân cách gây nên một điện
trường bên trong hướng từ phía n sang phía p (h.5.12b). Điện trường này có tác
dụng chuyển lỗ trống từ phía n sang phía p và êlectrôn từ phía p sang phía n, tức
là chuyển những hạt tải thiểu số qua mặt phân cách. Sự trao đổi hạt tải dừng lại khi
dòng chuyển dời các hạt tải thiểu số dưới tác dụng của điện trường trong cân bằng
với dòng khuếch tán các hạt tải đa số. Khi đó thiết lập trạng thái cân bằng, và dòng
toàn phần qua lớp chuyển tiếp p – ntriệt tiêu. Điện trường trong đạt giá trị xác định.
Sự phân bố mật độ hạt tải trong lớp chuyển tiếp được trình bày trên hình
5.12c, mật độ điện tích khối ρ trên hình 5.12d.
Ở trạng thái cân bằng, vị trí mức Fecmi là như nhau trong toàn hệ. Vì vậy sơ
đồ năng lượng của lớp chuyển tiếp có dạng như trên hình 5.12đ. Ở khu vực lớp
chuyển tiếp p – n, nơi có điện trường trong tác dụng, các mức năng lượng bị uốn
cong đi. Ở xa lớp chuyển tiếp, các mức năng lượng là những đường thẳng nằm
ngang và ở đó không có điện trường tác dụng. Giữa các mức năng lượng tương
ứng ở hai phía của lớp chuyển tiếp có sự chênh lệch ∆E. Vì các hạt tải mang điện,
nên sự chênh lệch về năng lượng của hạt tải giữa hai phía ứng với sự chênh lệch
 ΔE
điện thế ∆φ0 giữa hai phía,và ∆φ0 = . Ta nói rằng giữa hai phần có một hàng
e
rào điện thế có chiều cao ∆φ0.
Sự phân bố thế năng của êlectrôn và lỗ trống được vẽ trên hình 5.12e. Chú ý
rằng êlectrôn và lỗ trống mang điện tích trái dấu nhau mà thế năng được xác định
bởi tích của điện tích và điện thế, nên ở phía bán dẫn loại p, thế năng của lỗ trống
thấp hơn ở bên bán dẫn loại n. Với êlectrôn, thì trái lại. Trên hình vẽ ta biểu diễn
nhiều lỗ trống ở bên bán dẫn p và ít lỗ trống bên bán dẫn n.
Ở các mẫu bán dẫn loại p và loại n trước khi có tiếp xúc, mức Fecmi tương
ứng là ζ p và ζn. Khi có tiếp xúc, mức Fecmi là như nhau cho toàn hệ. Tuy nhiên,
trong từng mẫu (không kể ở khu vực lớp chuyển tiếp), vị trí tương đối của các mức
Fecmi so với dải hoá trị và dải dẫn là không thay đổi. Vì vậy, ta có thể xác định
được:
∆φ0 = ζn – ζp
Với giả thiết là các tạp chất bị ion hoá hoàn toàn, thì theo (5-46) và (5-54), ta
có:

Nd ⎛ v ⎞ N v
Δϕ 0 = k BT ln − ⎜⎜ − E g + k BT ln h ⎟⎟ = E g + k BT ln d h
ve ⎝ Na ⎠ Na ve

Theo (5-17), (5-18), (5-38), ta có:

− E g / k BT
n i2 = v e v h e

Mặt khác, nn = Nd và pp = Na, do đó:

nn pp
Δϕ0 = k BT ln = k BT ln
np pn

Để cho việc tính toán được đơn giản, ta giả thiết các lớp điện tích không gian
có phân bố đột ngột như trên hình 5.13a, b, và có chiều dày bên phía bán dẫn p và
dp, phía n là dn.
 Mật độ điện tích không gian gây nên bởi các ion âm axepto ở phía p là :
ρp = - e Na (5-68)
và bởi các ion dương đôno ở phía n là:
ρn = e Nd (5-69)
Vì cả khối bán dẫn luôn trung hoà về điện, nên nếu ta lấy một hình trụ đứng
có đáy ở mặt phân cách, diện tích đáy 1cm2, chiều cao hình trụ là dp ở phía p và dn
ở phía n, thì điện tích toàn phần trong hình trụ đó luôn bằng không:
-e Na dp + e Nddn = 0 (5-70)
Từ đó Nadp = Nddn (5-71)
Chiều dày tổng cộng của lớp điện tích không gian, cũng được gọi là chiều dày
của lớp chuyển tiếp p – n, là:
d = dn + dp (5-72)
Nếu hai phía bán dẫn được pha tạp với mật độ tạp chất khác nhau, chẳng hạn
Na>Nd thì
Nd
dp =dn < dn
Ne

Nghĩa là lớp điện tích không gian rộng hơn ở phía bán dẫn pha tạp yếu.
Để xác định điện trường và điện thế ở mỗi điểm trong khối bán dẫn, ta dùng
phương trình Poatxông (Poisson):
 ρ
∆φ = - (5-73)
ε0ε

trong đó ρ là mật độ điện tích tại điểm đang xét và φ là điện thế tại đó. ∆φ
(laplaxien φ), trong hệ toạ độ Đêcac có dạng:

∂ 2ϕ ∂ 2ϕ ∂ 2ϕ
Δϕ = + + (5-74)
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2

Trong trường hợp mẫu bán dẫn như đang xét, các đại lượng ρ, φ, ξ biến thiên
∂ 2ϕ
theo phương x, do đó ta có Δϕ = . Phương trình Poatxông có dạng cụ thể:
∂x 2

(5-75)
φp là điện thế ở khu vực bán dẫn p, φn ở khu vực n.
Tích phân các phương trình (5-75), ta có:

(5-76)
Tích phân lần thứ hai, ta có:
⎧ eN a 2
⎪ϕ p = 2εε x + c1 x + c3
⎪ 0
⎨ (5-77)
⎪ϕ = − eN d x 2 + c x + c
⎪⎩ n 2ε 0ε
2 4

Trong các phương trình trên đây, c1, c2, c3, c4 là các hằng số tích phân.
Những hằng số tích phân này được xác định từ các điều kiện biên sau:

(5-78)
 Điều kiện a bảo đảm cho sự liên tục của hàm điện thế tại mặt phân cách giữa
bán dẫn loại p và loại n. Điều kiện b và c cho thấy ở ngoài khu vực điện tích không
r r ∂ϕ
gian, điện trường bằng không. Thật vậy vì ξ = −∇ϕ nên, - = ξx. Bên ngoài lớp
∂x
điện tích không gian, bán dẫn là vật dẫn cân bằng điện, nên điện trường trong nó
bằng không. Điện trường chỉ tồn tại ở khu vực điện tích không gian của lớp chuyển
tiếp.
Từ (5-77) và (5-78), ta có:
⎧
⎪c = c
⎪ 3 4
⎪ eN e
⎨c1 = dp (5-79)
⎪ ε 0 ε
⎪ eN d
⎪c 2 = dn
⎩ ε0ε

Thay các hằng số tích phân voà (5-76), ta xác định được độ lớn của cường độ
r
điện trường trong ξ tại khu vực chuyển tiếp. Điện trường hướng theo trục x và

(5-81)
Hiệu điện thế ∆φ0 giữa hai đầu của lớp điện tích không gian, theo (5-81) là:

( )
Δϕ 0 = ϕ n (d n ) − ϕ p d p =
e
2ε 0 ε
(N d d 2n + N a d 2p ) (5-82)

Từ (5-71), (5-72) và (5-82), ta xác định được chiều dày cua lớp điện tích
không gian là:

2 ε 0 ε Δϕ 0 N d + N a
d= . (5-83)
e Nd Na

Sự phân bố độ lớn của cường độ điện trường được biểu diễn trên hình 5. 13c,
r
và sự phân bố điện thế trên hình 5.13d. Điện trường ξ hướng từ phía bán dẫn n
sang phía p (theo chiều giảm của điện thế φ).
 2. Trên đây ta đã khảo sát tính chất của lớp chuyển tiếp p – n ở trạng thái cân
bằng khi chưa đặt điện áp ngoài vào. Ta sẽ xét tiếp trường hợp lớp chuyển tiếp p –
n được mắc vào một nguồn điện áp ngoài.
Nếu nguồn điện ngoài được mắc sao cho cực âm nối với phía bán dẫn n, cực
dương với bán dẫn p, thì ta nói là điện áp ngoài được mắc vào lớp chuyển tiếp
theo chiều thuận. Trong trường hợp này, điện trường ngoài do nguồn điện gây ra
ngược chiều với điện trường trong.
Hiệu điện thế của nguồn ngoài làm giảm hiệu điện thế của lớp chuyển tiếp tức
là làm: hạ thấp hàng rào thế. Như vậy thoe cách lập luận đã nêu ở trên, chuyển
động của các hạt mang điện đa số được tăng cường. Thật vậy, khi chưa có điện
trường ngoài, thì điện trường trong ngăn cản chuyển động của lỗ trống từ phía p
sang phía n. Bây giờ, điện trường trong bị yếu đi dưới tác dụng của điện trường
ngoài, thì chuyển động của lỗ trống từ p sang n (và đồng thời của êlectrôn từ n
sang p) mạnh lên. Dòng chuyển dời của các hạt mang điện thiểu số sóo vốn đã yếu
vì mật độ các hạt này nhỏ; những hạt này chuyển động dưới tác dụng của điện
trường trong. Do đó, khi có điện ttrường ngoài tác dụng dù cho có thể coi như dòng
chuyển dời của các hạt thiểu số thay đổi không đáng kể, thì dòng tổng cộng cũng
tăng lên nhiều vì các hạt đa số có mật độ lớn hơn nhiều lần so với hạt thiểu số. Kết
quả là nếu mắc nguồn ngoài theo chiều thuận, thì có dòng điện đáng kể chạy qua
lớp chuyển tiếp p – n theo chiểu từ p sang n. Dòng điện đó gọi là dòng điện thuận.
Điện áp ngoài càng lớn. hàng rào thế ở lớp chuyển tiếp càng hạ thấp và dòng điện
thuận càng lớn.

Ta vẽ lại sự phân bố thế năng của lỗ trống như trên hình 5.14, ở trạng thái cân
bằng khi chưa có điện áp ngoài đặt vào lớp tiếp xúc, chiều cao hàng rào thế năng
là e∆φ0. Mật độ lỗ trống ở phía bán dẫn p mà ta gọi là pp liên hệ với mật độ lỗ trống
phía bán dẫn n, mà ta gọi là pn, bởi hệ thức:
− e Δϕ 0
k BT
p n = p pe (5-84)

Thực chất đây là trạng thái cân bằng động, nghĩa là luôn có sự trao đổi lỗ
trống giữa phía p và phía n, đồng thời trong một đơn vị thời gian có lượng lỗ trống
bằng nhau từ p sang n và từ n sang p. Nếu ta gọi jhpn là mật độ dòng do lỗ trống
chuyển động từ p sang n gây nên và jhnp là mật độ dòng do lỗ trống chuyển động từ
n sang p gây nên, thì khi cân bằng:
jhpn = jhnp (5-85)
Nếu ta đặt điện áp thuận V vào lớp chuyển tiếp p – n thì như lí luận trên đây,
hàng rào thế năng bị hạ thấp đi một lượng eV, nghĩa là chỉ còn e (∆φ0 – V)(h.5.14c)
Dòng lỗ trống từ phía n sang p có thể coi như được giữ nguyên. Còn dòng lỗ trống
từ p sang n thì tăng lên rất nhiều, vì hàng rào thế hạ thấp đi. Ở phía n sát với lớp
chuyển tiếp xuất hiện thêm các lỗ trống với mật độ ∆p, gọi là những hạt tải điện
không cân bằng. Những lỗ trống này tạo thành điện tích không gian. Do đó chỉ
trong khoảng thời gian rất ngắn sau khi điện áp đặt vào, những điện tích này được
trung hoà bởi các êlectrôn được kéo từ phía sâu trong bán dẫn n tới, và những
êlectrôn này được bù đắp bằng những êlectrôn từ mạch ngoài chạy vào. Như vậy,
mỗi thể tích bán dẫn (bên trong lớp chuyển tiếp) luôn trung hoà về điện, nhưng ở
khu vực bên phía n, gần với lớp chuyển tiếp, mật độ êlectrôn và lỗ trống đều tăng
lên một lượng ∆p = ∆n. Mật độ lỗ trống ở gần lớp chuyển tiếp, bên phía n là: p1 =
pn+ ∆p (5-86).
Mặt khác p1 liên hệ với pp bởi hệ thức:
e ( Δϕ 0 − V ) eV
−
k BT k BT
p1 = p p e = pne (5-87)

Ta có thể hiểu p1 là mật độ lỗ trống có mặt ở bán dẫn n do chuyển từ phía p

sang khi hàng rào thế năng bị hạ thấp một lượng eV. Vì vậy mật độ dòng do lỗ
trống chuyển từ p sang n là jhpn tỉ lệ với p1:
jhpn~ p1 = pneeV/kBT (5-88)
Mật độ dòng lỗ trống từ n sang p là jhnp tỉ lệ với pn :
jhnp ~ pn
Hệ số tỉ lệ bao gồm điện tích của lỗ trống và vận tốc trung bình của chuyển
động có hướng của lỗ trống.
Mật độ dòng tổng cộng do lỗ trống gây nên có chiều từ p sang n và có độ lớn:
jh = jhpn – jhnp = jhs (eeV/kBT-1) (5-89)
jhs là một đại lượng không phụ thuộc điện áp V.
Ta có thể lí luận tương tự như trên đối với mật độ dòng điện do chuyển động
của êlectrôn gây nên. Kết quả thu được là biểu thức có dạng như trên:
je = jes (eeV/kBT-1) (5-90)
Mật độ dòng tổng cộng do êlectrôn và lỗ trống gây nên là:
j = je + jh = js (eeV/kBT - 1) (5-91)
 Bây giờ ta xét trường hợp đặt nguồn điện áp ngoài sao cho cực âm của
nguồn nối với phía bán dẫn p và cực dương nối với phía n (điện áp ngoài được
mắc theo chiều ngược) khi đó hiệu đienẹ thế ngoài làm tăng hiệu điện thế của lứop
chuyển tiếp. Chuyển động của hạt mang điện thiểu số được tăng cường. Nhưng do
mật độ hạt mang điện thiểu số rất nhỏ, nên dòng điện do chúng gây ra cũng rất nhỏ
và giữ giá trị không đổi dù ta có tăng điện áp ngoài. Còn chuyển động của các hạt
mang điện đa số thì bị hạn chế hơn nữa, và hàng rào thế đã được nâng cao hơn
so với khi cân bằng. Lập luận tương tự như với trường hợp điện áp thuận, ta thấy
rằng do hàng rào thế cao hơn trước, nên ở bên phía n, gần lớp chuyển tiếp, mật độ
lỗ trống giảm đi so với ở trạng thái cân bằng. Nếu ta gọi mật đọ đó là p2, thì p2 < pn.
Hàng rào thế năng giữa hai phía p và n có độ cao e (∆φ0 +V), do đó p2 liên hệ với
pp bởi hệ thức:
− eV
e(Δϕ0 + V )
p2 = p pe = p n e k BT (5-92)
k BT

Mật độ dòng lỗ trống chuyển từ p sang n là:

− eV
k BT
jhpn ~ p 2 = p n e (5-93)

Trong khi đó mật độ dòng lỗ trống từ n sang p vẫn là:

jhnp ~ pn
Mật độ dòng tổng cộng do lỗ trống gây nên có chiều từ n sang p có độ lớn:
jh = jhnp-jhpn = jhs (1 -eeV/kBT ) (5-94a)
Ta có biểu thức tương tự cho dòng êlectrôn.
Có thể kết hợp kết quả tính toán mật độ dòng điện qua lớp chuyển tiếp trong
cả trường hợp điện áp thuận và điện áp ngược trong biểu thức:
j = js (eeV/kBT-1) (5-94b)
Trong đó V là giá trị đại số của điện áp ngoài đặt vào lớp chuyển tiếp. Nó có
giá trị dương khi điện áp thuận và giá trị âm khi điện áp ngược. Dấu của mật độ
dòng j là dương khi điện áp thuận và ứng với chiều dòng điện từ p sang n, và
ngược lại.
Biểu thức cho cường độ dòng điện I qua lớp chuyển tiếp p – n có dạng:

⎛ eV ⎞
⎜ k BT ⎟
I = Is ⎜ e − 1⎟ (5-95)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Biểu thức (5-94) và (5-95) cho ta sự liên hệ giữa dòng điện chạy qua lớp
chuyển tiếp và hiệu điện thế đặt vào lớp chuyển tiếp, nên được gọi là đặc trưng
vôn – ampe của lớp chuyển tiếp p – n.
 Nếu điện áp ngoài được mắc theo chiều thuận thì V > 0 và với V không lớn
lắm thì eeV/kBT >> 1. Khi đó I = Is eeV/kBT. Dòng điện thuận tăng nhanh khi V tăng.
Nếu điện áp ngoài được mắc theo chiều ngược, thì V< 0 và với V không lớn
lắm, eeV/kBT << 1.
Khi đó, về độ lớn I = Is. Dòng điện ngược đạt giá trị không đổi và rất nhỏ (vì Is
là dòng điện gây bởi các hạt mang điện thiểu số).
Tóm lại, lớp chuyển tiếp cho dòng điện lớn chạy qua khi điện áp ngoài mắc
theo chiều thuận và cho dòng điện rất nhỏ chạy qua khi điện áp ngoài mắc theo
chiều ngược. Trong nhiều trường hợp, dòng điện bé đến mức có thể bỏ qua. Ta
nói rằng lớp chuyển tiếp p – n có tính dẫn điện theo một chiều hay có tác dụng
chỉnh lưu.
Để đặc trưng cho tác dụng chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp, ta định nghĩa hệ số
chỉnh lưu η là đại lượng được xác định bởi tỉ số giữa dòng điện thuận và dòng điện
ngược ứng với cùng một giá trị của điện áp ngoài.

(5-96)
Chẳng hạn, nếu V = 0,2 V, T = 300K thì eeV/kBT ≈ 8 và η ≈ e8 ≈ 103. Hệ số chỉnh
lưu η = 1000, cho thấy tác dụng chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p – n. Chính vì có hệ
số chỉnh lưu lớn mà các lớp chuyển tiếp p - n được ứng dụng rộng rãi trong kĩ thuật
điện và kĩ thuật vô tuyến điện tử.
Từ (5-96), ta thấy khi nhiệt độ tăng, hệ số chỉnh lưu giảm đi. Điều này cũng dễ
hiểu, vì rằng khi nhiệt độ tăng thì mật độ hạt mang điện thiểu số cũng tăng. Đến khi
nhiệt độ đủ cao, mật độ hạt thiểu số có thể so sánh được với mật độ hạt đa số. Khi
đó lớp chuyển tiếp p – n mất tác dụng chỉnh lưu. Với lớp chuyển tiếp làm từ bán
dẫn Ge, có bề rộng dải cấm Eg = 0,6 eV, nhiệt độcao nhất mà lớp chuyển tiếp còn
có tác dụng chỉnh lưu là khoảng 750C. Còn với lớp chuyển tiếp Si có Eg ≈ 1,1eV,
nhiệt độ đó là 1500C.
 Hình 5.15
Trên hình 5.15 là đồ thị biểu diễn của đặc trưng vôn – ampe của lớp chuyển
tiếp p – n theo (5-95) được gọi là đặc tuyến vôn – ampe của lớp chuyển tiếp. Nó có
dạng phi tuyến và không đối xứng.
Đoạn biểu diễn bằng nét gián đoạn trên đặc tuyến vôn – ampe mô tả sự đánh
thủng lớp chuyển tiếp. Hiện tượng này xảy ra khi điện áp ngược đạt giá trị xác
định, gọi là điện áp đánh thủng. Khi đó, dòng điện ngược qua lớp chuyển tiếp tăng
đột ngột. Nguyên nhân dẫn đến đánh thủng lớp chuyển tiếp là sự toả nhiệt và tăng
nhiệt độ, sự ion hoá do va chạm của các nguyên tử trong tinh thể, cũng như sự
chuyển động của các hạt tải điện qua hàng rào thế rất hợp ở lớp chuyển tiếp nhờ
hiệu ứng đường hầm (bề dày của lớp chuyển tiếp p – n trong Ge và Si vào khoảng
10-6 cm).
 Bài tập chương 5
Bài 5.1. Theo quan điểm lượng tử, có thể giải thích như thế nào về dấu dương của
hệ số Hall trong một số kim loại như Bi, Zn, Cd.
Bài 5.2. Một mẫu bán dẫn dạng hình hộp chữ nhật có kích thước 0.2x0.2x0.05cm3.
Số hạt mạng điện tự do trong 1 đơn vị thể tích là 1021/m3 ở nhiệt độ 200C. Đặt một
hiệu điện thế 20V vào hai mặt hẹp nhất của mẫu. Hãy tính cường độ dòng điện
chạy qua mẫu. Biết độ linh động của hạt tải là 0.03 m2/V.s.
Bài 5.3. Một mẫu bán dẫn loại n (coi như chỉ có hạt tải là điện tử) Ge có bề dày 1
mm. Mật độ điện tử n = 1020/m3. Được đặt trong từ trường có cảm ứng từ 0.1 T.
Xác định hiệu điện thế Hall khi có dòng điện 1 mA đi qua mẫu.
Bài 5.4. Bán dẫn InAs có điện dẫn suất σ = 4.102/Ω.m, hệ số Hall là 10-2 m3/C, coi
như chỉ có một loại hạt tải. Hãy xác định nồng độ và độ linh động của chúng.
Bài 5.5. Trong mẫu Ge, điện tử có độ linh động: μe= 0.38 m2/V.s, lỗ trống có độ linh
động μp= 0.16 m2/V.s. Biết rằng trong mẫu này không quan sát thấy hiệu ứng Hall,
hãy xác định tỷ phần dòng điện gây nên bởi lỗ trống.
Bài 5.6. Hãy xác định mức Fermi ở 270C cho bán dẫn InSb, cho biết bề rộng miền
*
cấm của chúng là 0.2 eV và tỷ số m h* = 20.
me

Bài 5.7. a) Ở nhiệt độ phòng bán dẫn tinh khiết Si có điện dẫn suất là 4.10-4Ω-1m-1.
Độ linh động của điện tử và lỗ trống lần lượt là 0,14 và 0,048 m2/V.s. hãy tính nồng
độ điện tử và lỗ trống.
b) Phốt pho được pha tạp vào bán dẫn Si tinh khiết trên để có nồng độ điện tử là
1023m-3 ở nhiệt độ phòng. Vật liệu này trở thành bán dẫn loại n hay loại p. hãy tính
điện dẫn suất của bán dẫn pha tạp này.
Bài 5.8. Điện dẫn suất của một bán dẫn tinh khiết ở nhiệt độ 293K và 373K lần lượt
là 1 và 500 Ω-1m-1. Hãy tính gần đúng năng lượng vùng cấm của bán dẫn trên.
 Chương 6. Tính chất từ của vật rắn
I. Mục đích
Các cơ sở lý thuyết giải thích các tính chất từ của vật rắn.
II. Yêu cầu
Người học cần lĩnh hội những kiến thức:
14. Chuyển động của hạt mang điện trong điện từ trường, môment từ.
15. Lý thuyết nghịch từ, thế nào là nghịch từ và nguyên nhân gây ra
nghịch từ trong vật rắn
16. Nghịch từ Landao, sự đóng góp của các electron dẫn vào độ nghịch từ
của kim loại và độ cảm nghịch từ do electron dẫn không phụ thuộc vào nhiệt
độ.
17. Lí thuyết thuận từ, định luật Quyri – Vâyxơ (Curie-Wweiss)
18. Thuận từ Spin Poali và giải thích vì sao trong một số kim loại (Na, …)
thì độ cảm thuận từ không phụ thuộc vào nhiệt độ.
19. Sắt từ, lí thuyết trường phân tử Vâyxơ.
20. Tương tác trao đổi, mẫu Heisenberg.
21. Sóng Spin
22. Cấu trúc đômen của vật sắt từ, sự từ hóa.
23. Lí thuyết phản sắt từ. Mẫu hai phân mạng.
Một số lưu ý
Lý thuyết chương 6 áp dụng nhiều kiến thức liện quan đến Cơ học lượng tử
và điện động lực học: phương trình Shodinger của hạt chuyển động trong trường
điện từ, môment quỹ đạo L, spin S và môment toàn phần J.
Một số khái niệm quan trọng cần phải nắm dõ: độ từ hóa M, độ cảm từ χ.
III. Nội dung
Chương 6 gồm 9 bài:
Bài 1: Chuyển động của hạt trong điện từ trường, môment từ. (2 tiết)
Bài 2: Lí thuyết nghich từ (1 tiết)
Bài 3: Ngịch từ Landao (1 tiết)
Bài 4: Lí thuyết thuận từ. Định luật Curie - Weiss (2 tiết)
Bài 5: Thuận từ Spin Paoli (1 tiết)
Bài 6: Sắt từ, lí thuyết trườg phân tử Vâyxơ. (1 tiết)
Bài 7 Tương tác trao đổi. Mẫu Heisenberg (2 tiết)
Bài 8: Sóng Spin (2 tiết)
Bài 9: Cấu trúc Đômen của các vật sắt từ. Sự từ hóa (2 tiết)
Bài 10: Lí thuyết phản sắt từ, Mẫu hai phân mạng (1 tiết)

1. CHUYỂN ĐỘNG CỦA HẠT MANG ĐIỆN TRONG ĐIỆN TỪ TRƯỜNG, MÔMEN TỪ.
Theo cơ học tương đối tính, xung lượng của hạt tự do sẽ là:
r
r mv ∂L0
p= = r (6 - 1)
1− v2 c2 ∂v

r
r dv r 2 v2
trong đó m là khối lượng tĩnh, v = = r là vận tốc, L 0 = − mc 1 − 2 là
dt c
hàm Lagrănggrơ (Lagrange) của hạt và c là vận tốc của ánh sáng trong chân
v r r 2 mv 2
không. Khi << 1 thì p = mv , L0 = mc + . Nếu lấy gốc tính năng lượng từ
c 2
2 mv 2
mức mc thì L0 = . Đối với hạt mang điện tích e chuyển động trong trường điện
2
từ thì phương trình Lagrănggơ mô tả chuyển động của hạt có dạng:
d ⎛ ∂L 0 ⎞ ∂L 0 r
⎜ r ⎟ −
dt ⎝ ∂v ⎠ ∂ r
r = F = e
r
E + e
r r
v ∧B[ ] (6-2)

r
r r ∂A ∂ϕ
ở đây F là lực điện từ tác dụng lên hạt mang điện, E = − − là cường
∂t ∂r
r r
độ điện trường, B = rotΑ là cảm ứng từ trường, A là thế vectơ và φ là thế vô hướng
đặc trưng cho trường điện từ. Chú ý rằng:
Fx=eEx+e(yBz-By)

∂ϕ ∂A ⎧ ⎛ ∂A y ∂A x ⎞ ⎛ ∂A x ∂A z ⎞ ⎫
= −e − e x + e ⎨ y⎜⎜ − ⎟⎟ − z ⎜ − ⎟⎬
∂x ∂t ⎩ ⎝ ∂x ∂y ⎠ ⎝ ∂z ∂x ⎠ ⎭
dA y ∂
= −e
∂ϕ ⎛ ∂A x
∂x
− e⎜
∂A ∂A
+x x +y x +z x ⎟+e
∂A ⎞ ∂ rr
vA = −e ( )− (
rr
eϕ − evA )
⎝ ∂t ∂x ∂y ∂z ⎠ ∂x dt ∂x
r
( rr
) (rr
) rr
( )
r dA ∂ d ∂ ∂
F = −e − r eϕ − evA = − r eϕ − evA − r eϕ − evA
dt ∂ r dt ∂v ∂r
Ta có:
d ⎛ ∂L ⎞ ∂L
⎜ r ⎟− r =0 (6-3)
dt ⎝ ∂v ⎠ ∂ r

trong đó:
rr
L = L0 – (eφ - e vA ) (6-4)
 Là hàm Lagrănggơ của hạt mang điện trong trường điện từ.
r
Xung lượng p và năng lượng H của hạt có dạng:
r r
r ∂L mv
p= r = + eA (6-5)
∂v v2
1− 2
c

∂L r mc 2
H = r v−L= + eϕ (6-6)
∂v 2 2
1− v c

Nhờ hệ thức:
mc
1 − v 2 c2
{ r
(
r
= m 2 c 2 + p − eA )2 }
1/ 2

ta có thể viết lại biểu thức của H như sau:

{ r
H = c m 2 c 2 + p − eA (
r 2 1/ 2
+ eϕ )} (6-7)
r
Đối với hạt tự do ( Α = 0; φ = 0) ta có:

{
H = c m 2c 2 + p 2 }1 / 2 (6-8)

Năng lượng H của hạt dưới dạng hàm xung lượng của hạt gọi là hàm
Haminton. Chuyển từ hàm Haminton của hạt tự do sang hàm Haminton của hạt
chuyển động trong điện từ trường, ta thay:
r r r
p → p − eΑ
H → H − eϕ

v
Khi << 1 thì gần đúng ta có:
c
r r r
p ≅ mv + eA

H ≅ mc 2 +
1 r
2m
r 2
[
p − eA + eϕ ]
Chọn gốc tính năng lượng ở mức mc2 thì ta được:

H=
1 r
2m
[ r 2
p − eA + eϕ ] (6-9)
r
Chuyển từ Cơ học cổ điển sang Cơ học lượng tử ta thay r bằng toán tử
r r r r
r = r , thay p bằng toán tử p = −ih∇ và thay hàm Haminton H bằng toán tử
Haminton Ĥ .
 v
Toán tử Haminton của hạt spin bằng không là khi << 1 có dạng:
c

∧ 2
1 ⎡ ∧r r ⎤ r
H= ⎢ p − e A ⎥ + eϕ ( r ) (6-10)
2m ⎣ ⎦
1
Đối với êlectrôn có spin bằng thì toán tử Haminton trong gần đúng phi
2
tương đối tính còn thêm một số hạng mô tả tương tác giữa mômen từ spin với từ
trường ngoài. Ta hãy tìm số hạng này.
Toán tử Haminton của êlectrôn tự do được viết dưới dạng:

{
Ĥ = c m 2 c 2 + p̂ 2x + p̂ 2y + p̂ 2z }12 ≡ c{mcβˆ + p̂x σˆ x + p̂yσˆ y + p̂z σˆ z } (6-11)

trong đó các toán tử β̂ , σ̂ x , σ̂ y , σ̂ z giao hoán với các toán tử p̂ x , p̂ y , p̂ z , và

thoả mãn điều kiện :
∧ ⎧ ∧2 ∧2 ∧2 ⎫ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ⎫2
2 2 22⎪ ⎪ 2⎧
H = c ⎨m c + p x + p y + p z ⎬ = c ⎨mc β + p x σ x + p y σ y + p z σ z ⎬ (6-12)
⎪⎩ ⎪⎭ ⎩ ⎭

⎧∧ ∧⎫ ∧ ∧ ∧ ∧
Kí hiệu ⎨A, B⎬ = A B+ B A dễ dàng thấy rằng:
⎩ ⎭

∧2 ∧2 ∧2 ∧2 ∧2 ∧ 2 ∧2 ∧ 2 ∧2 ∧ 2 ∧ ∧ ⎧ ∧ ∧ ⎫
2 2 2 2
m c + px + p y + pz = m c β + p x σ x + p y σ y + p z σ z + p x p y ⎨σ x , σ y ⎬
⎩ ⎭
∧ ∧ ⎧∧ ∧ ⎫ ∧ ∧ ⎧∧ ∧ ⎫ ∧ ⎧∧ ∧ ⎫ ∧ ⎧∧ ∧ ⎫ ∧ ⎧∧ ∧ ⎫
+ p y p z ⎨σ y , σ z ⎬ + p z p z ⎨σ z , σ x ⎬ + mc p x ⎨β, σ x ⎬ + mc p y ⎨β, σ y ⎬ + mc p z ⎨β, σ z ⎬
⎩ ⎭ ⎩ ⎭ ⎩ ⎭ ⎩ ⎭ ⎩ ⎭

So sánh hai vế của đẳng thức ta có:

∧2 ∧2 ∧2 ∧2
β = σ x = σ y = σ z =1 (6-13)

⎧∧ ∧ ⎫ ⎧∧ ∧ ⎫ ⎧∧ ∧ ⎫
⎨β, σ x ⎬ = ⎨β, σ y ⎬ = ⎨β, σ z ⎬ =0 (6-14)
⎩ ⎭ ⎩ ⎭ ⎩ ⎭

⎧∧ ∧ ⎫ ⎧∧ ∧ ⎫ ⎧∧ ∧ ⎫
⎨σ x , σ y ⎬ = ⎨σ y , σ z ⎬ = ⎨σ z , σ x ⎬ =0 (6-15)
⎩ ⎭ ⎩ ⎭ ⎩ ⎭
∧ ∧ ∧
Nếu đặt σ x σ y = i σ z thì ta tìm được:
 ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧
σ x σ y = − σ x σ y = i σz ; σ y σz = − σz σ y = i σx ; σz σ x = − σx σz = i σ y
∧ ∧ ∧
Các toán tử σ x , σ y , σ z có tính chất của ma trận Paoli:
∧ ⎛0 1⎞ ∧ ⎛0 - i⎞ ∧ ⎛1 0⎞
σ x = ⎜⎜ ⎟⎟ ; σ y = ⎜⎜ ⎟⎟ ; σ z = ⎜⎜ ⎟ (6-16)
⎝1 0⎠ ⎝i 0⎠ ⎝0 - 1⎟⎠

Chuyển từ toán tử Haminton của êlectrôn tự do sang toán tử Haminton của

∧
r ∧
r r ∧ ⎛∧ ⎞
êlectrôn chuyển động trong trường điện từ ta thay p → p− eΑ , H → ⎜⎜ H − eϕ ⎟⎟ khi đó
⎝ ⎠
ta có:
∧ ⎧ ∧ ⎛ ∧r r ⎞ ∧ ⎫
H − eϕ = c ⎨mc β + ⎜⎜ p − eΑ ⎟⎟ σ ⎬ (6-17)
⎩ ⎝ ⎠ ⎭
ở đây:
⎛ ∧ r ⎞ ∧ ⎛ r∧ ⎞ ∧ ⎛ ∧r ⎞ ∧ ⎛ ∧r ⎞ ∧
⎜⎜ p− eΑ ⎟⎟ σ = ⎜⎜ p x − eΑ x ⎟⎟ σ x + ⎜⎜ p y − eΑ y ⎟⎟ σ y + ⎜⎜ p − eΑ z ⎟⎟ σ z
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
dễ dàng thấy rằng:
2
⎛∧ ⎞ 2 2
⎜ H − eϕ ⎟ ⎡ ∧ ⎛ ∧r r ⎞ ∧ ⎤ 2 2 ⎡⎛ r
∧ r ⎞ ∧⎤
⎜ c ⎟ = ⎢ mc β + ⎜⎜ p− eΑ ⎟⎟ σ⎥ = m c + ⎢⎜⎜ p − eΑ ⎟⎟ σ⎥
⎜ ⎟ ⎣ ⎝ ⎠ ⎦ ⎣⎝ ⎠ ⎦
⎝ ⎠
hay:

⎧ 2 ⎫1 / 2
⎡⎛ ∧r r ⎞ ∧⎤ ⎪
∧ ⎪ ⎢⎜⎜ p − eΑ ⎟⎟ σ⎥
H − eϕ ⎪ ⎣⎝ ⎠ ⎦ ⎪
= mc⎨1 + ⎬
c ⎪ m 2c 2 ⎪
⎪ ⎪
⎩ ⎭
Trong gần đúng phi tương đối tính ta nhận được:
∧ ⎧ r r ⎞ ∧⎤ ⎫⎪
2
H − eϕ ⎪ 1 ⎡⎛ ∧
≈ mc ⎨1 +
2 2 ⎢⎜⎜ p − eΑ ⎟⎟ σ⎥ ⎬
c ⎪⎩ 2 m c ⎣⎝ ⎠ ⎦ ⎪⎭

Nếu chọn gốc tinh năng lượng ở mức mc2 thì toán tử Haminton của
êlectrôn chuyển động trong trường điện từ trong gần đúng phi tương đối tính có
dạng:
2
∧ 1 ⎡⎛ ∧ r r ⎞ ∧⎤
H= ⎢⎜ p − eΑ ⎟⎟ σ⎥ + eϕ (6-18)
2 m ⎣⎜⎝ ⎠ ⎦
 Dùng các hệ thức (6-13), (6-15) và
∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧
σ x σ y = − σ x σ y = i σz ; σ y σz = − σz σ y = i σx ; σz σ x = − σx σz = i σ y ta
tìm được:

⎛ ∧r ∧ ⎞⎛⎜ ∧r ∧ ⎞⎟ ⎛ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ⎞⎛ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ⎞
⎜⎜ a σ ⎟⎟ b σ = ⎜⎜ a x σ x + a y σ y + a z σ z ⎟⎟⎜⎜ b x σ x + b y σ y + b z σ z ⎟⎟
⎝ ⎠⎜⎝ ⎟⎠ ⎝ ⎠⎝ ⎠
∧ ∧ ∧ ⎛∧ ∧ ∧ ∧ ⎞ ∧ ⎛∧ ∧ ∧ ∧ ⎞ ∧ ⎛∧ ∧ ∧ ∧ ⎞
rr
= a b+ i σ x ⎜⎜ a y b z − a z b y ⎟⎟ + i σ y ⎜⎜ a z b x − a x b z ⎟⎟ + i σ z ⎜⎜ a x b y − a y b x ⎟⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
∧ ∧
r r
trong đó a , b là hai toán tử vectơ bất kì giao hoán được với các toán tử
∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧
r
r r r
σ x , σ y , σ z . Đặt a = b = p− eA và chú ý rằng:
∧ ∧ ∂Α x ∧ ∧ ∂Α
A x p y − A x p y = ih , A y p x − p x A y = ih x ,...
∂y ∂x
⎛∧ ⎞⎛ ∧ ⎞ ⎛∧ ⎞⎛ ∧ ⎞ ⎛ ∂A y ∂A x ⎞
⎜⎜ p x − eA x ⎟⎟⎜⎜ p y − eA y ⎟⎟ − ⎜⎜ p y − eA y ⎟⎟⎜⎜ p x − eA x ⎟⎟ = ihe⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ ⎠⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎝ ⎠ ⎝ ∂x ∂y ⎠

( )z = ∂∂Axy − ∂∂Ayx ,...

r
Bz = rotA

ta tìm được:
2
⎛∧r r⎞
⎜ p − eΑ ⎟
∧ ⎜ ⎟ ∧ ∧ ∧
H=⎝ ⎠ − he ⎛⎜ σ B + σ B + σ B ⎞⎟ + eϕ
x x y y z z⎟
2m 2m ⎜
⎝ ⎠
hay:

⎧ 2 ⎛r∧ ∧r⎞ ⎫
∧ 1 ⎪∧ 2 ⎪ he r ∧
H=
2m ⎪
r 2 r
⎨ p − e⎜⎜ A p + p Α ⎟⎟ + e A ( ) ⎬−
2 m
B σ + eϕ (6-19)
⎝ ⎠ ⎪
⎩ ⎭
∧ h∧
Toán tử S = σ gọi là toán tử spin của êlectrôn.. Toán tử này có ba thành
2
∧ ∧
∧h∧ ∧ h∧ ∧ h∧ ∧ e S eh σ
phần Sx = σ x , S y = σ y , Sz = σz . Toán tử M s = = gọi là toán tử mômen
2 2 2 m 2m
∧
r ∧ r eh σ
từ spin. Số hạng − B M s = − B mô tả tương tác giữa cảm ứng từ trường ngoài
2m
r
B với mômen từ spin của êlectrôn. Dùng các hệ thức giao hoán:
 ∧ ∧ ∂Α x ∧ ∧ ∂Α y ∧ ∧ ∂Α
A x p x − p x Α x = ih ; A y p y − p y Α y = ih ; A z p z − p z Α z = ih z
∂y ∂y ∂z

r ∧r ∧r r ⎛ ∂Α ∂Α y ∂Α z ⎞ r
A p− p A = ih⎜⎜ x + + ⎟⎟ = ihdivA , ta viết lại biểu thức của toán tử
⎝ ∂x ∂y ∂z ⎠
∧
H như sau:

∧ 2
∧ p r r e2 r 2 r ∧
e r ∧r ihe
H=
2m m
− A p+
2m
divA +
2m
( )
A − B M s + eϕ
r r
Trong phòng thí nghiệm ta chỉ xác định được E và B vì vậy ta có thể chọn
r r r r
thế A và φ miễn sao cho E và B không thay đổi là được . Ta chọn thế A để có div
r
A = 0. Khi đó ta có:

∧ 2
∧ pr
e r ∧r e 2 r 2 r ∧
H=
2m m
− A p+
2m
( )
A − B M s + eϕ (6-20)

Nếu từ trường ngoài là đều và đặt dọc thoe trục Oz thì:

( )x = ∂∂Αyz − ∂∂Αzy = 0
r
Bx = rotA

( )y = ∂∂Αyx − ∂∂Αxz = 0
r
By = rotA

( )z = ∂∂Αxy − ∂∂Αyx = 0 = B = const

r
Bz = rotA

Hình 6.1
r r
Ta có thể chọn thế vectơ A thoả mãn các điều kiện này và điều kiện div A =
0 như sau:
 1 1
Ax = - B.y; Ay = - B.x; Az = 0
2 2

[ ]
r 1 r r
Hay viết dưới dạng vectơ A = B ∧ r . Khi đó ta có:
2
r ∧r 1 r r 2 ∧r 1 r ⎡ r ∧r ⎤ 1 r ∧
[ ]
A p = B ∧ r p = B⎢ r ∧ p ⎥ = B L
2 2 ⎣ ⎦ 2

(A )2 = 14 [B ∧ rr ]2 = 14 B2ρ2 = 14 B2 ( x 2 + y 2 )
r r

r∧
L = ⎡⎢ r ∧ p ⎤⎥ là
r r∧
ở đây toán tử mômen xung lượng của êlectrôn,
⎣ ⎦
ρ = x 2 + y 2 là khoảng cách từ điểm x, y, z đến trục Oz (h.6.1). Toán tử Haminton
∧
H của êlectrôn bây giờ được viết lại dưới dạng:

∧2 e 2 B2 ⎛⎜ x 2 + y 2 ⎞⎟
∧ pr e rr e r∧
H= − BL − B S+ ⎝ ⎠ + eϕ(rr ) (6-21)
2m 2m 2m 8m
∧
Toán tử mômen từ M được định nghĩa bằng các hệ thức:
∧ ∧ ∧
∧ ∂H ∧ ∂H ∧ ∂H
Mx = − ; My = − ; Mz = − (6-22)
∂Bx ∂B y ∂Bz

Khi từ trường ngoài đặt dọc theo trục Oz ta có:

∧ e ∧ e ∧ e 2 B2 2
Mz =
2m
Lz +
2m
Sz −
4m
x + y2 ( ) (6-23)

e ∧ ∧ e ∧
Ở đây ML = L là toán tử mômen từ quỹ đạo, M s = S là toán tử
2m m
e2 B 2
mômen từ spin và Mc = −
4m
( ) r
x + y 2 là mômen từ cảm ứng, M c luôn luôn ngược
r r ∧ ∧ ∧
chiều với từ trường ngoài B và chỉ xuất hiện khi B ≠ 0. Kí hiệu M = M L + M S ta có:

∧ e ⎛⎜ ∧ ∧ ⎞⎟ e ⎛ ∧ ∧⎞ ∧ ∧
M= L+ 2 S = ⎜ j + S ⎟⎟ ≡ G j (6-24)
2m ⎜ ⎟ 2m ⎜⎝ ⎠
⎝ ⎠
∧ ∧ ∧
trong đó j = L + S là toán tử mômen cơ học toàn phần. Để xác định toán tử
∧
G ta xét:
 ∧ ∧2 e ⎛⎜ ∧ ∧ ∧ ⎞⎟
2
G j ψ m j jls = j + j S ψ m jls
2m ⎜ ⎟ j
⎝ ⎠
∧ e ⎛ 2 ∧ ∧⎞
G h 2 j( j + 1)ψ m = ⎜⎜ h j( j + 1) + j S ⎟⎟ψ m jls
j jls 2m ⎝ ⎠ j
Ta đây suy ra:

⎧ ∧∧ ⎫
∧ e ⎪ jS ⎪
G= ⎨1 + ⎬
2m ⎪ h 2 j( j + 1) ⎪
⎩ ⎭

1 ⎛∧ ∧ ∧
∧∧ 2 2 2⎞ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧2 ⎛ ∧2 ∧2 ∧ 2 ⎞
Chú ý rằng L S = ⎜ j − L − S ⎟ và j S = L S+ S = 1 ⎜ j + S − L ⎟ ta có:
2⎜ ⎟ 2⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠

⎧ ∧2 ∧2 ∧ 2 ⎫
∧ e ⎪ j +S − L ⎪ ∧ ∧∧
G= ⎨1 + ⎬ , M z = G jz (6-25)
2m ⎪ 2h 2 j( j + 1) ⎪
⎩ ⎭

Dùng các phương trình hàm riêng và trị riêng:

∧2 ∧
j ψ m j jls = h 2 j( j + 1)ψ m jls
; j z ψ m j jls = m jhψ m
j j jls

∧2 ∧2
L ψ m j jls = h l(l + 1)ψ m jls ; S ψ m j jls = h 2s(s + 1)ψ m
2
j j jls

ta tìm được:
∧
M z ψ m j jls = gμ Bm jψ m j jls = M z ψ m j jls (6-26)

∧
trong đó Mz = gμ Bm j là giá trị riêng của M z ; mj = - j, -j +1, -j+2, …j (mj có 2j
eh
+ 1 giá trị) μB = là manhetôn Bo và g là thừa số Lande:
2m
j( j + 1) + s(s + 1) − l(l + 1)
g = 1+ (6-27)
2 j( j + 1)
r ∧ r ∧ r ∧ ∧
Toán tử − B M L − B M s = − B M = − B M z mô tả tương tác giữa mômen từ
quỹ đạo, mômen từ spin với từ trường ngoài đặt dọc theo trục Oz. Phần đóng góp
năng lượng do tương tác này sẽ bằng:
Emj = - BMz = - gmjμB B (6-28)
 r
Ta đã xác định được hình chiếu của mômen từ M trên trục Oz là Mz =
gμBmj. Bây giờ ta tìm độ lớn của M, ML, MS và các hình chiếu mômen từ
r r
M L ; MS trên trục Oz. Ta có phương trình:

∧2 ∧ 2 ∧2
M ψ m j jls = G j ψ m j jls = M 2ψ m j jls
2
⎧ j( j + 1) + s(s + 1) − l(l + 1) ⎫ 2
2
⎛ e ⎞
=⎜ ⎟ ⎨1 + ⎬ h j( j + 1)ψ m j jls
⎝ 2m ⎠ ⎩ 2 j( j + 1) ⎭

Từ đây suy ra:

M=g j( j + 1)μ B (6-29)

Khi l = 0 thì j = S và ta có M = g s(s + 1)μ B

Từ các phương trình

∧2 2 2 2
⎛ e ⎞ ∧ ⎛ e ⎞ 2
⎟ h l(l + 1)ψ lm = M L ψ lm
2
M L ψ lm =⎜ ⎟ L ψ lm = ⎜
⎝ 2m ⎠ ⎝ 2m ⎠
∧ e ∧ e
M Lz ψ lm = L z ψ lm = hmψ lm = M Lz ψ lm
2m 2m
∧2 2 2 2
⎛e⎞ ∧ ⎛e⎞
M S ψS, ms = ⎜ ⎟ S ψS, ms = ⎜ ⎟ h 2s(s + 1)ψS, ms = M 2LψS, ms
⎝m⎠ ⎝m⎠
∧ e ∧ eh
M Sz ψS, ms = S j ψS, ms = msψS, ms = M Sz ψS, ms
m m
Ta tìm được:

Đối với hệ nhiều êlectrôn l, s, j bằng L, S, J của hệ.

 Khái niệm mômen từ spin cũng như khái niệm spin chỉ xuất hiện trong cơ
hợc lượng tử, còn khái niệm mômen từ quỹ đạo và mômen từ cảm ứng có cả trong
vật lí học cổ điện và vật lí lượng tử.
Theo điện động lực học cổ điển, mômen từ M của dòng điện có cường độ I
được xác định bằng công thức:
M=IS
Trong đó S là điện tích phần mặt phẳng giới hạn bởi dòng điện. Ta hãy chỉ
ra rằng M chính là mômen từ quỹ đạo. Thật vậy, giả sử hạt mang điện tích e
e 2πρ
chuyển động trên đường tròn có bán kính ρ với chu kì T thì I = , v = . Khi đó,
T T
ta có:

eπρ 2 e e
M=IS= = (m ρ v) = L
T 2m 2m
r
ở đây L = m ρv là độ lớn mômen xung lượng của hạt. Vectơ mômen từ M
r r
liên hệ với mômen quỹ đạo L (mômen xung lượng L ) bằng công thức:
r r e r e r r r
L = M L= = L= [ρ ∧ p], p = mvr
2m 2m
r ∧
Chuyển từ cơ học cổ điển sang cơ học lượng tử, ta thay L bằng L ,
r ∧ ∧ e ∧
M L bằng M L . Khi đó ta có M L = L.
2m
r
Khi êlectrôn chuyển động trong từ trường ngoài B thì ta thay xung lượng
[( )]
r r r r r r e rr r
p của êlectrôn bằng p − eA khi đó M L trở thành M L + M C = p p − eA .
2m
r
Từ đây suy ra biểu thức của mômen từ cảm ứng M C :

e2 r r
r
MC = −
2m
p∧A [ ]
[ ]
r 1 r r
Trong từ trường ngoài đều, ta có thể chọn thế vectơ A = B ∧ p .
2
r
Khi đó biểu thức của M C có dạng:

r e2 2 r
MC = − ρ B
4m
Nếu từ trường ngoài đặt dọc theo trục Oz thì ρ2 = x2 + y2 và ta có:

MC = −
e2 2
4m
(
x + y2 B )
 Bây giờ ta khảo sát trường hợp đặc biệt khi êlectrôn chỉ chuyển động trong
từ trường không đổi đặt dọc theo trục Oz. Khi đó ta có ϕ = 0. Theo cơ học lượng
tử, phổ năng lượng của êlectrôn gồm hai phần: phần phổ biến liên tục liên hệ với
êlectrôn chuyển động dọc theo trục Oz và phần phổ gián đoạn liên hệ với êlectrôn
chuyển động dao động trong mặt phẳng xy. Để tìm phổ năng lượng của êlectrôn ta
giải phương trình Srôđingrơ.

⎧ h2 ⎛ ∂2 ∂2 ∂ 2 ⎞⎟ e ⎛ ∧ ∧ ∧ ⎞ ⎫
⎪ − ⎜ + + − ⎜ A p + A p + A z z ⎟⎟ + ⎪
p
⎪ 2 m ⎜⎝ ∂x 2 ∂y 2 ∂z 2 ⎟⎠ m ⎜⎝
x x y y
⎠ ⎪ψ = Eψ (6-31)
⎨ ⎬
⎪ e2
( ) ⎪
eB ∧
⎪ A 2x + A 2y + A 2z − Sz ⎪
⎩ 2m m ⎭

Thuận tiện hơn cả trong việc tính năng lượng của êlectrôn chuyển động
trong từ trường đồng nhất đặt dọc theo trục Oz ta chọn:
Ax = - B.y, Ay = Az = 0
Phương trình Srôđingrơ bây giờ có dạng đơn giản:

h 2 ⎛⎜ ∂ 2ψ ∂ 2ψ ∂ 2ψ ⎞⎟ iheB ∂ψ e 2 B2 2 eB ∧
− + + − y + y ψ − Sz ψ = Eψ (6-32)
2m ⎜⎝ ∂x 2 ∂y 2 ∂z 2 ⎟⎠ m ∂x 2m m

∧
Gọi χ(s z ) là hàm riêng của toán tử hình chiếu spin Sz tương ứng với trị riêng
⎛ 1⎞
s z = m s h⎜ m s = ± ⎟
⎝ 2⎠

Ta có:
∧
Sz χ(s z ) = ms hχ(s z ) (6-33)

hàm sóng ψ (x, y, z, sz) của êlectrôn được tìm dưới dạng:
ψ (x, y, z, sz) =eikxx eikzz ϕ (y) χ(sz) (6-34)
Đặt biểu thức của hàm sóng ψ vào phương trình Srôđingơ ta nhận được
phương trình đối với hàm ϕ (y):

−
h 2 d 2ϕ h 2 2
2m dy 2
+
2m
( 2
)
k x + k z ϕ + hk x
eB
m
yϕ +
e2 H 2 2
2m
y ϕ−
eBms h
m
ϕ = Eϕ

hay:

h 2 d 2 ϕ(y ) mω2
2
⎧ hk x ⎫
− + ⎨y + ⎬ ϕ(y ) = εϕ(y ) (6-35)
2m dy 2 2 ⎩ mω ⎭
 eB h 2 k 2z eh
trong đó ω = ; ε=− − 2 msμ B B và μ B = ta có:
m 2m 2m

h 2 d 2ϕ(y ) mω2 2
− + Y ϕ(Y ) = εϕ(Y ) (6-36)
2m dY 2 2
Đây là phương trình của dao động tử điều hoà lượng tử một chiều với
năng lượng ε và hàm sóng ϕ (Y). Bài toán này đã được giả trong giáo trình Cơ học
lượng tử (6). Hàm sóng ϕn và năng lượng εn của dao động tử điều hoà có dạng:
ξ2
− mω
ϕ n (ξ) = A n e 2 H n (ξ), ξ = Y,
h
1/ 4
n ξ2 d n ⎛ − ξ2 ⎞ ⎛ mω ⎞ 1
H v (ξ) = (− 1) e n ⎜
e ⎟ , An = ⎜ ⎟
dξ ⎝ ⎠ ⎝ h ⎠ 2 m n! π

⎛ 1⎞
ε n = hω⎜ n + ⎟, n = 0, 1, 2…
⎝ 2⎠

Năng lượng của êlectrôn chuyển động trong từ trường sẽ là:

h 2 k 2z ⎛ 1 ⎞ h 2 k 2z
E = εn + + 2 m sμ B B = hω⎜ n + ⎟ + + 2 m sμ B B (6-37)
2m ⎝ 2 ⎠ 2m

2. LÍ THUYẾT NGHỊCH TỪ
r r r r
Ta kí hiệu B là cảm ứng từ trường ngoài đặt lên vật B = μ 0 H , H là cường độ
r
từ trường, μ0 = 4π.10-7H/m và M là vectơ mômen từ trung bình ứng với một đơn
r dM dM
vị thể tích của vật chất. Vectơ M gọi là độ từ hoá và đại lượng χ = μ 0 = gọi
dB dH
là độ cảm từ. Vật có độ cảm từ âm (χ < 0) gọ là vật nghịch từ. Đối với vật nghịch từ
r r
thì vectơ M ngược chiều với B .
r
Ta đã biết khi cảm ứng từ trường ngoài B đặt dọc theo trục Oz thì mômen từ
e2B 2
cảm ứng của một êlectrôn chuyển động trong nguyên tử bằng − (x + y 2 ) .
4m
Mômen từ cảm ứng của nguyên tử có Z êlectrôn được xác định bằng công thức:

MC = −
e2 B z 2
∑
4m k =1
(
x k + y 2k )
(6-38)
Nếu phân bố các êlectrôn trong nguyên tử có đối xứng cầu thì
1
x −x 2 = y −y 2 = z −z 2 = rk− 2 . Khi đó ta có:
3
 eBZ 2
MC = − r
6m (6-39)
1 z −2
trong đó r −2
= ∑ rk . Gọi n là số nguyên tử trong một đơn vị thể tích thì độ từ
Z k =1
r
hoá M của vật nghịch từ sẽ là:
2
r r ne 2 Zr r
M = nM C = − B
6m (6-40)
Độ cảm từ χnt của vật nghịch từ được xác định bằng công thức Lănggiơvanh
(Langevin):
2
dM ne 2 Zr
χ nt = μ0 = −μ 0 <0
dB 6m (6-41)
Giá trị χnt tính toán theo (6-41) phù hợp tốt với các kết quả đo đạc thực
nghiệm (χnt ~ 10-6μ0).
3. NGỊCH TỪ LANDAO (Landau)
Ở trên ta đã trình bày lí thuyết về tính nghịch từ do các êlectrôn chuyển động
trong các nguyên tử gây nên. Trong phần này ta hãy khảo sát nghịch từ do các
êlectrôn dẫn trong kim loại chuyển động trong từ trường gây nên. Phần năng lượng
của êlectrôn dẫn chuyển động trong từ trường liên hệ với tính chất nghịch từ của nó
theo (6-39) bằng:

⎛ 1⎞ ρ 2z ρ 2z
E nρ z = ⎜ n + ⎟hω + = (2 n + 1)μ B B + (6-42)
⎝ 2⎠ 2m 2m

eE
trong đó ω = ,n = 0, 1, 2, 3…là những số nguyên.
m
Xác suất tìm êlectrôn ở trạng thái có năng lượng E1 sẽ là:

e -E l / kT
Wl =
Z
(với điều kiện chuẩn hóa ∑ Wl = 1) (6-43)
l

ở đây kí hiệu 1 là một tập hợp các số n, pz và Z = ∑ e − E l / kT . Mômen từ trung

l
bình theo phương Oz của một êlectrôn dẫn được xác định bằng công thức:
∂E
∂E l
∑ ∂Bl e − E l / kT ∂
M z = ∑ Wl M z (l ) = − ∑ Wl =− l = kT (ln Z) (6-44)
l l ∂B Z ∂B

Độ từ hoá M của các êlectrôn dẫn trong kim loại bằng:

 ∂
M = n, M z = n , kT (ln Z) (6-45)
∂B
Trong đó n, là nồng độ êlectrôn dẫn đã thay đổi chuyển động của mình trong từ
trường. Để xác định M ta cần tính Z:
⎧⎪ p 2 ⎫⎪
− ⎨μ B B(2 n +1)+ z ⎬
⎪⎩ 2 m ⎪⎭
∞
Z = ∑ e − E l / kT ≡ ∑∫ dge kT (6-46)
l n =0

ở đây dg là số trạng thái lượng tử ở trong thể tích Ω và nằm trong khoảng từ pz
→ pz +dpz và n → n + ∆n với∆n = 1. Ta tính dg. Năng lượng E1 của êlectrôn dẫn có
thể viết dưới dạng:

p02 p 2z p 02 ⎛ 1⎞
E1 = + với ≡ 2μ B B⎜ n + ⎟ (6-47)
2m 2m 2m ⎝ 2⎠

Khi cảm ứng từ trường B đặt dọc theo trục Oz thì trục Oz là trục đối xứng nên để
tính dg ta chọn yếu tố thể tích trong không gian xung lượng nằm giữa hai mặt trụ
đồng trục Oz có bán kính p0 và p0 + ∆p0 có độ cao dpz nghĩa là yếu tố thể tích 2π p0
∆p0 dpz. Thể tích không gian pha bé nhất ứng với một trạng thái lượng tử của êlectrôn
dẫn là (2π h )3. Vậy số trạng thái lượng tử của êlectrôn dẫn trong thể tích không gian
pha Ω2π p0 ∆p0 dpz sẽ là:
2πp0 Δp0dpz
dg = 2Ω
(2πh )3
(6-48)
Thừa số 2 đứng trước thể tích Ω của kim loại trong biểu thức của dg liên hệ với
hai cách định hướng của spin trên trục Oz. Bề dày của lớp ∆p0 được chọn sao cho
∆n=1:

⎛ p02 ⎞
Δ⎜ ⎟ = 2. p0 Δp0 = 2μ B BΔn = 2μ B B
⎜ 2m ⎟ 2m
⎝ ⎠
Thay p0∆p0 = 2m μB B vào biểu thức của dg ta tìm được:

μ BB ∞ 2μ B B ∞ p2
8Ωπmμ B B − − n − z
Z= e kT
∑e kT
∫
e 2mkT dp z (6-49)
(2πh)3 n =0 −∞

∞ ∞ 2μ B B
π − n
− αx 2
Dùng tích phân ∫ e dx =
α
và chú ý rằng tổng ∑e kT là tổng của một
−∞ n =0
2μ B B
− n
cấp số nhân có hạng đầu bằng đơn vị và có công bội là e kT , ta tìm được:
 B 8πΩmμ B B 2πmkT
Z=C
{e μ B B / kT
−e − μ B B / kT
} , C=
(2πh )3
(6-50)

Mômen từ của êlectrôn dẫn trong một đơn vị thể tích (không tính đến mômen từ
spin của êlectrôn) bằng:

∂ ⎧ ⎫
M = n , kT (ln Z) = − n ,μ B ⎨cth⎛⎜ μ B B ⎞⎟ − kT ⎬ (6-51)
∂B ⎩ ⎝ kT ⎠ μ B B ⎭

μ BB ⎛μ B⎞ 1 1 ⎛μ B⎞
khi << 1 thì cth⎜ B ⎟ ≈ + ⎜ B ⎟ + ... và ta có:
kT ⎝ kT ⎠ ⎛ μ B B ⎞ 3 ⎝ kT ⎠
⎜ ⎟
⎝ kT ⎠

μ 2B ,
M ≈ −n B = χ nt B / μ 0
3kT
(6-52)

n ,μ 2B
trong đó χ nt = −μ 0 là độ cảm nghịch từ của êlectrôn dẫn. Đối với kim loại,
3kT
trong đó khí êlectrôn bị suy biến mạnh thì số các êlectrôn thay đổi chuyển động của
mình trong từ trường chỉ có thể là số các êlectrôn nằm ở dưới mức Fecmi ζ0 một
khoảng ∆ E = ζ0 – El có độ lớn cỡ kT. Những êlectrôn nằm trong khoảng ∆E này dưới
tác dụng của chuyển động nhiệt có thể chuyển lên mức cao hơn và thay đổi chuyển
động của mình trong từ trường, còn các êlectrôn ở các mức năng lượng E sâu hơn (0
≤ E < El) thì không thay đổi trạng thái khi đốt nóng và cũng không thay đổi chuyển
động của mình trong từ trường. Êlectrôn tuân theo phân bố Fecmi – Đirăc (xem 4.1).
Khi T ≠ 0K, với E ≤ El thì f (E, T) bằng đơn vị. Ta xác định nồng độ n,. Gọi N là số
êlectrôn toàn phần (N cũng là số các êlectrôn ở tất cả các mức năng lượng E ≤ ζ0.
Khi T = 0K) và N1 là số các êlectrôn chiếm tất cả các mức năng lượng E ≤ El trong thể
tích Ω của kim loại. Số êlectrôn đã thay đỏi chuyển động của mình trong từ trường sẽ
là ∆N =N – Nl. Khi đó n, = ∆N/Ω. Ta tính ∆N. Số trạng thái lượng tử của êlectrôn ở
trong thể tích Ω có xung lượng p nằm trong khoảng từ p → p + dp sẽ
là2Ωπp2dp/(2 πh )3. Thừa số 2 đứng trước biểu thức của số trạng thái lượng tử này
p2 2
liên hệ với hai cách định hướng của spin. Chú ý rằng E = , p dp = 2m3 E1 / 2 dE , ta
2m
có:

2Ω4πp 2dp Ω 2m 3 E1 / 2 dE
= (6-53)
(2πh )3 π2h3

Số êlectrôn N và Nl được xác định bằng các công thức:

ζ0 ζ0
Ω 2m3 Ω 2m 3 (2 m )3 / 2
∫ f (E,0)
1/ 2 1/ 2
N= E dE ≈ ∫ E dE = Ωζ 3 / 2
0
0 π2h3 0 π2h3 3π 2 h 3
 El El
Ω 2m 3 Ω 2m 3
∫ f (E, T )
1/ 2
Nl = 2 3
E dE ≈ ∫ 2 3
E1 / 2 dE
0 π h 0 π h
khi E ≤ El (6-54)
=
(2m )3/ 2
ΩE 3l / 2
2 3
3π h

Biết được N và Nl ta tìm được n,:

⎧⎪ ⎛ E ⎞ 3 / 2 ⎫⎪
n = (N − N l ) / Ω = n ⎨1 − ⎜⎜ l ⎟⎟ ⎬ (6-55)
,

⎪⎩ ⎝ ζ 0 ⎠ ⎪⎭

N (2m )3 / 2 3 / 2
trong đó n = = ζ 0 là nồng độ êlectrôn toàn phần trong kim loại. Thay
Ω 3π 2 h 3
ΔE
El = ζ0 - ∆E và chú ý rằng << 1 ta có:
ζ0
⎧⎪ ⎛ ΔE ⎞ 3 / 2 ⎫⎪ ⎧ ⎛ 3 ΔE ⎞ ⎫ 3nΔE
,
n = n ⎨1 − ⎜⎜1 − ⎟⎟ ⎬ ≈ n ⎨1 − ⎜⎜1 − ⎟⎬ =
⎪⎩ ⎝ ζ0 ⎠ ⎪ ⎩ ⎝ 2 ζ 0 ⎟⎠ ⎭ 2ζ 0
⎭
Một cách gần đúng, thay ∆E = kT ta nhận được biểu thức của n, và độ cảm
nghịch từ χnt của êlectrôn dẫn trong kim loại:
3 kT
n, = n (6-56)
2 ζ0

μ 0 nμ 2B
χ nt = − (6-57)
2 ζ0

Độ cảm nghịch từ của êlectrôn dẫn trong kim loại không phụ thuộc vào nhiệt độ.
Ta có thể biểu diễn độ cảm nghịch từ này qua mật độ trạng thái của êlectrôn ở mức
Fecmi. Số trạng thái lượng tử của êlectrôn có năng lượng nằm trong khoảng từ E đến
E+ dE được viết dưới dạng:

Ω 2m 3 E1 / 2dE
= 2ΩZ(E )dE (6- 58)
π2h3

2m 3
trong đó Z(E) = 2 3
E1 / 2 gọi là mật độ trạng thái của êlectrôn trong một đơn vị
2π h
thể tích ứng với một cách định hướng của hình chiếu spin. Khi E = ζ0 ta có:

2m3 3 n
Z(ζ 0 ) = ζ1 / 2 =
3 0
(6-59)
2π2 h 4 ζ0

Độ cảm nghịch từ χ nt của êlectrôn bây giờ được viết dưới dạng:
 3
χ nt = − μ 0 Z(ζ 0 )μ 2B (6-60)
2
Kết quả này có thể nhận được trực tiếp bằng cách ngay từ đầu dùng phân bố
Fecmi – Đirăc đối với hệ êlectrôn dẫn chuyển động trong từ trường. Nhưng việc tính
như vậy rất phức tạp cho nên ta không dùng ở đây.
4. LÍ THUYẾT THUẬN TỪ, ĐỊNH LUẬT QUY - RI – VÂYXƠ (CUIRE - WEISS)
Vậy thuận từ là vật có mômen từ trung bình hướng theo từ trường ngoài khi
đặt vật trong từ trường. Mômen từ của vật thuận từ là tổng hợp mômen từ quỹ đạo
và mômen từ spin của các hạt (nguyên tử, phân tử, ion…) cấu tạo nên vật từ. Các
r
mômen từ này tồn tại ngay cả khi không có từ trường ngoài. Gọi M là độ từ hoá
r
(mômen từ trung bình trong một đơn vị thể tích) và B là cảm ứng từ của từ trường
ngoài, thì đối với vật thuận từ ta có:
μ 0dM
χ tt = >0 (6-61)
dB
Đại lượng χ tt gọi là độ cảm thuận từ. Đa số vật thuận từ có độ cảm thuận từ
phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ. Tuy nhiên đối với kim loại kiềm thì độ cảm từ hầu
như không phụ thuộc vào nhiệt độ.
Đầu tiên ta khảo sát lí thuyết cổ điển về vật thuận từ. Giả sử rằng mỗi hạt của
r r
vật thuận từ có một mômen từ μ . Vectơ μ có độ lớn không đổi (μ = const) và có
chiều định hướng theo phương bất kì trong không gian khi không có từ trường
r
ngoài tác dụng. Năng lượng tương tác giữa mômen từ μ với cảm ứng từ trường
r
ngoài B đặt dọc theo trục Oz được xác định bằng công thức:
rr
E(θ) = −μB = −μ z B cos θ (6-62)

trong đó μ z = μ. cos θ là hình chiếu của mômen từ trên trục Oz và θ là góc tạo
r
thành giữa trục Oz và vectơ μ (h. 6.2)

Hình 6.2
 Xác suất tìm một hạt có năng lượng tương tác giữa mômen từ với từ trường
ngoài nằm trong khoảng E(θ) → E(θ) + dE (θ) bằng:
E (θ ) μB cos θ
−
dW (θ) = conste kT dE (θ) = Ae kT sin θdθ (6-63)

trong đó hằng số A được xác định từ điều kiện chuẩn hoá của xác suất.
ĐặtA=Z-1, ta có:
π μB cos θ
−1
A =Z=∫ e kT sin θdθ
0

Mômen từ trung bình của một hạt trên trục Oz bằng:

π μB cos θ
∫e kT cos θ sin θdθ
∂ (ln Z ) μ.B
μ z = ∫ μ z (θ)dW (θ) = μ 0 = μ. ,α = (6-64)
π μB cos θ ∂α kT
∫e kT sin θdθ
0

Độ từ hoá M của vật thuận từ được xác định bằng công thức:
∂
M = nμ z = nμ (ln Z) (6-65)
∂α
trong đó n là số hạt trong một đơn vị thể tích của vật. Để xác định M ta tính Z.
Đặt x = cos θ , ta có:
π
{ }
1
1 α
Z(α) = ∫ e α cos θ sin θdθ = ∫ e αx dx = e − e−α
0 −1
α
α
∂ e + e−α 1
(ln Z) = α − α − = cthα − 1
∂α e −e α α
Độ từ hoá M của vật thuận từ bây giờ được viết lại như sau:
M = n μ L (α) (6-66)
1
trong đó L (α) = cth α - là hàm Lănggiơvanh.
α
1
Khi α→∞ thì cth α → 1, →0 và L (α) → 1.
α
1 α α
Khi α << 1 thì cth α ≈ + và L (α) ≈
α 3 3
 Hình 6.3
Sự phụ thuộc hàm Lănggiơvanh và α được biểu diễn bằng đồ thị trên hình
6.3. Nếu mômen từ chỉ xác định bởi spin của êlectrôn, thì nó có giá trị cỡ manhêtôn
Bo μB, nghĩa là μ ~ μB ≈ 10-23 J/T. Ở nhiệt độ phòng thí nghiệm ( ≅ 300K), với cảm
ứng từ B= 1 T, ta có:
μ.B
α= << 1
kT
μ.B
Vì vậy hàm Lănggiơvanh hoàn toàn có thể xem bằng .
3kT
μ.B
Khi << 1, thì độ từ hoá M của vật thuận từ bằng:
kT
μ.B
M=n B (6-67)
3kT
Độ cảm thuận từ của vật được xác định bằng công thức:

dM μ 0 M nμ 2 C
χ tt = μ 0 = = μ0 = (6-68)
dB B 3kT T

μ2n
trong đó C = μ 0 là hằng số Quyri (Curie).
3k
C
Sự phụ thuộc χ tt = được gọi là định luật Quyri.
T
So sánh bậc độ lớn của độ cảm thuận từ tính theo (6-68) χtt ~ 10-4 μ0 với độ
lớn của độ cảm nghịch từ χ nt ~ Z.10-6 μ0 ta thấy rằng nếu các hạt (nguyên tử,
phân tử, ion) của vật cần nghiên cứu có mômen từ cỡ manhêtôn Bo, thì độ lớn của
độ cảm nghịch từ của vật rất bé, có thể bỏ qua so với độ cảm thuận từ của nó. Vì
vậy trong trường hợp này vật được coi như vật thuận từ. Khi nhiệt độ thấp hay từ
μB
trường ngoài mạnh sao cho α = >> 1, thì L(α) ≈1. Khi đó ta có hiện tượng bão
kT
hoà mômen từ M ≈ nμ.
 Ở trên ta đã khảo sát lí thuyết cổ điển của các vật thuận từ. Tuy nhiên giả
thuyết về sự có mặt ở các phân tử hay nguyên tử một mômen từ chỉ có cơ sở vững
chắc trong khuôn khổ của cơ học lượng tử. Mômen từ của các vật thuận từ là tổng
hợp mômen từ quỹ đạo và mômnen từ spin của các hạt cấu tạo nên vật. Vì vậy lí
thuyết về các vật thuận từ phải là lí thuyết lượng tử.
Theo cơ học lượng tử, mômen từ của hạt chỉ có thể định hướng trong từ
trường ngoài theo những cách hoàn toàn xác định, cụ thể là hình chiếu mômen từ
r
của hạt (nguyên tử, phân tử) lên phương của cảm ứng từ trường ngoài B đặt dọc
theo trục Oz có các giá trị sau đây;
Mz (mj) = g μB mj (6-69)
Trong đó mj được gọi là số lượng tử từ có 2j + 1 giá trị: - j, - (j - 1), - (j - 2)…j
còn j là số lượng tử mômen xung lượng toàn phần. Năng lượng tương tác giữa
r
mômen từ của hạt với cảm ứng từ trường ngoài B bằng:
E m j = − M z ( m j ) B = − gm jμ B B (6-70)

Xác suất tìm hạt ở trạng thái có năng lượng tương tác giữa mômen từ với
r
cảm ứng từ ngoài B bằng
E mj
−
e kT
Wmj = (6-71)
Z
Ở đây:
Emj gm jμ B B
j − j
Z= ∑e kT = ∑e kT
m j =− j m j =− j

Giá trị trung bình của hình chiếu mômen từ của một hạt trên trục Oz bằng:
j j ∂E m j ∂ (ln Z )
Mz = ∑ ( )
Wm j M z m j = − ∑ Wm j
∂B
= kT
∂B
(6-72)
m j =− j m j =− j

gμ B B
Đặt β = , ta có:
kT
 j
= e −βj + e −β( j−1) + e −β( j−1) + ... + eβj
βm j
Z= ∑e
m j =− j

eβ (2 j+1) − 1 eβ ( j+1) − e −βj

=e −βj
{1 + e β
+e 2β
+e 3β
+ ... + e 2 jβ
}= e −βj
eβ − 1
=
eβ − 1
2 j+1
2 j+1
β − β 2j+1
2 sh β
e 2 −e 2
= β
= β
β −
e −e 2 sh 2
2

∂ (ln Z) ∂β ∂ ⎧ 2 j + 1 ⎛ 2 j + 1 ⎞ 1 ⎛ β ⎞⎫
M z = kT = kT . (ln Z) = gμ B ⎨ cth⎜ β ⎟ − cth⎜ ⎟ ⎬ (6-73)
∂B ∂B ∂β ⎩ 2 ⎝ 2 ⎠ 2 ⎝ 2 ⎠⎭
Độ từ hoá của vật thuận từ M được xác định bằng công thức:

M = n M z = n g μB j B(a) (6-74)
Trong đó n là số hạt (nguyên tử, phân tử) trong một đơn vị thể tích,
gμ B jB
a = βj = và
kT

2j+1 ⎛ 2j+1 ⎞ 1 ⎛a⎞

B(a ) = cth ⎜ a ⎟ − cth ⎜ ⎟ (6-75)
2j ⎝ 2j ⎠ 2j ⎝ 2j⎠
1 x
Khi x << 1 thì cth x ≈ + . Dùng hệ thức gần đúng này khi a << 1, ta tìm
2 3
được:
j+1
B(a ) ≈ a,
3j

n ( j + 1)g 2μ 2B B
M = gjnμ B B(a ) ≈ (6-76a)
3kT
hay

nμ 2 B
M= với μ = gμ B j( j + 1) (6-76b)
3kT
Độ cảm thuận từ χtt trong trường hợp này (a << 1) có dạng:

dM nμ 2 C
χ tt = μ 0 = μ0 = (6-77)
dB 3kT T
Công thức này mô tả định luật thực nghiệm do Quyri tìm ra năm 1895. Định
luật gần đúng này mô tả hiện tượng thuận từ của một số vật rắn khi từ trường
ngoài bé hay nhiệt độ cao (a << 1) và các nguyên tử hay ion từ đặt đủ xa nhau sao
cho tương tác từ giữa các nguyên tử hay ion có thể bỏ qua. Trong nhiều vật những
mômen từ của các nguyên tử hay ion ở cạnh nhau tương tác với nhau. Để mô tả
điều đó, một cách gần đúng ta đưa vào cảm ứng từ trường nội hiệu dụng gọi là
trường Vâyxơ B1 như sau:
r r
B I = μ 0 λn M (6-78)

trong đó λ là thông số đặc trưng cho tương tác từ giữa các nguyên tử hay ion.
r
M là mômen từ trung bình của một nguyên tử hay ion. Cảm ứng từ trường toàn
r r
phần tác dụng lên một nguyên tử hay ion bằng B + BI .Gần đúng ta có hệ thức:

nμ 2
M = nMz =
1
3kT
(
nμ 2 B + μ 0 λ M z = )
3kT
( B + μ 0 λM )

hay:

nμ 2 μ 0 λ nμ 2
M= B , Tc = (6-79)
3k (T − Tc ) 3k

Độ cảm thuận từ χtt của vật trong trường hợp này có dạng:

dM nμ 2
χ tt = μ 0 = μ0 (khi T > Tc)
dB 3k (T − Tc )

Công thức này gọi là định luật Quyri – Vâyxơ.

5. THUẬN TỪ SPIN PAOLI
Theo lí thuyết Lănggiơvanh độ cảm thuận từ có dạng χtt = C/T. Khi T ~ 300K
thì χtt ~ 10-4μ0. Nhưng trong thực tế, đa số kim loại có độ cảm thuận từ χtt ~ 10-6 μ0
và không phụ thuộc vào nhiệt độ. Tính chất thuận từ của những kim loại này được
xác định do tính chất từ của hệ êlectrôn dẫn. Khi không có từ trường ngoài tác
dụng, thì theo nguyên lí Paoli, ở không độ tuyệt đối (T = 0K) những êlectrôn của
kim loại chất đầy tất cả các mức năng lượng cho đến mức Fecmi ζ0. Vì mỗi mức
năng lượng có hai êlectrôn có hình chiếu spin ngược chiều chiếm chỗ, cho nên
mômen từ spin toàn phần của hệ êlectrôn bằng không. Khi đặt hệ êlectrôn trong từ
r
trường ngoài B thì do tương tác giữa mômen từ spin của êlectrôn với từ trường
ngoài, mà một số êlectrôn ở gần mức Fecmi thay đổi định hướng spin của mình và
do đó mômen từ spin toàn phần của hệ êlectrôn khác không. Năng lượng tương
r
tác của một mômen từ spin với cảm ứng từ trường ngoài B bằng:
1
E m s = − M sz B = −2msμ B B , m s = ± (6-81)
2
trong đó Msz = 2ms μB B = ± μ B là hình chiếu của mômen từ spin trên phương
của từ trường ngoài đặt dọc theo trục Oz, E 1 = −μ B là năng lượng tương tác giữa
2
cảm ứng từ trường ngoài với mômen từ spin hướng theo chiều của B và
E 1 = −μ B B là năng lượng tương tác giữa cảm ứng từ trưòng ngoài với mômen từ
−
2
r
spin hướng ngược chiều với B . Xác suất tìm một êlectrôn dẫn có năng lượng
tương tác với từ trường ngoài bằng E m s là:

E ms
−
e kT
Wm s = (6-82)
Z
trong đó:
1/ 2 E ms μ BB μ BB
− −
Z= ∑e 1
kT
=e kT
+e kT

ms =−
2

Giá trị trung bình của hình chiếu mômen từ trên trục Oz được xác định bằng
công thức:
1/ 2 1/ 2
M sz = ∑ Wm s M sz = ∑ 2m sμ B Wm s
1 1
ms = − ms = −
2 2
⎛ μ BB μ B
− B ⎞ (6-83)
⎜
μB e kT − e kT ⎟
⎛ ⎞ ⎜ ⎟
⎜ ⎟
= μ B W1 − W 1 = ⎝ ⎠ = μ th⎛ μ B B ⎞
B ⎜ ⎟
⎜ - ⎟ μ BB
−
μ BB
⎝ kT ⎠
⎝ 2 2⎠
e kT + e kT

Độ từ hoá M của hệ êlectrôn sẽ là:

⎛μ B⎞
M = n, M sz = n ,μ B th⎜ B ⎟ (6-84)
⎝ kT ⎠
Ở đây n, là số êlectrôn dẫn ở gần mức Fecmi đã thay đổi định hướng spin của
mình trong từ trường ngoài. Lập luận như khi nghiên cứu hiệu ứng nghịch từ của
hệ êlectrôn dẫn, một cách gần đúng, nồng độ n, phụ thuộc vào nhiệt độ được tính
theo công thức (6-56):
3 kT
n, ≈ n = 2 Z(ζ 0 )kT (6-85)
2 ζ0

trong đó Z (ζ0) là mật độ trạng thái của êlectrôn trong một đơn vị thể tích ứng
với một cách định hướng của hình chiếu spin ở gần mức Fecmi ζ0 và n là nồng độ
êlectrôn dẫn toàn phần.
μ BB
Khi << 1 ta có:
kT
 μ 2B
M ≈ n, B = 2 Z(ζ 0 )μ 2B B (6-86)
kT
do đó độ cảm thuận từ của hệ êlectrôn dẫn không phụ thuộc nhiệt độ và bằng:
dM
χ tt = μ 0 = 2μ 0 Z(ζ 0 )μ 2B (6-87)
dB

Hình 6.4
Công thức tính độ cảm thuận từ χtt của hệ êlectrôn dẫn này cũng có thể nhận
được bằng cách dựa vào nguyên lí Paoli và thống kê Fecmi – Đirăc. Thật vậy, ta
hãy gọi Z (E) là mật độ trạng thái của êlectrôn trong một đơn vị thể tích tinh thể ứng
với một cách định hướng của hình chiếu spin, Z(E) dE là số trạng thái lượng tử của
êlectrôn trong một đơn vị thế tích ứng với một cách định hướng của hình chiếu spin
có năng lượng nằm trong khoảng từ E đến E + dE. Năng lượng của êlectrôn có
r
mômen từ định hướng cùng chiều với cảm ứng từ trường B là E – μB B. Số
r
êlectrôn trong một đơn vị thể tích có mômen từ định hướng cùng chiều với B là n+
r
và ngược chiều với B là n-bằng:

⎧⎪n + = ∫ f (E − μ B B)Z(E )dE

⎨ (6-88)
⎪⎩n − = ∫ f (E + μ B B)Z(E )dE

Ở đây f là hàm phân bố Fecmi – Đirăc đối với hệ êlectrôn. Trên hình 6.4 biểu
r r
diễn mật độ êlectrôn có mômen từ cùng chiều với B (n+) và ngược chiều với B (n-).
Mật độ trạng thái Z(E) – E1/2 theo (6-58). Độ lớn hình chiếu mômen từ của mỗi
êlectrôn trên phương của từ trường ngoài bằng μB cho nên độ từ hoá M của hệ
êlectrôn được xác định bằng công thức:

M = μ B (n + − n − ) = μ B ∫ {f (E − μ B B) − f (E + μ B B)}Z(E )dE (6-89)

Dùng các hệ thức khai triển gần đúng:

 ⎛ ∂f ⎞
f (E − μ B B) ≈ f (E ) − μ B B⎜ ⎟
⎝ ∂E ⎠
(6-90)
⎛ ∂f ⎞
f (E + μ B B) ≈ f (E ) + μ B B⎜ ⎟
⎝ ∂E ⎠
∂f
và dùng tính chất của đạo hàm Fecmi – Đirăc − = δ(E − ζ 0 ) ta tìm được:
∂E
dM
M = 2 μ 2B Z(ζ0)B; χ tt = μ 0 = 2μ 0 Z(ζ 0 )μ 2B (6-91)
dB
Đối với hệ êlectrôn dẫn độ cảm nghịch từ χnt (6-60) và độ cảm thuận từ χtt (6-
91) đều không phụ thuộc vào nhiệt độ và liên hệ với nhau bằng hệ thức:
1
χ nt = − χ tt (6-92)
3
Độ cảm từ toàn phần của hệ êlectrôn dẫn bằng tổng độ cảm thuận từ và độ
cảm nghịch từ:
2 4
χ = χ nt + χ tt = χ tt = Z(ζ 0 )μ 2B (6-93)
3 3
Bởi vì độ cảm từ tổng cộng χ là dương (χ > 0) cho nên hệ êlectrôn trong kim
loại có tính chất thuận từ. Tính toán theo (6-93), ta có χtt ~ 10-7μ0.
Bậc độ lớn của χtt ~ 10-7μ0 này phù hợp tốt với thực nghiệm đối với độ cảm
thuận từ của nhiều kim loại kiềm (χtt,Na = 0,63.10-6μ0; χtt,K = 0,58.10-6μ0 v.v… )
Cuối cùng cần chú ý rằng chúng ta không có khí êlectrôn tự do và vì vậy
chúgn ta không thể kiểm nghiệm lại giá trị độ cảm từ bằng thực nghiệm một cách
chính xác. Khi đo độ cảm từ của các kim loại ta sẽ có độ cảm từ của hệ êlectrôn,
độ cảm thuận từ và độ cảm nghịch từ của các ion của mạng tinh thể. Vì vậy ở các
kim loại, tuỳ thuộc vào độ lớn của hiệu ứng này hay hiệu ứng kia mà chúng ta nhận
được các tính chất thuận từ hay các tính chất nghịch từ. Tuy nhiên, ở các kim loại
kiềm là kim loại có cá êlectrôn ngoài liên kết yếu nhất, người ta tìm thấy độ cảm từ
không phụ thuộc vào nhiệt độ . Và do đó ta có thể cho rằng các tính chất căn bản
về từ của kim loại kiềm được xác định bởi các tính chất thuận từ của khí êlectrôn.
6.SẮT TỪ, LÍ THUYẾT TRƯỜNG PHÂN TỬ VÂYXƠ
Trong các vật sắt từ (Fe, Co, Gd, v.v… và một số các hợp kim, hợp chất của
chúng) khi nhiệt độ của vật thấp hơn một nhiệt độ xác định nào đó thì tồn tại độ từ
hoá tự phát. Độ từ hoá tự phát là mômen từ trung bình của vật sắt từ tính trong một
r
đơn vị thể tích tồn tại ngay cả khi không có cảm ứng từ trường ngoài B , và phụ
r
thuộc vào nhiệt độ. Khi B = 0 và nhiệt độ bằng nhiệt độ Tc nào đó, thì độ từ hoá của
vật sắt từ bằng không khi đó từ tính của vật sắt từ sẽ biến mất. Vật được gọi là vật
sắt từ nếu trong vật tồn tại mômen từ tự phát ngay cả khi không có từ trường
ngoài.
 Các tính chất từ của vật sắt từ về cơ bản được xác định bởi mômen từ spin
của các êlectrôn ở các lớp vỏ chưa chất đầy (lớp 3d, 4f, v. v.) và mômen từ các
êlectrôn s ở lớp ngoài. Lớp vỏ 3d chất đầy phải có 10 êlectrôn nhưng ở Fe lớp 3d
có 6 êlectrôn, ở Co lớp 3d có 7 êlectrôn và ở Ni lớp 3d có êlectrôn. Tương tác trao
đổi (một loại tương tác điện) giữa các êlectrôn ở các lớp vỏ chưa làm đầy của các
nguyên tử với nhau dẫn đến sự định hướng các mômen từ spin của các êlectrôn
song song (↑↑) với nhau và tạo thành độ từ hoá tự phát của vật sắt từ khi không có
từ trường ngoài. Tương tác giữa các êlectrôn của các nguyên tử ở cạnh nhau dẫn
đến sự định hướng các mômen từ spin song song với nhau tương đương với sự
r
tương tác giữa các mômen từ spin một cảm ứng từ trường nội BI nào đó gọi là
r
trường phân tử Vâyxơ. Vâyxơ giả thiết rằng từ trường BI tỉ lệ với độ từ hoá tự phát
r
M:
r r
BI = μ0 λ M

trong đó λ gọi là hằng số trường phân tử. Khi đặt vật sắt từ trong cảm ứng từ
r
trường ngoài B thì trường hiệu dụng tác dụng lên mômen từ spin của nguyên tử sắt
r r r r
là B + Bz = B + μ0 λ M . Lí thuyết sắt từ là lí thuyết lượng tử về vật thuận từ trong đó
r
độ từ hoá M của vật thuận từ trong trường hợp tổng quát phụ thuộc vào số lượng
r
tử mômen từ toàn phần J, độ từ hoá M của vật sắt từ chỉ phụ thuộc vào số lượng
tử spin S. Từ trường tác dụng lên mômen từ nguyên tử trong vật thuận từ là cảm
r
ứng từ trường ngoài B , còn từ trường tác dụng lên mômen từ spin của nguyên tử
r r
trong vật sắt từ là cảm ứng từ trường hiệu dụng B + Bz . Việc đưa vào trường phân
r r r
tử Vâyxơ Bz với giả thiết Bz = μ0 λ M để mô tả các hiện tượng sắt từ tương đương
với giả thiết trong vật sắt từ tồn tại các mômen từ nguyên tử định hướng song song
r
và tương tác với nhau. Thực ra, trong vật sắt từ không tồn tại một trường nội Bz
r r r
nào cả. Tuy nhiên việc đưa vào trường phân tử Bz với giả thiết Bz = μ0 λ M như
vậy cho phép khảo sát các tính chất từ của vật sắt từ một cách thuận lợi.
Nếu trong công thức lượng tử xác định độ từ hoá M của vật thuận từ:
gμ B jB
M = ngμ B jB(a ), a =
kT
r r r
ta thay j → S và B → B + Bz thì ta nhận được công thức tính độ từ hoá M của
vật sắt từ trong từ trường ngoài:
M = n g μB S B (a) (6-94)
Trong đó:
2S + 1 ⎛ 2S + 1 ⎞ 1 ⎛ a ⎞
B(a ) = cth ⎜ a ⎟ − cth ⎜ ⎟ (6-95)
2S ⎝ 2S ⎠ 2S ⎝ 2S ⎠
 gμ B S
a= (B z + B) = gμ BS (μ 0 λM + B) (6-96)
kT kT
khi a → ∞ (khi T → 0K hay B → ∞) thì B (a) → 1 và ta có:
M (T→ 0) = M (0) = ngμB S.(6-97)
Khi a << 1 ta tìm được:

B(a ) ≈
(S + 1) a = (S + 1)gμ B (μ λM + B ) (6-98)
0
3S 3kT

⎧ 2S + 1 ⎛ 2S + 1 ⎞ 1 ⎛ a ⎞⎫
M= n g μ BS B (a ) = n g μ BS ⎨ cth ⎜ a ⎟ − cth ⎜ ⎟ ⎬
⎩ 2S ⎝ 2S ⎠ 2S ⎝ 2S ⎠ ⎭ (6-99)
μ gμ Sλ
a= 0 B M
kT

Hình 6.5
Để xác định M (T)/ M (0) ta dùng đồ thị. Trên hình 6.5 đồ thị (1) biểu diễn
M (T ) M (T )
đường cong = B(a ) và đồ thị (2) biểu diễn đường thẳng = atgα trong đó:
M (0) M (0)
kT kT
tgα = = (6-100)
M (0)μ 0 gμ BSλ μ 0 ng 2μ 2BS2λ

là hệ số góc của đường thẳng. Khi α = α 0 ứng vớiđường cong tại gốc toạ độ
M (T )
O. Ở nhiệt độ T cho trước, giá trị độ từ hoá tự phát tương đối được xác định
M (0)
bằng giao điểm của đường cong (1) và đường thẳng (2). Ở nhiệt độ T với T < Tc (α
< α0), đường thẳng (2) chỉ cắt đường cong (1) tại một điểm. Điểm này xác định
M (T )
≠ 0. Vậy khiT < Tc thì tồn tại độ từ hoá tự phát và vật là sắt từ. Khi T ≥ Tc
M (0)
π
(α ≤ α ≤ ) thì các đường thẳng ứn với những nhiệt độ T khác nhau luôn luôn đi
2
 M (T )
qua gốc toạ độ. Khi đó = 0 hay M (T) =0. Kết quả này cho thấy khi T ≥ Tc thì
M (0)
độ từ hoá tự phát bằng không và vật trở thành vật thuận từ. Nhiệt độ T = Tc gọi là
nhiệt độ Quy – ri. Khi T < Tc thì vật là vật sắt từ và khi T ≥ Tc vật ở trạng thái sắt từ
sang trạng thái thuận từ và ngược lại.
Để xác định λ ta chú ý rằng khi B = 0 và T → Tc thì M → 0 và a → 0 . Khi đó ta
có:

B(a ) ≅
(S + 1) a = (S + 1) . gμ BS μ λM
0
3S 3S kTc
nS(S + 1)g 2 μ 2B
M = ngμ BSB(a ) ≈ μ 0 λM
3kTc

Từ đây suy ra:

3kTc
λ= (6-101)
μ 0 nS(S + 1)g 2μ 2B

Dùng giá trị của Tc được xác định từ thực nghiệm, ta tính được λ. Kết hợp (6-
101) với (6-97) và (6-99), ta có:
gμ BS 3S M (T ) Tc
a= μ 0 λM = .
kT (S + 1) M (0) T
Phương trình
M (T ) 3S M (T ) Tc
= B (0) với a = . (6-102)
M (0) (S + 1) M (0) T
M (T ) T
Xác định sự phụ thuộc của độ từ hoá tự phát tương đối vào . Hình
M (0) Tc
M (T ) T 1
6.6 biểu diễn sự phụ thuộc của vào đối với S =
M (0) Tc 2

Bảng dưới đây cho giá trị nhiệt độ Quyri của các vật sắt từ:
 Hình 6.6
Ở trên nhiệt độ Quyri (T > Tc), khi B ≠ 0 và a << 1, theo (6-98), ta có:

nS(S + 1)g 2μ 2B
M= (μ 0λM + B)
3kT
Vì μ0M = χ B nên ta có:
C
χ= (6-103)
T − Tc

với

μ 0 ng 2μ 2BS(S + 1)
C= (6-104)
3k
Từ đó ta thấy χ-1 tỉ lệ với T – Tc. Điều này phù hợp với thực nghiệm ở nhiều
vật sắt từ ở trên nhiệt độ Quyri. Tuy nhiên, một cách chính xác thì χ-1 ~ (T - Tt)
trong đó Tt sai khác với Tc hàng chục độ. Thí dụ với Fe thì Tc = 1043K, còn Tt =
1101K; với Co, Tc = 1393, Tt = 1403K ÷ 1428K; với Ni, Tc = 631K, Tt = 650K.
7. TƯƠNG TÁC TRAO ĐỔI, MẪU HAIĐENBEC (HEISENBERG)
Để dẫn đến khái niệm tương tác trao đổi, ta khảo sát bài toán hêli. Nhờ tương
tác trao đổi giữa các êlectrôn mà ta giải thích được bản chất của các hiện tượng
sắt từ. Vì khối lượng của hạt nhân hêli rất lớn so với khối lượng của các êlectrôn
cho nên trong bài toái này ta coi hạt nhân của hêli đứng yên. Điện tích của hạt nhân
hêli bằng +2e, điện tích của êlectrôn bằng – e, khoảng cách từ hạt nhân hêli đến
r r
êlectrôn thứ i (i =1,2) là ri, khoảng cách giữa hai êlectrôn là r12 = r21= r = r2 − r1 .
Phương trình Srôđingơ ở trạng thái dừng đối với hệ hai êlectrôn của nguyên tử hêli
khi không tính đến ảnh hưởng của spin có dạng:
∧ r r r r
H Φ( r1 , r2 ) = EΦ( r1 , r2 ) (6-105)
 ∧ ∧
trong đó H là toán tử Haminton và E là năng lượng của hệ. Toán tử H của hệ
có thể viết:
∧ ∧ ∧
H = H0 + U (6-106)
trong đó :
∧ ∧ r ∧ r ∧ r h 2 2 2e 2 ∧ e2
H 0 = H ( r1 ) + H 0 ( r2 ), H 0 ( ri ) = − ∇i − (i = 1,2), U = (6-107)
2m ri r
∧ r
Toán tử H 0 ( ri ) là toán tử Haminton của êlectrôn thứ i (i = 1,2) trong trường hạt
∧
nhân hêli, toán tử U là thế năng lượng tương tác giữa hai êlectrôn được khảo sát
như nhiễu loạn.
r ∧ r
Gọi Ψn ( ri ) là hàm riêng của H 0 ( ri ) tương ứng với giá trị riêng En, ta có:
∧ r r r
H 0 (ri )Ψn ( ri ) = E n Ψn (ri ) i = 1,2 (6-108)
r r r r r r r r
Các hàm sóng Φ10 ( r1 , r2 ) = Ψn (r1 )Ψm (r2 ) , Φ 02 ( r1 , r2 ) = Ψn ( r2 )Ψm ( r1 ) đều là hàm
∧ ∧ r ∧ r
riêng của toán tử H 0 = H 0 (r1 ) + H 0 ( r2 ) , ứng với một trị riêng E0 = En + Em.
∧ r r r r r r
H 0 Φ10 (r1 , r2 ) = (E n + E m )Φ10 (r1 , r2 ) = E 0Φ10 (r1 , r2 )
(6-109)
∧ r r r r r r
H 0 Φ 02 (r1 , r2 ) = (E n + E m )Φ 02 (r1 , r2 ) = E 0Φ 02 (r1 , r2 )

Mức năng lượng E0 ứng với hàm sóng Φ10 và Φ 02 do trao đổi vị trí giữa hai
êlectrôn cho nhau (suy biến bậc hai). Trong gần đúng bậc không, hàm sóng của hệ
r r
haiêlectrôn Φ 0 (r1 , r2 ) được tìm dưới dạng tổ hợp tuyến tính của Φ10 và Φ 02 .
r r r r r r
Φ ( r1 , r2 ) = C1Φ10 (r1 , r2 ) + C 2Φ 02 ( r1 , r2 ) (6-110)

Phương trình Srôđingơ được viết lại như sau:

{ }
∧ r r ∧ ∧
H 0 Φ ( r1 , r2 ) = C1 H Φ10 + C 2 H Φ 02 = E C1Φ10 + C 2 Φ 02 (6-111)

Đặt E = E0 + E’ và dùng các phương trình :

∧ ⎛∧ ∧⎞ ∧
H Φ10 = ⎜⎜ H 0 + U ⎟⎟Φ10 = E 0Φ10 + U Φ10
⎝ ⎠
(6-112)
∧ ⎛∧ ∧⎞ ∧
H Φ 02 = ⎜⎜ H 0 + U ⎟⎟Φ 02 = E 0Φ 02 + U Φ 02
⎝ ⎠
ta có:
 ∧ ∧ ⎛ ∧ ∧ ⎞
C1 U Φ10 + C 2 U Φ 02 = E , ⎜⎜ C1 U Φ10 + C 2 U Φ 02 ⎟⎟ (6-113)
⎝ ⎠
r r
Nhân về phái trái cả hai vế của phương trình này với Φ *i0 ( r1 , r2 ) (i = 1,2) rồi
r r
tích phân theo r1 , r2 và chú ý:
r r r r r r
∫ Φ i (r1, r2 )Φ k (r1, r2 )d r1dr2 = δik , i, k = 1,2
0 0
(6-114)

ta tìm được:
U11C1 + U12C2 = E’ C1
U21C1 + U22C2 = E’ C2
Hay:

( )
⎧⎪ U11 − E ' C1 + U12C 2 = 0
(6-115)
⎨
( )
⎪⎩ U 21C1 + U 22 − E ' C 2 = 0

Ở đây:
∧ r r r 2 e2 r r r
U11 = ∫ Φ UΦ d r1d r2 = ∫ Ψn ( r1 )
*0
1
0
1 Ψm ( r2 ) d r1d r2
r
∧
0 r r r 2 e2 r r r
U 22 = ∫ Φ 2 UΦ 2 d r1d r2 = ∫ Ψn ( r2 )
*0
Ψm ( r1 ) d r1d r2
r (6-116)
2
0 r r * r * r e r r r r
∧
U12 = ∫ Φ1 UΦ 2 d r1d r2 = ∫ Ψn ( r1 )Ψm ( r1 ) Ψn* ( r2 )Ψm* ( r2 )d r1d r2
*0

r
2
0 r r * r * r e r r r r
∧
U 21 = ∫ Φ 2 UΦ1 d r1d r2 = ∫ Ψm ( r1 )Ψn ( r1 ) Ψn* ( r2 )Ψm* ( r2 )d r1d r2
*0

r r
Khi thay biến số của tích phân r1 r1 thì tích phân không thay đổi. Vì vậy ta có:

U11 = U22 ≡ K, U12= U21 ≡ J (6-117)

⎧(K − E ' )C1 + JC 2 = 0
⎨ (6-118)
⎩JC1 + (K − E )C 2 = 0
'

Để hệ phương trình có nghiệm khác không thì định thức sau đây phải bằng
không:
(K - E) J
=0 (6-119)
J (K - E)

hay (K – E’)2 – J2 = 0. Từ đây suy ra:

E’ = K ± J (6-120)
 Nghiệm E’ = K + J ứng với C1 = C2 và nghiệm E’ = K – J ứng với C1 = - C2. Có
hai trường hợp xảy ra đối với hàm sóng và năng lượng của hai êlectrôn trong
nguyên tử hêli:
Khi E’ = K + J :
r r r r
( ) r r r r
Φ1 ( r1 , r2 ) ≡ Φ1 ( r1 , r2 ) = C1 Φ10 + Φ10 = C1{Ψn ( r1 )Ψm ( r2 ) + Ψn (r2 )Ψm (r1 )}

E1 = E 0 + E’ = E 0 + K + J (6-121)
Khi E’= K – J
Φ 2 ( r1 , r2 ) ≡ Φ a ( r1 , r2 ) = C1 (Φ10 − Φ10 ) = C1 {Ψn ( r1 )Ψm ( r2 ) − Ψn ( r2 )Ψm ( r1 )}
r r r r r r r r

E 1 = E 0 + E’ = E 0 + K + J (6-122)
r r r r r r
Hàm Φ S (r1 , r2 ) = Φ S ( r2 , r1 ) là đối xứng với phép hoán vị r1 cho r2 còn hàm
r r r r r r
Φ a ( r1 , r2 ) = −Φ a ( r2 , r1 ) là phản đối xứng đối với phép hoán vị r1 cho r1 . Từ điều kiện
1
chuẩn hoá của các hàm sóng Φ S và Φ a ta tìm được C1= .
2
Bây giờ ta xét ý nghĩa của tích phân K và tích phân J. Chú ý rằng
r 2 r r 2
ρ(r1 ) = −e Ψn ( r1 ) là mật độ điện tích của êlectrôn ở điểm r1 , ρ(r2 ) = −e Ψm (r2 ) là mật
r r r
độ điện tích của êlectrôn ở điểm r2 và r = r1 − r2 cho nên tích phân K là năng lượng
tương tác tĩnh điện (tương tác Coulomb)giữa các êlectrôn trong nguyên tử hêli.
Tích phân J không có ý nghĩa như tích phân K, nó cũng là năng lượng tương
tác điện giữa các êlectrôn nhưng không giống như tương tác tĩnh điện thông
thường mà chúng ta đã biết trong vật lí cổ điển. Sự xuất hiện đại lượng mới J gắn
liền với việc trao đổi chỗ giữa cá hạt đồng nhất (các êlectrôn ) trong cơ học lượng
tử và do đó không thể tính được J trong phạm vi vật lí cổ điển. Tích phân J gọi là
tích phân trao đổi và phần năng lượng ± J gọi là năng lượng trao đổi. Tuỳ thuộc
vào sự địnhhướng của các spin của hai êlectrôn mà ta có năng lượng trao đổi bằng
+ J hay bằng – J. Ta hãy khảo sát vấn đề này một cách cụ thể hơn. Từ cơ học
lượng tử ta biết rằng, hàm sóng của hệ hạt Fermion đồng nhất là hàm sóng phản
1
đối xứng. Êlectrôn có spin bằng thuộc vào loại hạt Fermion nên hàm sóng hệ hai
2
hạt êlectrôn là hàm sóng phản đối xứng. Để đặc trưng cho chuyển động của
êlectrôn ngoài ba toạ độ x, y, z còn thêm một biến số thứ tư là hình chiếu spin sz =

ms h⎛⎜ m s ± 1 ⎞⎟ . Ta kí hiệu tập hợp bốn biến số xi, yi, zi, siz đặc trưng cho chuyển động
⎝ 2⎠
của êlectrôn thứ i là ξi(i = 1,2). Hàm sóng Ψ của hệ hai êlectrôn là hàm sóng phản
đối xứng, có nghĩa là:
Ψ (ξ1 , ξ2) = - Ψ (ξ2 , ξ1) (6-123)
 Nếu bỏ qua sự tương tác từ do các mômen từ của các êlectrôn gây nên thì
phân bố xác suất theo toạ độ không gian sẽ không phụ thuộc vào sự định hướng
của các spin, do đó hàm sóng Ψ (ξ1 , ξ2) bằng tích các hàm sóng phụ thuộc vào các
toạ độ không gian và phụ thuộc vào các hình chiếu spin:
r r
Ψ (ξ1 , ξ 2 ) = Φ( r1 , r2 )χ(s1z , s 2 z ) (6-124)
r r
Hàm sóng Ψ (ξ1 ,ξ2 ) là hàm phản đối xứng, cho nên khi Φ (r1 , r2 ) là hàm đối
xứng thì hàm sóng spin χ(s1z , s 2 z ) phải là hàm phản đối xứng, và ngược lại, khi
r r
Φ (r1 , r2 ) là hàm phản đối xứng thì hàm χ(s1z , s 2 z ) phải là hàm đối xứng. Hàm sóng
của hệ hai êlectrôn Ψ (ξ1 ,ξ2 ) có thể có các trường hợp sau:
r r
Ψ (ξ1 , ξ2 ) = Φ s ( r1, r2 )χa (s1z , s2 z ) (6-125)
r r
Ψ (ξ1 , ξ2 ) = Φ a ( r1 , r2 )χs (s1z , s 2 z ) (6-126)
r r r r r r r r
Ở đây Φ s ( r1 , r2 ) = Φ s ( r2 , r1 ) ; χ a (s1z , s 2 z ) = − χa (s 2 z , s1z ) ; Φ a (r1 , r2 ) = −Φ a (r2 , r1 ) ;

χs (s1z , s 2 z ) = χs (s 2 z , s1z ) .

Khi spin của hai êlectrôn định hướng song song cùng chiều ↑↑ (spintoàn phần
của hệ hai êlectrôn S = 1) thì hàm sóng spin là hàm sóng đối xứng χs. Khi đó hàm
r r
sóng của toạ độ phải là hàm sóng phản đối xứng Φ a ( r1 , r2 ) và năng lượng của hệ
hai êlectrôn là E2 = E0 + K – J. Ngược lại khi spin của hai êlectrôn định hướng song
song ngược chiều ↑↓ (spin toàn phần của hệ hai êlectrôn S = 0) thì hàm sóng spin
là hàm sóng phản đối xứng χa, hàm sóng của toạ độ là hàm sóng đối xứng
r r
Φ s ( r1 , r2 ) và năng lượng của hệ hai êlectrôn là E1 = E0 + K + J. Như vậy sự thay đổi
cách định hướng các spin của hai êlectrôn làm cho năng lượng trao đổi thay đổi
dấu.
Trạng thái của hệ hai êlectrôn càng bền vững khi hai êlectrôn ở mức năng
lượng càng thấp. Nếu J > 0 thì E2 < E1, hệ hai êlectrôn sẽ ở trạng thái năng lượng
E2 cóhai spin định hướng song song cùng chiều (↑↑). Ngược lại, nếu J < 0 thì E1 <
E2, hệ hai êlectrôn sẽ ở trạng thía năng lược E1 có hai spin định hướng song song
ngược chiều (↑↓). Khi hai spin của hai êlectrôn định hướng song song cùng chiều
thì hai mômen từ spin của chúng cũng định hướng song song cùng chiều và khi hai
spin của hai êlectrôn định hướng song song ngược chiều thì hai mômen từ spin
của chúng cũng định hướng song song ngược chiều là J <0. Kết luận này làm cơ
sở để giải thích bản chất của hiện tượng sắt từ và phản sắt từ mà ta sẽ trình bày
dưới đây. Ở trên ta đã khảo sát bài toán về tương tác trao đổi giữa hai êlectrôn
trong nguyên tử hêli. Khi nghiên cứu về tương tác trao đổi giữa hai êlectrôn trong
phân tử hidrô chúng ta cũng có kết luận như vậy. Bài toán về tương tác trao đổi
giữa hai êlectrôn với năng lượng trao đổi bằng ± j mang tính chất tổng quát không
phụ thuộc vào hai êlectrôn có ở cùng một nguyên tử hay không. Gọi Jij là tích phân
trao đổi giữa các êlectrôn của các nguyên tử i và j trong tinh thể. Ở không độ tuyệt
đối, nếu Jij > 0 thì các mômen từ spin của các êlectrôn trong các nguyên tử i và j
định hướng song song cùng chiều và vật là vật sắt từ còn nếu Jij < 0 thì các mômen
từ spin của các êlectrôn của nguyên tử i và j định hướng song song ngược chiều
và vật là vật phản sắt từ.
Để nghiên cứu lí thuyết lượng tử về sắt từ, đầu tiên ta khảo sát lí thuyết sắt từ
trong gần đúng giả cổ điển. Khi đó ta coi các toán tử spin của các êlectrôn ở trong
r r r r
các nguyên tử i, j bất kì của tinh thể như những vectơ spin si = hσ i , s j = hσ j định
hướng song song cùng chiều hay song song ngược chiều. Độ lớn của
σ i2 và σ 2j được xác định bằng công thức:

1⎛1 ⎞ 3
σ i2 = σ 2j = s(s + 1) = ⎜ + 1⎟ = (6-127)
2⎝2 ⎠ 4

Ta xét bình phương của tổng σ i2 + σ 2j :

(σr
+ σ j ) = σ i2 + σ 2j + 2σ i2 σ 2j = + + 2σ i σ j = s(s + 1)
r 2
i
3 3 r r
4 4
r r
trong đó s là spin tổng cộng của hệ hai êlectrôn. Khi σ i và σ j định hướng song
r r
song cùng chiều thì s = 1 và khi σ i , σ j định hướng song song ngược chiều thì s = 0.
Vậy ta có:
⎧ 3
− khi s = 0
r r 1⎧ 3 ⎫ ⎪⎪ 4
σ i σ j = ⎨s(s + 1) − ⎬ = ⎨ (6-128)
2⎩ 2⎭ ⎪1
⎪⎩ 4 khi s = 1

Phần năng lượng trao đổi giữa các êlectrôn ở trong các nguyên tử i và j được
viết chung dưới dạng:
1 r r
Wij = ± J ij = − J ij − 2J ijσi σ j (6-129)
2
Năng lượng trao đổi của các êlectrôn trong toàn bộ tinh thể của vật sắt từ sẽ
là:
1 '
W= ∑ Wij = C + H
2 ij

trong đó tổng theo i và j lấy theo tất cả các nguyên tử của vật sắt từ, dấu phẩy
nằm trên dấu tổng kí hiệu tổng lấy với i ≠j.
1 '
C=− ∑ J ij = const và
4 ij
r r
H = − ∑ ' J ijσi σ j (6-130)
i, j
 là phần năng lượng trao đổiphụ thuộc vào sự định hướng của các spin của
các êlectrôn . Với độ chính xác đến một hằng số cộng (hằng số C), khi nghiên cứu
lí thuyết về sự định hướng các mômen từ spin của các êlectrôn trong vật từ ta chỉ
dùng phần năng lượng trao đổi H.
Chuyển từ lí thuyết giả cổ điển đến lí thuyết lượng tử của vật từ, ta thay các
r r r ∧ r ∧
vectơ σ i , σ j bằng các toán tử σ i = si / h, σ j = s j/ h . Khi đó hàm H chuyển thành toán
∧ ∧ ∧ ∧ ∧
tử Haminton H của vật từ. Nếu chọn đơn vị đo spin là h thì σ i = s i ; σ j = s j và toán
∧
tử H có dạng:
∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧
H = − ∑ ' J ij s i s j = − ∑ J ij s i s j − ∑ J ij s i s j (6-131)
i, j i, j i, j
i> j i< j

Nếu trong tổng thứ hai ta thay chỉ số lấy tổng i j và chú ý rằng Jij = Jji, ta có:
∧ ∧ ∧ ∧ ∧
H = −∑ ' J ij Si S j = −∑ 2J ij s i s j (6-132)
i, j i, j
i> j

Mẫu sắt từ mà tương tác trao đổi được mô tử bằng toán tử Haminton này gọi
∧ ∧
là mẫu sắt từ Haizenbec. Trong trường hợp tổng quát, các toán tử Si , S j trong toán
∧
tử H của mẫu sắt từ Haizenbec là toán tử tổng cộng các toán tử spin của các
êlectrôn trong nguyên tử i và j của vật sắt từ. Mẫu sắt từ Haizenbec là mẫu êlectrôn
định xứ trong các nguyên tử sắt từ, vì vậy mẫu này chỉ áp dụng tốt cho các vật sắt
từ điện môi. Đối với các kim loại sắt từ như Fe, Co, Ni v.v.. ngoài những êlectrôn từ
ở các lớp dới 3d chưa làm đầy, định xứ trong các nguyên tử, còn có các êlectrôn
dẫn. Tương tác giữa các êlectrôn định xứ trong các nguyên tử và các êlectrôn dẫn
cũng có ảnh hưởng đến tính chất từ của các kim loại sắt từ.
Mặc dù mẫu sắt từ Haizenbec còn có những hạn chế, song dùng mẫu này ta
giải thích được nhiều tính chất cơ bản của vật sắt từ. Bây giờ dùng mẫu sắt từ
Haizenbec ta xác định nhiệt độ Quyri của vật sắt từ phụ thuộc vào tích phân trao
đổi Jij. Thuận lợihơn cả ta xét bài toán trong gần đúng giả cổ điển. Vectơ mômen từ
r r
M j liênhệ với vectơ spin σ j của nguyên tử j được xác định bằng công thức:
r
r gμ BS j
= gμ B σ j , M j = g S j (S j + 1)μ B
r
Mj = (6-133)
h
r
Năng lượng tương tác giữa mômen từ M j với cảm ứng từ trường ngoài là
r r r
B là − M jB , năng lượng tương tác giữa các mômen từ spin của vật sắt từ với cảm
ứng từ trường ngoài sẽ là:
 r r r r
− ∑ M j B = −gμ B ∑ σ j B (6-134)
j j

Năng lượng toàn phần của vật từ đặt trong từ trường ngoài có dạng:
r r r r
H = − ∑ 2J ijσi σi − ∑ gμ Bσ i B i > j (6- 135)
ij j

hay:

r
Ta đưa vào cảm ứng từ trường nội Bz (trường phân tử Vâyxơ) như sau:

r 2J ij r
Bz = ∑ 2 2 M i i > j (6-137)
i g μB

Khi đó ta có:
( )
r r r
H ≈ − ∑ M j Bz + B (6-138)
i

Ta xác định thông số λta tìm được nhiệt độ Quyri phụ thuộc vào jij. Khi nhiệt độ
gần không độ tuyệt đối thì tất cả cá mômen từ spin định hướng song song cùng
r r
chiều sao cho mỗi nguyên tử có một mômen từ spin trung bình M i = M .
r
Trường nội Bz bây giờ có thể viết:

r 2J ij r r
Bz = ∑ 2 2 M = μ 0 λ n M , i > j (6-139)
i g μB

trong đó n là số nguyên tử sắt từ trong một đơn vị thể tích. Từ hệ thức này ta
có:
2
λ= ∑ J ij , i > j (6-140)
μ 0 g 2μ 2Bn i

Mặt khác mối liên hệ giữa λ và Tc được xác định bằng công thức (6-101):
So sánh các biểu thức của λ ta tìm được:
2S(S + 1)
kTc =
3
∑ J ij , i >j (6-141)
i

Công thức này cho mối liênhệ giữa nhiệt độ Quyri Tc và tích phân trao đổi Jij.
Nếu Ji j= 0 thì Tc = 0 nghĩa là vật không phải là vật sắt từ. Như vậy, bản chất của
hiện tượng sắt từ là do tương tác trao đổi, với Jij > 0. Gọi J là tích phân trao đổi của
một cặp nguyên tử gần nhau nhất và gần đúng coi rằng Jij ≈ 0 khi các nguyên tử i
và j ở xa nhau (không gần nhau nhất), ta có:
2S(S + 1)
kTc = ZJ (6-142)
3
trong đó Z là số nguyên tử gần nhất bao quanh một nguyên tử bất kì đã cho
của tinh thể (số phối vị). Đối với kim loại sắt từ Fe thì S ≈ 1, Z = 8, Tc = 1043K, kTc
= 0,09 eV ≈ 0,1 eV. Khi đó ta có:
3 1
J= kTc ≈ 0,01eV
2 S(S + 1)Z
8. SÓNG SPIN
Toán tử Haminton của vật sắt từ khi không có từ trường ngoài có dạng:

∧ ∧ ∧ ⎧⎪∧ z ∧ z 1 ⎛ ∧ + ∧ − ∧ − ∧ + ⎞ ⎫⎪
H = −∑ '
J ij Si Si = −∑ '
J ij ⎨Si S j + ⎜ Si S j + Si S j ⎟ ⎬ (6-143)
⎪⎩ 2⎜ ⎟⎪
ij ij ⎝ ⎠⎭
Ở đây:
∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧
+ x y − x y
S = S + iS , S = S − iS (6-144)
∧ ∧ ∧
x
và S , S y , S z là những toán tử hình chiếu spin trên các trục toạ độ x, y, z. Gọi
∧
χ(ms)là hàm riêng và mz là trị riêng tương ứng của toán tử S z ta có:

Sˆ z (ms ) = ms χ (ms ) , ( h =1) (6-145)

Ở đây ms = S, S-1, S-2 … -S (giá trị lớn nhất của ms là S và giá trị bé nhất của
S là -S)
∧ ∧ ∧
x
Các toán tử hình chiếu spin S , S y , S z thỏa mãn các hệ thức giao hoán:
⎧Sˆ x Sˆ y − Sˆ y Sˆ x = iSˆ z
⎪⎪ y z
⎨Sˆ Sˆ − Sˆ Sˆ = iSˆ (6-146)
z y x

⎪ ˆz ˆx ˆx ˆz
⎪⎩S S − S S = iSˆ
y

Dùng các hệ thức giao hoán này, dễ dàng nghiệm thấy rằng:
Sˆ z Sˆ + − Sˆ + Sˆ z = Sˆ + (6-147a)

Sˆ z Sˆ − − Sˆ − Sˆ z = − Sˆ − (6-147b)

Sˆ 2 = Sˆ − Sˆ + + Sˆ z + Sˆ z
2
(6-147c)
Nếu là hàm riêng của tương ứng với trị riêng () thì ta có:
 ∧ ⎧ ∧ ⎫⎪ ⎛ ∧ ∧ ∧ ⎞ ⎧⎪ ∧ ⎫⎪
z⎪ +
S ⎨S χ(m s )⎬ = S S + S χ(m s ) = (m s + 1)⎨S + χ(m s )⎬
⎜ + z +⎟
⎪⎩ ⎪⎭ ⎜⎝ ⎟
⎠ ⎪⎩ ⎪⎭
(6-148)
∧ ⎧ ∧ ⎫⎪ ⎛ ∧ ∧ ∧ ⎞ ⎧⎪ ∧ ⎫⎪
z⎪ −
S ⎨S χ(m s )⎬ = S S − S χ(m s ) = (m s − 1)⎨S − χ(m s )⎬
⎜ − z −⎟
⎪⎩ ⎪⎭ ⎜⎝ ⎟
⎠ ⎪⎩ ⎪⎭

∧ ∧
Như vậy, hàm S χ(ms ) trùng với hàm riêng của S tương ứng với trị riêng (ms
+ z

∧ ∧
+ 1) và hàm S χ(ms ) trùng với hàm riêng của S tương ứng với trị riêng (ms- 1):
− z

⎧ ∧
⎪χ(m s + 1) = S + χ(m s )
⎨ (6-149)
∧
⎪
⎩χ(m s − 1) = S χ(m s )
−

Vì giá trị lớn nhất của ms là S nên không tồn tại hàm sóng spin ứng với ms =
S+1. Vì vậy ta phải có:
∧
χ(S + 1) = S χ(S) ≡ 0
+
(6-150)

Lập luận tương tự, vì S là giá trị bé nhất của ms, nên không tồn tại trạng thái
ứng với ms = - S - 1 nghĩa là
∧
χ(− S − 1) = S χ(− S) ≡ 0
−
(6-151)

Ở nhiệt độ không tuyệt đối (T = 0K), vật sắt từ ở trạng thái cơ bản. Trong
trạng thái này tất cả spin của các nguyên tử định hướng song song cùng chiều dọc
theo trục z với ms = S (hình 6.7)

Hình 6.7
∧ ∧
Chú ý rằng S χ(S) = Sχ(S) và S χ(S) = 0 ta có:
z +

∧ ⎧⎪∧ z ∧ z 1 ⎛ ∧ + ∧ − ∧ − ∧ + ⎞ ⎫⎪
H χo = −∑ '
J ij ⎨Si S j + ⎜ Si S j + Si S j ⎟ ⎬χ o = E o χ o (6-152)
⎪⎩ 2⎜ ⎟⎪
ij ⎝ ⎠⎭
trong đó:
 χo =χ1(S) χ2(S)…χi (S)…χj(S)… χN (S)
(6-153)
là hàm sóng của hệ spin sắt từ ở trạng thái cơ bản và

E o = − ∑ ' J ijS2 (6-154)

ij

là năng lượng của hệ spin sắt từ ở trạng thái cơ bản.

Bây giờ chúng ta khảo sát trạng thái kích thích gần trạng thái cơ bản của vật
sắt từ.
Như chúng ta đã biết trong lí thuyết dao động mạng, nếu có một nguyên tử
trên một nút mạng nào đó bị lệch khỏi vị trí cân bằng của mình thì do tương tác đàn
hồi giữa các nguyên tử trong tinh thể mà sự lệch khỏi vị trí cân bằng này của
nguyên tử được lan truyền từ nút này đến nút khác trong tinh thể. Như vậy, trong
tinh thể có một sóng đàn hồi lan truyền và lượng tử của sóng này là một loại chuẩn
hạt gọi là phônôn. Tương tự, khi nhiệt độ thấp gần nhiệt độ không tuyệt đối, nếu có
một spin ở một nguyên tử nào đó trên nút mạng bị lệch khỏi phương trục z thì do
tương tác trao đổi giữa các nguyên tử trong tinh thể mà sự lệch của spin khỏi
phương z này được lan truyền từ nguyên tử này đến nguyên tử khác trong tinh thể
(hình 6.8a và b). Trong vật sắt từ có một dạng sóng spin lan truyền. Lượng tử của
sóng spin này là một loại chuẩn hạt khác gọi là macnôn (magnon). Ta hãy xác định
năng lượng của macnôn và số hạt macnôn ở vùng nhiệt độ thấp gần nhiệt độ
không tuyệt đối.

Hình 6.8
Ở trạng thái cơ bản, hình chiếu spin trên trục z là lớn nhất và bằng S. Trong
trường hợp tổng quát, hình chiếu spin trên trục z được viết dưới dạng:
ms = S – n với n = 0,1, 2, 3, …, 2S (6-156)
Giá trị n = 0 tương ứng với trường hợp spin nguyên tử không bị lệch khỏi
phương z còn các giá trị n = 1, 2, 3, …, 2S tương ứng với sự tăng độ lệch khác
nhau của spin đối với trục z để cho hình chiếu spin trên trục z giảm dần: S, S – 1, S
– 2,S - 3 ,…. – S. Như vậy số n đặc trưng cho sự lệch của spin khỏi trục z, giá trị
của n càng lớn thì sự lệch spin khỏi trục z càng nhiều. Kí hiệu Φ(n) là hàm riêng
(hàm sóng spin) của toán tử s tương ứng với trị riêng (S – n ), ta có:
 Φ(n) = χ(S – n) = χ(ms) (6-157)
∧ ∧
z z
S Φ(n) = S χ(s – n) = (S – n) χ (s – n) = (S – n ) Φ(n) (6-158)
∧ ∧
+
Ta đưa vào toán tử huỷ hạt a và toán tử sinh hạt a liên hệ với sự giảm hay
tăng số n một đơn vị như sau:

⎧∧
⎪a Φ (n ) = nΦ (n − 1)
⎨∧ (6-159)
⎪ +
⎩a Φ (n ) = n + 1Φ (n + 1)
∧
Toán tử a tác dụng lên hàm Φ(n) cho ta hàm Φ(n – 1)
∧
Như vậy, toán tử a liên hệ với sự giảm số n một đơn vị và do đó liên hệ với
sự giảm độ lệch của spin từ trục z hay tăng hình chiếu spin trên z một đơn vị. Toán
∧ ∧
+ +
tử a tác dụng lên hàm Φ(n) cho ta hàm Φ(n + 1). Toán tử a liên hệ với sự tăng
số n lên một đơn vị và do đó làm tăng độ lệch của spin đối với trục z hay làm giảm
∧ ∧ ∧
+
hình chiếu spin trên trục z một đơn vị. Đặt n = a a , dễ dàng nghiệm thấy rằng:
∧ ∧ ∧ ∧
a. n Φ (n ) = a a Φ (n ) = n a Φ (n − 1) = n n Φ (n ) = nΦ (n )
+ +
(6-160)

⎛ ∧ ∧ ∧ ∧⎞ ∧ ∧
b. a a − a a Φ (n ) = a a + Φ (n ) − nΦ (n )
⎜ + + ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
∧
= n + 1 a Φ (n + 1) − nΦ (n ) (6-161)
= n + 1 n + 1Φ (n ) − nΦ (n ) = 1.Φ (n )

hay:
∧ ∧ ∧ ∧
+ +
aa −a a =1

∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ⎛ ∧ ∧⎞ ∧ ∧ ∧ ∧
+ + + + + + +⎜ + ⎟ + + +
c. n a − a n = a a a − a a a = a 1+ a a − a a a = a (6-162)
⎜ ⎟
⎝ ⎠

∧∧ ∧∧ ∧ ∧∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧∧ ⎛ ∧ ∧⎞ ∧ ∧
d. n a − a n = a a a − a a a = a a a − 1 + a + a ⎟ a = − a
+ + + ⎜ (6-163)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Nếu Φi(n) và Φj(n)là các hàm spin của các nguyên tử ở các nút i và j thì trong
∧ ∧+
trường hợp tổng quát ta đưa vào các toán tử a i và aj thoả mãn các hệ thức giao
hoán sau:
 ⎧ ∧ ∧+ ∧+ ∧
⎪ai a j − a j ai = δ ij
⎪⎪ ∧ ∧ ∧ ∧
⎨a i a j − a j a i = 0 (6-164)
⎪∧ + ∧ + ∧ + ∧ +
⎪a i a j − a j a i = 0
⎪⎩

Đây là hệ thức giao hoán của các toán tử sinh và các toán tử huỷ hạt đối với
hạt Bôzôn.
Bây giờ ta biểu diễn toán tử Haminton của vật sắt từ ở trạng thái kích thích
∧ ∧
+
qua các toán tử sinh a và các toán tử huỷ a đối với chuẩn hạt macnôn. Muốn vậy
∧ ∧ ∧ ∧ ∧
z + − +
ta cần biểu diễn các toán tử S , S và S qua a và a . Như ta đã biết:
∧
n Φ(n) = n Φ(n) (6-165)
∧ ∧
z
S Φ(n) = (S - n) Φ(n) = (S - n ) Φ(n) (6-166)
∧
z
Vậy toán tử S có thể viết dưới dạng:
∧ ∧ ∧ ∧
z +
S =S- n =S- a a (6-167)
∧ ∧
z
Đặt biểu thức S = S - n vào các hệ thức (6-147a) và (6- 147b) ta tìm được:
∧ ∧ ∧ ∧ ∧
+ + +
n S - S n = -S (6-168)
∧ ∧ ∧ ∧ ∧
− − −
n S - S n =S (6-169)
∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧
Giả sử α là một toán tử nào đó giao hoán được với toán tử n ( α n = n α ) thì
từ các hệ thức(6- 162)và (6-163), ta có:

⎛ ∧ ∧ ∧ ∧ ⎞ ∧ ∧⎛ ∧ ∧ ⎞ ⎛ ∧ ∧ ⎞ ∧ ∧ ∧
⎜ n a + − a + n ⎟ α = n⎜ a + α ⎟ − ⎜ a + α ⎟ n = a + α (6-170)
⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
∧ ⎛ ∧ ∧ ∧ ∧ ⎞ ∧⎛ ∧ ∧ ⎞ ⎛ ∧ ∧ ⎞ ∧ ∧∧
α⎜⎜ n a − a n ⎟⎟ = n⎜⎜ α a ⎟⎟ − ⎜⎜ α a ⎟⎟ n = − α a (6-171)
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
So sánh các hệ thức (6-170) với (6-169), (6-171) với (6-168) ta có thể viết:
∧ ∧∧ ∧ ∧ ∧
+ − +
S = αa , S =a α
 ∧ ∧ ∧ ∧
Toán tử α giao hoán với n nên chỉ phụ thuộc vào n . Toán tử α phải được
xác định sao cho:
∧ ⎛ ∧ ∧ ∧2 ∧ ⎞
S χ = ⎜ S − S + + Sz + Sz ⎟χ = S(S + 1)χ
2
(6-172)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
hay:
∧ ∧ ∧2 ∧ ∧ ∧ ∧ ∧⎞ 2 ∧⎞
⎛ ⎛
S S − +
+ Sz + Sz = a α a + ⎜⎜ S − n ⎟⎟ + ⎜⎜ S − n ⎟⎟ = S(S + 1)
+ 2
(6-173)
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Từ hệ thức này ta tìm được:
∧ ∧ ∧ ∧ ∧
a α a = (2S + 1) n − n
+ 2 2
(6-174)

∧ ∧
+
Nhân a về phía phải và a về phía tráicủa (6-174) thì:
∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧∧ ∧ ∧∧∧ ∧
a a α a a = (2S + 1) a n a − a n n a
+ 2 + + +

∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧
= (2S + 1) a a a a − a a a a a a
+ + + + +

∧ ∧ ∧ ∧ ∧
+ +
Chú ý rằng a a = 1+ a a = 1+ n ta có:
∧ ∧ 2 2 3
⎛ ∧⎞ 2⎛ ∧⎞ ⎛ ∧⎞ ⎛ ∧⎞ ⎛ ∧⎞
⎜⎜1 + n ⎟⎟ α ⎜⎜1 + n ⎟⎟ = α2 ⎜⎜1 + n ⎟⎟ = (2S + 1)⎜⎜1 + n ⎟⎟ − ⎜⎜1 + n ⎟⎟ (6-175)
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Từ đây suy ra:
∧
⎛ ∧⎞ ∧
α = (2S + 1) − ⎜⎜1 + n ⎟⎟ = 2S − n
2
(6-176)
⎝ ⎠
hay:

∧ ⎫ 12
∧ ⎧
1 2⎪ n⎪
α = (2S) ⎨1 − ⎬ (6-177)
⎪⎩ 2S ⎪⎭

Biết được các toán tử

∧ ⎫ 12
∧+ ⎧ ∧
⎪ n ⎪
Si = (2S)1 2 ⎨1 − i ⎬ ai (6-178)
⎪⎩ 2S ⎪⎭
 ∧ ⎫ 12
∧− ∧+ ⎧
1 2⎪ ni ⎪
Si = ai (2S) ⎨1 − ⎬ (6-179)
⎪⎩ 2S ⎪⎭

∧z ∧ ∧+ ∧
Si = S − ni = S − a i a i (6-180)
∧
Chúng ta có thể biểu diễn toán tử Haminton H của vật sắt từ qua các toán tử
∧+ ∧
sinh ai và các toán tử huỷ a i .

Khi nhiệt độ thấp, vật sắt từ ở trạng thái kích thích rất gần trạng thái cơ bản thì
n<< 2S và khi đó gần đúng ta có:
∧+ ∧ ∧− ∧+
Si ≈ (2S) 12
ai , Si ≈ (2S) 12
ai

∧ ⎧⎪⎛ ∧ + ∧ ⎞⎛ ∧+ ∧ ⎞ 1 ⎛ ∧ ∧ + ∧ + ∧ ⎞ ⎫⎪
H ≈ − ∑ J ij ⎨ S − a i a i S − a j a j + 2S⎜ a i a j + a i a j ⎟ ⎬
'⎜ ⎟ ⎜ ⎟
ij ⎪⎩⎜⎝ ⎟⎜
⎠⎝
⎟ 2 ⎜
⎠ ⎝
⎟⎪
⎠⎭ (6-181)
+ +
⎧⎪∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ∧ ⎫⎪ + +
= E 0 + ∑ ' SJ ij ⎨a i a i + a j a j − a i a j − a i a j ⎬
ij ⎪⎩ ⎪⎭

Ở đây E0 là năng lượng ở trạng thái cơ bản của vật từ. Trong biểu thức của
∧ ∧ ∧+
H , ta lấy tổng theo i và j với i ≠ j cho nên từ hệ thức giao hoán (6-164) ta có ai a j =
∧+ ∧ ∧ ∧+ ∧+ ∧ ∧
ai a j . Đặt a i a j = a i a j vào biểu thức của H , sau đó thay các chỉ số lấy tổng i cho j
và j cho i (ij) trong các tổng thứ hai và thứ ba của (6-181) ta viết được:

∧ ⎧⎪∧ + ∧ ∧ + ∧ ⎫⎪
H ≈ E0 + ∑ '
2SJ ij ⎨a i a i − a i a j ⎬ (6-182)
ij ⎪⎩ ⎪⎭

∧+ ∧
Các toán tử sinh ai và các toán tử huỷ a i theo các nút i của tinh thể được
biểu diễn dưới dạng:
⎧∧ 1 ∧ rr
a
⎪ i = ∑ q
N qr
a r e iq ri

⎪
⎨∧ + (6-183)
∧+ rr
⎪a i = 1 r − iq ' ri
⎪ ∑
N qr '
a q ' e
⎩
trong đó N là số nút của tinh thể.
Dùng hệ thức:
 1 N ± i (qr − qr ' )rri ⎧0
∑
N i =1
e = δqrqr ' = ⎨
⎩1
(6-184)

Ta có thể thực hiện phép biến đổi ngược lại:

∧
1 N −iqrrr ∧
a = ∑e ai
r
q
N i =1
i

∧+
1 N iqr 'rr ∧ +
a qr ' = ∑e ai
N i =1
i
(6-185)

Dễ dàng cho thấy trực tiếp rằng:

i (q −q ' ) r ⎛
∧+ ∧+ ∧ ∧ ∧+ ∧+ ∧ ⎞
∧
1 r r r
a a − a a = ∑e
r
q
r
q'
r
q' q
r
⎜⎜ a i a j − a j a i ⎟⎟ i

N ij ⎝ ⎠ (6-186)
1 r r r 1 r r r
= ∑ e i (q ' − q ) r δ ij = ∑ e i (q ' − q ) r = δ qrqr '
i i

N ij N ij

Chứng minh tương tự, ta nhận được:

∧+ ∧+ ∧+ ∧+ ∧ ∧ ∧ ∧
a qr a qr ' − a qr ' a qr = 0 , a qr a qr ' − a qr ' a qr = 0 (6-187)
r r r
Tích phân trao đổi Jij chỉ phụ thuộc vào rj − ri = h cho nên ta có thể viết Jij = Jji

r ∧ ∧ ∧+
= J ( h ). Đặt các biểu thức của a j , a i và a i từ (6-183) vào biểu thức của toán tử
∧ r r r r r r
H , sau đó thay rj = ri + h , thay tổng theo j bằng tổng theo h ( h ≠ 0 )và dùng hệ
thức (6-184) ta có:

( )[ ]⎫⎬ a
∧ ⎧ r rr ∧+ ∧
H = E 0 + ∑ ⎨∑ 2SJ h 1 − e iqh r
a
q qr (6-188)
q ⎩ h ≠0 ⎭
r r

hay:
∧ ∧
H = E 0 + ∑ εqr n qr (6-189)
r
q

∧ ∧+ ∧
trong đó n qr = a qr a qr là toán tử số hạt macnôn và
rr
()
r
ε qr ⎡
= r∑ 2SJ h 1 − e iqh ⎤
(6-190)
⎢⎣ ⎥⎦
h ≠0

là năng lượng của hạt macnôn.

 ∧
Trị riêng của toán tử số hạt macnôn n qr là n qr với nq = 0, 1, 2, 3,…Năng lượng
của sóng spin bằng:
E − E 0 = ∑ εqr n qr (6-191)
r
q

Chuẩn hạt có năng lượng εqr có chuẩn xung lượng h qr gọi là macnon. Trong
gần đúng tương tác trao đổi cặp nguyên tử gần nhất đối với tinh thể lập phương
đơn giản với hằng số mạng a, ta có:

ε qr = 2S⎨
x x
( y
) (
⎧⎪J (a )(1 − e iq a ) + J ( − a )(1 − e −iq a ) + J (a ) 1 − e iq a + J ( − a ) 1 − e iq a + ⎫⎪
y
)
⎬
⎪⎩+ J (a )(1 − e ) + J ( − a )(1 − e ) ⎪⎭ (6-192)
iq a
z iq a z

= 4SJ{3 − cos(q x a ) − cos(q y a ) − cos(q z a )}

Khi qx a << 1, qy a << 1, qz a << 1 ta nhận được biểu thức năng lượng macnôn
phụ thuộc vào q2:

εqr = hωqr ≈ 2SJq 2 a 2

hay:

h 2q 2 * h2
εqr = ,m = (6-193)
2 m* 4SJa 2
Ở đây m* là khối lượng hiệu dụng của macnôn.
Nếu chúng ta coi rằng các sóng spin là độc lập nghĩa là coi các macnôn không
tương tác với nhau thì chúng ta có thể tính giá trị trung bình của số macnôn n qr ở
r
trạng thái q . Macnôn là chuẩn hạt Bôzôn. Theo thống kê Bôdơ – Anhstanh giá trị
trung bình n qr bằng:

[
n qr = e
ε q kT
−1 ]−1
(6-194)
Số macnôn toàn phần bằng:
−1
⎧ εq ⎫
⎪ kT ⎪
n = ∑ n q = ∑ ⎨e − 1⎬
r
(6-195)
r r
q q ⎪ ⎪⎭
⎩
r
Để tính n ta thay phép tính tổng theo q bằng phép tính tích phân theo εq. Số
trạng thái lượng tử của mác nôn ở trong thể tích Ω có xung lượng p = h q nằm
trong khoảng từ p →p + dp sẽ là Ω4π p2 dp/(2π h )3.

p2
Chú ý rằng ε = *
, p 2dp = 2m* ε1 / 2 ta có:
2m
 Ω4πp 2dp Ω 2 m*
= ε1 / 2dε = ΩZ(ε)dε (6-196)
(2πh ) 3
2π h 2 3

2 m*
ở đây Z(e) = 2 3
ε1 / 2 là mật độ trạng thái của macnôn trong một đơn vị thể
2π h
tích. Số macnôn n bây giờ được tính theo công thức:

ΩZ(ε )dε
ε max

n= ∫ ε
0
e kT
−1
ε max
2m *
ε1 2 dε
= 2 3Ω
2π h ∫ ε
0
e kT − 1

ε n
Đặt x = và n 0 = ta tìm được:
kT Ω
∞ 1/ 2
2 m* x dx ε max
∫
3/2
n0 = γ (kT) , γ= , khi →∞ (6-197)
2π 2 h 3 0 ex − 1 kT

Như vậy mật độ macnôn n0 ở trong vùng nhiệt độ thấp gần không độ tuyệt đối
tỉ lệ với T3/2.
Mật độ năng lượng của khí macnôn ở trạng thái cân bằng được xác định bằng
biểu thức:
E − E0 1 1 ΩZ(ε).εdε
U= = ∑ εqr n qr = ∫ ε / kT
Ω Ω qr Ω e −1
ε max (6-198)
2 m* ε 3 2 dε
= 2 3 ∫ ε / kT
= β(kT )5 / 2
2π h 0 e −1

Ở đây:
∞ 32
2 m* x dx
β= 2 3
2π h
∫ e −1x
, khi εmax >> kT
0

Nhiệt dung của khí macnôn ứng với một đơn vị thể tích bằng:
dU 5
C= = kβ(kT )3 / 2 (6-199)
dT 2
Bây giờ ta tính độ từ hoá tương đối M(T)/ M (0) của vật sắt từ ở vùng nhiệt độ
thấp gần không độ tuyệt đối. Chúng ta đã biết toán tử hình chiếu spin trên trục z đối
với nguyên tử ở trên nút i có dạng:
∧z ∧+ ∧
Si = S − ai ai
 Toán tử hình chiếu spin toàn phần của vật sắt từ có N nguyên tử trên trục z sẽ
là:
∧ N ∧z N ∧+ ∧
Sz = ∑ Si = ∑
NS − a i a i (6-200)
i =1 i =1

Đặt các biểu thức của a, a từ (6-183) vào (6-200) và dùng hệ thức (6-184) ta
tìm được:
∧ ∧+ ∧ ∧
Sz = NS − ∑ a qr a qr = NS − ∑ n qr (6-201)
r r
q q

Trị riêng của toán tử hình chiếu spin toàn phần trên trục z bằng:
Sz = NS − ∑ n qr ; nq = 0, 1, 2, 3, … (6-202)
r
q

Trị trung bình của Sz sẽ là:

Sz (T ) = NS − ∑ n qr = NS − n = NS − n 0Ω (6-203)
r
q

Ở không độ tuyệt đối (T = 0K) thì n0 = 0 và

Sz (0) = NS = nΩS (6-204)

Ở đây n là số nguyên tử sắt từ trong một đơn vị thể tích. Mômen từ tương đối
của vật sắt từ ở vùng nhiệt độ thấp được xác định bằng công thức:

M (T ) Sz (T ) n
= = 1 − 0 = 1 − αT 3 / 2 (6-205)
M (0) Sz (0) nS
Trong đó
∞ 1/ 2
γk 3 / 2 k 3 / 2 2m* x dx
α=
nS
=
2 nSπ 2 h 3
∫ e −1x
0

Hệ thức (6-205) gọi là “định luật ba phần hai” của Blốc (năm 1930)
9. CẤU TRÚC ĐÔMEN CỦA CÁC VẬT SẮT TỪ, SỰ TỪ HOÁ
Thực nghiệm cho thấy rằng trong vật sắt từ có rất nhiều miền mà các mômen
từ trong mỗi miền được định hướng theo một chiều xác định. Mỗi miền đó gọi là
một đômen từ. Giữa các đômen có spin định hướng khác nhau có một lớp chuyển
tiếp khá dày, trong đó các spin không quay đột ngột từ chiều này đến chiều kia mà
quay dần dần từ lớp spin này đến lớp spin khác. Bề rộng δ của lớp chuyển tiếp
được xác định từ điều kiện cực tiểu năng lượng của vật sắt từ. Ta hãy khảo sát sự
tạo thành các đômen và tính bề rộng δ của lớp chuyển tiếp giữa hai đômen có spin
định hướng ngược chiều dựa vào nguyên lí cực tiểu năng lượng của vật từ.
 Ở các tinh thể thông thường, nếu tất cả tinh thể là một đômen được mô tả
trên hình 6.9a thì trong khoảng không gian tinh thể với cấu trúc này năng lượng
B 2 dΩ
của từ trường W = ∫ 2μ lớn.
0

Hình 6.9
Nếu tinh thể được chia thành hai đômen có các vectơ mômen từ ngược chiều
nhau (hình 6.9b) thì năng lượng từ trường của tinh thể giảm đi và nếu tinh thể càng
được chia ra thành nhiều đômen có các vectơ mômen từ ngược chiều nhau thì
năng lượng của từ trường của tinh thể càng giảm (hình 6.9c, 6.9d, 6.9 e). Khi tăng
số đômen thì phần năng lượng từ ở ngoài vật từ giảm nhưng phần năng lượng trao
đổi của vật từ trong lớp chuyển tiếp giữa các đômen tăng. Vì vậy, sự phân chia vật
từ thành đômen các mômen từ sẽ được dừng lại khi năng lượng toàn phần của vật
sắt từ đạt giá trị cực tiểu.

Hình 6.10 sơ đồ lớp chuyển tiếp

Bây giờ ta tính bề rộng của lớp chuyển tiếp giữa hai đômen có spin định
hướng ngược chiều nhau (hình 6.10). Trước hết ta tính năng lượng trao đổi và
năng lượng dị hướng từ trong lớp chuyển tiếp, sau đó dùng điều kiện cực tiểu của
năng lượng tổng cộng này ta tìm được δ. Phần năng lượng trao đổi giữa các
êlectrôn trong các nguyên tử i và j ở cạnh nhau phụ thuộc vào sự định hướng của
spin sẽ là:
r r
( r r
) (
r r
W1 = −2J ijσi σ j = −2J ijσi σ j cos σi σ j = −2Jσ 2 cos σi σ j ) (6-206)

trong đó jij = J, σi = σj = σ = S(S + 1) . Gọi θ là góc giữa hướng dễ từ hoá (khi

T= 0K tất cả các mômen từ định hướng song song cùng chiều theo hướng này) và
r
vectơ mômen từ M i ở mặt phẳng nguyên tử nào đó của lớp chuyển tiếp, mặt
phẳng nguyên tử này cách đômen bên trái một khoảng x, φ là góc giữa các spin
dθ
của các lớp nguyên tử gần nhau nhất. Khi đó ϕ = a trong đó a là hằng số mạng.
dx
⎛ dθ ⎞
Nếu giữa các đômen không có lớp chuyển tiếp thì ϕ = a ⎜ ⎟ = π . Khi đó năng
⎝ dx ⎠
lượng trao đổi giữa hai spin ngược chiều cạnh nhau ở biên của hai đômen sẽ là:

W1 = −2Jσ 2 cos ϕ = −2Jσ 2 cos π = 2Jσ 2 (6-207)

1
Trên 1cm2 bề mặt biên ở mỗi bên có spin do đó năng lượng trao đổi trên
a2
1
1cm2 bề mặt giới hạn giữa hai đômen bằng: 2Jσ2. .
a2
Nhưng thực tế giữa hai đômen có một lớp chuyển tiếp khá dày, ở trong lớp
chuyển tiếp các spin quay dần dần. Nếu góc φ nhỏ thì biểu thức tính năng lượng
trao đổi của các spin cạnh nhau được xác định bằng công thức gần đúng:

⎛ ϕ2 ⎞ 2
W1 = −2Jσ2 cos ϕ ≈ −2J ⎜1 − ⎟σ
⎜ 2 ⎟
⎝ ⎠
Chúng ta chỉ xét phần biến đổi của năng lượng:

⎛ ϕ2 ⎞ 2 2
ΔW1 = −2J ⎜ − ⎟σ = Jσ 2ϕ2 = Jσ 2a 2 ⎛⎜ dθ ⎞⎟ (6-208)
⎜ 2 ⎟ ⎝ dx ⎠
⎝ ⎠
Nếu bề dày của lớp chuyển tiếp là δ, và vectơ spin trong lớp chuyển tiếp từ
2
⎛ dθ ⎞
đômen này đến đômen kia quay một góc π thì ⎜ ⎟ =π2/ δ2. Khi đó gần đúng ta
⎝ dx ⎠
có:

2 2 π2
ΔW1 ≈ Jσ a (6-209)
δ2
 Trong lớp chuyển tiếp, số spin của nguyên tử nằm trên đường vuông góc với
mặt nguyên tử chuyển tiếp sẽ là N = δ/a, còn trên 1cm2 bề mặt của lớp này có
1
2
spin (a2 cm2 tương ứng một spin). Vì vậy năng lượng trao đổi tính cho 1cm2 bề
a
mặt của lớp chuyển tiếp:
2
1 2 2⎛ π ⎞ δ 1 σ2 π2
ΔE1 = ΔW1.N. = Jσ a ⎜ ⎟ . . = J (6-210)
a2 ⎝ δ ⎠ a a2 aδ

Từ đây ta thấy rằng khi δ tăng thì ∆E1 giảm và năng lượng trao đổi ∆E1 của
lớp chuyển tiếp khi spin quay dần dần dọc theo bề dày của nó nhỏ hơn năng lượng
trao đổi khi spin quay đột ngột một góc π một số lần:

2Jσ2 Jπ 2 σ2 2 δ
: = lần (6-211)
a2 aδ π2 a
Như vậy, sự tạo thành lớp chuyển tiếp giữa các đômen dẫn đến sự giảm năng
lượng trao đổi của vật sắt từ. Để xác định δ, ngoài việc biết năng lượng trao đổi
∆E1, ta cần tính năng lượng dị hướng của vật từ. Gọi α1, α2, α3 là các cosin chỉ
r
phương của vectơ độ từ hoá M của vật sắt từ đối với các trục x, y, z vuông góc với
nhau từng đôi một của tinh thể. Khi đổi chiều vectơ độ từ hoá thì α1→ - α1, α2 → -
α2, α3 →- α3 và năng lượng của vật sắt từ vẫn không thay đổi. Vì vậy năng lượng dị
hướng từ của vật sắt từ tính trong một đơn vị thể tích phụ thuộc vào các α i2 và có
dạng:

( ) (
W2 = K 0 + K1 α12 α 22 + α 22 α32 + α32 α12 + K 2 α12 α 22 α32 + ) (6-212)
(
+ K 3 α12 α 22 + α 22 α32 + α32 α12 )2 + ...
Ở đây K0, K1, K2 và K3 là những hằng số dị hướng từ. Gọi K là giá trị lớn nhất
của W2 (K = W2max) thì năng lượng dị hướng từ trên 1cm2 của lớp chuyển tiếp lớn
nhất bằng Kδ. Trong thực tế năng lượng dị hướng từ trung bình ∆E2 bé hơn Kδ:
∆E2 = βK . δ (6-213)
trong đó β là hằng số dương bế hơn đơn vị (βK là năng lượng dị hướng trung
bình trong một đơn vị thể tích). Năng lượng toàn phần trên 1cm2 bề mặt của lớp
chuyển tiếp sẽ là:

Jσ 2 π 2
ΔE = ΔE1 + ΔE 2 = + βKδ (6-214)
aδ
Từ điều kiện cực tiểu của năng lượng ∆E, ta xác định được giá trị δ của vật
sắt từ ở trạng thái cân bằng, nghĩa là:
12
∂ (ΔE ) ⎧⎪ Jπ 2 σ 2 ⎫⎪
=0δ=⎨ ⎬ (6-215)
∂ (δ) ⎪⎩ βKa ⎪⎭
 Đối với kim loại sắt từ Fe thì ta đặt J ≈ 0,01 eV = 1,6.10-21J, σ2 = S (S + 1) = 2,
βK = 5.104 J/m3, a = 2,6.10-10 m vào biểu thức của δ và thu được:
0
δ ≈ 0,47/10-7 m = 470 A
δ
Số lớp nguyên tử của lớp chuyển tiếp: N ≈ ≈ 180. Thực nghiệm cho thấy
a
rằng mật độ năng lượng dị hướng từ βK giảm khi nhiệt độ tăng. Vì vậy bề dày của
lớp chuyển tiếp tăng khi nhiệt độ tăng, khi nhiệt độ bằng nhiệt độ Quy – ri Tc thì δ
đạt đến giá trị vô cùng lớn.
Thay δ = (J π2 σ2/β Ka)1/2 vào biểu thức của ∆E ta nhận năng lượng toàn phần
trên 1cm2 bề mặt của lớp chuyển tiếp ở trạng thái cân bằng của vật sắt từ:
12
⎧⎪ JKβσ 2 ⎫⎪
∆E = ∆E0 = 2 π ⎨ ⎬ (6-216)
⎪⎩ a ⎪⎭

Chúng ta đã tính năng lượng toàn phần trên 1cm2 bề mặt của lớp chuyển tiếp
và bề dày của lớp chuyển tiếp giữa các đômen. Bây giờ ta tính kích thước của các
đômen. Ta khảo sát tinh thể sắt từ có dạng hình hộp chữ nhật có các cạnh là Lx, Ly,
Lz = L và có trục dễ từ hoá là trục Oz (hình 6.11)

Hình 6.11. Sơ đồ cấu trúc miền, hướng dễ từ hóa z

Ta hãy tính năng lượng toàn phần của vật sắt từ và sau đó dùng điều kiện cực
tiểu của năng lượng để xác định bề rộng d0 của đômen sắt từ. Vì chúng ta chỉ khảo
sát tinh thể đơn trục về mặt từ, nên năng lượng của tinh thể là năng lượng dị
hướng từ với mật độ βK. Để đơn giản, chúng ta khảo sát trường hợp phần trên và
phần dưới của vật từ là những đômen hình lăng trụ II, IV, VI, … có các đáy là
những hình tam giác vuông cân (có cạnh đáy là d0 có chiều cao là d0/2) và có các
1 d
chiều cao là Ly. Thể tích của mỗi đômen hình lăng trụ là .d 0 0 .L y . Số đômen ở
2 2
 Lx
cả phần trên và phần dưới của tinh thể là 2. . Vì vậy thể tích tổng cộng của tất
d0
cả các đômen lăng trụ nằm ở trên và phần dưới của tinh thể là:

L x d 02 1
2. . L y = Lx L yd 0
d0 4 2

Năng lượng dị hướng từ toàn phần của tinh thể ở các miền hình lăng trụ có
đáy là các tam giác vuông cân là:
1
Δε1 = L x L y d 0βK (6-217)
2
Chúng ta biết rằng năng lượng toàn phần trên 1cm2 bề mặt của lớp chuyển
12
⎧⎪ JKβσ 2 ⎫⎪
tiếp bằng ∆E0 = 2 π ⎨ ⎬ , độ lớn diện tích mỗi mặt của đômen là LyLz = LyL,
⎪⎩ a ⎪⎭
Lx
số mặt có diện tích như thế là ; Cho nên năng lượng của toàn bộ các lớp
d0
chuyển tiếp trong tinh thể sẽ là:
1
2
Lx 2 πL x L y L ⎛ Jσ 2 Kβ ⎞
Δε 2 = L y L. ΔE 0 = ⎜ ⎟ (6-218)
d0 d0 ⎜ a ⎟
⎝ ⎠
Năng lượng toàn phần của vật sắt từ có dạng:
1
2
1 2πL x L y L ⎛ Jσ 2 Kβ ⎞
Δε = Δε1 + Δε 2 = L x L y d 0βK + ⎜ ⎟ (6- 219)
2 d0 ⎜ a ⎟
⎝ ⎠
Từ điều kiện cực tiểu của năng lượng toàn phần ∆ε ta tìm được bề rộng d0
của đômen từ ở trạng thái cân bằng:
14
1 2 ⎛⎜ Jσ ⎞⎟
2
∂Δε
= 0 → d 0 = 2(πL) (6-220)
∂d 0 ⎜ aKβ ⎟
⎝ ⎠
Như vậy, bề rộng của đômen tỉ lệ thuận với căn bậc hai của bề dày tinh thể
(d0≈L1/2). Đối với kim loại sắt từ Co có từ L = 1cm thì độ lớn của d0 ≈ 3.10-3cm,
nghĩa là ≈ 105 khoảng cách giữa các nguyên tử; bề dày của lớp chuyển tiếp δ = 10-
7
cm → 10-6cm, tức là ≈ 10 đến 102 lần khoảng cách giữa các nguyên tử.
Khi nhiệt độ tăng thì mật độ năng lượng dị hướng từ trung bình (βK) giảm, do
đó bề rộng của đômen d0 và bề dày của lớp chuyển tiếp tăng. Sự tăng bề dày của
các lớp chuyển tiếp nhanh hơn sự tăng bề rộng của các đômen. Vì vậy khi nhiệt độ
tăng các lớp chuyển tiếp được mở rộng dần vào các đômen, làm giảm dần thể tích
các đômen và do đó độ từ hoá tự phát của vật sắt từ giảm dần và bằng không khi
nhiệt độ bằng nhiệt độ Quy–ri.
 Ở trên, chúng ta đã nhận xét cấu trúc của các đômen trong vật sắt từ và ảnh
hưởng của nhiệt độ lên kích thước của các đômen một cách định tính khi không có
r r
từ trường ngoài B . Bây giờ chúng ta xét ảnh hưởng của từ trường ngoài B lên cấu
trúc đômen của vật sắt từ.
Khi không có từ trường ngoài, các vật sắt từ xét về toàn bộ là không có từ
tính, vì khi đó ở các đômen, các mômen từ định hướng sao cho mômen tổng cộng
của tất cả các đômen bằng không để vật từ ở trạng thái có năng lượng cực tiểu.
r
Khi đặt vật sắt từ vào trong từ trường ngoài thì độ từ hoá M của vật sắt từ khác
r r
không. Nếu tăng cảm ứng từ trường ngoài B thì độ từ hoá M của vật sắt từ tăng,
khi từ trường ngoài tiếp tục tăng đến một giá trị nào đó thì độ từ hoá của vật sắt từ
đạt đến một giá trị không đổi và sau đó dù tăng từ trường ngoài thêm nữa thì độ từ
hoá vẫn giữ nguyên giá trị. Đó là quá trình từ hoá của tinh thể sắt từ. Để hiểu rõ
quá trình này ta xét ảnh hưởng của từ trường ngoài lên cấu trúc các đômen của vật
r
sắt từ. Ta biết rằng năng lượng tương tác giữa mômen từ nguyên tử M i với cảm
r r r
ứng từ trường ngoài B bằng − M i B = M i B cos θ , ở đây θ là góc tạo thành giữa
r r r
vectơ mômen từ M i với vectơ B . Khi vectơ M i cùng chiều với cảm ứng từ trường
r r r r
B hay tạo thành với B một góc nhọn (0 ≤ θ < π/2) thì − M i B < 0; còn khi vectơ M i
r r π
ngược chiều với cảm ứng từ trường B hay tạo với B một góc tù ( < θ ≤ π) thì
2
r r
− M i B > 0. Vì vậy đômen có mômen từ cùng chiều với từ trường hay tạo thành với
từ trường một góc nhọn thì năng lượng của vật từ giảm; còn đômen có mômen từ
ngược chiều với từ trường hay tạo thành với từ trường một góc tù thì năng lượng
của vật từ tăng. Dưới tác dụng của từ trường ngoài, các mômen từ với θ là góc
nhọn ở lớp chuyển tiếp sẽ quay về hướng của từ trường ngoài. Kết quả này dẫn
đến sự dịch chuyển lớp chuyển tiếp về phía đômen có mômen từ ngược chiều hay
tạo thành với từ trường ngoài một góc tù. Như vậy thể tích của các đômen có
mômen từ tự phát cùng chiều với từ trường ngoài hay tạo thành với từ trường
ngoài một góc nhọn được mở rộng và lớn dần, thể tích các đômen có mômen từ tự
phát ngược chiều với từ trường ngoài hay tạo thành với từ trường ngoài một góc tù
thì bị thu hẹp lại và bé dần (hình 6.12). Độ từ hoá của vật sắt từ bằng tổng các
vectơ mômen từ trong tất cả các đômen khác không. Chính vì vậy mà vật sắt từ xét
trong toàn bộ có từ tính.

Hình 6.12. Sơ đồ thay đổi thể tích các đômen khi có từ trường ngoài
 Nếu tiếp tục tăng từ trường ngoài đến một mức nào đó thì thể tích các đômen
có mômen từ tự phát ngược chiều với từ trường ngoài hay làm với từ trường ngoài
một góc tù bằng không. Khi đó trong vật sắt từ chỉ có các đômen có mômen từ
cùng chiều với từ trường hay làm thành với từ trường ngoài một góc nhọn. Nếu
tiếp tục tăng từ trường ngoài thì có sự quay các mômen từ spin trong các đômen
có thể tích tăng, các mômen từ spin sẽ sắp xếp cùng chiều với từ trường ngoài. Khi
các mômen từ của tất cả các đômen được sắp xếp cùng chiều với từ trường ngoài
thì vật sắt từ về toàn bộ coi như một đômen và vật ở trạng thái có từ tính lớn nhất.
Trạng thái này gọi là trạng thái bão hoà từ. Quá trình biến đổi các đômen trong quá
r
trình từ hoá vật khi từ trường ngoài B tăng dần được biểu diễn một cách đơn giản
lần lượt trên các hình 6.13.

Hình 1.13. Sơ đồ quá trình biến đổi các đômen trong quá trình từ hóa vật.
Các mũi tên chỉ độ từ hóa trong các đô men
10. LÍ THUYẾT PHẢN SẮT TỪ, MẪU HAI PHÂN MẠNG
Ở trên ta đã biết điều kiện tồn tại hiện tượng sắt từ là tích phân trao đổi J > 0.
Khi tích phân trao đổi J < 0 ta có hiện tượng phản sắt từ. Khi nhiệt độ của vật phản
sắt từ hạ xuống dưới điểm Quyrie (trong vật phản sắt từ điểm Quyrie được gọi là
điểm Néel và kí hiệu TN) thì các spin (hay các mômen từ spin) định hướng song
song ngược chiều (hình 6.14).

a) Sắt từ, J>0 b) Phản sắt từ. J<0

Hình 6.14 So sánh cách sắp xếp trật tự của spin trong trạng thái sắt từ và
phản sắt từ.
J là tích phân trao đổi của các electron ở hai nguyên tử lân cân nhau
Sự tồn tại hiện tượngphản sắt từ được tiên đoán bằng lí thuyết bởi Néel (năm
1932), Landao (năm 1933) và đến năm 1938 được khẳng định bằng thực nghiệm
bởi Bizette và các cộng sự khi nghiên cứu các tính chất từ của MnO. Mẫu phản sắt
từ đơn giản nhất là mẫu hai mạng tinh thể con A và B lồng vào nhau sao cho tất cả
những ion lân cận gần nhất một ion bất kì của phân mạng A là những ion của phân
mạng B và ngược lại. Các tinh thể lập phương tâm khối và tâm mặt thoả mãn các
điều kiện như vậy. Khi nhiệt độ bằng không độ tuyệt đối và không có từ trường
ngoài thì sự định hướng spin (hay mômen từ spin) của các ionthuộc phân mạng A
ngược chiều với sự định hướng spin (hay mômen từ spin)của các ion thuộc phân
mạng B. Nhiệt độ chuyển từ pha thuận từ sang pha phản sắt từ và ở dưới nhiệt độ
này từ phân mạng A và B có mômen từ khác không ngay cả khi không có từ
trường ngoài (mômen từ tự phát khác không).
Trong gần đúng trường phân tử, mômen từ tính trong một đơn vị thể tích của
các phân mạng A và B được xác định bằng các công thức (tương tự như công
thức 6- 94):
gμ BS
M A = n A gμ BSB(a A ), a A = (B A + B ) (6-221)
kT
gμ BS
M B = n Bgμ BSB(a B ), a B = (BB + B) (6-222)
kT
trong đó nA, nB là số ion trong một đơn vị thể tích của phân mạng A và B, B (a)
là hàm Briloanh, BA, BB là cảm ứng từ của các trường phân tử tác dụng lên phân
mạng A và B, B là cảm ứng từ của từ trường ngoài. Đối với mẫu hai phân mạng A
n
và B lồng vào nhau như trình bày ở trên thì nA = nB = với n là số ion trong một
2
đơn vị thể tích của vật phản sắt từ. Nếu coi tương tác trao đổi của vật phản sắt từ
chỉ xảy ra giữa các ion gần nhất thì trường phân tử BA và BB có dạng đơn giản:
B A = −λ 0 M B , B B = −λ 0 M A (6-223)

Ở đây (λ0 / μ 0 ) = λ là hằng số trường phân tử. Ta có thể tính gần đúng sự
liênhệ giữa tích phân trao đổi J với hằng số λ0 . Năng lượng tương tác trao đổi của
một cặp ion gần nhất của vật phản sắt từ là:
r r 2J r r
− 2JSa S b = − 2 2 M a M b (6-224)
g μB
r r
Ở đây M a và M b là mômen từ của một ion của phân mạng A và B tương ứng.
Giả sử ion A mà ta đang xét có Z ion B lân cận bao quanh và mômen từ trung bình
r
của một ion B là M b . Khi đó một cách gần đúng, năng lượng tương tác trao đổi
r
của mômen từ M a với các mômen từ của Z ion B lân cận bằng:

Z.2J r r r r
− .M .M b = − M a BA (6-225)
g 2μ 2B
a
 r r
trong đó BA là trường phân tử tác dụng lên mômen từ M A :
r 2 ZJ r r r
B A = 2 2 M b = −λ 0 M B = −λ 0 n B M b
g μB

từ đây suy ra:

2 ZJ 4 ZJ
λ0 = − =− 2 2 (6-226)
n Bg μ B
2 2
ng μ B

Đối với vật phản sắt từ thì J < 0 nên λ > 0. Khi nhiệt độ cao và aA << 1, aB <<
0
1 thì ta có:

n AS(S + 1)g 2μ 2B
M A = n A gM BSB(a A ) ≈ (BA + B) (6 - 227)
3kT

n BS(S + 1)g 2μ 2B
M B = n Bgμ BSB(a B ) ≈ (BB + B) (6-228)
3kT
hay:
2TMA = C (B + BA) = C (B - λ0 MB ) (6-229)

2TMB = C (B + BB) = C (B - λ0 MA ) (6-230)

2
trong đó C = ng2 μ B S (S+1)/ 3k. Độ từ hoá M liên hệ với từ trường B được xác
định bằng côngthức:
2TM = 2T (MA + MB) = 2 C B – C λ0 M

hay:
M = χ B/μ0 (6-231)
Ở đây χ là độ cảm từ của vật phản sắt từ:
C.μ 0 Cλ 0
χ= ,θ = (6-232)
T+θ 2
Khi B = 0 ta có hệ phương trình:

⎧TM A + θM B = 0
⎨ (6-233)
⎩θM A + TM B = 0
Nhiệt độ chuyển pha TN sẽ là nhiệt độ ở đó hệ phương trình(6-233) có các
nghiệm MA và MB khác không (có độ từ hoá tự phát MA, MB trong các phân mạng A
và B). Điều kiện này thoản mãn khi định thức tạo nên từ các hệ số của MA và MB
trong (6-233) bằng không:
T θ
=0
θ T
 hay:
TN = θ (6-234)
Như vậy, nhiệt độ Néel TN trong gần đúng này bằng hằng số θ. Khi T > TN thì
độ cảm thuận từ χ của vật phản sắt từ phụ thuộc vào nhiệt độ T được xác địnhbởi
(6-232). Đó là định luật Quyrie – Vâyxơ đối với vật phản sắt từ. Thực nghiệm cho
θ
thấy rằng đối với nhiều vật phản sắt từ tỉ số không phải bằng đơn vị mà nhận
TN
θ
các giá trị từ 1,4 đến 5. Ví dụ đối với CrSb có TN = 750 K, θ ≈ 1000 K, ≈ 1,4 và
TN
θ
đối với MnO có TN = 122 K, θ = 610 K, ≈ 5,0. Các giá trị cỡ như vậy cũng có thể
TN
thu được bằng lí thuyết nếu trong lí thuyết đó không những chỉ xét lớp lân cận thứ
nhất mà cả lớp thứ hai, và ngoài ra không phải chỉ xét hai phân mạng mà xét một
số lớn các phân mạng. Nếu tính đến cả tương tác của ion của vật phản sắt từ với
các ion ở lớp thứ nhất và tương tác giữa các phân mạng thì một cách gần đúng
các trường phân tử BA, BB có dạng:
⎧ B A = − λ 0 M B − εM A
⎨ (6-235)
⎩ B B = − λ 0 M A − εM B
ở đây ε là hằng số. Khi đó ta có:
⎧2TM A = C(B + B A ) = C(B − λ 0 M B − εM A )
⎨ (6-236)
⎩2TM B = C(B + B B ) = C(B − λ 0 M A − εM B )
hay:
M = MA + MB = χ B/ μ0 (6-237)
Trong đó:
C.μ 0
với θ = (λ0 + ε )
C
χ= (6-238)
T+θ 2

Nếu B = 0 thì ta có hệ phương trình:

⎧(2T + Cε )M A + Cλ 0 M B = 0
⎨ (6-239)
⎩Cλ 0 M A + (2T + Cε )M B = 0
Điều kiện để hệ phương trình (6-239)có nghiệm khác không là :
2T + Cε Cλ 0
=0
C λ0 2T + Cε

Từ đây suy ra:

2TN+ Cε = C λ0 hay TN =
C
(λ0 − ε ) (6-240)
2
 Dễ dàng thấy rằng:
θ λ0 + ε
= (6- 241)
TN λ 0 − ε

θ
Tỷ số > 1 khi ε > 0. Các số liệu ghi ở bảng 6.2 cho các giá trị thực nghiệm
TN
θ
của tỉ số của các vật phản sắt từ:
TN

Bảng 6.2
 Chương 7 - Siêu dẫn
1. CÁC TÍNH CHẤT CỦA VẬT SIÊU DẪN
1) Nhiệt độ tới hạn. Điện trở bằng không
Trong tự nhiên tồn tại nhiều vật dẫn (kim loại, hợp kim, hợp chất v.v.) mà khi
hạ nhiệt độ của vật đến một nhiệt độ Tc nào đó thì điện trở của nó bằng không. Vật
mà dưới nhiệt độ Tc có điện trở bằng không gọi là vật siêu dẫn. Trạng thái của vật
ở vùng nhiệt độ T≤ Tc có điện trở bằng không gòi là trạng thái siêu dẫn và trạng
thái của vật ở vùng nhiệt độ T > Tc có điện trở khác không gọi là trạng thái dẫn
thường hay gọi là trạng thái thường. Trạng thái siêu dẫn của kim loại được phát
minh năm 1911 bởi H.K.Ơnes (H.K.Ones) khi nghiên cứu sự phụ thuộc của điện
trở Hg vào nhiệt độ. Trong vùng nhiệt độ T < Tc = 4,2 K điện trở của Hg hoàn toàn
bằng không. Nhiệt độ Tc là nhiệt độ chuyển từ trạng thái dẫn thường sang trạng
thái siêu dẫn hay ngược lại gọi là nhiệt độ tới hạn. Thực ra, chuyển từ trạng thái
dẫn thường sang trạng thái siêu dẫn không phải ở một giá trị Tc đã cho mà ở trong
một khoảng nhiệt độ rất hẹp. Đối với Hg khoảng nhiệt độ này cỡ 0,05 K (hình 7.1)

Hình 7.1
Ngày nay người ta đã tìm được gần 30 nguyên tố trong bảng tuần hoàn
Menđêlêép là các nguyên tố của các vật liệu dẫn và nhiều hợp kim, hợp chất siêu
dẫn. Các nguyên tố và nhiệt độ tới hạn Tc của chúng được cho dưới đây:
 Ngoài các nguyên tố nói trên còn tồn tại một số nguyên tố tạo thành các vật
siêu dẫn ở trong điều kiện áp suất cao (hàng chục nghìn atmosphe) như Bi, Te, Sb.
Hiện tượng siêu dẫn cũng được quan sát ở các vật dưới dạng màng mỏng của Ce,
Pr, Nd, Eu, Yb. Trong số hơn 450 hợp kim, hợp chất siêu dẫn có những hợp kim,
hợp chất siêu dẫn có nhiệt độ tới hạn cao. Các hợp kim Nb – Ti, Nb – Zr có Tc ~ 10
K, các hợp chất NbN, Nb (C,N) có Tc ~ 18 K, Nb3Sr có Tc = 18,1 K, Nb3(Al0,75Ge0,25)
có Tc ~20-21 K, Nb3Ga có Tc = 20,3 K, Nb3Ge cóTc = 23,2 K, chất mà các thành
phần dựa trên tali, canxi, bari, oxit đồng với cấu trúc ba lớp oxit đồng có Tc = 125
K. Như vậy, mỗi một vật sắt từ có một nhiệt độ tới hạn Tc dưới nhiệt độ này điện
trở của vật bằng không và dòng điện chạy trong vòng làm bằng vật liệu siêu dẫn
như vậy hầu như không tắt và không toả nhiệt.
2. Hiệu ứng đồng vị
Xây dựng lí thuyết để giải thích các hiện tượng siêu dẫn là một vấn đề hết sức
phức tạp và khó khăn. Giá trị quan trọng của hiệu ứng đồng vị là cho chúng ta một
phương hướng tìm hiểu bản chất của các hiện tượng siêu dẫn. Hiệu ứng đồng vị
mô tả sự phụ thuộc nhiệt độ tới hạn Tc vào khối lượng M của các đồng vị của một
nguyên tố bằng công thức thực nghiệm:
Tc . Mα = const (7-1)
1 1
Trong đó α là hằng số có giá trị gần bằng (đối với Hg: α ~ , Cd: α ~ 0,4, Pb
2 2
và Sn: α ~ 0,46 – 0,50, Tl:α ~ 0,5 – 0,62, Zn: α ~ 0,5). Hiệu ứng này được phát
minh 1950 bởi E. Macxoen, C.A Râynon (C.A. Reynolds) và cộng sự khi nghiên
cứu sự phụ thuộc nhiệt độ tới hạn Tc vào khối lượng M của các đồng vị của Hg. Vì
1
α ~ mà M-1/2 tỉ lệ với tần số dao động Đơbai ωD của tinh thể nên gần đúng ta có:
2
Tc = const . ωD (7-2)
Hệ thức này cho ta một ý tưởng có mối liên hệ chặt chẽ giữa hiện tượng siêu
dẫn và dao động mạng của tinh thể. Mô hình đơn giản nhất tìm mối liên hệ giữa
bản chất của hiện tượng siêu dẫn với dao động mạng được trình bày như sau. Do
một êlectrôn gần mặt Fecmi hút các ion mạng điện tích dương ở quanh nó mà tinh
thể bị biến dạng để tập trung các điện tích dương về gần êlectrôn đã cho. Khi đó
mật độ điện tích dương gần êlectrôn đã cho lớn hơn mật độ điện tích dương của
tinh thể. Một êlectrôn khác cũng ở gần mặt Fecmi chuyển động gần vùng có mật độ
điện tích dương lớn sẽ bị hút vào vùng này và như vậy giữa hai êlectrôn (một
êlectrôn đã cho và một êlectrôn chuyển động gần vùng có mật độ điện tích dương
lớn) có một lực hút hiệu dụng nào đó. Lực hút này xuất hiện là do hai êlectrôn
tương tác với các ion dao động trong mạng tinh thể. Gọi ω là tần số dao động
mạng, khi có tương tác giữa êlectrôn với dao động mạng thì mỗi êlectrôn có thể
r
nhận hoặc trao một lượng năng lượng bằng h ω. Chuẩn hạt có năng lượng hω(q )
r r
và chuẩn xung lượng hq gọi là phônôn ( q là vectơ sóng). Khi tương tác giữa
êlectrôn với dao động mạng, êlectrôn có thể hấp thụ hay phát xạ phônôn. Tương
tác hiệu dụng giữa hai êlectrôn nhờ khái niệm phônôn có thể diễn tả như sau. Một
r
êlectrôn lúc đầu ở trạng thái có năng lượng E kr , có xung lượng hk phát xạ một
r r
phônôn có năng lượng hω(q ) ,có xung lượng hq và chuyển đến trạng thái có năng
( )
r r
lượng E kr − qr có xung lượng h k − q và một êlectrôn khác lúc đầu có năng lượng
r
E kr ' có xung lượng hk' sẽ hấp thụ phônôn này và chuyển đến trạng thái có năng
( )
r r
lượng E kr − qr , có xung lượng h k − q . Tương tức hiệu dụng giữa hai êlectrôn này
được biểu diễn bằng sơ đồ sau: (hình 7.2)

Hình 7.2
r
Trong những điều kiện nhất định (khi E kr − E kr mqr < hω(q ) ) thế năng tương tác
hiệu dụng giữa hai êlectrôn là âm, nghĩa là hai êlectrôn hút nhau. Sự hút nhau giữa
các êlectrôn dẫn đến kết hợp các êlectrôn thành từng cặp. Cặp êlectrôn có xung
lượng và spin ngược chiều nhưng có độ lớn của xung lượng bằng nhau gọi là cặp
Cupơ (Cooper). Hai êlectrôn tạo thành cặp sẽ ở trong vùng không gian bậc 10-4cm.
Trong thể tích chiếm bởi một cặp này chứa khối tâm của khoảng 106 cặp khác.
Muốn tách một cặp Cupơ thành từng êlectrôn riêng biệt cần cung cấp cho nó một
năng lượng lớn hơn hay bằng năng lượng tạo thành cặp. Nếu ở nhiệt độ T năng
lượng kích thích nhiệt mà cặp Cupơ nhận được bé hơn năng lượng tạo thành cặp
Cupơ thì các êlectrôn theo từng cặp chuyển động không bị hãm, không bị tán xạ,
nghĩa là có hiện tượng siêu dẫn. Trong vùng nhiệt độ mà kích thích nhiệt do cặp
Cupơ nhận được có năng lượng lớn hơn hay bằng năng lượng tạo thành cặp thì
các cặp Cupơ bị tách thành từng êlectrôn riêng biệt. Các êlectrôn này khi chuyển
động bị tán xạ và như vậy vật ở trạng thái dẫn thường. Ở nhiệt độ Tc cặp Cupơ
nhận được kích thích nhiệt có năng lượng vừa đủ để tách cặp Cupơ thành từng
êlectrôn riêng lẻ, làm cho mỗi êlectrôn khi chuyển động bị tán xạ. Đó là nhiệt độ
chuyển từ pha siêu dẫn sang pha dẫn điện thông thường.
Như vậy, hiệu ứng đồng vị cho ta một hướng đi để tìm bản chất của các hiện
tượng siêu dẫn. Tuy nhiên tồn tại nhiều vật siêu dẫn (ví dụ như Rn, Mo, Nb3Sn, Os
v.v.) không có hiệu ứng đồng vị hay có nhưng rất yếu (nghĩa là dùng công thức của
hiệu ứng đồng vị để tính sự phụ thuộc của Tc vào M thì cho những giá trị sai lệch
lớn với giá trị nhận được từ thực nghiệm của các vật siêu dẫn nói trên). Điều đó có
nghĩa rằng cơ chế của hiện tượng siêu dẫn của các vật siêu dẫn nói trên có thể
không phải do tương tác giữa các êlectrôn với dao động mạng mà ta đã trình bày
trong phần này.
3. Hiệu ứng Mâyxne (Meissner). Từ trường tới hạn
Vật ở trạng thái siêu dẫn có những tính chất từ rất đặc biệt. Nếu đặt một vật
siêu dẫn trong từ trường yếu và sau đó giảm dần nhiệt độ của vật xuống dưới nhiệt
độ tới hạn Tc thì từ trường bên trong vật siêu dẫn bị đẩy ra khỏi vật. Thực ra từ
trường ngoài yếu chỉ xuyên qua vật siêu dẫn với một độ sâu rất bé cỡ 10-5 – 10-6
r
cm, còn lại ở hầu hết thể tích vật siêu dẫn có cảm ứng từ bằng không ( B = 0 ). Hiện
tượng vật ở trạng thái siêu dẫn đẩy từ trường ngoài yếu ra khỏi thể tích của nó gọi
r r r
là hiệu ứng Mâyxne (1913). Vì B = B0 + μ 0 M = 0 nên, sự phụ thuộc mômen từ
r r
M của vật ở trạng thái siêu dẫn vào cảm ứng từ ngoài B0 , có dạng đơn giản:
r
r B0 r
M=− = −H 0 (7 - 3)
μ0
r
Với H 0 là cường độ từ trường ngoài.

Từ công thức này, suy ra rằng vật ở trạng thái siêu dẫn được khảo sát như
một vật nghịch từ lí tưởng với độ cảm từ χ = -1. Tính chất nghịch từ lí tưởng này
của vật siêu dẫn đặt trong từ trường ngoài yếu thì từ trường ngoài gây trên bề mặt
của vật siêu dẫn một dòng siêu dẫn có mômen từ ngược chiều với từ trường ngoài
làm cho cảm ứng từ bên trong vật ở trạng thái siêu dẫn bằng không. Khi tăng
cường độ từ trường ngoài thì mật độ dòng siêu dẫn trên bề mặt vật siêu dẫn cũng
tăng để cho cảm ứng từ bên trong vật ở trạng thái siêu dẫn luôn luôn bằng không.
Nếu đặt vật ở trạng thái siêu dẫn trong từ trường ngoài đủ mạnh thì trạng thái siêu
dẫn của vật bị phá vỡ và chuyển sang trạng thái thường. Khi đó từ trường ngoài
không bị đẩy ra ngoài khối vật siêu dẫn mà xuyên qua toàn bộ vật siêu dẫn. Từ
trường Hc cần thiết để chuyển từ trạng thái siêu dẫn sang trạng thái thường của vật
siêu dẫn gọi là từ trường tới hạn. Độ lớn của từ trường tới hạn Hc phụ thuộc vào
⎛ T2 ⎞
nhiệt độ T gần đúng có dạng Hc = H0 ⎜⎜1 − 2 ⎟⎟ như trên hình 7.3. Khi T = Tc thì Hc =
⎝ Tc ⎠
0 và khi nhiệt độ giảm thì Hc tăng. Giá trị từ trường tới hạn của một số kim loại siêu
dẫn ở 0K được cho dưới đây:

Hình 7.3

Đối với các hợp chất siêu dẫn Nb3Sn, Nb3Al, V3Ga và V3Si, từ trường tới hạn
Hc vào cỡ 25 – 106 A/m. Ở mỗi điểm, đường cong Hc(T) cho ta giá trị của từ
trường tới hạn Hc ở nhiệt độ T đã cho. Đường cong này gọi là đường cong chuyển
pha; chuyển từ pha siêu dẫn sang pha thường hay ngược lại. Tuỳ thuộc vào những
vật siêu dẫn khác nhau mà năng lượng lớp bề mặt giữa pha thường và pha siêu
dẫn có giá trị âm hay giá trị dương khác nhau. Vật siêu dẫn có năng lượng bề mặt
giữa pha thường và pha siêu dẫn dương gọi là vật siêu dẫn loại I và vật siêu dẫn
có năng lượng bề mặt giữa pha thường và pha siêu dẫn âm gọi là vật siêu dẫn loại
II. Các kim loại sạch Nb và V là những vật siêu dẫn loại II, các kim loại sạch siêu
dẫn còn lại là những vật siêu dẫn loại I. Đối với các vật siêu dẫn loại I (Zn, Hg, Sn,
Pb …) có khoảng nhiệt độ chuyển từ pha thường sang pha siêu dẫn hẹp, cỡ 0,05K;
trong lúc đó đối với các vật siêu dẫn loại II khoảng nhiệt độ chuyển này rộng cỡ
0,5K. Trong vật siêu dẫn loại I. Khi H < Hc thì hiệu ứng Meissner xảy ra và vật ở
trạng thái siêu dẫn. Khi H > Hc thì vật ở trạng thái thường; từ trường ngoài xuyên
qua toàn bộ vật thể. Hình 7.4 biểu diễn sự phụ thuộc của – M vào H đối với vật
siêu dẫn loại I có dạng hình trụ đặt trong từ trường song song với trục hình trụ. Từ
r
r r B
hình vẽ ta thấy rằng H < Hc thì M + H = = 0 nghĩa là xảy ra hiệu ứng Meissner.
μ0
r r r
Khi H = Hc thì M = 0 và B = μ 0 H . Khi đó, vật ở trạng thái thường, từ trường xuyên
qua toàn bộ vật siêu dẫn.

Hình 7.4 Hình 7.5

Trong vật siêu dẫn loại II, hiệu ứng Meissner xảy ra khi H > Hc và vật ở trạng
thái siêu dẫn. Khi H > Hc vật siêu dẫn ở trạng thái thường, từ trường xuyên qua
toàn bộ vật siêu dẫn.
Trong khoảng Hc1 < H < Hc2 vật ở trạng thái hỗn hợp. Hình 7.5 biểu diễn sự
phụ thuộc của – M vào H đối với vật siêu dẫn loại II. Ở trạng thái hỗn hợp, trong vật
có những vùngbé ở pha siêu dẫn và những vùng bé ở pha thường nằm trộn lẫn
nhau. Kích thước những vùng bé này cỡ 10-5cm. Các mặt biên giữa các vùng bé
này thường nằm song song với từ trường ngoài. Từ trường ngoài đi qua toàn bộ
vùng bé ở pha thường và bị đẩy ra ngoài khỏi vùng bé ở pha siêu dẫn. Cấu trúc
trộn lẫn các vùng bé ở pha thường và pha siêu dẫn như vậy làm tăng tổng diện tích
bề mặt phân cách hai pha. Vì năng lượng bề mặt giữa hai pha trong siêu dẫn loại II
là âm nên năng lượng bề mặt toàn phần giữa hai pha trong trạng thái hỗn hợp có
giá trị âm lớn. Về mặt năng lượng, sự xuất hiện trạng thái hỗn hợp như vậy là bền
vững. Đối với vật siêu dẫn loại i năng lượng bề mặt giữa pha siêu dẫn và pha
thường là dương, cho nên về mặt năng lượng không thuận lợi cho việc xuất hiện
trạng thái hỗn hợp. Ở vật siêu dẫn loại i không tồn tại trạng thái hỗn hợp.
4. Khe năng lượng. Nhiệt dung của êlectrôn
Trong kim loại, ở 0K mỗi mức năng lượng có hai êlectrôn có hình chiếu spin
ngược chiều chiếm chỗ. Tất cả các êlectrôn trong kim loại chất đầy đến mức EF
r r
(mức Fecmi). Trong không gian xung lượng p = hk , năng lượng EF được biểu diễn
bằng một mặt gọi là Fecmi. Trạng thái thường khác với trạng thái siêu dẫn của vật
siêu dẫn được đặc trưng ở phổ năng lượng của êlectrôn nằm gần mặt Fecmi.Ở
trạng thái thường, khi nhiệt độ thấp thì kích thích một êlectrôn (kích thích đơn hạt)
r
tương ứng với sự chuyển êlectrôn từ trạng thái bị chiếm với vectơ sóng k (k < kF,
r r
k là vectơ sóng của êlectrôn ở mức Fecmi) ở dưới mặt Fecmi lên trạng thái k' (k’
> kF) ở trên mặt Fecmi. Khi đó xuất hiện một lỗ trống ở dưới mặt Fecmi. Năng
lượng cần thiết để kích thích một êlectrêlectrôn (kích thích đơn hạt) như vậy khi
h2
mặt Fecmi là mặt cầu bằng ΔE = *
(k'2 −k 2 ) ≥ 0 , trong đó m* là khối lượng hiệu
2m
dụng của êlectrôn. Điểm đặc trưng quan trọng nhất của vật ở trạng thái siêu dẫn là
năng lượng kích thích một cặp êlectrôn có xung lượng và spin ngược chiều nhau
để chuyển cặp êlectrôn này từ trạng thái siêu dẫn sang trạng thái thường luôn luôn
lớn hơn một giới hạn 2Δ nào đó. Đại lượng 2Δ này là năng lượng cần thiết bé nhất
để phá vỡ liên kết một cặp êlectrôn có xung lượng và spin ngược chiều và chuyển
chúng từ trạng thái siêu dẫn về trạng thái thường. Độ lớn của 2Δ gọi là bề rộng của
khe năng lượng trong lí thuyết siêu dẫn. Khi đó năng lượng để chuyển một êlectrôn
từ trạng thái siêu dẫn sang trạng thái thường (năng lượng của một kích thích đơn
hạt) không thể bé hơn Δ. Trong trạng thái siêu dẫn, các êlectrôn có xung lượng và
spin ngược chiều nhau ghép lại thành từng cặp. Mỗi cặp đều có một năng lượng
liên kết xác định. Cặp êlectrôn như vậy gọi là cặp Cupơ. Tách một êlectrôn từ một
cặp Cupơ và chuyển nó từ trạng thái siêu dẫn sang trạng thái thường, ta có một
kích thích đơn hạt thấp nhất đến mức cơ bản trong trạng thái siêu dẫn là Δ. Giữa
hai mức này không có một mức năng lượng nào khác của êlectrôn. Trong ý nghĩa
này, người ta nói rằng có một khe năng lượng Δ. Tách hai êlectrôn từ một cặp
Cupơ và chuyển cả hai êlectrôn này từ trạng thái siêu dẫn sang trạng thái thường
ta có kích thích một cặp hạt (hệ hai chuẩn hạt). Khoảng cách từ mức năng lượng
kích thích cặp hạt thấp đến mức cơ bản là 2Δ. Đại lượng Δ phụ thuộc vaà nhiệt độ
T như ở hình 7.6.

Hình 7.6
Ở nhiệt độ T, xác suất để một êlectrôn chuyển từ mức Fecmi lên mức kích
đơn hạt gần nhất tỉ lệ với e- Δ/kT. Sự tồn tại khe năng lượng Δ được xác định bằng
thực nghiệm khi nghiên cứu nhiệt dung của êlectrôn Ce. Ở nhiệt độ thấp, trong
trạng thái thường Ce = γT (γ = const) và trong trạng siêu dẫn Ce có dạng:
Ce = a γ Tc e – bΔ/kTkhi T << Tc (7-4)
 Hình 7.7
Trong đó a ~ 9 và b ~ 1,5 đối với nhiều vật siêu dẫn. Sự phụ thuộc của Ce vào
nhiệt độ được biểu diễn trên hình 7.7. Tại điểm T = Tc có sự chuyển pha loại hai
(entropi, thể tích và nhiệt chuyển pha bằng không) được đặc trưng bằng sự nhảy
vọt của nhiệt dung Ce. Sự nhảy vọt nhiệt dung ΔCe đối với tất cả các vật siêu dẫn
vào khoảng 2,5 γTc.
5. Mật độ dòng tới hạn
Sự tồn tại khe năng lượng Δ dẫn đến sự tồn tại một mật độ dòng điện tới hạn
r r r r r r
jc. Xét một cặp êlectrôn có xung lượng là P + Q và − P + Q . Khi đó 2Q = 2m.v là
xung lượng toàn phần, v là vận tốc khối tâm và 2m là khối lượng của cặp êlectrôn.
Độ lớn mật độ dòng điện j của vật dẫn được xác định bằng công thức:
ne
j= nev = Q (7-5)
m
trong đó n là mật độ êlectrôn và e là điện tích của êlectrôn. Động năng của
cặp êlectrôn nằm ở gần mặt Fecmi (p = pF) bằng:

Ed =
(
r r 2 r r
p+Q
+
) ( )
p − Q p 2F Q 2
= + (7-6)
2m 2m m m
Điện trở chỉ xuất hiện khi có sự thay đổi xung lượng của các êlectrôn do tán
xạ. Giả sử hai êlectrôn của cặp Cupơ được tách ra và chuyển động với cùng xung
lượng pF– Q. Khi đó năng lượng của cặp bằng:

E = 2Δ + 2
(p F − Q)
2

(7-7)
2m

trong đó 2Δ là năng lượng tách cặp và 2

(p F − Q)
2

là động năng của cặp. TA

2m
biết rằng hệ vật lí ở trạng thái bền vững khi năng lượng của hệ có giá trị thấp nhất.
Vì vậy xảy ra sự tích cặp êlectrôn và xuất hiện điện trở chỉ khi E < Ed hay Q >
Δ.m n e Qc
= Qc. Mật độ dòng jc = gọi là mật độ dòng tới hạn. Khi j > jc thì vật ở
pF m
trạng thái thường, có điện trở khác không và khi j < jc thì vật ở trạng thái siêu dẫn.
Nghiên cứu các tính chất vĩ mô của vật siêu dẫn dẫn đến xác định các đại
lượng Tc, Hc, Ce và jc bằng thực nghiệm.
2. LÍ THUYẾT VỀ HIỆN TƯỢNG SIÊU DẪN
1. Phương trình Lơnđơn (London). Độ dài kết hợp
Trong phần này ta xây dựng phương trình London và khảo sát hiệu ứng
Mâyxen nhờ phương trình London. Ở trạng thái siêu dẫn, điện trở của vật siêu dẫn
r
bằng không nên gia tốc r của êlêctrôn được xác định bằng phương trình:
r
r r ∂A
mr = eE = - e. (7-8)
∂t
r
r ∂A r
trong đó E = − là cường độ điện trường, A là thế vectơ của trường điện
∂t
từ, e là điện tích ( e< 0) và m là khối lượng của êlêctrôn. Gọi n là mật độ của
r r
êlêctrôn trong trạng thái siêu dẫn, v = r là vận tốc của êlêctrôn và j là mật độ dòng
điện trong trạng thái siêu dẫn của các êlêctrôn ta có:
r r r
j = nev = ne r , ( e < 0) (7-9)

hay
r r r
dj dv r ne 2 ∂A
= ne = ne r = − (7-10)
dt dt m ∂t
Tích phân phương trình này, ta tìm được:
r ne 2 r r
j=− (A − A 0 ) (7-11)
m
r
trong đó A 0 không phụ thuộc vào thời gian nhưng có thể phụ thuộc vào tọa
độ. Để phù hợp với các kết quả thực nghiệm London chọn A0 = 0 đối với mọi vật
siêu dẫn. Khi đó ta có:
r ne 2 r
j=− A (7-11a)
m
hay
r ne 2 r
rot j = − B, (7-12)
m
r r
ở đây B = rot A là vectơ cảm ứng từ. Phương trình (7-12) gọi là phương trình
Lơnđơn đối với vật ở trạng thái siêu dẫn (F. Lơndơn, H. Lơndơn 1953). Từ các
phương trình Măcxoen đối với trường không đổi:
 r r r
rotB = μ 0 j, div B = 0 (7-13)

và phương trình London (7-12) ta tìm được;

r r r r r μ ne 2 r
rotrot B = grad div B − ∇ 2 B = −∇ 2 B = μ 0 rot j = − 0 B
m
hay
r ⎛ ∂2 ∂2 ∂ 2 ⎞⎟ r 1 r
∇ B=2⎜ + + B= 2 B (7-14)
⎜ ∂x 2 ∂y 2 ∂z 2 ⎟ λ
⎝ ⎠

m
trong đó λ =
μ 0 ne 2

Ta khảo sát một vật siêu dẫn có bề mặt trùng với mặt phẳng (x,y). Giả sử
r
vectơ B hướng theo trục x và không phụ thuộc vào y( Nx = B, By = 0, Bz = 0) ta có
r ∂B
divB = x = 0 (7-15)
∂x
r
Vectơ B không phụ thuộc vào y và Bx không phụ thuộc vào x nên Bxchỉ phụ
thuộc vào z. Phương trình vi phân đối với Bx(z) có dạng:

∂ 2 Bx 1
2
= Bx (7-16)
∂z λ2
Phương trình này có nghiệm;
−z
B x ( z ) = B x ( 0) e λ (7-17)

từ đây ta thấy rằng cảm ứng từ Bx giảm theo định luật hàm mũ khi tăng
khoảng z từ bề mặt của vật và chỉ xuyên sâu vào vật siêu dẫn một khoảng vào cỡ
λ . Khi z > > λ thì Bx(z) ~ 10-30kg, n~1028m-3 thì λ ~ 5.108m.
r r
Nếu chọn thế A sao cho divA = 0 và chú ý rằng
r ne 2 r r r r r
div j = − divA = 0 , rot rot j = graddiv j − ∇ 2 j = −∇ 2 j,
m
r ne 2 r r r r μ 0 ne 2 r
rot j = − B, rotB = μ 0 j, rot rot j = − j
m m
r
ta tìm được phương trình vi phân đối với j :
r 1 r
∇2 j = 2 j (7-18)
λ
Phương trình này chỉ rằng khi đặt vật siêu dẫn trong từ trường, thì xuất hiện
r
một dòn bề mặt (độ sâu lớp bề mặt là λ ) với mật độ j . Chính dòng bề mặt này tạo
 r r
ra một mômen từ M ngược chiều với từ trường ngoài làm cho cảm ứng từ B bên
trong vật siêu dẫn bằng không.
Bây giờ ta khảo sát phương trình London theo cơ học lượng tử. Gọi ψ là hàm
r
sóng của êlêctrôn. Mật độ dìng điện j của các êlêctrôn trong cơ học lượng tử có
dạng:
r e
j= {ψ * p̂ψ = ψ( p̂ψ) *} (7-19)
2m
trong đó p̂ = − ih∇ là toán tử xung lượng của hạt khi không có trường điện từ,
r r
khi hạt ở trong trường điện từ ta thay toán tử p̂ bằng ( p̂ − eA ) trong đó A là thế
vectơ. Khi đó mật độ dòng điện trong trường điện từ có dạng;

[( ) ]}
r
{ ( )
e r r
j= ψ * p̂ − eA ψ + ψ p̂ − eA ψ * (7-20)
2m

hay
r ihe e2 r
j=− {ψ * ∇ψ − ψ(∇ψ ) *} − Aψ * ψ (7-21)
2m m
r
Khi A = 0 tì ψ = ψ 0 và ta nhận được mật độ dòng j ở tạng thái siêu dẫn bằng
không:
r
j=−
ihe *
2m
{
ψ 0∇ψ 0 − ψ 0 (∇ψ 0 ) * = 0 } (7-22)
r
Khi A ≠ 0 thì hàm ψ 0 chuyển thành hàm ψ . Nếu gần đứng đặt ψ ≈ ψ 0 thì ta
có:
r 2 r
j=− {ψ 0∇ψ 0 − ψ 0 (∇ψ 0 )*}− e A ψ 0
ihe * 2

2m m
r e2 r 2 ne 2 r
j = − A ψo = − A (7-23)
m m
2
Trong đó n= ψ 0 là mật độ êlêctroon. Đó là phương trình London được tìm
trong cơ học lượng tử. Ta giải thích điều kiện gần đúng này. Theo lí thuyết nhiễu
loạn trong cơ học lượng tử, ta có:
U no
ψ = ψ0 + ∑E − E
ψn (7-24)
n ≠0 n o

trong đó Uno là yếu tố ma trận của thế nhiễu loạn U. Gần đúng ψ ≈ ψ o chỉ xảy
ra khi E n − E o > > U no nghĩa là tồn tại một khe năng lượng Δ giữa mức năng
lượng cơ bản Eo vớí mức kích thích đơn hạt Engần nhất có bề rộng lớn hơn nhiều
lần so với U no . Vậy do sự có mặt khe năng lượng Δ ở trạng thái siêu dẫn mà ta
nhận được phương trình london.
rr ne 2 r r
Phương trình London phù hợp tốt với thực nghiệm nếu đặt j( r ) = − A' ( r )
m
r r r r r
trong đó A ' (r ' ) trong đó A ' ( r ) là giá trị trung bình của A trong vùn không gian bé
r
gần điểm r theo hệ thức:
r r
r '− r
r r
A' ( r ) =
3 [Ar (rr ')(rr '− rr )](rr '− rr )e ξo
r
4πξo ∫
r r r4
r '− r
dr ' (7-25)
r'

hv F
trong đó ξo = , vF là vận tốc của êlêctrôn ở mặt Fecmi và Δ là bề rộng của
πΔ
khe năng lượng đối với kích thích đơn hạt. Đại lượng ξo có thứ nguyên của độ dài
3
gọi là độ dài kết hợp.Hệ số đứng trước dấu tích phân trong hệ thức của
4πξo
r r r r r r
A ' ( r ) được chọn sao cho khi r ' = r thì A ' = A . Nếu đặt Δ ~ 1 MeV,vF ~1010 m/s thì
ξo ~ 2000A o .

Ta hãy chỉ rằng độ dài kết hợp ξ0 đặc trưng cho sự tương quan giữa các
êlêctrôn trong trạng thái siêu dẫn. Thật vậy, trạng thái siêu dẫn được tổ hợp tuyến
tính từ nhữnghàm sóng ứng với các mức năng lượng ở cách nhau một khoảng bậc
Δ;
⎛ ∂E ⎞ p
δE = ⎜⎜ ⎟⎟ δ p = F δ p = v F δ p ~ Δ (7-26)
⎝ ∂p ⎠ p m F

h
Hệ thức bất định δxδp ≥ cho ta sự tương quan giữa toạ độ và xung lượng
2
h hv
của êlêctrôn trong trạng thái siêu dẫn. Đại lượng δx o ~ = F có độ lớn cùng
2δp 2 Δ
hv F
cỡ với ξ0 . Vậy độ dài kết hợp ξ0 = đặc trưng cho sự tương quan giữa các
πΔ
êlêctrôn trong trạng thái siêu dẫn. Các êlêctrôn ở trạng thái siêu dẫn có khoảng
cách bé hơn hay bằng ξ0 có mối quan hệ chặt chẽ với nhau. Cũng vì lí do này và
để phù hợp tốt với thực ngiệm mà trong phương trình London ta phải thay vectơ
r r r r
A ( r ) bằng giá trị trung bình A ' cảu nó tính trong vùng không gian gần điểm r bậc
ξ0 . Độ dài kết hợp ξ0 và độ dài xuyên sâu của từ trường vào vật siêu dẫn λ là
những độ dài đặc trưng cho các vật siêu dẫn. Đối với vật siêu dẫn loại I ta có
λ < ξ0 và đối với vật siêu dẫn loại II thì λ > ξ0
2. Sự lượng tử hoá từ thông
Trong phần này ta hãy chỉ rằng từ thông đi qua vòng làm bằng vật liệu siêu
dẫn đặt trong từ trường vuông góc với mặt phẳng đi qua vòng bị lượng tử hoá.
Trước hết ta viết hàm sóng của êlêctrôn ở trạng thái siêu dẫn.
r r
Hàm sóng của cặp êlêctrôn tự do ở trạng thái thường có xung lương p1 = hk1
r r
và p2 = hk 2 ở trong thể tích Ω khi không có nhiễu loạn có dạng:
1 ik1rr1 1 ik 2 rr2 1 i (k1rr1 + k 2 rr2 )
r r r r
r r
Φ (r1 , r2 ) = e e = e (7-27)
Ω Ω Ω
r r r r r r r r r r
Khi p1 = − p = − hk, p 2 = p = hk và xung lượng toàn phần p = hk = p1 + p 2 = 0 , ta
có
r r r 1 ikr rr
Φ 0 ( r1 , r2 ) = Φ →( r ) = e (7-28)
k Ω
r r r
trong đó r = r2 − r1 là bán kính vectơ xác định vị trí tương đối giữa hai êlêctrôn.
r r r r r r r r r r r
Trường hợp tổng quát khi p1 = − p + Q, p 2 = p + Q và p = p1 + p 2 = 2Q = hK

ta nhận được;
r
Φ ( r1 , r2 ) = e iϕ (R )Φ 0 ( r1 , r2 )
r r r r
(7-29)

( )
r rr r 1 r r
ở đây ϕ R = KR , R = ( r1 + r2 ) là bán kính vectơ xác định vị trí khối tâm và
2
r
r P r r
v= là vận tốc khối tâm của cặp êlêctrôn. Hàm sóng Φ ( r2 , r2 ) là hàm sóng của
2m
một cặp êlêctrôn ở trạng thái siêu dẫn có liên kết với nhau. Trạng thái của cặp
r r r r
êlêctrôn có xung lượng − p + Q, p + Q có spin ngược chiều ở trạng thái siêu dẫn
r
trong trường hợp tổng quát được mô tả bằng hàm sóng ψ (r1 , r2 ) = e iϕ (R )ψ 0 (r1 , r2 )
r r r

2 2
sao cho n = ψ = ψ 0 là mật độ cặp êlêctrôn ở trạng thái siêu dẫn. Hàm sóng
r r r s r r r r
ψ 0 ( r1 , r2 ) ứng với trường hợp p = p1 + p 2 = 0 và phụ thuộc vào r = r2 − r1 . Hàm
r r r
ψ 0 ( r1 , r2 ) có thể khai triển theo hệ hàm sóng không nhiễu loạn Φ →( r )
k
r r
ψ 0 ( r ) = ∑ a →Φ →( r ) (7-30)
k k k

Mật độ cặp êlêctrôn n ở trạng thái sỉêu dẫn phụ thuộc vào nhiệt độ. Khi T = Tc
thìn = 0.
Mật độ dòng điện siêu dẫn của các cặp êlêctrôn có dạng;
r r
r p
j = nqv = nq (7-31)
μ
 trong đó n là mật độ cặp êlêctrôn, μ = 2m là khối lượng, q = 2e là điện tích và
r
r p
v = là vận tốc khối tâm của cặp êlêctrôn siêu dẫn. Khi êlêctrôn ở trong trường
μ
r r r
điện từ thì ta thay P bằng P − qA . Khi đó ta có:

r nq r nq r nq 2 r
( )
r
j= P − qA = P− A (7-32)
μ μ μ
r
∂ r P
Chú ý rằng ∇ϕ = r ϕ = K = ta được:
∂R h

r nqh∇ϕ nq 2 A
r 2r
n q h∇ ϕ n q A
j= − =− − , q = −q (7-33)
μ μ μ μ

Biểu thức này cũng có thể nhận được từ cơ học lượng tử. Mật độ dòng điện
siêu dẫn trong từ trường có dạng:
r 2 r
ihq
j=− {ψ * ∇ψ − ψ∇ψ *} − q Aψ * ψ (7-34)
2μ μc

iϕ (k )
r
( )
r r r r
Đặt ψ R, r = e ψ0 (r ) vào biểu thức của j và chú ý
∂ 2 2 r
∇ψ = r ψ, n == ψ = ψ 0 ta nhận được biểu thức của j ở trên
∂R

Hình 7.8
Ta khảo sát một vòng làm bằng vật siêu dẫn hình trụ có đường kính và độ
dày đủ lớn so với độ dài xuyên sâu λ cảu từ trường vào bề mặt vật siêu dẫn. từ
r
trường ngoài H đặt song song với trục hình trụ ( hình 7.8). Dòng siêu dẫn chỉ khác
r
không ở vùng gần bề mặt có độ sâu bậc λ . Tích phân mật độ dòng j theo đường
r
tròn L nằm ở bên trong vòng có j = 0 và coi n không thay đổi dọc theo đường L, ta
tìm được:
Hình 7.8
 r r nqh r nq2 r r
∫ j d l = − μ ∫ ∇ ϕd l − μ ∫ A d l = 0 (7-35)
L L L

hay
h
Φ= ∇ϕ (7-36)
q
r r r r r r
trong đó Φ = ∫ Ad l = ∫ rotAdS = ∫ BdS là từ thông đi qua mặt S tựa trên đường
r
cong L và Δϕ = ∫ ∇ϕd l là độ thay đổi toàn phần của pha ϕ trên đường cong L. Để
hàm sóng ψ đơn giá, ta phải có:

ψ = eiϕϕ0 = ei (ϕ = Δϕ )ψ0 (7-37)

Từ đây suy ra eiΔϕ = 1 hay Δϕ = ±2πN với N = 0, 1, 2, 3,… Biểu thức của từ
thông Φ bây giờ được viết lại như sau:
Φ = NΦ 0 (để Φ > 0 ta chọn Δϕ = −2πN ) (7-38)

2πh h
trong đó Φ 0 = = = 2,07.10−15 Wb
q 2e

Công thức Φ = NΦ 0 gọi là công thức lượng tử hoá từ thông. Từ thông Φ

không phải thay đổi liên tục mà thay đổi từng lượng bé Φ 0 .

3. Cặp Cupơ (Cooper)

Ta khảo sát một cặp êlêctrôn ở gần mặt Fecmi. Toán tử Haminton cảu hệ hai
êlêctrôn có dạng:

h 2 2 h2 2 ⎛ ∂ ⎞
Ĥ = − ∇1 − ∇ 2 + U , ⎜⎜ ∇i = r ⎟⎟ (7-39)
2m 2m ⎝ ∂ri ⎠

trong đó U là toán tử tương tác hiệu dụng giữa hai êlêctrônthông qua dao
động mạng tinh thể ( một êlêctrôn phát xạ phônôn và êlêctrôn khác hấp thụ phônôn
này). Hàm sóng hệ hai êlêctrôn ở trong thể tích Ω khi không có nhiễu loạn U ( U =
0) bằng tích hai hàm sóng của hai êlêctrôn tự do:
1 i[k1rr1 + k 2 rr2 ] 1 i[Kr R + kr rr ]
r r
r r
Φ ( r1 , r2 ) = e = e (7-40)
Ω Ω
r 1 r r r r r
trong đó R = (r1 + r2 ) là toạ độ khối tâm, r = r2 − r1 là toạ độ tương đối của hai
2
r r r
( )
r 1 r r
êlêctrôn, K = k1 + k 2 và k = k 2 − k1
2
Động năng của hai êlêctrôn bằng:
 p12 p 22 h 2 k 12 h 2 k 22 h 2 K 2 h 2 k 2
T= + = + = + (7-41)
2m 2m 2m 2m 4m m
r
Khi K = 0 ta có:
r r r r r r r r
P1 = hk1 = −hk, p 2 = hk 2 = hk, p1 = − p 2

h2k 2
T = ε k = 2E k =
m
h 2k 2 r
trong đó E k = là động năng của một êlêctrôn. Khi K = 0 thì động năng
2m
r
của cặp êlêctrôn sẽ bé hơn động năng của chúng khi K ≠ 0 . Mặt khác, khi nghiên
cứu nguyên tử hêli ta thấy rằng cặp êlêctrôn của nguyên tử Hêli ở trạng thái cơ bản
( trạng thái ứng với mức năng lượng thấp nhất) có spin định hướng ngược chiều
r r r
và có P1 + P2 = 0 sẽ bé hơn năng lượng của chúng khi p1 + p2 ≠ 0 và spin của chúng
r r
cùng chiều. Hai êlêctrôn có p1 = − p 2 và có spin ngược chiều sẽ liên kết với nhau
và tạo thành cặp khi có sự tương tác hút hiệu dụng giữa các êlêctrôn thông qua
trường phônôn ảo (một êlêctrôn phát xạ phônôn và êlêctrôn khác hấp thụ ngay
phônôn này). Cặp êlêctrôn liên kết với nhau có xung lượng bằng nhau gọi là cặp
Cupơ. Trong phần này ta nghiên cứu trạng thái liên kết của cặp Cupơ trong trường
hợp đơn giản.
r
Khi K = 0 thì hàm sóng hệ hai êlêctrôn không nhiễu loạn có dạng:
r
r r 1 ik (rr2 − rr1 ) 1 ikr rr
Φ →(r1 , r2 ) = e = e (7 - 43)
k Ω Ω

h2 2 ⎛ ∂⎞
Hàm này là hàm riêng của toán tử động năng T̂ = ∇ ⎜ ∇ = r ⎟ của cặp
m ⎝ ∂r ⎠
êlêctrôn có tương tác với nhau. Phương trình Srôđingơ của hệ hai êlêctrôn như
vậy ở trạng thái dừng có dạng:

r r ⎡ h 2∇2 r r ⎤ r r r r
Ĥψ ( r1 , r2 ) = ⎢ − + U ( r1 , r2 )⎥ψ (r1 , r2 ) = Eψ ( r1 , r2 ) (7 - 44)
⎣⎢ m ⎦⎥
r r
trong đó E là giá trị riêng của Ĥ tương ứng với hàm riêng ψ(r1 , r2 ) . Ta khai
r r r r
triển hàm ψ(r1 , r2 ) theo hệ hàm riêng không nhiễu loạn Φ k ( r1 , r2 ) của toán tử T̂ :
r r r r
ψ (r1 , r2 ) = ∑ a →Φ → (r1 , r2 ) (7 - 45)
k'> k F k' k'

trong đó a → là hệ số khai triển kF là độ lớn vectơ sóng của êlêctrôn ở mặt

k'
r r
Fecmi. Đặt hàm ψ(r1 , r2 ) vào phương trình Srôđingơ và chú ý rằng:
 h 2∇ 2 r r h 2 k '2
− Φ →( r ) = ε k ' Φ →( r ), ε k ' = (7 - 46)
m k' k' m
Ta tìm được:
r r r
∑ a →[ε k ' − E + U ( r1 , r2 )]Φ →( r1 , r2 ) = 0 (7 – 47)
k'> k F k' k'

∗ r
r r 1 − ik (rr2 − rr1 ) r r
Nhân phương trình này với Φ →( r1 , r2 ) = e rồi lấy tích phân theo r1 , r2
k Ω
trong toàn miền thẻ tích Ω với sự chú ý:
r r
± i (k ' − k )r r
r r r
⎧Ω khi k' = k
∫e d r = Ωδ k ' , k = ⎨
r r
⎩
r r
0 khi k' ≠ k
(7 - 48)
Ω

ta được:
r r r r
(ε k − E )a kr + ∑ a kr ' < −k, k U k ' ,−k ' >= 0 (7 – 49)
k '> k F

ở đây
rr rr rr rr
r r r r e − ikr e ikr r r e ik ' r e − ik ' r r r
U( r1 , r2 )
2 1 2 1

< −k, k U k ' ,−k ' >= ∫ d r1d r2 (7 – 50)

Ω Ω Ω Ω

Ta biết rằng các êlêctrôn ở gần mức Fecmi EF mới tham gia hiện tượng dẫn.
h 2 k 2F
Một êlêctrôn ở mức EF = hấp thụ một phônôn có tần số lớn nhất ωD ( ωD là
2m
tần số Đơbai) sẽ chuyển đến trạng thái với năng lượng E F + hωD . Với sự chú ý này
ta xét trường hợp đơn giản của tương tác hút giữa các êlêctrôn sau:

r r r r ⎧- g/Ω khi E F < E k , E k ' < E F + hω

< −k, k U k ' ,−k ' >= ⎨ (7 – 51)
⎩0 khi E F ≥ E k , E k ' ≥ E F + hω

h2k 2 h 2 k 2m r r
trong đó g = const > 0, E k = , E F + hωD ≡ E m = . Khi đó k và k phải
2m 2m
thỏa mãn điều kiện k F < k1 , k ' < k m .

Trong trường hợp đơn giản này ta có;

gΩ −1
a kr = r C (7 – 52)
εk − E

ở đây c = ∑ a kr '
k F < k'< k m

Dễ dàng thấy rằng:

 gcΩ −1
∑a
k F <k <k m
r
k
=c= ∑
k F <k <k m ε kr − E
(7 – 53)

Từ đây suy ra;

1 1 1
=
g Ωk
∑ ε kr − E
(7 – 54)
F < k< k m

Phương trình này xác định những giá trị năng lượng E của cặp êlêctrôn: Chú
ý rằng hàm sóng của êlêctrôn tự do trong thể tích Ω = L3 có dạng;
r 1 ikrrr 1 i (k x + k y + k z )
ϕkr ( r ) = e = e x
(7 – 55)
y z

Ω Ω
trong đó:
2π 2π 2π
kx = n1 , k y = n2 , kz = n3
L L L
( n1, n2, n3 là những số nguyên). Khi L lớn thì các giá trị kx, ky, kz thay đổi gần
r r
như liên tục. Khi đó ta thay tổng theo k bằng tích phân theo k . Số giá trị vectơ
r
sóng k có thể có nằm trong khoảng từ k x → k x + dk x , k y → dk y , k z → dk z sx là dg
Ω
= dn1.dn2.dn3 = dk dk dk . Vậy ta có quy tắc thay:
(2π)3 x y z
Ω
∑ .. → ... (2π) dk
r 3 x dk y dk z (7 – 56)
k

Sau cùng chuyển từ tích phân theo xung lượng sang tích phân theo năng
lượng ε ta thay:
dk x dk y dk z
∫ ... (2π) 3
→ ∫ ...Z(ε )dε (7 – 57)

ở đây z(ε) là mật độ trạng thái (số trạng thái trên một đơn vị khoảng năng
r
lượng) và Z ( ε ) d ε . Ta có công thức thay tổng theo k bằng tích phân theo năng
lượng như sau:
1
∑ ... → ∫ ...Z(ε)dε
Ω kr
(7 – 58)

Gọi Z( ε ) d ε là trạng tahí của hệ hai êlêtrôn tự do có năng lượng nằm trong
khoảng từ ε → ε + dε , ta có:

Z(ε )dε
εk m
1
g
= ∫
εF ε−E
(7 – 59)

trong đó:
 h 2 k 2F h 2 k 2m
εk = = 2E F , ε k = = 2E m = 2E F + 2hωD
F
m m
m
Mức năng lượng ở trạng thái cơ bản Eo (mức năng lượng thấp nhất) của cặp
êlêctrôn được xác định từ phương trình:
ε km
1 Z(ε)dε
g
= ∫ ε − E0
(7 - 60)
εF

( 7 – 60)
Trong khoảng bé của năng lượng gần mức Fecmi ( E F ≤ ε ≤ E F + hωD ) Coi
Z( ε ) có giá trị không đổi và bằng mật độ trạng thái ở mức Fecmi ZF. Khi đó ta có:

1 ⎡ 2E − E 0 ⎤ ⎡ 2hωD + 2E F − E 0 ⎤
= Z F ln ⎢ m ⎥ = Z F ln ⎢ ⎥ (7 – 61)
g ⎣ 2E F − E 0 ⎦ ⎣ 2E F − E 0 ⎦
hay:
2hωD
ΔE = 2 E F − E 0 = 1
(7 – 62)
gZ F
e −1
3 TOÁN TỬ SINH HẠT VÀ TOÁN TỬ HUỶ HẠT TRONG LÍ THUYẾT SIÊU DẪN
Trước hết ta trình bày một vài định nghĩa, kí hiệu và chú ý quan trọng. Toán tử
 là một quy tắc hay một phép toán mà nhờ nó ta có thể biến đổi hàm Ψ thành
hàm φ. Ta nói rằng toán tử  tác dụng lên hàm Ψ cho ta hàm φ và viết Â Ψ = φ.
Toán tử Â là toán tử tuyến tính nếu ta có;

Â(C1Ψ1 + C 2 Ψ2 ) = C1ÂΨ1 + C2 ÂΨ2 (7 – 66)

Toán tử Â + được gọi là toán tử liên liệp với toán tử Â nếu thoả mãn điều
kiện:

∫ Ψ (x )Â ϕ(x )dx = ∫ (ÂΨ(x ))* ϕ(x )dx

* +
(7 – 67)

Hay viết gọn hơn < Ψ, Â + ϕ >=< ÂΨ, ϕ >

Nếu  + =  thì toán tử  là ecmit. Nếu Â Ψ = A Ψ thì Ψ gọi là hàm riêng và A

gọi là trị riêng của  . Điều kiện chuẩn hoá hàm sóng Ψ, yếu tố ma trận của toán tử
Â, trị trung bình Ā của đại lượng A được viết như sau:

< Ψ, Ψ >≡ ∫ Ψ * (x )Ψ (x )dx = 1 (7 – 68)

< Ψ, Âϕ >≡ ∫ Ψ * (x )Âϕ(x )dx (7 – 69)

 A =< Ψ, ÂΨ >= ∫ Ψ * (x )ÂΨ (x )dx (7 – 70)

Chỉ có những trị riêng A, trị trung bình Ā, yếu tố ma trận < Ψ, Âϕ > là xác định
được và có ý nghĩa vật lí. Ta có thay đổi biến riêng, trị trung bình và các yếu tố ma
trận không thay đổi là được. Khi nghiên cứu bài toán hệ các hạt đồng nhất thường
dùng biến của hàm sóng là số hạt ở cùng một trạng thái đơn hạt và toán tử của các
đại lượng vật lí được biểu diễn qua toán tử sinh hạt và toán tử huỷ hạt. Ta hay
nghiên cứu các trường hợp cụ thể sau đây.
1. Toán tử sinh và toán tử huỷ phônôn
Phương trình Srôđingơ của dao động tử điều hoà một chiều có dạng:

⎛ p̂ 2 mω2 2 ⎞ d
ĤΨn (x ) = ⎜ + x ⎟Ψn (x ) = E n Ψn (x ), p̂ = −ih (7 – 71)
⎜ 2m 2 ⎟ dx
⎝ ⎠
Giải phương trình này ta được:
ξ2
n ξ2 d n ⎛ − ξ2 ⎞ mω
Ψn (x ) = A n e2H n (ξ) = (− 1) e ⎜e ⎟, ξ = x
dξ n ⎝ ⎠ h

⎛ 1⎞
E n = hω⎜ n + ⎟, n = 0,1,2,... (7 – 72)
⎝ 2⎠

Ta có thể nhận được trị riêng En này bằng cách thay đổi biến của hàm sóng
và thay đổi cách biểu diễn toán tử Ĥ . Đưa vào toán tử â và â + ( â + là toán tử liên
hiệp ecmit với toán tử â) như sau:

⎧ 1
⎛
⎪â = ⎜
m ⎞ 2⎛ ip̂ ⎞
⎟ ⎜ ωx̂ + ⎟
⎪ ⎝ 2 hω ⎠ ⎝ m⎠
⎨ 1
(7 – 73)
⎪ + ⎛ m ⎞ 2⎛ ip̂ ⎞
⎪â = ⎜ 2hω ⎟ ⎜ ωx̂ − m ⎟
⎩ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Để thấy rằng

h â + â + â − â +
x̂ = , p̂ = mωh (7 – 74)
mω 2 i 2

Toán tử Haminton Ĥ bây giờ có thể viết:

Ĥ =
p̂ 2 nω2 x 2 hω +
2m
+
2
=
2
(
ââ − ââ + ) (7 – 75)

∧
Dùng hệ thức xp̂ − px = ih ta tìm được:

ââ + − â + â = 1 hay ââ + = 1 + â + â (7 – 76)

 Khi đó ta có:
⎛ 1⎞
Ĥ = hω⎜ â + â + ⎟ (7 – 77)
⎝ 2⎠

Gọi Φ n làm hàm riêng chuẩn hoá của Ĥ tương ứng với trị riêng En:

ĤΦ n = E n Φ n , < Φ n , Φ n >= 1 (7 – 78)

Hàm Φ n cũng là hàm riêng của toán tử n̂ = â + â

n̂Φ n = nΦ n (7 – 79)

trong đó n là trị riêng của toán tử n̂ tương ứng với hàm riêng Φ n . Ta có:
2
n =< Φ n , n̂Φ n >=< Φ n , â + âΦ n >=< âΦ n , aΦ n >= âΦ n ≥0 (7 – 80)

nghĩa là n là số không âm.

Dùng hệ thức giao hoán ââ + − â + â = 1 ta tìm được:

( )
n̂â − ân̂ = â + ââ − ââ + â = â + ââ − 1 + â + â â = −â (7 – 81)

( )
n̂â + − â + n̂ = â + ââ + − â + â + â = â + 1 + â + â − â + â + â = â + (7 – 82)

Ĥâ − âĤ = − hωâ , Hâ + − â + Ĥ = hωâ + (7 – 83)

Dễ dàng thấy rằng:

n̂âΦ n = (ân̂ − â )Φ n = (n − 1)âΦ n ,

( )
n̂â + Φ n = â + n̂ + â + Φ n = (n + 1)â + Φ n ,

( )
ĤâΦ n = âĤ − hωâ Φ n = (E n − hω)âΦ n , (7 – 84)

( )
Ĥâ + Φ n = â + Ĥ + hωâ + Φ n = (E n + hω)â + Φ n . (7 – 85)

Từ đây suy ra rằng nếu Φ n là hàm riêng của n̂ tương ứng với trị riêng n thì
âΦ n và â + Φ n cũng là những hàm riêng của n̂ tương ứng với các trị riêng (n – 1)
và (n + 1). Các số n nằm cạnh nhau khác nhau một đơn vị. Gọi n0 là riêng bé nhất
của toán tử n̂ thì ta có:
n̂Φ n 0 = n 0Φ n 0 (7 – 86)

Khi đó
n̂âΦ n 0 = (n 0 − 1)âΦ n 0 (7 – 87)

vì n0 là giá trị bé nhất của n thì không tồn tại trị riêng của n̂ bằng n0 – 1. Đẳng
thức n̂âΦ n 0 = (n 0 − 1)âΦ n 0 chỉ xảy ra khi âΦ n 0 = 0 . Ta biết:
 n 0 =< Φ n 0 , â + âΦ n 0 >=< âΦ n 0 , âΦ n 0 >= 0 (7 – 88)

Vậy các giá trị có thể có của n là n = 0, 1, 2, 3,…

⎛ 1⎞ ⎛ 1⎞
ĤΦ n = hω⎜ n̂ + ⎟Φ n = hω⎜ n + ⎟Φ n = E n Φ n (7 – 89)
⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠

⎛ 1⎞
trong đó E n = hω⎜ n + ⎟, n = 0,1,2,3... Chú ý rằng hàm âΦ n và Φ n − 1 đều là
⎝ 2⎠
hàm riêng của n̂ tương ứng với trị riêng n – 1 nên ta có:
âΦ n = αΦ n −1 (7 – 90)

trong đó α là hệ số được xác định từ điều kiện chuẩn hoá. Ta biết:

2 2
n =< Φ n , â + âΦ n >=< âΦ n , âΦ n >= α < Φ n −1 , Φ n −1 >= α

Vậy ta có α = n và

âΦ n = nΦ n −1 hay â n >= n n − 1 > (7 – 91)

Trong đó ta kí hiệu Φ n ≡ n > .

Tương tự, hàm â + Φ n và Φ n + 1 đều là hàm riêng của n̂ tương ứng với trị
riêng n + 1 nên ta có:

â + Φ n = β Φ n +1 (7 – 92)

Ta biết:

( )
1 + n =< Φ n , 1 + â + â Φ n >=< Φ n , ââ + Φ n >=
2 2
=< â + Φ n , â + Φ n >= β < Φ n +1 , Φ n +1 >= β

Từ đây suy ra β = n + 1 và

â + Φ n = n + 1Φ n +1 hay â + n >= n + 1 n + 1 > (7 – 93)

Ta nhận được trị riêng En của dao động tử điều hoà này không phải giải
phương trình Srôđingơ mà dùng hàm Φ n trong biến số n còn toán tử Ĥ biểu diễn
qua toán tử â và â +. Nếu Φ n là hàm riêng của Ĥ tương ứng với trị riêng En thì
â Φ n là hàm riêng của

Ĥ tương ứng với trị riêng E n − hω và â + Φ n là hàm riêng của Ĥ tương ứng
với trị riêng E n − hω . Ta nói rằng toán tử â đã huỷ một hạt có năng lượng bằng hω
và toán tử â + đã sinh một hạt có năng lượng hω . Trong lí thuyết dao động mạng
r r
ωj(q ) phụ thuộc vào vectơ sóng q và nghành dao động j nên â qrj , â q+rj phụ thuộc vào
 r
q và j. Toán tử â qrj , â q+rj là toán tử huỷ và toán tử sinh một hạt phônôn có năng
r r
lượng hω j (q ) , có chuẩn xung lượng hq . Trạng thái Φ 0 (n 0 = 0) gọi là trạng thái chân
không. Đối với trạng thái này ta có:
âΦ 0 = 0 hay â 0 >= 0 (7 – 94)

< Φ 0 , Φ 0 >= 1, â + Φ 0 = Φ1 hay â + 0 >= 1 > (7 – 95)

Chú ý rằng â + Φ n −1 = n Φ n ta có:

1 + 1
Φn = â Φ n −1 , Φ n −1 = â + Φ n − 2 ,
n n −1
1
Φ n−2 = â + Φ n − 3 ...
n−2

Φn =
(â + )
Φ 0 hay n >=
(â + ) 0 >
n
(7 – 96)
n! n!
Hàm Φ n được xác định qua hàm Φ 0 .

Phônôn là chuẩn hạt không có spin và thuộc loại hạt Bôzôn. Trong trường hợp
tổng quát nếu gọi â k là toán tử huỷ Bôzôn ở trạng thái k và â1+ là toán tử sinh
Bôzôn ở trạng thái l thì giữa â k và â1+ tồn tại những hệ thức giao hoán sau:

⎧1 khi k = 1
⎡â , â + ⎤ = δ = ⎪ (7 – 97)
k1 ⎨
⎢⎣ k 1 ⎥⎦
⎪⎩0 khi k ≠ 1, [â k , â1 ] = ⎡â + , â + ⎤ = 0
⎢⎣ k 1 ⎥⎦

[ ]
Trong đó kí hiệu Â, B̂ = ÂB̂ − B̂Â .
2. Toán tử sinh hạt và toán tử huỷ hạt êlêctrôn
Phương trình Srôđingơ của một êlêctrôn ở trường ngoài có dạng:

⎛ h 2∇2 r ⎞
ĤΨk (ξ) = ⎜ − + U (r )⎟Ψk (ξ) = E k Ψk (ξ) (7 – 98)
⎜ 2m ⎟
⎝ ⎠
Trong đó Ψk (ξ) là hàm sóng của một êlêctrôn ( hàm sóng đơn hạt) và Ek là
năng lượng của một hạt êlêctrôn, là một tập hợp toạ độ và hình chiếu spin của
êlêctrôn. Hàm sóng của N hạt êlêctrôn là hàm sóng phản đối xứng đối với giao
hoán hai hạt bất kì cho nhau:
Ψ(ξ1, ξ2,…, ξk,…, ξl,…, ξN) = - Ψ(ξ1,…, ξ2,…, ξl,…, ξk,…, ξN) (7 – 99)
Hàm sóng của một hệ hai êlêctrôn không tương tác được biểu diễn dưới dạng
định thức sau:
 1 Ψk (ξ1 )Ψk (ξ2 ) 1
Ψ (ξ1 , ξ2 ) = = {Ψk (ξ1 )Ψk ' (ξ2 ) − Ψk (ξ2 )Ψk ' (ξ1 )} (7- 100)
2 Ψk ' (ξ1 )Ψk ' (ξ2 ) 2
Hàm sóng Ψ(ξ1, ξ2) sẽ bằng không nếu hai hàm Ψk và Ψk’ như nhau (k = k’
hay ξ1 = ξ2). Đó là nguyên lí Paoli: Không thể có hơn một êlêctrôn ở cùng một trạng
thái: Gọi nk là số êlêctrôn ở trạng thái đơn hạt Ψk(ξ) thì nk = 0, 1. Số nk gọi là số
chất đầy. Khi giao hoán k cho k’ hoặc ξ1 cho ξ2 thì hàm sóng hệ hai êlêctrôn đổi
dấu.
Phương trình Srôđingơ của một hệ N hạt êlêctrôn không tương đương có
dạng

Ĥ 0 Ψ (ξ1 ,..., ξ N ) = E 0 Ψ (ξ1 ,..., ξ N ), (7 – 101)

N
Trong đó Ĥ 0 = ∑ Ĥ (ξi ), E 0 = ∑ E k n k và hàm Ψ là hàm phản đối xứng được
i =1 k
biểu diễn dưới dạng định thức bậc N.
Ψk1 (ξ1 )Ψk1 (ξ2 )...Ψk1 (ξ N )
1 Ψk 2 (ξ1 )Ψk 2 (ξ2 )...Ψk 2 (ξ N )
Ψ (ξ1 , ξ2 ,..., ξ n ) =
N ..............................................
Ψk N (ξ1 )Ψk N (ξ2 )...Ψk N (ξ N )

Khi hoán vị hai hàng hay hai cột cho nhau thì định thức đổi dấu (hàm sóng
phản đối xứng). Khi có hai hàng hay hai cột của định thức như nhau thì định thức
bằng không (nguyên lí Paoli). Bây giờ ta xây dựng hàm sóng trong biến là số chất
đầy nk và biểu diễn toán tử H qua toán tử sinh hạt C và toán tử huỷ hạt C sao cho
nguyên lí Paoli không bị vi phạm và các kết quả vật lí như năng lượng E0 của hệ
êlectrôn vẫn còn như cũ. Giả sử n1, n2, n3… là số hạt ở trong trạng thái đơn hạt
Ψk1, Ψk2,Ψk3… Khi đó ta biểu diễn hàm sóng của các biến chất đầy nk như sau:
Φ(1k, 0, 0,…o) ≡≡Ψk (ξ) (7 – 102)
1 Ψk (ξ1 )Ψk (ξ2 )
Φ (1k ,1k ' ,0,0...0) ≡
2! Ψk ' (ξ1 )Ψk ' (ξ2 )

Ψk1 (ξ)...Ψk1 (ξ N )
(
Φ 1k1 ,1k 2 ,...1k N ,0,0 ≡ )
1 ..............................
N! ..............................
(7 – 103)
Ψk N (ξ1 )...Ψk N (ξ)N

Hàm sóng hệ N hạt trong biến số chất đầy trong trường hợp tổng quát được
viết dưới dạng Φ(n1, n2,…,nk,…nl,…, nN). Gọi Φ(0) là hàm trạng thái chân không.
Các toán tử sinh êlectrôn Ĉ +k , toán tử huỷ êlectrôn Ĉ k tác dụng lên hàm
 Φ(n1, n2,…,nk,…nl,…)

Ĉ +k 'Φ (0) = Φ (1k ) = Ψk (ξ) (7 – 104)

Ĉ k Φ (1k ) = Φ (0) (7 – 105)

1
Ĉ +k 'Ĉ +k Φ (0) = Φ (1k ,1k ' ) = {Ψk (ξ1 )Ψk ' (ξ2 ) − Ψk (ξ2 )Ψk ' (ξ1 )} (7 – 106)
2

1
Ĉ +k Ĉ +k 'Φ (0) = {Ψk ' (ξ1 )Ψk (ξ2 ) − Ψk ' (ξ2 )Ψk (ξ1 )} = −C k+'C +k Φ (0) (7 – 107)
2

Để phù hợp với nguyên lí Paoli toán tử Ĉ +k và Ĉ1 tác dụng lên hàm Φ(n1,
…,nk,…nl,…) được xác định như sau:

Ĉ k+ Φ (n1 , n 2 ,..., n k ,..., n l ) = θ k (1 − n k )Φ (n1 , n 2 ,..., (1 − n k ),..., n l ...) (7 – 108)

Ĉl Φ (n l , n 2 ,..., n k ,..., n l ) = θl n1Φ (n1 , n 2 ,..., n k ,...(1 − n l ),...), (7 – 109)

Trong đó θ1 = (− 1)υ1 , θ k = (− 1)υ k với

υ1 = n1 + n 2 ... + n l −1 , υ k = n1 + n 2 + ... + n k −1 (7 – 110)

(υ1 bằng tổng tất cả số chất đầy đứng trước n1).

Chú ý rằng nk = 0,1 nên n…đặt 1 – nk = n’k ta có:

Ĉ k Φ (n1 ,..., n k ,...) = θk n k Φ (n l ,..., n ' k ,...) (7 – 111)

Ĉ +k Ĉ k Φ (n1 ,..., n k ,...) = θ k n k Ĉ +k Φ (n l ,..., n ' k ,...)

Ĉ +k Ĉ k Φ (n1 ,..., n k ,...) = θ k n k θ k (1 − n ' k )Φ (n l ,..., (1 − n ' k ),... )

Vì 1 – n’1 = nk, θ 2k = 1 , n 2k = n k nên ta có:

Ĉ +k Ĉ k Φ (n1 ,..., n k ,...) = n k Φ (n l ,..., n k ,...) (7 – 112)

Từ đây ta thấy rằng toán tử n̂ k = Ĉ k+ Ĉ k là toán tử số hạt nk = 0,1 là trị riêng của
toán tử n̂ k và Φ(n1,…,nk...) là hàm riêng của n̂ k . Từ việc xác định các toán tử
Ĉ k+ , Ĉ l tác dụng lên hàm Φ(n1,…,nk...) trên dễ nghiệm thấy rằng giữa các toán tử
Ĉ k+ , Ĉl tồn tại các hệ thức phản giao hoán:

{Ĉ1, Ĉk+ }= δlk , {Ĉl ,Ĉk }= 0, {Ĉl+ , Ĉk }= 0 (7 – 113)

 { }
Ở đây kí hiệu Â, B̂ = ÂB̂ + B̂Â

Bây giờ ta biểu diễn toán tử Ĥ0 qua toán tử Ĉ k+ , Ĉ kl sao cho giá trị E0 của hệ
vẫn như cũ.

Ĥ 0Φ (n1 , n 2 ,.., n k ,...)E 0Φ (n1 ,..., n k ,....) (7 – 114)

= ∑ E k n k Φ (n1 ,..., n k ,...) = ∑ E k Ĉ +k Ĉ k Φ ( n1 ,..., n k ,...) (7 – 115)

k k

Từ đây ta có:

Ĥ 0 = ∑ E k Ĉ k+ Ĉ k (7 – 116)
k

Trong đó Ek là năng lượng của một hạt êlectrôn. Kết quả này cũng có thể
nhận được bằng cách sau. Ta biết rằng Ψk(ξ) là hàm riêng của toán tử Ĥ tương
ứng với trị riêng Ek. Khai triển hàm Ψ(ξ) theo hệ hàm riêng trực giao và chuẩn hoá
ta có:
Ψ (ξ) = ∑ C k Ψk (ξ) (7 – 117)
k

Trong đó Ck là hệ số khai triển. Trị trung bình năng lượng của một êlectrôn ở
trạng thái Ψ(ξ) bằng:

E = ∫ Ψ * (ξ)Ĥ (ξ)Ψ
ˆ (ξ)dξ = ∑ E C* C
k k k (7 – 118)
k

Nếu thay C k → Ĉ k , C*k → Ĉ +k thì ta có:

Ψ (ξ) → Ψ
ˆ (ξ) = ∑ Ĉ Ψ (ξ)
1 1 (7 – 119)
1

Ψ* (ξ) → Ψ
ˆ + (ξ) = ∑ Ĉ + Ψ * (ξ)
k k (7 – 120)
k

ˆ + (ξ)ĤΨ (ξ)dξ = ∑ < k ' Ĥ k > Ĉ + Ĉ

E → Ĥ 0 = ∫ Ψ (7 – 121)
k k k
k' k

Khi Ψk(ξ) là hàm riêng của Ĥ nghĩa là Ĥ Ψk =Ek Ψk thì nhận được:

< k ' Ĥ k >= ∫ Ψk* (ξ)ĤΨk (ξ)dξ = E k δ kk '

Ĥ 0 = ∑ E k Ĉ k+ Ĉ k (7 – 122)
k

Nếu hệ các êlectrôn tương tác với nhau thì toán tử Haminton của hệ có dạng:
Ĥ = Ĥ0 + ĤI (7 – 123)
 Trong đó Ĥ1 =
1
( )
∑ W ξi , ξ j …. i ≠ j với W (ξ i , ξ j ) là thế tương tác cặp hạt i và j.
2 ij
Trị trung bình của thế năng tương tác cặp ứng với một hạt trong trạng thái
Ψ(ξi),Ψ(ξj) bằng:
1
2
1
[ ( ) ( ) ]
W = ∫ Ψ * (ξi ) ∫ Ψ * (ξ1 )W ξi , ξ j Ψ ξ j dξ j Ψ (ξi )dξi (7
2
– 124)

Đặt:
( ) ( )
Ψ ξ j = ∑ C p Ψp ξ j , Ψ (ξi ) = ∑ Cq Ψ (ξi )
p q

( ) ( ) ( )
Ψ * ξ j = ∑ C1*Ψ1* ξ j , Ψ* ξ j = ∑ C*k Ψk* (ξi ) (7 – 125)
1 k

Ta tìm được:
1 1
W = ∑ < kl W pq > .C*k C*lC p Cq (7 – 126)
2 2 klpq

Trong đó ( ) ( ) ( )
< kl W pq >= ∫ Ψk* (ξi )Ψl* ξ j W ξi , ξ j Ψp ξ j Ψq (ξi )dξi dξ j . Nếu thay

C*k → Ĉ +k , C*l → Ĉl+ , C p → Ĉ p , Cq → Ĉq thì

1
2
1 ˆ+
W → Ĥ I = ∫ Ψ
2
( )
(ξi )Ψˆ + ξ j W(ξi , ξ j )Ψˆ (ξ j )Ψˆ (ξi )dξidξ j

1
= ∑ < kl W pq > .Ĉ k+ Cl+ C p Cq (7 – 127)
2 kl
pq

Toán tử Haminton của hệ êlectrôn tương tác bây giờ được viết dưới dạng:
1
Ĥ = ∑ E k Ĉ k+ Ĉ k + ∑ < kl W pq > Ĉ k+ Ĉl+ Ĉ p Ĉq (7 – 128)
k 2 kl
pq

Đây là biểu thức của toán tử Ĥ trong lí thuyết lượng tử hoá lần thứ hai (trong
phép lượng tử lần đầu ta thay toạ độ bằng toán tử toạ độ, thay xung lượng bằng
toán tử xung lượng, thay năng lượng bằng toán tử Haminton, giải phương trình
Srôđingơ tìm năng lượng và hàm sóng. Trong phép lượng tử hóa lần thứ hai ta coi
hàm sóng như trường cổ điển và thay hàm sóng bằng toán tử trường).
4. TƯƠNG TÁC GIỮA ÊLECTRÔN VÀ PHÔNÔN
Tương tác giữa êlectrôn và phônôn cho ta một loạt hiệu ứng quan trọng. Tán
xạ của êlectrôn lên phônôn dẫn đến chuyển êlectrôn từ trạng thái với vectơ sóng
r r
k' đến một trạng thái khác với vectơ sóng k' . Quá trình này là nguyên nhân xuất
hiện điện trở trong tinh thể. Tương tác giữa êlectrôn dẫn với phônôn gây ra sự hấp
thụ (hay bức xạ) phônôn. Quá trình này là nguyên nhân cơ bản của sự tắt dần
sóng ngắn trong kim loại. Tương tác giữa êlectrôn và phônôn dẫn đến sự hút nhau
của cặp êlectrôn do hấp thu và bức xạ phônôn ảo. Kết quả này dẫn đến hiện tượng
siêu dẫn.
Thế năng tương tác của êlectrôn khi tinh thể không bị nhiễu loạn được xác
định từ công thức:
r r r r r r r
U (r ) = ∑ U 0 (r − n ) , n = n1a1 + n 2a 2 + n 3a 3
r
n
r r
Nếu hạt nhân ở nút n dịch chuyển một vectơ bé unr thì thế năng của êlectrôn
sẽ thay đổi và trở thành:
r r r r r
U ( r ) + ΔU (r ) = ∑ U 0 (r − n − u nr ) (7-130)
r
n
r
Vì unr bé nên gần đúng ta có:
r r r r r r r r
U 0 ( r − n − u nr ) = U 0 ( r − n ) − u nr ∇U 0 ( r − n ) (7-131)
r r r r
ΔU( r ) = ∑ −u nr ∇U 0 ( r − n ) (7-132)
r
n

Vectơ dịch chuyển trong lí thuyết dao động mạng có dạng:

1/ 2
⎛ ⎞ r r ri qrnr
r ⎟ e j (q )e {a qrj + a −qrj }
r h
u nr = ∑ ⎜ *
(7-133)
r ⎜ 2 N Mω (q ) ⎟
qj
⎝ 0 j ⎠
r r r r r
( e j (− q ) = e*j (q ) vì unr là thực)
trong đó j là chỉ số ngành dao động (j = 1,2,3), N0 là số ô cơ bản của tinh thể,
r r r r
M là khối lượng của ion, q là vectơ sóng dao động, ω j (q ) là tần số dao động, e j (q )
là vectơ xác định sự phân cực. Chuyển từ lí thuyết dao động cổ điển sang lí thuyết
r r
dao động lượng tử ta thay vectơ dịch chuyển unr bằng toán tử û nr . Khi đó
n
a qrj → â qrj là toán tử huỷ phônôn và a *qrj → â q+rj là toán tử sinh phônôn:

1/ 2
r
û nr = ∑ ⎜
⎛ h
r
⎞
⎟
r ⎜ 2 N Mω (q ) ⎟
{
r r ri qrnr r
e j (q )e â qj + â *− qrj } (7-134)
qj ⎝ 0 j ⎠
Ta đã biết toán tử Haminton của hệ êlectrôn không tương tác với nhau và các
ion coi như không dao động có dạng:
ˆ + (ξ)ĤΨ
Ĥ 0 = ∫ Ψ ˆ (ξ)dξ (7-135)

h 2∇ 2 r r
trong đó Ĥ = − + Û ( r ) . Khi Û( r ) thay bằng
2m
 r
Û (r ) + ΔÛ thì Ĥ → Ĥ + ΔÛ và Ĥ 0 → Ĥ 0 + V̂ trong đó:

ˆ + (ξ)ΔÛ (rr )Ψ
ˆ (ξ)dξ = Ψˆ + (ξ)⎛⎜ ∑ −ûr r ∇U ⎞⎟ Ψ
0 ⎟ (ξ)dξ
V̂ = ∫ Ψ ˆ
∫ ⎜ r n (7-136)
⎝n ⎠

Toán tử V̂ là toán tử mô tả sự tương tác giữa êlectrôn và phônôn. Biểu diễn

ˆ + (ξ) qua Ĉ + , Ψ̂ (ξ) qua Ĉ r ûr nr qua â qrj và â + r ta viết được:
các toán tử Ψ k' k − qj
r

Vj (q )Ĉ k+r + qr Ĉ kr (â qrj + â − qrj ), (V* (q ) = V (− q ))

− qj
r
V̂ =
r
∑r r
(7-137)
q,k, j
r r
Hay thay q → −q trong tổng thứ hai ta có:

V̂ =
r
∑r
{Vj (q )Ĉ +kr + qr Ĉkr â qrj , Vj* (q )Ĉ+kr −qr Ĉ kr â +qrj }
r r
(7-138)
q, k, j

Tương tác giữa êlectrôn và phônôn được biểu diễn bằng các đồ thị trên hình
7.9a và 7.9b.

Hình 7.9
Trong các đồ thị đó, huỷ hạt được biểu diễn bằng các vectơ đi đến đỉnh O và
sinh hạt được biểu diễn bằng các vectơ từ đỉnh O đi ra. Chuyển êlectrôn từ trạng
thái với vectơ sóng k sang trạng thái kđược khảo sát như huỷ một êlectrôn ở trạng
thái với vectơ sóng k và sinh một êlectrôn ở trạng thái k. Từ những cấu trúc đồ thị
đỉnh mô tả các quá trình tương tác của êlectrôn và phônôn nói trên ta có thể xây
dựng đồ thị khác phức tạp hơn cũng mô tả các quá trình tương tác có thể có giữa
êlectrôn và phônôn như trên hình 7.10a và 7.10b

Hình 7.10a Hình 7.10b

 Các quá trình này có sự tham gia của hai êlectrôn, một êlectrôn phát xạ
r
phônôn và êlectrôn khác hấp thụ phônôn. Trong điều kiện hω(q ) > E kr − E kr − qr các

quá trình này dẫn đến có sự hút nhau giữa các êlectrôn. Tahãy chỉ ra điều đó. Để
đơn giản ta khảo sát tương tác giữa êlectrôn và phônôn đối với một nhánh dao
r
động (bỏ qua sự phụ thuộc của ω(q ) vào j). Trước hết ta tính năng lượng tương tác
hiệu dụng của một cặp êlectrôn thông qua trường phônôn ảo (một êlectrôn phát xạ
phônôn và một êlectrôn khác hấp thụ phônôn). Thế năng tương tác giữa các
êlectrôn và phônôn V̂ được coi là nhiễu loạn bé. Trong gần đúng bậc hai của lí
thuyết nhiễu loạn, năng lượng cặp êlectrôn được tính theo công thức
2
< Φ n V̂ Φ 0 >
E = E 0 + < Φ 0 V̂ Φ 0 > + ∑ (7-139)
n E0 − E n
r
Trong đó E0 = E + E kr ' là năng lượng của một cặp êlectrôn có xung lượng hk và
r
( )
hk' khi không có phônôn, Φ 0 = Φ 0 0qr ,1kr ,0 kr − qr ,1kr ' ,0 kr ' + qr , là hàm sóng của cặp êlectrôn
khi không nhiễu loạn (khi không có phônôn), En và Φn là năng lượng và hàm sóng
của hệ (hai êlectrôn và một phônôn) ở trạng thái trung gian. Chú ý rằng â qr Φ 0 = 0 và

hàm â q+r Φ 0 là hàm sóng có một phônôn trực giao với hàm sóng không có phônôn Φ0

nghĩa là Φ 0 â q+r Φ 0 >= 0 cho nên ta có < Φ 0 V̂ Φ 0 >= 0 .Vậy năng lượng của cặp
êlectrôn trong trường phônôn có dạng:
2
< Φ n V̂ Φ 0 >
E = E0 + ∑ (7-140)
n E0 − E n
2
< Φ n V̂ Φ 0 >
mỗi số hạng là năng lượng tương tác, tương ứng với một đồ
E0 − E n
thị hai đỉnh trên hình 7.10a hay hình 7.10b. Ta tính năng lượng tương tác hiệu
dụng của một cặp êlectrôn tương ứng với đồ thị hình 7.10a và 7.10b sau đó cộng
năng lượng tương tác tương ứng với hai đồ thị này lại ta tìm được năng lượng
r
tương tác của cặp êlectrôn khi q đã cho. Trên đồ thị hình 7.10a êlectrôn có xung
r
lượng hk có năng lượng E kr phát xạ phônôn trước, sau đó êlectrôn có xung lượng
r
hk' , có năng lượng E kr ' hấp thụ phônôn này. Quá trình trung gian xảy ra kể từ lúc
êlectrôn đầu phát xạ phônôn và êlectrôn thứ hai hấp thụ phônôn. Trên đồ thị hai
đỉnh hình 7.10a và hình 7.10b các quá trình trung gian xảy ra nằm trong vùng giới
hạn bởi hai đường thẳng chấm chấm nằm ngang. Năng lượng và hàm sóng của hệ
trong trạng thái trung gian trên đồ thị hình 7.10a sẽ là:
 r
E n ≡ E (qra ) = E kr −qr + E kr ' + hω(q )

(
Φ n ≡ Φ (qra ) 1qr ,0 kr ,1kr −qr ,1kr ' ,0 kr +qr ) (7-141)

Năng lượng tương tác của một cặp êlectrôn tương ứng với đồ thị hình 7.10a
bằng:
2
< Φ q(ra ) V̂ Φ 0 > V(q )
r 2
v (a ) =
(
E kr + E kr ' − E kr − qr
r =
) r
+ E kr ' + hω(q ) E kr − E kr − qr − hω(q )
(7-142)

r
Trên đồ thị hình 7.10b êlectrôn có xung lượng hk' phát xạ phônôn trước, sau
r
đó êlectrôn có xung lượng hk hấp thụ phônôn này. Năng lượng và hàm sóng của
hệ trong trạng thái trung gian có dạng:
r
E n = E q(rb ) = E kr + E kr ' + qr + hω(− q )

(
Φ n ≡ Φ q(rb ) 1−qr ,0 kr ,1kr −qr ,1kr ' ,0 kr ' + qr ) (7-143)
r r
Chú ý rằng ω(q ) = ω(− q ) và biểu thức của V̂ có thể viết dưới dạng (thay
r r
k → k' ):

( ) r r Ĉ r (â r + â + r )
r
+
V̂ = ∑
rr
V q Ĉ k ' +q k q −q (7-144)
q, k '

Ta có: V̂Φ 0 = V (q )Φ q(rb ) và

r

2
< Φ q(rb ) V Φ 0 > V(q )
r 2
v (b ) =
[
E kr + E kr ' − E kr + E kr + qr
r =
] r
+ hω(q ) E kr ' − E kr + qr − hω(q )
(7-145)

Năng lượng tương tác hiệu dụng của một cặp êlectrôn thông qua trường
r
phônôn khi q đã cho được xác định bằng công thức:

v (q ) = v (a ) + v (b )
r

r 2 ⎧⎪ 1 1 ⎫⎪ (7-146)
= V (q ) ⎨ r r + r ⎬
⎪⎩ E k − E k − qr − hω(q ) E k − E k ' − qr − hω(q ) ⎪⎭
r r r

Ở trạng thái đầu và trạng thái cuối (biểu diễn trên đồ thị hình 7.10a và 7.10b)
hai êlectrôn không tương tác vớinhau. Theo định luật bảo toàn năng lượng ta có:
E kr + E kr ' = E kr − qr + E kr ' + qr hay E kr ' − E kr ' + qr = −( E kr − E kr − qr ) (7-147)

Từ đây suy ra:

 r r 2
2hω(q ) V(q )
r
v (q ) = ( )
r r
(E r
k
− E kr − qr ) − (hω(qr ))
2 2
≡ 2 W q, k (7-148)

r r
Khi E kr − E kr − qr < hω(q ) thì v (q ) < 1 và khi đó hai êlectrôn hút nhau. Thế năng

tương tác cặp êlectrôn thông qua trường phônôn tương ứng với một êlectrôn là
( )
r r
W q, k .

Toán tử tương tác giữa các êlectrôn thông qua trường phônôn trong biểu diễn
r
lượng tử hoá lần thứ hai ứng với mọi giá trị của q có dạng:

Ĥ ee = ∑
r r
W
r r +r
q
r
( )
, k Ĉk' +qr Ĉk+r ' −qr Ĉkr Ĉkr ' (7-149)
q, k, k '

r
Các êlectrôn chỉ hút nhau khi E kr ± qr − E kr < hω(q ) còn trong các trường hợp còn
lại chúng đẩy nhau. Ngay trong vùng tương tác hút, các êlectrôn cũng chịu lực đẩy
r
Culông. Tuy nhiên, nếu v (q ) đủ lớn thì lực hút giữa các êlectrôn vẫn thắng lực đẩy.
Đối với vật siêu dẫn, để đơn giản trong việc nghiên cứu ta coi rằng vùng hút nhau
giữa các êlectrôn xảy ra khi
− hωD < E kr , E kr ± qr < hωD (7-150)

Trong đó ωD là tần số Đơbai, E kr là năng lượng của một êlectrôn tính từ mức
Fecmi.
5. LÍ THUYẾT BCS
(Bardeen J. Cooper L. N, Schrieffer J. R)
Lí thuyết về cặp Cupơ cho phép ta mô tả trạng thái siêu dẫn. Theo các tác giả
của lí thuyết BCS trong toán tử Haminton của hệ êlectrôn mô tả các hiện tượng
siêu dẫn chỉ có các số hạng liên hệ với cặp êlectrôn có xung lượng và spin ngược
chiều và có độ lớn xung lượng bằng nhau (cặp Cupơ). Hàm sóng ở trạng thái cơ
bản Φ(0) của hệ êlectrôn siêu dẫn không phải tổ hợp tuyến tính từ tất cả các hàm
sóng của hệ êlectrôn không tương tác Φ (n1, n2, …) mà tổ hợp tuyến tính từ các
hàm sóng mà trong đó những êlectrôn của hệ chỉ ở dưới dạng cặp Cupơ. Dưới đây
r
ta sẽ quy ước trạng thái của êlectrôn được mô tả bằng vectơ sóng k có spin
r
hướng lên phía trên (↑ ) là K và trạng thái của êlectrôn có vectơ sóng − k và spin
hướng xuống phía dưới (↓ ) là – K. Ngoài ra ta luôn luôn giả thiết rằng Ex = E-K.
Toán tử Haminton của hệ êlectrôn siêu dẫn được chọn dưới dạng:

(
Ĥ = ∑ E K Ĉ +K Ĉ K + Ĉ +− K Ĉ − K + ) ∑ W(K, K')Ĉ +K 'Ĉ +− K 'Ĉ − K Ĉ K (7-151)
K K, K'
 trong đó EK là năng lượng của một êlectrôn tính từ mức Fecmi và trạng thái K’
tương ứng với k+q và spin hướng lên trên (K’). Đưa vào toán tử sinh cặp Cupơ và
toán tử huỷ cặp Cupơ như sau:

Các toán tử b̂ +K và b̂ K tác dụng lên hàm sóng với biến là số cặp Cupơ Φ
(….nK, n-K, …) với nK = n-K = 0,1 (nK, n-K gọi là số chất đầy). Chú ý rằng nKn-K = nK= n-
K, 2nK = 2n-K = nK + n-K và b̂ +K b̂ K = Ĉ +K Ĉ +− K Ĉ − K Ĉ K = Ĉ +K Ĉ K Ĉ +− K Ĉ − K ta có:

2 b̂ +K b̂ K Φ (..., n K , n − K ,...) = 2Ĉ +K Ĉ K Ĉ +− K Ĉ − K Φ (..., n K , n − K ,...) =

= 2n K n − K Φ (..., n K , n − K ,...) = 2 n K Φ (..., n K , n − K ,...) =
= (n K + n − K )Φ (..., n K , n − K ,...) =
= (Ĉ +K Ĉ K + Ĉ +− K Ĉ − K )Φ (..., n K , n − K ,...)

Toán tử Haminton của hệ êlectrôn siêu dẫn bây giờ có thể được viết dưới
dạng:

Ĥ = ∑ 2 E K b̂ +K b̂ K + ∑ W(K, K')b̂ +K ' b̂ K (7-153)

K K, K'

Trong cơ học lượng tử, ta có thể biến đổi cả toán tử và hàm sóng miễn sao
cho các trị riêng, trị trung bình, các yếu tố ma trận của các đại lượng vật lí không
thay đổi là được. Ta thực hiện phép biến đổi toán tử Ĥ về một dạng mới thuận tiện
hơn cho việc mô tả những đặc tính vật lí của hệ siêu dẫn. Đáng lẽ dùng các toán tử
Ĉ +K , Ĉ K hay b̂ +K , b̂ K ta đưa vào các toán tử sinh và các toán tử huỷ Fecmi mới
αˆ +K và α̂ K như sau:

Trong đó uK, vK là những thông số thực thoả mãn một số điều kiện xác định.
Khi thay K bằng – K thì α̂ K chuyển thành αˆ − K và αˆ +K chuyển thành αˆ +− K . Điều này
chỉ xảy ra khi:
uK = u- K, vK = - v-K (7-155)

Đòi hỏi để các toán tử α̂ K , αˆ +K là những toán tử huỷ và toán tử sinh chuẩn
hạt Fecmi thì giữa các toán tử αˆ +K , α̂ K tồn tại các hệ thức phản giao hoán:

{αˆ K , αˆ +K' }= αˆ K αˆ +K' + αˆ +K'αˆ K = δKK'

{αˆ K , αˆ K ' } = 0, {αˆ K , αˆ +K ' }= 0 (7-156)

Từ các hệ thức (7-156) và dùng các hệ thức phản giao hoán của các toán tử
Ĉ +K và Ĉ K ta tìm được:

u 2K + v 2K = 1 (7-157)
 Ta có thể thực hiện phép biến đổi ngược lại nghĩa là Ĉ K và Ĉ +K qua α̂ K và αˆ +K
như sau:

Ĉ K = u K αˆ K + v K αˆ +K , Ĉ − K = u K αˆ − K − v K αˆ +K

Ĉ +K = u K αˆ +K + v K αˆ − K , Ĉ +− K = u K αˆ +− K − v K αˆ − K (7-158)

Đặt các hệ thức (7-158) vào (7-151) ta viết được biểu thức của toán tử
Haminton dưới dạng:

Ĥ = Ĥ 0 + Ĥ1 + Ĥ 2 + Ĥ 3 + Ĥ 4 (7-159)

Trong đó:

Ĥ 0 = ∑ 2 E K v 2K + ∑ W(K, K')u K v K u K ' v K '

K K, K '

⎧
( ) ⎫
Ĥ1 = ∑ ⎨ E K u 2K − v 2K − 2 u K v K ∑ W(K, K')u K ' v K ' ⎬ N̂ K + N̂ − K ( )
K ⎩ K' ⎭

Ĥ 2 = ∑ W(K, K')u K ( )(
v K u K ' v K ' N̂ K + N̂ −K N̂ K ' + N̂ −K ' )
K ,K '

(
Ĥ 3 = ∑ αˆ +K αˆ +− K + αˆ − K αˆ K ĥ K )
K

(
ĥ K = 2 E K u K v K + u 2K − v 2K )∑ W(K, K')u K' v K' (1 − N̂ K' − N̂ − K' )
K'

N̂ K = αˆ +K αˆ K , N̂ − K = αˆ +− K αˆ − K

Ĥ 4 = ∑ W(K, K'){u 2K αˆ +K αˆ +− K − v 2K αˆ − K αˆ K }{u 2K ' αˆ − K 'αˆ K ' − v 2K 'αˆ +K 'αˆ +− K ' } (7-160)
K, K'

Các toán tử αˆ +K và α̂ K là toán tử sinh và toán tử huỷ chuẩn hạt Fecmi, toán
tử N̂ K là toán tử số chuẩn hạt Fecmi. Ở trạng thái cơ bản của hệ êlectrôn siêu dẫn
không tồn tại một chuẩn hạt Fecmi nào cho nên hàm sóng Φ(0) mô tả trạng thái cơ
bản của hệ êlectrôn siêu dẫn cũng là hàm sóng mô tả trạng thái chân không của hệ
chuẩn hạt Fecmi. Gọi Φ(NK) là hàm riêng của toán tử NK tương ứng với trị riêng NK,
ta có:

N̂ K Φ (N K ) = N K Φ (N K ), N K = 0,1; (7-161)

Φ (N K ) = (αˆ +K ) Φ (0 ), αˆ K Φ (0 ) = 0
NK
(7-162)

Hệ hàm riêng Φ(NK) là trực giao và chuẩn hoá cho nên:

<Φ(NK), Φ(NK) > =1 (7-163)

< Φ (N K ), αˆ +K αˆ +− K Φ (N K ) >= 0 , < Φ (N K ), αˆ − K αˆ K Φ (N K ) >= 0 (7-164)

 Những số hạng có chứa ( αˆ +K αˆ +− K + αˆ − K αˆ K ) trong biểu thứ của Ĥ 3 là không
chéo hoá, ta có thể chọn thông số uK (hoặc vK) sao cho trị riêng của toán tử
ĥ K bằngkhông nghĩa là:

(
2 E K u K v K + u 2K − v 2K )∑ W(K, K')u K' v K' (1 − N K' − N − K' ) = 0 (7-165)
K'

ở đây NK’, N-K’ = 0,1. Phù hợp với điều kiện (7-165) ta có thể viết:

<Φ, Ĥ 3 , Φ>= 0 (7-166)

trong đó:

Φ = Φ (... N K , N − K ,..., N K ' , N − K ' ...) = ∏ Φ (N K ) = ∏ αˆ +K ( )N K

Φ (0) (7-167)
K K

là hàm sóng mô tả trạng thái kích thích của hệ êlectrôn siêu dẫn. Dùng các
điều kiện (7-163), (7-164) và (7-166) ta tìm được năng lượng E của hệ êlectrôn
siêu dẫn:

E = <Φ, ĤΦ̂ > = E0 + E1 + E2 (7-168)

ở đây:

E 0 = ∑ 2 E K v 2K + ∑ W(K, K')u K v K u K ' v K '

K K, K'

⎧
( ) ⎫
E1 = ∑ ⎨ E K u 2K − v 2K − 2 u K v K ∑ W(K, K')u K ' v K ' ⎬(N K + N − K )
K ⎩ K' ⎭
E2 = ∑ W (K, K')u K v K u K ' v K ' (N K + N − K )(N K ' + N − K ' ) (7-169)
K, K'

Gọi fK = N K là số chuẩn đạt Fecmi trung bình ở trạng thái K. Trong lí thuyết
siêu dẫn BCS thì N K = N − K = fK.
Hàm phân bố fK ở trạng thái cân bằng phụ thuộc vào nhiệt độ T. Năng lượng
của hệ êlectrôn siêu dẫn bây giờ được viết dưới dạng:

{ (
E 0 = ∑ 2 E K v 2K + u 2K − v 2K f K + ) } ∑ W(K, K')u K v K u K ' v K ' −
K K, K' (7-170)
− ∑ 4W(K, K')u K v K u K ' v K 'f K + ∑ 4W(K, K')u K v K u K ' v K 'f K f K '
K, K' K, K'

Khi thay các chỉ số lấy tổng K cho K’ và K’ cho K thì ta có:

∑ W (K, K')u
K ,K '
K v K u K ' v K 'f K = ∑ 4W (K, K')u
K ,K '
K' v K 'u K v K f K '

Vì W(K, K’) = W(K’,K) cho nên ta có thể viết:

 ∑ 4W (K, K')u K v K u K ' v K 'f K = ∑ 2W (K, K')u K v K u K ' v K ' (f K + f K ' ) (7-171)
K, K' K, K'

Sử dụng hệ thức (7-171) và chú ý rằng v 2K =

1
2
1 − u 2K − v 2K [ ( )] ta có thể viết lại
biểu thức năng lượng E của hệ êlectrôn siêu dẫn như sau
E = ∑ E K − ∑ E K (u 2K − v 2K )(1 − 2f K ) + ∑ W(K, K')u K v K u K ' v K ' (1 − 2f K )(1 − 2f K ' )
K K K ,K '

(7-172)

Trong hệ thức (7-165) nếu thay NK’, N-K’ bằng N K ' = N − K ' = f K ' thì ta có:

(
2 E K u K v K + u 2K − v 2K )∑ W(K, K')u K' v K' (1 − 2f K' ) = 0 (7-173)
K'

Dùng hệ thức (7-172) với điều kiện (7-173) ta xác định được năng lượng E
của hệ êlectrôn siêu dẫn.
Ta tính entropi S và năng lượng tự do F = E – TS của hệ siêu dẫn. Từ điều
⎛ ∂F ⎞
kiện cực tiểu của năng lượng tự do ⎜⎜ = 0 ⎟⎟ ta xác định được sự phụ thuộc của
⎝ ∂f K ⎠
hàm fx vào nhiệt độ T. Kí hiệu Pi là xác suất tìm trạng thái lượng tử i của hệ lượng
tử thì entropi của hệ sẽ là:

S = − kln P = − k ∑ Pi ln Pi (7-174)
i

Trong đó k là hằng số Bônxơman. Ta tìm biểu thức của entropi S đối với hệ
chuẩn hạt Fecmi trong lí thuyết siêu dẫn. Gọi εx là năng lượng của một chuẩn hạt
Fecmi, NK là số chuẩn hạt Fecmi có năng lượng bằng εK. Trong khoảng năng
lượng từ εK đến εK + d εK có MK trạng thái lượng tử. Đối với chuẩn hạt Fecmi thì NK
= 0,1 và MK ≥ NK. Xác suất tìm một trạng thái lượng tử bị chiếm bởi chuẩn hạt
N
Fecmi là f K = K = N K và xác suất tìm một trạng thái lượng tử để trống (không bị
MK
MK − NK
chiếm bởi chuẩn hạt Fecmi) là = 1 − f K . Entropi của hệ siêu dẫn bằng:
MK

S = − k ∑ {f K ln f K + (1 − f K ) ln (1 − f K ) + f − K ln(f − K ) + (1 − f − K ) ln(1 − f − K )}
K

S = −2 k ∑ {f K ln f K + (1 − f K ) ln (1 − f K )} (7-175)
K

Từ điều kiện cực tiểu của năng lượng tự do:

∂F ∂E ∂S
= −T =0
∂f K ∂f K ∂f K

Ta tìm được:
 ⎛ f ⎞
2E K (u 2K − v 2K ) − 4u K v K ∑ W (K, K')u K ' v K ' (1 − 2f K ' ) + 2kT ln⎜⎜ K ⎟⎟ = 0 (7-176)
K' ⎝1− fK ⎠
Từ đây suy ra:
1
fK = εK
(7-177)
e kT +1
Trong đó:
ε K = E K (u 2K − v 2K ) − 2u K v K ∑ W (K, K')u K ' v K ' (1 − 2f K ' ) (7-178)
K'

Là năng lượng tạo thành một chuẩn hạt Fecmi trong lí thuyết BCS. Đặt:
Δ K = −∑ W (K, K')u K ' v K ' (1 − 2f K ' )
K'
(7-179)
⎛ ε ⎞
= −∑ W (K, K')u K ' v K ' th ⎜ K ' ⎟
K' ⎝ 2kT ⎠
Ta có:
E = ∑ E K − ∑ (1 − 2f K ){E K (u 2K − v 2K ) + u K v K Δ K } (7-180)
K K

(
2 E K u K v K − u 2K − v 2K Δ K = 0 ) (7-181)

( )
ε K = E K u 2K − v 2K + 2 u K v K Δ K (7-182)

Từ điều kiện u 2K + v 2K = 1 ta có thể viết:

u K = cos θ K , v K = sin θ K (7-183)

Chú ý rằng 2 u K v K = sin 2θ K , u 2K − v 2K = cos 2θ K ta tìm được

E K sin 2θ K = Δ K cos 2θ K (7-184)

Hay:
EK
cos 2θK = u 2K − v 2K = (7-185)
E 2K + Δ2K

ΔK
sin 2θ K = 2u K v K = (7-186)
E 2K + Δ2K

Từ các hệ thức (7-157) và (7-158), ta có:

1 ⎧⎪ EK ⎫
⎪
u 2K = ⎨1 + ⎬ (7-187)
2⎪ E 2K + Δ2K ⎪⎭
⎩
 1 ⎧⎪ EK ⎫
⎪
v 2K = ⎨1 − ⎬ (7-188)
2⎪ E 2K + Δ2K ⎪⎭
⎩
Dùng các hệ thức (7-185), (7-186) hay (7-187), (7-188) ta xác định được E và
ε K:
⎧⎪ E 2K Δ2K ⎫⎪
E = ∑ E K − ∑ (1 − 2f K )⎨ 2 + ⎬ (7-189)
K K ⎪⎩ E K + Δ2K 2 E 2K + Δ2K ⎪⎭

ε K = E 2K + Δ2K (7-190)

⎛ ε ⎞
Trong đó (1- 2fK) = th ⎜ K ⎟ và EK là năng lượng của một êlectrôn được tính từ
⎝ 2 kT ⎠
mức Fecmi. Khi êlectrôn nằm ở mức thì EK = 0 và εK = ∆K. Vậy ∆K là năng lượng bé
nhất cần thiết cung cấp cho hệ để hệ chuyển lên trạng thái kích thích gần nhất.
Từ các hệ thức (7-179) và (7-186) ta nhận được phương trình xác định đại
lượng ∆K:

1 ΔK' ⎛ E 2K + Δ2K ⎞
Δ K = − ∑ W (K, K') th ⎜ ⎟ (7-191)
2 K' E K + Δ K ⎜⎝ 2kT
2 2 ⎟
⎠
Bây giờ chúng ta xét trường hợp đơn giản sau:
W(K,K’)= khi - h ωD < EK , EK’ < h ωD, g > 0
⎧− g / Ω trong tất cả các trường hợp còn lại
⎨0
⎩
Khi đó ∆K không phụ thuộc vào K (∆K = ∆). Phương trình đối với đại lượng ∆
có dạng đơn giản:

g Δ ⎛ E 2 + Δ2 ⎞
Δ= ∑ th⎜ K' ⎟
2Ω K ' E + Δ
2 2 ⎜ 2kT ⎟
K' ⎝ ⎠
Hay:

g 1 ⎛ E 2 + Δ2 ⎞
1= ∑ th⎜ K' ⎟ (7-192)
2Ω K E 2 + Δ2 ⎜ 2kT ⎟
K' ⎝ ⎠
Phương trình này xác định đại lượng ∆ phụ thuộc vào nhiệt độ T. Chuyển từ
1
phép tính tổng ∑ ... sang phép tính tích phân ∫ ...Z(E )dE , ta có:
Ω K
hω
g D Z(E )dE⎛ E 2 + Δ2 ⎞
th⎜ ⎟
2 − h∫ω
1= (7-193)
2 2 ⎜ 2 kT ⎟
D
E +Δ ⎝ ⎠
 Trong đó Z (E) là mật độ trạng thái và Z(E) dE là số trạng thái nằm trong
khoảng năng lượng từ E→ E + dE.
Ở gần mặt Fecmi thì gần đúng coi Z(E) = ZF = const. Phương trình (7-193),
bây giờ được viết lại như sau:

D hω ⎛ E 2 + Δ2 ⎞
g dE
1 = ZF ∫ th⎜ ⎟=
2 − hω
D
E 2 + Δ2 ⎜⎝ 2kT ⎟
⎠ (7-194)
hω D ⎛ E 2 + Δ2 ⎞
dE
= gZ F ∫ th⎜ ⎟
2 2 ⎜ 2 kT ⎟
0 E +Δ ⎝ ⎠
Phương trình này xác định ∆ phụ thuộc vào T.
Khi nhiệt độ T = Tc thì pha siêu dẫn chuyển sang pha thường. Khi đó ∆(Tc) = 0
và ta có:

dE ⎛ E ⎞
hω D x
1 dx ⎛ x ⎞
0

gZ F
= ∫
0
th ⎜⎜ ⎟⎟ = ∫ th ⎜ ⎟
E ⎝ 2kTc ⎠ 0 x ⎝ 2 ⎠
(7-195)

hωD
ở đây x 0 = .Từ phương trình (7-195) ta xác định được nhiệt độ chuyển
kTc
pha Tc. Đối với các vật siêu dẫn trị của x0 rất lớn. Chú ý rằng:
x0
ln x 0 dx
x0 = e = exp ∫ x
1

⎧x dx ⎛ x ⎞⎫
0
⎧ ⎧x dx ⎛ x ⎞⎫ ⎫ 0

exp⎨ ∫ th ⎜ ⎟⎬ ⎪ exp⎨ ∫ th ⎜ ⎟⎬ ⎪
⎩ 0 x ⎝ 2 ⎠⎭ ⎪ ⎩ 0 x ⎝ 2 ⎠⎭ ⎪ =
lim = lim ⎨ x ⎬
x →∞
0 x0 x →∞
⎪ 0 dx ⎪
0

exp ∫
⎪ x ⎪
⎩ 1 ⎭
⎧ 1 dx x 1 dx ⎡ ⎛ x ⎞ ⎤ ⎫
= lim exp⎨∫ th + ∫ ⎢ th ⎜ ⎟ − 1⎥ ⎬
⎩0 x 2 0 x ⎣ ⎝ 2 ⎠ ⎦⎭
x →∞
0

⎧ 1 dx x ⎫ ⎧∞ dx ⎡ x ⎤ ⎫
= exp⎨∫ th ⎬ exp⎨∫ ⎢ th − 1⎥ ⎬ = 1,14
⎩0 x 2⎭ ⎩1 x ⎣ 2 ⎦⎭
ta có:

⎧⎪x 0 dx ⎛ x ⎞ ⎫⎪
exp ⎨ ∫ th⎜ ⎟ ⎬ = 1,14x 0
⎪⎩ 0 x ⎝ 2 ⎠ ⎪⎭

x0
dx ⎛ x ⎞ 1
hay: ∫ th⎜ ⎟ = ln(1,14x 0 ) = (7-196)
0
x ⎝2⎠ gZ F

Từ đây suy ra:

 1
gZ F
kTc = 1,14 hωD e (7-197)

Gọi M là khối lượng đồng vị của nguyên số vì ωD ~ M-1/2 cho nên ta có:
M1/2 Tc = const (7-198)
Công thức này mô tả hiệu ứng đồng vị trong lí thuyết siêu dẫn:

⎛ E 2 + Δ2 ⎞
Khi T→0K thì ∆(T) → ∆0 và th ⎜ ⎟ →1
⎜ 2 kT ⎟
⎝ ⎠
Khi đó ta có:
hωD hω D
1 dE
= ∫ = ln E + E + Δ =
2 2
0
gZ F 0 E 2 + Δ20 0

⎛ hω +
⎜ D (hωD )2 + Δ2 ⎞
⎟
= ln⎜ 0

⎟⎟
⎜ Δ0
⎝ ⎠
Hay
1
−
gZ F
2hωD e
Δ= (7-199)
⎛ −
2 ⎞
⎜ gZ F ⎟
⎜1 − e ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
2
⎛ Δ ⎞
Khi ⎜⎜ 0 ⎟⎟ << 1 thì biểu thức của ∆0 có dạng đơn giản:
⎝ hωD ⎠
1
−
gZ F
Δ = 2hωDe (7-200)

Từ các hệ thức (7-197) và (7-200) ta tìm được:

2∆0 = 3,52 k Tc (7-201)
E
Dùng hệ thức này và đặt x = ta viết lại phương trình (7-194) như sau:
kTc

x0 ⎧ 2⎫
dx ⎪1 T 2 ⎛ Δ (T ) ⎞ ⎪
1 = gZ F ∫ th ⎨ c x + ⎜⎜ ⎟⎟ ⎬ (7-202)
⎪⎩ 2 T ⎝ kTc ⎠ ⎪
2
0 2 ⎛ Δ (T ) ⎞ ⎭
x + ⎜⎜ ⎟⎟
kT
⎝ c ⎠
 Δ (T )
Trong đó x0 = hωD / kTc Phương trình này xác định sự phụ thuộc của vào
kTc
T
(hình vẽ 7.6)
Tc

Bây giờchúng ta nghiên cứu các tính chất của vật siêu dẫn ở trạng thái cơ
bản. Khi nhiệt độ T = 0K thì hệ siêu dẫn ở trạng thái cơ bản. Khi đó ta có NK = N-K =
0,fK= 0, ∆K = ∆, E = E0 và Φ = Φ(0). Ta xác định năng lượng E0 và hàm sóng Φ(0)
của hệ siêu dẫn ở trạng thái cơ bản.
Đặt fK = 0 và ∆K = ∆0 vào (7-189) ta có:

⎧ Δ20 ⎫
⎪⎪ E K [ε K − E K ] − ⎪⎪
E0 = ∑ ⎨ 2 (7-203)
⎬
K ⎪ εK ⎪
⎪⎩ ⎪⎭

Trong đó EK được tính từ mức Fecmi và εK = E 2K + Δ20 Khi k > kF thì EK > 0 và
khi k < kF thì EK > 0. Biểu thức của E0 có thể được viết lại như sau:

⎧ Δ20 ⎫ ⎧ Δ20 ⎫
⎪⎪ E K [ε K − E K ] − 2 ⎪⎪ ⎪⎪ E K [ε K − E K ] − 2 ⎪⎪
E0 = ∑ ⎨ ⎬ ∑⎨
+ ⎬ (7-204)
k >k ⎪
F
εK ⎪ k <k ⎪ F
εK ⎪
⎪⎩ ⎪⎭ ⎪⎩ ⎪⎭

Trong tổng thứ hai của (7-204) ta thay EK → - EK và chú ý εK vẫn còn không
thay đỏi, ta được:

⎧ Δ20 ⎫ ⎧ Δ20 ⎫
⎪⎪ E K [ε K − E K ] − 2 ⎪⎪ ⎪⎪ E K [ε K − E K ] − 2 ⎪⎪
E0 = ∑ ⎨ ⎬ ∑⎨
+ ⎬
k >kF ⎪ εK ⎪ k >k ⎪
F
εK ⎪
⎪⎩ ⎪⎭ ⎪⎩ ⎪⎭ (7-205)

⎧E2 Δ2 ⎫
= −2 ∑ ⎨ K + 0 ⎬
k >k ⎩ ε K
F
2ε K ⎭

Gọi E0N là năng lượng của hệ êlectrôn nói ở trên khi chuyển sang trạng thái
thường. Ta tính E0N và xác đọmk ∆E = E0N – E0. Ta có:
E 0 N = ∑ (E K + E − K ) = 2 ∑ EK (7-206)
K k<k F

Thay EK → E- K thì (7-206) chuyển thành:

E 0 N = −2 ∑ EK (7-207)
k>k F

Từ các hệ thức (7-205) và (7-207) ta tìm được:

 ⎧⎪ E 2K Δ20 ⎫⎪
ΔE = E 0 N − E 0 = −2 ∑ ⎨⎪ K ε − 2ε ⎬⎪
E − (7-208)
k>kF ⎩ K K⎭

Hay:
hω D ⎧ E2 Δ20 ⎫
⎪ ⎪
ΔE = −2Ω ∫ ⎨E − − ⎬Z(E )dE (7-209)
0 ⎪⎩ E 2 + Δ20 2 E 2 + Δ20 ⎪⎭

Ở gần mặt Fecmi, gần đúng coi Z (E) = ZF = const ta tính được:

⎧ 2⎫
2⎪ ⎛ Δ0 ⎞ ⎪
ΔE = − Z FΩ(hωD ) ⎨1 − 1 + ⎜⎜ ⎟⎟ ⎬ (7-210)
⎪⎩ ⎝ h ω D ⎠ ⎪
⎭
2
⎛ Δ ⎞
Khi ⎜⎜ 0 ⎟⎟ << 1 thì gần đúng ta có:
⎝ hωD ⎠
Ω
ΔE ≈ Z F Δ20 > 0 (7-211)
2

B2
Mật độ năng lượng của từ trường là . Năng lượng của từ trường cần thiết
2μ 0
để chuyển hệ từ trạng thái siêu dẫn sang trạng thái thường trong thể tích Ω bằng:

B2 Ω
Ω = ΔE ≈ Z F Δ20 (7-212)
2μ 0 2

Từ đây suy ra:

Bc =μ0 Hc ≈ μ0Z F Δ 0 (7- 213)

Sự tồn tại khe năng lượng ∆0 dẫn đến tồn tại một từ trường tới hạn Hc. Vì ∆0
1
~ωD ~ 1 2 cho nên ta có:
M
Hc M1/2 = const (7-214)
Tiếp theo ta xác định hàm sóng của hệ êlectrôn siêu dẫn ở trạng thái cơ bản
Φ(0) Trạng thái cơ bản Φ(0)là trạng thái chân không đối với chuẩn hạt Fecmi (EK =
E- K=0). Điều đó có nghĩa rằng:
αˆ K Φ (0) = 0 (7-215)

Gọi Φe (0) là trạng thái chân không đối với êlectrôn (trạng thái không có một
êlectrôn nào). Chú ý rằng:

Ĉ K Φ e (0) = 0 , Ĉ − K Φ e (0) = 0 và b̂ +K = Ĉ +K Ĉ +− K ' ta có:

 ( )(
αˆ − K αˆ K Φ e (0) = u K Ĉ − K + v K Ĉ +K u K Ĉ K + v K Ĉ +− K Φ e (0) )
( )
= − v K u K + v K b̂ +K Φ e (0)

Hay

−
αˆ − K αˆ K
vK
(
Φ e (0) = u K + v K + b̂ +K Φ e (0) )
Hàm sóng Φ(0) là hàm sóng chân không cặp Cupơ (không có cặp Cupơ nào)
và hàm sóng b̂ +K Φe(0) cũng là hàm sóng của một cặp Cupơ. Hàm sóng
uKΦe(0)+vK b̂ +K Φe(0) là tổ hợp tuyến tính các hàm sóng Φe(0) và b̂ +K Φe(0) cũng là
hàm sóng mô tả một trạng thái khả dĩ của cặp Cupơ. Hàm sóng

(
Φ (0) = ∏ u K + v K b̂ +K Φ e (0) ) (7-216)
K

Mô tả trạng thái cơ bản của hệ êlectrôn siêu dẫn. Ta hãy chứng minh rằng
α̂ K Φ(0)= 0. Thật vậy nếu sử dụng các hệ thức:

αˆ K , αˆ K ' = 0, αˆ K αˆ K ' = − αˆ K ' khi K ≠ K’

(αˆ − K αˆ K )(αˆ − K ' αˆ K ' ) = (αˆ − K 'αˆ K )(αˆ − K αˆ K )

Thì ta có:

⎛ αˆ αˆ ⎞
αˆ K ' Φ (0 ) = −αˆ K ' ∏ ⎜⎜ −K K ⎟⎟Φ e (0 )
K ⎝ vK ⎠
⎛ αˆ αˆ ⎞ ⎛ αˆ αˆ ⎞
= −αˆ K ' ⎜⎜ −K ' K ' ⎟⎟ ∏ ⎜⎜ −K K ⎟⎟Φ e (0 ) (7-217)
⎝ v K ' ⎠ K ≠ K '⎝ v K ⎠
⎛ αˆ αˆ ⎞ ⎛ αˆ αˆ ⎞
= αˆ −K ' ⎜⎜ K ' K ' ⎟⎟ ∏ ⎜⎜ −K K ⎟⎟Φ e (0)
⎝ v K ' ⎠ K ≠ K '⎝ v K ⎠

Vì α̂ K , α̂ K ' = 0 cho nên α̂ K Φ(0) = 0. Đó là điều cần chứng minh.

Hàm sóng Φ(0) trong công thức (7-216) cũng có thể viết dưới dạng tổ hợp
tuyến tính các hàm sóng của các cặp Cupơ.
 ( )
Φ(0 ) = ∏ u K + v K b̂ K+ Φ e (0 )
K

⎛ v ⎞
= ∏ u K ⎜⎜1 + K b̂ K+ ⎟⎟Φ e (0 )
K ⎝ uK ⎠
⎧ vK + v v ⎫
⎪1 + ∑ K uK
b̂ K + ∑ K L b̂ K+ b̂ L+ + ⎪
K ,L u K u L
⎛ ⎞⎪ ⎪
= ⎜ ∏ u K ⎟⎨ ⎬Φ e (0 )
⎝ K ⎠⎪ vK vL vM + + + ⎪
⎪⎩K∑
b̂ K b̂ L b̂ M + ...
,L ,M u K u L u M ⎪⎭
⎛ ⎞
= ⎜ ∏ u K ⎟{Ψ0 + Ψ1 + Ψ2 + Ψ3 + ...}
⎝ K ⎠
ở đây
vK +
Ψ0 = Φ e (0), Ψ1 = ∑ b̂ K Φ e (0)
K uK

v v
Ψ2 = ∑ u K . u L b̂ +K b̂+LΦ e (0)...
K, L K L

Biết được hàm sóng mô tả trạng thái cơ bản của hệ siêu dẫn ta có thể viết
hàm sóng mô tả trạng thái kích thích của hệ siêu dẫn. Trạng thái của một chuẩn
hạt hay trạng thái kích thích đơn hạt được mô tả bằng hàm sóng αˆ +K ' Φ(0) và trạng
thái của một cặp chuẩn hạt hay trạng thái kích thích cặp hạt được xác định bằng
hàm sóng αˆ +K ' αˆ +K Φ(0).

Năng lượng bé nhất để chuyển từ trạng thái cơ bản Φ(0) về trạng thái kích
thích cặp hạt αˆ +K Φ(0)là (εK)min = ∆K và về trạng thái kích thích cặp hạt αˆ +K αˆ +− K Φ(0)
là(εK + ε- K)min = (2εK)min = 2∆K. Giữa mức cơ bản E0 và mức kích thích đầu tiên E0 +
∆K không tồn tại một mức năng lượng nào khác. Trong ý nghĩa này người ta nói
rằng có một khe năng lượng ∆K. Trong lí thuyết siêu dẫn, đại lượng 2∆K gọi là bề
rộng của khe năng lượng. Đó là năng lượng bé nhất cần thiết để tách hai êlectrôn
của cặp Cupơ và chuyển chúng từ trạng thái siêu dẫn sang trạng thái thường. Sự
tồn tại khe năng lượng cho phép chúng ta giải thích được nhiều tính chất siêu dẫn.
6. SIÊU DẪN NHIỆT ĐỘ CAO
Từ khi khám phá ra hiện tượng siêu dẫn (năm 1911) mãi đến năm 1973 người
ta mới tạo được chất siêu dẫn Nb3Ge có nhiệt độ tới hạn Tc = 23,3 K. Từ năm 1973
đến năm 1985 hầu như không có một công trình nào công bố tìm được chất siêu
dẫn có nhiệt độ tới hạn cao hơn 23,3 K. Cuối năm 1986 tại phòng thí nghiệm vật lí
của hãng IBM ở Zurich (Thuỵ Sĩ) G. Bednorz và Muller đã tìm được chất siêu dẫn
có nhiệt độ tới hạn Tc = 35 K. Theo hướng nghiên cứu tìm các chất siêu dẫn nhiệt
độ cao này trong những năm 1987 – 1988 và năm 1989 nhiều nhà vật lí đã tìm
được nhiều chất siêu dẫn nhiệt độ cao. Hợp chất La1,8 Cr0,2 CuO4 có nhiệt độ tới
hạn Tc = 30 K, hợp chất ErBa2Cu3O7 có Tc = 95 K, hợp chất Yba2Cu3O7 có Tc = 97
K, chất siêu dẫn trên cơ sở Ta – Ca – Ba – Cu – O do P. Grant và cộng sự tìm ra
có nhiệt độ tới hạn khác nhau tuỳ thuộc vào cấu trúc của vật liệu có các lớp oxit
đồng khác nhau. Nhiệt độ tới hạn Tc tăng lên từ 80 K đến 105 K rồi đến 125 K khi
lớp oxit đồng tăng từ 1 đến 2 rồi 3 theo thứ tự tương ứng. Theo Grant, nếu chế tạo
được vật liệu siêu dẫn trên cơ sở Ta – Ca – Ba – CuO với cấu trúc 10 lớp oxit đồng
thì nhiệt độ tới hạn của vật liệu này có thể đạt tới 200 K. Ý tưởng này chưa được
thực nghiệm chứng minh. Có thể những vật liệu như vậy ở trạng thái không bền
vững.
Việc khám phá nhiệt độ tới hạn của các chất siêu dẫn nhiệt độ cao phụ thuộc
mạnh vào cấu trúc của chúng làm chúng ta cần xem xét những hạn chế của lí
thuyết vi mô về siêu dẫn BCS và cần tiếp tục nghiên cứu phát triển thêm.
Hiện nay ở rất nhiều phòng thí nghiệm vật lí trên thế giới đã chế tạo được
nhiều chất siêu dẫn có nhiệt độ tới hạn cao hơn nhiệt độ sôi của nitơ lỏng (77 K).
Kết quả này hết sức quan trọng vì làm lạnh các vật liệu siêu dẫn bằng nitơ lỏng rẻ
hơn bằng hêli lỏng hàng chục lần. Điều này dẫn đến khả năng ứng dụng rộng rãi
chất siêu dẫn nhiệt độ cao vào đời sống thực tế.
 Phu Luc
Giá trị tốt nhất (1986)
Hằng số Kí hiệu Giá trị ước tính
Giá trịa) Giá trịb)
Tốc độ ánh sáng trong chân không c 3,00 x 108m/s 2,99792458 Chính xác
Điện tích nguyên tố e 1,60 x 10-19C 1,60217738 0,30
Khối lượng êlêctrôn me 9,11 x 10-31kg 9,1093897 0,59
Khối lượng proton mp 1,67 x 10-27kg 1,6726230 0,59
Tỉ số khối lượng proton trên khối
mp/me 1840 1836,152701 0,020
lượng êlêctrôn
Khối lượng nơtron mn 1,68 x 10-27kg 1,6749286 0,59
Khối lượng muon mμ 1,88 x 10-28kg 1,8835326 0,61
Khối lượng êlêctrônc) me 5,49 x 10-4u 5,48579902 0,023
Khối lượng proton mp 1,0073u 1,007276470 0,012
Khối lượng nơtron mn 1,0087u 1,008664704 0,014
Khối lượng nguyên tử hidroc) m1H 1,0078u 1,007825035 0,011
Khối lượng nguyên tử đơteric) m2H 2,0141u 2.0141019 0.053
Khối lượng nguyên tử hêli m4He 4,0026u 4,0026032 0,067
Thương số điện tích trên khối
e/me 1,76 x 1011C/kg 1,75881961 0,30
lượng của êlêctrôn
Hằng số điện e0 8,85 x 10-12F/m 8,85418781762 Chính xác
Hằng số từ thẩm μ0 1,26 x 10-6H/m 1,25663706143 Chính xác
Hằng số Planck h 6,63 x 10-34Js 6,6260754 0,60
Bước sóng Compton của êlêctrôn λc 2,43 x 10-12m 2,42631058 0,089
Hằng số khí lí tưởng R 8,31J/molK 8,314510 8,4
Hằng số Avogadro NA 6,02 x 1023mol-1 6,0221367 0,59
Hằng số Boltzman k 1,38 x 10-23J/K 1,380657 11
Thể tích mol của khí lí tưởng ở
Vm 2,24 x 10-2m3/mol 2,241409 8,4
STPd)
Hằng số Faraday F 9,65 x 104C/mol 9,6485309 0,30
Hằng số Stefan - Boltzman σ 5,67 x 10-8W/m2.K4 5,67050 34
Hằng số Rydberg R 1,10 x 107m-1 1,0973731534 0,0012
Hằng số hấp dẫn G 6,67 x 10-11m3/s2.kg 6,67260 100
Bán kính Bohr γB 5,29 x 10-24m 5,29177249 0,045
Momen từ của êlêctrôn μe 9,28 x 10-24J/T 9,2847700 0,34
Momen từ của proton μp 1,41 x 10-26J/T 1,4106761 0,34
Manheton Bohr μB 9,27 x 10-24J/T 9,2740154 0,34
Manheton hạt nhân μN 5,05 x 10-27J/T 5,0507865 0,34

a) Các giá trị ghi trong cột này phải cùng đơn vị và lũy thừa của 10 như giá trịo ước
tính. b) Phần triệu. C)Khối lượng được ghi theo đơn vị khối lượng nguyên tử trong
đó 1u = 1,6605402.10-27kg. d) STP (standard temperature anh pressure) có nghĩa
là nhiềt độ và áp suất tiêu chuẩn: 00C và 1,0atm (0,1Mpa).
 Hệ đơn vị quốc tế (SI)*
1. Những đơn vị cơ bản của SI

Đại lượng Tên Ký Định nghĩa

hiệu
Độ dài Met M “độ dài của quãng đường đi được trong chân không
1
trong giây”.1983
299.792.458
Khối Kilogam Kg “chuẩn gốc hình trụ bằng platin-iriđi nào đó được lấy làm
lượng đơn vị khối lượng từ đấy về sau”. 1889
Thời gian Giây s “khoảng thời gian bằng 9.192631.770 chu kỳ của bức xạ
tương ứng với dịch chuyển giữa hai mức siêu tinh tế của
trạng thái cơ bản của nguyên tử xêdi 133”. (1967)
Dòng điện Am-pe A “.dòng điện không đổi mà nếu được duy trì trong hai dây
dẫn thẳng, song song, dài vô hạn, tiết diện không đáng
kể, đặt cách nhau 1mét trong chân không, sẽ gây ra
trong các dây dẫn này một lực bằng 2x10-7 niutơn trên
một mét độ dài”. (1946)
Nhiệt độ Kenvin K 1
“phần của nhiệt độ nhiệt động lực học của điểm
nhiệt động 273,16
lực học ba của
nước”,. (1967)
Lượng Mol Mol “lượng của chất của một hệ chứa cùng một lượng phần
chất tử cơ bản bằng số nguyên tử trong 0,012 kilogam cacbon
12”. (1971)
Cường độ Candela Cd “Cường độ phát sáng theo phương vuông góc của một
sáng 1
diện tích mét vuông của một vật đen ở nhiệt độ
600.000
đông đặc của
platin dưới áp suất 101,325 niutơn trên một mét vuông”.
(1967)
2. Một số đơn vị dẫn xuất SI

Diện tích Mét vuông m2

Thể tích Mét khối m3
Tần số Héc Hz s-1
Khối lượng riêng Kilogam trên mét khối Kg/m3
Tốc độ, vận tốc Mét trên giây m/s
Vận tốc góc Radian trên giây rad/s
Gia tốc Mét trên giây bình m/s2
phương
Gia tốc góc Radian trên giây bình rad/s2
phương
Lực Niutơn N kg.m/s2
áp suất Patxcan Pa N/m2
Công, năng lượng, Jun J N.m
nhiệt lượng
Công suất Oát W J/s
điện lượng Culông C A.s
Hiệu điện thế, Vôn V W/A
công suất điện
động
Cường độ điện Vôn trên mét (hoặc V/m N/C
trường niutơn trên culông)
điện trở ôm Ω V/A

điện dung Fara F A.s/V

Từ thông Vêbe Wb V.s
độ từ cảm Henry H V.s/A
độ cảm ứng từ Tesla T Wb/m2
Entropy Jun trên kenvin J/K
Nhiệt dung riêng Jun trên kilogam kenvin J/(Kg.K)
độ dẫn nhiệt Oát trên mét kenvin W/(m.K)
Cường độ bức xạ Oát trên stêradian W/sr.
3. Các đơn vị phụ SI.
Góc phẳng Riadian Rad
Góc đặc (khối) Steradian Sr

HỆ SỐ CHUYỂN ĐỔI
Hệ số chuyển đổi có thể đọc trực tiếp từ những bảng này. Ví dụ 1 độ = 2,778 x 10-3
vòng, vậy 16,70 = 16,7 x 2,778 x 10-3 vòng. Các đại lượng SI được viết hoa hoàn
toàn. Một phần lấy từ G.Shortley và D.Williams, Elements of Physics. Prentice -
Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1971.
GÓC PHẲNG
0
‘ “ RADIAN Vòng
1 độ =1 60 3600 1,745 x 10-2 2,778 x 10-3
1 phút = 1,677 x 10-2 1 60 2,909 x 10-4 4,630 x 10-5
1 giây = 2,778 x 10-4 1,677 x 10-2 1 4,848 x 10-6 7,716 x 10-7
1 RADIAN = 57,30 3438 2,603 x 105 1 0,1592
1 vòng = 360 2,16 x 104 1,296 x 106 6,283 1

GÓC KHỐI
1 hình cầu = 4π steradians = 12,57 steradians
ĐỘ DÀI
cm MET km in ft mi
1 =1 10-2 10-5 0,3937 3,281 x 6,214 x 10-6
centimet 10-2
1 MET =100 1 10-3 39,37 3,281 6,214 x 10-4
1 =105 1000 1 3,937 x 104 3281 0,6214
kilomet
1 inch =2,540 2,540 x 2,540 x 10-5 1 8,333 x 1,578 x 10-5
10-2 10-2
1 fut =30,48 0,3048 3,048 x 10-4 12 1 1,894 x 10-4
1 dặm =1,609 x 1609 1,069 6,336 x 104 5280 1
105
1 angstrửm 1fermi = 10-15m 1fathom = 6ft 1rod =
=10-10m 16,5ft
1năm ánh sáng = 9,460 1bán kính Bohr = 5,292
1 hải lí =1852m x 1012km x 10-11m 1mil = 10-3in
 = 1,151dặm = 6076ft 1parsec = 3,084 x 1yard = 3ft 1nm = 10-
1013km 9
m

DIỆN TÍCH
MET2 cm2 ft2 in2
1 MET =1 104 10,76 1550
vuông
1 centimet =10-4 1 1,076 x 10-3 0,1550
vuông
1 fut vuông =9,290 x 10-2 929,0 1 144
1 inch vuông =6,452 x 10-4 6,452 6,944 x 10-3 1
1 dặm vuông = 2,788 x 107ft2 1arce = 43,560ft2
= 640acres
1barn = 10-28m2 1hecta = 104m2 = 2,471acres

KHỐI LƯỢNG

Các đại lượng ở bên phải hoặc ở bên dưới đường chấm chấm không phải là đơn
vị khối lượng nhưng thường được dùng như thế. Ví dụ khi ta viết 1kg “=” 2,205lb
nghĩa là 1 kilogam là một khối lượng nặng 2,205 pound tại nơi mà g có giá trị tiêu
chuẩn là 9,80665 m/s2.
g kilôgam slug u oz lb ton
1 gam =1 0,001 6,852 6,022 x 3,527 x 2,205 x 1,102 x
x 10-5 1023 10-3 10-3 10-6
1 = 1000 1 6,852 6,022 x 35,27 2,205 1,102 x
KILOGAM x 10-2 1026 10-3
1 slug = 14,59 1 8,786 x 514,8 32,17 1,609 x
1,459 1027 10-2
x 104
1 đơn vị khối = 1,661 x 1,138 1 5,857 x 3,622 x 1,830 x
1,661 x 10-24 10-27 x 10-28 10-26 10-27 10-30
lượng nguyên tử
1 aoxơ = 2,835 x 1,943 1,718 x 1 6,250 x 3,125 x
28,35 102 x 10-3 1025 10-2 10-5
 1 pao = 0,4536 3,108 2,732 x 16 1 0,0005
453,6 x 10-2 1026
1 ton = 907,2 62,16 5,463 x 3,2 x 104 2000 1
9,072 1029
x 105

1 tấn hệ met = 1000kg

KHỐI LƯỢNG RIÊNG

Các đại lượng ở bên phải hoặc ở phía dưới đường chấm chấm là trọng lượng
riêng, có thứ nguyên khác khối lượng riêng, xin xem chú thích về bảng khối lượng.
Slug/ft3 KILOGAM/MET3 g/cm3 lb/ft3 lb/in3
1 slug =1 515,4 0,5154 32,17 1,862 x
trên fut3 10-2
1 = 1,940 x 10- 1 0,001 6,243 x 10- 3,613 x
KILOGAM 3 2
10-5
trên MET3
1 gam = 1,940 1000 1 62,43 3,613 x
trên 10-2
centimet3
1 pao trên = 3,108 x 10- 16,02 1,602 x 1 5,787 x
fut3 2
10-2 10-4
1 pao trên = 53,71 2,768 x 10-4 27,68 1728 1
inch3

THỜI GIAN
Năm ngày giờ phút giây
1 năm =1 365,25 8,766 x 103 5,259 x 105 3,156 x
107
1 ngày = 2,738 x 10-3 1 24 1440 8,640 x
104
1 giờ = 1,141 x 10-4 4,167 x 10- 1 60 3600
2

1 phút = 1,901 x 10-6 6,944 x 10- 1,677 x 10-2 1 60

4
 1 giây = 3,619 x 10-8 1,157 x 10- 2,778 x 10-4 1,677 x 10- 1
5 2

TỐC ĐỘ
ft/s km/h mét/giây mi/h cm/s
1 fut trên =1 1,097 0,3048 0,6818 30,48
giây
1 kilomet = 0,9113 1 0,2778 0,6214 27,78
trên giờ
1 MET trên = 3,281 3,6 1 2,237 100
GIÂY
1 mile trên = 1,467 1,609 0,4470 1 44,70
giờ
1 centimet = 3,281 x 10-2 3,6 x 10-2 0,01 2,237 x 10- 1
2
trên giây
1 nut = 1hải lý/h = 1,688ft/s 1mi/min = 88.00ft/s = 60.00mi/h

LỰC
Các đơn vị lực ở bên phải hoặc phía dưới đường chấm chấm hiện nay ít dùng. Để
làm sáng tỏ : 1 gam lực (1gl) là trọng lực tác dụng lên một vật có khối lượng 1 gam
tại địa điểm mà g có giá trị tiêu chuẩn là 9,80665 m/s2
dyn NIUTƠN lb pdl glực kglực
1 dyne =1 10-5 2,248 x 7,233 x 1,020 x 1,020 x
10-6 10-5 10-3 10-6
1 = 105 1 0,2248 7,233 102,0 0,1020
NIUTƠN
1 pao = 4,448 x 4,448 1 32,17 453,6 0,4536
105
1 paodal = 1,383 x 0,1383 3,108 x 1 14,10 1,410 x
104 10-2 10-2
1 gram = 980,7 9,807 x 2,205 x 7,093 x 1 0,001
lực 10-3 10-3 10-2
1 = 9,807 x 9,807 2,205 70,93 1000 1
kilogam 105
lực
ÁP SUẤT
inch of
atm dyn/cm2 cm Hg PAXCAL 1b/in2 1b/ft2
water
1 1,013 x 1,013 x
=1 406,8 76 14,70 2116
atmotphe 106 105
1 dyn
= 9,869 x 4,015 x 7,501 x 1,405 x 2,089 x
trên -7 1 0,1
2 10 104 10-5 10-5 10-3
centimet
1 inch
2,458 x 3,613 x 3,613 x
nước ở 2491 1 249,1 5,202
10-3 10-2 10-2
4 0C
1
centimet
1,316 x 1,333 x
thủy 5,353 0,1934 1333 0,1934 27,85
10-2 104
ngân ở
00Ca)
1 9,869 x 4,015 x 1,450 x 1,450 x 1,089 x
10 1
PAXCAL 10-6 10-3 10-4 10-4 10-2
1 pao
6,805 x 6,895 x 6,895 x
trên 27,68 1 1 144
10-2 104 103
inch2
1 pao 4,725 x 6,944 x 6,944 x
478,8 0,1922 47,88 1
trên fut2 10-4 10-3 10-3

NĂNG LƯỢNG, CÔNG, NHIỆT

Những đại lượng ở bên phải hoặc dưới đường chấm chấm không thực sự là
đơn cị năng lượng nhưng đưa vào cho tiện. Chúng phát sinh từ công thức tương
đương - khối lượng - năng lượng tương đối tính E = mc2 và biểu diễn năng lượng
tỏa ra nếu một kg hoặc một đơn vị khối lượng nguyên tử hợp nhất (u) hoàn toàn
chuyển thành năng lượng (hai cột bên phải).
Btu erg ft.1b hp.h JUN cal kW.h eV Me kg u
V
1 1 1.05 777. 3.92 105 252, 2,93 6,58 6,58 1,17 7,07
Brittish 5x 9 9x 5 0 0x 5x 5x 4x 0x
10 -4
therma 10 10 10-4 10 21
10 15
10 -
1012
14
l unit
(đ.vị
nhiệt
của
Anh)
1 erg 9.41 1 7.37 3.72 10-7 2,38 2,77 6,24 6,24 1,11 670,
8x 6x 5x 9x 8x 2x 2x 3x 2
10- 10-8 10- 10-8 10-14 10 11
10 5
10 -

11 14 24

1 fut- 1.28 1.35 1 5.05 1.35 0,32 3,77 8,46 8,46 1,50 9,03
pao 5x 6x 1x 6 38 6x 4x 4x 9x 7x
-3
10 107 10 -7
10-7 10 18
10 12
10 -
109
17

1 mã 254 2.68 1.98 1 2.68 6,41 0,74 1,67 1,67 2,98 1,79
lực-giờ 5 5x 0x 5x 3x 57 6x 6x 8x 9x
13
10 106 10 6
10-5 10 25
10 19
10 -
1016
11

1 JUN 9.48 107 0.73 3.72 1 0,23 2,77 6,24 6,24 1,11 6,70
1x 76 5x 89 8x 2x 2x 3x 2x
10-4 10-7 10-7 10 18
10 12
10 -
109
17

1 calo 3.96 4.18 3.08 1.56 4.18 1 1,16 2,61 2,61 4,66 2,80
9x 6x 8 0x 6 3x 3x 3x 0x 6x
-3 7 -6
10 10 10 10-6 10 19
10 13
10 -
1010
17

1 341 3.60 2.65 1.34 3.60 8,60 1 2,24 2,24 4,00 2,41
kiloat- 3 0x 5x 1 0x 0x 7x 7x 7x 3x
13
giờ 10 106 10 6
10-5 10 25
10 19
10 -
1016
11

1 1.51 1.60 1.18 5.96 1.60 3,82 4,45 1 10-6 1,78 1,07
electro 9 x 2x 2x 7x 2x 7x 0x 3x 4x
- -
n-vôn 10 10 10-19 10 -
10 -
10-20 10-26 10 -
10-9
22 12 26 19 36

1 1.51 1.60 1.18 5.96 1,60 3,82 4,45 10-6 1 1,78 1,07
mêga 9 x 2x 2x 7x 2x 7x 0x 3x 4x
- -6
electro 10 10 10-13 10 -
10 -
10-14 10-20 10 -
10-3
n-vôn 16 20 13 30

1
1 8.52 8.98 6.62 3.34 8,98 2,14 2,49 5,61 5,61 6,02
kiloga 1x 7x 9x 8x 7x 6x 7x 0x 0x 2x
13 23
m 10 10 1016 10 10
10 16
1016 1010 10 35
1029 1026
 1 đơn 1,41 1.49 1.10 5.55 1,49 3,54 4,14 9,32 932, 1,66 1
vị khối 5x 2x 1x 9x 2x 6x 6x 0x 0 1x
- -3
lượng 10 10 10-10 10 -
10 -
10-11 10-17 10 8
10-
13 17 10 27
nguyê
n tử
hợp
nhất
MỘT SỐ SỐ LIỆU THIÊN VĂN

VÀI KHOẢNG CÁCH TỪ TRÁI ĐẤT

Tới mặt trăng* 3,82 x 108m
Tới mặt trời* 1,50 x 1011m
Tới ngôi sao gần nhất (Proxima Centauri) 4,04 x 1016m
Tới tâm thiên hà của chúng ta 2,2 x 1020m
Tới thiên hà Andromet 2,1 x 1022m
Tới biên của vũ trụ quan sát được ~ 1026m
* Khoảng cách trung bình

MẶT TRỜI TRÁI ĐẤT VÀ MẶT TRĂNG

Tính chất Đơn Mặt Trời Trái Đất Mặt Trăng
vị
Khối lượng kg 1,99 x 1030 5,98 x 1030 7,36 x 1022
Bán kính trung bình m 6,96 x 108 6,37 x 106 1,74 x 106
Khối lượng riêng trung kg/m3 1410 5520 3340
bình
Gia tốc rơi tự do trên bề m/s2 274 9,81 1,67
mặt
Vận tốc thoát km/s 618 11,2 2,38
Chu kỳ quaya) 37 ngày tại các 23h56phút 27,3 ngày
cựcb)
26 ngày tại xích
đạob)
Năng suất bức xạc) W 3,90 x 1026
 a) Được đo đối với những ngôi sao ở xa
b) Mặt trời, một khối khí không quay như một vật thể rắn
c) Ngay ở ngoài khí quyển Trái Đất, coi như tia tới vuông góc, năng lượng Mặt
Trời nhận được với tốc độ là 1340W/m2

VÀI TÍNH CHẤT CÁC HÀNH TINH

Sao Sao
Sao
Sao Sao Trái Sao Sao Sao Hải Diêm
Thiên
Thủy Kim Đất Hỏa Mộc Thổ Vươn Vươn
Vương
g g
Khoảng
cách
trung
57,9 108 150 228 778 1430 2870 4500 5900
bình từ
mặt trời,
106km
Chu kì
vòng 0,24 0,61
1,00 1,88 11,9 29,5 84,0 165 248
quay,nă 1 5
m
Chu kì
0,97
quay,a)ng 58,7 -243b 1,03 0,409 0,426 -0,451b 0,658 6,39
7
ày
Tốc độ
quỹ đạo, 47,9 35,0 29,8 24,1 13,1 9,64 6,81 5,43 4,74
km/s
Độ
nghiêng
của trục <280 ≈ 30 23,40 25,00 3,080 26,70 97,90 29,60 57,50
so với
quỹ đạo
Độ
nghiêng
của quỹ 7,000 3,390 1,850 1,300 2,490 0,770 1,770 17,20
đạo so
với quỹ
đạo trái
đất
Tâm sai
0,20 0,00 0,01 0,09 0,048 0,008
của quỹ 0,0556 0,0472 0,250
6 68 67 34 5 6
đạo
Đường
12.1 12.8 143,0 120.00 49,50
kính xích 4880 6790 51,800 2300
00 00 00 0 0
đạo, km
Khối
lượng 0,05 0,81 1,00 0,10
318 95,1 14,5 17,2 0,002
(Trái Đất 58 5 0 7
=1)
Tỉ trọng
(nước = 5,60 5,20 5,52 3,95 1,31 0,704 1,21 1,67 2,03
1)
Giá trị
của gc)
3,78 8,60 9,78 3,72 22,9 9,05 7,77 11,0 0,5
trên bề
mặt, m/s2
Vận tốc
thoát,c)k 4,3 10,3 11,2 5,0 59,5 35,6 21,2 23,6 1,1
m/s
Các vệ 16+m 18+nhi 15+nhi 8+nhi
tinh đã 0 0 1 2 ột ều ều ều 1
biết vành vành vành vành

a) Được đo đối với những ngôi sao ở xa.

b) Sao Kim và Sao Thiên Vương quay ngược chiều với chuyển động quỹ đạo
của chúng.
c) Gia tốc trong trường được đo ở xích đạo của hành tinh.
Tài liệu tham khảo

1. M.S.Svirskii, Elektronaia teoriia vechestva. . Prosvetchenie-1980

2. C. Kittel, introduction solid state physics. 4 th – Edition vedenievfiziki
tverdogo tela. M. Navaka 1978
3. J.M. Ziman. Primiples of theory of solid 1964 – M. Mir 1966
4. Nguyễn Hữu Mình. Cơ học lí thuyết. Hà nội – NXBGD, 1986
5. Blokhintsev Kvantovaia mekhanika. M. 1978
6. Borovik, Romanov. Lektsii po pheramagne-tizmu. 1966
7. David Halliday, R. Resnick, J. Walker. Cơ sở vật lí, NXBGD, 1998.
8. Phạm Quý Tư. Cơ học lượng tử. Hà nội- NXBGD, 1986
9. Đào Văn Phúc. Điện động lực học. Hà nội – NGD, 1984
10. Vũ Thanh Khiết, Vật lí thống kê, Hà nội – NXBGD, 1987
11. L. Sosnowski Wstep do fizykiciata statego. Warsawa 1997.