6 Bipolarni tranzistori

Ovaj tekst je radni materijal namjenjen studentima prve godine Elektrotehni£kog fakulteta u Sarajevu, kao dio materijala za

pra¢enje nastave i pripremu ispita iz predmeta Elektroni£ki elementi i sklopovi. Materijal je nerecenziran i kao takav moºe

sadrºavati gre²ke. Njegovo umnoºavanje i distribucija je strogo zabranjena.

6.1 Transportni model tranzistora

Prethodno su bili analizirani principi rada bipolarnog tranzistora. Mežutim, za analiti£ki opis rada
tranzistora potrebni su matemati£ki modeli koji precizno opisuju rad tranzistora u razli£itim oblastima.
Kori²tenjem transportnog modela tranzistora, u ovom dijelu ¢e biti analiti£ki obja²njen rada tranzistora
u £etiri mogu¢e oblasti. Ekvivalentne ²eme transportnog modela tranzistora su prikazanen na slici 6.1.
Za oba tipa tranzistora, pn spojevi su ekvivalentirani kao dvije diode, dok je spoj kolektor-emiter

L
ekvivalentiran sa strujno upravljanim izvorom struje. Vrijednost struje strujnog izvora ovisi o baznoj

JA
struji i odgovaraju¢em koecijentu poja£anja.
I
Ovdje ¢e biti razmotren npn tranzistor, dok se ista procedura moºe ponoviti i za pnp tranzistor.
ER
Zbog jednostavnije procedure izvoženja jedna£ina bit ¢e kori²ten princip superpozicije za tri neovisna
slu£aja.
AT

6.1.1 Spoj baza-emiter direktno je polarisan naponom VBE , dok je spoj baza-kolektor
kratko spojen
IM

Napon VBE ¢e uspostaviti struju emitera koja je jednaka sumi dvije struje: bazne struje IB i kolektorske
struje IC . Po uzoru na struju kroz pn diodu, vrijednosti ovih struja su:
DN

VBE
IS
 
IB = e VT
−1 (6.1)
RA

βF
VBE
 
IC = IS e VT
−1 (6.2)

gdje je IS inverzna struja zasi¢enja, a VT je termi£ki napon. Parametar βF odgovara parametru

izvedenom u (5.6) i naziva se direktno strujno poja£anje tranzistora u spoju sa zajedni£kim emiterom.
Njegova vrijednost se kre¢e u opsegu izmežu 20 i 500, ²to zavisi od tipa tranzistora. Slijedi da je
ukupna emiterska struja jednaka sumi ove dvije struje:
VBE VBE
IS
   
IE = IS e VT
−1 + e VT
−1 (6.3)
βF
koja se moºe zapisati u obliku:
VBE
IS
 
IE = e VT
−1 (6.4)
αF
gdje parametar αF odgovara parametru izvedenom u (5.7) i naziva se direktno strujno poja£anje
tranzistora u spoju sa zajedni£kom bazom. Njegova vrijednost se kre¢e u opsegu izmežu 0.95 i 1.00,
²to zavisi od tipa tranzistora.

1
 6 Bipolarni tranzistori

L
I JA
ER
(a) npn tranzistor
AT
IM
DN
RA

(b) pnp tranzistor

Figure 6.1: Ekvivalentne ²eme transportnog modela tranzistora

2
 6 Bipolarni tranzistori

6.1.2 Spoj baza-kolektor direktno je polarisan naponom VBC , dok je spoj baza-emiter
kratko spojen
U ovom slu£aju, napon VBC ¢e uspostaviti struju kolektora koja je jednaka sumi dvije struje: struja
kroz bazu IB i struja kroz emiter IE . Sli£no kao i u prethodnom slu£aju, vrijednosti ovih struja su:
VBC
IS
 
IB = e VT − 1 (6.5)
βR
VBC
 
IE = −IS e VT
−1 (6.6)
Parametar βR se naziva inverzno strujno poja£anje tranzistora u spoju sa zajedni£kim emiterom.
Njegova vrijednost se kre¢e u opsegu izmežu 0 i 20, ²to zavisi od tipa tranzistora. Vrijedi da je ukupna
kolektorska struja:
VBC VBC
IS
   
IC = −IS e VT
−1 − e VT − 1 (6.7)
βR
koja se moºe zapisati u obliku:
VBC
IS
 
IC = − e VT − 1 (6.8)

L
αR

JA
gdje parametar αR se naziva inverzno strujno poja£anje tranzistora u spoju sa zajedni£kom bazom.
Njegova vrijednost se kre¢e u opsegu izmežu 0 i 0.95, ²to zavisi od tipa tranzistora.
I
ER
6.1.3 Spoj baza-emiter je polarisan naponom VBE , a spoj baza-kolektor naponom VBC
Kombinacijom prethodno dobijenih izraza za struje baze, kolektora i emitera, mogu se dobiti izrazi za
AT

ukupne struje baze, emitera i kolektora npn tranzistora pri polarizaciji oba pn spoja. Ove struje su
denisane sa:
IM

VBE VBC
IS IS
   
IB = e VT
−1 + e VT − 1 (6.9)
βF βR
DN

VBE VBC
IS
   
IC = IS e VT
−1 − e VT − 1 (6.10)
αR
RA

VBE VBC
IS
   
IE = e VT
− 1 − IS e VT
−1 (6.11)
αF
Posljednje jedna£ine su pojednostavljene jedna£ine modela tranzistora i poznate su kao Ebers1 -
Molove2 jedna£ine tranzistora koje se koriste kao analiti£ki model bipolarnog npn tranzistora pri ra-
zli£itim naponima polarizacije. Iz jedna£ina se da zaklju£iti da za opis rada tranzistora pored napona
VBE i VCE , potrebno je poznavati i parametre IS , βF i βR . Za analiti£ki model bipolarnog pnp tranzis-
tora koriste se iste jedna£ine samo ²to je potrebno zamjeniti napone VBE i VCE sa naponima VEB i
VEC :
VEB VCB
IS IS
   
IB = e VT
−1 + e VT − 1 (6.12)
βF βR
VEB VCB
IS
   
IC = IS e VT
−1 − e VT − 1 (6.13)
αR
VEB VCB
IS
   
IE = e VT
− 1 − IS e VT
−1 (6.14)
αF
1
Jewell James Ebers (1921. - 1959.)
2
John Louis Moll (1921. - 2011.)

3
 6 Bipolarni tranzistori

6.1.4 Osnovne relacije za radnu ta£ku npn tranzistora u razli£itim oblastima rada
Jedna£ine (6.9)-(6.14) se mogu koristiti kod simulacije rada tranzistora, mada se u softverskim paketima
kao ²to je SPICE koristi dosta sloºeniji model tranzistora poznat kao Gamel3 -Punov model. Ovaj model
tranzistora ima oko 40-ak parametara koje je potrebno poznavati za kori²tenje tog modela tranzistora.
Kori²tenjem prethodno denisanih oblasti rada tranzistora i jedna£ina (6.9)-(6.11), mogu¢e je izvesti
pojednostavljene jedna£ine koje povezuju kolektorsku i baznu struju za npn tranzistor u spoju s za-
jedni£kim emiterom. Relacije su izvedene i date u tabli 6.1.

Table 6.1: Pojednostavljene relacije za radnu ta£ku tranzistora u razli£itim oblastima rada
Oblast Polarizacija Polarizacija Pojednostavljene Odnos struja Vrijednosti napona

rada baza-emiter baza-kolektor Ebers-Molove jedna£ine baze i kolektora VBE i VCE

VBE VBC
IS VT IS VT
IB = βF
e + βR
e 0.5V ≤ VBE ≤ 0.8V
Zasi¢enje Direktna Direktna VBE VBC IC ≤ βF IB
IC = IS e VT
− IS
e VT 0V ≤ VCE ≤ 0.2V
αR

VBE
IS VT IS
Direktna IB = e + 0.5V ≤ VBE ≤ 0.8V

L
βF βR
Direktna Inverzna VBE IC = βF IB
IS 0.2V ≤ VCE

JA
aktivna IC = IS e VT
+ αR

VBC
Inverzna IB = − βIS +
I IS
βR
e VT VBE ≤ 0.5V
Inverzna Direktna F
VBC IC = − (1 + βR ) IB
ER
aktivna IC = −IS − IS
e VT VCE ≤ 0V
αR

IB = − βIS − IS
VBE ≤ 0.5V
AT

βR
Zako£enje Inverzna Inverzna F
IC = −IB
IS
IC = −IS + αR
0V ≤ VCE
IM
DN
RA

3
Hermann K. Gummel (1923. - )

4
 6 Bipolarni tranzistori

Primjer 6.1: Odrediti oblasti rada tranzistora prikazanih na donjoj slici. Poznati su sljede¢i podaci:
VCC = 12V , RC = 1kΩ, RB = 56kΩ i βF = 100.

Rje²enje:
(a) Za tranzistor Q1 vrijedi VBE = 0V i VBC = −VCC , tako da tranzistor radi u oblasti zako£enja.
Vrijedi da je VCE = VCC = 12V , tako da je radna ta£ka tranzistora Q1 (12V, 0mA)|0mA .
(b) Za tranzistor Q2 vrijedi VEB ≥ 0V i VCB ≤ 0, tako da tranzistor radi u direktnoj aktivnoj oblasti.

L
Sa slike vrijedi da je VEC = VCC = 12V , dok bazna struja tranzistora je:

IB =
VCC − VBE
RB I=
11.3V
56k JA
= 0.20mA
ER
Zbog rada tranzistora u direktnoj aktivnoj oblasti, kolektorska struja je IC = βF IB = 100 · 0.20mA =
20mA. Slijedi da je radna ta£ka tranzistora Q2 (12V, 20mA)|0.2mA .
AT

(c) Za tranzistor Q3 vrijedi VBE ≥ 0V , tako da radna ta£ka tranzistora moºe biti ili u oblasti zasi¢enja
ili direktnoj aktivnoj oblasti. Sa slike slijedi da je bazna struja tranzistora:
IM

VCC − VBE 11.3V

IB = = = 0.20mA
RB 56k
DN

Ako se pretpostavi da tranzistor radi u direktnoj aktivnoj oblasti, kolektorska struja je IC = βF IB =

100 · 0.20mA = 20mA. Za ovja slu£aj, napon VCE je:
RA

VCE = VCC − RC IC = 12V − 1kΩ · 20mA = −8V

Za radnu ta£ku tranzistora u direktnoj aktivnoj oblasti vrijedi da je VCE ≥ 0V , ²to u ovom slu£aju
nije zadovoljeno. To zna£i da je pretpostavka pogre²na. Ako se pretpostavi da je tranzistor u oblasti
zasi¢enja i usvojima VCE = 0.2V , slijedi:
VCC − VCE 11.8V
IC = = = 11.8mA
RC 1k
Za oblast zasi¢enja treba da bude zadovoljne uslov IC ≤ βF IB , ²to je ta£no. Slijedi da je radna ta£ka
tranzistora Q2 (0.2V, 11.8mA)|0.2mA .
(d) Za tranzistor Q4 vrijedi VBE ≤ 0V i VBC ≥ 0, tako da tranzistor radi u inverznoj aktivnoj oblasti.
Vrijedi da je VBC = 0.7V , tako da je radna ta£ka tranzistora Q1 (−12V, 0mA)|0mA .

6.2 Erlijev efekat

Posmatraju¢i izlazne karakteristike tranzistora, na prvi pogled se moºe zaklju£iti da je kolektorska

struja IC konstantna u direktnoj aktivnoj oblasti. Mežutim, to nije ta£no. Struja blago raste s
porastom napona VCE . Naime, porastom napona VCE smanjuje se napon VBC usljed £ega dolazi do

5
 6 Bipolarni tranzistori

Figure 6.2: Uticaj Erlijevog efekta na izlazne karakteristike tranzistora

²irenja osiroma²ene oblasti spoja baza-kolektor zbog inverzne polarizacije. Osiroma²ena oblast spoja
baza-kolektor se ²iri i u oblast kolektora i u oblast baze. Zbog niºe koncentracije primjesa u bazi
tranzistora, osiroma²ena oblast ¢e se vi²e ²iriti u bazu tranzistora. Slijedi da ¢e porastom napona VCE
²irina oblasti baze biti manja. Zbog ovog fenomena ve¢i broj elektrona injektovanih iz emitera stiºe do
kolektora, ²to se predstavlja kao blagi rast kolektorske struje IC iako je bazna struja IB konstantna.

L
Efekat promjene ²irine baze s promjenom napona inverzne polarizacije naziva se efekat modulacije

JA
²irine baze ili Erlijev4 efekat. Ovaj efekat predstavlja rekaciju izlaznog kola na ulazno kolo tranzistora.
Kod npn tranzistora pri direktnoj polarizaciji spoja baza-emiter u spoju sa zajedni£kim emietrom, ovaj
I
ER
efekat se analiti£ki opisuje relacijom:
VBE
VBC
 
(6.15)
AT

IC = IS e VT
1+
VA
gdje se VA naziva Erlijev napon. Vrijednost Erlijovog napona se obi£no kre¢e od 25V do 150V . Kod
IM

npn tranzistora s radnom ta£kom u direktnoj aktivnoj oblasti obi£no vrijedi VCE > VBE , tako da se
posljednja jedna£ina moºe aproksimirati kao:
DN

VBE
VCE
 
IC = IS e VT
1+ (6.16)
VA
RA

Takože, za direktnu aktivnu oblast vrijedi:

VCE
 
βF = βF 0 1+ (6.17)
VA
gdje je βF 0 strujno poja£anje tranzistora pri VCE = 0.
Relacije (6.16) i (6.17) analiti£ki opisuju zavisnost kolektorske struje IC i strujnog poja£anja βF od
napona VCE kod npn tranzistora s radnom ta£kom u direktnoj aktivnoj oblasti ²to je pokazano na slici
6.2. Slijedi da Erlijev efekat smanjuje izlazni otpor kod bipolarnog tranzistora.

6.3 Polarizacija bipolarnih tranzistora

šeljena radna ta£ka tranzistora se pode²ava kori²tenjem sklopova za polarizaciju tranzistora. Prvi
korak je odabir oblasti rada tranzistora na osonvu £ega se biraju polarizacije spojeva baza-emiter i
baza-kolektor. U daljem tekstu ¢e biti prezentirani osnovni sklopovi za polarizaciju tranzistora.

4
James M. Early (1922. - 2004.)

6
 6 Bipolarni tranzistori

Figure 6.3: Sklop za polarizaciju tranzistora s dva izvora napajanja

6.3.1 Sklop za polarizaciju tranzistora s dva izvora napajanja

Na slici 6.3 je prikazan najednostavniji sklop polarizacije tranzistora. Naponski izvor VBB direktno
polari²e spoja baza-emiter, tako da radna ta£ka tranzistora moºe biti ili u direktnoj aktivnoj oblasti
ili u oblasti zasi¢enja. Struja IB se odrežuje odabirom vrijednosti otpora RB . U kojoj od oblasti ¢e
biti zavisi od vrijednosti napona UCE i struje IC , koji uz struju IB deni²u radnu ta£ku tranzistora.
Vrijednost napona VCE i struje IC se odrežuje izborom vrijednosti istosmjenog napona VCC i vrijednosti
otpornosti RC .

L
Da bi se odredila radna ta£ka tranzistora potrebno je izra£unati vrijednost napona VCE , te struja

JA
IB i IC . Kori²tenjem drugog Kirhofovog zakona za sklop s prethodne slike dobijaju se jedna£ine:
I
ER
VBB = RB IB + VBE (6.18)
AT

VCC = RC IC + VCE (6.19)

U posljednje dvije jedna£ine postoji £etiri nepoznate IC , IB , VBE i VCE , tako da njihovo ta£no
IM

odreživanje potrebno dodati jo² dvije jedna£ine ili usvojiti neke vrijednosti napona i/ili struja.
Ako se pretpostavi da tranzistor radi u direktnoj aktivnoj oblasti onda ¢e vrijediti i relacija:
DN

IC = βF IB (6.20)
gdje parametar βF je obi£no katalo²ki podatak za odreženi tranzistor. Takože, za direktnu aktivnu
RA

oblast rada tranzistora iz jedna£ine (6.10) uz odgovaraju¢e zanemarenja promjena struje kolektora se
mijenja s promjenom napona VBE :
VBE
IC = IS e VT
(6.21)
Kombinuju¢i jedna£ine (6.18) - (6.21) dobija se sistem jedna£ina iz kojih je mogu¢e odrediti vri-
jednosti nepoznatih struja i napona. Mežutim, jedna£ina (6.21) je nelinearna, tako da se pribjegava
numeri£kom rje²avanju sistema jedna£ina. Za dobijeno rje²enje, na graku izlazne stati£ke karakteris-
tike potrebno je nacrtati radnu ta£ku Q(VCEQ , ICQ ) pri IBQ .
Ovdje je vaºno napomenuti da kod numeri£kog rje²avanja jedna£ina naj£e²¢e se koristi neki od
softvera koji imaju implementirane numeri£ke metode rje²avanja nelinearnih jedna£ina. Ovdje vrijedi
spomenuti MATLAB, MATCAD, WolframAlpha i druge softverske alate.

Gra£ki na£in odreživanja radne ta£ke

Gra£ko rje²avanje prethodnog problema se sastoji u crtanju radne prave tranzistora na izlaznoj
stati£koj karakteristici kao ²to je pokazano na slici 6.4.

Radna prava tranzistora je denisana jedna£inom (6.19):

7
 6 Bipolarni tranzistori

L
JA
Figure 6.4: Interpretacija gra£kog pristupa odreživanja radne ta£ke tranzistora
I
ER
AT

1 VCC
IC = − VCE + (6.22)
RC RC
IM

Radna ta£ka Q, £ije koordinate deni²u napon VCE i struja IC , leºi u presjeku radne prave i jedne od
izlaznih stati£kih karakteristika. Izlalzna stati£ka karakteristika na kojoj leºi radna ta£ka tranzistora
Q odrežuje se na osnovu struje IB . Struja IB se odrežuje presjekom ulazne stati£ke karakteristike i
DN

radne prave kao ²to je prikazano na slici 6.4. Kori²tena radna prava se dobija iz jedna£ine (6.19):
1 VBB
RA

IB = − VBE + (6.23)
RB RB

Aproksimativni na£in odreživanja radne ta£ke

Nedostatak gra£kog rje²avanja je potreba za preciznim stati£kim karakteristikama. Prakti£niji postu-
pak odreživanja radne ta£ke tranzistora se dobija kori²tenjem aproksimativnog postupka. Kod aproksi-
mativnog na£ina nalaºenja radne ta£ke tranzistora polazi se od pretpostavke da je vrijednost struje IB
odabrana u linearnom dijelu ulazne stati£ke karkateristike, gdje je napon VBE pribliºno konstantan i
unaprijed poznat. Sli£no kontaktnom naponu kod diode, tipi£na vrijednost napona VBE iznosi 0.6V
za silicijumske i 0.3V za germanijumske tranzistore.
Usvajanjem vrijednosti napona VBE bazna struja IB se moºe odrediti iz jedna£ine (6.23):
1
IB = (VBB − VBE ) (6.24)
RB
Za tranzistor u direktnoj aktivnoj oblasti vrijedi jedna£ina (6.20) i njenom substitucijom u jedna£inu
(6.19) moºe se odrediti napon VCE :

VCE = VCC − β RC IB (6.25)

8
 6 Bipolarni tranzistori

(a) npn tranzistor (b) pnp tranzistor

Figure 6.5: Sklop za polarizaciju tranzistora s dva izvora napajanja

Na ovaj na£in jednostavnom procedurom je odrežena pribliºna radna ta£ka tranzistora Q za rad u
direktnoj aktivnoj oblasti. Za precizniji rezultat potrebno je odabrati ve¢u vrijednost napona VBB i
otpora RB tako da usvajanje napona VBE manje uti£e na ta£nost odredjivanja struje IB .

L
Za slu£aj kada tranzistor radi u oblasti zasi¢enja, postupak odreživanje radne ta£ke se razlikuje u

JA
odnosu na postupak kad tranzistor radi u dirketnoj aktivnoj oblasti. Naime, nakon ²to je odabrana
napon VBE i izra£unata struja IB kao u prethodnom postupku, pristupa se odreživanju struje IC i
I
napona VCE . Za tranzistor u oblasti zasi¢enja ne vrijedi jedna£ina (6.20) tako da se struja IC ne
ER
moºe odrediti na ovaj na£in. Mežutim, sa slike (xx) se vidi da za radne ta£ke tranzistora koje leºe u
oblasti zasi¢enja napon VCE ima dosta manju vrijednost od napona VCC . U praksi se kao maksimalna
AT

vrijednost napon VCE za tranzistor u zasi¢enju uzima 0.2V . Usvajanjem napona VCE u skladu s ovom
pretpostavkom, moºe se odrediti struja IC kori²tenjem jedna£ine (6.22). Uslov koji izra£unata struja
IM

IC mora zadovoljavati je:

IC ≤ β IB (6.26)
DN

Ako relacija (6.26) nije zadovoljena, onda tranzistor nije u oblasti zasi¢enja i treba postupak ponoviti
za direktnu aktivnu oblast.
RA

6.3.2 Sklop za polarizaciju tranzistora s jednim izvorom napajanja

U sklopu prikazanom na slici 6.3, za polarizaciju tranzistora kori²tena su dva izvora napajnja i dva ot-
pornika. Zbog jednostavnije tehni£ke realizacije sklopa za polarizaciju tranzistora pogodnije je koristiti
sklop s jednim naponskim izvorom. Naponski izvor VBB u sklopu na slici 6.3 se zamjenjuje naponskim
djeljiteljem postavljenim paralelno naponskom izvoru VCC kao ²to je prikazano na slici 6.5.

Primjenom Kirhofovih zakona na sklop s posljednje slike dobijaju se sljede¢e jedna£ine:

VCC = RC IC + VCE (6.27)

VCC = R1 I1 + R2 I2 (6.28)

VBE = R2 I2 (6.29)

I1 = I2 + IB (6.30)

9
 6 Bipolarni tranzistori

(a) Sklop s jednim izvorom nap- (b) Sklop s dva izvora napajanja
janja

Figure 6.6: Sklop za polarizaciju tranzistora s temperaturnom stabilizacijom radne ta£ke

Ako se pretpostavi da tranzistor radi u direktnoj aktivnoj oblasti, onda ¢e vrijediti i jedna£ina (6.20).

L
Sreživanjem posljednjih jedna£ina, radna ta£ka tranzistora u direktnoj aktivnoj oblasti se moºe odrediti

JA
na osnovu jedna£ina:
R1 + R2 R2

I 
IB = VCC − VBE (6.31)
ER
R1 R2 R1 + R2

VCE = VCC − β RC IB (6.32)

AT

Jedna£ina (6.32) ima isti oblik kao jedna£ina (6.25). Jedna£ina (6.31) ima oblik kao jedna£ina (6.24)
ako se usvoji da vrijedi:
IM

R1 R2 R2
RB = VBB = VCC (6.33)
DN

R1 + R2 R1 + R2
Iz prethodnih razmatranja slijedi da upotrebom sklopa s jednim naponskim izvorom mogu se posti¢i
isti efekti polarizacije kao i primjenom sklopa s dva izvora napajanja. Ekvivalencija jednog sklopa u
RA

drugi se vr²i pomo¢u izraza (6.33) koji se mogu dobiti primjenom Tevenenove metode na sklop sa slike
6.5, pri £emu vrijedi VBB = VT i RB = RT .

6.3.3 Sklop za polarizaciju tranzistora s temperaturnom stabilizacijom

Pove¢anje temperature pri kojoj tranzistor radi pruzrokovat ¢e promjenu parametara tranzistora β , ICo
i VBE . Ova promjena parametara dovodi do promjene uslova polarizacije tranzistora i do pomjeranja
njegove radne ta£ke. Da bi se ovaj fenomen izbjegao potrebno je izvr²iti temperaturnu stabilizaciju.
Stabilnost radne ta£ke tranzistora uveliko zavisi od konstrukcije sklopa u kojem je tranzistor kori²ten
i za razli£ite strukture sklopova koecijenti temperaturne stabilnosti su razli£iti.
Za spoj sa zajedni£kim emiterom, uobi£ajen na£in za smanjenje koecijenta temperaturne stabilnosti
je postavljanje otpornika RE izmežu emitera tranzistora i mase (slika 6.6). Na ovaj na£in, dodavanjem
otpronika RE u sklop je uvedena negativna povratna sprega koja ¢e umanjiti uticaj temperature na
pomjeranje radne ta£ke tranzistora.

Jedna£ine za sklop na slici 6.6 su:

VBB = RB IB + RE IE + VBE (6.34)

10
 6 Bipolarni tranzistori

(a) Polarizacija primjenom dioda (b) Strujno ogledalo

Figure 6.7: Sklopovi za temeperaturnu stabilizaciju radne ta£ke

L
VCC = RC IC + RE IE + VCE (6.35)

I
VBB − VBE JA
Iz posljednjih jedna£ina za tranzistor u direktnoj aktivnoj oblasti dobija se:
ER
IB = (6.36)
RB + (β + 1) RE
AT

VBB − VBE
IC = β (6.37)
RB + (β + 1) RE
IM

βRC + (β + 1) RE
VCE = VCC − (VBB − VBE ) (6.38)
RB + (β + 1) RE
Iz relacija (6.36) - (6.38) se vidi da radna ta£ka tranzistora zavisi od temperaturno zavisnih parmetara
DN

tranzistora: β i VBE . Identi£na procedura, samo dosta kompleksnija, se moºe provesti i uzimanjem
u obzir inverzne struje zasi¢enja IS koja takože ovisi o temperaturia. Pojedina£ni uticaj svakog od
RA

pobrojanih parametara se moºe izraziti odgovaraju¢im koecijentom temperaturne stabilnosti:

∂IB RE ∂IB −1
∂β = − (R 2 (VBB − VBE ) ∂VBE = RB +(β+1)RE
B +(β+1)RE )
∂IC (RB +RE ) ∂IC −β
∂β = (RB +(β+1)RE )2
(VBB − VBE ) ∂VBE = RB +(β+1)RE
∂VCE
∂β = − (RB(R
RC +RE (RB +RC ))
2 (VBB − VBE ) ∂VCE
∂VBE = βRC +(β+1)RE
RB +(β+1)RE
B +(β+1)RE )

Pored prethodno opisanog sklopa za temperaturnu stabilizaciju radne ta£ke tranzistora, koriste se
i neki drugi sklopovi (slika 6.7). Njihova su²tina se svodi na upotrebu komponenti s temperaturno
zavisnim parametrima tako da te promjene kompenziraju promjenu radne ta£ke tranzistora.

6.4 Ograni£enja rada tranzistora

U prethodnoj analizi rada tranzistora, pn spojevi su posmatrani kao idelani tako da nikakva ogranie£nja
nisu uzeta u obzir. Mežutim, ipak postoje ograni£enja o kojima treba voditi ra£una. Ograni£enja se
odnose na postojanje lavinskog i Cenerovog proboja pn spoja, te termi£kih i mehani£kih karakteristika
materijala od kojih se prozivode tranzistori. U daljem tekstu su razmatrana osnovna ograni£enja o
kojima treba posvetiti posebnu paºnju.

11
 6 Bipolarni tranzistori

6.4.1 Ograni£enja po naponu

Prethodne analize rada tranzistora su ražene pod pretpostavkom da pn spojevi rade s naponima koji
ne uzrokuju proboj tih spojeva. Pri nastanku proboja dolazi do procesa koji nisu razmatrani u ovom
dijelu. Ipak, za rad tranzistora u prethodno spomenute £etiri oblasti potrebno je ograni£iti napone
koji se mogu dovesti izmežu izvoda tranzistora.
Proboj kod spoja baza-emiter je Cenerovog tipa zbog jako dopirane emiterske oblasti. Probojni
napon VBEB iznosi od −5V do −10V , i on se obi£no pojavljuje kod sklopova u prekida£kom reºimu
rada kada se ºeli zako£iti tranzistor. Za za²titu tranzistora od ovog tipa proboja obi£no se koristi diode
koja se veºe antiparalelno spoju baza-emiter.
Kod inverzne polarizacije spoja baza-kolektor moºe takože do¢i do proboja. U ovom slu£aju radi se o
lavinskom proboju zbog slabije dopirane oblasti kolektora. Pove¢anjem inverznog napona polarizacije
dolazi do pove¢anja slobodnih nosilaca naelektrisanja. Kada faktor poja£anja postane jako velik,
nastupa proboj koji je okarakterisan naponom proboja VBCB .
Pored ova dva proboja, kod tranzistora je interesantan i proboj spoja kolektor-emiter. On se ra-
zlikuje od prethodna dva jer izmežu izvoda tranzistora nalazi se npn struktura poluprovodnika koja
¢e zbog strujnog poja£anja dodatno poja£ati struju proboja. Ovaj proboj se de²ava i pri odspojenom
baznom izvodu, jer zbog dimenzija baze poja£ana struja te£e od kolektora ka emiteru. Vrijednost
probojnog napona spoja kolektor-emiter zavisi od polarizacije u bazi tranzistora. Kod sklopova koji

L
imaju mogu¢nost izvla£enja nosilaca naelektrisanja iz baze, napon ovog proboja je ve¢i.

JA
Slijedi da je najniºi napon proboja spoja baza-emiter, dok napon proboja spoja kolektor-emiter je
najve¢i. Napon proboja spoja baza-kolektor zavisi od uslova rada tranzistora i njegova vrijednost se
kre¢e izmežu ove dvije vrijednosti.
I
ER
6.4.2 Ograni£enja po struji
AT

Strujno ograni£enje se odnosi na maksimalnu kolektorsku struju koja je odrežena pri najmanjem dop-
u²tenom strujnom poja£anju tranzistora. Takože, strujno ograni£enje se odnosi i na konstrukciju
IM

tranzistora, jer kada kroz tranzistor proti£e struja ne smije do¢i do uni²tenja kontakata uzorkovanih
zagrijavanjem.
DN

6.4.3 Ograni£enja po snazi

Zbog malih vrijednosti struja u bazi, disipacija u baznom krugu tranzistora je zanemarljiva. Mežutim,
RA

u ukupnom bilansnom stanju disipacija tranzistora se odnosi uglavnom na spoj izmežu kolektora i
emitera. Stoga se snaga disipacije odrežuje kao PD = VCE IC , pri £emu mora vrijedit PD < PDmax .
Zavisno od termi£kih osobina materijala i mehani£ke konstrukcije tranzistora, za svaki tranzistor se u
katalogu proizvoža£a navodi maksimalna dopu²tena snaga dispacije PDmax .
Vaºno je spomenuti da maksimalna dozvoljena snaga se smanjuje porastom temperature. Maksi-
malna snaga dispacije koja je data za odabrani tranzistor, vrijedi samo dok je temperatura tranzistora
ispod 25o C . Pove¢anjem temperature maksimalna snaga disipacije se smanjuje. Da bi se sprije£ilo
pregrijavanje tranzistora, a sam tim i destrukcija tranzistora, na njihova ku¢i²ta se ugražuju hladnjaci
koji su namjenski dizajnirani za postoje¢a ku¢i²ta tranzistora.
Naj£e²¢e se hladnjak pri£vr²¢uje za metalni dio ku¢i²ta tranzistor uz pomo¢ ²arafa. Mežutim, ku£i²te
tranzistora je u mnogim slu£ajevima kolektor tranzistora, tako da treba voditi ra£una o elektri£noj
izolaciji izmežu ku¢i²ta i hladnjaka. Kao izolacioni materijal obi£no se koristi silikonska guma koja
je relativno dobar provodnik toplote. Zbog neravnina na ku¢i²ua i hlanjaku, za dobro mežusobno
prijanjanje koristi se termoprovodna pasta koja popunjava neravnine.

6.4.4 Oblast sigurnog rada tranzistora

Kada se naponsko, strujno i ograni£enje po snazi ucrtaju u izlazne stati£ke karakteristike tranzistora,
dobija se zona u kojoj mora leºati radna ta£ka tako da tranzistor ne bude o²te¢en. Ta zona se zove

12
 6 Bipolarni tranzistori

L
JA
Figure 6.8: Oblast sigurnog rada tranzistora
I
ER
oblast sigurnog rada i pokazana je na slici 6.8.
AT
IM
DN
RA

13