МОДУЛЬ 2.

ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ ТА МІКРОПРОЦЕСОРНОЇ

ТЕХНІКИ
Змістовий модуль 2.1. Силова електроніка
Тема 15. Напівпровідникові прилади, випрямлячі, оптоелектронні
прилади
План
1. Властивості напівпровідників.
2. Домішкова провідністьнапіірпровідників.
3. Класифікація і позначення напівпровідникових приладів.
4. Основні характеристики і параметри діодів.
5. Біполярний транзистор.
6. Польовий транзистор.
7. Тиристор.
8. Вторинні джерела енергії.
9. Загальні відомості про випрямлячі, їх класифікація та схеми
випрямлення.
10. Згладжуючі фільтри.

1. Властивості напівпровідників.
Електроніка – це галузь науки і техніки, пов'язана з дослідженнями,
розробкою, виготовленням і застосуванням електронних, іонних і
напівпровідникових пристроїв.
Основні електронні прилади:
- електронні електровакуумні прилади (електронні лампи, електронно-
променеві трубки: осцилографічні кінескопи, дисплеї та ін.);
- іонні електровакуумні або газорозрядні прилади, принцип дії яких
заснований на взаємодії електронів з іонною плазмою (тиратрони,
ігнітрони, іонні розрядники, газорозрядні стабілітрони);
- напівпровідникові прилади, у яких рух зарядів відбувається в твердому тілі
напівпровідників.
Основними класами напівпровідникових приладів є:
- діоди, біполярні і польові транзистори, тиристори, фотоелектронні та
оптоелектронні прилади;
- прилади, виконані у вигляді інтегральних мікросхем різного ступеня
інтеграції та представляють собою сукупність декількох взаємопов'язаних
компонентів (транзисторів, діодів, резисторів і ін.), виготовлених в
єдиному технологічному циклі на напівпровідникових або діелектричних
підкладках.
Дія усіх напівпровідникових приладів базується на використанні
властивості односторонньої провідності p-n переходів напівпровідників,
тож розглянемо особливості напівпровідників докладніше.
Електропровідність – важлива властивість твердих тіл –
пояснюється рухом вільних електронів.
По електропровідності всі речовини поділяють на провідники,
напівпровідники та діелектрики. Напівпровідники по електропровідності
займають проміжну ділянку між провідниками та діелектриками.
Для виготовлення напівпровідників використовують: германій,
кремній, арсенід галію. Механізм електричної провідності діелектриків і
провідників однаковий і відрізняється від механізму електричної провідності
провідників.
Міжатомні зв'язки в кристалах напівпровідників, як і будь-які хімічні
зв'язки, здійснюються завдяки валентним електронам, що знаходяться на
зовнішньому шарі електронної оболонки атома. Зовнішній шар оболонки
таких напівпровідників, які використовуються при виробництві
напівпровідникових приладів (наприклад германій (Ge), кремній (Si) і інші),
складається з чотирьох електронів, які обертаються навколо ядра. При
утворенні кристалів атоми настільки зближуються, що їх зовнішні
електронні шари перекриваються. Взаємодія електронних шарів приводить
до того, що валентні електрони сусідніх атомів стають загальними,
рухаючись орбітами, на кожній з яких може знаходитися не більше двох
електронів. Ці загальні орбіти зв'язують між собою атоми напівпровідника,
утворюючи так звані ковалентні (двохвалентні) зв'язки. Причому електрони,
що беруть участь у зв'язку, належать одночасно обом, зв'язаним між собою
атомам.
Розглянемо характер провідності напівпровідників, до яких
відноситься кристал германію (IV група таблиці Мендєлєєва). Кристалічна
решітка має геометричну форму тетраедра і на площині виглядає у виді
площинної решітки.

Рис. 15.1 – Кристалічна решітка германію

Кристалічна решітка, що показана на рис. 15.1 є ідеальною.
Напівпровідники з такими решітками називаються власними або
напівпровідниками i-типу (від англійського intrinsic – власний, чистий). При
температурі абсолютного нуля (-273° С) усі валентні електрони у власному
напівпровіднику зв'язані, і якщо помістити такий кристал в електричне поле,
то електричний струм не виникне, оскільки у власному напівпровіднику
немає електронів провідності, отже, у цих умовах напівпровідник буде мати

2
властивості ідеального ізолятора.
Вільний електрон – електрон провідності, який не зв'язаний з будь-
яким окремим атомом і може переміщуватися кристалом – з'явиться у
власному напівпровіднику тільки в тому випадку, якщо валентний електрон
звільниться з якого-небудь зв'язку. Для цього необхідна певна енергія.
Звільнення валентних електронів може відбуватися за рахунок тепла,
енергії електричного поля, різних видів випромінювання, чи інших видів
енергії. Найбільше напівпровідникові матеріали піддаються впливові тепла.
Якщо валентний електрон став електроном провідності, то атом,
якому він раніше належав, втрачає електричну нейтральність. Таким чином
місце, яке звільнилося від електрона, має позитивний заряд. Ці вакантні
місця, що з'являються у валентних зв'язках, називають дірками. Дірка може
бути заповнена валентним електроном із сусіднього зв'язку. При цьому один
зв'язок заповниться, а інший зв'язок розірветься і виявиться незаповненим
(рис. 15.1).
Отже, дірка може переміщуватися кристалом, а разом з нею буде
переміщуватися і позитивний заряд. Дірки можуть брати участь в утворенні
електричного струму, оскільки вони так само, як і електрони провідності,
можуть пересуватися кристалом і при цьому переносять електричний заряд.
Умовно дірку можна розглядати як частку, що є рухомим носієм позитивного
заряду, який за значенням рівний зарядові електрона.
Процес утворення пари електрон провідності–дірка отримав
назву генерації. Вільний електрон може зайняти дірку і знову стати
валентним електроном. Такий процес перетворення вільного електрона в
зв'язаний, що викликає зникнення пари вільний електрон - дірка, називається
рекомбінацією.
При відсутності електричного поля в напівпровіднику електричний
струм не виникає, оскільки всі напрямки теплового руху рухомих носіїв
зарядів однаково ймовірні. Якщо ж в кристалі створити електричне поле, то
електрони і дірки, продовжуючи брати участь у хаотичному тепловому русі,
будуть зміщуватися під дією електричних сил уздовж поля, що і створить
електричний струм.

2. Домішкова провідність напівпровідників.

Шляхом уведення домішок (легуванням) можна різко змінити
провідність кристала.
Якщо в якості домішки взяти п’ятивалентний хімічний елемент,
наприклад миш'як (As), фосфор (Р) чи сурму (Sb), то п’ятивалентні атоми
домішки, розташовуючись в вузлах кристалічних решіток, заповнюють
чотири валентні зв'язки сусідніх атомів, а п'ятий валентний електрон
виявляється незадіяним (рис. 15.2, а). Цей електрон, виявляється зайвим у
єдиній структурі валентних зв'язків кристалу і дуже слабо зв'язаний з вузлом.
Тому під дією тепла він легко відривається та стає електроном провідності.
При цьому п’ятивалентний атом, який залишився у вузлі перетворюється в
позитивний іон, який крізь сильні валентні зв'язки із сусідніми вузлами не

3
може переміщуватися кристалом. Однак у цілому кристал залишається
нейтральним, оскільки позитивні заряди іонів у вузлах цілком
врівноважуються негативними зарядами електронів провідності в об’ємі
напівпровідника.

а) б)
Рис. 15.2 – Введення домішку у провідник а) п’ятивалентного і б)
тривалентного

При такій домішці, яка отримала назву донорної, концентрація

електронів провідності в кристалі різко зростає і його провідність отримує
електронний характер (n-провідність). У цьому випадку основними носіями
електричних зарядів, які створюють електричний струм у кристалі, будуть
електрони при невеликій кількості неосновних носіїв – дірок.
Напівпровідники з таким типом провідності отримали назву
напівпровідників n-типу (n– negativ).
Якщо в якості домішки взяти трьохвалентний хімічний елемент,
наприклад індій (In), галій (Ga), алюміній (А1) чи бор (B), то його валентні
електрони, розташовуючись у вузлах кристалічних решіток, зможуть
заповнити лише три валентні зв'язки сусідніх атомів (рис. 15.2, б). Відсутній
валентний зв'язок тривалентного атома, розташованого у вузлі кристалічної
решітки, є потенційною діркою. Відсутній валентний електрон може бути
легко захоплений цим вузлом у сусіднього атома. При такій домішці, що
одержала назву акцепторної, концентрація дірок у кристалі різко зростає і
його провідність отримує дірковий характер (р- провідність). У цьому
випадку основними носіями є дірки, а неосновними – електрони провідності.
Напівпровідники з таким типом провідності отримали назву
напівпровідників p-типу (p – positiv).
Провідність кристала, яка обумовлена відповідними домішками,
одержала назву домішкової провідності.
Електронно-дірковий перехід (скорочено p-n перехід) – зона
утворена двома областями напівпровідника з різними типами провідності:
електронної (n) і діркової (р).
Зворотне увімкнення p-n переходу. При зворотному увімкненні p-n
переходу джерело під’єднується так, щоб поле, яке створюється зовнішньою

4
напругою, збігалося з полем p-n переходу (рис. 15.3, а). У цьому випадку
поля додаються і потенційний бар'єр між p- та n- областями зростає, у
результаті ширина запірного шару збільшується і тому струм крізь перехід
швидко прямує до нуля. Таке увімкнення p-n переходу
називається зворотним зміщенням.
Пряме увімкнення p-n переходу. При прямому увімкненні p-n
переходу зовнішнє джерело під’єднується так, щоб поле, яке створюється
зовнішньою напругою в p-n переході, було напрямлене назустріч власному
полю p-n переходу (рис. 15.3, б). Таке увімкнення p-n переходу
називається прямим зміщенням. У цьому випадку напруга джерела
віднімається від контактної різниці потенціалів. Потенційний бар'єр між p- і
n- областями відповідно зменшується. Дифузія основних носіїв
крізь p-n перехід значно полегшується, і в зовнішньому колі виникає струм.

а) б)
Рис. 15.3 – Увімкнення p-n переходу а) зворотне і б) пряме

3. Класифікація і позначення напівпровідникових приладів.

При використанні напівпровідникових приладів в електронних
пристроях для уніфікації їхнього позначення і стандартизації параметрів
використовуються системи умовних позначень.
Таблиця 15.1 – Графічні позначення напівпровідникових приладів
Назва приладу Позначення Назва приладу Позначення

Діод
Тиристор
випрямляючий

Фотодіод
Стабілітрон
випромінюючий

Транзистор Транзистор
біполярний біполярний
p-n-p типу n-p-n
Польовий Польовий
транзистор з транзистор з
каналом p-типу каналом n-типу

5
 Напівпровідниковий діод являє собою напівпровідниковий
електроперетворюючий прилад з одним p-n переходом і двома зовнішніми
виводами від областей кристала з різного виду провідностями.
В даний час застосовуються різні типи напівпровідникових діодів, що
відрізняються як за своїми властивостями та призначенням, так і за
конструкцією.
Класифікація діодів:
- Випрямні (силові).
- Високочастотні та зверхвисокочастотнi.
- Імпульсні.
- Опорні (стабілітрони).
- Чотирьохшарові перемикаючі.
- Фотодіоди.
- Світло-діоди.
У залежності від матеріалу:
- Германієві – Т від +70-80 оС.
- Кремнієві – Т від +125 оС.
За конструктивно-технологічним принципом поділяються:
- Площинні.
- Точкові.
За потужностями:
- Малої (Іпр.ср. ≤ 0,3 А);
- Середньої (0,3 А ≤Іпр.ср. ≤ 10 А);
- Великої (Іпр.ср. > 10 А).
Площинні напівпровідникові діоди можна одержати різними
способами. Найчастіше використовуються методи сплавлення,
дифузії та вирощування. На Рис. 15.4 показаний розріз площинного діода.

1 – гнучкий вивід;
2 – корпус;
3 – скляний ізолятор;
4 – контактна пластина;
5 – пластина індію;
6 – пластина кремнію;
7 – металева підставка

Рис. 15.4 – Розріз площинного напівпровідникового діода

6
 У цьому діоді пластинка кристала з p-n переходом розташовується на
металевій підставці, до якої приварений вивід. Другий вивід з'єднаний із
пластинкою кристала за допомогою провідника. Корпус складається з
металевого балона, привареного до підставки та ізолюючої шайби.

4. Основні характеристики і параметри діодів.

Основною характеристикою діода являється його вольт-амперна
характеристика.
Вольт-амперні характеристики напівпровідникових діодів дуже
сильно залежать від температури навколишнього середовища. Зі
збільшенням температури збільшуються тепловий струм і струм
термогенерації, тобто збільшується зворотний струм діода.

Рис. 15.5 – ВАХ напівпровідникового діода

Розрізняють два види пробою p-n переходу це електричний і

тепловий пробій.
Електричний пробій буває польовим, при якому сильне електричне
поле у вузькому p-n переході створює умову для переходів валентних
електронів з p- області безпосередньо в зону провідності n- області.
Іншим різновидом електричного пробою є лавинний пробій, при
якому носії заряду, які потрапили в p-n перехід під дією сильного
електричного поля, отримують енергію, достатню для ударної іонізації
атомів кристала. Лавинний пробій виникає в p-n переходах, товщина яких є
більшою за середню довжину вільного пробігу носіїв між їхніми черговими
зіткненнями з вузлами кристалічної решітки.
Тепловий пробій p-n переходу виникає внаслідок втрати стійкості

7
теплового режиму. Зі збільшенням зворотної напруги та струму,
збільшуються теплова потужність, яка виділяється на p-n переході, та,
відповідно, його температура. За певних умов відбувається лавиноподібне
наростання температури і p-n перехід руйнується.
Напівпровідниковий діод являється електричним вентилем, тобто
володіє односторонньою провідністю – проводить струм в одному напрямку
і майже не проводить в іншому:

Рис. 15.6 – Вентильні властивості діода