Презентація з фізики на тему:

«Електричний струм у
напівпровідниках.
Електропровідність
напівпровідників»
 Напівпровідники

Напівпровідниками називають речовини, значення електропровідності яких

лежить в межах між електропровідністю речовин, що добре проводять електричний
струм (провідників) і електропровідністю речовин, що практично не проводять
електричного струму (діелектриків)
Найбільш поширеними напівпровідниками, що використовуються на
практиці є германій (Ge), кремній (Si), а також сполуки, наприклад арсенід галію
(GaAs), антимонід індію (InSb) і т.п. – це елементи ІІІ, ІV, V груп таблиці Д.І.
Менделеєва.
 Характерна особливість напівпровідників

Для напівпровідників є характерною значна залежність їх електричних

властивостей від температури. На відміну від металів, електропровідність
напівпровідників при зниженні температури зменшується, а при підвищенні
зростає. При температурах близьких до абсолютного нуля напівпровідники
поводять себе подібно до діелектриків. Іншими характерними особливостями
напівровідників є значна залежність їх електропровідності від незначної
кількості домішок і їх чутливість до різного роду випромінювання.
Температура напівпровідників

Таким чином, електричний струм

в напівпровідниках являє собою
упорядкований рух вільних
електронів і позитивних віртуальних
частинок – дірок. При збільшенні
температури росте число вільних
носіїв заряду, провідність
напівпровідників росте, опір
зменшується R (Ом) t ( 0 C) R0R0
метал напівпровідник
 Типовими напівпровідниками є елементи
ІV групи периодичної системи Менделєєва
германій і кремній. Ці елементи утворюють  Умовно таке взаємне
кристалічну решітку подібну до алмазу, де розташування атомів
кожен атом зв'язаний ковалентними (парно- можна уявити у
електронними) зв'язками з чотирма вигляді плоскої
рівновіддаленими від нього сусідніми атомами. структури, яка
Зовнішні оболонки атомів кремнію і зображена на рис.
германію мають чотири валентних електрони.
При об'єднанні таких атомів у кристалічну
решітку кожний атом як би доповнює свою
зовнішню оболонку до восьми електронів,
утворюючи із чотирма оточуючими його
атомами так звані парно-
електронні або ковалентні зв'язки (подвійні
лінії на малюнку).
Картина, що показана на малюнку,
відповідає чистому (без домішок)
напівпровідникові.
 Типи провідності напівпровідників

У напівпровідників з електронною провідністю можуть бути два типи

провідності:
 Власна
Провідність чистих напівпровідників, що не мають ніяких домішок  називають
власною провідністю.
 Домішкова
Провідність, викликана наявністю у кристалі напівпровідника домішок атома з іншою
валентністю, називають домішковою
 Власна провідність

 Власний напівпровідник - напівпровідник з дуже малою концентрацією

домішок.
 У власному напівпровіднику кількість електронів у зоні провідності збігається з
кількістю дірок у валентній зоні й визначається в основному
шириною забороненої зони.
 Щоб виникла власна провідність чистого напівпровідника необхідно затратити
енергію, яка за величиною була б достатньою, щоб мати змогу розірвати
валентний зв’язок атома з електроном. Енергію, про яку ми зараз говоримо,
електрон може отримати внаслідок наявності зовнішнього електричного поля або
зміни температури.
 Дірка

 Дірка - місце, яке утворилося в наслідок розриву валентного зв’язку.

«Дірка» поводить себе так , як мала поводити позитивно заряджена
частинка, заряд якої чисельно дорівнює заряду електрона.
 На місце, звільнене електроном, тобто на місце «дірки», може перейти
сусідний електрон, на його місце інший , а це рівнозначно тому, що
перемістилась «дірка». Зрозуміло, що рух «дірок» протилежний руху
електронів.
 Електронна і діркова провідність

 Якщо напівпровідник помістити в зовнішнє електричне поле, то хаотичний

рух електронів і «дірок» накладається на рух вздовж силових ліній поля.
 Електронною провідністю( n-провідністю) називають провідність, що
зумовлена рухом електронів
 Дірковою провідністю (р- провідністю) називають провідність, що
зумовлена переміщенням «позитивних дірок»
 Домішкова провідність

Власна провідність напівпровідників недостатня для технічного застосування

напівпровідників. Тому, для збільшення провідності, в чисті напівпровідники
вносять домішки (легують), які бувають донорні та акцепторні. 

Донорні домішки

Під дією електричного поля електрони

і дірки починають упорядкований
(зустрічний) рух, утворюючи
електричний струм

При збільшенні температури енергія електронів

збільшується і деякі із них покидають зв’язки, стають
вільними електронами.
 Акцепторні домішки 

 Якщо кремній легувати трьохвалентним індієм, то для утворення зв’язків з

кремнієм в індію не вистачає одного електрона, тобто утворюється дірка.
Змінюючи концентрацію індію, можна в
широких межах змінювати провідність
кремнію, створюючи напівпровідник із
заданими електричними властивостями. 

Такий напівпровідник називається напівпровідником

p-типу, основними носіями заряду являються дірки,
а домішка індію, що дає дірки, називається
акцепторною.
 Терморезистор

Терморезистор
 — напівпровідниковий резистор,
активний електричний опір якого залежить
від температури; терморезистори
випускаються у вигляді стрижнів, трубок,
дисків, шайб і намистинок; розміри
варіюються від декількох мікрометрів до
декількох см.
 Історія

Перший термістор з негативним температурним коефіцієнтом був

створений у 1833 році Майклом Фарадеєм, який виявив
напівпровідникову поведінку сульфіду срібла. Фарадей помітив, що опір
сульфіду срібла різко зменшується при підвищенні температури (цей
дослід був також першим документованим спостереженням
напівпровідникового матеріалу).
Оскільки перші термістори були складними у виготовленні і
застосування технології було обмеженим, промислове виробництво
терморезисторів почалося лише після 1930 року.Перший життездатний
комерційний зразок термістора був винайдений Самуелем Рубеном у 1930
році
 Типи напівпровідників

  І так, існує 2 типи напівпровідників, що мають велике практичне застосування: р-типу n-типу.
  Крім основних носіїв в напівпровіднику існує дуже мала кількість неосновних носіїв заряду (в
напівпровіднику p-типу це електрони, а в напівпровіднику n- типу це дірки), кількість яких росте при
збільшенні температур
 p-n перехід

Розглянемо електричний контакт двох напівпровідників p і n типу, що називається p-n переходом.

Струм через p-n перехід тече за рахунок основних носіїв заряду (дірки рухаються вправо, електрони –
вліво) Опір переходу малий, струм великий. Таке включення називається прямим, в прямому напрямі p-
n перехід добре проводить електричний струм рn.
 Зворотнє включення

Основні носії заряду не проходять через p-n перехід Опір переходу великий, струм практично
відсутній Таке включення називається зворотнім, в зворотному напрямку p-n перехід практично не
проводить електричного струму рn.