Розділ 2.

Основи теорії твердого тіла

Заняття 9.
Тема 2.1. Електропровідність твердих тіл.

1. Енергетичні зони та енергетичні рівні.

2. Провідники, напівпровідники, ізолятори.
3. Електропровідність напівпровідників, їх залежність від
освітленості
 В результаті вивчення теми студент буде:

ЗНАТИ:
Розуміти будову твердих тіл з точки зору зонної теорії, пояснювати
утворення енергетичних зон і рівнів.
ВМІТИ:
Пояснювати провідність тіл в залежності від ширини забороненої
зони і факторів.
 Питання 1. Енергетичні зони та енергетичні рівні.

 Атом будь-якого елемента складається з ядра та електронів, які

знаходяться навколо ядра на певних енергетичних рівнях
(оболонках) і мають на цих оболонках однакову енергію.
 На кожній оболонці може бути 2 n2 електронів. n – номер
оболонки (енергетичного рівня).
 Між оболонками лежить заборонений енергетичний рівень.
Ізольований атом характеризується набором енергетичних рівнів
(дискретним енергетичним спектром).
Речовина, яка є сукупністю атомів, має енергетичний спектр атомів
(набір дискретних рівнів), у виді енергетичних зон (неперервні
енергетичні спектри).
Виникнення енергетичних зон можна пояснити таким чином. Нехай
деяка кількість NA однакових атомів входить до кристалічних грат. З
наближенням один до одного атоми починають взаємодіяти, Їх
енергетичний стан зманюється, виникає розщеплення рівнів в зонi.
Замість одного рівня у окремого атома з’являється NA рівнів у всій
сукупності атомів
Існіють три енергетичні зони:
 валентна зона (ВЭ),
 зона провідності (ЭП)
 заборонена зона (ЭЭ).
Зони відрізняються значенням рівнів енергії. В деяких випадках зони можуть
перекриватися.
Валентна зона — це верхня енергетична зона, в якій знаходяться валентні
електрони.
Зона провідності — с зоною дозволених значень енергії електронів
провідності.
Якщо між валентною зоною та зоною провідності існує енергетичний зазор, то
він відповідає зоні заборонених значень енергії. В цій зоні не існує
електронів.
Для того щоб «звільнити» електрони і викликати електричний струм,
необхідно ззовні надати їм енергію (наприклад, нагріти кристал). Завдяки
цьому електрони будуть переведені на більш високі енергетичні рівні та
складуть зону провідності (зону вільних електронів).
У напівпровідниках і діелектриках між валентною зоною і зоною
провідності існує проміжна — заборонена зона. Особливість цієї зони —
повна відсутність дозволених рівнів.
Питання 2. Провідники, напівпровідники, ізолятори.
Ширина забороненої зони дорівнює величині енергії, яку
необхідно надати електрону, щоб перевести його зі зв'язаного
стану у валентній зоні в зону провідності.
Ширина забороненої зони в напівпровідниках становить звичайно
до 3 еВ, а в діелектриках, як правило, перевищує 3 еВ.
У діелектриках і напівпровідниках валентна зона заповнена
повністю, а зона провідності вільна від електронів, при цьому
ширина забороненої зони в діелектриках більша, ніж у
напівпровідниках. Валентна зона металів або не зовсім заповнена,
або заповнена, але перекривається зоною провідності.
 Питання 3. Електропровідність напівпровідників, їх залежність від
освітленості
Широкий клас речовин, які за своїм питомим опором займають проміжне місце між
провід­никами і діелектриками, називають напівпровідниками.
Напівпровідник - матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між
провідностями провідника та діалектрика. Відрізняються від провідників сильною
залежністю питомої провідності від концентрації домішок, температури і різних
видів випромінювання. Основною ознакою, за якою вирізняють цей клас речовин, є
залежність опору напівпровідників від температури.
До напівпровідників належать 12 хімічних елементів (В, С, Si, Ge, Sn, Р, As, Sb, S,
Se, Те, J), сполуки елементів III і V груп типу А"'В' (InSb, GaAs та ін.), сполуки
елементів II і VI груп типу А"В''* (CdS, ZnO та ін.), низка інших сполук, деякі
органічні речовини. Найширше застосування в науці і техні­ці мають
напівпровідники Германій Ge і Силіцій Si.
 Здатність будь-якої речовини проводити електричний струм під
дією електричного поля називають електричною провідністю,
електропровід­ністю, або провідністю.
 Тип провідності зумовлений видом носіїв струму.
 Метали мають електронну провідність, оскільки носіями
струму в них є вільні електрони. В електролітах носіями струму
є вільні позитивні і нега­тивні йони, тому в них йонна
провідність.
 Чим менший електричний опір провідника, тим більша
його провідність і навпаки.
1. Електропровідність напівпровідників дуже залежить від
стану речовини (температура, освітлення, наявність домішок
тощо). Залежність опору напівпровідників від освітлення і
нагрівання пов’язана з внутрішньою будовою цих матеріалів.
2. З підвищенням температури електричний опір
напівпровідників, на відміну від металів різко спадає.
3. Проходження струму через напівпровідник не пов’язане з
перене­сенням речовини, тобто струм у напів­провідниках
зумовлений напрямленим рухом електронів, а не йонів.
Провідність хімічно чистих
напівпровідників, яка виникає під час їх
нагрівання або освітлення, називають
власною провідністю.
Розглянемо кристалічну структуру кремнію
(Si).
На зовнішній оболонці кожного атома
Силіцію знаходяться 4 валентних електрони.
До заповнення зовнішньої оболонки кожного
атома не вистачає 4-х електронів. Атоми
«позичають» в своїх найближчих сусідів по 1
валентному електрону,і вони стають
спільними. Таким чином утворюються
ковалентні зв*язки.
Під час нагрівання кристала його температура підвищується –
збільшується амплітуда коливань атомів. При цьому деякі
ковалентні зв*язки порушуються, а електрони стають вільними.
На місці розірваного зв*язку утворюється дірка. При цьому
провідність напівпровідника збільшується, а електричний опір –
зменшується.
Провідність напівпровідників, зумовлену наявністю домішкових атомів,
називають домішковою провід­ністю.
Розгляньмо кристал кремнію, який має домішку фосфору (атом Фосфору
займає місце одного з атомів Силіцію).
Фосфор 5-валентний, тому в ковалентні зв*язки входять лише 4 атоми
валентних електрони, а 5ий – вільний. Дірка при цьому не утворюється.
Таким чином, у кристалі з*являється певна кількість вільних електронів.
Така провідність має назву n-провідності. Домішки, які її створюють,
називають донорами, адже вони віддають свої електрони.
Якщо ж кристал кремнію міститиме деяку кількістьсть атомів 3-валентного
елемента, наприклад, Індію, то утворюється провідність p-типу, бо всі 3
валентні електрони беруть участь у створенні ковалентних зв*язків між
атомами. Домішки (р-типу) – акцептори.
 ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ:
Фізика. В.Ф. Дмитрієва, К., Техніка, 2008 р. - § 135 - 137.

САМОСТІЙНЕ ОПРАЦЮВАННЯ:
Фізика. В.Ф. Дмитрієва, К., Техніка, 2008 р. - § 137
Підручник в Інтернеті:
Іhttps://studfile.net/preview/5124311/
ДЯКУЮ ЗА УВАГУ!