МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ

“КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ
ІМЕНІ ІГОРЯ СІКОРСЬКОГО”

РЕФЕРАТ
з дисципліни: «СУЧАСНІ НАПІВПРОВІДНИКОВІ МАТЕРІАЛИ»
На тему: «Нітридні напівпровідники»

Виконав:
студент групи ДМ-02

Київ – 2023
 ЗМІСТ
ВСТУП.......................................................................................................................................................3
ЩО ТАКЕ НАПІВПРОВІДНИКИ?..........................................................................................................4
ВИДИ НІТРИДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ..........................................................................................6
ХІМІЧНІ ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ.................................................................................................9
ВИКОРИСТАННЯ..................................................................................................................................10
ЗАСТОСУВАННЯ...................................................................................................................................11
ДОСЛІДЖЕННЯ.....................................................................................................................................13
ПЕРЕВАГИ..............................................................................................................................................14
ВИСНОВКИ.............................................................................................................................................15
СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ................................................................................................16

2
 ВСТУП

Напівпровідникові матеріали – основа сучасного технічного прогресу. Їх

використовують у мікроелектроніці, сенсорах, комп'ютерах та мобільних
пристроях, а також оптоелектроніці та сонячних батареях. Наукове
співтовариство знаходиться в постійному пошуку нових сполук, що
відкривають шлях для ефективних, надійних, недорогих та екологічних
технологій.
Крім давно відомих кремнію та германію, в наш час широко
використовуються органічні напівпровідники та комбіновані сполуки. Серед
них важливе місце займають галієві напівпровідники, адже саме завдяки їм
з'явилися світловипускні діоди (LED).
Великою популярністю користуються напівпровідникові нітриди: по-перше,
вони нетоксичні, оскільки їх основний компонент - азот, по-друге, до їх
складу входять хімічні елементи, які часто зустрічаються в природі, такі як,
наприклад, галій і цинк, по-третє, вони відрізняються високою
тугоплавкістю, і тому підходять для роботи за високих температур,
наприклад, у сфері енергетичної електроніки.

3
 ЩО ТАКЕ НАПІВПРОВІДНИКИ?

Взагалі кажучи, напівпровідники – це речовини, що займають проміжне

місце між металами та діелектриками за величиною електричної провідності,
яка піддається впливу температури, сильного електричного поля, тиску,
оптичного та іонізуючого випромінювання, а також наявності домішок та
деяких інших факторів.
Напівпровідниками можуть бути речовини з будь-яким типом зв'язку, крім
металічного, тобто переносниками електричного струму можуть бути як
електрони, так і іони. Проходження через електронні напівпровідники
електричного струму не викликає хімічних змін речовини.
Відмінність напівпровідникової провідності від провідності металів полягає у
тому, що по-перше, різниця у кількості носіїв струму на одиничний обсяг
провідника. Якщо в металах це приблизно один вільний електрон на кожен
атом, то в напівпровідниках носіїв заряду тисячі, навіть мільйони разів
менше! Друга відмінність наведена вище - це специфічна залежність
провідності матеріалу від факторів навколишнього середовища, особливо це
помітно на прикладі температури.
У металах із зростанням температури опір збільшується, що обумовлено
зменшенням рухливості електронів. У напівпровідниках вона, в залежності
від того, який температурний проміжок ми розглядаємо, може як зростати,
так і знижуватися з температурою. Відмінність полягає також у способі
переміщення електронів усередині провідника.
Деякі електрони, відриваючись від нейтральних атомів, стають вільними
електронами, перетворюючи таким чином атом на позитивний іон. Інші
атоми, перебуваючи у безпосередній близькості до іона, можуть легко
передавати йому свої електрони, заповнюючи вакантне місце і стаючи вже
своєю чергою іоном. Таким чином, місце позитивного іона в провіднику
змінюється і йде так, ніби перемістився саме позитивний заряд. Ці явища
відбуваються хаотично за відсутності зовнішнього електричного поля, але
після його застосування обидва процеси впорядковуються: вільні електрони
рухаються проти поля, а позитивні місця – по полю Але треба пам'ятати про
те, що фактично завжди має місце лише рух електронів.
В ідеальному напівпровіднику кожному звільненому тепловим рухом або
світлом електрону відповідає утворення однієї дірки, число дірок та вільних
електронів залишається рівним.

4
Насправді ж дуже складно домогтися абсолютної чистоти речовини, а
домішки докорінно змінюють властивості напівпровідників, створюючи
надлишок електронів чи позитивних іонів відповідно до типом домішки. У
першому випадку напівпровідники називаються електронними або
напівпровідниками n-типу, у другому - дірковими або напівпровідниками p-
типу.

5
 ВИДИ НІТРИДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Нітриди – це сполуки азоту з менш електронегативними елементами,

наприклад, з металами (AlN, TiNx, Na3N, Ca3N2, Zn3N2 і т. д.) і з рядом
неметалів (NH3, BN, Si3N4). Виключно стійкі до хімічних впливів,
тугоплавкі, термостійкі є діелектриками або напівпровідниками.
Розглянемо лише нітриди p-блоку
Нітрид бору (BN)
являє собою термічно та хімічно стійке тугоплавку сполуку бору та азоту з
хімічною формулою BN. Він існує в різних кристалічних формах,
ізоелектронних ґратах вуглецю аналогічної структури. Гексагональна форма,
що відповідає графіту, є найбільш стабільною і м'якою серед поліморфів BN.
Кубічний (цинкова обманка або структура сфалериту) різновид, аналогічний
алмазу, він м'якший ніж алмаз, але його термічна і хімічна стабільність вища.

Нітрид кремнію ( Si N )
3 4

являє собою хімічну сполуку елементів кремнію та азоту. Є найбільш

термодинамічно стабільним. Це біла тверда речовина з високою
температурою плавлення відносно хімічно інертна.

6
Він дуже твердий (8,5 за шкалою Моосу). Він має високу термічну
стабільність із сильними оптичними нелінійностями для всіх оптичних
додатків.

Нітрид алюмінію (AlN)

має високу теплопровідність до 321 Вт/(м·К) і є електроізолятором. Його
ширина забороненої зони ~ 6 еВ (області значень енергії, які не може мати
електрон в ідеальному (бездефектному) кристалі) при кімнатній температурі і
має потенційне застосування в оптоелектроніці, застосовній у глибоких
ультрафіолетових частотах.

7
Нітрид галію ( GaN )
є бінарним напівпровідником з прямою забороненою зоною III / V , що
зазвичай використовується в синіх світлодіодах з 1990-х років. Ця сполука є
дуже твердим матеріалом. Його широка заборонена зона 3,4 еВ надає йому
особливих властивостей для застосування в оптоелектронних, потужних і
високочастотних пристроях.

Нітрид Індію (InN)

являє собою напівпровідниковий матеріал з малою шириною забороненої
зони, який потенційно може застосовуватися в сонячних елементах та у
високошвидкісній електроніці.

8
 ХІМІЧНІ ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ

Розглянемо хімічні та фізичні властивості нітридних напівпровідників на

прикладі нітриду галію
За нормальних умов, нітрид галію – безбарвний прозорий кристал.
Кристалізується у структурі типу вюрциту, також можлива кристалізація
метастабільної фази зі структурою цинкової обманки. Тугоплавкий та
твердий. У чистому вигляді досить міцний. Має високу теплопровідність і
теплоємність.
Є прямозонним напівпровідником із шириною забороненої зони 3.4 еВ при
300 K. У чистому вигляді може бути вирощений у вигляді монокристалічних
тонких плівок на підкладках із сапфіру або карбіду кремнію. При легуванні
кремнієм або киснем набуває електронний тип провідності.
При легуванні магнієм стає напівпровідником з дірковим типом провідності,
атоми кремнію і магнію, вбудовуючись в кристалічну Ґратку GaN
спотворюють її, викликаючи її механічне розтягнення, що і надає
монокристалам крихкість - плівки нітриду галію, як правило, мають високу
поверхневу концентрацію дислокацій.
У напівпровідникових нітридів є дві важливі характеристики, якими можна
оцінити їх якість.
По-перше, це рухливість носіїв заряду - вона свідчить про те, як часто носії
заряду стикаються з дефектами кристалічних ґраток або один з одним.
Низька рухливість виникає через недостатню чистоту матеріалу і спричиняє
низьку енергетичну ефективність пристрою.
Другий важливий показник – це ефективна маса носіїв заряду, яка не має
бути дуже високою. Наприклад, у нітриді галію GaN, який широко
використовується в напівпровідниковій промисловості, носії заряду важать
близько 2m0, тобто вдвічі більше, ніж маса спокою вільного електрона.
Існують напівпровідникові нітриди з низькою ефективною масою носіїв
заряду – наприклад, Zn3N2 – але їх складно вирощувати у високій якості
через низьку ентальпію утворення.

9
 ВИКОРИСТАННЯ

Сприятливе поєднання багатьох фізико-хімічних властивостей нітриду галію

відкриває перед ним широкі перспективи застосування у різних галузях
електронної техніки. Висока термічна, хімічна та радіаційна стійкість нітриду
галію дозволяє використовувати його для виготовлення приладів, що
працюють при підвищених температурах та в несприятливих умовах.
Хороша теплопровідність знімає багато проблем охолоджування робочої
області, а поєднання високої швидкості насичення електронів та значного
поля пробою, робить його придатним для виготовлення потужних
високочастотних та високотемпературних транзисторів. Прямий характер
міжзонних переходів, велика ширина забороненої зони, утворення твердих
розчинів ізоморфного заміщення з нітридом алюмінію та індієм
обумовлюють можливість значного розширення спектрального діапазону
роботи виготовлених на його основі світловипромінюючих та фото-
приймальних пристроїв. Велика ширина забороненої зони і прямозонна
структура, хороша теплопровідність і висока швидкість насичення
електронів, у поєднанні з високою хімічною та термічною стійкістю нітриду
галію, роблять його перспективним матеріалом, як для пристроїв
оптоелектроніки короткохвильового діапазону, так і для виробів силової та
високочастотної електроніки, що володіють підвищеною радіаційною
стійкістю і здатні працювати в несприятливих умовах високих температур і
агресивних середовищах. Останніми роками інтерес до нітриду галію значно
виріс у зв'язку з практичними успіхами в здобутті високоякісних
епітаксіальних шарів (ЕШ) і реалізація на їх основі ефективних світло
випромінюючих діодів для синього і синьо-зеленого області спектру, а також
синіх лазерних діодів.

10
 ЗАСТОСУВАННЯ

Нові нітридні сполуки, відкриті за допомогою квантовомеханічних

розрахунків, виявилися більш ефективними напівпровідниками, ніж їх
«колеги», які широко використовуються в сучасній промисловості.
Їх використовують у мікроелектроніці, сенсорах, комп'ютерах та мобільних
пристроях, а також оптоелектроніці та сонячних батареях. Наукове
співтовариство знаходиться в постійному пошуку нових сполук, що
відкривають шлях для ефективних, надійних, недорогих та екологічних
технологій.
Крім давно відомих кремнію та германію, в наш час широко
використовуються органічні напівпровідники та комбіновані сполуки. Серед
них важливе місце займають галієві напівпровідники, адже саме завдяки їм
з'явилися світловипускні діоди (LED).
Широко використовуються до створення світлодіодів, напівпровідникових
лазерів, надвисокочастотних (НВЧ) транзисторов.
Завдяки реалізації p-n-переходу та легування перехідного шару індієм,
вдалося створити недорогі та високоефективні сині та УФ світлодіоди, що
ефективно випромінюють при кімнатній температурі (що необхідно в тому
числі для лазерного випромінювання), це призвело до комерціалізації
високопродуктивних синіх світлодіодів та фіолетово-лазерних діодів з
довгим періодом роботи, а також дало розвиток пристроям на основі
нітридів, таких як детектори УФ та високошвидкісних польових
транзисторів.
Створення недорогих і високоефективних синіх світлодіодів із InGaN, що
мають високу яскравість випромінювання, у розробці світлодіодів основних
кольорів, дозволило створити повнокольорові світлодіодні екрани.
Крім того, покриття синього світлодіода люмінофором, який перевипромінює
частину синього випромінювання в зелено-червоній області, дозволило
створити білі світлодіоди, що широко застосовуються у пристроях
освітлення, різних ліхтариках, лампах і світильниках різного призначення.
Нітриди (напівпровідники) третьої групи визнані одними з
найперспективніших матеріалів для виготовлення оптичних приладів у
видимій короткохвильовій та УФ-областях.
Потенційні ринки для високопотужних і високочастотних приладів на основі
GaN включають радіочастотні підсилювачі потужності і високовольтні
комутаційні пристрої для електричних мереж.
11
Перспективним напрямом використання нітриду галію є військова
електроніка, зокрема твердотільні прийомопередавальні модулі на основі
GaN активної фазованої антеної решітки (АФАР). У Європі лідером у
розробці та застосуванні в АФАР технології приймальних модулів (ППМ) на
основі GaN є компанія Airbus Defenceand Space.
З точки зору створення потужних приладів найперспективнішою властивістю
нітриду галію для силової електроніки є можливість формування AlGaN/GaN
гетероструктурних польових транзисторів з малим опором у відкритому стані
(RdsON).
Крім того, завдяки великій ширині забороненої зони транзистори на основі
нітриду галію мають більш високу робочу температуру, порівняно з
приладами на основі кремнію.
Так, було досліджено і продемонстровано роботу GaN польових
транзисторів при температурі 300 °С, а також при 1000°С у вакуумі
(максимальна робоча температура кремнієвих транзисторів – 140–150 °C).

12
 ДОСЛІДЖЕННЯ

У 1993 були отримані перші експериментальні польові транзистори з нітриду

галію.
Зараз нітрид галію є перспективним матеріалом створення високочастотних,
теплостійких і потужних напівпровідникових пристороїв. Велика ширина
забороненої зони означає, що робочий стан транзисторів з нітриду галію
зберігається за більш високих температур, порівняно з кремнієвими
транзисторами.
Через те, що транзистори з нітриду галію можуть зберігати робочий стан при
більш високих температурах і напругах, ніж транзистори з арсеніду галію,
цей матеріал стає все більш привабливим для створення приладів, які
застосовуються у підсилювачах потужності. Важливими перевагами
транзисторів на основі цього напівпровідника є швидкодія у порівнянні з
виробами, створеними за іншими технологіями – MOSFET та IGBT, а також
можливість роботи при сильній напрузі та висока надійність.

13
 ПЕРЕВАГИ

Нітрид галію, наприклад, є найбільш універсальним з нових матеріалів для

всіх додатків мікроелектроніки: потужних напівпровідників та світлодіодів.
Розроблені на основі гетероструктур GaN-Si високовольтні (до 1200 В)
напівпровідникові прилади перевершують кремнієві аналоги та складають
технічну та комерційну конкуренцію виробам з карбіду кремнію. Швидкий
перехід до масового освоєння нітрид-галієвих приладів на великих фабриках
зробить їх ще більш затребуваними та конкурентними у найближчій
перспективі.

14
 ВИСНОВКИ

Завдяки хорошим електрофізичним параметрам широкозонні

напівпровідники найбільш привабливі серед нових матеріалів для
підвищення частотних, потужних властивостей та ефективності сучасних і
перспективних продуктів мікроелектроніки. Донедавна карбід кремнію
залишався безальтернативним варіантом для високовольтних (понад 600 В)
потужних приладів, де необхідними є висока ефективність, потужність,
швидкодія та температура експлуатації. Однак у зв'язку з вирішенням
технічних проблем отримання більш дешевих гетероструктур GaN-Si
великого діаметра і товщини, нітрид галію не тільки витісняє кремнієві
прилади, а й стає альтернативою SiC у високовольтних потужних пристроях.
Універсальність застосування GaN у потужних напівпровідниках та
світлодіодах робить його найбільш перспективним серед нових матеріалів
мікроелектроніки.

15
 СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ

1. «Научно-практический электронный журнал Аллея Науки» №3(30)

2019
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник
для вузов. — 4-е перераб. и доп. изд. — М.: Высшая школа, 1987.
3. Самсонов Г. В., Нитриды, К., 1969.
4. T. Harafuji and J. Kawamura. Molecular dynamics simulation for
evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal : Appl. Phys.. —
2004. — С. 2501
5. Євтушенко І. О. Датчик інфрачервоного випромінювання:
Магістерська дисертація, 2019.
6. Боднарь Д. Полупроводниковая микроэлектроника — 2017 г. Часть 3.
Новые материалы посткремниевой эпохи — уже настоящее, а не
будущее // Электронные компоненты. 2018. № 1.
7. 3. Ржеутский, Н.В. Аммиачная молекулярно-пучковая эпитаксия
гетероструктур AlGaN на подложках сапфира / Н.В. Ржеутский, Я.А.
Соловьёв, А.Г. Войнилович, И.Е. Свитенков, А.Н. Петлицкий, Д.В.
Жигулин, Е.В. Луценко // Доклады БГУИР.- Минск, 2019, №7.- с. 144 –
151

16