TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỂN THÔNG

----------

BÁO CÁO
ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ I
Đề tài: Mạch khuếch đại âm thanh
Giảng viên hướng dẫn: TS Nguyễn Anh Quang
Nhóm sinh viên : Họ và tên MSSV
 Lương Thị Kim Oanh 20182715
Bùi Thị Nga 20182702
Nguyễn Thị Nhật Lệ 20182632
Tống Đình Luân Dương 20182458
Phạm Quang Tuấn 20164406
Nguyễn Nhật Duy 20160772

Mục lục

Chương 1. Đặt vấn đề.........................................................................................................1

1.1. Mô tả kỹ thuật..........................................................................................................1
1.1.1. Yêu cầu chức năng............................................................................................1
1.1.2. Yêu cầu phi chức năng......................................................................................1
1.2. Lập kế hoạch............................................................................................................1
Chương 2. Thiết kế kiến trúc..............................................................................................3
2.1. Thiết kế sơ đồ khối...................................................................................................3
2.2. Lựa chọn linh kiện...................................................................................................3
2.3. Thiết kế chi tiết từng khối........................................................................................4
2.3.1. Khối nguồn.......................................................................................................4
2.3.2. Khối khuếch đại tín hiệu...................................................................................5
2.3.3. Tính toán lựa chọn linh kiện.............................................................................5
2.3.4. Khối khuếch đại công suất................................................................................9
2.3.5. Thông số toàn mạch........................................................................................10
Chương 3. Mô phỏng, kiểm tra và sửa sai........................................................................11
3.1. Mô phỏng phần mềm.............................................................................................11
3.2. Testboard...............................................................................................................11
 3.3 Mạch in................................................................................................................... 11
Chương 4. Báo cáo sản phẩm...........................................................................................14
DANH MỤC HÌNH ẢNH................................................................................................15
DANH MỤC BẢNG BIỂU..............................................................................................15
5. TÀI LIỆU THAM KHẢO.............................................................................................16
 Chương 1. Đặt vấn đề

1.1. Mô tả kỹ thuật
1.1.1. Yêu cầu chức năng
Khuếch đại tín hiệu âm thanh từ jack audio ra loa 8 Ω có tín hiệu âm thanh với
đầu vào 50-100mV nguồn 9V DC.
1.1.2. Yêu cầu phi chức năng
- Nhiệt độ làm việc ổn định: 25-50ºC
1.2. Lập kế hoạch
Mô tả các công việc thể hiện trong Bảng 1.1.
Bảng 1-1 Mô tả kế hoạch công việc

Thời
M gian
Tên công việc Mô tả công việc
ã
(ngày)

Lên ý tưởng, tìm hiểu các sản phẩm

Tìm hiểu sản phẩm 1 1
tương tự

Mô tả yêu cầu chức năng và phi chức

Mô tả kỹ thuật 2 3
năng

Kế hoạch phát triển 3 Xây dựng và phân công công việc 3

Thiết kế tổng quan và chi Xây dựng sơ đồ mạch khuếch đại âm

4 7
tiết thanh

Thử nghiệm mô phỏng và Chạy thử nghiệm trên phần mềm, lựa
5 7
Lựa chọn phương án tối ưu chọn linh kiện và test bo mạch trắng

Sửa sai 6 Phát hiện lỗi và chỉnh sửa 4

Sản xuất mạch 7 Layout và hoàn thiện mạch 4

Báo cáo GVHD 8 Bàn giao và báo cáo sản phẩm 1

1
 Chương 2. Thiết kế kiến trúc

2.1. Thiết kế sơ đồ khối

Hình 2.1 Sơ đồ khối của mạch

Hình 2.1 trên miêu tả sơ đồ khối của mạch. Mạch gồm 3 khối chính: khối nguồn, khối
khuếch đại tín hiệu, và khối khuếch đại công suất. Jack điện thoại và loa là phụ kiện hỗ
trợ mạch.
Khối nguồn: Đầu vào 220V AC, đầu ra 9V DC.
Khối khuếch đại tín hiệu: khuếch đại tín hiệu vào Vi(p) = ~100mV cho tín hiêu ra có
công suất là PO = 1W trên tải loa là RL = 8Ω.
Tính toán hệ số khuếch đại Av để thỏa mãn yêu cầu: VoRMS(p) = √ 2 PO R L ≈ 4V.
 Av = VO(p)/Vi(p) = 4/0.1 =40
 Dùng 1 tầng emito chung và 1 tầng darlington
Khối khuếch đại công suất: tầng khuếch đại đẩy kéo nối tiếp với tầng kích dùng
transistor bù
2.2. Lựa chọn linh kiện
Sau đây ta sẽ nêu và lựa chọn các linh kiện chính cho các khối của mạch, lí do dùng các
linh kiện này sẽ nêu ở phần thiết kế.
Khối nguồn: Bộ chuyển đổi 220 V sang nguồn 9V DC

2
Khối khuếch đại tín hiệu: Tầng khuếch đại Emito chung và tầng Darlington
Khối khuếch đại công suất:tầng khuếch đại đẩy kéo nối tiếp với tầng kích dùng transistor
bù
Bảng Lựa Chọn Linh Kiện:
Bảng 2-2 Lựa chọn linh kiện

Loại Linh Kiện Lí Do Lựa Chọn Giá Thành(VND)

Điện Trở 430KΩ Dùng trong tầng 4000

Darlington

Điện Trở 51KΩ Mạch EC 4000

Điện Trở 12KΩ Mạch EC 4000

Điện Trở 3K9Ω Mạch EC 4000

Điện trở 80Ω Mạch EC 4000

Điện Trở Công suất Tầng Darlington 10000

36Ω-2W

Transistor Dùng trong các 12000

NPN khối khếch đại

Tụ điện 100uF Để lọc tín hiệu đầu 20000

vào và ra, ghép nối
các tầng, ngăn hồi
tiếp xoay chiều

Tụ Điện 47uF Lọc tín hiệu đầu 4000

vào

Loa 8Ω Đầu ra 50000

Điện Trở 36Ω Mạch Darlington 4000

Diode 1N4148 Mạch khuếch đại 4000

công suất

Điện Trở 10kΩ Mạch EC 4000

Transistor PNP Mạch Đẩy kéo 4000

3
2.3. Thiết kế chi tiết từng khối
2.3.1. Khối nguồn
Để mạch khuếch đại có công suất ra tải 8Ω được 1W thì điện áp ra đỉnh đỉnh cần đạt được
là 8V. Do vậy cần sử dụng nguồn có điện áp và công suất lớn hơn yêu cầu trên,nên nhóm
chúng em quyết định sử dụng bộ chuyển đổi nguồn xoay chiều 220V AC sang nguồn 1
chiều 9 DC-1A, do đáp ứng được thông số yêu cầu giá thành hợp lý, tín hiệu ra ổn định,
nhiễu thấp.
2.3.2. Khối khuếch đại tín hiệu
Khối khuếch đại Emito chung:

VCC
9V

R3 R4
51kΩ 4kΩ
C3

C5 100µF
Q1
BC547A
100µF

R6 R5
12kΩ 80Ω

R8 C7
0.91kΩ 100µF

Hình 2.2 Tầng EC khuếch đại tín hiệu nhỏ

2.3.3. Tính toán lựa chọn linh kiện

Tầng 1:
*Chế độ một chiều:
Chọn transitor khuếch đại tín hiệu nhỏ BC547A do giá thành rẻ, phổ biến, đáp ứng được
thông số yêu cầu.

4
Chọn điểm làm việc tĩnh Q(UCE;ICQ) = (4; 1.10-3), ở điểm làm việc này hệ số β của
transitor vào khoảng 120.
Do đó ta tính được:
(RC+RE1+RE2).IC + UCE = VCC
⇔(RC+RE1+RE2). 1.10-3 + 4= 9
⇔RC+RE1+RE2 = 5k
1
Chọn VE= 1V khoảng 10 VCC
VE = IE(RE1+RE2) = 10-3.(RE1+RE2)
RE1+RE2 = 1k
Mạch EC để làm việc ổn định thì ta cần có dòng phân áp IC >> IB nên:
R2 << RVT ≈ β.RE = 120*1k= 120k
1
Chọn RE = 12k (khoảng 10 RVT ) tuy chưa đủ nhỏ như yêu cầu lí thuyết nhưng ta có thể
tăng trở kháng vào.
Để transistor làm việc ở chế độ khuếch đại thì ta cần có UBE = 0.7 V
UB = (VCC *R2) /(R1+R2) = UBE + VE = 0.7 + 1 =1.7V
R1 = 51k.
* Chế độ xoay chiều

Hình 2.3 Sơ đồ tương đương xoay chiều EC

gm= Ic/ Vt = 0.038 (S)
r π = β /gm = 3.16(kΩ)
Rin = R1//R2//β(re + RE1) = 5,5 (kΩ)
5
fL1 = 1/2 π Rin.Cin ≤ 20 → Chọn Cin ≥ 1.45μF
fL2 = 1/2π(Rout + RinD).Cout ≤ 20 → Chọn Cout ≥ 0.012μF
fL3 = 1/2π(RE//((R1//R2)/β +re) ≤ 20 → Chọn CE ≥ 82μF
Rout = RC = 4 (kΩ)
Av = Vout / Vin ≈ gm.RC/(1+gm.RE) = -40 (lần)
Ai = Vin / Rin = v π *( 1+RE1/r π +gm RE1)/ Rin= -10(lần)

Tầng DarLington

VCC
9V

R2
400kΩ
Cin Q2
BC547A
100µF

Q4
TIP41A

Cout

100µF
R7
40Ω

Hình 2.4 Tầng darlington

Chọn điểm làm việc tĩnh của trans NPN BC457 là Q1(5V,2mA) và của trans PNP
TIP41A là Q2(5V,0,1A).
Hệ số β của 2 trans mắc Darlington là βD = β1.β2 =120*50=6000
IE2= 0,1(A) nên IB2= IE2 / β2 = 2( mA)
IE1 = IB2 = 2(mA) nên IB1=IE1 / β1=16,67(μA)
Theo công thức, ta có : IB1=(Vcc-Ube1-Ube2)/( RB + βD* RE ) nên RB =0,4MΩ
RE = (VCC-UCE)/IC = 40Ω
Chế độ xoay chiều
6
 Hình 2.5 Sơ đồ tương đương xoay chiều Darlington
Rin = RB//βD.RE = 150 (kΩ)
re1 = 26mV/IE1 = 13(Ω)
re2 = 26mV/IE2 = 0.26(Ω)
Rout = re1/β2 + re2 = 0,52(Ω)
fL4 = 1/2πRinCin ≤ 20 → Chọn Cin ≥ 0.053μF
fL5 = 1/2π(RE//(RB/β + re) ≤ 20 → Chọn Cout ≥ 299μF
Ai = -* βD RB/(RB+ βD *(RB// βD* rE)= -3333,33 (lần)
Av ~ 1 (lần)

7
2.3.4. Khối khuếch đại công suất

VCC
9V

R1
1kΩ
C2 Q1
TIP41A
100µF C4
D1
1N4148
1000µF

D2
1N4148

C6 Q5 R10
TIP42A 8Ω
100µF
R9
1kΩ

Hình 2.6 Khuếch đại công suất

Chọn transitor TIP41,TIP42 do chịu được công suất lớn, mắc thêm R E1, RE2 giảm bớt công
suất giúp mạch không bị quá nhiệt độ bền kém.
Phân cực cho transitor bằng 2 trở 1k và 2 diodes giúp ổn định tín hiệu ra.
Khi có nửa tín hiệu cùng đưa vào T1,T2 khuếch đại .Ở nửa chu kỳ (+)
T1 khuếch đại ,T2 tắt vì UBE1>0 và UBE2 >0 (T2 thuận), T1khuếch đại nửa hình sin. Trong
nửa chu kì sau UBE1<0 UBE2<0, T2 khuếch đại nửa hình sin. Xét về 1 chiều tại chân E của
2 transistor là VCC/2= 4.5V và R7 =R
= 1kΩ
+ I phân cực >>Ib => I=(VCC/2-Ube)/R3= 0.0038(A)
Công suất khi 2 transistor làm việc ở chế độ lí tưởng với biên độ cực đại URmax =
4,5 V.
re = 26mV/IC = 26mV/0.5 = 0.052 (Ω)
Chọn Cout lớn dùng làm nguồn nuôi ở chu kì âm cho trans đầy kéo công suất ở chu
kì âm → Chọn Cout = 1000μF.
Rout = RE // re = 0.05(Ω)

8
  Tín hiệu không bị sụt khi ra tải 8Ω
Pr = Uhd2 /R = 1W

2.3.5. Thông số toàn mạch

AV = AV1.Rin2/(Rout1 + Rin2).AV2.AV3 ~ AV1
Rin = Rin1
Rout = Rout3

9
 Chương 3. Mô phỏng, kiểm tra và sửa sai
3.1. Mạch thiết kê mô phỏng:
Thực hiện mô phỏng bằng phần mềm Multisim:

Hình 3.1 Mạch mô phỏng bằng phần mềm Multisim

3.2.Testboard
Khi kiểm tra trên test board đo trên máy Oscillo thì ta thấy tín hiệu gần giống với mô
phỏng được.

3.3. Mạch in
Sử dụng phần mềm Altium để thiết kế mạch in:

10
Hình 3.7 PCB 3D

Hình 3.8 PCB

11
 Chương 4: Báo cáo sản phẩm

Kết quả so sánh các thông số các quá trình tính toán, mô phỏng và thử nghiệm mạch thật
được thể hiện trong Bảng 4.1.
Bảng 4-3 So sánh một số thông số khi tính toán, mô phỏng và trên mạch thật

Các thông số Tính toán Mô phỏng Mạch thật

AV 40 25 24

Pra 1W 0.9W 0.75W

12
 DANH MỤC HÌNH ẢNH

Hình 2.1 Sơ đồ khối của mạch 3

Hình 2.2 Khuếch đại tín hiệu 5
Hình 2.3 Sơ đồ tương đương xoay chiều EC 6
Hình 2.4 Tầng darlington 7
Hình 2.5 Sơ đồ tương đương xoay chiều Darlington 7
Hình 2.6 Khuếch đại công suất 8

DANH MỤC BẢNG BIỂU

Bảng 1.1 Mô tả kế hoạch công việc

Bảng 2.1 Lựa chọn linh kiện
Bảng 4.1 So sánh các thông số tính toán, mô phỏng và trên mạch thật

13
 5. TÀI LIỆU THAM KHẢO

ROBERT L. BOYLESTAD, LOUIS NASHELSKY, Electronic Devices and Curcuit

Theory 11th
Dr. Nguyen Anh Quang, Slides Electronic Curcuit I
Cùng một số trang web:
https://alltransistors.com/pdfview.php?doc=bc546_bc547_bc548.pdf&dire=_motorola
https://dientutuonglai.com/
https://en.wikipedia.org/
https://alltransistors.com/pdfview.php?doc=tip41are.pdf&dire=_motorola

14