C3.2Hoc Lieu Cac Mach Ung Dung Cua Diode

Học để lập nghiệp
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
KHÓA HỌC: ĐIỆN TỬ TƢƠNG TỰ

CÁC MẠCH ỨNG DỤNG CỦA DIODE
Trong chương trước, chúng ta đã tìm hiểu cấu tạo, nguyên lý hoạt động cũng như mô hình
tương đương của diode bán dẫn. Trong chương này, chúng ta sẽ phát triển các kiến thức về diode
trong một loạt các mạch điện ứng dụng trong thực tế. Sau chương này, nguyên lý hoạt động cơ bản
của diode trong mạch điện một chiều (DC) và xoay chiều (AC) cần phải được hiểu rõ một cách chi
tiết để có thể áp dụng cho các chương tiếp theo. Ví dụ, diode thường được sử dụng để miêu tả cấu
trúc cơ bản của transistor và phân tích các mạch điện liên quan tới transistor ở chế độ DC lẫn AC.
1. Phân tích mạch điện chứa diode
Thông thường, có 2 phương pháp phân tích một mạch điện tử : sử dụng đặc tuyến hoạt động
thực tế của linh kiện (phương pháp hình học) hoặc sử dụng mô hình xấp xỉ tương đương của linh
kiện (phương pháp giải tích).
Phƣơng pháp giải tích
Khi phân tích mạch điện chứa diode bằng phương pháp giải tích, chúng ta sẽ thay thế diode
bằng mô hình tương đương của nó rồi sử dụng các phương pháp phân tích mạch điện đã học để tìm
các thông số cần thiết của mạch điện.
Ví dụ 1 :
a) Xác định điện áp và dòng điện phân cực thuận cho diode trong hình 4.1.1(a) cho mỗi mô hình
diode. Bên cạnh đó, tìm điện áp trên điện trở giới hạn trong mỗi trường hợp. Giả sử rd’ = 10Ω tại giá
trị xác định của dòng điện thuận.
b) Xác định điện áp ngược và dòng điện phân cực ngược cho diode trong hình 4.1.1(b) cho mỗi mô
hình diode. Cũng tìm điện áp trên điện trở giới hạn trong mỗi trường hợp. Giả sử IR = 1µA.
Hình 4.1.1. Ví dụ 1
Lời giải :
a) Với mô hình diode lý tưởng, diode được coi như một khóa chuyển mạch với điện áp ngưỡng
VF = 0V. Áp dụng định luật Ohm cho mạch điện ở hình 4.1.1 ở trường hợp phân cực thuận,
ta có :
( )
( ) ( ) ( )
Với mô hình diode thực tế, điện áp ngưỡng của diode Si là 0,7 V và bỏ qua điện trở trong của
diode. Trong trường hợp phân cực thuận của diode, ta có :
Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 1
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
( )
( ) ( ) ( )
Với mô hình diode đầy đủ, điện áp ngưỡng của diode Si là 0,7 V và điện trở trong của diode
là rd’= 10Ω. Trong trường hợp phân cực thuận của diode, ta có :
( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
b) Trường hợp phân cực ngược : trong mô hình diode lý tưởng và diode thực tế, diode không
cho dòng điện đi qua IR = 0A.
Mô hình diode lý tưởng :
Mô hình diode thực tế :
Mô hình diode đầy đủ :

( ) ( ) ( )
( )
Phƣơng pháp đƣờng tải tĩnh (load-line)

Mạch điện hình 4.1.2 là một mạch đơn giản nhất của diode. Mạch này được dùng để phân
tích một mạch diode sử dụng đường cong đặc tuyến thực tế của nó. Phân tích mạch điện hình 4.1.2
là tìm tất cả các giá trị dòng điện và điện áp tương ứng thỏa mãn cả với các đặc tính của diode và
các tham số trong cùng một điều kiện.
Hình 4.1.2. Mạch điện chứa diode : a) sơ đồ mắc nối tiếp

b) đặc tuyến của diode
Trong hình 4.1.3, đặc tuyến của diode được đặt lên trên cùng một hệ trục tọa độ với đường thẳng
được xác định bởi các tham số của mạch điện. Đường thẳng này được gọi là đường tải (load line) vì
giao điểm trên trục tung được xác định bởi giá trị tải đặt vào R. Phương pháp phân tích này được
gọi là phân tích dòng tải (load-line analysis). Giao điểm của hai đường cong xác định kết quả của
mạch điện, và xác định các giá trị điện áp và dòng điện trong mạch điện.
Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

2
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Trước khi đi vào các chi tiết của đồ thị đường tải trên đặc tuyến, chúng ta cần xác định các
đáp ứng dự kiến của mạch đơn giản hình 4.1.2. Lưu ý rằng trong hình 4.1.2 tác động của nguồn điện
DC cung cấp lên mạch điện tạo ra một dòng điện quy ước theo hướng được xác định theo chiều kim
đồng hồ. Trên thực tế, hướng của dòng điện này cùng hướng với hướng của mũi tên trong ký hiệu
của diode chứng tỏ rằng diode đang ở trạng thái “ON” và sẽ dẫn điện với cường độ dòng điện cao.
Sự phân cực của điện áp phù hợp với trạng thái phân cực thuận. Với hướng của dòng điện quy ước,
các cực điện áp rơi trên diode và điện trở có thể biểu diễn như trên hình. Sự phân cực của VD và
hướng của ID cho thấy diode ở trạng thái phân cực thuận, dẫn đến điện áp rơi trên diode nằm ở
ngưỡng 0,7V và dòng điện nằm ở thang chục mA hoặc lớn hơn.
Đặc tuyến của linh kiện
Điểm Q
Đường tải tĩnh (dựa vào

thông số mạch điện)
Hình 4.1.3. Vẽ đƣờng tải tĩnh và tìm điểm làm việc tĩnh
Giao điểm của dòng tải và đường đặc tính như hình 4.1.3 được tính bằng định luật KVL theo
chiều kim đồng hồ, và kết quả là:
( )
Hai biến trong phương trình 4.1.1e, VD và ID chính là các biến trên hình 4.1.3. Sự tương tự này cho
phép vẽ đồ thi phương trình 4.1.1e trên cùng đồ thị với đường đặc tính của hình 4.1.2. Giao điểm
của dòng tải trên đường đặc tính có thể dễ dàng được xác định khi trên đồ thị, bất kỳ điểm nào trên
trục hoành đều có ID = 0A và trên trục tung đều có VD = 0V.
Giả sử VD = 0 trong phương trình 4.1.1e và tìm ID, ta có độ lớn của ID trên trục tung. Do đó,
với VD = 0V, phương trình (4.1.1e) trở thành :
( )
như trên hình 4.1.3. Nếu chúng ta đặt ID = 0A trong phương trình 4.1.1e và tìm V D, chúng ta sẽ tìm
được độ lớn của VD trên trục hoành. Vì vậy, với ID = 0A, phương trình (4.1.1e) trở thành :
( )
như trên hình 4.1.3. Một đường thẳng được vẽ giữa hai điểm sẽ xác định đường tải như được biểu
diễn trong hình 4.1.3. Thay đổi giá trị R (tải) thì giao điểm trên trục tung sẽ thay đổi. Kết quả là sẽ
làm thay đổi theo độ dốc của đường tải tạo nên một giao điểm khác giữa đường tải và đường đặc
tính của linh kiện.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Bây giờ, chúng ta có một đường tải được xác định bởi tham số mạch điện và đường cong đặc
tính của linh kiện. Điểm giao nhau giữa hai đường này là điểm làm việc của mạch điện. Bằng cách
vẽ một đường thẳng xuống trục hoành, chúng ta có thể xác định được điện áp của diode VDQ, trong
khi vẽ đường thằng song song trục hoành từ điểm giao lên trục tung, ta biết được IDQ. Dòng điện ID
thực chất là dòng điện chạy qua toàn bộ mạch điện hình 4.1.2(a). Điểm làm việc thường được gọi là
điểm làm việc tĩnh (gọi tắt là điểm Q) để phản ánh việc nó “đứng yên, không đổi” được xác định bởi
một mạch điện DC.
Kết quả thu được từ giao điểm của 2 đường cong là trùng khớp với kết quả thu được từ
phương trình toán học :
( )
Do đường cong đặc tính của diode là không tuyến tính nên việc xử lý phương trình này phải sử
dụng các kỹ thuật phi tuyến để tìm lời giải. Phân tích đường tải tĩnh ở trên cung cấp một lời giải với
ít yêu cầu tính toán nhất và miêu tả một cách hình ảnh giá trị của VDQ và IDQ.
Ví dụ 2 : Cho diode mắc nối tiếp như hình 4.1.4(a), đường đặc tính của diode – hình 4.1.4(b), xác
định :
a. và .
b. VR
Hình 4.1.4. Ví dụ 2 : a) mạch điện b) đƣờng cong đặc tuyến
Lời giải :
a) Phương trình (4.1.2e) | =
Phương trình (4.1.3e)
Kết quả đường tải xuất hiện ở hình 4.1.5. Điểm giao giữa đường tải và đường đặc tuyến là
điểm làm việc tĩnh Q
18.5 mA
Giá trị VD là mộ giá trị ước lượng và độ chính xác của ID bị giới hạn bởi thang đo đã chọn.
b. VR = E – VD = 10 V – 0.78 V = 9.22 V
Như đã lưu ý ở ví dụ trên :
4
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Đường tải chỉ được xác định bởi các tham số của mạch điện đang được áp dụng, trong khi
đó các đặc tính được xác định bởi linh kiện được chọn.
Việc thay đổi mô hình chúng ta sử dụng cho diode sẽ không gây ảnh hưởng đến mạch điện,
vì vậy đường tải được vẽ giống như trong ví dụ trên.
Từ mạch điện của ví dụ 2 là mạch điện một chiều DC, điểm làm việc tĩnh hình 4.1.3 sẽ được
cố dịnh với và 18.5 mA. Trong chương trước, điện trở DC được xác định tại
bất kì điểm nào trên đường đặc tính sao cho RDC = VD/ID.
Điểm Q
Đường tải
Hình 4.1.5. Lời giải của ví dụ 2

Sử dụng điểm Q, điện trở DC của diode trong ví dụ 2 là :
Mạch tương đương (chỉ dành cho các trạng thái làm việc) có thể được vẽ như hình 4.1.6.
Hình 4.1.6. Mạch điện tƣơng đƣơng trong ví dụ 2
Cường độ dòng điện
và

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
( )( )
Về bản chất, khi điểm Q đã được xác định, diode có thể được thay thế bởi điện trở DC tương
đương. Khái niệm thay thế một đặc tính này bằng một mô hình tương đương là một ghi chú quan
trọng và sẽ được sử dụng khi chúng ta giả sử các đầu vào AC và mô hình tương đương cho
transistor trong các chương tiếp theo.
2. Mạch điện chứa diode mắc nối tiếp
Trong phần trước chúng ta thấy rằng kết quả thu được với mô hình tương đương tuyến tính
khá gần, nếu không nói là bằng, với kết quả thu được với đặc tuyến thực. Thực tế, nếu ta xem xét tất
cả các biến thể trong từng điều kiện, nhiệt độ,…, ta có thể coi như phương pháp này “gần chính
xác” với phương pháp kia. Vì việc sử dụng mô hình xấp xỉ thường cho ta kết quả mong muốn trong
thời gian nhanh nhất với ít yêu cầu tính toán nhất nên đây sẽ là phương pháp được sử dụng chủ yếu
trong phân tích các mạch điện tử.
Áp dụng cho tất cả các phương pháp phân tích đề cập đến trong chương này, giả sử:
Trở kháng thuận của diode thường rất bé và có thể bỏ qua khi so sánh với những thành phần
khác mắc nối tiếp trong mạch.
Đây là một sự xấp xỉ hợp lý cho hầu hết các ứng dụng của diode. Bằng cách giả sử, ta thu
được mạch tương đương cho diode silicon và diode lý tưởng, như trong hình 4.2.1. Trong vùng dẫn
điện, sự khác biệt duy nhất giữa diode Si và diode lý tưởng đó là sự dịch mức theo trục hoành của
đường đặc tuyến. Điều này lý giải cho mô hình tương đương được đưa thêm vào một nguồn điện
DC 0.7 V ngược hướng với hướng của dòng điện phân cực thuận trong linh kiện. Với điện áp nhỏ
hơn 0.7 V cho diode Si và 0 V cho diode lý tưởng, điện trở của diode rất lớn so với các thành phần
khác trong mạch nên có thể coi mạch tương đương là mạch hở.
Đối với diode Ge thì điện áp dịch mức là 0.3 V, và điện áp dịch mức là 1.2 V với diode
GaAs. Nếu không có điện áp ngưỡng thì mạch tương đương của các diode là giống nhau. Với từng
diode, ký hiệu Si, Ge, hoặc GaAs sẽ xuất hiện cùng với từng biểu tượng diode. Với những mạch
gồm diode lý tưởng, biểu tượng diode sẽ được thể hiện như trong hình 4.2.1.

6
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Lý tưởng :
Hình 4.2.1. Mô hình lý tƣởng và thực tế của diode

Chúng ta sử dụng mô hình xấp xỉ tương đương để phân tích mạch gồm các diode mắc nối
tiếp với nguồn điện DC. Bằng cách này, chúng ta tạo nên một phương pháp cho việc phân tích
diode, phương pháp này sẽ được sử dụng trong các phần và chương tiếp theo. Phương pháp này có
thể được áp dụng cho các mạch với bất kì số lượng diode mắc theo bất kì mô hình nào.
Với từng mô hình, trạng thái của từng diode phải được xác định đầu tiên. Diode nào đang ở
trạng thái “ON” và “OFF”? Khi đã xác định xong, mô hình tương đương thích hợp được thay thế
vào mạch để tìm các thông số mạch điện cần thiết.
Thông thường, một diode đang ở trạng thái “ON” nếu dòng điện tạo ra bởi nguồn điện có
cùng chiều với hướng chỉ của mũi tên trên biểu tượng của diode, và VD ≥ 0.7 V đồi với Si, VD ≥ 0.3
V đối với Ge, và VD ≥ 1.2 V với GaAs.
Với từng mô hình, thay thế trong suy nghĩ các diode bằng những điện trở tương ứng và ghi
lại chiều dòng điện tạo bởi nguồn điện áp. Nếu chiều dòng điện “trùng” với mũi tên trên biểu tượng
diode, diode sẽ dẫn điện và linh kiện sẽ ở trạng thái “ON”. Tất nhiên, điều kiện phía trên chỉ xảy ra
khi nguồn điện áp có hiệu điện thế lớn hơn điện áp “ON” (VK hoặc VF) của từng diode.
Nếu một diode đang ở trong trạng thái “ON”, chúng ta có thể đặt một nguồn điện áp rơi 0.7V
trên diode hoặc vẽ lại mạch với VK của mạch tương đương như trong hình 4.2.1. Tiếp theo, chúng ta
có thể chỉ cần thêm điện áp rơi 0.7 V trên từng diode ở trạng thái “ON” và gạch một đường chéo
trên từng diode ở trạng thái “OFF” hoặc hở mạch. Ban đầu, phương pháp thay thế sẽ được sử dụng
nhằm đảm bảo mức điện áp và cường độ dòng điện được xác định.
Mạch nối tiếp hình 4.2.2 sẽ được sử dụng để mô tả cách tiếp cận được đề cập đến ở trên. Đầu
tiên là trạng thái của diode được xác định bằng cách thay thế diode với điện trở, như trong hình
4.2.3(a). Chiều dòng điện I trùng với chiều của mũi tên của diode, và vì E>VK, diode đang ở trạng
thái “ON”. Mạch vì thế được vẽ lại như trong hình 4.2.3(b), với mạch tương đương cho diode Si
phân cực thuận. Nên nhớ là cực tính của VD không thay đổi ngay cả khi diode là một điện trở. Điện
áp và cường độ dòng điện thu được như sau :

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.2.2. Mạch diode mắc nối tiếp
Hình 4.2.3. a) Xác định trạng thái của diode trong hình 4.2.2. b) Thay thế mô hình
tƣơng đƣơng của diode ở trạng thái “ON”
Trong hình 4.2.4(A), diode của hình 4.2.2 đã bị đảo ngược. Thay thế diode với điện trở như trong
hình 4.2.4(B) sẽ thấy chiều dòng điện không trùng với mũi tên của diode. Diode lúc này ở trạng thái
“OFF”, chúng ta thu được mạch tương đương như trong hình 4.2.4(C). Vì mạch hở, dòng điện qua
diode là 0 A và điện áp ở điện trở R được tính như sau :
( )
A B C
Hình 4.2.4. Xác định trạng thái của diode khi đã bị đảo ngƣợc cực tính
Việc VR=0 V cho thấy hiệu điện thế E trong mạch hở được xác định bởi định luật Kirchhoff
cho điện áp. Luôn luôn cần ghi nhớ rằng dưới bất kì trường hợp nguồn điện áp vào nào – DC, AC
tức thời, nguồn xung, … – định luật Kirchhoff cho điện áp luôn phải được thỏa mãn!
Ví dụ 3 : Với mạch diode mắc nối tiếp như trong hình 4.2.5, hãy xác định VD, VR, và ID.

8
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.2.5. Bài tập ví dụ 3

Lời giải :
Vì điện áp nguồn tạo nên dòng điện chạy theo chiều kim đồng hồ trong mạch, dòng điện có chiều
trùng với hướng mũi tên của diode và vì thế diode ở trạng thái “ON” :
Ví dụ 4 : Lặp lại ví dụ 3 với diode đã được đảo ngược chiều.

Lời giải :
Loại bỏ diode, ta thấy rằng chiều của dòng điện I ngược lại so với mũi tên của diode và diode
lúc này tương đương với mạch hở dù mô hình tương đương bất kỳ nào được áp dụng. Kết quả thu
được mạch điện như trong hình 4.2.6, với ID=0A do mạch hở. Vì VR=IR.R, ta có VR=0.R=0V. Áp
dụng định luật điện áp Kirchhoff cho vòng mạch điện ta có :
Hình 4.2.6. Xác định các giá trị cần tìm trong ví dụ 4
Đặc biệt, trong ví dụ 4 có một điện áp cao đặt lên diode ngay cả khi nó đang ở trạng thái
“OFF”. Cường độ dòng điện là 0, nhưng điện áp lại khá lớn. Vì vậy nên nhớ :
Một mạch hở có thể có bất kì điện áp tại 2 đầu cực của nó, nhưng dòng điện luôn bằng 0A. Một
mạch ngắn mạch có điện áp rơi 0V tại 2 đầu cực của nó, nhưng dòng điện chỉ bị giới hạn bởi những
thành phần khác trong mạch.
Trong các ví dụ tiếp theo, biểu tượng như hình 4.2.7 được sử dụng cho điện áp đầu vào. Đây là ký
hiệu thông dụng trong công nghiệp và các bạn cần làm quen với những ký hiệu này. Các ký hiệu và
mức điện áp theo hình này sẽ được áp dụng cho các chương tiếp theo.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.2.7. Ký hiệu nguồn điện

Ví dụ 5 : Với mạch diode nối tiếp trong hình 4.2.8, xác định VD, VR, và ID.
Lời giải :
Mặc dù nguồn điện tạo nên dòng điện cùng chiều với mũi tên của diode nhưng mức điện áp lại
không đủ để diode Si chuyển sang trạng thái “ON”. Trường hợp này được đánh dấu bằng 1 điểm
trên đường đặc tính trong hình 4.2.9 (a), thể hiện mạch hở tương đương trong hình 4.2.9(b). Ta thu
được điện áp và cường độ dòng điện :
( )
a b
Hình 4.2.9. a) Điểm làm việc tĩnh với E = 0,5V. b) Xác định VD, VR, và ID cho ví dụ 5.
Ví dụ 6 : Xác định và của mạch nối tiếp trong hình 4.2.10.

10
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

Lời giải :
Tiếp cận bài toán giống như trong ví dụ 3, ta thấy dòng điện có cùng chiều với mũi tên của cả 2
diode, và chúng ta thu được mạch như trong hình 4.2.11 với E=12 V> (0,7 V+1,8V =2.5 V). Lưu ý
nguồn điện 12V được vẽ lại và cực tính của điện áp V0 tại điện trở 680 Ω. Ta thu được kết quả :
Hình 4.2.11. Xác định các thông số chƣa biết trong ví dụ 6

Ví dụ 7 : Xác định , và của mạch hình 4.2.12.

Lời giải :
Loại bỏ 2 diode và xác định chiều của dòng điện như trong hình 4.2.13(a). Chiều của dòng điện
trùng với mũi tên của 1 diode Si. Như vậy chỉ có 1 diode Si có chiều mũi tên cùng chiều với chiều
dòng điện và diode Si còn lại có chiều ngược lại. Rõ ràng, mạch ngắn mạch được mắc nối tiếp với
mạch hở luôn cho ta một mạch hở, vì vậy , như trong hình 4.2.13(b).

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a b
Hình 4.2.13. a) Xác định trạng thái của mỗi diode

b) Thay thế mạch tƣơng đƣơng của mỗi diode
Câu hỏi đặt ra ở đây là ta thay thế diode Si như thế nào. Nhớ lại là đối với diode thực tế, khi
, (và ngược lại), như đã được nhắc đến trong trường hợp không phân cực ở
chương 2. Điều kiện mô tả và được thể hiện trong hình 4.2.14. Ta có:
( )
Áp dụng định luật điện áp Kirchhoff theo chiều kim đồng hồ ta có:
Với
Ví dụ 8 : Xác định , , , và trong mạch dc nối tiếp hình 4.2.14.

Lời giải :
Điện áp nguồn và chiều dòng điện được xác định trong hình 4.2.15(a). Diode đang ở trạng
thái “ON” và được thể hiện trong hình 4.2.15(b). Lưu ý rằng trạng thái “ON” ở đây đơn giản chỉ là
thêm VD=0.7 V trên ký hiệu. Bằng cách này ta không cần phải vẽ lại mạch và tránh khả năng nhầm
lẫn khi có thêm một nguồn điện. Đây là phương pháp và cách ký hiệu nên làm để đạt được độ tin
cậy cao nhất. Cùng lúc đó toàn bộ quá trình phân tích mạch điện sẽ chỉ đơn giản là thao tác trên một
mạch điện cơ bản. Nhớ lại là một diode phân cực ngược được ký hiệu bằng một đường đi qua thiết
bị.

12
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a b
Hình 4.2.15. a) Xác định trạng thái của diode trong mạch điện. b) Xác định các thông số chƣa
biết trong mạch điện dựa trên định luật Kirchoff.
Dòng điện trong mạch sẽ là :
Và điện áp sẽ là :
( )( )
( )( )
Áp dụng định luật điện áp Kirchhoff cho vòng ngoài cùng theo chiều kim đồng hồ ta được :
Dấu trừ thể hiện rằng V0 phân cực ngược lại so với hình 4.2.14.
3. Mạch điện chứa diode mắc song song và nối tiếp-song song
Những phương pháp được áp dụng trong phần 2 có thể được mở rộng thêm để phân tích cấu
hình mạch song song và nối tiếp-song song. Với mỗi mạch điện ứng dụng, chỉ cần tuân theo các
chuỗi tuần tự các bước được áp dụng cho cấu hình mạch diode nối tiếp.
Ví dụ 1 : Hãy tìm , , , và cho cấu hình mạch diode song song trong hình 4.3.1.
a b
Hình 4.3.1. a) Mạch điện cho ví dụ 1.

b) Xác định các thông số mạch điện chƣa biết cho ví dụ 1.
Lời giải :
Với hiệu điện thế được áp dụng, điện trường của nguồn điện tạo nên dòng điện đi qua từng diode
với chiều giống nhau như trong hình 4.3.1(b). Vì chiều của dòng điện cùng chiều với hướng mũi tên
của từng biểu tượng diode và hiệu điện thế nguồn đặt lên lớn hơn 0.7V, cả hai diode đều đang trong
trạng thái “ON”. Hiệu điện thế ở giữa hai thành phần song song luôn luôn không đổi và bằng :

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Dòng điện trong mạch sẽ là :
Giả sử hai diode có cùng đặc tính, ta có:
Ví dụ này cho thấy một lý do cho việc mắc diode song song. Nếu cường độ dòng điện của hai diode
trong hình 4.3.1(a) chỉ là 20 mA, một dòng điện 28.18 mA sẽ gây hư hỏng cho diode nếu nó xuất
hiện một mình trong hình 4.3.1(a). Bằng việc mắc hai diode song song với nhau, ta hạn chế dòng
điện đến một mức an toàn ở 14.09 mA với cùng một hiệu điện thế nguồn.
Ví dụ 2 : Trong ví dụ này có hai đèn LED có thể được dùng như một máy xác định cực tính. Nếu
đặt vào hiệu điện thế dương thì đèn xanh dương sáng. Nếu đặt vào hiệu điện thế âm thì đèn đỏ sáng.
Bộ linh kiện gồm cấu trúc như này thường có sẵn trong thị trường.
Hãy tìm điện trở R để đảm bảo dòng điện 20 mA đi qua diode “ON” như hình 4.3.2. Cả hai
diode có điện áp đánh thủng ngược là 3V và điện áp ngưỡng trung bình là 2V.
Hình 4.3.2. Mạch điện cho ví dụ 2
Lời giải :
Việc áp dụng một nguồn điện áp dương tạo nên một dòng điện cùng chiều với mũi tên của
diode xanh dương và do đó diode được bật lên. Sự phân cực của hiệu điện thế đặt lên diode xanh
dương ngược với diode đỏ. Kết quả thu được một mạch tương đương như trong hình 4.3.3.

14
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.3.3. Nguyên lý hoạt động của mạch hình 4.3.2

Áp dụng định luật Ohm ta có :
Và:
Lưu ý rằng điện áp ngược của diode đỏ là 2 V, tức là phù hợp cho một LED với điện áp đánh
thủng ngược là 3 V.
Tuy nhiên, nếu LED xanh dương được thay LED xanh lam thì sẽ có vấn đề xuất hiện như
trong hình 4.3.4(a). Hãy nhớ lại là điện áp phân cực thuận cần để bật LED xanh lam là khoảng 5 V.
Kết quả là sẽ cần một điện trở R nhỏ hơn để có thể sinh ra dòng điện 20 mA. Tuy nhiên, lưu ý rằng
điện áp phân cực ngược của LED đỏ là 5 V, nhưng điện áp phân cực ngược của diode chỉ là 3V. Kết
quả sẽ là điện áp giữa đèn LED đỏ sẽ giữ nguyên ở 3 V như trong hình 4.3.4(b). Điện áp đặt lên
điện trở sẽ là 5 V và dòng điện sẽ bị hạn chế ở 20 mA với một điện trở 250 Ω nhưng không đèn
LED nào sẽ sáng.
a b
Hình 4.3.4 : a) Mạch điện hình 4.3.3 với LED xanh. b) Xảy ra sự hƣ hỏng đối với LED đỏ nếu
điện áp phân cực ngƣợc lớn hơn điện áp đánh thủng.
Một giải pháp đơn giản cho vấn đề trên đó là mắc nối tiếp thêm điện trở tương ứng với từng
diode để tạo nên dòng 20 mA như mong muốn và để mắc thêm một diode khác nhằm tăng điện áp
đánh thủng phân cực nghịch như trong hình 4.3.5. Khi LED xanh lam được bật, diode mắc nối tiếp
với LED xanh lam cũng sẽ được bật, tạo nên tổng điện áp rơi là 5.7 V giữa hai diode mắc nối tiếp và
một điện áp 2.3V trên điện trở R1, tạo nên một dòng phát xạ cao khoảng 19,17 mA. Cùng lúc với
LED đỏ và diode mắc nối tiếp với nó cũng sẽ được phân cực ngược, nhưng bây giờ diode chuẩn với
điện áp đánh thủng phân cực nghịch là 20 V sẽ ngăn cản điện áp phân cực ngược 8 V khỏi xuất hiện
ở đèn LED đỏ. Khi phân cực thuận, điện trở R2 sẽ tạo nên dòng 19.63 mA để đảm bảo cường độ
sáng của đèn LED.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Điện trở chuẩn
Hình 4.3.5. Mạch bảo vệ cho đèn LED đỏ
Ví dụ 3 : Tính hiệu điện thế của mạch trong hình 4.3.6.
Hình 4.3.6. Mạch điện ví dụ 3
Lời giải :
Ban đầu, ta có thể thấy là điện áp nguồn sẽ bật cả hai diode bởi vì điện áp nguồn đang tạo
nên dòng điện đi qua và bật từng diode. Tuy nhiên, nếu cả hai đều ở trạng thái dẫn, sẽ có hơn một
điện áp ở giữa hai diode song song và điều đó vi phạm một trong những quy tắc cơ bản của phân
tích mạch: thành phần điện áp song song phải luôn luôn bằng nhau.
Kết quả thu được có thể được giải thích bằng cách nhớ lại là cần có một khoảng thời gian cần
thiết để điện áp nguồn tăng từ 0 V đến 12 V mặc dù nó có thể chỉ mất vài mili-giây hoặc vài micro-

16
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
giây. Ngay khi điện áp nguồn đạt mức 0.7 V diode silicon sẽ chuyển sang tạng thái dẫn và giữ
nguyên ở mức 0.7 V bởi vì đường đặc tính đi lên thẳng đứng tại mức điện áp này – trong khi dòng
điện sẽ chỉ tăng lên đến một mức định sẵn. Kết quả thu được là điện áp ở LED xanh dương sẽ không
bao giờ tăng quá 0.7 V và sẽ giữ nguyên như trạng thái mạch hở tương đương trong hình 4.3.7. Kết
quả là :
LED xanh
Hình 4.3.7. Xác định điện áp V0 của mạch điện hình 4.3.6.
Ví dụ 4 : Tính , , và trong mạch hình 4.3.8.
Hình 4.3.8. Mạch điện cho ví dụ 4

Lời giải :
Điện áp nguồn làm cho cả hai diode đều được bật với chiều dòng điện như trong hình 4.3.9.
Lưu ý với việc sử dụng khái niệm viết tắt cho diode ở trạng thái “ON” (được bật) và kết quả được
tính bằng việc áp dụng kỹ thuật cho mạch DC nối tiếp-song song. Ta có:
Áp dụng định luật Kirchhoff dành cho hiệu điện thế bên trong vòng tròn theo chiều kim đồng hồ :

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
và :
với :
Tại nút a ở dưới :
và :
Hình 4.3.9. Xác định các thông số mạch điện cho ví dụ 4

4. Cổng AND/OR
Các công cụ tính toán đang được sử dụng ngày nay và các cơ hội khám phá cấu hình máy
tính sẽ giúp chúng ta chứng minh phạm vi ứng dụng của những linh kiện khá đơn giản. Phân tích
của chúng ta sẽ giới hạn ở mức độ xác định mức điện áp mà không bàn luận chi tiết về đại số
Boolean hoặc các cổng logic dương và âm.
Mạch điện được phân tích trong ví dụ 1 dưới đây là một cổng OR cho phép cộng logic
dương. Gía trị điện áp 10-V của hình 4.4.1 được gán là “1” đối với đại số Boolean và gía trị đầu vào
0-V được gán là “0”. Một cổng OR có mức điện áp đầu ra là “1” khi và chỉ khi một trong hai hoặc
cả hai điện áp đầu vào đều là “1”. Điện áp đầu ra là “0” nếu cả hai điện áp đầu vào đều ở mức “0”.
Việc phân tích các cổng AND / OR được thực hiện dễ dàng hơn bằng cách sử dụng mô hình
tương đương gần đúng cho một diode thực tế chứ không phải lý tưởng bởi vì chúng ta có thể quy
định điện áp trên diode là +0,7 V để diode Si chuyển sang trạng thái hoạt động.
Nhìn chung, cách tiếp cận đơn giản nhất là giả thiết trạng thái của diode bằng hướng và mức
điện thế cấp vào. Sau đó, các phân tích sẽ xác định giả thiết ban đầu của bạn là đúng hay sai.
Ví dụ 1: Xác định V0 cho mạch điện cuả hình 4.4.1.

18
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.4.1. Cổng logic OR dƣơng

Lời giải :
Điều đầu tiên phải lưu ý là chỉ có một điện thế cấp vào 10 V ở đầu 1. Đầu 2 được nối đất với hiệu
điện thế 0 V, như trong hình vẽ lại mạch điện 4.4.2(a). Hình 4.4.2 chỉ ra rằng D1 có khả năng ở
trạng thái hoạt động do điện áp cấp vào 10 V, trong khi đó D2 với điện áp bên cực dương là 0 V có
thể không hoat động. Từ những giả thiết trên ta có mạch điện như hình 4.4.2(b).
a b
Mức logic 1
Hình 4.4.2. a) Vẽ lại mạch điện hình 4.4.1. b) Giả thiết trạng thái hoạt động của mỗi diode.
Bước tiếp theo chỉ đơn giản để chắc chắn rằng không có mâu thuẫn gì trong giả thiết của
chúng ta. Lưu ý sắp xếp các cực của D1 và D2 sao cho D1 ở trang thái hoạt động và D2 ở trạng thái
tắt. D1 ở trạng thái hoạt động đạt mức điện áp Vo= E – VD = 10 – 0,7 V = 9,3 V. Với 9,3 V ở cực âm
của D2 và 0 V ở cực dương , D2 rõ ràng ở trạng thái tắt. Hướng dòng điện và mức điện áp đạt được
sẽ chứng thực giả thiết D1 dẫn điện của chúng ta là đúng. Gía trị điện áp đầu ra không đạt 10 V như
giá trị đầu vào xác định được gán là “1”, nhưng 9.3 V đủ lớn để được coi như là “1”. Ta có, đầu ra
bằng “1” với chỉ một đầu vào bằng 1, điều này cho thấy rằng đây là một cổng OR. Một trường hợp
khác, với cùng một mạch điện như trên nhưng cấp vào 2 điện áp 10 V sẽ dẫn đến cả 2 điốt đều ở
trạng thái hoạt động và giá trị điện áp đầu ra là 9.3 V. Nếu giá trị điện áp ở đầu vào đều bằng 0 V thì
sẽ không cung cấp đủ 0.7 V cần thiết để điốt hoạt động và điện áp đầu ra sẽ là 0. Gía trị dòng điện đi
qua mạch điện hình 2.41 là:
( )
Ví dụ 2 : Xác định giá trị đầu ra cho cổng logic dương AND của hình 4.4.3. Cổng AND là cổng có
đầu ra bằng 1 khi và chỉ khi tất cả các đầu vào đều bằng 1.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.4.3. Công logic AND dƣơng

Lời giải :
Lưu ý rằng trong trường hợp này thì nguồn độc lập xuất hiện ở chân nối đất của mạch điện
với giá trị điện áp bằng với điện áp đầu vào. Mạch điện được vẽ lại ở hình 4.4.4 cùng các giả thiết
ban đầu về trạng thái của diode. Với 10 V ở cực âm của D1, giả sử D1 ở trạng thái tắt mặc dù có
nguồn 10 V được nối với cực dương của D1 thông qua điện trở.
Mức logic 0
Hình 4.4.4. Thay thế các giả thiết trạng thái cho mỗi diode
Tuy nhiên, như đã đề cập ở phần đầu của chương này, việc sử dụng mô hình tương đương sẽ
giúp việc phân tích trở nên dễ dàng hơn. Đối với D1, 0.7 V sẽ đi qua nếu điện áp vào và điện áp
nguồn có mức điện áp bằng nhau và cùng tạo ra lực tác động trái ngược nhau. D2 được giả thiết ở
trạng thái hoạt động do mức điện áp thấp ở cực âm và độ khả dụng của nguồn 10 V đi qua điện trở
1kΩ.
Đối với mạch điện của hình 4.4.4, điện áp tại Vo là 0.7 V do bằng điện áp phân cực thuận D2.
Với 0.7 V ở cực dương của D1 và 10 V ở cực âm, D1 rõ ràng ở trạng thái tắt. Dòng điện I có hướng
như đã chỉ ra ở hình 4.4.4 và giá trị độ lớn là:
( )
5. Bộ chỉnh lƣu nửa sóng
Nguồn điện một chiều DC
Tất cả các thiết bị điện tử tích cực đều sử dụng một nguồn điện một chiều (DC) không đổi
được cung cấp bởi pin hoặc nguồn DC. Nguồn DC biến đổi điện áp xoay chiều dân dụng sẵn có (ví
dụ : 120V, 50 Hz) thành một điện áp một chiều DC không đổi. Nguồn điện một chiều DC là một
trong nhứng mạch điện thường thấy mà chúng ta cần phải hiểu rõ nguyên lý hoạt động của nó. Điện

20
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
áp tạo ra sẽ được sử dụng để cung cấp năng lượng cho tất cả các loại mạch điện tử bao gồm các thiết
bị dân dụng (TV, DVD, …), máy tính, bộ điều khiển công nghiệp và hầu hết các thiết bị cho hệ
thống phòng thí nghiệm. Nguồn điện DC được yêu cầu phụ thuộc vào các ứng dụng cụ thể nhưng
hầu hết các ứng dụng đều yêu cầu các mức điện áp khá thấp.
Sơ đồ khối đơn giản của một nguồn DC hoàn chỉnh được miêu tả trong hình 4.5.1(a). Thông
thường đường điện AC đầu vào sẽ được hạ thế xuống mức AC thấp hơn bằng một bộ biến áp (trong
một số trường hợp đặc biệt (hiếm khi xảy ra), nó có thể được nâng áp lên tới điện áp cao hơn nếu
cần hoặc có thể không cần sử dụng bộ biến áp). Như các bạn đã học trong giáo trình lý thuyết mạch,
bộ biến áp sẽ thay đổi điện áp AC dựa trên tỉ số vòng dây của cuộn sơ cấp và cuộn thứ cấp. Nếu
cuộn thứ cấp có số vòng dây lớn hơn cuộn sơ cấp thì điện áp ra ở cuộn thứ cấp sẽ lớn hơn cuộn sơ
cấp nhưng dòng ra thì lại nhỏ hơn. Ngược lại, nếu cuộn thứ cấp có số vòng dây nhỏ hơn cuộn sơ cấp
thì điện áp ra ở cuộn thứ cấp sẽ nhỏ hơn cuộn sơ cấp nhưng dòng ra lại lớn hơn. Bộ lọc có thể xuất
hiện ở cả mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ hoặc 2 nửa chu kỳ. Nhiệm vụ của bộ lọc là biến đổi điện áp
xoay chiều AC ở đầu vào thành xung điện áp DC một chiều được gọi là điện áp sau chỉnh lưu nửa
sóng. Bộ lọc loại bỏ sự dao động tại điện áp ra sau chỉnh lưu và tạo ra điện áp DC ít nhấp nháy hơn.
Bộ ổn áp là một mạch điện có nhiệm vụ giữ điện áp ra DC ổn định khi có sự thay đổi của điện áp
đầu vào hoặc tải ra. Bộ ổn áp có thể chỉ đơn giản là một linh kiện bán dẫn hoặc là một mạch điện tử
khá phức tạp. Tải là một mạch điện hoặc thiết bị được kết nối với đầu ra của nguồn điện một chiều
DC và hoạt động dựa trên điện áp và dòng điện ra của nguồn điện này.
Điện áp ra bộ
biến áp Điện áp ra bộ Điện áp ra bộ Điện áp được
chỉnh lưu lọc ổn áp
Bộ biến Bộ chỉnh Bộ lọc Bộ ổn áp

áp lưu
Tải
a) Sơ đồ khối nguồn điện một chiều DC hoàn chỉnh
Điện áp ra bộ chỉnh lưu nửa sóng
Bộ chỉnh
lưu
b) Bộ chỉnh lưu nửa sóng
Hình 4.5.1. Sơ đồ khối của nguồn một chiều DC
Nguyên lý hoạt động của bộ chỉnh lƣu nửa sóng

Hình 4.5.2 biểu diễn quá trình hoạt động của bộ chỉnh lưu nửa sóng. Một diode được kết nối
với một nguồn AC và một tải điện trở RL tạo thành một bộ chỉnh lưu nửa sóng. Cần ghi nhớ rằng tất
cả các biểu tượng “nối đất” đều kết nối tới cùng một điểm trên mạch điện. Chúng ta sẽ xem quá

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
trình gì xảy ra trong một chu kỳ của điện áp vào sử dụng mô hình tương đương lý tưởng của diode.
Khi một điện áp hình sin ở đầu vào Vin có giá trị dương, diode được đặt ở trạng thái dẫn điện và
dòng điện sẽ chảy qua tải điện trở như hình 4.5.2(a). Dòng điện tạo ra một điện áp ra qua tải RL và
có hình dạng tương tự như nửa chu kỳ dương của điện áp vào.
Khi tín hiệu vào chuyển sang giá trị âm ở nửa chu kỳ thứ hai của nó, diode bị phân cực
ngược. Vì vậy, không có dòng điện chạy qua mạch điện nên điện áp ra tải là 0V như trên hình
4.5.2(b). Kết quả là chỉ có nửa chu kỳ dương của tín hiệu AC đầu vào sẽ xuất hiện ở trên tải. Khi
điện áp ra không thay đổi cực tính, đó là một điện áp DC dạng xung với tần số 60 Hz như trên hình
4.5.2(c).
Giá trị trung bình của điện áp ra :
Giá trị trung bình của điện áp ra bộ chỉnh lưu nửa sóng là giá trị mà chúng ta đo được trên Vôn-mét
DC. Về toán học, nó được xác định bằng cách tìm diện tích dưới đường cong trên một chu kỳ như
hình 4.5.3 rồi sau đó chia cho 2π (số lượng radian trong một chu kỳ đầy đủ). Kết quả được tính như
ở phương trình 4.5.1e dưới đây với VP là giá trị điện áp đỉnh. Phương trình này chỉ ra rằng Vavg xấp
xỉ 31,8% của VP cho điện áp ra của bộ chỉnh lưu nửa sóng.
( )
a) Trong nửa chu kỳ dương của điện áp vào tần số 60 Hz, điện áp ra nhìn tương tự như nửa chu kỳ
dương của điện áp vào. Dòng điện đi từ nguồn điện tới điểm nối đất của tải.
b) Trong nửa chu kỳ âm của điện áp vào, dòng điện bằng 0 nên điện áp ra bằng 0.
c) 60 Hz điện áp ra nửa sóng cho 3 chu kỳ của điện áp vào
Hình 4.5.2. Nguyên lý hoạt động của bộ chỉnh lƣu nửa sóng. Diode trong hình vẽ đƣợc
xem là lý tƣởng.

22
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Diện
tích
Hình 4.5.3. Giá trị trung bình của điện áp ra sau chỉnh lƣu nửa sóng
Ví dụ 1 : Tìm giá trị trung bình của điện áp sau bộ chỉnh lưu nửa sóng như hình dưới đây :
Lời giải : Dựa vào công thức 4.5.1e, ta có :
( )
Lưu ý rằng giá trị của Vavg bằng 31,8% giá trị của VP.
Ảnh hưởng của rào thế lên điện áp ra của bộ chỉnh lưu nửa sóng :
Ở trên, chúng ta coi là diode lý tưởng. Khi sử dụng mô hình diode thực tế và kể đến rào thế là
0,7V, chuyện gì sẽ xảy ra? Trong nửa chu kỳ dương, điện áp vào phải vượt qua rào thế trước khi
diode chuyển sang trạng thái phân cực thuận. Kết quả là trong nửa chu kỳ đầu, điện áp ra có giá trị
đỉnh nhỏ hơn 0,7V so với giá trị đỉnh của điện áp vào như hình 4.5.5. Phương trình cho giá trị đỉnh
của điện áp ra là :
( ) ( ) ( )
Hình 4.5.5. Ảnh hƣởng của rào thế lên điện áp ra của bộ chỉnh lƣu nửa sóng
Thông thường, chúng ta chấp nhận mô hình diode lý tưởng (bỏ qua ảnh hưởng của rào thế)
khi giá trị đỉnh của điện áp vào lớn hơn rất nhiều so với rào thế (tối thiểu 10V theo quy ước chung).
Tuy nhiên, chúng ta phải sử dụng mô hình thực tế của diode (kể đến rào thế 0,7V) cho các trường
hợp khác.
Ví dụ 2 : Vẽ điện áp ra của từng bộ chỉnh lưu với điện áp vào tương ứng như hình 4.5.6. Thông số
1N4001 và 1N4003 là các diode thực tế trên thị trường.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Lời giải :
Điện áp ra đỉnh của bộ chỉnh lưu trong hình (a) là :
( ) ( ) ( )
Điện áp ra đỉnh của bộ chỉnh lưu trong hình (b) là :
( ) ( ) ( )
Dạng sóng của điện áp ra được vẽ như hình 4.5.7. Chú ý rằng rào thế 0,7V có thể bỏ qua trong
trường hợp (b) với sai số khá nhỏ (0,7%) trong khi nó không thể bỏ qua trong hình (a) vì sai số
phạm phải khá lớn (14%).
Hình 4.5.7. Dạng sóng của điện áp ra trong ví dụ 2

Điện áp ngược cực đại (PIV):
Điện áp ngược cực đại (Peak Inverse Voltage - PIV) bằng với giá trị đỉnh của tín hiệu vào và diode
có khả năng “chịu” được điện áp ngược tuần hoàn này. Với diode như hình 4.5.8, giá trị cực đại của
điện áp ngược xảy ra tại đỉnh âm của điện áp vào khi diode được phân cực ngược. Diode được lựa
chọn trong thực tế nên có giá trị hoạt động bình thường lớn hơn khoảng 20% so với giá trị PIV này.
( ) ( )
PIV tại tP
Hình 4.5.8. PIV xảy ra tại đỉnh của mỗi nửa chu kỳ của tín hiệu vào khi diode bị phân cực
ngƣợc. Trong mạch này, PIV xảy ra ở đỉnh của nửa chu kỳ âm.
Phương pháp ghép biến áp :
Như chúng ta đã biết, biến áp thường được sử dụng để ghép điện áp AC đầu vào từ nguồn điện tới
mạch nguồn như hình 4.5.9. Phương pháp ghép biến áp có 2 ưu điểm chính :
1. Nó cho phép nguồn điện áp vào có thể hạ áp nếu cần.
2. Nguồn điện AC được cách ly với bộ chỉnh lưu nên tránh được sốc điện xảy ra ở cuộn thứ
cấp.
24
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.5.9. Bộ chỉnh lƣu nửa sóng đƣợc ghép biến áp tại đầu vào.
Điện thế được hạ áp sẽ xác định bằng tỉ số vòng dây của cuộn biến áp. Tuy nhiên, định nghĩa
về tỉ số vòng dây là không nhất quán trong nhiều định nghĩa và tài liệu khác nhau. Trong tài liệu
này, chúng ta định nghĩa tỉ số vòng dây là tỉ số giữa số vòng dây của cuộn thứ cấp (Nsec) trên số
vòng dây của cuộn sơ cấp (Npri). Vì vậy, cuộn biếp áp với tỉ số vòng dây nhỏ hơn 1 là bộ hạ áp còn
lớn hơn 1 là bộ nâng áp.
Điện thế ra trên cuộn thứ cấp của bộ biến áp là :
Nếu n>1 thì hiệu điện thế cuộn thứ cấp sẽ lớn hơn cuộn sơ cấp. Nếu n<1 thì hiệu điện thế cuộn thứ
cấp sẽ nhỏ hơn cuộn sơ cấp. Nếu n = 1 thì Vsec = Vpri.
Điện áp đỉnh trên cuộn thứ cấp VP(sec) trong mạch chỉnh lưu nửa sóng ghép biến áp chính là
điện áp đỉnh đầu vào trong phương trình 4.5.2e. Do đó, phương trình 4.5.2e được viết lại như sau :
( ) ( ) ( )
và phương trình 4.5.3e trở thành :
( )
Tỉ số vòng dây là một tham số hữu ích cho việc xác định quá trình biến đổi điện áp từ cuộn sơ cấp
tới cuộn thứ cấp. Tuy nhiên, các tài liệu kỹ thuật về biến áp thường ít khi ghi rõ thông số này nên
thông số kỹ thuật của một bộ biến áp thường được xác định bằng điện áp ra của cuộn thứ cấp hơn là
tỉ số vòng dây.
Ví dụ 3 : Xác định giá trị đỉnh của điện áp ra trong hình 4.5.10 nếu tỉ số vòng dây là 0,5.
Hình 4.5.10. Mạch chỉnh lƣu cho ví dụ 3

Lời giải :
Ta có :
( ) ( )
Giá trị đỉnh của điện áp ra ở cuộn thứ cấp là :
( ) ( ) ( )
Giá trị đỉnh của điện áp ra sau bộ chỉnh lưu nửa sóng là :

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
( ) ( ) ( )
Trong đó VP(sec) là điện áp vào của bộ chỉnh lưu.
6. Bộ chỉnh lƣu toàn sóng
Mặc dù bộ chỉnh lưu nửa sóng có rất nhiều ứng dụng trong thực tế nhưng bộ chỉnh lưu toàn
sóng mới là loại chỉnh lưu sử dụng rộng rãi nhất trong thực tế. Mạch chỉnh lưu toàn sóng cho phép
dòng điện chảy theo 1 chiều qua tải trong suốt 3600 của chu kỳ điện áp vào trong khi đó bộ chỉnh
lưu nửa sóng chỉ cho phép dòng điện 1 chiều đi qua tải trong ½ chu kỳ điện áp vào. Kết quả là bộ
chỉnh lưu toàn sóng có tần số điện áp ra gấp 2 lần tần số điện áp vào và liên tục tạo ra xung điện áp
DC trong mỗi nửa chu kỳ như hình 4.6.1.
Bộ chỉnh
lưu toàn
sóng
Hình 4.6.1. Bộ chỉnh lƣu toàn sóng
Số lượng nửa chu kỳ hoạt động xen kẽ nhau tại đầu ra của điện áp ra của bộ chỉnh lưu toàn sóng gấp
đôi số nửa chu kỳ hoạt động của bộ chỉnh lưu nửa sóng với cùng tần số. Giá trị trung bình, đo được
bằng Vôn-mét, cho bộ chỉnh lưu toàn sóng sẽ gấp 2 lần so với giá trị trung bình của bộ chỉnh lưu
nửa sóng như được chỉ ra trong công thức sau :
( )
Vavg có giá trị xấp xỉ 63,7% của VP cho điện áp ra bộ lọc toàn sóng.
Ví dụ 1 : Tìm điện áp ra trung bình của bộ chỉnh lưu toàn sóng như hình 4.6.2.
Lời giải :
Điện áp ra trung bình là :
( )
Lưu ý rằng : Vavg xấp xỉ 63,7% của VP.
Bộ chỉnh lƣu toàn sóng sử dụng biến áp 3 tiếp điểm
Bộ chỉnh lưu toàn sóng sử dụng biến áp 3 tiếp điểm là một loại bộ chỉnh lưu toàn sóng sử
dụng 2 diode nối với cuộn thứ cấp của 1 biến áp 3 tiếp điểm như hình 4.6.3. Điện áp vào được ghép
biến áp với 2 đầu ra có 1 tiếp điểm chung. Một nửa giá trị điện áp ra trên cuộn thứ cấp của biến áp
sẽ xuất hiện trên từng đầu ra của biến áp và tiếp điểm chung như hình vẽ.

26
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.6.3. Bộ chỉnh lƣu toàn sóng sử dụng biến áp 3 tiếp điểm
Ở nửa chu kỳ dương của điện áp vào, cực tính của cuộn thứ cấp được chỉ ra trên hình
4.6.4(a). Điều này làm phân cực thuận diode D1 và phân cực ngược diode D2. Dòng điện ra tải sẽ đi
qua diode D1 và tải RL như hình vẽ. Với nửa chu kỳ âm của điện áp vào, cực tính của cuộn thứ cấp
được xác định trên hình 4.6.4(b). Cực tính này làm phân cực ngược diode D1 và phân cực thuận
diode D2. Dòng điện ra tải sẽ đi qua diode D2 và tải RL như hình vẽ. Bởi vì dòng điện ra qua tải
trong cả 2 nửa chu kỳ âm và dương của điện áp vào có cùng một chiều nên điện áp ra đặt lên tải của
bộ chỉnh lưu toàn sóng có dạng như hình vẽ.
Ảnh hưởng của tỉ số vòng dây lên điện áp ra :
Nếu biến áp có tỉ số vòng dây là 1, giá trị điện áp đỉnh tại đầu ra bộ chỉnh lưu bằng ½ giá trị
đỉnh của điện áp vào cuộn sơ cấp trừ đi rào thế của diode như hình 4.6.5. Mỗi nửa điện áp của cuộn
sơ cấp sẽ xuất hiện trên mỗi nửa cuộn thứ cấp (VP(sec) = VP(pri)). Chúng ta gọi điện áp phân cực trên
diode do ảnh hưởng của rào thế là điện áp rơi trên diode.
Để có thể thu được điện áp ra có giá trị đỉnh bằng giá trị đỉnh của điện áp vào (trừ đi rào thế
của diode), biến áp nâng áp với tỉ số vòng dây n = 2 được sử dụng như trong hình 4.6.6. Trong
trường hợp này, điện thế trên cuộn thứ cấp (Vsec) gấp đôi cuộn sơ cấp (2Vpri) vì thế nên điện áp trên
mỗi nửa của cuộn thứ cấp có giá trị bằng Vpri.
Trong bất kỳ trường hợp nào, điện áp ra của bộ chỉnh lưu toàn sóng sử dụng biến áp 3 tiếp
điểm luôn bằng ½ điện thế trên cuộn thứ cấp trừ đi điện thế rơi trên diode bất kể tỉ số vòng dây như
thế nào :
( )
( )

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a) Trong nửa chu kỳ dương, D1 phân cưc thuận và D2 phân cực ngược.
b) Trong nửa chu kỳ âm, D1 phân cưc ngược và D2 phân cực thuận.
Hình 4.6.4. Nguyên lý hoạt động của bộ chỉnh lƣu toàn sóng sử dụng biến áp 3 tiếp điểm
Hình 4.6.5. Bộ chỉnh lƣu toàn sóng sử dụng biến áp 3 tiếp điểm với hệ số biến áp bằng 1

28
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.6.6. Bộ chỉnh lƣu toàn sóng sử dụng biến áp 3 tiếp điểm với hệ số biến áp bằng 2
Hiệu điện thế ngược cực đại :

Mỗi diode trong mạch chỉnh lưu toàn sóng sẽ liên tục luân phiên ở trạng thái phân cực thuận
và phân cực ngược. Điện áp phân cực ngược cực đại mỗi diode phải chịu là điện áp đỉnh của cuộn
thứ cấp VP(sec). Điều này được thể hiện trên hình 4.6.7 trong đó D2 được giả thiết là phân cực ngược
(màu đỏ) và D1 được giả thiết là phân cực thuận (màu xanh) để thể hiện quá trình xảy ra.
Hình 4.6.7. Điện áp ngƣợc của diode

Khi toàn bộ cực tính của cuộn thứ cấp được chỉ ra trên hình 4.6.7, điện áp cực đại trên anode
của D1 là VP(sec)/2 và điện áp cực đại trên anode của D2 là -VP(sec)/2. Khi D1 được giả thiết là ở trạng
thái phân cực thuận, cathode của nó có điện thế bằng điện thế trên anode trừ đi điện áp rơi trên
diode, đây cũng là điện thế trên cathode của D2.
Giá trị cực đại của điện áp ngược trên D2 là :
( ) ( )
( ) ( ) ( )
Lại có :
( )
( )
Nhân cả 2 vế với hệ số 2 và chuyển vế ta có :
( ) ( )
Từ đó suy ra điện áp ngược cực đại đặt lên mỗi diode trong mạch chỉnh lưu toàn sóng sử dụng biến
áp 3 tiếp điểm là :
( )

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Ví dụ 2 : a) Vẽ dạng sóng của điện áp ra qua mỗi nửa cuộn thứ cấp và qua điện trở RL khi điện áp
hình sin có đỉnh là 100V được đặt vào cuộn sơ cấp của biến áp như hình 4.6.8.
b) Giá trị PIV yêu cầu cho mỗi diode là bao nhiêu?
Hình 4.6.8. Mạch chỉnh lƣu toàn sóng trong ví dụ 2

Lời giải :
a) Tỉ số vòng dây của cuộn biến áp là 0,5. Giá trị đỉnh của điện áp trên cuộn thứ cấp là :
( ) ( ) ( )
Như vậy giá trị đỉnh của điện thế trên mỗi nửa cuộn thứ cấp so với đất là 25V. Điện áp ra tải sẽ có
giá trị đỉnh là 25V trừ đi điện áp rơi 0,7V trên diode. Dạng sóng của các điện áp ra được chỉ ra trên
hình 4.6.9.
Hình 4.6.9. Dạng sóng của điện áp ra trên mỗi nửa cuộn thứ cấp và tải
b) Mỗi diode phải chịu giá trị điện áp ngược cực đại là :
( ) ( )
Bộ chỉnh lƣu toàn sóng dạng cầu diode

Bộ chỉnh lưu toàn sóng dạng cầu diode sử dụng 4 diode được kết nối như hình 4.6.10. Khi
điện áp vào đang ở nửa chu kỳ dương (hình a), diode D1 và D2 ở trạng thái phân cực thuận và dẫn
điện theo hướng như đã chỉ trên hình. Điện áp sẽ xuất hiện trên điện trở RL và có dạng tương tự như
nửa chu kỳ dương của điện áp vào. Trong khoảng thời gian này, diode D3 và D4 phân cực ngược.

30
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a) Trong nửa chu kỳ dương, D1 và D2 phân cưc thuận và cho dòng điện đi qua. D3 và D4 sẽ phân cực
ngược.
a) Trong nửa chu kỳ dương, D1 và D2 phân cưc thuận và cho dòng điện đi qua. D3 và D4 sẽ phân cực
ngược.
Hình 4.6.10. Nguyên lý hoạt động của bộ chỉnh lƣu cầu

Khi chu kỳ điện áp vào là chu kỳ âm như hình 4.6.10(b), diode D3 và D4 sẽ phân cực thuận
và dẫn điện theo cùng một hướng trên điện trở RL như trong nửa chu kỳ dương. Trong nửa chu kỳ
âm, diode D1 và D2 phân cực ngược. Điện áp ra trên bộ chỉnh lưu cầu xuất hiện trên điện trở tải RL
được chỉ ra như hình vẽ.
Điện áp ra chỉnh lưu cầu :
Bộ chỉnh lưu cầu kết hợp với cuộn biến áp ở đầu vào được chỉ ra như hình 4.6.11(a). Trong
nửa chu kỳ dương của điện áp ra trên cuộn thứ cấp biến áp, diode D1 và D2 phân cực thuận. Bỏ qua
điện áp rơi trên diode, điện áp ra cuộn thứ cấp xuất hiện trên tải điện trở. Điều này cũng xảy ra
tương tự khi diode D3 và D4 phân cực thuận trong nửa chu kỳ âm.
( ) ( )
Như đã thấy trên hình 4.6.10(b), 2 diode luôn luôn được mắc nối tiếp với điện trở tải trong cả 2 chu
kỳ âm và dương của điện áp vào. Nếu kể đến điện áp rơi trên mỗi diode, điện áp ra sẽ là :
( ) ( )

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a) Diode lý tưởng
b) Diode thực tế (kể đến điện áp ra trên diode)
Hình 4.6.11. Điện áp ra trên cuộn sơ cấp và thứ cấp của bộ chỉnh lƣu cầu trong nửa chu kỳ
dƣơng
Điện áp ngược cực đại :
Giả thiết trường hợp diode D1 và D2 phân cực thuận trong khi 2 diode còn lại D3 và D4 phân
cực ngược. Nhìn nhận 2 diode như được nối tắt (mô hình lý tưởng) như trên hình 4.6.12(a), chúng ta
sẽ thấy diode D3 và D4 sẽ đạt điện áp ngược cực đại tương ứng với điện áp đỉnh trên cuộn thứ cấp.
Vì vậy, điện áp ngược lý tưởng sẽ bằng với điện áp của cuộn thứ cấp :
( )
Nếu kể đến điện áp rơi trên diode khi diode phân cực thuận (hình 4.6.12(b)), điện áp ngược
cực đại trên mỗi diode phân cực ngược là :
( )
Điện áp ngược yêu cầu cho bộ chỉnh lưu cầu sẽ thấp hơn trong trường hợp của bộ chỉnh lưu
sử dụng biến áp 3 tiếp điểm. Nếu bỏ qua điện áp rơi của diode, bộ chỉnh lưu cầu yêu cầu diode với
điện áp ngược PIV bằng ½ so với yêu cầu của diode trong bộ chỉnh lưu sử dụng biến áp 3 tiếp điểm.

32
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a) Diode lý tưởng với diode D1 và D2 màu xanh b) Diode thực tế với diode D1 và D2 màu xanh
Hình 4.6.12. Điện áp ngƣợc trên mỗi diode D3 và D4 trong bộ chỉnh lƣu cầu với nửa chu kỳ
dƣơng của điện áp ở trên cuộn thứ cấp.
Ví dụ 3 : Xác định điện áp ra đỉnh trên bộ chỉnh lưu cầu như hình 4.6.13. Với mô hình diode thực
tế, PIV yêu cầu cho mỗi diode là bao nhiêu? Bộ biến áp sử dụng với điện áp hiệu dụng tại đầu ra
của cuộn thứ cấp là 12 V khi điện áp chuẩn đầu vào cuộn sơ cấp là 120V.
Lời giải :
Điện áp ra đỉnh (kể đến điện áp rơi trên 2 diode) là :
( ) ( )
( ) ( ) ( )
Điện áp ngược cực đại cho mỗi diode trong mạch chỉnh lưu là :
( ) ( )
7. Mạch gia công tín hiệu sử dụng diode
Mạch hạn chế biên độ
Hình 4.7.1(a) chỉ ra mạch hạn chế điện áp dương sử dụng diode (mạch clipper) có nhiệm vụ
giới hạn và hạn chế phần dương của điện áp vào. Khi điện áp vào là dương, diode sẽ phân cực thuận
và dẫn điện. Điểm A được giới hạn ở giá trị điện áp +0,7V khi điện áp vào vượt qua giá trị này. Khi
điện áp vào trở xuống dưới giá trị 0,7V, diode sẽ phân cực ngược và có trạng thái tương đương hở
mạch. Điện áp ra có dạng tương tự như phần âm của điện áp vào nhưng giá trị biên độ được xác
định bởi mạch chia điện áp xác định bởi 2 điện trở R1 và điện trở tải RL như sau :
( )
Nếu RL là khá nhỏ so với R1 thì .

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a) Mạch giới hạn ở nửa chu kỳ dương. Diode được phân cực thuận trong nửa chu kỳ dương (lớn hơn 0,7V) và
phân cực ngược trong nửa chu kỳ âm.
a) Mạch giới hạn ở nửa chu kỳ âm. Diode được phân cực thuận trong nửa chu kỳ âm (nhỏ hơn -0,7V) và
phân cực ngược trong nửa chu kỳ dương.
Hình 4.7.1. Ví dụ của mạch hạn chế tín hiệu sử dụng diode
Nếu diode được đảo chiều như trong hình 4.7.1(b), phần âm của tín hiệu vào sẽ bị giới hạn.
Khi diode được phân cực thuận trong nửa chu kỳ âm của tín hiệu vào, điểm A sẽ được giữ ở giá trị
điện áp rơi của diode. Khi tín hiệu vào lớn hơn -0,7V, diode không còn nằm ở trạng thái phân cực
thuận và điện áp xuất hiên trên điện trở RL sẽ tương ứng với giá trị điện áp của tín hiệu vào.
Ví dụ 1 : Tín hiệu ra trên dao động ký nối với điện trở RL trọng mạch hạn chế tín hiệu dưới đây có
dạng như thế nào?
Lời giải :
Diode sẽ được phân cực thuận và dẫn điện khi điện áp của tín hiệu vào nhỏ hơn -0,7V. Vì thế, đây
là mạch hạn chế biên độ âm và giá trị điện áp đỉnh của tín hiệu ra trên điện trở RL được xác định
như sau :
( ) ( ) ( ) ( ) ( )

34
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình dạng của tín hiệu ra trên dao động ký có dạng :
Hình 4.7.3. Dạng tín hiệu ra trên điện trở RL.

Mạch hạn chế biên độ sử dụng điện áp phân cực
Mức điện áp mà tín hiệu đầu vào bị hạn chế có thể được điều chỉnh bằng cách đưa thêm vào
một nguồn điện áp phân cực, Vbias, mắc nối tiếp với diode như trong hình 4.7.4. Điện áp tại điểm A
phải bằng Vbias + 0,7V trước khi diode chuyển sang trạng thái phân cực thuận và dẫn điện. Khi
diode bắt đầu dẫn điện, điện thế tại điểm A bị giới hạn tại mức Vbias + 0,7V nên tất cả các tín hiệu
vào có điện áp cao hơn giá trị này đều bị hạn chế.
Hình 4.7.4. Mạch hạn chế biên độ dƣơng

Để có thế giới hạn mức biên độ tín hiệu ở mức điện áp âm, diode và điện áp phân cực được
nối như hình 4.7.5. Trong trường hợp này, điện thế tại điểm A phải nhỏ hơn mức -Vbias - 0,7V để
phân cực thuận cho diode và chức năng hạn chế tín hiệu được kích hoạt như được chỉ ra trong hình
vẽ.
Hình 4.7.5. Mạch hạn chế biên độ âm

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Bằng cách đảo chiều diode, mạch hạn chế biên độ dương có thể được thay đổi để giới hạn
điện áp ra cho một phần của tín hiệu vào với dạng sóng được thể hiện trong hình 4.7.6(a). Tương tự,
mạch hạn chế biên độ âm cũng được hiệu chỉnh để giới hạn điện áp ra cho một phần tín hiệu vào với
giá trị nhỏ hơn -Vbias + 0,7V như được chỉ ra trong hình 4.7.6(b).
Hình 4.7.6. Mạch hạn chế biên độ âm và dƣơng với diode đƣợc đảo chiều
Ví dụ 2 : Hình 4.7.7 thể hiện một mạch điện kết hợp giữa mạch hạn chế biên độ dương và mạch hạn
chế biên độ âm. Xác định dạng sóng của tín hiệu ra.
Lời giải :
Khi điện thế tại điểm A đạt giá trị +5,7V, diode D1 sẽ dẫn điện và hạn chế tín hiệu ra ở mức
+5,7V. Diode D2 sẽ không ở trạng thái dẫn cho đến khi điện áp đạt giá trị -5,7V. Do đó, các điện áp
dương lớn hơn +5,7V và âm nhỏ hơn -5,7V đều bị cắt. Dạng sóng của tín hiệu ra được vẽ như hình
4.7.8.
Các diode đều là 1N914.


36
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.7.8. Dạng sóng của tín hiệu ra

Mạch dịch mức tín hiệu
Mạch dịch mức tín hiệu sẽ thay đổi giá trị điện áp DC tác động lên một tín hiệu AC. Mạch
dịch mức tín hiệu còn được gọi là “diode clamper”. Hình 4.7.9 chỉ ra mạch dịch mức tín hiệu làm
thay đổi giá trị điện áp DC tại đầu ra. Nguyên lý hoạt động của mạch được quan sát trên nửa chu kỳ
âm của tín hiệu điện áp vào. Khi tín hiệu ban đầu ở đầu vào có giá trị âm, diode ở trạng thái phân
cực thuận cho phép tụ điện có thể sạc điện tích tới giá trị đỉnh của tín hiệu vào (VP(in) -0,7V) như
trong hình 4.7.9(a). Ngay sau đỉnh âm của tín hiệu, diode chuyển sang trạng thái phân cực ngược.
Điều này xảy ra vì cathode bị giữ ở giá trị gần VP(in) -0,7V bởi điện tích trên tụ điện. Tụ điện chỉ có
thể xả điện tích qua điện trở tải ra RL. Vì thế, kể từ đỉnh âm của chu kỳ tín hiệu thứ nhất cho đến các
chu kỳ tín hiệu tiếp theo, tụ điện xả điện tích rất ít. Lượng điện tích được xả của tụ điện sẽ phụ
thuộc vào giá trị của điện trở tải RL.
Nếu tụ điện xả điện tích trong chu kỳ của tín hiệu vào, tính chất dịch mức của mạch sẽ bị ảnh
hưởng. Nếu hằng số thời gian RC lớn hơn gấp 100 lần chu kỳ tín hiệu vào, tính chất dịch mức sẽ đạt
giá trị tốt nhất. Hằng số thời gian RC gấp 10 lần chu kỳ tín hiệu vào sẽ gây ra một nhiễu nhỏ tới giá
trị dịch mức vì dòng điện tích điện cho tụ sẽ gây ảnh hưởng tới hoạt động của mạch.
Khi hiện tượng dịch mức diễn ra ở chế độ lý tưởng, tụ điện sẽ giữ điện tích với hiệu điện thế
xấp xỉ giá trị đỉnh của tín hiệu vào trừ đi điện áp rơi trên diode. Về cơ bản, điện áp trên tụ điện hoạt
động như một nguồn pin đối với tín hiệu vào. Giá trị DC của tụ điện sẽ được cộng với tín hiệu vào
theo nguyên lý chồng chất như được chỉ ra trong hình 4.7.9(b).

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Phân
cực
thuận
Hình 4.7.9. Mạch dịch mức tín hiệu dƣơng

Nếu diode được đảo chiều, giá trị điện áp DC âm sẽ được cộng vào tín hiệu vào làm cho tín
hiệu ra thay đổi như hình 4.7.10.
Hình 4.7.10. Mạch dịch mức tín hiệu âm

Ví dụ 3 : Điện áp ra quan sát được trên điện trở RL trong mạch dịch mức dưới đây là bao nhiêu? Giá
thiết rằng hằng số thời gian RC rất lớn để quá trình xả điện tích của tụ không làm ảnh hưởng tới
mạch.
Lời giải :
Một cách lý tưởng, điện áp DC âm được tính thêm vào tạo ra bởi mạch dịch mức bằng với giá trị
đỉnh của điện áp vào trừ đi điện áp rơi trên diode :
( ( ) ) ( ) ( )

38
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Thực tế, diode sẽ xả điện tích một chút trong khoảng thời gian điện áp di chuyển giữa các đỉnh và
kết quả là điện áp ra sẽ có giá trị trung bình nhỏ hơn giá trị tính toán ở trên một chút. Dạng sóng của
tín hiệu ra sẽ đạt tới mức xấp xỉ +0,7V như trong hình 4.7.12.
Hình 4.7.12. Dạng sóng của tín hiệu ra trên điện trở tải RL
Mạch bội áp (nhân điện áp)
Mạch nhân đôi điện áp dạng nửa sóng : mạch nhân đôi điện áp là một dạng của mạch bội áp với hệ
số nhân là 2. Mạch nhân đôi điện áp nửa sóng được chỉ ra trên hình 4.7.13. Trong nửa chu kỳ dương
của điện áp ra cuộn thứ cấp, diode D1 được phân cực thuận và diode D2 phân cực ngược. Tụ điện C1
sẽ được tích điện đến giá trị đỉnh của điện áp thứ cấp (VP) trừ đi điện áp rơi trên diode với cực tính
được chỉ ra trong hình 4.7.13(a). Trong nửa chu kỳ âm, diode D1 sẽ phân cực ngược và diode D2
phân cực thuận như trong hình 4.7.13(b). Vì tụ điện C1 không thể xả điện tích, điện áp đỉnh trên C1
cộng với điện áp ra trên cuộn thứ cấp sẽ sạc điện tích cho tụ C2 đến giá trị xấp xỉ 2VP. Áp dụng định
luật Kirchhoff cho vòng điện áp trên hình 4.7.13(b), điện áp trên tụ C2 là :
Bỏ qua điện áp rơi trên diode D2, . Do đó :
Phân cực ngược
Phân
cực
ngược
Hình 4.7.13. Nguyên lý hoạt động của mạch nhân 2 điện áp nửa sóng. VP là giá trị điện áp
đỉnh trên cuộn thứ cấp của biến áp
Trong điều kiện không tải, tụ điện C2 vẫn sạc đến giá trị điện áp là 2VP. Nếu điện trở tải được
kết nối với đầu ra, tụ C2 sẽ xả điện tích một chút trên tải ở nửa chu kỳ dương tiếp theo và lại sạc lại
tới điên áp 2VP trong nửa chu kỳ âm tiếp theo. Điện áp ra là dạng tín hiệu nửa sóng được lọc bởi tụ
điện. Điện áp ngược cực đại qua mỗi diode là 2VP. Nếu diode được đảo chiều, điện áp ra trên tụ C2
sẽ có cực tính ngược lại.
Mạch nhân đôi điện áp dạng toàn sóng : mạch nhân đôi điện áp dạng toàn sóng được chỉ ra như
trong hình 4.7.14. Khi điện áp thứ cấp là dương, diode D1 phân cực thuận và tụ điện C1 sẽ sạc đến
điện tích xấp xỉ VP, như được chỉ ra trong hình (a). Trong nửa chu kỳ âm, diode D2 phân cực thuận

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
và C2 được sạc đến điện áp xấp xỉ VP. Điện áp ra 2VP được lấy ra trên 2 đầu của 2 tụ điện như chỉ ra
ở hình (b).
Hình 4.7.14. Nguyên lý hoạt động của mạch chỉnh lƣu dạng toàn sóng
Mạch nhân ba điện áp : Khi thêm một đoạn mạch diode-tụ điện vào mạch nhân đôi điện áp dạng
nửa sóng, chúng ta thu được mạch nhân 3 điện áp như hình 4.7.15. Nguyên lý hoạt động của mạch
như sau : trong nửa chu kỳ dương của điện áp trên cuộn thứ cấp, C1 tích điện tới giá trị VP qua D1.
Trong nửa chu kỳ âm, C2 tích điện tới giá trị 2VP qua D2 như đã biết trong mạch nhân 2 điện áp.
Trong nửa chu kỳ dương tiếp theo, C3 tích điện tới giá trị 3VP qua D3. Điện áp nhân 3 được lấy ra
trên tụ C1 và C3 như hình vẽ.
Hình 4.7.15. Mạch nhân 3 điện áp

Mạch nhân bốn điện áp : Nếu tiếp tục thêm một đoạn mạch diode-tụ điện như trong hình 4.7.16,
điện áp đưa ra có thể lớn gấp 4 lần giá trị điện áp đỉnh trên cuộn thứ cấp. C4 tiếp tục tích điện đến
điện áp 2VP qua D4 trong nửa chu kỳ âm. Giá trị 4VP được lấy ra từ tụ điện C2 và C4 như hình vẽ.
Trong cả 2 mạch nhân 3 và nhân 4 điện áp, giá trị điện áp ngược cực đại trên mỗi diode là 2VP.
Hình 4.7.16. Mạch nhân 4 điện áp

40
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
8. Diode Zener
Cấu tạo và nguyên lý hoạt động :
Ký hiệu của diode Zener được chỉ ra trong hình 4.8.1. Thay vì biểu diễn cathode là một
đường thẳng, diode Zener biểu diễn dưới dạng một đường thẳng cong ở 2 đầu nhằm mục đích gợi
nhớ đến ký tự Z (cho diode Zener). Diode Zener là một chuyển tiếp PN của Silic được thiết kế để
hoạt động ở trong vùng đánh thủng ngược. Điện áp đánh thủng của diode Zener được lựa chọn cẩn
thận dựa trên nồng độ pha tạp trong quá trình sản xuất. Nhắc lại ở chương trước, khi diode đạt đến
chế độ đánh thủng ngược, điện áp rơi trên nó hầu như không đổi mặc dù dòng điện thay đổi một
cách nhanh chóng. Đây là đặc điểm quan trọng nhất trong nguyên lý hoạt động của diode Zener.
Đặc tuyến V-I của diode Zener được chỉ ra trong hình 4.8.2 với vùng hoạt động bình thường của
diode Zener là vùng được tô màu xám.
Điện áp đánh thủng
Vùng đánh
thủng ngược
là vùng hoạt
Hình 4.8.1. Ký hiệu của diode Zener
động bình
thường của
diode Zener.
Hình 4.8.2. Đặc tuyến V-I của diode Zener
Đặc trưng đánh thủng ngược :

Hình 4.8.3 thể hiện một phần đường cong đặc tuyến hoạt động ngược của diode Zener. Chú ý
rằng khi điện áp ngược (VR) tăng lên, dòng ngược (IR) vẫn giữ nguyên giá trị khá nhỏ cho tới điểm
uốn của đường cong đặc tuyến V-I. Dòng điện ngược được gọi là dòng Zener IZ. Tại điểm này, quá
trình đánh thủng bắt đầu. Điện trở nội của diode Zener (còn được gọi là trở kháng ZZ) bắt đầu giảm
khi dòng ngược tăng lên nhanh chóng. Về cơ bản, từ đáy của điểm uốn, điện áp đánh thủng Zener
(VZ) vẫn giữ hầu như không đổi (thực tế, điện áp này thay đổi chút ít khi dòng Zener IZ tăng lên).

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Dòng điện Zener tại điểm uốn
Dòng điện Zener tại điểm kiểm

tra
Dòng điện Zener cực đại
Hình 4.8.3. Đặc trƣng ngƣợc của diode Zener. VZ thƣờng đƣợc xác định tại giá trị của dòng
Zener đƣợc gọi là dòng kiểm tra (test current).
Nguyên lý ổn áp của diode Zener :
Về cơ bản, khả năng giữ nguyên không đổi điện áp ngược trên 2 đầu diode là đặc điểm chính
của diode Zener. Diode Zener hoạt động trong vùng đánh thủng có chức năng như một mạch ổn áp
vì nó giữ nguyên hầu như không đổi điện áp trên nó trong một dải xác định của dòng ngược đi qua
diode.
Giá trị nhỏ nhất của dòng ngược IZK cần phải được giữ để có thể đưa diode vào vùng đánh
thủng cho chức năng ổn áp. Như trên hình 4.8.3, khi dòng ngược giảm tới dưới giá trị của điểm uốn
thì điện áp rơi trên diode giảm mạnh và chức năng ổn áp bị mất đi. Tương tự, tồn tại một dòng điện
cực đại IZM mà khi dòng điện lớn hơn giá trị này, diode sẽ bị hư hỏng vì quá tải. Vì thế, diode Zener
sẽ giữ điện áp hầu như không đổi trên nó khi giá trị của dòng ngược nằm trong khoảng từ IZK tới
IZM. Điện thế Zener danh định VZ thường được ghi rõ trong các datasheet tại giá trị của một dòng
ngược được gọi là dòng kiểm tra Zener (Zener current testing).
Mạch tƣơng đƣơng của diode Zener :
Hình 4.8.4 dưới đây thể hiện mô hình tương đương (xấp xỉ bậc nhất) của diode Zener ở vùng
đánh thủng và đường cong đặc tính lý tưởng. Nó có một điện áp rơi không đổi bằng với điện áp
Zener danh định. Điện áp rơi không đổi trên diode Zener được tạo ra bởi hiện tượng đánh thủng
ngược Zener được biểu diễn bằng một nguồn điện áp DC tương đương (mặc dù diode Zener không
tạo ra nguồn điện áp).

42
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a) Mô hình lý tưởng b) Đường cong đặc tính lý tưởng
Hình 4.8.4. Mô hình tƣơng đƣơng lý tƣởng của diode Zener và đƣờng cong đặc tính của nó.
Hình 4.8.5 dưới đây biểu diễn mô hình thực tế (xấp xỉ bậc hai) của diode Zener mà trong đó
trở kháng Zener (điện trở) ZZ được kể đến. Khi đường cong điện áp thực không còn là đường thẳng
lý tưởng, sự thay đổi trong dòng điện Zener (ΔIZ) tạo ra một sự thay đổi nhỏ trong điện thế Zener
(ΔVZ) như được chỉ ra trong hình 4.8.5(b). Theo định luật Ohm, tỉ số của ΔVZ trên ΔIZ là trở kháng
như được biểu diễn trong công thức sau :
Thông thường, ZZ được xác định bởi dòng kiểm tra Zener. Trong nhiều trường hợp, chúng ta
có thể giả thiết là ZZ là một hằng số nhỏ trên toàn bộ dải các dòng điện của diode Zener và hoàn
toàn mang tính chất điện trở. Lưu ý cần phải tránh hoạt động của diode Zener gần điểm uốn của
đường cong đặc tính vì trở kháng của diode thay đổi rất nhanh trong vùng này.
Trong hầu hết các phương pháp phân tích và kiểm tra mạch điện, mô hình lý tưởng sẽ đưa ra
các kết quả tốt và dễ dàng sử dụng hơn nhiều so với các mô hình phức tạp. Khi diode Zener hoạt
động bình thường, nó sẽ được đặt trong vùng đánh thủng và chúng ta sẽ quan sát được điện áp rơi
danh định trên nó. Hầu hết các bản vẽ mạch điện sẽ chỉ ra giá trị này ngay trên hình vẽ của diode.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
a) Mô hình thực tế b) Đường cong V-I. Độ dốc được vẽ tăng lên để dễ quan sát.
Hình 4.8.5. Mô hình tƣơng đƣơng của diode Zener thực tế và đƣờng cong đặc tính thể
hiện ZZ.
Ví dụ 1 : Một diode Zener thực hiện một sự thay đổi nào đó với VZ gây ra một sự thay đổi tương
ứng trên IZ. Đường cong biểu diễn đặc tuyến V-I tuyến tính của diode Zener giữa 2 giá trị dòng IZK
và IZM như hình 4.8.6. Tìm trở kháng của diode Zener.
Lời giải :
Dựa vào hình vẽ, trở kháng của diode Zener là :
( )
Hệ số biến đổi nhiệt của diode Zener :

Hệ số biến đổi nhiệt của diode Zener xác định phần trăm thay đổi của điện áp Zener cho sự
thay đổi mỗi độ C. Ví dụ, một diode Zener 12V với hệ số biến đổi nhiệt là 0,01%/0C sẽ tăng lên 1,2

44
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
mV khi nhiệt độ chuyển tiếp tăng lên 10C. Công thức sau đây được sử dụng để tính toán sự thay đổi
của điện áp Zener cho một sự thay đổi nhiệt độ trên chuyển tiếp nào đó với hệ số biến đổi nhiệt xác
định :
trong đó VZ là điện áp Zener danh định tại nhiệt độ tham chiếu là 250C, TC là hệ số biến đổi nhiệt
của diode và ΔT là sự chênh lệch nhiệt độ so với nhiệt độ tham chiếu. Hệ số TC dương cho biết điện
áp Zener sẽ tăng lên cùng với sự tăng lên của nhiệt độ hoặc giảm đi cùng với sự giảm đi của nhiệt
độ. Hệ số TC âm cho biết sự thay đổi của điện áp Zener theo chiều hướng ngược lại với sự thay đổi
của nhiệt độ.
Trong một số trường hợp, hệ số biến đổi nhiệt độ thường được sử dụng dưới dạng mV/0C
hơn là %/0C. Với những trường hợp này, ΔVZ được tính theo công thức :
Ví dụ 2 : Một diode Zener 8,2V (điện áp Zener danh định là 8,2V ở 250C) có hệ số biến đổi nhiệt
độ dương là 0,05%/0C. Điện áp Zener ở 600C là bao nhiêu?
Lời giải :
Sự thay đổi của điện áp Zener là :
( ) ( )
0 0 0
Chú ý rằng chúng ta có thể biến đổi 0,05%/ C thành 0,0005/ C. Điện áp Zener ở 60 C là :
( )
Công suất tiêu thụ của diode Zener :
Diode Zener được xác định hoạt động với công suất một chiều cực đại là PD(max). Ví dụ, diode
Zener 1N741 hoạt động với công suất PD(max) là 500 mW và 1N3305A hoạt động với PD(max) là 50W.
Công suất DC tiêu thụ của diode được xác định bởi công thức :
Thông thường, công suất tiêu thụ cực đại của diode Zener sẽ bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ tại một giá
trị giới hạn nào đó (ví dụ, 500C). Khi nhiệt độ hoạt động lớn hơn giá trị này, công suất tiêu thụ cực
đại sẽ giảm đi theo hệ số tỉ lệ. Hệ số này thường được xác định bằng đơn vị mW/0C. Công suất DC
tiêu thụ cực đại của diode tại nhiệt độ bất kỳ là :
( ) ( )
Ví dụ 3 : Một diode Zener có công suất tiêu thụ cực đại là 400 mW ở 500C và hệ số giảm theo nhiệt
độ là 3,2mW/0C. Xác định công suất cực đại mà diode Zener có thể tiêu thụ ở nhiệt độ 900C.
Lời giải :
Công suất tiêu thụ cực đại của diode Zener ở 900C là :
( ) ( ) ( ) ( )
Phân tích mạch điện chứa diode Zener :
Phương pháp phân tích mạch điện chứa diode Zener khá tương tự với phân tích của các diode
bán dẫn ở các phần trước đây. Đầu tiên, trạng thái của diode phải được xác định và theo đó, nó được
thay thế với một mô hình tương ứng. Sau đó, các thông số còn lại của mạch sẽ được xác định bằng
các phương pháp phân tích mạch điện đã học. Hình 4.8.7 thống kê lại mô hình tương đương của
diode Zener trong các vùng hoạt động khác nhau với giả thiết là các đường thẳng sau điểm uốn sẽ là
các đường thẳng đứng. Chú ý rằng vùng phân cực thuận vẫn được mô tả vì thỉnh thoảng trong quá
trình hoạt động của các mạch ứng dụng, diode vẫn hoạt động lướt qua vùng này.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.8.7. Các mạch điện xấp xỉ tƣơng đƣơng của diode Zener trong các vùng hoạt động
khác nhau.
Các ví dụ dưới đây sẽ giải thích cách ứng dụng diode Zener để tạo ra các điện áp tham chiếu
và hoạt động như một thiết bị bảo vệ. Việc sử dụng diode Zener như là một thiết bị ổn áp sẽ được
miêu tả chi tiết vì đây là một trong những ứng dụng quan trọng nhất của linh kiện này. Mạch ổn áp
là sự kết hợp của các phần tử được thiết kế sao cho điện áp ra của nguồn cung cấp luôn giữ giá trị
không đổi.
Ví dụ 4 : Xác định điện áp tham chiếu tạo ra bởi mạch điện 4.8.8 trong đó LED màu trắng được sử
dụng để báo có nguồn điện. Tìm cường độ dòng điện qua LED và công suất cung cấp bởi nguồn
điện. So sánh công suất tiêu thụ của LED và của diode Zener 6V.
Lời giải :
Đầu tiên, chúng ta sẽ kiểm tra xem nguồn điện cung cấp có đủ năng lượng để bật tất cả các
diode mắc nối tiếp hay không. LED trắng có điện áp rơi vào khoảng 4V, 2 diode Zener 6V và 3,3V
tạo ra hiệu điện thế 9,3V và diode Si phân cực thuận có điện áp rơi là 0,7V. Điện áp tổng cộng sẽ là
14 V nên với nguồn cung cấp là 40V, tất cả các diode đều ở trạng thái “ON” và có dòng điện chạy
qua mạch.
LED trắng
Hình 4.8.8. Mạch tạo điện áp tham chiếu trong ví dụ 4

46
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Chú ý rằng diode Si được sử dụng để tạo ra nguồn điện tham chiếu 4V vì :
( )
Kết hợp với diode Zener 6V ta có :
( )
Cuối cùng, điện áp rơi 4V trên LED trắng sẽ làm cho điện áp rơi trên điện trở là :
( )
Dòng điện trên điện trở R (cũng như trên cả mạch điện) là :
( )
Công suất điện mà nguồn điện cung cấp cho toàn mạch là :
( )
Công suất tiêu thụ của LED là :
( )
Công suất tiêu thụ trên diode Zener 6V là :
( )
Như vậy diode Zener tiêu thụ công suất lớn hơn LED là 40 mW.
Ví dụ 5 : Mạch điện trong hình 4.8.9 để giới hạn điện áp vào đến 20V trong nửa chu kỳ dương của
điện áp vào và 0V cho nửa chu kỳ âm. Kiểm tra nguyên lý hoạt động và vẽ dạng sóng của điện áp
đặt lên hệ thống với tín hiệu vào đã cho. Giả thiết rằng hệ thống có trở kháng vào rất lớn nên nó
không làm ảnh hưởng đến hoạt động của mạch.
Hệ thống
Hình 4.8.9. Mạch điều khiển cho ví dụ 5

Lời giải :
Với các điện áp dương đầu vào nhỏ hơn điện áp Zener lả 20V thì diode Zener sẽ hoạt động ở
trạng thái gần như hở mạch và tín hiệu vào chỉ đơn giản phân bố trên các phần tử của mạch và phần
lớn sẽ đặt lên hệ thống vì nó có trở kháng vào khá lớn.
Khi điện áp đặt lên diode Zener đạt tới 20V thì diode Zener sẽ chuyển sang trạng thái “ON”
như trong hình 4.8.10(a) và điện áp trên hệ thống sẽ khóa ở giá trị 20V. Khi điện áp vào tiếp tục
tăng thì điện áp rơi trên điện trở R sẽ tăng lên trong khi điện áp rơi trên hệ thống và trên diode phân
cực thuận được giữ không đổi ở giá trị lần lượt là 20V và 0,7V. Điện áp trên hệ thống sẽ được cố
định ở 20V như được chỉ ra trong hình 4.8.10(a) vì điện áp 0,7V trên diode không nằm giữa các đầu
ra của tín hiệu. Vì vậy, hệ thống nằm trong trạng thái an toàn với bất kỳ sự tăng thêm nào của điện
áp vào.
Với phần âm của tín hiệu vào, diode Si phân cực ngược và được biểu diễn như một đoạn
mạch hở mắc nối tiếp với các phần tử còn lại. Kết quả là toàn bộ điện áp vào âm sẽ đặt lên diode
“hở mạch” và điện áp âm qua hệ thống bị khóa ở mức 0V như trong hình 4.8.10(b). Điện áp trên hệ
thống sẽ được biểu diễn như hình 4.8.10(c).
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.8.10. Đáp ứng của mạch điện trong ví dụ 4 với điện áp vào hình sin có giá trị
đỉnh là 60V.
Việc sử dụng diode Zener như là một mạch ổn áp được sử dụng rộng rãi trong thực tế nên 3
trường hợp mạch ổn áp Zener sau đây sẽ được phân tích chi tiết. Việc phân tích các mạch này sẽ
cung cấp cho chúng ta hiểu biết tường tận hơn về hoạt động của diode Zener trong các điều kiện
hoạt động khác nhau. Cấu hình cơ bản của mạch ổn áp Zener được miêu tả trong hình 4.8.11.
Hình 4.8.11. Mạch ổn áp Zener cơ bản

Trường hợp Vi và RL cố định :
Trong mạch điện hình 4.8.11, nguồn điện áp DC và tải điện trở được giữ cố định không đổi.
Mạch này có thể phân tích dựa trên 2 bước như sau :
1. Xác định trạng thái của diode Zener bằng cách loại bỏ nó khỏi mạch điện và tính toán điện áp
xuất hiện trên phần hở mạch.
Áp dụng bước 1 cho mạch điện cơ bản hình 4.8.11, mạch tương đương lúc này như hình 4.8.12 rồi
sau đó áp dụng nguyên lý chia điện áp :
Nếu V≥VZ thì diode ở trạng thái “ON”, mô hình tương đương của diode sẽ được thay thế vào mạch
điện. Nếu V≤VZ thì diode ở trạng thái “OFF” và mạch tương đương “hở mạch” sẽ được thay thế.

48
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.8.12. Xác định trạng thái của diode Zener

2. Thay thế mạch tương đương của diode ở trạng thái hoạt động tương ứng và tìm ra các thông
số chưa biết còn lại của mạch.
Với mạch điện hình 4.8.12, trạng thái “ON” của diode sẽ được xác định trong mạch tương đương
hình 4.8.13. Do điện áp trên các phần tử song song này phải bằng nhau nên ta có :
Hình 4.8.13. Thay thế mạch tƣơng đƣơng của diode Zener trong trạng thái “ON”
Dòng điện chạy qua diode Zener phải tuân theo định luật Kirchhoff cho dòng điện :
Trong đó :
Công suất tiêu thụ của diode Zener được xác định bởi :
phải nhỏ hơn giá trị PZM xác định cho linh kiện.
Tóm lại, cần phải nhấn mạnh rằng bước đầu tiên phải thực hiện là xác định trạng thái của
diode Zener. Nếu diode Zener ở trạng thái “ON”, điện áp trên diode là V vôn và chưa nằm ở trạng
thái ổn áp. Khi hệ thống bắt đầu hoạt động, diode Zener sẽ được kích hoạt ngay khi điện áp trên
diode Zener đạt tới giá trị VZ vôn. Sau đó, diode được “khóa” ở trạng thái này và không tăng thêm
nữa.
Ví dụ 6 : a) Với diode Zener được nối vào mạch điện như hình 4.8.14, xác định VL, VR, IZ và PZ.
b) Lặp lại câu a nếu RL = 3kΩ.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.8.14. Mạch ổn áp Zener cho ví dụ 6.

Lời giải :
a) Theo các bước đã giới thiệu ở trên, chúng ta vẽ lại mạch điện như hình 4.8.15. Điện áp đặt lên
diode Zener là :
( )
Hình 4.8.15. Xác định trạng thái hoạt động của diode Zener
Vì V = 8,83V < 10V nên diode ở trạng thái “OFF” như được chỉ ra trong hình 4.8.16. Thay thế
mạch tương đương hở mạch cho mạch điện ở hình 4.8.15, ta thu được :
( )
( )
và ( )
Hình 4.8.16. Điểm làm việc của diode trong mạch hình 4.8.14
b) Tương tự bước đầu trong phần a, điện áp rơi trên diode là :
( )
Vì V = 12V > 10V nên diode ở trạng thái “ON” và mạch tương đương của diode như trong hình
4.8.17. Ta có :
( )

50
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
( )
và dòng điện qua các phần tử là :
( )
( )
( )
Năng lượng tiêu thụ trên diode Zener là :
( )
Giá trị này nhỏ hơn giá trị cực đại PZM = 30 mW nên diode hoạt động bình thường.
Hình 4.8.17. Mạch điện tƣơng đƣơng khi diode Zener hoạt động ở trạng thái ổn áp
Trường hợp Vi cố định và RL thay đổi:
Do giá trị điện áp VZ chỉ được kích hoạt trong một vùng nhất định nên tồn tại một dải điện
trở tải RL (tương ứng với dòng điện qua tải) đảm bảo rằng diode Zener ở trạng thái “ON”. Nếu điện
trở tải RL quá nhỏ làm cho điện áp VL trên tải nhỏ hơn VZ và diode Zener sẽ nằm ở trạng thái
“OFF”.
Để xác định điện trở tải nhỏ nhất trong hình 4.8.11 đủ để đưa diode Zener vào trạng thái
“ON”, chúng ta chỉ cần tính đơn giản giá trị của RL sao cho điện áp trên tải VL = VZ. Do đó, ta có :
Giải phương trình trên :
( )
Bất kỳ điện trở tải nào lớn hơn giá trị này sẽ đảm bảo đưa diode Zener vào trạng thái ổn áp và trong
mạch tương đương chúng ta sẽ thay thế diode bằng nguồn tương đương VZ.
Điều kiện của phương trình này dẫn đến dòng điện qua RL đạt giá trị nhỏ nhất nhưng sẽ tạo ra dòng
điện qua tải IL đạt cực đại :
( )
( )
Khi diode ở trạng thái ổn áp, điện áp trên điện trở R sẽ giữ một giá trị không đổi :
và IR cũng sẽ không đổi :
Dòng điện qua diode Zener là :

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Kết quả là IZ đạt min khi IL đạt max và IZ đạt max khi IL đạt min vì IR không đổi. Do IZ bị giới hạn
bởi giá trị IZM được cung cấp trong tài liệu kỹ thuật, nó sẽ ảnh hưởng đến dải điện trở RL và IL. Thay
IZM vào IZ, chúng ta thu được dòng điện quả tải cực tiểu :
( )
và điện trở tải cực đại là :
( )
( )
Ví dụ 7 : a) Trong mạch điện hình 4.8.18, xác định dải điện trở tải RL và IL để hiệu điện thế VRL giữ
ổn định ở 10V.
b) Xác định công suất hoạt động cực đại của diode.
Hình 4.8.18. Mạch ổn áp Zener cho ví dụ 7

Lời giải :
a) Để xác định giá trị của RL cho diode Zener hoạt động, ta sử dụng hệ thức :
( ) ( )
Điện áp trên điện trở R được xác định bởi :

( )
và cường độ dòng điện qua điện trở R là :
( )
Giá trị cực tiểu của dòng điện qua tải là :
( ) ( )
và giá trị cực đại của điện trở RL là :
( ) ( )
( )
Đồ thị của VL phụ thuộc vào RL và VL phụ thuộc vào IL được thể hiện như trong hình 4.8.19(a) và
4.8.19(b).
b) Công suất tiêu thụ cực đại của diode là :
( )

52
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.8.19. VL phụ thuộc vào RL và IL.

Trường hợp RL cố định và Vi thay đổi:
Với các giá trị RL không đổi như trong hình 4.8.11, điện áp Vi phải đủ lớn để đưa diode Zener vào
trạng thái ổn áp. Điện áp Vi cực tiểu được xác định bởi công thức :
( )
( )
Giá trị cực đại của Vi bị giới hạn bởi dòng điện Zener cực đại IZM. Ta có :
( )
Vì giá trị của IL = VZ/RL không đổi và IZM là giá trị cực đại của IZ nên giá trị cực đại của Vi sẽ là :
( ) ( ) ( ) ( )
Ví dụ 8 : Xác định dải giá trị của điện áp vào Vi sao cho diode Zener hoạt động ở chế độ ổn áp.
Hình 4.8.20. Mạch ổn áp Zener cho ví dụ 8

Lời giải :
Áp dụng các phương trình trên, ta có :
( ) ( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )
Mối liên hệ giữa VL và Vi được thể hiện trong hình 4.8.21.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Hình 4.8.21. Mối liên hệ giữa VL và Vi trong mạch ổn áp Zener ở trên.

9. Một số loại diode khác
Diode biến dung (Varactor)
Diode biến dung là một loại diode luôn luôn hoạt động dưới chế độ phân cực ngược và được
pha tạp sao cho điện dung của vùng chuyển tiếp không gian đạt cực đại. Vùng điện tích không gian
hoạt động như một tụ điện có chứa điện môi do đặc điểm không dẫn điện của nó. Các vùng P và N
là dẫn điện nên chúng sẽ hoạt động như các bản tụ điện (hình 4.9.1).
Bản tụ Bản tụ
Điện môi
Hình 4.9.1. Diode biến dung hoạt động nhƣ một tụ điện có điện dung thay đổi đƣợc
Nguyên lý hoạt động :
Nhắc lại là điện dung của tụ điện phụ thuộc vào các tham số như : diện tích của bản cực (S),
hằng số điện môi (ε) và khoảng cách giữa 2 bản tụ (d) theo công thức dưới đây :
Khi hiệu điện thế phân cực ngược tăng lên, vùng điện tích không gian mở rộng ra tương tự
như khoảng cách của 2 bản tụ điện tăng lên làm giảm điện dung của tụ điện. Khi hiệu điện thế phân
cực ngược giảm đi, vùng điện tích không gian thu hẹp lại và dẫn đến điện dung của tụ điện tăng lên.
Hiện tượng này được miêu tả trong hình 4.9.2(a) và (b). Đường cong của điện dung của diode (CT)
phụ thuộc vào hiệu điện thế phân cực ngược cho một diode biến dung được thể hiện trong hình
4.9.2(c). Với linh kiện này, CT biến đổi từ 30 pF đến giá trị nhỏ hơn 4 pF một chút khi VR thay đổi
từ 1 đến 30V.

54
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Điện dung của diode (pF)

Điện môi mở Điện môi thu hẹp
rộng
Điện áp ngược (V)
a) Điện áp ngược tăng, điện dung giảm a) Điện áp ngược giảm, điện dung tăng c) Ví dụ về điện dung của diode phụ thuộc vào điện áp phân cực ngược
Hình 4.9.2. Điện dung diode biến dung thay đổi theo hiệu điện thế phân cực ngƣợc.
Trong một diode biến dung, các tham số của điện dung sẽ được điều khiển bởi phương pháp
pha tạp ở gần chuyển tiếp PN và kích thước, hình dạng của diode. Về cơ bản, điện dung danh định
của các diode biến dung nằm trong khoảng vài pF đến vài trăm pF. Hình 4.9.3 vẽ ký hiệu của diode
biến dung trong thực tế.
Hình 4.9.3. Ký hiệu của diode biến dung

Tỉ số điện dung (Capacitance Ratio) :
Tỉ số điện dung của diode biến dung còn được gọi là tỉ số điều chỉnh. Đó chính là tỉ lệ giữa
điện dung của diode tại điện áp phân cực ngược nhỏ nhất với điện dung của diode tại điện áp phân
cực ngược lớn nhất. Ví dụ : điện dung của diode biến dung đo được ở 2V là C2 và điện dung của nó
ở 20V là C20. Tỉ số điện dung sẽ là C2/C20.
Với diode biến dung 832A, tỉ số điện dung tối thiểu là 5. Điều này có nghĩa là giá trị điện
dung giảm theo hệ số bằng 5 khi hiệu điện thế ngược đặt lên diode tăng từ 2V lên 20V. Nếu biết C2
= 22 pF, chúng ta có thể tính được thang giá trị điện dung :
( )
Như vậy, điện dung của diode 832A sẽ thay đổi từ 4,4 pF đến 22 pF khi hiệu điện thế phân cực
ngược tăng từ 2V đến 20V.
Diode phát quang (LED-Light Emitting Diode)
Việc màn hình kĩ thuật số được sử dụng rộng rãi trong máy tính cầm tay, đồng hồ và tất cả
các dạng thiết bị khác đã góp phần tạo ra sự quan tâm rộng rãi tới các cấu trúc phát quang có khả
năng phát ra ánh sáng khi đặt vào hiệu điện thế phân cực phù hợp. Hai loại linh kiện phổ biến được
sử dụng để thực hiện chức năng này là diode phát quang (LED) và màn hình tinh thể lỏng (LCD).
Như tên gọi của nó, diode phát quang là diode có khả năng phát ra ánh sáng nhìn thấy hoặc
không nhìn thấy (tia hồng ngoại) khi được cung cấp năng lượng. Trong bất kì trạng thái phân cực
thuận nào của chuyển tiếp PN, trong phạm vi cấu trúc và phần lớn là xảy ra ở gần với vùng chuyển
tiếp, xảy ra sự tái hợp (recombination) của các lỗ trống và electron. Sự tái hợp này yêu cầu năng

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
lượng thuộc về những electron tự do không nằm trong trạng thái liên kết (unbound) chuyển sang
một trạng thái khác. Trong tất cả các bán dẫn chuyển tiêp PN, một phần năng lượng được phát ra ở
dạng nhiệt và một phát ra dưới dạng photon.
Trong diode Si và Ge, phần năng lượng lớn trong quá trình tái hợp tại vùng chuyển tiếp bị
hao phí dưới dạng nhiệt trong cấu trúc và ánh sáng phát ra là không đáng kể.
Vì lí do này, Si và Ge không được sử dụng trong cấu trúc của các linh kiện LED. Mặt khác :
Diode được cấu tạo bởi GaAs phát ra ánh sáng trong vùng hồng ngoại (không nhìn thấy)
trong quá trình tái hợp của chuyển tiếp PN.
Mặc dù ánh sáng phát ra không nhìn thấy được, đèn LED hồng ngoại có nhiều ứng dụng mà
trong đó ánh sáng nhìn thấy đạt được hiệu ứng mong muốn. Đó là các hệ thống an ninh, xử lí công
nghiệp, ghép nối quang học, điều khiển an toàn như hệ thống mở cửa gara, hệ thống trung tâm phục
vụ giải trí trong gia đình nơi mà ánh sáng hồng ngoại của điều khiển từ xa là phần tử điều khiển.
Thông qua sự kết hợp với các phần tử khác, ánh sáng nhìn thấy dạng coherent được phát ra.
Bảng 4.9.1t cung cấp danh sách các chất bán dẫn dạng hỗn hợp phổ biến và ánh sáng mà chúng tạo
ra. Ngoài ra, điện áp phân cực thuận cơ bản của mỗi loại cũng được liệt kê trong bảng.
Điện áp phân cực

Màu sắc Cấu trúc thuận (V)
Bảng 4.9.1t. Các loại diode phát quang (LED)
Cấu trúc cơ bản của đèn LED xuất hiện trong hình 4.9.4 với ký hiệu tiêu chuẩn được sử dụng
cho linh kiện. Bề mặt dẫn kim loại bên ngoài được kết nối với bán dẫn loại p khá nhỏ để cho phép
phát ra số lượng photon lớn nhất từ năng lượng ánh sáng khi thiết bị được phân cực thuận. Lưu ý
trong hình rằng sự tái hợp của các hạt tải được tiêm vào vùng chuyển tiếp khi phân cực thuận dẫn
đến ánh sáng phát ra tại vị trí tái hợp. Tất nhiên, sẽ xảy ra sự hấp thụ của các photon ngay trong cấu
trúc, nhưng có một tỷ lệ rất lớn có thể thoát ra, như trong hình.

56
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Ánh sáng phát ra
Tiếp xúc kim loại Tiếp xúc kim loại
Hình 4.9.4. a) Quá trình phát quang diễn ra trong cấu trúc LED. B) Ký hiệu của LED
Giống như các âm thanh khác nhau có phổ tần số khác nhau (âm cao thường có những thành
phần tần số cao và âm thấp có nhiều thành phần tần số thấp), điều này cũng đúng với các phát xạ
ánh sáng khác nhau.
Phổ tần số cho ánh sáng hồng ngoại nằm trong khoảng từ khoảng 100 THz (T = tera = 1012)
đến 400 THz, và phổ ánh sáng nhìn thấy nằm trong khoảng từ khoảng 400 đến 750 THz.
Một lưu ý thú vị rằng, ánh sáng không nhìn thấy có tần số thấp hơn ánh sáng nhìn thấy.
Nói chung, khi nói về đáp ứng của các linh kiện quang điện, người ta thường tham chiếu tới
bước sóng của chúng hơn là tần số của chúng. Hai đại lượng này liên hệ với nhau qua phương
trình :
Trong đó : c = 3 × 108 m/s (tốc độ của ánh sáng trong chân không), f = tần số (Hz), λ = bước sóng
(m).
Ví dụ 1: Sử dụng phương trình (1.15) , tìm khoảng bước sóng cho ánh sáng nhìn thấy có khoảng tần
số từ 400 THz đến 750 THz.
Lời giải:
[ ]
400 nm đến 750 nm

Lưu ý trong ví dụ trên, kết quả tính nghịch đảo từ tần số cao hơn sang bước sóng nhỏ hơn.
Nghĩa là tần số cao hơn dẫn đến bước sóng nhỏ hơn. Ngoài ra, hầu hết các biểu đồ sử dụng đơn vị
nanomet (nm) hoặc angstrom (Å). Một đơn vị angstrom bằng 10-10 m.
Đáp ứng trung bình của mắt người như được cung cấp trong hình 4.9.5 kéo dài từ khoảng
350nm đến 800nm với cực đại gần 550nm.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Một lưu ý thú vị rằng đáp ứng cực đại của mắt là màu xanh lá cây, với màu đỏ và màu xanh
nằm ở đầu dưới của đường cong hình chuông. Biểu đồ cho thấy rằng một LED màu đỏ hoặc màu
xanh lam sẽ có hiệu năng mạnh hơn nhiều so với LED xanh lục ở cùng cường độ. Nói cách khác,
mắt nhạy cảm với màu xanh lục hơn các màu khác. Hãy nhớ rằng các bước sóng được chỉ ra là dành
cho đáp ứng cực đại của mỗi màu. Tất cả các màu được chỉ định trên đồ thị sẽ có đáp ứng đường
cong hình chuông, ví dụ như màu xanh lá cây, vẫn có thể nhìn thấy ở 600nm, nhưng ở mức cường
độ thấp hơn.
Cường độ sáng (Lm/W)
Vùng tử ngoại Vùng hồng ngoại
Hình 4.9.5. Đƣờng cong đáp ứng chuẩn của mắt ngƣời : đáp ứng của mắt đối với năng
lƣợng ánh sáng đạt giá trị cực đại với màu xanh lục và giảm dần với màu xanh lam và màu đỏ
Như đã đề cập ở phần trước, GaAs với vùng cấm lớn hơn 1.43 eV khiến nó phù hợp với bức
xạ điện từ của ánh sáng nhìn thấy, trong khi đó Si với vùng cấm 1.1 eV dẫn đến sự tiêu thụ nhiệt khi
tái hợp. Ảnh hưởng của sự khác biệt này lên vùng cấm có thể được giải thích ở một mức độ nào đó
bằng cách nhìn nhận rằng để di chuyển electron từ một mức năng lượng riêng biệt này sang một
mức năng lượng khác cần một lượng năng lượng cụ thể nào đó. Lượng năng lượng đòi hỏi được tính
bởi :
Trong đó: Eg = Joules (J) [ 1 eV = 1.6 × 10-19 J], h = hằng số Planck = , c=3×
8
10 m/s, λ : bước sóng (m)
Nếu ta thay mức vùng cấm là 1.43 eV cho GaAs vào phương trình, chúng ta sẽ được bước
sóng như sau :
[ ] ()
và :

58
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
( ) ( )
( )
Tương tự với Si, Eg = 1,1 eV : λ ≈ 1130 nm nằm rất xa vùng phổ khả kiến.
Bước sóng 869 nm đặt GaAs trong vùng bước sóng thường được sử dụng trong các thiết bị
hồng ngoại. Đối với một vật liệu hỗn hợp như GaAsP có năng lượng vùng cấm là 1.9 eV, bước sóng
thu được là 654 nm nằm tại trung tâm của vùng ánh sáng đỏ làm nó trở thành một chất bán dẫn
tuyệt vời cho sản xuất LCD. Do đó, nhìn chung :
Các bước sóng và tần số của ánh sáng của một màu sắc cụ thể có liên quan trực tiếp đến
năng lượng vùng cấm của vật liệu.
Do đó, bước đầu tiên trong việc sản xuất một chất bán dẫn hỗn hợp có thể được sử dụng để
phát ra ánh sáng là việc kết hợp các vật liệu để tạo ra vùng cấm như mong muốn.
Phân cực cho LED :
Điện áp phân cực thuận cho LED là khá lớn so với diode Si. Về cơ bản, điện áp phân cực
thuận VF trên LED rơi vào khoảng từ 1,2V đến 3,2V tùy thuộc vào vật liệu. Điện áp đánh thủng
ngược của LED nhỏ hơn rất nhiều so với diode Si chỉnh lưu (từ 3V đến 10V).
Ánh sáng từ LED dưới tác dụng của dòng phân cực thuận đủ lớn được chỉ ra trên hình
4.9.6(a). Lượng công suất đầu ra chuyển hóa thành ánh sáng tỉ lệ thuận với dòng điện phân cực như
hình 4.9.6(b). Khi dòng điện IF tăng lên tương ứng với sự tăng lên của cường độ sáng phát ra. Ánh
sáng phát ra (cả cường độ lẫn màu sắc) đều phụ thuộc vào nhiệt độ. Cường độ sáng sẽ giảm đi khi
nhiệt độ tăng lên như được chỉ ra trên hình vẽ.
Phát xạ ánh sáng của LED :
LED sẽ phát xạ ánh sáng trên một dải bước sóng xác định như được thể hiện trên đường cong
phổ ánh sáng phát xạ hình 4.9.7. Những đường cong trong hình (a) biểu diễn ánh sáng phát xạ phụ
thuộc vào bước sóng của một số LED phát xạ ánh sáng khả kiến và đường cong trong hình (b) dành
cho một loại LED phát xạ ánh sáng hồng ngoại điển hình. Bước sóng λ được tính theo nano-met
(nm). Tín hiệu ra được chuẩn hóa của LED màu đỏ có giá trị đỉnh ở 660 nm, màu vàng ở 590 nm,
màu xanh lục ở 540 nm và xanh dương ở 460 nm. Với LED hồng ngoại, giá trị đỉnh của phổ phát
xạ là 940 nm.
Ánh sáng phát ra
Dòng phân cực thuận
a) Hoạt động ở vùng phân cực thuận b) Công suất ánh sáng phát ra so với dòng phân
cực thuận ở 2 nhiệt độ khác nhau
Hình 4.9.6. Nguyên lý hoạt động cơ bản của LED

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Công suất phát xạ chuẩn hóa
Công suất phát xạ chuẩn hóa

Bước sóng λ (nm) Bước sóng λ (nm)
a) Ánh sáng khả kiến b) Tia hồng ngoại
Hình 4.9.7. Một số ví dụ về đƣờng cong phổ phát xạ của một số LED.
Hình 4.9.8 dưới đây chỉ ra đồ thị phát xạ (radiation pattern) của các LED công suất thấp.
LED là một nguồn sáng có hướng (không giống như bóng đèn dây tóc và đèn huỳnh quang). Đồ thị
phát xạ của LED thường vuông góc với bề mặt phát xạ; tuy nhiên, nó có thể được thay đổi bằng
hình dạng của bề mặt phát xạ, thấu kính, bản mỏng khuếch tán để lựa chọn vùng phát xạ mong
muốn. Đồ thị hướng phát xạ đem lại nhiều tiện ích trong một số ứng dụng như đèn giao thông, nơi
mà ánh sáng được phục vụ chủ yếu cho các lái xe ở trên đường. Hình 4.9.8(a) thể hiện đồ thị phát xạ
của một LED phát xạ về phía trước được sử dụng trong một số biển quảng cáo. Hình 4.9.8(b) thể
hiện đồ thị phát xạ cho một số LED có góc mở rộng thường được sử dụng trong các LED siêu sáng.
Các đồ thị phát xạ khác của LED có thể được tìm thấy trong các tài liệu kỹ thuật do nhà sản xuất
cung cấp.
Cường độ tương đối Cường độ tương đối

a) LED có góc mở hẹp b) LED có góc mở rộng
Hình 4.9.8. Đồ thị phát xạ của 2 LED khác nhau.
Hầu hết các LED chỉ thị có kích thước nhỏ được mô tả trong hình 4.9.9(a). Cùng với các
LED chỉ thị kích thước nhỏ, các LED siêu sáng xuất hiện nhiều trong các ứng dụng chiếu sáng vì
chúng có hiệu suất cao và thời gian sống dài. Một LED chiếu sáng điển hình có thể cung cấp cường
độ sáng 50-60 Lm/W, xấp xỉ gấp 5 lần hiệu suất của một bóng đèn dây tóc thông thường. Các LED
trong ứng dụng chiếu sáng có rất nhiều hình dạng khác nhau, bao gồm từ các ống dẻo sử dụng trong

60
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
các ứng dụng chiếu sáng trang trí đến các bóng công suất thấp sử dụng trong vườn nhà hoặc lối đi
ngoài đường. Một số bóng LED được thiết kế sử dụng trực tiếp điện áp xoay chiều thông thường.
a) Các LED chỉ thị có kích thước nhỏ
b) Các LED chiếu sáng điển hình
Hình 4.9.9. Một số loại LED điển hình.

Diode Laser
Thuật ngữ LASER là chỉ linh kiện khuếch đại ánh sáng phát xạ kích thích (Light
Amplification by Stimulated Emission of Radiation). Ánh sáng Laser là ánh sáng đơn sắc, nghĩa là
chỉ có một màu và không trộn lẫn với các màu sắc khác. Ánh sáng của laser còn được gọi là ánh
sáng “coherent”, một bước sóng để so sánh với ánh sáng “incoherent” chứa một dải các bước sóng.
Thông thường, diode Laser phát xạ ánh sáng “coherent” còn LED phát xạ ánh sáng “incoherent”.
Biểu tượng của diode Laser được thể hiện trong hình 4.9.10(a).
Bề mặt phản
Bề mặt phản xạ một phần
xạ cao
Vùng điện
Chuyển tiếp PN tích không
gian
a) Biểu tượng
Hình 4.9.10. Cấu tạo cơ bản và nguyên lý hoạt động của diode LASER.
Cấu trúc cơ bản của một diode Laser được thể hiện trong hình 4.9.10(b). Chuyển tiếp PN
được hình thành bởi 2 lớp GaAs pha tạp. Độ dài của chuyển tiếp PN có mối liên hệ mật thiết với
bước sóng của ánh sáng phát xạ. Cấu trúc của diode Laser có 2 bề mặt phản xạ : một bề mặt phản xạ
cao và một bề mặt phản xạ một phần ở 2 đầu khác nhau tạo thành một buồng cộng hưởng cho các
photon. Các tấm kim loai 2 bên tạo thành kết nối anode và cathode cho Laser.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Nguyên lý hoạt động cơ bản của diode Laser như sau : diode Laser được phân cực thuận bởi
nguồn điện áp bên ngoài. Khi electron di chuyển tới vùng chuyển tiếp, quá trình tái hợp diễn ra như
đối với diode thông thường. Khi electron và lỗ trống tái hợp, photon được phát xạ ra. Photon phát xạ
có thể đập vào các nguyên tử, tạo ra một photon mới được phát xạ. Khi dòng phân cực thuận tăng
lên, càng có nhiều electron được tiêm vào vùng điện tích không gian làm cho càng có nhiều photon
được phát xạ ra. Cuối cùng, một số photon trôi tự do trong vùng điện tích không gian sẽ đập vuông
góc vào các bề mặt phản xạ. Những photon phản xạ này chuyển động dọc theo vùng điện tích không
gian, đập vào các nguyên tử và tiếp tục giải phóng ra các photon khác do hiệu ứng avalanche. Quá
trình chuyển động qua lại như vậy của photon làm tăng cường khả năng phát xạ các photon (tương
tự như quả cầu tuyết càng chuyển động thì càng lớn lên) cho đến khi một tia phát xạ có cường độ
mạnh của ánh sáng Laser được hình thành bởi các photon đi qua bề mặt phản xạ một phần trên một
đầu của chuyển tiếp PN.
Mỗi photon tạo ra bởi quá trình này là giống hệt nhau với cùng mức năng lượng, pha và tần
số. Vì vậy, một bước sóng đơn sắc của tia sáng laser sẽ được phát ra từ Laser diode như được thể
hiện trong hình 4.9.10(c). Diode Laser có một ngưỡng của dòng điện mà phát xạ laser chỉ xảy ra khi
dòng điện lớn hơn ngưỡng đó. Nếu dòng điện nhỏ hơn ngưỡng phát laser, diode Laser sẽ hoạt động
tương tự như một LED phát xạ ánh sáng “incoherent”.
Diode Schottky
Diode Schottky là một loại diode chịu dòng tải lớn và thường được sử dụng trong các ứng
dụng tần số cao và chuyển mạch tốc độ cao. Nó còn được gọi là diode có “hạt tải nóng”. Thuật ngữ
“hạt tải nóng” bắt nguồn từ mức năng lượng cao của các eletron trong vùng bán dẫn N lớn hơn so
với mức năng lượng của electron trong vùng kim loại. Một diode Schottky được biểu diễn như trong
hình 4.9.11. Diode Schottky được hình thành từ sự kết hợp giữa một vùng bán dẫn pha tạp (thường
là loại N) với một kim loại như vàng, bạc hoặc platinum. Trong diode Schottky, tồn tại một chuyển
tiếp kim loại-bán dẫn (không phải là chuyển tiếp PN) như được chỉ ra trong hình 4.9.12. Điện áp rơi
trên diode thường vào khoảng 0,3V vì không tồn tại vùng điện tích không gian như trong chuyển
tiếp PN của diode thông thường.
Hình 4.9.11. Biểu tƣợng của diode Schottky
Chuyển tiếp kim loại-

bán dẫn
Vùng n Vùng kim loại
Hình 4.9.12. Cấu tạo cơ bản của một diode Schottky

62
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
Dòng điện trong diode Schottky chỉ bao gồm dòng của các hạt tải đa số. Vì không tồn tại
dòng hạt tải thiểu số nên diode Schottky không tồn tại dòng rò ngược như các loại diode khác. Vùng
kim loại bao gồm toàn bộ các electron nằm trong vùng dẫn và vùng bán dẫn loại N được pha tạp
yếu. Khi phân cực thuận, các electron năng lượng cao từ vùng bán dẫn N được tiêm vào vùng kim
loại và chúng sẽ xả ra năng lượng dư thừa một cách nhanh chóng. Khi không có dòng điện của các
hạt tải thiểu số như các diode chỉnh lưu thông thường khác, sự thay đổi của điện áp phân cực sẽ
được đáp ứng nhanh chóng. Diode Schottky là diode chuyển mạch tốc độ cao và hầu hết các ứng
dụng của nó đều sử dụng tính chất này. Nó thường được sử dụng trong các ứng dụng tốc độ cao và
trong các mạch điện tử số để giảm thời gian chuyển mạch. Họ logic TTL dòng LS (viết tắt của chữ
Low-power Schottky) là một loại mạch số tổ hợp thông dụng sử dụng diode Schottky.
Diode PIN
Diode PIN chứa một vùng bán dẫn P và một vùng bán dẫn N pha tạp mạnh được tách ra bởi
một vùng bán dẫn thuần (I) như trong hình 4.9.13(a). Khi phân cực ngược, diode PIN hoạt động
tương tự như một tụ điện có điện dung gần như không đổi. Khi phân cực thuận, nó hoạt động tương
tự như một điện trở biến đổi phụ thuộc vào dòng điện điều khiển. Tính chất này được thể hiện trong
hình 4.9.13(b) và 4.9.13(c). Điện trở phân cực thuận nhỏ của vùng bán dẫn thuần sẽ giảm đi khi
dòng điện tăng lên.
Vùng bán
Vùng n dẫn thuần Vùng p
a) Cấu tạo b) Phân cực ngược c) Phân cực thuận
Hình 4.9.13. Diode PIN
Đặc điểm của điện trở phân cực thuận và điện dung phân cực ngược được chỉ ra trên hình vẽ
4.9.14 cho một diode PIN điển hình.
Diode PIN được sử dụng như một chuyển mạch cao tần điều khiển bằng điện áp một chiều
phân cực hoặc một linh kiện điều chế khi sử dụng tính chất của điện trở phân cực thuận biến đổi. Vì
tính chất chỉnh lưu không còn trên chuyển tiếp PN, tín hiệu tần số cao có thể được điều chế (biến
thiên) dưới tác động của một tín hiệu điện áp phân cực tần số thấp. Diode PIN cũng được sử dụng
trong các ứng dụng của bộ suy hao vì điện trở của nó có thể được điều khiển bởi dòng điện. Một số
diode PIN được sử dụng như đầu thu quang trong hệ thống sợi quang.

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
CT- điện dung của diode (pF)

RS- điện trở thuận (Ω)
IF- dòng phân cực thuận (mA) VR- điện áp phân cực ngược (V)
Hình 4.9.14. Đặc điểm của diode PIN

64

C3.2Hoc Lieu Cac Mach Ung Dung Cua Diode

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

C3.2Hoc Lieu Cac Mach Ung Dung Cua Diode

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Học để lập nghiệp

KHÓA HỌC: ĐIỆN TỬ TƢƠNG TỰ

Mô hình diode thực tế :

Mô hình diode đầy đủ :

Phƣơng pháp đƣờng tải tĩnh (load-line)

Hình 4.1.2. Mạch điện chứa diode : a) sơ đồ mắc nối tiếp

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Đặc tuyến của linh kiện

Đường tải tĩnh (dựa vào

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 3

Hình 4.1.4. Ví dụ 2 : a) mạch điện b) đƣờng cong đặc tuyến

Hình 4.1.5. Lời giải của ví dụ 2

Hình 4.1.6. Mạch điện tƣơng đƣơng trong ví dụ 2

Cường độ dòng điện

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 5

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Hình 4.2.1. Mô hình lý tƣởng và thực tế của diode

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 7

Hình 4.2.2. Mạch diode mắc nối tiếp

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Hình 4.2.5. Bài tập ví dụ 3

Ví dụ 4 : Lặp lại ví dụ 3 với diode đã được đảo ngược chiều.

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 9

Hình 4.2.7. Ký hiệu nguồn điện

Hình 4.2.8. Bài tập ví dụ 5

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Hình 4.2.10. Bài tập ví dụ 6

Hình 4.2.11. Xác định các thông số chƣa biết trong ví dụ 6

Hình 4.2.12. Bài tập ví dụ 7

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 11

Hình 4.2.13. a) Xác định trạng thái của mỗi diode

Hình 4.2.14. Bài tập ví dụ 8

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Hình 4.3.1. a) Mạch điện cho ví dụ 1.

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 13

Dòng điện trong mạch sẽ là :

Giả sử hai diode có cùng đặc tính, ta có:

Hình 4.3.2. Mạch điện cho ví dụ 2

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Hình 4.3.3. Nguyên lý hoạt động của mạch hình 4.3.2

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 15

Điện trở chuẩn

Hình 4.3.5. Mạch bảo vệ cho đèn LED đỏ

Ví dụ 3 : Tính hiệu điện thế của mạch trong hình 4.3.6.

Hình 4.3.6. Mạch điện ví dụ 3

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Ví dụ 4 : Tính , , và trong mạch hình 4.3.8.

Hình 4.3.8. Mạch điện cho ví dụ 4

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 17

Tại nút a ở dưới :

Hình 4.3.9. Xác định các thông số mạch điện cho ví dụ 4

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Hình 4.4.1. Cổng logic OR dƣơng

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 19

Hình 4.4.3. Công logic AND dƣơng

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà

Bộ biến Bộ chỉnh Bộ lọc Bộ ổn áp

a) Sơ đồ khối nguồn điện một chiều DC hoàn chỉnh

Điện áp ra bộ chỉnh lưu nửa sóng

b) Bộ chỉnh lưu nửa sóng

Hình 4.5.1. Sơ đồ khối của nguồn một chiều DC

Nguyên lý hoạt động của bộ chỉnh lƣu nửa sóng

Giảng viên: TS. Dương Quang Hà 21

c) 60 Hz điện áp ra nửa sóng cho 3 chu kỳ của điện áp vào