Professional Documents
Culture Documents
1) Stosowany zapis jest równoważny notacji przyrostowej (z wykorzystaniem symbolu Δ oznaczającego przyrost i dużych liter
i2 ∆I2
oznaczających składowe stałe), np.: h22 = | = |
u2 i1 =0 ∆U2 I1 =const
Rys.9.2. Ilustracja sposobu określania parametrów hije przy wykorzystaniu charakterystyk statycznych tranzystora
bipolarnego w konfiguracji WE
Tabela 9.1.Zależność między parametrami hij dla różnych konfiguracji tranzystora bipolarnego
WE WB WC
𝐡𝐢𝐣𝐞 𝐡𝐢𝐣𝐛 𝐡𝐢𝐣𝐜
h11e
h11e h11b = h11c = h11e
1 + h21e
h11e h22e
h12e h12b = − h12e h12c = 1 − h12e
1 + h21e
h21e
h21e h21b = ≈1 h21c = (1 + h21e ) ≈ h21e
1 + h21e
h22e
h22e h22b = h22c = h22e
1 + h21e
Na rysunku 9.3b przedstawiono jego uproszczoną wersję, w której pominięto parametry h12
i h22. Nie uwzględniono ich, gdyż w rzeczywistości h12<<1 (zatem źródło napięciowe h12 u2
jako mające niewielką wydajność można traktować jako zwarcie) i h22<<1 (zatem impedancję
1/h22 jako bardzo dużą można traktować jako rozwarcie w obwodzie).
Uproszczony model zastępczy z rys.9.3b można stosować do wszystkich konfiguracji
tranzystora. Istnieją jednak dwa sposoby wykorzystywania tych modeli.
Pierwszy sposób polega na tym, że zachowuje się dokładnie schemat jak na ww. rysunku
używając tylko odpowiednich grup parametrów dla odpowiedniej konfiguracji, tj. parametrów
hije dla WE, hijb dla WB i hijc dla WC. Wtedy to również napięcia wejściowe i wyjściowe są
napięciami pomiędzy odpowiednimi dla danej konfiguracji elektrodami i tak dla WB u1=ubc,
u2=ubc, dla WE u1=ube, u2=uce, a dla WC u1=ubc, u2=uec.
Rys.9.5. Model liniowy tranzystora unipolarnego (a) oraz jego uproszczone wersje dla konfiguracji wspólne
źródło - WS (b), wspólny dren - WD (c), wspólna bramka - WG (d)
Dla małych częstotliwości można uprościć ten model, nie uwzględniając w nim pojemności
(rys.9.5b, c, d)
W modelu macierzowym tranzystora bipolarnego najczęściej występuje macierz
admitancyjna y. Wynika to stąd, że impedancje wejściowa i wyjściowa tranzystorów
polowych są duże, czyli łatwo spełnić warunek zwarcia na wejściu i wyjściu przy pomiarze
parametrów tej macierzy. Jeżeli przyjmuje się zmienne wejściowe i wyjściowe jak na rys. 9.1,
równania admitancyjne mają kształt:
i1 = y11 u1 + y12 u2 (9.3)
i2 = y21 u1 + y22 u2 (9.4)
gdzie parametry yij są elementami macierzy admitancyjnej y. Dla modeli z rys.9.5b, c, d
odpowiadające im macierze admitancyjne określone są następująco:
Rys.9.7. Typowa charakterystyka amplitudowa wzmacniacza RC i jej podział na zakresy: a - małych, b - średnich,
c - dużych częstotliwości
Rys.9.8. Schemat zastępczy wzmacniacza z rys. 9.7 dla zakresu średnich częstotliwości
2
Stosowany jest skrócony zapis symbolizujący połączenie równoległe rezystancji R1 i R2 a mianowicie
R1 R2 R1 R2 R3
R1 ||R 2 ≡ oraz rezystancji R1, R2 i R3 jako: R1 ||R 2 ||R 3 ≡
R1 +R2 R1 R2 +R1 R3 +R2 R3
Rys.9.9. Schemat zastępczy wzmacniacza z tranzystorem w konfiguracji wspólnego emitera przy braku
pojemności CE
Układ wspólnej bazy (rys. 9.11a) jest bardzo rzadko stosowany w zakresie małych
częstotliwości jako samodzielny wzmacniacz. Najczęściej, podobnie jak układ WK, występuje
w połączeniach z innymi konfiguracjami w układach wielotranzystorowych.
Układ może dostarczać wzmocnienia napięciowego o wartościach porównywalnych ze
wzmacniaczem w konfiguracji WE, jednak przy bardzo małej rezystancji wejściowej
wzmacniacza rzędu h11b, tzn. dziesiątek setek omów.
Wyznaczając na podstawie schematu zastępczego (rys.9.11b) u1=ieh11b oraz u2=icRC||RL,
wzmocnienie napięciowe wzmacniacza można określić za pomocą wzoru
u2 R C ||R L R C ||R L
ku = = h21b =∝ (9.24)
u1 h11b h11b
Wzmocnienie prądowe podane jest zależnością
Rys. 9.11. Wzmacniacz z tranzystorem w konfiguracji wspólnej bazy: a) schemat ideowy, b) schemat zastępczy
dla średnich częstotliwości
parametr WE WK WB
Rys. 9.12. Wzmacniacz z tranzystorem unipolarnym w konfiguracji WS: a) schemat ideowy, b) schemat
zastępczy dla średnich częstotliwości
Rys. 9.13. Wzmacniacz z tranzystorem unipolarnym w konfiguracji WD: a) schemat ideowy, b) schemat
zastępczy dla średnich częstotliwości
Wzmocnienie napięciowe określono jako stosunek napięcia u2 = g m ugs (rd ||R S ||R L ) do