Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

PHẦN
TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH
Công suất: 60(W)
Trở kháng vào: Z i = 200 (kΩ)
Trở kháng loa: P L = 8 (Ω)
Điện áp vào: V i = 0,5 (V)
Méo phi tuyến: γ ≤ 0,30 %
Băng thông: 30 Hz ÷ 15 kHz

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

Tác dụng cuả các linh kiện:

Q1, Q3 và Q 2, Q4: các cặp BJT ghép Dalington khếch đại công suất
Q 5: BJT khuếch đại thúc.
Q 7: BJT khuếch đại đầu vào
Q6, VR2, D4, D5, D6: tạo thành nguồn dòng.
Q 8, Q 9: Các BJT bảo vệ quá tải, ngắn mạch
R1, R 2: Điện trở ổn định nhiệt và cân bằng dòng ra.
R3, R 4: Điện trở rẽ dòng nhiệt.
R15, R16, R17, R18,: Điện trở phân cực cho Q 8, Q9..
D1, D2, D3, VR1: Định thiên áp để các BJT công suất Q 1, Q2 làm việc ở chế độ AB.
R8: Điện trở ổn định nhiệt cho Q 5.
VR3, R9, C3: Thành phần hồi tiếp âm để mạch ổn định.
R10, R11: Cầu phân áp cho Q 5.
R13, R14: Cầu phân áp cho Q 7.
R12, CL: Mạch lọc nguồn loại bỏ các th ành phần tần số cao, chống hiện
tượng dao động tự kích trong mạch.
C1: Tụ liên lac ngõ vào
C2: Tụ liên lac ngõ ra
R20, C4: Thành phần cân bằng trở kháng loa ở tần số cao.

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

1. Tính toán tầng nguồn

1.1. Biên độ tín hiệu ra loa:
Tín hiệu vào mạch khuếch đại có dạng: v= V.sin t.
Nếu hệ thống là tuyến tính thì tín hiệu trên tải là:
vL = VLP.sint + VLo
iL = ILP. sint + ILo
Trong đó: V LP, ILP là biên độ điện áp và dòng ra trên tải
V Lo, ILo là điện áp và dòng DC trên tải.
Do tầng công suất làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh và điện áp tĩnh trên tải là
không đáng kể nên:
vL = VLP. sint
iL = ILP. sint
Gọi VL, IL là điện áp và dòng hiệu dụng trên tải. Khi đó ta có:
VLP I LP
VL= ; I L=
2 2
Công suất trên tải là:
2
VL V2L V 2 LP
PL = IL2.R L = RL . = =
R 2L RL 2R L
 VLP = 2.PL .RL
 VLP = 2.60.8 = 31 (V)
V
Và ILP = LP = 31 = 3,87 (A).
RL 8
1.2. Điện áp nguồn cung cấp:
Do Q 1, Q2 làm việc ở chế độ AB nên chọn hệ số sử dụng nguồn  = 0,8. Để
tránh méo tín hiệu ra chọn V cc  2VLP.
→ 2.V LP = ξ.V CC → VCC = 2VLP = 2.31 = 77,5 (V)
 0,8
Chọn nguồn cung cấp 80 (V).
2. Tính toán tầng công suất
Để tránh méo xuyên tâm, đồng thời đảm bảo hiệu suất. Chọn Q 1, Q2 làm việc ở
chế độ AB. Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng
2050mA. Ở đây, chọn I EQ1 = IEQ2 = 50 (mA).
Dòng đỉnh qua Q 1, Q2 là:
IE1p = IE2p = ILp + IEQ1 = 3,87(A) + 0,05(mA) = 3,92(A).
2.1. Tính toán R 1, R2:

R1, R2 có tác dụng ổn định nhiệt và cân bằng dòng cho Q 1, Q2 và tín hiệu trên
R1, R2 cũng là tín hiệu qua loa:

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

ie1 = ie2 = ILP.sint ( trong khoảng 0  π )

ie

0 π 2π 3π 4π 5π 6π t


Nếu chọn R 1, R2 lớn thì tổn hao trên loa nhiều. Do đó phải chọn sao cho tín hiệu
ra loa là lớn nhất.
Để tránh tổn thất tín hiệu ng ười ta thường chọn:
VR1P = 1 VLP = 1 .31 = 1,55 (V)
20 20
Giá trị điện trở R 1, R2 là:
VR1P
R1 = R 2 = = 1,55  0,40()
I E1P 3,92
Công suất tiêu tán trên R 1, R2 là:
PR1 = PR2 = R1.IL2
 
1 2 1  cos 2t I2
mà IL2 = 1  I LP sin tdt 
2 2
I LP  dt  LP
2 0
2 0
2 4
( Vì dòng qua R 1 chỉ một nữa chu kỳ )
2 2
 PR1 = PR2 = R1 I LP  0,40. (3,87)  1,49(W)
4 4
Vậy chọn R R1, RR2 là loại: R 1 = R2 = 0,4(Ω)/3(W).

2.2. Tính chọn Q1, Q2:

Dòng cung cấp trung bình cho Q 1, Q2 trong một chu kỳ

Itb = 1 I LP
2 
I sin tdt 

LP
0

Công suất nguồn cung cấp: P cc=Vcc.Icc = Vcc = Vcc.Itb= Vcc I LP


2
I LP I
Công suất tiêu tán trên tải: PL = IL2RL= ( ) 2 .R L 
LP
RL
2 2
* Nếu bỏ qua công suất tiêu tán trên R 1, R2 thì công suất tiêu tán trên tiếp xúc J c phân
cực ngược của 02 BJT Q 1, Q2 là:

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

2
2PttAC = PCC - PL = VCC .ICC - I2L RL= VCC I LP  I LP RL (2.1)
 2
Đạo hàm hai vế từ (2.1) theo I LP ta có:
2dPttAC VCC Vcc
  I LP RL  0 => I LP 
dI LP  .R L
Thay vào (2.1) ta có công suất tiêu tán cực đại trên mỗi BJT là:
2 2 2
1 VCC 1 VCC 1 VCC 80 2
P  ( 2  )    20,26( W )
tt AC max 2  RL 2  2 RL 4  2 .RL 4. 2 .8
* Nếu không bỏ qua công suất ti êu tán trên R 1, R2 thì:
I LP 2 1 1
PR1  PR 2  R1 .I 2 L  R1 ( )  R1 I LP  .0,4.(3,87) 2  1,49( W )
2

2 4 4
Công suất tiêu tán trên 2 BJT Q 1, Q2 là:
2
I LP I 1
2 PttAC  Pcc  PL  2 PR1  Vcc  RL LP  2. R1I LP
2
(2.2)
 2 4
Đạo hàm 2 vế (2.2) theo I LP:
d 2 PttAC
Vcc 2 1
  RL I LP  2. .2.R1.I LP  0
dI LP  2 4
=> ( RL  R1 ) I LP max  Vcc => I LP max  Vcc
Thay vào (2.2) ta có:
  ( RL  R1 )
Công suất tiêu tán cực đại trên mỗi BJT là:
2 2 2
1 V RL .Vcc 1 R1.Vcc
PttAC max  ( 2 cc   )
2  ( RL  R1 ) 2. ( RL  R1 )
2 2
2  ( RL  R1 ) 2
2

2
Vcc 80 2
=1 
1
 19,29( W )
4  2 ( RL  R1 ) 4  2 (8  0,4)
Công suất tiêu tán trên mỗi BJT do dòng tĩnh:
Vcc 80(V )
PttDC  VCEQ I EQ  .I EQ  .50( mA)  2( W )
2 2
Vậy công suất tiêu tán trên 1 BJT là:
Ptt  PttAC  PttDC  19,29  2  21,29( W)
Do đó Q 1, Q2 được chọn sao cho thoả mãn điều kiện sau:
IC > IE1P = 3,92(A)
VCEo > Vcc = 80(V)
PC > Ptt , thường chọn P C>2. Ptt = 2.21,29 = 42,58(W)
 
Sau khi tra cứu ta tìm đươc là
Chọn Q1, Q2 là loại BJT 2SC5200, 2SA1943

BJT Pcmax (W) Ic β (hfe) VCEo fgh T(0C) loại

2SC5200 150 15A 55÷160 230V 30MHz 150 SN
2SA1943 150 15A 55÷160 230V 30MHz 150 SP

Băng thông tín hiệu tải yêu cầu là: 30Hz÷15KHz nên tần số làm việc của BJT
phải lớn hơn 16KHz.

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

Dải tần cho phép của 2SA1943 l à:

fT 30
f    187,5( KHZ )
 160
Nên BJT 2SA1943có BW = ( 0 ÷ 187,5KHz) tho ả mãn yêu cầu băng thông
(30Hz ÷ 15KHz).

2.3. Tính chọn điện trở rẽ dòng R3, R4:

* Chọn hfe1 = hfemin = 55
I E1Q 50mA
Dòng I B1Q    0,89(mA)
(1  h fe min ) 55  1
I E1P 3,92
I B1P    0,07( A)  70(mA)
(1  h fe1min ) 1  55
* Theo đặc tuyến vào của BJT 2SC5200
I C1Q  50(mA)  0,05( A) → VB1E1Q  0,6(V )
I C1P  3,92( A) → VB1E1P  0,78(V )
Ta có R3, R4 là điện trở rẽ dòng nhiệt: Vừa ổn định điểm làm việc tĩnh cho Q 3,
Q4 vừa làm tăng tốc độ chuyển mạch cho Q 1, Q2 trong miền tần số thấp.
Đối với tín hiệu 1 chiều: R 3, R4 cho đi qua dễ dàng, còn đối với tín hiệu xoay
chiều thì R3, R4 cho đi qua rất ít để không bị tổn hao tín hiệu xoay chiều tr ên R3, R4.
Do đó, chọn R3, R4 phải thoả mãn các điều kiện sau:
- Nhỏ hơn trở kháng vào DC của Q1, Q2 để rẽ dòng nhiệt, xả điện tích dư khi
các transistor chuyển từ dẫn sang tắt.
- Lớn hơn trở kháng vào AC của Q1, Q2 để giảm tổn thất tín hiệu. Nghĩa l à:
Zin ACQ1 << R3 = R4 << Z inDCQ1

VR1P = R1.IR1P = R1.IE1P= 0,4.3,92 = 1,56 (V)

VR1Q = R1.IR1Q = R1.IE1Q= 0,4.0,05 = 0,02 (V)

VB1E1Q  VR1Q 0,6  0,02

ZinDCQ1 =   0,696 (K) = 696 ( )
I B1Q 0,89
V B1E1P  V R1P  (V B1E1Q  V R1Q )
ZinACQ1 =
I B1P  I B1Q

= 0,78  1,56  (0,6  0,02)  0,024( K)  24()

70  0,89
Điều kiện chọn R 3, R3 là:
ZinACQ1 << R3 = R4 << ZinDCQ1
 24 () << R3 = R4 << 696 
Nên chọn R 3 = R4 = 220 

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

2.4. Tính chọn Q3, Q4:

VB1E1Q  VR1Q 0,6  0,02
Dòng tĩnh qua R 3: I R Q    2,81 (mA)
3
R3 220
VB1E1Q  VR1P 0,78  1,56
Dòng cực đại qua R 3: I R P    10,6 (mA)
3
R3 220
Dòng tĩnh qua Q 3:
I E3Q  I R3Q  I B1Q  2,81  0,89  3,7 (mA)
Dòng cực đại qua Q 3:
I E3 P  I R3 P  I B1P = 10,6+70 = 80,6 (mA)
Công suất tiêu tán của Q3 do tín hiệu xoay chiều tạo ra:
2
VCC
PttAC max  (2.3)
4 2 RtQ3
*Với RtQ  ( R3 // Z inACQ )  (1  h fe ) R L
3 1 1

R3 // ZinACQ1 = 220.24  21,6()

220  24
Nên RtQ  21,6  (1  55)8  469,6()
3

Thay vào (2.3) ta có công suất tiêu tán của Q3 do tín hiệu xoay chiều tạo ra:
80 2
PttACmax   0,345(W )  345(mW )
4 2 .469,6
Công suất tiêu tán DC của Q3 :
PttDC  VCE3 .I E3Q
Vcc V
Với VCE   VR3Q  cc  I R3Q .R3  40  2,81.220  39,38(V )
3
2 2
Nên PttDC  29,39.3,66 = 107,57 (mW)
Do đó P tt  = PttAC max
 PttDC  345  145,7  490,7 (mW)
Chọn Q3, Q4 thoả điều kiện:
IC > IE3P = 80,6 (mA)
VCEo > Vcc = 80 (V)
PC > Ptt , thường chọn P C>2. Ptt = 2.490,7 = 981,4(mW) = 0,981(W)
 
Sau khi tra cưu ta chọn được đó là
 Chọn Q3 là, 2SC2344 Q 4 là 2SA1011

Loại BJT V CE0 IC PCmax (W) hfe fT ( MHz) Tj(oC)

2SC2344 160V 1,5A 25 60÷200 100 150

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

2SA 1011 160V 1,5A 25 60÷200 100 150

3. Tầng lái và mạch phân cực nguồn dòng

3.1. Tính chọn các diode D 1, D2, D3 và VR1 :

Vì các BJT Q1, Q2, Q3, Q4 làm việc ở chế độ AB nên phải dùng các diode để phân
cực cho các BJT
Để Q1, Q2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh I E Q  50 (mA) thì điện áp V BE của các BJT
1

tổ hợp ở chế độ tĩnh là: 0,6 (V).

VB3 B4  VB3 E 3Q  VB1 E1Q  VR1Q  VR2 Q  VE 2 B2 Q  VE 4 B4 Q
= 0,6 + 0,6 + 0,02 + 0,02 + 0,6 + 0,6
= 2,44 (V)
Để đạt điện áp phân cực n ày, người ta có thể dùng 4 diode D 1, D2, D3, D4. Mặt
khác, để dòng qua nguồn dòng Q 6 và các diode ít bị ảnh hưởng bởi dòng base của Q3,
Q4 lúc tín hiệu lớn. Nên chọn I CQ  I B P 5 3

I E 3P 80,6
mà I B 3 P    1,31( mA)
1  h f 3 min (1  60)
Để Q5 làm việc ổn định và ít gây méo ta chọn
I CQ5  (3  10) I B3 P  chọn I CQ 5  10.I B 3 P  10.1,31  13,1(mA)
 chọn các diode loại 1N914
Từ đặc tuyến của diode với I D = 13,1(mA)  VD = 0,72 (V)
Để thay đổi áp phân cực cho các BJT công suất, người ta dùng VR thay cho D 4 1

VR1  VB3B4  3VD  2,44 - 3.0,72 = 0,28 (V)

VVR1 0,28
Vậy RVR1    21() ,
I CQ 5 13,1
Chọn VR1 là biến trở 100 ( ) sau đó hiệu chỉnh lại cho thích hợp
3.2. Tính chọn Q5:
Q5 được chọn làm việc ở chế độ A để lái các BJT côn g suất tầng khuếch đại đẩy
kéo. Tầng lái Q 5 được ghép trực tiếp với tầng công suất, d òng tĩnh được cấp bởi nguồn
dòng Q 6
Do Q 5 làm việc ở chế độ A nên công suất tiêu tán được tính ở chế độ tĩnh tức l à
công suất tiêu tán một chiều.
Để Q5 làm nhiệm vụ khuếch đại điện áp tín hiệu cho tầng công suất th ì Z L / Q phải 5

lớn.

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

Trở kháng tải của Q 5:

Z L / Q5  hie3  (1  hfe3 )(R 3 //( rbe1  R1 ))  (1  hfe3 )(1  hfe1 )R L
VT 25
với hie  rbe   3  60.  405,4 ()
3 3
I E3Q 3,7

VT 25
hie1  rbe1  h fe1 .  55.  27,5 ()
I E1Q 50
 Z L / Q = 405,4 + (1 + 60)(220//(27,5 + 0,4)) + (1+60)(1+55).8
5

= 15,57 (KΩ)
Do Q 5 có tải lớn nên dễ rơi vào vùng bão hoà gây méo tín hiệu nên phải có R 8 là
điện trở hồi tiếp để ổn định điểm l àm việc. R8 là điện trở ổn định nhiệt cho Q 5, R8 càng
lớn thì ổn định nhiệt càng tốt nhưng tổn hao công suất DC của nó lớn n ên ảnh hưởng
đến nguồn cung cấp.
 Chọn VR = 1  1  VR 8  80  2 (V)
8
10 40 40
I R 8  I CQ 5  13,1 (mA)

 R8 = VR 8  2  153() (), chọn R 8 = 150 ( ) → VR ≈ 2 (V)

I R8 13,1 8

* Công suất tiêu tán DC trên Q 5:

PttDC = VCEQ .I CQ 5 5

Vcc
VCEQ5   VR2 Q  VEB / Q2  VEB / Q 4  VR8
2
= 40 - 0,02 - 0,6 - 0,6 - 2 = 36,78 (V)
 PttDC = 36,78.13,1 = 481,81 (mW)
Chọn Q5 thoả điều kiện
VCE0  VCC  80(V )

 I C  I CQ 5  13,1(mA)

 P  PttDC  P  2.PttDC  2.481,81  963,63(mW )  0,963( W)
Sau khi tra cưu ta ch ọn được đó là
 Chọn Q5 là 2SD401A

Loại BJT P(W) VCE(V) T(0C) fT(MHz) IC(A) 

2SD401A 25 150 150 120 2 90÷400
→ Chọn  = 150

3.3. Tính chọn nguồn dòng Q6:

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

* Chọn V R , D4, D5
2

Nguồn dòng có nội trở lớn có tác dụng ổn định d òng điện cho Q 5 và tăng tải cho
Q5. Muốn nội trở nguồn dòng lớn thì chọn Q6 là BJT có  lớn và dòng tĩnh
I CQ6  I CQ5 = 13,1 (mA)
- Chọn 2 diode là loại 1N914
- Chọn I D  I D  I CQ = 13,1 (mA)  VD = 0,72 (V)
4 5 6

VVR 2  VEB / Q6 = 2V D  VVR2  2VD  VEB / Q6 = 2.0,72 - 0,6 = 0,84 (V)

 VR2 = VR 2  0,84  0,064(m)  64() .

13,1
Chọn VR2 là biến trở 220 ( ) rồi hiệu chỉnh lại cho thích hợp.
- Do Q 6 làm việc ở chế độ A nên công suất tiêu tán chủ yếu là công suất 1 chiều.
PttDC = VCE66. ICQ6
V CC
VCE6 = VCC - VVR2 - VBE/Q3- VBE/Q1 - VR1 -
2
V CC
= - VBE/Q3 - VBE/Q1 - VVR2 -VR1Q
2
= 40 - 0,6 - 0,6 - 0,84 - 0,02 = 37,9 (V)
 PttDC = VCE6.ICQ6 = 37,9. 13,1 = 497 (mW)
 Chọn Q6 thoả điều kiện:
VCE0  VCC  80(V )

 I C  I CQ 5  13,1(mA)

 P  PttDC  P  2.PttDC  2.497  994(mW )  0,994( W)
Sau
khi Loại BJT P(W) VCE(V) IC(A) T(0C) fT(MHz) 
tra 2SB546 25 150 2 150 5.0 40÷200
cưu
ta chọn được đó là
 Chọn Q6 là 2SB546

VR6 = VCC - (VD4 +VD5) = 80 - 2.0,72 = 78,56 (V)

IR6 = 13,1(mA)

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

 R6 = 78,56  6( K) ,
13,1
 Chọn R6 = 5,7 (k ).

4. Tính tầng vào

ICQ5 = 13,1(mA) chọn hfe5 = 150
I CQ 5 13,1
 IBQ5 =   0,09(mA)
 150
Chọn ICQ7 >> IBQ5 để không ảnh hưởng đến V A và ổn định điểm làm việc cho Q 5
 Chọn ICQ7 = 10.IBQ5 = 10.0,09 = 10,9(mA)
4.1. Tính R 9, R10, R11:
R9 càng lớn thì tác dụng hồi tiếp âm dòng một chiều càng lớn, điểm làm việc
của Q7 càng ổn định.

Điện áp 1 chiều VR9 được chọn: V R9 = ( 1  2 ) VA

10 10

 Chọn VR9= 1 VA = 1 V CC = 4(V)

10 10 2

IR9 = ICQ7  R9 = 4  4,44( K) ,

0,9
Chọn R 9 = 4,4(k ) → VR9 ≈ 4(V).
VR11 = VBE/Q5 + VR8 = 0,6 + 2 = 2,6 (V)
IR11 ≈ 0,9(mA)
 R11 = VR11  2,6 = 2,88(k )
I R11 0,9
Chọn R11 = 4,4 (k ) → VR11 ≈ 4(V).
V CC
VR10 = - VR9 - VCE/Q7 - VR11
2
* Để Q7 khuếch đại không bị méo và biên độ điện áp ra đủ lớn  chọn Q7 hoạt động ở
chế độ A, điểm tĩnh nằm giữa đ ường tải động:
 VCE/Q7 = VCC  80  20 (V)
4 4
VR10  40  4  20  4  12(V )
12
R10   13,4( K)
0,9

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

Chọn R 10 = 14,4 (k ) → VR10 ≈ 13(V) → V CE/Q7 = 19(V).

4.2. Tính Q 7:
Q7 làm việc ở chế độ A nên công suất tiêu tán là công suất tiêu tán một chiều.
Nên ta có:
PttDC  VCEQ 7 .I CQ 7  19.0,9  17,1(mW )
* Chọn Q7 thoả điều kiện:
VCC
VCE > = 40 (V)
2
IC > ICQ7 = 0,9 (mA)
P > P ttDC , thường chọn P > 2. P ttDC= 2.117,1 = 34,2 (mW)
Sau khi tra cưu ta ch ọn được đó là
 Chọn Q7 là 2SA1015

Loại BJT P(mW) fT (MHz) VCE (V) IC (mA) T(oC) β

2SA1015 400 80 50 150 125 240

4.3. Tính R 12, R13, R14:

VE / Q 7  V A  VR 9  40  4  36(V )
VR14  VB / Q 7  VE / Q 7  VEB  36  0,7  35,3(V )
I CQ 7  0,9(mA)
 I BQ 7  0,9  0,9  3,75.10 3 (mA)
h fe 7 240
* Chọn IR14=10.IBQ7 = 10.3,75.10 -3 (mA) = 375.10 -3 (mA)
 R14= VR14  35,3 = 941 (KΩ).
I R14 0,0375
Chọn R14 = 900 (k ).
Ta có
R13 .R14
Zin = = 200 (K )
R13  R14
 900 R13  200 R13  180000  R13  180000  257,1( K)
700
 Chọn R13 = 280 (k ).

* VR12 = Vcc - VR13 - VR14 = 80 - (280 + 560).375.10 -3 = 35,75 (V)

 R12 = VR12 35,75
 = 953 (K )
I R12  I R13 0,0375

5. Tính hệ số khuếch đại điện áp, trở kháng v ào

5.1. Hệ số khuếch đại điện áp của Q5 :

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

B5

rbe rco rco ZinB3B *

rbe rco rco ZinB3B
5 5 6 4 5 5 6 4

R8

r*be 5 = rbe 5 + (1 + h fe 5 ).R8 = r be 5 + (1 + 150). 153

VT 25
Với: r be 5 = hfe 5  150  290()
I CQ 5 13,1

h fe 5 .R8 
r co 5 = r ce 5 1   . Chọn r ce 5 = 10 ở 25 C.
4 0

 rbe 5  R8 
150.153
rco 5 = 104 (1  290  153 )  52,80.10  530( K)
4

 h fe 6 .VR 2 
rco 6 = r ce 6 1   . Chọn r ce 6 = 104 ở 250C.
 2 rd // R6  rbe 6  V R2 

  V
Với r be 6 =   6 . VT  = 150. 25  286 (Ω) ; (rd  T  1,9)
 
I CQ 6  13,1 ID

 r co = 104 1  150.64 
6  3,8 // 5,7( K)  286  64 
 

≈ 104 1  150.64 

 = 281,3 (k )
 3,8  286  64 
* ZinB3B4 = ZL/Q 5 =30,87(k )
→ Zr/Q5 = ZinB3B4 // rco5 // rco6 ≈ 30,87 (kΩ).
Vậy hệ số khuếch đại điện áp của Q 5
Zr
Q5 30,87
Av5 = hfe 5 .  5 
 150.  190,5
r be 5 24,15

5.2. Hệ số khuếch đại điện áp của Q 7:

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

B7

R1 R1 rbe rce R1
4 3 7 7 0

R1 Z
V/Q
1 5

VR R9
3

rbe 7 = hfe 7 VT  250. 25  6,94(k)

I CQ7 0,9
Zin = R13 // R14 = 280.900  213,5 (k)
280  900
* Khi chưa có hồi tiếp: Z inQ7 = (R13// R14 ) // rbe 7
Vì (R13 // R14) >> rbe 7  ZinQ7 ≈ r be 7 = 6,94 (k )
ZVQ5 = r be 5 + (1 + h fe 5 ).R8 = 290+(156).153≈24,15 (k )
 (R11// ZvQ ) + R10 = (4,4 // 24,15) + 14,4 ≈ 18,12 (k )
5
Vì rce 7 >> 18,12 (k )  ZrQ 7 = 18,12 (k )
* Hệ số khuếch đại của Q 7 khi chưa có hồi tiếp:
Z rQ 7 18,12
AV 7 = hfe 7 .  250.  653
Z inQ 7 6,94

* Hệ số khuếch đại điện áp của Q 1, Q2, Q3, Q4

Do hai cặp Q1, Q2 và Q 3, Q4 mắc theo kiểu C - C
 AVQ = 1; A VQ = 1
13 2 4
* Hệ số khuếch đại vòng hở toàn mạch
Av = AV 7 . AV 5 . AV 13 AV 24 = 653.190,5 = 12396.
* Hệ số khuếch đại khi có hồi tiếp
VR3
Avht =
VR 3  R9
* Hệ số khuếch đại của mạch
AV V V 31
A’v =  L  LP   43,8
1  Av . Avht Vin 2Vin 2 .0,5
VR3
 Avht = 0,022   0,022  VR3  0,022.VR3  0,022 R9
VR3  R9

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

 VR = 99 ()
3
 chọn VR là biến trở 470 ( ),Rồi hiệu chỉnh lại cho thích hợp.
3
* Trở kháng vào của mạch:
Khi chưa có hồi tiếp, trở kháng vào của mạch chính là trở kháng vào của Q7:
Zv = R13 // R14 // rbe 7 vì R13 // R14 >> rbe 7
 Zv  rbe
7
Khi có hồi tiếp, trở kháng vào tăng (1 + K.K ht ) lần
VR3 99
 Z’v = r be (1 + K.K ht) với Kht =   0,022
7
VR 3  R9 99  4400
 Z’v = 6,94 (1 + 2736,71) = 18,99(M ) >> rbe
7

6. Mạch bảo vệ quá tải

6.1. Trường hợp quá tải: Mạch quá tải khi V in > 500(mV)

 VLP > 31 (V)

* Trường hợp quá tải lớn nhất khi Q 1, Q2 xấp xĩ dẫn bão hoà
 VA = VLP = VCC  80 = 40 (V)
2 2
VLP 40
Dòng đỉnh qua tải: I’LP =  = 5 (A)
RL 8
Công suất loa:
2 VLP2 VLP2 40 2
PL = I 2L R L = RL I LP = RL.   = 100 (W)
2 2 RL2 2 RL 2.8
Công suất nguồn cung cấp:
I ' 2 LP 5
PCC = VCC .Itb = 60.  80. = 127,3 (W).
 
Công suất tiêu tán trên điện trở R1, R2
I ' 2LP 2
PR1 = PR2 = R2. =0,4 5 =1,25 (W)
8 8
* Do R1, R2 là 0,4 /3W  R1, R2 không bị đánh thủng.
* Công suất tiêu tán trên BJT Q 1,Q2 :
2PC = PCC - PR1 - PR2 - PL = 127,3-2.1,25-100 = 24,8 (W)
 PC = 24,8 =12,4(W) < 150(W)
2
 Q1,Q2 hoạt động bình thường.
6.2. Trường hợp ngắn mạch tải:
Khi ngắn mạch tải: R 1, R2 là tải của mạch.
Trường hợp nặng nhất là khi máy đang làm việc bình thường thì ngắn mạch tải,
áp xoay chiều cực đại lần lượt đặt lên R1, R2. Dòng qua R 1, R2 là:

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

IR1 = IR2 = VLP  31 = 38,75 (A)

2 R1 2.0,4
* Công suất tiêu tán trên R 1, R2
PR1 = PR2 = I2R1.R1 = (38,75) 2.0,4 = 600,62 (W)
* Công suất do nguồn cung cấp:
V V
PCC = VCC.Itb = VCC. I LP = CC . LP  80.31 ≈ 1975 (W)
  R1  .0,4
* Công suất trên BJT Q 1
PCC  PR1  PR 2 1975  600,62.2
PC =  =386,88(W) > 150(W)
2 2
→ Các BJT Q 1 và Q 2 sẽ bị đánh thủng.
→ PR1 = PR2 = 600,62 (W)  R1, R2 cũng bị đánh thủng.
6.3. Tính mạch bảo vệ Q 8, Q9:
Bình thường, mạch bảo vệ Q 8, Q9 ngắt khi mạch khuếch đại công suất làm
việc, không ảnh hưởng đến hoạt động của mạch.
Khi ngắn mạch, dòng qua R 1, R2 tăng làm Q 8, Q9 dẫn, dòng ICQ8, ICQ9 tăng 
IB3, IB4 giảm,

Dòng đỉnh qua Q 1, Q2 là 3,92(A)

 chọn dòng để mạch bảo vệ hoạt động: I' E1P = 3,92 + 10%.3,92
 I'E1P = 4,31 (A)
V'R1 = R1.I'E1P = 0,4.4,31 = 1,72 (V)
* Chọn ICQ8 = ICQ9 = 1mA
VCE8 = VBE3 + VBE1 + V’R1 = 0,6 +0,6 +1.72 = 2,92 (V)
PttDC = VCE8.IC8 = 2,92.1 = 2,92 (mW)
* Chọn Q8, Q9 thoả:
VCE  2.VCE 8  2.2,92(V )  5,84(V )
I C  I CQ 8  1( mA)
P  PttDC  P  2.PttDC  2.2,92  5,84( mW )
Sau khi tra cưu ta ch ọn được đó là
 Chọn Q8:2SC458,Q 9:2SA1029
Tên Loại BJT P(mW) fT(MHz) T(oC) VCE(V) IC(mA) 
Q8 2SC458 200 230 150 30 100 100÷500
Q9 2SA1029 200 230 150 30 100 100÷500

= 1 = 0,01 (mA).
I CQ8
I BQ8 =
 min 100
* Chọn IR15 >> IBQ8
 IR15 = 15.IBQ8 = 15.0,01= 0,15 (mA)
* Ở chế độ làm việc bình thường V LP = 31(V); V R1P = 1,55(V)
* Để Q8, Q9 ngắt mạch được tốt Chọn VBEQ8 = VBEQ9 = 0,4 (V)
R15 + R17 = VR1P/IR15 = 1,55/0,15 = 10,3 (kΩ).
R17 = VBEQ8/IR15 = 0,4/0,15 = 2,67 (k), chọn R17 = 2,7 (kΩ).

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

 R15 = 10,3 - 2,7 = 7,6 (k )

Chọn R 15 = 7,6 (k ).
 Chọn R15= R16 = 4,3 (k );
 R17= R18 = 2,7 (k )
Q8, Q9 dẫn bão hoà khi V BE8 = VBE9 = 0,7 (V)
VBE 8 ( R15  R17 ) 0,7.( 2,67  7,6)
VR1P =  = 2,69 (V)
R17 2,67
IR1= VR1P  2,69  6,72( A)
R1 0,4
→ Khi dòng tăng lên 6,72 (A) thì mạch bảo vệ làm việc.
7. Tính các tụ
- Tụ C1 là tụ liên lạc với ngõ vào. Để tín hiệu không bị giữ lại tr ên tụ
 Chọn Xc1 = 1 .Z in  1 .213,5  10,67( K)
20 20

Do tần số âm thanh mà nó cho qua là 30Hz ÷ 15kHz nên t ần số cắt của lọc phải nhỏ
hơn 30Hz.
 Chọn tần số cắt của lọc là 30Hz
1 1 1
X C1   10,67.10 3 ()  C1    0,49.10 6 ( F )  0,5( F )
2f C1 2fX C1 2 .30.10,67.10 3

→ Chọn C1 = 0,5 F.

- Tụ C2 và R12 tạo thành mạch lọc nguồn, khử ghép kí sinh giữa tầng ra, tầng lái
và tầng vào đơn, ổn định chế độ làm việc của mạch, chống dao động tự kích.

Chọn Xc2 = 1 R12  1 .953( K)  95,3( K) .

10 10
1 1
X c2 =  C2   0,056( F )
2f C 2 2 .30.95,3.10 3
 Chọn C2 = 0,1 (F).
-Tụ C3 cắt thành phần AC cho cầu hồi tiếp VR 3, R9. Chọn C3 sao cho tỉ số hồi
tiếp chỉ phụ thuộc vào VR3, R9 và sụt áp AC trên C3 nhỏ hơn nhiều so với VR 3.

* Chọn XC3= 1 VR 3  1 .99  9,9()

10 10

* XC3= 1  C3 
1

1
 5,35.10  4 ( F )  536( mF )
2f C 3 2fX C 3 2 .30.9,9
* Chọn C3 = 510(F).
- Tụ CL là tụ liên lạc. Để tín hiệu không bị giữ lại tr ên CL ở tần số thấp

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

 Chọn XCL= 1 R  1 .8  2()

4 L
4
1 1 1
XCL=  CL    2,65.10 3 ( F )
2f .C L 2f . X CL 2 .30.2
* Chọn CL=2600(F).
8. Mạch cân bằng trở kháng loa
Loa có cấu tạo là một cuộn dây đồng mảnh n ên trở kháng loa là ZL=RL+jL
Trở kháng loa phụ thuộc tần số. Ở tần số cao, trở kháng loa lớn n ên dể phát sinh
dao động. Để khắc phục, ta mắc th êm mạch Zobel gồm R 20 và C4 song song với loa.
Thành phần tín hiệu có tần số cao sẽ thoát qua tụ C 4 xuống mass.
Ở tần số cao, X L tăng nhưng X C4 giảm nên RL không đổi.
1
ZL= (R20+ ) // (RL+jL)
j C4
1 RL L
(R 20  )(R L  j L ) R 20R L  j L .R 20  
j C4 j C4 C4
= 
1 1
R 20   R L  j L R 20  R L 
j C4 j C4  j L
Để ZL không phụ thuộc vào tần số  ZL= RL.
 R20.RL+jL.R20 +
RL

L R
 R20 .RL  RL2  L  jL.RL
j  c4 C 4 j  c4
L L
 R 2L  C4  2
 C4 RL
jL. R20 =jL.RL  R20 = RL = 8
Vì L của loa thường rất nhỏ, cỡ ≈ 0,1 μH.
6
 C4 = 0,1.10  1,56.10 9 ( F ). Chọn C4 = 1,3 (nF).
64
Ở tần số cao, tụ ngắn mạch, công suất tr ên R20 lớn nhưng không cần công suất
chịu đựng của R 20 lớn vì nếu có thì đó cũng là những xung hẹp, bên độ nhỏ.
Do ở tần số cao, tụ ngắn mạch, n ên người ta thường chọn R 20 lớn hơn RL một ít
 trở kháng tải không đổi, chọn R 20 = 8,4 ().
9. Kiểm tra độ méo phi tuyến
Trong mạch các BJT làm việc ở chế độ A, chỉ có Q 1, Q2 làm việc ở chế độ AB
nên méo phi tuyến trong mạch chủ yếu do Q 1, Q2 quyết định.
Khi tín hiệu vào hình sin và Vin= 500(mV). Lúc này áp đặt lên tiếp giáp BE của Q 1:
vBE1(t) = V BE1Q + VBE1m .Sim t
Với VBE1Q = 0,4 (V)

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

VBE1m= VBE1P - VBE1Q = 0,8 - 0,4 = 0,4 (V)

v BE

Dòng IC của Q1, Q2: IC = ICo. e V T

ICO là dòng rò
Khai triển biểu thức I C dưới dạng chuổi Taylor:
x 2 x3
ex  1    .....
2! 3!
V V sin t VBE
2
1m sin t
2
 I C  I Co . BE1Q (1  BE1m   ....)
VT VT 2.VT2
Do méo phi tuyến chủ yếu là do các thành phần hài bậc hai gây ra. Loại bỏ các
hài bậc cao và thay sim 2ωt = 1  cos 2t
2
VBE1Q VB E1m sin t 2
VBE 2
VBE 1m . cos 2t
 I C  I Co . (1   1m
 )
VT VT 4VT2 4VT2
Theo định nghĩa méo phi tuyến
m

I 2
im
  i 1 trong đó: I 1m: thành phần dòng cơ bản
I1m
I im: là các thành phần hài
* Méo phi tuyến chủ yếu do thành phần hài bậc hai gây ra.
2
I 2m VBE VT VBE1m
/   1m
2  .
I 1m 4V VBE m 4.VT
T1

* Khi chưa có hồi tiếp:

VBÉm 0,4
   4
4VT 4.25.10 3
* Khi có hồi tiếp:
/
 :
(1  g .RL ) K
Trong đó: K độ sâu hồi tiếp.
AV 124396
K  (1  AV . Aht )    2808
AV 44,3
h fe1 h fe1 IE Q
g   1
rbe1 V VT
h fe1 T
I E1Q
50 4
g 2   0,075 0 0 < 0,30%
25 (1  2.8).2808
→ thoả mản yêu cầu thiết kế.

10. Tính toán bộ tản nhiệt cho các BJT công suất
Khi chuyển thành công có ích, một phần công suất sẽ làm nóng các BJT công
suất. Nếu nhiệt độ tăng lên quá nhiệt độ cho phép thì các BJT dễ bị hỏng.

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355

Đồ Án:Đ-T-Tương-Tự Mạch Khuếch Đại OTL Ngõ Vào Đơn

Giả sử nhiệt độ môi trường xung quanh (bình thường ở loa) là 500C
T j max  Tmt
= 150 C  50 C = 4oC/W.
0 o
Nhiệt độ toàn phần: K=
PttQ1 25( W)
PttQ1 = 21,29(W)  Lấy P = 25 (W)
Nhiệt trở K khi có cánh tản nhiệt
K = K cm + Kvc + Ktv
Kcm : nhiệt trở từ cánh đến môi trường
Kvc: nhiệt trở từ vỏ đến cánh
Ktv: nhiệt trở từ tiếp giáp đến vỏ.
150 0 c
K tv  1
150 w

Chọn miếng đệm bằng mica d ày 0,4 mm.có k vc=2cw

Ttg  Tmt Ttg  Tmt 150  50

Ptt=  K cm   K tv  K vc   2  1  10 c
K tv  K vc  K cm Ptt 25 w

Chọn cánh tản nhiệt có hình vuông có diện tích cánh tản nhiệt như sau

S= 1000  1000cm 2
1

Ta nhận thấy diện tích bị kồng kềnh v ì vậy ta phải dùng cánh tản nhiệt gồm nhiều cánh

được xác định như sau.

Ttb=Ptt.Kcm=25.1=25 c

Dựa vào đặc tuyến K cm và L ta xác định như sau

0C
K cm  1 W
 L  130 mm

Số cánh n n= 130  0,4 130  0,15.25  14,81

20

Vậy ta chọn phiến tản nhiệt có

n =15 cánh

L =130mm

GVHD:Nguyễn Văn Tuấn SVThực Hiện:Ngô Bá Toàn ;MSSV:28K-1355