İ.T.Ü.

ELEKTRİK-ELEKTRONİK FAKÜLTESİ

. .
ELEKTRONiK DEVRELERi
(DERS NOTU)

Öoc. Dr.. Hakan KUNTMAN

(GENİSLElİLMİS 3.BASKt>

. İSfAMIUI. rauiır UIIİflatİTISİ

ILIKntİIC-ILIKt.... PAIU.tlSİ
OPSIT IASKI AIÖLYISİ
1990
 t Ç İ I D E K t L I R

!!fil
GERİBESLEME PRENSİPLERİ ••••••••••••••••••• 5 ..1
5.1. Genel bilp.iler •••••·•·••·•··········•··•·· 5.1
s.2. Geribesleme Çeşitleri •••·••·•·•·••·••••••• 5.6
s.2.1. Gerilimden Seri Geribesleme •·•·····••••••• 5.6
s.2.2. Gerilimden Paralel Geribesleme ·••·•••••••• 5.7
5.2.,. Akımdan Seri Geribesleme ••··•••••••••••·•• ,. 7
5.2.4. Akımdan Paraıeı Geribesleme •·····•·••••••• 5.8
5.;. Geribeslemenin Giriş ve Çıkış �mpedansları-
na etkisi •••••••••••••·······•··•••••••••· 5.9
6. İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ••••••••••••••• 6.1
6.1. İşlemsel Kuvvetlendiricilerin Uygulamaları.' 6.4
6.ı.ı. Faz Döndüren Kuvvetlendirici •••••••••••••• 6.4
6.ı.2. Toplama Kuvvetlendiricisi ••••••••••···•·•· 6.6
6.ı.,. Faz Döndürmeyen Kuvvetlendirici ••••••••••• 6.8
6.1.4. Park Kuvvetlendiricisi •••••••••••••••••••• 6.10
6.2. Diğlır Uygulamalar •• � •••••••••••••••. ••••••• 6.12
6.2.1. İntegral Devresi •••••••••••••••••••·••·••• 6.12
6.2.2. Tiir'ev Devre.at ••••••••••••••••••••••••••••• 6.ı,
6.2.:i. Logaritııik l'.uvvetlendirici ••••••••�••••••• 6.14
1. GUQ IUVVETLENDİRİCİLERİ ••••••••••• ; ••••••• 7.l
7.1. Iuvvetlendiricilerin Bttyük Genlikli İşaret-
ler için Davranışları •••••••••••·••·•·•·••
1.1.ı. Ortak Emetörlü Devre'•••••••••·•·•••·••••••
1.ı.2. Bmetörti K"ôprülenmemiş Ortak Emetörlü Devre.
1.1.3. Bmeti>r Çıkışlı Kat ( Ort.ak Kolektörlü Devre)
1.2. Güç Kuvvetlendiricisi Tanımı,Güç Kuvvetlen­
diricilerinin Özellikleri •••••••••••• :,•... 7.14
1.2.ı. Çalışma Sınıfları •••••••••••••••••••• •· •••• 7.16
7.3. Alçak Frekans Gtiç Kuvvetlendiricileri ••••• 7.18
1.,.1. Tranzistorlu A Sınıfı Güç Kuvvetlendiricisi 7.18
1.,.2. B Sınıfı Güç Kuvvetlendiricileri •••••••••• 7.23
7.:,.2.1. Tr ansformatörlü B sınıfı Kuvvetlendirici·•• 7.24
1.,.2.2. Tranaformatörsüz Puşpul B. Sınıfı Ku'f'Vetlen-
diriciler ••••••••••••••••••••••••••••••••• 7.27
 -II-

illll
Transfo:ııııatörsüz Puşpul Kuvvetlendiriciler-
de Sürüklenme Devresi ile Çıkış Ge~liğinin

Arttırılması•••••••···••••····••••••·••·••• 7.;5
A.kııı Kaynağı Kullanılarak Çıkış Genliğinin
.lr~tt.ırılması .............. -• . . . . . . • . . . . . . . . . • 7. 36
'Stirücü Katın Akımının Küçültülmeşi,Dar­
lington ve Sözdt:-Darlington Çiftlerinden Ya:..
rarlanarak Çıkış ICatı Gerçekleştirilmesi•••
7.5.· AB Sınıfı Çalışma ................... ~ ............. .
7.5.1. Transform.at~rlü AB Sınıfı Puşpul Çıkış Katı.
7.5.2. Transforııatörsüz AB Sınıfı Puşpul Güç Kuv-

vetlendiricileri ••••••••••·•••·········•••· 7.46

7.5.3. TBE Çoğaltıcı ................................ ~•··••·• 7.49
7,6. Tranzistorların Soğutulması~-•••••••••••••• 7.55
8. DİJİTAL İŞLEM BLOKLARI ........ •.• .............. . a.ı
·a.ı. Giriş •••.•••.•.....•.•..•....••••......••• • a.ı
a.2. !emel Lojik Fonksiyonlar••••••••·•··••••••• a.ı

a.2.ı. VE Fonksiyonu••••••••·••••••••••·•••••••·•• ·s.ı

a.2.2. VEYA Fonksiyonu••••·••••••·····••·•••·••••• a.;

a.ı. ,. DEÖ İL "Fonksiyonu •••••••••••••••••.•••.•..••• ; B.5
8.2.4. VE-DECtL fonksiyonu •••••••••••••.•••.• ·•••••• 8.6
s.2.5. VEYA-DEÖİL Fonksiyonu•••••••••••••••••••••• 8.7
a. 3. Fonksiyonların Gerçekleştirilmesi•·•••··••• 8.8
s.3.1. Diyotlu lapılar ... ·..••••.........•.•.....•. 8.8
s.,.ı.ı .. Diyotlu VE Kapısı•••••·•·••••;•••••·•·••••• s.s
s. 3. ı. 2. Diyotlu VEYA Kapısı ......................... . a.9
a. ,. ,. Diyot-Tranzistor Lojiği (DTL Ailesi) ••••••• s.ıo

a. 3.4. !ranzistor-Tranziator Lojiği (TTL Ailesi) •• 8.11

8.3.5. Zener Diyotlu Diyot-!ranzistor Lojiği (DTLZ) a.1;
8. ,.6. Akım pjeksiyonu Lojiği (I 2 L Ailesi)••••••· 8.15
8.3.7 •• Emetör Bağlamalı Lojik (ECL Ailesi) •••••••• 8.17
a.,.a. MOS Lojik Kapılar•••••••••••••••••••••••••• 8.19
B~.a.ı. .11108 Ailesi •••••• ~ ••••..•.••••••••••.•.•••• . 8.19
a.,.a.2. CMOS 'Lojik Kapılar (eşlenik MOS Ailesi) ••••• a.25
9. · BI.SlılllB GIRİLİJIİ DtfZEJILERİ ••••••••••••••••• 9.1
 -ııı-

SA!FA
9.2. Do~rultucular •• • •.• • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • 9.1.
9.2.1. Tek Yollu Dogrultucu ••••••••••••••·•••• 9.1
9.2.2. Çift Yollu Doğrultucu•••••••··········• 9.6
9.2.3 · Kondansatör Piltreli Doğrultucular ••••• 9.a
9.2.,.1. Kondansatör Filtreli Tek Yollu Doğrultu-
.cu • . • • • • • . . . • . . • • • . . . . • . . . . . . . . . . . . • . . .. 9. 8
9.,. Regüle Giiç Kaynakları•••·········•····• 9.17
9.,.1. Temel Regiile Kaynak Devreleri•••····••• 9.17
9. j.2. Basit Regiile Kaynak••••••••··•·••·••·•• 9.17
9. ,. ,. Hata ıcuvvetlendiricili Devre•·••·•·•·• 9.19
9.,.4. Kısa Devre Koruma Düzenleri •••••.•••••• 9.25
 5.1

5. GERİBESLEME PRENSİPLERİ

5.1. Genel Bilgiler

:Bir kuYVetlendiricinin çıkışından alınan bir i,aretin
:ıcuvvetlendiricinin giri9ine Jcuvvetlendirilecek işaretle bi~-

likte uygulanmasına g~esleme adı verilir. Çıkııtan giriıe

getirilen iıarete geribealeme işareti (geribesleme gerilimi
ve711 aJamı) denir. Geribesleme i9areti giriş iıaretine bu
ifareti büyiitecek yönde etki ediyorsa, bu tUr geribeslemeye
pozitif goibesleme, kUçUltecek y6nde etki ediyorsa, negatif
geribesleme adı verilir. Demek oluyor ki, iki tUrlU geribes-
leme buluımıaktadı.r:
a~ pozitif geribesleme
b- negatif geribesleme
Geribeslemenin prensibi Şekil-5.l'de g6rillmekteılir.
toplı;ıyıc ı

girit
y
x, ,..
[ 1(
' -•X

9.riHsltme
işar•ti
p '

Şekil-5.l. Geribeslemenin prensibi.

Den-enin girif işareti x 1 , ol.kl.ı i.ıareti z 0 , geri.bes-

leme 1ıareti de xf.dir. pile gösterile~ deffe ge.ribesleme
deneaidir. y ile gösterilen 1,aret, girif ..-e geribeeleme
iıantlerinin toplamı olarak lmnetlendiriciııin girif ifare-
t14ir:

(5.1)

Jani, esas giriı iıareti ile·geribeslae iıaretleri bu top-

 5.2

lEQ'ıcı ile toplaımıakta ve esas kuvvetlerıdiriciı:ıirı giriı iıa­

retilli oluşturmaktadır. Kuvıretlerıdiricirıin kazancı

(5.2)

şeklindeair. Geribesleme devresine ilişkin p büyUklUğU ise

(5.3}

biçimindedir.
y = xi+:ı::r oJduğıına göre, :ı:0 çıkış bUyi.tklUğU (5.2) uya-
rınca

şeklinde yazılabilir. (5.3) uyarınca xr geribealeme bttyilklu.!U

şetlindedir. Bu b�rıtı :ı:0 ifadesinde yerine konursa

bulunur. Bağıntı x0 büyüklUğUrıe gcSre düzenlenirse

X
xo - ------
ı- :z:i
F
elde edilir. Geribeslemeli sistemin giriı bU:,UklUIU x1, çıkıt
bUyf.tk].iliU :z:0 olclulmuı gCSN, bu iki bUyiflclUilln: orani bu aiste­
ıtiıı
. kazancını 'Y"erecektir. O halde, geribealemeli cbıruadaki
tuano Iı·il• göaterUirae

(5.4)
teklinde olacaktır.
K ve p rıırı gerçel olııalal'ı fl&linde:
a- l3K•O ise, yani ~O olması halinde Kı,=K olur; bu geribesle-
mesiz duruma tarıı dUşmektedir. K ya sistemin aç:ı.k çevrim
kazancı adJ. verilir.
b- .J:DC < O olursa (1-.J:DC) > 1 sonucu elde edilir. Bunun sonu-
cunda ise Ki< K olur, diğer bir deyişle negatif geribes-
leııe elde edilir. Yani, ç:ı.kııtan alınan işaret girişe ge-
len işareti ~zaltacak y6nde etki eder.
o- o < .J:DC < l durwıwıda o < (1-JUC) < l olur. Bu nedenle
~ > K olur. Diler ·bir deyifle çıkıştaıı alınan iıaret, gi-
riıe gelen işareti arttıracak yönde etki etmekte ve devre-
nin Krx0 /x1 kazancı bUyıtm.ektedir. Buna pozitif geribesle-
ae adı verilir.
d- Pozitif geribeslemenin sınır durwırunu e;e alalım. Bu. sınır
durmtnuıcla ,nt•l olur. J3K=l olması demek (l-pK)-0 olması an-
lamına gelir. (5.4) balıntıaı uyarınca Kr-a:> gider ki,
bu,girif 1,aretinin sıfır olıııası duru:ım.tncla bile ç:ı.kııta
bir iıaretin bulunacaiı anlamına gelir. Bu-durumda devre
titreıim Ureteoi olur, osilaayorı yapar; diler bir deyi9le
kendi baoına ifa.ret üretir.
••gatit geribesleme devrenin kazanoıııi azalttJğı hal-
de, kun-etlendiricinin bazı 6zelliklerini iy'fleıtirdifi için
pratikte çok kullanılır. (Pozitif geribeslem.enin de kendine
tizgU Jmllaıum alanları bulunmaktadır.) Geribeeleae uygulanan
ıcunetıeııdiricinin. geribealem~siz haldeki kazancı ti, ba. ka-
kasanç açık çewiıı kuaneı olarak da isimlendirilmektedir,
1 ile gö•terilsin. Geribeelemeli duruma kartı dtifen fı- ka-
sacı (5.4) bağıntısı uyarınca

ıeklind.edir. dKı- cli:teranai7eliııi oluıtıu-aııa. öace tUrev ala-

la.
1
1' - 11.T•
.,.
·Z • ..JL ise 11
z• • -------
fek].iadeür. Z-Itı , u-ı: ve V•l'.""Jllt alınırsa

•ıte eclilir. Buradan hareket edilirse

;nr _ • __q___,_
-r (l-13K) 2

ollll'e hwetlendiricinin açık çevrim kazancındaki bir bağıl

delifiai dK/X ile gösterelim ve buna karşı dilşen geribeeleme-
11 kazançtaki dKt/Kt bağıl değişimini inceley�lim.

(1-J3K) / (1-J3K)
�
-----
�
dX
2

•
dKr
�
1
1-�
= ·- dlC
K
1
el4e edilir. (5.5) bağıntısı, kuvvetlendiricinin kazancında
(i.5)

enva 9:ıkacak bağil bir deği,imin, geribeelemeli kazançta

oluıtuacağı bağıl değişimi vermektedir.
Sisteme negatif geribeeleme uygulansın. Bu durwada
J5k < O oldulundan l-:J3K > 1 olur. Diğer bir deyiı1e, kazanç­
tati � değiıim, geribealemeli kazançtaki balıl değiıime.
asal.arak 7&J1Sımaktadır. Oraelin, kazançtaki baiıJ, değiıim
dX/K• •ıo-oıswı. 1-,X=lO ise �Kt•O,l/10=0,0l yani

o110'. _,.lece kazanı. 41,1 etkeııler nedeıdyl• deliı•• bile ae­

saiU geriNSlemenin -�•�1• geribesl•eli kasangt&t:l deli-
 tim çok daha az olur. Bu ıszellik, negatif geribeslemenin sağ­
ladığı önemli yararlardan biridir. Geribeslemeli kazanç dıf
etkeıü.erle kolayca deliflll•z.
Pozi tit geribesleme ~gulaıııııış · olsaydı, O < J3K < 1 ol-
duğwıdan O < (l-JE) < 1 bölgesinde buluııulurdtt, bunun sonu-
cunda kazançtaki bağıl değişim, geribeslemesiz durwııu.ndak:ine
göre çok daha fazla ol~bilecekti.
K Te , nın gerçel olmaları hali, pratikte kuTVetlendi-
ricinin orta frekanslardaki çalışma bölgesine karşı dflaer. Bu-
nun dışında K ve~ bi.tyUklUklerinden biri veya her ikisi komp-
leks, yani karmaşık sayı olabilir. O takdirde Kf de kompleks
olur.
Negatif geribesleme kazancı kUçUltmekle beraber, geri-
beslemeli kazancl.J1 aç:ı.k çevrim kazancına bağımlılığını da
azaltır. l\Tegatif geribeelemede ~ <o olduğundan 1-lll(> 1 olur.
Bğer IJ31tl »l ise, (5.4) bağıntısında 1 sayısı px nın yuın­
da ihmal edilebilir. Bu durumda geribeslemeli kazanç

(5.6)

şeklinde yazılabilir. Diğer bir deyişle, IJ31tl.~~ı olması ha-

linde, geribeelemeli kazanç hemen hemen Kaç~ çevrim kazan-
cından bağııısızdır. Negatif geribeslemenin bu özelli~inden
ötıtrU, devrenin kazancı hemen hemen sadece dışarıdan bağlanan
~ deyreeinin geçif fonksiyonu ~arat'ından belirlenmektedir.~
deTresi, dışarıdan bağlanan pasif devre elemanlarıyla gerçek-
leştirilir. Böylece, kullanılan aktif elemanın, örnelin tran-
zisto1'Wl, parametrelerinden, besleme geriliminden ve diğer
etkenlerden bağJJDSız olarak, her zaman istenen kazancı sağla­
mak mUmkttn olur. Bu nedenle, Jcuvvetlendiriciler,hemen hemen
daima negatif geribeslemeli olarak kullanılırlar. Özellikle,
ölçU aletlerinde lcullanılan kunetlendiricilerde bunun önemi
bUyi.UctfJr.
Geribesleae, lcuTVetlendiricinin giriş ve çıkış empe-
~: .. danslarına dıı.. etki ,der. tJygul_&Jl!-J?. n~ptif' geribeslemenin til-
rUne g6re bu bilyUklUkleri arttırır- Teya uaih.r. Dol~ıaıyla
geri..■leıııuıin taç tUrlU uygulaııabilecelini belirlemekte 7a-
n.r ftl'Cb.lı.

5121 Geribealeme Ceıitleri

Geribesleme geriliminden ya da çıkı9

iıareti ya·çıkış
ak:ı.mndan alınır. Bunun yanısıra, alınan geribesleme işareti
girio• ya aeri, ya da paralel olarak getirilir. Doll\)"ıaıyla
negatif geribeelemeli kunetlendiricileri d6rt grupta topla-
ııalc llUmtllnd1b"ı
a- Çıkıt geriliminden girişe seri geribeeleme,
b- Çıkıt geriliminden girife paralel geribesleme,
c- Çıkıı akımından girişe seri geribesleme,
d• Çıkı.ı atuauıdan girife paralel geribealem&.

iıaniar tı.aaoa
a- Gerilimden seri besleme,
b- Gerilimden paralel geribealeme,
c- .&kuıdan seri geribealeme;
d- Alamdan paralel gariDealeme,
.
olarak ela isimlendirilirler. Bil dHrt tip geribesleme7i blok
ıemaıar Userinde gUsterelim:

•
5.2,ı. Gerilimden seri geribesleme

IC

. . feJd.1-5.2. Ger.ll1a4• ■eri geri.besleme • .

T tın9 ger111miııdeıı alınan

bir ı.aret. girif if&Nliii
0
tiııe seri Te zıt yöıılU olaeM tekilde bir JJ deTreai Uzerindeıı
g ~ ,..,Urt.1'8•·•Ja . ~ ptt.. ,.plen gerilia ·
YarıiTt geribealeııe iıareti gil"if iıaretini asaıtacat yönde
etki etlıekteclir. l3urac1a 1C ku:vvetlendiricinin gerilim kazancı­
dır. }) ise boyutsus bir )tb1.iklUktUr ve '1,-v,t!Y ıekliııdedir.
0

5.2.2. Gerilimden paralel geribesleme

-----.
i1
_ _.,_...,. ı-----ıt--4-,0 v.
R,

v.
Rııı•~
"
Şekil-5.3. Gerilimden paralel geribesleme.

ig akım kaı-naiı ile sUrUlen bir kuTVetlendiriciyi ele.

alalım. Kunetlend,iricinin giriı bUyUklUIU 11 akıaı, çıkıı
bUyU)clUIU Y 0 _geriliııi olsun. v0 çıkıı geriliıd:ndeıı bir J dev-
resi Usel'inden geribesleme iıareti alınır. Geri.besleme iıare­
ti ~ı:-P vo akımıdır. Bu akım, giriıe uygulanan ig akımııu.
asaltacaltyUnde etki eder.

Bıırada 8-•T0 /i 1 kuTVetlendiricinin geçif (transfer) empeclaıı­

aıdır. -,..ı~v
0 ise iletJı:enlik boyutundadır.

·5.2.3. Alamdan eeri geribesleme

Şekil-5.4.'deki devrede kuvvetlendiricinin giriı bU-
ytlklUIU v1 gerilimi, çıkıı bUyUklUIU de 1y yük atııııdır. :Bıı
bilyUklUklerin oranı G••iy/Y1 JcuTVetlendiricinin geçiı acbıı1-
tansı veya geçif iletken!$ olarak isimlenclirilir. Çıkışa­
kııuyla orantılı bir l3iy gerilimi -giriş gerilimine zıt yHn-
 S-.8

v, +
Vı Gııı
-
iy

İy
G --
nı• v,

Şekil-5.4. Akımdan seri geribeeleme.

lU olarak gelmektedir. Diğer bir deyişle

olmaktadır.

Burada geribesleme devresinin~ geçiş bUyUklUif,l direnç boyu-

tundadır ve 'fı-v,rf1y şeklindedir.

~.2 1 4. Alc.mdan paralel geribesleme

Yine,_ Şekil-5.3,deki gibi bir ig akım kıQ"ııaiı ile sU-
rUlen ve akım kazancı Kı olan bir kuvvetlendiriciyi ele ala-
lım (Şekil-5.5).

Şekil-5.5. Akımdan paralel geribesı~. ·

Bil-devrede. 1,- oı.tıı aklJll.yla orantılı bir aıca, yani

1f".'J3 iy ak:ı.mı, giriıe paralel Te Ciriı akmını azaltacak
yHnde getirilııekteclir.

1ı • ig - J 1,-
· Burada ıc 1 kuTVetlendiricinin akım kazancıdır. :ı:, ise boyutsuz
olup JJ-irliy ıeklindedir.

5.J. Geribaslemeaip Giriş ve Çıkıt :&npedanslarına Etkisi

Geribeslemenin giriş empedansına (yahut giriş direnci-
ne} .etkisini inceleyelim. Bunun için Şekil-5.2'deki gerilim-
den seri geribeslemeli durumu ele alalım. ve şekli bir defa
daha çizelim.

Şekil-5.6. Geribeslemenin giriı empedansına etkisi.

Geribeslemesiz kuTVetlendiricinin giriı empedansı

ıeklindedir. Geribeslemeli devrenin giriş empedansı

Yt • JW0 = JU(v1 olur.

v« • Tl + vf.., Vı + lllCVı

vg. Vı(l+JUC) bulunur.

Ba.radaıı hareket edilerek vy/'tı oranı heaaplan:u-sa

.... _
 1.10

y Tı
z1 ..
.1.
• ...:L • -
iı 11
(l+JDC)

(5.7)

e.J.4e ,•diliJ."• Yaıai• ta•aııc.ı.a JdlçlUdQğll orancl& girif

halaat,,•ı.
empedansı bUyUmektedir. z nin bir direnç olması halinde, Zif'
1
de bir direnç olur. Diğer bir deyiıle

(5.8)

oıur.(Ona trekaıuılar bölgesi).

Geribeeleme, devrenin çıkış direncine de etki eder.
Aynı blok şema Uzerinde, yani gerilimden seri geribeslemeli

de?re beri.nele inceleııeaisi drdUrelim. Çı.t1,· empedarıal.Jll. da

·afSstuad ltlok · oemqı yed.4eıı çizelim•

••

..
Şe)d.1-5.7. Geı-1.bealaaeaiıı çılc.ı empedaıuıına etkisi.

. ~'bealeaeais d.urımlda lm'f"!•tleııclirioinirı ıcuanc:ı. ı:.

çılnf -.ı,edansı Z olSUJl. O. saman . , .,. gerilim. K'Y geı1,11-
0 2 1
ıı:lıda. 10 il• Zy eııpectaulUı. Useriııdeld genl.111 Ml.Umaeai so-
ım011nda Tereceii gerilim olaeaktır.

(5.9)
•
 5.11 ·

T
2 (Zy+Z0 ) • ı:.Zy.vg - J3K.z1 .v2

v2 _[ Z0 + (l+l3'.K) Zy] • K• Zy• V g

ıt z,

ı:
(5.10)
Zo
-+ Z_
l+J3K --y

elde edilir. (5.9) baiıntısıyla benzerlik kurulursa bu baıın­

tıda ıt - K/(l+l3K)
z0 - Z0 / (l+Jllt)
gelmekt;edir. O halde, devreni:-n çıkış empedansı, geribesleme-
siz durumdakine göre 1/(l+lll() kadar kUçülmUştUr ve

(5.11)

• del9riJrl, a1Jıı9tır. !ier oıkıı eıı.pedarısı sa:t bir direnç ise,

bu durwııda geribeslemeli çıla.f direnci

(5.12)

olur.
D1J:rt tip geribealeme bul.uııdaiıı daha 8ııcd'belirtilm19-
ti. Yuarı.da fll'il8Jl geribealeael:1 gll'if Ye Ol.lc.tdinnoi i-
tacıeıezı1. ger~iııdeıı sen geribealae ioirs·çıtariılm.flardır.
UJ'gıılaııarı geribealeııeniıı turUne ballı. oıaraıı:. yukarıda aııla­
tılaııl.anıl teni de olalailir; cliğez, bi:r dqiıle gi.ri.9 eli.ren-
 5.12

ci geribeslemenin etkisiTl• WçUlebilir, ç:ı.Jcıı direnci ise

artabilir.
a- Seri geribeelemeler, 78111 gerek gerilimden gerekse akımdan
geribeelemeler, giril empedaneııu. btiyUtilrler.
b- Gerilim garibeslaalen. çıb.f empedaııaını kUçUlti.lrler.
c- Akım geribeelemeleri, yani gerek akımdan seri gerekse akım­
dan paralel geribeslemeler, çıkış empedansını bUyiJttirler.
d- Paralel geribeslemeler giriı ampedanaııu. ltUçUlturler.

Söz konusu dört geribeslemenin kuvvetlendiricinin te-

mel özellikleri Uzerindeki etkileri aıağıdald. gibi bir tablo
ile verilebilir.

Geri besleme Kuvvetlend~ricinin

tUl'U temel ö■ elliii .
Xy ~ zi Zo
G.s.g.b. - o + -
J..a.g.b. .- o + +
G.p.g.b. o - - -
J..p.g.b. o - - +

Bu tabloda(+) işareti ~lgili bU,-UklUgUn arttılızıı,

(-) ifareti azaldıll.nı, (O) ise O bUyf.fklUğUn değipıediii,ııi
belirtmektedir. Diğer geribesleme tiplerine ilişkin hesap-
lar da 'benzer biçimde yUrQtUlebilir-ft tabloda gösterilen
'
özelliklerin nasıl ç:ılctıkları ortqa koyulabilir. Bunwı ya-
p:ı.lııası için beuezıı if].eıılerin yUrUtUlmeai gerekeceği aç:ı.k-.
tu.
Orııek 1.
. Cllu ;JfJP!M pr1 gerilNal.-: Ortak -nörlU bir
ı,e~i ele alalia _..--iııııa ametarUDU kfSprUleaeyelim. Devre-
ye 9ı.tıf ııtım.ndan eU'i geri'besl... Qgıılamıı oıuru. Bıet6-
.rU~ ldSprlleıuaeei clııl'ımwıda den-e Şeld.l-5.8'cleki gibi o1ur.
 5.1,

Bıı clurwıc1a deT.l'eniıı Jcuaııcı

Bıdeğer deTN çizilirse

R,

( h,.•O, h.. •O • alınmıstır.)

Şekil-5.9. llııetörU köJl'lllenııiı ortak emetörlU deffenin e9değeri.

elde edilir. Bil du1'Uııcla

ıekllndeclir. 12• -S.•T1,8 o14'alımdu hareket ediliMe

.... _.,

lnıl:ıumr. DeTnııiıı c;ıkıf gerilim.iııi.n +2 •12•lly· olclup göıslSııUne

 5.14

alınırsa

elde edilir. Kuv:vetlendiricinin gerilim kazancı:

başka bir deyiole

ftklindedir. ~• l/r8 olduğu dikkate alınırsa

elde edilir. lbet6r direnci kHprUlemıezse eşdeler de'Y?'e Şe­

kil-5.lO'daki biçimi alır.

Ueld.l-5.10. Jfıutbfl JdJpıilleım.em.ı oriaJı: NUttklU q-netlendi-

_rio~ıa •ı4elv dffreei.
 5.15

feklindedir. Bu durwn.cla geribesleme gerilimi

olur. DeYNde hf'e :i> l olduğundan hre¾ >"> ib olacaktır. Bu. ne-
denle Bz direncinden akan ib akımı ihmal edilmittir. Çıkıt a-
kımından seri geribesleme uygulanmış bir kunetlendiricide

f,=Vt'1y• yani l3=vt'i2 şeklindedir._ Yukarıdaki bağıntıdan p

hesaplaınrea:

elde edilir. bir deyişle, burada l3 devresini Rı: direnci

Diğer
oluşturmaktadır.~ direncinin uçlarında çıkıt akımıyla oran-
tılı ~ir gerilim dUpıekte ve bu gerilim vbe giriı gerilimine
seri gelmektedir. Uygulanan geribesleme d,vrenin geçiş ad-
Dlitanaına etki eder. Geribeslemeli durumdaki geçiş admitanaı

ıeklindedir. Denenin geribealemeaiz haldeki_geçie acı.ttanaı

olclulıuıa g5re, geribealemeli durwııda

.ı-.. a4Ueoetff.r.
 Ye

oldulwıa _göre

v2 • a.ı,v ıı;
1 bulunur ve bu.zıadaıı kazanç

,. y2
ıt•-= G ..R•
Vl .ıır-7

9eklinde elde edilir. &aPl/r8 olduğuna göre

bulunur ki, bu emett,rU k6prUlenmemiş devre için verilen ka-

HJlO i:f'adesinden bqka birşey değildir.
Ge~ibeslemenin giriş direncine etkisini ele alalım.
Geribeslemesiz halde giriş direnci r 1 ah18•hfere şeklinde­
dir. Seri geribeslenıe olduğuna göre, giriş direnci bUyi.tyecek-
u.r. l♦JII[ - ı+~a. konursa, geribealaeli durmııdaki giriş
direnci

r 1f' • hı-9 <ı-.+».) olu.

Jit.·••~ISrfl k8prf1l~r• a-ıı ctne -tnrıu devre 191ıa 'bıılwııııı

gülı tireııciaclen bqka. bU'fe1 delildir.
Sq:ı.eal 4efeı-~'fl' nrlline 8«,•lkQ ~. a_ 6800 , RymlOJdl
~
8
-Un , hf'8 ,.250, h
08ııı<>, ~~ deprleri içiıı geribeslaeaiıı

DNllf
 5.17

t
-m
• :ı·
ie
•+ • e
62,5• mA/V

r• • 16 Q

RY, • Rciy = 2307 Q

Rc+By

:ımetHr direncini kHprUleyen CE kondanaatHril kaldırı­

larak den-eye çıkıt akımından seri geribealeme uygulanırsa

- ~ • Rz _. 680 Q

l+lllC - l+~Rıı • 43,5

G • ~ = - 62 ,5 !:WY
mf 1 + a.Rıı: 43,5
Gıı:t • -1,437 mA/V
bıılmmr.

K • ~· • -3,314
Gerçekten
x-----------2_,_~_n
r + Bz +
___
-ıı;
16 680Q
8
IC = -3,314

olıır. Deffenin giriı clireııoi ger.ibeeı... J'otkell

 5.18

Gel'ibeslemeli durmada

43,5

Gerçekten •et62'U k6p2'Ulenmeııif dened• giriı direnci

r 1 • 250(16 + 68o)Q

ıeklindedir.

Orpek 2 •

iı

feld.l-5.ll. GeriliDteıı paralel geribeal•eli d.effe.

Jlı- >> RC Te liı >> lı1•• ,olduiwm cWdrate alarak ıeJd..ldeki

deTrenin geribeslemeli geoit empeclaneıııın

oJ , . a n gUetd'iııis. BeY.ftlliıı ge.ribeal-11 Jıal4eld

,ıı1~111c ciriı diNııci u....1a1 oUU'bıı:ı.s.
 5.19

R,

v, --
it "2

i, İb ! hie Re

Şekil-5.12. Şekil-5.ll!deki kunetlendiricinin eşdeğer devresi.

Şekil-5.ll'deki devreye gerilimden paralel geribesleme

uygulanmıştır. Kuvvetlendiricinin eşdeğer devresi Şekil-5.12'
de görUlmektedir. Geribesleme akllDl.

şeklindedir. ~ >> Rc ve Rr >> hie olması nedeniyle, Rf geri-

besleme direnci Rc kolektör d~rencini yüklemez. İkinci şar­
tın bir sonucu olarak, v >"> v
2 1 ve

yazılabilir. Şekil-5.ll'den hareket edilirse, geribeslemesiz

durumdaki geçiş empedansı bulunabilir.

olur. Gerilimden paralel geribeslemede geribesleme devresinin

geçiş fonksiyonu 'JJ=it/v
2 olduğundan, yukarıdaki bağıntıdan
hareket edilirse
-ı
.,..=-
'R

lir
 5.20

1nılU111'. o lıald.e

'bail,ııtıeuıcla delerlezı 7ezıleriııe komırııa

elde edilecektir.

ig • ib + if'
hf'eibRc
ig • ib + Jiı

ig • 1-{l +
~••c
iı )
eekliadedir. Ote yandan

olant yazılabilir. Bıı iki baiıntıctan yararlaıııluea

 6.1

6. İŞLIIISBlı mmm.ıımtıı:tc:tı.ıR

~: İdeal bir işlemsel

kuvvetlendirici ge-rilim ka-
zancı sonsuz.giriş empedansı sonsuz, çıkış empedaneı sıfır
olan ve osilasyon tehlikesi olmaksızın istenildiği kadar ne-
gatif geribesleme uygulanabilen doğru.dan doğruya bağlamalı
bir ku.vvetlendiricidir. Genel olarak kuvvetlendiricilerin ka-
zançları frekansa bağımlı bijyüklüklerdir. Dolayısıyla kazanç
aslında karmaşık (yani kompleks) sayılarla ifade edilen bir
büyüklüktür. Geniş bir frekans bölgesinde kazanç gerçel bir
büyüklük olmakla birlikte, bu şartın sağlanmadığı bölgelerde,
yani kazancın frekansa bağlı olduğu bölgelerde, devrenin gi-
riş ve çıkış işaretleri arasındaki faz farkı da frekansa bağ­
lı olarak değişir. Faz şartının bozulması nedeniyle bu bölge-
lerde devreye uygulanan negatif geribesleme pozitif geribes-
lemeye dcSnüşür. Devre osilasyon yapabilir.-
İşlemsel kuvvetlendiriciler hemen hemen daima negatif
geribesleme ile çalıştırıldıklarından 1 bu son şartın mutlaka
sağlanması gerekir Te bazı önlemlerin alınması zorunlu olur.
Ayrıntılara.burada girilmeyecektir.
İşlemsel kuvvetlendirici Şekil-6.l'deki devre sembo-
lUyle gösterilir.

ı
Şekil-6.1. İtlemael kuvvetlendirici.

Devrenin giriıl diferansiyel giriı olarak dUzenlermdı­

tir. <~> ile i9aretlenmiş giriş ucu çıkışla zıt fazlı olan
girişi, (+) ile işaretlenmiş giriş ucu ise ç:ı.k~9la ayııı faz-
da olan girit ucunu göste1"Jllekted1r. Kuvvetleııdiriciniıı çıkış
gerilillli yani v0 gerilimi, v 1 ve v2 geril1ml.eriııiıı farkı ile
oran.tılıd.U'. Geribealeaesiz gerilim kaMııcı Aile g6eteri-
11Ne,
 6.2

(6.la)

olur. Giri9 gerilimlerinin farkı v1=v1-v2 şeklinde itada edi-

lirse, (6.ıa) bağıntısı

(6.lb)

biçiminde de yazılabilir. İşlemsel kuvvetlendiricinin eşdeğer

devresi Şekil-6.2 1 de verilmiştir.

Şekil-6.2. İşlemsel lcuvvetlendiricinin eşdeğer denesi.

İd~al iflamsel kuvvetlendirici hiçbir zaman gerçekle-

namez. Zira giriı direncini ve gerilim kazancını sonsuz, çı­
kış direncini de tam olarak sıfır yapmak olanağı yoktur. Bu
nedenle gerçeklenen devrelerde bu şartlara olabildiğince
yaklaşmaya çalı9ılır. Diğer bir deyişle, devrenin gerilim ka-
zancı ve giri9 direnci sonlu, çıkış direnci ise sıfırdan ,bU-
yük olacaktır. İdeal kuvvetlendiricinin özelliklerine yaklaş­
mak için, devrenin gerilim kazancı ve giriş direnci olabildi-
ğince bUyUk, çıkış direnci ise olabildiğince kUçUk tutulmalı­
dır. Bu şartlar ku,vvetlendirioi katları art arda bağlanarak
sağlanabilir. Diğer bir deyişle, işlemsel kuvvetlendirici çok
katlı bir kuvvetlendiricidir. İşlemsel laıvvetlendiricinin blok
şeması Şekil-6.J'de görUlmektedir.

Şeld.l-6.J. ı,ı-•l Jı:ıınrilend11'io1aia ·1-lok .....ı •.

 6.,
İki işaretin farkı
sös konusu olduğuna göre, giriş ka-
tı bir .fark kuvvetlendiricisi olmalıdır. Iasancın çok bıUyük
olmasının istenmesi nedeniyle, arada gerilim kuvvetlendirici
kat veya katlar yer ala.aktır. Çıkış dinncinin çok küçilk oı­
ması istendiğinden çıkış katının düşük çıkış dirençli b,ir kat,

örneğin emetör çı~ışlı kat olarak gerçekleştirilmesi gerekir.

lb kaUarın art arda bağlanmasıyla oluşturulan basit bir iş­
lemsel kuvvetle,ndirici yapısı Şekil-6.~'de ve~ilmiştir.

_ _ _...,_ _ _..,._ _ _,..._ _,o. vcc

•ı l'

v, ••
+
REJ
RE,

------+---------------Vee
Şekil-6,4. Basit bir işlemsel kuvvetlendirici devresi.

Jmtiin işlemsel lmvvetlJndiricl.ler bu yapı. ~ensibıine uygun

olarak kurulmakla lıirlikte, tümdevı:-e tekniğinin müakün kıl­
dığı yapı blokları da ku.llanıldığındaıı, bir tüıııdevre işlemsel
tııvvetlendiric:inin yapısı Şekil-6.4'dekinden daha karışlıktır.
Bir işlemsel ıcuvvetlendiricinin giriş direncinin son-
lu, çıkış direncinin sJLf'ırdan bU.yük ve kaaancının da yine-
aonlıı alması nedeniyle~ eşdeğer devresinin de Şekil-6.2'deki
ideal kuvvetlendirici, eşdeğer devresine göre farklı-
işlems&1
lık göatereceği açıktır. !.deal. olmayan işlemael kııvvetlendi-
riciniD e.şdeğer devresi Şe1d.l-6. 5' de göl!"lll.melctedir. Burada
Rı, Jmnetlendiricinin giriş 41renc1. a çıkış direnci ve.&.
0
Wyilkl:fliii de gerilim ka.ıraneı olmaktadır• ·
 .
3
"1
R-
'
-------·------•--.--.
Şekil-6.5. İdeal olmayan işlemsel kuvvetlendirici eşdeğeri.

t,1 rnı mnetıAlldı,rto11Q .ilk 1,qta. aoaıolr hesap ..,_-

kinalarıhda toplama, çıkarma tUrev ve integral alma işlemle­
rinin hatalarını küçUltmek amacıyla işlem elemanı olarak dU-
,-~!"'f w •ıtıtiı'ilmiıJ.erdil'. :Bil elemanlar. gUıiUmUzcle 81-·
ou vf, konu-ol dUseıılUiade gittito• ~gınla,arak kullanıl.ma­
ta deYlla etmektedirler.
· ı,ıemaeı lmTVetlendizıicilar. ,11Jleer devrelerde hemen
hemen he~ zaman geribeslemeli olarak kullanılırlar. Devrenin
kazancı (A) çok bUyUk olduğundan, giriş uçları arasındaki
(v1••2) ftrk geril.iııi oot kU~Uktf.tıı.

6.ı. İflemsel Kunetlendiricilerin t1ze!amaları

6.1.1, l'!! löndtlrep ltuvvetlend12'1ci

-.. dönclUreıı kuvvetlendirici devresi Şeld.l-6.6'da gö-
rıi'l.mattaclll'.

l
Bil den:ıede tu 98Yiı'ııe7•• giri.,ı. 7Ui + ciZiıi. re~•-
. . . ııo••,!7•11ııe bal-1NPP11'tu. J > e ~ açları U...
. .~ekt ~ U • Y1 i l e ~ ,
'•ır .;, .,
1ı - ~
pklindedir. A çok bUyttk olduğundan vi çok tUçUk olur. Yine
z1 giriş empedansı çok bUyWc olduğundan, bu çok kUçUk gerili-
min büyük değerli giriş empedansının Uzerinden akıtacağı akl.m
da çok kttçUk olur ve i 1 ile 12 nin yanında ihmal edilebilir.
Bu yapılırsa 1 1-12 yazılabilir.

olduiwıa göre

(6.2) baiıntıaı uyarınca ıv0 ı >) ivil şeklindedir, zira IAI çtık
bUyf.lk bir sayıdır. İdeal olarak A.- 00 olursa

-·O

olur. BlSylece

bulunur ve buradan da devrenin kazancı

·z2
- ,::-
__ 1
(6.))'

şeklinde elde edilir. Yani, geribeslemeli kazanç geribesleme

elemanlarının oranları ile belirlenmektedir.

A gerilim kazancının değeri bUyUdUkçe, vi giriş geri-

11Jıinin delerinin kUçUlece~ne ve A _. 00 olduiu ıuııııan v i =O
olacalıııa c1aba önce değinilmitti. Bu gerilimin aıtııra yatın
_çok tUç~ bir delere sahip olmasın Zi•c:ıo o1'!8aı nede~le
priıten ün eJı:p-..ı. aonuc:ıqıda 1 (-) girioi (+) ginıi ile ay-
nı potans1yelde olur. öte yandan, (+) girifi ref'eransa bat-
lamıııştır·. Dolayıs2Yla (-) girişin de yukarıda belirtilen
nedenden ötUrU referans potansiyelinde olması gerekir. Budu-
rwna "gf;SrUnUrde toprak" durumu, veya "görUnürde kısa devre•
adı verilir. (-) girif reteransa bağlanmadığı halde, devrenin
özelliklerinden ötUrU b6yle bir durum ortaya çılaııaktadır.
"Ğörünürde toprak" özelliğinden yararlanılarak top-·
lama kuvvetlendiricisi gerçekleştirilebilir.

6.1.2. Toplama kuvvetlendiricisi

"GörUn~rde toprak" durumundan yararlanılarak gerçekleı­
tirilen bir toplama kuvvetlendiricisi Şekil-6.7 1 de görülmekte-
dir.
z,
z,
+

v.
>--___.-... +

Şekil-6.7. Toplama kuvvetlendiricisi.

l
CRSrUnUrde kısa devre özellili nedeniyle girif sıf'l.r
potamıiyelindedir • .Bu nedenle akualar

V .
• ••• 1D·- ıı -
,:-
D

••kliade it'~• edil•bUirler. Eıtn-etlen41rio1Jlln girJ.fiJıdeıı

aba elanechi,na gZSre. bu alamlarııı toplamı Zt empedansındarı
altaoaktuı. .

elde edilir. Bııradaıı çıkıı gerilimi hesaplanırsa

bail,n1;ıaı elde edilir. Jmpedanal81"11l yel'iDi sat dirençıer­

konabilir. :su dUl'Wllda 9 zt -Rr , Zı - Bı , zn - Rrı alınırsa

bağııı1;ısı bulunur. özel bir durum olarak bUtUn dirençler eşit

alınırsa, yani

ya~ılına

....- ~ -(Tl ♦ T2 ♦ V) + •• • + Tll) (6.7) ...

f .

(6.6) ı.aıınuauıa 1tabl.1rsa9 bu Oııb,ıau 111'al'Wa &1rif

ger1l.1Jıleı-1 diJteııç .ozıanıarımıı belirle4!11, kataayı].arla çazı­
pılel:la w 1111 ~•.1'1ııl.• toplaıaakWuı. J>11ea- bir ~

.
, •ö ~ -<-ı_~ ... -~~2 + ••• ♦
. .
. .
-.•J ---.·
 6.8

· ıeJı:liııd:eclir. Burada ka1;8Q'lJ.azı

biçiminde_dir. (6. 7) bail,ııt:uıı bUtilıı katsqıların bire eıit-

leıııaeei, yaıı1 a ~•• •• -a • l ol'••ı. durwınma karfJ,
1 11
düşmetteclir.

6.1.J. Jas d611dUm.9ep bnetlend1r1c1

J'as dHndUrmeyen laıTVetlendirici deYresi Şekil-6.8'4•
g6rUlmektedir.

.., z, l
şetil-6.8. Ja• d6nc1Umeyen kuTVetleadirici.

Devreye gerilim4en seri negatif geribesleme uygulan-

mıştır. Giriş işareti(+), yani faz çevirmeyen girişe aygu-
lanmakta; çıkış işaretinin bir b~lümU, yani z2 ve z1 empe-
dansları Uzerinde bHlUnen namı da geribesleme işareti ola-
rak faz dHndUren girişe, yani(-) girişe verilmektedir. Kuv-
Tetlendiricinin geriliJl'l Jcasancı 90k bUyUk, giriı direnci de,
yine -çok bUyUktUr. Girişten alcım akmayacaiındaıı, her 11d. gi-
rişteki potansiyelle eşit olur.
:eıı bal:uıtı;rı iltiııcie yerine koyalu.

elde edilir. A-Q) ollU'sa, A

Z
z1 +i2 >:> l olacağından +•
V

g
l
elde eclilir. Yani her iki girieteki potaıısiyeller eıit olur.
Dolayısı;rl~ 'v •vg yazılabilir. :Bu ba~tı
1
geril1miıı• 0-bail&yan ifadede yerine t:oııursa,
1
.,. gerilimini T~

olu.

Ba.racla.Jı hareket edilirse, denenin gerilim kazancı

T
• -
A .- o -
g

olank bu • 'ı. ff ~ empedaıuılan.ıwı Ba1' di.NDçlerdeıı

oı.-~an haliııde, (6.8) balınusı
 6.10

olur. Burada z1 yerine Rı• z2 yerine~ konulmıııtur. Fığer

~ >> Rı ise,

(6.10)

yazılabilir.~ direncinin sıfır yapılması halinde (6.9) ba-

ğıntısı uyarınca K=l olur. Devrenin giriş direnci çok küçük
olduğundan böyle bir kuvvetlendirici gerilim izleyici ve ayı­
rıcı.kat olarak kullanılabilir. Devre yf.tksek dirençli bir dü-
zeni alçak dirençli diğer bir düzene bağlamak amacıyla kulla-
nılır. Bu arada, çıkıt gerilimi girit gerilimini aynen i•ler.
Gerilim izleyici ve ayırıcı kat iSııil.mleri de buradan kaynak:lan-
mak:tadırı.

6.1.4. Park kuvvetlendiricisi

İki gerilimin farkı ile orantılı bir çıkış gerilimi
elde etmek Uzere kullanılan fark kuvvetlendiricisi devresi
Şekil-6.9•-.aa görUlmektedir.

--:-.
•2

Jlark kııvvetlen4irio1si.

Devre bir işlemsel kuvvetlendiriciden ve dört dedi-

rençten olu~adır. Giril 1,aretleri v1 ve v2 gerilimleri
i~e, Çıkıt işareti de To ile gUsterilııiflerdir. İdeal 1,ıem­
sel kuvvetlendirici ··Jıal.1ıı4•
 6.11

şeklindedir. Kuvvetlendiricinin girişinden akım akmaz. Benzer

biçimde(-) girifteıı de akJ.m akııayacağuıdan, bu girişe bağlı
elemanlar için

olu:r. Her iki giriıteti gerilimler eşit olduiwıdan, faz çevi-

ren girişte de v3 gerilimi bulunur. Dolay1s:ı.yla

il.
vl - vl
Rı

vl - vo
i2 =
~
Bu nedenle

Rı ~

olur. Her iki giri9 için elde edilen bai:ıntılar birlef'tiri-

lirae:

=l-

{6.11)
ıeklincle bir balı,nh bııılanr.
O.el bll' cluı"UII 01.Uu Jlı~---,..4 o1awı. D1ı'ea9lezıia
iN , •• ı..., ·l\]-Ja,n bal.inde (6.U) ..ıat:uıı

'. (6.12)

biçimini·alır. Diğer bir deyişle, devre v2 ve v1 gerilimleri-

nin :farkını almaktadır.

t,ımmıel tunetlendiriciler ~gıuı geribeslame clenıele­

ri ile giriş işaretinin integrali ve tUrevi ile orantılı çıkış
geril.uıl.fl'i .de verebilirler.

,,.a;ı. ı&t!P!l ıevreai

İntegral de..resi Şekil-6.ıo~ta~ıt,:tUıııt.,_ttıı.

-
C

iı

Şekil-6.10.İntegral. denıesi.

Devre. teaelde~ lakU-6.6•4a verilen fu ıUSndltnıı kuT-

-~eSltirioi ile apı 71927a 'sahiı,tu. '2 eııpedaJuwwı 7eri-.
ıı.,, b~4a C Jcoıı4aneatlı'U Jml.Jamlmıtu. 01.riıteıı alam akııa­
cağında.Jı~. i1=i2 olur. G6rUnUrde kısa devre 6zelliğinin bir
BODUCU olarak

1ı • ..ı.•
..
11 . ,
Bundu

elde eclilir. Devre v1 i9aretinin integralini alır.

baiırıtuı:ı.
t•O anında v0 •0 ise, integrasyon sabiti de sıtır olur. Yani

V • - _L / v1 dt (6.14)
o RC

bağıntısı elde edilir,

Şekil-6.al'Hda
R ve O elemanlarının yerlerini değişti­
relim. Devre,Şekil-r6.-ll'deki biçimi alır ••
R

To
12---
a

o14ulımdan, 11.12 prtı uyarınca

o cl"t'ı • - ..i
4t a
4T
T
o • -:RC 1 (6.15)
dt
eıı. eclilir. J>ıtnıe. v1 girif itarriiniJı tUNYiai alır.
 6.14 ·

6.2.,. lıogaritmik ıuvvetlendirici

Logariımik kuvıretlendiriciler, pn jonksiyonunun li-

neer olmama ösellilinden yararlanılarak geroell.eştirilirler.
Bir işlemsel ku~tlendirici ve bir diyotla kurulan en basit
lo~itmik Jrınvetleudirici devresi Şekil-6.12'de verilmiştir.

,,
- o -ı.,

Şekil-6.12. Logaritmik kuvvetlendirici devresi.

Bir diyotta VD gerilimi ile In diyot akıııı arasında

şekl_inde üstel bir bağıntı bulunur ve VD/V'f > > l olması ha-
linde bu -bağıntı

VD/f't
ID • Io••

şeklini alır. Şekil-6.12'deki devre uyarınca

olur. İşlemsel kltnetlencliricinia glritinden akıa akııayacqın­

dan
 6.15

yazıluilir. GöriiDürde kısa devre özelliği uyarınca faz dön-

dÜl'etl giriş toprak potansiyelinde bulunacağından

.
biçiminde i~ade edilebilir. Yukarıdaki bağıntılardan hareket
edilirse

bulunur. gibi, devrenin v 0 çıkış işareti v1 giriş

Görüldüğu
işaretinin logaritması ile orantılı olmaktadır. Şekildeki
devrede R direnciyle D diyodunun yerlerinin değiştirilmesi
halinde i~e, devrenin bir antilogaritmik kuvvetlendiriciye
(üs alma devresine) dönüşeceği gösterilebilir.
 ., .ı

7. GUç mnmLIIDİ.RİOİLIR:t

7,1, JCuTVetlendiricilerin BltYUlc Genlikli İşaretler İçin Dav-

ranııları
Buraya kadar yapılan incelemelerde kullanılan eşdeğer
devreler'küçük genlikli akım ve gerilimler için geçerlidir ve
bunlar büyük genlikli değişimler için kullanılamazlar. Söz
konusu durumlarda devreler ya grafik yöntemler yardımıyla ya
da bUyük genlikli değişimler için de geçerli olan non-lineer
modeller kullanılarak (örneğin bipolar tranzietor için Ebere-
Moll lDodeli) analiz edilirler. Burada verilecek grafik yöntem-
leri her zaman yeterli doğruluğu sağlamamakla birlikte, devre-
lerin büyük genlikli işaretler için davranışl~rını kavramak
açı~ından yeterlidir.
BiıTYetlendiricilerin bUyUk genlikli işaretler için

davranişları incelenirken, bağlama ve köprüleme kondansatör-

lerinin en alçak frekanslı değişken itaretler için bile kısa
devre sayilabilecek kadaı' bUyUk kapasiteli, aktif elemanın
elektrotlar-arası kapasitelerinin ve montaj kapasitelerinin
de·en yUksek frekanslı bileşenler için bile açık devre kabul
edilebilecek kadar küçük değerli oldukları varsayılacaktır.
Diğer bir deyiıle, inceleme orta trekaııslar bölgesi için ytt-
rUtUlecektir.

7.1.11 Ortak Jlııet6rlU Devre

+Ycc

Şetıı-1.ı.ı
'
•. ~naıc aet~ıu ele,,..
 Doğru akım ve gerilimler bakımından koııdaııaatörler
açık devre olduklaruıdaıı
devrenin dolru akım ve değişken akım
yUk c2 ,c1 ve CE kondansatörleri
doiruları f'arklı olacaktır.
değişken gerilimler bak3:-Jlll.ndan kısa devre, doğru gerilimler
bak:uıındaıl da açık devre özelliği gösterirler. Bu dul"Ulllda Ry
yUk direnci doğru akım yUk doğrusuna etki etmez. Doğru akım•
yUk doğrusu Re ve Rp; dirençleri tarafından belirlenir. Şekil-
7.l.l'deki ortak emetörlU devrenin doğru 'akım yUk doğrusu Şe­
kil-7.l.2'de g-UrUlmektedir.

le

Şekil-7.1.2. Ortak ametHrlU devrenin doğru alam yUk doğrusu.

... Baz akımı il:ıııal edilirse, 1IEQI a 1c : olur. Devrede

sUkü.net halinde

bağıntısı geçerlidir. Yukaridakf·kabul uyarınca

(7.1.1)
!

7asüaltUU'. Bu bal111tı çıkıt Uzeğril.eri.ııiıı oisila1ı olt\ulıı

v0 B-Ic dUzlemintt-e bir_ doçu belirler. Bu d~iı,ı, do~ru akım
_,uıc doiı'w!nt olarak ia1mlen~ı1r. Çalııııa noktası daima bu
·aoli,ı Userinde bulunur. Aklll\i'e ger11imler1ı,. bu dc,iru Uzerin-
cle !ıaııgi. delerleri alacaklanm. C,e1 Q oaiı.-ırı_:ııoH:fıın?:a) ~
bu-abla. bel.irla-. -~- hail- koadanu~Hııifm ·4urmııc1a ·yCQ
~erilimi ile dolar.

f&klindedir. Bıuıun kapasitesinin çok bUyilk olması halinde,

ttevrede ~eğişkerı bileşenler varken de gerilimin bu değerde
kaldığı kabul edilebilir. Yani, kondansatör bir doğru gerilim
kaynağı gibi davranacaktır. Bir doğru gerilim kaynağı ise~•-
İ1şken bileşenler açısından kısa devre özelliği gösterir. Ay-
hı durum CB kondansatHrU için de geçerlidir.
Devreniıı girif,iııe •g .işareti ıqgulaıunası halinde, ko-
lektör ·ahmının toplam ani değerini 1 0 ile göa'terelim. Gerilim
kaynağı eşdeğerlerini yerlerine koyarak dnreyi yeniden çi-
lelim, (Şekil-7.l.J.a)

Şekil-7.l.Ja. Transistorun çıkış tarafındaki akl.Jl'l ve gerilimler

Devredeki gerilim kayııaltl.arı ve 1:nuılara aeri gelendi-

Mııçleriıı 7eriae •orı~.a efclep.rle.ri koıııınıa. leJdl-7.1.Jb'deki
4eYN elde ecliluı.
aı devrede

(7.1.2)

(7.1.J)
 ..---+--+--.....- ....- ~ Vz

1 f Ry t lıı2

Şekil-7.l.Jb. Şekil-7.1.Ja'daki devrenin Norton eşdeğeri.

,eklindedir. Devre düzenlenerek basitleştirilirse, yani akJ.Jll

kaynakl~ıyla dirençlerin paralel eşdeğerleri alınırsa, Şekil-
7.l.Jc1deki eşdeğer devre ortaya çıkar.

, Şekil-7.1.)c. Şekil-7.l.Jb'deki devrenin eşdeğeri.

Bu devrede akJ.Jll kaynağının akımı

(7.1.4)

ye toplam paralel direnç

(7.1.5)

9eklindedir~ Iıcı ve Ik2 için (7.1.2) ve (7.1.)) balıntıları

(7.1.4) eıitliğinde yerlerine konursa, aiaıı. ~nağ1nın Ik alo.-
m.ııı veren it'ade
 . (7.1.6)

biçimini alır.
'Bu devreden tekrar Thevenin eşdeğerine geçilirse, Şe­
kil.-7.1.Jd'deki devre elde edilir.

R'.,

Şekil-7.1.Jd. llnetörU köprtllenmiş ortak emetörlU devrenin de-

ğişken işaret eşdeğeri.

Şe~il-7.1.Jd'deki devre, emetörtl köprülenııişortak eme-

törlU devrenin değişken işaretlerdeki davranışını modellemek-
tep.ir.
Devredeki Vk gerilim k~ağı

(7.1.7)

fekliııdeif'ade edilmektedir.
Çevre Uzerinde yeı:_ alan gerilim kaynaklarının gerilim-
lerinin toplaııwıuı (Vk-TBQ) olduiundan hareket edilirse,

~ttlwıur. Bıı.balıntıda V~ ifadesi yerine korıu.rea

•

(7.1.8)
elde edilir.

oldubızıdaıı, bu balı,ııtı

biçiminde yazılabilir.
öte yandan IEQ~ICQ kabul edilirse,
YEQ=IcQ•~ olur. Bu durumda v0 E gerilimini 10 kolektör
akımına b~layan ifade

(7.1.9)

şekline d~nUşUr. Elde edilen eşitl~k, (VCE'IC) dUzleminde

Q(I00 , v0EQ) çalışma noktasından geçen ve eğimi

toplam yU]ı: direnci ile belirlenen bir doğru verir. Bu. doğru­
ya deT.l"enin değişken işaretler için yUk doğrusu vera alterna-
tif akım yUk doğrusu adı verilir. (7.1.9) bağın~.ısı incelenir-·
ae, Ic=O için bu doğrunun yatay ekseni

(7.1.10)
 ,.,
DeğiıJceıı akuı yUk doirııİn:ı. doğru abm yUk doğrusuyla
birlikte çıkıt özeğrilerinin üzerine yeniden çizil.mittir ve
Şekil•l.2 cle 1
göaterilaittir•

..... aım
m=-1/Ry
yVlc ..,.u
oJum yük dotrtıSU
m= -_ııııt, •Re>

_ _ _...,.._ __..._ _.._ycı

VCEQ Yco Vcc

Şekil-7.2. Ortak emetörlü devrede doğru akım ve alternatif

akım yUk doğruları.

Şekilden fark edilebileceği gibi, bir kuvvetlendirici-

nin çıkışından kırpılma olmaksızın alınabilecek maksimum geri-
limin değerini değişken akım yük d o ~ belirlemektedir. İşa­
retin iki taraftan da simetrik olarak kırpılması için, Q ça-
lııma noktası değişken akım yük doğrusunun ortasında bullıUlllla­
lıdır.

7.1.2. :Emetörü Köprülenmemiş Ortak :&ııetörlU Devre

Emetörü köprülenmemiş ortak emetörlU devre de yaygın
olarak kullanılan bir kuvvetlendirici tipidir. Devre Şekil-
7.).l'cle g5rUl.ıııaktedi-zı.
Bu devreıı:in bUyiilt 1,aı-etlerdeld davranııı da önceki
clu1"ımla
bama ıeldl.de itıceleııeb.ilir. Den-enin 4ol:N alam yUk'
d ~ • yine 9E
w ·Be di'rengleri ile belir1eneeektir. Değio­
ken akım yUk doirııawıu f t bu dofrumm yat,v ekseni kestiği
aokta,"ı bula] ,n. o . JcnpdanaatBrUnua. .ona f t 7Uksek •:f'rekans-
2
lar Wl,ae8iııde bea deflte. özellili g&ıten:111 iti, eliler bir
-1s1•· .ı,~ ge.:W.:ıı. .-ıı tı gibi ıknuılıl:,m; .ges· UııUııe ala-
raıc. tıanetlencliricdlda ç.ıkı.f tarahıı3, 7eD14eo1sel.1m ( ►
Jd.l--7• .J.2) •
 7.8

Şekil-7.3.1. lmıetörU kUprillenmemiş ortak emetörlil devre.

_ _ _,.__ _--o V2

Şekil-7.3.2. lmıetörü. köprülenmemiş ortak emetörlü kuvvetlen-

diricide c2 kondansatörünün gerilim kaynağı ola-
rak düşünillmeai. ·

Şekil-7.3.2'deki gerilim kaynakları ile bunlara seri

gelen tiıfençlerin yerlerine B~rton eşdeprleri koımr ve devre
clilsenlenirse, Şekil-7.J.J'de gHrUlen eşdeğer elde edilir.

§elcil-7.).). Şekil-7 .).2• deki devrenin ~rtC!ll eıdeleri •

.
 7.t

BııNda

(7.1.ll)

('1.1.12)

Bl:de edilen toplam eşdeğer devreden yeniden Thevenin eşdeğe­

rine geçilil'N Ş.Jdl-7.J.4'deki devre el4e ediliı-~
~
{le ,'
v,

Vco
••
Şekil-7.3.4. lhet6rU kHprUleımıemiı ortak emet6rlU devrenin
değifke.n işazıetler için eıdeğeri.

• Devrenin doğru akım yWt doğru.su, daha önce emetörU

k8p%'Ulemıif devre için verilenle aynıdır. Şe.1d.l-7.3.4'den
yararlaııı.lazıak değişken akım yUk doirıısu çizilebilir.

V00 ·= -c-y
I.R' (7.1.13)

olmak i.iseN

(1.ı.1.4)

. ,ekU.ıı<ledi •• (7 .ı..12) bai:uılllll. uyanıma

. -
,ı.r. ,~tff.ı.ıı, .. J'ftİlM ~.. -~~ ~ .
 1.10

(7.1.15)

.
, elde edilir. (7 .l.15) bağıntısı (7 .1.14) de yerine konursa

RC ~ ]
Re·+ liy

• (7.1.16)

bulunur. Bu denklem, ·(VCE' I 0 ) düzleminde Q(ICQ' VCEQ) nok-

tasından geçen ve eğimi

(7 .1.17)_

direnci ile belirlenen bir doğru verir ki, bu doğru kuvvet-

lendiricinin değişken akım yilk-doğrusudur. D~ğrunun yatay ek-
seni kestiği v00 noktası çalışma akımı ve besleme kaynağı ge-
rilimi cinsinden ifade edilirse

olduğundan

= VocR, + vccRc - 1c~

liy + RC

~ (7.1.18)

bulunur. BUtün bunları gözön:Une alarak doğru ve değişken

akım yUk doğrularını çizelim (Şekil-7.3.5).
 1.11

ılıliıtııa ..._ ,uıı .ıoı,uıu ·

••·1/Caı,tı;,
• ..,....... JÜlı • .,...
••·1/(flc •Rı)

~----+--...;ııı---~-v.
Ycıo Yco Ycc
Şeldl-7.J.5. llııetörU köprUlemııemif ortak emetörlU deTrenin
doinı,.aJam ve cleliflc•n akım yük dofıuları.

7.l~J. llııetör Çıkışlı Kat (Ortak Kolek'törlil Devre)

1\, Jii)d.irıe o2 JcondansatörU ile bailamu;'f bir aetör çı­
·a.,ııkatın bUyUJc iıaret davranıoı da önceki btslUmlerdekine
benzer biçimde incelenebilir. Bir emetör çı.Juolı katın çıkıı
tarafı Şekil-7.4.l'de görUlmektedir.

Ycc

Şekil-7.4.l. llııetlr çıkışlı katın çıkış tarafı.

c2 kaııclaıısatarıtnUıı oı-ta ve yWcsek _1'rekan91~ bölge-

. sinde bir. doğru gerilim ka.yll&ğı gibi d.aVT'anacağı, gerilimi-
nin de VEQ olacağı göz önUne alınırsa, Şekil-7.4.2~deld Bor-
ton eıdeferi: çiısilebilir.
 7.12

Şekil-7 .4.2. Şekil-7 .4.l'deki devrenin Norton eşdeğeri.

Burada

(7.1.19)

(7.1.20)

şeklindedir. Devredeki akım kaynağı ve buna paralel gelen Ry

direnci yerine Thevenin eşdeğeri konursa Şekil-7-4.J'deki
devre elde edilir.

Şekil-7.4.J. EmetHr çıkışlı devrenin değişken işaretler için

eşdeğeri.

El.de edilen devreden yararlanılarak ve I 0 Qa jIEQI

78kl..ıkl1lı yapılarak
 7 .ı:,

(7.1.21)

yazılabilir. Burada

(7 .ı.22)

biçimindedir. (7.1.22) bağıntısı (7.1.21) bağ~ntısında yeri-

n-& konursa

bUl:wıur.
VEQ~ı
00 olduğu dikkate alınırsa,

(7.1.2.3}

elde edilir. Bu bir doiru denklemidir ve söz konusu doğru

emet6r çıkışlı kştın değişken akım yiik doğrusu olarak isim-
lendirilir. Değişken ak:ı.m yUk doğrusunun eğimi, önceki dev-.
reler~ekine benzer bi91ıııde burada da -1/Ry ile belirlen-
mektedir.-Doğru yatay ekseni

Ri (7.1.24)

noktasinda keser.
 7.14

Öte yandan bir emetBr çıkıılı katın do(tru akım yUk

doğru.su

(7.1.25)

efitliği ile verilmektedir. lmıetör çıkışlı katın doğru ve de-

ğişken akım yük doğru.ları Şekil-7.4.4'de görülmektedir.

------ delitk9' okım yük do§rusu

m ■ -1/R,

yük dolrusu
m=-1/Re

VcH Vco Vcc

Şekil-7.4.4. Pmetör çıkışlı katın doğru akım ve değiıken akım
yük doğruları.

Şekil-7.4.4'den de fark edilebileceği gibi, emetör çı­

kıtlı bir kattıııı tepeden tepeye maksimum kırpılmasız çıkış
gerilimi alabilmek için, Q ça.lııma noktasını~ değişkenıakım
yUk doğruswıun ortasında seçilmesi gerekmekt~dir.

71 2 1 Gijc Kuvvetlendiricisi Taınmı, GUo Kuvvetlendiricilerinin

özellikleri
Bir kuvvetlendirici zincirinde çoğu zaman kuvvetlendi-
rilen işaret yUksek bir güç seviyesine yiikseltilerek bu gUcU
belirli bir amaç için kullanacak olan bir d6nUşttfrücUye uygu-
lanır. Bu dönUştUrücU yerine göre bir hoparlör,,bir verici

anteni veya doğru akllll gUçUyle çalışan bir röl~ olabilir.

Kuvvetlendiricilerin genel tanımı gereği, böyle devre-
lerde daima bir gUç kazancı bulunmaktadır. Ancak, kuvvetlen-
dirici zincirinin en sonunda yer alan ve gUQU, onu harcaya-·
oak döııUıtUrU~Qı-• ıqgulıqan devrelere gUç kuvvetlendiricisi
&dl. Tft"ilmek'l:edir. . •-.·
 7.15

Bir gUç kuvvetlendiriciainin yUke aktardığı güç bazı

hallerde çok yüksek olabilir. Bu durumda güç kuvvetlendiri._
cisinin verimi de önem kazanır.

Ry

P.
+ - DA

Ycc
Şekil-7.5. Güç kuvvetlendiricisinin blok _şeması.

Bir kuvvetlendiricinin verimi, PY yüke aktarılan güç

ve PDA doğru akım besleme kaynağından çekilen gUç olmak üzere

(7.2.1)

şeklinde tanımlanır. örneğin, bir verici kuvvetlendiricisirıin

antene aktardığı gUç 100 kW ise ve kuvvetlendirici ıı = %80'
lik bir verime sahipse, kuvvetlendiricinin besle•e kaynağın­
dan çektiği güç

py 100 klf
PDA = """iı = ......,......,_..__ • 125 k'f
o,e
olur. Bu gUcUn 100 kW'& yi.Ucsek frekaııslı gUç olarak antene
. aktarıldığına gt5re, aradaki f'ark, yani 25 kW'lık güç, devre-
nin içinde ısıya dönüşerek harcanmaktadır. Harcanan gUç ısı­
ya dtsnUıtUğU için, devrenin sıcakll.ğının sürekli olarak art-
masına ve soğutma l51J.lemleri alınmamışsa devrenin harabolmas-ı-
na• neden eıur. Bem soğutma probleminin kolayca çözUlmesi, h•
de ~erimin olabildilince yilksek olabilmesi açısından, gUç
harc-ırıın az olması gerekecefi aç:ılctır. ·
 7.16

Bir güç kuvvetlendiricisinie çıkış gücünün ve verimin

yüksek olması açısından akım ve gerilim dalgalanmalarının
bUyUk olması gerekir. Bu nedenle, çalışma noktası civarında­
ki kUçUk genlikli değişimler için tanımlanan küçü~ işaret pa-
rametreleri ve bunlara dayanan eşdeğer devreler artık _geçerli
değildir. Hesapların özeğriler Uzerinde çizim yoluyla yapıl­
ması, veya nonlineer modeller kullanılarak bilgisayar yardı­

mıyla 7apılması gerekir.

1.2.ı. Çalışma Sınıfları

Verim; çalışma.noktasının özeğri Uzerindeki yerine sı­

kı sıkıya bağlıdır. Çalışma noktasının yerine göre güç kuv-
vetlendiricileri A,B,C ve A.B sınıflarına ayrılırlar.
1- A sınıfı çalışma: Giriş işaretinin iki yarıperiyo­
dunda da giriş işareti ile sUrekli olarak değişen bir çıkış
akımı akar. Diğer bir deyişle, çıkış akımının akış açısı 360°
dir. Çıkış akl.JD.ının dalga şekli giriş işaretine benzer • .4ncak,
elemanın lineer olmaması nedeniyle bir miktar şekil bozulması~
yani distorsiyon oluşur.

Şekil-7.6. Tranzistorlu A sınıfı kuvvetlendiricide dalga şe­

killeri.
 '1.17

2- B sınıfı çalışma: Çıkış akımı giriş işaretinin bir

yar1periyo·dunda akar, diğer yarıperiyodunda akmaz. Diğer bir
deyi9le, çıkış akımının akış açısı 9=180° olur. Girişte işa­
~et yokken kolektör akımı sıfırdır. Çıkış akınıının ortalama
genliği, yani doğru bileşeni uygulanan işaretin genliğine
bağlıdır ve verimi A sınıfı çalışmaya göre daha yüksektir.
Çıkıştaki dalga şekli giriştekine benzememekle birlikte bir
yarıperiyotta bir tarafı, diğer yarl.periyotta ikinçi tarafı
Oalışan simetrik devrelerle giriş işaretine benzeyen çıkış
işar'etleri elde edilebilir.

Şekil-7.7. B sını:f'ı traıızistorlu kuvvetlendiricide giriş ge-

riliminin ve çık:i.ş akımının dalga şekilleri.

J-.AB sınıfı çalışma: A ve B sınıfları arasında yer

alan bu çalışma sınıfında Q akış açısı 180° < Q < J69° dir.
4- C .eın~f'ı çalışma: Bu çalışma sınıfında Q <180° di_r.
Qcuıellikle yüksek frekans kuvvetlendiricilerinde kullanılır.
- '
 7.18

't ,), Alçak Frekans GUç Kuvvetlendiricileri

.J.J.l. Tranzistorlu A Sınıfı fiUç Kuvvetlendiricisi
Direnci~ olan bir yüke güç aktaracak bir gUç kuvvet-
lendiricisi prensip olarak Şekil-7.8 1 deki gibi kurulabilir.
,

Şekil-7.8. Direnç yüklü kuvvetlendirici.

Ancak, bu devrenin aşağıda belirtilen sakıncaları var-

dır:
ı- IcQ doğru akımı sürekli olarak~ yUkUnden akar, dolayı­
sıyla~ yük direncinin üzerinde I~Q~ değerine eşit bir
güç harcar, bu doğru akım
gücüdür. Devren·en amacı, yüke
giriş işareti ile değişen bir değişken akım gücü aktarmak-
tır. Dolayısıyla, bu güç boşa harcanan bir güçtür ve dev-
renin verimini azaltır.
2- Yüke aktarılan gücün büyük olabilmesi için, uçlarındaki
gerilim ve içinden geçen akım olabildiğince geniş sı­
nırlar içerisinde değişebilmelidir. Bu sınırları belirle-
yen, kullanılan tranzistorwı sınır değerleri, v00 besleme
kaynağı gerilimi ve tranzistorun yüküdür. Belirli bir v
00
gerilimi için en ~gun bir Ry- değeri vardır. Eldeki y1.iki.in
değeri her saman biırıa e9it olmayabilir.

Yükün tranzistora bir trafo üzerinden b~ğlanmasıyla'

bu sakıncadan kurtulmak münıkUndür.
a- Bu durumda kolektör akımı Ry üzerinden akmadığından söz
konusu doğru akım gücü harcanması artık ortaya çl.kmaz.
Trana.f'armatörUn primer direnci (doğru akım direnci) üze-
rinde harcanan gUç ise, bu direnç küçük tutularak kaybo-
lan gUç önemli ölçüde azaltılabilir.
 7.19

+ Vcc

Rz []R,
C.virfM oranı
a/1

R,
Cı

Şekil-7.9~ A sınıfı tranzistorlu kuvvetlendirici.

b- Çevirme oranı uygun seçilerek, transformatörün birinci ta-

rafından görülen direncin, tranzistor için en uygun değer­
l i Ry Y'i.fk direncine e9it olması sağlanabilir. BcSylece tran-
zistoru daha büyük çıkı9 gUcUnU daha verimli olarak vere-
cek şekilde kullanmak mUmkUndUr.
Çıkış transf'ormatörUnUn birinci tarafının sargı diren-

cini yeteri kadar JcüçUk kabul ederek do~ akım Yük-doğrusunu

çizelim (Şekil-7.10):

Şekiı-1.ıo. A aınıhııcla dopı aJaa 1i1k dolruau.

 7.20

Tranzistol'Un. kolektör akımı sıfır iken kolektör-emetör

gerilimi VcE=Vcc olur.I0 _arttırılırsa, R:g direncinin uçla-
rında ~JfRE1c değerinde bir gerilim dUşüm:U oluşur ve

(7 .J.l).

olur. Bu bağı-ntı, VCE eksenini v0 0 noktasında kesen -.e eğimi

-(1/RE) ye eşit olan bir doğru ile g6sterilebilir. Elde edi-,
len doğruya-- tranzistorun doğru akım yük doğrusu adı verilir
ve herhangi bir I 0 kolektör akımı için tranzistorun v0 E ko-
lektör-emetör doğru geriliminin ne kadar olacağını gösterir.
Devrenin giriş akımı, yani baz akımı, IBQ sUkunet de-
ğerinin etrafında ib= !::. IB ani değeri ile değişıiı:tn. İşaret
frekansında, çıkış transformatHrU ideal transformatör gibi
davranıyorsa, bunun primer uçlarından görUlen direnç Ry::ıa2 1ty
olur. Bunun uçlarında ortaya çıkan değişken gerilim dUşüm:U .
!::.V= AicRy şeklindedir. Tranzistoruıı kolektör-emetör geri-
limindeki değişimin 6 V olması nedeniyle, bu gerilimin ani
değeri VCEQ- AV olur. Kolektör akımındaki herhangi bir !::. Ic
artımı kolektör-emetör gerilimini 6V kadar azaltır. F.ğimi
(-1/Ry) olan doğruya, A sınıfı kuvvetlendiricinin değişken .
akım yük doğrusu adı verilir. Bu. doğru Q çal~şma noktasından
geçer. Kolektör akımının alabileceği en JıU9ü.k değer sıfır, en
bijyük değer ise 1caat ile gösterilen doyma akımıdır. Doğru

le
clel}itıbft aktın yük dolı'usu

dotru akım yütı . .usu

...,.____......_,.________.. v~
Ve• ..ı Vcıo Vcc Vcı,
Şekil-7.11. De~f)ten ak:prı yük~.
 7.21

akım yUk doğrusu ile birlikte değişken akım yUk doğrusu Şe­
kil-7.ll'de gösterilmiştir.
Kolektör akımının sükunet değerinin iki yanındaki de- -·
ğişim alanının eşit olabilmesi için, R' değişken akın yUk di-
• V y V

renci Ic sat=2ICQ şartını saglayacak degerde olmalıdır. Bu

durumda transformatörün uçlarındaki gerilimin değişim alanı
da iki y"dnde eşit olmak şartıyla alabileceği en büyük değere
sahip olur. Tranzisto;ı-un kolektör-emetör gerillminin alabile-
ceği en bUyUk değer olan Vem değeri

şeklindedir. VCEQ » VcE sat olduğundan

(7.J.J)
olur.
Kiı11anılacak tranzistor açısından sınır değerler şun­
lardır:
a- Kolektör akınının tepe değerinin (IcM> alabileceği en bü-
·yük değer.
b- Kolektör-emetör geriliminin alabileceği en büyük değer (bu
değer baz-emetör arasındaki toplam dış devre direnci Rı3E'ye
bağlıdır. Baz açık devre iken tranzistorun dayanabileceği

en büyük kolektör-emetör gerilimi V(BR)C.ID ile gösterilir.

Baz emetöre kısa devre edilmişkenki da.vanma gerilimi
V(BR)CES ile gösterilir. VBR CF.X> < :V'BR CES dir. Baz ile
emetör arasındaki Rı3E dış devre direncine bağlı dayanma ge-
rilimi bu iki uç değer arasında yer alır. Bunun değeri yahut
~Eye bağlı değişimi yapımcı firma tarafından verilir.
c- Belirli bir çevre sıcaklığı, yahut belirli bir ~ılıf sıcak-
1:ı.ğı için tranzietorda harcanan toplam gücün (Ptot> alabi-
leceği en büyük değer.

A sınıfı bir güç katında çalışma noktası ve yük diren-

ci belirlenirken, bu sınır değerlerden hiçbirinin aşılmaması
gerekir. Devrede sükunet durumunda tranzistorda harcanan gUç
 7.22

IcQ ile VCEQ'nun çarpımına eşittir. Tranzietorun özeğrileri­

nin üzerine I 0 .v0E=Ptot(make)=eabit eğrisi çizilirse, bu
hiperbolUn üzerinde I 0 .v0 E çarpımının gUcün sınır değerine
eşit olacağı kolayca görUlebilir. O halde, çalışma noktası
belirlenirken, bu noktanın Ic.VcE=Ptot maka bağıntısının
belirlediği maksimum gUç hiperbolünün dışına düşmemesi gere-
kir. Çalışma noktasıyla birlikte değişken akım yük doğrusunun
belirlediği Icx ve Vcm4'nin de bunlarla ilgili sınır değerle-
1

rin altında kalması gerekeceği açıktır. ·

Devre kolektör akımının IcQ sükunet değerinin iki ya-
nında simetrik olarak.O dan Icr2ICQ ya kadar değişecek şe­
kilde sinüzoidal bir işaret kaynağında~ eürUlUree, tranefor-
matörUn primerine verilen değişken akım gUcU (devreden elde
edilebilen maksimum çıkış gücü) akım dalgalanmasının tepe de-
ğeri CicQ> ve ~erilim dalgalanması (VCEQ-VCE sat> cinsinden
kolayca hesaplanabilir.
P}=v.i şeklindedir.

.ve

olduğundan, gUç

biçiminde ifade edilebilir. Dqlayısıyla

(7.3.4}

.olur. v00 besleme kq~ııdan çekilen doğrı.ı alam gUcU

(7.3.5)

şeklindedir. Buradan hareket edilerek, malcsimum çıkış gUcU

elde edilirkenki verim
 1 .
T 1 cq (VCEQ - VCE sat>
lJ =
IcQ vcc.
Doğru akım yük doğru.su göz önUne alınırsa

olduğundan

ıı =
½- <vcc - Icg·~ - vcE sat>
(7.J.6)
Vcc

bulunur. 1iı direncirıdeld gerilim dUşUmü ve VCE sat , V00 geri-

liminin yanında ihmal edilirse

11 • 1/2 = % 50 ,,ıur. (7.J.7)

Bu pratikte gerçekleşemeyeceğ1nden, gerçek

varsayımlar
ve~iil % 50 den kUçük olur. Transformatör ideal olmadığından
bunun da bir kaybının bulunacağı, dolayısıyla bir verimi ola~
ca~ı açıktır. Bu verimi lJ tr ile gösterelim. Devrenin toplam
verimi

( 1J T) = 1J • lJ tr (7 • .3.8)

olıır•

.l,.J•2r
·;:-_ .:.:,-i··_;-~,
B S:uıırı GUç Kuvvetleııdiricileri
:B sınıfı çalışmada sinüs biçimli bir işaretin ancak
bir yöndeki değişimlerinin çıkış akımı oiuşturduğu! diğer ya-
nının ise kaybolduğu belirtilmifti • .Bu tür d_evrelerin simet-
~ik 9alıştırılıııasıyla her iki yarıperiyodun da kuvvetlendiri-
•
lebileceğine de deii.nilmişti. B sınıfı devrelerin 1nı şekilde
çalıştırılmalarına
. . pu§pul çalı~ adı verilir.
 7.24

7.3.2.ı. TranstormatörlU B Sınırı Kuvvetlendirici

Devre T1 ve T2 tranzistorları.vla oluşturulmuştur.
İşaretin bir yöndeki yarıperiyodu bir tranzistorun bazına,
diğer yöndeki yarıperiyodu da işaretin yönU ve fazı değişti­
rilerek B sınıfında çalışan diğeT 'bir tranzist~ra uygulanır.
Bu tranzistorların kolektör akımı değişimleri ise_birbirine
zıt yönlerde olmak üzere bir transforınatörle yUk direncine
aktarılır. Böylece işaretin tümü kuvvetlendirilmiş olur.

Transformatörlü B sınıfı kuvvetlendirici Şekil-7.12'de gö-

rUlmektedir.

Şekil-7.12. Transformatörlü B sınıfı kuvvetlendirici.

VBB kaynağı,
sükunet halinde her iki tranzistor da
iletim e9iğiııde bulunacak şelcilde seçilmiştir. Bazlara uygu-
lanan zıt fazlı işaretler Tr trafosu ile sağlanmaktadır.
1
Sargılar simetriktir, dolayısıyla uçlardaki gerilimler orta

uca göre, veya referansa gHre eşit genlikli, fakat zıt faırlı
olurlar. Bu nedenle, tranzistorlardan birinin b~z ge7:ilimi
artarken ve bunu iletime sürerken diğeri tıkalı kalır. Diğer
yarıperiyotta ise aynı olay bu defa öteki tranzistor için
tekrarlanır.
Tr transf'ormatörUnün simetrik sargılarından ayrı ay-
2
rı akan bu ıso 0 faz farklı kolektör akımları, bu transforma-
törün sekonderinde birbirlerini' t~ayarak Ry den işaretin
tamamını akıtırlar (Şekil-7.lJ).
 7.25

·I

1 •
1

lp• lcı- lc2

le•

-lcM

Şekil-7.lJ. Tranef'ormatHrlU B sınıf'ı kuvvetlendiricide tran-

zietorların kolektör akımları ve transf'o.rmatHrUn

primer akımı.

Transf'ormatHrUn giri• uçları arasındaki ger~linı şu şe­

kilde olur. Kolektörlere bağlı olan uçlardan her birinin orta
uca g6re sUkunettelci değeri o dır, tmınzistordan IcM akımı a-
karken ise

şelclinded.ir. O halde, primer taraf'ı geriliminin tepeden tepe-

ye clel111ai 2Y• olur. Yani gerilimin tepe dftğeri VK olur.
 7.26
!şaret gerili114-nin genliği v00-vCE sat, işaret akımının gen-
liği ise ICM olduğuna göre, her iki tr-anzistorun transi'orma...
törUJJ primertne verdili maksimum çıkış gü.cü

şeklinde olaeaktır. Bunun tranzistorlardan her biri

yanısıra,

v00 doğru gerilim kaynağından tepe. akımı ICM olan sinüsoidal.

bir alo.mın yarıperiyodu boyunc:a akacak o~talama akımı çekecek-
tir. Dl akım T tranzistoru. için
1
l
1 cıor-t = _2_Tt__
Tt

şeklindedir. v00 kaynağından çekilec&k toplam doğru akım ise

2
(tDA)M ~ 1 cıort + 1 c2cır-t"" 2 • 1c:laırt • YC
1cM

olac:ağından, Vcc gerilim kaynağının vereceği doğru akım gücü

biçiminde ifıule edilebilir. Buradan hareketle devrenin verimi

-hesaplanırsa

0,785.( 1 - (1.,.10)

bulunur. VCE sat <<Vcc olduğundan, verimin yaklaşık olarak

%78,5 olduğu kabul edilebilir. Gerçekte ise, verimin bu de-
ğerden dana küçük olacağı açıktır.
 7.J.2.2. Transf'orıııatureuz Pu.epul B Sınıfı Kuvvetlendiriciler
npn ve pnp tipi tranzistorların birlikte sağladıkla­
rı bazı olanaklardan yararlanılarak, B sınıfı kuvvetlendiri-
ciler transf'ormatörsüz olarak da gerçekleştirilebilirler.
Böylece ağır ve pahalı bir eleman olan tranef'ormatörden ve
.
bunun geti.:receği bazı sakıncalardan kurtulurunakta, bu neden-
'

ıe bu tür devreler çok kullanılmaktadır. Bu. tip devrelerin

diğer bir üstünlüğü de, bazlara uygulanan sürücü işaretlerin

zıt _f'azda de~1, aynı fazda olmalarıdır.
Biri p~p, diğerı npn olan e, özellikli çakış tranzis-
torları ile kuru.lan bu tip kuvvetlendiricilere eşlenik tran-
zistorlu yahut komplementer simetrili kuvvetlendiriciler adı
verilir. Devrenin prensip şeması Şekil-7.14'de g5rülmektedira

v,
~2
-- Vcc/2

+
.-4:r \_ic,
+
-- Ycc/2

Şekil-7.14. Eşlenik tranzistorlu. bir puşpul kuvvetlendirici.

Traıısistorları iletim e9iğinde tutan baz kutuplama

devresi şekilde gösteriİmemiştir. SUkunet halinde yükten doğ­
ru alam akmaz, transistor.lar iletim eıµğinde bulunurlar • .An-
cak akım akı'imazlar. vg#O durumunda pozitif' yarıperiyotta T2
tranzistorunun akımı artar ve bu eleman Ey yükü ile emetör
çıkışlı bir devre gibi çalışır. Bu yarıperiyotta, sükunette
a~ten iletin eşiğinde bulunan T1 kesime gider ve ~ç alnın
, akıtmaz. vg nin pozitif yarıperiyodunda Ey üzerinden akaa
ak:ı.m sadece T nin akımıdır. Negatif yarıperiyotta ise durum
2
bun~n tersid=i:r• T2 tranzistoru tıkanır, T1 ·tranzistoru. .Ry
 7.28

yUkU ile emetar çıkı91ı bir kat olarak çalı9ır. Tranzistor-

ların emetör çıkışlı kat ol8:1'ak çalıştıkları yarıperiyot i-
çerisinde gerilim kazancı l'e yakındır. T2 tranzistoru ça-
lışırken Ry- Uzerindeki gerilim dU9ümU, tepe değeri yaklaşık
olarak vg ye eşit olan pozitif bir yarım sinUs dalgası şek­
lindedir. Diğer yarıperiyotta ise gerilim düşUmU yine vg te-
pe değerli negatif bir yarım sinUstür. Her iki tranzistorun
geçiş karakteristikleri birarada çizilirse, Şekil-7.15'deki

karakteris~ik ve çıkış işareti elde edilir.

lcı
npn

Şekil-7.15. Geçif karakteristikleri.

Akıınl.arın nasıl değişt1.kıeri buradan kolayca görUlebi-

lir. Akımların ve gerilimlerin deği9imleri alt alta çizilerek
Şekil-7.16'da verilmiştir.
Devre bu şekliyle iki ayrı doğru gerilim .kaynağına
gereksinme gösterir.Devreye yapılacak bir ekle bu durum dU-
zeltilebilir. Devre Şekil-7.l7'de görUlmektedir~
T1 ve T2 tranzistorları uygun bir baz devresi ile akım
akıtma eşiğinde kutuplanırlar. Özellikleri aynı olan bu tran-
zistorların VCE gerilimleri de aynı olur. Diğer bir deyişle
v00 gerilimi ha. iki tranzistor arasında eşit olarak böliiııUr.
:Bu dUl"Wllda E noktası V-g=V00 /2 g~riliminde-..olur. Yüke seri
 t

lc2

lcı 1
1 1

1 K)
1 1
1
• t

1
1
i,

Şekil-7 .ı~_.__ Akım ve gerilimlerin ~amana hallı de~91mleri

 7.30

l2
C +
E
-=- Vcc

~
Vcc/2
Tı
Ry

Şekil-7.17. Tek besleme kaynağından kutuplanan eşlenik tran-

zistorlıı devre.

bağlanan C kondansatörü büyük kapasiteli bir elemandır ve bu

gerilimle dolar. Yani uçlarında Vcc/2 gerilimi bulunur.
C-R,y zaman sabiti çok bUyük yapılırsa, devre üzerinden değiş-
ken bir akım akıtıldığında, C nin uçlarındaki gerilimin de-
ğışmediği, yani bunun uçlarındaki gerilimin sükunet değerin~
de kaldığı kabul edilebilir. Yani, C kondansatörü bir doğru
gerilim kaynağı olarak davranır.
T1 in çıkış çevresindeki doğru gerilim kaynağının ge-
rilimi Vcc/2 değerindedir ve bu gerilim C kohdansatörü'tara-
fından sağlanmaktadır. T tranzistorunun çıkış çevresindeki
2
eşdeğer doğru gerilim kaynağının değeri de

olur. Böylece önceki devredekine benzeyen bir durum sağlanmış

olur. Devreden alınabilecek maksimum çıkış güc~~ün sınırını
dalga şeklinde kırpılma olmaksızın elde edilebilecek çıkı~
geriliminin tepe değeri belirler. Devrede bu değer

şeklindedir. Bu durumda akacak yük akımının tepe değeri

 7.:sı

(7.3.11)

olur. ·v0012 >>YcE sat olduğundan yWc akımı

(7.3.12)

eeklinde ifade edilebilir. Buna g<tre, sinUe biçimli bir giriş

işareti için maksimum çıkıtı gücU

(7.3.13)

Her bir yarıperiyotta V /2 gerilimli d~ru. gerilim kaynak-

CC
laı'l.rıdan akan doirıı akım, yani yilk akımının ortalama değeri

feklindedi.r. Buradan yararlanılarak harcanan doğru akım gücU

her iki :,arıperiyotta harcanan toplam gUç ise

o;ıaralc yazılabilir. Buradan:ıhareket edilirse, maksimum çıkış

gUcU elde -edilil:'kenki verim
 "' =

'YI = .!L = % 78,5

4

olarak bulunur. Yine aynı noktadan hareket edilirse, maksimum

gUcü'ile t:ranzistorlarda harcanmasına izin verilen mak-
ç:ı.kıf
simum gUç arasındald bağıntı da bulunabilir.
Bu iiifki

{7. 3.15)

şeklindedir. T.ııansfomati:SrlUdevrede çıkış transformatörUnün

dönüştürme o~anı uygun seçilerek Rj- yUJcUnUnı

(P') = .l.. • ~!Ç

y JI 2 ·:a;.

bağıntısının belirlediği değere eşit olması ve böylece devre-

den elde edilebilecek maksimum gUcUn aktarılmasx sağlanır.
Transformatörsüz devrede elde edilebilecek.maksimum
çıkış gUcU besleme kaynağı gerilimine ve yiik' direncine şıkı
bir biçimde bağlıdır.·Devredeki akım ve gerilim sınırları in-
celenirse, kolektör ak:ımının tepe değerinin alabileceği en
bUyWc değerin

.. '

ve·her bir tranzistoru.n kolekttir-e~eti:Sr geriliminin maksimum

değeritıin

(7.3.17)

olduğu gl:SrUlilr.
 1.,,.
Transformatörsüz B sınıfı bir çıkış katını sürecek
olan devrenin tranzistorları iletim eşiğinde tutacak, ayrıca
her iki tranzistorun girişlerine yeteri kadar bUyUk genlikli
bir sü~cü işareti uygulayabilecek bir devre olması gerekir.
Bu amaçla kullanılan devrelerden birinin şeması Şekil-7.18'de
görülmektedir. Bu devrede T3 sürücü tranzistorunun sükunet
akımının n ve n
1 2 diyotları üzerinde oluşturduğu gerilim dü-
Vcc

Oz C

•
Şekil-7.18. İki diyotla kutuplanmış eşlenik çıkış katı.

şümü, T1 ve T2 tranzistorlarının bazları arasına uygulanmış­

tır. Diyotlarla tranzistorlar aynı malzemeden yapılmıılarsa,
bunların iletim gerilimleri aşağı yukarı eşit olacağından
(silisyum için o,6 V) tranzistorlar iletim eşiğinde kutupla~
•~l~, yahut bunl&;l'dan ki.içtik deferli bir sUkwıet akımı akar.
Küçük değerli bir sükunet ak:ınu akması durumunda devre AB sı­
nıfı kuvvetlendirici olarak çalışır.
T3 ün sükunet akımı uygun seç~lerek T1 in baz gerili-
m\nin Vc,a/2 den o,6V a~~ıda, T2 nin baz:yıdaki g~ilimin
ise o,6 V· daha yukarıda olması,. yani v0c geriliminin iki tran-
zietor arasında eşit olarak paylaştırılması sağlanmıf olur.
 SUrUcü T3 tranzistoru dirençle yüklü bir küçük güçlü
A sınıfı kuvvetlendiricidir. Diyotların değişken akım direnç-
leri kUçük olduğundan, uçlarındaki değişken gerilim düşümü
de küçük olur. Böylece, devrenin girişine bir değişken geri-
lim uygulanması halinde, çıkış tranzistorları aynı fazda ve
pratik olarak eşit genlikli işaretlerle sürülmüş olurlar.
Şekildl!ki devrede çıkış işaretinin tepe değerinin ala-
bileceği maksimum değeri sınırlayan bir etken vardır. Giriş
işaretinin negatif yarıperiyodunda T Un faz çevirmesi nede-
3
niyle T2 iletime geçer ve bir emetör çıkıslı kat gibi davra-
nır. Bu tranzistordan kolektör akımı akabilmesi için I¾ baz

akımının akması gerekir. Bu akım akmasaydı, B noktası +Vcc

2
potansiyeline kadar çıkabilecekti. Oy~a, T2 den maksimum
akım akarken, bunun baz akımı da maksimum değeri olan IB2M
değerini alır. Bu akım Re kolektör direncinden akacağından,
T3 den akım akmasa bile, B2 noktasının gerilimi +Vcc değeri­
ne çıkmaz. IB2M•Ra gerilim düşümü kadar daha az olur. Bu ne-
denle, çıkıştan alınacak maksinum gerilim, gerçekte daha ön-
ce belirtilenden daha k'UçUk .olur.
 7.3.3. Tranai'ormatöraüs Ruepul Kunetlendiricilerde Süri1k-
lenme Devresi tıe Ç.ı.kıe Genliğinin Arttırılması

Baz. ak.11JDının aürücii katın Re yük direnci üzerinde neden

clduğu gerilim düşümü dolayısıyla çıkışın +Vcc potansiyeli-
ne ulaşamvaı:ağına önceki böl Umde. değinilmişti. Bu sakıncayı
gidermek üzere sürüklenmeli devre düzenlerinden yararlanılır.
-sürikl.enmeli devre düzeni Şekil-7.19'da görülmektedir.

,--------------o• Vcc

Şekil-7.19 Çıkış katının sürüklenme devresi kullanılarak

aiiriilmesi.

Bu devrede sürücü katın yük direncinin üst ucu, yani A

noktası. +VCC yerine çıkış gerilimi ile beraber değişen bir
pot~eiyele getirilir. Bunun için .& noktası ile T CC araaua
8y yük direncine göl!'e büyük değerli bir Rı. direne:! yerleşti­
rilir ııe .& ısoJrtaıtt yeterince: büyük değerli bir Cı_ kondans:a-
tlfrli ile IIR'tak emetar noktasına birleştirilir. r1 eme tör ç.ı.-
- kışlı bir kat olduğundan, Bı_ noktaeında hanıgi değişim olursa
noktası değişimi aynen izler. Dolayısıyla, .ı
E da bu
03 akı­
•ı lcilçtildtikçe.13ı..nıo1rtaa:ı.nııı potansiyeli hangi oranda yiikae-
111-ae, .Bnoırtaeının potansiyeli de aynı miktarda yük~elir.
:BUyük kapasiteli C:ı_
kondansatörü uçlarındaki doğru. gerilimi
aula,aea&ı.ııdu, diğer bir deyişle bir doğru gerilim ka:,na-
t.ı. -sibi da-.ran~ından, A noktasının potansiyeli de ayn~
miktarda yükselir. Sonuçta, R direncinin iki ucu da hemen
2
hemen aynı miktarda ve aynı yönde potansiyel değiştirdiği­
ne göre, bu R2 direncinden akan akım yaklaşık olarak sabit
kalır. Bu ise, Ic kolektör akımının azaldığı oranda bir
3
akımın T tranzistorunun baz; akımına eklenmesi anlamına
1
gelir. T tranzistoru tUmUyle kesime gittiğinde, Bı,_ nok
3
tas:ının potansiyeli +Ycc değerine çıkar. A noktasının potan-
siyeli ise bundan daha yüksek bir değere erişir. Bu durumda
T1 trans:istorunun bu.ından iae ıc kadar bir akım akar.
3
Böylece T1 tranzistoru maksimum kolektör akımının gerektir-
diği baz akımını. elde etmiş olaea.kt.:ıır. J. noktasının. potan-
siyelinin yukarıda anlatılan biçimde E noktasının potansiye-
li ile birlikte sürüklenmesinden ötürü, bu den-e siiriiklemıe­
li çıkış katı devresi olarak isimlendirilmektedir. Bütun
bunlar%Jl dikkate alınması halinde

(1.3.18)

olması gerekeceğf. açıktır.

7. 3.4 • .A.kım ICaynyı Iullanılarak Çık¼f GenlUtinin Arttırıl­

!!!!!

Sürüklenme devresinin ıruUanılmasıyla sUriidl ka~ın yük

direndnden akan akımın sabit kaldığını, dolayısıyla yük di-
rencinin bir akım ka~~ı gibi davran~ığını :Blil:Uııı-7.3.3. 'de
gHTmUştük. Anc.ak, .d~vrenin bu dan-anıtını sadece kondansatör
0

dolu ka1dığı sürece siirdUrebi leceğini de hemen be1irtıaekte

yarar vardır• O halde, alçak frekanslara do~ gidildikçe:
kondanaatHrlin değerinin yeıersig. kalac&A1 v.e devrenin ~alış­
masının bozulaealı açıktır. 1hı sakınca. sUrile(i tranzistoruıı
kolektör yükü yerine bir akım kaynağı yerleştı~ilerek .gide-
rilebilir. SiirüeU katın kolektör yUldl yerine bir akım kay-
nağı devresinin yer aldığı ,güç kuvvetlendir_icuBi de~esi
Şeld.l-7.20'da verıimiş~ir •

. . - - - - - - - - - - - • Vcc

Şekil-7.20. Sürücü katın yiik diNnci yerine akım kaynağı

Jıııllanılması.

Şekil-1.20 1 de yer alan akım kaynağının ne şekilde gerçek-

ıe,tirileceği is& Şekil-7.21 1 de g6sterilmiştir.

• Vcc

"ı

Şeiil-7.21 • .UC.m kayna,ının gerçekleştirilişi.

pnp. tipi T t1'.annatorıa. » Te D diyotları Ye R dinınci

4 3 4
ile oluşturulan kuhplJmı&, devı-eein1ıı yardı.ıu.yla bir akım
 7.38

kaynağı olarak çalışmaktadır. Bu tranzistoruri baz geriliai

+v00 den iki diyot gerilimi kadar daha düşük bir potansi-
yelde tutulmaktadır. Bu nedenle, RE direncinin uçlarında

(7.3.19)

gerilimi bulunur. O halde, akım kaynağının akıtacağı akım

I ., (7.3.20)

olacaktır. ! 1 ve T2 B a.uııfında çalıştırıl­

tranzistorları
dıklarından, sükunet durumunda bunlardan akım akmaz. Bu

nedenle I • Ic 3 olac·aktır. I akımını, daha önce sürüklen-

meli devrede olduğu gibi, IBlM değerine eşit seçelim.
lhı seçimin yapılması halinde, T} sürücü tranzistorunun

kolektör akımı azaldıkça

{7.3.21)

bağıntısı -uyarınca IBı baz gerekecelrtlr.

akımının artması
Diğer bir deyişle, bu sırada T tranzistoru amet6r çıkışlı
1
bir kat ~larak çalışacaktır. Kuvvetlendiricinin çalıtac~ı
frekans bölgesinde akım kaynağı devresi frekanstan bağııı-
5ız kalacağından, bu devre ile çok alçak frekanslara inmek

mümldindUr·. Buna kartılık, T1 · tranzistorunun bazının +Ycc

potansiyeline çıkması mUmkün değildir. Söz lıonuau nokta-
DJ:n gerilimi, T tranzistoru tümüyle kesimdeyken
3

(7.3.22)
değel!'ini alır. Dolayısıyla, devre düşük kaynak gerilimle-
rinde kullanılmaya elveritli değildir.
 Gerek Bölüm 7.3.}'de ve gerekse bu bölüınd& anlatı­
lanlardan fark edilebileceği gibi, devrenin çıkışından
maksimum genlikte bir işaret alınabilmesi için, sürücü t
3
tranzistorunun r0Q 3 sükunet akımının T1 tranzistorunun
baz akımının maksimum değeri olan IBlM değerine eşitse­
çilmesi gerekmektedir. Çıkış tranzistorları B sınıfında
çalıştır~ldıklarından, sükunette bunların baa akımı sıfır

olur. Buradan hareketle, sükunette I • ı0 Q

3 olacağı kolay-
ca görülebilir. 'Pratikte, sürüklenmeli ve akım kaynaklı
kuvvetlendirici devreleri gerçekleştirilirken, ICQ} akımı,
dolayısıyla I akımı, daima

olacak şekilde~ tranzistorımun baz_akımının·maksimum değe­

rinden daha bUytik seçilir.

7~4. SürüC!'ti Katın Akımının K!,ültülmesi, Darlingtcım ve

SBade-Darlington Çiftlerinden Yararlanılarak Çıkış Katı
Gcrrçekleetirilmesi

güçler sBz konusu olduğunda, çıkış transistor-

Büyük
ların:ın kolektör· akımlarının tepe değeri birkaç Amper_ mer~

tebesin.e, hatta daha yüksek değerlere ulaşabilir. örnek

vermek gerekirse, 4 Ohm'luk bir yük direncinde 50W'lık bir
~ elde etmek için

ı2 2..P 100
M
P•-~ 1ııı • •
4
- 5ıA.
2

de~erinde bir akım akıtılmalıdır. Yine, bu duruma karşı

düşen gerilimin tepe değeri VM • 20 V oımaktadır.
l>olayısı:,la, de-vrenin besleme gerilimi Ycc > 2TM • ·4i0 T
ıartını ~layaeak biçimde s,eçilmelidir. Bilindiği, gilıııi,
bir tranzistorun h:PE akım kazancı kolektör akımının bir.
fonkai70.nuduı-. I.iiçttk akl.Jlllariaıı itibaren kolektBr akımı
arttır.1ld.ığııuia lı:,ı: ilk Bnce artar, daha sonra dar bir
bölgede yakla,ık olarak sabit kalır-, akımın değerinin

daha da arttırılmasıyıa ~Enin değeri hız.la azalır. Söz

konusu değişim Ş&kil-7 .22 de görfil.mektedir. Şekilden fark

hFl

le
lot)
şekil-7.22. ho akım kazancının ı
0 kolektör akımı ile
değişimi. ı
0 ekse_ni logaritmik olarak ölçeklendirilmi~
lir.

edilebileceği gibi, böyıe

büytllc kolektör altımı değerlerinde
~ alcım kazancı cııldukça
küçük değerlere inmektedir. Böy-
le durumlarda bas akımının. tepe değeri de 100 mA' ler merte-
besinde olur. Dolayısıyla, sUrU.cii transistorun kolektör aü-
tmnet akımın~n da aynı şekilde yüksek değerii olması gere-
kir. Bu ise fazladan bir güç hareamasıdır ve .devrenin top.
lam verimini asal taeaktır. Bunuıı yanıs:ı.ra, sürücü tranzis-
torun da iyi bir şekilde sa:ğutulmaeı gerekeceği açıktır.
Sö~ konusu sakıncaları ortadan kaldırmak üzere, yüksek
güçlü devrelerde Daı-lington çiftleri kullanılarak aü.rüeii
akımınuı azaltılması yoluna gidilir. Böylece, gerekli oıan

bu: akımı birkaç mA. mertebesine kadar dU.şürfil.ebillr. Devre

düzeni Şekil-7.23'de görUlmektedir.
, Sükunet halinde tran-
si.storların iletim eşiğinde kutuplanabilmelerini sağlamak

üzere, ıq ve B noktaları arasında.ki doğru geriliae,

2
di:trt diyo-t gerilimine eşit olacak şekilde bir d~ğer veril-
mesi gerekir. '
YWcaek güçlUi devreler için , e~lenik güo· tranzistor-
larının bulunması her zaman miiJııkün olmayabilir. Bu yüsden,
aynı a::insten (ıı:pn yahut pnp} iki eş güç tranzistoru ile ger-
çekleştirilen devreler de yaygınlaşmıştır ve kullanılmak­
tıuiır. ~ l e Stszde-Darlington c;if~i kııllanııarak gerc;_eldaş;..
 7.41
tirilen bir güç kuvvetlendiricisi davresi ~e~ll-7.24'ü~
Vftt'ilmiftir •

r---------.--------0 •Vcc

o,
C

Şekil-7 .23.
Darlington çiftler-! kullanıl.arak ! a.uııfı güç
ku•vetlendiricisi gerçekleştirilmesi.·

----------------o• Vcc
R

Şekil-7.24. Dar.lington ve Sözde-Darlington çıf'tıerinin bir-

likte kullanılmasıyla B sınıfı güç kuvvetlendiricisi gerçek-
le.ıtirilmesi

Şekil-7.24'deki devrede T1 ve T1•

tranzistorları bir
Darl:ington çif'ti oluştururlar. Bi noktasının geriliminin
po&i tif yönde değiştiği yarıperlyatta bu çift bir emetör çı-
kışlı kat GJ.arak garev yapar ve gerilim kazanc-,ı da yakla-
şık olarak +l değerindedir.

T
2
ve T 2tranzistorlarının oluşturduğu çift ise
Söme .. Darlingtcm çifti olarak isimlendirilir·. Bu çift pnp
tipi bir T2 stirüdı tranııistorundan ve npıı tipi_ bir T2 çı­
kış tranzistorundan oluşmaktadır. T çıkış tranzistoru
2
Darlington çiftindeki T1 çıkış tranzistorunun eşidir.
Aneak, devrenin stirUJ.üş biçimi bir pnp tranzistordaki gibi
almaktadır. Bunun yanısıra, gerilim kazancı ve giriş diren-
e! açısından ele alındığında, devre Darlington çifti ile
benzer özelliklere sahip bulunmaktadır. Sükunette çıkış
çiftlerinin iletim eşiğinde bulunabilmesi için, J3i ve B
düğümleri arasında üç diyot gerilimine eşit bir potansiyel
2
farkı bulunmasJ: gerekmektedir. Darlington çiftine aş özel-

lik gösteren Sögde .. Darlington çiftinin bu özelliği neşe­

kilde sağladığını anlamak üzere, yapıyı biraz daha ayrın­
tılı olarak inceleme~in yararlı olacağı açıktır.
1

S~&de-Da.rlington çifti, gerçekte, bir pnp ve bir de

npn _tranzisto:-dan oluşan iki_ katlı ve gerilimden seri geri ..
beslemeli kuvvetlendiriciden başka bir şey değildir. pnp
ve npn tr.anzistorların yerlerinin değiştirilmesiyle de ben-
zer bir yapı oluşturulabileceği kolayc.a fark edilebilir.
Gerek güç kuvvetlendiricilerinin, gerekse gerilim kuvvetlen-
diricilerinin gerçekleştirilmesinde yaygın olarak kullanılan
bu iki tip devre Şekil-7 .V,'de gerulmektedir·.

ı o)

Şekil-7.25. Sösde-Darlington çiftinin geri-beslemeli kuvvet..

lendirici olarak göaterilıaeai.
 7.43

Dırıreııin gm.beslemeli gff'ilim kazancı

(7.4.l)

şeklindedir. Bı • O yapılırsa, yani bu direnç.kısa devre

edilirse, ~evrenin gerilim kazancı 1v • 1 değerini alır.
Bu durumda devreler" ŞeUJ,-7.2c'daki biçime dönüşürler'.

•VCC

v,

v,

Şekil-7.26. Xv • 1 kazançlı Sözde-llarlington çiftleri.

Şekil-7.26'da görülen devre, Şekil-7.24'deki devrede yer

ale !
2- !
ala.ııı kazancı
2 çiftine karşı düşmektedir. :Su çiftin eşdeğer

(7.4.2)

şeklinde iki tranzistorun bre kısa devre akım kazançlarının

çarpımına eşittir. Yine , gerilimden ari. geribealemenin
etkisiyle, devrenin çıkıt direnci çok kUçUk olmaktadır. Bu
haliy1e, sascıe-Da:rlington çifti bir · Darlingtcm ç11't1nin
'
öz~lliklerine
. l
sahip olmaktadır. Yapı, ilk tranzistorun ~1-
pine uygun bi~ davranış gösterir:. Giriş tr.anziatoru. olan
T' pnp tipi ise, çıkıt tranziatoru T nin ııpn ~ipi bir tran-
z~stor olmaaına·raı-en, devre bir pıp tranzistor gibi davra-
nır.Benzer. ösellilin tranzistorların yerlerinin de~ştiril­
mes~ halinde de aaııanacağı açıktır • .Bu nedenle, yapı, aynı
tıp ı;ıkıo tra.nısis-torları lcullanılarak,Şe-kil-7.24'de1d. gibi
 7.44

lt (yahut AB) sınırı transtomatönfis ~ıkıt katı gerçekleş­

tirilmesinde ku.llanılabilir.

7.5. &B S.ınıfı Qalıema.

B güçlüklerin ve sa-
sınıfı çalışmada karşılaşılan

kıncalar-ın giderilmesi ama~yla, devreden küçük bir IcQ

sükunet akımı akıtmak ·yararlı olur. Bu ç:alışma şekli AB
aın.ıfı çalışma olarak isimlendirilmektedir. Sükunet. akliDlJı.,

genellikle ~M maksimum kolektör akımının 1/20 si ile

1/lOO'tl arasında seçilir. Devre yapıları ilke olarak B sı­
nıfında karşılaşılan devre yapılarıyla aynıdır. Sadece

~alışma noktaaı farklılık göstermektedir.

1. 5.1. !rans.formatörlil AB S.ınıfı Pııepul Çıkış Katı..

!rmıstonıatörlü .AB sınıfı pıışpııl çıkıt lc:atı devn•i

Şekil-7.27'de görUlmektedir. SUkunet halinde he~ iki 'tran-

ŞekU-'l.21. ~ansformatörlU AB .sınıfı çıkış katı.

aiııtolr •t gerilimle kutuplandıklarından, lw.nların IcQ sii.-

kunet akımları eşit olur. Bu akımlar emetör direnci üz;erin-
de bir gerilim düşUmü oluşturduklarından;, tranzistorların
kolektör-emetör gerilimleri, dolayısıyla çıkış gerilimi gen-
liğ11 ~CC be~leme kaynağı geriliminden d~a küçillc olur. Bu
nedenle, tr-anzistorlardan birinden Ic,ı akımı akarken, ge-
rilimin tepe değeri

olur ki, bu değer Vcc - VCEsat o:,lan B sınıfı çalışmadaki

genlikteiı daha küçüktür. Tranaformatörlü AB sınıfı puşpul
güç kuvvetlendiricisine ilişkin akım dalga şekilleri Şe-
1til-7.28'de verilmiştir.

--. -
1

•
Şekil-7.28 . .&B aını:tı çalışmada trana:t'ormatörlU puş'pul lcuv-
vet;J.endirici için akım dalga tekilleri •

• r.
 7.46

Tra.ns.formatöriin girişine verilen maksimum güç:

şeklinde hesaplanabilir. (7.5.1) bağıntısı (7.5.2) e,şitli­

ğinde yerine konursa
1
1 1cw (VCEQ - '(CEs.at>
pyM = 2
ı VCEsat
'
pyM = 2 Ic:M.VCEQ"( 1 - ) (7.5.3)
YCEQ

elde ediUr. Yine devrenin verimi hesaplanırsa

Tt
( 1 - VCEs:at / VCEQ)
ıı • ,-- lt ICQ
(1. 5.4)

1 + ( 2 - 1).
ICM

bağıntısı bulunur. (1.5.3) ve (7.~.4) ~şitliklerinden fark

edilebileceği gibi, gerekli şartların dikkat~ alınması ha-

linde B sınıfı çalışmaya ilişkin büyüklükle~ de hu hağın­

tılar yardımıyla kolaya hesaplanabilmektedir.

7.5.2. Trans.formatörsüz AB Sınıfı Pu.epul Güç Kuvvetlendiri-

cileri.

Transformatörlü puşınil güç kuvvetlendiricisi için

önceki bölUmde dtJğinilen ö.selliklerin bena:erl özelliklerli!
eşlenik tranzistorlu pııfpul devrelerde de karş~~aşılır.
Devre yapısı olarak ele alındığında, Al3 sınıfı ·eşlenik tran-
s.istorlu güç kµvvetlendiricileri · B sınıfı puşpul kuvvetıen­
diricilere göre herhangi bir farklılık göstermezler. Arada•t
ki tek fark, güç tranzistorlarındanı küçük bir sükunet akımı
akmasıdır. Anak, özellikle büyük güçlü devrelerde, siiktuıet
akımının akıtılması halinde bazı ısıl aü:rUklenme problem-
leri ortaya çıkar ki, bu sorunlara ve bunların giderilmesi
için başvurulan y6ntemleTe aşağıda kısaca de~inileeektir •
. il aınıfı çalışmada temel problem, istenen çalışma
a~ımını (sükunet akımı) geniş bir sıcaklık değişim h6lgeai
içeri.sinde sabit tu"taaktu-. franzistor ısındıkça sükunet
akımı da· artar ve bu artma sıcaklığın daha da f'ua.a yükael-
ıııesine neden olur. Dolayısıyla sıcaklık sonunda sınır değe­

ri aşabilir ve tranzistorlar tahrip «il.abilir. Bu etki pozi-

tif sıcaklık geribeslemesi yahut ısıl sürültlenme olarak
1aılmlendirilir. Isıl sürüklenme etkisi, kutuplama gerili-
minin sıcaklık arttıkça derece başına 2 mV azaltılması
ile giderilebilir. Bunun için kutuplama devresinde diyct-
lar ve termistörler kullanılır. Bununla beraber, jonksiyon-
la kılıf arasındaki sıeaklık farkı da dikkate alınırsa, sı­
caklık kompuaaayonunun tam olarak saııanamayacalı ortaya
;,ıkınaktadır. Daüayısıyla ek bir stabilizasyon gerekli olur.
Bunun için gliç tranzistorlarının emettirlerine seri direnç-
le-r yerleştirilerek b.u tranzistorlara akımdan seri geri-
besleme uygulanır. Giiç tranzistorlarının emet6rlerine seri
dit-ençlerin ballandığı b6yle bir devre şekil-7 .29'·da görW.-
mektedi-r. Direııc.1.n cleleri ne kadar bUyUk tutulursa, atabi-
- - - - - - - - - - - - • Ycc 12

Şelcil-7 .29:. Iaıl ka~ılık ama.c:ı.;rla eme'törlere aeri di:rresı.;

konulaııaaı.
 lisasyon · etkisi de o derece iyi aağl.aııır. Aneak, direnç
yüke seri geldilinden, elde edilebilecek maksimum çıkış gil-
eii azalır. lm nedenle, R dirençlerinin değerini c;:ok fasla
1
arttırmak mUıııkUn değildir ve bu değerin yük direncinin değe­
rine kıyasla küçük seçilmesi gerekeeeği açıktır. Pratiktg
bu dirençlerin değeri, yükten maksimum akım akarken direnç
uçlarında Vn mertebesinde bir gerilim düşecek şekilde
seçilir.
Bmıser şekilde, Darlington çiftlerinin il sınıfında

.çalıştır.-ılmaları halinde, dc:Srt adet sıcaklığa bağımlı baz-

emet6r geriliminin ko~panse edilmesi gerektijinden, sükunet

akıml.l'llll'J ayarlanması sorun ç-ıkarmaktadır. Bu sorun, sUmnet
akımının sadec.e sUrüı:11 tranBistorlardan akmasını. sağlayarak
ve çıkış traıızistorıarı sUkunette iletim eşiği civarında '
kutuplanarak giderilebilir. De:vrenin böyle düanlenmeai
halinde, çıkış tran&istorları sadece daha 7Uksek a1tuı değer­
leriDde iletken olurlar. Bunun için devreye yapılması gere-
ken ek Şekil-7.30 1 da gösterilmi9t1r.

- Vcc il
Şekil-7.30. Siilaınet akımının sadece aUrücU. transiatorlardaıa
. aJıı tılmaaı içia devre d üseni.
 Sükunet sadece sürücü tranzistoz:lardan
akımının
akınaaını sağlamak üzere, kutuplama gerilimi öyle seçilir ki,
a2 dirençlerinden her birinin uçıar:ı arasındaki gerilim dü-
~U~ü Yaklaşık olarak 0,4.·0,5V civarında aıl.ur ve bu gerili■
değe~i sükunet halinde çıkış tranzistorlarını iletim eşiğin­
de kutuplamakla birlikte bu tranzistorlardan henus bir akını
akamtı~; b'öylece sükunet akımı sadece T
. ve T ' sürücü tran-
1 2
t1s torlarından akıtılmış olur. Başka bir deyişle, giriş
işar~tinin sıfır a~ması halinde, yüksek Jonksiyon sıcaklık­
la~ı~aa bile, ~ıkış tranzistorlarından aluuıı akma&. Yüksek-
~& akım değerlerinde ise dirençlerin uçlar:ındaki gerilim
dU~um~ artar, iletim eşiğinin aşılmasıyla T1 ve T2 çıkış
Lı:anzistorları iletime geçerler. Bunların baz-emetör geri-
1 hrılet-i O, 7V-0,8V mertebesindedir. Dolayısıyla, sükunet
aeıerinin yaklaşık iki katı olan bir değerl& dirençlerden
ak:Qfl akım sınırlanır. Böylece, sürüeU tranzistorların eme-
!~~ akımları çıkış tranzistorlarının baz akımlarını aağlamıış
Ol Urlar, eme tör akımının direnç akımına göre fa&laa.ı. ı:ıkış
tranz~sto~unun baz akımı olarak akar.~ dirençleri, aynı
talılanda çıkış tranzistorlarının bazlarındaki yUküıs boşal tıl-"
d1aeıını da sağlarlar·. Direnç ne kadar küçük olursa, transis-
tor da~ kadar çabuk kesime gider. Bu özellik, hı&l.ı deği­
feti işaretlerin işlenmesi açısından i:ineıı taşım•ktadır.
Sülcune: mutlaka sadece sürüeü tranzistorlard8.l!ll
akımının
akıtılması gibi bir şart bulunmamaktadır. ıtu.tuplama gerili-
mi uygun seçilerek çıkış ~anmstorlarından da bir miktar
sUkunet akımı akması aağlanabJilir. Çalışma şartları bu şe­
tilde seçilen gUç kuvvetlendiricileriyle de yaygın olarak
karşılaşılmaktadır. Sem ciimleden anlaışılaeağı gibi, sükunet
akımının ayarlanabilmesi açısından kutuplama geriliminin de
ayarlanabilir· alması gerekmektedir. Kutuplama geriliminin
ayarlanabilir olmasını sağlayan devre dimni aşağıdaki bö-
lümde ele alınacaktır •

•
7.5.3. VBli Co!al tıı.cı.

AB sınıfı çıkış_ katlarında kutuplama gerilimim sağ-

 7.50'

lamak amacıyla diyot diaisi yerine Şekil-7.}l'de görülen

ve VBE çoğal tı.eı
olarak isimlendirilen tranz:istorlu dilsen
kullanılmakta, bu dUzen yardımıyla sükunet akımı ayarlana-

bilııe·ktedir. Sürücü katın Bilkunet akımı I olsun. a 2 ve

. 1
1

:
--------ı..

-Vcc / 2

Şe.kil-7 .31. VBE çoğaltıcı.

• 1
R1 dirençleri üzerinden akan I akımıyla ı
0 kolektör
akımının toplamı, sürü~ü katın I sükunet akımına eşittir.

Bilindiği gibi, I akımı T tranzistorunun maksimum baz a-

1
kımı olan lı!ıM değer~nden biraz daha ~üy~k seçilmektedir.
Bu akımın: büyük kısmı r akımı olarak T tranzistoru üze-
c 1
rinden, küçük bir kısmı da I akımı tılarak R ve R d.irenç-
t 2 11
leri wurinden akar. Ancak,~ akımının değeri, Ic kolek-
tör akımına kaı.,ı düşen bu akımına göre yeteri kadar bilyük
tııtu.lmalıdır. Bu şartlar al tında

t •
yaıı.ılab:ilir. Başka bir deyişl~, Vc::E
gerilimi VBK gerilimi-
nin direnç:leı.-in oranıyla belirlenen bir katı olur. Dirençler
 1.sı

uygun seçilerek, devrenin yapıeu,a uygım bJ.r gerilim (2VD'

3VD' 4VD) elde edilebilir. Pntikte Rı, ve ~ir-ençle:ri ¾
yerine Şekil-7.32'delti gibi bir potansiyometre kullanılır.
B6::,lece! patesiyoııeu-enin kaıuıııu.ııa ballı aııl.arak kutuplanıa
gerilimi, dolayısıyla çıkıt tranziatorlarının sükunet akımı
değiJt1rilebilir.

: _____.
1

1 ı .,_

- Ycc/2

Şekll-T.J2. Potanai10ııetre ile kutuplaııa geriliminin ayar-

luııaıu..•

· Gttnfidsde yaygın olarak kullanılan ve buraya kadar

alan bHlUmlerde ele alınan temel devre yapıluını içeren
bir eıtlenik transiatorlu pıııpıl Sf1ç -- .
lmVTetlendiriciai devre-
si Şetil-7 .33' c1e Yeld.l.ıl19tir. ~5 ve t 5 tzanaiato'rlarıy.la lr:u-
rula . 1'ark kuvvetlendir1o1a1 Jmwvetlandirlci sineiriniıı.
.~
p.ri,. ltatın.ı.. ~4 1zanai.atoru aUr\lell katl., ~-41'1 ._
.
_~2-~ U"anaiatorları. iae çıkıt katı olarak göır:ev yapan
Darlington çi~tlerini ııluıtu.rmaktadırlar. ı
3 tran.ı,atoıru

Y• caıaı um. o~arak çalıpıakta f l çıkıt kat1.nu 1m tuplaaa-

mıu.. Hill•~adır. Itı1l. kararl.ılqı
• . • I •
•&ll•ak aaacıyla
1
~ :..-
,-

kıt ffUaietorlarının ••Urlarine 8:ı_ dirençleri sari cııla-

n.k- bailaııaı.ı-tır. Q'l.kıf genlilinin bUytik olmasını aallqak
•-~:,la, Cı_ • Jıondanaatth.!U yardl.lllyla sUrUklenııe devreai
lru:rulınıştur. Girişte bir fark kuvvetlendiricisi, arada yer
alan bir kazanç katı ve çıkı.şta bulunan emetör çıkışlı kat-.
lar dikkate alınırsa, d·evre bir işlemsel kuvvetlendiric:i
biçiminde olmaktadır. Rg ve Ra dirençleriyle kuvvetlendirl-
ciye gerilimden seri gerlbesleme u~gulanmıştır. Devre, ~az
d6ndiirmeyen bir işlemsel kuvvetlendirici gibi düşüntilebilir.
. '
:rııvvetlendiriclnin işlemsel kuvvetlendirici cıtlarak el.e alın­
ması Şekil-7. 341 1 de gl:isterilmiştir. Bu şekilde ger.çekleştiril­
miş tUmdevre gUç kuvvetıendiricilerl yaygın O)larak kullanıl­

maktadır-. Ancak, ısilriiklenme devresine ilişkin Cı. 1m:ndansatö,-

rinün tiimleştirilmiş ~arak gerçekleştirilemeyeceğ~ ve bu
elemanın devreye dışffıdan bağlanması gerekeceği açıktır.

TUmdevre gifç kuvvetlendiricilerind& bu amaçla .dıearıya _

çıkartılmış uçla'?" bulunmaktadır. Tümdeıvre gUç kuvvetlen-

Şeld.l.-7.33. Bir güç kuvvetlendiriciainin toplu devre şema•ı.

 5

Şeld.1-7.34. Şekil-7.33'deki kuvvetlendiricisinin bir

gtiç
işlemsel kuvvetlendirici olarak gösterilmesi.

diricilerinde VBE ço:ğalt~ccının kutuplanması için potanBi-

yometn kullanılmaz •. Paıtansiyometrenin bağlantı uçlarının
dışanya alınması pratik bir çözüm değildir. Bunun yerine,

Şekil-7.3ltdeki gibi , kutuplama direnci helirli bir süku-

net akımının akmasını sağlayacak şekilde iki pa~alı yapı­
lır. Bir karşılaştırma yapılabilmesini kolaylaştırmak ama-

~ıJt].a Şekil-7.33 ve Şekil-7.34'de önemli bağlantı uçla~ı

numaralanmıştır. Ancak, Ş&kil-7.34~de S kondansatörünün
bağlantı uçları göa:terilmemiştir. Tümdevre güç kuvvetlendi-
ridlerine Hrnek olarak, günümüm:le yaygın olarak kullanılan
TDA 2030 tümdevresinin iç yapısı ve bu tümdevre ile ku:rulan
bir güç kuvvetlendiricisi devresi_Şekil-1.35 ve Şeki~-1.}6'da
varilııd.ftir. Şe-Iıil-7.35'dea :tark edilebileceği gibi, tümde,vre,
Cti!lı laıVfttleııcliriciınnin girişind• ~ı
-T2 Tıt ı- -~ Dıırliııgtea
4 5
. C-ıt-Uertyıe oluşturuıaıı bir ~ark lmvvetle.ndiriciai yer alııak;,.·
. la~· »ı diymu ,. ~6 uan&1•-torıı da lav. :tan lmTVeilend.1r1c:1•1
için aleti.!. yük gör&vini yerine ge·tir.me.ktedir. Tiiadevrenin
çıkış katı ise T14-T15 ve T16 -T Diirlington çiftıeriyle. ıcu­
17
rulııuf.tur. Şekil-7.35'de: numaral.anııış oıan bağlantı u.çları.,
~ekil-7.3i6'da görülen güç kuvvetlendirici.al devre şemal.arı
•
Usıerinde de beliı-1:ilmiş_l~ir.
 •

Şeki~-7.35 .• TDA 2030 ttimdevre güç kuvvetlendiricisinin iç

yapısı.

-lıQ
♦"" _., .!'s

'°°"" u,

' .. -··
•
-...
kil

kil
,ıı

"•
,7,ee
1

.,;'ıııs
22011

....
il
,ıı

.
220
....
ıoo
2 ..
•• "•'
-...
(b)

Şekil-7.36. TDA 2030 tüııdevresi ile kurulan giiç kuvvetlendi-

diricileri. (a) Tek kaynakla beslenen güç kuvvetlendir~cisi;
{b) çift kaynak1a beslenen güç kuvvetlendiricisi.
71,§1 Tranzistorlar-ın sogu:tulllaaı,

Isıl direnç

Bir güc; kuvvetlendiricıtisinde tr.anzistorlarda hal'-

c:anan güç bunların sıcaklığıllın yükselmesine neden olur.
Tr.-anzistorlar genel olarak maksimum güç sınırında çalıştı­
rılırlar. Bu durumda transistorda ( veya tranzistorlarda)
açıla çıkan ve j~nksiyon aıcaklığını.
ısıya diJnüşen güciiıı
a1irekl.i olarak yiikseltmesi ve sonunda bu sıcaklığın isin
verilen sıcaklık sınınnı aşması tehlikesi vardır. İsin
verilen en yüksek sıcaklık değeri,germanywıı tranzistorlar
ic;in 100 °c ve silisyum tranzistorlar için de 200 °~ ci-
varındadır. Belli şartlar al tında tranzistorda harcanan

,UÇle. .sıeaklıjın artlı.ası orantılı olur. Bu öiellile daya-

nılarak Oba Y•aaı•na benzer bir ilişki ortaya kcıııulmuş

••
sıcaklık artması

har.canan güç - il f
{7.6.l)

teklinde bir ısıl direnç ta:nıııUanıııştır. (7.6.l) bağıntı­

sında t:, T biiyükl Uğii içinde Pd gücünün ısıya çevrildiği
tranziator jonkaiyonu ile bunun dışındaki herhangi bir n~k-
ta ( önıeıın çevre eı,caklıtı) arasındaki sıcaklık farkı,
~ ela söz konusu jo~o.n ile göa önüne aıınan nokta
araaı.ndaki ısıl diren~tir.
Tr_anzistorlarda jonksiyonda açığa çıkan ısıl gü~
buradan tranzistorun lulıt'ıııa, kılıttan varsa soğutucu
lnhaya ve buradan da çevreye yayılarak uzaJcla9ır. !SU uza.Jc-
l~şma yo1uının ısıl direnci ne kadar ktiçük olursa. ıeı da
• iade ltola7 ·yayılır, buınııı aon\lCIIDd& jonkm,7on aı.calclı-
1:ı. 4a ·o kadar u y-Waıe11r. İdeal bir durwıu -ele alal:ıııı:
 7.56

Isıl direnç sıfır olsun. Bu durumda jonksiyonda açığa çı­

kan güç hemen dış ortama, yani havaya, geç&cekti-r-; d~layı­
aıyla jonksiyonun sıcaklığı çevre sıcakl.ığın.lll üzerine çıka­
mayacaktır. indak/aıöyle bir ideal duruıııuiı elde'edi'lemeye-
ceği açıktır. Başka bir deyişle, ısıl di:rerıc.1ıı ... değerinin

sıfırdan büyük olması. nedeniyle, jonksıiyonuri •ıc:alclığı he-

men çevre sıcaklısının fiserine çıkar. Sı.eaklıktaki anma
hem açığa çıkan güe hem de ısl.1 direncin değerine bağlı­
dır. Bu.durum Ş.kil-7.37•deki gibi eşdeier lllr dirençle
gösterilebilir. Şekil(le, kolektör jonksiyonunda açığa- t;ıkan

P, ..

o ..
1;
c::ı
sı,ıı ,.
o

Şeıkil-1 .37. Jrsil direncUı efdeğer bir dirençl'e' temsil edil•.

ııeai.

ve .Rtiı ısil direne~. ilzei-1.nden çevreye· akan ~ç · Pd seımôlü

ile gl:Ssteril~ştir.''Ö'hıı· y~aaı ile benzerlik kurulursa, Pd
güell 'a:ıcimi, sıeaklilc tü-kı ise. gerilim'ıiiifUmUJıe karş1:· d-U.,;.'
mektedir~ Şek1i-~~37•c1~ 'Rtiı. ile ğHsterilen'ısıl di'renc;,·· '
gerçekte birden fu'la ısıl direncin toplaıiıd~'r~''Daha ~ .
değinildiği ·gibi~ ~iğa çıkan gü9 çettıeye -yayıiana kadar ·
"jonksiyon-ktlıf-soı,ıtudı;.çevre" yolunu izlemektedir'. 1hr'
yol, ..parç~~inin ·ııer ··b1ririiıı ·!lyri ul:l' direnci buluıfdutwı,;:
dan, ~plaııı ısıl iiirenç 'de bunlm-lii 'toplamı ·o1Jlialı:tadir ~ ;"·
J~k~iyo.~~'1i-. ~~ı2~ ~~d~ _: olan- i~ıı, .;~.~enet_ R~ j~= _n.~•- '
k:q.::ı.ı-t~ aoptueuya.n4ar olan ııUl direnci_·~ cı-h. il&--'
ve· soğutucud~ ·a.iş. ·çevreye.
kadar.· alan ısıl \direnci :,a~ ·: '
Rth h
--a
ile. gösteril.im·; - Bi>ylece 'ısıl.· diı~enci.n.~ ,'biteşe:rileri
.
-
Şekil-7.38'de
1
gösterilen biçimde olurlar. ·--·.-
Jonksiyondan kılı.ta kada;r ol~ ~ta j-c; ısıl direnci
transistorun yapısına ~ulır. ösellilı:l& yUbte~ giic;J..\i trin-
sistorlarda bu ıeıl direncin aıl.abildiğinee küçült tutulması
gere~k~ir. , ~ ;1..:e • 40 .. aıw-, oı.- W.r; tııan~••t'9•'.
0
 jo,ılcıiyOft soıı,1UCV

'i
P.

Şeki~-7.36. Jo~biyondan çeTreye kadar olan ısıl direncin

bileıenleri.

açıla çıkan lW'lık bir gUç, jonksiyondan kılıfa geçerken

to c:•ıik bir sıcaklık diişUmii oluşturur. Buna kar ılık,
0

Jtth ;t-c • l 0c.ıw deteı-ine sahip bulunan bir. transietorda

~ a çıkan her Watt için ;Jonksiyon sıu.klıiı kılıf sıcak­
lığından aadea l 0 c daha :fazla olur.
Kılıfla sel'ğutucu levha arasındaki Rth c-h ısıl di-
Nnci so~tucı:u levhanın kılıfa bağlanış biçimine bağlıdır.
GQ;ç tranzistorlarında, genellikle, kolektörle kılıf araaın­
da,.elektriksel ballantı bulunur. Dolayısıyla, soğutucı::u. lev-
hanın ~in zaman elektr1.kael olarak kolektl)rden yalı tılmaaı
gerekir. :Bunun nedeni, çoğunlukla soğutucu levhaııın siste-
ilin şa.sisiDe batlanmuıdır. Ayrıca, traıızistorlarııı aynı
aoğutucu levha ü.w.erine yerleştirilmeleri de istenebilir.
bnsfcıırınatörsüa: puşpul bir devrede npn tranzistorun kolek-
törü pozitif kaynağa pnp tranzistorunki ise ııegati.f kaynağa
baıJ.ı olduklarınd.aıı~ duruıııııla
elektriksel yalıtıau
bu son
mutlaka sağlanması gerekeceği açıktır. El.ektrikael yaJ.ı­
'tımı aalJ.aııak Uzere kl.l~a sojutuaı arasına yalıtkan bir
levha (mika) yerleştirilir. Bu durumda kılıftan soğutucu­
ya ısıl direnç

(7.6.2)

ı.ıut.ı.e.ı. ,vıtw~ bHa:planab111r. Bıın.da Rtıı e-hııin .

 büyükliiğü yalıtıcı
'
levha kullanılmadığı
zaman elde edilen
ısıl direnç değeridir. Pth yalıtkan malzemenin ısıl ösgill
- dir.-enci olup birimi _( 0 c:.cm 2/W.mm) şeklindedir. Isıl
Hzgiil direndn değeri mika için Pth • 25,5 olarak veril-
aek~edir. (7.6.2) bağıntısında l bUyiiklUğü yalıtıc~ levha-
nın kalınlığını ve s• bUyük:l.Uğü de faydalı geçiş alanını
vermektedir.
Beiirli bir devrede, bir tranzistorda (yahut tran-
zJ.storlarda) açığa çıkacak maksimum güç . Pd ise, ;evre
sıcaklığı alabilee:eği en yUkııek değe~ ulaşşa bile, jonksi-
yon sıcaklığının isin· verilen sınır değeri aşmaması gere-
kir. O halde, en kBtU durumda

1:ıııağıntuınlılJ aatlanmaaı gerekir. Buradan har-ket: ediliree

! jııaJce - 11aııag
- (Jlth j-c + il~ c-ıı>­
Pdmaka

aıl.arak soğutucudan çevreye direncin değeri bulu-

kıl.dar ısıl
nabilir.. Kullanılacak soğutucu. ile çevre- arasındaki ıaı.l
direnç bu değeri aşmamalıdır. :Bağıntıdaki Pdmaka büyüll-
lilğtt levhaya bağlanan 'tranzistoır ·sayısına bağlıdır. B sını­
fı transformatör&ils pnşpul bir kuvvetlendiricid! her iki

tranzistorun aynı levhaya bağlanması halinde,,~' ~!!maka •

P1'maks • 2.Ptotmaks değerini alır. ~ai.storların ayrı
ayrı aa:ğutueı.ılara bağlanma1~ haıinde iee,Pdmaks •
ft ._ ~- aınır· değerine eşit olur.
C,-"maı.s .
 8.1

s. DtJt!U !ŞLBII BLOKWU:

a&i\. Giri1
1

-Dijital iflem blokları ikili say3. sistemin, g6re çalı­

şırlar. tkili sayı sistemi lojiği çok sayıda deği9keni bulu-
nan etıitliklerle ifade edilir. suz konusu deği9kenler ise sa
dtce iki değeri (l veya O değerlerini) . alabilirler. Buradaki.
eı1tl1kler lojik fonksiyonları temsil ederler. Lojik tonkei-
yonlai- Boole cebrine dç-aıurlar.
!emel lojik f'oııksiyonlarVB,
VEYA, DEÖİL f'onksiyonla-
~ıciir. :Bu fonksiyonları ve bunlardan türetilen diğer tonksi-
yohları gerçekleştiren elektronik devrelerin incelenmesine

e•fm•den anctt temel fonksiyonları kısaca ele almak yararlı

•tih-.

161 \ Temel Lojilc -Ponkatyonlar

s,,-ı, vı ·ıoptayoım.
:ryıa:
Bir vı toııkaiyonwıda .9ııc..
bUyUklttiU lojik l_
seviyesini sadece bUtUJı girif d•liıkerılerinin lojik l seviye-
ııbıde buluımıaları halinde alabilir. Lojik fonksiyonlar VD'lıT
fliyagramlan ile de gUsterilebilirler. Bir A ve bir de B tu-
lı6si bulwıawı.

Şekil-B.ı. YE foııtsi7onu iç1ıı vı:u ~ •

. 14tld.ldaki_taıı&l.1 alaıı her iki kUmeniıı arakesitiııi göa-

teı-1%'. J. ve.B I.Uaeleriııiıı arüeaitiııcle bul.UDU • l ~ a r heııı
J. rwı .hııll ·4e B ııiA eleııul&:rl.du'. J'onkaiyomuı çıJc.ı bU:yUJcl.UIU,
Q ile slate.rilaia. Jlıl, duıııı4a U :tonu~oım
. .
 8,.2

(8.1)

ıetıiııdeifade edilir•.
VE fonksiyomımuı ne anlamına geld$ni bir 6rnek Uze-
rinde g6eterelim.

Şekiı-a.2. VE toııltaiyonu için 6rnek.

Şek11-8.2'dek1 dUzende K1 anahtarı A giril bUyUkl.UiU-

ne, ~ aııahtaı-ı B girif bUyUklUIUrıe, La lambası da çıkıt bU-
yUlcliliUııe tarıı dU9sUn. ıt ve~ aııahtaıılan iki konuma sa-
1
hiptirler, ya açık ya da kapalı olurlar. Açık d ~ o, ka-
palı olma duruııiwıu ise 1 ile gösterelim. Beııser tekilde~
lambasının a6nUlc oldulu durwİıu o, ışık nrdiii durumu ise 1
ile itada edelim. B6ylece aıaiıdaki tabloyu elde ederiz (Lo-
jik fonksiyonları g6ateren bu tUr tablolara dolruluk tablosu
adı verilmektedir).

A B Q
o o o
1 O. O
O 1 O
1 1 1
' .
Diğerbir deyi9le, Q çık:ı.ıı sadece-A ve B girişlerinin
1 delerini al.ııaları halinde 1 daleriıd alüililr~ Yaııi, sadece
va aadeceJıer iki anahtarııı da kapalı olaaları halinde La
ıimbası ııık verebilir. Basitlik sal].aaak amacıy1a burada sa-
dece iki giri9 bUyUkliilU alıJ'Jlll.ıtır. Girit bUyUklUlf.lnUn sayı­
sı daha fazlada olabilir. öıı:ıeğin Uç girif varsa, doğruluk
tablosu
 A B:. .o i
o o o o
l o o o
o l· o o
l l o o
o o l o
l .O l o
o 1 l o
1 l 1 1

f\iliıuli olur. Genel o18ftk ıı taııe giıı11 vun. YB touaiyomı

Q • A.B.G ·••• (8.2)

bitDU4e ita4e eclilizı. YB to~omum gerçekle,t:ureıı d.effe-

ııh .-oıu Şü:il-e.,•ae gtJzıUlaetteclir, C.bi ~ cleff'e) •

•
:-D
.. .. ----•Q
8akil-8eJ• VJI toııkaiyoJIIUlll prQül.Qeıı UffelWl ııeııbolU.

a,2,2. un~
__ --~. ~ --~ fouııi7omuıda 9ıla.t ltll1Ukl,UIU.. a U
blr girif ·cle~fk•rıiııin
loJit 1 seviyesinde olması hal.in4e lo-
3tt l en:iyeau4e bulunu. U!'A tontaiyomı QD di,Yagrımwıda
bile91iı kUmesine kartı 4Uşer~ Btı diyagram Şekil-8.4'de gHrUl-
mektedir. A 8

Şekil-8.4. YBr.l t'oabt7oını için lBllf diyagram..

 Tarab alım igerisirıde yer alaıı noktalar A veya B kU-
ııeleriııe ait-M.r. Poııksiyonun çıkış bUyüklUğU Q ile gtlateri-
lirse. VEYA fonksiyonu

Q=A+i (8.J)

şeklin~• olur. ~ f.onltsiyonuııu da anahtarllll"" Vfr" bir laııba

i1e gösterelim.

Şekil-8.5. VJIYA foııkaiyoııu •

.Sadece bUtuıı aııahtarlar:ırı aoıt olmaları hal~nde lamba ıııt

vermez. Bu fonksiyona 111ıkiıı doiruluk tablosu ıu şekildedir •

.l B Q
o o o
1 O 1
O 1 1
1 l 1

Benzer 9ekilde VEYA fonksiyonu aa daha fasla &IQ'ıda

girif 4el!Peııirıe •ahi:P olabilir. Genel olarak ıı giı"if varsa,
T.B'!A ~onlcaiyoııu

Q• A+ B+ C + •••

1:dç1aiı:ı4e ifade edilir. VBYA fonkaiyonunu gerçekleıtireıı dev-

:reııiıı auıbolU Şeldı-s.6•aa görUlıııekteclir.
 8.5

~. . _____,,) )ı---o Q

şetiı.a.,~ VllrA :tonuqoııunu gerçekle,ti.reıı defl'eniıı aeııbolU.

:ıı.ı 4eVl'e YBIA ıca»ıs:ı olarak da isimlendirilir.

1,2,J. 1?dJ, fopgbo9 cımıeu .

. bfB1ıı Bıı _:to.-.iı'om
bir giriıi ve b1r gl.k:ıı:ı. varcb..ı-.
Çl.k:ı.ı ıfriı defer.iyle ter, lo~U: delere sahiptir, yani giriş
ifeı:teti çık:ı.şta evirtilıı:lş olarak gHrUlUr. VENN diyagramı ile
-~ffuıitl lüil-8.7'48 'fVilııiıtir.

pku-a.t. Hltı, ~:lyODUllWl YBD ~ ile gG■tU'ilmeai.

!&ral~ aland.ak:i noktalar A kUııe■i.nin eıaani delildir.

Bıı :f'onbiJ'on 1.01ıı.,c1e uahtarb.
ıttı.... . . .. n 1i-b8l1 bi.r Bnutk wrUeb1-
.
R

+
V l .
•

·Şekil-s.a. .atı, :torıb:lyomı 1oiıı. Brııü. '

:ııı defl'9Cle aııahtaruı kapalı olııaa:ı.

halinde, ¾ı 1amb&a:ı.
ıp,k w s ; aııahtal' aoıba laba :ı.9:ı.Jc Terir~ DBtl.tL :toı:ılaıiyoım
 8.6

Q•A (8.5)

ıeklincle taıılJ!l,laıu.r. Ddı. tonksi;vonunu gerçekleı_tiren dev-

renin aeabolU Şeld.l-8.9'da veril.ıaigtir.

A o-o---ıC>,o----vo ~
Şelcil-8.9. DdL torıksiyonunu gerçekleştiren devrenin sembolU.

ııu devre EVİRİCİ olarak da.isimlendirilir.

VE ve VEYA kapılarının çıkış:ıııa bir evirici bağlanarak
VE-DEÖİL ve VEYA-Ddı. toıılcaiyonları da gerçekleetirilebilir.

a.2.4, VB-DBClh. PoııkaiYoııu

!anım: VI-DJÖİL fonksiyonunda çın,ta lo~ik o aeriyeai,
sadece bU"tiin giri9ler lojik l seviyesinde ise elde edilir. Bıl
toıılcsiyon bir U kapısı Te ucl.:ı.ııa ballanan DdL devreai7le
gerçeklenir"(Şekil-8.10). Çıkışı y ile göste~elim.
y • U olur. Q • A.B olduğund~ y • I:J elde edilir.

:: D o.
o
[> o o. la)

:: D
..
o Q.
.,
( b)

Şeld.1-a.ıo. VE-DBittl. ı"oııkaiyoııwm.n gerveJcleftirilaeai ve dev-

re sabo1U.
'
Bu drıre VB-DBcı!L kapısı ol,ırak da isimlendirilir.
Dolruluk tablosu (iki girif için) p eekildedir:
A :a Q ;,ı2
o o o . l
l o o .ı
o 1 o ı

1 1 1 o
 8.7

a.2.5. VEYA-DE<'ttL J'Onkeiyonu

Tanım: VEYA-DEĞİL fonksiyonunda bUtün•giri9lerin lojik
O eeViyesini almaları halinde çıkış b'UyüklUğU lojik l seviye-
sinde olur~ VEYA-DEÖİL kapısı bir VEYA kapısının ardına bir
evirici bağlanarak oluşturulur. :Bu olu§Ulll şekli ve devre sem-
bolü Şe~il-8.ll'de g61"Ulmektedir.

'----ıtc~----ı(>o~)o---o~ (o)

(b)

Şekiı-a.ıı. VEYJ.-DBÖtL fonksiyonunun gerçekleıtirilmeai ve

dene aembolU.

Bu devre VlttA-DBÖtL kapısı olarak da isimlendirilir.

Doğruluk tablosu aıai:ı.da verilmiftir:

.A B g 9,ı2
o o o l
l o l o
o 1 ı. ·O
l l 1 o

Çıkıtı kendi baı:ı.ııa 7 ile gHaterelim. Devre y•Q toı:ık~

a17omuıu'geroetıer. Q-A+~ olcluluna gHre
 a.e

8.). Ponksy.onların Gı:rçekleıtirilmeai

Lojik Uzere çeşitli ola-

fonksiyonları gerçekleştirmek
naklar vardır. Fonksiyonları gerçekleştiren devreler lojik
aileleri adı altın~ gruplandırılırlar. Lojik ailelerini
a- Diyot lojiği,
b- Diyot-tranzistor lojiği DTL
c- Tranzistor-tranzistor lojiği TTL
d- Bnet6r bağlamalı lojik ECL
e- Akım enjeksiyonu lojiği I 2L
t- Zener diyodu-tranzistor lojiği (DTLZ)
olarak mUmkUndUr. Bipolar teknolojisi ile ger-
gruplandırmak
çekleştirilen bu ailelerden başka MOS teknolojisi ile gerçek-
leştirilen lojik aileleri de bulunmaktadır. DlişUk gilç çekme-
leri nedeniyle bu son grup gUnümUzde yaygın olarak kullanıl­
maktadır.

a.3.1. Diyotlu Kapılar

8.J.ı.ı. Dyotlu VE Kapısı

Lojik ailelerinden yapısı en basit olanı diyot loji-

ği olarak isimlendirilen ailedir. Diyotlarla gerçekleştirilen
bir VE kapısı Şek11-8.12 1 de görUlmektedir.

Şekil-8.12. Diyotlu VE kapısı.

Lojik 1 seviyesine v00

gerilimini, lojik o seviyesine
de OV değerini karşı dUşUrelim. Çıkış ucunda v gerilimi,
00
sadece bütün girişlerde +v00 gerilimi bulunması halinde mUm-
kUn olabilir. Diğer bir deyiıle, çıkışta +~QC geriliminin bu-
lwıabilmesi için bUtUn diyotların tıkalı olmaları gerekir.
n11otı.rın. 'n iletim yönU gerilimleri kUçUk, dolayısıyla o
kabul edilirse, devrenin doğruluk tablosu

Ilı ~ Q

. VDD VD VD
vcc VD VD Vcc: ı
VD Vac VD TD ~O.
Vcc Vcc Vco

9tJJcliııcle olur.

8.J,1.2 1 :J>iıotlu ffi.4 lrapl.82.

E,

Re

Şekil-8.l). Diyotlu VB'.U kapısı.

Q çılcı9 ucunda gerilimi, sadece bUtiin giriı uç-

sıf'ır
larıııda OV gerilimi bul.ur:ı:ması halinde elde edilebilir. Gizıiı­
lerdeıı birinde +v
00 oıçsa, ilgili diyot iletime geçez• .. ve Q
çlJcıtı +v00 geril1Jııini, ya.ııi' lojik l seviyesini alır. Devre- ·
nin d~ulc tablosu

Bı &.! Q

o o o
Vcc o Vca
o Vcc ı: ı
Vcc vcc
Vcc Vcc Ycc
şeklinde olur.
 8.8

8.J. J'Onks1Yonların Gıroekleıtirilmeai

Lojik fonksiyonları gerçekleştil'Ulek Uzere çeşitli ola-
naklar vardır. l'onkaiyonları gerçekleştiren devreler lojik

aileleri adı altında gruplandırılırlar. Lojik ailelerini

a- Diyot lojiği,
b- Diyot-tranzistor lojiği DTL
c- Tranzistor-tranzistor lojiği TTL
d- Bnet6r bağlamalı lojik ECL
e- Akım enjeksiyonu lojiği I 2L
t- Zener diyodu-tranzistor lojiği (DTLZ)
olarak mUmkUndUr. Bipolar teknolojisi ile ger-
gruplandırmak

çekleştirilen bu ailelerden başka 140S teknolojisi ile gerçek-

leştirilen lojik aileleri de bulunmaktadır. DUşUk gUç çekme- .
leri nedeniyle bu son grup gUnümUzde yaygın olarak kullanıl­
maktadır.

a.3.1. Diyotlu Kapılar

8.J.1.1 1 Dizotlu VE Kapısı

Lojik ailelerinden yapısı en basit olanı diyot loji-

ği olarak isimlendirilen ailedir. Diyotlarla gerçekleştirilen
bir VE kapısı Şekil-8.12'de g6rUlmektedir.

E,o-~c~-...,---oQ
E2 0-~IC ..,_.....

Şekil-8.12. Diyotlu VE kapısı •. ,'

Lojik l seviyesine v00 gerilimini, lojik o

seviyesine
de OV değerini karşı dUşUrelim. Çıkış ucun.da v gerilimi,
00
sadece bütün girişlerde +v00 gerilimi bulunmasi halinde mUm-
kUn olabilir. Diğer bir deyişle, çıkışta +~QC geriliminin bu-
lıuıab1lm.es1
için 'bUtUn ~otllll'l.ll tıkalı olmaları_ gerekir.·
D1Jotla,rıniD iletim yönti gerilimleri lcUçUk, dol~uıyla O
kabul edilirse, devrenin doiruluk tablosu

Bı. ~ Q

VDD VD VD
"cc VD TD vcc : ı
Tl> "co VD "» ~ o.

"cc "oc "cc

fltkliııcle olur.

8ıl,l.Z. J>V:otlu VBr.l l'a:p:ısı

E,
Ez Q

Re

~e:til-8.13. Diyotlu YlrI.l kapısı.

Q o~, ucunda gerilimi, sadece bUtUn giriı uç-

sıtır
l&r:uıda ov gerilimi bulunması halinde elde edilebilir. Giriı­
lerclen birinde +v.00 olursa, ilgili diyot iletime ge9ez• . . ve Q
9lıkı9ı +v
00 gerilimiııi, yani lojj_k l seviyesini alır. Devre-
nin doiruJ,uJı: tablosu

B.ı. ~ Q

o o o
Vcc o Vaa
Vac ı:· ı
o Vcc Vcc
Vcc Vcc Vcc
şeklinde olur.
 a.ıo

a.3.2. lvirici
Bir evirici devresi biı' transistor yarduııyla ku.rula-
bilir. Devre Şek11-8.14'de gtszıtllaet'tedir..
\

Oeld.l-8.14. !ı"ansistorlu evirici deTresi.

A giriıi referansa ballanırsa, yaııi lojik O ae~eai-

ne getirilirse, T ~•isto%'WldaJl atım alaııaz. Be, Din uçların­
da gerilim dUpıeyeoeiirıden Q. çıkıtı +v00 geriliminde olur.
A. giriıine +v00 verilirse tra~istordan a1am·a1car. Be uygwı
seçileı-ek bu eleman doYJ118.1a sokulabilir. Doyma gerilimi VcE sat
çok ldlVUk olduiundan çıkıt ov deferindeymif ~ibi kabul edile-
bilir. Yani lojik O seviyesinde olur.

a.J,J. Dizot-Traıısistor Lojiği (DTL Ailesi)

Buaile diyotlu bir kapının arkasına bir evirici bağ­
lanarak gerçeklenmi•tir. DTL ailesine ilifkin temel bir VE-
DEÖİL denesi Şekil-8.15'de g6rUlmekteclir.
Devrenin girioiııdeki di7otlar bir VB kapısı oıuıturur­
lar. Bwıl.arın arkasına bağlanan tranzistorla birlikte bir
VE-DEclİL kapısı elde edilir. ı;_ ve &ı girişleri'O seTiyeain-
deykeıı tranzistorwı kesimde kalmasını sallamak Usare D Te
3
D4 diyotları kul1$nılmııtır. ı;_ ve &.2 sıfır aeTiyesindeyken,
VE kapısının çıkııı diyotların· iletim y6nU geriliminde o_lur.
Bıı gerilim tranzistorun iletim eıilf mertebesindedir. Dola-
yısıyla tranzistor kesime gitmeyebilirdi. Bıı_ nedenle D) ve
 8.11

+Vcc
1
1
R, 1 Rz Q
1
1 03 V
E, 1

v, 11
Ez 1
1

1
VE ı gerilim .virici
kapısı ı ötelemt ı
1 di_.tlorı
1 1
,- 1

Şekil-8.15. DTL VE-DE<iİL kapısı.

n4 diyotııu-ı c:Sn,HrUlmU9tur. V1 giri9 geriliminin V1 < 1,2 V

olma.si h6J.inde transistor tı.kanır. Zira n3 ve D4 diyotları
t!l.kalı olacaklarından, tranmistorun baz akımı akamaz •
.Bwıa benzer ıekilde DTL olarak .VEYA-DEÖİL kapısı ger-
çekleftimek de mibııtUııdUr.

8 1 ).4. ftL Ailesi (Tranısistor-ttansistor Lojili)

ftL ailesinin temel deTresi D!L ailesinden tUretil.Jıiı­
tir. D'J!L'.den '!TL ye geçie, tUmdevre tekniiinin gelif)llesinin
bir soı:ıucudur. D'lL ailesine gHre en önemli f'ark, VE f'oııksiyo-
_ _ _ _ _ _ _ _...,._ _-o+S V
Ycc

...,_ __.,Q

Şekil-8.16. TTL VE-DEÖİL kapısı.

 8.12

nunu sqlayu .
diyotların
.
yerini çok emet6rlU bir tranzisto-
ııbn alııı.ş olmasıdır. Temel ffi hücresi Şek11-8.l6'da gi:STül-
.Wktediı-.
Eııaz bir g~ritin L potansiyelinde olması halinde T1
traıısistoru.nuıı bu giri9e ilişkin baz-emetör yolu iletime ge-
çer ve T1 tranzistoru. doymaya girer. KUçUk kolektör akımla­
rında bu elemanın kolektör potansiyeli, giriş geriliminaen
sadece Jı:UçUk deferli kolektUr-emetör doyma gerilimi (V0E sat
• o,ı V) kadar daha yüksektir. Bu nedenle T2 niıı baz gerili-
mi T2 tranzistorunu .. ve bununla· da ır tranzistoru.ııu kesime
3
sokaDak kadar dUfUk deprli olur.
BUtun girişlerin.H seviyesinde bulunmaları halinde, T1
tere tr·anzistor ol.arak çalışır, yani bu-emetör yolları tıka­
nıır, buna karşılık baz-kolektör yolu iletime geçer. ı
1 akımı
baz-kolektör yolu üzerinden T2 nin bazına akar. Bu durumda T2
tranzistaru ve bunun tarafından aüriilmekte olan T, transistorıı
iletime geç&Tler. T} tranzistoru doymaya gireceğinden, çıkışta
Vaıaat, gerililli bulunur. Ya_ni, lojik o seviyesi elde edilir.

Şekil-8.li'daki çok emetörlil T1 traıJg!atorı.unm naaıl

çalııtıııı, Şekil-8.17'deki eşdata- yapı üaerinde d_e açıkla­

nabilir. Burada yapıyı olu9turan ~anıır.iatarların basları ve

E,
Eı
-
o----------' -le

'ız ~ .. ·•·•·

Şeldl-8.17. Çok emetörl• transiatown eşdqeri.

kolektörleri paralel b&glıdır. Eınetör uçları ise birbirinden

bağıııaıs aıılacak 9ek1lde dtlsenbnııai9leriir. ~a.nsistcn-lal,"ın
b• akııılaınnuı toplam. çok emetö~li.i transis'torıın baz aJwıı.-
 a.ı,

nı, kolek'Wr alc.mla:ıoııuı toplaıu. da Jıolektar akı.m2ı11 ol.uttur-

makWır. !rımsiatorlardan 'birinin 11et1ııde o'.! •e•:ı halinde,
eliler izansie-.mın 11etiaıle yalııııt Jıeaiade lııulı"DPMın, begh
olııalıaı.!nn cok ••törl.fi 'transieterıın da iletimde lıulunaıcaıı
aı;ıkbr.
m ailesinde Yfllr alan diğer bir kapı tUri de vırn­
DBffL kapın.dır. Bııait oir !fi. vnı-Dllll1L kapısının yapısı
Şe]d.l-8.18 • ele gfiıiil-kte dir.

.,__ _ _ _ Q

Şft:11-&.ıa. ftL 'fBD•llllUL kapısı.

8 1 3.5 1 Zener DiYotlu DiYot-Trarımiator LoJiji {DTLZ)

Bu lojik gUrUltU bağıtık1l.ğı yiilcsek lojik olarak da
iauıleııdinllıektedir. !eılel devre yapısı Şekil-8.19'da gUrUJ.-
Mkteclizı.
Deffrecle Q ~ap:ı.aı U• o~a,kj_ enn.ci aruuıa bu •
•...., ..,... ~. . . .1... 4eneıda' ..... --
li4ti1:ae . .J.ii.ant~~-0:1,ur• .Aııcak, sorıuılu Qlara.Jı: hee-
ı... gerUi.ııiııiıı de arttırl.lııası gerekir.. -
Şe.ld.ldek,1. gibi 7 T•ıü bir Zener diyodu kul1analMs:ı
lıal.iıı4e, tı2 traaıııatozıunwı iletime geçııeai içiıı.heJi il:i giri-
ıe de 7,6·v luk bir gerilim uygul-.mııaaı gerekir. GBrUldf.fiU.
gihl, devreııiıı koııua 4elittinıe •ıili artaattadır.
 8.14

0,6V

Şekil-e.19. DfLZ ailesinin temel hUcresi (VE-DBlttL fonts1Yo-

-mıım gerçekleotiren dene).

Bu p tekilde açıklayabilirim:
durwııu
t2 iletime geçmesi için B noktas~nın potansiyeli
rıin
7,6 V olmalıdır. Ancak bu durumdan itibareıı,t2 rıin ve Dz Zener
diyoduııwı eoilt gerilimi aıılabilir ve traıısistordaıı baz akımı
akabilir. öte 7andarı ır1 in eıik gerilimi o,6 V dur. Her iki
g~ı aıfızı potaıısiyelinde ilreıı A noktası o,6 V potaııaiyeliıı-
4•~ dolairısl.Yl&
t 1 in bazı o,6 V potansiyelinde buluııur. Diler
'bir dqifle, bu iki geri.limiıı etkisi, yani diyotların geçJ.rıııe
71SDU pn].ia.11'1• ~l ı.n· bu-ametur geriliainiıı etkiei 1,ll'bi.rle-
.rirıi7okederler. Bu nedenle, devreııin eıilt gerilimi Zener d1-
7odunuıı gerilimi +! transistorwıun eıilt gerilimine eşit o;ur.
2
 e.ıs

Dl1ş11k besleme gerilimi, küçükg~ harcamas:ı.• işa­

ret gecikıleainia kiiçük cümaeı ve kUçWc kristal yüseyi ge-
. 2
rektinıeai nedeniyle, I L ad.lesi bazı noktalarda daha aoııra
ele al.ınaa.k olan CIIOS (eşl.enik MOS) ailesiyle ya.rı9abıillaek­
tedil!'. ı 2 t ailesinin yapı prensibi Şeltil-8.20'de verilmiş-

-----~~. -·· ··•-

Şe ki l-a. 20. I 2L yapısı.

tir. Jaı yapıda as sayıda ditUzycm işlemi ile çeşitli t ►

balıalar 'ff' 'bölgeler olutturıılııaktadır. Dlii•r 1ıir de7i9le,
W~ cııtu.,.ııa aJJtı kırııı.k ••rindelı:1 tnıızia'torl!rıa kar-
şılıklı yalı 'tımı (4 'tııi:Slgeai) aaııanmakta, bir p dii'U&yonu
ile bas bHlıeai (2) ve enjjebi7GD bölgesi {5), lıir n• difils•
y-amu Jle de kcıılektör bölgesi (l) olu9turulmaıktadır. Yapıl.an
• ditU.701ı 1,1..ı.eri acmucuııda bir boyuna nım t:rmı&istor
(1,2,3 bölgeleri) ve bir de _enine pnp tranııiator-(5,.3,2 'böl-
geleri) aııuıur. Bu yapı Şekil a.21•de g~rill•ektedir.
Şe'ki'l-tl.21 • ele- verilen dewenin çalıtııa ilkeai 96yle-
dir: 5 ile gösterilen p bölgeaindmı npıı tranıd.storwı bası­
na ı
2 eııje1caıiyoıı akıaı akar. Bazın G ucu iiserinden B eme-
-tör ucıına kısa Jlene edilaeai halinde, Ij akı•ı dJ;tarı:ra.
dcıı- ak~; dolayısıyla aım transistor kui■e gideır ve Ic
kolektör alcı■ı el.fır olur. lıııına karııllı.k G gir.it ucu. aıµ.k
deff'e iM, aös Jmaıau akı.il n.pıı traıısistorwı bası UseEl.ııdu
akar ve bu ·ıranziator iletiııde olur. Sonu.cta, G girişi
 8.16

~---c C
tiri$ 2

3
E

ınjektör

Şekil-s.21. ı 2 L evirici v~ eşdeğeri.

imertnden akım alcmasaa O çıkışı üzerinden akım iletilmekte

veya bunun tersi -olmaktadır. lblayısıyla, dü..enin bir evi-
rici olarak çalışacağı. açıktır. Devrenin çalışması, yine
Şekil-8,.21 "de verilmiş bulunan eşdeğer devre yard.ımıyla da

açıklanabilir. Bu eşdeğer drıre npn tranzistorıın ne şekil­

de sttrUl.difAii;nii daha belirgin ·hale getirmektedir. G ucu açık

ise, yani buradan akım akmıyol!"Sa, Ij akımı npn tranzistorun
basına dcılru akar ve, bu transistoru iletime sokar-. •'1'ıera:ine,
G ucu referans ucuna veya emetör ucuna kısa devre edilirse,
npn transistor kesim• girer. Böyle iki ı 2 L ~iriei ile ku-
rulan. bir VEIA-DEG!L kapuı Şekil-8.22'de görülmektedir.
Girişin kısa devre edilmesi O konumuna; açık bırakılması
ise 1 kmıumu anlamına gelmekt!tdir-. Devrenin doğruluk tablo-
su da ayr~ea verilmittir.
Q
GA ~

Q L L '
B
L il L
çılcıs
H L L
GA Ga ııı H L
ı,

Şekn-a.22. ı2ı. YEYA-DB(}İL kapısı.

 e.•11

8,.3. 7. BCL Ailesi { l'Jıet!Sır Ballaııalı Lojik)

Çok hıslı devreler gerçekleştirilmesi amacıyla ya-

rarlanı1u 1ııı te1cııikte, temel yapı olarak tan kuvvetı.en­
diricı:lainden yararlanılır. Dınnı:ıilı 1ieııel hiicreaimn ya-
pısı ve kolekt!Sr alc.mlarını:a Vi giriş gerilimine bağlı ola-
rik delitiııleri Şekil-8.2} 1 de gSrUJ.mektedlr.

•Vcc

v.2 . 1c

~J t, ♦ ... fv.

Şekil-8.23. BCL ailesinin temel hUcresi. Te kolekt!Sr alc.m-

lar.-ınııı T1 girlı gerilimine bağıml.ıl.ıiı.

!
2 tı!ansis torwıu.n bası Vret gerilimiıı-daı aabi t tıı tulmaktadır.
Bu devrede v > Y~ -1.maın hali!)d• T1 transistaTu iletir,
1
2-z tausle'lon iae keai.ııe gide. - l • c e Yol. cıklıf gerilimi
L (le.2!,.'I: o-·, Ariyeai~de T8 -Yo2 çın, prilimi de B (lcrjilc
l ) MTi:,eeinde ııilur • .&lıaiDe, T < Ynf yapılı:na, bu
1
.
.cı.ta J2 ileuacı.. ~l tru.sia'lmnı J.ee Jıaiacle ııılaealctır. Do-
layl,8ıy1a -V01 cıkış gerilimi H seviyesini ve V02 CJ.kl.i
gerilimi de L ııeviyesini alırlar. ECL hUeresinde :ı., abmının
UJCUJI .aec;J.lıı;9ei haıinde 1:raı;ıa.1atfflar doyaay-a_ giJ:lleSl~.
N7ıea. c,..,_ aımııeu.ncla ortqa -gıkMPık darbe uzaııaııı. ola-

an... ..,..it-. can

ymıın e>tld:si gideTilmiş ve Jidlcrenin hım. ar-ttırılmı'ş olur.

Şeld.l~k•·a. g6rUl.ııektedir.
Oall.faD bir Yft'A-DllltL/OYA apu1
 e.ıs

' 1

VEYA
EİL

Şekil-8.24. llCL 'tekniğiyle VErA-mil!L/VEYA kapısı.

Şeki1-&.24•deki devrede ! tranustorlarının

1 Te T2
bazluı, devraııiıı girişlerini oluşturıııaktadırl&l!. Fan _ ··
edilebile~i gibi, yapı iki_ girişli aılarak kurulııuştu.r.
·'Paraıeı b~lı tra:nzistorlarııı sayısının arttırılmasıyla
girif sayuının arttınlabd.leceği de açıktır. !l'ıımel 1!-ücre
bir tark kuvvetlendiricisi biçiminde olduğundan, 'bunuıı
biri diğerinin eşlenili cıl.aıı iki çıkışı buluıımaktad.ır. Do-
layıeıyla, ç·ıkışlarlll birinden VEYA :tonlaııiyonu alınırken
di~r:i.nden de bunun tersi olan VEYA-DBl!L fonksiyc:ıınu alın­
ıııaktadı r.
 a.19

IIOS eleııaııla:r:ın en ya7gın tul.lanı■ alanları diji-

Ul itltm bloklarıdır. 10S lojik ailelerini fU alt grup.
iira ayırııak mUmkUndUr : p kanallı ııııJS lojil1, n kanallı
~ lojif,i ve CfılJS lojili (eılenik MOS loji.i). MOS tekno-
l~jiaiyle dijital itlem blakları daha lmlay gerçeklettiril-
tırilmektedir. BiL teknolojide gerekli ~lan difüzyon itlem-
lti-inin ııayı.aı daha asdır. Ayrıca bir kırmılt U&erinde tUıı­
leıtir■e için gtlfttkli •lan yiisey çok daha kUçUktUr, lııöyle­
°'t.ik
belirli bir yUay Userine çok daha fazla eleman aıidır­
mUmkUn olmaktadır. Dolayısıyla geniş çapta (LSI) ve
C:Ctk gmıit çapta (VLSI) tUıılettirilmit devrelerin gerc;eklet-
t1r.1lmesinde 11>S tekniği tercih edilerek kull~ılmaktadır.
lbs_tekniği ile gerçekle9tirilen dijital itlem bloklarının
t-nell"ji hal!Caııaa.uıın dU.şillc ct>lmaaı da bu yapıların önemli
ösellilderindeı biridir. Bu b:Ölfinde n kanallı J«lS tranz.is-
tcırlarla aıılutturulan KMOS ailni ile p ve n kanallı MOS
tranzisterlann bir araıda kullanılmasıyla cıılutturulan eşle­
.
nik MOS (CMCJS) ailesi ele alınarak incelenecektir•

a,,,a.ı, JIMOS illeai.

HMOS enrici

•ms fffir:icide kullanılu yWder.

fıl>S en.1:'icide kııllarulabilecek yilkl.eri.n mı baai ti

lair dirençtir. Jllter 'bir de.,itle, yUk ol.a'l!ak 'bipolar
1:ransietoriu enricidetf. gibi_ bir dirmıç- mllmıııak'tır. 1M
ta:1.lde llııeer dinmç kı.ıl:laıul~ geçıakleştiri1en bir
:IIDS _ennci ş.ıı-a.25• de görill~r. !l.lt balufta pra-
t.1 k ı.ır çk\lııı olan.k görtileltilecek 'bu yönteıai.D l)ası aııbıı­
ealm bulunaııktııdı.r.
. .
Bu t1lr de'ffellan.n tUmdevre tekniği
Ue- aerçekl.ettirileee«i. gös öntlne alınırsa, dUUsyonlu di-
nıiç· ola~ o1ut'tımıl-k R direnci, aktU elemana (IOl)S)
ıtırıı 2• un kadar daha tasla yar kaplar. Dol.-.yıaıyla,
 8.20

• c,,o--•ıı l

Şekil-8. 25. NMOS evirici.

,os vaırısietcrlııru aıığladıp y1ikaek 1-ıunıuiı:lu cltııR'e nanta-

P, yani kii~ \tir alana çctk sayıda eleman y.-leştireb:11-
Ö&el.liği ortadan Jaılkar. ·aa. nedeQle,. direnç yWcl.il deff'e,
geniş ;apta tifııl.eştine :tstena yerlerde lmllanıl.JıııGra elve-
rişli deılildiır.
ll>S -eviriciltı!rde Ye 11>S kapılarda 1a1gın olarak kul-
lanılaıı y6ntem, lineer a dinnci yerine diğer- b4r MOS tran-
sistorla oluşturulan lineer olmayan 'bir ytiic · dinneinda ya-
rarlanııııktır. Diğer bir MOS t:ransistorun yük: olarak kulla-
nıldığı yapılar Şekil-8.26'da görülmektedir.·

.....----o.
v.
sürücü

· IO) 1 bl

Şetil-6. 26. İkinci bir MOS tn.nzistorun yük olarak kullanıl-

 8~21

ıM tuıt" devrelerin kullanılması, MOS traıızistorlarla ger-

~-kl.tştirilen dijital sistemlerin tümüyle MOS tranaistaır-
1.tdan Oluşıı•ını ve diyot, dimmç gilr.1 başka eı•anlara
gfrek k.al.ıııamaaını ■ailamalrtadır. Şekil-8.2~ 'daki devrede
y'ilk oiarak Jmlıartılaıı !r tnn&istceu ya geçidi (G) aaıvağ..ı.­
2
na (D) kısa devre edilmiş olarak çalıştırılır, ya da bu
geçi 't VGG > VDD ♦ 1'1'h gibi daha pn1 ti:t bir po-tansiyelde
tu.tıılu. Gec;idin aavaığa kısa devre edildi.il durum,_ farkl.ı
ln:r gerl.lime gereksinme göater•meei nedeniyle daha uygmı
ol.11aktad1r. Şekild• (a) ile belirtileıı bu deıvreıyi tekrar
ele alarak iıınle.,elia (Şeld.l-8•.27).

Şekil-8.27. IMOS evirici.

Dııha önce de belirtildii~.sibi, 'ı tranziatoru

.uru.u olarak • ~ 2 t:n.ııaia"tcmı iae y1lt olarak gÖftW yapııak­
tadır. yapılan b&llan'bJıın aaınıeıııda, yani geçidin savak
ucu.na Tb.• de~ edilmesiyle, ! yUk tranzia toru daima altım .
2
ile-.n•e.e1t bn:wıda kalı~. Bunun yeııu~ çıkışa yWr lııal•
l-anraaıu -halinde :Im • ~ olmaktadır. Giriş gerilimi
Vi. • V081 • O iken , T1 tran&istorundan akım aJm,ıas Ye
Im • ID2 • _o ~vr. Bil nedenle yi1k urlarında herhangi bir
gep.lim diifUııii ol.uşııas.. ,;J.kı.ş ueıı yaklaıık :o•larak +VDD
potansiyelinde bulunur C gerçekte, V0 • TDD - VTh ·~tansi-
yeliDde, yai aı,nak ger111aincia 1:dr etik gerilimi kadar
4aha 4itftlk ld.r potaneiyelde bulunur). Ti. • -vDD yapılırsa.,
 . &.22

ç-ıkış gerilimi vo - Vem gilaf. dtlftik bir deter ıil.ır., \:ııef]ı;a_

bir deyiş le Tı. trıınııistcmı iletimde olur. VOii (il&tim) ve
Tfla (etik)· geriliıal.eriiıin VDD kaynak gerilim.ne k.ı.yaala
yeteri kadE' k~k oldukları kabul edilirse, v1 • O için
1'0 • YDD , Ti • l'DD için 1'0 • O yaaılaıbilir. O halde,
eviricinin doğruluk tab1osu a.taiıdaki gibi olacaktır •

.l y

ı_
o 1
1 o

biçiııine dön«ıeetıii kolayea fark adilebi;ı.tr.

öneeld. böltliıde 4İle alınan DIOS eri~iciler, lıl~den

fa&l.a sUıtUiet1 _traıı&istcmıza seri veya paralel ~lwı•eaıyl.a
kolayca U-miltL {nxı>) yamı~ nn-Dll'ttL (JIOll) kapıları­
na cUimifturilebilirler. Oııeek.1 böl.Ulııde olJ1ulu gibi, lau.'ra-
da da Yoır < < YDD n 1'flı < < VDD tartının sıııtıand~ını
kabul edelim. Böylece v05 • O ve v0 • YDD yasılüilsin.
n-DBltL {JUJID} ıapısı

n kanallı MOıS tranzi ■ torlarla oluşturulmuş .iki gi-

rifli b1r n-DECtL kapısı Şeld.l-8.28'd• Yerilmiftir • .Devre-
niıı: daı;ruluk tabloeu da atal.ıdakl gibidir.

•Voo
A :e T

y
Vl T2
"•
8 o O. VDD
v. o
Va VDD "nn
A. o VDD VDD
v. o
VDD "nn

felril;.8~28. BJlfOS VE;.DE<l1L kapısı ve doğruluk tablosu.

Devrenin c;alışmaaı şu şekilde açıklanabilir

:
Girişlerden biri, yani v yahut v geTilimlerinden biri,
1 1
aı.fu- ise bu girite ilişkin MOS · transistor kesimdedir ve
akımı da sıfırdır. Akımın sıfır olması nedeniyle yü.k üzerin-

d• gerilim düişmes ve çıkış gerilimi yaklaşık olarak VDD po-

tansiyelinde ( gerçekte VDD - VTh potansiyelinde) bulunur.
Diğer g1r1t1n TDD potanııiyelinde bulunması halinde de bu
du"Nm deği.şmes. Her iki girişe de .· l kcnumu uygu1anır,
yani T1 • v2 • VDD yapüırea, !ı ve ! 2 tranııiatorları ile-.
Uae gtı9erlft' ve çıkıt gerilimi de O 98vi:,ea1ni aılır. D!Aer
'bir deyişle, çıkış.ın sıfıraeviyaini alması, ancak her
iki ginşe +VDD geriliminin,yani l NTiyesinin uygulanması
haliııde ııUmldlıı ol.abd.lir. ·o lıalde bu devre

-
Y • A.13

fonlmiycmunu ge:rçekleştirmektedir.
Vft!•ll8ıl!L (HOR) Iapısı

n kanallı MOS tranzastorlarla gerçekleştirilen iki

girişli bir.- VEYA-DEa.lL kapısı Şekil-B.29'da görülmektedir.

A B y
•Voo
'ı v2 vo
13 o o VDD
Yo
y VDD o o
A• 1,, o B o VDD o
V. Vz
VDD VDD o
Y:ı:W

Şcıdd.l-8.29. JIMOS tranzistorlarla VEYA-DEQ!L kapısı ve

dtılruluk tablcıau.

Oneeki devrenin aksine, bu devrede T1 ve T2 sürücii tran-

sistorları paralel bağla:mııııt.ır. Hm.- iki girişin sıfır
potansiyelinde bulunması halind&, ger&k T1 v~ gerekse ! 2
tranzistorları tıkalı olurlar. Bu nedenle yiirten akım
akmaz.. YUk üzerinde gerilim difışmeyeceğinden çıkış gerilimi
+VDD al.ur. Girişlerden herhangi biri (yahut her ikisi) 1
konumuna getirilirse ( yani Vl- • VDD' v2 - VDD yapılırsa),
..
ilgili eleman il&time geçer ve çıkış gerilimi O seviyeini
alır. Yapısından anlaşılacağı gibi, devre

y. A+B

fonksiyonunu yerine getirmektedir.

YUk Olarak Kanal Ayarlamalı MOS Kullanılması.

Di3i tal devrelerde daha çok kaınal o.luşturmalı MOS

tranzistorlar kullanılır. Ancak, Y.iik ol~-tı:anal ayarlamalı
 8...25

JIJ8 tran■J.storlardan da yararlanılabilir. şe1r:11-a.:,0 1 da

kanal ol'Ufturmalı bir ! 1 süriiclsUndım ve: kanal ayarlama-
lı 'bir ! 2 yi.ikfmden oluşan KJIIJS evirici devresi görtilmekte-
dir. r2 . yWc tr-ansietorunun gec;idi ve. ~ı. binirine
I

•Voo

·şa:11-a.30. IMOS evirici, yük direnci aıarak kanal ayarla-

malı JDl>S kullanıl.mıştır.

o.aııan■ıştır,'bu ne.denle VGS2'. • O olur. Bu şekilde elde ·

edilen yUk direncinin çok daha büyük değerli olacağ~ söyle-
nsilir~

8.3.B.2. OMOS Lojik Kapılar (Eşlenik MOS Ailesi).

p va n kanallı kanal oluşturmalı MOS tranzistorları

aynı kırmık üzerind~ birarada g&rçekleştirmek mümkiiındür-. Bu
tekilde gercekle9tirilen lojik devreler etlenilt JIOS aill.eai
(Claplemaı:ıt~ JDS l'aıily) yamıt le.saca CJIDS aileei ol.arak
isiıılarıdirilirler. CNQB ailesi, giintiınibiim yaygın oıarak
bl J ~ı l u n.,eı1 tir y-aı,ı -.,ıı1 aluıtm:1ıaktaur.

CIIOS Brl ri c1

.
verilııitttr.
Bir CKl$ ffirici
~
~niıı yaıwu,, Şekil
aeıt11d• gn.-.e1ıı1ıeceı1 g11ı1..,
p Te.
8.3l'de
a k'analh ·
JılJS_ tıtanıd.storla.r
aavak, yani D;ı ve D2 uç1arındaı:t biı1ıd.rine
-all...,,tl-,tu, ft 91b.1 pl'tliııi h1ı .-'tak .D neıtt;asındaıı
, -.:. .
 s,

Şekil-a.,ı. CMOS evirici.

a1ınıııaktadır. Bunun yanısıra., her iki tranzistczun geçit

u~Rı da birbil"ine bajlanmıştır •e giriş işareti bu or-
tak G geçit ucu.na uygulanmaktadır.
Giriş geriliminin O dan +TDD ye kadB.l"' dırğiştiTildi­
ği Yarsayılsın. T
1 • O iken 'ası • O olur Ta bu nedenle
Tı traıısistorıı ke:aim.de kalır-. Ancak, 'bu durumda TGSZ •
-YDD değerindedir, dolayısıyla p kanallı T ~ruıistoru da
2
iletim kcmuırrİ.ındadır. Bununla b«raber, devredeki iki MOS
trarızistaır seri bajlı olduklarından, T transistarundım
2
akan aılcı.m T1 trıınzistcmından akan akıma eşit _olmak somıııda­
du-; (çıkışa yWc bağlaınııadl.ğı. kabul edilmişt11:')• Bu nedeınla,
geçit geriliminin T tranziatorunu tümüyle iletime geçirme-
2
sine rağmen, içinden akııı akmadığından, bu elman :PJIIOS
kara.kteırietiği iiserinde v
082 ~ -TDD değerine lı:a.Tşı dü.Oen
ilaelriDi:ıı ari~D ncı.ktaımıda çalışn-. Dolay-ısıyla 'DS2 • O
.a Y0 • TDD olur. Girişe O seviyesi verildiğinde çıkışın
1 ...-1yeaiıu. alııae1 ned_eniy1e, devre evirici Hzel.liği aaı­
laııalrtadı-ı•. !kinci uç 1lu.rwını eıe aıaııa. Ti.• YDD- •ası
yapüaı.n. Bu dur.wıda. ~ transiatonı ile~md.U.r,. mıeak
v082 • O olclUlwJdaD ! 2 trans.istaıı kesimde olur. _ Xm •
ID2: • O cüduğundan, l:ııu de.fa T1 tranzistaıru i:Sııs.etri U.Zft'inde
orijin noktasu4a ~ışır. T1 deki gerilim diifUm1i sıfır
olacağından, çıla.ş gerilim T • O değerini alır; diğer bir
0
de:,işle, çıkış işareti giriş itaretinin tekrar evriği oluır.
 a.21

Görilldift•-sibi, deTre DBtl!L tcmkaiyonunu gerçekleştiraek­

tedil!",
CMOS yapının ö&elliklerinden yararlanılarak, temel
lojik f~nksiycımların gerçekleştirilmesi mümki.Lndiir.

CJC>S teJmiJi ile ıcı,jik · :t01lkaiyanların gere:ekl!§tirilmeai

VE-Dm!L hpısı

c:ııı>s tekn~ği ile ge~elıleştirilen VE•DEılİL kapıaııun

dil&eni Şelr11-S.l2'de ·verilmiftir, İki girişli bir VB-mxl1L

v.

Şelril-&.32. CMOS tekniği ile VE-DEıl1L kapısı.

kapliB1 iki D kanallı Ye iki de p kanallı M0S trmısis tordan

oluşmaktadır-. Devrenin çalışması, aş~:nda anlatılan biçim-
dedir.: v1 • o iaıe Tı tran&ietoru tıkalı, 1!~ tranziatoru
ise iletimde aıılur. T1 ve T tr'anzistarlarından akan akl.lll,
3
V geriliminden ba:ğımaıs olarak aifır olduğundan, ~o • YDD
2
eld• edilir. Yapılan inceluıenin benari ikinci girlş için,
y~i v~ geriliminin uygulandığı uç iç.in de yüriitiilebilir.
Bu durumda v~ • o yapılırsa, v1 g,eriliminin değerinaeıı 'ba-
tımııız olarak T
2
Ye T4 tnmzistorlar.:uıdan akan alcım ıııtır
olduğµndan, çıkış genlimi yine V • VDD değerini alır.
0
En son olarak her iki giritin de l lmnuıııunda olduklaruı
diifilııelim. v:ı. v • "nn yapılmuı halinde, ı ve r tran-
2 3 4
sistorlaırı kesimde bulunurlarken, ı v~ !
1 2 transistorları
iletimde olurlar. Dolayısıyla, n k:anaılb T ve T2 tranaia-
1
._ların.ın uçlarındaki gerili~ al.fır olur ve bu nedenle
VO • O değeri elde edilir ( çıkışa yi1k bağlanmadığı kabul
edilmiştir). Denenin dojruluk tabloeu aşağıda verilmiştir.

A B y
Vl v2 vo
(J o VDD

'fDD o VDD
o "ım VDD

"m VJJD o

YDD •• l olclulU dikkate alınır•, dalNluk talıl.oau

! JI y
o o l
1 o l
o 1 l
1 1 o

şeklinde de verilebilir. Diler bir deyişle, devre

y -r.i
tcmkııiyonunu gerçek:leştiraektedir.
 8.29

VEYA-l>E<ıtL hpısı

CMOS tekniği ile gerçekleştirilen iki girişli bir-

VEYA•D:latL kapısı Şekil-8.'.H' de görua.mektedir. Bll yapıda

Şeki.l-a.,,. ;Jd. giri,li OMOS VEYA-DEGİL kapısı.

alt tarafta yer aılan .HMOS tranzistorların savak ve kaynak

uçları paralel bağlanmışlardır. ttat ta~ta ise seri bağlı
l'MOS tranzistorlar bulunmaktadır.Çıkıştan l seviyesinin
aluıabilmesi için her iki girişin de O seviye-sinde bulunma-
sı gareltee-i, girişlerdm en as birinin l seviyesini alması
halinde. iae çıkışın O seviyesine gideceğ~, devrenin incelen-
mesiyle kolayca görülebilir. Böyle bir devrenin ise YEYA-DE-
ltL fcmlaıiyonunu gm:"Çekleştireceği açıktır.

8.4, LotiJc Se$elerin ~oleraııs Bölşeleri

ilst gerilim aralığı

( H bölgesi)
(l seviyesi)

alt gerilim'aralığı
(Lbi:Slgesi)
(O seviyesi)
Şekil-8.34. Lojik seviyelerin tolerans bölgeleri.
 e.:,o

Lojik :fonksiyonları gerçeklemek Uzere kullanılan ak-

tif devre elemanları, OV ve +Vco c:ı) değerlerini tam ola-
rak sağlayamazlar. Bu nedenle, her iki konum için tolerans
bölgeleri belirlemek gerekir. Bu bölgeler Şekil-8. 34 'de gös-
terilmiştir.
Buna göre üstteki gerilim bölgesi H seviyesine, altta-
ki gerilim bölgesi de L seviyesine karşı dUpıektedir. H konu-
nm sadece V > v1 olması halinde, L koJlUlllU ise V <v2 olması du-
rumunda elde edilebilir. v1 ve v2 de~erleri en kHtU durum sı_
nırlarını belirlerle~. Bir lojik kapısiılın elekt~iksel özel-
likleri arasında en önemlisi geçiı e~isidir (Şekil-8.35).

Şekil-8.35. Bir lojik kapının geçif karakteristi~.

Bu bir kuvvetlendiricinin geçiş eğrisine benzemektedir.

Baoka bir deyifle, arada devrenin kazanç salladı~ bir geçiş
bUlgesi yer almaktadır. Geçiı keskin olmamaktadır.
Aradaki geç~ş bölgesinde kazanç bUyük değerli ve nega-
tif olur • .Ara yerlerde kazancın .Ka-1 deferinden geçtiği nok-
talar da Tal'dır. Bu noktalara K=-1 kazanç noktal&:r1. veya ı
kazanç noktaları adı verilir. Bu noktalar:ı.n ara,sı geçiş böl-
'
geai olarak tanımlanır. Bu noktalarda, yani 1 kazanç nokta-
larında eğrinin eğimi 45° olur.
H seviyesinde (çıkış) tranzietor kesimde olduğı.ından,
bu bölgede gerilim v00 mertebesinde olur. Devre kazanç sağ­
lamaz, yani K=O dır.
L seviyesinde tranzistor doymada olacağından kazanç
yine K=O dır.
 e-.n
And.aki geçit MSl.peiDde i•• negat1~ bir kaaanç elAe
edilir. Geçit etrieiniıı X • -ı kuanç noktalarına ka'rfı dU-
,an girit gerilial.111'1Ddan dilfWc eevi7eli olanı v1~, 7Wmek
seviyeli olanı ela YIR aembol11 ile g6aterilirler. Har iki
aenye ele Şekl.1-a. 55- Us erinde belirtilaiı-Ur.
Bir lo,~ik kapının girit iıareti, çajunlukl.a yine ıaııııı­
ai gilıd. lıir loJik kapı iiaerindeıı ■ ailaıur. Bu durwı için kar-
ı,ılqılabileeek lo1i-k seviyeler ,iki lta~ın karaktttriatik-
leri U.t Ua~, ancak biri 7&tQ ekaane, 4J.4t.-i. ise dUfa7 •k-
-.ne · giailerek lıul11nabilir. tir kap211u dilerini sUrııeai ve
ID• kanun Jıarakteriatiklff fe)cil-8.'6 1 6& görUla~ir.

ı' 1

,
1
_ _ _..,.,..._ _ _ _ _ _ _ _ V giris

Yı

eetil-8.J6. SflııQotı bpuwı w sUZ'Uleıı Jcapın:ı.ıı karakteristik_;

leri.

l kapısuwı
~oU if&l"eti ı• kapısından. aliıaaktadır.
. 1 kapııiııwı &iriı i9areU olııaktad:Lr. Bil iıaretin deli-
Yani .

91ai l' i.le g8ater1leıı 'bi.tacl•d1:r. Giril ifS.l'etiııiııim:ulll de--

ğe:rini aldlğı •"..Z&mall, çl.la.ı i,a:reti maksunmı seviyesini aıı:r.
Ba ıd.ıdamı
0

llffi7e :,a-,.--eke•d•--•01,--ll• gOııtııırilııitUr. Bu

airi.liıl. BU~fl kııpım.n oüıtuıclaki erı dUtU]c gerilime Jcart:ı.
- ----·------ - -------· -- - . -. -· .
dUter. Girit ifareti ııakeiıııum.aevi7eaiD1 aldığı zaman, çıkıe
ifareti 111iııimwıı delerini alır. Gil'iı tıaretiııiıı bu seviy~ai
de yatay eksende v 08 ile balirtilmipir. Bı:uılardaD. yarar-
lanılarak gUrUltil marjı yahut gUrUltU payı tanımı verilebi-
lir. OUrUltU marjı iki bölgede taıumlaııır.
!anım: Girit"- l eaviyeainin bulunmuı durumu. için
gih"UltU ıııarj.ı.

1 11ıı • V-OII - VIB (8.6)

bağıntısıyla tanııılaııır.

!aıu.ııı: Girita ·o aaviyeei-ııin bulw:ıııası durımu için

gürül tii marj~
Jlllı. • VIlı - y Ol, (8.7}
bqıntıaıyla tanımlanır •

.Buradaki L ve B indisleri, girif'8 o- anda I, veya B

aeviyeainin bulundutunu belirtııek1.ed1r.
QDJEı
!Eı
aeriai kapılar içiıı a9all,dati Usellitler c•o•rlidira
ı- Çıtııta B'seviyeaininbulunabilJlesi için v1 < o,e V ollıa­
lıchr.
2- Çıkıf'ta ı, s..t.yesiııin bulunabilaeei içiıı v.I > 2 V oı.aı:ı.-
cb.r. .
J- Bonıal bir ftL tapıaıııda L ••v17•a1nde oıt:ı.ıta bulunan ge-
:rilia tam yUk alt:ı.ııcla 0,4 V claıı daha kUçU:ıctUı-.
4- Beuer tekilde, oıtııta B •ev17••i Tarken, o:ı.tı,ta bıılurıaıı
pnlJa 2-.4 V dD btv11ktUr;
Ve,

1
1 :
-t's";._
0,4 V - t- -t- - _:,-_..._
1
.__.,._ı----+---+-----v.
OJ,V o.av 2 V /. V
 Bunlu- göz önUne alınırsa, girişte ı seviyesinin hu-
l'IUlllaaı duruııu için gUrUltU IIU'~ı

lıUlıı • v08 - YIJI • 2,4V - 2V • 0,4V

diur. Girişte o seviyesinin bulUDllaaı durumu için gUrilltU
ııhtrjı ise

lqerini alır.

ne gü!;ültü bağışıklığı

DC gliriiltü bağışıklığı, bir lojik kapiyı bir lojik

durumdan diğer lojik duruma geçirmeksizin kapı girişinde
bulunabilecek en büyük gü.rtiltU gerilimi olarak tanımlanır.
GUrültii bağışıklığının yüksek olabilmesi için lojik seviye-
nin bUyük·olması gerek~ceği açıktır.
llaıJc6tU hal:
GIIJıilııUzd• iojik deffeler tUmdevre olarak ge.rçekleıti­
r1l.Jıek1:edir. !l'Umdevrele.riıı toleraııalan. '1rık elemanlara gZS-
N-ctahıı bU7UktU:r. lhı nedeııle, b:lr lojilı: dene a1les1ııiıı ge-
Çif eiri.siııi tam olarak vermek mi.bıık:Uı,ı değildir. Geçiş eğri­
sinin içine dUınıeai gereken bir bölge vardı!'.
. .
Bıı bölge tole-
rana bölgesi olarak iaiİıl.eııdirili-r.
.
Lojilı:
.
seviyelere 1lio]d..n
toleı,ıııs b0lgeler1, c!aba ıno• Şekil-8.34'de göstezıilıd.fti.
Geçiı •irisi.de benzer biçi.Jııde bir tolerans bölgesiyle belil'-
tilebiliJ:ı. Bil tolerus bfllgeai ve suırl&Z'l. da Şekil-8.37'de
8rf••ff'lla1ıttr. B12' lojil: kaı,ım.rı bu"811U.%'1&r içerisirıde kal-
ııası gerak:Lr-.
En dı§taki •irileı-e en kMU hal eiı'Ueri ad1 venlir.
lt11' lc,Jik kapına B-0:11 elJ'i•~ ba o Jc8tU bal efrilerirılıı
yer aı.aı2aır. la kitti
f.1'&81.ııcla dıU"lml4a g(lrUltU ıım:3lan 111
tekilde olur:
a- SUrUleD kapuwı aeo1ı elriai Uat aım.rda, s:U1'en kapını.nki
ise alt aıJU.rda bul.wıawi. Şekil-8.36'daki karak:teriat:lli
 tolerans bölgesi

ott sınır

Şekil-~.37. Lojik devre ailelerinin geçiı eğrilerinin tolerans

bölgesi.·

yerıideııçizelim. ŞekiJ.-B.38 1 den f'a.rk edilabileceli gibi, bu

durwıada 1MB (girit lo31k l saviyeaindaykan gUriiltU ııarjı)
en kötü durwıu.nu,cl1:_ter bi~ deyişla eıı küçUk d9ieini alır.

1'

ı..+--+--+---+------- V ıjiris
NMl NMH
Yol il 9ıH VOH

şekil-8. 38. 9ıı1ç1rı en k8'tU durum.

b- suzıuıeıı ~pııı:uı geçif elriai aıt s:ı.ıu.rda, suren ·kapınınki

ise Uat sınırda lıulunsun.Bu durum için ayD.J. eçiyi y~iden
çizel:llll (Şekil-B.39):
 a•.35

Vo

VOH
1
11
11
V

VoL -,-,- - V giriş

NML
" "
VoL Vll VIH VOH
';ı ı, i J-B. 3CJ. NMr, gUrültii marjı için en kötU durum.

Şekil-8. 39 'da_n :fark edilebileceği gibi., bu defa BML

(gil'if lo:jik O se.viyeeittdeyken gürül tii marjı) e-.n kHtii duru-
mutJtı, bafka bir deyişle en küçük değerini alır.
 9.1

9. BISLll11E GlmİLDIİ DOZDLBRİ

_9.1. Giriş

Her elektronik devre bir de besleme geriliıd dUzenine

aenbiııııe gösterir. Bıı dilsen biıı nya daha tasla •ıda dol-
ru gerilia veriıı. BUJUt gUçlerin a6s konusu 014u&ıı durwıılarda
batarya Jm1Jan1J•as1 ekonomik bi:r ç6sUm ollıu. DeTrenin bea-
lenaeai için gerekli olan dolrı,ı gerilim, ö~elin T00 n Vu,
.ıebeb geriliıp.n.den U'Ulltorııatör yard~l• n dolrtıl hoular
Use:rincle elde edilu. J.ııcat, lnı yoldarı elde edileıı dolrıı ge-
rilia, dalgalı bir doiı'll geriliadir. qrıca, ıebeke ge:riliııi­
niıı n ,ukUn 4eliımea1 bal.inde bu gerilill ele 4eliı1r. Dolap-
a17la 401ft geriliıı:1 aabit tutabilmek Uun, gerilim reıuıa­
tGrle:rille gerekaiae dlı1ulur.

9.2. po&gltucular
9.2d1 !et Yollu J>o&ı!ltucıı
Delifbıı
bir ge:riliai dotı,ıl tııaııın e11 baait 7el.11f _tek
411'otla bir dolrul,taoa 4eVNai lmllaııııattU'.:lll d.Useıı lüil-
9.ı•cı. gGatezı:l.lıd.1t1:r.

♦ • -

,----r':""'l>---ı..,_..
l•; 7\ ••

Şekil-9.1. ~•k yollu 4olrııltuou.

DeTrenin gtr19 ger1lim1 ainUa biçimiode delipıektedir.

DeTZ"eniA çalıpıası ııı tekilde •oıklarıabilir. Diyodwı pozitif
yarıperiyotta ileteceli negatif yar.ıperiyot~!I ise kesimde ola-
calı gHzHnUne alınırsa
 v1 > Vy
olması halind•, yam. girit geriliaiı:ıiıı
diyodun Vy efi.k ge-.
riliıd.ndeıı 'bıtyUk olııası hallııcle,
bu elemaıı kUQUk delerli bi.r
Ilı- direnci gösterir. v1 gerilimi diyottan ve Rrı ytUcUııden bir
akım akıtır.

ol.ııasl.' haliıide cliyot tıka~ı olur ve devreden akım akmaz. ca~

rif geriliıı1

oı.... w t• a. alım.ıwa,
.
diyottan. ve yUJcteıı akan atıa fU '
ıe-
kilo 1~• edilebilir:

1 • z_ Siııcı O(Cl.(lt

i. o lt (cı(2Jt

lMl.p eeki.ller.l _OiziliNe· apl;ıdeti 4eliıialer elde

e4111rı

'·
• 1
f
1
1
'
1
1

--- ,-----
1

fetil-9.2. Girit aerlllaiııia Ye yiJJc .akııu.ııin zamana göre d.e-

11f1aleri.
 Im •---- '· (9.2)

Diyottan ve yükten akan akımın tepe değeri yük di-

rencine ve diyodun geçirme yönü direncine bağlıdır. Bu a-
kım bir yarıperiyot boyunca akmaktadır. Diğer yarıperiyot­
ta ise akım akmaz.. Bir periyot boyunca akımın ortalama
değeri matematiksel olarak

J2Tti da. (9.))

o

teklinde tanuıl.anır. 1 yerine (9.1) balıntıaını kullaııaı:ım.

Bu durumda
lt
I.::ı
1.LC
l
•-
2 Tt f
o
Z.. Sina. · da.

(9.4)

olur. :tntegraliıı Uat aııu..rı 21t YSJ'irıe Tt olmuftur. Zira

Tt -2Tt aralıiında ak:ımın ani değeri sıfırdır. ·
Devreden akan akımın etkin deleri 'veya ettektiv deleri
matematiksel olarak

Ieff• (_L_ (9.5)

2ıt

eekliade tanııılaıu.r. (9.1) baiJ,.ııtıaı burada 7en~e komırsa

Tt
I~:t • (.....L.
2Tt / 1i Siıı2 a. . da. ) 1/2
o
(9.6)
lnüuımr. Bıı etklıı 4eler, ainUsoidal bu Ü11lllJl Vıfl olaıı
ettia değeriıutu .hslı.4U'•. Çıkııta el4e edilen vO oüış ga-
riU.lliııU ortalama cle,leri da bense:r 'ii.iad• hesaplanabilir.
Diyotiletiadqteıı 1.ı-.gi'bi 'bili' direnç~deienae.sahiptir.ve.
ıtOla1'1Adald.gariliıa 1.Rı, olur. ~ot t:ı.kalı ilcan akuı aı­
brdır •.!rraııs~orme.:tHrUn v
1 eekonder gerilimi diyodun uçları­
na gelir. »tsyleoe, cliyoduıı uoıarıııdaJd. geril.1Jll:

di7ot iletimdeyk•n (O --~ Cl ,{. Tt )

T • i . ~ • ı.,.~ Sin.a (9.7)

diyot tıkalıyken ( Tt ~ a " 2Tt )

ı•Jclinde olur. Bıuılarcbuı.yararlaııılarak diyodlul uçları ara-

a:ı.ndak1 g&rilimin zamana g6re deli,ıimi 9izilebilir. Bu de-
liıill lekiı-9.J'de gö.rUl.aekteözı.

D17ochıa •l.an.ııdeJci 4o1nı, gerili111 Vdo ile gaJaterelia.

11a ,-.ııı.t

l fıt 21t
vdc • 2ft (' ı.. lir Sin G>d,a. + f 'v•. Sina.·. dil)
'o. lt

··-
,eklindedir. (9.2) allaıı:ı.l:ı.rsa
elde edilir. Buradan da

Tt

bulunur. Devrenin çıkıtındaki dolı,ı gerilim

(9.10)

olur. Diğer bir deyi9le, çıkıt doıı,t gerilimi, diyodun uçla-

rıııclaki gerilimin ters i9aretlisidir.
Bir doğrultucu devres~nde çüıt do~ gerilimi yUk akı­
ııının bir fonksiyonudur. Bu regUlasyon olarak isimlendirilir.
YUzde olarak

J reg. • __._
VY'UkaUz - vtaııı ,:Wtl.U
............___________ ......,....,_ X ıqo

(9.11)
vtam yüklU

ıekliııde tanlJlllaıu..r. .
!ek 7ollu b11' dolft].tuouda V0 geriliminin I 40 akımına
tı.ı,mı ılıiı

(9.12)

ıeklinde ifade edilir. Idc için {9.4) ve~ için de (9.2) kul-
laıu.lll'Sa
 (9.1))

elde ediliı'.

9.2.2. Cift Yollu Dojµ,ıltııcu

önceki devrede transf'ormatörUn çl.k:ı.ı geriliminin bir

yuıperl,yocbı doirııJ.tuııqordu.. fransfom&tÖ1'UA sekoııderi si-
metpk 711pılarak ~ çift diyot kullaıa.larak her iki yar:ı.pe.
riyodwıda dolıultuııaaaı mUmtUııdUr • .B67le bir devre Şeldl-9.4'
de göstezilmiıtu.

v. O,
-i,

v, f -
i

,: ı AL

"· D2
,.._
•2
Şekil-9.4. Çift 7ollu dolrul:t;ucu.
A

~ deff94e biz yanper1.yotta d.17otlardan biri, dipr.

•JC'J.~Otta ı.. d:1lv1 8lıcııı .üıtııııkla, 7f,lkteıı aJau:ı .ak:uı ise
bu ~ot alaalanııııı.topluıı olJııaktad.J.1:,. Denıeye ilifkin dal-
ga ıeld.llerl. Şekil-9.5'de gHrUlmektedir •

.
 v'
ı

i,V\ • t

~I /\ • 1

iVV\ • t

Şekil-9.5. Çitt yollu dofrultucuda dalga ~ekilleri.

Bu devrede y-Ukten akan ortalama alcım , yani do~

21m (9.14)
yt

olur. Burada 1m akllll.

dır.
 Her iki tip dofrultucuda da, çıkıo geriliminde doıı,ı
gerilim bileıeninin yaııısıra defiıken bileıenler de bulwıur.
iyi bir doiru gerilim kqna~ elde edebilmek Uzere bu deliı­
.ten bil'eıenlerin aüz~flp_,atılmaları gerekir. Kullaıı:ı.labilecek
en basit sUzgeç. çıJc..ıtaki yilke paralel bağlanacak bir kondan-
eatörle gerçekleştirilir.

91 2 1 ~. Kon~satör P'iltreii D91!,ıltucular

9.2.).1. Xondanaattsr J:l.ltreli Tek Yollu Dol;-ultucu

•ı,J-

1 C

Şekil-9.6. Kondansat6r filtreli tek yollu doğrultucu.

Bu devrede ilk baıta çıkııta yUk bulunmadığı vareqı-

1:ı.rsa, devredeki C kondansatörU bir yarıperiyot boyunca

V0 •(!Ti -T (1.15)
ef

tepe depr~ ile dolar. JSurada sekonder

Tj,,, · trans:foraatıs.rUıı
geriliııinin etkin delen, V_de ~odun geçirme ytinfl gerilimi.-
dut. Dlyo&ı ten 70ııdıı pl.eoek eıı bUyUk gerilim delen ınms­
f'cınllRb gerl.lUdr:ıiıı ~ l'8ııı4e ııak81ıımı deferini alcb.p
anda ortata çıkar. Diyoda ge1ellilecek bu. en 1,ijyUk gerilim de-_
ğeri

vııaks ~ 2 ,P v 1d delerine sahiptir•

•
( J'l T id _>> T ~l. al tında)
 Diyot tıkalı olduğu
sürece kondaneatUr gerilimini ko-
rur. Çıkışa, yani C kondansattsrUne paralel olarak bir Hı, ytık
direnci veya yükU ballansın. Bu ·durwıı.da Hı, yi.tkü C kapasi ta-
sini boıaltmay-a ba9lar. Bir sonraki yarıperiyotta da başlan­
.gıçta bu azalma devam eder. Trruıs:formatl:SrUn gerilimi guışı
doğru gerilimini v kadar, yani diyodun geçirme yönil gerilimi
kadar aıtığı anda diyot yeniden iletime geçer ve C kapasitesi
1•niden doldurulur. KondansatHrUn dolması sıraeında.ulqılan
gerilim transtormatHrUn R.ı iç direncine de bailıdır. Bu tur
bir do~tucuya ilişkin dalga şekli Şekil-9.7'de verilmiıtir.

v-.
v... ---~----#----'----- t

Şekil-9.7. Çıtıı dalga ıekliniıı de~itllli•

GUZ'UldUğU gibi, çıkıt doğru gerillllinin Userinde tes-

tere difi biOimli bir deliıim bulunmaktadır. _KondansatHrUn
dolma n boşalma sUrelerinin farklı olmaları .ve bo·ealma sUre-
siı:ıiıı çok uzun olmasının bir aonuou olarak, çok kUçUk değerli
bir yUJc ballarıması halinde bile çılnf gerilimi azalır. Bu ne-
den.le tek yollu dolrııl:bıou bUyUk gUçlU devrelerin beslenmesi
açı.sudan ,qguıı clUpıaıelctedir.
D17ot UzerindeJci gerilim dUfilmUnU ihıı&l ederek diyot-
taıı atan aJwu. iııcele7~lim ve il'adeaiııi oıkanıılııı. !raııafor­
•tt1rUn çıkı, ger111mi

,ekliııdedir. D1Yodwı akım atı~ baılad:ıb,.....:.ıi•ı \ayı 11afl.• --

g4çııe noktası, kesime gittiği noktayı da tıkanma noktası ola-
rak isiıılendirelilll.

~ranstomatHrUn gerilimi sirıUe biçiıdbdedir. 13:rı ye pa-

ralel olarak cia O hağ!amıııtu.
 ...
9.10

Buna göre I akım tazörU ile V gerilim fazörU ar&BlJ1da

I - c...L. + d wC) V
~

bağıntıs~ vardır.

(9.16)

olur. Burada

\il • arctg w C 1i-, • (9.17)

t•klindedir. V nin tepe deleri Vm oldJıllına g6re, akımın aıı1

deleri

Sin( wt + ııı ) (9.18)

şeklinde olur. (9.18) balıntısı uyarınca, kullanılan sUzgeç

kapasitesinin değeri arttıkça,(belirli bir Rı, yUkU için) di-
yottan akan ak1Dll.n tepe değe~i de artmaktadır. Belirli bir
ortalama yük akl.Jlll. için diyottan akan akımın tepe değeri bım­
du. çok daha bUyilk olur. su.pç kapaai tea1. ne Jca.da' büyUk olur~
sa, diyodw:ı ilettiği stıre de o kadar k18a olur. Çıkl.v gerili:-
aiJıi.Jı ve d:17o't akımı 01 n dalga ıekilleri Şek11~9.8' de ver1llıif­
tir. :Bura"-8 diyot gerilimi ve diyodun iç direnci ihmal edi1-
ııiştir. Şekildeki dalga şekilleri kondansatör.fil~li tek
yollu d ~ l tucu için çisilmişlerdir. (a.) da transformatör
çıkış gerililllinin, {h) de çıkış geriliminin, (e) de değiş-
ke~ ger.i.11:ııiıı Bz, ve C ~erinden akıtacağı akıaın v& (d) de
ise iD diyot akuıının dalga şekilleri görUlmektedir. V•
1.epe değer1i ainiumidal gerilim doğrudan doğruya~ direnci
 9.11

'4

l,
1
io 1

loııı

a.
.,' cı.

Ş«Idl-9.8. Tek yollu kondansatör filtreli doğrııltucuda gtf"-

rilimlerin ve diyot akımının dal.ga 9ekilleri.

ve buna paralel. bağlı uygulans:3-ydı, bu ele-

C kcmdansatöriine
manların cııuşturdukları empedans üzerinden bir' 1 akımı aka-
cak ve b, 1 s:iniiz.oı:Udal alum (9.18) bağıntısı ile b.elirleneeek-
ti. Ancak, devredeılci diyot, sadece anodunun ka't.ıilduna göre
pozitif alduğu küçük bir aralıkta akım altıtabildiğinden, sü-
rekli sinüzoidal bir .akımın akması aö& konusu olamayac:aktır.
Diyodun iletimde olduğu cı 2 - a. 1 ~ığında..i akımının bu
 9.12

aralığa karıı dUıen la.amın.ın aktılı kalıul edilirse, 1D di-

yot akımının değişimi elde edilebilir. Diyodun kesime git-
tiği noktayı a 1 ile, iletime geçme nokt~ını da a
2 açıla­
rı ile belirtelim. Diyot akımı sadece a
2 - a 1 bölgesd.nde
akacak, bu bölgenin dışında is:e diyot akımı sıfır olac:aktır.
cı
1 aç;ıs~ kolayca bulunabilir. sin( a 1 + 'I') • O olmaaı gerek-
tiğinden hare-.ket edilirse,a.
1 + 'I' • 2n.n şartı.bulunur. ıı
büyüklüğü ne:g~f veya J)(iJz.i tif herhangi bir taınsayıdır. a 1
den ~nra diyot tıkalı olur. ~ondansatör RrC zaman sabi ti
ile bo·şalır. Iondanaatöriin, dolayısıyla yUkii.n, uçlarındaki
gerilim

V (t) • A.e-t/Rı,.C
o

b..ııntı.sJ.Da gıire deği9ir • .A sabi tini bulalım. a 1 •• kart~ dfl-

d. .en ~. anında çıkıt geriliııi

deterini alır. :Bu anda diyot tıkalı oıduıundan yukarıdaki tia-

tel balıntı da geprlidir. İki Dalıntı eşitlenirse

olur ve v0 çıkış gerilimi

felkliııde u.ıe edilebilir. Dlyalbı.D ileti• gectiği ~ su

iae anali'tik bir if'ade ile kelqea ver11..... Aneak, gerili-
ilin asalıp belirli bir değerin al tına inme.si haliııde diyodun
ilet.iae geç:til~ noktayı (.a 2) yaklaşık olarak belirlemek aU.-
JdtıuHlir. :Bunun için Us tel değifiııin bafl.aııpc anındaki 1.ağeti­
ni alalım ve çıkıt geriliminin bu şelıd.lde değiştiğini kabul
edelia. Daha scınra da gttater.l.leeetii gibi, orta.ya testere di-
ti biçimli bir deiiİim çıkmakta, bunun tepeden tepeye cleğeri
Tr ol.Jlaktadır. öte yandan, gerilimin Yoııin ~eğerini aldığı
 9 • .13

anda diyodun iletime geçtiği bilinmektedir. Testere dişi bi-

çimli gerilimin başlangıç noktasının sinUsoidal gerilimin Vm
tepe değerine t~ğet olduğu varsayılı~ea,, Vomin değer.inin bu
tepe değe~en Vr kadar düşük ~lacaığı kolayca fark edilebilir.
Böylece, çıkış geriliminin alacağı ainiJIIU.Bl değer

vomin • vm - vr
Gerilim bu değere düşünce,, diycrt tekrar- iletime ge-
olaea.ktır-.

çer. Bu andaki gerilim Vomin • Vm.sin a olacağından2

a 2 • arcsin(VO!Rin/Vm) + 2.n.n
bulunur ve buradan t
2. v~- t 2 hesaplanabilir.

qııı deliıimler çift yollu dolrı.ıltucu için de verile-

bilir. XondaıuıatliZ' filtreli bir çift 7ollu d~tucu Şekil­
,., ... &özılllııııttedizı.

o,
...----ı:::ı--- ....---ıı~--~ .....
C

lı

Şeld.1-9.9. lt('ndBDMttsr filtreli oift 7ollu d.olrııltuou •

.Bil PTN 1g1ıı ele ~m. ~sa tekilleri çiaek llUmtU~dUr.

diyot akımı

Şekil-9.10. Çift yollu, kondaneatUr filtreli doğrultucu.

 GörUldüğU gibi, bu tür devrelerde çıkış gerilimi bir
dalgalanma göstermektedir. Buna dalgalılık adı verilir. Diyot
Uzerindeki gerilim dUşümU ihmal edilirse, gerilimin tepe de-
ğeri Vm olarak kabul edilebilir. Dalgalılık geriliminin tepe-
den tepeye değe.ri Vr ile gtisterilirse, çıkış doğru geril1.ııi­
nin ortalama değeri

(9.19)

olür. vr dalgalılık gerilimi ytUc akımının ve kapasitenin bir

fonksiyonudur.
Dalgalılık gerilimi testere dişi biç~nde değiıir. Bu.
de~,1ııi Şeldl-9.ll'de tekrar verilmi9tir.

T/2
V,/2,

· ............. -
Şeld.l-9.11. Dalgalılık gerilimi.

:Bir · yaklaşıklık yapılarak değişimin rampa biçi-

minde olduğu kabul edilsin. O zaman yapılan kabulle T1 =0 alın­
makta, yani Jcondansat6rUn dolduğu sure sıfır alınmaktadır.
Bu iflemin dalga ıekillerinin analizini basitleşti.receği açık­
tır. T =o, T =T/2 olur. Şebeke frekansı f' olduğuna göre,
1 2
T•l/f ve T/2• 1/2-#. olur. Kapasitedeki gerilim değişimi
akımla ilişkilidir.

dv
i=C-
dt

şeklindedir. Kapasite sabit ,Uk akımı altında Idc ile boşalır.

Kapasitenin uçlarındaki gerilim değişimi Vr olduğuna göre ve
değişime karşı dUşen zaman aralığı da f/2 olduğundan
 dv = _L dt
C

dv yerine b.V -vr• i yerine Ido' dt yerine de !/2 alınırsa

·-
T
2

elde edilir. T/2=1/2t olduğuna göre

Idc
v
r
- -
2f'O
(9.20)

elde edilir. Bu bağıntı, doğrultu.cwıun dalgalılık gerilimini

Idc yük akımı, f şebeke frekansı ve O sUzgeç kapasitesi cin-
sinden vermektedir. Bulduğumuz bağıntıyı, gerilimin ortalama
değerini veren (9.• 19) .~&tıntısında yerine koyalım.

1dc
Vdc •V.m• ------ (9.21)
, . 4tC

elde edilir. Diyodun ~çı.arın4alçi geriliJD dUşUmU ihmal edilir-

se, yük atımının sıfır olJnası durumunda Vd0 •V111 olur. YUk akı­
mı, yani Ido artarsa, bµ ortalama gerilim azal.Dıaktadır. Bu
durumda devrenin etkin ç:ü:ıı direnci

l
R =- (9.22)
o 4f'C

olur. Bu çıkış direnci kapasite ile ters orantılıdır. Dalga-

~ılığın ve oıkış direncinin kUçUk olması için kapasitenin de-
ğerinin btiytik tutulması gerekir. Bwıun yanıeıra, bir doğrul­
tucu devresi tasarlanırken diyotlardaki gerilim dUşUmilnün de
gözönüne alınması gerekmektedir.
Köprü Doğrultucu

verilen çift yollu doğrultucu iki diyotla

Şekil-9.4'de
kurulmakla birlikte, transformatörün sekonderinin orta uca
göre simetrik yapılması, başka bir deyişle v 1 ve vi gerilim-
lerinin eşit genlikli fakat zıt fazlı gerilimler olması ge-
rekmektedir. Dört diyotla bir köprü devresi kurulması halin-
de tek sargılı bir transformatör kullanılarak çift yollu dog-
rultucu gerçekleştirmek, böylece simetrik transformatör kul-
lanılması zorunluluğundan kurtulmak _miimkUndür. Graetz doğrult­
ma devresi olarak da isimlendirilen köprü devresi Şekil-9.l2'dıe
görülmektedir. Transformatörün sekonder sargısı R-N' uçları

•
. ,,

_Şekil-9.12. Köprü doğrultucu

--
devresi.

arasına bağlanır. ıı ucunun B' ucuna göre pozitif olduğu yarı

periyotta JJ~ ve D4 diyotları iletim yönünde, Di ve D~ diyotla-
rı ise tıkama yönünde kutuplanırlar; böylece n ,n
2 4 diyotları .
v.e. R· direnci üserinden bir akım akar. 11' ucunun 11 ucuna göre
pozitif olduğu diğer yarıperiyotta ise bu defa D1 ve n3 diyot-
ları iletimde D2 ve D4 diyotları ise kesimde olurl~r. Bu de-
fa akımın D1 , »3 diyotları ve R direnci üzerinden akacağı a-
çıktır. Yine, her iki yarıperiyotta R direncinden aynı yönde
akı~ akacağı kolayca görülebilir. Ancak, bir yarıperıyotta ·
köprü doğrultucuda yüke seri olarak iki diyodun geleceğini
belirtmekte yarar vardır.
9.3. Regüle GUç Kaynakları

9.J.1. Temel Regüle Kaynak Devreleri

Doğrultuculardan
bUyUk ak:J.mlar çekildiğinde, bunların
çıkış gerilimlerindeki dalgalılıklar büYUk ve birkaç Volt mer-

tebesinde olur. BHyle bir besleme gerilimi ise beslenen den-e-

lere zırıltı şeklinde 9ebeke frekanslı bozucu işaretler geti-
receğinden istenmez. Bu değişimler, doğrultucu ile yilk arası­
na değeri kontrol edilebilen seri dirençler yerleştirilerek
azaltılabilir. Seri direnç olarak {kontrol edilebilen) tran-
zistorlardan yararlaniıır. Çıkıştan alınan regUle edilmiş ge-
rilimin doğrultucunun çıkışındaki gerilimden daha küçUk ola-
cağı açıktır.

kont.

cfolrultucu yük

Şetil-9. 13. Blok ıema.

9.).2~ Basit RegUle p.yııat

En ba•it regUle ~rıak devresi bir emet8r çıhtlı kat-

tır. Bunun bazı bir referans gerilim kaynağına bailanır. Bu
referans gerilim kaynağı bir Zener diyodudur. Referans geri-
limi de stabilize edilmemiş doğnü.tucu çıkıt geriliminden. sağ­
lanır. Bilindiği gibi, Zener diyodu belir1i bir çalıpıa bölge-
sinde uçlarındaki gerilim içinden akan alaıaclaıı bal,m•ı.z kalan
bir elemandır. Dolayısıyla, uçlarındak:I gerilim,YUk dalgalan-
malarından etkilenmez. Bu eıı. basit gerilim regUlatöru Şekil-
9.14'de görUlmektedir.
Devredeki T tranzistorunun lineer bölgede çaıı,abilme­
si için Vi gerilimi V0 gerilimine gHre yeteri kadar bUyUk ol-
malıdır. Zener diyodunun akımı R direnci ile Vi geriliminden
sailanır. Devrenin çıkıt gerilimi .
 Ttk ya da v.
cift yoHu C'
dolrvltucu

Şekil-9.14. En basit regUle k~nak devresi.

Vo =- V - V-n,.
.,z ~
(9.23)

olur. Yani çıkış gerilimi Vz ref'erans geriliminden bir baz-

emettsr gerilimi kadar daha aoağıdadır. Devrenin çıkıo diren-
ci, girişteki gerilim değişimlerinin ne -derecede azaltıldığı­
nı bel~rler. Çıkıo direnci

ro : - (9.24)

şeklindedir. S~ısal bir tsrnek verilirse v11:26

mV ve
1 0 ~100 ııA için r 0 -0,26 Q olur. Giriotelci regfUe olmayan ge.:.
l'ilimin AVi deği9iminin referans gerilimine etkisi Zener di-
yodunwı kUçük ifaret direnci rz ye bağlıdır. 1lu. durumda çıkıt
gerilimindeki defifim

(9.25)

olur. Genel-likle rz << R olduğu için

 r
/J.V •-!... AV1 (9.26)
o R

yazılabi1ir. Buradan hareket e.dilirse dalgalılık ~ayıf'latmaaı

r
= _.!,._ (9.27)
R

elde edilir. R arttırıldıkça, dalgalılık zayıflatması azalır.

Ancak, Zenerden akan alnmın aynı kalabilmesi için, bu durumda
v1 nin de bUyük tutulması gerekir. aı ise traıızistorwı uçla-
rındaki gerilimin artmasına yol açacağından, bu elemanda har-
canan gUcUn artacalı da açıktır. :awıwı yanısıra, VBE ve v. de
sıcaJclıla baııı olarak ortaya çıkacak değieimler olduğu gibi
çl.k19a etki ederler. Devrenin bu sakıncalarından ötUZ.U ba9ka
devre dUzenleri geliştirilmi9tir.

9.3.J. Bata Kuvvetlendiricili Devre

Bir-hata kuvvetlendiricisi.kullaıu.larak ve sistemin
tUmUne geribeeleme uygulanarak yukarıda de~nilen sakıncalar
azaltılabilir. İlgili devre Şekil-9.15'4• gU~lmektedir.

Yi

. C filtHIİ
ttk yo da çift R
yollu
cıotruttucu v.
17
C'
R,

Şekil-9.15. Hata kuvvetlendiricili regUle kaynak devresi.

 Devrede hata kuvvetlendiricisi olarak bir işlemsel
kuvvetlendirici kullanılDll.ş, gereken yUk akımını aail~abil-
mek Uzere, çıkışa bir T tranzistoru. bailanmıştır. Bu tranzis-
torwı çıkışından geribesleme işareti alınmıştır. Diğ~r bir
deyişle işlemsel kuvvetlendirici Te T tranziatoru. yeni bir
işlemse~ kuvvetlendirici oluşturuyorlar gibi dUşilnUlebilir

(Şekil-9.16).

Şekil-9.16. İfleJDIJel tuTVetlendirici ile! traıısiatorıumıı

oluıturdukları yeni 1,1... eı tunetlen4iri.c1.

Biunl ghUnUA• a1aNk d~yi yeniden çiseliıı.

v,., Rı

Şekil-9. 17. Bfdeğer devre.

 tııemsel kuvvetlendiricinin faz çevirmeyen girişıne
'
zener diyodunun gerilimi, yani Vref gerilimi uygulanmıştır.
:Devrenin kazancıçok bijyük olduğundan ve girişinden akım ak-
ıııadığından, pratik olarak giriş uçları arasındaki gerilim
farkı sıfırdır. Başka bir deyişle faz çeviren girişin de Vref
potansiyelinde bulunması gerekir.

(9.29)

vi gerilimi v 0 geriliminden ve ~,R1 dirençleri Uzerinden

sağlanmaktadır.

(9.30)

olur. (9.29) eıitlili uyarınca

•.re:t (9.31)

(9.32)

buluııur. Bu bağıntıdan gtsrtılebileceği gibi, çıkış gerilimi

~ ve R dirençlerinin değerlerine bağlıdır.
1 :eu dirençlerden
biri, örneğin~ ayarlı yapılırsa, direncin değeri değişti­
rilerek V0 çıkış geriliminin değeri deli,ştirilebilir. ~=0
yapılırsa, V =Vref olur. Böyle bir devrenin, an~ak, Vi > V
0 0
olduğu surece, yani işlemsel kuvvetlendirioinin ve T tranzis-
torunun lineer bölgede kaldıkları surece çalışabileceği açık­
tır. İşlemsel kuvvetlendirioinin çıkış ucunun alabileceği
maksimum bir seviye vardır. Çıkış gerilimi bunu aşamaz. Bu
seviye, işlemsel kuvvetlendiriciyi besleyen gerilimden k:U-
çillctilr. 4rıca, T tranzistorwıun !BE geriliminin de dikkate
alınması gere-kir. Yani, işle11Bel lmnetlendiricinin verece-
ği. makaimum ger·ilim VııaJıs
iae, gerçekleşt1Tilen giiç kayna-
ğının vereceği maksimum gerilim

oımaııdı1r. Pratikte böyle bir devre gerçekleştirilirken, çı­

kış geriliminin alabileceği. maksimum değer, en büyük yük akı­
ııı aka:rk-en ~ e s i • v geriliminin dalgalılığı nedeniyle or-
1
taya çıkacak en küçük v değerinden daha küçük olmalıdır.
1

{9.33)
.
atrada V11 trafonun sekoııder geriliminin tepe deterl, VD
diyodun iletim yönü gerilimidir. Arada birka~ Volt güvenilir-
lik payı b.ırakmakta her zaman yarar vardır. Bu gerilim, seri
'trana:iatorun Jmlektö~ ve emetör uçları arasındaki gerilime
eşittir. Pratikte bi:Syle bir devre. gerçekle,ştirilirken, tran-
zistaırun kolektör-emetör gerilimi, şebeke gerilimi alabilece-
. li· eıı düşiDc değerdeyıatıı f f ııaiıaimum yi11c akımı çekilirken
'tranzistor doymaya girmeyecek şekilde seçilir. Biıitiin bunlar
'
gös öntine al.ındığında çıkıt gerilimi ifadesi

Idc
4:CC

ıekliDde ver,ilebilir.

Be:Cerana geriliııiyla cıb.t gerilimi araaıDdaki 111,~

itiyi ·veren (9.'32') bağıntısı, işleııeel mvv-etlendiricinin Ita-
.-.ancı'lllll sanauz C!l'ldu~ lcabulU ile çıkartılmıştır. Pratikte,
lraııanc:ı aaınııu.s ol.an bir kuvvetlendirici gerçekleştirmek müm-
ktin delildir-. Bu nedenle, çJJc.ş gerilimi:ai ı-e-f'erana gerilim
dııaiDtleıı Yerea batıntıyı bi-r defa da kasancı ·~ olan kunet-
l•~dirici için cıtcartııak'ta yarar oıaeaıı açıktır. llıuımı
1~n Şeld.1-9.ıB'detd. cleft"eJ'i ele alaluı.
 V;,

Şeltil-9.li8. 1şJ.emsel kuvvetlendiricili regUle kaynak devresi.

Şekildeki' devrede işlemsel kuvvetlendiricinin çıkış gerilimini

V~ ile, devrenin çıkış gerilimini de V ile gösterelim. Yine,
0
işlemsel kııvvetlendiricı::inin faa döndilren girişindeki gerilim
v 2 , :tas dtindürmeyen girişindeki gerilim ise v olsun. Böylece
1

Rı

.V 1
o • Vo · •
. V,,n:•
.uD

ball,lıbları yaaı.labil.ir. Balı-adan hareket edilirse

.,
o -
bulunur. X -+ co olııaıu. halinde ikinci terim sıfıra gideceğin-
den, bağıntı
V ..
o

şekline dönü.şUr ki, bu daha ö:nce sonsuz kazanç için el.de e,di-
len bağlı:~ıtı almaktadır.

Çıkışta Darlingto■ Cifti Kullanılması..

hallerde çıkıştan çekilecek akımın çok bUyUk de-

Bazı
ğerli olması gerekebilir. Böyle durumlarda, devrede kullanı­
lan işlemsel kuvvetlendiricinin çıkış akımı, seri tranaistorun
bas akımını sağlamak açısından yeterli olmayabilir. İşlemsel
kuVTetlendiricinin çıkış a~ımının seri tranziatorun bas ak:ı.mı­
nı aaılayamadıtı durumlarda, seri transistor yerine bir
Darlington çifti kullanılmasıyla bu aakınca giderilebilir~
Böyle bir regfile kaynak den-esi Şekil-9.19'da görUl•kte41r.

y.1

Şekil-9: • .19. Darlington çıkışlı regUJ.e gerilim kaynağı devresi •.

Bu devrenin çalışması da öncekine benser biçimde açıklanabilir.

Bu defa, işlemsel kuvvetlendirici ile T ve T Darlington
1 2
çifti yeni bir işlemse-1 kuvvetlendirici aıluşturuyoır1.armış
gibi düştinmek mümkündür. sı:s-z konusu durumun dikk~te, alınması
halinde, daha önc:e tek tranzistar ve işlemsel kuvvetlendirici
ile kurulan regUle gerilim kaynajı devresi için elde edilen
balıntının Darlington çıkıtlı devre· için da geçerli olaca&ı
açıktır. Daırlingtonçifti ~larak gerçekleştirilmiş tranzis-
torlar piyasada bulunmaktadır. Darlington transistorun devre
sembolti Şekil-9.20 1 de- verilmiştir. Gerekli olması halinde,

C
C
B
/\
B

E E

Şekil-9.20. Darlington çifti için devre sembolü.

devrenin çıkış tranzistorları yerine ( ı ve T ) hasır

1 2
Darlington çifti kullanmak da miimkündUr. Btiyle bir regUJ..e
gerilim kaynağı devresi Şeld.l-9.2l'de gi:SrU.lmektedir.

V-1

V,et sV,.

v•
R, RL

Şüil-9.22. Darling'ton transietorlu r.egtil.e gerilill kaynağı.

9.3.4. haa Devre Xorwııa Dilzeııleri.

R~e gerilim kaynaklarıntta yer alan başka bir ek

diisen de kısa devre laırwaa difıuJıidir. Devrenin yükUnürı ( ya-
ni Rı, niıı} kısa devre alması halinde, akımı sınırlayan bilr
önlem alınmamışaa, seri tran&istorun ııaJmimuıı akım sınırı ya-
hut maksimum güç sınırı aşılabilir.ve bunun 1Mt1ucunda b~sleme
gerilimi devresi zarar görebilir. Ayrıca, akımın artması, ba-
sı durumlarda yükün daha fazla hasar görmesine neden ctlabilir.
Aı nedenle, mıııdern regille gerilim kaynaklarında kısa de!ffe
lulırumasını sağlamak il.zere akım sınırlam& devreleri öngöriilıaek­
tedill". En basit akım sınırlama devresi Şekil-9.Jt'de göateril-
ıııi.ştir. Bu devrede akım yo-lu üzerine bir Rg direnci yerleşti•

V·•

Şekil-9.22. Diyotlu akım sınırlama devresi.

rilmiş, transistorun ile çıkış arasına da D1 ve D2 di-

bazı
yotları bağlanmıştır. Devre, diyotlu akım sınırlama devresi

olarak isimlendirilmektedir. R8 direnci küçiik değerli bir

dirençtir. Rg direncinin uçlarında düşen gerilim diyotların
ilttim eşiği olan 2V y dan küçük olduğu süirece diyotlar aıkım
iletmezler·. Bir kısa devre: oluşması halinde ise, dirençten
akacak altım

(9.35)

~erinde sınırlanır. Zira, transistordan daha fazla akım

akabil•si için buının bu akımının da artııaeı gerekeeektir.
Baz akıaı•i.se süriicrii devrenin çıkışından sallanmaktadır.
Öngörülen akım değerine ulaşılması halinde,~ ve D2 diyotla-
rı ile'time geç~er. Bu durwıda oaz akımı öngörUl.en çıkış
atr.ımı için .gerekli olan değerin Uzerine çıkamaz.• zıx:a, bas

akımınmı fazlau. bu andan itibaren Dı_ ve D diyotları ve çı­

2
kış- Userinden akar. Ancak bu akım Is akımından yeteri kadar
küçüktür ve çıkış akimı yaklqık cilard 1s d&ğerinde sabit
kalı~.
Daha gelişmiş devrelerde, yukarıdaki düz.ene ben.seyen
'h'aı'ı.zistOJ!"lu b:ir akım sınırlama devresi kullanılmaktadır.
)u devre Şekil-9.2J'de görülmektedir. Devrede r 1 tranzistoru

r------....-------.-..vi IJİri$
R

..-.....----+-~v.
ctk•s

Şeki.l-~.2,. ~ansistorlu kısa devre kOTuııa devresi.

akı• aınırlatııaıyı aaııamaktadır. Rs direncin1n·uçlarındald. ge-

rili■ tran&iatorwı Yyiletim eei&inden kU.çilk kaldılı aUreee
t 1 kesimde kalır •• bu nedenle akım akı tmu~ a8 Glç1l diren-
cinin uoıarı1'lclaki gerilim dUfUld Yy • 0,6 Y delerine ula,ın-­
ea, t 1 tran&iatoru iletime geçer Te f2" tranm'.etorunun bu a-
luaınu claha tul& artııaauı ISJtleyerek bu akım. aı.nırlaı-.
oıuıu ıe-nlteal•• 11• oıkıt &•Tiliııi, 8a 4eki &ff'ilia clilfUııU
0,6 Y 4elff1•4• nüiliae olaiak ı•Jdlcl• aprlu.ır. I>ileı-·1>1'1'
4eY1ı1•.- lt,ı 4urıııı4a claYNJı1• rıkS-f üııu

P,t I (9.Je}

'
cıeıer1acıe aabit kalaaktadıı-. o halde, 8a
4ifltnci ele angö'l'llln
ala.a eınırı deterıne glSre aeçilııek acmınclaıılıT. YtlkUn deleri
4aJıa da ıruçuı 'tUlUne, ~ını aJcııu. aa1>1 ı kalaeıılından, bu ça-
lıpıa clur,ııııında ~ıkıo ge'l'iliııiııin 1'0 • Ioııata•RL teklinde
Rı, ile belirleneceti açıktır.
 KAYNAKLAR

l- ».Leblebici; ~lektronik Devreleri (Cilt 1), tTU Kütüp-

hanesi, Sayı 1:,04, 1985.
2- J.Millııan,C.Balkias; Blectronic Devices and Circuits,
Kc G%'8.V Bill, 1967.
,- l.Millm~n,C.llalkias: Klektronik DUzenler ve Devreleri
l9evirenıY1ldıs Leblebici); Cilt 2 (2.baskı), tTtl
lütüphanesi,~ayı 1291, 1984; Cilt 3 (2.baakı}, rtti
1:üt1:{p.rıanea1,Sayı ı:,03, 1985 ~ Cilt 4, !etnik Kitaplar
Yay111evi,iatanbul, 1986.
· 4- ıJ.llillıııa.n.,C.Balkias ; Integrated Blectronice, ile Graw
Hill, 1972.
5• J.Killman: Microelectronice, Kc Graw B111, 1979.
6- J.G.Graeaa, G.B.!obey, ı..P.Buelııııan; Operati.on.al
hpl.ifiera ])eaign and Applicatione, Re Graw Hill, 1971.
7- 11.lfietae,Cb..Scb.enk ; A.d..-aııoed :ııectronic Circuits,
Springer Yerlag, 1978.
8- u.ı-ıet••~Cb..Schenlt • Balbleiter-Scb&ltungatecnııik,
Spriager Terı-..,ı9a3.
9- .l'\B.Orebene ; Analog In.tegratecl Circuit, Deaigıı, Tan
•oetnn4 ıteiab.old Company, 1972•.
•.
ıo- .ı.Jl Qrebeııe ~ Bipolar an4 ııos Analog Integrated Circuit
De•igıı. Jolın. lf il•Y, 1984.
ıı.- !.t .saya ; Giiç Allplifikatörleri ve Geribeeleııe ( Der~ ,Botu),
· ,tırtt lle~rit-!'Ele~ronik Pakü),.teai,- ~983~