FENCİLER ve MÜHENDİSLER

İÇİN

ELEKTRONİK
Yazan
R. Ralph BENEDICT

1\

U·1

Editör
Prof. Dr. Fevzi KÖKSAL

Ondokuz Mayıs Üniversitesi

Fen-Edebiyat Fakültesi

SAMSUN-1987
 ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ
FEN-EDEBİYAT F AKüLTESt

FENCİLER ve MÜHENDİSLER
İÇİN •
ELEKTRONiK
Yazan
R. Ralph BENEDICT

Çevirenler

Prof.Dr.Fevzi KöKSAL (Böl.6, 7,8,9,10,16,17,18)

Prof.Dr.Nazmi T. OKUMUŞOĞLU (Böl.1,2,3,4,5)
Doç.Dr.Habip öZKAPLAN (Böl.11,12,13,14,15)
Yrd.Doç.Dr.Muharrem DİNÇER (Böl.19,20,21)
(Ondokuz Mayıs üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü)

SAMSUN·- 1987
ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ YAYINLARI
Yayın No: 26
 ÖNSÖZ

Bu kitap, önemli aygıtların kısa incelemesini içermekte; elektroniğin temel

ilkeleri üzerinde özellikle durmakta; ve seçilmiş elektronik aygıtların, ölçme ve
kontrol sistemlerinin ilkelerini sunmaktır. Nitel tanımlamalar ihmal edilmemekte
fakat nicel incelemelere daha fazla önem verilmektedir. Çok yer kaplamaması
için, birçok bağıntının çıkarılmasındaki ayrıntılar gösterilmemiştir. İşlemlerde, yak-
laşık bir çözümlemeden başlayarak daha ·gelişmiş çözümlemelere gidildiğini ha-
tırlatmak yerinde olabilir. örneğin, eklem transistörler melez - pi modeli basit
bir şekilden başlayarak aşamalarla gelişti. Ayr.ıca, bazı durumlarda bir konu önce
nitel olarak gelişir daha sonra bir nicel çözümleme ayrı bir makalede sunulur.
Konuların anlatımındaki ayrıntı ile bağıntıların çıkarılışındaki derinlik arasındaki
uzlaşma okuyucunun, daha ayrıntılı kaynakların yardımı ile, kendi özel ihtiyacına
uygun elektronik sistemlerin kurgularını, birleştirilmesini ve geliştirilmesini yapa-
bilmesi ve bunun için gerekli ilke ve tekniklere ait bilgileri öğrenmesi yönünde
yapılmıştır. .
Bu kitap 40 - 50 saatlik bir dersin gerektirdiğinden daha fazla konuyu kap-
samaktadır. Bu yüzden böyle bir ders verilirken konu seçimi yapmak gerekmekte-
dir. Yukarıda belirtilen amaçlara esas olan kavramlar Böl. 3 ten Böl. 6 ya kadar
olan kesimlerde ve 8.,9.,10.,12.,13.,14.,16., ve 17 bölümlerdedir. Bu bölümlerin
bazı kısımları dikkate· alınmayabilir veya üzerinde fazla durulmayabilir. Böylece
15. ve 18. den 21. bölüme kadar olan bölümlere zaman ayrılmış olur. Yazarın
görüşüne göre elektronik aygıtlarla gerçek laboratuvar deneyimi, konuların anla-

şılmasında esastır.
Yazar, tek tek belirtilmesi sayısal bakımdan çok zor olan tekrar makaleleri-
nin ve kaynak kitaplarının yazarlarına teşekkür borcunu belirtir. Her bölümün
sonunda ayrıntılı bilgilerin kaynaklarını göstermek veya ek okuma için seçilmiş
kaynaklar verilmiştir.
John L. Asmuth, John B. Miller, Arthur T. Tiedemenn, Allan K. Scidmore,
James J. Skiles, Ferrel G. Stremler ve Wisconsin üniversitesi Aygıt Sistemleri Mer-
kezinden Harry H. Miller'in de içinde bulunduğu birçok meslektaşımı, tartışma
ve bölümlerin ayrı ayrı r( .1,den geçirilmesindeki yardımlarından ötürü hatırlamak
bir zevktir. Ernest S. Okonski ve Thomas R. Benedict 21. bölümün düzeltilmesin-
deki yardımlarından ötürü teşekkürler. Daktilo yazımının çoğunu yapan Judith
Mohr ve Lane Lokken'e de teşekkürler.

R. Ralph BENEDICT
Madıson, Wisconsin
 Çevirenlerin Önsözü

Çağımızda elektronik, özellikle fen ve mühendislikte önemli araç olmuştur.

Bu nedenle bu mesleklere eleman hazırlayan kurumlarda elektronik derslerinin'
artırılması ve araçların amaçlan gerçekleştirecek düzeye getirilmesi gerekmiştir.
Ondokuz Mayıs üniversitesi Fen - Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümünde bu ihtiyacı
karşılamak üzere nitelikli bulduğumuz bu kitabı Türkçe'ye çevirmeye ve bununla
ilgili bir laboratuvar kurmaya karar verildi. Bu eserin Türkiye'nin bütün fen ve mü-
hendislik fakültelerinde okutulabileceği ve yararlı olacağı kanısındayız. Kitap,
· fakültemizde iki sömestride okutulmakta ve uygun laboratuvar deneyleri ile de
desteklenmektedir. KiLabın Türkçe'ye çevrilmesinde terimler yönünden güçlükler-
le karşılaşılmıştır ve bu ilk baskıda bu bakımdan yetersizlikler görülebilir. Bize
gelecek eleştirileri de dikkate alarak bundan sonraki baskıları daha düzenli ve daha
doğru yapabileceğimizi umuyoruz.
Kitapta, çevirici isimleri arasında bulunmayan fakat çeviriye yardımı olan
Araştırma görevlileri Recep Tapramaz, Engin Başaran, Mehmet D. Dülkar, Hümeyra
Paşaoğlu'na ve çevirileri daktilo eden, toparlayan Gönül özyıldınm, Tülay Beyaz-
kılıç, Meral Turan'a ve ayrıca baskıda emeği geçen başta İrfan Kurt olmak üzere
üniversitemiz Basımevi elemanlarına teşekkürü borç biliriz.

Çevirenler adına
Prof. Dr. Fevzi Köksal
 iÇiNDEKiLER

öNSöZ

1
Temel Devre Teorisinin Gözden Geçirilmesi

1-1 Giriş 1
1-2 Elektriksel nicelikler 1
1-3 Sabit ve değişken voltaj ve akımlar 2·
1-4 Voltaj ve akım kaynaklan ; Kirchhoff yasaları 3
1-5 Dirençlerin seri ve paralel bağlanması 6
1-6 Devre çözümlemesi 8
1-7 Wheatstone köprü devresi 11
1-8 ır den T ye (delta dan yıldıza) dönüşüm 12
1-9 · Şebeke teoremleri 14

2
Elektrik Devreleri

2-1 Temel devre denklemleri 20

2-2 LR ve RC seri devrelerinin cevapları 21
2-3 LR devresinin bir alternatif voltaj kaynağı ile beslenmesi 26
2-4 Durgun - hal alternatif akım ve voltajlarda kullanılan teknikler 29
2 •5 ~urgun - hal alternatif akım niceliklerine uygulanan devre
denklemleri ve teoremleri 38
2-6 Frekansın Z ye Yüzerine etkisi; rezonans 39
2-7 Eşdeğer devreler 43
2-8 Karşılıklı indüktans; transformatörler 44
2-9 Basit iki uç çifti olan, şebekelerin zayıflatma ve faz belirtgenleri:
desibel 48
2 - 10 Doğrusal ve iki uç çiftli olan şebekelerin parametreleri ve eşd~ğer
devreleri 54
2 - 11 Şebeke parametreleri cinsinden şebeke özellikleri 57

Vll
 3
Yaniletkenler ve Metal •oksit• yarıiletken Alan etkili Transistör

3-1 Giriş 61
3-2 Aygıtlar ve devreler 61
3-3 Metaller ve yarıiletkenler 62
3-4 p. tipi ve 11 - tipi yaniletkenler . 65
3-5 Boşluk hareketinin deneysel ispatı 67
3-6 Metal oksit yarıiletken alan etkili transistör (MOYİAET) 69
3-7 MOYİAET yükselticinin grafik çözümlenmesi 72
3-8 Doğrusal yükseltme,; besleme voltajı; pratik bir besleme devresi 74
3-9 Bir yükseltecin grafik çözümlemesi a) çıkış süzgeci olan ;
(b) ideal çıkış transformatörü olan. 77

4
Yarıiletken Diyod; Diyod İçin Devre Modelleri
4-1 p - 11 Eklem diyodu 82
4-2 Engel •Voltajı ; boşaltılma bölgesi 83
4-3 İdeal diyodun akım • voltaj bağıntısı 85
4-4 Sıcaklığın pratik diyodlara etkisi 90
4-5 Eklem uzay yük sığası artışı 92
4-6 Diyod devre çözümlenmesi, grafik çözümleme artırımlı çözümleme 93
4-7 V ve I nin d.a. ve artırımlı bileşenlerinin ayrılması 96

5
Yaniletken Aygıtlar; Toplu Devre Yapımı

5-1 Giriş 100

5-2 Düzlem difıizyonlu silikon transistör 100
5-3 .Yapım teknikleri 101
5-4 Ortak taban bağlantılı transistör belirtgenleri 105
5-5 Transistörün iç çalışması 107
5-6 Early etkisi, delip - geçme; kırılma 109
5-7 Ortak • yayıcı belirtgenleri 110
5-8 Sıcaklığın etkisi; toplayıcının kayıp hızı 113
5-9 Ortak • yayıcı yükselticin grafik çözümü 115

VIII
5 -10 Transistörlerin ek tipleri: a) alan• etkili transistörler
b) tekeklemli transistör 119
5 -11 Transistörler: yaniletken kontrollü doğrultucu ve triak 124
5 -12 Topludevre yapımı 127
5 -13 Bjr topludevre için~e direnç ve sığaçlar 129
5 -14 Tam bir topludevre 131
6
Alçak • Frekans, Küçük • Sinyal Transistör Modelleri ve Devreleri

6-1 Genel modelleme, bağımlı üreticiler 135

6-2 MOYİAET için artmmh model 136
6-3 Basit MOYIAET yükselteçler: a) ortak kaynak b) ortak akıtıcı 140
6-4 Eklem transistörler için basitleştirilmiş model 144
6-5 gm, 13 ve rTTnin bulunması 147
6-6 Basit çift kutup eklem transistörlü yükselteçler: a) yayıcısı ortak,
b) toplayıcısı ortak, c) ortak tabanlı ve d) özet. 148
6-7 Model devrelerin a) geçici cevap ve b) a.a. cevabı elde etmede
kullanılması 153
6-8 h değişkenli modeller ve devre çözümlenmesi 155

7
Vakumlu ve Gazlı Tüpler

7-1 Giriş 158

7-2 Termoiyonik vakum diyod; uzay yükü; katodlar 158
7-3 Izgara kontrolü vakum triod 160
7-4 Triod için artmmlı modeller 162
7-5 Çok ızgaralı tüpler 164
7-6 a) Gazlı iletim, b) soğuk• katod diyodlan c) sıcak• katod diyodu 165
7-7 Thyratron; ateşleyici 168

8
Voltaj Yükselteçleri önbesleme; Yüksek• Frekans Transistör _Modeli

8-1 Giriş 172

8-2 A sınıfı, AB sınıfı, B sınıfı ve C sınıfı çalışma 172
8-3 Eklem transistörün önbeslenmesi 173

IX
8-4 Bir şebeke elemanı olarak yükselteç; ard arda bağlantı 176
8-5 Eklem transistör için geliştirilmiş alçak • frekans melez • pi
modeli 178
8-6 Giriş tıkaç sığacının ve çıkış süzgeç sığacının alçak • frekans
cevabına etkisi 178.
8· 7 Yayıcı direncinin yan geçit sığacının frekans cevabı üzerine
etkisi 183
8-8 Dinamik cevap için melez • pi modeli 186
8-9 Melez • pi modelinin elemanlarının bulunması 188
8 -10 Yüksek frekans bölgesinde CE yükseltecinin tepkisi 189
8 -11 Geniş bir frekans bölgesi üzerinde CE yükselteç katının cevabı 194
8-12 İki katl_ı RC kuplajlı ~E yükselteç 196
8- 13 Başka transistör ve yükselteç bağlantıları ; a) darlington
baijlantısı, b) çok katlı yükselteç, ve c) yayıcısı kuplajlı çift 198
8,-14 Toplu devre (TD) yükselteçler 200

9
Geribesleme Teorisi; Yükselticilerde Geribesleme

9· 1 Ôiriş 204
9-2 Temel geribesleme çözümlemesi 204
9-3 · Voltaj (seri• paralel) geribesleme 204
9.4 Voltaj geribesleme giriş ve çıkış impedanslarına etkisi 206
9·5 Negatif voltaj geribesleme gürültü ve bozulma üzerine etkisi 209
9-6 Akım (seri • seri) geribesleme 211
9· 7 Şönt (paralel• paralel) geribesleme 212
9-8 Transistör ve topludevreli yükselteçlerde geribesleme 213
9.9 Frekansa karşı kazanç değişimi 216
9-10 Kararlılığın incelenmesi 220

10
D.a. Yükselteçleri, İşlemsel Yükselteçler, ve Benzerlik Bilgisayarları

10 -1 Giriş 226
10- 2 Fark yükselteci (yayıcısı kuplajlı çift) 226
10- 3 Bru.it fark yükselteci artırımlı çözümü 228
clO. 4 Fark yükselteçlerinin çalışma modlan 230

X
10- 5 Ortak yayıcısı RE dirençli diferansiyel çift 233
10- 6 Sabit• akım devreli fark yükselteç çifti 236
10- 7 Toplam değişkenleri kullanan fark yükselteci çözüm sonuçları 237
10- 8 Modülasyona dayanan aygıt yükselteci; kesici yükselteç 239
10- 9 Kesici ile kararlaştırılmış geniş • band d.a. yükselteci 241
10 - 10 İşlemsel yükselteç tanımları ve belirtgenleri 242
10 · 11 Tek paket TD işlemsel yükselteç devresi 245
10 · 1:? Bazı işlemsel yükselteç uygulama devreleri 247
10 -13 Frekans cevabı ve kararlılık 254
10 -14 Aktarıcı işlemsel yükselteç 257
10 -15 Benzerlik bilgisayarına giriş 258
10 -16 Bazı benzerlik bilgisayar şebekeleri 260
10 -17 Ek bilgisayar elemanları ve teknikleri 263

11
Güç Yükselticileri

11-1 Giriş 270

11- 2 A sınıfı güç yükselteci 271
11- 3 Çıkış dalgasında harmonlk bozulma 273
11- 4 Dengelenmiş yükselteci; B sınıfı çalışma 275
11- 5 Melez güç yi.ikselteci 278
11-6 C sınıfı yükselteçleri 279
11- 7 Transistörün anahtar gibi çalışması, açma• kapama kontrolü 281
11- 8 Güç yükselticisi olarak kontrollü doğrultucu 285

12
Doğrultucu Devreleri, Süzgeçler ve d.a. Güç Kaynakları

12 · 1 Yarım - dalga ve tam • dalga doğrultucu devreleri 289

12 · 2 Basit çok fazlı doğrultucu devreleri 292
12. 3 Basit indüktör veya sığaç süzgeçler 295
12. 4 Voltaj katlayıcı devreler 298
12- 5 Düzgünleştirme süzgeçleri 299
12- 6 Diyod voltaj düzeltme devreleri 300
12- 7 Voltaj ve akım düzelticiler 302
12 - 8 Yükseltici kullanan seri voltaj düzelticileri 304
12 · 9, Tek blok TD voltaj düzelticiler 307

XI
 13
Titreşken ve Ters Çevirici Devreler

13 · 1 Giriş 310
13 · 2 Geribesleme titreşken devreleri, genel teori 311
13- 3 Basit sinüzoidal titreşken devreleri 312
13 · 4 Titreşken devrelerinin küçük sinyal çözümlemesi 314
13 • 5 Ek titreşken devreleri 317
13 · 6 Wien köprü titreşkeni 318
13- 7 Elektromekaniksel titreşkenler kristal titreşken 320
13 - 8 Durulma titıeşkeni 321
13 • 9 Negatif dirençli titreşkenler 323
13 · 10 Teısçevirici devreler 324

14
Modülasyon, Modülasyon Çözümü ve İlgili Konular

14-1 Giriş 327

14 · 2 Genlik ·modülasyonu 327
14- 3 GM modüle edici ve algılayıcı devre örnekleri 330
14-4 Kare • yasası modülasyonu 333
14 - 5 · Frekans modülasyonu ve algılanması 334
14 · 6 FM dalgasının çözümlenmesi 337
14 · 7 Frekans düşürücü alıcılar; frekans dönüştürücü (mikser) 340
14 · 8 Anahtar modülatörler 343
14- 9 Elektronik çoğaltıcılar 344
14 · 1() Faz • duyarlı algılayıcı (FDA) 345

15
Güdümlü Sistemler

15 · 1 Giriş 353
15 · 2 Geribeslemeli sistemlere karşı geribeslemesiz sistemler 354
15 · 3 İ!:inci - mertebe güdümlü sistem 357
15 · 4 Diferansiyel denklem yaklaşımının sınırlamaları frekan - cevap 361
yaklaşımı 361
15 - 5 İletim fonksiyonları 362

XII
15 · 6 Açı • çevrim ve kapalı • çevrim aktarım fonksiyonları;
kararlı k dengeleme 365
15 · 7 Güdümlü ,istemin bileşenleri 371

ı6
Dalga Oluşturma, Şekilleme; Puls üreticiler

16 · 1 Giriş 376
16 · 2 Seri bir RC devresinin pulsa karşı cevabı 376
16 · 3 Yaklaşık bir integral alıcı veya türev alıcı olarak RC devresi 379
16 · 4 Tclafili zayıflatıcı 381
16. 5 Kırpıcı ve kıskaçlayıcı devreler 383
16 · 6 Geçit devreleri 387
16 - 7 Bir puls sayıcının blok çizimi 387
16 · 8 İkikararlı çok titreşici (flip • flop) 388
16- 9 Yönlendirici diyodlar kullanarak toplayıcısı tetiklenen devre 391
16 -10 Kararsız (serbest• çalışan) çok titreşici 394
16 · 11 Kilitlenmeyen kararsız ÇT, eş zamanlama 396
16 · 12 Tek kararlı (tek atış) çok titreşici 398
16 -13 Schmitt tetikleyici devresi 400
16 -14 Transistör anahtar zaman gecikmesi 402
16 -15 Çok titreşici devrelerin daha ileri düzeyde tartışılması ve 407
çözümlenmesi 407
16 -16 Toplu devreler (TD) kullanan lineer olmayan sistemler 408
16 -17 Yükselticilerin puls cevabı 413
16 - 18 Tetiklenmiş doğrusal tarama üreticisi 417
16 -19 Miller integral alıcı tarama devresi; çekecekleme devresi 418

17
Mantık ve Sayma Devreleri

17 · 1 Giriş 425
17 · 2 İkili sayı sistemi
17 - 3 Anahtar • tipi mantık devreleri, Boole cebiri 427
17 · 4 Diyod mantık devreleri VE, VEYA 431
17 · 5 Transistör mantık devreleri: DEĞİL, VEYA DEĞİL, VEDEĞİL 434
17 · 6 Pozitif ve negatif mantık 435

XIII
17. 7 :tıö!antık geçitleri sembolleri: DIŞARLAY AN VEYA GEÇİTİ 436
17. 8 Pratik düşünceler 438
17. 9 Toplu devre (TD) mantık elemanları üzerine notlar 440
17 - 10 Basit tamamlayıcı simetri metal oksit yarıiletken (TSMOYİ)
geçitleri 444
17. 11 Flip · floplar: RS, saatli RS, JK 447
11. n Aynı zamanlı olmayan veya dalgalanan ikili sayıcılar 452
17 - 13 Onluk sayma göstergesi; Doğrudan okuma aygıtları · 457
17 - 14 Sayaçlar ve uygulamaları 459
17. 15 Puls oran metresi (diyod pompa) 462

18
Dönüştüriicüler (Transducers)

18 · 1 Giriş

18- 2 Dönüştürücülerin sınıflandırılması 467

18- 3 Yerdeğiştirme dönüştürücü örnekleri 469
18- 4 Hız, ivme ve basınç ölçülmesi 474
18 - 5 Kütle " yay dönüştürücüsünün harmonik uyarmaya karşı
cevabının çözümlenmesi 477
18 - 6. Sıcaklık ölçmek için dönüştüriicüler 480
18 · 7 · Fotoelektrik dönüştürücüler 482
18- 8 Fotoaygıt uygulamalarının teknik yönleri 487
18 · 9 İyonlayıcı ışınımlar için dönüştürüciller 491

19
Elektronik Aletler

19 - 1 Giriş

19- 2 Klasik test aletleri 496

19 · 3 Elektronik voltmetreler ve multimetreler 498
19-4 A.a. elektronik voltmetreler 500
19 · 5 Sayısal voltmetreler ve multimetreler 502
19 - 6 Elektronik voltmetre okumalarının anlamı 505
19 - 7 Kendi kendini dengeleyici elektronik potansiyometre ; x - y
kaydedici 507
19-8 Potansiyometre devreleri 508

XIV
19 - 9 Katod - ışınlı osiloskop 511
19 -10 Faz metre 519
19 -11 Hail olayına dayanan aletler 520
19 - 12 Elektrometre 522

20
Elektriksel Gürültü

20-1 Giriş 528

20 • 2 Parazit voltajlarının küçültülmesi 528
20- 3 Sıcaklık gürültüsü 533
20-4 Sıcaklık gürültüsünü içeren devre hesaplamaları 535
20 - 5 Gürültü sıcaklığı ve gürültü sayısının tanımı 537·
20 · 6 Aygıt gürültüsü 539
20- 7 Gürültü sayısının ölçülmesi 541

21
Bilgi Toplama, İletme, Kayıt ve İşleme Telemetri

21- 1 Giriş 546

21- 2 Veri sistemlerine örnekler 547
21- 3 Veri sistemi teorisinin bazı elemanları 549
21- 4 Veri sistemi ıerekleri 557
21- 5 Benzetme kaydedici sistemleri 559
21- 6 Kaydedici galvanometrenin cevabı 565
21- 7 Benzetmeden - sayısala çeviriciler 568
21- 8 Sayısal kaydedici sistemler 572
21- 9 Sayısaldan - benzetmeye çeviriciler 573
21- 10 Multipleks sistemleri; telemetri 575
21-11 Sayısal bilgisayarlar 578
21- 12 Sayısal çiziciler ve grafik giriş ve çıkışları 581

A
Fiziksel Sabitler, Birimler İçin Kısaltmalar ve Çarpma Katsayi/_arı

A-1 Fiziksel sabitler 588

A-2 Birimler için kısaltmalar 588

XV
 B
Seçilmiş, Transistör Verileri ve Belirtgenleri

B-1 3N 128 N. kanal azaltıcı· tip MOYİAET nin RCA tipi üzerinde
seçilmiş ayrıntılı veriler 590
B-2 Motorola tipi 2N 3796 N • kanal çoğaltıcı MOYIAET nin üzerinde
seçilmiş ayrıntılı veriler 591
B-3 2N 5135 küçük• sinyal, genel maksatlı silikon NPN taransistörün
Fairchild tipi üzerinde seçilmiş ayrıntılı veriler 593
B-4 2N 5226 küçük - sinyal, genel maksatlı silikon PNP transistörün
Fairchild tipi üzerine seçilmiş ayrıntılı veriler 595
B-5 2N 6177 yüksek voltaj, ortalama güç silikon NPN transistörün RCA
tipi üzerine seçilmiş ayrıntılı veriler 595
B-6 2N 6261 orta • güç silikon NPN transistörün RCA tipi üzerine
seçilmiş ayrıntılı veriler 598

C
Devre Değişkenleri Arasında Dönüşümler

C- 1 z,y ve h değişkenleri arasındaki bağıntılar 601

C-2 h değişkenli transistör modeli ve devre uygulamaları 601

D
Elektrik Devre Hesaplamalarına Bir Uygulama Periyodik
Fonksiyonların Fourier Çözümlemesi

E
İletim Hatları; Gecikme Hatları

E-1 Giriş 609

E-2 İietim hatlanndaki dalgalar; yayılma hızı; belirtgen impedans 609
E-3 İletim hatlarında dalgaların yansıması 613
E-4 Elektromağnetik gecikme hattan 614

XVI
 1
Temel Devre Teorisinin Gözden Geçirilmesi

1- 1
Giriş

Elektronik bir ölçüde, elektronik aygıtların ve elektronik devrelerin incelen-

mesi diye il(iye ayrılabilir. Bu kitapta ağırlık, veri işleme ve kontrol gibi geniş bir
uygulama alanının temeli olan, elektronik aygıt devrelerinin fonksiyonları üzerine
verilecektir. Amacımız sığdırabildiğimiz ölçüde nicel uygulamaları vermek oldu-
ğundan, elektrik devre çözümlemesinin temel tekniklerinin kullanımını en yüksek
düzeyde. tutmayı istiyoruz. Bölüm 1 ve 2 bu tekniklerin ve ilkelerin bir özetinin
verilmesi için aynlmıştır. Sunuş, ispatların en az olduğu biçimde ve kısa olacaktır.
Şimdi termoçift sıcaklık ölçeri gibi tipik bir elektronik ölçüm sistemindeki
elektrik devrelerinin fonksiyonlarının bazılarını belirleyelim. Termoçiftteki sıcak­
lık sinyal denilen bir voltaj oluşturur. Bu voltaj sinyali bir referans voltajıyla karşı­
laştmlır, aradaki fark, referans voltajının kendini ayarlama fonksiyonunu yerine
getirebilmesi ve bir sıcaklık göstergesinin çalıştınlması için yükseltilebilir. Bu ve
bundan daha karmaşık sistemlerde önemli olan elektriksel sinyal, bu sinyalin elek-
tronik devrelerden aktarılması ve sinyalin taşıdığı bilginin gözlemci insana yararlı
bir biçimde dönüşümüdür. Böyle sistemlerde güç düzeyi genel olarak çok düşüktür
ve güç verimi önemsizdir. öte yandan bazı kontrol sistemlerinde çıkış gücü çok
yüksek olabilir, bu durumda ise verimin yüksek olması ekonomik bir zorunluktur.

1-2
Elektriksel nicelikler

Okuyucu elektrik yükünün elektrik alandaki Coulomb elektrostatik kuvvet-

leri cinsinden tanımlandığını hatırlayacaktır. Yükün ınks sistemindeki birimi
coulombtur. ~ir coulomb 6,25 x ıo 18 tane elektronun yüküne eşittir.
Elektrik akımı, bir _telin kesiti gibi, bir alandan geçen yüklerin geçiş zamanı­
na oranı şeklinde tanımlanır, ve
dq
i=--=--- (1 • 1)
dt

biçiminde ifade edilebilir. Burada i birimi amper olan ani akım, dq coulomb cin-
sinden dt saniyede geçen yük miktarıdır.
Elektrik potansiyel, potansiyel yükselme veya düşmesi, veya voltaj yükselme
veya düşmesi, bir alan içinde veya bir devredeki, iki nokta arasında hareket eden

1
bir yük üzerine etki eden elektrostatik kuvvetin veya bu kuvvete karşı olan kuvve-
tin yaptığı iş cinsinden tanımlanır. a dan b ye olan voltaj düşmesini (potansiyel
düşmesini) pozitif bir yükü adan 1, ye götürmekle elektrostatik alan tarafından
yapılan işin cebirsel değeri olarak tanımlayalım; böylece

(1 - 2)

olur. Burada, eğer dW ab nin birimi joul ve dq nun birimi coulomb cinsinden ise eab
nin birimi volt-tur. Voltaj düşmesi cebirsel olduğuna göre değeri pozitif veya nega-
tif olabilir. a dan b ye potansiyel yükselmesi adan b ye olan voltaj düşmesinin ne-
gatifidir. Elektronik devreleri incelerken devredeki noktalann potansiyellerini ayn
ayn incelemek genellikle uygun yoldur. Bu anlamda bir noktanın potansiyeli,
bu noktadan referans olarak alınan noktaya inildiğinde ortaya çıkan potansiyel
düşmesi demektir. Devrelerde genellikle referans noktası olarak, sistemin toprağı
olarak adlandırılan,
metal koruma kutusu veya şasi alınır.
Eğer a dan b ye voltaj düşmesi eab ve devrenin bu kısmında adan b ye
doğru geçen akım i ise, soğurulan elektriksel güç

p= ~= e i (1 - 3)
dt ab
dir. Burada p watt cinsinden ani güçtür. Güç de cebirseldir. Gücün negatif değeri,
elektriksel güç üretilmesi, yani devrenin bu kısmı bir elektrik üreticisi veya kaynağı
demektir.
Elektronik çalışmalard~ çok değişik sayısal değer bölgeleri kullanılır. Bu
değerler sadece elektriksel nicelikler değil fakat zaman, frekans, güç :ıtb. değerler­
dir. Bu nedenle on sayısının değişik pozitif ve negatif kuvvetlerine karşılık gelen
standart ön ekler kullanılır. Bunlar adı geçen birimin katlannı veya alt katlannı
gösterirler. En yaygın ön ekler :

106 mega 10-3 mili nano

103 kilo ıo-6 mikro piko

dur. Birimlerle birlikte bu ön ekler için kullanılan kısaltmalar, mega için M, kilo
için k, mili için m, mikro için ,..;ve piko için p dir.

l -3
Sabit ve değişken voltaj ve akımlar

Elektronik devrelerde voltaj ve akımın çok değişik zaman değişimi vardır.

2
 Bu,özellikle puls ve çeşitli daiga biçimlerini taşıyan modern devrelerde daha fazla-
dır. Voltajın zaman değişiminin bir kaç çeşiti Şek. 1 - 1 de gôsterilmiştir. Burada
(a) tek yönlü veya doğru akımı, (b) titreşen doğru akımı, (c) tek yönlü geçici vol-
tajı, (d) harmonik voltajı (e) titreşen geçici voltajı ve (f) de basamak voltajı gös-
termektedir.
e e e

o t t
(al (bl (el
e e
E
o t

(dl (el ( f)

Şekil 1 · 1 Sabit ve değişken voltajlar.

Basit olmalan nedeniyle, Böl.1 de incelenmek üzere sadece voltaj ve akım

kaynaklan ve dirençleri içeren değerler seçilmiştir. Aslında dikkate alınan ilkelerin
çok daha geniş uygulama alanı vardır ve bu Böl. 2 de kanıtlanacaktır. Bir devrede
sığalar ve indüktörler olduğunda akımın veya voltajın zamanla değişme hızının
dikkate alınması gerekir. Fakat devrede sadece dirençler varsa, e= Ri bağıntısı
geçerli olur. Bu durumda eğeri akımı t zamanının birfonksiyonu,i(t) ise, o zaman
e gerilimi de zamanın aynı biçimde bir fonksiyonu olur. Bundan ötürü bundan
sonraki bölümlerde e ve i gösterimlerini kullanacağız ve bunların zamana bağlılık­
larının, hangi biçimde olursa olsun, özdeş olduğunu bileceğiz.
Bölüm 2 de geçici akım ve durgun - hal alternatif akımı taşıyan devrelerin
davranışlarını inceleyeceğiz. Bundan sonraki bölümlerde, doğru akım voltajlarının
bulunduğu hallerde doğru akım ve voltajı göstermek için, e ve inin yerine Eve I
kullanılabilir.

1-4
Voltaj ve akım kaynaklan; Kirchhoff yasaları

ideal bir voltaj kaynağı, kaynaktan çekilen akımın büyüklüğüne bağlı olmak-
sızın, kaynağın Şek. 1 - 2a uçlannda belirli bir e voltajını sağlar. Gerçek voltaj

3
kaynaklarında genel olarak bir iç voltaj düşmesi olur ve böylece akımın artmasiyle
uçlardaki voltaj düşer. Çoğunlukla bu,doğrusala yakın bir etkidir; bu nedenle,
ideal bir voltaj kaynağı ve bir kaynak iç direnci Rs den oluşan Şek. 1 • 2b deki
devre, gerçek aygıtı gösteren bir model veya eşdeğer devre olarak alınacaktır.
Rs

(al (b)

Şekil 1 · 2 (a) İdeal voltaj kaynağı ve (b) gerçek voltaj kaynağı,

Enerjinin korunum una dayanan Kirchhoff voltaj yasası ve elektriksel yükün

korunumuna dayanan Kirchhoff akım yasası elektrik devrelerinin incelenmesinde
temel yasalardır. Bu yasalar :
1. Kapalı bir yol etrafında belli bir yöndeki tüm voltaj düşmelerinin cebirsel
topalmı sıfırdır.
2. Bir kavşak noktasına doğru giden tüm akımların cebirsel toplamı sıfırdır.
Bir devrenin bir kısmını gösteren Şek. 1 - 3a yı dikkate alalım. Voltaj yasası,

(1. 4)

biçiminde ifade edilebilir.

(al (bl
Şekil 1 · 3 Kirchhoff yasalarını gösteren devre parçalan.

Çift alt indislerin sırasının voltaj düşmesinde pozitif yönü gösterdiğine dik-
kat ediniz.Ohm yasasını kullanırsak Denk. (1. 4) ten

(1 - 5)

4
 yazarız. Bu örnekte voltaj düşmeleri, kapalı halka üzerinde saat ibresi yönünde alın­
mıştır. Genel olarak, halka etrafında dolanırken karşılaşılan akım yönleri her za-
man dolanma yönü ile aynı olmayabilir. Genel kural şöyledir: eğer voltaj düşmesi­
nin yönü akım yönüyle aynı yönde ise terimin işareti pozitif, ters yönde ise teri-
rimin işareti negatif alınır.
Şekilde, a, b, c ve d olarak gösterilen kavşak noktalarına düğüm noktaları
denir. Şebekenin iki düğüm noktası arasındaki kısmına kol adı verilir. Böylece
i1, i2, i3 ve i4 kollardaki akımlardır:
Bazen, Şek. 1 - 3a daki ex gibi, iki komşu olmayan düğüm noktası arasında­
ki voltajın bulunması gerekir. Bu durumda Kirchhoff voltaj yasası,

(1 - 6)

biçiminde yazılabilir. Yani, devre b den d ye voltaj düşmesi ex olan hayali bir yolla
"kapatılabilir". Devre çiziminde ex gibi gösterimlerin cebirsel işaretinin bazı göste-
rim kurallarına göre yapılması gerekir. Şekil 1 - 3a da böyle iki gösterim şekli i!ia-
retlenmiştir. Bunlardan birincısinde d den b ye çizilen yolun bitişine bir ok kon-
muş, ikincisinde ise ex in üst kısmına + işareti konmuştur. Bunların ·biri, ex in b
den d ye voltaj düşmesi olduğunu göstermeye yeterlidir.
Şekil l -3b akım yasasının uygulamasını göstermektedir. J kavşak noktasında

(1 - 7)

yazılabilir. Bu kavşakta üç ok kavşağa doğru ve bir ok ise kavşaktan dışarı doğru­

dur.
Şimdi de Şek. 1 - 4a daki Es voltaj kaynağını ve Rs direncini dikkate ~alım.
Eğer uçlara bir RL yükü bağlanırsa, yük voltajı E, yük akımı I ya

E= Es - R sI (1- 8)

bağıntısı ile bağlı olacaktır. Bu doğru denklemi Şek. 1 - 4b de gösterilmiştir. Eğer

RL--+ O ise, I akımı Ikd kısa devre değerine vanr ve uçlardaki voltaj sıfır olur.
Yük akımı I mn bağlı değişken olduğunu düşünelim. Denklem (1 - 8) i Rs ye
bölüp, yeniden düzenlersek yukarıdaki doğru bağıntısını

(1 - 9)

biçiminde yazabiliriz.
Denklem (1- 9) a kavşağındaki akım yasasını gösterdiğinden Şek. 1-4c deki

5
 -ı -ı

CT
u (ol
-ı

(bl (el
Şekil 1 - 4 (a) Voltaj kaynağı, (b) E - I bağıntısr ve (c) akım kaynağı.

sabit akım kaynağı Ikd yi içeren eşdeğer devrede Denk. (1 - 9) a karşılıktır. Bu

yüzden, dış E - I değişmeleri bakımından, Şek. 1-4a ve Şek.1-4c belli bir kayna-
ğın eşdeğer temsillerini göstermektedirler. Sabit akım kaynağı iki bakımdan önem-
lidir : (a) onun kullanılması bazen bir şebeke probleminin çözümünü basitleştirir,
ve (b) transistör ve pentod gibi bazı elektronik aygıtlar sabite çok yakın akım ta-
şırlar1bu yüzden onları sabit akım kaynağı biçiminde temsil etmek daha uygundur.

l ·5
Dirençlerin seri ve paralel bağlanması

R 1, R 2, R 3 , ....... , Rn gibi n tane direncin seri bağlandığını düşünelim. Bü-

tün dirençlerden aynı akımın geçer. Seri haldeki dirençler grubunun yerine geçe-
bilecek eşdeğer direnç de H.eıtlsun, Kirchhoff voltaj yasasının doğrudan uygulan-
ması~

(1 -10)

olduğunu gösterir. Bunun yanında, her bir dirençteki voltaj düşmesi bu dirençle
orantılıdır ve

------- (1 - 11)
et Reş
yazabiliriz. Bu bağıntı R 1 direnci üzerindeki voltaj düşmesi e 1 yi toplam voltaj
düşmesi et ve toplam direnç Reş- cinsinden veren bağıntıdır. .
Seri bağlı R 1 ve R 2 dirençlerinin uçlarına bağlanan E voltluk bir kaynağın
gerilimini bu dirençler tarafından bölünmesi,seri bağlanan dirençlerin önemli bir
UYb'lllamasıdır. R direncinin uçları arasındaki E voltajını istediğimizi varsayalım.
2 2
O zaman Denk. (1 - 11) den

6
 E (1- 11a)
R1 + R2
yazabiliriz. Bu eşitlik voltaj bölücü formülü olarak bilinir.
Paralel olarak bağlı dirençleri dikkate alalım,Şek. 1 . 5.

Şekil 1 · 5 R 1 ve R 2 nin paralel bağlı biçimi.

Bu birleşimin eşdeğer direncini bulalım. Biz Re = e/i yi anyoruz. Fakat i=i 1 + i 2, /

i1 = e/R1 ve i2 = e/R 2 dir. Buradan ş

e e 1
Reş=-i-=--e------- (1 · 12)
- - + -.....;e~
R1 R2
veya

(1 - 13)

bulunur. Buradaki [ R 1 11 R 2 ] gösterimi paralel dirençler için kullanılmıştır ve

ileride tekrar kullanılacaktır.
Eğer, direncin tersi olan, iletkenliği (G) kullanırsak daha basit olan

(1 - 14)

bağıntısını elde ederiz. Akımın bölünmesini incelemek için i 1 akımının toplam

akım i ye oranını dikkate alalım. Bu oran

(1 - 15)

dir.
üç veya daha çok direncin paralel bağlanması halinde benzer bağıntılar ge-
çerlidir. örneğin, paralel kollann iletkenliklerinin eşdeğeri bunlann toplamına
eşittir.

7
 1 -6
Devre çözümlemesi ·

BiitüQ seri ve paralel direnç gruplarının yerine onların eşdeğerleri kondu-

ğunda geriye bir veya daha fazla voltaj kaynağının bulunduğu çok halkalı bir dev-
re kalır. Ekseriya problem devredeki akımların elde edilmesidir. Bu,
Kirchhoff kanunlarının uygulanmasıyla yapılabilir, ancak doğru, bağımsız denk-
lemler kümesini kurmak ve çözmek için büyük özen gösterilmesi gereklidir. Biz
hiç bir telin diğer kolları kesmediği bir düzlem üzerine yayılabilen basit ve "düz-
lemsel" devreler üzerinde duracağız.

a) Kol akımı yöntemi

Bu yöqtemde her bir kola bir akım gösterimi ve bir ok işaretlenir. Bundan
sonra kavşak noktalarına akım yasası uygulanır. Biri dışında bütün kavşak noktala-
rı içüi. bağımsız denklemler elde edilir. Voltaj yasası, devrede bulunan halka sayısı
kadar bağımsız denklem verir. Voltaj denklemlerini yazarken her eklenen denklem
en az bir yeni kol içermeli ve en son denklem yazıldığında bütün kollar en az bir
defa geçilmiş olmalıdır. Sonuçta elde edilen akım ve voltaj denklem sistemleri
çözülerek bilinmeyen akımlar bulunur.
Herhangi bir kol için akım gösterimini yazıp okla işaretlerken okun yönü
tamamen gelişi güzel seçilir. l(uşkusuz, bir koldaki gerçek akımın yönü incelemey-
le önceden kestirilebilirse, akım yönünü gösteren okun yönünü bu bilinen akım
yönünde seçmek en akla uygun olanıdır. Ancak, genel olarak bir veya daha fazla
sayıdaki kollardaki akınını yönü ilk bakışta hemen bilinemez, bu nedenle kollarda-
ki akım yönünü gösteren okun yönü gelişigüzel seçilir. Fakat devre denklemleri
çözülüp akımların değerleri bulunduğunda bunların bazıları pozitif bazıları negatif
olabilir. Negatif bir değer, seçilen akım yönünün (okun yönünün) gerçek akım
yönünün ters yönü olduğunu gösterir.

b) Maxwell halka akımı yöntemi

Denklemlerin kurulması, J.C. Maxwell'in yöntemi ile basitleştirilebilir ve

düzenli hale getirilebilir. Şekil ·1 - 6 daki örnekte gösterildiği gibi devrenin her
kapalı halkasına sabitin sönme yönünde bir hayali halka akımı işaretlenir. İki
çevrimin ortak olan kolları, bu nedenle iki çevrim akımını aynı anda taşırlar. Böy-
lece, Şek. 1 - 6 daki orta kol a dan b ye doğru (i 1 - i 2 ) kadar toplam a.<ım taşır.
Çevrim akımlarının otomatik ol!rak Kirchhoff akım yasasını sağladığına dikkat
ediniz. Voltaj yasası sırasıyla her çevrime uygulanmalı ve bütün akımlar dikkate
alınmalıdır. örnekte soldaki çevrim için

8
 o

+
av

3 6

b
Şekil 1 - 6 Çevdm akımlarını gösteren bir devre.

- 6 + (3 + 2) i1 - 2i2 = O (1 - 16)

bağıntısını ve sağdaki çevrim için de

- 8 + (2 + 6) i2 - 2i l = O (1-17)

bağıntısını buluruz. Bu bağıntılan düzenlersek

(1 - 18)

bağıntıları elde edilir. Çözersek, i 1 = lü/9 A ve i 2 = 13/9 A buluruz. Bu durumda

orta koldan geçen akım 16/9 -13/9 A, veya 1/3 A(a dan b ye) bulunur.
Rz

+
E..

Şekil 1 - 7 Dört çevrimli şebeke.

Şekil 1 - 7 deki dört çevrimli şebekeyi dikkate alalım. Görülüyorki 1, 2, 3 ve

4 gibi sıralanan çevrimler için voltaj denklemleri sırasıyla

9
 -- R12i1 + R22i2 - ~32i3 + O= E2
(1 - 19)
O -- R32i2 + R33i3 - R34i4 = -E3

- R14i1 + O - R34i3 + R44i4 = E4

burada R11 = R + R 12 + R (1 nolu çevrim içindeki R !erin toplamı) ve R 22 ,

1 14
R 33 ve R 44 de benzer şekilde tanımlanmıştır. Denklem (1 -19) daki sistemler,
akımlar için (a) yerine koyma ve yoketme yöntemiyle veya (b) determinantlar
kullanılarak çözülür.
Okuyucu, Denk. (1 . 19) un sol tarafındaki terimlerin işaretlerinde belli bir
düzen olduğuna dikkat edecektir. Bu nedenle, Rıı, R 22 v.b. terimleri pozitif ve
bütün diğer terimler negatiftir. Bu sonuç, saatin yönündeki bütün çevrim akımları­
nın pozitif seçilmesinden doğmaktadır. Bu seçim, işaretlerin kontrolunda yararlı
fakat zorunlu değildir. örneğin, Şek. 1 - 7 deki oklardan bir tanesinin yönü değiş­
tirilebilir ve Denk. (1-19) a benzer bağımsız bir denklem sistemi yazılabilir. Böyle
bir denklem sisteminin yazılması alıştırma ödevi olarak yapılabilir.

Şekil 1 • 8 üç kavşaklı devre.

c) Kavşak çözümleme yöntemi

Bu yöntem de, halka akımı yönteminde olduğu gibi, bağımsız denklemler

sisteminin oluşturulmasına dayanır. Ancak, burada. bilinmiyenler akım yerine
pvtansiyellerdir ve denklemleri elde etmek için kavşaklardaki akım yasalarından
yararlanılmaktadır. Yöntemi açıklamak için Şek. 1 • 8 deki örne~ devreyi dikkate
alalım. Kavşaklardan biri referans kavşak noktası olarak seçilir ve potansiyeli sıfır
olarak alınır. Diğer düğüm noktalarına, şekildeki_ e 1 ve e 2 gibi, voltaj sembolleri
konur ve bıı noktaların potansiyelleri referans kavşağının dışındaki bütün kavşak
nolçtaJanna uygulanır. Bu örnekte akım sembolleri, açıklamaya yardımcı olmak
bakımından, toplanarak yazılmıştır. Aslında buna gerek yoktur. İletkenlikler kul-
lanıldığında işlemlerin cebiri daha basittir. Akım yasası e de, _iı - i + i = O, ve
1 2 3

10
 e2 de -i3-i4 + i5 = O bağıntılarını verir. Fakat i 1 = 0,6 (2 - e ), i = 0.4 e 1,
1 2
i3 = 1,0 (e 2 - e 1 ) v.b. dir. Bu yüzden

(1 - 20)

(1 - 21)

dir. Basitleştirirsek

2e 1 -e2 = 1 12 (1 - 22)

-e 1 + 2e 2 = 1,5 (1 - 23)

ve çözersek e1 =1,3 V ve e 2 = 1,4 V buluruz. Akımlar şimdi kolayca hesaplanabilir.

İstenirse, bir voltaj kaynağı ve bir direnç içeren kollar şöntlü bir akım kay-
nağına çevrilebilir. Bu, kavşak noktalarının sayılarını değiştirmez; dolayısiyle, ön-
ceki sayıda denklemden oluşan bir denklem sistemi gereklidir.
Bu ôrnekt.e üç halka vardır. Bu nedenle çevrim akımı yönteminde üç bağım­
sız denklem gereklidir. Ancak, kavşak noktalarının toplam sayısı, çevrimlerin sayı­
sına eşit veya ondan küçük olduğu durumlarda, kavşak çözümleme yöntemi
kullanılırsa, çevrim sayısından daha az sayıda denklem gerekecektir.

1-7
Wheatstone köprii devresi.

Bu devrenin, Şek. 1 - 9, en yaygın uygulanmasında bir bilinmeyen direnç ve

üç ayarlanabilir duyarlı direnç vardır. Ayarlanabilir dirençler, a kavşağı ile b kav-
şağı arasında voltaj düşmesi sıfır olana kadar, dolayısıyla akım okuyucu sıfır
oluncaya kadar değiştirilirler. Bu durumda R 2 üzerindeki voltaj, R 4 ün üzerindeki-
ne eşit olmalıdır, başka bir deyişle, ea=eb dir. ea ve eb voltajlarını Denk. (1-lla) daki
voltaj bölücü formülle ifade edersek,

(1 - 24)

çıkar. E leri sadeleştirip eşitliği ters çevirirsek

(1 - 25)

bağıntısını elde ederiz. Buradan içler dışlar çarpımı ve gerekli sadeleştirmelerden

sonra

11
 (1 - 26)

elde edilir. Denklem (1-26} voltaj dengesi için gerekli şarttır. Genellikle R lerin üçü
C

-=-E

Şekill - 9 Wheatstone köpsü devresi.

bilindiğinden dördüncü hesaplanabilir.
Bazen, köprünün dengelenmemiş olması için iG akımı nekadar olmalı, diye
bir problem ortaya çıkar. Bu sorunun cevabı, şimdiye kadar öğrendiğimiz çözüm-
leme yöntemlerinin uygulanması ile verilebilir fakat biraz ileride inceleyeceğimiz
Thevenin teoreminin uygulanması bu sorunun cevabını daha açık bir biçimde vere-
cektir.

1- 8
den T ye (deltadan
7T yıldıza) dönüşüm

1T veya T şeklinde olan ve Şek. 1 - 10 da gösterilen türdeki şebekele'r elek-

tronik devrelerdeçok yaygın olarak bulunur. Biz burada, dış voltaj ve akımlar bakı­
mından bu iki şebekeyi özdeş yapacak, katsayılar arası bağıntıları vereceğiz. önce,
eşdeğer - T şebekesinin

3 3
(o} (b)
Şekil 1 - 10 (a) '1r (veya delta) şebekesi, (b) T (veya yıldız) şebekesi.

parametrelerini diğer parametreler (1r .şebekesinin parametreleri) cinsinden veren

dönüşüm formüllerini yazalım.

12
 R:nR12
R,
1~ : :.! • R23 + R31

R12R23
R2 (1 · 27)
R12 + R23 + R31
R23R31
R3
R12 + R23 + R31

Bu bağıntılann simetrisi göze çarpıcıdır. Her durumda pay, adı geçen uca bağlı
iki" direncin, örneğin, R 1 durumunda R 31 ve R 12 nin, çarpımıdır.
Eğer T den ır ye dönüşüm yapılırsa o zaman dönüşüm formülleri.,

R1R2 + R2R3 + R3R1

R12 =-
R3
Rı R2 + R2R3 + R3R1
(1 · 28)
R13 = Rı

olur. Hatırlamada kolaylık sağlaması bakımından, eşitliğin sağ tarafının paydasın­

daki direncin, eşitliğin sol tarafındaki direncin indislerinde olmayan, indis oldu-
ğuna dikkat edilmelidir.
8

r--------,

E 8

L ________ .J'

Şekil 1 - 11 Köprü T şebekesi.

Bu dönüşümler bazen bir devrenin sadece bir kısmına, o devrenin çözümünü

bulmakta yardımcı olarak uygulanabilir. Şekil 1 • 11 böyle bir şebekeyi göster-
mektedir. Şekilde nokta ile gösterilen dikdörtgen kısmının yerine bunun eşdeğeri
" devresine koyduğumuzu varsayalım. Başlangıçta devrenin üç halkadan oluşma­
sına karşın bu durumda, elde edilen devre seri ve paralel dirençlerden oluşan bir
düzendedir.

13
 1-9
Şebeke teoremleri

a) Toplama Teoremi (Superpozisyon teoremi)

Herhangi bir doğrusal sistemde etkiler, nedenlere doğrusal olarak bağlıdır.

Dolayısiyle birkaç nedenin ayrı ayrı oluşturduğu etkiler, toplam etkiyi elde
etmek için toplanabilirler. Bu ilke bir şebekeye uygulandığında; şebekede belli bir
akım (veya voltaj), kaynakların tek tek açıldığında üreteceği akımların (voltajların)
cebirsel toplamına eşittir diyebiliriz. Bunun anlamı, örneğin, herhangi bir koldaki
akım, her defasında bir kaynağı açık tutmak kaydıyla kaynakların bu kolda oluş­
turacağı akımlarm toplamı alınarak hesaplanabilir. Bir voltaj kaynağı dikkate
alındığında, diğer voltaj kaynakları çıkarılır (kısa devre yapılır, veya yerlerine iç
dirençleri konur), ve ideal akım kaynakları da çıkarılır (açık devre yapılır).

b) Thevenin ve Norton teoremleri

T~venin teoremi, elektronik devre problemlerini çözmede önemli bir yar:· · ·

dımcıdır ve aynı zamanda devre davranışlarını inceleme yollarının temelidir. Th~-
venin teoremi bir şebekenin seçilen bir uç çiftindeki akım bağıntısının bulunma-
sıyla ilgilidir. Bu seçilen uç çifti bir dış kola (veya başka herhangi bir iki uçlu
şebekeye) bağlıdır. Kısaca, teorem; seçilen uçlar dikkate alındığında, belli sayıda
kaynaklar ve dirençlerden oluşan karmaşık bir şebekenin yerine eşdeğer bir voltaj
kaynağı ve bir seri direncin konabileceğini ifade eder. Kaynağın voltajı,dış devre
açık devre olduğunda iki uçta ölçülecek voltaja eşittir. Th~venin dire_nci ise,
şebekenin iç kaynakları alındığında (ideal voltaj kaynakları kısa devre, ideal akım
kaynakları açık devre yapıldığında) iki uçta ölçülecek dirence eşittiı;.

Thevenin teoremi Şek. 1 - 12a daki örnek şebekeye uygulandığında daha-iyi

anlaşılabilir. Problemimiz, RL direnci a - b uçları arasına bağlandığında İL akımını
hesaplamaktadır. önce a-b uçlarını açık devre olarak düşününüz. Etkin (Thevenin)
voltaj~ a- b arasında görünen et voltajıdır. Bu voltaj,

(1 - 29)

olarak hesaplanabilir.

The'venin direnci Rt ise, e 1 kısa devr~ i 1 açık devre olduğunda a - b arasındaki

dirençtir. Dolayısiyle, paralel R 1 ve R 2 direçlerinin eşdeğer direnci,

14
 (1- 30)

ye eşittir. Şimdi, a ve b uçlarının solundaki şebeke yerine Şek. 1 . 12b de gösteri-

len seri haldeki et ve Rt konabilir. Böylece iL= et/(Rt + R 1.) bulunur.

o Rt

i, Rz RL e,
i' b b
(ol (bl
Şekil 1 · 12 Thevenin teoreminin açıklaması.

Thevenin teoreminin yaygın bir uygulaması, bir kaynak ve bir voltaj bölücü-
den oluşan devreye eşdeğer bir devre bulmaktır. Devre ve Thevenin eşdeğeri Şek.
1 • 13 te gösterilmiştir.
- R1R2
R1 + R2
ı)il

~
E

]'' l RL
R1+R 2

o
RL

(ol (b)

Şekil 1 · 13 Thfvenin teoreminin voltaj bölücüye uygulanması.

Şimdi, dengelenmemi~ Wheatstone köprüsündeki (Şek. 1-9), ic akımının

hesaplanması problemine dönelim. Bir yaklaşım türü R 1 ve R 2 yi bir voltaj bölü~,
R 3 ve R 4 ü diğer bir voltaj bölücü olarak düşünmektir. Voltaj bölücüler a-d ve b-d
uçlarına göre Thevenin eşdeğer kaynaklarıyla yerdeğiştirebilirler. Sonra, gösterici-
nin direnci R 0 ,Şek. 1-14 te gösterildiği gibi a · b arasını birleştirir.Bubirseri­
paralel devredir, dolayısıyle ic kolayca bulunabilir.
Eğer, Thevenin teoreminin ei ve Rt sinin yerine bir eşdeğer akım kaynağı
(sabit akım jeneratörü et/Rt ve Rt ye paralel)koyarsak Norton eşdeğer devresini
elde ederiz.
örneklerde, Thevenin eşdeğer devresinin uçlarına.tek bir direnç bağlanmıştı.

15
Ancak, teorem bu duruma sınırlı değildir.

R,
o b

ER2

1· +R,
d
o

Şekil 1 - 14 Wheatstone köprüsünün Thtvenin eşdeğeri.

Gerçekte, kaynakları ve dirençleri içeren şebeke belirlenen uçlara bağlanabilir.

c) En büyük güç aktarma teoremi

Düşük güç düzeylerinde, çoğunlukla verilen bir şebekeden en büyük güç

çıkışının elde edilmesi istenir. Şekil 1 - 12a daki şebekeyi uçlarına RL bağlan­
mış durumda dikkate alalım. Eğer RL değiştirilirse, hangi durumda RL ye giden
güç en büyük değeri alır?Bu durumda Thevenin teoremi yararlıdır, Çünkü Şek. 1-12b
deki daha basit eşdeğer devreyi dikkate almamız gerekiyor. Basit bir işlem en bü-
yük gücün RL nin Rt ye eşit yapıldığında elde edileceğini göstermektedir. Bu
duruma "uymuş" durum, başka bir deyişle yük direncinin Thevenin direncine
eşleştiği durum adı verilir. Karşılık gelen en büyük güç

e2
pmax = _ t _ ' (RL = Rt için) (1 - 31)
4Rt
dir. Eşlemedurumundan'uzaklaşma (RL/Rt nin 1 den büyük ve 1 den küçük du-
rumlarında olması) RLnin eşleşme durumunun her iki tarafında değişmesiyle olur.
RL ye iletilen ·güç Rİ)Rt ile tablodaki gibi değişir:

0,1 0,2 0,5 0,8 1,2 1,5 2,0

P/Pmax 0,33 0,55 0,89 Ô,99 0,99 0,96 0,89

Görülüyorki fonksiyonun oldukça geniş oir maksimumu var, dolayısıyle dikkate
değer uyuşmamalar bile'fazla güç kaybı olmaksızın toleransla karşılanabilir.

KAYNAKLAR

2. Bölümün sonundaki kaynaklara bakınız.

16
 ALIŞTIRMALAR

1 - 1 Paralel bağlanmış R 1, R 2 ve R 3 dirençlerinin eşdeğer direncini veren bir ifa-

de türetiniz.
1 - 2 Bir voltmetre bir pilin uçlarına bağlanmış ve ampermetreden bir dış yük
akım çekmektedir. Akım 2,0 A ve voltmetrenin okuduğu voltaj 5,8 V olduğunda
ve bu -değerler 5,0 A ve 5,5 V olduğunda: (a) Açık devre voltajını ve pilin iç di-
rencini bulunuz. (b) Eşdeğer akım kaynağının elemanlarını bulunuz. Not : Volt-
metre ve ·ampermetre devreye tesir etmemektedir.
1 - 3 Hareketli makara sarımlı voltmetrelerin volt başına düşen bir direnç değeri
vardır; örneğin, bir 1000 ohm/V luk aygıt, 100 V luk tüm skala ölçtüğünde,
direnci 100.000 ohm dur. Bir 100 V luk ideal kaynak ile iki 20.000 ohm direnç-
lerden oluşan seri halde bir devreyi dikkate alalım. Bir voltmetre de dirençlerden
birinin uçlarına bağlanmış olsun. Voltmetrenin, direnç/voltaj oranı ve tüm skala
değeri aşağıdaki gibi olduğunda okuyacağı değerler ne olur? (a) 1000 n/V ve 50 V,
(b) 100 n/V ve 200 V, (c) 5000 n/V ve 50 V.
1 - 4 (a) Bir bataryanın açık devre voltajı 10 V ve iç direnci 2 ohm dur. Bu batar-
yayı iki eşdeğer devre ile gösterip devre elemanlarının değerlerini gösteriniz. (b)
Bataryamı{ uçlarına 18 ohmluk bir yük direnci bağlandığında her iki eşdeğer dev-
renin uç voltajı ve yük direncinden geçen akımlar için aynı sonuçları verdiğini
gösteriniz.
A

B
Şekil 1 · 15

l - S Şekil 1 - 15 teki AB uçlarının solundaki devrenin Thevenin eşdeğer kaynağı­

nı bulunuz. (b) Yük direnci RL nin A ve B uçlarına bağlandığını ve sıfırdan sonsu-
:1.a değiştirildiğini kabul ediniz. R 1 ve R 2 dirençlerinin en kötü yükleme durumun-
da bile fazla ısınmamaları için güç oranlan ne olmalıdır?
l - 6 Şekil 1 - 9 daki köprü devresinin parametreleri E= 20 V, R 1 = 2 n, R 2 = 3.n,
R 3 = 4 n ve R 4 = 4 n dur. Eşdeğer Thevenin kaynağını,a ve b uçlarına göre,bu-
lunuz.
1 . 7 Şekil 1 - 16 daki 2 V luk bataryanın verdiği akımı; (a) Maxwell halka akımı
yöntemi ile ve (b) T den r. ye (veya Ti den T ye) dönüştürme yöntemiyle bulunuz.
l . 8 Şekil 1 - 17 deki şebekeyi dikkate alınız ve E1 voltajını, (a) Superpozisyon

17
 +
2

Şekil 1 · 16 Şekil 1 - 17

yöntemini kullanarak, (b) düğüm noktalarını analiz ederek ve (c) Thhenin teore-
mini kullanarak şebekeyi daha basit bir şekle indirgeyerek bulunuz. Yol gösterme:
(c) şıkkında kaynakların ve komşu dirençlerin yerine· eşdeğer kaynaklan koymak
için teoremi iki kez kullanı_nız.
1 - 9 Şekil 1 • 18 i E 1 ve E 2 için çözünüz.

5 A

6
]•,
Şekil 1 - 18 Şekil 1 -19

Şekil 1 - 20

1 - 10 (a) Şek. 1-19 da A ve B uçları arasına konacak yük direnci RL nin değeri ne
olmalıdır ki harcadığı güç maksimum olsun? (b) Bu maksimum güeün değeri nedir?
1 - 11 Şekil 1 - 20, E 2 voltajını, E 1 voltajının bilinen bir oranına indirmek ama-
cıyla Rı ve R 2 dirençlerinin bir T şeklinde düzenlemesinden oluşan devre parçası­
nı içeren, bir şebekedir. Bu şebeke,azaltıcı (oranlı voltaj azaltıcı) olarak adlandırı­
lır. Şebeke, oranlı azaltıcı devreye sokulduğunda kaynağın yükünün değişmiyece­
ği şekilde, yani Rgir = RL olacak l:İıçimde düşünülmüştür. E 2 =aE 1 olsun. Burada
a birim başına düşen azaltmadır. Y~kanda belirtilen özelHklerin sağlanabilmesi

18
için R1 ve R 2 nin d~ğerlerinin

2a

olması gerektiğini gösteriniz.

1 - 12 Şekil 1 ·- 11 deki ex voltajının değerini, Enin 10 V değeri için hesaplayınız.
Yol gösterme: Çözüme varabilmek için T➔1r dönüşümünü kullanınız.

19
 2
Elektrik devreleri

2-1
Teniel devre denklemleri

Elektronik devrelerde doğru voltaj, basamak voltaj, azalan üstel ve dalgalı

harmonik voltaj gibi, çok değişik voltaj ve akım dalga biçimleri olduğu 1. bölüm-
de belirtilmişti. Bu bölümde özellikle direnç, sığ aç ve indüktör içeren devrelere
değişken voltaj ve akımların uygulanması ve alınan cevaplar üzerinde duracağız.
Bu nedenle, (a) devre davranışlarının genel matematiksel temelini, (b) basit devre-
lerin bir basamak voltajına ve durgun hal dalgalı voltaja cevabını ve (c) dört uçlu
şebekelerin teorisinin genel hatlarını vermeye çalışacağız.
Okuyucu, sığanın (C), bir sığacın üzerindeki yükün bu sığacın uçlan arasın­
daki voltaja oranının orantı şabiti olduğunu hatırlayacaktır. Yani,

_q = Ce (2 - 1)

dir. Burada q nun birimi coulomb, e nin birimi volt ve C nin birimi faraddır. Bu
nedenle q ve e zamanın fonksiyonu ise sığaçtan geçen akım

. _ _QL_ C ~
1
- dt - · dt (2 - 2)

bağıntısıyla verilir. Sığacın voltajını akım cinsinden veren bağıntı, (2 - 2) ifadesinin

integralini alarak,

(2 - 3)

elde edilir. (2 - 3) ifadesinde belirsiz integralin kullanılması, integral alındığında bir

integral sabitinin eklenmesinin gereğini ima etmektedir.
Tartışmamızı magnetik akı ile uyancı akım arasında doğrusal bağıntı olan
indüktörlere sınırlandınyoruz. Bu durumda i akımıyla aynı yönde meydana gelen
voltaj düşmesi

di
e=L-- (2 - 4)
dt

bağıntısıyla verilir.
L öz - indüktansı mks sisteminde henry birimiyle ölçülür. Şebekenın ani vol-
taj ve akımlarıoa Kirchhoff yasası uygulandığında şebekenin cevabını kontrol eden
denklemler elde edilir.

20
n ~ \J
'-L- L
~~ ::- v~_
ec.:.Vc..

Şekil 2 - 1 L, R ve C nin seri devresi.

önce, Şek. 2 - 1 deki seri RLC devresini dikkate alalım. Kaynak voltajı, t nin şekli
henüz belirtilmeyen biçimde bir fonksiyonu olsun. Kirchhoffun voltaj yasası uy-
gulanırsa
(2 - 5)

olur. Birinci terimi karşı tarafa geçirirsek ve diğer terimlerin yerine akım cinsinden
değerler koyarsak, _
1/

L - di 1
- - + R"ı+--- f .
ı dt =e (2 - 6)
dt C
bağıntısını elde ederiz. Bu bağıntıdaki herbir terimin zamana göre türevi alınırsa
ifade bir diferansiyel denkleme dönüşür.

L-d"'"2.,.i,..... + R-d_i_ + _i_ = _d_e_ (2 - 7)

dt 2 dt C dt

Buradan göriilüyorki, devredeki akım, ikinci mertebe sabit katsayılı doğrusal bir
diferansiyel denklemle ifade edilmektedir.
Sığacın voltajının değişmesinin bulunması başka bir problemdir. Bu amaçla

(2 - 6) denklemi sığacın yükü q cinsinden ifade edilmelidir. Bu durumda

d q 2
L __ _,_.___ + R -dq q
-- + - - - =e ( 2 - 8)
dt2 dt C
q için çözümü elde ettikten sonra, sığaç voltajı ec, ec = q/C bağıntısından bulunur.
Genel olarak, uygulanan özel biçimdeki voltaja verilen cevabın bulunması
problemi, bir doğrusal diferansiyel denklemin çözümüne indirgenir. Bazı çözümle-
ri takip -eden bölümlerde açıklayacağız. Bu tür çözümler klasik çözüm yöntemi
diye bilinir.

2-2
LR ve RC seri devrelerinin ccvaı>lan

a) Bir basamak voltaja cevap

21
 Şekil 2 - 2a daki gibi sıfır anında, bir LR devresine sabit E voltajı uygulansın.
Kirchhoff voltaj yasası t ;;;. O için,

L-d_i_ + Ri = E (2 - 9)
dt

bağıntısını verir.
t : o

R
- - /r - - - - - - - -
.
-r
,/ ı • E
, R
~ _..........._ _.__ _ j_
L
sn

!ol lbl
Şekil 2 ,- 2 LR devresinin d.a. emk e cevabı.

Diğer doğrusal diferansiyel denklemlerle ortak olarak, bu denklem de, özel

integral ve tamamlayıcı fonksiyonun toplamından oluşan bir çözüme sahiptir. İp
özel integrali ve ic de tamamlayıcı fonksiyonu göstermek üzere,

(2 - 10)

yazabiliriz. ic nin değeri diferansiyel denklemin sağ tarafını sıfıra eşitlemek sure-
tiyl~ bulunur. Homojen
dic
L---+Ri c.cO (2 - 11)
dt C

denklemi

(2 - 12)
biçimindeki bir üstel fonksiyon tarafından sağlanır. (2 - 12) ifadesi (2. 11) de ye-
rine konursa

LAA exp At+ RA exp At= O (2 - 13)

elde edilir. Ortak ~arpan, A exp At parantezine alınırsa; o zaman LA + R = O veya

A = - R/L çıkar. Bu değer (2 - 12) de yerine konursa

ic = A exp (- ~ t) (2- 14)

elde edilir. Burada A belirlenecek integral sabitidir. Zaman çok büyüdüğünde yok

22
olması nedeniyle ic ye ayrıca, çözümün geçici kısmı adının da verild/ğini hatırlat-
makta yarar vardır. ·
özel integral, sürücü voltajın oluşturduğu durgun - hal akımına karşılık gelir.
Bunun değeri ip= E/R dir. Bu durumda gerçek akım,

i =-E-+ Aexp (--R-t) (2 - 15)

R L

bağıntısıyla verilir. A sabiti bilinen başlangıç koşullarından bulunur. İndüktif bir

devrede akım "atlayamadığı" için t = O anında sıfırdır. (2 - 15) te t = O zamanında
i = O yapılırsa A =-E/R bulunur. O zaman tam çözüm,

i = _E~ - ~ e x p (- ı_ t) (2 - 16)
R R L

dİr. Bu Şek. 2 - 2b de gösterildiği gibi, negatif işaretli, üstel azalan bir bileşent
olan artan bir fonksiyondur. üstel fonksiyonu exp (-1) veya 0.368 değerine indi-
ren zaman önemlidir. Bu zamana devrenin zaman sabiti denir ve

T = ---1_ (2 - 17)
C R

bağıntısıyla verilir. Zaman sabiti, toplam değişmenin 0.368 inin olduğu zaman
olarak tanımlanabilir.
Şimdibiraz değişik bir problemi alalım. Şekil 2 - 2a daki açık anahtar üzeri-
ne bir direnç eklendiğini böylece bir durgun hal akımının devreden aktığını varsa-
yalım. O zaman, t = O zamanında, anahtar kapatılır, böylece eklenen direnci kısa
devre yapar. Bu problemin çözümündeki basamaklar yukarıda olduğu gibi baştan
(2 - 15) eşitliğine kadar olacaktır. Tek fark A sabitinin değerinin belirlenmesidir.
Bu da yukarıda olduğu gibi yapılacak ancak t = O anında i akımının bir değeri
olacaktır.
Şimdi Şek. 2 - 3 teki RC devresini dikkate alalım. Başlangıçta sığacın vol-

f.171'
~------~---'
(al
q C e•

(bl

Şekil 2 - 3 RC devresinin d.a. emk e cevabı.

23
<

tajının (ve yükünün ) sıfmolduğunu varsayalım. t = O anında anahtar 1 noktasına

hareket etsin. Bu durumda~!ikü cinsinden diferansiyel denklem

R --.J!L + _.9__ = E (2 - 18)

dt C

dir. Durgun halde, dq/dt = O dır, dolayısiyle özel integral qp = CE dir. Tamamlayıcı
fonksiyon ise

dqc qc
---+---=O (2 - 19)
dt RC

denkleminin çözümü,

(2 - 20) (2 - 20)

dir. Dolayısiyle,

(2 - 21)

t = O da q = O olduğundan, A = - CE, ve (2 - 21) den

t
q = CE - CE exp (- - - ) (2 - 22)
. RC

olur. Böylece sığaç voltajını,

t
e=E-Eexp(---) (2 - 23)
RC

buluruz. Bu, enin zaman sabiti

Tc= RC (2 - 24)
olarak artan bir eğri üzerinde değiştiğini gösterir. Burada R ohm ve C farad cinsin-
den ifade edildiğinde Tc nin birim~ saniye olur.
Devredeki akımı veren denklemi bulmak için (2 - 22) nin türevini alırız. Böy-
lece

.
ı=--exp
E (- - t- -) (2 - 25)
, R RC

bağıntısını elde ederiz. Bu, saniye cinsinden RC zaman sabitine sahip, azalan bir
üstel fonksiyondur.

24
 .. ~ ~. ,
·.,
\

.. ,:-:' : ; •• - .,,.,♦--~ •·.

ı-:ııer anahtar 1 noktasında tutularak sığaç tam yüklenir ve ondan sonra

anahtar 2 noktasına götürülürse, okuyucu sığacın voltajının ,

t
e = E exp ( - - - ) . (2 - 26)
RC

bağıntısına göre azalacağını gösterebilir. Bu durumda boşalma akımının pulsu,

(2 - 25) eşitliği ile verilen biçimde, ancak ters yönde olacaktır.

b) RC devresinin bir voltaj pulsıına cevabı

Şekil 2 • 3a daki anahtar t = O anında 1 notu konuma hareket ettirilmiş ve

1' saniye sonra 2 nolu konuma dönüştürülmüş olsun. Bu durumda, genliği E ve sü-
resi T olan bir dikdörtgen voltaj pulsu Şek. 2 - 4a RC devresine gönderilmiş olur.
Er-----. E.-------,
1 1
1 :
1 1
1
1
1
1
L- _ _ _ _ _ .,.

!- T -1 t
o o
(o) (b)

Şekil 2 - 4 (a) Bir voltaj pulsu,(b) sığaç voltajının cevabının zamanla değişimi.

Sığaı_- voltajının cevabının birinci kısmı basamak voltaj için hesaplananla

aynıdır. başka bir deyişle,

e = E - E exp (- _t_), O< t <T için (2 - 23)

RC

fakat eşitlik şimdi sadece O ile T arasındaki zaman aralığı için doğıudur.
T zamanında sığaç E 1 voltajına varmıştır ve buna karşılık gelen miktarda
depolanmış yükü vardır. Voltaj değişimi,

R ....!!.9_ _q_ =o (2 - 27)

dt + C

diferansiyel denklemi ile idare edilir. Bu diferansiyel denklemin çö:r.ümünün

t
q = A 1 exp (- llC) (2 - 28)

olması gerektiğ1ni biliyoruz. Aı sabitini bulmak için, T anındaki bilinen değerleri

25
kullanırız yani,

t = T için q = CE 1 (2 - 29)

dir. Bu değerleri (2 - 28) de yerine koyarsak

T
CE 1 = A 1 exp (- ~ ) ( 2 - 30)

veya

T
= çE 1 exp ( ~ ) (2 - 31)
T
exp (---)
RC

bııluruz. Bu değeri (2 - 28) de kullanarak

(2 - 32)

bağıntısını elde ederiz. (2 - 32) bağıntısı ise

t-T
q = CE 1 exp (- - - ) (2 - 33)
RC

biçiminde yazılabilir. Buradan sığaç voltajı e = q/C için (2 - 33) eşitliğinden

t-T
e = E1 exp (- - - ) , t > T için (2 - 34)
RC

çıkar. (2 - 34) eşitliği, başlangıçta

E 1 voltajına çıkarılacak şekilde yüklenmiş bir
sığacın boşalma voltajının değişimi olarak ifade edilebilir. t - T niceliği boşalma­
nın başlamasından itibaren geçen zamanı verir.

RC devrelerinin cevaplannın başka çözümleri Böl. 16 da bulunabilir.

2-3
LR devresinin bir alternatif voltaj kaynağı ile beslenmesi

Besleyici voltajın alternatif harmonik fonksiyon olduğu zaman üstel fonksi-

yonlar çözümde bize yardım edebilir. önce, sanal io değişkeninin üstel fonksiyo-
nunun Euler formülü ile açıhmıni hatırlayalım.

exp (±jo) = coso±isino (2 - 35)

26
Ancak, biz açısal frekans w ve faz ,ı, nin harmonik fonksiyonunu kullanmak isteriz
bu nedenle,

expj(wt+,ı,)= cos (wt + ,ı,) + jsin(wt + ,t,) (2 - 36)

yazarız. Bir Ecos (wt +,ı,), voltaj kaynağına verilen cevabı dikkate alırken E exp
(wt +,ı,)' fonksiyonunun Re[E expj(wt +</>)I şeklinde yazılan gerçek kısmını da
kullanabiliriz. Bu trigonometrik fonksiyonların kullanılmasından daha karışık gibi
görünüyorsada, üstel fonksiyonların kullanılmasının özel integral için, çözüm bul-
mada kolaylık sağlandığını göreceğiz. Bu şekili kullanarak, harmonik emk li seri
LR deV'l'esinin diferansiyel denkleminiJ

L ~ + Ri=Re [E expj (wt+,ı,)J (2 - 37)

dt

biçiminde yazabiliriz. Tamamlayıcı fonksiyon bilindiğinden özel integrali ararız.

i p nin Re [B expj(wt + ,ı,)] biçiminde olduğunu ve buradaki B nin belirlenecek,

karmaşık olabilen bir sabit olduğunu kabul edelim. Bunu (2 - 37) de yerine koyar-
sak

Re [LB jwexpj(wt+ ,ı,) + RB expj (wt + ,ı,)] = Re [E expj (wt + ,ı,)] (2 - 38)

veya

Re [B(R+ jwL) expj (wt + ,ı,)] = Re[E expj (wt + ,ı,] ( 2 - 39)

buluruz. Bu eşitlik

B=---=E_ _ (2 - 40)
R +j w L

olduğunda sağlanır. Bu nedenle,

E (2 - 41)
ip= Re [----expj(wt + <Jı)]
R + jwL

dir. (2 - 41) in sağ tarafını hesaplamadan önce Şekil 2 - 5 teki karmaşık düzlemde
gösterilen R + jw L niceliğini dikkate alalım. Karmaşık impedansı

Z = R + jwL (2 - 42)

27
 I
biçiminde tanımlarız. Z, impedansın, jz mutlak değerini göstersin. Bu durumda
R = Z cos o, ve wL = Z sino olur: Burada o= tan· 1 wL/R dir. (2 - 35) denklemini
hatırlayarak, Z yi üstel biçimde ifade edebiliriz.

Z = Z ( coso + j sin o) = Z expjo (2 - 43)

Bunu kullanarak (2 - 41) i

.ı -_ R e [ E expj(wt
~ ~+-0)]
- = Re [-E- expJ. ( w t + .+-
'I' - G)] (2 - 44)
p Z expj8 z
biçimine dönüştürebiliriz. Buradan da Euler formülünü kullanarak

i 0, _!L_ cos (wt + 1, - o) (2 - 45)

p z

biçimindeki trigonometrik ifadeyi elde ederiz. (2-45) ifadesinde

ve o = tan-1 -R--
w L d.
ır.

Imf
1 R
1
z jwl
8
R -R,-
Şekil 2-5 Karmaşık impedans Şekil 2 · 6 a,a.emk li LR devresi •
diyagramı.

_Toplam akım, ic ve ip ✓nin toplamıdır.

R E
i = A exp (- - - t) + - - cos (wt +</> - o) (2 - 46)
L Z

İntegral sabiti A nın değeri, voltajın ·devreye uygulandığı ana ve bu andaki akımın
(eğer varsa) değerine bağlıdır. Devrenin kapandığı anda yani, Şek. 2 - 6 daki gibi
t = O anında, i = O olsun. Bu başlangıç şartını eşitlik (2 - 46) da kullanarak A için,

F
A = - - ' - cos (</> - o) (2 • 47)
z .

28
değerini elde ederiz. Dolayısıyla akım,

i = - E_ cos (<P - o) exp (-.!L. t) + _L cos(wt+ıt>- o) (2 - 48)

Z L Z
L
bağıntısıyla verilir. Birinci terim geçici terimdir, 7f zaman sabiti ile üstel olarak
aziılır. Genliği E,Z, ,p ve o ya bağlıdır. E/Z oranı durgun - hal akımının tepe değe­
rini verir. o açısı ise uygulanan voltajdan akımın geri kalma açısı dır. ,ı, açısı ise
başlangıç veya açılış açısı olarak adlandırılabilir. Çünkü <fı, t = O anında uygulanan
voltajın fazını belirler. cos (</> - o)= -1 olduğunda, geçiş teriminin genliği en büyük
değerini alır. Toplam akımın tipik değişimi Şek. 2 - 7 de gösterilmiştir. Şekil,
geçiş teriminin genliğinin en .büyük değeri aldığı ve yaklaşık olarak o = 80°, ve
<fı = -100° olduğu durum için çizilmiştir.

Not : ıfı ~ -100°

e ~ ao 0

Şekil 2 - 7 LR devresinin harmonik voltaja cevabı.

2-4
Durgun hal alternatif akım ve voltajlarda kullanılan teknikler

Çoğunlukla bir devrenin veya sistemin durgun hal cevabına ihtiyaç duyulur.
O zaman geçişterimlerine ilgi duyulmaz ve dikkat sistemin diferansiyel denklemi-
nin özel integraline yöneltilir. Yukarıdaki kısımda sanal bir niceliğin, üstel fonksi-
yonunun özel integralinin çözümündeki kuHanımı açıklanmıştı. Bunun yanında
aynı çözümde karmaşık impedans kavramı tanıtılmıştı. Aşağıda bu konular daha

da genişletilecek, harmonik fonksiyonların bazı özellikleri tekrar gözden geçirile-

cek ve fazör niceliği kavramı tanıtılacaktır.

a) Tepe değeri ve kareler ortalamasının karekök değeri

Açıklamak amacıyla frekansı f olan ve

(2 - 49)

29
şeklinde verilen durgun hal akımını alalım. Burada im akımın genliği veya tepe değe­
ridir. 21rf nin yerine açısal frekans diye bilinen w yı, ve 21rft 0 ın yerine faz açısı
olarak bilinen ,ı, yi koyarsak,

(2 - 50)

olur. Harmonik fonksiyonun periyodu T, frekansın tersidir, diğer bir deyişle, T= 1/f
dir. Eğer kosinüs eğrisi TT/2 radyan kaydırılırsa bir sinüs eğrisi haline gelir; böylece

(2 - 51a)

ır radyan (180°) lik faz değişimi eğriyi ters çevirir, veya işareti değiştirir:

(2-5lb)

olur. Dalga biçimindeki bir voltaj veya akımın etkin değeri veya kareler ortalama-
sının karekök değeri, bir voltaj veya akımın bir dirençte oluşturacağı ısı kaybına
eşit miktarda ısı kaybını oluşturan sabit (veya d.a) voltaj veya akımın değerine
0

eşittir. örneğin, eğer akım (2 - 50) deki gibi ise o zaman ani güç,

p = Ri 2 = Rlmcos
2 2 (wt + ,p)
(2 - 52)

olur. Eğer p nin, bir periyotl (veya pe~iyodun tam katları) için ortalaması alınırsa,
ortalama güç.

1
P= RI 2
m (2-53)
2

bulunur. Ancak Id değerindeki bir doğru akım I~R kadar güç üretecektir. I nın ka-
releri ortalamasının karekök (kok) değrrini temsil ettiğini kabul edelim. O zaman,
eşit ısıtma etkinliği esasından, ı 2 R = I~R/2, veya
Im
I= y2 (2-54)

bulunur. Şüphesiz, başka dalga biçimleri için kareler ortalamasının karekök (kok)
değerinin dalganıntepe değerine oranı farklı olacaktır.
Periyodu T olan periyodik bir akımın (kok) değeri için genel bir formül·

(2 - 55)

30
dir. Hafızaya yardım etmesi bakımından formülün, akımın karesinin ortalamasının
karekökünü aldığı gözlenmelidir.
Bir devrenin bir kısmından (örneğin, seri bağlı R ve L) i= I coswt akımı
m
geçsin ve +i yönündeki voltaj düşmesi e = Emcos(wt + o) ile verilsin. Soğurulan
ani güç p = ei dir. Ani gücün bir periyod için ort;;'.aması alınırsa, sonuç

P = Eicoso (2 - 56)

dır.Burada Eve I (kok) d~ğerleridir. coso çarpanına "güç çarpanı" adı verilir. Eğer
o = ± 90° ise, hiç net güç soğurulmaz. Bu, ideal bir sığaç veya indüktör için müm-
kündür. Eğer 90°<0<270° ise güç negatiftir, başka bir deyişle devre, bir elektrik
güç kaynağıdır.

b. Fazör, fazör gösterimi ve işlemleri

önceki bölümde, üstel bir fonksiyonun gerçel kısmını kullanarak trigono-

metrik bir fonksiyonu

(2 - 57)

biçiminde ifade etmiştik. Köşeli parantez içindeki nicelik geometrik olarak Em

boyunda olan ve saatin ters yönünde w açısal hızı ile dönen bir doğru gibi düşünü­
lebilir. Bu, Şekil 2 - 8 de gösterilen dönen fazördür. Dönen fazörün herhangi bir
andaki gerçek eksen üzerine izdüşümünün kosinüs fonksiyonu olarak alınabileceği­
ne dikkat edilmelidir.
Im+

.,,--
. . --+--.. .
1 w
o
'
/' 1 1 ',
/ 1 \
/ 1 1 \
/ 1 E liı,ıt+,tıı

-t-----
ı
-Oı-_:_L_l_\--
e -j ı Re
1

\ 1 /
\ 1 /
' 1 /
', 1 ,,,/
'-... 1 ,...,,,
--i--
Şekil 2 - 8 Bir dönen fazör ,

Harmonik fonksiyonların toplanmasını ve çıkarılmasını basitleştirmek için

fazörlerin kullanılmasını incelemeyi istiyoruz. Ancak, önce fazör kavramını iki

31
bakımdan değiştirmeliyiz. Çoğunlukla, tepe değeri yerine kok değerini kullan-

dığımız için fazörün boyunun kok değerini temsil ettiğini varsayalım. Fazörün
harınonik fonksiyonun genlik ve fazı hakkında bilgi vermesini istediğimizden
fazörün dönmesi gereksizdir. Bu nedenle, fazörün karmaşık düzlemde sabit, yani
referans açısına göre belli bir faz açısında, olduğunu dikkate alırız. Emin olmak
için de belli bir wt durumundaki ani değeri bulmak istediğimizde veya harmonik
dalgaları takip etmek için tekrar dönen fazör kavramına dönebiliriz.

Bir örnek yardımcı olacaktır. e 1 = E 1 mcos(wt + </, 1 ) ve e 2 = E 2 mcos(wt+<P 2 )

voltajlarını toplamak istediğimizi varsayalım. e = e ,ı- e dersek,
3 1 2

(2 - 58)

yi bulmak istiyoruz. Bu, trgonometrik özdeşlikler yardımı ile yapılabilir. Toplam,

aynı frekansın fonksiyonu oldn fakat genliği ve fazı farklı , · bir fonksiyondur.
Fazör tekniği kullanırken kok değerlerinin, karmaşık düzlemde ,Şek. 2 - 9.,gerçel
ekseni (Re) referans alarak uzandığı düşünülür. Başka bir deyişle, durgun fazörler,
dönen fazörlerin wt = O durumunda uzanacağı yere uzanırlar. Eğer E 1 ve E fa-
2
zörleri vektör toplama kurallarına göre toplanırsa toplamın bileşke fazör E ün
3
doğru genlik ve fazını verdiği gösterilebilir t. Fazörleri gösteren sembollerin, bu
niceliklerin karmaşık olduğunu göstermek için, koyu oluşuna dikkat ediniz. Aynı
sembol italik yazıldığında niceliğin genliğini gösterir.

Imf
1
1
1
1
1
--- -
1
ı Ez
1
1
1 ,
__ _____ _
Re
Şekil 2 - 9 Durgun fazörler
Fazörlerin toplanması veya ı,;ıkarılmasında karmaşık cebir tekniklerinin
kullanılması uygundur. Aşağıda i~i voltajın toplanması örneğinde

E ~ a + jb ve E ~ c + jd (2 - 59)
1 2

t Bak, örneğin, P. R.Clement and w.c:· Johnson, Electriaıl Eııgiııccring Scicncc, McG, aw - Hill
Book Company, New York, 1960, pp.311 ff.

32
olsun. Burada a = E 1 cos.ı, 1 , b = E 1sin,ı, 1 , v.b., dir. O zaman

(2 - 60)

Böylece, toplamın genliği ve faz açısı için sırasıyla

(2 - 61)

ve

-1 (b+ d)
,ı,
3 = tan (a + c)
(2 - 62)

bulunur.

Fazörlere uygulanabilecek, karmaşık nicelikleri temsil etmekte kullanılan,

başka bir eşdeğer biçim şöyledir:

(2 - 63)

Burada referans yönü gerçel (Re) eksendir.

Çarpma, bölme ve üs almadan oluşan fazör işlemleri de gerekecektir. Bunlar,
karmaşık sayılar için geçerli olan kurallara uyarlar. Bu işlemleri açıklamak için,
aşağıdaki biçimde A ve B karmaşık sayıları kullanırız :

A = a+ jb = A/J!..a = Aexpj<t>a (2 - 64)

ve

B = c + jd = BL<t•b = B expj,ı,b (2 - 65)

çarpım kutupsal veya üstel biçimde kolayca ifa.de edilebilir; böylece

(2 - 66)

olur. Bu çarpınım vektör analizinde kullanılan çarpımdan farklı olduğunu hatırla­

tınz. Bundan sonra oranı hesaplayalım

(2 - 67)

Daha ileri götürerek

33
 (2 - 68)

yazılabilir. Çarpım aynı zamanda "a + jb'' biçimi kullanılarak ta yapılabilir; dola-
yısıyla

AB-= (a+ jb) (c+ jd) = ac+ j(bc +ad) +?bd (2 - 69)

Fakat j 2 = -1 dir ve

AB= (ac - bd) + j(bc + ad) (2 - 70)

olur. Bu biçimi bölmede kullanırken kesirleştirme olarak bilinen işlemin kullanıl­

ması gereklidir. Bu işlemde payda ve pay, paydanın eşleniği ile çarpılır. Bunu gös-
termek için, A/B yi hesaplarsak ·

A a+ jb (a+jb) (c-jd) (ac + bd)+ j(bc - ad) (2 - 71)

B c + jb (c+jd) (c-jd) c2 + d2

olur ve bu m -jn biçiminde yazılabilir. (2 • 66) ve (2 - 67) eşitliklerinin kullanılma­

sındaki işlemler fazör bileşenlerinin kullanılmasındakilere tercih edilmelidir.

c. Voltajdan akıma fazör bağıntıları; impedans; reaktans

Bölüm 2 · 3b deki (2 • 37) notu diferansiyel denklemin çözümü, R ve L nin

şeri olduğu durumda Z = R + jwL biçimini alan, impedansın karmaşık bir sayı
olarak tanımlanmasına götürdü. Denklem. (2 - 4 7) deki akımın durgun hal terimi-
nin, Denk. (2 . 37) de uygulanan alternatif voltajla karşılaştırılması üzerine yapıla­
cak bir çalışına, (durgun) fazör akımı ve uygulanan voltaj arasında

E == ZI = (R + jwL)l (2 · 72)

bağıntısı olduğunu gösterecektir. Bu

E=ZI (2 - 73)

genel özel bir durumudur. Burada Z devrenin dikkate alınan kısmının

bağıntısının

karmaşık impedansıdır. E ve I nın tanımları ani voltaj düşmesi ve akıma kadar

uzandığına göre, Şek. 2 • 10a da giisterildiği gibi bu fazörler için başlangıç kutup-
larını belirlemek önemlidir. O zaman Şek. 2 • 10b deki ( 2 • 73) e dayanan fazör
diyagramı, gerçek devre ile bağıntılı, tam bir anlama sahip olur.

34
 E

___8l __ _
o 1 R1
lal (b)

Şekil 2 - 10 Bir impedans zl!!... için fazör bağıntıları.

Tablo 2 - 1 de ideal R, L ve C elemanları için fazör bağıntıları ve impedans
değerlerinin bir özeti verilmiştir. Sığa için verilen bağıntı Denk. (2 - 2) ile uyum- .
dadır. Fazör diyagramından e nin i ye olan faz bağıntısı hemen görülebilir. İndük­
törlerde, voltaj akımı 90° geçer veya başka bir deyişle akım voltajdan geri kalır.
Sığaçlarda akım,voltajı geçer.

Tablo 2-1 İdeal devre elemanları için fazör bağıntıları ve impedans değerleri.

r-,
Direnç İndüktör Sığac;

Fazör diyagramı

Fazör eşitliği
o
_ _ __

E = RI:
[

OL
E = jwLl
1

- 1
E- juıC
[

I
1
Elementin impedansı ZR = R ZL =j L Zc"' jwC

Reaktans terimi impedans Z nin, j li kısmı için kullanılır. Dolayısıyla indük-

tif reakta~s XL = wL, ve sığayla ilgili reaktans Xc ise 1/wC ye eşittir.
Seri halinde bağlı birden fazla impedanstaki toplam voltaj düşmesi eleman-
lardaki ayrı ayn voltaj düşmel_erinin toplamına eşittir. Dolayısıyla, eğer z 1 , .... , ~n
seri bağlanmışsa toplam voltaj

(2-74)

veya

(2 - 75)

bağıntısıyla verilmiştir. Şekil 2 - lla daki seri devre ele alınırsa, ki burada z 1, sarı-

35
 1
1
1
1

o: ___ 1 _l _ _ _ _ _ _ _ _
ı_

f- R1 --l Re

(ol (bl

Şekil 2 - 11 Seri devre ve impedans diyagramı.

mm direnci R ve indüktansı L 1den, ve z 2 ise seri haldeki R ve c den oluşmakta­

2 2
dır. Seri halindeki toplam impedans, Z, aşağıdaki biçimde yazılabilir.

(2-76)

Karmaşık impedanslarm eklenmesiyle belli bir direnç ve reaktans kümesi

için impedans Şek. 2 - llb deki. biçimi alabilir. Bu örnekte toplam impedans ayrı
ayrı impedanslardan daha küçük bir genliğe sahip olmaktadır. Bu, ayrıca incelene-
cek olan ve seri rezonans olarak bilinen olayın ilgi çekici bir yönüdür.

d. Paralel devreler; admittans

Şekil 2 - 12a daki üç ideal devre elemanının paralel bağlandığını varsayalım.

Kirchhoff akım yasasından

çıkar. Herbir elemandan geçen akımlar uygulanan voltaj ve eleman impedansları

cinsinden 1

I = _E - + ~ - - + jwCE (2 - 78)
R JwL
biçiminde ifade edilebilir. (2 - 78) eşitliğine göre toplam aldın I nın üç akım fazö-
rünün toplamına eşit olduğunu göstermek için, bu eşitliğe uyan bir fazör diyagra-
mı yapılabilir. Şekil 2 - 12b indükfif haldeki akımın,sığalı haldeki akımı kısmen
götürdüğünü gösteriyor. Böylece kısmi paralel resonans oluyor.
Doğru akım de.vrelerinde direncin tersinin iletkenlik olarak tanımlanması

gibi impedansı tersine de "admittans" adı verilirve Y sembolu ile gösterilir. Böylece

(2 - 79)

36
 lal
Şekil 2 · 12 Paralel R,L ve C devresi

Şekil 2 • 12a nın uçları arasındaki admittans, (2 • 78) eşitliğinden 1/E yi hesapla-
yarak,

1 1 (2 · 80)
Y=-R + - - - + jwC
jwL
olarak bulunur.
Denklem .(2 • 80), paralel bağlı Y1, Y 2, ... ,Y n admittanslarının toplamının
genel olarak, ·

(2 · 81)

bağıntısıyla verildiğini açıklıyor.

Şekil 2 • 13 te verilen devre admittansların hesaplanmasıyla bazı noktaların

açıklanmasına yardım edecektir. Devrenin tümü için, (2 • 81) eşitliği yardımıyla

1 1
(2 · 82)
_R_1_+J-.w-L-1 + R - _ı_·-
2 wC2
y~zarız. Sayısal bir problemde en yaygın yol 1 hesabın ilk aşamasında kutupsal biçi-

Şekil 2 • 13 Paralel devre.

mi kullanmaktır. Bu nedenle,

(2 · 83)

37
Burada o 1 ve o 2 kolların impedanslarının güç çarpanı açılarıdır. Kutupsal biçim,
toplamı yapmak için. dik biçime dönüştürülür. Y nin devre elemanları cinsinden
ifadesi, Denk. (2 - 82) nin sağ tarafındaki iki terimin kesirlendirilmesi ile
1
wC 2
+ - - = - - - - · ) (2 - 84)
1 +j(2 22
R~ + _ _ _ R + w Lı R2+ _J_
2 c2 2c2
w 2 w 2
biçiminde bulunur. Admittansın gerçel ve sanal O) kısımları için isim ve sembolle-
rin olması uygundur. Tanım olarak

Y = G + jB (2 - 85)

burada G iletkenlik ve B de "suseptans" tır. Denklem (2 ."84) ten görüleceği üzere,

seri halindeki bir RL kolunun iletkenliği, doğru akım (d.a.)devrelerindeki 1 /R ye-
rine; R,L ve w nın fonksiyonudur. Suseptans bileşenleri ise frekans ve devre sabit-
lerinin fonksiyonudur. Denklem (2 - 84) aynı'zamanda, RL kolundan gelen susep-
tansın negatif, RC kolundan gelen suseptansın pozitif olduğunu göstermektedir.

2 - S Durgun hal 11.a. ııiceliklerine uygulanan devre denklemleri

ve teoremleri

Geçen bölüm, fazörlerin ,karmaşık impedans ve admittansların, devrelerin,

a.a. sürücü vlotaja gösterdikleri durgun hal tepkilerinin çözümlenmesini nasıl kolay-
laştırdığını göstermişti. Fazör ve fmpedansların temelde farklı olduğu, ancak her
ikisinin de karmaşık sayılarla ifade edildiği bilinmelidir. Durgun bir fazör zamanın
sinüzoidal bir fonksiyonunu temsil eder fakat sadece genlik ve faz hakkında bilgi
verir. Eğer zamanın gerçek fonksiyonu isteniyorsa, o zaman dönen bir fazöre çe-
virme ve gerçek eksen üzerindeki bileşenin alınması işlemlerinin kafamızda yapıl­
ması gerekir. Bunun yanında, dönen fazörün boyu fonksiyonun tepe değerini tem-
sil etmelidir. İmpedans ve admittans bir fazörü döndüren ve çarpan böylece başka
bir fazöre dönüştüren, karmaşık operatör tabiatındadırlar.
Doğru akım devrelerine uygulanan bütün yasalar fazörlere genişletildiğinde

bunlar için de geçerlidir. Bunlar aşağıdaki gibi özetlenebilir: Genişletilmiş Ohm

yasası

E=Zl (2 - 86)

veya

1 =YE (2 - 87)

38
 dir; Genişletilmiş Kirchhoff yasaları
bir kavşaktaki akım : (2 - 88)
kapalı halka etrafında : (2 - 89)

dir. Bu fazör eşitliklerinde de, doğru akım ve voltajlarda I ve Enin yönü bakımın­
dan gösterilen hassaslık aynen gösterilmelidir. Daha önce öğrenilmiş olan şebeke
teoremlerinin çoğunluğu fazör hesaplarını değiştirmeden, fakat sadece E, I ve R
yerine E, 1 ve Z koyarak uygulanabilir. Bu teoremler için de (1) üstüste koyma
teoremi, (2) Thevenin ve Norton teoremleri ve (3) ır den T ye dönüştürmeler sayı­
labilir. Ancak, maksimum güç transferi teoremi ek gerektirir. Şekil 2 - 14 ü gerçek
devre ne kadar karmaşık olursa olsun Thevenin eşdeğer devresi açısından dikkate
alabiliriz. Thevenin impedansı genel olarak gerçel ve j li kısımdan, başka bir deyiş­
le, Rt + jXt biçiminde olacaktır. Yükün1direnç ve reaktansın seri bağlanmasından
~luştuğunu_ dü~ünel_~~.' ~-ani Z =_R + jX o~su~.-~o~lam ser_i_ impedans, Ztop = Rt-ı-R
J(Xt + X). Bız I R gucunun maksımum degerını ıstıyoruz. once X i değiştirerek I yı
maksimum yapalım. Bunu, 1 Ztop I ı mir.imum yararak, yani j li kısmı sıfır yapa-
rak sağlayabiliriz; bu durumda X = - Xt dir. Bundan sonra ı 2 R nin maksimum
yapılması, Kes. 1 - 9 daki problemle aynıdır ve sonuç R = Rt dir. Dolayısıyle yük
impedansıThevenin impedansın eşleniği olmalıdır t, veya
(2 - 90)

, dir. Buradan, uyuşturulmuş yükün Th~venin impedansının eşleniği olduğu görülür.

Şekil 2 - 14 Thevenin eşdeğer kaynağı ve yükü.

2 -6 Frekansın Z ve Y üzerine etkisi; rezonans

Çoğunlukla bir devrenin geniş bir frekan~ bölgesinde göstereceği cevabın

bilinmesi gerekmektedir. örneğin, sinyalin frekansı değişken olabilir, veya
istenen sinyalin üzerine gelen, onunla dirişime uğrayan, farklı frekansta bir voltaj
olabilir. ve girişime yok edilmesi gerekebilir.
İmpedans veya admittansın, frekansın fonksiyonu olarak incelenmesi dev-

t Çok uzun bir ispatta aynı sonucu verir.

39
renin vereceği cevabın ön-kestirmesi için bir temel oluşturacaktır. Direncin hiçbir
frekans etkisi olmadığını görmüştük. sığanın reaktansı 1/wC, ve indüktif reaktans
ise ev·L dir. Bunlar pek tabii ideal elemanlar içindir. Gerçek elemanlar idealden bir
ölçüde farklıdırlar. Tel sarımından oluşan bir direncin azda olsa bir indüktansın
veya sığanın dielektrik kaybından dolayı bir seri eşdeğer direnci vardır. İndüktörle­
ri:ı hepsinin direnci vardır ve yüksek frekanslarda dikkat edilebilen bir etki göstere-
cek düzeyde bir sığaları olabilir. Bundan sonraki bölümde ideal devre elemanları ile
ilgileneceğiz,

önce seri bir direnç ve bir indüktansın impedansını, Z = R + jw L, dik-

bağlı
kate alalım. Eşitliği R ile bölerek ve R/L yerine w 0 gibi yeni bir parametre koya-
rak, eşitliği boyutsuz bir biçime koymayı tercih ederiz. Böylece,

-Z
-- ~
l + J. -wL
- - = l + J. - -
w
- (2 - 91)
R R w0

w O ındevrenin zaman sabitinjn tersi olduğunu ve w ile aynı boyutta olduğunu

hatırlatalım. Frekans değiştirildiğinde karmaşık Z/R niceliği Şek. 2 • 15a daki
gibi değişir. Z/R nin geometrik yeri 1 + jo noktasından çizilen dik doğrudur. R
nin sabit olduğunu düşünürsek Z/R nin değişimi, Z nin genlik ve faz bakımından

im 3
j2 n
H
ro
rl
.:,L.
ro
jw -o 2
o
Wo z
jl R-

o---..__ __,~_ __.____,

2

(ol (bl
Şekil 2 - 15 RL devresinin frekans cevabı.

nasıl değiştiğini gösterir. Referans frekansı, w 0 , impedansın reaktif bileşeninin

hangi frekanslarda önemli veya hangilerinde önemsiz olduğunu göstermesi bakı­
mından yararlıdır. örneğin, w nın w O a göre küçük olduğu durumda, Z nin R den
biraz büyük olduğunu ve Z nin açısının küçük olduğunu söyleyebiliriz. w O ile ilgili
bir başka yorum da onun derecesi bakımındandır. Devreye belli bir E voltajı uygu-
ladığımızı ve w ~ O ile w ~ w O nokt~Iarında yutulan güçleri karşılaştırdığımızı
varsayalım. w = O noktasında P "·· E 2 /R dir. w=w O noktasında ise, ZIR= 1 + jl=y2

40
exp jır/4, ve akımın genliğinin E/Z, veya E/y'2R olmasından ötürü, güç E 2 /2R
olarak elde edilir. Bu sıfır frekanstaki gücün Lam yarısıdır ve bu nedenle w 0 çoğun­
lukla yarı - güç açısal frekansı olarak adlandırılır.
Eğer Z niıa sadece genliği istenen nicelik ise, Şek. 2 - 15b deki grafik yararlı­
dır. Burada bağıntı doğrusal eşellerdeki grafikte gösterilmiştir. Fafat bu tür eğri­
ler hazan daha geniş frekans bölgesini kapsama açısından log - log eşeller üzerine
çizilir.
Bir seri RC devresi için geometrik yer diyagramı ve Z/R nin genlik - frekans
eğrisi Şek. 2 - 16 da gösterilmiştir. Diyagramlar

ı_= 1- 1 (2 - 92)
R wRC
bağıntısını sağlayacak şekilde çizilmiştir. Burada yarı - güç açısal frekansının de-
ğeri w O = 1/RC dir.
lm 4

o .Re
-'!l... ...... (X)
Wo
c,ı
3
--~:To
Wo : RC
1

: 2
iwo Wo
7.iı z
-jl w : 1 R 2
Wo
_ _ _ T __ ,,_ _ _ _ _ _ _ _ _
~~--~
t~simtot. .

o 2
w
Wo
:ol
(bl

Şekil 2 · 16 RC devresinin frekans cevabı.

Bu devrede wsıfıra yaklaşırken Z sonsuza, w sonsuza yaklaşırken Z de R ye

yaklaşır.
Şekil 2 - 11 e benzer bir R,L ve C seri devresi üzerinde daha fazla durmamızı
gerektirir. İmpedansı

Z"' R + j(wL-_J.- (2-,93)

wC

w O ve Q parametreleri

1 1 (2 - 94)
w =--=-ve O
o v1LC

41
biçiminde tanımlanmış olsun. O zaman Denk. (2 - 93)

z w wo
-=l+jQ(---~ ) (2 - 95)
R • w0 w
biçiminde ifade edilebilir. Eğer sadece genliği bulmak istiyorsak

Z ~2 w wo 2 _!_ (2 - 96)
- -R= [ 1 + ~w
( - -w- ) ] 2
0

olur. Q parametresi üzerine bir yorum yapılabilir. Devrede sabit L ve R değerleri

seri bir sığaca bağlı olsun. O zamanQ ye w 0 açısal frekansına göre "kalite çarpanı''
denir. Göreceğimiz gibi, düşük direnç (yüksek Q) devreye istenilen bir karakteris-
tik verir.

R L

15 ~c
o T
Q: Wol : _t_
R w0CR

5
Q: -K,: ıııoC'R'
Wol
o ·2 3

Şekil 2 - 17 Rezonansın açıklanması.

Farklı Q !ar için, Z/R nin w/w O ın fonksiyonu olan iki grafiği Şek. 2 - 17 de
gösterilmiştir. özellikle Q = 20 grafiğinde, impedans w = w O da keskin bir maksi-
muma yükselecek ve bu frekansın iki yanında düşecektir. Bu olay seri rezonans
olarak bilinir ve w O rezonans açısal frekansıdır. Rezonans durumunda indüktif ve
sığa reaktansları eşittir ve birbirinin etkilerini yok ederler. Böylece w L = 1/w C
. o . o
olur. Bu bağıntı Denk. (2 - 94) ile uyuşmaktadır.
Benzer bir durum R', L' ve c; Şek. 2 - 17 de gösterildiği gibi,.paralel bağlan­
dığı zaman olur. Devrenin admittansı

y = __
1_ +j (wC' - _1_ _ ) (2 - 97)
R' wL'
dir. Burada

42
 1 R' (2 - 98)
w =---veQ=~-'---= w C'R'
o .,/L'C"' w o L' 0

nü tanımlayalım. O zaman (2 • 97) nolu denklemden,

(2 - 99)

çıkar. YR' nün genliği

(2 - 100)

dir. Denklem (2 - l00)ile (2 - 96) karşılaştırıldığında sağ tarafların aynı olduğu

I
görülür. Bu nedenle, Şek. 2 - 17 deki eğriler aynı zamanda YR nün w /w 0 a karşı
olan grafiğinin görevini yaparlar. Eğer I = YE olduğunu hatırlarsak, toplam akımın
uygulanan(frekansla değişen)sabit voltajla değişiminin, Şek. 2 - 17 deki eğrilerle
aynı olduğunu görürüz. Akım, w = w da, yani paralel rezonans durumunda en
O
küçük değeri alır. Bu özellik eğer belli bir frekanstaki akımların geçirilmemesi ve-
ya süzülmesi ve diğer frekanslardaki akımların geçirilmesi veya daha az süzülmesi
isteniyorsa, yararlıdır. Bu tür devrelerde seri rezonans devrelerindeki bağıntının
tersine, yüksek bir Q devresine sahip olunabilmesi için R' nün yüksek olmasının
gerektiğine dikkat edilmelidir. Bu, sabit voltajla,R' arttığında daha az bir güç sar-
fedileceği dikkate alınırsa, daha iyi anlaşılabilir.
Bir sığaç ve kayıplı makara paralel olarak konduğunda benzer paralel rezo-
nans etkileri elde edilir, ancak nicel bağıntılar değişir.

2-7
Eşdeğer devreler

Birçok örnekte seri ve paralel bağlanmış eleman grupları için eşdeğer impe-
dans olar~k adlandınlan toplam veya birleştirilmiş impedansı elde ettik. Bu, daha
karmaşık devreler için de yapılabilir. Eşdeğer impedans, genel olarak frekansın
matematiksel olarak

(2-101)

şeklinde ifade edilen bir fonksiyondur. Frekans belirtilmiş ise değerleri bilinen seri
bağlanmış R ve L nin ve R ve C nin belirtilen frekansta, daha karmaşık bir şebeke­
ye eşdeğer olan devredeki değerleri Denk. (2 - 101) yardımıyla bulunabilir.
Bir'ömek olarak, seri haldeki R = 10 ohm, L = 1 henry ve C = 2x10- 6 farad-
dan oluşan ve w = 1000 olan bir voltaj uygulanan devreyi alalım. Denklem (2 - 93)

43
ten Zeş =10 + j (1000 - 500) = 10 + j 500 olur. Eşdeğer direnç 10 ohmdur ve
eşdeğer indüktans ise 500/1000 veya 0,5 H dir. Ancak, eğer w = 100 olsaydı, o
zaman eşdeğer devre seri haldeki bir direnç ve bir sığaçtan oluşacaktı.
Genel olarak yapılan iş seri bağlanmış R ve L veya R ve C gibi iki elemanın
yerine, (farklı) paralel bağlanmış R' ve L', R' ve C' gibi elemanlardan oluşan bir
eşdeğer devrenin konmasıdır. Bu Y eş = 1/ZeşYi hesaplayıp gerekli devre elemanla-
rının çıkarılmasıyla yapılır.
Paralel bağlı bir eleman çiftinin yerine seri bağlı bir çift elemandan oluşan
(belirtilen frekansta) eşdeğer devre konduğunda benzer şekilde bir dönüşüm uygu-
lanabilir. Bu dönüşüm için istendiğinde formüller çıkarılabilir.·

2-8
Karşılıklı indüktans ; transformatörler

a. Karşılıklı indüktans .

İki makara, birinin manyetik alanı diğerinin sarımlarına geçebilecek ve onu

etkileyebilecek şekilde yerleştirilmişse, bu iki makaranın manyetik olarak kuplajlı
olduğu söylenir. Makaralardan birinin akımının değiştirilmesi,ikinci makarada bir
indükleme voltajı oluşturur. Doğrusal olmayan manyetik maddeleri makaraların
manyetik alanından dışarda tutarsak, 2 ·nolu sarım makarasında oluşan indükleme
voltajı ile 1 nolu sarım makarasının akımındaki değişme arasındaki bağıntıyı aşağı-·

daki gibi ifade edebiliriz.

dit
(2 - 102)
dt

Burada M karşılıklı indüktans denen bir sabittir. M öz indüktansla aynı tabiattadır

ve birimi henrydir.

-
i,

+
e, Bobin 1
•
ıpr"J(rrgıgı~
! .·
... & & ),

(ol (bl
Şekil 2 - 18 (a) Manyetik kuplajlı iki makara. (b) Nokta gösteriminin
açıklanması.

Denklem (2 - 102) deki ± işareti M nin daima pozitif bir sayı olarak alınması
gerektiğini göstermek için konmuştur, (Bazeri M cebirsel bir sayı olarak kullanılır)
bu durumda indükleme voltajı için uygun işaretin seçilmesi_ gerekir. Uygun işaret,

44
(a) i1 akımı için seçilen pozitif yöne, (b) e 2 için pozitif yöne, ve (c) iki sarımın
yönlerinin birbirine göre durumuna bağlıdır. Sanm yönlerinin belirlenmesinde
yararlı olacak bir şema Şek. 2 - 18 de gösterilmiştir. Bir işaret veya nokta ,ı nolu
makaranın bir ucuna konur. Ondan sonra, ikinci bir nokta 2 nolu makaranın üze-
rine, pozitif akım her iki noktalı uca gittiğinde makaraları biribirleriyle bağlayan
manyetik akıların birbirini artıracağı şekilde konur. Bu durumdaki makaralara
yardımlaşan sarım makarası denir. Eğer sarımlar aynı makara üzerine sarılmışsa
Şekil 2 - 18b, noktalı uçlardan çıkan tel, makara üzerine her iki sanın için de aynı
yönde sarıiır. Noktalı uçları Şek. 2 - 18a daki gibi işaretlenmiş ve i 2 ve e 2nin yön-
leri de bu şekildeki gibi işaretlenmiş ise, (2 - 102) eşitliğinde işaret ar.tı olacaktır,
yani e 2 = + M(di 1 /dt) dir.
Kuplaj katsayısı k aşağıdaki eşitlikteki gibi tanımlanmıştır :

M=kv'Lı½ (2 - 103)

Burada L 1 ve L 2 iki sarım makarasının öz indüktanslarıdır. Sanın makaralan, bir

sarım makarasının oluşturduğu tüm akıikinci sanın makarasını bağlayacak biçim-
de kuvvetli şekilde kuplajlanmış iseler)c nın değeri birdir ve genel olarak k nın de-
ğeri sıfırla bir arasındadır.
İki sanın makarasının karşılıklı indüktansı, akımı hangi sanın makarasının
taşıdığına bağlı olmaksızın aynıdır. Böylece, Şek.2 - 18a da 2 nolu sanın makara-
sındaki akımın değişmesinin 1 nolu sanın makarasında oluşturacağı emk için e =M
1
( di 2 /dt) yazabiliriz.

b. Transformatör

İki magyetik olarak kuplajh sarım makarası bir transformatör oluşturur,

Şekil 2 - 18a. Transformatörlerin çekirdeği hava çekirdekli transformatör örne-
ğindeki gibi manyetik olmayan maddelerden veya ince çelik tabakalar, tozlu de-
mir alaşımları veya bunlar gibi maddelerden olur. Demir çekirdekli transformatöre
uygulandığında, doğrusal teori bir yaklaşımdır. Bir transformatörün Şek. 2-19 a
daki gibi bir voltaj kaynağı ve bir direnç arasına bağlandığını varsayalım. Burada
R 1 ve R 2 sırasıyla birincil ve ikincil sarım makaralannın dirençlerini temsil etmek-
tedir. Şimdi bu devreyi idare eden diferansiyel denklemleri yazalım. Kirchhoff
voltaj yasasını önce birinci halkaya sonra ikinci halkaya uygularsak,

. di di 2
-e+R ı
11 + L 1 - -1 - M - - = O (2 - 104)
dt dt

45
 (2 -105)

buluruz. e voltajı belli olsaydı bu denklem sistemlerini çözüp akımlan bulabilirdik.

Daha değişik bir devre Şek. 2 - 19b de gösterilmiştir. Burada bir sinüs dalga-
sı kaynağı Es bir Zs impedansı vasıtasıyla transformatöre bağlanmıştır ve yük im:
pedansı ZL dir. Şimdi fazör tekniği ile c4ırgun hal şartını inceleyelim. Kaynak vol-
tajı Es ve giriş voltajı E i bulmak istediğimizden birinci devre için iki voltaj denk-
1
lemi yazarız.

(2 - 106)

ve

(2 - 107)
R2
f2

E2
nz

(o) ( b)

Şekil 2 - 19 Transformatör kullanan devreler. (a) Direnç yük.

(b) Sinüzoidal kaynak ve impedans yük.

İkinci halka için

(2 -108)

Burada Z ı = Rı t jw L1 ve z 2 == R2 + jw L 2. Eğer (2 - 107) ve (2 - 108) i birleş­

tirir ı2 yi yok edersek, birinci uçlardaki giriş impedansını,

(2 - 109)

olarak bulabiliriz. I 2 için (2 - 106) ve- (2 - 108) den Es ve devre sabitleri

.
cinsinden
bir ifade bulunabilir,

46
 jwMEs (2 - 110)
l2 = ------"--------
(Zs+ Z 1 ) (Z 2 +ZL) +w2M2

ı1 ve 12 ~ımlannın oranı ı 1 tı2 , (2 - 108) eşitliğinden doğrudan bulunur .

•(2 - 111)

voltajların oranını elde etmek için önce E2 =ZLI2 olduğuna dikk.'at eder, sonra bu ·
bağıntı ile (2 - 207) ve (2 - 108) eşitliklerini kullanarak ·

Eı (Z2 + ZL) Zı + w2M2

(2 - 112)
-t2 = jwMZL

bulunur. Yukarıdaki tam formüller hava çekirdekli transformatörlerin hesaplarında

gereklidir fakat demir çekirdekli transformatörler için aşağıda verilecek ideal
transformatör teorisi genellikle yeterli hassaslıktadır.

c. İdeal transformatör

Sarım makarası 1 ve 2 deki sarım sayıları sırasıyla n 1 ve n 2 olsun. Her iki

makarayı 1 demir çekirdekteki manyetik akının bağlandığını varsayarsak, ozaman
L = Cnj, L2 = Cn~ ve M = C n 1n 2 dir. Burada C sabittir. Bu durumda çiftlenme
1
katsayısı birdir (k = 1) ve M = ~ dir. Genel olarak R 1 ve R 2 küçüktür bu ne-
denle Rı = R = O varsayanz. Bu şartlan kullanarak (2 - 112) eşitliğinden
2
Eı
-w2M2 + jwLıZı -w2L1L2,,. (2 - 113)
~'°"'. jwMZL
buluruz. Ancak M = Lı L 2 ; dolayısıyla,
2

E1 L1 Cni (2 - 114)
· ~-=~= Cn n
1 2
çıkar. Bu uç voltajlarının sanın sayılarıyla orantılı olduğunu söyler. Bunun yanın­
da z »zL ise, (2 - 111) eşitliğinin payındaki ZL ihmal edilebilir; dolayısıyla,
2
2
il z2 1·wL 2 _
Cn 2
__.c'-- _
n2
- - (2 - 115)
½""' jwM - = jw M Cn 1 n 2 nl
bulunur. Buradan akımların sarım sayılarıyla ters orantılı olduğu görülür. Son ola-
rak (2 . 109) eşitliği ile verilen giriş impedansını ·ortak bir payda ve ideal bir trans-
formatörün şartlarını kullanarak

47
 (2 -116)
Zgir=

biçiminde yazabiliriz. Ancak z2 »zL olduğunu varsaydığımızdan, (2 - 116) eşitli­

ğinin paydasındaki ZL yi ihmal edebiliriz. O zaman

jwL 1 ZL L1 nf (2-117)
Zgir= jw½=½ ZL=~ZL
bağıntısı bulunur. Böylece.. ikinci uçlara bağlanan ZL yük impedansının,giriş uçla-
rına (ni/ n~) ZL değerinde bir eşdeğer impedans olarak dönüştüğü görülür.
Elektronik devrelerde gerek duyulan frekans transformatörleri genellikle
transformatörün iki tarafındaki impedans değerleri ile belirtilirler. 8000/8 - ohm
transformatörü 8 ohm luk bir yükü başarılı bir şekilde birincil uçlara 8000 ohmluk
bir impedans olarak aktarabilir. Bu örnekte (2 - 117) eşitliğinden n~/n~-= 1000
olduğunu görürüz. Buradan sarım oranı n 1 tn 2 = v'Iö<ffi', veya 31 16 bulunur. İdeal
transformatör şartlarının sağlanması için w L 2 »8, R 2«8 ve R 1 «8000 ohm olması
gerekir.

2-9
Basit iki - uç çifti olan şebekelerin zayıflama ve faz belirtgenleri;
desibel

Yükseltici, azaltıcı (attenuasyona uğratıcı), transformatör ve diğer benzer

cihazlardan geçirilen sinyaller çoğunlukla sinüzoidal voltajlardır. Voltajlar yüksel-
tilebilir veya azaltılabilir, veya dalga bir faz kaymasına uğrayabilir. Bu tür cihazlar-
daki voltaj azalmalarında ve faz kaymalarındaki frekans değişmeleri eşdeğer devre-
ler yardımıyla çalışılabilir. Bu nedenle, bazı basit devrelerdeki bu tür değişmeler
incelemeye değer. Her devrede iki ucu giriş, iki ucu da çıkış olarak işaretleriz.
Bu tür devrelere iki uç çifti olan şebekeler denir. Burada geliştirilen belirtgenler,
yükselticiler ve güdümlüleri incelerken, bize yardımcı olacaktır.
R

~
J
I
- 10
Eo

Şekil 2 - 20 Düşük frekans geçiren süzgeç devresi.

önce Şek. 2 - 20 deki seri RC devresini dikkate alalım. w frekanslı [i sinü-
zoidal voltajı giriş uçlarına uygulanmıştır. Biz, çılçış ucuna başka bir eleman bağ-

48
!anmadığını varsayarak E0 çıkış voltajı ile ilgilenmekteyiz. E0 i~ hesaplamak için
önceki makalelerdeki fazör yöntemi kullanılabilir. Sonuç olarak

Eo 1 (2 - 118)
G Ow) = ~ = _l_+_ı_·w_R_C_

elde edilir. Bu eşitlik aynı zamanda karmaşık azalma (veya kazanç) G(jw) yı ta-
nımlar. Eğer RC yerine l/w 1 parametresi konursa, o zaman

GOw) = - 1 -.-~- = M expjo (2 - 119)

+Jwı

çıkar. Burada oran, oranın büyüklüğü M ve faz açısı o cinsinden ifade edilmiştir.
Karmaşık voltaj oranı için kullanılan diğer bir ad gerilim aktarma fonksiyonudur.
Bir devrenin aktarma fonksiyonu üzerine frekansın etkisini incelemeden
önce desibel cinsinden ifade edilen voltaj oranı kavramını tanıtalım. Aslında, desi-
bel (dB) iki gücün oranını ölçmede kullanılan bir birimdir ve
P2
dB = 10 log 10 - p - (2 - 120)
1
bağıntısıyla tanımlanır. Eğer P1 , R 1 direncindeki V 1 voltajından ve P2 de R 2
direncindeki V 2 voltajından kaynaklanıyorsa, o zaman (2 - 120)

V~Rl
dB = 10 log 10 (2 - 121)
R2Vj
olur. Eğer R 1 = R 2 olduğunu varsayarsak, o zaman
2
V1 V2
dB= 10 log 10 (--:-2- ) = 20 loglO-V-
V1 1 (2 - 122)
.
İki uç çiftindeki dirençlerin değerlerini dikkate almadan, Denk. (2 - 122) nin, vol-
taj oranınındesibel ölçüsünün tanımı olarak kullanılması yaygındır.
Geniş frekans bölgesi ile ilgilendiğimiz zaman ve G (jw) nın desibel cinsinden
büyüklüğünün w nın logaritması veya log (w /w 1> e karşı grafiğinin çizilmesi avan-
tajlıdır. Bu ozaman gerçekten bir log - log grafiği olur. Şekil 2 - 20 deki devre için
1\1 nin değerini Denk.(2 - 119) dan buluruz; böylece

1 (2 - 123)
M=
[1+ ( ~ ) 2
wl
1+
Bu fonksiyonun log (w /w 1 ) e karşı büyüklüğünün değişiminin grafiği Şek. 2 -
21 de gösterilmiştir. Düşük frekanslarda, w((w 1 olduğunda, (2 - 123) ten görülece-

49
ği üzere M bire yaklaşır ve desibel değeri de asimtotik olarak sıfıra yaklaşır. Yük-
sek frekanslarda, w »w 1 olduğunda, (2 - 123) ün paydasındaki biri ihmal edebiliriz
bu durumda M, 1/( w /w 1 ) e yaklaşır. Desibel cinsinden ifade edildiğinde

(2 · 124)

olur. Bu eşitlik,w/w 1 in 10 çarpanı

kadar artması halinde, dBvnın- 20dB değiş­
thdiğini gösteriyor. Aktarım fonksiyonunun frekans oranının ·her onluğu başına
20 desibel hızla düştüğü söylenir. Böylece, fonksiyon bu eğime Şek. 2. 21 de gö-
rüldüğü gibi asimtotik olarak yaklaşır.

w
Wı
0.,01 002 005 O1 O 2 50 100
5
0ı----ıı::::,,......----,.,,,--.......,,.,
>
aı
"0
1
o
.
o
111

-::::--10
-30 ~
.~

N
-2.. (1J
Le.
:e -20 -60

-30

Şekil 2 - 21 Düşük frekans geçiren süzgeç için azalma ve faz grafikleri.

İki asimtot uzatıldığında b·unların köşe frekansı denen w = w 1 noktasında,
kesiştiği görülür. Bu frekansın değeri ·
1
(2 · 125)
21rRC

dir. •Bölüm 2 • 6 da tanımlanan yarı• güç açısal frekansı ile radyan frekansı w 1 bu
devre için aynıdır.
Şekil 2 - 21 deki frekans grafiğinin avantajı, w 1 in bilinmesiyle asimtotların
yerleştirilebilmesidir. Bazı durumlardaki amaç için asimtotlardan alınan azalma

değerlerinin doğruluğu yeterlidir . .Köşe frekansına yakın bölgede daha hassas

değerler gerekebilir. Asimtotlara uygulanacak düzeltmeler Denk. (2-123) yardı­
mıyla hesaplanabilir. Sonuç olarak :

w/w 1 in değeri 0,2 0,5 1 2 5

M(dBv) nin asimtotik değerindeki dilzeltme
-0,17 -0,97 - 3,0 - 0,97 - 0,17

50
bulunur.
Denklem (2 • 119f dan faz kayması o yı hesapladığımız ve bunun grafiğini
çizdiğimiz zaman Şek. 2 - 21 deki eğriyi elde ederiz. Bulunan faz kaymaları nega-
tiftir, bu E 0 ın Ei den geri kaldığını gösterir. Bu nedenle devre, güdümlü pratiğinde
bir geri bırakma devresi, olarak adlandırılır. Devre aynı zamanda bir düşük-frekans
geçiren süzgeç olarak ta alınabilir. Çünkü aşağı frekanslar azalmaya uğramadan
geçirildiği halde yüksek frekanslar azaltılır.
Eğer seri RC devresi yeniden düzenlenir ve çıkış voltajı direnç üzerinden
alınırsa Şek. 2 - 22 de gösterilen azalma ve faz belirtgenleri elde edilir. Voltaj
aktarma fonksiyonu

R jwRC (2 - 126)
G(jw)=---1--
1+ jwRC
R+-:--C
JW

biçimindedir. 1/RC yerine w 1 koyarsak

j_w
__
wl
G(jw) = - - - - - - - M exp j o (2 · 127)
l+j-w
__
wı

elde ederiz. Şekil 2 - 22 nin gösterdiği gibi, düşük frekanslar azaldığı için devre bir
yüksek frekans geçiren süzgeç gibi davranır. Bunun yanında, çıkış voltajının fazı
giriş sinyaline göre ilerdedir ve dolayısıyla devre aynı zamanda bir ileri faz şebeke­
si olarak ta adlandınlabilir.

0,0t 0,02. 0,.05 0,t 0,2 5 2 5 10 20 50 100

5
o ----;.;..;:~
>
aı
~ -10 60 ~ •
~
~ N
ci" IO;
30 ı.....

-30- - - - - - - -=-:-:-=-=-=-=---..J o

Şekil 2 - 22 Yüksek frekans geçiren süzgeç için a;ıalma ve faz grafiği.

S1
 Şekil 2 - 23 te gösterilen değiştirilmiş ileri faz şebekesi bazı güdümlü sistem-
lerinde kullanılmaktadır.
C

+ +
E1 Eo

Şekil 2 - 23 İleri faz devresi.

Bu devrenin aktarma fonksiyonu)

R2 1+ jwCR 1
G(jw) = ( Rı + R2 ) ( jwCRı R2 (2 - 128)
ı+~----

Rı + R2

biçiminde verilebilir. Yeni a ve w 1 parametrelerini aşağıdaki gibi tanımlarız;

R2 1
c,=--- ve (2 - 129)
Rı+R2

Bu durumda (2 - 128)

G(jw) =o------ (2 - 130)

. ow
1 +1---
wı

olarak yazılabilir. Bu fonksiyonun hızlı bir şekilde grafiğini çizme yöntemi ,seri
RC devreleri için geliştirilmiş olan fikirlerin genişletilmesi ile elde edilir. önce
(2 - 130) daki karmaşık terimleri kutupsal biçimde ifade ederiz, böylece

M 1 exp jo 1 . Mı (2 - 131)
G (jw) =a ----- °' ~ exp j(o 1 - o 2)
M2 exp jo 2 2

olur. Burada o gerçek ve w dan bağımsızdır, fakat M 1 ve M 2, w nın fonksiyonudur.

G(jw) nın büyüklüğünü desibel cinsinden ifade edebilmek için

(2 -132)

52
olduğuna dikkat ederiz. Başka bir deyişle, Denk. (2 • 130) un sağ tarafının büyük-
lüğünün desibel cinsinden ifadesi, üç bileşen çarpanın desibel değerlerinin cebir-
sel olarak toplanmasıyla elde edilebilir. Bundan başka Denk. (2 - 131) faz açısı,
karmaşık çarpanlardaki açıların farkıdır.
Denklem (2 • 131) deki karmaşık çarpanların incelenmesi her çarpanın, biri
düşük frekanslar için diğeri yüksek frekanslar için olmak üzere iki asimtotla çö-
zümlenebileceğini gösterecektir. Paydaki terimin köşe frekansı w 1 dir ve bu terim
köşe frekansının üzerinde her onda, 20 dB artan bir hızla yükselen bir asimtota
sahiptir. Paydaki terimin köşe frekansı w 1 / °' dır. Büyüklüğün toplam desibel de-
ğeri her frekanstaki üç desibel bileşeninin toplanması ile bulunur. Bu teknikle
<t"" 0,2 değeri için elde edilen sonuç eğrisi Şek. 2 - 24 te gösterilmiştir. Düşük
frekanslarda azalma - 14 dBv dir. Çünkü voltaj oranı °' ve 20 log 10 0,2 = - 14
tür. Yüksek frekanslarda voltaforanı 1 e veya sıfır desibele yaklaşır. Bu fonksiyona
yapılan doğrusal yaklaşıklık,çizgi çizgi ile gösterilen ABCD eğrisidir.
Aktarma fonksiyonunun fazı, aynı şekilde bileşen terimlerin faz kaymaların­
dan, Denk. (2 -131) de gösterildiği şekilde elde edilebilir. Sonuç eğri, Şek. 2 - 24,
ileri fazın iki köşe frekansı arasındaki bölgede geniş bir maksimumdan geçtiğini
göstermektedir.

10

C o
>
m o
'O
1 '12
::E

-10 2

A
-20
0,05 o,ı 0,2 0,5 2 w 5 10 20 50 100
(o) Wı
.; 40
QJ
"O
1
1 30
ez,
N 20
m
I.J_
10
o 10 100
~I
(bl

Şekil 2 · 24 Şekil 2 · 23 teki ileri faz devresinin°' = 0,2 için azaltma ve faz
eğrileri.

53
 2- 10
Doğrusal ve iki-uç-çiftli şebekelerin parametreleri ve eşdeğer
devreleri

Elektronik uygulamalarda çoğunlukla yükseltici gibi bir iki terminal çiftli

şebekenin bir sinyal kaynaği ve yük arasına konulmasıyla ilgileniriz. Bu durumda
bu tür şebekeler için biçimsel teoriyi kullanabiliriz. Bu teori, transistör içeren dev-
relerle uğraşırken özellikle yararlıdır. t
Genel bir devre Şek. 2 - 25 te gösterilmiştir. Bu devre, iki akım ve iki voltaj-
dan oluşan, incelemede kullanılacak dört değişkeni tanımlar. Bunlar sinüzoidal
nicelikleri temsil eden fazörler olarak bilinirler ve reaktif elemanlar yoksa veya ih-
mal edilebilirse oluşt4rdukları denklemler ani değerlere uygulanabilirler. Simetrik
eşitlikler elde edilebilmesi için ı 2 akımının yönünün. şebekeye doğru alındığına

dikkat çekeriz.

Şebeke
V1 • (Pasif veya pasif Vz
o-.....____.ve aktif elemanl~r ~

~ekil 2 - 25 Genel iki uç çiftli şebeke.

Değişkenlerin herhangi bir çifti bağımlı değişken olarak alınır ve sistemin

doğrusal olduğu varsayıldığından bu değişkenler diğer değişkenlere bir çift doğ­
rusal eşitlikle bağlanabilir. Bunôan ötürü altı eşitlik yazılabilir ancak biz sadece
bunların daha önemli üç kümesini kısaca inceleyeceğiz.
V 1 ve V2 bağımlı değişken olarak alındığından Z parametreleri, aşağıdaki
eşitliklerde olduğu gibi, sağ tarafın katsayılandır.

(2 - 133)

(2 -134)

z !er şebekenin girişi veya çıkışının açık devre olduğu durumlardaki ölçümler
cinsinden ifade edilebilirler. örneğin, eğer çıkış uçları açık devre, dolayısıyle ı 2 =0
ise o zaman zi = v1 ıı 1 dir. Genel olarak, z ler karmaşık niceliklerdir ve boyutları

t E.A. Guillemin, Communication Networks, John Wiley Sons, ınc., New York, 1935, voı. 2,
PP. 132 ff.

54
impedans t cinsindendir.
ı 1 ve ı 2 nin bağımlı değişken alındığı zaman şebeke eşitlikleri y parametre-
lerini içerir; böylece

(2 - 135)

(2 - 136)

y parametreleri kısa devre parametreleri olarak adlandırılırlar. örneğin, eğer çıkış

kısa devre yapılırsa, o zaman yi= 11 /V 1 çünkü V 2 = O dır. Bunun yanında V1 = O
olduğunda, Yr = ı 1 ıv 2 olur ve bu da kısa devre taşıma admittansıdır.
Şekil 2 - 26 da gösterildiği gibi temel eşitlikleri sağlayan eşdeğer devreler
kolayca çizilebilir. Bu devreler Şek. 2 - 26a da gösterilen, akımla kontrol edilen
ideal voltaj kaynaklarını, veya voltajla kontrol edilen ideal akım kaynaklarını Şek.
2 - 26b,içerebilirler. z parametrelerini içeren başka bir eşdeğer devre Şek. 2 - 27
de gösterilmiştir. Bu devre eşdeğer - T biçimindedir ve sadece bir kaynak içerir.
Bu biçim, transistör devrelerinin düşük frekans çözümlemelerinde kullanılacaktır.

(ol (b)

Şekil 2 - 26 Eşdeğer devreler (a) z parameterleri,(b) y parametreleri.

l2

+
Vz

Şekil 2 - 27 z parametreleri cinsinden eşdeğer - T devresi.

Sadece direnç, sığaç, indüktans ve iç indüktans içeren, pasif, şebekelerde.
aktarma impedansları eşittir (zr = zr)- Bunun sonucu olarak Şek. 2 - 27 deki

t Genel olarak devre çalışmalarında şebeke parametreler için başka bir tür indisler kümesi
kullanılır : zi = z 11 , zr = z 12, zf = z 21 ve z 0 = z 22 . Ancak,ıgirişc, r zıtaktarma etkisine,
f ileri aktarma etkisine ve·o ·da çıkışa karşılık geldiğinden bu indislerin kullunıı­
ması elektronik çalışmada avantaj sağlar.

55
 c'
/
I
I
kaynak voltajı, pasif bir şebeke için, S\fırdı.r. Bir veya birden fazla sinyal fre-kansın­
da, kontrollü enerji kaynağı içerer,, aktif şebekelerde, genel olarak zr * zf dir.
Dolayısıyla Şek. 2 - 27 deki ka,ynak, kontrollu bir kaynağı temsil edecektir.
Transistör devre analizinde üçüncü bir şebeke denklemleri kümesinin yarar!~
olduğu ispatlanmıştır. Bu kümede V 1 kümesi ve ı 2 bağımlı değişken o~:.iii.İc alınır.
Böylece, bir karışık veya melez d~rıkiemler kümesi kullanılır.

(2 - 137)

(2 - 138)

Burada kullanılan h parametrelerini aşağıdaki biçimde ayrıntılı olarak tanımlamak

yararlı olacaktır:

Vl Çıkış-kısa devre olduğunda giriş

h -(--) = (2 - 139)
i- 11 V2 =O impedansı

Giriş açık devre olduğunda ters

(2 -140)
voltaj oranı

Çıkış kısa devre olduğunda ileri

(2 • 141)
akım oranı

Giriş açık devre olduğunda çıkış

(2 · ,142)
admittansı

ı,

1 +
iio Yı

Şekil 2 - 28 h parametrelerine dayanan eşdeğer devre.

Görüyoruz ki hi bir impedans, h 0 bir admittans ve hr ile hr birer boyutsuz

orandır. Temel eşitlikleri sağlayan bir eşdeğer devre Şek. 2 - 28 dedir. Bu devre
transistör incelemelerine . uygulandığı zaman akım kaynağının yükseltici etkisi
verdiğini ve voltaj kaynağının da cihazda küçük, tabii bir geri beslemeyi temsil
edeceğini bulacağız.
Şimdi belli bir cihaz veya devreyi karakterize eden üç parametre kümesine
sahibiz. Bu parametre kümelerinin birbirine bağlı olacağını, dolayısıyla bir küme

56
biliniyorsa diğerlerinden herhangi birinin hesapla.nabileceğini ümit ederiz. Bu1ger-
çekten de böyledir. Parametreler arasındaki bağıntılar Ek C deki listede verilmiştir.
Bunlar, bir kümenin parametrelerinin ölçülmesi fakat şebeke hesaplarında diğer
kümenin parametrelerinin kullanılmasının tercih edildiği durumlarda yararlıdır.

2-11
·şebeke parametreleri cinsinden şebeke özellikleri

Vs voltaj sinyali ile Z s kayn_ak impedansı üzerinden beslenen ve ZLyük im-

pedansı ile sonlandırılan genel bir iki uç çiftli şebekeyi inceleyelim,Şek. 2 - 29.
Böyle bir sistemin tipik bir örneği bir transistör yükselteçtir. Bu sistem için de-
ğişik parametreler cinsinden, voltaj ve akım oranlan veya verim ve giriş çıkış im-
pedanslan gibi niceliklerin formüllerini çıkarmak yararlıdır. Akım kazancı Ai yi
ı 2 tı 1 ve voltaj kazancı .Avyi V 2 ıv 1 biçiminde tanımlarız. Zi giriş impedansmı ve
Z0 da çıkış (Thevenin) impedansını göstersin.
Zs ,. Ys 11 12

Şebeke Zt
Vı
zi (z,y veya t, ·
dec:)işkenleri Üe
Zo
Vz
•
YL
1
belir~inleştirilmiş

Şekil 2 - 29 Sinyal kaynağı, şebeke ve yükten oluşan sistem.

Bu niceliklerin formüllerini, (ispatlamaksızın) parametreler ve

t::.y = Y·Y
10 -y r-'vf
(2 - 143)

bağıntıları ile tanımlanan belli determinantlar cinsinden vereceğiz. İmpedanslar ve

kazançlar aşağıdaki gibi yazılabilir :

t::.z + ziZL Yo + YL t::.h+hiYL

Z.= (2 - 144)
1 zo+ ZL - t::.y + yiYL lıo + YL

t::.z + zozs yi + ys hi + zs
zo = (2-145)
zi + zs t::.y+ Yoys t::.h + lıOZS

- Zr YfyL hr
Ai (2 -146)
zo + ZL t::.y + yiYL I + Iı 0 ZL

57
 (2 - 147)

Belli bir durumda kullanılacak parametre türünün seçimi devrenin tipine

bağlıdır.Transistörler için melez (h) parametreleri çok kolay ölçülebilir ve bu me-
lez parametreleri kullanarak transistör devreleri üzerine yapılan hesaplar çoğun­
lukla en uygun şekilde yapılabilir.

KAYNAKLAR

2. 1 J.A. Edminister, Theory arıd Problems of Electri~ Circuits, Schaum Publis-

hing Co., New York, 1965.
2 . 2 A.E. Fitzgerald and D.~. Higginbotham, Basic Electrical Engineering, 2d ed.,
McGraw - Hill Book Company, New York, 1957, Chaps. 1- 5,7.
2 - 3 H.H. Skilling, Electrical Engineering Circuits, 2d ed., .Tohn Wiley Sons, ine.,
New York, 1965.
2 - 4 J.L, Studer, Electronic Circuits and lnstrumentation Systems, John Wiley
Sons, ine, New York, 1963, Chaps. 1 - 6.

ALIŞTIRMALAR

2 - 1 Aş:ığıdaki ifadeleri kutupsal yeni (N!!) biçiminde yazınız : (a) .4 + j3,

(b) -1 + j3, ve (c) 8expjrr/6.
2 - 2 Aşağıdaki ifadeleri kartezyen yani (x + jy) biçiminde yazınız: (a) 8expj/6,
(b) 5/53 1 1°, ve (c) 5(expjrr /4) (10&.!}__0 ).
2 - 3 (a) 1/4 - j3) kesrinin pay ve paydasını 4 - 3j nin karmaşık eşleniği ile çarpa-
rak k·esirli (paydası gerçek) bir sayı haline getiriniz. Aynı kesri, paydasını önce ku-
tupsal biçime çevirip, tersini alıp sonrada kartezyen biçimine çevirerek, rasyonal
yapınız.

2 - 4 (2 t j2) / (4 t j3) ifadesini (2 - 3a) veya (2 - 3b) problemindeki yöntemi

kullanarak x + jy biçimine indirgeyiniz. Hangi yol daha hızlıdır?
2 - 5 Şekil 2 - 30 daki e 1 ve e 2 sinüzoidal voltajlarının aşağıda (a) ve (b) şıklann­
da verilen değerleri aldığını varsayarak e 3 voltajını bulunuz ve onu tek bir sinüzo-
idal nicelik biçiminde ifade ediniz. Yol gös : Fazör yöntemini kullanınız.
(a) e 1 =- 10 sinwt, e 2 "' 5 coswt

(b) e 1 = 10 cos (wt

0
t 60°), e 2 = 8..cos (wt - 30°)

58
 Şekil 2 • 30 Şekil 2 · 31

2 - 6 Şekil 2 - 31 deki i 1, i 2 ve i 3 akımları aynı frekanslı harmonik dalgalardır.

Ampermetre okumalan : ı 1 = 2,6 A kok, ı 2 = 3,9 A kok, ve ı 3 = 5,3 A kok dir.
i 1 i faz için referans alarak i 2 ve i3 ün faz açılannı bulunuz. Bütün mümkün olan
değerleri sıralayınız.

2 - 7 E = 10 + j 17 ,32 V biçimindeki fazör voltajı bir devreye uygulanıyor ve

1 = 4 + j3 A lik fazör akımı elde ediliyor. Bunlar kok değerleridir. (a) devreye veri-
len ortalama gücü, ve (b) karmaşık devre impedansını bulunuz.
2- 8 Seri bir devrede R = 80n, L= 12 mH, ve C = 0,5 µF ve w= 2nf=· 10 4 iseZ
impedansı nedir?
2 - 9 Bir servo motorun kontrol sarımı 400 Hz frekansta 100 + j150n impedansa
sahiptir. Bu sarımın, Şek. 2 - 32 de gösterilen bir şönt sığaç yardımıyla reaktif
bileşeni olmayan direçli bir yük gibi bir yükselticiye akordlanması gerekmektedir.

(a) Gereken C sığacının değerini bulunuz. (b) Birleşimin eşdeğer direnci nedir?
2- 10 R = 5n, L = 0,1 H, ve C = 10 µF den oluşan bir devreyi dikkate alınız. Bu
devre sabit voltajlı fakat w radyan frekanslı bir a.a. kaynağı ile ·beslenmektedir. w
değiştiği zaman akım da bununla Şek. 2 - 23 deki gibi değişecek ve wr rezonans
frekansında maksimum Ir değerine varacaktır. Radyan frekanslan w 1 ve w 2, akı­
mını I = Ir/Y2 değerini aldığı noktalar olarak tanımlamaktadır. Bunlara yarı - güç
frekanslan adı verilir. (a) wr, (b) w 1, (c) w 2 ve (d) Lw /w değerlerini hesaplayınız.
Burada, Lw = w 2 - w 1 dir. w/wr = R/w~ olduğunu gösteriniz.Yapmayabilirsiniz:
2 - 11 Şekil 2 - 34, Es ye göre fazı kaymış Ex voltajını elde etmek için kullanılan
devredir. w = ıo 4 olduğunu varsayınız. Es yi esas alarak, Ex in fazını, R nin (a) 1 kn,
(b) 10 kn, ve (c) 40 kn değerleri için bulunuz. Aynı zamanda Ex in büyüklüğünü
Es nin kesri olarak bulunuz.

400 Hz
100

-z C
j 150

o~--1----+---+--+--L--w
Wı W, Wz
Şekil 2 · 32 Şekil 2 · 33

59
2 - 12 Köşe frekansı 10 4 rad/s1;1 olan, düşük frekans geçiren bir süzgeç istemekte-
yiz. (a) Eğer sığanın değeri 0,1 µF ise hangi değerde bir R direnci kullanılmalıdır?
(b) w = 10 rad/sn oldüğu zaman azaltmanın büyüklüğü ne kadardır?
dB ve oran olarak ifade ediniz.
2 - 13 Şekil 2 - 23 deki ileri faz şebekesinin parametrelerinin değerleri R 1 =10 4 n,
C = 0,1 µF, ve R 2 = ıo 3 n olsun. (a) "köşe frekansı ve asimtot" yöntemini kulla-
narak yaklaşık, log - büyüklüğünün dB cinsinden açısal frekansa karşı grafiğini
çiziniz. (b) Bu yöntemin uygulanması ile elde edilen en büyük ileri faz açısını be-
lirleyiniz.
2 - 14. Bir dengelenmiş voltaj bölücü devrenin eşdeğer devresi Şek. 2 - 35 de gös-
terilmiştir. Bu şebeke bir Ki osiloskop girişinde kullanıldığı zaman denenen devre
üzerindeki yükü azaltır ve başka yararlı özellikleri vardır. Bu uygulamada, c 1R 1
birleşimi zırhlı deneme kablosunun ucundaki bir prôbun içindedir, ve R 2 ve c 2
kablo sığası ite KIO yükselticisinin giriş impedansının toplamını temsil etmektedir.
(a) R 1c 1 = R 2c 2 olduğu 'zaman, E 2 nin E 1 ile aynı fazda olacağını ve E 2 /E 1 in
harmoriik deneme sinyalinin frekansından bağımsız olduğunu gösteriniz. (b) Eğer
E 2 = ıo 6 n ve c 2 = 50 pF ise E 2JE 1 = 0,1 olması için gerekli R 1 ve c 1 değerlerini
seçiniz.
tlrnek

KIO

Şekil 2 - 34 Şekil 2 - 35 Dengelenmiş voltaj bölücü

2- IS (a) (2 - 144); (b) (2 - 145); (c) (2 - 146) ve, (d) (2 -147) denklemlerinin h
parametreleri cinsinden ifade edilen kısımlarını çıkarınız. Yol gös : h parametrele-
rine dayanan eşdeğer devreyi Şek. 2 - 29a koyunuz ve elde edilen şebekeyi iste-
nen oranlar için çözünüz.
2 - 16 Alıştırma 2 - 15 i z parametre formülleri için tekrarlayınız.
 3
Yaniletkenler ve Metal- oksit - yarıiletken Alan Etkili Transistör

3-1
Giriş

Bu kitapta elektronik terimi, yan iletken cihaz, vakum. ve gazlı tüpler ve bu

tür araçlan kullanan sistemler, özellikle ölçme ve veri işleme alanlannda yararlı
olan sistemler üzerine olan çalışma alam demektir. Bu uygulama alanının çok ge-
niş olmasından ötürü kendimizi temel ilkeler ve aydınlatıcı örneklerle sınırlandır­
malıyız. Temel bağıntılann çoğu ayrıntılanyla verilmekle birlikte, bazılan zaman
ve yerden kazanmak amacıyla, ispatsız verilecektir. Esas olarak, işleme nicel ola-
caktır fakat bazı konular için nitelik çalışması yeterli olacaktır.

3-2
Aygıtlar ve devreler

Elektronik aygıtlann incelenmesi; aygıtın içindeki fiziksel hareketlerin araş­

tırılmasına veya sadece laboratuvarda incelenebilen dış belirtgenlerin inAcelenmesi-
ne dayandırılabilir. Ancak, iç fiziksel hareketlerin yeterli miktarda anlaşılması ge-
reklidir böylece dış belirtgenler daha anlamlı hale gelir ve aygıtın sınırları daha iyi
takdir edilir.
Devreler üzerine çalışmamız bir alan etkili transistörün grafik çözümleme-
siyle başlayacaktır. Daha sonra yan iletken diyotlar içeren devrelerin matematik-
sel çözümünü geliştireceğiz ve bunu takiben de aynı işlemi üç uçlu yükseltici cihaz
için yapacağız. Temel elektronik devreler, yükselticiler, titreşkenler, modülatörler,
algılayıcılar, dalga şekillendiren devreler ve veri işleyen devreler daha sonra incele-
necektir. Bundan sonra, bu temel elektronik devreleri birleştiren elektronik sis-
temler anlatılacaktır. Bu nedenle temel devrelerin, farklı giriş sinyalleri ve değişik
yükler için davranışlarını bilmeliyiz.
Karmaşık bir elektronik sistem incelenirken devrelerin gerçek temel parça-

larının mümkün olan düzeyde sembollerle gösterilmesi çok avantajlıdır. örnek ola-
rak, Şek. 3- la daki diferansiyel yükseltici, Şek. 3- lb deki diyagramda içindeki
devreleri göstermeden bir dikdörtgen ile gösterilmiştir. Ancak karmaşık elektronik
sistemleri elektronik cihazların temsillerini ve temel elektronik devrelerin ayrıntıla­
rını inceledikten sonra Şek. 3 - lb de olduğu gibi blok diyagram temsili kullanarak
emin bir şekilde çözümleyebiliriz.

61
 (a)

.....
"'{
.....L
(.!)

{ b)

Şekil 3· 1 (a) Diferansiyel yükselticiler.(b) Blok diyagram sembolü.

3-3
Metaller ve yaniletkenler

Yarı iletkenlerde elektrik iletimi konusuna modellerdeki iletim mekanizma-

sını tekrar gözden geçirerek başlayabiliriz. Metalik bir kristali düşünürsek, onu

içinde valans elektronların gelişigüzel dağıldığı, kristal kafesini oluşturan düzgün

iyonlar sıralaması olarak tasvir edebiliriz. Bu elektronlar--0ygulanan bir elektrik
alanının etkisinde hareket edebilecek şekilde serbesttirler ve onların hareketi
ınetaldekl akımı oluşturur.

Elektrik alanı, elektronları ~ir doğru boyunca hareket etmeleri için zorlar.
Buna rağmen, elektronlarla kristal kafesi arasındaki etkileşmeler elektronların
bir zik • zak yolu takip etmesine neden olur. Akımı hesaplamak için alan doğrul­
tusundaki ortalama veya ilerleme hızına ihtiyaç vardır. O zaman akım yoğunluğu

J= neu (3 - 1)

biçiminde ifade edilebilir. Burada n birim hacimdeki elektron sayısı, e elektron

62
yükü, ve v de ilerleme hızıdır. Deneyler v nin elektrik alan şiddeti E ile doğru oran-
tılı olduğunu göstermektedir, dolayısıyle

(3 - 2)

yazabiliriz. Orantı sabiti "n elektron mobilitesi olarak adlandırılmaktadır. Denk-

lem (3 - 1) deki v yerine (3 - 2) deki değerini koyarsak

(3 - 3)

eşitliğini elde ederiz. Denklem (3 - 3) etkisi bakımından J = o E biçiminde yazılabi­

len Ohm yasasıdır. Böylece iletkenlik için

(3 - 4)

elde ederiz. örneğin, bakırda cm 3 te 10 23 atom vardır, her atomda bir serbest
elektron olduğunu varsayarak n = 10 23 cm- 3 •"n = 47 cm 2 /V - sn değerini kulla-
narak iletkenlik için o ~ 0,75 x 106 mho/cm buluruz. Bu yüksek iletkenlik değeri
hareketliliğin ve birim hacimdeki elektron sayısının büyük değere sahip olmasın­
dan ötürüdür.
Metalik iletkenliğin iki yönü üzerinde durmağa değer. Bunlann birincisi, ta-
şıyıcı sayısının, ısısal genişlemeden ötürü olan küçük değişmelerin dışında, sabit
olmasıdır. Bu nedenle, sıcaklık değişiminin neden olduğu gibi, iletkenlikteki deği­
şimler, elektronlarla iyonik kafes arasındaki etkileşmeler ("çarpışmalar") sonu-
cunda hareketlilikte meydana gelen değişmelerden kaynaklanır.
İkinci olarak, kristalde yerel olarak oluşan elektrostatik nötürlük üzerinde
duracağız. Teorik hesaplar, yerel olarak bir yük fazlalığı oluşmuş olsa bile bu faz-
lalık, 10-17 sn mertebesi gibi ç~k kısa bir zamanda kaybolduğunu gösteriyor.
Genel olarak, yarıiletkenler, iyi metalik iletkenlerin iletkenliklerinin yakla-
şık, 104- 10- 7 katı kadar iletkenliğe sahip olan materyaller olarak tanımlanabilir­
ler. Biz dikkatimizi kristal yaniletkenler, özellikle germanyum ve silikonun üzerine
toplayacağız. Silikona önemi bakımından ağırlık vereceğiz.
Silikon ve germanyumun her ikisi de elmas yapısı denen, silikon veya geriııan­
yum atomlarının bir dört yüzlünün ortasında, köşelerdeki dört komşu atomdan eşit
uzakl'ıkta bulundukları bir düzende kristalize olurlar. Atomlar valans elektronların
ortaklığından doğan kuvvetler nedeniyle birlikte tutulurlar. Mutlak sıfırda tama-
men saf bir silikon kristalinin, dört komşu atomun her biriyle bağlı iki bağ elekt-
ronu olur. Bu durumda silikon dört birim pozitif yüke sahip olarak telakki edilir.
Bağ elektronları orta şiddetteki elektrik alanlarda hareket edebilecek kadar serbest
değildir bu nedenle kristal bir yalıtkan olacaktır.

63
 Eğer, şimdi kristalin sıcaklığı örneğin oda sıcaklığına
yükseltilirse, ısısal
uyarma enerjisi bağ elektronlarının küçük bir oranının normal yerlerinden oyna-
malarına yeterli olacaktır. Bu elektronlar iletkenlikte rol almak için serbest olma-
nın yanında; bir elektronun normal yerinde olmamasının neden olduğu ayn bir
iletkenlik olayı oluştururlar. Bu olayın anlatılması, bağ elektronunun ayrılması so-
nucu geride kalan yerin, boşluk olarak adlandırılmasıyla yapılır. Şekil 3 - 2 de bağ
elektronları, iyonlar, serbest elektronlar ve boşluklar kabaca -gösterilmiştir. Boşluk
oluşmasının bir serbest elektron ve bir boşluk oluşması demek olduğunun farkın­
da olmalıyız. Tekrar birleşme diye adlandırılan ve boşluk oluşmasının tersi olan
bir serbest elektronun bir boşluğu yok etmesi olayı da mümkündür.
Kristale elektrik alan uygulandığında serbest elektronlar metallerdeki gibi
akım oluştururlar. Buna ek olarak, elektronların boşluklarla yer değiştirmesi sonu-
cu boşluklar de elektrik alan yönünde hareket eder. ö~neğin, Şek. 3 - 2 de eğer
pozitif elektrik alan sola doğru ise elektronlar sağa doğru atlayıp şekildeki boşlu­
ğu yok edebilir böylece daha solda bir boşluk oluşur. Biz elektrik alan boşluğu so-
la gitmeye zorluyor deriz. Teorik incelemelerboşluğu, kütlesi elektronun kütlesinde
ve yükü de elektronun yükü büyüklüğünde fakat pozitif olan parçacıklar biçiminde
alarak, boşlukların hareketinin hesaplanabileceğini göstermiştir. Bu inceleme,
("boşluk hareketi" olarak anlatılan) elektron

Serbest ~ :
elektron •
•CÇ)•
•
•{Ç)•
•
•~•.... 0
- Bağlayıcı elektronlar
@·-@·
. . .CD)·.@
. .. Elektron yoklu~u
bir boşluk do~urur

Şekil 3 - 2 Silikon veya germanyumda iyonlar, bağ elektronları, serbest

elektron ve boşluk.

yerdeğiştirmelerinin atomdan atoma kadar olan uzaklığın birkaç katı olabildiğini

göstermektedir, ancak kolaylık olsun diye boşlukları yerleşmiş pozitif parçacıklar
olarak düşünebiliriz.
Şimdiye kadar katkısız, safsızlık katılmamış, olarak adlandırılan saf yanilet-
ken materyaller üzerinde durduk. Biraz sonra katkılı, içine kontrol edilen miktar-
da safsızhk katılmış yarıiletkenler üzerinde duracağız.
Saf yarıiletkenlerde elektronlar ve boşluklar çift oluşturduklarına göre

(3 • 5)

ya:ı.abiliriz. Burada n elektron konsantrasyonu, p boşluk bolluğu ve ni de iç ta-

64
şıyıcı bolluğu olarak tanımlanmaktadır. Bu bolluk, sıcaklığın hızla değişen bir
fonksiyonudur ve aynı zamanda valans elektronu koparmak için gerekli Eg iyon-
laşma enerjisine,

(3 - 6)

formülünden görüldüğü gibi bağlıdır. Burada A bir sabit, Eg eV cinsinden enerji, k

Boltzmann sabiti ve T de mutlak sıcaklıktır. Oda sıcaklığında Eg, germanyumda
0,66,silikonda 1,1 olduğu için germanyumdaki ni, silikondakinden çok büyüktür.
Bir elektrik alanının oluşturduğu akım yoğunluğu, Denk. 3 - 3 e benzer bir
formülle kolayca ifade edilebilir.

(3 - 7)

Burada µp boşlukların hareketliliğidir. Şimdi iletkenlik,

(3 - 8)

biçiminde yazılabilir. Katkısız materyalde bu a = (µn + µp)n ;e biçimindedir. ni

nin sıcaklıkla hızlı değişmesinin sonucu olarak [Bak Denk. (3 - 6)] iletkenliğin
( a) oda sıcaklığında derece başına yüzde 10 hızla değiştiğini bulabiliriz. Bu en saf
metallerdeki derece başına olan yüzde 0,4 hızla karşılaştırılabilir.
n- !erin değerleri 270°K de Sida ıo 9 /cm 3 ve 400°K de 10 13 /cm 3 tür. Bu
sayıları~ cın 3 başına düşen atomların sayısıyla, yaklaşık olarak 5 ~ 10 22 ile karşı­
laştınlmalıdır. Dolayısıyla 270°K de 10 14 atomda 1 atom ve 400° Kde 10 10
atomda 1 atom, bir elektron - boşluk çiftinin oluşumuna katkıda bulunur.

3-4
p - tipi ve n - tipi yarıilctkenler

Yukarı sıcaklıklarda, örneğin ıooo c ta, silikon, boron veya alüminyum gibi
0

3 valanslı metallerin küçük bir kısımını veya arsenik, fosfor veya antimon gibi 5
valanslı atomları çözer. üç valans elektronu olan boron atomlarının bir silikon
kristaline "katkı" olarak verildiğini varsayalım. Kristalin kafes yapısı değişmez,
ancak birkaç noktada silikon atomunun ye-rini horon atomları alır. Kristal elektros-
tatik bakımından nötür kalır ancak bir valans elektronu noksanlığı vardır. Odası­
caklığında kristal,çiftlenmiş elektron bağını horon atomu civarında tutmaya çalı­
şır. Bunu sağlayabilmek için çevreleyen atomlardan bir elektron alması gerekir,

Bu durum Şek. 3 - 3 de gösterilmiştir.

65
 Her boron atomunun, dört tane çiftlenmiş elektron bağıyla bağlandığında bir
fazla elektroııa sahip, olduğunu bu nedenle de bir boşluk yarattığını görüyoruz.
Borun alıcı safsızlık olarak adlandırılır. '.\fateryalin elektriksel olarak nötür kalma-
sına rağmen hareketli boşluk sayısı,alıcı safsızlık ekliyerek kontrol edilebilir. Bu
süreç kristali dope etmek diye adlandırılır. Boşluklar pozitif parçacık gibi davran-
dığından bu materyale p - tipi yarı iletken denir.

©· .@· -@· ·©
• • • •
u
.. ç
• • • • değerlikli
@• @• +-+ • @bor iyonu

~-ı,.·:. ·i. ·:
\t_j;I •\u:) •¼:_y} •¼:_y}
Boşluk yaratılmış

Şekil 3 - 3 Silikonda üç vıµanslı alıcı bir safsızlık bir boşluk yaratır.

Saf bir kristale 5 valanslı bir katkı eklendiğinde her eklenen katkı atomun-
da bir fazla va!ans elektronu vardır. Normal sıcaklıklarda bağ düzeni değişmez ve
fazla elektron serbest bir elektron olur. Bu nedenle bu tür elektron sayısını,ekle­
nen 5 valanslı katkı miktarıyla kontrol edebiliriz. Bu tür safsızlıklar kristale taşıyı­
cı elektron sağladıkları için verici olarak adlandırılırlar. Böylece oluşan materyal-
lere n - tipi yarıiletken denir.
p - tipi ve n - tipi yarıiletkımlerin yukarıdaki incelemelerinde ısısal uyarma-
nın bağ kırma yoluyla sağladığı taşıyıcılar ihmal edilmiştir. Bir katkılı yarıiletkende
n ve p,sırasıyla elektron ve boşluR bolluklarını göstersin. Kuantum teorisi ve ista-
tistiksel metodlar

(3 - 9)

sonucuna götürür. Burada ni saf kristaldeki bir taşıyıcının bolluğudur. ni nin sıcak­
lığa kuvvetli biçimde bağlılığı hatırlanmalıdır.

Denklem (3 - 9) un incelenmesinden,denge halinde bir tür taşıyıcının sayısı­

nın artması diğerinin azalmasına neden olduğu görülüyor. örneğin, eğer 325°K de
ni = ıcP /cm ise, horonla dope ederek P, io 13 /cm 3 e çıkarılırsa n = nr / p= 10 22 /
3

10 13 10 9 /cm 3 olur. Böylece aşırı p - tipi bir materyalde elektron bolluğu düşük
bir düzeye indirilmiş olur. Ancak bu düşük düzey bile bazı cihazların davranışını
etkileyebilir.
Eğer p ~- 10 13 ve n~- 10 9 /cm 3 olan bir p - tipi yarıiletkende bir elektrik ala-
nının etkisiyle oluşan akıma bakarsak elektronların etkisinin ihmal edilebilir oldu-
ğunu kolayca görebiliriz. p yi, p tipi bir ınateryaldeki,n yi den tipi materyaldeki
katkıyı güstermck üzere alt indis olarak kullanalım. Ayrıca,

66
 Na= hareket etmeyen alıcı iyon sayısı /cm 3

Nd = hareket etmeyen verici iyon sayısı /cm 3

olsun. Bu durumda denge şartlan için aşağıdaki yaklıışık ifadeleri yazabiliriz:

p - tipi içinde, Na> > ni, Nd = O· (3 - 10)

n - tipi içinde, Nd >>ni, Na= O (3 - 11)

Bu bağıntılar, sıcaklığın çok yükseldiği bu nedenle ni nin çoğunluk taşıyıcı (p - ti-

pinde boşluklar, n- tipinde elektronlar) sayısına yaklaştığı durumlar dışında geçer-
lidir. Çoğunluk taşıyıcının zıt işaretindeki taşıyıcılara azınlık taşıyıcı adı verilir.
Düzlem difüzyonlu transistörlerin ve toplu devrelerin fabrikasyonunda iki
tip katkının ardışık olarak verildiği yaniletken bölgeleri inceleyeceğiz. örneğin,
düşük iletkenliğe sahip bir p - tipi yarıiletken oluşturmak için bölgeye önce
hafifçe alıcı katkı eklenebilir. Sonra bölgenin bir kısmına,burada Nd > Na yapmak
ve böylece de bu bölgeyi n - tipi bir yarıiletkene çevirmek için,yeterli miktarda
bir verici katkı eklenir. Böylece,verilen bir bölgede alıcı ve verici katkıların her iki-
sine de sahip olabiliriz.
Genel olarak, elektrostatik nötürlük prensibi yarıiletkenlerin içinde geçerli-
dir. Bu .nedenle elektronların, boşlukların, alıcı iyonların ve verici iyonların bulun-
duğu bir bölgede

(3 - 12)

bağıntısı sağlanmalıdır. Denklem (3 - 12) nin sağlanmadığı ve bölgede net bir yü-
kiin bulunduğu, kural dışı, durumlar daha sonra gösterilecektir. Nötürlük prensi-
binden taşıyıcıların bolluklarının yerel olarak değişemeyeceği anlamı çıkarılma­
malıdır. Gerçekte, yarıiletken cihazların istenilen özellikleri yerel bollukları, uygu-
lanan bir voltajla değiştirebilme yeteneğinden kaynaklanır. Bu durumlarda her iki
tür taşıyıcının bolluğu nötürlüğü sürdürecek biçimde değişmelidir.

3-5
Boşluk hareketinin deneysel ispatı

Yarıiletken cihazların ayrıntılı incelemesine geçmeden önce Haynes ve

67
Shockley t nin bir deneyini inceleyelim. Oldukça uzun bir n - tipi germanyum
çubuğu E ve C gibi etiketlenen uçlara temas edecek şekilde Şek. 3 - 4 deki gibi
konmuştur. Bir V bataryası çubuk boyunca elektronik akım göndermektedir.
Çubuğun uçlarındaki elektrotlar ohmik tiptedir. S anahtarı kapatıldığında E
noktasının artı yüklenmesi ve negatif beslenmeli T noktasınd~ t:oplanan akımın

bir Ki osiloskopta gözlenmesi için gerekenler sağlanmıştır. .

Şimdi, S anahtarının, E yayıcı üzerinde kısa bir kare dalga voltaj pulsu (Şek.
3 - 5a) oluşturmak amacıyla kısa bir zaman için kapatıldığını düşününüz. Toplayı­
cı akımındaki bir değişme ile uyuşan bir yayıcı pulsu hemen gözlenir. Ancak,
bir zaman gecikmesinden sonra bir yuvarlanmış
s

8
...._----~-111. ._------'
Şekil 3 - 4 Haynes - Shockley deneyi düzeneği .

..ı

ğitJL__ Jl
..ı
E
;gUTLA_
u
<O ..ı 1 ~ ,[::;·;,
C

'ti~ f
~
1
I ı
1
~
1 td-, -t -ı

(ol (bl (el

Şekil 3 - 5 Haynes - Shockley deneyinin sonuçları.

toplayıcı pulsu_ vardır. Eğer deney daha düşük bir voltajla tekrarlanırsa gecikme
pulsu daha yaygın bir hale gelir ve daha uzu_n bir gecikme olur Şek. 3 - 5b.
Birinci puls, E ye uygulanan VE potansiyelinin neden olduğu elektron akı­
mının artması sonucudur. Bu artma çok ani olur, elektronların bakır teldeki gibi
çubukta olan etkileşmelerinden kaynaklanır. Geciken puls, Eden n - tipi materya-
le yayılan "boşluklar" bulutunun C ye varmasıyla oluşan akıma tepki olarak, açık-

t J.R. Haı,nes and W. Shockleı,, Phys.Rcv., 75,691 (1949). See aıso w. Shockley, "Transistor
Electronics: lmperfectıons, Unipolar and Analog Transıstors, "l'roc. lRE40, 1289-1313 (1952).

68
lanabilir. Bu bulut çubuk boyunca ilerlerken biraz dağılır. td zaman gecikmesi,
boşlukların, elektrik alanının kuvvet alanı etkisinde E den C ye gitmesi için gere-
ken zamanın bir ölçüsüdür. Böylece bu deneyle, boşlukların yaklaşık ilerleme hız­
ları ölçülebilir. örneğin, eğer elektrik olan 10 V /cm ve EC uzaklığı 0,4 cm ise.
ölçülen td gecikme zamanı 22 µsn civarında olacak ve 18.200 cm/sn kadar bir iler-
leme hızını gösterecektir. ·
·Eğer, V voltajı azaltılırsa, o zaman ilerleme hızı da azalır ve boşluklar bulutu
yayılmak için daha uzun zamana sahiptir, böylece C de alınan puls daha sonra-ge-
lir (Şek. 3-5b) ve daha fazla yayılmış durumda olur. Bunun yanında, etki daha kü-
c:üktür, çünkü çubuk boyunca yapılan seyahatte daha fazla boşluk elektronlarla
birleşerek kaybolmuştur. Şekil 3 • 5c de çubuk boyunca ilerleyen boşluklar bulu-
tunun şematik gösterimi verilmiştir.

3-6
Metal oksit yaniletken alan.etkili transistör ( MOYİAET)

Yarıiletken cihazlann incelenmesine metal - oksit yaniletken olan etkili

transistörle (MOYİAET) veya MOY1 transistörle başlıyoruz. Bu cihaz yükseltme
özelliğine sahip kavram olarak basit bir cihazdır. İki kuplajlı kavşak transistörün
daha yaygın olmasına rağmen, MOYİAET bazı uygulamalarda avantajlara sahiptir.
Şekil 3 - 6 zenginleştirilmiş tip n -kanal MOYİ transistörünün şematik diyag-
ramını göstermektedir. Cihazın gerçek yarıiletken kısmı çok küçüktür, 0,25 e 0,25

mm ve 0,18 mm kalınlıkta kaynakla akıtıcı bölgesi arasındaki aralık 20 mikron

(20 x ıo- 6 m veya 0,02 mm) ve oksit tabakası birkaç mikron kalınlık tadır. Uçları
S kaynak, G geçit ve D akıtıcı olmak üzere üç elektrodlu cihaz olduğu görülür. Ça-
Metal elektroclar
tabakası
Geçit
sy\ 1 o

Kaynak_ · n+ : , n• '
Akıtıcı
bölgesi L - - .• J .._ - - J
bölgesi
1
Kesit görünüş['

(b)
(o)

Şekil 3 - 6 n · kanal zenginleştirilmiş MOYİAET. Zayıf p- tipi gövdesi Vl'

kuvvetli katkılanmış (n +) akıtıcı - kaynak bölgelerine ve Si0 2 tabakası ile
yalıtkan hale getirilmiş geçit elektroduna dikkat ediniz.

69
!ışırkenkaynaktan akıtıcıya bir akım yolu kurulur ve geçite uyı,.rulanan voltaj kay-
naktan akıtıcıya olan akımı kontrol eder. Siü 2 mükrmmel bir yalıtkandır, geçit
tarafından gereken akım aşırı ölçüde küçüktür. Dolayısıyla geçite uygulanan çok
küçük bir güç akıtıcı devresinde oldukça yüksek bir gücü bir çeşit vana hareketiyle
kontrol edebilir.

+
n
' '' ''
''L ______________ J '' _________ .J

Şekil 3 - 7 Elektrostatik olan bir pozitif geçit ile serbest elektronları oksit
tabakasıııııı yanındaki dar bir kanala çeker.

Vana hareketinin mekanizması Şek. 3 - 7 de gösterilmiştir. Burada akıtıcı­

dan kaynağa olan v 0 8 voltajı düşük, diyelim 1 V varsayılmıştır. O zaman, geçite
uygulanan, kaynağa göre 4 veya 5 V oları V GS poZi-l;if voltajı, gövdedeki serbest
elektronları oksidin yanındaki bir tabakaya veya kanala çekme eğiliminde olacak-

tır. Bu etki normal olarak, bu kanalın boşlukların sayısından daha fazla sayıda
elektrona sahip olmasını sağlayacak kadar büyüktür. Yani kanal etki bakımından
el~ktrik alan sayesinde p -· tipi bir materyalden n • tipine değişir ve n • kanal
MOYİAET adını alır. Şekilde de görüldüğü gibi, elektrostatik alan çizgileri pozitif
geçitten serbest elektronlara uzanır. Şimdi akıtıcı kaynak voltajı v 0 8 ,kiınal bo-
yunca dikkate değer bir akım akmasına neden olacaktır. Bunun yanında, geçit
voltajının artırılması kanala daha çok elektron çekecek ve akıtıcıdan kaynağa

olan akımı artıracaktır. Ancak, geçit voltajı sıfıra indirildiğinde akıtıcıdan kaynağa
olan akım, p - tipi gövdenin alçak iletkenliği yüzünden sıfıra ,;ok yakın olacaktır.
\,._+ - Vo ---=-ı
1

(İo R
'G D
G

s
• 1
+
-=-- il8
v, vos
VGS 1

Şekil 3 - 8 Basit bir MOYİAE'l' yükselteç devresi.

70
 MOYİAET in Şek. 3.9 daki devreye takıldığını varsayalım. Burada üç uçlu cihaz
sembolik biçimde gösterilmiştir. G ucu, geçit ucu, D ucu, akıtıcıyı; ve Sucu da kay-
nağı göstermektedir. Kaynak ucu iki devre çevriminde ortaktır. önce bu devreyi
cihazın kendi kontrol belirtgenlerini ölçmek için kullandığınızı düşünelim. Bu
yaygın olarak, "GS yi sabit bir değerde tutup "DS yi değiştirip akıtıcı akımı in yi
g~zleyerek yapılır. Sonra "GS değiştirilir ve yeni bir veri kümesi kaydedilir. "GS
akıtıcı • karakteristikleri (Şek. 3-9), diye adlandınlan ve i0 ini VDS ile olan bağın­
tısını değiştiren bir parametredir.

6r-----r---"'2'---r---~----,

1VGS = +3
21---H++~-➔---.-,.;-.....!!!j,,!===:ı

2 4 6 8 ıo

Yos - Volt
Şekil 3 · 9 Bir MOYİAET in akıtıcı belirtgenleri.
Biraz da kullanılan semboller üzerine bir açıklama yapmak gerekir. ıı ve i gibi
küçük harfler zamanla değişen değerler için, büyük harfler de sabit veya ortalama
değerler için kullanılmaktadır. Yakında artırımlı değerleri kullanacağız; bu neden-
le bir değişkenin toplam ve artırımlı bileşenlerinin ayrılması için bir yol tutulması
gereklidir. Bu,toplam değerler için büyük harf indis ve artırımlı değerler için kü-
küç harf kullanılarak yapılacaktır. Şekil 3 - 8 de toplam değerleri düşündüğümüz­
den "GS• "DS ve i0 gibi sembollerini kullandık.
Şekil 3 - 9 da akıtıcı belirtgenlerin_in (i 0 nin "DS ya karşı grafiği ve "GS
parametre) tipik bir kümesi gösterilmiştir. "DS nin düşük değerlerinde davranış,
doğrusal kontrol edilebilir bir direnç gibidir. Daha yukarı değerlerde eğriler bükü-

lüyor ve doyuma geliyor. Bu "GS = "DS noktası civannda oluyor. v GS nin "DS ye
eşit veya ondan daha büyük olduğu zaman, kanal boyunca ilerlendiğinde geçitten
kanala olan voltajda dikkate değer bir değişme vardır. örneğin, eğer "cs=+4Vve
"DS =+ 4V ise, o zaman geçitten kanala olan voltaj,kaynak tarafındaki uçta +4V
değerinden akıtıcı tarafındaki uçtaki O V değerine değişir. Eğer "GS = + 4V ve
"DS = + 6 V ise, geçitten kanala olan voltaj + 4 den -2 ye kadar değişir. "DS nin
artmasının ortalama elektrik alanı azaltma yönünde bir eğilimi olduğu görülebilir
dolayısıyla innin daha yavaş yükselmesi beklenir. Doyma durumunda, kanalİn

71
 herhangi bir parçasındaki ~lektron akımı artık elektrik alanının elektronları çek-
mesinden ötürü değildir.
0
Şekil 3 - 9 un gösterdiği gibi i ,düşük u
08 değerlerinde uGS nin doğruya
yakın bir fonksiyonudur. Ancak doyma bölgesinde bağıntı doğrusal değildir. Bu
doğrusal olmama birçok yarıiletken cihaz için tipik bir özelliktir ve görüleceği gibi
bu tür cihazları içeren şebekelerle çalışma zorluğunu artırır.

3-7
MOYiAET yükselticinin grafik çözümlenmesi

Şekil 3 - 8 deki basit yükseltici devre, eğer MOYİAET in akıtıcıbelirtgenleri

bilinirse grafik yöntemiyle kolayca çözümlenebilir. Problem, yük direnci R üzerin-
tlt!ki yük veya çıkış voltajı v 0 ı giriş voltajı v 1 nın fonksiyonu olarak E,lde etmektir.
Doğrudan uygulanan voltaj, V B yük direnci, R, ve transistör akıtıcı belirtgenleri-
nin bilindiği varsayılmaktadır. Giriş voltajı v1 zamanla belli bir şekilde değişebilir,
ancak u1 nin değişmesi transistörde taşıyıcıların ilerlemesinde zaman gecikmesi
olayının veya sığa etkilerinin hata oluşturabileceği kadar hızlı olmamalıdır. Bu
nedenle sinyal eğer sinüzoidal ise, yeterli miktarda düşük frekanslara sınırlandml­
malıdır, böylece bu etkiler ihmal edilebilir.
Bu varsayımlar altında geçit akımını sıfır alabiliriz. Kirchhofrun voltaj yasa-
sını Şek. 3 - 8 deki sağ taraftaki çevrime uygularsak

(3 - 13)

elde ederiz. Fakat yönü dikkate alarak + u0 için

(3 - 14)

. yazabiliriz. Dolayısıyla

uos= VB-Rio (3- 15)

dir. Biz i0 veu 08 arasındaki iki bağıntıyı sağlamalıyız. Bunların birincisi Denk. (3-15)
tir. Diğeri ise akıtıcı belirtgenleri kümesidir ki bu geri kalan uag değişkenini bir
parametre olarak tanımlar. Grafik çözüm, akıtıcı belirtgenleri grafiği üzerine (Şek.
3 - 10 da yük doğrusuna bakınız.) Denk. (3 - 15) in grafiğini çizmekten oluşur.
Bu doğruyu belirleyen iki nokta (VB,0) ve (O, VB/R) dir, yani bu doğru'yatay
eksendeki VB noktasını düşey _eksendeki kısa devre akımı V 8 /R noktasına birleş­
tiren doğrudur. Şekil 3 - 10 da çözümlenen yükselticide v8 = 10 V ve R = 2 kn

72 < -
 Vı;s= +5

c(
E
1
..is

2 4 6 8 10

v05 -volt t
Şekil 3 - 10 Yük doğrusu metodu ile basit yükselticinin grafik çözümü.

dolayısıyla V 8 /R = 5 mA dir.A Akıtıcı belirtgeni ile yük çizgisinin kesiştiği nokta,

P de olduğu gibi, bir çözümdür. P noktasını alırsak, vas =+ 3V için apsiste v08 =
5,8 V ve v0 = - 4,2 V okuruz. Aynı şekilde diğer kesişme noktalarında aşağıdaki
değerleri elde ederiz:

vas (volt): O +1 +2 + 3 +4 +6

v08 (volt): 10 9,5 7,8 5,8 3,6 2,5 1,9

v0 (volt): O -0,5 -2,2 -4,2 -6,4 -7,5 -8,1

v 1 = v 08 olduğundan Şek. 3 - 11 de gösterildiği gibi giriş voltajına karşı

çıkış voltajının değişmesini
(voltaj aktarma belirtgeni) elde etmiş oluruz. Bu
eğrinin, MOYİAET in doğrusal olmama özelliğinden ötürü,ortadaki doğrusala yakın
bölge dışında, doğrusal olmadığını not edelim. '
Doğrusala yakın bölgede yararlı olan ve voltajdaki artırımlı yükseltme olarak
adlandırılan niceliği aşağıdaki gibi tanımlamak µygundur :

l:ıvo
artırımlı voltaj yükseltmesi =- - - (3 ~ 16)
t:ı v I

Şekil 3 - 11 deki değerleri kullanarak v 1 nın değerinin + 2 den + 4 V a değişmesi

durumunda t.u 0 /t.u 1 için [- 6.4 -(2.2) )/(4-2) =-2.1 buluruz.

73
 vı = vGs -volt
00 2 3 4 5 6

-2
+'
rl
o
:::,
1 -4
o
>

-6

-8

Şekil 3 - 11 Basit yükselticinin çıkış geriliminin giriş gerilimi ile değişimi

(Gerilim transfer fonksiyonu)

3-8
Doğrusal yükseltme; l>esleme voltajı ;
pratik bir besleme devresi

Bir sinüs dalgası voltaj sinyalini, dalgayı bozmadan yükseltmek istediğimizi

varsayalım. O zaman voltaj aktarım belirtgeninin doğrusal kısmını kullanmalıyız.
Bu Şek. 3 - 12a daki gibi sinyal ile seri durumda sabit bir besleme voltajı uygula-
makla yapılabilir. Burada besleme voltajinı 3 V olarak seçtik,böylece sinyal vol-
tajı sıfır olduğu zaman grafikteki çalışma noktası doğrusala yakın bölgenin orta·-
sında olsun. Tepe değeri 1 V a kadar oları "g giriş voltajları için mükemmele yakın
sinüs şeklinde değişen "o çıkış voltajı elde etmeyi bekleriz. Ancak, eğer giriş sin-
yali, diyelim 3 V tepe değerine yükselirse çalışma bölgesi aktarım belirtgeninin
doğrusal olmayan bölgesine uzanacaktır ve dalga bozulmuş olacaktır. Bu dalga,
Şek. 3 - 11 den, farklı zamanlar için yeterli toplam giriş voltajı "I değerlerinde "o
ı ·elde ederek ve grafiğini çizerek bulunabilir. 1 V ve 3 V tepe değerleri için so-
nuçlar Şek. 3 - 12b de gösterilmiştir.
"o dalgasını doğrusal bölge üzerinde,. 1 - V sinyalinde olduğu gibi~ "o ın
"i = O daki ve "i nın pozitif ve negatif tepe noktalarındaki değerlerini bularak, da-
ha sonrada bu noktalara bir sinüs dalgası uydurarak elde edebiliriz.
"o nun doğrusal olmayan bölgelerde bulunması, Tablo 3 - 1 de olduğu gibi,
bir değerler tablosu hazırlanmak suretiyle yapılır. Bu, voltaj aktarım belirtgeııini
kullanarak "g toplam giriş voltajının ani değ~rlerinden "o · ı nokta . nokta bulma
yöntemidir. Şekil 3 • 12b den göstereceğimiz gibi çıkış dalgası, pozit~f ve negatif

74
 2,r wt

fITGeçite

Sinyal v- ~ 1 -2
. ı' ~
.J.__ ö
+ V1 >

Besleme 3 V -=-
-1_ 4
1 -

?
-6
ı<.ayna(ıı
....._v0 için "?3 sınwt
-8
!al (b)

Şekil 3 - 12 (a) Besleme voltajı ile giriş devresi. (b) 1 - V ve 3- V tepe

sinyalleri için çıkış dalgaları.

tepe noktalarınınher ikisinde yassılaşarak, ciddi biçimde bozulmuştur.

v 0 ın başka bir bulunma yöntemi bir grafik kullanılması yoluyladır. Yapının
kurulması usandırıcı olmasına rağmen, yöntem besleme voltajındaki değişmelerin
etkilerinin gözlenmesi bakımından ayrıntılı olmasa bile yararlıdır. Bu tekniği açık­
lamak için besleme voltajının + 2V ve v; = 2 sin w t olduğu durumda elde edilen
v 0 ı bulmaya çalışalım. Bu durumda v1 = 2 + 2 sin w t <lir. Voltaj aktarım belirtgeni
yapının temelidir, Şek. 3 - 13. Bunun için v 1 aktarım belirtgeninin altına yardımcı

Tablo 3- 1

wt ut
~ l\-ı
(derece) 3 sin wt 3 + 3 sin wt Şek. 3-11 ılcıı ,

o o 3,0 -4,2
30 1,5 4,5 -7,1
60 2,6 5·,6 -7,9
90 3,0 6,0 -8,0
120 2,6 5,6 -7,8
150 1,5 4,5 -7,1
180 o 3,0 -4,2
210 -1,6 1,5 -1,2
240 -2,6 0,4 -0,l
270 -3,0 o o
300 -2,6 0,4 -0,l
330 -1,5 1,5 -1,2
360 o 3,0 -4,2

7S
 v1 - volt,
""'
--radyan

-2
o> o>
~
-4

C
<ti
>-
-g
H
1

Şekil 3 - 13 Voltaj aktarım belirtgeni ve v1 dalgası verildiği zaman v

0
dalgasının bulunması.

bir grafiğe zaman ekseni aşağı-doğru

olmak ve v1 in voltaj skalasına eşit bir skalaya
sahip olacak biçimde çizilir. v1 eğrisi üzerindeki her zamana P noktası gibi karşılık ge-
len v değerini, dikey olarak yukarı doğru çıkarak P den M ye çıkıldığı gibi buluruz.
O
Şimdi sağ tarafta v ın wt ye karşı bir voltaj zaman yardımcı grafiğini hazırlarsak;
0
v ın değerini çıkış dalgası üzerindeki yerine M den N ye geçerek elde edebiliriz.
0
Bu işlem, dalganın şeklinin istenen hassaslıkta elde edilmesi için yeterli sayıda
nokta için tekrarlanır. Şekilden birinci yarı devirin,sinüs dalgası şekline sahip ol-
duğunu fakat ikincinin ciddi biçimde bozulduğunu görüyoruz. Buna ek olarak her
iki yarı devir için v 0 daki değişmelerin büyüklüğü oldukça farklıdır.
Şekil 3 - 12a da gösterilen besleme yöntemi kullanıldığında, biri geçit devre-
si için diğeri de akıtıcı devresi için olmak üzere iki doğru voltaj kaynağı kullanıl­
malıdır. Sadece bir tane doğru akım voltaj kaynağı kullanan besleme biçimi Şek.
3 - 14 de gösterilmiştir. ic pratik olarak sıfır olduğundan besleme voltajı, voltaj
bölücü orandan hesaplanır : besleme voltajı = R 2 V8 /(R + R ), C sığacı doğru
1 2
akımı engelliyerek onun sinyal kaynağına girmesini önler. Eğer sinyalin vi bileşeni­
nin G noktasına, kayıpsız varmasını istiyorsak C yi üzerindeki sinyal . frekans
voltaj kaybının ihmal eciilebileceği bir değerde seçeriz. Eğer C den geçen sinyal -

76
 !

ı
vo
C G
...--ıı--+----ı
ı-o----' J_
-_ Ve

Şekil 3 - 14 VB den voltaj bölücü oran yardımıyla elde edilen geçit beslemi.
frekans akımını düşünürsek bu akımın R 1 ve RL dirençleri arasında bölündüğünü
görürüz. Toplama ilkesi geçerli olduğundan, doğru akım bileşenini dikkate alma-
dan sinyal frekans akımı ile uğraşabiliriz. Dolayısıyla, R1 ve R 2 dirençleri G nok-
tasından toprağa sinyal - frekans akımına etki bakımından paraleldir. Bu nedenle
C nin seçimi için kriter

(3 - 17)

dir. Bir örnek olarak VB = 10 V olsun ve besleme voltajı olarak 3 V seçelim. Vol-
taj bölücü oranının 0,3 olması için R 2 =o 300 kn ve R 1 = 700 kn alalım. Bundan
sonrada w = 1000 varsayarak C yi seçelim. Şimdi R 1 1 1 R 2 = 2,1 x ıo 5 n, ve
1/wC = 0,05 (R 1 1 1 R 2 ) olarak alalım. C için çözersek 0,095 µF buluruz, fakat
pratikte bunu C = 0,1 µF yapanz.

3-9
Bir yükselteciıi grafik çözümlenmesi (a) çıkış süzgeci olan;
(b) ideal çıkış transformatörü olan durumlar

a) Çıkış sığaç süzgeci

Şekil 3 - 12 ve 3 - 13 deki çıkış voltajları bir doğru akım bileşenine bir de

sinyal bileşenine sahiptir. Çoğunlukla doğru akım bileşenlerinin ayrılması istenir

ve bunu yapmak için bir yöntem bir sığaç kullanarak yükün doğru .akım çıkışını
engellemektir. Ancak akıtıcıya akım sağlamak için Şek. 3-15 de gösterilen, bir R 3
direnci, eklenmesi gereklidir. Grafik çözümü bu duruma uygulayacağız fakat Cr
nin, üzerinde kaybolan sinyal voltajının ihmal edilebilir olmasını sağlayabilecek
kadar büyük olması gereklidir.
Çözümlemede birinci adım, akıtıcı bejirtgen diyagramında sıfır sinyal voltaj
için gerekli hareketsiz çalışma noktası, veya Q noktasının belirlenmesidir. Budu-
rumda şebekedeki bütün akımlar doğru akımdır, dolayısıyla VB ve R 3 ile belirle-

77
 C +
-=-_ Ve
"o
1

Şekil 3 - 15 Ortak - kaynak MOY!AET yükselteci ve çıkış süzgeci.

nen ve d.a.direnç doğrusu diye adlandırılan doğruyu çizeriz. Şek. 3-16 Q noktası,
bu doğru ile VGS nın şekilde + 3 V alınan d.a.besleme değerinin kesişme noktası­
dır.
Daha sonra G den S ye bir sinüs sinyal voltajı ·ekleriz. Bu, io akımında,
sinüzoidale yakın bir değiş~enin başlatılması etkisini yapacaktır. Başka bir deyiş­
le, io bir d.a. değeri artı bir değişen bileşenden oluşacaktır. Eğer değişen bileşene
bakarsak, R 3 ve yük R nin herbirinde değişen akımların olacağını not etmeliyiz.
Sadece değişen akım dikkate alınırsa, biraz düşünmek,R 3 ve R nin paralel davran-
dığını gösterir. Buna göre çalışma noktasının Q noktasından eğimi - ll(R311 R)
olan doğru üzerinde uzaklaşmasıyla sınırlandırılmış oiacağı sonucunu çıkarabili­
riz. Bu doğru a.a.yük doğrusu olarak adlandırılır. Bu çözümleme,toplama prensibi-
ni uygularsak ve io nın değişen kısmının, D ve Suçlarından sağa doğru bakan bir
eşdeğer Th~venin direncinde yani, R 3 11R olacağına dikkat edilerek formüllerle
gerçekleştirilebilir. Şekil 3 - 16 ~a V B = 10 V aldık, besleme voltajı V GS = + 3 V,
R 3 "-' 2,5 ku ve R = 2,0 ku dir. Bu durumda R 3 1 1 R = 1,11 kn a.a.yük doğrusu
Q noktasından - 1111 mA/V eğimle çizilmiştir. ·

d~rusu

Vı;s=+5
4 yük çizgisi
cı:
E
1 VGs = +4
/ O-noktası
p
+3

2 4 6 8 ,o
!,DS - volı

Şekil 3 - lö Sığa çıkış filtreli bir yükselticin analizi.

78
 Ani yük voltajı, Q noktasından a.a doğrusu üzerindeki ani çalışma noktasına
kadar olan yatay yerdeğiştirmedir. Bu voltajlar apsisten kolayca hesaplanabilir.
Şimdi örnek olarak tepeden tepeye 4 V olan bir sinyal için v 0 ı bulalım. Tepeden
tepeye gidildiğinde uG 8 ,M noktasından N noktasına kadar gider. Bu noktaların
apsis değerlerini okursak v 0 ın tepeden • tepeye değeri için 6,6 - 3,0 veya 3,6 V
buluruz. Voltaj yükseltme katsayısı 3,6/4 veya 0,9 dur, bu değer bizim 2,0 kn
yüklü bir yükseltici için bulduğumuz değerden daha küçüktür.

b) İdeal çıkış transformatörü

Doğru akım bileşeninin yüke varmasını önleyen ikinci yöntem yükle akıtıcı
devresi arasına Şek. 3 • 17a bir transformatör koymaktır. Transformatörün ideal
(bak. Böl. 2 - 8) olduğunu varsayacağız. Doiayısıyla sarımlar ihmal edilebilir diren-
ce sahiptir. Akıtıcı a~ımın değişen bileşeni R yükünden geçen bir ikincil akım
oluşturur. Değişen akımın görünen ve X,D noktaları arasında ölçülen impedansı

(3. 18)

olacaktır.
X
..-----► Ve
6

118• cı
E 4
yük
i
YGS = +5
do(ırusu
= -o.1smA
1
.9 +4
+3

N
2 4 6 8 10
v05 - volt
t
Ve

(al (bl
Şekil 3 · 17 İdeal çıkış transformatörlü yükselteç.
Böylece akıtıcı devresi doğru akıma sıfır direnç, fakat alternatif akım bileşe­
nine Reş
kadar bir impedans gösterir.
Grafik elde edilmesine başlamak için Q • noktasını aşağıdaki gibi belirleriz.
io = O ve vDS = VB den başlayarak Rda = O olduğu için dikey olan d.a direnç
doğrusunu çizeriz. vGb şekil + 3,5 V alınan besleme değerinde Q- noktasını bulu-
ruz. Eğer şimdi bir sinyal belirlersek ani çalışma noktası Q noktasından

79
 (3 - 19)

bağıntısıyla belirlenen bağıntıyla uzaklaşacaktır. Bu doğru a.a yükdoğrusunu, Q

noktasından geçen ve eğimi - 1/Reş olan doğru olarak belirler. Şekil 3 -17b deki
örnekte Re = 750 n aldık. n 1 tn 2 = 1 olduğunu varsayalım; o zaman R = 750 n,
olur. Eğer t!pe değeri 1,5 Volan bir sinüs voltaj sinyali varsa, a.a. yük doğrusu üzerin-
deki işlem vcs =+ 2 den + 5 V a kadar gider. Akıtıcıdaki voltaj değişmesi {bu
durumda R deki) Q noktasından gidilen yatay yer değiştirmedir. Dolayısıyla R
üzerindeki voltajın tepeden tepeye olan değeri 9,1 • 3,8 veya 4,3 V ve voltaj
yükseltmesi 4,3/3 veya 1,43 tür.
Şimdi de yüke giden sinyal gücünü hesaplayalım. Voltajın bir sinüs dalgası
olduğunu ve 4,3/2 veya 2,15 V tepe voltajı ve 2,15/v'2" V kok değerine sahip
olduğunu varsayalım. Dolayısıyla çıkış gücü, P = vZ/R = (2,15/v'2">2(1/750) =
0,0031 W veya 3,1 mW tır, Besleme dirençlerine esas olarak sinyal gücü geldiğin­
den giriş gücü çok küçük olabilir.
Pratik transformatörler impedansı çok büyük olan yükleri veya impedansı
doğrudan transistöre bağlamak için çok küçük olan yükleri sürmek için uygun bir
vasıta sağlarlar. Ancak, maliyet ve ağırlık dezavantajları ve frekans bölgesi sınırlan

vardır.

ALIŞTIRMALAR

3 - 1 Bir saf silikon örnekte 290°K deni= 10 10 olduğunu varsayalım. Ayrıca her
V/cm için elektron hareketliliğinin 8000 cm/sn, boşluk hareketliliğinin 300 cm/sn
olduğunu varsayalım (a) örneğin iletkenliği nedir? (b) Bu materyalden yapılma
1 mm 2 kesitte ve 8 mm boyundaki çubuğun direnci nedir? (c) Elektrik alan 100
V /cm olduğu zaman bu materyaldeki akım yo§unluğu nedir?
3 - 2 325°K de bir p - tipi silikon örneğin cm ünde 10 15 alıcı iyon bulunduğunu
dikkate alaraj{ (a) boşluk konsantrasyonunu, (b) elektron bolluğunu ve (c) hareket-
liliğin 3 - 1 nolu alıştırmadaki değerlerde ve 325°K deni= 1011 /cm 3 olduğunu
varsayarak bu örneğin iletkenliğini bulunuz.
3 • 3 Başlangıçta p - tipi olan bir silikon örnek, verici katkılar eklenerek n • tipine
dönüştürülmek isteniyor. Başlangıçta materyal, 10 14 alıcı atom/cm 3, düzgün bol-
luğa ve sıfır verici bolluğuna sahiptir. Sıcaklığın 290°K olduğunu böylece hareket-
liliklerin 3 -1 nolu alıştırmadaki değerlerde olduğunu ve son durumda n=Nd- Na
olduğunu varsayınız. Sonuç materyalin iletkenliğinin 0,025 mho/cm olması için

hangi bollukta verici atom eklenmelidir? Yol gös: Boşlukların iletkenliğe katkısı­
nın ihmal edilebilir olduğunu düşün.ünüz.
3 · 4 Silikon üzerine yapılan bir Haynes • Schockley deneyinin verileri aşağıdaki
gibidir. Elektrik alan 20 V/cm örnekle yayıcı arası 0,5 cm ve başlangıç ve gecik-

80
miş pulslar arasındaki zaman 83 µsn dir. Bu deneydeki boşluk hareketliliğini belir-
leyiniz.
3 - S Zenginleştirilmiş tip n-kanalMOYİAET içindeki fiziksel hareketleri anlatı­
nız. Geçit ile kaynak arasındaki voltajın akıtıcı akımına ve geçit akımına etkisine
değininiz.
3·6 Şekil
3 , 12a daki giriş devresinin Şek. 3 • 8 deki yükselticide 4 V besleme
volta}ı ve vi = 2,0 sin wt V sinyaliyle birlikte kullanıldığını varsayınız. Yükseltici-
nin diğer verileri Kes. 3 - 7 deki gibidir. v0 dalgası için veri elde ediniz ve v0 dalga-
sının ui ye karşı grafiğini çiziniz. Dalga şekli hakkında yorum yapınız.
3 - 7 Bir Motorola tipi 2N3796 MOYİAET (EkB) Şek. 3-8 deki yükselticide çalıştı•
rılmak isteniyor. Aşağıdaki değerler kümelerinin her biri için çalışma noktasını buhı­
nuz: Başka bir deyişle i0 ve v08 yi belirleyiniz. (a) V8 = 20 V, R= 2 kn, VGK= 2,0 V;
(b)VB = 24 V, R= 3,0 kn, Yas= 1,0 V; ve (c) VB = 20 V, R= 4 kn, Yas= OV.
3 • 8 Bir Motorola tipi 2N3796 MO"ı'İAET (Bk B) Şek. 3-Sdeki yükselticide çalış•
tınlıyor. V1! = 24 V ve R = 3000 n olsun. (a) Bu yükselticinin voltaj aktarım belirtge-
ni için veri elde ediniz ve grafiğini çiziniz. (b) '.\}ı =1,0 dan 2,0 V a kadar bölge
için artınmlı voltaj yükselmesini bulunuz. (c) Şekil 3-12a da giriş devresinin bu
yükselticide 1,0 V besleme voltajı ve ui = 1,0 sin wt sinyali ile beraber kullanıldığı­
nı varsayınız. u nun wt ye karşı çiziminden elde edilecek dalgayı çiziniz ve dalga
0
şekli üzerine yorum yapınız. (d) (c) şıkkını besleme voltajı= 1,0 V ve ui = 2,0 sin
wt için tekrarlayınız.
3 - 9 Bir Motorola tipi 2N3796 MOYİAET (EkB) ortak kaynak yükselticisi olarak
Şek. 3 · 15 deki çıkış süzgeci ile çalıştırılıyor. V B = 20 V, R 1 = 90 kn, R 2 = 10 kn,
R = 2,0 kn ve R = 2,0 kn ve C ile Cr nin değerleri öyle yüksek olmalıki sinyal
3
frekans voltaj düşmeleri ihmal edilebilir olsun. (a) Eğer vi = 1,0 sin wt ise v0 için
yazılabilecek yaklaşık bir ifade nedir? (b) w = 5000 ise C için uygun bir değerse­
çiniz.
3 - 10 Şekil 3 · 17 deki yükselteç devresi Motorola tipi 2N3796 MOYİAET (Ek B)
kullanıyor. Besleme dirençleri + 2,0 V verecek şekilde seçilmiştir., v = 12 V,
8
R = 20n ve n 1 /n = 10 olsun. (a) Sinyal voltajı 2,0 sin wt ise n 1 sarımlı ideal çıkış
2
transformatöründeki sinyal voltaj bileşeni ne büyüklüktedir? (b) R yükünün üzerin•
deki voltaj ne kadardır? (c) R ye verilen ortalama güç ne kadardır?

81
-ıilsd irı1'iliij3.ı/<J,srl :ı!ull•l · r
Yarıiletken Diyod; Diyod için Devre Modelleri

9fıi •.: ·. 'J_ 4 .... ·dnJf; 'İ?9-g L_ ·' ·,

pn Eklem diyodu .sirımij:ısb
f i:!'c'P. ?,, • t
sm::J' ·c, ~ t> sı:ıi ıi:!19,nliiv: i:ı!sb 8 - ı.:: .::ı!s?, nirıiıs'!vsh : ~·i·ı bfı,lı ~~ •
:, '../ hı:"!l~ki ,ıtiJodtu, uojıtfa!ıd&~me li:!ı!liı'yod:ılu.iijıiı(ttiiniş.t d:etıift!Oi.~iyocttwe,,ııılkşım
diyoc,lumr kapwr.ııHHaımr. ,ifrz, bir"h';, tipi.~.vdi!ıiQin'e (veya p :;ttp1)'1aıtkr ttbmları­
nın sızd11:ıt~ yom.ytıı. ;y.apıılbı&ıı ekıle~s~d,•.,.Üti(irid~ôllQc~ Bıcnp i:ı:l•n
, l~•~dill !dah-,1ıt)lootıJu>la"11<- ,htcelıt~el{<ı;ıl-aıxl)üutüreç, Şek. 4 - la da şematik
·~•.ıgö:öe~, ~ _y~pıd.a:ı ~w:,, .K.üçüki.ıbff:ıdiyuidda.. ı,~.pi_le.tken_ kısım O; 2 .mm
kehnlı~t-' IIVj!,_lı,&
mfl? 00~ p)abiliqdtiifoı -·tipL ma:t~(Yal,e·ydlarisı 3 oliıiı katkı
2
'~ızdınlatAk ·iı;.finde bir p· -' tipi 6ölge olıişturulur,-cB!ı katklHır (p -.'t1pi'safsızlıklar)
mt;pi'itatklla&R etkisitı-i.yok<,et;.meye\:aHşıtlat; l!gef~eter iaylcfa l!klehirle'ise bölge-
Jı~tial.fün•ö"M-t-ıir\lı!''p'!' ttipf·\lıötgre'tfliı'ştı:ırut1~ıP- trpll\rec fi.. ·rı~ bölg<tti'ıf ata'Sifrd'aki
'Sıaıl" ·•düzlemi¼;o~ kest-ift<IFy~ ·Qı:t)kesrrfükie ı,ı'ti'ekı-lenıi dirmsdlhhrlimbm " ;eklemi
oluştı.tr.ına9'oş-Ulµdlm; : r .r; li·J~, ~ 1'.>) .çum- ,ud ıniz,,ml~ı1liiv. tsj!_,·, , lr,ıı,ıJ

Oksit (SiOzl ' ,· · ' · : d t-

J")' t ·•' '•P-tipiırtjıfüzl:e-r.ıi.mi.ş
tıtiige
-
, +ı

)J''.

- ı-

,11-)i A\J '}' i 1r,, ı•'ı I) r '1.: ,~:•,{;,~

/
; . I . l
0
, sn -ıict rn•:· '. i · :ıııetal't.ellektDdıil!Ja't-,i:,~ ı •ı:11:' '"' ·ı.·

(Omik temaslar)
(ol (bl
'
·• Şekil·4 - 1 (a) Diyod diyagramı. ·(b) Diyodun devr_e sembolü ,
(ak.ımın kolay aktığı :!f&n sağa doğrudur).

;, pn ekı{)ntiıii~~rj{tust!~hırıiıidf~,;1.1j~is,'1,ir,8f~~-:;~!~
'bir yöne diğer
yönden çok daha kolay akar. Akımın kolay aktığı yön, akımın p - tipi materyal-
den n - tipine doğru, pn eklemi üzerinden geçeceği yöndedir. Diyod için kullanı­
lan devre sembolü Şek. 4 - lb de gösterilmiştir. Metalleri buharlaştırarak vakumda
bir maskeyle yüzeylere uygulamak suretiyle elde edilen metal elektrodlar, ohmik
veya doğrultmayan değme noktaları diye adlandırılan, noktaları, oluştururlar.
Kurşun teller de elektrodlara bağlandıktan sonra, hepsi birden bir cam veya plas-
tik kap içine konurlar.

f82
 4-2
Engel voltajı; boşaltılma bJlgesi

Doğrultma işleminin açıklanması pn eklem bölgesinde olan olayda saklıdır.

Bu bölge, kuşkusuz sürekli bir tek kristaldir ve içindek eklem düzlemini geçtiği­
mizde bu~adaki katkılar çok hızlı olarak p - tipinden n - tipine değişir. Eklem böl-
gesindeki şartlan nitelik açısından t açıklamaya çalışacağız. Diyodun temel eklem
düzlemine dik olarak alınan bir kesiti üzerine düşünüyoruz ve önce diyoda hiç bir
voltajın uygulanmadığını varsayıyoruz. Dolayısıyla eklemi geçen net akım olmaya-
caktır. Ancak, boşlukların ve elektronların ısısal enerjilerinden ötürü bazı ileri-ge-
ri hareketlerini bekleriz. Bunun ötesinde, ekleme dik yönde bu parçacıkların bol-
luğunda hızlı değişmeler olmalı. Böylece boşluk yoğunluğu, eklemi p tarafında
eklemden uzak noktalardaki yüksek değerinden, n - tipi yarıiletkenin belirtgin
düşük değerine değişir. Elektronlar için tersi olur.
Eğer eklem bölgesinde hiç elektrik alan olmadığını geçici olarak varsayarsak
(bu varsayımın olamayacağı aşağıda ispatlanacaktır) o zaman sızma yoluyla yük-
sek hızlarda elektron ve boşluk akımı olacaktır. Eklemin sağ tarafındaki uzaklığa
+x dersek, D(dn/dx) biçimindeki ifadeyle verilen, birim alandan geçen büyük ya-
yılma akımı olacaktır; burada D yayılma sabiti ve n de bolluktur. Boşlukların sağa
ve elektronlann sola akması elektrik akımı üzerine eklenici etki yapacaklar ve böy-
lece daha büyük bir akıma sahip olacağız. Ancak bu mümkün değildir. Açıklama,
kavşağa yakın yerlerden boşluk yük tabakalarının oluşması ve bu tabakaların par-
çacıkların akışını geciktirmeğe çalışmasındadır. Uzay yükünden oluşan elektrik
alan, bolluğun x yönündeki dağılımını büyük miktarda etkileyecek ve onu belirle-
yebilecek kadar büyüktür.
Şekil 4 - 2 a, besleme voltajının sıfır olması durumunda,kesin eklem ~ ye ya-
kın bölgedeki durumu gösterme girişimidir. Sadece alıcı iyonlar, boşluklar, verici
iyonlar ve elektronlar gösterilmiştir. Merkez bölgesindeki elektrik alandan ötürü,
hareketli taşıyıcılann çoğunluğu kendi normal bolgelerinde tutulmuşlardır, yani
elektronlar n - tipi materyalde ve boşluklar p - tipi· materyaldedir. Hareketsiz alıcı
iyonlar ve verici iyonlar boşalma bölgesi denen ve taşıyıcılar tarafından boşaltılan
bölgede kalırlar. Böylece p tarafında bir negatif uzay yükü ve n tarafından da bir
pozitif uzay yükü oluşur. Gauss kanununun uygulanması, uzay yükünün sola doğ­
ru yönelen

t Ayrıntılar için bakınız: Paul E. Gray and Compbell L. Searıe, Electronic princip-

ıas, John Wiley and Sons, ine., New York, 1969, Böl, 4.

83
 .-ı
Ql
>,
.Y. •rl
•rl (/)
H C
j 2 Vo=Potansiyel
Ql o ı·
;:;j o. enge ı (dl
-~----- _______________ l __
--------0 ---------------
0 --- X

Şekil 4 - 2 (a) pn diyodunda eklem bölgesi. (b) Uzay yük dağılımı. (c) Elek-
trik alan dağılımı. (d) Elektrik gerilim ve gerilim engeli.

bir E elektrik alanı oluşturacağını gösterir. Bu elektrik alanının değeri p ve n iç

bi>lgelerindeki sıfır değerinden eklemde bir maksimum (negatif) değere ulaşır;
bak Şek. 4 - 2b ve c. Şekilde p tarafında daha fazla katkılama olduğunu varsaydık
böylece oradaki uzay yükü daha yoğundur fakat genişlik n tarafındakinden daha
azdır. Uzay yükü sığaç plakalarınd~ki yüklere benzetilebilir ancak buradaki yükler

uzaya dağılmıştır.
Gösterilen yük dağılımı,

V
O
= _ /1 . - .ti pi E
d
X
(4 - 1)
p- tıpı

84
bağıntısıyla hesaplanabilen bir elektrik voltaj farkı olduğunu ima eder. ,Bu Vo vol-
taj farkı engel potansiyeli veya sızma potansiyeli olarak adlandırılır ve besleme
voltajının sıfır olması durumunda germanyum eklemde 0,5 V, siliklin eklemde de
0,8 Va yakın değerler alır. Boşaltılma bölgesinin genişliği 1 den 3µm ye kadardır.
Gerçekte katkı iyonlarının Şek. 4 - 2a da gösterildiği kadar düzgün dağılma­
dığının belirtilmesi gerekir. Kuşkusuz, nötür atomlar elmas kristalde düzgün dağıl­
mış haldedir. Katkılar ve atomlar arasındaki uzaklıkları belirlemeye'ı;alışalım. cm 3
te yaklaşık 10 23 atom vardır. Bu atomların basit kübik bir kris_t,alde olduklarını
düşünürsek atomdan atoma olan uzaklığı 2 x 10- 8 cm buluruz. Şimdi, eğer cın 3
te 10 15 alıcı iyon olduğunu varsayarsak ve yine kübik yapımız varsa, alıcı iyonlar
arası uzaklık için ıo- 5 cm buluruz. Dolayısıyla, her alıcı iyon çifti arasında ıo-5 İ
(2xl0- 8 ) veya 500 atom aralığı olduğunu ımluruz. Eğer boşaltılmış bölgenin geniş­
liği 1 mikron veya ıo- 4 cm ise ve her iki materyal aynı katkıya sahipse ıo- 4 ııo- 5
veya 10 katkı iyonu arası kadar bir aralığa sahip oluruz. Ancak Şek. 4-2 de her iki
yandaki katkı aynı değildir.
Diyodlann ohmik değme noktalarındaki besleme voltajını sıfır kabul ettiği­
mizde, bir elektrik potansiyel engelinin nasıl mümkün olduğunu sorabiliriı.? pn ek-
leminin ve iki ohmik değme noktasının üç farklı değme potansiyeline sahip oldu-
ğunu düşünebiliriz. Bu üç potansiyel toplamı, termodinamiğin ikinci yasasına gö-

re, kapalı devreyi dolaştığımızda sıfır olmalıdır.

4-3
ideal diyodun akım - voltaj bağıntısı

Şimdi silikon diyoda bir voltun ondabiri kadar bir ileri besleme (p tarafına
pozitif) voltajı uygulayalım.Ohmik değme noktalarındaki değme potansiyeli de-
ğişmediği için besleme voltajının etkisi engel voltajını değiştirmek olacaktır. Şekil
4 - 2 nin incelenmesinden, poı.itif beslemenin boşluk yükünün etkisine karşı
olduğu görülecektir, dolayısıyla bu durumda, engel voltajı aı.alacaktır. Kısa ı.aman
sonra göreceğimiz gibi, bu azalma daha çok taşıyıcının alçaltılmış engeli aşmasma
iı.in verecek ve bizde yeterince büyük akım elde edeceğiı.. Alçaltılmış bir cngtıl
demek boşluk yükünün büyüklüğünün aı.alması demektir. Bu, boşaltma bölgesinin
genişliğinde otomatik bir azalma gerektirir.
Şimdi bir negatif besleme (p tarafına negatif) uygularsak, engel yüksekliğini
artırırız_ ve boşaltma bölgesini genişletiriı.. Bu durumda, engel yükselmesinden iitü-
rii sadece küçük bir ters akım vardır.
I~ngel yüksekliğindeki ve boşalma bölgesinin genişliğindeki değişmeler Şek.
4 - 3 de gösterilmiştir. Bu şekillerde potansiyel düı.eyi kolaylık olsun diye sol ta-
rafta, p - tipi metaryalde sabit tutulmuştur. Şekil 4 - 2 yi hatırlarsak p tarafındaki
boşlukların potansiyel engele çarpmalarını düşünebiliriı.. Engel V il ile azaltılırsa

85
daha çok boşluk n tarafına geçebilir ve akıma katkıda bulunur. Benzer şekilden
tarafındaki elektronlar potansiyel engelle karşılaşır ve akımları engelin yüksekliği
ile kontrol edilir.
ı----L•~
---L ,_-r--,-

L--l Besleme sıfır

Ters Beslenme-,---ı---'---.ı
0

l ~--\...,..."""T
Do~ru beslenme

Besleme sıfır

J
-x J •
lo) (bl
Şekil 4 - 3 Engel y;iksekliği V ve boşalma bölgesi genişliği·W üzerine
o .
(a) ileri besleme (V r) ve (b) geri besleme (V R) nin etkileri.

Şu ana kadar dikkatimizi, sadece çoğunluk taşıyıcıları üzerine topladığımız

için tasvirimiz tam değildir. pn ekleminin davranışını açıklayabilmemiz için azınlık­
olması gerekecekti. Başka bir deyişle çoğunluk taşıyıcılann akımı, sıcaklıkla üretilen

min zıt tarafından gelen azınlık taşıyıcıların bolluklarının etkisi, örneğin p tarafın­
dan engelden aşarak n tarafma geçen boşluklann bolluğunun etkisi. İkincisi ise
azınlık taşıyıcı nüfus ve bunların hareketleri üzerine ısısal enerjiden ötürü oluşan
boşluk elektron çiftinin etkisidir. örneğin, n - tipi materyalde ekleme yakın yerde
oluşan boşluk - elektron çifti n tarafında hiç boşluk olmadığı halde bir boşluk
nüfusu oluşmasına neden olur. Bu boşluklar ekleme doğru yayılabilir, eğer engelin
kenarına kadar gidebilirlerse, p tarafına doğru tepeden aşağı doğru geçeceklerdir.
Şekil 4 - 4 de küçük bir ileri besleme uygulanan bir diyodda bu fikirlerin
gö~terilmesine çalışılmıştır. Sıcaklıkla boşluk - elektron çifti oluşması oval şekil-
p-tipi J n-tipi
0
--------
o
,-f--T-----------
Oı:,.,...,O
e • e O~,
o o ::i ~ I • o • • • O ;
o o o ' ...... ' o o iM I p 1 • ,-, •
o o o O '"'P 1 • :o t •
o 0
1 --ı- 1 ·-~' •
o o o o o o o o o, -+-<> 1 • • •
o o O o IFp 1
0• 1 • • •
0 o o 1 ....ı..... ,. • • •
o o ,-, o o o ol I Fn I o :•~ •
o o .:~ 1 • 1 --r1i 1 • • • '.....~,
o •__ , o o o 1 ..,..+-'..;"' 1
o -2-~-~~-~_ı ~Qnj ~-~- -·---~
~L--'
Şekil4 - 4 Kuvvetler, boşluk - elektron boşlukları ve hareketleri ve
boşluk - elektron ,.;ift üretimi.

86
deki nokta nokta çizgilerle gösterilmiştir. F p ve F n ile gösterilen oklar elektrik
alandan otı.irü, boşluklar ve elektronlar üzerine etki eden kuvvetleri göstermekte-
dir. Kalın Dp oku boşlukların engel üzerinden sağa doğru difüzyon yoluyla akma-
larını temsil etmektedir. Kalın Dn oku da elektronlc·nn aynı biçimde akışlarını
göstermektedir. Mp ve l\1n sırasıyla sıcaklıkla üretilen boşlukların ve elektronların
akımlarını göstermektedir. Eklemi geçen net akım yoğunluğu

(4 - 2)

bağıntısıyla ifade edilebilir.

Eğer besleme voltajı pozitif olma yerine sıfır olsaydı o zaman akım yoğun­
luğu sıfır olacaktı ve

(4 - 3)

olması gerekecekti.Başka bir deyişle çoğunluk taşıyıcıların akımı,sıcaklıkla üretilen

azınlık taşıyıcılar akımına eşit olacaktır. Engel yüksekliği bunun doğru olması için
yüksekliğini kendiliğinden ayarlar. Daha ayrıntılı bir çalışma, besleme voltajının
sıfır olması durumunda Dp = Mp ve Dn = Mn olduğunu gösterecektir. Yani birey-
sel taşıyıcıların akımları da engellenecektir.
Şekil 4-4 de gosterilen p tarafı n tarafından daha fazla katkı içeren ileri bes-
lemeli pn eklemini dikkate alalım. Bu durumda besleme, engeli alçaltacak ve daha
fazla sayıda boşluğun n tipi materyale geçmesine ve daha az sayıda elektronun zıt
yönde hareket etmesine neden olacaktır. Bunun sonucu olarak ta boşaltılmış böl-
genin sağ ucunda boşluk bolluğu denge değerini aşacaktır. Bu aı.ınlık taşıyıcı
bolluğu sağa doğru hızla azalır ve tipik olarak eklemden 0,02-1,00 mm uzakta
denge değerine yaklaşır. Bu bölgede boşluklar difü:ı:yon yoluyla sağa doğru büyük
bir hızla akarlar ve bu akım diyod akımının en büyük kısmını oluşturur. Burada
elektrik alam, elektronlardan ötürü oluşan akımın ihmal edilebilecek icadar bir
akım olmasına neden olacak kadar küçüktür.

Kuşkusuz, fazlalık boşlukların elektronlarla tekrar birleşmeleri için bir eği­

lim vardır. Yüksek boşluk difüzyonu bölgesinin sağına gidilirse tekrar birleşmenin
hakim olacağını ve boşluk bolluğunun de~ge değerine düşeceğini ümit ederiz. Bura-
da akım elektronlarla taşınır ve ancak akımı oluşturmaya yeterli olan zayıf bir
el1?ktrik alan oluşur.
Eklem, 0,3 V veya daha fazla bir ters besleme voltajı ile beslenirse, taşıyıcı­
ların boşaltılmış olduğu bölgenin uçlarında azınlık bolluğu sıfır olur. Böylece
n tipi materyaldeki fazlalık boşluk bolluğu negatif olur ve bolluk eğrisinin eğimi
işaretini değiştirir. Boşluklar ekleme yakın yerden çıkar ve sola doğru hareket
ederler ve eklemde ters akım verirler. Ters besleme, boşaltılmış bülgenin uçlarında

87
sıfır azınlık taşıyıcı bolluğu verecek kadar yüksek ise, ters beslemenin daha fazla
artırılması, bolluk değişmesi
sabit olduğundan akımı artıramaz.
Biraz ayrılarak, bir bölgedeki parçacıklann bolluk yoğunluğunu, potansiyel
enerjisi bu bölgedekinden W kadar fazla olan komşu bölgenin bolluk yoğunluğuna
bağlayan çarpanı, Boltzman çarpanını hatırlayalım. Yüksek enerji bölgesinde par-
çacık sayısı, exp (- W/kT) çarpanı kadar daha azdır. Burada k Boltzman sabiti ve
T de mutlak sıcaklıktır.
Yarıiletkenlerdeki parçacıkların Ferıni - Dirac istatistiğine uymalarına kar-
şın, ilgilenilen enerji bölgesinde enerji dağılımı Boltzmann çarpanıyla çok iyi bir
yaklaşıkta verilir. Diyod akımı eşitliğinin nitel olarak elde edilmesi aşağıdaki nok-
talar dikkate alınarak yapılabilir. önce, boşaltılmış bölgenin n tarafındaki boşluk
bolluğu p i p • tipi yarıilet_kendeki denge hakkındaki boşluk yoğunluğu Ppo a
1
bağlı olarak dikkate alalım. iki bölge, V • V F potansiyel ~ngeli veya bire (V.., · Vr>
O
enerjisi ile birbirinden ayrıldığına göre, bolluktan birbirine bağlamak için Boltzmann
çarpanını kullanabiliriz :

- e(V 0- VF)
Pı =Ppoexp[-- kT ] (4 • 4)

Başka hesaplar düşük

düzey enjeksiyonlarda uzay yükü bölgesinin kenarında p nin
uzaklığa karşı grafiğinin eğiminin, Pı le orantılı olduğunu gösterir. Bunun sonucu
olarak boşluk sızması yoluyla oluşan akım; dp/dx e bağlı olduğundan, P le oran-
1
tılıdır. Buradan Denk. (4 - 4) ü kullanarak,

-e(Vo-VF)
boşluk sızmasıyla oluşan akı~= (sabit) exp f kT ] (4 - 5)

olur. Şimdi üstel fonksiyonu exp [ - eV 0 /kT ] exp [ eV F/kT] biçiminde yazılmış
olarak düşünebiliriz. Birinci kısım sabit olduğundan, ( 4 - 5) i yeni bir sabitle yaza-
biliriz :

. eVF
·boşluk sızmasıyla oluşan akım= (sabit) exp ( ~ ) (4 - 6)

Bu ifadeye, sıcaklık yoluyla oluşan boşluklann oluşturduğu sabit negatif akımı

eklersek (Şek. 4 - 4 teki Mp okuna bak),,,

boşluk hareketinden oluşan akım= c 1 exp ( eVF

- - ) - c2 (4 · 7)
k'f

ifadesini elde ederiz. Benzer tartışmalarla,eklemi geçen elektronların hareketinden

oluşan akımın ifadesi benzer biçimde bulunabilir :

elektron hareketinden oluşan akım= c 3 exp ( eVF

--)- c
4 (4 - 8)
kT

88
 Akımlar birbirine eklendiğine göre,
_ eVF
dıyod akımı= c5 exp ( kT ) - c6 (4 - 9)

yazarız. Daha ayrıntılı bir çözümleme c5 = c6 olduğunu gösterir ve bundan ötürü

I = I [ exp ( eV ) - l ] (4 - 10)
-s kT

yazabiliriz. Burada V nin indisini yazmadık, dolayısıyla V yi ileri besleme voltajı­

nın cebirsel değeri (ters besleme voltajı için negatif bir sayı) olarak düşünüyoruz.
1s parametresi doyma akımı olarak adlandırılır. V negatif ve bir voltajın onda biri-
nin birkaç katı olduğu zaman üstel terim sıfıra yaklaşır ve I ➔ Is dir. Is ters akan
sızma akımı tabiatındadır.

T = 300°K olsun. O zaman kT/e = 0,026 eV, ve Denk. (4 -10) I=Is[exp(V/

0,026)-1] olur. EğerV = 0,2 Vise I = Is [exp (-7,7) -1] = -0,9995 Is. Buradan
· ters akan sızma akımının 0,2 V ters gerilimde doymuş olduğu görülüyor. Şimdi
0,2 V ileri gerilim olduğunu düşünelim. O zaman I = Is [ exp 7 ,7 -1] = Is (2200 -1)~
2200 1s olur. Buradan bir voltun ondabirinin birkaç kau değerindeki ileri besleme
gerilimlerinde
eV
l==lsexp( kT) (4-11)

yazabileceğimiz görülüyor. Değişik nedenlerden ötürü pratikte kullanılan diyodlar

(4 - 11) deki üstel yasadan saparlar. Nedenlerden biri,hacimli bir materyelde yük-
sek akımlardaki ohmik voltajmdüşmesidir.
Diyod voltaj - akım bağıntısı Şek. 4 - 5 de gösterilen biçimi alır. Potizif kı­
sım yaklaşık olarak üsteldir. Ters akım genel olarak ileri akıma göre çok küçüktür .

....,
.-ı

ıo
+>
.....
o
:,
1-<
+
Ol
C
. Ol
N

+v
(doi}ruı

- 1

Şekil 4 • 5 Diyod voltaj · akım belirtgeni.

89
Şekil, ters voltaj yeterli miktardaartınlırsa ters akımın ani olarak yükseldiğini gös-
termektedir. Bu, bozulma olarak bilinir, ancak sıcaklığı çok yükselmezse diyod
tahrip olmaz. Bu yüksek ters akım değerinin elde edildiği voltaja, bozulma voltajı
veya Zener voltajı denir. Fiziksel olarak, bozulma iki farklı olayla oluşturulabilir.
Her iki olayda eklem bölgesindeki yüksek elektrik alanının sonucudur. Bir meka-
nizma, serbest elektronların ivmelenmesi, bağlı elektronlara enerji aktarması,
serbest hale getirerek elektron sayısının artırılmasıdır. Bu oiay elektron çığı olarak
adlandırılır. Diğer mekanizma, Zener tarafından ortaya konan, elektrik alanın doğ­
rudan bağlı elektronlar üzerine etki etmesi ve onların bağlarının koparılmasına
neden olmasıdır. Bozulma özelliği bazı devrelerde yararlı bir şekilde kullanılmıştır.
Bu konu ileride görülecektir.

4-4
Sıca!dığın pratik ~iyodlara ~tkisi

Yukarıda, 18 nin, sıcaklıkla p = tipi materyalde üretilen, boşaltılmış bölgeye

varan ve eklemi aşan elektronlarla, n tipi materyalde üretilen ve eklemi ters yönde
aşan boşluklara bağlı olduğuna dikkat çekilmişti. Pratikte kullanılan diyodlarda
geri akıma eklenen yüzey sızma etkileri de vardır. Is nin değerleri.,· katkı bolluk-
larına, taşıyıcı sızma hızına, taşıyıcı ömrüne,sıcaklığa bağlı olan üretim hızına ve
bir bağı kırmak için gerekli olan enerjiye bağlıdır. Bu faktörlerin etkilerinin çö-
zümlenmesi belirli bir diyod için, Is nin, Denk. (3 - 6) ya göre hızlı bir biçimde de-
ğişen n 21- ile orantılı olduğunu gösterir.
•
n?!1 nin değişmesinde en önemli çarpan
exp (-eEg/kT) dir. Bu nedenle sıcaklıkla aşın ölçüde hızlı değişir ve aynı_ zamanda
aralık enerjisine de bağlıdır. Daha büyük enerji aralığı olmasından ötürü I nin
s
değerleri silikonda,karşılaştmlabilir germanyum diyoda göre 10·2 den 10·4 e kadar
daha büyüktür. Küçük sıcaklık aralıklarında Is mutlak sıcaklığın üstel bir fonksiyo-
nu gibi değişir. Silikon diyodlarda oda sıcaklığına yakın sıcaklıklarda I , ~T==75°C
s
iı:;iri değerinin iki katına çıkar ve ~T ==75° C için 100 çarpanı kadar artar.
Şekil 4 - 6 tipik germanyum ve silikon diyodlardaki ileri voltaj düşmesindeki
farkı göstermektedir. Is nin Si diyod için olan değeri germanyum diyod için olan
değerinden çok daha kiiçüktür; bundan ötürü aynı ileri akımı elde etmek için daha
fazla voltaj gerekir (Denk. (4 - 11) e bakınız).
Pratikte kullanılan diyodlarda geri voltajın (aynı zamanda sıcaklığın) değeri
Şek. 4 - b de gôsterilen biçimde geri akım üzerinde bir etkiye sahiptir. Bu voltaj
etkisinin esas nedeni yüzey sı:ı:ma akımlarıdır. Şekil aynı zamanda sıcaklığın ileri
belirtgeııler üzerine olan etkisini de göstermektedir. Burada iki etki vardır, birinci
etki Denk. ( 4 - 11) deki sıcaklığa doğrudan bağlılıktan diğeri de Is niıı •-: ile değiş­
mesinden ütürüdür. Bir çö:ı:ümleme sabit bir'akım için V ni~ değeri~in sıcaklığın
artmasıyla doğrusal olarak azaldığını gösterecektir. V nin Tile değişme hızı genel
j
90
 12
el

10.----..-----~~
8
-f 8

4
~ 6 -60
..!.. 4
2
so•c

o (\2 0.4 Q6 qa ı.o

V-volt.
"""------___J-3---------
(o) (bl
Şekil 4 - 6 (a) Oda sıcaklığından Ge ve Si eklem diyodlarının V - I eğrileri.
(b) Sıcaklığın
bir Si diyodun V - I eğrisi üzerine etkisi, Akım eşelinin ileri
akımdaki mA değerinden geri akımda µA e değişmesine dikkat ediniz. 25°c daki
ı~eri akım çok küçük olduğu için gösterilememiştir.

olarak - 1 den - 3 mV /°K kadar olan bölgededir. Bu değişme bazen transistör bes-
leme devrelerinin sıcaklıklarının telafisi için yararlı olur.
Yarıiletken diyodlar iki geniş sınıfa ayrılır : sinyal diyodları ve doğrultucu
diyodları. Sinyal diyodları algılayıcılarda ve bilgisayar devrelerinde kullanılır. Bu
diyodlarda ileri akım ve ters voltaj gereksinimleri yüksek değildir, diyelim 50 mA
ve 60 V civarında, fakat küçiıK sızma akımı, düşük sığa ve hızlı cevaplama zamanı
esastır.

Doğrultucu tipi diyodlar, eklem alanı gereken akım değerine bağlı olan ve
hemen hemen hep silikon eklem diyodlarıdır. Bulunan büyüklükler bir doğrultucu
hücredeki 150 mA den başlar ve bir kaç yüz ampere kadar uzanır. Ters voltaj
değerleri ise 50 V tan 500 veya 600 V; birkaç kurgu için 1000 V veya daha yukarı
değerlere uzanır.
Farklı diyod türleri biraz farklı tipte maksimum akim ve voltaj değerlerine
sahiptirler. Ancak, hepsi aşırı sıcaklıktan fazla miktarda etkilendiği için bazı genel-
leştirmeler yapılabilir. Sıcaklık etkisinin teorik hesabı, farklı doğrultucu devreler-

de karşılaşılan değişik akım dalgabiçimleri ve diyodların doğrusal olmayan akım

voltaj bağıntılarından ötürü karmaşıktır. Gaz diyodlarda ve yarıiletken eklem
diyodlarda ısınma yaklaşık olarak akım dalgasının ortalamılsıyla orantılıdır, dolayı­
sıyla bunlar en büyük ortalama akım diyodlarıdır. Eklem. diyodları için bu ünvan
sıcaklık arttıkça azalır. Çok yüksek olan bir tekrarlama tepe akımı 1 eklem diyodu
bozabilir, dolayısıyla bu nicelik bir sınırlandırmaya tabidit'. Ek bir değerlendirme

91
ise dalga halinde ilerleyen akım değerlendirmesidir. Bu bir cihazın ne kadar yüksek
bir akıma,belirlenen kısa :laman süresinde ciddi bir tahribata uğra111adan dayanabi-
leceğini gösterir.

Bütün cihazlar aşırı bir geri voltajla tahrip olabilirler, bunun sonucu olarak
da bir tepe ters voltaj (TTV) değerine sahiptirler.
örneğin, küçük bir silikon eklem diyotlu aşağıdaki değerlere sahiptir. Ters
gerilim tepe değeri 500 V tur. 50°C sıcaklıkta maksimum ortalama akım 650 mA,
tekrarlanan tepe değeri 3,5 A ve yarım rlalga boylu sinüs dalgası için müsaade edi-
len ilerleyen akım maksimum 15 A dir. ıoo 0 c sıcaklıkta ortalama akım değeri
425 mA e düşer.

4-5
Eklem uzay yük sığası artışı

Eklemdeki uzay yük tabakalarını paralel levhalı sığaçlardaki yüklerle karşı­

laştırmıştık. Ancak yük büyüklüğü eklem voltajına doğrusal olarak bağll olmadı­
ğından yükteki ve voltajdaki artış cinsinden bir sığa artışı tanımlayacağız :

c. = ~ = - .i._Q_ (4 - 12)
J dVo dV

Burad:: Q boşaltılmış bölgelerden birindeki yük, Vo = VO - V etkin engel voltajıdır

(Şek. 4 - 3 e bakınız). Bu sığa, küçük sinyal yükleyici akımlann

i -= _ dQ ~ = c.· dV (4 - 13)
dV dt J dt

bağıntısı ile hesaplanmasında kullanılabilir. Burada V dışardan uygulanan voltajdır.

Biz uzay yük sığasının uygulama bölgesini sıfır ve ters besleme voltajlan ile sınırla­
nz. Çünkü ileri voltajlar ek yük depolama etkileri oluştururlar.
Q nun v ın fonksiyonu olarak değişimi eklemdeki katkılann değişimine
0
bağlıdır. Çok kısa bir eklemde bu fonksiyon

1
Q= sabit (Vo - V)2
0
(4 - 14)

biçimindedir. Bundan ~türü (4 - 13) kullanılırsa

1
cj = sabit (V 0 - V)- 2 (4 • 15)

bulunur.
Çoğunlukla diyod ve transistörlerde eklem sığasına itiraz edilebilir. Ancak,
devre kurgulayıcılar, d.a. besleme voltajı değiştirilerek sığası· değiştirilen diyod

92
uygulamalan bulmuşlardır.Bir .uygulama, LC resonans devresini varaktor denilen
değişken sığalı diyod kullanarak akordlamaktır:.

4-6
Diyod devre çözümlemesi :
grafik çözümleme, artırımlı çözümleme

Diyodlar, güç doğrultucu devrelerinde ve voltaj dalga biçimlerini değiştiren

veya modüle edilmiş dalgalan algılayan ve benzeri devrelerde kullanılırlar. Voltaj -
akım belirtgeninin doğrusal olmayan özelliğinden ötürü, diyod devrelerinin tam
çözümlenmesinde çoğu zaman matematiksel güçlüklerle karşılaşılır. Ancak, devre-
lerin sadece kaynaklar ve dirençlerden oluşması halinde, 3. bölümde anlatılan gra-
fik yöntem kullanılabilir.
Bu yöntemi tekrar gözden geçirmek için Şek. 4 - 7a da verilen basit devreyi
çözelim. R ve V B nin değerleri ve diyodun belirtgenleri biliniyor. Biz devrenin
akımını ve diyod voltajını belirleyeceğiz. Şekil 4 - 7b de VB noktasından geçen ve
eğimi - 1/R olan yük doğrusunu çizeriz. Q keı;işme noktası, ix akımını ve diyod
voltajını vx olarak verir. ·

R
İs
f
T +
il
" - . İı

1 Va

o_
(ol " (bl
t
v,
Şekil 4 - 7 (a) Devre şeması. (b) Grafik çözüm.

Zamanla değişen sinyalleri olan reaktif devrelerde olduğu gibi, grafik yönte-
min başarısız olduğu zaman diyod belirtgenlerini i~i veya daha fazla doğru parçası
biçiminde yaklaşık değerlerle ifade eden yöntemler uygulanabilir. Başka bir deyiş­
le, problemi, ilgilenilen akım bölgesini kapsay,acak biçimde doğrusallaştırırız. O za-
man doğru parçalannın denklemleri devre çözümlenmesinde kullanılabilir. Bunun
yanında, bu denklemleri diyotlu temsil eden eşdeğer devrelerin ve devre modelle-
rinin uç belirtgenlerini veren denklemler olarak yorumlayabiliriz.
Gereken yaklaşıklığın ölçüsü devredeki voltajlann ve akımların büyüklüğüne,
bunlann değerlerinin kapsadığı bölgeye ve gereken hassaslığa bağlıdır. Problemler
çoğunlukla, büyük - sinyal çözümlenmesi veya küçük - sinyal (artınmlı) çözümle-
mesi gerektiren türler olarak sınıfla,ıdınlır. Biz küçük - sinyal çözümlenmesi üzerin-
de duracağız, böylece basit diyod devreleri kullanarak kavramı kısmen tanıtmış
olacağız. Bu sayede yöntemin daha sonra transistör devrelerine uygulanabilmesi
için yol açmış olacağız.
Bazı devre modelleri ve karşılık gelen yaklaşık belirtgenler Şek. 4 - 8 de gös-
terilmiştir. Şekil 4 - 8a ideal diyodu ve belirtgen eğrisini göstermektedir. İdeal
diyod pozitif akımı sıfır voltaj düşmesi ile taşır ve ters voltajları hiç bir sızma akı­
mı olmaksızın tutar.

Şekil 4 - 8b deki model ileri akım için bir direnç gibi ve ters akım için yalıt­
kan gibi davranır.

1~1
±
v,
R ~
_J_
0 V
1
(b) lcl

l;lckil 4 · 8 Yarıiletken diyod için model devrderi.

Şekil 4 - 8c de eşdeğer devredeki V 1 kaynağı ileri belirtgeni sağa doğru kay-
dırır. Eğer ileri oelirtgenin, gerçek üstel diyod belirtgen eğrisine uydurulduğunu
düşünürsek bu modelin gösterilen üç model içinde en iyi yaklaşımı veren olduğu­
nu görürüz.
Şimdi de diyod için artırımlı (küçük sinyal) model kavramını tanıtalım. Bu
kavram genişletilecek ve transistör devre çözümlenmesinde kullanılacaktır. Şekil
4 · 9a daki diyodun ,Şek. 4 - 9c dl' çizgi çizgi ile gösterilen i = f (v) belirtgenine
sahip olduğu varsayılmaktadır. Biz Q noktasının üstünde ve altında akımdaki küçük
değişmelerle ilgileneceğiz. i akımını, 'fay lor serisini kullanarak IQ noktası etrafında
Q noktasındaki türevler cinsinden açabiliriz. Böylece,
d2i (v-VQ)2
i=-IQ+( !~-)O(v-VQ)+ ( dv2 )Q 2 + ... (4 - 16)

elde edilir. Şimdi doğrusal yaklaşıklığı dikkate alacağız, yani ikinci mertebe ve daha
yukarı terimleri dikkate almayacağız. Buna ek olarak diyodun dinamik veya artı­
rıınlı direncini

1
--=(--)
di
r du Q (4 - 17)

94
 A A Diyod belirtgeni-: 1
i=f(vl 1/
ıi
fi
il
o,
---r V
V r Io ----------1/
/1
_ı. . +
14Ec)im,
-I v,
./' I
//// l1
1
=l
r
K K _,.,,,, I ı
lal lbl v, V
o Vg
(el
Şekil 4 - 9 Artırımlı devre modelinin geliştirilniesi.

olarak tanımlay~ım. Buna göre 1/r diyod belirt~enine Q noktasında teğet olan
doğrunun eğimi olur. O zaman Denk. (4 - 16)

1 -(u-V)
i=l + - (4 - 18)
Q r Q

doğrusal yaklaşıklığı v:erir. i yi, V ekseninin kesildiği, V1 kesme noktası ve eğim

cinsinden ifade etmeyi tercih ederiz. Bu durumda okuyucu1 akımın,Q noktası yakı­
nında

• V V1
ı =-r - - -r- ·· · Q noktası yakınında geçerli (4 - 19)

biçimini aldığını gösterebilir. Diyod için bir eşdeğer devre modeli elde etmek için
(4 - 19) dan u yi inin fonksiyonu olarak çözeriz:

(4 - 20)

Bu eşitlik Şek. 4 - 9b de gösterilen devre modelinde gösterildiği gibi bir V 1 d.a.

kaynağı ve bununla seri halde bulunan bir r direnciyİe temsil edilir.
Yarıiletken diyodun dinamik direnci için basit bir formül çıkarılabilir. (4-17)
tanım eşitliğini (4 - 11) yaklaşık diyod eşitliğine uygularsak,

1 e eV ( 4 - 21)
-r- = 1s k'f"" exp ( kT )
buluruz. Fakat, 18 exp (eV/kT) diyod akımı I dır, dolayısıyla (4 - 21)

(4 - 22)
I

95
yazılabilir. Düzenleyerek ve sabitleri yerine koyarak

r - - 0,0862
- - --T- (I , m A, r n . . d en)
cınsın
( 4 - 23)
1
bulunur. Oda sıcaklığında, 300°C, bu bağıntıdan r =- 26/I elde edilir. Buna göre
2 mA taşıyan bir diyod 13 n dinamik dirence sahiptir.

4-7
V ve I nın d.a. ve artırımlı bileşenlerinin ayrılması

Çoğunlukla toplam akım

ve voltajlar yerine bir voltaj sinyalinin v ve i de
oluşturduğu değişmelerle ilgileniriz. Böyle bir durumda gerekli kavranılan anla-
mak için Şek. 4 - 10 daki devreyi dikkate alırız. Burada doğru voltaj VB ve sinyal
voltajı us, "yük" direnci R ve belirtgenleri bilinen bir diyodla seri haldedir. vs = O
durumu için VB ve R nin değerleri, diyodun dinamik direnci r nin bilindiği bir

Şekil 4 - 10 D.a.ve a.a.kaynakları ve bir direnç içeren diyod devresi.

Q noktasının oluşacağı biçimde seçilir. Bundan sonra sinyal voltajı vs uyarılır an-
cak us VB olacak biçimde küçük_ tutulur. Biz oluşan akımı incelemek istiyoruz.
<<

Doğrusal yaklaşıklık açısından düşüneceğiz fakat toplamayı kullanacağız. Toplam

akımın biri sabit, öteki us ile değişen iki bileşene aynldığını düşünelim. Bu fİkirleri
formülleştirmek için

(4 - 24)

olsun, burada i toplam akımı, IQ ise Q noktasındaki değer ve id de toplam akımın

sinyal bileşeninin artmış değeridir. Bunun yanında

(4- 25)

olsun, burada toplam diyod voltajı, ud bu voltajın artınmlı kısmı, ve V Q ise Q

v

noktasındaki değerdir. Eğer (4 - 24) ve (4 - 25) ive u için karşılıklı olarak çözülür-
se ve bu değerler (4 - 20) de yerine konursa,

(4 - 26)

96
buluruz. Burada toplamadan ötürü (4 - 26) yı, biri d.a. bjleşenleri,diğeri artırımlı
bileşenleri
temsil eden iki eşitliğe ayırabiliriz ; buna göre

V Q= v1 + rIQ
ve

(4 - 28)

olur. Bu iki eşitlik sırasıyla doğru akım ve artırımlı akımlar için diyod voltaj -akım
bağıntılarını temsil eder.
Şimdi benzer düşünceyi Şek. 4 - 10 daki bütün devreye uygulayalım. Voltaj
eşitliği

( 4 - 29)

olacaktır. i = id + IQ bağıntısını kullanarak

VB + us= (R + r) id + (R + r) IQ + Vl (4 - 30)

yazabiliriz. Bu eşitlik ikiye ·ayrılabilir. D.a. bileşeni için olan eşitlik

(4 - 31)

dir. Bu eşitlik model devre kullanılarak Şek. 4 - 11a daki gibi gösterilebilir.

:n~J -
R R
A
ı jd
r

K
I~ K
Vd

-1
lol lbl
Şekil 4 - 11 (a) O.a. bileşenleri için {b) değişken bileşenler için eşdeğer
devre modeli.

Artınmlı bileşen için Şek. 4 - 1 lb yi sağlayan

(4 - 32)

97
eşitliği yazılabilir. Şekil 4 • 1 la ve. b deki A ve K noktaları arasındaki diyod mode-
linin bir tanesi d.a. bileşenler için öteki artırımlı bileşenler için olan iki şekil oldu-
ğuna dikkat ediniz. Böylece başlangıç problemi de aynı şekilde biri d.a. etkileri

için,öteki sinyal bileşenleri için olan iki basit devre problemine ayırarak çözümle-
nebilir.
Şekil 4 · 12 de, sinüs dalgası biçiminde bir sinyal voltajı us, olduğu varsayıla­
rak yapılan çözümlemenin sonuçları gösterilmiştir. a kısmındaki dalgalar değiş­
kenlerin toplam değerlerini, b kısmındaki büyüklükler d. a. bileşenlerini ve c kısmın­
daki dalgalar ise sinyal bileşenlerini göstermektedir. Sembollerin seçimine dikkat
edilmelidir. Büyük harf indisli büyük harfler sabit değerler içiri. küçük harf indisli
küçük harfler zamanla değişen artırımlı değerler için kullanılmaktadır. Zamanla
değişen toplam değerlerin ayrılması gerektiğinde, büyük harf indisli küçük ha,.·fle-

rin kullanıldığı standart gösterim biçimi kullanılır.

Va la
1

o
(o)
Q.
la

(bl
r (el

Şekil 4 - 12 Diyod akını ve voltajının (a) toplam değişkenleri, (b) doğru

akım (d.a.) bile~enlcri ve (c) değişken bileşenleri

ALIŞTIRMALAR

4 - J Şekil 4 - 2b, c ve d ye benzer şekilde : (a) sıfır besleme voltajı için, ve (b) bo-
şaltılmış bölge genişliğini sıfır besleme değerinin yarısına düşüren ileri besleme
voltajı için; uzay yük konsantrasyonunun, elektrik alan kuvvetinin ve elektrik po-
tansiyelin grafiğini çiziniz. Potansiyel engelin ileri besleme yüksekliği sıfır besleme-
deki değerinin tam yarısı mıdır yoksa bu değerden büyük veya küçük müdür'?
4 · 2 pn eklemine yakın bir p - tipi silikonda alıcı konsantrasyonu 10 16 cm- 3,
n - tipi tarafındaki verici konsantrasyonu
,.
10 15 cm- 3 tür. T = 290°K, n-1 = ıolü ve
VO 0,60 V olsun. (a) Denge konsantrasyonları P p0 ve Pnü m değerleri nedir'?
00

(b) İleri beslemenin 0,3 V olduğu durumda boşaltılmış bölgenin ucundan tipi ma-

98
teryaldeki boşluk konsantasyonun değeri ıiedir? kT/e = 0,025 V olduğunu hatır­
layınız.
4 - 3 Bir pn eklem diyotlu 0,2 V ileri besleme voltajı uygulandığında 0,3 ı.ıA akım
geçirmektedir.(a) Bu diyod için Is nin değeri nedir? (b) 0,4 V ve (c) 0,6 V ileri
besleme voltajında ne kadar akım akacaktır? (c) şıkkındaki hesabın geçerliliği
üzerine yorum yapınız.
4 - 4 25°C- ta, bir silikon diyodun akımı ıo-s A dir. Diyod sıcaklığının 124° C
olduğu durum için doyma akımının deserini belirleyiniz.
4 - 5 Bir silikon diyod 25°C ta ıo- 1 A Is değerine sahiptir. Sıcaklık ıoo0c ta
yükseldiği zaman •s• 10- 8 A e yükselir. İleri besleme voltajının değeri 0,5 V ta
tutulduğuna göre diyoddan geçen ileri akımın değerini 25 °c ve ıoo 0 c ta hesapla-
yınız.

4 - 6 1,6 V ters besleme voltajı uygulanan bir keskin eklem diyotlu 120 pF artı­
rımlı uzay yükü sığasına sahiptir. Ters besleme voltajı 3,6 V olduğu zaman bu sığa­
nın değerini belirleyiniz. V = 0,6 V alınız.
4 - 7 Is= 10- 10 A olan ~e 27°C ta çalışan bir silikon diyodun Şek. 4 - 7a daki
devrede kullanıldığını varsayınız. Eğer VB == 3 V ve R = 100 n ise devre akımı ve
diyod voltajı ne olur? Salık verilen çözüm metodlan (a) grafik çözümleme veya
(b) deneme ve düzeltme yollarıdır.
4 - 8 Çözümlemede Şek. 4 - 8c deki diyod modelini kullanarak alıştırma 4 - 7 yi
tekrarlayınız. V == 0,45 V ve Rdiyod == 1,4 n alınız.
1
4 - 9 Şekil 4 - 10 daki devrede bir silikon diyod vardır. vs = O ve R = 20 n olduğu
zaman diyoddaki voltaj düşmesi 0,48 V dolayısıyla V B = 0,48 + 20 x 0,01 = 0,68 V
olmaktadır. vs = 10 sinwt değerine ayarlandığı zaman devredeki akımın değişen
bileşeni ne olur?

99
 s
Yarıiletken Aygıtlar Toplu Devre Yapımı

s ·- ı
Giri~

Tarihsel olarak, ilk transistört bir yaniletken kristal üzerine ince telleri değ­
direrek yapılan kaba bir aygıttı. Daha sonra eklem transistörlerin ortaya çıkması
ve gelişmesi, klasik kristal büyütme ile ve yarıiletken alaşımlarla yapılan eklem
türlerinin gelişmesine yol açtı. Alaşım eklemlerle yapılan transistörler gelişmeleri­
ni sürdürmüş ve b'Ünümüzde de bir ölçüde kullanılmaktadırlar. Transistörlerde
frekans cevabının ve sızıntı belirtgenlerinin daha iyi olması için, mesa transistörleri
ve sızmalı düzlem transisförler gibi değişik tipte transistörler geliştirilmiştir. Hı.ı­
nun yanında, epitaksiyel kristal büyütme yöntemleri de gelişti. Bu büyütme yönte-
minde ya n tipi, veya p tipi yarıiletken kristaller istenen özelliklere sahip olacak
biçimde gazlı atmosferde çökeltme yoluyla elde edilirler.
İlk yaniletken aygıtlar germanyumdan üretilmekteydi, ancak silikon aygıtla~
rın sızıntı fikımlarının düşük olması ve yüksek sıcaklıklarda çalışabilmeleri günü-
müzde bunları daha önemli hale getirmiştir.
Yarıiletken aygıtların hacımlarını küçültmek ve diyod, trı.ıısistör, Jırenç ve
sığacı küçük bir yongacık üzerinde toplamak için yani topludevre yapımı için bü-
yük çabalar harcanmıştır. Toplu devreler, önceleri bilgisayarlar gibi sayısal devre
uygulamalarında yaygınla~mış fakat daha sonra, düşük güç elektronik uygulamala-
ra hakim olana kadar, doğrusal yükselticiler; haberleşme cihazları devrelerinde ve
elektronik ev aletlerinde yaygın olarak kullanılmışlardır.

5-2
Düzlem diftizyonlu silikon transistör

Şekil5 - la bir npn transistör yapısının ilk zamanlardaki durumunu göster-

mektedir. Silikon tabaka yaklaşık 30 mm çapında ve 0,2 mm kalınlığındadır. Ta-
b~n, yüksek ölçüde iletken n tipi yarıiletkenden oluşmuştur. Şekil 5 - lb de taban
n + olarak gösterilmiştjr. Bu taban .üzerinde epitaksiyel büyütme yöntemiyle yak-
laşık 4 - 25 mikron kalınlıkta ve yüksek özdirençli n tipi bir katman oluşturulur.
Bunun üzerine de, yaklaşık 1 mikron kalınlığında bir oksit tabaka kaplanır.
Aşağıda anlatılacak olan tekniklerle Şek. 5 - lb de yapısı şematik olarak
gösterilen transistör yapılır. Epitaksiyel tabakada diflüzyon işlemiyle disk şeklinde

t J. Bardccn and W. Brattain, "Thc Transistor, A Semiconductor Triode, "Phys. Rev., 74, 230
(1948).

100
bir p tipi taban bölgesi oluşturulur. Sonra da taban bölgesinin ortasından tipi da-
ha küçük bir disk yine difüzyon işlemiyle oluşturulur. Bu kısım yayıcı olarak ad-
landınlır. Daha sonra da metal değme noktalan konur ve elde edilen yayıcı ve ta-
ban tabakalanna bağlantı için ince kurşun teller takılır. Yapının en altındaki metal
tabaka ve ucundaki kurşun tel ise toplayıcı bölgesine bağlantıyı sağlar. Oluşturu­
lan bütün yapı 1 mm x 1 mm boyutlarında ve 0,2 mm kalınlıktadır.

taban

-Si02
--...""....n:.Jl.),llll'!""+-+---+--Yayıcı

Taban
Toplayıcı

Yüzeysel tabaka
!gövde'
(al (bl

Şekil 5 - 1 (a) Kısmen işlenmiş silikon tabakası. Her küçük kare bir transis-
tör için ayrılan alanı göstermektedir. (b) Bir npn transistör kesiti ve ölçeksiz
perspektif görünüşü.

Bir metal tabaka üzerinde Şek. 5 - la da gösterildiği gibi çok sayıda transis-
tör oluşturulabilir. Eğer transistörler ayrılan dama tahtası biçimindeki metal taba-
ka üzerindeki alanı 20 mm x 20 mm boyutlannda ise, her tabakadan yaklaşık 400
transistör elde edilebilir. Elde edilen transistörlerden bazıları deneme aşamasında
bozuk çıksa bile yine de üretim hızı yüksektir.
Bir elektrik devresinde transistör, kontrol vanası gibi davranır. n tipi yayıcı
bölgesindeki elektronlar ince taban bölgesini geçerler ve toplayıcı bölgesine girer-
ler. Taban bölgesinde bazı elektronlar kaybolurlar ve dolayısıyla dışandan tabana
bağlanan bağlantı küçük bir miktar akım çeker. Bu akım değiştirilebilir ve böylece
toplayıcıdaki daha büyük bir akım kontrol edilebilir. Bunu izleyen bölümlerde bu
anlattıklanmızı genişleteceğiz.

5-3
Yapım teknikleri

a) Katı. hal difiizyon

Silikon içine, 3 ya da 5 valanslı safsızhğın ilavesiyle p tipi veya n tipi mater-

yal elde edildiğini görmüştük. Katı hal difüzyon işleminde, safsızhğı oluşturacak

101
atomlar yüzeyden verilir ve bunlar katı jçine işlerler. Yeterli hızda difüzyon olabil-
mesi için sıcaklık ıooo 0 c de tutulmalıdır. Difüzyon işlemlerinin birisinde H 2 ve
B2n6 gazları karışımı silikon yüzeye uygulanır. Bor bih.şeni yüzeyde molekülden
ayrılarak silikon içine sızarlar. Safsızlık atomlarının yoğunluğu ıo 19 /em 3 kadar
olabilir ve bu sayı da istenen iletkenliği sağlamak için yeterlidir.
Şekil 5 - 2a a, bir pn ekleminin difüzyon işlemiyle oluşturulmasının anla-
şılmasına yardımcı olacaktır. Başlangıçta silikon, düzgün bir verici atomlar yoğun­
luğuna, Ndo• sahiptir. dolayısıyla tamamiyle n tipi bir materyaldir. Alıcı atomlar
kristal içine sızdırılarak şekilde Nd ile gösterilen konsantrasyona karşı uzaklık
eğrisi elde edilir. Yüzeye yakın yerlerde, alıcı atomların sayısı, başlangıçtaki verici
atomların sayısını aşar ve böylece bu kısmı p tipi silikon haline dönüştürürler.

Nnet eğrisi, Na - Ndo farkının veya etkin konsantrasyonun değişimini göstermek-

tedir. Bu eğrinin, materyalin p tipinden n tipine değiştiği, Jile gösterilen sıfır nok-
tasından geçtiğini görüyoruz. Eğer eğri yeteri kadar dikse J noktasındaki düzlem,
daha önce anlatıldığı gibi bir p - 'n eklemi gibi davranır. Bu süreç Şek. 5 - lb deki
taban bölgesini oluşturmak için kullanılır.
Şimdi Şek. 5 - lb deki yayıcı bölgesini oluşturacak olan ikinci bir difüzyo-

nu ele alalım. Bir kristal kesitini ele aldığımızı,birinci difüzyon işleminin Şek.
5 - 2a daki net konsantrasyon eğrisine benzer bir konsantrasyon eğirsi verdiğini
varsayalım. Yalnız burada difüzyon Şek. 5 - _2b de N eğrisindeıı görüleceği gibi
kristalin derinliklerine ulaşır. Şekilde başlangıçtaki verici atomların düzeyi göste-
rilmiştir. İkinci difüzyon işleminden -önce, J 2 düzeyinde bir pn eklemi vardır. Bu
tabaka üzerine, bu kez arsenik gibi verici safsızlığın katıldığı ikinci difüzyon işlemi
1-<
aı
N ......
~ \ /. •rl
aı '< u
•rl
..-t:;::\ '\ /N"" -u
::ı u z aı
.o•..ı ' ..--1
z~iii ::ı
.D

~l
<il
~

..ı
1-<
>-O - <il
~ Q X ......
..ı

~
u
..ı
z ~------- ---N~-- - >,

9--·---
Si yüzey J
Z..-t
<il
(/),
..ı I
I

I• .. .__ _____ . ,. ıQl

<il ı\
.D
p-tipi n-tipi I N
d

(o) (bl
Şekil 5 · 2 (a) n tipi silikon içine alıcı atomların difüzyonuyla pn ekleminin
oluşturulması. (b) İkinci bir difüzyonla npn ekleminin oluşturulması.

102
yapılır. Bu difüzyonun Nd eğrisini izlemesine ve fazla derine gitmemesine dikkat
edilir. Şekilde
Nn ile gösterilen net safsızlık oluşturan atomların konsantrasyon
eğrisi,J ve J noktalannda sıfır değerinden geçer. Böylece, J ve J deki eklem-
1 2 1 2
lerle ayrılan üç ayn tabaka ve bunlardan oluşan bir npn transistörü elde edilir. Sol-
daki tabakaya yayıcı ortadaki tabakaya taban ve sağdakine de toplayıcı denir.
Yayıcı tabakası bir kaç mikrondan daha kalınken taban bölgesi, Şek. 5 . 2b de
gösterilenden daha incedir (yaklaşık 1 mikron ve daha az.)

b) Transistör yapımında aşamalar

Difüzyon işleminin
silikon levhanın seçilen bölgesinde olması ve diğer kısım­
larında olmaması için bazı tedbirler alınması gerekmektedir. Si02 tabakası safsız­
lıklann difüzyonunu iinleyici özelliğe sahiptir. Bundan ötürü, bölge seçimi difüz-
yonun olması istenen bölgelerin üzerindeki oksit tabakasının kaldırılmasıyla yapılır.
Bu işlem foto - optik ve kimyasal tekniklerle yapılır. İşlem sırasında aşın hassaslık
gereklidir, çünkü boyutların 0,005 mm kesinlikte olması gerekmektedir.
Şimdi kare yüzeyli taban ve yayıcısı olan transistör yapım yöntemlerinin
anahtarlarını ele alalım. önce bütün taban bölgelerinin difüzyonu için bir maske
hazırlanır. Bu maske, temiz ve saydam alanları olan bir cam fotoğraf levhasına
1,,mzer. Maskenin yapımı bir kaç aşamada olur. önce tek bir taban bölgesinin bü-
yük ölçekli şekli çizilir. Sonra bu şekil fotoğrafik yöntemle orta büyüklüğe düşü­
rülür. Sonra dokunmalı fotoğraf baskı işlemiyle bütün taban plakası iı;in kalıp
elde edilir. Sonra da bu kalıp tekrar fotoğrafik yöntemle küçülWlerek silikon
tabakaya uyacak son şekli verilir.
Kalıp levhanın yapılmasından sonra, yüzeyi oksitli silikon taban levhası direnç

denen ışığa duyarlı bir madde ile kaplanır. Bunun üzerine de önce elde edilen kalıp
yerleştirilir. Bu işlemden sonra bütünü üzerine mor ötesi ışık gönderilir, Şek. 5-3.
Sonra kalıp kaldırılır ve fotodirenç, tıpkı film banyo edilir gibi banyo edilir. Ban-
yo çözeltileri fotodirenç üzerine ışıktan etkilenen bölgeleri eritir ve söker, geriye
sadece istenen bölgelerde Si0 2 tabakası kalır. Bu Si0 2 tabakaları da hidroklorik
asitle sökülür,Şek. 5 - 3b. ·
Daha sonra ışmlanmış alanlardan taban difüzyonu işlemi yapılır. Bunu tüm
yüzey üzerine tekrar Si0 2 tabakası oluşturulması izler, Şek. 5 - 3c . Yeniden yayı­
cılar için yeni bir kalıp hazırlamr ve Si0 üzerine fotodirenç madde sürülür. Taban
2
bölgesi için yapılan işlemler bu kez yayıcı bölgeleri için aynen yapılır. Yayıcı di-
fizyonuyla sonra tekrar yüzey Si02 ile kaplanır. Bu kez, her bir transistörün yayı­
cısı üzerine metal elektrod işlemek için yeni bir kalıp daha hazırlanır, yine yukarı­
daki işlemler yapılarak metal kaplanacak noktalardan Si0 2 temizlenir, Şek. 5-3d.
Sonra da vakum ortasında tüm yüzey buharlaştırma ve kaplama yöntemiyle bir me-
tal ile kaplanır. Gerçekte bu metal, genellikle alüminyum tabaka, yayıcı taban

103
 uv ışı(;ı

[~/ j'"ı~,~5t~~:;u: '--'~··_A_~--'-\_s_D_ir_,-,.___,içs,o,

(al (bl

Taban Yayıcı
(el (dl

(el
~<'kil :> - :ı A vt• B gibi iki transistiirün yapımındaki bazı aşamalar.
Sılikon talıakanın bir kısmının kesiti.

arasında uhıııik dl'~nw yapacaktır. Bunu iinlemek için tekrar bir kalıp hH:mlanır
ı-,• yukarıda anlatılan yönteınlP, yayıcı • taban temasını sağlayan bu istenmeyen
ıııl'lal tl•ıııizlt>ııir. Taban . yayıcı arasın<la ht>rhangi bir ohmik temas olması önlenir.
Yiıı,• vakumla traıısistörün kaplayıcı tabakası da metalle kaplanır ve elektroda
baglaııır.
Tabaka şiııı<li elmas bir uçla çizgiler boyunca dikkatlice işaretlenir ve böy.
leC'e traıısistör yongaları birbiriııdPn ayrılmış olur. Son olarak, ince teller sıcaklıkla

E
o .ı

I.
(ol pnp
ı.
C
o
y ( b) pnp

E
o
1◄

L
.., C
o
y (d) npn
( c l npn

~ekil 5 • -ı pnp ve npn transistürlerinin temsilleri.

104
sıkıştırma ve bağlama işlemiyle üç elektroda bağlanır ve transistör bir metal kutu-
cuğa veya geçirgen olmayan bir plastik içine tespit edilir. Elektrodlara bağlı dış
uçlar daha kalındır.
Transistörün görünüşü kabaca seri haldeki iki doğrultucu pn ekleminden
ibarettir. Bundan ötürü, transistörler Şek.5 - 4a ve c de basitçe gösterilen biçimde
doğrultucu sembollerle temsil edilir. Yaygın, standart semboller Şek. 5 - 4b ve d
de gösterilmiştir. Kesim 5 - 5 i okuduktan sonra görüleceği gibi transistörlerin, seri
haldeki iki doğrultucu eklem olarak dikkate alınması sadece bu eklemlerdeki ileri
ve geri yönlerin belirlenmesinde yararlıdır.

5-4
Ortak taban bağlantılı transistür belirtgenler~

Şekil 5 - 5a da npn ve pnp transistörlerin d.a. belirtgeninde elektrod akımla­

rı ve potansiyellerin temsilinde kullanılan semboller gösterilmiştir. Akım sembolle-
ri yaygın kabulden ötürü transistöre doğru olan pozitif akımları göstermektedir
ancak gerçekte bunların bir veya iki tanesinin negatif olacağı açıktır. Şekil 5 • 5 de
başlangıçtaki taban elektrodunun referans ucu veya nokta . değmeli transistörler-
de kullanılan ortak uç yapılan yöntem izlenmiştir. Ancak uygulamada giriş sinyali
ve çıkış sinyal devresinin ortak ucu olarak seçilen uç, üç elektrottan her hangi
biri olabilir. En çok kullanılan bağlantı biçimi yayıcının ortak olduğu ortak• yayı­
cı biçimidir. Ortak - taban ve ortak - toplayıcı bağlantı biçimleri daha az kullanılır.

E C

(ol ( bl
Şekil 5 · 5 (a) Ortak - taban bağlantısı ve (b) basit ortak taban yükselteç.
Transistörlerin çalışması ile ilgili bazı bilgiler, Şek. 5 - 5b de gösterilen npn
transistörü içeren basit ortak taban yükselticisi yardımıyla verilebilir.MOYİAET
yükselticiyle karşılaştırarak, transistör yükseltici ile birlikte VEE ve VCC ile göste-
rilen d.a. besleme voltajlarının gerektiğini görebiliriz. Ayrıca transistiirlerdeki
kolay iletim yönünü hatırlayarak VEE d.a. besleme voltajını~ taban · yayıcı
yolunu ileri yönde ve VCC nin de toplayıcı • taban yolunu ters yünde beslediğini
görürüz. Toplayıcı akımın yayıcı akımından küçük olacağı ümit edilen bu devre-
nin, nasıl güç kazancı verebileceği sorulabilir. Bunun nedeni kısmen yayıcı· taban
voltajıdır ve bu nedenle sinyal voltajı küçük (Rs nin küçük olduğu varsayılarak); ve

lOS
toplayıcı - taban voltajı ve yük voltajı ise buna göre büyük olacaktır. Buna ek ola-

rak, eklem transistöründe, kurgunun toplayıcı akımın yayıcı akımına yakın bir
değer alacağı biçimde olması nedeniyle yükseltici yararlı güç ve voltaj kazancı
sağlar.

Aşağıdaki paragraf hangi voltaj ve akım bölgelerinin en ilgi çekici olduğunu

yani IE ve le nin, V EB nin negatif ve Ven nin pozitif olduğu bölgelerdeki değiş­
meleri belirtmektedir. (Bir pnp transistörü için V EB ve VeB nin her ikisinin de işa­
reti ters olacaktır). Küçük bir npn transistörü için tipik belirtgen eğriler Şek. 5 - 6
da gösterilmiştir. Şekil 5 - 6 daki I E = O için olan birinci eğriyi inceleyelim. Bu,
toplayıcıdan tabana olan ters voltaj denemesine, "diyod" karşılık gelir ve Ieo ters
doyma veya kesilme akımıdır (şekilde abartılmıştır). Eğer IE = - 2 mA gibi bir
yayıcı akımı varsa toplayıcı voltajına çok az bağlı ve yayıcı akımı IE den biraz
küçük değerde olan bir toplayıcı akımı akar. Bu davranışı açıklay_an iç hareketler
Kes. 5 - 5 de incelenecektir.
Yayıcı akımındaki değişmelerin, ~oplayıcı akımında oluşturduğu değişmele­
re olan etkisi,

(X -
Ven= sabit (5 - 1)

bağıntısıyla tanımlanan " parametresi ile ifade edilir. " parametresine küçük - sin-
yal ortak - taban kısa · devre ileri - akım aktarına oranı veya ortak - taban kısa -
devre akım kazancı denir. Eklem transistörlerde" nın tipik değerleri 0,90 ile 0,995
arasındadır. Verilen bir cihaz için" nın değeri çalışma koşullarına bağlıdır.

I v EB - volt•
o -04 -02

6 -1
-6
cı:
E -5
"u IE = -4mA /, . -2 <l
rl
- "'
o~

-
"'
ı:ı
o
-3 -E

rl
L
rl
◄· -
I E=f(V EB )
. ~
E
..,
3 --
-2 ""
-1
IE, O --4
lco
o 4 8 12
Vc 8 -voll toplayıcıdan, -5
(ol tabana
(b)
:-;;ekil 5 · 6 Bir silikon t.ransist.ür iı;in ort.ak taban belirt.genleri : (a) çıkış

belirt.genleri, ( b) giriş belirt.genleri,

106
 Doğru akım değrelerine uygulanan bu parametrenin durgun değeri

(5 - 2)
VCB = sabit

olarak tanımlanır. Burada LlIE sıfırdan özel bir değere değişimi gösteriyor.
Eğer VCB deki değişikliklerin °'FB ye olan etkisi ihmal edilirse aktif bölgede
ortak - taban toplayıcı belirtgenleri için basit bir doğrusal ifade, yani

(5 - 3)

yazabiliriz. Burada Ico, IE = O yani yayıcı açık iken, toplayıcı kesilim akımıdır. Şe­
kil 5 - 6a daki aktif bölge belirtgenleri yaklaşık olarak paralel doğru çizgiler oldu-
ğu bölgedir. Denklem (5 - 3) ün bir uygulaması transistör belirtgenleri üzerine sı­
caklığın etkisi tartışılırken görülecektir.

5-5
Transistürün iç çalışması

Bir transistörün, iki tane seri bağlı yarıiletken diyod olarak düşünülmesi doğ­
ru değildir. Çünkü baz bölgesinde olan olaylar ,bu şekilde ,tam anlamıyla ortaya
konamaz. Şekil 5 - 7 de, bir npn transistörün belirli beslenme koşulları altındaki
çalışması şematik olarak gösterilmiştir. Anlaşılır olması bakımından taban bölgesi•

nin genişliği abartılarak çizilmiştir, böylece i.Jölge içindeki olayları görebilirsiniz.

Enerji engeli, besleme voltajı V EE ile azaltılmıştır. Böylece elektron akımı bu
engeli atlayarak yayıcı bölgesinden p tipi taban bi>lgesinde olduğu gibi yayılır. Ek-
leme yakın kısımlar hariç, taban bolgesinde elektrik alanı hemen hemen sıfırdır,
elektronlar taban bölgesinde bu durumda difüzyon yoluyla ilerleyebilmektedirler.
Elektronlar, taban - toplayıcı eklemi bölgesine geldikleri zaman, iç elektrik alanı­
nın etkisi altında toı>layıcıya doğru itilirler. İşte, toplayıcı akımının büyük kısmını
oluşturan bu elektronlardır. Dolayısıyla taban bölgesindeki azınlık taşıyıcılar
toplayıcı akımının kontrolünü sa&lamaktadırlar. Taban bölgesinde bazı elektronlar

boşluklarda yeniden birle~me yoluyla kaybolurlar. Şekilde bunlar dikdürtgenscl

iı,,indeki oyuk- elektron çiftiyle temsil edilmiştir. Bu yolla kaybolan boşlukların

yerine taban elektrodu yoluyla yeniden boşluklar oluşturulmalıdır. Yani, taban

bağlantısındaki akımın bir kısmı, yeniden birleşmeyle yok olan boşlukların yerine
yenisini oluşturmak için harcanır. Taban akımının geri kalan kısmı ise, iki eklem
arasındaki boşluk akımlarının farkını karşılamak için harcanır. Boşluklar taban
bölgesinden yayıcı bölgesine itilirler, fakat bu geçiş hızı, buna zıt yöndeki elektron

107
 -·---
n·t ipi

- -- - --
p-t ipi n-t i D i

- --
--- - --
~;__
o@ .......
,- '
........ :•:
to:
_.,
ı----oc

100
-- ---
o --o

~ ~ 98

V[E Vcc
+ - ı,
+

:';:ekil 5 - 7 Çalışma koşulları altında bir npn transistörün iç çalışması.

Boş daireler boşlukları, dolu daireler ise elektronları göstermekLedir.

akımından daha azdır. Bunun nedeni de yayıcı

bölgesindeki yüksek orandaki saf-
sızlıktır. Bunların yanında boşluklar, toplayıcı - t:ıban ekleminden taban bölgesine
gelmektedirler. Bu boşluk akımı, toplayıcının yüksek katkılı yapılmasıyla en aza
indirilebilir. Bu yüzden taban akımı öncelikle, taban bölgesindeki yeniden birleş­
meye ve tabandan yayıcıya geçen boşluk akımına bağlıdır. Yayıcı, taban ve topla-
yıcı akımlarının nispi değerleri Şek. 5-7 de 100, 2 ve 98 ölçümleriyle gösterilmiştir.
özet olarak, transistörün çalı~ması, yayıcıdan taiJan bölgesine (npn transis-
tiirlerde) geçen· azıııhk taşıyıcılann kontrolünden, bu taşıyıcıların bütün taban
bölgesini dirüzyon yoluyla.geçmelerine ve taban - toplayıcı ekleminde hızlandınl­
malarından ibarettir diyebiliriz. Tabandan kaybolan azınlık taşıyıcıları karşılamak

için (.'.ok kü\'.ük bir taban akrmı gerekir.

Bütün bu anlattıklarımız genel haliyle, Şek. 5- 6 da gösterilen eğrileri şek­
killendiren etkenlerdir. örneğin toplayıcı akımı, yayıcı akımı ile kontrol edilir,
Şek. 5 - 6a, ve eğrilerin büyük bir kısmı üzerinde yayıcı akımından biraz daha
küçüktür. Taban akımı, yayıcı akımı ile toplayıcı akımının farkına eşittir ve olduk-
. ça k~\'.üktür. Transistörün giriş belirtgeni, Şek. 5 • 6b, esas olarak yayıcı taban
ekleminin ileri besleme belirtgenidir.
Eklem diizlemlerine dik doğru boyunca elektrik potansiyelinin değişimini
giizdlm geçirıııeııiı. oldukça yararlı olacaktır. Bir pn eklem diyodun belirtgen
eğrilerini yt>niden giizönüne ah!,sak Şek. 4 - 2 ve 4 - 3 dışarıdan sıfır besleme volta-
jı uygulanması durumunda, potansiyel Şek. 8 - 5b de gösterildiği gibi bir değişim
giisterecektir. Potansiyel engelleri VO ve V birbirlerini karşılarlar. Ekleme normal
besleme voltajı uygulandığı zaman taban - yayıcı arası potansiyel engeli azalır ve
taban • toplayıcı arası potaıısiylıl engeli artar (Şek. 5 - Be). EngellerdeLi bu değiş­
nwler Pklemlere uygulanan beslc_me voltajlarmda V EB ' V EE ye VCB - VCC olacak
şekilde ek voltaj uygulanmasına karşılık gelmektedir. Elektrik alanları elektronları

108
 Yayıcı Toplayıcı

n n (a)Transistör
kesi tiı
'
1 · 1

:f____ \3,,.____,_y-_-___-__-ı:
.~ t--
1 1

1
J_ (b)Besleme
sıfır

(el Normal
besleme

Şekil 5 • 8 Taban bölgesinde potansiyel değişimi (b) sıfır besleme için,

(c) aktif bölgeye doğru besleme durumu.
yüksek potansiyele doğru iterler. Taban - yayıcı engelinin a?.alması, büyük sayıda
elektronların J1 eklemini aşarak yayıcıdan taban bölgesine geçmelerine yol açar.
B!.ı elektronlar difüzyon yoluyla bütün taban bölgesini geçtikten sonra J 2 yakının­

da yükselen potansiyelle karşılaşırlar ve taban bölgesine doğru hızlandırılırlar.

VEE voltajının değiştiğini düşünelim. Voltajdaki değişmenin, yayıcı akımın­
da üstel bir değişmeye neden olacağlnı,pn diyoduıiun belitgenine bakarak bekleye-
biliriz ve Şek. 6 - 6b deki giriş belirtgenl bu değişmeye uygundur. Eğer toplayıcı -
taban voltajı değittirilirse akımda herhangi bir dtıtlşme beklemeyiz, çünkü taban -
toplayıcı ekleıntıiin yakınına kadit dltliz)'dh yuluyla gelen taşıyıcıların toplayıcı
bölgesine geçecekhıtlnden eminiz. Şekli 6 - 6a da görüldüğü gibi toplayıcı akımı,
toplayıcı voltajıyta çok az değişir. Bu kUçUk etki bundan sonraki bölümde incele-
necektir.

S-6
Early etkisi. delip - geçme; kıttlma

Şimdi, toplayıcı voltajının toplayıcı akımı üzerine uyguladığı küçük etkiyi

ele alalım. Bu etki,Early etkisi olarak bilinmektedir. Olay ilk kez Early tarafından
teorik olarak ortaya konmuştur. Bir ekleııı diyodda, ekleme uygulanan voltajın
değişmesiyle azalma bölgesinin dertn11ıtlnln de değiştiğini biliyoruz,İlöl. 4 . ;J.
Bir transistörde toplayıcı voltajı atttıtı zaman, azalma bölgesi taban bölgesini
hemen içine alır. Sonuçta tabatı bölıtılnln etkin derinliği azalır. Çünkü taban-
daki azınlık taşıyıcıların, taban bölıı,ıine geçmeden önce azalma bölgesinin iç
kenarına ulaşmaları gerekmektedir. Etkin taban bölgesinin azalmasıyla toplayıcı
akımı artar (IE sabit tutuluyor). Bunun nedeni yeniden birleşmeye fırsat kalma-
ması ve sonuçta oluşan azınlık tqıytct kaybının azalmasıdır.

109
 Taban derinliğinin değişmesinin bir başka et)tisi, bunun sabit yayıcı akımı
durumunda yayıcı voltajı üzerine olan etkisidir Yayıcı akımı öncelikle yayıcı
taban eklemindeki iç engel yüksekliğinin bir fonksiyonudur. Fakat toplayıcı akı­
mının yükselmesiyle etkin taban bölgesindeki azalma yayıcı akımını artırmaya ça-

lışacaktır. Toplayıcı voltajının yükselmesi yayıcı akımı değiştirmiyorsa bunun ne-

1
deni yayıcı eklemindeki engel yüksekliğinin, VEB voltajının azalmasına karşılık
birazcık artmasıdır. Bu durumda V EB deki değişmeye bir başka neden de taban
akımı taban ucuna doğru dağılırken taban bölgesindeki voltajın düşmesidir. VCB
voltajının artmasıyla taban akımı az da olsa azalma gösterir, böylece tabandaki
ohmik direnç azalır. VCB deki değişme ile VEB üzerine olan toplam etki,küçük
geri besleme etkisi olarak düşünülebilir.
Toplayıcı voltajının yüksek değerde olması kırdma veya delip geçme yoluyla
transistörün bozulmasına neden olur. Delip geçme olayı, çok yüksek toplayıcı vol-
tajı altında etkin taban bölgesi genişliğinin sıfıra yaklaşması sonucu ortaya çıkar.
Bu durumda taşıyıcılar yayıcıdan doğrudan toplayıcıya sıçrarlar. Kmlma,toplayıcı
ekleminde oluşan bağımsız bir olaydır. Karılmaya neden olan olay, gazlardaki
boşalma olayına benzer bir şekilde, transistördeki yük taşıyıcılannın çoğalması
sonucu ortaya çıkar. Bir başka kınlma olayı (Zener kınlması) kristaldeki kovalent
bağlann eklemdeki çok yüksek elektrik alanından ötürü kopması sonucu oluşur.

5-7
Ortak yayıcı belirtgenleri

Bir çok transistör devresi, örneğin Şek. 5 - 9a daki yükseltici, yayıcıyı

ortak elektrod olarak kullanır. Burada çıkış devresi,toplayıcı - yayıcı yolunu içerir
ve giriş sinyali tabandan yayıcıya uygulanır. Bu tür devrelerin çözümlenmesinde
statik veya d.a. toplayıcı belirtge_nleri Şek. 5 - 9b gereklidir. Burada toplayıcı - ya-
yıcı arasındaki voltaj VCE yerine VC ile gösterihpiştir ve referans elektrodun yayı­
cı olduğu anlaşılmaktadır. Taban - yayıcı voltajı yerine üçüncü değişken olarak
ta~an akımının seçildiğine dikkat ediniz. Bu seçim transistör hareketinin eklem
akımları cinsinden açıklanması ile uyuşan bir seçimdir.
Şekil 5 - 9b den taban akımının, VC sabit tutularak, o,ı mA değiştirilmesi ·
toplayıcı akımının 6 mA kadar, yani 60 misli değişmesine neden olduğunu görü-
yoruz. Bu gözlem ortak yayıcı devresi ile yüksek akım kazancı elde edilebileceğini
göstermektedir. Taban ile toplayıcı akımları arasındaki bağıntıyı aşağıdaki gibi
ifade edebiliriz. Akım yasası,

(5 - 4)

olmasını gerektirir. Denklem (5 - 3) ve (5 - 4) ü kullanarak IE yi yok edersek

110
 .-ı 15
~
>-
ıı:ı

1\ ci
o
10

iE
.. ı-

5
............
_________ _
,l~•~=..ı:O~S~m_A
_
L..-l- _jı+
Vaa . ~c o .
(ol Basit ortak o 5 10 15 20 25
yayıcılı yükselteç Ve-Volt:•
(b) TÔplayıcı belirtgenleri
Şekil 5 • 9 (a) Basit ortak· yayıcı yükselteç ve (b) bir silikon transistörün
toplayıcı belirtgenleri.

(5 - 5)

bağıntısınıelde ederiz. Denklem (5 - 2) nin ortak - taban belirtgenleri için yazıldı­

ğını ve VCB nin bir etkisi olmadığı yaklaşıklığımn kullanıldığını hatırlayalım. Eğer
Denk. (5 • 5) i ortak - yayıcı. bağlantısına uygularsak, VCE nin etkisi olmadığını
varsaymalıyız. Bu varsayım,V EB küçük olduğu için önceki varsayımla aşağı yukarı
aynıdır.

Artınmlı akımlar içeren devre hesaplannda J

(5 - 6)

bağıntısıile tanımlanan küçük sinyal parametresini kullanmak yardımcı olur. Bu

parametre küçük - sinyal ileri kısa devre akım kazancı olarak adlandınlır.
Ortak yayıcının betasının statik değeri

(5 - 7)
VcE = sabit

biçiminde tanımlanmıştır. Burada 618 , 18 = O dan ölçülen artınmdır. Daha sonra

fJ ya eşit bir melez parametre kullanacağız.

111
 Eğer Denk. (5 - 7) yi (l> - 5) e uygularsak,

(5 - 8)

elde ederiz.. Ortak - yayıcı kısa devre akım kazancının büyüklüğünü açıklamak için
örnek olarak °'FB = 0,98alınırsa o zaman /JFE = 0,98/(1-0,98)=49 bulunur. Bunun
yanında °'FB deki küçük değişmeler /JFE de daha büyük değişmeler oluşturacaktır.
Aynı şekilde değişmeler,Denk. 5 - 5 uyarınca le ve 18 arasında bağıntılarda da

olacaktır. Transistör üretimindeki farklılıklar °'FB de küçük farklılıklar olmasına

neden olur. Bu nedenJe /J ve /JFE nin değerleri aynı tipteki farklı transistörlerde
hazan 3 ün 1 e oranı kadar dikkate değer farklılıklar gösterirler. Bu nedenle tran-
sistör özellikleri, genel olarak bu parametrelerin değerleri için bir bölge veya mini-
mum değerler olarak belirtilir. Parametre değerleri aynı zamanda toplayıcı akımı­
na ve eklem sıcaklığına"bağlıdır.
Transistöre esas olarak akımla çalışan bir aygıt olarak bakılmasının yanında,
giriş devre davranışının incelenmesinde taban - yayıcı voltajının, taban akımının
fonksiyonu olarak değişimi hakkında bir bilgi gerekir. Şekil 5 - 10 da bir silikon
transistör için tipik eğriler gösterilmiştir. VCE nin 1 V u aşan değerleri için akım -
voltaj bağıntısı, taban - yayıcı diyodunki ile esas olarak aynıdır. Dolayısıyla 4. bö-
lümde verilen divod denklemi,
eV · eVB (5 -9)
iB = Is [exp ( _ _B_ )-1] ~ Isexp ( - - )
kT kT
geçerlidir. Yaklaşık biçim oda sıcaklığında VB nın 8kT/e den büyük-değerleri veya
VB >0,20 V için yeterli doğr4luktadır. Bu bölgede akım voltajla üstel olarak deği­
şir. Sonuç olarak, sinyal voltajı ile taban akımı arasında, istenilmeyen ve çıkış dalga-
sında bozulma yapabilen doğrusal olmayan bir bağıntı vardır.

CD
-- o,ıı-----+----+---+--,,-ı-

0,2_. 0,4 o,6 0_.8

Ve - voll,-
Şekil 5 - 10 Ortak - yayıcı bağlantısının giriş belirtgenleri.

112
 5-8
Sıcaklığın etkisi ; toplayıcının kayıp hızı

Transistörler belirtgenleri bakımından cihazdan cihazajizellikle ortak yayıcı

belirtgenleri bakımından çok farklılıklar gösterir. Burada taban akımı parametresi
etkisini gösterir, IE ve le gibi iki büyük akımdaki küçük fark ve a FB deki küçük
değişme eğrilerde oldukça büyük değişmeye neden olur.
. Bölüm 4 • 3 de pn eklem diyodlarındaki doyma akımının sıcaklığa fazla
miktarda bağlı olduğunu görmüştük. Bu bağlılik diyodun akım voltaj eğrileri üze-
rinde dikkate değer bir sıcaklık etkisi oluşturur. Eklem transistör belirtgenleri de
benzer şekilde sıcaklığa oldukça büyük bir bağlılık gösterirler. Etkiler (1) sızıntı
akımı Ico üzerine olanlar ve (2) {j (veya hFE) üzerine olanlar olmak üzere ikiye ay-
rılır.
Ortak - yayıcı bağlantısında toplayıcının sızma akımı değeri, IB =O için,
1cEO = Ico/(1 - aFB) değerine sahiptir. Bu değer Ico nun bir çok katıdır ve
değişmesi,germanyum transistörlerde normal sıcaklıklarda bile önemlidir fakat sili-
kon transistörlerde sıcaklık ıoo 0c a çıkıncaya kadar önemli değildir.
Sıcaklıktaki değişmeler tabandaki azınlık taşıyıcılann ömrünü değiştirir
aynı zamanda /3 nın değerini sıcaklıkla artıracak biçimde sızıntı katsayısını da etki-
lerler. Sıcaklığın bir silikon transistörün toplayıcı belirtgenleri üzerine olan etkisi
Şek. 5 - 11 de gösterilmiştir. 100°C lık bir sıcaklık artışı /3 nın yüzde 50 veya daha
fazla artmasına neden olabilir. /3 nın sıcaklıkla değişimi genel olarak katalog verile-
rinde belirtilir.
10 10 j 06
'
006 0,04
-ı
E
1 5
~
o 4
la =O 2
la =0,02

Ia=O la =O
o O~--~---~---=:..ı
o 5 10 15 O 5 10 15
VcE Va
(ol (bl
Şekil 5 - 11 Transistör sıcaklığının toplayıcı belirtgenleri üzerine etkisi :
(a) normal sıcaklık ve (b) yüksek sıcaklık.

'sıcaklığın giriş
belirtgenlerine olan etkisi Denk. (5 • 9) dan görülmektedir.
Şekil 5 • 12 de bir silikon transistör için gösterildiği gibi sıcaklıktaki bir artma

113
giriş
belirtgenlerini sola kaydırır. Sabit bir 18 için, V BE nin değeri yaklaşık olarak
2 mV/°C hızla azalır.
0 13
7':t C
<S.. 0,2
E
1
....• o,ı

8,4 0,6 0,8

Vac - volt
Şekil 5 - 12 Sıcaklığın giriş belirtgenleri üzerine etkisi.
Bu büyük sıcaklık' etkileri 1 sıcaklıktaki bir değişmenin çalışma bölgesini be-
lirtgenlerin istenmeyen bölgesine çıkmasını önlemek için, d.a. besleme devrelerine
çok dikkat edilmesini gerektirirler.
Şekil 5 - 13 den görüleceği üzere, transistörler çok küçük aygıtlardır ve dola-
yısıyla düşük ısı kapasitesine sahiptirler. Transistörlerdeki kayıplar transistörün sı­

caklığını yükseltirler. Devrelerin çoğ1;1nluğunda sıcaklık ..ırttığında kayıplar da art-

tığı için transistörlerin erimesine ve yanmasına kadar götüren bir sıcaklık etkisinin
oluşmasına doğru bir yönelme olur. Eğer toplayıcıdaki güç kaybı (transistördeki
en önemli güç kaybı) transistör üreticisinin belirttiği değerle sınırlandırılır.sa bu
felaket önlenebilir. Durgun koşullarda bu güç için

(5 - 10)

Şekil 5 - 13 Plastik ve metal kılıfları içinde örnek transistörler. Kayıp

hızları 0,3 wattan 150 watt a kadar.

114
 Yayıcı Toplayıcı

n n (a)Transistör
kesi tiı
'
1 · 1

:f____ \3,,.____,_y-_-___-__-ı:
.~ t--
1 1

1
J_ (b)Besleme
sıfır

(el Normal
besleme

Şekil 5 • 8 Taban bölgesinde potansiyel değişimi (b) sıfır besleme için,

(c) aktif bölgeye doğru besleme durumu.
yüksek potansiyele doğru iterler. Taban - yayıcı engelinin a?.alması, büyük sayıda
elektronların J1 eklemini aşarak yayıcıdan taban bölgesine geçmelerine yol açar.
B!.ı elektronlar difüzyon yoluyla bütün taban bölgesini geçtikten sonra J 2 yakının­

da yükselen potansiyelle karşılaşırlar ve taban bölgesine doğru hızlandırılırlar.

VEE voltajının değiştiğini düşünelim. Voltajdaki değişmenin, yayıcı akımın­
da üstel bir değişmeye neden olacağlnı,pn diyoduıiun belitgenine bakarak bekleye-
biliriz ve Şek. 6 - 6b deki giriş belirtgenl bu değişmeye uygundur. Eğer toplayıcı -
taban voltajı değittirilirse akımda herhangi bir dtıtlşme beklemeyiz, çünkü taban -
toplayıcı ekleıntıiin yakınına kadit dltliz)'dh yuluyla gelen taşıyıcıların toplayıcı
bölgesine geçecekhıtlnden eminiz. Şekli 6 - 6a da görüldüğü gibi toplayıcı akımı,
toplayıcı voltajıyta çok az değişir. Bu kUçUk etki bundan sonraki bölümde incele-
necektir.

S-6
Early etkisi. delip - geçme; kıttlma

Şimdi, toplayıcı voltajının toplayıcı akımı üzerine uyguladığı küçük etkiyi

ele alalım. Bu etki,Early etkisi olarak bilinmektedir. Olay ilk kez Early tarafından
teorik olarak ortaya konmuştur. Bir ekleııı diyodda, ekleme uygulanan voltajın
değişmesiyle azalma bölgesinin dertn11ıtlnln de değiştiğini biliyoruz,İlöl. 4 . ;J.
Bir transistörde toplayıcı voltajı atttıtı zaman, azalma bölgesi taban bölgesini
hemen içine alır. Sonuçta tabatı bölıtılnln etkin derinliği azalır. Çünkü taban-
daki azınlık taşıyıcıların, taban bölıı,ıine geçmeden önce azalma bölgesinin iç
kenarına ulaşmaları gerekmektedir. Etkin taban bölgesinin azalmasıyla toplayıcı
akımı artar (IE sabit tutuluyor). Bunun nedeni yeniden birleşmeye fırsat kalma-
ması ve sonuçta oluşan azınlık tqıytct kaybının azalmasıdır.

109
 Taban derinliğinin değişmesinin bir başka et)tisi, bunun sabit yayıcı akımı
durumunda yayıcı voltajı üzerine olan etkisidir Yayıcı akımı öncelikle yayıcı
taban eklemindeki iç engel yüksekliğinin bir fonksiyonudur. Fakat toplayıcı akı­
mının yükselmesiyle etkin taban bölgesindeki azalma yayıcı akımını artırmaya ça-

lışacaktır. Toplayıcı voltajının yükselmesi yayıcı akımı değiştirmiyorsa bunun ne-

1
deni yayıcı eklemindeki engel yüksekliğinin, VEB voltajının azalmasına karşılık
birazcık artmasıdır. Bu durumda V EB deki değişmeye bir başka neden de taban
akımı taban ucuna doğru dağılırken taban bölgesindeki voltajın düşmesidir. VCB
voltajının artmasıyla taban akımı az da olsa azalma gösterir, böylece tabandaki
ohmik direnç azalır. VCB deki değişme ile VEB üzerine olan toplam etki,küçük
geri besleme etkisi olarak düşünülebilir.
Toplayıcı voltajının yüksek değerde olması kırdma veya delip geçme yoluyla
transistörün bozulmasına neden olur. Delip geçme olayı, çok yüksek toplayıcı vol-
tajı altında etkin taban bölgesi genişliğinin sıfıra yaklaşması sonucu ortaya çıkar.
Bu durumda taşıyıcılar yayıcıdan doğrudan toplayıcıya sıçrarlar. Kmlma,toplayıcı
ekleminde oluşan bağımsız bir olaydır. Karılmaya neden olan olay, gazlardaki
boşalma olayına benzer bir şekilde, transistördeki yük taşıyıcılannın çoğalması
sonucu ortaya çıkar. Bir başka kınlma olayı (Zener kınlması) kristaldeki kovalent
bağlann eklemdeki çok yüksek elektrik alanından ötürü kopması sonucu oluşur.

5-7
Ortak yayıcı belirtgenleri

Bir çok transistör devresi, örneğin Şek. 5 - 9a daki yükseltici, yayıcıyı

ortak elektrod olarak kullanır. Burada çıkış devresi,toplayıcı - yayıcı yolunu içerir
ve giriş sinyali tabandan yayıcıya uygulanır. Bu tür devrelerin çözümlenmesinde
statik veya d.a. toplayıcı belirtge_nleri Şek. 5 - 9b gereklidir. Burada toplayıcı - ya-
yıcı arasındaki voltaj VCE yerine VC ile gösterihpiştir ve referans elektrodun yayı­
cı olduğu anlaşılmaktadır. Taban - yayıcı voltajı yerine üçüncü değişken olarak
ta~an akımının seçildiğine dikkat ediniz. Bu seçim transistör hareketinin eklem
akımları cinsinden açıklanması ile uyuşan bir seçimdir.
Şekil 5 - 9b den taban akımının, VC sabit tutularak, o,ı mA değiştirilmesi ·
toplayıcı akımının 6 mA kadar, yani 60 misli değişmesine neden olduğunu görü-
yoruz. Bu gözlem ortak yayıcı devresi ile yüksek akım kazancı elde edilebileceğini
göstermektedir. Taban ile toplayıcı akımları arasındaki bağıntıyı aşağıdaki gibi
ifade edebiliriz. Akım yasası,

(5 - 4)

olmasını gerektirir. Denklem (5 - 3) ve (5 - 4) ü kullanarak IE yi yok edersek

110
 .-ı 15
~
>-
ıı:ı

1\ ci
o
10

iE
.. ı-

5
............
_________ _
,l~•~=..ı:O~S~m_A
_
L..-l- _jı+
Vaa . ~c o .
(ol Basit ortak o 5 10 15 20 25
yayıcılı yükselteç Ve-Volt:•
(b) TÔplayıcı belirtgenleri
Şekil 5 • 9 (a) Basit ortak· yayıcı yükselteç ve (b) bir silikon transistörün
toplayıcı belirtgenleri.

(5 - 5)

bağıntısınıelde ederiz. Denklem (5 - 2) nin ortak - taban belirtgenleri için yazıldı­

ğını ve VCB nin bir etkisi olmadığı yaklaşıklığımn kullanıldığını hatırlayalım. Eğer
Denk. (5 • 5) i ortak - yayıcı. bağlantısına uygularsak, VCE nin etkisi olmadığını
varsaymalıyız. Bu varsayım,V EB küçük olduğu için önceki varsayımla aşağı yukarı
aynıdır.

Artınmlı akımlar içeren devre hesaplannda J

(5 - 6)

bağıntısıile tanımlanan küçük sinyal parametresini kullanmak yardımcı olur. Bu

parametre küçük - sinyal ileri kısa devre akım kazancı olarak adlandınlır.
Ortak yayıcının betasının statik değeri

(5 - 7)
VcE = sabit

biçiminde tanımlanmıştır. Burada 618 , 18 = O dan ölçülen artınmdır. Daha sonra

fJ ya eşit bir melez parametre kullanacağız.

111
 Eğer Denk. (5 - 7) yi (l> - 5) e uygularsak,

(5 - 8)

elde ederiz.. Ortak - yayıcı kısa devre akım kazancının büyüklüğünü açıklamak için
örnek olarak °'FB = 0,98alınırsa o zaman /JFE = 0,98/(1-0,98)=49 bulunur. Bunun
yanında °'FB deki küçük değişmeler /JFE de daha büyük değişmeler oluşturacaktır.
Aynı şekilde değişmeler,Denk. 5 - 5 uyarınca le ve 18 arasında bağıntılarda da

olacaktır. Transistör üretimindeki farklılıklar °'FB de küçük farklılıklar olmasına

neden olur. Bu nedenJe /J ve /JFE nin değerleri aynı tipteki farklı transistörlerde
hazan 3 ün 1 e oranı kadar dikkate değer farklılıklar gösterirler. Bu nedenle tran-
sistör özellikleri, genel olarak bu parametrelerin değerleri için bir bölge veya mini-
mum değerler olarak belirtilir. Parametre değerleri aynı zamanda toplayıcı akımı­
na ve eklem sıcaklığına"bağlıdır.
Transistöre esas olarak akımla çalışan bir aygıt olarak bakılmasının yanında,
giriş devre davranışının incelenmesinde taban - yayıcı voltajının, taban akımının
fonksiyonu olarak değişimi hakkında bir bilgi gerekir. Şekil 5 - 10 da bir silikon
transistör için tipik eğriler gösterilmiştir. VCE nin 1 V u aşan değerleri için akım -
voltaj bağıntısı, taban - yayıcı diyodunki ile esas olarak aynıdır. Dolayısıyla 4. bö-
lümde verilen divod denklemi,
eV · eVB (5 -9)
iB = Is [exp ( _ _B_ )-1] ~ Isexp ( - - )
kT kT
geçerlidir. Yaklaşık biçim oda sıcaklığında VB nın 8kT/e den büyük-değerleri veya
VB >0,20 V için yeterli doğr4luktadır. Bu bölgede akım voltajla üstel olarak deği­
şir. Sonuç olarak, sinyal voltajı ile taban akımı arasında, istenilmeyen ve çıkış dalga-
sında bozulma yapabilen doğrusal olmayan bir bağıntı vardır.

CD
-- o,ıı-----+----+---+--,,-ı-

0,2_. 0,4 o,6 0_.8

Ve - voll,-
Şekil 5 - 10 Ortak - yayıcı bağlantısının giriş belirtgenleri.

112
'>ağın tısını buluruz. Buna,toplayıcı gücü denir. Dolayısıyla eğer PC belirtilen değer­
;, tutul4rsa, le ve VC Şek. 5 • 9b de nokta nokta ile gösterilen bir hiperbol eğrisi
~eklinde birbirine bağlı olur. Buna ek olarak transistörün, durgun noktası bu eğri­
nin altında olacak biçimde, beslenmesi gereklidir. Bu transistör kısa bir zaman için
de olsa aşm binsınmaya tabi tutulursa düşük ısı ka?asitesinden dolayı tahrip ola-
bilir.

5-9
Ortak - yayıcılı yükseltecin grafik çözümü

Ortak - yayıcılı yükselteci Şek. 5-14 giriş devresi dışında Böl. 3 • 7 de çözümlenen
MOYİAET yükselticiye benzer. Transistör çıkış akımı ic nin, taban akımı iB ile
kontrol edildiğini düşüneceğiz. Sinyal voltajı us sıfır olduğu zaman çıkış akımı ic
nin doğrusal çalışma bölgesinin ortasında bir değere sahip olmasını istiyoruz. Bu,
şekilde gösterilen basit taban akımı beslemesi düzenlenmesiyle, yani R 8 direncinin
+ VCC den tabana bağlanmasıyla sağlanırsa besleme akımının devresinin kaynak
koluna gitmesini önlemek için engelleyici sığaç, C, gereklidir.
Şu andaki yaklaşık çözümlemede, değişen_ sinyal frekans akı~ı Is nin Cüze-
rinde hiçbir sinyal frekans voltajı üretmemesi için C nin değerinin çok büyük oldu-
ğunu varsayıyoruz. Sinyal kolunda bir Rs direnci gösterilmiştir. Bu, kaynağın
Th;venin direnci veya taban akımının vs ile olan bağıntısını doğrusallaştırmak için
seçilen ve eklenen bir direnç olabilir. Eğer Rs sıfır olsaydı iB ile VBE arasındaki
üstel bağıntıdan ötürü çıkışta kuvvetli bir doğrusal olmayan cevap elde edecektik.

-
i xS 1 8
RL 2k'1
610 kQ Ra
C
.J}ic
-i, - \
2 kil C B
l·
R, ia E Yo

v\ 1
-:

· Şekil 5 - 14 Ortak - yayıcıh yükselteç.

Grafik çözümlenmesine, çıkış belirtgenleri üzerine Şek. 5 - 15a bir yük doğ­
rusu çizerek., başlayalım. Bunun peşine durgun veya Q - noktasını aşağıda anlatı­
lan biçimde belirleriz. Vs = O olduğu zaman

115
 (5 - 11)
Vcc- ~BE
ia= Re

buluruz. VCC ve R 8 yi biliyoruz ve i8 yi bulmak istiyoruz. Fakat VBE ve 18

doğrusal ~)mayan giriş belirtgeni ile birbirlerine bağlıdır, Şek. 5 - 15b e bakınız.
Aşağıda belirtilen ardışık yaklaşıklık yöntemini seçelim. Kaba bir tahminle
VsE= 0,6 V alalım ve Denk. 5-11 yardımıylai 8 yi hesaplayalım. Bu,i 8 =0,0252 mA
verir. Şimdi VBE nin iyi bir değerini bulmak için Şek. 5 - 15b ye dönelim, i8 nin

10.----,---~----..----.----.----.--.......- - - .
006

8 O 05
. .
Yük dollri.ısu, Rl = 2 kn
0.04
C
e
O 03
u 4

o 2 4- 6 8 ıo 14 16
VcE - volt; t
Vcc
lal

0,06

0,04
,c(
e

-
1

0,02

0,55 0,60 0,65 0,10

Vn -voıı.
lbl
Şekil 5 - 15 (a) Çıkış belirtgenleri ve yük doğrusu. (b) Giriş belirtgenleri.

116
 0,0252 ınA değerine karşılık V BE = 0,66 V okuruz. VBE nin bu değerini Denk.
(5 - 11) de tekrar yerine koyarak iB ==0,025 mA buluruz ki bu Q noktasını belirler.
Şimdi sinüs dalgası biçiminde bir giriş voltajı başlatalım. Ani çalışma nok-
tası yük doğrusu boyunca Qnoktasının altına ,eya üstüne gelecek şekilde kayacak-
tır. Biz probleme, sinyalin bir tepesinden diğer tepesine gidildiğinde M ve N nokta-
ları arasında çalışma sağlayacak us nin bulunması ol~rak bakabiliriz. M ve N nokta-
ları iB nin Q noktasının üstüne ve altına giden eşit miktardaki değişmeleri içinse-
çilmiştir. iB ile V BE arasındaki doğrusal olmayan bağıntı çözümlemeyi zorlaştırır
bu nedenle yaklaşık bir çözümle yetineceğiz. Şekil 5 - 14 ün incelenmesinden giriş
sinyalinin karın noktasında iB = is + ix olduğu görülür.
VSE deki küçük değişmelerden ötürü, ix in IB = 0,025 mA besleme değerinde sa-
bite çok yakın kalacağını bekleriz. Bu nedenle iB = is + IB, veya

(5 - 12)

olur. Bu bağıntı, i 8 istenen bölgede değişirken is nin değerini verir.

C nin çok büyük olduğunu ve bu nedenle de voltajın esas olarak sabit kaldı­
ğını varsaydık. Dolayısıyla sinyal voltajı

(5 - 13)

bağıntısıyla verilir. Burada!:.V BE• V BE nin Q- noktasına göre değişmesidir.

Hesabı sistematik hale getirmek için Tablo 5 - 1 i hazırlar ve Şek. 5 - 15a
daki M,Q ve N noktalarında hesap yaparız. V BE nin değerleri giriş belirtgenlerin-
den okunmuştur ,Şek. 5 - 15b. Giriş devresinde de dikkate değer miktarda doğru­
sallık tan sapma olduğuna dikkat ederiz, çünkü is deki 0,015 mA lik pozitif artma
vs = + 0,045 V gerektirdiği halde, aynı miktarda bir negatif artma vs = 0,065 V
gere~tirmektedir.
Tablo 5 - 1

Nokta iB VBE is= iB - 0.025 f:.V BE vs =: Rsis + t:, VBE

M 0,040 mA 0,675 0,015 0,015 V 0,045

Q 0,025 0,660 o o o
N 0,010 0,625 - 0,015 - 0,035 - 0,065

Çözümlemeyi tamamlamak için çıkış voltajı v0 ın VCE ye eşit olduğuna

dikkat ederiz. M, Q ve N noktaları için VC nin değerlerini okuruz ve Tablo 5 - 2

117
 Tablo 5 · 2

Nokta iB '-\; Uo= VcE

M 0,040 mA 0,045 V 4,4 V

Q 0,025 o 9,2
N 0,010 - 0,065 13,3

deki değerleri elde ederiz. Şimdi voltaj yükselmesi,_Ay, veya kazancı,

(5 - 14)

biçiminde tanımlar ve bu tanım eşitliğini iki uç noktasına yani M ve N ye uygula •

rız.Böylece

__ 13~,3_-_4~,4_ _ = __M_ = _ 81
Ay = - 0,065 - 0,045 - 0,11

elde ederiz. Eksi işareti, us deki pozitif artmanın v 0 da negatif artmaya neden oldu-
ğunu göstermektedir.

Artırımlı akım kazancı,

(5 - 15)

·biçiminde tanımlanır. Eğer yine iki uç noktayı kullanarak bu değeri hesaplarsak

Ai = + 4,45/0,03 = + 148 buluruz. Voltaj kazancı ve akım kazancının her ikisi de
büyüktür dolayısıyla yükseltici büyük güç kazancına sahip olacaktır.
Yükselticideki önemli voltajlar ve akımların yaklaşık ifadelerini yazmak öğ­
retici olacaktır. Yaklaşıklık bil.tün değişmeleri, sinüs dalgalarının bozulmuş türü de
olsalar, sinüzoidal kabul etmekten ibarettir. Dalgalan, yani tepe değerlerini tanım­
lamak için M ve N noktalarını kullanacağız. Değerleri Tablo 5 - 1 den alarak sinyal
akımını

is= 0,015 sin wt (5 - 16)

biçiminde ve taban akımını da

118
 iB = 0,025 + 0,015 sin wt (5 - 17)

biçiminde ifade edebiiiriz. Kaynak voltajını Tablo 5 - 1 de verileR bozulmuş dal-

gayla aynı tepeden - tepeye genliğe sahip bir dalga olarak dikkate alırız ve

us= 0,055 sin wt (volt) (5 - 18)

elde ederiz. Bel)zer nedenle toplayıcı akım dalgası icin,

ic = 3,6 + 2,2 sin wt (mA) (5 - 19)

ve çıkış voltajı için

u0 = VCC - RLiC = 8,8 - 4,4 sin w t (5 - 20)

bağıntıları elde edilir. iB, ic ve u0 ın herbiri bir sabit terim ve sinyalden gelen bir
değişen kısımdan oluşmaktadır. Bütün bağıntılar doğrusal olsaydı sabit terimler
Q noktasındaki değere karışlık gelecekti, fakat bizim yaklaşıklığımızda d.a.
bileşenleri Qnoktasından biraz kaymış durumdadır.
iB, ic ve u0 değişkenleri Şek. 5 - 16 daki dalgalarla gösterilmiştir. iB nin ve
ic nin sinüs bileşenleri şekilde gösterilmemiş olan us ile aynı fazdadırlar. Ancak
aynı zamanda u
0 ın değişken kısmı Denk. (5 - 20) den de göreleceği gibi zıt
fazdadır.

S - 10
Transistörlerin ek tipleri
(a) alan - etkili transistörler
(b) tekeklemli transistör

a) Alan • etkili transistörler

Metal oksitli alan - etkili transistör (MOYİAET) Bölüm 3. de anlatılmıştı.

Benzer belirtgenlere sahip olan ve onunla bağıntılı bir yapıdaki eklem • tipi alan
etkili transistör, veya EAET, Şek. 5 - 17a da gösterilmiştir. Bu difüzyon tekniği ile
yapılan bir EAET in kesit görüntüsüdür.
EAET in çalışması genel olarak MOYİAET in kine benzer ; yani n ti pi kanal-
dan geçiş iletkenliği, geçit elektroduna uygulanan voltajla kontrol edilir. Geçit
bölgesi p - tipi olduğundan geçitten n - kanalına kadar olan kısım bir pn eklemi
olarak düşünülebilir. Normal olarak bu eklemdeki voltajın yönü ters besleme sağla­
yacak biçimdedir; aksi ta}ctirde geçite verilen akım fazla olurdu. Dolayısıyla Şek.

119
 ◄
E 0,025 ----ı
.
-·------,1
1

ı, :
0.0•:'=-_--ı.1_·_-_-_-_-_-_-_·~'-:_-_ _ _ ___.___,
O ,.,,180 360

<I
E
1
_u

o._______________
o · ıeo
.,, 360

16

14

12
.:! ıo
o>
1 8
>o
6
4

2
o
o 180 360
wr- derece
Şekil 6 · 16 Ortak · yayıcı yükselte~te voltaj ve akım dalgaşekilleri.

5. 17 deki VGS normal olarak negatif, v 0 8 ise pozitiftir.

Geçit - kanal eklemi arası ters beslemeli olduğu için eklemlerde hareketli
taşıyıcıdan mahrum olan ve Şek. 5 - 18a da taranmış olan ·

120
 geçit

Kaynak Akıtıcı D = Akıtıcı

p-tipi gövde

S= Kaynak

(ol (b)

Şekil 5 - 17 (a) n - kanal eklem alan etkili transistörün yapısı. (b) Ortak

kaynak bağlantısı için devre sembolü ve voltaj sembolü.

olarak gösterileıı bir boşaltılmış bölge olması beklenir. Bu diyagramda I V DS 1 ,

1 V GSI ve V GS nin negatif olduğunu varsayıyoruz. örneğin geçitte -1 V için
V DS = + 0,5 V olabilir. Kanaldaki akım, yani akıtıcıdan kaynağa olan akım, bü-
yük miktarda kanalın dikey kalınlığına bağlı olacaktır. V GS yi değiştirmekle kana-
lın etkin kalıııltğını değiştirebiliriz. örnrğin, eğer V es, - 2 Va değiştirilirse bo-
şaltılmış bölge Llınlaşır ve iletkenlik kanalı incelir ve kanal direnci artar. p · tipi
bölgeler kanala göre daha düşük özdirencc sahip olduğundan boşaltılmış bölge
esas olarak kanal bölgesinde kalır.
Şimdi V DS değiştirilirken V GS nin - 1 V ta sabit tutulduğunu varsayalım.
V DS voltajı büyük miktarda ince kanaldaki voltaj düşmesi ile tüketildiğinden bo-
şaltılmış tabakadaki voltajda dikkate değer bir değişme olur. örneğin, V GS = - 1 V
ve V DS = + 3 V olduğu zaman boşaltılmış tabakanıri kaynak ucundaki voltaj 1 V,
a1utıcı ucundaki voltaj 4 V tur. Bunun sonucu olarak boşaltılnıı" tabakanın kalın­
lığı Şek. 5 - 18b de gösterilen biçimde değişir. Boşaltılmış tabakalar birbirine tanı
dokunduğu zaman Şek. 5 - 18b sık boğaz durumu oluşur.

s D

~~
-ı=_ToG
(al (lı)

Şekil 5 -18 EAET için şema (a) 1 V DS 1 < 1 V as I ve (b) sık boğa:ı. durumu.
121
 Sık boğaz durumu V es ve V DS nin farklı birleşimleri ile oluşturulabilir.
V GS yi sıfıra ayarlayalım ve V GS yi kanal sıfır oluncaya kadar değiştirelim. j V Gsl
nin bu değeri sık boğaz voltajı Vp yi tanımlar. VGS nin değerinde kanal direnci
çok büyüktür ve VDS nin artırılması sadece küçük bir akıtıcı akımına neden ola-
caktır. Eğer şimdi VGS nin biiyüklüğü azaltılırsa, V DS nin değiştirilmesi akıtıcı
akımının hemen yaklaşık olarak doğrusal biçimde değişmesine neden olacaktır.
Ancak sık boğaz durumuna 've sonuçta sabite yakın olan, veya doymuş olan bölge-
ye varacaktır. Bu durumda akıtıcı akımının, akıtıcıdan kaynağa olan voltajla değiş­
me eğrileri Şek. 5 - 19 da gösterilen biçimi alırlar. Yüksek V DS değerlerinde bo-
şaltılmış bölgedeki elektrik alan, elektron çoğalmasının başlamasına neden olur ve
yükselen akım arızanın başladığını gösterir.
Ters beslemeli eklemdeki sızma akımı EAET de, küçük olan fakat MOYİAET
dekinin birkaç katı olan bir geçit akımının oluşmasını sağlar. Sinyal voltajlarının
değişmesiyle EAET in geçitten kaynağa olan yolu bir sığaç gibi davranır, yani ters

beslemeli pn ekleminin' eklem sığacı gibi gözükür. Bu nedenlerden ötürüMOYİAET

çoğunlukla EAET e tercih edilir.

6r-------------------~
l

1
1
4 1

<I VGs=-1V _ ),
____)
E

__
1
..E' I
-2v
-3V
;
. -4V
5 10 15 30 35
v05 - voıı.

Şekil 5 · 19 Boşaltılmış tip bir EAET in akıtıcı belirtgenleri.

b) Tekeklemli transistörler

Bu aygıt bir yayıcı

elektrodun bir n tipi silikon çubuğun iletkenliğini değiş­
tirebildiği için kullanışlıdır. Elektronlar, veya çoğunluk taşıyıcılar ,1etkenliği sağ­
larlar. Sadece bir tür taşıyıcı bulunduğu için bu aygıta tek kutuplu transis~ör denir.
Şekil 5 - 20a bir tür tekeklemli transistörün yapısını göstermektedir. n tipi
silikon çubuk, uçlarında B1 ve B2 ile gösterilen iki ohmik uca sahiptir. Karşı taraf-

122
ta, merkezden kaymış biçimde yayıcı görevini yapan küçük, doğrultucu pn eklemi
bulunmaktadır. Yayıcı açık devre yapılırsa veya ters besleme voltajı uygulanırsa ve
B2 den B1 e doğru voltaj uygulanırsa silikon çubuk birkaç bin ohmluk direnç gibi
davranır. Yayıcının voltajı pn ekleminin iletmeye başladığı noktadan biraz yukarı
,karılırsa çarpıcı bir değişiklik olur. Boşluklar n tipi çubuğa yayılır ve VBB nin
·,luşturduğu elektrik alandan ötürü boşluklar Bl tabanına doğru giderler. Çubukta
nutürlüğün sağlanması için hareketli elektronların fazla bir bileşeninin oluşması
~erekir ve böylece de iletkenlik artar. Bu etki öyle büyüktür ki yayıcı akımı artınn­
ca yayıcıdan Bl e olan voltaj düşer; yani aygıt negatif direnç gibi davranır.
82
Yayıcı

..... omik
(1)
82
..... temaslar
o.
.....
...., -=-Vea
1
C:

81
(o) (b)

Şekil 5 • 20 Tekeklemli Transistör: (a) Yapısının şeması ve (b) devre sembolü.

Yayıcının belirtgeni Şek. 5 , 21 de ölçeksiz olarak gösterilmiştir. Oreticinin

verdiğiözellikler tepe noktasındaki voltaj ve akımı, VE = O da yayıcının ters akı­
mını ve IE = O için ortak taban direncini içermektedir. F.arklı dirençler için tepe
noktasındaki akım 2 den 25 µA e kadar değişir. Tepe noktasındaki voltaj, VP' öz
dayanma oranı Tl vasıtasıyla dolaylı olarak belirlenir. V P nin değeri kabaca iki ta-
bana uygulanan V BB voltajıyla orantılıdır. Ancak yayıcıdaki diyod, tepe noktasına
varmadan önce karşılanması gereken, bir Vn voltaj düşmesine sahiptir. Dolayısıyla
voltaj• B1-82 = sabit
rxı Vp - T~pe noktasi
...ı
u
...ı
>,
ıo
>, Nagatif direnç bölgesi
>
...
bölgesi
,.. /Vadi

1
lE-mA
Şekil 5 · 21 Tekeklemli transistörün yayıcı belirtgeni.

123
Vp voltajı

(5 · 21)

bağıntısı ile verilir. Tipik değerler olarak rı = O, 7 ve v O = 0,6 V verilebilir. O za.

man, VBB = 10 V ise Vp = 7 ,6 V veya eğer VBB= 18 V ise Vp = 13,2 V olur. Tek-
eklemli transistörler silikon kontrollü düzeltici tetikleme devrelerinde, zamanlama
devrelerinde ve relaksasyon osilatörleri devrelerinde kullanılırlar.

5 - 11
Transistörler: yarıiletken kontrollü doğrultucu ve triak

Tristör denen ve dört tabaka silikon ailesinden oluşan aygıtlar teliştirilmiş­

tir. Tristörler t "üç veya daha fazla eklemden oluşan, KAP ALI durumundan AÇIK
durumuna veya bunun tersine getirilebilen ve bu değiştirme voltaj • akım karakte-
ristiğinin en az dörtte birinde olan bir, iki durumlu yarıiletken aygıttır. Bu aygıtla­
rın en önemli iki tanesinin kısa bir anlatımını vereceğiz.

a) Yarı iletken kontrollü doğrultucu (SKD)

Aynı zamanda silikon kontrollü doğrultucu da denilen bu aygıt kontrol edi-

lebilen diyod olarak da düşünülür. Genelleştirilmiş yapısı ve devre sembolü Şek.5-22
de gösterilmiştir. Ancak, gerçek yapısı Şek. 5 • 23 de gösterilen eşit kalınlıkta ol-
mayan dört tabakadan oluşan disk şeklindeki hap biçimindedir. Bu hap çoğunluk­
la bakır olan metal bir hap içine iyi bir metal teması olacak biçimde yerleştirilir.
Anod _ı_

p
Anod 1
+
V

/' Kat od -ı
n
GE!çi t

Katod
~ [G l T
(o) (b)

Şekil 5 · ,22 Yaniletken kontrollü doğrultucu : (a) şeması ve (b) devre

sembnlü.

t IEEE Standard Dictionary of Electirical and Elektronics Terms, John Wiley Sons, ine.,
New York, 1972, p. 598.

124
 n-tipigeçit Katod
yayıcı Elektrod

p
p-tipi n
taban p
n-tipi
taban
P-tipi
yayıcı

Anoö
elektrodu
Şekil 5 - 23 Tipik bir SKD hapının kesiti.

SKD nun Şek. 5 - 22b deki devrede önce la = Odurumunda pozitif V için
denendiğini düşünelim. SKD seri halde üç pn eklemine sahiptir dolayısıyla pozitif
V uygulandığında eklemlerin ikisi ileri beslemeye, ortadaki ise ters beslemeye tabi
olacaktır. Ancak, komşu tabakalardaki taşıyıcı yoğunlukları arasında etkileşme
olduğu için, cihazın davranışını seri olarak bağlanan pn eklem diyodlannıiı dav-
ranışına eşdeğer olarak açıklayamayız. Deneysel olarak, Şek. 5 - 24 de la = O
olarak gösterilen belirtgeni görmemiz gerekir. Voltaj yükseltildiğinde önce küçük
bir kaçak akım vardır fakat kırılma voltajında içerde yeniden üretme olayı hakim
olur ve voltaj aniden 1 veya 2 V düzeyine düşer. Bu anda SKD yüksek iletkenlik
halindedir. Eğer kaynak voltajı düşürülürse, AÇIK durumu Ih tutma akımında du-
racak ve bu noktanın altında SKD düşük iletkenlik haline dönecektir.
~ğer deneme 20 mA civarında küçük bir geçit akımı, Iaı• ile tekrarlanırsa
kırılma voltajı çok aşağı düşer. Ancak SKD AÇIK haline geldiğinde geçit akımının
anot akımı üzerinde kontrolü kalmaz. SKD devre uygulamalannda aygıt çoğunluk-

+I
AÇIK durum

F-,
,Ters·
kırılma
ı..- ►

KAPALI
+V
•
IG= O için
durum kırılma
voltajı

Şekil 5 - 24 SKD nin voltaj - akıın belirtgeni.

125
la AÇIK duruma bir geçit a,kımı pulsu ile getirilir. örneğin bir kontrollu doğrultu­
cu uygulamasında geçit pulsu, pozitif yarı devir kısmı için geciktirilebilir ve böyle-
ce ortalama anot akımı kontrol edilebilir.
V voltajı tersine döndürülürse, belirtgen, yarıiletken diyodunkine benzer ve
ters kırılma voltajı gözlenir.
SKD !ar kontrollu doğrultucu veya sinyal tersleyici devrelerde kullanıldığı
zaman aygıt KAP ALI durumunda iken ani bir ileri voltaj yükselmesi uygulanabilir.
Bu yüksek hızda artma, veya yüksek dv/dt normal geçit pulsu olmaksızın SKD nun
AÇIK duruma gelmesine neden olabilir. Dolayısıyla dv/dt nin sınırlandırılması ge-
rekir. Bu nedenle SKD frekansın birkaç bin devir / sn yi aşan değerlerinde kullanı­
lamaz. SKD nun diğer özellikleri ve geçit kontrol gerekleri ve sınırlan, sıcaklık et-
kileri, anahtarlama zamanları gibi sınırlandırılmalarının ayrıntısı için bölümün so-
nundaki kaynaklara bakılmalıdır.
SKD !ar geniş v~ltaj ve akım bölgeleri için yapılabilirler. 100 V ta bir veya
iki amper çeken ve düşük güçlü aygıtların kontrolünde kullanılan küçük aygıtlar
olabilirler. 1000 V a kadar voltajda on veya yüzlerce amper çeken böylece kilowa-
tın katları bölgesindeki güçleri kontrol edebilen aygıtlar da vardır.

SKD birçok devrede (1) akımı açıp kapamak için, (2) yüke giden a.a. gücünü
kontrol etmek için, (3) kontrollu doğrultucu uygulamalarında a.a. gücünü kontrol-
lu bir d.a. gücüne çevirmek için,Kes. 11 - 9, voltaj düzeltmek için ve ters çevirici
devrelerde d.a. gücünü a.a. gücüne çevirmek için kullanılır. Bu devrelerde geçitin
anod akımını başlatması istenir fakat SKD yu yüksek direnç durumuna getirmek
için anod akımı azaltılır (ve_ya anod voltajı ters çevirilir.)

b) Triak

'friak iki yönlü triod tristor olarak sınıflandırilabilir ve alternatif akımı kont-
rol eden aygıt ihtiyacını karşılar. Alternatif akımı kontrol etmek için iki SKD içe-
ren bir devreye ihtiyaç olduğu halde tek bir triak bu fonksiyonu yapabilir.
Triak yapısı şematik biçimde Şek. 5 - 25a da, ·devre sembolü de Şek. 5 · 25b
de gösterilmiştir.
Triak zıt kutuplanmış iki pnpn aygıt olarak düşünülebilir. Bunlar SKD ye
benzer bir yapı içinde paralel birleştirilmişlerdir, fakat küçük bir n tipi bölge ve
geçit için de bir uç eklenmiştir.
Bundan sonra iki ana uç arasında yapılan bir deneme için voltaj akım belirt-
genlerine bakalım. Geçitin açık olduğu durumda, oldukça yüksek voltajda KAPA-
LI dan AÇIK duruma ani geçişlerde simetriğe yakın biı kırılma belirtgeni bulu-
nur, Şek. 5 -26. Ancak geçit bir pozitif veya bir negatif akımla yeterli miktarda
uyarılmış ise triak tavsiye edildiği gibi düşük bir voltajd~ AÇIK duruma geçecektir,
Şek. 5 - 26. 1 ucundaki her polarite için triak, geçit akımının her polaritesinde

126
 Temel
1 uç ·2

n T.U. 2
p

n
n

p ~,5$
/
geçit
T.U. 1

Temel
uç 1
(o) (b)

Şekil 5 · 25 (a) Triakın yapısı ve (b) devre sembolü.

AÇIK duruma tetiklendiğinden tetiklemenin dört modu var demektir.

Tipik triak _uygulamaları.durgun anahtarlama, lamba ışığını ayarlama ve kü-
çük evrensel motor hızlarının kontrolü gibi yerlerdir.

+I
-Aç.durum

____ t_________ ._ j +V(T.U.2 pozitif)

IG=O Kap.durum
± I ile
G

Şekil 5 - 26 Triakm voltaj - akım belirtgenleri.

5 - 12
Toplııdevre yapımı

Mikroelektronik teknolojisindeki, ya da minyatür elektronik devrelerdeki

hızlı gelişmeler, düşükgüçte çalışan devrelerin hacmini ve fiyatını oldukça düşür­
müştür. Transistör, diyod, direnç ve sığaçlar çok küçük bir yarıiletken parçacık
üzerinde yapılabilmekte ve birbirlerine bağlanabilmektedir. Bu parçacıklara silis-
yum yongalar denmektedir. Son yıllarda küçük hacimde yapılan eleman sayısı ol-
dukça artmıştır. İçerdikleri devre elemanı sayısına göre toplu devreler; sıradan

127
tümdevreler TD !er, 60 elema!la kadar sayı içerirler), orta· büyüklükte topludevre-
ler (OBT) ki her bir yonga içinde 200 - 300 eleman bulunur ve büyük topludevre-
ler (BTD her bir yonga içinde 1000 üzerinde eleman bulunur) olarak ayrılırlar.
Topludevre yapımı için çeşitli teknikler geliştirilmiştir, ancak biz burada en
çok karşılaşılan monolitik tipi topludevre yapımını açıklayacağız. t Bu tip toplu-
devre bütün devre elemanları esas gövde olarak isimlendirilen silisyum tabakanın
bir yüzüne yerleştirilir. Transistör ve diyodlar, düzlemsel difı.izyonlu transistör ya-
pımına benzer bir yöntemi Böl. 5 - 3 difüzyon işlemiyle oluşturulur. Direnç ve sı­
ğaçlar ise daha sonra açıklayacağımız bir yöntemle yapılır. Devrenin tümü, tekrar
tekrar uygulanan işlemlerle silisyum yaprak üzerine difı.izyonlu transistörlerde ol-
duğu gibi yapılmaktadır Şek. 5 • la. örnek olarak 30 mm x 30 mm boyutlannda
bir silisyum yaprak üzerine ideal şartlarda 400 topludevre yapılabilir. Btı durumda
her bir devre için 1,5 mm x 1,5 mm bir alan düşmeitedir.
Difı.izyonla transis~ör yapımı ile topludevre yapımı arasındaki bazı farklılık­
lan bir topludevre içindeki transistörün oluşturulması üzerinde durarak açıklaya­
cağız. Şekil 5 • 27 de topludevre içindeki transistörün kesiti görülmektedir. Şekil
5 - lb ile bu şekli karşılaştınrsak, yapım farklanndan birisi, topludevre içindeki
transistörde toplayıcı bağlantısının üst tabakaya bağlanmış olduğunu görürüz. Şe­
kil 5 • 27 deki E, B ve C harfleri, yayıcı, taban ve toplayıcıya olan metalik bağlantı­
ları göstermektedir. Bu düzenleme, topludevre elemanlannın birbirleriyle olan bağ­
lantılannın yapının üst kısmına metal şeritcikler yerleştirilmesiyle olacağını gös-
termektedir.
Şekil 5 - lb ve 5 - 27 _arasındaki başka bir fark, topludevre içindeki transis-
törün komşu elemanlardan ve esas gövdeden yalıtılması gereğinden kaynaklanır.
Bu yalıtma işlemi, aşağıda anlatılacağı gibi yapımın ilk aşamalarında ·gerçekleştiri­
lir. İlk önce, p tipi silisyum tabakası (yaklaşık 0,2 mm kalınlıkta ve 30 ile 60 mm
çapında) oluşturulur. Sonra, bir n tipi tabaka, epitaxial kristal büyütme işlemiyle
p tipi tabanın üzerine istenen kalınlıkla kaplanır. Devre elemanlatının birbirinden
yalıtılması için kullanılan metal, bütün devre elemanlarının etrafına p tipi yan-ilet-
kenler yerleştirmektedir. Şekil 5 - 27 deki transistör için bu p tipi yalıtıcı bölgeler
WXYZ harflerinin gösterdiği kesitlerle gösterilmiştir. Bu yalıtma işlemi, topludev-
renin yapımının bütün aşamalarında gerekli bölgelere, tam ve yeterli ölçülerde ya-
pılmalıdır. Bu aşamalar sırasıyla şunlardır' : Yüzeyin oksitlendirmesi, bütün yarı .
iletken yaprağın üzerinin maskelenmesi, koruyucu kaplama uygulaması, fotoğraf
yöntemiyle istenen yerlerin sökülmesi, oksjt tabakanın sökülmesi ve sonunda da
p tipi yarı - iletkenin yayındırılması. Bu işlem sonucunda, üstten ve alttan p tipi
yarı - iletkenle çevrili n tipi kutu şeklinde bir bölge oluşturulur. Şimcti, eğer n tipi
bölgeye, p tipi gövde bölgesine-· göre pozitif potansiyel uygularsak, bu kutunun
t Daha fazla ayrıntı için kaynak 5 - 3 de Bol. 7 ye bakınız.

128
sınırlarında ters besleme altında bir pn eklemi elde ederiz. Bu besleme koşullarında
çok az bir kaçak akım oluiiur. örnek olarak, Şek. 5 - 27 deki toplayıcı gôvdeye
göre pozitif potansiyelde tutulursa bütün transistör, çevresinden yalıtılmış olur.
Yalıtıcı bölgelerin oluşturulmasından sonra difüzyonlu transistör yapım iş­
leminin aynısı burada da uygulanır. Yani, bütün taban bölgeleri ve sonra da yayıcı
bölgeleri oluşturulur. Daha sonra da elemanlar arası, iç bağlantı ve dış bağlantı
işlenen yerlere metal yollar oluşturulur. Bütün bu işlemler sırasında dirençler ve
sığaçlar diğer yarıiletken elemanlarla aynı anda yerleştirilir.

E B C
ı ı ı
n• p w
p
n
z
Gövde p

.Şekil 5 - 27 Bir topludevre içindeki transistörün kesiti. Metal iç - bağlantılar

gösterilmemiş tir (şekil ölçe Ui değildir).

Bir diyod, Şek. 5 - 27 de yayıcı bölgesi difüzyon atlanarak ve sadece B ve C

uçlan gözönüne alınarak .topludevre içinde oluşturulur. Kuşkusuz diyodun n tara-
fı,gövdeye göre pozitif potansiyelde tutulmalıdır. Çoğunlukla bir diyod bir transis-
törden yapılır. örneğin, Şek. 5 - 27 de B ve C uçları birbirlerine bağlanır ve tek
bir uç yapılır ve E ucunda öteki ucu verir Aslında yayıcı - taban eklemini diyod
olarak kullanıyoruz demektir.

5- 13
Bir topludevre içinde direnç ve s_ığaçlar

a) Dirençler

Topludevre içinde difüzyonlu bir direnç Şek. 5 - 28 iki ucu metal değmeli
ince bir p tipi kanal şeklinde oluşturulur. Kuşkusuz p tipi kanal, transistörlerin
taban bölgeleri yapılırken aynı anda oluşturulur. Dolayısıyla kanalın direnci difüz-
yondaki safsızlık düzeyi ile belirlenir ve kalınlığı da ayarlanır. Bu durumda, deği­
şik direnç değerleri elde etmek için sadece kanalların uzunluk ve en ora0nları de-
ğiştirilebilir. Şekil 5 - 28a daki gibi düzgün doğru bir kanal çoğunlukla iste11en
direnç değerini vermez. Bunun için, kanal zig - zag şeklinde katlanarak direnç de-
ğeri artırılır. Fakat bu kez topludevre alanı daralır. Bu nedenle, topludevrelerde
ıo 4 ohm dan büyük dirençler kolayca yapılamaz.
Direnç, etrafındaki elemanlardan çok iyi yalıtılmalıdır. Bunun için kultam-

129
lan yöntemlerden birini toplayıcı difüzyonu işlemi sırasında direnç,etrafı n tipi
yarı iletkenle kaplanır ve bu da p tipi yalıtkan bölgeyle çevrilir Şek. 5 - 28b. Orta-
ya çıkan yapı /3 değeri düşük bir pnp transistör gibi düşünülebilir. n tipi bölgeyi
devrenin en pozitif potansiyeldeki noktasma bağlayarak direnç etrafındaki pn ek-
lemini ters besleme altına sokmuş oluruz ve dolayısıyla direnç etkin şekilde yalı­
tılmış olur.

b) Sığaçlar

Topludevrelerde iki çeşit sığaç kullanılır. Bunlardan birisi difıizyonla oluştu­

rulmuş sığaç diye adlandırılır ve ters besleme altındaki pn ekleminin eklem sığası­
nın artma özelliğine bağlıdır. Bu konu Kes. 4 - 5 de açıklanmıştır. Bu eklem, Şek.
5 - 2a da da görüldüğü gibi, taban difüzyonu işl0mi sırasında oluşturulan p bölgesi
ile toplayıcı difüzyonu sırasında oluşturulan n bölgeleri arasında kalan eklemdir.
Yayıcı difüzyonu sırasında devreye eklenen bir n + bölgesi, 2 numaralı metalik
değme noktasının düşük dirençli bir yolunu oluşturacaktır. Sığa, eklem alanı ile
doğrudan orantılı fakat uygulanan ters voltaja ters orantılı olarak bağlıdır. Bu bağ­
lantı yaklaşık olarak

p-ti;ıı
p-tipi
~oksit

(al (b)

Şekil 5 · 28 Difüzyonla yayılan direnç: (a) prespektif çizim, (b) kesit.

(5 - 22)

yazılabilir.K bir sabittir ve ·n üssü de 0,4 ile 1,4 arasında değişen bir sayıdır.
Topludevrelerde kullanılan ikinci tip sığaç MOY sığaç olarak isimlendirilir,
(Şek. 5 • 29b), ve _bildiğimiz sığaçlara çok benzer. Tek fark, şekilcieki alt iletken
n + bölgesidir. Sığ aç kutupları arasındaki dielektrik silisyum dioksittir ve katman
çok iyi bir yalıtım sağlar. n tip1 bölge gövdeye göre pozitif voltajda olmalıdır. An-
cak sığ aç yönsüzdür. Bu tip bir sığaç, her bir mm 2 alan- için 500 pF mertebesinde

130
sığaya sahiptir. Çoğu topludevrelerin yüzey alanlan 1 ya da 2 mm 2 den büyük ol-
madığı için devreye bağlanacak olan sığaç sayısı ciddi biçimde sınırlanmalıdır.

- 1 n:>
n
1

p gövde P gövde

lal (b)

Şekil 5 - 29 (a) Ters besleme durumunda eklem sığ aç. (b) MOYl sığaç. Oksit
dielektrik görevi yapar. 2 numaralı alan üst elektrod ve n + bölgesi alt elek-
trodd ur.

5 - 14
Tam bir topludevre

Temel yapıda bir topludevre Şek. 5 - 30 da gösterilmiştir. Diyagramdan da

görüleceği gibi, devre üç transistör ve üç dirençten oluşmaktadır. Bu devre, Bölüm
lO'da anlatılan frak yükselteçleri içine girer. Topludevre yongasının büyütülmüş

lal lbl

Şekil 5 - 30 Topludevre biçiminde fark yükselteci,(a) devre diyagramı,

(b) CA3028A topludevre yongasının mikro fotoğrafı. Yonganın boyut-

lan yaklaşık 7,5 mikrometre x 7 1 5 mikrometredir.

131
fotoğrafında devredeki .transistörleri dirençleri ve iç bağlantıları tanıyabiliriz.
Diyagramda dış bağıntılar 1 den 8 e kadar sayılarla gösterilmiştir. Topludevreyi
tamamlamak için, yonga bir metal veya yalıtkan taban üzerine takılmıştır ve ince
teller sığaç uçlan lehimlenerek kdıf dışındaki bacaklara irtibatlanmıştır. Bunların
hepsi, metal ya da plastik kılıf içine yerleştirilir.
Bazı topludevre yapılan Şek. 5 - 31 de gösterilmiştir. Genel olarak 8, 10 ya
da 12 bacaklı sızdırmaz metal kılıflar, düz yapıda olan seramik kılıflar ve çift sıra
bacaklı (İB) plastik kılıflar bilinen topludevre kılıflandır. 1B kılıflarda genellikle,
8,14 veya 16 uç bulunur. Topludevreler, devreye katılırken soket kullanmak ve
soketi baskı devreye lehimlemek uygun olmaktadır. Yahut buna bir alternatif ola-
rak, topludevre doğrudan baskı devreye lehimlenebilir.
Topludevre yapımında kullanılan bir diğer teknikte, dirençler, silisyum oksit
taban üzerine buharlaştırma ile ince metal tabakası oluşturularak yapılır. Bir başka
topludevre yapısında uçlar ve iç bağlantılar ince metal tel parçalarıyla yapılmıştır
ve bu teller topludevre içindeki elemanları destekler.
Melez olarak isimlendirilen devreler, birbirlerine dirençler bobinler ve sığaç­
larla bağlanmış bir kaç topludevreden oluşmuş karmaşık elektronik devrelerdir.

Şekil 5 - 31 Topludevre kılıf yapılarına örnekler. 3,8,10,12,14,16, ve 40

uçlu metal, plastik ve seramik kılıflar gösterilmiştir.

KAYNAKLAR

5 - 1 F.E. Gentry, F.W. Gutzwiller, N. Holonyak Jr., and E. E. Von Zastrow,

Semiconductor Contrôlled Rectifıers, Pre_ntice - Hail, ine., Englewood Cliffs,
N.J., 1964.

132
5 · 2 P. E. Gray and C.L. Searle, Electronic Principles: Physics, Models and Circuits,
John Wiley Sons, ine., New York, 1969.
5 · 3 J. Millman and C.C. Halkias, Integrated Electronics : Analag and Digitiıl
Circuits and Systems, McGraw - Hill Book Company, New York, 1972.
5 · 4 R.M. Warner, Jr., et al., eds., Integrated Circuits : Design Principles and
Fabrication, McGraw - Hill Book Company, New York, 1965.

ALIŞTIRMALAR

S - 1 Difüzyon süreciyle silisyum eklem transistörlerin yapımındaki aşamaları an-

latınız.

S - 2 Bir npn transistörün ortak -taban bağlantısında yapılan ölçümlerde VCB = 8 V

için IE = -4 mA ve 1c = 3,8 mA bulunmuştur. Sonra da IE = -6 mA yapıldığında
1c = 5, 7 mA olmuştur. Bu verilenlerden, ortak tabanlı devrede kısa devre akım
kazan~ının yaklaşık değerini hesaplayınız.
S - 3 Bir pnp transistörün iç çalışmasını anlatınız. Transistörün çeşitli kısımların­
da akım taşıyıcıların neler olduğunu açıklayınız. Her iki eklemi aşıp geçen taşıyı­
cıların tipini ve orijinini söyleyiniz. Taban akımının miktarını tayin eden işlem ve
unsurlar nelerdir?
S - 4 Bir pnp ve bir npn transistörü alalım. Her ikisi için de akımlar IE = 6 mA,
1c = 5,8 mA ve her ikisi için Ico = 0,01 mA olsun. (a) Şekil 5 - 5a da gösterilen
alışılmış yollarla her iki transistör için IE, le ve IB nin cebirsel değerlerini listele-·
yiniz. (b) Bu transistörler için aFB değeri nedir?
S - S (a) Şekil 5 • 8c de yayıcıdan tabana olan potansiyel engelinin )yüksekliği
iletim elektronları ve oyuklar için aynıdır. Bilinen bir transistörde, niçin EB ekle-
mini geçen elektron akımı delik akımından büyüktür? (b) CB eklemi için elektron
akımı ile delik akımın karşılaştırınız ve Şek. 5 • 8c üzerinde açıklayınız.
S - 6 Kırılma ve delip geçme terimleri ne anlama gelir? Bunlarla ilgili fiziksel işle­
mi anlatınız.
S - 7 EK B'de RCA tipi 2N6177 npn silisyum transistörün belirtgen değerleri ve-
rilmiştir. (a) VCE = 40 V olduğu zaman, 1c = O ile 80 mA değerleri için bu tran-
sistörün statik ortak yayıcı kısa devre akım kazancı ,SFE nindeğeri nedir? (b) a şıkkın­
daki koşullar altında "'FE değeri nedir? (c) V cE= 80 V ve le= 16 mA değerlerinde
bu transistör için küçük sinyal kısa devre akım kazancı /J mn değerini hesaplayınız.
S - 8 Kesim 5 - 9 da incelenen yükselteçte Re= 4 kn ve durgun taban akımı 01015
mA olacak şekilde değişiklik yapıldığını, fakat VCC ile Rs nin değiştirilmeden
bırakıldığını varsayalım (Şekil 5 - 14 ve 5 - 15 e bakınız). a) RB değeri ne olma-
lıdır? (b) Taban akımının 0,01 ile 0,02 mA arasında değişmesi için tepeden - tepe-
ye us değeri ne olmalıdır? (c) b şıkkındaki akım aralığı için voltaj yükselmesi nedir?
Kesim 5 - 9 da bulunan sonuçlarla karşılaştırınız.

133
5 - 9 Bir 2N6177 npn silisyum transistör (Ek B) Şek. 5 - 14 devresinde 25°C sı­
cıklıkta çalıştırılıyor: Devrede, VCC = 120 V, R.1 = 2,0 kn Rg = 1,0 kn ve C
çok büyük değerdedir. (a) 4 mA şiddetinde durgun taban akımı elde etmek için RB
değeri ne olmalıdır? (b) a şıkkında bulduğunuz RB değeri ile taban akımının 0,3
ile 0,5 mA arasında değişmesi için us voltajının tepeden tepeye değeri nedir? (c) b
şıkkındaki akım aralığı için u voltajındaki değişmeyi bulunuz. (d) Yukarıdaki ko-
0
şullar altında Denk. (5 - 14) ile tanımlanan voltaj yükseltmesi nedir? (e) us arttırı­
lırsa çıkış sinyalinde, hangi düzeyde bozulma beklersiniz?
5 - l O Bir n kanallı EAET te boşalma bölgesinin kalınlığının değişmesi, VDS nın
alçak değerlerinde kanal direncini nasıl kontrol eder? Açıklayınız. VGS sabit tutu-
larak V DS arttınlırsa akıtıcı akımı niçin doyuma gider?
5 - 1l Bir tek eklemli transistörde yayıcı belirtgen eğrisini tayin eden iç eylemleri
açıklayınız.
5 -12 Şekil5 - 22a da gösterilen pnpn yapısındaki SKD Şek. 5 - 32 deki gibi geçit
bağlantısı atlanarak bir pnp ve npn transistörün birbirleriyle bağlandığı durum gibi
gJzönüne alınabilir. Q1 ve Q2 özdeş transistörlerin toplayıcı akımları Şek. 5 - 32b
de gösterildiği gibi ifade edilebilir. (a) I a,kımının I = Ico/[1 - (a 1 + a 2 )] olduğu­
nu gösteriniz. (b) Alçak akımlarda a 1 ve a 2 küçük değerler alır. Akım arttıkça
a
1 + a 2 bir değerine yaklaşır ve I sonsuza gider. Bu anlattığımız olaylar ileri bes-
leme voltajı arttınldığı zama_n SKD da kırılma olayının oluşmasını nasıl açıklar?
(c) Bu tartışmayı, devreye bir de geçit akımı eklendiği durum için genişletiniz.
5 - 13 Bir topludevre yalıtılmış bölgesinin nasıl oluşturulduğunu anlatınız. Yalı­
tıhmş bölge etkili olabilmesi için hangi koşullar gereklidir?

7ta2I + ½rco

1
a1I + 2 Ico

(ol (b)
Şekil 5 - 32 (a) İki transistör şeklinde ayrılan pnpn yapısı.
( b) Eşdeğer transistörlü devre.
5 - 14 Bir topludevrede 10.000 ohm değerinde kanal tipi direnç gerektiğini düşü­
nelim. Kanalın eni 0,025 mm ve kalınlığı da 0,002 mm olsun. Eğer kanaİın orta-
lama özdirenci 0,1 n. cm ise ne kadar uzunlukta bir kanal gereklidir? R = pL/A
ifadesini hatırlayınız.
5 - 15 Bir topludevrede MOYİ tipi bir sığacın elektrodlan 0,2 mm x 0 12 mm kesit
alanına sahip olsun ve dielektrik kalınlığı da 6 x ıo- 8 m olsun. Eger oksit dielekt-
riğin geçirgenliği 3 x ıo-11 F/m ise sığacın değeri_ne olur? C = eA/t ifadesini hatır­
layınız.

134
 6
Alçak - Frekans, Küçük - Sinyal
Transistör Modelleri ve Devreleri

6-l
Genel modelleme,
bağımlı üreticiler /

Çoğu elektronik aygıtlar oldukça karmaşık davranışlara sahiptirler. Bu yüz-

den, bir aygıtın matematiksel olarak kesin şekilde ifadelendirilebilmesi zordur. Bu
davranışların karmaşık olmalan, aygıtlann doğrusal olmayan cevaplan ve cevapla-
rın frekansa bağımlı olmalarından kaynaklanır. Ancak, pek çok amaç için bu ay-
gıtlann davranışları basitleştirilmiş modellerle yeterli kesinlikte ifadelendirilebilir.
Bunun için genlik, frekans gibi değişkenlerin sınırlı aralıklarda olması gerekir. Da-
ha önce (4 - 6) ve (4 - 7) kesimlerinde, alçak frekanslarda küçük sinyaller için kul-
lanılabilen diyodlann doğrusal modellerini geliştirmiştik. Bu işlemi yaparken de,
doğrusal devre teorisinin avantajtannı görmüştük, yani doğrusallaştırma ile, sinyal-

lerin d.a. bileşenleriyle küçük sinyallerin ayrılmasında olduğu gibi üstüste bindirme
yapabiliriz.
Transistör devreleriyle çalışırken, modellerin aktif devreler olarak sınıflandı­
rıldığını göreceğiz. Bu tür devrelerde,küçük bir sinyal giriş gücü,çok daha büyük çı­
kış gücünü kontrol edebilir. Kuşkusuz genellikle bir d.a. enerji kaynağı olması la-

zımdır. Bu kaynak devreye ek bir güç sağlar. Aktif devrelere örnek olarak, elektro-
nik yükselticileri ve titreşkenleri verebiliriz.
Transistör devre modellerine güç artınlmasının iki tip bağımlı üretici yoluyla
sokulduğunu göreceğiz. Şimdi, bağımlı üretici kavramının kısa bir açıklamasını

yapalım.

İsminden de anlaşılacağı üzere bağımlı üretici, değeri devrenin bir başka ye-
rindeki akım ya da. voltaja doğrusal olarak bağımlı üreticidir. Yani, bağımlı voltaj
üretici, devrenin başka bir yerindeki voltaj ya da akıma; veya devrenin başka bir
yerindeki voltaj ya da akıma bağımlı olan üreticiye bağımlı, akım üre-
tecine bağlıdır. Buna bir örnek olarak Şek. 6 - 1 de bağımlı akım üretici i = gu 1
olsun. Burada g iletkenlik boyutunda bir sabittir ve devrenin bir tarafındaki akımı,
devrenin başka bir yerindeki voltaja bağladığından. aktanm iletkenliği olarak
isimlendirilmiştir.
Bağımlı bir voltaj üretici Şek. 6 - 2 de gösterilmiştir. Buradaµ sabiti boyut-
suzdur. Bu devrenin us sinyal voltajı ve u0 çıkış voltajı ile bir yükselteci gösterdi-
ğini düşünebiliirz. Rı, R , R ve µ değerlerinin uygun seçilmesiyle u çıkışının,
2 3 0
us sinyal voltajının büyütülmüş kopyası olması beklenebilir.
Bir devreye Thevenin teoremini uygularken bağımlı ve bağımsız üreticiler

13.S
 Şekil 6 - 1 Bağımlı akım üretici i= gu 1
arasındaki fark açık şekilde anlaşılmış olmalıdır. Eşdeğer Thevenin ~aynak vôlta-
jının hesaplanması sırasında her iki tür kaynak a\{tif durumdadır. Fakat Thevenin
impedansı ya da direncinin hesaplanması sırasında, voltaj kaynak uçlan kısa dev-
re yapılarak ve akım kaynak uçlan da açık devre yapılarak bağımsız kaynaklar
devreden çıkarılır. Bu işlemi Şek. 6 - 3a daki devre ile gösteriyoruz.

Şekil 6-2 Bağımlı akım üretici, u = ı,ıu 1 .

~ A ~
.- A~,,

1
1.
8 8
(ol •bl

Şekil 6 - 3 Thevenin direnci Rt nin hesaplanması : (a) gerçek devre, (b) Rt

nın hesaplanması için devre.

AB uçlarından bakıldığında görülen Thlvenin direncini hesaplamak için.

devreyi Şek. 6 - 3b deki gibi değiştirelim. Bu devrede is kaynağı çıkanlmıştır. Şe•
kilde görüldüğü gibi devreye bir u voltajı uygulayarak ix değerini hesaplar sonra da
Rı = uxfix kullanarak Rt değerini hesaplarız. Devredeki bağımlı üretecin, u1 uçla-
mıda oluşan voltaj yoluyla aktif olduğuna ve devre çözümlemesinde hesaplamaya
katılması gerektiğine dikkat edilmelidir.

6-2
MOYIAET içiiı artınmlı model

MOY!AET için bir model, aygıt uçlarında ölçülebilen akım ve voltaj bağın
tılanria dayandınlabilir. Bundan ötürü, bir n - kanal MOYIAET in akıtıcı belirt
genleriyle, Şek. 6 - 4a, başlayalım. Kesim 3 - 8 de anlatılanlardan hatırlanaca!ı ı;-

136
bi belirtgenlerde istenen bir noktada sinyalstz Q noktasının oluşturulması için bir
besleme devresinin gerektiğini biliyoruz. Tipik bir besleme devresi ve Q noktasının
bulunması için grafik yöntem, Kes. 3 - 8 de gösterilmiştir.

6 6 -
◄ -·-Vos---

N +4
<( 4 4
E ' <(

1
'' \
E
1
o o +3 1 ..9 o
2 I 2-
/
' ,_ M / t-2 Io
VGS = +.1
o 2 4 6
2 4 6
vos - voli•• Yos - volh.
(ol (bl
İd

+2 v,ıs= 1O
io i,
+1 v,,= 0,5
1-··r
TD
0
1 o
-z -1 o +ı +2 Ydt Y05 Vds

-1- 'v.. --o;,

'-vıı~ -1
s1
-2 1 1 1

le) idi
Şekil 6 · 4 (a) MOYlAET nin akıtıcı belirtgenleri ve Q noktası. (b) Doğru·
sallaşmışbelirtgenler. (c) Artınmlı değişkenlerin belirtgenlerini gösteriyor.
(d) Semboller için referans yönleri.

örnek olarak Şek. 6 • 4a da gösterilen Q merkezli ve kesik çizgili daire için-

de, Q noktasına fakın yerlerdeki io ve ıı 08 nın değişmelerini çözümleme yollarını
araştıralım. Bizi ilgilendiren konu, Q noktasına göre akım ve voltajca küçük sinyal
olarak isimlendirdiğimiz küçük değişmelerdir. Matematik bir ifadeyle toplam i 0
akımı iki değişkenin, yani ., 08 ve uGS voltajlarının bir fonksiyondur;

(6 - 1)

önce, aynı
anda uygulandığını kabul ettiğimiz u 08 ve u GS voltajlarındaki
artışların io akımında neden olduğu artış için bir ifade bulmak üzere toplam
diferansiyel ifadeyi

137
-
(6 - 2)

kullanalım. Şimdi, kullanacağımız sembolleri ve tanımları verelim:

id = fıin;= akıtıcı akımındaki artım

'
_ugs= 6~S = geçit - kaynak voltajınçlaki artım
. . , ,, ....
1.)ds = t.uos-= ~lt!Cl'..)ı:aynak voltajındaki artım

elin = aktarım iletkenliği

g =--
.m auas Dns = sabit _ _

= çıkış iletkenliği
UGS = sabit

Bu ifadelerdeq, değerlerini tanımlayan ~tıı~i:·tü~ev~nn Q nöktasında de-

tm--vtjg~
ğerlendirileceği anlaş.maktadır. ,Yeni sembolleri kullanarakiOenlf:-(6 - 2) yeniden
~~ı,f ~-~: •• :- •,-·~· .:; .... ~:---::-~~i~_-;.-_~-~~~;,•V--~r:)...... ~ ...... ~-- ..
! ~.. t i •, _'..,,:-~~-~-: :.,-·•-·-f ~
! .f\f; grri , ugs + go u ds -- ':.~-- ı (6 - 3)
.
'
i l ! ' '
· ·,..
'·- ;---··- +-·-
ı . --
yazılır. Kuçffk sin·yaITer tlii'rurtHııida bu temel bağ;ntı M01fAET akıtıcı akımı de-
ği:1meleri için d'.Jıjrusal matematik bir model vermektedir. · :i,
'"1 •B\üilal<a ,,~titarnk, toplam <lfğişnie Q noktasıriillı.kf't'l~er· {(j.a. btle.şıpt) ve

art ıiımW :Oileşen .arasındak1•'iH·şkilerin· ·anfaşıhr olmasl ·-i~in:. ·tılaba• i{~lc\: :,~ıpbıı!lere
gerek vardır. Toplam akıtıcı akımı iD için,
' ' 11 -~:!.tJ /· ·:i·'· :; '.···· d,::·<.-. :..:.: ~;: !:··ı'::<,~ . . -~ ::::L . ~~~. · ı ·
,,.,.,,,)n~ID: .. + id,·. , ·: /'"':':t· ~-?~~f6::4),
n·, .,:,L.-~ /'.•~· ~..:;,. .' f J-~ _}", '· • . ,• • i .- , '" t' •ij J -f:: /. 0 ·J-. lf ,J« ....

ya~allfP·:,B~ i~Jj~~~:1QrQ;~9kt~wpaki,ip~akı~\n/J1 a\dı~ı:cl~ğ~f~ir;{Ş_ek:·r4~1~:·.

b,.lmuz ). Benzer, ,şrk\11~ ·
2f · 'j: - . .ı..

(6 - 5)

y~a.\ım. Bp ifadede V DS' sinya!in d.a . bil~şenidir. Yine benzer şekilde,

;\ ' .. .·J ,. ····r.·:. -
yazalım. VGS besleme voltajı ve u~ de sinyal bileşenidir.
Bu bağıntıların
geometrik bir açıklaması Şek. 6 • 4b de gösterilmiştir. gm ve
~ değerleri önce Şek. 6 • 4a daQ noktasında, kısmi .türevlerin değerlendirilmesiyle
bulunur. örneğin, g volt başına miliamper cinsinden,Q noktasında u 08 = + 3 eğ­
risine teğet çizilen doğrunun eğimidir ve birimi milimhodur. gm değeri için de
yaklaşık bir değer şu şekilde bulunur. u DS sabit tutularak değişe!1 u 08 değerine
göre i0 akımının değişme hızının bulunması gerekmektedir. Bunu bulmak için,
Şek. 6 • 4a devresinde Uag değerinin +2 den+ 4 değerine yükselmesinde akımın
M noktasından N noktasına artışını ele alalım. Bu yolla,

• 1•2 = 1' 45 m·ı·mh

= 4114-2 il o
u 08 =sabit

bulmıur. Bu ise g0 = 0.05 milimho olarak bulunan değerden ·oldukça büyüktür.

Bundan sonra, doğrusallaştmlmış yaklaşık belirtgen,Şek. 6 • 4b deki gibi çizilebi-
lir. Bütün çizgiler ~ eğimine sahiptirler. uas değerindeki eşit aralıklı artışlar i0
değerinde eşit-artışlara neden olur, çünkü tYı. u 08 den dolayı olan !Yı.i 0 artışı gm!Yı.'-bs
(veya gmugs) değerine eşittir. Fakat gerçek belirtgende bu davranış u 08 değerin­
deki eşit aralıklı artışlar için !Yı.iD değerinde eşit olmayan artışlarla sonuçlanacak-
tır. Buna rağmen eğer artışlar çok küçükse doğrusal yaklaşıklık oldukça kesin so-
nuçlar verir.
D.a. bileşeni olmayan küçük sinyal belirtgenleri, Şek. 6 - 4b de başlangıç
_noktasının Q noktasına kaydırılmasıyla elde edildiğini düşünebilir. Hem toplam,
hem de artırimlı değişkenler cebirsel olduğu için, Şek. 6 - 4d de gösterildiği gibi
semboller içhı pozitif referans yönlerine gerek vardır.
Denklem (6 • 3) ün devre yorumu yararlıdır. Bu denklemdeki her bir terim
akımdır. Denklemin sağ tarafı bir eklemde iki ayrı akımın toplandığını öngörür.
Sonuçta ele geçen devre Şek. 6 - 5 de yeniden çizilmiştir. Yaptığımız devre çö-
zümlemesinde genellikle çıkış değişkenleri ve çıkış devre modeliyle ilgilenmekte-
yiz. Şekil 6 . 6 de gösterildiği üzere geçit, alçak frekanslarda açık devre yapılmış
G ucuyla modellendirilebilir. Böyle bir model ıo- 12 A mertebesindeki oksit kat-
manlardan geçen küçük kaçak akımları hesaba katmaz. Yine bu modelde oksit
İd

GT vg>
go
D

Vds
mho.
1
s s
Şekil 6 - 5 Küçük sinyaller için MOYİAET modeli.

139
katmanuı sığa etkisi de ihmal edilmiştir.

6-3
Basit MOYIAET yükselteçler :
(a) ortak kaynak,
(b) ortak akıtıcı

a) Ortak kaynaklı yükselteç

Şekil 3 - 15 de verilen ortak kaynaklı yükselteç Şek. 6 - 6a da az bir deği­

şiklikle yeniden çizilmiştir. Yapılan değişiklikler sadece bilinen d.a. besleme vol-
taj gösterimi VB nin toprağa negatif bir bağlantı ile anlatılması ve diyagramda artan \ı
u d bileşenlerinin kulla~ılmasıdır. Sinyal bileşenleri için bir model geliştirmek üzere
transistör modeli G, D ve S olarak etiketlenmiş uçlar arasına Şekil 6 - 6b deki gibi
kesikli kutu içine çizilmiştir. Bundan sonra .devrenin geri kalan kısmı VB ucunda
herhangi bir sinyal voltaj bileşeni olın,adığı ve dolayısıyla bu ucun_ toprak düzeyi
olarak kabul edilebileceği düşünülerek çizilir. R 1 direnci G den toprağa ve R di-
renci de D den toprağa bağlıdır.
Küçük sinyal eşdeğer devresini geliştirdikten sonra, devre çözümlemesini,
kaynak voltajı Vs tarafından uyanlmış doğrusal bir devre şekline indirgeyebiliriz'.
Şimdi,

(6 - 7)

kaynak sinyalinin olduğunu varsayalım. öteki devre elemanlarıyla birlikte gm

ve g0 değerleri de biliniyor olsun. Problemi basitleştirmek için C sığacının çok
büyük olduğunu ve bunun uçlanndaki a.a. voltaj düşmesinin ihmal edilebilecek
kadar küçük olduğunu varsayalım. Böyle bir durumda Ugs voltajı Us voltajına
eşittir ve bağımlı akım kaynağı akımı gmUs değerini alır. Bu akım yukarı doğru
paralel bağlı R ve ~ üzerinden akar. Uygun olması bakımından G = 1/R tanımını
yapalım, böylece paralel bağlı devrenin iletkenliği g0 + G olur. Elde etmek isted_i•
ğimiz çıkı! voltajı ud, şekilde gösterilen referans voltaj yönü esas olmak üzere

-akım
ud = iletkenlik

bulunur. ~rısal bir örnek olarak gm = 2,4 mmho, ~= 0,05 mmho, G=0,2 inmho,
değerleri için çıkış voltajı ud = - (2,4/0,25-) us= - 9,6 u,,.olur. Eğer Au, devrenin
artınmlı voltaj kazancı ise, bu durumda, ·•

140
 (6 - 9)

sonucuna ulaşınz. Yukarıdaki sayısal örneğimizde Au = - 9,6 değerindedir. G= 0,2

mmho için R= 5 kn olmalıdır. Denklem (6 - 9) un incelenmesi bize, R direnci art-
tıkça, voltaj kazaricının da artacağını gösterir. Ancak, şu noktayı unutmamamız
gerekir : R değişirse, v 8 , R1 ve R 2 değerleri değiştirilmedikçe Q noktası kayar.

1
L-----
s
. __
-:-
(ol (bl
Şekil 6 - 6 (a) Yükselteç devresi. (b) Küçük sinyaller için model devre.

Artan R direnci VB voltajında bir artış gerektirir ve pratik sınıra hemen dayanılır.

llt
Çıl<ış
o] R

Şekil 6-7 Şekil 6-· 6 da verilen yükselteç için basitleştirilmiş model devre.

Çoğu zaman bir yükselteci Şek. 6 - 7 de verilen eşdeğer devre biçiminde

basitleştirmek yarar sağlar. C değerini ·çok büyük seçtiğimiz için giriş direnci Rgir•
R 1 ve R2 dirençlerinin paralel değerine eşittir, yani Rgir = R 1 11 R 2 dir. Şekil 6 -
7 devresinde sağdaki bölme, çıkış uçlarından bakıldığında yükseltecin eşdeğer
Thevenin kaynağını göstermektedir. Şekil 6 · 6b devresi incelenirse Thevenin (ya
da çıkış) direncinin Rt = 1/g0 olduğu görülür. örnek olarak Rgir = 200 kn
mertebesinde ve Rt = 1/0,05 = 20 kn değerlerini seçebiHriz. Bu koşullarda hem
giriş hem de çıkış dirençleri yüksek olacaktır. Bu anlatılanlardan sonra okuyucu,
Thevenin kaynak voltajının ut= - (gm/g0 )u 5 ifadesi olduğunu kolaylıkla bulabi-
lir.
141
olacaktır: Sayısal bir örnek olarak gm = 2,4 mmho, g0 '"" 0,05 mmho ve G= 0,2.
mmho alalım. Kazanç,AU = 2,4/2,65 ~ 0,90 bulunur. Denklem (6- 13) den hemen
görüleceği gibi AU' örnekte olduğu gibi bir değerine yakın olmasına rağmen bir-
den küçüktür. öyleyse bu devrenin önemi nedir? daha sonra bulacağımız gibi,dev-
renin çıkış direnci küçüktür. Bu yüzden devre alçak yük direncine yeterli miktarda
uygun güç sinyali sağlayabilir.
D

s ~

Şekil 6 • 9 Rt değerinin bulunması için devre.

Şekil 6 - 8b devresinden yükseltecin giriş direncinin ortak kaynaklı yüksel-

teçte olduğu gib_i R 1 1 1 R 2 olduğunu hemen görebiliriz. Devrenin çıkış direncini
bulmak için daha önce yaptığımız yaklaşımı kullanacağız. Us kaynak voltajı, kısa
devre yapılarak devreden çıkarılır, yük direnci R yerinden çıkarılır ve S den topra-
ğa geçici olarak bir u x kaynağı bağlanır, Şek. 6 - 9. Sonra da uxfix hesaplanır,
bu da bize çikış direnci Rt yi verir. İşlemlerde bağımlı kaynağın yerinde kaldığına
dikkat ediniz, çünkü bu kaynak u gs ve u gs = -· ½c yoluyla enerjili kalır. Devrenin
çözümlemesinin aynntılan,okuyucuya bırakılmıştır. İşlem sonucunda

1 (6 - 14)

bulunur. örnek olarak gm = 2,4 mmhove g0 = 0,05 mmho değerleri için Rt= 1/2,45
"" 0,41 kn ya da 410 n bulunur. Görüldüğü gibi çıkış direnci bir hayli küçüktür.
Bu devre ile küçük yük direnci kullanıldığı zaman voltaj kazancı ve güç çıkışı uy-
gun olabilir.
Yükselteçlerin çalışması, Şek. 6 - Sa devresi esas alınarak ve G ve S noktala-
rındaki sinyal voltajı gözönünde tutularak daha yakından incelenebilir. Voltaj
kazancı pozitif ve bir değerine yakın olduğu için, S noktasındaki sinyal voltajı
G noktasındaki voltajla, genliği az olmasına rağmen alçalır veya yükselir. Bu şekil-
. de S noktası G noktasını izler ve işt:e bu nedenden ötürü yükselteç genellikle kay-
nak izleyici devresi olarak isimlendirilir.

142
b) Ortak akıtıcılı (kaynak izleyici) yükselteç

Bu tür yükselteçlerde, yük direnci R,kaynaktan toprağa bağlıdır ve akıtıcı

gerçekte, voltajın sinyal bileşeni için topraklanmıştır, Şek. 6 - Sa. Yükselteç için
model devre, Şek. 6 • 8b, ortak kaynaklı yükseltece benzer biçimde yapılabilir.
T!ansistör modelini G,D ve S noktaları arasına yerleştirdikten sonra, devrenin di·
ğer ele manian da çizilir, ancak kaynak kısa devre yapılır. Şimdi .çıkış voltajı u 0
için Us cinsinden bir ifade bulalım. C nin uçlarındaki voltaj düşmesi yine i,hmal
edilebilecek kadar küçük olsun. Giriş halkası için Kirchhoff voltaj yasasının uygu•
lanmasıyla

(6 • 10)

C G

(al '(tı)

Şekil 6 • 8 Ortak akıtıcılı yükselteç : (a) gerçek devre, (b) sinyal bileşenleri·

nin çözümlenmesi için devre.

yazılır. Bundan sonra S düğümüne Kirchhoff akım yasasını uygularsak,

(6 - 11)

olur. Denklem (6 - 10) dan u 08 niı~ yok edilmesiyle;

(6 - 12)

ifadesini buluruz. Denklemde G= 1/R olarak alınmıştır. Devrenin voltaj kazancı;

(6 - 13)

143
 6-4
Eklem transistörler için basitleştirilmiş model

Eklem transistörler için küçük sinyal modelleri geliştirmek üzere birbirinden .

oldukça farklı tasanmlar kullanılmıştır. Bunlardan birisi melez - pi modelidir. Bu
modelin avantajı, diğer modellerin yıkıldığı yüksek frekans bölgelerinde tam ola-
rak kullanılabilmesidir. Melez • pi modelinin alçak frekans uygulamalan için basit-
leştirilmiş bir şeklini. ele alalım sonra bu modeli daha geniş frekans aralıklan için
değiştireceğiz. MOYİAET devrelerinin modellenmesinde kullanılan yaklaşımın
aksine burada transistörün Böl. 5 de anlatılan iç çalışmasına bağlı kalacağız.
Şimdi, Kes. 5 • 4 ve 5 • 1 deki bağıntı ve sonuçlann kısa bir tekrannı yapıp
bunlan değiştirerek genişleteceğiz. Ortak yayıcıh yükselteçler çok bilindiklerin-
den, transistör için bir ortak yayıcılı yükselteç devresi geliştirmeye çalışacağız;
sonra da bu modelin diğer yükselteçler için de kullanılabileceğini göreceğiz.
İlk üzerinde duracağımız model bir yaklaşık model olacaktır ve tam bir mo-
del daha sonra verilecektir. Genellikle çoğu devrelerde kesin hesaplama gerekmez,
dolayısıyla yaklaşık model bize yeterli olur. Bunun yanında, aynı tip transistörler-
de bile belirtgenler,transistörden transistöre değişebilir, bu yüzden yaklaşık model
bizim için daha uygundur.
M~del devremize, Böl. 5 de yaptığımız gibi ~deal bir npn yapısı ile başlaya,
hm, Şek. 6 · 10a. önce, iE, iB, ic akımlan için ve ie• ib, ic artının (sinyal) akımlan
için sembolleri tanımlayalım. iE, iB, ic sembolleri Q noktasındaki toplam akım
için olsun. Benzer şekilde voltajlar için de se~boller uBE• U be vb olsun. Eğer
Şek. 5 - 6 daki tipik bir ortak • taban belirtgenine bakılırsa VCB voltajının le üze-
rinde çok küçük etkisi olacağı görülür. Bunun yanında silisyum transistörler için
1co akımı genellikle ihmal edilebilecek kadar küçüktür. Bu durumda, Denk. (5-1),
(5-2) ve (5-3) için, yukandaki faktörler ihmal edilerek yaklaşık şekil kullanılabi­
lir. :Su durumdaki toplam akım için;

(6 • 15)

veya

(6 • 16)

ifadeleri ele geçer ve sinyal bileşenleri için de

(6 • 17)

144
 C •c

. n
B ie ie
p
n tB
VBE
'E iE _ _ I
E •• E
(al (bl
Şekil 6 - 10 (a) npn Transistör yapısı ve (b) temel transistör modeli.
bulunur. Bu düşünceler Şek. 10b de verilen temel transistör model devresine götü-
rür. Devrede yayıcı akımına b~lı bir ideal akım kaynağı toplayıcı akımını sağlar.
Sonuçta yayıcı akımı taban - yayıcı eklemine uygulanan VBE voltajına bağlıdır ve
bu eklemi ideal bir eklem diyod olarak ele alacağız. İleri besleme voltajı altındaki
bir diyod için yaklaşık denklem,.Denk. 4 - 11, i yayıcı akımını bulmak üzere

eVBE VBE (6 - 18)

iE = - Is exp ( kT ) = - Is exp ( ~ )

biçiminde yazabiliriz. Denklem (6 - 18) de VT = kT/e, yani mutlak sıcaklığın

elektron - volt eşdeğeri kullanılmıştır. Denklemde, iE için bir referans yön seçil-
diği için eksi işareti gereklidir. Şekil 6 - 10b transistör modeli, bu haliyle ort~k
yayıcı bağlantısı için henüz uygun şekilde değildir.
Transistörün tabanı, devrenin giriş uçlan olarak alındığından, modeli geliş­
tirmek için taban akımını da ele almamız gerekmektedir. Transistör üzerinde
Kirchhoff akım yasasını yazarak;

(6 - 19)

bulunur. De~klem (6 · 1~) ve (6 - 16) dan iE yok edilirse,

(6 - 20)

toplayıcı akımıbulunur. Bölüm 5 - 7 de {j ve {jFE yi Denk. (5-6) ve (5-7)de tanım­

ladık.Burada VCE voltajının ic üzerinde çok az etkisi oldıığunu ve ic nin iB ile
doğrudan orantılı olduğunu varsayacağız. t Bu durumda {j ve {jFE arasındaki fark
kaybolur, sonuçta A.
uıc
{j ={jFE = -/ı-i-'-B- -
(6 - 21)
t Bu vcırsayımlar, Donk. (6 - 15) ne ilgili yaklaşıklıklardan daha büyük hatalara yol açar, fakat
kolaylık olması -ıç[n bunları kullanıyoruz.

145
yazabiliriz. Denklem (6 . 23) ten ic =(:liB olduğunu ve Denk. (6 • 22) ile karşılaş­
tırma
O!
a=-- (6 · 22)
1-a
olduğunu gösterir. Buna alternatif olarak Denk. (6-24) ün a için çözümünden de

O!=_(:!__ (6 · 23)
(:l+l

bulunur. örnek olarak (:l = 100 için a == 0,99 olur.

Biz sinyal bileşenleri için bir model üzerinde duruyoruz ve toplayıcı akımı­
nın, tabandan yayıcıya olan sinyal voltajı Ube nin liidonksiyonu olduğu doğrusal
bir model geliştirmeye çalışıyoruz. Toplam akım ic yi Denk. (6 · 16) dan bulalım
ve D~nk. (6 • 18) i iE yerine koymak için kullanalım, o zaman

. . VBE (6 · 24)
ıc = -O! ıE = als exp <-v-)
T
bulunur. t.ic artmasını ele alırsak,. ..

VBE 1 (6 · 25)
t.ic = [a ıs exp ( - v - )-..;- t. VBE
T T
ifadesini-buluruz. Aic:: artmasını. ic ile AVBE artmasını da ube ile tanımlarsak köşeli
parantez içindeki ifade ic olduğundan

ic (6 · 26)
ic=-v--ube
T
elde ederiz. Şimdi Denk. (6 . 26) da ube voltajının katsayısını ~ olarak tanımla­
yalım, yani

1ic 1
g =--
m VT
(6 · 27)

olsun. ic akımının mutlak değerinin kullanılmasının sebebi şudur : npn tipi tran-
sistörlerle uğraştığımız için ic negatiftir, fakat gm pozitif kalacaktır.· Denklem
(6 • 26) yı yeniden

(6 · 28)

yazabiliriz. Elıle ettiğimiz denklem; Şek. (6-11) de öngördüğümüz modelde, esas

eleman olan bağımlı akım üretici, gm u be ,için doğrusallaştırılmış küçük sinyal
bağıntısıdır.

146
 r.,,

Şekil 6 · 11 Eklem transistör için basitleştirilmiş artınmh melez - pi modeli.

Modelde, giriş direnci r71' için henüz bir şey söylemedik. Bu dirence Kes. 4- 6
d~ incelenen Q noktasında taban - yayıcı diyodunun artınmlı direnci olarak bakı­
labilir. Bununla birlikte aynı değeri dolaylı olarak elde ediyoruz. önce Şek. 6 - 11
den

(6 - 29)

olduğuna dikkati çekelim. Fakat yine Denk. (6 - 21) de

(6 - 30)

dk ib yi (6 · 29) dan (6 • 30) a yerleştirelim, bu durumda

. fj
ıc = -r-·- ube (6 · 31)
71'

.. ıde ederiz. Denklem (6 - 31) i (6 • 28) ile karşılaştırırsak gm= /3/r71' veya

(6 - 32)

olduğunu görürüz. /3 yı biliyorsak gm i bulur ve (6 • 32) yi r.,.. yi bulmak için kulla-

nabiliriz.
Böylece oldukça basit bir model geliştirdik ve bunu yükselteç hesaplamala-
nnda hemen kullanabileceğiz. Yüksek frekans uygulamalarıyla uğraşırken bu mo-
del düzeltilmelidir (Kes. 8 - 8 e bakınız).

6-S
8m• /3 ve r71' nin bulunması

önceki kesimde geliştirilen Denk. (6 - 27) yi kullanarak Q noktasında gm i

. kT -23 -19
elde etmeyi isteyelim. Oda sıcaklığında, VT = e = 1,38x 10 x 30/1, 6 x 10
= O.Jl26 V tur. Eğer 5 mA de ve oda sıcaklığında çalışan küçük bir transistörümüz

147
varsa gm ,= 5 /0,026 = 192 mmho elde ederiz. öte yandan 1 A taşıyan bir güç tran-
sistörü 200 defa büyük bir gm değerine sahip olacaktır.
İmalatçı veri çizelgelerinde verildiği gibi yayıcısı ortak toplayıcı belirtgenleri
elimizde varsa VCE yi sabit tutmak suretiyle {3 yı {3=b.ic/t.iB den bulabiliriz. {3 ve
{3FE arasındaki farka önem verildiğinde, bir seçim sözkonusu ise, türetmelerimizde.
{3 yı kullanmayı önerdik. İmalatçı veri çizelgeleri daha çok yayıcısı ortak kısa dev-
re akım kazancı bre yi listeler. Bu,Denk. (2 - 138) de bre ye özdeştir ve {3 ya eşit­
tir; buna göre
(6 - 33)

dir. Bazan bre yerine hFE verilir ki bu {3 nın bir yaklaşık değeri olarak kullanılabi­
lir. Daha doğru hesaplamalarda {3 nın toplayıcı akımı ve sıcaklıkla nasıl değiştiği­
nin bulunması gerekebilir. Bu değişimler genelde veri çizelgelerindeki eğriler takı­
mı ile gösterilir.
· gm ve /3 değerlerini bulduktan sonra r,r yi r,r = {3/gm bağıntısından elde ede-
riz. 5 mA de ve oda sıcaklığında, gm = 0 1192 mho olan transistörü ele alalım. Eğer
(3 sı 100 ise r,r = {3/gm= 100/0.192 =520n olur. Aynca 1 mA de çalışan {3 sı 200
olan bir transistör gözonüne alalım. Bu durumda oda sıcaklığı için gm =0J038 ınho
ve r,r =5250 n buluruz. gm ve r,r nin, transistörün {3 sı ve durgun toplayıcı akımına
bağlı geniş bir değerler aralığına sahip olabildiklerini belirtelim.

6.-6
Basit çift kutup eklem transistörlü yukselteçler :
a)·yayıcısı ortak,b) toplayıcısı ortak,c) ortak tabanlı
ve d) özet

a) Yayıcısı ortak basit yükselteç

Transistör modelinin uygulamasının bir gösterimi olması itibariyle, Kes. 5-9

da grafik yoluyla çözümlenen Şek. 5-11 deki CE yükseltecini. ele alalım. Bunun
·voltaj ve akım kazançları için bağıntılar türeteceğiz ve yükseltecin giriş ve çıkış
dirençlerini tartışacağız.
Kesi!fi 5-9 daki basit yükselteçte ilgili aynı varsayımları kullanalım. Yani C yi
geçen işaret voltajını ve R 8 deki işaret akımını ihmal edelim. O zaman Şek. 6- 11
deki modelle temsil edilen transistöre sahip yükselteç Şek. 6-12 deki modelle
gösterilebilir. u 0 /us olarak tanımlanan voltaj kazancını elde etmek için önce ube
yi bulalım:
(6 - 34)

dir.

148
Aynı zamanda

olduğunu belirtelim. u 0 /us yi bulmak için (6 - 35) ve (6 - 34) ü kullanarak

Uo gmrır RL -fj RL
A =-=---- --- (6-36)
U Us r,.. + Rs r,.. + Rg

elde ederiz. Burada fj=gmr,.. bağıntısını kullandık. Denklem (6- 36) Av nin RL ile
arttığını göstermektedir. Ancak daha öncede belirtildiği gibi, uygulamada sınırla­
ra ulaşıldığı için RL sonsuz olarak artamaz.
ic/ib olarak tanımlanan ve

1
A.=~= g r ={j (6 - 37)
·-. ıb mır

ile verilen akım kazancı ,Şek. 6 - 12 den hesaplanabilir. Transistör modelimizin

çıkış belirtgenlerinin eğimi ihmal edildiği için Denk. (6 - 36) ve (6 - 37) yaklaşık
olarak, bununla birlikte, küçük bir transistör için RL birkaçbin ohm'a sınırlı ise
geçerli doğrulukta ifadelerdir. ·
Rs İıı
B ► '• C
2 kfl
,,. Rı.
Vııe gnıvbe 2 kil

E
-=-
Ş~kil 6 - 12 Şekil 5 - 14 te_ıosterilen CE yükselteci için küçük işaret modeli.
Şekil 6 - 12 yi incelediğimizde kaynak üreticisinden görülen yükseltecin giriş
direncinin Rs+ r,.. olduğunu görürüz. Bizim yaklaşık transistör modelimizi temel
alan yükseltecin çıkış direnci ise sonsuzdur. Çıkış (Thevenin) direnci ölçülürse 105 !i.
mertebesinde bir değer elde ederiz. Böylece CE yükseltecinin,yüksek çıkış direnci-
ne sahip olduğunu söyleyebiliriz.
gm, fj ver,.. değerlerini elde etmek için Kes.,6-5 de verilen metodu kullana-
lım. Q noktasında ic = 3,6 mA,Şek. 5-128,olduğu için gm =a,6/0,026= 138 mmho
buluruz. Q noktasında fj yı Llic/LliB alarak elde ederiz. ve {jc: 150 dolayındadır. O
zaman r ,r =fj/gm, 1100 dolayın(Ja- bir değer verir. Şimdi .bu değerleri Au yi elde
etmek üzere Denk. (6 • 36) da kullanabiliriz ve

149
buluruz. Bu değer, aynı yükselteç için Kes. 5-9 da grafik yoluyla elde edilen -81
dı:!ğerindenbiraz daha büyüktür. Fark, kısmen belirtgenlerin doğrusal olmamasına
ve kısmen de iki durumdaki iB ile uBE arasındaki bağıntının farklı temele sahip
olmasına atfedilebilir. Kesim 5-9 da bu ilişki için deneysel eğri kullandık, oysaki
küçük işaret modelinde temel1eklem diyod denklemidir.
Denklem (6 - 37) ile belirlenen akım kazancı Ai=/3=150 dir.
AP güç kazancı, RL ye giden ani işaret gücünün kaynak tarafından sağlanan
işaret gücüne oranı olarak tanımlanabilir :

A = çıkış == (6 - 38)
P giriş

Yükselteç için sayısal değerleri kullanarak AP == 14.000 elde ederiz. Bu desibel

olar.ak 10 log 10 14000 = 41,5 dB değerine karşılıktır.
özet olarak CE yükseltecinin çok iyi voltaj, akım ve güç kazancı sağladığını
ve bu nedenle birçok uygulamalar için seçilebileceğini görmekteyiz.

b)Toplayıcısı ortak (yayıcı izleyici) yükselteç

Bu yükselteç Şek. 6 - 13a ortak akıtıcılı MOYİAETyükseltecine benzerdir.'_

Toplayıcının, işaret voltajı ile ilgilenildiğinde topraklanmış olduğunu belirtelim.
RB nin ihmal edilebilecek kadar çok büyük olduğunu ve C üzerinde işaret voltajı­
nın da ihmal edilebileceğini varsayalım. Transistör için,Şek. 6-13b1önceki modeli
kullanabilir ve transistörle ilgili Rv R 5 ve u 8 elemanlarını çizerek devreyi tamam-
larız.

R,
~ıb
C

\'be :5> rrr

+
J___ .________.___,E

'o =(gmvb, + ıb)f RL

-=-
(c) (b)

Şekil 6 - 13 a) Ortak yayıcılı devre. (b) İşaret bileşenleri için model devre.

150
 Şimdi aldığımiz devre modelinin kazancını, giriş ve çıkış dirençlerini basit
devre çözümlemesi ile hesaplayabiliriz. Bu çözümlemenin sadece sonuçlarını ve•
receğiz. Bununla birlikte giriş ve çıkış çevrimlerinin ortak RL direncine sahip ol-
duklannı belirtelim. Bu, devre davranışında önemli bir değişmeye neden olur.
Daha sonraki tartışmamızda bu devreyi, negatif geri beslemesi olan bir devre ola•
rak açıklayacağız, yani u O çıkış voltl!jının u s işaretine zıt olacak şekilde giriş
çevrimine etkidiğini göreceğiz. Elde edilen voltaj kazancı

(6 • 39)

dir. Bu birden küçük olmalı, ancak genellikle bire yakındır.

Akım kazancı için sonuç

(6 • 40)

dir ve giriş direnci için

(6 - 41)

buluruz. Son olarak çıkış direnci,

R = Rs +r" (6 - 42)
t (3 + 1

değerine sahiptir.
sonuçların anlaşılabilmesi için bir sınama, CE yükselteci için yaptığımız
Bu
gibi, aynı devre sabitleri ve transistör parametreleri hesaplanarak yapılabilir. So-
nuçlar A ıJ ~ 0,99, Ai = 151, Rgir ~ 305 kn ve R = 20 n dur. Yükseltecin bir civa-
rında voltaj kazancı verdiğini, bununla birlikte çok iyi akım kazancı sağladığını
görürüz. Giriş direnci yüksek ve çıkış direnci düşüktür. Besleme direncinin etkisini
içeren RB, Rgir ile önemli ölçüde değişebildiği için giriş direnci değerine yaklaşık
olarak bakılmalıdır. Burada yük direnci düşük tutulmalı, ortak taplayıcılı yükselteç
doğal bir seçimdir. Voltaj kazancının hemen hemen bir olması nedeniyle devreye
yayıcı izleyici yükselteç denir.

c) Ortak • tabanlı yükselteç

Basit bir ortak tabanlı yükselteç Şek. 6 - 14 te gösterilmiştir. Bu devre sade-

151
ce basit bir yayıcı besleme şemasına sahiptir. Şimdiye kadar ele aldığımız transis-
tör modelini kullanan yükselteç için bir devre modeli geliştirebiliriz. Bu durumda
model, yükselteç için çözümlenebilir ve

(6 - 43)

(6- 44)

(6-45)

Rt = çıkış-oo için Thlvenin direnci (6- 46)

bulunur.
R1 nin küçük olması koşulu ile voltaj kazananın yüksek olabileeeiini görüyo-
ruz. Beklediğimiz gibi akım kazancı, lenin uca ye voltaj ballılılım ihmal ettlti•
miz için RL nin delerine bakrmksızın ortak • taban k• dnıe kazana olan a ~
dardır: Rgir e tnnıiıtörün katkııı r,,/(/J + 1), normal olarak küçük olacaktır. öme-
ğln r.- = 1100 ve fi = 150 lıe katkı 7,3 n dur. Bu Enin B ye gciR artım diıendcBr.
Teorik· çıkış dlıımei sonsuzdur ve küçük bir tranıiıtör için ölçülen deleri mep-
obm bölgesindedir.

Şekil 6 • 14 Ortak • :taban devresia-

üç tip yükselteç için elde edilen sonuçlann bir karşılaştırması Tablo 6 • 1

de yapılmıştır.
Tablodan CE devresinin giriş direnci hariç bütün sıfırlardan; yüksek
olduğunu görmekteyiz. CC devresi yüksek giriş direnci veya düşük çıkış direnci
istem\iği zaman kullanılabilir. ·

152
 Tablo 6· 1 Basit yükselteç bağlantılarının devre özelliklerinin karşılaştınlması .

Yayıcısı Toplayıcısı Ortak

Ortak (CE) Taban

Voltaj kazancı Yüksek 1 den az Orta

Akım kazancı Yüksek Y-tiksek Birin altında

Güç kazancı En yüksek Orta En düşük

Giriş direnci Orta En yüksek En düşük

Çıkış direnci Yüksek Düşük En yüksek

(Rs ye bağlı)

6-7
Model devrelerin a) geçici cevap ve
b) a.a. cevabı elde etmede kullanılması

a) Geçici cevap

Buraya kadar yükseltecin cevabının analizinde artınmlı modellerin gücünü

göstermedik. Bir sığaç bulunduran devrelere modelin uygulamasını göstermek için
iki örnek vereceğiz. Bu, daha sonraki bölümlerde kullanılacak yöntemleri açıklaya­
caktır.
önce Şek. 5 . 11 deki CE yükseltecinin us de bir basamak voltajı işaretine
cevabını gözönüne alalım. Yani t :::: O a kadar us :::: O ve t .>- O için Us :::: Vs olsun.
Bu voltaj, t:::: O da giriş devresine Vs volt veren bir d.a.' kaynağı gibi düşünülebilir.
Şimdi çözümlemede C sığacının etkisini dahil etmeyi fakat RB nin etkisini
ihmal etmeyi istiyoruz. Bu problem Şek. 6-15 te gösterildiği gibi, Şek. 6-12 mo-
del devresini yeni varsayımlara uygun kılacak şekilde değiştirerek çözülebilir.
Çözümlemeye ib taban akımının hesaplanması ile başlanır. Giriş direnci bir seri
RC devresidir ve zaman sabiti 1 == (Rs + r) C dir. C nin başlangıçta artının anla-
mında
C

T.
.____-.!.-r_r.______.•,l
Şekil 6 • 15 Basamak girişli CE yükselteci için model devre.

153
bir yükünün olmadığını varsayarak akım cevabını

i
vs -t
= - - exp ( - - ) t,2 O için (6 - 47)
b Rs+r1r T

olarak buluruz. Sonra ube yi, gmube yi hesaplarız ve son olarak

E.Lf3Vs -t
u 0 = - - - - exp ( - ) t ,2 O için (6 - 48)
Rs +r1r T

elde ederiz. Böylece u 0 , başlangıçtaki negatif değerine düşer ve sonra sığaç Vs ye

doğru yüklenirken T zaman sabiti ile sıfıra gider.
Pratik devrelerdeC = 0,5 µF dir. Rs = 2 kn ve r1r =l,lkn isezamansabiti
0,5xıo- 6 x 3100 = 1,55x ıo-: 3 s dir.
Basitleştirilmiş transistör modelimiz,dahili zaman gecikme etkilerini ve ilk
atlama için kısa fakat sonlu zaman gerektiren.,eklem sığaçlarını ihmal eder.

b) Semboller ve a.a. işaretleri için teknikler

Basit modelimiz.artıma cevap verdiği için küçük a.a. işaretine cevap vermede
de işe yarar. Faz büyüklükleri için sembolleri benimsememi• ve kararlı durum a.a.
çözümlemesine göre devreyi çözümlememiz gerekir. Metodlan açıklamak için Şek.
5-11 in CE yükseltecini kullanıyoruz. Fakat C sığacırun büyüklüğü üzerindeki sı­
nırlamayı kaldırıyoruz. Böylece C, Şek. 6 . 16 devre modeline· katılmalıdır. Fazör
büyüklüklerinin, büyük harf alt indislerle gösterildiğini hatırlayınız. Akım ve vol-
tajların tepe değerler veya kare ortalama karekök değerleri olacağı düşünülebilir,
an_cak normal olarak bunlara kok değerleri olarak bakacağız.
Şekil 6 • 16 daki devrenin çözümlenmesi daha doğru olur. önce Vbe yi Vs

Şekil 6 · 16 a.a. sinyalleri iç.in CE yükselteç devre modeli.

ve giriş çevrimi direncine göre ifade edebilir büyük çıkış çevrimindeki akımı kura-
biliriz. Ohm yasasını kullanarak VO ı bulabiliriz. Voltaj kazancını hesaplayarak
Vo -gmr1rRL -(3RL
Au= V=---z--=-z- (6. 49)
s

değ_erini buluruz. Burada Z = Rs + r1r + (1/j wC) dir. Sinyal frekansının değişmesi

154
Z yi değiştirecekve böylece kazancı etkileyecektir. Yüksek frekans ve büyük sığaç
bileşimi için Z içindeki 1/jwC terimi ihmal edilebilir. O zaman kazanç -{3RL/
(Rs + r,r) ye yaklaşır ve bu da daha önce elde edilenin aynıdır [~nk. (6 - 38)).
Frekans küçüldüğünde I Z I artar, 1 A" 1 azalır ve V O ın V s ye göre açısı de-
l I
ğişir. 1/jw 1c nin R8 + r,r ye eşit olduğu w 1 frekansı kullanışlı bir referans fre-
kansıdır. O zaman

- in, ' Aı::O - (3 RL /+ 45°

Z-y2(Rs+rır) ~ ve Au-- -v'i(R +r) (6 - 50)
s ır·

dir. Böylece voltaj kazancının genlij!inin yüksek frekans dejterinin 1/../2 katı oldu-
ğunu ve fazının 45° kaydığını görüyoruz; Daha alçak frekanslarda kazanç hızla aza-
lır ve faz da daha fazla kayar.

6-8
h Değişkenli modeller ve devre çözümlenmesi

Alçak frekans transistör devre çözümlemeleri için h değişkenli model çok

kullanılırve çoğu kez transistör veri tabloları tipik h değişken değerlerini içerir.
Bununla birlikte, h değişkenli model yüksek frekanslarda kullanmak için hemen
genişletilemez. Şimdi h değişkenlerinin transistör devrelerine uygulanmasını özet-
leyeceğiz ve Ek C- 2 de daha çok uygulamalannı vereceğiz.
Tartışmamızı ortak - yayıcı bağlantısına sınırlandıracağız. O zaman temel
denklemlerimiz [De_nk. (ı - 137) ve (2 - 138) e bakınız] :

(6 - 51)

(6 - 52)

biçiminde yeniden yazılabilir. Burada akım ve voltaj sembolleri CE biçiminde

bağlanmış transistör için a.a. sinyalleri gibidir. Burada h lara eklenen indis CE
bağlantısını belirtmek içindir, çünkü üç farklı bağlama biçimi için h değişken de-
ğerleri farklıdır. Temel. denklemler Şek. 6 - 17 de dikdörtgen içinde göster\len
eşdeğer devre cinsinden açıklanabilir. hie değişkeni düşük frekanslardaki dirençtir
ve taban ile yayıcı arasındaki direncin büyük bir kısmını oluşturur. Bağımlı her Vc
voltaj üreteci çıkış voltajı Vc nin taban akımına küçük geribesleme etkisini gösteri-
yor. Temel yükseltici eleman hfe Ib akım üretecidir. Akım üreteci üzerinde l/h 0 e
direnci veya hoe iletkenliği vardır. 1/hoe >> RL olduğunda bunun etkisi küçüktür
ve çoğu kez durum da budur.

155
 r ------------------------------7
C :
1
B hie
l+Ib C'
1
I,
◄ --

1
1
1

vbe:
ıi
- L_ - E~ ' ·------------------------~-j
Transistör modeli
Şekil 6 - 17 CE transistör h parametre modeli ve basit CE yükselteç devre modeli.

Şekil 6 - 17 de basit C E yükselteç için, gene önbesleme direncinin etkisini

ihmal ederek bir model geJiştirdik. Şimdi V c/Vs oranını hesaplamak istediğimizi
varsayalım. Çözüme yaklaşlll{lnın bir yolu Denk. (2-147) de Vc/Vbe formülünü
kullanmak ve sonra V sfV be yi bulmak ve sonuçlan birleştirmektir. Başka bir
yaklaşma yolu,devreyi Şek. 6-17 de gösterildiği gibi çözmektir. İkinci yolu kulla-
nalım fakat önce bir yaklaşıklık yapalım. CE bağlantılı küçük bir transistör için
le = 1 mA iken alçak - frekans h değişkenlerinin örnek bir takımı :

hie= 1800 n hre = 2,1 x ıo- 4

hre =60 . hoe =-=8xıo- 6 mho

dir. Tam hesaplama devre elemanlan ~eV c ve 1/hoe nin voltaj kazancına etkisi-
nin birkaç kiloohm yük dirençleri için ihmal edilebilir (yüzde 5 lik bir yanılgı ile)
olduğunu gösterecektir. Bununla birlikte, hre =;' O yaklaşıklığını yapıyor ve hoe yi
tutuyoruz. Rahat olsun diye GL = 1/RL kullanınız. O zaman hre Ib akımını taşı~
yan birleştirilmiş iletkenlikhoe + GL ~ir. Giriş çevrimininin impedansını Z=Rs + l\e +
(1/jwC) olarak yazıyoruz. Bu sembolleri kullanarak devreyi çözümleyebilir ve

(6 • 53)

buluruz.
Eğer h0 e = O yaklaşıklığını da yaparsak o zaman Denk. (6 - 53)
hreRL (6 - 54)
A =---
u z

olur. Bu ifade Denk. (6-49) un aynıdır, çünkü hre=/J dır. Buna göre b~tleştirilmiş
melez - pi modeli hre = hoe = O val'Sjlydığımızda h değişkenli modele karşılık gelir.

1S6
 KAYNAKLAR

6 • 1 P.E. Gray ~d C.L. Searle, Electronic Principles: Physics, Models, and Circuits,
john Wiley,and Sor,s, ine., New York, 1969.
6 · 2 J. Millman and C.C Halkias, Integrated Electronics : Analog and Digital
Circuits and Systems, McGraw • Hill Book Company, New York, 1972.
ALIŞTIRMALAR

6 - 1 Şekil 6 • 3a daki devre için Rt nin değerinin Rt = (R 1 + R 2 )/(l - gR 1 ) oldu-

ğunu gösteriniz.

6 - 2 Küçük -sinyal çalışma durumunda V DS = 10 V ve V GS = - 1,0 V ise 3 N 128

MOYİAETiçin(EkB) artınmlı değişkenler gm ve g ı bulunuz.
0
6 - 3 Şekil 6-6adakiyükselteç içinR 1=200kn, J½= lO0kn ve R=5nk dur. Tran-
sistör değişkenleri gm = 5 ve g0 = 01 2 mho dur. C üzerindeki sinyal düşmesi ihmal
edilirse bu yükselteç için artırımlı voltaj kazancı nedir?
6 - 4 Şekil 6-7 deki devre modelini alıştırma 6-3 de tanımlanan yüksellticiye uy-
gulamak istiyoruz. (a) Ri ve Rt nin değerlerini devre sabitleri cinsinden ifade edi•
niz. C nin etkisinin olmadığını varsayınız. (b) Vı yi us ve yükseltici değişkenleri
cinsinden ifade ediniz.
6 - S Şekil 6-8 de ortak akıtıcılı yükseltecin çıkış direnci Rt nin [Denk. (6-14)]
değerinin türetilmesini aynntılanyla gösteriniz.
6 - 6 Bir 2 N 5135 transistörünün (Ek B) le = 10 mA, VCE = 15 V ve oda sıcaklı­
ğında basitleştirilmiş melez - pi artırımlı modeli için rır ve gm değe~lerini bulunuz.
Yol gös : önce çıkış karakteristiklerinden {3 yı bulunuz.
6 - 7 Alıştırma 6-6 yı le= 0,5 A ve VCE = 30 V ta çalıştırılan RCA 2N 6261
transistörü (Ek B) için tekrarlayınız.
6 - 8 lc=0,5 Ada ve 25°c de çalıştırılan bir güç transistörü için/3= 100 ve gm = 20
mho olduğunu varsayınız. Bu transistör Şek. 5 - 11 de CE yükselteç devresinde
Rs = 8n ve RL = 25n değerleriyle kullanılmıştır. (a) Voltaj kazancını ve (b) güç
kazancını Kes. 6-6 da tanımladığı gibi dB cinsinden hesaplayını:ı.
6 - 9 Şekil 6-13b ye göre Denk. (6-39) u türetiniz.
6 - 10 Ortak• toplayıcılı katın giriş direnci için Denk. (6 · 41) i türetiniz.
6 - 1 l Ortak• toplayıcılı katın çıkış direnci için Denk. (6 · 42) yi türetiniz.
6 - 12 Şekil 6 · 14 de ortak - tabanlı kat için yükselteç değişkenlerini,(a) Au, b )Ai
ve (c) Rgir de dahil olmak üzere bulunuz. Sonuçlan Denk. (6-43), (6-44)ve (6-46)
ile karşılaştırınız.
6 - 13 Şekil 6-16 da temsil edilen CE katın devre modeli:. değişkenleri Rs= 2,0 kn
rTT = 1,0 kn, RL = 3,0 Kn {3 = 120 ve C =. l,0µF dir. (a) Radyan cinsinden hangi
°
frekansta V 0 , Vs ile 180 + 45 veya 225 açı yapar? (b) a şıkkında b.ulunan
frekansın iki katında,kompleks voltaj kazancı nedir?

157
 7,
Vakumlu ve Gazlı Tüpler

7-1
Giriş

Vakumlu ve gazlı
tüplerle yapılan işlerin birçoğu şimdi yarıiletken eleman-
ların kullanılmasıyle daha ucuza ve daha verimli olarak yapılabilmektedir. Bazı
yüksek frekans uygulamalarında, yüksek güçlü vakum tüpleri, katod ışınlı tüpler ve
bazı işaretleyici kızaran tüpler birkaç istisna olarak kaldılar. Bundan başka vakum
tüpe bağlı,kullanımda değişmeden kalan birçok elektronik alet de vardır. Biz yal-
nızca çok daha önemli olan devrelerin kısa bir tanıtımını vereceğiz. Okuyucu daha
fazla ayrıntılar için bölüm sonÜndaki listelenmiş kaynaklara başvurabilir.

7-2
Termoiyonik vakum diyod, uzay yükü, katodlar

Yüksek - vakum termoiyonik diyod, metal tüp veya aşırı ölçüde havası bo-
şaltılmış bir cam içersine yerleştirilmiş bir sıcak katod ve bir soğuk anod veya ma-
deni plakalardaı:ı oluşur. Katodun fonksiyonu elektronları vermek ve anodun
fonksiyonu da bu elektronları toplamaktır. Bu tüpün oluşumunda, Şek. 7-1 de göste-
rildiği gibi bir diyod V b voltajlı bataryanın anoduna doğrudan bağlıdır. Katod in-
ce bir tüpten oluşur ve içindeki yalıtılmış tellerden geçen akımla ısınır. Bu tüpün
Anoi:I (le.ıha)
Katod!

~ Anod
ekt,on Katod
akımı

(o) (bl
ı j
Şekil 7 · 1 (.a) Yüksek - vakum diyod.(b) Devre gösterimi.

sıcaklığı 700~C ye kadar ulaşır ve bu sıcaklık elektronların bolca yayınlanması

için yeterligir.
Şekil 7 - la da gösterildiği gibi batarya anodu veya plakayı durgun pozitif
yüklerle yüklemeye yarar. Bu dururiı katod bölgesinden elektronların çekilmesine

158
neden olur. Bunun sonucunda elektron akımı aralık boyunca anoda ulaşarak ano-
du kaplar ve devrede saat ibresi yönünde sürüklenir. Alışılmış plaka akımı, Ib, zıt
yöndedir ve plaka devresinde akar. Bu tipteki bir diyodun devre gösterimi Şek. 7 -
lb de gösterilmiştir. Uygulamada HH ısıtıcısına genellikle bir transformatörün sar-
gısından alternatif akım enerjisi verilir.
Bu diyodun akım - voltaj belirtgenini elde etmek için bir deney yaptığımızı
varsayalım. Bunun sonucunda elde edilen eğri Şek. 7 -2 de gösterildiği gibi katod
sıcaklığına bağlıdır. Daha yüksek anod voltajlarında akımın bir limit değere ulaştı­
ğı sonucunu çıkarırız,çünkü belli sıcaklıkta yayılan elektron sayısı belli bir çoğun­
luktadır. Sıcaklık artırıldığında daha çok elektron akımı elde edilir.

...E -T3
...
~ Tz
l'O
-o o
o
C
c:C
T3>Tz>Tı
.,€> M

-Vb O +V Ancx:ldaki voltaj

b
Şekil 7 - 2 Katod sıcaklığı T olmak üzere diyod belirtgen eğrileri.

O zaman, T 3 sıcaklığı için MNW bölgesi üzerinde daha düşük voltajlarda

akımı ne sınırlar? Bu bölgede katod yakınındaki elektron bulutu öylesine yoğun­
dur ki uzay elektron yükleri bu bölgenin potansiy,elini daha da azaltır. özel bir
anod voltajında elektron akışı ve katod yüzeyinde elektrik alanı yaklaşık sıfır yap-
maya yeterlidir. Bunun için anod akımının uzay-yük-kontrollü olduğunu söyleriz.
Uzay-yük kÖntrolünü düzenleyen teorik bağıntı,

Ib = KV b 3 / 2 (7-1)

dir, burada K bir sabittir.

İki veya bir volttan daha az anod voltajlannda geçerli olmamakla birlikte
Denk. (7 -1) üç-yarım kuvvet yasası olarak bilinir. Bu bölgede elektronların bir ilk
hızla yayılmış olması, akımın Denk. (7-1) ile verilenden daha büyük olmasına neden
olur.
Şekil 7- la daki gibi baryum ve stronsiyum oksit kaplamalı doğrudan ısıtıl­
mayan katodlara oksit-kaplamalı katodlar denir. Bazen de tungsten telli lambalar
katod olarak kullanılır fakat onların 2500°Kne kadar ısıtılmaları gerekir. Diğer bir
flamanh katod , özel olarak hazırlanmış ihce bir toryum tabakasıyla tungsten tel-
den oluşur. Bunlar 2000°K dolayında çalışırlar.
Sıcaklıktan başka,bir elektronun yüzeyden kopması için yapılması gereken
işe iş fonksiyonu denir ve hu temel olarak yayınlanan akımı tayin eder. Yayınla-

159
 nan akımı Richardson • Dushman denklemi tasvir eder, burada 1th yayınlanan

-V
1th = SAT2 exp ( V w ) (7 • 2)
T
akım S katod yüzeyinin alanı; A deneysel sabit, T mutlak sıcaklık, V w elektron
voltt olarak iş fonksiyonu ve V T = kT/e olmak üzere sıcaklığın elektron volt ola-
rak eşdeğerdir. Tipik V w değerleri oksit kaplamalar için 1,2eV, toryumlu tungsten
için 2,6 eV ve saf tungsten için 4,5 eV. dur.

7-3
lıgara - kontrollü vakum triod

1907 de Lee De Forest ·termoiyonik tüp içine kontrol ızgarası yerleştirdiği

za~an elektronik devri başlattı. Kontrol ızgarası,bir örgü veya ince telden helisel
bir bobinin anod ile katod arasına yerleştirilmesinden oluşur. h:garaya bir voltaj
uygulanarak üzerine yerleştirilen yüklerin uzay yüküne etkimesi tüp akımını de-
ğiştirir. Izgara katodıt göre pozitif olduğu zaman elektron akımının bir kısmını
toplayacaktır fakat çoğunluk ızgara tellerinin oluşturduğu bölgeyi geçer ve anoda
ulaşır. Bir veya daha fazla voltluk öir negatif ızgara potansiyeli, ızgara potansiyeli ile
ızgara, hala akımı kontrol etmeye devam eder, fakat artık elektronlann hiçbirini top.
layamaz. Bu negatif bölgede ızgara çok az bir güç soğurmakla plaka devresinde gücü
kontrol edebilir. Bu durumda triod bir dereceye kadar MOYİAET gibi rol oynar.
Tri~dun .aktarım belirtgenleri olarak bilinen Şek. 7-3b deki eğriler plaka akı­
mının ızgarayla kontrolünü açıklamaktadır. Burada Şek. 7 -3a da tanımlanan V b
plaka voltajı ayarlanabilir bir değişkendir. Ib "akımının ızgara ve plaka voltajına
lineer olmayan bir şekilde baİlı olduğunu görüyoruz. Negatif ızgara·voltaj bölg~
sinde üç yarım üslü yasaya uydurma : bu bıtğıntıyı tasvir eder, yani:
V
I =G(V + - b )3/2 (7 • 3)
b c µ

dir, burada G ve µsabitlerdir.

Ib nin Vc ve V b ile ilişkisini göstermenin bir başka yolu da Vc yi değişken

alarak Ib nin Vb ye karşı eğrilerini çizmektir. Bunlar plaka belirtgenleri olarak
bilinir ve bir örnek takım Şek. 7-4 de gösterilmiştir. Plaka belirtgenİeri devre
çözümlemesinde transfer belirtgenleri~n daha kullanışlıdır ve genellikle katalog-
larda bu belirtgenler verilir.

t ev bir enerji birimidir ve 1.&xıo- 19 jııldOr.

)I 160
 8

l <1
E
1
....t'

-4 o +4
Ve - volt

. (o) (b)

Şekil 7 · 3 Triyodun (a) devre sembolü ve (b) aktarım belirtgenleri.

ı...
m
~
-~ 12
.--ı
-----~-~-4--..-4---6-------l
•ri
E
"8C
c:ı:

80 120 160 200 240 280 320 360

Şekil 7 · 4 Bir triodutı plaka belirtgenleri.

Plaka belirtgenlerinin uygulamasına bir örnek Şek. 7 -5 deki basit triod yük-
selteç devresinin grafiksel çözümlenmesidir. Bu çözümleme temelde Kes. 3- 7 ve
5-9 dakilerle aynıdır ve burada ayrıntılara inilmeyecektir. R=15 kn ve Vbb = 240
V luk bir yükselteç için tipik bir yük çizgisi Şek. 7 -4 de gösterilmişUr. Eğer VCC,
4 V olarak seçilirse o zaman Q noktası -4 voltluk ızgara voltaj çizgisi üzerindedir.
Tepe değeri 4 Volan bir a.a. sinyali çalışma noktasını Vc = O ın yukarısına ve -8V
un altına kaydınr ve voltaj kazancı 13 dolayında olur.

161
 Şekil 7 · 5 Basit triod yükseltici.

7-4
Triod için artırımİı modeller

MOYİAET ler için Kes. 6-2 dekine benzer biçimde artınmlı bir model geliş­
tirilebilir. Aşağıdaki taslakta gösterildiği gibi semboller farklı olacaktır. Plaka akı­
mı toplam ızgara ve plaka voltajlarının

(7 • 4)

bir fonksiyonudur. Toplam diferansiyeli

. ctib ctıb
(7 · 5')
b.ib =au;-b.uc + ctl.'b b.ub

olarak yazabiliriz. Şimdi voltajı ve akımı

(7 • 6)

(7 · 7)

(7 • 8)

biçiminde yazabiliriz. Bu eşitliklerde ip, ug ve up artırılmış değişkenlerdir, ib, uc

ve ub toplam değerler ve lb, V c ve V b nicelikleri Q noktasındaki değerlerdir.
Denklem.• (7 - 5) deki kısmi türevler yerine

eli .
gm -= -"--
b = ızgara • plaka karşılıklı aktarım katsayısı (7 • 9)
oUc

clib
gp = a4, - = plaka aktarım katsayısı (7 · 10)

162
sembolleri konur. Şimdi (7 • 5) i

('7 • 11)

biçiminde düzenleyebiliriz. B~ bağıntı Denk. (6. 3) e tamamen benzemektedir.

G

Tv, g,
_'.!_ p

l
Vp
-
G

rp= ~
_.__L
1
p

1 1
K K
(al (b)

Şekil 7-6 Triod modelleri : (a) Norton biçimi, (b) Th~venin biçimi.

Denklem (7-11) e ve negatif beslemeli ızgara halinde ızgara akımının ihmal

edilir olması gerçeğine dayanan bir devre modeli 7-6a da gösterilmiştir. Şekil
7-6a daki Norton kaynağı artırımlı plaka direnci, rp = 1/gp ve yükseltme faktörü
µ = gmrp sembolleri kullanılarak Şek. 7-6b deki TMvenin biçimine çevrilebilir.
Triod modellerini elde ettikten sonra Kes. 6 daki yöntemleri kullanarak
akım ve gerilim sinyallerini çözebiliriz. örneğin Şek. 7-5 deki basit yükselteci
çözümlemek için ilk olarak G,P ve K noktalan arasındaki artırımlı modeli çiziniz.
O zaman sinyal üreteci, G noktasından K noktası arasına eklenir ve sonunda yük
direnci P den K ya birleştirilir. R yük direnci üzerindeki voltaj up dir. Sinyal bileşeni
ve R den P ye akım da ip olmalıdır.
Bu modeller triod elektrodları arasındaki küçük sığa etkilerini gJzönüne
almadığımız için yalnızca alç:tk frekans davranışlarını verir. Bu etkiler ve bağlama
tellerinin etkileri Şek. 7 -7 de gösterildiği gibi üç tane sığaç ilave edilerek temsil
edilebilir. Küçük triodlar için bu sığaçlar 2 den 5 pF !ık değerlere sahiptirler. Ek-
lenen sığaçlar bu mqdelin uygulanabilirliğini yüksek frekans bölgesine kadar
genişletir.

özel bir triod için Cpk = 4pF olsun. Bu triod 15 kn luk yük direnci olan
basit bir yükselteçte kullanılsın. Cpk nın önemli bir duruma geldiği frekans hak-
kında bir fikir edinmek için Cpk nin impetnsının 15000 :ı a eşit olduğu d'urum-
daki frekansı hesaplarız. Bu frekans 2, 7 x 10 Hz olmaktadır.
Cgp sığacının yüksek - frekans yükselteci kurgulamada problem doğuracağı
muhtemeldir. Kötü bir etki kaynağın G noktasından Cgp ye sağladığı akımdır.
Akordlu devreli yükselticilerde başka bir problem etki de böyle yükselticilerde
C!!o yoluyla plakadan ızgara devresine akım geri besleme ile kendiliğinden titre-
şimlerin oluşturulması eğilimidir.

163
 p

9p

K
Şekil 7- 7 Elektrodları arasındaki sığaçlan içeren triod devresi modeli.

7-5
Çok ızgaralı tüpler

Yukardaki paragraflarda açıklanan problt>mlerin üstesinden gelmek için

anod ve katod arasına ek ızg~alar bulunan tÜpler geliştirilmiştir. İki - ızgaralı tüp
ve~a tetrod daha düşük plaka voltaj bölgesinde plaka belirtgen eğrilerinde istenme-
yen bozunmalara sahiptir. Bu bozunma plakadan sonra başka bir ızgara eklemek
ıo~-----------~
ıt,= o
,cı:
-ı
E· 6
GI _... -2
4
-3
2 -4
K
o 50 100 150 200
Vı,- volt

(ol (b)

Şekil 7-8 (a) Pentodun devre sembolü. (b) Pentodun plaka belirtgenleri
(ekran ızgara 'voltajı sabit tutulmuştur).
ve bunu katoda bağlamakla yenilmiştir. Bu pentod denilen üç - ızgaralı tüp yüksek
ölçüde geliştirilmiştir. Bu tüp, yüksek frekans yükselteçlerinde ve ses - frekans
yükselteçlerinde çıkış tüpü olarak kullanılır.
Küçük bir pentodun devre sembolü ve örnek plaka belirtgenleri Şek. 7 -8 de
gösterilmiştir. Ekran ızgara denilen G2,maximum plaka voltajının üçte biri kadar
olabilen sabit bir potansiyelde tutulur. Kontrol ızgarası Gl uzay yüküne etkir ve
böylece akımını değiştirir. G2 ve G3 ızgaralannın elektrostatik zırhlanması nede-
niyle plaka voltajı plaka akımına çok az etki eder.
Pentod yükselteç devrelerinde normal olarak ekranlama ızgarası büyük bir
sığaçla gereksinen d.a. kaynağına ve katoğuna bağlıdır. Buna göre ekranlama ızgarası
bir voltaj sinyaline sahip değildir. Sonuç olarak sadece kontrol ızgarası ve plaka sinyal
voltajı taşımaktadır. Bu varsayımlar ışığında Şek. 7 - 7 de triod için verilen modeli

164
pentod için artırımlı model olarak kullanabiliriz. Bununla birlikte Cgk yı Gl den
K ya olan sığaçlan içerecek şekilde, Cpk yı da P den K ya olan sığaçları içerecek
şekilde açıklamalıyız. G2 ve G3 ün ekranlama etkisi sebebiyle Cgp sığacının çok
küçük olmasını bekleriz. Buna göre triodda plakadan ızgaraya olan kuplaj problemi
pentod lambada hemen hemen kaybolur.
Pentodlar için gm değerleri triodlarınkilere benzer değerlere sahiptir. Triod
ve pentodun plaka belirtgenlerine bakıldığında gp nin pentod için çok daha küçük
olduğu görülecektir. örnek olarak pentod için gp = 1 veya 2 mho iken triod için
gp = 50 mho olmalıdır. Kuşkusuz herbir tüp tipinin sahip olabildiği gözönüne
alınabilir değişkenler bölgesi onun kurgusuna ve özel~ noktasına bağlıdır.

7-6
(a) Gazlı iletim,
(b) soğuk - katod diyodları,
(c) sıcak - katod diyodu.

a) Gazlı iletim

Metal elektrodlar arasındaki aralıkta herhangi bir gazlı boşalmada iyonlaşma

ve nötürleşme. süreçlerinin her ikisi de birlikte olur. Elektronlar ve iyonların oluşu­
mu, elektronların gaz molekülleriyle iyonize çarpışmaları, elektrodlardaki termoi-
yonik yayınlanmalar, veya foto elektrik etki veya x-ışınlan, kozmik 1şınlar gibi
diğer iyonizasyon etkilerden ötürü meydana gelir. Yüklü parçacıklar elektrik alan
vasıtasıyle aralıktan dışa doğru difüzlenmekle veya bazı durumlarda negatif ve
pozitif parçacıkların yeniden birleşmesi yoluyla hareket ettirilebilirler. İyonlaşma
ve nötürleşme arasında genellikle denge sağlanır ve tekrarlanabilen voltaj - akım
bağıntısı veren kararlı boşalma gözlenir. Bununla birlikte akım artırıldığında
boşalmanın doğası ve ona eşlik eden voltaj - akım bağıntısı değişir.
örneğin, soğuk elektrodlar arasında kısa bir aralıkta 0,1 atmosfer basınç
altındaki hır gazda yük boşalması üç şekilde olabilir. Voltaj ilk uygulanırken
iyonizasyon işlemi yalnızca kozmik ışınlar ve doğal radyoaktivite nedeniyle oldu-
ğu için akım tamamen küçüktür. Voltaj artırılırken elektronların iyonize çarpış­
maları nedeniyle akımda bir artma olmasını bekleriz. Sonunda voltaj artık artmaz
fakat boşalma kızaran boşalmaya dönüşür ve akım artarken-voltaj düşer. Bu sırada
ulaşılan en yüksek voltaja kırılma voltajı denir.
Kısa bir kızarma boşalması, gazın çeşidine, akım değerine ve elektrodların
şekline v.b. bağlı olarak 1 volttan birkaç yüz volta kadar voltaj sağlayabilir. Kızar­
mada akım artırıldığı zaman voltaj yaklaşık olarak başlangıçta sabit kalır ve sonra
artmaya başlar. Ekresiya boşalma gene değişir ve ark olur. Bu geçiş esnasında vol-
taj düşer ve 50 volta kadar azalır. Gaz basıncına ve elektrodların çeşitine bağlı

165
 olarak ark, dikkate değen ışık verebilir birkaç amper veya daha fazla akım taşıya­
bilir.
Paralel plakalar arasındaki kırılma voltajının deneysel sonuçları aralık geniş­
liğinin, basıncın ve sıcaklığın bir fonksiyonu olarak Paschen yasası diye bilinen bir
bağıntı ile verilebilir. Bu özel bir gaz için Vs nin

V
s
= f ( LT d) (7 · 12)

ile verildiğini anlatır. Burada p basınç, T mutlak sıcaklık ve d de aralıktır. Bu fonk-

siyonun şekli Şek. 7 -9 da iki farklı gaz için görülmektedir. Bu eğrilerin göze çar-
pan en önemli özelliği hava için olan eğrideki M noktasının geniş bir minimumda
olmasıdır. Bu noktadaki kınlma voltajına minimum kırılma potansiyeli denir. Eğer
aralığın ve sıcaklığın sabit tutulduğunu varsayarsak o zaman eğri gaz basıncının
bir, fonksiyonu olarak kınlma voltajını verir. Gaz basıncı düşerken ilk durumda
--., kırılma voltajı yaklaşık olarak lineer olarak düşer fakat minimuma ulaştığı zaman

tekrar yükselir. Hava için minimum 273 p {- ~ 8 dir. T=27a°'ı< varsayarsak pd= 8
olur, öyleyse d = 10 mm, p = 0,8 mm Hg veya 10- 3 atmosfer olursa pd ~ 8 bulu-
ruz. Yüksek vakum koşulları altında Paschen yasası geçerli değildir.
Şimdi gazın minimum kınlma voltajını tanımladığımızdan kızarma ile ark
arasında ayırdedici bir kriter verebiliriz. Kısa aralıklar için kızarma voltajı gazın
minimum kırılma voltajına yaklaşır fakat ark voltajı bu değerden daha azdır.
1500.-----------------,

o 20 40 60 80 100 120
p
273 T d - mmHg, deg K, mm

Şekil 7-9 r:;: nin fonksiyonu olarak kırılma voltajı.

b) Soğuk - katod diyodları

Akım değişirken yaklaşık olarak sabit voltaj üretmek için özel olarak yapıl­
mış bir kızarma tüpü Şek. 7 • 10 d_a gösterilmiştir. Bu sonuç geniş yüzeyli bir ka-
tod sağlamakla ve anod ile katod arasında dar bir aralık bırakmakla elde edilir.

166
Eğer akım nonnal kızarma olarak isimlendirilen aralıkta değiştirilirse negatif
k17.11rma katodun daha büyük bir alanına yayılır. Negatif kızarma katodu tamamen
kapladıktan sonra voltaj artmaya başlar. Bu tüp Şek.12-16 daki_ne benzer bir dev-
rede voltaj düzeltme aygıtı olarak kullanılabilir.

40
Normal
_ olmayan
cı30 parlama
E
1
..!..20 Normal
parlama
10
0L---__,J"----....L~il-----l
50 100 Vs 150
V-volt
Şekil 7 • 10 Voltaj düzenleme tüpü ve belirtgeni.

Diğer başka soğuk - katod diyodlan söylenebilir. Bunlardan birisi küçük ne-
on tüpüdür bu bazen pilot ışığı için veya çalışan devreleri test etmekte kullanılır.
Daha özelleştirilmiş aletler ince katod telleri üzerinde negatif kızartma kullanırlar,
bunlarda katod telleri sayılan göstermek için rakam şeklinde yapılmıştır.
c. Sıcak - katod diyodu .
Bir gazlı diyoddakl voltaj düşmesi, bir termoiyonik katod tedarik etmekle
azalır. Bu tüpler ark tüpleri olarak sınıfiandınlır. Floresan lambalan gerçek ark
tüpleridir, alternatif akım taşıdığı için elektrotlar termoiyonik katodlar ve anod-
lar gibi davranır.
Sıcak . katod ark tüpü diyagramı akım voltaj eğrisiyle birlikte Şek. 7 • 11 de
Plazma
H

C.
E
Yazılı tepe
o
..!..

o 5

Şekil 7 · 11 Sıcak • katod gaz diyodu.

167
gösterilmiştir.
Elektron yayınlayan K katodu, HH ısıtıcısıyle içten ısıtılır ve yayın­
lanan elektronlar kızartma bölgesi içine girerler, bu bölgeye plazma denir ve bu
bölge genelde anod ile katod arasındaki uzayın çoğunu doldurur.· Plazma hemen
hemen negatif ve pozitif parçacıkların birbirine eşit olmasıyle karakterize edilir,
öyleki bu bölgede net uzay yükü hemen hemen sıfırdır ve elektrik alan da çok
düşüktür. Bu tüpte voltaj düşmesi, akım katodun normal elektron yayınlama yete-
neğini aşıncaya kadar hemen hemen sabittir. Tüpten çok yüksek akım geçerse
plazmadaki pozitif iyonların katodu bombardımanı yüzünden tüpteki voltaj düş­
mesi katodu bozacak kadar yüksek olabilir. Bu olay tüpün tepe akım miktarını ve
anod akımı tüpten geçmeden önce katodun ısıtılmasının gerekliliğini açıklıyor.
Tüpün birde ters voltaj tepe değeri için ortalama anod akımı değeri vardır.

7-7
Thyratron, ateşleyici

Thyratron, sıcak bir katod, bir ızgara ve bir de anod olmak üzere üç elektrodlu
gazlı bir tüptür. Şekil 7 - 12 ızgaranın yapısının bir yüksek vakum tüpündekinden
tamamen farklı olduğunu gösteriyor. Izgara istenilen ana kadar iletim olma-
masını sağlar. iletimin başlamasından sonra ızgara anod akımı üzerinde çok az
veya hiçbir kontrole sahip değildir. İletim esnasında elektrodlar arası bölge bir
plazma ile doldurulur ve ızgara ince bir tabakayla kaplanır. Bu tabaka ızgara volta-
jındaki değişimi bizzat ayarlayan net bir uzay-yüküne sahiptir.

Anod

Koruyucu
Izgara
Katod

Şekil 7 - 12 Negatif ızgaralı thyrlltronun elektrod yapısı.

Izgara kontrol belirtgeni veya kırılma belirtgeni kırılmada ızgara voltajı ve

anod voltajı arasındaki ilişkiyi gösterir. Asal bir gazla doldurulmuş tüp için tek bir
eğri yeterligir, Şek. 7 - 13a. Fakat bu t.üp civa buhan ile doldurulursa tüpün en
soğuk noktasının sıcaklığı buhar basıncını belirler ve belirtgen üzerine etki eder,
Şek. 7 -13b.

168
 Thyratronlar kontrollü doğrultucu devrelerinde kullanılabilir, Kes. 11-9.
Bununla birlikte bu özel uygulamalar dışında bunların yerini SKD lar almıştır.
,..,......,,...,,....,-,r-.,......,.,-,-r,,.~500

....,l'O
400 'ci
::>
200 u~
o
C

-5 -4 -3 -2 -1
o cC
-4 -2 O -8 -6 -4 -2 O
(a) Izgara voltajı (b) Izgara voltajı (c) Izgara voltajı

Şekil 7 - 13 Izgara kontrol belirtgenleri:(a) asal gaz doldurulmuş thyratron;

(b) negatif - ızgaralı civalı thyratron; ve (c) katalog bilgileri.

Ateşleyici, bir havuz katodlu doğrultucu olarak geliştirilmiştir. Bu tüpte,

Şek. 7-14,her iletimin olması için ark başlatılmalıdır. örneğin ateşleyici 60 Hz lik
bir doğrultucu devresinde kullanılıyorsa ark saniyede 60 kez başlayıp durmalıdır.
Ark ateşleyiciden civa havuzuna pozitif bir akım pulsu gönderilerek başlatılır. ~aş­
latıcı silikon karbid gibi yan-iletken kristalin•·· kurşun kalem gibi yontulmasından

ibarettir. 150 voltta 30 A dolayında bir akım başlatıcıdan civaya aktığı zaman
başlatıcının civaya değdiği uçta küçük bir ark başlar. Eğer anod katoda göre pozi-
tifse başlatıcıdan gelişen ark anoda iletilir ve dönünün geriye kalan·pozitif kısmın­
da yük akımının anoddan katoda akmasına izin verir. Anod negatif olduğu
zaman ark biter ve tüpte hemen iyonlaşma bozulur. Ark, başlatıcı vasıtasıyla her
iletim periyodu başında yeniden başlatılmalıdır.

Grafit
anod

"'--=- .._,,,_

Ateşleyici

-Cıva
,, gölü
,_.,,,--~.--, katodu

Şekil 7 • 14 Ateşleyicinin şematik çizimi.

, 169
 Ateşleyici tüpleri çoğunlukla direnç kaynak~ılannın
kontrolünde ve yüksek-
güçlü çok fazlı doğnıltucularda kullanıhr. Bundan başka tennoçekirdeksel
birleşme deneylerinde, binlerce amper mertebesind~ yüksek-akım sığaçlarının
boşalmasının kontrolünde de kullanılır.

KAYNAKLAR

7 -1 J. D. Cobine, Gaseous Conductoıs, Dover Publications, ine., New York,

1958.
7-2 J. D. Ryder, E ~ n g Etectronics, 2d ed., Prentice-Hall, ine., Engle-
wood Cliffs, N. J., 1967.

ALIŞTIRMALAR

7 - 1 Termoiyonik triodun iç fiziksel olaylar cinsinden--~şmasını açıklayınız.

Uzay yükünün etkisine, Vb ve Vc nin anod akımı üzerine relatif etkilerine ve ızgara
akımının nedenlerine değininiz.
7 - 2 Şekil 7 - 5 te şekli ve Şelf. ~7 - 4 de plaka belirtgenleri verilen yükselteç
için Vbb = 240 V, Vcc = 4 V ve R = 60 kn olduğunda, artınmh voltaj kazancını
hesaplayınız.
7 - 3 Şekil 7 -, 6 yı kullanarak ı.ı = gm rp olduğunu gösteriniz.
7 - 4 {a) Şekil 7- 5 teki yükseltici için küçük-sinyal devre modelini çiziniz. Bu
yükselteç için voltaj kazancının Av= -Rı.ı/(R + rp) olduğunu gösteriniz. (b)Plak
belirtge~leri _Şek. 7 - 4 de verilen triodun gm, rp ve µ değişkenlerini bulunuz.
Çalışma, Q noktasına yakın bir yerdedir. (c) Av yi 1(b) de bulunan değerleri ve R =
30 kn kullanarak)ıesaplaymız. ·
7 - 5 Şekil 7 - 5 deki basit triod yükselteç, P den K ya bir yük direnci eklemekle
Şek. 7 - 7 de gösterildiği gibi modeHenebilir. Eğer yük direnci ve frekans çok __
yüksek değilse Cpk nm etkisi küçük olduğundan ihmal edilebilir ve model devre
Şek. 7 - 15 deki-devreye indirgenir. (a) Bu devreyi çözümleyiniz. Vg nin frekansın­
da fazör voltajı olduğunu varsayarak giriş impedansının

~ 7 -15 Yükü direnç olan triod içinmodel devre.

170
olduğunu gösteriniz. Burada R' = +· ve G = gp + GL dir. Etkin giriş sığ acının
Cgk + Cgp (1 + gmR') olduğuna dikkat ediniz. 1 + gmR' ç~rpanı Cgp nin etkisini
büyük ölçüde artınr.~Bu olay Miller olayı olarak bilinir. (b) Cgk=6 pF, Cgp=5 pF,
gm=0,0025 mho, gp=ıo-4 mho ve RL=40 k.n ise etkin giriş sığası nedir?

171
 8
Voltaj yükselteçleri;
Önbesleme; Yüksek - Frekans
Transistör Modeli

8- 1
Giriş

Bir yükseltecin amacı, temel olarak sinyal kaynağından elde edilen güçten
daha fazla bir çıkış gücü üretmek olduğu halde bir voltaj yükselteci, bir akım
yü~selteci veya bir güç yükseltecinden sözetmek yaygındır. Bu terimler çıkışın~
belirli uygulamada,en çok ilgilenilen özelliğini belirler.
Biz burada, voltaj yükselticilerinin önbesleıne devreleri, çok katlı birleşimle­
ri ve geniş frekans bölgesinde çalıştırılmaları gibi bazı pratik özelliklerini tartı­
şacağız. Bu, eklem transistörlerinin geliştirilmiş modellerinin verilmesini gerekti-
rir. Toplu devrelerde (TD) kullanılan bazı devre yapı blokları açıklanacak fakat
'I'D yükseltecleri 10 ve 11. kesimlerde verilecektir. Güç yükselteçleri ise Kes. 11 de
incelenecektir.
Bir yükselteç için istenen özellikler uygulama alanına bağlıdır. Bazı
alet yükselteçle_ri geniş bir frekan~ bölgesinde ve uzun zaman periyodu boyunça
belirli bir voltaj sağlamalı ve transistör veya sıcaklık değişimlerine karşı hassas
olmamalıdır. Puls yükselteçlerinin, biçiminde dikkate değer bir değişiklik ve za-
manda gecikme olmaksızın pulsu yükseltmesi gerekli olabilir. Daha başka uy-
gulamalarda dar bir frekans bandının yükseltilmesi ve diğer frekansların durdurul-
ması gerekir.

Yükseltecin önemli özelliklerine güç kazancı, voltaj yükselmesi ve akım

yükselmesi dahildir. Bundan başka, yükseltme frekansı ve faz kayma frekansı
belirtgenleri çoğunlukla önemlidir. Giriş impedansı sinyal kaynağının yüklenmesini
belirler ve çıkış (Thevenin) impedansı, belirli bir yük impedansı için uygunluğu
belirler. önemli olabilen diğer hususlar yükseltecin verdiği bozulma ve hat voltajı
veya çevre sıcaklığındaki değişikliklere karşı kararldıktır. TD yükselteçlerinin, bo-
yutta ve maliyette büyük tasarruf sağlayarak birçok uygulamalarda bireysel bile-
şenli yükselteçlerin yerini aldığını belirtelim. Bu kesimde geliştirilen ilkelerin
çoğu TD yükselteçlerinin uygulamalarında yararlı olacaktır.

8-2
A sınıfı, AB sınıfı, B sınıfı
ve C.sınıfı çalışma

Kesim 11 de açıklayacağımız gibi eğer toplayıcı veya plaka akımı sinüs dalga

172
sinyaline cevap olarak yanın devir pulslannda akarsa bir güç yükseltecinin
veriminde farklı bir durum oluşur. Şimdilik yalnızca yükseltici elemanların birkaç
sınıfını. transistör veya tüpün akım taşıdığı zaman dilimleri cinsinden, aşağıdaki
gibi tanımlayacağız. ·

A sınıfı akım tüm devir boyunca akar

AB sınıfı akım yarım devirden fazla fakat tarlı devirden
az süre akar
B sınıfı akım yaklaşık olarak yarım devir akar
C sınıfı akım yarım devirden az bir süre akar
Geçen bölümlerde tartışılan yükselteçlerin A sınıfı modunda çalıştığını hatırlıyo­
ruz. Bu kesimde de sadece A sınıfı yükselteçleri gözönüne alacağız.

8-3
Eklem transistörün önbeslenmesi

Şimdiye dek basit önbesleme devreleriyle, örneğin MOYİAET için Şek.

3 - 14 ve CE için Şek. 5-14 karşılaşmış bulunuyoruz. Bunlar, öııbesleme devresi-
nin_ çıkış belirtgenleri üzerinde istenen bir noktada Q noktası kurmayı hedefle-
diği A sınıfı yükselteçlerdir. önbesleme devrelerinin, özellikle bir silikon transistö-
re sahip A sınıfı CE yükselteçleri için incelemesini genişleteceğiz.
Uygun bir önbesleme durumunu bozmaya eğilim gösteren çeşitli faktörler
vardır: (1) statik akım kazancı ıı FE nin sıcaklıkla değişmesi, (2) sıcaklıkla taban.
yayıcı voltajı VBE nin değişmesi ve (3) aynı tip transistörler arasında ııFE nin
değişik olması.
+ Vcc den tabana bir tek dirençle bağlı Şek. 5-14 deki bir CE katı için basit
önbesleme şeması genelde pratik yükselticiler için uygun değildir. Bu devrenin ta-
bana,aşağı yukan sabit bir önbesleme akımını sağladığını hatırlayalım. Fakat eğer
ııFE diyelim ki 2 çarpanı kadar değişirse Q noktasının uygun olmayan·bir bölgeye
kayması mümkündür. Bu nokta ııFE nin varsayılan katlanma durumu için Şek. 8-1
de gösterilmiştir. önbesleme akımını sabit varsayarsak Q noktasının, Q' noktasın­
daki doyum bölgesine kaydığını belirtelim. Q' noktası civannda çalışma çok küçük
sinyaller dışında önemli bozulmalar verecektir.
ııFE değişirken Icveya IE yi yaklaşık sabit tutabilsey.clik Q noktası yük doğ­
rusu üzerinde aşağı yukarı sabit olarak kalacaktı. Bunu yapmak için Şek. 8-2a da
pratik bir önbesler.1e devresi verilmiştir. Devre etkisinin nitel bir açıklamasına
başlamadan önce, Ycc kaynağını ve R , R
1 2 voltaj bölücü dirençlerini ,Şek.
8 - 2b de VB ve Rb ue gösterilen eşdeğer Thevenin kaynağı ile değiştiririz. Bu

173
 4 4
1 1 ---------
1 y' . Ia=30
··k doQrusu 40
<(
3
' - ----- 3
' o' Is= 20

------
<(
E 30 E
1 1 2
u
H ~
ı

o
-vcE Vcc -vcE - Vcc
(ol lbl

Şekil 8 • 1 Qnoktası üzerine PFE deki değişikliğin etkisi : (a) orijinal du·
rumda, (b) PFE iki kat olduğunda.

(ol (bl
Şekil 8 ·• 2 a) Yayıcıda dirençle önbesleme devresi ve b) yerine Th6venin
kaynatı konulan taban besleyicisi.

değerler

Vcc ve (8-l)

dir. Sonra taban çevirimi etrafında voltaj yasasım

(8-2)

yazanz. Şimdi IE = - (IB + le) ve 18 = lc/PFE bağıntılannı (8 -2) de ,uııarur ve

1c için çözersek

1c=------ (8-3)
Rb+Re
)
"n.
174
 elde ederiz. Bu çözümleme çalışmanın aktif bölgede kaldığını varsaymaktadır. RL
,nin burada kullanılan varsayımlar altında 1c ye etkimediğini belirtelim.
Yayıcı direnci ite yi ekleyerek kararlılık etkisini açıklamak için Denk. (8-3)
ü kullanabiliriz. önce /JFE deki değişmeyi gözönüne alalım. Rb nadiren Re den
10 kez büyük ve /J FE de 100 gibi büyük bir sayı olduğu için; FE deki değişmelerin
paydanın yalnız küçük bir kesri kadar etkilediğini görürüz. Böylece /J FE deki
değişmelerin etkisi ele alınabilir oranlara indirgenir. Denklem (8-3 ), VBE nin
sıcaklıkla değişim etkisini minimuma indirdiğini göstermek için de kullanılabilir.
Bir silisyum transistör için VBE=0,6 V civarındadır. Fakat VB genel olarak 3 V
veya daha büyüktür. :Böylece VBE deki değişme Denk. (8-3) ün paydası üzerinde
küçük bir etki oluşturur.
Bir_ sayısal örnek önbesleme devresinin /JFE deki değişim etkisini minimum
yapmada etkili olduğunu gösterecektir. Vcc= 12 V ve hepsi k.n olmak üzere
R 1 = 50, R 2 = 12, Re = 1 ve RL = 3 alalım. Bu değerlerle VB = 2,32 V ve Rb =
9,7 k.n buluruz. Denklem (8-3) ile /JFE nin iki değeri yani 80 ve 160 için
1c yi hesaplarız. Bu sonuçlar çıkış çevrimindeki voltaj düşüşleri ile birlikte
aşağıdaki tablo haline getirilebilir.

/JFE

80 1,6 4,8 1,6 5,6

160 1,7 5,1 1,7 5,2

le inin yalnız 0,1 mA ve VCE nin 0,4 V kadar değiştiğini belirtelim. Buna göre
Q noktası çok az hareket eder.
Bu hesaplama başka bir nokta ortaya koyar, o da Re nin işe sokulmasının
RL ve VCE üzerindeki voltajların azalmasına neden olmasıdır. Sonuç olarak
çıkışta maksimum voltaj salınması azalmıştır. Renin artırılması /JFE deki değişik­
liklere kararlılık getirir, fakat bu artış voltaj salınmasında çok büyük azalmayı ön-
lemek için sınırlı olmalıdır.
önbesleme devresi için R 1 ve a 2 dirençlerini seçer~en, bu dirençlerin giriş
sinyal akımı için şönt devresi oluşturduklarını akılda bulundurmalıyız. Aslında,
şönt devre direnci Rb dir; dolayısiyle Rb taban giriş direncine göre çok küçük
olmamalıdır. Bununla birlikte Denk. (8-3) RIJ nin küçük olması gerektiğini.ve böy-
lece /JFE deki değişikliklerin etkisinin az olacağını gösteriyor. Bir uzlaşma yapıl­
malıdır. örnekte, Rb=9,7 k.n alınmıştır ve böylece tabandaki giriş direnci yaklaşık
1,0 k.n dur ve sinyal akımındaki kayıp önemli değildir.

175
 V BE nin transistör sıcaklığı ile değiştiğini hatırlayalım. (Aslında /3 FE de
sıcaklıkla değişir, fakat şu an için bu etkiyi dikkate almayalım). Denklem (8-3),
V B -V BE deki değişiklik
gibi lenin de aynı oranda değişeceğini gösteriyor. Taban
-yayıcı eklem voltajı V BE• sabit taban akımı için yaklaşık 2m V/ 0 e bir hızla azalır
ve bu durumda bu etkinin büyüklüğünü hesaplayabiliriz. Oda sıcaklığında V B =2,3
V ve VBE = 0,6 V olsun. 100 ne !ık bir sıcaklık yükselmesi VB yi 0,2 V kadar
azaltacak, bundan ötürü le deki kesirsel etki (2,3-0,4)/(2,3-0,6) ya da 1112 dir.
Yani, le yüzde 12 artacaktır. İstenirse, le de sıcaklığın toplu etkisi VBE ve µFE
deki değişikliklerle birlikte Denk. ( 8-3) kullanılarak hesaplanabilir.
Tartışmamızda, VBE yi oda sıcaklığında 0,6 V ve IB yi bağımsız olarak al-
dık, gerçekte V BE• IB nin bir fonksiyonudur. V BE nin bir fonksiyonu olarak IB
için uygun veriler varsayarak _bu değişikliği artlarda yaklaşıklık yöntemi ile yapa-
biliriz.
Bununla ilgili bir problem sıcaklıkla kaymadır. I:su durum iç kayıplar yüzün-
den kayıp arttığı yani kendiliğinden ısınma o)duğunda ortaya çıkar. Normal olarak
ısı çevreye taşınır (metal şasi veya özel ısı havuzu) ve denge sıcaklığına ulaşır.
Fakat kayıp çok hızlı olursa biriken etki büyüyebilir ve transistör bozulabilir.
Sıcaklık kayması esas olarak güç çıkış katlarında düşük-düzeyli katlardan daha
önemlidir.
önbesleme devrelerinde doğrusal olmayan telafi edici aletlerin uygulanması­
nın sözü de edilmelidir. Transistörlerde sıcaklık etkilerini kısmen karşılamak için
önbesleme devresinde termistörler t veya diyodlar bulundurulabilir.

8-4
ilir Şebeke elemanı olarak
yükselteç ; ardarda bağlantı

Kesim 6 da bir yükselteç devresinin Thevenin eşdeğeri kavramını tanıttık, fakat eş­
değer impedanslan dirençler gibi muamele ettik. Daha yüksek frekanslarda,
kompleks giriş iınpedansı Zgir ve kompleks Th~venin impedansı Z 0 bulunduran
daha genel bir devreye, Şek. 8-3, genellikle gerek duyulur. Şekil (8-3) deki sem-
boller cinsintkn kazanç tanımlannı gözden geçirelim. Buna göre,

(8 - 4)

ve

i" Sıcaklığa duygun dirençler ve ekseriya yarı - iletkenler.

176
 2
PL 1LRL
G= pgir- = 19_ (8- 5)
fKgir
<lir. Burada RL ve Rgir sırasıyla yükün ve giriş impedanslannın.direnç bileşenleri­
dir.
1
._...!_.
-il

vi
.......
il), en,
,.ı
.:,!
+ .:,!
:::ı
•rl ,.ı
VL >-
(.!) u,

Şekil 8 - 3 Devrı: elemanı olarak yükselteç.

Genellikle gereksinme duyulan voltaj kazancı tek katlı yükselteçle elde edile-
mez. O zaman iki katlı bir yükselteç,Şek. 8 - 4,veya çok katlı yükselteç kullanılır.
Katlan ard arda bağlamakta kullanılan bazı kuplaj devrelerini ve ard arda bağlan­
mış yükselteçlerin frekans cevabını çalışacağız.
~ğer bireysel devrelerin voltaj kazancı biliniyorsa, toplam kazancı hesapla-
mak kolaydır. Toplam kazanç,
V3 Y2Y3
A=--= =A 1A 2 (8 - 6)
Yı Y1Y2
dir. Denklem (2 - 122) cleki desibel voltaj oranını kullanırsak dBv olarak toplam
kazanç,

(8 - 7)

olur. Ayrıca toplam güç kazancı da ayn ayrı desibel kazançların toplamına eşitLir.
llöylece desibel sistemindeki kazançlar cebirsel (hem pozitif hem negatif) olarak
toplanabilirler. Bu hesabın rahatlığı desibel notasyonunun başlıca avantajlarından
biridir.

Şekil 8 - 4 İki katlı yükselteç.

177
 8-5
Eklem transistör için geliştirilmiş
alçak-frekans melez-pi modeli

Basitleştirdiğimiz melez-pi modeli idealleştirilmiş difüzyonlu transistörü temsil

etmek üzere gözönüne alınabilir. Bununla birlikte model, transistörün merkezi
bölgesine taban akımı taşıyan bölgeleriyle ilgili özel hesaplamalar getirmez. Şekil
5 - lb nin gösterdiği gibi taban akımı son ölçüde ince taban bölgesinden yayıcının
merkezine doğru akar. Taban akımı merkeze doğru azalmasına rağmen dış taban
ucundan ortalama yahut etkin taban bölgesine hissedilir bir voltaj düşmesi vardır.
Bu etki Şek. 8-5 deki gibi taban yayıcı direnci olarak adlandırılan bir rx direnci
ekleyerek modele konabilir: B'den toprağa olan V voltajı gm V bağlı üretecini sürer.
Uçlan B', E ve C olan iç tr.ansistör için daha önceki modelimiz hala geçerlidir.
Aşağıda geliştirilmiş modeli kullanacağız, fakat rx değerlerinin t~rtışmasını Kes.
8-9 a erteleyeceğiz.
r,
B B' C

r,.
T
V t 9,.V

1
E

· Şekil 8 - 5 Taban yayıcı direncini içeren melez-pi modeli.

8-6
Giriş tıkaç sığacının ve çıkış süzgeç
sığacının alçak-frekans cevabına etkisi

. Kesim 6-7 de giriş tıkaç sığacını içeren ortak yayıcılı kat için devre modeli ve çö-
zümleme geliştirdik. Şimdi frekans tepkisinin tartışmasını genişletmeyi ve aynı
zamanda geliştirilmiş melez-pi modelini kullanmayı istiyoruz. Bunun için Re=O
koyarak Şek. 8-2 deki önbesleme devresini gözönüne almak istiyoruz. Bu varsa-
yımlar altında bir CE katı için alçak-frekans modeli Şek. 8-6 biçimini alır. Burada
Rb önbesleme dirençleri R 1 ve R 2 nin Thevenin eşdeğer kaynak direncidir.
Şekil 8-6 nın çözümlenmesi iki değişiklikle Kes. 6-7b deki aynı yollan izler.
önce Rb ve rx + r 11 nin para!~) değerleri için sembole ihtiyacımız vardır ve bu da

Rg;, C ıı,, il (,~ (8 - 8)

178 \
 C B '• e' C

E
Şekil 8 - 6 Giriş tıkaç sığacı içeren CE katı için model devre.

dir. İkinci olarak, V ve_ V be nin farklı olduğunu gözönüne almalıyız. Kompleks
voltaj kazancını çözersek

(8 - 9)

buluruz. 1/jwC teriminin tıkaç sığacın etkisini getirdiğine dikkat ediniz. Çok yük-
sek frekanslarda 1 1/jwC J < < (Rs + Rg1r) olduğundan 1/jwC terimi ihmal edi-
lebilir ve kazanç

(8 - 10)

w➔ 00 sınır değerine yaklaşır. Düşük frekanslarda değişimi Bode eğrisi ile çözüm-
lemek en doğrudur. Bode çiziminde desibel cinsinden voltaj kazancı, Kes. 2-9 da
yapıldığı gibi, frekansın logaritmasına karşı çizilir.
Frekansın normlandığı Denk. (2-127) ye benzer bir şekil elde etmek üzere
Denk. (8 - 9) u değiştirmek istiyoruz. önce Denk. (8 - 9) un pay ve paydasını
j w C ile çarparak
/JRgirRL jwC
A=---- (8 - 11)
r1T + rx

elde edilir. Sonra w 1,

1
(8 - 12)
(Rs + Rgir) C
tanımlanır. Bu parametre (8 -11) d~yerine konursa
j (w/w 1 )
A=- X (8 - 13)
l+j (w/w 1 )

ifadesi elde edilir. Denklem (8 - 10) ve (8 - 13 ) ifadelerinin karşılaştınlmasıyla

(8 - 13) denkleminin

179
 A=AM (8 - 14)
1 + j(w/w1)

şeklinde yazılabileceği görülür, burada AM Denk. (8 - 10) da tanımlanan yüksek.

frekans asimtotudur. Frekansa bağlı Denk. (8 - 14), Denk. (2 - 127) ile aynı
biçimdedir. Bundan ötürü desibel cinsinden I AI nm, radyan cinsinden frekansın
logaritmasına karşı grafiği Şek. 2 - 22 eğrisine benzer olacak, yalnız grafik I AM 1
nin desibel değeri kadar yukan kayacaktır. AM frekansatan bağımsız, gerçek ve
°
negatif bir sayı olduğundan, AM sabit bir 180 faz tersliği getirmesine rağmen
kompleks voltaj kazancının fazı yüksek frekans geçiren RC süzgeçte olduğu
biçimde değişecektir. .
Kesim 6-6 daki yükseltece benzer bir yükselteci ele alalım ve burada, Rb = 5
kn. ,. C = lµF olsun. RL = Rs == 2 kn., r1r = 1,0 kn., rx = 0,1 kn. ve gm = 0,138 mho
değerlerini kullanarak, Rgir = 0,1 kn. ve w 1 = 345 rad/sn sonuçlannı elde ederiz,
bu da 55 Hz lik bir frekansa karşılık gelir. Devrenin Bode diyagramını çizebilmek
için I AM I nin desibel değerinin bilinmesi gerekmektedir, bu değer 20 log 10
78 = 37,3 dBv değeridir. Yüksek frekans asimtotu bu yolla elde edildikten sonra,
alçak frekans asimtotu da, Kes. 2-9 dan hatırlanacağı gibi eğimi 20 dBv/onluk
olan bir doğrudur. Bu doğru, w = w 1 değerinde 37,3 dBv noktasından geçer:
Sonuç olarak elde edilen diyagram Şek. 8-7 de gösterilmiştir.
Radyan cinsinden w 1 veya bunun karşılığı olan f1 frekansı değişik
yerlerde. köşe frekansı, kesiliın-frekansı veya yarı-güç frekansı olarak adlandınlır.
Yan-güç frekansının anlamı sabit bir sinyal v_oltasında yük direnci üzerindeki
gücün w 1 frekansından yüksek frekanstaki değerinin yansına düşmesidir.
Bu noktada çıkış voltajı ise yüksek frekans değerinin 1/../2katıdır.
Bode tipi diyagramlarda frekans belirtgenlerinin kolayca çizilebilmesi
için dikkat gereklidir. Şekil 8-7a daki her iki asimtotu yerleştirebilmek için
1 AM I yi desibel cinsinden hesaplamamız gerekir. Eğer isteniyorsa Kes. 2-9
da yapılan düzeltmeler gerçek belirtgeni ortaya çıkarmak için burada da kullanıla­
bilir. O zaman w 1 in hesaplanması, üzerinde çalıştığımız özel devreler için bir fre-
kans skalası verecektir. Şekil 8-7b deki normalize edilmiş eğri herhangi bir devre-
nin davranişını açıklamak için kullanılabilir.
Şimdi Şek. 8-8 de verilen CE yükselteç katını ele alalım. Bu de_vre, Şek.
3-15 de verilen çıkışı ·süzgeçli MOYİAET yükseltece benzemektedir. Benzer bir
devre, Kes. 2-9a da çok büyük-değerdeki sığaçlarla limit durumunda incelenmiştir.
Biz şimdi CE katı ile tamamen alçak_ frekanslarda çalışan bir devre modeli
üzerinde duracağız ve bu modeli iki adımda çözümleyeceğiz. önce giriş kuplaj
sığacını çok büyük varsayacağız, sonra her iki sığacın etkilerini gözönüne alacağız.
Daha önce yaptığımız modelleme tekııiklerini kullanarak Şek. 8-9a daki
I
devreyi elde ederiz. Burada da yine Rgir ~ Rb j (r1r + rx) kısaltmasını kullanı-

180
yomz. Bundan· başka Norton kaynağını, Şek. 8-9a da MN noktalarının soluna ,
Thevenin kaynağı olarak değiştirelim. Bu değişiklikler sonunda Şek. 8-9b yi elde
ederiz .

......
Ol
.D
';;/ 20 (ol
~
1
<{

-ıo..___. ____...__....___._____,__..___,..__....,__.....__ _,__~_ __,

0,01 0,02 0,05 0,1 0,2 O{> 2 5 10 20 50 100
w
w,
~ 270 r----==c~;:·:::ı:::=------:-------ırr:-------,

1
cx,
240 ı
--------r---------
l
(b)
~ 210 1
Lı. l
1
180
ı__ ____ _ _ _...,:__J__ _ _ _
...ı._ .ı...::c:::::::::.=--'--_J

0/JI 0 11 10 100
...!e.
w,
V
Şekil 8-7 (a) Genliğe karşı nonnalize frekans eğrisi. (b) _o_ nin· fazına
karşı normalize frekans eğrisi. Vs
+
Vcc

R3
R, c,

+ RL
R2

Şekil 8-8 Giriş ve çıkış süzgeç sığaçları olan CE yükselteç katı.

önce C yi yeterince büyük varsayalım ve bütün frekanslarda

Rgir
(8 - 15)

yazalım. Eğer Şek. 8 - 9b deki V O volta,ını bulur ve yukarıdaki ifadeyi yeniden

düzenlersek,

181
 - ıtRL R 3Rgir j(w /w f) )
C➔ 00 için (8 -16)
A = -(~ + rx) (Rs + Rgir) (R3+ RL) ( (1 + j (w /wf)

Rs C C M Cı

V
T 1
V0 (ol
R3 RL

1 1
! N 1

Rs C R3 Cı

-,
B M

r
vbe Rgir Rt Vo (b)
1

1 _I
E N

Sekil 8 - 9 CE yükselteci ttevre sembolleri.

voltaj kazancını elde ederiz, burada wf = 1/(R 3 + RL)Cf dir. Buna göre Denk.
(8-16) ve (8-13) aynı biçimdedir ve devrenin frekans cevabı Şek. 8-7 de verilen
yüksek frekans geçiren süzgeç belirtgenine uyar. Devrenin yüksek frekans kazancı,
Denk. (8-16) daki frekans fonksiyonunun katsayısına eşittir, yani,

(8 • 17)

dir.
Şimdi her iki sığacın çözümlemede bulundurulması gereken durumu gözö-
nüne alalım. Bu devrede sığaçlar birbirlerine kuplajlı değildir, bundan ötürü etkile-
ri de birbirlerinden bağımsızdır. Şekil 8-9b deki devrenin çözümlenmesiyle sonuçta,

j(w/wf)
(8 - 18)

ifadesi elde edilir. AM katsayısı Denk. (8-17) de verilmiştir, wc de wc = 1/(Rs+

Rgir ) C değerine sahiptir. Kesim 2-9 daki tekniği kullanarak özel bir yükseltecin
Bode diyagramını çizmek istersek önce AM_ I I,
w c ve w f değerlerini hesaplama-

182
mız gerekmektedir. Eğer w c• w f den küçük olduğunu varsayarsak ~ide edeceğimiz
diyagram Şek. 8-10 da gösterilen diyagrama benzeyecektir. Bumda gerçek fre-
ıcanslar kullanılmış ve I AM 1 = 50 dBv, w c =100, wf = 500 rad/s varsayılmıştır.
ilaha yüksek frekanslarda kazanç sabittir. Frekans alçaltılırken çıkış süzgeci önce
kazancı wf dolayında etkilemeye başlar ve asimtot önce 20 dBv/onluk eğimi ile
azalır. Frekans, w c = 100 rad/s bölgesine doğru yaklaşırken giriş kuplaj sığacı
etkili olmaya başlar, wc den daha alçak frekanslarda ise asimtot 40 dBv/onluk
eğimini alır, çünkü her iki sığaç da devrenin kazancını azaltıcı etki yapmaktadırlar.
Eğer Denk. (8-18) e dııyanarak kazanç fonksiyonunun faz değişimini ince-
leseydik, parantezler içindeki iki ek faktörün etkisini de gözönüne alacaktık. Her
bir faktör , yalnız başına düşünüldüğünde, geniş bir frekans aralığında 90° lik
faz kaymasına neden olduğu görülür. Toplam etki geniş bir aralıkta 180° lik
bir değişime neden olur.
60

,,.,,,,,------
,,
40 20dB/Onluk ,,,,,.,"'
.....
Ql A''
, ,
....D \ /,
(/)
Q)
.,,,,.,-
C

oı ı---,C.....,,.L,-------,J.,,-.-~-~=---±-=-""'."::'"-::-=--=~-~~--ı
O 50 100 200 / 500 1000 2000 5000
---------w
-ı0L----"------.....;.------------__,

Şekil 8 - 10 Giriş kuplaj ve çıkış süzgeç sığaclanmn etkisini gösteren Bode

diyagraRH.

8-7
Yayıcı direncii\in yan geçit sığacının f~kans
cevabı azerine etkisi

Yayıcı besleme direnci Reyi Şek. 8-lla da gösterilJiği gibi Ce sığacı ile
yan geçitleme yapmık iyi bir pratiktir. Eğer Ce kaldıhlırsa Re direnci CC katında
bir yük direnci görevini görecektir ve voltaj kazancı da oldukça düşük olacakt.ır.
Ce sığacının olması halinde Renin kazanç üzerindeki azaltıcı etkisi büyük oranda
ortadan kalkar, çünkü yayıci akımı bu durumda Ce üzerinden geçmektedir. Kuş­
kusuz bu yan geçitleme etkisi yalnız yüksek frekanslarda işler, alçak frekanslarda
ise kazançta azalma-olacaktır.

183
 -:-
(o) (b)

ş·ekil 8-11 (a) Tipik bir CE yükselteci. (b) Ce nin etkisini incelemek için
model devre, burada C çok büyük varsayılmıştır.

Çözümleme için Şek. 8-llb deki model devreyi kullanıyoruz. Bu devre

ilgilenilen frekanslarda çok büyük değerdeki C nin etkisinin,çok az olduğu varsa-
yımı ile,C sığacı devreden çıkarılarak basitle~i.irilmiştir. önce çok yüksek ve çok.

alçak frekanslarda ~o voltaj kazancının limit durumlarına bakalım. Çok al-

. s
çak frekanslarda Ce nin impedansı sonsuza gidecektir. Dolayısıyla kazanç Venin
negatif geribesleme etkisinden ötürü f .... O halinde en küçük değerine düşer. öte
taraftan, eğer frekans yüksek değerlere arttırılırsa Ce nin impedansı ve Ve sıfıra
yaklaşır. Bundan ötürü kazanç en yüksek değerine çıkar ve bu durum Şek. 8-6
daki devre için hesaplananla aynıdır. Orta değerdeki frekanslarda, kazancın
frekansla nasıl değiştiğini incelemek için Şek. 8-llb devresi kullanılır.
Bu çözümlemenin sonucu

(8 - 19)

biçimine konabilir. Burada

(8 - 20)

ve

_1
(8 - 21)

184
ve
Re(ll+ 1) +R's+rx+r1r
(8 - 22)
ReCe(R's+rx+r1r)

I
dirveR's=Rsi Rbileverilir.
Denklem (8 - 19) un Denk. (2 - 130) ile karşılaştırılması bize frekans değiş­
mesinin1fazı ileri devreyle aynı olduğunu göstermektedir ve bu sonuç Şek. 2-24 de
gösterilmiştir. Aıo ın büyüklüğü kazancın alçak frekans asimtotudur. Yüksek fre-
I I
kans asimtotu da Aıo we 2 fwel dir.
Şimdi sayısal bir örnek yapalım. /3 = 100, RL = 2, Rs = 2, Rb = 8, r1T = 1,
rx = 0,1 ve Re= 1 (dirençler kohm olmak üzere ) seçelim ve Ce = 100 µF c,lsun.
Sonuç olarak R.'s = 1,6 lm bulunur. A 10 değeri -1,54 veya 3,8 dBv wel = 10 rad/s
ve we 2 "' 383 rad/s buluruz. Bunlara karşılık gtılen frekanslar 1,6 ve 61 Hz dir.
Kazancın yüksek frekans asimtotu l,54x3. 83/10 = 59 (veya 35,4 dBv) olarak or-
taya çıkar. Bu örnek için genlik değişmesinin Bode diyagramı Şek. 8-lg de göste-
rilmiştir.
Buraya kadar ihmal ettiğimiz C sığacının etkisi üzerinde bir kaç noktayı
belirtelim. C ve Ce nin birleşik etkilerinin tam bir hesaplanması amacımız için
karışıktır. önce özel seçilmiş bir Ce için weı nin üstündeki frekans bölgesini
düşünelim. Burada Ce tam etkili bir yan geçit olarak davranır. Eğer bu durumda

C sığacını da hesaplamaya dahil edersek, C sığacını kısa devre gibi kabul edebiliriz
ve Kes.

30

ar
"O
1 20
~
.s...

10

-------r We1

0ı_._.ı..._..L......._ı_._ _ _........ __.__........J,__~:---=-=~...._.~::---:::-:=--::-:::

1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 2000
w - rod/sn
Şekil 8 - 12 I Au I nin w ya göre Boda diyagramı.
8-6 daki hesaplamalar geçerlidir. Eğer, C sığ acından doğan w 1 frekansını hesap-
I
larsak Denk. (8-12~ , w e2 den daha büyük bir frekans elde ederiz. Bu durumda,
yükseltecin alt kesilim frekansının tesbitinde w 1 değerinin baskın ôlduğunu

185
söyleyebiliriz. öte yandan, eğer hesaplanan w 1 değeri w e2 den küçükse, w e 2
frekansının baskın frekans olduğu sonucuna varırız.

8-8
Dinamik cevap için melez-pi modeli

Hızlı etkileri ve yüksek frekansları incelemeden önce transistörün daha sade bir
devre modeli gerekmektedir. Çünkü transistörün iç yapısından dolayı cevapta
gecikmeler olacaktır. Bunlardan birisi artınmh eklem uzay yük sığ acıdır ve diyod
için Kes. 4-5 de tartışılmıştı. Çoğu kez daha önemli bir neden azınlık yüklerin ta-
ban bölgesine birikmesi ve biriken bu yüklerin yayıcıdan tabana olan voltaj değiş­
tiğinde değişmesi gereğidir.
Bu olayın nitel hesabı t bu etkini~ devre modelinde nasıl tasarlanacağını
gösterir. Transistörde taban bölgesinden geçen yayıcı-toplayıcı akımının azınlık
yük taşıyıcıların diffiizyonundan ötürü olduğunu biliyoruz. Akım geçen bölge
kendini elektriksel olarak nötr tutar, dolayısıyla elektrik alanı sıfırdır. Kararlı
halde azınlık yük taşıyıcılarının yük yoğunluğu EB ekleminden BC eklemine ka-
dar lineer olarak değişir. BC ekleminde, hızlandırıcı alan etkisinden ötürü yük
yoğunluğu sıfırdır. Şekil 8-13 de bu değişme bir npn transistörün taban bölgesi
için, iki ayrı taban-yayıcı voltajında gösterilmiştir. Bu bölge, difiise. transistörü~
iç parelel düzlein bölgesi olarak gözönüne alınır. Daha büyük bir voltaj yayıcı
ekleminde daha yüksek yük yoğunluğuna ve sonuçta daha fazla elektron difüzyo-
nuna ve yayıcı akımına neden olur.
C ::ı
o >01
ı-. ::ı
..., .-ı
:y_ C için
Q) ::ı
.-ı l(Jl
aı o·
:y_ >..
.-1 :y_
t:::ı
CX: >..

~ •
QL---------=
-- --Yayıcı-L~ -~Taban ____:_____J_ Toplayıcı---
n ~ p J n

Şekil 8-13 Bir npn transistörün taban bölgesinden artık azınlık yük dağılımı.

Elektriksel nötürlüğe sahip olarak pozitif boşluk yoğunluğunun elektron

yoğunluğu ile aynı şekilde değiştiği anımsanmalıdır. Bundan başka tartışılan
yoğunluklar bu sıcaklık için denge değerleri üzerindeki artık yoğunluklardır.

t Ayrıntılı bilgi için Bölüm 11, Kes. ıı -1 in kaynaklarına bakınız.

186
Yayıcı taban voltajı arttırıldığında
fazla boşluklar nereden geliyor? Bu boşluklar
toplayıcıdan değil,tabandan gelirler ve bundan ötürü taban akımına eklenirler.
VEB deki & voltaj artışı yüzünden taban akımındaki b.i 8 artışı

A: 611 C d6ıı
=B= -- + b 7t (8-23)
rTI
biçiminde ifade edilebilir. Burada!::,. uye Şek. 8-5 deki Eden B' ye olduğu gibi, iç
voltaj değişikliği olarak bakıyoruz. Denklem (8-23) ün sağındaki ilk terim Şek.
8-5 de rTI deki akım değişmesine karşılık geliyor. İkinci terim ise, !::,.u deki değiş­
me hızı ile, birikmiş azınlık yükün değişme hızı arasında lineer bir bağlantıyı gös-
termektedir. Bundan ötürü Cb bir sığaç özelliğine sahiptir. Yukanda anlatılanlann
geçerli olabilmesi için değişme hızlarının bir üst sımnmn olması gerektiğini söyle-
meliyiz. fakat çoğu uygulamalar için anlatılanlar geçerlidir. Melez pi modelindeki
ilk düzeltme tabanda biriken yükleri temsil için rTiye paralel bir Cb nin konulma-
sıdır, Şek. 8-14.
B rı -bia C

/lv
l r., c, ♦ 9mÔ.V

1
1
l

E
Şekil 8 - 14 'fransistörün geliştirilmiş melez-pi modeli.

Son olarak, iki eklem uzay yük sığaçlarını temsil etmek için Şek. 8-15
deki model devre iki ek değişiklik içeriyor. Buna göre

(8 - 24)

yazıyoruz. ·Burada cb_e• B ile E arasındaki eklemden doğan sığaçtır ve buna B

- I~
'• e' c,,
..._
le
C

r., V
f c.. t g,,.V

E
Şekil 8 - 15 Fazör değişkenleriyle gösterilen, küçük-sinyal melez-pi modeli.
ile C arasındaki
,
eklemin sığacı eklenir, tarihsel nedenle bu C'il" ile gösterilir.
üzerinde durduğumuz model daha da düzeltilebilir fakat Şek. 8-15 devreyi,
dinamik etkilerin hesaplanması için temel alacağız. Bu model, VCE deki değişme­
lerin toplayıcı akımı üzerindeki küçük etkilerini dikkate almamaktadır. Bu mode-
lin artınmlı değerler için ve sinüsoidal değişen değerler için kullanılabildiğini
belirtmekte yarar vardır. Şekil 8-15 deki semboller, sinüsoidal değişkenlerin fazör
değerleridir.

8-9
Melez-pi modelinin elemanlarının
bulunması

Modelin elemanlarının nasıl bu1unacağı hakkında bazı noktalan açıklamak gerekir.

Kesim 6-4 ve 6-5 deki yöntemi kullanarak gm, (3 ver değerlerini buluruz. Sonuç
olarak gm = 1ic I VT,/3 = hieveya hFE H! r-ır ~ f3/gm bulunur. rx değerleri,çoğun­
lukla transistör katologlannda verilirler. rx değeri gerçekte Ic değerlerine bağlıdır,
le artarken rx azalır. Bunun dışında rx değerinin ölçülerek bulunması yollan t da
varoır fakat, değerler tam doğru olarak bulunmayabilir. Çoğunlukla rx değeri, r-ır
ile karşılaştırıldığında çok küçük kalır. Bu değer yaklaşık 25 ile 150 n arasında
değişir.
Cı.ı değeri, transistörün çıkış sığacına eşit seçilebilir. Bu değer de katolog-
larda Coh olarak verilir.
C-ır sığacı, yüksek frekanslarda transistörün kısa-devre akım kazancındaki
azalmaya neden olan iç devre etkilerini temsil etmektedir. Bu yüzden, yüksek
frekanslarda kısa devre akım kazancının C 'il" değerini vermesi süpriz değildir. Şimdi,
Şek. 8-15 devresinde, çıkışı kısa devre. yapılmış olarak düşünelim. Bıi koşullar al-
tında, kısa devre kompleks akım kazancı {3 yı

(8 - 25)

olarak tanımlayalım. Daha önce kullanılan ve kompleks olmayan (3 değerleri alçak

frekans k~anç değerleriydi ve frekanstan bağımsızdı. Fakat yüksek frekanslar
için tanımladığımız fJ değeri frekansa bağımlı olarak ele alınmalıdır. Bu bağımlılık,
model devrede gösterildiği biçimde

~
(8 - 26)
g + jw (C + C )
'il" 'il" ~

t Kaynak 8 - 1 sayfa 418.

188
olarak ortaya çıkar. Denklem (8 - 26) daki frekansı, g değerinin w(C 1r +C µ ) yanın-
da ihmal edilebileceği bir değere artıralım. Bu durumda

(8 - 27)

elde edilir. Böylece, C1r değerinin bulunabilmesinin bir yolu, Denk. (8 - 27) nin
frekansını çok yüksek seçerek geçerli olmasını sağlamak ve bilinen bir w için {3
değerini ölçtükten sonra C1r için

gm
crr=~-cµ . (8 - 28)

ifadesi çözmektir.
Bu noktada, kısa devre akım kazancının değişmesiyle ilgili olarak iki frekans
değişkeni tanımlayacağız. Bunlardan birisi wT dir ve 1 /J I değerinin birim değere
düştüğü w değeridir. Yaklaşık Denk. (8 - 27) bu koşullar aliında geçerlidir ve
böylece, gm/wT(C 11 + Cµ) değerinin bire eşit olduğunu söyleyebiliriz. Bazı kato-
loglar w T leri verir ve o zaman C1r yi C1r = (gm/ w T) -C µ den bulabiliriz.
I
İkinci tanım w nin w f3 ile gösterilen ve f3 j = (1/y 2) {3 yapan değerdir. Bu-
rada Denk. (8 - 26) yı kullanmak gereğini duyuyoruz ve g1r =wµ(C 1f + Cµ ) ol-
duğunu görüyoruz. Eğer w (l değeri biliniyorsa, g ve, Cµ değerlerinin bilindiğini
11
varsayarak Crr yi hesaplayabiliriz.
Bu kesimi. küçük,Ic =5 mA da çalışan 1 bir yüksek frekans transistörün bazı
değişkenlerini vererek bitireceğiz. Bu değişkenler;

gm = 0,19 mho /3 = 120

dir. C 11 ve Cµ nün değerlerinin küçük olması, yüksek frekans uygulamaları için

istenebilir. Bu transistör wT = 3,7x10 9 veya fT = 5,9x10 8 Hz vela 590 !\Ufa
değerine sahiptir. Bu frekanstan daha yüksek frekanslarda çalışan geliştirilmiş
transistörler de bulmak mümkündür.

8- 10
Yük.sek frekans bölgesinde CE yükseltecinin
tepkisi

Şimdiye kadar CE yükseiteçlerin düşük frekans bölgelerindeki tepkilerini incele-

dik. Bu frekanslar, Şek. 8 -11a da gösterilen CE katı için 1 veya 2 kHz mertebe-

189
sindeydi. ·Genişletilmiş melez-pi transistör modelini geliştirdikten sonra, yüksek
frekans bölgesindeki tepkilerini de inceleyebiliriz. önce bir yükselteç katının fre-
kans tepkisini deneyle tesbit ettiğimizi düşünelim Şek. 8 - 16. İlk göreceğimiz
şey, orta değerlerdeki frekanslarda yükseltecin kazancının sabit olduğudur. Bu
bölgeye orta band kazancı, AM denir. Düşük ve yüksek frekanslarda kazanç azal-
maktadır. Kazancın AM/./2 değerine düştüğü değerdeki f 1 frekansını alt yan-güç
frekansı olarak tanımlayacağız. Benzer biçimde yine kazancın AM/v'2 değerine
düştüğü f 2 frekansını da mt yan-güç frekansı olarak tanımlayacağız. Desibel cin-
sinden, kazanç üst ve alt yan-güç frekanslarında 3 dBv değerine düşer. Kullana-
cağımız başka bir terim, bandgenışliğidir ve r2 -f1 olarak tanımlanır. Bununla
0irlikte r1 çok küçük olduğundan bandgenişliği sadece r2 olarak alınır. örneğin,
ses frekans yükselteçleri için bandgenişliği sadece f 2 olarak alınır. örneğin, ses
frekans yükselteçleri için bandgenişliği 10.000 Hz civarındadır fakat geniş-band
yük~elteçleri olarak bilinirler, birkaç megahertz mertebesinde bandgenişliğine
sahiptirler.
...u
C
ro
N
ro

ı
.::,:.
.,...,
.µ
ro
.-t
o
:=;- AM
>
~

Şekil
ıo

-
f - log ölçei;'ıi
10 4

8-16 Bir yükselteç için kazanca karşı log (frekans) eğrisi.

Şekil 8 . lla daki yükselteç katının çözümlenmesine doğal bir yaklaşım
Şek. 8-15 deki genişletilmiş modeli kullanmak ve bütün frekans bölgesi üzerinde
geçerli olabilecek bir model devre kurmaktır. Bu yaklaşım artık karmaşıklıklara
götürür. Çözümlemeyi kazancın frekansa göre eğrisinde 1 Şek. 8-16,bazı azaltmalar
yaparak basitleştirebiliriz. Frekansın 200 çarpanı kadar değiştiği orta bölgede
kazanç yaklaşık sabit olduğundan model devredeki sığaçlann hiçbirinin bu
bölgede gözlenebilir bir etkilerinin olmadığı sonucuna vannz. Yani küçük C'lf
ve C" sığaçlan açık devreler ve C ile Ce sığaçlan kısa devreler olarak davranırlar.
Yüksek frekanslarda C'lf ve Cıı kazancın düşmesine neden olur fakat C ve Ce hala
kısa devreler olarak davranırlar. Frekansın düşük olması durumunda C ve Ce
etkindirler, C 'il" 'ile C ıı nün hiçbir etkisi yoktur.
· Yukandaki açıklamalar sınırı, frekans bölgelerinde uygulanan yaklaşık
devre modellerine götürür. Düşük frekans bölgesi için uygun modeller Kes. 8-5 ve

190
8-6 da verilmiş
ve çözümlenmiştir. Ortaband bölgesi için bir model Şek. 8-17a da,
yüksek-fıekans bölgesi için Şek. 8-17b de verilmiştir. Çoğu kez eşdeğer önbesle-
me. direnci, Rb, çok· küçük etkisi olacak biçimde yeterince yü~sektir. Bundan
ötürü çözümlemek için Rb nin ihmal edildiği Şek. 8-1~8 deki devreyi seçiyoruz.

(a) Ortaband frekanslan için model devre.

(b) Yüksek frekanslar için model

(o)Ortaband frekanslar için -s

model devre
c,.

,,. l
1
(blYüksek frekanslar için model
Şekil 8 - 17 CE yükıeltec katı için modeller.

1 -1
V Vo

1 1

Şekil 8 -18 Yükıek frekaııalar için düzeltilmiş model.

önce n düğüm noktası için akım eşitliğini

(8 - 29)

yazalım. Burada Gsx = 1/Rsx ve gır= 1/rır olarak kullandık. Ardından m düğüm
noktası için akım yasaıını

191
 . vo
JwCµ (V - V0 ) = gm V + RL (8 - 30)

yazalım. V yi (8-29) ve (8-30) arasında yok edilebilir ve V 0 /V s için

RLGsx<gm -j wCµ)
----~----=--==-
2
(Gsx + g1r -w RLCµ C1r)+ jw {C1r +Cµ[ 1+ RL(g1r + Gsx+ gm)l}
(8 - 31)
sonucunu elde .ederiz. Bu tam ifade ile voltaj kazancı hesaplanabilir. Bununla bir-
likte, Gray ve Searle (Kaynak 8-1 sayfa 499) fT/10 civanndan aşağı frekanslar
için Denk. (8-31) deki bazı terimlerin ihmal edilebildiğini göstermişlerdir. Bunlar
paydaki -jwCµ terimi ve paydaki -w 2RLCµC1r ve RLg1r terimlerini kapsar. Yakla-
şıkhklar kullanarak ( 8-31)

Vo RLGsxgm
(8 - 32)
-~ = Gsx + g1r+jw{C1r+Cµ [ l+RL(Gsx+gm)l}

biçiminde sadeleştirilir. Tartışmanın amaçları için aşağıdaki gibi bir CT eşdeğer

sığası,
\
(8 - 33)

tanımlayalım. C sığacının etkisi kare parantezler içindeki çarpanla artar. Bu olay

Miller etkisi olarak bilinir. Bu durumda Denk. (8 - 32).

(8 - 34)

yazılabilir. Bu eşitlik Şek. 8-19 da gösterilen eşdeğer devrede voltaj kazancı için
yararlı bir açıklamaya imkan verir. Denklemden ya da devreden frekans değişimi­
nin alçak. frekans geçiren RC süzgecindekiyle, Şek. 2-21, aynı biçimde olduğunu
görebiliriz. Yan-güç frekansı -

(8 - 35)

olarak hesaplanır.

192
 V
1
9.
1
1

. Şekil 8 - 19 Denklem (8-34) ü temel alan devre.

Dikkat edilirse w 2 yalnız c,, ye değil, (1 + RL (Gsx + gm) ı çarpanıyla artan Cµ
ye de bağlıdır. Bu çarpan oldukça büyük olabilir. örneğin, RL = 2 kn, Rsx = 2 kn
ve gm = 199 mho ise bu-dununda çarpan 400 dür. Bu nedenle Cµ, w 2 üzerinde
C'II' nin sahip olduğu mertebede bir etkiye sahiptir. Bu neden doğrudur? Bunun
için Şek. 8-18 deki örnek devıeye dayanarak bir açıklama yapılabilir. VO ve V
voltajlanm gözönüne alarak kazançtan ötürü V0 ın V nin 20 ile 80 katı olmasını fakat
fazının yaklaşık olarak V nin zıddı olmasını bekleriz. Bu ilişki C den geçen akım
µ
gm V ile karşılaştınldığında önemli olmaya başlayana kadar geçerli olacaktır ve
bu durum tatışılan frekans ucunda olabilir. VO daki daha yüksek voltajın .etkisi
yükseltilmiş voltajı (gerçekte VO + V) Cµ üzerine kaymak ve bu sayede Cµ den
nispeten yüksek bir akım geçmesine neden olmaktadır. Böylece C1T ve Cµ den aşağı
yukan aynı akım geçer ve Cµ umulduğundan daha etkili olur. .
Şekil 8-19 daki devreye uygulanmasında biraz dikkat gerekir. Bu, giriş impe-
dansmın ve voltaj kazancının hesaplanması için kullanılabilir fakat 9ıkış impedan-
sının hesaplanması için kullanılamaz.
Denklem (8 - 35) e dikkat edersek yan-güç frekansı RL ya bağlıdır. Nispe-
ten yüksek RL değerlerinde RL azalırken w 2 artar (genelde arzu edilir) fakat kuş­
kusuz voltaj kazancı düşer.
Denklem (8 - 34) deki kazanç fonksiyonunun normalize biçimine ihtiyaç
duyacağız. Bu fonksiyon

(8- 36)

olarak ortaya çıkar, burada

RLGsx~
(8 - 37)
AM = - Gsx+g,,

dir ve w 2 Denk. (8 - 35) ile verilmiş tir.

Birkaç sayısal· hesapla yüksek-frekans cevabının incehmmesini bitiriyoruz.
Ic= =
iO mA ve değişkenleri gm 0,35 mho, P = 80, rır = =
230 n, rx 40 sı,
C -= 80 pF ve C = 1,5 pF olan bir radyo-frekans transistörü gözönüne alalım.
1T " -

193
Yine Rs ·= 500 n v olsun ım ve iki yük direnci RL = 500 n ve RL = 200 n
gözönüne alalım ancak Q-noktasını iki durumda da aynı varsayalım. Bu durumda,
orta frekanstaki kazancı, 1 AM I yi, w 2 yi ve iki yük için f2 yi hesaplayarak,

500 52 (34,3 dBv) 2,8 MHz

IDO 21 (26,4 dBv) 5,3MHz
elde ederiz. Bu transistör için fT nin değeri 630 MHz kadardır öyleyse yaklaşık
teori geçerlidir. Kazancı desibel olarak frekansa karşı gösteren eğriler Şek.
8-20 de verilmiştir. Dikkat edil~rse RL deki bir azalma bandgenişliğini artırır fakat
yük dirençlerinin tersi oranında artmaz.
40
f\=500n
.-t ~
Q)
.o 3_0 RL = 200 fi
•..-1
en Aı,ı
Q)
cı
1
1 20 1 '
1
1 '
1
::-!'j> 1
1
1
1
1 1
1 1
,, 1
10
fz fz
1 1
: 1
ı :
o 2 5 2 5 5 z
10 4 10 5 106 2 ıo7

f -Tit/sn

Şekil 8-20 CE katının yüksek-frekans cevabının Bode diyagraınlan.

8- 11
Geniş bir frekans bölgesi üzerinde CE yükselteç
katınm cevabı

Düşük-frekans bölgesinde kazancın yaklaşık bir ifadesini elde etmek için biraz geri
dönelim. Kazancın düşmeye başladığı frekans bölgesinde ya tıkaç sığacının ya da
yayıcı direncinin yangeçit sığacının etkisinin üstün geldiği varsayımını yapalım.
O zaman bu bölgede kazanç yaklaşık olarak Denk. (8 - 14) ün biçimine sahip
bir ifade ile yani,
j(w/wc)
A 3:cAM l+j(w/wc) (8 - 38)

194
~~!';;~, r""'t :;:" ,·,:~,:~..
l
~ '.'J~};-71.<:;::~]f::. !'~~?~"':~~ ~t' ._: .... . :
·~ ,I 4 ~,

ile verilebilir. Tıkaç sığacı baskın olduğu zaman Denk. (8 - 12) de olduğu gibi
wc = w 1 dir. Ce baskın olduğunda Denk. (8 - 22) de olduğu gibi wc= we 2 dir.
Her iki durumda frekans değişmesi yüksek frekans geçiren bir RC süzgecinin
aynıdır fakat yaklaşıklık w,.·wc/3 ten daha küçük olduğunda kötü-olabilir.
Şimdi tüm frekans bölgesini kapsayacak yaklaşık bir kazanç fonksiyonu
yazalım. Burada baskın alçak köşe frekansı için w c sembolünü kullanacağız. A M
ortaband kazancı, biri alçak frekanslarda etkin Denk. (8 - 38) biçimine ve ikincisi
yüksek frekanslarda etkin Denk. (8 - 36) biçimine sahip iki referans fonksiyonu
ile aşağıdaki biçimde düzeltilebileceğini söylüyoruz:

(8 - 39)

Yaklaşık bir formül olmasına rağmen önemli frekans bölgesi wc/3 den 3w 2 ye
kadar genellikle yeterince doğrudur. Eğer önbesleme dirençlerinin kazanca etkisi-
ni ihmal edersek o zaman AM ortaband kazancı Denk. (8 - 3 7) ile veri lir.
Bir örnek olarak Kes. 8-10 da RL = 500 n olduğunda 34,4 dBv luk bir
o~and kazancına ve 2,8 MHz lik bir f 2 ye sahip yükselteci alacağız. Bu yükselte-
ci~ 200 _Hz lik düşük bir yan.güç frekansı fc ye sahip olduğunu varsayalım. O
zaman Şek. 8-21 de gösterildiği gibi geniş bir frekans bölgesi boyunca kazanç
eğrisini hemen çizebiliriz. istenirse, Denk. (8 - 39) da hesaplanan değerlere da-
yanarak ya da Kes. 2 deki yüksek frekans-geçiren ve alçak frekans-geçiren
RC süzgeçlerinin faz kayma eğrilerine dayanarak faz kayması eğrisi de çizilebilir.

40•----------------------~--

10

4 6
o L-J..J..U...-1--,L..ı..L-'---'---'-L-.U.---'-'-'-.U...-'-_,_......_,__~...._.,_,__.____,____

10 ıü2 fc ıo 3 I0 4 105 ıo 6 iz 107

f -frekans - Hz

Şekil 8 - 21 CE katının frekans cevabı.

195
 8:.. 12
lki-kath RC kuplajh CE yükselteç.

Yüksek kazanç elde etmek için bir CE katının çıkışını ikinci bir CE katının giri-
şine bağlayabiliriz. Genellikle bu bağlantı Şek. 8-22 de görüldüğü gibi bir C sığacı
ile yapılır. Bu düzenleme bir tek d. a. kaynağı, Vcckullanılmasına rağmen birinci
ve ikinci transistörlerin toplayıcılannda farklı değerde d. a. potansiyeli olmasına
izin verir. Rı direnci önbesleme akımının doğrudan 1. transistörün toplayıcısına
taşınmasını sağlar. ·
+ vcc:

R, RL
C ~

ı
Vo
Re2 R, c, 1
1
1

...
Şekil 8 - 22 İki - katlı RC-kuplajh CE yübelteç.

Genellikle yükselteç geniş bir frekans bölgesini yükseltmek için yapılır, fa-
kat kazancın hem düşük hem de yüksek-frekans bölgelerinde düşmesini bekleriz.
Bundan otürü ortaband frekanslar, düşük frekanslar ve yüksek fıekanslar için ol-
mak üzere üç yaklaşık model devreyi tekrar kullanabiliriz.
Ortaband bölgesinde Cs, C ve Ce sığaçlan akım sinyallerine karşı kısa devre
gibi davranırlar ve transistör model sığaçlan C ve CJse
açık devre gibi gözönüne
alınırlar. Eğer RBı ve RB2 önbesleme dirend~rinin etkilerini ihmal eder ve iki
transistörii özdeş ve aynı Q-noktasında çalıştığını varsayarsak bu durumda
ortaband için artırımlı devre modeli Şek. 8-23 deki biçimini alır. Bu devrenin
çözümlenmesi

(8 -40)

kazanç formülünü verir. Eğer Kes. 8-10 daki gibi it= 80, rx = 40 n ve rır = 230 n
varsayarsak ve yine Rs = R 1 = RL = 500 n ise bu durumda Au = - 2700, ya da
68,6 dBv ~.lur.
Şekil 8-23 deki devreye C · ve C :.ığaçlannı eklersek, Şek. 8-24 deki
71 /,1
yüksek-frekans devre modelini elde -ederiz.

196
 r• 82 r, C2
;
l
1
1
T -1
R, ~
~o
R~ir
l

Şekil 8-23 Ortaband frekanslar i'çin artırımlı devre örneği (önbesleme

dirençleri ihmal edilmiştir).
R, r, c,. r, c,.

l
V, c.
t
1
Vz C,.
Tvo
1
1 1 1

.,.
Şekil 8·24 Yüksek'frekanslar için artınmlı devre modeli.
Bu şebeke oldukça karmaşıktır ve bundan doğrudan bir çözümlemeyle bir
kazanç elde etmek pratik değildir ve uygun ileri çözümleme yöntemleri t de bu
kitabın amacı dışındadır.
Kesim 8-10 daki sonuçlara dayanan nitel inceleme, uygun yüksek frekans
cevabı elde etmek için istenen ortaband kazancıyla da uyuşacak biçimde R 1 ve
RL yi mümkün olduğu kadar küçük -seçmeyi ortaya koyar. Bundan başka f'l'
değeri yüksek olan (ya da C 1T ve Cµ değerleri küçük bir yüksek-frekans transistön.i
seçmek yararlı olur.
Eğer devre değişkenlerine sayısal değerler verirsek, sayısal bir bilgisayar va-
sıtasıyla frekans ce_vabını hemen hesapl.ıyabilirh:. Dl'neme dı!vr<' kurgu lan
için Elektronik Devre Çöziimleme Programı (EDÇP) kullanılmasıyla üst yan-güç
frekansında R 1 ve RL yi değiştirme ile elde edilen bazı sonuçlar bu değiştirm!)­

nin etkisini açıklamaktadır. Transistörler Kes. 8-10 daki örnekteki aynı değiş­
kenlere sahiptir. Kaynak direnci Rs, 500 n da sabit tutulmuş ve Rı_ ve ı-t 2 ye
farklı değerler yani, R 1 = Rı. 7 200, 400 ve 600 n verilmiştir. Aşağıdaki Tablo
hesaplanan ortaband kazançlannı ve yan-ı,>üç frekanslarını veriyor:

Tablonun gösterdiği gibi bandgenişliği için kazançtan feraııat edebiliriz.

Benzer yöntemler iki • katlı yükseltecin alçak-frekans cevabını çözümlemek
için kullanılabilir. Yani, alçak frekanslarda uygulanabilir bir devre modeli
çizeceğiz. Bu devre o zaman sayısal değerlere uygulanan bilgisayar yöntemleri
kullanılarak çözümlenebilir.

... ~rne!lln, Kaynak 8-1 deki 15. ve 16. kesimlerine bakınız.

197
 R1,RL Ortaband kazancı Yan-güç üst frekans
(n) (dBi) (MHz)

600 71 1,9
400 66 2,5
200 57 4,1

8 -13
Başka transistör ve yükselteç bağlantıları:
(a) Darlington bağlantısı, (b) çok katlı
yükselteç ve (c) yayıcısı kuplajh çift

Bu bağlantılar genelde TD yükselteçlerinin parçalan olarak kullanılırlar. Şimdi

bunlan kısaca tanıyalım.

a. Darlington çifti

Eğer bir transistörün yayıcı akımı, örneğin Şek. 8-25 deki Qı_ de olduğu gibi
ikinci bir (¾ transistörün taban akımının tamamını sağlıyorsa, Darlington bağlan­
tısına ·sahibiz demektir. Kuşkusuz iki transistöfiin Q - noktalan farklıdır, çünkü
Qınin önbesleme akımı Qı in yayıcı akımından gelmektedir.

Şekil 8 - 25 Temel Darlington bağlantısı.

Kısa-devre akım kazancının yaklaşık bir hesabı Şek. 8-25 de göste~lmiştir.

Her iki transistörün çalışma bölgesine önbeslendiklerini varsayalım. Bu durumda
Q1 in toplayıcı akımı p1 t 1 e eşittir, burada ı 1 akımın sinyal bileşenidir. Q1 in
yayıcı akımı (1 + $ı) ı 1 dir, fakat bunu yaklaşık olarak Sı ı 1 alıyoruz. O zaman
s
Q.2 deki toplayıcı ve yayıcı sinyal akımlan aynı yaklaşıklıkla 1 ılı olurlar. Buna
s
göre kısa-devre akım kazancı Sı 2.dir ve 104 kadar ya da daha yüksek olabilir.
Bununla birlikte yüksek kazançla ilgili dezavantajlar vardır. Birisi sıcaklık değişir-

198
ken uygun ön beslemeyi sürdürme güçlüğüdür.
Darlington çifti(¾ nin toplayıcı ayağına bağlanan bir yük direnciyle CE-türü
bir yükseltici olması için uyarlanabilir. Alternatif olarak, eğer bir yük direnci Q
2
nin yayıcı koluna bağlanmışsa, bir yayıcı-izleyici-türü yükselteç elde ederiz. Her
iki durumda, Qı_ transistörü bir yayıcı izleyiciye benzer biçimde yalnız yayıcı ko-
lunda bir impedansla çalışır. Sonuç olarak Q1 in giriş impedansı 1 Mn kadar ya da
daha yüksektir diyebiliriz. Bu sonuca katkıda bulunan bir faktör Q noktasında
taban akımının düşük düzeyidir.

b. İki katlı yükselteç

İki-katlı yükselteçte Şek.. 8-26 Q1 transistörü Q 2 nin yayıcısını sürer ve

çıkış ikinci transistörün toplayıcısından alınır. İlk kat bir CE yükselteci gibi
davranır ve Q 2 nin yayıcısında düşük impedansh yükü oluşturur. Q 2 transistörü bir
ortak-taban katı gibi davranır. İlk kattaki voltaj kazancı düşüktür ve kazancın çoğu
ikinci kat taraôndan sağlanır. Sistemin yüksek-frekans cevabı iyidir ve mükemmel
bir oandgenişliği sağlar.
Vcc

+ -
Şeldl 8 - 26 İki katlı yükselteç.
İki-katlı yükselteç devresinin alçak frekans modelinin çözümlenmesi, voltaj
için

(8 - 41)

ifadesini verir. Eğer Pı = 80, g1,i2 = 0,35 mho, rırl = l/gır 2 = 230 u, rxı = 40 u,
R = 500 n ve RL = 600 n yerleştiriısek, A11 :'!':- 62 ya da 36 dBv buluruz.
5

199
c. Yayıçısı-kuı>lajlı çift

Şekil8-27 de gösterilen bu devre bir iki-katlı devre gibi kabul edilebilir. Kat-
lar arasında kuplaj birleşik çiftin yayıcı akımlarını taşıyan Re yayıcı direnci ile
sağlanmıştır. Çoğu kez Vcc ile aynı büyüklükteki negatif bir Ve voltajı Q-nok-
tasında öni>esleme koşulunu ayarlamak için gereklidir.
Re, Q 1 transistöründe bir yük gibi davrandığından ve toplayıcı ayağında hiç
direnç olmadığından, bu kat bir ortak-yayıcıh yükselteç gibi davranır. Q 2 transis-
törü sinyali yayıcısından alır ve çıkışı ise toplayıcısındadır, böylece ortak-ta-
banlı bir kat gibi davranır. Q 2 nin tabanı a. a. sinyalleri için Cb sığacı~la toprakla-
nır. İlk kat kaynağa yüksek bir giriş impedansı gösterir, ikinci kat ise bu yüksel-
teçte voltaj kazancını sağlar.
Vcc

B2

v, :!:

Şekil 8 - 27 Yayıcısı-kuplajlı çift.

s·- 14
Toplu devre (TD) yükselteçler

Çok sayıda ticari TD yükselteçler değişik frekans bölgeleri ve değişik güç düzeyle-
reni kapsar•. Ancak yekpare tiplerin pekçoğu, birkaç miliwattan birkaç yüz miliwa-
ta kadar düşük güçte çalışırlar. Düşük fiyatlı ve küçük hacimli olmaları nedeniyle,
çoğu uygulamalarda farklı elemanlı yükselteçlerin yerine geçmişlerdir. TD
yükselteçlerin çoğu Kes. 10 da açıklanan· farklı yükselteç katlarından bir ya da
daha fazlasını içerir.
TD yükselteç örnekleri Kes. 10 ve 11 de açıklanmıştır. Tek TD yüksel-
teçleri olduğu kadar tek paket biçiminde çoklu TD yükselteçler de vardır. örneğin
ikili sırada 16 uçlu pakette dört a. a. yükselteç vardır.

200
 KAYNAKLAR

8 -1 P. E. Gray ve C. L. Searle, Electronic Principles: Physics, Models, and

Circuits, John Wiley Sons, ine. New York, 1969.
8-2 J. Millman and C. C. Halkias, Integrated Electronics: Aııalog and Digital
Circuitsand Systems, McGraw-Hill Book Company, New York, 1972.

ALIŞTIRMALAR

8 - 1 Şekil 8-2a da bir transistör devresi yerleştirilmiştir. Vcc = 24 V, RL = 2,2 kn,

Re= 0,8 k.n, R 1 = 50 k.n ve R2 = 10 k.n olsun. (a) Eğer /JFE 25°C da 100 ve
V BE = O,6 V ise Q-noktasında ic ve V CE nin değerleri nedir? (b) ı:ı FE nin 100° C
da 150 ye gittiğini ve v8 E nin 2mV/° C oranıuda değiştiğini varsayalım. 100° C
~eki yeni Q-noktası değerleri nedir?
8- 2 2N6177 tür bir transistör (ek B) Şek. 8-2 de kullanılmıştır. Devre değerleri
V cc= 120 V, RL = 2,5 k.n, Re= 0,5 k.n, R 1 = 180 k.n, R 2 = 20 k.n, dir ve sıcak­
lık 25 °C dir. O noktasının le ve VCE değerlerini bulunuz. 18 << le iken, VCE ==
Vcc-1c (RL + RE) olduğuna dikkat ediniz.
8 - 3 Bir 2N6261 transistörü (ek B) Şek. 2-28 deki devre kullanılmıştır. Transistö-
rün sıcaklığının 20 ° C olması durumunda le ve V CE yi bulunuz. Yönteminizi
açıklayınız.
8 - 4 Voltaj üreten bir dönüştürücü8000 + j 6000 .n çalışma frekansında bir yük
impedansına sahip bir yükselteci sürüyor. Dönüştürücü kaynağın direnci 500 ıı
dur. Yükseltecin giriş impedansı 1000 - jlO0 n dur ve akım kazancı 50 + jl0 dur.
(a) Yükseltecin güç kazancı nedir? (b) Eğer dönüştürücüde üretilen voltaj 0,1 V et
ise, yükteki güç nedir?
~-----o+40V

2000 n

20 n

Şekil 8 - 28
8 - 5 iki yükselteç ardarda bağlanmıştır (Şek. 8-4). V 1 = 0,005LQ0 olduğunda
V 2 = -0,2/20 °, ve V 3 = 4,0@0 dür. Tek tek bireysel voltaj kazançlan ve tüm
kaz:ınç nedir? Değerleri hem oran hem de dBv olarak ifade ediniz.

201
8 - 6 Denklem (8-9) un Şek. 8-6 nın devre çözümlemesiyle nasıl türetilebildiğini
gösteriniz.
8 - 7 Bir CE yükselteç katı Re = O dışında Şek. 8-lla daki gibi bağlanmıştır.
RL = 3kn, R1 = 88 kn, R 2 = 8 kn ve H.s = 1,0 kn olsun. Transistörün melez-pi
modelinin değişkenleri (Şek. 8-5) gm = 0,08 mho, rff =1250 n veRx = 100n
dur. (a) Eğer giriş kuplaj sığacı üzerindeki voltaj sinyal düşüşü ihmal edilebilirse
kompleks kazanç nedir? (b) Eğer w = 1000 ve C=0,4 ı,ıF ise kuplaj sığacınm etkisi-
ni dikkate alarak (a) şıkkını tekrarlayınız.
8 - 8 Yüksek.frekans voltaj kazancı oran olarak 118 ise alıştınna 8 - 7 (b) de ta-
nımlanan yükselteç katı için Bode - türü w ya karşı kazanç diyagramı geliştiriniz.
8 - 9 Bir CE yükselteç katının Şek. 8-8 deki gibi bağlanmış giriş ve çıkış süzgeç
sığaçlan vardır. Devre ve transistör değişkenleri hepsi kn olarak Rs = 1, R 3 = 4,

RL = 4, R 1 = 85, R 2 = 15, rff = 1, rx = 0,1 ve gm = 0,15 mho dur. C ve Cf için

öyle değerler seçiniz ki voltaj kazancı w = 300 rad/sn de yaklaşık 3 dBv un altında
olsun.
8 - 10 Bir CE yükselteç katı Şek. 8-lla da gösterilen devreye sahiptir. C yi, etkisi-
nin Ce ile karşılaştırıldığında küçük olacak şekilde büyük, varsayınız. (a) Eğer
değişkenler hepsi kn olarak Rs = 1, RL = 2, Re= 0,8, R 1 11 R2 = 12, rff= 1,
rx = 0,1 ve gm = 0,12 mho, Ce = 50 ı,ıF ise bu kat için kazancın w ya karşı Bode
diyagramını geliştiriniz. (b) C nin değeri ne olmalıdır ki kazanç eğrisi 3 dBv un
altına inerek (a) şıkkındaki hesaplamalar ciddi biçimde etkilenmesin?

---Vcc

l ½
v, 1
1 1

Şekil 8 - 29

8 - 11 Basit bir faz bölücü devre Şek. 8-29 da verilmiştir. Transistörün düşük-fıe­
kans melez-pi biçiminde modellenebildiğini fakat rx = O olduğunu vaısayalım. (a)
V1 /Vs ve V2 /Vs voltaj oranları için ifadeler bulunuz. (b) R= 2 kn, rff = 250 n ve
il= 50 ise bu oranları hesaplayınız.
8 - 12 KesJm 8-10 daki CE yükselteç katı ömeğinc:le ortaband kazancı -52 dir ve
RL = 50U n iken f 2 = 2 ,8 MHz air. (a) 1,4 MHz, (b) 2,8 MHz ve (e) 5,6 MHz
frekanslarda kompleks voltaj kazançları nedir?

202
8 - 13 · Küçük bir difüzlü eklem transistörün katalog verileri f3 = 80, çıkış sığacı
=5 pF ,e wT = 1,lx10 9 rad/sn dir. Eğer rx değeri 80 n, toplayıcı akımı 5 mA ve
transistör sıcaklığı 60 °C alınırsa yüksek frekans melez-pi modelinin elemanlarının
değerlerini bulunuz. ·
8-14 (a) Kesim 8 - 10 daki CE yükselteç katı için voltaj oranı V0 /Vb yi veren
form_ülleri düzeltiniz, burada Vb tabandan toprağa fazör voltajıdır. (b) CE katının
tabanından toprağa ölçülen giriş impedansı için bir formül türetiniz. {b) Eğer
RL = 0,6 kn, rx = 50 n, i::.r = 300 n, gm = 0,3 mho, C1r = 100 pF ve Cµ = 2pF ise
{b) şıkkındaki koşullar için Zgir i hesaplayınız.
8 -15 Rs = 75 n ve alıştırma 8-14 (c) de verilen değişkenlere sahip bir CE katı
için yüksek-frekans bölgesi üzerinde kazancın w ya karşı bir Bode-türü diyag-
ramı için değerleri hesaplayınız ve çiziniz.
8 - 16 Şekil 8-lla daki gibi bir yükselteç katı 100 Hz lik bir alt yan-güç frekansı­
na, 600 Hz lik bir üst yan-güç frekansına ve 40 dll v luk bir ortaband kazancına
sahiptir. 5a) 100 Hz, {b) 50 Hz, (c) 600 kHz ve (d) 1,2 MHz de kompleks voltaj
kazançlarını (oranlar biçiminde) bulunuz.
8 - 17 1 ve 2 diye numaralandırılan iki yükselteç Şek. 8-4 de gösterildiği gibi
ardarda bağlanmıştır. Yükselteç 1 in ortaband voltaj kazancı 100, alçak 3-dBv .
frekansı 50 Hz ve üst 3 - dBv frekansı 20 kHz dir ve yükselteç 2 ye karşılık gelen
değerler: 200, 100 Hz ve 5 kHz dir. (a) 5 kHz ve (b) 50 Hz de tüm kompleks
voltaj kazancı (E 3/E 1) nedir?
8- 18 Şekil ö-27 deki yükselteç için tam bir düşük-frekans artmmlı model devre
taslağı çiziniz. rx, r1r ve gmV 'yi içeren transistör modelini kullanınız.

203
 9
Geri besleme Teorisi;
Yüksel teçlerde Geri besleme

9-1
Giriş

Girişe çıkış alnını veya voltajına bağlı alnın veya voltaj eklenmesi olan geri-
beslemenin bazı örnekleri ilk bölümlerde görüldü. örneğin, bir transiııtörün yüksek
frekans eşdeğer devresinde ortaya çıkan doğal geribesleme etkileri Qunlardandı,
Şek. 8-15. Aşağıdaki tartışmada sistemin istenilen bazı özelliklerini artırmak için
bir yükseltecin tümünün veya l?ir kısmının çevresinde bir geribesleme yolu eklen-
mesi ile ilgileneceğiz.
. Farklı geribesleme bağlantılarının farklı sonuçlar verdiğini ve bundan ötürü
geribeslemenin çıkış impedansı, giriş impedansı, sabit kaçanç ve benzeri özellikler
üzerine etkisini genelleştiremeyeceğimizi belirtelim. Bu etkiler daha önemli geri-
besleme bağlantıları için incelenecektir.
Pozitif ve negatif geribesleme arasında nitel bir ayırma yapalım. Pozitif
geribesleme veya yeniden üretmede bir miktar akım veya voltaj girişi kuvvetlen-
dirmek için ilk sinyale geri verilir. Oysaki negatif geri besleme veya üretimi bozma
için tersi doğrudur. Kuvvetli bir geribesleme sağlanırsa sinyal sıfır olsa bile devre
muhtemelen bir çıkış dalgası verecektir. Yani öz titreşim oluşabilir. Böyle devreler
Kes. 13 pe tartışılacaktır. Negatif geribeslemenin kazancın kararlılığını artırma ve
bazı gürültü tiplerinde azaltma gibi dikkate değer yararlı, fakat kazanç kaybına
eşlik eden ve öz titreşimin artması riskine götüren etkileri vardır. Bu sakıncalar
dikkatli kurguyla ve ek kazanç oluşturularak •yenilebilir.'. Geribeslemenin önemi,
negatif geribesleme yükselteci olmaksızın birçok duyarlı elektronik aletlerin pratik
olmayaçağı iddiası ile doğrulanabilir.

9-2
Temel geribesleme çözümlemesi

Geri5eslemeli yükselteç veya geribeslemeli kontrol (güdümlü) sistemi gibi

basit bir geribesleme sistemi Şek. 9-1 de gösterildiği gibi G ileri geçirme.kanalına
ve H geribesleme yoluna sahiptir. Diyagram bir yükselteci göstermekte ise, X ler
sinüsel voltajları, G içerdek.i yükseltecin x 2 den x0 a kazancını ve H geribesleme
devre ağının voltaj aktarım fonksiyonunu gösterir. Yanlarında + ve - işaretleri
bulunan soldaki küçük daire_ x 2 yi oluşturmak için Xf nin x 1 sinyalinden çıkanla­
cağını gösterir. x 1 in faz ve büyüklüğü geribeslemenin pozitif yahut negatif ola-
cağını belirler.

204
 Genellikle sinüs dalga sinyallerine karşı cevap olan kararlı durumla ilgilene-
ceğiz. Bundan ötürü X leri fazör olarak ve G ile H yı jw nin fonksiyonu olarak
muamele edeceğiz. Bununla birlikte geçici cevap için bir ~place dönüşümü
çözümü istenirse o zamaıi X lerdönüşmüş değişkenler ve G ile H_da G (s) ve H (s)
nin aktanm fonksiyonlandır.
Sistemin kararlı durum sinüsel ·davranışını gözönüne alalım. özellikle geri-
besleme olduğunda tüın kazanç olan X0 /Xı i bulalım. Tanımdan,
xo
GOw) = "2 (9 - 1)

ve

dir. Bundan başka,

(9 - 3)

dir. Denklem (9-l)'i "2 için ve (9-2) yi Xr için çözer bu değerleri (9 • 3) de koyar
yeniden düzenlersek

Xo = Güw) (9-4)
Xı 1 +GOw )H(jw)

buluruz. Bu denklem tek-çevirim geribesleme sisteminin çözümü için temel bağın­

tıdır. t
Şimdi voltaj geribesleme bağlantısının özelliklerini gözden geçirelim.

x, + Xo
Gir Çık

Şekil 9-1 Basit geribesleme sistemi.

t Bu bağıntı genellikle kontrol sistemi teorisinde kulanılan semboller ve işaret an-

la~maıarı cinsinden yazılır. Elektronik literatürde Denk. (9-4) genel olarak
A
f
=A / (1/{JAı bıçiminde ifade edilir. Boylece eger G, Aile il, -{Jile belirlenirse
iki bağıntı aynı olur.

205
 9-3
Voltaj (seri-parale 1) geri besleme

Şekil 9-2a daki geleneksel G yükselteci, çıkışına paralel ve girişine seri olacak şekil­
de geribesleme ağı bağlanarak bir voltaj geribesleme yükseltecine dönüştürülür.
Aşağıda kısaca G(j w) yerine G ve H(j w) yerine H yazacağız. İki mümkün geribes-
leme ağı şeklin b ve c kısmında gösterilmiştir. Şekil 9-2b deki voltaj bölücü, H
için negatif gerçel bir sayı verir. Oysaki Şek. 9,2c deki şebeke, H için kompleks
bir sayı gerektirir.
5
♦

Vo
6
v,•
H ~-z
Şebeke
3
(ol

4 2

Rz 4 2
♦
Vo
v, ... ... Va
R
Rı Vı ♦
C
3 3

( b) (el

Şekil 9-2 (a) Voltaj geribesleme bağlantısı, (b) dirençli geribesleme şebekesi
ve (c) sığaçlı geribesleme şebekesi_

Bu duruma Denk. (9-4) ü uygulamak için G yi yükleme koşullarında yani

paralel olarak davranan ZL yükü ve geribesleme şebekesinin giriş impedansı Z yi
içerecek biçimde tanımlıyoruz. Basit olsun diye geçid olarak V 2 uçlanndan
G yükseltecine giriş impedansının çok büyük olduğunu t ve böylece Z nin yalnız
geribesleme devresinin elemanları ile bulunacağını varsayıyoruz. Şimdi tüm kazanç
Vo G
Gr=y= l+GH (9-5)

t MOYIAET giriş transistör yükselteçler için alçak frekanslarda ekseriya

geçerlidir_

206
biçiminde yazılabilir. Jaurada geribeslemeli toplam kazanç, G f• genellikle kapalı-çev­
rim kazancı diye adlandırılır. Bazı amaçlar için V 2 den başlayarak G ile H dan
Vf ye kadar olan kazanca açık-çevrim kazancı olarak bakmak yararlıdır. Değeri
GH dir.
Denklem (9 - 5) in in,.!elenmesi, payda 1 den büyükse yani 1(l+GH~ > 1
ise o zaman I Gf 1 > G olduğunu gösterir. Bu negatif geribesleme için koşulu be-
lirler. Tersi durumda, 1 Gf 1 > 1 G I ise pozitif geribesleme mevcuttur. Pozitif
geri besleme, hazan bir geri besleme yükseltecinde istenmeyen yan etki olarak ortaya
çıkar veya bir litreşken 'elde etmek için bilinçli olarak konur.
Alışılmış bir yükselteçte kazanç; sıcaklık, yaş veya uygulanan voltajla tran-
sistörün değişkenlerindeki oynamalar yüzünden değişebilir. Bir negatif geribesle-
me yükselteci,bu değişiklikleri ihmal edebilir düzeye indirgeyecek biçimde düzen-
lenebilir. Bu nasıl mümkündür? önce bir sayısal örnek düşünelim. Zamanla -50
den - 45 e yani yüzde 10 değişken bir G kazançlı, yükü direnç olan yükselteç
alalım. Şimdi bu yükseltecin Şek. 9-2b deki geribesleme ağı ile H = 0,1 olduğunu
varsayım. Denklem (9-5) ile iki kazancı hesaplayalım.

_ _-_5_o__ =-8,33 -45

= -8,18
1+(-0,1) (-50) 1+ (-0,1)(-45)

Böylece yüzde 10 değişme yerine kazançta 8,33 ten 8,18 e değişme bu kez yal-
nız yüzde 1,8 olmaktadır. Pratikte kazançtaki azalma G de ek yükseltme yapılarak
telafi edilir ve kazanç kararlılığındaki artma da açık çevirim kazancı GH yüksel-
tilerek artırılabilir.
G kazancının sınırsız arttığını varsayalım. O zaman Denk. (9 - 5)

(lim Gf) 1 G 1 ➔ oo - !ı (9 - 6)

olduğunu gösterir. Bu yüzden limit koşullarda negatif geribeslemeli kazanç

sadece H geribesleme çarpanına bağlıdır. Bu çarpan sadece direnç gibi çok kararlı
ve duyarlı-pasif bileşenlerden kurulan geribesleme ağına bağlı olduğu için toplam
kazanç muhtemel olarak yüksek ölçüde kararlı hale getirilir. Bu özellikten duyarlı
elektronik aletlerde. yararlanılır.

9-4
Voltaj geribeslemenin giriş ve
çıkış impedanslarma etkisi

Voltaj geribeslemenin yükseltecin giriş ve çıkış (Thl!venin) impedansına etkisi

nedir? önce Şek. 9-2a da 5 ve 6 uçlarına göre iç yükseltecin Th€venin eşdeğerini
bulalım ve bu eşdeğeri Şek. 9-3 geribesleme sisteminin bir kısmı olarak gösterelim.

207
 Burada V2Gt üreteci ve Zt impedansı, G deki herhangi iç impedans ve geribesleme
ağına Z giriş impedansının etkisini içeren G yükseltecinin Thevenin eşdeğeridir.
(Z, Şek. 9-2a da 3 ve 4 uçlanna bağlanan çevrimin yüklenme etkisini, Zt nin
hesabı için çevrim kapalı olarak gözönüne alınmamasına rağmen, içermelidir).

yükselteç

Şekil 9 - 3 Geribesleme sisteminin bir kısmı olan iç yükseltecin Thevenin

eşdeğeri.

Gene 5 ve 6 uçlanna göre geribeslemeli twn yükseltecin Th~venin eşdeğerini

araştıralım. Şek.9-3 de ZL yük bağlantısını gözpnüne alalım ve V O = KV1 -Zx I
biçiminde bir bağıntı araştıralım. O zaman KV 1 istenen Thevenin voltajı ve Zx
çıkış impedansı olacaktır. Giriş devresi

(9 - 7)

ve çıkış devresi ise

(9 - 8)

verir.
Denkl~m (9-7) den bulunan V 2 değeri Denk. (9-8) de yerine konur ve vO için
- çözülürse

(9 - 9)

sonucu bulunl!r ve bu da istenen sonuçtur. Bu durumda geribeslemeli yükselteç

Şek. 9-4 devresi ile temsil edilebilir. Bu devre için kazanç ve impedans

Gt
Gft = 1 +GtH (9 - 10)

zt .
Grt =·1 +GtH (9 - 11)

208
dır. Böylece, negatif geribeslemede, 1(l+GtH)I >1 olacağından, çıkış impedansı
geribesleme etkisiyle azalmaktadır. Diğer bir ifadeyle çıkış voltajı değişen yüke
rağmen hemen hemen sabittir.
Şekil 9-4 devresinde v _, uçlarından bakıldığında giriş impedansı Zif• temel
yükseltecin impedansı Zio değerinden farklıdır. Şekil 9-3 devresinde HV O uçlannı
gören impedansın Zio ile karşılaştırıldığında küçük olduğunu varsayalım. Böyle
bir durumda, Şek. 9-3 ve Şek. 9-4 teki iki devrede giriş akımlannı eşitlersek so-
nuçta Vl - HVo Vl
11 = z. --- (9-12)
-ıo 2 if
i:>uluruz. V 0 /V i yerine G f kazancını yerleştirir ve Zif için çözersek

2 io
(9 - 13)

buluruz. Denklem (9-5) de verilen Gf kullanılarak bu ifade

(9 - 14)

biçiminde yazılabilir. Bu ifadeden anlaşılacağı gibi, negatif voltaj geribesleme,

voltaj kazancının azalması oranında giriş impedansının da arttığını göstermektedir.
Bu durum bazı uygulamalar için önemli olabilmektedir.
özet olarak, negatif voltaj geribeslemesinin etkileri şöyle sıralanabilir; (1)
kazancı kararlı hale sokar, (2) çıkış impedansını azaltır, ( 3) giriş impedansıııı artırır .

. !,

+
~ ·---O

➔
Vı VıGıı Vo
L_ ___ ---0 -~
Şekil 9 - 4 Geribeslemeli yükseltecin Thevenin eşdeğeri.

9-5
Negatif voltaj geribeslemenin gürültü
ve bozulma üzerine etkisi

Geribeslemeli bir sistemin herhangibir yerine uygulanmış gürültü voltajını

düşünelim. Eğer "gürültü" .taiıııiıü geniş anlamıyla düşünürsek, direnç gürültüsü,

209
besleme. kaynağının gürültüsü ve doğrusal olmayan bozulmalardan kaynaklanan
harmonik voltajlar bunun içine girer. Gürültü voltajının, yükselteç girişinde giriş
sinyaliyle seri· olduğunu varsaymışsak, böyle bir durum için negatif geribesleme
bize bir yarar sağlamayacaktır, çünkü negatif geribeslemeden hem giriş sinyali,
hem de gürültü sinyali eşit olarak etkilenir. Bunun yanında, gürültü voltajı, yüksel-
teç girişinden daha ilerideki bir noktadan devreye giriyorsa, ya da gürültü kay-
nağından sonra kendisi gürültü üretmeyen ideal bir önyükselteç konursa negatif
ı:eribesleme, sinyal-gürültü oranını artıracaktır.
Şekil 9-5 de verilen sistemi ele alalım. G 1 ideal bir önyükselteç olsun.
Basit olsun diye gürültü voltajı Vn nin harmonik olduğunu düşünelim. önce v 1
sinyalini sıfır alalım ve V çıkışında gürültü voltajı bileşenini hesaplayalım. Bu
O
bileşene V aç diyeceğiz. V = V + V n olduğuna göre
4 3

(9 - 15)

olacaktır. Fakat geribesleme devresi

v3 = -G 1 HVaç (9 - 16)

voltajını oluşturur. Eğer V , Denk. (9-15) ve (9 - 16) nın ortak çözümüyle aradan
3
çıkarılırsa

(9 - 17)

bulunur. Eğer hiç geribesleme olmasaydı o zaman V n gürültü voltajından ötürü bir
G2 Vn çıkışı olacaktı. Denklem (9-17) bu çıkışın l/(l+G G H) ile çarpılmış
1 2
olduğunu söylemektedir. Negatif geribesleme durumunda bu çarpanın paydası 1 i
aşar ve sonuçta gürültü voltaj çıkışı azalır.
Şimdi, giriş sinyal voltajı V sıfırdan farklı olsun. Bu durumda çıkış voltajı,
1
giriş sinyali frekansında ek bir terim daha içerecektir. Toplam çıkış;

Gl G2 Vl G2 Vn
V =-----+----- (9 - 18)
o 1 + G 1 G 2H 1 + G1 G 2H

olur. Şimdi de G ve G nin relatif değerlerine göre V n gürültü sinyalinin uygu-

1 2
lanma noktasının etkisini inceleyelim. Toplam sinyal ,kazancını, sabit H değeri ile
sabit tutmak için G 1G2 : çarpımının sabit olması gerek"~tedir. Denklem (9-18)
in sağ tarafındaki ikinci terim, yukarıdaki varsayımlarla, giı · tü voltajının doğru­
dan G2 ile .. değiştiğini göstermektedir. öyleyse G 2 küçük, ~ - olmalıdır.
büyük
Başka bir ifadeyle, eğer gürültü veya_ bozulma, yükseltecin çıkışın~ _akın noktalar-
dan devreye giriyorsa negatif geribesleme oldukça iyi sonuç verir.

210
 9-6
Akım (seri-seri) geribesleme

Gerihesleme devresi'lin giriş ile çıkış arasına seri bağlanmasıyla, geribesleme

voltajının yük üzerinden geçen akımla orantılı olan Şek. 9-6 da gösterilen gibi
bir sistem elde edilir. Burada H == Vr/1 olarak tanımlanmıştır ve bir aktarma impe-
dansını temsil etmektedir. I için V 1 in ve devre değişkenlerinin fonksiyonu olan
bir bağıntı giriş ve çıkış çevrimleri için voltaj denklemlerinin yazılmasıyla ve bun-
ların ortak çözümlenmesiyle bulunabilir. Bu bağıntı;

GV 1
l==------ (9 - 19)
ZL+Z+ GH

'
olarak elde edilir. Burada G, iç yükseltecin yük altındaki kazanc.ıır. Bu yükselteç,
aşağıdaki koşullar yerine getirildiği taktirde, öncelikle akım düzenleyici devre ola-
rak değerlendirilebilir. Eğer G kazancı büyük ve (Z+ GH) değeri de ZL impedan-
sından büyükse Z L yük impedansındaki değişmelerin I akımı üzerinde çok küçük
etki yapacağını görürüz. örnek olarak, G == -100, negatif ve gerı;ek, H == -100-ı-jC u
ve Z == 100 + j0n değerlerini alalım. Denklem (9-H) d:,n '= -100 V 1i

(ZL + 100 + 10000) bulunur. Başlangıçta ZL == 1000 n ise ve daha sonra% 10

kadar değişmişse, akımdaki değişme sadece % 0,9 olacaktır. Böylece. akımdaki
kararlılığın artması için G ve H değerlerinin daha büyük olması gerektiği som•~unu

elde ederiz.
Devreye yük u<;;_lanndan bakıldığında çıkış impedansının

(9 - 20)

olduğu gösterilebilir. Burada Zt ve Gt, temel yükselteçte Thevenin kaynak impe-

dansı ve voltaj kazancıdır. GtH çarpımı büyük olduğu zaman, devrenin akım
düzenleyici özelliğinden beklenildiği üzere, çıkış impedansı da büyük olacaktı,

+ H
HV0 g.b. şebekesi
'----------1 1-----------'

Şekil 9-5 Gürültü voltajı üzerine geribeslemenin etkisi.

211
 + +
GV2 V

H z

Şekil 9 -6 Akım geribesleme devresi.

9-7
Şön t (paralel-paralel) geri besleme

Başka bir çeşit geribesleme, geribesleme devresinin giriş ve çıkış ile paralel
oağlanması ile elde edilir. Şekil 9-7, bu tip geribesleme bağlantısının özel bir
durumunu göstermekterir. Devrede Zr impedansı çıkıştan girişe paralel bağlan­
mıştır. Bu tü.r bafi:lantılar, özellikle benzerlik bilgisayarlarında bulunan işlemsel
yti,;.ı;el,eçlerde Lıllı.nılmaktadır. Bölüm 10 da bunun uygulamaları üzerinde
riurı1l.ıcaktır.

Hiz şimdi· sadece, Ir akımının 1 ve 2 uçlarındaki giriş impedansı üzerine

ulan etkisini ele alacağız. Ir akımı (V l - V o) /Zr değerine eşittir. Eğ~r V O yerine
GV 1 yerleştirilir ve V 1 ı Ir için çözülürse Ir akımının giriş impedansına katkısı
bulunu~. S.ınuçta
Yı Zr
(9 - 21)
-.-.-
f = 1-G

elde edilir. Orta frekans bandı bölgesinde kazanç G, kararb işlem için negatif
gerçek bir sayı olmalıdır. Bundan ötürü girişte; Zr impedansından çok daha küçük
bir impedans ortaya çıkar.

Şekil 9 -7 Şönt geribesleme.

212
 9-8
Transistörlü ve. toplu devreli
.yükselteçlerde gerib~leme
•
Neg~if geribesleme, transistörlü yükselticilerde kazancın sabitliğini k,o~tnak,
bozulma, ve gürültüyü azaltmak ,fr~ans bandını arttırmak ve giriş veya çıkış
impedanslannı ayarlamak için kullanılabilir. Transistör değişkenlerinin değişken
olmasından ötürü kazancın kararlı olması için geribesleme ayrıca bir önem kazJlnır.

•~ Kaynak direncinin etkisi

Tartışmakta olduğumuz genel teori, geribeslemenin kullanılmasıyla nasıl

sonuçlann ortaya çıkabileceğini göstermektedir. Fakat bu teori kaynak direncinin
etkisini hesaba katmamaktadır. Oysaki transistörlü yükselticilerde bu direnç de
hesaba katılmalıdır. Şimdi 'şek. 9-8 ile verilen voltaj geribeslemeli yükselticide V 0
çıkışının V s girişine olan- bağımlılığını bulmak istiyoruz. Devre elemanları sadece
direnç olarak alınmıştır. Eğer istenirse, diğer elemanların direnç ·karşılığı impe-
danslan da ahnabilir. G ve H hakkındaki varsayımlar daha önce yaptıklarımızla
aynıdır, yani G; yüktcki voltaj kazancı ve H da yükteki voltaj aktarım fonksiyo-
nudur. Buna ek olarak H aktanm devresinin direnci geri taraftan bakıldığında çok
küçüktür. Bu koşullarda V O = V 2G ve V2 =11Ri olduğundan

(9 - 22)

bulunur. Aynca 11 akımı da;

Vs-Vf
lı= Rs+Ri
(9 - 23)

olarak bulunur. Denklem (9-22) ve (9 - 23) V 0 /V s için ortak çözülerek

-ı,

v,
+
Vz
-
R,
♦
Vo RL

♦
RaO H
"1

Şekil 9-8 Voltaj geribeslemeli yükseltici.

213
 GRi 1
=---- GHRi
(9 - 24)
(Rs+ Ri)
ı+--­
Rs+Ri

sonucu elde edilir. Kare parantez içinde H fonksiyonunu içeren çarpan geribesle-
me çarpanıdır ve H sıfıra giderse bu da sıfır olur. Bu yüzden etkin geribesleme Ri
nin Rs direncine olan ilişkisine bağlıdır ve transistörlü yükselticilerde geribesleme
üzerine kaynak direncinin etkisi önemlidir.

b. Bazı genel gözlemler

Burada bazı genel gözlemlerden sözedilmesi yerinde olacaktır. Çok katlı

yükselticilerde, tek tek katlar yerine bütün yükselticiyi içine alan geribesleme
da~a etkilidir. Bunun yanında tek tek katlarda kazancın kararlı olması için devre-
ye toplam geribesleme yanında bireysel geribesleme ilave edilebilir. Çok katlı
yükselticilerde geribesleme iki ya da üç kat üzerinde yapılır, aksi halde devrede
kendi kendine titreşim oluşur. Kesim 9-10 da anlatılacağı üzere, kazancın büyük
olduğu frekanslarda yükseltici boyunca faz kayması varsa titreşimin oluşması ola•
sılığı da yüksektir. Yüksek frekanslarda, transistör içinde ortaya çıkan faz kayması
i:>u etkiyi artırmaktadır.
Anlatmakta olduğumuz genel geribesleme teorisi özel devrelerde her zaman
uygulanmayabilir. örneğin devrede bağımsız bir geribesleme yolu tanımlanama­
yabilir.. Böyle durumlarda, devre için yazılan Kirchhoff bağıntılarıyla istenen
i>ağıntılar bulunabilir. Aşağıda, bazı tipik geribesleme bağlantıları verilecek ve
her birinde çok az devre çözümü yapılacaktır.

c. Akım geribcslemeli (seri - seri ) CE katı

Şekil 9-9a daki CE yükselteç katının yayıcı kolu üzerindeki yan geçit sığacı
olmayan ~E direnci negatif geribesleme yapacaktır. Orta frekans bandında, devre-
nin a. a. davranışının Şek. 9-9b devresine uygun olabilmesi için taban önbesleme
dirençlerinin ihmal edilebilecek mertebede büyük olması gerekmektedir (ya da, ta-
ban-toprak arasında Thevenin teoremini uygulayarak V s ve Rs değiştirilebilir ve
taban önbesleme dirençleri hesaba katılır). Bu devreyi transistör yerine Şek. 8-6
da verilen alçak frekans melez pi model devresini koyarak inceleyelim. Çözüm-
leme yapılırsa voltaj kazancı VL/V 8 için;

(9 - 25)

214
ifadesi elde edilir. Burada Vv RL üzerindeki voltaj düşmesidir. Rgdirenci (1+13)
gibi büyük bir değerle ,çarpıldığı için, kazancın azalacağı açıkça görülmektedir.
örnek olarak, 13 = 99, RL = 2, Rs = 1, rx = 0,1 r" = 0,9 ve RE= 0,1
(dirençler k.n) değerlerini alalım. Kazanç -33 olacaktır. Eğer RE =0 seçseydik ve
kazancı hesaplasaydık, sonu~ta -198 bulacaktık. Buradan görillüyor ki RE direnci,
kuvvetli bir negatif geri besleme etkisi yapmaktadır. •
Genel geribesleme teorisine dayanarak, RE nin, giriş direncinde bir artmaya
ve çıkış direncinde bir azalmaya neden olacağını bekleriz. Model devreler için
türetilen bağıntılar bu beklentiyi desteklemektedirler.

(o) (bl

Şekil 9-9 Yayıcı direnci yoluyla geribesleme: (a) devre şeması, (b) a. a.
davranışının incelenmesi için devre.

d. Şönt geribeslemeli iki katlı yükselteç

Uygun faz iliş~isi olmadığı için, ard arda bağlı CE yükselteçlerde seri-seri
veya paralel geribesleme yapılamaz. Fakat, Şek. 9-10 da olduğu gibi CC katına
bağlı CE katı olan iki katlı bir yükselteçte paralel geribesleme yapılabilir. Büyük
olan iç akım kazancı nedeniyle geribeslemeyle elde edilen etkin akım .kazancı
oldukça iyidir ve yeteri ·kadar da kararlı yapılabilir.

CC CE
Şekil 9 - 10 Şönt geribeslemeli iki-katlı yükselteç.

215
e. Toplu devreli (TD) yükselticiler ve geribesleme

Bundan sonraki kesimde açıklayacağımız üzere iç geribesleme bağlantıları

pek çok tüm devrenin temel özelliğidir. Pek çok uygulamalarda, dış geribesleme
bağlantıları, istenen belirtgenleri elde etmek için kullanılırlar. Şimdi bir darband,
ya da band seçici yükselteç üzerinde TD yükselteçleri inceleyelim.
Seçici yükseltecin bir çeşiti t Şek. 9-lla da gösterilmiştir. Bu devrede,
ikiz -T süzgeci olarak adlandırılan bir devre, çıkıştan girişe olan paralel geribesle-
meyi kontrol eder. TD yükseltecin voltaj kazancı -A'dır. A, gerçek ve oldukça
büyük, diyelim 10.000 gibi bir sayıdır. Devrenin kazancı, V 0 /V s tamamıyla bir
ikiz-T süzgecinin aktarım belirtgeni ve giriş direnci R 3 ile kontrol edilir. İkiz-T
süzgeci frekansa oldukça duyarlıdır. Maksimum kazanç frekansında Şek. 9-llb
ikiz-T süzgeci minimurı (negatif) geribesleme akımını giriş tarafına çevirir.
Maksimum kazanç frekansının her iki yanında negatif geribesleme etkisi büyü•
meye başlar ve sonuçta kazanç azalır. Maksimum kazanç frekansı f0 ve bir
dereceye kadar seçicilik özelliği, ikiz-T süzgecinin tasarımıyla kontrol edilebilir.
Eğer Rs = 2R 1 ve c 2 = 2C 1 seçilirse, f 0 değeri l/(21r R 1c 2 ) civarında olur.

R2 R2

rl
c, c, LI
C

T "'
N
"'
.::t.
.....,
...."'
.....ı
o
:=,

Frekans

(al (b)

Şekil 9-11 Seçici yükselteç : (a) basitleştirilmiş devre şeması; (b) frekans
cevabı. ·

9-9
Frekansa karşı kazanç değişimi

Bu k~~ımda anlatacağımız, kazancın ve geribesleme aktarım fonksiyonunun

t Application Note ICAN - 5213, RCA Electronic Components, Harrison,

N. J., sayfa 5.

216,
frekansa bağlı kompleks büyüklükler olması halindeki genel bir teoridir. Fakat,
verilen örnekler, orta-band treİ\.ansında pozitif veya negatif olabilen gerçek
kazançlarla ve gerçek transfer fonksiyonu H ile yapılmıştır.· Şimdi geniş bir
frekans bandında faz kaymasını içeren TD yükseltecin davranışına kısaca
değinelim. Bundaki amacımız, frakans bandının yükselteç kazancı üzerindeki etki-
sini görmektir. Bundan sonraki kesimde de geribeslemenin bazı frekanslarda yeteri
kadar pozitif değere yükselerek, bazı istenmeyen etkilere (titreşimler veya karar-
sızlıklar) neden olması olasılığı üzerinde duracağız.
Şekil 9-2a daki voltaj geribesleme sistemini inceleyecek olursak, bu devre
için herhangi bir frekanstaki kazanç ifadesinin

G
Gr= l+GH (9 - 5)

olduğunu bulabiliriz. Şunu hemen belirtelim; bu anlattıklarımız, Denk. (9-5) e

uygun şekilde çalışan bazı temel güdümlü mekanizmalar gibi herhangi bir sistem
için uygundur. Hatırlanacağı gibi sinyal voltajı V 1, iç yükselteç girişi V 2 ve geri-
besleme voltajı V f arasında;

(9 - 26)

veya

(9 - 27)

bağıntıları vardır.
Denklem (9-26) ve (9-27) deki voltajlarla ilgili fazör diyagramı Şek. 9-12a
da verilmiştir. Diyagramda V 2 (referans fazörü) vektörünün ucu, kompleks
düzlem koordinat sisteminde orijin noktasına konulmuştur. Bunun nedeni aşağı­
I I
da anlatılacaktır. Şekl~ bakılırsa V ~ nın V ıl den küçük olduğu gözlenir. Bun-
dan ötürü fazör diyagramı negatif bir geribesleme halini göstermektedir. Diyag-
ram V2 =1 alınarak Şek. 9-12b de olduğu gibi hem basitleştirilebilir, hem de daha
kullanışlı bir hale sokulabilir. Bu durumda V f fazörü GH, açık halka ııktarım
fonksiyonunaeşitolur.Hatta,eğer v =1 ise Şek. 9-12b de. olduğu gibi V =1 ı-GH
2 1
olur (V1 için orijin -1 + jO noktasıdır).
Şimdi artık (9-5) denkleminin paydasi (1 + GH) üzerinde. durarak bu
denklemi açıklayabiliriz. Yükselteç iç kazancı G nin ayarlanmasında geribesleme-
nin etkisi 1 + GH veya V1 in faz ve büyüklüğüne bağlıdır. Negatif geribeslemenin
I
tanımından, eğer V ıl > 1 ise geribeslemenin negatif olacağını biliyoruz. öyleyse,
şekilde eğer v fazörünün ucu, merkezi - 1 -ı Oj noktasında olan kesik çizgili
1
birim dairenin dışına çıkarsa geribesleme de negatif olacaktır.

217
 tim

Re

ke
--,
,'1 _.,/
," +·..,
1
1
1
(o) (b)

Şekil 9 - 12 v1, V2 , Vf ve GH büyüklüklerini birleştiren fazör diyagramı.

Şimdi, v1 fazörünün Şek. 9-13 deki gibi bir MN doğrusu üzerinde frekans
değişimiyle hareket ettiğini varsayalım. Bu durumda V 1 fazörü bir negatif
geribesl.emeyi temsil etmektı;dir. Şekildeki V 1 vektörü negatif ve pozitif geri-
besleme ( 1 1 + GH 1 = 1) arasını ayıran bir vektördür V 1 ise pozitif geribes-
lemeyi temsil etmektedir. Sonuç olarak devrenin toplam kazancı, 1 + GH toplam
kazancı, 1 + GH büyüklüğünün değişiminden bulunabilir.

Birim daire tim

l------,
, ', 1

,' io --~

1
odağı
1
1

Şekil 9-13 Pozitif ve negatif geribeslemeyi GH ile bağlantılı olarak gösteren

diyagram.

GH in odağı üzerinde çok geniş bir aralıkta değişen frekansları ele alalım.
Eğer bu odak birinci ve dördüncü çeyrek bölge içinde kalıyorsa Şek. 9-13 te sağ
yan - düzlem, bu durumda pozitif geribesleme ya da kararsızlık hali olmaz.
Fakat, ancak çok basit yükselteçlerde, odak eğrisi sağ yan düzlemde
kalır. Ge~el olarak, yükselteçlerde GH odak eğrisi sol yan düzleme taşar ve
muhtemelen birim daire içinden geçer. Böyle koşullar altında yükselteç, gelecek
kesimde aıılatılacagı üzere, kararsız hale geçer. Hundan sonra da kısaca GH odakla-
rının (genellikle Nyquist diyagramı olarak bilinirler), özel yükselteçler için
aldığı şekilleri inceleyeceğiz.
önce __Şek. 8-1 la benzeri olan tek transistörlü CE katını ele alalım ve devreye
voltaj bölücü bir geribesleme devresi ekleyelim. Bu yükselteç katının, geribesle-

218
;;ıesiz frekans cevabı, Şek. 8-12 tipi eğriyle yaklaşık olarak bulunabilir. Eğer
karmaşık kazanç G odak eğrisi diyagramında değişen w için çizilseydi, çapı ger-
çek eksen üzerinde olan bir daire elde edilirdi. Bu devre için aktanm fonksiyonu
H, frekanstan bağımsız gerçek ve negatif bir sayı olacaktır. Dolayısıyla GH odak
eğrisi, Şek. 9-14a da gösterildiği üzere sağ yarım-düzlemde-bir daire olacaktır.
Hatta, 1 + GH. büyüklüğünün değişimi, V1 olarak gösterilen fazörün değişmesi
dikkate alınarak gözlenecektir. Bµ koşullar altında bütün frekanslar için
1 1 + GH 1 > 1 eş•tsizliği geçerlidir ve sonu~ olarak geribesleme bütün bölge
boyunca negatif kalır. Toplam kazanç üzerine olan etki Şek. 9-14 de gösterilmiştir. t

GH nın odaqı 3 4 5
Log w
lal lbl
Şekil 9-14 (a) RC kuplajlı tek kat yükseltecin Nyquist diyagramı. (b) Geri-
- 'beslemeli ve geribeslemesiz durumlar için kazanç-log w eğrileri.

Sonuçta ele geçen, daha geniş bir geçiş bandında daha düşük kazançtır. Gerçekte,
çoğu zaman kazanç ve bandgenişliği birbirine tercih edilir.
Şimdi de, fazla ayrıntıya girmeden birbirlerine RC kuplajlı iki katk yükselte-
ci inceleyelim. Burada H, ortaband frekans bölgesinde pozitif değer alır. Çünkü
G po:r.itif ve gerçek sayıdır. Yapılabilecek geribesleme bağlantısı, çıkış voltajını
bölen bir bölücü ile olabilir. Bu voltaj bölücü de, geribesleme voltajının fazını dü-
zeltmek için kullanılan ·bire-bir dönüşümfü ide.al bir transformatöre bağlanır.
Bu devrenin Nyquist diyagramı G odak ~risini takip edecektir. Hemen fark ede-
ceğimiz g~bi GH odak eğrisi ikinci ve üçüncü çeyrek düzlemlere (sol yan düzleme)
taşacaktır. örneğin, tek bir katın alt yan-güç frekansı r1 değerinde, birinci kat
çıkışı, girişini 135° faz farkıyla izler. Her iki katın da birbirinin aynısı olduğunu
düşünürsek, ikinci kat çıkışı da girişten 135° faz farkıyla gecikecektir. Toplamiaz,
(her iki kat için) 270° dir. f 1 frekansında odak eğrisi + "ım eksenini keser. Daha
düşük frekanslarda ise odak eğrisi birim daire içine girer ve w sıfıra yaklaşt!kça
merkeze yaklaşır. Sonuçta, şunu söyleyebiliriz: Alçak frekanSlarda ve yüksek

t Bu diyagramda ve kitabın geri kalan kısmında desibel volt or<Ht/nı, sadece

dB olarak göstereceğiz. Daha önce dBv kullaıulıyordu.

219
frekansl~rda geçiş bandı kıyısında geribesleme pozitif olarak ortaya çıkar.
Birbirinin aynı olduğu varsayılan RC çiftlerinin üç katlı yükselteçler için
yukarıda anlatılan etkiler daha da belirginleşir. Bu yükselteçlerde Nyquist diyagra-

mı Şek. 9-15a da gösterilen tipik halini alır. Hem düşük,hem yüksek bütün frekans
bandında odak eğrisi daima birim daire içindedir. Bu durum bize pozitif geribes~

leme olduğunu göstermektedir ve Şek. 9-15b de Gr -log w grafiğindeki tepelerin

nedenidir. Bundan başka pozitif geribesleme, orta değerlerdeki kazançlar ve
geribesleme oranları dışında devreyi sürekli titreşime sürükleyecektir. Bu konu
gelecek kesimde incelenecektir.

90

~ 60
1
'-"
IGıl
30

0 1~~2--3'----'-4--'5----'--6-~7

log w
( o) (b)

Şekil 9-15 (a) üç katlı RC kuplajlı yükselteç için Nyquist diyagramı.

(b) Geri beslemeli ve geribeslemesiz durumlar için kazanç-log w eğrileri.

9- 10
Kararlılığın incelenmesi

Buraya kadar anlatılanlar geribesleme sistemlerinin kararlılığının ihcelenıııesinin ge-

rekliliğini ortaya çıkarmaktadır. örneğin Şek. 9-15a da pozitif geribesleme veren
ve normal kazancın büyüdüğünü gösteren frekanslar tanımlanmıştır.
Şekil 9-16a örneğinde olduğu gibi, pozitif geribesleme bölgesinde GH nın
Nyquist diyagramını daha yakınd,ın inceleydim. 13öyle bir durum birbirleriyle
doğrudan-bağlanmış yükselteçleri temsil etmektedir. w = O değerinde, açık
çevrim kazancı sonlu bir değer alırken A, B ve C eğrileri kazancın büyüklüğünün
artma etkisini göstermektedir. A eğrisinin - 1 + jO noktasına yaklaşmasının
nedeninin iİgili frekans aralığında pozitif geribeslemenin meydana gelmesi olduğu­
nu daha önce açıklamıştık. Buradan hareketle, - 1 + jO noktasından geçen B eğri­
sinin de kararsız bir hali temsil ettiğini sezgimize dayanarak rahatlıkla söyleyebili -
riz.Matematik bir anlatımla bu koşul GH = -1 ile eşdeğerdir. Sonuçta Denk. (9-5)
de payda sıfıra giderken toplam kazanç ta sonsuza gider. Gerçekte isıı kritik
noktalarda titreşim başlayacak ve salınım genliği öyle büyüyecektir ki artık temel
doğrusal matematik teorisi olayı açıklayamayacaktır.

220
 im im
,,--- ......
I
/ '~w
I \
\
-11 1 Re
w 'o

!ol (b)

Şekil 9 - 16 (a) Artan kazanç için ve (b) - 00 <w < 00 durumunda Nyquist
diyagramlan.

a. Nyquist kriteri

Kazancın daha da artması C eğrisini oluşturacaktır. Bu eğri görüldüğü gibi

-1 + jO noktasını içine almaktadır. Bu durumun da kararsız bir durumu temsil
ettiğini söyleyebiliriz. Nyquist t GH vdak eğrisine dayanan bir karulılık hali
kriteri ortaya koymuştur. Nyquist kriterinin sınırlı bir şekli şöyledir: Eğer,
- 00 < w < + 00 frekans aralığında GH odak eğrisi - 1 + Oj noktasını çevreliyorsa

sistem kararsız ve eğer bu nokta GH eğrisinin dışında kalıyorsa sistem kararlıdır.

Şekil 9-15a örnek eğrisinde, w frekansının sıfırdan-sonsuza aldığı değerler için
odak eğrisi kapalı bir eğri halindedir. Oysaki Şek. 9-16 örneğinde, odak eğrisi
frekansın - 00 ve t 00 arasında değerlerinde kapalı bir eğri oluşturmaktadır. Ger-
çekte, j w yerine -jw yerleştirilmesiyle elde edilen GH karmaşık değeri, bir önceki-
nin karmaşık eşleniğidir. öyleyse, odak eğrisinin O < w < ""değerleri için olan
odak eğrisi de, diğer aralıkdaki eğrinin gerçek eksene göre yansımış biçimidir.
Nyquist kriterinin sınırlı hali GH büyüklüğünün kararlı olduğu durumlarda geçerli-
dir ve basit geri besleme sistemlerinde doğru sonuç verir.

b. Bode diyagramları

H. W. Bode, iki grafiğin birbirleriyle olan ilişkileri~i ele almıştır. Bu iki

grafik: (1) GH değerinin logaritmasına karşı, frekansın logaritmasının grafiği, (2)
GH nın fazının, frekansın logaritmasına karşı grafiğidir. Bu iki grafiğin hem birbir-
leriyle olan ilişkileri, hem de geribesleme sisteminin karakteristiğine olan ilişkileri
bu yolla incelenmiştir. Bu iki grafiğin taşıdığı bilgilerin tek bir Nyquist diyagra-

t H. Nyquist, "Regeneration Theory," Beli Syst. Tech. J., ıı, 126 (1932)

221
mının taşıdığı hemen farkedilebilir. Fakat gene de, Bode diyagramları şu neden-
lerden ötürü daha kullanışlıdır, (1) sadece bir büyüklüğün logaritması bir hayli
bilgiyi bize vermekt,:dir. Bu ise, uzun hesaplamaları veya denemeleri çok aza
indirmektedir, (2) çeşitli sistemlerin istenilen belirtgenlerle tasarlanması kolaylaşır,
(3) Nyquist diyagramına göre, Bode diyagramları daha geniş bir aralıkta çizilebilir.
Büyüklüklerin logaritmasına karşı açısal frekansın logaritmasının çizilmiş
örnekleri Şek. 9-14b ve 9-15b de verilmiştir. Grafiklerdeki büyüklükler voltaj
kazancıdır. Burada biz genellikle açık çevrim kazancı GH ile ilgileneceğiz. önce,
hem Nyquist diygramında, hem de Bode diyagramında, GH nın değişimini (-1+ 0 1j
noktası yakınında en önemli bulunan aralıkla inceleyelim, Şek. 9-17. Görülen en
ilginç nokta I GH 1 = 1 veya O dB noktasıdır. Bu nokta Şek. 9-17a da M, .azalma
eğrisinde de M' olarak gösteri.imiştir. GH' nın fazı olan ,ı, açısının -180° olduğu
ıı faz açısı sistemin kararlılığının bir ölçüsüdür. Bu açıya faz sının denmektedir.
Nyquist diyagramındaki, GH odak eğrisinin negatif gerçek ekseni kestiği N noktası,
benzer şekilde kararlılığın bir ölçüsüdür. N noktası (- 1 + Oj) noktasına yaklaştık­
ça sistem de kararsız hale yaklaşır. Kazanç sının terimi ise, sıfır desibel noktasın­
daki kazançla 180° fazdaki kesişme noktasındaki açık çevrim kazancı arasındaki
farktır. Bu tanımlar altında, eğer kazanç sının sıfır veya negatif olursa sistem
kararsız hale gelir.

Bundan sonraki bölümde çok yüksek kazançlı işlemsel yükselteçlerle yapılan

geribesleme bağlantılarını inceleyeceğiz. Bu devrelerden bazıları istenmeyen
salınımlar yapabilmektedir. Kesim 10-13 te de, kararlılık problemleri üzerinde
durulacaktır.
30
20
im ..,
a:ı

:c" 10
E... 0t-----'----'---+----'-,.-,--'-
Re
-I O sınırı
ı/ı o~~4_ _~5__.~ı6~_1.o~g~w

GH

(ol (bl

Şekil 9 - 17 Faz sının ô ve kazanç sının (a) Nyquist diyagramında (b) Bode
diyagramında.

KAYNAKLAR

9-1 R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory,

222
 Prentice-Hall, ine., Englewood Cliffs, N. J., 1972, Chap. 12.
9-2 S. S. Hakim, Feedback Circuit Analysis, Iliffe Books Ltd., London, 1966.
9-3 J. Millman and C. C. Halkias, lntegrated Electronics: Analog and Digital
Circuits and Systems, McGraw-Hill Book Company, New York, 1972.

ALIŞTIRMALAR

9 - l Bir elektronik voltmetre, geribeslemesiz bir yükselteç .kullanmaktadır.

Yükseltecin kazancı -4xıo 4 tür. İç yükseltecin voltaj kazancında %20 bir azalma
için geribeslemeli durumda sonuç kazançta% 1 den fazla bir değişiklik olmaması
için voltaj geribesleme çarpanı H, ne olmalıdır?
9 - 2 Bir ortak kaynaklı MOYİA:ET yükselteç katı Şek. 6 - 6a, geçitten toprağa
200 kn toplam direnç ve 5 kn yük direncine sahiptir. Transistörün artış değiş­
kenleri gm = 8 mmho ve g0 = 0,1 mmho olsun. (a) Katın voltaj kazancı nedir?
(b) Eğer çıkış voltajının % 15 kadarı negatif geribesleme yapacak biçimde girişe
uygulanırsa, geribeslemeli voltaj kazancı nedir? (c) Geribeslemeli yükseltecin
çıkış iınpedansı ve ThJvenin kazancı nedir? (d) (c) şıkkının sonuçlarını kullanarak
ve (d) şıkkı ile kontrol ederek gerçek voltaj kazancını yeniden hesabediniz.
(e) Geribeslemeli yükseltecin giriş impedansı, Zgir nedir?.
9 - 3 Şekil 9-3 deki iç yükseltecin bir CE yükselteç katı olduğunu varsayılım.
Bu katın değişkenleri; Zio = Rio = 1200 n, Gt = 400 n ve Rs = O i;:in
2,t = 22000 n dirençsel olsun ve yine Şek. 9-2a ve b devresiyle bir voltaj geribesle-
me eklendiğini varsayalım. (a) Çıkış impedansını 200 ohma düşürmek
için H hangi değerde seçilmelidir? (b) Eğer geribesleme faktörü H " -0,04 ise
G ft ve Z ft değerleri ne olur? (c) (b) şıkkındaki durumda, 3000 n yük direnci
için voltaj kazancının, akım kazancının ve giriş impedansının gerçek değerleri
nelerdir?
9 - 4 Kazancın gerçek olduğu frekans bölgelerinde çalışan bir voltaj geribesle-
meli yükselteç düşünelim. Geribesleme çarpanı da gerçek olsun. Gt nin C deki
değişmelere duyarlılığı {dGf/dG) (G/Gr) cinsinden hesaplanabilir. Bu ifade G deki
her birim değişme için Cf deki relatif değişmeyi ifade etmektedir. (a) Bu büyük-
lüğün 1/(1 + GH) olduğunu gösteriniz. (b) Geribeslemeli yükselteç Gf = 50
olacak şekilde tasarlanmış olsun. Yine bu yükselteçte G deki % 10 değişme G r
de% 0,1 değişme meydana getiriyor olsun. Yükselteç için uygun G ve H değerleri­
ni seçiniz.
9 - 5 9-8 devresinde kazanç ve geribesleme faktörleri gerçek olsun, G'r ~ V 0 /V s
olarak tanımlansın. Relatif kazanç dµyarlıhğı yani (dG'r/dG) (G/G'r) için bir
formül türetiniz.
9 - 6 Bir seri-seri akım geribeslemeli yükselteç devresi, voltaj kazancı -1000 olan
hir iç yükseltece sahiptir. Yük impedansı 100 n uk tir direnç ve yük dev-

223
resindeki seri geribesleme elemanı 10 n değerinde bir dirençtir. Sinyal voltajının
sabit kaldığını kabul edelim. (a) Eğer iç yükselteç kazancı% 10 düşerse yük üze-
rinden geçen akımdaki değişme yüzde olarak ne olur? (b) Eğer iç yükselteç
kazancı sabit kalır, fakat yük direncinde % 10 bir artış olursa
(bobin telinin ısınmasında olduğu gibi) yük akımındaki değişme yüzde- olarak ne
olur'?
9 - 7 Şekil 9-18 deki geribeslemeli yükselteci ele alalım. (a) Bu yükselteç için
transistörlü bir alçak frekans artırımlı devre modeli çiziniz. Kullandığınız
transistörün değişkenleri rx, rır, gm ve /J olsun. (b) Voltaj kazancını, (V 0 /V5)ı
bulunuz. (c) Eğer R = 3 kn, RE= 0,5 kn, r =1 kn, rx = 0,1 kn ve gm = 0,12
mho ise voltaj kazancı nedir?

Besleme
yı--..---

Şekil 9 -18
9 - 8 Şekil 9-9 da verilen yükseltecin bir Rr geribesleme direnci vardır. (a) Bu
yükselteç için, tamamıyla alçak frekansta çalışan artırımlı bir devre modeli
çiziniz. Xb) C, kısa devre, R 8 , açık devre ve Rx = O kabul ederek V0 /Vs voltaj
kazancını bulmak için model devreyi çözümleyiniz. (c) (b) şıkkındaki varsayımları

kullanarak ve R= 3 k!,, R., = 1,0 ku, Rr = 20 kn, r = 1,0 k.n g1n = 0,12 mho
değerleri için voltaj kazancını bulunuz. (d) Rr direncini devreden sökerek (c) şık­
kındaki hesaplamaları tekrar ediniz ve her iki sonucu karşılaştırınız.

ite
R

Rs

Şekil 9 - 19

9 - 9 üç-katlı, RC kuplajlı transistörlü bir yükseltecin tek bir katının kazancı

yüksek frekans bölgesinde G = -gmR/[ l+j(w/w 0 ) ] olarak ifade edilebilir. R,

224
toplayıcıdan toprağa olan etkin direnç ve w da üst yan-güç frekansıdır. Sadece
O
yüksek frekans bölgeleri için, kararsızlık halinin başlayacağı kazancın (gmR) 3/8
olduğunu gösteriniz. Yol gösterme : Kazanç sınırını sıfıra düşürecek kazanç ve
frekans oranını bulunuz.

225
 /

ı.o
d. a. Yükselteçleri,
işlemsel Yükselteçler,
ve Benzerlik Bilgisayarları

10- 1
Giriş

Elektronik voltmetrelerde, katot-ışınlı osiloskoplarda benzerlik bilgisayarlarında

ve alet sistemlerinde d. a. yükseltilmesine gerek duyulur. Alçak frekans limiti sıfır
frekans veya d. a. olarak tanımlanır fakat üst frekans limiti uygulamaya bağlı ola-
rak birkaç Hz kadar düşük veya birkaç MHz kadar yüksek olabilir. Yüksek kazanç-
lı d. a. yükselteçlerin iki genel tipi vardır: (1) doğrudan kuplajlı katlar biçiminde
olanlar (bir iletken telle bağlanmış gibi), (2) sinyali modüle eden, bira. a. sinyale
dônüştüren ve sonra büyüten ve sonuçta yeniden demodülasyonla sinyali
elde eden tipte olanlar .
Şekil 8-22 deki iki-katlı CE yükselteci doğrudan bağlı yükseltece dönüştür­
meye çalıştığımızı varsayalım. Bir yaklaşım C kuplaj sığacını bir önbesleme batar-
yasıyle değiştirmek olabilir, bu 1 transistörünün toplayıcısındaki d. a. voltaj
düzeyini 2 transistörünün tabanı için gerekli olan daha düşük voltaj düzeyiee
kaydınr. Sonuçta birinci katın çıkışındaki sinyal, yavaş değişen değerleri de
içine alarak genliğinde kayıp olmaksızın ikinci katın girişine aktarılır. Bununla
birlikte Şek. 8-22 deki önbesleme ve giriş devreleri Re direnci, Cs ve Ce sığaçlannı
yok etmek için değiştirilmelidir.
Geçen paragrafta ortaya konulan doğrudan-kuplajlı yükselteç kazancı
kolayca 1000 kat arttırılabilir fakat bunların bazı dezavantajları da vardır.
Dezavantajların en ciddi olanı transistörlerdeki küçük bir sıcaklık değişiminin
çıkış voltajının değişmesine neden oluşu veya zamanla çıkış voltajının kayması
ve yükseltecin kullanılmaz hale gelmesidir. örneğin ilk kat transistörünün sıcak­
lığında 0,5 c 0 lik bir değişme,.kendi önbesleminde yeteri kadar kaymaya
neden olabilir ve bu 1000 kat yükseltildiği zaman çıkıştaki değişme 1 V olur, bu
da bir aletin yükselticisinin toleransı dışında bir kaymadır. Buna karşılık denge-
lenmiş TP yükselteçleri kullanılarak sıcaklık yüzünden ortaya çıkan kaymalar
büyük ölçüde giderilebilmektedir.

10- 2
Fark yükselteci
. (yayıcısı-kuplajlı çift)

Birçoi, modem d. a. yükselteci birkaç katlı fark yükseltecinden oluşan toplu dev-

226
relerden ibarettir. Bu katlar sıcaklık değişimine nispeten duyarsızdır ve bu kısmen
bunların dengelenmiş devre düzenlemesine sahip olmalarından ve kısmen de TD
paketciği üzerinde sıcaklık farklarının çok küçük olmasındandır._
Basit bir fark yükselteç devresi Şek. 10 -1 de gösterilmiştir. Devrenin si-
metrik olduğuna ve V + ve V_ olmak üzere iki d. a. kaynak kullandığına dikkat
ediniz. Bu devre her iki toplayıcıya bağlanan dirençler ve yayıcı direnci yerine
10 sabit akını üreteci kullanılması dışında Şek. 8-28 deki yayıcısı bağlantılı çifte
benzemektedir. Daha sonra anlatılacağı gibi pratik yükselteçlerde sabit akım üre-
teçleri yerine bir transistör şebekesi veya hazan direnç yerleştirilir. Bununla
birlikte ideal sabit-akım üreteçlerinin kullanılması fark yükselteç belirtgenlerinin
basitçe tasvirini mümkün kılar.
İstenirse biri V 1 ve öteki V 2 olmak üzere iki giriş sinyali uygulanabilir. Cl
den toprağa V 01 , C2 den toprağa V02 , Cl den C2 ye VO olan ve dalgalanan çıkış
diye adlandırılan üç mümkün çıkış voltajı vardır.

61
v,
l-
Şekil 10-1 Basit fark yükselteci.
önce nitel nedenler kullanarak devrenin davranışı hakkında bazı aşinalıklar
kazanacağız. Transistörlerin özdeş olduğunu ve devre elemanlarının ve kaynak
voltajlarının V 1 = V2 = O olduğunda eşit önbesleme ve eşit toplayıcı akımları
taşıyacak biçimde seçildiğini varsayıyoruz. Bundan başka transistörlerin aktif
i:>ölgeye önbeslendiğini varsayalım. Şimdi V 2 sıfırd~ yani toprakta tutulsun ve
V 1 e pozitif bir LW 1 artması verilsin. LW1 in Q 1 transistörünün yayıcı akıınmda bir
artmaya neden olmasını bekleriz. Fakat sabit akım üretecinin 10 akımı değişmez
öyleyse Q2 nin yayıcı akımı Q1 deki artış kadar azalnı;ılıdır. Bu nasıl oluyor'?•
Şimdi E noktasındaki potansiyelin arttığım ve böylece Q1 transistörü üzerinde
B ile E arasındaki voltaj artmasının /::. V 1 den küçük olduğunu ve ikinci transistörde
Bile E arasında negatif artma oluştuğunu ifade edebiliriz. Çözümleme her iki tran-
sistör üzerinde /::. V1 /2 kadar voltaj olduğunu gösterir. Sonuç olarak Icı in arttığı
miktar kadar Ic 2 azalır. Bundan başka çıkış voltajındaki değişme V 01 ortak yayı­
cılı bir transistör katındaki değişimin yansı kadar olacaktır.

227
 Y02 , V01 ile aynı miktarda fakat zıt yönde değiştiğinden V O daki değişi­
min V01 deki değişimin iki katı olduğunu görebiliriz. Sonuç olarak /:J.V0 /1:J.V1
olarak tanımlanan yükseltme bir transistörlü CE katının aynıdır.
Şimdi Bl ve B2 ye eşit fakat zıt voltaj artımları verelim. Yani /:J.V 1 = + LJ.V
ve /:J.V 2 = -1:J.'V olsun. Icı ve Ic 2 deki değişimlerin zıt ve eşit olmasını ve iki yayıcı
akımında da durumun böyle olmasını bekleyebiliriz. Bundan başka E noktası da
sabit bir potansiyelde kalacaktır. Her iki toplayıcıdaki sonuç voltajlardaki
değişimler tek bir CE kattaki büyüklüğe sahip olur. Bu tip bir girişe dengelenmiş
veya fark ~iriş denir. İki tabandaki voltajlar tahtarevallinin iki ucunun yükseklikle-
rine benzer.
Artırımlı sinyallerin devre çözümlenmesinden sonra giriş sinyali için üçüncü
bir tipi tasvir edeceğiz.

I0-3
ifasit fark yükselteci artırımlı çözümü

Şekil 10 - 1 deki transistör yerine daha basitleştirilmişi olan melez pi modelini

koyarak Şek. 10-2 deki devre modelini elde ederiz. Artırımlı giriş voltajlan 11 1, 11 2
ve devre değişkenleri cinsinden artırımlı çıkış voltajlan 11 01 ve 11 02 yi bulmak
istiyoruz. Şekil 10-1 deki artırımlı ı 0 akımı sıfırdır. E noktasındaki akıml.an
toıılayarak

0= (10 -1)

buluruz.

81 -2-- Cl C2 ...!La2

T R
+ + T t
l '•J
v., Vo2 1
r,,

k*
V2
-=- ..,,. gjy 1
E
v,Jr., v/r.,

Şekil 10 - 2 Fark yükseltecinin artınmlı devre modeli.

Basitleştirirsek

O = ( llx + IIY ) _ r l + gm) (10 - 2)

-ır

228
 buluruz. Buna göre

(10 - 3)

dir. Kirchhoff voltaj yasasını u1 -ux -uy -u 2 yolu boyunca yazarak·

(10 - 4)
buluruz, veya

(10 -- 5)

yazanz. Denklem (10 - 3) ve (10 - 5) ux ve uy için çözersek

(10 - 6)

(10 - 7)

buluruz. Çıkış voltajlan akım ve direnci çarparak elde edilir: (10 - 8)

(10 - 9)

Şimdi Denk. (10-6) ve (10-7) yi (10-8) ve (10-9) da kullanarak

!lmR
(uı - u2) (10 - 10)
2

(10 - 11)

elde edilir. Böylece u01 ve u02 nin u1 ve u2 artırımlı sinyalleri farkı ile doğrudan
orantılı olduğunu buluruz ve işte bu nedenle bu devreye fark yükselteci denir.
Kirchhoff voltaj yasası u0 = "oı - u02 olduğunu gösteriyor, o zaman Denk.
(10-10) ve (10-11) i kullanarak

(10 - 12)

229
olduğul)u buluruz. Buna göre u0 da,giriş sinyalleri arasındaki farkın bir fonksiyo-
nudur.
Yükü R olan bir CE katının sinyal çıkışı ile bu sonucun karşılaştınlması il-
ginçtir. Aynı transistör modeli kullanılırsa bu çıkış - gmRugir dir. Buna göre
v 1 - v 2 nin vgir ne eşit olduğunu düşünürsek o zaman u0 tek bir CE katındaki

sinyalle aynıdır ve u01 ve u02 bu çıkışın yan büyüklüğündedir.

Bu sonuçlar idealleştirilmiş modelleri esas alır ve pratikte kullanılan
yükselteçlere kısmen uygulanabilir. örneğin iki transistör birbirine tam olarak
özdeş olmayabilir. ve akını kaynağı d. a. ideal olmayabilir. Sonuç .olarak lbı ve u 02
voltajlan tam olarak eşit ve zıt olmayabilir ve gelecek bölümde tartışılacağı üzere
ideal teoriden başka küçük sapmalar ortaya çıkabilir.

10-4
Fark yükselteçlerinin çalışma
modlan

Çok çeşitli iş
yapabilen bu yükselteçler çok farklı şekillerde kullanılır. Aşağıdaki
tanımlama diferansiyel çift kat üzerine kurulmuştur, fakat bu ard arda bağlanmış
fark yükselteçleripe ve birçok işlemsel yükseltece de uygulanabilir.

a. Fark ınodu (FM) giriş sinyali

Şekil 10-3b de genel durum için gösterildiği gibi her zaman bu modtla sinyal,
v 2 = - u 1 olarak uygulanır. TransformatörUn merkezini bağlayarak FM giriş
sinyalini gerçekleştirme yolu,Şek. 10-3a da gösterilmiştir. Çıkış voltajı denklem-
lerinde u2 = - u1 koyabiliriz; örneğin temel yükselteç için Denk. (10-10) u kulla-
narak u01 = - gmH.u 1 olduğunu buluruz.

(ol (b)

Şekil 10-3 Fark giriş modunun (FM) gösterimi.

b. Tek - ~_araflı giriş (faz bölücü bağlama)

Bu bağlamada girişin birisi· topraklanır ve öteki girişe sinyal uygulanır.

230
 Şekil 10-4 te B yi topraklayalım, o zaman 11 2 = O olur. Denklem (10-10) ve (10-11)
e bakıldığında ideal yükselteçler için 11 01 ve 11 02 nin eşit ve zıt işaretli olduğu
görülür. Bu sonuç pratikte kullanılan yükselteçlerde hemen hemen elde edilebilir.

61

B2

Şekil 1 O - 4 Tek - taraflı giriş, faz bölücü çıkış.

\
\
'· Faz bölücü bağlama tek katla-biten dengelenmiş çıkış katını sürmek çok kullanış-
lıdır.

c. Ortak mod (OM) giriş

Ortak mod voltajları iki girişe de sinüsel cinsten aynı fazda ve eşit olarak
etkir. Böyle voltajlar için sık rastlanan bir durum Şek. 10-5 de gerilmeyi-ölçen
devrede açıklanmıştır. Bazan roket motoru denemelerinde olduğu gibi yükselteç
ve kayıtçı geribneyi • ölçen köprüden biraz uzağa yerleştirilmesi gerekir bundan
ötürü toprak bağlantılan birbirinden uzaktır. Yerel mağnetik ve yerel elektrik
alanların veya kaçak akımların etkisi bir eşdeğer "gürültü" kaynağı 11n veya girişim
voltaj üreteci verir. Bu ortak modda iki girişe etkir ve çıkışta artık bir voltaja neden
olabilir.
FM girişi için 11 2 = 11 1 olduğunu iddia ediyoruz. Eğer çıkış voltajları için
Denk. (10-10) ve (10-11) i kullanırsak 11 2 = 11 1 yerleştirdiğimizde çıkışı sıfır
buluruz. Daha önce işaret edildiği gibi gerçek yükselteçler biraz bozukluklara ne-

Fark
------ ..... yükselteci 0

'
Toprak çevrimi ')
......... ,,,

Şekil 10 - 5 Ortak mod gürültü voltaj kaynağı.

231
den oldl}klarından OM giriş halinde çıkışta küçük bir sinyal oluştururlar. Genel-
likle bir OM girişlide çıkış,ölçülmeli veya katalog değerlerden tahmin edilmelidir.
Bu özellikler ortak mod reddetme oranı adı altında kullanılır (OMRO}.
Şekil 10-6 da u 01 olduğu gibi tek-taraflı çıkış için OMRO tanımlayacağız. İlk

C1<>-+---

C2o-+---

Şekil 10 - 6 Ortak mod girişi.

olarak fark mod voltaj kazancını (açık çevrim kazancı) aşağıdaki gibi tanımlıyo­
ruz:

1 Vo1I
FM kazancı= G0 = ---(Şek.10-3 deki devrededenendiğinde)dir. (10-13)
1 V1I
Ortak mod kazancı

OM kazancı= Gc ='~~::-(Şek. 10-6 daki devrede denendiğinde) dir. (10-14)

Şimdi OMRO için bir tanım yapabiliriz:

Gd
Ortak mod reddetme oranı (OMRO) = - G - (10 - 15)
c
dir. OMRO genellikle desibel olarak verilir, yani (OMRO)dB = 20 log 10 (Gd/Gc)
dir. Tipik işlemsel yükselteçlerin OMRO değerleri 60 ile 100 dB arasındadır. Tek
bir fark yükselteç katı Gd = 200 ve Gc == 0,4 olabilir. Buna göre OMRO == 200/0,4
= 500 dir. Bu katta OM sinyali veya gürültü istenilen fark girişinin 1/500 ü kadar
yükseltilir.

d. Genel giriş ve çıkış voltajları

Genelde giriş voltajları sadece FM veya OM olmayacak fakat keyfi bir şe­
kilde değişebilecektir. Şimdi giriş sinyallerinden 0.\1 bileşeni

(10 - 16)

232
 ve FM bileşinini de

FMgir =ud = (10-17)

olarak tanımlıyoruz.
örneğin u aynı frekans ve faza sahip olduğunu fakat farklı bü-
1 ve u 2 nin
yüklükte olduklarını varsayalım. Şekil 10 - 7 bu durumu ve OM ile FM

bileşenlerinin nasıl göründüğünü açıklıyor.

J.. ~T

~
1

Şekil 10 - 7 OM ve FM bileşenleri.

İkinci bir örnek olarak Şek. 10-8 u in alçak frekans sinyali ile yüksek fre-
1
kans gürültüsünün toplamı ve u 2 nin de aynı fakat sinyal bileşeni zıt fazda olsun.
Bu durumda OM girişi yalnız gürültüden ve FM girişi de sadece giriş sinyalinden
, ibarettir. OM kazancı FM kazancından çok küçük olduğu için çıkışta gürültü
voltajı sinyal bileşenine göre çok azalacaktır.

Şekil 10 - 8

10-5
Ortak yayıcısı RE dirençli
diferensiyel çift

Şekil 10-1 deki 1 sabit akım üretecini yaklaşık temsil etmenin pratik olarak en
0
basit yolu onun yerine Şek. 10-9 daki RE direncini yerleştirmektir. Kuşkusuz
direnç iyi bir yaklaşıklık değildir ama sonuç olarak ortaya çıkan yükselteç bazı
uygulamalar için uygundur. Unutmayalım ki RE üzerine düşen voltaj yaklaşık

233
olarak v._ besleme voltajına eşittir. örneğin "l =v2 = O olduğu zaman E noktası
toprağa göre - 0,6 dur. Eğer V _ = 15 V ise RE üzerine düşen voltaj 14,4 V dur.
Genellikle V + = - V dir ve bundan ötürü eğer V _ = 15 V ise. V+ = 15 V tur.
Sıfır sinyal dı~rumunda bir transistörün toplayıcı direnci R ve V CE üzerinde bölü-
necek 15,6'V luk voltaj vardır.
Şekil 10-2 deki aynı transistör modelini ku;Janarak Şek. 10-9 daki yüksel-

R
ı icı bl R
- ,___ vo-1
cı C2
' VoırVoz
101 102

B1 -- B2
t
v, V2 +
-=- v_
J- !
-±-
ı icı + icz + ie, + 1~2

Şekil 10-9 Ortak-yayıcısı dirençli diferansiyel çift.

iecin artırımlı çözümünü yaptığımızı varsayalım. "l• v 2 ve devre değişkenleri~in

fonksiyonu olarak "Ol• v 02 ve "O artırımlı çıkış voltajları ile ilgileniyoruz. Bu
çözümlemenin sonuçlarını

(10 - 18)

basitleştirmesini yaparak

(10 - 19)
r'II' (r'II' + 2Reş }

+ (10 - 20)
r'II' ( r'II' + 2Reş )

r 71'
/J Reş R (2 +
Reş
"oı -"02= - - - - - - - - - ' - - - - - - - (10 - 21)
r'II' ( r'II' + 2Reş )

234
yazılabilir. Burada v 0 ın,v 1 -v 2 giriş sinyallerinin farkının doğrudan fonksiyonu
olduğunu görüyoruz.
Bu denklemlerin bazı yaklaşık biçimleri birçok amaç için yeterli doğrulukta
olacaktır. Genellikle Reş• r71' nin 100 veya daha fazla katıdır. Bu iki yaklaşıklığa
izin verir: (1) r71'/Reş oranı 1 veya 2 ile karşılastınldığında payda ihmal edilebilir,
(2) rır, 2Reş ile karşılaştınldığında paydada ihmal edilebilir. Bu yaklaşıklıkları ve
/1 = r,, gm bağıntısı kullanarak Denk. (10-19), (10-20) ve (10-21) den

~R
uo1 9:: - (ul - v2) (10 - 22)
2

gmR
vo2 ~ + (uı - u2) (10 - 23)
2

(10 -24)

elde ederiz. Bu denklemlerin Denk. (10-10), (10-11) ve (10-12) ile aynı olduklan-
na dikkat ediniz. Herbir çıkış voltajı u1 - u2 farkı ile orantılıdır.
Buradan v 02 çıkışının ters çevrildiğini veya v01 ile zıt fazla ve u01 ile aynı
büyüklükte olduğunu görürüz. Bu durum faz bölücüde kullanılır.
örnek : Şekil 10-9 daki devrede R = 3 kn, RE = 2kn; /J = 100, r = 1 kn ve
gm = 0,1 mho olsun. O zaman Reş = 2,0x10 5 n olur. Bu değerler Denk. (10-19),
(10-20) ve (10-21) de yerine konulduğunda

(10 - 25)

bulunur. Sonuç olarak (10-22), (10-23) ve (10-24) yaklaşı~ denklemleri yüzde 0,5
den daha iyi bir sağlıkla doğrudurlar. Bununla birlikte, daha önce belirtildiği gibi
eğer OM sinyallerle (v 1 = u2 ) ilgileniyorsak patik yükselteçler için denklemlerin
hiçbiri uygun değildir. Bu durumda devrenin iki tarafındaki kaçınılmaz eşitsizlik­
ler, hesaplanan çıkışlardan daha büyük olmaya neden olur.

235
 10-6
Sabit - akım devreli
fark yükselteç çifti

Bir sabit - akım üreteci için iyi bir yaklaşıklık,Şek. 10-10 da Q3 transistörü ve RE,
Ra ve Rb dirençleriyle başarılabilir. Q3 ün toplayıcı akımı, voltaj E den N ye
değişse bile hemen hemen sabit kalacaktır. Bu akım, CE belirtgenlerinde VCE
değiştirildiğinde toplayıcı akımından daha kararlıdır.
Eğer artırımlı değerlerle ilgileniyorsak, E ve N arasında ölçülen artırımlı
dirence ihtiyacımız vardır; Bu değer alışılmış yoldan hesaplanabilir,
yalnız artırımlı transistör modeli Şek. 10-11 de gösterildiği gibi toplayıcı iletken-

liği gc yi içermelidir. Bu model kullanılarak Şek. 10-10 daki sabit-akım şebekesi

çözümlenebilir) (Alıştırma 10-.7) 1 ve E ile N noktaları arasındaki artırımlı direnç
için
RE(R+rır + JJ/ı;c)
+ (10 - 26)
R+ RE+rır

biçiminde bir ifade elde edilir, burada R=Ra 11 Rb dir.

Bir örnek olarak, Ra = 8 k.n Rb = RE= 2.kn, rır = 1 k.n, ıı = 100 ve
gc = 2qxıo- 6 rn,ho olsun. Bu değerler (10-26) da yerlerine yazıldığında Rgir ~
2,2x10 6 .n elde edilir. Rgir in böyle yüksek bir değeriyle, Şek. 10-10 daki Q3 ün
toplayıcı akımı gerçekten hemen hemen sabit olacaktır.

İstenirse, Şek. 10-10 daki devrede yaklaşık sonuçlar elde etmek için (10-18)

R R

+----o--v~o--➔
'l,ı Yoz

v,
o---t o, Oz

N
Şekil 10 - 10 Sabit-akım devreli farkyükselteç çifti v 1 , u 2 , v 01 ve v 02
voltajları toprağa göre verilmiştir.·

236
 Şekil 10 - 11 gt toplayıcı iletkenliğini içeren transisti5r modeli

- (10-21) denklemlerini ayarlayabiliriz. Bunun için, orijinal formüllerde RE yerine

Rgir yerleştiririz. Ö~ek : Kesim 10-5 deki sabit-akım devresi verilerini ve bunlar-
dan önceki paragrafta verilen fark çifti verilerini kullanalım. Düzeltilen (10-18) -
(10 - 21) formülleri vasıtasıyla u 0 ı, u 02 ve u 0 hesaplandığında çarpanlann
1,00045 den 1 10<'044 e düşmesi dışında Denk. (10-25) in verdiği sonuçlan elde
ederiz. Buna göre u 01 hemen hemen u 1 - u 2 ile orantılıdır.

10- 7
Toplam değişkenleri kullanan fark
yükselteci çözüm sonuçlan

Şe)dl 10-1 de IBı• ıB 2 , Ieı ve Ie 2 toplam akımlarını ve V 1, V 2 , V01 ve .v 02 top-

lam voltajlarını elde ettiğimiz temel yükseltece dönelim. Yükseltecin çözümü t
transistörler için düzeltilen Ebers-Moll modeli kullanılarak yapılabilir. Bu modelde,
Şek. 10 - 12, idealleştirilmiş (üstel) bir diyod V BE yayıcı-taban voltajı vasıtasıyla
iE yayıcı akımı üzerindeki kontrolü temsil eder; böylece
VBE
IE = Is (exp VT - 1) (10 - 27)

olur, burada VT = kT/e dir. Denklem (10-27) de ilgilenilen bölge üzerinde -1 ih-
mal edilebilir, böylece
VBE
(10 - 28)
\"T

olur. le ve IE arasındaki alışılmış bağıntı olarak le = °' IE kullanılır ve burada°'

ortak - taban akım kazancıdır. Çözümleme yaparken her transistör için V BE yi,
V 1 yada V 2 "sinyali" ve E noktasındaki VE potansiyeli cinsinden ifade etmek
gerekir. Bundan başka sabit akım için IEı + ıE 2 = ı 0 gerçeği kullanılmıştır.
Çözümleme Ieı ve Icı için;

t Kaynak 10 -7 nin 3 7. sayfası.

237
 1c1 = (10- 29)
(V2-V1)
1+ e x p - - -
VT
ve

(10 - 30)

ifadelerine götürür. Böylece akımlar görünüşte lineer olmasa da giriş voltajlannın

farkının fonksiyonudurlar. Bundan başka sıcakbğm bağıntılara etki ettiğini görü-
yonız.

Icı ve Ic 2 nin V1 - V 2 nin fonksiyonlan olarak 300 °K için grafikleri Şek.

10-13 de gösterilmiştir. Bu eğriler V 01 ve V02 yi hesaplamak için veriler verir,
çünkü Şek. 10 • 1 den

V01 = V + - RICl (10- 31)

olduğunu görüyoruz. Eğriler, toplam bölgenin yaklaşık yansını örten orta'bölgede

hemen 'hemen doğrusal bir bölge olduğunu gösteriyor. önceki kesimlerde verilen
küçük-sinyal kuramı, akımlar bu bölgede olduğu zaman çok iyi uygulanabilir.
Bazı uygulamalarda çıkışı alt sınır koşulundan üst sınıra sürmek için gereken
V 1 - V 2 nin değerine ilgi duyanz. Bu değişikliği sağlamak için V 1 - V 2 deki ge-
rekli değişiklik limit değerlerden yüzde 1 lik sapmaya izin verirsek 240 mV civa-
C

Şekil 10 - 12 üstel bir diyod kullamlarak yapılan tramiıtör modeli.

238
ondadır. Bunun bir uygulaması karşdaştıncı diye adlandırılır ve burada V 1, V 2
ile karşılaştınlır, çıkışta hangisi büyükse o ölçülür.

-160 -120 -ao -40 80 120 160

V1 - Vz - mili volt

Şekil 10 - 13 300°K (27°C) de er ı 0 a toplayıcı akımlan.

Şekil10-13 deki eğriler belirli bir yükseltecin voltaj kazancı hesaplamak

için kullanılabilir.
Bir örnek olarak aşağıdaki varsayımları kullanalım (Şek. 10-1 e
bakınız) : 10 = 2,02 mA, R = 5 k n, er = 0,99, T = 300°K ve V + = V• '=:'10 V.

V 1 - -V 2 = O olduğunda,Icl = + crl0 = 1,0 mA elde ederiz. Lineer bölgede bir

taraflı artırımlı voltaj kazancını bulmak için V 2 = K, sabit, alalım ve V1 i, K-20

den K-20 m V a kadar değişmesine izin verelim ya da V 1 = 40 m V olsun. O zaman
grafik Icı in yaklaşık 0,32 crlo dan 0,68 crlo a gittiğini,Ya da 0,36 crlo = 0,72 mA
lik bir değişmeyi gösterir. v 0 1 deki artma ı (10 - 31) denklemine bakınız.ı
-0,72x5= -3,6 V dur. IJundan ötürü voltaj kazancı = - 3,6/0,04 = - 90 olur. Daha
yüksek ya da daha alçak kazançlar 10 ve R nin seçilen farklı değerleriyle elde edi-
lebilir.

10- 8
Modülasyona dayanan aygıt yükselteci ;
kesici yükselteç

Bazı aygıtlar ve kontrol sistemleri çok düşük voltajlara tepki göstermelidir. örneğin,
bir termoçiftin çıkışı küçük sıcaklık farkları için mili voltun kesirleri mertebesinde
olabilir. Kesici yükselteçlerde böyle düşük düzeyde bir sinyal modülatör gibi görev

239
yapan bir kesici (anahtar) ile bir a. a. sinyaline dönüştürülür, sonra geleneksel bir
a. a. yüksek-kazanç yükseltecinde yükseltilir ve sonunda yükseltilen sinyali yeni~
den kazanmak için demodüle edilir. Bu sistem bir d. a. bileşene sahip yavaşça·
değişen sinyalleri yükseltebilir.

R3 ı
es
sinyal
_,____..,____ _._-ı--+---C3cık
1
- 1

Şekil 10 · 14 Kesici - modüleli d. a. yükselteci.

Tipik bir kesici yükselteç devresi Şek. 10-14 de gösterilmiştir. Bu devrede

titreşen kesicinin iki fonksiyonu vardır: (1) belli aralıklarla giriş sinyalini kısa dev-
re yapar ve böylece sinyali bir puls dizisine çevirir ve (2) yükseltecin çıkışında
demodülasyon i.şleminde rol oynar. Şekil 10-15,hem doğru hem de alternatif btr
bileşene sahip bir es sinyali için modülasyon ve deınodülasyon işlemini açıkla­
maktadır. Eğer Rı yükseltecin giriş direnci ile karşılaştırıldığında küçükse 1 e
deki voltaj hemen hemen es kadar yüksek bir zarfa sahiptir, fakat alternatif dilim-·
)erde kesici uç 1 ucuna değdiğinde sıfıra iner. A. a. yükselteci a. a. bileşenleri
geçirir fakat e 1 in doğru bileşenini geçirmez ve yükseltilen dalgayı e 2 ye götürür
(Şek. 10-15 de ideal biçim gösterilmiştir). Kesici uç 2 ucuna değdiğinde çıkışı
toprakladığı için çıkış dalgasının alternatif kısımlan sıfıra düşer ve sonuç e 3 için

·~[IT!J1JUTITIUUU1J]{
Şekil 10 - 15 Kesiciyle modülasyon ve demodülasyonu açıklıyor.

240
 gösterilen duruma döner. e 3 voltajı bir alçak frekans geçiren süzgece verilir ve bu-
radan bir çıkış sinyali alınır. Bu sinyalin biçimi işaret dışında,e5 nin yükseltilmiş
tekrarıdır. Bu yükselteç düşük düzeyde d_. a. sinyalleri için k ~ ve güvenilir bir
yükseltme vasıtası oluştunır fakat a. a. sinyal frekans bölgesi ~esici frekansın
yaklaşık ondabirlik bir üst sınırı ile sınırlıdır.

Pratikte başka giriş

modülatör ve demodülatör devreleri de kullanılır.
örneğin bir titreşken ile sürülen AET, mekaniksel kesicilerden çok daha yüksek
oranlarda çalışma kabiliyetli etkin bir giriş kesici oluşturur.

10-9
Kesici ile kararlılaştınlmış
geniş-band d; a. yükselteci

Yüksek nitelikli benzerlik bilgisayarlardaki gibi kritik uygulamalarda sürüklenme

ve bandgenişliği özellikle önemlidir. Ustaca yapılmış bir şema, yaklaşık serbest-ka-
yan kesici -modülasyonlu bir yükselteç ile etkin kaymayı azaltmak için bir
geniş-band d. a. yükseltecini birleştirmekten ibarettir.
Şekil 10-16 daki geniş-bandlı fark yükseltecinin iki kanaldan sinyal geçir:
diğini ve bunlan çıkışta birleştirdiğini görüyoruz. üst (terslendirici) kanal,
R 3c 3 yüksek frekans-geçiren süzgeç dışında sinyalini doğrudan e 1 den alır.
Bu kanal birkaç yüı hertz üzerinde düşmeye başlayan bir kazançla çok düşük
, frekanstan başlayarak yukarıya doğru a. a. bileşenleri yükseltir. A 2 ile belirtilen
· alt kanalın fonksiyonu d. a. bileşenini ve çok düşük-frekans sinyal bileşenlcrini
yükseltmektir. Bu kanalın çıkışı fark yükseltecinin terslendirmeyen girişini besle-
C3

o
eo

Kesici
--------------v-----------· .:.......ı
d.a. ve alçak-frekans kanalı,kazan~=A 2

Şekil 10 - 16 Kesiciyle-kararlı kılınan geniş-band d. a. yükselteç sistemi.

241
mektedir. Sonuç olarak, çıkış voltajı üst kanal vasıtasıyla doğrudan A 1 den geçen
sinyal bileşenleri,ardarda ve bir kere A 2 den ve tekrar A 1 den olmak üzere iki kere
yükseltilen d.a. ve çok düşük frekans bileşenlerinin toplamıdır.
Kesici yükseltecin, kazancı A 2 olan kısmının çıkış kayması pratik olarak
sıfır olduğundan sürüklenme problemi oldukça azalır. Tam açık-ilmek kazanç
- frekans belirtgeni,Şek. 10-17 de gösterilen biçimi alır. Birazdan inceleyeceğimiz
gibi, kazanç-frekans eğrisi, genellikle pratik uygulamalarda kullanılan negatif
geribesleme elemanlarınca değiştirilir.

140

120

100 Açık-çevrim, kazancı

CD
"O
1 80
u,
C
(O
N
(0
60
~

40

20

o
,0·2 ıo2 ıo4

Frekans - f- Hz

Şekil 10 - 17 Kesici ile kararlı kılınan yükseltecin kazancının frekansa göre

eğrisi.

10- 10
lşleınscl yükselteç tanımları
ve belirtgenleri

İşlemsel yükselteçlerin ilk genel uygulamalarından biri, bir problemin değişkenle­

rini temsil eden voltajlar üzerinde matematiksel işlemier yapma gücüydü. Bu du-
ıum, işlemsel yükseltecin bölümün sonunda tanımlanan benzerlik bilgisayarlardaki
uygulamalarını gösterir. Bununla birlikte işlemsel yükselteç uygulamalarının bir
çoğu, bilhassa düşük fiyatlı TD türleri ortaya çıktığından beri aygıtçıhkta,işlem
kontrol, daİga şekillendirme, dalga üretme ve sayısal elektronik gibi alanlarda yapı­
lır.
İşlemsel yükselteçler aşağıda istenen özelliklere çok ya da daha az ölçüde

242
sahip olarak tanımlanabilir:
1. Yüksek voltaj kazancı (yaklaşık 1000 ya da daha yüksek).
2. Yüksek giriş impedansı.
3. Düşük çıkış impedansı.
4. D. aıkapsayan, geniş-band frekans cevabı.
Bunlara ek olarak girişte sinyal yokken çıkış zamanla sürüklenmemel~ya da sıcak­
lıkla değişme!Delidir. Kazanç, bandgenişliği ve ticari yükselteçlerin impedanslannın
bazı değerleri Tablo 10 - 1 de gösterilmiştir. örneğin, No. 3 ile gösterilen AET
giriş tipi,en yüksek giriş direncine sahiptir.

Tablo 10 -1 İşlemsel yükselteçlerle ilgili veriler (25 °c de tipik veriler)

iş Farkd. a. Birim Kazanç İmpedans (n)

Yük Kazanç, Açık-İlmek Bandgenişliği Giriş
No (dB) (MHz) (Fark) Çıkış

1 140 6 106 2x10 6

2 110 1 106 lx10 3
3 100 1* 102 75
4 86 1 2x106 75
5 86 1* 2x10 7 75

Not:* - 3 -dB noktasındaki değerdir.,

No. 1 = Kesici-kararlaştmlmış tip, ayrık bileşen tipi
No. 2 = iki kutuplu transistör girişli, aynk bileşen tipi
No. 3 = yekpare TD tipi, AET girişli
No. 4 = yekpare TD tipi, içten telafili
No ..5 = yekpare TD tipi,.geniş-bandlı, genel-amaçlı

Bu işlemsel yükselteçteki giriş direnci 3 pi<' lık etkin bir sığaçla pıu:elel bağlanır.
Düşük bir giriş impedansı istendiğinde 3, 4, ya da 5 No lulan seçebili_riz.
İşlemsel yükselteçler genel olarak tek katla biter fakat ya tek ya da fark gi-
rişleri olabilir. Tek katla sonuçlanmış giriş tipinde terslendiren ( çıkış voltajını
terslendirilir) ya da ıerslendirmeyen olabilir.
İşlemsel yükselteç devrelerinde kiiçük dengesizlikler vardır, ,Yani bir fark
yükseltecinin iki girişi de topraklandığında çıkış voltajının mutlaka sıfır olması
gerekmez. Buna göre çıkış voltajını sıfıra getirmek için girişe sıfırlayıcı vollaj
uygulanmalıdır. Bu kavram Şek.10 -18a da gösterilmiştir. Eğer V os voltaj kay-
nağını, Vçık = O vermesi için ayarlarsak, bu durumda Vos•girişe gönderilen

243
kaydırma voltajıdır. Bazı işlemsel yükselteç iç devre noktalan dışarı çıkarılır ve
buradan bir ayarlama ile V os sıfıra indirilebilir.

(ol ( b)

Şekil 10 - 18 (a) Kaydırma voltajını gösteriyor. (b) önbesleme alnını

denemesi. + terslenmeyen girişi, - de terslendiren girişi gösteriyor.

Farıı: girişli
bir işlemsel ;yükselteciıı girişleri topraklandığında toprak bağlan­
tılarında küçük önbesleme akımları vardır. önbesleme akımı 18 nin tanımı,
Iı + l2
(10 - 32)
2

dir, burada ı 1 ve ı 2 Şek. 10-lSb de tanımlandığı gibi önbesleme akımlarıdır.

Genel olarak ı 1 =t- ı 2 olduğundan önbesleme kaydırma akımının bir tanımına
ihtiyaç duyarız,

kaydırma akımı = 1 (1 1 -1 2 ) 1 (10-33)

dir. Kaydırma voltajı I önbesleme akımı ve ortak mod reddetme oranının örnek
değerleri Tablo 10-2 de listelenmiştir.

Tablo 10-2 İşlemsel yükselteçlerle ilgili veriler (25°c de tipik değerler)

iş Giriş kaydırma Giriş Önbesleme Ortak Mod Atlama hızı

Yük voltajı Akımı Reddetme Oram (V/ı.ısn)
No. (µV) (pA) (dB)

1 30 20 ıoo* 6,0
2 100 25.000 100 0,6
3 6000 15 80 3,0
4 2000 80.000 90 0,5
5 2000 400.000 100 35,0

'~ 100 H.: de.

244
 Bu tablo atlama hızı denilen bir özelliği de listelemektedir. Atlama hızı,çı­
kışta voltajın maksimum değişme hızını verir. Eğer bu çok büyükse, işlemsel
yükseltecin iç devresi iç sığacı sürmek için gerekli akımı sağlayamaz ve bozulma
olur. Şekil 10-19 daki yükselteç,çıkış dalgabiçimleri sınırlı atlama hızı için,bozul-
r_na etkisini gösteriyor. Burada, sabit genlikli giriş sinyali varsayılmış ve artan fre-
kansın etkisi gösterilmiştir. Şekil 10-19 un (a) kısmındaki atlama hızı, (kesikli
çizginin eğimi) MN kısmıyla gösterildiği gib~sinüs dalgasının şeklinin bozulmasına
neden olmuştur. (b) kısmında sinüs şeklinin yalnız küçük bir kısmı kalmış (c) kıs­
mındaki çıkış dalgaşekli atlama hızıyla tamamen sınırlanmıştır. Bir sinüs dalgası
için değişme hızı sıfır noktalarında maksimumdur, böylece atlama hızı için uygun
sınırlamayı kolayca hesaplayabiliriz. vçık = V m sin wt olsun; bu durumda

dvçık
( dt )mak = wVm (10 - 34)

olur. örneğin atlama hızı 3 V/ ıı sn ve V m = 4 V olduğunda w değeri O, 75x10 6 yı

/
veya f değeri 120 kHz i geçmemelidir.

I
I

W f ~ 2,5
.
t

(ol (b) (c)

Şekil 10-19 Sabit genlikli ve artan frekanslı giriş sinüs dalgası için sınırlı
atlama hızının çıkış dalgaları üzerine etkisi.

IO - 11
Tek paket TD işlemsel yükselteç devresi

741 tipi işlemsel yükr,eltecin kısa bir tartışması çoğu TD işlemsel yükselteç
için ortak olan özellikleri ortaya çıkaracaktır. örneğin,Şek. 10-20 deki basit-
leştirilmiş diyagram, giriş devresinin Kes. 10-2 de anlatılana benzer bir fark yük-
selteç katı olduğunu gösteriyor. Bundan başka RL dirençleri fark çiftjne yüksek
artırımlı bir direnç yükü sağlayan transistör devrelerini temsil eder ve böylece bu
kat çok yüksek bir kazanç oluşturur. Tam bir TD,20 transistör ihtiva eder ve
buna göre Şek. 10-20 sadece esas elemanları gösteriyor.

245
 Fark çiftini takip eden a17 transistörünü kullanan yüksek-kazanç sürücü
kattır. o17 nin çıkışı Q14 ve Q20 nin tabanlarını besler. Bu transistörler ta-
mamlayıcı bir simetri çifti oluştururlar. Q14 ün taban ve Ql 7 ııin toplayıcı uç-
ları arasındaki diyodlar Q20 nin tabanından 0 14 ün tabanı arasında gerekli olan
d. a. düzeyindeki değişmeyi sağlar. Çıkış katı sıfır sinyalde küçük bir akımı
taşıyacak şekilde önbeslenmiştir, yani AB sınıfında çalışır. Dış yük direnci 2000 n
u aştığında,tipik toplam voltaj kazancı 200.000 dir.
c 1 sığacı Q17 nin toplayıcı ucundan taban ucuna, yaklaşık f = O Hz in üs-
tünde kazanç-frekans eğrisine eşit olan, frekansa duygun bir geribesleme sağlar.
Bu frekans telafisi 20 dB/onluk hızla yaklaşık 800 kHz de birim kazanca düşen
bir kazanç eğrisine neden olur. Sonuç olarak yükseltici hemen tüm yükler için
kararlıdır.

Gerçek yükselticilerde, yüksek kazanç ve alçak giriş akımı elde etmek için
girişlerde Darlington çiftler kullanılır. Ek transistörler, önbesleme ve sıcaklık
telafisi, çıkış yolundaki dirençler,kısa - devre koruması sağlarlar.

r----------------------ov.

c,

_':,_-_-_-_-::._-::._-::._-__,-_-::._-_-_-_-::._-_-_-:,~-----------,1----+-----ov_
"---..,--.J \ _,J

Yüksek kazançlı Yüksek-kazanç Tamamlayıcı

fark yükselteci sürücü simetri çıkış
katı

Şekil 10-20 7 41 tipi işlemsel yükseltecin basitleştirilmiş şeması. Telafi

sığacı c 1 c dikiiat ediniz.

Bu yükselteçlerin önemli bir özelliği girişin tatbik edileceği d. a. düzeyleri

bölgesinin genişliğidir. örneğin, eğer toprağa göre V = +15 V ve V = -15 V
.. + -
ise o zaman giriş uçları toprağa göre -12 V ile+ 12 V arasında değişir. Kuşkusuz,
fark voltajı,kullanılan uygulama devresine bağlı, bir dereceye sınırlandınlır.

246
 10- 12
Bazı işlemsel yükselteç uygulama devreleri

a. Ters çevirici yükselteçler

Bir işlemsel yükselteç Şek. 10 - 21a da gösterildiği gibi bağlandığında 1

çıkış voltajı, giriş voltajının yükseltilmiş fakat ters bir biçimidir. Rf ve R 1

diıençle.ıi .negatif bir geribesleme · şebekesi oluştururlar. İşlemsel yükseıtecın
çıkış impedansı z 0 ı sıfır ve Zd yi fark giriş impedansı olarak kabul ederek
voltaj kazancı ve giriş impedansını inceleyeceğiz.
V 1 noktasına uygulanan Kirchhoff akım yasasına göre Is = lr + I buluruz.
Bu bağıntı voltaj ve impedans sembolleri cinsinden
Vs-Vı Yı Yı -Vo
---- - -- + ---- (10-35)
Rı zd Rf
120.--------~------,

100
Açık. _ıyevrım,
· kazancı.
80 / IAI ,
a:ı
u Kapalı çevrim
60 ./ k§lzancı
g,
<il
:;:J 40~------~
~

20 t,
J
o
1 10 10 2 ıü3 104 ıo5 106
f- Hz
(o) (b)

Şekil 10:21 (a) Ters· çeviren yükselteç bağlantısı. (b) Kazancın Bode eğrileri.

ifade edilir. Çıkış voltajı_,V 1 ve -A kazancı cinsinden ifade edilebilir ve

(10 - 36)

yazılır. Denklem ( 10 - 35) ve ( 10 - 36) arasında V 1 i aradan çıkarırsak tüm kazanç,

(10 - 37)

247
olur. Genelde paydadaki 1/A çarpanına sahip terim birle karşılaştmldığında küçük-
tür ve böylece Denk. (10 - 37)

(10 - 38)

e indirgenir. Bu,ters çevirici yükselteçler için klasik kazanç bağıntısıdır.

Eğer ters çevirici yükselteçlerin frekans cevapları ile ilgilenirsek, bandgeniş­
liğinin kazanç düzeyine bağlı olduğunu buluruz. Bu alçak frekansta 40dB. lik
kazanç durumu için Şek. 10-2lb de açıklanmıştır. Frekans arttığında açık çevrim
kazancı düşer ve sonuç olarak Denk. (10 - 38) geçerliliğini kaybeder. Gösterilen
örnekte kapalı-çevrim kazancı 10 4 Hz lik bir köşe frekansına sahiptir ve bunun
ötesinde kazanç açık-çevrim kazanç eğrisini izler. Eğer Rf/ R 1 değeri daha yüksek
kazanç elde etmek için ayarlanmışsa o zaman bandgenişliği azalacaktır. Kuşkusuz,
köşe frekansı civarında bir frekans bölgesinde,çıkışta bir faz kayması olur.
Köşe frekansına göre alçak frekanslarda ve d. a. için ani giriş ve çıkış voltaj-
larının

(10 - 39')

bağıntuuyla birbirine bağlı olduğunu

bekleyebiliriz.
Giriş impedansı,
Zgir= Vs /15 yi elde etmek için nicel bir tartışma yapacağız.
A nın büyük değerinden ötürü yükselteç lineer bölgede çalıştığı sürece v1 = v 0/A
voltajı 1 mV u kesinlikle aşamayacaktır. Yani ters çevirici girişin sözde toprak
potansiyelinde olduğu düşünülebilir. Buna göre 0,2 V veya daha yüksek değerdeki
Vs vol.tajlan için V1 = O kabul edebiliriz ve bundan ötürü Is akımı yüzde 0,5 lik
veya daha az bir hatayla 15 ""' Vs/R 1 biçiminde ifade edilebilir. Böylece giriş impe-
dansı

(10 - 40)

olur. Zd nin etkilerini içeren Zgir ve çıkış impedansı z0 için tant bir ifade kaynak
10 - 7 sayfa 131 den bulunabilir. Bilinen z0 a sahip bir ters çevirici yükselteçte
Zçık için de tam bir ifade gene bu kaynakta bulunabilir. .
Şekil 10-21a daki devre bağlantısı üst giriş ucuna giren giriş önbesleme akı­
mının etkisi nedeniyle çıkışın d. a. düzeyinde .:>ir hata oluşturacaktır. Bu etki
X noktasına uzanan alt girişe R 1 Rr/(R 1 + Rf) değerinde yani Rı 11 Rr değerinde
bir direnç eklenmesiyle minimuma indirilebilir. İki girişe gelen önbesleme akımla-

248
rının yaklaşık eşit olduğunu hatırlayalım. üst girişıönbesleme akımı paralel olan
R 1 ve Rr den sağlanır ve bundan ötürü alt tele, R 1 11 Rf bağlanması iki girişte
eşit voltaj düşmesi oluşturur.

b) Akım ölçümü

Şekil (10 • 21a) daki yükselteç bağlantısında yapılan bir değişiklik, V O cin-
sinden Is akımının ölçülmesini sağlayan bir aleti oluşturacaktır. Bu amaç için
R 1 direnci sıfıra indirilerek alçak dirençli bir akım ölçer elde edilir. Is akımına
gösterilen direnci bulmak için daha doğru bir çözümleme
Re Rr
R. = - - -
gır l+A
===--
A
(10 • 41)

bağıntısına götürür. A büyük olduğundan Rgir• Rf ye göre küçüktür. Is yi V 0

cinsinden bulmak için daha önceki açıklamalarımızı izliyoruz. Buna göre Is = lr
ve V 1 ~ olduğunu söyleriz. O zaman Rr Ir = Rf Is = - VO ve

(10 - 42)

dir. '1 = 106 , A = 4x10 4 olsun ve Is= lµmA varsayalım. O zaman Rgir = 10 6 /
4x10 = 25 ve VO = -1 V dur ve bir voltmetre veya kaydediciyle gözlenir. Daha
alçak akımlar Rr nin yüksek değerleri kullanılarak ölçülebilirler, fakat sonuçta
yükseltecin giriş impedansının neden olduğu hatalar dikkate alınmalıdır.

c) Ters çevirici olmayan yükselteç .

Şekil 10 . 22 deki bağlantı ters çevrilmemiş veya faz terslenmesi olmayan

yükseltilmiş bir sinyal üretecektir. Ters çevirici yükselteç için yapılan çözümleme
yöntemleri kullanılarak

(10 - 43)
1
l<.c

bulunur. Burada işlemsel

yükseltecin giriş ve çıkış impedanslarında da aynı varsa-
yımlar kullanılmıştır. 1 A j çok büyük olduğundan paydadaki ikinci terim ihmal
edilebilir ve sonuçta

249
 =1 + (10 - 44)

bulunur. örneğin Rr = 99 k.n ve R 1 = 1,0 k.n ise ka-.anç 100 veya 40 dB dir.

Rı

>---+---<> Ve
z.

Şekil 10 - 22 Ters çevirmeyen -yükselteç bağlantısı.

Yükseltici için giriş impedansı tartışmalarından önce,bir yaklaşıklıkla Vs ve

V 1 voltajlarını inceleyelim. Kolaylık olsun diye önceki örnekteki sayısal değerleri
kullanalım. y s = 1/ jf m V alınırsa V O = 100 / o0 m V olur. V 1 i V O cinsinden
hesaplayabilmemiz için şimdilik voltaj bölünmesini etkilememesi için Zd yi yete-
rince büyük varsayalım. Buna göre V 1 = [R 1 /(R 1 + Rr)] vO olur ve bu örnek için
0,01 v O veya 1/0° mV verir. Bu sonuç + ve - giriş uçlarının sadece ortak mod
(OM) voltajı taşıdığını gösterir. Gerçekte V O ı oluşturmak için gerekli olan küçük
bir fark giriş mod voltajı vardır. Denklem (10-44) ün yerine (10 - 43) kullansaydık
V O ı 100/ ~ mV tan daha az bulacaktık ve böylece girişte bir fark voltaja sahip
olacaktık.

Yükselteç girişlerinde
büyük OM voltajı varsa o zaman girişte toprağa giden
akım bileşenleri vardır ve bunlar fark giriş mod impedansı Zd ile doğru modellen-
me:ı:ler. Bu durum için,giriş impedanslarınm,Şek. 10 - 23 te gösterilen tam modeli
gereklidir. Bu model toprağa göre Rc giriş impedansı ihtiva eder. Saf OM voltajına
gösterilen impedans ortak mod giriş impedansı Rc/2 olarak tanımlanır. Şimdi
Şek .. 10 - 22 de Vs nin görmüş olduğu giriş impedansını hesaplayalım ve Şek.
10 - 23 teki yükselteç giriş devresini kullanalım. R 1 << Rc, (Rr+Zd) << AZd ve
Rr << A~ 1 eşitsi:ı:liklerini kullanarak basitleştirirsek,
1 1 Rr + Ri
----- == - - + (10 - 45
zgir Rc Rl AZd

yaklaşık ifadesini elde ederiz. İşlemsel yükselteç katalog verilerini R = 8 n

6 .. . C '
10
Zd = 10 n ve d. a. kazancı A 5x10 4 olarak kullanalım. O zaman (Rr+R 1 )/
0~

R 1 = 100 varsayılırsa Zgir = 83 Mn buluruz. Bu örnek ters çevirmeyen yüksel-

250 251
teçle düşük frekansta elde edilebilen son ölçüde büyük giriş impedansını açıklı­
yor ,_ bu durum, bazı uygulamalarda ortaya çıkar. Kuşkusuz MOYİAET giriş
katlı işlemsel yükaelteçler,daha yüksek giriş impedanılan verecekt~.

Şekil 10 - 23 Giriş impedanalaruun bir modeli.

d) Kazancı bir olan voltaj izleyiciler

Ters çevirici olmayan yükselteçlerde R 1 i sonsuza, Rf yi de sıfıra götürürsek

voltaj izleyici elde ederiz, Şek. 10 -24. Voltaj kazancı Denk. (10. 43) den ·

(10- 46)

dir. Bundan başka alçak frekanslarda giriş impedansı Re ye eşittir ve dolayısıyla

çok büyük değere sahiptir. Bu devre,sürücü kaydedicilerde veya yüksek kaynak
impedansına sahip gösterge aletlerinde uygulama alanları bulur.

.,
\f

Şekil 10 • 24 Kazancı bir olan voltaj izleyici bağlantısı.

e) lntegratör ballantısı

Eler bir • çevirici bağlantıda geribesleme impedansı Rf yerine bir Cf

sığacı konursaintegratördevresi ortaya çıkar (Şek. 20- 25 de Rf ihmal edilmiştir).

251
İşlemsel yükseltece giriş akımı, i1 in ihmal edilebileceğini vaısayacağız. O zaman
R 1 de, Cf dekiyle aynı akım olacaktır. Buna göre

(10 - 47)

yazılabilir. Her iki taraf ta integre edilir,ux -u0 için çözülür ve işaret değiştirilirse

(10 - 48)

elde edilir. Burada t = O da Cf nin üstündeki voltajı sıfır varsaydık. Fakat ux = -u0 / A
ve A nın büyük değeri nedeniyle L)x ==0 diyebiliriz. Böylece Denk. (10 - 48)

t
I . Vı dt (10 - 49)
o
(1=---uc_,----,

V
1
Vo

...
· Şekil 10 - 25 1ntegratör bağlantısı.

biçimine indirgenir. Sığaç t = O anında bir u0 (O) voltajına sahipse ( çıkışa göre
pozitif),o zaman Denle (10 - 49)

(10 - 50)

olarak değiştirilir. Böylece çıkış voltajı giriş voltajının integralinin bir ölçüsüdür.
Eğer istenir:e,R 1 = 10 6 n. ve Cr = ıo- 6 F yapılabilir o zaman integralin önündeki
katsayı bir olur.
İntegratörde, besleme akımları, yerine getirme voltajları ve sığaç sızıntıları-

252
nın neden olduğu hatalar ortaya çıkar. Uzun integrasyonlar için (bazı benzerlik
bilgisayar uygulamalarında olduğu gibi) sığaç, teflon gibi yüksek nitelikli bir
dielektrik madde olmalıdır. Yerine getirme voltajları ve besleme akımlarının neden
olduğu hatalar R 1 1 j Rr e eşit değerdeki bir direnci Şek. 10-26 daki P noktasına
ekleyerek azaltılırlar. İntegratördeki hataların ayrıntılı açıklamaları kaynak 10 -1
(sayfa 231) de bulunabilir.

f) Türev bağlantısı

İntegratör devrenin direnç ve sığacı yerdeğiştirilirse türev alıcı devre elde

edilir (Şek. 10 - 26). Türev bağıntısını elde etmek için C deki akımı Rr deki akıma
eşitleriz ve

ux-un
--- (10 - 51)
Re

elde ederiz. önceden olduğu gibi ux in ihmal edilebilecek kadar küçük olduğunu
ifade edelim. Bundan ötürü,ux ihmal edilir ve u 0 için çözülürse

_<!ı
Uo== - Rp dt (10 - 52)

bulunur. Buna göre u 0 , u1 in değişim oranının bir ölçüsüdür.

R:

...--t---0+

Şekil 10 - 26 Temel türev bağlantısı.

Türev alıcı ,bazı istenmeyen özelliklere sahiptir. örneğin, u 1 yüksek frekans

doğasında küçük bir gürültü bileşenine sahipse, çıkış, sinyale göre büyütülmüş bir
gürültü bileşenine sahip olacaktır. Sinüs dalga yükseltici gibi düşünüldüğünde
türev alıcı, frekansla yükselen bir kazanca sahiptir ve bu negatif geribeslcmcnin
frekansla değişmesinden kaynaklanır. Türevalıcı devre, tekrarlanan voltaj nokta-
sına bir direnç eklenmesiyle değiştirilir. Bu değişiklik daha yüksek frekans
t>ölgesinin bir kısmı üzerinde kazancın azalmasına neden olur, böylece gürültü
problemini azaltır ve sistemin kararlılığını artırır.

253
 10- 13
Frekans cevabı ve kararlılık

a) Tek zaman • sabitli yükselteç sistemi

Frekans cevabı ve kararlılığın daha ileri düzeyde açıklamaları istenebilinir.

Şekil 10 - 26b de gösterilen açık çevrim kazancının B~de diyagrdmının tartışma­
sıyla başlayalım. Bu eğri ,10 Hz de tek bir köşe frekansına sahiptir ve bu 1frekans
cevabını karakterize eden bir tek zaman sabiti olduğunu göstermektedir. Denklem

(8 - 36) ya benzer olarak bu özel yükselteç için kazanç fonksiyonunu Denk.

(10 - 36) daki işaret ilişkisini kullanarak yazabiliriz,

A = + A ---=1' - - - (10 · 53)

1+.j - f -
fc

Burada A alçak frekans kazancı ve fc köşe frekansıdır.

Şimdi Şek. 10-21a daki yükseltecin kapalı-çevrim kazancını inceleyelim.
Frekans cevabını araştırmak için bu fonksiyonun tam biçimine gerek vardır. Bu
amaçla Denk. (10 - 37) de Zd -. 00 götürülür ve (10 - 53) deki A değeri (10 - 37)
ye yerleştirilerek

(10 - 54)
Rr+R1 f
) (l+j-f-) 1
R1 C

elde edilir. Kolaylık olsun diye f3 = R 1/(R 1 + Rr) tanımlayalım. Sonra (10-54) te
değişiklik yaparak

1
(10-55)
( 1+ Alf3 )( 1 + j --,f_,__
Af3fc

elde ederiz. Genelde 1/ AS << 1 olduğundan

1
(10 - 56)
f
(l+j Af3 fc

254
yaklaşıklığım kullanabiliriz. Böylece alçak frekanslar için kapalı çevrim kazancı
-Rr/Rı dir (Denk. (10 - 38) ile karşılaştırınız]. Frekans cevabı, fc den daha büyük
yani fd = At3fc olan,bir köşe frekansına sahiptir ve f >> fd için -20 dB/onluk
eğimi izler. ·
Denklem (10 - 56), cevabın kararlı olacağını gösteriyor, çünkü frekans
artarken faz açısı 90° ye ulaşmaktadır. Şekil 10 - 21b de kapalı-çevrim kazanç
eğrisi için O dB veya birim kazançta faz yaklaşık 90° olacak ve bu nedenle faz
sının yaklaşık 90° dir. Şekil 10 - 21b deki örnek için A = 10 5 , fc = 10 dur ve
40 dB kapalı çevrim kazancı vermesi için S= ı~i - olmalıdır. Böylece fd = Af3fc=
105 x10/101 ==10 4 Hz dir.

b) İki zaman - sabitli yükselteç sistemi

İşlemsel yükselteçlerin çoğu, bir çıkış katı ile izlenen iki yüksek kazanç
katma sahiptir. İşlemsel yükselteçlerde bir iç faz telafi edicisi sağlanmadıkça yük-
sek frekans davranışı iki veya daha fazla zaman sabitleri ile karakterize edilecektir.
Bunlar. frekans cevabı eğrisinin,Şek. 10-27 de r2 > r1 olmak üzere f 1 ve r2 köşe

70

60 \
-20 .:i3ionluk
\,,,,,.
\.,
50 n ;
'2
cD
-o 40- -.;o c.Bf
'g- onluk
30 J
10
N
~ 20 - - - - - - · • ,-,
/
ı o m L.----·· - ·

o 104 ıc5
10 2 10 3 106
f - Hz
o'
1

.
1-ı
Ol
-o
1
N
10 -90
.....

ôz' s
-ıaol.._.---------------'-----~'
Şekil 10 - 27 İki zaman - sabitli yükselteç için Bode diyagramları.

255
frekanslanna, sahip I eğrisine benzer olmasına götürür. Böylece ters çevirici giriş
kullanan yükselticinin cevabı

1 (10 - 57)
A=A-----------
( l+j -
fı
f . f
) ( 1 +J r; )

olarak yazılabilir. Frekans f 2 den dikkate değer ölçüde yüksek olduğu zaman
(10-57) deki her bir karmaşık faktör 90° lik bir faz kayması oluşturur ve böylece
toplam faz kayması 180° ye yaklaşır. Bu durum Şek. 10-27 de I faz eğrisinde
gösterilmiş tir.
Kararlılık hakkında ne söylenebilir? Kazanç sının Şek. 10 -27 de ôı ile
gösterildiği gibi çok küçük olabilir. Bu da yükseltece bir yük veya geribesleme
şebekesi eklenmesinin kazanç sınırının titreşimlerle sıfıra gitmesine ve negatif
olmasına neden olabileceğini ima eder. örneğin, fark bağlantısında geribesleme
şebekesinin etkisi,bir büyüklük faktörü üretmek ve bir faz geri kalmışlığı eklemek
içindir ve bunlann her ikisi de frekansla artar. Muhtemel olarak,toplam faz geri
kalması 180° ye ulaşır, kazanç biri aşar ve sistem titreşe bilir.

c) Faz telafisi ·

Bir yükseltece faz telafisi uygulandığı zaman onun Bode diyagramları ek faz
sınırı oluşturmak üzere değiştirilir. Şekil 10-27 de bir örnek gösterilmiştir.
Burada f1 köşe frekansı, f köşe frekansını verecek şekilde artırılmış fakat f 2
1
aynı tutulmuş ve il ile işaretlenen eğriler ortaya çıkmıştır. Şekilde gösterildiği
gibi faz sınırı ö 2 yi verecek biçimde artırılmıştır. Eğer şimdi 20 dB lik bir alçak
frekans kazancı elde etmek için 1 Şek. 10-21a daki dirençsel geribeslemeyi kullanır­
sak Ş.ek. 10 - 27 de III eğrisi gibi bir Bode kazancı umanz. Bu sistemö 2
faz sınırına sahip olacak ve kararlı olacaktır.
İşlemsel yükselticilere faz telafisi uygulamasında çeşitli teknikler kullanılır.
Bir örnek,Şek. 10 - 20 de gösterilmiştir. Q 17 nin toplayıcısından tabanına bağla­
nanc1 sığacı bir faz gerilemesi üretecek biçimde davranır. Bunun etkisi Miller
etkisiyle artırılır [Denk. (8-33) eve ilgili tartışmaya bakınız). İçten telafili işlemsel
yükselteçlerde genel olarak telafi, Şek. 10 - 27 deki il eğrilerinden daha.büyüktür.
Genelde kazanç eğrisi,10 6 veya daha aşağıda,birden geçer ve böylece küçük bir
bandgenişliği istenen uygulamaları sınırlar.
Geniş bandgenişlikli uygulamalar için tasarlanan işlemsel yükselteçler
genelde dış tela? şebekelerine ihtiyaç duyar. Bunlar bir veya dalıa fazla sığaç
veya R ve C nin seri bileşimlerinden oluşur. İşlemsel yükselteç yapıcıları özel bir
uygulama için ihtiyaç duyulan bilgileri verirler.

256
 10- 14
Aktarıcı işlemsel yiikselteç

Aktarıcı işlemsel yükselteç olarak isimlendirilen,değiştirilmiş bir işlemsel yüksel-

teç • TD biçiminde bulunabilir. Bu yükselteç,giriş voltajı Ugir ile doğrudan orantılı
olan i0 çıkış akımını oluşturan yükselteç olarak tanımlanır. Buna göre

io = gmu gır
. (10 • 58)

yazabiliriz. Burada gm aktarma katsayısıdır. i0 yük impedansından bağımsız ol-

duğundan çıkış devresinin bir sabit akım üreteci gibi veya aşın yüksek bir dirence
sahip bir Thevenin kaynağı gibi temsil edilebileceğini anlıyoruz.
Bu yükselteç, son uçlarını bir yük direncine bağlamak ve bir geri besleme
şebekesi oluşturarak klasik işlemsel yükselteçlerin çoğu uygulamalannda kulla-
nılabilir. Bununla birlikte yükseltecin aktarıcılığı, yükselteci besleme akımıyla
kontrol edilebilir. Modillatör, çoğaltıcı ve otomatik kazanç kontrol devrelerinde
olduğu gibi bazı uygulamaları da vardır.

Şekil 10-28a RCA CA3060 işlemsel iletkenlik aktanm yükseltecinin bir

bölümünün basitleştirilmiş bir çizimini gösteriyor. Bu TD üç özdeş yükselteç
içennektedir. Q 3 ve Q 4 transistörleri bir fark giriş katı oluşturur,çıkış ise tek-yan-
lı çıkıştır. Besleme akımı i ile kontrol edilen Q transistörü, yükselteç için bes-
8 2
leme düzeylerini oluşturur.
Q1 ve Q2 transistörleri aktın ayna düzeyi denen yerleşimi.oluştururlar. Bu
şemada Q nin toplayıcı akımı tam olarak i giriş akımına eş olur.Bu, neden
2 8
doğrudur? Q ve Q taban yayıcı voltajlarının eşit olduğunu gözlüyoruz. O zaman,
1 2
Q 1 ve Q 2 nin belirtgenlerini özdeş varsayarsak taban ve toplayıcı akımlarının eşit
olduğunu umarız. B nın değeri 100 veya daha büyükse Q nin toplayıcı akımı
2
i8 den biraz daha büyüktür ve ikisi arasındaki fark transistörün taban akımının
iki katıdır.
CA3060 daki her yükselteç için bazı tipik değerlerin belirtilmesi ilgi çekici
· olacaktır. V+ = 15 V, V_ = - 15 V, TA= 25°C ve iB = 10 ııA olduğunda giriş
direnci 170 kn, çıkış direnci 20 Mn ve gm için açık devre bandgenişliği 45 kHz
dir. gm nin i8 ile değişimi

iB (µA) = 1 10 100
llm(mmho) =: 1,5 18 102

dir. Bu veriler gm in i8 ile yaklaşık olarak orantılı olduğunu gösteriyor. Başka bir

257
 (b)
Devre sembolü
(ol
Basitleştirilmiş çizim
Şekil 10-28 İşlemsel iletkenlik aktanm yükselteci.
RCA yükselteci CA3080 için gm ve iB arasında üç onluk üzerinde lineer bir ilişki
vardır.
Buna göre

(10 - 59)

dir ve burada K bir sabittir. Bu bağıntıya dayanan bir modüle edici devre Kes. 14
de ele alınacaktır.

ıo- ıs
Benzerlik bilgisayarına giriş

Bir fizik probleminin benzerlik çözümü ,orjinalinden farklı olan fakat

aynı matematiksel ilişkiyi izleyen bir çözümü ima eder. Çeşitli fiziksel
sistemler (termodinamik, mekanik, hidrolik, elektromekanik gibi) benzerlik
bilgisayarı ile taklit edilebilir, fakat biz basit mekanik sistemler cinsinden düşüne­
ceğiz.
Benze~lik i>ilgisayannda kullanılan temel elemanlar, Şek.10-21a daki dev-
reden, Şek. 10-24 deki integratörden ve en son tanımlanan toplam yükselteçlerden
çıkanlan katsayı birimi ve işaret değiştiricidir. Bu elemanlara voltaj kaynaklan ve

potansiyel bölücüler de eklenirse cebirsel veya diferansiyel denklemleri çözecek

veya daha büyük kuruluşlarda eşitlik takımlarını çözecek şebekeler düzenleyebili-
liriz.
Bu uygulamada, şebekedeki voltaj çoğu kez yerdeğiştirme, sıcaklık gibi
başka bazı fiziksel değişkenleri temsil eder. Buna göre voltaj gerçek problemde

258
fiziksel niceliğin bir benzeridir.
Bir toplama yükseltecinin bağlantısı, Şek. 10-29a da verilmiştir. Bu tek kat
diyagramda voltajlar1 toprağa göredir fakat toprak gösterilmemiştir. İşlemsel
yükseltece giren giriş akımlannı ihmal ediyoruz. Buna göre i1 + -i 2 + i3 = if yaza-
oiliriz. ·İşlemsel yükseltecin kazancının yüksek olmasından ötürü toplama noktasın­
daki Us voltajının yaklaşık sıfır olduğunu ifade edelim. Bu durumda i1 u1tR 1 .=
vb olduğundan

(10 - 60)

biçiminde yazabiliriz. ıı 0 için çözersek

Rf Rf
Uo = - ( ~ Uı + -R-- U2 + (10 - 61)
1 2
elde ederiz. R 1 = R 2 = R 3 = Rf alınırsa, işaret dışında, u 0 ın giriş voltajlannın
toplamı olduğunu buluruz.
Bir değişkenin işareti bir işaret değiştiricisiyle (Şek. 10-29b) kolayca
değiştirilir. Burada R1 = _Rf alalım ve problemimizin giriş uçlanndaki voltajla
temsil edilen bir x uzunluğunu içerdiğini düşünelim. Yani x = U kullanıyoruz ve
benzerlik şebekesindeki 1 V un gerçek problemde 1 m yi temsil ettiğini
söylüyoruz. Genel olarak x ve u arasında bir skala faktörü gerekli olabilir fakat ko-
laylık olsun diye bire bir ilişki kullanılır.

R,

X -x
(voıı ) ( voli )

· (ol (b)

Şekil 10-29 (a) Toplayıcı yükseltecin bir-hatlı çizimi (voltajlar toprağa

göredir. (b) işaret değiştiricininbir hatlı çizimi.

Pratik bilgisayarlar genellikle potansiyometreler veya potlar olarak adlandırılan

sağlıklı on devirli potansiyel bölücüler kullanır. Bunlar O ile 1 arasında değişen
voltaj kesirlerini vermek için sağlıklı biçimde kurulabilirler. Kuşkusuz,sürgünün
değme noktası ile toprak arasındaki yük,sıhhatli bir voltaj bölümü elde_ etmek için
incelenmelidir. Tek-hat diyagramında bir potansiyometre için kullanılan sembol
Şek. 10-30b de gösterilmiştir.

259
 v1<>-o-----<@1-------<>o v0 = kv1

(b)

(ol
Şekil 10-30 (a) Voltaj bölücü veya "pot" (O< k < 1) ve (b) tek-hat diyag-
ramı (k =U 0/Uı_).

10 - 16
Bazı benzerlik bilgisayar şebekeleri

Bundan sonra tanımlanacak basit şebekeler, çözümleri çok iyi bilinen, diferansiyel
denklemlerin çözümlerinde kullanılan tekniklerin tanıtılmasına hizmet edeceklerdir.

a) Sönümsüz titreşici

Sönümsüz harmonik titreşiciyi temsil ettiği bilinen

d2 x
---+w2 x=O (10 - 62)
dt2
diferansiyel denklemini gözönüne alalım. örneğin, x 1bir kütlenin yerdeğiştirmesi
olabilir. Benzerlik bilgisayan şebekesini kurmak için ikinci türevi

d2 x
--.- = -w 2 'x (10 - 63)
dtZ
çözmek yararlı olur. Başlangıçta d 2 x/dt 2 voltajınasahip olduğumuzu varsayarsak,
x i elde etmek için iki kez integrasyon gerekecek1sonra (10 - 63) ün sağ tarafındaki
terimleri elde etmek için - w. 2 çarpı x i bulmalıyız. Şekil 10-31 deki şebekeyi
kurduğum1;1zu ve A noktasında bir dx 2 /dt 2 voltajına sahip olduğumuzu varsayalım.
O zaman RC = 1 olduğundan B noktasındaki 1 integratörünün çıkışı

dx
(10 - 64)
dt

verecektir. Benzer nedenlerden ötürü C noktasında + x V olacaktır. O zaman

potansiyometre takımından w 2 /10 geçiririz ve sonra kazancı 10 olan ters çevirici~

260
 sw
,----------er-:-..---------------~

Şekil 10-31 Sönümsüz titreşici için benzerlik bilgisayar şebekesi. Rs ler

Mn ve C ler µF cinsindendir.

3 yükselticisinden geçiririz. Böylece D noktasında ortaya çıkan voltaj -wxV olur.

Şimdi- SW anahtarının iki tarafı toprağa göre d 2 x/dt 2 ve - w 2 x voltajlarına sahip-
tir ve bunlar Denk. (10 - 61) e göre eşit olmalıdırlar. Eşit olmalarını garanti etmek
için geribesleme çevrimini kapasın diye SW anahtannı kaparız.
Eğer Şek. 10-31 deki devre kurulursa ve SW kapatılırsa, x ve dx/dt nin ilk
değerlerinin bir veya daha fazlası taklit edilmedikçe devrede hiç birşey olmaya-
cakt~r. Buna benzer kütle-yay probleminde, bu ya yerdeğiştirme ya da hız
yüzünden olan, sistemin ilk enerjisine karşılık gelir. (Sürücü kuvvet durumu daha
sonra incelenecektir.) Yerdeğiştirmenin t =Oda x (O) a eşit bir başlangıç değerine
sahip olduğunu düşünelim. Bu• Şek. 10-31 de C noktasında t = O da bir x( O)
voltajına sahip olmamız anlamındadır. Bundan ötürü c 2 sığacı t = O da x (O)
voltajına yüklenmelidir. Bazı pratik benzerlik bilgisayarlarında bu,Şek. 10-32 deki
devreye benzer bir devre ile başarılır. RL2 rölesi girişte integratörü yalıtır, RLl
değme rölesi S toplam noktasını ayarlanabilir doğru akım voltaj kaynağına birleş­
tirir. Anahtarlamadan sonra c 2 yüzünden doğan geçici etkiler yok olur, devre birim

R R

x(Ol l (O)
+ RL1 - +
------,ıı-----
Cz

V = >(Ü) volt
s
1 -

~
Şekil 10-32 Bir integratöre başlangıç koşullannı sağlayan basit şema.

261
kazançlı bir ters çevirici olarak davranır ve P noktasına bağlanan voltaj çıkış
ucunda +x (O) V olarak gözükür. Röleler çalışma durumuna anahtarlandığında
(kesikli çizgiler) integratör,Şek. 10-31 de olduğu gibi bilgisayar şebekesine· anah-
tarlanır ve t > O için çözüm başlar. Şekil 10-31 deki uçık gözlenirse, x(O) genlikli
ve w /2TT frekansı ile titreşen bir kosinüs dalga hareketi gözlenecektir. İvmeyi
veya hızı gözlemek istiyorsak şebekede sadece A ve B noktalanna bakmamız
gerekir.

b) Sabit sürücü kuvvetli sönümlü titreşici

Bu sistem

dx
+ B~ + w 2x = K (10 - 65)

diferansiyel denklemine uyacaktır. Burada K sürücü kuvvetle orantılıdır ve B sö-

nüm derecesini belirleyen sabit katsayıdır. En yüksek mertebeden türev için
çözersek

(10 - 66)

olur. d 2 x/dt 2 den -w 2 x teriminin nasıl oluşturulduğunu biliyoruz, Şek.10-31.

Buna göre iki ek terim oluşturmamız ve bir toplam yükselteci ile Denk.
(10 - 66) nın sağ tarafındaki üç terimi birleştirmemiz gerekir. Bunu başaran bir
şebeke,Şek. 10-33 de gösterilmiştir. Sönüm terimindeki doğru işareti elde etmek

C B

sw

Şekil 10-33 Sönümlü titreşici için benzerlik bilgisayar şebekesi. R ler Mn. ve
C ler µF cinsindendir.

262
için bir işaret değiştirici (yükselteç 4) gerekir. Yükselteç 3, girişe sağlanan üç te-
rimi toplama işlemini yapar. SW anahtarı kapatıldığında (sığaçlardaki başlangıç
yüklerini sıfır varsayıyoruz) ansızın uygulanan sabit bir kuvvet için çözüm elde
ederiz. Yerdeğiştirme A noktasında, hız B de ve ivme de C de ı:özlenir.
Şekil 10-31 ve 10-33 deki şebekelerin, potansiyometre kullanarak w 2 vef:3
nın değerlerini O dan 10 a kadar değiştirme sınırlan vardır. Bu bölgeyi truyütmek
için yükseltecin geribesleme direncinin giriş direncine oranını değiştirebiliriz.
Denklem (10 - 65) in analitik çözümlerinin sönümlü titreşici bölgesine
götürdüğünü ve aşırı sönüm bölgesinin kritik bir tepkiyle ayrıldığını hatırlamalı­
yız. Kritik cevap (:3 = 2w olduğu zaman ortaya çıkar, buna göre bu değerden
daha küçük f3 sönümlü titreşme koşulunu oluşturacaktır. Benzerlik bilgisayarının
istenen özelliklerinden biri, gözleyicinin S ve w gibi problemin katsayılarını
değiştirebilmesi ve bir değerler bölgesi için çözümün gözlenmesidir.' Böylece
değişikliklerin etkilerinin ne olduğu hemen hissedilebilir. Daha karmaşık veya
lineer olmayan problemlerde bunu analitik yöntemlerle elde etmek zordur.

10 - 17
Ek bilgisayar elemanları ve
teknikleri

Bazan bir problemi çözmek için gerekli yükselteçlerin sayısı toplayıcı-integratör

bağıntıları kullanılarak, Şek. 10-34, azaltılır. Devre, daha önce yaptığımız gibi S
noktasındaki akımları- toplayarak çözümlenebilir ve

U = ___ı_ ftu dt l ft dt l ft dt (0) (10-67)

o R1C o 1 - R2C o U2 - R3C o U3 + Uo

bulunur. örneğin, sönümlü titreşici sadece üç yükselteç kullanılarak kurulabilir

(Alıştırma 10 - 27).
C
R,
v,
R2
Vo
vz s
R3

Şekil 10 - 34 Birleştirilmiş toplayıcı ve integratör.

Buraya kadar sözü edilen bilgisayar elemanlarının hepsi doğrusal doğadaydı.
Benzerlik bilgisayarlarının yararlı özelliklerinden biri doğrusal olmayan bağıntılara

263
sahip denklemleri çözümleme yeteneğidir. Fonksiyon üreteci bu uygulamalara
bir yardımcıdır. Bunlann çeşitli biçimleri geliştirilmiştir, fakat biz sadece Şek.
10 . 35a ile içerilen ilkeleri inceleyeceğiz. Çıkış, istenilen fonksiyonel ilişki ile
girişe bağlıdır.
Bazı problemlerde iki değişkenin çarpımı gözükür, böyle bir durumda çar~
pıp çoğaltan devreler gerekir, Şek. 10 • 35b. Bir çok araştırma sonucu doğru,
kararlı çoğaltıcılar geliştirilmiştir. Bunlann kullanılması çözülebilir denklemler
bölgesini artırmıştır. örneğin, titreşimlerin doğrusal olmayan teorisi için van der
Pol denkleminin

de 2 de
-a clt + ae d t + e =O (10 - 68)

çözümü ae 2 (de/dt) teriminin oluşturulmasını gerektirir. Bu, e 2 yi oluşturmak için

bir fonksiyon üretici ae 2 (de/dt) yi oluşturmak için bir çarpıcı ve sabit katsayı ayı
verecek bir kazanç ayarı ile yapılabilir.
Bilgisayarlar genel olarak iki tiptir Ve bir bilgisayar iki sınıfta çalı~masına
rağmen ayırdedilebilir. Birisi çözümün l:ıir kaç sn den bir dakikaya kadar periyod
-üzerinden planını çizen, yavaş-hızlı bilgisayardır. Bunlarda, çözümü kaydetmek
için,yavaş hızlı bir :rnydedici kullanılabilir ve röleler bilgisayar fonksiyonlarını
kontrol edeollirler.
Yüksek-hızlı bilgisayarlarda çözüm,saniyede 20 den 60 a kadar tekrarlanabilir

. ve sonuç bir katod ışınlı tüpün ekranında gözlenir. Giriş fonksiyonu elektronik
dalga-biçimleyici devrelerle sağlanır. Bu tip bilgisayarlar, çözümdeki etkiler aynı
anda gözlenirken problemin elemanlarını sürekli değiştirilme ııvantajına sahiptirler,
fakat ulaşılan doğruluk yavaş-hızlı tip'ten daha azdır.
Bilgisayar fonksiyonlarının kontrolü,yavaş-hızlı tipteki anahtarlar ve röleler
tarafından gerçekleştirilir. Kontrol anahtarları, Yeniden-Kurma, İşletme ve Tutma
olarak etiketlenmiş durumlara sahiptir. Yeniden-Kurma durumunda integratör rö-
le temasları giriş koşulunu sağlar, Şek. 10-32. işleme durumunda bilgisayar şebe•
kesi kurulur ve çözüm yapıhr. Tutma durumunda röleler integratörü yalıtacak fa.
kat sığaçlann bağlantılarını muhafaza edecek biçimde çah~ırlar. Böylec~ özel bir
anda ortaya çıkan değerler saklanır ve daha sonra kontrol edilebililirler.

e
~~ksiyone 2 , f(e 1l
0
ureteci 1

l ol ( b)

Şekil 10 - 35 Tek • hat diyagrjimlan (a) fonksiyon üreteci (b) çoğaltıcı.

264
 Bazıbilgisayarlar problemin çözüm bölgesini artıran tekrar işlemini yapabi-
lirler. Bir benzerlik bilgisayarını genelde mantık devreleriyle bir sayısal bilgisayara
birleştirebiliriz. Melez bilgisayar olarak adlandırılan bu sistem,iki tip bilgisayardan
daha iyi özellikler gösterir.
Benzerlik bilgisayarlarının özellikle kullanıldığı alanlar güdümlü mekanik
kurgular, çekirdek reaktörleri, uçak ve roket problemlerinin kararlılık ve kontrolü-
nü içerir. Bunlara ek olarak benzerlik bilgisayar elemanlarının süreç kontrollerinde
ve alet sistemlerinde yararlı uygulamaları vardır.

KAYNAKLAR
10 - 1 J. G. Graeme, G.E. Tobey, and L.P. Huelsınan, eds., Operational Aınp­
lifiers: Uesign and Appiications, McGraw-Hill Book Company New York,
1971.
10 - 2 R. Morrison, DC Amplifiers in Instrumentation, Wiley-lnterscience, New
York, 1970.
lU - 3 Appiication Manual for Operational Amplifiers for Modeling, Measuring,
Manipuiating, ete., 2d ed., Philbrick (George A.) Researches, Inc., Ded-
ham, Mass., 1968.
10 - 4 K. N. Dodd,AnalougeCompusers,English UniversityPress, London, 1969.
10 - 5 A. Hausner, Analog and Analog/hybrid Computer Programming, Prentice-
Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1971.
10 - 6 G. A. Kom and T.M. Kom, Electronic Analog and Hybrid Computers,
2d ed., McGraw-Hill Book Company, New York, 1972.
10 . 7 Liııear lntegrated <.:ircuits, Technical Series IC-42, RCA(Solid State
Division). Somerville, N.J., 1970.

ALIŞTIRMALAK

10 -1 Şekil 10sl de Q1 = Q 2 = 2N6177 (Ek B) 25°C de çalıştırılıyor. Aynca

V + = V_ = 30 V, R= 3 kn, ve 10 10 mA e ayarlanmıştır. Eğer v 1 = v 2 =Oaı
I 8 , le, IBE ve VCE nin değerleri nedir'!
10- 2 (a) Şekil 8 • 27 deki yükselteç için bir artırımlı devre modeli çiziniz,
½ nin bir sinüs dalga olduğunu, Cb nin bir a.a. kısa devre gibi davrandığını ve
transistörün rlT ve gm ile belirlendiğini varsayınız.
(b) (a) şıkkındaki modeli inceleyerek

265
olduğunu gösteriniz. (c) Rs = 0,5 kn, RL =. Re = 1 kn, gm = 0,19 mho ve
r1r = 630 n değerleri için V 0 /V s oranını hesaplayınız.
10 - 3 (a) Şekil 10-1 deki Q1 ve Q2 transistörleri rTTl, gml ve rn 2, gm 2 ile model-
lenmişse artınmlı çıkış voltajlannın.

ve

R 1 ( .
Uo2 = gm2 -G ( - - + gmı> U1 - U2J
rnl
ile verildiğini gösteriniz. Burada G= (1/rnl) T (1/rn~) + gml + gm 2 dir. {b)
R=l,0 kn, r1Tl = 1,2 kn, gml = 0,10 ~ho, r1T2 = 1,3 ks,, ve gm 2 = 0,08 mho
için, kazanç oranlanu 01 / (u1 -U:ı) ve u02 t(u1 -U:ı) değerlerini bulunuz.
1O- 4 Şekil 10-36 daki diferansiyel yükselteç 40 dB lik bir diferansiyel mod
kazancına ve 80 dB lik bor OMRO a sahiptir. Us= 0,01 sin wst ve gürültü voltajı
un=2,0 sin wnt V dur. (a) R = O ve Rgir ..... 00 olduğunda ani voltaj u 01 nedir'?
(b) Rn = 200 kn ve Rgir = 400 kn için u01 nedir'!

,---------ı-~1

+~ Rgir
v, ~
Rgir
ı:...----.ı-o2

Şekil 10 · 36

10 - 5 Denklem (10 - 19) u doğrulamak için artırımlı devre modelini oluşturu­

nuz ve devre çözümlemesini yapınız.
10- 6- Şekil 10-9 daki yükseltecin R = 2 kn, RE= 1 kn, rn= 1,0 kn ve /3= 100
değişkenlerine sahip olduğunu varsayınız. u 1 ve u 2 nin fonksiyonu olarak (a) bir
yaklaşık formül kullanarak, (b) bir tam ifade kullanaraku 01 i bulunuz.

10 - 7 Denklem (10-26) elde etmek için gerekli çözümlemeyi yapınız.

10- 8 Denklem (10-29) elde etmek için ayrmtılı çözümleme yapınız.
10 - 9 · (a) Denklem (10-29) ve (10-31) e dayanan tek-taraflı artırımlı voitaj
kazancı dV 01 /dV 1 in

dVOl exp [ (V 2 - V 1)/VT J

dV,

olduğunu gösteıiniz. (b) V 2 -V 1 = O olduğunda kazancı hesaplamak için Kes.10-7

266
deki örnekte verilen sayısal değerleri kullanınız. Bu sonucu örnekteki ile karşılaş­
tırınız.

10-10 Şekil 10-14 deki sistemde R 1 = 200 kn, c 1 = 0,2 ı.ıF, R 2 = 500 k,n, yük-
seltecin a. a. kazancı 4000, giriş direnci 2 Mn ve çıkış impedansımn ihmal edilebi-
lir olduğunu varsayınız. Kesme frekansı 60 Hz dir. (a) R 3 ve c 3 için değerler
seçiniz. (b) eçık = 10 V oluşturmak için gerekli olan bir alçak impedans d. a.
sinyal voltaj kaynağının sağladığı es değerini hesaplayınız. ( c) Eğer R 3 ve c 3
(a) şıkkında seçilen değerlere eşitse {b) şıkkındaki koşullar altında çıkış voltajı­
nın 60 Hz lik bileşeninin değerini hesaplayınız.
10-1 l Şekil 10-16 daki sistem için R c =0,01 sn R 2c 2 = 20 sn zaman sabitler!ni
1 1
kullanarak desibel olarak voltaj kazancını frekansın logaritmasına karşı çiziniz.
Frekanstan bağımsız değeri 1000 olan bir a. a. yükselteç ve 300 Hz lik bir üst
kesilme frekanslı kazancı A1 = Z0,000 olan bir yükselteç varsayınız.
10-12 (a) Şekil 10-24 deki birim kazançlı voltaj izleyici devrede 3,işlemsel yük-
seltecin:, (Tablo 10-1 ve 10-2 ) kullanıldığını varsayınız. Giriş sinyal voltajı 2 sin
wt ise çevirme oranı tablosuna dayanan mak. izinli w nedir? Bu sonucu,belirtilen
bandgenişli~i ile karşılaştınnız. (b) Şekil 10-21a daki devre için R 1 cc' 20 kn
Rr=200 kn ve giriş voltajı 0,4 sin wt olduğunu varsayarak (a) şıkkındakileri yeni-
den hesaplayınız.
10-13 İşlemsel yükselteç 3 ün (Tablo 10-1 ve 10-2) Şek. 10-24 deki birim
kazançlı voltaj izleyicide 8 ı,ısn lik bir periyotla sahip tepeden tepeye 4 V luk bir
kare dalga girişiyle kullanıldığını varsayınız. Çıkış dalgabiçiı:ılerini çiziniz.
10-14 c in Şek. 10-20 deki devrede alt bağlantının Q 17 nin tabanı yerine V_ ye
1
gittiğindeki c sığacından neden çok daha küçük bir değere sahip olacağını açık­
1
layınız.
10-15 Şekil 10-2lb de verilen açık çevrim kazançlı yükseltece sahip Şek. 10-21a
daki işlemsel yükselteci gözönüne alınız. lOA Hz de A nın değeri - 100/-90° <lir
ve I A 1,
-20 dB/onluk bölgede değişmektedir. Zd __,. 00 ve Rr/Rı = 100 dür.
V
Kapalı - çe-vrinı kazancı·-v0-: (a) f= 10 4 Hz de ve (b) f =- 5x10 3 Hz de tam olar.
s
nedir?
10-16 ~ekil 1U-21a daki ters çevirici yükselteci gözönüne alınız ve A yükselteci-
nin bir Z çıkış impe~ansına sahip olduğunu varsayınız: Zd __, 00 olduğunda V0
0
ucunda çıkış impedansının

ile verildiğini gösteriniz. A başat olduğunda, bunun yaklaşık biçimi geçerlidir.

l 0-17 Çoğu işlemsel yükselteç !erde girişlere gelen iki besleme akımı yaklaşık

267
eşittir. Şekil 10-21a daki X noktasına R1 11 Rr değerinde bir direnç yerleştinne­
nin, besleme akımlan yüzünden çıkış voltajındaki hata üzerine etkisini tartışınız. Z 0
= O olduğunu varsayınız.
10-18 Şekil 10-29 daki toplama yükseltecini 6özönüne alınız fakat, R 1 = R 2 =
R 3 = O olsun.

olduğunu gösteriniz. Bu yükselteç, ömeğin.,iki veya daha fazla dönüştürücüden

gelen akımlann toplamını elde etmekte kullanılabilir. Alternatif olarak burada
besleme akımına karşı bir akım verilebilir. R 1 = R 2 = R 3 = O olması gerekli midir?
10-19 Şekil 10-37 bir us voliajını i 1 akımına ve sonra değişken ZL impedansın­
da1 İL yükseltilmiş akımına çeviren bir şebekeyi gösteriyor. Genel varsayımlan
kullanarak İL = ( us/R 1) (1 + (Rf/ R 2) J olduğunu gösteriniz. Akım yükseltilme-
sine göre dirençlerin seçiminde gözönünde bulundurulan noktalan tartışınız.
10-20 Şekil 10-26 daki basit türevleyiciyi gözönüne alınız. (a) A işlemsel yüksel-
tecinin ideal olduğunu varsayarak I V 0 /V ~ kazanç büyüklüğü için Bode tipi
eğriyi çiziniz. (b) Eğer işlemsel yükselteç 1 Şek. 10-2lb deki açık-çevrim kazancına
sahipse, bu eğri nasıl değişecektir? ·

Şekil 10 · 37
10-21 Şekil 10-25 de R 1 = 500 kn, Cf = 2 µF ve yükselteç kazancı - 00 olsun.
t = O da u 1 = 2 exp ( - 0,1 t) voltajı uygulandığ~nı varsayınız. u 0 (O) = O ise t ye
göre u 0 ı çiziniz. Yükseltecin çalışma bölgesi ± 15 V ise, yükselteç ne zaman
doyuma ulaşacaktır?
10-22 Şekil 10-38 deki devreyi gözönüne alınız. t = O a kadaru 0 (0) ~ O ve u 1
ve u 2 sıfır olsun ve sonra uı = 4 sin St ve u 2 = 5exp (- 5t) olarak alınız. (a) u 0
(t) yi bulunuz. (b) t = 0,1 sn deu 0 nedir? ·

10-23 Aşağıdaki diferansiyel denklemi çözmek için bir benzerlik bilgisayan

çiziniz. Başlangıç değerlerinin tümünün sıfır olduğunu ve sağ tarafta t = O anında
bir basamak fonksiyonu uygulandığını varsayınız.

268
 200 ~n
F--
500 •il ~Kazanç ' -ro

Şekil 10 - 38

d3 y d2 dy
- - + 4--y- + 2-dt + 3y = 10
dt 3 dt 2

10-24 Şekil
10-39 daki devrenin çözdüğü diferansiyel denklem nedir? Devre
değerleri megaohm ve mikrofarad cinsindendir. Tüm başlangıç değerleri sıfırdır.
Yol gösterme : P noktasındaki voltajın d 2 x/ dt 2 yi temsil ettiğini varsayınız.

0-

Şekil 10 - 39

10-25 10-40 da u2 ve u1 ile ilgili çeşitli işlemsel aktarım fonksiyonları

Şekil
z1 ve z2 için R ve C nin bileşimleri kullanılarak veya R ve C nin şebekeleri ile
oluşturulmuştur. (a) Zf değeri R ve C nin bir parelel bileşiminden oluşmuş
ve z 1 = R 1 olsun. Aktarım fonksiyonunu bulunuz. (b) Zr nin, parelel durumdaki
R ve C den ve z 1 in, paralel durumdaki R 1 ve c 1 den oluştuğu durum için
problemi tekrarlayınız.

vz

Şekil 10 - 40

10-26 Denklem (10-68) in çözümü için bir benzerlik bilgisayarının ııematik di-
yagramını çiziniz.
10-27 (d 2 x/dt 2 ) + µ (dx/dt) +w 2 ~=O denklemin çözümü için Şek. 10 -33
dekine benzer olarak fakat sadece üç yükselteçli bir benzerlik bilgisayarı kurunuz.

269
 ıı
Güç Yükselticileri

il - 1
Giri~

Bu bölümde dikkate değer çıkış gücü geliştiren,yani birkaç wattan yüzlerce

wata kadar yükseltebilen, yükselticiler üzerinde durulacaktır. Böyle yükselticilere
alçak frekans sistemlerinin çıkış. katlarında, radyo vericilerinde, güdümlü sistem-
lerde, röle ve bobin besleyicilerinde gerek duyulabilir.
Transistörler, silikon-kontrollu doğrultucular, vakum ve gaz tüpleri, mağne­
tik yükselticiler ve dönen elektromağnetik makineler dahil olmak üzere güç
yükselticileri olarak kullanılırlar. Güç yükselticileri uygulamalannda önemli fak-
törler : 1) maksimum çıkış gücü, 2) verimlilik, 3) cevap hızı (veya frekans
aralığı), 4) <,:ıkış dalgasındaki bozulma, 5) ~·ıkış gücünün giriş voltcıjı veya akımına
oranı olarak tanımlanan güç duyarlılığı, 6) güç kazancı olarak sayılabilir.
Transistör yükselticilerinde bu faktörlerin bit kısmı gözönüne alınacak, anahtar
olarak çalışan transistör ve kontrollu doğrultucular tanımlanacaktır.
Transistör yükseltici katları Böl. 8-2 de girişteki sinüs ualgası üzerinde
toplayıcı akım _dalgasının süresine göre A, AB, B ve C olarak sınıflandınlmıştı-r.
A sınıfında akım, bütün 360 ° lik giriş dalgası için sıfırın üzerinde kalmaktadır.
B sınıfında akım, Şek: 11- la da gösterildiği gıbi yaklaşık olarak 180° lik süreli
puls şeklinde akar. Böylece Q noktası kesilirne karşılık gelen b11sleme noktası ya-
kınındadır. AB sınıfında akını, 180° dPn fazla fakat 360° den az geçmektedir.
C sınıfı için Q noktası kesilim noktasının arkasına yerleşmiştir, Şek. 11-lb, ve
bundan ötürü akım 180° den az geçmektedir.

J
rl'
u,'

(ol (b)
Şekil 11 - 1 Q - noktası, sinyal dalgası ve çıkış akım dalgasının a) B sınıfı
çalışma, l>)
C sınıfı çalışma için durumlan.

270
 A sınıfı genellikle güç düzeyi düşük olan voltaj yükseltici katlarda kullanılır.
Yüksek kaliteli ses yüksel1.icilerinin çıkış katında AB sınıfı kullanılır. B sınıfı kat-
lan, ses ve yüksek frekans .yükselticilerinde çıkış katlan olarak l.\ullanılır. C sınıfı
genellikle1 yükü akordlu devrelerde kullanılır ve seçici yükselticilerde, modülatörler-
de ve titreşkenlerde bulunur.

11-2
A sınıfı güç yükselteci

Bizi A sınıfıyükselticilerinde esas ilgilendiren kısım, güç çıkışı ve toplayıcı

devre verimliliğidir. Maksimum güç çıkışı elde etmek için çıkışta büyük voltaj ve
büyük akım salınımları birleşimine, sonuç olarak mümkün olduğu kadar büyük d. a.
besleme voltajına ve giriş sinyaline ihtiyacımız vardır. Biz öncelikle büyük-sinyalli
sinüs-dalga davranışını tartışacağız. Fakat aynı durum büyük-sinyal pulslarına da
uygulanır. Şimdilik dalga bozulmasını gözönüne almayacağız. Her nekadar mak-
simum çıkış koşullarında çalıştırma, transistörün ısınmasına bağlı ise de konunun
bu yönü ihmal edilecektir.
Eğer aktif olmayan yüke sahipsek grafik çözümleme uygulanabilir. özellikle,
çıkışı ideal transformatörle yüke bağlanan transistör yükselticisini gözönüne
alacağız. Şekil 11-2 bir özel a. a. yük çizgisini göstermektedir ve Q noktası d. a.
besleme voltajı V CC ve taban besl_eme akımı vasıtasıyla belirlenir. öncelikle sinyal
güç çıkışı ve toplayıcı-devre verimliliğine ait yaklaşık formüller elde edeceğiz.
Toplayıcı akımının sinüs dalgası biçiminde olduğunu ve vcmak ile sıfır arasında
değiştiğini varsayacağız. Uygulamada mevcut olabilen bozulma ihmal edilirse,

Vcc vc:mak
Şekil 11-2 Transistöriin grafiksel analizi.

voltajdaki ucmak ile ucmin arasındaki değişme de sinüzoidaldir. ucmak değeri,

transistörün kınlma voltajına, BV CE• çok fazla yaklaşılmayacak biçimde seçilme-
. fazla bozulmayı önlemek için, S noktasında olduğu
lidir · Minimum voltaJ·, uc mın,

271
gibi, çalışma noktasının doyma noktasına mümkün olduğu kadar yakın olarak
belirlenir. Aynca yük çizgisi,aletin güç harcama limit eğrisinin üstündeki bölgeye
doğru geçmemelidir.
Ortalama güç çıkışını hesaplamak için a. a. bileşenlerinin yani ic ve uc
nin kok değerlerine ihtiyaç vardır. ic nin ortalama kok değeri
icmak
I (11 - 1)
c=2V2"
veuc nin ortalama kok değeri

V _ Ucmak -Ucmin
(11 - 2)
C - 2T2
dir. Yük, dirençli olduğundan güç,
icmak (Ucmak -UCmin)
p çık = Vc1c = 8
(11 - 3)

olur. Bu formülün basit geometrik açıklaması şöyledir. Güç,alternatif akım yük

çizgisi ile voltaj ekseni arasındaki alanın dörtte birine eşittir.
Verimliliği hesaplamak için girişte doğru akım gücüne ihtiyacımız vardır. Bu
da kabulümüze göre
icmak
p d. a. = V cc1c = V CC 2 (11 - 4)

dir ve buna göre verim

p çık
7) = 11- 5)
Pd.a.

dir. öte yandan V CC = (Ucmak +u Cmini 2 olduğundan (11-5) bağıntısı

1 Ucmak -UCmin
(11 - 6)
7J = 2 UCmak + u Cmin

biçiminde yazılabilir. Mümkün olan maksimum 7J değeri nedir? Ucmin un sıfır

olmasına izin verirsek 7J = 0,50 elde ederiz veya daha gerçek değer olarak uCınin
= 0,2 Ucmak dersek rı = 0,32 olur. Buna göre A sınıfı çıkış katlan düşük verimlidir.
Maksimum güç elde etmek için uCmak seçimi ve uCmin sınırlamasını
. belirttik. RL ve Q noktası seçimi nasıldır? Voltaj aralığı hemen hemen sabit
olduğundan a. a. yük çizgisinin aletin kayıp egrisine ulaşıncaya karlar yukan
doğru salınmasına müsaade edebiliriz. O zaman alet içinde eklem sıcaklığı veya
transistörden ısı kaçışı gibi sıcaklık koşullan sınırlayıcı faktör halini alır.

272
 Diğer bir sınırlama ikinci kırdma olayı olarak isimlendirilir. Bu, transistörün
içinde küçük bölgede ısınma ve akım konsantrasyonun sonucu olarak yüksek
güçte çalışma durumunda transistörün görevini yapmamasına götürür. Yüksek
toplayıcı voltajlarında ikinci kınlma olayı,normal toplayıcı akımını, güç harcama
sınır değeri olarak yazılan değerden aşağıya düşürür. Genellikle transistörün kartı

güvenli kullanım için akım ve voltaj bölgelerini belirtir.

11 - 3
Çıkış dalgasında hamıonik bozulma

Çalışma aralığı transistör belirtgenlerinin lineer olmayan bölgesi üzerine uzanan

güç yükselticilerinin çıkışlarında dalganın bozulması mümkündür. O zaman çıkış
dalgası temel frekans bileşenine ek olarak sinyal frekansının harmoııiklerine de
sahiptir denir.
Harmonik temel ve ikinci harmonik bileşenlerinin çözümlenmesi ile ilgili
bir yöntem vereceğiz. Yükseltici ye gelen sinyal voltajının Em cos w t şeklinde
olduğunu ve toplayıcı akımını elde edebileceğimizi kabul ediyoruz. Şekil ll-3a

daki bozulmuş dalgayı,incelememize temel olarak alacağız.

Periyodik dalgalar için çok sık-kullanılan t Fourier çözümlemesini akım
dalgasına da uygulamak yararlıdır. Fonksiyonu temsil etmek için genel olarak
sabit terimle iki sonsuz seri oluşturan sinüs ve kosinüs terimlerinin toplanması
gereklidir.

1T
wt o '7r wt 27T
(ol ( b)

Şekil 11 - 3 Bozulmuş dalganın çözümlenmesi

Bununla birlikte ~ek. ll-3a daki dalga orijine göre simetrik olduğundan çift
fonksiyondur, yani f ( wt) = f (- w t) dir ve bundan ötürü aşağıda olduğu gibi sade-
ce sabit terim ve kosinüs serisinin terimleri yeterlidir :

i = IQ + B0 + B1 cos wt + B2 cos 2 wt + ... (11- 7)

t Kitabın arkasındaki ek O ye bakınız.

273
Burada sabit terim lQ + Bo şeklinde yazılmıştır ve IQ durı,'lln nokta akımıdır.
Genel olarak söylenirse., harmonik frekans arttıkça kosinüs terimlerinin genlikleri
azalır.
İkinci
harmonik bileşenin neden olduğu bozulma miktarı istenirse, ikinci
harmonik bozulma teriminin tanımı

(11 - 8)

kullanışlıdır.
Bazen bütün harmoniklerin etkisini belirtmek için toplam bozulma faktörü,
D, gerekir. Bunun tanımı
1
1 2 2 2 /,
D =. 8ı (B 2 + B3 + B4 + ... > (11 - 9)

biçimindedir. D 2 büyüklüğü bütün harmoniklerin toplam gücünün temel frekans

gücüne oranıdır.
Eğer bilinen dalganın ikiden fazla harmonikleri istenmemişse sadece B , B
0 1
ve B 2 yi bulmamız yeterlidir. Bu amaç için dalga üzerinde üç nokta bulmamız
gerekir. Bilinen akım değerlerini wt = O da i = Imak• wt = TT/2 de i = IQ ve
wt = 1T de i = Imin•Şek. 11-3a, kullanalım. Bu değerlerin herbirini Denk. 11-7 de
yerine koyar ve B 2 cos 2wt den daha yüksek frekanslı terimleri ihmal edersek

(11 -10)

sonuc·unu elde ederiz. Bu denklemleri Bo, Bı ve B2 ye göre çözersek

1mak- 1min
Bı= 2 (11- 11)

ve

(11 - 12)

sonuçlarını buluruz. Böylece temel dalganın genliği B1, akımın tepeden-tepeye

salınımının yarısıdır.
Dikkat edilecek diğer bir nokta ikinci harmoniğin genliğinin,
sinyalin uygulanması nedeniyle doğ.ru akımdaki Bo değişmesine eşit oluşudur.
Şekil 11 - 3b, şeklin (a) kısmındaki dalganın oldukça bozulmuş halinin

274
 analizinin sonucu olan dalga bileşenlerini göstermektedir. l"ygun olması bakımın­
dan temel ve ikinci hormonik bileşenleri IQ - Bo ordinat üzerine çizllmiştir.
Noktalı eğri, bileşenlerin toplamını temsil edrr ve bu esas dalga ile karşılaştırılabilir.
Bu ornekte D2 nin değen U.20 dir ve bir çok uygulama için bu değer oldukça
fazladır.

· Biraz önceki örnek. ikincı harmoniği de içeren çözümlemede bir tarafı

0

düzleşmiş öteki tarafı ise sivrileşmış olan dalganın gösterilmesinde oldukça yeter-
siz olduğunu göstermektedir. Eğer iki yarım taraf da düzleşmiş (veya sivrileşmiş)
ise üçüncü hannonik önem kazanmakta ve B 3 ve B4 ü veren çözümleme gerekli
olmaktadır.

11 -4
Dengelenmiş yükseltici: B sınıfı çalışma

a) Dengelenmiş bağlantı

Şekil 11-4 dengelenmiş giriş ve dengelenmiş çıkış bağlantılarını kullanan

transistör yükselt.icisini göstennektedir. Eğer şimdilik R 1 , R 2 ve Re besleme şe­
beke dirençlerini yok sayarsak, iki tabanı besleyen sinyal voltajlarının eşit fakat
180° faz dışı olduğunu görürüz. önce A sınıfı çalışma varsayalım. O zaman top-
layıcı akım--icl artarken ic azalır fakat bu iki değişmenin yük akımında oluştur­
2
duğu etki aynı yönlüdür. Sonuç olarak çıkış transfonnatörü içindeki mağnetik

çiftlenme, sarım oranı ile (- icl + ic 2> büyüklüğü çarpımına eşit olan İL yük akı­
mını oluşturur. icl• İcl in değişken kısmıdır. Böylece sarım oranı faktörü dışında,
iki transistör (biri ten çevrilmiş) yüke akım sağlarken adeta paralelmiş gibi davra-
nır.

Yük akım dalgasındaki banılma üzerine inceleme, iki toplayıcı akım dalga-
f.lanndakl b9"Lulmalann _bir kısmının birbirini karşıladığını göstennektedir. Çıkışta
iki toplayıcı akım dalgasının çift harmonikleri birbirini yok eder fakat tek hanno-
nikler ise birbirini kuvvetlendirir. örneğin, icl de ikinci hannonik bileşen cos 2 wt
şeklinde değişsin. O zaman, tam simetrik olduğu kabul edilen ic içindeki ikinci
2
harmonik cos (2wt + 360°) şeklinde değişir, çünkü ic 2 nin icl e göre 180° lik faz
yerdeğiştinnesi ikinci harmonik frekansında 360° olur. Böylece bu iki terim (-icl
+ ic 2 ) ifadesinde yerine konursa (ki bu)fade İL ile orantılıdır) birbirini tamamen
yok ederler. Aynı nedenler, çıkışta tek harmoniklerin birbiri ile tqplanacağmı
fakat büyüklüklerinin temel harmonikle kıyaslanınca adeta tek-yanlı yükselticinin
aynı olduğunu gösterir. Böylece çift harmoniklerin yok edilmesi qıkışta oldukça
geliştirilmiş dalgabiçiminin elde edilmesini sağlar.

275
 İcı

·• •
,v---------ılıt--...---.-­
vcc

Rz
Şekil 11 • ~ Dengelenmiş yükseltici devresi.

b) B sınıfı transistör katı, çapraz bozulma; verim

İdeal olarak her transistörde toplayıcı akım dalgalan, yarım sinüs dalgası
olmalı yani 180° de iletkenlik vermelidir. Eğer B sınıfı katlan O V ta beslenmiş
ise lineer olmayan giriş belirtgeni önemli ölçüde bozulmaya neden olur. Transistör
1 ve 2 için çizilen voltaj-akım aktarım belirtgeni Şek. 11-5a nın birinci ve üçüncü
bölgelerinde görülmektedir. O zaman sinüs dalga bir sinyal, Şek. 11:-5b deki bozui-
muş dalgayı verir. Şekil 11-5c de ise her iki transistörün beslenmesini kaydırarak
· kesişme. noktasındaki bozulmayı yok etme yöntemi ile belirtgenlerinin lineer
kısımlaı:ının aynı doğrultuya getirilme şeması gösterilmiştir. Her iki transistör pe-
riyodun belli bir kısmında aynı anda iletirler. Bunların bileşik etkisi icı -ic 2
ile orantılıdır ve orijinde hemen hemen lineer olan noktalı çizgi ile gösterilmekte-
dir. Sonuç olarak kesişme noktasındaki bozulma etkisi tamamen yok edilmiş olur.

tol (bl (el

Şekil 11-5 (a), (b) Kesişme noktasında bozulma (c) Kesişme noktasındaki
bozulmayı yok etmek için beslemenin kaydınlması.

276
 Şekil 11-4 de gerekli besleme şeması gösterilmiştir. R 1 in uçlarındaki voltaj,
belirtgenleri yönlendirmek için gerekli ileri beslemeyi sağlar. Re dirençleri ise
beslemede kararlılığı sağlamuk için eklenmişlerdir.
Güç çıkışı ve verimi toplayıcı akımlannın yarım sinüs dalgası, yük voltajının
sinüs dalgası ve transformatörün ideal olması gibi basitleştirici kabuller yapılarak
hesaplanabilir. Aynca toplayıcılarda sinüs voltajının tep~si VCC olarak alındığında
yükteki ortalama sinyal gücü 1mVcc/2 olarak bulunur, burada im toplayıcı
akımının tepe değeridir. VCC tarafından gönderilen ortalama doğru akım gücü

(2/TT) im VCC dir. Buradan maksimum verim TT /4 veyaO, 78 olarak bulunur. Böy-
lece maksimum verim B sınıfı çıkış katlarında yüzde 78 dir ve bu değer A smıfı
yükselticiden daha büyüktür.

c) Tamamlamalı simetrili it-çek devresi

İt-çek , transistör yükselticilerin çalışmasını, vakum tüplü yükselticilerde

karşılığı olmayan devreyi gözönüne alarak sonuçlandıracağız. Bu devrede, Şek.
11-6, görüldüğü gibi belirtgenleri uyan fakat biri npn ve diğeri pnp olan bir çift
transistör kullanılmaktadı.r. Bunuri sonucu olarak tabanları paralel sürülünce
yanm periyotta transistörlerden biri, öteki yarım periyotta diğeri aktif durumda
olur. Bu iki transistörün çıkışı da paraleldir böylece yük, artlarda yarı dönüleri
zıt yönlerde taşır. Bu devreye tamamlayıcı simetrili devre denir. Giriş ve çıkıştaki
transformatörlerin kaldırılması devrenin daha ucuza mal olmasını sağlamış olur. 1

Eğer giriş uçlarından biri ve üretecin uçlanndan biri topraklanırsa, aşağıda

gösterilen toplayıcısı topraklı devre kullanılabilir.

~ '(ü\<.

Şekil 11-6 Tamamlayıcı simetrilinin uygulamasını açıklayan yükselteç.

277
 11 - S
Melez güç yükselteciler

Birçok gerçek topludevre güç yükselticileri, ısınma nedeniyle 1 W ın kesirlerine

sınırlandırılmıştır. Fakat TD yükselticisi, genellikle bir çift B sınıfı güç transistörü
kullanarak çıkış katlarını sürer ve böylece daha ekonomik güç yükselticisi oluş­
turur.
Diğer bir yaklaşım, voltaj kazanç kısmı ile çıkış kısmını melez denilen
yapıyı kullanarak bir kutu halinde birleştirmektir. örnek olarak MC 1524 tipinde
Motorola yükselticisini kullanacağız. Bu yükseltici T0-5 kutusu (yaklaşık 8 mm
çapında ve 4,5 mm yüksekliğinde) içine yerleştirilmiş olmasına rağmen gücü 1 W
tır. Şekil 11•7 deki devre çizimi MC1524 ün doğru akım yükselteci gibi bağlanma­
sını göstermektedir. Giriş katının A sınıfı çalışan Q
1 ve Q2 , yayınlayıcıları
kuplajlı transistör çiftinden oluştuğunu görüyoruz. Bu, Q
3 katına bağlı ortak
t;.J;ıanlıyı sürer o da, Q ve Q nın tabanını çalıştınr. Q transistörü ve D diyotlu
5 6 4 3
Q 3 ün toplayıcısına D 2 üzerinden sabit akım yükü sağlar ve bu şebeke Q 5 ve Q 6
nın beslenme voltajlarını ayarlayarak bu transistörleri B sınıfı çalıştırır.

Dikkat edilirse Q5 ve Q6 transistörlerinin Q7 ve Q 8 in tabanlarını çalıştıran

tamamlayıcı simetri çifti gibi davrandıkları, aynca Q 7 ve Qg in de aynı biçimde
tamamlayıcı simetri çifti olduğu ve B sınıfı çalışacak biçimde beslendikleri göri:i-
lür. Buna göre sinyal yokken parçalı d. a. güç besleyicisinden güç akışı küçüktür.
· Güç besleyicinin ortası toprak noktasıdır. Yük dirençlerinin tipik değerleri 16 ile
100 n ıtrasındadır. Şekil 11-7 de görüldüğü gibi dış geribesleme bağlantısı, kazancı
kararlı duruma getirmek için yapılmıştır. Aynı şekilde yükü şöntleyen sığaç da
bir dış elemandır ve radyo frekans titreşimlerini önlemek için gereklidir.
Bu yükselticide çıkış katlarına akım sürme ve negatif geribesleme kullanıla­
rak kesişme noktasındaki bozulma minimuma indirilmiştir. Doğru akım yükselteç
düzen1;ği, düşük güçlü güdümlü sürücülerinde kullanılabilir. Bu yükselticileri ayrıl­
mış veya tek doğru akımla beslenen ses yükselticileri olarak kullanmak için başka
bağlantılar da yapmak mümkündür.t ·
Yükseltici elemanlarının yerleştirilmesi ilgi çekicidir. Dört silikon yonga
seramik üzerine monte edilmiştir. Bu yongalardan ikisi Q 7 ve Q 8 çıkış transistör-
lerind_en oluşur. Bunlar dit.üzyon süreciyle yapılmışlardır fakat TD tek blok gibi
sadece bir yanlı değil her iki yanlı bağlantıları vardır. Diğer iki parça i~e tek blok
silikon yapı içinde üretilmişlerdir. Bunlardan. bir ta:nesi geri kalan npn transistörleri
ve dirençleri ve diğeri, Q 3 ve Q 6 pnp transistörle~ini, D1 ve D diyodlarını ihtiva
2
eder. Kapatılmış metal kutu ısıyı alıp yok edecek şekilde monte edilmelidir.

t R. A. Hirscllfeld, Audio Power Applicatlons Uslng lntegrated Clrcuits,

Application Note AN• 162,

278
 .----ır--------------------o+6V

Yük

'---ir--+------------+-----o-6V
Geri besleme

Şekil 11 · 7 Melez güç yükselteci~MC1524 d. a. yükselteci gibi bağlanmıştır.

Diğ•~r bir rn2lez tiµ giiç yükselteci 100 W a kadar çıkış gücü geliştirilebilen
RCA HC 2000 dir. Bu yükselteç paketinin şerit uçları hariç boyutları 80x48x12
mrıı dir. Metal tabana srhip yapı, seramik üzerine monte ·edilmiştir. Kalın film
dirençlerıi,'rı, trans.,storlerden ve sığaçlardan oluşan devre elemanları gövdeye

yapıştırılmış ve bağlantılar yapıldıktan sonra bütün sistem plastik içine konulmuş­

tur.
Yükseltece bir koruma devresi kurgulanmıştır. Bu devre, yüke giden akım
ve voltajı duyar ,_.e kısa devre akımını sınırlayarak şebekenin güvenliğini sağlamış
olur. Keza,tepe değer jiç sınırlamasını y:,pmak için ani çalışma aralığını da sınırlar.
Bıı yilk.;ctteç 4 n. luk yük kazancı 75 dB olan açık-ilmek düşük düzey

voltajı verir. Bu durumda 3-db frekansı yaklaşık 10 kHz dir. Birim kazanç
yükselticileri ve sabit - akım kaynağı yükselticileri olmak üzere çeşitli uygulaınalari
mümkündür t.

11 - 6
C sınıfı yükselteçleri

Kesim 11-1 de de açıklandığı gibi C sınıfı yükselticiler süresi yarım periyottan az

olan dar anod toplayıcı akım pulsları oluşturan d. a. beslemeyle çalışırlar. C sınıfı
çalışma biçimi doğru akım kaynaktan a. a. çıkışa yüksek verimde güç çevinnedc
yararlıdır. Burada verim yüzde 90 na kadar çıkabilir. 'Şekil 11-8 de görülen LC
devresi gibi akordlu bir devre, anod akımı pulslar halinde gelse bile yarı-sinüzoidal

t l'owcr Transistors and l'owcr Hybrid Circuils. RCA DatatıooK SSD-204,

RCA Corporation, Somerville, N. J. Sayfa 658.

279
çıkış voltajı temin etmeye yarar. Böylece çıkıştaki dalgabiçimi sinyal voltajının
şeklinden çok akordlu devre belirtgenlerine bağlıdır. Bundan dolayı C sınıfı yük-
seltici karmaşık dalgabiçimine sahip sinyali yükseltmek için kullanılamaz.

Bununla birlikte C sınıfı yükseltici; (1) radyo vericilerindeki bazı yükseltme-.

lerde, (2) modülatörlerde (Böl. 14), (3) frekans-çoğaltıcı yükselticilerde ve (4) güç
titreşkenlerinde (Böl. 13) yararlıdır.

---1111
Vcc
Şekil 11 - 8 C sınıfı yükseltici devresi ve dalgabiçimleri.

Şekil 11-8 deki devrenin davranışını gözönüne almak yararlı olacaktır.

Buradaki devrede transistör kullanılmış olmasına rağmen uygun devre düzeltmeleri
yapılarak güç lambası da kullanılabilir.
Şekildeki dalgabiçimlerinden de ' anlaşılacağı gibi taban devresi basleme
,voltajı V BB relatif olarak büyük, fakat büyük es giriş voltajı ile toplam voltaj t
1
anında kesilme noktası değerine kadar yükselir, yüksek negatif değerlere dönme-
den maKsimum pozitif değere gider. Kuşkusuz, kesilme-noktası değerl mevcut
olan e0 çıkış voltajının neden olduğu ani toplayıcı potansiyel değişmesine bağlı­
dır. Şimdilik, toplayıcı akımın, görülen dalgabiçimi ile t den t ye doğru aktığını
1 2
kabul edelim.
Bu şekildeki akım pulslan hemen hemen sinüzoidal çıkış voltajı nasıl ver-
mektedir? Birinci yaklaşım, periyodun belli bir kısmında pulsların akordlu devreye
(ekseri tank devre olarak isimlendirilir) kısa şok uyarmaları verdiğini ve periyo-
dun diğer kısmında LC devresinin serbestçe titreşerek sönen bir titreşken ol-
duğunu düşünmektir. Daha ileriye gitmeden· Şek. 11-9 da gösterilen deneyi
~özönüne ıılalım. İlk iki periyodda t= 2T ye kadar kararlı titreşim durumu görül-
mektedir. Daha sonra sinyal üç periyodluk zamanda tamamen kesilmekte ve on-
dan sonra tekrar uygulanmaktadır. LC devresi 2T ile 5T zaman aralığında serbest-
çe titreşmekte fakat bu titreşimler R yük direncinin neden olduğu kayıplardan
ötürü azalmaktadır. Sinyal tekrar uygulandığında herbir toplayıcı akım pulsu
titreşim düzeyini yükseltmeye yönelir ve çıkış voltaj genliği büyür. Bununla
birlikte, yüke giden ortalama güç te yükselir ve bu yükselme akordlu devreye orta-
lama gücü sağlayan anod akım pulsiarının gücü çıkış gücüne eşit oluncaya kadar

280
 3T
-
Zaman-t
4T

Şekil 11 · 9 C sınıfı yükselticiye uygulanan aralıklı sinyaller.

devam eder. Bundan sonra denge durumu tekrar elde edilir ve çıkıştaki sabit gen-
lik korunur.
Denge durumunda dar toplayıcı akım pulsunun sığacı daha yüksek (negafü)
voltaja yükleyerek böylece fazla enerjiyi sığaçta depoladığını düşünebiliriz. Puls
genellikle bobin kolundan çok sığaç koluna gider,çünkü bobin, ü_zerindeki akımın
ani değişmesine karşıdır. Periyodun diğer kısmında titreşimi devam .ettirmek için
sığaçta depo edilmiş fazla enerji serbest hale gelir. Okuyucu elektrik devresine
benzer olacak şekilde saat sarkacı üzerine kurulu bir mekanik sistem tasarlayabilir.

11 - 7
Transistörün anahtar gibi çalışması
Açma - t,;:apatma kontrolü

Transistörler modülatörlerde, doğrultucularda ve sayısal bilgisayarlarm bloklarının

yapımında kullanılan ikili-kararlı devrelerde yüksek hızda tekrar ettirici anahtar
olarak kullanılırlar. Aynı biçimde bunlar basit açıp-kapama kontrollarında veya
röle olarak lambaların. yanmasında, solenoidin enerjilenmesi gibi yerlerde de kulla-
nılırlar. Burada anahtar durumuna ait bazı temel kavramları inceleyip, sistemin
cevap hızı ve diğer aynntılı konulan daha sonraya bırakacağız.
Şekil 11-lOa da, e voltajının kontrolunda, toplayıcıdan yayıcıya olan kısmı
anahtar gibi gözönüne alalım. İdeal olarak anahtar açıldığında VCE voltajı sıfır
olmalı ve IB taban akımı, le yük akımına etki etmemelidir. Aynı şekilde anahtar
kapandığında, yük akımı sıfır olmalı yani anahtar akım geçirmemelidir.

Gerçek anahtar Şek. 11-lOb de açıklandığı gibi ideal şekilde çalışmaz.

Kontrol voltajı enin kare dalga olduğunu ve yarı zamanda (A noktasında çalışma)
IB nin sıfır olmasını, öteki yarı zamanda transistörü B noktasında doyuma götür-
meye yetecek bir 18 değerinin oluşmasını sağladığını varsayalım. Gerçek anahtarııı

281
 idealden ayrıldığı iki nokta diyagramda görülmektedir. A noktasında anahtarın
kapalı durumunda yük üzerinden geçen ve değeri Ico/(1 - aFB) olan küçük bir
akım vardır. B noktasında anahtarın açık durumunda transistör uçlarında V s
voltajı bulunur. Dolayısıyle yük akımı, Vcc/RL kısa-devre değerine tam olarak
varmaz. Doyma hali yaklaşıklıkla OP çizgisi ile belirtilir. Bu çizginin eğiminin
tersi doyma direnci diye adlandırılır ve Rs ile gösterilir. Bu noksanlıklar özellikle
anahtar olarak kurgulanan transistörler için önemsizdir.
Anahtarlama transistörleri oldukça küçük yapılır. Bilgisayarda kullanılan
yüksek-hızlı tipler yaklaşık 250 mW güç harcarlar. Güç anahtarı cinsleri ise 1, 5,

50 W veya daha fazla harcarlar. Tartışmamızı daha açık hale getirmek için harca-
ması 5 W oranında olan güç traıısistörünü düşünüp kaba hesaplama yapalım.
Bunun için V CC = 50 V ve RL = 34 n olsun buradan kısa devre akımı 1,47 A
olur. Anahtarın açık durumunda Rs = 1,25 n olduğunu kabul edelim. Vs = 1, 77 V
ve I = 1,42 A olduğunu buluruz. Böylece anahtarın açık durumunda toplayı­
cını~çgüç harcaması 1,77xl,42 veya 2,52 W dır. öte yandan yük gücü ise (1,42{x
34 veya 68,5 W gibi farklı bir değerdir. Buna göre devre kurgusu, yaparken doyma
durumu dikkatlice gözönüne alınmalı, taban akımının doymaya ulaştıracak yeterli-
likte olduğundan ve anahtarın açık durumunda harcamanın az olacağından emin
olunması gerekir.

Eğer çalışma durumundaki eklem sıcaklığmda Ico = 0,4 mA ve 1/(1 -aFB)

de 20 ise Ikap = 0,4x20 veya 8 mA dir. Transistörün uçlarındaki voltaj yaklaşık
- 50 V tur. Buradan kapalı durumda transistörün güç kaybı 0,008x50 veya 0,4 W
olur. BJ.! değer eklem noktasının sıcaklığına çok sıkı bir şekilde bağlıdır.
Ek güç kaybı taban devresinde olur. Anahtarın açık durumunda IB den
ötürü transistördeki ek güç kaybını hesaplayalım. IB nin IcfB ye eşit olduğu kabul
edilerek 1,42/20 veya 0,070 A olarak bulunur. Giriş belirtgeninin V BE = 0,6 V
gösterdiğini varsayarsak güç kaybı 42 mW olur. Bu güç 68,5 W luk yük gücünü
kontr~l eder. Dolayısıyle yük gücünün kontrol gücüne oranı (R üzerindeki kayıp
ihmal edilirse) 1630 dur.
Çoğu kez transistörler bilgisayarlarda multimegadönü tekrarlı anahtar veya
güç kontrollarında ve ters çeviricilerde multikilo_ dönü hızlı tekrarlı analıtar olarak
isimlendirilir. Anahtarın neden olduğu gecikmeler üzerinde durmadan ideal hale
getirmiş _anahtar dönüşü için transistörün kayıplarının araştırılması işe karışan
bazı faktöderi ortaya koyacaktır. Devre Şek. 11-lOa da verildiği gibidir ve e
voltajının karesel dalga olduğunu varsayalım. Bu voltaj Şek. 11 . 10b deki yük
çizgisi üzerinde çalışma noktasını A ve B arasnıda ileri geri sürmektedir. Herhangi
bir zahiri direnç yokken (yüksek anahtar hızında parazit ve iç sığa işe karışabilir)
çalışma noktası dirençsel yük çi;zgisi boyunca hareket eder. Çoğu kez transistörün
tabanında yük depolanmasından dolayı akımda değişiklik yapmak için sonlu bir
zamana ihtiyaç vardır. Gerçek zaman değişimi daha karmaşık olmakla birlikte
282
 ic sınırı

doğrusu

o Vs
!ol (b)

Şekil 11 - 10 a) Transistör anahtar devresi b) grafiksel çözüm.

biz Şek. 11-11 deki ideal lineer değişimi varsayacağız. Basit olması bakımından
açma ve kapatma için geçen zamanın birbirine eşit ve T 1 olduğunu varsayalım.
Bu iki durumda transistördeki voltaJ· düşmeleri v 1rnp , Vs ve toplavıcı
J
akımın I
aç
ve Tkap değerlerini bildiğimizi kabul edelim.
Transistördeki ortalııma güç kaybını hesaplamak istiyoruz. Bunu yaparken
T 1 zamanındaki enerji kaybını hesaplayıp iki katını alırız, çünkü iki geçiş birbiri-
nin aynıdır. Bu değere karalı durumdaki ve açık durumdaki kayıpları da ekleme-
liyiz. Toplam enerji kayb)ııın T periyoduna bölünınesi ortalama gücü verecektir.
O < t < T 1 aralığında l<>Playıcı voltajını ve toplayıcı akımını \-t; = Vs + u1 t
ic = Iaç - b 2t şeklinde ·,österebiliriz. Burada bı ve o2 eğimlerin değerleridir.
Enerji kaybını bulmak içiq WT = f T 1 uc ic dt integrali hesaplanır ve
. 1 o

(11 - 13)

bulunur. Sil!letriden ötürü iki geçişteki Wsw enerji kaybı WT in iki katı olacaktır.
Böylece · 1

(11 - 14)

biçimindedir. Açık durumda enerji kaybı,

Waç = Vslaç Taç (11 - 15)

ve kapalı durumunda enerji kaybı

283
 (11- 16)

VK:j,ı·l_ l, \-, !/Vsr

---L~----1---r-"c _r_ _

ic
ıc
ıG:,
1
1
I
ı
1
1
~apalı I ı
o 1 1 1 1

::J Tı r - ~ap.--l T, r---TAçık~

O
2T Zaman-t
- T

Şekil 11 - 11 Transistö~ anahtannda toplayıcı voltaj ve akım dalgaları.

Böylece ortalama güç kaybı

Wsw + Waç + Wkap

(11-17)
T

dir. Enerji kaybını azaltmak için V 5, Ikap (dolayısıyle Ico) ve T 1 Jeğerini küçült-
mek gerektiği görülmektedir.
Sayısal uyı,'Ulama yapmak yararlı olacaktır. 4 W lık bir transistörün 0,5 kHz
le çalıştığını düşünelim ve şu değerleri gözönüne alalım:

T = 2 msn Vs = 1,0 V ·
T 1= 0,1 msn vkap= 50 V

Bund~ başka, Taç = Tkap koyarsak herbiri 0,9 msn olur. Hesaplamalar yaparsak
W5w = 1,74 mJ (mili joule), Waç = 0,90 mJ ve Wkap = 0,09 mJ hulunur. Böylece

1,75 + 0,90 + 0,09 2,74 mJ

pkay = 2 2 msn = 1,37 W

olur. Geçiş esnasında büyük kaybın oluşu dikkati çekmektedir. Dolayısıyle hızlı
transistör enerji kaybını azaltacaktır. Eğer b 1 ve b 2 eğim hesaplamalarıiıda V s ve
Ikap değerlerinin sıfır olduğu kabul edilirse Denk. (11 - 14)

(11 - 18)

durumunu alır. Bu bağıntı kısa anahtarlama zamanının önemini belirtmektedir.

284
 t = T 1 /2 yani geçiş süresinin yarısında ani güç kaybını hesapladıeınıızı ka-
bul edelim. Bu daha önceki ömegvimizclen . Panı. = Uc ic == 25 •5 x O•5 = 12 •75 W
verir. Bu değer 1,37 W olan ortalama güç kaybından çok fazla kabul edilen
kayıp sının 4 W ın üzerindedir. Şekil 11-lOb ye göre bunun anlamı yük çizgisi
kayıp limit eğrisinin çok üzerinden geçmektedir. Transistörün bu çeşit bir çalış­
maya tolerans gösterip göstermeyeceği transistörün termik zaman sabiiine, T
1
açıp kapatma zamanına ve maksimum emniyetli eklem sıcaklığına bağlıdır.
örneğimizi sonuçlandırırken açma süresinde ani gücün yakhşık 50 W ve orta-
lama yük gücünün ise yaklaşık 25 W olduğuna dikkat edelim.

11 - 8
Güç yükselticisi olarak kontrollu
doğrultucu ·

Gerçek anlamda kontrollu doğrultucu devresi güç yükselticisi gibi davranır. Küçük
güç kontrolünün devreye eklenmesi yüke giden çıkışı değiştirebilir. Göreceğimiz
gibi kontrol veya yükseltme,yüke giden akım pulslannın büyüklüğünü değiştirmektir.
Dolayısıyle,gerçek lineer yükseltici ile karşılaştırılamaz.

Daha önce aynı şekilde hizmet veren silikon kontrollu doğrullucu, gazlı
thyratron ve ignitronu belirtmiştik. Bu genelleştirilmiş (ve ideal hale getirilmiş)
Şek. 11-12 deki gibi direnç yüküne sahip doğrultucu devresini inceleyeceğiz.
Gerçekte kontrol devrelerinin özellikleri diyagramda "karakutu" ile göste-
recegımız sisteme bağlıdır. Bu siyah kutu kontrollu doğrultucuya kesilmesine
veya pozitif kaynak voltaj yarım periyodunda <P1 açısında ateşlenmesine neden
olur. Buraya kadar doğrultucu yalıtkan, akım geçirmemektedir. Ateşlemeden
sonra SKD'de anod-katod arasında 1-2 voltluk küçük bir düşme olur ve bütün yük
akımını iletir.
Şekil 11-12a daki devreyi incelemek için kaynak voltajını e = Em sinwt
biçiminde alalım. Basit olmaf:ı için iletme durumunda doğrultucu uçlarındaki
voltajın sıfıra düştüğünü kabul edelim. İletkenliğin olmadığı yarım periyotluk
zaman içinde doğrultucu tekrar yalıtkan olur ve kontrol devresi kontrolu
yeqiden kazanmış olur.
i akımı kesilme (veya ateşleme) açısı <Pı'e kadar sıfır ve ondan sonra

. Em .
ı = -R- sınwt <Jıı < wt <rı (11 - 19)

biçiminde verilen değere ~tlar. Bu dalga Şek. 11-13 de farklı iki at1:;şleme açısı
için gösterilmiştir.
Akım dalgasının iki yönü. ilgi çekicidir: 1) ortalama veya doğru akım değeri
ve 2) kok değeridir.

285
 Kontrollü
r;__i_.,___R~r✓,✓ vY-ü_k-+--, ogrultucu
Anod

l<ontrol
devresi
1
!] e:
Katod

(ol (bl (el (dl

Şekil 11-12 a) Genelleştirilmiş kontrollu doğrultucu devresi b) thyratron

c) aşetleyici d) silikon kontrollu doğrultucu

örneğin ikincisi yük üzerinde ·meydana gelen ısı kaybını bulmak için kullanır ve
ıa 0 kR hesaplanarak bulunur. Doğru akım değeri tam bir periyod için ortalama
alınarak elde edilir. Böylece

Em Em
- R - sin wt d(wt) = 2 TTR (1 + cos;p1 ) (11 - 20)

olur. Ortaya çıkan kontrol belirtgeni Şek. 11-14 de gösterilmiştir ve buradan bir
birim yukarı doğru kaymış kosinüs dalgabiçimi olduğu göriilmektedir. Kontrol
belirtgeni belli bir aralıkta yaklaşıklıkla lineer biçime sahiptir.
Dalganın kok değerini hesaplayarak
l
Em sin 24ı 1 1 2
1kok = ~ I l + ~ ( 2 - <Jıı) l (11 - 21)

sonucunu elde ederiz. Değer, şüphesiz,aynı dalganın Id değerinden daha yüksektir.

Eğer çıkış gücünün birkaç yüz W tan fazla olması gerekiyorsa genellikle başka
kontroilu doğrultucu devreleri kullanılır. Bunlar Böl. 12 de gösterilen devrelere
benzerdir· ve tam dalga ve çok fazlı şebekeleri içermektedir.

~
.,,, ,2-,, ı/>1
\
,
,_
ıwt
\ I \ I
\ I \ I
\ I \ I
\_/ '-✓
(ol (bl

Şekil 11 - 13 Kesilme açısı cjı, deki değişmenin etkisi.

286
 Em
1rR x ı,o,_,--------------.

0,8
0,6
0,4
0,2
0o 30 60 90 120 150 180
4'1-Kesilme açısı-der.

Şekil 11-14 Kontrollu doğrultucu devresinde yük akımına karşı ateşleme

açısı.

KAYNAKLAR

11 - 1 C. L. Alley and K. W. Atwood, Semiconductor Devices and Circuits, John

Wiley Sons, ine., New York, 1971, Chap. 12.
11 - 2 Solid State Power Circuits, RCA Designer's Handbook, Technical Series
SP-52, RCA Solid State Division, Somerville, N. J., 1971.
11 - 3 RCA Linear lntegrated Circuits, Technical Series IC-42, RCA Solid State
Division, Somerville, NJ., 1970, p.p. 221 - 234.

ALIŞTIRMALAR

11 - 1 2N6177 tipindeki bir transistör (Ek B) 25 °c kutu sıcaklığında A sınıfı

yayıcısı topraklı yükseltici olarak, transformatör kuplajlı dirençsel yükle'çalışmak­
tadır. Vcc ==a 50 V, besleme akımı Q noktasında 0,4 mA ve toplayıcı devresinin
etkin yük direnci 1250 n olsun. a) Eğer taban akımı O ile 0,8 mA (tepeden-tepeye)
arası~~a değişiyorsa a. a. çıkış gücünü ve verimini hesabediniz. Kesim 11-2 deki
yöntemi ku_llanınız. b) (a) kısmındaki koşullar altında transistörün toplayıcı
akımından dolayı güç kaybını bulunuz ve transistörün katalog değeri ile karşılaş­

tırınız. c) Sinyal yokedildiğinde transistörün güç kaybı azalmakta mı yoksa artmak-

ta mıdır? .Aç ıklayıniz.
11 - 2 Orijine ı,;öre simet:ik olan dolayısıyle wt'ye göre c;ift fonksiyon durumunda
bilinen akım dalgasını gözönüne alıniz. B3 cos w t terimi de mevcut olacak şekilde
terimler gözönüne alınarak bu dalga Denk. 11-7 deki biçimde gösterilebilir. Dalga-
nın seçilen ordinatları cinsinden B0 , B 1 , B 2 ve B 3 için bir formüller t~kımı bulu-
nuz. Yol-göstenne : wt = O, TI /3,2 Tr/3 ve TT deki ordinatlarını kullanınız.
11 . 3 Şekil 11-6 daki devrede özdlikle akımın sıfır olduğu noktalar yakınındaki
çıkış akım dalgasında mevcut olan bozulmayı gözününe alınız. Hangi durumda

287
 bozulma muhtemeldir ve nasıl minimumlaştırılabilir?
11 - 4 Bir B sınıfı yükseltici 2N6177 tipi transistörlere sahiptir (Ek B) ve 25°c de
Şek. 114 e benzer devrede çalışmaktadır. Taban akım dalgası yaklaşıklıkla yarım­
sinüs dalgası ve tepe değeri 1,0 ınA olacak şekilde taban beslemesi yapılmaktadır.
Vcc • 100 V, RL - 1250 n ve transformatörün bir yarısındaki sarım say;sı ikinci-
lindeki sarını sayısına eşit olsun. a) Yükteki akımın tepe değerini, b) Vcc tarafından
sağlanan d. a. ve ortalama gücü,c) RL ye giden ortalama gücü hesabediniz.
11 - 5 Şekil 11-10 da 2N6261 transistörü (Ek B) anahtar devresi içinde kullanıl­
maktadır. Vcc = 50 V, RL = 25 n ve doyma direnci 1,1 n olsun. Şekil 11-11 de
görüldüğü gibi açıp kapatmanın ideal olduğunu fakat Ikap = O, T = 0,1 msn ve
1
Taç cc T kap = 1,2 msn olduğunu kabul ediniz. a)Toplayıcı akımdan ötiirü transis-
tördeki ortalama güç kaybı ne kadardır? b) Geçişin tam ortasında girişten
toplayıcıya giren ani güç ne ·kadardır? RL ye giden ortalama güç ne kadardır?
11 - 6 Denklem (11-19) biçiminde verilmiş olan akım dalgasının Denk. (11-21) e
dönüştürülmesini ayrıntılı bir biçimde gösteriniz.

11 - 7 Denklem (11-19) da verilen akım dalgası için Ikok/Ida oranın sayısal

değerini şu kesilim açılan için ayn ayrı hesaplayınız. a) 'IT/4, b) 'IT/2 ve c) 37T/4.
11 - 8 Akım oranlan aşağıdaki gibi olan bir kontrollu doğrultucuda maksimum
tekrarlanan tepe değer= 40 A ve maksimum ortalama değer= 5 A dir. Bu sistem
Şek. 11-12a daki devrede kullanılmaktadır. e = 300 sin wt ve kesilim açısının
devamlı olarak TI/2 ile 7T arahğında kaldığını kabul edelim. En düşük emniyetli
yük direnci ne kadardır?
11 • 9_ ~CA2000 diferansiyel melez güç yükselticisi 25°c kutu sıcaklığında
570 n luk geri besleme direncine, a ± 37 ,5 V bölünmüş güç beslemesine, 30 voltaj
kazancına; 4n luk yük direncine, 18 kn luk giriş impedansına ve 43 kHz bandgeniş­
liğine sahiptir. Bu yükseltici kaynak direnci 12 kn olan kaynakla beslenmektedir .
. a) 4n luk yüke 30 V maksimum ve 400 Hz lik sinüs voltajını sağlayabilmek
için k~k değeri ne kadar olan bir kaynak voltajı gereklidir? b) (a) kısmındaki
koşullar altında yüke giden güç nedir?

288
 12
Doğrultucu Devreleri,
Süzgeçler ve d. a. Güç Kaynakları

12 - 1
Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu
devreleri

Hemen hemen bütün elektronik sistemlerin bir veya birkaç d. a. güç kaynağı devre-
lerine ihtiyaçları vardır. Bu devreler genellikle,a. a. hattından gücü alıp doğrultup
süzdükten sonra sisteme vermektedirler. Bu bölümde güç kaynaklarında kullanılan
devreler gözden geçirilecektir.
Bölüm 4 ve 7 de çeşitli doğrultucu devreler incelenmiştir. Bunlardan bugün
hacminin küçük oluşu, ileri yönde küçük voltaj düşmesi ve küçük ters akım kaçağı
olması nedeniyle yarıiletken eklem diyodlan daha ağır basmaktadır. Devre
çözümlemesini basitleştirmek için diyodun ideal bir sistem olduğunu ve anahtar
gibi davrandığını kabul edeceğiz. Yani iletirken voltaj düşmesi yapmayacağını
ve ters yöyde kaçağa imkan vermiyeceğini düşüneceğiz. Eğer ideal olmayan
doğrultucuların küçük yan etkileri de incelenmek isteniyorsa daha özel çalışma­

lara başvurulmalıdır.

a. Yükü direnç olan yarım-dalga doğrultucu devresi

Şekil 12-la da görülen basit devreyi gözönüne alalım. Burada es kaynak

voltajı,R
5 kaynak direnci ve diyod vasıtasıyle RL yük direncine akım sağlamaktadır.
Şekil 12-lb de bu devrenin voltaj ve akım dalgabiçimleri gösterilmiştir. Periyodun
ilk yansında yük akımı ve voltaj dalgalan sinüs dalgası biçiminde ikinci yarısında
ise sıfırdırlar. Ters yarım periyodda kaynak voltajının tümü diyodun üzerinde
gözükür. Böylece bu devrenin kaynak voltajının tepe değeri Esm dir.
Kaynak voltajının

es== Esm sin wt (12 - 1)

şeklinde gösterildiğini kabul edelim. lletimin olduğu yarım periyodluk zaman

içinde bu voltaj seri haldeki Rs ve RL üzerindeki voltaj düşmelerinde harcanır ve
buna göre akım dalgası
E
i == R smR. sin wt== im sin wt ( 12 - 2)
s+ L

biçiminde ifade edilir. Şimdi yükteki akım dalgasının ortalama veya d. a. değerini

289
 - wı

21T
/1

'
1 1
1T 21T

PIV
J__ ___ _
(ol
(b)

Şekil 12 - 1 Yarım-dalga doğrultucu: a) devre çizimi b) dalgabiçimi.

araştıralım. Bu, yarım periyotluk sinüs biçiminde bir dalga ve yarım periyodluk
akımı sıfır olan ~ir dalga akımını kapsar. Ortalama değer eğrinin altındaki alanı~
periyoda bölümü olduğu hatırlanır ve hesaplamada açısal değerler kullanılırsa

1 11
I d.a. -- - -
zır
J Imsinwt d(wt) = (12 - 3)
o
bulunur. Yük voltajı da yarım - sinüs dalgası biçiminde olduğundan ve
RL
(12 - 4)

şeklinde verilen tepe değerine sahip olduğundan doğru yük voltajı

,- 1
Ed. a. -
- - -'iT- E Lm (12 - 5)

dir. Çoğunlukla kaynak voltajının kok değeri _!s ile gösterilmekte ve bilinmektedir.
Yük voltajını ve akımını hesaplarken Esm = y2 Es olduğunu hatırlamamız gerekir.

b. Yükü direnç olan tam-dalga doğrultucu devresi

İki-fazlı, yarım-dalga devresi · olarak da isimlendirilen bu devre Şek. 12-2a

290
da gösterilmiştir. Transformatörlerde ikincil sarımlar Pile l\T noktası arasında
sürekli sarımlardır. Ortadaki N noktasına göre M pozitif olduğu zaman P noktası
N ye göre negatif olur. Şekil 12-2b de görüldüğü gibi esı in pozitif olduğu ilk ya-
rım periyotluk zamanda i akımı geçmektedir. Diğer yarım periyot içinde ise P
1
noktası nötür olan N ye göre pozitif olmakta ve şekilde görüldüğü gioi i akımı
2
geçmektedir. Sonuçta i 1 ve i2 nin toplamı olan pulsl-u doğru akım yük dalgası
oluşur.

J
( ol
(b)

Şekil 12-2 Tam dalga doğrultucu a) devre çizimi b) dalgabiçimleri.

Aynı maksimum değerler için yük teki ortalama akım, yarımdalga doğrultu­
cunun iki katı olduğu
görülmektedir. Buna göre

(12 - 6)

olur. Benzer biçimdeortalamayük voltajı

(12-7)

olur. Burada ELm Denk. (12-4) de verildiği gibi yük voltajının tepe değeridir.
Ters voltaj tepe değer çözümlemesini basitleştirmek için RL nin Rs ye
göre daha yüksek olduğunu varsayarsak yük tıçlanndaki voltaj tepesi yerine Esm
i alabiliriz. Şimcii Esı in negatif tepe değerinde olduğu anı gözönüne alalım. Bu
anda i akımı 2 diyodu yoluyla yükün uçları arasında Esm voltajını oluşturur.
2
Eğer esl' 1 diyodunu ve yükü kapsayan devreye Kirchoff yasasını uygularsak
herbirinin değeri E m olan, polariteleri toplanabilen iki voltaj buluruz. Sonuç
5
olarak aranılan ters voltaj tepe değeri, iletken olmayan 1 diyotlu üzerindeki 2E 5m
voltajıdır.

c. Tek-fazlı köprü devresi

Bir a. a. kaynağı es den RL yüküne tam-dalga çıkış akımını sağlayan dört

291
diyodun dört kenarlı veya köprü düzeneği Şek. 12-3 de görülmektedir. es nin
pozitif olduğu yarım periyodda akım, diyod 1 den yüke ve oradan da diyod 2
üzerinden kaynağa gitmektedir. Diğer yarım periyodda akım, diyod 3 den yüke
oradan da diyod 4 e geçmektedir. İletken durumunda olmayan diyodlar a. a.
kaynak voltajının etkisindedirler, dolayısıyle ters tepe voltajı kaynak voltaj
dalgasının tepe değerine eşittir.

Şekil 12 - 3 Tek-fazlı doğrultucu köprü devresi.

Basit doğrultucu-tipi a. a. voltmetrede yarıiletken diyodlardan oluşan köp-
rü devre düzeneği kullanılır. Bu uygulamada RL yük direnci yerine mikroamper-
metre ve yüksek-değerli direnç seri olarak köprünün a. a. tarafına bağlanır.

12 -2
Basit çok fazlı-doğrultucu devreleri

D. a. çıkış gücü olarak 1 veya 2 kW ın üzerinde istendiği zaman çok fazlı doğrul­
tucu deyresini kullanmak daha ekonomiktir. Bunlar çıkışta çok sayıda puls ver-
diğinden çıkış dalgasının süzülmesi daha kolay olur. Bu tip devreler yüksek-güçlü
titreşkenlerde, radyo ve TV istasyonlarında, elektro kimyasal ve buna benzer
tesislerde bulunur.
a) O ç fazlı delta-ye bağlantısı

Bu devre Şek. 12-4 te görülmektedir. Çizimde standart gösterim kullanıl­

!

...
,o,
2 2 p
ro
C
>- 3
ro
_:y_ +
+
N
ro epN
Rl
,,.,LL
1

Şekil 12-4 üç-fazlı delta-ye doğrultucu bağlantısı.

292
maktadır, yani özel bir fazdaki ikincil sanın, örneğin S3, birincil sanın P3 e
parelel ve aynı faz durumunda gösterilmiştir. Böylece faz sırasını 1,2,3 olarak
kabul edersek ikincil e 1 , e 2 ve e 3 voltaj dalgalan 1,2,3 sırasına- göre gelir ve ard
arda aralarında 120° lik faz farkı vardır, Şek. 12-5. Yük, genel katod. bağlantısı
P den transformatör ikincilinin nötür N noktasına bağlanır. Eğer potansiyeller
için N noktasını referans noktası olarak düşünürsek e 1 (N ye göre) 1 noktasının
ani potansiyelini verir. 01 ve 0 2 aralığında 1 noktası 2 ve 3 e göre daha pozitif
potansiyele sahiptir ve buna göre bu aralıkta yük akımını 1 diyotlu iletecektir.
Diyodda doğru yöndeki düşüş az olduğu kabul edildiğinden P noktasının potansi-
2
yeli e 1 i biraz aşağıdan ve yakından izler. 0 anında 2 noktası 1 noktasına göre

Şekil 12 - 5 üç fazlı voltaj dalgaları.

daha pozitif olur, dolayısıyle

1 diyodunun iletkenliği durur ve 2 diyotlu iletmeye
başlar. 0 2 anında akımınS1 sanını ve 1 diyotlu yolundan S2 sanını ve 2 doğrultu­
cu yoluna değiştiği söylenir. Biz bu anda bu değişmenin ani olduğunu kabul ede-
ceğiz ama aslında transformatör indüktansından ötürü bu değişme belli bir
zaman alır. Eğer transformatörde ve diyoddaki voltaj düşmeleri ihmal edilirse
ePN yük voltajı, e 1 , e 2 ve e 3 dalgalarınm pozitif kısınılarmı izleyen pulslu dalr,ı:ı-
biçimini alacaktır. '
Şekil ı2-6a yük-voltaj dalgasını ve e1 dalgasını göstermektedir. Yük voltajının
d.a. değerini hesaplamak istiyoruz. Bunun için e 1 dalgasmın tepesinde zamanı
sıfır almak çok uygundur. Bu durumda e 1 = Em cos 0 dır. Pulslamalar özdeş
olduğundan bir pulslamanın ortalama ordinatı d. a. voltajını verir, yani

ePN
+
+ ıao•~ 27(1''360"
N,
o
e
1
ıao· e1p 360°
I e
I eıp
T 1
1 I
e ./', I
/
1 \
,_ ,

(ol ( bl

Şekil 12 - 6 a) Yük voltaj dalgası b) diyod 1 in uçlarındaki voltaj dalgası.

293
 1 /3 3Em
E d -- ----
2TT J 1T E m cos0 d0 = -1T- · -3-
sın1T = O,827E m (12 - 8)
-----r-· - 1T/ 3

dir. Tam-dalga doğrultucu ile karşılaştırılırsa çıkış dalgası tepe değere göre daha
yüksek d. a. değerine sahiptir ve yüksek frekansta az dalgalıdır, bundan ötürü
dalgasız d. a. elde etmek için süzmek daha kolaydır.
Ters tepe voltajı ile ilgilenildiğinde önce diyodların üzerindeki işler araştırıl­
malıdır. 1 diyodunun uçlarındaki voltaj elp' yük voltajı ePN ve kaynak voltajı e 1
cinsinden gösterilebilir. Böylece

(12 - 9)

dir. Bu bağıntı diyod iletse de iletmese de doğrudur. Denklem (12 - 9) im uygula-

masından elde edilen dalga Şek. 12-6b de çizilmiştir. İki negatif tepe, ters voltajın
tepe değerini verir. Dalganın çözümlenmesi bu tepelerin değerinin,

(12 - 10)

olduğunu ve e 1 dalgasının negatif tepesinin her iki yanında 30° !erde oluştuklamn
gösterir.
Yük dirençsel olduğundan yük akım dalgasının biçimi epN nin aynıdır. Böy-
lece ort;ılama akım, Denk. (12-8) den elde edilen voltajın tepe değerinin 0,827
katıdır. Diğer taraftan tepe akımı d. a. yük akımının 1,21 katıdır. Herbir diyod
d. a. yük akımının üçte birini taşır ve bundan ötürü her diyod içindeki ortalama
akımın 3xl,21 = 3,63 katı tepe akımının etkisindedir.
Gözönüne alacağımız süzgeç devrelerinde olduğu gibi indüktans veya sığacın
yük ile.birlikte olması durumunda akımın dalgabiçimi ve bağıntıları değişir.

b) üç-fazlı ye, ikili ye (köprü) devresi

Şekil 12-7a daki devre ikili ye devresi olarak isimlendirilir çünkü transforma-
törün ikincil bobinlerindeki akım değişmeli olarak iki yönde akar. üç-fazlı bir
yönlü devrede olduğu gibi burada 1,3,5 diyodları P noktasını 1,2 veya 3 uçlarının
en fazla pozitif pot.msiyelde tutmaya çalışırlar. Gösterildiği biçimde yönlenmiş
olarak, 2, 4 ve 6 diyocllannı ekleyerek ikincil uçlarda M noktası en fazla negatif
potansiyelde tutulabilir.
Şekil 12-7b deki dalgalar N nötür noktasını referans alarak, P noktasının ePN po-
tansiyelinin ve aynı şekijje M noktasında eMN potansiyelinin nasıl değiştiğini gös-

294
 p

N
(0
l.L R
,,,
1

2
4 2

M
(ol (bl

Şekil 12 · 7 üç-fazlı köprü doğrultucu: a) devresi b) dalgabiçimi.

termektedirler. Yük voltajı ePM• ePN-eMN ye eşittir, yani ePM koyu eğriler arasın­
daki düşey mesafeye eşittir. Şekil 12-8 de görüldüğü gibi dalga bir dönüde altı
pulsa sahiptir.
Daha ileri çözümleme. yük voltajının tepe değerinin 2 Emcos 30° ye eşit
olduğunu gösterecektir. Burada Em ikincil bobin voltajının tepe değeridir. Aynı
biçimde yük voltajının ortalaması veya d. a. değeri

12 3v'3
· 30 o cos 60o = - ' i T - Em= 1,65Em
Em sın (12 - 11)
1T

dir. Herbir diyod 2Em cos 30° ters tepe voltajının etkisi altındadır. yani TIV =
1.05 Ed dir. Bu devre relatif olarak küçük TIV ye sahip ve yüksek dalgalanma
frekansı olmasından ötürü ilgi çekicidir.

1T

Şekil 12 · 8 ÜÇ-fazlı köprü doğrultucu devresinde yük voltaj dalgası.

12 -3
Basit indüktör veya sığaç süzgeçler

Uygulamalarda doğrultulmuş çıkış voltajındaki dalgalanma arzu edilmez. Eğer -çok

hassaslık istenmiyorsa basit tek bir indüktör veya sığaı; süzgeçler dalgalanmayı azal-

295
tır veya istenilen düzeye düşürür. Kesim 12-5 de daha sağlıklı süzgeçler üzerinde
durulacaktır. Aşağıdaki uygulama sadece kaynak impedansı sıfır olan tam-dalga
doğrultucu devreler içindir.

a) İndüktör süzgeç

İhmal
edilebilen dirence sahip L indüktörünün R yükü ile seri olarak bağlan­
dığını varsayalım Şek. 12-9a. İndüktörün, akımın değişmesine karşı koyma eğili­
minde olduğunu hatırlarsak iııdüktörlü devredeki akımın indüktörsüze göre Şek.
12-9b dekine benzer biçimde daha düzgün, dalgasız olacağını beklemeliyiz.
Kaynak voltajı
,-''<" . .... -- .
L
/ ' eR (or il
+e I
R
oaı;ırultucudan

(ol (b l

Şekil 12 - 9 _a) indüktör ve diredç seri bağlı. b) Tam-dalga doğmltucuda

tek-fazlı dalgabiçimleri
Akım dalgasının nicel çözümlenmesi doğrultulmuş rnltaj dalgasının Fourier
açılımı~ın yapılmasına dayanır. wt ekseninin başlangıcı olarak kaynak voltaj
dalgasının tepe değeri alınırsa voltaj terimleri için aşağıdaVi son&uz seri elde edilir.

2 4 4
e= -'TT- Em+ - 3 7T Em cos 2w_t - 157T Em cos 4wt + ... (12 .. 12)

Burada Em kaynak voltajının tepe değeridir. Üstüste gelme ilkesine göre herbir
voltaj teriminin sanki tek başına hareket ediyormuş gibi akım bileşenine neden ola-
üreten iki devre görülmektedir. Şekil 12-12a da 1 diyotlu yarım periyotta c1 i kaynak
d. a. bileşeni ile iki kat frekanslı billışeni hesaplamak bizim için yeterlidir. İki kat
frekanslı terimin genliği 4Em/37T [R&! + (2wL)2 ]1/2 iken d. a. bileşeni Id = 2Em/
TIR değerine sahip olur. örneğin R = 200n ve wL = 400u (1,06 H ve 60 Hz)
ise iki kat frekanslı dalga d. a. bileşenin yüzde otuzuna eşit genliğe sahip olur.

b) Dirençle şöntlenmiş sığaç

Basit tipte süzgeç elde etmek için sığaç, yük direnci ile parelel olarak
bağlanır, Şek. 12-lOa. Sı~aç periyodun bir kısmında yükü depo eder diğer
kısmında serbest bırakır.

296
 I
R Ol /
Doyrultucudan :;, I \
., I
I '
1

O B, 82 1r 83 Be 21r --8 • '

lal (b)

Şekil 12-10 a) Sığaç ve yük direnci. b) Tek-fazlı, iki-yollu doğrultucu

veya köprü doğrultucu dalgabiçimleri.

Şekil 12-lOb de yük voltaj dalgasını temsil eden eR nin aynı zamanda İL
yük akımı dalgabiçimini de gösterdiği düşünülebilir. Açılma ve kapanma açı-

lan 01 ve 0 2 aralığında doğrultucu, io akım pulsu ile sığacın kaynak voltaj dalga-
sının tepe değerine kadar yüklenmesini sağlar (şekilde noktalı olarak gösteril-
miştir). 3 2 anından sonra kaynak voltajı düşerken sığaç 0 3 anına ulaşıncaya
kadar bütün yük akımını verir. Bundan sonra yüklenme ve boşalma aynı şekilde
yinelenir. Büyük yük diren9leri olması halinde yük voltajı periyot aralığında çok
az bir düşme gösterir, fakat çok büyük yükleme durumunda ise voltaj tepe değer­
leri arasında keskin düşme olur.
Sığacın boşalması

(12 - 13)

üstel bağıntısına
göre olur, dolayısıyle sönme RC zaman sabitine bağlıdır. Gerek-
tiğinde yük voltajının
dalgabiçimi ve diyod akımı tam olarak hesaplanabilir. Fakat
dalgalanma voltajı küçükse, diyelim yüzde on kadarsa yaklaşık hesaplama şu
şekilde yapılır. Şekil 12-lOb deki gerçek eı:ı dalgasını Şek. 12-11 deki dalga ile
değiştirelim. Burada voltajın yarımperiyoddalineer olarak düştüğü ve ondan sonra
aniden t.E kadar yükseldiği varsayılmıştır. Genliği Em ve frekansı f olan bir
dalga için t.E nin değeri yaklaşık olarak boşalma akımının Em/ R değerinde sabit
kaldığı düşünülerek

e ı
/ '
I
I
'' \ I
I
/

I \ I

o
I
' I

1T
wt
Şekil 12 - 11 Şek. 12-l0b deki yük voltaj dalgasının yaklaşık gösterimi.

297
 it
(12 - 14)
C

fonnülünden hasaplanabilir. örneğin, Em = 40 V, R = 2000 n, C = 400 µF ve

f = 60 Hz ise .6.E = 0,42 V bulunur. Yük voltajının d, a. değerinin E - .6.E/2
olduğuna dikkat edelim. Bu örnekte bu voltajın değeri 40-0,2 veya 39,8 V a eşittir.

12 -4
Voltaj katlayıcı devreler

Şekil 12-12 de a. a. kaynağının tepe değerinin yaklaşık iki katı d. a .. çıkış voltajı
üreten iki devre görülmektedir. Şekil 12-12a da 1 diyodu yarımperiyoddaC 1 i kaynak
voltajının tepe değerine kadar yükler aynı şekilde 2 diyodu c 2 yi diğer yarım
periyoddayükler. Yük akımının küçük olması durumunda toplam yük voltajı, a. a.
kaynağının tepe değerinin hemen hemen iki katına eşittir.

Şekil 12-12b deki devre farklı ilkeye göre çalışır. es nin negatif yarım dev-
rinde 1 diyotlu c 1 in kaynak voltajının tepe değerine kadar gösterilen polaritede
yüklenmesine yardım eder. es nin pozitif yarım devrinde tepeye yakın değerinde
2 diyodu iletir ve c 2 yi yükler. Bununla birlikte, c 1 de kalan yük,C 1 in a. a. kay-
nağının yaklaşık tepe değerinde d. a. voltaj kaynağı gibi davranmasına neden olur.
1
b 2 +
c,
+
T
1
el e, el
C2 J_
1 d C
--<> -
2
(ol ( b)

Şekil 12-12 Voltaj katlama devreleri.

Sonuç olarak, küçük yük aklmları varsayıldığında c 2 hemen hemen a. a. kaynak

voltajının t'epe değerinin iki katına yüklenir.
Yük altında katlayıcı devreler dalgalı çıkış voltajlarına sahiptir ve _bu dalga-
lanma yüksek dirençli yük durumu hariç onların kullanılmalarını sınırlar. Kaynak
voltajının tepe değerinin üç 1 dört veya daha fazla katını elde eden Şek. 12-12 deki
devrelere benzer devreler yapılmıştır. Voltaj katlayıcı ve voltaj çoğaltıcı devreler
yüksek voltajlı X - ışınlarıl1da ve parçacık hızlandırıcı besleme devrelerinde kulla-
nılır.

298
 12 - 5
Düzgünleştirme süzgeçleri

D. a. çıkış dalgasının tek indüktör veya sığaçtan elde edilenden- daha az dalgalı
olması gerekli ise, voltaj düzeltici devreleri Kes. 12-6 ve 12-7 veya Şek. 12-13 da
görüldüğü gibi daha kanşık süzgeç devreleri kullanılır. Şekil 12-13a daki indüktör
giriş süzgeci, hem akım hem de voltajm daha düzgün olmasını sağlar, çünkü indük-
tör, akımın sabit kalmasına ve sığaç ise voltajın sabit kalmasına çalışır.
Lı

0
lI Y~ke G:, 1
• "'
Doğrul tucudan

0----------0
I u

(o)Ters çevrilmiş L süzgeci

(İndük tör giriş)
O r ( bl Pi süzgeci
( sığaç gi.riş)

Şekil 12 · 13 Düzgünleştiren süzgeç çeşitleri.

Şekil 12-13b deki sığaç giriş veya 7T kesitli süzgeçlerdeki c 2 sığacının etki-
si, doğrultulmuş akımın Şek. 12-l0b dekine benzer biçimde pulslar halinde gön-
derilmesine neden olmaktadır. Akımdaki yüksek tepeler doğrultma elemanlarına
zararlı olabilir. Sığaç giriş devresi diğer devrelere göre daha yüksek çıkış voltajı
gönderdiğinden daha yararlıdır.
Yük akımı arttıkça yük voltajı düşer ve bunun nedeni transformatör sanmla-
nnın direnç ve reaktans etkiı;i, süzgeçteki diyod ve indüktördeki RI voltaj düşme­
sidir. Süzgeçli düşük güç doğnıltucularında v<;>ltaj düşmesi oldukça büyüktür (bak
Şek. 12-14). Fakat çok fazlı güç doğrultucularda voltaj hemen hemen sabit kalır.
Şekil 12- 14 deki eğrinin bazı belirtgenlerine dikkat edilmelidir. örneğin,

üç devrenin süzgeçler de dahil olmak üzere yüksüz voltajları hep aynıdır. Bu yük-
süz durumda sığacın, a. a. kaynak voltajının tepe değerine kadar yüklenmesinin
bir işaretidir. İndüktör giriş süzgecinde düşük akım bölgesinde yük voltajının ani
olarak 2Em/7T değerine düşmesinin izahı, akımın L 1 indüktöründen geçiş
tarzındadır. Daha yüksek akımlarda, voltaj ayarlama eğrisi oldukça düz, akım
Şek. 12-9b deki dalga biçiminde sürekli olarak L 1 den akar ve çıkış voltajı yakla-
şık olarak ortalama giriş voltaj dalgasına eşittir. Düşük akımlarda sığ aç, voltaj
dalgasının tepe değerine yükleme eğilimindedir. Dolayısıyle, L 1 üzerinden gelen
akım, kısa pulslar şeklindedir ve voltaj daha yüksek olur. Yük kaldırıldığında
süzgeç sığacını boşaltmak ·için bu devrede çıkış uçlan arasına genellikle düzleşti­
rici bir direnç bağlanır ve hu direnç, yük olmadığı durumda voltajın'artık biçimde
art.nası önlemek için yeterli yük oluşturacak biçimde seçilebilir.

299
 /2Es 1% J2Es
'ctcıı
9,ı

l./2Es Z.J2Es 1
1T 1T
ı T
ı . cıın,dal
ı ı.rıdOk 9a
j_/2E, 1 t··
ı 9iı- · 0ı-
1T 1 J.ş S(j
, Zgec1
1

o 50 100
O le
' 50 100
lc14ıı-ıiıA IdıfmA
lol (bl
Şekil 12 - 14 Düşük güç doğrultuculannda voltaj düzenleme eğrileri.

12 -6
Diyod voltaj düzeltme devreleri

Buraya kadar anlatılan d. a. güç kaynaklannın çıkışlan a. a. voltaj kaynağına bağlı

olarak değişir. Çoğunlukla elektronik aletler şebeke voltajının değişmesinden
doğan yüzde 5 veya 10 değişmeye tolerans göstennez. Başka bir problem farklı
çalışma koşulları altında kaynaktan istenen yük akımının değişmesidir. Bu değişik~
likler güç kaynağının voltaj düzenlemesi yüzünden doğru voltajljuda değişmelere
neden olacaktır. Bu iki tip değişme diyod voltaj düzeltme veya geribesleme voltaj
düzeltme devresi kullanılarak oldukça azaltılabilir.
Belli bir akım bölgesinde kırılma diyotlu (veya Zener diyotlu) voltajı hemen
hemen sabit tutar. Şekil 12-15 de iki çeşit kırılma diyodunun eğrileri bu özelliği
belirtmektedir. Kırılma bölgesinde diyodun r 0 = l::,u/1::ıi şeklinde tanımlanan dina-
mik direnci,sabit voltajın bir ölçüsüdür. Bu tip diyodlar 2,5 ile 200 V kırılma vol,

ili

Vz2
LN ------------ 6v
Q V
Vzı
O v vz

(ol (b)

Şekil 12-15 a) Kırılma (Zener) diyod belirtgeni. b )Çift kırılma diyod belirt-
geni.

300
 tajlannda bulunabilir. Bütün yarıiletken aletlerde olduğu gibi bunların da maksi-
mum sıcaklık sınırlaması ve bunun sonucu olarak maksimum güç harcaması vardır;
·bu da maksimum akımı sınırlaı-. Maksimum güç sınırlaması W ın belli bir kesirinden
10 W a veya daha yüksek değere kadar değişir.
Şekil 12-16 daki düzeltme devresini Vs nin sabit ve RL nin değişken olması
durumunda inceleyelim. Rs ye kaynak direnci, R 1 e ek direnç olarak bairnlım ve
ana koldaki toplam direnci Rx ile gösterelim. V L nin sabit kalmasını istediğimiz­
den mantıklı bir düşünme ile is nin de sabit olması lazım geldiğini söyleyebiliriz,
çünkü aksi taktirde Rxis voltaj düşmesi değişir ve dolayısıyle VL değişir. Buna
göre İL artarken i0 düşmeli veya İL azalırken i0 artmalıdır. Fakat diyod belirtge-
ni bize i0 nin çok fazla düşmemesi gerektiğini ve düşerse diyod voltajı (ve V L)
şekildeki eğrinin kavisinde Vz değerinden daha aşağı düşeceğini göstermektedir.
Bu olasılığı yok etmek için Şek. 12-15a gösterildiği gibi i0 nin iN gibi minimum
değerin altına düşmemesi gerektiğini belirtelim.

Rs Rı ~
lio
-İL

_h r o
-=-Vs Vl

Şekil 12-16 Şönt diyod düzeltme devresi.

R, -+İs n _..İl

X
ro
li
0

Vl RL
v. -=-
Vz

Şekil 12-17 Diyod model kullanılmış düzeltme devresi.

Problemi daha ileri düzeyde çözümlemek için r 0 dinamik direnciyle seri
bağlı V voltajından oluşan lineer diyod modeli seçelim. Bu model gfü:öniine alın­
z
<lığında Şek. 12-17 deki devre elde edilir. iL, iLmin ile iLmak aralığı içinde deği:ıir.
V S nin belli oldug~unu kabul edip R X i hesabedelim. .R X in seçiminde kriter olarak
maksimum yük akımı durumunda diyod akımının i N olmasını istiyoruz. Buna
göre

(12 - 15)

301
olur. Bundan başka V L voltajı bu koşullar altında

(12 -16)

biçiminde ifade edilir. Denklem (12 -15) ve (12-16) yı kullanarak Rx i

Vs - VL V s-V z-rDiN
Rx= . . . (12-17)
1s iN + ıLmak
buluruz. rDiN terimi genellikle ihmal edilebilir.
Minimum yük akımı, iLmin• koşulundan VL voltajını hesaplayalım. Şekil
12-17 je n düğümü için düğüm denklemi yazılırsa
V s-V'ı,
(12 · 18)
Rx r·D
olur. VL için çözüldüğünde

(12 · 19)

bulunur. Sayısal örnek olarak Vz = 20 V, rD = 3n, iN = 10 mA, Vs = 36 V,

iLmak = 200 mA ve iLmin = 40 mA olarak alalım. Denklem (12-17) kulla-.
nılarak Rx = 76n bulunur. Maksimum akımdaki yük voltajı (12-16) dan
V L = 20,03 V ve (12 • 19) dan Vi, = 20,39 V bulunur. Buna göre voltaj değişme­
si 0,3 V volt yani yüzde 1,8 dir.
Düzeltme devresinin ikinci özelliği girişteki voltaj dalgalanma etkisini,
doğrultulmuş-süzülmüş güç kaynaklarının çıkışına benzer biçimde . azaltmaktır.

Bu özelliği incelemek için Şek. 1~-17 deki devreyi X noktasından kesip V r

a. a. voltajını dalgalanma voltajı olarak devreye bağlayalım. Şimdi devre modeli ile
uğraştığımızdan üstüste koyma ilkesi uygulanabilir. Buna göre yükteki dalgalı

voltaj bileşeni, V Lr• hesaplanabilir ve

rDII RL
(12 · 20)

bulunur. Eğer önceki paragrafta verilen sayısal değerleri gözönüne alır ve İL = 100 0

mA kaimi edersek, V Lr = 0,037 V R bulunur. Buna göre düzeltici, dalgalanmayı

gerçek değerinin yüzde 3,7 sine indirmiştir..

12 - 7
Voltaj ve akım düzelticiler

Düzeltici olarak çeşitli tipte devre 1er kullanılır fakat burada en genel birkaç tip

302
üzerinde duracağız. Tipik bira. a. giriş ve d. a. çıkışlı düzeltmeli sistem Şek. 12-18
de gösterilmiştir. En genel sistemde düzeltici, a. a. giriş voltajı veya yük direnci
belli bir aralıkta değişse bile V L yük voltajını sabit tutar. Aynı zamanda düzeltil-
memiş d. a. voltajından, V U' küçük dalgalanmaları ortadan kaldırır-. Bu tip sistE!m-
lere sabit voltajlı güç kaynakiarı denir.

+ + +
V. Düzel tici VL

Şekil 12 · 18 Düzeltici sistem.

Bu tip kaynağın voltaj-akım bağıntısı Şek. 12-19a da gösterilmiştir. Eğer

akım sınırlandırma kısmı da düzelticiye eklenirse çıkış eğrisi Şek. 12-19b deki
gibi olur ve böylece sabit voltaj/akım-sınırlı güç kaynağı elde edilir. Sabit-akını güç
kaynağı Şek. 12-19e de gösterilen belirtgene sahiptir. Sabit-voltaj/sabit-akım deni-
len ·güç kaynağının verdiği çıkış eğrisi Şek. 12-19d de gösterilmiştir. Bu kaynakta
voltaj ve akım düzeyleri ekseriya ayarlanabilir.
Düzelticinin işleyişi belli değişimlerin çıkışa etkisi cinsinden belirlenir, yani
hat voltajında, çıkış yükünde veya sıcaklıkta belli miktardaki değişmenin sonucu
olarak çıkışta oluşan maksimum değişme onun normal işleyişini belirler. örneğin,
çıkış eğrisi Şek.12-9a da verilen düzelticinin yükünün değişmesinin çıkışa etkisi
V LO - V LF eşittir. Burada VLO' yUk akımının bulunmaması durumundaki çıkışı
ve V LF ise hat voltajı ve oda sıcaklığı sabit tutulduğunda transistöre özgü yük

(ol (b)

(el (dl

Şekil 12 - 19 Düzeltici çıkışı çeşitleri.

303
akımı için çıkışı gösterir. Benzer tanım hattaki değişimin çıkışa etkisi için de uygu-
lanır.Ekseri belirtilen başka problemler, yük akımında bir basamak artınmmdan
sonra yeniden düzelmek için geçen zaman, çıkıştaki voltaj dalgalanması ve
çıkış impedansıdır. Dinamik çıkış impedansı,çıkıştaki alternatif voltajın büyük-
lüğünün çıkıştaki doğru akım üzerine binmiş alternatif akımın büyüklüğüne oranı
olarak tanımlanır.

12- 8
Yükseltici kullanan seri voltaj düzelticileri

Seri-tipi düzeltici Şek. 12-20 de şematik biçimde gösterilmiştir. Burada yük akımı,
bir kontrol aygıtından örneğin, transistörden çekilir. Bu tr.msistör V p voltaj düş­
mesine sahiptir ve bu voltajlar bir d. a. yükseltici ile kontrol edilmektedir. Yük
voltajı V s verecek şekilde voltaj bölücü ile örneklenir. Bu voltaj, yükseltici girişin­
deki sabit, referans voltajı Vref ile karşılaştınlır. Çıkış voltajı~ istenilen değerde
ise V s = Vref olur. Eğer V L değişirse Vs - V ref farkı yükseltilerek kontrol aygıtına
uygulanır. Bu da Vp yi değiştirir ve böylece VL nin doğru değerine dönmesine yardım
eder.
Şekil 12-.21 deki düzeltici önceki paragrafta belirtilen temel elemanları
içermeJ.tedir. Q1 transistörü kontrol aygıtıdır ve ekseri geçiş transistörü olarak
bilinir. Kırılma diyodunun V z voltajı ,V s örnek voltajı ile karşılaştırılır ve fark V ef
voltajını oluşturur. Q2 transistörü VBE deki değişmeleri yükseltir ve Q1 in
orijinal ·değişmeye karşı koyniasına neden ol~r. örneğin, yiik akımının arttığını ve
böylece VL nin düştüğünü varsayalım. Buna bağlı olarak V s de düşer ve V z sabit
olduğundan sonuç olarak V BE de düşer. Sonuçta Q2 nin toplayıcı akımı diişer ve

ı•K□n~r:-1
aygıtı ı----------,---1~---<>----.

v. '(ül<

Şekil 12 - 20 Voltaj düzeltme devresi.

304
 o,

+ +
Yük

Şekil 12 · 21 Basit seri voltaj düzelticisi

Q 1 in tabanı olan P noktasının potansiyeli R 1 üzerindeki voltaj düşmesinin sonucu

o·larak yükselir. Q1 in taban potansiyelinin yükselmesi onun yayıcı potansiyelinin

yükselmesine neden olur, çünkü Q 1 yayınlayıcı-izleyici gibi davranır. Sonuç ola-

rak yük voltajındaki orijinal düşme hemen hemen tamamen karşılanır.
Bu basit devre, Q2 yerine çıkış voltajında değişimi azaltacak TD gibi yük-
sek-kazançlı yükseltici kullanarak geliştirilebilir. Geçiş transistörünün yükün kısa
devre olması durumunda, yanma olasılığı vardır, çünkü bu durumda uygulanan
tüm V u voltajı ile artık değerde akım geçirecektir. Bu nedenle temel devreye
akım-sınırlama devresi eklenir. öyle bir devrede düşük değerde bir direnç ve ikinci
geçiş transistörü yük akımına seri olarak bağlanır. Normal yük akımları altında

transistör doyma noktasındadır ve böylece voltaj düşmesi küçüktür. Belli aşırı

yükleme akımı aşıldıktan sonra• transistör aktif bölgeye kayacak oiçimde
kontrolıenir ve bu ela ek voltaj düşmesi getirir,neticede akımı sınırlar.
Bazı uygulamalarda çıkış voltajlarının ı,ıüç kaynağından uzak bir noktadan

kontrol edilmesi istenir. örneğin, düzeltici devresinin uzak bir noktasına bağlan­
mış direnci değiştirerek yük voltajını değiştirmek isteyebiliriz. Bu cizelliğe sahip
güç kaynağına programlanabilen kaynak denir. Alternatif olarak bu kontrol işle­
rfıi bir voltaj veya akımla yapılabilir.
Şekil 12 . 22 programlamaya izin veren güç kaynağı ilkesini göstermektedir.
Burada TD diferansiyel girişli bir işlemsel yükselticiyi temsil etmektedir. TD
nin çıkışı, geçiş transistörü Q1 ve V sıfırı sifıra doğru azaltacak şekilde etki eder.
V sıfır = O olduğunda V f = V L olduğuna dikkat edelim. Referans kırılma diyotlu
şekilde iz ile göst~rilen düşük-güçlü düzeltmeli akım kaynağından beslenir. V sıfır ccQ

olduğunda

Vsıfır= IRr - Vz = O veya I =

Vz
-- (12 - 21)
Rr

305
 a,

+
v.

Şekil 12 - 22 Programlanabilir güç besleyici ilkesi

olur. TD ye doğru giriş akımı sıfır olduğundan Rr direnci üzerindeki akım Rr

üzerindekine eşittir. Buna göre Denk. (12-21) kullanılarak

Vr= Rcl = Rr
.:!.ı..
R (12 - 22)
r

yazılır. Fakat Vf ,;c VL olduğundan

Rr
VL=-R-Vz (12 - 23)
r
dir. Bu b·ağıntıdan çıkış voltajının Rr veya Rr den birinin değiştirilmesi ile kontrol
edilebileceği görülmektedir. ·
Şekil 12 - 22 de gösterilen ilkeyi kullanan pratik güç kaynaklan genellikle
esas düzelticinin kontrolündeki değişimleri azaltan özelliklerde ön düzeltici dev-
resine sahiptirler. Yüksek-kazanç yükseltici ile birleştirmekle 500 mA kadar
güç verecek biçimde yapılmış sabit voltaj/ akım sınırlı güç besleyicinin aşağıdaki
özelliklerinden çok iyi düzeltme sağladığı açıktır.
Çıkış impedansı (100 Hz kadar d. a.) 0,02 .n
yük değişmesinden dolayı çıkış etkisi %0,05 veya lmV
yüksüz durumdan belirtilmiş yük durumu hangisi büyükse
hat voltaj sonucu olarak 'çıkış etkisi % 0,05 veya lm V
105 den 125 V kadar değişme hangisi daha büyükse
dalgalanma voltajı 0,25 mV kok
eskiye dönme zamanı 50 µSn

çıkışın 18 V olması durumunda yük_ akımının O dan 500 mA kadar değişmesinin

çıkışa etkisi sadece 9 mV dur.

306
 12-9
Tek blok TD voltaj düzelticiler

Geçen kısımdaki seri halir:deki düzeltici devreleri TD tek - blok biçiminde

düşünülebilir. Kuşkusuz sıcaklık etkisi, voltaj ve akıma sınırlama getirir. Bu sınır­
lama, TD düzeltici kullanarak, geniş dış transistörleri yük akımını geçirmek için
kontrol etmek sureti ile aşılabilir.
Şekil 21-23 te üç-uçlu Fair child µA 7800 serisi tipindeki düzelticinin basit-
leştirilmiş blok diyagramı verilmiştir. Sistem tüm olarak uygun görülmektedir, fa-
kat referans voltajı kınlma diyodlarını kullanmamaktadır. Bunların yerine akım
1
kaynağının beslediği üç transistör ağını kullanmaktadır. Referans voltajının bir
kısmı bir transistörün taban-yayınlayıcı voltajı olmaktadır. Fakat bu voltaj sıcak­
lığa oldukça bağlıdır. Bu sıcaklık etkisinin telafisi öteki iki transistörün taban-ya-
yınlayıcı voltajları farkının yükseltilerek daha önce belirtilen voltajla toplanması
ile sağlanır. Bu iki transistörden bir tanesi diğerine nazaran oldukça daha az akım
taşır. Referans voltaja üç transistör dizisinin eklenmesi daha iyi düzeltilme sağlar
ve böylece son referans voltajı yaklaşık 5 V olmuş olur.
Tam bir düzeltici devre Şek. 12-23 gösterildiği gibi kısa-devre korunması,
yüksek yonga sıcaklığında kesme, ~eçiş transistöründe güç kaybını sınırlandırma
ve tekrar harekete geçirmek gibi işleri başaracak ilave elemanlara sahiptir. Bütün
devre 17 transistör, 2 kınlma diyodu, 20 direnç ve 1 sığaçtan oluşmaktadır.
Geçiş_
V0 o------------,.transistörü
. Vl

Tor.o-_....___________,..__-oa
Şekil 12-23 üç-uçlu basitleştirilmiş düzeltici devre.

6 V ve 500 mA olarak belirtilmiş düzeltici 0,03 .n luk dış dirence sahiptir. Giriş
voltajının 8 ile 25 V arası.oda değişmesinin çıkış voltajına etkisi yüz$ 0,005/V,
ve sıcaklığın etkisi yüzde 0,005/°C dir.
Çıkış voltajını ayarlamada kullanılan diğer bir düzeltici Motorola MFC
4060 dır. Bu düzeltici Darlington bağlantılı geçiş transistörlerine sahiptir. Dü-

307
zeltme yükselticisi diferansiyel çiftten oluşmaktadır. Referans voltajı ile örnek
voltajın farkı yükseltilip geçiş transistör çiftinin tabanına uygulanarak voltaj
kontrolu sağlanır.
25u C sıcaklıkta MFC 4060 düzeltici maksimum 38 V giriş voltajma, 0,2 A
yük akımına ve 1 W güç kaybına sahiptir. Bu düzelticinin özelliklerinden şunları·
söyleyebiliriz: Çıkış voltajı 7 ,5 V iken giriş voltajındaki 12 ile 30 V arasında
değişme çıkış voltajına yüzde 0,03/V etki eder. Giriş voltajı 30 V iken çıkış
akımının 50 ile 100 mA arasındaki değişmesinin maksimum yük voltajına etkisi
yüzde 0,2 dir.

KAYNAKLAR

12 - 1 P. Birman, Kepco Power Supply Handbook, Kepco, Inc., Flushing, N. Y.,

1965.
12 - 2 R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory,
Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J., 1972, pp. 65-112, 683 - 697.
12 - 3 DC Power Supply Handbook, Application Note 90A, Hewlett-Packard
Co., Berkeley Heights, N. ,J., 1970.
12 - 4 J. Millman and C. C Halkias, Integratcd Electronics: Analog and Digital
Circuits and Systems, McGraw-Hill Book Company, New York 1972,'
pp. 103 - 114, 698 - 707.
12 - 5 Solid-State Power Circuits, RCA Designer's Handbook, Technical Series
S-P - 52, RCA Solid State Division, Somerville, N. J., 1971, pp. 249-299.

ALIŞTIRMALAR

Dikkat : Alıştırmalardaki diyod ve transformatörler ayrıca belirtilmedikçe

ideal kabul edilecektir.
12 • 1 Yarıiletken diyod 60 frekanslı 120 V etkin değerli bir güçle beslenen ya-
rım-dalga doğrultucu devresinde kullanılmaktadır. Yük direnci 5000 n ve kay-
nak direnci ihmal edilmektedir. a) Ortalama akımı, b) akımın tep~ değerini ve
c) ters yö~ voltajının tepe değerini bulmak için diyod üzerinde neler gereklidir?
d) Yüke gönderilen gücün değeri nedir?
12 - 2 Alıştırma 12-1 de verilen değerlerle beslenen yarım dalga doğrultucu mev-
cuttur. Yük direnci büyük bir sığaç ile şöntlenmiş olduğundan dalgalanma voltajı
ihmal edilebilir. Diyoddaki ters voltajın tepe değeri ne kadardır?
12 · 3 Şekil 12-2 deki tam-dalga doğrultucusu devresinde orta noktanın her iki
yanında ikincil voltajın tepe değeri 300 V ve R = 10 .n dur. a) Eğer diyodun
5
maksimum ortalama akımı 200 mA olarak yazılı ise en düşük RL nin emniyetli
değeri nedir? b) Her bir diyodda ne kadarlık ters tepe voltajı tutulur?

308
12 • 4 Şekil 12-3 deki devrenin güç kaynağı 120 V etkin değerli 60 tit/sn fre-
kanslı a. a. dır
ve bir ucundan topraklanmıştır. a) Eğer RL =- 1000 n ise yükteki
doğru akım ne kadardır'? b) Eğer RL nin negatif tarafı yanlışlıkla_ topraklanmışsa
sonuç ne olur'?
12 - 5 Şekil 12-12 deki iki devrede eL = 10000 V olduğunu kabul edelim.
a) Şekil 12-12a daki es nin tepe değeri ve 1 diyodu ile 2 diyotlu arasındaki ters
tepe voltajları ne kadardır? b) Şekil 12-12b için aynı problemi tekrar ediniz.
12 • 6 Şekil 12 - 4 deki 1 diyotlu ve 2 diyodundaki akımların dalga biçimlerini:
a) ani duruma göre, b) hafif gecikmiş transformatör indüktansından ötürü biraz
gecikmiş olmaları durumuna göre çiziniz.
12 • 7 Şekil 12-7 deki diyod akımlarını i 1 , i 2 ... gibi işaretleyerek diyod akımı
dalgabiçiınlerinin hepsini aynı zaman cetvelinde göstererek diyagram hazırlayınız.

12 · 8 Bir yarım dalga doğrultucu devresinde yük direnci sığaçla şöntlenıniştir.

Em = 60 V, RL = 2000 n ve f = 400 Hz olduğunu kabul edelim. Tepeden-tepeye
dalgalı voltajın 1,0 V dan az olması için gerekli sığacın değeri nedir?
12 • 9 Şekil 12-16 daki şönt düzeltici devresinde kırılma diyotlu kullanılmaktadır,
diyodda Vz = 18 V, r 0 "' 20 n iN = 2 mA ve Pkay ·= 1,ü W dır. Yük direnci 400 n
dan 4000 n kadar değiştiğinde d. a. güç kaynağının sabit ve 30 V olduğunu kabul
edelim. a) Bu devre için uygun Rx değerini bulunuz. b) Bu devre için 0,5 W diyod
yeterli midir'? c) Verilen yük direnci değişme bölgesi için yaklaşık yük voltaj
değişme miktarı ne kadardır'?
12-10 Şekil 12-16 daki gibi şöntlü düzenleyici diyod devresi dalgalı voltajı 0,4 V
olan kaynağa sahiptir. Rx '--' 200n ve RL = 400n olsun. Yükün uçlarında voltaj
dalgalanmasının 0,020 voltu aşmaması için ,diyodun gerekli olan dinamik diren-_

cini bulunuz.
12-11 Şekil 12-21 deki devrenin düzenleyici etkisini genel olarak açıklayınız.
Bunun için yük akımı arttıkça V u kayııak voltajının belli bir miktar düştüğünü
kabul ediniz ve yük direncinin azalmasının sonucunu araştırınız.
12-12 Voltaj düzeltme terimi (V LO - V LF) / V LF olarak tanımlanır. Burada
V LF belirtiien akım için yük voltajını ve V LO yük akımının sıfır olması duru-
munda yük voltajını temsil etmektedir. Bir seri düzelticinin girişinde 50 V ve yü-
künde 30 V nominal voltaj değerleri vardır. 200 mA yük akımına kadar düzeltme
ve çıkış direnci değerleri karşılıklı olarak 0,002 ve 1,5 n dır. a) Eğer giriş voltajı
yüzde 3 lük dalgalanmaya sahipse 50 mA yük akımında yük voltajının dalgalanması
mili volt olarak ııe kadardır'? b) Eğer kaynak voltajı sabit tutulur ve yük akımını
40 mA den 80 ınA artırırsak mili volt olarak yük voltajındaki deği~me ne kadardır?
 13
Titreşken ve
Ters Çevirici Devreler

13 - 1
Giriş

Bir titreşken d. a. kaynağından gücü alarak onu çıkışta dalgalanan veya titreşen
hale çevirir. Şekil 13-1 de görüldüğü gibi bir titreşken transistör, tüp, TD yük-
selticisi veya frekansa duyarlı kontrol şebekesi gibi aktif elemanlardan oluşur.
Şekil 13-2 de belirtildiği gibi çıkışta çeşitli dal gabi çimleri elde edilebilir.
Şekil 13-2a ve 2b de görülen dalgabiçimi üreten titreşkenleri sinüs dalga titreşkeni
ve durulma titreşkeni olarak tanımlayacağız. Şeklin (d) kısmındaki dalgabiçimini
üreten devreler Kes. 16-10 ve 16-16 da incelenecektir.
'ritreşkenler çoğu kez, aygıt sistemlerinde sinyal kaynağı veya frekans ve
zaman standardı olarak kulla:ıılır.

Kontrol Aktif
veya .:::ı
,aygıt
edici· TD yükselteci >-
şebeke
1 r-
Şekil 13- 1 Bir titreşkenin blok diyagramı.

o,___________
(al (bl

o ------ ------- ------- ----,

(el (dl
-
Şekil 13 - 2 Titreşkenin çıkışındaki dalgabiçimleri.

310
 Titreşkenlerde aranan ü;:ellikler: (1) iyi dalgabiçimi (2) frekan::; kararlılığı
ve (3) sabit genliktir. Basit transistör titreşkenlerin çoğu transistör belirtgenleri
üzerinde geniş voltaj dalgalanma durumlarında çalıştıklarından ötürü lineer olma-
yan bölgelere girerler. Bununla birlikte küçük-sinyal teorisi titreşkenler hakkında
gerekli bilgileri verebilir.

13 -2
Geribesleme titreşken devreleri, genel teori

Bölüm 9 da incelenen geribeslemeli yükseltecin kararsız durumunu geribeslemeli

titreşkeni ortaya koymaktadır. Şekil 13-3 de voltaj geribeslemeli yükselteç dev-
resi, genlik-sınırlama karakterini belirten blok diyagram eki ile tekrar verilmiştir.
Bu sınırlama, yükselticinin doyması veya bu gaye için konmuş diyod, termistor
gibi lineer olmayan elemanların genlikte oluşturdukları değişmenin sonucu olarak
kendi kendine olabilir. Bütün genliklerde G kazancının lineer olduğunu düşünelim
ve sınırlama etkisi V 3/V 2 oranında olsun. Buna göre V3/V2 oranı düşük genlikte
bir birimden başlayarak genlik arttıkça azalır.

+
V2

Şekil 13 - 3 Lineer olmayan V 3 /V 2 kazancını da gösteren geribesleme

şebekesi.

Bu sistemi bütün kazanç Gr= V 3 ıvs için çözümlersek (Denk. 9-5 ile karşılaş­
tırınız).

(13 - 1)

buluruz. Gösterimi basitleştirmek için G'= G(V 3/V 2 ) tanımlanırsa

G' (13 - 2)
C.r=ı+G'H

olur.
Bölüm 9 daki kararsızlık kriterini hatırlarsak titreşim için koşul, paydanın
sıfıra gitmesi yani,

311
 G'H = - 1 = 1/180° (13 · 3)

dir. Bu koşul altında Gf sonsuz olur, veya alternatif oiarak, çıkış voltajı V 3 Un
sinyal sıfır olmasına karşın ortaya çıktığını düşünebiliriz, çünkü V =V sG f --+Ox00
3
dur. Bunun anlamı kendi - kendini destekleyen titreşimler elde edebilmemizdir.
Genellikle H, geribesleme şebekesi frekans-duyarlılık devre elemanlanna·
sahip olduğundan titreşim istenilen frekansta olur. Geribesleme devresi bundan
sonra görüleceği gibi LC rezonans devresi veya RC frekans-duyarlı devresi içere-
bilir. Titreşimin frekansı büyüklük ve faz bakımından Denk. (13-3) U sağlamalıdır.
Kendi kendine titreşimlerin muhtemel büyüklüğü ne olmalıdır? Bu soruyu
cevaplandırmak için küçük bir titreşimle G'H nın Denk.(13-3) sağlayan doğru
fazda olduğunu fakat G'H nın birden az büyük olduğunu varsayalım. Yani pozitif
geribesleme sa<lece titreşim içi_n gerekli koşuldan daha kuvvetlidir. Bundan ötürü
genliklerin birbirini destekleyeceğini bekleriz. Fakat lineer olmayan V 3 /V 2
faktörü hissedilmeye başlanır ve IG'H 1 = 1 oluncaya kadar artmaya devam
edeceğini söyleyebiliriz.

13 - 3
Basit sinüzoidal titreşken devreleri

Hemen hemen sinüs-dalga çıkışı verecek birçok geribesleme devreleri kurgulanmış­

tır. Bu devrelerde titreşimler lineer olmayan bölgeye uzandığından çıkış dalgasında

en azından küçük bir miktar bozulma bekleyebiliriz.

Şekil 13-4 de bir grup kendi kendine-sını_rlı titreşken devreleri görülınekte­
dir. Şeklin (a), (b) ve (c) kısımlannda frekans kontrolü için LC devrelerine bağlı
titreşkenleri göstermektedir. Bu devreler> sadece basit önbesleme yöntemlerini
gösterir. Devrelerdeki kalın-çizgili LC çevrimleri etrafındaki titreşim akımlan
t:cansis~örü besleyen akımlardan daha büyüktür. LC devreleri genellikle tank devre-
leri olarak isimlendirilirler ve yüksek Q veya kalite faktörüne sahiptirler. Toplayıcı
akım dalgabiçimleri oldukça bozulmuş olabilir hatta dar puls şekline sahip
olabilirler, fakat buna rağmen tank devresindeki. voltaj hemen hemen sinüzoidal-
dir. Bu sonuç, yüksek Q lu akordlu devrenin süzme etkisinin sonucu olarak düşü­
nülebilir. ·
Şekil 13-14a daki toplayıcısı akordlu titreşkende faz bağlantılarını inceleyelim.
Bunun için geribesleme hattını, transistörün tabanına bağlı LB geribeslcme bobi-
ninin bağlantısını açarak kestiğimizi di.ışii.neliın. Daha sonra ayrı bir alternatif
voltajın transistörün tabanından topraJa uvgulandığını ılli:jiinelirn. Akordlu LC
devresi rezonansta adeta bir direnç gibi duır.ı• ,,. ,.-e buna ,,,re ;.oplayıcı-toprak
arasındaki voltajın giriş voltajına göre 180° lik l'az farkı olacaktır. Ortak magnetik

312
 C

~)Toplayıc~sı akordlu titreşken (b) Hartley ti treşkeni

le) Colpi tts· ti treşkeni ıcı,Rc faz kayn1alı titreşken

Şekil 13-4 Bir grup basit titreşken devreleri.

akımdan ötürü Lb ve L bobinlerinin uçlarının aynı polaritede olacağını hatırlaya­
lım. Buna göre Lb ye indüklenen voltaj transistör tabanına doğru yönelir ve
fazı, toplayıcı-toprak ile zıt, öolayısıyle başlangıçta varsayılan giriş voltajı ile aym
fazdadır. Titreşken frekansı öyle olmalıdırki geribesleme voltajı ile ben:leri giriş
voltajı arasındaki faz farkı tam olarak o0 olsun. Titreşken frekansı için bu koşul
Şek. 13-4 deki diğer devrelere de uyguİanır.
Hartley titreşkeninin faz bağıhtılarını canlandırmak kolaydır. Indüktör
T koluna sahiptir ve T den toplayıcıya ve T den toprağa veya tabana olan voltajlar
arasında 180° faz farkı vardır. Tran~istör tabanında toplayıcı voltajla benzeri
giriş arasında 180° faz farkı bulunduğundan sonuçta toplam faz'kayması o0 dir.
Aynı düşünce Şek. 13-4 de Colpitt titreşkenlerine de uygulanabilir. Bu
p.evrede c 1 ve c 2 sığaçlan voltaj bölünmesini, kafesle kaynak ve süzgeçle kaynak
arasındaki potansiyellenn fazmı belirler. Bu devre de, radyo-frekans bobinine
(RFB) sahiptir. Bu kısım alternatif alnına yüksek impedans gösterir. Fakat d. a.
ön besleme akımının güç kaynağına dönmesine izin verir.
Şekil 13-4d de RC faz kaymalı titreşkenin gerekli faz kaymasını RC ağında
üretişi görülmektedir. Eğer geribeslcme yolunu X noktasından keser ve A noktası­
na sinyal uygularsak transistörün geçit-toprak voltajı ile giriş voltajı arasında 180°
faz farkı olan özel bir frekans bulabiliriz. m, n ve g düğümlerinde voltajın fll:lı

313
geri kalır ve g düğümünde 180° oluncaya kadar bu geri kalma durumuna devam
eder. Transistörde ek 180° lik faz kayması olduğundan geri besleme yolııııdan
geri dönen voltaj, varsayılan sinyalle aynı faza döner. Ilu frekans,o zaman devre
kapalı ve sinyal kaynağı kaldırılmış durumda titreşen devrenin titreşim frekansı-­
dır.

Gözönüne aiınan bu devrelerin herbirinde, geribesleme voltajının büyüklüğü

benzer giriş voltajına eşit veya ondan büyük olmalıdır ki çevrim kapalı olduğunda
da titreşim mevcut olsun. Bunun anlamı titreşimin mevcut olması için büyüklük ve
fazın her ikisinin de doğru değerde olmasıdır.

13 -4
Titreşken devrelerin küçük sinyal çözümlemesi

a) Toplayıcısı akordlu titreşken

Titreşim devresinden ne çeşit bilgi elde edebileceğimizi göstermek için Şek.

13-4 deki iki devreyi çözümleyelim. önce· Şek. 13-4a daki toplayıcısı akordlu
devreyi gözönüne alalım. Akordlu LC devresinin bobininin bir direnci vardır ve
başka yüklere de çıkış gücü gönderebilir. Rahat olması için toplam güç harcama-
larını R ile veya LC devresini şöntleyen iletkenliği, G, ile temsil edelim. Ayrıca
burada basitleştirilmiş düşük-frekans melez-pi transistör modelini tanıtmaktayız .
+
v,
• Lb

B M

T • ----t
Vı r,, C R G L v.
1
13 12 lı, 1

Şekil 13-5 Toplayıcısı akordlu titreşken devresi modeli.

Çözümlememiz titreşimin oluşması için gerekli frekans ve karşılıklı indük-

tans M nin büyüklüğünü veren bağıntıya ulaştıracaktır. G ve H yı ayrı ayrı hesap
edip daha sonra GH = - 1 koşulunu kullanacağız. önce indüktans kolundaki akı­
ma ı 1 = V0 / jwL, şeklinde yazılabildiğini belirtelim. Geri besleme voltajı V r=
jwMI 1 şeklinde verildiğinden bunların birleştirilmesinden

. M M
Vr= jwMI 1 = ~ - V 0 = L---V 0 (13 - 4)

veya

314
 (13 - 5)

bulunur.
Şimdi G kazancını hesaplayalım, buda V /V e eşittir. Bu hesaplamada
0 1
LRC akordlu devresinin impedansı gözönüne alındığında Lb uyarıcı bo binden
0

geçen r7T ye enerji veren akımın ihmal edilecek değerde olduğunu varsayıyonız.
Böylece LRC devresinin üç kolunu dolaşmakta olan gm V 1 akımı,

(13 - 6)

yazılabilir. Buradan V0 /V1 i çözersek,

Vo -gm
G=-= (13 - 7)
Vl G+jwC+-¼

bulunur. GH = - 1 olduğundan (13-5) ile (13-7) yi kullaaarak

gm (M / L)
= .. 1 (13 - 8)
G + jwC + -.-1...-
Jw L

veya

1
= G + jwC + (13-9)
jwL

olur. Denklem (13 - 9) un sağlanması için her iki taraftaki gerçek terimlerin bir-
birine ve j li terimlerin de birbirine eşit qlması gerekir. Böylece titreşimin olma-
sı için bu koşulu kullanarak (13 - 9) dan iki koşul elde ederiz. Gerçel terimlerin
eşitliğinden

gmM . LG
- L - = GveyaM= t13 · 10)
gm '
olur. Karşılıklı olarak j li terimlerin eşitliğinden

. C + -.--
O =Jw 1 veyaw ="'."7i'7'f"
1 (13-11)
.JwL v LL-
elde edilir. Denklem (13-1~) bize titreşimin me~cut olması veya olmaması durum-
ları arasında sınır çizgisi oluşturmak için M nin ne büyüklükte olması 'gerektiğini
söylemektedir. Kararlı titroşimlerin oluşmasının garanti olması için M biraz
büyütülmeli, yani, bobinler birbirine daha sıkı kuplajlanmalıdır. Bundan sonra

315
voltaj genliği şebekede lineersizlik oluşup denge düzeyi oluşuncaya kadar yüksele-
cektir. Basit sinyal teorisi bu denge düzeyinin ne olduğunu açıklayamaz.
örnek olarak L= 20 mH, C = 2 µF, R = 500n ve gm == 0,1 mho olsun. Böy-
lece w = 5000 ve M = 0,4 mII olur. Eğer Lb ve L benzer hava boşluklu bobin-
ler ise bu M değeri bobinler arasındaki zayıf kuplajı temsil eder. Kuvvetli titreşim
elde etmek için M nin değeri artırılmalıdır. Eğer örnekteki d. a. kaynağı 20 V ise
titreşim voltajı 18 V tepe değerine kadar ulaşabilir. O zaman R direnci üzerine
giden güç 160 mV olarak bulunur.

b. RC faz kaymalı titreşken

Şekil 13 - 4 deki titreşkeni çözümlemeye çalışalım. önce Şek. 13-6 daki

gibi bir model devre çizelim. Burada MOYİAET yerine Şek. 6-5 deki model
konulmuştur. Devrede R 1 11 R 2 = R olarak aldık ve böylece geribesleme ağındaki
R ve C !erin üçü de eşittir. Devreyi X noktasından kestiğimizi düşünelim ve
G = V0 /Vg ve H = Vf/V O hesaplayalım. Bundan sonra GH = -1 koşulunu kulla-
narak titreşim için gerekli bağıntıları elde edelim.

C C C X

R R
t
v~
1

-:-

Şekil 13-6 RC faz kaymalı titreşken için model devre.

G yi hesap ederken faz kaydırma devresinin, çıkışa ihmal edilebilir bir

yüklenme etkisi getirdiği biçimindeki basitleştirici varsayımı yapalım. Gösterimi
kolaylaştırmak için 1/g 0 ve Rd nin paralel değerini Ra = Rd j 1 (l/g 0 ) ile göstere-
lim. O zaman

(13 - 12)

yazılabilir. H nın hesabı biraz uzundur ve biz sadece sonucu

H = _v_f - = --------=-1_ _ _ __ . (13 - 13)

vo

olarak verelim. Şimdi (13-12) ve (13-13)ü GH = - 1 de yerine koyar ve terimleri

316
yeniden düzenlersek

~=O (13 - 14)

wRC

elde ederiz. Burada reel ve j li terimlerin toplamı ayrı ayrı sıfıra eşit olmalıdır.
j li terimlerden

1 6 1
w3R3R3 wRC veya w= y6 RC (13-15)

yazabiliriz. Denklem (13-15) ôeki w değerini gözönüne alarak Denk. 13-14 de

reel terimlerin toplamını sıfıra eşitlersek,

(13 - 16)

bulunur. Buna göre

(13-17)

olur. Böylece titreşimin frekansının Denk. (13-15) bağıntısı ile belli oldıJl?linu ve
kazancın en az -29 olması gerektiği koşulunu bulduk.
ömeğin,eğer C = 200 pF ve R = 10 kn ise w = 204,000 veya f ~ 32,5 klfa
olur. gm = 8 mmho ve g0 = 0,12 mmho olan bir MOYİAET için hesaplanan R'd ve
Rd değerl~ri 3620n ve 6400n olur.

13 - 5
Ek titreşken devreleri

Şekil 13-4 deki bütün devreler AET veya iki-kutuplu eklem transistörü veya ter-
moiyonik triod kullanmak üzere,düzeltilebilir Besleyici devreler özel aktif aygıtlara
uygun gelecek biçimde kurgulanması gerekir.
Bu devrelerin hepsi aktif eleman olarak TD fark çifti kullanacak biçimde
adapte edilebilir. örneğin bir devre Şek. 13-7 de gösterilmiştir ve bu toplayıcısı
akordlu titreşkenden adapte edilmiştir. Nitel bir çözümleme geribesleme voltajının
fazının, titreşimin devamını sağlayacak biçimde olduğunu gösterir. Şekilde 1 ile
8
gösterilen transistör şebekesi içeren sabit akım önbesleme kaynağı TD !eri piyasa-
da bulmak mümkündür. B~ dev~ çıkışta, tek-transistör t devresine n:ızaran daha
az bozulma verir.

t Kaynak 13 -.1 sayfa 238

317
 +V

• L C
•
/

.____---tOı

Şekil 13-7 Fark çifti titreşken.

Modern laboratuvar sinyal üreteçleri sinLis dalgabiçiminin yanında birçok

dalgabiçimleri de verirler. Şekil 13-8 de böyle bir üretecin t blok diyagramı
;,;örülmektedir. Kare dalga üreteci türev alıcıya kare dalga gönderir. Çıkışta testere-
dişli dalga olarak gözükür. Buradan bunlar dalga dalgabiçimleyici devresine gönderilir
ve sonuçta sinüs dalgası oluşur. Çıkışa güç yükselticisi ekleyerek üç dalga-biçimin-
den herhangibirine çevrilebilir. Kaynak olarak gösterilen devrede, bir dalga-biçimle:
yici devresi ve dö.rt işlemsel yükselteç kullanılmaktadır.

n ı­
J---u--
Kare,_
) \· Dalga_
)
dalga Voı Integral Vo2 biçim!e_yici Vo3
üreteci alıcı devre

Şekil 13 - 8 Dalga-biçimi üretecin blok çizimi.

13 - 6
Wien köprü titreı;;keni

Şekil13-9 daki titreşken Wien köprüsünün frekans seçme özelliğini ortaya

koymaktadır. TD yükselteci G nin <:ıkışı köprüye enerji verm,~k iı,:iıı ::eri veril-
miştii'. Köprünün orta noktaları ile toprak arasında V 1 ve V 2 voltajlarıııın yüksel-
ticinin ters çeviren ve çevirmeyeP. giric;Jı:,r;ııi ::tir,'iirdii',iinü düşünebiliriz. V 1

·r Devrenin ayrıntısı için kaynak ı:.l - 2 sayfa 378

318
voltajı negatif geribeslemeyi ve V 2 voltajı da pozitif geribeslemeyi sağlar. Titreş­
ken olarak davranması için pozitif geribesleme başat olmalıdır.
Nitel bir inceleme titreşken devresinin çalışma ilkesi hakkında fikir verir.
V 2 voltajı köprü ağının sol kolunun voltaj bölme özelliği ile Y.0 dan türetilir,
V 1 voltajı ise R 1 ve R 2 nin voltaj bolme etkilerinden oluşur. Kazanç, G, pozitif,
ve reeldir ve V O = (V 2 - V 1 ) G dir. G büyük, örneğin, 1000 veya daha fazl'!, V2- v1
farkı küçüktür.Yani V ve V hemen hemen birbirine eşittir.
1 2
M

Şekil 13-9 Titreşken Wien köprüsü.

Bundan başka gereksinen faz bağuıtılarının sağlanması için V 2 , V 1 ile hemen he-
men aynı fazda olmalı, yani köprü lwınen hemen dengede olmalıdır. Denge duru-
mundı.: w = 1/RC ve V /V ~· l/3 olırİası gerektiği gösterilebilir. Yine R /(R + R )
2 1 2 1 2
voltaj bölme oranı 1/3 den biraz küçük olmalı ki pozitif geribesleme etkili olsun ve
titreşme devam etsin.
Laboratuvar titreşkenlerinin bir biçiminde C ile gösterilen iki sığaç, frekans
değiştirmek için çeşitli değerler alabilir. Hava aralıklı sığaçlar kullanılarak bir
kadranlık <iönüde 10 ile 1 arasında frekans değişimi ve R direiıclerini değiştirerek
onluk katlar halinde frekans bölgesi seçimi yapılabilir. Bu devre, titreşme noktası
yakınında frekans değişimi V 2 nin fazında çok büyük değışiklik olması sonucu ola-
rak,çok iyi frekans kararlılığına sahiptir.
Genellikle kararlı voltaj genliğine sahip olmak için şebeke içerisine bazı gen-
lik kontrol öğeleri konur. Bunun için bir yöntem R{ in termistür olmasına izin
vermektir, termistörün direnci akım_ yükseldikçe azalır. Buna göre genlik yiıksel­
dikçe R2 /(R1 + R2 ) genlikle birlikte artar ve daha büyük negatif geribesleme
vereceğinden çıkış voltaj dj.izeyini kararlı duruma getirir.

319
 13 -7
Elektromekaniksel titreşkenler;
kristal titreşken

Mekanik elemanlarla elektriksel devrelerin etkileşmesine bağlı bir takım

titreşkenler yapılmıştır. Bu devrelerden bir tanesi titreşen diyapazon ile seçici
bobinlerini, diğeri ise nikel çı,ıbuk içerisindeki megnetostriksiyon etkisini
kullanır.
Bu tip en önemli titreşkenler kristal titreşkenlerdir. Bu devrelerde kristal
diliminin, genellikle kuartzın, mekaniksel titreşimi sistemin titreşim frekansını
sabit tutmaya yardım eder. Yüksek ölçüde frekans kararlılığından ötürü kristal
titreşkenler, çok iyi bir frekans ve zaman referansıdırlar ve kaliteli saatlerin
yapımında kullanılırlar.
Konulduklan elektrik alana cevap olarak eğilme, sıkışma gibi mekanik bir
bozukluk geliştiren kristallere piezo elektrik rezonansa gelici denir. özel olarak
kesilmiş kuartz kristali iki sığaç plakası arasına konulduğunda bu elektrik
devresi içinde sanki yüksek Q lu seri bir rezonans devresi gibi davranır. Bu özellik
çok kararlı titreşim frekansı sağlar. En iyi kristal, frekans için oldukça düşük
sıcaklık katsayısına sahiptir ve bu yaklaşık bir santigrad derece için milyonda bir-
dir. Çok iyi düzeltilebilen fınn içinde kristalin sıcaklığını kontrol ederek kristalin
titreşim frekansı yüz milyonda birden daha iyi biçimde sabit tutulabilir.
Kristal titreşici kullanılmış bir devre Şek. 13-10 da gösterilmektedir. Aynı
biçimde kullanılan diğer devreler Hartley ve Colpitts devreleridir. Şekil 13-10 daki
köprü devresindeki koşullar daha önce belirtilmiş olan Wien köprü titreşkeninin
benzeridir. Yani burada da Tt yükselticisi ne giriş voltajı olarak köprünün her iki
yanında pozitif ve negatif ger beslemeler vardır. Rezonans halinde titreşim fre-
kansında kristal seri LCR de resi gibi davranır yani adeta direnç gibi davranır.
Çıkış sağlamak için diferansiyel giriş voltajı gerektiğinden ötürü bu frekansta

Şekil 13 - 10 Meacham· köprüsü kristal titreşkeni.

320
ki;prü tanı oı,u ,,k dengdt, ... ncz. Genellikle genlik-sınırlama devresi sisteme ilave
Pdilir. V O artukça 1\ in :~almasını sağlayacak bir yöntem a:jağıdaki gibidir. R1_
direnci ışığa duyarlı yarı iletken maddeden yapılmıştır. R1_ in yanındaki küçük
ampulün enerjisi çıkış voltajı ile sağıaııır. Böylece V O artarken R1 azalır ve sonuçta
gerioesleme değişerek genliği kararlı kılar.

13 - b
Durulma titre~keni

Durulma titreşkeninde voltaj aniden değişir ve ondan sonra yavaş yavaş ilk
değerine geri döner. Bu değişme sığacın boşalma veya yüklenmesi ile kontrol edi-
lir ve bundan ötürü durulma titreşkeni adı verilmiştir. Bu titreşken, puls üretici,
bir zamanlayıcı devre, testere dişli dalga üretici, veya silikon-kontrollü doğrultucu­
larda tetik devresi olarak kullanılabilir.
Şekil 13 - lla da tekeklemli transistör (TET) titreşken devresi görülmekte-
dir. R1 ve R2 dirençlerinin büyüklüğü,R 1 diyelim 100n geçmediği durumlarda
önemli değildir. Nitel olarak iE ==0 iken C sığacının R cfüenci üzerinden V1 kay-
nak voltajına doğru yüklendiği söylenebilir. Fakat uE yeterince yükselince
transistör anahtarın E - R1 yolu aniden yüksek iletken duruma geçer. Böylece iE
aniden yükselir ve C, hızla E, Bl ve I\ yoluyla boşalır. Dönü böyle yinelenir.
Şekil 13-llb devrenin daha ayrıntılı açıklamasına yardım eder. Şekil
13-llb de NPQV dolu çizgisi TET ün yayıcı belirigenini göstermektedir. V1 ve
R nin değerlerini, el. a. direnç doğrusunun yayıcı belirtgenini Q noktasında kese-
cek biçimde seçiyoruz. Q noktasının yayıcı b~lirtgeninin negatif kısmında olduğu-

+v, 30
1
-v,
1
\ ./'V ve R için
ı,- dir. çizgisi
R 1
20 1
;:: p \

' ----
--- ..."
o
;:;:,
--~--------
'....
>
\ ı ıM
C \ I
I
,/
........,,
N -
V
--
00 4 8 12

{o)

Şekil 13-11 Tek eklemli trarlsistör titreşken.

321
nu not edelim. Başlangıçta (Şek. 13-12 det= O)çalışma noktası Şek. 13-llb de
N olduğunu varsayıyoruz, yani UE = V v ve iE :==:O dır. O zaman C sığacı R yoluyla
kaynak voltajı V1 e doğru yüklenmeye başlar. Fakat vE voltajı P noktasına
yüklendiğinde iletkenlik düşer ve iE aniden artar. Sığaç E, B1 ve R 1 yoluyla bo-
şalır. Bu boşalma Şek. 13-llb de PMV yolu olarak gösterilmiştir. V vadi noktasına
vardıktan sonra ne olur'? Çalışma noktası TET belirtgeninde Q noktasına doğru
tırmanamaz çünkü C yi yüklemek için V1 den R ye doğru mümkün olan akımdan
daha fazla akıma ihtiyaç hasıl olur. Çalışma noktası aniden V den N ye hareket
eder ve böylece bizim varsaydığımız başlangıç noktasma döner. Bundan sonra
aynı dünü devam eder. V1 ve R nin direnç doğrusu Şek. 13-llb de TET belirtge-

nini negatif direnç bölgesinde kesmesi lazım geldiğini işaret edelim. Aksi taktirde
kesim noktası kararlı olur ve salınım durur.
Şekil 13-12 de vE nin .dalgabiçimi çalışmanın devamında N, P ve V nokta-
larını göstermektedir. Bu noktalar bundan önceki paragrafta aynı harfli noktalara
karşılık gelmektedir. Titreşim frekansına ait ifadeyi basit varsayımlarla türetebilir ve

1
f == -- (13 - 18)

t.... 10
>

00
i -,
,, 12

Şekil 13-12 TET titreşkeninde UE nin dalgabiçimi

yazabiliriz. Bu ifadeyi çıkarırken R1 << R olduğunu varsaydık, yani, sığacın

boşalma zamanını ihmal ettik. V p nin degeri TET ün özelliklerinden kendine özgü
durma oranı, rı, kullanılarak bulunabifü.
Alternatif bir çıkış voltajı Ur,, bl ile toprak arasından alınabilir. Bu,dar
tepeli bir puls olacaktır, örıwğiıı hu Ş,·k. ·~ ! ' ,Lıki ko!'iııllarda devam siiresi t,
den t2 ye kadar olan zaman aralığıdır. Bu ,,:._,'i pubuııun liir uygulaması siliko;.
kontrollü doğrultucuda geçi ti tetiklemede kullanılmasıdır.

322
 Durulma titreşkenleri, ga:.'. diyodları, thyratonlar veya tünel diyodları gibi
diğer negatif dirençli aygıtlar kullanılarak ta yapılabilir.

13 -9
Negatif dirençli titreşkenkr

En basit titreşken, bir parelel LC akordlu devresi V B ön besleme voltajı ve

belirtgen eğrisinin bir kısmında negatif dinamik dirence Hhip Şek. 13-13 iki çıkış
uçlu bir aygıttan oluşur. Bu tip aygıta örnek, yarıiletken tünel diyodudur.
Yaklaşımımızda, lineer kuramı kullanacağız ve lineer olmayan aygıtlara uy-

gulandığındaki sınırlamalara karşı olmayacağız. Dikkat edersek r= tlu /di olarak

tanımlanan dinamik direnç, aygıtın belirtgen eğrisi üzerinde ;) noktasında negatif-
tir. Bundan ötürü Şek: 13-13a nın alt kısmında gösterilen u deki değişme aygıtın
güç kaybına değil a a frekanslı gücün üretilmesine eşlik edecektir. Eğer okuyucu
u nin sinüs dalgasını ve ona karşılık gelen i dalgasını canlandınrsa bunların 180°
faz farkına sahip olduğunu görecektir ve bu çıkış gücüne karşılık gelir. Bu güç
ne oluyor? Bu güç sadece akordlu devreye titreşimi devam ettirmek için akar,
yani Rs deki kayıpları karşılar.

gıt

1
Ayg:n V
C
Ls

Rs
1
V

ı,
Ve

(ol (bl

Şek;l 13-13 Negatif dirençli titreşken.

Bu fikri biraz daha geliştitelim. Eğer frekans biliniyorsa LC devresi, R8

yerine devreye paralel R direnci yerleştirilmiş bir (;şdeğer devre ile temsil edile-
bilir. Aygıtın Q noktasında ölçillen küçük sinyal artırımlı r direncinin değerinin
akordlu devrenin R değerindeh daha küçük olduğunu varsayalım. O zaman
uı = 1 v'LC frekansmda titreşimler başlayacak ve gelişecektir, çünkü aygıttan ge-
len a. a. gücü akordlu devrede harcanandan daha büyüktür. Bununla birlikte genlik
arttıkça r nin etkin değeri aygıtın karakteristik eğriliğinden ötürü azalır. Buna gö-
I
re r 1 = R olduğunda titreşimin b~nliğinin kararlı olmasını bekleriz.
Tünel diyod titreşken, oldıJkça yüksek-frekans yetenekli basit devre sağlar,

323
fakat belirtgenin negatif direnç kısmında küçük voltaj ve akım aralıklarının oluşu
gücünü ciddi biçimde sınırlar.

13 - 10
. Tersçevirici devreler

a) Titreşen dokunmalı tersçevirici

Bu tersçeviricinin ilkesi Şek. 13-14 te gösterilmiştir. Titreşici, uyarılmış

bobinin kontrolu altında titreşen anahtardan oluşur. Çalışma sırasında titreşici
anahtar d. a. voltajı V yi transformatörün birincilinin iki yarısı boyunca alternatif
olarak ac,,ar kapar. Açıp kapatma ani olmamakta fakat periyodun yüzde 10 u ile
30 luk kısmı kadar zaman ·gerekmektedir. Bıına göre çıkış voltajı diyagramda
görüldüğü gibi kare-tepeli biçimi almaktadır. Pratikte devrelere indüktif dalgalan-
maları yok etmek için sığaç ilave edilir. Bu tip devreler yüksek d. a. voltajının
gerekli olduğu pille çalışan taşmabilir aygıtlar için kullanı~lıdırlar. Bu voltaj,
transformatör çıkışını doğrultarak elde edilebilirler.

Şekil 13-14 Titreşken dokunmalı ters çevirici.

b) Transistör terçevirici devresi

Şekil 13-15 te görülen iki-transistörlü tersçeviricinin çalışma ilkesi yaklaşık

olarak titreşen tersçeviricinin aynıdır. Transistörlerin görPYi d. a. lrnynağını
alternatif olarak Wl ve W2 sarımlarma açıp kapamaktır. :;onuçta yuke dikdörtgen
a.a . dalgası gönderilir. Açıp kapatma W3 sarımından T2 transformatörüne ııe
oradan da transistörün taban bağlantılarına geri verilen voltajla kontrol edilir. T2
transformatörü mağnetik yükselticilPrde kullımı1ana benzer b; ·irnıie birden doyan
bir çekirdeğe
sahiptir.
Taban sinyali, pozitif gPribcslerrıeden dolayı :ransistiirlcrrl,•n hirini,örnctiin,
Q 1 i AÇIK durumda, ötekini KAP ALI tııtar. Bu cinada T2 Uansformatcirü için-
dPki çekirdeğin mağnetik akısı de~işir fakat T:: 11,m çekikıı rn;ığnetiasyon akımı
oldukça küı;lik olctıığundan R F <lireııci , ıJ, · ,_,ijk dki:, . _,:ılıir i ir, Rırnu ,. la birlik-
te T2 doyduğu zaman doyumdan ötlirü binncil akımı ~ükselir VP hF ni"n etkisi,
T2 üzerinde gelişen voltajı önemli bir biçimde düşiirrıektir. Sonuı; olarak taban

324
sürücüsü azalır ve iletkenlik Q2 üzerine geçer ve Q1 iletimi durur. Bu devir
tekrar eder ve frekans T2 transformatörü içindeki akının negatiften pozitif

eaa

Şekil 13-15 Transistör değiştirme devresi.

doyuma değişmesi için gerekli zamandan bulunur. Transistörler anahtar gibi ça-
lıştırıldıklarından güç kayıpları Kes. 11-8 de açıklandığı üzere çok düşüktür ve
bundan ötürü bu devre düşük güç uygulamalarında yüksek verimli tersçevirici
olarak yararlı olur.

KAYNAKLAR

13 - 1 K. K. Clarke and D. T. Hess. Communication Circuits: Analysis aııd Desigıı,

Addison-Wesley Publishing Company, ine., Reading, Mass., 1971. Chap. 6.
13- 2 J.G. Graeme, d.E. Tobey, and L.P. Huelsman, eds., Operationaı Amplifiers,
Desigıı and Application, McGraw-Hill Book Company, New York, 1971,
Chap.10.
13 - 3 L. Strauss, Wave Generation and Shapiııg, 2d ed., McGraw-Hill Book Com-
pany, New York, 1971, Chaps. 16, 17.

ALIŞTIRMALAR

13- 1 Şekil 13-4a daki devreyi yeniden çiziniz, fakat bir tek güç kaynağı ve uy-
gun önbesleme devresi kullanınız. önbesleme elde etmede bir yöntem sığaçla şönt­
lenmiş direncin yayıcıya eklenmesidir.
13 - 2 Şekil 134d deki RC faz kaymalı titreşken devresinde transistör taban giriş
direnci 1800.n, R 1 = 40 kn R2 = lü k n ve C= 0,005 µF tır. a) Sondaki sığaç ile
toprak arasındaki eşdeğer a. a. direnci nedir? b) öteki iki faz kaydırma devresin-
deki R dirençlerinin değerlerinin a) şıkkında hesaplananın aynı olduğunu varsa-
yınız ve titreşimin frekansını hesaplayınız.
13 - 3. Şekil 13-16, Şek. 13-4c deki Colpitts titreşkeninin yaklaşık çözümlen-

325
mesi için bir mo<lel göstermektedir. Burada MOYİ transistörünün akıtıcı iletken-
liği ihmal edilmiştir. İki sığacın eşit olduğu varsayılmış, devre kayıpları ve çıkış
giicüni.i karşılamak için R direnci ilave edilmiştir. Düşünsel bir V s voltaj kaynağı
da konmuştur. Titreşim için kriter elde etme yöntemi V sil oranını hesaplayıp
sıfıra e_şitleınektcn ibarettir. Teorik olarak V s sıfıra gitse bile yine akım mevcut .

tur. V si I oranının reci kısmından gm in kritik değerıni ve j ti kısmından titreşimin

frekansını bulabiliriz. Bu yolu izleyerek bu iki koşulun

2
ve
LC

olduğunu gösteriniz.

Şekil 13-16 Colpitts titreşkeninin modeli.

13 - 4 Denklem ( 13-18) i türetiniz. Yol giısterıne: Şekil 13-12 de ilk yükselmede

sığacın .voltajıu nin Vv den Vp ye yükselmesi için geçen zamanın T periyoduna
eşit olduğuna dikkat ediniz.

326
 14
Modülasyon, Modülasyon Çözümü
ve İlgili Konular

14 -1
Giriş

Teknik olmayan anlamda modülasyon,sesiıı karakteristiğinin değiştirilmesi­

dir, örneğin sesin yüksekliğinin veya şiddetinin değiştirilmesi sesin modüle edil-
mesidir. Buna göre iyi modüleli bir sesle konuştuğumuzu söyleriz. Teknik olarak
modülasyon terimi bir dalganın genliğinin (veya başka bir belirtgeninin ) ikinci
dalganın ani değerinin fonksiyonu olarak değişmesine neden olan süreç olarak
tanımlanabilir. İkinci dalgaya sinyal veya modüle edici dalga, birinci dalgaya da
taşıyıcı dalga denir. Sinyal bilgileri taşıyan değiştirilmiş taşıyıcı dalgasına modüle
edilmiş dalga denir.
Modüle edilmiş dalgalar, radyo ve televizyon vericilerinde temeldir. Çünkü
yüksek frekanslı taşıyıcı dalgalar uzaya kolayca yayınlanabilir ve bunlar seçici
elektrik devreleri vasıtasıyle diğer bir çok dalga frekansını ihtiva eden frekans
spektrumu arasında kolayca seçilebilirler. Modüle edilmiş dalgalara, e_kseri elektro-
nik aygıtlarda, örneğin, zor ölçer sistemi ve telemetri (alıcı merkeze aygıtın oku-
duğunu gönderme) gibi sistemlerde karşılaşılır.
Bu bölümde, modülasyon, demodülasyon veya algılama (yani modüle edilmiş
dalgadan sinyal bilgHerinin elde edilmesi) ve heterodinle ilgili konular, frekans
karışımı ve faz algılanması görülecektir.
Modüle edilmiş dalgalar iki sınıfa ayrılır. Bunlar taşıyıcısı sinüs dalgası olan
ve bazı özelliği modüle edilen puls treni dalgalandır. İkinci gruba puls modülasyonu
denir.
Bir sinüs dalga taşıyıcı

e=Esin8 (14 - 1)

biçiminde temsil edilir, burada 8 zamanın fonksiyonudur. Bu taşıyıcı dalga bir

sinyale uygun cev.-.~ vem1esi bakımından iki şekilde modüle edilir, (1) Eyi değiş­
tirerek genlik modülasyonu (GM), (2)8 açısını değiştirerek açı modülasyonu. Açı
modülasyonun alt sınıftan faz modülasyonu ve frekans modülasyonudur (FM).

14-2
Genlik Modülasyonu

GM dalga örneği Şek. 14-1 de görülmektedir. Sinyal~n olması durumunda

327
dalga genliği sabit ve E olan taşıyıcı bir dalgadan ibarettir. Sinyalle birlikte modü-
le edilmiş taşıyıcı dalganın zarfı sinyalin biçimine uymalıdır. Sinyal dalgası çeşitli
biçimler alırken radyan olarak frekansı w s olan sinüs-dalga sinyali ile modüle edil-
miş dalgayı incelemek öğreticidir. O zaman modüle edilmiş voltaj

(14 - 2)

biçiminde ifade edilebilir. Burada E modüle edilmemiş taşıyıcının genliği, eı.:ı c

frekansıve Es ile o.\; ise sinyal bileşene karşılık gelen genlik ve frekans değerleridir.
Eğer E yi ortak paranteze alır ve m yi modülasyon derecesi olarak gösterirsek

(14 - 3)

elde ederiz. Burada

m= (14 - 4)

dir. Emak ve Emin Şek. 14-1 de tanımlanmıştır. Eğer zarf, sinı.is dalga, sinyalini
temsil ediyorsam nin sadece O la 1 aralığında değiştiği açıktır.

e ·Zarf,
/... Modüle edilmiş·
/
, dalqa 1

/
/

,;Sinyal dalgası

o_•ı---~L\~·
/'\~
1
~
Şekil 14-1 Genlik modüleli dalga •

Denklem (14 - 3)

(14 - 5)

328
biçimindr yazılabilir. Fğl·r il·, , t.·riıni ar,;ıların turlam ve farkları cinsinden ya-
zarsak

e 14 - 6) •

.
gibi önemli bir bağıntı elde ederiz. Bu bağmtı GM dalganın sabit genlikli üç har-
monil. voltaj terimlerine ayrılabileceğini göstermektedir. Bunlardan birincisi taşı­
yıcının frekansına, öteki ikisi ise taşıyıcı ve sinyal frekanslarının toplam ve farkla-
rına eşit frekanslara sahiptir_ Toplam ve fark frekansları kenar modülasyon fre-
kansları olarak adlandırılır. Şekil 14-2a da görüldüğü gibi genellikle sinyal frekansı

taşıyıcı frekansının küçük bir kesri kadar olduğundan üç frekans bileşeni de birbi-
rine relatif olarak yakındır. örneğin, GM radyo yayının taşıyıcı frekansı 700 kHz.
müzik sinyalinin frekansı 2000 Hz olduğunda bunların bileşenleri 700 kHz. 698
kHz ve 702 kHz olur.
Sinyal dalgası karmaşık biçime sahipse onun harmonik bileşenlerinin
Fourier çözümlemesi ile elde edildiğini düşünebiliriz. Böylece GM dalga diyelim .
5000 Hz e kadar aralığı kapsayan birçok kenar frekanslara sahip olacaktır. Kenar
frekanslarına karşılık gelen aralığa kenarbandı adı verilir. Böylece tipik bir GM
radyo dalgası Şek. 14-2b de belirtildiği gibi bir taşıyıcı, üst ve alt kenar bandların­
dan oluşur.
Taşıyıcı

ı\
Kenar
frekanslar
1
0 Ws Frekans Wc
Wc -Ws Wc + Ws
(o ı

Taşıyıcı

.....
.Y. Sinyal bandı
rl
Kenar
C bandlaı
Ol
aı

Frekan:5 Cılc

Şekil 14 2 GM dalgalarının frekans bileı;;enleri

Burada GM sisteminden türeyen özel haberleşme tekniğinden söz edebiliriz.

Sinyal bileşenlerinin hepsi bir kenar bandında ihtiva edildiğinden sadece bir
kenar bandındaki frekansların yayınlanması sinyali taşımak için ye.ter)idir. Bu
işleme tek kanarband yayınlanması adı verilir. Bu yöntem, frekans bandgenişliğini
korur. Taşıyıcı, frekans kontrolu gayesi ile duşük düzeyde yaymlanır ve alıcıya
kuvvetli bir taşıyıcı dalga eklenir.

329
 GM dalgalan üretmek veya yayınlamak için kurgulanan sistemler hakkında
bir takımilgi çekici sorular akla gelir. Bunlar güç ihtiyacı, bandgenişliği ve bu dal-
gaları yükseltmek için gerekli olan akordlu yükselticilerin geçici cevabı gibi sorun-
lardır. Buna rağmen birçok modüle edici ve algılayıcı devreler yapılmıştır. Bu dev-
relerin bazılarını nitel olarak inceleyeceğiz.

14 -3
GM modüle edici ve algılayıcı devre
örnekleri

Sinyal voltajı ile taşıyıcı voltajın basitçe toplanması GM dalga oluştumıaz.

Denklem (14-5) de görüldüğü gibi sin w st x sin w et gibi bir çarpım terimi gereklidir.
Bunun anlamı modülatörlerin (ve algılayıcıların) istenilen sonucu vermesi için
diyod gibi doğrusal olmayan devre elemanına veya anahtar gibi zamanla değişen
devre elemanına sahip olması gerekir.
Şekil 14-3 deki basit diyod modülatör devresi bu noktayı açıklamaktadır.
Devrede etkili olan toplam voltaj sinyal ve taşıyıcı voltajların toplamıdır. Diyod,
akım pulslarmı geçirir, pulsların genliği ec + es voltaj zarfının değişimini yansıtır.
LC akordlu devresi taşıyıcı frekansına akordlanır. Akım pulsları akordlu devreyi
uyarır, eğer devrenin sönümü uygunsa LC devresi uçlarındaki voltaj genliği

C L
§ üle
lmi5
çıkış

Şekil 14 - 3 Diyod modiilatör devresi.

modüle edilmiş biçime sahip olur. Akordlu devre, akım pulslarına Kes. 11-6 da
anlatılan C sınıfı akordlu yükseltici tank devresine bcnzn biçimde cevap verir.
Çıkış dalgasının bozulması, düşük modülasyon ucrecesi için oldukı_·,t il,'.dır ve buna
göre devre-düzey modülatörlerde kullanılır.
Şekil H-4 deki toplayıcısı-rrıodiile edilıni~ C sınıfı yiilseltici yüksek gi.iç
verimine sahiptir ve yüksek derece modülasyonlar iı;i,ı tloğrıısal ve yüksek (;ıkış
elde etmek iızere kurgulanabilir.
Taşıyıcı, taban devresine sabit-geniikli >' ,l· ,: .,r:u. ,·eril ', ~inyal voll:ıjı i,~e
d. a. kaynağı ile seri halinde uygulanır. Siny;ıl ·, u! ,:ıjı ,ı. a. kaynağı ile toµlandığı

330
zaman toplayıcı akım pulslan daha yüksek ve daha geniş olacak ve akordlu devre
daha yüksek düzeye uyarılacaktır. Buna göre çıkış voltajı zarfı, sinyal dalgabiçimi-
ni izleyecektir.
Şekil 14-5 te işlemsel aktarım iletkenliği yükselticisine. dayanan basit
modülatör devresi 20 kHz t e kadar taşıyıcı frekansı ile çalışır. Kesim (10-14)
de açıklandığı üzere taban akımı, i8 , yükselticinin tüm aktarım iletkenliği_ni kont-
rol eder. Bundan ötürü yüksek R direnci yoluyla taban ucuna uygulanan voltaj
sinyali aktarım iletkenliğini değiştirir ve sinyal genliğiyle uyuşması için taşıyı­
cıyı modüle eder.

Ta~ı~ıc 1 ecJnnnnn1L
gırı ş I ~
o--------......----1

Şekil 14 - 4 Toplayıcısı-modüleli C sınıfı yükselteç.

Şekil 14-5 ~şlemsel iletkenlik yükselticisi kullanan bir GM modülatörünün

basitleştirilmiş çizimi.

Modüle edilmiş dalga bir tel hattı üzerinden radyo dalgası olarak yayınlan­
dıktan sonra orijinal sinyal alıcıda yeniden elde edilmesi gerekir. Sinyalin
yeniden elde edilme işlemine modülasyonun çözülmesi veya algılama adı verilir
ve bu işlem için kullanılan devrelerde modülasyon çözücü veya algılayıcı denir.
Doğrusal diyod algılayicı devresi, diyelim, birkaç volt mertebesindeki
oldukça geniş GM dalgalar için elverişlidir. Şekil 14-6 daki devre esas olarak yükü
. '
t RCA Lincar Intcgratcd Circuits, Technicaı Series IC - 42, RCA Solid

State Division Somerville, N. J., p. 191.

331
RC olan bir yanın-dalga doğrultucudan ibarettir. İdeal bir diyodla sığaç GM dalga-
sının her _pozitif "tepenin tam değerine yüklenecektir. Modüle edilmiş voltaj tepe
değerden uzaklaşırken, C sığacındaki yük çıkış voltajını e 0 da tutmaya çalışır ve
bu voltaj bu değerden RC zaman sabiti ile üstel bir biçimde düşer. Bundan sonra

em
Modüle
edilmiş
giriş
C R

Şekil 14 - 6 Doğrusal diyod algılayıcı.

gelen GM dalganın tepe değeri C yi yeni bir değere yeniden yükler ve bu böyle
devam eder. Çıkış voltajı, e 0 , orijinal sinyal dalgasının özelliklerine sahiptir.
Genel olarak taşıyıcı frekansı sinyal frekansının 40 veya daha fazla katı
.olduğundan tepeler arasındaki üstel azalmanın neden olduğu bozulma şekilde
görüldüğü gibi olmayacaktır. Bu bozulmalar zaman sabitini artırarak belli bir
noktaya· kadar azaltılabilir. Bununla birlikte zaman sabiti çok büyük yapılırsa
GM dalgasının aşağı doğru kısmında dalga yeterli hızla düşmeyecektir. Voltaj,
çıkış voltaj zarfını izleme yerine, zarfın üstünde kalacak ve bozulmuş çıkış

r-~-
verecektir. Kullanılması gerekli maksimum zaman sabiti değeri,

1 1
(RC)mak = - - --2- - 1 (14 - 'i')
· Ws m

bağıntısına t göre ws vem ye bağlıdır. örneğin eğer m = 0,8 ve ws = 21r5000, is.e

buradan (RC)mak = 23,8 µsn olur ve C = 150 pF seçilirse R = 159.000.11 olu:r.
Şekil 14-6 çıkış dalgası, e 0 , sinyal frekans bileşenine ek olarak d. a. bileşe­
nine (ve küçük taşıyıcı frekans bileşenine) sahiptir. a. a. bileşeni yüksek-frekans
geçiren RC süzgeci yardımı ile yok edilebilir. Fakat bu ilave edilen devre algılayıcı
davranışını biraz değiştirir.

t Sayfa 511 Kaynak 14-3

332
 14 -4
Kare~yasası modülasyonu

Modülasyon aygıtlarında gerekli olan lineersizlik sınırlı matematiksel çö-

zümlemelerle geliştirilir. Şekil 14-3 deki diyod modüle ediciyi gözönüne alacağız.
Fakat çözümlemeyi düşük düzeyler için yapacağız. Giriş düzeylerinin yüksek ol-
ması durumunda devre doğrusal doğrultucu gibi çalışır fakat düşük düzeylerde

uygulama diyodun e-i eğrisinin üst kısmına geçer. Bu doğrusal olmayan belirtgen
Q noktası yakınında kuvvet serisi açılımı ile temsil edilebilir. Açılımın sadece iki
terimini alarak yazarsak

i = ae. + be 2 (14 - 8)

olur. Burada a ve b birer sabit ve e de diyoda ve yüke uygulanan voltajdır. Fakat

e ;c ec + es dir ve

{14 - 9)

biçiminde yazılabilir. Bu değeri Denk. (14-8) de yerine yazarsak

i = aEc cos eı.ıct + aEs cos eı.ıst + bE! cos eı.ıct

2
(14 - 10)

+ 2bEcEs cos eı.ıct cos wst + bE: cos eı.ıst

2

elde ederiz. İlk terim taşıyıcı frekansı, ikinci terim ise sinyal frekansından ibaret-
tir. Kosinüs kareli terimler trigonometrik özdeşlik olarak açılabilir ve

bE C2 cos2 eı.ı Ct = ~
2
E C2 (1 + cos 2ı,Lt)
,:
(14 - 11)

(14 - 12)

biçiminde yazılabilir. Dolayısıyle bu terimler, sabit terimlerle, iki kat-taşıyıcı

frekanslı ve iki kat sinyal frekanslı terimlerin toplamıdır. Denklem 14-10 da dör-
düncü terimin açılımından

elde edilir. Bu terim GM dalganın istenen kenar frekanslarını verir.

Şekil 14-3 de olduğu gibi akordlu bir çıkış devresi ile taşıyıcı ve kenar fre-
kansları korunur ve diğerleri durdurulur. Böylece çıkış, GM biçiminde olur.

333
Modülasyonun derecesi ,

~-E
2b
m= (14 - 14)
a s

olarak bulunur ve diyod akımının kuvvet serisindeki lineer ve kareli terimlerin

relatif büyüklüklerine bağlıdır.

14 - 5
Frekans modülasyonu ve algılanması

a) Frekans modülasyonu _

Faz modülasyonu ve frekans modülasyonu (FM) olmak üzeri iki çeşit açma!
modülasyon vardır. Her ikisinde de değişim, Denk. (14-1) deki 0 da olmaktadır.
Modülasyonun olmaması durumunda 0 sabit oranda artar. Faz ınodülasyonunun
mevcudiyeti durumunda sinyal voltajı, 0 açısının fazının normal değerinden önde
veya arkada olacak şekilde değişmesine neden olur ve ideal olarak ani relatif faz
ile sinyal voltajı arasında doğru orantılılık devam eder.
FM dalgayı tartışmak için ani frekans tanımının kesin yapılabilmesi gerekli•
dir ve bu da

d0
2nf=-- (14-15)
dt

dir. Bir FM dalga, ani sinyal voltajı es ile doğru orantılı olarak değişen ani frekan-
sa sahiptir, buna göre

(14 · 16)

dir. Burada fc merkez (veya taşıyıcı) frekansı kes ise değişken bileşendir. Şekil
14-7 de verilen FM dalga biçimi X ve X' noktalarında yüksek frekanslara sahiptir.
Bu noktalarda sinyal pozitif maksimum değerind_edir. Sinyal negatif tepe değerin­
deyken frekans minimumdur. Sinyalin genliği frekansın değişme miktarını belirtir.
Buna göre sinyalin büyüklüğü ve periyodik özelliği FM dalga içinde saklıdır.

Ani frekansın merkez frekansından ayrılmasına

frekans sapması adı verilir.
Bu tanım daha geniş açıklama istemektedir. Sayısal örnek daha yararlıdır. Merkez
frekansın 100 MHz ve maksimum sinyal genliğinin 4 volt olduğunu varsayalım.
Bundan başka + 4 V u temsil etmek için seçil<''1 ~apına + l l\1Hz yani yüzde 1 lik
değişme olsun. O zaman + 2 V luk ani sinyal voltajı 100 ,5 MHz frekansı ile,

334
 Modüle edilmiş dalga
X z x'
il

+
o

Şekil 14 - 7 Frekans modüleli dalga.

- 2 Volt 99,5 frekansı ile veya - 4 Volt 99 MHz frekansı ile temsil edilebilir. Gen-
lik değişimleri frekans değişimlerine çevrilir. En büyük frekans sapması kurgula-
nan sisteme bağlıdır ve örnek değerler FM radyoda merkez frekansın binde birkaçı,
dar bandda yüzde 7 ,51 geniş-band FM magnctik şerite kayıtta yüzde 40 mertebesin-
dedir.
FM dalga frekans bileşenlerine çözümlendiğinde Kes. 14-6, sonuç GM dalga-
dan daha karmaşıktır. Tek bir sinüs-dalga sinyali için fc frekansının üstünde ve al-
tında olmak üzere kenar-frekans bileşen çiftlerinin sonsuz serisi mevcuttur. fc den
çok uzakta olan bileşenler genlik büyüklüğü yönünden önemsizdirler ve ihmal edi-
lebilirle_r. Etkili bileşenlerin sayısı tıfc frekans sapma miktarının sinyal frekansı
oranına bağlıdır. örneğin tıfc/fs = 2 iken dört çift etkin terim vardır. Bunlar
merkez frekansıtı üst ve alt kısmında ±fs, ±2f5 , ±3fs ve ±4f8 olarak yerleşmişlerdir.
tıfc/fs = 8 olduğu zaman yaklaşık oniJir çift etkin kenar-frekans terimi vardır.
Bunlar genellikle fc - tıfc - fs ile fc + !He + fs frekans bölgesinde aşağıda açıklan­
riığı gibi yayılırlar. FM yayınında, tıfc maksimum 75 kHz de tutulur, buna göre
FM alıcı devreleri herbir istasyon için merkezi fc de en az 150 kHz lik frekans
bandgenişliğine sahip olmalıdırlar. Bu bize FM yayını için istasyonun 200 kHz

lik frekans artışlarıyla neden 88 MHz den 108 MHz e kadar yüksek frekans ara-
lığını kapladığını açıklamaktadır.

b) FM modülatörü

Şekil 14-8 de basit bir FM modüle edici devresi görülmektedir. Devrenin en

önemli kısmı varaktör de~ilen diyoddur. Kesim 4-5 de açıklandığı üz~re bu diyod,
ters voltajın fonksiyonu olan Cj eklem sığacına sahiptir. Burada esas fikir, us sinyal
voltajı yüzünden Cj deki değişiklik tank devresinde L ve C ile gösterilen bir titrcş­
kenin frekansını etkilemesidir. Varaktör diyotlu v 8 voltajı ile beslenir böylece

335
üstüne i:>indirilmiş ½, sinyal voltajı Cj yi kontrol eder. Cb sığacı VB den L ye doğru
d. a. yolunu kapatmalı aynı zamanda yüksek frekanslara düşük impedans göster-
meli ve bdylece Cj ye C ile paralel gözü ile bakılabilmelidir. R direnci, düşük
impedansı artırmak ve dolayısıyle ~ ve V B üzerinden tank devresinin şöntlenme­
sini önlemek için gereklidir.
f···----------·-1 Cb R
1
1

L C ci# Varaktor
1

'
1
1
1 1
L---------------~
Titreşken

Şekil 14 - 8 Varaktör frekans modülatör devresi.

Şekil 14 - 8 deki devre, frekansı sinyal voltajının fonksiyonu olan voltaj

kontrollu titreşken devre olarak da düşünülebilir. Bunun bir uygulaması telemetri
sistemlerindedir ve bunlarda duyucu us voltajını üretir ve sinyal bilgileri değişken
frekansı ile taşınır.

c) FM algılayıcı

Sinyalin yeniden elde.edilmesinde en genel yöntem FM dalgasını GM dalı;a­

sına çevirmek ve ondan sonra GM algılayıcı kullanmaktır. Böyle bir sistem Şek.
14-9 da gösterilmiştir. FM dalgası, e, önce türev alıcı devresine uygulanır. Türev
alıcının çıkışı, e 1 , ani frekansla orantılı bir zarftır ve sinüs sinyaline sahip bir FM
o.algası için Denk. (14-16) dan ani frekans fc + kEs sin w st dir. Bundan sonra e 1 ,
GM algılayıcısına uygulanır ve sonuçta e 2 çıkışı bir bileşen olarak sinyal dalgası ile
düşük frekans bileşenine sahip olur. İstenmeyen bileşeni yok etmek için bir
yöntein Şek. 14-9 da görüldüğü gibi bir süzgeçten geçirmektir. Böylece süzgeçten
alınan e 0 çıkışı istenen sinyal dalgası olur. Birçok FM algılayıcılar bu yöntemin
oiçimlerini kullanır ve frekaris değişmelerinden genlik değişmeleri oluştunırlar.

Türev genlik e2 Yüksek

alıcı (zarfı) qeçiren
şebeke riıoöülas on Kuplaj
çözücü devresi

Şt:kil 14-9 FM modülasyonu çözücü sistemi.

336
 14 - 6
FM dalgasının çözümlenmesi

Harmonik sinyali ihtiva eden FM dalganın frekans bileşenlerine ayrılması:

1) sinyal genliğini, 2) sinyal frekansını, 3) merkez frekansını ve mevcut frekans
bileşenlerinde frekans sapmasını ortaya çıkarır. Bu çeşit bilgiler radyo telemetri,
FM teyp kayıt ve aynı zamanda FM radyo uygulamalarında yararlıdır.
önce Denk. 14-16 yı değiştirerek

d0
·-
dt
- = w=w C + kEs cosw st (14 - 17)

elde edilir. Burada sinyal voltajı Es cos w st olarak alınmış ve k da bir sabittir.
Tepe frekans sapmasını b.w c olarak tanımlayalım, yani nw c = kEs olsun. Denklem
(14 - 17) nin integrali alınırsa
nu.ıc
0 = w t + - - - - sin w t + bir sabit (14 - 18)
C WS s

olur. Denklem (14-1) hatırlanarak FM dalganın integrasyon sabitinden dolayı faz

açısı hariç tutulmak koşulu ile
t:,wc
e =Esin (wct + - - sin wst) (14 - 19)
Ws

biçiminde verildiğini görürüz. nw el w s oranı belli bir sinyal için sapma oranı ola-
rak tanımlanır. örneğin.Şek. 14-7 deki FM dalgasının sapma oranı kabaca dörttür.·
Birçok FM sistemleri nw mak gibi maksimum frekans sapma yeteneğine
sahiptir. Dolayısıyle modülasyon derecesi,nwc/l::,wmak olarak tanımlanır. Burada
bu miktarın sadece FM dalga~ına değil,a:ı,nı zamanda 1 sistemin yeteneğine bağlı
olduğuna dikkat etmek gerekir.

Frekans bileşenlerini ortaya koymak için Denk. (14-19) un açılımıt trigo-

nometrik bağıntıların ve Bessel fonksiyonlarının kullanılması ile
nwc
e = EJ ( - - - ) sin w t
O (ı)S C

(14 - 20)

t Kaynak 14-2 sayfa 328 ba.k.

337
yapılır. Burada J0 {b.wc/ws) sıfırıncı mertebeden birinci çeşit Bessel fonksiyonu
ve Jm · (.6.w cfw 8) de m inci mertebeden Bessel fonksiyonudur ve her ikisinin de·
ar:;-umenti 6.w el w s dir. Bu fonksiyonların değerleri sıfır ile bir arasındadır ve
değerleri veya şekilleri mevcuttur t . Denklem (14-20) kenar frekanslarının çiftler
halinde oluştuğunu göstermektedir. Burada GM dalgalarında olduğu gibi tek
çift değil her biri genlikleri Bessel fonksiyonun katsayısı ile değiştirilmiş sonsuz
çiftler vardır. Kenar frekansları w 8 nin (v,1ya radyan yerine f 8 frekans cinsinden)
tam ka.tları olarak sıralanır ve buna göre sanki sinyal dalgası harmoniklerinin bir
benzeri biçimindedir. özel bir bileşenin önemi onun Bessel katsayısıııa bağlıdır;
bileşenler acayip bir biçimde değişir ve m arttıkça sıfıra yaklaşırlar. Şekil 14-10

t.wc . 2
Ws •

Şekil 14 · 10 Fl\1 dal!!.ıları frnk:ıı,s ~p,,Jdrunııı.

t Janke and F. Emde Tables of Functi(HIS wiıı, Functions. witn Fornıulae

and Curves, Dover Publications, ine. New 'v",·,rk, 1943

338
çeşitli sapma oranları değerleri için bileşenlerin genliklerini gösteriyor. Bütün
ordinatlar aynı ölçekte çizilmiş, fakat yatay eksenlerde iki farklı ölçek kullanıl­
mıştır. Eğer modüle edilmemiş taşıyıcı genlik bir olarak alınırsa o zaman
!:::.wcfws = 1 için maksimum genlik 0,765 ve !:::.wcf ws = 2,4 ve 10 için karşılıklı
olarak maksimum genlik, 0,577, 0,430 ve 0,318 olur. •
Radyo tdemetride olduğu gibi pratik uygulamada da bir FM dalgayı yayın­
lamak için bandgenişliği hakkında bilgiler değerlidir. Corrington t farklı sinyal
dalgabiçimleri için bilgiler vermiştir. O, bileşen terimleri çözümleyerek modüle
edilmemiş· taşıyıcıya göre belli bir değerden büyük bütün terimlerin geçirilmesi
için gerekli bandgenişliğinin ne kadar büyük olduğunu belirlemiştir. Sinüs dalga
sinyalleri için sonuçlarının bir kısmı Şek. 14-11 de çizilmiştir. f sembolü,genliği
modüle edilmemiş taşıyıcının genliğinin 0,01 inden büyük olan bütün terimlerin
tutulması için gerekli bandgenişliğini vermektedir. Bunun pratik uygulamalar
için yeterli bir kriter olduğu .söylenir. Çizim, eğer !::ıfcf fs = 10 alınırsa o zaman
r 8 /2/::ıfc =- 1,4 olduğunu gösteriyor. Yani gerekli bandgenişliği 2,8 !::ıfc dir. Fakat
!::ıfc aynı kalır ve ~ 10 kat artarsa !::ıfc/ fs = 1 dir ve bu durumda 6,8 /::ıfc bandgeniş­
liği gerekli olur. özellikle eğer Met fs =- 0,05 veya 0,1 gibi düşük değerlere sahipse
pratik olarak kısa zamanda fs nin üst sınırına ulaşılır.

20 :
.! !
1 1 111 1
15 ·-·-- -- .. -
[ ın

"'il
3N
"10

5
- ~

......
......
' ..... __

~
1

......
i
r-

' '
1

!
''

............ .........

---
1
2
~ ...
-
~

1
1
0.1 0.2 0.5 5 10 20 40

Şekil 14-11 FM yayınında modüle edilmemiş taşıyıcı genffğinin 0,01 inden

büyük olan terimlerin alınması için gerekli bandgenişliği.

t M.S. Corrington, "Variation of Bandwith Modulation lndex in Frequency

Modulatıon lndex in Frequency Modulatıon", Proc. lnst. Rad. Eng., 35,

1013 • 1020 (1947).

339
 14 - 7
Frekans düşürücü alıcılar;
frekans clönüştürücü (mikser)

GM nunda düşük frekanslı sinyalle yüksek frekanslı taşıyıcının birleştirildiğini

gördük. Hemen hemen eşit frekanslı iki dalga toplanırsa bunlar alternatiJ olarak
"aynı faza" gelir, birbirlerini kuvvetlendirir ve soma "zıt faza" gelip birbirlerini
yok ederler. Buna göre iki dalganın toplamının zarfı bunların frekansları farkına
eşit oranda pulsa sahiptir. Bu olaya vuru olayı ve frekans farkına da vuru frekansı
denir.

a) Frekans düşürücü (Superheterodyne) GM alıcı

Frekans düşürücü ilkesi yukardakinin benzeridir yalnız iki etkileşen dalga-

nın frekansları oldukça farklıdır. Bu ilke frekans-düşürücü GM alıcıya uyguianır.
Alıcının genel biçimi Şek. 14-12 de gösterilmektedir. önce zayıf GM dalga yük-
seltilir ondan sonra yerel f0 frekanslı titreşken dalgasıyla karıştırılır.
•Anten
fc fi
fc+fs fl +fs
le - fs f·-f
1 1 s
fs1 fs

RF/ 1 .
Karıştırıc
1 OF . . : 1 1:
Yükselticı-Algılayıcı~yükse]tici~
~ l..rr1
Y_'...;,kselteç
.
! 1 ı...-,--- hapar l or
..
fa

Yerel/
titre;,ken
/

Şekil 14 - 12 Frekans düşürücü (Superhetorodyne) GM alıcının blok şeması.

İki dalga .frekans düşürücüde veya karıştırıcıda birleştirilir. Karıştırıcının

çıkışı bileşenlerin frekanslarının toplamı ve farkindan oluşur. Orta-frekans, (OF),
yükselticisj fark frekans terimini seçerek onu yükseltir. Taşıyıcı frekansı fc ve
sinyal frekansı fs olan GM dalga (OF) yükselticiye girince çıkışta fi, fi + fs ve
fi -fs frekans bileşenlerine sahip olur. Burada fi= f0 -fc dir ve fi ye orta-frekans denir.
Eğer GM dalga orkestra müziğinde olduğu gibi karmaşık sinyal taşıyorsa tek

fs frekansı yerine kenar bandları mevcuttur. OF yükselticisinin çıkışında bu kenar

bandlar ko!l.lnur, fakat burada fi taşıyıcı olarak davranır. Sinyal bir algılayıcı ile
yenilenir, eğer gerekiyorsa bundan sonra yükseltilir.
Bu sistemin iyi yönleri yüksek kazançla birlikte sabit' frekanslı OF yüksel-

340
ticisinin kazandırdığı seçiciliktir. OF yükselticisi kuplaj şebekesi, iki katlı-akordlu
transformatörden oluşur ve kazanca karşı frekans değişim eğrisi düzgün ayarlı bir
kat için düz tepeye ve dik kenarlara sahiptir.
Genellikle GM yayın alıcıda fi ~, 455 kHz dir. Yerel titreşken,isteailen istas-
yonun frekansının 455 kHz üzerinde frekansta çalışır. Böylece bir taşıyıcı dalga
için fc = 800 kHz ise f 0 1255 kHz ayarlanmalıdır. Eğer sinyal frekanslar1°4000 Hz
e karlar düzgün olarak yükseltilebiliyorsa OF yükselticinin kazancı 451 ile 459
kHz arasında düz olmalıdır. Alıcı farklı bir istasyona, aynı zamanda yerel titreş­
keni ve havalı iki sığacı ayarlayarak akord edilebilir.

b) Frekans dönüştürücü katı (karıştırıcı)

Şekil 14-12 de gösterildiği gibi karıştırıcı devresinde ye~el titreşken volt.ajı

ile modüle edilmiş RF voltajının birleştirilmesi istenen frekans dönüşümünü
sağlar. Gereken frekans kaymalarını oluşturmak için karıştırıcıt devresi diyod,
transistör v.b. gibi lineer olmayan aygıt ihtiva etmesi lazımdır.
Basit bir transistör frekans dönüştürücü Şek. 14-13 de gösterilmiştir.
Burada doğrusal olmayan eleman, taban akımının taban-yayınlayıcı voltajına bağ­
lılığıdır. Titreşkenin çıkışı e 0 belki genliği olabilir ve bu giriş çevrimi etrafındaki
daha küçük erf sinyal voltajına eklenir. Doğrusal olmayan bağımlılığın sonucu
olarak toplayıcı akım frf• f 0 -frf• f0 + frf ve frf nin toplamları, farkları ve f 0 ın
hannoniklerini ihtiva eden birçok frekans gözükür.

n;F
I
/·
I
I
I e,ı
U:')
I
Vcc
I
I
Ti treşken eo
fo

Şekil 14 - 13 Basit frekans dönüştürücü devresi.

t Çok kanallı ses sistemlerinde giriş sinyallerini birleştirmek için doğrusal

karıştırıcı adı verilen farklı bir devre kullanılır.

341
Burada frf GM girişi temsil etmektedir ve taşıyıcı ile kenar frekanslarını içermek-
tedir. Toplayıcı devresindeki ayarlı transformatör süzgeç gibi davranarak çıkışında
sadece f-r = f -f f frekans bölgesindeki terimleri geçirir diğerlerini tutar. Böylece
ı o r
OF (GM) devresindeki voltaj,merkezi frekansı fi = f 0 -fc olan GM dalgadır. OF
yükselticisine sabit frekans vermek için fc değeri ne olursa olsun GM frekans
spektrumu fi bölgesine doğru kaydınlmıştır.

c) FM alıcısı

Şekil 14-14 te belirtilen alıcının düşük-düzey kesimleri kurgu aynntıları

dışında GM alıcıya benzer. Burada farklı olarak gürültüyü azaltmak için sınırlayıcı
bir kat ve ses sinyalini almak için ayıncı devresi kullanılmaktadır. Sınırlayıcının
etkisi Şek. 14-15 te gösterilmiştir. Sınırlayıcı dalgaya istenmeyerek eklenmiş
genlik modülasyonu ortadan kaldırmak için dalganın üst ve alt kısımlannı belli
düzeyde keser. Bu istenmeyen modülasyonun nedenlerinden biri atmosferin elektrik-
liği veya "statik" liğidir. Eğer girişimle dalganın sıfın ani kesme noktaları kaydı­
nlmamışsa bir sınırlayıcı yardımı ile FM dalgaya eklenan birçok gürültü yok

RF 1 ,~, .1
Yükselteç Karıştırıc:ı..-Yükseıtec-sınırlayıcı Ayırdedici
ı.--- 1 1

fitreşken

Şekil 14 - 14 FM alıcı çizimi.

1 , 1
''vI \ I \,_,,I
\ I
.._J

Şekil 14 - 15 Sınırlayıcının etkisi.

342
edilebilir. Sınırlayıcıdan sonra ayırıcıdaki akordlu devre FM dalgayı orijinal
durumunda depolar. Sınırlayıcı devreler güç üstü çalıştırılan yükselticilere veya
kırpıcı devrelere dayanır (Böl. 16).

Sınırlayıcılarla gürültü azaltılması gürültüye göre en azından sahip olunan

minimum sinyale bağlıdır. Eğer sinyal genliği gürültü bileşeninin tepe değerinin
2 veya 3 kat altına düşüyorsa gürültüyü durdurmak imkansızdır.
Genelde FM alıcıda gerçek girişim veya gürültii hem genlik ve hem de açı
modülasyonuna sahiptir. Geniş frekans sapması yaparak istenmeyen açı modülasyo-
nun etkisi azaltılabilir.

1.4 - 8
Anahtar modülatörler

Kesim 10 - 8 de anahtar modülatörün kesici biçimini tanımıştık. Bu kesici, do-

kunmalı röle veya transistörden ibarettir.
Yarıiletken diyod, uygulanan voltajın polaritesi ile kontrol edilen bir anahtar
gibi gözönüne alınabilir. Şekil 14-16 daki köprü modülatör devresinde diyod
anahtarlar, es sinyal voltajına kıyasla daha büyük olduğunu kabul ettiğimiz,taşıyıcı
voltajının kontrolu altındadır. Taşıyıcının bir yarım periyodunda diyod anahtarlar

"kapalı" durumdadır, dolayısıyle A ve B uçları kısa devredir. öteki yarım periyotta

A

B
ecTaşıyıc

Şekil 14 - 16 Köprü veya anahtar ınodülatör.

diyod anahtarlar "açık" tır ve bu durumda sinyal voltajının bir kısmı yüke bıider.
Sonuç olarak Şek. 14-16 da gösterilen e 0 dalgabiçimi oluşur.
Çıkış dalgasının çözümlenmesi taşıyıcı frekans teriminin yok olduğunu
fakat fs, fc + fs, fc- fs ve 2fc ±fs frekans terimlerinin mevcut olduğunu gösterir.
f ±f frekans terimleri GM dalganın kenar bandlarını temsil etmektedir ve bunlar
C S
bir band-geçiren süzgeç ile seçildiğinde elde edilen dalgaya taşıyıcısı durdurulmuş ·
modüle dalga adı verilir. Sinyal bilgileri bu dalgada ihtiva edilmiştir ve uygun tek-
niklerle yeniden elde edilirler.
Şekil 14-17 halka modülatör adı verilen diğer bir çeşit anahtar modülatur
devresini göstermektedir. Orta uçlu sarımlardan akan taşıyıcı akımla bir yarı dö-

343
nüde 1 ve 2 diyodlan kapalı öteki yarı dönüde 3 ve 4 diyodları kapalıdır. Bu sonm;
olarak ters çevirici anahtar eylemine neden olur ve sinyal voltajı taşıyıcı frekans-
tan terslenir. Çıkış dalgası, kenar frekanslarını ve taşıyıcının kenar frakanslarını
ihtiva eder fakat taşıyıcının kendisi tutulur.
t

:J
Taşıyıc

Şekil 14 - 17 Halka mödülatörün Çİ.-\İmi

Anahtar-tipi modülatörler taşıyıcı haberleşme sistemlerinde ve güdümlü sis-

temlerde kullanılır.

14 - 9
Elektronik çoğaltıcılar

Kesim 10 - 17 de elektronik çoğaltıcıya, benzerlik bilgisayarlarında kullaıııl­

·dığıbiçimde işaret etmiştik. Ekonomik TD çoğaitıcıların gelişmesi modülasyon,
demodülasyon, otomatik kazanç kontrolu ve faz ayırdedilmesi gibi alanlarda
yeni uygulamalara imkan sağlamıştır.
Daha önceki bilgilerimizden e 1 ve e 2 voltajları çoğaltıcılara verildiğinde
çıkışın ke 1e 2 ye eşit olacağını hatırlayalım. Bununla birlikte iki ve dört çeyreklik

çoğaltrcıları birbirinden ayırmak iyidir. Şekil 14-18 de görüldüğü gibi iki-çeyrek

çoğaltıcı sadece 1 ve 2 çeyreklerinde fakat 4 çeyreklik çoğaltıcı ise bütün çey-
reklerde çalışır.

3 4

(ol (b)

Şekil 14 - 18 a) iki çeyrek ve b) dört çeyrek çoğaltıcıların çalışma bölgeleri.

344
 Şimdı e 1 ve e 2 gibi harmonik ve biçimleri

(14 - 21)

olan voltajları uyguladığımızı varsayalım. O zaman çoğaltıcı çıkışı 1

(14-22)

olacaktır. Şimdi bunun sonucunu gözden geçirelim. w 1 in taşıyıcı frekansı w 2 nin

ise sinyal frekansı olduğunu kabul edelim. Denklem (14-22) den çoğaltıcının çıkı­
şının kenar-modülasyon frekanslarını oluşturduğunu ve bundan ötürü çift kenar

bandlı modülatöre uygun olduğunu görüyoruz.

Giriş voltajlarını

(14 - 23)

biçiminde alalım. O zaman

(14-24)

olur. Bu ifade Denk. (14-6) ya benzer ve w 1 taşıyıcı, w 2 "inyal frekansı ise çıkış­
ta taşıyıcı ve kenar frekanslarını elde ederiz. Buna göre çoğaltıcı GM modülatör
gibi çalışır.

14 - 10
Faz-duyarlı detektör (FDD)

Çoğaltıcıkullanan bir (FDD) nın genel modeli Şek. 14-19 da verilmiştir.

Girişlerdeki sinyal frek_ansı w 2 , referans frekansı ise w 1 dir. Sinyalin sinüs dalgası
fakat referansın ya sinüs ya da kare dalga olduğunu kabul edelim.
İki girişin de kosinüs dalgası ve w 1 == w 2 olduğunu düşünelim. O zaman,
Denk. (14-21) ve (14-22) ile açıklanan durum oluşur. Düşük frekans geçiren süzgeç
w ı + w 2 h terimi yok eder ve çıkışta sadece cos( w 1 -w 2 ) t biçiminde dalga_ kalır.

Sinjal
W2 Alçak-geçiren
Çarp_ıcı >-----~
Referans sUzger:
0--
w,
Şekil 14 - 19 Faz-duyarlı detektörün çizimi.

345
Buna göre çıkış vuru frekansındadır ve bu şema vuru frekansı-titreşkeninde
kullanılır.
w
1
= w 2 olduğu zaman teoriyi düzeltmemiz gerekir, çünkü girişler arasında­
ki faz kayması önemlidir. Eğer

e 1 = A cos wt ve e 2 = B cos (wt - <jı) (14 - 25)

olursa çoğaltıcının çıkışı

kAB
ke 1e 2 = -
2
- [cos (2wt + cp) + cos qı] 14 - 26)

olur. 2w terimini yok etmek için aşağıdaki gibi sadece faza bağh doğru çıkış
akımını bırakan

eçıkış = sabit x coscp, (14-27)

düşük frekans geçiren süzgeç yapılabilir. Böylece FDD iki sinyal arasındaki faz
farkını ölçmek için bir yöntem oluşturur.
FDD nın diğer bir yararı sinyalle gürültü karışımınrlan istenilen sinyali
seçme özelliğinin oluşudur. Gürültü, geniş alanlı frekansa sahip voltaj bileşenlerinin
spektrumunun bileşimi olarak düşünülebilir. Fakat FDD bunlar arasında sadece
giriş frekansı referans frekansına eşit olana cevap verir ve bu da istenen frekanstır.
Birçok hassas ölçme sistemlerinde bu teknik kullanılarak gürU!tü yok edilir. Bura-
da referans voltajı tam istenilen frekansı sağlayacak durumda olmalıdır. FDD ye
verilen başka isimler bu şekilde kullanıldığında eşzamanlı algılayıcı, kontrollu
faz kaydırıcı ve yüksek kazanç yükselticileri ile bağlandığında da ]kilitli yük-
selticidir.

a) Anahtar tipli FDD ler

Çoğaltma eylemi,Şek. 14-20a da kesici devresinde olduğu gibi anahtarlama

ile başaRlabilir. Periyodik kesici, es sinyalinin frekansı ile aynı olan er referans
voltajı ile beslenir. Kullandığımız anahtarın ideal olduğunu yani aniden açılıp
kapandığını ve kapalı iken direncinin sıfır olduğunu kabul edelim. Şekil 14-20b
de görüldüğü gibi çıkış voltaj dalgası sinyal voltajının bir kısmını yarım periyot
müddetince ve alternatif yarı dönülerde ters biçimde ihtiva eder. Burada periyodik
kesici sinyali, genliği + 1 ile -1 arasında olan kare dalga ile çarpıcı olarak düşüne­
biliriz. Şekil 14-20b de es nin sıfır durumu ile anahtarın herhangi bir durumu ara-
sındaki</> faz farkına göre es ve e 0 voltaj dalgalarının biçimleri gôsterilmiştir.

346
 Çıkış voltajı c0 ın ortaL.ma değeri

2
e
or
=- _l_
,ı
f ır
·0
J:<;
snı
siı,(u.:t + ı:p) d {wt) =- - - E
n sın
cosctı
· (14 - 28)

biçiminde hesaplanır. Böylece çıh.ış volıajı, ıt> açısının kosinüsünün fonksiyonudur.

Yiiksrt: frekansta da çalışabilen anahtar tipli bir faz duyarlı algılayıcı Şek.
14-21 de gösterilmiştir. Sinyal ve reforans kaynaklarına ait transformatörlerin
her ikisinin ikincil sarımlarının ortasından çıkan bağlantıları vardır ve yük bu orta
uçlar arasına b,ığlanmıştır. Referans voltajı sinyal voltajından büyük olmalıdır ki

e,

~
p

Q
d M
1 eo
J_
eo
o

(ol (bl

Şekil 14 - 20 Titreşen anahtarlı faz-duyarlı algılayıcının a) devresi b) dalgabi-

çimleri ve anahtar durumu.

Referans
vol tajı __ .~er
□
Şekil 14-21 Anahtar-tipi faz duyarlı algılayıcı.

347
diyodun durumu sadece er voltajına bağlı olsun. örneğin er pozitifken ABC yolu
üzerindeki diyodlar iletken durumunda, diğerlerinde ise küçük değerde zıt voltaj
olduğundan iletmemektedirler. Şekil 14-22 de gösterilen dalgabiçimleri devrenin

özelliğini açıklamaya yardımcı olur. Birinci yarım periyotta devrenin ABC yolu

kapalı CDA ise ~çıktır. Dolayısıyle B deki sinyal voltajı A ve C noktalarına

aynı zamanda etkır. Bunun sonucu olarak akım sinyal kaynağından A ve C nok-
taları üzerinden K noktasına doğru referans transformatörü ikincilinin her iki
yarısından yüke akar. İkinci yarım periyotta CDA yolu kapalı ve sinyal transfor-
matörünün alt yarım ikincili yüke sinyal akımını verir. İdeal durumda yük akımı
dalgası Şek. 14-20 de belirtilen anahtar algılayıcının biçimine benzemektedir.

Dolayısıyle Denk. 14-28 benzer olarak çıkış dalgasının ortalama değeri cosct> He
orantılıdır. Düşük dirençli yük ve kaynak akımının davranışı ideale yaklaşmaktır.

Yot kapalı
( Şek .14-21 de ).J.'"==-===~

Şekil 14-22 Şekil 14-21 deki devrenin dalgabiçimi.

b) Faz ayırdedici

Farklı bir ilkeye göre çalışan faz duyarlı algılayıcı veya (ayırdedici) Şek.
14-23 te gösterilmiştir. Burada e 1 sabit tutulan referans voltajı, e 2 ise fazı değişe­
bilen sinyali oluşturmaktadır. önce e 1 v,ı e 2 nin aynı fazda olduğunu kabul ede-
lim. Böylece Dl diyotlu e 1 + e 2 tophm voltajını ve D2 diyotlu ise e 1 -e 2 voltaj
1 1 1 < E 2 m olsun.
farkını almış olacaktır. e = E m sin uıt, e 9_=- E..-ıı, sin wt ve E m-
Bu son kabulden, diyodların ideal ve R 1c 1 ile R c zaman sabitlerinin oldukça
2 2
büyük olduğu sonucu çıkar. Her sığaca diyod devresine ııygulanan voltajın tepe

348
 Ot

t
eo c, R,

Ll 1

1
eb C2 R2
V (dal

D2
Şekil 14-23 Faz ayırdedici devresi.
değerine eşit olan doğru voltaj etki eder. Bunlar da c 1 üzerinde Eım + E 2m ve
c 2 üzerinde I I
Elm -E 2m olarak gözükür. Böylece d. a. çıkış voltajı, V, farktır ve
aynı faz durumunda değeri 2Eım dır.
- · Eğer e 1 in fazı zıt yapılırsa, e 1 = -E 1msin wt olur ve ea azalır, eb artar ve
çıkış zıt işarete sahip olur, yani 180° lik durum için V = -2E 1m olur. Böylece
çıkışın işaretinden sinyalin fazı hesaplanır.
Bundan sonra referans ve sinyal arasındaki faz açısı <t, yi daha genel durumda
gözönüne alalım,
(14 - 29)

(14 - 30)

ve E 1m ~ E 2m olsun.
Doğrultucu üzerine uygulanan voltajlar

(14 · 31)

(14 - 32)

dir. Bu bağıntılar Şek. 14-24 deki fazör şemasında gösterilmektedir. Voltajlann

toplam· farkı <t, faz aç1S1na ve voltajlann büyüklüklerine bağlıdır. Çıkış voltajı ea
ve eb nin tepe değerlerinin farkına eşittir. Şekil 14-24 deki üçgenlere kosinüs
yasası uygulandığında

(14 • 33)

bulunur.

349
 Şekil 14 - 24 Şekil 14 - 23 deki devrenin faz bağıntısı.

İki özel durum ilgi çekicidir: 1) Elm < E 2m olduğunda

V ==2Elm cos cp (14-34)

yaklaşıklığı geçerliktedir. Yani V, yaklaşık olarak E 2 ye göre aynı fazda olan E 1

faz bileşeni
ile orantılıdır.
2) Elm = E 2m = Em varsayalım. Denklem (14-33) bazı işlemlerden sonra

V = 2)2Em (cos +- sin y) (14-31>)

?urumuna gelir. Parantez içindeki ,ı, nin fonksiyonu ,ı, = o0 için + 1, ,ı, = 90°
için O ve <t> = 180° için -1 değerlerine sahiptirler. Bunlar arasındaki değişmeler
lineerliğe· yakındır. Bu fonksiyon 180° < r/> < 360° için aynı değerlere ulaşır.
Dolayısıyle V nin değeri r/> yi Lam olarak belirlemeye yetmez rı, nin değerini tam
olarak belirlemeden önce hangi çeyrekte olduğunu bilmemiz gerekir.

KAYNAKLAR

1 -1 W. R. Bennett, lntroduction to Signal Transmh,sion, McGraw-Hill Book

Company, New York, 1970.
1 -2 V. C. Rideout, Active Networks, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J . ,
1954,Chaps. 10,11, 12.
1 -3 J. D. Ryder: Electronic Fundarnentals and Applications, 4th ed., Prentice-
Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J., 1970, Chaps. 16, 17.

ALIŞTIRMALAR

14 - 1 Direnç zor-ölçer köprü devresi 5· -kHz taşıyıcı voltajla uyanlmaktadu.

350
Köprü çıkışında modüle edilmemiş taşıyıcı voltajın tepe değeri 400 mV tur. Belli
bir 200 Hz lik titreşim zor ôlçer yapısına uygulandığında modülasyon faktörü
0,6 olan GM çıkış voltajı oluşturduğunu varsayalım. a) Modüle edilmiş dalganın
bileşenlerinin genlikleri ve freka:ısları nedir? b) Modüle ediİmiş dalganın ani
maksimum ve minimum değerleri nedir?
14 - 2 Bir frekans düşürücü alıcısının taşıyıcı frekansı 1,1 MHz ve ses fre'kans ban-
dı 200-2000 Hz olan GM dalgasını almakta olduğunu varsayınız. Yerel titreş­
kenin frekansı 1,555 mHz olsun. Mevcut olan bileşenlerin, a) antenin girişte
b) OF yükselticisinin çıkışında,c) ses yükselticisinin çıkışında frekansları nedir?
14 - 3 Bir voltaj dalgası

e = 20 sin 314.000t + 2 cos 308.350t - 2 cos 319.650t

bağıntısı ile ifade edilmektedir. Bu voltaj bir algılayıcıya uygulanmaktadır. Eğer

dalga zarfının kayıpsız olarak alındığı kabul edilirse algılayıcının çıkış voltajının
a. a. bileşeninin frekansı ve büyüklüğü nedir?
14 - 4 Bir GM voltaj dalgasının modüle edilmemiş taşıyıcı genliği 4V ve modülas-
yon derecesi 0,8 dir. Taşıyıcı frekansı 106 Hz ve sinyal frekansı 5000 Hz dir. Bu
dalga doğrusal bir diyod algılayıcıya uygulanmaktadır ve algılayıcı da C = 150 pF
ve R = 160.000.n olan süzgeç devresi kullanmaktadır. a) Çıkış voltaj dalgasının
zarfını çiziniz. b) C nin 500 pF çıkarıldığını düşünerek a) şıkkını tekrarlayınız.

14 - 5 Bir titreşkenin frekansı aşağıdaki yöntemle ölçülmektedir. Kaynaktan

gelen 5 ,O MHz lik standart frekanslı sinyal ve bu titreşken frekans düşürmede
kullanılmıştır. Orta frekans katod-ışınları osiloskobu ile karşılaştırılıp 30.500
Hz olarak bulunmaktadır. Başka ek testler,gözönüne alman titreşkenin frekan-
sının standart sinyalin frekansından düşük olduğunu göstermektedir. Araştırılan
titreşkenin frekansı nedir? Eğer laboratuvar titreşkeninin kalibrasyonu yüzde
iki doğrulukta ise hesaplanan doğruluğun yüzdesi kaçtır? Standart frekansın
doğruluğu 1/50 milyondur.
14 - 6 Şekil 14-5 deki işlemsel iletkenlik aktarım yükselticisi i8 ye gm - 18 i8
l:ıağıntısı ile bağlıdır. Burada gmµmho ve iBµA birimlerine sahiptir. wc taşıyıcı
voltajın 2,0 sinw et volt ve w s sinyal voltajın 5 + 5 sin w t volt olduğunu kabul
ediniz. R = 1,0 Mn ve RL = 0,1 Mn ise w O çıkış voltajının ifadesini bulunuz.
14 - 7 Radyo vericinin merkez frek~nsı 10 MHz ve ~fc = 20 kHz olan FM tele-
metri sistemi kullanıldığını kabul edelim. Eğer sinyal frekansı 5000 Hz ise a)
modüle edilmiş dalganın önemli bileşenlerinin frekansları nelerdir? b) Modüle
edilmemiş taşıyıcıya kıyasla bu bileşenlerin genlikleri nelerdir?
14 - 8 FM telemetri sisteminin yayın hattı, taşıyıcı frekansı 224 MHz ve maksi-
mum sapması 0,1 olan sinyal kullanmaktadır. FM alıcı sinüs dalga sinyalinin
bandgenişliğini a) fs ~. 3 kHz ve b) f ~ 30 kHz için bulunuz.
8

351
14 - 9 Şekil14-8 de varaktör frekans modülatör devresindeki Cb sığacının a. a.
karşı kısa devre gibi davrandığını, R direncinin yeterince büyük olduğunu ve
etkisinin ihmal edilebildiğini kabul ediniz. VB = 5 V, us= 3,0 sinwt V, L = 2µH,
C = 80 pF ve Cj = 35 / V ~• 4 pF olsun. Burada V wdiyod üzerindeki ters voltajdır.
a) Frekansın minimum-maksimum değişim bölgesini bulunuz. b) C nin uçlarındaki
voltajın ani frekansı,us sinyal voltajı ile doğrudan değişir mi? Açıklayınız.
14 - 10 a) Şekil 14-19 daki faz-duyarlı algılayıcıyı gözönüne alınız. Burada w 1 =
w 2 = w dir. Fakat sinyal dalgasına faz eklenmiştir, yani e 1 = Er cos wt ve e 2 =
Escos (w t + <fı) Düşük frekans geçiren süzgecin çıkışı nedir? -Çoğaltıcının çıkışının
ke 1e 2 olduğunu kabul ediniz. b) Bu algılayıcı sistemini gürültüyü yok etme yete-
neğini açıklayınız. ·
14 - 11 Sinyal voltajı es= Esmsin (wst + et,) + E 2 ınsin (2wst + o:) olarak veril-
miş anahtar tipli faz-duyarlı algılayıcıyı gözönüne alınız a) Çıkış voltajının orta-
ma değeri nedir? b) Eğer sinyal voltajının ikinci teriminin frekansı temel frekan-
sın diğer harınonikleri ile değişirse (a) daki cevap farklı olur mu? c)Faz algılayıcı
devresinin sinyale gelen gürültü voltajlarına karşı ayırıcı olup olmayacağını tartı­
şınız.

14 - 12 Şekil 14-23 deki faz ayırdedici devresi eb = 20 sin (2TT400t + <fı) ve e 2 = 20

sin2TT400t ile lrnllanılmaktadır. a) <fı = o0 , 30 , 60° ve 90° için V değerlerini
hesaplayınız. V nin <fı ye göre nasıl bir doğrusal bağlılığı vardır? lı) Bu uygulama,
için uygun süzgeç sığaçlan ve dirençleri bulunuz.

352
 15
Güdümlü Sistemler

15 - 1
Giriş

Güdümlüınekanizma (veya güdüm) otomatik denetim sistemidir. Mekaniksel

konum, dönme hızı gibi büyüklükleri denetler. Otomatik denetim sisteminde
denetlenen değişken (veya çıkış) istenen değerle (veya girişle) karşılaştırılır. Bun-
ların farkı hata olarak isimlendirilir ve hatanın küçültülmesine,sıfıra indirilmesine
çalı~ılır. Bu_ bölümde "hata" terimi örneklerde görüleceği gibi oldukça geniş an-
lamda ele alınmıştır. Bazı durumlarda hata, girişle doğrudan çıkış yerine çıkışın
bazı fonksiyonlarının farkı olarak alınır.
İstenilen değer, örneğin, bir gemide kaptanın rotasını değiştirmesi anında,
otomatik denetimli gemi dümeninde olduğu gibi, zamanın fonksiyonu olabilir.
İstenilen değerin sabit olduğu sisteme otomatik düzeltici sistem adı verilmektedir.
Çıkışı girişle kar~laştınp hatayı bulmak için girişin, çıkışın ve geribesleme

yolunun ölçülmesi gerekir. Geribesleme yolunun gerekliliği Şek. 15-1 de temel

konumlu güdümlü sistemde çizenek olarak gösterilmiştir. Burada giriş voltajı ei ye
cevap olarak M motoru J yükünü 0 açısal konumuna sürer. Bir dönüştürücü olan T,
0 dönmesini e 0 voltajına çevirir. e 0 voltajı geri beslenir, karşılaştırma aygıtnıda
veya C devresinde ei voltajı ile karşılaştırılarak ei -e 0 voltaj farkı ya da hata elde
edilir. Hata voltajı, 0 yı değiştirerek hatayı sıfıra doğru azaltacak biçimde ön

C
+
hata
Giriş
çıkış

mili

Şekil 15-1 Tek hatlı bir güdümlünün şeması.

yükseltici A 1 , güç yükselticisi A 2 ve M motoruna etki eder.

Denetim sistemlerinde geribesleme yolunun elektronik yükseltmenin ortaya
çıkışı, çok duyarlıklı sistemlerin yapılmasını, hızlı cevap elde edilmesini ve uzun
süre kararlılığı mümkün ~ılmıştır. Bu sistemler, birçok endüstriyel işlemlerde
otomatikleşmeye gidişte temel teşkil etmişlerdir. Eğer uygun kurguianmamışsa,
yükselticilerde olduğu gibi, geribesleme yolu, kararsızlıklara (titreşime) neden
olur. Bundan ötürü genel güdüm teorisi, kararlılık probleminin etkisi altındadır.

353
 Bazı güdümlü sistem uygulamaları olarak, gemi dümen sistemlerini uçaklarda
otomatik pilot sistemini, otomatik potansiyometreli kaydedicileri, x - y kaydedi-
cileri, tornalar için profilometreleri, otomatik sondaj makinelerini ve motor hız
denetimlerini sayabiliriz. Otomatik geribesleme denetimi sıcaklık, basınç akış hızı
ve bunlara benzer çeşitli değişkenlere uygulanabilir.
Bütün geri besleme sistemlerinin matematiksel çözümlenmesi benzer yollarla
yapılır. Bundan ötürü tartışmamızda basit güdümlü sistemleri ele alacağız. Ancak
analitik yöntemler daha çok önemlidirler. önce basit
,
güdümlü sistemlerin geçici-
'

!ere cevapların çözümünde diferansiyel denklem yaklaşımını ele alacağız. Daha

sonra kısaca aktarım fonksiyonu yaklaşımını ve kararlılık problemlerine Bode
çiziminin uygulanmasını göreceğiz.

15 - 2
Geribeslemeli sistemlere karşı geribeslemesiz
sistemler

Belli, idealleştirilmiş varsayımlarla Şek.

15-2 deki geribeslemesiz (veya
açık-çevrim)sistemleri çözümleyelim. Burada sürekU magnetik -alanlı d. a. motoru
M nin, K yayma bağlı ipi çekip P makarasına sararak gerdiğini kabul edelim,
Hareket, kutudald viskos sürtünme ile karşılanır. Eğer t = O anında x = O ise vıı

yay kuvveti = Kx (15 · 1)

biçiminde verilmişse, S anahtarını kapattığımızda x yerdeğiştirmesinin nasıl değiş­

tiğini araştıralım. Motor sargılarındaki indüktansı ve sargılara karşı olan emk ni

~--ı~ı;~~;:
~ m e kutusu

_____________
·
M

Şekil 15 · 2 Geribeslemesiz sistem.

ihmal edelim. Böylece akım aniden sabit değere çıkar ve makara çevresinde ölçül-
düğü zaman motor, sabit dönme momenti ve F rn le gösterilen sabit bir kuvvet
üretir.

354
 Basit olması bakımından yayın. kütlesini ve motor rotoru ile makaranın ey-
lemsizliklerini ihmal edelim (son kabul oldukça kaba fakat yüksek sönümlü
durumlarda kabul edilebilir bir yaklaşıklıktır). Viskozluk sürtünme kuvveti; B sabiti
ile hızın çarpımına, yani

dx
sürtünme kuvveti = B ~ = Bpx .(15 - 2)

dir. Mevcut kuvvetleri toplar ve Newton yasasını kullanırsak bu ifadeyi

Bpx + Kx= Fm (15 - 3)

biçiminde yazabiliriz. Bu, sistemin birinci mertebeden lineer diferansiyel denkle-

midir ve çözümü,

( 15 - 4)

biçimindedir. Böylece yerdeğiştirme 1 zaman sabiti B/K olan üstel eğri biçiminde
artmaktadır. Cevap hızını artırmak yani zaman sabitini azaltmak isteyelim. Eğer
K nın sabit olduğu kabul edilirse bu durum da zaman sabitinin azalması ancak
B sönüm sabitinin değişmesi ile mümkün olur.
Şimdi de Şek. 15-3 te görüldüğü gibi açık-çevrim sistemini basit güdümlü
sisteme çevirelim. x çıkış durumu P potansiyometresi ile ölçülür ve e0 voltajına
çevrilir. Bu voltaj ei giriş voltajı ile karşılaştırılır ve ei -e 0 hata voltajı, G yükselti-
cisi ve M motoruna etki eder.
Genelde e 0 ,bir sabitle x in çarpımına eşittir. Fakat basit olması için sabiti
bir kabul edip e 0 = x biçiminde yazalım. Bundan sonra ei giriş voltajı istenen
x değerine eşitlenebilir. Bu değeri xi ile gösterirsek, ei -e 0 hata voltajı xi -x
biçiminde olur. t = O anında x = O iken xi ile göstereceğimiz ani Xi etkisine karşı

Şekil 15-3 Eylemsizliği ihmal edilmiş basit geribeslemeli sistem.

355
cevabı hasaplayalım. Motorun, ipliğe hata voltajı ile orantılı bir kuvvet uygula-
dığını kabul edelim. Yani

motor kuvveti= Km (Xi -x) (15 - 5).

biçiminde olsun. Bunun anlamı, yükselticinin çıkış akımının, hata voltajının doğ­
rusal fonksiyonu olduğunu kabul etmektir. Yay kuvveti ve sürtünme kuvveti biraz
önceki durumdaki gibi olduğundan hareketin diferansiyel denklemi

(15 - 6)

veya x i ihtiva eden terimleri sola alırsak

(15 - 7)

şeklinde olur. Bu denklem Denk. (15-3) ün benzeridir ve çözümü

X= [ 1 - exp (15 - H)

dür böylece i.istel cevap Şek. 15-4 te gösterildiği gibidir. Burada zaman sabiti
}3/(Km + K) ve maksimum sapma KmXi (Km + K) ya eşittir. Buna göre zaman
sabiti daha önceye nazaran azalmıştır. Fakat maksimum sapma istenilen Xi
değerinden küçüktür. Cevap hızı, yükselticinin kazancını yükselterek artınlabilir,
çünkü kazançtaki artma Km yi artırır, böylece sonuçtaki sapma istenilen değere
çok yaklaşır. ·
Kararlı durumda x, neden istenen Xi değerine ulaşamaz'? Yayı gerili olarak
tutabilmek için belli bir kuvveti, yani motor akımını ve sonuçta kuvveti elde
etmek için hata sinyaline ihtiyaç vardır. Verilen kuvveti elde etmek için daha
büyük yükselteç kazancı ve daha küçük hata sinyali gerekmektedir.

Şekil 15 - 4 Basit güdümlü sistemin cevabı.

356
 15 - 3
ikinci mertebe güdümlü sistem

Bu kısımda daha önceki güdümlü kontrol sistemini değiştireceğiz. Şekil

15-5 te görüldüğü gibi yayı kaldıralım, yerine çok uzun bir iple hareket ettirilen
ve kütlesi M olan bir yük koyalım. Bu sistem, potansiyometre ve X - Y kaydedici-
lerin içindeki güdümlü sistemlerin benzeridir.

Şekil 15 - 5 Eylemsizlik ilaveli basit güdümlü sistem.

Basit olması için sadece viskosluk sürtünmesi gözönüne alalım. Gerçek sis-
temler aynı zamanda statik sürtünme veya yapışma ve coulomb sürtünmesi veya
kuru sürtünmenin etkisi altındadır. Statik sürtünme, kayıcı parçalar harekete baş­
lamadan hemen önce büyük bir kuvvet verir. Kuru sürtünme hazdan bağımsız
yaklaşık sabit bir kuvvet oluşturur ve hız yön değiştirince bu kuvvet de yön
değiştirir.
M kütlesinin sistem içindeki kablo, makaralar ve rotordan doğan bütün ey-
lemsizlik etkilerini kapsadığını varsayıyoruz. Dolayısiyle eylemsizlik kuvveti
Mp 2 x biçimindedir.
Daha önceki varsayımların benzerini kullanarak motor kuvvetinin Km(xi -x)
e eşit olduğunu yazabiljriz. Buradaki xi bijyüklüğü henüz belirtilmemiştir. Motor
kuvveti eylemsizlikle viskosluk sürtünme kuvvetlerinin toplamı olarak,

(15 - 9)

veya

(15 - 10)

biçiminde yazılabilir. Böylece sistem, ikinci mertebeden sabit katsayılı diferansi-

yel denklemle tanımlanmış olur. Bu güdümlü sisteme aynı zamanda orantılı

357
güdümlü sistem adı verilir. Çünkü Denk. (15 • 9) da görüldüğü gibi düzeltme
etkisi hata ile orantılıdır.
Buraya kadar biz istenilen xi değerinin zamanla değişimi üzerinde hiç dur--
matlık. Uygulamada Şek. 15-6a daki gibi bir çok garip şekilli fonksiyonlara
raslanır. Fakat güdümlü sistemin cevabını çözümlemede belli sabit fonksiyonlar
seçilir. Bunlar Şek. 15-6b de görülen sabit yerdeğiştirme veya basamak fonksiyo ..
nu, Şek. 15-6c deki gibi sabit hız veya rampa fonksiyonu ve Şek. 15-6d deki gibi
kararlı sinüs dalga olabilir. Denklem (15-10) a uyan x durumunun cevabını girişe
uygulanan basamak fonksiyonu için, rampa fonksiyonu için ve daha sonra har-
monik fonksiyonlara uyan güdümlü sistemlerin cevabını genel anlamda tartışacağız.

•ı
lj

o
b[ If i-A •
XL.
ı·
L
1
I
I
ı·
L

(ol (bl (dl

Şekil 15 - 6 Çeşitli kuvvet fonksiyonları .

Eğer giriş, :Xi nin bir basamak fonksiyonu ise Denk. (15 • 10)

(15 · 11)

biçimini alır. Bütün terimleri Km ile bölersek

K p2 x + ..JL
_M_ K px + x--V:
.. i (15 -12)
m m
elde edilir. Bu denklemin çözümü bilinmektedir. Sistem aşağıdaki üç cevaptan bi-
rine sahip olabilir. Bunlar 1) sönümlü titreşim, 2) aşın sönümlü veya 3) kritik
sönümlü titreşimdir. Bu sınıflandırma sönüm derecelerine göre yapılmaktadır. Şu
parametreleri tanımlayalım:

sönümsüz açısal frekans= ~ = q (15 - 13)

.. .. ~ B B
sonum oranı = ı; = -- = ---- (15 · 14)
Be y'4MK.m
Burada Be, B nin kritik değeridir ve aşırı sönümlü titreşimli cevaptan ayırır. Böyle-
ce Denk. (15-12)

358
 1 2 t"
- - p 2 x + ~ px + x = x. (15 · 15)
.2 (.ı) 1
wn n
biçiminde yazılabilir. Yardımcı denklemin kökleri

•
dir. Çözümlerde sabitlerin değerlendirilmesi sonucunda aşağıdaki fonksiyonları
elde ederiz.

a) Aşırısönüın durumu · l; > 1

ı
x = Xi 1- (; + &-=i) exp (-1; + ✓ r, 2 -1) c.ı nt
2~
(15 · 16)

+ ( s-Fı> exp (- ç, ~ 1 ) wntı

~
b) Kritik durum ç, = 1

x = x.ı ı 1 - exp ( -c.ıı nt) - c.ıın t exp ( - wnt) J (15 -17)

c) Titreşimli durum

Bu durumda kökler kannaşık eşleniklerdir ve geçici terimi ise üstel azalan

titreşimdir. Toplam cevap
exp (-ç,wnt)
:ır = Xi ı 1- ~ sin (wdt + cos- 1 !;,-) ı (15 • 18)

biçiminde yazılabilir. Burada wd sönümlü açısal frekanstır ve değeri

(15 · 19)

olarak tanımlanmıştır. Buna göre azalarak titreşen bileşenin frekansı, sönümsüz

durumun frekansından daha küçüktür. ,
Sönüm oranındaki değişmenin sistemin cevabına etkisi I Şek. 15-17 deki
boyutsuz eğriden görülmektedir. Burada x/Xi niceliği wnt nin fonksiyonu olarak
çizilmiştir ve ç, bir değişkendir. Açıkça görüldüğü gibi, eğer sönüm ço~düşük ve-
ya çok büyükse sistemin istenilen değerde veya onun yakınında kararlı duruma
gelmesi uzun zaman alır. Eğer sönüm oranı 0,6 < ç, < 1 aralığında ise sistem kısa

359
zamanda kararlı duruma geçer. Tartışmakta olduğumuz ideal sistem gözönüne
alınırsa son yerdeğiştirme, istenen değerle uyuşur ve böylece hata sıfıra yaklaşır.
Fakat, zorlamalı hareket eden veya kuru sürtünmesi olan gerçek sistemlerde, sis-
temin ulaştığı kararlı durum, istenen değerden biraz farklı olacaktır.
1,6

1,4

1,2

1,0
l
0,8
~
0,6

0,4

0,2

Şekil 15-7 Farklı sönüm oranlan için ikinci mertebe güdümlü sistemin
cevabı.

Küçük güdümlü sistemlerde cevabın viskosluk sönümü ile ayarlanması,

yani girdap akım freni eklenmesi, pratik bir yöntem olabilir. Fakat büyük
güdümlü sistemlerde güç kaybı ve ısınma büyük olabilir, bundan ötürü daha ayrıntılı
yöntemler kullanılır.
Güdümlü sistemin verimini belirten bazı terimler Şek. 15-8 de gösterildiği
gibi sisteme uygulanan bir basamak girişi cinsinden tanımlanır. Şekil 15-8 de'

Aşma .
- - - - - - _1._ - - - -
- -rc1;1~11
Kurma ~amanı--- tolerans

-zaman
Şekil 15-8 Güdümlü sistemde üste taşma ve durulma.

360
üste taşma teriminin anlamı açıkça görülmektedir. Durulma, izinli toleransa bağlı­
dır ve cevabın tolerans sınırları içine düşmesine kadar geçen zamanı verir. Keza
birinci tepe değerinin oluşmasına kadar geçen z.aman ve titreşimin gerçek frekansı
bahsedilebilecek diğer özelliklerdendir.

J5 - 4
Diferansiyel denklem yaklaşunının sınırlamaları
frekans-cevap yaklaşunı

Basitleştirici varsayımların yapılmasına rağmen ancak basit güdümlü sistem-

ler, ikinci veya üçüncü mertebeden diferansiyel denklemle belirginleştirilebilir._
Yüksek mertebeden denklemlerin analizi ve çözümü gittikçe çok karmaşık
olmaktadır. Hatta nümerik katsayılı denklemler bile güç hesaplamaları gerektir-

mektedir.
Bundan ötürü sistem hakkında gerekli bilgileri verecek ve geçiciye cevap için
bütün çözümü gerektirmeyecek yöntemler araştırılması gerekir. Sistemin kararlı­
lığını ve cevap hızını gösteren bazı yöntemler geliştirilmiştir. Bunlar kurgu yapılır­

ken kullanılabilir. Bu yöntemleri, Kök-odak teknikleri, frekans-cevap yöntemleri

ve benzerlik bilgisayarı taklidi olarak sayabiliriz. Frekans cevap yöntemleri için
birçok temel ilkeler, geribeslemeli yükselteçlerin çözümlenmesi başlığı altında
görülmüştür. Bunların güdümlü sistemlere uygulanmasını kısaca göreceğiz.
özellikle Bode t tarafından geribeslemeli yükselticiler üzerinde yapılan ay-
rıntılı çalışmalar, genlik ve frekans cevabının fazı arasındaki bağıntıları ve yüksel-
tici kararlığı kriterinin anlaşılmasını sağlamıştır. Bu sonuçlar doğrudan doğruya
güdümlü sistem çözümlenmesine de uygulanabilir.
Eğer kararlı bir doğrusal sistem harmonik bir sürücü fonksiyonla uyarılırsa,
geçici etkiler ortadan kalktıktan sonra çıkış genellikle farklı genlik ve faza sahip
olmakla birlikte, aynı frekanslı bir harmonik fonksiyondur. Girişteki uyarılmanın
sinüzoidal \'e birim genHkli, yani simıt biçiminde olduğunu varsayalım. Dolayısıyle
kararlı durumdaki çıkışın genlik ve fazı w nın fonksiyonudur ve

kararlı - durum için çıkış = G( w) sin [ wt + </> ( w) J (15 - 20)

biçiminde ifade edilebilir. Kazanç fonksiyonu G ( w) nin ve faz fonksiyonu</> ( w)

nin biçimi sistemin özelliğini belirtir. Bu iki fonksiyon sistemin cevabı hakkında
bilgileri içerirler.
G( w) ve</> ( w) fonksiyonlarını en kısa yoldan nasıl elde edebili riz? Elektrik
0

t H. W. Bode, Nctwork Analysis and J<'ccdback Amplificr Dcsign, Van

Nostrand Reinhoİd Company, New York, 1945.

361
devreleri için 2. bölümde kullandığımız
yöntemi hatırlayalım. Bu yöntem karmaşık
değişkenli fonksiyonlarına sahipti. Eğer herbir sistemin matematiksel ifadelerini
elde etmek mümkünse bu yöntemi uygulayabiliriz. Aynı biçimde eğer gerçek
sistemi veya modeli elde etmek mümkünse G( w) ve <P ( w) fonksiy~mlan deneysel
olarak elde edilebilir. Aynı zamanda sistemin bileşenleri için frekans cevap fonksi-
yonlarından bütün sisteme 'ait fonksiyonlar elde edilebilir. Devre bileşenleri
genellikle seri olarak birleştirilir. Dolayısıyle bütün. iletim fonksiyonu ayn ayn
fonksiyonların çarpımıdır. Bunun için ard arda bağlı elemanların yükleme etkisi
ihmal edilebilir olmalıdır. Sonuç olarak şunu söyleyebiliriz. G( w ) grafikleri için
en uygun büyüklük logaritma değerleridir. Çünkü bileşen değerleri belli frekans için
sade birer toplamdan ibarettir. Benzer biçimde toplam faz, herbir faz açısının
cebirsel toplamıdır.

15 - 5
iletim fonksiyonları

Burada amacımız önce iletim fonksiyonunun işlemsel biçimde gözönüne alıp

ondan sonra onu, harmonik bir sürücü fonksiyona karşı kararlı-durum cevabı gös-
teren karmaşık değişkenli aktarım fonksiyonu haline çevirmektir. Başlangıç örneği
olarak Şek. 15-5 te görülen ikinci-mertebe güdümlü sistemi gözönüne alıp ondan
·sonra daha genel kavranılan vereceğiz.
Denklem (l5 - 15) i işlemsel biçimde yazalım,
v· . .
( _ _L p 2 + - ~ p + 1) X (t) = X·ı (t) (15 - 21)
(ı) 2 (ı)
n n
olur. İşlemsel biçimdeki aktarım fonksiyonu, cebirsel yolla elde edilebilir ve böylece

1
(15 - 22)
_1__ p2 + ~ p + l
(ı) 2 (ı)
n n

olur. xi (t) nin harmonik yani sin wt oldugunu kabul edip x(t) fonksiyonunun
biçimini araştıralım. Bölüm 2 deki elektrik devrelerine ait çalışmalarımız x(t) nin
aynı frekanslı harmonik fonksiyon .:>lacağını fakat genellikle farklı büyüklük ve
faza sahip olacağını göstermektedir, yani

x (t) = G ( <ı.ı) sin ( <'..U t-+ </> ( w )1 (i5 - 23)

362
dir. Bölüm 2 den hatırlarsak, harmonik fonksiyonu karmaşık büyüklük veya fazör
olarak düşünmek yararlıdır. Aynı şekilde impedansı ve iletim fonksiyonunu kar-
maşık işlemci biçiminde temsil etmeK kullanışlı olacaktır. Bu teknikler üzerinde
çalışma; karmaşık aktanm fonksiyonunun işlemci biçimini p yerine. j w koy-makla
kolayca elde edilebileceğini göste1ir. Böylece örneğin p 2 = -w~, p 3 ise -j w3 olur.
Bu tekniği Denk. 15-22 ye uyguladığımızda

1
(15 - 24)

elde edilir. Burada G(j w) sembolu aktarım fonksiyonunu temsil etmekte kullanıl­
mıştır. Böylece Denk. (15-23) te G (w ); Güw) nin büyüklüğüne ve cjı (w ); G(jw)
nın açısına eşittir.
Denklem (15 - 24), G ( w) ve q, ( w) fonksiyonlannı !;;sönüm oranı değişke­
ni olmak üzere w / wn nin fonksiyonu olarak çizmenin daha yararlı olduğunu
göstermektedir. Kesim 9-9 ve 9-10 da açıklandığı üzere iki genel tip çizim vardır.
Bunlar 1) Nyquist çizimi veya kutupsal koordinatlarda karmaşık sayıların yeri,
2) Logaritmik Bode grafiği ve faz açısına karşı frekans oranının logaritmik
grafiğidir. Bode çizimini Şek. 15-9 da görülen ikinci mertebe sistemlere uygula-
yacağız. Bunlar Şek. 15-7 de görülen geçici cevap eğrileri ile aynı sönüm oranları

aralığını kapsar. Genel alışkanlık olarak logaritmik büyüklük için desibel ve faz
açıları birimi olarak derece kullanacağız. Logaritmik büyüklük eğrilerinin düşük
sönüm değerleri için w / wn = 1 yakınında maksimuma ulaşması rezonansın
etkisini gösterir. Eğer eğri w/ wn nin büyük değerlerine doğru -1/( w/ wn) 2
fonksiyon değerine yaklaşır. Dolayısıyle bütün eğriler -40 dB/onluk eğimine
asimtotik olarak yaklaşır ve faz ise -180° ye yaklaşır.
Güdümlü sistemler i\in akı.arım fonksiyonunun işlemsel biçimi

alpm + a2pm-l + · · · a riı. p + am+ 1

(15 - 25)

i>içimindedir. Burada bütün katsayılar birer reel sabit1erdir vem.$ ndir. Amacımıza
uygun olarak aşağıdaki gibi sınırlı fonksiyonu gözönüne alalım:

(15 - 26)

363
Paydanın çarpım biçimini düşünelim. Bunu bulmak için polinomu,n köklerini
bulalımve p + cı1 gibi çarpım terimleri düzenleyelim. Burada -a1 köklerden biridir.
Polinomun en az bir gerçek kökü ve iki ek kökü vardır. Bunların ikisi birden ya

CD
l'. -ıoı------f----+~,-.-..:,,.,ıc---l'-c-...,,..~..ııı..
3
i3

(ol

0,2 0.4 0,6 0,8 1 2 4 6 8 10

wlwn-
(bl

1
Şekil 15 - 9 fonksiyonu için logaritmik
- ( __u]_ __ )2 + j 2.- __JıL__ , l
u.ln ""\ı
genlik ve faz kayması eğrileri. Burada .~ ·l,·,;i-;;kendir.

364
gerçektir ya da kannaşıktır. Biz amacımıza uygun olarak ikisinin de karmaşık
olduğunu varsayalım. Eğer gerçek köke karşılık gelen lineer _terim çarpım olarak
yazılırsa, Denk. (15 • 26)

(15 - 27)

biçimine girer. Burada k lar Denk. (15-26) daki sabit katsayıların bileşimidir.
Sinüzoidal bir girişin karmaşık aktanm fonksiyonunu elde etmek için Denk.
(15-27) de p' yi jw ile değiştirmeliyiz. Bu durumda,

(15 - 28)

elde edilir. Bu bağıntı genel aktarım fonksiyonunun pay ve paydasında hangi çeşit
terimlerin belirdiğini göstermektedir. Bunlar, j uı terimi, (j wk 3 + 1) biçiminde
doğrusal terim ve ( - w2 k 4 + j uık + 1) biçiminde kareli terimlerdir.Bu terimlere
5
(j uı)n çarpanlarını verecek :biçimde devam edilebilir.
Denklem (15-28) gibi bir fonksiyonun Bode grafiğini elde etmek için ,çarp_uıı -
halindeki terimlerin çarpanlarının etkilerini toplayarak fonksiyonunun grafiğini
elde etme yoluna gidilir. örneğin, büyüklüğün logaritmalarını yatay eksen üzerine
çizer, bütün terimlerin yatay bileşenlerini desibel cinsinden yazar, toplar ve
grafiği çizeriz. ( j w)-1 terimi onluk başına 20 dB negatif eğimli, dB ;,, O, uı= 1
noktasından geçen bir doğru verir. Kesim 2-9 da alçak frekans ve yüksek frekans
geçiren RC süzgeçlerinin Bode çiziminde izah edilen köşe-frekansı artı asimtotik
çizgiler tekniği ile lineer terimlerin katkılan kolayca çizilir. Kareli terimler önce
Denk. (15-24) deki biçime konulabilir ve sonra Şek. 15-9 daki eğriler kullanılarak
aktarım fonksiyonuna · olan tüın katkılan bulunur. Bu yöntemle tüm genlik ve faz
çizimleri kısa yoldan kolayca yapılabilir.

15 - 6
Açık-çevrim ve kapalı-çevrim aktarım fonksiyonları;
kararlılık; dengeleme

a) Kararlılık

Geçen kısımda çıkış/giriş aktarım fonksiyonları üzerinde durduk. Bunlar

kapalı çevrim aktarım fonksiyonları olarak lJilinirler. incelememizi genişletmek

365
ıçın Şek. 15-10 daki basit güdümlü sistemin blok çizimini gözönüne alalım. Bu
çizimde CGw) ile sembolu ile kontrollü değişkeni, Eüc.ı.ı) ile hatayfve Rüc.ı.ı) ile
ele referans (veya emir) değişkenleri temsil edilmektedir. öğrenci bu sistem için
kapalı-çevrim fonksiyonunun

C(j c.ı.ı) G (j c.ı.ı) (15 - 29)

R Ü c.ı.ı) 1 + G(j c.ı.ı)
olduğunu ispatlayabilir.
Kesim 9-9 da geribeslemeli yükselteci ilgilendiren benzer bir fonksiyon olan
G/1 + GH. açıklanmıştır. Nyquist çiziminde GH nm gometrik yerinin sistemin
kararlılığı hakkında bilgi verdiğini biliyoruz. özellikle geometrik yerin -1 ~ jO
kritik noktasına göre odağın davranışı bu çözümlemede önemlidir. Bundan başka,

Kontrollü
artı yük
..--_,__-..., C(jwl
G(rı.ıl

Şekil 15-10 Basit güdümlü sistemin blok çizimi.

GH fonksiyonunun Bode çiziminin kararlılık kriteri olarak kullanılabildiğini
hatırlayınız.
Kesim 9-9 dakine benzer nedenlerden ötürü Denk. (15-29) daki GGc.ı.ı) nın w
nın fonksiyonu olarak Nyquist veya Bode çizimi bu tür sistemin kararlılığının
tesbiti için yeterli olduğu sonucunu çıkarabiliriz. örneğin I Güc.ı.ı) 1 = O dB eşit­
liğini sağlayan frekansta faz sınırım bulmak için ve <f> ( w) = - 180° eşitliğini sağ­
layan frekansta kazanç sınırını bulmak için Bode diyagramı incelenerek kararlılığın
mertel>esi hakkında bir yargıya varılır.
Bode'nin çalışmaları t belirli bir frekans için aktarım fonksiyonunun fa.
zının - 00 < u.ı < 00 aralığında logaritmik büyüklüğün değişme hızına bağlı ol-
duğunu göstermektedir. Fakat belirli bir frekansın her iki tarafında, her bir onluk
frekans 'için değişme hızı fazın hesaplanmasında önemli rol oynamaktadır.
Büyüklük ve faz arasındaki bu bağıntı, sadece büyüklüğün logaritmasının Bode
çizimini sistemin kararlılığını çözümlemeye yeterli kılmaktadır yani faz eğrisini
gözönüne almaya gerek yoktur. örneğin eğer log'. büyüklük eğrisi, kazancın birim
(O dB) olduğu yerde frekansın her iki yanında yeterli aralıkta -20 dB (onluk frekans

t Faz ve ~azan ç arasındaki Bode bağıntıları minimum fa:ı: sistemlerine sınır•

landırılmıştır. Bununla birlikte birçok tek-çevrim güdümlü sistemleri bu

sınıfa girer.

366
aralığı) oranı ile değişiyorsa, bu noktada faz yaklaşıklıkla 90° dir ve sistem karar­
lıdır. Diğer bir yakın noktada kazanç yine O dB fakat değişme oranı -40 dB/( on­
luk frekans aralığı) ise, faz yaklaşık - 180 ° dir ve sistemin kararlılığı çok şüpheli­
dir. Sonuç olarak log-büyüklük çizim:nin O dB noktası yakınındıtki eğimi sistemin
kararlılığı hakkında önemli bir kriter olmaktadır.

b) Aı;-ık - çevrim ve kapalı• çevrim aktarım fonksiyonlıı,rı

örnek olarak belli aktarım fonksiyonları tanımlamak ve Şek. 15-11 (denge­

leme çizimleri daha sonra görülecek) ve aynı zamanda Şek. 15-10 daki sistemleri
kullanmak isteyelim. Bunun için ileri aktarım fonksiyonunu tanımlayalım.

üw)
ileri aktarım fonksiyonu= _C (15 - 30)
Eüw)
dır. Şekil 15-10 ve Şek. 15-llb de ileri aktarım fonksiyonu G Ow) dır. Fakat Şek.
15-lla da bunun değeri A ÜCıJ) G üw) dir.
Açık-çevrim aktarım fonksiyonu, geribesleme sinyalinin, kontrol girişine
uygulanan giriş sinyaline oranıdır. örneğin eğer çevrim Şek. 15-llb de X nokta­
sından kesilir ve E ye birim sinüs dalga verilirse, R = O iken geribesleme sinyali
B üw) olur ve bu sistem için

8 üw) -
açık-çevrim aktarım fonksiyonu= G (ı"w) H Ow) (15 - 31)
EGw)

olarak yazılır. Şekil 15-10 ve Şek. 15-lla daki sistemlerde geribesleme bir olduğun-

R ♦
G(jwl
B(jwl

H(jw)

(ol (bl

Şekil 15-11 Dengeleme yöntemi a) ileri yolda b) geri-besleme yolunda.

dan açık-çevrim aktarım fonksiyonu, ileri aktarım fonksiyonuna indirgenir.

c) Dengeleme

Şekil 15-10 daki gibi güdümlü sistemin çözümlenmesi sonucunda güdümlü

sistemin çalışmasında eksiklik olduğunu bulmuş olalım. örneğin bu sisLem

367
kararlı olabilir, fakat geçiciye cevabı veya kararlı- durum hatası istenen .düzeyde
olmayabilir veya kararsız olabilir. Güdümlü sistemin çalışmasını yükselten iki çi­
zim Şek. 15-11 de görülmektedir. Burada A (foı) ve H üw) olarak gösterilen blok­
lar. genel olarak direnç ve sığaçlardan oluşmuş pasif devrelerdir. Bu devreler
Nyquist ve Bode diyagramında değişiklik yaparak sistemin belli oranda
noksanlığını ortadan kaldırırlar. Sayısal bir örnekle bu yöntemi daha açık göste­
relim.
İleri aktarım fonksiyonu

1,0 (15 - 32)

G (jw)
(jw)2 (1 + �)
5,5

biçiminde verilen güdümlü sistemi düşünelim. (j wr 2 terimi çok düşük wdeğerle­

rinde faz geri kalmasının 180 ° olduğunu ve log-büyüklük eğrisinin 40 ciB ( onluk
frekans aralığı) ile düştüğünü anlatıyor. Lineer terim 5;5 rad/sn köşe frekansına
sahiptir. Fonksiyonun tamamı Şek. 15-12 de çizilmiştir. Burada PQR. çizgisi asim­
totik log-büyüklük eğrisini göstermektedir. Faz ise alttaki diyagramda kalın çizgiyle
gösterilmiştir. P QR çizgisi w = 1 de O dB düzeyini keser. Bu noktada, dikkat
°
edersek faz -191 dir. Faz sının negatif (Nyquist çizimi kritik noktayı "yanlış"
tarafta geçer) dolayısıyle sistem kararsızdır.
Sistemi kararlı duruma getirmek için devreye bir faz-ileri alma devresi ve,
Şek. 15-lla, A (jw) ön yükselteç devresini dengeleyici olarak eklediğimizi varsaya­
lım. Şekil 2-24 ten ve ilgili açıklamadan faz-ileri alma devresinin düşük frekansta
sabit zayıflama ve ondan sonra O dB düzeyine ·doğru kazançta bir artma verdiğini
söyleyebiliriz. Bu bölgenin üzerinde çıkış fazı ilerler ve maksimum ilerleme kazanç
değişme bölgesi ortasında olur.
Eğer faz ileri alma devresi ilerleme yoluna eklenirse düşük frekanslarda ileri
fonksfyonunun genliğinde belli bir düşüş olur ve bu da güdümlü sistemin doğru­
luğunu düşürür. Dolayısıyle Şek. 15-13 te görüldüğü gibi faz artırıcı devre ile bir­
likte önyükseltici bağlamamız ( ya da devredeki yükseltecin kazancını artırmamız)
gerekir.
·Faz artırıcı devrenin aktarım fonksiyonu Denk. (2-130) da a = R 2/(R1 + R 2)
VP w 1 = 1/CR1 parametreleri cinsinden verilmekteJir. Böylece iki oelirtgen frekan­
sı w1 ve w1/a dır. a. = 0,1 ve w1 = 0,5 seçersek, ıJJ1/a= 5 rad/sn olur. Sonuç
olarak K kazancını 10 olarak seçelim. Buradan Şek. 15-13 için aktarım fonksiyonu
10 x 0,lx ( 1 + � j (J )
A üw) = -----=--- (15 - 33)
jw
l +- -
5

368
 40

20
aı
-o
.::t.
•.-!
,-f o
C:
Ol
01

-20

-40

-60

-
90

-- :.-- -
1 • .1

.
o
~

ı--
- lnın fazı(jwl
r---.
l-1
Ol
-o
1 -90 - - 1
--+----- - i 1
N
l( jw)G{ jw)
-
ttJ nın fazı

---- --- -- - ~-
ı..ı..

-180
P.M~ ------- ~,eo

-270-
0~4 0,1 0,2 0,4 0,6
G(jw)
1
r---
nın
1
2
faz?
4
1
-~

6
-"· --. ---~
10
'

20
- 40
r--,.._

w rad/sn.-►

_ _ _1_,,o
_ _ _ _ ve
Şekil 15 - 12 G (jW)
owı2 (1 + k_
5,5

1 O ( 1 + ___jgı__ )
' 0,5
A(jw)G(jw) ------~'------- iı_,in

(jw )
2
(1 ,
iw
~- ) (ı ı
iü'
r; - ı
5,5 ~

log-büyüklük ve faz eğrileri.

369
 Şekil 15 - 13 önyükseltici ve faz - artıncı.devresi :

dengeleme = A(jw) = El (jw)

olur. Buna göre faz-ilerleme dengeleme etkisini de içeren ileri aktanm fonksiyonu

jw
1,0(1 + ~ )
A (ju,) G (jw) = (15 - 34)
(j w) 2 (1 + ı~ )
(1 + -1f-- )
olur. Bu fonksiyonun Bode çizimi Şek. 15-12 de noktalı eğri ile gösterilmiştir.
Şekilde A Gw) eğrisi aynca görülmektedir ve buradan bileşke eğriyi elde etm.ek
için A üw) ve G Ow) nın ordinatının nasıl toplanacağı da kolayca görülür.
Büyüklük eğrisi w 0 = 1,9 rad/sn de O dB değerine doğru gider. Bu frekans-
taki fazın değeri faz sınırını tanımlar ve bu,şekilde P.M. olarak gösterilmiştir ve
değeri.de 33° dir. Kazanç sınırı şekilde G.M. olarak gösterilmiş <I> ( w) = -180°
de ortaya çıkar ve yaklaşık değeri 10 dB dir. Böylece düzeltilmiş sistem kararlıdır.
Sistemin geçicilere cevabı, sönüm derecesi ve doğruluğu hakkında gerekli
İJİlb'İlere sahip olmak için üzerinde daha çok çalışmamız gerekir. Açık-çevrim

aktarım fonksiyonunun Bode eğrileri üzerinde pratiği olan güdümlü sistem

kurgu~ayıcısı,Şek. 15-12 den bütün sistemin cevabının ne olacağına dair en azın­
dan nitel olarak fikir yürütebilir. Eğer gerekiyorsa çözümlemeyi devam ettirerek
ka;,alı-çevrim aktarım fonksiyonunu hesaplayabiliriz. Yani Şek. 15-12 deki sonucu
kullanarak

C Gw) _ _A (jw) G Gw_)_

(15 · 35)
R Gw) - 1 + A(jw) G(iw)
değerini bulabiliriz. tamamlarsak .:ıı = 2,4 rad/sn de genlik
Eğer hesaplamaları
eğrisinde rezonansın tepe değerini buluruz. Bu bize basamak fonksiyona cevabın
uygunsuz bir sönüm derecesi ile titreşimli olacağını gösterir.
Dengeleme devresi Şek. 15-llb deki geribesleme yoluna da eklenebilir. Bu
sistem için kapalı-çevrim aktarım fonksiyonu

370
 C(juı) G (j uı)
(15 - 36)
ROuı) 1 + GOuı) HOuı)
dir. Bu çeşit sistemler için Bode diyagramları da kullanılır. Fakat Denk. (15-36),
(15-35) ten farklı biçimdedir ve dolayısıyle çözümlenmesi de diğerinden farklı
olacaktır. Denklem (15-36) voltaj geribesleme yükselteci ile aynı biçimde olduğun­
dan BöL 9 da bu yükselteç için verilen açıklama genellikle bu güdümlü sisteme de
uygulanır. örneğin düşük frekans sınır bölgesinde ekseri I Güuı) H Guı) 1 :--> 1 dir
ve bunun sonucu olarak Denk. (15 - 36)

..9.ii0_ =:,,. _ı- - (15 - 37)

ROuı) - HOuı)

biçimine indirgenir. Buna göre düşük frekanslarda cevap, büyük oranda geribes-
leme yolundaki elemanlara bağlıdır.

15 - 7
Güdümlü sistemin bileşeleri

Küçük güdümlü sistemin çıkış elemanı genellikle bir d. a. motorudur. Fakat

a. a. motorlar da özellikle çift fazlı indüksiyon motoru bu tür güdümlü sistemlerde
kullanılabilir. Bu motor iki stator sargısına ve kafes biçiminde bir rotora sahiptir.
Referans sargı adı verilen stator sargılarından bir tanesi a. a. kay11ağı tarafından
devamlı sabit olarak beslenir. Kontrollü sanın adı verilen ikinci sargı da,bir a. a.
güç yükselticisi tarafından birinciye göre 90° lik faz ile beslenir. Meydana gelen
dönme momenti kontrollü sanmdaki voltajla orantılıdır.
Gerekli güç 10 W üzerinde ise başka sürücü sistemler kullanılmalıdır. Bunlar-
dan biri Ward-Leonard sürüciısüdür. Bunda alanı kontollü bir d. a. üreteci d. a.
sürücü motorun armatörünü besler ve bunun da alanı sabittir. Güdümlü yükseltici,
jeneratörün alanını dolayısıyle motor sürücüsünü kontrol eder.
önceki bölümde açıklanan güç yükselticilerine ek olarak amplidyne, metad-
yne, rototrol gibi dönen yükselticiler ailesi de vardır. Bunlar alan sarım girişi ile
armator çıkışı arasında yüksek kazanç ve aynı zamanda iyi cevap hızına sahip
olmaları için kurgulanmışlardır.

Çıkışla girişi karşılaştırmak ve hatayı, hata sinyaline çevirmek için bazı

şeyler gereklidir. önceki örneklerde basit potansiyometrik sistemler üzerinde
durulmuştur. Kullanılan diğer sistemler: 1) tachometre üreteci ve toplayıcı, 2)
bir dönüştürücü ile diferansiyel fren sistemini süren geribesleme miliiiir. Dönüş­
türücü açısal hatayı elektrik sinyaline çevirir. Eş adı verilen benzer iki makineyi
kullanan diğer bir sistemi açıklayalım. Devre çizimi Şek. 15-14 te görülmektedir.
Herbir makinede stator üzerinde eksenleri arasında 120° açı bulunan üç sarım

371
vardır. İki kutuplu rotor güç frekansında beslenir. önce iki statorun şekilde görül-
düğü gibi bağlandığı fakat alıcının rotor bobininin bağlantısının kesildiğini

Şekil 15-14 Eş sistem çifti.

düşününüz. Verici içinde en~jilenmiş rotor bobini üç stator bobininde tek-fazlı

voltajlar oluşturur ve bu voltajların büyüklükleri rotorun açısal konumuna bağlı­
dır. Bu voltajlar aynı relatif oranlarda alıcı stator bobinlerini besler. Böylece alıcı
içindeki manyetik akı deseni, verici içindeki ile uyuşacaktır. Bunun yanında eğer
alıcı rotor iletici rotorla aynı açıda ise, büyüklük ve fazca vericiyi etkileyen
voltaja eşit (kayıplar hariç) indüksiyon voltajı oluşacaktır. Bundan sonra alıcı
rotor bobini güç kaynağına bağlansa da hiçbir şey olmayacaktır (akım yok, dön-
me momenti yok).
Eğer iletici rotor birkaç derece hareket ettirilirse alıcı akı deseni ona bağlı
olarak kayar ve böylece alıcı rotorda indüksiyon akımı oluşur. Bu akım bir dönme
momenti oluşturur ve bu moment alıcı bobininin, verici bobini ile aynı doğrultuya
yönelmesini sağlar. Sonuçta eş çiftinin bir uygulaması,uzak bir yerde mil duru-
munun gözlenmesini sağlaması olmaktadır.
Başka bir uygulamada verici güdümlünün çıkış mili ile sürülür ve giriş açısı
alıcı rotorun durumunu kontrol eder fakat sadece vericinin rotoruna enerji verilir.
Alıcı rotordaki a. a. indüksiyon voltajı rotorlar arasındaki açının kosinüsüne bağlı
olarak cleğişir ve açı 90° olduğunda voltaj sıfır olur. Güdümlü sistem öyle kurb'U-
lanır ki rotorlar arasındaki açı 90° olduğunda sıfır hataya karşılık gelsin. Budu-
rumdan aynlnıa, alıcı rotorunda hata voltajına neden olur. Bu voltajın büyüklüğü
hata açısının sinüsüyle değişir. Fazı ise pozitif hatadan negatif hataya değişmesine
nedt>n olur. Bu hata algılama sistemi a. a. yükselteci ile birleştirilir. Böylece a.a.
;,!Üuüınlü motoru, basit ku\'VeUcııdirilmİ}i güdümlü sistem olu:jturur.

KAYNAKLAR

15 - 1 H.L .. Harrison and J. G. Bollinger, Introduction to Automatic Controls,

International Textbook Company, Scranton, Pa., 1963.

372
15 - 2 H. Lauer, H.. N. Lesnick and L. E. Matson, Servomechanism Fundamentals,
2 d ed. McGraw-Hill Book Company, New York, 1920.
15 - 3 N. M. Morris, Coııtrol Engineering, .McGraw-Hill Book Company, New
York, 1968.

ALIŞTIRMALAR

15 - 1 Denklem (15-9) la ifade edilen Şek. 15-5 teki güdümlü sistem M = 0,2 kg
ve Km = 45 N/m sabitlerine sahiptir. a) Eğer B = 3,6 N.s/m ise 0,05 m basamak
girişe cevabı nedir? Eğer uygulanabilirse Şek. 15-7 yi kullanarak cevap eğrisini
çiziniz. b) Bir birim sönüm oranı veren B değeri nedir? c) Eğer sönüm oranı 0,6
verecek biçimde ayarlanabiliyor ve basamak voltaj girişi uygulanıyorsa üst taşma
yüzdesi kaçtır ve bu ne zaman oluşur?
15 - 2 a) Basamak voltaj ~rişi kabul ederek Kes. 15-3 teki viskoz sönümlü güdüm-
lü sistem için durum hatasını girişe bağlı kılan diferansiyel denklemi türetiniz.
i>) Aym soruyu rampa giriş için tekrarlayınız.
15 • 3 Azaltma faktörü n olan ve bir frenler dizisi yardımıyla bir yükü hareket
ettiren motoru gözününe alınız. Bunun anlamı, yük üzerindeki dönme momenti
motorunkinin n katı veya motorun hızı yükün hızının n katı demektir. Motorun
eylemsizliği Jm ve yükün eylemsizliği J olsun. Yük milindeki Jet ile gösterilen top-
lam etkin eylemsizliğin ne olduğunu araştıracağız. a) Jet = J + n 2 Jm olduğunu
gösteriniz. b) Maksimum rotor dönme momentinin Tın olduğunu varsayalım.
v
Maksimum yük ivmelenmesi için en uygun n değerinin J/Jm olduğunu gösteriniz.
15 - 4 Ward-Leonard kontrol sistemini kullanan güdümlünün bir kısmı Şek. 15-15
te gösterilmiştir. G yükselticisi yoluyla üretecin alan akımı kontrol eden hata volta-
jı e olsun. Yardımcı motor Ml ~en üretecini, dolayısıyla sabit alan akımına sahip
M motorunu sürer.
R İm

Şekil 15-15 Motor-üreteç (Ward-Leonard) kontrol sistemi.

J toplam yük ve motorun eylemsizlik momentini ve R de jeneratör-motor sargı

çevriminin toplam direncini temsil etmektedir. Armatör indüktanslarınm ihmal
edilebilir olduğu kabul edilmektedir. e 1, Gen ve e 2 de M içinde üretilen voltaj-
lardır. Bu varsayımlarla ve sistemin doğrusal olduğunu giriş ve çıkış arasındaki

373
işlemsel aktanm fonksiyonunun;

=--------
biçiminde verildiğini gösteriniz. Burada Tf = Lf/kf, Tm = JR/KtKm dir. Kt arma-
tör akımı başına düşen motor dönme momenti, Km, p 00 (t) birim değeri başına
motorun zıt emk ve Kg birim jeneratör alan akımı için Gen de üretilen voltajdır.
1S - S İkinci mertebe güdümlü sistemin büyüklüğü Xi olan basamak girişine
karşı titreşimli cevabını gözönüne alınız. Cevabın ilk tepesi Wim = TT eşitliğini
sağlayan tm zamanında olur. a) Bu durum için birim taşmanın

-exp (- t;wntm)

(1 - s2) /2
biçiminde verildiğini gösteriniz. b) Eğer w n = 10 rad/sn ve sönüm oranı 0,6 ise
birim üst taşmayı hesaplayınız ve üst taşmanın oluştuğu zamanı bulunuz.
IS - 6 Hız geribeslemeli sistem adı verilen Şek. 15-16, güdümlü sistemde sönüm
çıkış değişkeninin değişme hızı ile orantılı ek bir geribesleme ile elde edilir.
Şekil 15-16 da çıkış 0 açısal yerdeğiştirmedir ve T de geribesleme voltajı üreten
0
küçük ~achometre üreteç tir. Böylece e u = KTp00 dır. Burada~ bir sabit, 00 açı­
sal yerdeğiştirme ve p de türev operatöriidür. Geribesleme mili, diferansiyel fren
sisteminin bir mili üzerine etki eder. Dişli sistemin çıkış hatası Gi - 00 dır. Burada
ei giriş emir açısıdır. e = (E\ - 00 ) olacak biçimde TR dönüştüriicüsü hata açısını e
voltajına dönüştürür. eve eu voltajları fark yükselticisine gider. Bunun çıkışı e-eu

Şekil 15-16 Hız geribeslem.?li ikinci mertebe güdümlü sistemi.

ile orantılıdır. J
nin, bütün hareket eden parçaların eylemsizlik momenti olduğunu
varsayınız. Motor indüktansı, zıt eıİık, sürtünme kuvvetini ve diferansiyel frenler-

374
deki geriye itme gibi bütün doğrusalsızlıkları ihmal ediniz. Böylece

motor dönme m~menti = Km (e - eJ

biçiminde yazılabilir. a) Sistemin diferansiyel denkleminin

olduğunu gösteriniz. b) Sistemin davranışını Kes. 15-3 te açıklanan ikinci mer-

tebe giidümlü sistemle karşılaştırınız. Sönümsüz radyan frekansı ve sönüm oranı
için ifadeler bulunuz. c) Motor dönme momentinin e-eu büyüklüğüne oranının
1,2 N-m/V, hata dönüştürücü sabitinin 10 V /rad, tachometre sabitinin 0,08
V-sn/rad ve J = 0,12 kg-m 2 olduğunu varsayarak ıo 0 eğimli basamak giriş volta-
jı için cevabın grafiğini çiziniz.

375
 16
Dalga Oluşturma, Şekilleme;
Puls Üreticiler

16-1
GiRiŞ

Elektronik aletler ve endüstriyel kontroller gittikçe daha kompleks olmakta

ve daha yüksek hızda cevap, pulsların ve dalga şekillerinin oluşumuna bağlı daha
büyük dizide ölçme ve kontrol sistemlerine gereksinme duymaktadırlar. Bu sis-
temler yüksek hızlı puls sayıcılarını, frekans ve zaman ölçme aletlerini, puls
çözümleyicilerini sayısal voltmetreleri ve benzer aletleri içermektedir. Bu bölüm
puls ve başka sinüsoidal olmayan dalga şekillerini oluşturan, şekillendiren ve
ileten devrelerin temel katkılannı inceleyecektir.

16- 2
Seri bir RC devresinin pulsa karşı cevabı

önce Şek. 16 - lb deki RC devresinin Şek. 16 - ladaki ideal voltaj pulsuna

cevabı_nı dikkate alalım. Çıkış voltajı e , hiç bir dış yük olmadığını varsaydığımız
0
için, R direncinden akan akımla aynı değişmeye sahiptir. ei nin birden yükselme-
sine sabit bir E voltajını aşma şeklinde bakahilir ve geçici akımı Böl. 2 de olduğu
gibi hesaplayabiliriz. C nin başlangıçta yükünün sıfır olduğunu varsayar ve puls
genişliğihi, T, süresince

t
e0 = E exp ( - - ) ( 16 - 1 )
'[

şeklinde- ifade edebiliriz. Burada 1" = RC devresinin zaman sabitidir. Şekil 16-lc
de görüldüğü gibi çıkış rnltajı, bircten E değerine ç-ıkmakta ve sonra zaman sabi-
tinin değerine bağlı bir hı:ı:la azalmaktadır. R üzerinde düşen voltaj C yük depo
ettiğinden C üzerinde artan voltaja atfedilebilir.

Puls aralığının sonunda yani t = T anında giriş voltajı sıfıra gider ve bu,girişi
kısa devre-yapmaya özdeştir. C de biriken yük ters bir akıma neden olur ve bundan
ötürü e 0 birdenbire işaret değişti_rir ve üstel bir eğri ile söner. Şekil 16 - le de
gösterild-lği gibi negatif geçici voltajın büyüklüğü zaman sabiti ile puls genişliği

376
 o---Jı-c ___---o

on 1- T -J
(o)
t
(b)

E -----11 E -----7
l llE 1
1
I_J_ 1

0----ı -7 1
1
o o o
E llE
T=T ld T= 5T T = T/5

(c)

Şekil 16 - 1 Çıkışı R üzerinden alınan bir RC devresinin puls cevabı.

arasındaki ilgiye bağlıdır. Eğer T > > T ise C üzerinde küçük bir yük kalır ve nega-
tif geçici voltaj da küçük olur fakat T > > T ise negatif tepe değer yaklaşık E ye
eşit olur. Nicel bağıntılar T = T durumu için şekilde gösterilmişlerdir. Pulsun
sonunda voltaj birdenbire E kadar düşer. Negatif voltajın tepe değeri büyüklük
olarak l'.E ye eşittir ve bu pozitif voltajın puls genişliği boyunca düşme miktandır.
Şimdi çıkış voltajının,Şek. 16 - 2a da olduğu gibi sığaç üzerinden alındığını
varsayalım. Bu durumda çıkış voltajı yükselen bir üstel voltajdır. Sığaı; üzerindeki
voltaj uygulanan voltaj ile direnç üzerindeki voltajın farkıdır, bundan ötürü

t t
e 0 = E - E exp ( - T<) = E( - exp ( - T )] ( 16 - 2)

dir. Pulsun sonunda giriş pulsu sıfıra düştükten

Şekil 16 - 2
(ol

Çıkışı C üzerinden
T=T

alınan
(bl
T

bir RC devresinin puls

= T/5
(c 1 '"
·L--

cevabı.

377
sonra sığacın voltajı (çıkış) üstel olarak düşer.
Sığaç üzerindeki voltajın değişimi için daha genel ve pulsun başlangıcında
sığacın Ei başlangıç voltajına sahip olduğunu gösteren bir formüle gereksinimimiz
vardır. Kesim 2 - 2 deki yöntemleri kullanarak genel olarak

( 16 - 3 )

olduğunu gösterebiliriz. Burada Ei, t==O anında sığ aç üzerindeki voltaj ve Es kaynak
voltajınınsabit kaldığı varsayıldığında sığaç voltajmın t ➔ 00 da ulaştığı son
değerdir. voltajdaki Er - Ei değişimine üstel çarpanın etkidiğine dikkat edelim. e
0
ın t ye göre örnek bir değişimi Şek. 16 - 3 de görülüyor. Şimdi, zaman sabiti, T,
değişmenin 1/e olduğu zamanı göstermektedir.

, ~--------- --ı-
~ ı ~ ''t
E; - -- - - - - - , --- ·- -
1
1
.---r____..,.:
1
1
Ü'-----....___, _ _ _ _ __
o

Şekil 16 • 3 Sığaç voltajının yükselmesini gôsteriyor.

Periyodik kare dalgaya yani zaman ekseni etrafında simetrik dalgaya karşı
cevap da· başlangıçtaki geçici akım söndükten sonra simetrik olacaktır. Girişteki
dalga Şek. 16 - 4a da, direnç üzerinden alınan çıkıştaki kararlı durumdaki dalga
Şek. 16 - 4b de ve bunun sığaç üzerinden alındığı zamanki durumu Şek. 16 - 4c
de gösterilmiştir. Şekil 16 - 4b deki dalgayı T :.o T 1 için gözönüne alalım. Burada
T 1 kare dalganın yan - periyodunu gösteriyor. Dalga -E 1 düzeyinden başlamakta
ve giriş düzeyinin üstüne 2E kadar

378
 f\
[..------,

0-- - - - - - ------- o
- r, Zaman

! o1 (b'

Şekil 16 - 4 (a) RC devresinde giriş (b) direnç üzerinden çıkış ve (c) sığaç
üzerinden çıkış.

sıçramakta ve T 1 zamanı içinde E 1 e düşmektedir. Okuyucu

E ~ 2E ( 16 - 4 )
1 -1 +exp-(T 1/1:

olduğunu gösterebilir. Bu bağıntı T 1 in T ya oranın her değeri için geçerlidir. Böy-

lece E 1 değeri T > > T 1 olduğu zaman E ye ve çıkıştaki dalga girişteki dalga biçi-
mine yaklaşır.
Çıkış sığaç üzerinden alındığında, Şek.16-4c, sığacın kararlı durumundaki
voltaj -Em ile + Em arasında salınır. Denklem (16 - 3) ü kullanarak

1 - exp ( -T.f1)
Em=------'--- (16 - 5)
lt exp( - T .f:r)

olduğunu gösterebiliriz_. örneğin T 1 = T olduğu zaman Em= 0,4 7 E dir. Direnç

üzerindeki voltajın aksine sığaç üzerindeki voltaj dalgası, zaman sabiti yan - periyo-
da göre kısa yapıldığında, giriş dalgasına çok daha yaklaşır.

16-3
Yaklaşık bir integral alıcı veya
Türev alıcı olarak RC devresi

Bir RC devresinin türev ve integratör kavramlannı ve bu uygulamanın gerek-

379
!erini açıklamak için önce özel bir örnek gözönüne alalım. Sinüs şekilli bir yarım­
dalga pulsu, Şek. 16- 5, seri direnci R ve başlangıçta yüksüz C sığacından oluşan
RC devresinin girişine uygulansın. Seri RC devresi, çıkışın R veya C üzerinden
alırimasına ve belli sınırlamaların çıkış voltajları üzerinde sürdürülmesine bağlı olıı­
rak yaklaşık bir türev veya integral alıcı olarak görevlendirilebilir.

(o) ( b)

Şekil 15 - 5 RC türev ve integral eylemi.

Eğer devrenin zaman sabiti, puls genişliği T yanında çok kısa yapılırsa sığaç
1
üzerindeki voltaj ec, giriş voltajını yakından izleyecek . ve sadece ei den biraz
daha küçük olacaktır. Bu her zaman

(16-6)

olmasını istemeğe özdeştir. O zaman ani akım

(16 - 7)

dir. Denklem (16-7) yi ve Ohm yasasını kullanarak R üzerindeki voltajı

dei
eR =Ri ""RC - - (16 - 8)
, dt

buluruz. Bu sonuç, Denk. (16 - 6) daki sınırlama altında, direnç üzerindeki vol-
tajın giriş voltajının zamana göre türevi ile devrenin zaman sabitinin çarpımı ol-
duğunu gösteriyor.

Yaklaşıklık ec~ei şartının korunmasına yani eR < < ei yapılmasına bağlıdır. Ger-
çekte giriş geriliminin düzeyi ve zaman sabiti türev alıcının işleyebileceği türevin

380
maksimum ani değerini etkiler. eR nin,türev alıcının istenen doğruluğu için kei yi
aşamayacağını varsayalım. Burada k, 0,01 veya 0,05 olabilir. O zaman (16 - 8) kul-
lanılırsa

dei
(eR)mak = kei ==RC ( cit-) mak (16-9)

olur. Buradan

(16 - 10)
RC

olur. örneğin eğer k = 0,05, ei = 100V ve RC = 10 - 6 s ise o zaman yaklaşık

yüzde beş hata için (dei/dt)m ak= 5x10 6 V /sn olur.
RC devresini bir integratör olarak kullanmak içın çıkışı C üzerinden alır ve
her zaman ec < < ei olmasını isteriz. O zaman eR '°" ei ve akım

. eR ~ ei.
1 =a- = T (16 - 11)

olur. Bu akımı sığacın, başlangıçta yüklü olmadığını varsayarak üzerin_deki voltajı

hesaplamakta kullanırsak
1 l
e
c
= -C- (16 - 12)
RC
elde ederiz. Böylece ec < < ei tutmak koşuluyla sığaç üzerindeki voltajın giriş
voltajının integrali ile zaman sabitinin tersinin çarpımı olduğunu görüyoruz.
RC integratörü ·bir dalganın biçiminde istenilen değişikliği oluşturmakta
kullanılabilir. örneğin eğer giriş kare dalga ise· çıkış üçgen dalga olabilir. Başka
bir uygulama tek bir puls veya puls gruplarının integrali olabilir. Kuşkusuz her
iniegrasyondan sonra sığacı boşaltmak için bazı yollar gerekli olabilir. Bu oto-
matik olarak bir kıskaç devresi ve pulsla harekete geçen geçit devresi birleşimi
ile yapılabilir (Kesim 16 - 5 ve 16 - 6 ya bakınız).

16-4
Telafili zayıflatıcı

Bir osiloskoba vermeden önce bir pulsun basit bir voltaj böfücü ile volta-
jını azaltma girişiminde bulunulduğunu varsayalım. Eşdeğer devre Şek. 16-6a

381
da görülüyor. Bu devre osiloskobun giriş sığacı c 2 yi de kapsamaktadır.C 2
sığacı ~ulsun biçiminde ciddi bir bozunuma neden olacaktır. örneğin bir kare d.ıl-
J
ga giriş voltajına karşı e 2 voltajı birdenbire yükselme yerine zaman sab"ıtı· T o1an
üstel bir eğriyle yükselir.

e, e,
Rı R, c,
Kto
2
ez

~
Rz Cz

-
!ol (bl

Şekil 16 - 6 (a)Qiiriş sığacı olan bir devreye giriş veren voltaj bölücü.(b)
telafi edilmiş voltaj bölücü (zayıflatıcı).

Böylece giriş
p~lsu bittiğinde e 2 voltajı aniden düşme yerine aynı zaman sabiti ile
azalacaktır. Kaynak direncinin sıfır olduğunu varsayarak yapılan çözümleme
zaman sabitinin T = c 2 [ R 1 11 R 2 ] olduğunu gösterir.
Doğru büyüklükte bir c 1 sığacı ile R direncini şöntlemek bu güçlüğü giderir.
Bunun·sonucu olan Şek. 16 - 6b deki cievre telafi edilmiş voltaj bölücü veya telafi
edilmiş zayıflatıcı olarak adlandırılır. Eğer devre sabitleri R 1 c1 = R 2c 2 olacak
şekilde seçilmişlerse o zaman e 2 voltajı e 1 voltajının bir tekrarı olacaktır. örneğin
değeri E volt olan bir basamak giriş voltajı olduğunu varsayalım. İlk anda c2 üze-
rinde e 2 voltajı ve c 1 üzerindeki E - e 2 voltajı sığaçlann ters oranıyla yani,

~-.ı (16 - 13)

E-e2 - C2

ile belirlenecektir. e 2 için çözüm yapılırsa

(16 - 14)

olacaktır. Eğer Denk. (16 - 14) de C terin birini yerine koymak için R 1C 1 = R 2c 2
bağıntısını kullanırsak

382
 (16-15)

elde ederiz. Fakat bu alışılmış volta.i bölücü formüldür. Bundan ötürü C !er yüzün-
den başlangıçtaki voltaj bülüşümü aynı zamanda R !erden ötürü olan kararlı durum
voltaj bölüşümüdür ve e 2 gerçek lıasamak voltajı biçimine sahiptir. Bu dev-
renin osiloskop girişine uygulanmasında c 1 sığacı ayarlanabilir yapılmıştır ve osi-
loskop test kablosunun bitiminde, prob içine yerleştirilmiştir. c sığacının ayarı,
1
bir standart kare pulsunu ekranda gözleyerek ve gerçek dalga şekli görününceye
kadar c 1 sığacı değiştirilerek yapılır.
Telafi edilmiş zayıflatıcı kavramı osiloskopta çok başlıklı yükseltici zayıfla­
tıcılannda ve a. a. elektronik voltmetrelerin giriş devrelerinde kullanılır.Ard arda
başlıklar arasında zayıflatıcı kesimlerinin her birinin RC zaman sabiti, sinyalin
frekansından bağımsız bir zayıflatma yapması veya dalga biçimini koruması için,
aynı olmalıdır.

16-5
Kırpıcı ve kıskaçlayıcı devreler

Yükselticileri incelerken aygıt belirtgenlerinin doğrusal olmayan bölgelerinin,

transistörün doyumunda olduğu gibi, çıkışa bir bozunma getirdiğini gördük.
Pulslar ve daha başka dalgalan incelerken dalga biçimini istenilen biçimlerde
değiştirmek için doğrusal olmayan bölgeleri kullanacağız. Dalgalan biçimlendirmek
için diyodlar ve transistörleri içeren bir çok devreler kullanılır. Bu aygıtlar böyle
uygulamalar için son ölçüde elverişli belirtgenlere sahiptir, özellikle aygıtın
iletmeyen duruma geçmesi yani anahtar olması istendiğinde bu aygıtlar büyük
ölçüde yaradı olurlar.

a) Kırpıcı devreleri

Voltaj dalgalarının veya pulsların tepelerini istenilen bir düzeyden sonra kır­
pan bir diyod devresi Şek. 16 - 7 de görülüyor. Diyodun ideal olduğunu varsayar-
sak o zaman diyod bir anahtar gibi davranır, doğru yönde hiç voltaj düşmesi olma-
dan iletir ve diyod voltajı işaret değiştirdiğinde akımı tam olarak keser.ei < EB
olur olmaz diyod akımı kesilir (ters önbesleme) ve çıkış dalgası giriş dalgasını
izler. Bununla birlikte e i nin değeri EB yi aşar aşmaz diyod iletir ve akım R direnci

383
 Şekil 16 - 7 Diyod kırpıcı devresi.

ile sınırlanır. Diyodun doğru yöndeki voltaj düşmesi sıfır olduğundan o zaman
e 0 ın değeri e 8 ye eşit olur. Şekil 16 - 7 de gösterildiği gibi kırpıcı devresi ciddi
biçimde düzgün olmayan pulslan daha düzgün biçime sokar. Eğer istenirse batarya
ve diyod yerine bir kırılma, Zener, diyodu konabilir ve bu durumda Zener diyod
E 8 voltajını sabit tutar.
Eğer diyod Şek. 16 -· 8 de olduğu gibi ters çevrilirse giriş voltajının E yi
8
aşan kısmı için dalga çıkışa iletilir ve geri kalan zamanda da çıkış E
8
d·eğerinde sabit kalır. İstenirse batarya ters çevrilebilir, bu durumda sabit kısım
sıfır voltaj düzeyinin altında olacaktır.
Şekil 16 - 9 daki devre ile dalganın hem alt ve hem de üst tepeleri kırpılır.
Voltaj düzeylerini "arka arkaya" konmuş kırılma diyodları tayin eder.

Şekil 16 - 8 Düzeltilmiş kırpıcı devresi.

Şekil 16 - 9 İki yönlü kırılımlı diyodlu bir kırpıcı devre.

Şekilde g?,rüldüğü gibi bu devre bir finüs dafgasını yaklaşık bir kare dalgaya çevir-
mek için kullanılabilir.

384
b) Kare • dalga üretici

Doyma bölgesinde çalıştınlanbir transistör yükseltici girişindeki sinüs-

dalgasını çıkışta yaklaşık bir kare dalgaya dönüştürür Şek. 16 - 10. us ve RB nin
1
değerleri taban akımı pozitife gittikten hemen sonra transistörü doyuma getirecek
değerlerde olmalıdır. us nin pozitif yarım salınım süresinin çoğunda transistör do-
yumdadır ve çıkış küçük doyum voltajı V doy dur. İkinci yanın - dönüde taban
akımı negatife gider ve transistörün iki eklemi de ön beslenmiş olur ve bundan
ötürü transistör kesilim bölgesindedir. Bu durumda sadece küçük bir toplayıcı
akımı (ICEO dan az) akar ve onun için çıkış voltajı yaklaşık V CC dir. Transistör
Kes. 11 - 7 de açıklandığı gibi anahtar biçiminde çalışmaktadır, taban sürümü
farklı olmasına karşın eski tartışmalann çoğu şimdiki uygulamada da geçerlidir.

Vcc -------,...=.........

Şekil 16 - 10 Doyma bölgesinde kare dalga üretici olarak çılıştınlan bir CE

yükseltici

c) Diyod kıskaç devresi

Doğru akım bileşenleri olan aralıklı dalgalar veya pulslar seri bir RC devre-
sine uygulandığında d.a. bileşeni sığaç üzerinde gözükür. Bundan ötürü Şek.16-lla
da görüldüğü gibi direnç üzerindeki e 0 veya e~ voltajının sıfır d.a. bileşeni vardır. Bu
şekil RC zaman sabitinin puls genişliğinden çok daha uzun olduğu varsayılarak
çizilmiştir, böylece giriş pulsu biçimini çıkışta korumaktadır. Bununla birlikte
ei nin d.a. düzeyi çıkışta kaybedilmiştir.
Eğer ideal varsayılan bir diyod Şek. 16 - l lb de olduğu gibi eklenirse çıkış
voltajı negatife gidemez. Bunun sonucu olarak pulslar sıfır düzeyinden başlamaya
zorlanır yani sıfır düzeyine kıskaçlanır. fJ'öylece d.a. bileşeni korunmuş olur ve
devreye de d.a. saklayıcısı denir.
Eğer diyod ters çevrilirse pulsun en pozitif nöktası sıfır düzeyinde kıskaçlanır.

385
 n nei c· ~ neo
0 J_ __ Lj___ L e:ri eo 0=:fU~-t:
oJ_]ll R
--r.=:\~1=1-
0 _J l.J L
(al

a daki gibiei
o_D__fr_
R
giriş •~
dalgaları

(b}

Şekil 16 - 11 (a) RC devresinden geçen kare dalgalar 1 (b) kıskaç diyodu

eklenmiş şekli,

Sonlu RC zaman sabiti ve gerçek bir diyod üzerindeki voltaj düşmesi göz-
önüne alınırsa çıkıştaki dalga Şek. 16 - 12 deki biçimi alır. Pozitif pulsun sonunda
C nin R üzerinden devredeki geçici akımla yüklenmesi nedeniyle çıkış voltajı /j_
volt kadar bir miktar düşer. Giriş pulsu sıfıra gittiğinde diyod (şimdi iletiyor)

T=RC

(J
.......... ~.
Şekil 16 - 12 Kıskaç devresinde çıkış dalga biçimi.

üze~nde /j_ voltluk negatif voltaj,C üzerindeki yükten ötürü gözükür. Eğer diyodu
değeri r0 <?_lan bir direnç olarak temsil edersek o zam_an sığacın boşalma zaman
sabiti i = r 0 C olur. örneğin eğer r0 = 50n, C = 0,002 ı,ıF ise T' = 0,1 ı.ı sn olur.
Demekki sığaç, arkadan gelen puls başlamadan önce tamamen boşalır.

386
 16-6
Geçit devreleri

Bir geçit devresi, seçimli, voltaj veya voltajların kontrolü altında bir sinyalin
iletildiği veya durdurulduğu devredir. Devre, çıkışta sinyalin voltaj değişmelerini
koruyacak şekilde düzenlenmişse buna iletim geçiti denir. Bölüm 17 de inceleye-
ceğimiz mantık geçitleri denilen geçitlerde çıkış belli giriş koşullan bileşimi
sağladığında gözükür ve çıkış genliğinin değişken sinyal girişi ile doğrudan
orantılı olması istenmez.
Şekil 16 - 13 deki transistör geçit devresi giriş pulsdizisinde usin ile
işaretli belli puls grubunu seçmek için düzenlenmiştir. Seçici voltaj u seç transis-
törün tabanına ek sinyal olarak etkir. Bu voltaj, pulsların geçtiği varsayılan zaman
dışında, transistörü kesilimde tutmaya yeterlidir. Çıkış voltajı ters çevrilmiş
puls grubundan oluşur ve bu pulsların genliği sinyallerinkinden büyük olabilir ya
da olmayabilir. Bir iletken geçit olarak nitelendirmek için devre düzenlemeli ve
değişken yükseklikte giriş sinyallerinin çıkışta birbirine göre büyüklüklerini koru-
yacak şekilde çalıştırılmalıdır.
Bir geçit devresi örneği aşağıda verilmiştir.

Şekil 16 - 13 Bir transistör geçit devresi.

16- 7
Bir puls sayıcının blok çizimi

Şimdiye· kadar tartıştığımız birçok dalga-oluşturma ve kontrol teknikleri

Şek. 16 - 14 deki puls sayıcı sistemde açıklanmıştır. İyonlaştırıcı ışınların iyon-
laşma odası gibi bir dönüştürücü (transducer) üzerine çarptığını ve oluşan pulsların

387
bir puls yükseltecinde yükseltildiğini varsayalım. Sonuçtaki pulslar değişik biçim-
de ve yilksekliktedir. Bu pulslar bir kırpıcı ve bir türev alıcıdan geçirildikten sonra
daha düzgün puls dizileri oluşturur. Sayıcı, geçit devresine uygulanan bir sinyalle
kontrol edilir ve belirli bir zamanda diyelim onda bir saniyede gelen pulslar sayılır.
Bölüm 17 de açıklanan frekans ve birim zamandaki olayları ölçme sistemleri Şek.
16 - 14 deki temel şemayı kullanır.

t:önüştürücwA
.. { .-----..J\J\.J\J'\..-
/ ,------,™
ve Kırpıcı Türev
yükseltici

Geçit
voltaj geçit Puls
sayıcı
üreteci

Şekil 16 - 14 Birim zaman başına puls sayan sistem.

16-8
1~ kararlı çok titreşici (flip-flop)

İki kararlı çok titreşici son derece ilgi çekici ve yararlı devre gruplarından
biridir. Bu grubun öteki elemanları kararsız (serbest-çalışan) çok titreşici, tek
kararlı_ (bir - atış) çok titreşici ve Schmitt tetikleyici devreleridir. Bu devrelerin
kararlı veya geçici olarak kararlı, iki durum arasında ileri geri anah.tarlanan ortak
bir özelliği vardır. İkikararlı çok titreşicinin iki kararlı durumu vardır, fakat dev-
re uygun bir tetikleyici pulsla bir durumdan ötekine değiştirilebilir. Tekkararlı
çok titreşicinin bir kararlı durumu ve bir geçici kararlı durumu vardır. Bi! karar-
sız çok titreşicinin ise her iki durumu geçici kararlıdır. Schmitt tetikleyici devre-
sinde ikikararh durum, giriş sinyalinin voltaj düzeyi ile kontrol edilir.
Çok titreşici ve tetikleyici devrelerin çoğunda pozitif geribesleme veya yeni-
den oluşturma bağlantısında iki transistör t kullanılır. Bir durumdan ötekine ge-

tÇok"titreşici devreleri AET, MOYIAET yahut iki kutuplu eklem transistörlerden ya-
pılabilir.Biz tartışmamızı iki kutuplu transistör devrelerine ayırıyoruz. Benzer işler bir tekek•
lemli transistör, tünel dlyod veya mantık devreler! (Böl. 17) bileşimleri kullanılarak yapılabilir.

388
çişte transistö erden birinin toplayıcısı tam açık ileten,AÇIK durumdan yaklaşık
hiç iletmeyen KAPALI durumuna,öteki ise iletmeyen durumdan tam ileten duru-

geri besleme ,--------------+---o+Vcc

Şekil 16 - 15 Pozitif geribeslemeli iki · katlı ortak yayıcılı yükseltici olarak

düşünülebilen bir iki kararlı devre

ma gider. Bundan ötürü hareket iki anahtara benzer ve bu devreler anahtarlama

devreleri diye de adlandırılırlar.
Yalın ikikararlı bir çok titreşici Şek. 16 - 15 de görüldüğü gibi pozitif geri-
beslemeli doğrudan bağlı iki katlı yükseltici olarak dikkate alınabilir. Eğer soldaki
transistörün tabanına bir sinyal voltajı uygulandığını varsayarsak. o zaman her kat
sinyali ters çevirir ve geribesleme pozitif olur. Eğer iki transistör de aktif bölgede
çalışıyorsa ve açık - devre kazancı birden büyükse o zaman devre kararsızdır. Bir
toplayıcı akımının birazcık yükselmesine neden olan bir küçük değişim öteki top-
layıcıdaki akımın düşmesine neden olur. Alışılmış devre sabitleri ile bu geçiş bü-
yük bir hızla bir transistörü tam iletken (doyumda) ve ötekini iletmez (kesilim)
duruma getirecek şekilde gelişir. Bu durum devrenin kararlı hallerinden birini
açıklar. öteki durum da aynı fakat bu kez doyumda olan transistör kesilimde ve
kesilimde olan ise doyumdadır. Bu durumlarda açık - devre kazancı birden aşağı
düşer (sıfıra yakın) ve böylelikle bu durumların kararlı olmasını garantiler.
Bu durumlardan birine daha yakın bir bakış yararlı olacaktır. Devrenin
simetrik olduğunu göstermek için Şek. 16 - 16a da bir kez daha çizilmiştir.
Doyumda ve kesilimde olan triınsistörle.rin tipik akım ve·voltaj değerleri çizimde
gösterilmişlerdir. BuradaıQ 2 nin doyum durumunda olduğunu ve doyuma 0,59 m A
lik taban akımıyla sürüklendiğini varsayıyoruz. Böylece Q 2 kapalı hir ıınahtar gibi
davranmakta, yüksek bir akım taşımakta ve toplayıcısından yayıcısına 0,2 Voltluk
bir voltaj düşmesine neden olmaktadır. 10 kn ve 40 kn luk dirençlerin voltaj bö-
lücülüğü nedeniyle Q1 in taban - yayıcı eklemi ters ön beslenmiştir ve Q 1 kesilim
bölgesinde çalışmaktadır.

389
 Bir yaklaşıklık olarak Q1 in taban ve toplayıcı akımları sıfır alınır. Aslında
ters kirçük bir taban sızma akımı olacak ve toplayıcı sızma akımı lBc: O değerinden
daha küçük, yani IcEO dan küçük olacaktır. Yüksek sıcaklıklarda kesilim akımı

+ıov

( Doyma
~0 kil jı bölgesi

Aktif
-18 V
o Kesilim
bölgesi
40 kil ~-~---'~TAçık
o
o 5 10

(ol

Şekil 16 - 16 İki kararlı bir devrede kararlı durum.

(a) Devredeki gerilimler volt ve akımlar miliamper olarak bir örneği gösteriyor-
lar. (b) Toplayıcı belirtgenleri üzerinde doyum ve kesilim koşulları görülü-.
yor. Transistörlerin silisyum olduğu varsayılmıştır.

yüksel~iğinden çözümlemelerde dikkate alınmalıdır fakat biz onu ihmal ediyoruz.

Bir ikikararlı çok titreşici bir sayaç veya bilgisayarda kullanıldığı zaman dev-
renin küçük pulslar veya puls trenlerinden oluşan tetik sinyallerine cevap olarak
durum değiştirmesi istenir. Tetikleme pulsları taban, toplayıcı veya yayıcılara uy-
gulanabildiğinden pek çok· çeşit tetikleme yöntemleri kullanılmaktadır. Genel
olarak, ikikararlı durumundan aktif bölgeye doğru sürüldüğünde, pozitif geribes-
leme etkileri zıt kararlı duruma ulaşıncaya kadar geçişin sürmesine neden olur.
Şekil 16 - 17 deki devrede ikikararlının durumunu kontrol etmek için T 1
ve T 2 ye uygulanmak üzere birbirinden bağımsız iki tetik voltajına gerek vardır.
Bu devre, Şek. 16 - 16a ya hızlandırma sığaçları Cı, c 2 yi ve T 1, T 2 nin tabanla-
rından tetik uçlarına diyod direnç bileşimlerini ekleyerek elde edilir. Bu devrede,
eğer Q1 açık ise T 1 e uygulanan negatif bir puls ve eğer Q 2 açık ise T 2 ye uygu-
lanan bir negatif puls durumların değişmesine neden olur. örneğin, şekilde göste-
rilen durum için T 1 e uygulanan negatif bir puls D1 in iletmesine neden olacaıı-,,uBl
azalmaya başlayacak böylece Q 1 aktif bölgeye sürülecektir. Bundan ötürü Q1 in
toplayıcı voltajı artacak ve Q 1 in topiayıcısı Q 2 nin tabanına bağlı olduğundan bu
artma Q 2 nin aktif bölgeye sürüklenmesine neden olacak ve geçiş çabucak tamam-

390
lanacaktır.C2sığacı bu eyleme yardım eder çünkü .Ucl voltajındaki değişme Rk 2 ve
R82 nin voltaj bölücülüğü yüzünden azalarak gitme yerineC 2 ile tüm olarakQ 2 nin
tabanına iletilir. Bundan başka c 2, transistörün gecikme zamanını yenmeye yar-
dım etmek için Q2 nin tabanına yük verir.

+10 V

'
ve,.

Şekil 16 · 17 Tabanın tetiklenmesi yöntemi.

Yukarıda açıklanan tetikleme yöntemi bir geçitleme işlemi elde etmeye

uygulanabilir. T 1 e uygulanan bir puls geçiti açar ve T 2 ye uygulanan ikinci puls
geçiti kapatır. Başka bir uygulama mantık devrelerindendir. Çift kararlılar sık sık
sayaçlarda da kullanılır. Bu uygulamada simetrik tetikleme gereklidir, yani bir uca
uygulanan ard arda tetikleme pulslannın her biri çift kararlının durumunu değiştir­
melidir. Bu amaçla doğrudan transistörün tabanına veya doğrudan olmayan şekil­
de toplayıcıya etki eden ,tetikleme devreleri kullanılır. Son tekniği açıklayan bir
devre şimdi incelenecektir.

16 - 9
Yönlendirici diyodlar kullanarak toplayıcısı t~tiklenen devre

Toplayıcı tetikleyen devre Şek. 16 - 18 de görülüyor. TetiklemP devresi

CT, RT kuplaj elemanlarını ve yönlendirici D1, D2 diyodlannı içermektedir. Bü-
yük bir CF sığacı ile şöntlenen yayıcı direnci eki dışında,bu devrP,yahn iki kararlı
çok titreşici devresidir. Böylece yayıcı voltajı VE önbesleme Plemanları Rı,,; ve Cı,;
ile yaklaşık sabit değerde tutulur.

391
 Tetikleme
girişi
u

Şekil 16 - 18 Yönlendirici diyodlar kullanılarak ikikararlı çok titreşicinin

toplayıcılardan tetiklenişi.

Bu devre, Şek. 16 - 19a da gösterilen Ux negatif pulsları ile tetiklenir. İlk

pulstan önce t1 anında Q2 nin doyumda Q1 in kesilimde oldujtunu varsayıyoruz.
İlk puls şimdi tartışacağımız nedenlerden ötürü Q 2 yi kesilime Q 1 i doyuma götü-
rür. Zaman sabitleri puls periyodu yanında küçük olduğundan ikinci puls gelme-
den önce devre kararlı duruma gelir. İkinci puls Q1 i kesilime ve Q2 yi doyuma
getirecek şekilde yönlendirilmiştir. Böylece devre eski haline döner. İlk puls dev-
reyi bir duruma getirir ikinci ise onu eski haline döndürür (flip - flop). Bir çıkış
pulsu uc 2 için iki tetikleme pulsuna gerek olduğuna dikkat edilmelidir. Bu özellik
Böl. 17 de açıklanan ikili sayaçlarda uygulanır.
Şekil 16 - 19b tetikleyici pulsların ve yönlendirki diyodların eylemlerinin
ayrıntılı açıklamasını yapmakta kullanılacaktır. Bu çizimdeki voltajlar takımı
tetikleyici puls ulaşmadan tam önceki t 1 anı içindir. Voltajlar VCC = IOV esasına
ve doyumdaki Q2 için V BE cc 0,7 V ve VCE OV varsayımına dayanılarak veril-
miştir. Bundan başka, önbesleme voltajı 2V ve ucı de 9V alınmıştır. Tetikleyici
pulsun negatif tepe değerinin 6 V olduğunu varsayalım. O zaman puls x nokta-
sını aniden + 10 volttan + 4 volta düşürür. Bunun sonucu olarak o 1 iletir fakat
D2 diyodu ters önbeslemede yahut iletmeyen durumda kalır. Puls Qı in toplayıcı­
sına yönlendirilmiştir ve D1 üzerinde 0,6 volt düşme varsayarsak Y noktası birden-
bire 5.4 V düşer.

392
 +ıo

Dı kapalı Açık'

t ~ -. +9~Y_ __.,~J-+-'-X-~~--~1+2
o ·•t
ı,
01 02
11
<>-lt-+-----J

lal

Şekil 16 - 19 (a) Şekil 16 · 18 deki iki kararlı çok titreşicinin toplayıcı­

sındaki tetikli dalga biçimleri. (b) Tetiklemede işe karışan devre kısmı,vol­
tajlar tetikleyici puls gelmeden tam öncekilerdir.

Kuplaj sığacı c 2 nin başlangıçta 6,3 voltluk yükü olduğuna dikkat edelim. Y
noktasının potansiyeli düştüğünde sığaç kuplajı yüzünrlen Z noktası da 5,4 volt
kadar düşmelidir. Böylece Q2 nin tabanı -2,7 V a sürülür ve Q 2 yi
kesilime götürerek önceden açıkladığımız geçişi başlatır.
Buraya kadarki tetikleme tartışmalarımız ve geçişler eklem sığacının varlığı­
nı ve açık olan transistörün tabanındaki yükün uzaklaştırılma gerekliliğini
görmezlikten gelmiştir. Bunların etkileri Kes. 16 - 14 de açıklandığı üzere geçişi
yavaşlatma yönündedir.
Tetikleyici puls çok küçük veya çok kısa olamaz. Taban yükünün uzaklaş­
tırılması gerekliliği pulsun minimum büyüklüğü ve genişliğini sınırlar. öte yandan
tetikleyici puls çok büyük de olamaz. Çünkü eğer puls, o 1 ve D2 diyodlarının
ikisinin de iletime geçmesini sağlarsa tetikleme güvenilir olmayabilir.
Toplayıcısından tetiklenmiş yüksek hızlı bir çok titreşici devresinin t değiş­
kenleri için örnekler şunlardır: Voc· 6,0 V, RLl . RL 2 1,0 kn, c 1 c 2 15
pF, RKı ~ RK2= 9,1 kn, Rsı Rs2 2,0 ku. Rı.; 430 u, CE 2000 pF,

t Kaynak 16 • 1 in 197. sayfasına bakınız. Ayrıca R.D. Thorrıton ve arkadaşları

"Handbook of Baslc Transistor Circults and Measurements" , SEEC voı. 7 John Wiley and
sons New York 1966 sayfa 80 ede bakabilirsiniz.

· 393
CT ~ 90 pF ve RT '" 2,7 kn. Yüksek hızlı silisyum diyodlar, transistörler ve 4 .. 12
volt teti'kleyici voltajı kullanıldığında maksimum tetikleme hızı 5 MHz olur.

16 - 10
Kararsız (serbest- çalışan) çok titreşici

İki kararlı çok titreşicide bir tetikleme pulsu olmadıkça besleme devreleri
devrenin bir durumda sonsuz zaman durmasına izin verirler. Şekil 16 - ·20 de
görülen kararsız ÇT besleme devreleri hiç bir transistörü sonsuz zaman kesilimde
bırakmayacak biçimdedir. Başka bir görüşle iki devrenin farkı toplayıcıdan tabana
kuplaj tipine bağlıdır. İki kararlı ÇT de bu yollar doğrudan kuplaj, oysaki kararsız
ÇT de bu yollar sadece a.a. kuplajı yaparlar. Böylece kararsız ÇT voltajında ani
bir değişme geribesleme yoluyla geri getirilebilir ama a.a. kupalajı yapamaz ve işte
bu~dan ötürü de kararsız ÇT nin kararlı bir durumu olmamaktadır.

Vcc

Vaa

Şekil 16 - 20 Yalın bir kararsız ÇT devresi.

Besleme voltajları VCC ve VBB nin ikisi de npn transistörlerde pozitif fakat
pnp transistörlerde negatiftir. Sık sık V BB voltajı VCC ye eşit yapılır ve böylece
sadece bir besleme voltajınagereksinmeduyulur.
Eğer besleme voltajları ya':aş yavaş uygulanırsa iki transistörün doyuma git-
me ve öyle kalma olasılığı vardır. Bu durumda açık devre kazancı birin altına düşer
ve o zaman devrenin kilitlendiği söylenir. Voltajlar birdenbire uygulanırsa devre
Şek. 16 - 21 de çizilen dalga şekilleri ile titreşir. Toplayıcı voltajları alternatif ola-
rak doyum durumunda küçük VC doy ve kesilim durumunda büyük VC kes değer­
lerini alır. Eğer toplayıcı sızması ihmal edilirse VC kes~ VCC olur.T/2 ile işaret­
lenen yanın - periyod sırasında taban voltajı vBl i izleyelim. t 1 anından tam önce

394
UBl ve uB 2nin ikisi de biraz pozitifken ucı voltajı düşük uC 2 yüksektir. Bu koşul­
lar altında C2 sığacmın çok az bir yükü varken c 1 yaklaşık VCC değerine yüklenir.

l
"cı
J ıVcıOoy
o-~,~----=,=*,=::::::::=:!..., l L
__.ı...._~=-
( '
Vci<apalı
1

~ı•=c=='--J
2

o-..:=l~ (
----T - - - -
~
0
_t---T/2
4 I

V
1 ~
·a• ,, 17
V ____ ,
·. ~v
f: k il : ,,,.,,,. .,,.,.- Vee
o f9açı ,< ;
c=
Şekil 16 · 21 Kararsız ÇT devresinde dalga biçimleri.

t1 anındauB 2 taban vbltajı Q 2yi doyuma geçirmeye yetecek kadar artar. Ortaya
çıkan geçişuc
2 nin birden düşmesine neden olur. uc 2 deki düşme c 1 kuplaj sığacı
ile UBl i daha çok negatif yapar ve Q 1 in kesilime gitmesine neden olur. Bundan
sonra u 81 voltajıu değerine doğru üstel olarak artar veuBl hafif pozitif olduğu
88
zaman ikinci geçiş oluşur. Bu anda u 82 negatife sürüklenir ve bu sıra böyle tekrar
eder.
Açık olarak periyod, taban geriliminin bir sonraki geçiş düzeyine yükselmesi
için gereksinen zamandır. Yarım periyod T/2 belli basitleştirmeler temel alınarak
hesaplanabilir. Simetrik bir devre.,yani RLl , RL 2 , R 81 ~ R 82 ve c 1 c 2 va~-
yıyoruz. Gene VCdoy = O, lJeaç = O, VC kes -= VCC ve VBB = Vcc olsun. Bu
varsayımlar altında Ueı• t anında --V CC ye düşer. Bu anı t zamanı için yeni
1
bir başlangıç olarak alıyoruz. Bu anda c 1 sığacı sol yani negatif olacak
şekilde VCC değerine yüklenir. Geçişten sonra sıfır voltta <Jlan c in sağ taraftaki
1
ucu iseu cı yi izler. Eğer ~ in taban akımını ihmal edersek c 1, R 81 direnci yoluyla
V Bl değerine doğru yüklenir. c 1 sığacının voltajı u 81 taban voltajına eşit olduğun­
dan
t
ueı =-Vcc +(Ven+ Ycc> [ ı-exp(- - T - ) 1 (16 - 16)

395
yazabiliriz. Burada r =-0 R8 C 1 dir. VBB = VCC olduğunu varsaydık, öyleyse

t
ü Bl = - Y-cc + 2 V CC [ l - exp ( - - - ) ]
'[
(16 - 17)

T
dir. t = deki ikinci geçiş VBl ""' O olduğu zaman gerçekleştiğinden
2
T/2 de
T
O = - VCC + 2V CC [ 1 - exp ( - - -T- ) ] (16 - 18)
2
koşulu vardır. Buradan
T
- - = T R.n2 = 0,69 RB 1c 1 (16 · 19)
2

elde ederiz. Serbest çalışma frekansı yaklaşık olarak

(16 - 20)

dir. örneğin eğer RBl = 22 kn ve c 1 = 680 pF ise f = 48 kHz olur.

Kararsız ÇT'nin tipik uygulamaları puls üreticilerinde, frekans bölücülerde ve

harmonik üreticilerde bulunur. Çoktitreşici terimi kare dalga çıkışının Fourier
açılımındaki çok sayıda harmoniklerden kaynaklanmaktadır. Frekans bölme, bir

zamanlayıcı veya aynı zamanlı bir dalgayı devreye geçişi normalden daha önce
yaptıracak biçimde uygulay3fak başarılır. Böylece periyod,eş zamanlı uygulanan
sinüs dalgası veya puls dizisinden yararlanılarak bulunur.

16- 11
Kilitlenmeyen kararsız ÇT; eş zamanlama

önc~den belirtilen "kilitlenme" güçlüğünü ortadan kaldıran bir devre Şek.

16 - 22a da görülüyor. Bu devre bir ÇT yi bir negatif puls dizisine eş zamanlı kılma­
yı da gösteriyor.
Devre standart kararsız ÇT den zamanlama veya besleme yönünden farklıdır.
R81 ve R82 dirençleri pozitif d.a. kaynağı yerine toplayıcılara bağlanmıştır.
Standart deyrede açık olan transistör, öteki transistörün düzelmesi sırasında
çapraz kuplaj sığacının eklediği akım dışında, R 8 besleme direnci yoluyla verilen
akımla doyumda tutulur. Kilitlenmeyen devrede doyumun yanın - periyodunda

396
 --.-------
1 . "'Tl

JT .71-L
o
2

(al ( bl

Şekil 16 - 22 (a) Eş zamanlamalı bağlantılı bir kararsız ÇT,(b) Eş zamanla-

ma pulslarınınetkisini gösteren dalga biçimleri.

R 8 den geçen akım ihmal edilebilir bundan ötürü çapraz - kuplaj sığacının yükle-
me akımı doyum için taban akımını vermelidir. Sonuç olarak toplayıcı voltajı dü-
z~lme hızı, doyumu sağlamak için yavaş olduğundan toplayıcıdaki voltaj dalgası
kare dalga değildir.
Böylece Ucı, VCC değerine oldukça yavaş yükselir (Şek. 16 - 22b) ve geçiş,
0,8 ve 0,9 V CC değerlerinde olan bir um voltajında oluşur. Bir eş zamanlama dal-
gası olmadığında geçiş zamanı UBl in durulması ile belirlenir ve böylece periyod
t 2 anında sona erer. Bu durum serbest çalışına koşuludur ..
Şimdi negatif pulslardan oluşan bir dizinin bir yayıcıya uygulandığını varsa-
yalım ve puls periyodunun dört katı, ÇT nin serbest çalışma periyodundan
Şek. 16 - 22b de görüldüğLi gibi biraz küçük olsun. Uygun yükseklikte pulslarla ÇT
basamaklara bölünecek veya pulslarla eşzaınaıılı olacak, öyle ki' her dördLincü puls
Q i de geçişi başlatacak ve böylece ÇT yi puls dizisine kilitleyecektir. Q 1 in yayı­
cısına ulaşan pulsların büyüklüğü puls kaynağının impedansına ve Q1 in ilPtimdP
olup olmadığına bağlı olacaktır. Bundan ötürü Şek. 16 - 22b dP gösterilen puı~
yükseklikleri tipik deneme sonuçlarını gösteriyor. Q 1 doyumda iken 1 ve L
pulsları ile gösterildiği gibi pulslar küçülürler. üçüncü puls geldiği anda ı ı 81 vol-
tajı geçişe izin vermek için hala çok küçüktür. Dördüncü puls Q 1 in vavıcısını
UBl in altına çekmeye yetecek büyüklükte olduğundan Q 1 i iletime geçirir vı,
geçişi başlatır. Bu örnek frekansı dörde bölı>r.
Bazen frekanslar arasında bire bir karşılık istenir ve bu 1 puls tekrar hızını

397
serbes~ çalışan ÇT nin frekansından biraz büyük yapmakla başarılır. Gerçekte
devre bu durumda oldukça büyük bir frekans bölgesinde eş zamanlı kılınabilir
fakat frekans bölme uygulamasında doyurucu eş zamanlama birim bölgesiJrekans
bölme oranı arttıkça küçülür.
Tetikleme pulslan ÇT nin bir tarafına uygul.andığında dalganın yarısı aynı
genişlikte fakat öteki yansı eş zamanlamayı sağlıµnak için genişlikçe değişir. Eğer
istenirse zamanlama pulsları, Şek. 16 - 18 de olduğu gibi toplayıcıları tetikleme
yöntemi kullanılarak, her iki tarafa da uygulanabilir. Bu bağlantı ile 10 ve 1 oran-
ları ar8$mda-frekans-bölmesi. yapılabilir.

16 - 12
Tek kararlı (Tek - atışı çok titreşki

Tek kararlı ÇT devresi yarı iki kararlı ÇT ile yarı kararsız ÇT nin bileşimi
oiarak düşünülebilir, Şek. 16 - 23. Toplayıcı - taban yollarından birisi doğrudan
kuplajlı öteki ise c sığacı ile a.a. kuplajlıdır. Bundan ötürü devre yeğlenen veya
2
normal bir kararlı duruma sahiptir. Devre, bu durumdan çıkmak üzere tetiklendi-
ğinde geçici kararlı olan zıt duruma gider. Devre,kararsız ÇT de olduğu gibi duru-
lur, bir zaman gecikmesinden sonra kararlı duruma geri döner ve baş~a,bir tetikle-
yici puls gelincyye kadar bu durumda kalır. Çıkış önceden istenilen gen.işlikte kare
pulstur. Tek kararlı ÇT nin. bir uygulaması, çeşitli şekillerde bir seri pulslardan
oluşan giriş pulslarını standart .genişlikte ve büyüklük~ ~ir seri pulslara çevirmek-
tir. Başka bir uygulaması da oldukça uzun ve sağlıklı puls istenen, zamanlama
devr-eleridir.

(Kararlı 11 kapalı")

GiJiş lı--.---..-
Cr O,

-Şekil 16 · 23 Taban tetiklenmesini gösteren tek kararlı ÇT.

398
 Şekil 16 - 23 deki tek kararlı ÇT devresi Q1 transistörünün tabanında
tetikleyici bağlantısı ihtiva etmektedir. Q2 transistörü R 82 ile sağlanan taban
akımı dolayısıyle normal olarak doyumdadır. Buna karşınQ 1 negatif V 88 voltajı­
na R 81 ile bağlı olduğundan kesilimdedir. Q 1 in tabanına pozitif bir tetikleyid
puls uygulandığında devre voltajları Şek. 16 . 24 de olduğu gibi değişirler. İlk
geçiş Gı 1 i doyuma ve Q 2 yi kesilime çevirir. Q 2 nin tabanı daha negatife sürüklenir
ve kararsız <,;T de olduğu gibi c 2R82 devresinin durulması geçici kararlı durum
zamanını belirler. u 82 voltajı Q2 nin ilettiği noktaya doğru yükseldiğinde devreyi
orjinal durumuna götüren ikinci geçiş meydana gelir.
Çıkış pulsunun devam süresi ,T, simetrik kararsız ÇT nin yarı periyoduna

karşılık gelir. Bundan ötürü Denk. (16 - 19) u kullanarak

T ~ T R, n2 = 0.69 Re2C (16-21)

elde ederiz. Çıkış herhangi bir toplayıcıdan alınabilir, ucl negatif bir puls u~ 2 ise
pozitif bir puls verir. ..
Tek kararlı bir ÇT devre değişkenleri için bir örnek 0: RLı RL 2 1,0 k u,
Re2 ~ 22 k n, C2 = 680 pF, RKı 10 k n, RBı 47 k H, RT 1,0 k H.
CT = 220 pF, VCC =· + 10 V ve VBB l0volttur. Orta hızda µFE değeri 40 olan
0- -

germanyum alaşım anahtar transistör ile puls süresi 10 µsn dolayında elde edilir.
Tetik
Nıirişi
ol Zaman
VBI oj f ~
tOı aç-{
Vçı

OL
~C2
ol Fo kap4 2

Ve2 ◊, Cj
Şekil 16 - 24 Şekil 16 - 23 teki tek kararlı ÇT devresindeki dalga biçi,ııleri.

Tek kararlı ÇT terin başka uygulamaları, geçit sinyalleri olarak kullanılan

kare pulslar oluşturmak veya ilk tetiklemeden sonra kontrol edilebilen bir zaman
sonra tetikleyici puls oluşturmaktır.

t Kaynak 16 - 6 n:n 381. sayfasına bakınız.

399
 ;,.Jö~;))" :.· ,,,,., .,·:ı )·;'.-, ., :,,"ı<
Şçtıpıj,ttJ~li~Jryj,çj d~v~~si. \:. ,:, ,, ,, iH'.:': ' ; .,-

Ş!,'h~t~. t~Ukleyici devresi doğp.ı !l~ITT} vol~aj ıfüzeYıne veya değİŞ't!l voltaj
düzeyinıı çevap ve~en ilti kararlı bir devredir. Schmitt tetikleyici, sjl)üs dalga girjşi­
~i kare da!ga çıkışa çevirmekte ve farklı sinyal dü,zeylerini veya puls genlikİerini
ııyırmakta kullanılır.
Şekil 16 - 25a daki Schmitt tetikleyici devresi c 1 toplayıf.!ısı ve 2 tabanı a
arasında Rı direnci ile ve yayıcılara ortak olan llE direnci. ile yayıcılan ·kuplajlı
olan iki katlı bir yükseltici gibi düşünülebilir. Bu yayıcı kuplaj,geribesleme yolunu
oluştu~ur. °tki taransistörün de aktif bölgede olduğunu varsayarak geribes!emel)in
işaretini araştıralım. Ayrıca RLl ~ RL 2 ve RE nin RLl in beşte biri olduğunu
varsay~lım. Geribeslemenin işaret\ni denemek için pozitif bir işaretillvgir' ~irişe uy-
gulayıp devredeki etkilerine bakalım. Birinci katın, sinyali ters çevireceğini ve onu
yükselte~ğini bekleriz. Böylece Q 2 nin B tabanı yükseltilmiş l)egatif bir voltaj
2
sinyali alır ve bu sinyal Q2 nin yayıcı akımını azaltacak şekilqe etkir. Bu akım RE
den aşağı akar ve bundan ötürü akımdaki bir değişme RE üzerinden aşağı doğru
pozitif olan bir voltaj değişmesi oluşturur. Bu değişiklilt Q1 in taban - yayıcı, ~ş
devre.sinde, giriş sinXalillvgir le aynı yönde olduğundan devre pozitif geribesle~e
oluşturur. Alışıimış devre !leğişkenleri ile başlangıç değişkenleri artı.rılır ve deği­
şikİik' açık - ~evre; kazan'cı birin altına düşünceye kadar sürer. Bundan ötürü. ç~k
titreşici devrelerinde olduğu gibi bir durumdan ötekine (ve yeniden geri) ani geçiş­
ler bekleriz.
Bu geçişler, bir sinüs girişine devrenin cevabını gösteren, Şek. 16 - ~5b deki
dalga biçimleri ile açıklanmıştır. t. 0 da olduğu gibi alçak bir giriş yani negatif bir
0

giriş voltajı ile Q in taban yayıcı eklemi kesilir, Q kesilime gider ve RLl direnci
1 2
R1 ile karşılaştırıldığında küçük olduğundan c 1 noktası yaklaşık VCC voltajında
olur. R ve R 2 dirençleri, bu koşullar altınd,, B noktasını E ye göre pozitif rapa-
1 2
cak şekilde seçildiğinden Q 2 doyumdadır. Şimdi RL 2 nin RLl den biraz Ilüçük
olduğunu varsayalım. Eğer Q ·nin toplayıcı - yayıcı voltajını ihmal edersek
2 2 a
açık iken VE nin değerini hesaplayabiliriz ve bu değer
2

(16 - 22)

dir. Çünkü akım, VCC den toprağa RL 2, Q2 ve RE yoluyla gider.

Şimdi Ugir in ani değeri VE 2 (Y BEl kadar bir miktar ki !Junu ihmal edeceğiz)
den yukarı yükseldiğinde, dalga şekli üzeri.nde Pu nqlrtasında Q1 in taban akımı

400
yükselir. Yani Q1 keı.,ıımden çıkar ve aktif bölgeye sürüklenir. O zaman t 1 de bir ani
geçiş oluşur ve Ucık keskin olarak yükselir. Pu noktasına üst sekme noktası denir ve
V u ise buna karşıl;k gelen giriş voltaj düzeyidir.
Vcc

Ru
----ı
Ct Zaman
R,
1
1

l
V .1
Çık. VÇıkış
E
0 2Aç•
vı:ıç. Q 1 Çık.
RE R2 VE
1 1
-
(ol ( b)

Şekil 16 - 25 (a) Schmitt tetikleyici devresi. (b) Sinüs dalga girişi için dalga
biçimleri.

Dalga tepesinden sonra Vgir düştüğünden Pı. noktasında daha alçak bir
giriş voltajında tersine bir geçiş vardır ve buna alt sekme noktası denir. RLl > RL 2
olduğunı.İ hatırlarsak V E-l = RE V cc/(RE +- RLl) den VEl< V E2 olduğu görülür.
Bu nedenle t Q 1 i kesilime götürmek için Ugir in daha alçak bir değeri gerekir ve
ugir dalgasının azalan kısmında geçiş başlar. Bu bir lıisteresiz etkisi oluşturur.
Tipik olarak VL' Vu dan yüzde 20 - 40 kadar küçük bir değerdir.
Histerezis etkisi ugir bir gürültü bileşeni ihtiva ettiği durumda yararlıdır.
Bu olayda eğer VL' Vu ya eşit olsaydı devre esas pulsun başlangıcında gürültüye
cevap olarak ileri geri bir çok kez tetiklenirdi. V L < Vu durumunda ise böyle
pulslanmalar sadece gürültü bileşeni Vu - VL değerini büyüklükçe aştığında ortaya
çıkar.

Şekil 16 - 25a da C sığacı bir hızlandırma sığacıdır ve geçişleri kolaylaştırır.

R direnci Vgir in pozitif büyük gezinimleri için Q1 in taban akımını sınırlar.

t Bu hesaplamada devreyi yeniden oluşturma durumuna kaydırmak için taban akımlarındaki

değişikliklerin etkilerini gözonüne almadık. Bunlar toplayıcı dirençlerindekilere ek olarak
histerezis etkisi oluşturur.

401
 Bir devre düzenlenmesi için örnek değerler : t VCC = 10 V, RLl = 1,3 k n,
RL2 = 1,0 k 11, RE = 240 11 R 2 = 8,2 k n, R 1 = 6,8 k 11, C = 270 pF ve RB = 1,3-k n
olur. Minimum ı3FE = 40 ola~ germanyum alaşım transistörler kullanılırsa Vu ~ 2,2
V ve VL = 1,8 V olur. Bu devrenin frekans limiti 100 kHz dolayındadır.

16 - 14
Transistör anahtarda zaman gecikmesi

Çok titreşici devrelerinde transistörlerin kesilimden doyuma ve tersine anah-

tarlandıklarını gördük. Şimdi bu zaman gecikmelerini ve onun orijinini niteı" olarak
görelim.
---------------- Sık sık bir transistörün geçici cevabı, Şek. 16 - 26 daki gibi özel bir devrede
bir puls denemesinin sonuçları ile belirtilir. Bu ortak yayıcılı anahtar veya ters
çevirici, normal olarak negatif V BB voltajı ile kesilim durumunda tutulur. Giriş
pulsu genellikle şekilde görülene benzer bir giriş devresiyle alçak impendanslı bir
kaynaktan verilir. Giriş pulsunun Şek. 16 - 27 de Ugir ile gösterilen ideal bir kare
dalga olduğunu varsayalım. Giriş pulsu ibtaban akımının, küçük sızıntı değerinden
temel olarak giriş devresinin direnci ile belirlenen yaklaşık sabit Ibl değerine çık­
masına neden olur. Bununla birlikte toplayıcı akımı, u ık voltaj bozunumundaki
gecikmeden anlaşıldığı gibi, birdenbire yükselmez. Açıfuna geçmede gecikme za~
manı td, uçık ın düşmeye başladığı zamana kadar geçen zaman olarak ölçülür .
. Yükselme zamanı tr toplayıcı akımın yükselmesi için gereken zamandır. "td ve tr
nin topl_!lmı açılıma geçme zamanı t Aç olur. uçık da yüzde 10 ve yüzde 90 lık
değişimleri gösteren noktalar gecikme zamanını tanımlamak için kullanılır.

Giriş
-
Lb

YL
L
Vae
-

Şekil 16 - 26 Transistör anahtarla•na belirtgenlerini denemek için bir ters

çevirici devre.

t Kaynaklar 16 - 6 da sayfa 382 ye bakınız.

402
 Şekil 16 · 27 Bir ters çevirici devrede pulsla doyuma geçme tA ve kesilime
. • ç•
gıtme zamanı,tKap •.

Giriş pulsuıiun sonunda uıir sıfıra geri düştükten sonra ve Uçl~ ın hissedile-
cek kadar yükselmeye başlamadan önceki aralıkta depolanma zamanı ts denilen bir
gecikme vardır. Bu zaman esnasında taban akımı ters döner, ters yöndeki maksi-
mum ıb 2 ye ulaşır ve sonra sızınu değerine düşer. Düşme zamanı diye adlandırılan·
tf zamanı toplayıcı akımının düşmesi (veya Uçık ın yükselmesi) için gereken za-
mandır. Kesilime gitme zamanı tKap. depolanma zamanı ve düşme zamanının top-
lamıdır. Orta hızlı bir anahtarlama transistörü için t Aç = 0,lıısn ve tKap = 0,2ıısn
olabilir. Yüksek hızlı bir transistör için ise gecikme zamanları bir büyüklük merte-
besi kadar küçüktür.
Pulsu denemenin bütün basamaklarını, transistörlerin Kes. 4 - 5, 5 - 5 ve 8 - 8
de anlatılan iç yapıları kavramlarını gözönünde bulundurarak, tartışmak istiyoruz.
Her eklemde, eklem voltajı değiştiğinde genişliği değişen bir yükü azalmış bölge
vardır. Böylece eklemlerdeki uzay yükü genişlik ve büyüklükçe uygulanan voltajla
değiştiğinden bu durum her eklemde bir etkin sığa oluşturur. Şekil 16 - 27 de ta-
nımlanan iletime geçme, td, zamanına çoğunlukla bu eklem sığalan neden olur.
Ugir voltaji yükselmeden tam önce taban yayıcı eklemi VBB ile diyelim birkaç
voltluk V B değerinde, ters beslenir. Toplayıcı - taban eklemi yaklaşık 10 V değe­
rinde Vcc: + VB vlotajıyla ters beslenir. Bundan ötürü yayıcı eklem sığacı Ce
yaklaşık V B değerine ve toplayıcı eklem sığacı Ct, ise Vcc+ V B değerine yüklenir.
Transistör aktif bölgeye gelmeden önce taban - yayıcı eklemi ters beslemeden
doğru besleme dönmelidir. Bundan ötürü V BE sıfırdan geçerek pozitif küçük bir
değere ulaşıncaya kadar toplayıcı akımı akmaz. Bu süreçte Ce ve Cc de depolanan
yüklerin ikisi de değişir ve toplam değişme

(16 - 23)

403
dir. Ce ye Cc nin ikisi de voltaja bağlı olduğundan.Denk. (16 - 2) de uygun-voltaj
bölgelerinin ortalama değerleri kullanılmalıdır. tı.Q yükü taban yoluyla verildiğin­
den taban akımı ile td nin çarpımı olmalıdır. Yani

(16 - 24)

dir. Bu denklem ıd gecikmesinin hesaplanması için bir temel vermektedir.

Şimdi tr zaman aralığındaki eylemi düşünelim. Burada transistör aktif bölge-
de çalışıyor fakat biz tabandaki geçici koşullan ~~leyeceğiz. Şekil 16 . 28 ve
16 - 29a bu incelemeye yardım edecektir. Şekil 16 . 28 de gösterilen toplam taban
azınlık yükü ~ eğrisinin yükselişi toplayıcı akımı yükselmesi ve ucık ın düşmesi ile
çakışır.Başlangıçta iki eklemi de ters beslenen npn transistörü dikkate alalım.O
zaman Şek. 16 - 29a daki dağılım eğrisinde gösterildiği gibi taband~i elektron
yük yoğunluğu çok düşük olur.Taban-yayıcı eklemi kesilimden çıkarken yayıcı,
tabana artan sayıda elektronlar sokar ve biraz sonra 2 eğrisi oluşur. Şimdi normal
bir transistör eylemine sahibiz. Yani elektronlar tabandan doğru d ifüzyon yapar-
lar ve yoğunluk dağılımının hızlı değişmesi dışında çoğu,toplayıcı eklemine ulaşır
ve toplayıcı akımın temel bileşenini oluşturur. Şekil 16 - 29a daki 3 nolu eğrinin
doyumun kenarına karşılık geldiğini varsayıyoruz. Bu duruma, Şek. 16 - 28 de
açılıma. gitme aralığının sonunda, t 1 anında ulaşılır.

o ----
' vÇıkış 1 . 1
o-+ - ~!
oJ. - -t--

Ed~~
O
Kapalı
'Açılma
01• 1 Aç
Depolanıa 1 Düşme
~Kapanma.Kapalı
'o. ,, '2 t3 '•

Şekil 16 - 28 Bir transistörün pulsla denenmesinde toplam taban azınlık

yüküQt nin değişimi ve artık. yükQs.

Şimdi Şek. 16 - 29a daki 1,2 veya 3 eğrisi altınd_~alan alanı açıklamak için
konudan biraz ayrılıyoruz. Eğer sabit kesitte yalın bir transistör düşünürsek taban-
da depolanan toplam azınlık yükünün, uygun yük yoğunluğu dağılım eğrisinin al-
tında kalan alanla orantılı olduğunu görebiliriz.

404
 _Em.j• --Taban----,'!cıpia
o.
1 1 1 1
1 1
::,
ıcrı
1 1 ~
::, 1 1 1 ::,
...... ıcrı
::,
C:
::, 1 1 ......
ıcrı
o 1 1 §1
.?ı
>,
~
1 1
:::, 1 1
>-o 5 Alan= O,
.- ---w--- >-1· w--l
(:ı) (b)

Şekil 16 · 29 Tabanda azınlık yük yoğunluğu, P, dağılımı,(a) doyuma kadar,

(b) doyumda.~ depolanan artık yükıür.

t 1 anında depolanan yük, 3 eğrisi altındaki alanla temsil edilen Q1 değerine

yükselmiştir. Bu, tam doyuma ulaşmak için gereksinen yükü verir. Bununla bir-
likte taban akımı t'1 anından sonra, tabanda yeniden birleşmeden doğan kayıp­
lardan daha yüksek oranda, yük dağıtmaya devam eder. Bunun sonucu olarak top-
lam depolanan yük daha da artar (Şek. 16 - 28 de Qt eğrisine bakınızı.Qt .Q 1
yükünün değeri, artık depolanan yük diye adlanchrııır ve Qs ile gösterilir. Giriş
pulsunun sonunda, t 2 anında, tabandaki durumlar Şek. 16 - 29b de görülüyor.
Şimd, transistör çoktan doyuma gelmiş ve iki eklem de doğru yönde beslenmek-
tedir. Sonuç olarak toplayıcı eklemindeki elektron yoğunluğu artmıştır. Çünkü
elektronlar, toplayıcının topladığından daha küçük olmasına rağmen toplayıcıdan
tabana enjekte olurlar. Elektron yük Joğunluğu Şek. 16 - 29b de olduğu gibi
4 eğrisinin biçimini alır. öyleysa depolanan artık yük 3 ve 4 eğrileri arasında
kalan veQs ile gösterilen alaııla temsil edil!r.
t 2 anında giriş pulsu sona erer ve taban akımı terslenmeye başlar. Ters
taban akımı depolanan azınlık yükünü uzaklaştırmaya başlar ve ilk önce artık yük
uzaklaştırılır. t 3 anında, Q s sıfıra ulaştığında çalışma noktası gene doyumun
eşiğindedir ve toplayıcı akımı düşm~ye başlar. öyleysc depolanma gecikme
zamanı, t 3 - t 2 , ne büyüklükte bir ortak yük depo edildiğine ve tabaııdaki ters
akımın büyüklüğüne bağlıdır.
Düşme zamanındaki davranış,Yü.kler sızıntı ile kayb<;>lurken yük dağılımının
ayrıntılı şekilleri dışında
yükselme zamanındakinin benzeridir. t 4 amnda iki
eklem de yeniden ters beslenir ve transistör yeniden kesilimdedir.
Alaşımlı transistörlerde tabandaki difüzyon süreci temel olarak tr ve tr
zaman gecikmelerinden ve yüksek frekanslarda akım kazancındaki kayıptan
sorumlu olduğundan bu olaylar arasında bir bağıntı beklemeliyiz. Yükselme zama-
nı sırasında toplayıcı akımının yan-üstel yükselişi için yaklaşık bir ifade türetil-

405
 \
miştir~Bu ifade

( 16 - 25)

dir. Burada Ibl taban akımıdır ve ""'T ise Kes. 8 - 9 da tanımlanmıştır. üstel yük-
selmenin zaman sabiti (jFE/wT dir.
Denklem ( 16 - 25) in sınırlı yanı onun sadece doyma akımı lcc= Vccf RL ye
uygulanmasıdır. Bunun ötesinde /3 FEibl değeri 1cs yi aşar. Bu olayda ic üstel
eğrinin lcgdüzeyine yükselir ve ondan sonra sabit kalır. Böylece eğer /:JFE Ibl >Ics
ise toplayıcı akımı,doyma dı?ğerine zaman sabitinden daha kısa bir zamanda ulaşır.
Büyük taban akımı kullanıldığında yükselme zamanının kısaltılabileceğini görüyo-
ruz.
/:JFE lbl >1c._qolduğunda üstel fonksiyonu bir doğru ile temsil edebiliriz. Bu
doğrunun eğimi ( 16- 25) in sı.ğ tarafından

(16 - 26)

bulunur. Bu doğrusal yaklaşıklığı kullanarak yükselme zamanı tr yi ic nin 018 lcg

miktarıkadar yükselmesi için geçen zaman olarak hesaplayabiliriz. Sonuç

(16-27)

aı_'.ık
olarak yüksek çalıştırma akımı Ih] in yükselme zamanını kısalttığını gösteriyor.
Bununla birlikte, taban akımının daha büyük değeri ciddi bir mahsur oluştu­
rur. Çünkü bu akım daha büyük depolanmış artık yük ve bunun sonucu olarak daha
uzun depolama zamanı oluşturur. Oldukça büyük bir dirençle şöntlenen bir hız­
landırıcı sığacın,çok titreşicilerde olduğu gibi kullanılması artık yük depolanması
oluşturmadan, geçici bir normal üstü çalışma sağlar. Direnç, kararlı durumda

doyumu _sürekli kılacak şekilde seçilir. Kuşkusuz hızlandırma sığacı, amacı yerine
getiren değerden daha büyük seçilmemelidir.
Sonuç olarak, transistörü kesilime sürüklemeden anahtarlama tekniğini
söyleyelim. Doyumu önlemek için toplayıcı voltajının gezinimini sınırlayan diyod-
lar kullanan devreler düzenlenmiştir, Bunlar depolanma gecikmesini ortadan kaldı­
nrlar ve e~lenen karmaşıklığa ve pahalılığa karşın daha ileri anahtarlama zamanı
verirler. Modem yüksek hızlı transistörler çok hızlı olduğundan,bir çok uygulama-
larda doyum devreleri kullanılabilir:

406
 16-15
Çok titreşici devrelerinin daha ileri düzeyde
tartışılması ve çözümlemnesi

Buraya kadar çok titreşici ve tetkikleyici devreler hakkındaki açıklamala­

rımız teı.nel olayı vurgulamak içindi. Bundan ötürü devre yapımında ve yüksek hız­

lı devrelerde önemli olan bir çok ayrıntılar atlanmıştır. Şimdi bunların bazılarını
göreceğiz, daha fazla ayrıntılar kaynak 16 - 1, 16 - 2 veya 16 - 4 de bulunabilir.

a) İki kararlı çok titreşicinin kurgusu

Simetrik bir, devre varsayalım, Şek. 16 - 18, ve RL = Rıı ~, Rı 2 ,c ~ c 1 ,,.

C2 , RK = RKI = RK 2 ve R 8 =R 81 = R 82 olsun. Önce VE ve Vcc nin voltaj dü-
zeyleri seçilir. Yüksek hızla anahtarlama için RL direnci küçük fakat transis-
törün sıcaklık kayıp gücü aşılmayacak şekilde seçilmelidir. Bir dış yük şebekesi
uygulanırsa bu Rı nin seçimini değiştirir. Geçici bir R değeri seçilir ve sonra
iki isteneni sağlayacak şekilde seçilir, bunlar (1) açık transistörün doyum durumu-
nu garanti etmek yönünde uygun taban akımı alması için RB yeterince büyük
olması, : (2) kesilimdeki transistöriin kesilim bölgesinde olduğunu garanti etmek

için RB yeterince küçük olmalıdır. İstem 1, umulan minimum (JFE ile karşılanmalıdır.

b) Toplayıcısı tetikli iki kararlı ÇT

Bu devrede, (Şek. 16 - 18), ön - besleme devresi puls periyodu yanında

uzun bir zaman sabitine sahip olmalıdır.
Tetik şebekesi sığacı CT, pulslan küçük zayıflatma ile geçirmeye yeter öl-
çüde büyük° olmalıdır. RT direnci her pulstan sonra CT yi boşaltmak için gerekir.
RT yoksa. CT yüklenir ve devreyi çalışmaz duruma getirir. Başka devrelerde CT
yi boşaltmak için bir diyod kullanılır. Bu devrede diyod CT nin yerine geçer ve
diyodun doğru yönü VCC ye yönelmiştir. Çeşitli tetikleme devreleri ve kurguları
Delhomt tarafından açıklanmıştır.

c) Kararsız ÇT devresi

Simetrik bir devremiz olduğunu, (Şek. 16 - 20), ve VBB Vccolduğunu

t Kaynak 16 - 2

407
varsayacağız. Gene RL, RB ve C devre sabitlerini belirlesin. Yük direnci ve transis-
tör ikikararlı ÇT de olduğu gibi seçilmiştir. Besleme dirençleri doyumu garanti
etmek için aşağıdaki gibi seçilir. Doyumdaki transistörün VBE ve VCE gerilimle-
rini ihmal eder ve böylece RB için yaklaşık bir değer elde ederiz,

(16-28)

burada ı½'Ebu parametrenin beklenen minimum değeridir.

Şekil 16 - 21 deki voltaj dalga şekilleri tabanın yaklaşık Vcc değerine eşit
negatif bir voltajla sürüklendiğini böylece taban - yayıcı ekleminde voltajın yak-
laşık VCC ve taban - toplayıcı ekleminde yaklaşık 2Vcc olduğunu gösteriyor.
Bundan ötürü transistör Vcc. den büyük bir BV EBO kırılma voltajına ve 2Va;
-Veya daha yüksek bir BV CBO voltajına sahip olmalıdır. Yayıcı ucuna, taban-yayı­
cı ~ers voltajının çoğunu soğurması ve böylece BV EBO voltajına ait istemi azalt-
ması için, bir diyod yerleştirilir.

Şekil 16 - 20 de VBB değiştirilerek değişken bir çıkış frekansı elde edilebi-

lir. Alternatif olarak VBB ve Vcc nin değerleri eşit olabilir ve sığaçların veya Rn
dirençlerinin değerleri değiştirilebilir. Sığaçlar, güvenilir geçişler oluşturmak için
çok küçük olduğunda veya depolanan taban yükü ve eklem sığaçları yüzünden
gecikmeler önemli olduğu zaman bir üst frekans limitine ulaşılır.

d) Tek kararlı ÇT

Transistörler, yük dirençleri ve besleme dirençleri RKl.R 81 ve V BB 1 Şek.

16 - 23,ikikararlı ÇT gibi ve besleme direnci RB 2 , kararsız ÇT de olduğu gibi
seçilir. c 2 sığacı istenilen çıkış puls süresini vermesi için Denk. (16 - 21) -
vasıtasıyla seçilebilir.

16 - 16
Toplu devreler (TD) kullanan lineer olmayan sistemler

önc~ki kesimlerde tanımlanan bir çok devreler TD biçiminde bulunabilirler,

bunlar flip - floplar, tek kararlı ÇT ve Schmitt tetkikleyici devreleridir. Bunlara ek
olarak TD işlemsel yükselticiler lineer olmayan bir çok devrelerde kullanılır, bun-
ların bazıları şimdi incelenecektir.

a) Karşılaştıncı

lııts yüksekliği ayırdedicileri ve benzerlikten sayısala dönüştürücü gibi uygu-

lamalarda, deneme voltajı Vs nin referans voltajı V R yi aştığı anı gösteren
devrelere gerek vardır. Böyle bir devreye karşdaştırıcı denir. Bir çok diferansiyel
işlemsel yükseltici karşılaştırma işlemini yapar fakat özel olarak _yapılmış µA 710
gibi TD karşılaştıncılar da vardır.
Bu karşılaştırıcı 25° C de tipik 0.6 mV luk kaymayı yerine getiren diferan-
siyel girişli yükselteçtir. Voltaj kazancı 1700, çıkış impedansı 200 n ve belirli
koşullar altında cevap zamanı 40Xıo-9 sn dir. Buna göre eğer çıkışta 3 V luk bir
voltaj gözönüne alınırsa girişteki diferansiyel voltaj 3/1700 V veya yaklaşık 1,8
mV tur.
Bir karşılaştıncının fonksiyonunu bir örnekle görebiliriz. Şekil 16 - 30a da
görüldüğü gibi karşılaştıncının,yükselme voltajı Vs nin 4 V referans düzeyini kestiği
anı algılayıp bir basamak çıkışı V çık oluşturduğu varsayılır. Şekil 16 - 30b de ol-
duğu gibi zaman ölçeğini 2500 kat genişletirsek olayların ayrıntılı sırasını incele-

6 v,

4.00Z
4.001--- - , -\1,
4,00 ~ R
\

4
' 1 '
1 1
' '
\
2 tık. 2onano
50r ;.n

O ı-----i-~zama=-n-
-ı/ı-- --ı~
tol (b)

Şekil f6 - 30 Karşılaştırıcı dalga biçimleri.

yebiliriz; A noktasında us voltajı 4 V luk referansı keser. Fakat karşılaştıncının

girişinde 1 m V yerine getirici voltaj olduğunu varsaydığımızdan çıkış değişmeye
başlamadan önce Us 1 mV kadal' yükselerek B noktasına varmalıdır. Şekilde tüm
çıkış basamağını oluşturmak için girişte 2 mV luk bir değişikliğe gerek olduğu­
nu varsayıyoruz. Bununla birlikte karşılaştıncıdaki gecikme,çıkışın biraz gecikme-
sine neden olur ve böylece Us nin V R yi A noktasında kesmesinden sonra çıkış
voltaj dalgası 80 10-9 saniyede toplam değişimin 0,90 nına ulaşır. Bu örnekte
hassaslık 3 mV dolayında veya referans voltajının yüzde 3/4 üdür. Yanılgı, girişteki
yerine getirme voltajı, sınırlı kazanç ve zaman gecikmesi yüzündendir.
Eğer V R sıfıra ayarlanmışsa bir karşılaştıncı, sıfırda kesen algılayıcı olarak
davranır. Böyle devreler tristör ateşleme uygulamalarında yararlıdır. Karşılaştın-

409
.1
cının bağlanma biçimi ve tipik dalgabiçimleri sırasıyla Şek. 16 - 31a ve (b) de
verilmi~tir. Eğer
sinyalin tepe voltajı birkaç volt ise o zaman sıfın kesme noktası­
nın bulunması çok iyidir. Çıkışın bir puls olması istendiğinde,kuşkusuz,çıkışa
türev alıcı bir devre eklenebilir.

V
Çıkış

ı------.v
Çıkış

..,. ..,.
o L-----~-_.;.t_-
_ __,ıı_

lal (b)

Şekil 16 - 31 Sıfırda kesen bir algılayıcı olarak kullanılan karşılaştıncı.

b) Logaritmik yükselteç

Bazen çıkış .voltajı girişin logaritması ile orantılı olan bir yükseltece sahip
olmak yararlıdır. Böyle bir yükseltecin bir uygulaması, aygıtlarda sinyallerin böl-
gesini sıklaştırmasıdır. Başka uygulamaları,fonksiyon generatörlerinde ve çarpma
işlemlerini yapıcılarda görülür.

'Şekil 16 - 32 deki logaritmik yükselteç benzerlik bilgisayarında skala

değiştiricisidir,yalnız geribesleme elemanı bir silikon diyoddur. Diyodun üstel -vol-

taj bağıntısı logaritmik cevaba neden olmaktadır .

..i_ l-11o•I

+
v, ........_ _ ,.____,,♦

, _______l --v i
Şekil 16 - 32 Basit logaritmik yükselteç.

Cevap fonksiyonunu elde etmek için Denk. ( 4-10) u şimdiki duruma uydurur
ve

410
 (16 - 29)

yazarız. Burada kT/e yerim, VT yazdık ve ters çevirici girişteki voltajın yaklaşık
sıfır olmasınadayanarak diyod üzerindeki gerilimi u0 aldık. Şimdi u sinyalinin
1
yalnızpozitif değerlerini gözönüne alıyoruz, böylece çıkış v~ltajı t'o negatif olacak
ve diyod doğru yönde beslenmiş olacaktır. Bundan başka u 0 ın yeterince büyük
olduğunu ve böylece üstel terimin ötekinden büyük olduğunu varsayıyoruz, yani

-Uo
if= ıs exp (-v--> (16 - 30)
T
yaklaşıklığını kullanabiliriz. İşlemsel bir yükseltecin giriş akımı. ihmal edilebildiğin­
den i 1 = if olduğunu söylüyor ve böylece

(16 - 31,

yazıyoruz. Her iki tarafın e tabanına göre logaritmasını alır ve düzenlersek

(16 - 32)

olur. Buna göre u0 , u 1 tR 1 ine tabanına göre logaritması ile orantılıdır fakat sıcak­
lığa kuvvetli biçimde bağlı olan bir terim daha vardır. Kullanışlı logaritmik yüksel-
ticilere bir sıcaklık telafi edici devre eklenir t.
Logaritmik cevabın dinamik bölgesi. ve hassaslığı önemlidir. Alçak voltaj
çıkışlarında yanılgılar, yerine getirici voltaj, giriş besleme akımı ve giriş gürültü
voltajı nedeniyle oluşur. Bölgenin en üst düzeyinde düzgün bir üstel cevap için
diyoddaki maksimum _akım, sınırlandırıcı bir etkendir. Graeme ve arkadaştan -ı-t.
R 1 = 10 kn olduğunda yüzde 1 doğrulukla 0,1 den 10 V a kadar giriş için, 40
db lik bir bölge elde edildiğini hesapladılar.

c) Kare - dalga üreticisi

Şekil 16 - 33a da gösterilen devrede işlemsel yükselteç, karşılaştırıcı mo-

dunda çalışmakta ve Rf ve C yi ihtiva eden devre bir kare - dalga üreticisi oluş­
turmak için zamanlama işlemim yapmaktadır. Ters çevirmeyen giriş R 3, R 4 ve
t Kaynak 16 - 7 nin 263. sayfasına bakınız.
tt Kaynak 16 - 7.

411
 Rı

Qt----+----+---

Ve
l lc Vz
Vz

-d./z
-Vz---------

(o) (b)

Şekil 16 - 33 Kare - dalga üretici

R 1 dirençleri vasıtasıyla fozitif bir geribesleme oluşturur. R 1 dirençleri R 3 ve

R 4 e göre büyük değerlere sahiptir. İki Zener diyod çıkış voltajı + Vz yi sınırlar.
Şekil 16 - 33b yi inceleyerek kaıarlı devrenin çalışmasını izleyelim. = O dat
çıkış voltajı -+ Vz ye sıçrar fakat sığaç voltajı Uc gene - a. Vz dir ve burada
a = R4 /(R 3 + R4) dür. Ters çevirmeyen giriş a. V z voltajı aldığından diferan-
siyel giriş voltajı 20.V z dir ve işlemsel yükselteç pozitif çıkışla doyuma ulaşmıştır.
BunuJlla birlikte C sığacı + V z ye doğru dolar ve Uc voltajı +a.Vz yi 1 veya 2 mV
kadar aştığı zaman işlemsel yükselteç negati( doyuma gider ve u0 = -V z olur.
O zaman Uc, yükünü ters çevirerek -V z ye doğru yüklenir ve bu işlem tekrar eder.
Dalgabiçimlerinin incelenmesi t T periyodu için

T = 2Rp in
1+ a (16 - 33)
1- ti

ifadesini verir.
Bu. üretici 10 dan 10 4 Hz frekanslara kadar yararlıdır ve eğer. düşük gecikme
zamanlı, yüksek kumandalı bir işlemsel yükselteç seçilirse üst limit ıo 5 Hz e ulaşır.
Kare-dalga üretici,kare ve iiı;gen çıkış dalgalan verecek biçimde değiştirile­
bilir. Kısaca söylenirse bu, Hr ynine sabit-akımlı yükleme devresi konarak yapılır.

t Kaynak 16 - 7 nln 372. sayfasın;ı bakınız.

412
d) Scbmitt tetikleyici

Bir Schmitt tetikleyici olarak davranan fark yükselteci devresi Şek. 16-34a
da gösterilmiştir. Pozitif geribesleme voltajı, girişe değişen bir sinyal uygulan-
dığında, Şek. 16 - 34b, çıkışta ani geçişlere neden olur. Bununla birlikte bu dev-

+6 v

"çıkı

2
Oo=--'--'-----'----__;;;::;;;;...-

(ol (b)

Şekil 16 - 34 Bir fark yükselticili Schmitt tetikleyici.

rede t yükselticinin doyması önlenmiş ve böylece tetikleme düzeylerinin doğruluk

ve kararlılığı artmıştır. Şekil 16 - 34b de tetikleme düzeyleri (histerezis) arasın­
deki fark 1 V dur. Bu fark, R direncini değiştirerek kontrol edilebilir, örneğin•
R = 77 k n için histerezis 0 11 Va düşer.

16-17
Yükselticilerin puls cevabı

Yükselticiler, pulslan yükseltmeli, bazen osiloskop yükselticilerinde olduğu

gibi mümkün olduğu kadar az bozunma yaparak yükseltmeli, bazen da çekir-
dek ışını sayıcılannda olduğu gibi aynı anda dalga biçimi yaparak yükseltmelidir.
Yükselticinin geçici cevabının önemli olduğu başka bir örnek televizyon alıcısının
video kısmıdır ve bundan ötürü puls yükselticileri çoğu kez video yükselticiler
olarak adlandınlır.

t "RCA Appllcatlon Note ICAN - 5036, "RCA Solld State Databook SSD -
202 ARCA Solld State, Somervıııe, N. J., 1972 sayfa 148.

413
 Ordukça uzun ideal bir voltaj pulsunun, Şek. 16 - 35_a, geniş bandlı
yükselticinin girişine uygulandığını varsayalım. Yükseltilen puls, bir zaman
gecikmesi etkisi altında kalacak ve puls,ön kısmında Şek. 16 - 35b de genişletil­
miş skalada gösterildiği gibi bir yükselme zamanı etkisinde olacaktır. Bundan başka,
Şek. 16 - 35c de gösterildiği gibi pulsun üstü bozulabilecektir. Eğilen tepenin bir
meyli olduğu söylenir. ·
Esas olarak girişteki bir basamak fonksiyonuna bir yükselticinin geçici
cevabı ile ilgileniyoruz. Bir tek katlı yükselticinin bile geçici cevabının çözümlen-
mesi sıkıcı ifadelere götürür ve çok katlı yükselticiler korkunç problem olur. Bun-
dan ötürü konuya girişimiz büyük ölçüde nitel olmalıdır.

,,__ _ _.......,egi_r.

ı.:
1
800 µs --l
1
r-ıµ~--,~
1
- - -- - ·- - --t

1.--aooµs--..,
(ol ( bl ( c)

Şekil 16 - 35 Bir yükselticinin pulsa cevabı.

a) Tek - _katlı ortak yayıcılı yükseltici

Kesim 8 - 10 da incelenen ortak yayıcılı yükseltecin pulsa karşı cevap

problemi, tıpkı a. a. cevabının iki farklı devre modeliyle çözümlenmesinde olduğu
gibi, iki kısma aynlabilir. önce pulsun önündeki hızlı yükselme, yüksek frekans
modelir:1e, ikinci olarak uzun zaman cevabı alçak frekans modeline bağlıdır.
Hızlı yükselme sırasında kuplaj ve yangeçit sığaçlarının voltajları hissedilir ölçüde
değişmez ve bundan ötürü onların etkileri ihmal edilir. Birkaç mikrosaniye veya
daha az bir zamanda modeldeki C ıı. ve C 1r sığaçlan tam yüklenir ve bundan sonra
kuplaj ve yangeçit sığaçları etki etmeye başlarlar. O zaman alçak frekans model
devresi uygulanır.
Buna göre yükselme geçici etkisi, Kes. 8 - ~O daki aynı varsayımlar, dayana-
rak Şek. 8 - 10 veya 8 - 19 daki model devreler yardımıyla incelenebilir. Şekil
8 - 9 u kullanarak V voltajının ve VO ın yükselmesi için zaman sabitini

(16 - 34)

biçiminde ifade edebiliriz. Burada CT, r" 1 bak Denk. 8 - 33 J üzerindeki etkin

414
sığa, Rsx = Rs + rx ve rx ve r,/ transistörün melez pi modelinin elemanlarıdır.
örnek olarak Kes. 8 - 10 daki yükselticiyi gözönüne alıyoruz ve Rs "" RL " 500 u
alıyoruz, o zaman Cr = 345 pF ve Tr yi 0,25 µs buluruz. Yüzde 10 ve yüzde 90
noktalanna dayanan pulsa cevap için TR yükselme zamanı

( 16 - 35 )
TR= 2,20 Tr
ile verilir. Bizim örneğimiz için TR = 0,55 µs dir.
Yükselme zamanı, alçak kazanç pahasına yük direncini küçülterek ilerletile-
bilir. Bu, CT nin değerini düşürür. Kuşkusuz fT değeri yüksek olan bir transistör
seçmek yararlıdır.
Çıkıştaki pulsun tepesindeki eğilmenin nedeni, alçak frekansta kazancın
düşmesine neden olan aynı nedenler yani kuplaj, yangeçit ve çıkış süzgeç
sığaçlandır. Bu inceleme için Şek. 8 - 8 de verilen ve Şek. 8- 9 da modellenen
yükselticiyi gözönüne alıyoruz fakat sadece kuplaj sığacı C nin etkisini dikkate
alıyoruz. Yani süzgeç sığacını çok büyük olarak görüyoruz. Şekil 8-9 dan Vbe vol-
tajının (ve V nin) Vs değerine bir basamakla yükselmesinden sonra üstel bozunma
sabitinin

(16-36)

olacağını görebiliriz, burada Rgir - Rb ı ı ( rx + rır ) dir. Bizim varsayımımız altın­

da çıkış voltajındaki geçici etki bu zaman sabitine sahip olacaktır.
Bir örnek gözönüne alalım. R5 = 500 n, rx + r ır = 770 n, C ~ O, 1 ıı F ve Rb
nin küçük etkiye sahip olacak kadar büyük olduğunu varsayalım. O 7..aman T r= 77 ıı.s
dir. Buna göre genişliği 5 µs olan bir puls, eğilmesi çok az, oldukça yassı bir
tepeye sahip olacaktır.
Şekil 16 - 36a da girişte pozitif bir basamağın cevabını çizdik, yükselme

o .
ı-----;;;;,--
Vçı.kı.ş r.
-t
"-ı
\
k -:--~~ 6V

V1 ......:;..---~--.... 1
\
- -

~
Şekil lt._ - 36 _Ortak yayıcılı bir yükselteç katının pulsa cevabı.

415
 /

ve alç~ma zaman sabitlerini işaretledik. Tam eğri iki üstel fonksiyonun toplamı­
dır. Bununla birlikte zaman sabitleri büyük ölçüde fark ettiklerinden,iki üstel
fonksiyonun etkileri ayn ayrı dikkate alınabilir.
Genel olarak puls süresi Tw, re ile karşılaştırıldığında küçüktür. O zaman
Şek. 16 - 36b de Hk eğimle çizilen noktalı doğru üstel eğriyi yaklaşık temsil
etmek için kullanılır. İlk eğim V 1 /rr dir.Geometrikolarakeğimint.V/Tw=N 1 /rr
olduğunu görüyoruz ve buradan çözerek,

t.V Tw
v;:-=-Tr ( 16 - 37)

elde ederiz. örneğin, eğer r f -~ lOOµs ve Tw = 5 µSise ilV / V 1 = O, 05 yani yüzde

5 dir.

b) Çok katlı yükselticiler

Yükseltici katların arka arkaya bağlanması halinde .aşikar olarak sistem daha
büyük bir gecikme zamanına ve daha uzun yükselme zamanına sahip olacaktır ama
nicel etkiler oldukça karışıktır. Bu problem bireysel katlan birbirinden çok farklı
olmayan yükselticiler için matematiksel olarak çözülmüştür. Bu hesaplamaların
sonuçlan ilgi çekicidir. Toplam gecikme zamanı bireysel katların gecikme zaman-
lan toplamıdır. Bununla birlikte yükselme zamanı

( 16 - 38)

den hesaplanır, burada TR tüm yükselme zamanı ve T ı •T 2 ... , T n bireysel katla-

rın yükselme zamanlarıdır.

örneğin, temel yükseltecinin yükselme zamanı 20 nsn ve ön yükseltecinin

yükselme zamanı 40 nsn olan bir osiloskobumuz varsa o zaman bu sistemin yük-
selme zamanı (20 2 + 40 2 ) 112 veya 45 nsn dir. Denklem (16 - 38) yükselme
zamanı bilinen bir pulsu düzgün olarak gösterebilmek için osiloskopta gereksi .
nen yükselme zamanını hesaplamaya yarar. Osiloskobun yükselme zamanının 0,04
µsn olduğunu ve yükselme zamanı 0,2 µsn olan bir pulsu gözlemek istediğimizi
varsayalım. Gözlenen cevap 0,204 µsn olacaktır ve bu sadece yüzde 2 hatalıdır.
Arka arkaya katlar sisteminin uzwı - zaman cevabı çözümlenmek istendiğin­
de, etki.ler en azından pulsun ilk kısmında toplanacak biçimdedir. Böylece zaman
sabitlerine·· göre kısa puls aralıkları için tüm yükselticinin cevabının t = O daki
eğimi,bireysel katların cevaplarının eğimlerinin toplamıdır.

416
 16-18
Tetiklenmiş doğrusal tarama üreticisi

Doğrusal tarama üreteci, :;,ek. 16 - 37, çeşitli temel dalgabiçimleyici devre-

leri içerir. Bu sisLem ekseriya katod ışınlı osiloskop tübünde, bak Kes. 19 - 9,
izin yatay taramasını vermek için doğrusal tarama veya testere dişli voltaj oluştur­
makta kullanılır. Tarama voltaj üreticinin amacı,zamanın doğrusal fonksiyonu olan
ve rastgele deneme voltajları ile tetiklenebilen veya devamlı tekrar eden deneme.
sinyali ile aynı zamanlı olan bir dalga üretmektir.
Şekil 16 - 37 deki dalgabiçimlerinde deneme sinyali olarak bir sinüs dalgası
varsayılmıştır. Sinyalin bir kısmı yükseltilmiş, Schmitt tetikleyici devresinde kare-
leştirilmiş, sonra türevlendirilmiş ve negatif pulslar kırpılmıştır. Pozitif pulslar
tek kararlı ÇT yi tetikler ve standart kare pulslar oluşturur. Bunlar t 1 den t 2 ye
kadar doğrusal bir dalgabiçimi veren tarama üretici devresinde biçimlendirilmiştir.
Tarama üretici bir Miller integral alıcı veya bir "Çekecekleme", Kes. 16-19, devre-
sinden oluşabilir. Doğru akımı yeniden depolayıcı veya kıskaç, çıkış dalgasının
her dönüde aynı düzey•, dönmesini garantiler.
Görüyoruz ki her zaman bir doğrusal voltaj dalga kısmı üretilir ve sinyal
Schmitt devresini tetiklemek için gereksinen düzeyin üzerine yükselir. Gerçek
osiloskoplarda başkıl kontroller tetikleyici yükselticinin çıkışını ters cevirir ve

Vı
JUl . Ll JUl AA
\ \ 1 1 1 1
11 12
'1 \ 1
1 11
1
1 1 1 ..---, 1 ,----, 1

~ tr'ış
1
in
1 \ L----J 1

Tetikleyici Sctımitt Türev alıc_ı Tekkararlı Tarama

..yükselteç tetikleyici ve kırP.ıcı MV üreteci. ,Ece .
Kıskaç

Şekil 16 - 37 Ki osiloskop için tetiklenmiş doğrusal tarama üretecinin blok

çizimi.

böylece istenildiğinde tarama sinyalinin ters yarı dönüsünde başlatılabilir. Tardma

üretecinde taramanın süresini değiştiren kontroller de vardır.

417
 ,16-19
Miller integral alıcı tarama devresi;
çekecekleme devresi·

a) Miller integral alıcı tarama üreteci

Bölüm 10 da tanımlanan işlemsel integral alıcı devre çok iyi bir tarama
voltaj üretici olarak görev yapar. Temel devre, Şek. 16 - 37 de verilmiştir. Bu dev-
re adını, geribesleme sığacı C nin yerleşim ve etkisinden alır. Yükselticilerde Miller
etkisini oluşturan C sığacı ile aynı yerleşim ve etkiye sahiptir. Voltaj kazancı

Şekil 16 - 38 İlke olarak Miller integral alıcı.

A yüksek varsayılır, diyelim 100 veya daha büyüyegatif ve reeldir. Eğer yüksel-
ticinin giriş akımı ihmal edilebilirse ve çıkış ımpedansı sıfır ise S anahtarını açtık­
tan t zaman sonra çıkış voltajı u 0 , yaklaşık olarak yükselteç do-
yuma ulaşana kadar

( 16 - 39)

biçiminde yükselir. Bu yaklaşıkhğa göre, bu rampa fonksiyonu tam doğrusal ola-.

caktır.

Miller integral alıcının sonlu kazancı, A, nedeniyle olan hata dahil,daha ya-
kından incelenmesi u 0 için işlemsel biçimde bir çözüm olan

u = l AV ( 16 - 40)
0 1+ (1 - A) RCp 1

418
 \

vdir. Denklem ( 16 - 40 ) ı V1 voltajı uygulanmış seri bir RC devresinde yükselen

sığaç voltajının işlemsel biçimi

(16-41)

ile karşılaştınrsak iki yonaen farklı olduklarını görürüz. Denklem (16 - 40) a
göre en büyük çıkış voltajı V1 yerine AV 1 dir ve zaman sabiti RC yerine ( 1 - A)
RC dir. öyleyse A = - 100 olan bir Miller integral alıcısında rampa üstel bir
yükselmedir fakat gerçekte son voltaj - 100V1 ve zaman sabiti 101 RC dir.
Kuşkusuz üstel eğrinin sadece ilk kısmı kullanılmıştır ve bundan ötürü çıkışın
doğrusallığı son ölçüde iyidir.
Basit bir Miller integral alıcı devre Şek. 16 - 39 da gösterilmiştir. C sığacı
ortak yayıcılı katın toplayıcısından tabanına geribesleme bağlantısı yapar. S anah-
tarı kapandığında çıkış voltajı u , VCC ye yakındır. S açıldığında P noktasının
0
potansiyeli yükselmeye U0 düşmeye başlar. Miller etkisi zaman sabitini büyütür ve
voltaj kazancı çıkış voltajında görünen son değişikliği artınr. Kuşkusuz,gerçek çı-

v,

Şekil 16 - 39 Basit Miller integral alıcı devresi.

kış voltajı değişikliği

VCC den biraz daha az bir değere sınırlandınlmıştır, çünkü
u0 yaklaşık Vcc den sıfıra kadar değişir. KIO gibi pratik uygulamalarda, S anah-
tarının fonksiyonu yerine Şek. 16 - 37 de gösterildiği gibi bir dizi elektronik
devreler gelmiştir.

b) Çekecekli doğrusal integral alıcı

Seri bir RC devresindeki sığacı sabit bir voltaj kaynağından doldurarak bir
rampa voltajı oluşturmayı düşündüğümüzü varsayalım. Bu durumda doğrusallık
etkilenir, çünkü sığacın voltajı üstel olarak artar. Miller integral alıcısının,işlemsel

419
yükseltki geribesleme tekniğini kullanarak cevabı doğrusallaştırdığını gördük.
Eğer sığacı yüklemek için sabit akım. kullanılırsa o zaman doğrusal cevap oluşur.
Çekecekli devre seri RC devresinde voltaj kaynağının voltajını uygun biçimde
değiştirmek suretiyle, sabit bir akım sağlar.

+v,

--
Şekil 16 - 40 Basit bir· çekecekli devre.

Şekil 16 - 40 daki basit devre bunun nasıl yapıldığını gösterecektir. Bu dev-

redeki transistör yayıcı izleyici bağlantısındandır, bundan ötürü voltaj kazan•!I
yaklaşık + 1 dir ve u = ui olduğunu varsayacağız. S anahtarı kapalı iken çıkış
0
sıfırdır. S açıldığında C yüklenmeye, ui ve u yükselmeye başlar. Fakat U -büyuk
0 0
Cc sığ3:cı vasıtasıyla D diyodu ve R direnci aıasındaki P noktasına bağlıdır. P-u
nedenle P noktasındaki voltaj V 1 in yukarısına. doğru yükselmeye başlar (D diy J-
du ters beslenir ve eğer U0 ~ ui ise R üzerindeki voltaj istenildiği gibi sabit kalacak. I
akımı da sabit kalacaktır. Voltajların eylemi "birini kendisinin çekeceği ile
kaldırmak" durumu ile karşılaştırılmıştır ve bu nedenle devreye de bu ad veril-

miştir.

KAYNAKLAR

16 - 1 J: F. Cleary, ed., General Electric Transistor M.anual, 7 Jh ed., Generaf

Electric Co., Syracuse, N.Y., 1964, Chaps. 3, 6, 7.
16 - 2 L. A. Delhom, Design and Application of Transistor Switching Circuits,
McGraw - Hill Book Company, New York, 1968.
16 - 3 J. M. Doyle, Pulse Fundamentals, 24 ed., Prentice - Hail, Inc., Englewood
Cliffs, N.J., 1973.
16 - 4 J. Millman and C.C. Halkiııs, Integrated f:lectronics : Analog and Digital
Circuits and Systems, McGraw - Hill Book Company, New York, 1972.
420
 I'''.

16 - 5 L. Strauss, Wave Generation and Shaping, 2d ed., McG

16 - 5 L. Strauss, Wave Generation and Shaping, 2d ed., McGraw - Hill Book
Company, New York, 1970
16 - 6 Engineering Staff of the Texas Instruments Co., Transistor .Circuet Design,
J.A. Walston and J.R. Miller, eds., McGraw - Hill Book Compay,
New York, 1963.
16 - 7 J. C. Graeme, G.E. Tobey, and L.P. Huelsman, eds., Operational Amplifiers:
Design and Applications, McGraw - Hill Book Company, 1971, Chaps.7 ,10.

ALIŞTIRMALAR

16 - 1 Şekil 16 - 1B deki RC devresinde Şek. 16 - 41 deki biçimde 10 V

luk tekrar edici puls voltajı uygulandığını varsayınız. R = lM n ve C = 1 ıı F ol-
sun. Çıkış voltajlarını yan nicel olarak,şekildeki zamanlar üzerinden (a) başlan­
gıçta sığaç üzerindeki yükü sıfır varsayarak puls voltajı ilk uygulandığı duruıu
1
için, (b) puls dalgasının uygulanmasından uzun bir zaman sonra yani kararlı dii:
rumda çiziniz. Çıkış dalgalarını şekilde gösterildiği biçimde giriş dalgaları
üzerine bindiriniz.
ıo v,--,.....vi r---, 10 Vr---, v·
1 i""" 1
r---,1
1
~ 1 1 1 r ı ı ı
ı
t
1 1I ı'
f
11
t-
1-
1
I
1
I
I
ı
1
I
1
t 1 1
o-J L__J L r ı ı ı
O-.J L _ ___J L-
O 2 3 0 t 2 3
t- Sn t-Sn
(a) Başlangıçtaki geçici (b) Kararlı durum

Şekil 16 - 41 Girişteki puls şekilleri.

16 - 2 Şekil 16 - 41 deki giriş dalgasının Şek. 16 - 2a daki RC devresine

uygulandığını varsayınız. R = 1 Mn, C = 2 ııF olsun. Çıkış dalga.biçimlerini şekil­
0

deki zamanlar üzerinden (a) ec (0) = O varsayarak_.puls voltajının ilk uygulandığı

0

durum için,(b) kararlı durum için çiziniz. (c) C yi 10 ııF olarak değiştirerek (a) ve
(b) yi tekrarlayınız.
16 - 3 Denklem (16 - 4) ü doğrulayınız. Yol gös : Pozitif ei pulsunun başlangı­
cında sığaç voltajı
için bir değer belirleyiniz. Başlangıçtan önce e 0 ın, -E 1 e ve
pulsun sonunda +E 1 e eşit olması gerektiğini kullanınız.

16 - 4 Şekil 16-lc de T = T için çıkış pulsunun tepe değeri T zamanında L1E ka-

dar düşer. Çıkış pulsundaki eğilmenin bir ölçüsü L1E/E oranıdır. (a) Bu dalga için

421
 ..
,-.ı,;
~~;, . ~-:

~E/E qranının (1 - exp (·-T/T)] ya eşit olduğunu gösteriniz. (b) Eğer T>> Tise
~E/E. ~T/Tolduğunu gôsteriniz. Yol gös: exp x =1 + x + x 2 /2+ x 3 /3 + ... açılı­
mını kullanınız.

16 - S(a) Bir RC integral alıcının devre diyagramını çiziniz ve giriş ve çıkış voltaj-
larını belirleyiniz. (b) Şekil 16-41 de olduğu biçimde 5 pulsun integre edilmesi
gerektiğini ve pulslann herbirinin 1 msn genişliğinde olduğunu varsayınız. İnteg­
ral alıcı için R ve C değerlerini, beşinci pulsun integre edilmesindeki hatanın
yüzde 2 olacak biçimde seçiniz. (c) Bu integral alıcıda sığaç sızdırmaları veya
dielektrik soğurma yüzünden hata olasılığını inceleyiniz.

16 - 6 Biryan sinüs biçimli, genliği 100 V ve genişliği

T 1 olan pulsun, Şek. 16-5,
bir RC integral alıcısına uygulandığını, R=0,1 Mn ve C= 1 ı-ıF olduğunu düşününüz.
(a)'Sığaçvoltajının2 Va ulaşması için T 1 in yaklaşık değeri nedir? (b) T 1 in (a)
şıkkında hesaplanan değere sahip olduğunu varsayarak integral alıcı devresinde
integral almanın sağlığını artırabilmek için ne değişiklik yapılabilir?

16 • 7 (a) Sinüs dalga giriş voltajının tepe ve taban kısımlarını kırpan Şek. 16-7
deki devreye benzer bir devre düzenleyiniz. (b) Devrenizdeki bileşenlerin değer­
lerini + 10 V ve_ -5 V voltaj düzeylerinde kırpacak biçimde düzenleyiniz.

16 • 8 Şekil 16-42 deki ui dalgası gösterilen devreye uygulanmıştır. (a) T = RC=

8Tw ise kararlı durumda u 0 ın dalgabiçimini çiziniz. (b) Diyodun ters çevrilmesi
durumunda (a) şıkkını tekrarlayınız.

r ı( ı ,
C
ı
O--+---+-----+----+
Llli
Şekil 16 - 42

16 - 9 Şekil 16-18 de ikikararlı ÇT de Q 2 kesilime gittikten sonrauc 2 dal-

gasınınyükselen geçici kısmını dikkate alınız. Transistörün zaman geciktirme etkisi
ihmal edilirse, VE sabit alınırsa ve Q1 in tabanı, yayıcısından daha yukarıda küçük
bir voltajda kıskaçlanmışsa yükselen geçicinin zaman sabitinin c 1 RKl RL 2 /
(RKl + Ri:, 2) olduğunu gösteriniz. (b) Bu zaman sabitini simetrik bir devre için
ve c 1 = 220 pF, RKı = 42 kn, RKı = 2,2 kn olması durumunda hesaplayınız.

422
(c) Yükselme zamanı,lb) şıkkındaki koşullar altında nedir? (d)Uc 2 dalgasının düş­
me zamanının,yükselme zamanıyla karşılaştırıldığında neden kısa olduğunu açık­
layınız.
16 - 10 (a) Bir toplayıcısı tetikli ÇT devre diyagramı çiziniz ve elemanlannı
Kes. 16-9 un sonunda verilen değerlerle işaretleyiniz. (b) VE, Vekap. ve Veaç.
değerlerini hesaplayınız. VeE nin doyum değerinin 0,2 V olduğunu varsayınız.
16 - 11 Şekil 16-20 deki kararsız ÇT devresinde e 1 = e 2 = e, RBl = RB2""
RB ve RLl = RL 2 = RL olsun. Ve doy.= O, Vekap. =Vee,U Baç.= O ve geçişin,
taban voltajı sıfırdan yukan çıktığında oluştuğunu varsayınız. Serbest çalışma
frekansının yaklaşık olarak f = (2RBe in ı 1 ➔ (V ee/V BB) 1)-1 olduğunu gösteri-
niz. VBB İıin oeğişiminin frekansı kontrol etmek için nasıl kullanılabildiğini
inceleyiniz.
16 - 12 Şekil 16-18 deki tipte doymuş ikikararlı bir simetrik ÇT için RL,
RK, RB ve RE direnç değerlerini seçiniz. Vec = 9 V varsayınız ve VE= 2 V olsun.
Oda sıcaklığının 25°e olduğunu ve kesilim akımlannın ihmal edilebildiğini
varsayınız. Kullanılan npn transistörleri için: VBE = 0,7 V(Ie = 10 mA <J.a.ve
1B = 0,25 mA da için)VcEdoy. ~ 0,2 V (aynı le ve 18 için), VCEO = 25 V ma.,
VEBO = 25 V mak, transistörün güç harcaması = 150 mW mak, d_a-ileri iletme
oranı = ı3FE = 0,20 (le = 10 mA ve VeE = 0,3 V için) dir. Transistörün açık ol-
ması durumunda hesapladığınız 1 değerlerini ve kapalı olması durumundaki
8
VBE değerlerini belirleyiniz.
16 - 13 Şekil 16-23 deki tekkararlı ÇT devresinde Rv R
81 , R 82 , RKl ve
e 2 değerlerini 100 µsn puls genişliği verecek biçimde seçiniz. AIİştırma 16-12
de verilen transistörün özelliklerini kullanınız,
16 - 14 Şekil 16-25a daki tetikleme devresinde Vee ,, 10 V, RLl = 2,2
kn RL 2 = 1,2 kn, RE= 330 n, RL = 12 kn, R 2 = 18 kn, C= 220 pF ve
R8 = 1,0 kn olsun. Transistörler Alış. 16-12 de verilenler olduğuna göre Vu ve
VL nin değerlerini bulunuz. VBE ve VeE doy. voltajlannm hesaplanan etkilerini
belirtiniz.
16 - 15 · Şekil 16-32 deki l<>garitmik yü~selteç için R1 = 5000 n olsun ve
diyod sıcaklığı 290°K de ls=l0-7 A varsayınız. u 0 ı, giriş voltajı (a) 0,5 V ve (b)
5,0 V olması durumlannda hesaplayınız. Yaklaşık diyod denklemi, ı Denk. (16-
30)1, bu voltaj bölgeleri için geçerli olur mu?
16 - 16 Şekil 16-33 deki devreyi ve dalgabiçimini,Denk .. (16-33) ü ıspatlamak
için çözümleyiniz.
16 - 17 Şekil 16-lla daki gibi bir ortak yayıcılı kat 2 µsn genişliğinde bir ka-
re pulsu yükseltmek için kullanılmaktadır. Giriş pulsu ve kazanç pulsu ortalama
5 V yükseklikte olacak şekildedir. Transistör ve devre dökümanlan: RL -300 H.0

R 8=75n, rx=50n, r1r =300 n, gm=0,3 mho, e,/ 100 pF e/J=2 pF ve e= 0,5 µl-'
dir. ee nin ve taban direncinin hiçbir etkisi olmadığını varsayınız. Çıkış pul-

423
su için hl!saplamalar yapınız ve biçimini yaklaşık olarak çiziniz.
16- 18 (a) Şekil 16-38 deki devrenin rampa çıkış voltajı u0 ı, zamanın fonk-
siyonu olarak sembolik biçimde ifade ediniz. (b) V1 = 10 V, A= - 100 ve RC =1,0
msn değerlerini (a) şıkkındaki fonksiyona yerleştiriniz. (c) 1 msn in sonunda (b)
şıkkındaki fonksiyonun tam doğrusallıktan yüzde olarak sapmasını bulunuz.
Yol gös: ex in açılımını ex = 1 +x+x 2 /2+x 3 /6+ ... (b) şıkkındaki sonuca yerleş­
tiriniz ve ilk üç ya da dört terimini gözönüne alınız.

424
 17
Mantık ve Sayma Devreleri

17 - 1
Giriş

Bölüm 16 da incelenen çok titreşici devrelerinin, iki durumun birinde veya

ötekinde olduğu gösterilmiştir. Çok titreşiciler ve bununla ilgili diğer devreler
bilginin, benzerinden çok sayısal olarak geçtiği sistemlerde kullanılır. Bu demektir
ki bilgi bir grup durumda ihtiva edilir ve bazen ikili sayı sisteminin sayıları ile
temsil edilir. Bilgiyi ihtiva eden ve ileten elektronik devreler_,bundan ötürü,~adece
iki durumun birinde olmak ihtiyacındadır ve bireysel durumların genliklerindeki
küçük değişmeler hata oluşturmazlar. Birçok elektronik devreler kullanılarak
bilgi, yüksek hız ve yüksek doğrulukta temsil edilir ve ilerletilir. Bunun aksine,
bir benzerlik sisteminde ulaşılabilen doğruluk özel devrenin voltaj düzeyine sınır­
landın lmış tır.
Sayısal bilgisayarlar, elektronik sayıcılar ve sayısal aygıtlar karmaşık dev-
reler topluluğu ihtiva etmesine rağmen birkaç temel devreleri vardır ve bu dev-
reler mantık oluşturan blok biçiminde bağlanarak tüm sistemi oluştururlar.
Bundan ötürü,devrenin iç ayrıntılarından çok, devreler arası bağlantılar vurgulan-
dınlır. Çoğu kez, blok diyagramlar topluluğuna benzer yüksek sembolik bir
temsil, tüm sistemin düzenlenmesi ve incelenmesi için kullanılır. Burada bazı ••
temel devreler incelenecek ve bunların basit sistemler biçiminde birbirine bağlan-
tıları verilecektir. Şimdi, ikili sayı sistemini tekrarlamakla başlıyoruz.

17 -2
ikili sayı sistemi

Daha iyi bilinen 0nhisayı sistemini tekrarlamakta yarar vardır. Bu sistemde

örneğin
482 gibi bir sayı aşağıda ifade edildiği gibi bir anlama sahiptir:

482 = 4 X 10 2 + 8 X 10 1 + 2 X l(f (17-1)

10 sayısına bu sistemin tabanı denir ve sistemin sayılan O, 1, 2, 3, ...... 9 dur.

Eğer sayı onluk bir kesire sahipse o zaman üsleri negatif yapmak gerekir. örneğin,

b27 ,43 = 8x 10 2 + 2x 101 + 7x ıo 0 + 4x 10- 1 + 3x 10- 2 (17-2)

Bu örnekler aşağıdaki gibi yazılabilen herhangibir N sayısının özel halidir:

425
 (17 - 3)

burada d ler sayılar ve R de tabandır. Eğer sayılar O ile (R-1) arasında tam
değerlere sınırlandırılmışsa o zaman temsil tektir.
İkili sistemde, taban 2 ve sayılar o veya 1 (sıfır veya bir) dir. örnek olarak.
101 ikili sayısını gözönüne alalım ve değerini ( 17 - 3) ile ifade edelim.

N cc 101 (İkili ) = lx2 2 t- Ox2 1 -,. lx2 9 (17 - 4)

öyleyse sayının onluk değeri 4 + O + 1 yani 5 tir. İkili bir sayının değeri için ge-
nel şekil Denk. (17 - 3) ü izleyerek

N= (O veya 1)2° + (0 veya 1)2"-1 + ••• (O veya 1)2° + (0 veya l)r 1 + •.• (17-5)

yazıiabilir. Sayı kesirsel kısımlı olabilir, o zaman örneğin,

1011,11 ~ lx2 3 + Ox2 2 + lx2 1 + lx2° + 1x2- 1 + lx2- 2 (17 - 6)

olur. Böylece 1011,11 ikili sayısı 8 + O+ 2+ 1+ 1/2 + 1/4 yani onluk sayı olarak
11,75 olur.
Bazı ikili sayıların onluk eşdeğerleriyle karşılaştınlması Tablo 17 - l de
gösterilmiştir. İkili sistemde bir değeri ifade etmek için gereksinen sayılar onluk
sistemde gereksinenle karşılaştınldığında daha çoktur. Taban artınldığında yani
üçlü (taban ° 3), sekizli (taban = 8) sistemlerde daha az sayı gereksinir.

Tablo 17 - 1 İkili Sayılar ve Onluk Eşdeğerleri

İkili Onluk İkili Onluk

o o 1011 11
1 1 1100 12
10 2 1101 13
11 3 1110 14
100 4 1111 15
101 5 10000 16
110 6 10001 17
111 7
1000 8 100000 32
1001 9
1010 10 1100100 100

426
 İkili sayılarla toplama, çıkarma, çarpma ve bölme gibi aritmetik işlemlere
basit kurallar uygulanır. Bazı örnekler şöyle sıralanır.

1 10 11 10 11
+1 .., 1 -1 -1 -ı-1

10 11 10 1 100

Çeşitli aritmetik işlemler ve sayılan ikili ile onluk arasında birbirine çevirmek için
kısa kurallar geliştirilmiştir.

17 -3
Anahtar-tipi mantık devreleri ,
Boole Cebiri

Kesim 17 - 1 de belirtildiği
gibi sayısal devrelerin tiplerinin sayısı azdır ve
esas enteresanlık onların tam bir sistem oluşturacak biçimde kendi aralannda bağ­
lanmalanndandır. Kendi aralarındaki bu bağlanmayı yapan kurgu problemi, bi-
çimsel bir mantık ve özellikle sembolik mantık kullanılarak kolaylaştınlabilir.
1847 de George Boole mantıksal ifadeleri ifade etmek için sembollerin işlemesine
dıur kurallar takımını içeren bir sembolik mantık sistemi ortaya koydu. Boole ce-
biri diye adlandınlan bu sistem sayısal sistemleri kurmak için yararlıdır. Mantıksal
önermeleri açıklayan bazı basit elektrik anahtarlama devreleri vasıtasıyla Boole
cebirini açıklayacağız. Boole cebiri ile uzlaşan birçok elektrik devreleri kurulmuş­
tur _ama en basit devreler anahtarlan veya röle uçlannı kullanan devrelerdir. Bun-
lar bu bölümde örnek olarak kullanılmış, ötekiler bundan sonraki iki kesimde
verilmiş tir.
Şekil 17 - 1 de bir kaynak ve bir lambanın seri olarak A ve B anahtarına
( veya röle uçlanna ) bağlı olduğu devreyi gözönüne alalım. Lambayı yakmak
için iki koşulun sağlanması gerektiğini görüyoruz. Bu mantıksal ifade sembolik
olarak eğer· A,A anahtannın kapalı olduğunu B,B anahtarının kapalı olduğunu
temsil ederlerse R sonucunu temsil eder yani L lambası yanar:

AVE B= R (17_;7)

r,
-=-
O~~B
1
L

ı -=-

Şekil 17 - 1 VE mantığının ifade edilişi.

427
Eğer sadece A kapalı ise R olmaz veya sadece B kapalı ise R olmaz. R sonucunu elde
etmek için A ve B nin ikisi de kapalı olmalıdır. Bu mantıksal VE ye bir örnektir.
Daha genel anlamda A ve B bir mantıksal ifadede önermenin doğruluk veya
yanlışlılığına karşılık gelir ve R nin durumu da sonuca karşılık gelir.
Bu sembolleme, ikili sayı sisteminin sayılarını koşulu veya giriş durumunu,
sonucu veya çıkış durumunu temsil etmek üzere aşağıdaki gibi kullanılarak, artın­
labilir;
koşulvar (veya doğru) ~-1
koşulyok (veya yanlış)= O
sonuç var (veya doğru) =1
sonuç yok (veya yanlış)- O

Bu semboller (17 - 7) ifadesindeki niceliklerin farklı olanaklı durumlarını kaydet-

mek için uygundur ve buna doğruluk tablosu denir. Anahtarlama devresi örneği
terimleri cinsinden O özel bir anahtarın açık olması, 1 anahtarın kapalı olması
demektir. Aynı biçimde R kul onunda O lambanın sönmesi ve 1 lambanın yanına-
sı anlamındadır.

Tablo 17 -2 R = A VE B için doğruluk tablosu

A B R=A ve B

o o ·o
1 o o
o 1 o
1 1 1

Şimdi mantıksalVE yi aynı zamanlı üç koşul durumuna genişletelim, ya-

ni A,B ve C nin R sonucunu oluşturmak için gerekli olduğu duruma genişletelim.
O zaman

A VE B VE C= R (17-8)

biçiminde yazılabilir Fakat bu gene

A. B. C - R (17 - 9)

yMılır. (1 T- 9 j için doğruluk tablvsu ı'<,.,,u , , - :; dr gu:,tı,filıı11::ıtır. C:iri::ı durum-

larının bütün bileşimleri arasında yalnız bir tanesi sonuç veya çıkış oluşturur.

428
 Tablo 17 - ~--R=A.B.C için doğruluk tablosu
A tt C R

o o
o 1
1 o
1 1
o 1
1 o
1 1
1 o
o o
o o
o o
1 o
1 o
1 1

Şimdi
A veya B veya C nin var olması halinde sonucun oluştuğu duruma
bakalım. Bu durumun uygulanacağı mantık durumu şöyle ortaya çıkar. A,B ve C
gibi üç şahıs kilitli odada özdeş anahtarlara sahip olsun. öyleyse eğer A veya B
veya C den biri dışarı çıkmak isterse oda açılabilir. Kuşkusuz bunların herhangi
ikisi veya üçü çıkmak isterse oda gene açılabilir. İfade

A VEYA B VEYA C = R (17 - 10)

biçiminde yapılabilir. Fakat bu gene

A+B+C=R (17 - 11)

yazılırve "A veya B veya B veya C,R yi oluşturur" biçiminde okunur. Denklem
(17 - 10) ifadesiyle uyuşan anahtar devresi Şek. 17 - 2 de gösterilmiştir. Eğer bir
veya daha çok parelel bağlı anahtarlar kapanırsa lamba yanar. Bu devre için
veya (17 - 11) bağıntısı için doğruluk tablosunun bir kısmı Tablo 17 - 4 de veril-
miştir.
Başka bir sembolik işlem, özel bir durumu veya sonucu negatif y~maktır.
Eğer bir A.durumunu _negatif yaparsak A DEĞİL demek olur ve bu A yazılır.
- -
Eğer A = O ise A = 1 dir veya A = 1 ise A = O dır. A için başka bir ifade, Anın
tamamlayıcısı olduğunun ifade edilmesidir.
özetlemek istersek Boole mantığının işlem bileşenleri olarak VE, VEYA
ve DEĞİL sembollerine sahibiz. Boole cebirinin aşağıdaki ~ek değişkenli bağın­
tıları,bunlara karşılık gelen doğruluk tablolannı kurarak doğrulanabilir:

A.A=A
A+ A = A (17 -12)
A+A=-1
A.A=O

429
 Şekil 17 - 2 Mantıksal VEYA yani A+ B+ C=R yi açıklayan anahtar devresi.

Tablo 17 - 4 A+B+C=R nin Doğruluk Tablosunun Bir Kısmı

A B C R

o o o o
1 o o 1
o 1 o 1
o o 1 1
1 1 o 1
v.b .............. ,.................................. .

Şimdi Boole cebirinin bazı temel yasalarını sıralayalım:

komütatiflik yasası A+B=B+A (17 - 13)

A. B=B. A (17-14)
assosiyatiflik yasası (A+•B) ,C~A+(B+C) (17 - 15)
(A. B). C=A. (B. C) (17 - 16)
distribü tiftik yasası A .(B-ı-C) = A. B+A.C (17-17)
özel distribütiflik yasası (A+B). (A+C)=A+B.C (17-18)

Bunlardan çıkan yararlı bağıntılar :

(A+B) = (A. B) (17 -19)

(A .B)= A+B (17 - 20)

De Morgan bağıntıları olarak bilinir. (17 - 19) ve (17 - 20) sadece iki değişken
için yazılmıştır. Aynı biçimler üç veya daha fazla değişkene uygulanır. Bu
yasalar hazan mantık ifadelerini ve bunlara karşılık gelen mantık devrelerini
·basitleştirmek için yararlıdır. (17 -· 19) un doğrulanmasının yapılmasını
direkt olarak O ve 1 !eri yerlerine koyarak ve olanaldı hütüıı bile~imler İ<iİn her
iki tarafı karşılaştırarak açıklayalım; bak Tablo 17 - ::,_ Bu, sol taraftaki 1,2,3 ve

430
4 kulonlarıııda \l s:ı, aıal'", J .:.:.:.i.(i ve 7 kulonlarında yapılmıştır. 4 VP 7 kulon-
ları A ve B nin bütün degıcılHi ıçin uyuştuğundan Denk. (17 . 19) un gPçerli
olduğu sonucuna varıyoruz.

Tablo 17 - 5

1 2 3 4 5 6 7
A B A+B A+B A H A.B

o o o 1 1 1 1
o 1 1 o 1 o o
1 o 1 o o 1 o
l 1 1 o o o o

17 -4
Diyod mantık devreleri VE, VEYA

Mantık işlemlerinin anahtarlar veya rölelerle çalışması cevabın çok sınırlı

hızda olmasına neden olur. Bu işlemler, çeşitli yüksek hızlı diyod, transistör veya
integratördevreleriyle yapılabilir. Bu devreler bir sayısal sistemin temel yapı taş­
larını oluşturur.

Basit bir diyod mantık devresi Şek. 17 - 3 de gösterilmiştir. Giriş anahtarları

A ve B,O veya 1 durumlarından herhangibirine konabilir. Eğer A veya B anahtar-
lanndan biri O durumunda veya toprak voltajında ise akım R direncinden geçer
ve diyodlardan birinden geçerek toprağa akar; diyod üzerinde doğru yöndeki
voltaj düşmesini ihmal edersek V ık sıfır olur. Eğer A ve B nin ikisi de 1 durumun-
da ise bir çıkış voltajı olur. Şim~i D 1 ve D 2 diyodları akım taşır ve çıkışı -ı 6 Va
kıskaçlar. Şekil 17. 3 ün sağındaki tablo, çeşitli giriş bileşimleri için Vçıkı gös-
teriyor. Eğer + 6 V u {llantıksal 1 ve OV u mantıksal Oolarak tanımlarsak o zaman
bu tablo A VEYA B nin çıkış doğruluk tablosuna eşittir. Şimdiye kadar tanım­
lanmız pozitif mantık olarak bilinmektedir. (Bir negatif puls veya voltaj mantıksal
1. i temsil ettiği zaman sisteme negatif mantık kullanıyor denir.)
Giriş voltajları eşit olmadığı zaman çıkış nedir? örneğin Şek 17 - 3 de A

daki voltaj + 7 V ve B deki + 5 ise Vçtk nedir? Her iki anahtar 1 de ise D 2 diyodu
iletecek ve V çık ı + 5 V a kıskaçlayacak ama bu sırada o 1 diyodu 2 V ters besle-
mede olacaktır. öyleyse çı_kış voltaj düzeyini,düşük giriş voltajı belirler.
üç girişli alışılmış bir VE devresi diyagramı Şek. 17 - 4a da gösterilmiştir.
Bu devre, aynı zamanda, geçit olıµ-ak adlandınlır. Burada A,B,C ve Vçık
voltajlarının, toprağa göre olduğunu anlamalıyız. Vçık ile toprak arasındaki
direncin çok büyük olduğu varsayılmıştır ama mantıksal devreler şebekesinde bu
varsayım geçerli olmayabilir.
+ıov
+6 vo----. ı
Anahtar Anahtaİ Vçık
A B VOIT;

ro
A R
o o o
o o
+61/0--•I Dz Vçık
B o o
_ro ..L
6

Şekil 1 7 - 3 Bir diyod mantık devresi.

Bir çok sayısal sistemlerde bilgi, voltaj düzeylerinden çok, pulslarla taşınır.
Şekil 17 - 4b de bir örnek gösterilmiştir ve orada pozitif bir puls mantıksal
1 ve pulsun olmaması durumu mantıksal O dır. Çıkış pulsunun yüksekliği en
küçük giriş pulsuna yaklaşık eşit olacak, fakat kuşkusuz, kaynak voltajı V nin
bu büyüklüğü aşması koşuluyla durt!m böyk olur.
Diyod VE geçiti aynı zamanlı geçit diye de adlandırılır. Devre, üç
girişte de puls olduğu zaman yani üç puls aynı zamanlı olduğu zaman çıkış verir.
Bu özellik çekirdek radyasyon deneylerinde ortaya çıkan pulsların çözümlenme-
sinde kuUanışlıdır.

~n__rı__t

Ao

oo
I◄
~
J
,I • Yçıl<"
A·t:ı•r
~0--____.ruı_t
~-_n_ı
r.o ~
{G) ( bl
Şekil 1 7 - 4 ( a) _Bir diyod VE geçiti.(b) Giriş ve çıkış pulsları örneği.

Şekil
17 - 5, direnci negatif voltaj, kaynağına bağlı bir diyod VEYA geçit
devresini gösteriyor. Bununla birlikte eğer direnç toprağa bağlansa da bir VEYA
devresi olarak çalı~ır. A girişinin ·pozitif, B ',, C nin daha düşük voltajlara
sahip olduğunu düşünelim. O zaman V çık' A girişinin biraz altında olacaktır,
çünkü A iletirken B ve C ters beslenmiş durumda olacak~ır. Genel olarak eğer

432
 Ao---------,

A+B+C
B
vçık
R

Şekil 17 - 5 Bir diyod VEYA geçi ti.

diyod üzerindeki düşme ihmal edilirse çıkış, giriş "volta1tarımn en büyüğüne eşit
olacaktır.
A, B ve C girişlerinin eşit genlikte pulslardan oluştuklannı varsayalım.
Çıkışta puls olduğunda çıkışın mantıksal 1 i ve çıkışta puls olmadığında O ı
temsil ettiğini varsayalım. Çıkış, Boole terimleri cinsinden ifade ·edilen A+B+C
yi verir. Eğer puls yüksekligi 6 V ise ve diyodlar ideal varsayılmışsa çeşitli giriş­
ler için V çık voltajı Tablo 17 - 6 da verilen değerlere sahiptir. Buna karşılık
gelen doğruluk tablosu da gösterilmiştir.

Tablo 17 - 6 VEYA Geçi tinin 'Relitgenleri

Voltajlar, Volt Karşılık gelen doğruluk tablosu

A B C Vçık A B C A+B+C

o o o o o o o o
6 o o 6 1 o o 1
o 6 o 6 o 1 o 1
o o 6 6 o o 1 1
6 6 o 6 1 1 o 1

Şimdiye kadar diyodlan ideal varsaydık fakat ileten bir silikon diyod 0,6 V
dolayında bir voltaj düşmesine neden olacaktır. Buna göre VE geçitindeki
çıkış voltajları, Şek. 17 - 4a, 0,6 V kadar yukan kayacaktıs. O zaman eğer giriş
düzeyleri 6 ve O V ise çıkış düzeyleri mantıksal 1 ve O için karşılıklı olarak 6,6
ve 0,6 V olacaktır.
Oiyod mantık geçitlerinin bir şebekesi daha karmaşık mantıksal işlemleri
yapacak biçimde düzenlenecektir. Bu şebekelerde voltaj düzeylerinin kayması ve
ardarda geçitlerin direnç değerlerinin seçimindeki güçlükler gibi problemler
doğar. örneğin, bir VE geçi tini bir VEYA geçi ti izliyorsa dirençler bütün giriş
koşullan altında alçak mantıksal O voltajı verecek biçimde dikkatle seçilmelidir
(Alıştıtmh 17 - 9).

433
 17 - S
Transistör mantık devreleri : DEGIL, VEY ADEGIL, VEDEGIL

a) DEĞİL (teısçevirici) devresi

Değil devresi, çıkışı negatif yapacak biçimde düzenlenmiştir; eğer giriş A

ise çıkış A dır. Kesilimden doyuma sürülen bir transistör CE yükseltici bu işlevi
görür. Bu, Kes. 11 - 7 de tanımlanan transistör anahtardır. Tipik ters çevirici
devresi ve giriş ile çıkış dalgabiçimleri Şek. 17 - 6 da gösterilmiştir.

C
r--·ı,t---,

-
' • 1
Vgi 1
A
R2

(ol (bl
Şekil 17 - 6 (a) Pozitif mantık için DEGİL devresi ve (b) tipik dalgabiçimleri.

Standart mantık düzeylerinin 6 V ve O V olduğunu varsayalım. O zaman

VCC' 6 Va ayarlanmalıdır. Böylece u gir = O olduğunda transistör, taban kaynağı
- VBB vasıtasıyla kesilimdedir ve uçık ~6 V du~. Giriş 6 V a doğru yükselirken
taban akımı transistörü doyuma sürecek biçimde yeterince artmalıdır. O zaman
uçık = V CE doy olur ve bu 0,1 V dolayındadır. Bununla birlikte Şek. 17-6b
de ileri sürüldüğü gibi giriş puls düzeyleri biraz değişse bile transistör doyuma
gitmelidir. Böylece ters çevirici, çıkış pulslannı standart yükseklikte korur. Taban
dirençleri R 1 ve R 2 , taban akımını transistörü tam doyuma getirecek değerden
biraz büyük yapacak biçimde seçilirler, bu devrede kullanılabilecek en düşük
(J h trsnsistör için bile bu sağlanır. Çoğu kez transistörün çalışır duruma gelmesini

kolaylaştu:mak için hızlandıncı bir C sığacı kullanır.

b) VEYADEĞİL geçiti

VEYADEĞİL geçit kavramı Şek. 17 - 7a da gösterilmiştir. Burada girişler

A ve B ve ç_ıkış A+ B dir. Yani çıkış A VEYA B nin tamamlayıcısıdır. Transistör-
lerin anahtarlar gibi parelel biçimde P noktasından toprağa bağlandıklarını
düşündüğümüzü varsayalım. Yine A=B=0 olsun, o zaman her iki transistör kapalı,
yani anahtarlar açık ve uçık "yüksek" veya mantıksal olarak 1 durumundadır.
Bu,0 + O= 1 ile uyuşur. Şimdi A = 1 ve B = O varsayalım.

434
 R R
p vçık ·il. ık
A+B .lB
. R,

(alVEYADEC!L (blvrnEC!L
Şekil 17 · 7 (a) Basit VEYADEĞİL geçiti ve (b) VEDEĞİL geçiti.

O zaman Q1 açık Q2 kapalıdır. Şimdi uçık "düşük" tür yani uçık = VCE doy dadır
ve bu mantıksal O durumudur. Bu durumda 1 + O = O dır.
Bu VEY AD EĞİL geçi ti direnç - transistör devreleri ailesinin bir örneğidir.
Bu devreler giriş sinyalleri kötüleşse bile çıkış voltaj düzeylerini sta_ndart değere
dönüştürebilir.

c) VEDEĞİL geçiti

Şekil 17 - 7b de görüldüğü gibi iki veya daha fazla transistörü seri bağlayarak
basit bir VE:QEĞİL geçiti geliştirilebilir. Transistörleri anahtarlar olarak gözönü-
ne alabiliriz. Böylece A = 1 ise Q 1 açık, fakat B = O ise Q 2 kapalı ve çıkış
"yüksek" ve mantık durumu 1 dir. Çıkışta O elde etmenin tek yol A 10 -

ve B = 1 olmasıdır. Böylece çıkış A ve B nin tamamlayıcısı AB dir.

Toplu mantık devre sistemlerinin çoğu VEY AD EĞİL ve VEDEĞİL geçitle-
rinin kullanımına bağlıdır, çünkü bunlar TD biçiminde yapılabilirler.

17 -6
Pozitif ve negatif mantık

Pozitif mantıkla olduğu gibi "YüKSEK" duruma mantıksal 1 ve "ALÇAK"

duruma O atfetmek k~yfi bir seçimdir. Bunun aksi bir seçim yapıldığında

435
negatif mantığa sahip oluruz. Pozitif matık VE geçiti ile başlayalım ve negatif
mantık seçmenin etkisini bulalım. Şekil 17 • 4 deki gibi fakat sadece iki
girişi olan pozitif mantık diyod VE geçiti devresi için tipik olarak Şek. 17 · 8
deki pulslan dikkate alalım. Şekil 17 • 8b de gördüğümüz gibi negatif mantık kul-
landığımız zaman çıkış A+ B yi temsil eder yani geçit şimdi bir VEYA
geçitidir.
Benzer nedenlerle negatif mantık kullanılırsa pozitif mantık VEYA geçiti
VE geçiti olur.
1 1 o o
AJ L.Qj~_ A__f7_.LJ7_
1 o
8- Q___9_jL B_ı_____ıJL_
1 o
Çıkış
o oJ~ Çıkış_____l_!._JL
(al Pozitif mantık (b)Negatif mantık

Şekil 17 · 8 Pozitif mantık VE geçit: negatif VEYA geçi ti olur.

17·-7
Mantık geçitleri sembolleri,
DIŞARLAYAN VEYA geçiti

Çoğu kez oldukça karmaşık mantık sistemleri yapıldığından devrelerin ayrın­

tılarını sistemlerin çözümlerinde göstermek karışıklığa neden olur. Bu çizim-
lerde kullanılması için standartlaştınlmış mantık sembolleri kullanılır. Sadece sem-
bol, mantık fonksiyonunu temsil eder fakat bu, diyod geçitleri ve çeşitli tipte
TD geçitleri v.b. gerçek devrelerle tamamlanır. Bir VE geçiti için sembol
Şek. 17 • 9a da gösterilmiştir. Bu dört giriş için çizilmiştir fakat bu sembol
iki, üç veya daha çok girişleri olan duruma adapte edilebilir. Şekil 17 - 9b
VEYA geçitinin sembolünü gösteriyor.
Bir ters çeviricinin sembolü Şek. 17 - la da gösterilmiştir. Bu şeklin (b)
kısmında mantık geçi tinin giriş veya çıkışında negatif yapma yöntemini görüyoruz.

f:==t_J-,v
A~--.

~ y

Y = ABCD Y=A+B+C+O
:c-.ıı (1))

Şekil 17 · 9 (a) VE geçiti sembolü, (b) VEYA geçiti sembolü.

436
 :=er Y=AB .
(ol (bl

Şekil 17 - 10 (a) negatif yapma sembolü. (b) Mantık sembolüne eklenen

küçük daireler negatif yapmayı gösteriyor.

Bir VE geçitinin çıkışında negatifleme işareti gösterildi'ğinde bir VEDEĞİL

geçiti elde ederiz (Şek. 17 - lla). Aynı biçimde bir VEYA geçitinin negatifleme
işareti ol_ı:luğunda bu bir VEY AD EĞİL geçi ti verir, Şek. 17 - llb.

Ao-~
Bo-~a
(ol

Şekil -17 - 11 (a) İki VEDEGİL geçiti. (b) İki girişli VEYADEĞİL geçiti.

İki girişli,DIŞARLAY AN VEYA geçi tinin sembolü Şek. 17 - 12 de gösteril-

miştir, burada VEYA geçiti iki girişi de 1 olduğunda çıkışı O olacak biçimde
değiştirilmiştir. Yani girişlerden yalnız biri 1 durumunda ise çıkış 1 durumunda-
dır. Bu geçit,bilgisayar aritmetik sistemlerinde kullanılır. İki giriş arasında bir eşit­
sizlik varsa yani A * B ise bunu algılamakta kullanılır. Yani A #= B durumunda
çıkış 1 dir.
DIŞARLAYAN VEYA geçiti,geçitlerin bileşimleri ile oluşturulabilir. önce
DIŞARLAYAN VEYA yı tanımlamak için Boole ifadesine gerek vardır:

Y = (A + B) ( AB ) (17 - 21)

Burada, temel A+ Bile VE bağlantısında olan AB yi görüyoruz ve bu A=B=l olduğu

zaman çıkışın sıfır olmasına neden olur. Mantık sembollerinin uygulanmasını
Denk. (17 - 21) i mantık sistemi biçiminde tanımlayarak açıklayabiliriz, Şek. 17-13.
Burada önce A+ B ve AB yi geliştiriyoruz. Tamamlayıcısı, AB yi aldıktan sonra
ikisini bir VE devresine birleştiriyoruz. Başka tamamlamalaröa olanaklıdır, örneğin
Denk. ( 17 - 21) deki AB,De Morgan yasasına göre A ➔ B ye çevrilerek de yazılabi­
lir.
A B y
o o o
o 1 1
1 o 1
1 1 o

Şekil 17 - 12 DIŞARLA YAN VEYA geçiti ve buna karşılık gelen doğruluk

tablosu.
437

\
 A<>---.-->ı
Bo-----+--,

Y=(A + Si (ABI

Şekil 17 - 13 Dl ŞARLAYAN VEYA geçitini oluşturan devre.

17 -8
Pratik düşünceler

Mantık geçitlerinde,çıkış voltajının belirtilen mantık

düzeylerine uymadığı
örnekler gördük. Benzer değişmeler şimdi anlatılacağı gibi TD geçitlerinin çıkışla­
nnda ortaya çıkmaktadır. Ticari geçitlerde voltaj düzeylerinin sapmalan aygıtlann
özelliklerinde belirtilir.
Voltaj düzeylerinde değişmeler, sıcaklıkta değişmeler veya özdeş birimler
arasında kendiliğinden gelen değişmeler nedeniyle· olabilir. Bu değişmelerin etki-
lerini, özel tip~ bir ters çevirici veya geçiLin giriş-çıkış voltaj iletim belirtgenin-
in maksimun bölgesini,. Şek. 17 - 14, inceleyerek görebiliriz. Çoğu kez elimizde
bir geçitler dizisi olacak ve bir geçitin çıkışı öteki geçitin girişi olacaktır. Çıkış
voltajı değişiminin en büyük değerleri kendisinden sonraki geçite yanlış
çalışma: yaptıracak kadar büyük olmamalıdır. üreticiler, YüKSEK ve DUŞ UK
mantık dunımlannın, beklenilen iletim bellrtgeni değişmeJerine göre daha
sınırlı olan, limit voltaj düzeylerini belirler!er. Böylece minimum YüKSEK
mantık çıkış düzeyi VOH ve maksimum düşük mantık düzeyi VOL• Şek. 17-14
de olduğu gibi belirtilir. Aynı biçimde izin verilebilen maksimum DüŞüK çıkış
düzeyi; V lV ve izin verilebilen minimum YUKSEK giriş düzeyi V lH belirtilir.
Bu değerler iletim belirtgeninde beklenen maksimun değişmeye göre daha az
değişecek biçimde seçilirler. öyleyse Şek. 17 • 14 de iletim belirtgeni alçak
giriş voltajları için 1 alanının altına düşmemeli ve yüksek giriş voltajları için
2 alanının.üstüne çıkmamalıdır.
Gürültü denilen artık voltajlar, voltaj düzeylerini bozabilir. Bir geçi tin
yanlış çalışmaya duyarlık ölçüsü Şek. 17 - 14 de tanımlanan voltaj düzeyleriyle
ölçülür ve d. a. gürültü sınırı olarak ifade edilir. Buna göre YUKSEK düzey d. a.
gürültü sının V OH -V lH ve DüŞüK düzey değeri V lL - VOL olarak tanımlanır.
ömeğin,eğ~r V lL = 0,9 V ve VOL ,= ·0,4 V ise o zaman DüŞüK düzey d. a.
gürültü sının 0,5 V tur. Bu, girişe 0,5 V luk bir gürültü voltajı eklenmesine göz
yumulabileceğini anlatıyor.

438
 vgır
... - giriş voltajı

Şekil 1 7-14 d.a. gürültü voltaj sınırlarını gösteriyor. Voltaj ölçekleri özdeştir.

Gürültü voltajları kısa pulslar biçiminde de gözükebilir. Bu durumda a. a.

gürültü sınırı diye adlandırılan ifade, sistemin duyarlılığın bir ölçüsüdür. A. a.
gürültü sının iki geçit arasındaki hatta karesel gürültü pulslan uygulayarak ve ikinci
geçiti izleyen mantığın yanlış çalışıp çalışmadığı bulunarak ölçülebilir. Bir
durumu değiştirmeye tam neden olamayan belirli genişlikte bir pulsun genliği
girişte a. a. gürültü sının olarak tanımlanır. Puls süresi ne kadar kısa ise a. a. gürültü
muafiyeti o kadar yüksektir. ,
Çoğu kez, bir mantık geçitinin çıkışı paralel, çeşitli geçitlerin girişlerini
çalıştırması gerekir. Bazı koşullarda çıkışın çeşitli girişlere ak_ım vermesi gerekir.

Bazı h_allerde de sistemde birinci geçitin çıkış ucu kendisini izleyen çeşitli geçitler-
den akımı soğurması gereken biçimdedir, yani birinci geçit bir akım mecrası gibi
davranır. Her durum~a çıkıştaki voltaj düzeyi bozulacaktır, bundan ötürü bir
tek katla çalıştırılabilir girişlerin sayısının bir sının vardır. Bu sınır, geçit için
dalgalanma diye adlandırılır. Ticari mantık geçitlerinin teknik özellikleri,izin veri-
len dallanmayı hesaplamak için yol gösterir.
Hızlı pulslarla çalışıldığında anahtarlama zamanı öne!Dli olur. Teknik özelliği
anlamak amacıyla geçite pulslar uygulanıp çıkıştaki cevaptaki gecikme gözlenerek
yayılma gecikmesi diye adlandırılan özellik ölçülür. Şekil 17 - 15 de görüldüğü gibi
gecikme zamanı, tpd• ekseriye yüzde 50 yükselme veya düşmeye karşılık gelen
noktalarda ölçülür. Düşen bir girişi kullanarak benzer bir deneme, farklı
bir gecikme zamanı verebilir. Bu iki değerin ortalaması, yayılma gecikmesini
tanımlamak için kullanılır. Yüksek - hızlı TD mantık geçitleri için tipik değerler

439
 ~-
. 1 :\_
o---.:..·;..'_
1 t
_;•~-====:...... . .
d 1
ı--!-ı
' 1

Şekil 17 - 15 ilerleme gecikme zamanı, tpd nin açıklaması.

yaklaşık 1 nsn den 30 nsn ye kadar değerler alabilir. Flip - flop hızları,çoğu kez
maksimum çalışma hızı cinsinden değerlendirilir, örneğin,bu yüksek - hızlı bir ay-
gıt için 20 MHz dir.

17 -9
Toplu devre (TD) mantık elemanları üzerine notlar

Düşi.ik fiyatları, güvenilirlikleri, küçük boyutları, yüzünden TD mantık ge-

çitleri ve ilgili TD şebekeleri bugün mantık sistemlerine en çok kullanılırlar. Bir

TD yongası üzerindeki bir transistör veya diyodun değeri daha düşük olduğundan
bu devreler ayrık bileşenli devrelerden daha karmaşıktır. Bundan başka birbirleriyle
yarışan farklı temel tipte çeşitli şebeke toplulukları da vardır. örneğin, ikikutup-
lu transistörleri kullanan topluluklar şunlan içerir : (1} din·nç - transistör man-
tığı (DTM}, diyod - transistör mantığı -(DTM), (3) yayıcısı - çiftlenimli mantık
(YÇM) ve (4) transistör - transistör mantığı (TTM). Bunlara ek olarak metal - oksit
yarıiletken (:\10Yİ) mantık devreleri ve tamamlayıcı simetri metal - oksit - yarı i!Pl-
ken (TSr,10Yİ) mantık devreleri vardır. Burada basit TD mantık aygıtlarından
birkaçını,ayrıntılarını incelemek için seçiyoruz.
Ş~kil 17 - 16 tek bir paket halinde bulunan, TTM elemanlarından ibaret olan
mantık fonksiyonlarını göstt>riyor. Bu örnekler altılı, TERS ÇEVİRİCİ, dörtlü
iki - girişli VEDEĞİL geçitini, üçlü üç - girişli VEDEĞİL geçitini ve iki JK tlip-
flop'unu (bak Kes.17 -11) ihtiva etmektedir.
Tipik bir toplulukta başka paketler, iki dört-girişli VEDEĞİL geçiti, bir
sekiz · girişli VEDEĞİL geçi ti ve VE - VEYA - TERS ÇEVİR geçi ti diye adlandı­
rılan ve iki veya daha fazla VE ggçitinden olu:ıan ve VEY AD EĞİL geçitini süren
geçitleri ihtiva eder. Eğer orta - skala- integrasyon (OSİ) ve büyük - skala - integ-

440
 (bl

J o
Ck
K ö
y
R

J o
Ck
K c
y
R
(c 1 (dl

Şekil 17 - 16 TTM, TD örnekleri (a) altı ters çevirici, (b) dörtkutuplu

iki - girişli VEDEĞİL geçiti, (c) üçlü üç - girişli VEDEĞİL geçiti, ve (d)
iki JK flip - flop

rasyon (BSİ) aygıtlarını gozonune alırsak bir tek yonga üzerinde oldukça kar-
maşık mantık sistemlerini bulacağız. BSİ aygıtı örneği el hesap makinaların­
daki aritmetik hesaplan yapmak için kullanılan yongadır.
Şekil 17 - 17 üç - girişli TTM VEDEĞİL geçitinin basit biçimini gösteriyor.
Burada bir tek tabana giden üç yayıcısı olan Q1 transistörünii görüyoruz.
Bu yapı, TD biçiminde kolayca gerçekleştirilir ve üç transistörlü yapımla
karşılaştırıldığında yonga alanından kazanç sağlar. Bu incelemenin amacı için o1
transistörüne bir transistörden çok diyodlann bileşimi gözüyle bakılabilir. Taban
yayıcı yolunu bir diyod gibi davranan biçimde düşünmeye alışkınız; buna göre
A,B ve C girişleri P noktasına diyodlarla bağlanmış olmaktadır. Benzer biçimde
tabandan toplayıcıya olan ve p - tipi maddeden n - tipine giden yol, doğru

441
 ~ - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ''cc = 5 V

Ao-------J
Be----~ X
co---------'

Şeki 17 · 17 Basit TTM VEDEĞİL geçiti.

yönü P den X e olan bir diyod gibi davranabilir. A,B ve C girişlerinin üçü de yük-
sekse, ( 1 de), P noktasının voltajının yükselmesini umarız. Bu P - X arasındaki
"diyodı,;'' açar. O zaman X noktası voltajca yükselerek~ ü açmaya (doyuma)
meyillenir; böylece Y noktası düşer. Bu sonuç Y = ABC mantığını doğrular.
Eğer Q 2 ve Q 3 ün taban• yayıcı voltajlarını 0,7 V ve P den X e olan voltajı 0,6
V olarak düşünürsek P noktasının voltajının 2,0 V olduğunu hesaplarız.
Şimdi B _ve C yüksekken A = O, yani aşağı gitsin ve diyelim 0,2 V olsun.
Bu durumda P den A ya giden yolun, akım taşıdığını ve bu nedenle P noktasının
voltajını P . B ve P - C eklemlerini ters besleme geçirecek bir değere düşürmesi.ni
bekleriz. Buna göre P noktasındaki voltaj, 0,2 V artı 0,6 V veya 0,8 V olarak
hesaplimır. Bu voltaj P den X e,X den X'ne ve x' den toprağa seri bağlı eşdeğer
diyodları çılıştırmaya yeteri! olmaz. Bunun sonucu olarak Q2 ve Q3 kesilime ve
Y noktası YÜKSEK e gider ve bu da ABC mantığı ile uyuşma halindedir.
· Devrenin incelenmesi,Q 2 ve Q 3 transistörlerinin doyumdan kesilime gitmesi
sırasında Q 1 in aktif bir transistör olarak davrandığını ve böylece Q 2 de depo
edilen yükü uzaklaştıracağını gösterecektir. Bu TTM geçitlerinin yüksek hızda
olmasının nedenini ortaya koyuyor.

Çıkış ucu Y, kendisini izleyen mantık devrelerinin bir veya daha çok giriş­
lerini çalıştırmalıdır. Bu, bazen sürücü hatların ve şebekelerin belirli bir sığaya
sahip olması anlamındadır ve puls sırasında yüksek akım kaynağı gerektirir. Bu-
nunla birlikte, eğer bunu izleyen TTM geçitleri mantıksal O girişe sahipse, akım
tedarik etme yerine Y noktasının kendisinden sonraki geçitlerden dönen akımı
soğurması veya mecra olması gerektiğini görürüz. TTM geçitlerinde yüksek-
akım (alçak impedans),akım kaynağı tedarik edebilmek için daha karmaşık çıkış
şebekeleri,. Şek. 17 - 18, kullanılır.
Bu devrede Q 2 transistörü, Rl ve R 2 ile Q 3 ve Q4 ün tabanlarımçalıştınnak

442
 A.o------'
Bo-------'
Co------___.
1000 R2

Şekil 17 · 18 işlenmiş çıkışlı TTM VEDEĞİL geçiti.

ıçın faz bölücü olarak davranır. R 3 , Q 4 , D ve Q 3 elamanlarının kulonuna

işlenmiş- kutup çıkışı denir. Bunun. çalışmasını anlamak için Şek. 17 - 19 a
bakıyoruz.' Şeklin (a) kısmı mantıksal 1 için koşullan gösteriyor. O zaman Q 2
v'e Q 3 kapalı ve çıkış akımı iL, Q 4 ile diyod yoluyla tedarik edilir ve Q 4 ,
Rı yoluyla gelen taban akımı vasıtasıyla açık tutulur. Q 4 bir yayıcı izleyici gibi
davrandığından çıkış voltajı şimdi küçüktür. Bundan başka durgun çıkış
akımı küçüktür; diyelim 0,3 mA dır. Çünkü,bu akım kendisini izleyen ve bütün gi-
rişleri YOKSEK olan ters, sızıntı akımlarından ibarettir. Bununla birlikte devre,
voltaj aı:tarken devre sığacını hızla yüklemek için gereken daha yüksek akımları,
diyelim 20 mA, sağlayabilir.

----------4 5V 1 - - - - - - - - - - 4,5 '/

0_,9V
I\Ç. 0J
0.7 V

lal (b)

Şekil 17 - 19 'M'M VEDE<llL geçitinde (a) mantıksal 1 ve (b) mantıksal

O için çıkıt devre koıullan.
443
 Şimdi çıkışın mantıksal O durumu için Şek. 17 - 19b yi gözönüne alalım.
Burada.,izleyen geçitler mecra akımı Is yi çıkış ucuna gönderir. Bu, 0 3 tarafın­
dan fakat çıkış voltajının yükselmesine izin verilmeden soğurulmalıdır. Böylece
Q;, Q 2 den gelen taban akımı vasıtasıyla doyumda saklanmalıdır. Şimdi bu devre-
ye diyodun neden eklendiğini görebiliriz. Q 4 transistörü Q 3 ün taşıdığı akımı
azaltmak için kapalı tutulmalıdır. Eklenilen diyod, Şek. 17 - 19 b de konduğu
gibi hesaplanan voltaj düzeylerini etkiler ve böylece Q4 ün tabanından, diyoddan
geçerek yayıcısına gelen seri devre belirgin bir iletime izin vermek için yeter
voltaja sahip olmaz. Q 3 doyumda olduğundan çıkış impedansı,Q 3 ün düşük do-
yum impedansına eşittir.
Buna göre geçitin çıkış impedansı,0 ve 1 durumlannda düşüktür. Bu normal
yük ve geçici yük akımlannı tedarik etme ve soğurmanın ikisi için de olduğu gibi
gürültü akımlannın etkisini azaltmak için de istenen bir özelliktir.
Tipik geçit değişkenlerinin bir özeti ilgi çekicidir. Tipik güç kaynağı
voltajı 5 V ve çıkiş· salınımı 3 V dur. O zaman güç, 15 mV/geçittir. İlerle­
me geçikmesi, dallanmaya bağlıdır fakat 13 nsn tipik bir değerdir. Maksimum
dallanma 10 dolayındadır. JK flipsfloplan kullanıldığında tipik sayma hızı 35 MHz
dir. Değişkenlerinin böyle iyi olması, çeşitli geçitleri, flip-floplan ve hafızalannın
bulunması, aynca 'fTld topluluğunun yüksek-hızlı ve düşük güç değişimleri
olması TTM seri_sinin aygıtlarda geniş biçimde kullanılma nedenini göstermektedir.

17 - 10
Basit tamamlayıcı simetri metal oksit yan iletken
(TSMOYI) geçitleri

Bölüm 3 de n - kanallı artırıcı - tipte metal oksit yarı iletken alan - etkili
transistörleri (MOYİAET) gördük. Bu tiplerde geçitten kaynağa olan voltaj VGS
sıfırsa, akıtıcı akımı yaklaşık sıfırdır. Bununla birlikte, boşalan tip olarak adlandı­
rılan MOYİ transistörde Vas=0 olduğu· zaman dikkate değer ölçüde akıtıcı
akımı vardır ve i yi kontr~l etmek için negatif geçit voltajı uygulanır.
O
Bundan başka MOYI transistörler p-kanallı olarak da yapılır ve bunlar artı­
rıcı ve b~şaltıcı modlarda çalışırlar. Buna göre dört farklı tipte MOYİ transistör
vardır ve bunlar Şek. 17 - 20 deki sembollerle gösterilirler. Bu diyagramlarda
G, D ve S sırasıyla geçit, akıtıcı ve kaynaktır. B ucu gövde maddesini gösteriyor.
Bazen B içten S ye bağlanır bazen de dışarda bırakılır. B bağlantısı üzerindeki ok
yönü transistörün p-kanallı veya n-kanallı olduğunu gösteriyor. Gövde
maddesi v~. kanal bir pn eklemi oluşturtır ve oklar bu "diyodun" doğru besleme
yönünde çizilmiştir. Artıncı aygıtlar sembolik kanaldaki aralıklardan anlaşılır.
Bunlar geçit voltajının sıfır olması· durumunda akıtıcı akımının sıfır olduğunu

444
anlatmak içindir.
Yapımının daha az güi,' lüğü nedeniyle, TD geçitlerinde ilk kez p kanallı
artırıcı MOYİAET kullanılmıştır. Sanatta ilerlemeyle n kanallı yapılar pratik-
leşmiş ve bunlar p-kanallı aygıtlarla aynı yonga üzerine yapılabilir olmuştur.
Bu, tamamlayıcı simetri ilkesinin uygulanmasına izin vermiş ve TSMOYİ aygıt­
lar topluluğunun ilerlemesine götürmüştür.

+
~
G
+·
j
._JD
~ .... -·B
ı-7s
(o) n-kanalı
U ~-
-
._jD
1--ı
:s
(b) P-kanalı
B
~~B
(cln-kanalı
~~:,
ı: ıP-kanalı
1( Artmalı )ı (Artmalı) (Azalımlı) (Azalımlı)

Şekil 1 7 - 20 MOYİAET için semboller.

Şekil 17 - 21a da gösterildiği gibi basit bir TSMOYİ ters çevirici, birisi p-ka-
nallı öteki n- kanallı tipte iki artırıcı tipte birimi seri olarak bağlayarak yapı­
lır. + V DD voltajı p-kanallının S ucuna gider ve böylece akıtıcı kaynağa göre
negatif olur. Bu kutuplanma yani VDS ve VGS nin negatif olması p-kanallı aygı­
tın aktif bölgeye gelmesi için gereklidir. Bu iki geçit birbirine bağlanır ve geçit
voltajı iki transistörün dirençl_erini ters biçimde kontrol eder, yani bir direnç yük-
selirken öteki düşer.
örneğin, Vgir=O varsayalım. O zaman aşağıdaki (n-kanallı) birim kesilimde
fakat yukarıdakinde (P-kanallı) V GS nin değeri -V DD dir. Buna göre yukarıdaki
birimin direnci düşük ve çıkış voltajı, Vçık• yaklaşık + v 00 dir16öylece de çıkış
girişin tersidir. Bunun aksine Vgir YÜKSEK ise, diyelim yaklaşıktV DD ise, o za-
man p-kanallı birim kesilimde, n kanallı birimin direnci düşük ve çıkış yaklaşık
sıfırdır.

+JVoo Voo
'
' \ ' '\ \
'
tlh
~
rl
u,
> \ \
G 1 1 1
. D çıı<. il), 1 1
rl
~
rl
1
1 \ 1
1

tır ~ tık
u,
G ' '
\ \
\
o
o
' V:,~
Giriş-Vgir

(al (b)

Şekil 1 7 - 21 TSMOYI ters çevirici : (a) devre çizimi, (b) aktanm belirgeni.

445
 Ters çeviricinin her iki durumunda v 00 den çekilen akım düşüktür. Bunun
sonucu olarak hareketsiz güç akımı düşük ve tipik olarak bir mikrowattan küçük-
tür. Şekil 17 • 21b deki dolu eğri V çıkın Vgire göre tipik aktarım belirtgenini
ve noktalı eğriler en büyük ve en küçük sıcaklıklar halinde bu eğrinin yerlerini
gösteriyor. Ekseriya O ve 1 mantık düzeyleri için giriş sinyalleri O ve VID ve
çıkış düzeyleri yaklaşık V DD ve O dır.
Bundan sonra, Şek. 17 • 22a da iki girişli VEDEĞİL geçi tine dönelim. Bu
devrede hiç bir dirence gerek duyulmaması gerçeği, yonga düzeyinin MOYİ devreler-
de çok etkin olarak kullanıldığı ve yonganın birim yüzeyindeki elemanların sayısı­
nın büyük olmadığı anlamındadır. VEDEĞİL geçitinde seri olarak (N 1 ve N2 )
iki kanallı aygıt vardır. Bu devrenin çılışmasının açıklanmasına yardım için Şek.
17 · 22c deki tabloya bakalım. Burada DUŞUK girişin OV ve YOKSEK girişin

AD-çık
B .

Vçık (bl

A B P1 N2 ~ık
A
s o 0, .A K y
o y 1ı . ,.K. A
ll
B
o ,J7 y.
y
o
Y__ı_l
K. 'K
A D

(ol tel
Şekil 1 7 - 22 İki girişli TSMOYİ VEDEĞİL geçiti.

VDD V olduğunu varsayıyoruz. Her bir transistör için açık veya kapalı gösterimi
kanallarının sırasıyla düşük dirençli veya yüksek dirençli olması demektir. A girişi
DüŞüK ise o zaman P 1 in geçiti topraktadır ve böylece geçit d akıtıcısına göre
negatiftir ve P 1 açılır. Benzer biçimde eğer B DüŞUK ise o zaman P 2 açılır.
Bununla birliktet N 1 ve N 2 kapalıdır, çünkü onların geçitleri ya kaynaklarının
voltajında ya da daha aşağıdadır. Bunun sonucu olarak, çıkış YOKSE~ tir. A
veya B nin birisinin girişi YüKSEK ise o zaman P1 veya P2 den birisi açık öteki
kapalıdır: Buna göre, v 00 ucundan V çık a kadar alçak direnç yolu vardır ve
çıkışla toprak arasında yüksek dirençle karşılaşılır. öyleyse,her iki durumda da
V çık YüKSEK tir. Sadece, her iki giriş de YüKSEK olduğu zaman P1 ve P2
kapanı~N 1 ve N2 açıldığında DüŞüK çıkış elde ederiz. Buna göre devrenin
çıkışı AB ye karşılık gelir.

Şek!_l 17 - 23a daki iki girişli TSMOYİ de iki p-kanallı birim seri ve iki
n- kanallı birim paraleldir. Devrenin çalışması :-}Pk. 17 - 23c deki tablo incelenerek
çözümlenebilir. Çıkışın, VEY AD EĞİL veya At B olduğunu görüyoruz.

446
 A \DO
7 A~~ Çık
B~

8---+-------.... 2 (b)

ık A B Pı P, çık
Nı N2
D D A A K K y
D y A K K A D
y D K A A K D
y y K K. A A D

(.:' (el
Şekil.}7 · 23 İki girişli TSMOYI VEY ADEĞİL geçit.

önceden belirtildiği gibi TSMOYİ aygıtlar çok düşük durgun akım güç akıtıcısına
sahiptirler ve birim düzeye düşen elemanların sayısı yüksek olacak şekilde
yapılabilirler. İyi gürültü bağışık~kları ve dallanma kapasiteleri vardır fakat hızlı
. iki \(utuplu transistörlü aygıtlardan yavaştırlar. Oöl_ve Böl kullanan çok çeşitli
mantık geçitleri, flip-floplar, kod okuyucular ve daha-karmaşık aygıtlar vardır.

17 -11
Flip - floplar: RS, saatli RS, JK

Bölüm 16 da çeşitli ikikararlıdevreleri tanıttık ve özellikle dalgabiçimleme

uygulamalannı inceledik. Şimdi incelemeyi TD biçiminde olatı flip- floplan
içine alacak ve uygulamalarını gösterecek biçimde genişletmek istiyoruz . örneğin
bilgi işleme bilgi çıkışı, ya mantıksal O veya 1 olan Dip - floplarda ikili biçimde
depofiıntr. Buna göre flip - flop bir hafıza gibi davranır ve bilginin 1 durumunu
saklar.
Şekil 16 - 15 de gösterilen temel flip - flop çıkıştan girişe çapraz kuplajh
iki ters çevirci kattan ibarettir. Bu devre basit olarak ilri çapraz - kuplajlı mantık
sembolü biçiminde, Şek. 17 - 24a, gösterilebilir ve-bunun bir doğrudan çıkışı
Q .!~ Q tamamlayıcı çıkışı vardır. Bununla birltkt~aevre,gösterildiği gibi hiçbir
girişe sahip değildir ve bu flip-fiop 1 durumundaki çıkışı ani olarak toprakla -
mak gibi kaba bir yöntemin dışında durum değiştirmez. Bu şebeke görünen ne-
denlerden ötürü mandal adını aiır.
Kontrol girişleri olan bir flip - flop devresi Şek. 17 - 24b dl! gösterilmiştir.
S ucu kurınıt girişi ve R de yeniden kurma veya temizleme giriş:idir. Bu girişler,
aşağıdaki kısmi doğruluk tablosundan görüleceği gibi flip - flopu istenilen duruma
koymak için kullanılabilir.

447
 Ro---~~-.., o
Yeniden

(ol
Şekil 17 - 24 (a) Temel flip - flop veya mandal. (b) VEDEĞİL geçitlerin-
den yapılan kur-yeniden kur (SR veya RS) flip-(lopu.

Girişler Çıkışlar

s R Q Q

1 o 1 o
o 1 o 1

Buna göre Q çıkışını 1 e kurmak için Sccl, R=O ve durumu değiştirmek için R =l, 0

S=O uygulanz. Bu sonuçlar VEDEĞİL geçitlerinin bilinen özellikleriyle uyum ha-

lindedir. Bununla birlikte S=R=O girişi Q -Q= 1 oluşturur fakat çıkışlar birin\n
0

tamamlayıcısı olacaksa bunlar izinli değildir. S=R=l girişi S veya R den

hangisjnin son olarak 1 değerini aldığına bağlı bir çıkış verir. Bu, aşağıdaki tablo-
da açıklanmıştır.

Girişler Çıkışlar

s R Q Q

o~ ı 1 o 1
1 0-1 1

Buna göre R=l ise S de O dan 1 e giderse çıkış değişmez Q =0, Q=l de durur.
Aynı şekilde eğer R sonunda 1 e ulaşırsa çıkış Q =1, Q=,0 .da durur.
Geçen paragraflarda giriş düzeyinin değişme zamanının (veya girişte
pulsun olmasının) flip-flopun çalışmasına hiç bir etkisi olmadığını varsaydık.
Bu, aynızamanlı olmayan çalışmadır. Bununla birlikte bir çok sayısaİ sistemler-
de, özellikle büyük sistemlerde aynı anda ortaya çıkan bir mantıkla çağnlan bü-
tün değişikliklere sahip olmak bir avantajdır. Buna aynızamanlı çalışma denir ve
bu bir saat pulsu denilen ve sistem boyunca istenilen değişiklikleri harekete
geçiren bir pulsla başanlır: İstenil~n değişikliklere göre bilgi, saat pulsunun çıkış­
taki son değişiklikleri harekete geçirebilmesine kadar sistemde depo edilmeli veya

448
tutulmalıdır. Tipik bir saat puls dizisi Şek.17-25 de gösterilmiştir. Pratik sistem-
ler, saat pulsu için yararlanılan pulslar arası atma zamanına göre değişirler.
Şekil 17 - 26a bir tip saatlenmiş RS flip-flopu gösteriyor. Dikdörtgenler
içindeki geçitlerin Şek. 17 - 24b deki temel flip-floptan oluştuğuna dikkat ediniz.
N3 ve N4 geçitleri saat pulsu ile kontrolü sağlamak için eklenmişlerdir. Çözüm-
lememizde zamanı ihtiva etmek için peşpeşe rı ve n + 1 atma zamanlarını, Şek.
17 - 25, düşünelim ven atma zamanı sırasında çıkıştaki Q durumunu Q O olarak ve
n ➔ 1 atma zamanındakini de Qn+ 1 olarak işaretleyelim.

Şekil 17 - 25 Peşpeşe sayısal pulsları aynı zamanlı kılmak için saat puls
dizi"si.

.So-,

~~~}G·
.
Kurma 1 ~ X
~ ·

N4
o
-

Sn
L

(b)

Rn On,ı

o o o.
R· 1 o 1
Yeniden kurma
o 1 o
1 1 ·;
__J
(el

Şekil 17 - 26 (a) Saatlenmiş bir RS flip -flopu, (b) onun mantık sembolü
ve (c) doğruluk tablosu.

Saat pulsunun etkisinin ince.lenmesine yardım için Tablo 17 - 7 yi yapıyoruz.

Burada S,R, CL ve (,} noktalannda olduğu gibi X ve Y gibi ara noktalarda da
mantık durumlarını gösterdik.

CL=O için ilk dört sıranın hepsi X=Y=l oluşturur, bundan ötürü çıkışta hiç
bir değişiklik olmaz. Bu durumda flip-flopun, S ve R nin değerlerine bakılmak­
sızın bilgiyi depoladığı veya tuttuğu ifade edilir.

t RS flip-flopund.ı s=Rccı girişi bir istisnadır ve çıkış belirsiz olduğundan

bu durumdan kacılmalıdır.

449
 Tablo 17 • 7 Saatlenmiş RS ffip·OÔpu için Doğruluk Tablosu.

S,. R,. CL X y

o o o 1 1 Q.
1 o o 1 1 Q,.
o 1 o ı 1 Q,.
1 1 o 1 1 Q,.
·---------------------------------------------------
o o O-ol 1 ı Q.
1 o O-+ 1 1 -+O 1 1
o 1 O-+ 1 1 1-+0 'o
1 1 O-+ 1 1 -+O 1 -+O Belirsiz

Son dört satır, saat du~mu O dan 1 e değiştiği zaman Qn+ 1 ene olduğunu
gösteriyor. Sn =- Rn = O ise çıkış Q n de kalır. Fakat Stı = 1, Rn=O için çıkış
Qn, l · 1 e kurulur. Aynı biçimde Sn ~O, Rn~l için çıkış yeniden Qn+ ı70 a
kurulur. Yani bu iki koşul için flip-flop bundan sonraki saat pulsunda önceki Sve
R değerlerine cevap verir. Tabloda son sıranın gösterdiği üzere Sn=Rn=l olduğunda
CL 1 e gider, X ve Y nin ikisi de sıfıra gider ve bundan ötürü çıkış belirsizdir. Bu
nedenle Sn=Rn=l halinden kaçılmalıdır.
özet olarak saatlenmiş RS flip-flopunun çıkışının (1) kurma, (2) yenidE:n
kurma, (3) bir sonraki saat pulsunun yükselmesinde, önceki durumu saklayacağı­
nı görebiliriz (Şek. 17 • 26c deki doğruluk tablosuna bakınız). örneğin, Sn=l
ve Rn = O olduğunda Qn+ ı=l olur. Bu çıkışı kurmanın alı!?ılmış anlamıdır. Saat-
lanmiş · H.S flip-t1opunun çıkış durumu saat pulslarının arasında değişmez.
Kuşkusuz, flip-flopta depolanan bilgiyi kullanmak için bilgi değişmeden önce
çıkış anlamlandırılmalıdır.

JK flip-flopudenilen daha geliştirilmiş flip-flop, RS flip-flopundan her iki gi-

riş de 1 olduğunda karşılaşılan belirsizliği kaldırır. JK flip-flopu çeşitli bi-
çimlerde gözükür fakat bir çok TD ler ana• güdümlü ilkesini kullanır. Bu, bilginin
ana flip-flopa geçitlenmesi v~ saat pulsunun uygun bir anında giidümlü flip-flopa
aktanlması demektir. Bu iki flip-flop giriş, çıkış ve geribcsleme bağlantılarıyla
Şek. 17-27 de mantık diyagramı biçiminde gösterilmiştir. Bu şebeke JK girişleri•
nin emirl~rini kaldırmak için kullanılabilen kurma ve yeniden kurma uçlanna da
sahiptir. Böylece Şek. 17 • 28a da gösterildiği gibi temel birimin yedi kontrol ve
sinyal uçlan vardır. Çoğu kez bunun ticari TD biçimlerinde, VEDEĞİL geçitleri•
nin girişine iki ek J ve K girişleri var<lır ve bunlar mantık uygulamalarına esneklik
ekler.
Şekil_ 17 • 27 den ana flip-flopun CL saat sinyalini ve güdümlü fllp-fiopun
ters çevrilmiş CL sinyalini aldığını görüyoruz. Böylece CL düşük iken ana değişik-

4SO
 Şekil 17- 27 Kurma ve yeniden kurma kapasiteli ana - güdümlü JK flip -
flopunun mantık diyagramı.

,.

Joo
, •• 1
Kurma
J K On+l
o o o.
o 1 o
CL. _
~ . o 1 o 1
1 1 a.
Yeniden kurma
lal (bl

Şekil 17 - 28 (a) Mantık sembolü ve (b) JK flip-flopu için kurma=l varsa-

yarak düzenlenen doğruluk tablosu.

tikten menediİir(RS flip-flopta olduğu gibi;bakınız Tablo 17 - 7) fakat CL yük-

selirken bilgi kabullenir. Bu sıra, Şek. 17 - 29 da açıklanmıştır. Bu şekilde

Yükseks!at vol taj,CL

OO,;ük , :/ \ , Zaman
1 ı I ı Ana ı ı
,-Ana görev yapama~ -ı- görev yapar .; ◄ ! Ana görev yapamaz
l :- Güdümlü --ı.Güdümlü yalıtılmış ..i◄ güdümlü anayı
A.11 kopyalar:. ; ç3ilqi anaya ; LJ kopyalar
ı ◄· (girmiş r·,
lBilgi güdümlüye
aktarılmıştır

Şekil 17 - 29 Ana- güdümlü JK flip-flopunda olaylann dizisi.

451
not edildiği gibi CL YüKSEK iken güdümlü flip-flop anadan ayrılmıştır, çünkü
onun saat ucu CL yi aldığından DüŞüK tür. Saat voltajı CL düştüğünde
anadaki puls güdümlüye aktarılır ve çıkışlar buna göre cevap verir.
Baştan başa çalışması, CL YÜKSEK e gittiğinde J ve K daki giriş du-
rumları anaya girer, CL DUŞ üK olurken durumlar güdümlüye aktarılır ve
Q ve Q çıkışlarında gözükür, denilerek tanımlanabilir. Şekil 17 - 28b deki
doğruluk tablosu bu davranışı özetlemektedir. J= 1, K= 1 girişinin izinli olduğuna
ve tn+ 1 de Qn çıkışında sonuçlandığına dikkati çekelim. Böylece eğer J ve K
mantıksal 1 de tutulursa, çıkışların her saat pulsunda değişmesini bekleriz. Bu ey-
lem mandallama olarak bilinir ve bazı sayıcılarda kullanılır.

Kurma ve yeniden kurma sinyalleri şebekeyi! direkt olarak aşağıdaki tabloya

göre etkirler.

Kurma Yeniden Kurma Q. Q

o 1 1 o
1 o o 1
Bu sonuçlar J ve K girişlerinin durumlarından bağımsızdır.
Çalışması ayrıntılarda şimdi tanımlanandan farklı, toplu devre JK flip-flop-
ları da. vardır. Bununla birlikte, bunlar Şek. 17 -28b deki doğruluk tablosunda
verilen temel mantıkla uyuşur.

17 - 12
Aynı zamanlı olmayan veya dalgalanan ikili sayıcılar

Flip- flopların basit bir örneği olarak üç-katlı, aynı zamanlı olmayan sayıcıyı
gözönüne alalım. Bu sayıcı sınıfında sabit-fre)rnnslı saat pulsu kullanılmaz ve
giriş pulsları ulaşma anlarına bağlı olmadan sayılırlar.
Bu s_ayıcı için üç JK flip- flopu kullanıyoruz, Şek. 17 - 30, fakat tüm J ve K
girişlerinin mantıksal 1 e bağlanmış olduğunu ve tüm S ve R girişlerinin O da

kaldığını varsayıyoruz. Geçen kesimden J=K=l olduğunda Q0 + 1 =Qn olduğunu

hatırlıyoruz ve bu durumda flip - flop her saat pulsunda mandallar. Bu-
na göre giriş pulslannı, A flip-flopunun CL ucuna uyguluyoruz. Flip-flopların saat
pulsunun s~_nunda, yani pulsun aşağı giden kısmında mandalladığını varsayıyoruz.
QA çıkışı B flip-flopunun CL ucuna bağlandığından ikinci giriş pulsunda QA 1
den O a giderken B nin mandallanmasını umarız. Benzer biçimde QB çıkışı C flip-
flopuna etki eder ve C, 4. giriş pulsunda durum değişir. Devrenin davranışını

452
 s s o s

J1 J
CL
C
o,

R R R

[J[__IT__
·o

: I_________ _ı
....L-IOe _________L
,-------------------- 1
o--------_,____________________ 1 Oc
_ı___

Şekil 1 7 - 30 Basit üç - katlı dalgalanan sayıcı ve dalgabiçimle~.

Tablo 17 - 8 de verilen her pulstan sonra çıkışı gösteren doğruluk tablosu yardı­
mıyla özetleyebiliriz. Çıkışları soldan sağa doğru Qc, Q 8 ve Q A olarak en az an-
lamlı puls en sağda olacak biçimde sıralayarak çıkışın iki sayısına karşılık
geldiğini gözleriz. örneğin 3. pulstan sonra çıkış 011 dir.

Sekizinci puls, tüm sayıcı katlarını sıfır çıkış durumuqa çevirir ve bu da

başlangıç halidir. Bu devre 8 sayıcı olarak adlandırılır. C flip-flopunun çıkışı
giriş puls hızının sekizde birinde durum değiştirir.
Eğer şebekeye ek bir flip-flop katılırsa 2 4 de bir veya 16 da bir sayan sayıcı
elde ederiz. Eğer Şek. 17 -30dakidalgabiçimlerini yapsaydık tüm dört flip-flopun
çıkışlarının onaltıncı pulsta 1 den O a düştüğünü bulurduk. Her flip-flop
durum değiştirmek için kısa fakat sonlu bir zamana gerek duyduğundan ve her
peşpeşe flip-flop, girişini zincirde kendinden önce gelendı:n aldığından, değişik­

liklerin tamamlanması için onaltıncı pulstan sonra gereksinen zaman bir flip-flopun
gecikme zamanının dört katıdır. Zincir boyunca olan bu değişikliklere dalgalanma
denir ve bu davranış sayıcının dalgalanan sayıcı adını almasının nedenidir. Eğer
yüksek • sayma hızı isteniyorsa dalgalanan sayıcılar flip - flopların sayısı nedeniyle
sınırlıdır.
5 sayan bir sayıcının gerektiğini varsayalım. A ve B flip-flopla~nın, kurma

453
 Tablo 17 • 8 Oç · Katlı Datıalı Sayıcıda Durumlar.

Puls Qc Qa Q,.

o o o o
1 o o 1
2 o 1 o
3 o 1 1
4 1 o o
5 1 o 1
6 1 1 o
7 1 1 1
8 o o o
uçlarına, Şek. 17-31, QC den bir geribesleme ekleyerek, 8 ölçekli sayıcıdan
yapılır.Geribeslemenin amacı, bundan sonraki giriş pulsunu,biz buna şekilde 1 sa-
yısı diyoruz, alır almaz ikili çıkışın 111 den 011 e değişmesine neden olmaktır.
Geribesleme bağlantısı olmadığında 1 pulsu 000 ikili çıkışını oluşturur ve 001,
010, .... , 000 saymalanndan geçmesi için yedi ek puls gerekir. Sonuç olarak
geribesleme, sayıcının 011 saymasıyla (1.pulstan sonra) başlamasına ve 100,
101, 111 boyunca toplam beş puls: saymasına neden olur ve dizi böyle devam
eder.
5 saymalı sayıcının çıkışlarını giriş pulslannın onluk sayması cinsinden açık­
lamak· istersek aşağıdaki kodlamaya (temel ikili sayı kodlamasından, 421, farklı)
gerek vıırdır:

100 . 101 110 111

Onluk Sayma= 1 2 3 4 5

Buna göre her flip- flopun çıkışına ışık-yayan diyod gibi bir çıkış göstericisi ko-
yarsak koda bakabilir ve ondalık saymayı belirleyebiliriz.
Ondalık, sayma · çok alışkın olduğundan.,açık _olarak O dan 9 a kadar sayan
ve bunu tekrarlayan sayıcı gerekir. Bundan başka eğer O, 10, 20, ... , 90 sırasında
sayan ikinci bir sayıcı eklenebilirse 99 a kadar sayılabilir. Bu,iki - onlu bir sayıcı
olur. Birinci onluk 9 dan sıfıra değiştiğinde ikinci onluğun O dan 10 a gitmesine
neden olacak bir elde sinyaline gerek olduğunu anlıyoruz.
Dört flip-flop zinciri 16 ya kadar sayabildiğinden 10 durumlu bir sayıcı,
dört flip-flop zincirinden sayıcıyı dokuzuncu durumdan onaltıncı duruma
atlatarak elde edilebilir. Bu, Şek. 17 - 32 deki, sayıcıd:ı geri ve ileri besleme bağ­
lantıları ile-D flip-fiopunun J girişini çaliştıran VE geçitiyle başarılır. Dalgabiçim-
lerinin incelenmesi ikilide sıranın Q-D QC Q 8 () A ciı,,inden, 0000, 0001, 0010,
0011, 0100, 0101, 0110, 0111, 1000, 1001, biçimindedir ve sonra 0000 a

454
 C geribesleme
,--------------ı

J S Oe
<Y,.,....------ı CL B
• K Öe K Öc

R R R

~- _n, rı2 n3 ·n4 n.~3

~ L,_j LJ LJ LJ L

___ı ------- -
Oc, _ll - .
o- --- - . .- ---- ---- ----- - -- - -
Şekil 17 - 31 üç katlı sayıcıya geribesleme eklenerek elde edilen 5 skalalı

sayıcı ve dalg~biçimleri.

döner.Böylece ondalık sayma 8421 ikili kodundan elde edilir.

Şekil 17 -32 de A flip-flopunda J= K= 1 olduğundan basit bir mandal gibi
davranır ve Q A her giriş pulsunun aşağı giden kısmında tamamlama yapar. B flip- -,
flopunun davranışı D flip-flopunun durumuna bağlıdır. Sıfırcı pulstan sonra
Q0 =O ve Q0 =1 olduğunu varsayınız. Buna göre D nin durumunda değişiklik ola-
na kadar B mandallanacak fakat bu 8. pulsa kadar vuku bulmayacaktır. C flip-flopu
için de J=K=l dir ve Q 8 den uygun sinyal alır almaz mandallanır. Buna göre
QA' Q8 ve QC durumları üç-katlı sayıcının 7 pulsu için aynıdır.
D flip-flopu VE geçiti nedeniyle J=QBQC girişini. alır. Şekil 17-32 c:eki
dalgabiçimlerindım D nin J si altıncı pulsa kadar O da kalacak ve altıncı p•ıls
anında 1 e gidecektir. Fakat D, CL girişini QA dan alır ve QA 8. pulsa kadar aşağıya
giden geçiş göstermez. Bu noktada D flip- flopu durum değiştirir böylece Q0
1 e ve Q0 O a gider. Bunun sonucu olarak B flip-flopu J=K=O a sahiptir ve Q0 ge-
riye yani 1 e gidinceye kadar durum değiştirmez böylece B nin J ve K sı 1 e döner.
9 uncu puls, beklenildiği gibi, A flip-flopunun durum değiştirmesine neden olur

455
 o, 08 Oc Oo
lleri beslem ------+--
J o, J Oo
Gir-A-~CLA. .___ _~CLD

1 K O, K Oo
geri besleme

Oe
1 :

1 :

~. ______________ __, [:
Şekil 1 7 • 32 Dört JK flip-flopu kullanarak yapılan ikili kodlu onlu sayıcı
ve dalgabiçimleri.

fakat· O pulsu Q 8 nin durum değiştirmesine neden olmadan Q A nın 1 den sıfıra
gitmesine neden olur. Aynı zamanda QA daki geçiş D ye CL sinyalini verir ve bu
Qo nin O a dönmesine neden olur. Buna göre bütiin flip-floplar 10 pulstan sonra
orijinal O durumlannı alırlar.
önceden söylendiği gibi onlukların bir zinciri pratik bir sayıcı oluşturmak
ıçın kuple edilebilir. Kuplaj şebekesi kendinden önceki onluğun 9 dan O a
her gidişinde bir elde sinyali taşımalıdır. Okuyucu uygun bir devrenin, geçit-
leri Q A ve Q8 den alınan ve çıkışı bundan sonraki onluğun giriş ucuna giden bir
VE geçiti olabileceğini doğrulayabilir. Bundan başka, onluk sayı göstericilerinin
göstergelerini çalıştırmak için flip-flopların çıkış düzeylerini sinyale dönüştü­
ren kod çözücü devrelere gerek va~ır.
 17-13
Onluk sayma göstergesi ;
doğnıdan okuma aygıttan

Geçen kesimdeki sayıcdar, ikili ayı sisteminde bir çıkış gösterimi verirler.
Açıklamada kolaylık için her saymayı onluk sayı olarak gösteren bir dotrudan
okunabilen gösterim i~nir. İkiliden onluta kod çözücü olarak adlandınlan şebeke,
onluk sayı göstericisini çalıştırmak için gereksinen sinyali oluşturacaktır.
Şekil 17 • 33 8 skalab sayıcı için her onluk sayı başına üç girişli bir VE
geçitine gerek duyan bir kod çözücü şebekeyi ıösteriyor. Burada üç flip-flop A,B
ve C 11\ft Şek. 17 - 30 daki dalgalanan sayıcıya benzer olarak ikili-lCodlu onlu sırada

'

A
o B o\ C
Q

ö G ö
LSD 111SD

Şekil 17 • 33 8 sayıcı için ikiliden-onlul• kod çözücü devre.

457
çıkışlara. sahip olduğunu varsayıyoruz. Buna göre A nın çıkışı en az anlamlı ve
C ninki de en büyük anlamlı sayıyı gösteriyor. örnek için,ikili olarak 101 veya
onluk olarak 5 çıkışını gözönüne alalım. Bu sayıyı duyan VE geçiti QA, QB ve QC
ye giden girişlere sahiptir. Bundan ötürü 101 ikili sayısı 111 in geçitine bir giriş
oluşturur ve bir çıkış olur. Bu çıkış doğrudan okuma aygıtında 5 sayısını harekete
geçirmekte kullanılır.
Şimdi tanımlanan ilkeler ,Şek. 17 - 32 deki gibi bir onluk sayıcının çıkışla­
rının kodunu çözmekte kullanılabilir fakat mantık şebekesi farklı olacaktır. TD
mantık geçitleri veya diyod matris diye adlandırılan diyod ve direnç geçitlerini
kullanarak mantık tamamlanabilir.
Modem onluk sayıcılar, sayıyı gözleyiciye bilinen sayısal biçimde verir. Bir
gösterme aygıtı Nixie tüpüdür. Bu tüp bir soğuk-katod,gaz boşalma tüpüdür, 1 ano-
du, 10 katodu vardır. Katodlar ince ince tellerden Odan 9 a kadar sayılar biçimin-
de_ yapılmış ve paralel düzlemlerde birbirlerine yakın konulmuşlardır. Bu katod-
lardan biri akım taşıdığında negatif kızarıntı tel sayıyı kapsar ve böylece tek-sayı
doğrudan okuma verir. Bu aygıtlar onluk çıkışını uygunlaştırmak için yapılan
genişletme dışında,Şek. 17-33 de gösterilen gibi kod çözücü şebeke ile çalıştırılır.
Bir çok dıştan okumalı aygıt,Şek. 17-34a da gösterilen yedidilimli gösterim
ilkesini kullanır. Burada ikili-kodlanmış onluk girişi kullanılmıştır ve kod çözücü
yedi dilimden hangilerinin çalıştırııacağını seçmelidir. örneğin, 5 sayısı için çalış­
tırılan a, f, g, c ve d dir. Gösterme aygıtının kendisi yedi ışık-yayan diyod (IYD)
veya srvı kristalden ibaret olabilir. Toplu devre kod çözücüleri hem orta büyüklük-
te toplu iki kutuplu transistör mantığı biçiminde hem de tamamlayıcı simetri
metal oksit yarıiletken biçiminde bulunabilir. İkisi de TTM mantık çıkışlarına uy-
gun giriş düzeylerine sahiptir.

o
b
· Çözücü C

ve d

sürücü e
r-f
~·ı
(J
L____ _____ _j

(al (bl

Şekil ıi·- 34 (a) Yedi dilimli gösterme ilkesi. (b) a, f, g, c ve d dilimlerine

enerji verilerek 5 sayısının oluştur-ulması.

458
 l 7 - 14
Sayaçlar ve Uygulamaları

Ticari olarak çeşitli fiyatlarda ve çeşitli yeteneklerde sayaçlar bulunabilir.

Buna göre düşük fiyatlı beş veya altı sayılı sayaçtan yüksek - hızlı 8 veya 10 sayı
gösterimli katı-hal aygıtlarına kadar sayaçlar bulmak olanaklıdır. Daha incelikli
aygıtlar: (1) rasgele olayları sayabilir, (2) birim zamandaki olayları sayabilir ve (3)

frekansı, (4) frekans oranını, (5) faz açısını, (6) periyodu, (7) zaman aralığını ölçe-
bilirler. Sayacın önünde bir benzerlikten frekansa dönüştürücü kullanarak kuvvet,
gerilme, basınç, dönme hızı ve sıcaklık gibi elektriksel olmayan nicelikler de
ölçülebilir.

a) Frekans ölçülmesi

Kontrolleri frekans ölçmek için çevrilmiş bir aygıtın basit bir çizimi Şek.
17-35 de gösterilmiştir. ölçülecek dalga önce yükseltici, Schmitt tetikleyici, türev
alıcı ve kırpıcıdan oluşan dalga biçimleyici devrelerden geçirilir. Bunun sonucu
oluşan pulslar sağlıkla ölçülebilen 0,1, 1,0 veya 10 sn gibi bir zaman için açılan

!\/\Ilı
giriş sinyal J..lliJJJ....
Biçimleyici VE Onluk
geçiti sayıcılar

Zaman Geçit
~
Bölücü
tabanı devre kontrolü
Durma Başlama

Şekil 17 - 35 Frekans ölçmek için düzenlenen bir sayaç.

bir VE geçitine gider. Şekil, tipik bir zamanlama kontrolünü gösteriyor. Burada
zaman tabanı titreşen kritik bir elemandır ve daha iyi sayaçlarda 10 kHz veya
ı MHz de çalışan kristal kontrollü olanı kullanılır. Bu frekans,. frekans bölücülerle
bölünür ve VE geçitine başla-dur sinyali veren geçit kontrol devresine uygulanır.
Frekans ölçmenin sağlıklılığı, zaman aralığının sağlıklı bilinmesine ve bu da
zaman tabanına ve saymadaki kaçınılmaz olan :t 1 belirsizliğine bağlıdır. Bu, bilin-
meyen frekansın periyodunun deneme zaman aralığıyla ilgisi olmadığından ortaya

459
çıkmaktadır. Sonuç olarak sayılacak puls, tam sınırda saymaya dahil olur ya da
tam sınırda sayılmaz. Düşük frekanslar durumunda en büyük hata buradan gelir.
Frekans ölçmenin sağlıklılığını açıklamak için üç sayısal örnek gözönüne alalım.
Bu amaçla zaman tabanının (ve geçit zaman aralığının) 106 da 2 doğrulukla bilin-
diğini varsayacağız.

örnek 1: Deneme frekansı ~ 107 . Zaman tabanı = 0,1 sn dir. O zaman göste-
rilen sayma ,,10 6 olur. ölçüdeki sağlık 106 dat2, ±1 veya±3 olur.
örnek 2: Deneme frekansı ~ 1 O7 , fakat zaman tabanı = 1,0 sn. O zaman gös-
terilen sayma~ 10 7 dir. Şimdi ölçüdeki sağlık 107 de ±20 ± 1 veya ±21 yahut
106 da ±2,1 dir. .
örnek 3: Deneme frekansı ~10 2 . Zaman tabanı 10 sn. O zaman gösterilen
sayma ~10 3 ve bu durumda qlçünün doğruluğu ıo 3 de ±0,002 ± 1 veya±l,002
dir. Bu örnek±. 1 sayma belirsizliğinin önemini gösteriyor.

b) Periyod ölçme

Alçak frekanslarda frekans yerine periyod ölçmek doğruluğu artırır. Şekil

17 · 36 bu deneyin bir çizimini gösteriyor. Bir tek periyocİ ölçmek için giriş zin-
cirinde gösterilen bölücü devre atlanmıştır.

Giriş Sinyal Bölücü Geçit

biçimleyici devre 1kontrolü1 Baslama-durma
sinyali ·

Zaman Sinyal VE
t~t;ı1:1:nı biçimleyici geçiti

Şekil 17-36 Ortalama periyot ölçmek için düzenlenmiş bir sayaç.

Buna göre sinyal biçimleyici ve geçit kontrolü dalga üzerinde tam sıfırdan
pozitife giden peşpeşe noktalarda başlama ve durma sinyalleri oluşturur. Bilinme-
yen frekansın 100 Hz e yakın olduğunu varsayalım,o zaman periyot 0,01 sn dir.
Zaman tabanının 1 MHz de olduğunu vaı.:salım. O zaman 0,01 sn deki sayma 10.000
e yakın olur. önceki varsayımlar kullanıldığında doğruluk 10 4 de ± 0,02 ± 1 veya
± 1,02 olur. Bu teknik, bu özel örnek için, 10 kat daha sağlıklı sonuç verir.

460
c) Ortalama periyod ölçme

Giriş zincirinde bir frekans sayıcı kullanarak, Şek. 17- 36, seçilen sayıda periyod
elde edilebilir ve ortalama periyod hesaplanabilir.

d) Zaman aralığı ölçme

Şekil 17-36 da benzer bir düzenek zaman aralığı ölçmek için kullanılabilir.

İlk puls, geçiti açar ve ikinci kapatır ve böylece sayı geçen zamanı ölçer.

e) Gürültü nedeniyle yanılgılar

Frekans ölçmelerinde gürültü geriliminin sinyale göre yeterince küçük olma-

sına ve böylece yanlış saymalar olmamasına dikkat edilmelidir.
Periyod ve zaman aralığı ölçme deneylerinde sinyal .üzerindeki gürültü ek ha-
talar getirir. Burada geçitin tam açılma ve kapanma zamanları gürültünün eğime
etkisine ve tetikleme noktalarında dalganın düzeyine bağlıdır. Bu hata çabuk
yükselen pulslarda ihmal edilebilir.

f) önkurulu sayaçlar

Rasgele saymada bazen önceden belirli bir sayıma ulaştıktan sonra bir çıkış
sinyaline sahip olunmak istenir. Buna bir örnek paket hakkında çok şey göster-
mek için ~ir üretim hattından gelen küçük parçaların sayılmasıdır. önkurma,
mevcut sayının sayaçta depolanmasını ve sayma depolanan sayıya ulaştığında bir
cevap veren devreye gerek duyar. Çıkış sinyali bir röleyi veya alarm sesini çalıştırır.

g) Çekirdeksel sayaçlar

Bunlar, giriş sinyali bir ışınım dönüştürücüden, Kes. 18 - 9,gelen özel sayaç-
lardır. Ekseriya giriş devrelerinde, puls yükseklik ayıncısı veya aynı zamanlı__geçit
devresi gibi özel devreler vardır. Kısa. ve çabuk yükselen pulslan doğal gürültüden

461'
ayırma~ bir problemdir. ölçekleme ve zamanlama devreleri, birim • zamanda puls
bilgilerini çıkışta gösterebilecek biçimde konulmuşlardır.

h) Elektriksel çıkış

Gözle okunan gösterimlere ek olarak sayısal bilgi yazıcısını çalıştırmak için

elektriksel çıkış da olabilir. Çoğu kez çıkış, 1 - 2 - 2 - 4 veya 1 - 2 - 4 - 8 kodunu
kullanan ikili-kodlu onluk voltaj sinyalidir fakat her sayaç onluğunda her sayı için
ayrı çıkıştan ibaret olabilir.

l 7 - 15
Puls hız metresi (diyod pompa)

Frekansı voltaja çevirmenin veya puls tekrar hızını ölçmenin basit bir yön-
temi diyod pompa devresidir. Bu, taşınabilir ışınım gösterici ve hız metrelerinde
kullanılır.
Temel olarak her puls, bir sığacın belirli bir Q yükü düzeyine yüklenmesine
neden olur. Pulslar arasında sığaç ayrı bir yola ortalama I d akımını vermek üzere
boşalır. Eğer puls periyodu T sn veya puls hızı f Hz ise

Q
(17 - 22)
T

a!:ımının oluşmasını bekleriz. Q sabit olduğundan Id 1 puls hız frekansı f nin bir
ölçüsüdür.
Şekil 17-37 deki diyod pompa Rı, c 1, o1 ve o 2 elemanlarından oluşmak­
tadır. Karşılaştırıcı, giriş dalgasını örnekler ve diyod pompa şebekesine sabit t:, V
genliğinde kare dalgalar verir. Karşılaştırıcının çıkış voltajı yükselirken c 1 sığacı
R 1 , c 1 , o1 yoluyla yüklenir. R 1c 1 zaman sabiti dalganın yarı periyoduyla karşılaş-

V;gir---~

1\J Karşılaştırıcı

-:-

Şekil 17 - 37 Diyod pompa hız metresi.

462
tırıldığında kısadır ve bundan ötürü diyodu ideal varsayarsak c tam 6.V voltajına
1
kadar yüklenir.
ikinci yarım periyoııl sırasında c 1 sığacı R 1, R 2 ve D 2 yoluyla boşalır.
X noktasının toprak voltajında olduğunu hatırlar ve D 2 nin ideal olduğunu varsa-
yarsak zaman sabiti kısa olduğundan c 1 in boşalacağı sonucuna·varırız. Böylece
R 2 de tekrar eden akım pulsları ortalama ld akımı verir ve ortalama okuyan V 0
voltmetresinin R 21d göstermesine neden olur. c 1 deki yüklerin herbiri c 1 I:!,. V
olduğundan çıkış voltajını

(17 - 23)

olarak hesaplarız. örneğin R 2 = 20 kn, c 1 = 0,01 µF ve 6 V = 5,0 V ise VO = 0,00lf

veya f = 1,0 kHz için 1,0 V dur.
Diyod pompa ile kullanılan devrelerde bazı değişiklikler yapılabilir. Şekil
17-37 de istenilen ortalamayı almak için R 2 re bir şönt sığacı bağlanabilir. Alter-
natif olarak R2 yerine sığaç bağlayarak ve integre edici sığacı periyodik olarak bo-
şaltan bir anahtar ekleyerek integre edici hız metresi yapılabilir. O zaman çıkışı
okumak için tepe değer okuyan bir voltmetreye gerek vardır. Girişte de bazı
değişiklikler yapılabilir, örneğin puls sayma uygulamaları için kararlaştırıcı yerine.
dalgabiçimleyici devreler ve tekkararlı çok titreşici konabilir.

KAYNAKLAR

17 - 1 G.E. Hoerlies and M.E. Heilweil, lntroduction to Boolean Algebra and

Logic Design, McGraw-Hill Book Company, New York, 1964.
17 - 2 E. J. Kench, ed., Electronic Counting : Circuits, Techniques, Devices,
lndustrial Electronics Division, Mullard Limited, London, 1967.
17 - 3 ·J. Millman and C. C. Halkias, lntegrated Electronics: Analog and Digital
Circuits and Systems, McGraw - Hill Book Company, New York, 1972,
Chaps. 6, 1 7.
17 - 4 T. Kohonen, Digital Circuits and Devices, Prenti~e-Hall, ine., Englewood
Cliffs. N.J., 1972.
17 - 5 Texas lnstruments ine. IC Applications Staff, Designing with TTL ln-
tegrated Circuits, R.L. Morris and J. R. Miller, eds., McGraw - Hill Book
Company, New York, 1971.
17 - 6 D. J. Walter, lntegrated Circuit Systems, Iliffe Books Ltd., London, 1971.

463
 ALIŞTIRMALAR

17 - 1 Aşağıdaki ikili sayıları onluk biçime çeviriniz: (a) 10101, (b) 101110 ve (c)
1000011.
17 - 2 (a) Birisi Denk. (17 - 17) nin sol tarafını öteki ise sağ tarafını açıklayan iki
anahtarlama devresi kurunuz. (b) A,B ve C nin bütün olası bileşimleri için iki ya-
nın doğruluk tablolarını düzenleyerek Denk. (17 - 17) yi doğrulayınız.

17- 3 (17. 18) bağıntısının iki yanını açıklamak için anahtarlama devreleri kuru-

nuz.
17. 4 (a) De Morgan yasasını Denk. (17 - 19) daki biçimde üç değişken için yazı­

nız. (b) Doğruluk tablolarını düzenleyerek yasanın bu biçiminin doğruluğunu gös-

teriniz.
17 - SAnahtarlama devrelerinde A gibi özel bir girişin negatif yapılması, A kapan-
dığında açılan (Ayı temsil etmek için) bir anahtar veya röle ile başarılır. Ayı tem-
sil etmek için bir ahahtarlama sembolü kurunuz. Sonra, A + B. (A +C)= A+ B. A+ B.C
mantık bağın_!_ıs~ı~ iki y~nını .temsil eden anahtar devreleri kurunuz.
17-6 _(a) AB+AB nin B ye eşit olduğunu gösteriniz. (b) A (A+. B) +ABC= A
olduğunu gösteriniz.

17 -}_ Boo~ceb.!_rini kullanarak (a) (A + B) (B + C) (A + C) = AB + BC + AC ve

(b) A + B A + B = A olduğunu gösteriniz.
17 - 8 Diyodların ideal olduğunu varsayarak aşağıdaki koşullarda Şek. 17 - 38 deki
çıkış voltajlarını bulunuz: (a) A= B=C= OV, (b) A=B= O V,C= 6 V ve (c) A~, B= 6V,
C =OV. (d) Çıkış için Boole ifadesi nedir?

sıo- _ _....

co-____..___.

Şeltil 17 - 38

464
17 - 9 Diyodlarııı ideal oklutunu vaısayuıt lflllıdıki koşullarda Şek 17 • 39 un
çıkış voltajlannı bulunuz: (a) A=B= C=O V, (b) A=6 V,B=C= OV ve (c)A:ı:8=6 V,
C =OV. (d) Çıkış için Boole ifadesi nediı'?
+12V

23Ul

Ao-------ıııe---ı~ır-e>
Çık

eıo_-ıı.ı-...--,---N..__,

Şekil 17 • 39

17-10 DIŞARLAYAN VEYA işim A8 + BA lfııdeılyle de ya..lalılHr. (ı) Bu

mmtıtı yıpıa •ıııbollk bir ._tık ılıteıııl . . . (b) DIŞARLAY AN VEYA
ıuatıııın dolNlınıü lçlıı bir dolnluk tıblmu baıılıyııııa.
17 • 11 .0ıa..... (1'1 • 19) da D• A + B cılduıu ıöriiliir, • teııııldııı lıaıeb&­
le iti ıtıııU Uç VBDBOIL ıeçWadıa bir VBY A ııçlll tunınua. Bir VEDBOIL ıe­
çitinln lllrlşleri birbirine bılı.clılmda bir TIRSÇIVIRICI oıctuıuna dikkat ediniz.
17 • 12 Tablo 17 • 7 Şet. 17 • Hı dıkl dem eylemine tııqılık . .lr. (ı) Nl .e N2
ıeçltlerlnl çlılııiı w Q,.=0, X = Y = 1 için ılilt .e çıkış dunamlınm lıııetleylniz.
Bu durumlar blrblrlerlyle uyumlu muduı'?
(b) ŞekU 17 • 26ı dıld eylemi,~= O I• Tablo 17 • 7 nln altıncı ııbn için tartı,
flDIZ.
17 • 13 QO ç*ıtlı D fllp • flopıınu Şet. 17 • 30 dul zincire etledllimlıl vııay•
lıın ve 1 pullu QA nın _o daı ı e alhneılne neden olıuıı. ~ için O daı 1 • " 1 den
O ı ıötüıen pulı ııyılınnı llsteleyiıılz. Bunu ~ için leknrlayınıL
17 • 14 Şekll 17 - 32 de~ den VE ıeçltlne plen bıllıntımn koptıııunu varııyı­
bm böylece VE 19çltl O girişine sahip olur. O ııman eter Şek. 17 - 32 deki dalga
biçimleri dizisi başlatılırsa dalgablçlmlerlnde ne fark olur?
ı 7 • 15 Şekli 17 - 32 deki onluk sayaç için Şek. 17 - 33 dekine benzer bir onluk
kod çözücü şebeke kurunuz. Yol ps : Olp • Oop çıkış çizgilerini QA, aA, ~ıı.b.
ile lşaıetleylnis fıkıt ftlp - nop blok çizimini yapınıyınız.
17 - 16 Bir titıefkenln fıekınıı ışılıdıkl yönleınieJilçülüyor. Nationıl Buıeıu of
Standarda lıtııyonundın 51) MHz frekınıh WWV sinyali frekınıı ölçüleeek
titıeşkenln ılnyıli ile kıqılıştınlıyor. oıı. fNkını ı ın ıeçit ıımını kııllınılırak

465
bir sayaçta ölçülüyor (10 6 da 2 sağlıklı) ve 30.500 Hz bulunuyor. Ek denemeler
titreşkenin frekansının standart sinyalin frekansından küçük olduğunu gösteriyor.
Bu durumda titreşkenin frekansı ve ölçmenin doğruluğu nedir? Standart frekansın
5 x 107 de ±1 sağlıkla bilindiğini varsayınız.

466
 18
Dönüştürücüler (Transducers)

18 - 1
Giriş

Bir dönüştürücü, ölçmek amacıyla veya sinyalden bilgi elde etmek yada
sinyal güç çıkışı geliştirmek için geniş anlamda enerjiyi bir biçimden başka bir
biçime dönüştüren aygıttır. örnekler, mikrofon (akustikten elektriği), hoparlör
(elektrikten akustiğe), termoçift (sıcaklıktan elef{triğe) ve pi tot - tüh akış metresi
(hızdan basınca) dir. Şekil 18 - 1 blok çizim biçiminde sıcaklık gibi fiziksel bir
niceliği ölçmek için sistemi gösteriyor. Bu amaç için giriş dönüştürücüsü, birkaç
milivolt voltaj sinyali oluşturabilen bir termoçift olabilir. Yükseltmeden sonra bu
voltaj, sıcaklığın zamana göre değişimini izleyen bir yazıcıyı kontrol edebilir.
Çıkış dönüştürücüsü,elektriksel sinyali mekanik sapmaya dönüştüren yazıcı olabi-
lir. Çoğu kez sistem 1ölçülen fiziksel niceliği kontrol etmek için yararlıdır. örneğin
çıkış dönüştürücüsü, buharla ısıtılan fırında olduğu gibi,termoçiftin civarındaki
bölgeye ısı veren buhar tedarik edicisinin elektrikle çalışan vanası olabilir.

1 Sinyal 1
giriş yükseltilmesi Çıkış
Fiziksel dönüştüfücü ve dönüştürücüsü
nicelik .. . _ ___ , ~oşullama 1 • 1
veya'özellik Elektriksel Elektriksel Elektriksel
iinyJİl sinyal olmavan
çıkı;

Şekil 18 • 1 Giriş ve çıkış dönüştürücüleriyle bir ölçü sistemi.

Dönüştürücülerin alanının çok geniş olması nedeniyle tartışmamızı

elektrik-
sel çıkışı olan, giriş veya algılayan dönüştürücülere sınırlandırıyoruz. özellikle,
duyarlık, çıkış impedansı ve frekans bölgesi gibi özellikleri incelemek için sadece
birkaç örnek tartışacağız.

l8 -2
Dön üş türücülerin sınıflandırılması

Sınıflandırma için bir temel, çalışma ilkesi, yani fiziksel olayın dönüştürücüde
elektriksel bir değişkeni etkilemesidir. Bu ilkeler dirence, reaktansa,oluşturulan
voltaja veya magnetik özelliğe ait etkileri içi.ne alır. Kullanılan ek 'ilkeler piezoelek-
trik, foto - elektrik, termoelektrik ve radyoaktiflik etkileridir.

467
.at Dirençli dönüştürücüler

Dirençli dönüştürücülerin iki geniş sınıfı ayırdedilebilir. Birinde I kullanılan

maddenin kendisinin direnci değişir, örneğin, magnetik alanla (Hali olayı) veya
metalik tellerde ve belli yarı - iletkenlerde (termistor) sıcaklıkla olan değişme-gibi.·
İkinci sınıfta, direnç mekanik bir vasıtayla değişir, potansiyometrenin kayan kolu
veya zor ölçerinin teHerinin gerilmesinde olduğu gibi.

b) Reaktif dönüştürücüler

Bir sığasalveya indüktif reaktans değişimi bir sığacın içinde iki eleman
arasındaki uzaklığı veya indüktör içindeki hava aralığını değiştirerek oluşturulabi­
lir. Bu dönüştürücülerin ilkeleri Şek. 18 - 2 de gösterilmiştir. Şekil 18 - 2a da para-
lel -· levhalı sığacın sağdaki levhasının x kadar yer değiştirmesi sığayı değiştirir.
Alternatif olarak bu levha diyafram olabilir ve basınç altında sapar ve sığayı değiş­
tirir. Şekil 18-2b, sığanın değişmesi vasıtasıyla dielektrik sıvının düzeyini algılama
yöntemini gösteriyor. tndüktif bir dönüştürücü, Şek. 18 - 2c, eğer bir elektromık­
natısın hava aralığı ölçülebilen bir sapmayla değiştirilebilirse, oluşur. Hava aralığı­
nın değişmesi indüktansı ve reaktansı değiştirir. Bu dönüştürücülerin her birinin
sınırlamaları ve üstünlükleri vardır. örneğin, sığasal dönüştürücüler,dönüştürücüden·
ilgili ele~tronik devrelere giden kurşun tellerin sığasına duygundur ve bundan ötü-
rü yerleri sabit tellerle kalibre edilmelidirler. Basit indüktif dönüştürücü, yerdeğiştir­
me ve realctans değişimi arasındaki doğrusal olmayan bağıntıdan kötü etkilenir
ama iyi bir duygunluk gösterir.
C
.
'1
'
A B
L
veya
Dielektrik XL
sıvı
~-·
1

1
1

lal lbl 1el

Şekil 18 - 2 Reaktif dönüştürücüler : (a) sığasal, x yerdeğiştirmesi için; .
(b) sığasal, sıvı düz~yi için; (c) indüktif.

cJK•di kendine oluşturan dönüştürücüler

Güdümlü uygulamalarında ku\lanılan küçük, devamlı mıknatıslı d.a. üretici

hız ölçer, bu sınıfa bir örnektir. A.a. üretici hızölçerde buna benzer fakat alter-

468
natif voltaj üretir. Piezoelektrik dönüştürücülerde bir kristale uygulanan kuvvet
kristalin elektrotlan üzerinde yardımcı bir çıkış voltajı ile bir yük .oluşturur.
Dönüştürücüleri sınıflamanın ikinci bir temeli, gözlem altındaki olayın çeşi­
tidir. önemli sınıflann başlıklan basınç, akı, düzey, hareket, boyut, kuvvet, tork,
ses, sıcaklık, kimyasal bileşim, fiziksel özellikler, nem, su ve ışınımdır. Ticari
olarak bir kaç yüz elektriksel çıkışlı, duygun dönüştürücü Amerikan yayınlarında
t listelenmiştir. Bununla birlikte özel bir dönüştürücü bir olayın birden fazla özel-
liğini ölçmek için kullanılır. örnek olarak,x yönünde doğrusal bir hareket için
yerdeğiştirme, hız ve ivme arasındaki bağıntılan gözönüne alalım,

2 (18 - 1)
dıı dx
a=---
dt dt 2

Eğer çıkış voltajı ıı hızı ile orantılı olan bir dönüştürücümüz varsa ivmeyi elde
etmek için çıkışta bir türev alıcı devre ve yer değiştirmeyi elde etmek için bir
integral alıcı devre kullanabiliriz.

18 ~ 3
Yerdeğiştirme dönüştürücü örnekleri

a) Dirençli zorlanma ölçerleri

Bir metalik yarıiletken gerildiğinde uzunluğu artar ve kesiti azalır, böylece

direnci artar. Eğer zorlanma esneklik sınırı içinde kalırsa,iletken tekrar edilebilir
zorlanma.,.direnç bağıntısına sahip olur. Eski ölçerler ince bakır - nikel alaşım ızga­
rası biçiminde yapılmış ve ekseriya ağır kurşun tellerin tutturdulduğu ince kağıda
monte edilmişlerdi. Bu ~opluluk denenecek üyenin yüzüne yapıştırılır.
Bugün çoğu kez metal yaprak ölçerleri, Şek. 18 - 3, yeğ tutulur. Bakır - ni-
kel alaşım 2 - 8 µm kalınlığında yapraklardan elektronik devre kartlarını yapma
tekniğine benzer foto - aşındırma tekniği kullanılarak yapılır. Direnç değerleri
60 • 1000n arasındadır fakat 120n ölçerler en çok yaygındır. Bu ölçerleı; karşı­
laştırılabilir a tel ölçerlerden çok daha küçüktürler. özel amaçlar için, örneğin
maksimum zorun yönünü algılamak için çoklu ölçerler bulunabilir.
Bozulmayla, dirençte beklenilen değişmenin ölçüsü ölçer çarpanıdır ve ohm
başına dirençteki değişimin, birim uzunluk başına uzunluktaki değişmeye oranı

t Kaynak 18 · 3.

469
 ~ıar~E--E
~
ILizunlu!)u
Şekil 18 · 3 Yaprak dirençli zorlanma ölçerinin ilkesini gösteriyor. Bağlama

telleri uçlara lehimlenmiştir.

olarak tanımlanır, yani

(18 - 2)
ölçer çarpanı =

L
dir. örneğin, ölçer çarpanı 2 olan bir alaşım ölçerle aL/L = 0,001 ·uk zorlanma
için 120 o ölçerde direnç değişimi 2 x 0,001 x 120 veya 0,24 o olacaktır. Bu
zorlanma, yumu·şak çelikte gerilme şiddetinin aşağı yukarı üçt.e ikisidir.
qeçen örnekte dirençteki değişme sadece yüzde 0,2 idi. Bundan ötürü zor-
lanma . ölçeri ölçmeleri için çok daha duygun ve sağlıklı bir devre gerekir. Basit
bir Wheatstone köprü devresi durgun zorlanmaları ölçmek için uygundur.
Şekil 18 - 4,zorlanma ölçen aygıt sistemini göst.eriyor. Toplu devre - tipi d.a.
güç kaynağı ve yükseltici devrelerin kullanılmasına bağlı olarak daha az pahalı bi-
rim oluşturulur. Baskı altında ~ulunmayan kör bir ölçer sıcaklıkla genişleme yü-
zünden doğan zorlanmaları karşılamak için Wheatstone köprü devresinde bulundu-
rulur. Bazı uygulamalarda, örneğin, bir demeti bükme deneyinde olduğu gibi,
köprü devresinin bitişik iki kolunda aktif ölçerler kullanılabilir. ölçerlerden biri
genişleme öt.eki sıkışma etkisinde kalır ve böylece devrenin duyarlığı iki kat olur.

+
Düzeltmeli
d.a. güç
kaynaÇıı eç1 Metre·
ölçer veya
yazıcı

Şekil 18 - 4 Zorlanma ölçmeleri için sistem.

470
 Şekil 18 - 4 deki devrede başlangıçta köprü sıfır zorlanma koşulu altında
dengelenir. Zorlanmaları yavaşça değiştirerek çıkış, sıfır - merkezli ölçü aletinden
okunur. O zaman gerilme, diyelim pozitif sapma ve sikışma,negatif sapma verir.
Dinamik denemeler için çıkış bir yazıcıya veya katod- ışınlı osiloskoba verilir.
Bazı amaçlar için yarıiletken zorlanma-duyucu elemanlar yararlıdır. p. tipi
silikon pozitif direnç .· zorlanma duyuculuğuna ve n - tipi de negatif direnç - zor-
lanma duyuculuğuna sahiptir. İki tipin de direnci sıcaklığa bağlı olduğundan sı­
caklık telafisi olmalıdır. Bu duyucuların ölçer çarpanı metalik ölçerin 20 . 200 ve-
ya daha fazla katıdır. Buna göre çıkış voltajı yüksektir ve bazı uygulamalarda çıkış
yükselteçleri konulmayabilir.

b) Doğrusal deği1t_ken fark gösterici transformatör

Hafif ağırlıklı ve hareket edebilen çekirdeği olan bir transformatör, Şek.18-5a

yerdeğiştirmeyi gösteren çok iyi bir göstericidir. Magnetik yol, çoğunlukla hava-
dır ve demir çekirdek yerdeğiştirdiğinde bir tarafta magnetik alankuvvetlenir,öte-
ki tarafta zayıflar. Simetrik iki ikincil makaralar birbirize zıt biçimde sarılmışlardır.
Eğer çekirdek tam olarak merkezlendirilirse çıkış voltajı sıfır olur. Çekirdek biraz
yerdeğiştirdiğinde bir ikinciL-in voltajı ötekinden fazla olur ve çıkış voltajı,iyi kur-
gulanmış bir dönüştürücüde,Yerdeğiştirmeyle doğrusal olarak değişir.

Demir çekirdek

Bobin 1

] .I -01 O 0.1
Çekirdek yerdeaiştirmesi
(ol (bl

Şekil 18 • 5 Doğrusal değişken fark gösterici transfomatör.

Dengelenmiş durumun her iki yanında Eçık ın fazı değişir. Biından ötürü
fark gösterici transformatörle birlikte genellikle bir faz ayırdedici kullanılır ve böy-
lece yerdeğiştinnenin iki yönü ayırdedilebilir.
Tipik bir fark gösterici transformatör dönüştürücünün belirtgenleri Tablo
18 . ı de listelenmiştir, Listede belirtilen duyarlık açık - devre çıkışıdır. Başka

471
kurgular 0,0127 den 2,54 cm ye kadar olan bölgeyi kaplar.

Tablo 18 · 1

Çekirdeğin kütlesi 14 g
Doğrusal yerdeğiştirme bölgesi ±0,635 cm
Birincilin 2,4.kHz deki impedansı 60 + jl00n
İkincilin 2,4 kHz deki impedansı 320 + j830n
Birincilin maksimum uyanlması 17 V
Duyarlık, bir volt uyarma için 2,54 cm ye düşen volt 1,2 V

c) Piezoelektrik dönüştürücüler-

· Herhangi bir· kristale uygulanan kuvvet, kristal örgünün şeklini değiştirir.

Kuartz gibi belli kristallerde içteki iyonik yükler simetrisiz bir dağılımda yerleşti­
rilmişlerdir ve şeklin değişmesi bir yüzey yükü oluşumuna götürür. İşte bu, piezo-
elektrik olayıdır.
Kristallografik eksene göre özel bir yönde kesilen ve böylece piezoelektrik
etkisi artırılan, Şek. 18 - 6a, bir kric;taı' gözönüne alalım ve bu kristal yaprak elek-
trotlar arasına tutturulmuş olsun. Böyle bir çubuk, uygulanan ve gösterildiği gibi 0

kalınlıkça sıkışma oluşturan F kuvveti yüzünden ve başka tipte baskılar, örneğin

enlemesine sıkışma ve kalınlıktan kesme gibi nedenler yüzünden yükler oluşturur.
Deneyler bizi 1ılektrottaki Q
IF
rl-------~ Yaprak elektrod
.. _- I
I • / f
Alan' A I/'
E

.i

{o) {b)

Şekil 18 · 6 Piezoelektrik dönüştürücüler: (a) kalınlıkça sıkıştırılmış çubuk

ve (b) bükülen çubuk.

yükünün, kuvvetin doğrudan fonksiyonu olduğunu gösteriyor:

Q== dF (18 - 3)

burada d bir sabittir. Oluşan voltaj, yükün sığaya oranı, E=Q/C fakat C=,;A/t
olduğundan

Qt
E (18-4)

olur. Denklem (18 • 4) deki Q nun yerine Denk. (18.,3) deki değeri konulursa

dt (18 - 5)
E=---F

bulunur. örneğin X biçiminde kesilmiş kuartz kristalinde N/m 2 başına d/e ==0,05
V/m dir. A = 4 x 10· 4 m 2 , t = 0 1002 m ve F = 10 N varsayarsak E için 2,5 V he-
saplarız.
Aniden uygulanan sabit kuvvet, teorik olarak Denk. (18 - 5) ile verilen kadar
bir voltaj oluşturacaktır. Kristal kenarları üzerinden ve tutucudan sızmaların, oluş­
turulan yükü dağıtıp dağıtmadığını ve böylece voltajın düşmesine neden olup ol-
madığını araştırabiliriz. Bu, gerçekten en çok olası bir sonuçtur. Kristalin eşdeğer
devresi1bu davranışı canlandırmamıza ve harmonik kuvvetler için uçlardaki voltajın
frekansa bağlılığım çözümlememize,,yardım edecektir. Böyle bir devre, Şek.18 - 7
de bağlayıcı kablonun tipik yük impedansı ve yükselticinin giriş direnci ile birlikte
gösterilmiştir. tncefemede kullanacağımız büyüklüklerin değerleri : Cc= 10 pF,
Rc = 1010 n, CL = 200 pF ve RL = 106 n dur.
Eğer ani uygulanan bir kuvvet nedeniyle e voltajı bir basamak fonksiyonu
ise, e0 değerinde geçici bir voltaj olacak ve yaklaşık olarak CcRL veya 10x10·12x
106 = lff 5 sn lik bir zaman sabiti ile sönecektir. Yük uzaklaştırılırsa zaman sabiti,
CcRc veya OJl sn olacaktır.
Harmonik bir e voltajı, sabit bir değer etrafında harmonik olarak değişen
kuvvet sonu~u doğar. Orta ve yüksek frekanslarda Cc ve CL nin reaktansları dev-
rede en etkin olacaktır. ·o zaman bu reaktanslar voltaj - bölücü olarak davranır ve
çıkış voltajı oluşturulan voltajla bağıntılı olarak, CJ(CL + Cc) (yahut örnekteki
1/21) oranıııdadır. Alçak frekanslarda e 0 voltajı çoğunlukla Cc
Rc = elemanının sızıntı direnci ve RL, CL yük impedansının elemanlarıdır.
nin reaktansına ve paralel durumda olan RL ve CL nin • impedansına bağlıdır.
Alçak - frekans cevabı,Cc veya RL yi artırarak geliştirilebilir.
Kullanılmakta olan daha karmaşık çeşitli piezoelemanlar vardır. Bunlardan
birinde, Şek. 18 - 6b, iki çubuk genişleme köşegenleri birbirine dik biçimde ya-
pıştırılmıştır. Voltaj uygulandığında doğan elektrostatik etki bükme etkisi doğu­
rur ve buna bükücü denir. Eğer üç köşesinden kıskaçlanır ve dördüncüden yükle-
nirse bir piezoeleman olarak yararlı olur.

473
 Şekil 18 - 7 Bir piezoeleman eşdeğer devresi. e = şeki! değişm~s~nden do~an
voltaj, Cc = piezoelemanın sığası, Rc = elemanının sızıntı direnci ve RL, CL
yük impedansının elemanlandır.

Başka piezoelektrik kristaller Rochelle tuzu, amonyum dihidrojen fosfat ve

baryum titanat seramiğidir. Bunlann bazılan sıcaklık ve nem sınırlamalan etkisin-
dedir ve duyarlıkça büyük ölçüde değişirler t

18 - 4
Hız, ivme ve basınç ölçülmesi

Büyük yerdeğiştirmeler gösteren doğrusal hızlar, çoğu kez.doğrudan ölçi,il-

mez. Yaygın olarak uygulanan, cismin bilinen bir uzaklığı geçmesi için geçen za-
manı ölçmektedir. örneğin, cisim birbirinden olan uzaklığı ölçülmüş iki ışık
demetini durdurabilir. Birinci demetin durdurulması bir elektronik sayacı (zaman
ölçer) başlatabilir ve ikincisinin durdurulması sayacı kapatabilir.
Dönme hızları,daha çabuk ölçülür. Küçük d.a. veya a.a. devamlı mıknatıslı
hızmetre üreteçleri bu amaç için uygundur. Başka bir yöntem, Şek. 18 - 8 de
gösterilmiştir. Dönen mil üzerine çok dişli, çelik dişli takımı konmuştur. Bir
indüksiyon pikabı bir indüksiyon voltajı oluşturur ve voltaj da sayacı çalıştırır.
Dişlerin sayısını ve geçit zamanını uygun seçerek dakikada veya saniyedeki dönme
doğrudan sayaçta gösterilebilir.

/.,,,--_;:=.--:::,~Sayıcı
ya
/ / Devamlı
/( I Bobin mıknatıs
\1\
(j)

_
.

'
\ '........ ___
........
/
_,,. ,,,,,, ./
,,

Şekil 18 - 8 Açısal hızın ülçülmesi.

t Ayrıntılar için kaynak 18 - 2 nin 74. sayfasına bakın,L.

474
 Kalibre edilmiş bir stroboskop da,dönme hızlarını ölçebilir. Bu aygıt kısa
süreli, yüksek şiddetli, tekrar eden ışık parıltısı oluşturur. Tekrarlama hızı bir çok
titreşici devre ile kontrol edilir ve bir kadran üzerinde gösterilir. -Tekrarlama hızı,
mil üzerinde yapılan bir işaret her devirde bir ışıklanıncaya ve sabit durum görü-
nünceye kadar ayarlanır. O zaman parlama hızı dönme hızına eşittir.
Kütle - yay (veya sismik) dönüştürücü, Şek. 18 - 9a, hareket eden vasıtalar­
da, kurşun atışlarında ve sabit referans yeri olmayan benzer durumlarda kullanılır.
Bu aygıt, rijit bir a kutusu, m kütlesi, k yayı ve c durdurucusundan oluşur. Kütle-
nin kutuya göre hareketi dönüştürücü bir elemanla algılanır ve böylece z sapması
hakkında bilgi verir. Fakat istenilen bilgi,titreşen makine kıs.mı gibi hareket eden

sahanlığın x hareketidir. Buna göre, z nin gözlenmesinden x hesaplanmalıdır.

z veya dz/dt yi ölçmek için dönüştürücü elemanların iki örneği gösterilmiş­
tir. Şekil 18 - 9b de piezoelektrik kristalin, kuşkusuz,m kütlesine ve kutuya yapış­
tırılmış olduğunu varsayıyoruz. Herhangi bir düşey sapma, kristali sıkışma veya
gerilme etkisinde bırakır ve bu da çıkışta bir voltaj oluşmasına neden olur. (Uygu-
lamadaki aygıtlarda m nin üstünde ·bir yay vardır). Uygun koşullarda voltaj,z yer-
değiştirmesiyle orantılıdır. Elektromagnetik pikapta, Şek. 18 - 9c, geliştirilen
voltaj dz/dt ile yani kutuya göre makaranın hızı ile orantılıdır.
Ekseriye z ve x değişimleri arasındaki bağıntının çözümlenmesi, sahanlığa
kazandırılan harmonik hareketle yapılır. Frekans değişimine karşı bu bağıntı­
ların çalışılması, belli frekans bölgesi üzerinde kütle - yay dönüştürücüsünün yerde-
ğiştirme veya hız ve farklı bir bölgede ivme ölçtüğünü gösterir. Aşağıdaki kesimde
gösterildiği gibi, yerdeğiştirmeyle orantılı cevap bölgesi, kütle - yay sisteminin
doğal rezonans frekansına göre yüksek frekanslardadır. ivme cevabı veren yararlı
frekans bölgesi, titreşimin doğal frekansı ile karşılaştırıldığında düşüktür. Şekil
18 - 9b deki sistem kristalin sertliği nedeniyle kHz kadar yüksek doğal frekansa
sahip olabilir ve bundan ötürü çoğu kez bir ivme metresi olarak kullanılır.

1
i

(bl

Şekil 18 - 9 Kütle - yay. dönüştürücü : (a) İlke olarak, (b) piezoelektrik ve

(c) hareketli· makaraJdevamlı mıknatıs tipi.

475
 Tel zorlanma ölçerleri de duyucu eleman olarak kullanılır. Bağlanmayan tel
ölçerle'ri ile yapılan dönüştürücüler de yay gibi davranırlar. Bunlar 100 - 200 Hz
arasında doğal frekansa sahip olabilirler.
Basınç ölçen aygıtlar, zorlanma veya yerdeğiştirme dönüştürücl.ilerini perdeli
tüplere, diyaframlara, borulara ve basınç teknelerine uygulayarak yapılır. Kaymalı
voltaj bölücü, dirençli zorlanma ölçerleri ve piezoelemanlar bu uygulamada kullanı­
lan dönüştürücüler arasındadır.
Silikon ve mikroelektronik yapım tekniğinin piezo - dirençli özelliğini orta-
ya koyan birçok küçük basınç dönüştürücü vardır.tDuyucu eleman dört - kollu
dirençli köprü ve diyaframdır. Bu köprü, gerekli referans voltajı (Zener diyod) ve
sıcaklık telafi edici şebekeleriyle birlikte toplu - devre tekniği kullanılarak işlemsel
bir yükseltici ile birleştirilir. Sistem, Şek. 18 - 10 da açıklanmıştır. Bazı birimler
vakum referans odası içerir ve mutlak basıncı gösterir. Bunların tipik ölçme bölge-
leri 30 veya 300 psi dir.

r- ------------------------ .------------------,
1 . : d.a.
1
kaynak
1
1

2 { Piezo-dirençsel köprü'
basınç duyucu

1
1
1
1
1
L_________________________ .
1 ____________________ J 1

Şekil 18 - 10 Basınç dönüştürücünün diyagramı, 1 = voltaj referans devresi,

2 ve 3 = sıcaklık - telafi edici şebeke, 4 = işlemsel yükselteç.

t National Semiconductor Corporation ·LX1600A v.s.

476
 18 - 5
Kütle - Yay dönüştürijcüsünün harmonik uyarmaya karşı cevabmm
çözümlenmesi -,.

Elektriksel sinyalin. dönüştürücü kutusuna göre kütlenin z yer değiştirmesi­

nin fonksiyonu olduğunu gördük, fakat biz sahanlığın hareketi ile yani uzayda
sabit referansa göre x yerdeğiştirmesindeki harmonik değişimle ilgileniyoruz ve z
deki cevabı bulacağız.
m kütlesi sabit referansa göre x + z yerdeğiştirmesine sahiptir. Bun tan ötürü
eylemsizlik kuvveti m [d 2 (x + z)/dt 2J dir. m üzerinde - kz doğrusal yay kuvveti
ve viskoz sürtünme kuvveti - c (dz/dt) olduğunu varsayacağız. Newton yasasına göre,

m =-kz -c dz (18 - 6)
• dt
dt 2
veya

+ kz= - m (18 - 7)
dt dt2

dir. Şimdi

(18 - 8)

varsayalım. Geçici cevabı bırakarak kararlı durum cevabının,

(18 - 9)

biçiminde oldu~unu ıspatlayacağız. z0 ve o için çözümler1 benzer elektrik devre

probleminde olduğu gibi aynı yöntemlerle elde edilebilir ve sonuçlar,

w
2
(18 - 10)

ve
wc
m
_k__ w2 (18 - 11)
m

477
dir. Sistıtm sönmeyen doğal ışınım frekansına sahiptir ve bu. frekans,

(18 - 12)

ile verilir. Buna göre sert bir yay veya hafif kütle yüksek doğal frekans verir. Sön-
meyi kritik sönmenin bir kesri olarak ifade etmek istiyoruz. Kritik sönme, cc 2v7kin O

ise oluşur. Şimdi normalize sönmeyi •

C C
(18 · 13)

olarak tanımlayalım. Bu durumda, Denk. (18 • 10) ve (18 - lU normalize biçimde

ifade edilebilir,

w
)2

r
zo wn
= (18 · 14)
Xo 2t w )2 /2
( 11 - ( :n )21 2 t (
wn

ve

~
wn
9= tan - 1 - - - - - - (18 - 15)

dir. Bu bağıntılar, genlik oranı ve faz açısının, w/wn ve Eye nasıl bağlı olduğunu
gösteriyor. d2x
İvmeyle ilgilendiğimizden,
dt
..
x 0 = 2 °=-x 0w
2 olduğuna dikkat
2
eder ve Denk. (18 - 14) de x 0 yerine-x 0 /w yazarsak

1 1
(18 - 16)

478
 elde ederiz. Bu,z 0 cevabının zor ivmesi i0 a göre ifadesini incelememizi mümkün
kılar.

Şekil 18 -_11 deki eğri-ailele-u, kütlenin bağıl yerdeğiştirmesi z0 /x 0 .n T:'t!nk.

(18 - 14) deverildi-ği gibi w/w 0 frekans oranıyla nasıl değiştiğini gösteriyor.
2,0,r---,---.-.....-~,.......,..,---,,....,...._ _- r - - - - r - - . - - .
1s-1----ı.;........:;ıı_,a

1,0
.~
..!2... 46t---"'.1~b"+-:;-,,,L"--t--~-~"'4---+--'--+:::...-f=:.-ı
•o o,41---~.~c..--ı..r---ı-----ı....~""----ı..,,,c..~""-.....ı.......ı

2 4 6 8 10
w
Wn
•:Şekil. 18.~ 1;1,<.l!enlik .oranınınıfrekanş,oranıı:ı.a1 görıı:çi~iJUi, barn,onik kuvvet
föti'~iyoıı-u 'için:sönııile:uraaı değişken,alıqmıştır,,
f-.. ~:j-:_1 ,J } . .·,'" t, ."t!; il ~~~ . ~;'. ·-:··. • -·; ·:::-; ·,._;.( t(,:

Y~Jııekıuıtıl~td.Ufıffll *-~~-llfjıl.r,:f?mP,llRl~~,fo ~Al~WIP ~aklaşık olarak xo a

eşit olduğu bir bölge vardır. t nin 0 16 ve 0 17 d.e~erl_e~i ar,~.ıp-~a eğer w>3wn ise
z 0 ~x diyebiliriz. Bu o zaman fisn~ik dönüştüri.icünlm yerdeğiştirme veya hız ölç-
meleri için kullanıldığı bölgedir. Bu aygı.t. ilgilenilir frekans bölgesine göre düşük
wn değerli olacak biçimde kurgu!anrnı&tır. Buna göre aygıt,zayıf bir yaya veya
ağır kütleye sahiptir. öyleyse _maksLnu,n yerdı:ğiş,irme sınırı ortaya çıkacaktır.

Duyarlıktan ıeya yaydaki rezoıiarı;ı;. i'ı;'('i-:an~la.r;;ıını:ı,ıı, 1k~yıjp~deniyle bu aygıtın

bir maksimum frekans sının olacaktır.
z0 okumaları, sahanlığın ivmesini elde etmek için ku))ıl!\!J~bilir mi? Şekil 8-12
de Denle (18 - 16) yı esas alan z0 /x 0 eğrileri bu soruya cevap vermek için yardım
e~btli:t:'Z'<>rtmna· Jııı.ıv~i 1 1(11Ş~1:wğal foekanşla kar~ş~wıJdığı zaman küçük
oldnğunda, ··melli sönme· oı:atııarı ·iı;in · .-ceva~ın genliği sa.hanıı ğın ivmesinin tepe
değeri ile doğrudan orantılıdır. ~,~ -0,7 için iyi:,bir yaklaşıklıkla frekans bölgesi

w < 0,5 w n dir. öyleyse bir ivınemetre yüksek doğal frekansa ve uygun sönmeye
sahip cHmalıdır. Bununla birlikte wn çok yüksek yapıtama~ çünkü sabit 0 için z 0 x
cevabı 1/w 2 çarpanına göre azalır ve duyarlık küçülür.
. · Eğ'er ~evabııHazı ilg\ çekidyse;~ iaman,Dınk. (18. 15)gerekli bilgiyi elde
e~ebilniekte' ~ullanilır. lörneiinJ'iv'inenıeÜ~ bölkesinde, cevap ve ivme arasındaki
',.6, :·· ). :. •: ·. ·ı

açı 30 ye kadar gidebilir. · · ' ·.

ı79
 ().21----+-~~--~-..:.---~~-+-~"'-c--~~

0~04 q06 0,1 0.4 ~6 ,,o 2 3

w
1iijj"
Şekil 18-12 Kütlenin tit.-eşim genliğinin sahanlığın ivmesine oranının frekans
oranına göre çizimi, sör.me oranı değişken olarak alınmıştır.

Sismik bir dönüştürücü, harmonik olmayan bir uyarmaya karşı nasıl bir
cevap verir? Eğer uyarma periyodikse ,o zaman ,elektrik devrelerinde buna benzer
problemde oldulu gibi Fourier çözümlemesi kullandır. Eğer uyarma periyodik
delilse~diyellm bir şok pulsu gibi ise gene beklenen cevabın bir ölçüsünü hesapla-
mak mümkündür. Pulsun Fourier integrali, sonsuz serilere açılarak çözümlenebilir.
Sonra döııüşturlicünün her bileşene cevabı hesaplanır ve sonuçlar toplanır. Buna
göre harmonlk uyarmaya karşı cevap hakkındaki bilgimiz, başka uyarmalara karşı
da cevabı anlanıamıza temel oluşturur.

18-6
Sıcaklık ölçmek için dönüştüriicüler

a) Diıençl termometreler

Metalik bir telin direncinin sıcakhkla değişmesi uygun vf doğru bir termo-
metre oluşturur. Direnç, çoğu kez bir köprü ile ölçülür fakat bir potanıiyometre
de kullanılır. Küçük sıcaklık bölgesi üzerinde direnç ,

(18-17)

bağıntısınagöre değişir, burada RT, T ıııcaklığındaki direnç, R 0 , T O sıcaklığındaki

direnç ve a, T0 sıcaklığındaki ıııcakhk katsayısıdır. 25°Cda tipik a değerleri nikel
için 0,0067, bakır için 0,0043 ve platin için 0,00392 dir. Nikel aoo0 c ye ve platin
1000°C ye kadar kııllanılır.

-480
b) Termistörler

Termistörler katı yarıiletkendir, çoğu kez ortası delik, y~varlak biçiminde

yapılmışlardır ve tel uçları vardır. Madde, ekseriya metalik oksitlerin bir karışı­
mıdır ve buna istenilen biçime getirilmiş başka metalik bileşikler de eklenir, yük-
sek sıcaklıkta kenarlara çöktürülür ve cam yuva içine havasız olarak konur. Bunla-
nn dirençlerinin sıcaklık katsayısı negatiftir, oda sıcaklığında tipik değer yüzde
- 3,5/°C dir ve 200 °c de yüzde - 1,5/°C ye düşer. Direnç değişimi 1

(18 · 18)
· B B
p = p exp(-----)
T o T T ,
o

deneysel bağıntıya uyar, burada PT, T°K deki direnç,p 0 , ~ K deki direnç ve B bir
sabittir. Büyük sıcaklık katsayısı (Cu veya Pt nin oda sıcaklığındakinin 8 veya 9
katı) termistörün yüksek duyarlı sıcaklık duyucusu olması demektir.
Bir termistör, voltaj bölücü bir düzenekte sabit bir dirençle kullanılabilir ve-
ya Wheatstone köprüsünün bir kolu olarak kullanılabilir. Çıkış voltajı sıcaklığın
bir ölçüsüdür. Tipik oda sıcaklığı direnç değerleri_.500 den 100.000 e kadar deği­
şirler. ölçme akımı, termistörü çevresinden çok yüksek ölçüde ısıtmayacak kadar
küçük olmalıdır.

c) Termoçiftler

Seebeck, benzer olmayan A ve B metalleri arasındaki iki eklem J 1 ve J 2 ,

Şek 18 - 13a, farklı T 1 ve T 2 sıcaklıklannda ise devrede bir emk oluştuğunu ve
bir akımın aktığını buldu. Bu,ısısal enerjinin elektrik enerjisine doğrudan dönüş­
mesinin bir örneğidir. Emk yaklaşık olarak sıcaklık farkı lJ. T = T 2 - T 1 in doğru­
sal bir fonksiyonudur. Bundan ötürü t,.T yi ölçmenin uygun bir yolu devreyi Şek.
18. 13bdeki gibi kesmek ve devreye üçüncü bir metal, çizimde C, koymak demek-
tir. Bununla birlikte eğer J 1 ve J 2 eklemleri aynı sıcaklıkta ise o zaman emk üçün-
ru metal, C nin, eklenmesinden etkilenemez.
Milivoltmetrenin okumalan bağlama tellerinin direncinden etkilenir ve bu
direnç sıcaklıkla değişebilir. En iyi doğrulukla emk ölçmek için bir sıfır potansi-
yometresi kullanılır. Çok kullanılan bazı termoçiftler için o 0 c dolayında santigrat
derecesi başına oluşan emk ler : bakır • konstantan için 42,4, karoinel · alumel
için 41 ve platin . platintyüzde 10 rhodium için 6,5 mikrovolt/°C dir. Bu termo-
çiftler için maksimum çalışma sıcaklıkları aynı sırada 300°c, 1200°c ve 1450°C
dolayındadır. Emk sıcaklık farkının doğrusal bir fonksiyonu değildir ve emk i

481
 A
C C
B

(al (b)

Şekil 18 - 13 Termoçift devreleri.

sıcaklığa çevirmek için termoçift yapıcısının verdiği kalibrasyon tabloları kulla-

nılmalıdır.

Bir elektronik potansiyometredeki yükseltecin girişine bir termoçift ne

tipte bir sinyal verir? Kaynak direnci düşük 1 10n veya daha düşük olacak, emk ter
düşük, örneğin, 100 °c sıcaklık farkı için 4,0 mV ve bir yönlüdür fakat dalgalana-
bilir. Dalgalanmanın frekansı uygulamaya bağlıdır, fakat ekseriye saniyede bir kaç
dönüden azdır. 4,0 mV u yüzde 1/4 doğrulukla ölçmek için belirsizlik 10µ V tan
küçük olmalıdır. öyleyse yükselticinin girişine gelen gürültü voltajı buna karşılık
olarak düşük olmalıdır. Bu gereksinimleri doyurmak için yüksek hızlı, gösteren ve
kayıt eden potansiyometreler geliştirilmiştir.

18 - 7 ·
Fotoelektrik dönüştürücüler

Fotoduyar aygıtlar, kırmızı ötesi, görünür ve morötesi dalga boyu bölgele-

rinde ışınımları algılayabilirler. Bunlar fotoyayıcı. fotoiletici veya eklem yarıilet­
ken tipleri biçiminde sınıflandırılabilir. Akım geçtiğinde ışık yayan bir aygıt, ışık
yayan diyod, tanımlanacaktır.

a) Fototüp

Fotoyayıcı aygıtın bir biçimi, fototüp, üstü duygun kaplı bir metalik kat9d
ve tel anoddan oluşur ve hepsi bir cam ampul içine yerleştirilmişlerdir, Şek. 18- 14a.
Cam ampule.vakum fototüpte olduğu gibi 1 - 2 ınm Hg basıncında soy gaz doldu-
rulmuştur. Bir fototüp belirli düzeyde ışınımı tüp üzerine göndererek ve aygıtın
voltaj akım eğrisini. ölçerek denenebilir. Denemeler, gaz dolu tüpün belirli voltajda
karşılaştırılabilir vakum tipinden 6 veya 10_ kat daha iyi duyarlığa sahip olduğunu
gösterir. Bu akımı katlatan,gaz iyonizasyonundan gelmektedir.

482
 .Anod

n
n

c-
+
lal lbl (el

Şekil 18 - 14 (a) Bir fototüpün yapısı. (b) Ters beslemeli fotodiyod.

(c) Fototransistörün yapısı.

b) Yarıiletken aygıtlar

Bir fotodiyodun yapısı Şek. 18- 14b de gösterilmiştir. Bu tipte,ışınımın bir

kısmı p - tipi tabakaya işler ve .ekleme yakın azalma bölgesinde soğurulur. Eğer
fotonun yeterince enerjisi varsa değerlik elektronunu etkiler ve iletkenlik elektro-
nu olmasına neden olur. Böylece, bir elektron - boşluk çifti yaratılır. Bu boşalma
bölgesinde oluştuğu zaman, yerel elektrik alanı her iki taşıyıcının da ters akıma
eklenmesine neden olur. Fotonlar boşalma bölgesinin dışınpa soğurulduğu zamıın
birleşirler ve böylece akıma eklenmezler. ·
Bir fototransistör, Şek. 18 - 14c, karşıtı olan fotodiyoddan daha duyarlıdır.
Yapısı yayılmalı transistöre benzer fakat ışık taban - toplayıcı eklemine düşecek
biçimde kurgulanmıştır. Bu eklem bölgesinde soğurulan ışınımla elektron - boşluk
çiftleri oluşturur. Şekil 18 - 14c deki npn yapısında, artık elektronlar taban böl-
gesine hareket ederler. Bundan ötürü bir anlamda bu foto uyarılmış elektronlar
dıştan sağlanan taban akımı gibi davranırlar. Çoğu kez dış tübün ucu açık bırakılır
(veya şart değil) o zaman toplayıcı akımı esas olarak fotoetki ile kontrol edilir.
Toplayıcı akımı karşılaş~ınlabilir fotodiyoddan transistörün tısına yakın bir çarpan
kadar büyüktür. Bununla birlikte, fototransistörün daha yüksek "karanlık" akımı
ve daha kötü frekans cevabı vardır.
Fototransistörler çoğu kez AÇIK - KAP ALI cevabının gereksindiği bilgisa-
yar., delikli - kard veya delikli şerit okuyucularında kullanılır. Bu uygulama için
uygun, küçük boyutlarda (çapı 0,254 cm den küçük) yapılmışlardır ayrtca endüst-
ride inceleme, sayma ve sınıflama v.b. gibi kurgularda kullanılırlar.
Şekil 18 - 15a bir fotodirenç veya fotoiletken hücre göstermektedir. Bu ·
hücrede kadmiyum sülfit gibi yarıiletken ince bir kayış, seramik tabana depolan-
mıştır. Elektrod maddesi, yarıiletkene ohmik değme yaptırılmıştır ve bundan ötü-
rü aygıt simetriktir. Direncin istenen değerini elde etmek için çoğu kez direncin
zigzag biçimi kullanılı; ve akım kayışın kısa boyutları üzerinde akar. Yarıiletken
üzerine ışık düştüğünde taşıyıcılar artar ve direnç düşer. Bununla birlikte,ışık de-
ğeri ani değiştirildiğinde akım değişimi ani değildir fakat akımın son değ_eri
alması için bir saniye veya daha fazla zaman geçebilir. Bu gecikme daha zayıf ay-
dınlatma için daha büyüktür.

lal lbl
Şekil 18 - 15 Yarıiletken fotoaygıtları: (a) fotoiletken hücre ve (b) güneş pili.

Şekil 18 - 15b özel bir pn eklemli ve güneş pili olarak bilinen aygıtı gösteri•
yor. Çizim 1 - 2 mm boyutlarında ve 0,5 mm kalınlığındaki levhanın enine kesiti•
ni gösteriyor. Levha n tipi silikon bir tek kristaldir. Son ölçüde ince (yaklaşık 3µm)
p - tipi bir bor tabakası levhanın üzerinde difüzyonla oluşturulur ve biraz değişik­
liklerden ve elektrodları tutturduktan sonra pil tamamlanır. Işınım, çoğu kez ince
p tabakasından gire~ pn eklem bölgesinde soğunılur ve taşıyıcıların sayısında artma
olur.
pn ekleıri tipinin _akım - voltaj belirtgenleri,Şek. 18 - 16 yardımıyla açıklana­
bilir. Bu çizimde eklem ters beslendiğinde voltaj ve akım pozitif alınmıştır. Buna gö-
re pozitif voltajlar için küçük akım ve "karanlık" hali eklemin ~rs doyma akımıdır.
Işık ekleme çarptığı zaman akım,esas olarak ekleme yakın azınlık taşıyıcıların

artması ile artar.

Işık= 1

\P Karanlık

-o,a +20 +40

ıı-voıt.~

Şekil 18 - 16 Fotoduygun pn ekleminin belirtgenleri. Kutup anlaşmasına

ve negatif voltaj için ölçeğin değişikliğine dikkat ediniz.
484
 /
İkinci kadranda akım pozitif kalır fakat voltaj negatiftir. Bu bileşim, aygıt
boyunca bir dire~ç konarak elde edilir ve böylece eklem fotovoltaik pil gibi davra-
nabilir. Fotovoltaik emk inin soğurulma mekanizmasını verelim. Basit olsun diye
açık - devre durumunu gözönüne alalım. lşıylektron - boşluk çiftlerini ayırır ve·
bunlar p - tarafı pozitif olduğu zaman uç emk inin esas nedenidir. önce,artık
elektronların etkisine bakalım. p - tipi modelde olanlar difüzyonla ekleme doğru
hareket ederler ve sonra elektrik alanı vasıtasıyla eklem üzerinden süpürülürler. Bu-
~a göre elektron yoğunluğu n - tipinde kısmen şimdi tanımlanan elektron hareke-
ti yüzünden ve kısmen de n - tipi maddede serbest bırakılan elektronlar yüzünden
yükselme eğilimi gösterir. Uçlar açık olduğu zaman iki yönde eklemi geçen elek-
tronların sayılarının eşit olması gerektiğini hatırlayalım. Sonuç olarak sağa doğru
artık akım, sola doğru artan akım ile dengelenmelidir. Benzer biçimde boşlukların
akısı ve ters akısı da olur. Her iki taşıyıcıların alanla eklemi geçen artık sayısı iç
alanı yenen artık sayılarla zıt yönde dengelenmelidir. Bundan ötürü)ç enerji engeli
yüksekliği azalmalı ve bu azalma açık devre emk i olarak görünür. Teori, volt cin-
sinden ifade edilen emk ınin gelen ışınım artırıldığında elektron volt cinsinden
ifade edilen yasak bölge aralığının değerine ulaştığını gösteriyor. Bununla birlikte
silikon güneş pillerinde 1,1 V değerindeki enerji aralığından çok pratik sınır yak-
laşık 0,6 V tur.

c) Fotoçoğaltıcı tüp

Yüksek duyarlıklı bir fotoaygıt foto akımı yükseltmek için ikincil yayınlama
olayını kullanarak yapılır. Çizim Şek. 18 - 17 a da gösterilmiştir. Dikkatli kurgu-
lama ile fotoelektronların dynode denilen Dl elektroduna çarpmalarına neden
olunur. Burada bunlar 2 den 8 e kadar ikincil elektron oluştururlar ve D2 dynodu-
na doğru ivmelendirilirler. Orada olay tekrarlanır ve birkaç böyle katlanmalardan
sonra elektronlar anodda toplanırlar. Peşpeşe dynodlar arasında 100 • 200 V mer-
tebesinde voltajlar gerekir ve böylece toplam voltaj, katların sayısına bağlı olarak
750 - 2000 V un üzerinde ol!Jr.
Bu tüplerden, farklı spektral duyarlık belirtgenleri olanlar da bulunabilir,
morötesini duyar tüpler de bulunur. İkincil yayınlama olayı voltaja bağlı olduğun­
dan, duyarlık, şiddetli bir biçimde voltaja bağlıdır. Akım büyütmesi çok büyük
olabilir. Dynode katlarının· sayısı n ve her dynode gelen elektron başına ikincil
elektronl~n sayısı g olsun o zaman toplam yükseltme •

A= gn (18 - 19)

dir. örneğin dokuz• dynodde ve g= 4 olan bir fotoçoğaltıcıda A= 49 veya 2,62x105

dir. Dokuz katlı bir çoğaltıcı (RCA 931 A) 1250 V luk maksimum gerilimde 106

485
 -'----- - - - - E --------♦-
(ol {b)

Şekil 18 - 17 Fotoçoğaltıcı tiip: (a) ilkesi ve (b) devre sembolü.

lık bir yükseltmeye sahiptir. Aynı tüpün, uygulanan 750 V luk bir voltaj için, 3,3

A/lümen lik aydınlatma duyarlığı vardır.

Fotoçoğaltıcı tüpler çoğu kez fen araştırmalarında zayıf ışınımı algılamak
için ve buna göre spektrofotometrelerde, kalorimetrelerde X - ışını dozu ölçü
aygıtlarında kullanılır. Zayıf ışınımı ölçmek için tüpün sınırları karanlık akım ve
gürültüdür. Bu sınırların tekrarı ve uygulama bilgileri için okuyucuya Kaynak
18 - 2 nin 245. sayfası ve Kaynak 18 - 9 u salık veririz.

d) Işık - yayan diyod

Fotodiyodla fotonların soğurulması elektron - boşluk çiftlerinin oluşmasına

neden olur. Bunun tersi elektron ile boşluğun birleşmesidir ve bu birleşme sonucu
foton oluşur. İşte bu, ışık yayan diyodda (IYD) temel eylemi açıklamaktadır. Bu-
na göre birleşme sırasında iletkenlik elektronu değerlik bandına düşer ve bu enerji
farkına karşılık gelen dalgaboyunda ışık verir. Galyum - arsenit (GaAs) IYD da
bu fark 1,4 eV ve buna karşılık gelen dalga boyu 0,9 µm veya kırmızı ötesine yakındır.
Görünür bölgede ışık y~yan diyodlar GaAs ve galyum - fosfit (GaP) karışım­
ları kullanılarak yapılır. Yaygın olan tipi 0,66 µm dalgaboyu dolayında görünür
kırmızı ışık oluşturur. Işığın iç yansımasını önlemek için IYD un yayıcı kısmı ço-
ğu kez yarıküresel kubbe gibi yapılır.
Tipik bir GaAs IYD 1,2 V dolayında doğru voltajda ve 1,4 - 1,6 V ta çalıştı­
rılır. Artık ısı oluşmasını önle~ek için akım sınırlandırılmalıdır ve küçük bir IYD
için akım,50 m A olabilir. Işık çıkışı akımla kaba olarak artar, gerçi bu bağıntı
sıcaklığa bağlıdır ve sıcaklık artarken çıkış azalır.

486
 18-8
Fotoaygıt uygulamalarının teknik yönleri

a) Devıeler ve semboller

Bir fototüp için tipik devre Şek. 18 - 18a da gösterilmiştir. Megaohm merte-
. besindeki R direnci1 bir voltaj oluşturur ve bu yükselticiyi çalıştırı.r. Bazı uygula-
malarda ışık, kesilen demet rölelerinde ve film üzerinde sesin algılanmasında oldu-
ğu gibi, dalgalanır. Burada yükseltecin giriş sığası önemli olabilir.

1
1
+r
1
1

*c
1
1
R

,ı ,ı ıl •
(ol (bl le l (dl

Şekil 18 - 18 Fotoduygun aygıtlar için devreler ve semboller. (a) yayıcı - tipi

fototüp, (b) fotodiyod (simetrik olmayan), (c) fotoiletken dönüştürücü ve
(d)Fotovoltaik pil (engel fotopili, güneş pili).

. '
Şekil18 - 18b de olduğu gibi bir fotodiyod bir voltaj kaynağı ile seri olarak
kullanıldığında devre çözümünde yük - doğrusu yöntemi kullanılır ( Şek. 18-16 da
PQ yük - doğrusuna bakmız). Fotodiyod fotovoltaik pil olarak kullanıldığında
Şek. 18 - 18d deki gibi farklı devre sembolü kullanılır. Devre cevabı, Şek. 18 - 16
da OM doğrusu gibi direnç doğrusu kullanılarak bunun diyod belirtgeni ile kesim
noktasından bulunabilir.

b) Spektral duyarlık eğrilerf

Aygıt spektral yoğunluğu, yani ışınımın dalgaboyu ile duyarlığın değiş_imi,

gelen ışınımdaki gücün spektral dağılımı ile birlikte özel durumda akım cevabını
belirler. özel bir dalgaboyunda veya dolayındaki duyarlık, bir spektrometre
vasıtasıyla dar bir dalgaboyu bandı seçilerek ölçülebilir. Bunun için ışınım aygıta
gönderilir ve demetteki güç ve akım cevabı ölçülür. Akımın güce oranı bu dalgabo-
yuna duyarlıktır.
Temsili spektral duyarlık eğrileri Şek. 18-19 da gösterilmiştir. Çeşitli foto-

487
 100

~
rl
80 80
rl
H
ro 11
>- 60 1 60
:::ı
-o
<ı-
•rl 40
...., 40
«o
rl
aı
cı:
20 20

rı 5 O7 o,cı
l\ 1,4 1,8
~ ..ı'
Dalgaöoyu
rl N 'k t ~- mikrometre
r~orötesi ,..ı,..ı ..ı..ı~mı. rome nı
------1 Ho :;:,ro aıuı, Hro ~..ı ırmızıötesi
EE>- lfly:

Şekil 18 - 19 Temsili spektral duyarlık eğrileri.

tüpler Sl ve S4 tipinde eğriler veren duyar yüzeylere sahiptir. Sezyum ve oksitlen-

miş gümüşten oluşan bir yüzey S1 eğrisini verir. S4 eğrisi antimon ve alkali metal
bileşimi ile elde edilir. Silikon hücre ve germanyum (S14 cevabı) pn eklem pilleri
için temsili eğriler de gösterilmiştir. Morötesi duyarlık cam ampuldeki soğurmaya
bağlıdır, örneğin bayağı cam yaklaşık 0,3 ı.ım nin altında .amamen soğurur. Foto-
yayıcı veya iletkenlerin 24 farklı bileşimi özel pencere maddeleriyle birlikte
spektral duyarlık eğrilerini standartlaştırmıştır.
Şekil 18 - 19 Sl ve S4 yanıtları olan fototüplerin belli maksimum dalgaboy-
larına sahip olduklannı bunun ötesinde duyarlığın sıfır olduğunu gösteriyor. Bu
uzun - dalga sınırı, gelen fotonun hf enerjisi ile düzeyin Ew iş fonksiyonu arasın­
daki bağıntıyla açıklanabilir. Sınır, bu enerjiler eşit olduğunda yani

hf= ~ =eE (18 - 20)

A w

iken olur. Burada h Planck sabiti, c ışık hızı, e elektronun yükü, f ve 'A. ışınımın
frekansı ve dalgaboyudur. Buna göre daha uzun dalgaboylarında duyarlık elde
etmek için düşük iş fonksiyonu olan yüzey gerekir.
pn eklem fotodiyodların uzun-dalga sınırı, yasak enerji aralığının büyüklüğü­
ne bağlıdır. Buna göre germanyum diyod (S14 eğrisi) silikon pilden daha yüksek
uzun dalga sınırına sahiptir, çünkü germanyumun yasak enerji aralığı 0,67 eV ve
silikonun ki 1,1 eV tur.

c) Işık ve ışınım hesaplamaları

.Fotoduygun aygıtlarda iki hesaplama sistemi kullanılır. Birisi fotometrik

488
birimler denen sistem kullanır ve bunun temeli insan gözünün ortalama spektral
cevahıdır, Şek. 18-20. Bu sistem, referans t"evap ölçüleri için standart ışınım kay-
nağı da kullanır. Bu kaynak, 2870°K renk sıcaklığında çalıştınlan bir lambadır ve

100

~
~ 75
....
~
M
287□°K de
aı

~ tungsten için";ıüç daaııımı

-o 50
aı

i
•
- l·mikrometre
O
l'lnr.
-ötesi
+6 ~6
•• ••
rurur
~ ,.o 1,.2
----Kırmızıotesı
t.4
.• •
ı.,6 1,8

Şekil 18 • 20 Tungsten lambanın pç dağılımı ve in.san gözünün cevabı.

Şek. 18-20 de görüldüğü gibi ışınım yayınlar. Aygıtların duyarlık ölçüleri,tungsten

lamba kaynaklan kullanılan yerlerde yararlıdır. Bu hesaplamalar için şunlarla
Ugileniriz:
1. lşıma akısı, ışığın F ile gösterilen bir yüzeyden geçmesi, lümen ile ölçülür,
2. Yüzeye düşen aydınlanma veya E ile gösterilen birim yüzeye düşen akı,
bir cm 2 ye düşen lümen veya cm mum ile ölçülür,
3. Kaynağın şiddeti veya I ile gösterilen ve katı açı başına akı, mumgücii ile
ölçülür.
Aydınlanma bir fotoelektrik mum-metre ile ölçülebilir. Eğer cm 2 lik bir
yüzeye normal olarak düşen aydınlanmayı ölçersek akıyı •

F= EA (18 - 21)

ile hesaplayabiliriz. Bir kaynağın bir doğrultudaki şiddeti tanımdan•

dF
I = (18 - 22)
dw

dir ve dw radyan cinsinden diferansiyel katı açısıdır. Bütün doğrultularda eşit olarak

489
yayınlayan nokta bir kaynak için bir nokta etrafındaki toplam katı açı 411 ol-
duğundan F ~ 411 I dir. Buna göre ışık ışınımlarına dik olarak tutulan bir yüzey
üzerindeki aydınlanma için ters kare yasası,

E = _____E_ , 4 1T I 1 (18. 23)

A
=2
4 1T r2 r
biçiminde elde edilir, burada 411r 2 yarıçapı r cm olan bir kürenin yiizeyidir.
İkinci hesaplama sistemi radyometrik yöntemdir. Bu yöntemin esası özel bir
ışınım demetindeki toplam güçtür. Bu güç var olan farklı dalgaboyları üzerinden

bütün enerji akısının tüm etkisidir. Bu sistemde kullanılan nicelikler şunlardır :

1. Işınım akısı, P, belirli bir yüzeyden akan yahut bir kaynağın verdiği
ışınımın watt olarak taşıdığı güçtür.
2. Işınan aki yoğunluğu veya ışıma, H, birim yüzey başına ~att cinsinden
ölçülür ve birim yüzey başına gelen toplam güce eşittir.
3. Kaynağın ışıma şiddeti, J, verilen bir yönde birim katı açı başına watt
olarak ölçülür.
Buna göre eğer bir akı yoğunluğu H W/cm 2 , A cm 2 yüzeyine düşerse yüzey
üzerine düşen gücü,

P ~ HA (18 · 24)

ile hesaplayabiliriz.
Fotodiyodun ve fototran'sistörün ışınıma cevabı çoğu kez radyometrik nice-
likler kullanilarak belirlenir. Buna göre ışıma, iı, 20 mW;cm 2 ·olduğ_u zaman özel
bir silikon fototransistörün 4 mA lik minimum akım geçirdiği söylenir. Böyle bir
işaretlemeye, spektral dağılım duyarlığa etkidiğinden, kullanılan ışınım hakkında

bilgi eklenmelidir. Kaynak,renk sıcaklığı 2870°K olan bir tungsten flaman olabilir
yahut bazı durumlarda dalgaboylarının belli bir bölgesini geçiren süzülmüş bir
demet olabilir.

d) Başka optoelektronik aygıtlar ve uygulamaları

Kırmızıötesi kaynaklar (IYD tar) ve fotodiyod algılayıcıları gözetleme ve

davetsiz misafir alarm sistemleri için uygundur. Algılayıcılar; spektrometride,
karakter belirlenmesinde, yangın algılanmasında ve biraz önce söylediğimiz uygu-
lamalarda da kullanılır.
Başka çeşitli optoelektronik aygıtlar da sıralanabilir. Birisi fototransistörün

bayağı bir transistörle Darling~on bağlantılı bile~imidir. Bu son ö\çiirte dııvarlı bir
aygıt verir.

Bir optoelcktronik çiftleyici,GaAs IYD undan oluşur ve bir silikon fototran-

490
sistörü aydınlatır. Buna göre sinyal elektriksel olarak yalıtılması gereken devreler
arasında aktarılır.
Çeşitli
amaçlar için IYD dizileri geliştirilmiştir. Yedikesimli sayısal okuma
aygıtını tanımladık,Kes. 17 - 13. Başka bir aygıt alfasayısal göstericidir ve harfleri
ve numaraları gösterebilir. Bu aygıt, 35 IYD-ları 5x7 gösterme forrnatını kullanır.

18-9
İyonlayıcı ışınımlar için dönüştüriicüler

İyonlayıcı ışınımlar o: ve /j parçacıklarını '15 ve X ışınlarını içerir. Bunlar

çeşitli, farklı mekanizmalarla gazların ve katıların iyonlaşmalarına neden olur.
Çekirdek reaktöründe nötron akısı gibi başka ışınımlar
ikincil süreçlerle iyonlaşma
oluştururlar. İyonlayıcı ışınımları algılamak ve ölçmek için dönüştürücülerin kar-
maşık bir dizisi vardır. En önemli sınıflar, iyonizasyon odaları, orantılı sayaçlar,
Geiger-Müller sayaçları, yaniletken kristal sayaçlar ve sintilasyon sayaçlarıdır.
Burada iyonizasyon odası ve yarıiletken kristal sayacın kısa ilkelerini vereceğiz.
Bireysel iyonlayıcı parçacıklar veya fotonlar ( 'ıf veya X ışınları) dönüştürii­
cüye, dakikada birkaç tanedm, saniyede binlerce kadar gelebilir. Dönüştürücünün
bir tür çalıştırılmasında bireysel olaylar sayılmaz fakat daha çok ortalama göste-
rim veya ortalama - düzey ölçüsü elde edilir. Başka bir tür çalıştırmada ise bireysel
olaylar ayrılır ve olayları saymak için sistem gerekir. Çoğu kez karmaşık yüksek-
hızla sayma ve çözümleme aygıtları kullanılır.

a) İyonizasyon odası

Bu aygıt, Şek. 18-21 de parelel levhalar biçiminde gösterildiği gibi bir çift
elektroda sahiptir. Bir d. a. kaynağı, E, ışınımla oluşan iyonları aralıktan süpürmek
için yeter voltaj verir. Bu doym~ vol tajıdır ve voltaj - akım eğrisi üzerinde sabit-akım

Radyasyon
R

Şekil 18 - 21 İyonizasyon odası.

491
bölgesine karşılık gelir. İyoJ!izasyon odası hem puls hem de ortalama düzey çalış­
tırma türlerinde kullanılmasına karşın biz sadece sonuncuyu inceleyeceğiz.
Şekil 18-21 de iyonizasyon akımı,R direnci üzerinden akar ve bunun sonucu
doğan voltaj bir elektrometreyle algılanır. Elektrometre elektrostatik tipte örneğin

Lindeman (kuartz fiber) elektrometre veya elektronik-tipte bir aygıt olabilir.

İyonizasyon akımı, ıo- 15 A kadar son ölçüde küçük ve direnç 1011 n kadar bü-
yük olabilir. Devrenin cevap hızı odanın ve C elektrometresinin giriş sığacının
bileşimine ve R direncine bağlıdır. Bunlar 'T = RC zaman sabitini verir. Bu zaman
sabiti birkaç saniyeyi geçtiğinde özel teknikler kullanılmalıdır.

b) Yarıiletken kristal algılayıcı

Bir tip yarıiletken ışınım algılayıcı bir pn ·eklem diyoddan oluşur ve Şek.
18-14b de fotodiyod için gösterilen biçime sahiptir. Bazı algılayıcılar ters kutuplar
kullanırlar. Yani bunlar yüksek-dirençli p- tipi silikon yongasının üzerine n-tipi
tabaka yayındırılarak oluşturulur. Sonra elektrodlar konur ve aygıt transistör-tipi
metal bir muhafaza içine konarak havası boşaltılır. Işınımın girmesi için bir delik
bırakılır. İnce bir altın tabakası, diyodu görünür ışık alarak çalışmaktan kurtarır.
Işınım, eklem bölğesini geçtiği zaman elektron-delik çiftleri oluşur. örneğin,
bir alfa parçacığı 10 nın üzerinde elektron-delik ı;ıfti olu,ıturmaya yetecek
enerjiye sahip olabilir. Algılayıcı bir direnç ve ters beslemeli d. a. kaynağına seri
olarak bağlanır. Bir alfa parçacığı yahut başka çekirdeksel ışınım soğurulduğun­
da bir puls oluşur. Bu puls çabuk yükselme ve daha yavaş bozunma zamanına
sahiptir. Direnç üzerindeki' voltaj yükseltilir ve bir sayacı yahut yazıcıyı çalıştırır.
Bazan çeşitli grup ve genliklerde pulsları saymak için bir puls-yük'sekliği çözüm-
leyicisi kullanılır.

KAYNAKLAR

18 - 1 C.M. Harris and C.E. Crede, eds., Shock and Vibration Handbook, V.1,
Basic Theory and Measurements, McGraw-Hill Book Company,
New York, 1961, Chaps, 12-20.
18 - 2 K. S. Lion, lnstrumentation in Scieıİtific Research: Electrical lnput
Transducers, McGraw-Hill Book Company, New York, 1959.
18 - 3 G. F. Harvey, ed., ISA Transducer Compendium, 2d ed., Inst. Soc. of
America, IFI/Plenum, New York, Part 1, 1969, Part 2, 1970, Part 3, 1972.
18 - 4 H.N.Norton, Handbook of Transducers for Electronic Measuring Systems,
Prentice-Hall, ine., Rnglewood Cliffs, N. J., 196.9.

492
18 - 5 A. F. Giles, Electronic Seıtsing Devices, George Newnes Limited, London,
1966.
18 · 6 K. Arthur, Transducer Measurements, _Tektronix, ine., Beaverton, Ore.,
1970.
18 · 7 J. B. Dance, Photoelectiric Devices, Iliffe Books Ltd., London, 1969.
18 - 8 Engineering Staff of Texas Instuments, The Optoelectronics Data Book
for Design Engineers, Texas Instruments Int., Dallas, undated.
13 - 9 RCA Photomultiplier Manual PT . - 61, RCA Electronics Components,
Harrison, N. J., 1970.

ALIŞTIRMALAR

1R- 1 Şekil 18 - 2a daki sığaçsal dönüştürücünün sert, paralel levhalardan oluş­

tuğunu ve alanın kenar etkisinin ihmal edilebildiğini varsayalım. C sığacı ve x
yerdeğiştirmesi arasındaki bağıntının doğrusal olup olmadığı sorusunu tartışınız.

18 - 2 Bir yapısal eleman üstündeki .metal yapraklı dirençli zorlanma ölçeri bir
Wheatstone köprüsüne bağlanıyor. ö içerin direnci 240 n, ölçer uzunluğu O,7 62 cm
ve ölçer çarpanı 2,2 dir. Elemandaki gerilmenin ölçer direncinde neden olduğu
değişiklik O, 22n ise üyedeki gerilme nedir?
18 · 3 Bir zorlanma-ölçeri köprü devresinde aktif ölçerin direncinin belli zorlanma
ile 100 den 100,3 n a artırıldığını öteki üç kolda direncin 100n da kaldığını var-
sayınız. Kaynak voltajı 6 V ve kaynak irripedansı sıfır olsun. Köprünün çıkışı bir
yükselticiye geliyor.
(a) Eğer yükseltecin giriş direnci hiç bir etki olmayacak ölçüde büyükse yükseltici-
ye gelen giriş voltajı nedir? (b) Yükseltici için Rgir i lOOO!i varsayınız. (a) daki
değerin bir kesri olarak giriş voltajı nedir?
18 - 4 Tablo 18 - 2 deki değişkenlere sahip bir doğrusal değişken fark gösterici
transformatör 6 V etkin değerle 2,4 ki-İz frekansında uyarılmıştır. Sabit bir
0 10254 cm lik yerdeğiştirme için transformatörün etkin çıkış voltajı: (a) ikincil
devre açık olduğunda ve (b) 100n girişli yükselteç eklendiğinde nedir? Çözümle-
mede yapılan yaklaşıklıkları tartışınız.
18. 5 Bir· piezoelemanlı-yükselteç bileşimi Şek. 18 - 7 deki eşdeğer devreye
sahiptir. Cc = lOpF, Rc = ıolO n ve CL = 800 pF olsun. Uygulanan titreşimin
1 v. etkin değerli ve 2 Hz frekanslı voltaj oluşturduğunu varsayınız. (a) Yük;sel-
tecin grişindeki voltajın etkin değerini : (a) RL = 106 n ve (b) RL = 20xıo6n
için hesaplayınız.
18. 6 Bir sismik dönüştürücü Şek. 18 - 9c deki biçimine sahiptir. Makaranın kütle-

493
si 10 g ve yay sabiti 10 N/m dir. (a) Sönümsüz doğal fn frekansı nedir? (b) Eğer
0,6 lık narmalize sönüm isteniyorsa sönüm sabitinin gereken değeri nedir? (c) Dö-
nüştürücü yapısı 2 mm tepeden tepeye (t - t) harmonik genlikli 20 Hz frekansla
kalibre edildiğinde ölçülen çıkış voltajı 200 mV t - t dir. Dönüştürücü 8 Hz harmo-
nik titreşimi ölçmek için uygulantyor ve t - t çıkışı 120 mV dur. Bu titreşimin
genliği nedir? Sistemin ideal olmayan cevabı için bir doğrultma ekleyiniz. (d) İdeal
cevabı olmaması yüzünden eklenen düzeltme ihmal edilirse ve yüzde 5 i aşmayan
genlik hatasına göz yumulabilinirse bu dönüştürücünün kullanılması gereken en
alçak frekans nedir?
18 - 7 Şekil 18 - 9b deki gibi yapılan bir piezoelektrik ivmemetre gözönüne alınız.
İvmemetrenin m kütlesi, yerine yerleştirme dışında 40 g dır. (a) Eğer sönümsüz
doğal frekans 5 kHz ise yay sabiti nedir? (b) Y~y sabiti (a) da hesaplandığı gibi
alındığında sönüm 0,5 normalize sönüm çarpanı verecek biçimde ayarlanmış tir.
Eğer m kütlesinin dönµştürücü muhafazasına göre genliğinin muhafazanın ivmesine
normalize oranı düşük-frekans değerinin 1,05 ini aşmazsa dönüştürücü ne kadar
yüksek frekansta kullanılabilir?
18 - 8 Alıştırma 18 - 7 de tanımlanan piezoelektrik ivmemetre maksimum 200 g
olarak ifade edilsin, yani yerçekimi ivmesinin 200 katı bir değerde olsun. Sorun
olan titreşim harmonikse uygulanabilen maksimum genlik aşağıdaki frekanslarda
ne büyüklüktedir? (a) 40, (b) 100, (c) 400 ve (d) 1000 Hz. Bu frekanslarda maksi-
mum ivmeye karşılık gelen kristal sapmasının tepe değerini de hesaplayınız.
18 - 9 Şekil 18 - 16 daki · pn fotodiyod belirtgenlerini aydınlanmanın sabit bir de-
ğeri için güneş pilinden m~ksimum güç çıkışı elde etme tartışmasına temel olarak
kullanınız.
18 - 10 Dokuz - katlı bir fotoçoğaltıcı tüp S = 0,25 v 4•2 deneysel ·bağıntısıyla ve-
rilen bir aydınlanma duyarlığına sahiptir. Burada S lümen başına mikroamper ola-
rak duyarlık ve V kat başına voltajdır. (a) Kat başına V = 10 V olduğu zaman 2µ im
lik ışık akısı için anod akın11 nedir? (b) Çoğaltıcının fotokatod yüzeyi 6,45 cm 2
olsun. Hiç bir odaklayıcı mercek araya konmamışsa 32- mum güçlü bir lambanın
(a) da verilen ışık akısını vermesi için ne kadar uzağa konulmalıdır? (c) Eğer du-
yarlık V = lOV taki değerin yüzde ± 10 u içinde tutulması gerekiyorsa V de ne ka-
dar değişm~ye izin verilebilir?
18 - l 1. Silikon bir güneş pilinin yüzeyi 2 x 2 cm dir. Bu pil 100 W tık tungsten
lambasından 254 cm uzağa konduğu zaman 130 fotomumluk aydınlanma alıyor.
Pil üzerindeki yük direnci maksimum güç için ayarlandığında pilin çıkışı 0,4 V ta
6 mA dır. Lambanın düzgün olarak bütün doğrultularda yayınladığı varsayılırsa
güç aktarımının verimi nedir?
18 - 12 Ge fotodiyod için Şek-; 18 - 19 daki S14 eğrisinin ;\ = 2,0 µm de sıfır oldu-
ğunu varsayıyoruz. Bu bilgiyi esas olarak Ge da ele~tron volt cinsinden yasak
enerji aralığı nedir?

494
 )
/
;

18 - 13 0,9µ m dalga boylu tek renkli ışınımlanan bir fotodiyod üzerindeki dene~
H = 12 mW/cm 2 veV R=5 Yolduğu zaman lOOµm Iik akım veriyor. Duygun yüzey
3 mm 2 ise kuantum verimini (saniyede serbest bırakılan elektronların foton mik-
tarına oranı) hesaplayınız.
18- 14 Diyodlar üzerindeki aydınlanma değerleri arasındaki farkı algılamak için
Şek. 18 - 22 deki devrede iki fotodiyod kullanılmıştır.

Şekil 18 - 22

Diyodlann doğrusal bölgede (Şek. 18 ~ 16 da u > + 6 V bölgesinde) yani

diyod akımının i = ı 0 + E (1 0 + g") biçiminde ifade edilebildiği bölgede çalış­
tığını varsayınız. Burada ı
O karanlık akınıı E aydınlanma, I ve g sabitlerdir. Foto-
diyodlar üzerindeki E 1, E 2 aydınlanmaları, devre ve diyod değişkenleri ~insinden
Vx için analitik bir ifade : (a) R sonsuz iken ve (b) R gözönüne alındığında, bulu-
nuz. ı 0 nin ihmal edilebildiğini ve diyodların özdeş olduğunu varsayınız. (c)
E = 101, E 2 = 99 cm mum, V b = 40 V, R-:•oo, 10 = 1,0 µA:cm mum ve g = 0,002
0

1
µA/V x ftmumolduğuzaman Vx in değerl nedir? (d) R = 0,1 Mıı için (c) yi
tekrarlayınız.

495
 19
Elektronik Aletler

19 - 1
Giriş

Modern teknoloji ve bilim, bilgileri doğru olarak ve hızlı şekilde kaydeden

ve ölçme yapan aletlere artan biçimde ihtiyaç duymaktadır. Elektronik aletler ve
bilgi i 1lem sistemleri, bu ihtiyacı kar:-.ıılamada geniş geniş rol oynamaktadır.
önceki bölümlerde, laboratuvar aletleri veya elektronik sistemlerin parçala-
rının temeli olan birçok devreler tartışıldı. Bunlara örne]-;ler RC titreşkeni, sayma

ve zaman ölçme devreleri ve çeşitli dönüştürücülerdir. Bu bölümde elekt .-onik voıt­

metreler, sayısal gösrergeli voltmetreler ve multimetreler, elektronik otomatik den-
g.. leyici potansiyometre ve Katod-lşınlı Osilosl:op tartışılacaktır. Bunlardan ba~ka
fazmetre, elektrome'.re' ve Hal! olayına dayanan aldlerin, c:alışnıa ilkeleri gözcil'n
gl"çirilecektir.

19- 2
Klasik deney aletleri

Alet terimlerinin ve klasik göstergeli alcı ]erin kısa bit· tartışması, elektronik
tiplnle karşılaştırniada tenwli oluşturacaktır.

a) Bazı teknik terimlerin tanımı

Aletlerin duyarlığı genellikle onun hata tnimleri ile belirlenir. özel bir
gösterimde I bulunuyorsa büyüklüğün doğru değeri T ise, hata

E = 1- T (19 - 1)

şeklindedir. Düzeltme, hatanın negatifi olarak tanımla111r.

Aletin veya ölçümün doğruluğu, ardışık tekrarlanan işlemlerle sabit ay111

değerin bulunacağını gösterir.

Aletin ayırma gücü, kesin olarak meydana çıkarılabilen, en küçük ölçülen

nicelik artışı olarak tanımlanır.
Rasgele hata, bilinen bütün hatalar düzeltildikten sonra kalan sapmaları
gösterir.
İbreli aletler, tolerans ha~;ıları ile sınıflanırlar. örneğin, bir voltmetre yüzde
0.5 sınıfında değerlendirilmiş olsun. Bunun anlamı, herhangi bir ana ölçek bölge-
sindf'ki hata, okunan tam ölçeğin yüzde 0,5 inden fazla olamaz. Şöyle ki, tam ska-

496
lanın onda biri kadarlık bir okumada, yüzde 0,5 sınıfı alet, okunan miktarın yüzde
5 i kadar hata yapar.
Aletin cevap verme zamanı, çalışma işleminin uygulanmasından, göstergede
ortaya çıkıncaya kadar geçen zamandır ve belirli bir orandır, örneğin, azami değiş­
menin yüzde 99 u gibi.

b) d.a. Ainpermetreleı-,ve voltmetreler

Bunlar, sürekli mıknatıs alanı içinde hareket eden kangallı galvanometre

parçasına sahiptirler. Voltmetrede kangal, büyük bir dirençle seri olarak bağlanmış
iken ampermetrede galvanometre kangahna paralel olarak küçük değerli bir şönt
direnci bağlanır.
Ampermetre veya voltmetre, elektrik devresine bağlandığında, ilave direnç,
devreyi az yada çok ölçüde etkiler. Ampermetrenin devredeki bozma etkisinin
ölçüsü, tam gösterge sapmasındaki voltaj düşmesidir. Tipik bir değer 100 mV dur,
efer devre voltajı birkaç volt ise bozma etkisi dikkate alınır.
Devreye bağlanan voltmetrenin bozme etkisi, voltmetre tarafından çekilen
akıma bağlıdır. Karşılaştırma amacı ile bu etki, voltmetre toplam direncinin tam
skala voltajına bölünerek,ohm (n) bölü volt olarak açıklanır. Aletin tam - skala
akımı, ohm (n) bölü volt değerinin tersidir. Elektronik test işlemlerinde karşılaşı­
labilen bazı yüksek dirençli devrelerde, 20.000n /V luk voltmetre bile çok aşın akım
çekebilir ve elektronik voltmetre gerekebilir.

c) Seri - tip ohmmetre

Yüksek ölçüde duyarlık gerekli değilse, pratik ve hızlı direnç ölçme işlemle­
rinde, şekilde görülen ohmmetreler,genellikle kullanılır. Sıradan ohmmetre devresi
Şek. 19 - 1 de görülüyor. I akımı, bilinmeyen Rx direncinin fonksiyonu olduğun­
dan, miliampermetrenin M skalası, ohm (n) cinsinden bölmelenebilir. Bunwıla-bir­
likte, batarya voltajındaki değişmeleri denkleştirmek için sıfır ayarı gerekir. Bu
ayar, Rx direncini sıfıra indirerek (Pl ve P2 prob uçlannı kısa devre yaparak) ve

Rı
,. . ---V\1\,---p--q

't ~---_J··
Şekil
1

19 · 1 Ohmmetre deuesi.

497
tam - skala akımında, ohm (n) skalasından sıfır okununcaya kadar R 2 direnci
ayarlanarak yapılır.
Ohmmetre ölçeğinin doğrusal olmadığını basit bir inceleme gösterir. Uygun
bir sıfır ayarından sonra, M tam skala gösterirken I nın değerinin irs olduğunu
kabul edelim. Devrenin Rx dışındaki toplam seri direncini de Rt olarak alalım. O
zaman,

E
E Rt 1rs
I= = R R (19 · 2)
Rt+ Rx
1 + ....::.:JL 1+--X..
Rt H. t

yazarız.
Bu eşitlik, I ile orantılı olan sapmanın, Rx in lineer olmayan fonksiyonu
olduğunu gösterir. Sonuç olarak, özelli~le Rt ile karşılaştırıldığında Rx büyük i,e,
ohm (n) skalası lineer değildir. Bu nedenle, mümkünse okumayı orta skala civarın­
da yapmak en iyisidir.

d) Multimetre

Multimetre veya Volt - Ohm . Miliampermetre (VOM) olarak adlandırılan

kullanışb ölçü aleti, d.a. ölçen hareketli kısmı volt, akım ve direnç okumalarını
geniş bir ölçek aralığında yapabilmek için komütatör sistemine sahiptir. Genellikle,
a.a. voltajı okumalarının yapılabilmesi için sisteme diyod doğrultucu yerleştirilir.
D.a. aralığında volt başına ohm (n) oranları 20.000 ve a.a. bölgesinde 5000 dir.
Bu pahalı olmayan VOM kullanışlıdır fakat yüksek ölçüde duyarlıklı değildir ve
yüksek impedanslı devrelerde ölçülere sınırlıdır.

19 - 3
Elektronik voltmetreler ve multimetreler

Elekfronik voltmetrelerde, negatif - geribesleme ile kararlı hale getirilen

transistör ve lambalı yükselteçlerle birlikte, basamak düşürücü veya aralık değişti­
rici devreler ve çıkış durumunu gösteren sayıcılar kullanılır. Bunlar, Böl, 19 - 5 de
anlatılacak olan sayısal göstergeli - tip aletlerin aksine benzetme - tip aletler olarak
isimlendirilir. Ayarlanmış yükselteçlere sahip modern katot\ ışınlı osiloskobu, dal-
ga şekli gösterici olduğu kadar voltmetre olarak da kullanılır. Elektronik voltmet-
relerin birinci üstünlüğü yüksek giriş impedansına sahip olmaları ve diğer üstünlüğü
.ise a.a. tiplerinin geniş frekans aralığına sahip olmalarıdır.

498
 Şekil 10 . 10 daki devreye benzer bir tip elektronik Yoltmetrede çıkış göste-
rici olarak, bir defa fark alan yükselteç çifti miliampermetre ile birlikte kullanılır.
Elektronik voltmetre veya VOM, bölge ve işlem değiştirici komütatör anahtarla-
rın, ohmmetre devresinin ve akım okumaları için birçok direnç şöntlerinin _bir
araya getirilip, bunlara ayarlanabilir giriş zayıflatıcısı ilavesiyle oluşur. Bu tip bir
alet genellikle 10 Mn gibi yüksek giriş direncine sahiptir.

Şekil 19 · 2 Multimetre, veya volt - ohm - miliampermetre.

Bunun hassasiyet oranı, tam • ölçeğin yüzde 3 ü civarında ve en düşük tam

skala d.a. voltajı da 0,5 V civarındadır. Kararlı haldeki işlemsel yükselteçle sürülen
çift girişli fark yükseltecine sahip, çok kull_anılan Weston Şirketinin Şek. 19 • 2
deki pille çalışan Model 666 aleti bu tür voltmetrelere bir örnektir. Bu ölçü aleti,
geniş bir aralıkta d.a. ve a.a. nın her ikisi için volt, akım ve direnç ölçmelerine
imkan vermek için sinyal ayarlayıcı devrelere sahiptir. İlave yükselteç kazancı
daha fazla duyarlılık sağlar, böylece d.a.ve a.a.her ikisinde de en düşük voltaj aralı­
ğı tam • ölçekte 100 mV iken en düşük i;,.ım arahgı d.a. dalµ A ve a.a. da 1 m A 0

dir.
Hewlett • Packard Model 427 A çok fonksiyonlu ölçü aleti, Weston 666 mo-
del ölçü aletinin benzeridir, tek fark akım ölçme özelliğine sahip değildir. Bununla
birlikte, daha geniş voltaj ölçme bölgesine ve 500 MHz üzerine çıkabilen yüksek .
frekans probuna sahiptir.

499
 19 - 4
Aa. elektronik voltmetreler

Bilinmeyen dalganın farklı görünümleri ile örneğin dalganın tepe, doğrultul­

muş ortalama, veya kök - ortalama - kare (kök) değerleri gibi değerleriyle ilgilene-
biliriz. A.a. Elektronik voltmetrelerin çoğu, dalganın tepe değerini veya doğrul­
tulmuş ortalama değerini ölçerler.
Şekil 19 - 3 deki şönt - beslemeli RC diyod voltmetre devresi, Şek. 16- llb
deki diyodu ters çevrilmiş, diyod kıskaçlama devresine benzer. Bu devre, girişin
ortalama değeri 1J 11 ir in üzerindeki giriş dalgasının pozitif tepesine eşit bir cevap
verir. u gir nin si~üs dalgası olduğunu ve RC zaman sabitinin periyoddan daha
büyük olduğunu kabul edelim. Birkaç periyodson!a, C sığacı, '-\:ir nin rozitif tepe
değerine yakın değerine kadar dolar. Bunun sonucu olarak diyodun uçlarındaki Uj

·C
rı----ı

Şekil 19 - 3 Tepe değeri ölçen elektronik voltmetre ıı,:in diyod algılayıcısı.

dalgası, pozitif tepeleri sıfır voltaj seviyesinde kıskaç lanmış sinüs dalgasına düşer.
Bu ud wltajı, alçak - geçiren süzgece ( Şekil 19 - 3 de görünmüyor) uygulanır,
bundan ötürü d.a. voltmetresine ortalama değer uygulanır. Bu anda ortalama
değer, sinüs dalgasının tepe değerine eşittir.

Şimdi Ugir voltajını, d.a. üzerine binmiş a.a. dalgası olarak kabul edebiliriz.
Diyod devreli kıskaçlama işlemi, sinüs dalgalarının pozitif tepelerini tekrar sıfır
. voltaj düzeyi üzerine oturacak şekilde kaydırır, fakat sığaç, d.a. bileşeni ve a.a. bi-
leşeninin tepe değerlerinin toplamına eşit oluncaya kadar yüklenir. Sonuç olarak

bu gösterim, yalnız başına sinüs dalga gösterimi ile aynı olur.

D.a. bileşeni ile bozulmuş dalganın, şönt -,beslemeli devresine uygulandığını
düşünelim. Bir inceleme, devrenin cevabının dalganın ortalama değeri üzerindeki
pozitif tepelerle orantılı olduğunu gösterir.
Diyod giriş devresi, küçük bir zırhlı prob içine konulup zırhlı kabloya bağla­
narak yukarıdaki voltmetre, birkaç yüz megahertz veya daha yüksek frekanslara
kadar RF voltaj ölçme işlemlerinde kullanılabilir. Hewle_tt - Packard Model 427 A
voltmetre için RF probunda kullanılan şekil budur.
Çok kullanılan ve ortalanİa cevap veren elektronik voltmetrelerde Şek.19-14
deki genel plan kullanılır. Girişteki tıkaç sığacının, sinyalin d.a. bileşenini taşıdığı-

500
na dikkat edilmelidir. Değişken bileşen, düzenleyiciye uygulanıp kalibre edilir,
sonra yükseltilir ve çıkışta doğru akıma çevrilir. Yüksek duyarlılık ve doğruluklu
alet için, yüksek ayarlı, kararlı geri beslemeli yükselteç kullanılarak düzenleme
yapılabilir. Frekans bölgesi üst sınırı genellikle 2 veya 3 MHz ve alt sınırı
10 Hz civarındadır. Dalganın her iki yarısı doğrultulur. Bundan ötürü cevap, giriş
voltajının değişken kısmının tam - dalga doğrultulmuş değeri ile orantılıdır.
<>--i.____ __
vgir.

Kararlılaştırılmış
yüksel tici,,.

geri besleme

Şekil 19 - 4 Ortalama cevap veren a.a. voltmetre için basitleştirilmiş çizim.

Genellikle a.a. elektronik voltmetreler, göstergeleri sinüs dalganın kok değe­

rini gösterecek şekilde, sinüs dalgası üzerine ayarlanır. Sinüs olmayan dalgalar bu
voltmı>trelere uygulandığında, ölçek okuma işlemi, voltmetrenin cevap ilkesine
bağlıdır (Kes. 16 • 6 ya bakınız).
Doğru kok değeri ölçülebilen bir çok çeşit voltmetre yapılabilir. Doğru kok
değerli voltmetrelerden bir çeşitinin şebekesinde aletin giriş impedansı büyüktür
ve termoçiftin yanmasını azaltmak için koruyucu devresi bulunur. Şema Şek.19-5
de gösterilmiştir. ölçülecek voltaj, geniş bandlı a.a. yükseltici ile yükseltilir ve TCl
termoçiftinin ısıtıcısı Hl e verilir. İkinci termoçift d.a. yükselteci tarafından besle-

Şekil 19 - 5 Doğru kok değeri ölçen voltınetrenin şematik gösterimi.

501
nen H2 ısıtıcısına sahiptir. İ~i termoçiftin d.a. çıkışı birbirinin tersidir ve bunların
farkı d.a. yükselteci girişine verilir. Bu bir çeşit hata kontrollü geri besleme siste-
midir. Hata voltajı sıfıra düşürüldüğünde, Hl ve H2 ısıtıcıları aynı doğru ısıtma
gücünü alırlar. Böylece, voltmetre üzerindeki M metresi, ölçülen ex voltajının a.a.
kısmının kok değerinin ölçüsünü verir.

19 - 5
Sayısal voltmetreler ve multimetreler

Sayısal göstergeye sahip olan aletler, sayaçların benzeridirler, Şek. 19 - 6, ve

geniş bir fiyat ve hassasiyet bölgesinde elde edilebilirler. Sayısal metrelerin açık üs-
tünlükleri daha büyük doğruluk vermeleri, insan ~atasını azaltmaları n, daha hızlı
cevap vermeleridir. Bazı aletler, kaydedici veya şerit delici çalıştırma özelliğine

Şekil. 19 -6 Sayısal multimetre.

sahiptir. Sayısal metrelerin genel planı Şek. 19 - 7 de görülüyor. Benzetme değeri­

ni sayısal değere dönüştürücüde, doğru voltaj veren işaret içinde, kademe anahtarı
sinyal dönüştürücü, a.a.- d. a.dönüştürücü ve ohmmetreye dönüştüren devre, bulu-
nabilir. Bu çeşit ölçü aletleri, ö~ceki bölümde tartıştığımız ilkelere göre çalışırlar.
Sayısal göstergeli aletlerin ana farkı, benzetme - sayısal (B/S) dönüştürme
tekniğinde yatar. Birçok çeşit B/S dönüştürme tekniği ·kullanılır ve bunların Böl.

502
21- 7 de örneklerini vereceğiz.
Bazı aletlerde kontrol mantığı, B/S döııüştüıücüyü etkileyen kontrol görevi-
nc, sahiptir, fakat onun esas görevi, ıifre çözücü ve sayısal göstergeyi ıünnek ve
ardışık okumalara fırsat veren zaman aralığı olan okuma periyodunu kontrol et-
rnt>ktir.

Sinyal ayarlayıcı Benzetme-sayısal Kontrol, mantık

devreler (Benzet- dönüştürücü •------< devresi ve şifre
me bölümü özücü

Sayısal gösterge

Şekil 19 - 7 Sayısal multimetrelerin blok çizimi.

Pahalı olmayan sayısal voltmetreler genellikle, 3 veya 4 rakamlık tam ölçme

aralığına ilave olarak sadece O yeya 1 okuyan ölçme aralığı fazlalığı rakamına sa-
hiptir. Genellikle bunlar 3 1/ 2 veya 4 1/ 2 rakam ölçü aletleri olarak isimlendirilirler.
Çok pahalı ölçü aletleri 5 veya 6 rakama ilave olarak ölçme aralığı fazlalığı rakama
sahip olabilirler. ölçme aralığı fazlalığı değişir, bu değer yüzde 100 veya yalnızca
yüzde 50 veya 20 olabilir. örneğin, 3 Y2 rakamlı, yüzde 100 ölçü fazlalığı okuyabi- ,
len ve 0,001 V artışı gösterebilen düzene sahip olan ölçü aleti 1,999 Va kadar vol-
tajı ölçtüğü halde, 4 1/ 2 rakamlı, yüzde 50 ölçü fazlalığı okuyabilen ve 0,0001 V
artışı gösterebilen ölçü aleti ile 1,4999 V luk voltaj ölçülebilir.
Benzetme· - sayısal (B/S) dönüştürücüler iki genel sınıfta toplanırlar, bunlar
integre eden ve integre etmeyen tiplerdir. Bunların etkinliklerinin ana pratik farkı,
dönüştürücü girişine gelen doğru voltajın gürültü bileşeninin okunması üzerindeki
etkiye bağlıdır. İntegre etmeyen tiplerin cevabı, okuma aralığı sonunda mevcut
olan sürekli gürültü bileşeninden etkilenirken, integre eden tipler, gürültünün ve
işaretin integraline cevap verirler. İntegre etmeyen tip ölçü aletlerinde, işaret dü-
zenleyici devreye alçak - geçiren süzgeç ilavı:ı edilerek gürültüden korunabilir, fakat
bu da ölçü aletinin cevabını yavaşlatır.

a) lntegre etmeyen B/S dönüştürücülü sayısal voltmetre

Bölüm 21 . 7 de tanımlanan, integre etmeyen iki ayrı B/S dönüştürücüden

biri ardışık yaklaşıklık tekniğini kullanır, diğeri ise rampa fonksiyon zaman-taban
kodlama esasına dayanır. Sonuncunun bir biçimi, + 12 V dan - 12 V a kadar eksi
yönde giden rampa voltaj kullanır. Bu, sinyal ayarlayıcıdan alınan O dan + 10 V
ve O dan - 10 V aralığmdaki doğru voltajlar için uygundur. Devrede, sinyalleri
kontrol mantığına gönderen iki karşılaştırıcı kullanılır. Kontrol mantık

S03
devresi, çıkışında, giriş voltajı Vx okunan sayıcıya yerel titreşken frekansını geçi-
ren VE geçitini sürer. örneğin, Vx = + 1,542 V olduğunu kabul edelim. Girişteki
bir karşılaştıncı rampanın + 1,542 V noktasından geçme anını duyar ve geçit sayı­
cıyı çalıştırmak üzere açılır. Rampa O • Volt düzeyinden geçtiğinde, karşılaştırıcı,
o anda 1542 okuyan sayıcıyı durdurmak üzere kontrol mantığına işaret verir. Ale-
tin kademe anahtarı ve kontrol mantığı ondalık noktasını gösterir.
Rampanın tamamını geçmek için gerekli zamanın 0,12 saniye olduğunu
kabul edelim. Kontrol fonksiyonu için ilave bir zaman gereklidir, bu ölçü aleti
için kontrol zamanı. 0,2 sn/okuma veya okuma hızı 5/sn şeklinde verilir. İlave
olarak, işaret düzenleyici devreler için cevap zamanına gerek olabilir, örneğin,
a.a. • d.a.dönüştürücünün giriş basamağından sonraki değerin yüzde O,l'i civarına
ulaşması için 1 saniye zaman gerekir.
Rampa dönüştürücü gerçekte voltaj zaman dönüştürücüdür. Diğer dönüştürü­
cü voltaj • frekans tekniğini kullanır. Aşağıda bu örnek incelenmektedir.

b) İntegre eden sayısal voltmetreler

Voltaj - frekans dönüşümü kullanan, integre edici ölçü aletinin blok çizimi
Şek. 19 - 8 de görülmektedir. Giriş voltajı V x' R 1 , c 1 ve işlemsel yükselteci kap-
sayan integre edici devreye etki eder. Vx i sabit ve pozitif doğru voltaj kabul
ettiğimizde, integre edicinin çıkışının aşağı rampalı fonksiyon olmasını bekleriz.
Bu çıkış, referans voltajı, - _V ref• ile karşılaştırılır ve rl\mpa - Vref değerine ulaşın­
ca karşılaştırıcı,puls üreticiye sinyal verir. Puls üretici devre, c 1 sığacının yükünün
tamamını çıkaran kısa negatif akım pulsu verecek şekilde düzenlenir. Sonra işlem­
sel yükselteç çıkış voltajı yeni bir rampaya başlar ve bu işlem tekrarlandığından
testere dişi voltaj dalgası elde edilir. Vx voltajı artarken rampa eğimi diktir ve testere
dişli dalganın frekansı doğru orantılı olarak artar. Bu frekans, 0,1 veya 1,0 sani-
ye gibi sayma zamanını kontrol eden VE geçiti kontrolu altında sayıcıyı çalıştırır.
_Sayma sonucunda, sayıcıdaki bilgi sayısal göstergeye aktarılır.
c,

v.-""'Rrv1 v----.ı lş:ı 4~

yüksel karşılaştırıcı
ters çevrilir
-v..,---1 1
sayıcı

1 8. 6 7

puls
üretici __ 7 'L__j
geçit uzunluOu __kontrolü~

Şekil 19- 8 Voltaj - frekans integre edici SVM in blok çizimi.

504
 İntegrasyon tekniğinden ötürü, ekranda okunan değerin geçit aralığında Vx·
in ortalamasına uyduğunu ileri sürüyoruz. Böylece, ortalamadan gürültü ilavesi
çıkarılmış olur.
Kullanışlı
ölçü aletlerine, ikinci bir karşılaştırıcı, pozitif karşılaştırma voltajı
ve puls üretici ilave edilir. Bunlar Vx negatif olduğunda aletin cevap vermesini.
sağlar.
Sayaç gerçekte terslenebilme veya alt - üst edilebilme özelliğine sahiptir. Kü-
çük d.a. giriş sinyali fakat yüksek gürültü tepesinin bulunduğu durumlarla uğraşı­
yorsak geçit aralığının bir bölümü için giriş sinyalinin terslenmesi gerektiğinden,
bu tip sayaçlara ihtiyaç vardır. özellikle,· giriş sinyalinin ortalama değerlerinin
ölçülmesinde sayaç, dalganın negatif bölümünde ters yönde sayacaktır.
Bazı ölçü aletlerinde çift - eğim tekniği kullanılır. Bu yöntemde benzetme
sinyali 0,2 saniye gibi tam zaman aralığı için integre ediciye uygulanır. Ondan son-
ra, integre edici çıkışındaki voltaj, meyil doğrusu üzerindeki sıfıra doğru sürülür.
Sıfır noktasına ulaşmak için gerekli zaman ilk integre edici voltaj .dolayısıylada
giriş sinyalinin bir ölçüsüdür. Bu zaman yerel titreştirici, kontrol mantığı, sayaç
ve sayısal gösterge devresi tarafından sayısal değerlerle ekrana getirilir.

19- 6
Elektronik voltmetre okumalarının anlamı

Elektronik voltmetrelerin güç frekansında sinüs dalgasına düzenlenmesi ve

sinüs dalganın kok değerini gösterecek şekilde skalasının işaretlenmesi, genel bir
işlemdir. Bununla birlikte, sinüzoidal olmayan dalgaların, tepe değere cevap veren
veya ortalama ölçen sistemlerde ölçülmesi sırasında okunan değer dalganın doğr~
kok değerinden çok farklı olabilir, ve böylece gösterge de oJmnan değerin anlamı
ile ilgili problem ortaya çıkar.
Eğer dalganın d.a. bileşeni yoksa, dalga tepe değerinin, 1/.,/2 veya O. 707
değerini gösterecek şekilde ,Yani dalganın kok değerini gösterecek şekilde tepe
değere cevap veren ölçü aletlerinin göstergeleri düzenlenir. Şekil 19 - 9 un (a) ve
(b) bölümlerinde bu durum şekillendirilmiş ve hatta göstergeden okunan değerle
doğru kok değer arasındaki fark ta gösterilmiştir. Şekil 19 - 9d de olduğu gibi
dalganın d.a. bileşeni var ise, alışılmış bir değere cevap veren ölçü aleti, ortalama
değer veya d.a. düzeyinden sapmalara cevap verir. Bu nedenle Şek. 19 - 9d pe
ölçü aleti pozitif 80 V luk tepeye cevap verir ve okuduğu değer 80/.J2veya 56.5 V
dur. Eğer sonuçta voltmetre terslenmiş ise okunan değer yalnızca 20/ .J2 veya
14,1 volt olacaktır.
Voltmetrenin, Şek. 19 - 4 de olduğu gibi,dalganın değişken kısmının tam
dalga ortalama değerine cevap verdiğini ve sinüs dalganın kok değerine göre göster-
genin ölçeklendirildiğini dikkate alalım. Düzgün sinüs dalgası üzerinde, tam dalga

505
ortalama değer (2/ 1r) x (tepe değer) e eşit olduğu halde, ölçekten okunan değer,
(1/ y'2) x (tepe değer) e e'şittir. Bu nedenle okunan değer, tam - dalga ortalama
değerinin 1r/(2✓2), veya 1111 katına eşit olur. Bu oran, zaman eksenine göre si-
m:ıtrik herhangi bir dalga için de doğru değer olarak geçerlidir. Dalganın d.a.

gerçek voltnietrede
okunan ·
skalada
kök Tepe Tam dalga
de~eri 1 ceıvabll ortalama
cevap '

100 = 70 7 10,7 10,7

✓2 '

.
100 70,7 1111 X 100=111

100 = 57. 7
./3 >
70.7 ı,ııx 1 ~=55~
i

tıu
100 • ı .l:t~l~
o .....,20_ _ _ __
--1 1 !--!--- 4 - - --ı.
(dl

Şekil 19 • 9 Çeşitli dalga şekillerine voltmetre cevaplan.

bileşeni var ise, bu bileşen önce çıkarılmalıdır, sonra geri kalan değişken kısmın,
doğrultulmuş ortalama değerinin 1,11 katı okunan değere eşit olacaktır. örneğin,
Şek. 19 - 9d deki dalgada 20 V d.a. bileşeni çıkarılır ve + 80 V dan - 20 V a giden
kare dalga geriye kalır. Bunun doğrultulmuş ortalama değeri (80 + 80)/ 5 veya 32
dir, ve okunan (voltmetreden) değer ise !,11 x 32 veya 35,6 volt olur.
Bozulmuş sinüs dalga ölçüldüğünde,. göstergeden okunan değer, yalnızca

dalganın harmoİıik bileşenlerinin ·büyüklüğüne değil aynı zamanda onların faz

durumlarına da bağlıdır. Genel olarak, ortalama değere cevap veren ölçü aletleri,
tepe değere cevap veren ölçü aletlerinden dalganın kok değerine daha yakın oku-
ma im.kanı verir.

506
 19 - 7
Kendi kendini dengeleyici elektronik potansiyometre :
X - Y kaydedici

Potansiyometre, bilinmeyen voltajı bilinen voltajla karşılaştıran, karşılaş-

tırma aletlerine bir örnektir. Bilinen voltajın ayarlanması ile fark veya hata sıfıra
İnidirilir. Şekil 19 - 10, otomatik dengelenen potansiyometre aletinin sistemini
göstermektedir. Hata voltajı e, bilinmeyen ex voltajı ile bilinen es voltajı arasında­
ki farktır. Hata voltajı, genellikle duyarlı modüle edici tip olan ve çıkışı hat frekan-
sında olan A1 d.a. yükseltecinin girişine uygulanır. A1 in a.a. çıkışı, M yardımcı
motorun birinci (faz 1) fazını çıkışıyla besleyen A2 güç yükseltecini sürer. Faz 2,
90° faz kaymalı voltaj ile a.a. hattı tarafından sağlanır. Motor, dişliler ve uzun
kablo aracılığı ile potansiyel bölücünün değişken ucunu hatayı sıfır yapacak yönde
sürer. Eğer hata voltajının işareti ters dönerse, A1 ve A2 yükselteçlerinin çıkış vol-
tajlanda tersine döner· veya fazı 180° değişir ve motorun dönme yönü terslenir.
Bu sistem gerçek bir güdümlü mekanizmadır ve Böl. 15. de tartışılan yöntemle
davranışı çözümlenebilir.

--------0 i M
,r--: C

Şekil 19 • 1 O Kendi kendini dengeleyen güdümlü motorlu potansiyometre-

nin basitleştirilmiş blok çizimi..

Tipik ticari bir alet, gösterge tablası üzerinde es (dolayısıyl~ ex) i belirleyen
göstergeye ve genellikle, saat motoru tarafından sürülen hareketli kart üzerine
kayıt yapan mürekkepli kaleme sahiptir. Böylece ex in, zamanın fonksiyonu ola- .
rak kaydı alınır. Kesim 19 - 8 de açıklanacağı gibi bu alet potansiyel bölücü üzerin-
den standart hale gelmiş voltaj sağlar.
Bi.t basamak girişe cevabın son değerinin yüzde biri kadar değerine cevap
verme süresi 0,5 den 10 sn veya daha fazla zaman aralığındadır. Genellikle düşürü­
cü ayarlama yapılır. Eğer bilinmeyen elektromotor kuvvet kaynağının iç direnci
büyük ise yükseltecin giriş impedansı önemli olur. Potansiyometrelerin özellikle,

S07
terınoçift emk değerlerini ölçmek için düzenlenen çeşitleri, 2000 den 8000n
veya daha yüksek, yükselteç giriş impedansına sahiptirler. Tipik, yükselteç voltaj
kazançları 106 - ıo 7 (120 - 140 dB) mertebesindedir.
X - Y kaydedici olarak bilinen kullanışlı alet, biri kaydedici kalemin x yönıı,..
deki dönmelerini öteki y yönündeki dönmelerini kontrol eden, kendi kendini den
geleyen iki potansiyometreden oluşmuştur. X-Y kaydedicinin bir örneği Şek.19-11
de görülmektedir. Bu alette, güdümlülerden biri, kalemi taşıyıcı olarak görev yapan
düşey kolun yatay hareketini ve öteki güdümlü ise bu kol boyunca kalemin düşey
hareketini kontrol eder. Bir dönüştürücü tarafından d.a. emkt dönüştürülebilen
herhangi iki fiziksel niceliğe ait eğri X-Y kaydedici tarafından çizilebilir. Buna
örnek olarak, ısıya karşı ışık çıkışı, akıma karşı magnetik akım yoğunluğu ve
germeye karşı gerilme değerleri verilebilir. Bazı modelleri, zamana karşı lineer
sapmalan gösteren yeterli sisteme sahiptirler ve bunlar da kaydedici olarak kullanı­
labilirler.

1 1 1 t t '': '

·:=t -
~,o,~••""'-"'>''•-,,,_, e,.;'•••,..,..i,/,•,,_,.... *•"t-\~"r,>ft,"l;:~;"\'.'?"<-'><\"j",i✓,ı,,.;~Q;,•~J..~"t. ,i.Jf-~...s• •< •~:::-;,;:,~,• ';'>

Şekil 19 - 11 X - Y kaydedici •

19 - 8
Potansiyometre devreleri

Burada potansiyometre uygulamalarını etkileyen potansiyometre devreleri-

nin bir veya iki görünümünü gfüıönüne almak istiyoruz. İlk olarak denge duyarlığ_ı
iizerlhe Şek. 19 - 12a dakl yükselteç giriş direncinin Rgır etkilerini gözönüne ala-
cağız. Bu çizim de bilinmeyen ex voltajı, tasarlanan E, R 1 ve R2 kaynak devresi

508
 tarafından türetilir,es ise potansiyometrenin bir parçası olan P voltaj bölücüsü
tarafından türetilir. Biz, es4- ex iken, dengenin sağlanmadığı durum için, e nin
değerini araştınyoruz. S anahtarı açık iken ex ve es değerlerinin mevcut olduğunu
kabul edersek deneme devresi ve potansiyel bölücü için Şek. 19 - 12b de olduğu
gibi Thevenin kaynak eşdeğerini kullanabiliriz. Bu devre çevresindeki akımı, ex e6
voltajını devredeki toplam dirence bölerek hesaplayabiliriz ve hata voltajı e de
akım ile Rgir dirençlerinin çarpımıdır.

Rgir (ex - es )
(19 · 3)
Rgir + Rx + Rs

dir. Böylece, Rgir >> (Rx + R8 ) iken e yaklaşık olarak ex-es dir, aksi durumda
dengesizlik durumu duyarlığı küçülür.
Bazı uygulamalarda, örneğin, termoçift emk ölçümünde, Rx birkaç ohm gi-
bi küçük bir değere sahiptir ve duyarlık problem değildir. Bununla birlikte kimya-
sal çalışmalarda, cam elektrodlarla yapılan pH ölçümü gibi bazı ölçme işlemlerin
de direnç megaohm mertebesinde olabilir.

E-=-

(ol (b)

Şekil 19 -12 Potansiyometre uygulama devresi.

Böyle bir durumda giriş direnci çok önemlidir ve gerekli giriş direnci vermesi i~in
giriş katına özel elektrometre tüp veya MOYİAET gerekebilir.
Kullanışlı bir potansiyometre devresinin şematik çizimi Şek. 19 - 13 de gö-
rülüyor. M motoru, duyarlılık teli S üzerinde hareketli değme ucunu sürer. E · R ·
R . S - E çevriminden geçen akım doğrulukla ayarlandığında,S üzerinde potansi-
1 . .
yoınetre!lin tam olçek voltajına eşit bir düşme vardır. Şekildeki orncklc potaıısıyo-
metre voltajı 100 mV ve R 1 ile S seri bağlantısında voltaj şekildeki gibi l,019 Vdur..

509
"Çalışma" akımı, SW anahtarı 2 konumuna getirilip hata voltajı, e, sıfır oluncaya
kadar il reostası ayarlanarak bulunur. O zaırian R 1 ve S boyunca olan voltaj
standart hücre vlotajını, E.;c yi dengeler ve bu voltaj 1,019 V varsayılmıştır. Ticari
potansiyometrelerde bu ayarlama, R reostasını kontrol eden yardımcı güdümlü
sistem tarafından otomatik olarak yapılır. Çalışma akımı sabitleştirildikten sonra
S üzerindeki emk in tam olarak 100 mV olması için Rı ve S dirençleri uygun seçi-
lir.

o
M

f"'L
r
l~\ll1 V

sw
e
''
'' r
IOOmV

Şekil
L: - e, +
1 E

19 - 1 :ı Kendi kendini dengeleyen basit bir potansiyometre devresi.

J\leti kullanmak için SW anahtarı 1 konumuna getirilir. Sonra bilinmeyen ex

voltajı, bilinen es voltajı ile karşılaştırılır ve yukarıda açıklandığı gibi hata voltajı
e, potansiyometreyi dengeye gı>tirecek şekilde etkir.
Ticari aleUerde, aynı ölçme telini kullanarak şebekedeki direnci değiştirmek
için düzenleme yapılır. örneğin, uygun tam - .ölçek okumaları verecek şekilde,
S üzerinde değişik aralıklar için yapılan düzenlemelerde 2, 10 veya 100 mV luk
eııık'lar okunabilir.
llazı lilçmc uygulamalarında sıfır noktasını gizli tutmak arzu edilebi-
lir. Ürnı>ğin, sınırlı yüksek - sıcaklık aralığının üzerinde, termoçift sok duyarlı sı­
caklık okumak için tam ülçek aralığının ex Jeğerlerine (örneğin 9mV dan 10 mV
kadar) uyması istenebilir. Böylece, S ölçü teli boyunca potansiyel düşmesi 1 mV
olur. l'otansiyonwtrt>nin 9 nı V un üzerindeki voltajlarda denge.ye gelebilmesi için
sınırlama voltajı ters yönde ve sni olarak ilave edilmelidir. Duyarlı ters voltaj, veya

"denge" voltajı kaynağı, voltaj bölücüsü ve d.a. voltaj referansıyla laboratuvarda

tasarlanabilir. Ticari aletlerde, sıfır durdurma işlemini yapan devreler de bulunabi-
lir.
Doğrudan voltaj ölçen devrelerden farklı olarak çalışan, bir kaç devre uygu- ,
lamasından söz edilebilir. Kuşkusuz, bir çok dönüştürücüler elektriksel olmayan
nicelikl<'ri, voltaj cinsinden ölçme imkanı sağlarlar. Hassas şönt direnci üzerinden
akım geçirip şönt üzerindeki voltaj düşmesini ulçerek akım ölçme işlemi yapılabi­
lir. Di({ı.>r bir şema ist\ şönt üzerindeki voltaj düşmesinden kaçınıldığında, pilin-

510
meyen akımı, bilinen bir direnç ve potansiyometre voltajı ile oluşturulan bilinen
akımla terslemekten ibarettir. Fark, hata algılayıcısının girişine gider ve ölçü
devresindeki voltaj sadece küçük hata voltajıdır. Diğer uygulama devreleri, akım
oranı, direnç, a.a. voltaj, akım ve güç ölçümünü kapsar.

19-9
Katod - ışinlı osiloskop

Modern katod - ışınları osiloskobu (veya osilografı) duyarlı bir alettir ve yal-
nızca dalga şeklinin gözlenmesinde değil, bunun yanında dalganın genliğini ve
zaman aralığını ölçme imkanını da sağlar. Elektronik laboratuvarlarında olduğu
kadar, birçok araştırma laboratuvarlarının da zorunlu aletidir. Aletin kalbi, katod
ışınları tüpünün kendisidir.

a) Katod ~ ışını demeti oluşumu

Katod - ışını tüpü, (1) elektron demeti oluşturmak için elektron "tabancası",
(2) demeti saptırmak için saptırma sistemi, (3) gözlenen dalganın, elektron demeti
tarafından üzerine çizildiği Ooresan ekrandan oluşur. Güç kaynağı ile birleştiril­
rıiş katod ışını tüpünün şematik çizimi Şek. 19 - 14 de görülmektedir.
Elektron tabancası, saptırılmamış durumda O da olduğu gibi, floresan ekran
üzerinde küçük bir noktaya odaklanabilen, ince ışın veya elektron demeti üretmeli-
dir. Elektronlar bağımsız olarak ısıtılan K katodu arkasına yerleşmiş bulunan oksit
katod yayıcı E, tarafından yayınlanırlar. Sonra, modulatör veya ızgara elektrodu
olar.ak isimlendirilen G elektrodu içindeki delikten geçerler. Demet daha sonra
A 1 ve A2 anodları olan iki silindirik hızlandırıcı elektrodlardan geçer. Elektronlar
A 2 den çıktığı anda, şekilde K dan A2 ye Ea olarak gösterilen toplam hızlandırma
voltajıyla hızlandırılırlar. Tüp içinde yüksek vakum olması nedeniyle elektronlar
gaz molekülleri ile çarpışma nedeniyle enerji kaybetmezler. Yüksek frekans osilos-
koplarında 10.000 volt civarında olmasına rağmen, birçok osiloskopta toplam hız­

landırma voltajı 2500 V - 4000 V civarındadır.

Negatif ızgara voltajı değiştirilerek demet içindeki elektron sayısı değiştiri­

lir, böylece demet akımı ile yayınlanan ışın şiddeti kontrol edilir. Bu değiştirme
işlemi, Şek. 19 - 14 de "şiddet " olarak isimlendirilen voltaj bölücü tarafından
gerçekleştirilir.

Karşılıklı elektrostatik itme gözönüne alındığında demet içindeki elektron-

ların tabi eğilimi birbirlerinden uzaklaşma yönündedir. Şekil 19 - 14 de görüldüğü
gibi yeterince yüksek artı voltaja kadar yüklenebilen disk veya silindirik elektrod-
lar düzenleyerek demet, ekranda odaklanabi.len demet durumuna dönüştürülür.
Odaklama işlemi, elektronlar üzerine elektrik alanının ızgara ile birinci anod ve

511
 Elektron
tabancesı---f
______ :_ __ o
---------- o

Fluoresan

- !ılılıt-+---
Eb
Şekil19 · 14 Katod · ışınlı osiloskobun şematik çizimi.
K = katod, E = elektron yayıcı yüzey, G= ızgara, A 1 = birinci anod
ve A2 = ikinci anod.

birinci anod ile ikinci ano~ arasındaki bölgede etki etmesinin sonucudur. Bu böl-
geler, merceklerin ışık demetine etkimesine benzer şekilde elektronlar üzerine
etki yaptıklarından, elektron mercekleri olarak adlandırılırlar. Birinci anod voltajı
değiştirilerek odaklama ayarlanır. Bu voltaj yaklaşık olarak ikinci anod voltajının
1:,~şte biri kadardır.

"Şiddet" ve "odak" kontrolleri, demet akımı ve ekran üzerindeki nokta

genişliğini belirler. Elektronlar ekrana çarptığında, enerjilerinin bir kısmı ışık bir
kısmı da ısı enerjisine dönüşür. Isı floresan maddeyi bazabilir, bu nedenle ekranın

yanmasını önlemek için demetin üzerine düştüğü noktalar sürekli hareket halinde

olmalıdır. Elektronlar ekrana ç!lrptıktan sonra tüpün içyüzeyi ve A 2 akım teli

yoluyla güç kaynağı devresine geri dönerler.

b) Demetin saptırılması

Katod ışınları tüpünün boyun kısmında çapraz olarak magnetik alan kurula-
rak ·elektron demeti saptırılabilir. Genel olarak çok kullanılan yöntem, elektron
demetini saptırmak için, elektronlar üzerine elektrostatik kuvvet uygulama şeklin­
dedir. Bu kuvvetler, demetin içinden geçtiği ve saptırma levhaları olarak adlandırı­
lan küçük sığaç levha çiftleri üzerindeki yük tarafından oluşturulur, Şek. 19 - 14.
ömeğin,Y 2 levhası pozitif olarak ve Y1 levhası negatif olarak yüklü ise, elektron-
lar levhalar arasından geçerken yukan doğru bir kuvvetin etkisinde kalırlar ve de-
met D de nokta oluşacak şekilde yukanya doğru sapar. Böylece Y 1 ve Y 2 levhala-
rı düşey veya y - ekseni doğrultusunda sapma oluştururlar. Diğer levha çifti, x 1
ve x 2 yatay veya x - ekseni doğrultusunda sapma yaptırırlar. Y1 , Y2 veya x 1 , x 2
voltajlanndan birini daha fazla uygulamak suretiyle, ışın demeti ekranın herhangi
bir bölgesine düşecek şekilde yansıtılır. ileride açıklanacağı -gibi, uygun şekilde

512
değişen yansımaların birleşmesiyle, ışın demeti dalga şekillerini çizer.
' Sabit hızlandırma voltajı altında, sapma, saptırma voltajının çizgisel fonksi-
yonudur. Böylece, verilen hızlandırma voltajı için, sapma duyarlılığı, birim sapma
için gerekli olan saptırma voltajı terimleriyle tanımlanabilir. Tipik sapma duyarlı­
. lığı 3000 V la çalışan tüp için 15 V / cm dir ve netice olarak düzenli bir saptırma
için 60 V mertebesinde voltaj gerekir. Voltaj yükselteci bulunduran osiloskoplar,
giriş sinyalinin çok düşük değerlerinin kullanışlı bölgesini de içine alırlar.

c) Tekrarlanan çizgisel tarama; tetikleyici tarama

Katod - ışınlı osiloskop genellikle, akım ve voltajın periyodik dalga şekilleri­

ni gözlemek için kullanılır. Bu amaç için gelen ışın demetine hızlı şekilde dalga
şeklini çizdirmek çok uygun olur, böylece ardışık dalgalar bir öncekiler üzerine

düşerler. Tekrarlanma hızı saniyede 10 dan biraz fazla ise ekrandaki dalga gözle
duran dalga olarak görülür. Y - ekseni levhalarına değişken bir voltaj ve X - ekseni
plakalarına da uygun frekanslı ve eşzamanlı çizgisel tarama voltajıuygulamak sure-
tiyle duran dalga çizdirilebilir.
Çizgisel zaman ekseni ile birlikte, duran dalga oluşturulmasının şematik
temsili Şek. 19 - 15a da görülmektedir. Görülen dalga ey ile temsil edilir, Şek .
.19 - 15b, ve y - ekseni levhalarına bağlıdır. Şekilde görüldüğü gibi, ideal tarama-vol-
taj dalgası ex, zamana göre çizgisel olarak artar ve aniden ters döner. özel şeklin­
den ötürü bu dalga, testere dişi dalga olarak adlandırılır. t 0 anında ex voltajı en bü-
yük eksi değere P de düşer ve böylece ışın demeti sola doğru en büyük sapmayı

t o
"' -
Tarama devresi P periyod=<T--J Q
1 1
{ol (b}

Şekil 19 - 15 (a) Devre çizimi ve (b) çizgisel tarama için voltaj dalga biçimi.
yapar. Periyodun ilk dörtte biri veya T / 4 ünün gözönüne alındığı t 1 anında, ex in
değeri negatif maksimum değerin yarısına eşittir ve böylece ekrandaki aydınlık
nokta merkeze doğru yolun yarısına kadar yer değiştirir. Benzer şekilde, ex voltajı

513
sabit hızla arttığından ötürü, ışın demeti zamanla doğru orantılı sağa doğru yer
değiştirmeye devam eder. t 3 anında voltaj aniden S den Q ya terslenir ve ışın de-
meti Şek. 19 - 15a daki başlangıç noktasına döner. X - ekseni levhaları yukanda
tanımlanan hareketi oluştururken y - ekseni levhaları, ey voltajının ani değerleri ile
orantılı olacak şekilde düşey saptırmayı oluştururlar. Sonu~ olarak, ey nin dalga
şekli dik koordinatlı sistemde grafik olarak ekrana çizilir. Şekil 19 - 15a da ekran-
daki aydınlık noktaların hareket doğrultusu ok_ uçları ile belirlenmiştir.
Testere dişli tarama dalgası, tam olarak işaret frekansında işaretle zaman-
daş olmalıdır. Bu da Kes. 16 - 18 de açıklanan tetiklenmiş dalga şekli tarama dev-
resi ile gerçekleştirilir.
Tetikleme taramasının temel şeklinde, tarama voltajı, tetikleme sinyali tara-
fından başlatılıncaya kadar sabit değerde tutulur. Daha sonra, tarama başlayıncaya
kadar demet akımı kesilir veya ışık söndürülür. Şekil 19-16, tetilçlenmiş taramanın,
ey periyodik dalı:a işaretinin kısa ;1,aman aralığındaki bozukluğu çalışmalarına uy-
ı:uıanışını resimlemekledir. Tarama .voltajı başlangıçta negatif düzeydedir. Sinyal
cialg,L~ının da tarama tetiklemesi olarak kullanıldığını kabul edebiliriz ve sinyal dal-
gası A noktasındaki dii;1,eye ulaşınca tarama başlar. Böylece tarama voltajı CD deli-
neer olarak arlar ve Ede negatif dü;1,eye geri döner. Tarama süresinin istenen değerine
ayarlama, tarama devresini kontrol ederek yapılabilir. Bu süre şekildeki dalga
durumunda A dan B ye geçen zamandır. Sonuç olarak, dalganın AB aralığındaki

F
(o 1 (tı)

Şekil 19 · 1G Tetiklenmiş taramanın şekillendirilişi : (a) Dalgabiçimi ve

( b) osiİoskop temsili.

parçasının büyütülmüş olarak ekranda çi1.ilmiş şekli Şek. 19 . 16b de .görülüyor.

1" noktasından başlayarak devir tekrarlanır ve böylece dalganın her pediyodunda
ışıklı nokta ekrandaki yolunu tekrar çizer. Tarama dalgasının DEF bölümünde
ışıklınokta kaybolur ve böylece geriye dönüş izi veya "geriye uçuş" ekranda gö-
rülmez. ·
Ticari osiloskoplarda komütatör anahtar düzeni yapılarak, teti kleme sinyali,
1
incelenen sinyalden, a.a. hattından beslenen iç tetikleme sinyalinden, veya ayrı bir
dış tetiklemeden türetilir. Tetikleme voltajının pozitif veya negatif eğimli değerle­
rinin her ikisi için de farklı düzeylerde tetiklemeyi ayarlamak mümk~ndür. Sabit

514
taramada tetikleme düzeyini ayarlayabilen otomatik tetikleme devresC kurmak
mümkündür.

d) Değişken tarama ve Lissajous şekilleri

Bazen,zaman kayması elde etmek için x - ekseni levhalarına değişken voltaj

uygulanır. Hu yöntemin çok kullanışlı uygulamalarından biri; örneğin, iki voltaj
dalgası veya bir voltaj dalgası ve birde akım dalgası gibi sinüssel olarak değişken ni-
celikler arasındaki faz açısının belirlenmesidir. Şekil 19 - 17 de üç özel durum için
gösterildiği gibi aynı frekanslı sinüssel voltajlar x - ekseni ve y - ekseni levhalarının
ikisine de uygulandığında, ışıklı noktanın çizdiği yol, .düz bir çizgi, çember veya
elips şeklinde olabilir. Kolaylık olması için x ve y sapmaları aynı genlikli sinüs
dalgalan olarak gösterilmiştir. Bu şartlar ancak iki plaka çifti aynı saptırma duyar-
lığına sahipse ve aynı voltaj bu iki levha çifti düzenine uygulanırsa ortaya çıkar.
Şekil 19 - 17b de görüldüğü gibi iki dalga aynı fazda ise, ışıklı nokta Şek. 19 -17a
da a = O ile belirlenen 45°1ik eğime sahip doğru boyunca ileri - geri hareket eder.
Şekil 19 - 17 c deki gibi y sapması, x sapmasından geride geliyorsa, ışıklı noktanın
yolu elips şeklindedir. Eğer gecikme açısı 90° ise, Şek. 19 - 17d, ışıklı nokta daire
çevresinde dolanır.

(ol (bl (c l (dl

Şekil 19 - 17
.
(a), (b ), (c) ve (d) deki dalga biçimlerinin ekranda oluşturduk-
lan şekiller.

Aynı frekanslı fakat farklı genlik ve faz farkına sahip sinyallerdeki sapmala-
rın genel olarak incelenmesi, katod-ışını tüpü ekranındaki çizimden faz açısının
nasıl belirlenebileceğini gösterir. Xm ve Y m' x ve y doğrultularından en büyük
(maksimurq)sapmalar, ~ ise x önde olmak üzere x ve y sapmaları arasındaki açı ol-
mak üzere sapmaların,

(19 - 4)

515
f) Osiloskop özellikleri ve uygulamaları

Osiloskoplar başlangıçta, kendiliğinden kontrollü, voltaj zaman göstericileri

olarak düzenlenmişlerdir. Modern osiloskoplar, katod - ışını tüpünün, güç kaynağı­
nın ve hazan da saptırma yükselteçlerinin, ayrı ayrı blok çerçeve bölmeler içine
yerleştirildiği, blok soket şeklinde düzenlenirler. Böylece, gerekli olduğunda farklı
tipte blok - soket yükselteçler ve zaman düzenleyiciler ilave edilebilir. Blok - soket
devrelere örnek olarak, sinyal üreteci, frekans spektrum çözümleme devresi ve çift
iz tarama devresi söylenebilir.
İki ayrı işaretin karşılaştırılabildiği, bağımsız iki elektron tabancası ve sap-
tırma sistemine sahip, çift - demet katod - ışını tüpünden de söz etmek gerekir. İki
ayrı işaret dalgasını göstermenin diğer yolu da, tek elektron • tabancası ve saptır­
ma sistemi fakat çift - iz tarama sistemi kullanmaktır. Bu yqntem de, serbest ola-
rak çalışan çok kademeli titreşiciye benzeyen elektronik anahtarlama devresi
tarafından, düşey yükselteç girişi, farklı iki giriş işaretinden birini alacak şekilde,
çok hızlı olarak değiştirilir. Sonuç olarak ışıklı demet, iki iz arasında ileri - geri
atlamak zorunda ounasına rağmen ekrand~ aynı anda iki dalga çizdirilir. Birinci
şekil çalışma biçimi kesikli mod olarak isimlendirilir ve bu çalışma tarzında ışıklı
nokta bir tarama süresi içinde bir çok defa ileri geri sıçrar. Değişken biçimde ise.
her taramada bir anahtarlama olur ve böylece ardışık taramalar değişmeli olarak
iki işaretten birini gösterirler.
Tekrarlanan dalganın bir bölümünü ayrıntılı olarak incelemede kullanılan
tarama büyütücü devreler birçok osiloskopta bulunmaktadır. Bu devre, örneğin
taramanın bir bölümünü 10 defa büyütecek şekilde tarama hızını artırırken tetik-
leme zaman aralığını değiştirmez.
Bilgi saklayıcı olarak adlandırılan osiloskop tüpü yüzeyindeki görüntü izi,
tüpün tek bir taranmasından sonra bir süre daha kaybolmaz. Bu osiloskop, tek ge-
çiciliklerin (akım, voltaj v.b.) gözlenmesinde kullanışhdırlar. İki ana tip saklayıcı
tüp kullll:llılır. Bunlar değişken (kon.trol edilebilir) kalıcı tip ve iki sabit ı;!.urumlu
f<>ifor tiplerdir. Değişken k,abcı tijp, düşük tarama hızın~ yav~a deği~Q olay.
tarı göstermede kullanışlıdır. Uzun süre tubıcu olmadan ekrandan yavaşça geçen
ışıklı noktayı görebiliriz, fakat tutucu özel olarak ayarlandığı zaman izin tamamını
görebilirie. İki sabit durumlu fosforlu tüp tek tarama ile görüntü oluşturur ve bu
gö~w fosfor ve cam ekran arasındaki ·ışığı geçirici metalik filme voltaj uygula-
yan k<mtrol tarafından silininceye kadar ekran<la kalır. Böylece tek iz, bızb veya
yavaş serbest incelenebilir,

Aşırı ölçüde yüksek - frekansla tekrarlanan dalga veya pulslar, örnekleme

tekniği kullanılardk gözlenirler. Burada, her periyotta aym genişlikti örnek ajınır,
fakat dalganın tamamı oluşuncaya kadar·ardışık periyotlarda tekrar tekrar örnek
alma işlemi sürer. örnekler toplanır,· zamana genişletilir ve düşijk hızla ekranda

518
 /
/

gösterilir. Bu teknik, yüksek-hızla dönen milin strobosktopik incelenmesine t>enze-

tilebilir. 15.000 MHz civarına kadar frekansa sahip dalgaların gözlenm~sind~, ör-
nekleme sistemi kullanılabilir.
Genellikle skop için giriş impedansı, sınırlayıcı etkendir. Alçak - frekans
skoplarının giriş impedanslan genellikle, 50 pF civarında sığaçla şöntlenmiş lMn
dirence eşittir, fakat bazen 50 n giriş impedansı oluşturur. Devre yükünü azalt-
mak için, osiloskopların voltaj problarında, zayıflatarak denkleştirme, Böl. 16 - 4,
esasları kullanılır. 1 M n girişin duyarlığını 10 çarpanı kadar azaltan probun impe-
dansı, prob kablosunun uzunluğuna bağlı olarak 8 den 18 pF'ta kadar değişen
sığaçla şöntlenmiş 10 Mn değerinde olacaktır.
Deney devresini bozmadan akım dalga biçimlerini gözleme imkanı veren
problar mevcuttur. Bunlar, akım transformatörü ilkeleri kullanılarak yapılırlar ve
ince bir aralıkta uzanan akım teli trafonun primerini, çok sarımlı küçük makara da
sekonderi oluşturur. Temsilci akım probu duyarlılığı, bir anahtarla 2 mA/mV veya
lOmA/m V olarak seçilebilir.
Osiloskopla yapılabilecek, birçok değişik tipte gözlem şekillerini açıkla­
mak oldukça zordur. Herhalde en genel uygulama, tekrarlanan dalga biçimleri
üzerindeki çalışmadır. Bununla birlikte, tek tarama devresi yardımıyla bağımsız
elektriksel geçicilikleri, saklayıcı osiloskopla gözlemek veya fotografik olarak kay-
detmek mümkündür. Osiloskop, yüksek - hız X - Y gösterici, uygun bir dönüştürü­
cü ile basınç - hacim, germe - gerilme vb. grafiği hazırlamada da kullanılabilir. Bir
ilgi çekici uygulama, bütün transistör ailesinin belirtgenlerinin çizdirilmesidir.
Diğer uygulamalar ise tıbbi araştırmalarda hastayı her yönden inceleme ve gözle-
me imkanı veren cihazlarda, mantık devrelerinin servis imkanlarının ve bilgisayar-
ların gelişmesinde görülür.

19 - 1O
Faz 111etre

İki dalga arasındaki faz farkının, Lissajous şekilleri ile nasıl ölçülebileceğini
görmüştük, Böl. 19 - 19d. Bölüm 14 - 10 daki faz ayırdedici de faz ölçümü için
düzenlenebilir.
Şekil 19 - 21 de görülen faz ölçme sistemi, dalga şekli tekniğini ve fazın
doğrudan d.a. metre,M,den okunması için flip - flop devre özelliklerini kullanır.
Şekilden görüldüğü gibi, biri er referans dalgası için öteki es sinyali için
olmak üzere iki özdeş kanal vardır. Bu voltajlar önce, yükselteç ve kırparak kare
dalga üreten kata giderler. Kare dalganın fazı esas dalganın o fazına eşit olmalıdır.
Flip-flop devresini çalıştırmak için gerekli sivriuç - şekilli atmalar elde etmek
için, kare - dalgalar diferansiyel alıcıdan geçirilir. Bununla birlikte, yalnızca negatif
atmalar flip - flop içinde durum değişmesine neden olurlar. Böylece, flip - flop, iki

519
 . ~,~Yük-sel~tic~-----~I~
0 e ve ı------Türev alıcı----,
•s kareleyici 1 1

~ ~ P7
Flip-flop

Y<lkseltici 1 1
o I ve 1 , Türev alıcı--~
er ~areleyici 1 1.

Şekil 19 - 21 Faz - metrenin blok çizimi.

negatif atma aralığında da KAP ALI durumda kalır. M sayaçlan, flip - flop çıkış
dalgasınınortalama değeri ile orantılı değerler okur. Eğer AÇIK durum akımı I ise,

I = -- aç -- xl = _8_ I (19 - 7)
or aç+ kap 360

olur. Böylece, M nin tam - ölçek değeri 1/2 ise, M üzerindeki faz açısı ölçeği o0
den 180° ye kadardır. M sayacının aralığını değiştirerek diğer ölçü aralıklan elde
edilebilir.
Bu faz - metrenin, iki dalg~nın artı değerden sıfır;ı giden kısımlarının sıfır
ekseni ile kesim noktaları arasındaki fazı ölçtüğüne dikkat etmeliyiz. Bu ~edenle
bu faz - metre, bozulmuş dalganın bileşenleri arasında temel frekansı doğru olarak
gösteremez.

19 - 11
Hail olayma dayanan aletler

a) Hali olayı

Hali olayı, magnetik alana dik olarak yerleştirilen akım taşıyan iletkenlerde
eııine voltajın oluşacağını ifade eder. Bu olay metalik iletkenlerde çok küçüktür
fakat yaniletkenlerde büyüktür.
, X dugrultusı.mda Ix sabit akımı taşıyan, Şek. 19 - 2 deki t kalınlıklı, W ge-
nişlikli, p - tipi yarı itetkenden oluşmuş, dikdörtgen bloku gözönüne alalım. $ahit
Bz mağnetik alanı aşağı doğru yönü göstermektedir. Pozitif q yükü, bu mağnetik
alan içinde, üx hızı ile x doğrultusunda hareket ederse,-y doğ_rultusunda, -q0xBz

520
ile verilen bir kuvvetin etkisinde kalır. Bu muhal _•·ı,eyi yaniletkene uygulayarak,
boşluk hareketinin, pozitif yük hareketine eşit olduğunu hatırlarız. Böylece, hare-
ketli boşlukları, gözlemciden dikdörtgen blokunun uzak kenarına taşıyacak ve bu
kenan pozitif olarak yükleyecek şekilde, boşluklar üzerinde bir kuvvet vardır.
Sonuç olarak, Vy voltmetresi, blokun karşılıklı iki kenarı arasındaki Hall elektro-
motor. kuvvetini gösterir.
1 /

r
I/

q ya etkiyen
kuvvet

Şekil 19 - 22 Hali olayı.

ön ve arka kenarlarda toplanan yüklerden ötürü oluşan iç elektrik alanı Ey

nin elektrostatik kuvveti ile hareketli yüke mağnetik alanın uygulandığı kuvvet
dengeleninceye kadar, yukarıda tanımlanan olay devam eder. Basit bir türetme
özel bir blok için Hali emk'nin Ix akımı ve Bz alanı ile orantılı olduğunu gösterir
ve K bir sabit olmak üzere ;

(19 - 8)

yazılır. Hali olayının dikkatli bir incelenmesi, K nın sıcaklığa bağlı olduğunu gös-
terir.
Eğerblok n - tipi yarı - iletken ve Ix ile Bz nin de yukarıdaki şekilde olduğu­
nu kabul edersek, çoğunluk taşıyıcılar elektronlar olduğundan V y nin zıt işaretli
olacağı sonucuna varırız. Bu kutupluluğu deneyler doğrular ve böylece dikkat
çekici boşluk hareketi ile pozitif yük hareketinin eşitliği sağlanır.
önceki tartışmalarda, madde içinde elektronların veya boşlukların baskın
olduğu kabul edildi. Bunlar, hemen hemen eşit sayıda olduğu zaman etkileri ihmal
edilebilir ve Hail etkisi küçüktür.
Gaussmetre, wattmetre, modüle edici, işaret üreteci, çarpma işlemi yapıcıyı

521
da içine alan, birçok kullanışlı alet Hali olayına dayanır.

h) Gaussmetre

Denklem ( 19 - 8) in de gösterdiği gibi, Şek. 19 - 22 deki yapı, gaussmetre-

de prob olarak kullanılır Ix akımı (bazı durumlarda sabit voltaj) uygulanır ve bu
durumda Hali voltajı, B alanının ölçüsü olur. Yarı - iletken indiyum-arsenid veya
indiyum-antimon olabilir. Dik alan ölçümü yapılan probun dış boyutları, 4xl0x0,5
mm ve etkin alanı 2 x 5 mm olabilir. Daha küçük problar da yapılabilir. örneğin,
bir indiyum - arsenid prob, 1 den 2 V / A -Wb/m 2 (0,1 dan 0,2 V / A - kG) kadar
duyarlılık katsayısına (Denk. 19 - 8 deki K) sahip olabilir. Böylece, 200 Galan ile
100 mA lik akım,örnek olarak,bir kaç milivolt türetilir.

19 - 12
Elektrometre

Piezoelektrik kristalde oluşan akım veya voltaj - ölçüleri, pH elektrodu de-

nemesi ve sığ aç yalıtımı denemesi, yüksek - dirençli devrelerde aşırı ölçüde küçük
akım veya voltajın glizlenmesini gerektirir. Bu gerekler esas olarak yüksek - girişli
d.a. voltmetre olan ve akım, yük veya direnç ölçümüne uyarlanahilen, elektromet-
re tarafından karşılanır. Böylece, Şek. 19 - 23 deki sayısal elektrometre multimet-

111
Şekil 19 - 23 Sayısal elektrometre multimetre.

re, lam - skala olarak, 10 mV dan 100 V__a kadar voltaj aralığına, ve 10 3n•.ıo 14 n a
kadar direnç aralığına sahiptir. Voltmetre olarak kullanıldığında giriş direnci
2 x 10 14 n dan büyüktür. Bu kadar yüksek değer elde etmek için genellikle

522
MOYİAET giriş kata sahip yükselteçler kullanılır, eskiden özel elektrometrelerde
vakum - tüplü girişler kullanılırdı.
Bazı farklı problemler için, Şek. 19 - 24 yardımı ile elektrometrenin çalıştı­
rılma şekli araştırılabilir.
önce Şek. 19 - 24a yı gözönüne ·alalım. Pratikte, çoğun­
lukla yüksek dirençten geçen sızıntı akımı ölçülmesine rağmen, biz burada şekil­
den de görüldüğü gibi akım kaynağından gelen i akımını ölçmek istiyoruz. ölçme
planı, i_ akımını, bilinen yüksek - değerli R direncine gönderip voltajını ölçerek
akımı hesaplamaktır. Bununla birlikte, elektrometre giriş direnci R ve elektromet-
re girişi ve deneme kablolarının kapasite değerlerinin birleşimine eşit eşdeğer C
sığacı, elektrometrenin cevabını etkiler. Eğer, bir anlık sığaç etkisinin olmadığını
kabul edersek, Ri nin etkisinin ihmal edilebilmesi için Ri nin değerinin, R den 100
defa veya daha fazla ölçüde büyük olması gerektiğini görebiliriz. Böylece, R nin
üst limiti, Ri nin büyüklüğüne bağlıdır.
R,
1-

1·U~ f, l
1 1
1

E_-
1

ıR;
1
1
V :!:C
1
1 1
1 1 1

lal lb)

Şekil 19 - 24 Elektrometre giriş devreleri, (a) i akımı ölçülmesi için,(b) vx

voltajı ölçülmesi için.

Akım, i, çok düşük olduğunda devrenin tepkisi yavaş olması nedeniyle C nin
sığa etkisi, akım aralığını ciddi olarak sınırlar. Bir örnek olarak, i akımının 10· 13 A
ve gerekli voltajın U= 0,1 V olduğunu gözönüne alalım. Eğer Ri yi ihmal ediyorsak
R, ıo 12 n olmalıdır. C nin 200 pF olduğunu kabul edersek, RC zaman sabiti 200 sn
olur ve böylece cevap çok yavaş olur, öyleki, son değerin yüzde biri içinde oku-
malar için 15 dak. dan fazla zaman gerekir.
Yüksek Rs kaynak direncine sahip devrelerdeux voltajının ölçülmesi için de
_benzer düşünceler uygulanır, Şek.19; 24b. u voltajı, u,"- voltajının yüzde biri içine
gelirse, Ri, Rs nin 99 katı olmak zorunda olur ve böylece R~ nin maksimum değeri
sınırlanır. Devrenin cevap zaman sabiti, Reş = Rs 11 Ri olmak _üzere ReşC dir ve ça-
lışına aralığını sınırlar. Bununla birlikte, cevap süresi sınırlaması geribesleme uygu-
lanılarak giderilebilir.
Şekil 19 - 25a daki geri besleme devresini gözönüne alalım. Böl. 10 - 21b de
i akımının-V 0 /Rr ile verildiğini göstermiştik. Bu suretle küçük i akımı ölçmek için
10 u veya daha büyük Rr ye ihtiyaç vardır. Bununla birlikte, etkin giriş direnci
Denk. (10 - 43) den Re! A dır. Sonuç olarak zaman sabiti RrC/A haline gelir. Bü-
yük A kullanarak cevap süresi küçültülebilir. Bu yolla çalışma şekline "hızlı mod"

523
adı verilir. Eğer çözümleme işleminde Rr karşısında saptırma sığacı Cs yi de işin
içine sokmuş olsaydık, tepki içinde baskın zaman sabiti haline gelen, CsRf zaman
sabiti bulıınurdu.
Rı

(ol (b)

Şekil 19 - 25 Elektrometre devreleri,(a) akım ölç!l'ek için hızlı mod ve

(b) yük ölçmek için bir yöntem.

Akım ölçülmesi için değişik bir yöntemde Şek. 19 - 24a daki devre kullanı­
lır yalnız R direnci çıkarılmalıdır. Böylece, Ri üzerinden geçen sızıntı akımını ih-
mal edersek, ölçülecek akım, bilinen C sığacını yükleyecek şekilde gider. O halde,
t.t zaman aralığı için ortalama akım,

. l:!.·v
l=C--
tı. t (19 • 9)

den hesarıanabilir. örneğin, C = 100 pF ve t. u = 0,1 V ise, M = 100 sn içinde,

i = 10 -l A olur.
Elektrometre ile yük ölçme yöntemi Şek. 19 · 25b yardımıyla açıklanabilir.
c 1 deki bilinmeyen yükün Qx olduğunu ve V 1 voltajını oluşturduğunu kabul ede-
lim. Bilinen yüksüz c 2 sığacı, c 1 ile paralel olacak şekilde anahtarla bağlanır. Son
voltaja V 2 denir. Böylece, Qx = (C 1 + C 2 ) V 2 olur. Eğer c 2, c 1 in 100 veya daha
büyük kalına eşit ise, c 1 i ihmal edip

(19 - 10)

yazabiliriz. Böylece elektrometre coulombmetre (yük ölçer) haline gelir. Nispeten

daha ıicuz, Af.'1' girişli integre işlemsel yükselteçler, biraz kapasiteyi düşürmesine rağ­
men elektrometre olarak düzenlenebilirler. Ulusal yarı iletken A.Ş.nin LH0052 tipi
işlemsel yükselteci maksimum 10·13 A giriş geri getirme akımına ve 10 12.n giriş
direncine sahiptir.
Sızıntı akımlar, başıboş yükler.ve dirençlerdeki Johnsun gürültüleri ve ben-
zeri etkiler nedeniyle küçük akımların ve yüklerin ölçülmesi çüçlüklerle doludur.
Bölüm 20 de görüldüğü gibi, yükselteç band genişliği küçültülerek direnç gürültüsü

524
etkileri minimum hale getirilebilir. Bununla birlikte, band genişliğinin küçültülme-
si, giriş basamağının yükselme zamanını artırdığından, uyuşma sağlanmalıdır.
Gürültü ile mücadele ve girişim problemleri ile ilgili yöntemler, birçok elektromet-
re uygulama tekniklerinde olduğu gibi, Kaynak 19 - 6 da da bulunmaktadır.

KAYNAKLAR

19 - 1 E.O. Deobelin, Measurement Systems: Applieation and Design, McGraw-

Hill Bokk Company, New York, 1966.
19 - 2 H.V. Malmstad et al., Eleetronie Measureriıents for Seientists, W.A. Ben-
jamin, ine., Reading, Mass., 197 4.
19 - 3 B.M. Oliver and J.M. Cage, Eleetronics Measurements and lnstrumentatin,
MeGraw - Hill Book Company, New York, 1971.
19 - 4 S.D. Prensky, Eleetronie lnstrumentation, 2d ed., Prentice - Hail, ine.,
Englewood Cliffs, N.J., 1971.
19 - 5 F. Spitzer and B. Howarth, Prineiples of Modern insrumentation, Holt,
Rinehart and Winston, ine., New York, 1972.
19 - 6 Eleetrometer Measurements, Keithley ınstrument Co., Cleveland, 1972.

ALIŞTIRMALAR

19 - 1 Şekil 19 - 1 deki ohmmetre devresindeki M ölçü aleti tam skala 25 µA

akıma ve 1200.n dirence sahiptir. Rx = 10.000n iken ibrenin skalanın yansına ka-
dar sapması için gerekli R 1 ve R 2 değerlerini bulunuz.
19 - 2 Şekil 19 - 3 deki ugir in 4 + 2 Sin wt V değerine sahip olduğunu kabul
edelim. RC nin, Ugir in a.a. bileşeninin periyodunun yaklaşık 10 katına eşit oldu-
ğ•.mu ve elektronik VM'nin giriş impedansının çok yüksek olduğunu kabul edelim.
Ugir,udve C üzerinde düşen voltaj uc nin kabaca dalga şeklini çiziniz. ud nin orta-
lama değeri, ugir nin değişken bileşenini tepe değeri ile orantıhmıdır?
19 - 3, Şek. 19 - 3 dekiugir için Şek. 19 - 9d deki. 100 V luk puls dalgası kullanıl­
dığını varsayalım. RC, dalganın periyodunun yaklaşık 10 katı ve elektronik VM
nin giriş direnci sonsuz olsun. ud nin dalga biçimini bulunuz. ud nin ortalama de-
ğeri nedir? Bu voltmetre sisteminin neden giriş dalgası "ortalama değer üstü tepe"
değerlere cevap verdiğini açıklayınız.
19 - 4. Şekil 2 - 35 deki gibi iki bölümlü azaltıcı dengeleyici çiziniz. Bileşime uy-
gulanan vlotajın J2 E sinwt olduğunu kabul edelim. Eğer R 1c 1 = R c 2 ise,
2
düşürücü bölümdeki E voltajı ile toplam E voltajının oranının frekanstan bağımsız
2
olduğunu gösteriniz.(Dengeleyici voltaj bölücü, aynı zamanda bozmadan pulsu da
küçültür. Voltaj pulsunun, Fourier integralleri ile harmonik voltajın sonsuz serisi
şeklinde açıklandığını düşünelim. Serinin her terimi aynı oranda küçültülür. Voltaj

52S
 pulsunun, Fourier integralleri ile hı,trmonik voltajın sonsuz serisi şeklinde açıklan­
dığını düşünelim. Serinin her terimi aynı oranda küçültülür ve böylece küçültülmüş
terimlerin toplamı aynı şekilde fakat daha düşük genlikte puls verir).
19 - S Ortalama değere cevap veren elektronik voltmetre 115 Mn giriş impedansı­
na sahiptir ve 40 pF sığaçla şöntlenmiştir. Aşağıdaki frekanslarda giriş impedan-
sının şiddetini bulunuz. (a) 5 kHz, (b) 100 kHz, ve (c) 1,5 MHz.

19 - 6 Bir yükselteç çıkış voltajı dalgası 40 cos 1000 t +ıo cos 2000 t V olarak
ifade edilet,ilir. (a) bu dalganın kok değeri nedir? (b) Sinüs dalgasının kok değerine
göre ölçeklendirilmiş ve dalganın pozitif tepelerine cevap veren voltmetreye bu
' dalga uygulandığında göstergede okunan değer nedir? (c) sinüs dalgası kok ortala-
masına cevap veren voltmetre için (b) yi tekrarlayınız.

19. 7 Yarı periyodu doğrultulmuş sinüs dalgasının ilk yarısı 100 sin wt V vt> r,~ri
kalan kısmı sıfırdır. Bu voltaj dalgası, her ikisinde de giriş bağlantılarında seri sığaç
bulunan iki elektronik voltmetreye uygulanıyor. Her iki voltmetre, sinüs ayar dal-
gasının kok değerine güre ölç'eklendirilmiştir. (a) ortalama değer üstü tepe değer­
lere cevap veren voltmetrede ve (b) pozitif yarım - dalga ortalama değerlere cevap
veren voltmetrede, okunan değer nedir?
19 - 8 Şekil 19-8 de görülen toplu devre SVM sisteminde R = 0,2Mn. c = 0,002µF,
1 1
\'e-V ref -2,5 V olduğunu kabul edelim. (a) Vx = 1,25 V ise puls üretecinin tek-
rarlama hızı nedir? (b) Tek bir pulsun, c 1 _den çıkardığı yük rııiktarı ne kadardır?
(c) Eğer geçit zamanı 1,0 sn ise V x • 2,5 V olduğunda sayıcıdaki sayma ne kadar-
dır?
19 - 9 Şt>kil 19 · 13 deki devrede, Enin değerinin 1,5 V, S değişken direncin top-
lam 200ıı ihtiva ettiğini, ve SW açık iken es= 50 mV olduğunu kabul edelim.
Yükselteç giriş direnci 2000ıı, ve bilinmeyen voltaj kaynağının Thevenin eşdeğeri,
50,2 mV d.a. kaynak ve seri direnç 500n. dan oluşsun.SWl ucuna bağlandığında
yükselteç giriş voltajı e nekadardır?
19 - 10 Katod ışınları tüpü elektron tabancasındaki elektronlar, Va hızlandırma
voltajından ötürü oluşan potansiyel enerjiyi harcayarak kinetik enerji kazanırlar.

qe ve m elektron yükü ve kütlesi olmak üzere, enerjileri eşitleyerek, elektronla-

rın tabancadan ayrıldıkları hızı (2qe Va/m) 1 l 2 olarak bulunuz. özel bir KIO tüpü
elektrostatik saptırma levhaları, tüp ekseni boyuhca 2 cm boyuta sahiptirler ve
1 cm aralıkla yerleşmişlerdir. Hızlan~ırma voltajı 3000 V ise elektronların levhayı
geçmesi için gerekli uçuş zamanının sinyal periyodunun yüzde beşinden küçük
olması şartı ile saptırma levhalarına uygulanabilecek en yüksek frekanslı sinyal
nedir?
l9 - l l Lissajous şekillerinden, iki bileşenin frekans oranını anlayabilmek için
nasıl bir genel kural verilebilir.
19 - 12 KIO da bir çift saptırma levhası bulunmaktadır ve bağlantı kablolarının
sığası 40 pF dır. Bu plaka sistemi 30 V /cm saptırma duyarlığı.na sahiptir. (a) Tes-

526
teredişli lineer taramadaUp µsn/cm lik tarama hızı oluşturmak için hangi hızda vol-
taj değişimi gerekir'? (b) Bu şartlar altında, saptırma levhası sistemine nekadar
akım verilmelidir '?
19- 13 Osiloskop ekranında, fotoğrafik olarak tek geçici akımı kaydetmede tek
sınırlayıcı etki, yazma hızı olarak adlandınlan ekran üzerindeki aydınlık noktanın
ani çizgisel hızıdır. özel bir durum için uygun olarak kaydedilen en büyük yazma
hızınin 8 x 106 cm/sn olduğunu kabul edelim. (a) Puls yüksekliği 3 cm ve pulsun
yükselmesi sırasında yatay sapma 2 cm olan kayıt edilebilir puls için en kısa yük-
selme zamanını hesaplayınız. (b) Dalganın periyodu 8 cm ve tepeden- tepeye sap-
ma 6 cm ye ayarlandığında, kaydedilebilen geçici sinüs dalganın en yüksek frekan-
sını hesaplayınız.
19 - 14 Hava kompresöründeki basıncın zamana göre grafiği osiloskop ekranında
·çizilmek isteniyor. Osiloskop yükseltecine yeterli voltajı, bir basınç - voltaj dönüş­
türücüsünün verdiğini varsayınız. Şekil 19 - 20 ye benzer blok çizimi bu problem
için yapınız. Kompresör milinin dönmesi ile eşzamanlı olacak taramayı da bu dü-
zenlemeye koyunuz. "İç" zamandaşhğın kullanılmasının yeterli olmayacağına
dikkat ediniz.

527
 20
Elektriksel Gürültü

20 - I
Giriş

Elektriksel gürültü, voltajı veya akımı, gönderilen veya alınan bilgi veya işa­
retleri karıştırma eğiliminde olan istenmeyen bileşendir. Elektronların termal ha-
reketlerinden ötürü iletkenlerdeki gürültü ve malzemedeki taneli yapıdan dolayı
transist<>r gürültü akımında olduğu gibi bazı elektriksel gürültü kaynakları alette
doğal olarak mevcuttur. Atmosfer elektriklenmesi veya şimşek, radyo veya TV
istasyonları, fluorensan lambalar, güç kaynakları yakınındaki elektrik ve ma~netik
alanlar, tüp elemanları veya hava aralıklı sığacın levhaİannın mekanik titreşimi ve
d.a. güç kaynaklarındaki ~üçük voltaj dalgalanmaları, başka gürültü voltajlarını
oluştururlar. Başka, istenmeyen voltajlar iki veya daha fazla sayıda alet birbirleri-
ne bağlandığında ortaya çıkar ve bu voltajlar toprağa bağlantı şekillerine ve a.a.
güç kaynaklarının gruplaşma şekillerine bağlıdır.

20- 2
Parazit voltajlarının küçültülmesi

Bazı gürültü voltajları, d.a: güç kaynağı voltaj düzelticisi kullanılarak yapıldığı
gibi, genel anlamda azaltılabilirler.

a) Zırhlama

Dış alanların etkisini zayıflatmanın en etkili yolu, devreyi kapalı metal kutu
içine yerleştirerek korumaktır. Düşük frekanslarda, elektrik ve mağnetik alanların
etkilerini ayırabiliriz ve elektrostatik kuplaj ve zırhlama, mağnetik kuplaj ve zırh­
lama diye ayn ayrı tartışabiliriz.
Şekil 20 - la da görüldüğü gibi, devrede bulunan es "parazit" sığacının dev-
renin bir bölümüne kuple olacak elektrostatik alanı oluşturduğu düşünülebilir.
liurada S elektrodu V voltajı tarafından yüklenir ve böylece elektrik alan kaynağı
gibi davranır ve P, yükselteç giriş ucunda olduğu gibi alete giriş ucudur. P noktası,
Z impedansı üzerinden toprağa bağlıdır. P de oluşan parazit voltajı, Z nin ve es
nin bağıl değerine ve frekansa bağlıdır. Eğer Z yüksek bir impedans ise, P de olu-
şan voltaj bilhassa güçlük yaratır. Eğer P elektrodu ve buna bağlı iletken kısımlar,
tamamıyla iletken koruyucu kutu içine yerliştirilirse, Şek. 20- lb, hiçbir alan zırh
içine giremez ve P de hiçbir parazit voltajı oluşamaz. Zırh,_ metal levha veya ince
tel örgüden oluşabilir.

528
 Cs
Ç•P Zırh
1
1 kutusu
1
1
rı.,
1 1
;z:
'
LyJ1

(ol (bl
Şekil 20 - 1 Elektrostatik zırh.

Laboratuvar odalarının bir çoğunda, güç - frekansı elektrik alanının var ol-
duğu kolayca gösterilebilir. Birkaç cm uzunluğundaki telin katod - ışını osilosko-
bunun "yüksek" giriş ucuna bağlanmış olduğunu varsayalım. Osiloskobun yüksel-
teç duyarlılığı artarken güç - frekansı dalgası görülmeye başlar ve bu da iletken
telin 60 - Hz alan tarafından yüklendiğini gösterir.
Magnetik olarak indüklenen voltaj transformatör bobinlerinde, indüktanslar-
da ve hatta halka oluşturan bağlantı tellerinde ortaya çıkar. Alternatif akım taşı­
yan iletken çiftleri etrafındaki alan, bu iletkenler birbirlerine sarılarak veya ortak
eksenli koaksiyel kablo kullanılarak azaltılabilir.
Adi demir - çekirdekli transformatörün iki bobini arasında elektrostatik kup-
laj oluşur. Bu kuplaj akımın, ikincil sarımlar yoluyla, devredeki bir impedans üze-
rinden toprağa akmasını sağlar ve böylecede istenmeyen voltaj oluşur. Bu güçlüğü,
iki bobin arasına yerleştirilen topraklanmış iletkenden oluşan zırh ortadan kaldı­
rır, Şek. 20 - 2. Çekirdek etrafında kısa - devre olan bir sanın oluşturmaması için,
koruyucu kılıfla arasında yalıtma boşluğu olmalıdır.
Yüksek frekans sözkonosu olduğu zaman bobin etrafına bakır veya alimin-
yum koruyucu kılıf yapılır. İletken kılıftan dış alanın büyük bir kesrinin geçmesini
Ö'l.leyecek şekilde, koruyucu kutu içinde girdap akımları oluşur. Böyle bir koru-
yucu kılıfın etkinliği, zamanla değişen düzlem elektromağnetik dalganın iletken-
ler içinde yayılması konusu içinde incelenebilir. ~ğer ~len dalga düzlemi iletken
levhaya paralel ise, im yüzeydeki maksimum akım yoğunluğu olmak üzere, akım
yoğunluğu metal içinde ilerledikçe şiddetindeki azalma

(20 - 1)
i = im Cos(wt -fi x) exp (- _a x)
bağıntısı ile verilir. Burada fi, a ya eşittir ve µ geçirgenlik,, o ;metalin iletkenliği, f
frekans olmak üzere, ada .jµ~file orantılıdır. Benzer bir açıklama da mağnetik
alanın derinlikle değişimi ile ilgili olarak yapılabilir. Hesaplamalar f = 100 Hz iken
gelen alanın yüzde 0,2 değerine düşmesi için 4 cm kalınlığında bakır kılıf gerekli
iken, f = ıo 6ıız olduğunda 1 mm kalınlıklı bakır, alanın değerini yüzey değerinin

529
 1- Zırh

~i
Demir çekirdek - ~

~ekil 20 - 2 Transformatörün birincil sarımları P ile ikincil sarımları S ara-

sınıJa zırhlama ilkesi.

10 6 da birbirinden daha küçük değere düşürdüğünü, göstermektedir. Yüksek ge-

çirgenlikli Ferro • mağnetik madde, alçak frekanslarda ve radyo frekanslarında
kullanışlı :ı:ırh olu~tururlar.

b) Ba~lantı kabloları, topraklama çevrimleri ve a.a. güç kaynağı

Milivolt veya mikrovolt mertebesinde alçak • düzeyli sinyaller gerektiğinde,

zırhlı bağlantı kabloları kullanmak zorunludur.
llükülebilir iç iletken ile aynı merkezli ve dielektrik mal:ı:eme ile ayrılmış ör-
gü şeklindeki dış iletkenden oluşan, aynı eksenli(coaxial)kablo birçok düzenleme
için kullanışlıdır (Ek. E de Şek. E • lb). Genellikle, dış yalıtıcı her tarafı kapata-
cak şekilde kullanılır. Alet uçlarında
kalkanlama oluşturmak için, özel kablo
bağlantıları ve uçları kullanılır
(Bak. Kaynak 20 - 4, Say. 588).
Triaxial kablo olarak adlandırılan kablo da, coaxial kabloya ben:ı:erdir, yalnız
-e,:-m'?ta ayrıca yalıtılmış ve bükütebilir ve aynı merkezli silindirik bir iletkeni daha
vardır. Sinyal içteki iletken çifti ile taşınir ve dış iletken koruyucu kılıf olarak kul-
lanılır.

AlternaLif düzenleme, yalıtılmış iki telin örülmüş şeklinin, dışı yalıtkan olan
bükülPbilir bir koruyucu kılıf içine yerleştirilmesi ile yapı1ır.
13u kablolardan herhangi bir tanesi, iki veya daha fa:ı:la cihazı birbirine bağla­
mada kullanıldığında, en iyi topraklama ve zırhlama bağlantıları problemi ortaya
çıkar. ilk olarak devrenin ortak ucu ve toprağı birbirinden ayırdedilrnelidir. Top-
raklama işlemi, su borusuna, güç hattı topraklı teline veya yer içinde bulunan
topraklama çubuğuna bağlantı yap(larak sağlanır. İki veya daha fazla cihazı birbi-
rine bağlarken, düşük potansiyelli uçları birbirine bağlanır ve doğrudan toprağa
bağlantısı olmayan bu uçlara, devrenin ortak noktası denir.
Birçok cihaz a:a. güı; hattından enerji alır. Eski sistemler dışındaki sistcm-
ll•rde, güvenlik nedeniyle üç - telli !(ÜÇ kablosu bulunur. üçüncü tel, metal dış
kılıfı veya şasiyi güç hattının topra~lı teline bağlar (Bak. Şek. 20 . 3 deki tit-
rt•~ken ). Titreşkende olduğu gibi, voltaj sinyalinin bir tarafı şasiye (ve toprağa)
gittiğinde tek • t:ırallı, topraklı devreye sahip oluruz. Diğer taraftan, eğer dev·~

530
sinyali şasiden valıtılırsa,
kayan çıkıştan bahsedilir, veya yükselteç durumunda
kayan giriş
elde edilir. Bu terimlerden bazıları Şek. 20 - 3 ile açıklanabilir. Açık­
landığı gibi, titreşken tek taraflı çıkışa sahiptir. Bununla beraber, yükselteç,YüK,
ve yazıcı galvanometre. G, kayar. Direnç köprüsünden yükseltece giden bağlantılar,
zırhlanmış çift tellerd;_r ve yükselteç şasisi veya zırhlama bağlantısı vardır. Benzer

bir bağlantı yükselteçten, kaydediciye gider. :aer iki zırh titreşken üzerindeki GD
ucunda aynı noktaya bağlıdır. A.a. güç kaynağı topraklama problemini daha kar-
maşık hale getireceğinden, burada yükseltecin pille beslendiğini varsaydık.

Şasi

115 V: :
il=
::ı

f
00.· !

l
1'

'

TOP
'1
'

Titreşken

Şekil 20 - 3 Topraklama ve şiltleme şeması.

Bazı aletlerde, şasi bağlantısını kopararak devreyi tek taraflı durumdan ka-
yan duruma geçiren, anahtar veya zincir halkasının bulunduğuna işaret etmeliyiz.
Bölüm 10 • 4c de toprak çevriminin deneme devresine bir saptırıua voltajı
verdiği konusuna kısaca değinmiştik. Yükselteç kazancını ölçmek için kullanılan
devre ağının bir kısmını gösteren Şek. 20 - 4 deki devre gözönüne alındığında bu
problem daha ileri düzeyde açıklanır. Tek taraflı sinyal üreteci çıkışı voltaj bölü-
ciiye gider. Kuçultülmüş voltaj, SW anahtarının kapalı olduğunu böylece de Y
noktasınıri yuksl'ltecin şasisine ve TOP a bağlı olduğunu varsayalım. Sonuç olarak
topraklama c,·evrim• kurulur. Bu çevrim, M noktasından titreşkenin şasisine, sonra
X noktasında,, v vt'. sonra SW anahtarı yoluyla yükselteç şasisinden P noktasına,
ve son olarak l{U\ kaynağı toprak bağlantısı yoluyla O ve N noktasına gelir ve böy-
lece M noktasına gerı doner
Toprak çevrıminın oluşturduğu bölgeden geçen elektromagnetik alan, bir
çeşit yapay voltaJ oluşturabilir. X ve Y arasındaki iletkenin direnci olması nede-
niyle, çevrimde dolanan ındüksiyon akımı X ve Y noktaları arasında sahte voltaj
oluşmasına neden olabilır. Bu voltaj doğrudan, R 2 direnci üzerindeki sinyal volta-

jına eklenir.
Sinyal taşıyan bağlantılann uzun olmasını gerektiren fiziksel olarak geniş
sistemlerde, yukarıda sozü edilen etki daha büyük olacaktır. Bu durumda, iki güç

531
hattına ait topraklama bağlantıları, topraklama iletkenlerinde oluşan parazit akı­
mının oluşması nedeniyle, aralarında potansiyel farkı oluşan iki farklı noktaya
giderler. !Junun sonucu olarak da Şek. 20 - 4 deki ON toprak - toprak bağlantı
yolunda 60 llz voltaj kaynağı meydana gelebilir. Bu da topraklama çevriminde
akıma neden olur.

Şasi

c, C2
r-H-ı rU7

- - - ·-- c:::-
-c=...+---'
ı+ı t_
1 jııı'--+---_1-1~=o'---~·•_
M p
10P fôp

X
Titreşken

Toprak çevrimi )

N o

:-;ickil :w - 1 Ül.' telli güı; bağlantısı ile oluşan toprak çevriminin açıklanması.

bir parazit voltajının oluşmasına, şekilde c 1 ve c 2 sığaçları ile model-

l>iğPr
lPııen gü«; lransfornıatörlerindeki çekirdekle sarımlar arasındaki sığalar neden ola-
bilir. Bu sığaçlardaki akımlar, her alete ait güç hattındaki üçüncü tel üzerinden sa-
dP<'e TOP a gitnwyebilir, bunun yerine, liü - Ilz akım bileşenini XY yolundan gön-
«!Prir V<' böykce, önceki gibi parazit voltajm gPli~ııı<•siıw neden olur.
SW anahtarının a<;ılnıası ve bunun soııu<·u yiiksPll.ecin kaymasının etkisi ne
olabilir'! Bu harekPt, topraklama çevrimini kırar ve parazit voltajları azaltabilir.
( :<•ıwllikle, alet, serbest modda kullanıldığanda, ,mhlar ve "düşük" potansi-
Y<'I sinyal u«;ları, d<•vn•nin ortak tek noktası olacak şekilde, bir araya getirilmelidir.
BazPn, 0l'k. 20 - :J deki gibi bu nokta toprak düzeyine bağlanabilir.
Alternatif !,(Üçle bl'sh•m•n aletlerde, güç transfornıatiirleri istenmeyen parazit
akımların kaynağı olabilirler. Bu transfornıatörlerde bobin zırhı kullanılarak para-
zıt akımlar azaltılabilir fakat zırh bağlantılarında aynı problem ortadan kalkmaz.
Zırhlama ve devre topraklama ile ilgili daha gl•niş bilgi Kaynak 20 - 2 ve Kaynak
20 . 1 <lı-ki Bölüm XV dl' bulunabilir.

532
 20-3
Sıcaklık gürültüsü

Dış kaynaklardan gelen gelişigüzel voltajlar yokedildikten sonra da elektro-

nik devrenin kendi içinde birçok gürültü kaynağı kalır. Bunlar, yükselteçlerin mak-
simum kullanışlı duyarlılığını ve dinamik alanını önemli ölçüde sınırlar ve zayıf
işaretlerin yükseltilmesini önler.
Bu gürültü voltajlarından bir tanesi, dirençlerdeki elektronların hızlanndan
(veya enrjilerinin düzensiz değişmesinden) ötürü ortaya çıkar. Bu düzensizlikler
değişik sıcaklığa bağlıdır ve klasik terim olarak elektronlann ısısal uyarılması

olarak belirlenirler. İlk olarak açık-devre direncini gözönüne alalım. Elektronların

gelişigüzel hareketlerinin, direncin iki ucu arasında değişken bir potansiyel farkı
oluşturması beklenir, aksi takdirde elektronların hareketlerinin etkileri her an bir-
birlerini yok etmelidir. Sonuçta oluşan elektriksel gUrLl!tüye; sıcaklık giiriiltüsü, di-
renç gürültüsü veya bu olayı ilk kez ortaya atan J.B. Johnson'un adını anmak için
Johnson gürültüsü adı verilir.
Gürültü voltajının, akımının veya gücünün miktarını belirlemeye başlamadan
önce olayı deneysel bakış açısından inceleyelim. Direncin, alçak - gürültü, yüksek -
kazanç yükseltecinin giriş ucunu toprağa bağladığını ve çıkışı osiloskopta kaydet-
tiğimizi varsayalım. Çıkış dalga biçimi, girişteki direncin uçlarındaki gürültü volta-
jını,dalgabiçimi hakkında, dolaylı olarak bilgi verir. Dalgabiçiminin görünüşü yük-
seltecin bandgenişliğine bağlı olacaktır. Geniş bandlı yükselteçlerde gözlenen dal-
gabiçimi, bazı yavaş değişimler gösteren gelişigüzel dalgalar şeklindedir ve bunların
bir hayli yüksek - frekanslı dişli bileşenleri ile arasıra oluşan değişik yükseklikli
sivri tepeleri vardır. Dar bandlı yükselteçlerde, calga'Jic;imi, bir bakıma GM dalga-
larına veya sürekli değişen bileşenli darbe dalgalarına, benzemektedir. Dar bandlı
yükselteç kullanıldığını, fakat kare ortalama çıkış voltajı gözlenirken geçiş bandı
merkez frekansının değiştiğini kabul edelim. Dikkate değer sonuç olarak, kare -
ortalama voltajın merkez frekanstan bağımsız qlduğu bulunur.
Bu deney, gürültü gücü veya voltajın nice! açıklamasının zaman ortalama de-
ğerleri ile ilgili olduğunu gösterir. İlave olarak, bu ortalama değerler, frekansın da-
ğılım fonksiyonları olarak açıklanabilir. Bir yaklaşım olarak, frekans . seçici devre
tarafından oluşturulan gürültü - voltajı dalgası örneği düşünülebilir ve merkez fre-
_kansında· dağılım fonksiyonunun değerini hesaplamak için zaman - ortalama çıkışı
kullanılır. Sıcaklık gürültüsü için güç dağılım fonksiyonu frekanstan bağımsız bir
sabittir. Nyquist, R direnci içinde oluşan, açık devre, sıcaklık gürültüsü voltajının
kare - ortalama değerinin

E 2 = 4kTR M (20 - 2)

533
 \ ,,\
ile verildiğini göstermiştir. Burada k Boltzmann sabiti, T direncin mutlak
sıcaklığı ve t:,r birazdan tanımlanacak olan ölçü sisteminin gürültü bandgenişliğidirt.
MOYİAET yükselteç giriş bağlantıları arasındaki direncin 50.000n olduğu­
nu varsayalım. 500 kifa lik bandgenüşliği içinde etkin gürültü voltajı ne kadardır?
Sıcaklığı 27°C(300°K) varsayıp, değerler (20 - 2) de yerine konulursa E 2 = 4,14 x
ıo- 10 veya E = 2,03 x ıo· 5 V bulunur. Sıcaklık gürültüsünün, maksimum kullanışlı
yükseltmeyi ciddi olarak sınırladığı, diğer bir söyleyişle küçük işaret voltajlarının
tesbitini engellediği g0rülür.
Dirençteki sıcaklık - gürültüsü voltajı, Şe!;.. 20 - 5b de görüldüğü gibi sanki
voltaj kaynağı ve gürültüden kurtulmuş seri direnç gibi davranır. Diğer bir şekil

12 : R
Gürültülü
direnç
4kTt.f
-R-
gürültüsüz
►

(ol (tıl (c l
Şekil 20 - 5 (a) Gürültülü bir direnç, (b) gürüitü, kaynağının Thıvenin eşde­

ğeri, ve (c) gürültü kaynağının Norton eşdeğeri.

olarak, gürültü akımı kaynağı ve şönt direnç bulunduran, Şek. 20 - 5c, Norton
eşdeğer devre şekli kullanılabilir. Kare - ortalama güniltü akımı kaynağı

4kT t:, f (20 - 3)

R

değeriı:ıe
sahiptir.
Gürültü dirençle ilgili olan, gürültüsüz yük direnci R ile tamamlayıcı gürültü
kaynağının yayabildiği mevcut gürültü gücünün hesaplanması ile ilgilenildiğinde,

P= kT t:, f (20.- 4)

bulunur. Gürültü gücü P 'nin,bandgenişliği t:,f ile orantılı olması gerçeği, gürültü gücü

·t e 2 ve E 2 gibi semboller, giırültü voltajının-·zaman - ortalama tabiatını vurgulamak için kulla-

nılır. Ortalama işlemi açıkça gösterilmediği halde, gürültü voltajının bu tabiatı akılda tutulma-

lıdır.

534
 dağılımının frekans aralığı üzerinde değişmez olduğunu gösterir. Bu sonuç, oda
sıcaklığında tutulan dirençler için ıo 10 Hz mertebesine kadar olan frekans ara-
lığında deneysel olarak denenmiş ve bulunmuştur. Sıcaklık gürültüsü, optik spekt-
rum üzerindeki beyaz ışığın flalga-boylanıttn dağılınnmr-trnzetilerek, beyaz gürül-
tü olarak isimlendirilir. ' '
1 \ ) L

20-4 1
'
V'f
1
~~
'
P,< ''-.!)
1 1

Sıcaklık gürültüsü~~ereıf devr_ hes~f-~ı_na!,rı

,Akt~nm f~n_~1!Y~1.1.~. ~. {!( nf.~,P,i..~ltHıı~a~~ee~~~l!~!1.1~ sanıpıl~~a~ yararlı

olacaktır. Burada G (f), şebekenın f~ farkına sahip çıkış miktarının giriş miktarı-
na oranıdır ve bu nicelik voltaj oranı, ·impedans oranı vb. olabilir.. Gürültü bandge-
nişliğinin matematik tanımı,

1 (20 - 5)
B=
a2
o 1)

Burada G , G(f) nin maksimum mutlak değeridir. Bir örnek Şek. 20 - 6 da

gösteriJrnit!lr-ıB nin ~ğeripiJJ,yf.Jikdör~li.nsel al~n:»q.~ }1, ~fıri altınwıki G{f)l 2 nin I
, alanına ~şit.yapacak biçimde olduğunu görüyoı:uz. \'
Kazanç: eğri~~1ıl4.lt l\½ç~jr tepesi bul11nmayan, _g~!lİJP,!1n_c\ 1Y.ük~!=:ltecinç\e, gürül-
tü bandgenişliği; yaklaşık yan : güç frekanslarından belirlenebiliı;~

----~------ _L~~---
ı 1
1
· c: 2 ;. ı.. ':ı -··! ~ - !
: ..• (f :

Şekil 2B9-~~~tıu babdghni.$9,iği!J~,.~ .,: .rıd'

b) Paralel akordlu devre . dJ

~ - O~) . __ -!____ = - -- ---------- l --
~ o '1 ı
Paralel akordlu devfe1erden, Şel(. ~g..~7,-~e~ ~lal)jl gürültü voltajının
hesaplanması, bu seçici devrenin, bağlantı hçların-daki vo!fajı; nas~l,,!kilediğini
gösterir. R direncinden ötürü oluşan gürültü kaynağının Nortori e~aeğenni, I ürete-
1

ci temsil eder. İndüktans ve kapasitansı kayıptan ba" ımsız varşayalım. f frekansın-

da, df trekans aralığı üzerinde ı 2 nin değeri, ·' · ·
 I2 = 4 k T (20 - 6)
R ~.

olur.

R L
7-
C E
1

l t
Şekil 20 · 7 Norton gürültü üreteci I ya sahip paralel akordlu devre.

E nin kare-ortalama değerini bulmak için, I nJn etkisini bütün frekanslar

üzerinden integre etmek gerekir. İlk olarak paralel devrenin impedansının mutlak
değerinin karesi yazılır ve

R2
1Z(f)I 2= - - - - - - - -
(20 - 7)
2 f fo 2
[ı+Q (---) ]
ro f
sekline konur. Burada f0 , 411' 2 f 2 LC= 1 ile belirtilen rezonans frekansı ve Qçarpanı,
Q = 211'f0 CR değerine sahiptir. Eğer I Z(f)I 2 il~ (20 - 6) da verilen ı 2 çarpılırsa, f
frekansında seçilen df frekans· aralığındaki gürültünün E 2 ye katkısı elde edilir.
Toplam E 2 yi elde etmek için ,bütün frekanslar üzerinden integral almak gerekir.
Sıfır ile sonsuz aralığındaki frekanslar üzerinden alınan bu integral Den,k. (20-8)
deki değerini verir.
2 21rkTRf0 (20 - 8)
E =--Q--

Q'a!ttıkça,gürültü voltajının az.,ıldığına dikkat edilmelidir. Yüksek Qdeğerine sahip

devre daha seçici olduğundan bu sonuç akla uygundur.
önceki sonuçların, gürültü bandgenişliği terimleri ile yorumlanması hemen
yapılır. Denklem. (20 - 5) den başlayarak ve G(f) yerine Z(f), G0 yerine R koya-
rak düşünelim. Denklem (20 - 5) den B yi çekerek,

df (20 - 9)
H= j"' - - - - - - - - - -
o 2 f fo 2
[1-Q (------·-) ]
f0 f
Su,ıucu elde edilir. Böylece,

E2 = 4kTBR (20 -10)

S36
biçiminde ifade edilebilir. Bu bağıntı, Denk. (20 - 2) ile aynıdır ve aralarındaki tek
fark daha önce tanımlanan bandgenişliği B,M nin yerine geçmiştir.
örnek olarak, f0 = 107Hz ve Q = 500 olarak varsayılırsa B,31,4 kHz bulunur.
Eğer T= 300°K ve R = ıo 4 n alınırsa E = 2,3 µ V bulunur.

c) İki. - uçlu pasif devre

Uçlan dışbir impedans ile birleştirilmiş iki - uçlu pasif bir devreyi gözönüne
alalım. Şekil 20 - 8a daki dış impedans Rı direncidir. önemli Nyquist teoremi,

Pasif
Şebeke
E2 =
4R( f )kTdf

(ol ( bl

Şekil 20 - 8 Nyquist teoremi.

devre tarafından dış impedansa verilen gürültü gücünün hesaplanmasında kolaylık

sağlar. Şebekenin uçları arasındaki eşdeğer impedans, f frekansında Z(f) olsun.
Burada

Z (f) = R(f) + jX(f) (20 - 11)

dir. Teorem şebeke tarafından dış impedansa verilen kare - ortalama gürültü akımı­
nuı

12 = 4kT 0 J00 R(f) j G(f~ 2 df (20 - 12)

şeklinde verileceğini ifade eder. Burada G(f), f frekansında akımla sürücü voltaj
arasında bağlantı kuran, kompleks aktarım fonksiyonudur.

20- 5
Gürültü sıcaklığı ve gürültü sayısının tanımı

Giriş şebekesinin direnç bileşenleri nedeniyle, yükseltecin girişinde ısısal

~rültü voltajı oluşur. Eğer yükseltecin gürültüye katkısı sıfır ise, çıkıştaki gürültü

537
voltajı, yükseltecin gürültü baud aralığındaki voltaj kazancı ile giriş gürültü voltajı­
nın çarpımına eşittir. Bununla birlikte, yükseltici aygıtlar (transistör veya lamba -

!ar) kendi gürültü voltajları kadar ilavede bulunurlar. En büyük ölçüde yükseltildi-
ği için birinci katın katkısının birinci ölçüde önemli olduğu \Urgulanr.ıalıdır.
(:ıkışta, toplam gürültüye gelen çeşitli katkılar üzerinde çalışılmalı ve gürültü

parametrelerinin nicel tanımlanması için, gürültü ölçümleri ve hesaplamaları

yapılmalıdır.

Sıcaklık
gürültüsü gücü için standart referans, T r referans sıcaklığında ve giriş
uçlarındaki, azaltılamayan en küçük değer kTrB, Denk. (20 - 4), alınır. Alışkanlık
olarak referans sıcaklığı T r = 290°K kullanılır.

a) Gürültü sıcaklığı

Bu terim, direnç veya anten gibi iki - uçlu aletlerde kullanılır. Metal - film ve
tel - sarımlı tipler gibi bazı dirençlerde, yalnızca temel bir sıcaklık gürültüsü voltajı
oluşur. Karbon bileşimli tipler gibi diğer dirençlerde, akım taşıma sırasında, sıcak­

lık gürültüsünün üzerinde ilave bir gürültü daha oluşur. Ek gürültü oluşturan aletler
için, eşdeğer !,'İirültü sıcaklığı tanımlanabilir. Bu sıcaklık, birim bandgenişliği başı­
na mümkün sıcaklık gürültüsü gücünün, iki uçta gerçekte var olan, dönü başına gü-
rültü güdine eşit olduğu sıcaklıktır. Eğer, B=l Hz için mevcut olan gücü Pn sembo-
lü ile gösterirsek, Denk. (20 - 4) den gürültü sıcaklığı Tn nin;

~n 22
T =--=725x10 P (20 - 13)
n k ' n

şeklinde yazılabildiğini
görürüz. Genel olarak frekansla değişmelerine rağmen,
beyaz gürültü durumunda P n ve T n frekanstan bağımsızdır. örneğin, 1 veya
2 kHz gibi düşük frekans aralığı üzerinde, dirençteki ek gürültü genellikle 1/f ile
değişir.

b) Gürültü sayısı, gürültü çarpanı

13u terimler, ic; gürültü kaynaklarına sahip olabilen, yükselteçler gibi iki - çı­
kışlı aletlere kullanışlı olarak uygulanır. İki - çıkışlı aletler için, gürültü sayısı veya
gürültü ç:ırpanı;

(20 - 14)

oranı ile tanımlanır. Burada

538
 Nao = birim bandgenişliği başına toplam mevcut gürlütü gücü,
Nar= Standart karşılaştırma sıcaklığı Tr = 290°K (17°C) de şebekenin giri-
şinde olan ısısal gürültü gücünden dolayı meydana gelen ve Nao ın bir parçası
olan güç. Alternatif olarak, Nao veya Nar güçlerinden biri, aletin güç bandgenişliği
üzerinden alınır. Eğer cihaz,girişine verilen gürültü gücüne herhangi bir güç ilave
etmiyorsa gürültü sayısı bir olur.

20-6
Aygıt gürültüsü

a) Tennoiyonik diyod

Bir diyod tüpün anod_akımını,anoda ulaşan çok sayıdaki elektronların net

etkisi olarak gözleriz. Bu akımda, sadece yüklerin kesikli olması değil, anoda ulaş­
ma zamanlarındaki rasgelelik de akımda dalgalanmalar oluşturur. Ortalama değer
veya d.a. akım değeri etrafındaki bu dalgalanmalar tüplerde ve transistörlerde atma
gilriiltüsü denilen gürültü çeşitini oluştururlar.
Bir diyod sınırlı sıcaklık şartları altında (doyum durumu) çalışırken, uzay
yükü ihmal edilebilir ve etkisi yoktur, fakat elektron yayma işleıninin tamamen
rasgele tabiatlı olması atma gürültüsünün tamamına neden olur. Bu şartlar altında
diyod sabit akım geçiren bir elemandır. Bu yüzden de bandgenişliği B içinde tüm
atma gürültüsü W. Schottky tarafından türetildiği şekilde, akımın kareleri ortala-
masını uygun şekilde ifadelendirilen Norton kaynağıdır. Yani

(20 - 15)

dir. Bu ifadede qe, elektron yükü ve Ih, anod akımıdır. Denklem (20 - 15) atma gü-
rültüsünün beyaz gürültü olduğunu göstermektedir.
Akımı, uzay yükü ile sınırlı bir diyod tüpte atma gürültüsü büyük oranda aza.
r
lır,,Azalmış atma gürültü akımı (20 • 15) ifadesin~ bir 2 azaltma faktörü eklenme-
siyle yeniden

(20 · 16)

olarak yazılır. r 2 nin teorik değerleri 0,05 ile 0,15 arasında değişir.

b) Izgara kontrollu temıoiyonik vakum tüplü diyodlar

Triod tüpler, normal olarak, uzay yükü sınırlı akımda çalışırlar. Dolayısıyla
bunlarda atma gürültüsü, eşdeğer, sıcaklığı sınırlı bir diyoddan daha azdır.

539
 Pentod tüplerde, triod tüpler\e karşılaştırıldığı zaman ek bir gürültü bileşeni
gözlenir. Bu gürültünün nedeni uzay yükünün ekran ızgarası ve anod arasında rasge-
le bölüşülmesidir, bu yüzden de gürültü bölüşüm gürültüsü olarak isimlendirilmiştir.
Normalde, pentod tüpler, triod tüplerden daha gürültülüdürler, ancak yüksek gm
değerine sahip modern pentod tüplerde verim ve gürültü triodlara yaklaşır.

c) Fototüpler, iyon sayıcılar

Fototüplerde, iyonizasyon odalarında ve iyon sayıcılannda akım, Denk.

(20 - 15) ile verilen bir atma gürültü bileşeni içerir.
Bir foto - çoğaltıcı tüpte (FÇT) ilk basamakta ışıkla oluşan akım, atma gü-
rültüsünün tam bileşenini de oluşturur. Daha sonraki elektron çoğaltma basamak-
larında bağıl gürültüde çok az bir artma gözlenir. Dolayıııiyle, fotoçoğaltıcı tüpler-
de gürültü sayısı birden çok farklı değildir ve l,15mertebesindedir. Liont fotoço-
ğaltıcılardaki gürültüyü incelemiş ve tüp sıcaklığının düşürülmesinin gürültüye etki-
sini araştırmıştır.

d) Transistör gürültüsü

Yük taşıyıcıları üzerine etki eden temel işlemlerin herbirisi, yani difüzyon,
yeniden birleşme, sıcaklık oluşumu ve rasgele hareketler gürültüye neden olurlar.
Buna ek olarak gürültü taban bölgesi direncinden ötürü ve yüzey kaçak akımlarına
neden olan yüzey safsızlıklanndan dolayı meydana gelir. Yüzey kaçak akım gürül-
tüsü öncelikle 1/f olarak isimlendirilen gürültüyü oluşturur. Bu gürültü bileşeni,
frekansla ters orantılıdır.
Transistörün yapısında olan gürültü, Denk. (20 - 14) ile ifade edilen gürültü
sinyali olarak, ya da buna eşdeğer giriş gürültü direnci olarak verilebilir. Gürültü
sayısı, genel olarak Şek. 20 - 9 da verilen frekanslar içinde değişir. Gürültünün 1/f
bileşeni 0,5 veya 1 kHz frekans· üzerinde ihmal edilebilir ölçüde küçülür. Daha
yüksek frekanslarda gürültü çarpam büyLir. Bu büyümeni.ı nedeni f2 ile değişen
gürültü bileşeni yüzündendir. Bu tür değişme yüksek frekanslarda sinyal kazancının
azalmasından kaynaklanır. Yine bu bölgede, toplayıcı d.a. akımı ile ilgili gürültü
sabittir.
Thornton ve arkadaşları f uir ;mp transistörde gürültüye katkıda bulunan
akım bileşenlerini şu şekilde ayırmışlardır: (1) yayıcıdan - tabana ve toplayıcı tara-

t K.S. Llon, lnstrumentation in Scientific Research, McGraw- Hill Book company, New York,

1959, pp. 252ff.

+ R.D. Thornton, D. Dewitt, E.R. Chenette, and P.E. Eray, Characteristics and Limitations of
t Transistors (SEEC V.l), John 'Niley Sons, ine., New York, 1966, Chap. 5.

540
 a:ı

!;
(1)
12
rl
>-
nı
(1)

....,
::::ı

.-{
::::ıo '----'---~---'-+_.__..ı,_----'----'

=~01 ıo 102 103 104 105 106 101 108

~ f-f ekans

Şekil 20 - 9 Transistör için dar band ıfiirültü sayısının frekansa göre çizimi.
Not : Gürültü sayısı dB olarak 10 Log ye eşittir.r
fından toplanan asıl delik akışı, (2) yaytcıdan - tabana akan ve taban bölgesinde
yeniden birleşen delik, (3) taban bölgesi~de oluşan ve yayıcı bölgesine sürülen te-
mel delikler, (4) taban bölgesinde oluşan ve toplayıcı bölgesine geçen sıcaklıkla
oluşan delikler (bu delikler kaçak akımı leBO oluştururlar) Thornton ve arkadaş­
ları, transistör uygulamalarında gürültüyü azaltmak için şu sonuçlan vermişlerdir.

Alçak frekans uygulamalarında düşük gürültülü transistör seçimi ve alçak le

akımı ile alçak VeE voltajında çalışılması büyük yarar sağlayacaktır.
Benzer biçimde orta frekans bölgesinde diişük le değerleri salık verilir. An-
cak le değeri çok düşük yapılırsa bu kez gürültü yeniden yükselebilir.
Yüksek frekans uygulamalarında transistör düşük eµ ve rx melez parametre-
lerine ve yüksek ~F ile wT değerlerine sahipol1:1alıdır. .
Hem MOYİ, hem de AET ler üç tip gürültü üretirler. Bunlardan birisi kanal
bölgesindeki Johnson gürültüsüdür. Çünkü, kanal bölgesi bir direnç gibi davranır.
AET ler aynca, azalma bölgesinde elektron-delik oluşması ve yeniden birleşmesi
nedeniyle bir atma gürültüsü oluştururlar. "Benzer bir güıültü kaynağı da MOYİAET
lerdt> kanal gövde azalma bölgesinde mevcuttur. Her iki gürültü de 1/f değişimi
gösterirler. Bu 1/f gürültüsü genellikle MOYİAET !erde AET !ere göre daha fazladır.
Bu yüzden MOYİAET !er, gürültünün sorun olduğu ses yükselteçlerinde kullanıl­
mamalıdırlar. öteyandan, yüksek frekanslarda :vIOYİAET !erin gürültüye karşı
verimlilikleri dipolar transistörlere ve AET !ere karşı oldukça iyidir.

20- 7
Gürültü sayısının ölçülmesi

Gürültünün ölçülmesi, laboratuvar tekniğinde ve sonuçların yorumlanmasın­

da önem kazanır. ölçülecek büyüklükler, büyüklüklerin karelerinin zaman ortala-
masıdır, Teorik olarak, zaman ortalaması sonsuz uzunlukta zaman aralığı için ya-
pılmalıdır, fakat pratikte kısa zaman ortalamaları kullanmak yeterli olmaktadır.

541
Ancak bu zaman aralığı da, zaman daha fazla uzatıldığında bile sonucun değişme­
yeceği kadar uzun olmalıdır.
Gürültü sinyallerinin ölçülmesi için bilinen iki yöntem şunlardır: (1) küçük
sinyal yöntemi, (2) standart bir gürültü üreteci kullanılarak ölçme yöntemi. Burada
yalnızca ikinci yöntemi açıklayacağız ve standart gürültü üreteci olarak sıcaklığı
sınırlı diyod kullanıldığını varsayacağız. Deneme devresi Şek. 20 - 10 da gösteril-
miştir. Çıkış akı.mının veya voltajının değişken bileşeni, kok değeri ölçen bir ölçü
aletiyle gözlenmelidir.
ölçme yöntemi şu şekilde özetlenebilir. Diyod kesilimdeyken bir V kok çı­
kış voltajı ölçülür ve buradan gürültü gücü P 1 hesaplanır. Bu gürültü, R" direncin-
b
den gelen sıcaklık gürültüsü ile gürültüsü ölçülecek yükselteç devresi veya buna bağ-
lı bir devreden gelen gürültünün toplamıdır. Farklı gürültü kaynaklan birbirinden
bağımsızdırlar, dolayısıyla bunların etkileri doğrudan toplanabilir. Daha sonra

diyod iletime geçirilir, ve gürültü gücü herhangi bir P 2 değerine ulaşıncaya kadar
Ib akımı arttırılır. P 2 de P 1 gibi aynı gürültü bileşenlerini içermektedir, ancak bir
fark vardır. ikincisinin içinde iletimde olan diyodun ürettiği atma gürültüsü de yük-
seltilmiş halde mevcuttur. Yalnız bu bileşen diğer bileşenlerden farklıdır ve bunla-
rın etkileri doğrudan toplanmış halde ortaya çıkar. Diyodun gürültü gücü bilindiği
için yükseltecin gürültü sinyali aşağıda anlatılacağı gibi hesaplanabilir. Yükseltecin
güç kazancı Gp olsun O zaman diyod çalışmazken P 1 çıkış gücü,

Yükseltici
veya -·
4 uçlu aygıt

d. a•
. Şekil 20 · 10 Yükselteç gürültü sinyalinin ölçülmesi için test devresi.

(20-17)

olacaktır. Burada birinci terim (20 - 4) denklemine dayanarak yazılmıştır. NE

ise yükselteçte üretilen gürültüden ötürü oluşan güçtür. Gürültü diyotlu iletim ya-
parken, bunu bir Rg direnciyle paralel Norton akım kaynağı gibi düşünürüz (Denk.
20 • 15). Sonuçta elde edilen P 2 çıkış gücü,

(20 • 18)

542
olarak bulunur. ölçmelerde P 1 ve P 2 (veya P1 ve P2 ile orantılı gösterim) t gözle-
nir. Burada çıkış gücünün iki kat oluncaya kadar Ib akımının ayarlandığını varsay-
dık. Yani

(20 · 19)

üç denklem, (20 · 17), (20 · 18) ve (20,· 19) NE değerinin bulunması için yeterli-
dir. Sonuçta

(20 · 20)

elde edilir. Bundan sonra Denk. (20 • 14)de verilen F nin tanımını kullanarak,

(20 · 21)

bulunur. NE yerine Denk. (20 · 20) deki ifadesi konulursa, P2 tP 1 = 2 için,

(20 · 22)

elde edilir. Tekrar qe ve k sabitleri ile Tr = 290°K, Denk. (20 • 22) de yerine konu-
lursa

(20 · 23)

ifadesi bulunur. Çıkış güçlerinin oranları kull~nıldığından

.
sonuç R L yük direncin-
den bağımsız olacaktır.

ölçeklendirilmiş gürültü diyodunun kullanılması kesin ve uygun bir yoldur.

Gaz boşalma tüpleri gibi başka ayarlanmış gürültü üreteçleri de özellikle mikrodal-
ga frekansı mertebesinde kullanılmaktadır.

t Bundan sonraki hesaplamalarımızda P /P oranı kullanılacağından, çıkış gücüyle orantılı bir

2 1
büyüklüğün ölçülmesi yeterli olacaktır. P ve P nin mutlak değerlerinin ölçülmesi için
1 2
ayarlama yapılması gereksizdir.

543
 KAYNAKLAR

20 -1 W.R. Bennett, Electrical Noise, McGraw - Hill Book Company, New

. York, 1960.
20 • 2 Ralph Morrison, Grounding and Shielding Techniques in lnstumentation,
John Wiley Sons, ine. New York, 1967.
20 - 3 C.D. Motchenbacher and F.C. Fitchen, Low - noise Electronic Design,
John Wiley Sons, ine., New York,, 1973.
20 - 4 F. Spitzer and B. Howarth, Principles of Modem lnstnımentation, Holt,
Rinehart and Winston, ine., New Yrok, 1972.
20 - 5 Floating Measurements and Guarding, Aplication Note No. 123, Hewlett
Packard Co., Palo Alto, Cal., 1970.

ALIŞTIRMALAR

20 - 1 Şekil 20 • 11 eşdeğer devresinde Cs, 120 V, 60 Hz şebeke ucu V ile açık­

taki MN teli arasındaki parazit sığacını göstermektedir. Zırhlanmış cihazın (örneğin
osiloskop) giriş impedan_sı Zgir 1 Mn dirençle paralel bağlı 40 pF sığaçtır. C8 =0,5
pF alarak, (a) R8 = 5000 n {b) R8 = 600 kn için güriiltii voltajı Vn yi hesaplayınız.

Şekil 20 - 11
20;. 2 Şekil 20 - 12 deki A yükselteci ideal, gürültiisüz birim kazanca sahip bir vol-
taj yükseltecidir. R 1 direnci sadece basit sıcakbk gürültiisü üretmektedir. (a) C sığa­
cının uçlaf_!ndaki gürültü voltajının kare ortalamasının E 2 = kTR1 /RC ve gürültü
bandgenişliğinindel/4 RC olduğunu gösteriniz. (b) Böyle bir ölçü aletinin yavaş
deği:,;en bir büyüklüğü ölçerken, çıkıştaki RC süzgecinin gürültiinün azaltılmasına
etkisini tartışınız. Bu yöntemin sınırlamaları nelerdir?
H
-f-
E
,,;'-------J_L
Şekil 20- 12

544
20 - 3 10.000 n değerindeki bir karbon direncin gürültüsü 300°K sıcaklıkla ölçül-
düğü zaman E 2 = 2.21x10· 15 v 2 olarak bulunmuştur. ölçme sisteminin l:1andge-
nişliği 10 Hz ve merkez frekansı da 200 Hz dir Direncin gürültü sıcaklığı nedir?
20 - 4 Girişi ve çıkışı uygun dirençlere sahip bir yükselteci ele alalım. Ri=300n
ve RL = 5000 n olsun. Ri sadece sıcaklık gürültüsü üretiyor olsun ve sıcaklık da
290°K olsun. Yüksek kaliteli bir yükseltecin gürültü sayısı 3,2 ve uygun yük altın­
da güç kazancı da 2000 dir. (a) Her bir periyod için yükseltecin eklediği gürültü
gücü nedir? Yol gösterme : Genel olarak bu büyüklüğün kTG(F - 1) olduğunu gös-
teriniz. burada G yükseltecin güç kazancıdır. (b) Eğer yükseltecin gürültü bandge-
nişliği 500 Hz ise RL yük direnci üzerine gelen toplam gürültü gücü nedir? (c) (b)
şıkkında verilen şartlar altında çıkıştaki gürültü voltajının kok değeri nedir?
20. 5 Bir iki kutuplu transistör, 300 n kaynak direnci olduğu halde çalışırken,
5 MHz frekansta gürültü sayısı 4 dB dir. Gürültü, 5 MHz frekans civarında çok az
değişmektedir. Bu transistör 300 n kaynak direnci ve 2000 n yük direnci ile bir
yükselteç olarak çalışmaktadır. Yük direnci (2000 n ), yükseltecin çıkış direncine
eşittir. 5 MHz merkez frekansı etrafında 10 kHz bandgenişliği durumunda yük
direnci uçlarındaki gürültü voltajı nedir? Kaynak direnci sadece 290°K de sıcaklık
gürültüsü üretmektedir.

• 545
 21
Bil~ Toplama
iletme, Kayıt
ve işleme
Telemetri

21 - 1
Giriş

Genellikle sayısal hesaplayıcılarda önem kazanan bilgi işleme sözcüğü büyük

miktarda sayısal veri analizinin yapıldığı yüksek hızlı matematik işlemleri belirt-
mek amacıyla son yıllarda kullanılmaya başlanmıştır. Çoğunlukla bu wriler maaş
t!ıordrosu, envanter ve benzeri iş hesaplamalarında kullanılan sayılardan ibarettir.
Bununla birlikte bizi ~nçok ilgilendiren mühendislik ve bilimsel veriler yani test
veya deneylerin sayısal sonuçlan ve bu veriyi elde etmede kullanılan alet ve tek-
niklerdir.
En basit bir deneyde bir tek gözleyici bir tek aletle gözleyebilir ve diğer bazı
değişkenlerin sözgelimi zamanın bir fonksiyonu olarak yavaş değişmeyi okuyarak
kaydeder. Belki her 5 saniyede bir okuma kaydedebilir.
ölçülen büyüklük daha hızlı .değişirse, saniyede iki okumanın eşdeğerini
kaydedehilen bir şerit üzerinde değerleri kaydetmek için kendi kendini dengele-
yen bir potansiyometre kullanılabilir. Eğer değişken daha çok hızlı değişmekte ise
yülGek - hız galvanometresi~e sahip kaydedici bir mağnetik osilograf kullanılabilir.
1200 llz e kadar frekanslara cevap veren bir galvonometre ile eşdeğer "kayıt oranı"
600/sn olabilir. ·
Buraya kadar cihazın veya çeviricinin benzerlik çıkışı ile ilgilendik. Aına
doğal olarak bazı elemanlar sayısal çıkışa sahip olacaklardır. Buna örnek Geiger
sayıcısıdır. Birazdan göreceğimiz gibi benzerlik sinyallerinin daha ileri işleminden
· önce sayısal moda çevrilmesi istenir.
Uygulamada deneysel değişkenlerin sayısı birden büyüktür ve birkaç tane-
den elli veya daha fazlaya değişebilir. örneğin bir gaz türbini makinası testi oku-
malarında yakıt oranı, itme, saniyedeki devir, giren hava sıcaklığı, çıkan gazların
sıcaklığı, seçilen rotor kanatları sıcaklığı ve benzeri büyüklükler gerekebilir. Uça-
ğın yeni kurgusunda işleyişini kontrol etmede son ölçüde incelikli aletle uçuş
değişkenleri, güç donanımı değişkenleri ve yapısal elemanlardaki gerilmeleri ölç-

mek ve kaydetmek gereklidir.

Sayısal veri doğruluktan kayba uğramaksızın büyük aralıklarla aktanlmak
istendiğinde karmaşıklık daha-da artar. Tarihsel olarak bu gerek, sistemin merke-
zinden uzakta olan parçalarından gelen bilginin merkezde kontrolünün gerekli
olduğu su dağıtım ve elektrik güç sistemlerinde ortaya çıkmıştır. Sonuç olarak

546
 uzaktan ölçme sistemleri bu gereği karşılamak amacıyla geliştirilmiştir. Uyduların
ve uzay araçlarının yapılması ile verinin iletilmesi gereken iletim uzaklıkları birçok
kat artmıştır. Gürültüden sinyalleri ayırma problemi- a,şimdilerde
.•
genellikle telemetri
sistemleri denilen bu sistemlerde doğal olarak dah,! zorlaşmıştır.

21-2
Veri sistemlerine örnekler

Basit bir veri kaydedici Şek. 21 - 1 de gösterilmiştir. Bu sistemde her alıcı

bir şerit - kart kaydedicideki bir kayıtta_~on bula!) ayrı bir bilgi kanalını sürer. Da-
ha sonra açıklayacağımız gibi bu sistemin bilgiyi kaydedebilme hızı kaydedicinin
duyarlılığı olan frekans bandgenişliği ne·sınırlanmıştır. Sistem, sürekli kart kayde-
dici olarak bir bilgi deposu özelliğine sahiptir. Verinin büyük miktarı bu sistem ta-
rafından istendiğinde, kaydedilen mikt~ okuma, yardımcı grafik çizme gibi elle
·- ,. ··veri 'değerlendirme külfetli bir iş olur. Eğer verinin dönüştürücüden belli bir uzak-
lıkta kaydedilmesi gerekli ise tel hatlar ek devre direnci ve gürültü veya onların
zararından dolayı bir sınırlama getirir.

Çok ka~allı . 2
bilg{
~El
_ı ________ j _ _ _ _ -- kaydedici ' n azaJ.tırnı
' '
'Kayıt

Şekil 21 - 1 Basit veri sağlama sistemi

Uzay araçları, uydular, mermiler ve benzerleri, Şek. 21 - 2 de basit biçimde

gösterilen bir radyo telemetri bağlantısı bulundurmalıdır. Para ve güç ihtiyacına
göre, radyo bağlantısının maliyeti nedeniyle alıcıların bir kısmından bilgiyi iletme-
de genel olarak yalnız bir radyo bağlantısı mevcuttur. Bu, frekans bölücü veya za-
man bölücü çok kat yöntemleriyle başarılır. Radyo bağlantısı üzerinde kullanılan
modülasyon tipi her sistemde_,sisteınin kurucusu tarafından seçilebilir.
Daha karmaşık aletli veri sistemine örnek olarak Şek. 21 - 3 deki mermi
.,ıenzil - testi veri - sistemini gözönüne alalım. Burada, uzaydaki duyucular, sapma

açısı ve dönüş açısı verilerini kaydetmek için ivme ölçer, sıcaklık verisi için foto-
Sf>!ler ve belki merminin yüzeyleri boyunca kurutulan plazmayı test etmek için
Langmuir aracını bulundurabilir. Bu alıcı çıkışı dalgabiçimlerinin tümü,bir tek te-
leflletri - iletim anteni - uç voltajı dalgabiçimi üzerine bindirilebilir. Uzaktan ölçme
alıcısında tek alıcı dalgabiçimi zaman_ veya_ frekans.J_yırım!)Ie,xeniden elde edilebi-

547
lir. Bir benzerlik kaydedicisi denemeyi göstermek ve sayısal magnetik teyp üzerine
bütün verinin depolanmasını sağlamak için kullanılabilir. Teyp bir benzetme - sayı­
sal, 3/S, çeviricisinin çıkışı ile yazılır. Aynı zamanda bir radarla uzaklık bilgisi için
her yansıyan pıllsun ulaşma zamanını kaydederek merminin yörüngesi izlenebilir
ve maksimum sinyalde anten yerleşim açıları ile açısal bilgi sağlanabilir.

!rl
d'
M R
i 1

Mo.._d_u-_l_e_e~~ici ·verici• tAlıcı ' vn

ve, Radyo . v~. ,. Çıkışlar
çoğaltıcı hattı çoğalmayı çözücü

Dönüştürücü
ve sinyal
koşulcuları

Şekil 21 - 2 Basit bir radyo telemetri sistemi.

Duyucular

Ô' Çoğaltıcı

TelemetrU
verici · 1
Havadaki
elektronil<
aletler

¼
/1 Tabandaki
Radar elektronik
aletler
Filtreler ve N-kanal
aigılayıcılar benzetmP..
Lk:3ydedici__~
• _S_?_l_ısal B/5
manyetik şerit 1 dönüştürücüi

Say.ısal İşli şeritler

bilgisayar
Çizimler• tablolar

Şekil 21 - 3 Liüdümlü veri işleme sistemi.

548
 Sonuç olarak tüm veri ölçeklendirilebilir zamanca eşzamanlı duruma getiri-
lebilir ve bir genel amaçlı sayısal hesaplayıcıdaki işlemler vasıtasıyla çözümlenebilir.

21-3
Veri sistemi teorisinin bazı elemanları

a) Gürültü ve bandgenişliği

Bir R direncindeki sıcaklık gürültüsü sonucu ortaya çıkan kare ortalaması

voltajın

N 2 = 4kTRB (21 - 1)

ile verildiğini Kes. 20 : 3 den hatırlayalım. Burada k Boltzman sa~iti~ T Kelvin de-
recesi olaral{ sıcaklık ve B saniyede devir sayısı olarak direnç uçlarında okunan,
devrenin bandgenişliğidir. N 2 nin B ile orantılı olduğu gerçeği bu voltajın saf bir
gürültü olduğunu söyler.
Şimdi Şek. 21 - 4a da resmedilen u benzerlik sinyal voltajını ve Şek. 21-4b
8
deki Fourier bileşenlerinin spektrumunu gözönüne alalım. Biz bir dönüştürücüden
gelen sinyali gözötıüne aldığımızdan ve tüm dönüştürücülerin sınırlanmış maksi-
mum frekansa sahip olmalanndan Fourier spektrumunun bir fm maksimum fre-
kansı ile sınırlı olacağı sonucuna varabiliriz. Bu sinyalin, sinyal üzerine ilave edile-
cek bir gürültü voltajına neden olan bir kanaldan geçtiğini varsayalım. Sinya-
lin bütün bileşenlerini elde etmek için kanalın bandgenişliği fm frekansına kadar
olmalı ve fm frekansını içine almalıdır. Ancak gürültüyü en aza indirmek için
bandgenişliği bu zorunlu olandan daha büyük olmamalıdır.
Biraz önceki tartışma temel benzerlik dalgabiçimi ile ilgilidir. Çoğu cihaz
sistemlerinde başlangıç dalgabiçimi, GM, F'.M puls yükselteci veya puls kod modü-
lasyonu gibi birtakım modülasyon çeşitleri ile iletimde önce düzeltilir. örneğin
çok kanallı zaman bölücüde dalganın periyodik olarak örneklenmesi gerekir ve bu

Zaman-t
Frekans
lal lbl
Şekil 21 - 4 (a) Benzerlik sinyali ve (b) Fourirer bileşenleri.

549
da bir çeşiL puls modülasyonunun oluşacağını ima eder. Kullanılan modülasyon
tipi, sinyalin gürültüye oranı, verinin iletim hızı ve kanalın sonundakialıcıdaki ha-
talar üzerine önemli etkiye sahiptir.

b) örnekleme oranı ile maksimum frekans bileşeni arasındaki ilgi

Zaman bölücü çok kanallı bir sistemdeki gibi sürekli bir fonksiyonun örnek-
lenmesi temel fikri Şek. 21 - 5a da gösterilmiştir. Fonksiyon, Şek. 21 - 5b deU 5
nin elemanlarını seçer ve bunları alt gPÇirici süzgece u rl dalgası olarak verir. Süzgeç
yükseltmeden sonra çıkışın tekrar bfü/:tngıçtaki fonksiyon Us nin iyi bir yaklaşık
biçimi olan sürekli bir fonksiyon olacak şekilde ud yi düzeltir. ömeğin,çok kanallı
zaman bölücüde dalganın periyodik olarak örneklenmesi gerekir ve hu da bir çeşit
puls modülasyonunun oluşacağını ima eder. Kullanıla!} modülasyon tipi sinyalin
gürültüye oranı, verinin iletim hızı ve kanalın sonundaki alıcıdaki hatalar üzerine
önemli etkiye sahiptir.
Eğer örnekler, us üzerinde birbirinden çok uzakta alınırsa, hızlı dalgalanma-
lann bazılarının duyulmayacağını ve kaybolacağını görebiliriz. Bir soru ortaya çı­
kıyor: Sinyaldeki anlamlı bilginin tümünün elde kalması için örnekler hangi sıklık­
ta alınmalıdır? u 3 nin Fourier seri bileşenlerini düşünürsek, bileşenlerin bu aralığın

Alç~
geçıren
süzgeç
~
yüksel tici Yo
1 1

~
v~
(t,) "s , .ı
11 il ,ı 1! . 1ı il
o
il ıı ıı ı:
~
ıı ıZaman-t 11
1 il t:,.ı il 11 il il il
S( t l
o

(d)

(el

ı;lekil 21 - 5 Benzerlik sinyalinin örneklenmesi.

550
.>'.Jmz ıııaksimum değeri yani fme kadarki frekanslara sahip olduklarını görebiliriz.
Bu yüzden A cos 27Tft biçimli bir tek bileşen örneğini analiz edebiliriz ve f nin yal-
nız.ca fm maksimum değerine kadar değiştiğini biliriz.

örneklemeden sonra dalga,

s(t) A cos 2TTft (21 - 2)

çarpımı olarak ifade edilebilir. Burada s(t), periyodu T, frekansı F olan ve herbir
örneklemede bir tıt zamanı için ani genliğindeki sinyali geçiren, Şek. 21 - 5c de
gösterilen anahtarlama fonksiyonudur. Eğer a = T/t:,t alırsak ve s(t) fonksiyonunu
bir Fourier serisi vasıtasıyla ifade edersek
1 CI'..> 1 mTT
s(t) = - + 2 2: sin cos 2m TTFt (21 · 3)
tıC m=l m 1T O'.

buluruz. Burada m = 1,2,3,....oo değerlerini alır. Denklem (21 - 2) ve (21 . 3) ü bir-

leştirerek

s(t)A cos 2n ft = ~ cos 2·rr ft

o
2A r 1 mTT
+ - - - m = 1 - - sin -0'-cos 2mTT Ft cos 2~ft (21 - 4)
1T m

elde ederiz. Fakat Denk. (21- 4) deki kosinüs çarpımlı terimlere cos ,ı, cos B= -1-.ıı
(cos(<J> + /J) + cos (,ı, - /J)I özdeşliğini uygularsak
2

A
s(t)A cos 27Tft = - - - cos 2TT ft
(l'

A ""
+ -- ~
1 . mTT
- - sın - - ıcos 2 TT ( m F + l)t:
. <:os 2TT(mF - f) tı (21-5)
ıı m a
m~l

elde ederiz. Bu denklem örneklenmiş dalganın (genliği azaltılmış olmasına rağmen)

orijinal f frekanslı bir terim ve sonsuz serileri kapsadığını söyler ve bu sonsuz serili
terimler örnekleme frekansı F nin tam katlarının altında ve üstünde saniyede f de-
vire sahiptirler. Bu terimler bize:,AM modüleli dalgada kenar frekans terimlerini ha-
tırlatmaktadır.

Şimdi, maksimum fm e kadar frekanslara sahip Fouricr bileşenlerini içeren

ııs fonksiyonu kavramını inceleyelim. Her bileşen, örneklemeden sonra. Denk.

551
(21-5) ile tanımlanabilir ve toplam örneklenmiş ,,s dalgası tüm bileşenler üzerinden
toplama yapılarak elde edilebilir. Sonuç keskin frekanslarda sonsuz sayıda band
verir ve bunların bir kısmı Şek. 21- 6 da gösterilmiştir. İlk band O dan fme sonra-
ki F - fm den F + fme gider ve devam eder .

.Y
•..-1
~
C
(l)
l.'.l

o F F+fm 2F Frekans
!';,ekil 21 - 6 örneklenmiş veri frekans spektrumu.

us fonksiyonunu yeniden oluşturmak için gerekli tüm bilgi O dan fme kadar
olan ilk bandda mevcuttur.. Dolayısıyla, bir ideal alçak frekans geçiren süzgeç, tam
fm in üstünde kesilime gider, tüm ı,-erekli bileşenleri geçirir ve daha yüksek frekans-
ları durdurur. Bu anlamda süzgeı,'., interpolasyon süzgeci diye adlandırılır. Çünkü o
örneklenmiş noktalar arasında fonksiyonu düzleştirmektedir.
Eğer F örnekleme frekansı daha küçük yapılır ve fm ayııı kalırsa ne olacağını

düşünelim. O zaman Şek. 21 - 6 daki F- f yakınındaki frekans aralığındaki bile-

111
şenler heı11en f in altındakilerle doğal olarak üst üste gelebilir. fme kadar bileşen-
m •
!erin toplamı ilk us fonksiyonunu tekrar oluşturamaz ve hatalar oluşur. Gördüğü-
müz gibi ideal süzgecin kullanılması için örnekleme hızı F, 2fm den büyiik olmalı­
dır. Bu kural Shannon örnekleme hızı teoremi diye bilinir ve aşağıdaki gibi daha
tam biçimde ifade edilebilir.
Eşit olarak konumlanmış ürneklenleıı sürekli bir değişken elde etmek için,
ı.aman gecikmesi hariç, tirneklemenin tekrarlama hızı sürekli değişkendeki en yük-
sek frekansın (Fourier bileşeni) iki katından büyük olmalıdır.
Teorem, ideal süzgeçte oluşan zaman gecikmesini öngörür. Gerçek bir süz-
geçte sönüm eğrisi ideal durumda olduğu gibi keskin bir şekilde kesilime gitmez.
Bu demektir ki F, 2f m den daha büyük olmalıdır, böylece süzgeç eğrisi fm in biraz
titesine uzayabilir. Nichols ve Rauch t yeteri kadar keskin kesimli siizgeçlerin ya-
pılabileceğini ilade ettiklerinden örnekleme hızı F = 2,5 fm ciddi bir bozulma ol-
maksızın kullanılabilir. Pratikte F:;. 5fm şartı, basit süzgeçte bağıl olarak dü~ük
hata verir. Farklı tiplerde intebrrasyon süzgeçlerinden oluşaı:ı hatalar ve örnekleme
teoreminin uygulanma etkisinin tartışılması Gard~nhire ı t.ırafından verilmiştir.

t Kaynak 21-105Jyfa. 41.

+L.W, Garctenhire, "Selecting Sampling Rates," lııstnınl!nt Soc. of Ant Jr., 11, No. 4, 59
(April (1964).

552
c) Sayısal yöntemler; verilerin kuantumlarunası

Veri sisteminin kararlılık, duyarlılık ve esneklik gereklerinin daha önem ka-

zanması yüzünden, sayısal yöntemleri kullanmanın daha büyük avantajı vardır.
Böylece, veriler çoğunlukla benzerlik biçiminden sayısal biçime, Kes. 21-7,çevrilir,
iletim ve işlem için ayrı biçimde tutulur ve sadece sistemin son kaydetme veya
gösterme aşamasında tekrar eski benzerlik biçimine dönüştürülür. Sayısal yöntem-
lerin potansiyel avantajlaı:ı:(l) gürültülü kanallardaki iletimde indirgenmiş hata hızı
olması (veri hızının yavaşlamasına neden olsa bile),(2) ölçeklendirmenin kararlı
oluşu,(3) daha yüksek işlem duyarlılığının oluşu ve ( 4) sayısal verilerin doğrudan
işlenmesi için genel - amaçlı sayısal bilgisayarın uygunluğunu içerir. 4. Madde
sayısal yöntem kullanımı için belki de en önemli nedendir. örneğin sayısal bilgisa-
yar için geliştirilmiş magnetik teyplerde olduğu gibi depolama yöntemleri veri
yükleme için uygundur ve ardışık veri işlemi i.;in bilgisayara uygulanabilir.
Sayısal gösterimler kesikli basamak değerleri ima ettiklerinden, sayısal biçi-
me çevrilmeden önce benzetme değişkenin kuantumlanmış olması gerekmektedir.
Şimdi alet yapım uygulamalan bakış açısından benzerlik fonksiyonun kuantum-
lanmasındaki bazı faktörleri tartışaoiliriz.
Bu veriler sisteminde özel bir değişkenin serbest - bozulma değerlerinin
minimum ve maksimum düzey arasında sınırlı olduğunu söylemek güvenilir yoldur.
Yani, dinamik aralık sınırlıdır. Düşük uçta, sinyal gürültü tarafından kanalda bas-
tınlmıştır. Yüksek uçta dönüştürücünün sınırlan veya doyumu nedeniyle daima bir
sınırlama vardır. Durum Şek. 21 - 7 de olduğu gibi y min ve ymak arasında deği­
şen benzetme sinyal terimleri cinsinden gözlenebilir. Değişkenin aralığı

aralık = Yr = Ymak · Ymin (21 - 6)

dir. Her ne kadar y metamatik fonksiyonu y r aralığında sonsuz sayıda değerlere

sahip olabilirse de, herhangi !>ir ölçüm, ölçme aracının sınırlı ayırma gücüne duyar-
lı olabilen y deki minimum artış ile sınırlıdır.

lmak --..----------
~ E~im ' Ymak
1 ~
1
Y, 1
1 1

Ym,n
L_J ___ ,
1 1
r- r, -ı Zaman

Şekil 21 - 7 Bir sinyalin dinamik aralığı.

SS3
 Dolayısıyla, her sistem, izinli hata diye ifade edilebilen doğruluğu üzerinde
sınırlamaya sahiptir. Şimdi,

l::.y = sistemin ayırma gücü

c0, y r nin yüzdesi olarak izinli 'hata

olarak alalım. Şimdi y r ~ralığında ayırdedilebilir n kesikli değerler sayısını hesap-

layabiliriz; böylece,

Yr
il=-+ 1 (21 · 7)
t:.y
olur. örneğin, eğer aralık 10 V ve!::. y = 0,5 V ise, o zaman aralıkta 21 anlamlı de-
ğer vardır (her iki uç değerini içeren).
Sistemin ayırma gücü izinli hata cinsinden ifade editebilir ve böylece

(21 · 8)

olur. yüzde olarak c = 1 ise, o zaman y = 0,02 Yr dir.

örneğin, eğer
Bu durumda fonksiyonunun dinamik özelliği ihmal edilmiştir. Zaman ele-
manını gözönüne almak için fonksiyonun-ne kadar sıklıkla gözlenebildiğini ve hala
anlamlı bir değişim elde edildiği sorusunu sorarız. Bu 1:ıy ayırma gücüne ve Ymax
değişkenin maksimum değişme hızına bağlıdır. 1:ıy aralıklı okumaları vermek için
gerektiğinden daha sık olarak d~ğişkeni gözlemeye gerekçe yoktur. Eğer t:ı T yi bu
minimum zaman olarak alırsak, o zaman

. (21 · 9)
Ymak

olur. Bu değer, eğer Yr aralığında değişkeni doğrusal bir şekilde değiştirmek için
minimum Tr zamanı kavramını tanıml_arsak, başka bir şekilde ifade edilebilir. Tr
üzerindeki bu şart Şek. 21 - 7 de olduğu gibi Ymak a bağımlı olup

Yr
Tr = (21- 10)
Ymak

ile verilir. T r niceliği, yaklaşık olarak sistemin yükselme zamanı olarak alınır. Ço-
ğu sistemlerde T r sistemin bandgenişliği ile ters orantılı olarak değişir. ·
l::.T için c ve Tr cinsinden ifade, Denk. (21- 8), (21- 9) ve (21- 10) birlikte
düşünülerek elde edilir ve sonuç,

554
 (21-11)

dür. Denklem (21-11 ), eğer sistem • izinli hatasına ve T r yükselme zamanına sahip-
se, değişkende 6y kadar değişme için minimum zamanı verir.

d) Bilgi içeriği ; bilgi akış hızı

Bilgi kelimesinin genel ortak anlamı bir dilin kelimeler grubunun anlamına
karşılıktır. Bununla birlikte, bilgi terimi son otuz• kırk yılda geliştirilmiş olan ile-
tişim teorisinde farklı bir tanıma sahiptir. Bu teori gürültünün bulunduğu iletim
kanalından kodlanmış mesajların iletimi sırasında oluşan hataların istatiksel çö-
zümlenmesi gibi problemlerle ilgilenir. Bu mesajlar,semboller grubu içerebilir
ve hcri.ıir sembol örneğin, iletim hattında farklı voltaj düzeyleri ile gosterilebilir
veya her sembol kodlanmış pulslar grubu vasıtasıyla iletilebilir. Tek bir sembol
grubu kelime olarak tanımlanmıştır. Sinyal • gürültü güç oranı fonksiyonu olarak
bilinen en uygun kodlama kullanılarak sembol gruplarının iletiminin maksimum
olanaklı serbest . hata hızı Shannon tarafından ortaya atılmıştır. Böyle çalışma­
larda sembollerin bütün bileşimleri kelimeler olarak dikkate alınır. Eğer semboller
İngiliz alfabesinin harfleri ise, görüyoruz ki teori yalnız anlamlı mesajların ileti-
miyle değil,anlamsız ve ifade edilemez pek çok bileşimlerle de ilgilidir.
Daha sınırlı bir yaklaşım alalım ve voltaj olarak kabul ettiğimiz benzetme
değişkenin aynk değerli oluşunu tekrar düşünelim.Denklem (21 . 7) deki yazılımı
kullandığımızı varsayınız, yani n kesikli voltaj düzeylerine veya n durumuna
sahibiz. Mesaj iletiminden önce bu düzey eşit olarak muhtemel olduğunda genel-
likle n nin logaritması cinsinden voltajın bir örneğinin H bilgi içeriğini tanımlamak
alışılagelmiştir, buna göre,

H = K log n (21 · 12)

olur. Burada K bir katsayıdır ve logaritma tabanının

seçimine bağlıdır.
Eğer aşağıdaki durum hakkında düşünürsek logaritmik fonksiyonun seçimi
haklı gözükecektir. İletim kanalının saniyede F örneği ilettiğini varsayınız. Her ör-
neğin n düzeye aynlmış bir nicelikten alındığını ölçünüz. 1 sn de iletilebi-
len muhtemel farklı bileşimlerin sayısı

sn deki bileşimlerin sayısı = nF (21- 13)

olur. Şimdi eğer saniyede örneklerin sayısını ikiye katlarsak (ö-Ldeş paralel iletim
kanalı sağlanarak) sezgisel olarak saniyede taşınan bilginin de ikiye katlanmış

555
olmasını bekleriz, fakat Denk. (21 - 13) karesi kadar veya dört katı değerini verir.
Bilginin içeriğiniDenk. (21 - 13) ün logaritması olarak aşağıdaki gibi tanımlarsak;

H 1 = Iog n F = F Iog n (21 - 14)

saniyede iletilen H 1 bilgisi saniyedeki örneklerin sayısı ile orantılı hale gelir ki bu
kabul edilebilir bir sonuç olarak gözükür. Daha da ilerisini düşünecek olursak F
kanal bandgenişliğiyle orantılı olur. İkili sistemde O lan ve 1 leri temsil eden puls-
Iarı iletim kanalı ilettiğinde bilgi içeriğini Denk. (21 - 12) de K = 1 alarak bir puls-
la ifade etmek ve 2 tabanına göre logaritmalan kullanmak kolaydır. Buna göre n=2
için

(21- 15)

yazarız.Bu bilgi Lc'd ıııi atma (bit) diye adlandırılır ve bu kelime ikili sayının (binary
kısaltılmasından elde edilmiştir.
digit) in
Şimdi kanal kapasitesi fikrini gözönüne alalım ve tartışmayı ikili puls ileti-
mine sınırlandıralım. Denklem (21 - 14) e başvurursak t sn de H bilgisi.

H = H1 T = FT log 2 2 " FT atma (21 - 16)

olmalıdır. örnekleme hızı F yi kanalın bandgenişliği B ye Shannon örnekleme hızı

teoremini kullanarak bağlayabiliriz, Kes. 21 - 3b. B bandgenişliğinde iletilmiş bü-

tün bilgi F = 2B hızında alınmış ~şit olarak yerleştirilmiş örneklerde bulunmakta-
dır. Böylece iletim hızı 1· kanal kapasitesi diye adlandırılır ve

__ ~ F = 2B atma /sn
kanal kapasitesi = _H (21-17)
T
biçiminde ifade edilebilir. Bundan önceki çözümleme herhangi bir gürültü etkisini
bulundurmaz ve dolayısıyla gürültüsüz kanalda ikili pulsa atfedilir.
önceden belirtildiği üz.ere Shannon kanal sığası üzerine gürültünün etkisini
incelemiş (Gauss olasılık dağılımına sahip beyaz gürültü durumu için) ve

H S 2 ,
- T - = B log 2 [ l +- (-N) J atma/sn (21 - 18)

sonucunu elde etmiştir. Burada S kok (kare ortalama karekökü) sinyal voltajı ve
N1 kok gürültü voltajıdır. Bu formül gürültü olduğunda ideal bilgi iletim hızını verir .
. '
t Bilgi aktarma hızları baud cinsinden belirtilir ve baud saniyede bir kod elemanı sinyalleme
hızı olarak tanımlanır. ikili bir sistemde-·kod eleman bir atma olduğundan bir baud saniye-
deki atma sayısına eşittir.

556
Bununla birlikte, hatasız iletim için pratik sistem:er, karmaşık teknikler kullanılsa
bile ideal durumdan çok uzaktırlar.
Bir temsili ses• frekans kanalı 4000 Hz lik bandgenh,;liğine sahip olabilir. S/N
değerini 5 olarak varsayarsak, teorik kanal kapasitesini 18.000 atma/sn olarak he-
saplarız. Pratik kanal kapasitesi daha azdır ve belki teorik değerinin beştebiridir.
Eğer 200 kHz bandgenişliğine sahip bir telemetri kanal dünüşürsek ve S/N oranını
4 alırsak H/T yi 820.000 atma/sn olarak hesaplarız.
Denklem (21 - 18) sinyal gücünü artırırsak (S/N i artırmak) ve dolayısıyla
verilen bir bilgi hızı için gerekli B bandgenişliğinde azalmaya izin vermenin teorik
olarak mümkün olabildiğini gösterir. Deneysel olarak, pratikte ters durumu yap-
mak daha muhtemeldir. örneğin, radyo telemetride düşük sinyal gücüyle çalışmak
tercih edilebilir veya gereklidir ve dolayısıyla gerekli kanal kapasitesini elde etmek
için bandgenişliği artırılmalıdır. FM radyoda bandgenişliği ve S/N oranı arasında
benzer alışveriş vardır. İletilen frekans bandı, ses . frekans bandının genişliğinin
birkaç katına kadar genişletilmiştir ve eşdeğer kalitede (GM sistemiyle karşılaştı­
rılırsa) bir sinyal daha düşük S/N oranıyla elde edilebilir. t

21 -4
Veri sistemi gerekleri

Veri işleminin niteliği ve niceliği için veri sistemi gerekleri önceki konuda
tanımlanmış bandgenişJiği, dinamik tiölge, kanal kapasitesi ve bilgi depolama ka-
pasitesi diye adlandırılmışnicelikler cinsinden ifade edilmiştir.
Bandgenişliği etkileri Şek. 21-3 teki güdümlü veri işlemi sisteminin bazı
parçalarında önemlidir. Bu, sıra doğruluğunu yöneten radar bandgenişliğini; açı

doğruluğuna etkiyen anten işaretleyen güdümlü mekanizma bandgenişliğini;·

ve sayıyı, örnekleme hızını telemetri kanallarının duyarlılığını yönet~n telemetri
sistem bandgenişliğini içerir. Benzerlik kaydedicisi bandgenişlikleri örnekleri aşa­
ğıdaki gibidir: şerit kaydedici 1 Hz civarında; galvanometre kaydedici 5000 Hz e
kadar; magnetik teyp kaydedici 10 6 Hz e kadar. Sistemin bandgenişliği ne kadar
genişse cevap zamanı da o kadar hızlı olur. Bu ilişki Kes. 16 -16 da yükselticilerin
puls cevabı tartışmasında belirtilmişti, ve yine Kes. 21 • 6 da galvanometrenin
cevabı bağıntısmda gözükecektir.
Kesim 21-3c de tartışılan dinamik aralık, veri işleme sistemlerinde önemli-
dir. Tipik olarak, yüksek kaliteli elektronik yükseltecinin giriş-çıkış belirtgeni 40
dB aralığı için doğrusaldır. Dinamik bölge, elektronik yükselteçlerde ön bozulma-

t Nlcelll<Mtl bir çalışma bu ifadenin sadece belli bir eşit değerin üstündeki S/N değerleri için
doğru olduğunu gösterir. Bu etki ve kanal kapasitesi üzerinde çeşitli farklı modülasyonların
kullanılmasının etkiSI Nichols ve Rauch tarafından tartışılmıştır. Kaynak 21 • 10 s.. 48.

SS1
larda veya bölge sıkıştırıcı giriş-çıkış fonksiyonlarını kasti olarak kullanarak
genişletilebilir. Logaritmik alıcılar 100 dB lik bir kademenin üzerinde RF girişini
değiştirmeye izin verecek şekilde yapılmışlardır.
Bir sistem elemanının içinde ikili veya diğer şifreli bilgiyi işleme koyan keli-
menin uzunluğu ve nicelik tablosu istenilen dinamik bölgeyi tespit eder. örneğin ·
Ymin den Ymak a kadar uzanan bir voltajda düzgün kuantumlanmış artımlan b.y
olan on atmalık bir sözcüğü gözönüne alınız.2 10 - 1 = 1023 olduğundan,

Ymax = Ymin + 1023 6y (21 -19)

olduğu görülür. Böylece bir oran olarak ifade edilen dinamik bölge,

Ymax Ymin+ 1023 b.y 1023 6y (21 - 20)

dinamik bölge= - - - = - - - - - - - =1 +
Ymin Ymin Ymin

olur. Kuantuınlanma işleminde 6y/2 ye eşit en büyük mutlak hata, gerçek

fonksiyon ve kuantuınlanma düzeyi farkından dolayı meydana gelebilir. Bağıl hata
olarak ifade edilmiş olan kuantumlanına hatası bölge üzerinde değişecektir,

6y 6y
2 2
den kadar. (21 - 21)
Y min + 1023 6y Ymin

Denklem (21- 20) ve (21 - 21) i karşılaştırarak

dinamik bölge= 1 + 1023 x 2 (en büyük bağıl hata) (21-22)

olduğunu gönirüz. Böylece dinamik bölge en geniş bağıl hata ile değiştirilebilir.
öte yandan, eğer kuantumlanma düzeyleri şifrelenmiş voltajlar logaritmik olarak
artacak biçimde yapılırsa bir sabit maksimum bağıl hata sonucu doğacaktır. dB
olarak dinamik bölge sözcük içindeki. atmaların miktan ile orantılı olacaktır. Bir
dll lik kuantumlanma basamaklan için (0,06 nın en büyük bağıl hatası), on atma-
lık sözcük, 1024 dB lik bir dinamik bölge verecektir veya oran olarak 10 51 •2 dir.
Kanal içinde bilgi akışı huı gerekleri, Kes. 21-3d de açıklandığı gibi kanal
kapasitesine bağlı olabilir. Bilgiler, değişik yollarla depolanabilir.
Bunlar çeşitli benzerlik kaydedicilerin çıkışları dahil olmak üzere benzerlik
ve sayısal bilgi için delikli kartlar ve kağıttır. Sayısal bilgisayarların hafızaları
bilgilerin geı;ici yüklenmesi için kullanılırlar.

558
 21 - 5
Benzetme kaydedici sistemleri

Elektrik dalga şekillerinin depolanması yaygın olarak, grafik kaydedicilerle, mağ­

netik band kaydedicilerle ve katod ışınlı tüp fotoğrafları ile gerçekleştirilir.

a) Grafik kaydediciler

Grafik kaydetme, alçak frekansta d. a. şerit-kart kaydedicisi ile yapılır.

Kart, devamlı olarak bir yayla veya elektrik motoru ile X ekseni boyunca hare-
ket vermek için sürülür ve bir mürekkepli kalemin Y eksenindeki yeri veya sıcak
tel ucu d'Arsonval hareketi ile kontrol edilir. Bu harekette, kaydedilen akım,
tabii bir mağnetik alan içinde asılmış hareketli bir bobin içinden geçirilir.
Elemanın açısal eylemsizliği dikkate değer olduğu ve istenen moment ele-
manlarının açısal ivmelerine bağlı olduğu için herhangibir hareketin moment sınır­
lamasına nispeten alçak frekansta erişilir. Tipik olarak bir şerit-kart kaydedici,
onun yapısına bağlı olarak, 1 Hz, 5 Hz veya 50 Hz in üstündeki frekanslan geçire-
cektir. Dinamik bölge, kaydetme elemanının ve hareketli bobinin kütlesinden ve
mil yatağındaki sürtünmeden ötürü sınırlanacaklanndan, göstergeli tip ölçü aletle-
rinden daha yavaştırlar. Esas olarak sürtünme etkisinden ötürü bu aletlerin hata
aktanmını tam ölçek üzerinden yüzde iki alırsak dinamik bölge 50:1 veya 34 dB
olur. d'Arsonval elemanlı kaydedicinin cevabı Kes. 21-6 da çözümlenmiştir.
Yüksek frekansta grafik kaydetme, ekseriya mağnetik osilograf olarak bilin-
en, Şek.21-8, galvonometre tipi kaydedicilerle başarılır. Burada kaydedilmiş olan

1
'· -
Şekil 21-8 Yüksek hızlı galvonometre kaydedici veya mağnetik osilograf.

559
akımın dalgaşekli, bir tabii m,ağnetik alan içine asılmış bir kaç dönüden ibaret
iyi bir tel ilmekle veya bir tek kapalı ilmekle taşınır. Tele yapıştırılmış ince bir ay-
na (düşük- eylemsizlik için) sabit bir ışık kaynağından gelen bir ışık demetini yan-
sıtır. X eksen hareketi yansıyan demeti geçiren ışığa hassas kağıtın çekilmesi ile
sağlanır. Kaydedilmi~ noktanın Y eksenine göre durumu bobinin açısal yansıtma­
sı ile orantılıdır. 20 Hz gibi alçak frekanstan 5000 Hz gibi yüksek frekansa veya
daha yüksek frekansları geçiren banda sahip galvonometrelerin farklı tipleri elde
edilebilir. Farklı düzenlemelerle geçiş bandı duyarlıkla değiştirilebilir, yani yüksek
duyarlıklı galvonometre düşük geçiş bandına sahip olur. Galvonometre elemanı
ekseriya 5x60 mm silindirik boyutlara sahip olacak şekilde küçüktür. Birçok
galvononıetre aynı ışık kaynağını kullanmak ve aynı kaydedici kağıt üzerine kay-
detmek için aynı cihaz içine yerleştirilebilir. Hava taşıtlarının test kontrolünde
olduğu gibi çok miktardaki değişkeni kaydetmeye ihtiyaç olduğu zaman bu çok
kanallı osilograflar yararlıdır . Her deneyden önce yapılan özel bir ayarlama
ile düzensiz diziliş ve titreşimlerden ötürü oluşan hatalar kontrol altına alımr ve
böylece mutlak hata, tam göstergenin yüzde bir kaçı olacak şekilde oluşturulur.
önceleri duyarlı kağıt kaydetme işlemi ıslak fotoğraf laboratuvar tekniğini kulla-
narak yapılmak zorundaydı ve kuru kağıt üzerine yalnızca ultraviyole ışın etkisi
ile kaydedilen gizli görüntü duyarlı kağıtlarını kullanan osilograf tekniği kullanıl­
mıyordu. Bazı osilograflar, birçok yüzlü döner ayna ve bir yan şeffaf ekrandan
ibaret olan bir inceleme sistemine sahiptir. Ayna, Galvanometreden ekrana ışık
demetini düşürür ve dönme de zan1an eksenini oluşturur. Katod-ışını osilosko-
bundaki tekrarlanan çizgisel taramalara benzer olan, periyodik duran dalgalar de-
seni gözlenir.

b) Mağnetik band kaydediciler

Elektrik dalgaşekilleri, giriş sinyaline bağlı kalıcı mağnetik akı deseni oluş­
tuıı,ılarak mağnetik band üzerine depolanırlar.
Genel şema, Şek. 21-9 da görülmektedir. Kayıt sırasında mağnetik band önce

Şekil 21 - 9 Genel amaçlı mağnetik band kaydedicinin şematik çizimi,

A ~· silme başı, H = kaydetme başı ve C = yeniden oluşturma başı.

560
mağnetikliği giderici (silir:ı) başın önünden geçer, sonra da kayıt edici (yazıcı) ba-
şın önünden geçer. D~:polanmış sinyallerin yeniden oluşturulmasında, band tekrar
aynı ~oğrultuda başların önünden geçer, fakat silme başı geri çekilir, kayıt edici
baş önceki konumda durur, yeniden oluşturucu veya okuma başı (veya dönüştü­
rücü) çıkış voltajı oluşturur. Bu işlemler birçok kez tekrarlanabilir.
Şekil 21-10 boyuna kayıt sistemi olarak adlandırılan ve band boyunca akı
değişimleri oluşturan kaydedici başın şematik çizinürıi göstermektedir. Şekil­
den de görüldüğü gibi, plastik bıınd maddesi~ ince tabaka halinde yayılan kalıcı
mağnetik mad<!e {oağlayıcı i~in_c_!~ aemir oksit karışımı) içinde değişken akı
q!!!,;aırulur. Kayı!~tıne işlemi dar hava boşluğu yakınındaki mağnetik alan saçağı
İçİncie meydana gelir. İdeal 'olarak, banddaki boyuna akı yoğunluğu, bandın hava
aralığından geçtiği anda kayıd bobininde bulunan akımın doğrudan fonksiyonu
olur.

Şerit
Hava aralığı

(ol

(bl
Şekil 21 • 10 Kaydetme ve okuma başlannın elemanlan.

Kaydedici başlığa benzer bir baş içindeki hava aralığından bandı çekerek,
dalgaşekli tekrar elde edilir. Bandın kısa bir bölümündeki akı parçası okuma ba-
şının merkezine doğru çekilir ve akı değişim hızı ile ·orantılı bir voltaj oluşur.
önceki paragrafta açıklanan doğrudan kaydetme yöntemi, ciddi biçimde
çizgisel olmayan genlik cevabına sahiptir. Bu sonuç, çizgisel olmayan devirli mağ­
netik eğriye sahip ferromağnetik maddeler için, şaşırtıcı değildir. Cevabı artırmak,
ve geliştirmek için aşağıdakileri kapsayan birçok teknik geliştirilmiştir.
1. Doğrudan kaydetme
a) ön beslemesiz alan
b) d. a. ön beslemeli alan
c) Ultrasonik a.a. ön besleme alam
2. Frekans modülasyonu (FM) kaydetme

561
 ·Sayı~ sistemler, ön besleme alanı kullanmadan doğrudaı:ı kayıt işlemi puls-
lann ~aydında kullanılabilir, fakat benzetme kayıt işleminde, sinyal üzerine ultra-
sonik a. a. ön besleme akımı bindirilir. A. a. ön besleme, en yüksek sinyal_ frekan-
sından 4 veya 5 kat daha büyük frekansa sahiptir, örneğin, 12 kHz e kadar sinyal
aralığı için 60 kHz lik frekansa sahip olur. ön besleme genliği sinyal genişliğinden
daha yüksek yapılır ve sonuç olarak mağnetik ortam, sinyal bileşeni ile geniş
histerezis ilmek çevresine taşınır. Mağnetik madde kayıt aralığından geçtiğin­
de, oluşan akı hemen hemen sinyal bileşeni ile orantılıdır. Bundan başka, sıfır-ön
besleme kaydedici ile a. a. ön beslemeli karşılaştınldığında, a. a. ön b~~eriıe
sinyal-b'Ürültü oranını geliştirir.
İlerideki analizler, okuyucu başın çıkış voltajlarının, doğrudan frekansla
değiştiğini gösterecektir. Hareket eden band üzerindeki akının, sinyal akımının

zamana göre fonksiyonu ile orantılı olacak şekilde ·okuma başlığının merkezinde
kosinüs dalgalı akı oluşturduğunu varsayıyoruz. Yani

ctı 1 (t)=kı cos wt (21 - 23)

dir. Yeniden üretim yapan başlığın bobininde oluşan voltaj, akı değişim hızı ile
orantılıdır; böylece,

d<Pı
e = -N - - - - = Nkı wsin wt (21- 24)
dt

dir. Sabit akı şiddeti kabul edildiğinde, voltaj genliğinin doğrudan frekansla arttığı
veya frekansla birlikte 20 dB/ônluk hızı ile yükseldiği görülür.
Bu değişimin iki önemli sonucu vardır. Birincisi, frekanstan bağımsız istenilen
sabit çıkış genişliği elde etmek için, voltajı integre edip türevi dengeleyen koşullu
yükseltici gereklidir. Diğer bir söyleyişle, koşullu yükseltecin kazancı, yeniden
üreticinin karakteristik yükselmesini dengelemek için, 20 dB/onluk değeriyle
düşebilmelidir. İkinci olamlc frekans düştükçe sinyal-giirültü oranı düşer. Bandda
ve yükselteçte bulunan gürültü bileşeni hemen hemen değişmez kalırken, düşük
frekansta meydana getirilen sinyal voltajı düşer. Bu nedenle tipik olarak 50 Hz gibi
bit değerin altındaki frekanslar için, doğrudan kaydetme uygun değildir. -
üst frekans cevabı, kayıt ve okuma işlemlerindeki sınırlamalardan etkilenir,
fakat biz bunlardan yalnızca yeniden oluşturmada olanları dikkate alacağız. Yani,
frekanstan bağımsız olan ve kendi boyunca sinüzoidal dağılım gösteren akı
yoğunluğunu, bandın taşıdığını kabul edeceğiz. Böylece, band üzerindeki akı
dağılımının dalgaboyu A, band hızı ıı ve frekansı f arasında,

f-
u
-· - A (21- 25)

562
bağıntısı vardır. Alçak frekansta, özel bir band hızına sahip dalgaboyu, okuma
başlığının hava aralığı dile karşılaş tınldığında daha uzun hale gelir. örneğin, u = 30
inç/sn ve f = 100 Hz ise, x = 0,30 inç elde edilir, 6,35xıo-4 cm gibi bir değerdeki
hava aralığı genişliği, band üzerindeki dalga boyunun küçük bir bölgesine karşılık
gelir. Eğer, f artarsa ve x azalırsa d hava aralığı, x nın bir kesrinden daha büyük ha-
le gelir. Sonra okuyucunun merkez akısı, dalgaboyu parçası üzerinden ortalamaya
bağlı· olur ve merkezde oluşan akı azalır. Böylece, x = d olan frekansta aralığın iki
kenarı bir dalga boyu kadar olur, ortalama değer sıfır olur, merkez akısı sıfıra düşer
ve çıkış sıfır olur. u = 30 inç/sn ve d = 6,35xıo- 4 cm değerleri kullanılarak, fre-
kans 30/0,25xıo- 3 veya 120.000 Hz olarak hesaplanır. Bu değerih yarısına eşit
frekansta, çıkış ideal belirtgen değerinden 4 dB kadar düşmüş olacaktır.
Band duyarlılığındaki küçük kuralsızlıkların bulunması, doğrudan kayıtta
duyarlılığı sınırlar, fakat bu kayıt şekli, mutlak doğruluk veya düşük frekans
cevabı istemeyen ve oldukça geniş frekans bandı aralığı gerektiren ses kanalı
uygulamalarında kullanışlıdır.

FM (bak Böl. 14-5) mağnetik kayıt işleminin genel şeması Şek. 21-11 de
görülmektedir. Burada sinyalin dalgaşeklindeki bilgileri taşımak için, yalnı:ı:ca
şerit üzerindeki akı deseninden elde edilen frekansa ihtiyaç vardır. Bu yüzden,
oksitlenme düzensizlikleri veya eskime noktalan gibi şerit üzerindeki kusurlar,
doğrudan kaydetme işlemine göre daha az etkide bulunurlar. Diğer üstünlüğü ise,
sistem d. a. ı içeren düşük frekansları bozulma yapmadan kaydedebilir.
Sinyalin üst frekans sının doğrudan seçilen taşıyıcı frekansa, bilgileri taşı­
mak için gerekli frekans bandı genişliğine ve dolaylı olarak da, şerit hızı tarafın­
dan belirlenen üst frekans sınırına ve okuma başlığı hava aralığına bağlıdır. örneğin,
modüle edilmemiş taşıyıcı frekansın 60 kHz, bilı,ıiyi taşımak için gerekli frekans
bandı aralığının 40 kHz den 80 kHz ye kadar olduğunu kabul edelim. Bu durumda
kaydedici en azından 80 kHz lik bir kapasiteye sahip olmak zorundadır. Sinyal
frekans sının, FM modülasyon işlemine bağlıdır, öyleki; bu durumda ± 20 kHz
olan maksimun frekans sapmasında, FJ\ıl bandgenişliği derecesinin üzeri, süzgeç-
leme ile kesilir. Yüzde yüz modüle edilmiş ve modüle edilmemiş genliğinin yüzde
biri civarında bütün yan band bileşenleri bulunan bu örnekteki sinyal frekansı
sınırı 9 kHz olacaktır.
Kayıt sırasında şerit hızındaki dalgalanmalar veya yeniden tekrarlamadaki
düzensizlik, FM kaydetmede doğrudan kaydetmeden daha önemlidir. Hız değişim­
leri, ses sistemlerinde sesin etkisinin yükselmesinden wow ve flutter parazit titre-
şim kelimeleri ile isimlendirilen, çıkışın titremesine neden olur. Flutter ve wow
temel olarak aynıdırlar, sadece fark, titreşimler yaklaşık olarak 5 Hz in üzerinde
bir frekansa sahip~e flutter parazit titreşimi olarak isimlendirilmesidir. Doğrudan
kaydetmede flutter parazit titreşim, sinyal değeri ile doğrudan ilişkili olan taşıma
çıkış genliği ve frekansta değişme oluşturur ve bu değişimler hız değişimlerinde-

563
 Taşıyıcı
titreşken

i(t ı

e0 ( t I a: e( t 1

ı;lekil 21 - 11 FM mağnetik şerit kaydedicinin ve ilgili fonksiyonlann

şematik çi,,zimi.

kilerle aynı orandadır. FM kaydetmede durum oldukça farklıdır. Sinyal olmazsa

bile, hızdaki bir değişim bir çıkış oluşturur. örneğin, FM sistem bir yüzde yüzlük
modülasyon frekansının% 20 lik sapmasına sahip ise, o zaman% 1 lik hız değişimi
çılüşta sinyal olsa da olmasa da tam modüle edilmiş çıkışın% 5 ine eşit bir çıkış
meydana getirir. Bu yüzden, sinyal genliği küçük olduğunda, hız değişiminden
ötürü meydana gelen bağıl hata çok büyük duruma gelir.
özet olarak: FM sistemler, sıfır frekansa kadar olan alçak frekans kayıUann­
da üstünlüğe sahiptir, çok kanallı kayda izin verirler, fakat verilen frekans için
daha geniş frekans bandgenişliği kullandığı ve bu nedenle de belirli bir frekans
sının için daha yüksek şerit hızına ihtiyaç duyduğu, daha karmaşık elektrik dev-
resi ve hız kontrohİ gerektirdiği ve doğrudan kayıt sistemlerinden daha pahalı
olduğu için dezavantajhdırlar.
Çoklu kayıd edici başın kullanılmasıyla, aynı anda bir kaç kayıt birden yapı­
labilir. örneğin, 1/2 -inç lik şerit üzerine, yan yana yedi yol_yerleştirilebilir.

564
c) Katod - ışını tüpü fotoğrafcılığı

Elektrik dalgaşekiJlerinin saklanmasının çok yaygın yöntemi, bir osiloskoba

yerleştirilen bir kamera ile onlan fotoğraf haline getirmektir. Bu işlem birçok
yoldan yapılabilir. örneğin,
1. Periyodik dalgaşekli. Osiloskobun zaman taraması ile eşzamanlı hale
getirilerek, istenilen objektif kapağı hızında tek fotoğraf için bir poz alınır.
2. Bağımsız bir atma şeklindeki dalga, veya sürekli dalgaşeklinin bir parçası.
Kamera objektif kapağı açık bırakılır, ve osiloskop ekranından bir defa geçmesi
için dalga tetiklenir.
3. Saatli, fakat benzer olmayan dalgaşekli. Radar, (deniz radan) veya
elektrokardiyoloji gibi uygulamalarda her puli;un kaydı, puls hızına uyan eşzaman­
lı film kamerası ile alınabilir. Çok toplu bir görüntü, osiloskobun ışık şiddeti
sinyal genliği ile modüle edilerek yani gelişigüzel çizgisel tarama x ekseni üzerine
uygulayarak ve ışık hacminin izin verdiği ölçüde inç başına çok sayıda puls vere-
rek ve filimi osiloskop tüpü yüzeyinden yukarı doğru çekerek elde edilir.
Tek dalga şeklinin doğrudan fotoğrafik gösteriminin dinamik aralığı ve en
son bandgenişliği, genellikle yükseltici ve kaydedici osiloskobun ışık demeti hacmi
tarafından sınırlanır. Bir 4-inç tüpü üzerinde, her iki doğrultuda 300 çizgi/inç
çözme gücü istenen özel tüpler mümkündür. Sinyalin dinamik aralığını parçalamak
ve bütün bandgenişliğini ve osiloskobun dinamik aralığını anlamak için her zaman
tabanını kısaltmada çoklu poz kullanılabilir.

21 - 6
Kaydedici Galvanometrenin cevabı

İdeal olarak, d'Arsonval galvanometre kaydedici ile kaydedilmiş dalga, giriş

voltajının dalga şeklinin doğru bir kopyası olmalıdır. Bununla birlikte, hareketli
sistemin bir eylemsizliği olduğundan, sonuç olarak kaydedilmiş dalga,voltajdaki
ani değişiklikleri tam olarak takip edemez. Bundan başka, devrenin direnci
galvanometrenin cevap hızı üzerinde bir etkiye sahip olduğunu incelemeler gös-
termiştir. Kaydedici cevabı, galvanometrenin diferansiyel denklemi ile idare edilir.
Biz şimdi bu denklemi ve basamak fonksiyon girişe alınan cevap ile sinüs dalga
girişe alınan kararlı-durum cevabını inceleyeceğiz.

a) Galvanometrenin diferansiyel denklemi

Galvanometre bobini, Şek. 21-12, L uzunluğunda, b genişliğinde, Re

565
 .--.......---+ ,.....Ayna
_:_._ti
'ı ,,-Bobin

.G□ 0 Lı

~,J
Şekil 21 - 12 Galvanometre bobıni ve dış devresi.

direncine sahip dikdörtgen olarak alınır. Bobin, Rx direnci ve e(t) sürücü voltajı ile
seri bağlıdır. Çap doğrultusunda bir mağnetik alıpı olduğunu varsayı)oruz.
Bobinc,akım bulunduğu zaman mağnetik dönme momentinin etkimesi ve bobinin
harekete hazır duruma gelmesini bekleriz.· Hareketli bobin, inceleme kapsamına
alınması gereken, indüklenmiş voltaj üretir. Eylemsizlik, viskozluk sürtünmesi ve
askı düzeneğinin ilk duruma getirme momentinden dolayı, ters yönde dönme
momentleri mevcuttur. Bütün dönme momentlerinin dengelenmesi ile aşağıdaki
diferansiyel denklem elde edilir.

d20 G2 d0
J--2- + (Dı + - - ) - - + S8 = _G_ e(t) (21-26)
dt R · dt R

Burada G BNLb, R=Rx + Rc vı:: hareketli sistem parametreleri S, şertlik, D,

0

viskozluk sürtünmesi-ve J de eylemsizlik momentidir. G 2 /R niceliği, bobin içinde-

ki indüksiyon voltajından gelir ve sistemin sönümüne eklenir.
Şimdi (D 1 + G2 /R) yeri ne D sembolünü koyup eşitliğin her iki tarafını S ye
bölersek:

J
e (t) (21-27)
s

elde ederiz. Sabit katsayılı ikinci mertebe diferansiyel denklemin bu şekli Böl. 15
de dikkate alınmıştı, Bu yüzden, orada yapılan incelemenin sonucunu kullanabiliriz.

b) Basamak voltajına cevap: söniim ..

önce E basamak voltajına cevabı gözönüne alalım. O -zaman Dı:nk. (21-27)

566
 \. ·· ..:t

nin sağ tarafı GE/RS olur, ve denklem tamamen Denk~15 - 12)benzer hale gelir.
x yerine 8, ~ yerine GE/RS konulur ve aşağıdaki şekiller kullanılırsa Dımk.
(15-12) in çözümleri Denk. (21-27) nin çözümleri olarak kullanılabilir:

sönümsüz açısal frekans =w =~ (21-28)

n J

D
sönüm oranı = ç, -== (21-29)

Şekil 15-7 deki cevap eğrileri, galvanometrenin basamak fonksiyonuna cevabını

verir. 0,7 veya 0,8 civarındaki bir sönüm oranıyla birleştirilen tabii yüksek frekan-
sın,çok yaklaşık olarak basamak fonksiyona cevabı verebileceğini görüyoruz.
D sönüm katsayısı, D1 viskozite sönüm etkisi ile, elektromağnetik sönüm
G 2 /R terimlerinin birleşimidir. Alçak frekans kaydedicilerde viskozite sönümü
nispeten küçüktür ve a 2 /R terimi dikkate değer etkiye sahiptir. Bu yüzden,
sönmenin istenen ölçüde olması için, dış devre direnci ayarlanabilir. Eğer kaynak
direnci doğal olarak yüksek ise, o zaman bobine şönt direnç yerleştirilmelidir.
Yüksek frekans titreşkenleri için yapılan galvanometrelerde genellikle, bobin
etrafına sıvı söndürücü madde sarılarak, daha yüksek değerde viskoz sönüm para-
metresi D1 oluşturulur. Normal çalışma sıcaklığında, anu edilen sönümü oluş­
turmak için sıvının viskozluğu seçilir. Rx çok küçük olmadığı sürece, devre
direncinin sönüm belirtgenleri üzerine etkisi azdır.

c) Sinüs dalga girişine kararlı durum cevabı

Sürücü voltaj bir sinüs dalgası olduğu zaman, zaman fazı bakımından genel•
likle yer değiştirmiş fakat aynı frekanslı bir sinüs fonksiyonu olan kararlı-durum
cevabı beklenir. İkinci mertebe sistemin cevabı Böl. 15-5 de tartışılmıştır. Şimdi,
orada elde edilen sonuçları kullanacağız. özellikle, Şek. 15-9 da verilen, birim
büyüklük G (w) ve faz ~ (w) ye hrşı, w/w n nin grafiklerini kullanacağız. Şimdi,
G (w ), sıfır (d. a. cevabı) sürücü frekans w ile ilgili cevap dalgası 0 nın, genliğini
temsil eder. Bu eğriler, genlik veya faz hataları çok aşın hale gelmeden, işaretin
frekansının ne kadar yüksek olabileceğini belirlemede kullanılabilir. Eğer, yalnızca
genlikle ilgileniliyorsa, Şek. 15-9 a da w = 0,8 w n civarına kadar frekanslar
için, d.a. değerinin t = 0,6 için genliğin 0,3 dB (yüzde 3,5) civarında olduğu
görülür. Bununla birlikte, t = 0,6 ve w = 0,8 "'n iken faz kaymasının 70° olduğu
Şek. 15-9b den göriilüyor, bu nedenle, faz kayması önemli ise fnıkans sınırını
küçültmek gerekir.

567
d) Karmaşık periyodik dalgaya cevap

liöliım21-3 ve Ek D de tartışıldığı gibi, periyodik bir dalga Fourier harmo-

nik bileşenleriile temsil edilebilir. Lineer bir sistemle ilgilendiğimiz için, giriş
dalgası Fourier bileşenleri cinsinden incele~ckte serbestiz ve bu işlem, her
bileşenin cevabı hesaplamp sonra da toplam cevabı bulmak için üst-üste koyma
yöntemi kullanılarak, gerçekleştirilir. Hesaplama gerektirdiğinden sayısal bilgisa-
yar tekniği kullanılmadığı durumlarda, bu yöntem çekici değildir. öte taraftan,
nitel bir anlama, kaydedicilerin yeniden oluşturduğu Fourier bileşenlerinin
kavranılan ve onların düzeltilmesi ile kazanılır. örneğin, karmaşık dalganın mak-
simum frekans w m e kadar olan önemli bileşenlerinin olduğu biliniyorsa, o zaman
genlik veya fazda hiçbir değişiklik yapmadan wm kadar olan bileşenler kaydedil-
melidir. Şekil 15-9 daki eğrilerin gösterdiği gibi, faz hatası üzerindeki gerekler
frekans aralığını şiddetli biçimde sınırlar.

e) Geçici cevap

Daha önce verilen bir basamak fonksiyonun cevabını tartışmak, keyfı,geçici bir
sürücü voltajın cevabını elde etmenin genel bir yöntemini verir, yani; (1) sağ tarafın­
da sürücü fonksiyon bulunduran diferansiyel denklemi çözmek için klasik yöntem-
in kullanılmasını getirir. Bu yöntem, basit sürücü fonksiyonlar için uygundur. Çok
kannaşık fonksiyonlar için, iki ilave çözümleme yöntemi söylenebilir: (2) siste-
min frekans cevabı ve sürücü fonksiyonun frekansının özünü tanımlamak için,
Laplace vl'ya Fourier dönüşümünün kullanıldığı, dönüşüm yöntemleri, ve (3)
diferensiyel denklemin sayısal integrali veya sistemde matris operatör·yaklaşımı
kullanmak gibi ayrık yöntemler.

21 - 7
Benzetmeden sayısala çeviriciler

Sürekli • değerli elektrik dalgaşekilleri çok değişik yollardan, sayısal duru-

ma çevrilirler. En basit elektromekanik elektrik düzenleyici, kuşkusuz, sürekli-
değerli d. a. akımını bir, diğerlerini iki, ikili sayı durumuna dönüştürür. Elektrik-
ten · elektriğe dönüştüren benzetme sayısal dönüştürücüler özel amaçlı mantık
devreleri, zaman tabanlı kodlayıcıları, benzetme girişi .ile dönüştürülmüş sayısal
çıkış arasındaki farkı sıfırlayan geribesleme devreleridir. Toplu olarak bu devreler,
benzetme · sayısal (B/S) dönüştürücüler veya sayısallaştırıcılar, veya kodlayıcılar
(şi(releyiciler) olarak adlandırılırlar:·
Zaman - tabanlı kodlayıcı, Şek. 21 • 13 de resimlendiği gibi çalışır. Şekilde-

568
 Benzeılik
fonksiyonu

Cı A2

Şekil 21 - 13 Zaman tabanlı kodlama

ki A1 noktası gibi her testere dalga başlangıcında, sayısal sayıcı çalıştınlır. Testere
dalga voltajı B1 de olduğu gibi benzetme voltajına ulaşınca, karşılaştıncı devre,
farkın sıfır olduğunu algılar ve sayma durur. Periyodik olarak, c1 , c 2 vb. de
olduğu gibi sayaç kaydedicisi okuma yapar, tekrar kurulur ve testere dişi
sıfır düzeye geriye döner. Bu işlem, her numune aralığında, bütün kodlanmış
düzeylerin baştan başa kaydedici tarafından sayılmasını gerektirir. Böylece,

(sayılan frekans) = ( örnekleme frekansı) (kodlanan düzey sayısı) (21 - 30)

olur. Denklem (21-30) dan açıkca görüldüğü gibi, yüksek örnekleme hızı ve küçük
çözme gücü gerektiğinde, ~ayma frekansı sınırlan zaman-tabanlı kodlama şeklinin
kullanılmasını imkansız hale getirir.
Başka bir çeşit dönüştürücü ardışık yaklaşıklık yöntemi kullanır. Bu, bir
benzetme toplayıcı, bir n-atma sayısal - benzetme dönüştürücü (bak Böl.21-9),
bir n - katlı ikili sayı kaydedici, ve kontrol mantığından oluşur I Şek. 21-14.
Dönüştür komutu alındığında, kontrol mantığı n pulslannın bir sırasını oluşturur.

İlk pulsta depolayıcı yazıcının

en anlamlı pulsu 1 e kurulur ve bütün öteki pulslar
sıfıra.kurulurlar. O zaman benzetme çeviricinin çıkışı tam ölçeğin yarısına gider.

Dönüştür emri

--+---'--
H--,ıı----
} Sayısal çıkış
n-atmalısözcük

Sayısaldan
...__---ıberızet!!iey_e
dönüştürücü

Şekil 21 - 14 Ardışık yaklaşıklıkla kodlama.

569
Eğer benzetme girişi, yanın-ölçekten daha büyük ise, toplayıcı çıkışı pozitiftir.
Bu dönüştürme süresinin geri kalanı için, mantık devresini AÇIK konumunda kayde-
dicinin en anlamlı atmas!lla kilitler. Benzetme girişi, tam-göstergeden küçük ise, top-
layıcı çıkışı negatif olur ve mantık en anlamlı atmayı dönüştürme süresinin geri
kalanında KAP ALI konuma kilitler. Birinci puls sonunda, benzetme girişi,
tam-göstergenin 1/2 sine yaklaştınlır. İkinci pulsta bir sonraki en önemli atma,
toplayıcı devrenin çıkış işaretine bağlı olarak açık veya kapalı durumuna döner.
Benzetme girişi, şimdi tam göstergenin 1/4 ü kadar çözme gücüne yaklaşıktır.
Sayısal - benzetme dönüştürücü yaklaşık benzetme girişinin tam ölçeğinin 1/2 11 i
kadar çözme gücüne ulaşılıncaya kadar bu işlem n puls için devam eder. Depolayıcı
kaydedicideki sayı benzetme girişin n atma temsilidir.
Zaman-tabanlı kodlama, dönüşümü tamamlamak için kesin olarak 2n puls
sayımını, oysa ardışık yaklaşıklık tam n puls gerektirir. Her bir durumda, dönüşüm

aralığında olmasına rağmen örnekleme zamanı iyi belirlenemez. Her iki yöntemde
de bu problem örnek - tutucu devre kullanılarak ortadan kaldınlır.
Böyle bir devre, tut emrini alınca benzetme girişini örnekler ve dönüşü:n
için gerekli zaman genişliği içinde bu niceliği depolar. Devre geciktirmesi ve
sapmalan nedeniyle, tut komutu zamanı ve örnekleme zamanı farklı olabilir. Bu
zaman farkının maksimum değeri örnek-tutucu devrenin açık kalma-zamanı ola-
rak tanımlanır.
Yukandaki ömek-tutuculu veya tutucusuz dönüştürücüler, benzetme girişi
üzerindeki gürültüye duyarlıdırlar ve bu nedenle dönüşme olmadan önce girişini
süzgeçten geçirmek uygun bir yoldur.
İkili eğim integral alma özelliğine sahip benzetme-sayısal çevirici,ön süzgeç-
leme yapmaksızın gürültüyü iyi bir şekilde azaltma özelliğine sahiptir. Dönüştür
komutu alınması üzerine, integral alıcı T periyodu aralığında, benzetme giriş volta-
jı Va tarafından sürülür. Va bir T periyodu üzerinden, benzetme girişinin ortalama
değeri olmak üzere, bir periyot sonunda integre edicinin çıkışı VaT ile orantılı
olur. Sonra, integre edici girişi negatif referans (karşılaştırma) voltajı -Vr ye
bağlanır ve sayısal sayaç saat pulslarını saymaya başlar. İntegre edicinin çıkışı,
ı'.'ıt zaman sonra sıfıra düş~ğünde, sayaç durur. Çünkü Va T= Vr fü, 6t "' Va T /V r
dir. T ve Vr sabit ve L'ıt, Va ile orantılıdır. ı'.'ıt nin ölçüsü, sayaçtaki sayısal numa-
radır ve T ~ralığı boyunca; Va nın ortalama değeri ile orantılıdır. Böylece, gürültü-
nün geniş" bir aralıktaki ortalaması sıfır olur. özel olarak, simetrik ve periyodlu
gürültü, n = 1,2,3, ..... olmak iizere, T = n Tgürültü eşilliği Sl•çilerek, hemen
hemen yok edilebilir.
Bu tartışma, voltaj - sayısal ceviricilerle sınırlıdır. Atma genişliği, z.amaıı
aralığı vP tekrarlanan sinyalin periyodu da dhıiiştiiriilebilir. Sayaı; ölçülen aralık
sliresin,·e doğru saat i,e kademe k,,dP111e ,:-tııı!ıı ''--'.·["; :yıı,, ı;ırnan araiığının
sayısal bir temsilidir.

570
 Mekanik mil konum~ da sayısal şekle dönüştürülebilir. Bir yaklaşım olarak,
mil üzerine potansiyometre veya a. a. üretici yerleştirilir ve oluşan elektrik sin-
yali benzetmeden sayıya dönüştürülür.
Diğer bir yaklaşım da kod tekeri kullanmaktır. Şekil 21-15 deki kod tekeri
n tane parçalı komütatörler (n - atma dönüşümü için) ve her komütatör için bir
tane olmak üzere n tane fırçadan oluşur. Her komütatör üzerindeki parçaların sa-
yısı ve ·uzunluğu, kullanılan ikili kodun şekli ile belirlenir. Fırçalar, kod tekerinin
çapı doğrultusunda teması sağlayacak şekilde yerleştirilir. Her komütatörün par-
çalan voltajla enerjilenir ve böylece n tane fırça çıkışı tekerleğin açısal konumuna
uyacak şekilden - atmalı ikili sayıyı oluşturur. Eğer dairesel parçalara a}'irma işlemi,
alışılmış kodlamaya göre yapılmış ise ve fırçalar mükemmel şekilde yerleştiri­
lemediğinde. dairesel parçaların geçişi sırasında hatalar oluşabilir. Şekil 21 - 15a
da gösterilen kodlanmış teker konumunda, ikili çıkış 0000 veya 1111 olmalıdır.
Bunun yerine, fırçaların yanlış dizilişine bağlı olarak 0000 ·den 1111 e kadar olan
aralıkta herhangi bir sayı okunabilir. Geleneksel kodlama yerine, Gray olarak
isimlendirilen ikili kodlama şekli çok sık kullanılır. Bunun özelliği bir sayıdan bir
sonrakine sayma sırasında yalnız bir tek atma geçişinin olmasıdır. İkili kodlamaya
dönüştürülmüş böyle bir kodlamanın, kodlama tekeri üzerine yerleştirilmiş hali
Şek. 21-15b de görülmektedir. Eğer fırçalar çap üzerine yerleşmiş ise, teker dö-
nerken, fırçalar üzerindeki ikili çıkış hiç bir zaman bir konumdan daha fazla ko-
numa değişmeyecektir. Bu nedenle fırça dizilimi, yalnızca bir çözücü elemana bir

(al Alışılmış kod (bl Ters çevrilmiş kod

Şekil 21-15 İkili kod tekerleri.

fırça gelecek şekilde doğru olarak yapılmalıdır. Terslenmiş ikili kod sistemi, gele-
neksel ikili kod sistemipe dönüştürme işlemi basit olduğundan kullanışlıdır.
Komütatörler ve fırçalar yerine, fotoğrafık olarak üretilen kod tekerinden
oluşan optik kod tekeri kullanılabilir. Burada fırçalar yerini ışık kaynağı ve
foto-elektrik kaydedici alır. Hareketli elemana kodlanmış plaka yerleştirilerek her
iki yaklaşım (fırça tipi veya optik tipi), boyuna yerdeğiştirmeyi sayısal şekile
çevirmek için kullanılabilir.
571
 21 - 8
Sayısal kaydedici sistemler

Sayısallaştırılmış verilerin çok büyük miktarlarını sürekli olarak saklamak

için genellikle sayısal band kaydediciler kullanılmasına rağmen, bir çok modem
veri işleme sistemlerinde delikli kağıt şerit ve delikli kartlar etkin olarak kullanı­
lırlar. Verilerin temsili ikili sistem veya ikili-kodlu sayı sisteminde olduğundan iki-
durumun veya iki-sembol saklanmasının oluşturulması kolaydır. 1 ve O sembol-
leri sırası ile kağıt şerit veya kartta delikler veya pozitif. yönlü mıknatıslı bölgeler,
kağıt şerit ve kartta deliklerin yokluğu veya negatif-yönlü mıknatıslanmış bölge-
lerle temsil edilebilir. Böyle bir kağıt veya mağnetik şeridin kaba bir resmi Şek.
21-16 da görülüyor.
Kağıt - şerit kaydetme işlemi, 8 kanalda (480 atma/sn) 60 karakter/sn
hızı ile sınırlı olduğu halde, mağnetik kaydetme 100.000 atma/sn nin üzerinde
bile iyi bir şekilde çalışma~tadır. Ticari bilgisayar yapımcılarının mağnetik-şerit
formatlan 7 veya 9 kanal üzerinde 200 den 1600 atma/inç değerine ve çalışma
hızı 120 inç/sn değerine sahiptir.

Şekil 21-16 Sayısal kaydetme araçlan : (a) yedi-veri kanallı ve küçük.dişli

delikleri dizisine sahip delikli kağıt şerit; (b) demir tozlu tabakalan görünen,
sekiz kanallı sayısal meğnetik şerit.
Sayısal mağnetik şeritler, şeride dik olarak yerleştirilen doğru akım mağne­

tik kayıt başlan (Şek. 21-16 da kayıt için sekiz tane) ile yazılırlar ve bu başlar
ikili sembolleri bir çok farklı yoldan kaydedebilirler. Sıfıra dön (SD) yönteminde,
normal olarak mıknatıslanmış şeridin kısa bir aralığı ikili sayı 1 için pozitif yönde
mıknatıslanır veya ikili sayı O için negatif yönde alan olacak şekilde mıknatıslanır.
Sıfıra dönme yönteminde (SDY) şept daima bir yönde veya diğer yönde doyuru-
lur. 1 den O a veya O dan 1 e değişime karşı gelecek şekilde her kanal başlığı
mıknatıslanmayı ters çevirir. Normal önbesleme dönme yönteminde, O için
normal olarak mıknatıslanmış şerit değişmez, fakat 1 ikili sayısında kısa bir
aralıkta mıknatıslanma terslenir.
Sayısal kaydetmenin, benzetıne kaydetmeden üstünlükleri: (1) yüksek
doğruluk derecesi, (2) şerit band hızından etkilenmeme, (3) karmaşık olmayan

S72
kayıt ·ve okuma devreleri ve (4) şerit bandın t,.yarlılığını kaybetmeden bir çok
defa kaydetme işleminin tekrarlanabilmesidir.
Kusursuz bir şekilde sıralanmış sayısal şeritlerde bile mağnetik oksit taba-
kasının bozularak kesikli hale gelmesi veya tamamen kaybolması nedeniyle

hatalar oluşur. Her atmaya bağlı oksit alanı daha küçük olacağından, atma-
paketleme yoğunluğunun yüksek olduğu durumlarda, bu hatalar çok daha sık
oluşur. Bu hatalan düzeltmek veya tesbit etmek için çok sık olarak, gerekenden
fazla kayıt işlemi kullanılır. Bu ağdalı kayıt sık sık atmalann kutupluluğunun şek­
lini alır, öyleki şerit boyunca veya şeritteki bir blok boyunca saymada, ikili sayı
1 in çift veya tek olduğunu gösterir.
Mağnetik kaydetme genellikle, kaydedici belirtgenleri tarafından belirlenen
bazı eşzamanlı hızlarda yapılır. Eğer veri hızı kaydedici be!irtgenlerine uymu-
yorsa, veya veri hızı eş zamanlı değilse, tamponlanmalıdır, yani veriler, bazı mak-
simum değerlere kadar hızla veri alabilen v_e verinin ilk olarak geçtiği yardımcı ha-
fızaya gönderilmelidir. Böylece, veriler şerit kaydediciye gerekli olan eş zamanlı
hızla geçirilir. Başka bir şekil olarak, eğer en büyük veri hızı düşükse, artımlı şerit
kaydedici kullanılabilir. Bu tür kaydedidler epeyce büyük hıza kadar olan her-
hangi bir hızda veri kabul ederler. Artımlı şerit band kaydediciler 7 50 karakter/sn
civarındaki hızlardan daha küçük hızlara sınırlıdırlar.
Benzetme - sayısal çeviriciler için, tamponlayıcı ve sonradan sayısal bilgisa-
yarlara doğrudan okunabilen, uzaktan kaydedilen mağnetik şeritlerdeki verileri
standart şekle getiren ve düzenleyici olarak adlandırılan, ticari birimler mevcuttur.

21 -9
Sayısaldan - benzetmeye çeviriciler

Sayısal durumların şekline (genlik, faz, veya frekans), parelel veya seri
olmalarına bağlı olarak, sayısaldan
benzetme dalgaşekline dönüştürme işi birçok
farklı yoldan başanlır. Açıklamak amacı ile, flip-flop kaydedicidekine benzer
olarak, ikili durumdaki genliğin mümkün olan parelel şeklinden çevrilmesini tarif
edelim.
Gerekli matematik işlemin yalnızca ikili sayı yerlerinin ağırlıklı toplamı
olduğu düşünülünce, ikili sayı-benzetme dönüşümün (kod çözme olarakta isimlen-
dirilir) kavram ve yapısal basitliği ortaya çıkar. örneğin, Şek. ·21-17 de görülen ve
işlemsel yükselteç kullanarak ağırlıklı toplamaya dayalı 3 - atma çeviricinin devre-
sini gözönüne alalım. Bölüm 10-15 deki incelemelerden,

..filL..
eçık = - e2 R- - e ı ...lliL
_R/2
2R - eo 4R (21-31)

veya

573
 + + (21-32)
8

yazılabilir.e 0 , e 1 ve e 2 voltajlan, ikili sayı kayıtlanndan türetilir ve kayıtlarda sak-

lanan ikili sayılar O ve 1 e karşılık gelen, O veya e Yolabilirler. örneğin, 101 ikili
sayısı kayıtla yerleştirilmiş ise, çıkış voltajı - (e/2) + (0/4) + (e/8) = -5e/8
olur ve tam ölçek (111) depolanmışsa çıkış -7e/8 olur. Bu örnekte en küçük
anlamlı atma (EKAA) -e/8Vile temsil edilir. Bu devrenin tam ölçeği -e(l-1/2n)
V a eşit ve (EKAA) si -e/2nV la temsil edilen n atmalı devreye genişletilebileceği
açıktır.
R/2

EBAA R

2R
çık

Şekil 21-17 İkiliden - benzerliğe dönüştüriicü devre.

Şekil 21-17 deki basit devreyi birçok atma dönüşümü verecek şekilde geniş­
letmenin, kullanışsız direnç hacımlan gerektireceği açıktır. 10 veya daha fazla
atma için kullanışlı bir devre Şek. 21-18 de görülmektedir. Şekilde eN en anlamlı
atmayı temsil etmektedir. Bu ikili merdiven gerçeklemesinin anlaşılması için
2R · R R R

EBAA
e1ık

Şekil 21-18 İkiliden - ben'zerliğe dönüştürücü için merdiven devre.

gerekli anahtar, şeklin üst kısmında, her bir düğümün solunda kalan dirençlerin
tam 2 R n olmasıdır: Aynca, her bir düğümle toprak arasında 2 R n direnç vardır.
Çıkış uçlan arasında hayali bir voltaj kaynağından gelen akım her bir düğümde
yansı doğrudan toprağa, yansı da.merdivenin diğer basamaklanna bölünecektir.
eN kaynağının bulunduğu kol gelen toplam akımın 2- 1 ini alır, eN_k kaynağının

574
bulunduğu kol, ise toplam akımın 2 -l -k ini alır. Bu 2-k ikili ölçekleme, ters
yönde korunur ve, böy\t:t·, , PN-k kaynağının çıkış düğürııündeki voltaja katkısı
r 1-keN -k kadardır ve gerçek ağırlık!- toplam üst üste koyma ile elde edilir.
Ağırlık veren devrenin ker,inlik yüzdeleri, devreleri oluşturan dirençlerin
kesinliklerinden daha iyiye doğru gider, çünkü burada oranlar sözkonusudur. Çok
atmalı dönüşümlerde, mutlak hataya en büyük katkı, genellikle referaııs voltaj
düzeyidir. Çünkü çıkış, referans voltajıyla orantılıdır. Benzetme çıkışında % 0,1
oranındaki dalgalanma bu durumda, ikili sayının onuncu basamağındaki bilgileri
bozar.

21-10
Multipleks sistemleri; telemetri

Sık sık pek çok farklı dalga ,ekillerinin tek bir kanal içinde aynı anda ilerle-
mesi gerekir. Bu son kanal bir telemetri sisteminde tek bir modülatörü temsil
edebilir. Böyle bir sistem, örneğin bir uzay aracının dışında gözlenebilecek şeyleri
1
aynı anda monitöre aktanr veya pek çok bilginin aynı anda kaydedileceği la-

boratuvar ölçümlerinde gerekli olan tek izli FM magnetik teyp makaralannı ya da

binlerce telefon konuşmalanm aynı anda taşıyan genişband aynı eksenli bir kablo-
yu temsil eder. Her bir örnekte, bir takım dalga şeklinde saklanan bilgiler, geniş
frekans bandına sahip tek bir dalga şekli içinde taşınır. Ortak kanalda taşman
değişik bilgilerin bölüşülmesi ya frekans-bölücü haber iletici vasıtasıyla ya da zaman
bölücü haber iletici vasıtasıyla yapılır.
Frekans bölücü haber iletici, Şek. 21 - 19 da gösterildiği gibi bir telemetrede
kullanılabilir. Burada, her bir kanalda saklanan bilgiler, taşınan sinyal tarafından
frekansın bölüşülmesiyle korunur. Frekans bölücü multipleks, bir kaç tane sinyalin
aynı anda
FM teyp üzerine,Şek. 21-20 de açıklandığı gibi,kaydi için kullanılır. Eğer, her bir
sinyalin frekans sapması her merkez frekansın± % 7 ,5 u oranında kalır ve böyle-
ce birbiri üzerine binmezse, FM modülatörler, kayıt yapılan sinyallerin tabii
frekans bölümünü sağlarlar. Şekildeki frekanslar için kanalları bir frekans oktavı
birbirinden ayınr. Band geçirici süzgeçler sinyali bir kez daha böler ve kanaldaki
r1 , f 2 ve r3 merkez frekanslanna akordlu FM demodülatörler esas sinyali ortaya
çıkarırlar.

Bir kanalın zaman bölücü multipleksi, ortak kanalın bütün ayn sinyallere
artlarda anahtarlanmasıyla yapılır. Bu anahtarlanma bir kaç değişik yoldan yapıla­
bilir. Mekanik bir dönücü, komütatör, çeşitli uçlardan kısa dalga şekillirini tek bir
çıkış ucuna sırayla uygulayabilir. Çıkış voltajı doğal olarak puls şeklinde ol-
duğundan, Şek. 21-21 de öngörüldüğü gibi, sinyal, puls genlik modüleli (PGM)

575
 Alt taşıyıcı
genlik modüle Toplmama
ediciler eklemi
Kanal 3

Kanal 2

Kanal! 1

Band qecırıcJ
süzgeçler Algılayıcılar
Kanal 3

Kanal 2

Kanalı

Şekil 21.· 19 GM-GM telemetri sistemi ( frekans bölücü multipleks ).

FM Band qecirici FM
modüle ediciler süzgf:?çler modülasyon
çözücü
Kanal 3 11 Kanal' 1
Şerit
aktarımı

Kaydedici [ Yen;iden 1
karıştı-rıcı oluşturucu
yükseltici yükselteç

Kanal ı

Şekil 21-20 Frekans-bölücümultipkksln.tla. ,,,.,,ık :,apı! ... 11 FM kayıt ,!,~\resi.

576
 Voltaj

e2( ı lt _Dolu çizgi çoi;jal tılmrş dalgabiçi'_mtni te:nsil

1 -~diyor

e,l ı l -- ,,...-e1( t l
~e 2 (ı)

--e 3 (ıl
--
e3( ı l -- ---
2
Zaman
3 2 3 2 3
Kanal No.
Şekil 21-21 Puls genlik modülasyonu (zaman-bölücü multipleks).

olarak isimlendirilir. Eğer toplam çıkış, iletim için taşıyıcı dalga üzerinde genlik
modüleli ise bu sistem PGM-GM telemetri sistemi olarak :simlendirilir. Alıcı tara-
fından sinyal aynı zamanlı olarak demodüle edilir ve böylece kanal pulslan tek
tek ortaya çıkanlır. Bu kanal pulslan bir alçak frekans-geçiren süzgeç vasıtasıyla
düzeltilerek orijinal dalgaşekli ortaya çıkanlır. Ancak bunun için örnekleme hızı
yeteri kadar olmalıdır. Mantık geçitleri ile yapılan elekronik anahtarlama, kuş­
kusuz mekanik anahtarlamadan çok daha hızlı yapılır.
Benzer şekilde bir benzetme sayısal dönüştürücünün giriş uçlan tek tek ka-
nal voltajlanna ardarda anahtarlanabilir. Sonuçta, puls benzeri bir dizi dalga ele
geçer ve sıralar kanal voltajlannı içerir. Bu dalga sıralannın her biri sayısal olarak
kodlanmıştır. Kanal voltajlannın örneklerinin gösterilebileceği pek çok yol-
lardan bazıları şunlardır.
PGM ( puls genlik modülasyonu). Kanaldaki örnek genlik,puls yüksekliği
olarak temsil edilmiştir.
PSM (puls süresi modülasyonu). Kanaldaki örnek genlik, puls uzunluğu
olarak temsil edilmiştir.
PKM ( puls konumu modülasyonu). Kanaldaki örnek genlik, referans pulsla
sinyal pulsu arasındaki aralık olarak temsil edilmiş tir.
PŞM (puls şifre modülasyonu). Kanaldaki örnek genlik, ikili kodlamada
olduğu gibi bir pulslar ve boşluklar sırası olarak temsil edilmiş tir.
Ortak kanaldaki dalga şekli iletim için genlik modüleli olduğu zaman sistem
PGM -GM,PKM-GM v.b. olarak isi.mlendirilir. Eğer dalgaşekli frekans modüleli ise,
bu kez sistem PG-FM, PKM-FM v .b. olarak isimlendirilir.

577
 21 - 11
Sayısal bilgisayarlar

Program yüklü, genel amaçlı bir bilgisayarın elektronik işlem diyagramı

Şek. 21-22 de gösterilmiştir. Buradaki "giriş" birimi makinaya komutları ve veriyi
iletmede kullanılan donanımı göstermektedir. Bu donanım, kart okuyucu, mag-
netik şerit okuyucu, delikli kağıt şerit okuyucusu veya veri iletme ucu olabilir.
"bellek" birimi komutları yükleme (yüklü program) için kullanılan donanımı,
kullanılan veriyi, ara sonuçları ve elde edilen hesaplamaları gösterir. Bu bir mag-

netik çekirdek matrisi veya bir magnetik disk olabilir. "Aritmetik" birim iki
sayısal rakamı birbirine ekleme ve sayıların işaretlerini test etme ya da ikili yer

kaydırma işlemleri için kullanılan donanımı belirtir. Aritmetik birim, bir top-
layıcı devresi ile birleştirilmiş üç kaydediciden ibaret olabili~. "Çıkış" birimi
hesap sonuçlarını gözlemek için kullanılan cihazı gösterir. Bu cihaz bir daktilo,
yazıcı, sayısal çizici veya ve_ri iletim ucu olabilir.
Hesaplama işlemi en basit biçimde, Şek. 21-22 de numaralarla gösterildiği
gibidir. Bu şekildeki "kontrol" fonksiyonu, belleğe okunacak veriye eşlik eden
programla birlikte ( 1) adımını oluşturur. (2) durumda program "ari tın etik"
kütüğe iki ikili sayıyı kaydıran kontrol fonksiyonu üzerinde işlem görür, burada

sayılar eklenir ve sonuç üçüncü kaydediciye konur. Sonra program sonucu bel-

leğe yerleştirir (3) ve programın çıkış komutunu bE-kler (4).

!3ellek

r-----7

Giriş ( 2) --..::- ~ ~'.ontrol ~:: Çıkış

1L _ _ _ _ _ _ J1

Aritmetik

Şekil 21-22 Genel amaçlı sayısal hesaplayıcı.

Karmaşık programlar, çarpmayı ardışık toplama ile, bölmeyi ardışık çıkar­

ma ile v .b. basit aritmetik ve mantıksal işlemleri tekrarlayarak aynı donanım ve
fonksiyonlarla çalışır. Bununla birlikte, en modern yüksek hızlı bilgisayarlar
temel işlemleri birleştirerek programlamayı ve işlemi saklayacak mantıki bağlantı­
ya sahiptirler. Bu birleşik işlemlerin yüzlercesi geçerli olabilir. Bunlar çarpma,
bölme, belleğe veriyi peşisıra yerleştirme ve en son hesaplama sonucuna bağlı
olan daha sonraki veri için bellek yerlerine atama içerebilirler. Her zaman, telli
mantık devreleri, girişi belleğe getirme, aritmetik işlem, belleğe yükleme ve

578
 çıkış fonksiyonlarının herbirinde hataları önlemeyi sağlar.
Genel amaçlı bilgisayarların en önemli özelliği, bellek büyüklükleri, işlem
hızlan, giriş-çıkış fonksiyonlarının çok yönlülüğü ve programlama kolaylıklarıdır.

Bu özellikler, uygulamada değişme sözkonosu olduğu için bağımsız olarak tanımla­

namaz. örneğin, hız belleğin büyüklüğü ile değiştirilebilir. Hesaplanması uzunca olan
bir matematiksel fonksiyon tekrarlı hızlı uygulamalarda büyük bellekte bir tablo ola-
rak depo edilebilir. Bellek birkaç bin 64-lü atmaları milyonlarcasına kadar böl-
geyi kaplayabilir. Modem sayısal bilgisayarlarda işlem hızı, ortalama emir
hızı ile hesaplandığı gibi (getir, topla, depola veya getir çarp, depola) saniyede
yüzbinlerden yüz milyonlarauzanır. Modem toplu devre tekniği küçük, ucuz ve
mini bilgisayarlar denilen genel amaçlı bilgisayarlara temel oluşturur. Bunlar de-
neylerin kontrolünde ve bilgi toplanmasında olduğu kadar endüstriyel kontrol ve
haberleşme sistemlerinde de uygulama alanına sahiptirler. Program yükleme
kapasitesinden ötürü bunlar özel bir uygulamada işletilmedikleri zaman genel
amaçlı hesaplamalarda kullanılabilirler.
Mini bilgisayarlar, teyp kaydedicileri, disk kaydediciler, elektrikli yazıcılar
ve grafik uçları gibi standart harici aletlere bağlanmak suretiyle donatılabilir. Bilim-
sel eğilimli standart programlan genel olarak bulunabilir. Bu bilgisayarlar büyük
genel amaçlı bilgisayarlar kadar hızlı değillerdir, ama doğrudan kullanıcı tarafın­
dan işletilebildiklerinden deneysel araştırma ve analizlerde özellikle yararlı
olan hızlı giriş zamanına izin verirler. Standart ara bağlantılara ek olarak mini bil-
gisayar imalatçıları "gerçek zaman" aletlerinden minibilgisayarlara bağlantı için
ara aletler sağlarlar.
Bir bilgisayara benzerlik bilgi girişi için bir veya daha fazla voltaj arabirimi
teklif edilir. Bilgisayar programı veya harici alet, B/S çeviricisi şeklinde bir yapı
ile yerine getirilecek bir benzerlik değişimi için zamanı tayin edebilir. Sonra,
çeviricinin çıkışı, bellekte depolanabilir veya program vasıtasıyla hemen
işlenebilir. Bilgisayar aynı zamanda kodlama diskleri, sayısal sayıcı veya B/S çe-
viricisi gibi dış cihazlardan bilgi alma için bir veya daha çok sayısal giriş kay-
dedicisine sahip olabilir. Sayısal girişler, kontak sınırlan veya bir deney ya da
işlemde bazı aşamaların oluşmasında· ortaya çıkan bir voltaj düzeyi ile sürülen
atmalar olabilir.
Bilgisayar imalatçıları tarafından piyasaya anedilen çıkış cihazları S/B
çeviricileri ve sayısal çıkış yıizıcılandır. Veri hazır olduğunda bilgisayar programı
çıkış verilerini ve sinyallerini üretir. Alternatif olarak çıkış cihazı bilgisayardan
veri isteyebilir.
Bir dış cihazdan bilgisayara bilginin iletilmesi genellikle program kesici
- diye adlandırılan bir vasıtayla kontrol edilir. Bu, bir dış cihaz bilgi elde ettiğinde
temel programı durdurma yöntemidir. Durdurma, programı alt servise aktanr
ve o da verileri dış aletten bilgisayara aktanr. Boyle bir yaklaşım, eğer veri

579
nispeten düşük hızda aktarılıyorsa yapılabilir. Servis alt programı herbir bilgi keli-
mesini aktarmak için bir dizi program -adımlarına gerek duyar). Birçok uygulama-
da, bir bilgi kelimesini aktarma 50 µs gerektirebildiğinden bu yaklaşım çok ya-
vaştır.

Mini bilgisayarlarda mevcut diğer bir yaklaşım, (büyük ölçekli bilgisayarlar-

dah:i gibi) doğrudan hafıza girişidir. Bu imkanla herbir bilgi kelimesi, hafıza
frekansı zamanında, bellek ile dış cihaz arasında aktarılır. Bilgi aktarılacağı zaman
bir aralama ile bilgisayara işaret verilir. Ancak servis iş programı aktarılacak bilgi
miktarını ve hafızadaki yerinin tanımlanmasını gerektirir. Bundan sonra
:,ilgi, dış kaynakla belirlenen bir hızla aktarılır. Bu teknik, özellikle bilginin
toplanması ya da üretilmesinde kullanışlıdır.
Minibilgisayarlar t , endüstriyel işlemlerin kontrol edilmesinde deneysel ve-
rilerin toplanmasında, grafik çizici terminallerin kontrol_ünde ve haberleşme
sistemlerinin bilgi giriş ve çıkışlarını kontrol etmede yaygın olarak kullanılırlar.
Yukarıda açıklanan temel program bilgiyi işleyebilir ve devam eden işlemi değiş­
tirme ya da deney kontrolunu sağlar veya veriyi değerlendirerek yazıcı ya da
6ırafik çizici uca sonucu verebilir. öte yandan temel program dış büyük ölçekli
bilgisayara kısmen değerlendirilmiş veriyi sadece aktarabilir veya bilgiyi minibilgi-
sayarlarca daha sonra değerlendirmek üzere diske veya teype yükleyebilir.
özel amaçlı bilgisayarlar daha çok giriş verisinin ya da bazı hesaplama-
ların özel çevriminin yararlılığını sağlamak amacıyla kurgulanabilirler. Düşünsel
bir örnek olarak pulstan pulsa yankı genliğini toplayarak herhangi menzilli ve
esasta kararlı hedeflerin varlığını algıİayan bir puls-radar bilgisayannın kurgusunu
gözönüne alalım. Şekil 21-23 böyle bir sistemin basitleştirilmiş çizimini
göstermektedir.
giriş Aritmetik Bellek Çıkış

Sayısal 1 ,Toplam:yı~
Algılanmış voltaj
. · ·
,BenzetmeJ
ADD . g~~ik~.Trtı. al\:Jı~a~a,.
da 1ga b ıçımı d.. . .savısal
t·· .. .. .. çızq~ -T eşığı ıle
~onuş urucusu
:gecıkme__ karşılaştırılması

-r-ı
Çözülebil~r•bölgeler
--T-sec--

Şekil 21-23 özel amaç için tasarlanan sayısal bilgisayar.

Buradaki N bölgesinin herbirinde yankı genlikleri, periyodik olarak ve 1/T

lik bir hızda kodlanır. Her numune sayısal gecikme mekanizmasında meydana
gelen ilk radar pulslarından sırayla mümunelerin toplam koduna bu hızda eklenir.
Gecikme her ikili yer için bir quartz ucunun basınçla sıkıştırılmasıyla veya cam
çubuğun sıkıştınlmasıyla ya da belli bir__ uzunlukta sert bir telin burkulmasıyla

t Kaynak 21 - 4.

580
gerçekleştirilebilir.
T saniye sonraki bilgi en sondaki hareketin olup olmamasına
bağlıdır. Uygun sayısal gecikme hatları birim zamanda birkaç megahertzde puls-
lanabildikleri için bu örnek basit özel amaçlı bilgisayarların özel uygulamalarda
genel amaçlı bilgisayarlardan daha iyi iş görebileceğini ortaya koyuyor.

21 - 12
Sayısal çiziciler ve grafik giriş ve çıkışları

Gerçek zaman kontrolü, veri analizi, teşhis kusuru veya bilimsel hesaplamada
sonuçların daktilo çıktısından . çok grafik ya da resim olarak verilmesi daha çok
kullanışlıdır. önceki grafik gösterimler sayısal-benzerlik çeviricisinin çıkışı ile
sürülen galvanometre kaydedicileri ve osiloskop-kamera birimleri ile yapılırdı.
Osiloskop - kamera yöntemi kart hacmi ile sinırlıdır ve verimi yeterli değildir. Gal-
vanometre kaydedici genişband aralığına (500 Hz) sahip olmasına rağmen, eksen
yazıları ve ölçekleri, eğri etiketleri ve tam hız kontrolu gibi kullanışlı özellikleri

yoktur.
Yplrarıda anlatılan yöntemlerle kıyaslandığında modern sayısal mekanik

çizici (200 kalem konumu veya birim zamanda alınan yolun maksimum 2 inç inde)
yavaş; ancak daha iyi duyarlıkla ve eksiksiz olarak çalışır. Bilgisayar çıkışı
donanıma sahip çizici kurularak ekonomi sağlanabilir. Bu "devre - dışı" mod
merkezi bilgisayarın bağımsız olarak çalışmasına izin verir. Şekil 21-24 çizicinin
çalışmasının bir tasarımını vermektedir. özel bir grafik çizici program çizile-
cek veriyi sıralar ve daha çok çizimin büyüklüğü, ölçekler, yazılar, veri-nokta sem-
bolleri şiddet - nokta kuralları ile ilgili emirleri taşır.
X - Y çizicisi yönteminde, ikili sayı pulslan bir potansiyometre üzerindeki
anahtarları çalıştırır, benzerlik dalga biçimi oluşturur ve bu bir güdümlü kalem sis-

temi ile kontrol edilir.

Kademeli motor sisteminde, sayısal olarak verilen noktalar iki artırımlı
kademeli ve birbirine dik konulmuş motorlar için ikili sisteme dönüştürülür. Y
motoru, kalemi dikey doğrultuda, X motoru ise kağıdı yatay doğrultuda hareket
ettirir. Artma veya tutma atması ve her motor içiiı bir kutuplanma atması sonucu
çevre doğrultularından sekizde biri taranır. Bu artma usulünde, kalem ardışık gra-
fik noktalarını birleştirmek suretiyle çizgiyi lineer olarak takibeder ve harf ya da
rakamların grafiğini çizer.
Mekanik çiziciler çok hassas fakat buna karşılık yavaştırlar. Grafikler ve
değişik tipte şekiller elde eden başka bir alet hızlı nokta tarayıcısı dır. Bu, ön
yüzü fotoğrafik film üzerine yerleştirilen katod ışını tüpünden ibarettir, Şek. 21-
25. Demetin şiddeti kadar x ve y konumlan bilgisayar tarafından sürülen (S/B)
çeviricisi ile kontrol edilir. Grafikler çizgi çizimleri, gri-düzey resimler, demet
odaklanarak ve bilgisayarca belirlenen düzeye yükseltilerek tüp yüzeyi üzerinde

581
 Çizim için bilgi Program
içeren şerit çizici

Bilgisayar

Cizme emirleri
içeren şerit

Sınır aygıtı ı

Çizim için f!lotor yönü

şayı!:ial
değerler !:!mirleri
ıSayısaldanıfbeı:ızetmeye
dönü türücüler Kalem kaldırma
sıraları

Kendi kendini
dengeleyen potansiyometre Basamak motorları

l .
x-ekseni kaaıt hareketi x-ekseııi kaç)ıt
y-ekseni kalem.hareketi hareketi
y-ekseni kalem
x-y çizme yöntemi hareketi
Basamaklayıcı
motor yöntemi
Şekil 21-24 Sayısal çizim için iki yöntem.

oluşturulabilir. Bu durumda fotoğraf filmi, resim ya da diyagram sürekli kaydedilir.

Renk süzgeçleri ve çoklu tarama kullanılarak renk bilgisi de kaydedilebilir. Nokta
taramanın hassasiyeti konumun % 0,1 ini geçebilir ve 1000 çarpı 1000 noktalı
resim 20 sn den daha az bir zamanda oluşturulabilir. Bir çizgi, kaydedilecek
çizgilerin uzunluklarıyla orantılı zamanda tipik olarak 1-2 sn de gerçekleştirilebi­
lir.
Resimle ilgili bilgi, bilgisayara aşağıdaki gibi girilebilir. Fotoğraf filmi, resim
ya da diyagramlan içeren slayd ile yerleştirilir. Slayt TV ekranındaki nokta ha-
reketine biraz benzer yolla tamamen yoğun ve hızlı şekilde taranır. Toplayıcı sığaç
ve fotoçoğaltıcı tüpün birleşimi ile toplanan ışık herhangi anda deliğe rast-
layan slayt üzerindeki noktanın geçirgenliği ile orantılıdır. Bir (B/S) çevirici
fotoçoğaltıcı çıkışını bilgisayara aktanr. lO00x 1000 noktalı resim 20 sn den daha
kısa zamanda okunabilir.

'582
 Bilgisayara bilgi
verir ve alış

~ 8/S

tcü ~. dönüştürücü

Saptırma ; /
bobinleri
Katot ışın tüpü
/
1
~
1 Toplayıcı
FotoçO!)al tm
mercekler
görüntü.mercekleri Fotoğraf filmi veya Slayd
Şekil 21-25 Hızlı nokta sistemi.

Çizgi tarama teknikleri kullanılırsa çizimler bilgisayara daha hızlı girilebilir.

Gelecek demetin şiddeti okumakta olan bilgiye bağlı olduğu için etkileşim
programı gereklidir. Zayıf kaliteli ya da karmaşık çizimler, kaydedilmesi düşünül­
meyen çizgiler ve izlenilen çizgideki aralıkları doldurmak için elle yardım edilebilir.
Noktasal tarama tekniği mikrofilm üzerine bilgisayar çıkışını kaydetmek
için bir yöntemdir. Mikrofilm veya mikrofiş üzerine resim veya alfa sayısal veriyi
kaydetmede kullanılan ticari birimler vardır.
Metin ve çizimler genellikle büyük katot ışını gözlem tüpü içeren grafik uçlar
üzerinde gösterilebilir. Bilgisayardaki veri, bilgisayar belleğin bir kısmı olabilen
küçük yardımcı belleğe yüklenebilir. Bilgi, o zaman doğrudan kontrol amacıyla
katod ışını üzerinde periyodik olarak gösterilir. Bilgi yeterince çabuk yenilenmez-
se sonuçlar oynar. Bu herhangi bir anda gösterilebilen bilgi miktarını sınırlar. Bir
minibilgisayar büyük bilgisayar ve grafik ucu arasında aracı olarak işleyebilir. Gra-
fik uçlar özel amaçlı minibilgisayar düzenlemeleri için .çok amaçlı çıkış aletleri
gibi geniş kullanım kazanmaktadırlar.

KAYNAKLAR

21-1 D .. A. Beli, lnformation Theory and lts Engineering Applications, 3d ed.,

Pitman Puplishing Corporation, New York, 1962.
21-2 W. R. Bennett and J. R. Davey, Data Transmission, McCraw-Ilill Book
Company, New York, 1965.
21-3 Burroughs Corp., Digital Computer Principles, 2d ed, McGraw-Ilill Book
Company, New York, 1969.

583
21-4 F. F. Coury, ed., A Practical Guide to Minicomputer Application, lEEE
Press, New York, 1972. ·
21-5 D. Eadie, Introduction to the Basic Computer, Prentice - Hall, ine., Engle-
wood Cliffs, N. J., 1968.
21-6 L. E. Foster, Telemetry Systems, John Wiley Sons, ine., New York, 1965.
21-7 H. V. Malmstad, et al., Electronic Measurements for Scientits, W. A.Ben-
jamin, ine., Reading, Mass., 1974.
21-8 E. I. Lowe and A. E. Hidden, Computer Control in Process Industries,
Peter Peregrinus, Ltd., London, 1971.
21- 9 C. E. Lowman, Magnetic Recording, McGraw-Hill Book Company, New
York, 1972.
21-10 M. H. Nichols and L.L. Rauch, Radio Telemetry, 2d ed, John Wiley Sons,
ine, New York, 1970.
21-11 H. Schmid, Electronic Analog/Digital Conversions, Van Nostrand Reinhold
Company New York, 1970.
21-12 Daiel H. Sheingold, ed., Analog-Digital Conversion Handbook, Analog
Devices ine., Norwood, Mass., 1972.

ALIŞTIRMALAR

21 - l Şekil 21-5 deki sistemde örnekleme hızının 30/sn olduğunu varsayınız.

Buna uygun üretilen en yüksek sinüs dalga frekansı (a) bir ideal ara değeri bulma
süzgeci kullanılırsa ve (b) pratik bir süzgeç kullanılırsa, nedir'?
21 - 2 Şekil 21-5 deki v s siny_al voltajının, Ek D-2 ve Şek. D-2 de gösterilen 0,01
sn periyodlu testere dişi şekline sahip olduğunu varsayınız. Temel frekans bileşe­
;ıi gcnliginin 0,1 i veya_daha büyüğüne sahip Fourier bileşenlerinin yayınlanacağını
düşünerek örnekleme hızı seçilir. Buna göre pratik gerekli örnekleme hızı nedir?

21 - 3 Bir sıcaklık ölçme sistemi 300°C lik bir kademe, 0,6° C !ık ayırma ve 5 sani-
yelik yükselme zamanına sahiptir. (a) kademenin yüzdesinde makul olan hatayı
tesbit ediniz. (b) Sıcaklık 24°C/sn oranında değişiyorsa sıcaklığın ardışık anlamlı
gözlemleri arasındaki minimum zaman aralığını bulunuz.
21 - 4 Tipik bir modern sayısal bilgisayar tek duyarlı modda, 24 atmalı kelime
uzunluğuna sahiptir. En küçük anlamlı atmayı 5 adımla göstererek ve uniform
kuantizasyon kullanarak yerden aya uzaklığı ifade etmek için bu kelimenin
yeterince uzun olup olmadığını bulunuz.
2) - 5 Bir ivme ölçer 0,5 gr !ık bir duyarlığa ve 50 gr lık tam-skala değeri ne sahip-
tir. 0,5-50 gr aralığında aynı miktara sahip %1 lik en büyük bağıl yanılgıyla <:ık ı­
şını kodlamak için kaç atma gereklidir?
21 - 6 Pratik uygulamalarda bartd sınırlı sinyal kavramı sadece eldeki sin:ı aller
için "etkin" band genişliği tammlandıktan sonra anlamlıdır. Aşagıdaki siny.ılleri

584
ve onlann bandgenişliklerini gözônüne alınız:
a) 60 Hz sinüs dalgaya sıfırdan pozitife geçtiğinde tetiklenmiş 6 atmalı seri ben-
zerlik sayısal çeviricinin çıkışı. Bu sinyal içinde maksimum frekans, atma hızının
5 katıdır.
b) Eğimli bölgede 150 ft lik iki hedef çözücülüğüne sahip bir radarın benzerlik vi-
deo çıkışı. Bu mesafe çözücülüğü yankı zaman ekseninde 300 nsn yeye karşılık
gelmektedir. Hz cinsinden bir etkin bandgenişliğine çevirmek için "başparmak
kuralı" zaman ekseni çözünürlüğünün tersinin kullanılmasıdır.
c) Bir piezoelektrik ivme ölçer, Alıştırma 18-7 de tanımlandığı gibi 5 KHz lik
sönümsüz doğal frekans ve 0,5 lik normalize edilmiş sönüm çarpanı ile kurulmuş­
tur. Bu dönüştürücünün çıkış sinyalinin yararlı bandgenişliği, Şek. 18-12 de dö-
nüştürücünün frekans cevabı verilenlerden ve cevabın en düşük frekans değeri
kere 1 ,05 e eşit olan en yüksek frekanstaıı bulunabilir.
Şimdi (a), (b) ve (c) de tanımlanan sinyaller için sırasıyla aşağıdaki üç
kanalın uygunluğunu gözönüne alalım: (1) 2500 Hz bandgenişlikli telefon hattı,
(2) 4 MHz bandgenişlikli ticari televizyon teyp kaydedicisi ve (3) 600 atma/sn
taşıyan telefon şirketi sayısal veri .seti.
21 - 7 Bir magnetik teyp A daigaboylu bir sinüssel dalga taşıdığında üretici çekir-
dek akı genliği için bir ifade türetmek amacıyla Kes 21-5b deki tartışmayı genişle­
tiniz. üretici çekirdek akısının, teyp boyunca d uzaklığında akı yoğunluğunun
integrali ile tam olarak orantılı olduğunu varsayınız. Bu ifadeyi kullanarak 4 dB
lik bir zayıflamanın daima u/2d kaydetme frekansında oluştuğunu gösteriniz.
Burada u teyp hızıdır.
21 - 8 Belirli bir devre osilograf galvonometresinin frekansa cevabının testi aşağı­
daki sonuçları veriyor:
Frekans, Hz o 200 400 600 850 1000 1200
Genlik 1,0 1,01 1,12 1,24 1,36 1,23 0,90
Başka denemeler galvanometrenin doğal frekansının 1000 Hz olduğunu gösteri-

yor. (a) 3dB noktasında galvanometrenin bandgenişliğini tahmin ediniz. (b)

Aynı galvanometre devresi basamak fonksiyonu biçiminde bir voltajla uyanlsaydı
galvanometrenin cevabı bir aşma gösterebilir miydi? Aşma varsa değeri ve ortaya
çıktığı zaman nedir?

21 - 9 Kaydedici bir galvanometrenin doğal frekansı 50 Hz ve direnci 10 ohm

dur. Dış devre direnci 190 ohm oldu-rı'unda normalize sönüm oranı 0,4 dür ve bu.
sönüm yansı bobinde indüklenen voltajın etkisindedir. Galvanometre sönümünün
0,6 vermesi için gerekli dış devre direncinin değeri nedir?
21 - 10 Bir osilograf galvanometresi 2000 Hz doğal frekansına ve 0,4 sönüm
oranına sahiptir. (a) 3dB noktasında yerleşen bandgenişliği nedir? (b) Maksi-
mum kabul edilebilir hata, genlik için % 12 ve faz için 20° ise bu galvanometre
hangi frekans bölgesinde kullanılabilir?

585
21 - 1l . Şekil
21-13 de gösterilen zaman tabanlı kodlama yönteminde benzerlik
değişkeninin sıfırdan lineer eğimin tepesine kadar değiştiğini varsayınız. Mak-
simum genlik için 1000 sayma olsun. Maksimum genliğin yüzdesi olarak, yalnızca
tek tek saymadan dolayı maksimum kodlama hatası nedir? Maksimum haı,a
durumlarını tasvir eden bir grafik çiziniz ( Şek. 21 - 13 e bakınız).
21 - 12 Zaman tabanlı kodlama en çok tüm ölçeğin % 0,05 i hatayla O la lCO
Volt arası ölçeklenerek düzgün olarak kodlama düzeyleri sağlar. Kaç kodlama
düzeyi gereklidir? İkili sayı sisteminde çıkışı kodlamak için kaç atma gerekli
olacaktır? örnekleml frekansı 1000 Hz olursa minimum sayma frekansı nedir?
21 - 13 Bir bilgi kanalı, ikili magnetik teyp üzerinde doğrudan SD kaydını kul-
lanarak sayısal formda kaydedilecek onluk sayıların serisini verir. Sayılar 8-4-2-1
kodu kullanılarak· ikili kodlanmış onluk formdadırlar. Eğer teyp hızının 30
inç/sn ve 400 atma/inç olmasına izin verilirse bir tek izde birim zamanda üç at-
ma: onluk sayıların kaç tanesi kaydedilebilir. Kodlama grupları arasında ve sayılar
arasında izin verdiğiniz yerler hakkında varsayımlarınızı söyleyiniz. Cevabını:~ı

bir grafikle gösteriniz.

21 • 14 Referans voltajındaki maksimum yanılgısı % 0,25 olan sayısal-benzerlik
voltaj çeviricisinde bilginin yokedileceği ikili durumların yerleri nedir?
21 - 1S Şekil 21-20 dekine benzer bir FM multipleks sistemini gözününe alalım.
Maksimum taşıyıcı sapmasının±% 5 olduğunu, en alçak merkezi frekansın 2 kHz
olduğunu magnetik teybin frekans sınırının 55 kHz olduğunu ve herbir yüksEk
bandın fc - life frekansının komşu düşük bandınfc + t-f/rekansının iki katı ol-
duğunu varsayınız. (a) Kanalların
uygun sayısını ve merkezi frekanslarını belirleyi-
niz. (b) En düşük kanalın fre-kans bandının 1.2 den 2 .8 kHz e kadar olan bölge
olduğunu varsayınız. Şekil 14-11 de kullanılan ölçüt uygulanırsa bu kanaldaki
kullanılabilen sinüs dalga sinyalinin en yüksek frekansı nedir?
21 - 16 özel amaçlı sayısal hesaplayıcılann kurgusunda verilen bir hesaplama hızı­
na erişmek içın emir hızı ve bellek büyiiklüğü arasında genellikle bir alış-ver:ş
vardır. Bu alış-veriş, hesaplama zamanı ve fonksiyon tablolarını yükleme için

gerekli bellek hacmi arasında bir dengeyi ifade eder. Bunu göstermek için 10 µs !ık
zamanda belirli bölgede yalnızca y = sin O fonksiyonunun lıes;,,ılauJığını gözönüı;­
de bulundurunuz. Bu 10 µs de 0,001 mutlak doğrulukla -20° ve + 20° aralığın­
da hesaplanacaktır. Bellek girişi, _toplama, çarpma ve bölme işlemleri için aynı T
zamanı gerektiğini varsayınız. Aynca bütün diğer işlem sürelerinin ihmal
edildiğini kabul ediniz. Aşağıdaki tasarımlara karşılık gelen üç noktayı kullanarak
gerekli bellek büyüklüğüne karşı gerekli T çalışma zamanının kaba bir eğrisini
çiziniz. (a) Yükleme fonksiyonuna alınız ve basitçe cevap arayınız, (b) fonksi-
yon ve onun ilk farklarının 11 yerde eşit olarak yüklendiğini varsayınız ve cevabı
elde etmek için lineer şekilde ara -değerleri bulunuz, (c) sin 8 = 8 -( o 3 /6) yak-
laşımını kullanarak fonksiyonu hesaplayınız.

586
21 - 17 Bir radarda, bir uydudan yankı genlikleri 512 düzeyinde, saniyede 100 ör-
nekleme oranında kodlanmıştır ve magnetik teyp üzerine kaydedilmiştir. Bu veriler
her artımı 0,01 inç olan saniyede 200 kalem konum hızı veren atmalı motor kulla-
nan sayısal grafik çizici ile zamana bağlı olarak çizilecektir. (a) Bu grafik çizi-
cisi gerçek zamanda işletilebilir mi? (b) 5 dakikalık uydu geçişi için (t ekseninde)
kaç grafik adımını tavsiye edebilirsiniz? (c) 5 dakikalık uydu geçişi için minimum
olarak tavsiye edilen çizme zamanı nedir? Maksimum nedir?
21 - 18 Şekil21 -25 deki tarama sisteminde optik sistem ve fotoçoğaltıcı grinin
16 düzeyini ayırmak için yeterli çözmeye sahiptirler. Bir B/S çevirici çıkışı, re-
simdeki herbir nokta için 5 ikili atma (seri fonnatta) vermektedir. Eğer lO00xlO00
noktalı resim 50 sn de okutulacak olursa B/S çıkişı atma hızı ne olur?

587
A
Fiziksel Sabitler, Birimle·r için
Kısaltmalar ve Çarpma Katsayıları

A-1
Fiziksel Sabitler

Sembol Nicelik Büyüklük

Ao Angstrom ıo- 10 m
C Işık hızı 2,998x10 8 m/s
e Elektron yükü 1,602xl0- 19 coul
ev Elektron Volt olarak Enerji 1,602xl0- 19 J
h Plank sabiti 6,626x10- 34 J -s
k Boltzmann sabiti 1,380x10- 23 .J / der
m Elektron kütlesi 9,109xl0- 31 kg
E
o Boşluğun diclektrik sibiti 8,855xıo- 12 1"/m
JJo Boşluğun mağnetik geçirgenliği 4rrıo- 7 =1,257xıo- 6 H/m

A-2
Birimler için kısaltmalar

Nicelik Kısaltmalar Nicelik Kısaltmalar

Angstrom Ao Farad F
Saniyedeki dönme Hz Gauss G
Desibel dB Henry H
Derece Joule J
o
Kelvin derecesi K Kilohertz kHz
Elektron volt eV Lümen im
Mega Hertz mHz Milijoule mj
Mikroamper µA Newton N
Mikrofarad 'µF Ohm n.
Mikrosaniye µS Radyan Rad
Mikrovolt µV Saniye s
Milivolt mV Volt V
Miliamper mA Watt w
Milihenry ıiiH Weber Wb

588
A-3
Çarpım katsayıları ve örnekler

Sembol örnek Katsayı örnek

T Tera 1012 Tn teraohın
G Giga 109 GHz gigahertz
M Mega 10 6 Mn megaohm
k Kilo 103 kn kiloohm
m Mili 10-3 ınA miliamper

/J Mikro 10-6 µA mikroamper

n Nano ıo-9 ns nanosaniye
p Piko ıo-12 pF pikofarad

589
 B
Seçilmiş, transistör verileri
ve belirtgenleri

B-1
3N128 N - kanal azaltıcı-tip MOYİAET nin
RCA tipi üzerinde seçilmiş ayrıntılı veriler

TA= 25°c deki maksimum Değerler

(TA = oda sıcaklığı)

Kaynak ve gövde.
tooraklanmış!Tıl=25°C
Oda sıcaklığı

-- ....o
25
Geçit-kaynak voltajı-volt (VGsl= +1
1
1-ı
Ol
D. 20 ·
E +O 5
aı:
•rl
.-t
•rl
E
rl
15 o
E
rl
.Y.
aı
10 - 5
rl

+>
u
rl
rl
-,
.Y.
c:ı: 5- -ı,5

() 5 ~ ~ 20
Akıtıcı-kaynak voltajı -v05
(ol

1.Akıtıcı
2.Kaynak
3 Yalıtılmış geçit
4. gövde ve l
kap
4 (b)

Şekil B - 1 (a) Tipik akıtıcı belirtgenleri, (b) bağlantı uçları.

590
Akıtıcı - kaynak voltajı, VDS +20 V
Geçit-kaynak voltajı, V GS + 1, -8 V
Akıtıcı akımı, Io 50 mA
Transistör kaybı 330mW

TA = 25 °c deki Elektrik belirtgenleri

Sınırlar

Min Tip Mak. Birimler

Geçit sızıntı akımı 0,1 50 pA

(V DS = O, VGS = -SV)
Sıfır önbesleme akıtıcı akımı 5 15 25 mA
(V DS = 15 V, VGS = O V)
İleri karşılıklı aktanm 5000 7500 12.000 ı-ımho
(Vos=15V,In=5 mA, f=lkHz)
Gürültü sayısı 3,5 5 dB

B-2
Motorola tipi 2N3796 N - kanal çoğaltıcı MOYIAET nin
üzerinde seçilmiş ayrıntılı veriler

TA = 25 °c deki maksimum Değerler

Akıtıcı-kaynak voltajı, VDS 25 V

Geçit-kaynak voltajı, V GS ±30V
Akıtıcı akımı, 1D 20mA
Transistör kaybı 300mW

TA = 25 °c deki Elektriksel Belirtgenler

Sınırlar

Min Tip Mak. Birim

Akıtıcı-kaynak kınlma voltajı 25 30 V

(V Gs=-4,0 V, •o= 5,0 ı-ıA)
Geçit ters akımı 1,0 pA
(V 08 = 10 V, V GS =OV, f=l,O kliz)
İleri karşılıklı aktarım 900 1200 1800 ı-ımho

(Vos = 10 v, V GS =OV, f= 1,0 kHz)

591
 2or·--------....--.----.--T""---.---,-----,-"-T""--,

18 -

14

<l 12 +5
E
1
rl
u
rl rl
~~10
,Y,:f.
ro. «ı
...
ö

8
+3

6
+2

4
+1

~~~~~~~~~-~-~-;;-;;-~-;;~~=;;=;;=;;~=;;~~-0.5
,__

2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
-1 .O
-1.5
26
V05 ,Akıtıcı kaynak voltajı-volt

Şekil B - 2 Tipik akıtıcı bclirtgenleri.

592
8-3
2N5135 küçük-sinyal genel maksatlı silikon NPN transistörün
Fairchild tipi üzerinde seçilmiş ayrıntılı veriler

Maksimum Değerler

Toplayıcı-taban voltajı,VeBO 30 V
Toplayıcı-yayıcı voltajı,
VeEO 25 V
Yayıcı-taban voltajı, VEBO 4,0V
Transistör kaybı PT, 25° e lik oda 0,625 W
sıcaklığı civarında
Toplayıcı akımı, le 200mA
25°e Oda Sıcaklığında Elektriksel Belirtgenler
Sınırlar

Min Mak. Birim

hFE• d. a. puls akım kazancı 50 600

(V eE = 10 V, le= 10 mA)
ı hre ı,eE nin küçük sinyal akım 2,0 15
kazancı büyüklüğü
(V eE = 10 V, le= 30 mA, f = 20 mHz)
BV eEO toplayıcı - yayıcı kırılma voltajı 30 V
(VBE = O, le= 100 µA)
BV EBO, yayıcı-taban kırılma voltajı 4,0 V
(le= O, lE = 10 µA)
leBO• toplayıcı kesilim akımı 300 nA
(VeB=15V,lE=0)
fT, akım kazanç bandgenişliği çarpımı 40 MHz

593
 50.---,---,--..---,,,---,---.---,--,--....-----, 50.---~---.---r----.--""T""-....---.--,---.---.

40 40
.., .-i
E E
.-i .-i
.:,r_ .:,r_
ro ro
.-i .-i
tl tl
.-i .-i
>- >-
ro ro
...;
...;
fr
ı-
20 fr
ı-
20

-ü ~

10 10
002 mA
00.___.__ _..___L,___.__ _.__ _.___,! _=__,_L_...,____,
8 O

10 20 30 40 50 10 20 30 40 50
~E,foplayıcıdan yayıcıya voltaj-volt ~EToplayıcıdan yayıcıya voltaj-volt

Şekil B-3 TA= 25°c ve TA= ıoo 0c için toplayıcı belirtgenleri.

B-4
2N5226 küçük-sinyal, genel maksatlı silikon PNP
transistörün Fairchild tipi üzerine seçilmiş ayrıntılı veriler

Maksimum Değerler

Toplayıcı-taban voltajı, VeBO -25V

Toplayıcı-yayıcı voltajı, VeEO -25 V
Yayıcı-taban voltajı, VEBO -4V
Toplayıcı akımı, le 500mA
Transistör kaybı, PT 0,625 W
25° e oda sıcaklığında
Elektriksel Belirtgenler (25°e Oda Sıcaklığında)
Sınırlar

Min. Mak. Birim

hFE• d. a. puls akım kazancı 30 600
(V eE = -10 V, le= 50 mA)
hfe• küçük sinyal akım kazancı 30 1800
(V eE =-10 V, le= 50 mA, f = 1,0 kHz)
BVeEO• toplayıcı-yayıcı kırılma voltajı -25 V
(IB = o, le = - 10 mA)
BV EBO• yayıcı-taban kırılma voltajı -4 V
(le= O, IE = -100 µA)
leBO• toplayıcı kesim akımı (V eE = -15 V, IE=O) 300 nA
fT, akım kazancı bandgenişliği çarpımı 50 MHz
(le= -20 mA, VeE = -10 V)
B-5
2N6177 yüksek voltaj, ortalama güç silikon NPN
transistörün RCA tipi üzerine seçilmiş ayrıntılı veriler
Maksimum Değerler

Toplayıcı-taban voltajı,VeBO 450 V

Toplayıcı-yayıcı tutma voltajı, VeED (tut) 350 V
Yayıcı-taban voltajı, VEBO 6V
Toplayıcı akımı, le 1,0A
Taban akımı IB 0,5 A
Transistör kay hı, PT 25°e de 20W
(transistörün kutu ısısında)
Transistör kaybı PT 25°e oda sıcaklığında 0,8W

595
<
E g
o-i
E .Y.
o-i ro
.Y.
«/ o-i
u
o-i o-i
u >-
>- ro
ro ......
......
C.
o
§- 20
ı--
ı-­
~

10
-0p6 mA

TA = 2s·c -0,03 mA

o -10 -20 -30 -40 -50 -60 o -ıo -20 -30 -40 -50 -60
VcE ,Toplayıcı volta_i-volt Vcr,Toplayıcı voltaj

Şekil B-4 TA= 25°C ve TA= ıoo 0 c için toplayıcı ve taban belirtgenleri-
nin aktif bölgesi.
 Toplayıcı-yayıcı voltajı IVcEl = 10 V Kutu sıcaklığı (Tel= 25°C
100 1.2 '
2 '1,1
1,8 cı:
cı: E
E 1,6 1 80
1
...
aı 1,4
1,2
Ü
ö
,-ı
E
60 .6
..ı
E 1 ,-ı 0.5
..ı ~
~ 0,8 n:ı 04
«J
0,6
,-ı
u 0,3
C ..ı
«J
.c 0,4 >, 20 O.?
«J
ı- 0;2
....,«J Taban akımı(! l = O I mA
a.
o
04 0.6 0.8 ı-
o 20 40 60 80 100 120 140
Taban'-yayıcı voltaj (V9 El - volt Toplayıcı-yayıcı voltajı ( VcE l - volt
(o~ (bl

Şekil B-5 (a) Tipik giriş belirtgenleri, (b) tipik çıkış belirtgenleri.

V,
I
\0
-.J
Elektriksel Belirtgenler (25°e Kılıf Sıcaklığında)
sınırlar

Min. Mak. Birim

leED' taban açıkken toplayıcı kesilim akımı 20 µ.A

(V eE = 300 V, 18 = O)
IEBO• yayıcı kesilim akımı (V EB = 6 V) 20 ıı-A

hFE d. a. ileri akım aktarım oranı 30 150

(V eE = 10 V, le = 50 mA)
VeED (tut), taban açıkken toplayıcı 350 V
yayıcı tutma voltajı (le= 50 mA)
VeE (doy), toplayıcı- yayı~ı doyum voltajı 0,5 V
(le= 50 mA, 1B = 5 mA)
· hre• alçak frekans, ortak - yayıcı, küçük 25
işaret, kısa devre ileri akım aktarım oranı
(f = lkHz, VeE = 10 V, le= 5 mA)
1 hre 1, ortak yayıcı, küçük işaret kısa devre, 7
ileri akım aktarım oranının büyüklüğü
(f = 3 MHz, VeE = 20 V, le= 20 mA)

B-6
2N626 l orta - güç silikon NPN transistörün RCA tipi üzerine seçilmiş
ayrıntılı
veriler

Maksimum Değerler

Toplayıcı-taban voltajı, VeBO 90 V

Taban açıkken, toplayıcı-yayıcı voltajı, VeEO 80 V
Yayıcı-taban voltajı, V EBO 'i V
Sürekli toplayıcı akımı, le 4A
Sürekli taban akımı, 18 2A
Transistör kaybı kılıf.sıcaklıklarından 25° ye kadar, PT 50 W
Transistör kayıbı oda sıcaklığından 25° ye kadar, PT 5,8 W

598
Elektriksel Belirtgenler (25°e Kılıf Sıaklığında)
Sınırlar
Min Max Birim

leEO taban açıkken toplayıcı kesiliın akımı 0,5 mA

(V eE = 60 V' da)
IEBO• yayıcı kesilim akımı (V :ırn = 7 V) 0,2 mA
hFE; d. a. ileri akım aktarım oranı 25 100
(VeE = 2 V, le= 1,5 A)
VeED (tut), taban açıkken toplayıcı-yayıcı 80 V
tutma voltajı (le= 0,1 A)
VeE (sat), toplayıcı-yayıcı doyum voltajı 0,5 V
(le= 1,5 A, In ~ 0,15 A de)
fhfe• ortak yayıcı, küçük işaret, kısa 0,03 MHz
devre, ileri akım aktarım oranının kesilim frekansı

599
 Toplayıcı-yayıcı Kutu sıcaklı1'.Jı ncı = 25° C
80 voltajı-volt
<I .u ,.~ <
1
E
1 64 :c
il 'r<J
, .... 3' 2.0 _so7~
..... I
~
!:.., / rl t====.::_-tı_456
..-ı
E
48 ;ı 1.5 48
..-ı ~/ .:,,:. 40
.::{_
32 -::7 <il 32 24
.<il
C (;
';{ d
..-ı
1·Taban akımı(I 9 )= 16mA
<il >-
ı;ı
75
ı-
16 x,--> /. !l 0.511-----------ı
+-0,, C.
o
.-,"' ı-

o o,5 ı,o ıi5 2.0 2,5 0 10 20 30 40 50 60

Taban-yayıcı voltajı-voltlV9 E)- volt. Toplayıcı yayıcı voltajııvcEl- voıı.
(o) (b)

Şekil B-6 ( a) Tipik giriş belirtgenleri, (b) tipik çıkış belirtgenleri.

C
Devre Değişkenleri Arasında Dönüşümler

C-1
z, y ve h değişkenleri
arasındaki bağıntılar

'
z, y ve h değişkenlerini kullanan temel devre denklemleri, Denk. (2-133) den
(2-138) e kadar verilmiştir. Denklemlerin bu çiftlerinin determinantlan Denk.
(2-143) içinde verilmiştir. Burada tekrar yazıyoruz.

Şebeke değişkenleri arasındaki ilişkiler aşağıdaki şekillerde yazılabilirler:

Yo Zo 1
z.=-- y. = - - =
ı ~ 1 ~ Yi

Yr
z =---
r t:,,y

1 1
zo =
~

C-2
h değişkenli transistör modeli ve devre uygulamaları

Bölüm 6 • 8 de CE bağlantılı transistör için h değişkenleri verilmiştir. Fakat bura-

da ek açıklamalar gereklidir. Burada tekrar edilen, (6-51) ve (6-52) temel denklem-
leri ile başlıyoruz:

Vb = hie 1b-thre Vc (C-1)

le = bre 1b + hoe Vc (C - 2)

601
Alçak frekans h 'lerin tanımını V c = O veya Ib = Ö olarak elde edebiliriz.

hie = ( +)V·
b
y = 0 = çıkış kısa devre iken giriş impedansı
C
(C - 3)

V
hre = ( y: )ıb = o = giriş açıkken ters voltaj kazancı (C - 4)

le
hre = ( ~ ) y c = o= çıkış kısa devre iken ileri akım kazancı (C - 5)

1
hoe = ( -ef-- )ı _ 0 = giriş açıkken çıkış admittansı
Cb-
(C -6)

Bu tanım denklemlerinde, h ler alçak frekans değerleri gibi "dikkate alınır ve ger-
çek miktarlar için semboller kullanılır.
İleri kısa devre akım kazancı olarak adlandırılan hfe• transistörün yükseltme
özelliğini ifade eder. hfe nin Denk. (5-6) da tarif edilen (J sembolü ile aynı olduğu­
na dikkat ediniz. Alçak frekansda hie çıkış kısa devre olduğu zaman, giriş di-
rencinin temel parçasını gösterir. Sık sık hre ve h 0 e değişkenleri, devre çalışması
üzerinde, sadece küçük etkilere sahiptirler ve böylece onların etkileri ihmal edile-
bilir.
h değişkenleri, transistör belirtgenlerine nasıl bağlanabilir? UCE' USE' is
ve i c toplam değişkenleri ifade ederler. O zaman alçak frekans h değişkenleri,
kısmi türevler olarak ifade edilebilir.

h re = (C- 7)
UCE = sabit is =sabit

h oe = (C - 8)
l>cE = sabit is = sabit

Bu bağıntılar,transistörün belirtgen eğrilerinden h değişkenlerinin nasıl elde

edilebildiğini gösterir. örneğin hoe• Q. noktasında toplayıcı voltajına karşı topla-
yıcı akımın eğrisinin eğiminin tersidir. Pratikte h değişkenleri özel test devrelerin-
de ölçülebilirler.
Şimdi, Şek. 6-17 de modeli yapılmış CE yükselteci üzerindeki bazı hesapla-
malar için 8öl. 6-8 de verilen küçük transistör h değişkenlerine sayısal değerler
vereceğiz. h değişkenleri:

602
 hie = 18(,0 n hre = 2,ıxıo- 4

hfe = 60 h 0 e = 8xıo- 6mho'

Bu amaç için R 5 = O ve wC yeter ölçüde büyük vaı~ayılarak giriş ilmek impedamsı

=
Z l\e ye düşer. Bundan başka, RL = 2 K n kabul edildiğinden ilk hesaplamaija
hre ve h 0 e ihmal edilebilir. O zaman DenL. (6-54) ün uygun olarak kullanılma-
siyle ·

-60
- 66,7
( 1800/2000)

bulunur.
Yaklaşıklığın ne olduğunu belirlemek için, Av yi tam olarak hesaplayalım.
Bu amaçla ~h ı hesaplamak için Denk. (2-143) ve Av yi hesaplanıak için Denk.
(2-147) kullanılır ve·

olur. O halde

-60
-0-,0-0_1_8_+_0_,0_9_0_0_ = - 66 •5

bulunur. Böylece bu örnekte yaklaşık hesaplama% 0,3 civarında hatalıdır.

Transistör, ortak toplayıcı veya ortak taban devresinde bağlandığı zaman
transistör için h değişken devre modelinin aynı şekli kullanılır, fakat değişken
değerleri farklıdır. Böylece sırasıyla, ortak-toplayıcı ve ortak-taban için hic•

hrc• hfc• h 0 c ve hib• hrb, hfb, h 0 b sembollerinin hepsi elde edilir. Bu değişkenler,
karşılıklı bağlantılıdırlar ve Tablo C - 1 de bu bağıntıların bazıları verilmiştir.

Değişkenlerin bir takımı bilinirse ötekiler hesaplan~bilir.

Tablo C - 1 CE ve CC Değişkenleri Arasındaki Yaklaşık Dönüştürme Bağıntıları.

603
D
Elektrik Devre Hesaplamalarına Bir Uygulama
Periyodik Fonksiyonların Fourier Çözümlemesi

Dalga şekillerinin bir çoğu elektronik çalışmada periyodiktir. örnek olarak;

aralıklı pulslar, testere dişi dalgalar, yanın ve tam dalga doğrultucular verilebilir.
Pratik sistemlerde, sinüs olmayan bu dalgalar kosinüs ve sinüs terimlerinin sonsuz
serisi ve bir sabit terimin toplamiyle ifade edilebilir. Lineer devre hesaplamalarında,
sinüs olmayan voltaj veya akım kaynaklarını eşdeğer Fourier serisi ile ifade etmek
yararlıdır. O zaman serinin ayn ayn her bir teriminin dikkate alınmasıyle ve
etkilerin üstüste bindirilmesiyle devre çıkışı hesaplanabilir. Bu hesaplamalar,
çok uzun zaman almasına rağmen (sayısal bir bilgisayarla toplanamaz ise), Fourier
serisi kavramından elde edilen ve olayın iç yüzünü aydınlatan bilgiler,ekseriya çok
değerlidir. Fourier serileri, bilgi için gerekli olan bandgenişliği ile atma şekli
arasında bağıntı kurmak için de kullanılırlar.
Bilinen bir periyodik fonksiyon f(t) nin ele alındığını düşünelim, öyle ki bu
kosinüs terimlerinin ve benzer olarak sinüs terimlerinin sonsuz serisinin toplamı
ve sabit bir terimin toplamiyle ifade edilmiş olsun; böylece,
a 21rt 21rt
f(t) = -f- +n~
oo
1 an cos(n ~
00
:\:
) + n= 1 bn
.
sın(n-T-) (D -1)

olur. Burada, f (t), T periyoduna sahiptir. Sabit terim, fonksiyonunun ortalama

değeri olarak görülür, yani,

~o = [f(t)] 0 rt."' +/ 1' f(t) dt (D- 2)

dir. _an ve bn katsayılarının değ.erlerini bulmak için (D-1) eşitliğinin her iki tarafı
cos n(21Tt/T) veya sin n(2nt/T) ile çarpılır. Çarpma ve bir periyot üzerinden
integral alma işleminden sonra Denk. (D-1) in sağında sadece bir terim sıfır olmaz.

+ T/2
2 21Tt ·
f an cos (n---) <it w:,a (D-3)
-T/2 T
1
dür. Bu terimler, _ _!_ anT veya - - b T olarak hesaplanır. Böylece aşağıdaki
2 2 n
sonuç

604
 +T/2
f f(t) cos (n 2 7ft ) dt
T
-T/2
+T/2
b=~ f f(t) sin (n ...21!L_ ) dt
n T
-T/2 T
bulunur. (D-1) eşitliğinin sağ tarafındaki bilinmeyen katsayıların, (D-2) ve (D-4)
denklemlerinden hesaplanacağını görüyoruz.

Bu seriler, Denk. (D-1) ve (D-4) içinde 27T/T ile w nin yerdeğiştinnesiyle

w cinsinden ifade edilebilir.

ao 00
f(t)=-- + ~ (an cos nwt + bn sin nwt) (D-5)
. 2
n=l

bulunur. Burada,
+Tr/w
w
~=-- J f(t) cos nwt dt
1T
-rrı~"

+Tr/w
b =-w-
n 7T
J f(t) sin nwt dt
-Tr/w

dir.
Fourier serilerinin kısa şekli, karmaşık üstel fonksiyonların kullanıl­
masıyle elde edilebilirler. cosx=(~x+e-jx)/2 ve sinx=(~x-e-jx)/2 j eşitlikleri
yazılabilir. Bu şekiller, eşitlik (D-1) içinde gösterilir ve sonuç düzenlenirse,
Fourier serilerinin aşağıdaki şekillerde ifade edilebileceği gösterilebilir:

f(t) = +,t cnJn.(2rrt/T) (D - 6)

n=-00
Burada,
ao 1 d+T
C =-- =-- f(t) dt
O 2 T I
d+T - "n (21rt/T)
C. = ___l__ J f(t) e J dt
n T
d

605
dir. Burada d, integral için ekseriya O veya -T/2 gibi uygun başlama noktasındaki
zamandır. en katsayılannııi genellikle· kompleks sayılar olduğunu belirtelim.
Denklem (D-6) Fourier serisinin kompleks üstel şeklini verir.
Örnek 1 : İlk olarak (D-1) de görülen kare dalganın Fourier serilerini bula-
lım. (D-6) eşitliği için de serileri kullanır, d=O seçer ve c 0 ı hesaplarız.

1 T/2 T
C =-- J dt + J (- 1) dt = OJ
o T
o T/2

T/2 T
en=-} [ of e -jn(21rt/T~t + J (-1) e -jn(~TTt/T)dt]
T/2

jn21T

Fakat, n tam sayı ise, e-jn11 =cos 011 -j sin n11 =Cos 011 = (-1) 0 olur. O zaman, n
tek için (e-i 011 -1) 2 = (- 2) 2 ven çift için sıfıra eşit olur. Böylece

( -2)2 2
. Cn = n=l, 3, 5, ... için
jn2TI jn1T

n=2, 4, 6. . . için

Şekil D - 1 Kare dalga.

606
Bu sonuçlan Denk. (D-6) da kullanırsak f(t) yi buluruz:

2e,i(21Tt/T)
2e j3(27Tt/T) 2Jn(2 ırt/T)
f ( t ) = - - - - .,.. + ... - ~ - - - - - n--,. oo a kadar
j'TT j31T jnTT (D -· 7)

2e -j(2m/T) 2e --j3(2TTt/'I'J 2 eJn(2TTt/T}

+ + + ... - - . n ➔ - 00
kadar
-j'TT -j3'TT Jn'TT
(D- 7) eşitliği içindeki benzer terimlerin birleştirilmesiyle aşağıdaki seri elde edilir :

4 21Tt 4 61Tt
f(t) == -7T- sin - T- + ·
3TT sın --T- + ... - (D-8)

.. \
Ornek 2 : Şekil D - 2 içindeki testen, dişi dalganın benzer analizi, bu dalga
için, Fourier serisinin aşağıdaki şekilde olduğunu gösterir :
2 1
f(t) == - - ( sin wt - -- sin 2wt
'IT 2
1 . . (D- 9)
+ - - - sın 3 wt+ ... )
3

Şekil D - 2 Testeredişli dalga.

örnek 3: Şekil (D-3) de görülen doğrultulmuş yarım dalga için Fourier se-
risi aşağıdaki gibidir :

f(t) == -TT-
1 + -
1 - cos -21rt
T- +
2 cos
37T 2 . -T~ ---=2=-----
11"
21Tt
cos 4 . -T-+ ...
2 15
(D - 10)
Bu serinin ilk birkaç teriminin grafiğini çizip, ordinatlarını toplayıp yeni bir
grafik elde ederek toplam serinin esas fonksiyona nasıl yaklaştığını görmek
öğreticidir.
Şimdi bir devre problemine, Fourier serisi tekniğinin uygulanmasına döne-
lim. İdeal voltaj kaynağının, Şek. D-2 deki gibi testeredişli dalgaşekline sahip
olduğunu kabul edersek Denk. (D-9) dalgayı temsil edecek şekilde, voltaj terimle-

607
 J31. o
s_2_T~••_. ./\_-=-=:!~•
T
2
T zamao-t

Şekil (D - 3) Doğrultulmuş yarım-dalga.

rinin bir serisini verir. Bir R direnci ve bir L indüktansı kapsamına alan bir seri dev-
re üzerine bu kaynağı etki ettirelim. Akımın değeri nedir? üst üste koyma ilkesini
kullanalım. Yani her bir voltaj terimi yalnız başına etkidiğinde oluşacak akımı

radyan olarak 2w
impedansı
lık frekansa ve - +
hesaplayalım ve bu terimlerin toplamını bulalım. örneğin ikinci voltaj terimi

V
bu frekansta R+ j2w L dir ve sonuçta oluşan akım, •
genliğe sahip olur. RL devresinin

(D-11)

dir. Burada,
- 1 ....2.wL_
-~$2 = tan R
dir. Her bir voltaj terimi bir akım terimi oluşturur ve toplam akım

2sin(wt-q, 1 ) sin(2wt-<1> 2). 2sin(3wt-q, )

3
i ( t)
i(R 2 +w2ı.2) /2 - TT(Jl2 +~2ı.2) !/ 3ntR2 +9w2ı.2) 1'2+ ...
1 1 (D -12)

dir. Burada faz açısı, ıf>n= tan- 1 (nwL/R) olarak verilir. wL>>R olduğu
zaman (D - 12) içindeki daha yüksek frekans terimlerinin hızlıca azaldığına dikkat
ediniz. Buna _göre 3w lı terimi yaklaşık olarak birinci terimin bir bölü dokuzudur.
önceki örneklerdeki dalgalar simetrik tiplere sahip olduğundan sadece kosi-
niıs veya sinüs serilerine ihtiyaç vardı, .fakat genel olarak her iki seri gereklidir.
Simetrinin etkisine bağıntılı sorular ve Fourier serilerinin ilgili sınırlamaları bu
incelemenin ana amacının dışındadır.

608
E
İletim Hatları
Gecikme Hatları

E-1
Giriş

Voltaj ve akımın belli bir anda, aletlerin farklı parçalarını birleştiren tel bo-
yunca her noktada aynı olduklarını varsaydık. Bununla birlikte, teller uzunsa veya
sinyaller yüksek frekanslar veya hızlı pulslara sahipse tek akım ve voltaj var-
sayımı geçerli değildir. Gerçekten dalgalar veya pulslar iletken boyunca sınırlı bir
hızla ilerlerler. Bundan başka, dalgalar hattın sonundan yansıtılabilir ve o zaman
ilerleyen dalga ile birleşirler.
Sinyalin hat üzerinde geçişinde gecikme zamanı bazı durumlarda problem
yaratabilir fak.at uygun bir düzenleme ile pratik olarak kullanışlı bir son nokta
elde edilir. örneğin, yüksek hızlı Kİ, osiloskobunda yatay tarama için te-
tikleme voltajı geciktirilmezken düş0y saptırın.-. için sinyal osiloskobun içine
suni qlarak yapılmış gecikme hattı üzerinden gönderilir. Sonuç olarak tarama,
sapma başlamadan öncP başlayabilir ve dalganın başlangıcı çok açık olarak
gösterilir.
Bu karmaşık konudaki özetimiz, yay;lma hızı kavramına götüren kayıpsız
iletim hatlarının kayıplarını kapatacak ilerleyen .ve ters dönen dalgaları ve
hattın belirtgen impedansını kapsamaktadır. Sonra, uçtaki impedanstan yansı­
maları ve kullanışlı gecikme hatlarını tartışacağız.

E-2
İletim hatlarındaki dalgalar;
yayılma hızı;
belirtgen impedans

Şekil E-1 iletim h~tlarının iki genel şekilini resimlendiriyor. Kesim (a), açık hava
telefon hatlarına benzer olan ve bilinen iki telli hatı gösteriyor. Kesim (b) de iç
iletke_nle dış iletkeni di-elektrik katı madde ile ayrılmış, ortak eksenli
kabloyu göstermektedir.
Dalga hareketinin bazı temellerini yeniden gözden geçirmek için, sinüs volta-
jını, iki tel hattının gönderme ucu S den anahtarlandığını düşüneceğiz. Hattın
uzunluğu boyunca, voltaj dağılımından t saniye sonraki şekli, Şek. E - 2 deki
1
kesiksiz çizgi şeklini alacaktır. Bu dağılım, hattın fiziksel karakteristiklerine bağlı
olarak bir u hızı ile sağ tarafa doğru hareket edecek fak.at bir açık tel hattı için bu
hız ışık hızına çok yakın veya 3xıo 8 m/s olacaktır. Şekil,aynı zamanda daha son-

609
 1
{Yalıtma

\1.)
sı

~
1
()
1-x--1 d----
iletken iletken
(o)
(bl
Şekil E · 1 (a) İki tel hattı ve (b) kaoksiyal ortak eksenli kablo.

raki bir t 2 anında yeri değişmiş dağılımı gösteriyor. Eğer dalgaboyu l'.., frekans
f ve u hızı arasındaki bağıntıyı u = ı,.,f, veya ı,., = u/f tekrar hatırlarsak, belirli
bir dalganın dalga uzunluğunu hesaplayabiliriz.
,, de J..e t 2 de
i
,, -.....,.__.\!
,. ' 1
/ ' 1
o 1
t
-y-· ' 1
d

Şekil E- 2 t 1 ve t 2 zamanında bir iletim hattının voltaj dalgalan, t 2 < t 1 dir.

Böylece 10 MHz lik bir sinyal bir açık tel hattında 30 m lik bir dalgaboyuna
sahip olur. 2 veya 3 m den daha uzun herhangi bir hat, 10 MHz lik sinyal için bü-
yük bir direnç ve indüktans kümesinden çok uzun iietim hattı olarak düşünülmek
zorundadır.
Şimdi Şek. E - 3a da görülen sembolleri kullanarak, kayıpsız hadan tartı­
şacağız. Yüksek frekanslı sinyaller veya pulslar için direnç kayıplan ve sızıntı ka-
yıplan, genellikle yeterli ölçüde doğru olan yaklaşık bir teoriyi elde etmek için

önemsenmiyebilir. L, birim uzunluk başına indüktans, C de birim uzunluk başına

-i,t
t1
e,
ı.
f
e
-l
İd

ed !T!
1
Löx
1
1 1 1
1
l Cöf l
'(__x~i l--öx--l
lal (bl

Şekil E · 3 {a) Voltaj ve akım sembolleri, es= gönderme ucu, ed = yük ucu
voltajı olarak tarif edilmiştir, {b) & kayıpsız hattın temsili.

610
sığa olmak üzere, Şek. E - 3b de olduğu gibi kayıpsız hattın f>.x- boyca kesiti,
Lılı indüktansı ve Cılı sığası ile temsil etlilebilir. ılı uzunluğunda Ux indüktansı
nedeniyle oluşan hat voltajı değişimi ve ılı uzunluğunda Cılı ..sığası nedeniyle
hat akımının değişiminin hesaplanması ve sonrıı ılı in sıfıra yaklaştırılması ilt:
voltaj ve akımı idare eden diferansiyel denklemler:

(E - 1)
ax2

ve
(E - 2)
at 2

bulunur.
Bu denklemlerdeki e ve i, x ve t nin her ikisinin de fonksiyonu olarak temsi} edi_l-
miştir. (E - 1) ve (E - 2) niri aynı şekilde olduklarına dikkat edilmelidir. Bu ne-
denle, akım ve voltaj için çözümler benzerdir.
Sonra u gösterimini aşağıdaki gibi tanımlayalım:

U= -_1_ (E - 3)
~
Aşağıdaki şekillerdeki terimlerin, kısmi diferansiyel eşitlik (E - 1) i sağlayacağı
yerine koyma ile görülür.

f(x - ut) ve g(x + ut) (E - 4)

(E - 4) içindeki terimler, ikinci türevlere sahip oldukları varsayılan keyfi fonksi-

yonları temsil eder. Herhangi özel durumda, "fonksiyonlar başlangıç koşullarını
sağlıyacak şekilde seçilmelidir. Şimdi voltaj aşağıdaki gibi ifade edilebilir:

e = f(x - ut) + g(x + ut) (E - 5)

Sağdaki terimler iki dalgayı temsil ederler, ileri hareket eden dalga f(x - ut.j ve
ters yöndeki dalga g(x + ut) dir. t 2 > t 1 olmak üzere ilerleyen dalgayı t 1 ve t 2
ardışık zaman aralığında gözönüne alalım. O zaman (x - ut 1) ve (x - ut2 ) argu-
mentlerine sahip oluruz. f(x - ut 1 ) ve f(x - ut 2 ) fonksiyonları aynı şekildeki
dağılımlardır. Fakat ikinci, birinciden itibaren + x doğrultusunda yerdeğiştirmiş­
tir.
İlerleyen voltaj dalgasının davranışının bir örneği Şek.(E - 4a) da görülü-

611
 yor. t 1 deki kayıpsız karedalga puls çizgisi, orjinal şeklini değiştirmeden,
u(t 2 - t 1 ) uzaklıkta ve sağda t 2 anında oluşacaktır. Gerçek bir hattaki hat ka-
,., yıpları şekilde gösterilene benzer bozulmaya neden olabilir.
;tlde e tie eı 1
gerçek t
(al I! ideal 1
1
o -x d
\de i . /2._de i 1
ı
(b)

·I
o
1
-x
_[ 1
•4ı,
1
1
.1
1
d

Şekil E - 4 Bir hat boyunca bir pulsun yayılması (t 2 > t 1 ).

Sonra e ile i arasındaki bağıntıyı araştıracağız. önce
e = Z0 i , (E-ti)

varsayalım bu-rada, Z0 bir sabittir. Bu sabit, e ile i nin ilişkisinin tanıtılmasıyla

geliştirilebilir. Sonuç olarak

(E - 7)

olur. Bu yüzden,

e=±,/-L i (E • 8)
C

dir. Böylece, e ve i birbirleriyle doğrudan orantılıdır. Orantılığın Z 0 sabitine,

belirtgen impedans veya hattın büyük dalga impedansı denir. Kayıpsız hatlar
için belirtgen impedans bir direnç tabiatına sahiptir, fakat kayıplı hatlar için
matematik olarak Z 0 gibi bir karmaşık sayıdır. (E - 8) deki artı işareti ileri dalga
ve eksi işareti ters dalga için kullanılır. örnek olarak, bir pozitif ileri voltajlı dalga
bir pozitif akım dalgasına eşlik eder (pozitif yük, voltaj dağılımını sağa ilerlet-
mek için hareket etmelidir). Bununla birlikte bir pozitif ters voltaj dalga bir
negatif akım dalgası gerektirir (eğer akım işaret anlaşması aynı kalıyorsa).
Z0 için formüller, iyi bilinen indüktans ve kapasitans ifadeleri özel geomet-
rik hat için (E - 7) de kullanılarak elde edilebilir. Topraktan uzaktaki iki telli
hat için sonuç Z0 ==120 in (D/r) dir ve burada r, magnetik olmayan telin yarıçapı
ve D tellerin merkezleri arasındaki uzaklıktır. 30 cm aralığında yerleşmiş
1 mm yarıçapındaki bir çift telin Z 0 ı 409 n luk değere sahiptir. TV nin çift ilet-

612
kenli dalga klavuzu hattının alışılmış şekli, 300 n civarında Z 0 a sahiptir.
Tek iletkenli kaoksiyal hat için Z 0 == (60/~) [n (r 2/r 1 ) dir. Burada er,
dielektriğin bağıi geçirgenliği r 1 iç iletkenin yançapı; r 2 yalıtkanın üst yançapı­
dır. Bir tipik ortak eksenli kablo ı:r = 2,3 lü polietilene sahip ve r2;r 1 oranı 3,5a
eşittir. O zaman Z 0 , 50 n civarındaki bir değerdir. Başka bir genel standart kablo,
Z 0 = 75 n a sahiptir.

E-3
lletim hatlarında dalgaların yansıması

Bir basamak voltaj dalgasını, göndenne ucunda bir voltaj kaynağının anahtarının
açılması ile bir iletim hattına bindirildiğini varsayalım. t = x 1/u luk bir zaman son-
ra ileri voltaj dalgası Şek. E - 5a da gösterilen şekli alır.

,ı !
1

ı--
1

·1
o.______.__x_____ ....ı_ _ __
1
1
1
Xı d

e
3E
2
bl e --7
1 Yansıyan dalqa)_
t E 1
E ----r - 2 1
o.___ _.__...,x_________.__ ..ı

Şekil E-5 (a) Hattın ucuna yaklaşan basamak voltajı, (b) Dalga bileşeni ve
yansımadan sonraki sonuç voltaj.
Şimdi Şek. E - 5a daki gibi d uzunluğundaki bir hat üzerinde bir basamak
voltaj dalgasını gözönüne alalım, öyleki belirtgen impedansa eşit bir R 0 direnci ile
sona ersin. O zaman hattın sonunda e/i oranı ohm kanunuyla R0 a eşit olm!11ıdır.
Denklem (E - 6) ya göre dalga içine !}İn i ye oranı Z 0 a veya bu durumda R 0 a
eşit olur. Bu nedenle hattın sonundaki sınır şartları dalganın voltaj-akım ilişkisini
bozmaz. Sonuç olarak dalganın içindeki enerji R 0 ın içinde harcanır ve yansıyan
dalga olmaz.
Son olarak, Z 0 a eşit olmayan R direnci ile sona eren hat üzerindeki basa-
mak voltaj dalgasını gözönüne alalım. Voltaj ve akımın yansıyan dalgalan öyle
büyüklükler geliştirir ki ani gerçek voltajın akıma oranı hattın sonunda, R ye eşit
olur. Genellikle, herhangi sınırdaki voltajlar üst üste binmeye aşağıda ifade edil-
diği gibi uyarlar :

İleri dalga + ters dalga + var olan voltaj = sınırdaki sonuç voltaj (E-9)

613
öte yandan bağıntı eldeki duruma göre aşağıdaki şekle indirgenir

· ileri dalga + ters dalga == sınırdaki sonuç voltaj (E -10)

Şayet R = 3R ise o zaman yansıyan dalgaların orijinal dalgaların genliğinin yan-

0
sına sahip olduğu gösterilebilir. Yansımadan çok kısa zaman sonra voltaj dağılımı
~ematik olarak Şek. E-5b de görülüyor. Kesiksiz çizgi gerçek (bileşke) voltajı
gösteriyor ve kesikli çizgiler ilerleyen ve yansıyan dalga bileşenlerini temsil edi-
yor. Kuşkusuz x = d nin sağında voltaj yoktur ve ileri volta.i burada sadece,
x = d nin ötesine hattın uzaması halinde ne kadar uzağa ilerleyeceğini göster-
mek için çizilmiştir.
Yansıyan dalgalar gönderme ucuna eriştiklerinde uç direnci R 0 dan farklı
ise yeni yansımalar oluşacaktır, veya uç direnci R 0 a f'Şit ise hiçbir yansıma
r,ıc)-Ğana ı;elmeyecektir.

E-4
Elektroınağnetik gecikme hatları

Gecikme hatları, gecikmiş sinyal üretmek için farklı puls oluşturan devrelerde
kullanılırlar. İki temel tipleri vardır: (1) önceki paragraflarda tartışılana benze-
yen dağıtımparametreli hatlar ve (2) birçok sayıda indüktans ve sığaçtan oluşmuş
parçalı parametreli hatlar.
Açık tel hattındaki dalga hızı, ışık hızına yakındır, c=3x10 m/s. Şekil E-lb
8

de gibi yapılmış aynı eksenli kablodaki yayılma hızı biraz daha düşüktür ve yak-
laşık olarak cı.ı-;; şeklinde verilebilir. 1 µs gecikmP oluşturacak, po~ietilen
yalİtkanlı aynı eksenli kablonun uzunluğunun hesabı ıo- 6 x3x10~\!2,3 veya yak-
laşık olarak 200 m verir. Böyle kablolar mikro saniye gecikmeler için pratik değil­
dirler, fakat nano saniyelik gecikmeler için kullanılabilirler.
Verilen bir uzunluk için daha büyük gecikmeler helis gecikme hattı ile elde
edilebilir, Şekil. E-6. Bu hattaki indüktans bir izoleli çekirdek üzerine iç iletkenin
selenoid şeklinde sanlmasıyle arttınlır. Dış iletken, yalıtılmış tellerin kablonun
ucunda birleştirilen bir örgüsünden ibarettir. Helisel gecikme hattan 0,14 ile 3,4 µs/m
civarındaki gecikmelere sahip düunlemeler için uygundur.

~in· D,ş iletken

Çekül1 S, )
Yalıtma, kaplaması

Şekil E - 6 Helisel gecikme hattı.

614
 1 Z 1 = ./IJCyi hatırlayalım. Alışılagelmiş bir hat ile helisel gecikme hattı
0
karşılaştmldığmda, ikinci şekil hatlarda indüktansın sığadan daha çok arttığı ve
bu yüzden Z 0 ın daha büyük olduğu görülür. Bundan başka, sığa ve indüktans arzu
edilen Z 0 değerini sağlamak için planlama sırasında ayarlanabilirlt>r. Böylece Z0 ın
değeri 900 den 4000 n a kadar olan aralıkta elde edilebilir.

615
Dönüştürücü, 574 Geçit devreleri, 387
Durulma titreşkeni, 321 GM algılayıcı, 3 27, 330
Düzeltme devresi, 301 Grafik çözüm, 93
Düzgünleştirme, 299 Güneş pili, 484

Güdümlü sistem, 353, 357

E Güdümlü, 371, 374
Gürültü sayısı, 538, 541
Early etkisi, 109
Gürültü çarpanı,. 538
Eklem diyodu, 82
Gürültü üreteci, 536
Elektrostatik nötürlük, 63
Gürültü band genişliği, 535
Elektron mobilitesi, 63
Güç aktarımı, 16
Elektrometre, 522
Güç yükseltici, 270
Elektronik çoğaltıcı, 344
Gürültü, 209
Engel voltajı, 83
Eşdeğer devre, 43 H
F Harmonik bozulma, 273
Halka modülatör, 344
Faz kaymalı titreşken, 316
Hali olayı, 520
Faz telafisi, 256
Hartley titreşkeni, 313
Faz ayırdedici, 348, 349
Hız ölçülmesi, 4 7 4
Fazmetre, 519
Hızlı mod, 523
Fazör, 31
Faz duyarlı detektör, 345
I
Fark yükseltici, 228
Flip · flop, 44 7, 452, 453 Işık, 488
FM alıcı, 342 Işıma şiddeti, 490
FM algılayıcı, 336 Işınım akısı, 490
Fotodirenç, 483 Işık yayan diyod, 486
Fototüp, 540
Fonksiyon üreteci, 264
i
Frekans dönüştürücü, 340 İki kararlı ÇT, 388
Frekans ölçme, 459 İkifi sayı, 425
Frekans modulasyonu, 334 İki katlı yükselteç, 177
İletim fonksiyonu, 362
G
İleri faz, 51
Gaussmetre, 522 İldim hattı, 609, 613
Galvanometre, 564 İndüktör süzgeç, 296
Geçiş transistörü, 307 İntegratör, 251, 252
Gecikme hattı, 609 İntegral, 380
Geri besleme, 110, 204 İşlemsel yükselteç, 242

618
İş fonksiyoıııı, Hi'l
İt - çek devresi, 277 M
İyonlayıcı ışınımlar, 491
Mantık elemanları, 440
İvme ölçijlmesi, 4 7 4
Mantık geçitleri, 436
K Mantık, 425, 435
Mantık devreleri, 434
Kalite çarpanı, 42
Magnetik band, 560
Kare yasası modülasyon, 333
Metaller, 62
Kararlılık, 365
Meacham köprüsü, 320
Kararsız Çt, 394, 396
Melez pi - modeli, 14 7, 186
Kaydırma akımı, 244
Mikroelektronik, 127
Karşılaştırıcı, 408
Miller integral alıcı, 419
Katod ışınlı osiloskop, 511
Miller olayı, 171,192
Kaydedici, 572
Modülatörler, 343
Kanal kapasitesi, 556
Modülasyon, 327, 334
Kayıt, 546
Model devreler, 153
Kavşak, 10
MOYİAET, 69
Kapalı çevrim, 367
MOYİ, 69
Kararlılık, 254
Multipleks, 575
Kare dalga, 411
Karmaşık impedans 27 N
Kesilim frekansı,180
Norton, 15
Kesici yükselteç, 239
A- tipi, 65
Kırpıcı, 383
Nyquist kriteri, 221
Kırılma voltajı, 165
Kıskaç, 385 o
Kirchoff, 3
Komütatiflik yasası, 430 Ortalama güç, 30
Kontrollü doğrultucu, 124, 235 Ortak tabanlı yükselteç, 151, 152
Köprü devresi, 291 Ortalama cevap, 500
Köşe frekansı, 180 Ortak mod, 231
Kritik durum, 359 Ortak taban, 105
Kuplaj katsayısı, 45 Ortak yayıcılı, 115

L ö
Lissajous şekilleri, 515, 517 ön kurulu sayaçlar, 461
Logaritmik yükselteç, 410 ön b~sleme, 173
Lümen, 489 örnekleme oranı, 550

619
 p

Paralel, 6 Termoçift, 481, 482

Parazit voltajı, 528 Termistör, 481
Paralel devre, 36, 43 Termometre, 480
Periyod ölçme, 460 Termoiyonik diyod, 539
Piezoelektrik dönüştürücü, 4 72 Ters besleme, 87
Potansiyel, 1 Telemetri, 546
Potansiyometre, 507, 508 Tepe değer, 29
P - tipi, 65 Tek eklemli transistör, 122
Puls cevabı, 377 Termoiyonik, 158
Thyratron, 168
R Th~veniıı, 14
RC titreşkeni, 313 Tıkaç sığacı, 178
Reaktans, 35 Tit~eşin1li
durum, 359
263
Toplayıcı,
s Topludevre direnç, 129
Topludevre, 100, 127, 131
Sayaçlar, 459
Transistör anahtar, 402
Sayısal voltmetre, 502
Triak sembolü, 127
Sayısal çiziciler, 581
Triod, 160
Saf yaniletken, 64
Transistör modeli, 145
Schmitt tetikleyici, 400, 413
Triak, 124, 126
Seri re_?:onans, 42
Transistör anahtar, 281
Seri devre, 21
Transistör, 69
Sığaç süzgeç, 77
Transistör temsilleri, 104
Silisyum yonga, 127
Triod modelleri, 163
Spektral duyarlık, 487
TSMOYi geçitler, 444
SuseI:!tans, 38
Süzgeçler, 295 Türev, 253, 380

ş V

Şönt geribesleme, 215 Vakum triod, 160

VE geçiti, 432
T VEYA geçiti, 433
VEDEĞİL geçiti, 435
Tamamlamalı simetri, 277
Veri sistemi, 557
Tamamlayıcı simetri, 444
Voltmetre cevaplan, 506
Ters çevirici, 324
".ıltmetreleı-, 497
Tek kararlı ÇT, 298
Voltaj katlayıcı, 298
Ters çevirmeyen yükselteç, 250

620
Voltaj geribesleme, 213 z
Voltaj düzeltme, 309
Zayıflatıcı, 381
Voltaj pulsu, 25
Zaman sabiti, 376
w Zener diyodu, 300
Zener voltajı, 89
Wheatstone köprüsü, 11 Zırhlama, 528, 530
Wien köprüsü, 319 Zorlanma ölçeri, 469
Z parametreleri, 54
y
Y aniletkenler, 62
Yay kuvveti, 354
Yan geçit sığacı, 183
Yedi dilimli gösterme, 458
Yük doğrusu, 73, 93, 116
Yükseltme, 74

621
Ondokuz Mayıı Oniversitesi
Baıımevi

FİYATI : 2850 TL