2021-電磁講義

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第一章 真空中的靜電場
§ 1-1 真空中的庫倫定律

一、基本電荷
2. e  1.6 1019

三、庫倫定律
1. 單位電荷受的電力
 1 Q  
E r ， F  q E
4  o r13 q
1

1 Q1 Q2
2. 單位電荷的電位能，<1>VP  {   ....} ， U q  qV
4  o r1 r2

 1 Q1Q2  1 QQ 1 QQ
3. FQ1    ， FQ2   1 2 2  ， U Q1   1 2 ，
4 o r12
2
4 o r12 4 o r12
1 Q1Q2 1 1 QQ
UQ2   ， U  (U Q1  U Q 2 )   1 2
4 o r12 2 4 o r12

 
1 r1 1 dq
4. EP   dq ， VP  r
4 o r13
4 o 1

<1> dq   L dl   dl ，<2> dq   S dS   dS ，<3> dq   d

§ 1-2 金屬的靜電特性
二、金屬的電荷
1. 金屬的表面自由電荷會以形狀而決定分佈的密度，越尖端處則電荷密度越
濃，表面電場也越強，稱 point effect.

2. 金屬的感應帶電分佈：
<1>右側負電荷被感應(吸引)，左側正電荷被感應(排斥)。
<2>內面負電荷被感應(吸引)，外面正電荷被感應(排斥)。

三、帶電導體上電荷分佈
表面。零，垂直。
RA RB
QA '  (QA  QB )  ， QB '  (QA  QB ) 
R A  RB R A  RB

1 (QA  QB ) 1 (Q  QB )
VA   ， VB   A
4 o R A  RB 4 o R A  RB

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1 (QA  QB ) 1 (QA  QB )
EA   ， EB  
4 o ( R A  RB ) R A 4 o ( R A  RB ) RB

§ 1-3 高斯定律
一、電通量(Electric flux)
1. <1> 0 <2> E  S

二、高斯定律
    Q
1.   E  2.
o   dS  in
E
o

三、靜電場的旋度

 E  0
1  
3. 電位指向低電位。 2 E  dl
V   
<1>垂直。 <2> E  ， V  E  L ， <3> VP   E  dl
L p

＊四、重要對稱電場
 L  r
1. E  aˆ r ， 無絕對電位： V2  V1  L ln 1
2 o r 2 o r2
 
2. E  S 
2 o
 
3. E  S nˆ
o
 1 Q
＊＊4. <1>球內: E (r  R)  0 ， V (r  R) 
4 o R
 1 Q 1 Q
<2>球外: E (r  R)  aˆ ， V (r  R) 
4 o r 2 r
4 o r

《整理》：
<1> 球殼對稱電荷內部電場 E= 0
<2>球體對稱電荷外部電場視同電荷濃縮球心
<3>電場計算須考慮介質上隱藏的感應電荷。
<4>金屬內的靜電場為零。

1
＊5. <1> E(r  a)  { 0  0 } ， V (r  a)  1 { Q1  Q2 }
4 o 4 o a b

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1 Q1
<2> a  r  b  E (r )  { 2  0 } ， V (r )  1 { Q1  Q2 }
4 o r 4 o r b
1 Q1 Q2 1 Q Q
<3> r  b  E (r )  {  2 } ， V (r )  { 1 2}
4 o r 2
r 4 o r r

＊6. <1> r  a  E (r )  0 ， V (r )  0
a
 Q2 
1 b 0}
<2> a  r  b  E (r )  { ，
4 o r2
a
 Q2 
V (r ) 
1
{ b  Q2 }  Q2 (1  a )
4 o r b 4 o b r
Q2 a Q2 a
<3> r  b  E (r )  { 1  } ， V (r )  {1 }
4 o r 2
b 4 o r b

1 Q Q Q 1 Q
7. <1> r  a  V (r )  {   } ， E (r )  { 2 00}
4 o r a b 4 o r
Q 1
<2> a  r  b  E (r )  0 ， V (r )  } {0
4 o b
1 Q 1 Q
<3> r  b  E (r )   2 ， V (r )  
4 o r 4 o r

Q or 
8. o  <1> r  a  E (r )  aˆ r ， V (r )  o (3a 2  r 2 )
4 a 3 / 3 3 o 6 o
1 Q 1 Q
<2> r  a  E (r )   rˆ ， V (r )  
4 o r 2
4 o r
 o b 3 b 5 2a 2
9. <1> r  a  E (r )  0 ， V (r )  (   )
 o 3a 5a 3 15
o r r 3 2a 3
<2> a  r  b  E (r )  (   )，
 o 3 5a 2 15 r 2
 o b 3 b 5 7a 2 r 2 r4 2a 3
V (r )  (  3    )
 o 3a 5a 60 6 20a 2 15 r
 o b 3 b 5 2a 3  o b 3 b 5 2a 3
<3> r  b  E (r )  (   ) ， V (r )  (   )
 o r 2 3 5a 2 15  o r 3 5a 2 15

§ 1-4 電偶極(Electric Dipole)

  
1. p   r  d ， p  qd 

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
p  rˆ
＊2.遠場<1> V (r , ) 
4 o r
2

  
p 3 p  rˆrˆ  p
<2> E (r , )  (2 cos aˆr  sin  aˆ ) 
4 o r 3 4 o r 3
<3>電力線方程式： r  k sin 2 
    
3. <1> 淨力： 0 ，<2>合力矩:   p  E ，<3>電位能： U =  p  E

第二章 介電質中的靜電場
§ 2-2 電容(Capacitance)

二、重要的電容器
Q Q
1. 平行板電容器： <1>二板間電場：  <2>電位差： d
 r o A  r o A
A
<3>電容值： <4>造成 C 值增為  r 倍
d
Q
2.同心球電容器： <1>二板間電場：
4 r 2
Q 1 1 4 
<2>電位差： (  ) <3>電容值： C 
4 a b 1 1

a b

L
3. 同軸電纜電容器： <1>二板間電場： aˆ r
2 r
L b 2 
<2>電位差： ln <3>電容值：
2 a ln(b / a)

三、電容器串並聯
C1  C2
1.並聯：端電壓相同， Ceq  C1  C2 2.串聯：電荷量相同， Ceq 
C1  C2

四、複合式電容
C1C2 (C1  C2 )C3
1. Ceq   C3 2. Ceq 
C1  C2 C1  C2  C3

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＊五、電容器混合式
A A 1 2 A
1. C  1 1   2 2 C
d d 1d 2   2 d1
2 ( 1   2 ) 4 1 2
2. C  C
1 1 1 1 1 1
 1 (  )   2 (  )
a b b c a b
 (1   2 ) 2 1 2
3. Cu n it Cu n it
b c b
ln 1 ln   2 ln
a b a

§ 2-3 靜電場邊界條件(Boundary condition)

一、界面連續的通式
1. E1t  E2t 2.  S  DN ,out  DN ,in

二、純介電質－純介電質界面
1. E1t  E2t 2. D1N  D2 N

三、導體－介電質界面
 S
1. 電場只在法線 2.金屬外： Esueface  aˆn


§ 2-4 靜電能與靜電力

一、由電荷分佈計算系統電位能
1
1. U   qkVk (焦耳) 2. 外力作功=末能減初能
2

＊二、由電場分佈計算系統電位能
1   1
電能密度： u  D  E   E ( J / m )
2 3

2 2

四、靜電力

  qE
1. F  qE 作用。等加速度運動， a  ，運動軌跡為直線或拋體。
m
 
2. f  E 2 Surface aˆ n
2  
3. <1>不接電池(電荷固定)： FE   U ， <2> 接電池系統： FE   U

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第三章 静電場的解析解
§ 3-1 惟一定理
一 、Poisson 方程式

Poisson’s eqn.：  V  
2

§ 3-2 影像法(Image method)

一、點電荷與接地平板
1. z   d 且 Qi   Q
 1 Q Q
V ( r ,  ,  )  [ 2  ]
2 4 o r  d 2  2rd cos r 2  d 2  2rd cos
  V V
E ( r ,  ,  )   aˆr  aˆ
2 r r 
 Qd
<1> 板面的感應面電荷密度：  S 
2 (r 2  d 2 )3 / 2
<2> 板面的總感應電荷： Qind   Q
 1 Q2
<3> FQ   
4 o (2d ) 2
 Q2 1
1  Q2
<4> 系統電能： U    
4 o (2d ) 2 16 o d

2. z<0 空間電位分佈： V (r ,  )  0
2

二、點電荷與接地金屬球
 1 Q 2 ad
4. FQ   
4 o (d 2  a 2 ) 2

三、點電荷與帶電位金屬球
a a2
2. 影像電荷為：<1> Qi1   Q  ， x  <2> Qi 2  4 o aVo
d d

四、點電荷與中性金屬球
1 Q 1 Q
1. 金屬球電位  2. 球內電位： V (r  a)  
4 o d 4 o d
a a2 a
3. <1> Qi1   Q  ， x  <2> Qi 2   Q  。
d d d
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五、點電荷在中性金屬球內
Q
結構：金屬球壁電位為
4 ob
1 Q Qi Q
V ( r  a)  { 2   }
4 o r  d 2  2rd c o s r 2  x 2  2rx c o s b
 1 Q 2  ad 1 Q
FQ   2  ， V (r  a)  
4 o (a  d ) 2 2
4 o r

§ 3-3 靜電場的拉普拉斯解析解
三、直角坐標的邊界問題
1. 只有一維空間(y)函數： V ( y)  C1 y  C2
2. 二維空間(x、y)函數：設 x 兩板接地， y 板插電：
 C1 sin kx   C3 e  ky
V ( x, y)   
 C2 cos kx  C4 e
 ky

 C sin kx   C3 sinh ky
或 V ( x, y)   1 
 C2 cos kx  C4 cosh ky
 C sin kx   C3 sinh k ( y  b)
或 V ( x, y)   1 
 C2 cos kx  C4 cosh k ( y  b)
3. 三維空間函數：設 x 兩板接地，設 y 兩板接地， z 板插電：
  C sinh k 2  k 2
 C1 sin k x x   C3 sin k y y   5
V ( x, y, z )     
x y

 C2 cos k x x  C4 cos k y y

 C6 cosh k x  k y
2 2


四、圓柱坐標的邊界問題
1.幾何結構為均勻圓柱體： V (r )  C1 ln r  C2
2.幾何結構僅與  有關： V ( )  C1   C2
3.電位分佈與 r 、  相關： V (r,  )   ( An r n  Bn r  n )(Cn sin n  Dn cos n )
n1,...

五、球座標的邊界問題
C1
<1>若結構為 r 對稱球狀，則： V (r )   C2
r

<2>若結構僅與  有關，則： V ( )  C1 ln tan  C2
2
<3>若結構僅與 r 、  有關，則： V (r , )   ( An r n  Bn r ( n1) ) Pn (cos  )
n

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第四章 穩定電流 Steady electric current

§ 4-1 導體的導電現象
四、電流密度的邊界條件
 2 1
※無電荷累積的特殊界面： 
 2 1

§ 4-3 電阻的計算
三、由電容值計算 R
   
V Q Q  D  dS   E  dS 
【證明】： RC         
I V I  J  dS   E  dS 

第五章 真空中的靜磁場 (static Magnetic fields)

§ 5-2 靜磁場的特性

二、安培定律
  I
3. <2>環場積：  B  dl  B L <3>安培定律： B 
L

§ 5-3 磁偶極(Magnetic dipole)

 
三、磁偶極 m 在均強磁場 B 中
  
1. 受合力： F  0 2. 受力矩:   m  B

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第六章 磁性物質的靜磁場
§ 6-2 磁場強度

＊一、磁性物質的磁場計算
   
2. <1>微分式：   H  J f <2>積分式:   dl  I f
H

三、磁滯曲線 B 和 H 是非線性關係
<4> 要降低磁滞損需選擇小 Br 的材料，要做電磁鐵需選擇大 Br 的材料

§ 6-6 磁能(Magnetic energy)

一、載流線圈的磁能
<2>載流 I1 , I 2 的兩線圏(自感為 L1 、 L2 ，互感為 M )的磁能為：
1 1
◎兩線圈的磁場為同方向： U m  L1 I1  L2 I 2  MI1 I 2
2 2

2 2
1 1
◎兩線圈的磁場為反方向： U m  L1 I1  L2 I 2  MI1 I 2
2 2

2 2

§ 6-7 磁力(Magnetic force)

一、運動點電荷受磁力
   
1.磁力：帶電質點 q 在磁場 B 中運動(速率 v )，受磁力 FB  qv  B 作用
2 m mv
2. ◎週期： T  ◎半徑： R  ◎方向：正負電性相反
qB qB
<3>初速與磁場夾一角度  ：螺旋運動(helix)
2 m mv sin 
◎迴旋週期： T  ◎迴旋半徑： R 
qB qB
2 m
◎螺旋距離： d  v cos  
qB

＊二、載流導線受磁力
     
1. 磁カ： F  I  dl  B <2> F  I L  B
 o I1 I 2
2. <2> funit length 
2 d

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第七章 馬克士威方程式
§ 7-1 法拉第感應定律(Faraday’s induction law)
＊二、感應電動勢
  d
1.  ind   E  dl   B
dt

§ 7-2 馬克士威方程式(Maxwell’s eqn.)

＊＊二、馬克士威方程式

1. <1>   D   f 電荷生電場，不能；除非  是常數
 
 B  A
<2>   E   時變磁場生旋電場，不能；應改為 E   V
t t
   
<3>   B  0 無磁荷 ，   H   H


  D
<4>   H  J f  電流與時變電場生磁場
t
他和另哪兩個式子連接呢？連續方程式與電高斯定律
3.馬克士威方程式：積分式
    
<1>   dS  Q f
D <2>   dl    tB
E

      
<3>   dS  0
B <4>  H  dl  I f   D  dS
t

＊§ 7-4 時變電磁場的波動方程式
一、關於波動的概念
 
2. <3>頻率 f  <6> v  f   
2 k
<7>前進方向：  kx 代表  x̂ 傳播，  kx 代表  x̂ 傳播

三、電磁場的波動方程式
考慮簡單介質的空間中：
 
 2E  E
1. 電場的波動方程式：  E   2  ( )  
2

t  t
 
 2H H
2. 磁場的波動方程式：  2 H   2  
t t

＊§ 7-5 時諧電磁場(Time harmonic field)

一、相量處理時諧場

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sin j ( x , y , z )
1. <1>瞬時式→相量式： A( x, y, z ) ( t   ( x, y, z )) → A( x, y, z ) e
cos
j ( x , y , z ) Re j ( x , y , z ) j t
<2>相量式→瞬時式： A( x, y, z) e → { A( x, y, z ) e e }
Im
  
3. <1> 電高斯定律：   D   f <2> 法拉地感應定律：   E   j B
   
<3> 磁高斯定律：   B  0 <4> 安培定律：   H  J f  j E

＊§ 7-6 波印亭定理
一、波印亭向量
    1   1
2.波印亭定理：   E  H  dS  
t 2
 H 2 d   E 2 d    E 2 d
t t 2

二、平均波印亭向量
 1  
2. 以相量計算平均量： Sav  Re{E  H *}
2

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第八章 平面電磁波
§ 8-1 電磁波頻譜
2. <1>真空中速度皆為 C  3 108 m / s

§ 8-2 平面電磁波的數學格式
一、 平面電磁波的特性
 sin
1. E   Eo { t  k z  o }  
phasor
 Eo e j (  k z o )

cos
   2 / k
3. <1>傳播常數： k     r r  
C  v  / k
E  o r r
<2> 介質阻抗：      o 
H  o r r
＊＊4. 任意傳向的平面電磁波：
  
<1> 傳播向量： k    aˆk =  r r  n
3 10 8
3 108

<2>電場數學式： E  aˆ E Eo e  j k z j  aˆ H  aˆk H 
o


<3>磁場數學式： H  aˆ H H o e  j k z j  aˆk  aˆ E E / 
o

二、電磁場互推

   E  jk  E k  E
1. H   
 j  j 
    
   H  jk  H  k  H
2. E   
j j 

三、 平面電磁波的偏振
2. 圓偏振：兩分量振幅相同但相位差 90 度

＊四、損耗平面電磁波
1. 在損耗介質(非完美導電介質  )中，須引進等效介電係數的觀念：
 I ( ) 
 C    j ，損耗正切： tan   m C  ，
 Re ( C ) 
conduction current density E 
其物理意義是  
displacement current density jE 

2. 介質分類：

<1> 無損介質：   0 (完美絕緣體) <2> 強損介質：  1

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
<3> 弱損介質：  1

 
◎衰減常數：   ( Np / m) = 8.69  (dB / m)
2 2
1 2
◎膚深(skin-depth)：   
 

◎相位常數：   (rad / m)
2

  Eo e  z  j z  j

4. <1> E  aˆ x Eo e  z  e  j z <2> H  aˆ y e 4


1
<3> 介質內單位體積的平均消耗功率為： p  ( Eo e  z ) 2
2

§ 8-3 電磁波垂直入射介質

一、電磁波垂直打完美導體
  E
<2>反射波： Er  aˆ x Eo  (1)e jk z ， H r  aˆ y o e jk z


二、電磁波垂直打介電質
  
2. 介質 1 內的駐波： E1  Ei  Er  Eo (e  jk z   e jk z )  Eo (e  jk z   e j e jk z )
1 1 1 1

 
<1>最大振幅位置(腹點)： d max   ，最大振幅值： E  Eo  (1   )
2 max

  
<2>最小振幅位置(節點)： d min   ，最小振幅值： E  Eo  (1   )
2 4 max

§ 8-4 電磁波斜向入射介質

二、垂直偏振斜打介質

 Er  aˆ y Ero exp[  jk1 (sin  3 x  cos  3 z )]
1. <1>反射波：   E  
H  ( ˆ x cos  3  aˆ z sin  3 ) ro exp[  jk1  r ]
a
 t
1


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
 Et  aˆ y Eto exp[  jk 2 (sin  2 x  cos  2 z )]
  
<2>透射波：   Eto
H
 t  (  ˆ
a cos   ˆ
a sin  ) exp[  jk 2 r]

x 2 z 2
2
  
<3> 邊界條件：◎ E 切連續： Eit  Ert |z 0  Ett |z 0
 Eo exp[ jk1 sin 1 x]  Ero exp[ jk1 sin 3 x]  Eto exp[ jk 2 sin 2 x]
◎ Snell law： 3  1 ， n1 sin 1  n2 sin 2
Eo Ero Eto
◎ H 切連續：   cos 1  cos 1   cos  2
1 1 2
＊<5> Fresnel equation：
2  
 1 2 2
E cos  2 cos 1 E cos  2
  ro  ，    to 
Eo 2  Eo 2 
 1  1
cos  2 cos 1 cos  2 cos 1
2 2 2
Eo E E
＊<7> 能量守恆 2： si , z  sr , z  st , z  cos 1  ro cos 1  to cos  2
21 21 2 2
Sr ,z S
可定義功率反射係數 R    和功率反射係數 T  t , z  1  
2 2

Si , z Si , z

三、平行偏振斜打介質

Er  (aˆ x cos 3  aˆ z sin 3 ) Ero exp[  jk1 (sin 3 x  cos 3 z )]
1. <1>反射波：   E
H r  aˆ y ro exp[  jk1 (sin 3 x  cos 3 z )]
 1


Er  (aˆ x cos  2  aˆ z sin  2 ) Eto exp[  jk 2 (sin  2 x  cos  2 z )]
 
<2>透射波式：  E
H r  aˆ y to exp[  jk 2 (sin  2 x  cos  2 z )]
 2

  
<3> 邊界條件：◎ E 切連續： Eit  Ert |z 0  Ett |z 0
 cos 1Eo exp  jk sin x  cos 3Ero exp  jk sin x  cos 2 Eto exp  jk
1 1 1 3 2 sin 2 x

<4> Snell law： 3  1 ， n1 sin 1  n2 sin 2

   Eo Ero Eto
◎ H 切連續： H it  H rt |z  0  H tt |z  0   
1 1 2

Ero 2 cos  2  1 cos 1

＊<5> Fresnel equation：反射係數 //   ，
Eo 2 cos  2  1 cos 1
E 22 cos 1
透射係數  //  to 
Eo 2 cos  2  1 cos 1
2 2 2
E E E
＊<7> 能量守恆 2： si , z  sr , z  st , z  o cos 1  ro cos 1  to cos  2
21 21 2 2

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Sr ,z St , z
可定義功率反射係數 R    和功率反射係數 T   1 
2 2

Si , z Si , z

四、幾何光學
n2
1.  C = sin 1
，反射係數   1 e j ，透射係數   0 ，故有透射波，此透射波
n1
是沿著界面傳播的表面波，他的波印亭向量只有沿著表面前進。

n2
＊2. <1>平行偏振才有布魯斯角  B = tan 1
n1
3. 考慮介質 1(  r  1)入射到介質 2(  r  4 )：

4. 考慮介質 1(  r  4 )入射到介質 2(  r  1 )：

§ 8-5 多層膜
一、等效波阻

1. 定義波阻(wave impedance)： Z ( z )   E    3  j 2 tan(  2 ( z ))

H   j 3 tan(  2 ( z ))
2
2

3  j2 tan( 2 d )
重點是在界面 d 前處：i  2 
2  j3 tan( 2 d )

22
3. 特殊的等效波阻：<1>i   3 <2>i 
3

2
前鍍一層薄膜而消除反射，須採用2  1 3 的介質，厚度 d 
4

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第九章 傳輸線
§ 9-1 傳輸線基本原理

一、把介質內的電磁波轉換成電壓波
 d
L W
  LC  
W
C 
 d
2. <1>板内介質損耗性：介電質有微微的導電性  d  0 ，產生橫向的漏電流
d C
故引進單位長的漏電導 G 

※ <2> 損耗金属板：金屬板非完美導體  C   ，則會產生波印庭功率的損耗
1
故引進單位長的漏電阻 R  Re {C } 
width
1 2 L
【再說明】： P  I o  Re {C } 
2 2 a
3. L  單位長電感， C  單位長電容， G  單位長電導， R  單位長電阻
 dV
 dz  ( R  j L) I

4. <1> 電報方程式： 
 dI
 dz  (G  j C )V

 
  Vo  z Vo R  j L
<2> V (z )  Vo e  z  Vo e  z ， I (z )  e  e  z ， Z o =
Zo  Zo G  j C

二、常見的傳輸線
  0
1. <1>   (0  j L)(0  j C )  j LC 
   LC _
 1 jL L
<2>相速： v p   <3>特性阻抗： Z o  
 LC jC C
R G
2. <1>   ( R  j L)(G  j C )  j LC  (1  )(1  )
jL jC
R C
 j LC  (1  )  j LC
jL L
 C
 
 L
  j LC


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 1
<2>相速： v p  
 LC
R  jL jL 1  R / jL L
<3>特性阻抗： Z o    
G  jC jC 1  G / jC C

三、傳輸線四大天王

2
 dW d  dW 2 C
2. 微帶線： C  ，L ，G  ，R 
d W d W
 
2 d  ln b / a 2 d 2 C 2 C
同軸： C  ，L  ，G  ，R  
ln b / a 2 ln b / a 2 a 2 b

§ 9-2 傳輸線的弦式穩態電路

一、架構
3.若傳輸線無限長，或阻抗匹配，則僅有單向前進波存在，此時 Z (z )  Z o

二、傳輸線的輸入阻抗
 
Vo e  j ( z  L ) Vo e j ( z  L )
，則 I (z ) 
  j ( z  L )  j ( z  L )
1. 令 V ( z)  Vo e  Vo e 
Zo  Zo
 VL  Vo   Vo  
 Vo Z Z
在負載處：  Vo

Vo

 
 L  L o
I L  Z  Z Vo Z L  Zo
 o o

Z L  jZ o tan( ( z ))
2. 任何位置 z 處的複數波阻： Z ( z )  V ( z ) = Z o 
I ( z) Z o  jZ L tan( ( z ))
3. <2> d  L  e  j 2  d
2
Zo
4. <1> 二分之一波長透明窗： Z i  <2>四分之一波長阻抗轉換： Z i  Z L
ZL

三、傳輸線由輸入阻抗反推參數
1. ZiO   jZ o / tan L ，表示等效電容或電感。
2. ZiS  jZ o tan L ，表示等效電容或電感。
Z iS
故可推出 Z o  Z iO Z iS + L  tan 1 ( )
jZ o

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＊四、傳輸線弦波處理程序
V  ( z  L) Z L  Z o V  ( z  0) Z  Z o 2 j L
1. <1> L  
 <2>   
( L )e
V ( z  L) Z L  Z o V ( z  0) Z L  Zo
i

Z  jZ o tan(L)
2. Zi  Z o  L ， phasor 等 效 電 路 模 擬 ：
Z o  jZ L tan(L)
sin
( Vg (t )  Vgo ( t  o )   Vg  Vgo e jo )
phasor

cos
jo
Zi Vgo e
3. <1> Vi  Vgo e jo
 <2> I i 
Z g  Zi Z g  Zi
1 1
<3> Pi  Re {Vi I i *} <4> PL  Re {VL I L *}  Pi
2 2

五、阻抗匹配(impedance match)
1. Z (z )  Z o
Vi  j z
2. V (z)  Vi e  j z ， I (z )  e
Zo

六、傳輸線的駐波
   1  L
1. d max  ， d m min ax    ， S 
2 2 4 1  L
  
2. ， ，
2 2 4
R Zo
3. <1> S  L <2> S 
Zo RL

§ 9-5 傳輸線阻抗匹配

一、  / 4 阻抗轉換
1. Z o1  Z o  Z L
1  L
2. Z o1  Z o  Z o 
1  L

第十章 波導管 Waveguide

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§ 10-1 波導管基本原理
 
2E 2E 
2.   ( 2
   2
) E  0 ，其中 h2   2    2 稱色散關係式
x 2
y 2

 Ez E y E z
  aˆ x (  y   z )  aˆ x (  y  jE y )   jH x aˆ x
3.   E   jH  
aˆ y ( Ex  E z )  aˆ y ( jE x  E z )  jH y aˆ y
 z x x

 H z H y H
   ˆ
a (  )  aˆ x ( z  jH y )   jE x aˆ x
 x
y z y
  H  jE  
 H
aˆ y ( x  H H z
z
)  aˆ y ( jH x  )   jE y aˆ y

 z x x

二、波導管處理程序
1. ◎ H y  Ex / ZTM ◎ H x   E y / ZTM
2. ◎ E y   H x ZTE ◎ Ex  H y ZTE
◎ 單模操作，表示輸入頻率須介於第一截止頻率與第二截止頻率之間

§ 10-2 平行板波導管

二、TM 模態
m y 15 m
1. Ez  Ezo sin( ) ， fC   GHz
d  r  r d (cm)
 j E z
 E   0
h2  x
x

E z 、 H z 法則：  j E z m
E y   2  E yo cos( y)
 h y d

當 m  0 時， TM 0 模退化成 TEM 模，此為平板波導管的主模。

2. TM 模態總結：
15 m
<1> fC   GHz ； m  1, 2,....
n d (cm)
 fC 2 r f
  1 ( ) 、 Z M  o   1  ( C )2
C/n f r f

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 m m  m
<2> E  aˆ y E yo cos( y)  aˆ z sin( y) ， H  aˆ x H xo cos( y)
d d d

三、TE 模態
m y 15 m
1. H z  H zo cos( ) ， fC   GHz
d  r r d (cm)

 j H z
 Hx   2 0
h x
E z 、 H z 法則：  j H z m
H y   2  H yo sin( y)
 h y d

3. TE 模態總結：
15 m
<1> fC   GHz ； m  1, 2,....
 r r d (cm)
 fC 2 r f
  1 ( ) 、 Z M  o   1  ( C )2
C/n f r f

 m m  m
<2> H  aˆ y H yo sin( y)  aˆ z cos( y) ， E  aˆ x Exo sin( y)
d d d

§ 10-3 矩型導波管

二、TM 模態
m n 15 m n
1. Ez  Eo sin( x)  sin( x) e  j z ， fC   ( ) 2  ( ) 2 GHz
a b r r a b

 m
  jEo ( )
j E z m n
 Ex   2  a cos( x)  sin( x ) e  j z
h x ( m  n  a b
 )2  ( )2
 a b
 n
  jEo ( )
 E   j E z
 b sin(
m
x)  cos(
n
x ) e  j z
 y h2  y ( m ) 2  ( n ) 2 a b
 a b

2. TM 模態總結：

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15 m n
<1> fC   ( ) 2  ( ) 2 GHz ； m, n  1, 2,....
r r a b

 fC 2 f
  1 ( ) 、 Z M    1  ( C )2
C/n f f

三、TE 模態
m n
1. H z  H o cos( x)  cos( y) e  j z
a b
 m
 j H o ( )
j H z m n
H x   2  a sin( x)  cos( y ) e  j z
 h  x ( m ) 2  ( n ) 2 a b
 a b
 n
 jH o ( )
 H   j H z
 b cos(
m
x)  sin(
n
y ) e  j z
 y h2 y ( m  n  a b
 )2  ( )2
a b

2. TE 模態總結：
15 m n
<1> fC   ( ) 2  ( ) 2 GHz ； m  n  1, 2,....
r r a b

 fC 2 f
  1 ( ) 、 Z E    1  ( C )2
C/n f f

§ 10-6 矩型共振腔

二、TM 模態
m n p
1. Ez  Eo sin( x)  sin( y)  cos( z) ， 對 應 震 盪 頻 率 ：
a b d
15 m n p
f osc   ( ) 2  ( ) 2  ( ) 2 GHz ，稱為 TM mnp 模
n a b d

三、TE 模態

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m n p
1. H z  H o cos( x)  cos( y)  sin( z) ， 對 應 震 盪 頻 率 ：
a b d
15 m n p
f osc   ( ) 2  ( ) 2  ( ) 2 GHz ，稱為 TEmnp 模
n a b d

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