电磁场理论

第二章 静态电磁场
 本 章 内
容

2.1 静态电磁场的基本实验定律

2.2 静电场

2.3 恒定电场

2.4 恒定磁场
2.1 静态电磁场的基本实验定律
 
 q (r ) dq (r )
 (r )  lim 
V  0 V dV


q  (r )dV
V
 
 q (r ) dq (r )
 S (r )  lim 
S  0 S dS


q  S (r )dS
S
 
 q (r ) dq (r )
l (r )  lim 
l  0 l dl


q  l (r )dl
C
 
 (r )  q (r  r )
 
观察点的矢径 源
点的矢径
  i di
J  en lim ( )  en
S  0 S dS

 
i J  dS
S
  i di
J S  et lim( )  et
l  0 l dl

  
i   J S  (en  dl )
l
2.1.3 库仑定律和电场强度
电荷在其周围的空间会产生电场，表现为对于被引入场中
的其他电荷有力的作用。表征电场特性的基本物理量即为电场强度
矢量。 q0

根据实验，当一电量为 F （试验电荷）的正电荷引入
电场时，它将受到这一电场的作用力 （电场力）。 实验表
明，电场力的大小与实验电荷的电量成正比。说明，电场力与实验
电荷的比值与实验电荷的大小无关，仅随实验电荷所处的位置而变

 
化。因此，将单位正电荷在某点所受到的电场力定义为该点的电场
E
 F (r )
 lim
强度，记为 E (r ) ，即： q0
q0  0 q0

—实验正电荷
 N  N
qqi   
F q   F qi q   R i ( Ri  r  r i )
i 1 i 1 4 0 Ri3
 
 F (r )
E (r )  lim
q0  0 q
0


 qR  
E (r )  ( R  r  r )
4 0 R 3
  
  (r i)V i R i
E (r )  
i 1 4 0 Ri 3

 
1  (r ) R

4 0 V R 3
dV 

   
 1  S (r ) R  1 l (r ) R
E (r ) 
4 0 
S R 3
dS  E (r ) 
4 0 C R 3
dl 
 l
 E   (cos   cos  )
4 0 
1 2


E   l
(sin  2  sin 1 )
 Z
4 0 
l
E 
2 0 

a l z
Ez (0, 0, z )  3
2 0 (a  z )
2 2 2
 
S b 2 ez z  e  
E (r ) 
4 0 
a 0 (z   )
2

2 3
2
 d  d 
2  2
0
e d     0
( e x cos    e y sin  )d    0
  S z b  d   S z 1 1
E ( r )  ez 
2 0 ( z    )
a 2 2 32
ez [
2 0 ( z  a )
2 2 12

(z  b )
2 2 12
]
2.1.4 安培力定律和磁感应强度

 
 0 I 2 dl2  ( I1dl1  R12 )
F12 
4 
 C 2 
 C 1 R123


F21   F12

0 为真空中的磁导率， 0  4 10 H / m
（亨/米） 7
 磁感应强度矢量
电流或运动电荷在其周围空间会产生磁场，表现为对于被引入
场中的其他电流或运动电荷有力的作用。表征磁场特性的基本物理量
是磁感应强度矢量。
q0
根据实验，当一电量为 的试验电荷以速度 v 在磁场中
q0
运动经过某点时，运动电荷 在该点受到磁场对它的作用力为：
 
F  q0 v  B 

洛仑兹力 磁感应

强度矢量 F 0

当 v 与 B 平行时，运动电荷受到的洛仑兹力为零（
F  F max  q0 vB
）；而当 v 与 B 垂直时，运动电荷受到的洛仑兹力达到最大（
F
）。 B  lim max

q0  0 q0 v
磁场中某点的磁感应强度定义为：
 导体内的电流是由电荷的定向运动形成的，因此磁场对载

流导体也有力的作用。考虑载流导线回路上任一电流元
Idl ，它
在磁场中所受之力为： 
dF  I (dl  B )
其中，
 dq 
Idl  ( )dl  dq  v
dt

dq 为 dl 段内所有运动电荷的量值，即在 dt 时间内穿过导线
某一截面的电量。
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律
毕奥—沙伐定律

 
  0 I1dl1  R12 
F12   I 2 dl2  (  )  
 I dl  B ( r )
4 3 2 2 2
C2 C 1 R12 C2

 
 0 I1dl1  R12
B (r2 ) 
4 
 C 1 3
R12
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律

  
  0 Idl   (r  r ) 0 Idl   R
B(r ) 
4 
 C 
r  r
3

4 C R3
 
  0 Idl   (r  r )
dB (r )  
4 r  r
3


  0 J (r )  R
B(r ) 
4 
V R 3
dV 

 
  0 J S (r )  R
B(r ) 
4  S R 3
dS 
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律

  0 I
B  e (cos 1  cos  2 )
4
  0 I
B  e
2

  0 Ia 2
B (0, 0, z )  ez 3
2(a  z )
2 2 2
   
Idl   e Iad  r   e a

r  ez z
  1
r  r   ez z  e a r  r   ( z  a )
2 2 2

 
Idl   (r  r )  e Iad   (ez z  e a )
'


 e Iazd   ez Ia d 
2


 0 Ia 2 e z  ez a
B( z ) 
4 0
(z  a )
2 2 2
3
d  
 2  2

0
e d    (ex cos    ey sin  )d   0
0

 
0 Ia 2 ez a  0 Ia 2
B( z ) 
4 0
(z  a )
2
3
2 2
d    e z
2( z  a )
2
3
2 2

  0 I
B (0)  ez
2a
3
(z  a )
2 2 2
z 3

  0 Ia 2
B  ez 3
2z
 2.2 静电场 2.2.1 真空中静电场的
基本方程
 高斯定律
1. 真空中的点电荷：

 F q  eR
S E 
eR q0 4 0 R 2

q

  q eR q q
 E  dS    2 dS    
2
4 R
S S 4 R 4 R 2

0 0 0

说明：
1 ）高斯面为封闭曲面 .
2 ）穿进高斯面的电场强度通量为负，穿出为正 .
3 ）仅高斯面内的电荷对高斯面的电场强度通量有贡
献.
2. 多个点电荷：（体电荷）

  1 在真空中穿过任意高斯面的电场强
 S
E  dS 
0 
V
 dV 度通量等于该闭合曲面所包围的总电量
与真空介电常数的比值。

 
散度定理
 S
F  dS     FdV
V


  S
 
E  dS 
q 
 

E 

  0   0
  
  E  0
 E  dl  0
  C 
  
 F  dl     F  dS 斯托克斯定理
C S
 高斯定理表明穿过静电场中任一闭合面的电通量等
于包围该闭合面内所有电荷之代数和的
1
0 倍，而与
闭合面外的电荷无关。
其次，上面所说的电场线起自正电荷、终止于负电
荷的这一性质，是高斯定律的必然结果。这一性质显示了静
电场是有源场。激发电场的电荷则为该电场的“源头”。
或者形象地说，正电荷是电场的“源头”，每单位正
1
电荷向四周发出  0 条电场线；
1
负电荷是电场的“尾闾”，每单位负电荷有 0
条电场线向它汇聚（或终止）。
   q 1 4 3
 S E  dS  
0 0 3
 a  0

0 a 3
E
3 0 r 2

  1
 S
E  dS  
0 V
0 dV

0 4 3
4 r E 
2
 r
0 3
0 r
E
3 0
 例 均匀带电球壳的电
场强度。
一半径为 R , 均匀带电 Q 的薄
0r  R
球壳 . 求球壳内外任意点电场强 度.
 
解 （ 1 ）E  dS  0  E  0
S1

rR
（ 2）  Q
S E
2
 dS 
0
Q Q
4 r E 2
E
0 4 0 r 2
解 对称性分析：轴对
称  选取闭合的柱型高
 
斯面E  dS 
 S
 

S ( 柱面 )
E  dS  
S ( 上底 )
E  dS  
S ( 下底 )
E  dS

 
 
S ( 柱面 )
E  dS
   h
 S
E  dS  
S ( 柱面 )
EdS 
 0

h
2 rhE 
0
2.2.2 电位函数


  F    (u )  0
6. 电位的微分方程
2.2.3 电介质中的高斯定律及边界条件
1. 电介质中的高斯定理
媒质中带电粒子和电磁场的相互作用会产生三个基本
现象：（电）传导、极化和磁化。每一种媒质在电磁场中
均存在着三种现象，根据其中主导的现象，可将媒质分为
导体（包括半导体）、电介质和磁介质。
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律

2. 边界条件
实际的电磁场问题都是在一定的物理空间发生的，该空间
可能是由多种不同媒质组成，即存在不同媒质的交界面。在这些交
 ,  ,
界面上，特性参数 发生突变，导致某些场量发生
变化。
数学： 麦克斯韦方程
组是微分方程组，其解是不确
定的，边界条件起定解界的作
用。
麦克斯韦方程组的积分
形式在不同媒质的分界面上仍
然适用，由此可导出电磁场矢
量在不同媒质分界面上的边界
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律
电磁场理论之第二章 宏观电磁现象的基本规律
2.2.4 静电场的能量
2.2.5 分离变量法
2.2.6 镜像法