‫‪1‬‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬

‫ﻓﺼﻞ اول‬
‫» ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ «‬

‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬

‫از زﻣﺎنﻫﺎي ﺑﺴﻴﺎر ﻗﺪﻳﻢ‪ ،‬ﺑﺸﺮ ﺑﺎ آﻫﻦرﺑﺎﻫﺎي ﻃﺒﻴﻌﻲ آﺷﻨﺎ ﺑﻮده و ﻧﻴﺮوﻫﺎي ﺟﺎذﺑﻪ و داﻓﻌﻪ ﺑﻴﻦ ﻗﻄﻌﺎت ﻣﺨﺘﻠﻒ اﻳﻦ آﻫﻦرﺑﺎﻫﺎ و ﻧﻴﺰ ﺑﻴﻦ آﻧﻬﺎ و ﺳﺎﻳﺮ ﻗﻄﻌﺎت آﻫﻨﻲ‬
‫را ﻣﻲﺷﻨﺎﺧﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬اﻣﺎ ﺗﺎ ﺣﺪود ‪ 200‬ﺳﺎل ﭘﻴﺶ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﺻﺤﻴﺢ و دﻗﻴﻘﻲ از رﻓﺘﺎر اﺟﺴﺎم ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اراﺋﻪ ﻧﺸﺪه ﺑﻮد و ﺑﻪ ﻫﻤﻴﻦ دﻟﻴـﻞ از اﻳـﻦ ﭘﺪﻳـﺪه اﺳـﺘﻔﺎده‬
‫ﭼﻨﺪاﻧﻲ ﻧﻤﻲﺷﺪ‪ .‬در ﺳﺎل ‪ 1819‬ﻣﻴﻼدي ﻳﻚ داﻧﺸﻤﻨﺪ داﻧﻤﺎرﻛﻲ ﺑﻨﺎم اورﺳﺘﺪ ﻣﺘﻮﺟﻪ ﺷﺪ ﻫﻨﮕﺎم ﻋﺒﻮر ﺟﺮﻳـﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ از ﻳـﻚ ﺳـﻴﻢ ﻛـﻪ در ﻣﺠـﺎورت ﻳـﻚ‬
‫ﻗﻄﺐﻧﻤﺎ ﻗﺮار دارد ﻋﻘﺮﺑﻪ ﻗﻄﺐﻧﻤﺎ )ﻛﻪ ﺟﻨﺲ آن آﻫﻦرﺑﺎي ﻃﺒﻴﻌﻲ اﺳﺖ( ﻣﻨﺤﺮف ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻳﻦ ﺗﺠﺮﺑﻪ ﻧﺸﺎن داد ﻛـﻪ ﺟﺮﻳـﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ ﻧﻴـﺰ ﻣﺎﻧﻨـﺪ آﻫـﻦرﺑـﺎي‬
‫ﻃﺒﻴﻌﻲ در اﻃﺮاف ﺧﻮد ﻳﻚ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﺷﺪت آن ﺑﺴﺘﮕﻲ ﺑـﻪ ﺷـﺪت ﺟﺮﻳـﺎن ﺳـﻴﻢ دارد‪ .‬ﭘـﺲ از ﻛـﺸﻒ اورﺳـﺘﺪ در ﺳـﺎلﻫـﺎي ﺑﻌـﺪ‬
‫داﻧﺸﻤﻨﺪاﻧﻲ ﻧﻈﻴﺮ ﻓﺎراده‪ ،‬ﻟﻨﺰ‪ ،‬ﻟﻮرﻧﺲ و ‪ ...‬ﺑﻪ ﻣﺮور‪ ،‬ﻗﻮاﻧﻴﻦ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ را ﻛﺎﻣﻞ ﻧﻤﻮدﻧﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻗﻮاﻧﻴﻦ اﻣﺮوزه در ﺗﺤﻠﻴﻞ و ﻃﺮاﺣﻲ اﻛﺜﺮ ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺑﻪ ﻧﻮﻋﻲ ﺑـﺎ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺳﺮوﻛﺎر دارﻧﺪ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‪ ،‬ﻣﺨﺎﺑﺮات‪ ،‬ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﭘﺰﺷﻜﻲ‪ ،‬ﻣﻬﻨﺪﺳﻲ ﻫﻮا و ﻓﻀﺎ و ‪ ...‬ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲروﻧﺪ‪ .‬ﻟﺬا در اﻳـﻦ ﻗـﺴﻤﺖ ﺑـﺎ ﻣـﺮوري ﺑـﺮ‬
‫ﺗﻌﺎرﻳﻒ ﻣﻘﺪﻣﺎﺗﻲ ﻛﻤﻴﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪ ،‬روشﻫﺎي ﺗﺤﻠﻴﻞ و ﺑﻜﺎرﮔﻴﺮي ﻣﻴﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻴﺎن ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬

‫ﺗﻌﺎرﻳﻒ ﻣﻘﺪﻣﺎﺗﻲ‬

‫‪ (1‬ﺷﺎر ﻳﺎ ﻓﻮران ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )‪ :(‬ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﺧﻄﻮط ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻛﻪ از ﺳﻄﺤﻲ ﻣﺤﺪود ﻣﻲﮔﺬرد ﺷﺎر ﻳﺎ ﻓﻮران ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺎم دارد ﻛﻪ واﺣﺪ آن در ﺳﻴﺴﺘﻢ ‪ SI‬وﻟـﺖ‬
‫ﺛﺎﻧﻴﻪ )‪ (V.S‬ﻳﺎ وﺑﺮ )‪ (Wb‬اﺳﺖ‪ .‬ﻓﻮران ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺷﺒﻴﻪ ﺟﺮﻳﺎن در ﻣﺪار اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ اﺳﺖ ﻳﻌﻨﻲ ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﺟﺮﻳﺎن ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﺴﻴﺮ ﻧﺎﭘﻴﻮﺳﺘﻪ )ﻳـﺎ ﺑـﺎز( داﺷـﺘﻪ ﺑﺎﺷـﺪ‬
‫ﻓﻮران ﻧﻴﺰ ﻧﻤﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻣﺴﻴﺮي ﻧﺎﭘﻴﻮﺳﺘﻪ ﻳﺎ ﺑﺎز داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫‪ (2‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻓﻮران ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻳﺎ اﻧﺪﻛﺴﻴﻮن ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )‪ : (B‬ﻣﻴﺰان ﺷـﺎر در واﺣـﺪ ﺳـﻄﺢ‪ ،‬ﭼﮕـﺎﻟﻲ ﻓـﻮران ﻧـﺎم داﺷـﺘﻪ و واﺣـﺪ آن در ﺳﻴـﺴﺘﻢ ‪SI‬‬
‫‪ ‬‬ ‫‪Wb‬‬
‫( اﺳﺖ‪ .‬ﻓﻮران ﻛﻞ ﺧﺎرج ﺷﺪه از ﻳﻚ ﺳﻄﺢ ﺑﺮاﺑﺮ ‪    B.dA‬ﺑﻮده و ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ ‪ B‬ﺑﺮ ﺳﻄﺢ ‪ A‬ﻋﻤﻮد ﺑﺎﺷﺪ دارﻳﻢ‪:‬‬ ‫ﺗﺴﻼ )‪ (T‬ﻳﺎ وﺑﺮ ﺑﺮ ﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ )‬
‫‪m2‬‬
‫‪‬‬
‫‪  B.A  B ‬‬
‫‪A‬‬
‫‪ (3‬ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )‪ :( MMF : Magnetic Motive Force‬ﺑﻪ ﻧﻴﺮوي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻛﻪ ﺳﺒﺐ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺷﺎر در ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣـﻲﺷـﻮد‬
‫ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻲﮔﻮﻳﻨﺪ و واﺣﺪ آن آﻣﭙﺮدور )‪ A.T‬ﻳﺎ ‪ (A‬اﺳﺖ‪) .‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎرﺗﻲ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﺷﺎر ﻧﻴـﺮوي ﻣﺤﺮﻛـﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ اﺳـﺖ( ﻧﻴـﺮوي ﻣﺤﺮﻛـﻪ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ را ﺑﺎ ‪ ‬ﻧﺸﺎن داده و در ﻳﻚ ﺳﻴﻢ ﭘﻴﭻ ﺣﺎﻣﻞ ﺟﺮﻳﺎن از ﺣﺎﺻﻠﻀﺮب ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ در ﺗﻌﺪاد دور ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪ .‬ﻳﻌﻨﻲ‪:‬‬
‫‪MMF    N.I‬‬
‫‪ (4‬ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )‪ : (H‬ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ در ﺟﺴﻤﻲ ﺑﻪ ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ‪ ، Lc‬آﻣﭙﺮ دور ﻳﺎ ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛـﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ ﺑﺮاﺑـﺮ )‪  ( N.I‬ﻣﻮﺟـﻮد ﺑﺎﺷـﺪ ﺑـﻪ‬
‫ﻧﺴﺒﺖ اﻳﻦ ﻧﻴﺮو ﺑﻪ ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺟﺴﻢ‪ ،‬ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در آن ﺟﺴﻢ ﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻫﺮ ﻧﻘﻄﻪ داﺧـﻞ ﻣﻴـﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ از ﻧﻈـﺮ‬
‫ﻋﺪدي ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎ ﻧﻴﺮوﻳﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ از ﻃﺮف ﻗﻄﺐ ﺷﻤﺎل )‪ (N‬ﻓﻮراﻧﻲ ﻣﻌﺎدل ‪ 1Wb‬در آن ﻧﻘﻄﻪ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ .‬واﺣﺪ ﺷـﺪت ﻣﻴـﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ در ﺳﻴـﺴﺘﻢ ‪SI‬‬
‫‪A‬‬ ‫‪N‬‬
‫( ﻳﺎ آﻣﭙﺮ دور ﺑﺮ ﻣﺘﺮ ) ( اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻧﻴﻮﺗﻦ ﺑﺮ وﺑﺮ )‬
‫‪m‬‬ ‫‪Wb‬‬
‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫‪2‬‬

‫ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻗﺎﻧﻮن ﻣﺪاري آﻣﭙﺮ ﻣﻲﺗﻮان ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻳﻚ ﺟﺴﻢ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻪ ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ‪ Lc‬را از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ آورد‪:‬‬

‫‪ ‬‬ ‫‪NI‬‬

‫‪ H.dLc  NI  H  Lc  NI  H  Lc‬‬
‫‪‬‬

‫‪ (5‬ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻄﻠﻖ ) ‪ (‬و ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺴﺒﻲ ) ‪ : ( r‬اﮔﺮ ﻳﻚ ﻣﺎده ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣـﺜﻼً ﻳـﻚ ﻣﻴﻠـﻪ آﻫﻨـﻲ را در داﺧـﻞ ﻣﻴـﺪان‬

‫ﻳﻜﻨﻮاﺧﺘﻲ ﺑﻪ ﺷﺪت ‪ H‬ﻗﺮار دﻫﻴﻢ )ﻣﺜﻼً ﻣﻴﻠﻪ ﻣﺰﺑﻮر را داﺧﻞ ﻳﻚ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ ﻗﺮار دﻫﻴﻢ( ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺷﺎر ‪ B‬در ﻣﻴﻠﻪ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ در آن ارﺗﺒﺎط ﺑـﻴﻦ ‪ H‬و ‪B‬‬
‫‪B‬‬
‫‪‬‬ ‫ﺑﻪ وﺳﻴﻠﻪ ﺿﺮﻳﺒﻲ ﺑﻪ ﻧﺎم ‪ ‬اﻧﺠﺎم ﮔﺮﻓﺘﻪ و ﺑﻪ آن ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻄﻠﻖ ﻣﻴﻠﻪ ﻳﺎ ﻣﺎده ﮔﻮﻳﻨﺪ ﺑﻪ ﻃﻮريﻛﻪ‪:‬‬
‫‪H‬‬
‫اﮔﺮ ﻣﻴﺪان در ﺧﻼء اﻳﺠﺎد ﺷﺪه ﺑﺎﺷﺪ ﻳﻌﻨﻲ ﺑﻪ ﺟﺎي ﻫﺴﺘﻪ آﻫﻨﻲ ﻓﻮقاﻟﺬﻛﺮ اﻃـﺮاف و داﺧـﻞ ﺳـﻴﻢﺑﻨـﺪي ﺧـﻼء اﻳﺠـﺎد ﮔـﺮدد ﺿـﺮﻳﺐ ﻧﻔـﻮذ آن ﻣﺤـﻴﻂ ﻣﻘـﺪار ﺛـﺎﺑﺘﻲ‬
‫‪Wb‬‬
‫( ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ و آن را ﺑﺎ ‪ ‬ﻧﺸﺎن داده و ﺑﻪ آن ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻄﻠﻖ ﺧﻼء ﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬ﺿـﺮﻳﺐ ﻧﻔـﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ‬ ‫ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 4  17‬وﺑﺮ ﺑﺮ آﻣﭙﺮ دور در ﻣﺘﺮ )‬
‫‪A.m‬‬
‫ﻛﻠﻴﻪ ﻣﻮاد را ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺧﻼء ﺳﻨﺠﻴﺪه و ﺑﻪ آن ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺴﺒﻲ ﺟﺴﻢ ﮔﻮﻳﻨﺪ و آن را ﺑﺎ ‪  r‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﻨﺪ ﻳﻌﻨﻲ‪:‬‬
‫‪‬‬
‫‪r ‬‬ ‫ﻳﺎ‬ ‫‪   r‬‬
‫‪‬‬
‫‪H‬‬ ‫‪Wb‬‬
‫)ﻫﺎﻧﺮي ﺑﺮ ﻣﺘﺮ( ﺳﻨﺠﻴﺪه ﺷﺪه و ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺴﺒﻲ ﺑﺪون واﺣﺪ اﺳﺖ‪.‬‬ ‫ﻳﺎ‬ ‫ﻻزم ﺑﻪ ذﻛﺮ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻄﻠﻖ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ‬
‫‪m Am‬‬
‫)واﺿﺢ اﺳﺖ ﻛﻪ ‪  r‬ﺑﺮاي ﺧﻮد ﺧﻼء ﻫﻤﻮاره ﺑﺮاﺑﺮ ﻳﻚ اﺳﺖ(‪.‬‬

‫‪ (6‬ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻳﺎ رﻟﻮﻛﺘﺎﻧﺲ ) ‪ :( Rm‬ﻣﻴﺰان ﻣﻘﺎوﻣﺘﻲ ﻛﻪ ﻳﻚ ﺟﺴﻢ در ﻣﻘﺎﺑﻞ ﻋﺒﻮر ﺷﺎر ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ از ﺧﻮد ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ ﻧـﺎم‬
‫‪A‬‬
‫( ﺑﻮده و ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ ﺗﻮزﻳﻊ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در آن ﺟﺴﻢ ﻳﻜﻨﻮاﺧﺖ ﺑﺎﺷﺪ )ﻳﻌﻨﻲ از ﻫﺮ ﺟﺰء از ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ اﻳﻦ ﻣﺎده ﺗﻌﺪاد‬ ‫دارد و واﺣﺪ آن آﻣﭙﺮ دور ﺑﺮ وﺑﺮ )‬
‫‪Wb‬‬
‫ﺧﻄﻮط ﺷﺎر ﻳﻜﺴﺎﻧﻲ ﻋﺒﻮر ﻧﻤﺎﻳﺪ( از راﺑﻄﻪ زﻳﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ اﺳﺖ‪:‬‬
‫‪Lc‬‬
‫‪Rm ‬‬
‫‪A‬‬
‫‪H‬‬
‫در اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ‪ A‬ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﺟﺴﻢ ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ ) ‪ (m2‬و ‪ ‬ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻄﻠﻖ ﻣﺎده ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻫـﺎﻧﺮي ﺑـﺮ ﻣﺘـﺮ ) (‬
‫‪m‬‬
‫و ‪ Lc‬ﻧﻴﺰ ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻣﺎده ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻣﺘﺮ )‪ (m‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺗﺬﻛﺮ‪ :1‬در ارﺗﺒﺎط ﺑﺎ ﺗﻌﺎرﻳﻒ ﻓﻮق ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﻣﻮارد زﻳﺮ دﻗﺖ ﻧﻤﻮد‪:‬‬ ‫‪‬‬
‫‪1Wb 1 8 Maxwells  1 8 Lines‬‬ ‫‪ ‬واﺣﺪﻫﺎي دﻳﮕﺮ ﺷﺎر‪ ،‬ﻣﺎﻛﺴﻮل و ﺧﻂ اﺳﺖ ﺑﻪ ﻃﻮري ﻛﻪ‪:‬‬
‫‪ ‬از آﻧﺠﺎﺋﻴﻜﻪ واﺣﺪ ﺗﺴﻼ )‪ (T‬ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرگ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ در ﺑﻌﻀﻲ از ﻣﻮارد ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺷﺎر ﺑﺮ ﺣﺴﺐ واﺣﺪ ﻛﻮﭼﻜﺘﺮي ﺑﻪ ﻧﺎم ﮔﻮس )‪ (G‬ﻧﻴﺰ ﺳﻨﺠﻴﺪه ﻣـﻲﺷـﻮد‬
‫‪Wb‬‬
‫‪1T  1‬‬ ‫‪ 14 G‬‬ ‫ﺑﻪ ﻃﻮري ﻛﻪ‪:‬‬
‫‪2‬‬
‫‪m‬‬
‫‪ ‬ﻫﻤﺎﻧﻄﻮري ﻛﻪ در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺪون وﺟﻮد ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛـﻪ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜـﻲ )‪ ( EMF : Electro Motive Force‬ﺟﺮﻳـﺎن ﺑﺮﻗـﺮار ﻧﻤـﻲﺷـﻮد در‬
‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﻴﺰ ﺑﺪون وﺟﻮد ‪ MMF‬ﻓﻮران ﺟﺎري ﻧﻤﻲﺷﻮد )ﺑﻪ ﺟﺰ ﻣﻮارد ﺧﺎص ﻣﺎﻧﻨﺪ آﻫﻨﺮﺑﺎي داﺋﻤﻲ(‪.‬‬
‫‪ ‬ﻣﻘﺪار ‪ ) ‬و ‪ (  r‬در ﻳﻚ ﻣﺎده ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺛﺎﺑﺖ ﻧﺒﻮده و ﺑﺴﺘﮕﻲ ﺑﻪ ﺷﺪت ﻣﻴﺪان و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان )ﻧﻘﻄﻪ ﻛﺎر( ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺎده دارد ﺑـﻪ ﻃـﻮري ﻛـﻪ ﺑـﺎ‬
‫اﻓﺰاﻳﺶ ﻣﻘﺪار ‪ ) H‬ﻳﺎ ‪ ( B‬ﻣﻘﺪار ‪  r‬اﺑﺘﺪا اﻓﺰاﻳﺶ و ﺳﭙﺲ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪) .‬اﻟﺒﺘﻪ اﮔﺮ رﻓﺘﺎر ﻣﺎده ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﻄـﻲ ﺑﺎﺷـﺪ ﻣﻘـﺪار ‪ ‬و ‪  r‬ﻧـﺴﺒﺖ ﺑـﻪ‬
‫ﺗﻐﻴﻴﺮات ‪ B‬و ‪ H‬ﺛﺎﺑﺖ ﺑﻮده و ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﻲﻛﻨﻨﺪ(‬
‫‪ ‬از ﻣﻴﺎن ﻛﻤﻴﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻓﻮقاﻟﺬﻛﺮ ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺴﺘﻘﻞ از ﺟـﻨﺲ ﻫـﺴﺘﻪ ﺑـﻮده و ﺑـﺎﻗﻲ ﻛﻤﻴـﺎت‬
‫واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪ ‬ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻄﻠﻖ )‪ (‬و ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺴﺒﻲ ) ‪ ( r‬ﺑﺮاي ﻫﻮا ﻧﻴﺰ ﺗﻘﺮﻳﺒﺎً ﺑﺮاﺑﺮ اﻋﺪاد ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺧﻼء ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪.‬‬
 ‫‪3‬‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬

‫ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺟﻬﺖ ﺷﺎر در ﻣﺪارات ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫ﺑﺮاي ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺟﻬﺖ ﺷﺎر در ﻣﺪارات ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ از ﻗﺎﻧﻮن دﺳﺖ راﺳﺖ اﺳﺘﻔﺎده ﻣﻲﺷﻮد اﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮن را ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻪ دو ﺻﻮرت زﻳﺮ در ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ و ﺳﻴﻢﻫﺎي راﺳﺖ ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮد‪:‬‬
‫‪ (1‬در ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ‪ :‬در ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ اﮔﺮ ﭼﻬﺎر اﻧﮕﺸﺖ ﻧﻴﻤﻪ ﺑﺴﺘﻪ دﺳﺖ راﺳﺖ ﺟﻬﺖ ﺟﺮﻳﺎن درون ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ را ﻧﺸﺎن دﻫﺪ‪ ،‬ﺷﺴﺖ دﺳﺖ راﺳﺖ ﺟﻬﺖ ﺷﺎر ﺗﻮﻟﻴﺪي‬
‫را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮن در ﺷﻜﻞ »‪1‬ـ اﻟﻒ« آﻣﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (2‬در ﺳﻴﻢﻫﺎي راﺳﺖ‪ :‬در ﺳﻴﻢﻫﺎي راﺳﺖ اﮔﺮ ﺷﺴﺖ دﺳﺖ راﺳﺖ ﺟﻬﺖ ﺟﺮﻳﺎن ﻋﺒﻮري از ﺳﻴﻢ را ﻧﺸﺎن دﻫﺪ‪ ،‬ﭼﻬﺎر اﻧﮕﺸﺖ ﻧﻴﻤﻪ ﺑﺴﺘﻪ اﻳـﻦ دﺳـﺖ‪ ،‬ﺟﻬـﺖ‬
‫ﻓﻮران اﻳﺠﺎد ﺷﺪه در اﻃﺮاف ﺳﻴﻢ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮن در ﺷﻜﻞ »‪1‬ـ ب« آﻣﺪه اﺳﺖ‪.‬‬

‫)ب(ﻗﺎﻧﻮن دﺳﺖ راﺳﺖ در ﺳﻴﻢﻫﺎ‬ ‫)اﻟﻒ( ﻗﺎﻧﻮن دﺳﺖ راﺳﺖ در ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎ‬

‫»ﺷﻜﻞ ‪ :1‬ﻗﺎﻧﻮن دﺳﺖ راﺳﺖ«‬

‫دﺳﺘﻪﺑﻨﺪي ﻣﻮاد ﺑﺮ اﺳﺎس ﻗﺎﺑﻠﻴﺖ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺴﺒﻲ‬

‫‪ (1‬ﻣﻮاد ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻃﺒﻴﻌﻲ )ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ(‪ :‬ﻣﻮادي ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ در آﻧﻬﺎ ‪  r‬ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ﻋﺪد ﻳﻚ اﺳﺖ )ﺣﻮاﻟﻲ ﭼﻨﺪ ﻫﺰار( ﻣﺎﻧﻨﺪ‪ :‬ﻛﺒﺎﻟـﺖ‪ ،‬آﻫـﻦ‪ ،‬ﻓـﻮﻻد‪،‬‬
‫ﻧﻴﻜﻞ و آﻟﻴﺎژﻫﺎي آن‪ ،‬ﻓﺮﻳﺖ ﻧﺮم و … ﻣﺜﻼً ﺑﺮاي ﻓﺮﻳﺖ ﻧﺮم ‪  r  1   ‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (2‬ﻣﻮاد ﻏﻴﺮﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﭘﺎراﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ( ‪ :‬ﻣﻮادي ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ در آﻧﻬﺎ ‪  r‬ﻛﻤﻲ ﺑﺰرﮔﺘﺮ از ﻋﺪد ﻳﻚ )ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﺗﺎ ‪ 4‬ﻳﺎ ‪ ( 5‬اﺳﺖ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﻫﻮا‪ ،‬اﻛـﺴﻴﮋن‪ ،‬ﭘﻼﺗـﻴﻦ‪،‬‬
‫آﻟﻮﻣﻴﻨﻴﻮم و … ﻣﺜﻼً ﺑﺮاي ﻫﻮا ‪  r 1/      4‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (3‬ﻣﻮاد ﺿﺪﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )داﻳﺎﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ( ‪ :‬ﻣﻮادي ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻛﻪ در آﻧﻬﺎ ‪  r‬ﻛﻤﻲ ﻛﻮﭼﻜﺘﺮ از ﻋﺪد ﻳﻚ اﺳﺖ ﻣﺎﻧﻨﺪ ‪ :‬ﺟﻴﻮه‪ ،‬ﻧﻘﺮه‪ ،‬ﻗﻠﻊ‪ ،‬آب و … ﻣﺜﻼً ﺑﺮاي آب‬
‫‪  r   / 899991‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺗﺬﻛﺮ‪ :2‬در ارﺗﺒﺎط ﺑﺎ اﻧﻮاع ﻣﻮاد از ﻧﻈﺮ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﺎﻳﺪ ﺗﻮﺟﻪ ﻧﻤﻮد ﻛﻪ‪:‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ ‬ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﻮد ﺑﻪ دو دﺳﺘﻪ ﻣﻮاد ﺳﺨﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و ﻣﻮاد ﻧﺮم ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪ .‬در ﻣﻮاد ﺳﺨﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﺎﺻـﻴﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ‬
‫)ﻳﺎ ﻫﻤﺎن ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان ﻳﺎ ‪ (B‬ﺑﺮاي ﻣﺪﺗﻲ ﺣﻔﻆ ﻣﻲﺷﻮد وﻟﻲ در ﻣﻮاد ﻧﺮم ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻌﺪ از ﺟﺪا ﺷﺪن از ﺣﻮزه ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ )ﺻـﻔﺮ ﺷـﺪن ‪ (H‬ﺧﺎﺻـﻴﺖ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﻴﺰ از ﺑﻴﻦ ﻣﻲرود‪.‬‬
‫‪ ‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روﺷﻲ ﺑﻪ ﻧﺎم ﻧﻮرد ﺳﺮد ﺟﻬﺖدار ﻣﻲﺗﻮان ﺑﺎ ﺟﻬﺖدار ﻧﻤﻮدن ﻛﺮﻳﺴﺘﺎلﻫﺎي ﺑﺮﺧﻲ از ﻣـﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ )ﻣﺨـﺼﻮﺻﺎً ﻓـﻮﻻد ﺳـﻴﻠﻴﻜﻮندار(‬
‫ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﻳﻦ ﻣﻮاد را ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ ﻓﻮران در راﺳﺘﺎي ﻃﻮل ورق ﺟﺎري ﻣﻲﺷﻮد ﺷﺪﻳﺪاً اﻓﺰاﻳﺶ داد )ﺑﻪ اﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ورقﻫﺎ ‪ crgos‬ﮔﻮﻳﻨﺪ(‬
‫‪ ‬ﻫﻨﮕﺎﻣﻲ ﻛﻪ ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻣﻌﺮض ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮﻧﺪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻛﻮﭼﻜﻲ )در ﺣﺪود ‪ 15‬ﻣﺘﺮ( در ﻃﻮل آنﻫﺎ اﻳﺠـﺎد ﻣـﻲﺷـﻮد‪.‬‬
‫اﮔﺮ ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻮرد ﺑﺤﺚ ﻣﺘﻨﺎوب ﺑﺎﺷﺪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﻃﻮل ﺑﻪ ﺻﻮرت رﻓﺖ و ﺑﺮﮔﺸﺘﻲ )ﺑﺰرگ و ﻛﻮﭼﻚ ﺷﺪن( ﺑـﻮده ﻟـﺬا ﻋـﻼوه ﺑـﺮ اﻳﺠـﺎد ﺗﻠﻔـﺎت‬
‫اﻧﺮژي ﻣﻮﺟﺐ اﻓﺰاﻳﺶ ﺗﻨﺶ ﻣﻜﺎﻧﻴﻜﻲ و ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻧﻮﻳﺰ ﺻﻮﺗﻲ )ﺻﺪاي وﻳﺰ وﻳﺰ( ﻧﻴﺰ ﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬
‫‪ ‬ﻣﻘﺪار ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺴﺒﻲ ﻣﻮاد ﭘﺎراﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و داﻳﺎﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺴﺘﻘﻞ از ﻣﻴﺰان ﺷﺪت ﻣﻴﺪان )ﻳﺎ ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ( اﺳﺖ در ﺻﻮرﺗﻲ‬
‫ﻛﻪ ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ واﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ ‬در ﺑﻌﻀﻲ از ﻣﻮارد ﺟﻬﺖ ﺟﻠﻮﮔﻴﺮي از ﺗﻨﻮع زﻳﺎد‪ ،‬ﻣﻮاد را ﺑﻪ دو دﺳﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ( ﺑﺎ ‪  r‬ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺰرگﺗﺮ از ﻋﺪد ﻳـﻚ و ﻏﻴﺮﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ )ﭘـﺎرا و‬
‫داﻳﺎﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ( ﺑﺎ ‪  r  1‬ﺗﻘﺴﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ‪.‬‬
‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫‪4‬‬

‫راﺑﻄﻪ ﺑﻴﻦ ﺷﺪت ﻣﻴﺪان و ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪B  H ,    r‬‬ ‫ﻫﻤﺎﻧﻄﻮر ﻛﻪ ﺑﻴﺎن ﺷﺪ ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ ‪ B‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و ‪ H‬ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﺎﺷﺪ دارﻳﻢ‪:‬‬
‫از راﺑﻄﻪ ﻓﻮق ﻧﺘﺎﻳﺞ زﻳﺮ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪ (1‬در ﻣﻮاد ﭘﺎراﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ و داﻳﺎﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪ :‬در اﻳﻦ ﮔﻮﻧﻪ ﻣﻮاد ‪  r ~ 1‬ﺑﻮده و ﻣﻘﺪار آن ﻫﻤﻮاره ﺛﺎﺑﺖ اﺳﺖ‪ ،‬ﻟﺬا‪:‬‬
‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ r ~ 1  B   H  B  4  1 7 H‬‬
‫ﭘﺲ ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻨﺤﻨﻲ ‪ B  H‬را ﺑﺮاي اﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ﻣﻮاد ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻜﻞ »‪2‬ـ اﻟﻒ « رﺳﻢ ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫‪ (2‬در ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪ :‬در اﻳﻦ ﮔﻮﻧﻪ ﻣﻮاد ‪  r 1‬ﺑﻮده و ﻣﻘﺪار آن ﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ اﻧﺪازه ‪ B‬و ‪ H‬ﻣﺘﻐﻴﺮ اﺳﺖ ﻳﻌﻨﻲ )‪  r  f (B, H‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﻣـﻲﺗـﻮان‬
‫ﻣﻨﺤﻨﻲ ‪ B  H‬را ﺑﺮاي اﻳﻦ ﮔﻮﻧﻪ ﻣﻮاد ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻜﻞ »‪2‬ـ ب« رﺳﻢ ﻧﻤﻮد‪.‬‬
‫‪B‬‬
‫‪B‬‬
‫ﻧﺎﺣﻴﻪ زاﻧﻮﻳﻲ ﻧﺎﺣﻴﻪ ﺧﻄﻲ‬ ‫ﻧﺎﺣﻴﻪ اﺷﺒﺎع‬
‫‪ r‬ﺑﺎﻻ‬ ‫‪ r‬ﻛﻢ‬
‫‪ r‬ﺑﺴﻴﺎر ﻛﻢ‬ ‫‪H‬‬
‫‪tg =  = 4  10-7 m‬‬

‫‪‬‬ ‫)‪H (or NI‬‬

‫)‪H (or NI‬‬
‫) ب( ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫)اﻟﻒ( ﻣﻮاد ﻏﻴﺮﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫» ﺷﻜﻞ ‪ .2‬ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻮاد «‬

‫ﻧﻜﺘﻪ‪ :1‬در ﺧﺼﻮص ﻣﺸﺨﺼﻪ ‪ B‬ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ‪ H‬ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪ ﻧﻜﺎت زﻳﺮ دﻗﺖ ﻧﻤﻮد‪:‬‬
‫‪ ‬ﻃﺒﻖ ﺷﻜﻞ »‪2‬ـ اﻟﻒ« ﺑﻪ ﻋﻠﺖ ﻛﻢ ﺑﻮدن ﺷﻴﺐ ﻣﺸﺨﺼﻪ ‪ B  H‬در ﻣﻮاد ﭘﺎرا و داﻳﺎﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان ﺗﻮﻟﻴﺪي اﻳﻨﮕﻮﻧﻪ از ﻣﻮاد ﺑﺴﻴﺎرﻛﻤﺘﺮ از ﻣـﻮاد‬
‫ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ اﻳﻦ اﻣﺮ در ﺑﺴﻴﺎري از ﻣﻮارد ﺿﻌﻒ اﻳﻦ ﻣﻮاد ﻣﺤﺴﻮب ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در ﻋﻴﻦ ﺣﺎل ﻣﻲﺗﻮان ذﻛﺮ ﻛﺮد ﻛﻪ ﻋﻤﺪهﺗﺮﻳﻦ ﻣﺰﻳـﺖ ﻣـﻮاد ﭘـﺎرا و‬
‫داﻳﺎﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻋﺪم اﺷﺒﺎع در آﻧﻬﺎ ﺑﻮده و اﻳﻦ ﻣﻮاد از ﻧﻈﺮ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ داراي رﻓﺘﺎر ﺧﻄﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ ﻳﻌﻨﻲ ﻣﺸﺨﺼﻪ ‪ B  H‬آﻧﻬﺎ ﻫﻤﻮاره ﺧﻂ راﺳﺘﻲ اﺳـﺖ‬
‫ﻛﻪ از ﻣﺒﺪأ ﻣﻲﮔﺬرد‪.‬‬
‫‪ ‬ﺑــﺮاي ﻣﻌﺮﻓــﻲ رﻓﺘــﺎر ﻣﻐﻨﺎﻃﻴــﺴﻲ ﻣــﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴــﺴﻲ ﺑﻌــﻀﺎً ﺑــﻪ ﺟــﺎي ﻣﻨﺤﻨــﻲ ‪ B  H‬راﺑﻄــﻪ ﺑــﻴﻦ ‪ B‬و ‪ H‬ﺑــﻪ ﺻــﻮرت ﻳــﻚ ﺗــﺎﺑﻊ ﻫﻤﻮﮔﺮاﻓﻴــﻚ‬
‫‪aH‬‬
‫‪ B ‬ﻳﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﺗﺎﺑﻊ ﻧﻤﺎﻳﻲ ﻳﺎ رادﻳﻜﺎﻟﻲ ﻧﻈﻴﺮ ‪ B  a  b H‬و ﻳﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺳﺎﻳﺮ ﺗﻮاﺑﻊ ﻣﻨﺎﺳﺐ داده ﺷﻮد‪ .‬ﻛﻪ در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﺑـﺎ‬ ‫ﻧﻈﻴﺮ‬
‫‪bH  c‬‬
‫ﺟﺎﻳﮕﺬاري ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺮاي ‪ H‬ﻣﻘﺎدﻳﺮ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺮاي ‪ B‬ﺑﺪﺳﺖ ﻣﻲآﻳﺪ‪.‬‬
‫‪ ‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ داراي رﻓﺘﺎري ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ اﻣﺎ در ﺑﻌﻀﻲ از ﻣﺴﺎﺋﻞ ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺳﺎدهﺳﺎزي‪ ،‬رﻓﺘﺎر اﻳﻦ ﻣﻮاد ﺧﻄﻲ در ﻧﻈـﺮ ﮔﺮﻓﺘـﻪ‬
‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬در اﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ‪  r‬ﺑﺮاي اﻳﻦ ﻣﻮاد ﻳﻚ ﻋﺪد ﺛﺎﺑﺖ و ﻳﺎ ﺑﻲﻧﻬﺎﻳﺖ ﻣﻌﺮﻓﻲ ﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬
‫‪ ‬در ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﺎ ﻣﻨﺤﻨﻲ اﺷﺒﺎع ﺷﻜﻞ »‪2‬ـ ب« ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ‪ H‬ﻳﺎ ‪ B‬ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺑﺘﺪا اﻓﺰاﻳﺶ و ﺳﭙﺲ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ ﻣﺜﻼً ﺑﺮاي ورق‬
‫ﻓﻮﻻد ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻨﺤﻨﻲ» ‪ «  r  H‬را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻜﻞ »‪3‬ـ اﻟﻒ« و ﻣﻨﺤﻨﻲ » ‪ «  r  B‬را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻜﻞ »‪3‬ـ ب« رﺳﻢ ﻧﻤﻮد‪) .‬ﻃﺒﻖ ﺷﻜﻞ »‪3‬ـ اﻟـﻒ«‬
‫ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﻣﻘﺪار ‪  r‬در ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در آﺳﺘﺎﻧﻪ ﻧﺎﺣﻴﻪ زاﻧﻮﻳﻲ )‪ (Knee‬اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪(.‬‬
‫‪r‬‬ ‫‪r‬‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪ اﺷﺒﺎع ورق ﻓﻮﻻد‬ ‫ﻣﺸﺨﺼﻪ اﺷﺒﺎع ورق ﻓﻮﻻد‬

‫‪r‬‬
‫‪max‬‬

‫‪B‬‬ ‫)‪H (or N.I‬‬

‫‪Hknee‬‬
‫) ب( ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﺑﺮﺣﺴﺐ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان‬ ‫) اﻟﻒ( ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﺑﺮﺣﺴﺐ ﺷﺪت ﻣﻴﺪان‬

‫» ﺷﻜﻞ ‪ .3‬ﻣﻨﺤﻨﻲ ﺗﻐﻴﻴﺮات ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﺴﺒﻲ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮات ‪ B‬و ‪« H‬‬
 ‫‪5‬‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬

‫‪ ‬ﺗﻮﺟﻪ‪ :‬ﺑﻪ ﻃﻮر ﻛﻠﻲ اﮔﺮ در ﻣﺎدهاي ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ) ‪ ‬ﻳﺎ ‪ ( r‬ﻋﺪدي ﺛﺎﺑﺖ و ﻣﺸﺨﺺ ﺑﺎﺷﺪ آن ﻣﺎده داراي رﻓﺘﺎر ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﻄﻲ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫اﮔﺮ ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺎدهاي ﺑﻲﻧﻬﺎﻳﺖ ﺑﺎﺷﺪ ﺿﻤﻦ اﻳﻨﻜﻪ ﻣﺎده داراي رﻓﺘﺎر ﺧﻄﻲ اﺳﺖ‪ ،‬اﻳﺪهآل ﻧﻴﺰ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪) .‬ﮔﺮﭼﻪ ﺧﻄﻲ ﺑﻮدن در ﭼﻨـﻴﻦ ﺷـﺮاﻳﻄﻲ‬
‫ﻣﻬﻢ ﻧﻴﺴﺖ( ﺑﺎرزﺗﺮﻳﻦ وﻳﮋﮔﻲ ﭼﻨﻴﻦ ﻣﻮادي ﺻﻔﺮ ﺑﻮدن ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ آﻧﻬﺎ اﺳﺖ ﻛﻪ ﺧﻮد ﺳﺒﺐ ﺻﻔﺮ ﺷﺪن اﻓـﺖ ﭘﺘﺎﻧـﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ و ﺻـﻔﺮ ﺷـﺪن‬
‫اﻧﺮژي ذﺧﻴﺮه ﺷﺪه در آن ﻣﺎده ﻣﻲﮔﺮدد‪.‬‬

‫ﻓﺮﻳﺖﻫﺎ )‪(‬‬
‫ﻓﺮﻳﺖ ﻣﺨﻠﻮﻃﻲ از اﻛﺴﻴﺪﻫﺎي آﻫﻦ و دﻳﮕﺮ ﻓﻠﺰات اﺳﺖ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﺎده راﺑﻄﻪ ﻧﺰدﻳﻜﻲ ﺑﺎ ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ دارد وﻟﻲ ﺑﻪ دﻟﻴﻞ اﺧﺘﻼف در وﺿﻌﻴﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪ ،‬آﻧﻬﺎ را‬
‫ﻣﻮاد ﻓﺮيﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬ﻓﺮﻳﺖ ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺴﻴﺎر ﺑﺎﻻﻳﻲ)ﺣﺪوداً ‪ 16‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺳﺎﻳﺮ ﻓﻠﺰات ( دارد ﻟﺬا ﺟﺮﻳﺎن ﻓﻮﻛﻮ در آن ﺻﻔﺮ اﺳﺖ ﭘﺲ ﺑـﻪ دﻟﻴـﻞ ﺑـﺎﻻ‬
‫ﺑﻮدن ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ اﻳﻦ ﻫﺴﺘﻪ ﻧﻴﺎزي ﺑﻪ ورﻗﻪ ورﻗﻪ ﺷﺪن ﻧﺪارد‪) .‬درﺧﺼﻮص ﺗﻠﻔﺎت ﻓﻮﻛﻮ در ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﺑﻌﺪي ﺻﺤﺒﺖ ﻣﻲﮔﺮدد(‬
‫ﻣﻮاد ﺧﺎم ﻓﺮﻳﺖ ارزان و ﻣﻮاد ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه آن از ﻫﺮ آﻟﻴﺎژي ﺳﺒﻚﺗﺮ اﺳﺖ اﻣﺎ ﺑﻪ ﻋﻠﺖ وﺟﻮد اﻛﺴﻴﮋن ﻏﻴﺮﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در آن اﻳﻦ ﻣﺎده ﻧﻤـﻲﺗﻮاﻧـﺪ ﺑـﻪ اﻧـﺪازه ﻣـﻮاد‬
‫ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﺎﻻﻳﻲ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﺜﻼً اﮔﺮ ﺣﺪاﻛﺜﺮ ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در آﻫﻦ ‪ 2/18‬ﺗﺴﻼ ﺑﺎﺷﺪ در ﻓﺮﻳـﺖ ﺣـﺪود ‪  / 3‬ﺗـﺎ ‪ / 5‬‬
‫ﺗﺴﻼ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ اﺷﺒﺎع در ﻓﺮﻳﺖ زودﺗﺮ رخ ﻣﻲدﻫﺪ ﻛﻪ اﻳﻦ ﻣﺴﺌﻠﻪ ﻛﺎرﺑﺮد آن را ﻣﺤﺪود ﻣﻲﺳﺎزد‪) .‬زﻳﺮا در ﻳﻚ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ ﻣـﺸﺨﺺ‪ ،‬اﺳـﺘﻔﺎده از ﻫـﺴﺘﻪ‬
‫ﻓﺮﻳﺘﻲ ﺳﺒﺐ ﺑﺰرگ ﺷﺪن اﺑﻌﺎد ﻣﺎﺷﻴﻦ ﻣﻲﮔﺮدد(‬

‫ﺗﺄﺛﻴﺮ دﻣﺎ و ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ روي ﻣﻮاد ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )‪(‬‬

‫ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﻓﺮﻛﺎﻧﺲ و ازدﻳﺎد درﺟﻪ ﺣﺮارت ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻛﺎﻫﺶ ﻣﻲﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻃﻮري ﻛﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﻳﺶ ﺑﻴﺶ از ﺣﺪ دﻣﺎ‪ ،‬اﺟﺴﺎم ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ ﺑـﻪ ﻧﻘﻄـﻪاي‬
‫ﻣﻮﺳﻮم ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ‪ Curie‬ﻣﻲرﺳﻨﺪ ﻛﻪ ﺧﻮاص ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﻮد را از دﺳﺖ ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪ .‬درﺟﻪ ﺣﺮارت ‪ Curie‬ﺑﺮاي آﻫﻦ ‪ 77  C‬و ﺑﺮاي ﻧﻴﻜﻞ ‪ 348 C‬اﺳﺖ‪ .‬در‬
‫ﻋﻤﻞ ﭼﻮن ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در وﺿﻌﻴﺖ ﻋﺎدي زﻳﺮ ‪ 15  C‬ﻛﺎر ﻣﻲﻛﻨﻨﺪ ﻟﺬا ﻫﻴﭽﻮﻗﺖ ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ‪ Curie‬ﻧﻤﻲرﺳﻨﺪ‪ .‬درﺟﻪ ﺣﺮارﺗﻲ ﻛﻪ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬
‫ﻓﺮﻳﺖ از ﺑﻴﻦ ﻣﻲرود درﺟﻪ ﺣﺮارت ﻧﻴﻞ ﻧﺎم دارد ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻓﺮﻳﺖﻫﺎي ﻣﻌﻤﻮﻟﻲ ﺑﻴﻦ ‪ 25  C‬ﺗﺎ ‪ 5   C‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﻛﻤﻴﺎت ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ )‪(‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻳﻜﺴﺎن ﺑﻮدن اﻛﺜﺮ ﻗﻮاﻧﻴﻦ ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﻴﺪانﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ و ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻴﻦ ﻛﻤﻴﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ وﺟﻮه ﻣﺸﺘﺮﻛﻲ ﺑـﻪ ﺻـﻮرت‬
‫ﺟﺪول »‪ «1‬ﭘﻴﺪا ﻛﺮد‪.‬‬

‫» ﺟﺪول ‪ .1‬ﺗﺸﺎﺑﻪ ﻛﻤﻴﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ «‬

‫» ﻛﻤﻴﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ «‬ ‫» ﻛﻤﻴﺖﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ «‬
‫ﻧﺎم ﻛﻤﻴﺖ‬ ‫ﺣﺮوف ﻣﺸﺨﺼﻪ‬ ‫واﺣﺪ‬ ‫راﺑﻄﻪ‬ ‫ﻧﺎم ﻛﻤﻴﺖ‬ ‫ﺣﺮوف ﻣﺸﺨﺼﻪ‬ ‫واﺣﺪ‬ ‫راﺑﻄﻪ‬
‫‪ ‬‬ ‫‪ ‬‬
‫ﺷﺎر ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫‪‬‬ ‫‪Wb‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪B.dA‬‬ ‫ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪I‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪ J.dA‬‬
‫ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫‪ ‬ﻳﺎ ‪MMF‬‬ ‫‪ A‬ﻳﺎ ‪A.T‬‬ ‫‪N.I‬‬ ‫ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪EMF‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪-‬‬

‫‪A‬‬ ‫‪Lc‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪L‬‬

‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫‪Rm‬‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺖ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪Re‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Wb‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪A‬‬

‫‪‬‬ ‫‪H‬‬ ‫‪‬‬

‫ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫‪-‬‬ ‫ﻫﺪاﻳﺖ وﻳﮋه اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪‬‬ ‫‪-‬‬
‫‪m‬‬ ‫‪m‬‬
‫‪Wb‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪I‬‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫‪B‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪J‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪m‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪m‬‬ ‫‪A‬‬
‫ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬
‫‪A‬‬ ‫‪MMF‬‬ ‫ﺷﺪت ﻣﻴﺪان اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬
‫‪V‬‬ ‫‪EMF‬‬
‫‪H‬‬ ‫‪E‬‬
‫‪m‬‬ ‫‪L‬‬ ‫‪m‬‬ ‫‪L‬‬
‫اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫‪Vm‬‬ ‫‪ A‬ﻳﺎ ‪A.T‬‬ ‫‪R m .‬‬ ‫اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪Ve‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪R e .I‬‬
‫‪ KVL‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻳﺎ ‪KML‬‬ ‫‪ Vmi  ‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪ KVL‬اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪ Vei  ‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬

‫‪ KCL‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻳﺎ ‪KFL‬‬ ‫‪ i  ‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪ KCL‬اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬ ‫‪ Ii  ‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪-‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫‪6‬‬

‫ﺗﺬﻛﺮ‪ :3‬ﺑﻪ ﺟﺰ ﺗﺸﺎﺑﻬﺎت ﺑﻴﺎن ﺷﺪه در ﻓﻮق ﺑﻴﻦ ﻛﻤﻴﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺗﻔﺎوتﻫﺎﻳﻲ ﻧﻴﺰ ﺑﻪ ﻗﺮار زﻳﺮ ﻣﻮﺟﻮد اﺳﺖ‪:‬‬ ‫‪‬‬
‫‪1‬ـ ﺟﻬﺖ ﺗﺪاوم ﺟﺮﻳﺎن در ﻣﺪارات اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﺎﻳﺪ داﺋﻤﺎً از ﻣﻨﺒﻊ ورودي اﻧﺮژي اﺧﺬ ﻧﻤﻮد زﻳﺮا اﻳﻦ اﻧﺮژي ﺑﻪ ﮔﺮﻣﺎ ﺗﺒﺪﻳﻞ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬اﻣﺎ ﺟﻬﺖ ﻧﮕﻬـﺪاري ﻓـﻮران‬
‫ﻣﻮﺟﻮد در ﻫﺴﺘﻪ ﻧﻴﺎزي ﺑﻪ اﺧﺬ اﻧﺮژي ﺑﻴﺸﺘﺮي از ﻣﻨﺒﻊ ﻧﺪارﻳﻢ‪.‬‬
‫‪2‬ـ ﻋﺎﻳﻖﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻣﺘﻨﻮﻋﻲ ﺟﻬﺖ ﻣﺴﺪود ﻧﻤﻮدن ﻣﺴﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎن در ﻣﺪارات اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ وﺟﻮد داﺷﺘﻪ در ﺻﻮرﺗﻲ ﻛﻪ ﻋﺎﻳﻖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ وﺟﻮد ﻧـﺪارد‪ .‬ﺣﺘـﻲ‬
‫در ﺑﻬﺘﺮﻳﻦ ﻋﺎﻳﻖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺷﻨﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه ﻳﻌﻨﻲ ﻫﻮا ﺑﺎز ﻫﻢ ﻓﻮران ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬

‫ﻗﺎﻧﻮن آﻣﭙﺮ ﻳﺎ ﺑﻴﻮﺳﺎوار و ﻛﺎرﺑﺮدﻫﺎي آن )‪(‬‬

‫ﻃﺒﻖ اﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮن اﻧﺘﮕﺮال ﺧﻄﻲ ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﺮ روي ﻫﺮ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﺴﺪود )‪ (Contour‬ﺑﺮاﺑﺮ ﺟﻤﻊ ﺟﺒـﺮي ﺟﺮﻳـﺎنﻫـﺎﻳﻲ اﺳـﺖ ﻛـﻪ ﺗﻮﺳـﻂ آن ﻣـﺴﻴﺮ‬
‫ﻣﺴﺪود اﺣﺎﻃﻪ ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﻓﺮم ﻛﻠﻲ اﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮن ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻳﺮ اﺳﺖ‪:‬‬

‫‪  n‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪n‬‬

‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪H.dL‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪I‬‬ ‫‪k‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫|‬ ‫‪H‬‬ ‫|‬ ‫‪‬‬ ‫|‬ ‫‪dL‬‬ ‫|‬ ‫‪‬‬ ‫‪cos‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪Ik‬‬
‫‪k 1‬‬ ‫‪k 1‬‬

‫‪ ‬‬
‫ﻛﻪ در اﻳﻦ رواﺑﻂ ‪ ‬زاوﻳﻪ ﺑﻴﻦ ﺑﺮدارﻫـﺎي ‪ H‬و ‪ dL‬ﻣـﻲﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑـﻪ ﻋﻨـﻮان ﻣﺜـﺎل در ﺷـﻜﻞ »‪«3‬‬
‫ﻣﻲﺗﻮان ﻗﺎﻧﻮن ﻣﺪاري آﻣﭙﺮ را ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻳﺮ ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪ ‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪H.dL‬‬ ‫‪ I1  I2  I3‬‬
‫اﮔﺮ ﺗﻤﺎﻣﻲ ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎ ﻳﻜﺴﺎن و در ﻳﻚ ﺟﻬﺖ ﺑﻮده و ﻳﺎ اﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮن را ﺑﺮاي ﺑﺎزوﻫﺎي ﻳﻚ ﻛﻼف ‪N‬‬
‫دوري ﺑﻨﻮﻳﺴﻴﻢ‪ ،‬دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪ ‬‬
‫‪ H.dL  N.I‬‬
‫‪‬‬
‫»ﺷﻜﻞ ‪ .4‬ﻗﺎﻧﻮن ﻣﺪاري آﻣﭙﺮ«‬

‫در زﻳﺮ ﭼﻨﺪ ﺣﺎﻟﺖ ﺧﺎص را ﻛﻪ در ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻛﺎرﺑﺮديﺗﺮﻧﺪ ﺑﺮرﺳﻲ ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬

‫‪2‬ـ ﺳﻴﻢ راﺳﺖ ﺑﺎ ﻃﻮل ﻣﺤﺪود‪:‬‬ ‫‪1‬ـ ﺳﻴﻢ راﺳﺖ ﺑﺎ ﻃﻮل ﻧﺎﻣﺤﺪود‪:‬‬

‫‪‬‬ ‫‪I‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪I‬‬

‫‪| H |‬‬ ‫) ‪(cos 1  cos 2‬‬ ‫‪| H |‬‬
‫‪4r‬‬ ‫‪2r‬‬

‫در اﻳﻦ راﺑﻄﻪ اﮔﺮ ﻃﻮل ‪ ab‬ﺑـﻪ ﺳـﻤﺖ ﺑـﻲﻧﻬﺎﻳـﺖ ﺑـﺮود آﻧﮕـﺎه ‪2  1  ‬‬
‫ﻣﻲﮔﺮدد ﻛﻪ در اﻳﻦ ﺻﻮرت ﺑﻪ ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺣﺎﻟﺖ اول ﻣﻲرﺳﻴﻢ‪.‬‬

‫‪4‬ـ ﭼﻨﺪ ﺣﻠﻘﻪ ﻳﺎ ﺑﻮﺑﻴﻦ ﺗﺨﺖ‪:‬‬ ‫‪3‬ـ ﺗﻚ ﺣﻠﻘﻪ )ﺑﺎ ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﻛﺮدن از ﻣﻴﺪان ﺧﺎرج آن(‪:‬‬

‫‪ NI 3‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪I‬‬

‫‪| H |‬‬ ‫‪sin ‬‬ ‫‪| H |‬‬
‫‪2r  L‬‬ ‫‪2r‬‬ ‫‪2r‬‬

‫‪ NI‬‬ ‫‪‬‬

‫‪ | H |‬اﺳﺖ‪.‬‬ ‫در روي ﻣﺮﻛﺰ ﺑﻮﺑﻴﻦ ‪  ‬ﺑﻮده ﻟﺬا‬
‫‪2r‬‬ ‫‪2‬‬
 ‫‪7‬‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬

‫‪6‬ـ ﺳﻠﻮﻧﻮﺋﻴﺪ‪:‬‬ ‫‪5‬ـ روي ﻣﺮﻛﺰ ﻳﻚ ﺣﻠﻘﻪ ﻣﺮﺑﻊ ﺷﻜﻞ‪:‬‬

‫‪Lr‬‬ ‫‪ NI‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪2I‬‬

‫‪| H |‬‬ ‫) ‪(cos 1  cos 2‬‬ ‫‪| H |‬‬
‫‪2L‬‬ ‫‪r‬‬

‫از روي اﻳﻦ راﺑﻄﻪ دو ﺣﺎﻟﺖ ﺣﺪي زﻳﺮ ﻗﺎﺑﻞ اﺳﺘﺨﺮاج اﺳﺖ‪:‬‬ ‫‪7‬ـ داﺧﻞ ﭼﻨﺒﺮه )ﻳﺎ ﺗﻮروﺋﻴﺪ(‪:‬‬

‫‪ ‬در ﻧﻘﺎط ﻧﺰدﻳﻚ ﺑﻪ ﺳﺮ و ﺗﻪ ﺳﻠﻮﻧﻮﺋﻴﺪ‪:‬‬

‫‪ NI‬‬
‫‪| H |‬‬
‫‪2L‬‬
‫‪‬‬ ‫‪NI‬‬ ‫‪r r‬‬
‫‪ ‬در ﻧﻘﺎط روي ﻣﺤﻮر در ﺧﺎرج ﺳﻠﻮﻧﻮﺋﻴﺪ‪:‬‬ ‫‪| H |‬‬ ‫‪, Lav  2rav  2 1 2‬‬
‫‪Lav‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ NI‬‬
‫‪| H |‬‬ ‫‪ r1‬و ‪ r2‬ﺷﻌﺎع دو داﻳﺮه ﭼﻨﺒﺮه ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬
‫‪L‬‬

‫ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫ﻣﺴﻴﺮ ﻋﺒﻮر ﺷﺎر را ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬از ﻧﻈﺮ ﻓﻴﺰﻳﻜﻲ ﻳﻚ ﻳﺎ ﭼﻨـﺪ ﺳـﻴﻢﭘـﻴﭻ‬
‫ﻛﻪ ﻣﺸﺘﻤﻞ ﺑﺮ ﺟﺮﻳﺎن اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﻮده و ﺑـﺮ زﻣﻴﻨـﻪ ﻳـﻚ ﻣـﺎده ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ‪ ،‬ﻣﻴـﺪان‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﻳﺠﺎد ﻛﻨﺪ را ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻲﻧﺎﻣﻨﺪ ﺑﻪ ﻃﻮري ﻛﻪ ﺟﻬﺖ و داﻣﻨﻪ اﻳـﻦ‬
‫ﻣﻴﺪان ﻣﻲﺗﻮاﻧﺪ ﻗﺎﺑﻞ ﻛﻨﺘﺮل ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺷﻜﻞ »‪ «5‬ﻳﻚ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ را ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﺪ‪،‬‬
‫در اﻳﻦ ﺷﻜﻞ اﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎن ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲ ‪ DC‬ﺑﺎﺷـﺪ ﻣـﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ ‪ DC‬و ﭼﻨﺎﻧﭽـﻪ‬
‫ﺟﺮﻳﺎن ﺳـﻴﻢ ﭘﻴﭽـﻲ ‪ AC‬ﺑﺎﺷـﺪ ﻣـﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ ‪ AC‬ﻧـﺎم دارد‪ .‬در ﺑـﺴﻴﺎري از‬
‫ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي واﻗﻌﻲ ﺗﻌﺪادي از ﺳﻴﻢﺑﻨﺪيﻫﺎ داراي ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ‪ AC‬و ﺗﻌـﺪادي دﻳﮕـﺮ‬
‫» ﺷﻜﻞ ‪ .5‬ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ«‬
‫داراي ﺟﺮﻳﺎنﻫﺎي ‪ DC‬ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺗﻌﺎرﻳﻒ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫‪ (1‬ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪:‬‬
‫ﺑﺨﺸﻲ از ﻳﻚ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻫﺮ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻌﻲ از آن ﺷﺎر ﺑﺮاﺑﺮي از آن ﺳﻄﺢ ﻋﺒﻮر ﻛﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎرﺗﻲ در ﻫﺮ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪ ‬‬
‫‪ B.dA  ‬‬
‫‪‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ ﺗﻌﺮﻳﻒ دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ در ﺷﻜﻞ »‪ «5‬ﺳﻪ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ وﺟﻮد دارد‪.‬‬
‫‪ (2‬ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪:‬‬
‫ﺑﺨﺸﻲ از ﻳﻚ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ﺟﻨﺲ ﻣﺎده و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻳﻜﺴﺎن اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻜﻞ »‪ «5‬داراي ﭘﻨﺞ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ اﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ (3‬ﮔﺮه ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪:‬‬
‫ﻣﺤﻞ ﺗﻼﻗﻲ ﺑﻴﺶ از دو ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ را ﮔﺮه ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﮔﻮﻳﻨﺪ‪ .‬در ﮔﺮهﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺟﻤﻊ ﺟﺒﺮي ﺷﺎرﻫﺎي ﺳﺎزﻧﺪه ﮔﺮه در ﻫﺮ ﻟﺤﻈﻪ از زﻣﺎن ﺻﻔﺮ اﺳـﺖ‬
‫) ‪ KCL‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ( ‪ .‬در ﺷﻜﻞ »‪ «5‬دو ﮔﺮه ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ وﺟﻮد دارد‪.‬‬
‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫‪8‬‬

‫‪ (4‬ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺳﺎده‪:‬‬

‫ﻣﺪاري اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ﺟﻨﺲ و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻫﺴﺘﻪ در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﻣﺴﻴﺮﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﺷﺎر ﻋﺒﻮر ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻳﻜﺴﺎن ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪ (5‬ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺮﻛﺐ‪:‬‬
‫ﻣﺪاري اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ﺟﻨﺲ ﻫﺴﺘﻪ و ﻳﺎ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ آن در ﻃﻮل ﻣﺴﻴﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﺎﻳﺪ‪) .‬ﺷﻜﻞ»‪ «5‬ﻳﻚ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺮﻛﺐ اﺳﺖ زﻳﺮا ﺟﻨﺲ ﻣﺴﻴﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﺪ(‬
‫‪ (6‬ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﻄﻲ‪:‬‬
‫ﻣﺪاري اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﻘﺪار ﺛﺎﺑﺘﻲ ) ﻳﺎ ﺑﻲﻧﻬﺎﻳﺖ ( ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬در ﻧﺘﻴﺠـﻪ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ‪ B  H‬در اﻳﻨﮕﻮﻧـﻪ ﻣـﺪارﻫﺎ‬
‫ﺑﺼﻮرت ﻳﻚ ﺧﻂ راﺳﺖ اﺳﺖ ﻛﻪ از ﻣﺒﺪأ ﻣﺨﺘﺼﺎت ﻣﻲﮔﺬرد‪ .‬راﺑﻄﻪ ‪ B  H‬در اﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ﻣﺪارات ﻋﻤﺪﺗﺎً ﺑﺼﻮرت ‪ B  aH‬ﺑﻮده ﻛﻪ در آن ‪ a‬ﻋﺪد ﺛﺎﺑﺘﻲ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (7‬ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ‪:‬‬
‫ﻣﺪاري اﺳﺖ ﻛﻪ در آن ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮذ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪ ،‬ﻣﻘﺪار ﻣﺘﻐﻴﺮي ﺑﺎﺷﺪ ))‪ . ( r  f (B  H‬ﺑﻪ ﻋﺒـﺎرﺗﻲ دﻳﮕـﺮ ﺗﻐﻴﻴـﺮات ‪ B  H‬در‬
‫آﻧﻬﺎ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﺧﻂ راﺳﺖ ﻧﺒﺎﺷﺪ )ﻳﻌﻨﻲ ﺷﺎﻣﻞ ﻳﻚ ﻣﻨﺤﻨﻲ ﻳﺎ ﭼﻨﺪ ﭘﺎرهﺧﻂ ﺑﺎﺷﺪ(‪.‬‬
‫ﭘﻴﺶﻓﺮﺿﻬﺎي ﻣﺪارات ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬
‫‪ (1‬ﻣﻴﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪي ﺳﻴﻢ ﭘﻴﭻﻫﺎ در ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي )ﻫﺴﺘﻪ( ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و ﺷﻜﺎفﻫﺎي ﻫﻮاﻳﻲ ﻏﻴﺮﺻﻔﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪ (2‬ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﺷﺎﺧﻪ را ﻓﺼﻞ ﻣﺸﺘﺮك ﻳﻚ ﺻﻔﺤﻪ و ﻳﻚ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻲداﻧﻴﻢ ﺑﻪ ﻃﻮري ﻛﻪ ﺻﻔﺤﻪ ﺑﺮ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﻴﺎﻧﮕﻴﻦ ﻋﻤﻮد ﺑﺎﺷﺪ در واﻗﻊ ﻛﻠﻴﻪ ﻧﻘﺎﻃﻲ ﻛـﻪ واﻗـﻊ ﺑـﺮ‬
‫ﻳﻚ ﺷﺎﺧﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ داراي ﻣﻴﺪاﻧﻬﺎي ﺑﺮاﺑﺮ و ﻋﻤﻮد ﺑﺮ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻣﻲﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎ اﻳﻦ ﻓﺮض دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪ ‬‬
‫‪b ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪B.dA  Bav A b‬‬
‫‪Ab‬‬

‫اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ )‪ Vm‬ﻳﺎ ‪( ‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﺎﻧﻜﻪ در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ در اﺛﺮ ﻋﺒﻮر ﺟﺮﻳﺎن‪ ،‬ﻣﻘﺪاري اﻓﺖ وﻟﺘﺎژ در ﻫﺮ ﺷﺎﺧﻪ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد در ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﻴﺰ در اﺛﺮ ﻋﺒﻮر ﻓﻮران ﻣﻘـﺪاري از‬
‫ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺗﻮﻟﻴﺪي ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﻲﻫﺎ در ﻫﺮ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ اﻓﺖ ﻣﻲﻛﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﻪ اﻳﻦ اﻓﺖ ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﻳﺎ اﻓـﺖ آﻣﭙـﺮ دور( اﻓـﺖ ﭘﺘﺎﻧـﺴﻴﻞ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻧﻴﺰ ﮔﻔﺘﻪ و ﺑﺎ ‪ Vm‬ﻳﺎ ‪ m‬ﻧﺸﺎن ﻣﻲدﻫﻨﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻟﺖ ﻛﻠﻲ ﻣﻲﺗﻮان ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪ ‬‬
‫‪Vm ‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪H.dL  Hav Lav‬‬
‫‪Lav‬‬

‫‪L‬‬ ‫‪L‬‬ ‫‪L‬‬ ‫‪B‬‬

‫‪Vm  av Bav  av   Vm  av ‬‬ ‫ﺑﺎ ﻗﺮار دادن ‪ Hav  av‬دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪‬‬ ‫‪A b b‬‬ ‫‪A b b‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Vm  R m .‬‬ ‫ﺿﺮﻳﺐ ‪  b‬در راﺑﻄﻪ اﺧﻴﺮ ﻫﻤﺎن رﻟﻮﻛﺘﺎﻧﺲ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ اﺳﺖ ﻟﺬا‪:‬‬
‫‪b‬‬
‫دﻳﺪه ﻣﻲﺷﻮد ﻛﻪ اﻳﻦ راﺑﻄﻪ ﻫﻤﺎن ﻗﺎﻧﻮن اﻫﻢ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﻧﻴﺰ ﺻﺎدق اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻧﻜﺘﻪ‪ :2‬در ﺗﺴﺖﻫﺎ ﻣﻌﻤﻮﻻً راﺑﻄﻪ ﺑﻴﻦ اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ) ‪ (Vm‬و دﻳﮕﺮ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ )ﻧﻈﻴﺮ ﻓﻮران( در ﻫﺮ ﺷﺎﺧﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت ﻳﻚ ﺗﺎﺑﻊ رﻳﺎﺿـﻲ داده‬
‫‪aVm‬‬
‫‪m  aVm  bVm‬‬
‫‪2‬‬
‫ﻳﺎ‬ ‫‪m ‬‬ ‫ﻳﺎ‬ ‫‪m  a  b Vm‬‬ ‫ﻣﻲﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل‪:‬‬
‫‪bVm  c‬‬
‫ﻗﺎﻧﻮن ﻣﺪاري آﻣﭙﺮ در ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬
‫اﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮن ﺑﺮاي ﻳﻚ ﺣﻠﻘﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻳﺮ ﺑﻴﺎن ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬
‫‪ ‬‬ ‫‪ ‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ H.dL  ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪ J.dA‬‬ ‫‪‬‬
‫‪Loop‬‬ ‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪  n‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪n‬‬ ‫‪p‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪H.dL‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪ m j  H jL j‬‬
‫‪‬‬ ‫‪V‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ Vm  ‬‬
‫‪j‬‬
‫‪ H jL j  ‬‬
‫‪ Nk Ik‬‬
‫‪j1‬‬ ‫‪j1‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪j1‬‬ ‫‪j1‬‬ ‫‪k 1‬‬
‫‪‬‬
‫‪  p‬‬ ‫‪‬‬
‫‪ J.dA  ‬‬
‫‪‬‬ ‫‪ N k Ik‬‬ ‫‪‬‬
‫‪k 1‬‬ ‫‪‬‬
 ‫‪9‬‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ‬

‫ﺑﻪ راﺑﻄﻪ ﻓﻮق اﺻﻄﻼﺣﺎً ‪ KVL‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻳﺎ ‪ KML‬ﻧﻴﺰ ﻣﻲ ﮔﻮﻳﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺴﻴﺎر ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ ﻫﻤﺎن ﻗﺎﻧﻮن ‪ KVL‬اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ اﺳﺖ‪ .‬در اﺳـﺘﻔﺎده از اﻳـﻦ راﺑﻄـﻪ‬
‫ﺑﺎﻳﺪ دﻗﺖ ﻧﻤﻮد ﻛﻪ در ﻫﺮ ﺣﻠﻘﻪ اﮔﺮ ﺟﻬﺖ ﻓﻮران ﺳﻴﻢ ﭘﻴﭽﻲ ﻫﺎ ﻣﺨﺎﻟﻒ ﻫﻢ ﺑﺎﺷﻨﺪ ﺑﻪ ﺟﺎي ﺟﻤﻊ ﻧﻤﻮدن آﻣﭙﺮ دور آن ﻫﺎ ﺑﺎﻳﺪ از ﺗﻔﺎﺿﻞ آن ﻫﺎ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤـﻮد‬
‫ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﻳﮕﺮ راﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺟﻤﻊ ﺟﺒﺮي اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻫﻤﻴﻦﻃﻮر ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﮔﺮه ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪q‬‬ ‫‪q‬‬
‫‪ i  ‬‬ ‫‪  Bi A i  ‬‬
‫‪i 1‬‬ ‫‪i 1‬‬

‫ﺑﻪ اﻳﻦ راﺑﻄﻪ اﺻﻄﻼﺣﺎً ‪ KCL‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻳﺎ ‪ KFL‬ﻧﻴﺰ ﻣﻲﮔﻮﻳﻨﺪ ﻛﻪ ﺑﺴﻴﺎر ﺷﺒﻴﻪ ﺑﻪ ﻫﻤﺎن ﻗﺎﻧﻮن ‪ KCL‬اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ اﺳﺖ‪.‬‬
‫در اﻳﻦ رواﺑﻂ‪:‬‬
‫‪ : Nk Ik‬ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ‪ k‬اﻣﻴﻦ ﺳﻴﻢﺑﻨﺪي ﻣﻮﺟﻮد در ﺣﻠﻘﻪ‬ ‫‪ : n‬ﺗﻌﺪاد ﻛﻞ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي ﻣﻮﺟﻮد در ﺣﻠﻘﻪ‬
‫‪ : q‬ﺗﻌﺪاد ﮔﺮهﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫‪ : p‬ﺗﻌﺪاد ﻛﻞ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎي ﺣﺎﻣﻞ ﺟﺮﻳﺎن در ﺣﻠﻘﻪ‬
‫‪ :  i‬ﻓﻮران ﺷﺎﺧﻪ ‪ i‬ام‬ ‫‪ : L j‬ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ‪ j‬ام‬
‫‪ : A i‬ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻣﺆﺛﺮ ﺷﺎﺧﻪ ‪ i‬ام‬ ‫‪ : Vmj‬اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ‪ j‬ام‬
‫‪ : Bi‬ﭼﮕﺎﻟﻲ ﺷﺎر ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺷﺎﺧﻪ ‪ i‬ام‬ ‫‪ : H j‬ﺷﺪت ﻣﻴﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ‪ j‬ام‬

‫روشﻫﺎي ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬

‫ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺪارات ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ دو روش ﻣﻮﺟﻮد اﺳﺖ‪ (1 :‬روش ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ )ﻛﺎرﺑﺮد ﻗﺎﻧﻮن آﻣﭙﺮ ( ‪ (2‬روش اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ )اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﺪار ﻣﺸﺎﺑﻪ اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ(‪.‬‬
‫‪ .1‬روش ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺪارات ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬
‫از اﻳﻦ روش ﻣﻲﺗﻮان در ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻛﻠﻴﻪ ﻣﺪارات ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺧﻄﻲ و ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬ﻣﺮاﺣﻞ ﺗﺤﻠﻴﻞ در اﻳﻦ روش ﻋﺒﺎرﺗﻨﺪ از ‪:‬‬
‫اﻟﻒ( ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎ و ﺟﻬﺖ ﺷﺎر در آﻧﻬﺎ )ﺟﻬﺖ ﺷﺎر اﺧﺘﻴﺎري اﺳﺖ اﻣﺎ ﺑﻬﺘﺮ اﺳﺖ از روي ﻗﺎﻧﻮن دﺳﺖ راﺳﺖ ﺑﺪﺳﺖ آﻳﺪ(‪.‬‬
‫ب( ﻣﺸﺨﺺ ﻛﺮدن ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي ﻫﺮ ﻳﻚ از ﺷﺎﺧﻪﻫﺎ و ﺗﻌﻴﻴﻦ ‪ B‬و ‪ H‬در آﻧﻬﺎ‪.‬‬
‫ج( در ﺑﻌﻀﻲ از ﺣﻠﻘﻪﻫﺎ ﻗﺎﻧﻮن ‪ KML‬را ﺑﻪ ﻛﺎر ﺑﺮده و در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﮔﺮهﻫﺎ ﺑﻪ ﺟﺰ ﻳﻚ ﮔﺮه ﻗﺎﻧﻮن ‪ KFL‬را ﺑﻪ ﻛﺎر ﻣﻲﺑﺮﻳﻢ‪.‬‬
‫ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺷﻜﻞ »‪ «4‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬اﻳﻦ ﻣﺪار داراي ﺳﻪ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‪ ،‬ﭘﻨﺞ ﻗﻄﻌـﻪ ﺷـﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ دو ﮔـﺮه ﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ و دو‬
‫ﺣﻠﻘﻪ ﻣﺠﺰاي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ اﺳﺖ ﻛﻪ در ﻫﺮ ﺣﻠﻘﻪ ﻧﻴﺰ ﻳﻚ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻧﻴﺮوي ﻣﺤﺮﻛﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ وﺟﻮد دارد‪.‬‬
‫ﺷﺎﺧﻪ )‪ (1‬ﺗﻤﺎﻣﺎً ﺷﺎﻣﻞ ﻣﺎده ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺑﻮده اﻣﺎ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي )‪ (2‬و )‪ (3‬داراي ﻓﻮاﺻﻞ ﻫﻮاﻳﻲ ﻧﻴﺰ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﻟﺬا ﺷﺎﺧﻪ )‪ (1‬ﺧﻮد ﻳﻚ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ﺑﻮده اﻣﺎ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎي‬
‫)‪ (2‬و )‪ (3‬ﻫﺮ ﻛﺪام ﺷﺎﻣﻞ دو ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻳﻜﻲ از ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎ ﺷﺎﻣﻞ ﻣﺎده ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ و دﻳﮕﺮي ﺷﺎﻣﻞ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﻳﻲ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﺗﺤﻠﻴﻞ اﻳﻦ ﻣﺪار‬
‫ﻣﻮارد ﺳﻪ ﮔﺎﻧﻪ ﻓﻮقاﻟﺬﻛﺮ را ﻳﻚ ﺑﻪ ﻳﻚ اﺟﺮا ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ ﻟﺬا در ﻣﺮﺣﻠﻪ اول ﺷﺎﺧﻪﻫﺎ و ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎ را ﺑﻪ ﺻﻮرت ﺷﻜﻞ »‪ «6‬ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻲﻧﻤﺎﻳﻴﻢ‪.‬‬

‫‪H1 , B1 ,  1‬‬ ‫‪H 3 , B3 ,  3‬‬

‫‪I1‬‬ ‫ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ)‪L 3 : (3‬‬

‫‪H2 , B2 ,  2‬‬
‫‪N1‬‬
‫‪H2‬‬ ‫ﻃﻮل ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﻳﻲ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ)‪L3 : (3‬‬

‫‪ : L1‬ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻗﻄﻌﻪ‬ ‫‪H3‬‬

‫ﺷﺎﺧﻪ )‪(1‬‬

‫‪N2‬‬ ‫‪I2‬‬
‫‪ : L 2‬ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ)‪(2‬‬
‫‪ : L2‬ﻃﻮل ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﻳﻲ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ) ‪(2‬‬

‫» ﺷﻜﻞ ‪ .6‬ﻳﻚ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ «‬

‫ﻓﺼﻞ اول‪ :‬ﻣﺪارﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ‬ ‫ﻣﺪرﺳﺎن ﺷﺮﻳﻒ رﺗﺒﻪ ﻳﻚ ﻛﺎرﺷﻨﺎﺳﻲ ارﺷﺪ‬ ‫‪10‬‬

‫‪ (1‬ﻧﻮﺷﺘﻦ ﻗﺎﻧﻮن ‪ KML‬در ﺣﻠﻘﻪﻫﺎ‪:‬‬

‫‪  N1I1‬‬
‫‪ : Vm1  Vm2  Vm‬در ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻤﺖ ﭼﭗ )اﻟﻒ‬‫‪2‬‬
‫‪  Vm‬‬
‫‪ : Vm3  Vm‬در ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ )ب‬ ‫‪  Vm  N2I2‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫‪ : Vm1‬اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺷﺎﺧﻪ )‪ (1‬ﻳﻌﻨﻲ اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ )‪(1‬‬
‫‪ : Vm2‬اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺷﺎﺧﻪ )‪ (2‬ﻳﻌﻨﻲ اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ )‪(2‬‬
‫‪‬‬
‫‪ : Vm‬اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﻳﻲ ﺷﺎﺧﻪ )‪ (2‬ﻳﻌﻨﻲ اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ) ‪( 2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ : Vm3‬اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﺷﺎﺧﻪ )‪ (3‬ﻳﻌﻨﻲ اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ )‪(3‬‬
‫‪‬‬
‫‪ : Vm‬اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﻳﻲ ﺷﺎﺧﻪ )‪ (3‬ﻳﻌﻨﻲ اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ ) ‪( 3‬‬ ‫‪3‬‬
‫‪ : N2I2‬ﻛﻞ آﻣﭙﺮ دور ﺗﻮﻟﻴﺪي در ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻤﺖ راﺳﺖ‬ ‫‪ : N1I1‬ﻛﻞ آﻣﭙﺮ دور ﺗﻮﻟﻴﺪي در ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻤﺖ ﭼﭗ‬
‫در ﻧﻮﺷﺘﻦ ‪ KML‬ﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻓﻮق ﺑﺎﻳﺪ دﻗﺖ ﻧﻤﻮد ﻛﻪ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻳﻚ ﻗﺮارداد‪ ،‬اﻓﺖ ﭘﺘﺎﻧﺴﻴﻞﻫﺎي در ﺟﻬﺖ ﺷﺎر ﺑﺎ ﻋﻼﻣﺖ ﻣﺜﺒﺖ و در ﺧﻼف ﺟﻬﺖ ﺷﺎر ﺑـﺎ‬
‫ﻋﻼﻣﺖ ﻣﻨﻔﻲ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫‪ : 1   2   3  ‬در ﮔﺮه ﻓﻮﻗﺎﻧﻲ‬ ‫‪ (2‬ﻧﻮﺷﺘﻦ ﻗﺎﻧﻮن ‪ KFL‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ در ﮔﺮهﻫﺎ‪:‬‬

‫در ﻧﻮﺷﺘﻦ ‪ KFL‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻣﺎﻧﻨﺪ ‪ KCL‬ﻣﺪارﻫﺎي اﻟﻜﺘﺮﻳﻜﻲ ﺑﻪ ﻋﻨﻮان ﻳﻚ ﻗﺮارداد‪ ،‬ﻓﻮرانﻫﺎي وارد ﺷﻮﻧﺪه ﺑﻪ ﮔﺮه ﺑﺎ ﻋﻼﻣﺖ ﻣﺜﺒﺖ و ﻓﻮرانﻫﺎي ﺧﺎرج ﺷـﻮﻧﺪه از‬
‫ﮔﺮه ﺑﺎ ﻋﻼﻣﺖ ﻣﻨﻔﻲ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﻲﺷﻮﻧﺪ‪.‬‬

‫‪ (3‬ﺣﺎل ﺑﺎﻳﺪ در ﻫﺮ ﺷﺎﺧﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ آن ﺷﺎﺧﻪ راﺑﻄﻪ ﺑﻴﻦ ‪ B‬و ‪ H‬را ﺗﺸﻜﻴﻞ داد ))‪ (B  f (H‬ﻟﺬا دارﻳﻢ‪:‬‬
‫‪B1   r1 H1‬‬ ‫‪B2   r2 H2‬‬ ‫‪B2   r2 H2   H2‬‬

‫‪B3   r3 H3‬‬ ‫‪B3   r3 H3   H3‬‬

‫ﭼﻨﺎﻧﭽﻪ ﺟﻨﺲ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ از ﻫﻮا ﺑﺎﺷﺪ ‪  r‬در آن ﺑﺮاﺑﺮ ﻳﻚ ﺑﻮده ﭘﺲ ‪ Bi   Hi‬ﻟﺤﺎظ ﻣﻲﺷﻮد اﻣﺎ اﮔﺮ ﻗﻄﻌﻪ ﺷﺎﺧﻪ از ﻣﻮاد ﻓﺮوﻣﻐﻨـﺎﻃﻴﺲ ﺑﺎﺷـﺪ ﺑـﻪ ﻋﻠـﺖ‬
‫ﻏﻴﺮﺧﻄﻲ ﺑﻮدن ﻣﺸﺨﺼﻪ ‪) B  H‬ﺷﻜﻞ ‪1‬ـ ب( ﺑﺎﻳﺪ ﻳﺎ از ﺗﻘﺮﻳﺐ ﺧﻄﻲ ﺗﻜـﻪاي اﺳـﺘﻔﺎده ﻧﻤـﻮد و ﻳـﺎ ﻣـﺎده ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﻴـﺴﻲ را ﺗﻮﺳـﻂ ﻳـﻚ ﺗـﺎﺑﻊ ﻫﻤﻮﮔﺮاﻓﻴـﻚ‬
‫‪aHi‬‬
‫‪ ( Bi ‬ﻣﺪلﺳﺎزي ﻧﻤﻮد‪.‬‬ ‫)ﻣﺎﻧﻨﺪ‬
‫‪bHi  c‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻳﻚ ﺷﺎﺧﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﻲ ﻛﻪ در آن ﺷﺎر در ﺗﻤﺎﻣﻲ ﻣﻘﺎﻃﻊ ﻫﺴﺘﻪ ﺛﺎﺑﺖ اﺳﺖ ﻣﻲﺗﻮان ﺑﻴﻦ ‪ Hi‬و ‪ Hi‬ﻳﻚ راﺑﻄﻪ ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻳﺮ ﺑﺮﻗﺮار ﻧﻤﻮد‪:‬‬
‫‪H‬‬
‫‪Hi  i  Hi   r Hi‬‬ ‫)اﻳﻦ راﺑﻄﻪ در ﺻﻮرﺗﻲ ﺻﺎدق اﺳﺖ ﻛﻪ ﭘﺮاﻛﻨﺪﮔﻲ ﺷﺎر ﻧﺪاﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻴﻢ(‬
‫‪r‬‬ ‫‪i‬‬
‫‪i‬‬
‫ﺑﺎ اﻋﻤﺎل اﻳﻦ ﺗﻮﺿﻴﺤﺎت ﺑﻪ ﻣﻌﺎدﻻت ﺑﺎﻻ در ﻧﻬﺎﻳﺖ ﻳﻚ دﺳﺘﮕﺎه ﺳﻪ ﻣﻌﺎدﻟﻪ و ﺳﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﺑﻪ ﺻﻮرت زﻳﺮ اﻳﺠﺎد ﻣﻲﺷﻮد‪:‬‬

‫‪Vm  Vm  Vm‬‬ ‫‪  N1I1‬‬ ‫‪ H1L1  H2L2  H2L2  N1I1‬‬

‫‪ 1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪‬‬
‫‪ Vm3  Vm‬‬ ‫‪  Vm‬‬ ‫‪  Vm  N2I2‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪H 3 L3  H3 L3  H2L2  H2L2  N2I2‬‬
‫‪3‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪‬‬ ‫‪   H A    H A    H A  ‬‬
‫‪ 1   2   3   ,  i  Bavi Ai  i H av Ai   r1 1 1  r2 2 2‬‬ ‫‪ r3 3 3‬‬

‫ﺑﺎ اﻋﻤﺎل راﺑﻄﻪ ‪ Hi   ri Hi‬ﺑﻪ ﻣﻌﺎدﻻت ﻓﻮق دارﻳﻢ‪:‬‬

‫‪ H1L1  H2L2  H2 r L2  N1I1‬‬
‫‪‬‬ ‫‪2‬‬
‫‪ H 3 L3  H 3  r3 L3  H2 r2 L2  H2L2  N2I2‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬
‫‪  r1 H1A1   r2 H2A2   r3 H 3 A 3  ‬‬
‫ﺑﺎ ﺣﻞ دﺳﺘﮕﺎه ﺳﻪ ﻣﻌﺎدﻟﻪ و ﺳﻪ ﻣﺠﻬﻮل ﻓﻮق ﻣﻲﺗﻮان ﻣﻘﺎدﻳﺮ ‪ H1‬و ‪ H2‬و ‪ H 3‬را ﻳﺎﻓﺘﻪ و از روي آﻧﻬﺎ ﺳﺎﻳﺮ ﻣﺠﻬﻮﻻت ﻣﻮرد ﻧﻴﺎز را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻧﻤﻮد‪.‬‬