TABLE OF CONTENTS

Part 1: Thiết kế RF.............................................................................................................................

1. Tài liệu tham khảo...................................................................................................................1

2. Sơ đồ khối điển hình của hệ thống thu phát vô tuyến điện......................................................1

3. Nội dung môn học....................................................................................................................1

4. Quy trình thiết kế chung mạch RF [3].....................................................................................2

Chapter 1. Bộ Lọc RF................................................................................................................4

1. Vị trí bộ l..................................................................................................................................4

2. Khái quát chung về bộ lọc RF.................................................................................................4

3. Hàm truyền đạt và tiêu hao chèn của bộ lọc............................................................................5

4. Sự tổng hợp bộ lọc...................................................................................................................8

5. Quy trình tính toán thiết kế bộ lọc RF...................................................................................18

6. Các bộ lọc vô tuyến trên phần tử tập trung............................................................................19

7. Bài tập chương 1....................................................................................................................23

8. Thực hành..............................................................................................................................37

Chapter 2. Khuếch đại RF......................................................................................................44

1. Vị trí của tầng khuếch đại RF................................................................................................45

2. Lý thuyết chung về khuếch đại RF........................................................................................45

3. Thiết kế mạch khuếch đại RF................................................................................................49

4. Quy trình tính toán, thiết kế bộ khuếch đại RF......................................................................53

5. Bài tập chương 2....................................................................................................................53

Chapter 3. Khuếch đại công suất RF.....................................................................................60

1. Giới thiệu chung....................................................................................................................60

2. Chỉ tiêu kỹ thuật.....................................................................................................................61

3. Các chế độ hoạt động cơ bản tầng khuếch đại công suất.......................................................61

4. Giới thiệu chế độ B và F........................................................................................................61

5. Quy trình thiết kế bộ khuếch đại công suất chế độ F.............................................................61

6. Thiết kế bộ khuếch đại công suất chế độ F............................................................................62

Chapter 4. Bài tập lớn.............................................................................................................65

1. Bộ lọc RF 1............................................................................................................................65

2. Bộ lọc RF 2............................................................................................................................70

3. Bộ khuếch đại RF..................................................................................................................75

4. Bộ khuếch đại công suất RF..................................................................................................98

Chapter 5. Phần mềm Advanced Design System................................................................100

1. Hướng dẫn cài đặt phần mềm..............................................................................................100

2. Tạo Workspace mới.............................................................................................................101

3. Các thư viện thường sử dụng...............................................................................................102

4. Đổi màu nền.........................................................................................................................104

5. Xuất ảnh...............................................................................................................................105

Chapter 6. Câu hỏi ôn tập.....................................................................................................106

 Bộ Lọc RF 1

PART 1: THIẾT KẾ RF

Lời nói đầu

Xin chào các bạn sinh viên của MTA, đây là tài liệu mình soạn ra với mục đích duy nhất
là để mình tự học; nhưng sau đó mình nghĩ sẽ có ích hơn khi chia sẻ cho các bạn, cho
nên sau 1 kỳ đã học xong môn học này rồi mình vẫn tiếp tục ngồi soạn lại để gửi đến
cho các bạn tham khảo. Các bạn nên lưu ý từ “tham khảo” vì những lý do sau: đây là
tài liệu mình tổng hợp từ nhiều tài liệu khác nhau, từ bài giảng của thầy, từ bạn bè, anh
chị học trước; bản thân mình học cũng không được tốt môn học này, chỉ đủ điểm qua
môn nên nhiều kiến thức có thể không đúng; vậy nên trong quá trình tổng hợp không
thể thiếu được những sai sót, kiến thức không đúng mong các bạn xem xét và tự điều
chỉnh; lần cuối mình xin lưu ý rằng đây là tài liệu chỉ để tham khảo.

Để dễ dàng theo dõi các chương, các phần nội dung, các bạn nên chú ý đến bảng mục
lục và hình ảnh

Các mục được đánh từ mục lớn nhất Chapter [], mục [].[], mục [].[].[], mục [a. b. c. …]

Hình ảnh và bảng biểu được đánh số theo quy tắc [1].[Chapter].[số thứ tự]

Phần chú thích sử dụng trong tài liệu sẽ có dạng như sau:

“Chú thích”

Các phần mềm được sử dụng tạo hình ảnh: Adobe Photoshop, Microsoft Visio,
Advanced Design System
 Bộ Lọc RF 1

Mở đầu

1. Tài liệu tham khảo

- Cấu kiện điện tử

- Điện tử tương tự

- Kỹ thuật thu phát

2. Sơ đồ khối điển hình của hệ thống thu phát vô tuyến điện

3. Nội dung môn học

- Chương 1: Thiết kế bộ lọc RF

- Chương 2: Bộ khuếch đại RF

- Chương 3: Bộ khuếch đại công suất RF

Có bài tập lớn, chia thành nhóm, mỗi nhóm thực hiện nội dung tính toán thực hành thiết
kế trên phần mềm Advanced Design System, thi theo bài tập và bảo vệ bài tập lớn, thi
vấn đáp, 1 lý thuyết và bảo vệ bài tập lớn

Chúng ta sẽ phải học tất cả 3 chương, độ khó tăng dần.

 Bộ Lọc RF 2

4. Quy trình thiết kế chung mạch RF [3]

4.1. Bước 1 (liên quan đến lý thuyết và bài tập)

- Xây dựng bộ chỉ tiêu kỹ thuật

- Từ chỉ tiêu kỹ thuật yêu cầu, chọn sơ đồ mạch điện, tính toán lý thuyết giá trị linh
kiện trong mạch; ví dụ khi thiết kế mạch khuếch đại, dải tần công tác là gì, hệ số
khuếch đại bằng bao nhiêu, hiệu suất đạt được là bao nhiêu, méo phi tuyến như thế
nào? Xây dựng chi tiêu sai các bước tính toán sau này là vô nghĩa, để xây dựng được
chúng ta phải có kiến thức về hệ thống, có kiến thức về mạch điện mà chúng ta đã
được học, ví dụ thiết kế mạch khuếch đại cần phải biết bộ khuếch đại ấy nằm trong hệ
thống nào (Rada, tên lửa, thông tin di động 4G 5G, …)

- Lựa chọn sơ đồ mạch điện. Ví dụ yêu cầu thiết kế một bộ khuếch đại, có thể lựa
chọn E chung, B chung, C chung… khuếch đại đơn, khuếch đại đẩy kéo, ghép nối
nhiều bóng bán dẫn… chúng ta phải lựa chọn; ví dụ đề bài yêu cầu hệ số khuếch đại
lớn nhưng dải tần hoạt động ở tần số thấp chúng ta có thể lựa chọn sơ đồ E chung (có
hệ số khuếch đại lớn nhưng hoạt động không ổn định ở tần số cao), nếu ở tần số cao
có thể cân nhắc sử dụng sơ đồ B chung (hoạt động ổn định hơn E chung ở tần số cao,
nhưng lại không khuếch đại dòng điện). Lựa chọn linh kiện tính toán (bóng bán dẫn
trường hay bóng bán dẫn lưỡng cực, ví dụ không yêu cầu công suất lớn có thể lựa
chọn bóng bán dẫn lưỡng cực, nếu yêu cầu công suất lớn thì phải sử dụng bóng bán
dẫn trường) ngoài ra việc lựa chọn linh kiện còn liên quan đến dải tần làm việc của linh
kiện ấy có đáp ứng được theo chỉ tiêu kỹ thuật đề ra không? Tính toán giá trị linh kiện;
có thể tính toán được xong nó không có trên thị trường khi đó phải tính toán lại cho phù
hợp với khả năng cung cấp của thị trường hoặc tính toán ra giá trị gần với nhà sản xuất
cung cấp đó chính là xác định khả năng cung cấp linh kiện từ thị trường, hạn chế ghép
nối các linh kiện vì ở tần số cao khi mắc các linh kiện lại với nhau xuất hiện các phần tử
ký sinh ở mối hàn ảnh hưởng tới chỉ tiêu mạch điện

Ở bước 1, đây là bước lý thuyết, liên quan đến nội dung lý thuyết và bài tập của các
chương.

4.2. Bước 2 (giá trị linh kiện lấy theo nhà sản xuất)
 Bộ Lọc RF 3

- Sử dụng công cụ mô phỏng (ADS, AWR, CST, HFSS, …), thực hiện mô phỏng
mạch điện ở bước 1 trên 3 cấp độ: cấp độ mạch nguyên lý (Schematic), cấp độ trường
điện từ (EM) và cấp độ đồng mô phỏng, kết hợp (co-simulation) kết hợp cấp độ mạch
nguyên lý và cấp độ trường điện từ

- Đánh giá kết quả mô phỏng, quyết định giá trị linh kiện và so sánh với chỉ tiêu kỹ
thuật ban đầu

- Tinh chỉnh mạch điện, tối ưu hóa tham số và so sánh với chỉ tiêu kỹ thuật ban đầu

- Tinh chỉnh và tối đa hóa và xem chúng ta phải sử dụng linh kiện nào, khi chạy linh
kiện thì phải chuẩn hóa linh kiện theo nhà sản xuất, tốn khá nhiều thời gian để tinh
chỉnh, khi chuẩn hóa theo nhà sản xuất thì giá trị linh kiện rời rạc

- Xuất layout, tối ưu hóa cấu trúc mạch điện

- Gửi đi chế tạo mạch điện

4.3. Bước 3 (trong quá trình học không thực hiện)

- Lắp ráp mạch điện, sau khi nhận được linh kiện, linh kiện bé nên khi hàn rất cẩn
thận

- Đo kiểm các tham số của mạch điện, so sánh kết quả đo với kết quả mô phỏng và
tính toán lý thuyết

- Hiệu chỉnh mạch điện sao cho đạt được chỉ tiêu theo yêu cầu

- Thực hiện tính toán và thiết kế lại mạch điện trong trường hợp xấu nhất
 Bộ Lọc RF 4

CHAPTER 1. BỘ LỌC RF

1. Vị trí bộ l

Các bạn tự đánh dấu

2. Khái quát chung về bộ lọc RF

2.1. Khái niệm

Bộ lọc RF là một mạng 4 cực dùng để tách tín hiệu RF trong một dải tần đã cho theo
đặc tính yêu cầu đề ra, tức là: nó có cấu trúc sao cho sóng trong một dải tần số mong
muốn đi qua với suy giảm nhỏ và không cho phép sóng nằm ngoài dải này đi qua

Mạng 4 cực: đặc trưng bởi các ma trận tán xạ [ S 11 S 12

S 21 S 22 ]
b1
S11= ¿
a1 a =02

b1
S12= ¿
a2 a =01

b2
S21 = ¿
a1 a =02
 Bộ Lọc RF 5

b2
S22 = ¿
a2 a =0
1

Khuếch đại công suất là kích năng lượng tín hiệu đến một mức yêu cầu

Đặc tính yêu cầu chính là chỉ tiêu kỹ thuật của bộ lọc

Bộ lọc phải có cấu trúc sao cho sóng trong một dải tần số mong muốn đi qua với suy
giảm nhỏ nhất và không cho phép sóng nằm ngoài dải này đi qua

2.2. Chỉ tiêu kỹ thuật chính bao gồm:

- Dải tần công tác (được đặc trưng bởi tần số giới hạn) – tần số giới hạn được tính
tại giá trị modul của hàm truyền đạt của bộ lọc giảm 3dB

- Độ bằng phẳng trong dải thông: muốn nói đến sự thay đổi của đặc tuyến biên độ
tần số trong dải thông của bộ lọc, độ mấp mô của nó, mong muốn (f) có độ gợn nhỏ -
càng phẳng càng tốt, nếu độ mấp mô càng lớn tín hiệu bị méo càng nhiều khi truyền
qua bộ lọc

- Độ dốc ngoài dải thông: loại bỏ các thành phần tần số ngoài dải thông, độ dốc
càng lớn càng bị suy hao nhiều, bộ lọc có chỉ tiêu kỹ thuật tốt

- Bậc của bộ lọc là số phần tử của bộ lọc, ví dụ n = 3 thì bộ lọc có 3 phần tử: bậc
của bộ lọc càng lớn khi đó độ dốc càng lớn, bậc càng lớn đặc trưng lọc ngoài dải thông
càng tốt tuy nhiên bậc của bộ lọc càng lớn thì đặc trưng trong dải thông lại xấu đi vì tín
hiệu khi ấy truyền qua các phần tử của bộ lọc khác nhau thì càng bị tổn hao nhiều hơn

- Hàm truyền

- Loại bộ lọc: Butterworth, Chebyshev, Eliptic, Gaussian

3. Hàm truyền đạt và tiêu hao chèn của bộ lọc

3.1. Hàm truyền

Khái niệm: Hàm truyền của bộ lọc vô tuyến nói chung là mô tả đặc trưng toán học đáp
ứng tần số của nó, hàm truyền được định nghĩa bằng tỷ số đáp ứng tần số tín hiệu ra
Y ( ω ) trên đáp ứng tần số tín hiệu vào X (ω) của bộ lọc như sau

Y (ω )
H ( ω ) =S 21 ( ω )=
X ( ω)
 Bộ Lọc RF 6

- Module của hàm truyền được gọi là đặc trưng biên độ tần số (sự phụ thuộc của
modul của hàm truyền đạt theo tần số)

- Argument của hàm truyền được gọi là đặc trưng pha - tần số (sự phụ thuộc của
pha của hàm truyền đạt theo tần số)

Trong nhiều trường hợp thực tiễn kỹ thuật người ta sử dụng dạng bình phương biên độ
hàm truyền của bộ lọc sẽ thuận tiện hơn trong thiết kế - vì trong dải siêu cao tần người
ta không quan tâm nhiều đến điện áp hay dòng điện, người ta quan tâm nhiều đến công
suất, khi sử dụng dạng bình phương chính là tỷ số giữa công suất ra trên công suất vào
đó chính là thể hiện độ dB ( khi nói đến dB chính là quan hệ về mặt năng lượng), tính
toán, nó có dạng:

2 2 1
|H ( ω )| =|S21 ( ω )| = 2
( 2.1 .2 )
1+ε F n ( ω )

ε :hàng số dương có giá trị từ 0−1 chỉ độ gợn

F n ( ω ) : hàmbiểu thị đặc tínhlọc

Đáp ứng pha tần số của bộ lọc có dạng là:

Φ 21 ( ω ) =ArgH ( ω )= Arg S21 ( ω ) (2.1 .3)

Độ giữ chậm nhóm của bộ lọc được xác định bởi đạo hàm theo tần số của đáp ứng pha
tần số có dạng là:
−d Φ 21
τ nh ( ω )= (2.1 .4)Biểu thức có ý nghĩa đánh giá sự thay đổi của pha theo tần số, tức
dω
là nếu độ giữ chậm nhóm này là hằng số chứng tỏ tất cả các tần số ở đầu vào khác
nhau thì độ lệch pha gây ra là như nhau khi đấy chúng ta gọi là đặc trưng tuyến tính,
tuy nhiên độ giữ chậm nhóm này không phải là hằng số mà nó thay đổi khi đó chúng ta
thấy với mỗi tần số khác nhau ở đầu vào của bộ lọc thì sẽ gây ra độ lệch pha tín hiệu
khác nhau khi truyền qua bộ lọc, đây chính là vấn đề tức là tín hiệu vào là tín hiệu điều
chế sẽ gồm rất nhiều thành phần tần số khác nhau, khi đi qua khỏi bộ lọc thì các thành
phần tần số ấy bị lệch pha khác nhau, tín hiệu ở đầu ra sẽ bị méo, sẽ không đảm bảo
giữ nguyên được thông tin như ở đầu vào – chính vì lý do đó mà độ giữ chậm nhóm sẽ
đánh giá độ méo của tín hiệu khi đi qua bộ lọc nếu như độ giữ chậm nhóm là hằng số
hay có dạng đặc trưng pha tuyến tính thì tín hiệu không bị méo, tuy nhiên độ giữ chậm
nhóm này thay đổi theo tần số thì khi ấy tín hiệu đi qua bộ lọc bị méo
 Bộ Lọc RF 7

Đối với mạng bốn cực tuyến tính và bất biến theo thời gian, tức bộ lọc vô tuyến thụ
động không tiêu hao, thì đáp ứng biên tần của bộ lọc được xác định bởi một hàm hữu
tỷ của tần số. Nghĩa là nó được biểu diễn bởi tỷ số của hai đa thức dạng sau:
N (ω)
|H ( ω )|=|S21 ( ω)|= ( 2.1.5 )
D (ω)

Tiêu hao chèn (hoặc hàm suy giảm công tác): của bộ lọc (tính theo dB) được định
nghĩa là nghịch đảo bình phương của biên độ hàm truyền đạt

1
=10 lg ( 1+ε F n ( ω ) ) dB ( 2.1.6 ) F ( ω ): là hàm biểu thị cho đặc tính lọc của
2
La ( ω ) =10lg 2
|S 21 ( ω )| n

bộ lọc (có thể ở dưới dạng phẳng cực đại hay độ gợn đều)

Phân loại bộ lọc: dựa trên hàm truyền hay tiêu hao chèn, ta phân bộ lọc vô tuyến và
siêu cao tần ra làm 4 loại như sau:

- Bộ lọc thông thấp (L.T.T – low pass)

- Bộ lọc thông cao (L.T.C – high pass)

- Bộ lọc thông dải (L.T.D – band pass)

- Bộ lọc chắn dải (L.C.D – band stop)

 Bộ Lọc RF 8

Hình 1.1.1. Đáp ứng tiêu hao chèn La ( ω ) của bốn bộ lọc
ω c: tần số cắt, tần số giới hạn

L a1: là mức tiêu hao tại các tần số cắt tương ứng (đi thi các thầy sẽ hỏi tại sao các
dạng đặc trưng của bộ lọc đặc trưng của tiêu hao chèn lại có dạng như vậy)

4. Sự tổng hợp bộ lọc

Thực hiện hóa việc xây dựng bộ lọc mà chúng ta mong muốn thiết kế đạt được các chỉ
tiêu kỹ thuật đề ra ban đầu

4.1. Bài toán tổng hợp bộ lọc

Trong kỹ thuật, các bộ lọc vô tuyến và siêu cao tần thường được cấu tạo từ các mạch
cộng hưởng phần tử tập trung hoặc phân bố nối ghép với nhau để đạt được hàm
truyền hay tiêu hao chèn có dạng mong muốn trong dải tần đã cho. Mỗi mạch cộng
hưởng riêng rẽ đó gọi là một khâu hay một mắt của bộ lọc hay là một phần tử của bộ
lọc. Việc tìm quy luật nối ghép và các tham số điện cũng như hình học của các khâu để
tạo thành bộ lọc theo yêu cầu kỹ thuật đặt ra theo hàm truyền hay tiêu hao chèn gọi là
bài toán tổng hợp bộ lọc.
 Bộ Lọc RF 9

4.2. Các giai đoạn tổng hợp bộ lọc vô tuyến và siêu cao tần

- Giai đoạn 1: Xây dựng mẫu bộ lọc thông thấp chuẩn hóa trên các phần tử tập
trung đáp ứng theo dạng của hàm truyền hay tiêu hao chèn theo yêu cầu đã cho.
Tức là giai đoạn này chúng ta đi xây dựng một bộ lọc mẫu, tức là bộ lọc nguyên mẫu,
chưa sử dụng được trong thực tế; từ bộ lọc nguyên mẫu này, sau này ta phải biến đổi
từ bộ lọc nguyên mẫu này sang bộ lọc thực tế mà chúng ta thiết kế; là bộ lọc dạng
thông thấp không phải thông cao, thông dải, chắn dải; tức là bộ lọc thông thấp này có
thể sử dụng các biến đổi để dẫn ra được các sơ đồ mạch điện của bộ lọc thông cao, bộ
lọc thông dải cũng như chắn dải chứ chúng ta không đi xây dựng ví dụ như đề bài yêu
cầu thiết kế bộ lọc thông cao chúng ta lại đi xây dựng một bộ lọc mẫu thông cao, hay
đề bài yêu cầu một bộ lọc thông dải chúng ta lại đi xây dựng một bộ lọc mẫu thông dải,
… mà ta chỉ đi xây dựng một bộ lọc mẫu thông thấp duy nhất, sau đấy từ bộ lọc mẫu
thông thấp này chúng ta biến đổi dẫn ra các bộ lọc mà chúng ta mong muốn thiết kế.
Ngoài ra bộ lọc thông thấp này phải là bộ lọc thông thấp chuẩn hóa, nghĩa là giá trị các
phần tử của bộ lọc mẫu thông thấp này là giá trị chuẩn hóa chứ không phải là giá trị
thực tế mà chúng ta sẽ sử dụng; và bộ lọc mẫu thông thấp được xây dựng trên các
phần tử tập trung đó là các phần tử LC chứ không phải xây dựng trên các phần tử phân
bố như các đường truyền siêu cao tần. Tóm lại đây là bộ lọc mẫu, nguyên mẫu và nó là
bộ lọc thông thấp, giá trị của linh kiện bộ lọc thông thấp này được chuẩn hóa và xây
dựng trên các phần tử tập trung LC. Sau giai đoạn 1 ta được một sơ đồ mạch điện của
bộ lọc mẫu thông thấp với các giá trị chuẩn hóa và mạch điện ấy ta vẫn chưa ứng dụng
được trong thực tế.

- Giai đoạn 2: Dựa trên sơ đồ mạch điện của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa ta
sẽ sử dụng các phép biến đổi gồm có biến đổi sơ đồ mạch điện và biến đổi giá trị của
linh kiện để chuyển từ bộ lọc mẫu này sang bộ lọc thực tế. Dùng các phép biến đổi tần
số và thang trở kháng xây dựng nên các bộ lọc thông thấp, thông cao, thông dải và dải
chắn trong kỹ thuật trên các phần tử tập trung (cái chúng ta học) hoặc các phần tử
phân bố (hệ sau đại học) nhờ phép biến đổi theo sơ đồ mạch tương đương

4.3. Bộ lọc mẫu thông thấp trên phần tử tập trung

4.3.1. Sơ đồ mạch
 Bộ Lọc RF 10

Bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa trên các phần tử tập trung bao gồm điện cảm L và
điện dung C được ghép nối theo hai sơ đồ mạch dạng hình thang với điện trở nguồn R0
(hay điện dẫn G0) và điện trở tải Rn +1(hay điện dẫn tải Gn+ 1) với tần số cắt ω c được mô tả
trên hình 2.2 và 2.3. Đối với bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa thì các điện trở nguồn và
tải có giá trị bằng 1 ( R0 =R n+1=g 0=gn +1=1, tần số cắt lấy bằng đơn vị ω c =1). Các phần
tử bộ lọc như điện dung C k , điện cảm Lk được ký hiệu chung là gk (k = 1, 2, 3, …, n)

Sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa

Hình 1.1.1. Sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa điện dung song song
 Bộ Lọc RF 11

Hình 1.1.2. Sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa điện cảm nối tiếp
Sơ đồ thứ nhất là sơ đồ điện dung song song: lý do bởi vì phần tử đầu tiên của sơ đồ
thứ nhất của bộ lọc là điện dung C mắc ở nhánh sóng song do đó tên gọi của nó là sơ
đồ điện dung song song. Sơ đồ thứ hai là sơ đồ điện cảm nối tiếp: phần tử thứ nhất của
bộ lọc là điện cảm L và mắc ở nhánh nối tiếp.

Phần tử cuối cùng của bộ lọc cũng có thể là điện cảm L mắc nhánh nối tiếp và điện
dung C mắc ở nhánh song song đối với cả 2 sơ đồ

Chi tiêu khi sử dụng cả 2 sơ đồ là giống nhau, tuy nhiên việc sử dụng sơ đồ nào trong
thực tế phụ thuộc bộ lọc nằm ở vị trí nào tùy thuộc vào ứng dụng của bộ lọc trong thực
là gì mà chúng ta có thể chọn 1 trong 2 sơ đồ; còn khi chúng ta làm bài tập trên lớp thì
cả 2 sơ đồ có tính chất giống nhau

4.3.2. Dạng đặc trưng của tiêu hao chèn

Dạng đặc trưng của hàm truyền hay tiêu hao chèn của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn
hóa phổ biến được chọn tiệm cận với các hàm toán học thường có dạng đơn giản là
các đa thức như đa thức phẳng cực đại (Butterworth) và đa thức Chebyshev

a. Dạng đặc trưng của tiêu hao chèn theo đa thức phẳng cực đại
Hàm truyền biên độ bình phương của bộ lọc có dạng theo biểu thức sau:
2 1
|S21 ( ω )| = ( 2.4 .1 )
( )
2n
ω
1+ε
ωc

Tiêu hao chèn của nó có dạng là:

[ ( )]
2n
ω
La ( ω ) =10lg 1+ε ( 2.4 .2 )Ở đây n = 1, 2, 3, … là số tự nhiên chỉ cấp của bộ lọc và
ωc

số phần tử của nó, còn ε là hằng số chỉ sự gợn sóng (không đồng đều) của bộ lọc
 Bộ Lọc RF 12

b. Bộ lọc mẫu loại phẳng cực đại

Dạng đặc trưng tiêu hao chèn của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa mô tả trên hình 2.2

Hình 1.1.1. Tiêu hao chèn của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa
Thông thường mức tiêu hao nhỏ nhất tại tần số cắt ω c =1 của bộ lọc mẫu này được
chọn L a1=3 dB . Khi đó hằng số ε sẽ được tính theo biểu thức sau: ε =100,1 La1−1 ( 2.4 .3 )

[ ( )]
2n
ω
La ( ω ) =10lg 1+ε ( 2.4 .2 )
ωc
 Bộ Lọc RF 13

c. Các tham số phần tử bộ lọc mẫu

Các tham số g của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa ( ω c =1 , g 0=gn +1=1 , L a1=3 dB ) có
đặc trưng tiêu hao chèn dạng phẳng cực đại được tính theo công thức sau:

gk =2sin [ ( 2 k−1 ) π
2n ], k=1 , 2, … n ( 2.4 .6 )

Các giá trị gk của bộ lọc mẫu loại này tính theo công thức (2.4.6) cho trong bảng 1 với
số phần tử bộ lọc n=1−10
Ta có công thức tính số phần tử của bộ lọc này là:

( )
0,1 La
10 −1
lg 0,1L a
1 10 1
−1
n> ( 2.4 .7 )Ở đây La(dB) là mức suy giảm yêu cầu ngoài dải thông cho tại
( )
2 ω
lg
ωc
tần số ω cho trước
Số bậc n của bộ lọc cũng có thể tính nhờ đồ thị dạng đặc trưng phẳng cực đại La vẽ

ngoài dải thông theo biến số | |

ω
ωc
−1 ứng với số n = 1 – 15 như trên mô tả trên hình sau

Hình 1.1.1. Đồ thị dạng đặc trưng phẳng cực đại La

 Bộ Lọc RF 14

Bảng 1.1.1. Các giá trị phần tử bộ lọc mẫu dạng phẳng cực đại
( g0 =gn+1=1, ω c =1 , L a1=3 dB ) , n=1−10

n g1 g2 g3 g4 g5 g6 g7 g8 g9 g10 g11

1 2,000 1,00
0

2 1,414 1,41 1,000

4

3 1,000 2,00 1,000 1,00

0 0

4 0,765 1,84 1,848 0,76 1,000

8 5

5 0,618 1,61 2,000 1,61 0,618 1,00

8 8 0

6 0,517 1,41 1,932 1,93 1,414 0,51 1,000

4 2 7

7 0,445 1,24 1,802 2,00 1,802 1,24 0,445 1,00

7 0 7 0

8 0,390 1,11 1,663 1,96 1,962 1,66 1,111 0,39 1,000

1 2 3 0

9 0,347 1,00 1,532 1,87 2,000 1,87 1,532 1,00 0,347 1,00
0 9 9 0 0

10 0,313 0,90 1,414 1,78 1,975 1,97 1,782 1,41 0,908 0,31 1,000
8 2 5 4 3

Bảng 1.1.2. Dạng đặc trưng theo đa thức Chebyshev

Hàm truyền biên độ bình phương của bộ lọc có dạng:

2 1
|S21 ( ω )| = (2.4 .8 )
1+ε T
2
n
( )
ω
ωc
 Bộ Lọc RF 15

Tiêu hao chèn của bộ lọc có dạng

[
La=10 lg 1+ε T n
2
( ωω )] ( 2.4 .9)
c

T n ( x ) : đa thức Chebyshev cấp n loại 1. 0<ε <1 : hằng số chỉ mức gợn sóng trong dải
thông

Khi chúng ta vẽ biểu thức 2.4.9 tức là vẽ sự phụ thuộc của La theo ω sẽ được đường
cong như hình 2.3

Đặc trưng tiêu hao chèn của bộ lọc dạng đa thức Chebyshev mô tả trên hình 2.3.

Hình 1.1.2. Tiêu hao chèn của bộ lọc dạng đa thức Chebyshev
Hình này mô tả sự phụ thuộc của tiêu hao chèn theo tần số theo đa thức dạng
Chebyshev

Chú ý: phân biệt đặc tính lọc theo tiêu hao chèn của bộ lọc theo đa thức Chebyshev so
với dạng phẳng cực đại (Buterworth), trong dải thông của bộ lọc không được phẳng
nữa mà nó mấp mô gọi là có độ gợn, độ gợn này phân bố đều, còn gọi là bộ lọc độ gợn
đều

Tại tần số giới hạn của dải thông, tức có ω=ω c, với mức tiêu hao L a1 ( dB ) gọi là mức
gợn sóng, và do đó hằng số ε tính theo biểu thức là:

ε =100,1 La −1 ( 2.4 .11 )

1

Giá trị các phần tử của bộ lọc:

Các giá trị phần tử g của bộ lọc mẫu chuẩn hóa đặc trưng dạng đa thức Chebyshev
tính theo các biểu thức sau:
 Bộ Lọc RF 16

( )
2 a1 4 ak−1 ak 2 β
g0 =1, g1= gk = , k=2 , 3 , … ,n ( 2.4 .14 ) gn +1=1 ,n lẻgn +1=coth ,n chẵn ( 2.4 .15 )
γ b k−1 gk −1 4

Với:

(
β=ln coth
L a1
17,37 )
, γ =sinh
β
2n ( )
( 2.4 .16 )a k =sin
2n [
( 2 k−1 ) π
]
, k =1 ,2 , 3 , … n (2.4 .17 )

b k =γ 2 +sin2 ( kπn ), k =1 ,2 , 3 , … n ( 2.4 .18)

Số phần tử n của bộ lọc này tính theo biểu thức sau:

√
0,1 La
10 −1
Arch 0,1L a
10 −1
1

n≥ ( 2.4 .19 )
Arch
( )
ω
ωc

Ở đây La (dB) là mức suy giảm cần thiết theo yêu cầu đã cho tại tần số ω, L a1 ( dB ) là
mức suy giảm gợn sóng cho phép trong dải thông ứng với tần số cắt ω c và giá trị hằng
số ε

Giá trị các phần tử g của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa đặc trưng dạng Chebyshev
tính theo các biểu thức nêu trên được lập thành bảng ứng với các mức gợn sóng theo
yêu cầu

Trong bảng 2 và 3 cho các giá trị của các phần tử bộ lọc loại này ứng với mức gợn
sóng trong dải thông tương ứng là L a1=0,5 dB và 1 dB , số các phần tử n = 1 – 10. Ở
đây g0 =1, ω c =1

Số bậc n của bộ lọc loại này cũng có thể được tính khá thuận lợi nhờ đồ thị của đặc

trưng bộ lọc cho ngoài dải thông theo biến | |

ω
ωc
−1 ứng với số n = 1 – 15 theo mức gợn

sóng tương ứng L a1=0,5 và 1 dB . Các đồ thị trên được mô tả trên hình 2.6 và 2.7
 Bộ Lọc RF 17

Hình 1.1.3. Đồ thị của đặc trưng bộ lọc cho ngoài dải thông, L a1=0,5 dB

Hình 1.1.4. Đồ thị của đặc trưng bộ lọc cho ngoài dải thông, L a1=1 dB
Khi làm bài tập chúng ta tính theo công thức 2.4.19, không dùng đồ thị để tính toán
 Bộ Lọc RF 18

Bảng 1.1.1. Giá trị gk của các phần tử theo dạng đặc trưng Chebyshev, L a1=0,5 dB

n g1 g2 g3 g4 g5 g6 g7 g8 g9 g10 g11

1 0,699 1,000

2 1,403 0,707 1,984

3 1,596 1,097 1,596 1,000

4 1,670 1,193 2,366 0,842 1,984

5 1,706 1,300 2,541 1,300 1,706 1,00

0

6 1,725 1,248 2,606 1,314 2,476 0,87 1,981

0

7 1,737 1,258 2,638 1,344 2,638 1,25 0,737 1,000

8

8 1,745 1,265 2,656 1,359 2,696 1,33 2,509 0,880 1,984

9

9 1,750 1,269 2,668 1,367 2,724 1,36 2,668 1,296 1,750 1,000
7

10 1,754 1,272 2,675 1,373 2,739 1,38 2,723 1,349 2,524 0,884 1,984
1

Bảng 1.1.2. Giá trị gk của các phần tử theo dạng đặc trưng Chebyshev, L a1=1 dB

n g1 g2 g3 g4 g5 g6 g7 g8 g9 g10 g11

1 1,01 1,000
8

2 1,82 0,685 2,660

2

3 2,02 0,994 2,024 1,000

4

4 2,09 1,064 2,831 0,789 2,66

 Bộ Lọc RF 19

9 0

5 2,13 1,091 3,001 1,091 2,13 1,000

5 5

6 2,15 1,104 3,063 1,152 2,93 0,810 2,660

5 7

7 2,16 1,112 3,093 1,174 3,09 1,112 2,166 1,00

6 3 0

8 2,17 1,116 3,111 1,184 3,14 1,170 2,969 0,81 2,660

4 9 8

9 2,18 1,119 3,122 1,190 3,17 1,190 3,122 1,11 2,180 1,000
0 5 9

10 2,18 1,121 3,129 1,193 3,18 1,199 3,174 1,17 2,982 0,821 2,660
4 9 6

5. Quy trình tính toán thiết kế bộ lọc RF

Tóm lại một quy trình tính toán thiết kế bộ lọc RF sẽ trải qua 9 bước

5.1. Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

Dải tần, đặc trưng trong / ngoài dải thông (độ gợn trong dải thông bằng bao nhiêu, độ
chọn lọc (mức suy giảm) ngoài dải thông bằng bao nhiêu) – tùy thuộc vào hệ thống yêu
cầu, bộ lọc ấy đặt ở đâu, máy phát hay máy thu

5.2. Xác định loại bộ lọc

Butterworth: trong dải thông phẳng, nhưng chọn lọc ngoài dải thông lại không tốt

Chebyshev: trong dải thông có độ gợn, nhưng chọn lọc ngoài dải thông lại tốt hơn, như
vậy chọn loại nào thì phụ thuộc vào chỉ tiêu ta đi xây dựng ở bước 1

5.3. Tính bậc của bộ lọc n

Theo công thức hoặc theo đồ thị

 Bộ Lọc RF 20

5.4. Chọn sơ đồ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa

Điện dung song song

Điện cảm nối tiếp

5.5. Tính giá trị linh kiện chuẩn hóa gk

Tra bảng hoặc tính theo công thức (tùy thuộc vào loại bộ lọc ở bước 2)

Sau khi kết thúc bước 5 chúng ta có sơ đồ mạch điện của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn
hóa trên phần tử tập trung với các giá trị chuẩn hóa gk . Sau đó chuyển sang giai đoạn
2, biến đổi từ sơ đồ mạch nguyên mẫu ấy sang sơ đồ mạch lọc thực tế mà chúng ta
thiết kế, biến đổi bằng các sơ đồ mạch điện và sử dụng các thang biến đổi trở kháng,
biến đổi tần số để dẫn ra các giá trị lý tưởng của linh kiện của bộ lọc thực tế ta sử dụng
đó chính là bước 6

5.6. Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng

5.7. Chuẩn hóa linh kiện thực tế

Chuẩn hóa theo các giá trị cung cấp của nhà sản xuất) và tinh chỉnh mạch điện (sao
cho đạt được chỉ tiêu đề ra ban đầu

Từ bước 7 đến bước 9 chúng ta thực hiện trên phần mềm Advanced Design System

5.8. Chạy mô phỏng EM và tinh chỉnh toàn mạch

5.9. Xuất layout chế tạo mạch

6. Các bộ lọc vô tuyến trên phần tử tập trung

6.1. Bộ lọc thông thấp

Với bộ lọc thông thấp không chuẩn hóa trong thực tế, có tần số cắt ω c bất kỳ và trở
nguồn và trở tải R0 , Rn +1 khác 1, thì các giá trị của phần tử bộ lọc này sẽ nhận được các
giá trị gk của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa bằng cách áp dụng quy tắc thang tính
như sau:
 Bộ Lọc RF 21

Lấy các giá trị biểu thị phần tử điện cảm của bộ lọc mẫu chuẩn hóa g L nhân với R0 hoặc
Rn +1 và chia cho tần số cắt ω c(radian) sẽ cho giá trị phần tử điện cảm bộ lọc thông thấp
thực tế, tức là ta có:

gLk
Lk =R 0 ( 2.5 .1 )
ωc

Lấy các giá trị biểu thị phần tử điện dung của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa gc chia
cho R0 hoặc Rn +1và chia cho tần số cắt ω c(radian) sẽ cho giá trị phần tử điện dung của
bộ lọc thông thấp thực tế
g Ck
C k= ( 2.5 .2 )
R0 ωc

6.2. Bộ lọc thông cao

Với bộ lọc thông cao, có tần số cắt ω c thì khi sử dụng phép thay biến tần số là dạng:
ω ω
⇒− c (2.5 .3 ) Vào biểu thức dạng đặc trưng hàm truyền hay tiêu hao chèn của bộ lọc
ωc ω
mẫu thông thấp chuẩn hóa như hình (2.4.2) và (2.4.9) sẽ nhận được dạng đặc trưng
tương ứng của bộ lọc thông cao

Cách biến đổi từ sơ đồ bộ lọc thông thấp chuẩn hóa sang sơ đồ bộ lọc thông cao không
chuẩn hóa: chỗ nào là phần tử L của bộ lọc thông thấp chuẩn hóa ta biến đổi thành C,
chỗ nào là C ta biến thành L. Còn biến đổi giá trị ta phải sử dụng biểu thức (2.5.4) và
(2.5.5)

Sơ đồ mạch tương đương của bộ lọc thông cao phần tử tập trung được mô tả trên hình
sau

Hình 1.1.1. Sơ đồ mạch tương đương của bộ lọc thông cao

Từ các sơ đồ mạch tương đương của hai bộ lọc thông cao và bộ lọc mẫu thông thấp
chuẩn hóa, qua phép thay biến tần số ta có kết luận là:
 Bộ Lọc RF 22

Các phần tử điện dung gCk của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa sẽ chuyển thành các
phần tử điện cảm mắc song song Lk của bộ lọc thông cao và giá trị của chúng được
tính theo biểu thức:
R0
Lk = ( 2.5.4 )
ω c gCk

Các phần tử điện cảm g Lk của bộ lọc thông thấp chuẩn hóa sẽ chuyển thành các phần
tử điện dung C k mắc nối tiếp của bộ lọc thông cao và giá trị của chúng được tính theo
biểu thức:
1
C k= ( 2.5.5 )
R0 ωC g Lk

Bậc n của bộ lọc thông cao được tính theo các biểu thức như của bộ lọc mẫu thông
ωC ω
thấp (2.4.7) và (2.4.19) nhưng ở mẫu số ta dùng biến thay vì biến cũ là vì ở đây
ω ωC

chúng ta đang tính bậc của bộ lọc thông cao chứ không phải bậc của bộ lọc thông thấp

Bộ lọc thông dải

Nếu gọi 2 Δω t=ωt −ω−t là dải thông của bộ lọc thông dải với tần số trung tâm là ω 0, với
ω 0=ω t ω−t, các tần số biên của dải thông là ω t và ω−t , thì sử dụng phép thay tần số là:
2

ω
⇒
(
ω 0 ω ω0
−
ωc 2 Δ ω t ω0 ω
η
)
= ( 2.5 .6 )Với:
ηt

ω ω0 2 Δω ω t ω0 2 Δ ω t
η= − ≈ , ηt = − ≈ ( 2.5 .7 ) vào trong đặc trưng của hàm truyền hoặc
ω0 ω ω0 ω0 ωt ω0
tiêu hao chèn của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa, ta nhận được các dạng đặc trưng
tương ứng của bộ lọc thông dải. Sơ đồ mạch tương đương các phần tử tập trung của
bộ lọc thông dải và bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa, qua phép thay biến tần số ta có
kết luận:
 Bộ Lọc RF 23

Các phần tử điện dung gCk của bộ lọc mẫu chuẩn hóa được chuyển thành các phần tử
là mạch cộng hưởng song song mắc song song C kPP , L kPP với giá trị tính theo biểu thức:
gCk R 0 2 Δ ωt
C kPP= ( 2.5 .8 ) LkPP = 2
( 2.5 .9 )
2 Δ ωt R 0 g Ck ω0

Các phần tử điện cảm g Lk của bộ lọc mẫu chuẩn hóa được chuyển thành các phần tử là
mạch cộng hưởng nối tiếp mắc nối tiếp C kSS , L kSS với giá trị tính theo biểu thức:
R 0 g Lk 2 Δ ωt
LkSS = ( 2.5 .10 )C kSS= 2
( 2.5 .11 )
2 Δωt R0 ω0 g Lk

Bậc n của bộ lọc thông dải được tính theo biểu thức ứng với hai dạng đặc trưng:

Dạng đa thức phẳng cực đại:

( )
0,1 La
10 −1
lg 0,1 L a
1 10 −1 1

n≥ (2.5 .12 )
()
2 η
lg
ηt

Dạng đa thức Chebyshev:

√
0,1La
10 −1
Arch 0,1 La1
10 −1
n≥ ( 2.5 .13 )
Arch
η
ηt( )
6.3. Bộ lọc chắn dải

Nếu ta gọi 2 Δω ch=ωch −ω−ch là dải chắn của bộ lọc chắn dải với tần số trung tâm là ω 0,
với ω 0=ω ch ω−ch, ở đây ω ch , ω−ch là các tần số biên của dải chắn, thì khi sử dụng phép
2

thay biến tần số dạng:

ω 2 Δωch ηch
⇒− ≈− ( 2.5.14 )

( )
ωc ω ω0 η
ω0 −
ω0 ω

Với:
ωch ω 0 2 Δ ω ch
ηch = − ≈ ( 2.5 .15 )vào đặc trưng hàm truyền hoặc tiêu hao chèn của bộ lọc
ω0 ω ch ω0
mẫu thông thấp chuẩn hóa ta nhận được đặc trưng dạng tương ứng của bộ lọc chắn
dải thực tế. Sơ đồ mạch tương đương của bộ lọc chắn dải phần tử tập trung được mô
tả trên hình sau
 Bộ Lọc RF 24

Hình 1.1.1. Sơ đồ mạch tương đương của bộ lọc chắn dải phần tử tập trung
Từ các sơ đồ mạch tương đương của bộ lọc chắn dải và bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn
hóa, qua phép thay biến tần số ta có kết luận là:

Các phần tử điện dung gCk của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa sẽ chuyển thành các
phần tử là mạch cộng hưởng C kSP , LkSP nối tiếp mắc song song với các giá trị được tính
theo biểu thức:
R0 2 Δ ω ch g Ck
LkSP = ( 2.5 .16 ) C kSP= 2
(2.5.17)
2 Δ ω ch gCk R0 ω 0

Các phần tử điện cảm g Lk của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa sẽ chuyển thành các
phần tử là mạch cộng hưởng C kPS , L kPS song song mắc nối tiếp với các giá trị được tính
theo biểu thức:
1 R g 2 Δω
C kPS= (2.5 .18 ) LkPS = 0 Lk 2 ch ( 2.5 .19 )
R0 2 Δω ch g Lk ω0

Bậc n của bộ lọc chắn dải được tính theo các biểu thức như đối với bộ lọc thông dải
ηch η
(2.5.12) và (2.5.13) nhưng ở mẫu số ta dùng biến thay vì biến
η η t

7. Bài tập chương 1

7.1. Bài tập 1

Thiết kế bộ lọc thông thấp dạng đặc trưng Chebyshev có độ gợn sóng La1= 0.01 (dB)
trong dải thông, tần số cắt fc= 100 MHz; và mức suy giảm ít nhất là 5 (dB) ở tần số 400
MHz. Biết rằng trở nguồn và trở tải của bộ lọc bằng nhau 75 (Ω). Chọn sơ đồ điện cảm
nối tiếp.

Các bước tính toán thiết kế bộ lọc

1. Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật: dải tần, đặc trưng trong và ngoài dải thông
 Bộ Lọc RF 25

2. Xác định loại bộ lọc

- Butterworth

- Chebyshev
(Đề bài cho hoặc tự tính, tính như thế nào?)

3. Tính bậc của bộ lọc

- Theo công thức hoặc theo đồ thị

4. Chọn sơ đồ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa

- Điện dung song song

- Điện cảm nối tiếp

5. Tính toán giá trị linh kiện chuẩn hóa g k

- Tra bảng hoặc tính theo công thức

6. Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng

7. Chuẩn hóa linh kiện thực tế và tinh chỉnh mạch điện

8. Chạy mô phỏng EM và tinh chỉnh mạch

9. Xuất layout chế tạo mạch.

Bài giải:

Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật:

La1 = 0,01 dB; fc = 100 MHz, suy giảm ít nhất là La = 5 (dB) tại tần số w = 400 MHz.

Xác định loại bộ lọc: Chebyshev

 Bộ Lọc RF 26

Tính bậc của bộ lọc: theo công thức

√
0,1La
10 −1
Arch 0,1L a
10 1
−1
n≥ =2 Cách bấm Arch, sau đó lấy phần nguyên
Arch
( )
ω
ωc

Trở tải và trở nguồn bằng nhau ⇒ n lẻ ⇒ n= 3.

Chọn sơ đồ bộ lọc thông thấp chuẩn hóa: Điện cảm nối tiếp

Tính các giá trị chuẩn hóa của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa g k:

a 1=sin ( π6 )=0.5
a 2=sin ( π2 )=1
a 3=sin ( 56π )=0.5β=ln [ coth ( 17,37
0,01
)]=7,5
Cách bấm ln - coth:

γ=sh ( 7,5
2.3 )
=1,6019

Cách bấm sh:

b 1=1,60192+ sin 2 ( π3 )=3,316b =1,6019 + sin ( 23π )=3,316

2
2 2

2
b 3=1,6019 + sin
2
( 33π )=2,566g =g =1
0 4
 Bộ Lọc RF 27

2.0,5 4.0,5 .1
g1=g3 = =0,62425g2= =0,9662
1,6019 3,316. 0,62425

Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng của bộ lọc thông thấp
75. 0,62425 1 0,9662
L1=L3= =74,5155 ( nH )C 2= . =20,5 ( pF )
2 π . 108
75 2 π . 108

Vẽ đặc trưng lọc:

 Bộ Lọc RF 28

Hình 1.1.1. Đặc trưng lọc

 Bộ Lọc RF 29

7.2. Bài tập 2

Thiết kế bộ lọc thông cao dạng đặc trưng Chebyshev có độ gợn sóng L a1=0,01 dB
trong dải thông. Nó cho qua tất cả tín hiệu có tần số trên 100 MHz và suy giảm tín hiệu
ít nhất 5 dB tại tần số 25 MHz. Biết rằng trở tải và trở nguồn của bộ lọc bằng nhau là
75 Ohm. Chọn sơ đồ điện cảm nối tiếp

Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

L a1=0,01 dB , f c =100 MHz , La=5 dB , f =25 MHz

Xác định loại bộ lọc

Chebyshev

Tính bậc của bộ lọc: theo công thức

n≥
Arch
√
100,5 −1
0,001
10 −1
≈3
Arch
100
25( )
Chọn sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa

Điện cảm nối tiếp

Hình 1.1.1. Sơ đồ điện cảm nối tiếp

Tính các giá trị chuẩn hóa của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa g k
 Bộ Lọc RF 30

gk =1; g1=
2 a1
γ
gk =
4 ak−1 ak
b k−1 gk −1
, k=2 , 3 , … ,n ( 2.4 .14 )a k =sin[( 2 k−1 ) π
2n ]
, k =1 ,2 , 3 , … , n ( 2.4 .17 )

(
β=ln coth
L a1
17,37 ) ( )
, γ =sinh
β
2n ( )2
( 2.4 .16 )b k =γ +sin
2 kπ
n
, k =1 ,2 , 3 , … , n ( 2.4 .18 )

⇒ a =sin ( )=0,5 ; a =sin ( ) =1; a =sin ( ) =0,5

π π 5π
1 2 3
6 2 6

[ 17,37
⇒ β=ln coth (
0,01
)]=7,5 ; γ=sh( 7,5
2.3 )
=1,6019

⇒b 1=1,60192 +sin2 ( π3 )=3,316 ; b =1,6019 +sin ( 23π )=3,316⇒b =1,6019 +sin ( 33π )=2,566
2
2 2
3
2 2

2.0,5 4.0,5.1
⇒ g0 =g4 =1; g1 =g 3= =0,62425⇒ g2 = =0,9662
1,6019 3,316.0,62425

Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng của bộ lọc thông cao

R0 1 1
Lk = ( 2.5 .4 ) ; Ck = ( 2.5 .5 ) ⇒ C 1=C 3= 8
=33,99 ≈ 34 pF
ω C gCk R 0 ω C g Lk 2 π .10 .75 .0,62425
75
⇒ L2 = 8
=123,5 nH
2 π . 10 .0,9662

Hình 1.1.2. Sơ đồ mạch điện

 Bộ Lọc RF 31

Hình 1.1.3. Đặc trưng lọc

 Bộ Lọc RF 32

7.3. Bài tập 3

Thiết kế bộ lọc thông dải có độ giảm bằng 0,5 dB trong dải thông với tần số trung tâm 1
GHz, độ rộng dải tần tương đối là 10%. Tín hiệu suy giảm ít nhất 30 dB tại các tần số
800 MHz và 1,2 GHz. Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 75 Ω

Chọn sơ đồ mạch điện bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa là điện cảm nối tiếp

Bài giải:

Thông dải, dạng chebyshev – nhìn vào độ gợn La 1 = 0,5 dB

w c =f 0=1 GHz

La=30 dB

f 1=800 MHz ; f 2=1,2GHz

R0 =75Ω; Rt =Rn +1=75 Ω

Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

L a1=0,5 dB , f 0=1 GHz La=30 dB f 1=800 MHz , f 2=1,2GHz

Xác định loại bộ lọc

Chebyshev

Tính bậc bộ lọc

Theo công thức

√
0,1La
10 −1
Arch 0,1L a
10 −1
1

n≥
Arch
()
η
ηt

2 Δω 2 π . ( 1,2.10 −0,8.10 ) 2 Δ ωt
9 9
η= = =0,4 ;ηt = =0,1
ω0 2 π . 1.10 9
ω0

Trở tải và trở nguồn bằng nhau ⇒n> 2,5→ n=3

Chọn sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa

Tính giá trị chuẩn hóa của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa g k
 Bộ Lọc RF 33

β=ln coth( L a1
17,37 )
; γ=sinh
β
2n ( )
( 2.4 .16 ) g0 =1; g1=
2 a1
γ
4a a
; g k = k−1 k , k=2 , 3 , … , n ( 2.4 .14 )
bk−1 g k−1

a k =sin [ ( 2 k−1 ) π
2n ] 2
, k =1 ,2 , 3 , … , n ( 2.4 .17 )b k =γ +sin ( )
2 kπ
n
, k =1 ,2 , 3 , … , n ( 2.4 .18 )

( π6 )=0,5 ; a =sin ( π2 )=1; a =sin ( 56π )=0,5

⇒ a1=sin 2 3

[ 17,37 ]
⇒ β=ln coth (
0,5
) =3,5 ; γ =sh (
2.3 )
3,5
=0626

⇒b =0,626 +sin ( )=1,1424 ; b =0,626 + sin ( ) =0,3924

π 2 2 2π 2 2
1 2
6 6

2.0,5 4. a1 . a3 4.0,5 .1
⇒ g0 =g4 =1; g1 =g 3=g L= =1,596⇒ g2 =g C = = =1,0967
0,626 b1 . g1 1,1424.1,596

Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng của bộ lọc chắn dải

Nhánh nối tiếp

R 0 g Lk 2 Δ ωt
LkSS = ( 2.5 .10 )C kSS= ( 2.5 .11 )
2 Δ ωt R0 ω20 g Lk

Nhánh song song

R 02 Δ ωt gCk
LkPP = 2
( 2.5 .9 ) C kPP= ( 2.5 .8 )
g Ck ω 0
2 Δ ωt g 0
 Bộ Lọc RF 34

Sơ đồ mạch điện

Đặc trưng lọc

Hình 1.1.1. Đặc trưng lọc

7.4. Bài tập 4

Thiết kế một bộ lọc chắn dải có độ gợn 1 dB trong dải thông. Bộ lọc chắn tất cả tín hiệu
có tần số từ 1.45 GHz đến 1.6 GHz và cho qua tín hiệu có tần số ngoài dải này. Tín
hiệu bị suy giảm ít nhất 30 dB tại các tần số 1.5 GHz và 1.55 GHz. Biết trở tải và trở
nguồn bằng nhau và bằng 50 Ω . Chọn sơ đồ mạch điện bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn
hóa là điện cảm nối tiếp

Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

L a1=1 dB , La=30 dB

f −ch =1.45GHz , f ch=1.6 GHz

f 1=1.5 GHz , f 2=1.55 GHz

R S=R L =50 Ω
 Bộ Lọc RF 35

Xác định loại bộ lọc

Chebyshev

Tính bậc bộ lọc

Theo công thức

√
0,1La
10 −1
Arch La
10 −1 1

n≥ =2.74
Arch
ηch
η ( )
ω 0=√ ω−ch . ωch =9,57.10
9
( rads )
9 9
2 Δω 2 π (1,55 ×10 −1,5.10 )
η= = =3,28.10−2
ω0 9,57 ×10 9

Trở tải và trở nguồn bằng nhau ⇒ n = 3

Chọn sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa

Điện cảm nối tiếp

Tính các giá trị chuẩn hóa của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa g k

2 a1
g0 =1; g1=
γ

4 ak−1 ak
gk = , k=2 , 3 , … ,n ( 2.4 .14 )
b k−1 gk −1

a k =sin [ ( 2 k−1 ) π
2n ]
, k =1 ,2 , 3 , … n (2.4 .17 )

2
b k =γ +sin
2
( kπn ), k =1 ,2 , 3 , … , n( 2.4 .18 )
(
β=ln coth
L a1
17,37 )
, γ =sinh
β
2n ( )
(2.4 .16)

a 1=0.5 ; a2=1 ; a3 =0.5

β=2,8558 ;γ =0,49415

b 1=0,99418 ; b2=0,99418
 Bộ Lọc RF 36

g0 =g 4=1g1=2,024 ; g 2=0,994 ; g3=2,024

Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng của bộ lọc chắn dải

Nhánh nối tiếp (khung cộng hưởng song song)

R 0 g Lk 2 Δ ωch 1
LkPS = ( 2.5 .19 )C kPS= (2.5 .18 ) ⇒ L1=L3 =1.0412nH
ω
2
0
R0 2 Δω ch g Lk

⇒ C 1=C 3=10,486 pF

Nhánh song song (khung cộng hưởng nối tiếp)

R0 2 Δ ω ch g Ck
LkPS = (2.5 .16 )C kSP= 2
( 2.5 .17 )⇒ L2=53,3674 nH⇒ C 2=0,2046 ΔpF
2 Δ ωch gCk R0 ω 0

Sơ đồ mạch điện: nhánh đầu tiên nối tiếp nhưng khung cộng hưởng mắc song song
(L1//C1)
 Bộ Lọc RF 37

Đặc trưng lọc

Hình 1.1.1. Đặc trưng lọc

 Bộ Lọc RF 38

7.5. Bài tập 5

Thiết kế bộ lọc thông dải dạng đặc trưng Chebyshev bậc 3 có độ gợn sóng bằng 0,01
dB trong dải thông có tần số từ 10 MHz đến 40 MHz. Trở tải và trở nguồn của bộ lọc
bằng nhau là 75 Ohm

Thiết kế bộ lọc chắn dải bậc 3 dạng đặc trưng phẳng cực đại. Bộ lọc chặn tất cả tín
hiệu trong dải tần từ 10 MHz đến 40 MHz và cho qua các tần số ngoài dải trên. Biết
rằng trở nguồn và trở tải của bộ lọc đều bằng 75 Ohm. Suy hao tại tần số cắt là La1 =
3dB

7.6. Bài tập 6

Thiết kế bộ lọc thông thấp đặc trưng dạng phẳng cực đại có tần số cắt f C = 150 MHz là
La1 = 3dB và tiêu hao chèn 50 dB ở 400 MHz. Biết rằng trở tải và trở nguồn bằng nhau
và bằng 75 Ohm.

7.7. Bài kiểm tra 1

Thiết kế một bộ lọc thông dải có độ gợn bằng 1 dB trong dải thông từ 900 MHz đến
1,1GHz. Tín hiệu bị suy giảm ít nhất 30 dB tại các tần số 500 MHz và 1,3 GHz. Biết trở
tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 50 Ω

Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

7.8. Bài kiểm tra 2

Thiết kế một bộ lọc chắn dải có độ gợn bằng 1 dB trong dải thông với tần số trung tâm
dải chắn 2 GHz, độ rộng dải chắn tương đối là 10%. Tín hiệu bị suy giảm ít nhất 20 dB
tại các tần số 1,95 GHz và 2,05 GHz. Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 75 Ω
 Bộ Lọc RF 39

8. Thực hành

8.1. Thiết kế bộ lọc RF với Advanced Design System

From T.H [K15]

Vấn đề nghiên cứu: Tính toán, thiết kế mạch lọc siêu cao tần

Mục tiêu: Biết tính toán giá trị linh kiện lý tưởng, thiết kế, mô phỏng và xuất layout

Phương pháp nghiên cứu: Tuân theo quy trình gồm 3 cấp độ

1. Mạch nguyên lý

2. Chuẩn hoá linh kiện

3. Mô phỏng EM và xuất layout chế tạo mạch

Các bước thực hiện:

- Tính toán, thiết kế mạch với linh kiện lý tưởng và vẽ đặc tuyến truyền đạt + tinh
chỉnh

- Thêm mạch dải và vẽ đặc tuyến truyền đạt + tinh chỉnh

- Chuẩn hoá linh kiện và vẽ đặc tuyến truyền đạt + tinh chỉnh

- Mô phỏng trường điện từ + tối ưu

- Xuất layout chế tạo mạch

 Bộ Lọc RF 40

8.2. Thực hành trên phần mềm

Tạo Workspace mới, thêm thư viện

- Lấy linh kiện

Lumped-Components

- Nối đất

- Simulation-S_Param

- Nối dây: Ctrl + W hoặc chọn trên thanh công cụ

- Vẽ lại mạch
 Bộ Lọc RF 41

- Mô phỏng

Thay các đường truyền lý tưởng thành các đường truyền dải siêu cao tần (mạch dải) và
thiết lập các tham số cho mạch dải

Lấy linh kiện

- TLines-Microstrip

- Simulation-S_Param
 Bộ Lọc RF 42

- Vẽ lại mạch

- Mô phỏng

Đường màu xanh là lý tưởng, đường màu đỏ khi thêm mạch dải

…
 Bộ Lọc RF 43

8.3. Mạch lọc thông dải

8.3.1. Khối Term: trở kháng nguồn và trở kháng tải

Num = 1: số thứ tự, trong Advanced Design System phải đặt số thứ tự lần lượt đúng
mới không báo lỗi

Z = 50 Ohm: giá trị mặc định

8.3.2. Khối L

L = 10 nH: giá trị cuộn cảm

R = 1e-12: điện trở của cuộn cảm

 Bộ Lọc RF 44

8.3.3. Khối C

C = 10 pF: giá trị tụ điện

8.3.4. Khối S-Parameters: Dải tần mình muốn xem

Start = 0.1 GHz: Tần số bắt đầu

Stop = 10.0 GHz: Tần số cuối

Step = 10 KHz: Bước nhảy tần càng nhỏ đồ thị mô phỏng càng trơn

Trường hợp chỉ quan sát tại một tần số

 Bộ Lọc RF 45

8.3.5. Kết quả:

 Bộ Lọc RF 46

CHAPTER 2. KHUẾCH ĐẠI RF

Chương 2 liên quan đến tính toán sử dụng công thức khá nhiều, cơ bản dùng đồ thị
Smith; trong chương này chúng ta chỉ tập trung thiết kế tầng đơn – thiết kế 1 tầng

Khuếch đại là gì? Bộ khuếch đại là gì? Phần tử thực hiện khuếch đại?

Xem lại điện tử tương tự, kỹ thuật thu phát

Các chế độ hoạt động cơ bản của tầng khuếch đại?

Chỉ tiêu kỹ thuật quan trọng của bộ khuếch đại?

Các sơ đồ khuếch đại?

- Sơ đồ khuếch đại đơn, sử dụng 1 bóng bán dẫn (Transistor)

- Sơ đồ khuếch đại đẩy kéo (ĐTTT)

- Khuếch đại nhiều tầng

Phần này ghi chép khá ít nên các bạn xem lại chủ yếu ở các video bài học thầy đã
dạy: https://www.youtube.com/playlist?
list=PLo4wfgO9OSjRQSkr0Q74lIU1knMHfp42g

---Or---

https://tinyurl.com/ThietKeRF

---Or---
 Bộ Lọc RF 47

1. Vị trí của tầng khuếch đại RF

Các bạn tự đánh dấu

2. Lý thuyết chung về khuếch đại RF

Khuếch đại là tăng biên độ tín hiệu đầu ra so với đầu vào mà không làm méo tín hiệu ở
trong một dải tần công tác cho trước…

Có khuếch đại tín hiệu nhỏ (tuyến tính), tín hiệu lớn (phi tuyến)

Chương 2 học khuếch đại tín hiệu nhỏ, tuyến tính, nhưng ở dải tần số cao

Thế nào là tín hiệu nhỏ, thế nào là tín hiệu lớn (nhỏ là tuyến tính, lớn phà phi tuyến),
liên quan đến đầu vào của bộ khuếch đại, xem lại kiến thức của điện tử tương tự, biên
độ của tín hiệu đầu vào thế nào là lớn hay nhỏ

Để học tốt chương này chúng ta phải ôn lại 1 số kiến thức như sau:

- Liên quan đến tính toán số phức, cộng trừ nhân chia số phức (dùng máy tính
casio)

- Một số cơ bản về transistor trường

- Mạng nhiều cực siêu cao tần: ma trận tán xạ S

- Lý thuyết đường truyền siêu cao tần

 Bộ Lọc RF 48

- Đồ thị smith: cấu trúc, các tính chất quan trọng, phối hợp trở kháng trên đồ thị
smith

- Khuếch đại tín hiệu nhỏ, khuếch đại công suất

- Các chế độ hoạt động cơ bản của tầng khuếch đại công suất

2.1. Thiết kế mạch khuếch đại RF

Thiết kế để đạt được hệ số khuếch đại lớn nhất

Ví dụ:

Thiết kế bộ khuếch đại cao tần tại 4 GHz với hệ số khuếch đại công suất lớn nhất sử
dụng bóng GaAs MESFET có các tham số ma trận tán xạ như sau (Z = 50 Ω):

f(GHz) S11 S12 S21 S22

4.0 0.72 ∠−116 0 0.03 ∠−570 2.60 ∠−760 0.73 ∠−540

5.0 0.66 ∠−142

0

Thiết kế với hệ số khuếch đại công suất bất kỳ

Quy trình tính toán, thiết kế bộ khuếch đại RF

2.2. Định nghĩa về hệ số khuếch đại công suất của M4C

Ví dụ:

Cho 1 transistor lưỡng cực f =1 GHz , Z 0=50 Ω

[ S ] : S11=0,38 ∠−158O S12=0,11 ∠−54O S21=3,50 ∠−80O S22=0,40 ∠−43O

Z s=25 Ω , Z L=40 Ω

Tính G ,G A ,GT

S11 =|S11|. e =|S 11|∠ ϕ11 =|S 11|. ( cos ϕ11 + j . sin ϕ U )
j φ11

Z L −Z 0 40−50 Z S−Z 0 25−50

Γ L= = =−0,333 ( Γ đọc là gama) Γ S= = =−0,111
Z L +Z 0 40+50 Z S +Z 0 25+ 50

S 12 . S 21 . Γ L S .S .Γ
Γ ¿ =S11 + =0,365 ∠−152O Γ out =S 22+ 12 21 S =0,545 ∠−43O ⇒ G=¿⇒ G A =¿
1−S22 . Γ L 1−S 11 . Γ S
⇒ GT =¿
 Bộ Lọc RF 49

Nhận xét: thực tế người ta không mong muốn thiết kế đạt tới G A do nó sẽ làm bộ
khuếch đại có DT hẹp (G A đạt tại 1 f ), mong muốn đạt tới GT vì nó làm việc trong một dải
tần

P2
G>GT vì Pavs lớn hơn P¿ ( P¿ bị phản xạ ) mà G 2= ⇒ G >G T
Pam

2.3. Đồ thị smith

- Tất cả các điểm cùng nằm trên đường tròn có chung module hệ số phản xạ,
nhưng khác nhau về pha, pha được tính từ trục hoành ngược chiều kim đồng hồ

- Ví dụ: góc φ = 700 , xác định module trước sau đó quay vòng tròn bán kính =
module, và tìm điểm A 700

- Điểm mô tả dẫn nạp trở kháng lấy được khi lấy đối xứng điểm qua tâm O

- Vòng tròn đơn vị

- Họ vòng tròn điện kháng chuẩn hóa (điện nạp chuẩn hóa)

{X=const
B=const

- Họ vòng tròn phía trên mang tính cảm, phía dưới mang tính dung

{XX<0>0,,B>0
B< 0 :tính cảm
: tính dung

Ví dụ: Xét sơ đồ tương đương của 1 transistor FET như hình vẽ

Đọc lại transistor BJT và transistor trường và mạch tương đương

Hỗ dẫn có vai trò rất quan trọng

Nội dung tiếp theo

- Độ ổn định của mạng 4 cực

Stability: tại sao quan tâm đến độ ổn định của hệ số khuếch đại

Hiện tượng tự kích, tự dao động nghĩa là sau khi đã thiết kế xong bộ khuếch đại đầu
tiên kiểm tra các tham số 1 chiều trước, bộ khuếch đại có 2 đầu, đầu vào đầu ra, bước
kiểm tra tiếp theo là kiểm tra 2 đầu ra xem chưa có tín hiệu đầu vào mà có tín hiệu đầu
ra hay chưa, nếu có đó chính là tự kích rất nguy hiểm; đó là hồi tiếp dương nếu cấp tín
hiệu đầu vào kết hợp với hồi tiếp dương sẽ dẫn đến hỏng bóng, hỏng bộ khuếch đại
 Bộ Lọc RF 50

Nếu mạch tự kích phải làm thế nào? Dựa vào kinh nghiệm để triệt tín hiệu tự kích đi
(gắn thêm điện trở… vào đâu?)

Độ ổn định phụ thuộc vào tần số làm việc, và phụ thuộc vào điểm làm việc của
transistor

Ví dụ:

Một bóng bán dẫn hiệu Triquint T1G6000528 GaN HEMT có các tham số ma trận tán
xạ tại tần số 1.9 GHz ( Z 0=50 Ω) như sau:

0 0 0 0
S11=0.869 ∠−159 ,S12=0.031 ∠−9 ,S21 =4.250∠−61 ,S22 =0.507 ∠−−117

Hãy các định độ ổn định của bóng dẫn này sử dụng tiêu chuẩn rollet và tiêu chuẩn μ.
Vẽ vòng tròn ổn định trên đồ thị Smith?

Lời giải:

1. Sử dụng tiêu chuẩn K_∆

Điều kiện cần:

2 2 2
1−|S 11| −|S12| +|∆|
K= >1thay số K =0,383
2|S12 S 21|

Điều kiện đủ:

|∆|=|S 11 S22−S12 S 21|<1Thay số ∆=0,336

2. Sử dụng tiêu chuẩn μ:

2
1−|S11|
μ=
|S 22−∆ S ¿11|+|S 12 S21|
thay số μ=0,678

⇒ bóng bán dẫn ổn định có điều kiện

3. Vẽ họ các vòng tròn ổn định:

¿ ¿
( S 22−∆ S11 )
C L= 2 2
=1,59 ∠1320
|S22| −|∆|
¿ :tính liên hợp phức , pha (lấy - của pha ban đầu ví dụ - 170 thì lấy 170)
 Bộ Lọc RF 51

S12 S 21
R L= 2 2
=0,915
|S22| −|∆|
¿ ¿
( S11−∆ S 22) 0
C S= 2 2
=1,09 ∠162
|S 22| −|∆|
S 12 S21
R S= 2 2
=0,205
|S 11| −|∆|
3. Thiết kế mạch khuếch đại RF

Thiết kế bộ khuếch đại với hệ số khuếch đại công suất bất kỳ (đơn hướng)

Đánh giá sai số đơn hướng

Lưu ý khi thiết kế song hướng ( S12 ≠ 0 )

Nếu sai số đơn hướng không thỏa mãn: sai số hệ số khuếch đại lớn

Sử dụng G p, công suất truyền đạt GT không dùng được vì Z S phụ thuộc vào Z L. G p chỉ
phụ thuộc vào Z L

R ( Radius ) =
√ 1−2 K |S S |g +|S S 12 21 p 12 21
2
| g2p
|1+ g (|S | −|Δ| )|
p
2 2
p 22

|S 21| ( 1−|Γ L| )
2 2
¿ ¿
G P=
2
=|S21| g p g p ( S22− Δ S11 )

( | |)
Công thức tính G p S11− Δ Γ L
2 C L=
1+ g p (|S22| −| Δ| )
2 2 2
1−
1−S22 Γ L
|1−S 22 Γ L|

G p đạt cực đại khi R L=0

g p , max=
1
|S12 S 21| S12 | |
( K− √ K 2 −1 )G p , max= S21 ( K−√ K 2−1 )

Xác định Z L trên vòng tròn g p và G p và nằm trong trong vùng ổn định tải
¿
Để có G p, tính Z¿ khi thực hiện Z S=Z ¿ trong vùng ổn định nguồn

Nếu không nằm ở vùng ổn định nguồn ⇒ chọn lại Z L

…
 Bộ Lọc RF 52

Ví dụ: thiết kế một bộ khuếch đại có hệ số khuếch đại bằng 11 dB tại 4 GHz. Hãy vẽ họ
vòng tròn hệ số khuếch đại với GS =2 và 3 dB và G L=0 và 1 dB. Biết transistor có tham
số ma trận tán xạ như sau ( Z 0=50 Ω )

f ( GHz ) S11 S12 S21 S22

3 0.80 ∠−90
0
0 2.8 ∠ 100
0
0.66 ∠−50
0

4 0.75 ∠−120
0
0 2.5 ∠ 80
0
0.60 ∠−70
0

5 0.71 ∠−140
0
0 2.3 ∠ 60
0
0.58 ∠−85
0

Sơ đồ mạch điện

- Z 0 (stub): hở mạch

- Hai phần tử chính, là hai đoạn đường truyền l 2 S mắc ở nhánh song song, đoạn
đường truyền l 1 S mắc nối tiếp là đường truyền chính; trở kháng của hai đoạn đường
truyền này đều là Z 0. Ở đầu ra cũng có 2 đoạn đường truyền của mạch phối hợp trở
kháng đầu ra

- Lch: cuộn chặn – chặn tín hiệu cao tần đi vào mạch phân áp, thông tín hiệu một
chiều để cung cấp năng lượng cho mạch làm việc

- C p: tụ ghép – ghép tín hiệu xoay chiều từ tầng trước ra tầng sau, đồng thời chặn
ảnh hưởng về mặt một chiều giữa các tầng
 Bộ Lọc RF 53

Nhiệm vụ biến đổi trở kháng thực tế Z 0 qua mạch phối hợp trở kháng đầu vào, chúng ta
biến đổi thành Z S sao cho tổn hao trên mạch phối hợp trở kháng là nhỏ nhất, tương tự
với mạch phối hợp trở kháng đầu ra, biến đổi Z 0 thành Z L, Z S , Z L liên quan đến hệ số
khuếch đại công suất GT chúng ta xác định trên đồ thị Smith
Tương đương với sơ đồ:

G: cực cổng, D: …, S: sort, V S : điện áp nguồn, Z S: trở kháng nguồn

ZS, ZL trên thực tế không có, nên chúng ta phải sử dụng mạch biến đổi trở kháng để
biến đổi từ trở kháng thực tế (Z0) sang các giá trị ZS, ZL thỏa mãn theo yêu cầu bài toán.
Thỏa mãn yêu cầu chỉ tiêu kỹ thuật của bài toán

Tính toán tham số mạch phối hợp trở kháng (chiều dài các đoạn đường truyền)

Để các phần tử phụ như cuộn chặn, tụ ghép tầng không ảnh hưởng đến trở kháng Z S,
ZL, ta phải chọn giá trị cho cuộn chặn và tụ ghép tầng thỏa mãn hai điều kiện: dung
1 Z0
kháng của tụ phải bé hơn rất nhiều so với trở kháng đặc tính Z 0, ZCp = = , cảm
ω C p 100
kháng của cuộn chặn phải lớn hơn rất nhiều so với đặc tính Z 0, Z Lch =ω Lch =100 Z 0

Thiết kế mạch phối hợp trở kháng dùng đường truyền siêu cao tần
 Bộ Lọc RF 54

Vì có đoạn stub mắc song song đường truyền, chúng ta sử dụng đồ thị Smith là đồ thị
dẫn dẫn nạp chứ không phải đồ thị trở kháng

Z 0: là trở kháng đặc tính

1
Vì chúng ta sử dụng đồ thị dẫn nạp, chúng ta sẽ có dẫn nạp đặc tính: Y 0=
Z0
 Bộ Lọc RF 55

4. Quy trình tính toán, thiết kế bộ khuếch đại RF

5. Bài tập chương 2

5.1. Bài tập 1

Thiết kế một bộ khuếch đại RF với hệ số khuếch đại công suất bằng 10 dB tại 6 GHz
sử dụng bóng bán dẫn công nghệ GaN HEMT có các tham số ma tận tán xạ như sau
Z 0=50 Ω tại 6 GHz

0 0 0
S11 =0,61 ∠−170 , S12=0 , S21 =2,24 ∠32 , S 22 =0,72 ∠−83

Vẽ các vòng tròn hệ số khuếch đại với GS =1 dB và G L=2 dB ?

Thiết kế mạch phối hợp trở kháng vào/ ra sử dụng các đoạn truyền siêu cao tần?

5.2. Bài tập 2

Đề bài: Thiết kế một bộ khuếch đại RF với hệ số công suất bằng 10 dB tại 6 GHz sử
dụng bóng bán dẫn công nghệ GaN HEMI, có các tham số ma trận tán xạ như sau (
Z 0=50 Ω) tại 6 GHz.

S11 =0,61 ∠−170

0
S12 =0 S21 =2,24 ∠320 S22 =0,72 ∠−83
0

1. Vẽ các vòng tròn hệ số khuếch đại với GS =1 dB và G L=2 dB ?

2. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng vào/ra sử dụng các đoạn truyền SCT.

Bài làm:

1. Vẽ các vòng tròn hệ số khuếch đại với GS =1 dB và G L=2 dB

Sử dụng tiêu chuẩn K_∆

Điều kiện cần

2 2
1−|S 11| −|S12| +∆
2

K= =∞(vì ta có S12 =0 )
2|S12 S21|

Điều kiện đủ
|∆|=|S 11 S22−S12 S 21|=|S11 S22|=|( 0,61∠−170 ) . ( 0,72∠−83 )|=0,4392<1

S12 =0 ⇒ thiết kế đơn hướng, transistor ổn định không điều kiện

Tính chuẩn hóa các hệ số khuếch đại công suất

 Bộ Lọc RF 56

G S =1 dB

1 1
GSmax = 2
= 2
=1,5926
1−|S11| 1−0,61

⇒ đổi sang dB=10 log 10 1,5926=2,021dB

1
GS 10 10
⇒ g S= = =0,79
GSmax 1,5926

G L=2 dB

1 1
G Lmax = 2
= =2,076
1−|S 22| 1−0,722

⇒ đổi sang dB=10 log 10 2,076=3,172dB

2
GL 10 10
⇒ g L= = =0,763
G Lmax 2,076

Họ vòng tròn hệ số khuếch đại với GS =1 dB

{
gS . S ¿11 0,79. ( 0,61 ∠1700 ) 0
Tâm : C S = 2
= 2
=0,5227 ∠170
1−( 1−g s ) .|S11| 1−( 1−0,79 ) . 0,61
¿
√ 1−g S . ( 1−|S11| ) √ 1−0,79 . ( 1−0,612 )
2

Bán kính: R S= 2
= =0,3121
1−( 1−g S ) .|S 11| 1− (1−0,79 ) . 0,612

- Họ vòng tròn hệ số khuếch đại với G L=2 dB

{
¿
0,764. ( 0,72 ∠83 )
0
g L . S 22 0
Tâm :C L= 2
= 2
=0,6267 ∠ 83
1− ( 1−g L )|S22|1−( 1−0,764 ) . 0,72
¿
2
√ 1−g L (1−|S22| ) √ 1−0,764 . ( 1−0,722 )
Bán kính : R L = 2
= =0,2666
1−( 1−g L )|S 22| 1−( 1−0,764 ) . 0,722

- Hệ số khuếch đại công suất của transistor khi chưa phối hợp trở kháng
2
G0=|S 21| =2,242 =5,0176⇒ đổi sang db

- Hệ số khuếch đại công suất truyền đạt cực đại bằng

GT =GS +G L +G0 ≈ 10 dB
 Bộ Lọc RF 57

- Vẽ vòng tròn hệ số khuếch đại trên đồ thị Smith

2. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng vào/ra sử dụng các đoạn truyền SCT.

Thiết kế mạch hoạt động ở chế độ A

Để đạt được hệ số khuếch đại công suất max

Γ ¿ =Γ ¿S Γ ¿ =Γ ¿L

Hệ số khuếch đại công suất max đạt được

|S 21| . (1−|Γ L| )
2 2
1
Gmax = 2
. 2
1−|Γ S| |1−S22 . Γ L|

⇒ Γ S=
√
B1 ± B 1−4|C1|
2 2

Γ S=
√
B 2 ± B2 −4|C 2|
2 2

2C 1 2 C2

Với: Thay số:

2 2 2
B1=1+|S11| −|S 22| −|∆| ⇒ B1=0,66
2 2 2
B2=1+|S22| ±|S 11| −|∆| B2=0,99

¿ 0
C 1=S 11−∆ S22 C 1=0,7647 ∠33,29
¿
C 2=S 22−∆ S11 C 2=0,946 ∠ 123,340

Thiết kế mạch phối hợp trở kháng

Bộ Lọc RF 58
 Bộ Lọc RF 59

Chú thích Smith:

- GS vòng tròn hệ số khuếch đại GS = 1dB của mạch phối hợp trở kháng đầu vào

- G L vòng tròn hệ số khuếch đại GL= 2dB của mạch phtk đầu ra
 Bộ Lọc RF 60

- Điểm biểu diễn Γ S và Γ L chính là điểm biểu diễn Z s và Z L ⇒ lấy đối xứng qua tâm
0 được Y S , Y L

- Vòng tròn qua Y S và Y L giao với đường trờn đơn vị G=1 sẽ được 2 điểm (tổng là 4
điểm) lấy điểm nào kéo dài ra vòng ngoài cùng rồi theo chiều về máy phát đến Y S , Y L,
đường nào ngắn hơn thì lấy; đây chính là độ dài L1 (S ) là đoạn phối hợp trở kháng nằm
ngang

- Lấy phần ảo kéo dài của điểm được chọn, sau đó kéo dài phần ảo ra đường tròn
thứ 3 từ ngoài vào, sau đó nối thẳng với tâm, khoảng cách sẽ được tính từ điểm A(0)
đến điểm nối dài đường tròn ngoài cùng – chính là L2 S

- Từ kết quả đồ thị Smith, ta có:

1 Z0 100 100 100

Z cp= = ⇒ Cp= = = =53 pF
w C p 100 Z 0 . w 2 πf Z 0 2 π . 6.109 .50

100 Z 0 100.50
Z ch=w L ch=100 Z 0 ⇒ Lch = = =132 nH
2 πf 2 π . 6.10
9

{ {
l 1 S=0,125 λt l 1 S=430
0
l 2 S=0,067 λt ⇒ L 0= l . 3600 = l 2 S=24,12
l 1 L=0,03 λt λt l 1 L=10.80
l 2 L=0,398 λt l 2 L=143,280
 Bộ Lọc RF 61

5.3. Bài kiểm tra giữa kỳ (2)

Đề bài: Thiết kế bộ khuếch đại RF với hệ số khuếch đại công suất bằng 15 dB dùng
bóng bán dẫn GaN HEMT của hãng WIN SEMICONDUCTOR, tại tần số trung tâm 9
GHz, Z 0=50 Ω
 Bộ Lọc RF 62

CHAPTER 3. KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT RF

1. Giới thiệu chung

Kiến thức ôn tập lại: Điện tử tương tự, kỹ thuật thu phát

1.1. Vị trí của tầng khuếch đại công suất

Vị trí nằm ở tầng cuối của máy phát, khuếch đại tín hiệu đến mức đủ lớn – khuếch đại
về mặt năng lượng cho tín hiệu có ích đủ lớn để đưa ra anten phát vào trong không
gian truyền đến máy thu; khuếch đại làm sao để tín hiệu tổn hao trong không gian là bé,
tăng cự ly liên lạc

Chúng ta học ở chương trước là khuếch đại tín hiệu nhỏ, hay gặp ở máy thu như
khuếch đại tạp âm nhỏ LNA, KĐTT – các tầng khuếch đại này quan tâm đến hệ số
khuếch đại công suất (G – hệ số công suất truyền đạt, lớn nhất, thường dùng …) là
chính, còn công suất ra đối với tầng khuếch đại tín hiệu nhỏ ở chương 2 bé, mặc dù có
hệ số khuếch đại lớn; bởi vì các tầng khuếch đại này không sử dụng vào mục đích tăng
cường về mặt năng lượng, nên mức công suất ra bé, nhưng hệ số khuếch đại lớn từ đó
dẫn đến việc chúng ta phải đạt được hệ số khuếch đại sao cho lớn – hệ số khuếch đại
lớn thường đạt được ở trong vùng khuếch đại tuyến tính; đối với tầng khuếch đại công
suất, người ta quan tâm chủ yếu đến công suất ra, chúng ta phải thiết kế sao cho đạt
 Bộ Lọc RF 63

được công suất ra tối ưu, hệ số khuếch đại của các tầng khuếch đại công suất thường
là bé nhưng công suất ra lại lớn

Nhiệm vụ, vai trò, vị trí của hai loại khuếch đại (RF và công suất) là khác nhau

Vấn đề đặt ra là làm cách nào chúng ta có thể đạt được mức công suất ra lớn, hoặc
mức công suất ra đạt được theo yêu cầu của hệ thống đối với tầng khuếch đại công
suất; muốn đạt được điều ấy chúng ta phải nắm rõ bản chất của quá trình khuếch đại;
quá trình khuếch đại là quá trình lấy năng lượng của nguồn cung cấp một chiều VCC
(+VDS -VGS) để biến đổi thành năng lượng tín hiệu xoay chiều có ích ở đầu ra mà không
làm méo tín hiệu tại tần số f 0

1.2. Các chỉ tiêu kỹ thuật quan trọng

1.3. Các chế độ hoạt động cơ bản

1.3.1. Căn cứ, phân loại

1.3.2. Ưu, nhược điểm từng chế độ

1.4. Các sơ đồ khuếch đại công suất điển hình

2. Chỉ tiêu kỹ thuật

3. Các chế độ hoạt động cơ bản tầng khuếch đại công suất

4. Giới thiệu chế độ B và F

 Bộ Lọc RF 64

5. Quy trình thiết kế bộ khuếch đại công suất chế độ F

6. Thiết kế bộ khuếch đại công suất chế độ F

Tham khảo K.H K15

Đề bài:

Thiết kế bộ khuếch đại công suất làm việc ở chế độ F có Pra =50 W , làm việc tại tần số
f 0=3 GHz

Nội dung (28):

1. Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

2. Lựa chọn bóng bán dẫn, sơ đồ mạch điện, chọn góc thông

3. Tính công suất ra cực đại Popt , điện trở tối ưu Ropt

4. Từ công suất ra theo yêu cầu, tính điện trở tại mức công suất R L

5. Tính biên độ điện áp ra U 1 và dòng I 1 của thành phần tần số cơ bản f 0

6. Chọn điện áp cung cấp V dc =U 1

7. Tính thành phần dòng 1 chiều I DC

8. Tính công suất 1 chiều P DC =V DC . I DC

9. Tính hiệu suất chế độ B

10. Tính biên độ điện áp ra hài bậc 3

11. Tính biên độ dòng điện ra f 0 mới

12. Tính công suất ra chế độ F

13. Tính hiệu suất chế độ F

14. Tính công suất tổn hao tại f 0

15. Tính biên độ điện áp đầu vào V ¿

16. Tính trở kháng vào Z¿ qua Γ ¿ sử dụng Z L =RL

17. Tính biên độ dòng điện vào I ¿

18. Tính công suất kích thích đầu vào P¿

19. Tính hệ số khuếch đại G P

 Bộ Lọc RF 65

20. Tính hiệu suất PAE

¿
21. Tính trở kháng nguồn Z S=Z ¿

22. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng vào

23. Thiết kế ngắn mạch hài bậc chẵn

24. Thiết kế hở mạch hài bậc 3

25. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng tại f 0

26. Tính toán các phần tử phụ: tụ ghép tầng, cuộn chặn

27. Chạy mô phỏng mạch trên Advanced Design System

28. Xuất layout chế tạo mạch

Bài làm

1. Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

2. Lựa chọn bóng bán dẫn, sơ đồ mạch điện, chọn góc thông

3. Tính công suất ra cực đại Popt , điện trở tối ưu Ropt

4. Từ công suất ra theo yêu cầu, tính điện trở tại mức công suất R L

5. Tính biên độ điện áp ra U 1 và dòng I 1 của thành phần tần số cơ bản f 0

6. Chọn điện áp cung cấp V dc =U 1

7. Tính thành phần dòng 1 chiều I DC

8. Tính công suất 1 chiều P DC =V DC . I DC

9. Tính hiệu suất chế độ B

10. Tính biên độ điện áp ra hài bậc 3

11. Tính biên độ dòng điện ra f 0 mới

12. Tính công suất ra chế độ F

13. Tính hiệu suất chế độ F

14. Tính công suất tổn hao tại f 0

15. Tính biên độ điện áp đầu vào V ¿

16. Tính trở kháng vào Z¿ qua Γ ¿ sử dụng Z L =RL

 Bộ Lọc RF 66

17. Tính biên độ dòng điện vào I ¿

18. Tính công suất kích thích đầu vào P¿

19. Tính hệ số khuếch đại G P

20. Tính hiệu suất PAE

¿
21. Tính trở kháng nguồn Z S=Z ¿

22. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng vào

23. Thiết kế ngắn mạch hài bậc chẵn

24. Thiết kế hở mạch hài bậc 3

25. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng tại f 0

26. Tính toán các phần tử phụ: tụ ghép tầng, cuộn chặn

27. Chạy mô phỏng mạch trên Advanced Design System

28. Xuất layout chế tạo mạch

 Bộ Lọc RF 67

CHAPTER 4. BÀI TẬP LỚN

1. Bộ lọc RF 1

Đề bài:

Thiết kế một bộ lọc thông dải có độ gợn bằng 1 dB trong dải thông với tần số trung tâm
f 0, độ rộng dải tần tương đối là 5%. Tín hiệu bị suy giảm ít nhất 20 dB tại các tần số f 1
và f 2. Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 50 Ω

Kiểm tra kết quả tính toán trên phần mềm ADS

Nhóm 2

f 0=1,0 GHz f 1=0,9 GHz f 2=1,2GHz

Bài làm:

1.1. Bước 1: Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

L a1=1 dB ; La=20 dB

f 0=1,0 GHz ; f 1=0.9 GHz ; f 2=1,2GHz

1.2. Bước 2: Xác định loại bộ lọc:

Chebyshev

Tại sao chọn bộ lọc Chebyshev mà không phải Butteworth?

Vì trong yêu cầu đề bài có độ gợn, mà theo trong lý thuyết…

Chebyshev có đặc tính lọc ngoài dải thông dốc nhưng bên trong có
độ gợn
Độ bằng phẳng trong dải thông: muốn nói đến sự thay đổi của đặc
tuyến biên độ tần số trong dải thông của bộ lọc, độ mấp mô của
nó, mong muốn (f) có độ gợn nhỏ - càng

Cái yêu cầu là độ chọn lọc hơn độ gợn

Vì sao có độ gợn?

Đặc điểm của nó như thế

1.3. Bước 3: Tính bậc của bộ lọc:

 Bộ Lọc RF 68

Theo công thức

Ta có

2 Δω 2 π . ( 1,2.10 −0,9.10 )
9 9
η= = 9
=0,3
ω0 2 π . 1.10

2 Δ ωt
ηt = =0,05
ω0

√ √
0,1La
10 −1 100,1.20 −1
Arch Arch
10 0,1L a −11
100,1.1−1
n≥ = =1,48
Arch
η
ηt () Arch
0,3
0,05 ( )
Trở tải và trở nguồn bằng nhau ⇒ n> 1,48⇒ n=3

Vì sao trở nguồn và tải bằng nhau thì n = 3?

Chọn lẻ tính dễ hơn

1.4. Bước 4: Chọn sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa:

Điện cảm nối tiếp

Vì sao chọn điện cảm nối tiếp?

Tùy thuộc vào ứng dụng trong thực tế mà chọn loại sơ đồ vì đặc
tính lọc giống nhau

1.5. Bước 5: Tính giá trị chuẩn hóa của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa gk

(
β=ln coth
L a1
17,37 )
; γ=sinh
β
2n ( )
( 2.4 .16 ) g0 =1; g1=
2 a1
γ
; g k=
4 ak−1 ak
bk−1 g k−1
; k=2 , 3 , … , n (2.4 .14 )

g L là phần tử điện cảm

gc là phần tử điện dung

a k =sin [ ( 2 k−1 ) π
2n ] 2
; k =1 ,2 , 3 , … , n (2.4 .17 )b k =γ +sin ( )
2 kπ
n
;k =1 ,2 , 3 , … , n (2.4 .18 )

a 1=sin ( π6 )=0.5
 Bộ Lọc RF 69

a 2=sin ( 36π )=1

a 3=sin ( 56π )=0.5

[ ( )]
β=ln coth
1
17,37
=2,856

γ=sh ( 2,856
2.3 )
=0.49

b 1=0,4942 +sin 2 ( π3 )=0,994

b 2=0,4942 +sin 2 ( 23π )=0,994
b 3=0,4942 +sin 2 ( 33π )=0,244
g0 =g 4=1

2.0,5
g1 = =2,024
0.494

4. a 1 . a2 4.0,5 .1
g2 = = =0.994
b1 . g 1 0,994.2,024

4.a 2 . a3 4.1 .0,5

g3 = = =2,024
b2 . g 2 0,994.0,994

1.6. Bước 6: Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng của bộ lọc chắn dải

Sơ đồ điện cảm nối tiếp

Nhánh nối tiếp

R0 gLk
Lk =
2 Δ ωt

50.2,024 2 Δ ωt
⇒ L1=L3 = 9
=322,1296 nH C k = 2
2. π . 0,05.1 .10 R0 ω0 g Lk
 Bộ Lọc RF 70

9
2. π . 0,05.1 .10
⇒ C 1=C 3= 2
=0,078633 pF
50. ( 2. π . 1.10 ) .2,024
9

Nhánh song song

R0 2 Δ ωt 50.2 . π . 0,05.1.10
9
Lk = 2
⇒ L 2= 2
=0,4003 nH
gCk ω 0 0,994. ( 2. π . 1.109 )
gCk 0,994
C k= ⇒ C 2= =63,2800 pF
2 Δ ωt R o 9
2. π .0,05.1 .10 .50

Sơ đồ mạch điện

Hình 1.4.1. Sơ đồ điện cảm nối tiếp bộ lọc thông dải

L1 C1

Ổn định tín hiệu

L2 C2

Lọc tín hiệu mong muốn

Tại sao L1 = L3?

L lọc xoay chiều, C lọc một chiều; cùng lọc một tín hiệu nên
phải giống nhau

C2, C3 lại khác nhau?

Vì sao đây gọi là sơ đồ điện cảm nối tiếp?

Vì nhánh nối tiếp đầu tiên là phần tử điện cảm

 Bộ Lọc RF 71

Đặc trưng lọc

Hình 1.4.2. Đặc trưng lọc bộ lọc thông dải

Vẽ lại đặc trưng lọc và tiêu hao chèn bằng tay

1.7. Bước 7: Chạy mô phỏng và kiểm tra kết quả

Sơ đồ mạch

Hình 1.4.1. Sơ đồ mạch mô phỏng bộ lọc thông dải

Đặc trưng lọc và tiêu hao chèn

Hình 1.4.2. Kết quả mô phỏng đặc trưng lọc và tiêu hao chèn bộ lọc thông dải
Dựa vào đâu để biết kết quả này đúng?

Dựa vào mức suy giảm ít nhất 30 dB theo đề bài

 Bộ Lọc RF 72

Cái nào là đặc trưng lọc, cái nào là tiêu hao chèn?

Kết luận

Kết quả thỏa mãn yêu cầu đưa ra theo tính toán theo sơ đồ điện cảm nối tiếp

Zoom to phần độ gợn để nhận xét

2. Bộ lọc RF 2

Đề bài:

Thiết kế một bộ lọc chắn dải có độ gợn bằng 1 dB trong dải thông. Bộ lọc chặn tất cả tín
hiệu có tần số từ f 1 đến f 2 và cho qua tín hiệu có tần số ngoài dải này. Tín hiệu bị suy
giảm ít nhất 30 dB tại các tần số f 3 và f 4 . Biết trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng
75 Ω

Kiểm tra kết quả tính toán trên phần mềm ADS

Nhóm 2

f 1=1,0 GHz f 2=1,1GHz f 3=1,03 GHz f 4=1,05 GHz

Bài làm:

2.1. Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

L a1=1 dB ; La=30 dB

f 1=1GHz ; f 2=1,1GHz

f 3=1.03 GHz ; f 4 =1.05GHz

R S=R L =75 Ω

2.2. Xác định loại bộ lọc

Chebyshev

2.3. Tính bậc bộ lọc

Theo công thức

Ta có

ω 0=√ ω ch 1 . ω ch2=√ 4. π .1 .10 .1,1.10 =6,5898.10 (rad / s)

2 9 9 9
 Bộ Lọc RF 73

2 Δω 2 π . ( 1,05.10 −1,03.10 )
9 9
η= = =0,019
ω0 6,5898.10 9

√ √
0,1 La
10 −1 100,1.30 −1
Arch Arch
2 Δωch 2 π . ( 1,1.109 −1.109 ) 10
0,1L a
−1
0,1.1
10 −1
1

ηch = = =0,095n ≥ = =2,1

( ) ( )
9
ω0 6,5898.10 ηch 0.095
Arch Arch
η 0.019

Trở tải và trở nguồn bằng nhau ⇒n lẻ ⇒n=3

2.4. Chọn sơ đồ bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa

Điện cảm nối tiếp

Tùy thuộc vào ứng dụng trong thực tế mà chọn loại sơ đồ vì đặc
tính lọc giống nhau

Thực tế như thế nào?

2.5. Tính giá trị chuẩn hóa của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa gk

(
β=ln coth
L a1
17,37 )
; γ=sinh
β
2n ( )
( 2.4 .16 ) g0 =1; g1=
2 a1
γ
; g k=
4 ak−1 ak
bk−1 g k−1
; k=2 , 3 , … , n (2.4 .14 )

a k =sin [ ( 2 k−1 ) π
2n ] 2
; k =1 ,2 , 3 , … , n (2.4 .17 )b k =γ +sin ( )
2 kπ
n
;k =1 ,2 , 3 , … , n (2.4 .18 )

a 1=sin ( π6 )=0,5
a 2=sin ( 36π )=1
a 3=sin ( 56π )=0.5
[
β=ln coth ( 17,37
1
)]=2,856
γ=sh ( 2,856
2.3 )
=0,494

b 1=0,6264 +sin
2 2
( π3 )=0,994
 Bộ Lọc RF 74

2
b 2=0,6264 +sin
2
( 23π )=0,994
b 3=0,62642 +sin 2 ( 33π )=0,244
g0 =g 4=1

2.0,5
g1 = =2,024
0.494

4. a 1 . a2 4.0,5 .1
g2 = = =0.994
b1 . g1 0,994.2,024

4.a 2 . a3 4.1 .0,5

g3 = = =2,024
b2 . g 2 0,994.0,994

2.6. Bước 6: Tính giá trị linh kiện L, C lý tưởng của bộ lọc chắn dải

Sơ đồ điện cảm nối tiếp

Nhánh song song

Lkps=R 0 . gl .2 Δ ωch

75 2 Δωch gCk
⇒ L2 = 9
=120,086 nH C k = 2
2. π . 0,1.10 .0,994 R0 ω0

9
2. π . 0,1.10 .0,994
⇒ C 2= 2
=0,19176 pF
75. ( 6,5898.109 )

Nhánh nối tiếp

R0 gLk 2 Δ ωch
Lk = 2
ω0

9
75.2,024 .2 . π . 0,1.10 1
⇒ L1=L3 = =2,1963 nH C k =
9 2 R0 2 Δ ωch g Lk
( 6,5898.10 )
1
⇒C 1=C 3= 9
=10,48 pF
75.2 . π . 0,1.10 .2,024

Sơ đồ mạch điện

Tại sao song song?

 Bộ Lọc RF 75

Tại sao chắn dải lại ngược với dải chắn ở cách ghép các phần tử?
Phải hiểu cách ghép 2 phần tử LC, tác động như thế nào?

Tại sao bộ lọc dải chắn lại dùng khung cộng hưởng LC mắc song
song ở nhánh nối tiếp?

Hình 1.4.1. Sơ đồ điện cảm nối tiếp bộ lọc dải chắn

Đặc trưng lọc

Hình 1.4.2. Đặc trưng lọc bộ lọc dải chắn

 Bộ Lọc RF 76

2.7. Bước 7: Chạy mô phỏng và kiểm tra kết quả

Sơ đồ điện cảm nối tiếp

Hình 1.4.1. Sơ đồ mạch mô phỏng bộ lọc dải chắn

Đặc tính lọc và tiêu hao chèn

Hình 1.4.2. Kết quả mô phỏng đặc trưng lọc và tiêu hao chèn bộ lọc dải chắn
Kết luận

Kết quả thỏa mãn yêu cầu đưa ra theo tính toán theo sơ đồ điện cảm nối tiếp
 Bộ Lọc RF 77

3. Bộ khuếch đại RF

Đề bài:

Thiết kế một bộ khuếch đại RF đạt được hệ số khuếch đại bằng G dùng bóng bán dẫn
GaN HEMT tại tần số trung tâm f

Kiểm tra kết quả tính toán trên phần mềm Advanced Design System

Bảng số liệu nhóm 2

G=16,5 dB f =9,5 GHz

Frequency S(1,1) S(1,2) S(2,1) S(2,2)

9,500 GHz 0,833/−112,448 0,032/32,758 3,243/103,523 0,797 /−40,759

Bài làm:

3.1. Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật

Hệ số khuếch đại công suất: G=16,5 dB

Tần số trung tâm: f =9,5 GHz

3.2. Lựa chọn linh kiện

Sử dụng bóng bán dẫn GaN HEMT

Sơ đồ mạch điện phối hợp trở kháng đề làm gì?

Vì trong thực tế không có ZS trở kháng nguồn ZL trở khảng tải,

nên mình phải phối hợp trở kháng từ 50ohm để thành ZS ZL phù hợp

ZS là gì? ZL là gì?

L1s, l2s là gì? 2 đường truyền L2s mắc song song, l1s mắc nối
tiếp
 Bộ Lọc RF 78

Hình 1.4.1. Sơ đồ mạch điện phối hợp trở kháng bộ khuếch đại RF
Phối hợp trở kháng vào/ ra để làm gì?

Cực D, G, S là gì?

D: cực máng

G: cực cổng

S: cực nguồn

Tụ Cp, cuộn Lch để làm gì?

Cp: tụ ghép tầng, ngăn cách ảnh hưởng của tầng trước đến tầng
sau

Lch: cuộn chặn, chặn tín hiệu xoay chiều

Mạch này hoạt động ở chế độ nào? Đặc trưng chế độ như thế nào?
Vẽ đặc tuyến truyền đạt của chế độ

3.3. Xác định tính ổn định của bóng bán dẫn

Theo tiêu chuẩn Rollet:

{
2 2 2
1−|S 11| −|S22| +|Δ|
K= =0,368<1
2|S 12 S 21|
0
Δ=S 11 S22−S12 S 21=0,637 ∠−144,37

Suy ra: | Δ|<1

 Bộ Lọc RF 79

Thế nào là ổn định? Ổn định để làm gì?

Do không thỏa mãn tiêu chuẩn Rollet nên mạch ổn định có điều
kiện

Vẽ hai họ vòng tròn ổn định nguồn và tải trên đồ thị Smith

Họ vòng tròn ổn định tải

Tâm vòng tròn

¿ ¿
( S 22−Δ . S11 )
C L= 2 2
=1,24 ∠57,4 0
|S 22| −| Δ|
Bán kính

R L=
|| S 12 . S 21
2
S 22| −|Δ|
2
|
=0,45

Họ vòng tròn ổn định nguồn

Tâm vòng tròn

¿ ¿
( S11− Δ S 22)
C S= 2 2
=1,18 ∠ 125,69
|S 11| −|Δ|
Bán kính

R S=
|| S12 . S21
2
S11| −| Δ|
2
|
=0,36

Vẽ vòng tròn ổn định nguồn, ổn định tải để làm gì?

Xác định vùng ổn định trên đồ thị Smith

Xét mặt phẳng Γ L (|S 11|<1 ⇒|Γ L|<1 ): tâm đồ thị là điểm Γ L =0 là điểm ổn định. Tất cả các

điểm nằm trong đồ thị Smith (| Γ L|<1 ) không giao với vòng tròn ổn định cũng là ổn định.

Xét mặt phẳng Γ S (|S22|<1⇒ |Γ S|<1 ): tâm đồ thị là điểm Γ S=0 là điểm ổn định. Tất cả các

điểm nằm trong đồ thị Smith (| Γ S|< 1 ) không giao với vòng tròn ổn định cũng là ổn định.

Chú ý là “không”

3.4. Xác định tính đơn hướng, song hướng

 Bộ Lọc RF 80

Đánh giá sai số đơn hướng

Đơn hướng GT, song hướng GP? Vì sao?

Với hệ số đặc trưng đơn hướng:

|S 12|.|S21|.|S 11|.|S 22|

U= =0,617
( 1−|S11| )( 1−|S 22| )
2 2

Ta xét:

1 GT 1 GT G
2
< < 2
≈ 0,38< <6,82 ≈−4,2 dB< T <8,3 dB
( 1+U ) GTU ( 1−U ) GTU G TU

Do sai số lớn hơn 1dB nên ta sẽ thiết kế song hướng ⇒ vẽ vòng tròn G P trên mặt phẳng
ΓL

3.5. Vẽ họ vòng tròn hệ số khuếch đại

Hệ số khuếch đại công suất cực đại của mạch

1
g pmax = =9,63
| 12 S 21|
S

Dựa vào ổn định có điều khiển

G pmax =G MSG=
| |
S21
S12
=101,34 ≈ 20 dB

gpmax là gì?

Hệ số khuếch đại công suất chuẩn hóa

Chuẩn hóa là gì?

Dùng trong tính toán cho dễ, trong thực tế không có

Gpmax là?

Hệ số khuếch đại cực đại theo có điều kiện hoặc không có điều
kiện chính là GMS

Thiết kế bộ khuếch đại sao cho G<20 dB . Chọn hệ số khuếch đại G p=17 dB

Công thức tính G p

 Bộ Lọc RF 81

|S 11| (1−|Γ L| )
2 2

G p=
2
=|S 21| g p Gp 10
1,7

| |
S11− Δ Γ L
2 ⇒ gp = 2
= =4,76
2
|S 21| 10,517
1−
1−S22 Γ L
|1−S 22 Γ L|

Gp là hệ số khuếch đại công suất bất kỳ trong trường hợp song

hướng

Vòng tròn G p được xác định bởi

Tâm vòng tròn

g p ( S ¿22− Δ¿ S11 ) 4,76 ( S ¿22−Δ ¿ S 11)
C p= = =0,65 ∠57,4 Bán kính
1+ g p (|S22| −| Δ| ) 1+ 4,76. (|S22| −| Δ| )
2 2 2 2

R =
√ 1−2 K |S S |g +|S S
12 21 p 12 21
2
| g2p
=0,45
|1+ g (|S | −|Δ| )|
p
2 2
p 22

3.6. Xác định trở kháng nguồn và tải

Ta chọn:

Γ L =0,2∠ 57,4

S12 S 21 Γ L ¿
⇒ Γ ¿=S11 + =0,85∠−113,73⇒ Γ S=Γ ¿=0,85∠ 113,73
1−S22 Γ L
 Bộ Lọc RF 82

3.7. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng

Sơ đồ mạch phối hợp

Hình 1.4.1. Mạch phối hợp trở kháng vào ra bộ khuếch đại RF
Tính toán phối hợp trên đồ thị Smith ta có kết quả

l1 S l2 S l1 L l2 L

0,048 λ t 0,298 λ t 0,062 λt 0,438 λ t

17,280 107,280 22,320 157,680

Nêu các bước tính L1S L2S L1L L2L?

3.8. Tính toán phần từ phụ

Tụ ghép tầng

100 100 100

C p= = = =33,5 pF Cuộn chặn
ω . Z 0 2 π f 0 Z 0 2 π .9,5 .109 .50

100. Z 0 100.50
Lch = = =83,766 nH
ω 2 π . 9,5.109
 Bộ Lọc RF 83

Hình 1.4.1. Kết quả tính toán trên đồ thị Smith

 Bộ Lọc RF 84

Các bước vẽ đồ thị Smith

Các bạn tự ghi chú thêm vào từng bước

Bộ Lọc RF 85
Bộ Lọc RF 86
Bộ Lọc RF 87
Bộ Lọc RF 88
Bộ Lọc RF 89
Bộ Lọc RF 90
Bộ Lọc RF 91
Bộ Lọc RF 92
Bộ Lọc RF 93
Bộ Lọc RF 94
Bộ Lọc RF 95
Bộ Lọc RF 96
 Bộ Lọc RF 97

3.9. Kiểm tra trên phần mềm Advanced Design System

Mạch phối hợp trở kháng vào

Hình 1.4.1. Sơ đồ mạch mô phỏng mạch phối hợp trở kháng vào
TLIN là đoạn đường truyền

Hình 1.4.2. Kết quả mô phỏng mạch phối hợp trở kháng vào
Kết quả này thể hiện điều gì, ý nghĩa của điểm M1 là gì?
 Bộ Lọc RF 98

Mạch phối hợp trở kháng ra

Hình 1.4.3. Sơ đồ mạch mô phỏng mạch phối hợp trở kháng vào

Hình 1.4.4. Kết quả mô phỏng mạch phối hợp trở kháng vào
Ý nghĩa điểm M1
 Bộ Lọc RF 99

Kiểm tra toàn mạch

Hình 1.4.5. Sơ đồ mạch mô phỏng toàn mạch

Bảng 1.4.1. Kết quả mô phỏng toàn mạch

Kết luận

Kết quả thỏa mãn yêu cầu đưa ra theo tính toán theo sơ đồ điện cảm nối tiếp
 Bộ Lọc RF 100

4. Bộ khuếch đại công suất RF

Đề bài

Thiết kế một bộ khuếch đại công suất RF tại tần số trung tâm f 0 với công suất ra Pout ở
mức suy giảm p ¿) so với Popt và đạt được hệ số khuếch đại công suất tín hiệu nhỏ lớn
nhất có thể mà vẫn ổn định. Bộ KĐCS thiết kế ở chế độ F sử dụng bóng bán dẫn GaN
HEMT.

p=1,5 f 0=3,5 GHz C 0=1,5 pF L0=1,0 nH

Frequency S(1,1) S(1,2) S(2,1) S(2,2)

3,500 GHz 0,240 /132,616 0,084 /−65,545 2,720/−52,962 0,347 /137,274

Nhóm 2
 Bộ Lọc RF 101

Yêu cầu:

- Trình bày tuần tự quy trình tính toán thiết kế.

- Vẽ vòng cung công suất đã xoay đi và chọn nghiệm Z L trên vòng cung công suất
đó, tính chiều dài các đường truyền từ điểm nghiệm Z L vừa chọn.

- Vẽ các vòng tròn hệ số KĐCS tương ứng (G P nếu là song hướng, GS G L nếu là
đơn hướng).

- Tính toán sơ bộ các chỉ tiêu của bộ KĐCS.

- Thiết kế mạch vào và mạch ra, tìm chiều dài các đường truyền (độ).

- Kiểm tra lại kết quả thiết kế mạch vào/ra trên phần mềm Advanced Design System
 Bộ Lọc RF 102

CHAPTER 5. PHẦN MỀM ADVANCED DESIGN SYSTEM

1. Hướng dẫn cài đặt phần mềm

https://www.youtube.com/watch?v=y6kbjDZECxI

Link rút gọn: tinyurl.com/AdsHoNalive

 Bộ Lọc RF 103

2. Tạo Workspace mới

 Bộ Lọc RF 104

3. Các thư viện thường sử dụng

WIN NP2500 Components:

Lumped-Components:

Sources-Freq Domain:

Simulation-S_Param:

Simulation-Instrument:
 Bộ Lọc RF 105

Simulation-S_Param:

TLines-Microstrip: Mlin, Mtee, Msub

TLines-Ideal:
 Bộ Lọc RF 106

4. Đổi màu nền

 Bộ Lọc RF 107

5. Xuất ảnh

Vào File ⇒ Print Area…

Chọn điểm đầu, điểm cuối của vùng ảnh cần xuất

Chọn thông số như hình

 Bộ Lọc RF 108

CHAPTER 6. CÂU HỎI ÔN TẬP

1. Nhiệm vụ của tầng KĐCS trong các hệ thống vô tuyến điện?

2. Các chỉ tiêu kỹ thuật quan trọng nhất đối với tầng KĐCS là gì?

3. Tại sao hiệu suất lại quan trọng với các bộ KĐCS?

4. Các phương pháp thiết kế bộ KĐCS RF chủ yếu hiện nay là gì?

5. Giải thích chiều quay về nguồn, về tải trên đồ thị Smith trong thiết kế mạch
PHTK?

6. Ở các chế độ công tác của bộ KĐCS có góc cắt suy giảm thì đầu ra có hài là hài
dòng điện hay hài điện áp hay cả hai

7. Để nén hài (giảm công suất tổn hao trên hài) ở đầu ra bộ KĐCS thì có những
biện pháp nào?

8. Tại sao để nâng cao hiệu suất cho các bộ KĐCS thì phải công tác ở chế độ có
góc cắt suy giảm?

9. Ở chế độ A thì có phải trong mọi trường hợp tín hiệu ra đều không bị méo hay
không?

10. Tại sao chế độ C ít khi được sử dụng trong thiết kế các bộ KĐCS mặc dù có hiệu
suất cao?

11. Tại sao khi PHTK ta đi từ điểm Z0 lại dùng Stub trước rồi mới đến đường truyền
nối tiếp?

12. Tại sao khi thiết kế mạch ra tầng KĐCS đơn chế độ F lại thực hiện ngắn mạch
2f0 trước rồi mới đến hở mạch 3f0 và cuối cùng là phối hợp công suất tại f0?

13. Phối hợp trở kháng và phối hợp công suất có giống nhau hay không? Giải thích?

14. Nhiệm vụ của mạch vào và mạch ra tầng KĐCS đơn chế độ B và F là gì?

15. Tại sao khi thiết kế mạch ra bộ KĐCS chế độ F lại ngắn mạch hài chẵn mà hở
mạch hài lẻ?

16. Giải pháp để đạt được hiệu suất 100% trong thiết kế các bộ KĐCS là gì?

17. Ý nghĩa của việc vẽ các vòng cung công suất trên đồ thị Smith khi thiết kế các bộ
KĐCS?
 Bộ Lọc RF 109

18. Giải thích tại sao các điểm nằm trên vòng cung công suất lại có cùng mức công
suất ra?

19. Các vòng cung công suất ở đầu ra của Transistor có phụ thuộc vào tần số không
và vì sao?

20. Máy Load/Source Pull là gì? Tại sao phải sử dụng thiết bị này trong thiết kế các
bộ KĐCS?

21. Tại sao chỉ điều chỉnh 2f0 và 3f0 mà không phải toàn bộ hài chẵn và lẻ khi thiết
kế mạch ra tầng KĐCS chế độ F?

22. Đặc điểm của dòng điện (Ids) và điện áp (Vds) trên Transistor của bộ KĐCS chế
độ B và chế độ F?

23. Nhược điểm của bộ KĐCS chế độ F là gì?

24. Tại sao chế độ F có thể nắn được điện áp trên Transistor? Tại sao phải nắn điện
áp Vds?

25. Vẽ đường tải động của bộ KĐCS chế độ B và chế độ F lý tưởng với tải thực và
tải phức?

26. Vẽ đường tải động của bộ KĐCS chế độ A với các mức công suất kích thích Pin
khác nhau?

27. Vẽ dạng sóng của điện áp và dòng điện trên Transistor của bộ KĐCS chế độ B
và F với các mức công suất kích thích Pin khác nhau khi tính đến ảnh hưởng
của Vk?

28. So sánh hiệu suất, công suất ra và hệ số KĐCS của bộ KĐCS chế độ B và chế
độ F?

29. Tại sao tồn tại công suất tổn hao (Pdiss) trên Transistor? Các phương pháp làm
giảm công suất tổn hao này là gì? 30.

30. Tại sao điện áp và dòng điện trên Transistor ngược pha mà trên tải lại đồng
pha?

31. Có các chế độ làm việc nào của bộ KĐCS mà góc thông phụ thuộc vào Pin? Ý
nghĩa?

32. Điểm nén P1dB là gì? Ý nghĩa?

33. Méo xuyên điều chế bậc 3 (IMD3) là gì? Ý nghĩa?

 Bộ Lọc RF 110

34. Hiệu suất PAE là gì? Ý nghĩa?

35. Tại sao luôn lấy điện áp cung cấp Vdc = U1, trong đó U1 là biên độ điện áp ra tại
f0?

36. Tại sao công suất ra Pout của chế độ A bằng chế độ B, còn chế độ F lại lớn hơn
A và B?

37. Tại sao Stub sử dụng luôn là Stub hở mạch?

38. Ý nghĩa của độ ổn định khi thiết kế các bộ KĐRF?

39. Tại sao tầng KĐRF lại thường hoạt động ở chế độ A?

40. Ý nghĩa của các hệ số khuếch đại công suất khác nhau là gì (G, GA, GT)?

41. Trong trường hợp nào thì thiết kế bộ KĐRF sử dụng tương ứng với G, GA và GT

42. Phương pháp xác định vùng ổn định trên đồ thị Smith khi thiết kế các bộ KĐRF?

43. Phương pháp tìm nghiệm ZS và ZL khi thiết kế các bộ KĐRF

44. Tại sao thiết kế mạch ở tần số cao sử dụng tham số [S] là chủ yếu thay vì sử
dụng sơ đồ mạch điện tương đương?

45. Đường tải của bộ KĐRF có gì khác với đường tải của bộ KĐCS?

46. Tại sao khi thiết kế không ưu tiên thiết kế đạt được hệ số KĐCS lớn nhất là GA?

47. Phương pháp thiết kế đơn hướng, song hướng là gì? Ý nghĩa?

48. Tại sao điều kiện ổn định của bộ KĐRF lại là: |Γin |<1 và |Γout |<1

49. Tại sao khi thiết kế đơn hướng thì phải dùng GT còn song hướng thì dùng Gp?

50. Giải thích chế độ tuyến tính và chế độ phi tuyến của bộ khuếch đại

51. Tại sao khi chuyển đổi sơ đồ từ lọc thông thấp chuẩn hóa sang bộ lọc thông dải
thì: L → khung LC nối tiếp; C → khung LC song song

52. Tại sao khi chuyển đổi sơ đồ từ lọc thông thấp chuẩn hóa sang bộ lọc chắn dải
thì: L → khung LC song song; C → khung LC nối tiếp

53. Ý nghĩa của độ giữ chậm nhóm của bộ lọc?

54. Khi nào thì thiết kế bộ lọc dạng Chebyshev và khi nào thì thiết kế dạng
Butterworth?
 Bộ Lọc RF 111

55. Việc lựa chọn 1 trong 2 sơ đồ của bộ lọc mẫu thông thấp chuẩn hóa dựa vào
đâu?