Professional Documents
Culture Documents
hu
Dióda
Diffúziós potenciál:
N N
U D = U T ln d 2 a = const , ahol U T a termikus feszültség, N d a p réteg adalékolása, N a a p réteg adalékolása, n i
ni
az intrinsic félvezetőben az elektron(lyuk)sűrűség
Az adalékatomok töltése (tértöltés), mivel ezek helyhez kötöttek (a töltéshordozók viszont nem).
Nő, mert S = const ⋅ U D − U , ahol S a kiürített réteg szélessége, U D (=const.) a diffúziós potenciál, U a diódára
kapcsolt feszültség (a zárófeszültség negatív, így S nő)
UU I
I = I 0 e T − 1 , U = U T ln + 1 , ahol I 0 a telítési áram, I a diódán átfolyó áram, U T a termikus feszültség, U
I0
a diódán eső feszültség
dU d I 1 1 UT U
rd = = U T ⋅ ln + 1 = U T ⋅ = ≈ T , ahol I a munkaponti áram, U T a termikus fesz.
dI dI I0 I I I + I0 I
+1 0
I0
const
CT = , ahol C T a tértöltési kapacitás, U D (=const.) a diffúziós potenciál, U a diódára kapcsolt feszültség. A
UD −U
zárófeszültség nő → a gyök alatti kifejezés nő → C T csökken!
1
Csökken, mert UL ~ - lavina letörés
N 0.7
1
UL ~ - Zener letörés
N
Sokszorozási tényező:
dU V mV
Növekszik, Si: = −1.67 ⋅ 10 −3 o ≈ −2
dT K ° K
Melyik paramétere javul a diódának, ha az epitaxiális kivitelt alkalmazzuk?