01.

Előadás

Kristályos anyagok elektronjainak lehetséges energia tartományai, sávdiagramok:

ENERGIA Vezetők Szigetelők Szilícium

félvezető
eV Vezetési sáv
1.1 eV
Vegyérték sáv
> 3 eV

Ohmos vezetés, drift áram, térerősség hatására

Vezető fém tömb (L hosszúságú, A keresztmetszetű), elmozdulni képes töltéshordozókkal
(szabad elektronokkal), rákapcsolt U feszültséggel:

L A

Δx
U

Az átfolyó áram:
Q nqxA U
i   nqvn A vn  n E  n
t t L

Részecskék (elektronok) köbméterenkénti sűrűsége: n 

1
m3

m2 m m
Részecskék mozgékonysága (n: elektron): n   
Vs sV
Részecske (elektron) töltése: [𝑞] = 𝐴𝑠
A A 1 1 L L 1
i  nqn U  GU G  nqn R   
L L G nqn A A nqn

mm2
Pl. réz:  réz  0.017
m
 01.Előadás

Áramvezetés diffúzióval, töltéshordozó koncentráció különbség hatására

A részecskék hő mozgás következtében létrejövő, csak x irányú sebessége (a hőmérséklet
mindkét féltérben egyforma):

n1 > n 2

eredő részecskeáram

n(x) x

dnx 
x irányú diffúziós áram ha n(x) elektron koncentráció: i  qADn
dx
𝑚2
[𝐷𝑛 ] = , diffúziós állandó, anyagjellemző.
𝑠 n(x)
n0

Pld.:
x
legyen az elektron sűrűség helyfüggése az ábra szerinti: L
𝑛0
𝑛(𝑥) = − 𝑥 + 𝑛0
𝐿

Az x irányú áram – elektronáram - a diffúziós képlet szerint:

𝑛0
𝑖 = −𝑞𝐴𝐷 𝐿

A negatív előjel a technikai áramirány miatt az x tengellyel ellentétes irányú áramra utal.
Lineáris koncentráció változás estén a kialakuló diffúziós áram konstans.
 01.Előadás

Félvezetők ohmos vezetése – Intrinsic (tiszta félvezető):

Si Si Si
vezetési sáv
ENERGIA ENERGIA
Si Si Si hő, fény hő, fény
vegyérték sáv
generáció rekombináció
Si Si Si

Tiszta szilícium félvezető tömb (A keresztmetszetű, L hosszúságú), rákapcsolt U

feszültséggel: A

i Si

A létrejövő drift áram:

 A A
i   ni qn  pi q p U
 L L

m2 m2
n  0.13 : elektron mozgékonyság,  p  0.045 : lyuk mozgékonyság
Vs Vs

ni  pi : intrinsic (tiszta félvezető) elektron és lyuk koncentrációja, ami már

szobahőmérsékleten megegyezik a donor illetve akceptor atomok koncentrációjával, kicsi,
hőmérséklet, illetve fény besugárzás függő értékek.
 01.Előadás

„n” típusú félvezető:

vezetési sáv
Donor nívó
Si Si Si
vegyérték sáv
+
Si P Si
kisebbségi többségi
A
i
Si Si Si n
L
U
A A
i  nqn U  pq p U np  ni pi n  ni p  pi
L L
többségi kisebbségi

„p” típusú félvezető: vezetési sáv

Si Si Si Akceptor
nívó vegyérték sáv

Si - B Si
kisebbségi többségi
elektron A
i
hiány p
Si Si Si L

A A
i  nqn U  pq p U np  ni pi n  ni p  pi
L L
kisebbségi többségi
 01.Előadás

„p-n” átmenet: Kiindulási állapot: Szilícium egykristály

n, ill. p szennyezéssel
n p

Egyensúlyi állapot:
E,UD

n p

Kiürített réteg
0.) Külső feszültséget nem kapcsolunk a pn struktúrára.
1.) Az elmozdulni képes töltéshordozók koncentráció különbsége (n oldalon csak szabad
elektronok, p oldalon csak szabadon elmozduló lyukak vannak), az elektronok és a lyukak
diffúziós áramlását indítja el.
2.) Az n→p irányban elektronok, a p→n irányban lyukak diffundálnak, míg a helyhez
kötött ionok az n oldalon +, p oldalon – töltéssel helyben maradnak. Így a
töltésegyensúly, ami a pn rétegek összeillesztése előtt még fennállt, az
„összeillesztés” után már nem lesz igaz: a p oldalon a helyhez kötött – ionok
elvesztették a kiegyenlítő lyukjaikat a diffúzió miatt, míg az n oldalon a + helyhez
kötött ionok elvesztették a kiegyenlítő elektronjaikat.
3.) Így a helyhez kötött, nem semlegesített ionok villamos térerősséget hoznak létre.
Ez a tér fékezi a többségi töltéshordozók diffúzióját a másik oldalra. A kialakult
térerősség egy potenciálkülönbségnek felel meg - diffúziós potenciál, amelynek
iránya a térerősséggel megegyező. A szemben álló, helyhez kötött töltéseket
tértöltésnek nevezzük éppen a helyhez kötöttségük miatt.
4.) A kisebbségi töltéshordozók a kiürített réteg közelében átsodródnak a túloldalra,
azokat a tértöltés térerősség gyorsítja (driftáram).
5.) Egyensúlyi állapot: többségi töltéshordozók diffúziós árama = kisebbségi
töltéshordozók drift áramával.
 01.Előadás

„p-n” átmenet nyitó irányú előfeszítése:

Katód Anód
A nyitó irányú U feszültség a diffúziós potenciállal
UD
ellentétes irányú, tehát csökkenti az 𝑈𝐷
n p
irányú térerősséget, ami a diffúziós áramok
növekedését jelenti. Mivel mind az n,
U
mind a p rétegek szennyezett félvezetők
szabad töltéshordozókkal, jó vezetők, kicsi
p(x) n(x)
feszültség esik rajtuk, kicsi bennük a térerősség
p0 n0
az U feszültség majdnem teljes egészében
pn np
az átmenetre esik. Az átmenetben -x x
Lp Ln
kialakuló eredő térerősség lecsökken,
tehát a diffúziót gátló hatás kisebb lesz, megindul a többségi töltéshordozók túloldalra való
áramlása, ahol ők kisebbségi töltéshordozók lesznek. Ezt a folyamatot töltés injekciónak
nevezzük. Ha a réteg, amibe az injektálás megtörténik hosszú az L diffúziós hosszhoz (átlagos
megtett töltéshordozó út rekombináció nélkül) képest, akkor előbb utóbb rekombinációra (az
ellentétes töltéshordozóval való találkozásra) kerül sor. Ilyenkor tehát az átmenet közelében
diffúziós, majd egyre inkább rekombinációs áram folyik, az összáram állandó. (Ezt az esetet
hívjuk hosszú diódának, ezt mutatja az ábra is.) Távol az átmenettől a kisebbségi
töltéshordozók az intrinsic esetnél látott egyensúlyi sűrűségben (𝑛𝑝 , 𝑝𝑛 ) vannak jelen.

Ez a folyamat az U feszültség növelésének hatására exponenciálisan növekedő áramot hoz

létre:

 UU  kT
i i  I S 0  e T  1 UT   26 mV I S 0  10 13 A
  q
  20 C 0

Az 𝑈𝑇 a termikus potenciál, k Boltzmann állandó, q az elektron töltésének abszolút értéke.

 01.Előadás

generációval: generációval:
„p-n” átmenet záró irányú előfeszítése: kisebbségi kisebbségi
UD

n p
A záró irányú U feszültség diffúziós potenciál
irányú, tehát növeli az 𝑈𝐷 irányú térerősséget, i
U
tovább növeli a kiürített réteg szélességét, illetve
gátolja a többségi töltéshordozók diffúzióját.
p(x) n(x)
A többségi töltéshordozók árama emiatt az U
np
növelésével csökken, majd megszűnik, pn

csak a kisebbségi töltéshordozók -x

Lp Ln
x

árama folyik, ami nem marad kiegyenlített iössz ip(x) in(x) iössz
e(x) e(x)
többé, mint ahogyan volt, az U=0 esetben. ire(x x
ire
-x )
Ha a kisebbségi töltéshordozók a kiürített réteg
közelébe kerülnek, a kiürített réteg tere elragadja őket (ezért vesszük a koncentrációjukat itt
nullának), és átviszi őket a túloldalra, ahol többségi töltéshordozóként ohmos vezetéssel
folyik tovább áramuk. Távol a kiürített rétegtől, a töltéshordozó sűrűség a generáció által
meghatározott szintű, 𝑝𝑛 , illetve 𝑛𝑝 . A kisebbségi töltéshordozók a koncentráció gradiens
miatt az ip(x), illetve az in(x) áramokat hozzák létre. Távolodva az átmenettől a
rekombinációs áram (ire) (lyuk - elektron találkozása) válik egyre nagyobbá, az összáram
(iössz) állandó, tehát kiszámítható a kisebbségi áramok kiürített réteg peremén (x=0) érvényes
értékeként:
ip(x) in(x)
⏞ ⏞

dpx  dnx   p np 
i  i z  qAD p  qADn  qA D p n  Dn   I S0
dx x 0 dx x 0  L L 
 p n 
Ez a záró irányú áram a kisebbségi töltéshordozók generációs egyensúlyi értékétől függ, tehát
hőmérséklet és fény besugárzás függő.
 01.Előadás

A PN átmenet - dióda teljes karakterisztikája:

u i

K A  UU 
in p i  I S 0  e T  1
 
 
IS0
u
Uny

A karakterisztikát igen gyakran közelítjük a piros egyenesek szerinti egyparaméteres

közelítéssel, az Uny nyitó feszültséggel, elhanyagolva a kicsi záró irányú áramot, illetve a
nyitó irányú feszültségfüggést.

Dióda típusok:
1.) Szilícium dióda: Uny ≈ 0.6 V, IS0: kicsi, típusfüggő, Schottky diódánál lassúbb
kapcsoló (diffúziós töltéstárolás).
2.) Schottky dióda: Uny ≈ 0.2 V, gyors kapcsoló, IS0: Szilícium diódánál nagyobb,
típusfüggő
….. Itt további sok-sok típus fog majd következni.

Az Elektronika I jegyzetben az előadás anyaga a 3.1. fejezetben található.