Elektronika-vizsga

Készítette: Simon Krisztián László

Egyéni felhasználásra készült, felelősséget nem vállalok, nem
tartalmaz teljes válaszokat a kérdésre!! Saját igényeimnek
megfelelően készült, vagyis nincs benne minden végig
magyarázva, sok mindent egyértelműnek vettem. Amolyan
rövid jegyzetféle inkább az Elektronika 1-2-höz.

HIÁNYOS VERZIÓ
V0.78

felhasznált irodalom:

 Sedra-Smith: Microelectronic circuits

 Harasztosi Lajos diasorai
 Pici internet

Hiányzik:
 még rengeteg apró hiba, hiányosság
 DC-DC konverterek kiegészítése

Ha megnyitottad kérlek véleményezd :)

 Lineáris erősítő modell
1. Rajzolja le egy nemideális CCVS (Current Controlled Voltage Source) áramköri
négypólus modelljét! Adja meg az átvitelét!

2. Rajzolja le egy nemideális CCCS (Current Controlled Current Source) áramköri

négypólus modelljét! Adja meg az átvitelét!

3. Rajzolja le egy nemideális VCVS (Voltage Controlled Voltage Source) áramköri

négypólus modelljét! Adja meg az átvitelét

4. Rajzolja le egy nemideális VCCS áramköri négypólus modelljét!

Adja meg az átvitelét!
5. Definiálja egy erősítő bemeneti ellenállását
𝑉𝑖
𝑅𝑖 =
𝐼𝑖

6. Mikor ideális egy feszültség vezérelt, ill. egy áramvezérelt

erősítő bemenete?
a. Fesz. vezérlet: 𝑅𝑖𝑛 = ∞
b. Áram vezérlet: 𝑅𝑖𝑛 = 0

7. Definiálja egy erősítő kimeneti ellenállását!

𝑉𝑥
𝑅𝑜 =
𝐼𝑥
8. Mikor ideális egy feszültség kimenetű erősítő kimenete?
𝑅𝑜 = 0
9. Mikor ideális egy áram kimenetű erősítő kimenete?
𝑅𝑜 = ∞

10. Adja meg egy szimmetrikus bemenetű feszültségerősítő áramköri

modelljét! Jelölje a bemeneti földfüggő feszültségeket!
Értelmezze a szimmetrikus és közös módusú bemeneti
feszültségkomponenseket és ellenállásokat!

????????
 Félvezető dióda I.

11. Adja meg egy tiszta Si félvezető rács felépítését! Hány

kötőelektronja van a Si-nek, milyen kémiai kötésel kötődnek egymáshoz?

12. Milyen vegyértékű elemmel lehet „N” és „P” típusú félvezetőt létrehozni? Mi számít
gyenge és erős szennyezésnek?

N-TÍPUS: 5 vegyértékű donor

 P(foszfor)
 As(Arzén)
 Sb(Antimon)
Erősen szennyezett: 104 Si - P
Gyengén szennyezett: 107 Si - P

P-TÍPUS: 3 vegyértékű akceptor

 B(Bór)
 In(Indium)
 Al(Aluminium)

GYENGE ÉS ERŐS SZENNYEZÉS

13. Miért válik egy tiszta Si anyag vezetővé 20°C környékén?

Szobahőmérsékleten elegendő hőenergia létezik hogy megtörjön néhány kovalens kötést

felbomoljon és így szabad elektronok lesznek jelen a kristályban, melyek tudnak áramot vezetni.
(thermal generation)

14. Mi hozza létre a tiszta félvezetőben a diffúziós áramot?

Töltéshordozó koncentráció különbség okozza.

15. Mi hozza létre a tiszta félvezetőben a drift áramot?

Külső villamos tér hatására jön létre. Amikor egy E elektromos mező jön létre a kristályban, akkor a
"lyukak" a E tér irányába gyorsulnak. A szabad elektronok pedig ezzel ellenkező irányba.
16. Milyen áram a szaturációs áram?
jele: Is, egyenesen függ a dióda keresztmetszetétől

17. Mit jelent a „kiürített réteg” kifejezés? Milyen vastag egy ilyen réteg?

ezt a képletet csak a szemléltetés

kedvéért írtam ide :DD

A két különböző szennyezettségű félvezető határán rekombinálódnak a lyukak és elektronok, ezáltalál

ott nem lesz töltés. Lyukak átdiffundálnak a n-rétegbe, és fordítva, így alakul ki a fenti ábra.

Tipikusan 0.1µm-1 µm

18. Mi hozza létre a „diffúziós potenciál”-t?

Az elektromos erőteret létrehozó tértöltési tartomány két oldalán kialakul egy belső potenciálgát, amit
UD diffúziós feszültségnek (kontaktpotenciálnak) nevezünk. A diffúziós potenciál a tértöltés PN
átmenet mentén a p-oldalon negatív, az n-oldalon pozitív potenciált hoz létre. A két oldal közti teljes
potenciálkülönbséget nevezzük diffúziós potenciálnak.

19. Egy PN átmenet (dióda) kivezetéseit szabadon hagyjuk. Folyik-e benne áram? Milyen
és mekkora, ha igen? Ha nem, miért nem?
Folyik. A két áram megegyezik.
Diffúziós áram: Akkor jön létre amikor egy félvezetőben a töltéshordozók sűrűsége nem egyezik meg
mindenhol. Például valami okból a lyukak koncentrációja nagyobb lesz, akkor megindul a
kiegyenlítődés, megindul egy áram és ezt nevezzük diffúziós áramnak

Drift-áram: A termikus gerejsztés hatására keletkező kissebbségi töltéshordozók. Is

20. Írja fel egy félvezető dióda I-U összefüggését! Adja meg az egyenletben szereplő
mennyiségek jelentését!

Félvezető dióda II
21. lásd 20-ast

22. Mekkora Si dióda nyitóirányú feszültségesése?

0,6v-0,9v

23. lásd 20-ast

24. Rajzolja fel a dióda nyitóirányú karakterisztikáját! Adja meg a hőmérsékletfüggés

hatását! Miért hőmérsékletfüggő a nyitott dióda?

A dióda U-I egyenletében lévő szaturációs áram is erősen hőmérsékletfüggő, és a termikus feszültség
paraméter is hőmérséklet függő.

25. Rajzolja fel a dióda záróirányú karakterisztikáját! Mi okozza a hőmérsékletfüggést?

Adja meg a hőmérsékletfüggés jellegét!

A folyó áram egyenlő a szaturációs árammal, mely kétszereződik minden 5°C növekedéskor.
26. Rajzolja fel egy dióda letörési karakterisztikáját! Mi okozza a letörést?

Ha a diódán eső v feszültség nagyobb mint |Vzk|

27. Milyen határadatokig használható egy egyenirányító dióda?

 maximum power dissipation

 letörési feszültség
 peak reverse voltage
 peak forward current
28. Miért van kapacitása egy nyitott és zárt diódának? Mekkorák ezek az értékek?
Zárt:
A kiürített réteg egy tértöltést képvisel. Ez egy, a kiürített réteg geometriájával azonos
síkkondenzátorként modellezhető.
A tértöltés vastagsága(síkkondenzátor lemezeinek távolsága) a záró irányú feszültségtől függ. Minél
nagyobb a feszültség, annál kisebb a kapacitás értéke.
𝑘𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑠
𝐶= 2
𝑈𝐷 + 𝑈𝑍

Ud: diffúziós potenciál

Uz: zárófeszültség
konstans: félvezető kristály geometriai és villamos paramétereitől függ
Nyitott:
Ha a nyitófeszültség megváltozik, megváltozik az I áram és az áramló töltésmennyiség is, tehát létezik
𝑑𝑄
egy kapacitás, ezért léteznie kell az alábbi mennyiségnek: 𝐶𝑑 = 𝑑𝑈 Cd: diffúziós kapacitás
diffúziós kapacitás függ:
 átlagos töltéshordozó élettartam
 Termikus feszültség
 diffúziós áram
29. Adja meg az ideális és CVD dióda áramköri modelleket!

Ideális:

CVD:
30. Adja meg a PLM dióda modellt! Mik a modellparaméterek?

𝑣𝐷 − 𝑉𝐷𝑂
𝑖𝐷 =
𝑟𝐷
 Dióda alkalmazás
31. Rajzoljon fel egy egyutas egyenirányító kapcsolást pufferkondenzátor nélkül! Adja meg
a kimeneti fesz. hullámalakját színuszos vezérlésre! (CVD dióda modell)
32. Rajzoljon fel egy egyutas egyenirányító kapcsolást pufferkondenzátorral! Adja meg a
kimeneti fesz hullámalakját színuszos vezérlésre! Értelmezze a „búgó” feszültséget! (CVD
dióda modell)

Búgófeszültség: Az ilyen, „szűrt egyenirányított feszültség” alkalmatlan az elektronikus berendezések

többségének táplálására. {{Pl. egy földelt emitteres erősítő kimenő feszültsége ugyanúgy változik, mint a
tápfeszültsége , azaz a kimenő jelben egy 50 Hz-es (kétutas egyenirányításnál 100 Hz-es) }}zavarjelkomponens lenne
jelen. Hangerősítő esetén ez mint 50 Hz-es illetve 100 Hz-es búgás lenne hallható (innen a
„búgófeszültség” megnevezés is).
33. Rajzoljon fel egy csúcsegyenirányító kapcsolási elrendezést! Adja meg a kimeneti
feszültség hullámalakját színuszos vezérlésre! (CVD dióda modell)

34. Rajzoljon fel egy Graetz-hidasegyenirányító kapcsolási elrendezést! Adja meg a

kimeneti feszültség hullámalakját színuszos vezérlésre! (CVD dióda modell)
35. Rajzoljon egy Zener diódás fesz. Stabilizátor kapcsolást! Adja meg a Zener áram max és
min értéktartományát!

36. Adjon meg egy szimmetrikus Zener diódás limiter áramköri elrendezést! Adja meg a
transzfer karakterisztikáját!

37. Ismertesse a kétutas egyenirányító kapcsolás transzfer karakterisztikáját!

38. Ismertesse a egyutas egyenirányító kapcsolás transzfer karakterisztikáját!

39. Ismertessen egy diódás 3 bemenetű „ÉS” kaput!

𝑌 =𝐴+𝐵+𝐶

40. Ismertessen egy diódás 3 bemenetű „VAGY” kaput!

𝑌 = 𝐴𝐵𝐶
 BIPOLÁRIS TRANZISZTOR

41. Mi a tranzisztor hatás?

Az áram a nyitóirányban előfeszített, kis ellenállású emitter-bázis
diódán folyik be a tranzisztorba, és (nagyjából ugyanez az áram) a
záró irányban előfeszített, nagy ellenállású kollektor-bázis diódán
távozik. Mivel a teljesítmény P = I2 R, a kollektordióda nagyobb
teljesítményt ad le, mint amennyit az emitterdióda felvesz, azaz a
tranzisztor teljesítményt erősít. Ez a tranzisztorhatás

42. Mi a BJT működésének félvezetőszerkezeti feltétele?

 Erősen szennyezett emitter

 Gyengén szennyezett és vékony base

43. Milyen üzemmódjai vannak egy BJT-nek? Hogyan lehet beállítani ezeket?

44. Ismertesse a BJT áramai közötti összefügést!

 𝑖𝐶
𝑖𝐸 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝐵 ; 𝑖𝐶 = 𝛼 × 𝑖𝐸 ; 𝑖𝐵 =
𝛽

𝛼
𝛽=
1−𝛼

45. Ismertesse az IB – UBE összefüggést és diagrammot!

46. Ismertesse egy BJT határadatait!(page 949)

teljesítménytranzisztor határadatai:
β értéke alacsony(30-80), de akár 5 is lehet.
Kollektor tipikusan pár amper-ek de akár 100A is lehet
Kollektor-Emitter breakdown voltage: 50-100, de akár 500V

47. Ismertesse a közös bázisú kimeneti karakterisztikát és mérési elrendezést! Jelölje az

üzemmódokat!
48. Ismertesse a közös emitteres kimenet karakterisztikát és mérési elrendezést! Jelölje az
üzemmódokat!

49. Ismertesse az NPN BJT nagyjelű áramköri modelljét!

50. Ismertesse a BJT IC – UBE karakterisztikát és egyenletet!

𝑖𝐶 = 𝐼𝑠 × 𝑒 𝑣𝐵𝐸 𝑉𝑇

51. Ismertesse a szaturált BJT modelljét!

52. Ismertesse a BJT kisjelű linearizált „hibrid π” modelljét! Mik a modellparaméterek?

53. Milyen belső kapacitásai vannak a BJT-nek?

Cµ: collector-base kiürített réteg kapacitása

Cπ=Cde+Cje
Cde: A bázisréteg diffúziós kapacitása,
Cje: A base-emitter kiürített réteg kapacitása
54. Adja meg a BJT nagyfrekvenciás „hibrid π” modelljét! Mi a Miller kapacitás?

Miller-kapacitás

55. Ismertesse a belső kapacitások hatását a β áramerősítési tényezőre!

wtf?

56. Ismertesse az fα, fβ és fT frekvencia értékeket!

 MOSFET
57. Rajzolja fel a növekményes N-MOSFET keresztmetszeti képét! Jelölje a jellemző
áramokat, feszültségeket!

58. Mi az indukált csatorna? Hogyan jön létre? Mi az erre jellemző MOSFET paraméter?

INDUKÁLT CSATORNA
59. Milyen üzemmódjai vannak egy MOSFET-nek? Hogyan lehet beállítani ezeket?

60. Ismertesse a MOSFET áramai közötti összefügést!

Ig=0
Id=Is
61. Ismertesse az ID – UGS összefüggést és diagrammot!

62. Ismertesse az ID – UDS karakterisztikát és mérési elrendezést! Jelölje az üzemmódokat!

63. Mivel helyettesíthető a MOSFET csatorna kis UDS fesz. tartományban?

Ellenállásként.
64. Ismertesse a MOSFET nagyjelű áramköri modelljét! (áramkör és transzfer
karakterisztika)
65. Ismertesse a MOSFET működésének határadatait!

66. Ismertesse a MOSFET „hibrid π” nagyfrekvenciás modelljét!

 BJT erősítő kapcsolások

67. Ismertesse a feszültséggenerátoros jellegű munkapontbeállítást!(Page 448)

Feszültségosztó ellenállásokat úgy kell megválasztani hogy az emitter áram értéke 1IE és 0.1IE között
legyen. A fenti feltételeket teljesítve tudjuk függetleníteni az emitter áramot a hőmérséklettől és β-
tól

68. Ismertesse a áramgenerátoros jellegű munkapontbeállítást

A kapcsolás előnye hogy IE független β-tól és RB-től, így RB-t lehet nagynak választani ezáltal nagy lesz
a bemeneti ellenállás, ami jó.
69. Miért kell emitterellenállást használni a munkapontbeállításnál?(page 448)

Further insight regarding the mechanism by which the bias arrangement of Fig. 6.60(a) stabilizes the
dc emitter (and hence collector) current is obtained by considering the feedback action provided by
RE. Consider that for some reason the emitter current increases. The voltage drop across RE, and
hence VE will increase correspondingly. Now, if the base voltage is determined primarily by the
voltage divider R1, R2, which is the case if RB is small, it will remain constant, and the increase in VE
will result in a corresponding decrease in VBE. This in turn reduces the collector (and emitter) current,
a change opposite to that originally assumed. Thus RE provides a negative feedback action that
stabilizes the bias current. This should remind the reader of the resistance Re that we included in the
emitter lead of the CE amplifier in Section 6.6.4. We shall study negative feedback formally in
Chapter 10.

70. Adjon meg egy egyfokozatú AC csatolt közös emitteres kapcsolási elrendezést! Adja
meg a teljes kapcsolás kisjelű linearizált helyettesítő áramköri modelljét!

A közös emitteres erősítő kapcsolás a legjobb amikor nagy erősítés kívántos.

71. Adja meg a kapacitív csatolású Emitter-follower(=Common collector) erősítő –
frekvencia diagrammot! Mi befolyásolja az alacsony és nagyfrekvenciás működést?

Alacsony frekvencián: a csatoló ellenállások hatása miatt csökken.

Nagy frekvencián: A tranzisztor belső kapacitív hatásai miatt

72. Rajzoljon fel egy közös bázisú BJT kapcsolási elrendezést! Milyen előnyei vannak a CB
kapcsolásnak?

Nagyon alacsony bemeneti ellenállása van, ami önmagában nem lenne jó, de így alkalmas speciális
alkalmazásokra, mint például nagy frekvenciás erősítőnek koaxális kábelekre. Sokkal jobb paraméteri
vannak nagy frekvencián mint a közös emitteres erősítőnek
73. Rajzoljon fel egy közös kollektoros BJT kapcsolási elrendezést! Milyen előnyei vannak a
CC kapcsolásnak?

Egy nagy bemeneti ellenállású és kis kimeneti ellenállású erősítőnek használható vagy úgyenvezett
voltage-buffer. Több erősítőfokozat utolsó elemeként
 Műveleti erősítő
74. Adja meg egy valóságos műveleti erősítő rajzjelét!

75. Ismertesse az ideális műveleti erősítő jellemző paramétereit!

a. Végtelen bemeneti ellenállás, 0 bememeti áram

b. 0 kimeneti ellenállás (kimenet ideális fesz generátor)
c. Közös módusó (v1=v2) erősítése 0 (v3=0)
d. Végtelen sávszélesség (bármilyen frekvenciájú jelet képes erősíteni)
e. Nincs offset
f. A kimenet és a nem invertáló (+) bemeneti jel fázisban van
g. A maximális kimeneti fesz. a tápfesszel egyezik meg
h. Végtelen nagy nyílthurú (nincs visszacsatoló ellenállás) erősítés

76. Mekkora egy valóságos erősítő nyílthurkú üresjárási feszültségerősítési tényezője? Mit
jelent az „üresjárás”? Mekkora fesz. mérhető egy valóságos m.e. bemenetei között?

80-120dB
Nincs terhelő ellenállás rákötve a kimenetre
Ideális esetben v===0, valós esetben megközelítőleg 0.

77. Ismertesse az invertáló alapkapcsolást (lezárásokkal) és a visszacsatolt erősítés

kiszámítási
módját!

𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑅2
𝐴𝑣 = =−
𝑉𝑖𝑛 𝑅1
78. Ismertesse az neminvertáló alapkapcsolást (lezárásokkal) és a visszacsatolt erősítés
kiszámítási módját!

𝑅
𝐴𝑣 = 1 + 𝑅2
1

79. Ismertesse az összeadó kapcsolást (lezárásokkal) és a visszacsatolt erősítés kiszámítási

módját!

80. Ismertesse az különbségképző kapcsolást (lezárásokkal) és a visszacsatolt erősítés

kiszámítási módját!
𝑅2
𝐴 = 𝑅1

𝑅3 = 𝑅1 & 𝑅4 = 𝑅2
81. Ismertesse az intrumentális erősítő kapcsolást (lezárásokkal) és a visszacsatolt erősítés
kiszámítási módját!

82. Ismertesse a műveleti erősítő nyílthurkú feszültségerősítésének frekvenciafüggését

egypólusú és több pólusú esetben is! (amplitúdó és fázis)

𝐴0
𝐴 𝑗𝜔 =
𝑗𝜔
1+𝜔
𝑏

83. Az átviteli függvény több pólusa miért okozhat gerjedékenységet?

84. Mi a Nyquist- és Bode-stabilitáskritérium?

Nyquist :
Stabilitás kritérium • Ha a felnyitott kör Nyquist göbéje a valós tengelyt
1. a -1 ponttól jobbra metszi, akkor a zárt kör stabil;
2. pont a -1 pontban metszi, akkor a zárt kör a stabilitás határán van;
3. a -1 ponttól balra metszi, akkor a zárt kör instabil.
Bode:
Stabilitási kritérium: Ha az amplitúdógörbe és a 0 dB-es tengely metszéspontjához tartozó ϕ fázisszög
4. nagyobb -180o-nál, akkor a rendszer stabil;
5. egyenlő -180o-kal, akkor a rendszer a stabilitás határán van;
6. ha kisebb -180o-nál, akkor instabil
85. Mi az offszet feszültség? Hogyan lehet kompenzálni?

a. Ha a műveleti erősítőnek a két bemenetét összekötjük, és földre kötjük, a kimeneten

(habár 0V-nak kéne lennie) meg fog jelenni egy véges feszültség. Ez a feszültség
átlalában 1-5mV (amit még az erősítő erősít) és hőmérséklet függő.
b. Kompenzálható egy, a két bemenet közé kötött, az offset feszültséggel megegyező
nagyságú és azzal ellentétes polaritású feszültség forrással, vagy az offset nullázó
bemenetekre és a negatív tápefeszültségre kötött potenciométerrel

86. Mi a „Slew Rate”? Milyen a jellegzetes kimenő jelalak egységugrás bemenőjelre?(Sedra

984)

a. Egy valós műveletei erősítő kimenetének van egy maximuma, hogy milyen gyorsan
tud változni. Ha olyan jel van a kimeneten, ami gyorsabb kimeneti változást tesz
szükségessé, akkor az erősítő csak a maximumának megfelelően fog változni.
𝑑 𝑣𝑜
b. Így van definiálva (adatlapban benne van mint 𝑉/𝜇𝑠):𝑆𝑅 = 𝑑𝑡 𝑚𝑎𝑥
c. Egységugrás bemenet esetén:
87. Ismertessen egy integráló műveleti erősítő alapkapcsolást és az átvitel
frekvenciafüggvényét!
88. Ismertessen egy differenciáló műveleti erősítő alapkapcsolást és az átvitel
frekvenciafüggvényét!
 Végfokozatok
89. Ismertessen egy ellenütemű CC végfokozat kapcsolást

90. Milyen munkapontbeállítási módokat ismer? Jelölje az IC – UBE karakteisztikán a

munkapontok helyzetét! Milyen hatása van a munkapont típusának a torzításra és a
hatásfokra?

A,B,AB

Sedra könyvben megkeresni

91. Ismertesse a kapcsolóüzemű végerősítők működési elvét!

sedra-ban megkeresni, és átírni

92. Hogyan lehet a kimeneti áramot korlátozni? Rajzolja le a kapcsolást!

Nem találtam jobbat az angol könyvben se, ez meg így sokat nem ér...
93. Ismertesse a teljesítményfélvezetőkre alkalmazható hőtechnikai modellt!

https://www.youtube.com/watch?v=8ruFVmxf0zs
 Bipoláris tranzisztoros differencia erősítő
94. Rajzoljon fel egy két tranzisztoros differencia erősítőt! Adja meg az IC – UD diagramot!

95. Miért célszerű áramtükör kapcsolást alkalmazni a kollektor körben? Rajzoljon

áramtükrös diff. erősítő kapcsolást! Hogyan működik?(Sedra: paGe 526)

Előnye hogy többször lehet megközelítőleg a MOSFET gyártási hibáitól eltekintve ugyanakkora
nagyságú referencia áramot csinálni. Ha egyszer létre lesz hozva a referenciaáram például egy
precíziós ellenállással, azt lehet tükrözni. A MOSFET méreteitől függ hogy mennyire lesz pontos a
tükrözés.
 Tápegységek
96. Ismertessen egy soros áteresztőtranzisztoros feszültségstabilizáló kapcsolást!
97. Mi az az „IGO” ? Ismertesse a belső felépítését! Hogyan használható
áramgenerátorként?

IGO

LM7805 belső felépítése áramköri elemekkel. Nem tudom tanár úr mire gondolt belső felépítés alatt!

IGO, normális nevén: Lineáris feszültség stabilizátor

Az ellenállásnak meg kell felelnie a rajta disszipálódó teljesítménynek !!

98. Mit jelent a „Low dropout” kifejezés? Milyen soros áteresztőelemet alkalmaznak
ezéknél és miért?

Lineáris feszültség regulátoroknál mint például LM317,LM7805,LM7905 ahhoz hogy egy stabil
feszültséget biztosítson, legyen az 12v,5v,-5v, ahhoz a bemeneti feszültségnek nagyobb kell lennie a
kívánt kimeneti feszültségtől, az LM7805 esetében minimum 2V-al
99. Ismertesse a „Step up” kapcsolóüzemű fesz. forrás működési elvét!
100. Ismertesse a „Step down” kapcsolóüzemű fesz. forrás működési elvét!