Közös emitterű erősítő

Az erősítő egy olyan áramkör amely a bemenetre kapcsolt kis amplitúdójú

villamos jelet (áramot, feszültséget) jóval nagyobb amplitúdóra erősíti. Az erősítő
erősítéséhez energiára van szükség. Az erősítő ezt az energiát egyenáramú
tápegységből nyeri.

Az RB ellenállás arra szolgál hogy beálítsuk a bázisáramot Az RC-n keresztül

tápláljuk az erősítőt az egyenáramú áramforrásból (EC). A CS1 és CS2 kondenzátorok
arra szolgálnak hogy a tranzisztorról leválaszzuk a az egyenáramot és csk a
váltóáram jusson el hozzá. A kondenzátorok reaktanciája (kapacitív ellenállása) :
1
XC  . Minnél nagyobb a kapacitás, annál kissebb a reaktancia ( C  , X C  0 ),
C
ezért úgy kell választani a kapacitást, hogy az minnél nagyobb legyen.
Az RB ellenállás optimális értékét a következő módon számítjuk:
E  U CE
RB  I B  U CE  EC  I B  C . Mivel UCE  0.7V, így UCE<<EC.
RB
EC
Így az UCE-t elhanyagolhatjuk: I B  .
RB
A tranzisztor katalógusadatai szerint a gyártó megadja az ajánlott értékeket:
IC=5mA, UCE=5V, h21E=100. A tápfeszültséget vagy mi választhatjuk, vagy pedig az
is kötelezményként van megadva. (pl. 12V)
Az erősítő bemenetére egy váltakozóáramú jel vezetünk, ami bemeneti
feszültséget UBE eltolja. Ez a változás U BE lesz. Ennek a hatására bemeneti
áramváltozás történik I B . A tranzisztor jellegéből adódóan a kimeneten is
áramváltozás keletkezik: I C  h21E  I B . Az erősítő kimenetén szereplő RP ellenállás
értéke sokkal kissebb kell hogy legyen mint az RC, mert akkor a felerősödött jel
túlnyomó része az RP-n fog jelentkezni.
1
 A tranzisztor munkafeltételei

A gyártó gyakran megadja grafikon

alakjában hogy hogyan változik az áram-
erősítési tényező (h21E) különböző hőmérsék-
leteken a kollektoráram függvényében.
A tranzisztor kimeneti görbéjét eddig
csak az aktív részéig rajzoltuk. A kollektor
feszültség (UCE) további növelésével a
kolektoráram hirtelen megnől, ezt átütési
résznek nevezzük. Az átütési övezetbe lépünk
át, amikor az UCE-vel átlépünk egy biztonsági
határt, az UCE0-át. Ez az átütés a kollektor-
átmenetben jön létre (mivel az inverzen
polarizált) és lavina típusú.

Az, hogy milyen UCE feszültségen jön létre az átütés, attól függ hogy milyen
kötésben alkalmazzuk a tranzisztort:

Elsőnek akkor történik átütés, ha a bázis nyitva marad (I B=0), ilyenkor az

átütési feszültség UCE0`.
Ha a bázist rövidre kötjük az emitterre, akkor egy kicsitt nagyobb feszültségen
(UCES`) történik az átütés.
Ha ellenállást teszünk a bázis és az mitter közé, akkor az ellenállás
nagyságától függ átütési feszültség, UCER` . Az így kapott UCER` az UCE0` és az
UCER`között mozog az ellenállás függvényében, ha az ellenállás kissebb, akkor az
UCES`-hez lesz közelebb és ofrdítva.
2
 Ha inverzen polarizáljuk az emitter-átmenetet (vagyis negatív feszültséget
kötünk a bázisra) akkor a legmagasabb az átütési feszültség, és a tranzisztor úgy
viselkedik mint egy Zéner dióda.
Például a 2N3055 tranzisztor esetében a megengedett feszültségek:
UCE0=60V < UCER=70V (R=100  ) < UCEV=90V (UBE=-1,5V)
A fentiekből látszik hogy a kollektor-emitter feszültség UCE meghatározó lehet a
tranzisztor működésében. Ezt egy bizonyos maximális érték jelemzi amelyet nem
szabad túllépnünk, mert akkor a tranzisztor tönkremegy. Ezt az értéket a gyártó
cégek UCEM értékkel jelölik a katalógusokban. A gyártó cégek a kollektoráram
maximális értékét is megadják, amit ICM-el jelölnek.
A tranzisztor teljesítményét úgy kapjuk meg, hogy beszorozzuk a
kollektoráramot és a kollektor-emitter feszüétséget: PC  U CE  I C .
Ez a teljesítmény is korlátozva van a gyártó által
és ezt az értéket PCM-el jelölik. Ismervén az UCE-
t, kiszámolhatjuk a megengedett IC áramot:
PCM
IC  .
U CE
Ha pélául a gyártó által meg van adva hogy
a PCM=1W, akkor a grafikonon satírozott részen
belül kell tartani a munkapontot, vagyis az IC és
az UCE szorzata nem lehet nagyobb 1W-nál, de
ezközben az IC nem mehet az ICM fölé és UCE nem
lehet UCEM-nél nagyobb.

A tranzisztor (és diódák) jelölése

Léteznek különböző rendeltetésű

tranzisztorok:
 Alacsonyfrekvenciájú
kisteljesítményű tranzisztorok
 Alacsonyfrekvenciájú
nagyteljesítményű tranzisztorok
 Magasfrekvenciájú tranzisztorok
 Kapcsolóüzemű tranzisztorok

3
A világon három féle jelölési mód van:

Amerikai jelölési mód:

 2N... (tranzisztorok)
 1N... (diódák)
 3N... (mosfet)
Nem praktikus, mert nehéz megkülönböztetni a tranzisztorokat rendektetésük szerint.

Európai jelölési mód:

 BC...
 BD...
 AU...
 BU...
Praktikusabb az amerikainál. Az első betű az alapanyagot jelöli(A:Ge, B:Si), a
második betű pedig a renderltetést:
 C: alacsony frekvenciájú, kisteljesítményű
 D: alacsony frekvenciájú, teljesítménytranzisztor
 SY: kapcsolóüzemű
 U: kapcsolóüzemű vagy teljesítménytranzisztor
 F: magasfrekvenciájú
 FR: ultramagas frekvenciájú
Pl:
BC107: Si alapanyagú, alacsony frekvenciájú, kis teljesítményű tranzisztor
sorozatszáma.
BD273: Si alapanyagú, alacsony frekvenciájú, teljesítménytranzisztor sorozatszáma
AF193: Ge alapanyagú magasfrekvenciájó tranzisztor sorozatszáma

Japán jelölési mód:

 2SC... (NPN Si tranzisztor)
 2SD... (NPN Ge tranzisztor)
 2SB... (PNP Si tranzisztor)
 2SA... (PNP Ge tranzisztor)

4
 A félvezetők hűtése

A félvezetőn áthaladó áram és a rajta levő feszültség hatására a félvezető

melegszik. A melegedést egy teljesítménnyel jellemezhetjük, ami mindig jelen van.
Melegedési teljesítmény: P  U  I
A tranzisztorok esetében legjobban melegszik a kollektorátmenet, mert a rajta
keresztül folyik a kollektroáram és őt terheli az UCE nagy része. Ezt a hőt át kell vinni
a tokozásra, majd a tokozásról a környezetbe. Ezért van a kollektor legközelebb a
tokozáshoz. A hő elvezetése történhet:
 Átvezetéssel
 Sugárzással
 Áramlással

A tranzisztorokat 2 féle képpen lehet hűteni:

 Passzív hűtéssel: alumínium hűtőbordákat szerelünk a tranzisztor tokozására.
 Aktív hűtéssel: ventilátorral hűtjük a hűtőbordákat.

A hő elvezetése soha nem ideális, két összeérintett felület között midnig

jelentezik hőellenállás. Ezt a hőellenállást úgy csökkentjük hogy szilikonzsírt vagy
liszkun szigetelőréteget viszünk a két összeszorított felület közé. Ezek az anyagok jól
vezetik a hőt, és a két felület közötti hőellenállás lecsökken.
A hőellenállás azt fejezi ki hogy az adott felület hőmérséklete hány 0C-al
emelkedik ha a teljesítmény 1W-al megnövekszik. A hűtési folyamatot az alábbi
ábrával magyarázhatjuk:

A „j” pont a tranzisztor PN félvezető lapkáját jelképezi a tokozáson belül, az „a”

pont pedig a környezetet jelképezi.
A teljesítmény a képen egy konstans
áramforrással szimbolizáljuk. A teljesítmény
átmegy a hőmérsékleti ellenállásokon és
hőmérsékleti különbséget képez (hasonló a
feszültség tulajdonságaihoz). A hűtési kör
hasonlóan működik mint egy ármkör.

A „t” és „a” pontok közötti hőmérsékletkülönbség:

t j  ta  P  ( R jc  Rch  Rha )
A tj hőmérséklet a gyártó által van meghatározva, általában 1500C és 2000C között
mozog. Legyen most tj=1500C. A környezet hőmérséklete ta=250C. Ilyen esetben a
hőmréskletnövekedés a környezethez képest: tj- ta=1250C.
R jc : A félvezető és a tokozás közötti hőellenállás, körülbelül: 1,50C/W
Rch : A tokozás és a hűtő közötti hőellenállás, megoldható több módon:

5
 0
C
 Direkt felszerelés (erősítés): Rch  0.5
W
0
C
 Szilikonpaszta használatával: Rch  0.1
W
0
C
 Liszkun alátéttel: Rch  1
W
Rha : A hűtő és a környezet közötti hőellenállás. Minnél nagyobb a hűtő, annál
kissebb a hőellenállás. Általában a függőlegesen áll.
(t j  t a )
Az előző képletből kiszámíthatjuk: Rha   R jc  Rch
P
Pl ha a tranzisztor teljesítménye 20W, és direkt hűtőfelszerelést alkalmaztunk akkor:

(150 0 C  25 0 C ) 0
C 0
C 0
C 0
C 0
C 0
C
Rha   1.5  0.5  6.25  1.5  0.5  4.25
20W W W W W W W