Professional Documents
Culture Documents
+ Anten cassegrain :
➢ Ngoài gương phản xạ chính, anten này có thêm một gương
phản xạ phụ. So với anten đối xứng nó có độ lợi cao hơn và
đặc tính búp sóng phụ cũng được cải thiện chút ít.
➢ Cải tiến quan trọng nhất ở anten Cassegrain là khoảng cách
giữa phễu và máy phát có thể được rút ngắn cho phép khai
thác dễ dàng hơn nhưng yêu cầu đường kính mặt phản xạ phụ
phải đủ nhỏ để tránh che lấp sóng phát xạ.
➢ Loại anten này thường được sử dụng cho các trạm bình
thường, có quy mô trung bình.
Các loại anten phổ biến
+ Anten lệch (Offset-Feed Antenna) :
❖ Anten lệch có bộ phận dẫn sóng, gương phản xạ phụ đặt ở vị
trí lệch so với trục của gương phản xạ chính để chúng không
chặn đường đi của sóng.
❖ Do đó, búp phụ được cải thiện rất lớn so với anten
Cassegrain, dẫn đến độ lợi lớn hơn.
❖ Ngoài anten parabol lệch với gương phản xạ còn có hai loại
anten khác thuộc loại này: loại “Gregorian lệch” có gương
phản xạ phụ dạng elip, và loại Cassegrain lệch có mặt phản
xạ phụ dạng hyperbol.
❖ Các anten này có hiệu quả đặc biệt khi cần giảm can nhiễu từ
các hệ thống vi ba trên mặt đất hoặc các vệ tinh khác ở vị trí
kế cận trên quỹ đạo.
Các sóng mang được khuếch đại
bằng một bộ khuếch đại (HPA) chung.
Bộ phối
ghép Bộ nâng Bộ Kđại Bộ điều Kênh 2
tần trung tần chế
HPA
Hình 5.2 Các sóng mang được khuếch đại bằng một bộ HPA chung
Mỗi sóng mang được KĐ
bằng một bộ khuếch đại (HPA) riêng.
Kênh 1
HPA Bộ nâng Bộ Kđại Bộ điều
tần trung tần chế
Bộ
phối Bộ Kđại Kênh 2
ghép HPA Bộ nâng trung tần Bộ điều
tần chế
Kênh n
Bộ điều
HPA Bộ nâng Bộ Kđại
chế
tần trung tần
Hình 5.3 Mỗi sóng mang được khuếch đại bằng một bộ HPA riêng
So sánh các bộ khuếch đại
công suất mức cao (HPA)
Tham số Loại Klystron Loại TWT Loại FET
Công suất ra Lớn Lớn Nhỏ
Kích thước Lớn Trung bình Nhỏ
Băng tần Vài chục MHz Vài trăm Vài trăm MHz
MHz
Trọng lượng Lớn Trung bình Nhỏ
Phương pháp Bằng không khí khi công Giống Bằng không khí
làm lạnh suất đến vài Kw. Bằng nước Klystron tự nhiên
khi công suất khoảng 10Kw.
Điện áp cung Trung bình Cao Thấp
cấp
Đèn sóng chạy (TWT)
Nguyên lý hoạt động
➢ Tín hiệu vô tuyến cần khuếch đại được đưa vào dây xoắn
tại đầu gần catốt nhất và tạo ra tín hiệu sóng chạy dọc dây
xoắn.
➢ Trường điện của sóng sẽ có thành phần dọc dây xoắn.
➢ Trong một số vùng trường này sẽ giảm tốc các điện tử
trong chùm tia và trong một số vùng khác nó sẽ tăng tốc
các điện tử trong chùm tia.
➢ Vì thế điện tử sẽ co cụm dọc theo tia.
Nguyên lý hoạt động
➢ Tốc độ trung bình của chùm tia được xác định bởi điện áp
một chiều trên bộ góp và có giá trị hơi lớn hơn tốc độ pha
của sóng dọc dây xoắn.
➢ Trong điều kiện này, sẽ xảy ra sự chuyển đổi năng lượng:
động năng trong chùm tia được biến thành năng lượng của
sóng.
➢ Thực tế, sóng sẽ truyền dọc theo dây xoắn gần với tốc độ
ánh sáng, nhưng thành phần dọc trục của nó sẽ tương tác
với chùm tia điện tử.
➢ Thành phần này thấp hơn tốc độ ánh sáng một lượng nên
dây xoắn được gọi là cấu trúc tạo sóng chậm.
Đèn Klystron
Đèn Klystron
➢ Khi đèn hoạt động, sợi nung đốt nóng catốt làm chùm
điện tử phát xạ nhiệt.
➢ Sau đó chùm điện tử được anốt gia tốc và được hút về
phía điện áp cao của bộ góp.
➢ Trong khi di chuyển chùm điện tử đi ngang qua hốc
cộng hưởng thứ nhất.
➢ Tại đây tín hiệu vi ba đưa vào sẽ điều chế chùm điện tử
làm mật độ điện tử thay đổi theo tín hiệu vi ba và được di
chuyển về phía bộ góp.
Đèn Klystron
Từ bộ tiếp
Sóng anten Tải kết hợp Đến bộ hạ tần
LNA2
Bộ khuếch đại nhiễu thấp LNA
Hệ số nhiễu
Hệ số nhiễu của thiết bị
có N bộ khuếch đại mắc nối tiếp
Các loại khuếch đại nhiễu thấp (LNA)
❖ Bộ khuếch đại tín hiệu điện, trong đó, công suất của tín
hiệu được gia tăng nhờ năng lượng của nguồn ngoài làm
thay đổi các thông số điện kháng của hệ thống (điện dung
hoặc điện cảm) theo chu kì.
• Ví dụ như khi ta đặt một tín hiệu điện áp kích thích lên
trên một Diode biến dung, các thông số mạch điện của
nó sẽ biến đổi cụ thể là I sẽ giảm, điều này tạo nên điện
trở âm. Nhờ đó, nó khuếch đại mạnh tín hiệu vào, ngoài
ra do điện trở nội lúc này giảm mắc nối tiếp với điện
dung nên có đặc tính tạp âm thấp.
Các loại khuếch đại nhiễu thấp (LNA)
2. GaAs-FET
❖ GaAs-FET là transistor hiệu ứng trường dùng loại bán
dẫn hỗn hợp giữa Gali và Arsenic, hoạt động ở tần số cao
có các đặc tính băng tần rộng, độ khuếch đại và độ tin cậy
cao.
❖ Do đó chúng được sử dụng rộng rãi cho các bộ khuếch
đại nhiễu thấp.
Các loại khuếch đại nhiễu thấp (LNA)
2. GaAs-FET
➢ AlGaAs được pha tạp loại n còn GaAs thì không pha tạp, vì
thế các điện tử trong AlGaAs hình thành lớp điện tử tích lũy
gần bề mặt tiếp giáp.
➢ Do đó, khi đặt một điện trường song song với lớp tích lũy
điện tử này thì các điện tử di chuyển với độ linh động rất cao
vì chúng không chịu bất kì một sự tán xạ nào
Bộ chuyển đổi nâng tần và hạ tần
1. Bộ chuyển đổi nâng tần
Bộ chuyển đổi nâng tần và hạ tần
2. Bộ chuyển đổi hạ tần
HỆ THỐNG BÁM ĐUỔI VỆ TINH
➢ Các vệ tinh địa tĩnh trong thực tế không đứng yên. Các vệ
tinh luôn bị lôi kéo theo các hướng khác nhau gây ra sự trôi
dạt vệ tinh trên quỹ đạo của nó.
➢ Do đó, các trạm mặt đất cần có hệ thống điều khiển bám
đuổi vệ tinh sao cho tín hiệu thu được luôn đạt được giá trị
tốt nhất..
➢ Định hướng cho anten: Hai thông số quan trọng để xác định
đúng toạ độ vệ tinh là góc ngẩng, góc phương vị
Góc ngẩng (Elevation e)
➢ Góc ngẩng là góc tạo bởi đường thẳng nối vệ tinh với điểm
thu và tiếp tuyến với mặt đất tại điểm thu đó.
Góc ngẩng tại xích đạo là góc lớn nhất và bằng 900, càng lùi
về hai cực góc ngẩng càng nhỏ.
Góc phương vị
Góc phương vị Az là góc dẫn đường cho anten quay tìm vệ tinh
trên quỹ đạo địa tĩnh theo hướng từ Đông sang Tây.
➢ Hệ thống này dựa trên số liệu lịch thiên học dự đoán các vị
trí vệ tinh được Intelsat cung cấp. Số liệu này được đưa vào
phần mềm máy tính biến đổi dữ liệu thành các giá trị thực cho
trạm vệ tinh mặt đất đó để điều khiển bám vệ tinh đã cho
trước các số liệu thiên văn.
➢ Loại điều khiển bám theo chương trình không cần hệ thống
điều khiển bám đuổi và các thiết bị liên quan, giảm được giá
thành trạm mặt đất, được ứng dụng phổ biến cho các trạm mặt
đất nhỏ.
Các phương pháp bám đuổi vệ tinh