End Elk

Bölüm-1
Giriş
Endüstriyel Elektronik
M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 1
I - GĐRĐŞ
• TANIM: • Güç Elektroniği, gün

geçtikçe daha da
• Güç elektroniği, herhangi genişleyen elektronik
sektörünün en önemli
bir kaynaktan alınan
dallarından birisidir.
elektrik enerjisinin, • Önceleri endüstriyel
elektronik yöntemlerle alanlardaki elektronik
çözümlerde kullanılan
kontrol edilerek güç elektroniği devre ve
(dönüştürülerek veya düzenekleri, günümüzde
endüstrinin dışına taşarak
işlenerek) kontrollü olarak evlere, ofislere ve
yüke aktarılması işlemidir. araçlara girmiştir.
1
I - GĐRĐŞ
TEMEL YAPI: • TARĐHÇE:
• Bir güç elektroniği düzeneğinin • Güç elektroniği serüveni,
temel yapısı blok olarak Şekil- 1900’lü yılların başlarında
1.1’de görülmektedir. endüstriyel makinelerde çok
• Şekilden görüldüğü gibi bir güç yoğun olarak kullanılmakta
düzeneği, güç devresi ve olan doğru akım motorlarının
kontrol devresi olmak üzere iki hız kontrolü ile başlamıştır.
bölümden oluşmaktadır.
• 1950’li yıllara kadar güç
elektroniğinin endüstriyel
Elektrik
Enerjisi
Güç
Devresi
Yük
(Tüketici)
uygulamaları ile ilgili pek çok
Kaynağı teorik çalışma yapılmış, fakat
elektron tüplerinden başka
kullanılabilecek malzeme
Kontrol geliştirilemediği için
Devresi
uygulamaya sokulamamıştır.
2
I - GĐRĐŞ
• 1950’lerin başında yarıiletken • Tristör kullanılarak hem daha
malzemelerin geliştirilmesi ve basit, hem daha küçük, hem
bu malzemeler kullanılarak de daha ucuza yapılabilir hale
diyot, transistor gibi devre gelen güç elektroniği
elemanlarının yapılmaya devrelerinin uygulama alanları
başlanması güç elektroniği da hızla yaygınlaşmaya
uygulamalarının önünün başlamıştır.
açılma işaretini vermiştir. • Aynı zamanda, yine o zamana
• Nihayet 1960’ların başında kadar düşünülüp de
Tristör’ün bulunması güç yapılamayan pek çok
elektroniği açısından çok uygulama Tristör sayesinde
önemli bir devrim olmuştur. yapılabilir hale gelmiştir.
• Tristör’ün bulunmasıyla o • 1960’lı ve 1970’li yıllar
zamana kadar elektron tüpleri tristör’ün altın yılları olmuş ve
ile yapılan uygulamalar artık güç elektroniği uygulamaları
tristörle yapılmaya başlamıştır. her alana yayılmıştır.
3
I - GĐRĐŞ
• 1980’lerin başlarından itibaren • Güç transistör’leri, güç
ise sayısal elektronik mosfet’leri ve bu elemanların
alanındaki gelişmeler ve daha ileri versiyonlarının
mikroişlemcilerin geliştirilmeye geliştirilmesiyle birlikte, daha
başlaması ile güç önceki yıllarda tristörler
elektroniğinde yeni ufuklar kullanılarak hem daha zor hem
açılmaya başlamıştır. de daha pahalı olarak
• Bu gelişmelere uygun olarak yapılmaya çalışılan birtakım
tristör’e alternatif yeni güç güç elektroniği devreleri ve
elektroniği elemanları endüstriyel uygulamalar, bu
geliştirilme çalışmaları yeni elemanların kullanılmaya
başlamış ve bu çalışmalar başlamasıyla, hem daha basit,
sonucunda o zamana kadar hem daha küçük, hem daha
düşük güçlüleri kullanılmakta fonksiyonel hem de çok daha
olan “Güç Transistör’leri ve ucuza yapılabilir ve
Güç Mosfet’leri” geliştirilmiştir. kullanılabilir hale gelmiştir.
4
I - GĐRĐŞ
• GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ
DEVRELERĐNĐN KULLANIM • Bina, Ofis ve Evlerde;
ALANLARI: 1- Bina otomasyon
sistemlerinde,
• Endüstride; 2- Isıtma, soğutma,
1- Enerji iletimi ve dağıtımında, havalandırma ve güvenlik
2- Her tür motor kontrolunda, sistemlerinde,
3- Makine otomasyonunda, 3- Tüm ofis araçlarında,
4- Her tür ısıtma soğutma 4- Eğlence, spor ve oyun
işlemlerinde, araçlarında,
5- Her tür üretim ve montaj 5- Tıbbi cihazlarda,
sanayinde, 6- Çamaşır makinesi, bulaşık
6- Her tür güç kaynağı ve güç makinesi, buzdolabı, klima,
kontrol sistemlrinde. elektrik süpürgesi vb. ev
cihazlarında.
5
I - GĐRĐŞ
• Ulaşım Araçlarında; • Tarım ve Hayvancılıkta;
1- Uçak ve diğer hava 1- Sera otomasyonu ve
araçlarındaki tüm güç kontrolünde,
sistemlerinde, 2- Açık hava sulama ve ürün
2- Demiryolu ve metro kontrol sistemlerinde,
araçlarında ve yer 3- Tarım makinelerinin
sistemlerinde, otomasyonunda,
3- Otobüs, kamyon ve çekici 4- Kümes, ahır vb. hayvan
gibi ağır vasıtaların tüm yetiştirme tesislerinin bakım ve
elektronik sistemlerinde, otomasyonunda,
4- Otomobillerdeki tüm 5- Tarla ve arazilerin ekim,
elektriksel güç ve kontrol dikim ve gübreleme
sistemlerinde, kontrollarında.
5- Forklift, seyyar vinç, beton 6- Tohumculuk, fide yetiştirme
makinesi vb. araçlarda. vb. çalışmalarda.
6
I - GĐRĐŞ
• TEMEL GÜÇ DEVRELERĐ: • Şekil-1.2’den görüldüğü gibi
• Güç elektroniği kapsamında temel güç devreleri,
yapılan tüm işler ve uygulamalar 1) AC-DC dönüştürücüler,
4 temel devre yapısı üzerine 2) AC-AC dönüştürücüler,
kurulmuştur. 3) DC-DC dönüştürücüler,
• Bu devre yapıları, alternatif akım 4) DC-AC dönüştürücülerdir.
veya doğru akım türündeki
elektrik enerjisinin bir birlerine AC / DC
veya kendi içlerinde farklı AC
~/= DC
şekillere ve seviyelere Doğrultucular

döndürülmesi işlemini
AC / AC DC / DC
gerçekleştirmektedir. AC DC
~ / ~ Kıyıcılar Kıyıcılar = / =
• Bu durumda, güç elektroniğinin
temel devre yapıları yan tarafta Đnvertörler
DC / AC
Şekil-1.2’de olduğu gibi
gösterilebilmektedir.
AC
~ / = DC
7
I - GĐRĐŞ
• AC-DC Dönüştürücüler
(Doğrultucular);
• Güç elektroniğinin temel
devrelerinden birincisi olan
doğrultucular, bir fazlı veya üç
fazlı AC kaynağı kullanarak,
sabit veya değişken DC gerilim
elde etmek için
kullanılmaktadır. Şekil 1.3 - 1 fazlı yarım dalga
kontrollü doğrultucu devresi
• AC-DC dönüştürücüler ve dalga şekilleri.
(doğrultucular);
1- Kontrolsuz doğrultucular,
2- Kontrollu doğrultucular, Giriş
(Kaynak)
olarak 2 ana gruba ayrılır.
Şekil 1.3’de basit bir kontrollü
doğrultucu devresi ve dalga
Çıkış
şekilleri görülmektedir. (Yük)
8
I - GĐRĐŞ
• AC-AC Dönüştürücüler
(AC kıyıcılar);
devrelerinden ikincisi olan AC
kıyıcılar, bir fazlı veya üç fazlı
AC kaynağı kullanarak, sabit
veya değişken frekanslı ve
genlikli AC gerilim elde etmek Şekil 1.4
Şekil 1.4 -- 11 fazlı
fazlı faz
faz kontrollu
kontrollu
AC kıyıcı devresi ve dalga
için kullanılmaktadır.
şekilleri.
• AC-AC dönüştürücüler;
1- AC voltaj kontrolcular,
2- Direkt frekans çeviriciler, Giriş
(Kaynak)
Şekil 1.4’de basit bir AC kıyıcı
devresi ve dalga şekilleri Çıkış
görülmektedir. (Yük)
9
I - GĐRĐŞ
• DC-DC Dönüştürücüler
devrelerinden üçüncüsü olan
DC-DC dönüştürücüler,
herhangi bir DC kaynaktan
aldığı gerilimi yükselterek ,
düşürerek veya çoğullayarak,
sabit veya değişken DC Şekil 1.5 – A sınıfı PWM
gerilim(ler) elde etmek için kontrollü DC kıyıcı devresi ve
kullanılmaktadır. dalga şekilleri.
• DC-DC dönüştürücüler;
1- DC kıyıcılar, Giriş
(Kaynak)
2- Anahtarlamalı regülatörler,
Şekil 1.5’de basit bir DC kıyıcı Çıkış
(Yük)
devresi görülmektedir.
10
I - GĐRĐŞ
• DC-AC Dönüştürücüler
(Đnvertörler);
devrelerinden sonuncusu olan
Đnvertörler, herhangi bir DC
kaynaktan aldığı gerilimi
işleyerek, sabit veya değişken
genlik ve frekanslı AC gerilim
elde etmek için kullanılan güç
elektroniği devreleridir.
• Đnvertörler;
1- PWM invertörler, Giriş
(Kaynak)
2- Rezonanslı invertörler,
0V
Şekil 1.6’da basit bir PWM Çıkış
(Yük)
invertör devresi görülmektedir.
11
I - GĐRĐŞ
• Temel Güç Elemanları; • Bu durumda anahtar yapısı
• Güç devrelerinin, istenilen güç güç elektroniği için çok
dönüşümlerini uygun olarak önemlidir ve burada ayrıntısı
gerçekleştirebilmeleri, bu ile incelenecektir.
devrelerde kullanılan uygun
güç elemanlarıyla mümkün • Anahtar Türleri;
olabilmektedir. • Elektrik-Elektronik güç
• Güç devrelerinde kullanılan düzeneklerinde kullanılan 3 tür
güç elemanları, hangi tür anahtar bulunmaktadır. Bunlar,
dönüşümde olursa olsun, 1- Mekanik anahtarlar,
daima kaynak ile yük
arasındaki bağlantıyı kesip 2- Elektromekanik anahtarlar,
bırakmakla görevlendirilmiştir. 3- Yarıiletken anahtarlardır.
Dolayısıyla bu elemanlar birer • Bu anahtar türlerini
“ANAHTAR” olarak çalışmakta incelemeden önce “ideal
ya da çalıştırılmaktadır. anahtar” yapısı incelenmelidir.
12
I - GĐRĐŞ
• Đdeal Anahtar Özellikleri; • Şekil-1.7, ideal anahtar.
Đdeal anahtar, çalışması
IA
sırasında üzerinde herhangi bir VA
kayıp oluşturmayan anahtardır. Giriş
Đdeal Anahtar
Çıkış
(Kaynak) (Yük)
Đdeal anahtar sadece 2
durumda bulunabilir. Bunlar,
1- Yalıtım durumu (kapalı-off), Giriş
(Kaynak)
2- Đletim durumu (açık-on).
Anahtarların çalışması Anahtar
sırasında üzerinde iki tür kayıp akımı (IA)
oluşmaktadır. Bu kayıplar, off on off on
1- Anahtarlama (açma- Anahtar

kapama) kayıpları, gerilimi
(VA)
2- Đletim kayıplarıdır. PA= VA x IA
Harcanan
Bu anahtarda kayıplar sıfırdır. güç (PA)
13
I - GĐRĐŞ
• Bu durumda ideal anahtarla • Yandaki Tablo-1.1’den
ilgili önemli parametreler görülebileceği gibi anahtarlar
Tablo-1.1’deki gibi gösterilebilir. için öncelikli 6 parametre
• Tabii ki böyle bir anahtar kullanılmaktadır. Bunlar,
gerçekte yoktur. 1) Çalışma gerilimi (VA),
2) Çalışma akımı (IA),
Kn. V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn.
3) Đletim direnci (Ron),
off
Ç 4) Çalışma frekansı (fA),
∞ 0 ∞ Đ
F 5) Anahtarlama zamanı (tA),
V A Ω ∞ 0
T
6) Anahtar yönüdür.
• Đdeal bir anahtarda “iletim iç
0 ∞ 0
Hz s Y direncinin” ve “geçiş
Ö
N zamanının” sıfır olması
V A Ω
nedeniyle iletim ve
on
anahtarlama kayıpları sıfırdır.
14
I - GĐRĐŞ
• Mekanik Anahtarlar;
• Mekanik anahtarlar, elektrik
devrelerini kesmek için
kullanılan, adi anahtar, pako
Şekil-1.8
şalter vb. anahtarlardır.
• Mekanik anahtarlar da, iletimi
sırasında üzerinde herhangi bir
Giriş
kayıp oluşturmayan anahtardır. (Kaynak)
• Mekanik anahtarlar da sadece

Anahtar
2 durumda bulunabilir. akımı (IA)
1- Yalıtım durumu (kapalı-off), off on off on
2- Đletim durumu (açık-on).

Anahtar
• Mekanik anahtarlar, devrelerde gerilimi Pa
(VA)
genellikle açma-kapama PA= VA x IA
elemanı olarak Harcanan ton toff
güç (PA)
kullanılmaktadır.
15
I - GĐRĐŞ
• Tablo-1.2’den görüldüğü gibi,
• Mekanik anahtarla ilgili
mekanik anahtarda “iletim iç
öncelikli parametreler Tablo-
direncinin” sıfır olması
1.2’de örnek değerler
nedeniyle iletim kayıpları da
kullanılarak gösterilmiştir.
sıfır olacaktır.
Kn. V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn. • Yine Tablo-1.2’den görüldüğü
off
gibi, mekanik anahtarlarda
Ç “frekans” ve “geçiş zamanı”
500 0 ∞ Đ parametreleri hızlı anahtarlama
V A Ω 0 1 F
T
için uygun değildir.
• Piyasada anahtar, pako şalter,
Hz s Y şalter, kesici vb. isimler verilen
0 25 0 Ö mekanik anahtarlar çeşitli
V A Ω N
gerilimlerde, birkaç amperden
on birkaç yüz ampere kadar
bulunabilmektedir.
16
I - GĐRĐŞ
• Elektromekanik Anahtarlar;
• Elektromekanik anahtarlar,
elektrik devrelerini kesmek-
değiştirmek için kullanılan,
röle, kontaktör, kesici vb.
anahtarlardır.
• Elektromekanik anahtarlar da
sadece 2 durumda bulunabilir. Giriş
(Kaynak)
1- Yalıtım durumu (kapalı-off),
2- Đletim durumu (açık-on). Anahtar
akımı (IA)
• Elektromekanik anahtarlar,
off on off on
devrelerde genellikle güç
anahtarlama ve otomatik güç Anahtar
kontrol elemanı olarak gerilimi Pa
(VA)
kullanılmaktadır (Şekil-1.9). Pa= Va x Ia
Harcanan ton toff
güç (PA)
17
I - GĐRĐŞ
• Elektromekanik anahtarda
• Elektromekanik anahtarla ilgili
kontakların temiz olması
durumunda “iletim iç direnci”
sıfır olması nedeniyle iletim
kayıpları da sıfır olacaktır.
Kn. V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn. • Elektromekanik anahtarlarda
off
da “frekans” ve “geçiş zamanı”
Ç parametreleri oldukça kötüdür.
380 0 ∞ Đ Bu nedenle hızlı anahtarlama
V A Ω 0 1 F
T
yapamazlar.
• Elektromekanik anahtarda da
Hz s Y hızlı anahtarlama yapılacak
0 63 0 Ö olursa, “geçiş zamanının” çok
V A Ω N
uzun olması nedeniyle ise
on anahtarlama kayıpları çok
yüksek olacaktır.
18
I - GĐRĐŞ
• Yarıiletken (Statik) Anahtarlar;
• Yarıiletken anahtarlar, elektrik-
elektronik devrelerde yüksek
hızlı anahtarlama işleri için
kullanılan, Tristör, Transistör, Şekil-1.10
Mosfet vb. elemanlardır.
• Yarıiletken anahtarların pek
çoğu 3 durumda bulunabilir. Giriş
(Kaynak)
1- Tam yalıtım durumu,
2- Tam iletim durumu. Anahtar
akımı (Ia)
3- Ara (yükseltme) durumu.
• Bu anahtarlar, istenirse on-off off on off on
anahtar olarak, istenirse de Anahtar

gerilimi Pa
yükseltme elemanı olarak (Va)
Pi
kullanılabilmektedirler.
Harcanan ton toff
güç (Pa)
19
I - GĐRĐŞ
• Tablo-1.4’den görüldüğü gibi,
• Yarıiletken anahtarla ilgili
yarıiletken anahtarlarda
“frekans” ve “geçiş zamanı”
parametreleri çok çok iyidir. Bu
nedenle çok hızlı anahtarlama
Kn. V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn.
yapılabilmektedir.
off
• Fakat yarıiletken anahtarda
T “iletim iç direncinin” sıfır
600 0 ∞ E olmaması nedeniyle iletim
V A Ω 20 10 K
kayıpları diğerlerinde olduğu
gibi sıfır olamayacaktır.
kHz µs Y • Yine bu anahtarda “geçiş
2,1 120 0,02
Ö zamanının” çok kısa olması
V A Ω N
nedeniyle hızlı anahtarlama
on yapılsa bile anahtarlama
kayıpları az olacaktır.
20
I - GĐRĐŞ
• Güç Elektroniği Devrelerinde • Bu durumda, güç dönüşümü
Kullanılan Anahtar Türü için frekansları düşük olan
Hangisidir? mekanik veya elektromekanik
• Güç elektroniği devrelerinde anahtarları kullanma imkanı
daha önceden açıklanan güç kesinlikle yoktur.
dönüşümü işlemlerinin • Güç elektroniği devrelerinde
yapılabilmesinde kullanılacak güç dönüşümü için, iletim
anahtarların, basit bir dönüşüm kayıpları yüksek olmasına
işlemi için bile çok sayıda rağmen, çalışma frekansları
açma-kapama yapması yüksek ve geçiş zamanları çok
gerekmektedir. küçük olan yarıiletken (statik)
• Örneğin; basit bir şebeke anahtarlar kullanılmaktadır.
doğrultucu devresinde, • Mekanik ve elektromekanik
diyotlar 1 saniye içinde 50 kez anahtarlar ise güç devrelerin
açma-kapanma yapmak giriş ve çıkışlarında enerji
zorundadırlar. verme ve kesmede kullanılır.
21
I - GĐRĐŞ
• Yarıiletken Güç Anahtarlarının • Yarıiletken anahtarın korunması
Kullanımı Sırasında Dikkat için alınacak önlemler;
Edilmesi Gereken Konular; 1 – Güç anahtarının ısıl
• Mekanik ve elektromekanik güvenliğinin sağlanması.
anahtarların kullanımı sırasında 2 – Güç anahtarının ani değişen
anahtarın uygun yere gerilime karşı korunması.
yerleştirilmesi ve bağlantılarının 3 – Güç anahtarının ani değişen
doğru yapılması dışında dikkat akıma karşı korunmasıdır.
edilmesi gereken bir şey yoktur.
• Yarıiletken güç anahtarlarında
• Yukarıda belirtilen önlemler
ise bu iki konu dışında anahtarın
alınmadığı takdirde güç anahtarı
güvenli olarak çalışabilmesi
işini istendiği gibi yapamayacak
(korunması) için bir takım
ve bozulacaktır.
işlemler yapılması (önlemler
alınması) gerekmektedir.
22
I - GĐRĐŞ
• Yarıiletken Güç Anahtarının Isıl • Yarıiletken güç anahtarlarında
Güvenliğinin Sağlanması; sıcaklık arttıkça performans
• Yarıiletken güç anahtarları, düşmekte ve belli bir seviyeden
küçük de olsa bir iletim direncine sonra da eleman yanmaktadır.
sahip oldukları için, iletimde • Bu olumsuz durumun önüne
kaldıkları sürece üzerlerinde bir geçebilmek için eleman
güç harcaması olmaktadır (I²xR). üzerinde oluşan ısı enerjisinin
• Ayrıca yarıiletken güç alınarak dağıtılması
anahtarları devrelerde çok gerekmektedir.
sayıda aç-kapa yapılarak • Bu iş için uygun boyutta
çalıştırıldığı için anahtarlama “Heatsink-Isı emici” yada yaygın
sırasında da üzerlerinde güç söylenişle “Soğutucu” kullanmak
harcaması olmaktadır. gerekmektedir.
• Harcanan bu güçler elemanın • Soğutucu olarak, özel olarak
ısınmasına yol açmaktadır. üretilmiş yapraklı alüminyum
levhalar kullanılmaktadır.
23
I - GĐRĐŞ
• Yarıiletken Güç Anahtarının Ani • Yarıiletken güç anahtarlarının,
Değişen Gerilimden Korunması ani voltaj değişikliklerinde
• Yarıiletken güç anahtarları, p ve istenmediği halde iletime
n katmanlardan oluşmaktadır. geçerek hem kendisinin hem de
Bu katmanlar arasındaki akım devredeki diğer elemanların
taşıma işlemi de elektron ve zarar görmesini engellemek için
boşlukların yer değiştirmesi ile Şekil-1.11’de görüldüğü gibi bir
olmaktadır. “Snubber-Gerilim yumuşatma
• Güç anahtarlarında akımın devresi” kullanılmaktadır.
başlaması, • Bu sayede ani gelen gerilimin
– Elemanın uyarılması, değişim hızı istenen seviyeye
– Aşırı derecede ısınması, düşürülür.
– Yüksek voltaj verilmesi,
Snubberdevresi
– Ani voltaj değişikliği olması,
+ V(ak)
durumlarında gerçekleşir. V(ak)
-
V(ak)
24
I - GĐRĐŞ
• Yarıiletken Güç Anahtarının Ani • Yarıiletken güç anahtarlarının,
Değişen Akımdan Korunması ani akım değişikliklerinde
• Yarıiletken güç anahtarları, istenmediği halde bozularak
kristalize yapıya sahip olan hem kendisinin hem de
silisyum malzemesi devredeki diğer elemanların
kullanılarak yapılmışlardır. zarar görmesini engellemek
• Bu malzemenin üretim için Şekil-1.12’de görüldüğü
sırasında belirlenen bir ani gibi bir “akım yumuşatma
akım taşıma hızı devresi” kullanılmaktadır.
bulunmaktadır. • Bu sayede akımın değişim hızı
• Üreticinin belirlemiş olduğu bu istenen seviyeye düşürülür.
hız kullanıcı tarafından aşıldığı
Akım yumuatıcı
I(a)
taktirde malzemenin kristal
yapısı dağılır ve eleman yanar.
I(a) I(a)
25
ÖDEV-1
1.1 - Güç elektroniği devrelerinin enerji girişlerini kesmek ve

bırakmakta kullanılan, Mekanik Anahtarların genel yapıları, türleri,
üreticileri, satış fiyatları vb. konularda internet üzerinde araştırma
yaparak bir rapor hazırlayınız.
1.2 - Güç elektroniği devrelerinin enerji girişlerini kesmek ve

bırakmakta kullanılan, Elektromekanik Anahtarların genel yapıları,
türleri, üreticileri, satış fiyatları vb. konularda internet üzerinde
araştırma yaparak bir rapor hazırlayınız.
26
Bölüm-2
Yarı Đletken Güç

Anahtarları
27
II - YARIĐLETKEN GÜÇ ANAHTARLARI
• Giriş; • Bu bölümde yarıiletken güç
• Güç elektroniğinin temel taşları anahtarlarının;
ve ağır işçileri olan Yarıiletken 1) Temel yapıları ve çalışması,
Güç Anahtarları, özel bazı 2) Temel test devreleri,
elemanlar ile temel elektronikte 3) Temel karakterisitik eğrileri,
kullanılan klasik elemanlardan
bazılarının daha yüksek akım 4) Temel uyarma yöntemleri,
ve gerilimlerde çalışabilir hale 5) Çalışma dalga şekilleri,
getirilmesi veya ihtiyaca göre 6) Seri ve paralel bağlanmaları
yeni bazı tasarımların 7) Koruma yöntemleri,
yapılmasıyla ortaya 8) Güçleri ve kılıf yapıları,
çıkmışlardır.
10) Temel kullanım alanları,
• Yarıiletken güç anahtarlarının
temel malzemesi diğer vb. konular ayrıntısıyla
yarıiletken malzemelerde de incelenecek ve bu elemanlara
olduğu gibi yine Silisyum’dur. hükmedilmesi öğretilecektir.
28
• Yarıiletken Güç Anahtarlarının 3- Güç Transistörleri:
Türleri; a) Çift polariteli transistörler (BJT),
Yarıiletken güç anahtarları 3 b) MOS transistörler (MOSFET),
temel grup altında c) Yalıtılmış kapılı transist. (IGBT).
toplanmaktadır. Bunlar,
• Yarıiletken güç anahtarları
1- Güç Diyotları: piyasaya 3 farklı kılıf şeklinde
a) Genel amaçlı diyotlar, sunulmuşlardır. Bunlar,
b) Hızlı toparlanan diyotlar, a) Tek elemanlar.
c) Schottky diyotlar. b) Güç modülleri.
2- Güç Tristörleri: c) Akıllı modüller.
a) Genel amaçlı tristörler (SCR),
b) Çift yönlü tristörler (TRIAC), • Kurulacak devreye ve
c) Kapısından tıkanabilen çalışılacak olan güce göre
tristörler (GTO). uygun kılıflı malzeme seçilir.
29
• GÜÇ DĐYOTLARI: • 1) Genel Amaçlı Diyotlar;
• Güç diyotları, kontrolsuz güç • Şekil-2.1’de yapısı görülen
anahtarlarıdır. Bu diyotlar; genel amaçlı güç diyotlarının
1) Genel amaçlı (şebeke) genel yapısı ve çalışması temel
diyotlar, elektronikte kullanılan diyotlarla
2) Hızlı toparlanan (hızlı) aynıdır. Bu diyotlarda da normal
diyotlar, diyotlarda olduğu gibi, anod
terminali, katoda göre 0,7V
3) Schottky (çok hızlı) diyotlar, daha pozitif olduğunda iletime
olmak üzere 3 ayrı türde geçer.
bulunmaktadır, bu türlerin Anod (A)
kendilerine ait özellikleri ve
buna bağlı olarak da kullanım P
alanları bulunmaktadır. Şimdi
N
bu türleri ayrıntısıyla
inceleyelim. Katod (K)
30
• Bilindiği gibi diyodun yalıtıma Genel amaçlı diyotlar düşük
geçebilmesi içinse anod-katod frekansta çalışmaları nedeniyle
arasındaki potansiyel farkının çok yüksek akım-gerilimlerde
0,7V altına inmesi veya kullanılabilirler (5kV-5kA gibi).
negatife düşmesi yeterlidir. Genel amaçlı diyotların en
• Diyot iletimde olduğunda tam önemli özelliklerinden birisi de,
iletim, yalıtımda olduğunda ise geçiş zamanının uzun
tam yalıtım durumunda olmasına rağmen, iletim iç
bulunur, geçiş anı dışında direncinin çok düşük olması
herhangi ara durumu yoktur. nedeniyle iletim kayıplarının
• Genel amaçlı diyotların en çok düşük olmasıdır.
önemli özelliği düşük Bu özellikleri ile genel amaçlı
frekanslarda çalışmak için imal diyotlar şebeke geriliminde
edilmiş olmalarıdır (ideal kontrolsuz anahtar olarak
frekans 50-60Hz, max. çalışabilen çok kullanışlı
frekans: 1kHz). yarıiletken elemanlardır.
31
II – YARIĐLETKEN GÜÇ ANAHTARLARI
• Diyodun Temel Test Devresi ve Aşağıdaki Şekil-2.3’de genel
Karakteristik Eğrisi; amaçlı diyodun temel
• Aşağıdaki Şekil-2.2’de diyodun karakteristik eğrilerinden olan
temel karakteristik eğrisinin akım-gerilim (Ia-Vak) eğrisi
çıkarıldığı temel test devresi görülmektedir.
görülmektedir.
• Aşağıdaki bağlantı şekli ile Ia
diyodun doğru yön çalışması, Doğru
Imax. (ileri) yön
devredeki “Vs” bataryası ters A+, K-
çevrilerek de ters yön
-Vmax. Von
çalışması test edilebilmektedir. -Vak Vak
0,7V
Ters
(geri) yön
A-, K+
-Ia
32
• Karakteristik eğriden Bu durumda, genel amaçlı
görüldüğü gibi doğru yönde diyodun; doğru yönlü (A+, K-)
0,7V’dan sonra iletime geçen gerilimde kendiliğinden tam
diyot, Imax. akımına kadar iletime geçen, doğru yönlü
güvenle çalışabilmektedir. Bu gerilimi asla bloke edemeyen,
akım aşıldığında ise diyot ters yönlü (A-, K+) gerilimde
yanar. Diyot üzerinden akacak ise yine kendiliğinden tam
akım değerini RL yük direnci yalıtıma geçen (ters yönlü
belirlemektedir. gerilimi sürekli olarak bloke
• Ters yönde ise Vmax. gerilim eden) bir yarıiletken güç
değerine kadar diyot güvenle anahtarı olduğu görülmektedir.
yalıtımda kalacak (blokaj Diyot bu özellikleriyle AC’de
yapacak), bu değer aşılırsa ise tek yönlü iletim sağladığı için
diyot yanacaktır. Diyot üzerine doğrultucu olarak, DC’de ise
gelecek olan ters gerilim anahtarlama elemanı olarak
değeri, tamamen VS kaynak çalıştırılabilmektedir.
gerilim değerine bağlıdır.
33
• Diyodun Çalışma Dalga Şekil-2.7’de diyot devresinin AC
Şekilleri; kaynakta çalışması sırasındaki
dalga şekilleri görülmektedir.
çalışma durumlarının Vm π 2π 3π 4π
görülmesi için aktif çalışma t
V(s)
sırasındaki akım-gerilim dalga Giriş
Gerilimi
şekilleri incelenmelidir. Vm
• Diyodun doğru ve ters (INV) t
V(RL)
polarmada davranışları Şekil- Çıkış
Gerilimi
2.6’dan gözlenebilir.
V(ak) t
V(ak)
Diyot
Gerilimi
Ia Im
+ V(ak) - t
I(a)
Diyot
Akımı
180º 360º 540º 720º
34
• Şekil-2.7’den görüldüğü gibi 0- Diyotların Seri Bağlanması;
180º aralığında diyot iletimde (on) Özellikle yüksek gerilim altında
olup, çıkış gerilimi giriş gerilimi ile çalıştırılacak olan diyotlarda
aynıdır. Bu sırada diyot üzerindeki diyodun üzerine gelen çok yüksek
gerilim sıfır olacaktır (iletim gerilim ters gerilimleri bloke etmesi
düşümü ihmal ediliyor), diyot gerekir.
üzerinden geçen akım ise yüke
Bu durumda üretici tarafında
bağlı olup, kaynak veya yük akımı
belirtilen diyodun çalışma gerilimi,
ile aynıdır.
uygulamada üzerine gelecek olan
• 180º-360º aralığında ise diyot ters ters gerilimden en az %30 daha
polarmada olduğu için yalıtımdadır fazla olması gerekmektedir ki
(off). Bu durumda çıkış gerilimi sağlıklı bir çalışma sağlanabilsin.
sıfır, diyot üzerindeki gerilim
Uygulama sırasında mevcut
düşümü ise kaynak gerilimi ile
diyotların bu şartı sağlayamaması
aynıdır (diyodun bloke ettiği
durumunda diyotların seri
gerilim). Bu durumda diyot
bağlama yoluna gidilir. Bu sayede
üzerinden geçen akım, dolayısıyla
istenilen çalışma gerilimine
da devre akımı ise sıfırdır.
ulaşılabilir.
35
• Aşağıdaki Şekil-2.8’de Şekil-2.8’den görüldüğü gibi
diyotların seri bağlanarak yüksek gerilimde çalışma
çalışma geriliminin arttırılması gerektiğinde diyotlar seri
bağlanarak bu gerilim değeri elde
görülmektedir. Gerilim;
edilebilmektedir. Burada;
VD= VD1 + VD2 + VD3 olur.
VD ≥ (Vmax.+ %30) olacak şekilde
seri bağlanacak olan diyot sayısı
R1 belirlenebilmektedir.
D1 VD1 Fakat, diyotların seri bağlanması
çok istenen bir uygulama değildir.
Vs R2
Çünkü seri bağlama sayesinde
D2 dayanma gerilimi artar fakat buna
AC VD2 bağlı olarak anahtarın iletim iç
direnci de yükselir. Bu da
R3 kayıpların artması anlamına gelir.
D3
VD3 Ayrıca diyotlar ters gerilimi eşit
Yük paylaşamayacağı için paralel
dirençler kullanılması gerekir.
36
• Diyotların Paralel Bağlanması; Aşağıdaki Şekil-2.9’da diyotların
• Özellikle yüksek akım altında paralel bağlanarak çalışma akımı
çalıştırılacak olan diyotlarda arttırılması görülmektedir.
diyodun üzerinden geçmesi Burada toplam akım;
gereken çok yüksek seviyeli akımı IA= IA1 + IA2 + IA3 olacaktır.
geçirebilmesi gerekir.
• Bu durumda üretici tarafında
belirtilen diyodun çalışma akımı, IA IA1 IA2 IA3
uygulamada üzerinden geçecek
olan akımdan en az %30 daha D1 D2 D3
fazla olması gerekmektedir ki Vs
sağlıklı bir çalışma sağlanabilsin. AC
• Uygulama sırasında mevcut
diyotların bu şartı sağlayamaması
durumunda diyotların paralel
R1 R2 R3
bağlama yoluna gidilir. Bu sayede Yük
istenilen çalışma akımına
ulaşılabilir.
37
• Şekil-2.9’dan görüldüğü gibi Diyotlarda dv/dt Korumasının
yüksek akımda çalışma Sağlanması;
gerektiğinde diyotlar paralel
Yarıiletken malzeme, ani gerilim
bağlanarak bu akım değeri elde
değişiminde istenmeyen
davranışlar gösterebilmektedir.
ID ≥ (Imax.+ %30) olacak şekilde Güç diyotlarında, diyot üzerindeki
paralel bağlanacak olan diyot ters gerilim çok kısa sürede çok
sayısı belirlenebilmektedir. ani olarak değer değiştirecek
• Fakat, diyotların paralel olursa P-N birleşim yüzeyleri boş
bağlanması çok istenen bir bir kondansatör gibi davranarak
uygulama değildir. Çünkü paralel istenmeyen akımların akmasına
bağlama sayesinde dayanma neden olabilmekte bu da
akımı artar fakat, diyotlar iletim elemanda veya devrede hasarlar
dirençlerinin eşit olmaması oluşturabilmektedir.
nedeniyle, üzerlerinden geçecek Bu olayın sınırları üretici
akımı eşit paylaşamayacağı için tarafından belirtilmekte olup
seri dirençler kullanılması gerekir. kullanıcı buna göre uygun önlem
Bu da ayrıca kayıp anlamına gelir. almak zorundadır.
38
• Aşağıdaki Şekil-2.10’da üretici Şekil-2.10’dan görüldüğü gibi, çok
tarafından verilen, diyodun ani olarak ters gerilim altında
örnek dv/dt karakteristik eğrisi kalma riski olan D2 diyodunun
paraleline, onu bu ani ters
ve diyodun bu olaydan
gerilimin bozucu etkisinden
etkilenmesini önlemek için
korumak için bir R-C devresi
alınan önlem görülmektedir. yerleştirilmiştir.
• Burada örnek dv/dt: 500V/µs Bu sayede diyot üzerine gelen ani
gerilim yumuşatılarak karakteristik
500V eğrideki 500V/µs sınırının altına
indirilmekte ve diyotta oluşacak
t(µs) olan ters akım (ters toparlanma)
0 1µs
engellenmiş olmaktadır.
Burada R-C devresi;
SW
D1 T= R.C
Yük
dv/dt
Vs
için
D2 zaman sabitesine göre istenilen
oranda yumuşatma yapmaktadır.
39
• Diyotlarda di/dt Korumasının Aşağıdaki Şekil-2.11’de üretici
Sağlanması; tarafından verilen, diyodun örnek
• Yarıiletken malzeme, ani akım di/dt karakteristik eğrisi ve diyodun
değişiminde istenmeyen davranışlar bu olaydan etkilenmesini önlemek
gösterebilmektedir. için alınan önlem görülmektedir.
• Güç diyotlarında, diyot üzerinden Burada örnek di/dt: 50A/µs
geçen akım çok kısa sürede çok ani
olarak değer değiştirecek olursa
50A
yarıiletken P-N maddesinin kristal
yapısı dağılarak istenmeyen
akımların akmasına neden t(µs)
olabilmekte bu da elemanın kısa 0 1µs
devre olması ve devrede hasarlar
oluşması anlamına gelmektedir. L (di/dt için)
SW
• Bu olayın sınırları üretici tarafından D1
elemanın di/dt eğrisi olarak Yük
Vs R-C D2
belirtilmekte olup kullanıcı buna (dv/dt için)
göre uygun önlem almak
zorundadır.
40
• Şekil-2.11’den görüldüğü gibi, çok dv/dt ve di/dt önlemlerini her
ani olarak yüksek akım altında zaman kullanmak gerekli değildir.
kalma riski olan D1 diyoduna seri Ancak yüksek güçte ani yüksek
olarak, onu bu ani yüksek akımın gerilime veya ani yüksek akıma
bozucu etkisinden korumak için bir maruz kalma riski varsa
“L” endüktansı yerleştirilmiştir. kullanılması gerekmektedir.
• Bu sayede diyot üzerinden Diyotların seri ve paralel
geçmek isteyen ani yüksek akım bağlanmaları sırasında da ani
yumuşatılarak karakteristik gerilim ve akım riski bulunduğu
eğrideki 50A/µs sınırının altına taktirde dv/dt ve di/dt önlemlerinin
indirilmekte ve diyotta oluşacak alınması gerekmektedir.
olan kristal dağılması (yanma) Bu durumda gerekli yumuşatmayı
engellenmiş olmaktadır. sağlamak için, seri bağlama
• Burada L (L-R) devresi; sırasında her bir seri diyoda
T= L/ R paralel olarak R-C devresi, veya
paralel bağlama sırasında her bir
zaman sabitesine göre istenilen paralel diyoda seri olarak “L”
oranda yumuşatma yapmaktadır. elemanı yerleştirilmelidir.
41
Aşağıda genel amaçlı bir diyodun bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
42
• Hızlı Toparlanan Diyot; • Hızlı toparlanan (hızlı) diyotlarda,
• Hızlı toparlanan güç diyotlarının genel çalışma ilkeleri, temel
genel yapısı ve çalışması da karakteristik eğriler, ters
Şekil-2.12’de görüldüğü gibi toparlanma, çalışma dalga
temel elektronikte kullanılan şekilleri, seri ve paralel
diyotlarla tamamen aynıdır. Bu bağlanmaları, ani akım ve gerilim
diyotlarda da normal diyotlarda davranışları ve korunmaları genel
olduğu gibi, anod terminaline, amaçlı diyotlardaki gibidir.
katoda göre 0,7V daha pozitif • Hızlı diyotların geçiş zamanları 3-
gerilim geldiğinde eleman 5µs gibi çok kısa, dolayısıyla da
kendiliğinden iletime geçer. çalışma frekanslarının 150-200kHz
Anod (A) gibi yüksek olmasıdır. 2-3kV,
200-300A gibi değerlere kadar
P bulunabilen bu diyotlar DC-DC ve
N DC-AC dönüştürücülerde ve
yüksek frekanslı uygulamalarda
Katod (K) kullanılmaktadırlar.
43
Aşağıda hızlı toparlanan bir diyodun bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
44
Schottky Diyot, Temel Yapısı • Schottky diyotlarda N-Metal
ve Çalışması; birleşimi kullanılması sayesinde
• Schottky güç diyotlarının genel çok düşük geçiş zamanı
yapısı, temel elektronikte dolayısıyla da çok yüksek çalışma
kullanılan diyotlardan oldukça frekansı elde edilmekle beraber,
farklıdır. Bu diyotlarda Şekil- N-Metal birleşiminin ters
2.13’de görüldüğü gibi normal polarmada sızıntı akım seviyesinin
diyotlarda olduğu gibi P-N oldukça yüksek olması en önemli
birleşimi yerine, daha hızlı dezavantajlarıdır.
olması için N-Metal birleşimi • Bu diyotların daha çok düşük
kullanılmıştır. gerilim yüksek akımlı dönüştürücü
devrelerinde anahtar olarak ve
Anod (A) normal güç devrelerinde koruma
elemanı olarak kullanımları
Metal yaygındır.
N • Çalışma gerilimleri 100V civarında
çalışma akımları ise 250-300A
Katod (K) seviyelerine kadar çıkmaktadır.
45
Aşağıda bir Schottky diyodun bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
46
• Güç Tristörleri; • 1- Genel Amaçlı Tristör (SCR),
• Güç tristörleri, kontrollu güç Temel Yapısı ve Çalışması:
anahtarlarıdır. Bu tristörler; • Genel amaçlı güç tristörlerini
1- Genel amaçlı tristörler “genel amaçlı diyodun kontrollu
(SCR), versiyonu” olarak tanımlamak
mümkündür. Şekil-2.14’de görülen
2- Çift yönlü tristörler (TRIAC),
bu tristörler normal diyotlarda
3- Kapısından tıkanabilen olduğu gibi kendiliğinden iletime
tristörler (GTO), geçmezler, ancak bir uyarı
olmak üzere 3 ayrı türde aldıklarında iletime geçerler.
bulunmaktadır.
Anod (A)
• Bu türlerin kendilerine ait P

özellikleri ve buna bağlı olarak N
da kullanım alanları
P (G)
bulunmaktadır. Şimdi bu türleri
N Gate (kapı)
ayrıntısıyla inceleyelim.
Katod (K)
47
• Tristörün (SCR) yalıtıma Genel amaçlı tristörler düşük
geçebilmesi için içinden frekansta çalışmaları nedeniyle
geçmekte olan akımın sıfıra yüksek akım ve gerilimlerde
düşmesi veya düşürülmesi kullanılabilirler (5kV-5kA gibi).
gerekmektedir. Genel amaçlı tristörlerin en
• Tristör iletimde olduğunda tam önemli özelliklerinden birisi de,
iletim, yalıtımda olduğunda ise geçiş zamanının uzun
tam yalıtım durumunda olmasına rağmen, iletim iç
bulunur, geçiş anı dışında direncinin çok düşük olması
herhangi bir ara durumu nedeniyle iletim kayıplarının
yoktur. çok düşük olmasıdır.
• Genel amaçlı tristörlerin en Bu özellikleri ile genel amaçlı
önemli özelliği düşük tristörler, şebeke geriliminde
frekanslarda çalışmak için imal kontrollu anahtar olarak
edilmiş olmalarıdır (ideal çalışabilen ve yaygın kullanılan
frekans 50-60Hz, max.1kHz). yarıiletken elemanlardır.
48
• Genel Amaçlı Tristörün (SCR) Devrede butona basılmadığı
Çalıştırılması; sürece tristör, doğru yönde
• Aşağıdaki Şekil-2.15’de genel blokaj (yalıtım) durumunda
amaçlı tristörün çalıştırılması kalacaktır. Tristörü iletime
yarıiletken yapı üzerinde geçirebilmek için butona
görülmektedir. Burada VS kaynağı
basıldığında tristörün G-K
yükü beslemekle görevli olan ana
kaynaktır, VG ise tristörü uyarmak
terminalleri arasından çok kısa
için kullanılan kaynaktır. bir süre için IGK akımı dolaşır.
Bu durumda G-K arasındaki P-
Yük N maddeleri iletken haline gelir
ve A-K arasında sadece tek P-
P
IA VS N birleşimi kalacağı için tristör
N
Buton iletim “on” durumuna geçer ve
P yük üzerinden IA akımı akar.
VG
N
Tristör dc’de iletime geçtiğinde
IGK artık uyarma gerektirmez.
Rg
49
• Tristörün Eşdeğer Devresi; Eşdeğer devreye göre, G-K
• Şekil-2.16’da tristörün terminalleri arasına bağlanan
çalışmasını farklı bir şekilde bir kaynak yardımıyla IGK akımı
açıklamak için kullanılmakta akıtıldığında Q2 iletime geçer
olan transistörlü eşdeğer ve Q1’in baz akımını
devresi görülmekltedir. sağlayarak, IGK kesilse de
• Devredeki transistörler P-N Q2’nin iletimde kalmasını
birleşimlerini, kondansatörler sağlar. Böylelikle ana besleme
ise kaçak kapasitelerdir. kaynağından çekilen IA akımı
akmaya başlar, yani tristör
A
IA tamamen iletime geçmiş olur.
C1 C1,2,3 kondansatörleri ise P-N
Q1 birleşimleri arasındaki
C2 Q2 boşluktan kaynaklanan
G
C3
kapasiteleri ifade etmekte olup
IGK
tristörün kontrolsuz iletime
K geçmesine neden olur.
50
• Tristörün (SCR) Temel Test Aşağıdaki Şekil2.18’de genel
Devresi ve Karakteristik Eğrisi; amaçlı tristörün (SCR) temel
• Aşağıdaki Şekil-2.17’de genel karakteristik eğrilerinden akım-
amaçlı tristörün temel gerilim (Ia-Vak) eğrisi (çıkış
karakteristik eğrisinin karakteristik eğrisi)
çıkarıldığı temel test devresi görülmektedir.
görülmektedir.
• Aşağıdaki bağlantı şekli ile Ia
SCR’nin doğru yön çalışması, Doğru
devredeki “Vs” bataryası ters Imax. (ileri) yön
A+, K-
çevrilerek de ters yön
çalışması test edilebilmektedir. -Vmax.
-Vak
Vak
+Vmax
Ters
(geri) yön Uyarma
A-, K+ yapılırsa
-Ia
51
• Karakteristik eğriden görüldüğü Bu durumda, genel amaçlı
gibi diyot, doğru yönde 0,7V’dan tristörün; doğru yönlü (A+, K-)
sonra kendiliğinden iletime gerilimde uyarılmaz ise blokaj
geçerken, SCR ancak Vmax. yapan, uyarıldığı taktirde ise tam
gerilimine ulaşıldığında
kendiliğinden iletime geçmektedir. iletime geçen, doğru yönlü gerilim
altında kontrol edilebilen, ters
• Bu şekilde iletime geçme
istenmeyen bir durumdur. SCR’nin yönlü (A-, K+) gerilimde ise tam
normal olarak iletime geçebilmesi yalıtımda kalan bir yarıiletken güç
için uyarılması gerekmektedir. anahtarı olduğu görülmektedir.
• SCR’nin uyarılması G-K Genel amaçlı tristör (SCR), bu
terminalleri arasından yapılır. özellikleriyle hem AC, hem de
• Ters yönde ise Vmax. gerilim DC’de çalıştırılabilmektedir.
değerine kadar yine SCR güvenle SCR’nin bazı durumlarda sıkıntıya
yalıtımda kalacak (blokaj yol açan özelliği ise, doğru yönde
yapacak), bu değer aşılırsa ise iletime geçirildikten sonra, üzerine
iletime geçerek yanacaktır. Tristör
üzerine gelecek olan ters gerilim gelen gerilim doğru da olsa ters de
değeri, tamamen VS kaynak olsa, ancak içinden geçen akım
gerilim değerine bağlıdır. sıfıra düşünce yalıtımageçmesidir.
52
• Tristörün Çalışma Dalga Şekil-2.20’de tristörün devresinin
Şekilleri; AC kaynakta çalışması sırasındaki
• Güç anahtarlarının çalışma
durumlarının görülmesi için Vm π 2π 3π 4π
aktif çalışma sırasındaki akım- t
0
gerilim dalga şekillerinin Giriş G.
(Vs)
incelenmesi gerekmektedir. Vm
Tristörün doğru ve ters
t
polarmada davranışları 0
Çıkış G.
inceleyebilmek için Şekil- (RL)
2.19’daki bağlantı yapılabilir.

0 t
Tristör
Gerilimi
Im
Ia
0 t
+ V(ak) - Tristör
Akımı
180º 360º 540º 720º
53
• Şekil-2.20’den görüldüğü gibi 0- Tristörlerin Seri Bağlanması;
180º aralığında tristör istenirse Özellikle yüksek gerilim altında
uyarılarak iletime (on) geçirilebilir, çalıştırılacak olan tristörlerde
çıkış gerilimi tristörün iletime tristörün üzerine gelen çok yüksek
geçmesinden itibaren görünmeye doğru ve ters gerilimleri bloke
başlar. Bu sırada tristör üzerindeki etmesi gerekir.
gerilim sıfır (iletim gerilim düşümü
Bu durumda üretici tarafında
ihmal ediliyor), tristör üzerinden
belirtilen tristörün çalışma gerilimi,
geçen akım ise kaynak veya yük
akımı ile aynıdır.
gerilimden en az %30 daha fazla
• 180º-360º aralığında ise tristör olması gerekmektedir ki sağlıklı bir
ters polarmada olduğu için çalışma sağlanabilsin.
yalıtımdadır (off). Bu durumda
Uygulama sırasında mevcut
çıkış gerilimi sıfır, tristör üzerindeki
tristörlerin bu şartı sağlayamaması
gerilim düşümü ise kaynak gerilimi
durumunda tristörlerin seri
ile aynıdır (tristörün bloke ettiği
bağlama yoluna gidilir. Bu sayede
gerilim). Bu durumda tristör
istenilen çalışma gerilimine
üzerinden geçen akım, dolayısıyla
ulaşılabilir.
da devre akımı ise sıfırdır.
54
• Aşağıdaki Şekil-2.21’de Şekil-31’den görüldüğü gibi
tristörlerin seri bağlanarak yüksek gerilimde çalışma
çalışma geriliminin arttırılması gerektiğinde tristörler seri
bağlanarak bu gerilim değeri elde
görülmektedir. Burada gerilim;
VT= VT1 + VT2 + VT3 olur. VT ≥ (Vmax.+ %30) olacak şekilde
seri bağlanacak olan tristör sayısı
R1 belirlenebilmektedir.
T1 VT1 Fakat, tristörlerin seri bağlanması
çok istenen bir uygulama değildir.
Vs R2
Çünkü seri bağlama sayesinde
T2 dayanma gerilimi artar fakat buna
AC VT2 bağlı olarak anahtarın iletim iç
direnci de yükselir. Bu da
R3 kayıpların artması anlamına gelir.
T3
VT3 Ayrıca tristörlerin hepsinin aynı
Yük anda ve birbirinden yalıtılarak
uyarılması gerekecektir.
55
• Tristörlerin Paralel Aşağıdaki Şekil-2.22’de tristörlerin
Bağlanması; paralel bağlanarak çalışma akımı
arttırılması devresi görülmektedir.
• Özellikle yüksek akım altında
Burada toplam akım;
çalıştırılacak olan tristörlerde,
tristörün üzerinden geçmesi IA= IA1 + IA2 + IA3
gereken çok yüksek seviyeli
akıma dayanabilmesi gerekir.
IA IA1 IA2 IA3
belirtilen tristörün çalışma akımı,
uygulamada üzerinden geçecek T1 T2 T3
Vs
olan akımdan en az %30 daha
fazla olması gerekmektedir. AC
• Uygulama sırasında mevcut
tristörlerin bu şartı sağlayama
durumunda tristörlerin paralel R1 R2 R3
bağlama yoluna gidilir. Bu sayede Yük
istenilen çalışma akımına
ulaşılabilir.
56
• Şekil-2.22’den görüldüğü gibi Tristörlerde dv/dt korumasının
yüksek akımda çalışma sağlanması;
gerektiğinde tristörler paralel
Yarıiletken malzeme, ani gerilim
bağlanarak bu akım değeri elde
değişiminde istenmeyen
davranışlar gösterebilmektedir.
IT ≥ (Imax.+ %30) olacak şekilde Güç tristörlerinde, tristör
paralel bağlanacak olan tristör üzerindeki gerilim çok kısa sürede
sayısı belirlenebilmektedir. çok ani olarak değer değiştirecek
• Fakat, tristörlerin paralel olursa P-N birleşim yüzeyleri boş
bağlanması çok istenen bir bir kondansatör gibi davranarak
uygulama değildir. Çünkü paralel istenmeyen akımların akmasına
bağlama sayesinde dayanma ve iletime neden olabilmekte bu
akımı artar fakat, tristörlerin iletim da elemanda veya devrede
dirençlerinin eşit olmaması hasarlar oluşturabilmektedir.
nedeniyle, üzerlerinden geçecek Bu olayın sınırları üretici
akımı eşit paylaşamayacağı için tarafından belirtilmekte olup
seri dirençler kullanılması gerekir. kullanıcı buna göre uygun önlem
Ayrıca ayrı ayrı uyarılmalıdırlar. almak zorundadır.
57
• Aşağıdaki Şekil-2.23’de üretici Şekil-2.23’den görüldüğü gibi, çok
tarafından verilen, tristörün ani olarak doğru veya ters gerilim
örnek dv/dt karakteristik eğrisi altında kalma riski olan T
tristörünün paraleline, onu bu ani
ve tristörün bu olaydan
gerilimin bozucu etkisinden
etkilenmesini önlemek için
korumak için bir R-C devresi
alınan önlem görülmektedir. yerleştirilmiştir.
• Burada örnek dv/dt: 500V/µs Bu sayede tristör üzerine gelen
ani gerilim yumuşatılarak
500V karakteristik eğrideki 500V/µs
sınırının altına indirilmekte ve
t(µs) istenmeyen kontrol dışı iletim
0 1µs (akım) engellenmiş olmaktadır.
Burada R-C devresi;
S T
T= R.C
VS RL
zaman sabitesine göre istenilen
dv/dt için oranda yumuşatma yapmaktadır.
58
• Tristörlerde di/dt korumasının Aşağıdaki Şekil-2.24’de üretici
sağlanması; tarafından verilen, tristörün örnek
di/dt karakteristik eğrisi ve
• Güç tristörlerinde, tristör
tristörün bu olaydan korunması
üzerinden geçen akım çok kısa
görülmektedir.
sürede çok ani olarak değer
değiştirecek olursa yarıiletken Burada örnek di/dt: 50A/µs’dir.
P-N maddesinin kristal yapısı
dağılarak istenmeyen akımların 50A
akmasına neden labilmekte bu
da elemanın kısa devre olması t(µs)
ve devrede hasarlar oluşması 0 1µs
anlamına gelmektedir.
L (di/dt için)
• Bu olayın sınırları üretici SW
T1
tarafından elemanın di/dt eğrisi Yük
Vs D1
olarak belirtilmekte olup R-C
(dv/dt
kullanıcı uygun önlem almak için)
zorundadır.
59
• Şekil-2.24’den görüldüğü gibi, çok dv/dt ve di/dt önlemlerini her
ani olarak yüksek akım altında zaman kullanmak gerekli değildir.
kalma riski olan T1 tristörüne seri Ancak yüksek güçte ani yüksek
olarak, onu bu ani yüksek akımın gerilime veya ani yüksek akıma
bozucu etkisinden korumak için bir maruz kalma riski varsa
“L” endüktansı yerleştirilmiştir. kullanılması gerekmektedir.
• Bu sayede tristör üzerinden Tristörlerin seri ve paralel
geçmek isteyen ani yüksek akım bağlanmaları sırasında da ani
yumuşatılarak karakteristik gerilim ve akım riski bulunduğu
eğrideki 50A/µs sınırının altına taktirde dv/dt ve di/dt önlemlerinin
indirilmekte ve tristörde oluşacak alınması gerekmektedir.
olan kristal dağılması (yanma) Bu durumda gerekli yumuşatmayı
engellenmiş olmaktadır. sağlamak için, seri bağlama
• Burada L (L-R) devresi; sırasında her bir seri tristöre
paralel olarak R-C devresi, veya
T= L / R paralel bağlama sırasında her bir
zaman sabitesine göre istenilen paralel tristöre seri olarak “L”
oranda yumuşatma yapmaktadır. elemanı yerleştirilmelidir.
60
• Tristörün (SCR) Kontrol Dışı Tristörlerin kontrol dışı olarak
Đletime Geçmesi; iletime geçmesine, dolayısıyla
• Bilindiği gibi tristörlerin da bozulmasına neden olan 4
kontrollu olarak iletime durum vardır. Bu durumlar;
geçirilmesi için G-K arasından 1) Yüksek sıcaklık,
kısa süreli bir akım 2) Yüksek voltaj,
akıtmaktadır. Bu durumda 3) Hızlı gerilim değişimi,
tristör “off” konumdan “on” 4) Hızlı akım değişimi.
konuma geçmektedir.
1- Yüksek sıcaklıkla iletim;
• Bazı durumlarda ise tristör
Tristör, çalışması sırasında
istenmediği halde kontrol dışı
iletim ve anahtarlama kayıpları
olarak iletime geçebilmekte ve
nedeniyle ısınmaktadır. Eğer
hem kendisinin, hem yükün
bu ısı enerjisi tristör üzerinden
hem de etrafındaki elemanların
yeterince alınamazsa ısınmaya
tahrip olmasına neden
devam eder ve dayanma
olmaktadır.
sıcaklığı aşıldığında yanar.
61
• Tristörün yüksek sıcaklıktan 2- Yüksek voltajla iletim;
etkilenerek zarar görmesini Yüksek voltaj nedeniyle
engelleyebilmek için tristör tristörün kontrol dışı olarak
üzerinde oluşacak ısı enerjisi iletime geçerek zarar görmesi,
hesaplanarak bu enerjiyi tristörün üzerine gelen doğru
ortama yaymak için uygun veya ters yönlü gerilimin,
boyutta soğutucu belirlenmeli tristörün dayanma (çalışma)
ve tristör bu soğutucuya geriliminin üzerine çıkması
bağlanmalıdır. durumunda gerçekleşir.
• Eğer gerekiyorsa fan veya Tristörün bu olaydan zarar

sıvılı soğutma düzeneği görmesini engelleyebilmek için
kullanılarak soğutucu tristör gerilimi, tristör üzerine
üzerinden ısı transferi daha gelebilecek olan en yüksek
hızlı yapılmalıdır. gerilim değerinden en az %30
daha yüksek seçilmelidir.
62
• 3- Hızlı gerilim değişimi (dv/dt); 4- Hızlı akım değişimi (di/dt);
Daha önce açıklandığı gibi Yine daha önce açıklandığı
tristör, üretici tarafından gibi tristör, üretici tarafından
belirlenen dv/dt değerinden belirlenen di/dt değerinden
daha hızlı değişen bir gerilimle daha hızlı değişen bir akımla
karşı karşıya kaldığında, iç karşı karşıya kaldığında, iç
kapasitelerinin etkisiyle kapasitelerinin etkisiyle
uyarılmadığı halde üzerinden uyarılmadığı halde üzerinden
akım akıtmaya başlar yani akım akıtmaya başlar ve kısa
iletime geçer. Bu istenmeyen devre olur. Bu istenmeyen
iletim tristöre, yüke ve devreye iletim tristöre, yüke ve devreye
zarar verir. zarar verir.
• Bilindiği gibi bu olayı Bilindiği gibi bu olayı
engellemek için, ani gerilimi engellemek için, ani akımı
yumuşatmak amacıyla, tristöre yumuşatmak amacıyla, tristöre
paralel olarak bir RC bağlanır. seri olarak bir “L” bağlanır.
63
• Tristörün Yalıtıma Geçirilmesi; Bu durumda özellikle DC’de
• Bilindiği gibi tristör (SCR), çalışmakta olan bir tristörü
iletime geçmesi kontrol yalıtıma geçirebilmek için
edilebilen fakat yalıtıma içinden geçen akımı kısa bir
geçmesi kontrol edilemeyen bir süre için sıfıra düşürebilecek
yarıiletken güç anahtarıdır. yöntemler kullanmak
• Tristörün yalıtıma geçebilmesi gerekmektedir. Bu durumda,
için diyotlarda olduğu gibi ters tristörü susturma yöntemleri;
polarma altına girmesi yeterli 1) Seri anahtar kullanarak,
değildir. Tristörün yalıtıma 2) Paralel anahtar kullanarak,
geçebilmesinin tek şartı, A-K 3) Seri ayarlı direnç kullanılarak,
arasından akmakta olan 4) Ayarlı kaynak kullanarak,
akımın çok kısa bir süre için 5) Ters gerilim kullanılarak,
“sıfır”a çekilmesidir. AC olmak üzere 5 farklı türdedir.
kaynakta yön değiştiği için bu Bu yöntemleri ayrıntılı olarak
olay kendiliğinden gerçekleşir. açıklayalım.
64
• 1- Tristörün (SCR) seri anahtar Bu yöntemde, iletimde olan “T”
kullanarak yalıtıma geçirmesi; tristörünü yalıtıma geçirebilmek
Bu yöntem, aşağıdaki Şekil- amacıyla butona basılarak çok
2.25’de görüldüğü gibi tristörün kısa bir süreliğine “Ia” akımı
anod devresine seri bir anahtar kesildiğinde tristör içinden
(buton) bağlayarak geçen akım sıfıra düşeceği için
uygulanabilmektedir. Burada yalıtıma geçmiş olur.
iletimde olan bir tristör Bu yöntem çok basit ve kolay
görülmektedir. uygulanabilir olmasına karşın
ancak düşük akım ve gerilim
Buton
seviyelerinde kullanılabilir.
T Bunun nedeni, yüksek akım ve
Ia gerilimde ark oluşması
Vs RL
nedeniyle boton ile kontrolun
imkansız hale gelmesidir.
65
• 2- Tristörün (SCR) paralel Bu yöntemde, iletimde olan “T”
anahtar kullanarak yalıtıma tristörünü yalıtıma geçirebilmek
geçirmesi; amacıyla butona basılarak çok
Bu yöntem, aşağıdaki Şekil- kısa bir süreliğine devreden
2.26’da görüldüğü gibi tristörün geçen “Ia” akımı buton üzerine
anod-katod arasına paralel bir alınır, bu sırada tristör akımı
anahtar (buton) bağlayarak
uygulanabilmektedir. Burada sıfıra düşeceğinden eleman
iletimde olan bir tristör yalıtıma geçmiş olur.
görülmektedir. Bu yöntem çok basit ve kolay
Buton
uygulanabilir olmasına karşın
ancak düşük akım ve gerilim
seviyelerinde kullanılabilir.
T
Bunun nedeni, yüksek akım ve
Vs Ia RL gerilimde ark oluşması
nedeniyle boton ile kontrolun
imkansız hale gelmesidir.
66
• 3- Tristörün (SCR) seri direnç Bu yöntemde, iletimde olan “T”
Bu yöntem, aşağıdaki Şekil- amacıyla reosta değeri arttırılıp
2.27’de görüldüğü gibi tristöre açık devreye götürülerek, bir
seri bir ayarlı direnç (reosta) süreliğine “Ia” akımı sıfırlanır, bu
bağlayarak ve bu ayarlanarak sırada tristör akımı sıfıra
uygulanabilmektedir. Burada düşeceğinden eleman yalıtıma
tristör iletimde, reosta ise kısa geçmiş olur.
devre konumundadır. Bu yöntem çok basit ve yüksek
güçte uygulanabilir olmasına
Reosta T
karşın, reosta maliyeti, boyutu
ve kayıpları oldukça büyüktür.
Ia Ayrıca, her seferinde tristör
Vs RL
susturulduktan sonra reostanın
tekrar kısa devre konumuna
getirilmesi gerekmektedir.
67
• 4- Tristörün (SCR) ayarlı Bu yöntemde, iletimde olan “T”
kaynak kullanarak yalıtıma tristörünü yalıtıma geçirebilmek
geçirmesi; amacıyla kaynak gerilimi değeri
Bu yöntem, aşağıdaki Şekil- azaltılıp sıfıra doğru
2.28’de görüldüğü gibi yükü götürülerek, bir süreliğine “Ia”
besleyen ana kaynağı ayarlı akımı sıfırlanır, bu sırada tristör
yaparak ve bu ayarlanarak akımı sıfıra düşeceğinden
uygulanabilmektedir. Burada eleman yalıtıma geçmiş olur.
tristör iletimde, kaynak ise en Bu yöntem yüksek güçte
yüksek değer konumundadır. uygulanabilir olmasına karşın,
T ayarlı kaynak maliyeti oldukça
yüksek, hızı düşük olacaktır.
Ia
Ayrıca, bu kaynak başka
Vs RL yükleri beslemek için
kullanılamayacaktır. Bu
nedenle pek uygun değildir.
68
• 5- Tristörün (SCR) ters gerilim Bu yöntemde, iletimde olan “T”
amacıyla butona basılarak “VT”
Bu yöntem, aşağıdaki Şekil-
kaynağı tristör uçlarına ters
2.29’da görüldüğü gibi, tristör
olarak bağlanır. VT ≥ Vs
uçlarına, bir anahtar üzerinden
olduğundan VT kaynağı VS’nin
ters bir kaynak bağlanarak
tristör üzerinden geçirmekte
uygulanabilmektedir. Burada
olduğu “Ia” akımını bastırarak
tristör iletimde, ters kaynak ise
kendi akımını akıtmak
pasif konumdadır.
isteyecektir. Bu sırada tristör
akımı sıfıra düşeceğinden
Buton
eleman yalıtıma geçmiş olur.
VT
T Bu yöntem tüm güçlerde
rahatlıkla uygulanabilmektedir.
Ia Uygulamada “VT” kaynağı
Vs RL
yerine şarj edilmiş bir
kondansatör kullanılmaktadır.
69
• Özellikle orta ve yüksek güçlü Şekil-2.30’dan görüldüğü gibi
DC kaynaklı uygulamalarda, T1 tristörünün susturmak için
anahtar olarak tristör seçilmesi gerekli olan ters gerilim “C”
durumunda, kullanılmakta olan kondansatörüne depolanmakta
ters gerilimle susturma T2 tristörü ise bu kondansatör
(yalıtıma geçirme) yöntemi ile üzerindeki ters gerilimin,
ilgili bir uygulama devresi susturulmak istenen T1
aşağıdaki Şekil-2.30’da tristörüne uygulanmasını
görülmektedir. sağlamaktadır.
Kısacası, T1 tristörü
Đletim palsi
L1
T1 YÜK uyarıldığında devre
- çalışmakta, T2 tristörü
VC Yalıtım palsi
+ +
uyarıldığında ise durmaktadır.
VS T2 Bu arada kondansatör de
- Dm
D1 yardımcı elemanlar üzerinden
L2 tekrar şarj olmaktadır.
70
Aşağıda genel amaçlı bir tristörün bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
71
ÖDEV-2
2.1 - 380V-50Hz 3 fazlı şebekeden yararlanarak 512V-50A’lik bir

kontrolsuz doğrultucu yapılmak istenmektedir. Bu doğrultucu için
uygun bir diyot belirleyerek internet ortamında bilgi yaprakları
(datasheets) üzerinden araştırınız. Diyot yapısını, genel özelliklerini,
temel parametrelerini, üretici firmalarını, Türkiye temsilcilerini ve
satış fiyatını gösteren bir rapor hazırlayınız.
2.2 - 380V-50Hz 3 fazlı şebekeden yararlanarak 512V-100A’lik bir

kontrollu doğrultucu yapılmak istenmektedir. Bu doğrultucu için
uygun bir tristör belirleyerek internet ortamında bilgi yaprakları
(datasheets) üzerinden araştırınız. Tristör yapısını, genel
özelliklerini, temel parametrelerini, üretici firmalarını, Türkiye
temsilcilerini ve satış fiyatını gösteren bir rapor hazırlayınız.
72
• Çift Yönlü Tristör (Tiyak), Triyak, her alandaki endüstriyel
Temel Yapısı ve Çalışması; elektronik uygulamalarında, AC
• Çift yönlü tristörler (Triac- gerilimin anahtarlanması ve
Triyak), aslında aşağıdaki kontrol edilmesi amacıyla çok
Şekil-2.31’de görüldüğü gibi yoğun olarak kullanılan bir güç
birbirine ters paralel bağlanmış yarıiletken elemanıdır.
iki adet tristör gibi Yapısından da anlaşılabileceği
düşünülebilmektedir. gibi tristör (SCR) ile aynı
özellikleri göstermektedir.
2. Anod (A2) Tristörden tek farkı, her iki
Gate
yönde de rahatlıkla iletime
T2 (Kapı) geçebilmesidir.
G Triyak, tıpkı SCR gibi sadece
T1
iletime geçmesi kontrol
edilebilen bir anahtardır.
1. Anod (A1)
73
• Triyak’ın yalıtıma geçebilmesi Triyaklar, çift yönlü olmaları
için ise içinden geçmekte olan nedeniyle, genel amaçlı tristörler
akımın sıfıra düşmesi veya gibi, çok yüksek akım ve
gerilimlerde kullanılamamaktadır.
düşürülmesi gerekmektedir.
Ancak 1200V-300A civarına kadar
• Triyak, iletimde olduğunda tam olanlar bulunmaktadır.
iletim, yalıtımda olduğunda ise Ayrıca triyakların iletim iç
tam yalıtım durumunda dirençleri de SCR’ler gibi çok
bulunur, geçiş anı dışında düşük değildir. Bu nedenle çok
herhangi ara durumu yoktur. yüksek akımlı uygulamalarda
• Triyak’ın, genel amaçlı genellikle triyak yerine birbirine
ters paralel bağlanmış olan
tristörler (SCR) gibi en önemli
SCR’ler tercih edilmektedir.
özelliği düşük frekanslarda
Bu özellikleri ile triyaklar, şebeke
çalışmak için imal edilmiş
geriliminde kontrollu anahtar ve
olmalarıdır ki ideal çalışma şebeke değiştirici olarak
frekansları 50-60Hz, max. çalışabilen çok kullanışlı
frekansları ise 1kHz’dir. yarıiletken elemanlardır.
74
• Çift Yönlü Tristörün (Triyak) Triyak’ın çalışmasını görebilmek
Çalıştırılması; için Şekil-2.32’de görülen bağlantı
• Şekil-2.32’de triyak’ın yapılır. Butona basılmadığı sürece
çalıştırılması yarıiletken yapı triyak, doğru ve ters yönde blokaj
üzerinde görülmektedir. (yalıtım) durumunda kalacaktır.
Burada “Vac” kaynağı, yükü Triyak’ı iletime geçirebilmek için
beslemekle görevli olan ana butona basıldığında triyak’ın G-A1
kaynaktır. VG ise tristörü terminalleri arasından çok kısa bir
uyarmada kullanılan kaynaktır. süre için IGK akımı dolaşır.
Yük
Bu durumda G-K arasındaki P-N
A2 maddeleri iletken haline gelir ve
P
A2-A1 arasında sadece tek P-N
IA birleşimi kalacağı için triyak iletim
N
Vac “on” durumuna geçer ve yük
P
üzerinden IA akımı akar.
Buton
G A1 Triyak iletime geçtikten sonra
IGK
Rg VG alternans değişiminde susacağı
için butona sürekli basmalıdır.
75
• Triyak’ın Temel Test Devresi ve Aşağıdaki Şekil-2.34’de ise
Karakteristik Eğrisi; triyak’ın temel karakteristik
• Aşağıdaki Şekil-2.33’de triyak’ın eğrilerinden akım-gerilim (Ia-
temel karakteristik eğrisinin Va1a2) eğrisi (çıkış karakteristik
çıkarıldığı temel test devresi eğrisi) görülmektedir.
görülmektedir.
• Aşağıdaki bağlantı şekli ile
Triyak’ın doğru yön çalışması, Ia
Uyarma Doğru
devredeki “Vs” bataryası ters (ileri) yön
yapılırsa
çevrilerek de ters yön çalışması A+, K-
test edilebilmektedir.
-Vmax.
-Va2a1 Va2a1
+Vmax
Ters
(geri) yön Uyarma
A-, K+ yapılırsa
-Ia
76
• Karakteristik eğriden görüldüğü Bu durumda, triyak’ın, doğru yönlü
gibi diyot, doğru yönde 0,7V’dan (A2+, A1-) gerilimde uyarılmaz ise
sonra kendiliğinden iletime blokaj yapan, uyarıldığı taktirde ise
geçerken, triyak ancak Vmax. tam iletime geçen, doğru yönlü
kendiliğinden iletime geçmektedir. gerilim altında kontrol edilebilen,
• Bu şekilde iletime geçme Ters yönlü (A2-, A1+) gerilimde ise
istenmeyen bir durumdur. Triyak’ın yine uyarılmaz ise blokaj yapan,
her iki yönde de normal olarak uyarıldığı taktirde ise tam iletime
iletime geçebilmesi için uyarılması geçen, hem doğru hem de ters
gerekmektedir. yönlü gerilim altında kontrol
• Triyak’ın uyarılması G-A1 edilebilen, bir yarıiletken güç
terminalleri arasından yapılır. anahtarı olduğu görülmektedir.
• Ters yönde ise triyak yine Vmax. Triyak, bu özellikleriyle AC’de
gerilim değerine kadar güvenle çalıştırılmak için uygun bir anahtar
yalıtımda kalacak (blokaj durumundadır.
yapacak), bu değer aşılırsa ise
iletime geçecektir. Tabii ki bu Fakat, triyak da SCR gibi içinden
şekilde iletime geçme asla geçen akım sıfıra düşmedikçe
istenmez. yalıtıma geçememektedir.
77
• Triyak’ın uyarılma 1. ve 2. durumlar Şekil-2.35 ve
yöntemleri; Şekil-2.36’da gösterilmiştir.
• Triyak’ın G-A1 arasından RL
uyarılması sırasında 4 farklı Buton
A2
durum bulunmaktadır. VG Ia
VS
• 1- A2(+) A1(-) olması Ig
durumunda, G(+) A1(-).
• 2- A2(-) A1(+) olması
durumunda, G(-) A1(+).
RL
• 3- A2(+) A1(-) olması Buton
A2
durumunda, G(-) A1(+). VG

Ig
Ia
VS
• 4- A2(-) A1(+) olması
durumunda, G(+) A1(-).
olması durumlarıdır.
78
3. ve 4. durumlar ise Şekil-2.37 Şekillerden görüldüğü gibi 1.
ve Şekil-2.38’de gösterilmiştir. ve 2. durumlarda triyakın gate
(Ig) ve anod (Ia) akımları aynı
RL yönlü olarak, 3. ve 4.
A2
Buton
Ia
durumlarda ise bu akımlar
VG
VS
birbirlerine ters hareket
2.Ig etmektedir.
Her durumda da triyak’ın
Şekil-2.37 uyarılması mümkün
olmaktadır. Fakat, triyak 1. ve
RL 2. durumlarda daha düşük
A2
Buton uyarma akımıyla ve daha
VG
2.Ig Ia
VS
kolaylıkla uyarılabilirken, 3. ve
4. durumlarda ise daha yüksek
uyarma akımıyla (yaklaşık 2
kat) uyarılabilmektedir.
Şekil-2.38
79
• Bu durumda triyak’ın AC
kaynakta çalıştırılırken
uyarılabilmesi için farklı farklı VS
uyarma yöntemi kullanılmasına
imkan tanımaktadır.
Buna göre triyak’ın uyarılması 1.
Şekil-2.39’dan görüldüğü gibi, yöntem
• 1- Çift yönlü iğne pals
kullanılarak uyarma,
• 2- Tek yönlü iğne pals 2.
kullanılarak uyarma, yöntem
• 3- Düşük frekanslı kare dalga
kullanarak uyarma,
olmak üzere 3 farklı şekilde 3.
yöntem
yapılabilmektedir.
π 2π 3π 4π
80
• Uygulamada, yukarıda Đkinci uyarma yöntemi özel
belirtilen uyarma yöntemlerinin uyarma entegreleri veya
hepsi de triyak uyarmak için analog-lojik devre elemanları
kullanılabilmesine rağmen, yardımıyla oluşturulup
triyak’ın kullanıldığı yere ve profesyonel uygulamalarda
yapacağı işe göre en uygun kullanılmaktadır.
yöntem seçilerek Üçüncü yöntem ise kare dalga
kullanılmaktadır. üreteçleri veya mikroişlemci
• Bu yöntemlerden birincisi, yardımıyla oluşturulmakta ve
triyak uyarmak için, daha sonra hem basit hem de profesyonel
ayrıntısıyla tanıtılacak, özel uygulamalarda
olarak üretilmiş olan “Diyak” kullanılmaktadır.
isimli uyarma elemanı ile Bu uyarma sinyallerinin
oluşturulmakta ve basit üretilmesi ve triyak’a
uygulamalarda uygulanması daha sonra
kullanılmaktadır. ayrıntısıyla açıklanacaktır.
81
• Triyak’ın Çalışma Dalga Şekil-2.41’de ise triyak devresinin
Şekilleri; AC kaynakta çalışması sırasındaki
çalışma durumlarının görülmesi Vm π 2π 3π 4π
için aktif çalışma sırasındaki t
0
akım-gerilim dalga şekillerinin Giriş G.
incelenmesi gerekmektedir. (Vs)
Vm
• Triyak’ın doğru ve ters polarmada
davranışlarını inceleyebilmek için 0 t
Çıkış G.
Şekil-2.40’daki bağlantı yapılabilir.
Vm
0 t
Triyak
Gerilimi
Im
0 t
Triyak
Akımı
180º 360º 540º 720º
82
• Şekil-2.41’den görüldüğü gibi 0- Triyakların Seri Bağlanması;
180º aralığında triyak istenirse
uyarılarak iletime (on) geçirilebilir, Özellikle yüksek gerilim altında
çıkış gerilimi triyak iletime çalıştırılacak olan triyaklarda
geçmesinden itibaren görünmeye triyak, uyarılmadığında üzerine
başlar. Bu sırada triyak üzerindeki gelen çok yüksek doğru ve ters
gerilim sıfır (iletim gerilim düşümü gerilimleri bloke etmesi gerekir.
ihmal ediliyor), triyak üzerinden Bu durumda üretici tarafında
geçen akım ise kaynak veya yük belirtilen triyak’ın çalışma gerilimi,
akımı ile aynıdır.
gerilimden en az %30 daha fazla
• 180º-360º aralığında ise triyak olması gerekmektedir ki sağlıklı bir
istenirse uyarılarak iletime (on) çalışma sağlanabilsin.
geçirilebilir, çıkış gerilimi triyak
iletime geçmesinden itibaren Uygulama sırasında mevcut
görünmeye başlar. Bu sırada triyak triyakların bu şartı sağlayamaması
üzerindeki gerilim sıfır (iletim durumunda daha önce açıklanan
gerilim düşümü ihmal ediliyor), kurallara uygun olarak seri
triyak üzerinden geçen akım ise bağlama yoluna gidilir ve istenilen
kaynak veya yük akımı ile aynıdır. çalışma gerilimine ulaşılabilir.
83
• Triyakların Paralel Triyaklarda dv/dt ve di/dt
Bağlanması; korumasının sağlanması;
• Özellikle yüksek akım altında Bilindiği gibi ani değişen akım ve
çalıştırılacak olan triyak’larda, gerilimde yarıiletken güç
triyak’ın üzerinden geçmesi anahtarları istenmediği halde
gereken çok yüksek seviyeli
üzerlerinden akım geçirmekte ve
akıma dayanabilmesi gerekir.
yanmaktadırlar.
belirtilen triyak çalışma akımı, Triyak için de bu olay tamamen
uygulamada üzerinden geçecek geçerlidir ve bu iş için mutlaka
olan akımdan en az %30 daha önlem alınmalıdır.
fazla olması gerekmektedir ki dv/dt için alınması gereken önlem
sağlıklı bir çalışma sağlanabilsin. tıpkı diyot ve tristörde olduğu gibi,
• Uygulama sırasında mevcut elemana paralel olarak uygun bir
triyakların bu şartı sağlayamaması R-C devresinin bağlanmasıdır.
durumunda daha önceden
açıklandığı gibi paralel bağlama di/dt için alınması gereken önlem
yoluna gidilir ve bu sayede ise yine diyot ve tristörde olduğu
istenilen çalışma akımına gibi, elemana seri olarak uygun bir
ulaşılabilir. endüktansın (L) bağlanmasıdır.
84
• Triyak’ın Kontrol Dışı Đletime • Triyak’ın Yalıtıma Geçirilmesi;
Geçmesi;
• Triyak, genel amaçlı tristör
Triyakların kontrol dışı olarak
(SCR) gibi iletime geçmesi
iletime geçmesine, dolayısıyla
kontrol edilebilen fakat yalıtıma
da bozulmasına neden olan 4
durum vardır. Bu durumlar; geçmesi kontrol edilemeyen bir
yarıiletken güç anahtarıdır.
1- Yüksek sıcaklık,
2- Yüksek voltaj, • Triyak’ın yalıtıma geçebilmesi
için diyotlarda olduğu gibi ters
3- Hızlı gerilim değişimi,
polarma altına girmesi yeterli
4- Hızlı akım değişimidir.
değildir. Triyak’ın yalıtıma
Triyakın bu durumlarda kontrol
geçebilmesinin tek şartı, A2-A1
dışı olarak iletime geçmesini
arasından akmakta olan
engellemek için genel amaçlı
tristörde (SCR) açıklandığı gibi akımın çok kısa bir süre için
alınan tüm önlemlerin aynı “sıfır”a çekilmesidir. AC’de
şekilde alınması çalışma sırasında bu olay
gerekmektedir. kendiliğinden gerçekleşir.
85
Aşağıda bir triyak’ın bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
86
• Kapısından Tıkanabilen Tristör Đşte GTO bu eksikliği gidermek
(GTO), Yapısı ve Çalışması; amacıyla yapılan çalışmalar
• Bilindiği gibi genel amaçlı sonrasında ortaya çıkan bir güç
tristörler ve triyak’larda sadece anahtarıdır. Şekil-2.42’de
iletime geçme işi kontrol sembolü görülen GTO, gate
terminalleri üzerinden kontrol (kapı) terminali ile katod
edilebilmekte, yalıtıma terminali arasından, pozitif pals
geçmeleri ise kontrol ile uyarıldığında iletime, negatif
terminalleri üzerinden kontrol pals ile uyarıldığında ise
edilememektedir. yalıtıma geçmektedir.
• Bu olay özellikle DC kaynakta
A
çalışma sırasında bu çok kötü
bir özellik ve eksiklik olarak GTO
karşımıza çıkmakta ve elemanı G
yük altında susturabilmek için
başka işlemler gerekmektedir. K
87
• GTO’nun kontrollu olarak Bu özellikleri nedeniyle
iletime geçirilebilmesi için SCR kapısından tıkanabilen
ve triyak’ta olduğu gibi çok tristör(GTO), DC’de çalıştırılan
kısa süreli (1-2ms) bir pozitif bir SCR’ye göre aşağıdaki
pals uygulanması ve G’den avantajlara sahip
K’ya doğru küçük bir uyarma olunmaktadır.
akımının akıtılması yeterli 1- Tristör susturma
olmaktadır. düzeneklerinden kurtulma,
• Yine GTO’nun kontrollu olarak 2- Daha temiz, küçük, ucuz
yalıtıma geçirilebilmesi için ise düzenekler elde edilmesi,
çok kısa süreli fakat bu defa G- 3- Hızlı susturulabildiği için
K arasına negatif bir palsin yüksek frekansta çalışma,
uygulanması ve K’dan G’ye
doğru daha büyük negatif bir 4- Devre veriminin artmasıdır.
susturma akımının akıtılması Bu durumda özellikle yüksek
gerekmektedir. güçlü DC devrelerde uygundur.
88
• 1200V-500A seviyelerine kadar Aşağıdaki şekilde bir GTO’nun
versiyonları olan GTO’lar yarıiletken katman yapısı
özellikle çok yüksek güçlü DC- görülmektedir. Şekilden
DC dönüştürücülerde ve görüldüğü gibi tek gate (kapı)
yüksek güçlü düşük frekanslı terminali olduğu halde açma
invertör uygulamalarında tercih ve kapatma işi farklı
edilmektedirler. tabakalardan yapılmaktadır.
• Özellikle metro, elektrikli tren
gibi toplu taşım araçlarında DC
motor kullanılması durumunda
GTO’lar çok yüksek güçlü olan
bu motorların kontrolunda
vazgeçilmez hale gelmektedir.
• Örnek olarak, 750Vdc ile
çalışan Đzmir metrosunun
araçlarıdır.
89
• Kapısından Tıkanabilen Şekil-2.44’den görüldüğü gibi
Tristörün Çalıştırılması; GTO pozitif akımla (gate’den
• Aşağıdaki Şekil-2-44’de katod’a) veya negatif akımla
GTO’nun çalıştırılması (katod’dan gate’e)
görülmektedir. Burada “Vs” uyarılabilmekte fakat yük akımı
kaynağı, yükü beslemekle olarak (IA) sadece pozitif yönde
görevli olan ana kaynaktır. VG
ise GTO’yu uyarmada (anod’dan katod’a doğru)
kullanılan kaynaktır. akabilmektedir.
GTO iletime geçirilmek
Yük
istendiğinde çok kısa bir süre
GTO için butona basılarak G-K
IA VS arasından düz (pozitif) bir akım
Buton akması sağlanır.
VG + GTO yalıtıma geçirilmek
- istendiğinde ise G-K arasından
IGK ters (negatif) akım akıtılır.
Rg
90
• GTO’nun Temel Test Devresi Aşağıdaki Şekil-2.46’da ise
ve Karakteristik Eğrisi; GTO’nun temel karakteristik
• Aşağıdaki Şekil-2.45’de GTO’nun eğrilerinden akım-gerilim (Ia-
temel karakteristik eğrisinin Vak) eğrisi (çıkış karakteristik
çıkarıldığı temel test devresi eğrisi) görülmektedir.
görülmektedir.
• Şekil-2.45’de verilen bağlantı ile
Ia
GTO’nun doğru yön çalışması, Doğru
çevrilerek de ters yön çalışması A+, K-
-Vak -Vmax.
Vak
+Vmax
Ters
(geri) yön Uyarma
A-, K+ yapılırsa
-Ia
91
• Karakteristik eğriden görüldüğü Bu durumda GTO’nun, doğru
gibi diyot, doğru yönde 0,7V’dan yönlü (A+, K-) gerilimde uyarılmaz
sonra kendiliğinden iletime ise blokaj yapan, uyarıldığı
geçerken, GTO ancak Vmax. taktirde ise tam iletime geçen,
kendiliğinden iletime geçmektedir. doğru yönlü gerilim altında iletimi
ve yalıtımı kontrol edilebilen,
• Bu şekilde iletime geçme
istenmeyen bir durumdur. Ters yönlü (A-, K+) gerilimde ise
GTO’nun doğru yönde de normal yine uyarılmaz ise blokaj yapan,
olarak iletime geçebilmesi için uyarıldığı taktirde ise bozulma
pozitif akımla, yalıtıma ihtimali yüksek olan tek yönlü
geçirilebilmesi içinse negatif akım akıtan bir yarıiletken güç
akımla uyarılması gerekmektedir. anahtarı olduğu görülmektedir.
• Ters yönde ise GTO yine Vmax. GTO, bu özellikleriyle DC’de
gerilim değerine kadar güvenle
yalıtımda kalacak (blokaj çalıştırılmak için çok uygun bir
yapacak), bu değer aşılırsa ise anahtar durumundadır.
iletime geçecektir. Tabii ki bu GTO’nun bu özelliği sayesinde
şekilde iletime geçme asla SCR’de kullanılan zorla susturma
istenmez. düzenekleri kullanılmaz.
92
t1 t2 t3 t4
• Aşağıdaki Şekil-2.47’de
+V
GTO’nun DC çalışmasını
ωt
izleyebilmek için kurulan devre Vs
görülmektedir.
ωt
• Yandaki Şekil-2.48’de ise VGK
GTO’nun DC kaynak altında
iletim ve yalıtımının kontrol
edilmesi, devrenin çalışma ωt
dalga şekilleriyle birlikte VRL
verilmiştir.
ωt
VAK
ωt
IA
off on off on
93
• Şekil-2.48’den görüldüğü gibi 0-t1 GTO’ların Seri ve Paralel
aralığında herhangi bir uyarı Bağlanması;
verilmediği için GTO yalıtımda
bulunmaktadır. GTO’lar özellikle DC’de yüksek
• t1 anında GTO’nun G-K arasına akım ve gerilimlerde çalışmak
pozitif bir uyarma (tetikleme) palsi için imal edilmiş yarıiletken güç
uygulandığında eleman hemen anahtarları olduğu için pek
iletime geçmektedir.
fazla seri ve paralel bağlamaya
• t1-t2 aralığında iletimde kalan
GTO’ya t2 anında daha büyük ve ihtiyaç olmaz.
negatif bir tetikleme palsi Buna rağmen çok daha yüksek
uygulandığında eleman hemen akım ve gerilimlerde çalışılması
yalıtıma geçmektedir.
gerektiğinde tıpkı tristörlerde
• t3 anında eleman tekrar pozitif
pals ile uyarıldığında yine iletime olduğu gibi seri veya paralel
geçmektedir. bağlanma prosedürü uygulanır.
• Kısacası hem iletime hem de
yalıtıma geçmesi G-K arasından Tabii ki kontrol devresi de tüm
rahatlıkla kontrol edilebilir ve bu
işlem istenilen sıklıkta yapılır. elemanlar için yapılandırılır.
94
• GTO’larda dv/dt ve di/dt GTO’nun Kontrol Dışı Đletime
korumasının sağlanması; Geçmesi;
• Bilindiği gibi ani değişen akım ve GTO’nun kontrol dışı olarak
gerilimde yarıiletken güç iletime geçmesine, dolayısıyla da
anahtarları istenmediği halde bozulmasına neden olan 4 durum
üzerlerinden akım geçirmekte ve vardır. Bu durumlar;
yanmaktadırlar. 1) Yüksek sıcaklık,
• GTO için de bu olay tamamen 2) Yüksek voltaj,
geçerlidir ve bu iş için mutlaka
3) Hızlı gerilim değişimi,
önlem alınmalıdır.
4) Hızlı akım değişimi.
• dv/dt için alınması gereken önlem
tıpkı diyot ve tristörde olduğu gibi, GTO’nun bu durumlarda kontrol
elemana paralel olarak uygun bir dışı olarak iletime geçmesini
R-C devresinin bağlanmasıdır. engellemek için diyotlarda ve
genel amaçlı tristörde (SCR)
• di/dt için alınması gereken önlem
açıklandığı gibi alınan tüm
ise yine diyot ve tristörde olduğu
önlemlerin aynı şekilde alınması
gibi, elemana seri olarak uygun bir
gerekmektedir.
endüktansın (L) bağlanmasıdır.
95
Aşağıda bir GTO’nun bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
96
ÖDEV-3
3.1) 380V-50Hz 3 fazlı şebekede çalışacak 380V-50A’lik bir AC kıyıcı

yapılmak istenmektedir. Bu kıyıcı için uygun bir Triyak belirleyerek
internet ortamında bilgi yaprakları (datasheets) üzerinden
araştırınız. Triyak yapısını, genel özelliklerini, temel parametrelerini,
üretici firmalarını, Türkiye temsilcilerini ve satış fiyatını gösteren bir
rapor hazırlayınız.
3.2) 750Vdc şebekede çalışacak 100A’lik bir DC-DC dönüştürücü (DC

kıyıcı) yapılmak istenmektedir. Bu devre için uygun bir GTO
belirleyerek internet ortamında bilgi yaprakları (datasheets)
üzerinden araştırınız. GTO yapısını, genel özelliklerini, temel
parametrelerini, üretici firmalarını, Türkiye temsilcilerini ve satış
fiyatını gösteren bir rapor hazırlayınız.
97
• GÜÇ TRANSĐSTÖRLERĐ: • Çift Polariteli Transistör (BJT),
• Güç transistörleri, kontrollu güç Temel Yapısı ve Çalışması:
anahtarlarıdır. Üç temel yapıda • Elektronik alanında ilk
bulunan bu transistörler; geliştirilen ve çok kullanılan
• 1- Çift polariteli, genel amaçlı elemanlardan birisi olan BJT,
transistör (BJT), bu güne kadar pek çok alanda
• 2- Metal oksitli, alan etkili yoğun bir şekilde kullanılmış
transistörler (MOSFET), ve kullanılmaktadır. Bu
alanlardan bazıları;
• 3- Yalıtılmış kapılı transistörler
(IGBT), • Yükselteç olarak,
• Bu türlerin kendilerine ait • Sinyal üreteci (osilatör) olarak,
özellikleri ve buna bağlı olarak • Alıcı-verici olarak,
da kullanım alanları • Mantık işlemcisi olarak,
bulunmaktadır. Şimdi bu türleri • Anahtarlama elemanı vb.
ayrıntısıyla inceleyelim. olarak.
98
• Bu kadar fazla iş için kullanılan Görüldüğü ve önceden de bilindiği
BJT, güç elektroniği gibi yarıiletken katmanların
devrelerinde ve endüstriyel sıralanışına göre NPN ve PNP
olmak üzere iki tür transistör (BJT)
elektronikte de “anahtar” olarak
bulunmaktadır.
kullanılmaktadır.
Transistör (BJT), şu ana kadar
• Şekil-2.51’de temel taransistör tanıtılan elemanların aksine,
(BJT)’nin yarıiletken yapısı ve sadece “on” ve “off” olmak üzere
sembolleri görülmektedir. iki durumu olan bir yarıiletken
anahtar değildir.
BJT’nin on ve off arasında bir de
amplifikasyon (yükseltme) durumu
(bölgesi) bulunmaktadır.
99
• BJT’ bu sayede çok farklı Güç elektroniği
uygulamalarda uygulamalarında daha çok DC-
kullanılabilmektedir. DC dönüştürücü (DC kıyıcı) ve
• Fakat güç elektroniği DC-AC dönüştürücü (Đnvertör)
uygulamalarında transistörün devrelerinde tercih edilen
(BJT) bir anahtar gibi çalışması transistör (BJT), çok düşük
ve sadece “on” ve “off” frekanslardan (1-2Hz), yüksek
durumlarında olması frekanslara (20-30kHz) kadar
istenmektedir. kontrollu anahtar olarak
• Bu nedenle güç elektroniğinde kullanılabilmektedir.
transistörün (BJT) kullanılması BJT, tıpkı tristör, triyak ve GTO
sırasında “anahtar” olarak gibi akım kontrollu bir
çalışacak şekilde kontrol edilir. yarıiletken anahtardır. Farkı ise
• Ayrıca güç elektroniği uyarıldığı sürece iletimde
uygulamalarında daha çok olması uyarı kesildiğinde ise
NPN transistör tercih edilir. yalıtıma geçmesidir.
100
• Çift Polariteli Transistörün (BJT) Şekil-2.52’den görüldüğü gibi,
Çalıştırılması; uyarma butonuna basılmadığı
• Aşağıdaki Şekil-2.52’de çift sürece BJT, kollektörü ile
polariteli transistörün çalıştırılması emiteri arasına gelen doğru
yarıiletken yapı üzerinde yönlü gerilime blokaj yapacak
görülmektedir. Burada Vs kaynağı
ve yalıtımda kalacaktır.
kaynaktır. VB ise transistörü BJT iletime geçirilmek
uyarmada kullanılan kaynaktır. istendiğinde ise uyarma
butonuna basılarak beyz
Yük
NPN (base)’den emitere doğru bir
BJT uyarma akımı (IBE) akması
IC VS sağlanır ve bu sayede BJT
N
Buton iletime geçerek kollektörden
P
VB emitere doğru yük akımını (IC)
N
akıtmaya başlar. IBE akımı
IBE kesildiğinde BJT susar.
Rg
101
• Yalnız burada çok önemli bir Güç elektroniği
ayrıntı vardır. BJT’nin sadece uygulamalarında transistör tek
“on” ve “off” durumları olmadığı olarak kullanılabildiği gibi,
ve ara durumlarda da yarı yüksek akım seviyelerine
geçirgen olarak çalışabildiği çıkabilmek için genellikle üretici
için, güç elektroniği tarafından veya kullanıcı
uygulamalarında BJT’yi tarafından aşağıdaki Şekil-
uyaracak olan akımın (IBE), 2.53’de görüldüğü gibi
elemanı tam olarak iletime “darlington” bağlanarak
geçirebilecek akım seviyesinde kullanılmaktadır.
olması gerekmektedir.
• BJT’yi tam iletime geçirecek
Kollektör, C
olan uyarma akımı (IBE)
seviyesi, üretici tarafından T1
elemanın bilgi yapraklarında Base, B T2
ayrıntılı olarak verilmektedir. Emiter, E
102
• BJT’nin Temel Test Devresi ve Aşağıdaki Şekil-2.55’de BJT’nin
Karakteristik Eğrisi; temel karakteristik eğrilerinden
akım-gerilim (IC-VCE) eğrisi (çıkış
• Aşağıdaki Şekil-2.54’de BJT’nin
karakteristik eğrisi) farklı bir
temel karakteristik eğrisinin
şekilde görülmektedir.
çıkarıldığı temel test devresi
görülmektedir.
• Şekil-2.54’deki bağlantı şekli ile IC
Doğru
BJT’nin doğru yön çalışması, Imax. (ileri) yön
devredeki “Vs” bataryası ters C+, E-
çevrilerek de ters yön çalışması
test edilebilmektedir. -VCE
VCE
Ters (geri) yön VCEon +Vmax
C-, E+
çalışmada
transistör Sürekli Tam
zarar görür! Uyarma
-IC yapılırsa
103
• Karakteristik eğriden Bu durumda BJT’nin, doğru yönlü
görüldüğü gibi diyot, doğru (C+, E-) gerilimde, uyarılmaz ise
yönde 0,7V’dan sonra iletime blokaj yapan, tam uyarıldığı
geçerken, BJT ancak Vmax. taktirde ise tam iletime geçen,
doğru yönlü gerilim altında iletimi
gerilimine ulaşıldığında iletime
ve yalıtımı kontrol edilebilen,
geçer fakat bu şekilde iletime
Ters yönlü (C-, E+) gerilimde ise
geçme istenmeyen bir asla çalışamayan, çalıştırıldığı
durumdur. BJT’nin doğru taktirde bozulan, tek (+) yönlü
yönde de normal olarak iletime akım akıtan bir yarıiletken güç
geçebilmesi için uyarı anahtarı olduğu görülmektedir.
verilmesi, yalıtıma BJT, bu özellikleriyle DC’de
geçirilebilmesi içinse uyarının çalıştırılmak için uygun bir anahtar
çekilmesi gerekmektedir. durumundadır.
• Ters yönde ise BJT asla BJT’nin bu özelliği sayesinde
çalışamaz, yani BJT’nin ters SCR’de kullanılan zorla susturma
gerilim blokaj kabiliyeti yoktur. düzenekleri kullanılmaz.
104
• BJT’lerde elemanın hangi Şekil-2.56’dan görüldüğü gibi
durumlarda tam iletim veya BJT’nin kollektör akımının (IC)
tam yalıtım, hangi durumlarda miktarı, tamamen B-E
da amplifikasyon (yükseltme) arasından akıtılan akımın (IB)
modunda olduğunu gösteren değerine bağlıdır.
çok önemli bir karakteristik eğri Bu bağlantı üretici tarafından
daha vardır, bu eğri aşağıda bir parametreyle (β) verilmekte
Şekil-2.56’da görülmektedir. olup, aşağıdaki gibi gösterilir;
IC IB(max) Örnek, β= 150 (β= Ic / IB)
IC(max)
Ic= β.IB veya IB= Ic / β
Doyum bölgesi
IB(4)
IB(3)
Görüldüğü gibi kollektör akımı
IB(2) beyz akımının “β” katıdır.
IB(1) Anahtarlama uygulamalarında
IC(sız.) IB(min) beyz akımı (IB), ya “max.” yada
Kesim bölgesi
“0” seçilerek kontrol yapılır.
VCE(sat.) VCE(max) VCE
105
t1 t2 t3 t4
• Aşağıdaki Şekil-2.57’de BJT’nin +V
DC’de çalışmasını izleyebilmek
ωt
için kurulan devre görülmektedir. Vs
• Yandaki Şekil-2.58’de ise BJT’nin
dc kaynak altında iletim ve
ωt
yalıtımının kontrol edilmesi, VBE
devrenin çalışma dalga şekilleriyle
birlikte verilmiştir.
• Zaten BJT ac kaynakta asla ωt
VRL
çalıştırılamaz çünkü ters gerilimi
bloke edemez ve yanar.
ωt
ωt
VCE
ωt
ωt
IC
off on off on
106
• Şekil-2.58’den görüldüğü gibi 0-t1 BJT’lerin Seri ve Paralel
aralığında BJT yalıtımda Bağlanması;
bulunmaktadır. t1 anında BJT’nin
BJT’ler, sadece DC’de
B-E arasına pozitif bir uyarma
gerilimi uygulandığında IB akarak çalışabilen yarıiletken
eleman hemen iletime elemanlar olduğu için daha çok
geçmektedir. dc-dc dönüştürücü ve
• t1-t2 aralığında iletimde kalan invertörlerde eskiden yoğun
BJT’nin t2 anında uyarma gerilimi olarak kullanılmak idi.
dolayısıyla da IB akımı Günümüzde pek fazla
kesildiğinde, eleman hemen kullanılmamasına rağmen
yalıtıma geçmektedir.
yüksek akım ve gerilimlerde
• t3 anında eleman tekrar pozitif çalışılması gerektiğinde
gerilim ile uyarıldığında yine
darlington bağlantı yapılır veya
iletime geçmektedir.
diğer elemanlarda olduğu gibi
• Kısacası hem iletime hem de
seri veya paralel bağlanma
yalıtıma geçmesi B-E arasından
rahatlıkla kontrol edilebilmektedir. prosedürü uygulanabilir.
107
• BJT’lerde dv/dt ve di/dt BJT’nin Kontrol Dışı Đletime
• Bilindiği gibi ani değişen akım ve BJT’nin kontrol dışı olarak iletime
gerilimde yarıiletken güç geçmesine, dolayısıyla da
üzerlerinden akım geçirmekte ve vardır. Bu durumlar yine;
• BJT için de bu olay tamamen 2) Yüksek voltaj,
tıpkı diyot ve tristörde olduğu gibi, BJT’nin bu durumlarda kontrol dışı
elemana paralel olarak uygun bir olarak iletime geçmesini
R-C devresinin bağlanmasıdır. engellemek için diyotlarda ve diğer
güç elemanlarında ayrıntısıyla
gerekmektedir.
108
Aşağıda bir BJT’nin bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
109
• Metal Oksitli Alan Etkili • Mosfet’in temeli alan etkili
Transistör (Mosfet) Temel transistöre (FET)
Yapısı ve Çalışması; dayanmaktadır. Alan etkili
• Elektronik alanında çok transistörler analog
kullanılan elemanlardan birisi elektroniğin temel
olan Mosfet, bu güne kadar elemanlarından birisi olup
pek çok alanda yoğun bir özellikle yükseltme ve
şekilde kullanılmış ve
osilasyon üretme işlerinde
kullanılmaktadır. Bu alanlar;
yoğun olarak kullanılmaktadır.
• Yükselteç olarak,
• Mosfet’ler FET’in bir ileri
• Sinyal üreteci (osilatör) olarak,
versiyonu olup, transistör gibi
• Regülatör olarak,
kontrol edilebilme özelliğine
• Alıcı-verici olarak, sahip elemanlardır.
• Mantık işlemcisi olarak,
• Mosfet’ler D ve E-Mosfet
• Anahtarlama elemanı olarak. olarak ikiye ayrılmaktadır.
110
• Bunlardan arttırmalı Mosfet Şekilden görüldüğü gibi yarıiletken
olarak bilinen E-Mosfet’ler güç katmanların sıralanışına göre N-
elektroniği devrelerinde yarı Kanal ve P-Kanal olmak üzere iki
tür E-Mosfet bulunmaktadır.
iletken “anahtar” olarak
kullanılmaktadır. E-Mosfet, tıpkı transistör (BJT)
gibi, sadece “on” ve “off” olmak
• Aşağıdaki Şekil-2.59’da üzere iki durumu olmayan, ara
E-Mosfet’in yarıiletken yapısı durumlara da sahip olan bir
ve sembolleri görülmektedir. yarıiletken anahtardır.
E-Mosfet’in on ve off arasında bir
de amplifikasyon (yükseltme)
durumu (bölgesi) bulunmaktadır.
111
• E-Mosfet, bu sayede çok farklı Güç elektroniği
uygulamalarda uygulamalarında daha çok DC-
kullanılabilmektedir. DC dönüştürücü (DC kıyıcı) ve
• Fakat güç elektroniği DC-AC dönüştürücü (Đnvertör)
uygulamalarında E-Mosfet’in devrelerinde tercih edilen E-
bir anahtar gibi çalışması ve Mosfet’ler, çok düşük
sadece “on” ve “off” frekanslardan (1-2Hz), yüksek
durumlarında olması frekanslara (80-100kHz) kadar
istenmektedir. kontrollu anahtar olarak
• Bu nedenle güç elektroniğinde kullanılabilmektedir.
E-Mosfet’in kullanılması E-Mosfet, tıpkı MCT gibi
sırasında “anahtar” olarak gerilim kontrollu bir yarıiletken
çalışacak şekilde kontrol edilir. anahtardır. Farkı ise uyarıldığı
• Ayrıca güç elektroniği sürece iletimde olması uyarı
uygulamalarında daha çok N- kesildiğinde ise yalıtıma
Kanal E-Mosfet tercih edilir. geçmesidir.
112
• Metal Oksitli Fet Transistörün Şekil-2.60’dan görüldüğü gibi,
(E-Mosfet) Çalıştırılması; uyarma butonuna basılmadığı
• Aşağıdaki Şekil-2.60’da N-kanal sürece E-Mosfet, Drain ile
E-Mosfet’in çalıştırılması Source arasına gelen doğru
yarıiletken yapı üzerinde yönlü gerilime blokaj yapacak
görülmektedir. Burada Vs kaynağı ve yalıtımda kalacaktır.
kaynaktır. VG ise transistörü
E-Mosfet iletime geçirilmek
uyarmada kullanılan kaynaktır. istendiğinde ise uyarma
butonuna basılarak Gate (kapı)
Yük ile Source arasında bir uyarma
N-Kanal
E-Mosfet
geriliminin oluşması sağlanır
VS ve bu sayede E-Mosfet iletime
ID
N geçerek Drain’den Source’e
Buton
+ - doğru yük akımını (ID)
-
VG + - P akıtmaya başlar. VGS gerilimi
N kesildiğinde E-Mosfet susar.
RG
113
• Yalnız burada çok önemli bir Buraya kadar açıklananlardan
ayrıntı vardır. E-Mosfet’in yola çıkarak E-Mosfet ile
sadece “on” ve “off” durumları transistörün (BJT) aynı
olmadığı ve ara durumlarda da mantıkla çalıştıkları yani
yarı geçirgen olarak uyarıldığı sürece iletimde
çalışabildiği için, güç oldukları, uyarı kesildiğinde ise
uygulamalarında E-Mosfet’i başka bir işleme gerek
uyaracak olan gerilimin (VGS), kalmaksızın yalıtıma geçtikleri
elemanı tam olarak iletime görülmektedir.
geçirebilecek gerilimin Peki ikisi arasındaki fark ne?
seviyesinde olması E-mosfet ile BJT arasındaki
gerekmektedir. fark, BJT’nin akımla (IBE), E-
• E-Mosfet’i tam iletime Mosfet’in ise gerilimle (VGS)
geçirecek olan uyarma gerilimi kontrol edilmesidir ki bu
(VGS) seviyesi, üretici sayede E-Mosfet BJT’e göre
tarafından elemanın bilgi daha hızlı anahtarlanabilir.
yapraklarında verilmektedir.
114
• E-Mosfet’in Temel Test Devresi Aşağıdaki Şekil-2.62’de ise E-
ve Karakteristik Eğrisi; Mosfet’in temel karakteristik
• Aşağıdaki Şekil-2.61’de E- eğrilerinden akım-gerilim (ID-
Mosfet’in temel karakteristik VDS) eğrisi (çıkış karakteristik
eğrisinin çıkarıldığı temel test eğrisi) görülmektedir.
devresi görülmektedir.
• Aşağıdaki bağlantı şekli ile E- ID
Mosfet’in doğru yön çalışması, Doğru
D+, S-
-VDS
VDS
Ters (geri) yön VDSon +Vmax
D-, S+
çalışmada
E-Mosfet Sürekli Tam
-ID yapılırsa
115
• Karakteristik eğriden görüldüğü Bu durumda E-Mosfet’in, doğru
gibi diyot, doğru yönde 0,7V’dan yönlü (D+, S-) gerilimde,
sonra kendiliğinden iletime uyarılmaz ise blokaj yapan, tam
geçerken, E-Mosfet ancak Vmax. uyarıldığı taktirde ise tam iletime
gerilimine ulaşıldığında geçen, doğru yönlü gerilim altında
kendiliğinden iletime geçmektedir. iletimi ve yalıtımı kontrol
• Bu şekilde iletime geçme edilebilen,
istenmeyen bir durumdur. E- Ters yönlü (D-, S+) gerilimde ise
Mosfet’in doğru yönde de normal asla çalışamayan, çalıştırıldığı
olarak iletime geçebilmesi için taktirde bozulan, tek (+) yönlü
uyarı verilmesi, yalıtıma akım akıtan bir yarıiletken güç
geçirilebilmesi içinse uyarının anahtarı olduğu görülmektedir.
çekilmesi gerekmektedir. E-Mosfet, bu özellikleriyle DC’de
• Ters yönde ise E-Mosfet asla çalıştırılmak için uygun bir anahtar
çalışamaz, yani E-Mosfet’in ters durumundadır.
gerilim blokaj kabiliyeti yoktur. E-Mosfet’in bu özelliği sayesinde
Ters gerilim verildiğinde BJT SCR’de kullanılan zorla susturma
blokaj yapamayarak yanar. düzenekleri kullanılmaz.
116
• E-Mosfet’lerde, elemanın hangi Şekil-2.63’den görüldüğü gibi
durumlarda tam iletim veya tam E-Mosfet’in Drain akımının (ID)
yalıtım, hangi durumlarda da miktarı, tamamen G-S
amplifikasyon (yükseltme)
arasındaki kontrol geriliminin
modunda olduğunu gösteren çok
değerine bağlıdır.
önemli bir karakteristik eğri daha
vardır, bu eğri aşağıda Şekil- Bu bağlantı üretici tarafından
2.63’de görülmektedir. parametreyle (gm) verilmekte
olup, aşağıdaki gibi gösterilir;
ID VGS(max) Örnek, gm= 50 (gm= ID / VGS)
ID(max)
Doyum bölgesi
VGS(4) ID= gm.VGS veya VGS= ID / gm

VGS(3)
VGS(2)
Görüldüğü gibi Drain akımı
VGS geriliminin “gm” katıdır.
VGS(1)
Anahtarlama uygulamalarında
ID(sız.) VGS(min)
Kesim bölgesi VGS gerilimi ya “max.” yada “0”
VDS(sat.) VDS(max) seçilerek kontrol yapılır.
VDS
117
t1 t2 t3 t4
• Aşağıdaki Şekil-2.64’de E-Mosfet +V
DC’de çalışmasını izleyebilmek
ωt
için kurulan devre görülmektedir. Vs
• Yandaki Şekil-2.65’de ise
E-Mosfet’in DC kaynak altında
ωt
iletim ve yalıtımının kontrol VGS
edilmesi, devrenin çalışma dalga
şekilleriyle birlikte verilmiştir.
• Zaten E-Mosfet’ler ac kaynakta ωt
VRL
asla çalıştırılamaz çünkü ters
gerilimi bloke edemez ve yanarlar.
ωt
VDS
ωt
ID
off on off on
118
• Şekil-2-65’den görüldüğü gibi 0-t1 E-Mosfet’lerin Seri ve Paralel
aralığında E-Mosfet yalıtımda Bağlanması;
bulunmaktadır.
E-Mosfet’ler, sadece DC’de
• t1 anında E-Mosfet’in G-S arasına
çalışabilen yarıiletken
pozitif bir uyarma gerilimi
uygulandığında eleman hemen
elemanlar olduğu için daha çok
iletime geçmektedir. DC-DC dönüştürücü ve
invertörlerde yoğun olarak
E-Mosfet’in t2 anında uyarma kullanılmaktadır.
gerilimi kesildiğinde (sıfıra Günümüzde oldukça fazla
düştüğünde), eleman hemen kullanılan E-Mosfetler’in
yalıtıma geçmektedir. yüksek akım ve gerilimlerde
• t3 anında eleman tekrar pozitif çalışılması gerektiğinde diyot,
gerilim ile uyarıldığında yine tristör ve diğer elemanlarda
iletime geçmektedir. olduğu gibi seri veya paralel
• Kısacası hem iletime hem de bağlanma prosedürü
yalıtıma geçmesi G-S arasından uygulanabilir.
rahatlıkla kontrol edilebilmektedir.
119
• E-Mosfet’lerde dv/dt ve di/dt E-Mosfet’in Kontrol Dışı
korumasının sağlanması; Đletime Geçmesi;
• Bilindiği gibi ani değişen akım ve E-Mosfet’in kontrol dışı olarak
gerilimde yarıiletken güç iletime geçmesine, dolayısıyla da
• E-Mosfet’ler için de bu olay 2) Yüksek voltaj,
tamamen geçerlidir ve bu iş için
mutlaka önlem alınmalıdır.
tıpkı diyot ve tristörde olduğu gibi, E-Mosfet’in bu durumlarda kontrol
gerekmektedir.
120
Aşağıda bir E-Mosfet’in bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
121
• Yalıtılmış Kapılı Transistör • E-Mosfet’lerde ise BJT’ye göre
(IGBT), Temel Yapısı ve tam tersi durum söz konusudur.
Çalışması; Yani Mosfet’in kötü tarafı, iletim
• Günümüzde güç elektroniği iç direncinin yüksek dolayısıyla
uygulamalarında en fazla da iletim kayıpları transistöre
kullanılan elemanlardan birisi göre daha fazla olmasıdır. Đyi
olan IGBT, transistör (BJT) ile E- tarafı ise anahtarlanma
Mosfet karışımı özel bir süresinin düşük, dolayısıyla da
elemandır. anahtarlama kayıplarının
transistöre göre daha az
• Bilindiği gibi BJT’nin iyi tarafı
olmasıdır.
iletim iç direncinin dolayısıyla da
iletim kayıplarının düşük • Đşte her iki elemanın iyi
olmasıdır. Kötü tarafı ise özellikleri alınarak yeni bir
anahtarlanma süresinin uzun eleman geliştirilmiştir. Bu
olması dolayısıyla da eleman girişi mosfet gibi
anahtarlama kayıplarının yüksek yapılandırılmış çıkışı ise
olmasıdır. transistör gibi yapılandırılmış
olan IGBT’dir.
122
• IGBT’er kontrol sırasında
mosfet gibi çalışma sırasında
ise transistör gibi davranan ve
sadece anahtar olarak
kullanılan elemanlardır.
• Şekil-2.66’da IGBT’nin
yarıiletken yapısı ve eşdeğer
devresi görülmektedir. Eşdeğer
devreden görüldüğü gibi IGBT
yapısı, giriş terminalleri arasına
N-Kanal E-Mosfet bağlanmış
bir PNP transistör gibidir. Bu
sayede Mosfet gibi hızlı
anahtarlanan, transistör (BJT)
gibi iletim iç direnci düşük olan
yeni bir eleman
oluşturulmuştur.
123
• IGBT, bu sayede son Güç elektroniği
zamanlarda daha önceden uygulamalarında daha çok DC-
transistör ve E-Mosfet’in DC dönüştürücü (DC kıyıcı) ve
kullanıldığı tüm anahtarlama DC-AC dönüştürücü (Đnvertör)
uygulamalarında çok yaygın devrelerinde tercih edilen
olarak kullanılmaktadır. IGBT’ler, çok düşük
• Pratikte düşük gerilimli frekanslardan (1-2Hz), orta
uygulamalarda daha çok E- frekanslara (20kHz) kadar
Mosfet, yüksek gerilimli (400V kontrollu anahtar olarak
ve üzeri) daha çok IGBT tercih kullanılabilmekte olup, 1200V-
edilmekte olup sembolü Şekil- 400A seviyelerine kadar olan
2.67’de görüldüğü gibidir. versiyonları bulunmaktadır.
IGBT’ler, tıpkı E-Mosfet’ler gibi
Kollektör, C gerilim kontrollu bir yarıiletken
Gate, G IGBT anahtardır ve kontrolunda E-
Mosfet prosedürü uygulanır.
Emiter, E
124
• Metal Oksitli Fet Transistörün Şekil-2.68’den görüldüğü gibi,
(E-Mosfet) Çalıştırılması; uyarma butonuna basılmadığı
• Aşağıdaki Şekil-2.68’de sürece IGBT, kollektör ile
IGBT’nin çalıştırılması sembolü emiter arasına gelen doğru
üzerinde görülmektedir. Burada yönlü gerilime blokaj yapacak
Vs kaynağı yükü beslemekle ve yalıtımda kalacaktır.
görevli olan ana kaynaktır. VG IGBT iletime geçirilmek
ise transistörü istendiğinde ise uyarma
uyarmada kullanılan kaynaktır. butonuna basılarak Gate (kapı)
ile Emiter arasında bir uyarma
Yük
geriliminin oluşması sağlanır
IGBT ve bu sayede IGBT iletime
IC VS geçerek kollektör’den emiter’e
Buton doğru yük akımını (IC)
VG akıtmaya başlar. VGE gerilimi
RG kesildiğinde IGBT susar.
125
• Yalnız burada çok önemli bir Buraya kadar açıklananlardan
ayrıntı vardır. IGBT’nin sadece yola çıkarak IGBT’i ile E-
“on” ve “off” durumları olmadığı Mosfet’in aynı mantıkla
ve ara durumlarda da yarı çalıştıkları yani uyarıldığı
geçirgen olarak çalışabildiği sürece iletimde oldukları, uyarı
için, güç elektroniği kesildiğinde ise başka bir
uygulamalarında IGBT’yi işleme gerek kalmaksızın
uyaracak olan gerilimin (VGE), yalıtıma geçtikleri
elemanı tam olarak iletime görülmektedir.
geçirebilecek gerilimin Peki ikisi arasındaki fark ne?
seviyesinde olması IGBT, özellikle yüksek gerilim
gerekmektedir. ve akım altında hızlı olarak
• IGBT’yi tam iletime geçirecek anahtarlanabilecek şekilde
olan uyarma gerilimi (VGE) imal edildiğinden, yüksek
seviyesi, üretici tarafından gerilim ve akımda E-Mosfet’e
elemanın bilgi yapraklarında göre avantajlı durumdadır.
ayrıntılı olarak verilmektedir.
126
• IGBT’nin Temel Test Devresi Aşağıdaki Şekil-2.70’de IGBT’nin
ve Karakteristik Eğrisi; temel karakteristik eğrilerinden
olan akım-gerilim (IC-VCE) eğrisi
• Aşağıdaki Şekil-2.69’da IGBT’nin
(çıkış karakteristik eğrisi)
temel karakteristik eğrisinin
görülmektedir.
çıkarıldığı temel test devresi
görülmektedir.
• Aşağıdaki bağlantı şekli ile IC
Doğru
IGBT’nin doğru yön çalışması, Imax. (ileri) yön
devredeki “Vs” bataryası ters C+, E-
test edilebilmektedir. -VCE
VCE
Ters (geri) yön VCEon +Vmax
C-, E+
çalışmada
IGBT Sürekli Tam
-IC yapılırsa
127
• Karakteristik eğriden görüldüğü Bu durumda IGBT’nin, doğru
gibi diyot, doğru yönde 0,7V’dan yönlü (C+, E-) gerilimde,
sonra kendiliğinden iletime uyarılmaz ise blokaj yapan, tam
geçerken, IGBT ancak Vmax. uyarıldığı taktirde ise tam iletime
gerilimine ulaşıldığında geçen, doğru yönlü gerilim altında
kendiliğinden iletime geçmektedir. iletimi ve yalıtımı kontrol
• Bu şekilde iletime geçme edilebilen,
istenmeyen bir durumdur. Ters yönlü (C-, E+) gerilimde ise
IGBT’nin doğru yönde de normal asla çalışamayan, çalıştırıldığı
olarak iletime geçebilmesi için taktirde bozulan, tek (+) yönlü
uyarı verilmesi, yalıtıma akım akıtan bir yarıiletken güç
geçirilebilmesi içinse uyarının anahtarı olduğu görülmektedir.
çekilmesi gerekmektedir. IGBT, bu özellikleriyle DC’de
• Ters yönde ise IGBT asla çalıştırılmak için uygun bir anahtar
çalışamaz, yani IGBT’nin ters durumundadır.
gerilim blokaj kabiliyeti yoktur. IGBT’nin bu özelliği sayesinde
Ters gerilim verildiğinde IGBT SCR’de kullanılan zorla susturma
blokaj yapamayarak yanar. düzenekleri kullanılmaz.
128
• IGBT’lerde, elemanın hangi Şekil-2.71’den görüldüğü gibi
durumlarda tam iletim veya IGBT’nin Kollektör akımının
tam yalıtım, hangi durumlarda (IC) miktarı, tamamen C-E
da amplifikasyon (yükseltme) arasındaki kontrol geriliminin
modunda olduğunu gösteren değerine bağlıdır.
çok önemli bir karakteristik eğri Bu bağlantı, üretici tarafından
daha vardır, bu eğri aşağıda parametreyle (gm) verilmekte
Şekil-2.71’de görülmektedir. olup, aşağıdaki gibi gösterilir;
IC VGE(max) Örnek, gm= 50 (gm= IC / VGE)
IC(max)
IC= gm.VGE veya VGE= IC / gm
Doyum bölgesi
VGE(4)
VGE(3)
Görüldüğü gibi kollektör akımı
VGE(2) VGE geriliminin “gm” katıdır.
VGE(1) Anahtarlama uygulamalarında
IC(sız.) VGE(min) VGE gerilimi ya “max.” yada “0”
Kesim bölgesi
seçilerek kontrol yapılır.
VCE(sat.) VCE(max) VCE
129
t1 t2 t3 t4
• Aşağıdaki Şekil-2.72’de IGBT’nin +V
dc’de çalışmasını izleyebilmek için
ωt
kurulan devre görülmektedir. Vs
• Yandaki Şekil-2.73’de ise
IGBT’nin dc kaynak altında iletim
ωt
ve yalıtımının kontrol edilmesi, VGE
devrenin çalışma dalga şekilleriyle
birlikte verilmiştir.
• Zaten IGBT’ler ac kaynakta asla ωt
VRL
çalıştırılamaz çünkü ters gerilimi
bloke edemez ve yanar.
ωt
VCE
ωt
IC
off on off on
130
• Şekil-2.73’den görüldüğü gibi 0-t1 IGBT’lerin Seri ve Paralel
aralığında IGBT yalıtımda Bağlanması;
bulunmaktadır.
IGBT’ler, sadece DC’de
• t1 anında IGBT’nin G-E arasına
çalışabilen yarıiletken
pozitif bir uyarma gerilimi
uygulandığında eleman hemen
elemanlar olduğu için daha çok
iletime geçmektedir. DC-DC dönüştürücü ve
invertörlerde çok yoğun olarak
IGBT’nin t2 anında uyarma kullanılmaktadır.
gerilimi kesildiğinde (sıfıra Günümüzde oldukça fazla
düştüğünde), eleman hemen kullanılan IGBT’lerin yüksek
yalıtıma geçmektedir. akım ve gerilimlerde
• t3 anında eleman tekrar pozitif çalışılması gerektiğinde diyot,
gerilim ile uyarıldığında yine tristör ve diğer elemanlarda
iletime geçmektedir. olduğu gibi seri veya paralel
• Kısacası hem iletime hem de bağlanma prosedürü
yalıtıma geçmesi G-E arasından uygulanabilir.
rahatlıkla kontrol edilebilmektedir.
131
• IGBT’lerde dv/dt ve di/dt IGBT’nin Kontrol Dışı Đletime
• Bilindiği gibi ani değişen akım ve IGBT’nin kontrol dışı olarak iletime
gerilimde yarıiletken güç geçmesine, dolayısıyla da
• IGBT’ler için de bu olay tamamen 2) Yüksek voltaj,
tıpkı diyot ve tristörde olduğu gibi, IGBT’nin bu durumlarda kontrol
gerekmektedir.
132
Aşağıda bir IGBT’nin bilgi yaprağı (datasheet) görülmektedir.
133
ÖDEV-4
4.1) 200Vdc şebeke çalışacak ve 5Ω’luk bir yükü besleyecek olan DC-
DC dönüştürücü (DC kıyıcı) devresi için uygun bir Mosfet
belirleyerek internet ortamında bilgi yaprakları (datasheets)
üzerinden araştırınız. Mosfet yapısını, genel özelliklerini, temel
parametrelerini, üretici firmalarını, Türkiye temsilcilerini ve satış
fiyatını gösteren bir rapor hazırlayınız.
4.2) 600Vdc şebeke çalışacak ve 5Ω’luk bir yükü besleyecek olan DC-
AC dönüştürücü (Đnvertör) devresi için uygun bir IGBT belirleyerek
internet ortamında bilgi yaprakları (datasheets) üzerinden
araştırınız. IGBT yapısını, genel özelliklerini, temel parametrelerini,
üretici firmalarını, Türkiye temsilcilerini ve satış fiyatını gösteren bir
rapor hazırlayınız.
134

End Elk

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

End Elk

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Bölüm-1

• TANIM: • Güç Elektroniği, gün

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 2

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 3

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 5

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 6

şekillere ve seviyelere Doğrultucular

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 8

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 9

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 10

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 11

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 12

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 13

oluşmaktadır. Bu kayıplar, off on off on

1- Anahtarlama (açma- Anahtar

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 14

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 15

• Mekanik anahtarlar da sadece

2- Đletim durumu (açık-on).

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 18

anahtar olarak, istenirse de Anahtar

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 20

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 23

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 24

1.1 - Güç elektroniği devrelerinin enerji girişlerini kesmek ve

1.2 - Güç elektroniği devrelerinin enerji girişlerini kesmek ve

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 27

Yarı Đletken Güç

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 2

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 3

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 4

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 5

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 6

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 8

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 9

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 10

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 11

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 12

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 13

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 14

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 15

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 16

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 17

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 18

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 19

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 20

• Bu türlerin kendilerine ait P

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 21

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 22

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 23

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 25

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 26

2.19’daki bağlantı yapılabilir.

180º 360º 540º 720º

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 27

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 29

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 30

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 31

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 32

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 33

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 35

• Eğer gerekiyorsa fan veya Tristörün bu olaydan zarar

M.Necdet YILDIZ GÜÇ ELEKTRONĐĞĐ-1 DERS NOTLARI 36