#1 Comparison of MOS and Bipolar Transistors

高级模拟集成电路设计
(Analog Design Essentials)
2009年9月11日
唐长文副教授
zwtang@fudan.edu.cn
http://rfic.fudan.edu.cn/Courses.htm
复旦大学/微电子学系/射频集成电路设计研究小组
版权©2009，版权所有，侵犯必究
MOST与双极性晶体管模型的比较
z MOS晶体管模型
z 双极型晶体管模型
z MOS与双极型晶体管的比较
Ref.: W. Sansen : Analog Design Essentials, Springer 2006
复旦大学射频集成电路设计研究小组 -012- 唐长文

从双极型到MOS晶体管
Ref.: Toshiba & ISSCC2009

SIA线路图
Year Lmin Bits/chip Trans/chip Clock Wiring
µm Gb/chip millions/chip MHz
1995 0.35 0.064 4 300 4-5
1998 0.25 0.256 7 450 5
2001 0.18 1 13 600 5-6
2004 0.13 4 25 800 6
2007 0.09 16 50 1000 6-7
2010 0.065 64 90 1100 7-8
2013 0.045
2016 0.032
Semiconductor Industry Association
摩尔定律(The law of Moore)

10 um
0.1
0.01
1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 year

使用不同特征尺寸的MPW价格

在深亚微米工艺下模拟设计的挑战
Ref.: SNUG2004, San Jose

ISSCC 2009论文分布情况
30
Analog/RF
25 Digital
20
15
10
0
≥ 350 250 180 130 90 65 45 32 nm Lmin

混合信号“蛋壳”
Ref.: SNUG2004, San Jose

符号说明
iOUT
IOUT
Iout
iout
iOUT
Iout
iout
IOUT iOUT
t
MOST版图
WM
LM

MOST版图：Cox和CD
εsi
CD =
t si
εox
Cox =
tox
CD
= n -1
Cox
MOST版图：Cox和CD的值
εsi = 1 pF/cm
εsi 2εsi (φ − VBD )
CD = t si = εox = 0.34 pF/cm
t si qNB
NB = 4 × 1017 cm-3
φ ≈ 0.6 V
例如：L = 0.35 μm W/L = 8
q = 1.6 × 10-19 C
VBD = -3.3 V
t si = 0.11 μm CD ≈ 1× 10-7 F/cm2 = 1 fF/μm2

Lmin
tox = tox = 7 nm Cox = 5 × 10-7 F/cm2 = 5 fF/μm2
50
CD
= n -1 ≈ 0.2
Cox
N阱CMOS工艺
多晶硅栅 Nn-well >> Np-sub，npmos>nnmos!

栅氧

MOST的IDS与VGS和VDS的关系
VDS = ct
IDS VGS
线性区
饱和区
VGS
VGS
VGS
VDS
高VDS使MOST进入饱和区

目录
线性区：MOST线性电阻和模拟开关
强反型区：MOST放大器
弱反型与强反型的转换点
强反型与速度饱和的转换点
寄生电容与特征频率fT
z MOST与双极型晶体管的比较

MOST的VDS与IDS的关系
IDS 饱和区
线性区
VDS > VGS − VT
线性电阻区 VGS − VT
n
Ron =
1
β(VGS − VT ) VGS–VT VDS
W
β = KP
L
MOST的参数β、KP、Cox等
W
β = KP
L KPp ≈ 125 μA/V 2
KPn ≈ 300 μA/V 2
KP = μCox Cox ≈ 5 × 10-7 F/cm2
εsi = 1 pF/cm
εox εox = 0.34 pF/cm
Cox =
tox t ox = 7 n m
L = 0.35 μm
Lmin μp = 250 cm2 /Vs

tox = μn = 600 cm2 /Vs
50

例：连接电容CL的模拟开关
VDD 将0.6 V电压源连接到4 pF

负载电容CL。希望转换速度
vIN vOUT 较快，时间常数为 0.5 ns。
CL VDD=2.5 V，VT=0.5 V。使
用0.35 μm标准CMOS工艺。
选择最小栅长，求vGS平均
值。

例：连接电阻RL的模拟开关
VDD 将0.6 V电压源连接到5 kΩ

负载电阻RL。W/L=8，
vIN vOUT VDD=2.5 V，VT=0.5 V。使
RL 用0.35 μm标准CMOS工艺。
选择最小栅长，求vOUT，
RON 。

体效应：寄生的结型场效应管(JFET)
VT = VT0 + γ ( 2ΦF − VBS − 2ΦF )

2εsiqNSUB CD
γ= = 2 2ΦF − VBS
Cox Cox
2ΦF ≈ 0.6 V
n ≈ 1.2 ∼ 1.5
CD γ
n −1= = γ ≈ 0.5 ∼ 0.8 V1/2
Cox 2 2ΦF − VBS φ = 2ΦF
反向偏置VBS增加，VT 增加，iDS 减小。

n = 1/ κ 为亚阈值栅耦合系数。 Ref.: Tsividis

例：VBS≠0的模拟开关
VDD 将0.6 V电压源连接到4 pF

负载电容CL或5 kΩ负载电阻
vIN vOUT RL。W/L=8(VBS=0 V时，
CL Ron为125Ω)。VDD=2.5 V，
VT0=0.5 V，γ=0.5 V-1 。使
VDD 用0.35 μm标准CMOS工艺。
vIN vOUT
求vOUT。
RL

目录

MOST IDS与VGS的关系：强反型区
IDS IDS ∼ (VGS − VT )
速度饱和区
' W
强反型区 IDS =K (VGS − VT )2
弱反型区 VGS L
gm ' KP
K =
2n
n ??
斜率为1
K n' ≈ 100 μA/V 2
K p' ≈ 40 μA/V 2
VGS
MOST的小信号模型：gm和rDS
iDS
vGS
diDS
gm =
dv GS
' W ' W 2IDS

gm = 2K n (VGS − VT ) = 2 K n IDS =
L L VGS − VT
跨导gm
gm 正比于 IDS ，还是 IDS ？

MOST的小信号模型：rDS
IDS 饱和区 VEL
rDS = ro =
线性区 IDS
1
λ=
VEL
VEn = 4 V/μm
L = 1 μm
IDS = 100 μA
VGS – VT= VDSsat VDS rDS = 40 kΩ
' W 1 diDS
IDS = Kn (VGS − VT )2 (1 + λnVDS ) = λIDS
L rDS dv DS
MOST单管增益AV
AV = gm rDS
2IDS VEL
= ⋅
VGS − VT IDS
2VEL
=
VGS − VT
如果VGS − VT = 0.2 V 、VEL ≈ 10 V ，则 AV ≈ 100。

高增益设计
高增益高速
VGS -VT 低(0.2 V)
L 高
VGS − VT 决定 gm /IDS 的比率，能效比!

例：单管放大器
用三个单管串联的结构，实现总增益为10,000的三
级放大器。VGS − VT = 0.2 V 。
使用先进的65 nm CMOS工艺( VEn = 4 V/μm)，求最
小栅长。

pMOST的小信号模型

MOST的小信号模型: gm和gmb
iDS
vGS vBS
diDS diDS
gm = gmb =
dv GS dv BS
gmb CD
= = n −1
gm Cox

目录

IDS和gm与VGS的关系：弱反型区
IDS wi：弱反型区
速度饱和区
VGS
W
强反型区
IDSwi = ID0 e nkT/q
L
弱反型区 VGS IDSwi
gmwi =
IDS nkT/q
斜率为
(log)
log10 e ⋅ q/nkT
k = 1.38 × 10-23 J/K

q = 1.6 × 10-19 C
kT q=26 mV@T = 300 K
VGS
跨导gm与VGS的关系
gm
gmsat
速度饱和区
VT
强反型区
弱反型区
0.2 0.5 VGS VT
VGS

wi与si转换点电压VGSt
W
VGS
' W
IDSwi = ID0 e nkT/q IDS = K n (VGS − VT )2
L L
IDSwi 2IDS
gmwi = gm =
nkT/q VGS − VT
gmwi 1 gm 2
= =
IDSwi nkT/q IDS VGS − VT
kT
(VGS − VT )t = 2n
q
转换点电压VGSt：与沟道长度L无关
kT
(VGS − VT )t = 2n
q
kT
(VGS − VT )t = 2n ≈ 70 mV
q
与沟道长度L无关， K n' ≈ 100 μA/V 2
很长时间内仍然遵循这一规律！ K p' ≈ 40 μA/V 2
W
例如，当 = 10 时，NMOS的 IDSt ≈ 5 μA ；
L
PMOS的 IDSt ≈ 2 μA 。
wi与si的转换点
强反型区
W
log10IDSsi = 2log10 (VGS − VT ) + log10K '
弱反型区(斜率) L
log10 e
∼
nkT/q
log10 e W
log10IDSwi = VGS + log10ID0
nkT/q L
VT VT+70 mV
wi与si转换点的能效比gm/IDS
gm
IDS
1 gm 1
kT/q =
1 ICE kT/q
nkT/q 4倍 gmwi 1
=
IDSwi nkT/q
2
gmsi 2
VGS − VT =
IDSsi VGS − VT
IDS
IDSt

wi与si平滑过渡的EKV模型
' W 2 ' KP
IDS =K VGSTt [ln(1 + ev )]2 VGST = VGS − VT K =
L 2n
VGST kT
v= VGSTt = (VGS − VT )t = 2n ≈ 70 mV
VGSTt q
当v 较小时：ln(1 + ev ) ≈ ev
VGS −VT VGS −VT
' W 2 2v ' W 2
IDS = K VGSTt e = K VGSTt e nkT/q = IDSt e nkT/q
L L
当v 较大时：ln(1 + ev ) ≈ v
Ref.: Enz, AICSP ‘95,83-114
W W
IDS = K ' VGSTt
2
v2 = K' (VGS − VT )2 Cunha, JSSC Oct.98
L L 1510-1519

wi与si转换点电流IDSt
' W 2 IDS
IDSt =K VGSTt i= = [ln(1 + ev )]2 反型系数
L IDSt
v = ln(e i − 1)
kT
VGS − VT = VGSTt ln(e − 1)
i
VGSTt = 2n ≈ 70 mV
q
i = 1 v = ln(e 1 − 1) = 0.54 VGS − VT ≈ 38 mV

v = 1 i = [ln(1 + e1 )]2 = 1.72
v = 0 i = [ln(1 + e0 )]2 = 0.48

VGS -VT与反型系数 i 的关系

VGS − VT (mV)
700
VGS − VT
600 弱反型区中度反型区强反型区
500
500 mV = VGSTt ln(e i − 1)
400
300 kT
200 mV VGSTt = 2n
200 q
100 80 mV
IDS
0
0 mV i=
IDSt
-100
0.5 2 8 50
-200 i
0.01 0.1 1 10 100

wi与si之间的跨导gm：归一化GM
IDS
i= = [ln(1 + ev )]2 gm ≈ ...
IDSt
gm
IDS g m nk T
GM = =
1 IDS q
nkT/q
1 − e− i
1 i
(1)GM = GM =
大i： GM = 1 −
小i：
i i 2
1 1 i
(2)GM = GM =
大i： GM = 1 −
小i：
1 + 0.5 i + i i 4

归一化跨导GM与反型系数 i 的关系
GM g m nk T
1
GM =
IDS q
0.9
指数平方根 1 − e− i
0.8
0.7
GM =
i
0.6 (指数)
0.5 1
0.4 0.33 GM =
0.3 1 + 0.5 i + i
0.2 (平方根)
0.1 8 IDS
0 i i=
0.01 0.1 1 10 100 IDSt

目录

IDS和gm与VGS的关系：速度饱和区
IDS
速度饱和区
vs：速度饱和区
强反型区 IDSvs = WCoxv sat (VGS − VT )
弱反型区 VGS v sat ≈ 107 cm/s
gm
gmsat = WCoxv sat
斜率为1 gmsat 达到最大值，
不再增加。
VGS
饱和区和速度饱和区
IDS 饱和区
线性区
(VGS − VT )vs
饱和区
平方律区
(VGS − VT )t
VGS − VT = VDSsat VDS

跨导gm与VGS的关系
gm
gmsat = WCoxv sat
v sat = 107 cm/s
gmsat
速度饱和区
VT
强反型区
弱反型区
0.2 0.5 VGS VT
VGS

速度饱和区：vsat和θ
' W
K (VGS − VT )2
L K' W
IDS = ≈ (VGS − VT )
1 + θ (VGS − VT ) θ L
θ
1 + (VGS − VT ) 'W
' W 2 K
gmsat ≈ 2K (VGS − VT ) ≈
L [1 + θ (VGS − VT )] 2
θ L
μ 1 1 = WCoxv sat
θL = =
2n v sat Ec Ec垂直临界场强
θnL ≈ 0.200 μm/V θn ≈ 1.54 V -1

当 L = 0.13 μm ，
θpL ≈ 0.083 μm/V θp ≈ 0.64 V -1
速度饱和区：vsat、RS和θ
' W
K (VGS − VT )2
IDS = L
1 + θ (VGS − VT )
K' W gm 1
gmsat ≈ gmRs = ≈
θ L 1 + gmRS RS
θ μ 1 1
RS = RS ≈ ≈
K 'W/L 2n WK 'v
sat
WCoxv sat

si与vs转换点电压VGSTvs
' W
K (VGS − VT )2
IDS = L IDS = WCoxv sat (VGS − VT )
1 + θ (VGS − VT )
K' W
gmsat = WCoxv sat ≈
θ L
1 v sat
(VGS − VT )vs = ≈ 2nL 正比于沟道长度L！！！
θ μn
≈ 5L v sat = 10 7
cm/s
n = 1.4
当 L = 0.13 μm 时，(VGS − VT )vs ≈ 0.65 V μn = 500 cm /Vs
2

si与vs转换点电流IDSvs
2
' W 2nLv sat 2 v sat
IDSvs ≈ Kn ( ) ≈ 100nεoxW
L μn μn
' μnCox εox Lmin
Kn = Cox = tox =
2n tox 50
εox = 0.34 pF/cm
IDSvs
≈ 10 A/cm v sat = 107 cm/s
W
n = 1.4
μn = 500 cm2 /Vs
当W = 2.6 μm ，Lmin = 0.13 μm 时，IDSvs ≈ 2.6 mA 。

si与vs转换点跨导gm
W
gmsat = WCoxv sat = 50εoxv sat = 17 × 10-5W/Lmin (S) cm
Lmin
W
gmsi = 2K n' (VGS − VT )
Lmin
50 μnεox W
= 2
VGST = 6 × 10 -9
VGSTW / L2
min (S) cm
n Lmin
1 1 1 W 17 × 10-5
= + ≈
gm gmsat gmsi Lmin 1 + 2.8 × 10 4Lmin /VGST
Lmin的单位为cm
μnVGST
gmsat = gmsi Lmin = 0.4VGST (μm)
nv sat
速度饱和区？强反型区？
gm
(mS μm) VGS − VT ≈ 0.2 V
W
' (0.5 V)
gmsi 2K n
= (VGS − VT )
W Lmin
10
gmsi 0.06VGST
≈
W L2min
1 L的单位为μm
Vsat
gmsat
0.2 V 0.5 V = Coxv sat
0.1
0.1 μm 1 μm
W
10 nm L
gmsat 0.17
当VGST=0.2 V，Lmin<65 nm； ≈
W Lmin L的单位为μm
或VGST=0.5 V，Lmin<0.18 μm 时，晶体管进入速度饱和区
强反型区VGS -VT的有效范围
VGS-VT (Volts)
10
VGSTvs
VGSTvs/3
Vsat 3VGSTwi
VGSTwi
1 si
5Lmin
(5/3)Lmin
Clear si
6nkT/q
0.1 si
2nkT/q
wi
0.01
1988 1990 1992 1994 1996 1998 2000 2002 2004 2006 2008
Lmin=0.18 μm
在强反型区MOST的工作范围
gm
mS
VGS − VT ≈ 0.2 V VGS − VT ≈ 0.5 V
gmsat
VT 强反型区速度饱和区
弱反型区
0.2 0.5 VGS VT
VGS

相同工艺下，不同L值，gm vs. VGS

相同tox值！
L>>Lmin
Lmin=50tox
L>>Lmin
Lmin=50tox
W
W = ct = ct
L
不同工艺下，Lmin值，gm vs. VGS

不同tox值！
small Lmin
small Lmin
large Lmin
large Lmin
W
W = ct = ct
L
MOST的IDS、gm和gm/IDS
摘要：关于IDS 、gm和gm/IDS的公式
gm gm
IDS gm = f (VGS − VT ) = f (IDS )
IDS IDS
W nkGS
V
ID0 W nkGS
V
1 1
wi ID0 e T/q e T/q nkT/q nkT/q
L nkT/q L
(1-25a) (1-25b) (1-26b) (1-26b)
kT KP W kT 2
(VGS − VT )ws = 2n IDSws = (2n )
ws q 2n L q
KP W KP W 2 W 1
si (VGS − VT )2 2 (VGS − VT ) 2 K n'
2n L 2n L VGS − VT L IDS
(1-18c) (1-22a) (1-26a) (1-26a)
IDSsi = IDSvs 2nLCoxv sat 2nWLC v2 2

(VGS − VT )sv = IDSsv = ox sat
KP KP
sv
gmsi = gmvs 2nLCoxv sat 2 2
2nWLCox v sat
(VGS − VT )sv = IDSsv =
2KP 2KP
1 WCoxv sat
vs WCoxv sat (VGS − VT ) WCoxv sat VGS − VT IDSvs
(1-38b) (1-39)
Ref.: Laker, Sansen : Design of analog …, MacGrawHill 1994; Table 1-4

栅极漏电流
0.1 μm COMS：
1.0 nm
104 Al/SiO2/Si
tox ≈ 2 nm
102 1.5 nm
JG ≈ 4 × 10-2 A/cm2
JG(A/cm2)
100
10-2 2 nm 10×0.5 μm ：
10-4
IG ≈ 2 nA
10 -6
2.5 nm
JG (A/cm2 )
10-8 L
0 0.5 1 1.5 2.5 3 ≈ 4.5 × 10 exp( −
5
)
6.5
Vox(V) Lmin的单位为nm

目录

MOST电容
VG
LM
VS VD
WM
Cos Coxt Cod

n+ Ccb n+
Csb
Cdb
LD Leff
p型衬底
VB

MOST电容CGS和CGD
2 当L=Lmin时， CGS ≈ 2W fF
CGS ≈ WLCox
3 εox
LminCox ≈ Lmin ≈ 50εox ≈ 2 fF/μm
tox
CGD = WCgdo

当ids = igs时，MOST的特征频率fT
⎧⎪i gs = v gsCGSs
⎨
⎪⎩i ds = gmv gs
2 ' W ' μCox

CGS = WLCox g m = 2K (VGS − VT ) K =
3 L 2n
gm 1 3 μ 1 v sat 3
fT = = 2
(VGS − VT ) = × ?
2πCGS 2π 2n L 2π ⋅ L/v sat 2πL 2
复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0164-
gm = WCoxv sat 唐长文
高速设计
高增益高速
VGS -VT 低(0.2 V) 高(0.5 V)
L 高低
VGS − VT 决定 gm /IDS 的比率，能效比!

最大特征频率fT与沟道长度L的关系
100
fm
f (GHz) fT
fTsat
3 μ
射频电路 fT = 2
(VGS − VT )
2n 2πL
v sat
10 fTsat =
2πL
0.5 V fT
fm =
VGS -VT =0.2 V 1V
1 + αBD
处理器 CBD
αBD ≈
1
1 10
Cox
0.1 L (micron)

强反型区和速度饱和区的特征频率fT
gm
fT = CGS = kW k = 2 fF/μm = 2 × 10-11 F/cm
2πCGS
W 17 × 10-5
gm =
Lmin 1 + 2.8 × 10 4Lmin /VGST L的单位为cm
1 13.5
fT = GHz
Lmin 1 + 2.8Lmin /VGST L的单位为μm
当VGST=0.2 V，Lmin<65 nm；

或VGST=0.5 V，Lmin<0.18 μm时，晶体管进入速度饱和区
强反型区和弱反型区的特征频率fT
gm
fT =
2πCGS
1 − e− i
GM = IDSt
i gm = i (1 − e − i )
IDS = i × IDSt nkT/q
fT
= i (1 − e − i )
fTH
' W 2
IDSt K VGSTt
L 3 μkT/q
fTH = = =
2πCGS nkT/q 2π 2 WLC nkT/q 2π L2
ox
3
f
当i较小时： T = i (1 − e − i ) ≈ i
fTH
特征频率fT与反型系数 i 的关系
fT
GM fTH
1 fT
= i (1 − e− i )
fTH
GM
1 − e− i
GM =
i
0.5
fT
fTH
0.0095 0.0857 IDS

0 i
i=
0.01 0.1 1 10 100 IDSt
练习： MOST的特征频率fT?
所有L=Lmin
1 3 μ 3 K ' IDS 3 IDS
fT = (VGS − VT ) = =
2π 2n L2min 2 πCox WL3min 2 πWLminCox (VGS − VT )
IDS↑ VGS↑ W=ct VGST ↑

fT fT fT
IDS↑ VGST=ct W↑ VGST=ct

W=ct > IDS↑
W↓ > IDS=ct IDS=ct VGST ↓ W↑↑ VGST ↓
VGST=VGS VT W IDS

MOST的电容CSB和CDB
C jSB0
CSB =
1 + VSB /φ jS
C jDB0
CDB =
1 + VDB /φ jD φ jS ≈ φ jD ≈ 0.5 ∼ 0.7 V

RF MOST模型
CG
RG CGD
CGS vgs rDS

gmvgs
CG = CGS + CGD
Ref.: Tin, Tr. CAD, April 1998, 372
Ref.: Sansen, etal, ACD, XDSL,RFMOS models, Kluwer 1999

“单页” MOST模型
VGS − VT ≈ 0.2 V
K n' ≈ 100 μA/V 2

' W
IDS = K (VGS − VT )2 K ' ≈ 40 μA/V 2
L p
' W ' W 2IDS

g m = 2K (VGS − VT ) = 2 K IDS =
L L VGS − VT
VEL VEn ≈ 5 V/μm
rDS = ro =
IDS VEp ≈ 8 V/μm
1 3 μ v sat
fT = 2
(VGS − VT ) ≈
2π 2n L 2πL v sat ≈ 107 cm/s

参量数目的增加
200 a:BSIM1
180 g b:BSIM2
160 f c:BSIM3 version 2.0
140 e d:BSIM3 version 3.0
120 d
100
e:BSIM3 version 3.1
80 c f:BSIM3 version 3.2.2
b
60 a g:BSIM4 4.0.0
40
20
1986 1988 1990 1992 1994 1996 2000 2002 2004
BSIM4 : http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/bsim_ent.html
Model 11 : http://en-origin.nxp.com/models/mos_models/model11/index.html
EKV : http://legwww.epfl.ch/ekv/model.html

基准测试
1. 弱反型转换点的IDS和能效比gm/IDS
2. 速度饱和转换点的IDS和能效比gm/IDS
3. 在VDSsat附近的输出导纳
4. VDS等于零时，电流和电容的连续性
5. 热噪声和1/f 噪声
6. 高频时的输入阻抗(s11)和跨导 (s21)

目录

双极型晶体管
WB
2
XE
WB XB 型
Xepi 隔离
型外延层型外延层
掩埋层 dBL 掩埋层
Xsub
型衬底
hEB
hB
hBE bE
b hCE bC C E B bB bI
bI bB B E C bC
E
hEC hE hEC
hE hC
hC hB
hI
hI
双极型晶体管的ICE与VBE的关系
0.7 V：
不多不少，
恰好为0.7 V
VBE ICE
ICE = IS e kT/q IBE =
β
IS ≈ 10-15 A β ≈ 10 ∼ 1000
当k = 300 K 时，kT/q = 26 mV
双极型晶体管的小信号模型:gm和ro
rB
rππ vbe ro
gmvbe
di CE ICE gm 1
gm = = = ≈ 40 V -1
dv BE kT/q ICE kT/q
dv BE dv BE β VE VEn ≈ 20 V
rπ = =β = ro =
diBE di CE gm ICE VEp ≈ 10 V
双极型晶体管的电容Cπ
Cμ
rπ Cπ
Cπ = C jBE + CD
1
C jBE =
1- VBE /φ jE φjE ≈ 0.7 V
CD为扩散电容
扩散电容CD
Cμ
rπ Cπ
QB di CE ICE
CD = = τF = τ F gm = τ F
v BE dv BE kT/q
WB2 WB
基区穿越时间 τ F = 现在 ≈ ≈ 10 ∼ 200 ps
2Dn v sat
双极型晶体管的电容Cμ和CCS
Cμ
rπ Cπ
C jBC0
Cμ = C jBC C jBC =
1- VBC /φ jC
C jCS0
CCS = C jCS C jCS =
1 + VCS /φ jS φ jC ≈ φ jS ≈ 0.5 V

双极型晶体管的特征频率fT
Cμ
C
rB μ
rππ Cπ
π
vbe ro CCS
gmvbe
gm 1 1 v sat
fT = = ≈
2π(Cπ + Cμ ) 2π C jBE + Cμ 2πWB
τF +
gm
电流增益为1！
双极型晶体管的fT与ICE的关系
1
fT 2πτ F
1
fT =
C jBE + Cμ
2π(τ F + )
gm
1 ICE
2πfT 1 kT 1
斜率为： = τ F + (C jBE + Cμ )
kT 2πfT q ICE
(C jBE + Cμ )
q
τF
ICE
“单页”双极型晶体管模型
VBE
IS ≈ 10-15 A
ICE = IS e kT/q
当k=300 K时，kT/q = 26 mV
ICE
gm =
kT/q
VE VEn ≈ 20 V
ro =
ICE VEp ≈ 10 V
1 1 v sat
fT = 或 ≈
2π C jBE + Cμ 2πWB
τF +
gm

目录

MOST与双极型晶体管的比较
表2-8 MOST与双极型晶体管的比较
Specification MOST Bipolar transistor
1. IIN 0 I C /β β?
RIN ∞ rπ + rB
IDS
2. VDSsat VGS − VT = few kT/q
K 'W/L
gm 1 1 CD
3. wi n = 1+
I nkT/q kT/q Cox
2 1
si
VGS − VT kT/q 4…6 X
1 1
vs
VGS − VT kT/q
Ref.: Laker Sansen Table 2-8 唐长文
MOST-Bipolar的比较：最小VDS
IDS VDSsat ≈ VGS − VT

IDS
VGS − VT ≈
' W
K
L
VCEsat ≈ kT/q ' s
VCEsat VDSsat VDS

Ref.: Laker Sansen Table 2-8

MOST-Bipolar的比较：能效比gm/IDS
gm gm gm 1
=
IDS ICE ICE kT/q
gmwi 1
=
IDSwi nkT/q
4倍
gmsi 2
=
IDSsi VGS − VT
IDS ICE
i

gm的设计流程
' W
IDS =K (VGS − VT )2
L
' W ' W 2IDS

g m = 2K (VGS − VT ) = 2 K IDS =
L L VGS − VT
2个方程，4个变量 >> 2个变量不受约束
选择VGS-VT和L ！
MOST与双极型晶体管的比较
表2-8 MOST与双极型晶体管的比较
Specification MOST Bipolar transistor
W
4.Design planning , VGS − VT kT/q
L
5. I-range 1 decade 7 decade
6. Max fT low I CGS , CGD C jBE , Cμ
high I v sat /Leff v sat /WB
7. Noise dv i2 Therm. 4kT ( 2/3 + RG ) 4kT (

1/2
+ RB )
gm gm
1/f 10X
Offset 10X v sat ≈ 107 cm/s

Ref.: Laker Sansen Table 2-8 唐长文
关于晶体管模型的参考书目
T. Fjeldly, T. Ytterdal, M. Shur, “Introduction to Device Modeling and
Circuit Simulation”, Wiley 1998.
D. Foty, “MOSFET Modeling with SPICE”, Prentice Hall
K. Laker, W.Sansen, “Design of Analog Integrated Circuits and
Systems”, MacGrawHill. NY., Febr.1994.
A. Sedra, K.Smith, “Microelectronic Circuits”,
CBS College Publishing, 2004.
Y. Taur, T. Ning, “Fundamentals of Modern VLSI Devices”
Cambridge Univ. Press, 1998.
Y. Tsividis, “Operation and modeling of the MOS transistor”,
McGraw-Hill, 2004.
A. Vladimirescu “The SPICE book”, Wiley, 1994

关于模拟电路设计的参考书目
P.Allen, D.Holberg, “CMOS Analog Circuit Design”,
Holt, Rinehart and Winston. 1987,Oxford Press 2002
P.Gray, P.Hurst, S. Lewis, R.Meyer, “Analysis and Design of Analog
Integrated Circuits”, Wiley, 1977/84/93/01
R.Gregorian, G.Temes, “Analog MOS Int. Circuits for Signal
Processing”, Wiley, 1986.
Huijsing, Van de Plassche, Sansen, “Analog Circuit Design”,
Kluwer Ac.Publ.1993/4/5….
D.Johns, K.Martin, “Analog integrated circuit design”, Wiley 1997.
K.Laker, W.Sansen, “Design of Analog Integrated Circuits and
Systems”, McGraw Hill. NY., Febr.1994.
H.W.Ott, “Noise reduction techniques in Electronic Systems”,
Wiley, 1988.
B. Razavi, “Design of analog CMOS integrated circuits”,
McGraw Hill. NY., 2000.
A.Sedra, K.Smith, “Microelectronic Circuits”,
CBS College Publishing, 1987.

#1 Comparison of MOS and Bipolar Transistors

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高级模拟集成电路设计

(Analog Design Essentials)

Ref.: W. Sansen : Analog Design Essentials, Springer 2006

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -012- 唐长文

Ref.: Toshiba & ISSCC2009

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -013- 唐长文

摩尔定律(The law of Moore)

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -015- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -016- 唐长文

Ref.: SNUG2004, San Jose

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -017- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -018- 唐长文

Ref.: SNUG2004, San Jose

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -019- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0111- 唐长文

t si = 0.11 μm CD ≈ 1× 10-7 F/cm2 = 1 fF/μm2

多晶硅栅 Nn-well >> Np-sub，npmos>nnmos!

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0114- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0115- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0116- 唐长文

Lmin μp = 250 cm2 /Vs

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0118- 唐长文

VDD 将0.6 V电压源连接到4 pF

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0119- 唐长文

VDD 将0.6 V电压源连接到5 kΩ

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0120- 唐长文

VT = VT0 + γ ( 2ΦF − VBS − 2ΦF )

反向偏置VBS增加，VT 增加，iDS 减小。

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0121- 唐长文

VDD 将0.6 V电压源连接到4 pF

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0122- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0123- 唐长文

' W ' W 2IDS

gm 正比于 IDS ，还是 IDS ？

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0126- 唐长文

如果VGS − VT = 0.2 V 、VEL ≈ 10 V ，则 AV ≈ 100。

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0128- 唐长文

VGS -VT 低(0.2 V)

VGS − VT 决定 gm /IDS 的比率，能效比!

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0129- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0130- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0131- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0132- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0133- 唐长文

k = 1.38 × 10-23 J/K

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0135- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0139- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0140- 唐长文

i = 1 v = ln(e 1 − 1) = 0.54 VGS − VT ≈ 38 mV

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0141- 唐长文

VGS -VT与反型系数 i 的关系

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0142- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0143- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0144- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0145- 唐长文

VGS − VT = VDSsat VDS

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0147- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0148- 唐长文

θnL ≈ 0.200 μm/V θn ≈ 1.54 V -1

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0150- 唐长文

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0151- 唐长文

当W = 2.6 μm ，Lmin = 0.13 μm 时，IDSvs ≈ 2.6 mA 。

复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0152- 唐长文

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复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0171- 唐长文

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复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0173- 唐长文

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复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0175- 唐长文

复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0176- 唐长文

复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0182- 唐长文

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复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0189- 唐长文

复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0191-

复旦大学射频集成电路设计研究小组 -0192- 唐长文