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Si功率元件｜評估篇 下載資料

什麼是dV/dt失效 2023.04.12
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料
重點
・dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電 Si功率元件
流流過基極電阻RB，使寄生雙極電晶體導通而引起短路
從而造成失效的現象。 基礎篇
・dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度越 評估篇
陡，越容易發生MOSFET的dV/dt失效問題。
・ 逆變電路中切換元件
・一般來說，反向恢復特性越差，dV/dt的坡度越陡，越 反向恢復特性的重要
容易產生MOSFET的dV/dt失效。 性 －前言－
・ MOSFET的失效機制
－前言－
什麼是dV/dt失效 什麼是SOA（Safety
Operation Area）失
效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由於MOSFET關斷時流經寄生
什麼是雪崩崩潰失效
電容Cds的暫態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極電晶體 什麼是dV/dt失效
MOSFET的失效機制
的基極和射極之間產生電位差VBE，使寄生雙極電晶體導通，引
—總結—
起短路並造成失效的現象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的 ・ 相移全橋電路的功率
電位差就越大，寄生雙極電晶體越容易導通，從而越容易發生 轉換效率提升 —前言
—
失效問題。
・ Si二極體用的散熱性
能出色的小型封裝
“PMDE”評估 前言
・ 什麼是雙脈衝測試？
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FAQ

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MOSFET的dV/dt失效電流路徑示意圖（藍色部分）

此外，在逆變器電路或Totem-Pole PFC等上下橋結構的電路
中，反向恢復電流Irr會流過MOSFET。受該反向恢復電流影響
的dV/dt，可能會使寄生雙極電晶體誤導通，這一點需要注意。
dV/dt失效與反向恢復特性之間的關係可以透過雙脈衝測試來確
認。雙脈衝測試的電路簡圖如下：

雙脈衝測試的電路圖

關於在雙脈衝測試中的詳細情況，請參考R課堂基礎知識 評估
篇中的“透過雙脈衝測試評估MOSFET的反向恢復特性”。

dV/dt和反向恢復電流的類比結果如下圖所示。設MOSFET①～
③的閘極電阻RG和電源電壓VDD等電路條件相同，僅反向恢復

特性不同。圖中列出了Q1從續流工作轉換到反向恢復工作時的
源-汲極電壓VDS和汲極電流（內部二極體電流）ID。

雙脈衝測試的模擬結果

https://techweb.rohm.com.tw/product/power-device/si/si-evaluation/10772/ 2/4
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一般情況下，與MOSFET①相比，MOSFET③可以說是“反向恢
復特性較差（Irr和trr大）”的產品。從這個類比結果可以看出，
反向恢復特性越差，dV/dt的坡度就越陡峭。這一點透過電流經
電容的暫態電流通常用I=C×dV/dt來表示也可以理解。此外，在
上述類比中，Irr的斜率（di/dt）均設定為相同條件，但當di/dt陡
峭時，dV/dt也會變陡峭。

綜上所述，可以說，在橋式電路中使用MOSFET時，反向恢復
特性越差的MOSFET，發生MOSFET的dV/dt失效風險越大。

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・MOSFET的失效機制 －前言－
・什麼是SOA（Safety Operation Area）失效
・什麼是雪崩崩潰失效
・MOSFET的失效機制 —總結—

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寄生電容Cds 反向恢復特性 VDS的上升坡度陡峭 dV/dt失效

MOSFET失效 MOSFET失效機制 SOA失效 雪崩崩潰失效
反向恢復電流 safety-operation-area soa

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