2023/12/15 下午3:09 MOSFET的熱阻和額定損耗：可背面散熱的封裝 | 所謂電晶體－分類與特徵 | TechWeb

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Si功率元件｜基礎篇 下載資料

MOSFET的熱阻和額定損 可充分發揮 矽 功率
元件特性的應用實
耗：可背面散熱的封裝 2020.08.05
例
這是Rohm研討會的公開
講義。
協助機器節能、提昇效率與
重點 時俱進的矽功率元件。二極
體、MOSFET的基礎到選擇
・在MOSFET熱計算中，通過各種熱阻、功率損耗求得 方法、最先進的元件特性及
TJ，以確認未超過TJ的絕對最大額定值。 應用範例。
・容許損耗是在TJ不超過絕對最大額定值前提下的功率損 下載
耗的反向計算值。
・需要注意規定標準值、絕對最大額定值等價時的條件。
Si功率元件
設計電路時，MOSFET熱計算是必不可少的專案，尤其是對於 基礎篇
處理大功率的功率元件而言，不僅從工作壽命的角度看很重
要，從安全性方面看也非常重要。此次將用兩篇文章對
・ 前言
・ 所謂電晶體－分類與
MOSFET的額定損耗和熱阻進行解說。本文介紹可背面散熱的 特徵
MOSFET封裝，下一篇文章將介紹不可背面散熱的MOSFET封 所謂MOSFET－寄生
電容及其溫度特性
裝。
所謂MOSFET－開關
特性及其溫度特性
可背面散熱封裝的熱阻 所謂MOSFET－閾 值 、
ID-VGS特性及溫度特
關於像TO-220FM和TO-247等可帶散熱器的封裝、TO-252和 性
超接合面MOSFET
TO-263等可將背面引腳安裝在電路板上的封裝，這些可從背面 高耐壓超接合面
散熱的封裝，其熱阻的術語和定義如下： MOSFET的種類與特
長
所謂MOSFET－高速
可充分發揮矽功率元件特性的應用實例trr SJ-MOSFET :
PrestoMOS ™

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同時具備MOSFET和
IGBT優勢的Hybrid
MOS
MOSFET規格相關的
術語集
MOSFET的熱阻和額
定損耗：可背面散熱的
封裝
・ 什麼是Si二極體? —
前言—
・ 實際工作中的電晶體
TA ：周圍（環境）溫度
適用性確認 —前言—
TJ ：接合面溫度 ・ 發揮其特性的應用案
TC ：封裝背面溫度 例 —前言—
TT ：封裝標印面溫度
・ 總結
RthJA（θJA）：結點與周圍 評估篇
（環境）間的熱阻
產品介紹
RthJC（θJC）：結點與封裝
背面間的熱阻 FAQ
可從背面散熱的封裝由引腳框架（圖中的Frame）、晶片和引腳
框架的鍵合面（Die Bonding）、MOSFET晶片（Chip）及樹脂
封裝（Mold）構成基本結構。前面符號說明中的“結點”是指PN
接面，簡單地說是晶片。

另外，下表是TO-247封裝Nch MOSFET的技術規格書中給出的
絕對最大額定值和熱阻範例。由於TJ被規定了絕對最大額定
值，因此在熱計算中，根本底線是不超過TJ的絕對最大額定值

（有時也用“TJMAX”表示）。作為熱阻值，通常會給出基本的

RthJA值、以及使封裝背面緊密安裝在打件電路板或散熱器時的
熱計算所需的RthJC值。

可充分發揮矽功率元件特性的應用實例
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熱阻和額定損耗之間的關係

前面的絕對最大額定表中給出了額定損耗PD。PD和熱阻RthJC

的關係如以下公式所示：

將最大額定值150℃代入TJ，將額定損耗值的條件25℃代入
TC，將最大值0.26℃/W代入RthJC。*如注4所示，RthJC是在TC

＝25℃條件下的值，因此符合PD的規定條件。計算結果約為

480W，即表中所示的PD的值。

該公式更易懂的解釋是，TJ的絕對最大額定值和TC的差即晶片

自身的發熱額定值。在上述條件下，150－25＝125℃，即晶片
的額定發熱量為125℃以下。發熱量=熱阻×功耗，因此可額定的
發熱量除以熱阻，即可計算出額定的功耗，即額定損耗。

在這裡有一點需要事先瞭解：提供的RthJC是帶有TC＝25℃的條

件的。換言之，如果TC不是25℃，那麼RthJC就不是

0.26℃/W。考慮到實際的使用條件，TC通常不會正好是25℃，

因此技術規格書中作為範例給出的RthJC值並不適用於實際使用

條件下的熱計算。雖然技術規格書中給出了範例值，但實際上
卻無法使用，這會讓很多人感覺到矛盾。眾所周知，在多數情
矽 可充分發揮 功率元件特性的應用實例
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況下，需要特定條件來指定規格值，無論是這項熱阻值，還是
技術規格書中的其他規定值，都是在特定條件下的值。

因此，如果要使用RthJC求實際使用條件下的額定損耗，就需要

測量並掌握相應條件下的RthJC。然而，這就需要相應的檢測裝
置和環境構建。

另一種方法是透過RthJA求得。TJ和RthJA的關係可透過以下公式
表示：

P是功率損耗（功耗）。括弧內是晶片的自身發熱量，加上環境
溫度TA即得出TJ值。由於此次使用的是RthJA，請按照已將前面

給出的公式中的TC替換為TA來思考。透過該計算，來調整功率
損耗P或TA，以確保TJ不超過絕對最大額定值150℃。

如果要透過該公式來計算，就需要掌握環境溫度、MOSFET的
功率損耗以及RthJA值。環境溫度和MOSFET功率損耗相對容易
掌握。此類封裝的RthJA值因安裝電路板封裝背面的焊盤面積、

銅箔厚度、電路板的材質及層數而異。有時可以獲得MOSFET
在標準的電路板條件下安裝時的RthJA值。

【下載資料】可充分發揮矽功率元件特性的應用
實例
這是Rohm研討會的公開講義。
協助機器節能、提昇效率與時俱進的矽功率元件。二極體、
MOSFET的基礎到選擇方法、最先進的元件特性及應用範例。

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・所謂電晶體－分類與特徵
・所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性
・所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性
・所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性
・超接合面MOSFET
・高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長
・所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
・同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS
・MOSFET規格相關的術語集

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mosfet熱阻 mosfet額定損耗 封裝熱阻 接合面溫度

環境溫度 絕對最大額定值 mosfet熱計算 ta tj

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