2023/12/15 下午3:09 MOSFET規格相關的術語集 | 所謂電晶體－分類與特徵 | TechWeb

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Si功率元件｜基礎篇 下載資料

MOSFET規格相關的術語集 2020.06.24
可充分發揮 矽 功率
元件特性的應用實
例
這是Rohm研討會的公開
重點 講義。
・參數名稱、術語以及符號可能會因製造商不同而略有不 協助機器節能、提昇效率與
時俱進的矽功率元件。二極
同。 體、MOSFET的基礎到選擇
・與條件設置相關的定義也存在一些差異。 方法、最先進的元件特性及
應用範例。
・解決方法是通過確認規格書中給出的測量條件等來瞭解
具體的內容。 下載
之前介紹了MOSFET的特長和特性。不僅MOSFET的規格書，
Si功率元件
一般規格書（技術規格書）中都會記載電氣規格（spec），其
中包括參數名稱和保證值等。對於MOSFET來說也有很多參 基礎篇
數，在此前的文章中已經提到了一些參數，在這裡進行了匯
・ 前言
總，作為一覽表列出。
・ 所謂電晶體－分類與
特徵
需要注意的是，參數名稱、術語以及符號可能因製造商不同而 所謂MOSFET－寄生
略有不同。另外，關於與條件設定相關的定義也存在一些差
電容及其溫度特性
所謂MOSFET－開關
異。這些情況需要透過確認規格書中給出的測量條件等來理解 特性及其溫度特性
具體的內容。 所謂MOSFET－閾 值 、
ID-VGS特性及溫度特
性
●絕對最大額定值
超接合面MOSFET
高耐壓超接合面
MOSFET的種類與特
參數術語 符 號 定義與說明 長
所謂MOSFET－高速
汲極-源極間 VDSS 在閘極－源極間短路的狀態下，能夠外加給汲極－源極間的 trr SJ-MOSFET :
電壓 最大電壓值。 PrestoMOS ™
可充分發揮 矽功率元件特性的應用實例
汲極電流（直 ID 在指定條件下，可以在汲極-源極間形成的通道中連續流過的 同時具備MOSFET和
流） 最大直流電流值。 IGBT優勢的Hybrid
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汲極電流（脈 IDP 在安全工作區所指定的脈衝寬度和占空比條件下，可以在汲 MOS

衝） 極-源極間形成的通道中流過的最大脈衝電流值。 MOSFET規格相關的
閘極-源極間 術語集
電壓 VGS 能夠外加給閘極－源極間的最大電壓值。 MOSFET的熱阻和額
雪崩電流（單 定損耗：可背面散熱的
次觸發） IAS 雪崩擊穿時額定的最大汲極電流值。 封裝
雪崩能量（單 ・ 什麼是Si二極體? —
次觸發） EAS 雪崩擊穿時額定的最大能量值。 前言—
額定損耗 PD 在指定條件下，MOSFET額定的最大功率損耗值。 ・ 實際工作中的電晶體
適用性確認 —前言—
接合面溫度 Tj 元件工作時能夠額定的最大接合面溫度值。 ・ 發揮其特性的應用案
保存溫度 Tstg 在元件無電氣負載的條件下保存或運輸所允許的溫度範圍。 例 —前言—
・ 總結
●熱阻
評估篇
參數術語 符號 定義與說明 產品介紹
熱阻（結點-外殼間） RthJC 從元件的結點到外殼背面之間的熱阻值。
FAQ
熱阻（結點-空氣間） RthJA 從元件的結點到周圍環境之間的熱阻值。
安裝溫度（波峰焊） Tsold 安裝MOSFET時的最高焊料熔化溫度值。

●電氣特性

參數術語 符號 定義與說明
汲極-源極擊 V(BR)DSS 在閘極-源極間短路的狀態下，寄生二極體引起擊
穿電壓 穿、電流開始在汲極-源極間流動的電壓。
汲極-源極擊 ⊿V(BR)DSS/
穿電壓溫度係 ⊿Tj 汲極-源極間擊穿電壓的溫度係數。
數
汲極關斷電流 IDSS 在指定條件下，在閘極-源極間短路的狀態下，汲極
－源極間流過的洩漏電流。
閘極漏電流 IGSS 在指定條件下，在汲極-源極間短路的狀態下，閘極
－源極間流過的洩漏電流。
閘極閾值電壓 VGS(th) 汲極電流開始在MOSFET中流動的閘極－源極間電
壓。
閘極閾值電壓 ⊿VGS(th)/
溫度係數 ⊿Tj 閾值電壓的溫度係數。
汲極-源極間 RDS(on) 在MOSFET導通期間汲極－源極間的電阻值。
導通電阻
閘極電阻 RG MOSFET的內部閘極電阻值。
正向傳輸導納 |Yfs| 閘極－源極間電壓變化1V時的汲極電流變化率。
輸入電容 Ciss 在使汲極－源極間交流短路的狀態下，在閘極-源極
間測得的寄生電容值。
輸出電容 Coss 間測得的寄生電容 可充分發揮
值。
矽功率元件特性的應用實例
在使閘極－源極間交流短路的狀態下，在汲極-源極

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回饋電容 Crss 將源極引腳接地，在汲極－閘極間測得的寄生電容

值。

汲極-源極間電壓VDS從0V上升到汲極-源極間電壓絕
有效電容（能 Co(er) 對最大額定值VDSS的80%期間積蓄的能量與Coss等效
量換算）
的固定電容值。
汲極-源極間電壓VDS從0V上升到汲極-源極間電壓絕
有效電容（時 Co(tr) 對最大額定值VDSS的80%期間的充電時間與Coss等效
間換算）
的固定電容值。
導通延遲時間 td(on) 閘極－源極間電壓上升到設定電壓的10%後，到汲極
－源極間電壓下降到設定電壓的90%之間的時間。
上升時間 tr 汲極－源極間電壓從設定電壓的90%下降到10%所需
要的時間。
關斷延遲時間 td(off) 閘極－源極間電壓下降到設定電壓的90%後，到汲極
－源極間電壓上升到設定電壓的10%之間的時間。
下降時間 tf 汲極－源極間電壓從設定電壓的10%上升到90%所需
要的時間。
●閘極電荷量特性

參數術語 符號 定義與說明
閘極總電荷 Qg 使MOSFET的閘極電壓從0V上升到指定電壓所需要的閘極電
量 荷量。
閘極-源極 Qgs 使MOSFET的閘極電壓從0V上升到閘極穩定電壓所需要的閘
間電荷量 極-源極間電容中積蓄的電荷量。
閘極-汲極 Qgd MOSFET的汲極-源極間電壓VDS從電源電壓下降至導通電壓
間電荷量 所需要的閘極-汲極間電容中積蓄的電荷量。
閘極穩定電 V(plateau) 切換時，米勒電容開始充放電的閘極電壓值。
壓
●內部二極體特性

參數術語 符
號 定義與說明
源極電流（直 Is 在指定條件下，可以在內部二極體中連續流過的最大直流電
流） 流值。
源極電流（脈 Isp 可以在內部二極體中流過的最大脈衝電流值。
衝）
正向電壓 VSD 正向電流流過內部二極體時的電壓降。
反向恢復時間 trr 在指定的測量條件下，內部二極體的反向恢復電流消失所需
要的時間。
反向恢復電荷 Qrr 在指定的測量條件下，內部二極體的反向恢復電流消失所需
量 要的電荷量。
反向恢復峰值 Irrm 在指定的測量條件下，內部二極體反向恢復工作時的峰值電
電流 流值。
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【下載資料】可充分發揮矽功率元件特性的應用
實例
這是Rohm研討會的公開講義。
協助機器節能、提昇效率與時俱進的矽功率元件。二極體、
MOSFET的基礎到選擇方法、最先進的元件特性及應用範例。

下載

「MOSFET規格相關的術語集」相關文一覽
・所謂電晶體－分類與特徵
・所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性
・所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性
・所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性
・超接合面MOSFET
・高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長
・所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
・同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS
・MOSFET的熱阻和額定損耗：可背面散熱的封裝

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mosfet參數 mosfet參數定義 mosfet符號 mosfet術語

mosfet術語集

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