2023/12/15 下午3:11 高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長 | 所謂電晶體－分類與特徵 | TechWeb

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Si功率元件｜基礎篇 下載資料

高耐壓超接合面MOSFET的 可充分發揮 矽 功率
元件特性的應用實
種類與特長 2017.12.08
例
這是Rohm研討會的公開
講義。
協助機器節能、提昇效率與
重點 時俱進的矽功率元件。二極
體、MOSFET的基礎到選擇
・SJ-MOSFET的種類因特性而異。 方法、最先進的元件特性及
・SJ-MOSFET與平面MOSFET相比，基本上是低導通電 應用範例。
阻、高速的產品，並在致力於實現更低雜訊、更低導通 下載
電阻及更高速度。
上一篇介紹了近年來的主要功率電晶體Si-MOSFET、IGBT、 Si功率元件
SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的
基礎篇
代表超接合面MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。本
篇將以ROHM的產品產品一覽及其特長作為SJ-MOSFET的具體 ・ 前言
案例來進行說明。
・ 所謂電晶體－分類與
特徵
所謂MOSFET－寄生
SJ-MOSFET的種類 電容及其溫度特性
所謂MOSFET－開關
以ROHM為例，SJ-MOSFET是根據雜訊、導通電阻、高速性及 特性及其溫度特性
獨有結構等進行分類的。首先來看一下整體的分類示意圖。
所謂MOSFET－閾 值 、
ID-VGS特性及溫度特
性
超接合面MOSFET
高耐壓超接合面
MOSFET的種類與特
長
所謂MOSFET－高速
可充分發揮矽功率元件特性的應用實例trr SJ-MOSFET :
PrestoMOS ™

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同時具備MOSFET和
IGBT優勢的Hybrid
MOS
MOSFET規格相關的
術語集
MOSFET的熱阻和額
定損耗：可背面散熱的
封裝
・ 什麼是Si二極體? —
前言—
・ 實際工作中的電晶體
該圖表示標準型AN系列的展開情況。例如，將AN系列進一步降
適用性確認 —前言—
・ 發揮其特性的應用案
低雜訊後是EN系列，進一步提高速度後是KN系列。 例 —前言—
・ 總結
本篇介紹標準型和高速型的研發背景與特長。
評估篇
標準SJ-MOSFET：AN系列
產品介紹
AN系列是以“汲極-源極間導通電阻RDS(on)和閘極總電荷量Qg
比平面MOSFET大幅降低”為目的，最先研發的SJ-MOSFET。
FAQ
與平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40%。
特性方面的定位是標準特性。

低雜訊SJ-MOSFET：EN系列

SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特長，但存在其
高速性導致雜訊比平面型大的課題。為改善這個問題研發了EN
系列。該系列產品融合了平面型的低雜訊特性與SJ-MOSFET的
低導通電阻特性，其產品定位是“平面型的低導通電阻替代品”。

從雜訊比較圖可以看出，與標準型的AN系列及其他公司生產的
矽 可充分發揮 功率元件特性的應用實例
SJ-MOSFET相比，紅色線所示的EN系列雜訊更低。另外，在

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導通電阻的比較中，與平面型相比，導通電阻降低了80%；與
AN系列相比，導通電阻降低了15%。

高速SJ-MOSFET：KN系列

KN系列是保持EN系列的低雜訊性能，並實現高速化的SJ-
MOSFET。通過降低閘極電阻Rg和閘極-汲極間電荷量Qgd，提
高了開關性能。通過提高開關速度，可降低開關損耗並提高效
率。

最後列出了這三個系列相對技術資訊的連結。這裡雖然給出了
各系列的特長，但為了進一步加深理解，最好還是參閱技術規
格的標準值和特性圖表。

【標準SJ MOSFET：AN系列】
R50xxANx（500V）
R52xxANx系列（520V）
R60xxANx系列（600V）
R80xxANx系列（800V）

【低雜訊SJ MOSFET：EN系列】

60xxENx系列（600V）
R65xxENx系列（650V）*研發中

【高速SJ MOSFET：KN系列】 可充分發揮矽功率元件特性的應用實例

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R60xxKN系列（600V）
R65xxKNx系列（650V）*研發中

下一篇將介紹剩下的兩種：Presto MOSTM 高速trr SJ-

MOSFET和Hybrid MOS。

【下載資料】可充分發揮矽功率元件特性的應用
實例
這是Rohm研討會的公開講義。
協助機器節能、提昇效率與時俱進的矽功率元件。二極體、
MOSFET的基礎到選擇方法、最先進的元件特性及應用範例。

下載

「高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長」相關文一
覽
・所謂電晶體－分類與特徵
・所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性
・所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性
・所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性
・超接合面MOSFET
・所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
・同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS
・MOSFET規格相關的術語集
・MOSFET的熱阻和額定損耗：可背面散熱的封裝

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an系列 en系列 fn系列

可充分發揮矽功率元件特性的應用實例
超级结mosfet平面mosfet
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sj-mosfet mosfet SiC MOSFET IGBT

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