2023/12/15 下午3:10 所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性 | 所謂電晶體－分類與特徵 | TechWeb

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Si功率元件｜基礎篇 下載資料

所謂MOSFET－開關特性及 可充分發揮 矽 功率
元件特性的應用實
其溫度特性 2017.09.07
例
這是Rohm研討會的公開
講義。
協助機器節能、提昇效率與
重點 時俱進的矽功率元件。二極
體、MOSFET的基礎到選擇
・MOSFET的開關特性參數提供導通延遲時間、上升時 方法、最先進的元件特性及
間、關斷延遲時間、下降時間。 應用範例。
・開關特性受測量條件和測量電路的影響較大，因此一般 下載
確認提供條件。
・開關特性幾乎不受溫度變化的影響。
Si功率元件
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特 基礎篇
性。
・ 前言
MOSFET的開關特性 ・ 所謂電晶體－分類與
特徵
在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。MOSFET的開關
所謂MOSFET－寄生
電容及其溫度特性
特性一般提供導通延遲時間：Td(on）、上升時間：tr、關斷延遲 所謂MOSFET－開關
時間：：Td(off）、下降時間：tf。下面是從以低啟動電阻和高速
特性及其溫度特性
所謂MOSFET－閾 值 、
開關為特長的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術規格 ID-VGS特性及溫度特
中摘錄的內容。這些參數的名稱和符號，各廠家間可能多少有
性
超接合面MOSFET
些不同。例如，導通（關斷）延遲時間與Turn-on (off)delay 高耐壓超接合面
time，上升（下降）時間與 rising (falling) time 或 rise (fall) MOSFET的種類與特
長
time等。 所謂MOSFET－高速
可充分發揮矽功率元件特性的應用實例trr SJ-MOSFET :
PrestoMOS ™

https://techweb.rohm.com.tw/product/power-device/si/si-basic/4955/ 1/5
2023/12/15 下午3:10 所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性 | 所謂電晶體－分類與特徵 | TechWeb

同時具備MOSFET和
IGBT優勢的Hybrid
MOS
MOSFET規格相關的
術語集
MOSFET的熱阻和額
定損耗：可背面散熱的
封裝
・ 什麼是Si二極體? —
前言—
・ 實際工作中的電晶體
適用性確認 —前言—
・ 發揮其特性的應用案
例 —前言—
這些與開關相對的參數，受測量電路的信號源電阻和汲極負載 ・ 總結
電阻RL的影響較大。 因此，基本上會規定測量條件，提供測量
電路。一般技術規格中會提供上例中所示的VDD、VGS、ID、
評估篇
RL、RG的條件。規定的條件適用於提供的測量電路。 產品介紹
另外，因為是時間參數，因此其參數規定可能是“從哪裡到哪裡
FAQ
的時間”。

>導通延遲時間：從VGS上升10%到VDS上升10%的時間
>上升時間：從VDS上升10%到90%的時間

>關斷延遲時間：從VGS下降90%到VDS下降90%的時間

>下降時間：從VDS下降90%到10%的時間

這裡的VDS“上升/下降”的表達從波形看可能好像是反的，這是因
為輸出是反轉的。例如，導通時間可解釋為“VGS上升到10%

後，到MOSFET導通10%的時間”。

開關特性的溫度特性

這些開關時間隨著溫度上升略有増加趨勢。由於溫度上升100℃
約增加10%左右，因此可以認為幾乎沒有溫度相依性。下面是
實測例。

可充分發揮矽功率元件特性的應用實例
https://techweb.rohm.com.tw/product/power-device/si/si-basic/4955/ 2/5
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下一篇計畫介紹ID-VGS特性。

產品介紹

MOSFET

【下載資料】可充分發揮矽功率元件特性的應用
實例
這是Rohm研討會的公開講義。
協助機器節能、提昇效率與時俱進的矽功率元件。二極體、
MOSFET的基礎到選擇方法、最先進的元件特性及應用範例。

下載

「所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性」相關文一
覽
・所謂電晶體－分類與特徵
・所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性
・所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性
・超接合面MOSFET 可充分發揮矽功率元件特性的應用實例
https://techweb.rohm.com.tw/product/power-device/si/si-basic/4955/ 3/5
2023/12/15 下午3:10 所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性 | 所謂電晶體－分類與特徵 | TechWeb

・高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長
・所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
・同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS
・MOSFET規格相關的術語集
・MOSFET的熱阻和額定損耗：可背面散熱的封裝

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電晶體 turn-off-delay-time turn-on-delay-time 上升時間

功率mosfet 導通延遲時間 關斷延遲時間 fall-time
rise-time tdoff） tdon） tf tr 下降時間
mosfet

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