ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.

HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG

BỘ MÔN VẬT LÝ KỸ THUẬT Y SINH

---------------o0o---------------

BÁO CÁO THÍ NGHIỆM

ỨNG DỤNG LASER TRONG Y HỌC

NHÓM 1 --- LỚP L02 --- HK 212

Giảng viên hướng dẫn: Thầy Trần Anh Tú

Họ Và Tên MSSV
Nguyễn Trung Kiên 1913858
Dương Hữu Tài 1914992
Tưởng Thọ Hiếu 1913369
Trần Phú Vinh 1915951
Hà Minh Tân 1915044
TP. HỒ CHÍ MINH, THÁNG 5 NĂM 2022
MỤC LỤC
 BÀI 1: KHẢO SÁT NGUYÊN TẮC LÀM VIỆC, CẤU TRÚC CỦA LASER KHÍ
NGUYÊN TỬ HE-NE LÀM VIỆC Ở BƯỚC SÓNG 632,8 NM
1.1 Nguyên tắc hoạt động laser khí nguyên tử He-Ne
Sơ đồ mức năng lượng của laser khí He-Ne được trình bày ở hình 1.1

Hình 1.1 Sơ đồ mức năng lượng laser He-Ne

Các mức 23s’ và 21s’ của He là siêu bền và rất gần với mức 2s’ và 3s’ của Ne.
Quá trình hình thành sự đảo lộn mật độ phân bố các hạt ở hai mức năng lượng để tạo
ra hiệu ứng laser như sau:
 Quá trình thứ nhất:
Va chạm điện tử với nguyên tử He, kết quả đưa nguyên tử He từ mức cơ bản 11s lên
các mức siêu bền 23s’ và 21s’. Đây là loại va chạm không đàn hồi loại 1.
E + He => He* + e
He và He* - nguyên tử He ở trạng thái cơ bản và kích thích tương ứng.
 Quá trình thứ hai:
Va chạm giữa nguyên tử He* ở mức kích thích 2 3s’ và 21s’ với nguyên tử Ne ở mức
cơ bản và đưa nguyên tử Ne lên các mức kích thích 2s và 3s. Đây là loại va chạm không
đàn hồi loại 2.
He* + Ne => Ne* + He ± ΔE
He* và Ne*: các nguyên tử ở trạng thái kích thích
He và Ne: các nguyên tử ở trạng thái cơ bản
Δ E: biến đổi nội năng của hệ
Các mức năng lượng 2s và 3s của nguyên tử Ne trở thành các mức laser trên. Theo
quy tắc chọn lọc, các dịch chuyển từ các mức năng lượng 2s và 3s sang các mức 2p và 3p
là cho phép. Ngoài ra, thời gian sống của các hạt ở các mức s’ vào khoảng 100 ns lớn hơn
một bậc so với thời gian sống của các hạt trên các mức p (khoảng 10 ns).

Như vậy, trong trường hợp này thỏa mãn các điều kiện để tạo ra hiệu ứng laser.

Laser He-Ne có thể phát dựa trên một trong các dịch chuyển a, b, c sau đây. Dịch
chuyển mạnh nhất là dịch chuyển a từ mức 3s 2 của nhóm 3s sang mức 3p4 của nhóm 3p
cho bước sóng λ=3,39 µm. Trong số các dịch chuyển loại b, dịch chuyển mạnh nhất là 3s 2
-> 3p4 cho bước sóng λ=0,6328 µm, thông dụng nhất đối với laser He-Ne hiện nay.

Dịch chuyển loại c: 2s2 -> 2p4 cho bước sóng 1,15µm.

Tùy theo hai gương buồng cộng hưởng có hệ số phản xạ cực đại với bước sóng nào
mà laser sẽ làm việc ở dịch chuyển a, b hay c. Để tạo được hệ số phản xạ cao đối với từng
bước sóng riêng biệt, người ta phải dùng gương điện môi nhiều lớp.

1.1.1 Cấu tạo laser khí nguyên tử He-Ne

Hình 1.2 Cấu tạo laser khí nguyên tử He-Ne

 Nguyên lý buồng cộng hưởng Fabry – Perot
 Buồng cộng hưởng quang học Fabry-Perot là hai hệ gương phẳng đặt song song, trong
đó một gương phản xạ toàn phần, một gương bán phản xạ
Trong buồng cộng hưởng chùm sáng sau nhiều lần phản xạ được khuếch đại lên và
được truyền ra ngoài một phần qua gương bán phản xạ.
Các sóng ánh sáng lan truyền dọc theo trục buồng cộng hưởng đi qua môi trường hoạt
chất nhiều nhất và được khuếch đại mạnh nhất. Nó sẽ quyết định công suất phát thực của
laser và có tính định hướng rất cao.
Các sóng phản xạ qua gương nhiều lần mà vẫn bảo toàn pha, đồng thời các sóng bức
xạ kích thích có tần số pha, tính phân cực giống ánh sáng kích thích nên bức xạ ra là bức
xạ kết hợp.
Nhờ buồng cộng hưởng có thể thực hiện các phương pháp chọn lọc dao động khác
nhau để thu được một bức xạ trong một dải phổ rất hẹp, gần như hoàn toàn đơn sắc. Có
thể nói rằng: buồng cộng hưởng quang học đóng vai trò quyết định trong việc hình thành
các tính chất cơ bản của tia laser.
Tần số cộng hưởng: fq = q ( c /2L )
Khoảng cách giữa các tần số cộng hưởng: fq + 1 - fq = c/ 2L
Năng lượng bức xạ
 Các bước sóng cộng hưởng: L = q λ/2
Trong đó:
L: khoảng cách giữa hai gương
q: là một số nguyên được gọi là bậc mode
λ: bước sóng của các mode được phép
Khoảng cách các mode q + 1 - q = 2/2L
 Nguyên lý mạch nhân áp

Sự kích thích của các nguyên tử Neon lên mức laser trên bắt nguồn từ sự phóng điện.
Trong hoạt động ổn định, sự phóng điện truyền dòng điện vài miliampe qua chất khí ở
điện áp trong khoảng 1-8 kilovolt. Các electron trong quá trình phóng điện va chạm với
các nguyên tử Heli và Neon và nâng chúng lên mức năng lượng kích thích. Hầu hết các
kích thích được nhận bởi các nguyên tử Helium dồi dào hơn, chúng có thể dễ dàng
chuyển năng lượng kích thích của chúng sang các nguyên tử Nneon. Điều này tạo ra
trong Neon một điều kiện nghịch đảo dân số. Các khối cơ bản của bộ nguồn cho một
laser heli-neon nhỏ điển hình được thể hiện trong Hình 1.3. Điện áp đầu vào đầu tiên
được tăng lên bởi một máy biến áp. Mạch kích từ cao áp cung cấp xung điện áp phá vỡ
chất khí và bắt đầu phóng điện qua nó.
 Hình 1.3 Sơ đồ khối cung cấp điện cho laser Heli-Neon

Hình 1.4 cho thấy một sơ đồ của nguồn cung cấp năng lượng laser He-Ne.

Hình 1.4 Nguồn cung cấp cho laser Helium – Neon

Khi đóng công tắc nguồn, dòng điện xoay chiều 220V chạy qua máy biến áp (T1) bậc
lên và nó tạo ra điện áp đầu ra xoay chiều khoảng 1kV. Sau đó đi qua mạch chỉnh lưu-bộ
lưỡng điện áp để biến đổi điện áp xoay chiều này thành điện áp một chiều xấp xỉ 2kV.
Điện áp này không đủ giá trị để ion hóa ống, nhưng nó sẽ duy trì dòng điện khi nó bắt
đầu. Từ điện áp một chiều 2kV đi vào các mạch nhân ấp. Mạch nhân áp gồm 4 tụ: C3,
C4, C5, C6 và 4 diode D3, D4, D5, D6 có tác dụng kích điện áp từ 2kV lên khoảng 8 kV
(mỗi tụ chứa 2kV). Khi đạt đến điện áp đánh thủng, ống ion hóa và các điốt trong mạch
này dẫn dòng điện. Sự chênh lệch điện áp trên mạch khởi động gần như bằng không và
điện áp của nguồn cung cấp đang chạy được chuyển đến ống và điện trở chấn lưu. Giá trị
của điện trở chấn lưu phụ thuộc vào mức độ dòng điện được giới hạn. Nếu sử dụng mạch
này với ống có vùng điện trở âm, giá trị điện trở của ballast (R1) là 300kΩ dẫn đến giảm
điện áp trên điện trở ballast và trên ống laze.
1.1.2 Cấu trúc của laser khí nguyên tử He-Ne

Hình 1.5 Sơ đồ cấu trúc ống phóng điện

Trong đó:
Hình a: phóng điện xoay chiều
Hình b: phóng điện một chiều
Hình c: cấu trúc ống phóng điện
 Loại phóng điện trong laser khí nguyên tử:

Có 2 loại phóng điện liên tục được sử dụng là:

 Phóng điện hồ quang thường sử dụng trong laser ion.
 Phóng điện phát sáng thường dùng trong laser nguyên tử và phân tử.

Phóng điện hồ quang là phóng điện có dòng lớn, nhiệt độ cao với tỷ lệ ion hóa nhỏ,
nhiệt độ thấp với tỷ lệ ion hóa tương đối thấp.
Sự phóng điện liên tục được phân làm hai loại: phóng điện kích thích xoay chiều
(AC) và phóng điện kích thích một chiều (DC). Phóng điện xoay chiều được kích thích
bằng dòng xoay chiều tần số từ 10 đến 50 MHz với điện cực nằm ngoài ống phóng điện
( hình 1.3 a). Phóng điện một chiều được kích thích trực tiếp bằng dòng một chiều với
các điện cực nằm trong ống phóng điện ( hình 1.3 b)
Về cấu trúc ống phóng điện, đa số các loại laser khí có dạng hình 1.3 c. Đây là cấu
trúc điển hình của một laser khí làm việc ở chế độ liên tục. Cả hai cửa sổ của ống phóng
điện đều đặt dưới góc Brewster. Khi ấy tia laser sẽ phân cực trong mặt phẳng của hình
và không có mất mát trên cửa sổ. Thường người ta không dùng gương phẳng trong laser
khí mà dùng gương cầu vì nó tạo nên buồng cộng hưởng bền hơn.
 Đường kính ống phóng điện tối ưu:

Công suất phát xạ của laser khí He-Ne phụ thuộc vào đường kính ống phóng
điện. Tăng đường kính ống phóng điện sẽ làm tăng thể tích hỗn hợp khí làm việc và dẫn
đến tăng công suất phát. Tuy nhiên, tăng đường kính ống sẽ làm giảm nhiệt độ điện tử
của plasma dẫn đến giảm số điện tử kích thích các nguyên tử khí và làm giảm công suất
phát.
Mặt khác ta thầy trên sơ đồ mức năng lượng mức 1s của nguyên tử Ne là siêu
bền và sự phục hồi của mức này xảy ra chỉ nhờ va chạm với thành ống. Khi đường kính
ống phóng điện tăng, khả năng phân hủy mức 1s sẽ giảm, dẫn đến tích lũy mức này cao.
Điều này hạn chế dịch chuyển 2p – 1s’, tích lũy mức 2p cao và dẫn đến làm giảm
nghịch đảo mật độ tích lũy. Kết quả là sự khuếch đại trong laser tỷ lệ nghịch với đường
kính ống phóng điện. Tuy nhiên, khi đường kính ống phóng điện quá nhỏ sẽ gây nên
mất mát nhiễu xạ đáng kể. Ngoài ra còn gây khó khăn cho việc chế tạo laser. Thực
nghiệm cho thấy đường kính trong ống phóng điện tối ưu vào cỡ 2mm. Đối với ống
phóng điện dài cỡ trên 1m thì đường kính tối ưu khoảng 7mm đến 9mm.
 Mật độ dòng phóng điện tối ưu

Mật độ dòng phóng điện tăng sẽ tích lũy các mức laser trên, nhưng đồng thời
cũng làm xảy ra các quá trình sau:
e + Ne(1s)  Ne(2p) + e
e + Ne(2s)  Ne + e
Cả hai quá trình này đều làm giảm nghịch đảo độ tích lũy. Mật độ dòng tối ưu
khoảng 10-20 mA.
 Áp suất tối ưu:

Khi áp suất tăng cũng làm tăng cường các va chạm trên dẫn đến giảm nghịch đảo
độ tích lũy. Vì vậy cần có một áp suất tối ưu. Áp suất Ne tối ưu cỡ 0,1 mmHg và tỷ lệ
áp suất tối ưu giữa Ne và He là:
 P He
=(5−10)
PNe

 Cấu tạo laser khí nguyên tử He-Ne:

Về mặt cấu trúc, laser khí nguyên tử He-Ne là một sự tổ hợp của những chi tiết
vi cơ khí và quang học chính xác. Đa số là các ống hàn kín: ống ngoài bằng thủy tinh
hàn kín ở nhiệt độ cao lên các cực ở hai đầu. Các gương cũng được hàn lên khung được
gia công nhằm dảm bảo sự thẳng hàng tối ưu. Tất cả nhằm ngăn cản sự rò rỉ khi He và
Ne.
Buồng cộng hưởng được đặt bên trong vỏ bọc, gồm một ống thủy tinh hoặc
thạch anh có gắn một ống mao dẫn cực kỳ thẳng và hai gương ở hai đầu.
Anode làm bằng kovar vì vật liệu này có hệ số nở nhiệt tương tự thủy tinh.
Cathode làm bằng hợp kim nhôm tinh khiết. Bề mặt, độ dày và chất lượng của cathode
có ảnh hưởng đến công suất tối ưu và thời gian sống của laser. Khi cần chùm laser phân
cực thẳng có thể dùng cửa sổ Brewster đặt ở hai đầu ống.
Đối với laser He-Ne công suất thấp, thời gian sống khoảng 15.000 giờ đến
25.000 giờ (theo lý thuyết).
Trên hình trình bày sơ đồ một ống laser khí nguyên tử He-Ne.

1. Anode; 5. Gương truyền qua;

2. Cathode; 6. Gương phản xạ;
3. Ống mao dẫn; 7. Cửa sổ Brewster;
4. Hỗn hợp khí; 8. Giá chỉnh gương;
9. Bộ hấp thụ

Hình 1.6 Ống las

1.1.3 Buồng cộng hưởng
 Chức năng của buồng cộng hưởng
Buồng cộng hưởng là một trong những bộ phận quang trọng nhất của bất kỳ máy
phát laser nào. Đó là một hệ gồm hai mặt phản xạ đặt đối diện nhau, giữa 2 mặt này là
hoạt chất.
Buồng cộng hưởng là 2 gương đặt ở hai đầu buồng chứa môi trường hoạt chất. Hai
gương có tác dụng làm cho tia sáng phản xạ đi lại với quãng đường quang học dài hơn.
Các tia có phương song song với trục buồng cộng hưởng được khuếch đại mạnh hơn
nhờ hồi tiếp dương.
Do là buồng cộng hưởng mở nên các tia có góc với trục quang đủ lớn sẽ đi ra ngoài
buồng công hưởng sau một số lần phản xạ.
Buồng cộng hưởng quang học có 2 chức năng sau:
 Thực hiện hồi tiếp dương
Trong buồng cộng hưởng, tia sáng được phản xạ rất nhiều lần làm tăng đường đi của
tia. Cụ thể quá trình xảy ra như sau:
Giả sử, dịch chuyển tự phát của nguyên tử nào đó trong buồng cộng hưởng xuất hiện
một sóng ánh sáng. Sóng sẽ được khuếch đại lên do các dịch chuyển cưỡng bức khi nó
đi qua lớp hoạt chất. Khi tới mặt phản xạ, một phần sóng có thể bị mất do hiện tượng
hấp thụ hoặc truyền qua, nhưng phần chủ yếu được phản xạ trở lại và được tiếp tục
khuếch đại trên đường đi tới mặt phản xạ kia. Tại đây cũng xảy ra quá trình tương tự và
cứ như vậy, sau rất nhiều lần phản xạ ta sẽ thu được dòng bức xạ có cường độ lớn.
khuếch đại ở đây không thể nào lớn vô cùng được. Nó bị giới hạn bởi công suất của
nguồn bơm.

Hình 1.7 sự hình thành hồi tiếp dương trong buồng cộng hưởng

 Tạo ra bức xạ định hướng, đơn sắc, kết hợp

Do buồng cộng hưởng hở nên những sóng truyền dọc theo trục của buồng cộng
hưởng sẽ đi qua hoạt chất nhiều lần và được khuếch đại lên. Những sóng ánh sáng này
xác định công suất laser. Còn những sóng ánh sáng nào lan truyền dưới những góc lệch
tương đối lớn so với trục của buồng cộng hưởng thì sau một vài lần sẽ phản xạ thoát ra
ngoài. Vì vậy, bức xạ hình thành ở cửa ra sẽ có tính định hướng cao. Trong qua trình
phản xạ nhiều lần giữa hai gương, pha của songa ánh sáng luôn bảo toàn và quan hệ pha
giữa các sóng đó cũng không đổi, do đó bức xạ ra là bức xạ kết hợp. Cuối cùng, nhờ có
buồng cộng hưởng, có thể thực hiện được các phương pháp chọn lọc dao động khác
nhau để thu được bức xạ trong một dải phổ rất hẹp, gần như đơn sắc. Như vậy có thể nói
rằng, buồng cộng hưởng quang học đóng vai trò quyết định trong việc hình thành các
tính chất cơ bản của bức xạ laser.
 Gương laser

Yêu cầu cơ bản của các gương laser là phải đảm bảo sao cho tổn hao trong vật
liệu dùng làm bề mặt phản xạ nhỏ nhất.
Hiện nay, trong kỹ thuật laser phần lớn các gương mạ bạc, nhôm, vàng đã được
thay thế bằng các gương điện môi nhiều lớp. Gương điện môi nhiều lớp có nhiều ưu
điểm nổi bật như: tính chọn lọc và hệ số phản xạ cao, phần năng lượng bị tiêu hao do
hấp thụ rất nhỏ, vì vậy các gương điện môi nhiều lớp có thể đảm bảo được hệ số phẩm
chất của buồng cộng hưởng rất cao và chịu được mật độ năng lượng bức xạ lớn và tuổi
thọ các gương này rất cao.
Các gương điện môi nhiều lớp được cấu tạo sao cho lớp ngoài có chiếc suất cao.
Bảng 1.1 một số vật liệu dùng để chế tạo gương laser nhiều lớp

Tên vật liệu Chiếc suất ( với  = 0.7 Vùng phổ truyền qua [µm]
µm)
ZnS 2.36 0.4 – 15.0
MgF2 1.38 0.2 – 6.0
Na3AlF6 1.34 0.2 – 10.0
SiF2 1.43 0.8 – 9.0
CaF2 1.43 0.2 – 6.0
LiF 1.39 0.4 – 6.0
CeO2 2.35 0.4 – 5.0
ZnO2 2.10 0.25 – 5.0
TaO2 2.53 0.4 – 4.0
SiO2 1.46 0.2 – 8.0
Ge 4 1.3 – 20.0
Si 3.4 0.9 – 8.0

Trong kỹ thuật laser một điểm rất quan trọng là phải biết được giá trị mật độ
công suất tới hạn mà gương có thể chịu được. Sau đây là một số số liệu được xác định
qua thực nghiệm.
 Bảng 1.2 Mật độ công suất tới hạn của một số gương laser

Các chất thành phần Số lớp Công suất tới hạn Bước sóng
của lớp phản xạ [ mW/cm2 ]  [µ]
ZnS + MgF2 15 350 0.6943
ZnS + MgF2 15 30 0.53
ZnS 1 350 0.6943
CeO2 + MgF2 15 400 0.6943
ZnS + SrF2 13 60 0.6943

1.1.4 Các đặc tính của laser khí

- Hoạt chất là chất khí hoặc hơi kim loại.
- Nghịch đảo độ tích lũy là trạng thái kích thích của nguyên tử hoặc phân tử.
- Do mật độ hạt và áp suất thấp nên tương tác ít, vạch phổ bức xạ hẹp chỉ cỡ 1 Hz
và hẹp nhất trong các loại laser.
- Độ mở rộng đường phổ chủ yếu là mở rộng không đồng nhất Đốp-lơ.
- Độ đồng nhất quang học cao nên góc mở của laser nhỏ chỉ cần dùng gương
phẳng song song đã đạt độ mở nhỏ hơn 1 phút.
- Độ nghịch đảo tích lũy thực hiện chủ yếu bằng phóng điện chất khí. Thường sử
dụng thêm va chạm cộng hưởng và phân rã ở mức laser dưới bằng va chạm để
làm tăng mật độ nghịch đảo độ tích luỹ dạng Laser 4 mức.
- Cấu tạo chung của laser khí gồm một ống chứa khí bằng thủy tinh hoặc thủy tinh
thạch anh đường kính từ 1 mm đến vài cm và dài từ vài chục cm đến hàng chục
mét, đặt giữa 2 gương song song nhau.
- Hai cách bố trí gương: là gương đặt trong buồn thuỷ tinh và đặt ngoài. Song
thường sử dụng gương đặt ngoài.

Gương đặt ngoài ống phóng khí có các ưu điểm:

- Hệ cơ điều chỉnh gương đơn giản không cần giải quyết vấn đề kín khí.
- Tuổi thọ ống khí dài hơn vì không có chi tiết cơ khí nằm trong làm giảm chất
lượng khí.
- Độ bền gương tăng vì không bị ion bắn phá và không bị bong tróc gương
trong môi trường chân không cao và dễ thay thế.
- Ống khí chế tạo đơn giản hơn vì không phải gắn giữa thủy tinh và kim loại.
 - Dễ dàng đặt vào buồng cộng hưởng các linh kiện điện chế hoặc chọn lọc
những dịch chuyển bức xạ cần thiết.

Nhược điểm gương ngoài: Tiêu hao hai đầu ống do phản xạ , hấp thụ , tiêu hao do
tán xạ phụ thuộc góc tới, chiết suất và dạng phân cực của ánh sáng.
1.1.5 Laser khí He – Ne
Hoạt chất là một ống phóng điện chứa khí He – Ne đạt tỉ lệ 1: 4 để tạo ra bước sóng
632.8 nm  là laser 4 mức ( trong đó khí He là khí đệm)
Công suất laser:
- λ = 1,15 μm và 0,63 μm đạt vài chục mW
- λ = 3,39 μm đạt vài trăm mW.

Tuổi thọ laser phụ thuộc vào chất lượng khí và sự hấp thụ của thành ống và các điện cực
làm giảm và thay đổi thành phần khí làm giảm tuổi thọ của laser.
Ở nước ta: ảnh hưởng của nóng ẩm làm giảm tuổi thọ và độ ổn định của laser.
1.1.6 Ưu nhược điểm của laser khí He – Ne
Ưu điểm:
- Có thể điều chỉnh hướng phát tia
- Đường kính chùm tia có thể thay đổi

Nhược điểm:
- Khi điều chỉnh tăng kích thước chùm tia, nhưng làm cho mật độ công suất giảm.

1.2 Tiến hành thí nghiệm

Đo bán kính vết chùm tia, xác định công suất chùm tia, tiến hành tính mật độ công
suất (P/S) ở 3 vị trí mở hệ quang học khác nhau và tại vị trí cách hệ quang học 5-
10-15cm
Bảng 1.3 Kết quả

Khoảng cách (cm) Bán kính vết (mm) Công suất (mW) Mật độ công suất
(W/m2)
5 0.9 5 1964.88
10 1 5 1591.55
15 1.2 5 1105.24
1.3 Nhận xét:
- Khi thay đổi khoảng cách từ 5cm; sang 10cm; và 15cm thì ta nhận được công suất ổn
định, không suy giảm.
- Tăng khoảng cách làm bán kính vết chùm tia tăng từ đó suy ra mật động công suất
giảm.
 BÀI 2: KHẢO SÁT MỘT DẠNG THIẾT BỊ TRỊ LIỆU BẰNG LASER KHÍ HE-
NE LÀM VIỆC Ở BƯỚC SÓNG 632.8 NM

2.1. Hiệu ứng kích thích sinh học - phương pháp trị liệu bằng laser khí He-Ne
2.1.1. Hiệu ứng kích thích sinh học
 Hiệu ứng kích thích sinh học và những đáp ứng do nó mang lại:

Chùm tia laser công suất thấp tác dụng lên mô sống với mật độ công suất trong
khoảng 10-4 – 100 W/cm2, thời gian chiếu từ vài chục giây đến hàng chục phút , sẽ xảy ra
hàng loạt phản ứng quang hóa và quang sinh và từ đó tạo nên hiệu ứng kích thích sinh
học.

Phản ứng quang hóa: phân tử ở trạng thái trung hòa thì hoạt tính sinh học của nó
yếu. Dưới tác động photon chùm tia laser, phân tử ấy được chuyển lên trạng thái kích
thích thì 2hoạt tính sinh học tăng mạnh mẽ. Dẫn đến hàng loạt phản ứng khác xảy ra:
h ϑ +O2 →O¿2
-O2 - phân tử ở trạng thái cơ bản
-O2* - phân tử ở trạng thái kích thích
-hv - năng lượng photon
Phản ứng quang sinh: được nghiên cứu từ năm1981 – 1986, Karu.T đã cho thấy tác
dụng của chùm tia laser có công suất lên hệ sinh học. Khi tổ chức sống hấp thụ năng
lượng photon của chùm tia laser thì xảy ra sự sắp xếp lại các quá trình phản ứng của tế
bào. Nơi nhận photon đầu tiên là mạch hô hấp của tế bào.
Nhờ vậy làm thay đổi rất đa dạng ở mức tế bào, từ đây tạo nên nhiều đáp ứng tích
cực ở mức hệ thống chức năng và ở mức cơ thể trọn vẹn như:
 Đáp ứng chống viêm
 Đáp ứng chống đau
 Đáp ứng của tổn thương tế bào
 Đáp ứng tái sinh
 Đáp ứng của hệ miễn dịch
  Đáp ứng của hệ tim mạch
 Đáp ứng của hệ nội tiết
2.1.2. Vai trò của bước sóng trong hiệu ứng kích thích sinh học
Trong công trình đã công bố Karn T. tiến hành khảo sát vai trò bước sóng làm việc
của laser trong hiệu ứng kích thích sinh họcbằng thí nghiệm: Khảo sát tác động của ánh
sáng đơn sắc vùng khả kiến đối với một số loại vi sinh: Ecoli, Yeash, Hela. Chỉ tiêu
đánh giá là lượng các phân tử ADN và ARN (những phần tử mang thông tin di truyền
có vai trò quyết định với quá trình tổng hợp protein). Phương pháp định lượng là dùng
nguyên tử đánh dấu H3 đối với AND và C14 đối với ARN.
Lượng phân tử AND so với đối chứng, ở các bước sóng khác nhau cho thấy kết quả
lượng phân tử AND so với đối chứng phụ thuộc vào bước sóng tác dụng khá phức tạp.
Ở một số bước sóng nhất định, lượng này đạt cực đại, nhưng giá trị các điểm cực đại
lại khác nhau, tuy nhiên ở dãy sóng hồng ngoại gần chưa thể thực hiện.
Ví dụ: bước sóng 400 nm, lượng phân tử AND so với đối chứng đạt 128%, ở bước
sóng 620 nm đạt 135%, ở bước sóng 780 nm lại đạt 160%.
Độ xuyên sâu của chùm tia Laser còn dùng để xác định khả năng ứng dụng Laser
công suất thấp trong y học lâm sàng. Bằng việc mô hình hóa sự lan truyền photon trong
da gồm 2 lớp biểu bì và hạ bì bằng phương pháp Monte Carlo với nồng độ sắc tố khác
nhau và các bước sóng khác nhau:
- Bước sóng 780 nm, 850 nm, 940 nm (đặc biệt ở bước sóng 940 nm) có khả năng
xuyên sâu trong mô hơn bước sóng 630 nm ở mọi nồng độ sắc tố khác nhau.
- Bước sóng 630 nm, sự ảnh hưởng của sắc tố da lên độ xuyên sâu khá lớn, nồng
độ da càng lớn thì độ xuyên sâu càng ngắn. Trong khi ấy, đối với bước sóng 940
nm, sự ảnh hưởng của nồng độ sắc tố da lên độ xuyên sâu không đáng kể.
Hàm lượng phân tử ATP do bước sóng 940 nm tổng hợp nên lớn hơn nhiều lần so
với bước sóng 630 nm.
Như chúng ta đã biết ATP là phân tử cung cấp năng lượng cho hầu như mọi phản
ứng sinh hóa trong tế bào.
 Hình 2.8 Ảnh hưởng bước sóng ánh sáng đơn sắc vùng nhìn thấy lên tốc độ tổng hợp
AND trong tế bào Hela.
2.1.3 Vai trò của hiệu ứng hai bước sóng trong hiệu ứng kích thích sinh học
Hiệu ứng hai bước sóng:
Hiệu ứng hai bước sóng là phối hợp hai tia laser làm việc ở hai bước sóng khác nhau
tác động lên tổ chức sinh học nhằm nâng cao hiệu ứng kích thích sinh học.
 Tác động của hiệu ứng hai bước sóng lên hiệu ứng kích thích sinh học
Karu là người khám phá ra hiệu ứng hai bước sóng và nghiên cứu sâu về ảnh hưởng
hiệu ứng hai bước sóng lên hiệu ứng kích thích sinh học. Ông đã thực hiện 2 thí nghiêm
- TN1: khảo sát tốc độ phân chia tế bào. Tốc độ phân chia tế bào đối với một bước
sóng được làm đối chứng.
Chiếu chùm tia Laser He - Cd, làm việc ở bước sóng 441,6 nm với mật độ công suất
300 mW/cm2 , nghỉ 15 phút, sau đó chiếu chùm tia Laser He - Ne làm việc ở bước sóng
632,8 nm cũng với cùng mật độ công suất nói trên. Kết quả thu được trình bày ở bảng
2.1.
Bảng 2.1 Ảnh hưởng của hiệu ứng hai bước sóng lên sự phân chia tế bào
Thời gian chiếu đối với Thời gian chiếu đối với Kết quả so sánh đối chứng
Laser HeCd, λ = 441,6 nm. Laser HeNe, λ = 632,8 nm.
Đơn vị: giây Đơn vị: giây
15 15 129%
30 30 152%
120 120 138%

- TN2: Khảo sát hàm lượng ARN trong nhân tế bào. Hàm lượng ARN đối với một số
bước sóng được làm đối chứng.
Chiếu chùm tia Laser He - Cd, làm việc ở bước sóng 441,6 nm với mật độ công suất
300 mw/cm2 , nghỉ 10 phút, sau đó chiếu chùm tia Laser He - Ne làm việc ở bước sóng
632,8 nm cũng với mật độ công suất nói trên. Kết quả thu được trình bày ở bảng 2.2

Bảng 2.2. Ảnh hưởng của hiệu ứng hai bước sóng lên hàm lượng ARN
Thời gian chiếu đối với Thời gian chiếu đối với Kết quả so sánh đối chứng
Laser HeCd, λ = 441,6 nm. Laser HeNe, λ = 632,8 nm.
Đơn vị: giây Đơn vị: giây
15 15 117%
30 30 131%
120 120 123%
600 600 164%

Từ hai thí nghiệm trên, cho chúng ta thấy, vai trò tích cực của hiệu ứng 2 bước sóng
đối với hiệu ứng kích thích sinh học.
 Sử dụng hai bước sóng trong điều trị lâm sàng:
Kruik A.S và cộng sự sử dụng hiệu ứng hai bước sóng tiến hành điều trị cho 448
bệnh nhân có vết thương lâu lành, 535 loét dinh dưỡng sâu do suy tỉnh mạch mãn tính,
211 viêm tủy xương mãn sau khi chấn thương. Các vết loét rộng 10 – 150cm2, từ 2 - 22
năm.
Phương pháp tiến hành như sau: đầu tiên chiếu tia Laser He-Cd, làm việc ở bước
sóng 441,6 nm (màu xanh) lên 10 điểm xung quanh vết loét. Tổng thời gian không quá
20 phút mỗi buổi điều trị.
Kết quả thu được:
- Điều trị bằng phương pháp kinh điển: đạt kết quả 51%
- Sử dụng chỉ một loại Laser He-Ne: đạt kết quả 73%
- Hiệu ứng hai bước sóng (He-Ne + He-Cd): đạt kết quả 92%
Điều trị bằng hiệu ứng hai bước sóng đã tạo ra khả năng do những vết thương rộng
dưới 100 cm2 liền sẹo chắc chắn. Trong khi đó nếu chỉ dùng 1 bước sóng của Laser He-
Ne chỉ có hiệu quả với vết thương rộng từ 40 – 50 cm2 .
2.1.4. Vai trò của hiệu ứng hai bước sóng đồng thời do hai loại laser bán dẫn công
suất thấp làm việc ở hai bước sóng khác nhau tạo nên, trong hiệu ứng kích thích
sinh học.
Để các đáp ứng sinh học, do hiệu ứng kích thích sinh học mang lại, xảy ra nhanh
hơn và mạnh hơn, năm 1985 phòng thí nghiệm công nghệ laser trường đại học Bách
Khoa TP.HCM, đề xuất sử dụng hiệu ứng hai bước sóng đồng thời do hai loại laser bán
dẫn công suất thấp làm việc ở hai bước sóng khác nhau cụ thể:
 Bước sóng 940 nm
 Bước sóng 780 nm
 Hiệu ứng hai bước sóng đồng thời được phòng thí nghiệm công nghệ laser thí
nghiệm sử dụng trong nhiều loại thiết bị điều trị bằng laser bán dẫn công suất thấp khác
nhau.
Khi sử dụng hiệu ứng hai bước sóng đồng thời trong điều trị lâm sàng mang lại hiệu
quả cao.
2.1.5. Thiết bị trị liệu bằng laser khí He-Ne làm việc ở bước sóng 632.8 nm
 Dạng thứ nhất:
Đầu laser khí He-Ne, được bố trí trên giá đỡ, có thể điều chỉnh hướng phát tia, và
được gắn liền với một hệ quang học để mở rộng chùm tia. Nguồn nuôi laser, bộ phận
điều khiển được bố trí trong một hộp riêng.
Thiết bị này có những đặc điểm sau đây:
- Laser khí He-Ne làm việc ở bước sóng 632,8 nm
- Công suất phát xạ 12 mW (chế độ liên tục)
- Đường kính của chùm tia có thể thay đổi từ 3-30 mm (nhờ hệ quang học)
- Thời gian điều trị từ 1 - 6 phút
- Được sử dụng để điều trị những vết thương trên bề mặt da có diện tích lớn và
những vị trí thuận lợi cho việc chiều trực tiếp.
 Dạng thứ hai:
Đầu laser, nguồn nuôi, bộ phận điều khiển được lắp đặt trong một hộp máy. Đầu
phát ra tia laser đựơc ghép nối với một đoạn sợi quang học. Đầu thứ hai của đọan sợi
quang học đựơc cấu trúc dưới dạng cây bút để điều trị.
Điều trị các lọai bệnh như sau: viêm tai giữa, viêm họng, viêm amidale… bằng cách
nối với sợi quang học nên tia laser chiếu trực tiếp lên tổn thương.
Ngoài ra, khi điều trị viêm họng, hoặc viêm amidale, bệnh nhân phải há miệng để
đưa sợi quang học vào, vậy nên bệnh nhân không thoải mái trong điều trị.
2.2. Phân tích ưu - nhược điểm của thiết bị trị liệu bằng laser He-Ne bước sóng
632,8 nm.
Bảng 2.3. Ưu – nhược điểm của thiết bị trị liệu bằng laser khí He – Ne
Dạng thứ nhất Dạng thứ hai
Ưu điểm -Có thể điều chỉnh hướng phát tia -Có thể chiếu trực tiếp lên vế
-Đường kính chùm tia có thể thay thương nhờ bút quang học
đổi -Độ tập trung cao, mật độ công
-Chiếu trực tiếp lên vết thương có suất tại đầu bút quang cao
diện tích lớn
Nhược điểm Khi điều chỉnh kích thước chùm tia, Có những vị trí điều trị sử dụng
nhưng làm cho mật độ công suất bút quang làm cho bệnh nhân
giảm. Tuy nhiên có thể tăng thời không thoải mái
gian chiếu
Ứng dụng Điều trị những vết thương trên bề Để điều trị các bệnh như viêm
 mặt da có diện tích lớn tai giữa, viêm họng, viêm
amedale,..

2.3. Xác định mật độ công suất ở 3 vị trí mở hệ quang học 5 – 10 – 15 cm

Năng lượng tia laser được tổ chức sống hấp thụ hợp lý, vì năng lượng quyết định
hiệu ứng sinh học và do đó quyết định hiệu quả điều trị. Nhưng năng lượng hấp thụ lại
phụ thuộc vào tần số tia laser và mật độ năng lượng của tia. Tuy nhiên, về công suất cố
định cho từng máy, song khi ta thay đổi kích thước chùm tia mà khả năng làm thay đổi
mật độ công suất trong khoảng rất rộng.
2.3.1. Phương pháp thực hiện:
Trong bài thí nghiệm này, khảo sát thiết bị trị liệu bằng laser khí He-Ne làm việc ở
bước sóng 632,8 nm có công suất 15 mW. Thực hiện đo công suất tại 3 vị trí mở hệ
quang học khác nhau 5, 10, 15 cm. Đồng thời đo bán kính vết tại các vị trí nói trên.
2.3.2. Kết quả
Bảng 2.4. Kết quả
Khoảng cách (cm) Bán kính vết (mm) Công suất (mW) Mật độ công suất
(W/m2)
5 1.5 8.5 1202.504
10 3.5 7.6 197.482
15 6 5 44.210

2.3.3 Kết luận

Nhìn chung, khi đo ở những khoảng cách tăng dần so với gương quang học, công
suất giảm, bán kính vết tăng, từ đó làm cho mật độ công suất giảm. Vì vậy, càng xa hệ
quang học thì bán kính chùm tia tăng nhưng công suất giảm.
Về công suất, ở khoảng cách 5cm so với hệ quang học ta đo được công suất 8.5 mW,
khi tăng khoảng cách đến 10 cm, 15 cm thì công suất đo được lần lượt là 7.6 và 5 mW.
Nhìn chung, khi tăng khoảng cách so với hệ quang học, công suất giảm nhưng không
giảm mạnh.
Về bán kính vết, ở khoảng cách 5 cm so với hệ quang học bán kính vết là 1.5 mm
cho thấy độ mở chùm tia laser rất hẹp mặc dù đã cách 5 cm. Khi tăng khoảng cách đến
10 cm, 15 cm thì tiết diện chùm tia tăng lần lượt là 3.5 và 6 mm. Nhìn chung khi tăng
khoảng cách so với hệ quang học, tiết diện chùm tia tăng nhiều.
Về mật độ công suất, khi tăng khoảng cách so với hệ quang học, làm cho công suất
giảm nhẹ, nhưng tiết diện chùm tia tăng, làm cho mật độ công suất giảm. Như vậy, khi
chiếu vào vết thương có diện tích lớn, ta có thể điều chỉnh kích thước chùm tia nhưng
mật độ công suất giảm, nên ta có thể tăng thời gian chiếu. Trong ứng dụng lâm sàng,
mật độ công suất và thời gian chiếu là nhữn thông số quan trọng.
Tuy nhiên laser bán dẫn được dần lựa chọn thay thế laser khí bởi ưu điểm gọn nhẹ,
nguồn nuôi có điện thế thấp và có thể trực tiếp điều khiển dòng điện với tần số cao. Độ
bền cơ học cao, hiệu suất cao, công suất tiêu thụ nhỏ, khả năng điều biến tần số cao, giá
thành tương đối thấp.
BÀI 3: KHẢO SÁT THIẾT BỊ LASER KHÍ HE-NE NỘI TĨNH MẠCH
3.1. Cơ chế điều trị theo laser He-Ne nội tĩnh mạch
Laser nội tĩnh mạch là phương pháp can thiệp vào trong lòng tĩnh mạch dựa trên
hiệu ứng kích thích sinh học bằng cách tác động trực tiếp lên các thành phần của hệ tuần
hoàn (tim, máu, mạch máu) hoặc tạo hiệu ứng lên tất cả các chức năng của hệ tuần hoàn
nhằm cải thiện chức năng của cơ thể, đặc biệt là hệ tim mạch và hệ thần kinh. Với kỹ
thuật này, cải thiện toàn bộ cơ thể một cách hệ thống giúp bệnh nhân phục hồi nhanh
hơn, thời gian nằm viện được rút ngắn, tỉ lệ tái phát bệnh giảm. Laser khí He-Ne nội
tĩnh mạch được xem là một dạng ứng dụng đặc trưng làm việc ở bước sóng 632,8nm
trong điều trị.

Laser nội tĩnh mạch đã mở rộng trong điều trị ở các lĩnh vực khác ngoài hệ tim mạch
như: bệnh ung thư, bệnh mắt, bệnh tai, bệnh tâm thần phân liệt … Hiện nay thường sử
dụng: Laser khí He-Ne làm việc ở bước sóng 632,8 nm và Laser bán dẫn công suất thấp
làm việc ở các bước sóng: 630nm, 650nm và 760nm trong laser nội tĩnh mạch… Khi sử
dụng laser bán dẫn công suất thấp làm việc ở dải sóng 630nm, 650nm, 670nm trong
laser nội tĩnh mạch, có nhiều ưu thế như: Công suất phát xạ của laser có thể thay đổi từ
thấp đến lớn nhất, thuận lợi trong điều trị; Làm việc được ở chế độ xung, cho nên có thể
chọn được tần số điều biến thích hợp.

3.2. Cấu trúc laser He-Ne nội tĩnh mạch

Thiết bị laser khí He-Ne nội tĩnh mạch có hai bộ phận chính: bộ phần điều trị và bộ
phận dẫn chùm tia laser vào nội tĩnh mạch.
3.2.1. Bộ phận điều trị
Bộ phần điều trị gồm:
- Laser khí He-Ne làm việc ở bước sóng 632,8nm có công suất phát xạ cố định,
có thể 2mW hay 5mW hoặc 7mW.
- Bộ phận định thời phục vụ cho việc điều trị.
- Sợi quang học mềm, một đầu nối trực tiếp với đầu ra của laser, đầu thứ hai
nối trực tiếp với bộ phận đưa chùm tia laser khí He-Ne vào nội tĩnh mạch.

Bộ phần điều trị đóng vai trò chính trong điều trị với các thông số chính như: công
suất thay đổi từ (0 – 5) mW, tần số điều biến thay đổ từ (5 – 100) Hz.
3.2.2. Bộ phận dẫn chùm tia laser vào nội tĩnh mạch
Bộ dẫn chùm tia laser vào nội mạch gồm hai phần:
 Phần thứ nhất là bộ phận tiêm ven.
 Phần thứ hai đưa chùm tia laser vào nội tĩnh mạch bằng một đoạn sợi quang học
luồn trong bộ phận tiêm ven.
Cấu trúc của bộ phận điều trị, bộ phận dẫn chùm tia laser vào nội tĩnh mạch được
trình bày ở Hình 3.1 và Hình 3.2. Thiết bị laser khí He-Ne nội tĩnh mạch này do Bộ môn
Kỹ Thuật Y Sinh, khoa Khoa Học Ứng Dụng, trường Đại Học Bách Khoa, Đại Học
Quốc Gia tp.HCM chế tạo.

Hình 5.9 Thiết bị laser khí He-Ne nội tĩnh mạch

3.3. Bộ phận dẫn chùm tia laser vào nội tĩnh mạch

Hình 5.10 Các bộ phận dẫn chùm tia laser vào nội tĩnh mạch
 Nhận xét:
  Tiêm ven khá to so với bình thường, đòi hỏi người dùng phải có kinh nghiệm y
khoa để tìm được chính xác tĩnh mạch.
 Sợi quang rất mảnh khi luồn sợi quang và trong bộ phận tiêm ven cần thao tác
nhẹ nhàng và chính xác.
3.4. Ưu và nhược điểm của laser nội tĩnh mạch
Ưu điểm Nhược điểm
Hiệu quả điều trị mang lại cao Người sử dụng cần phải có kinh
Ít đau và ít bị nhiễm trùng nghiệm y khoa
Thời gian điều trị ngắn

3.5. Xác định bán kính vết ở 3 vị trí mở hệ quang học bằng 1-2-3cm.
Bảng 5.4Bán kính vết ở 3 vị trí mở hệ quang học
Khoảng cách (cm) Bán kính vết (mm) Công suất (mW)
1 0.8 0
2 0.8 0
3 0.8 0

 Nhận xét:
- Laser nội tĩnh mạch có tính định hướng cao, trong phạm vi tư 1 cm đến 3 cm bán
kính vết chùm tia không thay đổi. Ngoài ra do công suất của chùm tia laser nội
tĩnh mạch nằm ngoài giới hạn của thiết bị cảm biến tại phòng thí nghiệm. Do
vậy, không tính được mật độ công suất của chùm laser nội tĩnh mạch.
- Laser khí He – Ne nội tĩnh mạch dần được thay thế bởi laser bán dẫn bởi ưu điểm
gọn nhẹ, nguồn nuôi có điện thế thấp và có thể trực tiếp điều khiển dòng điện với
tần số cao. Độ bền cơ học cao, hiệu suất cao, công suất tiêu thụ nhỏ, khả năng
điều biến tần số cao, giá thành tương đối thấp.
 BÀI 4: KHẢO SÁT LASER BÁN DẪN
I. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM
- Khảo sát đặc tuyến vôn-ampe của laser bán dẫn, Xác định dòng điện bơm tạo ra trạng
thái đảo mật độ.
- Khảo sát quan hệ giữa dòng điện bơm và công suất laser.
- So sánh các kết quả nhận được với các giá trị đo tương ứng của các diode phát quang
(LED) khác nhau để rút ra kết luận về đặc tính hoạt động của laser bán dẫn.
II. CÂU HỎI
4.1. Laser bán dẫn và laser truyền thống khác nhau ở điểm gì vì
Có 2 điểm khác biệt giữa laser bán dẫn và laser truyền thống:
- Thứ nhất, Đối với laser truyền thống, các nguyên tử có hoạt tính laser (là các
phân tử, ion) độc lập với nhau và chỉ các mức năng lượng như nhau được sử
dụng cho quá trình laser. Như vậy, về nguyên tắc, để tạo ra trạng thái đảo mật độ,
một số lượng không giới hạn các nguyên tử có thể cùng tham gia đóng góp cho
hiệu ứng laser (tuân theo phân bố Boltzmann). Điều này khác với laser bán dẫn:
Trong các laser bán dẫn, mỗi mức năng lượng xác định chỉ có tối đa hai hạt (ở
đây là electron - tuân theo nguyên lý Pauli). Tuy nhiên, trong chất bán dẫn, hàm
sóng của các nguyên tử riêng biệt phủ nhau, tạo ra các dải năng lượng, và các
electron chiếm chỗ trên các phân mức của các dải này, theo phân bố Fermi-Dirac.
Khi xảy ra quá trình laser, thay vì là sự chuyển các cư dân giữa hai mức năng
lượng trong các laser kinh điển, thì ở đây là sự chuyển các cư dân giữa hai dải
năng lượng.
- Thứ hai liên quan đến sự truyền tia laser trong không gian giới hạn của lớp tiếp
xúc P-N. Sự phân bố cường độ không gian của chùm laser ở đây được xác định
bởi môi trường laser, không phải do hộp cộng hưởng như trong các laser truyền
thống.
Laser bán dẫn không có bước sóng cố hữu bởi vì: chúng không có các mức năng
lượng gián đoạn xác định để sử dụng cho quá trình laser, mà thay vì đó sự chuyển các
cư dân giữa hai dải năng lượng. Điều này làm cho phổ của chùm tia laser bán dẫn có độ
rộng nhất định, bước sóng không.
4.2. Chùm laser bán dẫn có đăc điểm g2i
Chùm tia laser bán dẫn có độ rộng nhất định và bước sóng bằng 0, tiết diện của
chùm laser bán dẫn không có hình tròn, mà thường có dạng elip, hay chữ nhật.
 Vì đặc tính phân kì của laser bán dẫn cần phải được hiệu chỉnh lại bằng một hệ
quang học nên thường sử dụng một thấu kính hội tụ có tiêu cự ngắn (f=6 mm) để hiệu
chỉnh trước khi chùm tia laser bán dẫn được sử dụng theo cách thông thường.
4.3. Đặc tuyến Volt-Ampe
Đặc tuyến volt-ampere của diode hay đặc tính V-A của diode là một đường cong
giữa điện áp trên lớp tiếp giáp và dòng điện mạch. Đặc trưng volt-ampe của laser bán
dẫn có đặc điểm như hình bên dưới:

Hình 4.11. Đặc tuyến volt-ampe của LED và laser bán dẫn
Nhìn chung, điện áp chuyển tiếp (forward voltage) của laser bán dẫn thấp rơi vào
khoảng 2V, cường độ dòng chuyển tiếp vào khoảng 3 mA (đường màu vàng) và đồ thị
có độ dốc nhỏ. Điện áp chuyển tiếp của laser bán dẫn bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ hoạt
động, vật liệu bán dẫn.
- Mỗi đèn LED có điện áp chuyển tiếp riêng của nó và thông số này cũng được xác
định bởi vật liệu bán dẫn được sử dụng, là điện áp giảm về phía trước đối với
một lượng dòng điện dẫn chuyển tiếp xác định, thường là đối với dòng chuyển
tiếp dòng điện khoảng 2-5 mA. Điện áp chuyển tiếp của LED thường trong
khoảng 1.5-3V so với laser bán dẫn là khoảng 2V. Ngoài ra đặc tuyến volt-ampe
của đèn LED có độ dốc lớn hơn so với laser bán dẫn.
4.4. Dòng điện bơm và công suất
Giữa dòng điện bơm và công suất laser có quan hệ như hình dưới:
 Hình 4.12. Đặc tuyến công suất quang của laser bán dẫn
Khi chúng ta tăng dòng điện tới diode laser, công suất quang học của ánh sáng đầu
ra dần dần tăng lên đến một ngưỡng nhất định. Cho đến thời điểm này, hầu hết ánh sáng
phát ra là do sự phát xạ tự phát. Trên ngưỡng này, quá trình phát xạ kích thích tăng lên.
Điều này làm cho công suất của ánh sáng đầu ra tăng lên rất nhiều ngay cả khi dòng
điện đầu vào tăng nhỏ hơn. Công suất quang đầu ra cũng phụ thuộc vào nhiệt độ và nó
giảm khi nhiệt độ giảm.
 Ưu nhược điểm của laser bán dẫn:
- Ưu điểm: kích thước nhỏ, không yêu cầu nguồn cao áp mạnh, độ tin cậy rất cao,
độ bền cơ học cao, hiệu suất cao, công suất tiêu thụ nhỏ, khả năng điều biến tần
số cao, giá thành tương đối thấp.
- Nhược điểm: quang phổ của laser bán dẫn bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ, áp suất.
Khó chế tạo laser có công suất xung lớn, tính đơn sắc, tính song song kém hơn
các loại laser khác. Cho đến nay người ta chưa chế tạo được một diode laser có
công suất hơn 10W.
Những ứng dụng của laser bán dẫn:
- Laser bán dẫn được sử dụng trong việc đọc đĩa Compact. Trong đĩa Compact
thông tin được mã hóa dưới dạng mã nhị phân, ghi lên một đĩa với các tín hiệu là
các hốc và rãnh. Người ta dùng một laser bán dẫn loại (AlGa)As có bước sóng
0.83 µm chiếu lên các hốc và rãnh này, khi đĩa quay tia phản xạ trên mặt các hốc
của đĩa này được truyền qua một hệ quang học và thu qua một photodiode. Đĩa
 Compact với ưu điểm lưu được một lượng thông tin chất lượng tuyệt hảo, sử
dụng bền, ngoài ra có thể tìm thông tin ở bất kỳ ở một vị trí nào trên đĩa một cách
dễ dàng.
- Laser bán dẫn được lựa chọn bởi ưu điểm như gọn nhẹ, nguồn nuôi có điện thế
thấp và có thể trực tiếp điều khiển dòng điện với tần số cao. Sử dụng laser với
cáp quang có thể cho đường truyền tới 100 terabit/s.
- Một đĩa CD sẽ được đọc bằng một đầu đọc laser bán dẫn có bước sóng 780nm
thông qua phần giữa của lớp Polycarbonate. Sự thay đổi giữa khoảng cách của
các “pit” và “land” sẽ gây nên những cường độ mạnh, yếu khác nhau của tia laser
khi bị phản chiếu. Và một diode được gắn trong ổ đọc sẽ ghi nhận những thay
đổi này từ đó dữ liệu ở trong đĩa sẽ được đọc từ đĩa CD.
III. KẾT QUẢ THÍ NGHIỆM
1. Đo đặc tuyến volt - ampe và đặc tuyến công suất laser-dòng điện bơm của laser
bándẫn
a) Bảng 1
VoltkếVhiệnsố: thangđo:U max =20V,cấpchínhxác δ V=0.5

Ampe kế Ahiệnsố: thangđo: Imax = 200mA, cấpchínhxác δ A=1.2

MilivoltkếMC897A:thangđo: U max =2V,cấpchínhxácδ V=1.5

Điện trở tải : r = 220Ω, ∆r =0.5%.r; Hệ số chuyển đổi Sensor: Ƞ =13.5

UPN(V) I (mA) U (V) UPN(V) I (mA) U (V)
0 0 0 2.3 7.4 0
0.5 0 0 2.4 9.0 0.001
0.6 0 0 2.5 10.9 0.016
0.7 0 0 2.6 12.6 0.06
0.8 0.1 0 2.7 14.6 0.111
0.9 0.1 0 2.8 16.5 0.156
1.0 0.2 0 2.9 18.3 0.199
1.1 0.3 0 3.0 19.0 0.213
1.2 0.4 0 3.1 19.3 0.216
 1.3 0.4 0 3.2 19.4 0.216
1.4 0.5 0 3.3 19.5 0.217
1.5 0.6 0 3.4 19.7 0.218
1.6 0.7 0 3.5 19.8 0.218
1.7 0.9 0 3.6 19.9 0.219
1.8 1.1 0 3.7 20.1 0.219
1.9 1.8 0 3.8 20.2 0.220
2.0 2.9 0 3.9 20.3 0.220
2.1 4.2 0 4.0 20.4 0.220
2.2 5.9 0

b) Lập bảng tính toán số liệu A: Trên cơ sở Bảng 1, lập trên bảng tính Excel "Bảng sử
lý số liệu A" dưới đây:

Bảng A: (∆X =δ%.X +n.α)

Volt kế V hiện số: n=3; alpha = 0.1
Ampe kế A hiện số: n=5; alpha = 0.01
Milivolt kế MC897A: n=5; alpha = 0.001

UPN(V) ∆UPN I (mA) ∆I (mA) U (V) ∆U (V) P (mW) ∆P (mW)

0 0.3 0 0.05 0 0.005 0 -
0.5 0.3025 0 0.05 0 0.005 0 -
0.6 0.303 0 0.05 0 0.005 0 -
0.7 0.3035 0 0.05 0 0.005 0 -
0.8 0.304 0.1 0.0512 0 0.005 0 -
0.9 0.3045 0.1 0.0512 0 0.005 0 -
1 0.305 0.2 0.0524 0 0.005 0 -
1.1 0.3055 0.3 0.0536 0 0.005 0 -
1.2 0.306 0.4 0.0548 0 0.005 0 -
1.3 0.3065 0.5 0.0548 0 0.005 0 -
1.4 0.307 0.6 0.056 0 0.005 0 -
1.5 0.3075 0.6 0.0572 0 0.005 0 -
1.6 0.308 0.7 0.0584 0 0.005 0 -
1.7 0.3085 0.8 0.0608 0 0.005 0 -
1.8 0.309 1.1 0.0632 0 0.005 0 -
1.9 0.3095 1.8 0.0716 0 0.005 0 -
2 0.31 3 0.0848 0 0.005 0 -
2.1 0.3105 4.3 0.1004 0 0.005 0 -
2.2 0.311 5.8 0.1208 0 0.005 0 -
2.3 0.3115 7.5 0.1388 0 0.005 0 -
2.4 0.312 9.2 0.158 0.001 0.005015 6.14E-05 0.000616
2.5 0.3125 11 0.1808 0.016 0.00524 0.015709 0.010368
2.6 0.313 12.9 0.2012 0.06 0.0059 0.220909 0.04455
2.7 0.3135 14.7 0.2252 0.111 0.006665 0.756061 0.094576
2.8 0.314 16.6 0.248 0.156 0.00734 1.493345 0.147994
2.9 0.3145 18.3 0.2696 0.199 0.007985 2.430061 0.207166
3 0.315 19 0.278 0.213 0.008195 2.784007 0.228145
3.1 0.3155 19.2 0.2816 0.216 0.00824 2.862982 0.23275
3.2 0.316 19.4 0.2828 0.216 0.00824 2.862982 0.23275
3.3 0.3165 19.5 0.284 0.217 0.008255 2.889552 0.234293
3.4 0.317 19.6 0.2864 0.218 0.00827 2.916245 0.235841
3.5 0.3175 19.8 0.2876 0.218 0.00827 2.916245 0.235841
3.6 0.318 19.9 0.2888 0.219 0.008285 2.943061 0.237394
3.7 0.3185 20 0.2912 0.219 0.008285 2.943061 0.237394
3.8 0.319 20.1 0.2924 0.220 0.0083 2.97 0.23895
3.9 0.3195 20.2 0.2936 0.220 0.0083 2.97 0.23895
4 0.32 20.3 0.2948 0.220 0.0083 2.97 0.23895
Đồ thị đặc tuyến volt-ampe của laser bán dẫn
Đồ thị đặc tuyến P = f (I) biểu diễn công suất quang P của laser phụ thuộc dòng điện
bơm I
NHẬN XÉT
2. Khảo sát đặc tuyến volt - ampe của diode phát quang (LED)
a) Bảng 2

LED đỏ vàng xanh tím

U (V) I (mA) I (mA) I (mA) I (mA)
0 0 0 0 0
0.5 0 0 0 0
0.6 0 0 0 0
0.7 0 0 0 0
0.8 0 0 0 0
0.9 0 0 0 0
1.0 0 0 0 0
1.1 0 0 0 0
1.2 0 0 0 0
1.3 0 0 0 0
1.4 0 0 0 0
1.5 0 0 0 0
1.6 0.1 0 0 0
1.7 0.7 0 0 0
1.8 4.1 0.4 0 0
1.9 14.3 2.4 0 0
2.0 38.9 6.3 0 0
2.1 - 11.3 0 0
2.2 - 17.0 0 0
2.3 - 23.3 0 0
2.4 - 29.8 0 0
2.5 - 35.0 0 0.5
2.6 - - 0.1 2.4
 2.7 - - 0.2 5.0
2.8 - - 0.8 8.4
2.9 - - 1.7 12.7
3.0 - - 3.5 17.6
3.1 - - 6.0 23.2
3.2 - - 10.1 -
3.3 - - 15 -
3.4 - - 21.2 -
3.5 - - 25.5 -
3.6 - - - -
3.7 - - - -
3.8 - - - -
3.9 - - - -
4.0 - - - -

b) Lập bảng tính toán số liệu B:Trên cở sở các Bảng 1 và 2, lập trên bảng tính Excel
"Bảng sử lý số liệu B" dướiđây:
Bảng B

LED Đỏ Vàng Xanh Tím SC Laser

∆U I ∆I ∆I ∆I ∆I ∆I
U(V) I (mA) I (mA) I (mA) I (mA)
(V) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA)
0 0.3 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05
0.302
0.5 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05
5 0 0.05
0.6 0.303 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05
0.303
0.7 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05
5 0 0.05
0.8 0.304 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0.1 0.0512
0.9 0.304 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0.1 0.0512
 5
1 0.305 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0.2 0.0524
0.305
1.1 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05
5 0.3 0.0536
1.2 0.306 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0.4 0.0548
0.306
1.3 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05
5 0.5 0.0548
1.4 0.307 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0.6 0.056
0.307
1.5 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0 0.05
5 0.6 0.0572
1.6 0.308 0.1 0.0512 0 0.05 0 0.05 0 0.05 0.7 0.0584
0.308 0.7
1.7 0 0.05 0 0.05 0 0.05
5 0.0584 0.8 0.0608
1.8 0.309 4.1 0.0992 0.4 0.0548 0 0.05 0 0.05 1.1 0.0632
0.309 14.3 2.4
1.9 0 0.05 0 0.05
5 0.2216 0.0788 1.8 0.0716
2 0.31 38.9 0.5168 6.3 0.1256 0 0.05 0 0.05 3 0.0848
0.310 11.3
2.1 - - 0 0.05 0 0.05
5 0.1856 4.3 0.1004
2.2 0.311 - - 17.0 0.254 0 0.05 0 0.05 5.8 0.1208
0.311 23.3
2.3 - - 0 0.05 0 0.05
5 0.3296 7.5 0.1388
2.4 0.312 - - 29.8 0.4076 0 0.05 0 0.05 9.2 0.158
0.312 35.0 0.5
2.5 - - 0 0.05
5 0.47 0.056 11 0.1808
2.6 0.313 - - - - 0.1 0.0512 2.4 0.0788 12.9 0.2012
0.313 0.2 5.0
2.7 - - - -
5 0.0524 0.11 14.7 0.2252
2.8 0.314 - - - - 0.8 0.0596 8.4 0.1508 16.6 0.248
0.314 1.7 12.7
2.9 - - - -
5 0.0704 0.2024 18.3 0.2696
3 0.315 - - - - 3.5 0.092 17.6 0.2612 19 0.278
 0.315 6.0 23.2
3.1 - - - -
5 0.122 0.3284 19.2 0.2816
3.2 0.316 - - - - 10.1 0.1712 - - 19.4 0.2828
0.316 15
3.3 - - - - - -
5 0.23 19.5 0.284
3.4 0.317 - - - - 21.2 0.3044 - - 19.6 0.2864
0.317 25.5
3.5 - - - - - -
5 0.356 19.8 0.2876
3.6 0.318 - - - - - - - - 19.9 0.2888
0.318
3.7 - - - - - - - -
5 20 0.2912
3.8 0.319 - - - - - - - - 20.1 0.2924
0.319
3.9 - - - - - - - -
5 20.2 0.2936
4.0 0.32 - - - - - - - - 20.3 0.2948

Đặc tuyến volt-ampe của 5 loại linh kiện bán dẫn

 Nhận xét:
Cả 4 LED đều có hình dạng đường đặc tuyến volt-ampe giống nhau và giống với
SC laser, nhưng hiệu điện thế laser hoặt động và Gradien cường độ dòng điện là khác
nhau ở mỗi linh kiện, cụ thể:
Xét sự thay đổi giá trị của I theo U:
- Đối với LED đỏ: Hiệu điện thế từ 0 - 1.5 V chưa xuất hiện cường độ dòng
điện I, khi hiệu điện thế vượt qua 1.5 V Gradien cường độ dòng điện tăng
mạnh từ 0.1 mA và đạt giá trị 38.9 mA tại hiệu điện thế U = 2V.
- Đối với LED vàng: Hiệu điện thế từ 0 - 1.7 V chưa xuất hiện cường độ dòng
điện I, khi hiệu điện thế vượt qua 1.7 V Gradien cường độ dòng điện tăng
mạnh từ 0.4 mA và đạt giá trị 35.0 mA tại hiệu điện thế U = 2.5V.
- Đối với LED xanh: Hiệu điện thế từ 0 - 2.5 V chưa xuất hiện cường độ dòng
điện I, khi hiệu điện thế vượt qua 2.5 V Gradien cường độ dòng điện tăng
mạnh từ 0.1 mA và đạt giá trị 25.5 mA tại hiệu điện thế U = 3.5V.
 - Đối với LED tím: Hiệu điện thế từ 0 - 2.4 V chưa xuất hiện cường độ dòng
điện I, khi hiệu điện thế vượt qua 2.4 V Gradien cường độ dòng điện tăng
mạnh từ 0.5 mA và đạt giá trị 23.2 mA tại hiệu điện thế U = 3.1V.
- Đối với SC laser: Từ hiệu điện thế 0-2V cường độ dòng điện thay đổi nhỏ từ
0-3 mA, tại 2V Gradien cường độ dòng điện tăng nhanh từ 3 mA đến 19 mA
tại 3V sau đó chỉ tăng nhẹ lên 20.3 mA tại hiệu điện thế 4.0V.
Xét Gradien cường độ dòng điện: độ dốc dương của cường độ dòng điện là khác
nhau ở mỗi linh kiện, LED đỏ có độ dốc lớn nhất và theo sau là LED vàng, LED tím,
LED xanh cuối cùng SC laser có độ dốc bé nhất.
 Kết luận về hoạt động và đặc tính của laser bán dẫn:
Hiệu điện thế bật của laser bán dẫn nhỏ khoảng 0.8V, điểm hiệu điện thế hoạt động
tại U =1.8V, khoảng hiệu điện thế hoạt động rộng khoảng từ 1.8V – 2.9V. Cường độ
dòng điện bão hòa thấp duy trì quanh mức 20 mA dẫn đếncông suất hoạt động của
diode laser sẽ ít hơn. Laser bán dẫn có đặc tính quan trọng là cách tiếp cận hoặc
ngưỡng của nó. Diode laser không hoạt động cho đến khi sử dụng mức công suất tối
thiểu. Nếu ánh sáng dưới năng lượng của nó, thì sự phát xạ yếu hơn ngưỡng so với
năng lượng đầy đủ.
BÀI 5: XÁC ĐỊNH DÒNG ĐIỆN NGƯỠNG CỦA LASER BÁN DẪN LOẠI
PHUN DÒNG TẢI ĐIỆN QUA LỚP TIẾP XÚC P-N
5.1. Dòng điện ngưỡng và ý nghĩa của nó đối với laser bán dẫn loại phun.
Dòng điện ngưỡng là dòng kích làm xuất hiện hiệu ứng laser, đóng vai trò quan
trọng trong chế độ làm việc của laser bán dẫn loại phun. Vì các lý do sau: Khi dòng
điện kích nhỏ hơn dòng điện ngưỡng, công suất phát xạ của laser nhỏ, phổ phát xạ rất
rộng, tương ứng với miền phát xạ tự phát. Khi dòng điện kích bằng dòng điện ngưỡng
thì xuất hiện hiệu ứng laser và tại giá trị dòng kích đó trên nền phổ phát xạ tự phát
xuất hiện pik có độ rộng phổ hẹp, và công suất phát xạ bắt đầu tăng. Khi dòng điện
kích lớn hơn dòng điện ngưỡng, công suất phát xạ của laser lớn, ở phổ phát xạ xuất
hiện các mode dọc, tương ứng với miền phát xạ cưỡng bức. Khi dòng điện kích quá
lớn, thì công suất phát xạ của laser sẽ bão hòa và sau này công suất phát sẽ giảm khi
tăng dòng kích. Đây là miền phẩm chất của laser bị suy giảm.
Chính vì vậy, việc chọn dải sóng kích lớn hơn dòng điện ngưỡng bao nhiêu để
laser bán dẫn loại phun làm việc là điều hết sức quan trọng.
I ng
Mật độ dòng điện ngưỡng: J ng=
S
Hệ số khuếch đại ngưỡng: Gng=β J ng (1)
Trong biểu thức (1):
G ng – hệ số khuếch đại ngưỡng
β – hằng số cho mỗi loại laser bán dẫn
1 1
Gng=α + ln
2 L R1 R2 (2)
Trong biểu thức (2):
α – hệ số mất mát trên một đơn vị độ dài của hộp cộng hưởng.
1 1
ln
2 L R1 R 2 - hệ số mất mát ở hai gương của hộp cộng hưởng.
L – độ dài của hộp cộng hưởng.
R1 , R 2 – hệ số phản xạ của hai gương trong hộp cộng hưởng.
Đối với laser bán dẫn loại phun, hai gương phản xạ của hộp cộng hưởng là hai mặt
tinh thể và có độ lớn phản xạ bằng nhau R1=R 2 ∼30 %.
Từ (1) và (2) thu được:
α 1 1
J ng= + ln
β βL R❑
5.2. Xác định dòng điện ngưỡng của laser bán dẫn và LED bằng máy quang phổ
Để xác định dòng điện ngưỡng nhóm thực hiện 2 thí nghiệm:
- Thí nghiệm 1: đặt nguồn sáng sát máy quang phổ.
- Thí nghiệm 2: cố định dòng điện ở mức 5mA để đánh giá công suất phát xạ.
Nhóm sẽ dùng phương pháp xác định dòng điện ngưỡng dựa trên phổ phát xạ của
laser. Chỉnh dòng điện về 0 mA, sau đó tăng dần cường độ dòng điện của nguồn sang,
đồng thời quan sát sự thay đổi phổ để xác định dòng điễn ngưỡng. Khi dòng kích nhỏ
hơn dòng điện ngưỡng thì phổ phát xạ của laser rộng, tương ứng với phổ phát xạ tự
phát. Khi tăng dòng kích phổ phát xạ này sẽ hẹp dần. Khi dòng kích bằng dòng điện
ngưỡng, trên nền phổ phát xạ tự phát xuất hiện mode pik hẹp. khi dòng kích lớn hơn
dòng điện ngưỡng sẽ xuất hiệ các mode dọc.

Hình 5.13Đầu phát laser và 4 loại LED

Hình 5.14Thiết lập thí nghiệm xác định dòng điện ngưỡng bằng máy đo quang phổ
5.3. Các kết quả và nhận xét.
5.3.1. Dòng ngưỡng laser và led khi cùng khoảng cách từ nguồn đến máy quang
phổ phát xạ
 Laser 650 nm: dòng ngưỡng 6.9mA – 2.26V (để sát)
 Hình 5.15Phổ phát xạ của laser bán dẫn
 Led đỏ 645nm: dòng ngưỡng 0,2mA – 1.63V (để sát)

Hình 5.16Phổ phát xạ của LED đỏ

 Led vàng 545nm: dòng ngưỡng 3.9mA – 1,95V (để sát)
 Hình 5.17Phổ phát xạ của LED vàng
 Led xanh 525nm: dòng ngưỡng: 0.1mA – 2,56V (để sát)

Hình 5.18Phổ phát xạ của LED xanh

 Led tím 460nm: dòng ngưỡng: 0.0mA – 2.35V (để sát)

 Hình 5.19Phổ phát xạ của LED tím
BẢNG 1
Phần tử Bước sóng (nm) Cường độ dòng điện (mA) Điện áp (V)

Laser 650 6.9 2.26

LED đỏ 645 0.2 1.63

LED vàng 565 3.9 1.95

LED xanh 525 0.1 2.56

LED tím 460 0.0 2.35

 Nhận xét:
- Để so sánh đối chiếu 5 loại nguồn sáng ( laser và 4 LED) với nhau, nhóm để độ dài
đường dẫn quang học của 5 thí nghiệm bằng nhau (nguồn sáng sát với thiết bị thu).
- Tăng dần cường độ dòng điện để thu được mode pik hẹp của 5 loại nguồn sát.
Đỉnh phổ của mode pik hẹp phải thấp hơn 60000 scope (ADC counts) để kết quả
nằm trong khoảng chính xác của thiết bị (90%).
- Khi phổ của 5 loại nguồn sáng ở dạng mode pik hẹp nhóm thu được dòng điện
ngưỡng của laser 650 nm, LED đỏ 645 nm, LED vàng 545 nm, LED xanh 525 nm,
LED tím 460 lần lượt là 6.9 mA; 0.2 mA; 3.9 mA; 0.1 mA và 0.0 mA.
- Bề rộng phổ của laser là nhỏ nhất.
5.3.2. Dòng ngưỡng laser và led khi cùng cường độ dòng điện 5mA
Thí nghiệm sử dụng Thiết bị AvaSpec-2048L hãng Avantes đo được trong khoảng
bước sóng 200 – 1.100 nm. Thí nghiệm được thiết lập như hình 2.2. Laser/LED được
mắc nối tiếp với nguồn điện và điện trở, sử dụng VOM để đo dòng điện và điện áp của
laser/LED, sử dụng máy đo quang phổ phát xạ AvaSpec-2048L để đo phổ phát xạ của
laser/LED. Khi tăng dần cường độ dòng điện từ 0 cho đến khi phổ phát xạ xuất hiện
định nhọn thì dừng lại, ghi nhận đỉnh phát xạ, khoảng cách từ laser/LED tới detector
của máy quang phổ, cường độ dòng điện và điện áp tại thời điểm đó vào bảng.
 Laser bán dẫn 650 nm

Hình 5.20Phổ phát xạ của laser bán dẫn

 LED đỏ 645 nm

Hình 5.21Phổ phát xạ của LED đỏ

 LED vàng 565 nm
 Hình 5.22Phổ phát xạ của LED vàng
 LED lục 525 nm

Hình 5.23Phổ phát xạ của LED xanh

 LED tím 460nm

Hình 5.24Phổ phát xạ của LED tím

BẢNG 2
Phần tử Bước sóng Cường độ dòng Điện áp (V) Khoảng cách
(nm) điện (mA) (cm)

Laser 650 5 1.25 2

LED đỏ 645 5 1.81 6.5

LED vàng 565 5 1.97 1.4

 LED xanh 525 5 3.05 5

LED tím 460 5 2.7 4.1

 Nhận xét:
- Phổ phát xạ của laser hẹp hơn của LED
- Nhân xét: Cùng mức cường độ dòng điện 5 mA, để thu được trọn vẹn phổ laser
và 4 loại LED ta phải thay đổi độ dài đường dẫn quang học từ nguồn sang đến
thiết bị AvaSpec-2048L hãng Avantes. Từ độ dài đường dẫn ta có thể đánh giá
được công suất phát xạ của Laser và 4 loại LED. Độ dài đường dẫn càng cao
công suất phát xạ càng lớn và ngược lại.