Silisyum

160 dil
 Madde
 Tartışma
 Oku
 Düzenle
 Kaynağı değiştir
 Geçmişi gör
Vikipedi, özgür ansiklopedi
Bu madde hiçbir kaynak içermemektedir. Lütfen güvenilir kaynaklar
ekleyerek madde içeriğinin geliştirilmesine yardımcı olun. Kaynaksız içerik
itiraz konusu olabilir ve kaldırılabilir.
Kaynak ara: "Silisyum" – haber · gazete · kitap · akademik · JSTOR (Mayıs 2022) (Bu
şablonun nasıl ve ne zaman kaldırılması gerektiğini öğrenin)

Silisyum

IUPAC adı[gizle][gizle]

silicon, Si, 14

Özellikler

Molekül formülü Si

Molekül kütlesi 28.08553

Görünüm Katı

Yoğunluk 2.3290 g·cm−3

Erime noktası 1687 K, 1414 °C, 2577 °F

Kaynama noktası
3538 K, 3265 °C, 5909 °F
 Belirtilmiş yerler dışında verilmiş olan veriler, Standart sıcaklık ve

basınçtadır. (25 °C, 100 kPa)

Bilgi kutusu kaynakları

Silisyum, yeryüzünde en çok bulunan elementlerden biridir. Yarı iletken özelliğe

sahip oluşu ve doğada, ormanda, doğal yaşamda çok
bulunması, transistör, diyot ve hafızalarda kullanılabilmesinin pratik hızlı
oluşu, entegre devrelerin ve bilgisayarların silisyum teknolojisi üzerine inşa edilmesini
sağlamıştır. "Silikon Vadisi" ismi, silisyumun (ingilizcede silicon) bilgisayar
teknolojilerindeki bu yaygın kullanımından gelmektedir.
Atom numarası (proton sayısı) 14'tür. "Si" simgesi ile gösterilmektedir. Oda
sıcaklığında katı haldedir.
4A grubunda 3. periyotta bulunur. Nötr haldeki elektron dizilimi ilk katmanda 2, ikinci
katmanda 8, üçüncü katmanda 4'tür (4 adet valans elektron). Kararlı yapıya sahip
değildir (nötr halde). Yoğunluğu 2,33 g/cm 3'dür.Diyamanyetik bir elementtir. Bağıl
atom kütlesi (izotoplarının ortalama kütlesi) 28,0855'tir. Kararlı hale geçerken aldığı
yükler nedeniyle ve ayrıca doğada çok bulunduğu için yakın gelecekte tıpkı karbon
selektörleri olduğu gibi silisyum selektörleri de olacağı tahmin edilmektedir.
Camın ana maddesi kum olarak bilinir. Bunun sebebi camın asıl hammaddesi olan
silisyumun kumda özellikle de deniz kumunda çok bulunmasıdır.
Silisyumun ilk keşfi 1824 yılında İsveçli kimyager Jöns Jakob Berzelius tarafından
gerçekleştirilmiştir. Bundan önce de kullanılıyordu ancak bu elementin ne olduğu
bilinmiyordu.
Silisyum doğada siliksat asidi (mSiO2.nH2O) ve tuzları halinde bulunur.
Yerkabuğunun yaklaşık %25,7'si bu elementten oluşur. Oksijenden sonra bileşikleri
halinde en fazla bulunan elementtir. Silisyum dioksit (SiO2) doğada kum ve kuartz
şeklinde bulunur.
Silisyumun iki tane allotropu vardır. Bunlardan birincisi saf kristal silisyumdur.
Saydam olmayan koyu gri renkli, parlak sert ve kırılgan olup örgü yapısı elmasa
benzer. Diğeri ise amorf silisyumdur. Koyu kahve renkli olup tane büyüklüğü nedeni
ile kristal silisyumdan ayırt edilebilir. Kolay reaksiyon verir.
Saf olarak silisyum eldesi, silisyum dioksitin (SiO2) kok kömürü (grafit) ile elektrikli
fırında indirgenmesi sonucunda gerçekleşir. Gerekenden daha fazla karbon
kullanılırsa silisyum karbür (SiC) oluşur.
SiO2 + 2C → Si + 2CO
Silisyum klorür (SiCl4) önce fraksiyonlu destilasyon yöntemi ile saflaştırılır. Daha
sonra hidrojen ile indirgenir. Bu şekilde çok saf silisyum elde edilir.
Silisyum yarı iletken bir elementtir.
SiCl4 + 2H2 → Si + 4HCl

Silisyum bileşikleri

SiBr4 • SiC • SiCl4 • SiF4 • SiH4 • SiI4 • SiO • SiO2 • SiS2 • Si3N4
 Silisyum karbür
46 dil
 Madde
 Tartışma
 Oku
 Düzenle
 Kaynağı değiştir
 Geçmişi gör
Vikipedi, özgür ansiklopedi
Bu madde hiçbir kaynak içermemektedir. Lütfen güvenilir kaynaklar
ekleyerek madde içeriğinin geliştirilmesine yardımcı olun. Kaynaksız içerik
itiraz konusu olabilir ve kaldırılabilir.
Kaynak ara: "Silisyum karbür" – haber · gazete · kitap · akademik · JSTOR (Şubat 2020) (Bu
şablonun nasıl ve ne zaman kaldırılması gerektiğini öğrenin)
Silisyum karbür

Kimyasal Adı Silisyum Karbür

Kimyasal formül SiC
Molekül ağırlığı 40,10 g/mol
CAS numarası 409-21-2
Yoğunluk 3,21 g/cm³
Erime noktası
Kaynama noktası
SMILES

Silisyum karbür, silisyum dioksitin (SiO2) kok kömürü (grafit) ile elektrikli

fırında indirgenmesi sonucunda gerçekleşen, saf olarak silisyum eldesi sırasında
gerekenden daha fazla karbon kullanılması durumunda oluşan bileşiktir (SiC).
Genellikle aşınmayı önleyici olarak kullanılır. Mucidi Edward Goodrich Acheson'dır.
İnorganik kimya ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye
katkı sağlayabilirsiniz.

saf silisyum nasıl elde edilir

Saf olarak silisyum eldesi, silisyum dioksitin (SiO2) kok kömürü (grafit) ile elektrikli
fırında indirgenmesi sonucunda gerçekleşir. Gerekenden daha fazla karbon kullanılırsa
silisyum karbür (SiC) oluşur. Silisyum klorür (SiCl4) önce fraksiyonlu destilasyon yöntemi ile
saflaştırılır. Daha sonra hidrojen ile indirgenir.

Silisyum doğada siliksat asidi (mSiO2.nH2O) ve tuzları halinde bulunur. Yerkabuğunun

yaklaşık %25,7'si bu elementten oluşur. Oksijenden sonra bileşikleri halinde en fazla bulunan
elementtir. Silisyum dioksit (SiO2) doğada kum ve kuartz şeklinde bulunur.

Koklaşma: Kömürleşme derecesi yüksek olanlar (taşkömürleri) ısıl işlem altında önce

yumuşarlar. Daha sonra şişerek gazlarını çıkartırlar ve yeniden sertleşirler. Bu olaylar
sonucunda oluşan oldukça gözenekli ve hafif maddeye “kok kömürü” adı verilmektedir.

Transistörün çalıştığını nasıl anlarız?

Transistörün sağlamlık kontrolü için ölçüm yapılırken analog ölçü aleti avometre

(X1) kademesine alınır. Problardan biri 3 uçtan herhangi birine (genelde orta uç)
sabit tutulur. Diğer prob iki uca da temas ettirilir. Diğer iki ucun da Avometrede
sapması gerekir.6 Nis 2021
Transistörün kaç çalışma modu vardır?

Transistorlerde başlıca 3 çalışma bölgesi vardır. Bu bölgeler; aktif bölge, kesim (kat-

off) bölgesi ve doyum (saturation) bölgesi olarak adlandırılır. Transistorün
çalışma bölgeleri şekil'de transistörün çıkış karakteristikleri üzerinde gösterilmiştir.
Transistör doğru akımla çalışır mı?
NPN tipi bir transistörde, beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalanır. Beyz-
kolektör jonksiyonu ise ters yönde polarmalanır. Her iki transistorün çalışma prensibi
aynıdır. Sadece polarma gerilimi ve akımlarının yönleri terstir.7 Ara 2014

Transistör neden çok ısınır?

Transistörü ısıtan ise kendi üzerinde düşen gerilim ve içinden geçen akımdır.
Yüksek gerilim ve akım tek başlarına sorun çıkarmazlar aslında. Dolayısıyla devrenin
sürülüş tekniğinde hata olabilir. İyi bir sürüşte transistör üzerinde aynı anda yüksek
gerilim ve akım bulunmamalıdır.
Transistör doğru akımla çalışır mı?
NPN tipi bir transistörde, beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalanır. Beyz-
kolektör jonksiyonu ise ters yönde polarmalanır. Her iki transistorün çalışma prensibi
aynıdır. Sadece polarma gerilimi ve akımlarının yönleri terstir
TRANSİSTÖR NEDİR?
Transistör yan yana birleştirilmiş iki PN diyodundan oluşan, girişine uygulanan
sinyali yükselterek akım ve gerilim kazancı sağlayan, gerektiğinde anahtarlama
elemanı olarak kullanılan yarı iletken bir devre elemanıdır. Transistör kelimesi
transfer ve rezistans kelimelerinin birleşiminden doğmuştur.

Uygulamada 100000 'e yakın çeşidi bulunan ve her geçen gün yeni özelliklerde
üretilen transistörler temel olarak bipolar ve unipolar olmak üzere iki gruba ayrılır.
Bipolar transistörler NPN ve PNP olmak üzere iki tiptir.

Üç kutuplu devre elemanları olan transistörlerin kutupları; Emiter (E), Beyz (B) ve Kollektör (C) olarak adlandırılır.
Emiter (yayıcı); akım taşıyıcıların harekete başladığı bölge, Beyz (taban); transistörün çalışmasını etkileyen bölge
ve Kollektör (toplayıcı); akım taşıyıcıların toplandığı bölgedir.
Transistörlerin Tarihçesi
Elektronikle ilgili sistemlerin gelişmesini ve bugün sahip olduğumuz teknolojilere
ulaşmamızı sağlayan transistörün icadı 1947 yılında Bell araştırma laboratuvarlarında,
William Shockley başkanlığında John Bardeen ve Walter Brattain'den oluşan ekip
tarafından gerçekleştirilmiştir.

Transistörlerin icadından önceki süreçte 1906 yılında ilk kez elektron lambaları Londra
Üniversitesi 'nde kullanıma sokulmuştur. Bu lambaların çabuk kırılabilmesi, pahalıya mal
olmaları, devrelerde fazla yer kaplamaları, ısınıp çalışmaya başlamaları için belli bir zaman
geçmesinin gerekmesi ve fazla elektrik tüketmesi gibi dezavantajları bilim adamlarını bu
lambaların yerine geçebilecek elemanlar aramaya itmiştir. Bu sebeplerle 1925 'te Lilien
Field ve 1938 'te de Hilsch ve Pohl lambalarda olduğu gibi katılarda da elektrostatik alan
etkisi ile elektron akışını sağlamak amacıyla birtakım araştırmalar yapmışsa da bu
denemeler başarısızlıkla sonuçlanmıştır.

1931 ile 1940 yılları arasında B.Kayaaltı, L. Brillouin, A. H. Wilson, J. C.

Slater, F. Seitz ve W. Schottky gibi bilim adamları katı madde elektroniği
ile ilgili teorik çalışmalara devam etmişlerdir.

1939 yılında William Shockley, Walter Brattain ve New Jersey ‘deki Bell
Laboratuvarlarındaki araştırmacılar yarı iletken bir yükseltici yapmak için
çalışmalar yapmış fakat başarısızlıkla sonuçlanan denemeleri 2. Dünya
Savaşı ‘nın da araya girmesi sonucu kesintiye uğramıştır. 1947 yılında is
Walter Brattain bu kez John Bardeen ile sürdürdüğü çalışmalarında nokta
kontaklı olan ilk germanyum transistörü icat etmiştir. 1947 Noel'inden iki
gün önce, bu transistör bir radyo devresinde denendi. Bu deneme
sonunda Walter Brattain, defterine şu satırları yazdı : "Bu devre gerçekte
işe yarıyor. Çünkü ses düzeyinde hissedilir bir yükselme sağlandı." Transistör, tıpkı lamba gibi, ses sinyalini
güçlendiriyordu, üstelik boyut olarak çok daha küçüktü ve enerji ihtiyacı da daha azdı. Nokta kontaklı transistörün
seri üretimi zordu ve bu transistör çok güvenilir değildi. Bu nedenle William Shockley kendi istediği gibi bir
transistörü üretmek için çalışmalarına devam etti ve jonksiyon tipindeki transistörü geliştirdi. Bu transistör hem ser
üretime daha uygundu hem de daha iyi çalışıyordu. Brattain ve Bardeen nokta kontaklı transistör için 17 Haziran
1948 'de, William Shockley de jonksiyon tipindeki transistör için 26 Haziran 1948 ‘de patent başvurularını
yapmıştır. Bu ekip yarı iletkenler üzerine yaptıkları çalışmalar ve transistörün icadı ile 1956 yılında Nobel Fizik
Ödülü ‘nü almaya hak kazanmışlardır.

Shockley ve ekibi sürdürdükleri çalışmalarla büyük gelişmeler sağladılar ve 1952 yılında transistör orjinal
boyutlarının onda birine indirilip çok daha güçlendi. 1957'de yılda 30 milyon transistör üretilebilecek aşamaya
gelindi. Zamanla bilim adamları, germanyuma göre çok daha büyük sıcaklıklara dayanabilen silisyum tabakalar
kullanmaya başladılar. Akımı saniyenin 100 milyonda biri kadar kısa bir zamanda iletebilen transistörler imal edild

Transistörün icadı elektronik bilimi için bir dönüm noktası olmuş ve günümüz teknolojisine ulaşılması için imkan
sağlamıştır.
Transistörlerin Yapısı ve Çalışması
Transistörler NPN veya PNP biçiminde yerleştirilmiş üç yarı iletken maddenin bileşiminden oluşmaktadır. Beyz
kutbu tetiklendiği zaman kollektör ve emiter arasında direnç değeri azalır ve akım geçirir hale gelir. Kollektör ve
emiter arasından geçen akımın miktarı beyz kutbuna uygulanan akımın miktarına bağlıdır.

NPN Tipi Transistörler:

NPN tipi transistörlerin yapısı iki N tipi yarı iletken madde arasına ince bir katman
halinde yerleştirilmiş P tipi yarı iletken beyz maddesinden oluşmaktadır. İki N tipi
madde arasındaki beyz tabakası elektron geçişini kontrol etme görevi
yapmaktadır. Transistörler geçen akımı denetleyerek küçük akımları büyütebilir
ya da küçük bir akım ile büyük bir alıcının çalışmasını sağlayabilir.

NPN tipi transistörlerde yandaki resimde görüldüğü gibi VBB kaynağının artı ucu
beyz kutbunu pozitif yüklerken Vcc kaynağının eksi ucu ise emiter kutbundaki
elektronları yukarı iter. Sıkışan elektronlar beyz tarafından çekilir. Yani, emiterin
iletim bandındaki elektronlar E-B gerilim setini aşarak beyz bölgesine girerler,
ancak beyz bölgesi dar olduğundan emiter bölgesinden gelen elektronların
yaklaşık %2 si beyz bölgesi tarafından çekilirken kalan %98 i kollektöre geçer.
Vcc kaynağının artı ucu elektronları kollektör bölgesine doğru çeker ve böylece elektron akışı sürekli hale gelir ve
VBB kaynağının verdiği beyz akımı sürdükçe emiterden kollektöre elektron akışı devam eder.NPN tipi
transistörlerde elektronlar yukarı, oyuklar ise aşağı doğru gider ve bu nedenle beyze uygulanan artı sinyal
kollektörden emitere doğru akım geçirir denir. Emiter akımı beyz ve kollektör akımlarının toplamına eşittir.

PNP Tipi Transistörler:

PNP tipi transistörlerin yapısı da NPN tipi transistörler gibidir. Tek fark bu kez P
tipi iki yarı iletken madde arasına ince bir tabaka halinde N tipi yarı iletken
maddenin yerleştirilmiş olmasıdır.

PNP tipi transistörlerde VBB kaynağının eksi ucu beyz kutbunu negatif yüklerken
Vcc kaynağının artı ucu da emiter bölgesindeki artı yüklü oyukları yukarı iter. Bu
şekilde sıkışan artı yükler beyz tarafından çekilip buradan kollektör bölgesine
geçerler. Vcc kaynağının eksi ucu kollektör bölgesindeki oyukları kendine
çektiğinden dolayı oyuk hareketi süreklilik kazanır. VBB akımı sürdükçe
emiterden kollektöre doğru bu hareket sürer.PNP tipi transistörlerde elektronlar aşağı, oyuklar ise yukarı doğru
gider ve bu nedenle beyze uygulanan eksi sinyal emiterden kollektöre doğru akım geçirir denir.
Transistör sinyali nasıl yükseltir?
Transistörün C-E uçları arasındaki direnç arttığından kollektör ucundaki gerilim
(sinyal) pozitif yönde yükselir. Giriş sinyali negatif
olduğunda transistörün iletkenliği artar. Çıkış sinyali negatif yönde azalır.
NPN ve PNP transistör nedir?

PNP Transistör:

P ve N harflerini Pozitif ve Negatif kelimelerinin baş harfleri olarak

hatırlayalım. PNP tipi sensör çıkışı pozitif olan, NPN tipi sensör çıkışı negatif olan
sensördür. Sensörlerde genel olarak üç kablo vardır. Bunardan biri pozitif, biri negatif
ve diğeri de sinyal yani çıkış ucudur.

Transistör devresi nasıl çalışır?

Transistör genellikle yarı iletken malzemelerden oluşan katı hal elektronik bir
cihazdır. Elektronik akım sirkülasyonu, elektronların eklenmesiyle değiştirilebilir. Bu
süreç, çıkış akımındaki birçok değişimi orantılı olarak etkilemek için voltaj
değişimlerini getirir ve amplifikasyonu meydana getirir.

Transistör akım kazancı nedir?

β akım kazancı, ortak emiter bağlantıda akım kazancı olarak da adlandırılır. Ortak
emiter bağlantı kavramı ileride açıklanacaktır. Bir transistör için β akım kazancı,
kollektör akımının beyz akımına oranıyla belirlenir. β akım
kazancı bir transistör için tipik olarak 20–200 arasında olabilir.


Başlangıç

Önbilgi

Hazırlık

Tarih

Başvurular

Kurbağa pili
4 dil

 Madde
 Tartışma
 Oku
 Düzenle
 Kaynağı değiştir
 Geçmişi gör
Vikipedi, özgür ansiklopedi

Bu madde, öksüz maddedir; zira herhangi bir maddeden bu maddeye verilmiş

bir bağlantı yoktur. Lütfen ilgili maddelerden bu sayfaya bağlantı
vermeye çalışın. (Eylül 2022)
(sol üst) 1845, Matteucci'nin kurbağa pili; (alt) 1818, Aldini'nin kurbağa pili; (sağ üst) gazların kurbağa piline
kontrollü salınımı için kullanılan aparat

Kurbağa pili, birçok ölü kurbağanın (ya da bazen diri olanlarının) seri olarak
bağlanarak pilin hücrelerini oluşturduğu elektrokimyasal pildir. Aslında bir tür
biyopildir. Elektrik ile ilgili ilk akademik çalışmalar ve bilimsel araştırmalar için
kullanılmıştır. 
Pilin çalışma prensibi, 18. ve 19. yüzyıllarda tam olarak anlaşılmamış da olsa, 
kaslardaki hasara bağlı oluşan yaralanma potansiyelidir. Potansiyel; kurbağa
kaslarının kesilmesiyle tesadüfen ortaya çıkmıştır. 
Kurbağa pili; herhangi sayıda, herhangi bir hayvandan yapılabilen biyopiller için bir
örnektir. Bu tip piller için kullanılan genel terim kas yığınıdır.
Daha önce örnekleri bulunmasına rağmen, iyi bilinen ilk kurbağa pili 1845
yılında Carlo Matteucci tarafından yapılmıştır. Matteucci ayrıca başka hayvanlar ile
de pil yapmıştır. Giovanni Aldini ise öküz kafalarından bir pil oluşturmuştur.

Önbilgi[değiştir | kaynağı değiştir]
Elektrikle ilgili araştırmaların ilk zamanlarında, akımı tespit etmenin genel
yolu kurbağa bacağı galvanoscope kullanmaktı. Galvanoskop için kullanılmak üzere,
araştırmacılar bir canlı kurbağa stoğu bulundururdu. Bu yüzden kurbağalar diğer
deneylerde de kullanılabilecek iyi bir materyaldi. Küçüktü, bakımı kolaydı ve bacakları
özellikle elektrik akımına karşı diğer adaylar arasından açık ara en iyi tepkiyi verendi.
[1]

Hazırlık[değiştir | kaynağı değiştir]

Kurbağanın kalçalarının yarısından oluşturulmuş bir dizi

Pil yapımı için kurbağanın kalçalarını kullanmak yaygındı. Kurbağa bacaklarının önce
derisi yüzülür, ve diz kapağından aşağısı kesilip atılırdı. Bu işlem yapılırken kasların
zarar görmesi sonuçları kötü etkileyecektir. Daha sonrasında kalça kası enine ikiye
ayrılıp iki tane yarı-kalça kas kütlesi elde edilirdi. Sadece alttaki konik biçimli parça
saklanırdı. Bu yarı kalçalar daha sonra verniklenmiş ahşap bir yalıtkan üzerine,
birbiriyle iç içe geçirilir, konik uçlu dış yüzey, kesik yüzeyin içine itilirdi.  Bu yığının
uçları suyun içerisine yerleştirilip, tahtaya konulur ve böylelikle pilin uçları
oluşturulurdu.[2][3]
İç yüzeyin dış yüzeye bağlı olması, kasların içeriden dışarıya doğru elektrik iletimi
yapması teorisine olan yanlış hatalı inanıştan dolayıdır. Artık yarı kalçaların kaslara
olan büyük hasardan dolayı elektrik üretmede daha başarılı olduğu bilinmektedir. Bu
yaralanmadan dolayı elektrik potansiyelinin artması, sınır potansiyeli ya da
yaralanma potansiyeli olarak bilir.[4]
Başka şekillerde de kullanım olabilir. Örneğin tüm arkabacaklar siyatik sinirleri açığa
çıkartarak başka bir bacağa bağlanabilir. Kurbağanın tümü bile kullanılabilir. Daha iyi
sonuçlar verdiği için bacakları yarım kalça şeklinde hazırlamak, bazıları için çok
zaman aldığından dolayı çoğu deneyci kurbağaları bütün olarak kullanmıştır. [5]

Tarih[değiştir | kaynağı değiştir]

Bird, kurbağa pili diyagramı 1848

İlk kurbağa pili Eusebio Valli tarafından 1790'larda 10 kurbağalık bir bir zincir ile
oluşturulmuştur. Valli yaptıklarının sonuçlarını anlamakta zorlanmış; hayvansal
elektriğin(galvanic) metal-metal elektrikten(voltaik) çok farklı bir olgu olduğunu
düşündüğü için Luigi Galvani'yi takip etmiştir.  Alessandro Volta, teorisini voltaik pili
yapmasıyla ispatlanmıştır, hem de hiçbir hayvan kullanmadan. Valli'nin kendisini
yanlış tarafta bulması, ve daha sonrasında ortada olan kanıtlara rağmen
düşüncelerini değiştirmemekte kararlı kalması, onun çalışmalarının geriye düşmesine
ve kurbağa pilinin belgelenmeyip, şu an hakkında çok az bilinmesine sebep olmuştur.
[6]

Aldini - 1803 öküz kafası pil.

Leopoldo Nobili; 1818 yılında bütün kurbağa bacaklarından bir kurbağa pili yapmış ve
buna kurbağa yığını demiştir. Bunu hayvansal elektriği araştırmak için kullanmış,
fakat deneyleri, gerçek elektrik kaynağının  harici bir devredeki farklı metaller
olduğunu savunan Volta tarafından ağır bir şekilde eleştirilmiştir. Volta'ya göre
kurbağa bacaklarındaki sıvılar sadece elektroliti sağlamaktaydı. [7]
İyi bilinen ilk kurbağa pilini Carlo Matteucci oluşturdu. 1845 yılında Michael
Faraday tarafından Royal Society'e onun adına sunulan bir makalede açıklanmıştı.
Daha sonrasında tıp öğrencilerinin popüler fizik ders kitaplarından biri olan
olan Golding Bird'in Elements of Natural Philosophy (Doğal Felsefe Unsurları) 
kitabında yer aldı.  Matteucci, kurbağa bataryasını 12-14 kurbağa yarı-kalçasından
oluşturmuştu. Yarı kalça pilin hatalı teoriye dayanmasına rağmen, Mateuccinin
pili potasyum iyodürü ayrıştıracak kadar güçlüydü. Mateucci bu düzenekle, Volta'nın
Nobili'ye yöneltmiş olduğu eleştiriyi cevaplamayı ve tamamen biyolojik
materyallerden bir devre kurarak hayvansal elektriğin gerçekten olduğunu
ispatlamayı hedeflemişti. Mateucci ayrıca boşluğun, çeşitli gazların ve zehirlerin
kurbağa pili üzerindeki etkilerini araştırdı, ve canlı hayvanı zehirleyecek ya da
ölümcül olabilecek bir madde olduğunda dahi pilin çalışmaya devam ettiği sonucuna
vardı.[8]
Pil bileşenleri olarak hizmete zorlanan canlılar sadece kurbağalar değildi. 1803
yılında Giovanni Aldini henüz öldürülmüş bir öküz başından elektrik elde
edilebileceğini deney ile gösterdi. Devre deneycinin vücudu ile tamamlandığında
öküzün dili ve kulaklarında kullanılan kurbağa galvanoskopunun tepki verdiği
gözlendi. Aldini iki ya da üç başı pile bağladığında ise sonuç çok daha iyiydi. Daha
sonralarda, 1840'lı yıllarda Mateucci ayrıca elektrikli yılan pili, güvercin pili ve tavşan
pili oluşturdu. Dahası canlı güvercinlerin göğüs kısmında yara açarak diğer bir
güvercinin bedenine bağlayıp canlı güvercin pili oluşturdu. Matteucci bu dizaynın
aslında zaten bilinen canlı kurbağa dizaynının prensibine dayandığını belirtti. [9]
ilk transistör