ECE

 305     Spring  2015  

ECE  305  Homework  SOLUTIONS:  Week  13  

 
Mark  Lundstrom  
Purdue  University  
 
 
1)   Measured  IV  data  for  an  n-­‐channel  MOSFET  are  shown  below.      Relevant  parameters  
for  this  MOSFET  are:  
 
T  =  300  K  
Oxide  thickness:     x0 = 2.2  nm    Relative  dielectric  constant:     K O = 4  
Power  supply  voltage:   VDD = 1.2  V   Series  resistances:     RS = RD = 100 Ω − µm  
Actual  channel  length  =  85  nm  
 
Assume  that  the  MOSFET  is  1  micrometer  wide,   W = 10−4 cm .  
 

ECE-­‐305     1   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
Answer  the  following  questions:  
 
1a)   From  the  so-­‐called  “on-­‐current”,   I D (VGS = VDD ,VDS = VDD ) = 1.2 V ,  estimate  the  
average  velocity  of  electrons  in  the  channel  at  the  source  end  of  the  channel.    
(Note:    You  will  need  to  correct  for  the  effect  of  the  series  resistance  as  
discussed  in  HW12.)  
 
Solution:  
I ON
υ (0) =
WQn (0)  
Qn (0) = Cox (VGS − I D RS − VT )
 
KOε o
Cox = = 1.6 × 10−6 F cm 2  
xo
( )(
Qn (0) = 1.6 × 10−6 1.2 − 1120 × 10−6 × 100 − 0.26 = 1.32 × 10−6 )  
12 -2
Qn (0) q  8.3× 10 cm  
I ON 1120 × 10−6
υ (0) = = −4 = 8.5 × 106 cm/s  
WQn (0) 10 × 1.32 × 10−6
 
υ (0) = 8.5 × 106 cm/s  
 
1b)   From  the  linear  region  of  operation,  estimate  the  effective  mobility  of  this  
MOSFET.  
 
Solution:  
At  the  highest  gate  voltage:  
RTOT = RCH + RS + RD = 340 Ω − µm
 
RCH = RTOT − RS + RD = ( 340 − 200 ) Ω − µm
 
RCH = 140 Ω − µm
 
 
Because  the  width  is  given  as  1  micrometer,   RCH = 140 Ω − µm .  
 
W µ nCox
ID =
L
(VGS′ − VT )VDS′
 
 
Assume  very  small     VDS  with  a  small   I D ,  so  the  intrinsic  gate  voltage  is  about  
the  applied  gate  voltage.  
 

ECE-­‐305     2   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
1
RCH =  
W µ nCox
L
(VGS − VT )
L L
µn = =  
RCHWCox (VGS − VT ) RCHW Qn
 
Qn = −Cox (VGS − VT ) = −1.6 × 10−6 (1.2 − 0.28) = 1.47 × 10−6
 
 
L 8.5 × 10−7
µn = = = 412  cm2/V-­‐s  
RCHW Qn 140 × 10−4 × 1.47 × 10−6
 
µ n = 412 cm 2 /V-s
   
 
 
2)   Assume  the  square  law  theory  of  the  MOSFET:  
 
W µ nCox ⎡ VD2 ⎤
ID = ⎢ (V −
L ⎣ G T D 2 ⎦
V ) V − ⎥     0 ≤ VD < VDsat     VG ≥ VT    

W µ nCox
(VG − VT )    
2
ID = VD ≥ VDsat   VG ≥ VT  
2L
 
2a)   Derive  an  expression  for  the  electric  field  vs.  position  along  the  channel  in  the  
linear  region  of  operation.  
 
Solution:  
The  drain  current  is  a  drift  current:  
I D ( y ) = W µ nQn ( y )E y ( y )  ,  
where  in  the  square  law  theory:  
Qn ( y ) = −Cox ⎡⎣VG − VT − V ( y ) ⎤⎦ .  
Equate  this  to  the  expression  for  the  “linear  region”  current:  
W µ nCox ⎡ VD2 ⎤
I D ( y ) = W µ nQn ( y )E y ( y ) = I D = ⎢(V − V )V − ⎥
L ⎣ G T D 2 ⎦
 
⎡ VD ⎤
2

⎢(VG − VT )VD − ⎥
1⎣ 2 ⎦
E y ( y) = −
L ⎡VG − VT − V ( y ) ⎤
⎣ ⎦  
 

ECE-­‐305     3   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

For  very  small  drain  voltages,  we  can  ignore   VD2 2 ,    and   Qn ( y ) ≈ −Cox (VG − VT ) ,  
so    
VD
E y ( y) ≈ − L
VD << VG − VT  which  is  just  what  we  would  expect  for  a  resistor.  

 
2b)   Derive  an  expression  for  the  electric  field  vs.  position  along  the  channel  at  
VD = VDsat .  
 
Solution:  
Begin  as  in  2a).    The  drain  current  is  a  drift  current:  
I D ( y ) = W µ nQn ( y )E y ( y )  ,  
where  in  the  square  law  theory:  
Qn ( y ) = −Cox ⎡⎣VG − VT − V ( y ) ⎤⎦
 
Equate  this  to  the  expression  for  the  saturation  region  current:  
W µ nCox
I D ( y ) = W µ nQn ( y )E y ( y ) = I D = (VG − VT )
2

2L  
1
⎡VG − VT − V ( y ) ⎤E y ( y ) = − (VG − VT )    electric  field  is  gradient  of  voltage,  so:  
2
⎣ ⎦ 2L
dV dV 1
− (VG − VT ) = − (VG − VT )
2
+V
dy dy 2L  
V ( y) V ( y) y
1
∫ (V − VT ) dV + V dV = − (VG − VT ) ∫ dy
2
− G ∫ 2L
0 0 0  
 
which  can  be  integrated  to  find:  
V 2 ( y) 1 2⎛ y⎞
− (VG − VT )V ( y ) + = − (VG − VT ) ⎜ ⎟
2 2 ⎝ L ⎠  
or  
2⎛ y⎞
V 2 ( y ) − 2 (VG − VT )V ( y ) + (VG − VT ) ⎜ ⎟ = 0
⎝ L⎠  
 
Solve  the  quadratic  equation  for  V(y):  
V ( y ) = (VG − VT ) ± (VG − VT ) 1− y / L
 
 
Choose  the  minus  sign  because   V ( 0 ) = 0    and   V ( L ) = VG − VT  (drain  end  at  pinch-­‐
off).  
V ( y ) = (VG − VT ) ⎡1− 1− y / L ⎤
⎣ ⎦  

ECE-­‐305     4   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
Now  we  can  find  the  electric  field  in  the  channel:  

E ( y) = −
dV
=− G
(V − VT ) (1− y / L)−1/2
dy 2L  
(V − V )
E ( y ) = − G T (1− y / L )
−1/2

2L  
Examine  answer:    At  y  =  0,  we  get    

E (0) = − G T
(V − V )
2L  
As   y → L ,  E ( y → L ) → −∞  
At  the  pinch-­‐off  point,  the  electric  field  approaches  infinity  and  the  inversion  
layer  charge  approaches  zero.    The  product  of  the  two  is  finite.    This  is  a  
limitation  of  the  simple  theory  that  the  velocity  saturation  model  tries  to  fix.  
 
 
3) There  is  often  a  sheet  of  “fixed  charge”  at  the  oxide-­‐semiconductor  interface.  (By  fixed  
charge,  we  mean  a  charge  that  does  not  vary  with  surface  potential,   φS .)    Assume  a  1.5  
nm  thick  oxide  with  a  relative  dielectric  constant  of  4.0.    Answer  the  questions  below.  
 
3a)   Assume  that  a  fixed  charge  of   QF q = 1011 cm -2  is  present.    Explain  how  the  fixed  
charge  shifts  the  threshold  voltage.  What  is  the  direction  of  this  shift  (e.g.  is  it  a  
positive  or  negative  voltage  shift?).  
 
Solution:  
The  voltage  drop  across  the  oxide  is  changed  by  an  amount:  
Q
ΔV = − F    
Cox
K Oε 0 4.0 × 8.854 × 10−14
Cox = = = 2.36 × 10−6    
xo 1.5 × 10−7
QF 1.6 × 10−19 × 1011
ΔV = − =− −6
= −6.8 × 10−3 V
Cox 2.36 × 10  
ΔV = −6.8 × 10−3 V  
This  change  in  voltage  drop  acriss  the  oxide  shifts   VT .    The  shift  is  negative.    If  we  
are  dealing  with  an  N-­‐MOSFET,  then  the  threshold  voltage  will  be  a  little  smaller  
(less  positive).  If  we  are  dealing  with  a  P-­‐MOSFET,  the  threshold  voltage  is  also  a  
little  smaller,  which  means  that  the  threshold  voltage  will  be  a  little  more  
negative.    Charge  at  the  oxide-­‐Si  interface  reduces  the  magnitude  of   VT  for  
N_MOSFETs  and  increases  the  magnitude  of   VT  for  P-­‐MOSFETs.  

ECE-­‐305     5   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
Note  that  this  is  a  fairly  large  charge  by  today’s  standards.    High  quality  gate  
oxides  can  have  10  times  less  fixed  charge.    In  the  late  1970’s,  however,  oxides  
were  100  nm  thick  and  the  corresponding  shifts  in  voltage  were  much  larger  
(~0.45  V)  for  this   QF .    (Do  you  see  why?)  
 
3b)   In  HW  1,  we  saw  that  the  number  of  atoms  per  cm2  on  a  (100)  Si  surface  is  
N S = 6.81× 1014 cm -2 .    Assume  each  atom  has  one  charged  dangling  bond,  so  a  
fixed  charge  of   QF q = 6.81× 1014 cm -2  is  present.    How  much  is  the  voltage  shift  
now?  
 
Solution:  
The  voltage  drop  across  the  oxide  is  changed  by  an  amount:  
Q 1.6 × 10−19 × 6.81× 1014
ΔV = − F = = −46 V    
Cox 2.36 × 10−6
ΔV = −46 V  
This  is  an  enormous  shift  in  voltage.  MOSFET  technology  would  not  be  possible  
without  the  remarkable  ability  of  SiO2  to  passivate  (e.g.  neutralize)  more  than  
99.9%  of  the  dangling  bonds.  
 
 
4) The  gate  electrode  of  an  MOS  capacitor  is  often  a  heavily  doped  layer  of  
polycrystalline  silicon  with  the  Fermi  level  located  at   E F ≈ EC  for  an  n+  polysilicon  
gate  and   E F ≈ EV for  a  p+  polysilicon  gate.    These  heavily  doped  semiconductors  act  
almost  like  metals.    Sketch  the  following  four  equilibrium  energy  band  diagrams:  
 
4a)    An  n-­‐type  Si  substrate  ( N D = 1017 cm -3 )  with  an  n+  polysilicon  gate.  
 
Solution:    (first  separated,  then  together)  

 
 

ECE-­‐305     6   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
A  small  electron  transfer  will  occur  from  the  gate  to  the  semiconductor.  The  result  is:  

 
Note:    The  semiconductor  is  accumulated.  There  is  a  little  depletion  of  electrons  in  the  
polysilicon  gate.  This  does  not  happen  for  a  metal  because  there  are  so  many    
 
4b)    An  n-­‐type  Si  substrate  ( N D = 1017 cm -3 )  with  a  p+  polysilicon  gate.  
 
Solution:  (first  separated,  then  together)  
 

 
 
Electrons  will  transfer  from  the  semiconductor  to  the  gate.  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     7   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 

 
 
Note:    The  semiconductor  is  depleted.    We  again  see  some  depletion  in  the  
polysilicon  gate.  
 
4c)    A  p-­‐type  Si  substrate  ( N A = 1017 cm -3 )  with  an  n+  polysilicon  gate.  
 
Solution:  (first  separated,  then  together)  

 
Electrons  will  transfer  from  the  gate  to  the  semiconductor.  
 

 
 

ECE-­‐305     8   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
Note:    The  semiconductor  is  depleted.  The  polysilicon  gate  shows  some  depletion  
here  too.  
 
4d)    A  p-­‐type  Si  substrate  ( N A = 1017 cm -3 )  with  a  p+  polysilicon  gate.  
 
Solution:  (first  separated,  then  together)  
 

 
 
A  small  electron  transfer  will  occur  from  the  semiconductor  to  the  gate.  
 

 
 
Note:    The  semiconductor  is  accumulated.    The  polysilicon  gate  also  depleted  a  little.  
 
 
5)    Compute  the  “metal”-­‐semiconductor  workfunction  difference  for  each  of  the  cases  
above.  
 
5a)    An  n-­‐type  Si  substrate  with  an  n+  polysilicon  gate.  
 
Solution:  
We  must  find  the  location  of  the  Fermi  level  in  the  semiconductor.    Begin  with  
n0 = N D = N C e(
E FS − EC ) k BT
,  which  can  be  solved  for  

ECE-­‐305     9   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
( EC − EFS ) = k BT ln ⎛ N C ⎞   N = 3.23× 1019 cm-3  
q q ⎜⎝ N ⎟⎠ C
D

 
(E − E FS ) = k T ln ⎛ N ⎞
C

q
B
q ⎝ D⎠
C
( )
⎜ N ⎟ = 0.026 ln 323 = 0.150 eV  

 
{ (
Φ MS = χ − χ + EC − E FS )} = − ( E C )
− E FS = − 0.150 eV    

Φ MS = −0.150 eV  
 
The  work  function  difference  is  small,  as  can  be  seen  in  the  energy  band  diagram  
of  4a).  
 
5b)    An  n-­‐type  Si  substrate  with  a  p+  polysilicon  gate.  
 
Solution  

We  have  the  same  Si  substrate,  so   C

(
E − E FS )
= 0.150 eV  
q
Φ MS = χ + EG − χ + EC − E FS { ( )} = 1.12 − 0.15 eV =0.97 eV    
Φ MS = 0.97 eV  
 
The  work  function  difference  is  close  to  the  bandgap  of  Si,  as  can  be  seen  in  the  
energy  band  diagram  of  4b).  
 
Note:    Since  the  left  contact  is  a  p-­‐type  semiconductor  and  the  right  contact  is  an  
n-­‐type  semiconductor,  we  can  show  that  the  magnitude  of  the  built-­‐in  potential  is  
given  by  the  PN  junction  equation:  
 
k T ⎛N N ⎞
Φ MS q = B ln ⎜ A 2 D ⎟    
q ⎝ ni ⎠
 
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     10   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW  Week  13  Solutions  (continued)  

 
5c)    A  p-­‐type  Si  substrate  with  an  n+  polysilicon  gate.  
 
Solution:  
p0 = N A = NV e(
EV − E FS ) k BT
,  which  can  be  solved  for  
 
(E FS
− EV )
=
k BT ⎛ NV ⎞
ln ⎜   NV = 1.83× 1019 cm -3  
q q ⎝ N A ⎟⎠
 
(E − EV ) = k T ln ⎛ N ⎞
FS

q
B
q
V

⎝ A⎠
( )
⎜ N ⎟ = 0.026 ln 183 = 0.135 eV  

{
Φ MS = χ − χ + EG − E FS − EV ( )} = − E + ( E G FS )
− EV = −0.985 eV    

Φ MS = −0.985 eV  
 
The  work  function  difference  is  very  large  in  magnitude,  as  can  be  seen  I  the  
energy  band  diagram  of  4c).  
 
 
5d)    A  p-­‐type  Si  substrate  with  a  p+  polysilicon  gate.  
 
Solution:  
The  same  p-­‐type  substrate,  so:  
( E FS − EV ) = 0.135 eV  
q
{
Φ MS = χ + EG − χ + EG − E FS − EV ( )} = ( E FS )
− EV = 0.135 eV    

Φ MS = 0.135 eV  
 
The  work  function  difference  is  very  small  in  magnitude,  as  can  be  seen  in  the  
energy  band  diagram  of  4d).  
 

ECE-­‐305     11   Spring  2015