晶圆缺陷检测系统

晶圆缺陷检测系统检测
晶圆上的物理缺陷（称为
颗粒的异物）和图案缺
陷，并获得缺陷的位置坐
标（X，Y）。缺陷可分
为随机缺陷和系统缺陷。
随机缺陷主要是由附着在
晶圆表面的颗粒引起的，
因此⽆法预测它们的位置。晶圆缺陷检测系统的主要作用是检测晶圆上的缺
陷并找出它们的位置（位置坐标）。
另⼀⽅面，系统性缺陷是由掩模和曝光⼯艺的条件引起的，并且会出现
在所有投射的裸片的电路图案上的相同位置。它们出现在曝光条件非常困难
且需要微调的位置。
晶圆缺陷检测系统通过比较相邻管芯的电路图案图像来检测缺陷。结果，系
统性缺陷有时不能使用传统的晶片缺陷检测系统来检测。
可以在图案化的⼯艺晶片或裸晶片上进⾏检查。其中每⼀个都有不同的系统
配置。以下是典型检测系统的说明；图案化晶圆检测系统和非图案化晶圆检
测系统。
缺陷检测原理

⼀:图案化晶圆检测系统
图案化晶圆检测系统

有多种类型，包括电⼦束

检测系统、明场检测系统

和暗场检测系统。这些都

有自⼰的特点，但基本的

检测原理是相同的。
图 1 图案化晶片上的缺陷检测原理
在半导体晶片上，并排制作相同图

案的电⼦器件。随机缺陷往往是由 沿着管芯阵列被捕获。通过比较要检

灰尘等颗粒引起的，出现在随机位 查的管芯的图像 (1) 和相邻管芯的图

置，顾名思义。它们在特定位置重 像 (2) 来检测缺陷。如果没有缺陷，

复出现的可能性极低。 则通过数字处理从图像 1 中减去图像

因此，图案化晶圆检测系统可以通 2 的结果将为零，并且没有检测到缺

过比较相邻芯片（也称为裸片）的 陷。相反，如果芯片(2) 的图像中有

图案图像来检测缺陷) 并获得差异。 缺陷，则该缺陷将保留在减影图像

图 -1 显示了检测图案化晶圆缺陷的 (3) 中，如图所示。然后检测缺陷并

原理。晶片上的图案通过电⼦束光 记录其位置坐标。
⼆:⽆图案晶圆检测系统

⽆图案晶圆检测系统用于
晶圆制造商的晶圆出货检
测、设备制造商的晶圆来
料检测以及使用虚拟裸晶
圆进⾏的设备状态检查，
以监控设备的清洁度。设
备状态检查也由设备制造
商在装运检验时和设备制
图 2⽆图案晶圆缺陷检测原理（⼀）
造商在设备进货检验时执⾏。
为了检查设备的清洁度，将用于清
洁度监测的裸晶片装⼊设备中，然
图 2 显示了检测未图案化晶圆缺陷
后移动设备内部的⼯作台以监测颗 的原理。由于没有图案，因此⽆需
粒的增加。 图像比较即可直接检测缺陷。

激光束投射到旋转的晶片上并沿径向移动，使得激光束能够照射晶片的整
个表面。

图 3 ⽆图案晶圆缺陷检测原理(2)
当激光束投射到旋转晶片的颗粒/缺陷上时，光将被散射并被检测器检测
到。因此，检测到颗粒/缺陷。根据晶片旋转角度和激光束的半径位置，计
算并记录颗粒/缺陷的位置坐标。镜面晶片上的缺陷除了颗粒外，还包括晶
体缺陷，例如COP 。

通常，明场检测系统用于对图案
缺陷进⾏详细检查。另⼀⽅面，
暗场检测系统可以进⾏⾼速检
测，适用于⼤量晶圆的缺陷检
测。

在电⼦束检测系统中，电⼦束照
射到晶圆表面，检测发射的⼆次
电⼦和背散射电⼦。
此外，电⼦束检测系统根据器件
内部布线的导电性检测⼆次电⼦
的数量作为图像对比度（电压对
比度）。如果检测到⾼纵横比的
接触孔底部的电导率，就可以检测到超
图 4检测接触孔底部残留物的示例
薄厚度的SiO 2残留物。