Ηλεκτρονικά Ι ΠΑΝΑΓΙΩΤΑ ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΥ ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας Και Θράκης

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι
ΠΑΝΑΓΙΩΤΑ ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΥ
ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και

Θράκης
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1Ο :ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
1. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΝΔΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
 Δομή του ατόμου
 Σήμερα γνωρίζουμε ότι η ύλη αποτελείται από ενώσεις ατόμων, δημιουργώντας τις πολυάριθμες
χημικές ενώσεις που υπάρχουν γύρω μας. Τα άτομα έχουν ένα κεντρικό πυρήνα που αποτελείται
από νετρόνια και πρωτόνια και γύρω απ' αυτόν περιφέρονται τα ηλεκτρόνια σε στιβάδες. Τα
πρωτόνια έχουν θετικό φορτίο και τα ηλεκτρόνια έχουν αρνητικό φορτίο, που είναι ίσα κατά
απόλυτη τιμή. Τα νετρόνια είναι ουδέτερα. Αφού το άτομο είναι ουδέτερο, ο αριθμός των
ηλεκτρονίων του είναι ίσος με τον αριθμό των πρωτονίων του.
 Αγωγοί – μονωτές
 Στους αγωγούς, εν αντιθέσει με τους μονωτές, τα ηλεκτρόνια που βρίσκονται στην εξωτερική
στιβάδα (ηλεκτρόνια σθένους), είναι χαλαρά συνδεμένα με τον πυρήνα και έτσι μπορούν να
διαφεύγουν περιφερόμενα μέσα στο σώμα του αγωγού. Χάρη σ' αυτό το φαινόμενο οφείλεται η
αγωγιμότητα των αγωγών. Τα ελεύθερα ηλεκτρόνια μπορούν να κινούνται εύκολα από το ένα
άτομο στο άλλο και έτσι μπορούν να σχηματίσουν μεγάλο ρεύμα στον αγωγό με ελάχιστη τάση.
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1Ο : ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
2

 Ημιαγωγοί
 Το γερμάνιο (Ge) και το πυρίτιο (Si) έχουν στο άτομο τους
τέσσερα ηλεκτρόνια στη στιβάδα σθένους (εξωτερική στιβάδα) και
είναι δυο παραδείγματα ημιαγωγών δηλαδή υλικών που δεν είναι
ούτε αγωγοί αλλά ούτε μονωτές.
 Όταν τα άτομα πυριτίου συνδυάζονται για να σχηματίσουν στερεό,

διατάσσονται αυτόματα, σε μια κανονική δομή που λέγεται
κρύσταλλος. Σ' αυτή τη δομή, κάθε ένα ηλεκτρόνιο της εξωτερικής
στοιβάδας του ατόμου συνδέεται με ένα ηλεκτρόνιο από τα
γειτονικά άτομα, σχηματίζοντας ομοιοπολικούς δεσμούς. Έτσι μ'
αυτό τον τρόπο, το άτομο του πυριτίου καταφέρνει να
συμπληρώσει την εξωτερική στοιβάδα με οκτώ ηλεκτρόνια,
αποκτώντας χημική ευστάθεια.
3
 Σε θερμοκρασία περιβάλλοντος, τα άτομα των κρυστάλλων εκτελούν
τυχαίες ταλαντώσεις γύρω από τη θέση ισορροπίας τους. Όσο
μεγαλύτερη είναι η θερμοκρασία του περιβάλλοντος, τόσο μεγαλύτερο
γίνεται το πλάτος αυτών των ταλαντώσεων. Έτσι ορισμένοι
ομοιοπολικοί δεσμοί με θερμική διέγερση σπάζουν και το
αποδεσμευμένο ηλεκτρόνιο αποκτά επιπλέον ενέργεια ώστε να γίνει
ελεύθερο και να κινείται εύκολα στον κρύσταλλο. Η απομάκρυνση του
ηλεκτρονίου αφήνει ένα κενό στη στιβάδα σθένους που λέγεται οπή.
Αυτή η οπή συμπεριφέρεται σαν θετικό φορτίο, με την έννοια ότι
μπορεί να έλκει και να συλλαμβάνει κάθε ηλεκτρόνιο σθένους που
βρίσκεται σε γειτονικό άτομο, δημιουργώντας οπή σ' αυτό. Έτσι η οπή
καταφέρνει να κινείται στο σώμα του ημιαγωγού, και η κίνηση της θα
διακοπεί όταν «επανασυνδεθεί» με ένα ελεύθερο ηλεκτρόνιο και
αλληλοεξουδετερωθούν.

4

 Όταν εφαρμοστεί ένα ηλεκτρικό πεδίο στον ημιαγωγό, οι οπές θα κινηθούν με κατεύθυνση
αντίθετη από εκείνη των ελεύθερων ηλεκτρονίων, σχηματίζοντας ηλεκτρικό ρεύμα. Έτσι σε ένα
καθαρό ημιαγωγό, του οποίου όλα τα άτομα είναι ίδια, το ηλεκτρικό ρεύμα που το διαρρέει, έχει
δυο ίσες συνιστώσες: ενός ρεύματος ηλεκτρονίων και ενός ρεύματος οπών, διότι σε ένα καθαρό
ημιαγωγό, ο αριθμός των ελεύθερων ηλεκτρονίων είναι ίσος με τον αριθμό των ελεύθερων οπών.
Ένας τέτοιος ημιαγωγός ονομάζεται ενδογενής ημιαγωγός.
 Σε έναν ημιαγωγό η συγκέντρωση (αριθμός/κυβικό εκατοστό) των ελεύθερων ηλεκτρονίων και

οπών δεν αυξάνεται συνεχώς λόγω θερμικής διέγερσης. Ο μηχανισμός επανασύνδεσης, που είναι
ανάλογος των συγκεντρώσεων τους, οδηγεί σε μια κατάσταση ισορροπίας όπου οι ρυθμοί γένεσης
και επανασύνδεσης εξισώνονται. Αυτή η διαδικασία καθορίζει τις συγκεντρώσεις των ηλεκτρονίων
και των οπών σε ένα καθαρό ημιαγωγό σε κάθε θερμοκρασία και κατ' επέκταση την αγωγιμότητα
και ειδική αντίσταση του σε κάθε θερμοκρασία. Πρέπει να σημειωθεί ότι σε έναν καθαρό ημιαγωγό
η αντίσταση ελαττώνεται εκθετικά με τη θερμοκρασία.
5
2. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΞΟΓΕΝΟΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
Ημιαγωγοί Προσμίξεων
 Οι ενδογενείς ημιαγωγοί έχουν ίσες συγκεντρώσεις ηλεκτρονίων και οπών, γι' αυτό το λόγο οι
εφαρμογές τους είναι περιορισμένες για το λόγο ότι η αντίσταση τους μεταβάλλεται πολύ έντονα
όταν μεταβάλλεται η θερμοκρασία ή όταν φωτίζονται. Αν σε έναν ενδογενή ημιαγωγό προστεθεί
μια πολύ μικρή ποσότητα ενός στοιχείου της τρίτης ή της πέμπτης ομάδας του περιοδικού πίνακα, ο
ημιαγωγός αποκτά προσμίξεις. Η διαδικασία προσθήκης προσμίξεων ονομάζεται εμπλουτισμός και
το υλικό εμπλουτισμένος ημιαγωγός. Επειδή οι συγκεντρώσεις των ηλεκτρονίων και των οπών
καθορίζονται πλέον από ένα εξωγενή παράγοντα, δηλαδή τις προσμίξεις, ο ημιαγωγός
ονομάζεται εξωγενής ημιαγωγός. Το είδος των προσμίξεων που θα χρησιμοποιηθεί θα καθορίσει αν
η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων θα είναι μεγαλύτερη από εκείνη των οπών ή συγκέντρωση των
οπών μεγαλύτερη από εκείνη των ηλεκτρονίων. Στην πρώτη περίπτωση ο ημιαγωγός καλείται
τύπου Ν και στη δεύτερη τύπου Ρ, από το γεγονός ότι τα φορτία που άγουν το ηλεκτρικό ρεύμα
είναι ηλεκτρόνια ή οπές αντίστοιχα.
6
2. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΞΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

 Ημιαγωγοί τύπου Ν
 Οι ημιαγωγοί τύπου Ν δημιουργούνται όταν σε ένα ημιαγωγό όπως το πυρίτιο ή το γερμάνιο

προστεθεί πολύ μικρή ποσότητα ενός στοιχείου της πέμπτης ομάδας του περιοδικού πίνακα. Τα
στοιχεία που συνήθως χρησιμοποιούνται ως προσμίξεις είναι το αρσενικό, ο φώσφορος και το
αντιμόνιο ενώ η ποσότητα που απαιτείται είναι της τάξης μερικών μερών στο εκατομμύριο, δηλαδή
σε κάθε ένα εκατομμύριο άτομα πυριτίου ή γερμανίου υπάρχουν μερικά άτομα αρσενικού ή
φωσφόρου. Τα άτομα της πρόσμιξης ενσωματώνονται στην κρυσταλλική δομή του ημιαγωγού,
καταλαμβάνουν θέσεις των ατόμων του και σχηματίζουν ομοιοπολικούς δεσμούς με τα γειτονικά
άτομα. Επειδή τα άτομα της πέμπτης ομάδας του περιοδικού πίνακα έχουν πέντε ηλεκτρόνια στη
στοιβάδα σθένους, όταν καταλάβουν μια θέση σε ένα άτομο του ημιαγωγού θα χρησιμοποιήσουν
τα τέσσερα για το σχηματισμό ομοιοπολικών δεσμών και θα παραμείνει αδιάθετο ένα ηλεκτρόνιο,
το οποίο θα περιφέρεται γύρω από τον πυρήνα της πρόσμιξης.

7
2. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΞΩΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ
 Το ηλεκτρόνιο αυτό μπορεί, σε θερμοκρασία δωματίου, να απομακρυνθεί πολύ πιο εύκολα από ότι
ένα ηλεκτρόνιο στον ενδογενή ημιαγωγό. Επειδή το πεντασθενές στοιχείο πρόσμιξης «δίνει» στον
ημιαγωγό ηλεκτρόνια, ονομάζεται δότης. Στη συνέχεια το άτομο της πρόσμιξης ιονίζεται και αποκτά
θετικό φορτίο. Επειδή η απομάκρυνση του ηλεκτρονίου από το δότη είναι πολύ πιο εύκολη από ότι
από ένα άτομο του ημιαγωγού, έχουμε ελεύθερα ηλεκτρόνια από τον δότη και ελάχιστες οπές. Έτσι η
προσθήκη δοτών έχει ως αποτέλεσμα να υπάρχουν πολλά ελεύθερα ηλεκτρόνια και πολύ λίγες οπές
στον ημιαγωγό. Συνεπώς σε ένα ημιαγωγό τύπου Ν το ηλεκτρικό ρεύμα μεταφέρεται κυρίως από ένα
είδος φορτίου, τα ηλεκτρόνια, τα οποία ονομάζονται και φορείς πλειονότητας ή πλειοψηφίας ενώ οι
οπές ονομάζονται φορείς μειονότητας ή μειοψηφίας. Τέλος η αύξηση της συγκέντρωσης των δοτών
σε ένα ημιαγωγό έχει ως αποτέλεσμα την αύξηση της συγκέντρωσης των ηλεκτρονίων και συνεπώς
της αγωγιμότητας του.

8

 Ημιαγωγοί τύπου Ρ
 Οι ημιαγωγοί τύπου Ρ δημιουργούνται όταν σε ένα ημιαγωγό όπως, το πυρίτιο ή το γερμάνιο,

προστεθεί πολύ μικρή ποσότητα ενός στοιχείου της τρίτης ομάδας του περιοδικού πίνακα. Τα
στοιχεία που χρησιμοποιούνται συνήθως ως προσμίξεις είναι το βόριο, το γάλλιο και το ίνδιο ενώ η
ποσότητα που απαιτείται είναι, όπως και στους ημιαγωγούς τύπου Ν, της τάξης των μερικών μερών
στο εκατομμύριο. Τα άτομα της πρόσμιξης καταλαμβάνουν θέσεις των ατόμων του ημιαγωγού.
Επειδή τα άτομα της τρίτης ομάδας του περιοδικού πίνακα έχουν τρία ηλεκτρόνια στη στοιβάδα
σθένους, όταν καταλάβουν μια θέση ενός ατόμου του ημιαγωγού, θα χρησιμοποιήσουν όλα τα
ηλεκτρόνια σθένους για το σχηματισμό ομοιοπολικών δεσμών. Έτσι θα παραμείνει ένα γειτονικό
άτομο του ημιαγωγού, το οποίο θα απαιτεί ένα ηλεκτρόνιο για να σχηματίσει την πλήρη δομή των
οκτώ ηλεκτρονίων στην εξωτερική στοιβάδα του. Το απαιτούμενο ηλεκτρόνιο αυτό θα το
«δανειστεί» από κάποιο γειτονικό άτομο του ημιαγωγού.

9
 Το ηλεκτρόνιο που θα καταλάβει, με αυτό τον τρόπο, την κενή θέση θα ιονίσει με αρνητικό φορτίο το
άτομο της τρίτης ομάδας του περιοδικού πίνακα. Η διαδικασία αυτή αντιστοιχεί με την
«απελευθέρωση» μιας οπής και επειδή τα άτομα αυτά αποδέχονται ένα ηλεκτρόνιο ονομάζονται
αποδέκτες. Η δομή των δεσμών ενός αποδέκτη κάνει πολύ πιο εύκολη την απελευθέρωση μιας οπής
από ότι μπορεί να συμβεί σε ένα άτομο του ημιαγωγού σε θερμοκρασία δωματίου. Το ηλεκτρόνιο που
έχει καλύψει το έλλειμμα του δεσμού παραμένει ακίνητο στον αποδέκτη. Έτσι η προσθήκη
αποδεκτών έχει ως αποτέλεσμα να υπάρχουν πολλές οπές και πολύ λίγα ελεύθερα ηλεκτρόνια στον
ημιαγωγό. Σε ένα ημιαγωγό τύπου Ρ οι φορείς πλειονότητας είναι οπές, ενώ οι φορείς μειονότητας τα
ηλεκτρόνια. Τέλος, η αύξηση της συγκέντρωσης των αποδεκτών σε ένα ημιαγωγό έχει ως
αποτέλεσμα την αύξηση της συγκέντρωσης των οπών και συνεπώς της αγωγιμότητας του.

10
ΚΔΦΑΛΑΙΟ 2Ο :ΓΙΟΓΟΙ
1. ΔΠΑΦΗ p-n
 Φςζική λειηοςπγία
 Oη εκηαγσγνί κε πξνζκίμεηο είλαη δπν ηύπσλ. Οη εκηαγσγνί ηύπνπ Ν έρνπλ πεξηζζόηεξνπο
αξλεηηθνύο θνξείο, δειαδή έρνπλ πεξίζζεηα ειεθηξνλίσλ θαη γηα ην ιόγν απηό νλνκάδνληαη ηύπνπ Ν.
Αληηζέησο νη εκηαγσγνί ηύπνπ Ρ έρνπλ πεξίζζεηα ζεηηθώλ θνξηίσλ ή νπώλ. Οη νπέο είλαη έιιεηςε
ειεθηξνλίσλ.
 Όηαλ έλα κηθξό θνκκάηη εκηαγσγνύ ηύπνπ Ν έιζεη ζ' επαθή κε θνκκάηη εκηαγσγνύ ηύπνπ Ρ, ηόηε
δεκηνπξγείηαη κηα έλσζε ΡΝ ή επαθή ΡΝ ε νπνία απνηειεί έλα ειεθηξνληθό εμάξηεκα πνιύ ρξήζηκν
θαη νλνκάδεηαη δίνδνο ΡΝ.
 Η επαθή ΡΝ θαίλεηαη ζην παξαπάλσ ζρήκα. Σν ζεκείν ηεο έλσζεο παξίζηαηαη κε κηα θάζεηε
δηαθεθνκκέλε γξακκή. Σν ηκήκα ηύπνπ Ν απνηειείηαη από ζεηηθά ηόληα πεληαζζελνύο ζηνηρείνπ θαη
ειεύζεξα ειεθηξόληα. Τπάξρεη επίζεο κηθξόο αξηζκόο νπώλ. ΢ην ηκήκα ηύπνπ Ρ ππάξρνπλ αξλεηηθά
ηόληα ηξηζζελνύο ζηνηρείνπ, αξθεηέο νπέο θαη κηθξόο αξηζκόο ειεθηξνλίσλ.
ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

2
1. ΔΠΑΦΗ p-n
 Σε ζηηγκή ηεο δεκηνπξγίαο ηεο επαθήο ΡΝ, ηα ειεθηξόληα από ηνλ εκηαγσγό ηύπνπ Ν πνπ βξίζθνληαη
θνληά ζην ζεκείν ηεο έλσζεο ζα θηλεζνύλ πξνο ηνλ εκηαγσγό ηύπνπ Ρ κε ζθνπό λα επαλαζπλδεζνύλ
κε ηηο νπέο πνπ ππάξρνπλ εθεί. Έηζη δεκηνπξγείηαη επαλαζύλδεζε νπώλ θαη ειεθηξνλίσλ ζηα δπν
ηκήκαηα θαη έηζη ζην κελ εκηαγσγό ηύπνπ Ν δεκηνπξγείηαη έλα ηκήκα κε ζεηηθά κόλν ηόληα ρσξίο
ειεθηξόληα, ζην δε εκηαγσγό ηύπνπ Ρ δεκηνπξγείηαη έλα ηκήκα κε αξλεηηθά κόλν ηόληα, ρσξίο νπέο.
Απηά ηα δπν ηκήκαηα είλαη «απνγπκλσκέλα» από ηνπο θνξείο ηνπο θαη απνηεινύλ καδί ηελ πεξηνρή
απνγύκλσζεο όπσο θαίλεηαη ζην δηπιαλό ζρήκα.

3
1. ΔΠΑΦΗ p-n
 Έμσ από ηελ πεξηνρή απνγύκλσζεο ε δνκή ησλ εκηαγσγώλ δελ έρεη αιιάμεη θαη απνηειείηαη από
ηόληα θαη θνξείο. Απηό ζπκβαίλεη δηόηη γηα λα κπνξέζεη έλα ειεθηξόλην λα επαλαζπλδεζεί κε κηα νπή
ή αληίζηξνθα, πξέπεη λα ππεξπεδήζεη ηελ πεξηνρή απνγύκλσζεο, ε νπνία όκσο κε ηε ζπγθέληξσζε
ησλ ηόλησλ ζ' απηήλ, απνηειεί έλα εκπόδην θαη δεκηνπξγεί έλα θξαγκό δπλακηθνύ. Σν δπλακηθό
θξαγκνύ παξηζηάλεηαη κε VO ζην ζρήκα θαη είλαη κηα δηαθνξά δπλακηθνύ πνπ ε πνιηθόηεηα ηεο
αληηηίζεηαη ζηε δηάρπζε ησλ θνξέσλ.
 Η επαθή ΡΝ πνπ δεκηνπξγήζεθε ιέγεηαη δίνδνο ΡΝ δηόηη αθήλεη λα δηέξρεηαη ειεθηξηθό ξεύκα από
απηήλ κόλν πξνο κηα θαηεύζπλζε. Γηα λα δεκηνπξγεζεί κηα δίνδνο ΡΝ, ζπλδένληαη ηα άθξα ησλ δπν
εκηαγσγηθώλ ηκεκάησλ ηύπνπ Ρ θαη Ν κε κεηαιιηθέο επαθέο θαη έηζη δεκηνπξγείηαη ε άλνδνο ηεο
δηόδνπ από ηελ πιεπξά ηνπ εκηαγσγνύ Ρ θαη ε θάζνδνο ηεο δηόδνπ ζηελ πιεπξά Ν. Η δίνδνο ΡΝ
ζπκβνιίδεηαη κε έλα βέινο ζηελ πιεπξά Ρ θαη κηα γξακκή ζηελ πιεπξά Ν.

4
2. ΑΝΑ΢ΣΡΟΦΗ ΚΑΙ ΠΡΟ΢ ΣΑ ΠΡΟ΢Ω (ΟΡΘΗ) ΠΟΛΩ΢Η

 Μέρξη ηώξα ε επαθή ΡΝ ήηαλ αλνηθηή, δειαδή δελ ππήξρε εμσηεξηθή ηάζε ζηα άθξα ηεο. Όηαλ
εθαξκνζηεί εμσηεξηθή ηάζε ζηα άθξα κηαο δηόδνπ, ππάξρνπλ δπν ηξόπνη ζύλδεζεο ηεο πεγήο: θαηά
ηελ πξνο ηα πξόζσ θαη θαηά ηελ αλάζηξνθε θνξά.
 Ππορ ηα ππόζω πόλωζη
 Μηα δίνδνο είλαη πνισκέλε πξνο ηα πξόζσ εάλ ε εμσηεξηθή πεγή είλαη ζπλδεκέλε ζην θύθισκα ώζηε
ν ζεηηθόο πόινο ηεο λα είλαη ζην ηκήκα Ρ ηεο δηόδνπ θαη ν αξλεηηθόο πόινο ζην ηκήκα Ν ηεο δηόδνπ.
Σα ειεύζεξα ειεθηξόληα ηεο πεξηνρήο Ν ζα θηλεζνύλ πξνο ηελ επαθή θαη έηζη ζα δεκηνπξγεζνύλ
ζεηηθά ηόληα ζηελ πεξηνρή ηύπνπ Ρ. Ωο γλσζηόλ ζε κηα ειεθηξηθή πεγή ππάξρεη κεγάινο αξηζκόο
ειεθηξνλίσλ ζηνλ αξλεηηθό πόιν απηά ζα θηλεζνύλ πξνο ην ηκήκα ηύπνπ Ν. Ο ζεηηθόο πόινο ηεο
πεγήο ζπλδέεηαη κε ηνλ εκηαγσγό ηύπνπ Ρ θαη έηζη νη ειεύζεξεο νπέο ζα θηλεζνύλ πξνο ηα δεμηά
δεκηνπξγώληαο αξλεηηθά ηόληα ζηελ πεξηνρή ηύπνπ Ν. Με ηε ζύλδεζε ηεο πεγήο κε ηε δίνδν θαηά
ηελ πξνο ηα πξόζσ πόισζε, ειεύζεξα ειεθηξόληα θαη νπέο θηλνύληαη πξνο ηελ επαθή. Απηό έρεη σο
απνηέιεζκα λα ππάξρεη ξνή ξεύκαηνο κεηαμύ ηεο δηόδνπ θαη ησλ αγσγώλ.

5
 Η ζπγθέληξσζε ησλ νπώλ ζην ηκήκα Ρ κεγαιώλεη, ε πεξηνρή απνγύκλσζεο γίλεηαη ζηελόηεξε θαη
νξηζκέλεο νπέο θαηαθέξλνπλ λα ππεξπεδήζνπλ ην θξαγκό δπλακηθνύ θαη λα κπνπλ ζην ηκήκα Ν
ηεο δηόδνπ. Η ίδηα δηαδηθαζία ζπκβαίλεη θαη κε ηα ειεθηξόληα ηεο πεξηνρήο Ν πνπ εηζέξρνληαη ζην
ηκήκα Ρ.
 Όζν απμάλεη ε εμσηεξηθή ηάζε ηόζν ε πεξηνρή απνγύκλσζεο γίλεηαη κηθξόηεξε κέρξη πνπ ζρεδόλ
κεδελίδεηαη θαη έρνπκε ξνή ξεύκαηνο ζην θύθισκα πνπ νλνκάδεηαη ξεύκα νξζήο θνξάο ή ξεύκα
δηάρπζεο ΙF.
 Η ηηκή ηεο εμσηεξηθήο ηάζεο πνπ πξέπεη λα εθαξκνζηεί ζηε δίνδν γηα λα δηέιζεη ξεύκα ζην
θύθισκα πξέπεη λα είλαη κεγαιύηεξε από ην δπλακηθό θξαγκνύ πνπ είλαη V≥V0=0,3V γηα γεξκάλην
θαη 0,5V γηα ππξίηην. Σν ξεύκα έρεη κηθξή ηηκή κέρξη κηα ηάζε πνπ ιέγεηαη ηάζε θαησθιίνπ ή
γόλαηνο Vγ, κεηά ηελ νπνία ην ξεύκα απμάλεηαη εθζεηηθά. Η ηάζε γόλαηνο γηα κελ ην γεξκάλην
είλαη 0,3V γηα δε ην ππξίηην είλαη 0,7V.

6

 Πόλωζη καηά ηην ανάζηποθη θοπά
 Μηα δίνδνο ΡΝ είλαη πνισκέλε θαηά ηελ αλάζηξνθε θνξά εάλ ν ζεηηθόο πόινο ηεο εμσηεξηθήο
πεγήο είλαη ζπλδεδεκέλνο κε ην ηκήκα Ν ηεο δηόδνπ θαη ν αξλεηηθόο πόινο κε ην ηκήκα Ρ, όπσο
θαίλεηαη ζην δηπιαλό ζρήκα.
 Σα ειεθηξόληα από ηνλ αξλεηηθό πόιν ηεο πεγήο εηζέξρνληαη ζην ηκήκα Ρ θαη επαλαζπλδένληαη κε
ηηο νπέο πνπ ππάξρνπλ εθεί ζε κεγάιε ζπγθέληξσζε. Απηό έρεη σο απνηέιεζκα ηα ειεθηξόληα θαη
νη νπέο λα απνκαθξύλνληαη από ηελ επαθή.
 Με ηηο επαλαζπλδέζεηο απηέο ε πεξηνρή απνγύκλσζεο απμάλεη δηόηη δεκηνπξγνύληαη πεξηζζόηεξα
«απνγπκλσκέλα» ζεηηθά θαη αξλεηηθά ηόληα.
 Οξηζκέλα ειεθηξόληα κπνξεί λα ππεξπεδνύλ ηελ πεξηνρή απνγύκλσζεο θαη έηζη ζην θύθισκα
ππάξρεη ξεύκα Ι0πνπ ιέγεηαη αλάζηξνθν ξεύκα θόξνπ θαη είλαη πνιύ κηθξό (ηεο ηάμεο κΑ).

7
3. ΥΑΡΑΚΣΗΡΙ΢ΣΙΚΗ ΡΔΤΜΑΣΟ΢ –ΣΑ΢Η΢ ΠΟΛΩ΢Η΢ (I-V)
 Mηα ηππηθή ραξαθηεξηζηηθή ξεύκαηνο –ηάζεο δηόδνπ p-n θαίλεηαη ζην ζρήκα.
 Όζν ε ηάζε πόισζεο είλαη κηθξόηεξε από κηα δεδνκέλε ηηκή Vγ (ηάζε θαησθιίνπ) ην ξεύκα είλαη
κηθξό ηεο ηάμε ησλ nA. Όηαλ μεπεξαζηεί απηή ε ηάζε ηόηε παξαηεξνύκε απόηνκε αύμεζε ηνπ
ξεύκαηνο. Η ηάζε Vγ γηα ην Si είλαη ίζε κε 0,7V ελώ γηα ην Ge είλαη ίζε κε 0,3V .
 Η ζρέζε πνπ πεξηγξάθεη ηελ εμάξηεζε ηνπ ξεύκαηνο από ηελ ηάζε ζε κία δίνδν pn είλαη ε εμίζσζε
Shockley :

 nqkVDT 
I D  I0   e  1
 
 ΙD= ξεύκα δηόδνπ
 VD= δηαθνξά δπλακηθνύ ζηα άθξα δηόδνπ
 Ι0= ξεύκα θόξνπ
 q= θνξηίν ειεθηξνλίνπ
 k= ζηαζεξά Boltzmann (1,38x10-23 J/K)
 n= παξάγνληαο ηδαληθόηεηαο
 Αλ ζέζνπκε k T
VT 
q
8

 Η εμίζσζε Shockley γίλεηαη:
  nVVD 
I D  I0   e T
 1
 
 
 Γηα Σ=300νΚ ηόηε VT=26mV VD
n VT
 Όηαλ ε δίνδνο είλαη πξνο πξόζσ πνισκέλε ηόηε e  1 θαη
VD
n VT
I D  I0  e
 Η δπλακηθή αληίζηαζε
1 n  VT
rD   rD 
dID ID
dVD
 Λακβάλνληαο ππόςε όηη VT=26mV θαη όηη ν n παίξλεη ηηκέο κεηαμύ 1 θαη 2 έρνπκε
26(mV) 52(mV)
 rD 
ID ID
9
 Από ηελ εμίζσζε Shockley γίλεηαη θαλεξό όηη ε ζεξκνθξαζία επεξεάδεη ζεκαληηθά ηελ ιεηηνπξγία
ησλ δηόδσλ. Καζώο απμάλεηαη ε ζεξκνθξαζία ην VT απμάλεη θαη ειαηηώλεηαη ε ηάζε θαησθιίνπ Vγ
 Σν απνηέιεζκα απηό θαίλεηαη ζην πην θάησ ζρήκα όπνπ Σ1< Σ2< Σ3
10
T1
8
T2
T3
6
I(A)
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
VD(V)

10
4. ΔΤΘΔΙΑ ΦΟΡΣΟΤ ΚΤΚΛΩΜΑΣΟ΢ ΓΙΟΓΟΤ

 ΢ην ζρήκα θαίλεηαη έλα θύθισκα κε δίνδν πξνο ηα πξόζσ πνισκέλε από πεγή VDD κέζσ
αληίζηαζεο R. Γηα ην θύθισκα απηό έρνπκε:
VDD  VR  VD  VDD  I D  R  VD 
1 1
ID    VD   VDD
R R
 Η ζρέζε απηή παξηζηάλεη κηα επζεία κε θιίζε -1/R
 ε νπνία ηέκλεη ηνπ άμνλεο ζηα ζεκεία VDD /R θαη VDD
 Η επζεία θόξηνπ ηέκλεη ηελ ραξαθηεξηζηηθή
I-V ηεο δηόδνπ ζην ζεκείν Q. Σν Q έρεη ηέηνηεο
΢πληεηαγκέλεο ώζηε λα ηθαλνπνηείηαη ηόζν ε επζεία
Φόξηνπ όζν θαη ε εμίζσζε Shockley

11
 ΢ηα ζρήκαηα πνπ αθνινπζνύλ θαίλνληαη νη κεηαβνιέο ζηελ επζεία θόξηνπ θαη Q όηαλ
κεηαβάιιεηαη αξρηθά ην VDD (VDD1 < VDD2 < VDD3 ) θαη ζηελ ζπλέρεηα ην R (R1<R2<R3). ΢ην
πξώην ζρήκα όπσο θαίλεηαη θαζώο απμάλεη ην VDD παξαηεξνύκε όηη ε επζεία θόξηνπ κεηαθέξεηαη
παξάιιεια κεηαβάιινληαο ην Q. ΢ην δεύηεξν ζρήκα βιέπνπκε όηη ε κεηαβνιή R πξνθαιεί
κεηαβνιή ζηελ θιίζε ηεο επζείαο θόξηνπ θαη αληίζηνηρε κεηαβνιή ζηε ζέζε ηνπ Q.

12

 ΢ηελ πεξίπησζε πνπ καδί κε ηελ dc ηάζε VDD ηνπνζεηεζεί θαη κία πεγή εκηηνληθήο ηάζεο
 s  Vm  sin t κε πιάηνο Vm κηθξόηεξν ηεο VDD ηόηε ε επζεία θόξηνπ δελ κέλεη ζηαζεξή
αιιά κεηαβάιιεηαη όπσο ζην ζρήκα
 Η ζπλνιηθή ζηηγκηαία ηάζε ηεο δηόδνπ είλαη:
D (t)  VDD  s (t)

 Η επζεία θόξηνπ κεηαθηλείηαη παξάιιεια έρνληαο
 ζηαζεξή θιίζε ίζε κε -1/R
 Αληίζηνηρα ην ζπλνιηθό ζηηγκηαίν ξεύκα:
iD ( t )  I s eυD / VT  I s e(VD υd ) / VT 

 I s eVD / VT  eυd / VT  I D eυd / VT
d π I
Αλ  1  i D (t)  I D (1  d )  i D (t)  I D  D πd  I D  i d
 VT εVT εVT
I 1
 i d  D πd  πd
εVT rd
13
d π
Αλ  1  i D (t)  I D (1  d ) 
 VT εVT
I
i D (t)  I D  D πd  I D  i d
εVT
I 1
 i d  D πd  πd
εVT rd
 Η δπλακηθή αληίζηαζε ηεο δηόδνπ rd είλαη
εVT
rd 
ID
1 iD
gd   iD  I D
rd  D

14
4.1 Κςκλωμαηική ΢ςμπεπιθοπά Γιόδων

15

16

17

18
5. ΓΙΟΓΟ΢ ZENER
 Μία δίνδνο pn όπσο αλαθέξζεθε δελ ιεηηνπξγεί ζηελ πεξηνρή θαηάξξεπζεο ζηελ αλάζηξνθε
πόισζε γηαηί ππάξρεη θίλδπλνο θαηαζηξνθήο ηνπ ζηνηρείνπ. Τπάξρεη όκσο κηα δίνδνο ε zener ε
νπνία είλαη θαηαζθεπαζκέλε λα ιεηηνπξγεί ζηελ πεξηνρή θαηάξξεπζεο.
 Η δίνδνο απηή από ηερλνινγηθήο πιεπξάο είλαη κηα απιή pn κε κεγάιεο ζπγθεληξώζεηο πξνζκίμεσλ
θαη ζηηο δύν πιεπξέο. Απνηέιεζκα απηνύ είλαη ε θιίζε ηεο ραξαθηεξηζηηθήο, γηα ηάζεηο
κεγαιύηεξεο ηεο ηάζεηο θαηάξξεπζεο, λα είλαη πνιύ κεγάιε.
 Η αλάζηξνθε ηάζε ζηελ νπνία εκθαλίδεηαη
ε απόηνκε αύμεζε ηεο ραξαθηεξηζηηθήο I-V
νλνκάδεηαη ηάζε Zener. Οη δίνδνη Zener
ιεηηνπξγνύλ σο απιέο δίνδνη ζηελ πξνο
ηα πξόζσ πόισζε ελώ ζηελ αλάζηξνθε άγνπλ ζην VZ.
 Υαξαθηεξηζηηθά κεγέζε ησλ δηόδσλ Zener
είλαη ην δπλακηθό Zener VZ, ην κέγηζην ξεύκα
ζην νπνίν αληέρεη ε δίνδνο IZmax θαη ε ηζρύο ζηελ
νπνία αληέρεη ε δίνδνο PZ= IZmax * VZ

19
5. ΓΙΟΓΟ΢ ZENER ΢ΣΑΘΔΡΟΠΟΙΗΣΗ΢ ΣΑ΢Η΢
 Σν θύθισκα ηνπ ζρήκαηνο είλαη έλα ηππηθό θύθισκα ζηαζεξνπνίεζεο ηάζεο κε δίνδν Zener ζην
θνξηίν RL . Όπσο έρνπκε δεη ε ηάζε ζηα άθξα ηεο Zener παξακέλεη πεξίπνπ ζηαζεξή θαη ίζε κε VZ
θαζώο ην ξεύκα κεηαβάιιεηαη κεηαμύ IZMIN θαη IZMAX . ΢ην θύθισκα ε RL κπνξεί λα κεηαβάιιεηαη
κεηαμύ νξηζκέλσλ ηηκώλ γηα δεδνκέλε ηάζε πόισζεο VS έηζη ώζηε ε VZ λα παξακέλεη ζηαζεξή,
ελώ θαη΄ αληηζηνηρία γηα δεδνκέλε RL ε ηάζε VS κπνξεί λα κεηαβάιιεηαη κεηαμύ νξηζκέλσλ ηηκώλ
έηζη ώζηε ε VZ λα παξακέλεη ζηαζεξή.
 Γηα ην θύθισκα έρνπκε
VS  VZ VS  VZ
R 
IR IZ  IL
 Δμεηάδνπκε ηηο πην θάησ ζπλζήθεο γηα λα έρνπκε VZ ζηαζεξό
 1. IZ = IZMIN , IL = ILMAX, VS = VSMIN έηζη έρνπκε
VSMIN  VZ
R
I ZMIN  ILMAX

20
5. ΓΙΟΓΟ΢ ZENER ΢ΣΑΘΔΡΟΠΟΙΗΣΗ΢ ΣΑ΢Η΢

 2. IZ = IZMΑΥ , IL = ILMΙΝ, VS = VSMΑΥ έηζη έρνπκε
VSMAX  VZ
R
I ZMAX  ILMIN
 Δμηζώλνληαο ηηο εμηζώζεηο έρνπκε
(VSMIN  VZ )  (I ZMAX  ILMIN )  (VSMAX  VZ )  (I ZMIN  ILMAX )

΢ηελ πην πάλσ εμίζσζε είλαη άγλσζηα κόλν ηα IZMΙΝ θαη IZMΑΥ επίζεο γλσξίδνπκε όηη IZMΙΝ=0,1*IZMΑΥ
ILMIN  (VZ  VSMIN )  I LMAX  (VSMAX  VZ )

I ZMAX 
VSMIN  0, 9  VZ  0, 1  VSMAX
Έηζη κπνξνύκε λα ππνινγίζνπκε ηελ R
΢ηελ πξάμε ε ηάζε εμόδνπ VO κπνξεί λα δηαθέξεη από ηε VZ κπνξνύκε λα νξίζνπκε ην ζπληειεζηή
ζηαζεξνπνίεζεο γλσξίδνληαο ηα VOmax θαηVOmin
VOMAX  VOMIN

VZ
21
6. ΑΛΛΑ ΔΙΓΗ ΓΙΟΓΩΝ
 Η ∆ΙΟ∆Ο΢ ΜΔΣΑΒΛΗΣΗ΢ ΥΩΡΗΣΙΚΟΣΗΣΑ΢
 Η δίνδνο κεηαβιεηήο ρσξεηηθόηεηαο ή δίνδνο Varactor ή δίνδνο Varicap είλαη µηα αλάζηξνθα
πνισκέλε δίνδνο, ηεο νπνίαο ε πεξηνρή απνγύκλσζεο αληηζηνηρεί ζε κεηαβιεηό ππθλσηή µε
ρσξεηηθόηεηα αληηζηξόθσο αλάινγε ηεο εμσηεξηθήο ηάζεο, ζύκθσλα µε ηε ζρέζε:
K
CT 
(V0  VR ) n
 όπνπ Κ ζηαζεξά εμαξηώκελε από ηε γεσκεηξία θαη ην πιηθό ηνπ εκηαγσγνύ, V0 ην δπλακηθό
θξαγκνύ θαη VR ε ηάζε. H ρσξεηηθόηεηα ιακβάλεη ηηµέο κεηαμύ 1-200 pF.
 Η δίνδνο Varactor ρξεζηκνπνηείηαη γηα ηε δηακόξθσζε αθνπζηηθνύ ζήκαηνο θαη γηα ηελ επηινγή
ζπρλόηεηαο ζε άιιεο ηειεπηθνηλσληαθέο εθαξκνγέο, π.ρ. επηινγή ζπρλόηεηαο ζπληνληζκνύ ζε
ξαδηνθσληθό ή ηειενπηηθό δέθηε, όπνπ κηθξή κεηαβνιή ηεο ρσξεηηθόηεηαο πξνθαιεί κεγάιε
κεηαβνιή ηεο ζπρλόηεηαο θαη αληίζηξνθα.

22

 Η ΓΙΟΓΟ΢ SCHOTTKY
 H δίνδνο Schottky πξνθύπηεη από ηελ επαθή κεηάιινπ κε εκηαγσγό-n (ην κέηαιιν παίδεη ην ξόιν
ηνπ εκηαγσγνύ-p).
 Παξνπζηάδεη παξαπιήζηα ραξαθηεξηζηηθά κε ηε δίνδν p-n, κε ην εμήο επηπιένλ πιενλέθηεκα: Καηά
ηελ νξζή πόισζε ηεο δηόδνπ, νη πιενλάδνληεο θνξείο ηνπ εκηαγσγνύ-n (ειεθηξόληα) εηζέξρνληαη
ζην κέηαιιν θαη καδί κε ηα ειεύζεξα ειεθηξόληα ηνπ ζπληεινύλ ζηε κε ζπζζώξεπζε θνξηίσλ ζηε
δώλε απνγύκλσζεο. Λόγσ απηήο ηεο ζπκπεξηθνξάο, ε δίνδνο Schottky ρξεηάδεηαη πνιύ κηθξόηεξν
ρξόλν (κεξηθά ns) από ηελ απιή δίνδν p-n γηα λα κεηαβεί από ηελ αγώγηκε θαηάζηαζε (νξζή
πνιηθόηεηα) ζηελ θαηάζηαζε απνθνπήο (αλάζηξνθε πνιηθόηεηα).
 Υξεζηκνπνηείηαη ζε ςεθηαθά θπθιώκαηα πνπ απαηηείηαη ηαρεία κεηάβαζε από ηελ αγσγηκόηεηα
ζηελ απνθνπή, ζε παικνηξνθνδνηηθά θαη ζε εθαξκνγέο ρακειήο ηάζεο ιόγσ ηνπ ρακεινύ
δπλακηθνύ θξαγκνύ (0.25-0.3 V).

23
 Γίοδορ ΢ήπαγγαρ Η Γίοδορ Esaki.
 Η δίνδνο ζήξαγγαο (tunnel diode) ή δίνδνο Esaki νθείιεη ηελ νλνκαζία ηεο ζην θβαληνκεραληθό
θαηλόκελν ζήξαγγαο. Η δίνδνο ζήξαγγαο θαηαζθεπάδεηαη κε ηε πξνζζήθε κεγάινπ αξηζκνύ
πξνζκίμεσλ ζε κία δηάηαμε επαθήο p-n. Η ζπγθέληξσζε ησλ πξνζκίμεσλ ζηα δύν ηκήκαηα είλαη
πάξα πνιύ κεγάιε π.ρ. > 10 19 cm –3.
 ΢' απηή δηαθξίλνπκε ηελ ηάζε Vp όπνπ ην ξεύκα παίξλεη κηα κέγηζηε ηηκή Ip (ηηκή peak). Αθνινπζεί
έλα θαηεξρόκελν ηκήκα κε αξλεηηθή δπλακηθή αληίζηαζε dV/dI κέρξη ηελ ηηκή ηάζεο VV όπνπ
αληηζηνηρεί κηα ειάρηζηε ηηκή ξεύκαηνο IV απ’ όπνπ θαη πέξα πξαθηηθά έρνπκε ηε κνξθή ηεο θνηλήο
δηόδνπ.
 Tν κεγάιν ελδηαθέξνλ πνπ παξνπζηάδεη ε δίνδνο ζήξαγγαο δελ νθείιεηαη κόλν ζηελ παξνπζία ηνύ
ηκήκαηνο “αξλεηηθήο αληίζηαζεο” πνύ πξνζθέξεηαη γηα ηε
ρξήζε ζε ιεηηνπξγίεο παξαγσγήο θπκάλζεσλ θη ελίζρπζεο,
αιιά θπξίσο ζην όηη ε δηάηαμε απηή, έρεη πνιύ κεγάιε ηαρύηεηα
απόθξηζεο πξάγκα πνύ ηελ θάλεη θαηάιιειε γηα ρξήζε ηεο ζε πνιύ
πςειέο ζπρλόηεηεο (κέρξη πνιιέο δεθάδεο GΗz) θαζώο θαη γηα
ηαρύηαηνπο δηαθόπηεο, ζε αληίζεζε κε ηηο ζπκβαηηθέο
δηαηάμεηο, πνύ είλαη πνιύ βξαδείο.

24

 Φωηοδίοδορ
 Η θσηνδίνδνο είλαη κηα αλάζηξνθα πνισκέλε επαθή ΡΝ, ζηελ νπνία ην αλάζηξνθν ξεύκα
κεηαβάιιεηαη αλάινγα κε ηε θσηεηλή ξνή ηεο πξνζπίπηνπζαο αθηηλνβνιίαο. Απηό νθείιεηαη ζην
όηη ε πξνζπίπηνπζα αθηηλνβνιία έρεη ηελ ηθαλόηεηα λα πξνθαιέζεη κέζα ζηελ πεξηνρή
απνγύκλσζεο ηε γέλεζε δεπγαξηώλ νπώλ-ειεθηξνλίσλ κε ηε δηάζπαζε ησλ νκνηνπνιηθώλ δεζκώλ.
 Αλ ε θσηνδίνδνο πνισζεί θαηά ηελ αληίζηξνθε θνξά θαη δελ πξνζπίπηεη θσο, ηόηε ην δηεξρόκελν
ξεύκα ζην εμσηεξηθό θύθισκα είλαη πνιύ κηθξό ηεο ηάμεο ησλ κΑ θαη ιέγεηαη ξεύκα ζθόηνπο. Αλ
ηελ θσηίζνπκε κε θσο θαηάιιειεο ζπρλόηεηαο, ην αληίζηξνθν ξεύκα απμάλεη ζεκαληηθά θαη είλαη
αλάινγν πξνο ηε θσηεηλή ξνή ηεο πξνζπίπηνπζαο αθηηλνβνιίαο.
 Οη θσηνδίνδνη ρξεζηκνπνηνύληαη ζε ειεθηξνληθέο δηαηάμεηο απηνκάηνπ ειέγρνπ, ζηνλ
θηλεκαηνγξάθν, ζε κεραλήκαηα ειέγρνπ θαη ξύζκηζεο ηνπ θσηόο, ζε απηόκαηνπο δηαθόπηεο, ζηα
ζπζηήκαηα ππξαζθάιεηαο θιπ.

25
 Γίοδορ LED
 To LED είλαη κηα δίνδνο ε νπνία αλ πνισζεί νξζά εθπέκπεη θσο ζ' έλα από ηα ρξώκαηα: θόθθηλν,
πξάζηλν, θίηξηλν, πνξηνθαιί ή κπιέ. Η αξρή ιεηηνπξγίαο ηνπο είλαη ε εμήο: Όηαλ ε δίνδνο LED είλαη
πνισκέλε θαηά ηελ νξζή θνξά, δεκηνπξγνύληαη επαλαζπλδέζεηο ειεθηξνλίσλ-νπώλ ζηελ επαθή ηεο
δηόδνπ. Με ηελ επαλαζύλδεζε ειεπζεξώλεηαη ελέξγεηα από ηα ειεθηξόληα πνπ επηζηξέθνπλ ζηε δώλε
αγσγηκόηεηαο. Η ελέξγεηα απηή εκθαλίδεηαη ζαλ θβαληηθή ειεθηξνκαγλεηηθή αθηηλνβνιία.
 Οη δίνδνη LED ιεηηνπξγνύλ κε νξζή πόισζε. Ο αθξνδέθηεο ηεο θαζόδνπ δείρλεηαη κε ην κηθξόηεξν
κήθνο. Ο άιινο αθξνδέθηεο είλαη απηόο ηεο αλόδνπ θαη ζπλδέεηαη κε ην ζεηηθό ζεκείν ηνπ
θπθιώκαηνο. Η θαλνληθή ηάζε ιεηηνπξγίαο κηαο δηόδνπ LED είλαη θαηα κέζν όξν 2V. Η ηηκή
απμάλεηαη όηαλ κεηαβαίλνπκε από ην ππέξπζξν (1,5V) πξνο ην κπιε (3,7V)
 Οη δίνδνη LED ρξεζηκνπνηνύληαη ζήκεξα θπξίσο ζαλ
ελδεηθηηθά ζηνηρεία ζ' έλα κεγάιν πιήζνο ειεθηξνληθώλ
δηαηάμεσλ, ρξεζηκνπνηνύληαη ζε όξγαλα κέηξεζεο,
ζε θπθιώκαηα ειέγρνπ, ζε ζπζηήκαηα επηθνηλσληώλ, γηα ηελ
δεκηνπξγία νπηηθώλ εθέ θιπ.

26
7. ΔΦΑΡΜΟΓΔ΢ ΓΙΟΓΩΝ
 Κςκλώμαηα ψαλιδιζμού
 ΢ην θύθισκα θαίλεηαη κηα δίνδνο

27
 Λογικέρ πύλερ
 ΢ην θύθισκα θαίλεηαη κηα ινγηθή πύιε πνπ πξαγκαηνπνηείηαη κε δηόδνπο

28
 Ημιανόπθωζη
 Σν θύθισκα πνπ αθνινπζεί είλαη έλα θύθισκα ην νπνίν ρξεζηκνπνηείηαη γηα εκηαλόξζσζε, δειαδή
ηε δηαδηθαζία θαηά ηελ νπνία από κηα ac ηάζε κπνξνύκε λα πάξνπκε dc ηάζε ζηελ έμνδν ηνπ
θπθιώκαηνο.
 ΢ην θύθισκα απηό όηαλ ν αθξνδέθηεο Α είλαη ζεηηθόηεξνο ηνπ Β
ηόηε ε δίνδνο άγεη θαη ξεύκα θπθινθνξεί ζην θύθισκα. ΢ηελ αληίζεηε
πεξίπησζε ε δίνδνο είλαη αλάζηξνθα πνισκέλε θαη έηζη ζην θύθισκα
δελ θπθινθνξεί ξεύκα.
 ΢ηα άθξα ηεο αληίζηαζεο RL εκθαλίδεηαη ε πηώζε ηάζεο πνπ θαίλεηαη ζην
ζρήκα, δειαδή ζηα άθξα ηεο αληίζηαζεο εκθαλίδεηαη ηάζε κόλν θαηά ηελ πξνο ηα πξώζν
πόισζε ηεο δηόδνπ ε νπνία ιεηηνπξγεί σο αλνξζσηήο δειαδή παξέρεη ζηελ αληίζηαζε ξεύκα κίαο
κόλν θνξάο όηαλ ε είζνδνο ζην θύθισκα είλαη ac.
29
 Σν ξεύκα ζηελ αληίζηαζε γηα ηελ εκηπεξίνδν πνπ άγεη
ε δίνδνο είλαη:
vL
iL 
RL
 Η δε κέζε ηηκή ηεο ηάζεο ζηα άθξα ηεο RL είλαη:
Vm
Vdc   0, 318  Vm

 Αληίζηνηρα γηα ην ξεύκα έρνπκε:
Im
Idc   0, 318  Im

Όπνπ Vm θαη Im ηα αληίζηνηρα πιάηε.
 Οη αληίζηνηρεο ηεο ηάζεο θαη ηνπ ξεύκαηνο πνπ
εκθαλίδνληαη πάλσ ζηελ αληίζηαζε RL είλαη:
Vm Im
V   0, 5  Vm I   0, 5  I m
2 2
30
 Ωο κέηξν ηεο πνηόηεηαο ηνπ αλνξζσκέλνπ ξεύκαηνο νξίδνπκε ην ζπληειεζηή θπκάησζεο r πνπ είλαη:
Vr θαη ε ηάζε θπκάησζεο
r Vr  V  Vdc
2 2
Vdc
 Ο ζπληειεζηήο θπκάησζεο r από ηηο πην πάλσ ζρέζεο είλαη ίζνο κε:
2
r  1  1, 21 ή r  121%
4
 Η κεγάιε ηηκή ηνπ r νθείιεηαη ζην γεγνλόο όηη ππάξρνπλ πνιιέο αξκνληθέο ζπρλόηεηεο ζην
εκηαλνξζσκέλν ζήκα.
 Ο βαζκόο απόδνζεο είλαη P
 dc
Pac
 Αλ ιάβνπκε ππόςε όηη:
I2m I2m
Pdc  I  R L  2  R L
2
Pac  I  R L   R L
2

dc 
4
 Σόηε
4
  0, 405 ή   40, 5%
2
31
 Κύκλωμα πλήποςρ ανόπθωζη
 Γηα λα πεηύρνπκε αλόξζσζε θαη γηα ηηο δύν εκηπεξηόδνπο ηνπ ελαιιαζζνκέλνπ ζήκαηνο
ρξεζηκνπνηνύκε ην πην θάησ θύθισκα.
 ΢ην θύθισκα απηό ππάξρεη κεηαζρεκαηηζηήο
κεζαίαο ιήςεο

32
 Οη dc ηηκέο ηεο ηάζεο θαη ηνπ ξεύκαηνο ζην θνξηίν γηα ηελ πιήξε αλόξζσζε είλαη:
Vm Vm 2  Vm Im Im 2  Im
Vdc    Idc   
     
 Η ελεξγόο ηηκή ηάζεο θαη ξεύκαηνο είλαη:
Vm Im
V  I 
2 2
 Ο ζπληειεζηήο θπκάησζεο:
V2  Vdc2 2
r   1  0, 483 ή r  48, 3%
Vdc 8
 Ο βαζκόο απόδνζεο ηνπ θπθιώκαηνο:
2
Pdc Idc  RL 8
  2   0, 811 ή   81, 1%
Pac Iac  R L 2
33
 Από ηελ πξνεγνύκελε αλάιπζε είλαη θαλεξό όηη ην θύθισκα ηεο πιήξνπο αλόξζσζεο παξέρεη έλαληη
ηνπ θπθιώκαηνο εκηαλόξζσζεο ηα εμήο πιενλεθηήκαηα :
 Α) Παξέρεη δηπιάζηαdc ηάζε
 Β) Έρεη ρακειόηεξν ζπληειεζηή θπκάησζεο
 Γ) Γίλεη δηπιάζην ζπληειεζηή απόδνζεο.
 ΢ηελ πξάμε ρξεζηκνπνηνύληαη άιινπ είδνπο θπθιώκαηα γηα ηελ πιήξε αλόξζσζε όπσο ην θύθισκα
κε γέθπξα

34
 Φίληπα εξομάλςνζηρ
 ΢ηηο πην πάλσ αλνξζσηηθέο δηαηάμεηο ε πνηόηεηα
ηνπ dc ξεύκαηνο δελ είλαη ηόζν θαιή ιόγσ ηεο
θπκάησζεο πνπ εκθαλίδεηαη. Γηα ηε βειηίσζε ηνπ
ξεύκαηνο ρξεζηκνπνηνύληαη θίιηξα εμνκάιπλζεο
έηζη ώζηε ε ζπληειεζηήο θπκάησζεο λα είλαη
κηθξόηεξνο από 1 %.
 Σν πην απιό θίιηξν απνηειείηαη από έλα ππθλσηή C παξάιιεια ζπλδεδεκέλν κε κηα αληίζηαζε
θνξηίνπ RL όπσο θαίλεηαη ζην ζρήκα.
 Ο ζπληειεζηήο θπκάησζεο είλαη
1
r
4 3 f C RL
 Όπνπ f ε ζπρλόηεηα ηνπ ac ζήκαηνο

35
 Κύκλωμα διπλαζιαζμού ηάζηρ

36
ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ – ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ
• Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα κοινού εκπομπού από το βρόχο εισόδου Β-Ε ο νόμος του Kirchhoff
δίνει:
VBB  IB  R B  I E  R E  VBE 
 R 
VBB   B  R E   IE  VBE 
 1 
VBB   R B     1  R E   I B  VBE
• Τελικά έχουμε:
VBE VBB
IB  
R B     1  R E R B     1  R E
• Η σχέση αυτή εκφράζει τη μεταβολή του ΙΒ ως συνάρτηση της VBE στο πιο κάτω σχήμα φαίνεται η
γραφική παράσταση η ευθεία φόρτου dc για το βρόχο εισόδου.
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3Ο : ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

18
• Στο σχήμα φαίνονται οι συντεταγμένες του σημείου τομής της ευθείας φόρτου με τη χαρακτηριστική
εισόδου.
• Αυτές είναι VBEQ =0,7V περίπου για Si και το
ρεύμα ίσο με IBQ
• Ο νόμος του Kirchhoff δίνει στο κύκλωμα
εξόδου δίνει:
VCC  IC  R C  IE  R E  VCE 
R 
VCC   E  R C   IC  VCE
  
• Τελικά για το ρεύμα έχουμε
1 VCC
IC    VCE 
RC  RE RC  RE
• Η σχέση αυτή εκφράζει τη μεταβολή του ΙC ως συνάρτηση της VCE στο πιο κάτω σχήμα φαίνεται η
γραφική παράσταση η ευθεία φόρτου dc για το βρόχο εξόδου.

19
• Αν γράψουμε το νόμο του Kirchhoff για το βρόχο συλλέκτη – εκπομπού (C-E) έχουμε:.
R 
VCC   E  R C   IC  VCE
  
• Τελικά για το ρεύμα έχουμε
1 VCC
IC    VCE 
RC  RE RC  RE
• Η σχέση αυτή εκφράζει τη μεταβολή του ΙC ως συνάρτηση της VCE στο πιο πάνω σχήμα φαίνεται η
γραφική παράσταση της dc ευθείας φόρτου για το βρόχο εξόδου και τις χαρακτηριστικές εξόδου IC-VCE.
• Το σημείο τομείς της dc ευθείας φόρτου με την αντίστοιχη καμπύλη του ρεύματος ΙΒ που έχει
αποκατασταθεί στο βρόχο Β-Ε δίνει το σημείο λειτουργίας Q του κυκλώματος.
• Ο συντελεστής του ΙC είναι η dc αντίσταση του βρόχου C-E.
RE
R dc   R C  R dc  R E  R C

20
ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ
• Στο σχήμα φαίνεται ένα κύκλωμα ενισχυτή κοινού εκπομπού. Στο κύκλωμα αυτό μαζί με τη dc πηγή
υπάρχει και ac πηγή που δίνει το προς ενίσχυση σήμα. Στα διαγράμματα που ακολουθούν δίνονται οι
χαρακτηριστικές καμπύλες εισόδου – εξόδου.
• Στο κύκλωμα αυτό υπάρχουν dc και ac μεγέθη έτσι τα dc μεγέθη συμβολίζονται με κεφαλαία
γράμματα και οι δείκτες με κεφαλαία, τα ac με μικρά και οι δείκτες το ίδιο ενώ τα ολικά μεγέθη dc+ac
με μικρά γράμματα και κεφαλαίους δείκτες.

21

22
• Το σήμα στην έξοδο του ενισχυτή εξαρτάται σημαντικά από τη θέση της ευθείας φόρτου, από το νόμο
των τάσεων του KIRCHHOFF για τους βρόχους εισόδου – εξόδου του κυκλώματος στο dc έχουμε:
VBB  IB  R B  IE  R E  VBE VCC  IC  R C  IE  R E  VCE
• Η ευθεία φόρτου για το βρόχο εξόδου είναι
1 VCC
IC    VCE 
RC  RE RC  RE
• Τα σημεία τομείς με τους άξονες είναι :
• IC  0, VCE  VCC και το σημείο λειτουργίας είναι στην αποκοπή
VCC
V  0, I 
•
R C  R E και το σημείο λειτουργίας είναι στον κόρο
CE C
• Από τα στοιχεία εξόδου και την εξίσωση του βρόχου εισόδου μπορούμε να υπολογίσουμε το ρεύμα IC
λαμβάνοντας υπόψη ότι IC = IΕ και IΒ = IΕ /β έτσι έχουμε:
VBB  VBE V  0, 7
IC   IC  BB
RB RB
 RE  RE
 
23
• Στους ενισχυτές με τρανζίστορ κοινού εκπομπού θα πρέπει το σημείο λειτουργία να βρίσκεται στο μέσον
της ευθείας φόρτου έτσι ώστε να αποφεύγονται οι παραμορφώσεις που εμφανίζονται στις οριακές
περιοχές του κόρου και της αποκοπής. Έτσι έχουμε :
VCC VCC
VCEQ  και ICQ 
2 2  (R C  R E )
• Κύκλωμα με διαιρέτη τάσης και αυτοπόλωση εκπομπού. Οι τιμές των R1 και R2 καθορίζουν το ρεύμα ΙΒ
• Έχουμε
R 1  VCC R1  R 2
VTh  VB  RB 
R1  R 2 R1  R 2
R B  VCC R B  VCC
R1  R2 
• V και VB
1 B
VCC
• Για το κύκλωμα θα πρέπει το 10% του ρεύματος εισόδου να περνά στη βάση
• Έτσι
VBB  0, 7
• R B  0, 1  R E και IC 
1.1  R E

24
ΜΕΛΕΤΗ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ
• Δύο είναι τα προβλήματα που πρέπει να αντιμετωπίσουμε κατά τη μελέτη κυκλωμάτων κοινού ενισχυτή:
• Το πρώτο αφορά στη μελέτη των επιδόσεων του ενισχυτή στην περίπτωση αυτή τα στοιχεία του
κυκλώματος είναι δεδομένα. Το σημείο λειτουργίας Q προσδιορίζεται από τα χαρακτηριστικά του
κυκλώματος. Στην περίπτωση αυτή αντικαθιστούμε τις τιμές των δεδομένων στις εξισώσεις και
υπολογίζουμε τα άγνωστα μεγέθη.
• Στο δεύτερο είδος προβλημάτων σχεδίασης, το κύκλωμα δεν ορίζεται πλήρως. Έχουμε τη δυνατότητα να
τοποθετήσουμε το σημείο λειτουργίας στην επιθυμητή περιοχή π.χ. στο μέσον της ευθείας φόρτου και
ξεκινώντας από τη θεώρηση αυτή να υπολογίσουμε τα άγνωστα στοιχεία του κυκλώματος.

25
AC ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ
• Στο κύκλωμα αυτό έχουμε εκτός της dc πόλωσης και ac σήμα στην είσοδο, οι πυκνωτές αποκόπτουν τις
dc συνιστώσες. Για το βρόχο εξόδου C-E έχουμε για το dc την αντίσταση
R dc  R C  R E
• Ενώ για το ac
R ac  R C R L  R E
• Η DC ευθεία φόρτου έχει κλίση -1/Rdc και η AC ευθεία φόρτου -1/Rac . Οι δύο ευθείες τέμνονται στο
σημείο λειτουργία Q το οποίο έχει συντεταγμένες (VCEQ, ICQ). Η DC ευθεία είναι
1 V
IC    VCE  CC
R dc R dc
• H γενική μορφή της ac ευθεία φόρτου είναι:
y  y1     x  x1 
• όπου
  1 R ac x  vCE y  iC
x1  VCEQ y1  ICQ

26
AC ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ ΕΝΙΣΧΥΤΗ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ
• Η AC ευθεία φόρτου είναι
1 V 
iC    vCE   CEQ  ICQ 
R ac  R ac 
• Με
VCEQ
iCmax   ICQ
R ac
vCEmax  VCEQ  ICQ  R ac
• Για Q στο μέσον της ac ευθείας φόρτου θα

• Πρέπει iCmax  2  ICQ έτσι
VCEQ VCC
ICQ   ICQ 
R ac R dc  R ac
VCC
• και VCEQ 
R
1  dc
R ac
27
ΜΕΛΕΤΗ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΗ ΕΝΙΣΧΥΤΗ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ ΣΕ AC ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ
• Α) Μελέτη κυκλώματος :
• Στη μελέτη των επιδόσεων κυκλωμάτων ενισχυτή κοινού εκπομπού σε ac λειτουργία ζητούνται οι
συντεταγμένες του Q (ICQ, VCEQ), οι dc και ac ευθείες φόρτου και οι απολαβές ρεύματος και τάσης
δηλαδή: v i
AV  o
Ai  o
vin iin
• Τα δεδομένα είναι τα στοιχεία του κυκλώματος, δηλαδή αντιστάσεις τάσεις πόλωσης και β του
τρανζίστορ στην περίπτωση αυτή από τις σχέσεις
R V R R VBB  VBE 1 VCC
RB  1 2 IC  IC    VCE 
VTh  VB  1 CC RB RC  RE RC  RE
R1  R 2 R1  R 2  RE

• Υπολογίζουμε τα VB, RB και τις συντεταγμένες του Q, ICQ, από την εξίσωση του IC και την VCEQ από την
ευθεία φόρτου. Στη συνέχεια σχεδιάζουμε τις dc και ac ευθείες φόρτου και προσδιορίζουμε τη μέγιστη
αρμονική διακύμανση της τάσης εξόδου.
• Για Q πάνω από το μέσον της ac ευθείας:
vomax(pp)  2  iC  R ac  vomax(pp)  2  (iCmax  ICQ )  R ac
• Για Q κάτω από το μέσον της ac ευθείας:
vomax(pp)  2  ICQ  R ac

28
• Β) Σχεδιασμός κυκλώματος :
• Στον σχεδιασμό κυκλώματος ενισχυτή κοινού εκπομπού σε ac λειτουργία συνήθως δίνονται οι
συντεταγμένες του Q αλλά πολλές φορές και κάποια μεγέθη του κυκλώματος όπως RL, VCC, VBE και β
και προσδιορίζονται τα R1, R2, RC ή RE έτσι έχουμε τις πιο κάτω περιπτώσεις:
• i) Για Q στο μέσον της ac ευθείας από τις εξισώσεις:
VCC
VCEQ VCC VCEQ 
iCmax  2  ICQ ICQ   ICQ  R
1  dc
R ac R dc  R ac R ac
• Προσδιορίζουμε τις συντεταγμένες του Q και από την dc ευθεία φόρτου την τιμή της RC ή RE με
διπλασιασμό των ICQ και VCEQ τα σημεία τομείς της ac με τους άξονες. Στη συνέχεια από τις πιο κάτω
εξισώσεις ευθεία υπολογίζουμε τα στοιχειά εισόδου
R B  VCC
R1  R B  VCC R B  0, 1  R E VBB  IB  R B  IE  R E  VBE
V R2 
1 B VB
VCC
• ii) Αν το Q δεν είναι στο μέσον της ac ευθείας έχουμε τις συντεταγμένες του Q, από τις πιο κάτω σχέσεις
υπολογίζουμε τα σημεία τομείς της ac με τους άξονες
VCEQ
iCmax   ICQ vCEmax  VCEQ  ICQ  R ac
R ac
29
• Β) Σχεδιασμός κυκλώματος :
• Από την πιο κάτω εξίσωση υπολογίζουμε τις RC ή RE
VCC  IC  R C  IE  R E  VCE
• Στη συνέχεια, όπως και πριν, από τις εξισώσεις των R1, R2 προσδιορίζουμε τις τιμές.

30
ΕΝΙΣΧΥΤΗ ΚΟΙΝΟΥ ΣΥΛΛΕΚΤΗ (CC, Ή ΑΚΟΛΟΥΘΟΣ ΕΚΠΟΜΠΟΥ)
• Στο κύκλωμα αυτό η RC είναι μηδέν και ο συλλέκτης στο ac γειώνεται μέσω της VCC για το λόγο αυτό το
κύκλωμα ονομάζεται και ενισχυτής κοινού συλλέκτη. Ο ενισχυτής αυτός δεν ενισχύει την τάση αλλά
μεταφέρει το σήμα εισόδου στην έξοδο και έχει ενίσχυση ίση με 1. Το θετικό του κυκλώματος αυτού
είναι ότι παρουσιάζει μεγάλη αντίσταση εισόδου και μικρή αντίσταση εξόδου με αποτέλεσμα να
χρησιμοποιείται ως βαθμίδα εισόδου σε κυκλώματα όπου η πηγή τάσης εμφανίζει μεγάλη αντίσταση
εισόδου.
• Για την ανάλυση του κυκλώματος χρησιμοποιούνται ακριβώς οι ίδιες εξισώσεις με το κύκλωμα κοινού
εκπομπού με μόνη διαφορά στις αντιστάσεις Rdc και Rac
RE  RL
R dc  R E R ac  R E R L 
RE  RL
• Έτσι
1 V 1 V 
IC    VCE  CC iC    vCE   CEQ  ICQ 
RE RE R ac  R ac 

31
ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΩΣ ΔΙΑΚΟΠΤΗΣ
• Στα κυκλώματα που μελετήσαμε μέχρι τώρα το τρανζίστορ λειτουργούσε στη γραμμική περιοχή. Πολύ
μεγάλο ενδιαφέρον παρουσιάζει η περίπτωση στην οποία το τρανζίστορ οδηγείται από κατάλληλο ρεύμα
βάσης από τον κόρο στην αποκοπή. Η λειτουργία αυτή είναι λειτουργία διακόπτη και αποτελεί τη βάση
των λογικών κυκλωμάτων.
• Για να λειτούργει το τρανζίστορ στην αποκοπή θα πρέπει η Vin < 0,3V οπότε οι επαφές Β-Ε και B-C
είναι ανάστροφα πολωμένες και έχουμε ΙΒ = 0, IC = 0, VC = VCC. Στην περίπτωση αυτή ο διακόπτης
θεωρείτε ανοιχτός.
• Για να λειτουργεί το τρανζίστορ στον κόρο θα πρέπει Vin > 0,8V οπότε οι επαφές Β-Ε και B-C είναι
ορθά πολωμένες και έχουμε ΙΒ = Ιβmin. IC. Στην περίπτωση αυτή ο διακόπτης θεωρείτε κλειστός και
ισχύουν:
IB  IBmin VCC
IC  ICmax 
RC
VCsat  0, 3v

32
ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4Ο : FET
(Τρανζίστορ επίδρασης πεδίου)
1
FET
 Δομή και λειτουργία
 Τα τρανζίστορ επίδρασης πεδίου είναι ηλεκτρονικά στοιχεία στα οποία οι φορείς του ηλεκτρικού
ρεύματος είναι ενός είδους (οι φορείς πλειονότητας ενός αγώγιμου διαύλου που σχηματίζεται) σε
αντίθεση με τα διπολικά τρανζίστορ όπου συνεισφέρουν στο ηλεκτρικό ρεύμα τόσο οι φορείς
πλειονότητας όσο και οι φορείς μειονότητας. Οι φορείς αυτοί είναι ελεύθεροι να κινούνται σε μια
περιοχή (κανάλι, δίαυλος) που οριοθετείται από τις περιοχές φορτίων χώρου (διακένωσης) δύο
ανάστροφα πολωμένων pn επαφών.
 Το τρανζίστορ επίδρασης πεδίου αποτελείται από έναν κρύσταλλο πυριτίου τύπου n στις δύο πλευρές
του οποίου έχουν σχηματιστεί p-περιοχές μεγάλης συγκέντρωσης προσμίξεων (p+). Ένα τέτοιο FET
ονομάζεται n-τύπου JFET. Οι δύο αυτές περιοχές βραχυκυκλώνονται μεταξύ τους και καταλήγουν σε
έναν ακροδέκτη που ονομάζεται πύλη.
 Στα δύο άκρα του κρυστάλλου υπάρχουν δύο ακροδέκτες τα οποία είναι ισοδύναμα μεταξύ τους.
Στους ακροδέκτες του FET αποδίδεται ονομασία ανάλογα με τη συνδεσμολογία. Έτσι, το άκρο στο
οποίο κατευθύνονται οι φορείς πλειονότητας ονομάζεται απαγωγός (Drain) και συμβολίζεται με D
ενώ το άλλο άκρο ονομάζεται πηγή (Source) και συμβολίζεται με S. Ο απαγωγός θα πρέπει να είναι
πάντα σε δυναμικό μεγαλύτερο από αυτό στης πηγής για να μπορεί να χαρακτηριστεί ως απαγωγός.
 Θα πρέπει οι δύο p+-n επαφές, που σχηματίζονται μεταξύ των περιοχών p+ και n, να είναι
ανάστροφα πολωμένες.
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 4Ο : FET

2
FET
Σχήμα 1. JFET n-διαύλου: (α) δομή, (β) σύμβολο Σχήμα 2. JFET p-διαύλου: (α) δομή, (β) σύμβολο

3
FET
 Η πύλη των FET παίζει ρόλο παρόμοιο με αυτόν της βάσης στα διπολικά τρανζίστορ με τη διαφορά
ότι η λειτουργία των τρανζίστορ ελέγχεται από το ρεύμα βάσης ενώ η λειτουργία των FET ελέγχεται
από την τάση της πύλης ενώ το ρεύμα της πύλης είναι σχεδόν μηδενικό λόγο του ότι οι επαφές p+-n
σε ένα JFET n-διαύλου και οι επαφές n+-p σε ένα JFET p-διαύλου είναι ανάστροφα πολωμένες.
Γεγονός που οδηγεί στο σημαντικό συγκριτικό πλεονέκτημα των FET έναντι των διπολικών
τρανζίστορ επαφής, τη μεγάλη τους αντίσταση εισόδου.
 Όταν οι επαφές p+-n σε ένα JFET n-διαύλου πολωθούν ανάστροφα ,vGS <0, οι περιοχές φορτίων
χώρου διευρύνονται και διεισδύουν ολοένα και περισσότερο εντός του n-τύπου υλικού όσο η vGS
αυξάνει περιορίζοντας το χώρο στον οποίο κινούνται οι ελεύθεροι φορείς.
 Υπάρχει τιμή της τάσης, vGS =VP (pinch off voltage),
όπου οι δύο περιοχές φορτίων χώρου θα έρθουν σε
επαφή και ο δίαυλος θα κλείσει εντελώς.
 .

4
FET
 Αν εφαρμοστεί διαφορά δυναμικού μεταξύ απαγωγού και πηγής (vDS >0) παρατηρούμε μια
ανομοιόμορφη διαμόρφωση του διαύλου. Η μεταβολή αυτή οφείλεται στην πτώση τάσης πάνω στην
ωμική αντίσταση που παρουσιάζει το n-τύπου υλικό μεταξύ πηγής και απαγωγού.
 Όσο η τάση vDS αυξάνει, τόσο οι περιοχές φορτίων χώρου με τα τμήματά τους που βρίσκονται κοντά
στον απαγωγό πλησιάζουν μεταξύ τους. Οι δύο περιοχές θα έρθουν σε επαφή όταν η διαφορά
δυναμικού μεταξύ πύλης και απαγωγού γίνει ίση με το VP

5
FET
 Μόλις ο δίαυλος κλείσει για πρώτη φορά στην περιοχή του απαγωγού το ρεύμα που διέρχεται από
αυτόν παίρνει μια τιμή που μένει σταθερή ανεξάρτητα με την αύξηση τόσο της vDS όσο και της
επέκτασης της στένωσης προς τον απαγωγό. Για κάποια μεγάλη τιμή της vDS παρατηρείται απότομη
αύξηση του ρεύματος iD. Το ρεύμα
αυτό είναι ουσιαστικά το ανάστροφο
ρεύμα μιας ανάστροφα πολωμένης
διόδου (η p+-n επαφή του JFET)
όταν αυτή φτάσει στην περιοχή
κατάρρευσης.
 Καθώς η vGS αυξάνει κατ΄ απόλυτη τιμή
το JFET φτάνει πιο εύκολα στη γραμμική
λειτουργία και το iD ελαττώνεται. Για vGS = -VP
 το iD =0 και όταν vGS = 0 τότε iD = IDSS.
 .

6
FET
 H πύλη δεν πρέπει να πολωθεί ορθά, η μέγιστη επιτρεπόμενη θετική τιμή τάσης που μπορεί να πάρει
είναι η τάση κατωφλίου της pn διόδου Si (< 0,7 V).
 Το ρεύμα στην περιοχή όπου οι χαρακτηριστικές είναι ευθύγραμμες δίνεται από τη σχέση:
2
 v 
i D  IDSS   1  GS 
 Vp 

 Η γραφική παράσταση φαίνεται στο σχήμα η χαρακτηριστι-
κή iD – vGS είναι η χαρακτηριστική εισόδου του JFET και
ονομάζεται καμπύλη μεταφοράς.
 Η κλίση των καμπύλων στην περιοχή κόρου δίνει τη
δυναμική αντίσταση (ac) του απαγωγού rd
v DS
rd 
i D

7
FET
 Στο πιο πάνω σχήμα της καμπύλης μεταφοράς στο σημείο Α έχουμε φέρει την εφαπτομένη η κλίση
της οποίας ορίζει την διαγωγιμότητα gm του FET στο Α.
i D
gm 
vGS
 Τελικά έχουμε:
2  IDSS  vGS 
gm    1  
Vp  Vp 
 Θέτοντας 2  IDSS
gm0  
Vp
 Έτσι
 v 
g m  g m 0   1  GS 
 Vp 


8
ΜΕΘΟΔΟΙ ΠΟΛΩΣΗΣ JFET- ΕΥΘΕΙΑ ΦΟΡΤΟΥ

 Βασικό κύκλωμα πόλωσης JFET
 Στο κύκλωμα φαίνεται το βασικό κύκλωμα πόλωσης του FET, η πύλη για το n – καναλιού FET
πρέπει να είναι αρνητική. Με την VGG το πετυχαίνουμε αυτό.
 Ο νόμος του Kirchhoff για το κύκλωμα εξόδου είναι :
VDD  ID  R D  ID  R S  VDS
 Έτσι το ID είναι:
1 VDD
ID    VDS 
RS  R D RS  R D
 Οι ακραίες τιμές είναι

ID  0, VDS  VDD
VDD
VDS  0, IDD 
RS  R D

9
 Βασικό κύκλωμα αυτοπόλωσης JFET
 Στο προηγούμενο κύκλωμα για την πόλωση του FET απαιτούνται δύο πηγές μια θετική και μια με
αρνητική τάση. Το πιο κάτω κύκλωμα είναι απλοποιημένο υπάρχει μια πηγή στον απαγωγό και η
πόλωση της πύλης πετυχαίνεται μέσω της τάσης που αναπτύσσεται στην RS
 Στο κύκλωμα αυτό το ρεύμα πύλης IG = 0 από το νόμο του Kirchhoff έχουμε για το κύκλωμα
εισόδου:
1
0  ID  R S  VGS  ID    VGS
RS
 Η εξίσωση αυτή είναι εξίσωση ευθείας που διέρχεται από την αρχή των αξόνων με
κλίση -1/RS
 Για το κύκλωμα εξόδου ισχύουν τα ίδια με προηγούμενο κύκλωμα
VDD  ID  R D  ID  R S  VDS
 Και ακραίες τιμές

VDD
ID  0, VDS  VDD VDS  0, IDD 
RS  R D

10

 Στο πιο κάτω σχήμα φαίνονται η dc ευθεία φόρτου και το σημείο λειτουργίας Q.

11
 Στο πιο κάτω σχήμα φαίνονται η dc ευθεία φόρτου και το σημείο λειτουργίας Q.

12

 Για να υπολογίσουμε τα χαρακτηριστικά ενός κυκλώματος όπως το προηγούμενο ακολουθούμε τα
πιο κάτω βήματα:
 1. Επιλέγουμε την VDD με τιμές από 10 V – 30 V
 2. Σχεδιάζουμε τη dc ευθεία φόρτου πάνω στις χαρακτηριστικές του FET.
 3. Τοποθετούμε το σημείο λειτουργίας Q πάνω στην ευθεία φόρτου και προσδιορίζουμε τις
συντεταγμένες του VDSQ, IDQ, VGS.
 4. Προσδιορίζουμε την RS από την εξίσωση
0  ID  R S  VGS
 5. Υπολογίζουμε το RS+RD από την εξίσωση
1 VDD
ID    VDS 
RS  R D RS  R D
 Και την RD

13
 Κύκλωμα πόλωσης JFET με διαιρέτη τάσης
 Στο πιο κάτω κύκλωμα χρησιμοποιείται διαιρέτης τάσης για την πόλωση του FET.
 Από τον διαιρέτη τάσης έχουμε
R1  R 2 R 1  VDD
RG  VGG 
R1  R 2 R1  R 2
 Ο νόμος του Kirchhoff για το κύκλωμα εισόδου είναι
1 V
VGG  ID  R S  VGS  ID    VGS  GG
RS RS

14
TO FET ΩΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ
 Ενισχυτής κοινής πηγής (C-S)
 Στο κύκλωμα του ενισχυτή με FET θα πρέπει να λαμβάνουμε υπόψη και τη δυναμική αντίσταση rD η
οποία παίρνει τιμές σημαντικές και δεν θα πρέπει να αγνοηθεί. Έτσι επειδή η αντίσταση αυτή
εμφανίζεται ως μια επιπλέον αντίσταση μεταξύ S και D και μάλιστα παράλληλα συνδεμένη με την RD
για το λόγο αυτό θα πρέπει να χρησιμοποιείται η RD’ σε όλους τους υπολογισμούς όταν είναι
απαραίτητο: R r
R 'D  D d
R D  rd
 Στο κύκλωμα του σχήματος ένα μικρό ac σήμα εφαρμόζεται μεταβάλλοντας την VGS και αυτή η
μεταβολή προκαλεί ένα ac σήμα στον απαγωγό.
 Η αντίσταση μεταξύ G και S η RGS είναι πολύ μεγάλη έτσι η αντίσταση
εισόδου του κυκλώματος είναι:
R1  R 2
Ri 
R1  R 2
 Η αντίστοιχη αντίσταση εξόδου στο ac είναι
RD  RL
R  
RD  RL
15
 Η συνολικά τάση στην πύλη είναι vGS  VGS  vgs
 Το ρεύμα στον απαγωγό i D  ID  id
 Η τάση στην έξοδο του ενισχυτή είναι:
vo  g m   R 'D R L   vgs
 Στα κυκλώματα ενισχυτών FET

επειδή η αντίσταση εισόδου του FET
είναι πολύ μεγάλη ισχύει:
vgs  vi
 Έτσι ορίζουμε την απολαβή πύλης – εξόδου ΑV
vo max
AV 
vGSmax
 Και την απολαβή εισόδου - εξόδου
vo max
Ae 
Vm
16
 Τελικά έχουμε
vo g m   R 'D R L   vgs
AV  Ae    g m   R 'D R L 
vgs vgs
 Ορίζουμε το μέγεθος
1 1
r 's   gm 
gm r 's
 Έτσι
A V  g m   R 'D R L   
R ' D RL 
r 's
 Αν δεν υπάρχει ο πυκνωτής παράκαμψης έχουμε
A V  g 'm   R S  R 'D R L   
R S  R 'D R L 
r 's  R S
 Όπου 1 1
g 'm  
r 's  R S 1  R
S
gm
17
 Ενισχυτής κοινού απαγωγου (C-D)
 Στο κύκλωμα του ενισχυτή FET κοινού απαγωγού ισχύουν τα ίδια με τον ενισχυτή κοινού συλλέκτη,
δηλαδή η τάση στην έξοδο δεν εμφανίζει ενίσχυση και είναι σχεδόν ίδια με αυτή της εισόδου.
Εμφανίζει επίσης πολύ μεγάλη αντίσταση εισόδου και μικρή αντίσταση εξόδου με αποτέλεσμα να
χρησιμοποιείται ως βαθμίδα εισόδου κυρίως σε όργανα μετρήσεων.
 Η εισόδου του κυκλώματος είναι: R R
Ri  1 2
R1  R 2
 Η αντίστοιχη αντίσταση εξόδου στο ac είναι
R R
R   D L
RD  RL
 Η τάση εξόδου είναι
vo  iD   R S R L   g m   R S R L   vgs
 Η τάση εισόδου
 
vin  vo  vgs  g m   R S R L   vgs  vgs  1  g m   R S R L   vgs
 Η απολαβή είναι vo g m   R S R L   vgs

AV   
vin 1  g m   R S R L   vgs
18
ΜΟSFET

19
ΜΟSFET

20
ΜΟSFET

21
ΜΟSFET

22
ΜΟSFET

23
ΜΟSFET

24
ΜΟSFET

25
ΜΟSFET

26
 Σύποι Ενιςφτσών:
◦ Ενιςφτσήρ σάξηρ Α : Κλαςικά κτκλώμασα ενιςφτσών

κοινού εκπομπού, κοινού ςτλλέκση ή κοινήρ βάςηρ, όποτ
λόγω ςτνθηκών πόλωςηρ τπάπφει πάνσα πεύμα ςσο
κύκλωμα και σο ςημείο λεισοτπγίαρ σοτρ Q μεσακινείσαι
ςσιρ γπαμμικέρ πεπιοφέρ σων φαπακσηπιςσικών
καμπύλων. Οι διακτμάνςειρ σων μεγεθών εξόδοτ
μποπούν να είναι μέγιςσερ.
1
◦ Ενιςφτσήρ σάξηρ Β : Είναι κτκλώμασα ενιςφτσών όποτ οι

ςτνθήκερ πόλωςηρ είναι σέσοιερ ώςσε να τπάπφει πεύμα
ςσην έξοδο μόνο κασά σο μιςό κύκλο σοτ ςήμασορ
ειςόδοτ, για σο άλλο μιςό κύκλο σοτ ςήμασορ ειςόδοτ σο
σπανζίςσοπ είναι ςε αποκοπή. Σο ςημείο λεισοτπγίαρ
ςσοτρ ενιςφτσέρ σάξηρ Β βπίςκεσαι ςσην αποκοπή. Για
να έφοτμε ςσην έξοδο ςήμα ποτ να μοιάζει με ατσό σηρ
ειςόδοτ θα ππέπει ο ενιςφτσήρ να αποσελείσαι από δύο
βαθμίδερ ποτ θα λεισοτπγούν ςτμπληπωμασικά.
(Ενιςφτσήρ Push-Pull)
◦ Ενιςφτσήρ σάξηρ AΒ : Η λεισοτπγία ςε σάξη Α έφει σο

πλεονέκσημα σηρ μικπήρ παπαμόπυωςηρ, ενώ η σάξη Β
έφει σο πλεονέκσημα σηρ μεγάληρ απόδοςηρ, μεσαξύ
ατσών σων δύο άκπων τπάπφει η ενδιάμεςη λεισοτπγία
σηρ σάξηρ ΑΒ. Εδώ σο ςημείο λεισοτπγία Q σοποθεσείσαι
λίγο πιο πάνω από ση θέςη αποκοπήρ έσςι ώςσε να
βπίςκεσαι ςσο φαμηλόσεπο ςημείο σηρ γπαμμικήρ
πεπιοφήρ λεισοτπγίαρ. Με σον σπόπο ατσό σο πεύμα ςσον
ςτλλέκση είναι διάυοπο σοτ μηδενόρ για φπονικό
διάςσημα μεγαλύσεπο σοτ 50% σοτ κύκλοτ λεισοτπγίαρ.
◦ Ενιςφτσήρ σάξηρ Γ: ΢σοτρ ενιςφτσέρ ατσούρ οι ςτνθήκερ

πόλωςηρ είναι σέσοιερ ώςσε να τπάπφει πεύμα ςσην
έξοδο σοτ κτκλώμασορ για φπόνο λιγόσεπο σοτ 50% σοτ
κύκλοτ σοτ ςήμασορ ειςόδοτ ενώ για σο τπόλοιπο
διάςσημα σο σπανζίςσοπ είναι ςε αποκοπή. Σο
μεγαλύσεπο πλεονέκσημα σων ενιςφτσών σάξηρ Γ είναι η
μεγάλη απόδοςη ποτ μποπούν να έφοτν, ενώ σο
μειονέκσημά σοτρ είναι όσι η κτμασομοπυή σοτ ςήμασορ
ςσην έξοδο είναι ένσονα παπαμοπυωμένη.
 Σην ζρήκα θαίλεηαη έλα θύθισκα θνηλνύ εθπνκπνύ από ην βξόρν εηζόδνπ Β-Δ ν λόκνο ηνπ Kirchhoff
δίλεη:
VBB  IB  R B  I E  R E  VBE 
 R 
VBB   B  R E   IE  VBE 
 1 
VBB   R B     1  R E   I B  VBE
 Τειηθά έρνπκε:
VBE VBB
IB  
R B     1  R E R B     1  R E
 Η ζρέζε απηή εθθξάδεη ηε κεηαβνιή ηνπ ΙΒ σο ζπλάξηεζε ηεο VBE ζην πην θάησ ζρήκα θαίλεηαη ε
γξαθηθή παξάζηαζε ε επζεία θόξηνπ dc γηα ην βξόρν εηζόδνπ.
 Σην ζρήκα θαίλνληαη νη ζπληεηαγκέλεο ηνπ ζεκείνπ ηνκήο ηεο επζείαο θόξηνπ κε ηε ραξαθηεξηζηηθή
εηζόδνπ.
 Απηέο είλαη VBEQ =0,7V πεξίπνπ γηα Si θαη ην
ξεύκα ίζν κε IBQ
 Ο λόκνο ηνπ Kirchhoff δίλεη ζην θύθισκα
εμόδνπ δίλεη:
R 
VCC   E  R C   IC  VCE
  
 Τειηθά γηα ην ξεύκα έρνπκε
1 VCC
IC    VCE 
RC  RE RC  RE
 Η ζρέζε απηή εθθξάδεη ηε κεηαβνιή ηνπ ΙC σο ζπλάξηεζε ηεο VCE ζην πην θάησ ζρήκα θαίλεηαη ε
γξαθηθή παξάζηαζε ε επζεία θόξηνπ dc γηα ην βξόρν εμόδνπ.
 Αλ γξάςνπκε ην λόκν ηνπ Kirchhoff γηα ην βξόρν ζπιιέθηε – εθπνκπνύ (C-E) έρνπκε:
R 
VCC   E  R C   IC  VCE
  
 Τειηθά γηα ην ξεύκα έρνπκε
1 VCC
IC    VCE 
RC  RE RC  RE
 Η ζρέζε απηή εθθξάδεη ηε κεηαβνιή ηνπ ΙC σο ζπλάξηεζε ηεο VCE ζην πην πάλσ ζρήκα θαίλεηαη ε
γξαθηθή παξάζηαζε ηεο dc επζείαο θόξηνπ γηα ην βξόρν εμόδνπ θαη ηηο ραξαθηεξηζηηθέο εμόδνπ IC-VCE.
 Τν ζεκείν ηνκείο ηεο dc επζείαο θόξηνπ κε ηελ αληίζηνηρε θακπύιε ηνπ ξεύκαηνο ΙΒ πνπ έρεη
απνθαηαζηαζεί ζην βξόρν Β-Δ δίλεη ην ζεκείν ιεηηνπξγίαο Q ηνπ θπθιώκαηνο.
 Ο ζπληειεζηήο ηνπ ΙC είλαη ε dc αληίζηαζε ηνπ βξόρνπ C-E.
RE
R dc   R C  R dc  R E  R C

 Τα ζεκεία ηνκείο κε ηνπο άμνλεο είλαη :
 IC  0, VCE  VCC θαη ην ζεκείν ιεηηνπξγίαο είλαη ζηελ απνθνπή
VCC
 VCE  0, IC  θαη ην ζεκείν ιεηηνπξγίαο είλαη ζηνλ θόξν
RC  RE
 Από ηα ζηνηρεία εμόδνπ θαη ηελ εμίζσζε ηνπ βξόρνπ εηζόδνπ κπνξνύκε λα ππνινγίζνπκε ην ξεύκα IC
ιακβάλνληαο ππόςε όηη IC = IΔ θαη IΒ = IΔ /β έηζη έρνπκε:
VBB  VBE V  0, 7
IC   IC  BB
RB RB
 RE  RE
 
 Κύθισκα κε δηαηξέηε ηάζεο θαη απηνπόισζε εθπνκπνύ. Οη ηηκέο ησλ R1 θαη R2 θαζνξίδνπλ ην ξεύκα ΙΒ
 Έρνπκε
R 1  VCC R1  R 2
VTh  VB  RB 
R1  R 2 R1  R 2
R B  VCC θαη

R1  R B  VCC
1 B
V R2 
VCC VB
 Γηα ην θύθισκα ζα πξέπεη ην 10% ηνπ ξεύκαηνο εηζόδνπ λα πεξλά ζηε βάζε
 Έηζη
VBB  0, 7
 R B  0, 1  R E θαη
IC 
1.1  R E
 Σην θύθισκα απηό έρνπκε εθηόο ηεο dc πόισζεο θαη ac ζήκα ζηελ είζνδν, νη ππθλσηέο απνθόπηνπλ ηηο
dc ζπληζηώζεο. Γηα ην βξόρν εμόδνπ C-E έρνπκε γηα ην dc ηελ αληίζηαζε
R dc  R C  R E
 Δλώ γηα ην ac
R ac  R C  R L  R E
 Η DC επζεία θόξηνπ έρεη θιίζε -1/Rdc θαη ε AC επζεία θόξηνπ -1/Rac . Οη δύν επζείεο ηέκλνληαη ζην
ζεκείν ιεηηνπξγία Q ην νπνίν έρεη ζπληεηαγκέλεο (VCEQ, ICQ). Η DC επζεία είλαη
1 V
IC    VCE  CC
R dc R dc
 H γεληθή κνξθή ηεο ac επζεία θόξηνπ είλαη:
y  y1     x  x1 
 όπνπ
  1 R ac x  vCE y  iC
x1  VCEQ y1  ICQ
 Η AC επζεία θόξηνπ είλαη
1 V 
iC    vCE   CEQ  ICQ 
R ac  R ac 
 Με
VCEQ
iCmax   ICQ
R ac
vCEmax  VCEQ  ICQ  R ac
 Γηα Q ζην κέζνλ ηεο ac επζείαο θόξηνπ ζα

 Πξέπεη iCmax  2  ICQ έηζη
VCEQ VCC
ICQ   ICQ 
R ac R dc  R ac
VCC
 θαη VCEQ 
R
1  dc
R ac
 Α) Μελέηη κυκλώμαηος :
 Σηε κειέηε ησλ επηδόζεσλ θπθισκάησλ εληζρπηή θνηλνύ εθπνκπνύ ζε ac ιεηηνπξγία δεηνύληαη νη
ζπληεηαγκέλεο ηνπ Q (ICQ, VCEQ), νη dc θαη ac επζείεο θόξηνπ θαη νη απνιαβέο ξεύκαηνο θαη ηάζεο
δειαδή: v i
AV  o
Ai  o
vin iin
 Τα δεδνκέλα είλαη ηα ζηνηρεία ηνπ θπθιώκαηνο, δειαδή αληηζηάζεηο, ηάζεηο πόισζεο θαη β ηνπ
ηξαλδίζηνξ, ζηελ πεξίπησζε απηή από ηηο ζρέζεηο
R V R R VBB  VBE 1 VCC
RB  1 2 IC  IC    VCE 
VB  1 CC RB RC  RE RC  RE
R1  R 2 R1  R 2  RE

 Υπνινγίδνπκε ηα VB, RB θαη ηηο ζπληεηαγκέλεο ηνπ Q, ICQ, από ηελ εμίζσζε ηνπ IC , θαη ηελ VCEQ από
ηελ επζεία θόξηνπ. Σηε ζπλέρεηα ζρεδηάδνπκε ηηο dc θαη ac επζείεο θόξηνπ θαη πξνζδηνξίδνπκε ηε
κέγηζηε αξκνληθή δηαθύκαλζε ηεο ηάζεο εμόδνπ.
 Γηα Q πάλσ από ην κέζνλ ηεο ac επζείαο:
vomax(pp)  2  iC  R ac  vomax(pp)  2  (iCmax  ICQ )  R ac
 Γηα Q θάησ από ην κέζνλ ηεο ac επζείαο:
vomax(pp)  2  ICQ  R ac
 Β) Σχεδιαζμός κυκλώμαηος :
 Σηνλ ζρεδηαζκό θπθιώκαηνο εληζρπηή θνηλνύ εθπνκπνύ ζε ac ιεηηνπξγία ζπλήζσο δίλνληαη νη
ζπληεηαγκέλεο ηνπ Q αιιά πνιιέο θνξέο θαη θάπνηα κεγέζε ηνπ θπθιώκαηνο όπσο RL, VCC, VBE θαη β
θαη πξνζδηνξίδνληαη ηα R1, R2, RC ή RE έηζη έρνπκε ηηο πην θάησ πεξηπηώζεηο:
 i) Για Q ζηο μέζον ηης ac ευθείας από ηις εξιζώζεις:

VCC
VCEQ VCC VCEQ 
iCmax  2  ICQ ICQ   ICQ  VCEQ  CQ R ac R
1  dc
R ac R dc  R ac R ac
 Πξνζδηνξίδνπκε ηηο ζπληεηαγκέλεο ηνπ Q θαη από ηελ dc επζεία θόξηνπ ηελ ηηκή ηεο RC ή RE κε
δηπιαζηαζκό ησλ ICQ θαη VCEQ ηα ζεκεία ηνκείο ηεο ac κε ηνπο άμνλεο. Σηε ζπλέρεηα από ηηο πην θάησ
εμηζώζεηο ππνινγίδνπκε ηα ζηνηρεηά εηζόδνπ
R V VB  0, 7 R 
R1 
RB
R 2  B CC R B  0, 1  R E IC   VB  IC   B  R E   0, 7
V VB
RB
 RE   
1 B 
VCC
 Μέγηζηε αξκνληθή δηαθύκαλζε ηνπ ξεύκαηνο θαη ηεο ηάζεο εμόδνπ ζην ac γηα Q ζην κέζνλ ηεο ac
επζείαο θόξηνπ:
iC  icmax(pp)  2  ICQ vCE  vomax(pp)  2VCEQ
 ii) Αλ ην Q δελ είλαη ζην κέζνλ ηεο ac επζείαο έρνπκε ηηο ζπληεηαγκέλεο ηνπ Q, από ηηο πην θάησ ζρέζεηο
ππνινγίδνπκε ηα ζεκεία ηνκείο ηεο ac κε ηνπο άμνλεο
VCEQ
iCmax   ICQ vCEmax  VCEQ  ICQ  R ac
R ac
 Πιήξεο θύθισκα Ιζνδύλακν ζην dc

 Η αληίζηαζε εηζόδνπ είλαη ε αληίζηαζε πνπ θαίλεηαη κεηαμύ βάζεο – εθπνκπνύ θαη νξίδεηαη σο
 v be v r i
Ri    eb   e e  26
 ib ib ib όπνπ re  ε δπλακηθή αληίζηαζε δηόδνπ θαη ΙΔ ζε mA

 R i  re
Οιηθή αληίζηαζε εηζόδνπ

R 'i  R  re
 Η αληίζηαζε εμόδνπ όπσο θαίλεηαη από ηελ έμνδν είλαη

 R  
 Η αληίζηαζε εμόδνπ όπσο θαίλεηαη ιακβάλνληαο ππόςε θαη ην ζπιιέθηε είλαη
R '  R C
 Απνιαβή ηάζεο. Η ηάζε ζηελ έμνδν vo είλαη ίζε κε

vo  R C R L iC
 όπνπ veb vbe vi

iC  i    
re re re
 Έηζη
vi
vo  R C R L i C  R C R L  
re
vo R R v R R
   C L  o   ac   v   ac
vi re vi re re
 Απνιαβή ηάζεο σο πξνο ην ζήκα εηζόδνπ vs
v o v o vi R Ri
vs      ac 
vs vi vs re R i  R S
 Απνιαβή ξεύκαηνο
iL i' RC i RC
 'i   C  C 
ib ib R C  R L ib R C  R L
RC
  'i  
RC  RL
 Απνιαβή ξεύκαηνο σο πξνο ην ξεύκα ηεο πεγήο
iL ib iL RB
is     A 'i  
is is i b RB  Ri
RB RC
 is   
RB  Ri RC  RL
 Απνιαβή ξεύκαηνο
RC
 'i  
RC  RL
 Απνιαβή ηζρύνο είλαη
RC R
P  i v    ac
R C  R L re
 Η ηζρύο πνπ θαηαλαιώλεη ην ηξαλδίζηνξ ζην dc είλαη
P  ICQ VCEQ
 Η ηζρύο εμόδνπ κε ac ζήκα ζηελ είζνδν είλαη P  Ic Vce όπνπ Ιc θαη Vce νη rms ηηκέο πνπ εμαξηώληαη
από ην ζεκείν ιεηηνπξγίαο Q ηεο AC Δ.Φ.
◦ Α)Αλ ην Q πάλσ από ην κέζνλ ηεο AC Δ.Φ. έρνπκε
VCEQ VCEQ
 Vce   0, 707VCEQ θαη  c  0, 707
2 R ac
V 2CEQ
 έηζη P  Ic Vce  0, 5
R ac
◦ Β)Αλ ην Q θάησ από ην κέζνλ ηεο AC Δ.Φ. έρνπκε
 Vce  0, 707CQ R ac θαη Ic  0, 707CQ

 έηζη
P  Ic Vce  0, 5R ac  2CQ
◦ γ)Αλ ην Q ζην κέζνλ ηεο AC Δ.Φ. έρνπκε
Vce  0, 707VCEQ θαη Ic  0, 707CQ

έηζη
P  Ic Vce  0, 5VCEQ CQ
 Απόδοζη ενιζχυηή
 Ο ιόγνο ηεο κέγηζηεο ηζρύνο ζηελ έμνδν πξνο ηε DC πξνζθεξόκελε ηζρύ ζην θύθισκα νξίδεηαη σο
Απόδνζε Δληζρπηή, η.
 Γειαδή αλ ε DC πξνζθεξόκελε ηζρύ ζην θύθισκα είλαη
PDC  IC VCC
 Καη ε κέγηζηε ηζρύο εμόδνπ όηαλ ην Q είλαη ζην κέζνλ ηεο AC Δ.Φ.
P  Ic Vce  0, 5VCEQ CQ

 Τόηε έρνπκε
P 0, 5ICQ VCEQ 0, 5ICQ VCEQ
   
PDC ICQ VCC ICQ 2VCEQ
0, 5ICQ VCEQ
    0, 25 ή   25%
2ICQ VCEQ
 Μέρξη ζηηγκήο είδακε όηη ζηνπο εληζρπηέο θνηλνύ εθπνκπνύ πνπ κειεηήζακε κπνξνύκε λα έρνπκε
κέγηζηε απόδνζε ηζρύνο ίζε κε 25% γηα Q ζην κέζνλ ηεο AC Δ.Φ.
 Γηα λα έρνπκε κεγάιε εθκεηαιιεύζηκε ηζρύ ζην θνξηίν εμόδνπ ελόο θπθιώκαηνο ζα πξέπεη λα έρνπκε
κεγάιε έληαζε ξεύκαηνο εμόδνπ άξα κεγάιε απνιαβή ξεύκαηνο.
 Απηό κπνξνύκε λα ην πεηύρνπκε ζπλδένληαο ζην ζπιιέθηε έλα πελίν αληί γηα σκηθή αληίζηαζε. Τν
πελίν επηιέγεηαη έηζη ώζηε ζην ac λα πξνζεγγίδεη έλα αλνηρηό θύθισκα γηα ην ζήκα εηζόδνπ θαη γηα ην
dc λα είλαη έλα βξαρπθύθισκα.
 Απηό ζεκαίλεη όηη ε κηγαδηθή αληίζηαζε ηνπ πελίνπ ζα πξέπεη είλαη
 ΦL =σL >> RL αθόκε θαη ζε ρακειέο ζπρλόηεηεο ιεηηνπξγίαο
 ελώ εάλ ππάξρεη σκηθή αληίζηαζε ζα πξέπεη
 Rπ << RL θαη Rπ << RΔ
 Έηζη ζην θύθισκα έρνπκε
R dc  R C  R E  R dc  R E
 θαη
R ac  R C  R L  R E  R ac  R L
22
 Δπηιέγνπκε ην Q ζην κέζνλ ηεο ac επζείαο γηα κέγηζηε δηαθύκαλζε ηεο ηάζεο εμόδνπ. Οη ζπληεηαγκέλεο
ηνπ ζεκείνπ Q είλαη :
VCC
VCC VCEQ 
 CQ  R
R ac  R dc 1  dc
R ac
 Από ηηο πην πάλσ εμηζώζεηο έρνπκε

VCC
 CQ 
RL  RE
VCC RL
VCEQ   VCEQ  VCC 
R
1  RL  R
RL
 Δπεηδή ηζρύεη γεληθά όηη RE << RL έρνπκε ηειηθά
VCC
VCEQ  VCC  CQ 
RL
 Με βάζε ηα πην πάλσ γηα Q ζην κέζνλ ηεο AC Δ.Φ. ζα πξέπεη λα ηζρύεη όηη ζηελ AC Δ.Φ. ην VCEmax
VCEmax  2VCC
 Mε ηε ρξήζε ηνπ πελίνπ ζην ζπιιέθηε έρνπκε σο απνηέιεζκα ε κέγηζηε δηαθύκαλζε ηεο δηαθνξάο
δπλακηθνύ VCE λα είλαη ίζε κε ην δηπιάζην ηεο ηάζεο ηξνθνδνζίαο VCC. Απηό νθείιεηαη ζην γεγνλόο όηη
ην πελίν απνζεθεύεη ελέξγεηα ζην κηζό θύθιν ηνπ ζήκαηνο εηζόδνπ ελεξγώληαο σο δεύηεξε πεγή
ηξνθνδνζίαο ζε ζεηξά κε ηε VCC. Ο εληζρπηήο επαγσγηθήο ζύδεπμεο έρεη κεγαιύηεξε απόδνζε από ηε
κέγηζηε δπλαηή απόδνζε πνπ έρεη έλαο εληζρπηήο θνηλνύ εθπνκπνύ κε σκηθή αληίζηαζε ζην ζπιιέθηε.
 Η παξερόκελε ηζρύο από ηελ πεγή ηξνθνδνζίαο είλαη :
V 2CC
   VCC ICQ 
RL
Η κέζε ηζρύο ζην θνξηίν είλαη

I2 Lmax R L
L 
2 I2CQ R L VCQ
 Τν ΙLmax=ICQ γηαηί ην πελίν είλαη αλνηρηό θύθισκα ζην ac άξα L  επεηδή ICQ 
2 RL
V 2CEQ V 2CC
L   L 
2R L 2R L
 Ο ζπληειεζηήο απόδνζεο ηζρύνο είλαη ν ιόγνο ηεο κέζεο ηζρύνο ζην θνξηίν εμόδνπ πξνο ηελ
παξερόκελε ηζρύ από ηελ dc πεγή άξα 2
V CC
PL 2 R L 1
  2     0, 5 ή 50%
P V CC 2
RL
 Ο κεηαζρεκαηηζηήο ρξεζηκνπνηείηαη ζε θύθισκα εληζρπηή γηα ηε ζύδεπμε δύν εληζρπηηθώλ βαζκίδσλ

θπξίσο όηαλ πξόθεηηαη λα εληζρπζνύλ ζήκαηα πςειώλ ζπρλνηήησλ.
 Τα πιενλεθηήκαηα ηεο ρξήζεο θπθιώκαηνο εληζρπηή κε ζύδεπμε κεηαζρεκαηηζηή έρνπλ λα θάλνπλ:
◦ Με θαηάιιειε επηινγή ηνπ ιόγνπ ζπεηξώλ πξσηεύνληνο / δεπηεξεύνληνο κπνξνύκε λα έρνπκε
κεγάιε ελίζρπζε ξεύκαηνο ή ηάζεο ζην θνξηίν
◦ Φξήζε κεηαζρεκαηηζηή σο θίιηξν Band pass (δσλνπεξαηό) κε θαηάιιειε επηινγή ηνπ πιήζνπο ησλ
ζπεηξώλ ζηα πελία κπνξεί λα ζπληνληζηεί ζηελ θαηάιιειε ζπρλόηεηα.
N2
 Η ηάζε ζην δεπηεξεύνλ είλαη
v 2  v1 
N1
N1
i 2  i1 
 Τν ξεύκα γηα λα δηαηεξείηαη ε ηζρύο είλαη N2
2
Γηαηξώληαο θαηά κέιε έρνπκε
N 
 2  1  2 
 N1 
 Σην πην θάησ ζρήκα θαίλεηαη έλαο ηππηθόο εληζρπηήο ζε ζπλδεζκνινγία θνηλνύ ζπιιέθηε κε ζύδεπμε
θνξηίνπ κέζσ κεηαζρεκαηηζηή θαζώο θαη νη
 αληίζηνηρεο dc θαη αc επζείεο θόξηνπ.
 Η Rdc εμαξηάηαη από ηελ αληίζηαζε ηνπ πξσηεύνληνο ηνπ
 κεηαζρεκαηηζηή ε νπνία είλαη πνιύ κηθξή.
 Αξα ε Rdc είλαη πνιύ κηθξή.
 Απηό έρεη σο απνηέιεζκα ε θιίζε ηεο dc Δ.Φ. 1

 λα είλαη πνιύ κεγάιε. R 
 Η Rac εμαξηάηαη από ηελ ηζνδύλακε αληίζηαζε πνπ θαίλεηαη από ηνλ εθπνκπό
2 2
N  N 
2  1  2   1   2  1  
 N1   N2 
 R ac   2 R L
 Οπόηε γηα Q ζην κέζνλ ηεο ac Δ.Φ. έρνπκε
VCC V
 CQ   2 CC
R dc  R ac  R L
26
 Σηε ζπλδεζκνινγία θνηλνύ εθπνκπνύ γηα ην ζρεδηαζκό θπθισκάησλ κε επζηάζεηα ζηε ιεηηνπξγία ηνπο
ζεσξνύκε όηη
R B  0, 1R E
 Σηε ζπλδεζκνινγία θνηλνύ ζπιιέθηε ν ππνινγηζκόο ηεο RB γίλεηαη από ηνλ πεξηνξηζκό γηα επηζπκεηή
απνιαβή ξεύκαηνο Αi ή γηα θαζνξηζκέλε Rin . Σηνλ θύθισκα θνηλνύ ζπιιέθηε ε απνιαβή ηάζε Av =1.
 Υπολογιζμός ηου ζυνηελεζηή απόδοζης ιζχύος ενιζχυηή με ζύζευξη μέζω μεηαζχημαηιζηή.
 Η παξερόκελε ηζρύο ζην θύθισκα από ηελ dc πεγή είλαη
V 2CC
   VCC ICQ  2
 R L
 Θεσξνύκε όηη ε ηζρύο πνπ θαηαλαιώλεηαη ζην δηθηύσκα πόισζεο είλαη ακειεηέα.
 Η κέγηζηε κέζε ηζρύο πνπ κεηαθέξεηαη ζην θνξηίν γηα εκηηνλνεηδή είζνδν είλαη
V 2 Lmax όπνπ N 1 V 2C

  VL  VCC  2  VCC  άξα  
2R L N1  2 2 R L
 Έηζη
V 2CC
P 2 2 R L 1
     0, 5 ή 50%
P V 2CC 2
 2R L
 Σην εληζρπηή κε ζύδεπμε κεηαζρεκαηηζηή βιέπνπκε όηη ππάξρνπλ παξόκνηα ραξαθηεξηζηηθά κε απηά
ηνπ εληζρπηή κε επαγσγηθή ζύδεπμε. Καη ζηηο δύν πεξηπηώζεηο ν ζπληειεζηήο απόδνζεο ηζρύνο είλαη
ίζνο κε 50%
 Σηελ θιαζηθή ζπλδεζκνινγία θνηλνύ ζπιιέθηε ε απνιαβή ηάζε είλαη Av =1, εδώ βιέπνπκε όηη ν ιόγνο
ζπεηξώλ ηνπ κεηαζρεκαηηζηή θαζνξίδεη ηελ απνιαβή ηάζεο ζην θνξηίν.
 Ο εληζρπηήο θνηλνύ ζπιιέθηε κε ζύδεπμε κεηαζρεκαηηζηή έρεη ην πιενλέθηεκα όηη κπνξεί λα
ρξεζηκνπνηεζεί γηα ηελ πξνζαξκνγή ζύλζεησλ αληηζηάζεσλ.
 Γηα λα κπνξέζνπκε λα πεξηνξίζνπκε ηηο απώιεηεο ηεο ηζρύνο ζην ζπιιέθηε κπνξνύκε λα πνιώζνπκε ηνλ
εληζρπηή ζε "απνθνπή", δει. θάλνληαο ηνλ εληζρπηή κε αγώγηκν γηα κεδεληθό ζήκα ζηελ είζνδν. Σηελ
πεξίπησζε απηή γηα εκηηνληθό ζήκα εηζόδνπ ην ηξαλδίζηνξ άγεη κόλν θαηά ην κηζό ηνπ ζήκαηνο
εηζόδνπ. Καηά ηε δηάξθεηα ηνπ άιινπ κηζνύ ην ηξαλδίζηνξ είλαη ζε απνθνπή θαη δελ άγεη, δει.
ιεηηνπξγεί ζε ηάμε Β. Τν ζρήκα δείρλεη ηελ θπκαηνκνξθή γηα ιεηηνπξγία ζε ηάμε Β ζε ζύγθξηζε κε ηελ
ηάμε Α.
 Τα θπθιώκαηα πνπ αθινπζνύλ είλαη θπθιώκαηα εληζρπηήο push-pull θνηλνύ εθπνκπνύ
 Γηα λα δνύκε ηε ιεηηνπξγία ηνπ εληζρπηή push-pull θνηλνύ εθπνκπνύ αο εμεηάζνπκε ηε ιεηηνπξγία ελόο
κόλν ηξαλδίζηνξ όπσο θαίλεηαη ζην πην θάησ θύθισκα
33
Αναςύζετξη ή Ανάδπαςη είναι σο υαινόμενο εκείνο ςσο οποίο μέπορ
σοτ ςήμασορ εξόδοτ επιςσπέυεσαι ςσην είςοδο σοτ ενιςφτσή.
Τπάπφοτν σα πιο κάσω είδη ανάδπαςηρ:
Απνησική Ανάδπαςη έφοτμε όσαν μέπορ σοτ ςήμασορ έξοδο

επιςσπέυει ςσην είςοδο, με σην κασάλληλη ςτνδεςμολογία και με
σέσοιο σπόπο ώςσε σο ςήμα ανάδπαςηρ να αυαιπείσαι από σο απφικό
ςήμα ειςόδοτ ςσον ενιςφτσή.
Θεσική Ανάδπαςη έφοτμε όσαν σο ςήμα ανάδπαςηρ επιςσπέυει ςσην

είςοδο αλλά πποςσίθεσαι ςσο απφικό ςήμα ειςόδοτ.
Απνησική Ανάδπαςη φπηςιμοποιούμε ςσοτρ Ενιςφτσέρ και Θεσική ςσοτρ

σαλανσωσέρ
και ςε κτκλώμασα ςτγκπισή Smith Trigger.
Όσαν φπηςιμοποιούμε Απνησική Ανάδπαςη ςσοτρ ενιςφτσέρ πεστφαίνοτμε

σα παπακάσω.
1. Αύξηςη σηρ ςσαθεπόσησαρ κέπδοτρ σοτ ενιςφτσή. ( σο κέπδορ δεν
εξαπσάσαι από σιρ παπαμέσποτρ σοτ σπανζίςσοπ).
2. Μείωςη σηρ παπαμόπυωςηρ ςσο ςήμα εξόδοτ. (λεισοτπγία ςση
γπαμμική πεπιοφή).
3. Επέκσαςη σοτ εύποτρ ζώνηρ ςτφνοσήσων. (Band Width).
4. Μείωςη σοτ θοπύβοτ ( Θόπτβορ = Θεπμικόρ από σα εξαπσήμασα σοτ
κτκλώμασορ, ηλεκσπικέρ διασαπαφέρ).
5. Μείωςη ή αύξηςη σηρ Ανσίςσαςηρ Ειςόδοτ σοτ ενιςφτσή.
6. Μείωςη ή αύξηςη σηρ Ανσίςσαςηρ Εξόδοτ σοτ ενιςφτσή
Ανασύζευξη ή Ανάδραση είναι το φαινόμενο εκείνο στο οποίο μέρος του
σήματος εξόδου επιστρέφεται στην είσοδο του ενισχυτή.
Υπάρχουν τα πιο κάτω είδη ανάδρασης:
Αρνητική Ανάδραση έχουμε όταν μέρος του σήματος έξοδο επιστρέφει στην
είσοδο, με την κατάλληλη συνδεσμολογία και με τέτοιο τρόπο ώστε το σήμα
ανάδρασης να αφαιρείται από το αρχικό σήμα εισόδου στον ενισχυτή.
Θετική Ανάδραση έχουμε όταν το σήμα ανάδρασης επιστρέφει στην είσοδο

αλλά προστίθεται στο αρχικό σήμα εισόδου.
Ενισχυτής χωρίς ανάδραση
Απολαβή Ενισχυτή
Α
Vin Αν
Vout
Vin V’in V’out

Απολαβή Ενισχυτή
Αν
Ενισχυτής με ανάδραση
βfV’out
Βρόχος
Ανάδρασης
βf
Αρνητική Ανάδραση χρησιμοποιούμε στους Ενισχυτές και Θετική στους ταλαντωτές
και σε κυκλώματα συγκριτή Smith Trigger.
Όταν χρησιμοποιούμε Αρνητική Ανάδραση στους ενισχυτές πετυχαίνουμε τα

παρακάτω.
1. Αύξηση της σταθερότητας κέρδους του ενισχυτή. ( το κέρδος δεν εξαρτάται από
τις παραμέτρους του τρανζίστορ).
2. Μείωση της παραμόρφωσης στο σήμα εξόδου. (λειτουργία στη γραμμική
περιοχή).
3. Επέκταση του εύρους ζώνης συχνοτήτων. (Band Width).
4. Μείωση του θορύβου ( Θόρυβος = Θερμικός από τα εξαρτήματα του
κυκλώματος, ηλεκτρικές διαταραχές).
5. Μείωση ή αύξηση της Αντίστασης Εισόδου του ενισχυτή.
6. Μείωση ή αύξηση της Αντίστασης Εξόδου του ενισχυτή
Ένας σημαντικός αριθμός ενισχυτικών κυκλωμάτων βασίζονται σε μια από

τις βασικότερες μονάδες των σύγχρονων ηλεκτρονικών. Η μονάδα αυτή
ονομάζεται τελεστικός ενισχυτής (operational amplifier ή, συντομευμένα,
op-amp). To «τελεστικός» (operational) πηγάζει από το γεγονός ότι αυτός
ο ενισχυτής, αρχικά χρησιμοποιούταν στους αναλογικούς υπολογιστές για
να εκτελεί μαθηματικές πράξεις, όπως πρόσθεση, αφαίρεση, ολοκλήρωση,
παραγώγιση, κ.α.
Ο τελεστικός ενισχυτής έχει δύο εισόδους και μία έξοδο. Απαιτούνται επίσης
δύο επιπλέον ακροδέκτες για την τροφοδοσία του.
Ο τελεστικός ενισχυτής ενισχύει και επεξεργάζεται τη διαφορά των σημάτων
που εφαρμόζεται στις δύο εισόδους και γι' αυτό το λόγο λέμε ότι ο
τελεστικός ενισχυτής έχει διαφορική είσοδο. Επειδή ο τελεστικός ενισχυτής
επεξεργάζεται τη διαφορά των σημάτων των εισόδων πρέπει ο χρήστης να
γνωρίζει ποίο σήμα αφαιρείται από ποιο. Γι' αυτό το λόγο οι είσοδοι
ξεχωρίζουν μεταξύ τους με τα σημεία (+), που συμβολίζει τη λεγόμενη μη-
αναστρέφουσα είσοδο και (-), που συμβολίζει τη λεγόμενη αναστρέφουσα
είσοδο
Χαρακτηριστικά του Ιδανικού Τ.Ε.
 Αντίσταση εισόδου Rin→∞: Ορίζεται ως το πηλίκο της τάσης, σήματος, η
οποία εφαρμόζεται στην είσοδο, προς το ρεύμα το οποίο αυτή επάγει.
 Αντίσταση εξόδου Ro→ 0: Ορίζεται από το κατά Thevenin κύκλωμα
εξόδου, δηλαδή είναι η αντίσταση η οποία συνδέεται σε σειρά με τη
«γεννήτρια» σήματος εξόδου.
 Απολαβή τάσης ανοιχτού βρόχου G →∞ : Ορίζεται ως το πηλίκο της
τάσης εξόδου προς τη διαφορά των τάσεων των εισόδων.
 Απόκριση συχνότητας ή εύρος ζώνης →∞ : Ορίζει την εξάρτηση της
απολαβής από τη συχνότητα και καθορίζει την περιοχή συχνοτήτων (εύρος
ζώνης) στην οποία ο τελεστικός ενισχυτής
είναι πρακτικά χρήσιμος.
Πραγματικός Τελεστικός Ενισχυτής
Ο πραγματικός τελεστικός ενισχυτής είναι αυτός που χρησιμοποιείται στην πράξη.

Είναι συνήθως ένα ολοκληρωμένο κύκλωμα, το οποίο λέγεται και μονολιθικό,
επειδή είναι εξ ολοκλήρου κατασκευασμένο σε μια ψηφίδα πυριτίου, στην οποία
δεν είναι δυνατός ο διαχωρισμός των επιμέρους στοιχείων.
Οι σημαντικότερες χαρακτηριστικές παράμετροι ενός πραγματικού Τελεστικού
ενισχυτή είναι:
 Το ρεύμα πόλωσης εισόδων IB . Αυτό ισούται με το ημιάθροισμα των
ρευμάτων πόλωσης των δύο εισόδων του Τελεστικού.
Πραγματικός Τελεστικός Ενισχυτής
 Το ρεύμα αποστάθμισης εισόδων I0. Αυτό ισούται με τη διαφορά των
ρευμάτων πόλωσης των δύο εισόδων.
 Η τάση αποστάθμισης εισόδου V0. Εκφράζεται από το μετρό της τάσης που
πρέπει να εφαρμοστεί μεταξύ των εισόδων για να μηδενιστεί η τάση εξόδου.
 Ο λόγος απόρριψης κοινού τρόπου (CMRR). Μετράται από την απολαβή
τάσης που εκδηλώνεται όταν ένα σήμα εφαρμόζεται ταυτόχρονα και στις δύο
εισόδους. Δηλαδή, εκφράζει έμμεσα το κατά πόσο απέχει ο τελεστικός ενισχυτής
από τη συνθήκη VO=0 όταν V+=V-
 Ο ρυθμός μεταβολής της τάσης εξόδου. Δηλώνει τη μεγίστη ταχύτητα με την
οποία μπορεί να μεταβάλλεται η τάση εξόδου.

Ηλεκτρονικά Ι ΠΑΝΑΓΙΩΤΑ ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΥ ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας Και Θράκης

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ηλεκτρονικά Ι ΠΑΝΑΓΙΩΤΑ ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΥ ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας Και Θράκης

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι

ΤΕΙ Ανατολικής Μακεδονίας και

1. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΝΔΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

 Όταν τα άτομα πυριτίου συνδυάζονται για να σχηματίσουν στερεό,

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1Ο : ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

1. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΝΔΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

 Σε έναν ημιαγωγό η συγκέντρωση (αριθμός/κυβικό εκατοστό) των ελεύθερων ηλεκτρονίων και

2. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΞΟΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

 Οι ημιαγωγοί τύπου Ν δημιουργούνται όταν σε ένα ημιαγωγό όπως το πυρίτιο ή το γερμάνιο

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1Ο : ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1Ο : ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

2. ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΔΟΜΗ. ΕΞΩΓΕΝΕΙΣ ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

 Οι ημιαγωγοί τύπου Ρ δημιουργούνται όταν σε ένα ημιαγωγό όπως, το πυρίτιο ή το γερμάνιο,

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1Ο : ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 1Ο : ΗΜΙΑΓΩΓΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

2. ΑΝΑ΢ΣΡΟΦΗ ΚΑΙ ΠΡΟ΢ ΣΑ ΠΡΟ΢Ω (ΟΡΘΗ) ΠΟΛΩ΢Η

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

2. ΑΝΑ΢ΣΡΟΦΗ ΚΑΙ ΠΡΟ΢ ΣΑ ΠΡΟ΢Ω (ΟΡΘΗ) ΠΟΛΩ΢Η

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

3. ΥΑΡΑΚΣΗΡΙ΢ΣΙΚΗ ΡΔΤΜΑΣΟ΢ –ΣΑ΢Η΢ ΠΟΛΩ΢Η΢ (I-V)

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

4. ΔΤΘΔΙΑ ΦΟΡΣΟΤ ΚΤΚΛΩΜΑΣΟ΢ ΓΙΟΓΟΤ

I-V ηεο δηόδνπ ζην ζεκείν Q. Σν Q έρεη ηέηνηεο

΢πληεηαγκέλεο ώζηε λα ηθαλνπνηείηαη ηόζν ε επζεία

Φόξηνπ όζν θαη ε εμίζσζε Shockley

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

4. ΔΤΘΔΙΑ ΦΟΡΣΟΤ ΚΤΚΛΩΜΑΣΟ΢ ΓΙΟΓΟΤ

D (t)  VDD  s (t)

iD ( t )  I s eυD / VT  I s e(VD υd ) / VT 

 Η δπλακηθή αληίζηαζε ηεο δηόδνπ rd είλαη

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

4.1 Κςκλωμαηική ΢ςμπεπιθοπά Γιόδων

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

4.1 Κςκλωμαηική ΢ςμπεπιθοπά Γιόδων

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

5. ΓΙΟΓΟ΢ ZENER ΢ΣΑΘΔΡΟΠΟΙΗΣΗ΢ ΣΑ΢Η΢

(VSMIN  VZ )  (I ZMAX  ILMIN )  (VSMAX  VZ )  (I ZMIN  ILMAX )

ILMIN  (VZ  VSMIN )  I LMAX  (VSMAX  VZ )

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

6. ΑΛΛΑ ΔΙΓΗ ΓΙΟΓΩΝ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

6. ΑΛΛΑ ΔΙΓΗ ΓΙΟΓΩΝ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

 ΢ην θύθισκα απηό όηαλ ν αθξνδέθηεο Α είλαη ζεηηθόηεξνο ηνπ Β

πεξίπησζε ε δίνδνο είλαη αλάζηξνθα πνισκέλε θαη έηζη ζην θύθισκα

δελ θπθινθνξεί ξεύκα.

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΔΚΣΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 2Ο : ΔΙΟΔΟΙ

ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ Ι ΚΕΦΑΛΑΙΟ 3Ο : ΔΙΠΟΛΙΚΟ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ

ΑΝΑΛΥΣΗ ΚΥΚΛΩΜΑΤΟΣ ΚΟΙΝΟΥ ΕΚΠΟΜΠΟΥ – ΜΕΛΕΤΗ DC ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ