Tr­êng §h B¸ch khoa Hµ Néi

ViÖn VËt lý Kü thuËt

ĐỀ THI CUỐI KỲ 20201

MÔN THI: CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ (PH4071)
(Lớp VLĐT & CN nano K63C, Mã lớp thi:130130, thời gian 90 phút)
ĐỀ SỐ 2
Được sử dụng tài liệu

Câu 1 (1.5 điểm): Trong phương pháp kéo đơn tinh thể. Phân bố tạp phụ thuộc vào khối lượng
chất lỏng đã kết tinh theo công thức sau:
k 1
 0
C S  k0C 0 1  
M k 1
  k0C 0 1  x  0
 M 
0

trong đó, M0 là khối lượng chất ban đầu trong nồi nung; C0 là nồng độ tạp chất ban đầu trong nồi
nung;k0 là hệ số phân tách của tạp trong silic; M là khối lượng chất lỏng đã kết tinh thành thỏi;
x=M/M0 là tỉ số giữa phần đã kết tinh trên toàn bộ khối lượng ban đầu.
Một thỏi đơn tinh thể sililc pha tạp bo được kéo từ dung dịch nóng chảy theo phương pháp
Czochralski. Thỏi silic được cưa cắt thành phiến. Phiến silic cắt ở đầu thỏi có nồng độ Bo là 3×1015
cm-3 (x=0). Hãy đánh giá nồng độ tạp của phiến cắt ở vị trí ứng với 60% thỏi (x=0,6) biết hệ số
phân tách của bo trong silic là k0 = 0.8.

Câu 2 (2.0 điểm): Người ta cấy B11 với năng lượng 40 keV vào đế silic, liều cấy là 5.1012 cm-2.
(a) Tính chiều sâu tại đó nồng độ B là cực đại.
(b) Tính nồng độ cực đại.

Câu 3 (2.0 điểm): Các nguyên tử F ăn mòn Si và SiO2 với tốc độ được xác định lần lượt theo các
công thức sau:
RetcSi nm/min   2,86 1013 nF T 1/2e EaSi / RT
 EaSiO2 / RT
RetcSiO2 nm/min   0,6141013 nF T 1/2 e
trong đó nF là nồng độ nguyên tử F (cm-3), T là nhiệt độ (K), Ea-Si là năng lượng hoạt hoá Si (2,48
kcal/mol), Ea-SiO2 là năng lượng hoạt hoá SiO2 (3,76 kcal/mol), và R là hằng số khí (1,987 cal.K =
8,34 J/mol.K). Với nF = 3×1015 cm-3, hãy tính Retc cho Si, SiO2, và độ chọn lọc giữa SiO2 và Si ở
nhiệt độ phòng.

Câu 4 (1.5 điểm): Giai đoạn tiền khuếch tán phôtpho vào Si được tiến hành ở 1000oC với nồng độ
giới hạn bởi độ hoà tan rắn, thời gian 20 phút. Sau đó bề mặt Si được che phủ và khuếch tán vào
được thực hiện tại 1100oC. Tính thời gian khuếch tán vào cần thiết để có chiều sâu chuyển tiếp là
4,0 µm. Giả thiết nồng độ đế là 1017 cm-3. Tính nồng độ bề mặt sau khi khuếch tán vào?

Câu 5 (3.0 điểm): (a) Tại sao cần cách điện giữa linh kiện trong các vi mạch. Trong công nghệ
lưỡng cực silic, có những kỹ thuật cách điện nào?
(b) Trình bày quy trình chế tạo (sơ đồ khối) transistor npn trong trường hợp cách điện bằng oxide
như trong hình sau từ đế silic loại p (p-Silic);
 ------------------ Hết -------------------
Cán bộ coi thi không giải thích gì thêm.