You are on page 1of 11

SEMINARSKI RAD IZ ANALITIČKE HEMIJE U FARMACEUTSKOJ PRAKSI

Tema: Primjena voltometrijskih tehnika u analizi realnih uzoraka

Mentor: Prof. dr VesnaVukašinović-Pešić  Studenti: Tamara Prijović 48/16


Andrijana Vuksanović 51/16

Podgorica, novembar 2022.godine


Sadržaj

Uvod ………………………………………………………………………………………3-6
Uslovi koji utiču na bizmutski film formiranog na stakleni ugljenik ……………………. 6-9
Selektivnost ……………………………………………………………………………… 9-10
Zaključak ………………………………………………………………………………… 10
Reference ………………………………………………………………………………… 11

2
1.Uvod

Voltametrija predstavlja grupu elektroanalitičkih metoda u kojima se informacija o analitu dobija iz


mjerenja zavisnosti struja u funkciji napona (I = f (U)) [1]. Termin voltametrija je izveden iz
voltamperometrije i izražava da se struja mjeri kao funkcija napona, odnosno potencijala elektrode. Pošto
su svakoj elektrohemijskoj ćeliji potrebne dve elektrode, bilo bi nemoguće izvući nedvosmislene
analitičke informacije, ako bi obe elektrode određivale veličinu struje koja teče. Zbog toga je jedna
elektroda napravljena mnogo manja od druge, tako da je struja koja teče ograničena samo ovom
elektrodom. Ova elektroda se naziva radna elektroda, a druga (veća) elektroda se naziva pomoćna
elektroda [2]. U voltametriji su opisani efekti primenjenog potencijala i ponašanje redoks struje po
nekoliko poznatih zakona. Primenjeni potencijal kontroliše koncentracije redoks vrsta na površini
elektrode i brzinu reakcije. Kako je opisano Nernst ili Butler-Volmer jednačinama, respektivno. U
slučajevima kada difuzija igra kontrolnu ulogu, struja koji je rezultat redoks procesa (poznatog kao
faradejeva struja) povezan je sa fluksom materijala na interfejs elektroda-rastvor i opisan je Fikovim
zakonom. Međusobna igra između ovih procesa je odgovoran za karakteristike uočene u
voltamogramima različitih tehnika. Za reverzibilnu elektrohemijsku reakciju (tj. reakciju tako brzu da se
ravnoteža uvijek ponovo uspostavlja kako se promijene prave) koja se može opisati say O + ne – Û R
primjena potencijala E primorava odgovarajuće koncentracije O i R na površini elektrode (tj. cO 0 i cR0)
do odnosa u skladu sa Nernstom jednačinom:

E= E0 – RT/Nf ln CR0 / CO0

gdje je R molarna gasna konstanta (8,3144 J mol–1K–1), T je apsolutna temperatura (K), n je broj
prenijetih elektrona, F = Faradejeva konstanta (96,485 C/ekviv.), i E 0 je standardni potencijal
redukcije za redoks par. Osnovne komponente savremenog elektroanalitičkog sistema za voltametriju
su potenciostat, računar i elektrohemijska ćelija (slika 1) [1].

Slika 1. Blok dijagram glavnih komponenti elektroanalitičkog sistema za izvođenje voltametrije


analiza.

Iako su elektrohemijskoj ćeliji potrebne samo dvije elektrode za rad, veoma je korisno uvesti treću
elektrodu, ova treća elektroda je referentna elektroda, odnosno elektroda koja ima poznati i fiksni
potencijal elektrode. Nijedna struja nikada ne bi trebalo da prođe ovu elektrodu, jer bi struja
promenila njen potencijal i eventualno oštetila ovu elektrodu. Referentna elektroda se koristi za
kontrolu potencijala radne elektrode merenjem napona između ove dve elektrode. Ćelija sa radnom
elektrodom (VE), pomoćnom elektrodom (AE) i referentnom elektrodom (RE) naziva se ćelija sa tri
elektrode (slika 2). Razlika potencijala na interfejsu elektrolit/elektroda radne elektrode kontroliše se

3
uz pomoć potenciostata. Većina potenciostata koristi povratno kolo koje primenjuje takav napon
između pomoćne i radne elektrode, da potencijal radne elektrode tačno odgovara vrednosti koju treba
da ima. Obično je radna elektroda uzemljena, tako da se u stvari kontroliše potencijal rastvora [2].
Zadatak primjene poznatog potencijala i praćenja struje pada na potenciostat (slika 2) [2]. Najviše
potenciostati koji se danas široko koriste se sastavljaju od diskretnih operacionih pojačala sa
integrisanim kolom i drugi digitalni moduli. U mnogim slučajevima, posebno kod većih instrumenata,
paket potenciostata takođe uključuje elektrometarska kola, A/D i D/A pretvarače i namenske
mikroprocesore sa memorijom. Jednostavno potenciostatsko kolo za ćeliju sa tri elektrode sa tri
operaciona pojačala (OA) je prikazano na slici 37.2. Izlaz OA-1 je povezan sa kontra elektrodom sa
povratnom spregom na sopstvenu invertujući ulaz kroz referentnu elektrodu. Ova povratna
informacija smanjuje razliku između invertujući i neinvertujući ulazi OA-1 i uzrokuje da referentna
elektroda preuzme isti potencijal kao Ein OA-1. Pošto je razlika potencijala između radne elektrode i
referentne elektrode nula, radna elektroda je podešena na isti potencijal kao primenjen na OA-1 ulaz.
Sa referentnom elektrodom povezanom na Ein preko visoke impedanse OA-3, struja mora protok kroz
kontra elektrodu. Protok struje kroz referencu ne samo da je nepoželjan zbog njegovog većeg otpora,
već bi na kraju prouzrokovao da njegov potencijal postane nepouzdan. Uz upotrebu elektroda veličine
mikrona, struje su u opsegu piko do nanoampera, i stoga se često koriste dve elektrode (tj. brojač i
referentna su vezani zajedno). An OA deluje kao pretvarač struje u napon (OA-2) obezbeđuje izlazni
signal za A/D pretvarač. Većina voltametrijskih tehnika je dinamična (to jest, zahtevaju moduliran
potencijal prema na neki unapred definisan talasni oblik). Precizna i fleksibilna kontrola primenjenog
potencijala je kritična funkcija potenciostata. U ranim analognim instrumentima, linearno skeniranje
je značilo upravo to, kontinuirano linearno promjena potencijala sa jedne unaprijed postavljene
vrijednosti na drugu. Od pojave digitalne elektronike skoro sve potenciostati rade na digitalni
(inkrementalni) način. Dakle, primena linearnog skeniranja je zapravo primjena modulisanog
potencijala „stepenice“ sa dovoljno malim koracima da bude ekvivalentna analognom slučaju. Nije
iznenađujuće što je digitalna izrada primenjenog potencijala otvorila potpuno novo područje pulsne
voltametrije, koja daje brze eksperimente i povećanu osjetljivost [1].

Slika2. Šema troelektrodnog elektrohemijskog mjerenja

Interfejs elektronskog provodnika i rastvora formira kondenzator jer se naelektrisanje može


akumulirati sa obje strane. Strana elektronskog provodnika može biti naelektrisana negativno
akumulacijom elektrona i pozitivno deficitom elektrona. Strana rastvora može biti napunjena viškom
anjona ili katjona. Pored jona, dipolni molekuli rastvarača mogu da se orijentišu na interfejsu i daju
dodatni doprinos akumuliranom naelektrisanju. Zbog kapacitivnih svojstava, interfejs se naziva i
elektrohemijski dvostruki sloj (EDL). Na slici 3 prikazana je pojednostavljena šema za slučaj metalne
elektrode u kontaktu sa rastvorom elektrolita. Sljedeće karakteristike su važne: (a) na samom
interfejsu nalazi se sloj adsorbovanih i orijentisanih dipolnih molekula rastvarača. (b) Solvatirani
katjoni mogu pristupiti interfejsu samo do minimalne fiksne udaljenosti, takozvane spoljne
Helmholcove ravni. (c) Neki anjoni mogu specifično da se adsorbuju na interfejsu. Ravan koja prolazi
kroz centre specifično adsorbovanih anjona naziva se unutrašnja Helmholcova ravan. (d) U difuznom

4
sloju, višak naelektrisanja koji kompenzuje naelektrisanje na metalnoj strani se raspada prema
zapremini rastvora, jer se broj katjona i anjona menja na takav način da se njihova naelektrisanja
kompenzuju. (U slučaju jediničnih naelektrisanja, to se dešava za jednak broj katjona i anjona). U
stvarnosti, struktura EDL-a je komplikovanija, sa obe strane; međutim, za razumevanje
elektroanalitičkih metoda, ovo je od manjeg značaja. Potencijal varira u EDL linearno unutar
kompaktnog sloja i sve do spoljašnje Helmholcove ravni. Zatim se eksponencijalno raspada u
difuznom sloju. Ovo je važno, jer izvan EDL-a nema električnog polja koje nastaje iz naelektrisane
elektrode, odnosno van EDL-a na jone ne utiče potencijal elektrode, pa se ne može desiti migracija.
Difuzni sloj je rezultat toplotne energije sistema, koja sprečava da se joni rasporede na fiksnoj
udaljenosti od metala, ali donekle randomizira njihov položaj. Električno polje deluje da fiksira njihov
položaj, ali toplotno kretanje suprotstavlja ovoj fiksaciji. Debljina EDL zavisi prvenstveno od broja
jona po zapremini rastvora (tj. njihove koncentracije), naelektrisanja jona i od gustine naelektrisanja
na strani metala, odnosno od potencijala elektrode. Dielektrična konstanta rastvora je treći faktor.
Dielektrična konstanta varira u EDL-u, zbog neslučajne orijentacije dipola. Pri određenom
potencijalu, nema viška naelektrisanja ni na jednoj strani EDL-a. Ovaj potencijal se naziva „potencijal
nultog naelektrisanja“ (pzc). Zavisi od metala, rastvarača i prirode i koncentracije elektrolita [2].

Slika 3. Šema elektrohemijskog dvostrukog sloja.

Što se tiče samih elektroda i ćelije, tipična elektrohemijska ćelija se sastoji od uzorka rastvorenog u
rastvaraču, jonskog elektrolita i tri (ili ponekad dve) elektrode. Ćelije (tj. držači uzoraka) dolaze u
različitim veličinama, oblicima, i materijala. Tip koji se koristi zavisi od količine i vrste uzorka,
tehnike i analitičkih podataka koje treba dobiti. Materijal ćelije (staklo, teflon, polietilen) je odabran
tako da se minimizira reakcija sa uzorkom. U većini slučajeva referentna elektroda treba da bude što
je moguće bliže radna elektroda; u nekim slučajevima, da bi se izbegla kontaminacija, možda će biti
potrebno postaviti referencu elektroda u posebnom odeljku [1]. Referentna elektroda treba da
obezbijedi reverzibilnu polu-reakciju sa Nernstovim ponašanjem, da bude konstantna tokom vremena
i da bude laka za sklapanje i održavanje. Najčešće korišćeni referentne elektrode za vodene rastvore
su kalomel elektroda, sa potencijalom determinisanim reakcija Hg2Cl2 (s) + 2e– = 2Hg(l) + 2Cl–

5
i srebro/srebrohlorid elektroda (Ag/AgCl), sa potencijal određen reakcijom AgCl(s) + e– = Ag(s) +
Cl–
Ove elektrode su komercijalno dostupne u različitim veličinama i oblicima. Dok kontra elektrode u
većini voltametrijskih tehnika analitičke reakcije na površinama elektroda se dešavaju u veoma
kratkim vremenskim periodima i rijetko izazivaju bilo kakve značajne promene u zapreminskim
koncentracijama tako da nije neophodna njihova izolacija. Radne elektrode su različite geometrije i
materijala, živa je korisna jer pokazuje širok raspon negativnog potencijala. Druge najčešće korišćene
elektrode su zlato, platina i stakleni ugljenik [1].

2. Uslovi koji utiču na bismutski film formiranog na stakleni ugljenik

Bizmutski filmovi su uvedeni u elektrohemijska istraživanja 2000 godine kao alternativna elektroda,
materijal koji zamjenjuje otrovnije žive elektrode [3]. Popularnost su stekli uglavnom zbog manje
toksičnosti i donja pozadinska struja u prisustvu kiseonika u poređenju sa elektrodama žive.
Korišćenje ovih elektroda ne zahtijeva dezoksidaciju testiranih rešenja tokom mjerenja. Takođe treba
pomenuti da su elektrode modifikovane u bizmutu stabilnije od žive elektrode, tako da se mogu
koristiti u protočnim sistemima sa brzom masom transporta kao i na terenu. Štaviše, ove elektrode
karakterišu visoka osetljivost i ponavljanje signala, a ograničenja detekcije stečena njihovom
upotrebom ne razlikuju se od onih dobijenih živom elektrodom. BiF-e su dobijene podnošenjem
zahtijeva bismut film na čvrstoj elektrodi napravljenoj od staklenog ugljenika [4], ugljenična pasta ,
grafitna olovka , impregnirani grafit, i karbonska elektroda sa ekranom. Bismut film se može
primijeniti u dvije metode, in situ ili ex situ, i staklenom ugljeniku elektroda se najčešće koristi kao
supstrat za bizmut film [4]. In situ metoda oslanja se na uvođenje rastvorljive soli bismuta u testirani
uzorak. Nakon toga, bismuth film se primjenjuje na elektrodu, a u isto vrijeme, analit je akumuliran.
Ovaj način se koristi kada su uslovi formiranja filma blizu optimalnog voltametrični uslovi mjerenja.
Ex situ metod je primjenljiv kada je težak da izabere uslove koji omogućavaju formiranje bizmut
filma i akumuliranje analitike u jedno mjerenje. Ovom metodom neophodno je pripremiti dodatno
rješenje gdje bismut film na elektrode supstratu generiše. Nakon pranja, bizmut filmska elektroda se
nalazi u analizirano rješenje, a voltametrijsko mjerenje je izvršeno. Ex situ metoda je radnija,
produžava ukupno vreme mjerenja, i generiše dodatnu potrošnju reagensa u poređenju sa in situ
metodom. Izbor odgovarajuće metode zavisi od pH testiranog rješenja. Najbolji pH za bismut filmsku
generaciju je kiseli medijum. To je posledica činjenice da se Bi(III) soli podvrgavaju hidrolizi u
inertnom i alkalnom pH. Međutim, generacija bizmuta film po situ metodi na ne-kiselom pH je moguć
pod uslovom da se tartrat doda u analizirano rešenje. To je posledica činjenice da Bi(III) formira
stabilan kompleks sa tartrat, i samim tim, ne prolazi kroz hidrolizu. Mjerenja se vrše u kiselom
medijumu (0,1 mol L−1 acetinska kiselina pH = 2,8); stoga se bismutski film formira u situ na
staklenom ugljeniku (GC). Debljina bismutnog filma nastalog na GC elektrodi utiče na visinu i oblik
vrhova dobijenih tokom određivanja metalnih jona od strane anodika voltametrijska metoda. Debljina
nastalog bismuta je u velikoj mjeri pod uticajem koncentracija bismuta(III) soli uvedene i u
analizirano rješenje kao taloženje potencijala bismutskog filma na površinu elektrode [3]. Uticaj
koncentracije bismuta, preliminarne studije osmišljene su da uporede efikasnost electrode golog
staklenog ugljenika i elektrode modifikovane bismutnim filmom sprovedena su u 0,1 mol L -1 sirćetna
kiselina za koncentraciju selena od 3 × 10 -7 mol L-1 . Modifikovanje staklenog ugljenika elektrode, in
situ pristupu je izabran zbog svoje brze, lake i reproduktivne modifikacije i činjenice da je izuzet
dodatni korak potreban za ex situ modifikaciju.

6
Slika 4. Voltamogrami Se(IV) dobijeni iz rastvora: (a) bez dodatka Bi(III); (b)
nakon dodavanja 1,9 × 10−5 mol L−1. Stabilna koncentracija: 3 × 10−7 mol L−1 Se(IV), 0,1 mol L−1
sirćetna kiselina

Zatim, da se ispita odnos između koncentracije bizmuta i vršne struje od 5 × 10 −8 mol L−1 selena,
količina bizmuta u uzorku je varirala u opseg koncentracije od 4,8 ×10 - 6mol L−1 do 2,4 × 10−4 mol L-1.
Prilikom ispitivanja zavisnosti, može se primijetiti da se vršna struja povećava sa povećanjem
koncetracije bizmuta do 1,9 × 10 −5 mol L−1 i konačno opada pri višim koncentracijama. kao što se
može dodatno primijetiti na slici 5 [3].

Slika 5. Voltamogrami koji ilustruju uticaj koncentracije Bi(III) na vršnu struju i potencijal od 3 ×
10−7 mol L−1 Se(IV). Koncentracija Bi(III): (a) 4,8 × 10−6 mol L−1;
(b) 1,9 × 10 mol L-1; (c) 1,9 × 10−4 mol L−1. Stabilna koncentracija: 3 × 10−7 mol L−1 sirćetna
-5

kiselina

Voltametrijski vršni potencijal se pomjerio na više pozitivni za dalje istraživanja. Za koncentracije


Se(IV) ispitivan je uticaj potencijala i vremena na formiranje Bi filma i uticaj akumulacije Se(IV) na
vršnu struju selena od 1 × 10 -7 mol L-1. Preliminarna mjerenja su pokazala da je veći signal selena
primljen kada je korak akumulacije izveden korišćenjem dva različita potencijala, pri čemu bi prvi
potencijal trebao biti negativniji od drugog. Prvi potencijal se kretao od -0,9 do -2,0 V za stalno vreme
od 5 s. Mjere su bile izvedene primjenom drugog potencijala u trajanju od 60 s na -0,4 V i rješenje
koje sadrži 0,1 mol L-1 sirćetne kiseline i 1,9 × 10 -5 mol L-1 Bi(III). Kao što se može primijetiti na slici

7
6A, maksimalni signal Se(IV) je postignut za potencijal od -1,6 V, dakle za naknadna mjerenja, ovaj
nivo potencijala je usvojen. Nakon toga, uticaj vremena na prvi potencijal je provjeren za izabrani
potencijal u opsegu od 0 do 30 s. Ovi dobijeni rezultati prikazani na slici 6B ukazuju da se vršna
struja selena povećava sa produženjem vremena stvaranja glavnog filma do 5 s, dok je u dužim
vremenima vrhunac smanjuje. Potencijal je proučavan mijenjajući ga od -0,1 do -0,6 V za stabilan
vremenski period od 60 s [3].potencijali sa povećanjem koncentracije bizmuta. Na osnovu ovih
rezultata, koncentracija Bi(III) od 1,9 × 10-5 mol L-1 izabrana je kao optimalna

Slika 6. Uticaj prvog akumulacionog potencijala (6A) i njegovog vremena (6B) na voltametrijski
signal
od Se(IV). Stabilna koncentracija: 1 × 10−7 mol L−1 Se(IV), 0,1 mol L−1 sirćetne kiseline Bi(III).

Najveći analitički signal dobijen je pri potencijalu od -0,4 V i bio je izabran kao optimalan, dok za
niže i veće vrednosti signal malo po malo smanjen (slika 7A). Vrijeme drugog potencijala u rasponu
od 0 do 80 s je bilo naknadno ispitan. Na osnovu izvršenih mjerenja utvrđeno je da je Se(IV)
analitički signal se linearno povećavao do 60 s, dok je u dužim vremenima pik bio nepromijenjen
(slika 7B).

8
Slika 7. Uticaj drugog akumulacionog potencijala (7A) i njegovog vremena (7B) na voltametriju
signal Se(IV). Stabilna koncentracija: 1 × 10−7 mol L−1 Se(IV), 0,1 mol L−1 sirćetne kiseline, 1,9 ×
10−5 mol L-1 Bi(III).

Selektivnost

Analitička selektivnost je jedan od važnih parametara koji utiču na tačnost metodologije. Dakle,
selektivnost bizmutom modifikovanog staklastog ugljenika elektroda za određivanje selena je
procijenjena korišćenjem pratećih jona metala. Uticaj koegzistirajućih jona u rastvoru uzorka je
ispitan korišćenjem konstante koncentracija 2 × 10−7 mol L−1 Se(IV) i različita količina raznih
uobičajenih jona. Nivo tolerancije je postavljen kao najveće koncentracije koje rezultiraju greškom od
±5% u određivanju Se(IV). Dobijeni Se(IV) bili su skoro kvantitativni u prisustvo mnogih testiranih
jona kao što je prikazano u tabeli 1. Samo Cd(II), Co(II), Cu(II), Pb(II), i Zn(II) je pokazao značajnu
interferenciju u odzivu senzora. Da bi se izbjegle smetnje od ovih katjona u rastvor je dodatno dodato
2 × 10−4 mol L-1 EDTA. Otkriveno je da nakon dodavanja EDTA, odgovor selena ostaje isti, i što je
najvažnije, interferencija od Cd(II), Co(II), Pb(II) i Zn(II) je bila potpuno uklonjena. Samo smetnje
izazvano Cu(II) nisu u potpunosti uklonjene, ali, dodavanje EDTA u analizirani uzorak omogućilo je
određivanje selena u prisustvo 2 × 10−7 mol L−1 Cu(II) [5].

9
Tabela 1. Efekat interferirajućih jona na DPV odgovor selena na bizmut film.

Zaključak

Cilj ove metode je da se poveća polarizacija elektrode, zato što se metoda bazira na mjerenju u
uslovima potpune polarizacije. Ovo predstavlja glavnu razlika od drugih elektroanalitičkih metoda.
Velika prednost savremenih voltametrijskih tehnika je jednostavnost, niska cijena i relativno kratko
vrijeme određivanja.

10
Reference

1. Voltammetric Techniques, Samuel P. Kounaves, Tufts University Department of Chemistry,


chapter 37. https://www.brown.edu/Departments/Engineering/Courses/En123/Lectures/
potentiostat.pdf

2. SpringerLink, Voltammetric techniques of analysis: the essentials, published: 09 september 2015


https://link.springer.com/article/10.1007/s40828-015-0016 y?
fbclid=IwAR1EBNhOochahx8y3bn7fXLoeuJK1reSKb0SXMbLPK43zytEcvMT41vvaSQ

3. Wang, J.; Lu, J.; Hocevar, S.B.; Farias, P.A.M.; Ogorevc, B. Bismuth-coated carbon electrodes for
anodic stripping voltammetry. Anal. Chem. 2000, 72, 3218. [CrossRef] [PubMed]
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/10939390/

4. Baldrianova, L.; Svancara, I.; Vlcek, M.; Economou, A.; Sotiropoulos, S. Effect of Bi(III)
concentration on the stripping voltammetric response of in situ bismuth-coated carbon paste and gold
electrodes. Electrochim. Acta 2006, 52, 481–490.
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0013468606006256?via
%3Dihub&fbclid=IwAR0aNTmExYmcabykRkwT_MNmZEIEqUoluDEOrQflspyiRFIZ2LcNxJQ69
L0

5. Wang, J.; Lu, J.; Kirgöz, Ü.A.; Hocevar, S.B.; Ogorevc, B. Insights into the anodic stripping
voltammetric behavior of bismuth film electrodes. Anal. Chim. Acta 2001, 434, 29–34.
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0003267001008182?via
%3Dihub&fbclid=IwAR11gGii3bM4VDgYYUiP4s14VmXVqlkiZN6BovFWtJt6b3p2WDAps5gz10
A

11

You might also like