NEAMEN 의

반도체 물성과 소자
Se m ic o n d u c t o r
Ph y s ic s a n d De v ic e s
Basic Principles
 D o n a l d A. N e a m e n

O edition
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NEAMEN 의
난도체 물성과 소자
I 김광호 • 김용상 • 송정근 • 이용재 • 정항근 • 최혁환 옮김

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SEMICONDUCTOR
PHYSICS AND DEVICES
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Hill Basic Principles
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SEMICONDUCTOR PHYSICS AND DEVICES

BASIC PRINCIPLES, fourth edition

Korean Language Edition Copyright © 2012 by McGraw-Hill Korea, Ltd.

All rights reserved. No part of this publication may be reproduced or distributed in any form or by any
means, or stored in a database or retrieval system, without prior written permission of the publisher.

11 12 13 14 15 MH-KOREA 20 21

Original: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 4/e

By Donald A. Neamen
ISBN 978-0-07-352958-5

Korean ISBN 978-89-6055-243-2 93560

Printed in Korea

반도체 물성과 소자, 4판_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

발행일 2이 2 년 1월 2 일 1쇄
2021 년 8 월 18일 11쇄
저 자 Donald A. Neamen
역 자 김광호 •김용상송정근• 이용재 정항근•
최혁환
발 행 인 총텍맹 (CHONG TECK MENG)
발 행 처 맥그로힐코리아 유한회사
등록번호 제 2013-000122호 (2012.12.28.)
주 소 서울시 마포구 양화로 45, 8층 ，801 호
( 서교동，메세나폴리스 )
전 화 (02)325-2351

ISBN 978-89-6055-243-2

판 매 처 퍼스트북
문 의 (02))3141-2953~4
정 가 35,000원

• 잘못된 책 은 바꾸어 드립니다.

• 이 책 은 맥 그 로 힐 코 리 아 유 한 회 사 가 한국어판에 대한 출 판. 판매의 독 점 계약에 의해 발 행 한 것 이므로

내용. 사진. 그 림 등 의 전 부 나 일 부 의 무 단 복 제 및 무 단 전 사 를 금 합 니 다 .

• 역자와의 합의 하에 인자는 생략합니다.

 역자서문

반도체 기 술 은 1 948년 Shockley 등에 의하여 트 랜 지 스 터 가 발 명 된 후 불 과 50년만에

놀 랄 만 한 발 전 을 이루 어 ，우리 생활에서 없어서는 안 될 중 요 한 존 재 가 되었다. 더욱이
우 리 나 라 의 경우, 반도체 산 업 은 세 계 시 장 에 서 한 국 을 대 표 할 수 있는 국 가 기간산업
으 로 성 장 하 였 다 . 특히 집 적 회 로 는 70년대 LSI가 출 연 한 이래 급 속 한 발 전 을 거듭하여
모 든 산업 분야에 응 용 되 어 각 분야의 발전에 큰 기 여 를 하 고 있다. 또 한 정 보 통 신 분
야의 핵심 부 품 산 업 으 로 반도체 기술의 발전이 21 세기 국 가 의 경 쟁 력 을 좌 우 한 다 고
해도 과언이 아닐 것이다.
이렇게 반도체 기술이 발 전함에 따 라 보 다 다 양 한 형태의 반도체 소 자들이 개발되
고 있다. 따라서 전 자 공 학 을 전 공 하 는 학 부 생 이 나 대학원생들이 현재 사 용 되 고 있거나
연구 중에 있는 여러 형태의 반도체 소자들에 대 한 물리적 지 식 을 알기 쉽고 체 계 적 으
로 습 득 할 필요가 있기 에 본 책을 번역하게 되 었다.
이 책 은 원 저서의 4판 으 로 제 1장부터 9장 까 지 는 3판의 순 서 와 같 고 ，제 1 0장 에 서 는
금 속 -산 화 막 -반 도 체 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 (MOSFET) 에 대해 언 급 하 고 제 1 1 장 은
MOSFET의 추 가 개념 을 제시한다. 제 1 2장 과 제 1 3장 은 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 와 접합 전
계 효 과 트 랜 지 스 터 를 다룬다. 제 1 4장 에 서 는 태 양 전 지 ，발 광 다 이 오 드 같 은 광 학 소 자 들
을 그 리 고 마 지 막 으 로 1 5장 에 서 는 마 이 크 로 웨 이 브 소 자 , 전 력 반 도 체 소 자 들 을 다루게
된다. 전판에 비해 바이폴러 트 랜 지 스 터 와 MOSFET순 서 를 바 꾸 고 일부 내 용 과 문 제 를
추 가하였다.
이 책은 반도체 소자의 입문서로서 풍 부 하 고 알찬 내용을 많이 담고 있기 때문에 현
재 국내외의 많은 대학에서 교 재 나 참 고 서 로 사 용 하 고 있다.
본 역 서는 원 저서에 충실하 되 그 내 용 을 독자들이 쉽고 명확하게 이 해 하 도 록 번역
하 려 고 노 력 하 였 다 . 그 러 나 여러 명의 역 자 가 나누어 번역하면 서 용 어 를 통 일 하 고 전
체 내용의 일 관 성 을 유 지 하 려 고 노 력 하 였 지 만 부 족 한 점이 있 다고 생 각 된 다 . 독 자 여
러분께서 이 책을 공부하면서 오 류 를 발 견 한 다 면 언제든지 조 언 과 지 적 을 해주시면 수
정 보 완 하겠다.
끝 으 로 번역 작 업 을 하는데 많 은 도 움 을 주신 McGraw-Hill 출 판 사 관 계 자 여러 분
께 감사드립니 다.

역자 일동
201 1 년 1 2월

V
역자 소개

김광호 청주대학교 태양광에너지 공 학 과 (6, 7, 8장)

김용 상 성균관대학교 전자전기공학부
송정근 동 아 대 학 교 전자공학과 (1 ~5장 )
이용재 동의대학교 전자공학과 (1 2, 1 3장，부록)
정항근 전 북 대 학 교 전자공학부 (9, 1 4, 1 5장)
최혁환 부경 대학 교 전자공학과 (Prologue, 1 0, 1 1 장)
/

저 자 소개

도 널 드 니먼 (Donald A . Neamen)은 미국 뉴 멕 시 코 대학 전기 및 컴퓨터(ECE) 공학과에

서 25년 이상 가 르 쳐 왔 으 며 현 재 는 명 예 교 수 로 있다. 그 는 뉴 멕 시 코 대학에서 박 사 학
위를 받 은 다 음 매 사 추 세 츠 주 한 스 컴 (Hanscom) 공군기지 의 고체과학연 구 소 에 서 전자
공 학 기 술 자 로 근 무 하 였 다 . 1 976년 뉴 멕 시 코 대 학 전기 및 컴퓨터 공 학 과 교 수 로 부임
하여 반도체물성 및 소 자 과 목 과 전 자 회 로 과 목 을 가르쳤으 며 현 재 에 도 시간 강 사 로 서
재직 중에 있다. 그 는 최근에 중 국 상해에 있는 미시건 대 학 -상 해 교 통 대 학 (UM-SJTU)
협동과정의 한학기 강 좌 를 맡 은 바 있다.
니먼 교 수 는 1 980년 뉴 멕 시 코 대학의 우 수 교 수 상 을 수 상 했 고 ，1 983년 과 1 985년에
타우 베타 파 이 (Tau Beta Pi) 에서 주 관 하 는 공 과 대 학 우 수 교 수 로 선정된 바 있다. 1 990
년 과 1 994년부터 20이 년 까 지 매년 뉴 멕 시 코 대 학 전기 및 컴퓨터 공 학 과 대 학 원 생 들
이 뽑 는 교 수 공 로 상 을 받았다. 1 994년 에는 공과대학 의 교 육 최우수상의 영예를 차 지 하
였다.
니 먼 교 수 는 교 육 뿐 만 아 니 라 수 년 간 뉴 멕 시 코 대학 전기 및 컴퓨터 공학과의 부 학
과 장 으 로 봉 사 하 였 고 , 마 틴 마리 에 나 (Mantin Marietta), 산디 아 국립 연 구 소 (Sandia
national Laboratories), 레 이 시 온 (Raytheon Company) 등 에 서 도 근 무 한 바 있다. 그 는
많 은 논 문 을 저 술 하 였 으 며 ，마 이 크 로 전 자 회 로 해석 및 설 계 (Microelectronics Circuit
Analysis and Design, 4판) 및 반도체 소 자 입문 (Introduction to Semiconductor Devices)
의 저 자 이 기 도 하다.

VII
 저자서문

관 점 과 목표

이 책 4판 은 반도체 소자의 특 성 과 동 작 및 한 계 를 이해하는 데 필 요 한 기 본 지 식 을 제

공 한 다 . 이를 위 해 서 는 반도체 물성의 물리적 특성에 대한 깊이 있고 폭 넓 은 지식이 필
요하다. 이 책의 목 적 은 양자역학, 고 체 양 자 이 론 ，반도체 물 리 학 그 리 고 반도체 소 자 들
을 하 나 로 합치는 데 있다. 이들 내 용 들 은 현재 알려진 소 자 들 과 미래에 개발될 소 자 들
의 동 작 을 이해하는데 아주 중요하다 .
여기에 게재된 많 은 양의 물 리 학 들 은 여러 반도체 소 자 입문서들에서 다 루 었 던 것
보 다 훨씬 많 은 양이다. 다 루 는 내용의 범 위 는 광 범 위 하 지 만 ，저 자 는 기초적 인 입문서
로 반 도 체 에 관 한 기본 지 식 과 물 리 를 완전히 소 화 한 다 면 반도체 소자 에 관 한 내 용 은
어렵지 않게 빠 르 고 효 과 적 으 로 이 해 할 수 있다고 생 각 한 다 . 또 한 여기에서 반도체 물
리를 강 조 한 것은 앞으로 새 로 운 반도체 소 자 들 을 개 발 하 거 나 이해하는데 있어 도움이
될 것이다.
이 책의 목적이 반도체 소 자 이론에 대 한 입 문 을 제 공 하 는 것이기 때문에 더 수 준
높 은 이 론 들 은 수록되 지 않았다. 또 한 반도체 공 정 도 상 세 하 게 서술되 지 않 았다. 여 기
서 는 반도체 공정이 소 자 특성에 직 접적인 영향 을 주 는 확 산 이 나 이온주입 같 은 공정
기술에 대해 일반론이나 인용만을 약간하였다.

사전지 식

이 책 은 3, 4학 년 을 대 상으로 만 들 어 졌 다 . 이 책 을 이해하는데 필 요 한 지 식 은 미분방정

식을 포 함 한 대 학 수 학 과 현 대 물 리 학 및 정전기학의 입문을 포 함 하 는 대 학 물 리 학 이 다 .
전자 회로 분 야 는 필 수 적 이 지 는 않지 만 입문과정을 먼저 마 치 는 것이 유리하다.

구성

이 책 은 세 부 분 으 로 나 누 어 진 다 . 첫 번째 부 분 은 기 초 적 인 양 자 역 학 을 소 개 하 고 반도
체 재 료 물 리 학 을 다 룬 다 . 두 번째 부 분 은 기 본 적 인 반도체 소 자 물 리 를 소 개 한 다 . 세
번째 부 분 은 광 소 자 ，마 이 크 로 웨 이 브 소 자 및 전 력 소 자 를 포 함 한 특 수 소 자 를 다룬다.
첫 번째 부 분 은 1장부터 6장 까 지 이 다 . 1장 은 고체 결 정 구 조 에 대 한 입 문 을 다 루 고
이 상 적 인 단결정 반도체 물 질 로 끝 을 맺 는 다 . 2장 과 3장 은 양 자 역 학 과 고체의 양자이
론 을 다룬다. 이들 두 과 제 는 반도체 물리의 중 요 한 기초적인 토 대 를 이루고 있다. 4장
에서 6장 까 지 는 반도체 물 리 학 을 다 루 고 있다. 4장 은 열 적평형상태에서의 반도체 물리
ix
를 ，5장 은 반도체 내에 전하 캐리어의 전 송 현 상 을 ，그 리 고 6장 에 서 는 불평형 과잉 캐리
어 특 성 을 다 루 고 있다. 소자의 물리적 특 성 들 을 이 해 하 고 자 하 는 목 표 를 달 성 하 는 데
있어 반도체 내 과잉 캐리 어들의 움직 임을 이 해하는 것은 아주 중요하다.
두 번째 부 분 은 7 장에서 1 3장 까 지 이 다 . 7장 은 기초적 인 … 접합의 정 전 기 학 을 ，8장
은 pn 접합의 전 류 -전 압 특 성 들 을 다 룬 다 . 9장 에 서 는 정 류 성 과 비정류성 금 속 -반 도 체
접 합 과 반 도 체 이 종 접 합 을 , 1 0장 에 서 는 금 속 -산 화 막 -반 도 체 전 계 효 과 트 랜 지 스 터
(MOSFET) 에 대해 언 급 하 고 1 1 장 은 MOSFET의 추 가 개 념 을 제 시 한 다 . 1 2장 과 1 3장
은 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 와 접 합 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 를 다 룬다. 일단 pn 접합의 물리적
특성이 다 루 어 지 면 세 가지 기본적인 트 랜 지 스 터 를 취 급 하 는 세 장 들 은 임의의 순서대
로 다 룰 수 있도록 다른 장 과 연계되지 않게 서 술 하 고 있다. 세 번째 부 분 은 1 4장 과 15
장 으 로 구 성 된 다 . 1 4장 에 서 는 태 양 전 지 ，발 광 다 이 오 드 같 은 광 학 소 자 들 을 그 리 고 마
지 막으로 1 5장 에 서 는 마 이 크 로 웨 이 브 소 자 ，전력 반도체 소 자 들 을 다루게 된다.

책의 사용법

이 교 재 는 3, 4학 년 을 대 상 으 로 한 학 기 과 정 을 위해 만 들 어 졌 다 . 대부분의 교재들처럼
한 학기에 다 룰 수 있는 것보다 내용이 많다. 이 것 은 강의자의 필요에 따 라 교 육 과 정 을
계 획 하 도 록 융 통 성 을 준 다 . 두 개의 가 능 한 강의 순 서 는 서문의 뒷 부분에 개 별 적 으 로
논 의 될 것이다. 그 러 나 교 재 는 백과 사 전 이 아 니다. 연 속 되 는 강의에 차 질 을 주지 않고
생 략 할 수 있는 각 장의 단원 자 체 와 목차표에 별 표 ⑶ 로 구 별 하 였 다 . 비록 반도체 소 자
물리학 의 전개과정이 중 요 하 다 할 지 라 도 이들 단 원 들 은 다 음 으 로 미룰 수 있다.
본문의 내 용 들 은 New Mexico 대학의 전 자 공 학 과 3학년 학생들에게 요 구 되 는 과정
에 폭넓 게 이용되 었다. 한 학기 의 절반은 처음 6개 장으로 할 당 하 고 학기 의 나 머 지 는 pn
접 합 ，바이폴 러 트 랜 지 스 터 ，MOSFET으 로 강 의 하 였 다 . 몇몇 특 별 한 주 제 들 은 학기의
끝에 간략히 고려될 수 있다.
언 급 한 데 로 바이폴러 트 랜 지 스 터 와 JFET를 논하기 전에 MOSFET가 다 루 어 지 지 만
트 랜 지 스 터 의 세 가지 기 본 유 형 들 중에 하 나 를 다 루 는 각 장 은 독 립 적 으 로 쓰 여 져 서 ,
트랜지스터 유형 중의 하 나 를 임의대로 먼저 다룰 수 있게 하였다-

독자의 주 의 사 항

이 책 은 반도체 물 성 과 소자의 물리적 특 성 을 다 루 고 있다. 많 은 전 자 공 학 도 들 이 반도

체 소자의 기본 원리를 공 부 하 는 것보 다 전 자 회 로 를 구 성 하 거 나 컴퓨터 프 로 그 램 을 작
성 하 는 것이 더 수 월 할 수 있지만 여기에서 다 루 는 논 의 들 은 마 이 크 로 프 로 세 서 처 럼 전
자소자의 한 계 를 이해하는데 중요하다.
이 책은 전반에 걸쳐 수학이 폭넓게 사 용 되 었 다 . 이 것 은 때때 로 지루하게 느껴지지
만 최종 결과 를 이해하는데 큰 도 움 을 준다 . 몇 가지 수학적 인 모 델 들 을 이용하여 물리
 저자 서문 xi

적 과 정 을 설 명 하 는 것이 추 상 적 으 로 느껴질 수 있 지 만 ，모 델 들 은 물리적 과 정 을 예견
하고 설 명하는 시 간 을 절약할 수 있다.
독 자 들 은 각 주제의 목적 과 각 장의 목표 가 마음에 새겨질 수 있도록 계속해서 개설 단
원을 참조하도록 권한다. 이런 꾸준한 복습은 특히 기초물리를 다루는 첫 6장에서 중요하다.
독 자 가 깊이 명 심 해 야 할 것은 비 록 어떤 절이 연속성의 차 질 없 이 생 략 할 수 있다
하 더 라 도 많 은 교 수 들 은 이들 주 제 를 다 루 고 자 선 택 할 것 이다. 사실 별 표 (*)로 표 시 된
절들이 주제의 중 요 성 을 경감 시 키 는 것은 아니다.
또 중 요 한 점 은 한 학기 과정의 끝 무 렵 에 서 도 여전히 해결되지 않 은 질문이 있을
수 있 다 는 것 이 다 . 비록 저 자 가 “ … … 라 는 것 을 보일 수 있 다 .” 는 문 구 를 싫어 할 지 라
도, 여기에 사 용 된 몇몇 개 념 들 은 책의 범 위 를 넘는 유 도 를 요 구 한 다 . 이 책 은 반도체
소자의 소 개 를 위해 기 획되었다. 독 자에게 해 답 을 주지 않고 남 겨 지 는 질 문 들 은 “책 상
서 랍 속 에 ” 깊이 넣어 두 기 를 권한다. 공 부 가 더 진 척 되 는 다 음 과정 동 안 여 러 분 은 이
들 질문 을 꺼내어 답을 찾 을 수 있을 것이다.

강의 절차

각각의 강 의 자 는 강 의 하 는 교과에 있어서 개 인 적 으 로 선 호 하 는 순 서 를 가 진 다 . 다 음

목 록 은 두 개의 가 능 한 시 나 리 오 를 가진다. MOSFET 접 근 으 로 불 리 는 첫 번째 경우는
MOS트 랜 지 스 터 전에 바 이폴러 트 랜 지 스 터 를 다 룬 다 . 1 0장 과 1 1 장의 MOSFET가 pn
접합다 이 오 드 보 다 먼저 강의 할 수 있다는 점 이 다.
바이폴러 접 근 이 란 불 리 는 목록에 나 와 있는 두 번째 방 법 은 고전적 접근 방법이다.
pn 접 합 다 이 오 드 바 로 다음에 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 를 강 의 하 는 전 통 적 인 순 서 이 다 .
그 러 나 MOSFET 부분이 학기의 끝에 남겨지기 때문어1, 시 간 제 약 으 로 인해 중 요 한 주
제를 다룬 수업시간이 짧 아 질 수 있다.
불 행 하 게 도 ，시간적 제 약 으 로 인해 모 든 장에서 모 든 주 제 가 한 학 기 동 안 다루어 질
수 없다. 다루지 못 한 주 제 들 은 두 번째 학기 나 독 자 에 의해 나중에 공 부 할 수 있 도 록
남겨지게 된다.

MOSFET 접근

Chapter 1 결정 구조
Chapter 2, 3 양자 역학과 고체 이론의 선택된 주제들
Chapter 4 반도체 물리
Chapter 5 전송 현상
Chapter 6 비평형상태 특징의 선택된 주제들
Chapter 7 pn 접합
Chapter 10,11 MOS 트랜지스터
Chapter 8 pn 접합 다이오드
Chapter 9 쇼트키 다이오드의 간단한 논의
Chapter 12 바이폴러 트랜지스터
xii 반도체 물성과 소자

바이폴러 접근
Chapter 1 결정 구조
Chapter 2, 3 양자 역학과 고체 이론의 선택된 주제들
Chapter 4 반도체 물리
Chapter 5 전송 현상
Chapter 6 비평형상태 특징의 선택된 주제들
Chapter 7, 8 pn 접합과 pn 접합 다이오드
Chapter 9 쇼트키 다이오드의 간단한 논의
Chapter 12 바이폴러 트랜지스터
Chapter 10,11 MOS 트랜지스터

4 판의 새 로 운 특징

강의순서: MOSFET를 다 루 는 11 장 ，1 2장이 바이폴러 트 랜 지 스 터 앞 장 으 로 간다.

이러 한 변화는 MOS트랜지스 터의 중 요 성 을 강조한다.
마이크로웨이브 반도체 소자: 1 5장에 추 가 된 짧 은 단 원 은 세 가지 특 수 한 마 이 크 로
웨이브 반도체 소자 를 포함한다.
새로운 부록: 새 부 록 F 는 유 효 질 량 개 념을 다 루 도 록 추 가 하 였 다 . 두 가지 유 효 질 량
개념 이 교재의 여 러 가지 계산에 사용된 다 . 이 부 록 은 유효질량에 관 한 이론 을 유도
하 고 각 유 효 질 량 을 언제 특 별 한 계산에 사용하는지 논한다.
개설단원: 각 장 은 간 단 한 소 개 로 시 작 하 고 ，개 설 단 원 은 개 조 식 으 로 설 명 한 다 . 각
개 설 단 원 은 각 장의 목 적 을 제시한다.
연습문제: 1 문항 이상의 연 습 문 제 가 추 가 되 었 다 . 연 습 문 제 는 예제 다음에 온다 .
연습문제는 독자들이 바로 앞에서 공 부 한 내용을 얼마나 이 해 하 는 가 를 측 정 하 는 예
제 와 유사하다. 각 예제에 대한 정답은 주어져 있다.
이해도 평가: 이해도 평가의 약 40%가 각 장의 중 요 단원의 끝에 주어져 있다. 일반
적으로 이 이해도 평가 연 습 문 제 는 예제 뒤에 있는 연 습 문 제 보 다 종 합 적 이 다 . 이 문
제 들 은 독 자들이 다 음 단 원 으 로 넘 어가기 전에 교과에 대 한 독자의 이 해 력 을 강 화
할 것이다.
문제: 4판에 있는 문제의 48%어 해 당 하 는 330 새 로 운 문 제 가 추 가 되 었 다 .

교재의 특징

수학적 정확: 기본적인 반도체 재료와 소 자 물 리 를 좀 더 명확히 이해하기 위해 수

학 적 으 로 정확성 을 유 지하였다.
예제: 기재된 광 범 위 한 예 제 들 은 이론적 개념의 발 전 을 강화하기 위해 교 재 를 통
해 사 용 된 다 . 이 예 제 들 은 설 계 ，분석의 세 부 사 항 을 포함해서 독 자 가 헛걸음하지
않 도록 한다.
 저자 서문 xiii

이해도 평가: 연 습 문 제 나 반 복 문 제 들 은 각 장 을 두 루 포 함 한 다 . 이 러 한 문 제 들 은
독 자 로 하 여 금 막 다루었던 교과의 이해에 대해 즉시 테스트하기 위 해 ，긴 단원의
끝에 오 기 보 다 는 일 반 적 으 로 예제 문제 후에 바로 위 치 한 다 . 각 반 복 문제에 대한
해답이 주어 져서 독 자 는 이 책의 뒤편의 해 답 을 찾 을 필 요 가 없다. 연습문제 문제
는 다음 단원 으로 넘어가기 전에 교과에 대한 독자의 이 해 력 을 강 화 할 것이다.
요약 부분: 굵 은 글씨체의 요 약 부 분 은 각 장의 텍 스트를 따른다. 이 부 분 은 각 장
에서 파생된 결과를 요 약 하 고 ，발전된 기본 개념을 재검토한다 .
■ 주요 용어: 주 요 용 어 는 각 장의 요 약 부 분 다 음 이 다 . 이 부 분 은 그 장에서 논의되
는 가장 중 요 한 용 어 를 정의 •요약한다.
■ C h e c k p o i n t : checkpoint 영역 은 용어 부 분 다 음 이 다 . 이 부 분 은 당 면하게 될 목
적 과 독 자 가 얻게 되 는 능 력 을 기 술 한 다 . 이 checkpoint 부 분 은 다 음 장 으 로 넘어
가기 전 향 상 됨 을 평가하는데 도움이 된다.
■ 복습문제: 복 습 문 제 목 록 은 각 장의 끝에 있다. 이 질 문 들 은 독 자 가 각 장 을 마쳤
을 때 얼 마 나 개념들이 발 전 됐 는 지 확 인 할 수 있는데 도 움 을 주 는 자 기 검 증 을 제
공한다.
■ 문제: 많 은 문 제 가 각 장의 마 지 막 부분에 주 어 지 고 ，각 장의 각 단원의 주 제 를 따
라 구 성 된 다 . 많 은 문 제 가 2판 보 다 많이 포 함 되 었 다 . 설계 지향 또 는 자 유로이 생
각대 로 대답 할 수 있는 문제들이 요 약 과 복 습 부분의 끝에 포함된다.
■ 요약과 복습문제: 요 약 과 복 습 단원에 설계문제 몇 개가 각장의 끝에 주어진다.
■ 참고문헌: 참 고 문 헌 은 각 장 끝에 삽입하였다. 이 교 재 와 비교해 수 준 높 은 단계의
참 고 서 는 별표(*)로 표시한다.
■ 선택된 문제의 해답: 선택된 문제 해 답 은 마 지 막 부록에 주어진 다 . 문제의 답 을 아
는 것은 문제 해결 측면에서 도 움 이 자 보강이다.

온라인 보충물

이 교재에 해 당 하 는 웹 사 이 트 는 www.mhhe.com/neamen이 다 . 사 이 트 는 강 의 자 를 위한
그 림 과 문제 해 답 을 제 공 한 다 . 강 의 자 는 4 판 을 위 한 C .O .S .M .O .S 에 접 근 가 능 하 다 .
C.0.S.M .0.S는 강 의 자 가 시 험 문 제 와 숙 제 를 만 들 수 있고 제 공 하 는 연 습 문 제 와 해 답 을
편집할 수 있는 Complete Online Solutions Manual Organization System의 약자이다.

감사의 글

1 판 ，2판 과 3판 뿐 만 아니 라 이 교재 4판의 진전에 도 움 을 주 었 던 오 랫 동 안 알고 지낸

많 은 학 생 들 에 게 은 혜 를 입었다. 나 는 그들의 열정 과 건 설적인 비평에 깊은 감 사 를 보
낸다. McGraw-Hill 출 판 사 에 있는 많 은 분들의 아낌 없는 성원에 감 사 를 표 한 다 . 특별
히 부 편 집 장 Peter Massar, 편집 인 Lora Neyens의 세 세 한 배 려 와 주 어 진 작업 전반에
대 한 열정이 특히 기억되어 감 사 한 다 . 또 한 출 판 을 위 한 마 지 막 점 검 을 지도했던 기획
관 리 자 의 노고 에 감 사 한 다 . 이 러 한 노 력 들 이 나로 하 여 금 철저히 원 고 를 검 토 하 도 록
하였다.

4 판의 평론가 들

이 교재의 저H 판 을 위한 건설적인 비평과 제안을 해 준 다음의 평론가들에게 감사한다.

Sandra Selmic, Louisiana Tech University

Terence Brown, Michigan State University
Timothy Wilson, Oklahoma State University
Lili He, San Jose State University
Jiun Liou, University o f Central Florida
Michael Stroscio, University o f Illinois-Chicago
Andrei Sazonov, University o f Wateroo

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 머리말

반도체와 집적회로

개요
우리는 정보화 시대에 산다라는 소리를 듣곤 한다. 막대한 양의 정보는 예로, 인터넷을 통하
거나 혹은 원거리간의 위성 통신 시스템을 통한 습득이 가능하다. 정보기술은 굉장한 능력이
있는 트랜지스터나 집적회로(1C)으로 구성된 아날로그와 디지털 전자시스템을 바탕으로 하고
있다.
프린터, 팩스, 랩탑 컴퓨터, 아이팟, 휴대전화 등을 포함한 무선통신기술은 1C 부품을 많이
사용하고 있다. 휴대전화는 전화기뿐만 아니라 이메일 서비스와 영상 카메라 기능을 포함한다.
1C 기술 발달의 극적인 예는 디지털컴퓨터라 할 수 있다.- 상대적으로 작은 랩탑 컴퓨터는 몇
년 전 인간을 달로 보내던 장비보다 더 뛰어나 계산 능력을 가진다. 이처럼 반도체 전자공학
분야는 계속 빠르게 발전하고 있으며 해마다 수천편의 논문이 발표되고 많은 전자기기가 개발
되고 있다. ■

역사

비록 1C 기술의 괄 목 할 발 전 은 최근 20년 동 안 이 뤄 졌 지 만 반도체 소 자 는 나름의 오랜

역 사 를 가 지 고 있다. 1 874년 Braun에 의해 금 속 -반 도 체 접촉의 초창기 작업이 시작되
었다. 그 는 구 리 , 철 그 리 고 황 화 물 도선 등 과 같 은 금 속 접 점 과 반도체 사이에 전기 전
도성 의 비 대 칭 성 을 발 견 했 다 . 이들 소 자 들 은 초창기 라 디 오 장치 내의 감 지 기 로 이용
되 었다. 1 906년 Pickard는 실 리 콘 을 이 용 한 점 접 촉 감지기에 대 한 특 허 를 받았다. 1 907
년에 Pierce는 여 러 가지 반도체 위에 금 속 을 스퍼 터 링하여 만 들 어 진 다 이 오 드 의 정류
성질 을 발표하였다.
1 935년 에 는 셀렌 정 류 기 와 실 리 콘 점 접 촉 다 이 오 드 감 지 기 와 혼 합 기 에 대 한 필요
성이 증 대 되 었 다 . 또 한 고 순 도 실 리 콘 과 게 르 마 늄 을 얻 어 내 는 방 법 들 도 이 시기에 개
발 되 었 다 . 반도체 물 리 학 의 발 전 으 로 금 속 -반 도 체 접 촉 을 이 해 하 는 데 상 당 한 진 보 를
할 수 있게 되었다. 1 942년에 발 표 한 Bethe의 열 전 자 방 출 이 론 은 이 기간 동안의 가 장
중 요 한 이론이 라 할 것 이 다 . 전 류 는 표 동 이 나 확 산 에 의 한 다 기 보 다 오히 려 금속내 전
xviii 반도체 물성과 소자

Com plim ents of Texas In stru m en ts Incorporated

 머리말 xix

자들이 방 출 되 는 과정에 의해서 결 정 된 다 는 이론이었다 .

1 947년 1 2월 Bell Telephone Laboratories의 William Shockley, John Bardeen, Walter
Brattain에 의해 초창기 트 랜 지 스 터 가 만 들 어 지 고 검증되면 서 또 다 른 큰 발 전 을 이루
었다. 초창기 트 랜 지 스 터 가 만 들 어 지 고 검증되 면서 또 다 른 큰 발 전 을 이 루 었 다 . 초 창
기 트 랜 지 스 터 는 점 접 촉 소자로 써 다결정 게 르 마 늄 을 이 용 하 였 다 . 트랜지스터 효 과 는
곧 실 리 콘 으 로 설 명 되 었 다 . 1 949년 말에 다결정 물 질 보 다 단결정 물 질 을 이 용 하 므 로
큰 발전이 있었고 단 결 정 은 전체 반도체 물성의 특성이 일 정 하 도 록 개선시켰다-
트 랜 지 스 터 의 발전에 있어서 그 다 음 중 요 한 단 계 는 필 요 한 접 합 을 형성하기 위해
확 산 공 정 을 이 용 하 는 것이 었다. 이 공 정 은 트 랜 지 스 터 의 특 성 을 더욱 향상시 켰고 고주
파 소 자 를 만들어 냈다. 1 957년에 게 르 마 늄 으 로 1 958년에 실 리 콘 으 로 확 산 된 메 사 트
랜 지 스 터 (diffused mesa tranasistor)들 은 상 업 적 으 로 이 용 할 수 있었다. 또 한 확산공정
은 많 은 트 랜 지 스 터 를 하나의 실 리 콘 웨이퍼 위에 제조될 수 있게 함 으 로 써 이들 소 자
의 제 조 비 용 을 감소시켰 다.

집 적 회 로 (1C)

트 랜 지 스 터 는 그 전에 사 용 되 던 진 공 관 보 다 작 고 신뢰성 이 있어 전 자 공 학 분 야 에 큰
변화 를 이끌었다. 그때까지 전 자 회 로 를 만 들려면 각 각 결선에 의해서 연 결 되 어 야 만 하
는 단일 소 자 로 만 들어진 전자회로이 었다. 집 적 회 로 는 단일 부 품 으 로 불 가 능 한 전 자 분
야에 혁 신 적 인 것 이 었 다 . 집적의 의 미 는 수 백 만 개의 소 자 로 구 성 되 는 복 잡 한 회 로 를
한 개의 칩 위에 만들어질 수 있다는 것을 의미한다. 1 959년 2월에 Texas Instruments의
Jack Kilby는 게 르 마 늄 으 로 제 조 된 첫 번째 집 적 회 로 를 실 현 하 였 다 . 1 959년 7 월에
Fairchild Semiconductor의 Robert Noyce는 평 면기술을 이용하여 실 리 콘 으 로 집적회로
를 실 현 하 는 첫 시 도 를 하였다. 이들 초 기 회 로 는 바이폴러 트 랜 지 스 터 들 을 사 용하였다.
실용 적인 MOS 트 랜 지 스 터 들 은 60년대 중 반 과 1 970년대에 개발되었다.
MOS기술 , 특히 CMOS는 1C 설 계 와 개발에 있어 주 요 관 심 사 가 되 었 다 . 실 리 콘 은
중 요 한 반도체 물 질 이 고 ，갈 륨 비 소 와 다 른 화 합 물 반 도 체 들 은 광 소 자 나 매 우 높 은 고
주 파 소 자 를 필요로 하 는 특 별 한 응용분야에서 이용되었다.
초창기 1C 이후 회 로 설 계 가 보 다 세 련 되 면 서 ，집 적 회 로 는 보 다 복 잡하게 되었다. 단
일 실 리 콘 칩은 1 제 곱 센티미터의 정도에 실 장 할 수 있고，어떤 1C 들 은 수백 단 자 이상
을 가질 수 있다. 1C 는 계산，논리, 그리 고 기 억 기 능 을 단일 반도체 칩상에 집적시킬 수
있다 一 이 런 유 형의 1C 에 대 한 첫 번 째로 꼽 는 예 가 마 이 크 로 프 로 세 서 이 다 . 집 적 은 크
기, 무 게 와 전력 소 모 가 중 요 한 파 라 미 터 인 위 성 ，랩 탑 컴퓨터 등에 회 로 가 최 소 화 되
게 사 용 되 는 것을 의미한다.
1C 의 중 요 한 장 점 은 소 자 가 서 로서로 매우 가깝게 만 든 결과이다. 소 자 사이의 신호
시 간 지 연 이 짧 아 개별 소 자 회 로 에 서 구현 할 수 없는 고 주 파 와 고 속 회 로 를 가능하게
한다. 예를 들면 고 속 컴퓨터에서 논 리 회 로 와 기 억 회 로 가 시 간 지 연 을 줄이기 위해 서로
가깝게 위치한다. 추 가 로 시스템의 스 피 드 를 개 선 하 려 고 소 자 사이의 기생 커패 시 턴 스
와 인덕 턴 스 가 감소된다.
실 리 콘 공정에 관 한 활 발 한 연구，설 계 와 제 조 에 서 의 자 동 화 증 대 는 수 율 을 높 이 고
제 조 단 가 를 낮추게 하였다.

공정

집 적 회 로 는 단일칩 상에 트랜지스 터 제 조 와 내부연결 배선이 요 구 되 는 공정 기술들의

다 양 한 발 전 을 통 한 직접적 산 물 이 다 . 1C를 만들기 위 한 이 러 한 공정의 총체적 집 합 을
공 정 기 술 이 라 부 른 다 . 다 음 몇 단 락 은 이 러 한 절차의 일부 를 소 개 한 다 . 이 러 한 소 개 는
공정상의 기본적 용어 일부를 독자에게 제공하기 위함이다.

열산화 실 리 콘 1C 성공의 주 요 원 인 은 뛰 어 난 천연적 산 화 물 ，Si0 2가 실 리 콘 표 면에

형성되기 때문이다. 이 산 화 물 은 MOSFET에서 절연 게 이 트 로 사 용 되 고 또 한 소자간의
부 분 산화 {field oxide)로 잘 알려진 절 연 체 로 사 용 된 다 . 다 양 한 소 자 를 연 결 하 는 금 속
내 부 연 결 배 선 은 부 분 산 화 윗 부분에 위 치 한 다 . 대부분의 다 른 반 도 체 들 은 소 자 공정
에 사 용 되 는 양질의 천연 산 화 물 을 충분히 형성하지 못한다.
실 리 콘 은 약 25 A 두께의 얇 은 천연 산 화 는 상온 의 공기 중에서 산 화 한 다 . 그 러 나
대 부 분 산 화 물 은 반응이 일어날 수 있는 실 리 콘 표면의 잔여 산 화 를 통해 산 소 가 확 산
되는 기본 공정이 요구되기 때문에 고온에서 이 루 어 진 다 . 산 화 공정의 개 요 가 그림 0.1
에 있다. 산 소 는 정체된 가 스 층 을 따 라 이 웃 한 산 화 표 면 을 확 산 하 고 ， 2와 Si 사이의
반응이 일어나는 실리 콘 표면에 남 아 있 는 산 화 층 을 통해서 확 산 한 다 . 이 러 한 반 응 으 로
인해 실 리 콘 은 실 질 적 으 로 실리 콘 표면으로부터 소 모 된 다 . 소모 된 실리콘의 양은 최종
산 화 두께의 약 45%가 된다.

포토마스크와 사진식각 각 칩의 실 제 적 인 회 로 는 포 토 마 스 크 와 사 진 식 각 을 이용하여

만 든 다 . 포 토 마 스 크 는 소 자 나 혹 은 소 자 일부분의 물리 적 표 현 이 다 . 마 스 크 상의 불 투
명 한 영역 은 자 외 선 흡 수 물 질 로 만 들 어 진 다 . 포 토 레 지 스 트 라 불 리 는 광 학 층 은 먼저
반도체 표면에 넓 게 펴 진다. 포 토 레 지 스 트 는 자외선에 노출되면 화학적 변화를 보 이 는
유기 화 합 물 이 다 . 포 토 레 지 스 트 는 그림 0.2에 보 여 지 는 것처럼 포 토 마 스 크 를 통해 자
외선에 노출되어 있다. 그 후 포 토 레 지 스 트 는 화학적 용해상태 에서 현상된다. 현상물질
은 포 토 레 지 스 트 의 원치 않은 부 분 을 제 거 하 고 실리콘의 적 절 한 패 턴 을 형성하는데 이
용 된 다 . 포 토 마 스 크 와 사 진 식 각 공 정 은 소 자 를 얼 마 나 작게 만 들 수 있 는 지 를 가 늠 하
는 결정요 인이다.
자외 선을 이용하는 것 대 신 전자 와 X 선을 이용해서 포토레 지 스 트 를 노 출 할 수 있다.

에칭 포 토 레 지 스 트 패턴이 형 성 된 후 남 아 있는 포 토 레 지 스 트 는 마 스 크 로 이 용 되 고
포 토 레 지 스 트 가 덮여 있지 않은 물 질 은 에칭한 다 . 플 라 즈 마 에 칭 은 1C공정 중 현재 표
준 공 정 으 로 사용되 어 진다. 대체로 클 로 로 플 루 오 로 카 본 ( CFC)와 같 은 에칭 가 스 가 낮은
 1
S i0 2| Silicon
1
1
1
1
Gas
1 Diffusion 1
f 2 -
[ Stagnant
上 j ________
Diffusion o f 0 2
through existing
oxide to silicon surface

그림 0 .1 산화공정의 개요도

Photomask

그림 0 .2 포토마스크 사용의 개요도

압력의 chamber(아 치 형 천장의 방 )로 주 입 한 다 . 플 라 즈 마 는 음 극 과 양 극 단 자 들 사이

의 RF 에 해 당 되 는 전 압을 만든다. 실리콘 웨 이 퍼 가 음 극 상에 놓여지게 된다. 플 라 즈 마
의 양 으 로 대전 된 이온들 이 음 극 으 로 가 속 되 고 표면 에 수 직 으 로 충 돌 한 다 . 표 면 상 의
실제 화 학 적 ，물리적 반 응 은 복 잡 하 지 만 실 리 콘 은 웨이퍼의 선택된 영역에서 이 방성으
로 에 칭 하 는 결 과 를 갖 는 다 . 만 약 포 토 레 지 스 트 가 Si0 2 표면에 적 용 되 어 지 면 Si0 2 또
한 유 사 한 방 법으로 에칭된다.

확산 1C공정 에 서 가 장 광범 위하게 사 용 되 는 열 공정은 확산이 다. 확 산 은 “불 순 물 ” 형 태

의 특 수 한 원 자 를 실리 콘 물질에 주 입 시 키 는 공 정 이 다 . 이 도핑 과 정 은 … 접합이 형성
되고 실 리 콘 형태의 전 도 도 를 변화 시 킨 다 (pn 접합 은 반도체 소자의 기본 구 조 이 다 ). 실
리콘 웨 이 퍼 들 은 Si0 2 증 을 형성하 기 위해 산 화 되 고 photolothography를 이용하여 선
택된 부분의 산화에서 창(window) 이 열려지게 되고 표시된 것을 따 라 식각된다.
1 00°C) 도가니 에 놓 고 ，B , 모와 같 은 도 펀 트 원자 를
그런 다 음 웨 이 퍼 는 고 온 의 (약 1，
주 입 한 다 . 도 펀 트 원 자 는 점 차 확 산 하 고 밀도 기울기에 의하여 실 리 콘 으 로 이 동 한 다 .
확 산 공 정 은 원 자 농도의 기 울 기 를 필 요로 하기 때문에 최종 확산 된 원자의 농 도 는 그
림 0.3에 보 여 지 는 것처럼 비선형이 된다. 웨 이 퍼 가 도 가 니 에 서 제 거 되 고 웨이퍼의 온
도 가 상온이 되 면 불 순 물 원자의 확 산 계 수 가 영(zero)이 된다. 따라서 불 순 물 원 자 가 실
리콘 물질에 고정되게 된다.

이온 주입 고온에서 확산의 대안 공 정 은 이온 주입이 다 . 도 펀 트 이온의 빔은 높 은 에너

지로 가 속하여 반도 체 표 면 에 유 도 된 다 . 이온이 실 리 콘 에 주 입 되 면 서 실 리 콘 원 자 와
충 돌하게 되어 에 너 지 를 잃게 되고, 결국 결정내 어떤 깊이에 정착하게 된다. 충돌과정
이 본래 통 계 적 이 므 로 불 순 물 이온의 침투 깊이에 분 포 가 생 긴 다 . 그림 0.4 는 특 수 한
에너지에서 B 의 실 리 콘 주 입 을 보 여 주 는 예 이 다 . 확 산 과 비교해 이 온 주입의 두 가지
장 점 은 (1 ) 이온 주 입 은 저온 공 정이며 (2) 매 우 잘 정의된 도핑층의 형성이 가 능 하 다 .
이온 주 입 법 은 실리콘의 선택된 부분에 발 생 할 수 있도록 하기 위해 포 토 레 지 스 터 층이
나 산 화 층 은 불 순 물 원자의 관 통 을 방해하는데 사용한다.
이 온 주입의 한가지 단 점 은 주 실리 콘 원 자 와 입사된 도 펀 트 원자간의 충 돌 로 인한
관 통 된 도 펀 트 원자에 의 한 실 리 콘 결정의 손 상 이 다 . 그 러 나 대부분의 손 상 은 실 리 콘
을 고온에서 열처 리하여 제 거 한 다 . 그 러 나 보 통 열처리 온 도 는 확 산 공정의 온 도 보 다
조 금 낮다.

금 속 처 리 ，본딩 그리고 포장 반도체 소 자 는 논 의 된 공정 단계에 의해 제 조 되 고 난 후 ，

다 른 형태의 회 로 와 연결이 필 요 하 다 . 금 속 박 막 은 기 상 증 착 기술에 의해 증 착 하 고 ，
실질내부 연 결 배 선 은 사 진 식 각 을 이용하여 형성되며 에칭한다. 일반적으로 Si3N4의 보

Surface D istan ce------►

그림 0.3 반도체 표면으로 확산된 불순물의 최종 농도

•
•
•
•
•
•
•
•
•
CJO
•
•
•
•
•

Surface Rp Distance ■
(Projected range)

그림 .4 실리콘으로 이온주입된 보론의 최종 농도

 머리말 xxiii

SiO
n type

1. Start with 2. Oxidize surface 3. Apply photoresist

n-type substrate over S i0 2

3. Expose photoresist 4. Remove exposed . Etch exposed S i0 2

through photomask photoresist

Ion implant
or diffuse p regions Apply A1 , A1 contacts

\ \ \
/ / /, V ,
l . J l .」 1않 입 :
p n P

6. Ion implant or 7. Remove PR and 8. Apply PR, photomask,

diffuse boron sputter A1 on and etch to form A1
into silicon surface contacts over p regions

그림 0.5 pn 접합 형성의 기본 단계

호 층 은 결국 전체 칩을 증 착 시 키 게 된다. 개개의 1C 칩 은 선 을 긋 고 쪼개어 분 리 한 다 .

그 후 1C 칩 은 패 키 지 로 고 정 한 다 . 리드 접 합 체 는 칩과 패키지 단 자 들 은 금 이 나 알루미
늄 배 선을 접합한다.

요 약 : pn 접합의 간략한 공정 그림 0.5는 pn 접 합 을 만 드 는 기 본 단 계 를 보 인 다 . 이 러

한 단 계 들 은 앞선 단락의 묘사된 몇 가지 공 정 을 포함한다.

^•고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. Campbell, S. A. the Science and Engineering o f Microelectronic Fabrication. 2nd ed.
New York: Oxford University Press, 2(X)1.
2. Ghandhi, S. K. VLSI Fabrication Principles: Silicon and Gallium Arsenide. New York:
John Wiley and Sons, 1983.
3. Rhoderick, E. H. Metal-Semiconductor Contacts. Oxford: Clarendon Press, 1978.
4. Runyan, W. R., and K. E. Bean. Semiconductor Integrated Circuit Processing
Technology. Reading, MA: Addison-Wesley, 1990.
5. Torrey, H. C., and C. A. Whitmer. Crystal Rectifiers. New York: McGraw-Hill, 1948.
6. Wolf, S” and R. N. Tauber. Silicon Processing for the VLSI Era, 2nd ed. Sunset Beach,
CA: Lattice Press, 2000.
 차례

저자서문 ix 2.1 양자역학의 원리 _ 26

머리말 xvii 2.1 .1 에너지 양자 .26
2.1 .2 파동과 입자의 이중성 (Wave-Particle
Duality) • 27
2.1 .3 불확정성원리(Uncertainty Principle) • 30
고체의 결정구조
2.2 슈뢰딩거(Schrodinger)의 파동방정식 • 31
1. 개설 • r
2.2.1 파동방정식 .31
1.1 반도체 재료 • 1 2.2.2 파동함수의 물리적 의미 • 32
1.2 원자 배열에 따른 고체의 세 가지 형태 ■2 2.2.3 경계조건 .33

1.3 격자 • 3 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 _ 34

1.3.1 기 본 셀 과 단 위 셀 _ 3 2.3.1 자유공간의 전자 • 35
1 .3.2 기본 격자구조 • 4 2.3.2 무 한 전 위 우 물 .36
1.3.3 결정면과 밀러지수 .6 2.3.3 계 단 전 위 함 수 • 39
1 .3.4 결정방향 ■9 2.3.4 전위장벽과 투과 • 44

1.4 다이아몬드 구조 • 10 2.4 파동이론의 원자로의 확대 ■46

2.4.1 단일 전자 원자 • 47
1.5 원자결합 • 12
2.4.2 주기율표 • 50
*1 .6 고 체 의 결 함 과 불 순 물 14
2.5 요약 • 51
1.6.1 고체의 결함 .1 4
주요용어 • 51
1.6.2 고체 의 불순물 • 15
점검사항 • 52
*1 .7 반도체의 성장 . 16
복습 질문 • 52
1.7.1 용액으로부터 성 장 _ 17
문제 •52
1 .7.2 에 피 성 장 . 17
참고문헌 • 57
1.8 요약 • 19
주요용어 • 20
점검사항 • 20
복습 질문 ■21
고 체 양 자 이 론 의 입문
문제 • 21 3.0 개설 ■59
참고문헌 • 23
3.1 허용 에너지밴드와 금지대 +60
3.1 .1 에너지밴드의 형성 .60
*3.1 .2 Kronig-Penney 모델 • 63
양 자 역 학 의 입문 3.1 .3 k -공간 그림 • 68

2.0 개설 • 25 3.2 고체의 전기 전도 ■72

3.2.1 에너 지밴드와 결합 모델 . 73
xxvi 반도체 물성과 소자

3.2.2 드리프트(drift) 전류 • 74 4.4 도너와 억셉터의 통계 • 129

3.2.3 전자유효질량 .75 4.4.1 확 률 함 수 ，129
3.2.4 정공의 개념 • 78 4.4.2 완전 이온화와 동결 • 130
3.2.5 금속, 절연체, 반도체 • 81 4.5 전하중성 • 133
3.3 3차원으로 확장 ■83 4.5.1 보 상 반 도 체 ，133
3.3.1 Si과 GaAs의 k-공간 도표 • 83 4.5.2 열평형상태의 전자 및 정공농도 _ 134
3.3.2 유효질량의 추가 개념 • 84 4.6 페르미 에너지 준위의 위치 _ 139
3.4 준위밀도함수 ■85 4.6.1 수학적 유도 _ 139
3.4.1 수학적 유도 .85 4.6.2 도핑농도 와 온 도 에 대한 하의 변 화 ，142
3.4.2 반도체의 양자상태밀도 • 88 4.6.3 페르미 에너지의 관련성 ■ 144
3.5 통계역학 • 91 4.7 요약 • 145
3.5.1 통계 법칙 .91 주요용어 • 146
3.5.2 페르미-디락 확률함수 • 91 점검사항 • 146
3.5.3 분포함수와 페르미 에너지 • 93 복습 질문 • 147
3.6 요약 ■98 문제 • 147
주요용어 • 98 참고문헌 • 152
점검사항 • 99
복습 질문 • 99
문제 • 1 캐리어 전송 현상
참고문헌 • 1 4
5.0 개설 . 155
5.1 캐리어 드리프트 ■155
5.1 .1 드리프트 전류 밀도 • 156
평형상태의 반도체
5.1 .2 이동도 효과 • 158
4.0 개설 _ 105 5.1 .3 전도도 • 163
4.1 반도체의 전하 캐리어 _ 106 5.1 .4 속도 포화 • 168
4.1.1 평형상태의 전자와 정공 분포 • 106 5.2 캐리어 확산 ■171
4.1 .2 «0와 깨 방정식 . 108 5.2.1 확산전류밀도 • 1기
4.1 .3 진성캐리어농도 • 112 5.2.2 총 전류밀도 • 1 74
4.1 .4 진성 페르미 준위 위치 • 115 5.3 경사 불순물 분포 • 175
4.2 도펀트 원자와 에너지 준위 ■117 5.3.1 유 도 전 계 .1 75
4.2.1 정성적 설 명 ，117 5.3.2 아인슈타인 관계 • 177
4.2.2 이온화 에너지 • 119 *5.4 홀 효과 • 178
4.2.3 I -V 족 반도체 계열 • 121
5.5 요약 _ 181
4.3 외인성반도체 ■122 주요용어 • 182
4.3.1 전자와 정공의 평형상태 분포 ■122 점검사항 • 1 82
4.3.2 刀 • /? 곱 ' 125 복습 질문 • 183
*4.3.3 페르미-디락 적분 .1 26 문제 • 183
4.3.4 축퇴와 비축퇴 반도체 • 128 참고문헌 • 190
 차례 xxvii

7.2.1 내 부 전 위 장 벽 . 243
7.2.2 전계 • 246
반도체 내에서의 비평형 과 잉 캐 리 어
7.2.3 공간전하폭 • 249
6.0 개설 • 191 7.3 역방향 인가 바이어스 . 251
6.1 캐리어 생성 및 재결합 ■192 7.3.1 공간전하 폭 과 전 계 .251
6.1 .1 평형상태의 반도체 •192 7.3.2 접 합 커 패 시 턴 스 .254
6.1 .2 과잉 캐리어 생성 및 재결합 • 193 7.3.3 일 방 접 합 .256
6.2 과잉 캐리어의 특성 _ 197 7.4 접 합 항 복 .258
6.2.1 연속방정식 • 197 *7.5 불균일하게 도핑된 접합 ■262
6.2.2 시간의존 확산 방정식 • 198 7.5.1 선형적 으 로 경 사 진 도 핑 을 갖 는
6.3 앰비폴러 전송(ambipolar transport) ■200 접합 • 263
6.3.1 엠 비폴러 전송 방정식의 유도 • 200 7.5.2 초계단형 접합(Hyperabrupt junction) • 265
6.3.2 외인성 도핑 및 저 주입에 의한 7.6 요약 ■267
제한 •202 주요용어 • 268
6.3.3 엠비폴러 전송방정식의 적용 • 205 점검사항 • 268
6.3.4 유전 완화 시정수 • 21 3 복습 질문 • 269
*6.3.5 Haynes-Shockley 실험 • 21 4 문제 • 269
6.4 유사-페르미(Quasi-Fermi) 에너지 준위 • 21 7 참고문헌 • 275

*6.5 과 잉 캐 리 어 수 명 .21 9
6.5.1 Shockley-Read-Hall 재결합 이론 • 220
6.5.2 외인성 도핑 및 저 주입에 의한 pn 접 합 다 이 오 드
제한 • 223
8.0 개설 • 277
*6.6 표면효과 _ 225
8.1 pn 접합 전류 278
6.6.1 표면 준위 • 225
8.1.1 pn 접합 내에서의 전하 흐름의
6.6.2 표 면 재 결 합 속 도 .227
정성적 고찰 • 278
6.7 요약 ■229
8.1 .2 이상적 전류•전압 관계 • 279
주요용어 • 230
8.1 .3 경계조건 .280
점검사항 • 230 8.1 .4 소수 캐리어 분포 • 283
복습 질문 .231
8.1 .5 이상적인 pn 접합 전류 _ 286
문제 -231
8.1 .6 물리적 현상의 요약 • 291
참고문헌 • 238
8.1 .7 온도 효과 • 292
8.1 .8 “짧은” 다이오드 .294
8.2 생성-재결합 전류 및 고 ■주입 수준 • 296
pn 접 합 8.2.1 생 성 -재 결 합 전 류 .296
8.2.2 고-수준 주입 • 303
7.0 개설 • 241
8.3 pn 접합의 소신호 모델 • 305
7.1 pn 접합의 기본구조 ■242
8.3.1 확산저항 .305
7.2 제로 인가 바이어스 • 243
8.3.2 소신호 어드미턴스 • 306
xxviii 반도체 물성과 소자

8.3.3 등 가 회 로 ，31 3 복습 질문 • 367

*8.4 전하축적 및 다이오드의 과도특성 .31 5 문제 • 368
8.4.1 Turn-Off 과도 특성 .31 5 참고문헌 • 372
8.4.2 Turn-On 과도 특성 _ 31 7
*8.5 터널 다이오드 _ 31 8
8.6 요약 • 322 M 0 S F E T의 기초
주요용어 • 322 1 0.0 개설 • 375
점 검사항 • 323
10.1 2단자 MOS 구조 .376
복습 질문 • 323
10.1.1 에너지밴 드그림 _ 376
문제 • 324
1 0.1 .2 공핍층의 두께 • 380
참고문헌 • 331
1 0.1 .3 표면 전하 밀도 • 383
1 0.1 .4 일함수 차 _ 384
1 0.1 .5 평탄대 전압 • 388
금 속 _ 반도체 이종접합 및 1 0.1 .6 문턱전압 • 391
반도체 이종접합 1 0.2 커패시턴스대 전압 특성 • 397
9.0 개설 ■333 10.2.1 이상적인 C-V 특성 • 397
1 0.2.2 주파수 효과 • 402
9.1 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드 • 333
1 0.2.3 고정 산화막과 계면 전하효과 • 402
9.1 .1 정성 적특성 .334
9.1 .2 이상적 접합 특성 . 336 10.3 기본적인 MOSFET 동작 ■406

9.1 .3 장벽높이에 있어서의 비이상적인 효과 • 10.3.1 MOSFET 구조 • 406

340 1 0.3.2 전류-전 압 관 계 -개 념 _ 407
9.1 .4 전 류 -전 압 관 계 .344 *1 0.3.3 전류■전압 관계-수학적 인 유도 • 41 3
9.1 .5 쇼트키 장벽 다이오드와 … 접합 다이오드 1 0.3.4 전 달 컨 덕 턴 스 .421
와의 비교 • 348 1 0.3.5 기 판 바 이 어 스 효 과 .422

9.2 금속 반도체 저항성 접촉 ■351 10.4 주파수 제한 ■425

9.2.1 이상적인 비정류성 장벽 • 351 10.4.1 소신호 등가회로 • 425
9.2.2 터널링 장벽 • 352 1 0.4.2 주파수 제한요소와 차단 주파수 • 427
9.2.3 접 촉 비 저 항 .354 *1 0.5 CMOS 기술 • 430
9.3 이종(Hetero)접합 . 356 1 0.6 요약 ■432
9.3.1 이종 접합물질 ■356 주요용어 • 433
9.3.2 에너지밴드 다이어그램 • 357 점검사항 • 434
9.3.3 이차원 전자가스 • 359 복습 질문 • 435
*9.3.4 열평형 정전기학 • 360 문제 • 436
*9.3.5 전류■전압 특성 • 365 참고문헌 • 443
9.4 요약 • 366
주요용어 • 366
점검사항 • 367
 차례 xxix

1 2.1 .4 바이폴러 트랜지스터 증폭 • 499

M O S F E T 추 가 개념 1 2.2 소수 캐리어 분포 • 501

12.2.1 순방향 활성 모드 • 501
1 1 .0 개설 _ 445
1 2.2.2 다른 동작모드 • 507
11.1 비 이 상 적 인 효 과 _ 446 12.3 저주파수에서 공통 베이스 전류이득 ■508
1 1 .1 .1 문턱아래 전도 .446 12.3.1 기여 인자 .509
1 1 .1 .2 채널길이 변조 • 447
1 2.3.2 트랜지스터 전류성분과 전류이득 인자의
1 1 .1 .3 이동도 .452
유도 .51 1
1 1 .1 .4 속도포화 .454 1 2.3.3 요약 • 51 6
1 1 .1 .5 탄 도 전 송 _ 455 1 2.3.4 이득 인자의 예제 계산 • 51 8
11.2 MOSFET 스케일링 • 456 12.4 비 이 상 적 인 효 과 521
11.2.1 정전계 스케일링(Constant-Field) • 456
12.4.1 베 이 스 폭 변 조 .522
1 1 .2.2 문턱전압-첫번째 근사 • 458 1 2.4.2 고주입 • 524
1 1 .2.3 일반화된스케일링 .458 1 2.4.3 이미터 밴드캡 협소 _ 526
11.3 문 턱 전 압 조 정 458 1 2.4.4 전류 밀집 • 528
11 .3.1 단 채 널 효 과 .459 *1 2.4.5 불균일 베이스 도핑 • 530
1 1 .3.2 협 채 널 효 과 .462 1 2.4.6 항복전압 .531
11 .4 부가적인 전기적 특성 _ 465 12.5 등가회로 모 델 .536
11.4.1 항복전압 .465 *1 2.5.1 Ebers-Moll 모 델 ，537
*1 1 .4.2 저준위 도핑 드레인 트랜지스터 • 4기 1 2.5.2 Gummel-Poon 모델 • 540
1 1.4.3 이온주입에 의한 문턱조절 . 472 1 2.5.3 하이브리드-파이 모델 • 541
*1 1 .5 방사와 고온전자 효과 • 475 1 2.6 주 파 수 제 한 _ 545
11.5.1 방사유도된 산화막 전하 ■476 12.6.1 시간지연 인자 .545
1 1 .5.2 방사유도된 계면상태 • 478 1 2.6.2 트랜지스터 차단 주파수 • 547
1 1 .5.3 고온전자 충전효과 • 480
12.7 대신호 스위칭 ■550
1 1 .6 요약 ■481 12.7.1 스위칭 특성 • 550
주요용어 • 482 1 2.7.2 쇼트키 크램프(Schottky clamped)
점검사항 • 483 트랜지스터 • 552
복습 질문 ■483 *1 2.8 다른 바이폴러 트랜지스터 구조 •553
문제 • 483
12.8.1 다결정 실리콘 이미터 BJT • 553
참고문헌 • 489
1 2.8.2 실리콘-케르마늄 베이스 트랜지스터 •
555
1 2.8.3 이종접합 바이폴러 트랜지스터 • 557
바이폴러 트랜지스터 1 2.9 요약 ■558
주요용어 • 559
1 2.0 개설 ■491
점검사항 • 561
12.1 바이폴러 트랜지스터 동작 . 492
복습 질문 • 561
12.1.1 동작의 기본원리 .493
문제 • 562
1 2.1 .2 간단화한 트랜지스터 전류관계 .495
참 고 문 헌 • 5기
1 2.1 .3 동 작 모 드 .498
XXX 반도체 물 성 과 소 자

1 4.2 태양전지 ■626

14.2.1 pn 접합 태양전지 • 627
접합 전계효과 트랜지스터
1 4.2.2 변환 효율 및 집광 ■629
1 3.0 개설 ■573 1 4.2.3 불 균 일 한 흡 수 효 과 .631

13.1 JFET 개념 574 1 4.2.4 이종접합 태양전지 _ 632

13.1.1 기본적 인 pn JFET 동작 .574 1 4.2.5 비정질 실리콘 태양전지 • 634
1 3.1 .2 기본적 인 MESFET 동작 • 578 14.3 광검출기 635

1 3.2 소 자 특 성 _ 579 14.3.1 광전도체 .636

13.2.1 내부 핀치오프 전압，핀치오프 전압과 1 4.3.2 광 다이오드 • 638

드레 인-소스 포화 전압 • 580 1 4.3.3 PIN 다이오드 • 643

1 3.2.2 이상적인 DC 전류 전압 관계一공핍 1 4.3.4 애벌런치 광 다이오드 • 645

모드 JFET • 584 1 4.3.5 광 트랜지스터 • 645

1 3.2.3 전달 컨덕턴스 • 589 1 4.4 광발광과 전기발광 • 647

1 3.2.4 MESFET • 590 14.4.1 기본 천이(Transitions) • 647

*1 3.3 비 이 상 적 효 과 .596 1 4.4.2 발 광 효 율 _ 649

13.3.1 채널 길이 변조 _ 596 1 4.4.3 물질 . 649

1 3.3.2 속도 포화 효과 ■598 1 4.5 발광 다이오드 ■651
1 3.3.3 문턱아래(Subthreshold)와 게이트 14.5.1 빛의 생성 -652
전류 효과 • 598 1 4.5.2 내부 양자 효율 ■ 652

*1 3.4 등가회로와 주파수 한계 _ 599 1 4.5.3 외부 양자 효율 • 653

1 4.5.4 발광 다이오드 소자 • 656
13.4.1 소신호 등가회로 ■600
1 3.4.2 주파수 제한 인자와 차단 주파수 • 602 14.6 레이저 다이오드 • 657
*1 3.5 높은 전자 이동도 트랜지스터 ■604 14.6.1 유도 방출과 반전 분포 • 657
13.5.1 양자 우물(Quantum Well) 구조 • 605 1 4.6.2 광학적 공진 상자 • 660
1 3.5.2 트랜지스터 성능 • 606 1 4.6.3 문턱전류 . 661
1 4.6.4 소자 구조 및 특성 • 的 2
1 3.6 요약 _ 611
주요용어 .61 1 14.7 요약 ■665
주요용어 • 665
점검사항 • 61 2
복습 질문 • 61 2 점검사항 ■666
문제 • 61 3 복습 질문 •666
참고문헌 • 61 8 문제 • 667
참 고 문 헌 •6기

광 소자
반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자
1 4.0 개설 • 621
15.0 개설 ■673
14.1 광 흡 수 .622
14.1.1 광 흡 수 계 수 .622 15.1 터널 다이오드 • 674
1 4.1 .2 전 자 -정 공 쌍 생 성 률 ' 625 15.2 건 다이오드 ■675
15.3 임파트 다이오드 • 678
1 5.4 전력 바이폴라 트랜지스터 ■680 주기율표 . 722
15.4.1 수직 전력 트랜지스터의 구조 • 680
1 5.4.2 전력 트랜지스터의 특성 • 681
1 5.4.3 달링톤 쌍(Darlington Pair) 구성 • 685
에너지 단위一전자-볼트 ■723
15.5 전력 MOSFET ■686
15.5.1 전력 트랜지스터의 구조 • 686
M j :떼마 :■=•
1 5.5.2 전력 MOSFET의 특성 • 688
1 5.5.3 기생 BJT • 692 Schrodinger의 파동 방정식의
“유도” ■725
1 5.6 사이리스터 ■693
15.6.1 기 본 특 성 .694
1 5.6.2 SCR의 트리거 링(Triggering) • 696
1 5.6.3 SCR외 tum-off • 699 유효질량 개념 • 727
1 5.6.4 소자 구조 .700 F.1 에 너 지 대 구 조 .727
1 5.7 요약 • 703 F.2 상태 유효질량의 밀도 • 728

주요용어 • 704 F.3 전도성 유효질량 • 730

F.4 요약 • 731
점검사항 • 705
복습 질문 ■705
문제 • 706
참고문헌 • 708 오류 함수 ■732

선택한 부호의 목록 ■기 1 선택된 문제의 해답 _ 733

찾아보기 741
단위 체계，전환인자와 일반 상수 ■기 8
 (r
L ll
•
Q .
•

•
•

고체의 결정구조

이 장은 반도체 재료와 소자의 전기적 성질과 특성을 다룬다. 따라서 고체의 전기적 성질이 주
요 내용이 된다. 반도체는 일반적으로 단결정 형태로 사용하며, 단결정의 전기적 성질은 구성
원자의 화학적 성질뿐 아니라 원자 배열에 의해서 결정된다. 고체의 결정 구조에 대해 공부해
보면 이것이 사실인 것을 알게 될 것이다. 단결정을 만드는 성장기술은 반도체 기술의 중요한
요소이므로 여러 가지 단결정 성장기술들에 대해서 간략히 다루었고, 또한 반도체 관련 주요
용어들을 설명하였다. ■

1. 0 개설

■ 고체의 세 가지 분 류 즉 비정 질 ，다결정, 단결정에 대해서 설명한다.

■ 단 위 셀 의 개 념 을 논의한다.
■ 세 가지 단순 격자구 조를 설명하고, 각 구조의 원자 부 피 밀 도 와 표 면 밀 도 를 다룬다.
■ 다 이 아 몬 드 결 정 구 조 를 논의한다.
■ 몇 가지 단결정 반도체 재료 제조공정에 대해서 간단히 설명한다.

1.1 반 도 체 재 료

반 도 체 는 전 도 도 가 도 체 와 절연체 사이에 있는 물질의 집 단이다. 반 도 체 는 일 반 적 으 로

주 기 율 표 의 4족에 있는 원 소 반 도 체 (elementary semiconductor)와 3족 과 5족 원 소 들 의
특 수 한 결 합 으 로 이 루 어 지 는 화 합 물 반 도 체 (compound semiconductor), 두 가 지 로 분 류
할 수 있다. 표 1.1 은 통상적 인 반 도 체 들 을 구 성 하 는 원소들이 있는 주 기 율 표 의 일부분
을 보 여 준 다 . 그 리 고 , 표 1 .2는 이 러 한 원 소 들 로 구 성 된 반 도 체 의 예를 나 타 내 고 있다
(반 도 체 는 2족 과 6족의 원 소 들 로 도 만 들 어 질 수 있다. 그 러 나 ，이 책 에 서 는 다루지 않
을 것이다).
원 소 반 도 체 는 한 가지 원 소 로 구성 된 반도 체 로 서 실 리 콘 (Si)과 게 르 마 늄 (Ge)이 이
1
표 1 .1 통상적인 반도체를 구성하는 주 표 1.2 표 1.1의 원소들로 구성할 수 있
요 원소들로 이루어진 주기율표의 일부분 는 반도체들의 사례

III IV V Elemental semiconductors

5 6 Si Silicon
B C Ge Germanium
Boron Carbon
Compound semiconductors
13 14 15
A1 Si P A1P Aluminum phosphide
Aluminum Silicon Phosphorus AlAs Aluminum arsenide
31 32 33 GaP Gallium phosphide
Ga Ge As GaAs Gallium arsenide
Gallium Germanium Arsenic InP Indium phosphide
49 51
In Sb
Indium Antimony

에 해당한 다 . 실 리 콘 은 지금까지 집적회로에서 가 장 많이 사 용 되 는 반 도 체 이 므 로 특히

많이 논 의 할 것이다.
갈륨비소(GaAs) 혹 은 갈륨인(GaP)과 같 은 2원소 화 합 물 은 3족 과 5족 원소들의 결합
으 로 구 성 된 다 . 갈 륨 비 소 는 화 합 물 반 도 체 중에서 가 장 널리 사 용 되 는 반 도 체 이 다 . 이
반 도 체 는 우 수 한 광 특성 때문에 광 소 자 에 널리 활 용 되 고 ，전하 이 동 도 가 우수하여 고
속동작이 요 구 되 는 특 수 용도에 사 용 되 기 도 한다.
3원 소 로 이 루 어 진 화 합 물 반 도 체 도 만 들 수 있다. 예로서 Al/Ja^^As를 들 수 있다.
여기서 첨 자 x 는 원 자 번 호 가 작 은 원소의 혼 합 비 율 을 표 시 한 다 . 보 다 복 잡 한 원소구성
을 갖 는 반 도 체 들 도 만 들 수 있으며, 이 러한 특 성 은 반도체 선택에 있어 넓 은 자 유 도 를
제공한다.

1. 2 원 자 배열에 따 른 고 체 의 세 가지 형태

고 체 는 일반적으로 원자들의 배열에 따 라 비정질(amorphous), 다결정(poly crystal) 그리

고 단결정(single crystal) 등 세 가지 형 태 로 분 류 할 수 있다. 각 형 태 는 원자들이 규칙
적 인 배 열을 갖 는 질서 영 역의 크 기 로 결 정 된 다 . 질서 영 역 이란 원 자 혹 은 분 자 들 이 기
하학적 규칙적 배열 혹 은 주 기 성 을 갖 는 공간적 부 피 를 의 미 한 다 . 비 정 질 은 질서영역
의 부 피 가 가 장 작 은 고체로서 몇 개의 원자 혹 은 분 자 크기의 영역 에 서 만 질서를 가지
며 전 체 적 으 로 는 통 일 된 규 칙 성 을 갖지 않 는 다 . 반면에 다 결 정 은 비정질 보 다 는 다소
넓 은 질 서 영 역 의 부 피 를 갖 지 만 서로 다 른 규 칙 성 을 갖 는 질 서 영 역 들 로 구 성 되 어 이
역시 전체 부피에 걸쳐 통일 된 규칙성이 없다. 이러 한 질서영역 혹 은 단결정 영역을 그
레인(grain)이 라 고 부 르 고 , 그레 인과 그레 인의 경 계 를 그레인 경계(grain boundary)라고
한다 . 단 결 정 은 전체 부피 에 걸쳐서 원자들이 일정 한 규 칙 으 로 배열 된 고 체 이 다 . 단결
정 의 장 점 은 일반적으로 전기 적 특성 이 단결정 이 아닌 재료 들 보 다 우 수 하 다 는 점 이다.
 1.3 격자 3

그림 1.1 세 가지 일반적인 결정 형태의 도식: (a) 비정질，(b) 다결정，(C ) 단결정

이 것은 단결정 이 아닌 재료의 그 레 인 경 계 들 이 전기적 특 성 을 저하시키기 때문이다. 비

정질，다결정 그리 고 단결정의 2차원 그림들이 그림 1.1 에 나타 나 있다.

1. 3 격자

우리 의 주 된 관 심 은 원자들이 규 칙 적 으 로 배열 된 단 결 정 이 다 . 원 자 한 개, 혹 은 몇 개
의 원 자 들 로 구 성 된 대표 단위들 이 3차원 공간에서 규칙적 인 간 격 으 로 반복되어 단결
정을 이룬다. 결정의 이러한 규 칙적인 배열 을 격 자 (lattice)라고 부른다.

1.3.1 기 본 셀 과 단위셀

대표 단 위들의 위 치 를 점 으 로 나 타 내 고 이 것 을 격 자 점 (lattice point)이라 고 부 른 다 . 그

림 1 .2는 격자점 의 무한대 2차원 배 열을 나타낸다. 원자배 열을 반 복 하 는 간 단 한 방법 은
평 행 이 동 이 다 . 그림 1 .2의 각 격 자 점 은 첫 번째 방 향 으 로 거리 이과 두 번째 같 은 선상
에 있지 않는 다 른 방 향 으 로 거리 b ' 만큼 평행이동 하여 2차원 격자 를 이룬다. 이 그림
에 서 는 나 타 나 있지 않 지 만 세 번째 방 향 으 로 평 행 이 동 하 면 3차원 격 자 를 만 들 수 있
다. 평 행 이 동 방 향 은 상 호 수직 일 필요 가 없다.
3차원 격자 는 원자 단위의 주기 적 반 복 으 로 이루어 지므로 물리 적 특 성 을 알기 위하
여 전체 격 자 를 분 석 할 필 요가 없고，단지 반 복 되 는 기초 단 위 만 분 석 하 면 전체 특 성 을
예 측 할 수 있다. 이러 한 기초 원 자 단 위 를 단 위 셀 (unit cell)이라고 하 며 ，전체 결 정 을 재
현하는데 사 용 되 는 작 은 결정 부피 이다.
단 위 셀 은 한 가지 형 태 만 있는 것이 아 니 다 . 그림 1 .3은 2차원 격자에서 여 러 가지
형태의 단 위 셀 들 을 보 여 주 고 있다. 단 위 셀 A 는 a 2와 b 2 방 향 으 로 평 행 이 동 할 수 있 고 ，
단 위 셀 묘는 이 와 b 즈 방 향 으 로 평 행 이 동 할 수 있다. 그 리 고 ，전체 2차 원 격 자 는 이 러한
단위 셀들의 평 행 이 동 으 로 재현될 수 있다. 그림 1 .3의 단위셀 C 와 D 도 역시 적 당 한 평
행 이 동 을 사용하여 전체 격자를 재현하는데 사용될 수 있다. 2차원 단위셀의 이러 한 설
명은 3차 원 으 로 쉽게 확대하여 실제 단 결 정 을 묘사하는데 사용될 수 있다.
U Chapter 1 고체의 결정구조

1냐

그림 1.2 단결정 격자의 2차원 그림

기 본 셀 (primitive unit cell)은 가 능 한 모 든 단 위 셀 들 중에서 가 장 부피 가 작 은 단위셀

이다. 많 은 경우 기본셀이 아닌 단 위 셀 을 사 용 하 는 것이 더 편 리 할 때 가 있다. 예 를 들

면 기본셀의 면 들 은 비 직교일 수 있지 만 단위셀의 면 들 은 직 교 되 도 록 선 택 할 수 있어
분석이 더 쉬워질 때가 있다.
일 반 화 된 3차 원 단 위 셀 이 그림 1 .4어1 나 타 나 있 다 . 이 셀 과 격자의 관 계 는 세 가지
벡터들 즉 石，&와 c 에 의하여 표 시 하 고 단 위 벡 터 (unit vector)라고 한다 . 이 것 은 수직 일
필요 없 고 ，길 이 는 같 을 수 도 있고 그렇지 않 을 수 도 있다. 3차 원 결정에서 모 든 등 가
격 자 점 은 벡 터를 사용하여 찾 을 수 있다.

r = pa qb + sc

여기서 /7, 다와 순 정 수 이 다 . 원점의 위 치 는 아무 곳 에 나 둘 수 있기 때문에 ; 7, ^니 는

간 단 히 양의 정 수 로 둘 수 있 다 . 벡터 크，b , c 의 크 기 를 단 위 셀 의 격 자 상 수 (lattice
constant) 라고 한다.

1.3.2 기본 격자구 조

반도체 결정 을 논의하기 전에 3가지 결정 구 조 들 을 고 찰 하 고 이 러 한 결정의 기본 특성

을 살펴본 다 . 그림 1 .5는 단 순 입 방 (sc; simple cubic crystal), 체 심 입 방 (bcc; body centered
cubic crystal) 그 리 고 면 심 입 방 (fee; face centered cubic crystal) 등 대 표 적 인 입방결정
(cubic crystal)의 구 조 를 나타낸 다 . 이러 한 단 순 한 구조에 대하여 벡터 石，6와 근가 서로

그림 1 .4 일반화된 기본 단위셀.
 1.3 격자 5

그림 1 .5 세 가지 격자 형태: (a) 단순입방, (b) 체심입방，(c) 면심입방

직 각 이 고 길 이 가 같 도 록 단 위 셀 들 을 선 택 할 수 있다. 단 순 입 방 (sc) 구 조 에 서 는 각 모서
리 에 원자 가 위 치한다. 체 심 입 방 (bcc) 구조에 서는 입 방 중심 에 추 가 로 원 자 가 존재한 다 .
그 리 고 면 심 입 방 (fee) 구 조 에 서 는 각 면 중심에 추 가 로 원자들이 존재한다.
재료의 결정 구 조 와 격자 크 기 를 알면 결정의 여러 가지 특 성 ，예를 들어 원자의 부
피 밀도를 결정 할 수 있다.

「테 결정의 원자 부피 밀도를 계산한다. M B l f

격자상수 «= 5 A = 5 x 1 0~8 cm 인 체심 입방의 단결정을 생 각 하 斗 모서 리 원자는 각
모서리에서 만나는 8개 단위셀들이 공유하므로 각 모서리 원자는 각 단위셀에 부피의 1/8
씩 포함된다. 따라서 8개의 모서리 원자들은 단위셀에 1 개의 원자를 제공하는 결과가 된다.
만약 체심에 있는 원자를 모서리 원자들에 합하면 각 단위셀은 2개의 원자들을 내포하는
것이 된다.

풀이

단위셀에 내포된 원자의 수: | X 8 + 1 = 2

원자의 부피 밀도는 다음과 같이 계산된다.

단위셀에 내포된 원자의 수

부피 밀도 =
단위셀의 부피
따라서

부피 밀도 = 含 = (5 x 21 _8)3 = 1 6 X 1 22at ms/cm3

연습 문제
Ex 1.1 면심입방격자의 격자상수가 4.25 A 이다. (a) 단위셀 당 원자의 수를 계산하시오.
(b) 원자의 부피밀도를 계산하시오.
K0 l X IZ g (q) - p (b ) -suy]
6 Chapter 1 고체의 결정구조

1. 3. 3 결정면과 밀러지수

실제 결정 은 무한대의 크 기 를 가질 수 없 으 므 로 결국 어떤 표면에서 결정의 주 기 는 끝

나게 된다. 반도체 소 자 는 표면 근처에서 제 작 되 므 로 표면의 성 질 은 소 자 특성에 큰 영
향 을 준 다 . 이 러 한 표 면 들 을 격 자 로 표 기 할 수 있 어 야 한다. 표 면 혹 은 결 정 을 관 통 하
는 평면 을 결 정 면 (crystal plane)이라고 하며 , 이 결 정 면 은 격 자 를 나타내는 데 사 용 되 는
a , 6와 c 축 과 평 면의 교 차 점 을 사용하여 표현된다.

K S D 9 I i 목 적 i 그림 내 에 나타난 결정면을 묘사한다. (그림 내 에 서 격 자 점 들 은 石，표와 c 축상에

있는 것들만 나타내었다.)

그림 1 .6 대표적인 결정면

식 [1 .1 ]을 사용하면 결정면의 교 차 점 은 /) = 3, <? = 2 그리고 s = 1 이다. 교차점의 역수를

취하면

(★，士나)
이 斗 분모의 최소공배수를 즉 6을 곱하면 (2,3,6)이 된다. 그러면 그림 1 .6에 있는 평 면을
(236) 면이라고 부른다. 정수를 밀러지수 (Miller indices)라고 한다. 이 평면을 (hkl) 결정면
이 라고 부른다.

S 3
그림 1 .6에 나타난 결정면에 평행한 어떤 결정면도 같은 밀러지수를 갖는다. 평행한 결정면
들을 서로 등가 결정면(equivalent crystal plane) 이라고 한다.

연습문제
Ex 1.2 그림 1 .7에 있는 결정면을 표기하시오. [답. (21 1 ) 결정면]
 1.3 격자 7

그림 1 .7 연습문제 1.2의 그림

입방결정에서 보 통 고 려 되 는 3가지 평면들이 그림 1 .7에 나 타 나 있다. 그림 1 .8에서

결 정 면 은 표와 c 축에 평 행 이 므 로 교 차 점 은 /? = 1 ，? = 그리고 x = 이다. 역수 를
취하면 밀 러지수 (1 ， , )를 얻게 되므로 그림 ].8에 나 타 난 결 정면을 (1 00) 결 정 면 이 라
고 부 른 다 . 다시 그림 1 .8에 나 타 난 결정면에 평 행 하 고 격자상수의 정수배 떨어져 있는
결 정 면 은 서 로 등 가 이 고 (1 ) 결 정 면 이 라 고 한 다 . 밀 러 지 수 를 구하기 위하여 역수 를
취 하 는 이 점 은 축 과 평행인 결 정 면 을 묘 사 하 는 데 무한대 사 용 을 피 할 수 있 다 는 것이
다. 만 약 원 점 을 관 통 하 는 결 정 면 을 묘 사 하 려 면 교 차 점 의 역 수 를 취 하 면 밀러 지 수 의
한 두 개는 무 한 대 가 될 것이다. 그 러 나 , 원점의 위 치 는 아무 곳 에 나 둘 수 있으므로 원
점을 다 른 등 가 격 자 점 으 로 평행이 동하 면 밀러지수에서 무 한 대 를 피할 수 있다.
단 순 입 방 구 조 ，체 심 입 방 그 리 고 면 심 입 방 에 서 는 고도의 대칭성이 있다. 축 들 은 3차
원 공 간 에 서 90°회 전 할 수 있고, 각 격 자 점 은 다시 식 (1 .1 )에 의하여 표 시 될 수 있으
므로

r = pa + 살公+ ic ( 1. 1)

이다. 그림 1 .8a 에 나 타 난 입방 구조의 각 면의 결 정면은 완전히 등가이 다 . 이러한 결정

그림 1 .8 3가지 결정면: (a) (100) 결정면，(b) (110) 결정면，(c) (111) 결정면

8 Chapter 1 고체의 결정구조

면들을 함께 집단으로 묶어 {1 00} 결정면 집합 이 라 고 부른다.

그림 1 .8b 와 1 .8c 에 나 타 난 결 정 면 들 을 생 각 해 볼 수 있다. 그림 1 .8b 에 나 타 난 결정
면의 교 차 점 들 은 " = 1 ，q = 1 그리고 s = 이다. 밀 러 지 수 들 은 이 러한 교차점 들 의
역수를 취함으로써 얻을 수 있고，(11 ) 결정면 이 라 고 부른다. 이와 같 은 방 법 으 로 그림
1 .8c 에 나 타난 평면은 (1 1 1 ) 결정면이다.
결정의 특 성 을 나 타 내 는 요 소 로 서 이 웃 한 등 가 평행 결정면 사이의 거 리 와 결정면
에 의하여 잘 려 지 는 원자의 표 면 밀 도 , (#/cm2)가 있다. 단결정 반 도 체 는 무 한 대 로 크지
않고 어떤 표면에서 주 기 가 종 결 된 다 . 원자의 표 면 밀 도 는 그 위에 다 른 재 료 (예 를 들면
절 연 체 )를 적 층 할 때 다 른 재 료 가 반도체 표면에 결정 구 조 적 으 로 얼 마나 잘 맞 는 지 를
판 단 하 는 중 요 한 요소이 다.

I 목적 결정에서 특정 결정면에 있는 원자의 표면밀도를 계산한다.

체심입방구조와 그림 1 .9a 에 나타난 (1 1 0) 결정면을 생각하자. 원자를 이웃한 원자들이
서로 맞닿아 있는 구슬과 같은 형태로 가정하자. 격자상수가 이 = 5 A 이라고 가정하자. 그
림 1 .9b는 원자들이 (1 1 0) 결정면으로 절단된 모습을 보여준다.

그림 1 .9 (a) 체심입방에서 (110) 평면과 (b) 체심입방에서 (110) 평면으로 절단된 원자들

각 모서리의 원자는 4개의 등가 결정면에 의하여 공유되므로 각 모서리 원자는 그림에

서 표시되었듯이 이 결정면에 면적의 1 /4이 포함된다. 따라서 4개의 모서리 원자들은 이 결
정면에 하나의 원자를 제공하는 것이 된다. 중심에 있는 원자는 완전히 이 결정면에 포함된
다. 이 중심 원자와 모서 리 원자들을 자르는 다른 등가 결정 면은 없으므로 중심 원자의 전
체가 결정면에 있는 원자의 수에 포함된다. 따라서 그림 1 .%에 있는 결정면은 2개의 원자
를 포함하고 있다.

풀이

결정면에 포함된 원자의수: + x 4 + 1 = 2

 표며 미도 = 결정면에 포함된 원자의 수
결정면의 면적
따라서
td -yyl pj rl _ _ _ _ 2_ _ _ __ _ _ _ _ _ 2____
T " 1 브 一 ( a (a M ) (5 X l - 8)2V2
= 5.66 x l 14 원자/cm2
이다.

S 3
원자의 표면밀도는 결정면에 따라 변한다.

연습
Ex 1.3 면심입방구조의 격자상수는 4.25 A 이다. 다음 결정면에 대해서 표면밀도를 계산
하시오. (a) (1 00) 결정면，(b) (1 1 0) 결정면
«0I X 스(q) 느-삐 S,01
8• X i n (b) -suy]

1.3.4 결정방향

격자에서 결 정 면 을 표 현 하 는 것 외에 도 결정에서 특정 방 향 을 표 현 할 수 있어 야 한다.

방 향 을 결 정 방 향 이 라 고 하 며 ，결 정 방 향 은 이 방 향 을 나 타 내 는 벡터 성분인 3개의 정수
집 합 으 로 표 현 한 다 . 예를 들면 단 순 입 방 격자에서 체심 대 각 선 은 벡터의 세 성 분 1 ，1，
1 로 구 성 된 다 . 그 러 면 체심 대각 선 결 정 방 향 은 [1 1 1 ]으 로 표 현 한 다 . 중 괄 호 는 결정면
을 표 시 하 는 데 사 용된 소 괄 호 와 구별하 여 결 정 방 향 을 나타내는 데 사 용 된 다 . 단 순 입 방
구조에 서 3가지 기 본 결 정 방 향 과 관련 결정면이 그림 1 .1 0에 나 타 나 있다. 단 순 입방격
자에서 [ M /] 결 정 방 향 은 (J M ) 결정면 에 수직 인 점을 유 의 하 라 . 그 러 나 단위셀이 입방
격자 가 아닐 때에 는 결 정 면 과 결 정 방 향 은 동 일 한 밀러지수를 갖지 않는다.

이해도 평가

TYU 1 .1 단순입방구조의 원자 부피밀도가 4 父 1022 cm -3이다. 원자는 단단한 구슬 모양이

고，주변의 원자들과 맞닿아 있다고 가정하자. 격자상수와 원자의 반경을 계산하
시오. (Y 9 V \ = u ‘Y Z 6 Z = v 'SW)
TYU 1 .2 격자상수가 a = 4.65 A 인 단순입 방구 조를 생각한다. 다음 결정 면의 원자의 표
면밀도를 계산하시오. (a) (1 00) 결정면，(b) (1 1 0) 결정면, (c) (1 1 1 ) 결정면
[z-UW H I X L 9 ' Z (。) 느- UI3 „,0! X L Z 'i (q) 느- w i x Z 9 P W ' suy]

TYU 1 .3 (a) 격자상수가 a = 4.83 A 인 단순입방구조에서 (1 00) 결정면들 사이의 거리

를 계산하시오. (b) (1 1 0) 결정면에 대해서 (a)와 동일한 계산을 하시오.
[Y Z V Z (q) 8十 (B) -suy]
10 Chapter 1 고체의 결정구조

그림 1 .1 0 3가지 결정방향과 결정면: (a) (1 00) 결정면과 [1 0이 결정방향，(b) (1 1 0) 결정면과 [11 이 결정방향，(c) (1 1 1 ) 결정면과
[111] 결정방향.

1乂 다 이 아 몬 드 구 조

이미 말 한 바 와 같이 실 리 콘 은 가장 널리 사 용 되 는 반 도 체 이 다 . 실 리 콘 은 4족 원 소 이 고
결 정 체 는 다 이 아 몬 드 구 조 를 갖 는 다 . 게 르 마 늄 도 역시 4족 원 소 이 고 같 은 다 이 아 몬 드
구 조 를 갖 는 다 . 그림 1.11 에 나 타 난 다 이 아 몬 드 구조의 단 위 셀 은 지금까지 논 의 하 였 던
단 순 입방구조 보 다 훨씬 복잡하다.
그림 1 .1 2에 나 타 난 사 면 체 (tetrahedral) 구 조 를 논 의 함 으 로 써 다 이 아 몬 드 구 조 를 살
펴보자. 이 사면체 구 조 는 기 본 적 으 로 체심 입방 구 조 이 나 8개의 모서 리 원 자 중에서 4
개 가 없는 구 조 이 다 . 사면 체 구조에서 각 원 자 는 4개의 이 웃 한 원 자 를 가지 며，이 것이
다 이 아 몬 드 격자의 기본셀이다.
다 이 아 몬 드 구 조 를 형 상 화 하 는 여 러 가지 방법 이 있다. 다 이 아 몬 드 격자에 대 한 이
해를 보 다 깊이 있게 하기 위 한 한 가지 방 법 은 그림 1 .1 3에 나 타 나 있다. 그림 1 .1 3a는

그림 1 .1 2 다이아몬드 격자에서
그림 1.11 다이아몬드 구조 이웃한 원자들의 사면체 구조
 1.4 다이아몬드구조 11

그림 1 .1 3 다이아몬드 격자의 일부: (a) 하부 반쪽과 (b) 상부 반쪽

서로 대각 선 방 향 으 로 이 웃 한 2개의 체 심 입 방 ，혹 은 사면체 구 조 를 나 타 낸 다 . 흰 원들
은 그 구 조 가 왼 쪽 ，혹 은 오 른 쪽 으 로 격 자 상 수 a 만 큼 평 행 이 동 하 였 을 때 생 성 되 는 원
자 들 을 나 타낸다. 그림 1 .1 3b는 다 이 아 몬 드 구조의 상 부 반 쪽 을 나 타 낸 다 . 상 부 반 쪽 도
역시 대각 선 방 향 으 로 결합된 두 개의 사면체 구 조 로 이 루 어 지 지 만 하 부 반 쪽 과 대각
선을 중 심 으 로 90° 회전되어 있다. 다 이 아 몬 드 구조의 중 요 한 특 성 은 다 이 아 몬 드 구 조
의 모 든 원 자 는 4개의 이 웃한 원 자 들 을 갖 는 다 는 것이다. 이 러한 특 성 은 다음절에서 원
자 결 합 을 논 의 할 때 다시 설 명 할 것이다.
다 이 아 몬 드 구 조 는 모 든 원 자 가 실 리 콘 과 게 르 마 늄 과 같이 동 일 한 종류의 원 소 로
이루어 진 특 별 한 격 자 이 다 . 섬 아 연 광 (zincblend) 구 조 는 기하학적 구 조 는 다 이 아 몬 드
구 조 와 동 일 하 나 2개의 다른 원 소 들 로 구성되 어 있다는 점 이 다른 점 이다. 갈 륨 비 소 와
같 은 화 합 물 반 도 체 는 그림 U 4에 보 이 는 섬 아 연 광 구 조 를 갖는다. 다 이 아 몬 드 와 섬아
연 광 과 구조 의 중 요 한 특 징 은 원자들 이 결합하여 사면체 구 조 를 이 룬 다 는 것 이다. 그
림 1.1 5는 각 Ga 원 자 가 4개의 이 웃 한 As 원 자 를 갖 고 ，각 As 원 자 는 4개의 이 웃 한 Ga
원 자 를 갖 는 GaAs의 기본 사면체 구 조 이 다 . 이 그 림 은 또 한 다 이 아 몬 드 , 혹 은 섬아 연

그림 1 .1 5 섬아연광 격자에서 이
그림 1 .1 4 GaAs의 섬아연광 격자 웃한 원자들의 사면체 구조
12 Chapter 1 고체의 결정구조

광 격자 를 재생하는데 사 용 되 는 두 개의 부격자들 의 상 호 투 과 를 나타낸다.

이해도 평가

TYU 1 .4 그림 1.11 의 다이아몬드 단위셀을 생각하자. 다음을 구하시오. (a) 모서리 원자의
수，(b) 면심 원자의 수, (c) 단위셀에 내포된 원자의 수. [뉴(3) -9 (q) 정(B) -suy]
TYU 1 .5 실리콘의 격자상수가 5.43 A 이다. 실리콘 원자의 부피밀도를 계산하시오.
(e-moz3 I X ^ *suy)

1.5 원자결합

지금까지 여러 가지 단결정 구 조 들 을 살 펴 보 았 다 . 특 정 한 원자들이 집 합 체 를 이룰 때

왜 이 결정 구 조 가 다 른 구 조 보 다 우 수한지 의 문 을 갖게 된다. 자연의 기본 법 칙 은 열
평 형 상 태 에 있는 시 스 템 의 총 에 너 지 는 최 솟 값 에 도 달 하 려 는 경향이 있 다 는 것 이 다 .
고 체 를 이루어 총 에 너 지 가 최솟값에 도달하기 위해서 원 자 들 사이에 발 생 하 는 상 호 작
용 은 관 여 하 는 원자에 따 라 달라진다. 이러 한 상 호 작 용 을 원 자 결 합 이 라 고 하며, 원자결
합 은 관 여 하 는 원자에 의하여 결 정 된 다 . 만 약 원 자 들 사이에 강 한 결합이 없으면 단 단
히 붙어서 고 체 를 만 들 수 없다.
원 자 들 사이의 결합 은 양 자 역 학 으 로 설 명 할 수 있다. 양자 역 학 의 기 초 가 다 음 장에
소 개 되 지 만 원 자 결 합 의 자 세 한 양 자 역 학 적 설 명 은 이 책의 범 위 를 벗 어 난 다 . 그 러 나
원자의 가 전 자 ，즉 최 외 각 전 자 들 을 살 펴 봄 으 로 써 다 양 한 원 자들이 어떤 원 자 결 합 을
이루는지에 대한 정성적 이해를 얻을 수 있다.
주 기 율 표 의 양 끝에 있는 원 자 (불 활 성 원 소 들 은 제 외 함 )들 은 가 전 자 들 잃어버 리든
지 혹 은 얻든지 하여 이 온 을 형 성 하 고 , 이 러 한 이온들의 외 각 전 자 궤 도 는 전 자로 완전
히 채워지게 된다. 주기율표의 1족 원 소 들 은 전자 하 나 를 잃 어 버 리 고 양이온이 되려 는
경향이 있다. 반면에 7족의 원 소 들 은 전자 하 나 를 얻어서 음 이 온 이 되 려 는 경향이 있
다. 이 러 한 반대 전 하 를 띤 이 온 들 은 쿨 롱 힘에 의하여 이 온 결 합 (ionic bond)이 라 고 하
는 결합 을 이루게 된다. 만 약 이온들이 너무 가까이 접근하면 반발력이 작용하여 두 원
자 들 사이에 평형 거 리 를 유 지 하 게 된다. 결정에서 음 이 온 들 은 양 이 온 들 에 의하여 포
위 되 는 경향이 있고，양 이 온 들 은 음 이 온 들 에 의하여 포 위 되 는 경향이 있다. 따라서 이
러한 경향적 원리에 의하여 원 자 는 주 기 적 으 로 배열되어 격 자 를 형 성 하 게 된다 . 이온
결합의 한 예로서 염화나 트 륨 을 들 수 있다.
원 자 간의 결 합 은 이 온 결 합 에 서 보았듯이 완 전 한 가 전 자 각 을 이 루 려 는 경향이 있
다. 완 전 한 가 전 자 궤 도 를 이 루 는 또 다 른 원 자 결 합 으 로 공 유 결 합 (covalent bond) 이 있
다. 대표적 인 예로서 수 소 분 자 를 들 수 있다. 수 소 원 자 는 전자 하 나 를 가 지 고 있으므 로
바 닥 궤 도 가 완 전 한 각 을 이루기 위 해 서 는 전자 가 하 나 더 필요하다. 상 호 간섭하지 않
는 두 개의 수 소 원 자 들 과 이 수소 원 자 들 이 공 유 결 합 을 이루고 있는 수소 분 자 의 그림이
그림 U 6에 나타 나 있다. 공유결합에서 전 자 들 은 원 자 들 사이에서 공 유 되 므 로 각 원자
의 가전 자 궤도 는 완전히 전자로 채워진다.
실 리 콘 과 게 르 마 늄 과 같 은 주기 율표의 4족의 원 소 들 은 공 유 결 합 을 이 루 는 경 향이
있다. 각 원 소 들 은 4개의 가 전 자 들 을 가 지 므 로 가 전 자 궤 도 를 채우기 위 해 서 는 4개의
전 자 가 더 필요하 다 . 만 약 예를 들어 실 리 콘 원 자 가 4개의 이 웃 한 원 자 들 을 가 지고, 각
이웃 원자들이 하나의 가 전 자 를 공 유 하 도 록 제공한다면 중앙의 원자 는 최외각에 8개의
전 자 를 가지 게 된다. 그림 1 .1 7 a는 각 원 자 가 4개의 가 전 자 들 을 가 지 고 있으며 상 호 간
섭하지 않는 5 개의 실 리 콘 원 자 들 을 보 여 주 고 있다. 실 리 콘 에 서 공 유 결 합 의 2차원 그
림이 그림 1 .1 7b 에 나타 나 있다. 중앙의 원자 는 8개의 공 유 가 전 자 들 을 가지 고 있다.
수 소 와 실리콘의 공 유 결 합 사이의 큰 차 이 는 수 소 분 자 가 형성되면 추 가 공 유 결 합 을
형 성 할 수 있는 추 가 가 전 자 가 없 으므로 분 자 상 태 로 존 재 하 는 반면 실 리 콘 원자의 집
합 에 서 는 외 각 실 리 콘 원 자 가 추 가 공 유 결 합 에 사 용 할 수 있는 가 전 자 를 항 상 가 지 고
있다 는 것이다. 따라서 실 리 콘 원 자 가 무한히 많다면 각 실 리 콘 원 자 는 4개의 이웃 원
자 들 과 8개의 공 유 전 자 들 과 함께 반복적 배 열을 형 성 하여 무한대 의 단결정 구 조 를 이
룰 수 있다. 공 유 결 합 을 이루 는 실리콘에서 4개의 이웃 원 자 들 은 그림 1.1 1 과 1 .1 2에서
각 각 나 타 난 사면체 구조의 4개의 모서리 원자에 해 당 하 며 ，다 이 아 몬 드 구 조 에 서 도 찾
아볼 수 있다.
세 번째 원 자 결 합 은 금 속 결 합 (metallic bond) 이다 . 1 족 원 소 들 은 하 나 의 가 전 자 를
가진다 . 예를 들어 두 개의 나 트 륨 원 자 (Z = 1 1 )가 근 접 하 면 ，가 전 자 들 은 공 유 결 합 과
유 사 한 방 법 으 로 두 개의 나 트 륨 원자에 의하여 공 유 된 다 . 세 번째 나 트 륨 원 자 가 첫
번째 두 개의 원자에 접 근 하 면 세 개의 나 트 륨 원 자 모 두 각 각 한 개의 가 전 자 를 내보
내어 상 호 공 유 한 다 . 이와 같 은 방 법 으 로 고체 나 트 륨 은 체 심 입 방 구 조 를 이루는데 여
기서 각 원 자 는 8개의 이웃 원 자 들 을 가 지 고 ，각 원 자 는 가 전 자 들 을 공 유 한 다 . 공 유 방
법은 공 유 결 합 과 는 달리 각 원자들 이 내보낸 많 은 전 자 들 은 특정 원자에 공 유 되 는 것
이 아 니 라 전 자 구 름 형 태 를 이 루고 이 전 자 구 름 은 전 자 를 내 보 내 고 양이온이 된 원 자
들 을 정 전기 력으 로 끌어당겨 상 호 결합하게 한다. 전 자 구 름 으 로 둘 러 싸 인 양의 금속이

I
-(§ )-
I I l i ii11 iI
i I i i iiii •1
©
1

® =® i
(a) (b) (a) (b)

그림 1 .1 6 (a) 수소원자의 가전자와 그림 1 .1 7 (a) 실리콘 원자의 가전자와 (b) 실리콘 결

(b) 수소분자의 공유결합 정의 공유결합
온 들 을 상 상 할 수 있고，이 러 한 정전기 력에 의하여 원 자 들 은 강하게 결합하여 고 체 를
이룬다.
네 번째 형태의 원 자 결 합 은 가 장 약 한 화 학 결 합 인 분 자 결 합 (molecular bond; Van
der Waals 결 합 )이 다 . 예를 들어 불 화 수 소 (HF) 분 자 는 이 온 결 합 으 로 형성된다. 이 분 자
의 양전하의 유 효 중 심 은 음 이온의 유 효 중 심 과 일치하지 않기 때문에 전하분포 의 비대
칭이 발생하여 작 은 전기 쌍 극 자 를 형 성 하 며 ，이것 은 다 른 HF 분자의 쌍 극 자 와 간 섭 하
여 분 자 들 을 결합시킨다. 이러한 결합력을 v an d e r W aals 힘이라고 하 며 ，이 힘은 약
하기 때문에 융점이 낮 은 것이 특 징 이 다 . 따라서 이 러 한 물 질 은 대 부 분 상온에서 기체
상 태 를 이룬다.

*1.6 고 체 의 결 함 과 불 순 물

지금까지 이상적인 단 결 정 을 살 펴 보 았 다 . 실제 결 정 에 서 는 격자가 완전하지 않고, 완전

한 기하학적 주 기 가 어떤 형 태 로 파괴되어 결함 을 가 지 고 있다. 결 함 은 물질의 전기적
성 질 을 변 화 시 키 고 , 어떤 경우 전기적 파 라 미 터 가 이 러 한 결 함 ，혹 은 불 순 물 에 의하여
지배될 수 있다.

1.6.1 고체의 결함

모 든 결정이 공 통 적 으 로 가 지 고 있는 결 함 은 원자의 열 진 동 이 다 . 완 전 한 단 결 정 은 특
정 격자점 에 원 자 를 가 지 고 있고, 이 원 자 들 은 서 로 일 정 한 간 격 을 유 지 하 고 있다. 그
러나 결정의 원 자 들 은 온도의 함수인 열에너지의 영향을 받는다. 열에 너 지 는 원자들이
무작위 형태 로 평형상태의 격 자점을 중 심 으 로 진동하게 한다. 이 러 한 무작위 열운동 은
원 자 간 의 간격이 무 작 위 로 변형 되게 하 고 ，이 것은 원 자 들 의 완 전 한 기 하학적 배 열 을
깨뜨린다. 격 자 진 동 이 라 고 부 르 는 이 러 한 결 함 은 전기적 파 라 미 터 에 영향을 주게 되며 ，
다 음 장에서 논의하게 될 반 도 체 재 료 특성에서 이 러한 현 상 을 보게될 것이 다 •
또 다른 형태의 결함은 점결함(point defect)이고，여러 가지 형태의 점결함들이 존재
한다. 이상적 인 단결정 격자에서 원 자 들 은 완 전 한 주기적 배 열 을 이루고 있다. 그 러 나 ，
실제 결 정 에 서 는 원자 하 나 가 특정 격 자 점 으로부터 이 탈 할 수 있다. 이 러 한 결 함 을 빈
자리(vacancy)라고 부 르 고 ，그림 1 .1 8a에 나 타 나 있다. 또 다 른 경우 원 자 가 격자점 사
이에 위치 할 수 있다. 이 러 한 결 함을 틈새(interstitial)라고 부 르 고 ，그림 1 .1 8b에 나 타 나
있다. 빈 자 리 와 틈새의 경우 는 원자들의 완 전 한 기하학적 배열이 깨질 뿐 만 아 니 라 원
자들간 의 이 상적인 화 학 결 합 도 변형시켜 물질의 전기적 성 질 을 변 화 시 킨 다 . 빈 자 리 와
틈 새 는 서 로 근접하 여 두 점 결 함 들 사이의 간 섭 을 일으킬 수 있다. 프 랭 캘 (Frenkel) 결*

* 표시는 반도체 소자에 대한 이해를 총 정리하는데 도음을 주는 절이지만 생략해도 책 내용의 연속성을 잃
지 않으니 생략해도 좋음.
 1.6 고체의결함과 불순물 15

Vacancy -거
/ ， i
W f /스 나 ---------
Interstitial V -----
/ //
逆 多 :
，스— V
•

(a) (b)

그림 1 .1 8 (a) 빈자리 결함과 (b) 틈새 결함을 보여주는 단결정의 2차원 그림.

i i i > i ! ' i i
+• ：十 I+ +I +I +I + I 十1 +.

그림 1 .1 9 선단층의 2차원 그림.

합 이 라 고 부 르 는 이 러한 빈 자 리 -틈 새 결 함 은 단 순 한 빈 자 리 와 틈새 결 함 과 는 다 른 형
태의 영 향 을 준 다 .
점 결함 은 단일 원 자 ，혹 은 단일 격자점의 결함이다. 단 결 정 을 형성하는데 있어서 보
다 복 잡 한 결함들이 발 생 할 수 있다. 예를 들면 선 결 함 (line defect)은 원자들의 전체 열
이 정상적 인 격자 선에서 이탈 할 때 발생한다. 이 결 함을 선 단 층 (line dislocation)이라고
하고, 그림 1 .1 9에 나 타 나 있다. 점결함의 경 우 와 같이 선 단 층 은 격자의 정상적인 기하
학적 주 기 와 함께 결정에서 이상적인 원 자 결 합 을 깨뜨린 다 . 이 러 한 단 층 도 역시 단 순
한 점 결 함 보 다 훨씬 복 잡 한 형태 로 물질의 전기적 성 질 을 변화시킬 수 있다.
다 른 복 잡 한 단 층 도 결정격자에서 발 생 할 수 있다. 그러 나 , 이 책 에 서 는 몇 가지 기
본 적 인 형태의 결함 을 제 시 하 고 ，실제 결정 은 완 전 한 격자 구 조 를 가질 수 없다는 것을
보 여 주 는 것 으 로 만 족 한 다 . 이 러 한 결 함들이 반 도 체 의 전기적 성질에 미 치 는 영 향 은
다음 장에서 살 펴 볼 것이다.

1.6.2 고체의 불순물

이질 원 자 ，혹 은 불 순 물 원자들이 결정 격자 내에 존 재 할 수 있다. 불 순 물 원 자 들 은 정
상 적 인 격 자 점 에 위 치 할 수 있 다 . 이 경 우 이 불 순 물 을 치 환 불 순 물 (substitutional
impurity) 이 라 고 한 다 . 그 리 고 불 순 물 원 자들이 정 상 적 인 격 자 점 들 사이 에 위 치 할 수
있고，이것 을 틈 새 불 순 물 (interstitial impurity) 이라고 한다. 두 경우 모두 격자 결 함이고，
16 Chapter 1 고체의 결정구조

(a) (b)

그림 1 .20 (a) 치환 불순물과 (b) 틈새 불순물을 나타내는 단결정의 2 차원 그림.

그림 1 .20에 나 타 나 있다. 실 리 콘 에 서 산 소 와 같 은 불 순 물 들 은 전기 적 특성 에 영향 을
주지 않는 불활성 불 순 불 이 지 만 금 이 나 인과 같 은 불 순 물 들 은 전기 적 성 질을 크게 변
화시킨다.
4장에서 특정 불 순 물 을 일정량 첨 가 함 으 로 써 반도체의 전기적 성 질 을 유 용 하 게 변
화 시 킬 수 있음 을 보 게될 것 이 다 . 전 도 도 를 변 화 시 키 기 위하여 반 도 체 에 불 순 물 원 자
들 을 첨 가 하 는 기 술 을 도 핑 (doping)이 라 고 부 른 다 . 도 핑 에 는 일 반 적 으 로 불 순 물 확 산
(diffusion)과 이 온주입 (ion implantation) 두 가지 방법이 있다.
불순물 의 확 산 공 정 은 원 하 는 불 순 물 원자들이 내포된 고온( = l ， °C)의 가스 분위
기에 반도체 결 정 을 두 고 수 행 한 다 . 이 러 한 고 온 에 서 는 많 은 결정 원자들이 무 작 위 로
단결정 격자 자 리 를 이탈하여 빈 자 리 를 만 들 수 있고, 이 러 한 빈 자 리 로 불 순 물 원자 들
이 이동하면서 확산해 간다. 불 순 물 확 산 은 불 순 물 입자들이 반도체 표면 근처 의 불 순
물의 높 은 농 도 영역에서 결정 내의 낮 은 농 도 영 역으로 이 동 하 는 현상이다. 온 도 가 감
소 하 면 빈 자 리 를 차 지 한 불 순 물 원 자 들 은 격 자 자 리 에 완전히 동 결 되 어 치 환 불 순 물
(substitutional impurity)이 된다. 반도체의 특정 영역에 다 양 한 불 순 물 을 확 산 시 킴 으 로
써 단일 반도체 결정에 복 잡 한 전자 회 로 를 제작 할 수 있다.
일반적으로 이온주입은 확산 보 다 낮은 온도에서 수 행 한다. 불순물의 이온빔은
50KeV 혹 은 그 이상의 운 동 에 너지로 가속되어 반도체 표면에 주입된 다 . 고 에너지 불
순 물 이 온 들 은 결정 내에 주입되어 표면으로부터 일정한 깊이에서 정지한다. 이온주입
의 이점은 불 순 물 원자들의 원하 는 수 를 결정 내의 원 하는 위치에 주 입 할 수 있다는 점
이 다. 이 기술의 단 점 은 주입 불 순 물 원자들이 결정 원 자 들 과 충돌하여 격자 손상의 원
인이 된 다 는 것 이 다 . 그 러 나 ，대부분의 격 자 손 상 은 격자의 온 도 를 짧 은 시 간 동 안 증
가 시 키 는 열처리에 의하여 제거될 수 있다. 열 처 리 는 이온주입 후 반드시 수 행 해 야 할
공정이다.

*1.7 반도체의성장

대 규 모 집 적 회 로 (VLSI)를 제 작 할 수 있는 것은 순 수 한 단결정 반 도 체 를 만 들 수 있는
기술이 발 달 하 였 기 때 문 이 다 . 고 순 도 를 유 지 하 기 위 해 서 는 제 조 공 정 의 각 과정 마 다
물 질 을 다 루 고 성장 하 는 데 있어서 대 단 한 주 의 가 필 요 하 다 . 결정 성장의 역 학 은 대 단
히 복 잡 하 므 로 이 책 에 서 는 일반적인 용 어 만 설 명 할 것이다.

1.7.1 용 액 으 로 부 터 성장

단결 정 물 질 을 성 장 하 는 통상의 기술 은 Czochralski 방법 이 다. 이 기 술에서 씨앗이 라고

부 르 는 단결정 물질의 작 은 조 각 을 액상의 같 은 물질의 표면에 접 촉시킨다. 그 리 고 ，천
천히 용액 으로부터 끌어 올린다. 씨 앗 을 천천히 끌어 올림에 따 라 응 고 가 고 체 -액 체 경
계면 사이 의 표 면 을 따 라 발 생 한 다 . 보 통 결 정 을 끌어 올 리 면 서 천천히 회 전 시 킴 으 로
써 용액 에 약간의 휘 젓는 작 용 을 가하여 보 다 균 일 한 온 도 를 유 지 하 도 록 한다. 붕 소 혹
은 인과 같 은 일정량의 특정 불 순 물 원 자 들 을 용 액 에 첨가하여 성장된 반도체 결 정 을
의 도 적 으 로 불 순 물 원자로써 도 핑 한 다 . 그림 1 .21 는 Czochralski 성 장 공 정 과 이 공정
에서 성장된 실리 콘 주 괴 (ingot)의 그 림 을 나타낸다.
어떤 불 순 물 들 은 원 하 지 도 않게 주괴 에 존 재 할 수 도 있다. 지역정제(zone refining)
는 물 질 을 정 제 하 는 일반적 인 기 술 이 다 . 고 온 코일 혹 은 RF 유 도 코일이 주괴 의 길이
를 따 라 천천히 이 동한 다 . 코일에 의하여 유 도 된 온 도 는 충분히 높아서 반도체 표면에
얄은 액체 층이 형성된 다 . 고 체 -액 체 경계에서 불순물의 재 분 포 가 이루어 진다. 이 러한
분 포 를 나 타 내 는 파 라 미 터 를 편석계수(segregation coefficient)라고 부 르 고 ，액체에서의
불 순 물 농도에 대 한 고 체 에 서 의 불 순 물 농 도 비로 나타낸 다 . 만 약 편 석 계 수 가 0.1 이면
액체에서 불 순 물 농 도 가 고체에 서 보 다 1 0배 더 크 다 는 의 미 이 다 . 액체 영 역은 RF 코
일을 따 라 주괴의 아래부터 위까지 이동하며 불 순 물 은 액체에 포함되어 함께 이동한다.
여러 번 RF 코 일 을 통 과 시 키 면 대부분의 불 순 물 들 은 주괴의 끝에 모 이 고 이 것 을 잘 라
버린다. 지 역 정 제 기 술 은 정제에 대 단한 효 과 가 있다.
반 도 체 를 성 장 한 후 주 괴 를 일 정 한 직 경 으 로 절단하여 웨 이 퍼 (wafer)를 만 든 다 . 웨
이퍼 는 기 계적인 강 도 를 갖 도 록 충분히 두 꺼 워 야 한다. 기 계 적 으 로 두 면을 잘 문질러
서 일 정 한 두께 의 평 탄 한 웨 이 퍼 를 만 든 다 . 문 지 르 는 과 정 에 서 기 계 적 인 동 작 으 로 표
면에 손 상 을 주 거 나 오 염 을 일으킬 수 있기 때문에 문 지 르 는 공정 후 표 면 을 화학적 식
각 으 로 깍는다. 마 지 막 과 정 은 윤 을 내는 공 정 이 다 . 이 것 은 표 면 을 매끄럽게 하여 소 자
를 그 위에 제 작 하 거 나 성 장 공 정 을 수 행 할 수 있다. 이렇게 마 지 막 처리된 반도체 웨이
퍼를 기판(substrate)이 라고 부른다.

1.7.2 에 피 성 장

반 도 체 소 자 와 집 적 회 로 제 조 공 정 에 널리 사 용 되 는 일 반 적 인 성 장 기 술 은 에피성장
(epitaxial growth)이다. 에 피 성 장 은 얇 은 단결정 물 질 을 단결정 기판 위에 성 장 시 키 는
공 정 이 다 . 에 피 공 정 에 서 단결정 기 판 은 비 록 융점 이하의 온 도 에 서 수 행 되 지 만 씨 앗
역 할 을 한 다 . 에 피 층 이 같 은 물 질 의 기 판 위에 성 장 할 때 이 공 정 을 동 종 에 피 택 시
(homoepitaxy)라고 부 른 다 . 실 리 콘 기판 위에 실 리 콘 을 성 장 시 키 는 것이 동종에피택시
의 한 예이다. 현재 이 종 에 피 택 시 (heteroepitaxy)에 많 은 연구 가 수 행 되 고 있다. 이종에
피택시 공정에 서 비록 기 판 과 에피 물 질 은 같지 않 지 만 만 약 기 판 -에 피 층 경계면에 결
함이 없으려 면 두 결정 구 조 는 반드시 같 아 야 한다. GaAs 기판 위에 AlGaAs 3원 소 합
금의 에 피 층 을 성 장 시 키 는 것은 이종에피택시 공정의 한 예이다.
널리 사 용 되 는 에 피 성 장 기술 은 화 학 기 상 증 착 tChemical Vapor Deposition; CVD)이

씨앗
결정

히터

(a)

A JmftaTait'm4«

: 와; K ^ 여.커

(b)

그림 1. 21 (a) Czochralski 성 장 (b) 성 장된 실 리 콘 주괴 그림

다. 예를 들 면 실 리 콘 을 내 포 한 화 학 증기로부터 실 리 콘 원 자 들 을 실 리 콘 기판의 표면
에 증 착 함 으 로 써 실 리 콘 에 피 층 을 성 장 시 킬 수 있다. 한 가지 방 법 으 로 4 염 화 실 리 콘
(SiCl4)은 가열된 기판의 표면에서 수 소 와 반응 한 다 . 실 리 콘 원 자 는 반응에서 유출되어
기 판 위에 증 착 되 고 다 른 화 학 반 응 물 HC1은 기체 상 태 로 반 응 기 로 부 터 빠져 나 간다.
이 기 술은 반도체 소자의 제작에 아주 유 용 한 기술이다.
또 다 른 에 피 성 장 기 술 로 서 액 상 에 피 택 시 (liquid epitaxy)가 있다. 다 른 원 소 를 내포
한 반도체의 화 합 물 은 반도체 자체 보 다 융점 이 낮다. 반도체 기판을 액상 화합물에 넣
는 다 . 융 해 물 의 온 도 가 기판의 융점 보 다 낮기 때문에 기 판 은 녹지 않 는 다 . 액 체 가 천
천히 식음에 따 라 단결정 반도체층이 씨 앗 결정 위에 성장한 다 . Czochralski 방법 보 다
낮 은 온도에서 이루어 지는 이 기술은 III-V족 화 합 물 반 도 체 를 성장하는데 유 용하다.
에 피 층 성장의 또 다 른 유 용 한 기술로서 분 자 빔 에 피 택 시 (Molecular Beam Epitaxy;
MBE) 가 있다. 기판 은 다 른 공정에 비하여 비교적 낮 은 온 도 인 400~800°C 범위의 온 도
에서 진공 상태에 놓이 게 된다. 반 도 체 와 도 펀 트 원자 는 기판의 표 면 으 로 증 발 한 다 . 이
기술에서 도 핑 은 대단히 복 잡 한 도핑 분 포 를 만 들 수 있도록 정확히 조절된 다 . AlGaAs
와 같 은 복 잡 한 3원소 화 합 물 을 GaAs 기판위 에 결정 조 성 을 급격히 변화시 키 면 서 성
장시 킬 수 있다. 여러 가지 형태의 에피 조 성 을 가진 많 은 층 을 이 와 같 은 방 법 으 로 기
판 위에 성장시킬 수 있다. 이러 한 구 조 들 은 LASER와 같 은 광소자에 대단히 유용하게
활용된 다.

1.8 요 약
■ 이 장을 시작할 때 몇 가지 통상적인 반도체를 나열하였다. 실리콘(Si)은 가장 일반적
인 반도체 재료이다.
■ 반도체와 다른 재료들의 성질은 단위 셀로 표현되는 단결정 격자 구조에 의하여 결정
된다. 단위셀은 전체 결정을 재현하는데 사용되는 작은 부피의 결정이다. 세 가지 간단
한 격자 구조 - 단순입방, 체심입방，면심입방 -를 살펴보았다.
■ 실리콘은 다이아몬드 결정구조를 갖는다. 원자들은 이웃한 원자들과 함께 사면체 구조
를 이룬다. 2원소반도체는 섬아연광격자를 갖는데，기본적으로 다이아몬드 구조와 동
일한 구조이 다.
■ 반도체 소자들은 표면 근처에서 제작되므로 이 표면을 밀러지수라고 하는 정수를 사용
하여 표기하는 것이 편리하다. 밀러지수는 결정격자에서 평면을 표기하는데 사용된다.
이러한 평면들은 반도체 재료의 표면을 표기하는데 사용될 수 있다. 밀러지수는 결정
에서 방향을 표기 하는데도 사용될 수 있다.
■ 이상적으로 완전한 단결정 반도체를 만들기 원한다. 그러나, 결함과 불순물들이 실제
물질에 존재한다. 단순한 점결함과 보다 복잡한 선결합 등 여러 가지 형태의 결함들을
논의하였다. 특정 불순물 원자들을 일정량 첨가하는 도핑으로써 반도체의 전기적 성질
20 Chapter 1 고체의 결정구조

을 다음 장에 서 보게될 유용한 방법으로 변화시 킬 수 있다.

■ 반도체의 성장은 대단히 복잡한 공정이다. 성장 방법을 간단히 살펴보면서 몇 가지 용
어를 소개하였다. 반도체 덩어 리(bulk)로부터 시작 반도처]，즉 기판을 만든다. 에피성
장은 반도체의 표면성 질을 제어하는데 사용할 수 있다. 대부분의 반도체 소자는 에피
층에서 제작된다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

2 원 소 반 도 체 갈륨비소(GaAs)와 같이 두 가지 원소로 이루어 진 반도체

공 유 결 합 가전자들이 공유되는 원자들 간의 결합
다 이 아 몬 드 격 자 각 원자가 사면체 구조에서 4개의 이웃한 원자들을 갖는 원자 결정 구조
(여1: 실리콘)
도핑 전기 적 성질을 유용하게 변화시키기 위하여 반도체에 특정 원자들을 첨가하는 공정
원소 반도체 실리콘과 게르마늄과 같이 단일 원소로 이루어진 반도체
에피층 기판의 표면 위에 형성된 얄은 단결정 물질
이온주입 반도체를도핑하는공정
격 자 결정에서 원자들의 규칙적인 배열
밀러지수 결정면을 묘사하는데 사용되는 정수 집합
기 본 셀 격자를 재현하기 위하여 반복될 수 있는 가장 작은 단위 셀
기판 에피층 성장，혹은 확산과 같은 반도체 공정을 수행할 수 있는 시작물질로서 사용되
는 반도체 웨이퍼
3 원 소 반 도 체 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)와 같이 세 가지 원소로 이루어 진 반도체
단 위 셀 전체 결정을 재현하는데 사용되는 작은 부피의 결정
섬 아 연 광 격 자 한 가지 대신에 두 가지 원소들로 구성된 점만 제외하고 다이아몬드 격자와
동일한 격자 구조

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

본 장을 공부한 후에 독자는 반드시 다음과 같은 능력을 갖추어야 한다.

■ 가장 보편적인 원소 반도체 재료를 나열하였다.
■ 단위셀의 개념을설명 한다.
■ 다양한 격자구조에 대해서 부피 밀도를 계산할 수 있어야 한다.
■ 결정격자평면의 밀러지수를 구할 수 있어야 한다.
■ 밀러지수가 주어지면 그에 해당하는 평면을 그릴 수 있어야 한다.
■ 주어진 결정격자평면에서 원자의 표면밀도를 계산할 수 있어야 한다.
■ 실리콘 원자의 사면체 구조를 설명한다.
■ 단결정 격자의 다양한 결점들을 이해하고 설명할 수 있어야 한다.
 문제 21

복습 질문
1. 2가지 원소반도체와 2가지 화합물반도체를 쓰시오.
2. 다음 3가지 격자구조를 그리시오: (a) 단순입방，(b) 체심입방，(c) 면심입방
3. 결정 의 부피 밀도를 계산하는 과정을 설명 하시오.
4. 결정에서 평면을 표기하는 밀러지수를 결정하는 과정을 설명하시오.
5. 특정 결정면에서 원자의 표면밀도를 도출하는 과정을 설명한다.
6. 단위셀로서 기본셀을 선호하는 이유를 설명한다.
7. 실리콘에서 공유결합을 설명한다.
8. 결정에서 치환불순물과 틈새불순물이 무엇인지 설명하시오.

문제

1.3 절 공간 격자
1 .1 (a) 면심입방，(b) 체심입방，(c) 다이아몬드 격자에서 단위셀 당 원자의 수를 구하라.
1 .2 원자는 단단한 구슬 모양을 갖고，주변의 인접한 원자들과 맞닿아 있다고 가정한다.
(a) 단순입방격 자，(b) 면심 입방격자，(c) 체심 입방격자，(d) 다이아몬드격 자에서 단위
셀에 포함되어 있는 원자의 부피비를 백분율로 계산하시오.
1 3 만일 Si의 격자상수가 5.43 A 이라면 (a) 하나의 Si 원자 중심으로부터 인접한 원자의
중심까지의 거리, (b) Si 원자의 개수밀도(#/cm3) (c) Si의 질량밀도(g/cm3)를 계산하
라.
1 .4 (a) GaAs의 격자상수는 5.65 A 이다. cm3 당 Ga 원자와 As 원자의 개수를 구하라.
(b) Ge 반도체에서 Ge 원자의 부피밀도를 구하라. Ge의 격자상수는 5.65 A 이다.
1 .5 GaAs의 격자상수 a = 5.65 A 이다. (a) 가장 근접한 Ga 원자와 As 원자 중심 사이의
거리，(b) 가장 인접한 As 원자들의 중심으로부터 중심까지의 거리를 계산하라.
1 .6 사면체 구조에서 결합 쌍들 간의 사잇각을 구하라.
1-7 원자를 반경 r = 1.95 A 의 단단한 구슬 형 태 라고 가정한다. 원자는 (a) 단순입 방격
자，(b) 면심입방격자，(c) 체심입방격자，(d) 다이아몬드격자로 배열되어 있다. 가장
인접한 원자들은 표면이 서로 닿아 있다. 각 격자들의 격자상수를 구하라.
1 .8 결정이 A와 B，두 가지 원소로 구성되어있다. 기본 결정구조는 각 모서리에 A 원소가
있고，중앙에 B원소가 있다는 면심입방구조이다. 원소 A의 유효반지름 Q = 1 .035 A
이다. 각 원소는 단단한 구슬 모양이 며 A-type 원소는 가장 인접한 A-type 원소와 표
면이 서로 맞닿아 있다고 가정한다. (a) 이 구조에 적합한 B-type 원소의 최대 반지름，
(b) 격자상수，(c) A-type 원소와 B-type 원소의 부피 밀도(#/cm3)를 각각 구하라.
1 .9 (a) 단순입방격자의 결정이 유 효 반 지 름 ，= 2.25A 이고 원자량이 1 2.5인 원소들로
구성되어 있다. 단단한 구슬 모양의 원자들이 인접한 원자들과 표면이 맞닿아 있다
고 가정하고，질량밀도(g/cm3)를 계산하라. (b) 원자의 구조가 체심입방구조일 때 (a)
를 반복하라.
1 .1 0 부피가 1 cm3인 물질이 격자상수가 2.5 mm인 면심입방구조를 하고 있다. 이 물질의
22 Chapter 1 고체의 결정구조

원자는 실제로 커피콩이다. 단단한 구슬 모양의 커피콩이 인접한 다른 커피콩과 표

면에서 맞닿아 있다고 가정하자. 커피콩을 완전히 갈아 분말로 만든 후 커피의 부피
를 구하라(분말 형태의 커피의 밀집도는 1 00%라고 가정한다).
1 .1 1 염화나트륨( NaCl)은 … 와 이원자들이 번갈아 위치한 단순입방결정구조이다. 각각의
■원 자 는 여섯 개의 C1원자들로 둘러싸여 지고，마찬가지로 C1원자는 여섯 개의 Na
원자들로 둘러싸여진다. (a) 결정면(1 00)에 위치한 원자들을 그려라. (b) 단단한 구슬
모양의 각 원자들은 인접한 원자과 표면이 서로 맞닿아 있다고 가정한다. Na의 유효
반지름이 1.0 A 이고 C1의 유효 반지름이 1.8 A 일 때，격자 상수를 구하라. (c) … 와
C1원자의 부피 밀도(#/cm3)를 계산하라. (d) NaCl의 질량밀도(g/cm3)를 구하라.
1 .1 2 (a) 두 종류의 원자로 구성된 물질이 있다. 원자 A 의 유효 반지름은 2.2 A 이고，원자
B의 유효 반지름은 1.8 A 이다. 이 격자는 모서리에 A 원자들이 있고，중앙에 B 원자
가 있는 체심 입방구조를 가진다. 격자상수를 구하고，A 원자와 B 원자의 부피 밀도를
각각 구하라. (b) 원자 B 가 모서 리 에 위치하고，원자 A 가 중앙에 있을 때，(a)를 반복
하라. (c) 문제 (a)와 (비에 서 물질들을 비교해 보아라.
1 .1 3 (a) 문제 1 .1 2(a)와 1 .1 2(b)에서 언급한 물질들을 고려하자. 각각의 경우에 대하여, 결
정면(1 00)에서 A원자와 B원자의 표면밀도(#/cm2)를 계산하라. 두 물질을 비교해 보
아라. (b) 결정 면(1 1 0) 에서 (a)를 반복하라.
1 .1 4 (a) 정육면체의 중앙에 하나의 원자로 구성된 결정구조를 가지는 특별한 물질이 있
다. 격자상수는 따이고 원자의 지름도 따이다. 결정면(1 1 0)에 대하여 원자의 부피밀
도와 표면밀 도를 구하라. (b) 그림 1 .5a와 같은 격자상수를 가지는 단순입방구조의
결과와 문제(a)의결과를 비교해 보아라.
1 .1 5 단순입방격자의 격자상수가 이다. a) 다음의 결정면을 그려라. (i) (1 1 0)，(ii) (1 1 1 ),
(iii) (220), (iv) (321 ), (b) 다음의 결정방향을 그려라. (i) [11 이，(ii) [1 1 1 ], (hi) [22이，
(iv) [321 ]
1 .1 6 단순입방격자에 대해서 그림 P 1 .1 6에 나타난 결정면의 밀러지수를 구하라.
1 .1 7 격자상수가 4.83 A 인 체심입방구조가 있다. 직교좌표축과 9.66A , 1 9.32A , 1 4.49A
에서 교차하는 결정면의 밀러지수를 구하라.
1 .1 8 격자상수가 5.28 A 인 단순입방구조가 있다. (a) 결정면(1 00), (b) 결정면(1 1 0), (c) 결
정면(1 1 1 )과 평행한 결정면들 사이의 거리를 계산하라.
1 .1 9 다음 단결정의 격자상수는 4.73 A 이다. (a) 단순입방구조，(b) 체심입방구조，(c) 면심
입방구조에서 각각 (i) 결정면(1 00)，(ii) 결정면(1 1 0), (iii) 결정면(1 1 1 )에서 원자의 표
면밀도(#八;m2)를 계산하라.
1 .20 (a) 결정면 (1 00), (b) 결정면(1 1 0), (c) 결정면(1 1 1 )에서 Si원자의 표 면밀도(#/cm2)를
계산하라.
1 .21 면심입방구조에서 단단한 구슬 모양의 원자들이 인접한 원자들과 표면이 서로 맞닿
아 있고，원자의 유효 반지름이 2.37 A 이라 가정하자. (a) 결정에서 원자의 부피밀도
(#/cm3)를 구하라. (b) 결정면(1 1 0)에서 원자의 표면밀도(#/cm2)를 계산하라. (c) 결정
면(1 1 0) 과 평행한 결정면들 사이의 거리를 구하라. (d) 결정면 (1 1 1 ) 에서 (b)와 (c)를
반복하라. .
 문제 23

그림 P1 .1 6 문제 1.16의 그림

1 .5절 원 자 결 합

1 .22 Si의 가전자 밀도를 계산하라.

1 .23 GaAs는 섬아연광 격자구조를 갖는다. 격자상수가 5.65 A 이다. GaAs의 가전자 밀도
를 계산하라.

1 .6절 고 체 의 결 함 과 불 순 물

1 .24 (a) 인(P) 원자가 치환불순물로서 실리콘에 단위 부피당 5 x 1 017개 주입되었다면，단

결정 격자 지점에서 인 원자에 의하여 밀려나간 실리콘의 원자 개수를 단위 부피당
비율로 계산하라. (b) 붕소 원자 2 x 1 015를 주입한 경우 (a)의 계산을 반복하라.
1 .25 (a) 2 x l '6 cm_ 3의 보론 원자가 단결정 실리콘에 균일하게 분포되어있다고 가정하
자. 결정 내의 보론 원자의 무게 비율은 얼마인가? (b) 1 018 cm - 3의 농도를 갖는 인
원자가 (a)에 있는 물질에 첨가되었다면 결정 내의 인 원자의 무게 비율은 얼마인가?
1 .26 만약 치환불순물로 붕소 원자를 2 x 1 016 cm " 3 농도로 주입하고 균일하게 분포되어
질 때，붕소 원자 간의 거 리를 실리콘 격자상수를 써 서 구 하 라 (붕 소 원자는 장방형
혹은 정육면제 배 열을 한다고 가정한다).
1 .27 4 x l !5 cm_ 3의 인 원자가 실리콘에 주입되었을 때 문제 1 .26을 반복하라.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1 . Azaroff, L. V., and J . J. Brophy. Electronic Processes in Materials. New York:
McGrow-Hill, 1 963.
2. Campbell, S. A. The science and Engineering of Microelectronic Fabrication. New
York: Oxford University Press, 1 996.
3. Dimitrijev, S. Principles of Semiconductor Devices. New York: Oxford University
2U Chapter 1 고체의 결정구조

Press, 2006.
4. Kittel, C. Introduction to Solid State Physics, 7th ed. Berlin: Springer-Verlag, 1993.
*5. Li, S. S. Semiconductor Physical Electronics. New York: Plenum Press, 1993.
6. McKelvey, J. P. Solid State Physics for Engineering and Materials Science. Malabar,
FL: Krieger, 1993.
7. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison-Wesley,
1996.
8. Runyan, W. R., and K. E. Bean. Semiconductor Integrated Circuit Processing and
Technology. Reading, MA: Addison-Wesley, 1990.
9. Singh, J. Semiconductor Devices: Basic Principles. New York: John Wiley and Sons,
2001 .
1 0. Streetman, B. G., and S. Banerjee. Solid State Electronic Devices, 5th ed. Upper Saddle
River, NJ: Prentice Hall, 2000.
11. Sze, S. M. VLSI Thchnology. New York: McxGraw-Hill, 1983.
*1 2. Wolfe, C. M., N. Holonyak, Jr., and G. E. Stillman. Physical Properties of
Semiconductors. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1989.

표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

/ •

山
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L
o .
•

양 자 역 학 의 입문

이 장의 목적은 독자로 하여금 반도체 소자의 동작과 특성을 이해하는데 도움을 주려는 것이
다. 바라기는 이러한 소자에 대하여 바로 논의하고 싶지만 전류-전압 특성을 이해하기 위해서
는 다양한 전위 아래에서 결정에서 전자의 운동에 대한 지식이 필요하다.
혹성과 위성 같은 큰 물체들의 운동은 뉴턴의 운동법칙을 바탕으로 하는 고전이론물리를 사
용하여 고도의 정확도로 예측될 수 있다. 전자와 고주파 전자기파에 대한 어떤 실험결과들은
고전물리와 일치하지 않는 경우가 있다. 그러나 이러한 실험결과들은 양자역학 (Quantum
Mechanics)의 원리를 이용하여 설명할 수 있다. 이러한 전자들의 운동과 특성은 파동역학이
라고 하는 양자역학의 공식으로 표현될 수 있다. 슈뢰딩거(Schrodinger)의 파동방정식을 사용
하는 파동역학의 핵심 요소들이 이 장에 설명되어 있다.
이 장의 목적은 양자역학에 대하여 간단히 소개함으로써 독자들이 양자역학을 이해하고 분
석기법에 익숙해지도록 하는 것이다. 이러한 기본적인 지식은 반도체물리의 기초가 된다. ■

2. 0 개설

■ 반도체 소 자 물리에 적용되 는 양자역학의 몇 가지 기본 원리에 대해서 논 의한다.

■ 슈뢰딩거 파 동 방 정 식 을 설명하고 파동함수의 물리적 의 미 를 살펴 본 다 •
■ 결정에서 전자 거동의 근 본 적 인 성 질 을 논의하기 위하여 다 양 한 전 위 함 수 에 슈뢰
딩거 파 동 방 정 식 을 적용한다.
■ 단일 전 자 를 가진 원자에 슈 뢰 딩 거 파 동 방 정 식 을 적 용 한 다 . 이 분석 결 과 로 부 터
4가지 양자수, 분리 된 에너지밴드의 개념，주기율표 의 형성 원 리 를 도출한다.

25
26 Chapter 2 양자역학의 입문

2. 1 양 자 역 학 의 원리

양자역 학의 수 학 을 탐구하기 전에 생 각 해 야 할 세 가지 원 리 가 있다. 즉 에너지의 양자

화 원 리 (principle of energy quanta), 파 동 -입 자 이중성 (wave-particle duality principle),
그 리 고 불확정성 의 원리 (uncertainty principle)이 다.

2.1.1 에너지 양자

빛에 대 한 실 험 결 과 와 고 전 적 이 론 과 의 모 순 을 보 여 주 는 실 험 의 한 예 로 광 전 효 과
(photoelectric effect)를 들 수 있다. 단 색 광 빛이 금속의 깨 끗 한 표면에 조 사 되 면 특정
조건 아 래 서 는 전 자 (광 전 자 : photoelectron)가 표 면 으 로 부 터 방 출 된 다 . 고전 물 리 에 의
하 면 빛의 세 기 가 충 분 히 크 면 입 사 광 의 주 파 수 와 상 관 없 이 전 자 는 재 료 의 일 함 수
(work function)를 극 복 하 고 표 면 으 로 부 터 방출될 것 이다. 그 러 나 이 러한 결 과 는 관 찰
되지 않는 다 . 입사광의 세 기 가 일 정 하 면 한계 주 파 수 v = vQ 아 래 에 서 는 광 전 자 가 방
출되지 않고 그 이상의 주 파 수 에 서 는 방 출 되 는 광전자의 최대 운 동 에 너 지 가 주파수 에
선 형 적 으 로 변 화 하 는 것이 관 찰 된 다 . 이 결 과 가 그림 2.1 에 나 타 나 있다. 주 파 수 가 일
정하고 빛의 세 기 가 변하면 광 전 자 방 출 율 은 변 하 지 만 최대 운 동 에 너 지 는 일정하게 유
지 된다.
1 900년에 플 랑 크 는 가 열 되 는 물질의 표 면 으 로 부터 열 복 사 는 양 자 ( quanta)라고 부르
는 불 연 속 적 인 에너지 덩어리 형 태 로 방 출 된 다 고 가 정 하 였 다 . 이 에너지 양 자 는 표 =
如 로 주어진다. 여기서 v는 복 사 주 파 수 이 고 /2는 지 금 은 프 랑 크 상 수 (h = 6.625 x 1 0~34
“ 여 로 알려진 상 수 이 다 . 이어서 1 905년에 아 인 슈 타 인 은 광파의 에 너 지 도 역시 불연
속 적 인 덩 어 리 로 나 타 난 다 고 가 정 함 으 로 써 광 전 효 과 를 해 석 하 였 다 . 입자 와 같 은 에너
지 덩어리를 광 자 ( photon)라고 부 르 고 이 에너지도 역시 E = hv 로 주어진다. 따라서 충
분 한 에 너 지 를 가 지 는 광 자 는 전 자 를 재료의 표 면 으 로 부터 방출시 킬 수 있다. 전 자 를
방출하 는데 필 요 한 최소 에 너 지 를 일 함 수 (work function)라고 부 르 고 초 과 광 자 에너지
는 광전자 의 운 동 에 너 지 로 전환된다. 이 결 과 는 그림 2.1 에서 보듯이 실 험 적 으 로 확인

그림 2.1 (a) 광전효과，(b) 입사 광파의 주파수에 대한 광전자의 최대 운동 에너지와의 함수 관계

 2.1 양자역학의 원리 27

되었다. 광 전 효 과 는 광자의 개 별 성 (discrete nature)을 보 여 주 고 ，광자의 입자 같 은 거동

을 증 명 하 는 것이다.
광전자의 최대 운 동 에 너 지 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

T = \m v 2 = hv — ^> = hv — hv (v 으 v )
2 (2.1 )
= hv

여기서 心 는 입 사광자 에 너 지 이 고 O = 가하 는 표면으로 부터 전자를 방출시키는데 필

요 한 최소 에너지 혹 은 일함수이다.

@ 3 특정 파장에 해당하는 광자 에너지를 계산하는 것.

X = 0.708 父 1 0_ 8 cm 인 파장을 갖는 X -선을 고려하라.

행 n
에너지는
r _ , _ h c _ (6 . 6 2 5 X 1 -34)(3 X 1 0">)
= 2 .81 X 1 0 15 J
X 0. 7 08 X 1 0_ 8

이 에너지 값은 보다 일반적 인 단위 인 전자-볼트(eV) (부록 F 참고 바람)로 계산할 수 있다.

■
광자 에너지와 파장 사이의 역수관계가 설명되었다. 큰 에너지는 파장이 짧다.
E = 2 .81 X 1 0 15 = 오 7 5 x 1 4eV
1 .6 X 1 - 19 I 위 u ev

연습 문제
Ex 2.1 다음의 파장을 갖는 광자의 에너지를 eV 단위로 계산하시오. (a) X = 1 00 A , (b )
X = 4500 A . [A3 9 L . Z 切'):八3 P Z l ( ) 'suy]

2.1.2 피■동과 입자의 이 중 성 (W a v e -P a rtic le D uality )

앞 절의 광전효과에서 광파동은 마치 입자처럼 행동함을 보았다. 전자기파의 입자 같은 거동

은 콤프턴(Compton) 효과를 설명하는데 도움이 된다. 이 실험에서 x-선 빔이 고체에 입사된다.
x-선 빔의 일부가 회절되고 회절된 파동의 주파수가 입사파와 비교하여 이동되었다. 관찰된
주파수의 변이와 회절 각도는 x-선의 양자 혹은 광자와 전자와의 당구공 충돌, 즉 에너지와 운
동량이 보존되는 충돌 때 예측되는 결과와 정확히 일치하였다.
1 924년에 디 브 로 이 는 물 질 파의 존 재 를 가 설 하 였 다 . 파동이 입자 와 같 은 거동 을 보
이므 로 입자 는 파 동 같 은 성 질 을 보일 것으 로 예 측 되 어 져 야 한 다 고 제 안 하 였 다 . 디 브
로이의 가 설 은 파 동 과 입자의 이중성 원리의 존 재 를 예 측 한 것이 되었다. 광자의 운 동
량은 다 음 과 같이 주어 진다

( 2 . 2)
28 Chapter 2 양자역학의 입문

샘플

샘플

0 = 90°

그림 2 .3 Davisson-Germer 실험에서 산란각

그림 2 .2 Davisson-Germer 실험의 실험 배치도 도에 대한 전자선의 산란

여기서 느는 광파의 파장이다. 따라서 디 브 로 이 는 입자의 파장 은

A= 을 (2.3)

로 표 현 된 다 고 가 정 하 였 고 , 여기서 자는 입자의 운 동 량 이 며 \는 물 질파의 디 브 로 이 파

장 (de Broglie wavelength)으로 알려 졌다.
전자의 파 동 성 은 여 러 가지 방 법 으 로 실 험 되 었 다 . 1 927년 Davison과 G e rm e d 의
한 한 실험에서 가열된 필라멘트로부터 전 자 들 은 니 켈 단결정에 수직 입사되도록 방출
되었다. 그 림 2.2는 실 험 장 치 를 보 여 주 고 , 그 림 2.3은 그 결과 를 보여준 다 . 산 란 된 전자
들의 농도에 서 최대값이 존 재 한 다 는 것은 니 켈 결정면에 있는 주 기 적 인 원자들로부터
산 란된 파동들의 보 강 간 섭 으 로 설명된다. 각 도 분 포 는 격자로부터 회절된 빛에 의하여
만들어 진 간 섭 무 늬 와 대단히 유사하다.
입자 와 파동의 이중성 원리에 내포된 주 파 수 와 파장에 대 한 인식 을 갖기 위해서 그
림 2.4는 전 자 기 파 의 주 파 수 스 펙 트 럼 을 나 타 내 었 다 . 다 음 예 제 에 서 계 산 되 는 파 장
72.7 A 은 자 외 선 영역에 해 당 한 다 . 주 로 자 외 선 과 가 시 광 선 영역의 파 장 들 을 살펴보게
될 것이다. 이 파 장 들 은 통 상 적 인 라 디 오 스펙트럼 영 역 과 비교하여 대단히 짧 은 파 장
이 다 .1)

1) 전자현미경은 시편의 확대 사진을 만드는 현미경이다. 전자현미경의 배율은 광학 현미경보다 약 1， 배

크다. 왜냐하면 전자는 빛보다 약 100,000배 짧은 파장을 가지고 있기 때문이다.
 2.1 양자역학의 원리 29

• «0 CN • •
•

0001
• • a v »0 ON

1 0.0.
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Radio spectrum

1 fm 1 pm 1 A 1 nm 1 /Am 1 mm 1m 1 km 1 Mm Wavelength (m)

H一 —I一 一 I一 一 h - h H _ _ I一 —I_ 一 f-H _ 一 I一 一 I一 - 一 h -h H _ 一 I_ _ h H —一 I一 —I_ _ I_ _ l-H —_ 卜

10一 15 10-12 10-10 1(T9 l _6 l ~3 103 106 108

1 THz 1 GHz 1 MHz 1 kHz 1 Hz Frequency (Hz)
—I一—I一 -1 ~ h H _ _ I_ 一 I一 一 I I 一 一 I_ 一 I_ _ h - 一 一 I一 一 I一 一 K H - H _ 一 卜 一 f —I_ _ I_ 一 卜
1023 1021 1018 1015 1012 l 9 l 6 l 3 1

그림 2 .4 전자기파의 주파수 스펙트럼

I목적 I 입자의 디 브로이 파장을 계산한다.

107 cm/sec = 105 m/sec 속도로 운동하는 전자를 생각한다.

행 ！
!
운동량은

p = mv = (9.11 X 10 31)(1 05) = 9.11 X 1 -26kg-m/s

이고，그러면 디 브로이 파장은

X = ^ = 6.625 X 1 0— 34 _ 7.27
이 Xv 에
1( 9 m
P 9.1 1 X 1 0-
혹은

\ = 72.7 A

區푀
이 계산은 일반적인 전자의 디 브로이 파장의 크기의 차수를 보여준다.

연습문제
Ex 2.2 (a) 전자가 12 meV의 운동에너지를 가지고 있다. 디 브로이 파장을 계산하시오.
(b) 2.2x1 0-31 kg의 질량을 가진 입자의 디 브로이 파장은 1 12 A 이다. 그 입자의 운동량과
운동에너지를 계산하시오.
[A3 Z-0 Tx L6 V = 3 ‘s/ui•
하 7-0l x 5I6.S = 바功 :Y Zlt = 人(田 ) 'suy]
어떤 경우에 전 자 기 파 는 마치 입자인 것처럼 행 동 하 고 ，어떤 경우에 입자 는 마치 파 동
인 것처럼 행 동 한 다 . 양자역학의 이러 한 파 동 과 입자의 이중성 원 리 는 주 로 전 자 와 같
은 작 은 입자들 에게 적용 된 다 . 그 러 나 양 성 자 와 중 성 자 에 게 도 역시 적용된 적이 있다.
대단히 큰 입자에 대 해 서 는 관련 된 방정식들이 고전역학 의 방 정 식 으 로 변 환 됨 을 볼 수
있다. 파 동 과 입자의 이중성 원 리 는 결정에서 전자의 거 동 과 운 동 을 묘사하기 위하여
파 동 이 론 을 적용 할 수 있는 바탕이 된다.

2. 1. 3 불확정 성 원 리 (Uncertainty Principle)

하 이 젠 버 그 (Heisenberg)의 불 확 정 성 원 리 는 1 927년에 주 장 되 었 는 데 이것 또 한 대단히

작 은 입자에 적 용 되 며 ，원자 보 다 작 은 입자의 거동은 절대적 정 확 성 으 로 설명될 수 없
다 는 것 을 입 증 하 고 있다. 불 확 정 성 원 리 는 상 보 적 (conjugate) 관계 에 있는 변 수 들 -예
를 들면 위 치 와 운 동 량 ，혹 은 에 너 지 와 시 간 등 —사이에 성 립 하 는 원 천 적 인 관 계 를 설
명하는 것이다.
불 확 정 성 원 리 의 첫 번째 주 장 은 입자의 위 치 와 운 동 량 은 절대적 정 확 성 을 가 지 고
동시에 묘 사 할 수 없다는 것이다. 만 약 운동량의 불확실 정도 가 A/)이고 위치의 불확실
정도 가 i r 라면, 불 확 정 성 원 리 는 다 음 과 같 다 고 주 장 한 다 .2)

Ap Ax ^ h (2.4)

여기서 h 는 h = h/2 v = 1 .054x 1 -34 J-s 이고，변형된 프 랑 크 상 수 라 고 부른다. 이 원

리는 각 위 치 와 각 운 동 량 으 로 일반화될 수 있다.
불 확 정 성 원 리 의 두 번째 주 장 은 입자의 에너 지 와 입자가 이 에 너 지 를 갖 는 순 간 시
간 을 절대적 정 확 성 으 로 동시에 묘 사 할 수 없 다 는 것이다. 다시 말 하 면 에너지의 불 확
실 정 도 가 A 이고, 시간의 불 확 실 정 도 가 노 라 면 ，불 확 정 성 원 리 는 다 음 과 같 다 고 주
장한다.

AE • \ t ^ h (2.5)

불 확 정 성 원 리 를 가 시 화 할 수 있는 한 가지 방 법 은 위 치 와 운 동 량 을 동시에 측 정 하 던 가
아니면 에 너 지 와 시 간 을 동시에 측 정 하 는 상 황 을 생각해 보 는 것이다. 불 확 정 성 원 리 는
이 러 한 동시 측 정 은 어떤 범위 안에서 반드시 오 차 를 갖게 된 다 는 뜻 이 다 . 그 러 나 ，변
형된 프 랑 크 상 수 는 대단히 작기 때문에 불 확 정 성 원 리 는 원 자 보 다 작 은 크기 의 입자
의 경 우 에 만 중 요 성 을 가지게 된다. 그 럼 에 도 불 구 하 고 불 확 정 성 원 리 는 본 질 적 인 원리
이며 측 정 할 때 에 만 적용되는 것이 아 니 라 는 것을 반드시 명심해야 한다.
불 확 정 성 원 리 의 한 가지 결 론 은 예를 들면 전자의 위 치 를 정확히 결정할 수 없다는
것이다. 대신에 전자 를 특정 위치에서 발 견 할 확률(probability)은 결 정 할 수 있다. 뒷장

2) 어떤 책에서는 불확정성의 원리를 \ pt났 g S2로 표현한다. 여기서 우리는 크기의 차수에 관심있으므로
작은 차이는 무시할 것이다.
 2.2 슈뢰딩거(Schrodinger)의 파동방정식 31

에서 전 자 가 특정 에 너 지 를 가 지 는 확 률 을 계 산 할 수 있는 확 률 밀 도 함 수 (probability
density function)를 배우게 될 것이 다 . 그래서 전자의 거 동 을 묘 사 하 는 데 있어서 확 률
함 수 를 취급하게 된다.

이해도 평가

TYU 2.1 전자의 위치의 불확실 정도가 Ax = 8 A 이다. (a) 운동량의 최소 불확실 정도
를 계산하시오. (b) 운동량이 p = 1 .2 x 1 _23 kg-m/sec이면 그에 해당하는 운
동에너지의 불확실 정도를 계산하시오.
이 = 3 V ⑷ ts/ui-§5[g3_ i X 8i r i = 넜 ip) -suy]
[A3대•
TYU 2.2 (a) 양성자의 에너지가 0.8 eV의 불확실성으로 측정되었다. 이 에너지를 측정하
는데 소요된 시간의 최소 불확실 성을 계산하시오. (b) 전자에 대해서 (d)의 계
산'로 반 복 01■시오. [(” ) 0IX W8 =
SB 9UIBS ( q) is 9 卜 (v ) 'suy]

2. 2 슈 뢰 딩 거 (S c h ro d in g e r )의 파 동 방 정 식

물리 의 고전 법 칙 으 로 설 명 할 수 없는 전 자 기 파 와 입자들이 관 련 된 다 양 한 실험 결과
들 은 역학 공식 의 수정이 필 요 함 을 보여 주 었 다 . 1 926년에 슈 뢰 딩 거 는 프 랑 크 에 의 하
여 도 입 된 양자의 원 리 와 디 브 로이에 의하여 도입된 파 동 -입 자 이중성 원 리 를 결 합한
파 동 방 정 식 이 라 고 부 르 는 공 식 을 제 공 하 였 다 . 파 동 -입 자 이중성 원리 를 바 탕 으 로 결정
에서 전자의 운 동 을 파 동 이 론 으 로 표 현 할 것이다. 이 파 동 이 론 은 슈뢰딩 거 파 동 방정
식으 로 표현된다.

2.2.1 파 동방정식

1 차원 비상대성 슈뢰딩거 방 정식은

콩 & 시 ’) + V ⑴ 방 c, =세 (2. 6)

이다. 여기서 방(美 ?)는 파 동 함 수 ， 는 시불 변 전 위 함 수 ，m 은 입자의 질 량 ，그 리 고 j

는 허수 ^ I 이다. 슈뢰딩거 방정식의 형태의 타당성에 대한 논 란 은 있지만，이 방정식
은 양 자 역 학 의 기 본 공리 이 다. 파 동 함 수 방(jc, 는 시스템 의 거 동 을 묘 사 하 기 위하여
사용 될 것이 고 ，수 학 적 으 로 방(X， 는 복소량이다 .
변수분리 방 법 으 로 파 동 함 수 를 시 간 종 속 부 분 과 위치 종 속 즉 시불변 부 분 으 로 나
늘 수 있다. 파 동 함 수 를 다 음 과 같 은 형태로 쓸 수 있다고 가정한다.

방(成 = (2.7)

여기서 방 w 는 위치 ^만 의 함 수 이 고 ，必⑴는 시 간 t 만의 함 수 이 다 . 이 해 를 슈 뢰 딩 거
파 동 방정식에 대입하면

- h2 d2l//( x ) ( 2 . 8)
必(o + v ( x )i! / (x)(/)(t) = j f n l f ( x ) H 오
2m dx1

을 얻을 수 있다. 만 약 양 변 을 파 동 함 수 로 나누면 식 (2.8)은

- h2 1 d2中 (X) (2.9)

2m i//(x) dx2 + v { x ) = j h ' ^ ( t) ~ d T

이 된다. 식 (2.9)의 좌 변 은 위 치 ;c만의 함 수 이 고 , 우 변 은 시 간 t 만의 함수이 므 로 이 방

정식의 각 변은 상 수 와 같 아 야 한다. 이렇게 변수분리된 함 수 를 상 수 기로 표시한다.
식 (2.9) 의 시 간 종 속 부 분 은

( 2 . 10)
v = jh 'W ) ~ d T

로 쓸 수 있고，여기서 파라미터 기를 분 리 상 수 라 고 부 른다. 식 (2.1 0)의 해는

((》( ) = e ~ ^ h)t (2.1 1 a)

형 태 로 쓸 수 있다. 이 러 한 형태의 해는 사 인 파 의 고전적 지 수 형 태 이 고 ，여기서 비/ h 는

각 주 파 수 ⑴이다. E — hv 혹 은 E = /ko /2t t 이고 w = r\lfi = E/h 이 므 로 분 리 상 수 는

입자의 총에너지 와 같다.

따라서
바⑴ = g- AE/hx = e~jM (2.1 lb )

여기서 0) = E/h 이며，정현파의 라디 안 혹 은 각 주파수이다.

슈뢰딩 거 방정식의 시간 종 속 부 분 은 식 (2.9)로 부터

- h1 . 1 d 2if/(x)
+ V (x) = E ( 2 . 1 2)
2m dx2

로 쓸 수 있다. 여기서 분 리 상 수 는 입자의 총 에 너 지 이 다 . 식 (2.1 2)은

d^ - + ^ ( E - V(x ) M x ) = 0 (2.1 3)

로 쓸 수 있다. 여기서 m 은 입자의 질 량 이 고 ，V r)는 입자가 격는 전위이며 표는 입자의

총 에 너 지 이 다 . 이 러 한 시 간 독립 슈 뢰 딩 거 파 동 방 정 식 은 부 록 표에서 보듯이 고전적
파 동 방 정 식 을 미루어 보면 타 당 함 을 알 수 있다. 부 록에서 사 용 된 유 도 방 식 은 간 단 하
지 만 시간 독립 슈뢰딩거 방정식의 타 당 성 을 보여준다.

2. 2. 2 파 동 함 수 의 물리적 의미

우 리 는 궁 극 적 으 로 결정에서 전자의 거동 을 묘사하기 위하여 파 동 함 수 방江，0를 사용

 2.2 슈뢰딩거保chrodinger)의 파동방정식 33

하 려 는 것이다. 함 수 방次 0는 파 동 함 수 이 므 로 함 수 와 전자와의 관 계 가 무 엇 인 지 를 밝
히 는 것이 순 서 일 것이다. 전체 파 동 함 수 는 위 치 의 존 혹 은 시간독립 함 수 와 시 간 의 존
함수의 곱 과 같다. 식 (2.7)로부터 다 음 식을 얻을 수 있다.

^(x，t) = i//(x) 4>(t) = if/(x)e-■

保’ 的’ = (2.1 4)

전체 파 동 함 수 방(지 0는 복소함수이기 때문에 그 자 체 가 물 리 량 을 나타낼 수 없다.

Max Bom 은 1 926년에 함 수 I항 c，f) l2는 주 어 진 시간에 x와 ;c+ 쇼 사이에 입자를 발
견할 확 률 혹 은 확 률 밀 도 함 수 라 고 가정하였다 . 함 수 방야，f)는

I항 c，f) l2 = 방Cx，f) •방* c，f) (2.1 5)

이며，여기서 히 (jc, f)는 복 소 공 액 함 수 이 다 . 그 러므 로

^ \ x , t ) = if/*(x) •e +j(E/h)t

이고，따라서 전체 파 동 함 수 와 그 복소공액의 곱은

방 (;c， t) = [少 ⑴ ^-抑 竹 ，
] 산 ，竹 ] = ，⑴
/， (2. 16)

이다. 그 러 므 로

l^(x, t ) \ 2 = i p (x )ip X x ) = li//(x) l2 (2.1 7)

은 확 률 밀 도 함 수 이 고 ，시간독립 적 이다. 고 전 역 학 과 양 자 역 학 의 하나의 중 요 한 차이 점

은 고 전 역 학 에 서 는 입자의 위 치 가 정확히 결 정 되 는 반면에 양 자 역 학 에 서 는 입자의 위
치 가 확 률로서 주 어 진 다 는 점 이 다 . 여 러 가지 예에 대하여 확 률 밀 도 함 수 를 계 산 할 것
이다. 그 리 고 이것 은 시 간 독 립 적 이 기 때문에 일 반 적 으 로 시간독립 파 동 함 수 에 관 심 을
가질 것이다.

2. 2. 3 경계조건

함 수 I則功 2는 단일 입자에 대한 확 률 밀 도 함 수 를 나타내기 때문에

I _x \ip(x)\2 d x — 1 (2.1 8)

이 어 야 한다 . 즉 어느 곳 엔 가 입자 를 발 견 할 확 률 은 반드시 있다. 식 (2.1 8)은 파 동 함 수

를 정 규 화 할 수 있게 하고 파동함수의 계수를 결정하기 위하여 사 용 되 는 경계조건 이다.
파동 함수에 적 용 되 는 나머지 경 계 조 건 들 과 그 미 분 들 은 가정이다. 그 러 나 경계조건
들 을 언급하고 왜 이것 을 적 용 해 야 하 는 지 를 합 리 화 하 는 논 거 를 제 시 할 수 있다. 만 약
총에 너 지 와 전위 V( 가 모 든 곳에서 유 한 하 다 면 파 동 함 수 와 그 미 분 은 반드시 다 음
의 성 질을 가 져 야 한다.
34 Chapter 2 양자역학의 입문

V(x) = V(x) =

V(x)

(a) (b)

그림 2.5 다음 경우의 전위함수와 그에 해당하는 파동함수의 해; (a) 전위함수가 모 든 영역에서

유한할 경우，(b) 전위함수가 특정 영역에서 무한할 경우

조건 1. 則功는 유한하 고 , 단 일 값 을 가지 며, 연속이 어 야 한다.

조건 2. 째 (功 /갔 는 유 한 하 고 ，단 일 값 을 가 지 며 ，연속 이 어 야 한다.

I항(지 12는 확 률 밀 도 이 므 로 방 ⑴ 는 유 한 하 고 단일 값 을 가져 야 한다. 만 약 확률 밀

도 가 공간 의 어느 지점에 서 무 한 하 다 면 그 지점에서 입 자 를 발 견 할 확 률 은 확 실 하며
불 확 실 성 의 원리에 위 배 되 는 것이다. 총에너지 표와 전위 가功가 모 든 지점에서 유 한 하
다면, 식 (2.1 3)로 부터 2차 미 분 은 유한하여 야 하며 이 것은 1차 미분이 연속이 어야 함
을 의미한다. 1차 미분은 입자의 운 동 량 과 관 계 가 있으므로 유 한 하 여 야 하고 단일 값을
가 져 야 한다. 결 과 적 으 로 유 한 한 1차 미 분 은 그 함 수 자 체 가 연 속 이 어 야 함 을 의 미 한
다. 특 별 한 경 우 에 서 는 전 위 함 수 가 공간의 특정 지역에서 무 한 할 수 있고, 이 경우 1차
미분 은 연속일 필요 가 없다하지만 나머지 경 계 조 건 들 은 여전히 적용될 것이다.
그림 2.5 두 가지 전 위 함 수 와 그에 대 응 하 는 파 동 함 수 해의 예를 보여 주 고 있다. 그
림 2.5 a 에서 전 위 함 수 는 모 든 영역에서 유 한 하 다 . 파 동 함 수 와 그 1차 미 분 은 연속이다.
그림 2.5b 에서 전 위 함 수 는 x < 0과 ;c 〉 a 에서 무한하다. 파동 함 수 는 경계에서 연속이지
만 그 1 차 미분은 불연속 이다. 다음 절과 연습문제에서 파 동 함 수 를 실제 계산할 것이다.

2. 3 슈 뢰 딩 거 파 동 방 정 식 의 응 용

이제 슈 뢰딩거 파 동 방 정 식 을 여러 가지 전 위 함 수 에 적용해 볼 것 이다. 이 러 한 예 들 은

슈 뢰 딩 거 미 분 방 정 식 을 푸는 데 사 용 되 는 기 법 들 을 보 여 줄 것 이 고 , 이 예의 결 과 들 은
다 양 한 전위 아래에서 전자의 운 동 을 이해하는 데 도 움 을 줄 것이다. 이 러 한 결론적 개
념 들 은 뒤에 반 도 체 물 성 을 논의하는 데 적용될 것이다.
 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 35

2.3.1 자 유 공 간 의 전자

슈뢰딩 거 파동방정 식 을 적 용 하 는 첫 번째 예로서 자 유 공 간 에 서 전자의 운 동 을 생 각 하

자. 입자에 작 용 하 는 힘이 없다면 전 위 함 수 功는 일정 할 것 이 고 ，전자의 에너지 E >

V {x ) 이어 야 하 므 로 간단히 하기 위해서 모 든 위치 에서 전 위 함 수 V(;c) = 0 라고 가정

하자. 그러 면 시간 독립 파동방정 식은 식 (2.1 3)으 로 부터 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

^ $ ) + 2 ^ ^ )= (2.1 9)
dxz nz

이 미분방정식의 해는 아 래 와 같 은 두 가지 형 태 를 갖는다.

_ = A exp [ ^ | ^ ] + B exp 卜 구 否 ] 必 삐

혹은
ip( x ) = A exp(yfcc) + B exp( —jfcc) (2.20b )

여기서

k = 사 통 (2.21 )

이며, 파 수 (wave number)라고 한다.

해의 시 간 의존 부 분 은

( ) = ^~j(.E/h)t
바 호 ( 2. 22)

인 것을 상기하 자 . 그러 면 파동함수의 총 해는

^ ( x , t) = A exp [ j(kx — > ] + B exp[ — + )t) ] (2.23)

이다. 이 파 동 함 수 해 는 진 행 파 이 고 ，자유공 간에 서 운 동 하 는 입자는 진 행파로 표 현 됨 을

의 미 한 다 . 계수 보를 갖 는 첫 항 은 +x 방 향 으 로 진 행 하 는 파 이 고 ，계수 «를 갖 는 두 번
째 항 은 - ^ 방 향 으 로 진 행 하 는 파 이 다 . 이 계 수들의 값 은 경 계 조 건 으 로 부터 결정될
것이다. 결정 혹 은 반도체에 있는 전자에 대하여 진행파 해 를 다시 보게 될 것이다.
먼저 +x 진 행 파 로 표 현 되 는 +上 방 향 으 로 진 행 하 는 입자 를 생 각 하 자 . 즉 식 (2.23)
에서 계수 B = 0인 파 동 함 수 를 생각하 자 . 이 경우 진 행 파 해 는 아 래 와 같 은 형 태 를 갖
는다.

방(文， = A e\ p [J(k x - )公! (2.24)

여기서 쇼는 파 수이고

(2.25 a)

혹은
 p = hk (2.25 b)

로 표현된 다 . 또 한 디 브로이 파 장 은

h _ 2t t 洗
入_ (2.26)
~ P ~ ~ P ~

임을 기 억 하 자 . 식 (2.25 a)와 식 (2.26)을 결합하여 파 장 을 파 수 로 다 음 과 같이 표 현 할

수 있다.

예 (2.27 a)
혹 은

쇼= x (2.27 b)

정 확 한 에 너지를 갖 는 자 유 입 자 는 역시 정확한 파 장 과 운 동 량 을 갖는다.

확 률 밀 도 함 수 는 방(;c， t ) = 九4*이 고 ，위치에 무 관 한 상 수 이 다 . 결 정 된 운 동
량 을 갖 는 자 유 입 자 는 동 일 한 확 률 을 가 지 고 모 든 위치에서 발 견 된 다 . 이 결 과 는 운 동
량이 정확 할 경우 위치 를 결 정할 수 없다는 하이젠버 그의 불 확 정 성 원 리 와 일치한다.
편 재 화 된 (localized) 자 유 전 자 는 파 속 (wave packet)으 로 묘 사 되 며 ，이것 은 다 른 운 동
량 즉 /: 값 을 가 지 는 파동함 수 들 의 중 첩 (superposition)으 로 표 현 된 다 . 파속에 대 해 서 는
여기서 논의하지 않을 것이다.

2.3.2 무한 전 위 우 물

무 한 전 위 우 물 에 있는 입 자 문 제 는 갇힌 입자의 고전적 예 이 다 . 이 문 제 의 경우 전위
는 위치의 함수로서 그림 2.6에 나 타 나 있다. 입 자 는 영역 II 에 존 재 한 다 고 가 정 하
면 입자 는 유 한 공 간 영역 내에 갇혀 있다. 시 간 독립 슈뢰딩거 파 동 방 정 식 은 다시 식
(2.1 3)과 같이 주 어 지 고 ，

七 2器 、E - V( x m x ) = 0 (2. 1幻

여기서 표는 입자의 총 에 너 지 이 다 . 만 약 표가 유 한 하 다 면 ，파 동 함 수 는 영 역 I 과 III 에서

‘0’ 즉 방 W = 0이다. 입 자 는 무 한 전위 장 벽 을 투 과 할 수 없 으 므 로 영 역 I 과 III 에서
입자를 발 견 할 확 률 은 ‘ ’ 이다.
전위 V = 0인 영 역 II 에서 시 간 독립 슈뢰딩거 파 동 방 정 식 은

뽑 + 쁑 _ =

이 되고, 이 방정식에 대한 해의 특 별 한 형태는

 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 37

V(x)

00 00
ik iL

I I
I I

영역 I 영역 II 영역 I

x = 0 x = a

그림 2 .6 무한 전위우물의 전위함수

= Aj cos k x + A2sin k x (2.29)

으 로 주 어 진 다 . 여기서

k = 、[루 (2.30)

이다.
경 계조건 즉 파 동 함 수 방(功는 연속이 어 야 하므 로

ifj(x = 0) = i p(x = a) = 0 (2.31 )

이다.
a : = 0에서 경 계 조 건 을 적용하면 시 = 0 이어야 한다. a := a 에서는

ijj(x = a) = 0 = A2 sin k a (2.32)

이다. 이 방 정 식 은 & = 이면 성 립 하 며 ，여기서 파라미터 «은 양의 정수 즉 « = 1 ，

2, 3, ... 이다. 파라미터 n 을 양자 수 라 고 부른다. 다시

k = ^~ (2-33)

로 쓸 수 있다. «의 음의 값 은 단순히 파동함수에서 음 부 호 를 붙 이 는 것 이 고 ，파 동 밀 도

함수에 대 해 서 는 중 복 되 는 해 가 된다. 따라서 + «과 _n 해 사이에 물 리 적 으 로 어떤 차
이점도 없다.
계 수 句 는 식 (2.1 8) 즉 / I ^ ( x ) r ( x)dx 에 의해 주 어 지 는 정 규 화 경 계 조 건 으 로 부터
구 할 수 있다. 만 약 파 동 함 수 해 방 ⑴ 가 실함수이 면 항0功 = 히 ⑴ 이 다 . 파 동 함 수 를 식
(2.1 8) 에 대입하면

(2.34)
, A22 sin2 kx dx
이다. 이 적분 을 계 산하면3)

식 =: v i (2.35)
이 된다.
마 지 막 으 로 시간 독립 파동의 해는

小 ( X ) = V I sin m where n = 1，2, 3 ,. . . (2.36)

로 주어 진다.
이 해는 무 한 전위우물에 있는 전 자 를 나 타 내 고 ，정 재파 해이다. 자 유 전 자 는 진행 파
로 표 현 되 고 ，이 갇힌 전 자는 정재파로 표현된다.
파 동 해의 파라미터 쇼는 식 (2.30)과 (2.33)으 로 정의되었다. 이 두 방 정 식 을 같게 놓
으면

k 2 - ^ k2 = 2m E " = ^ (2.37)
h2 a2

를 얻는다. 따라서 총 에 너 지 는

E = En = 삐2 where n = 1，2, 3 ,. .. (2.38)

로 주어 진다.
무 한 전위우물의 입자에 대한 파 동 함 수 는

>P(x) = \ / | sin k „ x (2.39)

로 주 어 지 며 ，여기서 상 수 /는 불 연 속 값 을 가 져 야 하는데 이 것 은 입자의 총 에 너 지 가

단지 불 연 속 적 값 만 갖 는 다 는 의 미 이 다 . 이 결 과 들 은 입자의 에 너 지 가 양 자 화 된 다 는
것 을 뜻 한 다 . 즉 입자의 에 너 지 는 오직 특 정 한 불 연 속 값 들 만 가질 수 있다. 입자 에너
지의 양 자 화 는 입 자 가 연속 에너지 값 을 가질 수 있는 고전 물리 의 결 과 와 상 반 된 다 .
이 러한 불 연 속 에 너 지 들 은 이 장 과 다 음 장에서 보 다 자세히 고 찰 하 게 될 양 자 상 태 들
을 유도한 다 . 갇힌 입자의 에너지 양 자 화 는 대단히 중 요 한 결과이다.3

3) 좀 더 상세히 분석하면 LA2I2 = 2/a 이므로 상수 시는 W i 도 ， + j ^ / 2 /a , 를 포함한다. 파

동함수 자체는 물리적 의미가 없으므로 어느 상수를 선택할 것인가는 중요하지 않다. 즉 이들 모두가 같
은 확률밀도함수를 나타내기 때문이다.
 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 39

1 3 무한 전위우물에 있는 전자의 첫 3개 에너지 준위를 계산한다. 月

폭 5 A 의 무한 전위우물에 있는 전자를 생각하자.

■田 !
식 (2.38)로 부터4>

E_= 뻗 ^ 거 내 신 , 1 느 = ^(2.41 X 1 0 - ) J
2m次2 2(9.11 X 10—31)(5 X 10—】0)2

혹은
«2(2.41 X 1 ->9)
E = n2(1 .51 )eV
1.6
그러면
, = 1.51 eV, E2 = 6.04 eV, 及3 = 13.59 eV

이다.

S D
이 계산은 갇힌 전자의 에너지 준위의 차수의 크기를 보여준다.

연습문제
Ex 2.3 (a) 무한 전위우물의 폭이 12 A 이다. 전자의 첫 3개의 허용 에너지 준위를 계산
하시오. (b) 양성자에 대해서 (a)와 동일한 계산하시오.

[A3 -01 X 8Z'I ‘A3 卜이 X 0Z/S ‘八 3 卜01 X S Z V I ( 功 ;八多 Ig ’2 ‘八 3 S切 )’I *A3I9Z'0 (») 'suy]

그림 2.7 a 는 무 한 전 위 우 물 에 있는 입자의 첫 4개의 허 용 에 너 지 들 을 보 여 주 고 ，그림

2.7 b 와 2.7 c 는 그에 해 당 하 는 파 동 함 수 들 과 확 률 함 수 들 을 보 여 준 다 . 에 너 지 가 증 가 함
에 따 라 주어 진 JC에서 입자를 발 견 할 확 률 은 보 다 균일해짐 에 주 의 하 여 야 한다

2.3.3 계단전위함수

그림 2.8의 계 단 전 위 함 수 를 살 펴 보 자 . 전 절에서 두 전위장벽 사이에 갇힌 입자를 살펴

보 았 다 . 이 예 에 서 는 입자 속(flux) 이 전 위 장 벽 에 입 사 한 다 고 가 정 한 다 . 입 자 들 은 +x
방 향 으 로 진 행 하 고 x = - …에서 출 발 하 였 다 고 가정한 다 . 특히 흥 미 로 운 결과 는 입자
의 총 에 너 지 가 장벽의 높이 보 다 작 은 경우 즉 < ∼ 일 때 얻어진다.
각 영 역 에 시 간 독립 파 동 방 정 식 을 적 용 한 다 . 이 일 반 방 정 식 은 식 (2.1 3)에서
d 2x\ i( x ) / dx 2 + 2 m / h 2( E - V ( x ) M x ) = 0로 주어진다 . V = 0인 영역 I 에서 파 동 방 정 식 은

뽑 + 뿜 此 ⑴ = 0 (2-40)

4) 에너지 단위로서 eV에 대해서는 부록 D를 참조할 것.

AO chapter 2 양자역학의 입문

그림 2.7 무한 전위우물속의 입자: (a) 4개의 낮은 불연속 에너지 준위 (b) 파동함수 (c) 확률함
수 (Pierret [9]에서 인용)

이다. 이 방정식의 일반해는

i//i(x) = (x 드 0) (2.41 )

로 주어진다. 여기서 상 수 시은

k' = (2-42)

이다. 식 (2.41 )의 첫 항 은 입 사 파 를 나 타 내 는 + x 방향의 진 행 파 이 고 ，둘째 항 은 반 사

파 를 나 타 내 는 -요 방향의 진 행 파 이 다 . 자 유 입 자 의 경 우 와 같이 입 사 와 반 사 입 자 는 진
행파로 표현된다.
입사파에 대해서 시 •A,* 은 입사입자 들의 확 률 밀 도 함 수 이 다 . 만 약 이 확 률 밀 도 함

V(x)

입사입자
-------
--------------

영역 I 영역 II

x = 0

그림 2. 8 계 단 전 위 함 수
 2. 3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 41

수에 입사속도를 곱하면 v,. •시 • 은 #/cm2-sec 단 위 를 갖 는 입사입자들의 속(flux) 이

된다. 이 와 마 찬 가 지 로 vr •비 •S , 은 #/cm2-sec 은 반사입자 들의 속( flux) 이 되며，여기
서 가 은 반사파의 속도이다. (파라 미 터 v,. 과 가 은 속도의 크기 만을 나 타 낸 다 .)
영역 II 에서 전 위 는 V = 。 이다. 만약 < 。 이면 영역 II 에서 파 동 함 수 를 표 현 하
는 미분방정식은

^ - ^ 씨 一 쎄 ) = 0 (2.43)

이다. 그러 면 일반해는

ip2(X ) = A 2e~kiC + B 2e+klX (x > 0) (2.44)

로 주 어 지 며 ，여기서

사 2 m (、V' - E) (2.45)

이다.
경 계 조 건 으 로 파 동 함 수 방2(功는 유 한 하 여 야 하 며 ，따라서 이 것은 계수 꺄 = 이어
야 한다. 파 동 함 수 는

少2( ) = A 2e~kiK ( > 0) (2.46)

이 된다. x = 0에서 파 동 함 수 는 연속이어야 하므 로

此(0) = 如(0) (2.47)

이다. 그러 면 식 (2.41 ), (2.46)과 (2.47)로부터

山 + 公1 = A 2 (2-48)

를 얻을 수 있다.
전 위 함 수 는 모 든 영역에서 유 한 하 여 야 하 므 로 파 동 함 수 의 1차 미 분 도 역시 유 한 하
여야 한다. 그 러므 로

dif" _ dl!/2 (2.49)

dx x= dx x=o

이다. 식 (2.41 ), (2.46)과 (2.49)를 이용하여

jkiAi - jk xB x = ~ k 2A 2 (2.50)

을 얻을 수 있다.
식 (2.48)과 (2.50)을 풀어서 계수 비 과 신 를 입사파의 계수 식 으 로 나타낸다. 그 결과

~ { k\ + 2jk 此 - 하)
(2.51 a)
~ 공
U1 Chapter 2 양자역학의 입문

과
2 k '( k' - jk 2)
a 2= ^1 (2.51 b)
석+ 더

을 구 할 수 있다. 반 사 확 률 밀 도 함 수 는

( k\ - k\ + 2jk 此 ) 與 - k\ - 2j k 此 ) (2.52)
W2 + w

로 주어 진다.
반 사 계 수 R 즉 입사속 과 반 사 속의 비율은

n = W• 公, •公; (2.53)
Vi •A, •A \

으 로 주 어 진 다 . 여기서 v,■과 v,은 입자의 입사 및 반 사 속 도 이 다 . 영역 I 에서 V = 0 이

므로 = T 이며，여 기 서 『 는 입자의 운 동 에 너 지 이 다 . 운 동 에 너 지 는

71 = ^ mv 2 (2.54)

로 주어 지 므 로 상 수 다 은 식 (2.42)로부터

(2.55)
k' = V 著 (을 서 = 사 독 = X

이 된다. 그러면 입사속 도는

V,- = ^ • k \ (2.56)

로 주 어진다. 영 역 I 에도 반 사 입 자 가 존 재 하 므 로 반사•
속도(크기)는

V，= ■
흠•灰1 (2.57)

로 주 어진다. 입사와 반 사 속 도 (크 기 )는 같다. 따라서 반 사 계 수 는

vr ■公,•公; 』S, . 公;
(2.58)
V i-A, - A A,-At

이 된다. 식 (2.52)를 식 (2.58)에 대입하면

히•
公; l d - k[ + 4삭억
1 .0 (2.59)
元T7꾹 = 一 국T 국 一

를 얻을 수 있다.
요 = 1 이란 에너지 < 、 이면서 에너지 장벽에 입사 한 모 든 입 자 들 은 결국 반 사
함 을 의미한다. 입자들 은 전 위 장 벽 을 통 과 하 지 도 흡 수 되 지 도 않는다. 이 결과는 고 전 물
 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 스3

리와 완전히 합치 되 는 것이므로 왜 이러한 문 제 를 양자역학적으로 다루어야 하는지 질

문 하 게 된 다 . 흥 미 로 운 결 과 는 영역 I I 에서 발 생 한 다 .
영 역 I I 의 해 는 식 (2 .46)에 의 하 여 小2(功 = 바 로 주 어 진 다 . 식 (2.48)로 부 터 계
수 A 2는 句 = 시 + 씨 이 며 경 계 조 건 으 로 부 터 유 도 된 다 . E < V 0의 경 우 계 수 사 는 영

이 아 니 다 . 만 약 신 는 영 이 아 니 면 영 역 I I 에 서 발 견 될 입 자 의 확 률 밀 도 함 수 바2(功 •

小은切은 영 이 아 니 다 . 이 결 과 는 입 사 입 자 가 전 위 장 벽 을 투 과 하 여 영 역 I I 에 존 재 할 확
률이 있 다는 의 미 이 다 . 입 자가 전 위 장 벽 을 투 과 할 확 률 은 고 전 과 양자 역 학 의 또 다른
차이이다. 양자역학적 투과는 고전적으로 허용되지 않는다. 입자가 장벽 을 투 과 할 확률
이 있 다 고 하 더 라 도 영역 I 의 반 사 계 수 가 1 이기 때 문 에 영역 II의 입 자 는 결 국 되 돌 아
서 영역 I로 이 동 한 다 .

S 3 전 위 장 벽 에 충 돌 한 입자의 투 과 길 이 를 계 산 한 다 .
영 역 I 에서 속 도 1 x 1 5 m / se c 로 진 행 하 는 입 사 전 자 를 생 각 하 자 .

V⑴ = 0이 므 로 총 에 너 지 는 운 동 에 너 지 와 같 다 . 따 라 서

E = T = ^ mv2 = 4.56 X 1 0_21 J = 2.85 X 1 0_2eV

x = 에서 전 위 장 벽 은 입 사 입 자 의 총 에 너 지 의 2 배 만 큼 크다고 가 정 한 다 . 즉 、 = 2표 라
고 가 정 한 다 . 영 역 I I 에서 파 동 함 수 해 는 바2⑴ = 이 며 ，여 기 서 상 수 쇼2는 k2 = \ / 2 m ( V

- 及)/ 狀 이 다.
이 예 에 서 파 동 함 수 크 기 가 x = 0에서 값 의 만 큼 감 소 하 는 거리 x = d 를 구하고
싶다. 그러면 이 경우 k2d = 1 혹은

V면
이다.
따라서 거리는

1 .054 X 1 0_34
11.6 10~10]
2(9.1 1 X 1 -31) (4.56 X 1 0_21)

혹:은

d = 1 1.6 A

이다.

區 푀
이 투 과 깊 이 는 대 략 실 리 콘 의 격 자 상 수 의 2배 정도에 해 당 한 다 . 이 예제에서 사 용 된 숫 자
는 임 의 로 정 한 것 이 다 . 파 동 함 수 가 초기 값 으 로 부 터 e - 1로 감 쇄 하 는 거 리 를 사 용 했 지 만 ，
예를 들면 e_ 오감쇄하는 거 리 를 사 용 할 수 도 있다.
44 Chapter 2 양자역학의 입문

연습 문제
Ex 2.4 영 역 II에서 ;c = 0로부터 거 리 c?에서 입자를 발견할 확률이 로 주어 진다.
영역 I에서 속도 1 5 m/s로 전위장벽으로 입사하는 전자를 생각하자. 여기서 전위장벽의 높
이는 전자의 운동에너지의 3배이다. x = 0로부터 장벽 내부의 거리 d 에서 전자를 발견할
확률을 계산하시오. (a) d = lO A, (b) 1 00 A
[%6-0I X £VZ = d (功 :%089.8 = d ip) -suy]

전위장 벽에 입 사 하 는 입자의 총 에 너 지 가 장벽높이 보 다 클 경우，즉 〉 V 는 이 장의

연습문제로 남 겨 둔 다 .

2.3.4 전 위 장 벽 과 투과

그림 2.9의 전위장벽 함 수 를 살 펴 보 자 . 흥 미 로 운 문 제 는 입사 입자의 총 에 너 지 가 <

V 일 때 나 타 난 다 . 입사입자 들이 음의 X축에서 출 발하여 七': 방 향 으 로 진 행 한 다 고 가
정 한 다 . 전 과 같이 3개의 각 영역에서 슈 뢰딩거 시 간 독립 파 동 방 정 식 을 풀 어 야 한 다 .
영 역 I과 II 그 리 고 III에서 파동방정 식의 해는 각 각 다 음 과 같이 주 어 진 다 .

x+ B xe _ jl나 (2.60a)

少2 (으) = A 2e klX + B 2e _ k2X (2.60b)

= A 3ejk'x + 公 3끗-加 : (2.60c)
여기서

(2.61a)
^ = v h2

이고，

(V -E ) (2.61b)
이다.

Incident
particles--- ►
(E<V0)

영역 i 영역 Et 영역 III

그림 2. 9 전위장벽함수
 2.3 슈뢰딩거 파동방정식의 응용 스5

식 (2.60c)의 계수 B3는 영 역 III 에서 음 으 로 진 행 하 는 파 를 나 타 낸 다 . 그 러 나 일단

입자가 영역 III으 로 진입하면 반 사 시 키 는 전위장벽이 없다. 따라서 계수 馬 는 ‘0’ 이다.
식 (2.60b) 에서 는 두 개의 지 수 항 모 두 존 재 해 야 한다. 왜냐하면 장벽의 폭이 유 한 하 므
로 어느 항 도 제 한 되 지 않기 때 문 이 다 . x = 0과 x = a 의 경 계 점 에 서 파 동 함 수 와 그
1 차 미분 함 수 들 은 연속이어야 하 는 4개의 경계조건 으로부터 4개의 계수 의 ，A 2, B 2,
를 시 으 로 풀 수 있다. 3개 영역에서 파동함 수들 이 그림 2.1 0에 나 타 나 있다.
특히 흥 미 로 운 파 라 미 터 는 영역 I 의 입사속에 대한 영역 III 의 투과속도의 비율로 정
의되 는 투과 계 수 이 다 . 그러면 투 과 계 수 『 는

V, • A3 • A3 = A3 • A;
(2.62)
Vi • Ai •A* Ax • A\

이며，여기서 '와 '는 투 과 및 입사입자의 속 도 이 다 . 영역 I 과 m 의 전위 는 v = 이므

로 입 사 과 투 과 입 자 의 속 도 는 같다. 투 과 계 수 는 경계조건 방 정 식 들 을 풀어서 구 할 수
있다. e « v 인 특 별 한 경우

，이 6 (長 ) (1 _ 長 ) exP (-섰 씬 ) (2.63)

이다.
식 (2.63)은 전 위 장 벽 에 충 돌 한 입 자 가 장 벽 을 뚫 고 영역 m 에 나 타 날 확률이 있다
는 의 미 이 다 . 이 현 상 을 투 과 (tunneling) 라고 하 며 ，이 또 한 고 전 역 학 을 벗 어 나 는 현 상
이다. 뒤에서 어떻게 이 양자역학적 투과현 상이 반도체 소 자 ，즉 터널 다이오드 에 응 용
되 는 지 를 보게 될 것이다.

I 목적 I 전자가 전위장벽을 투과할 확률을 계산한다. 결園

에너지 2 eV를 가진 전자가 높 이 가 。 = 20 … 이고 폭이 3 A 인 전위장벽에 충돌하는
경우를 살펴본다.

식 (2.62)은 투과확률이다. 계수 쇼2는

그림 2 .1 0 전위장벽을 관통하는 파동함수

I소 Chapter 2 양자역학의 입문

. /2 m ( V _ 公) - ' /2(9.1 1 X 1 0*31)(20 - 2)(1 .6 X 1 0~19)

V 存 V (1 .054 X 1 - 34)2
즈

h = 2.1 7 X 1 010m -'

그러면
T= 1 6(0.1 )(1 - 0.1 ) e xp [-2(2.1 7 X 1 0'°)(3 X 1 010)]

그러므로
r = 3.1 7 x 1 0—
56

區3
투과확률은 적은 값일 수 있다. 그러나 영은 아니다. 만약 많은 수의 입자들이 전위장벽에
충돌한다면 적지않은 수의 입자들이 장벽을 투과할 것이다.

연습문제
Ex 2.5 (a) 높이 = 1.2 eV，폭 a = 5 A 인 구형 전위장벽을 에너 지 E = 0.1 2 eV 가
진 전자가 투과할 확률을 추정하시오. (b) a = 25 A 에 대해서 문제 (a)를 반복하시오.
tn-OI X 6 = 1 (<?) * -0t X ZO'L = 1 ( P ) -suy]

이해도 평가

TYU 2.3 (a) 장벽높이가 = 0.8 … 이고 장벽의 폭이 1 2 A 인 구형 장벽을 관통하 는

전자의 투과확 률을 계산하라. 전자의 에너지는 0.1 0 … 이다. (b) V = 1 .5 eV
에 대해서 문제 (a)를 반복하시오. [卜이 x 6스> = 1 (功 V 이 X L6 S = 1 的 -suy]
TYU 2.4 어 떤 반도체 소자가 장벽의 높 이 、 = 0.8 eV 인 구형장벽 에 대한 전자의 투과
확률이 T = 5 x l (T 6가 되도록 요구한다. 전자의 에너지는 0.08 eV 1 4. 최대
장벽의 폭을 계산하시오. (Y 9 V P I = suy)

2M 파 동 이 론 의 원 자 로 의 확 대 5》

이 장에서 지금까지 여러 가지 1 차원 전위 에너지 함 수 를 살 펴 보 았 고 ，입 자 를 발 견 할

확 률 함 수 를 얻기 위하여 슈뢰딩거 시 간 -독 립 파 동 방 정 식 을 풀어 보 았 다 . 이 제 는 단일
전자 원자 혹 은 수 소 원 자 의 전 위 함 수 를 살 펴 보 자 . 수학적 계 산 과 파 동 함 수 해에 대해
서는 간략히 살 펴 보 지 만 그 결과는 대단히 흥 미 롭 고 중 요 하 다 •

5) 상세한 역학적 분석은 이 책의 범위를 벗어난다, 그러나 이 절에서 강조하는 결과는 반도체물리를 논의하
는데 있어서 대단히 중요하다.
 2. 4 파동이론의 원자로의 확대 kl

2.4.1 단일 전 자 원자

원 자 핵 은 무 거 운 양 전 하 를 띤 양 성 자 이 고 , 전자 는 가 볍 고 음 전 하 를 띤 입 자 이 며 ，고전
적 보어 이론에 의하 면 전자 는 원자핵 주 위 를 회 전한다. 전 위 함 수 는 양 성 자 와 전 자 사
이의 쿨 롱 인력에 의하여 형 성 되 며 ，

V(r) = 4 ^ (2-64)

로 주 어 진 다 . 여기서 ^는 전자전하의 크 기 이 고 ， 0는 자유공간 의 유 전 률 (permittivity)이

다. 이 전 위 함 수 는 비록 구 대 칭 이 지 만 구좌표 계에 서 3차원 문 제 를 야기시킨다.
시간-독립 슈뢰딩거 파 동 방 정 식 을 3차 원 으 로 일반화하면

V2^/(r , e ，別 + 중 (E - 0，切 = 0 (2.65)

이 된다. 여기서 민 은 라 풀라스 작 용 자 이 고 이 경우 구 좌 표 계 로 표 현 되 어 야 한다. 파 라

미터 는 전자의 정 지 질 량 이 다 .6〉 구좌표 계에 서 슈뢰딩거 방 정 식 은 다 음 과 같다.

. 시 니 엔 |+ 1 .j ^ + _ _ L_ . A /sine. # )
r2 dr\ dr I 거 sin20 d(f>2 r^sinO SO \ ° )
( 2 .66)
+ ^ ( E - V( r) ) ^ = 0

식 (2.6句의 해는 변수분리 방법을 사용하여 구 할 수 있다. 시간-독립 파동방정식의 해는

iKr，d , (f>) = R ( r) •0(6) •$ (切 (2.67)

로 쓸 수 있다고 가 정한 다 . 여기서 /?，© 와 O 는 각 각 r , 0와 산만의 함 수 이 다 . 이것 을 식

(2.66)에 대입하면

센 逆 . 호 니 + .쁘 + 넨 里 . (sin0 .
R dr\ dr! <t > d<t) 2 © 86 \ ° d l
2mn ( 2 -68)
+ - =^- ( E - V) = 0

이 된다. 식 (2.68)의 두 번째 항 은 산만의 함 수인 반면에 다른 항 들 은 r 과 0의 함 수 임 을

유의하 라. 변수분리 후 얻어지는 산의존 방정식은

1 32必 , (2.69)
否 •레

이다. 여기서 m은 변수분리 상 수 이 다 .7〉 식 (2.69)의 해는 다음의 형태를 갖는다.6

7

6) 질량은 두 입자 시스템의 정지질량이어야 하지만 양성자의 질량은 전자 보다 훨씬 크기 때문에 등가질량

은 전자의 질량이 된다.
7) 여기서 m 은 변수분리의 상수를 의미한다. 이러한 상수는 전자 질량과 혼동될 수 있지만 여기서 계속 사
용될 것이다. 일반적으로 질량 파라미터는 첨자와 함께 사용된다.
48 Chapter 2 양자역학의 입문

(/) = e jm<t，
(2.7 0)

파 동 함 수 는 단 일 값 을 가 져 야 하 므 로 ⑵은 정 수 즉

w= 0, ± 1 ，±2, ± 3 , . . . (2.71 )

이라는 조건을 부여한다.

변 수 분 리 상 수 를 사 용 하 여 변 수 e 와 r 을 분 리 하 고 추 가 로 변 수 분 리 상 수 /과 «을 만
든다. 변수분리 상 수 들 즉 n, /과 이은 양자수라고 하며，

n = 1，2, 3, . . .
I = n — l ，n — 2，« — 3, . . . 0 (2.7 2)
\m \ = l, l — 1 ,..., 0

의 관계를 갖는다. 양자수의 조합은 전자가 차지하는 양자상태에 해당한다.

전자의 에너지는

p _ ______ 예

n (A T r e Q) I22 h 2n 2

의 형 태 로 주 어 진 다 . 여 기 서 «은 주 양 자 수 이 다 . 음 의 에 너 지 는 전 자 가 핵 에 갇 혀 있 음 을
나 타 내 고 ，갇 힌 전 자 의 에 너 지 는 다 시 양 자 화 됨 을 알 게 된 다 . 만 약 에 너 지 가 양 이 면

전 자 는 더 이 상 갇 힌 입 자 가 아 니 고 ，총 에 너 지 는 더 이 상 양 자 화 되 지 않 는 다 . 식 (2.7 3)
에 서 파 라 미 터 «은 정 수 이 므 로 전 자 의 총 에 너 지 는 단 지 불 연 속 적 인 값 을 갖 게 된 다 . 양

자 화 된 에 너 지 는 공 간 적 으 로 유 한 한 영역에 입자가 갇힌 결과이다.

■■圖 置 I목 적 단일 전 자 원자의 첫 3개 에너지 준 위 를 계 산 하 시 오 .

- m „e4* * * *_ -(9.1 1 X 1 -3>)(1 .6 X 1 ->9)4*

公" _ (4i 76 )2 2 h 2n 2 ~ [4 t t (8.85 文 1 0~12)]22(1 .054 X l O " 34)2n 2
= -21 .726 X 1 0-^ j r = - B ^ 8 eV
n2 n2

n = \\ E\ = —1 3.58 e V
n = 2\ E2 = -3.39 e V
n = 3\ E 3 = -1 .51 e V

에 너 지 준 위 가 증 가 함 에 따 라 에 너 지 의 음 의 값이 작 아 진 다 . 이 것 은 전 자 가 원 자 의 속 박 으
로 부 터 점점 벗 어 남 을 의 미 한 다 -

연습 문제
Ex 2.6 예 제 2.6에서 자 유 공 간 의 유 전 률 다 를 어 떤 재 료 의 유 전 률 e = 타다로 대 체 하 였
다 고 가 정 한 다 . 만 약 타 = 1 1 .7일 때 예제 2.6의 계 산 을 반 복 하 시 오 .
 2. 4 파동이론의 원자로의 확대 스9

(八이u •
I 卜 = 장 ‘八31118•
■比- = z3 ‘A s m Z'6 6 - = l3 .s u y )

파 동 방 정 식 의 해 는 此 /m으 로 표 시 하 고 ，여 기 서 n, /과 m은 양 자 수 이 다 . 가 장 낮 은 에너
지 상 태 에 대 해 서 « = 1 ，/ = 0과 m = 0이 며 ，파 동 함 수 는

^ = w *( i ) 3/2e_rM (1 7 4)

로 주어진다. 이 함수 는 구대칭이며 파라미터 마는

예 = 쓰 ! ^ = 0.529 A (2.7 5 )
m ez

로 주 어 지 며 ，보 어 반 경 과 같 다 .
반 경 확 률 밀 도 함 수 혹 은 핵 으 로 부 터 특 정 거 리 에 서 전 자 를 발 견 할 확 률 은 마10() •
^ * 10 곱 에 비 례 하 고 , 또 한 핵 주 위 의 부 피 각 에 비 례 한 다 . 가 장 낮 은 에 너 지 상 태 의 확
률 밀 도 함 수 가 그 림 2.1 1 a 에 그 려 져 있 다 . 핵 으 로 부 터 가 장 확 률 이 높 은 거 리 는 /■= a
이 며 ，보 어 의 이 론 과 일 치 한 다 . 이 러 한 구 대 칭 적 확 률 함 수 를 고 찰 하 면 서 핵 주 위 를 공
전 하 는 불 연 속 입 자 보 다 는 핵 을 둘 러 싸 고 있 는 전 자 구 름 ，혹 은 에 너 지 각 의 개 념 이 더
적합하다.
다 음 으 로 높 은 에 너 지 상 태 인 rt = 2, / = 0, m = 0에 해 당 하 는 구 대 칭 파 동 함 수
즉 반 경 확 률 밀 도 함 수 가 그 림 2.1 0b 에 나 타 나 있 다 . 이 그 림 은 전 자 의 다 음 으 로 높 은 에

너지 각 에 대 한 개 념 을 보 여 준 다 . 두 번째 에 너 지 각 은 첫 번째 보 다 핵 으 로 부 터 더 큰
반경에 위치한다. 그림에서 나타나듯이 전자가 더 작은 반경에 존 재 할 작 은 확률이 여
전 히 있 음 을 볼 수 있 다 . « = 2와 / = 1 의 경 우 세 개 의 허 용 된 양 자 수 m 에 해 당 하 는 3

개의 가 능 한 상 태 가 존 재 한 다 . 이 파 동 함 수 들 은 더 이 상 구 대 칭 이 아 니 다 .

2,1 = 0

10 15

ao
(b )

그림 2.1 1 단일 전자 원자의 ( a ) 가장 낮은 에너지 상태와 (b ) 다음 높은 에너지 상태의 반경확률밀도

함수 ( E is b e rg 와 R e s nic k [5] 짐•
조)
50 Chapter 2 양자역학의 입문

비 록 단일 전 자 원 자 에 대 하 여 수 학 적 으 로 깊이 있게 다 루 지 않 았 지 만 반 도 체 를 더
깊 이 있 게 고 찰 하 기 위 해 서 는 3가 지 결 과 가 중 요 하 다 . 첫 째 는 간 단 한 전 위 함 수 에 서 와
같이 전 자 확 률 함 수 를 제 공 하 는 슈뢰딩거 방정식의 해이다. 다 음 장에서 반도체의 물
성 을 다 룰 때 전 자 확 률 함 수 도 고 려 할 것 이 다 . 두 번째 결 과 는 갇힌 전자의 에 너 지 준
위 는 양 자 화 된 다 는 것 이 다 . 세 번째 결 과 는 변 수 분 리 과 정 에 서 도 출 된 양 자 수 와 양 자
상 태 의 개 념 이 다 . 다 음 절 과 다 음 장에서 반 도 체 물 성 을 다 룰 때 이 개 념 을 다시 사 용
할 것이다.

2. 4. 2 주기율표

원 소 주 기 율 표 의 처 음 부 분 은 단 일 전 자 원 자 의 결 과 와 2 개 의 추 가 개 념 으 로 부 터 결정

된 다 . 첫 번째 필 요 한 개 념 은 전 자 스 핀 이 다 . 전 자 는 양 자 화 되어 두 개의 가 능 한 값 중
에 하 나 를 취 하 는 스 핀 혹 은 내 부 ( in tr in s i c ) 각 운 동 량 을 갖 는 다 . 스 핀 은 양 자 수 년 지
정되며 s = + \ 혹 은 i = _ 士의 값 을 갖 는 다 . 그 러 면 이 제 4 개 의 기 본 양 자 수 즉 n ，I ,

m 그 리 고 s를 갖게 된다.

두 번 째 필 요 한 개 념 은 파울리의 배타원리 ( P a u li’ s E x c lu s io n P r in c ip le ) 이 다 . 파 울 리

의 배 타 원 리 란 주 어 진 시 스 템 (원 자 ，분 자 혹 은 결 정 )에 서 두 개 의 전 자 가 같 은 양 자 상
태를 차 지 할 수 없는 원 리 를 말한다. 배 타 원 리 는 결정에서 가 능 한 에너지 상태 중에서
전자의 분 포 를 결 정 하 는 중 요 한 요 소 임 을 보게 될 것이다.
표 2.1 은 주 기 율 표 의 몇 가 지 원 소 들 을 보 여 주 고 있 다 . 첫 번 째 원 소 로 서 수 소 는 n

= 1 에 해 당 하 는 가 장 낮 은 에 너 지 상 태 에 전 자 하 나 를 갖 는 다 . 식 (2.72)에 서 보 듯 이
양 자 수 /과 이 은 영 이 어 야 한 다 . 그 러 나 전 자 는 스 핀 상 수 혹은 중에서 하나를
택 하 게 된 다 . 헬 륨 은 가 장 낮 은 에 너 지 상 태 에 2 개의 전 자 를 갖 는 다 . 이 경 우 / = m =
0 이므로 두 전자 스핀 상 태 는 모 두 점 유 되 고 가장 낮은 에너지 각 은 가득 차게 된다.
전자의 화 학 작 용 은 주로 가 전 자 혹 은 최외 각 전자에 의하여 결정된다. 헬륨의 가전 자

각 은 완전히 채워져 있으므로 헬 륨 은 다른 원 소 와 반응하지 않는 불활성 원소이다.

표 2.1 주기율표의 처음 부분

원소 표기 n 1 m s

수소 Ls1 1 0 0 + i r_ 士
헬륨 \ s2 1 0 0 +움 and -士
리툼 ls 22sl 2 0 0 + \ o r~ \
베 릴륨 ls 22s2 2 0 0 + 士and _ 士
붕소 ls 22s22p l 2 1
탄소 \ s22s22p 2 2 1
질소 \ s22s22p 3 2 1 m = 0, 一1, +1
산소 \ s22s22p A 2 1
불소 ls 22s22p 5 2 1
네온 \ s22s22p 6 2 1J
 세 번째 원소 리둠은 3개의 전 자 를 가진다. 3번째 전자 는 n = 2에 해 당 하 는 두 번째
에너지 각 으로 이 동해야 한다. « = 2 일 때 양 자수 1은 0 이거나 1 일 수 있고 / = 1 일 때
양자 수 w 은 - 1, 0 혹 은 +1 일 수 있다. 각 경우 마 다 전자 스핀 상 수 는 혹은 일
수 있다. 따라서 n = 2에 대해서 8개의 가 능 한 양 자 상 태 가 존 재 한 다 . 네 온 은 1 0개의
전 자 를 가진다. 두 전자 는 « = 1 에너지 각에 위 치 하 고 8개 전 자 는 « = 2 에너지 각에
위치한다. 이 경우 두 번째 에너지 각이 채 워 지 므 로 네온 도 역시 불활성 원소이다.
전 자 스 핀 과 파울리 배타원 리의 개 념 과 함께 단일 전 자 원자에 대 한 슈뢰딩거 파 동
방정 식 의 해로부터 원소의 주 기 율 표 를 작 성 할 수 있다. 원소의 원 자 번 호 가 증 가 함 에
따 라 전 자 들 은 서로 영향을 주게되어 주기율표 의 작 성 은 간 단 한 원리로부터 다소 벗어
나게 된다.

2.5 요약

■ 다 양 한 전 위 함 수 에 대 해 서 전 자 의 거 동 을 묘 사 하 는 데 사 용 되 는 양 자 역 학 의 몇 가지 기
본 개 념 을 다 루 었 다 . 전자의 거 동 을 이 해 하 는 것은 반 도 체 물 성 을 이해하는데 필수 요
소이다.
■ 파 동 -입 자 의 이 중 성 원 리 는 양 자 역 학 에 서 중 요 한 요 소 이 다 . 입 자 들 은 파 동 과 유 사 한
거 동 을 보 일 수 있 고 ，파 동 은 입 자 와 유 사 한 거 동 을 보 일 수 있다.
■ 슈 뢰 딩 거 방 정 식 은 전자의 거 동 을 예 측 하 고 설 명 하 는 데 기 초 가 된다.
■ 막 스 본 은 liK r ) l2이 확 률 밀 도 함 수 라 고 가 정 하 였 다 .
■ 슈 뢰 딩 거 방 정 식 을 갇 혀 있 는 입 자 에 적 용 한 결 과 는 갇 힌 입 자 의 에너 지 가 양 자 화 된 다
는 것이다.
■ 슈뢰딩거 방 정 식 을 전위장벽에 입사되는 전자에 적용한 결 과는 투 과 할 확률이 존 재 한
다 는 것이다.
■ 단일 전자원자에 슈뢰딩거 파 동 방 정 식 을 적용한 결과로부터 양자수의 개념을 도출하

였다.
■ 주 기 율표의 기본 구 조 는 슈뢰 딩 거 방 정 식 과 파울리 의 배 타 율 을 단일 전자를 갖 는 원자
에 적 용 함 으 로 써 예 측 할 수 있다 .

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

디 브 로 이 물 질 파 운 동 량 P 를 갖 는 입 자 의 파 장 X 로 서 ，플 랭 크 상 수 로 나 타 내 어 진 다 .

하이젠버그 불확정성 원리 입 자 의 운 동 량 과 위 치 를 동 시 에 알 수 없 다 는 원리
Pauli 배타율 두 개의 전 자 가 같 은 양 자 상 태 를 차 지 할 수 없 는 원리
광자 입 자 같 은 전 자 기 파 에 너 지 덩 어 리
양자 입 자 같 은 열 방 출 에 너 지 덩 어 리
양자화된 에너지 갇 힌 입 자 들 이 차 지 할 수 있 는 허 용 된 개 별 에 너 지 준 위
양 자 수 단 일 원 자 의 단 일 전 자 의 경 우 와 같이 입 자 의 양 자 상 태 를 표 기 하 는 상 수 집 합
터널링 입자가 얇은 전위장벽을 투과하는 양자역학적 현상
파 동 -입 자 이중성 전 자 기 파 가 때 로 는 입 자 같 이 거 동 하 고 때 로 는 파 동 같 이 거 동 하 는 특성

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 절 을 공 부 한 후, 독 자 는 다 음 과 같 은 능 력 을 갖 추 어 야 한다.
■ 에너지 양 자 화 , 파 동 •
입 자 이 중 성 의 원 리 ，불 확 정 성 의 원 리 를 말 할 수 있다.
■ 다 양 한 전 위 상 태 에 서 의 문 제 들 에 슈 뢰 딩 거 방 정 식 과 경 계 조 건 을 적 용 할 수 있다.
■ 경 계 입 자 의 양 자 화 된 에너 지 준 위 을 구 할 수 있다.
■ 전 위 장 벽 에 서 입 자 의 정 확 한 터 널 링 확 률 을 알 수 있다 .
■ 파울리의 배타율을 언급하였다.
■ 단 일 전 자 원 자 의 분 석 결 과 로 부 터 양 자 수 와 그 들 의 상 호 관 계 그 리 고 주 기 율 표 의 형성
원리 등 을 다 루 었 다 .

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

1. 파동•
입 자 이 중 성 을 설 명 하 고 ，운 동 량 과 파 장 간 의 관 계 를 설 명 하 라 .
2. 슈 뢰 딩 거 파 동 방 정 식 의 물 리 적 의 미 는 무 엇 인 가 ?
3. 확 률 밀 도 함 수 는 무 엇 을 의 미 하 는 가 ?
4. 슈 뢰 딩 거 파 동 방 정 식 을 풀 기 위 한 경계 조 건 을 열 거 하 라 .
5. 양 자 화 된 에 너 지 준 위 는 무 엇 을 의 미 하 는 가 ? 전 위 우 물 에 갇 혀 있 는 전 자 는 아 무 에
너 지 나 가질 수 있는가?
6. 터 널 링 이 개 념 을 서 술 하 라 .
7. 단 전 자 원 자 의 양 자 수 를 열 거 하 고 ，어 떻 게 전 개 되 는 가 ?
8. 단일 전 자 원자의 양 자 수 간의 관 계 에 대해서 설 명 하 고 이 결 과 가 어떻게 불 활 성 원
소 를 유 도 하 는 지 에 대해서 설 명 하 시 오 .

문제_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

2.1 2선 식 전 송 선 의 고 전 적 인 파 동 방 정 식 은 a2V(;c，t)/dx2 = LC •d2V(x, /)/아2으 로 주어

진다. K = mvla, ( = K/VLC 일 때 한 가지 가 능 한 해 가 t) = (sin Kx) (sin wt)
로 주 어 진 다 . (i) w, = 0, (ii) (at — tt / 2 , (iii) cjt = t t , (iv ) wt = 3tt /2, (v ) wf = 2 ir 일

때 ，0 드 jc 드 a 와 /1 = 0 에서 기의 함 수 로 써 의 V歌 , ?)을 같 은 그 래 프 상 에 그 려 라 .
2.2 함수 V(jc， = cos(2 ir^/A. 또한 고전적 인 파동 방정식의 해이다. (i) )/ = 0, (ii)
) = 0.25-ir, (iii) (at = 0.5t t , (iv) wt = 0.75-jt , (v) 니 = tt 일 때，0 < jc < 3에서
의 함수로써의 r)을 같은 그래프 상에 그려라.
2.3 V(x, = c o s (2t 7jc/X + w 함 수 에 대 하 여 문 제 2.2를 되 풀 이 하 라 .
2-4 문 제 2.2와 2.3에서 표 현 된 움 직 이 는 파 동 의 위 상 속 도 를 구 하 라 .
 문제 53

2 .1 절 양 자 역 학 의 원리

2.5 물질의 일함수는 물질로부터 전자를 떼어 내기 위하여 요구되는 최소에너지를 가리

킨다. 금의 일함수가 4.90 eV라 가정하고 세슘의 일함수가 1 .90 eV라 가정하자. 금과
세슘에 대하여 전자의 광전자 방출에 대한 빛의 최대 파장을 계산하라•
2.6 (a) 초록 빛의 파 장 이 、 = 550 nm이 다. 만약 전자가 같은 파장을 가지고 있다고 했
을 때，전자의 속도와 운동량을 결정하라. (b) X = 440 nm의 파장을 가지는 붉은 빛
에 대하여 (a)를 반복하라. (c) (a)와 (비에서 광자의 운동량과 전자의 운동량은 같은
가?
2.7 (a) (i) 1.2 eV (ii) 12 eV (iii) 1 20 eV의 운동 에너지를 가지는 전자，(b) 1 .2 eV의 운
동 에너지를 가지는 수소원자에 대한 각각의 드브로이 파장을 결정하라.
2.8 고전물리에 따르면 열적평형상태에서 전자가스 내의 전자의 평균 에너지는 3W72이
다. ;T = 300 K 에서，평균전자에너지(eV단위로)，평균 전자 운동량, 드브로이 파장을
구하라.
2.9 전자와 광자는 같은 에너지를 갖는다. 어떤 에너지 값(eV)에서 광자의 파장이 전자
의 파장의 1 배가 되는가?
2.1 0 (a) 전자의 드브로이 파장이 85 A 일 때，전자 에너지(eV)，운동량，속도를 결정하라.
(b) 전자가 8 x l 05 cm/s 의 속도를 가지고 움직일 때, 전자 에너 지(eV), 운동량, 드브
로이 파장( A )을 결정하라.
2.1 1 1 A 의 파장을 가진 X -선 복사를 만드는 것을 고려하자. (a) 전자가 진공에서 가속되
어 타겟과 충돌하여 광자를 발생시킬 수 있는 전위차는 얼마인가? (전자의 모든 에
너지는 광자에 전달된다고 가정하자.) 0>) 전자가 타겟을 때리기 이전에 (a)에서 전자
의 드브로이 파장은 얼마인가?
2.1 2 불확실성 이론을 고려해볼 때 하나의 광자가 한 파장보다 더 정확하게 위치할 수 없
다. 광자의 파장이 1 나m 라 가정할 때，광자의 운동량의 불확실성은 얼마인가?
2.1 3 (a) 어떤 위치에서 불확실성은 질량이 9 X 1 0-31 kg 인 입자에 대해 1 2A 이다. 입자의
에너지가 16 eV 일 때，(i) 운동량과 (ii) 입자의 운동 에너지의 최소 불확실성을 결정
하라. (b) 입자의 질량 5 x 1 -28 kg에 대해서 문제 (a)를 반복하라.
2.1 4 자동차의 질량이 1 500 kg이다. 무게중심이 1 cm이내의 불 확 실 성 을 가질 때，속력
(miles/hour)에 대한 불확실성은 얼마인가?
2.1 5 (a) 전자의 에너지가 0.8 eV 이하의 불확실성을 가지고 측정된다. 시간에 대한 최소
불확실성을 결정하라. (b) 전자의 위치에 대한 불확실성이 1.5 A 이하이다. 운동량의
최소 불확실성을 결정하라.

2 .2 절 슈 뢰 딩 거 파 동 방 정 식

2.1 6 방 수 , 와 % ( x, f)이 1 차원 시간 종속 슈뢰딩 거 파동 방정식 의 해라고 가정하자. (a)

방 방 2가 해라는 것을 보여라. (b) 방1 •방2는 일반적인 슈뢰딩거 방정식의 해인가?
그 이유는?
2.1 7 -1 < x < + 3에 대한 파동함수 방야， = A(cos (위 ) e， for -1 다 + 3을 고려하자.
54 Chapter 2 양자역학의 입문

I l^ ( x, t) l2dx = 1 이 되도록 A를 구하라.

-1
2.1 8 - l/2 < jc < + 1/2에 대한 파동함수 방(X，t) = A(cos， ; e —
•細을 고려하자. «은 정수이다.
+3

J l^ fx, t)l2dx = 1 이 되도록 >4를 구하라.

-1
2.1 9 입자 위 치 에 대한 슈뢰 딩 거 파동 방정 식 의 해가 = 、/可 心 로 주어 졌 다 .가
다음의 범위로 주어질 때，각각의 입자의 발 견 확 률 을 구하라. (a) 0 < x < o,/2, (b)
« /4 < x < 여/之 (c) 0 < x < 幻간

2.20 궁 아 < 부 의 범 위에서 전자는 바W = V i " cos(쯩 ) 의 파동함수로 묘사된다. 다른

곳에서의 파동함 수는 이다. (a) < ^ < f , (b) | < ^ < f , (c ) f 의 각구
간에서 전자가 발견될 확률을 계산하라.
2.21 파동함수가 바W = V l sin ( ^ ) 로 주어 질 때 문제 2.20을 반복하라.

2 .3 절 슈 뢰 딩 거 파 동 방 정 식 의 응 용

2.22 (a) 자유공간에서 전자는 방 /) = 에 로 주어진 평면 파 로 표현된다. k = Sx

108 n r 1, ) = 8 x l '2 rad/s 일 때，(i) 위상속도와 평면파의 파장，(ii) 전자의 운동량과
운동 에너지(eV)를 결정하라. (b) k = -1 .5 x l 09 m *, w = 1 .5X 1 013 rad/s 일 때，(a)
를 반복하라.
2.23 전자가 0.025 … 의 운동 에너지를 가지고 음의 방향으로 움직이고 있다. ⑷ 이 입
자를 표현하는 평 면파의 식을 서술하라. (b) 이 전자를 묘사하는 파동의 파수，파장，
각주파수를 구하라.
2.24 자유공간에서 (a) v = 5 xlO6 cm/s, (b) v = 108cm/s，
의 속도로 움직이는 전자를 표현
하는 파동함수의 파수, 파장，각주파수，주기를 결정하라.
2.25 전자가 75 A 의 폭을 가지는 1 차원 무한 전위 우물에 갇혀 있다. n = l , 2 , 3에서 대하
여 전자의 에너 지 준위를 구하라.
2.26 전자가 10A 의 폭을 가지는 1차원 무한 전위 우물에 갇혀 있다. ⑷ 전자가 자리를 차
지하고 있을 것이라 가정하고, 처음 세 개의 에너지 준위를 계산하라. (b) 만약 전자
가 세 번째 에너지 준위에서 두 번째 에너지 준위로 떨어질 때，방출되는 광자의 파
장은 얼마인가?
2.27 15 mg의 질량을 가지는 입자가 폭 1.2 cm 인 1 차원 무한 전위 우물에 갇혀 있다. ⑴
입자의 에너지가 15 mJ일 때，상태에 관한 «의 값을 결정하라. (b) ( n + l ) 상태의 에
너지는 얼마인가? (c) 이 입자에 대해 양자 효과를 관측할 수 있을 것인가?
2.28 원자핵 내부의 중성자가의 K T l4m 폭을 갖는 무한 전위 우물에 있는 것 같이 취급
될 때，최저 에너지 준위를 계산하라. 같은 무한 전위 우물에서 전자에 대한 최저 에
너지 준위를 비교하라.
2.29 그림 2.29에 보여 준 무한 전위 우물 내의 입자를 고려하자. 4번째로 낮은 에너지 준
위에 대응하는 파동함수를 유도하고 그려라.(파동함수를 표준화하지 않는다.)
 문제 55

V(x)---- ► V ( x ) ---- ► c

그림 P 2.29 문제 2.29을 위한 전위 함수

*2.30 3차원 무한 전위 우물을 고려하자. 전위 함수 는 0 d < a ，0 < > " < a ，0 < z < f l
에 대하여 = 0, 다른 경우에는 가;c) = 로 주어진다. 슈뢰딩거의 파동 방정식
에서 출발해서 변수 분리 기 법을 사용하여，에너지는 양자화 되고

년 + 석 + 선)

여기서 «,= I , 2, 3，. ..，切 = I ，2, 3, . . . , nz= I ，2, 3，.. . . 으로 주어지는 것을 보여라.
2.31 2차원 무한 전위 우물에 속박된 자유 전자가 0 < x < 40 A , < ' < 20 A 에서 V
= 이고，나머지는 V = 라고 정의 되었다고 하자. (a) 허용 전자 에너지대를 표현
하라. (b) 1차원 무한 전위 우물의 결과와 비슷한 점과 차이 점을 묘사하라.
2.32 그림 2.6에서 보여주는 1차원 무한 전위 우물 내의 양성자를 고려하자. (a) 양성자의
허용 에너지 상태에 대한 식을 유도하라. (b) (i) a = 4 A 과 (ii) a = 0.5 cm에 대하여
최저 가능 에너지와 다음의 높은 상태간의 에너지 차<eV)를 계산하라.
2.33 그림 2.33에서 보여준 계단 전위 함수에 대하여 E = V0이고 입자가 방향에서 방
향으로 이동하여 입사된다고 가정하자. (a) 각 영역에 대한 파동 해를 적어라. (b) 전
송 계수와 반사 계수에 대한 식을 유도하라.

입사 입자
-◄------
-----------------

a: = 0 + x ----- ►

그림 P2.33 문제 2.33을 위한 전위 함수

2.34 2.8 eV의 운동 에너지를 가지는 전자가 3.5 eV 높이의 계단 전위 함수에 입사하는
것을 고려하자. 장벽을 넘어 (a) 5A , (b) 1 5 A ，(c) 40A 의 각각의 거리에서 전자를
찾을 상대적인 확률을 결정하라. 각각의 위치에서 입자를 찾을 확률과 장벽 모서리*

*표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

56 Chapter 2 양자역학의 입문

에 입사하는 입자를 찾을 확률과 비교하라.

2.35 (a) 폭이 4 A , 높이가 1 .0 eV인 전위 장벽에 충 돌하는 0.1 … 의 운동 에너 지를 가진
전자의 전송 계수를 계산하라. (이 1 2쇼 의 장벽 폭에 대하여 (a)를 반복하라. (c) (a)의
결과를 사용하여 터 널 링 전류 밀도가 1.2 mA/cm2라고 했을 때 초당 장벽 에 충돌하
는 전자의 밀도를 결정하라.
2.36 (a) 유효질량이 0.07w0(갈륨비소 내의 전자)인 입자의 터널링 확률을 추정하라. 여기
서 는 전자의 질량이고，높이가 巧) = 0.8 eV이고 폭이 15 A 인 직사각형 전위 우물을
통과하는 터널링을 말한다. 입자의 운동 에너지는 0.20 eV 1 4- (b) 만약 입자의 유
효질량이 1.08， (실리콘 내의 전자)일 때, (a)번을 반복하라.
2.37 (a) 1 MeV의 운동 에너지를 가지는 양성자가 높이 12 MeV, 폭 l(T 14m의 전위 장벽
에 입사한다. 터널링 확률은 얼마인가? (b) (a)에서 전위 장벽의 폭을 줄여서 터널링
확률을 1 0배 증가시키려고 한다. 전위 장벽의 폭은 얼마로 줄여야 하는가?
*2.38 에너지 를 가진 전자가 그림 2.9에 보이는 직사각형의 전위 장벽에 입사된다. 전위
장벽은 폭이 a 이고 높 이 가 。 » 이다. (a) 세 개 영역의 각 파동함수의 형태를 적
어라. (b) 이런 전위구조에서 파동함수 해의 어느 계수가 ‘0’ 이 되는지 결정하라. (c)
전자의 전송 계수(transmission coefficient)(터널링 확률)에 대한 표현식을 유도하라.
(d) 각 영역에서 전자의 파동함수를 그려라.
*2.39 전위 함수가 그림 2.39에 보듯이，전체 에너지 E > V2을 가지고 一 로 부터 온 입사
입자들로 되 어 있다. 상수 쇼는

k' = h = V著 ( _ 幻= 사 》 - 써

로 정의된다. k2a = 2mr, « = 1, 2, 3,… , 인 특별한 경우로 가정하자. k ' ，k2 그리고
소3로 전송 계수 표현식을 유도하라. 전송 계수는 region I 의 입사 유량에 대한 region
I 에서의 입자의 유량 비율로 정의한다.
*2.40 그림 P2.40에 보이는 1차원 전위 함수를 고려해보자. 전자의 총 에너지는 〉 。라
가정하자. (a) 각각의 영역에 적용되는 파동 식을 적어라. (b) 경계조건을 적용하여
얻어진 결과식들을 적어라. (c) 전자의 에너지 준위가 양자화 되었는지，혹은 되지 않
았는지 명백하게 보여라.

V(x) =

입사 입자 >V2
-------►
^2

비
I II III I II III

그림 P2. 39 문제 2. 39을 위 한 전위 함 수 그림 P2 . 4 0 문제 2. 40을 위 한 전위 함 수

2 .4절 파 동 이 론 의 원 자 로 의 확대

2.41 수소 원자에서 전자의 첫 4개의 허용 에너지 준위를 계산하BKeV 단위로).

2.42 수소 원자에서 U 궤도 전자의 반경 r으로 가장 확률이 값이 보어 반지름 따와 같음
을 보여 라.
2.43 식 (2.74)에 의해 주어진 i|i100에 대한 파동함수가 식 (2.65)에 의해 주어진 미분 방정
식에 대한 해라는 것을 보여라.
2.44 H, Li, Na, 그리고 K는 공통적으로 어떤 성질을 지니고 있는가?

^■고문헌
*1 . Datta, S. Quantum Phenomena. Vol. 8 of Modular Series on Solid State Devices.
Reading, MA: Addison?-Wesley, 1989.
*2. deCogan, D. Solid State Devices: A Quantum Physics Approach. New York:
Springer-Verlag, 1 987.
3. Dimitrijev, S. Principles o f Semiconductor Devices. New York: Oxford University,
2006.
4. Eisberg, R. M. Fundamentals of Modern Physics. New York: Wiley, 1 961 .
5. Eisberg, R., and R. Resnick. Quantum Physics of Atoms，Molecules, Solids，Nuclei, and
Particles. New York: Wiley, 1974.
6 . Kano, K. Semiconductor Devices. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1998.
7. Kittel, C. Introduction to Solid State Physics, 7th ed. Berlin: Springer-Verlag, 1993.
8 . McKelvey, J. P. Solid State Physics for Engineering and Materials Science. Malabar,
FL: Krieger Publishing, 1993.
9. Pauling, L., and E. B. Wilson. Introduction to Quantum Mechanics. New York:
McGraw-Hill, 1 935.
10. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Reading, MA: Addison-Wesley
Publishing Co., 1996.
1 1 . Pohl, H. A. Quantum Mechanics for Science and Engineering. Englewood Cliffs, NJ:
Prentice Hall, 1967.
1 2. Schiff, L. I. Quantum Mechanics. New York: McGraw-Hill, 1955.
1 3. Shur, M. Introduction to Electronic Devices. New York: John Wiley and Sons, 1996.*

*표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

/ q
£
u j
•
q
.
•
•

고 체 양 자 이 론 의 입문

앞 장에서 여러 가지 다양한 전위함수의 영향 속에서 전자의 거동을 결정하기 위하여 양자역학

과 슈뢰딩거 파동방정식을 적용하였다. 원자에 구속되어 있거나 혹은 작은 공간에 갇혀있는 전
자의 중요한 특성은 그러한 전자는 반드시 끊어져 있는 개별적인 에너지 값 즉 양자화된 에너
지만 가질 수 있다는 사실이다. 또한 한 개 전자는 단지 한 개의 양자상태만을 차지할 수 있다
는 파울리의 배타율도 배웠다. 이 번 장에서는 이러한 개념을 결정격자 속에 있는 전자로 일반
화시킬 것이다.
본 장의 목적 중의 하나는 반도체 소자의 전류-전압 특성을 해석하는데 필요한 반도체재료
의 전기적 성질을 배우는 것이다. 이 장에서 이러한 목적을 달성하기 위해서 두 가지를 배워야
하는데, 첫째는 결정격자 속에 있는 전자의 성질이고, 다른 하나는 결정 속에 있는 엄청난 수의
전자들의 통계적 특성을 다루는 방법이다. ■

3. 0 개설

■ 단결정 재료에서 허용 에 너 지 밴 드 와 금지 에너지밴 드의 개 념 을 다룬다. 그 리 고 반

도체의 가 전 자 대 와 전도대 에 너 지 밴 드 를 설명한다.
■ 반도체의 전 하 캐리어로서 음의 전 하 를 띤 전 자 와 양의 전 하 를 띤 정공의 개념 을
논의한다.
■ 단결정 재료의 전 자 에너지 에 대 한 운 동 량 곡 선 을 유 도 하 고 ，이 곡 선 으 로 부 터 직
접 및 간접 밴드 반도체의 개념을 도출한다.
■ 전자 및 정공의 유효질 량의 개념을 논 의한다.
■ 허용 에너 지밴드의 양자상태 밀도를 유도한다.
■ 페 르 미 -디 락 분 포 함 수 를 소 개 하 고 ，이 를 사 용 하 여 허 용 에너지 대 역 에 서 전자의
통계적 분 포 를 도 출 하 고 ，페르미 에 너 지 를 정의한다.
60 Chapter 3 고체양자이론의 입문

3. 1 허용 에 너 지 밴 드 와 금 지 대

지 난 절 에 서 단 일 전 자 원 소 즉 수 소 에 대 하 여 살 펴 보 았 다 . 그 결 과 갇 힌 전 자 의 에너
지 는 양 자 화 되 어 전자의 에 너 지 는 단지 불 연 속 적 으 로 떨 어 진 값 만 을 갖 는 다 는 것 을 보
았 다 . 전 자 의 궤 도 반경 확 률 밀 도 함 수 도 구 하 였 다 . 이 함 수 는 원 자 핵 으 로 부 터 특 정 거

리에서 전 자 를 발 견 할 확 률 을 나 타 내 는 데 , 전 자 는 특정 궤도 반 경 에 만 존 재 하 지 않는
다 는 것을 보 여 주 었 다 . 이 러 한 단일 원자의 결과 를 결 정 으 로 확 장 시 켜 서 정 성 적 으 로
허용 및 금지 에너지밴드의 개 념 을 추 론 할 것이다. 이어서 양 자 역 학 과 슈뢰딩거 파동
방 정 식 을 단결정 속의 전자 문제에 적용하여 전자의 에너지 상 태 들 은 금 지 대 로 분리된
허용 에너지밴드로 구성된다는 것을 정량적으로 확인할 것이다.

3.1.1 에 너 지 밴 드 의 형성

그 림 3 .l a 는 단 일 수 소 원 자 의 최 저 전 자 에 너 지 상 태 의 반 경 확 률 밀 도 함 수 를 보 여 준 다 .
그 리 고 그 림 3 .l b 는 서 로 가 까 이 근 접 한 두 원 자 들 의 확 률 곡 선 을 나 타 낸 다 . 두 원 자 전
자들의 파동함수들은 중첩되어 두 전자가 상호작용함을 보여준다. 이러한 상 호작용 혹
은 교 란 ( p e r tu r b a t io n )은 불 연 속 으 로 양 자 화 된 에 너 지 준 위 가 그 림 3.1 c 에 서 보 듯 이 두

개의 불 연 속 에 너 지 준 위 로 분 리 되 게 만 든 다 . 불 연 속 상 태 가 두 상 태 로 분 리 되 는 것 은
파울리 배 타 율 을 만 족 함 을 의 미한다.
서 로 멀리 떨어져 있 는 수 소 원 자 들 이 가 까 이 밀 착 하 면 각 원 자 의 양 자 화 된 에너지
준 위 는 불 연 속 에 너 지 준 위 로 분 리 되 어 에 너 지 준 위 의 다 발 , 즉 밴 드 (b a n d )를 형 성 한
다 . 이 효 과 가 그 림 3.2에 그 림 으 로 나 타 나 있 다 . 여 기 서 파 라 미 터 서 는 원 자 들 이 밀 착

하 여 결 정 을 이 룰 때 원 자 간 평 형 간 격 을 나 타 낸 다 . 원 자 들 이 결정 속 에 서 일 정 한 평형
간 격 으 로 배 열 하 면 전 자 의 허 용 된 에 너 지 밴 드 가 형 성 되 며 , 허 용 밴 드 ( a llo w e d b a n d )는

무수히 많 은 불 연 속 에너지 준 위 를 가진 다 . 결정을 이 루 는 원 자 들 은 그 수 가 아무리 많

더 라도 각 원 자 가 가 지 는 양 자 상 태 의 수 는 변 함 이 없 다 . 그 리 고 파 울 리 배 타 율 에 의 하
여 전 자 는 같 은 양 자 상 태 에 두 개의 전 자 가 동 시 에 존 재 할 수 없다. 따 라 서 결 정 에 있
는 모든 전자가 하나의 양자상태를 차지하기 위해서는 양자상태의 수는 총 전자의 수
보 다 많 아 야 하 므 로 단일 원자의 에너지 준 위 는 나뉘어 져 에 너 지 밴 드 를 형성하 게 된다.

그림 3.1 (a) 고립된 수소 원자의 확률밀도함수 (b) 두 개의 근접한 수소 원자들의 중첩된 확률밀도함수 (c ) « = 1 상태의 분리
 3.1 허용에너지밴드와금지대 61

r 원자간 거리 ----

그림 3.2 하나의 에너지 상태가 허용된 에너지밴드로 분리됨

전 장에서 에너지 준위에 존 재 하 는 양자상태 수 는 많지 않음 을 보았다. 따라서 결정

의 모 든 전 자 들 을 수용하기 위 해 서 는 허용밴드에 많 은 에너지 준 위 를 가 져 야 한다. 예
를 들 면 1 019 개의 단일 전 자 원 자 들 로 구 성 된 시 스 템 을 가 정 하 고 원 자 간 평형 간격에
서 허용 된 에너 지밴드의 폭 은 1 eV라고 가정하 자 . 시스템의 각 전 자 가 다 른 에너지 준
위를 차 지 하 고 에너지 상 태 는 등 간 격 을 유 지 한 다 고 하면 에너지 준 위 들 은 l ( T 19eV 간
격으 로 떨어져 있어 야 한다. 이 에너지 간 격 은 극히 작기 때문에 실 제 로 는 허용된 에너
지밴 드 에 서 준 연 속적인 에너지 준위의 분 포 를 가 진 다 . 1 0-1 9 e V 이 대단히 작 은 에너
지 간 격 이 라 는 사 실 을 다 음 예에서 알 수 있을 것이다.

r^ i 속 도 가 약 간 변함 때 전자의 우 동 에 너 지 의 변화름 계사하다.

1 7 cm/sec 속도로 운동하는 전자를 생각하자. 속도가 I cm/sec 증가한다고 가정하면 운
동에너지의 증가는

A E = 士 mi국 - 士 ’7i너 = 士 m(니 - nj)

로 주어진다. v 2 = D, + v 라고 하자. 그러 면

i +
v \ = (i， )2 = v ] + 2 v \ A v + (Ait)2
t，

이 된다. 그러나 A” 《 D] 이므로

五 ' ~ i m (2 viA v) = m v iA v

M l
이 방정식에 숫자를 대입하면

及 = (9.1 1 X 1 0 -31)(1 05)(0.01 ) = 9.1 1 X 1 0~28 J

이 되고，전자볼트로 환산하면

A E = 9.1 1 X 1 0 28 = 57 X 1 0_ 9 eV
1 .6 X 1 0 19 3' / A I U ev

이 된다.

區至]
1 7 cm/sec에 비하여 1 cm/sec 속도의 변화는 5.7 x 1 ' 9… 의 에너지 변화를 초래하고，이
62 Chapter 3 고체양자이론의 입문

것은 허용 에너지밴드에서 에너지 상태 사이의 에너지 간격 1 —19 eV 보다 차수가 훨씬 큰

값이다. 이 예제는 이웃한 에너지 상태의 에너지 간격 l _ l9eV이 대단히 작은 값인 것을
보여주며，따라서 허용 밴드의 에너지 상태들을 준 연속적인 분포로 취급할 수 있음을 보여
준다.

연습문제
Ex 3.1 전자의 초기 속도가 107 cm/s이다. 전자의 운동에너지가 노E = K T 12 eV 만큼 증
가하면 속도는 얼마 증가하는지 계산하시오. (s/uiOhOi X 9 L'\ = aV 'SUV)

다시 규 칙 적 인 원 자 배 열 을 생각하자. 여기서 각 원자 는 하 나 이상의 전자 를 갖 고 있

다. 이 러 한 상상 의 결정에서 원 자 는 « = 3 에너 지 준 위 까 지 전 자 를 채 우 고 있다고 가
정한다. 처 음 에 는 원자들이 멀리 떨어져 있으면 이 웃 한 원자들의 전 자 들 은 상 호 작 용 하
지 않고 불연속적 에너지 준 위 를 차지하게 된다. 이 러 한 원자들이 점점 가까이 접근 하
면 «= 3에 있는 최 외 각 전 자 들 은 상 호 작 용 을 시 작 하 고 이 러 한 불 연 속 에너지 준 위 는
에 너 지 밴 드 로 분 리 된 다 . 원자들이 더 가까이 접 근 하 면 n = 2의 전자들이 상 호 작 용 을
시 작 하 고 에 너 지 밴 드 로 분 리 된 다 . 마 지 막 으 로 원자들이 더욱 접 근하면 « == 1의 최 내
각전자들이 상호작용하게 되고，이 에너지 준 위 도 에 너 지 밴 드 로 분 리된다. 이 러 한 불연
속 에너지 준위의 분 리 가 정 성 적 으 로 그림 3.3에 나 타 나 있다. 평형 상 태 에 서 원자들이
평형 간격 /•를 유지하며 배 열 하 면 전 자 들 은 금 지 밴 드 (forbidden band)로 분 리 된 허용
에 너 지 밴 드 를 갖게 된다. 이 러 한 에너지밴 드의 분 리 와 허 용 밴 드 및 금지밴드 의 형성이
단결정 물질의 에 너 지 밴 드 이론이다.
결정에서 실제 밴드 분 리 는 그림 3.3에 서 보 다 훨씬 복 잡 하 다 . 독 립 된 실 리 콘 원자의
도식적 표현이 그림 3.4a 에 나 타 나 있 다 . 실 리 콘 원자의 1 4개 전 자 들 중 1 0개는 원자핵
에 가까 운 깊은 에너지 준 위 를 차지한다. 4개의 남 은 가 전 자 들 은 비교적 약하게 구속되
어 있고 화학적 반응에 관 여 하 는 전 자 들 이 다 . 그림 3.4b는 실리콘의 밴드 분 리 를 보여
주 고 있다. 가전자에 해 당 하 는 n = 3 에너지 준 위 만 고 려 한 다 . 왜 냐 하 면 첫 두 에너지

그림 3.3 3개의 에너지 상태가 허용 에너지밴드로 분리되는 것을 보여주는 개념도

 3.1 허용에너지밴드와금지대 63

(b )

그림 3.4 (a) 독립된 실리콘 원자의 개념도 (b) 실리콘의 3s와 3p 상태가 허용 에너지밴드와 금지 에너지밴드로 분리되는 것을
보여주는 개념도

각 들 은 완전히 채워져 있고 핵에 단단히 구속되어 있기 때문이다. 3s 상 태 는 « = 3과 /

= 에 해 당 하 고 원 자 당 두 개 의 양 자 상 태 를 내 포 하 고 있다. 이 상 태 는 T = 0K 에서 2
개의 전 자 들 을 차지한다 . 3p 상 태 는 « = 3과 / = 1 에 해당하며 원자당 6개의 양자상태
를 갖는다. 이 상 태 는 나머지 2개의 전 자 들 을 차지한다.
원 자 간 간격이 가까워짐에 따 라 3s와 3p 상태들이 상 호 작 용 하 고 겹치게 된다. 평형
상태의 원 자 간 거 리에서 밴 드는 다시 분 리 되 지 만 원자 당 4개의 양 자 상 태 들 은 낮 은 밴
드 에 ，4개의 양 자 상 태 는 높 은 밴드에 각 각 위 치 한 다 . 절 대 온 도 0 K 에서 전 자 들 은 가 장
낮은 에너지 상태에 위치 하 므 로 낮은 밴드 (가 전 자 대 ; valence band)의 모 든 상 태 들 은 가
득 차게 되고，높 은 밴드 (전 도 대 ; conduction band)의 모 든 상 태 들 은 완전히 비어있게 된
다. 가전자대의 꼭대기 에 너 지 와 전도대의 밑바닥 에너지 사이의 에너지 간 격 을 에 너 지
밴 드 갭 (energy bandgap) 이라고 하 며 ，E g로 표 시 하 고 ，이것이 금지대의 에너지 폭이다.
지금까지 결정에서 허 용 밴 드 와 금 지 밴 드 가 어떻게 그 리 고 왜 형 성 되 는 지 에 대해서
고 찰 하 였 다 . 이 러 한 에 너 지 밴 드 의 형 성 은 뒤에서 보게 될 결정의 전기적 특 성에 직접
적으로 관련된 다.

*3 .1 .2 K r o n i g - P e n n e y 모 델 *1)

앞 절에서 결정 을 형성하기 위하여 원 자 들 을 가까이 접 근 시 킴 에 따 라 전자의 허용 에

너지들이 분 리 되 는 것을 정 성 적 으 로 설 명 하 였 다 . 허 용 과 금 지 밴 드 의 개 념 은 양 자 역 학
과 슈뢰 딩 거 방정 식 을 사용하 여 보 다 정 밀하게 유 도 할 수 있다. 독 자 들 은 이 유도과정

* 이 절은 반도체 소자를 보다 깊이 이해하는데 도옴을 주지만 생략하더라도 본 책의 연속성에는 문제되지

않는다.
1) 자유전자 모델과 방법도 에너지밴드 이론을 예측하는데 사용될 수 있다. 예를 들어 K it t e l [3] 흑은
W o lf e [1 4]를 참조할 것.
bU Chapter 3 고체양자이론의 입문

을 쉽게 잊어버릴 수 있지 만 그 결 과 는 반도체 에 너 지 밴 드 이론의 기 초 가 됨 을 유 의 하

기 바란다.
단일 전 자 를 가지면서 상 호 간섭하지 않는 단일 원자의 전 위 가 그림 3.5 a 에 나 타 나
있다. 그 리 고 ，전자에 허 용 된 개별 에너지 준 위 도 그림 에 표 시 되 어 있다. 그림 3.5 b는
여러 개의 원자들이 1차원 배 열 로 가까이 배치되어 있을 때 동 일 한 형태의 전 위 함 수 를
나 타 내 고 있다. 인접 한 원자 들의 전 위 함 수 들 은 서로 겹치게 되고, 이 러 한 경우 형성되
는 알 짜 전 위 함 수 가 그림 3.5 c 에 나 타 나 있다. 이 러 한 함 수 가 1차 원 단결정 재 료 를 분
석하기 위하여 슈뢰딩거 방 정 식 을 푸는데 필요 한 전위함수이다.
이 러한 1차원 단결정 격자에 대한 슈뢰딩거 방정식의 해는 보 다 단순화된 전 위 함 수
를 사 용 함 으 로 써 쉽게 구 해 질 수 있 다 . 그림 3.6은 주기 전 위 함 수 의 1 차 원 Kronig-
Penney 모 델 인 데 ，이 것 은 1차 원 단결정 격 자 를 정 의 하 는 데 사 용 된 다 . 전 위 함 수 의 각
영역에서 슈뢰딩거 방 정 식 을 풀게 된다. 앞 장의 양 자 역 학 문 제 와 마 찬 가 지 로 < V
일 경우，즉 결정 속에 전 자 가 갇 혀 있 을 때 보 다 흥 미 로 운 결과 얻게 된다. 전 자 들 은 전
위 우 물 내에 갇 혀 있 지 만 우 물 사 이 로 터 널 링 할 확 률 은 존 재 한 다 . Kronig-Penney 모델
은 1 차원 단 결 정 을 표 현 하 는 이 상 적 인 주 기 전 위 이 지 만 ，그 결과로부 터 주기 격자에서
전자의 양자역학적 운동의 중 요 한 많은 요 소 들 을 배울 수 있다.

X
원자
(a)

원자 원자페원자 원자

원자 원자 원자 원자
(C)

그림 3.5 (a) 단일 원자의 전위함수. (b) 이웃한 원자들의 중첩된 전위함수. (c) 1 차원 단결정의 알짜
전위함수
 3.1 허용에너지밴드와금지대 65

그림 3 .6 Kronig-Penney 모델의 1차원 주기 전위함수

슈뢰딩거 방정식의 해를 얻기 위해서 Bloch 의 정리를 사용한다. 이 정리에 의하면 주기

적으 로 변하 는 전위에너지 함수에 대 한 슈뢰딩거 방정식에서 얻어지는 모 든 단일 전자
의 파 동 함 수 는 반드시 다음 과 같 은 형 태를 가진다.

ip(x ) = uix ) ^ (3.1 )

파라미터 소는 운 동 상 수 라 고 부 르 며 ，이론을 전개해 감에 따 라 보 다 상세히 밝혀질 것이

다. 함 수 «(x)는 주기 (a + 的를 갖 는 주기 함수이 다.
2장에 서 파 동 방 정 식 의 완전 해 는 시 불 변 해 와 시 간 종 속 해의 곱 으 로 나 타 남 을 알
수 있었다. 즉

방 나 ，t ) = M x ) d > ( t) = u i x ) ^ •e ’ /h)l (3-2)

이 것은 다 음 과 같이 다시 쓸 수 있다.

방(jc，/) = u(x)e'(kx~(E/h)') (3_3)

이 러 한 진행파의 해 는 단결정에서 전자의 운 동 을 나 타낸다. 진행파의 크 기 는 주 기 함 수

이고，파라미터 쇼를 파 수 (wave number)라 부른다.
이제 파라미터 쇼와 운동에너지 E ，그 리 고 전위 V 의 상 호 관 계 를 결 정 할 수 있다. 그
림 3.6에서 영역 I (0 < x < a ) 즉 V c) = 0인 영역에서 식 (3.1 )을 2차 미 분 하 고 그 결
과 를 식 (2.1 3)의 시불변 슈뢰딩거 파동방정식에 대입하면 다 음 과 같다.

뽑 + 2j k 뿐 - (F - 的 = (3 .4)

함 수 비 ⑴ 는 영역 I 에서 파동함수의 크 기 이 고 ，파라미터 a 는 다 음 과 같이 정의된다.

2 mE
(3 .5)
1

이제 영 역 II， < 0 즉 V⑴ = 인 영 역을 살 펴 보 斗 다 음 과 같 은 관 계 식 을 얻
을 수 있다.

스 必 ) yk뿐 _ 一 _ a2 + ^ l )U i {x) = (3.6)

dx 2 h2
66 Chapter 3 고체양자이론의 입문

여기서 «2(功는 영역 II 에서 파동함수의 크기이다. 파 라 미 터 들 을 다 음 과 같이 정의하면

|( — V ) = a 2- ^ = /32 (3.7)

식 (3.6)은 다 음 과 같이 다시 쓸 수 있다.

+ 2j k 억 立 一 ( k 2 一 I5 2) u 2( x ) = 0 (3.8)
ax1 ax

식 (3.7)로부터 만약 〉 이 면 파라미 터 p 는 실 수 가 되고，만 약 E < 、 이 면 파라미

터 단는 허수 가 된다.
영역 I 에서 식 (3.4)의 해는 다 음 과 같 은 형태 를 가 지 고 ，

U \{x ) = A e J(a~k)x + B e ~ i(a+k)x for (0 < x < a ) (3.9)

영역 II 에서 식 (3.8)의 해는 다 음 과 같다.

u 2( x ) = C e j(p~k)x + D e ~ i(fi+k)x for ( —b < x < 0) (3.1 0)

전 위 함 수 카功는 모 든 영 역에서 유 한 하 므 로 파 동 함 수 방 切 와 그 1 차 미 분 배 안 )/& 는

반드시 연 속 이 어 야 한다. 이 연속조건은 파동의 크 기 함 수 w⑴ 와 그 1차 미 분 ⑴ /갔 도
반드시 연속이어야 함 을 의미한다.
x = 0에서 경 계 조 건 과 이 것을 파 동 크 기함수에 적 용 하 면 ，

Mi(0) = u2( 0 ) (3.1 1 )

이 된다. 식 (3.9)와 식 (3.1 0)을 식 (3.1 1 )에 대입하면 다 음 과 같다.

A + 公一C _ D = 0 (3.1 2)

아래의 조 건 을 적용하면
du\ _ du2
(3.1 3)
dx k= d x x=o

다 음 식을 얻을 수 있다.
(a - k)A — (a + k)B _ ()3 — k ) C + (^ + k)D = 0 (3.1 4)

영 역 I ，0 < x < a 와 영 역 II， ft < ;c < 0를 살 펴 보 았 다 . 주 기 와 연 속 조 건 은 함 수 아

一

이 ;c — a 그 리 고 ；
c - ft에 따 라 함 수 와 같 아 짐 을 의미한다. 이러 한 조 건 은 다 음 과 같
이 쓸 수 있다.
«!(a ) = u 2( —b ) (3,1 5)

MlW 와 «2的 의 해에 식 (3.1 5)의 경계조건을 적용하면 다 음 과 같다.

+ ^ e ~j(a+ k)a _ _ £ ) ej(P+ k)b = Q (3.1 6)

마 지 막 경 계조건 은
 3.1 허용에너지밴드와금지대 67

dii\ _ dii2
(3.1 7 )
dx x=a dx x=-b

이고，이것 은 풀면 다 음 과 같다.

( a - k )A e i^ ~ k)a - ( a + k ) B e ^ a+k)a — (/3 — k ) C e _ 抑- 11)b

+ (/3 + k ) D e ^ +k)b = 0 (3. 18)

이제 4 개 경 계 조 건 을 적 용 한 결 과 4 개 미 지 수 를 갖 는 4 개의 연 립 방 정 식 즉 (3.1 2),
(3.1 4), (3.1 6) 그 리 고 (3.1 8) 을 얻 었 다 . 이 와 같 은 선 형 연 립 방 정 식 에 서 의 미 있 는 해
(nontrivial solution)를 얻을 수 있는 조 건 은 계수의 행 렬 식 (determinant) 이 0일 때 이 다 .
우리의 경우 계 수 들 은 파라미터 소 B , C와 D 의 계수이다.
이 행 렬 식 을 계 산 하 는 것 은 대단히 지 루 한 작 업 이 므 로 자세히 설명하지 않겠다. 결
과 는 다 음 과 같다.

_ ( cx.^ +
— - (sin a a ) ( s i n
-----히巧— 公) + (co s a a )(c o s 公) = cos k (a + 公) (3.1 9)

식 (3.1 9) 는 파라미터 k를 파라미터 a 를 통하여 총에너 지 E 그 리 고 파라미터 (3를 통 하

여 전 위 함 수 '와 관 계 를 맺어준다.
앞에서 설 명 하 였 듯 이 E < V 0，즉 결정에 갇힌 전자에 대해서 더 흥 미 로 운 해 를 얻
을 수 있다. 이 경우 식 (3.7 ) 로부터 파라미 터 P는 허 수 가 되고, 다 음 과 같이 정의한다.

/3 = jy (3.20)

여기서 7 는 실수이 다. 식 (3 . ]9 ) 는 7 에 관하여 다시 쓸 수 있다. 즉

y 1 — OL2
—히 — (sin 公있)(sin h yb) + (co s 公:公) (co sh yb) = cos k (a + 公) (3.21 )

이다. 식 (3.21 ) 은 해 석 적 으 로 풀 수 없지 만 k , E 및 V노와의 관 계 를 구하기 위하여 그래

프 나 수치 해 석 으 로 풀어 야 한 다 . 갇혀 있는 단일 입자의 슈뢰 딩 거 파 동 방 정 식 의 해 는
개별 에너지 준 위 를 만들어 내 었 음 을 기 억 하 라 . 이 와 유 사 하 게 식 (3.21 ) 의 해 는 개별
에너지 준 위 로 이루어진 에 너 지 밴 드 를 만들어 낼 것이다.
그 래 프 로 해 를 구 할 수 있고 그 결과의 특 성 을 쉽게 해석하기에 적 합 한 형태의 방정
식 을 얻기 위하여 전위장벽의 폭 6 0 그 리 고 장벽의 높 이 。 » 하되 두 파라미터
의 곱 ，즉 泳 는 유 한 하 도 록 유지한 다 . 그러면 식 (3.21 )은

(1 이 목 f 生+ cos a a = cos ka (3.22)

이 된다. 파라미터 규 '를 다 음 과 같이 정의하면

, _ m V ba
(3.23)
P 存—
68 Chapter 3 고체양자이론의 입문

최 종 적 으 로 다 음 과 같 은 관 계 식 을 얻을 수 있다.

P' + cos aa = cos ka (3.24)

다시 말 하 면 식 (3.24)는 파라미 터 k ，총에 너 지 E (파 라 미 터 이에 포함되 어 있 음 ), 그리

고 전위장 벽 및 폭 /八 ，0 (파 라 미 터 ， 에 포함되어 있 음 )과 의 관 계 를 나 타 내 고 있다. 식
(3.24)는 슈뢰딩 거 파 동 방 정 식 의 해 는 아니 지 만 슈뢰딩 거 파 동 방 정 식 이 해 를 가질 수
있는 조 건 을 보 여 주 고 있다. 만 약 결정이 무한정 크 다 고 가 정 하 면 ，식 (3.24)의 k 는 연
속적 인 값 을 가지게 되고，실 수 이 어 야 한다.

3.1.3 노- 공간 그림

해의 성질 을 이해하기 위해서 먼 저 、 = 인 특 별 한 경우 를 살 펴 본 다 . 이 경 우 ， =
가 되는데, 이것 은 전위장벽이 없는 경 우 이 므 로 자유입자 에 해당한다. 식 (3.24)로부터

cos a公 cos ka (3.25)

k (3.26)

이 된다. 전위가 이 므 로 총 에 너 지 는 운 동 에 너 지 와 같게 되 고 ，식 (3.5)로 부 터 식

(3.26)은 다 음 과 같이 정 리된다.

(3.27)
f -

여기서 P 는 입자의 운 동 량 이 다 . 운동파 라 미 터 쇼는 자유전자 의 운 동 량 과 관련이 있으 며，

파수 (wave number) 라고도 부른다.
자유입 자의 에 너 지 와 운 동 량 은

의 관 계 를 갖는다. 그림 3.7은 식 (3.28)에서 표현된 자유입자 의 에너지 와 운 동 량 p의

포 물 선 관 계 를 보 여 준 다 . 운 동 량 과 파 수 는 비 례 관 계 가 있기 때문에 그림 3.7은 자유입
자의 와 소의 곡 선 을 나 타 낸 다 고 도 볼 수 있다.
이제 단결정 격자에 갇혀 있는 입자에 대한 와 쇼사이의 관 계 를 식 (3.24)로부터 살
펴 보 고 자 한다. 파라미터 이 증 가 함 에 따 라 입 자 는 전 위 우 물 혹 은 원자에 더욱 강 하
게 결합하게 된다. 식 (3.24)의 좌 변 을 함 수 八 cw)로 정의하면

f ( aa ) = + cos aa (3.29)
 3.1 허용에너지밴드와금지대 69

가 된 다 . 그림 3.8a 는 식 (3.29)의 첫째 항 을 (새에 대해 서 그 린 것 이 다 . 그림 3.8b 는

cos a a 를 그린 것이고, 그림 3.8c 는 위의 두 항의 합 즉 /(a a )를 그린 것이다.
식 (3.24)로부터

f ( aa ) = cos ka (3.30)

이 된 다 . 식 (3.30)이 성 립 하 려 면 함 수 /야 비 의 허 용 값 은 반드시 + 1 과 - 1 사이 에 존

p = 0 pork

그림 3.7 자유전자에 대한 와 尺 포물선 관계 곡선

그림 3.8 ⑶ 식 (3.29)의 첫째 항의 그래프 (b) 식 (3.29)의 둘째 항의 그래프 그리고 (c) 최종 함수

/(c야)의 그래프 어두운 부분은 소의 실수 값에 해당하는 (aa)의 허용 값들을 나타낸다.
70 Chapter 3 고체양자이론의 입문

재 해 야 한다. 그림 3.8c 는 함 수 /(a a )의 허 용 값 과 (새의 허 용 값 을 어 두 운 부 분 으 로 표시

하였다. 식 (3.30)의 우변으로부터 ka 값 즉 /((새 )의 허용값에 해 당 하 는 값 들 도 역시 표
시되어있다 .
파라미 터 a 는 식 (3.5), 즉 a 2 = 2w公廣2로부터 입자의 총 에너지 와 관계된다. 입
자의 에너지 와 파 수 쇼의 관 계 함 수 그 래 프 를 그림 3.8c 로 그릴 수 있다. 그림 3.9는 이
그 래 프 를 보 여 주 고 있으며, 결 정 격 자 를 이 동 하 는 입자의 허용 에너지밴드의 개 념 을 나
타 내 고 있다. 에너 지 표는 불 연 속 이 므 로 결정에서 운 동 하 는 입자에 대 한 금지대의 개념
도 역시 나 타 나 있다.

「례 금지대의폭을계산한다.
ka = t t (그림 3.9 참조)에 존재하는 금지대의 밴드집 폭을 계산하시오. 상 수 ， = 8 그리고
전위의 폭 = 4.5 A 라 가정한다.

덩 n
식 (3.29)와 (3.30)을 결합하면

cos ka = P ' + cos aa

이다. ka = t t 와 / = 8을 대 입하면

이 된다. 위 방정식을 만족하는 c따의 최솟값을 구하고 밴드캡 에너지를 구하기 위해서 «와
의 관계를 활용한다. 그림 3.8로부터 ka = TT의 한 값에서 = TT = 을 알 수 있다.
그러면

A—

그림 3.9 그림 3.8로부터 만들어진 와 쇼관계 다이어그램. 허용 에너지밴드와 금지 에너지밴드가

표시되어 있다.
 3.1 허용에너지밴드와금지대 71

a !2 mE\
a\a = a = it
V] 「
혹:은
7T2灰2 _ 甘2(1.054 X 10_34)2 = 2.972 X l -19J
2 ma2 一 2(9.11 X 10一31)(4.5 X 10_10)2

이다. 그림 3.8로부터 心 = 7T의 또 다른 값에서 心 는 71 < aa < 2tt 범위에 있음을 알 수

있다. 시행착오를 거 쳐 cm = 5.1 41 = ot2a 을 도출할 수 있다.

a2a = Y 技1 - •a = 5.141

혹•
은
_ (5.1 41 )방 _ (5.1 41 )2(1.054 X 1 0-34)2 _ 。애 니 1 _19
El 一 2 ma고 ~ 2(9.11 X 1 0내)(4.5 X 1 - ^ —7 .958 乂 1 0

따라서 밴드캡 에너지는

Eg = E2 - Ex = 7.958 X 10_19- 2.972 X 10_19= 4.986 X 10_19J

혹:은

^ T 66xXi o ° " = 3 -12eV

이다.

■
이 예제의 결과는 금지대 에너지 폭의 크기를 가 늠 할 수 있게 한다.

연 습 ^^
Ex 3.2 예제 3.2에 주어진 파라미터를 사용하여 따 < ka < 2，
n 범위에 있는 허용 에너지
밴드의 폭을 구하시오. (서 gp z = 3 V suy)

식 (3.24)의 우변 즉 함 수 cos 쇼a를 다시 살 펴보자 . 코사인 함 수 는 주 기 함 수 이 므 로

cos ka = cos(ka + 2mr) = cos(灰幻! —2mr) (3.31)

로 쓸 수 있고 , 여기서 «은 양의 정 수 이 다 . 그림 3.9에서 곡 선 의 일 부 를 2 t t 만 큼 이동
시 키 더 라 도 식 (3.24)는 수 학 적 으 로 여전히 만 족 한 다 . 그림 3.1 0은 곡 선 의 여러 부 분
들이 어떻게 만 큼 이 동 할 수 있 는 지 를 보 여 주 고 있다. 그림 3.1 1 은 전체 E-k 그림
이 —ida < k < i r / a 범위 내에 포 함 된 모 양 을 보 여 준 다 . 이 그 림 을 축 소 된 k- 공 간 그
림 혹 은 축소 된 영 역 표 현 이 라 고 한다.
식 (3.27)에서 자유전자에 대하여 입자 운 동 량 과 파 수 는 /? = 心 의 관 계 를 가 진 다 는
점에 주 의 하 라 . 자 유 전 자 의 해 와 그림 3.9에 나 타 난 단결정의 결 과들 사이에 유사성이
있으며 단결정에서 파라미터 h k 는 결 정 운동량이라고 한다. 이 파 라 미 터 는 결정에서 전
자의 실제 운 동 량 은 아 니 지 만 결정과의 상 호 작 용 을 포 함 한 운동상 수 이 다 .
72 Chapter3 고체양자이론의 입문

7T

A•
영역
그림 3 .1 0 허용 에너지밴드의 여러 부분들이 2따 만큼
이동하는 모양을 보여주는 표와 k 관계 다이어그램 그림 3.11 축소된 영역의 £-소그림

이 논의의 중 요 한 결과 는 결정에서 전자들이 가질 수 있는 어떤 허용 에 너 지 밴 드 들 과

가질 수 없는 금지 에너지밴드들이 있다는 것이다. 실제 3차원 단 결 정 에 서 도 이와 유 사
한 에 너 지 밴 드 이론이 존 재 한 다 . 다음 절에서 더 깊은 전자의 성질에 대해서 고 찰 할 것
이다.
단결정 격자 를 모델링하기 위해서 1 차원 주기 전 위 함 수 를 사 용 한 Kronig-Penney 모
델 을 살 펴 보 았 다 . 이 러 한 분석의 주 요 결 과 는 전 자 들 은 결정에서 허 용 에 너 지 밴 드 만
차 지 할 수 있고，금지 에 너 지 밴 드 는 차 지 할 수 없다 는 것이다. 실제 3차원 단결정 재료
에 대 해 서 도 유 사 한 에 너 지 밴 드 이론이 있다. 다 음 절 에 서 는 Kronig-Penney 모 델 로 부
터 전자의 다른 성 질들을 배우게 될 것이다.

이해도 평가 _
TYU 3.1 예제 3.2에서 주어진 파라미터를 활용하여 ka = 2 t t 에 존재하는 두 번째 금지
에너지밴드의 폭{단위 eV)을 계산하시오. (그림 3.8c 참조). (八3 £ Z'P = *3 'suy)
TYU 3.2 예제 3.2에서 주어진 파라미터를 활용하여 0 < k a < 77에 존재하는 허용 에너지
밴드의 폭(단위 이 을 계산하시오. (그림 3.8c 참조). (八아 9'0 = 3 'suy)

3. 2 고 체 의 전기 전 도

우리의 궁 극 적 인 관 심 은 반도체 소자의 전 류 -전 압 특 성 이 다 . 앞 절에서 고 찰 한 밴드 이

론 을 사 용하여 고체의 전기 전 도 를 살 펴 볼 것이다. 다 양 한 허 용 에 너 지 밴 드 에 서 전자
의 운 동 을 고찰 함으로써 시작한다.

3.2.1 에너지밴드와 결합 모델

1장에서 실리 콘의 공 유 결 합 을 논 의 하 였 다 . 그림 3.1 3은 단결정 실 리 콘 격자에서 공 유

결합의 2차 원 그 림 을 나 타 내 고 있다. 이 그 림 은 r = 0 K 에서 실 리 콘 을 나 타 낸 다 . 이
온 도 에 서 는 각 실 리 콘 원 자 가 8개의 가전 자 들 에 의하여 둘 러싸여 있고, 에 너 지 적 으 로
는 가 장 낮 은 상태에 있으며 ，공 유 결 합 에 직접 관 여 한 다 . 그림 3.4b는 실리콘이 결 정 을
형성 하면서 실리콘의 개별 에너지 상태들이 허 용 에 너 지 밴 드 로 분 리 되 는 것을 나 타낸
다 . r = 0 K 에서 하 부 밴 드 즉 가 전 자 대 의 4 " 개의 상 태 들 이 가 전 자 들 로 가 득 차 게 된
다. 상 부 밴 드 즉 전 도 대 는 T = 0 K 에서는 완전히 비 어 있다.
온 도 가 0 K 위로 증가함에 따 라 약간의 가전자대 전자들이 충 분 한 열에너 지를 얻게
되어 공 유 결 합 을 깨 뜨리고 전 도대로 이동한다. 그림 3.1 3a는 이 러 한 결합의 깨 어 짐 을 2
차원 그 림 으 로 나 타 내 고 있고, 그림 3.1 3b는 동 일 한 현상에 대한 에 너 지 밴 드 모델의 해
석을 보 여 주 고 있다.
반 도 체 는 전 하 적 으 로 중성 이다. 이것 은 음 전 하 를 띤 전 자 가 자기의 공 유 결 합 위치
를 깨 뜨 리 고 탈 출 함 에 따 라 양 전 하 를 띤 빈 상 태 가 가 전 자 대 의 원래 공 유 결 합 위치에

- = =
II

- =

== = - =:

그림 3.12 r = OK에서 반도체의 공유결합의 2차원 그림

(a) (b)

그림 3 .13 (a) 공유결합의 깨어짐을 나타내는 2차원 그림과 (b) 공유결합이 깨어지면서 발생하는 전
자와 정공의 생성을 에너지밴드상에서 표시한 그림
lU Chapter 3 고체양자이론의 입문

형 성 됨 을 의 미 한 다 . 온 도 가 더욱 증 가 함 에 따 라 더 많 은 공유 결 합 이 깨 어 지 고 더 많은
전자들이 전 도대로 이동하며 더 많은 양전하의 빈 상태들이 가전자대에 형성된다.
이 러한 결합의 깨 어 짐 을 -쇼 에너 지 밴 드 와 관 련 지 울 수 있다. 그림 3.1 43는 7 = 0
，에서 전 도 대 와 가전자대의 E-k 그 래 프 를 보여준다. 가전자대의 에너지 상 태 들 은 완전
히 채워져 있고 전도대의 상 태 들 은 비어있다. 그림 3.1 4b는 r 〉 0 K 에 대한 밴 드 를 보
여 준 다 . 여기서 전 자 들 은 충 분 한 에 너 지 를 얻어 전 도 대 로 이 동 하 고 가 전 자 대 에 빈 상
태 들 을 남긴다. 외부 힘은 가해지지 않 았 다 고 가정하면 전 자 와 빈 상태들의 분 포 는 쇼에
대하여 대칭이 된다.

3.2.2 드 리 프 트 (d r i f t ) 전류

전 류 는 전하 의 이동에 의하여 발 생 하 며 ，특히 전 계 에 의 한 전하의 이 동 을 드 리 프 트

(drift)라고 하 고 ，그 전 류 를 드 리 프 트 전 류 라 고 한 다 . 만 약 어떤 양전하의 집 합 체 가 부
피 밀도는 사(cm - 3) 이고 평균 드 리 프 트 속 도 는 v/ cm/sec)이라고 하면 드 리 프 트 전류 밀
도는

J = qNvd A7cm2 (3.32)

이 된다. 만 약 평균 드 리 프 트 속 도 를 고 려 하 는 대신 개 별적인 양전하의 속 도 를 고 려 하

면 드 리 프 트 전류 밀도를 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

J = q (3.33)
i= \

여기서 ■마는 i 번째 양전하의 속 도 이 다 . 식 (3.33)에서 합 은 단위 부피에 대하여 취해지

므 로 전 류 밀 도 는 여전히 시야구의 단 위 를 갖는다.
전자 는 전하 를 띤 입자이므로 전도대에서 전자의 드 리 프 트 는 전 자 전 류 를 일으킨다.
그림 3.1 4b 에서 보듯이 전 도 대 에 서 전자의 분 포 는 외 부 힘이 인가되지 않 았 을 때 쇼의

그림 3.1 4 (a) r = 0 A와 (b) r 〉 0 K에서 반도체의 전도대 및 가전자대의 E-k 그림

 3.2 고체의 전기 전도 75

우 함 수 이 다 . 자 유 전 자 에 대한 쇼는 운 동 량 과 관 계 됨 을 기 억하고 +|비 값 을 가 지 는 전자
의 수 만큼 시 값 을 가 지는 전자들이 있으므 로 이러 한 전자들에 의한 순 드 리 프 트 전
류 밀 도 는 영이 된다. 이 결과는 외부 힘이 없는 상 태 이 므 로 확실히 예견 할 수 있다.
힘 이 입자에 가 해 지 고 입자가 움직 이 면 에너 지를 얻게 된다. 이 효 과 는 다 음 과 같이
표현 된다.

dE = F dx = F vd t (3.34)

여기서 F 는 인가된 힘 이 고 ，dx 는 입 자가 움 직 인 미분 거 리 이 며 ，■는 속 도 그 리 고 dE 는

에너지 증 가 량 이 다 . 외부 힘이 전도대의 전자에 인가되면 전자들이 움직 일 수 있는 빈
에너지 상 태 들 이 많이 있 으 므 로 외부 힘에 의하여 전 자 들 은 에 너 지 와 순 운 동 량 를 얻
을 수 있다. 전도대의 전자 분 포 는 그림 3.1 5에서 보듯이 분포하게 되고 순 운 동 량 을 얻
게 된다.
전자의 운동에 의 한 드 리 프 트 전류 밀도는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

J = -e 호 비 (3.35)
/=1

여기서 e 는 전자 전하량의 크 기 이 고 «은 전도대의 단위 부 피 당 전자 수 이 다 . 다시 합 은

단위 부피 에 대하여 취 해 지 므 로 전 류 밀 도 는 A/cm2이 된다. 식 (2.78)로부터 전 류 는 전
자 속 도 에 직접 관 계 됨 을 주 의 해 야 한 다 . 즉 전 류 는 전 자 가 고체 내부에서 얼 마 나 잘
움직이 는 지 에 의하여 결정된다.

3. 2. 3 전 자 유 효 질 량

격 자 에 는 많 은 양 성 자 와 전자들이 있으므 로 격자 속에서 움 직 이 는 전자의 운 동 은 자유

공 간 에 서 의 전자의 운 동 과 달리 아 주 복 잡 한 힘의 영향을 받게 되므 로 이 러 한 힘 을 고
려하여 정확히 분 석 하 기 란 불 가 능 하 다 . 격 자 에 는 외부로부터 인가되는 힘 외에 도 양전
하 를 띤 이 온 이 나 양 성 자 그 리 고 음 전 하 를 띤 전자에 의 한 격 자 내부 힘들이 있 으 며 ,
이들 은 격자에서 전자의 운동에 영향을 줄 것이다. 따라서

^ total = fe x t + ^ in t = ■ ( 3 .3 6 )

그림 3.1 5 외부 힘이 인가되었을 때 소에서 전자의 비대칭 분포

76 Chapter 3 고체양자이론의 입문

로 쓸 수 있고，여기서 Ftotal，Fext 그 리고 int는 각 각 격자에서 입자에 작 용 하 는 총 힘 ，외

부 힘, 그리 고 내부 힘들이다. 파라미터 a 는 가 속 도 이 고 m은 입자의 정 지질량이다 .
모 든 내부 힘 을 고 려 하 는 것은 어렵기 때문에 다 음 과 같은 방 정 식 을 사용한다.

Fext — m*a (3.37)

여기서 가속 도 a 는 외부 힘 과 직접 관 계 된 다 . 유 효 질 량 (effective mass)이라고 부 르 는 파

라미터 m* 은 입자의 정 지 질 량 과 함께 내부 힘의 영향을 고 려 한 파 라 미 터 로 서 내부 힘
에 의한 정지질량이 변화된 질 량으로 보 아 도 된다.
유 효 질 량 의 개 념 과 유 사 한 비유로서 물 과 기름이 담 겨 있 는 각 용기 속의 유 리 구 슬
의 운동의 차 이 를 생각해 보자. 일반 적 으 로 유 리 구 슬 은 물 보 다 기름 속에서 천천히 떨
어진다. 이 것 은 기름의 점 도 가 물 보 다 크기 때 문 인 데 ，이 경우 외 부 힘 은 중 력 이 고 내
부 힘 은 기름 분자 에 의 한 점성이 된다. 만 약 기 름 을 물 로 대 체 하 면 서 기름 속 에 서 느
린 구슬의 운 동 을 그 대 로 유 지 하 려 면 구슬의 질 량 을 작게 만 들 어 야 한다. 이렇게 작 아
진 질량이 유 효 질 량 에 해 당 하 며 , 기 름 을 물 로 대 체 하 는 대신에 구슬 의 정 지 질 량 을 기
름의 점성에 의한 질량의 변화로 간주하여 새 로 운 작 은 질 량을 사 용 한 것이다.
이와 같이 격자에서 운 동 하 는 전자는 양 성 자 및 전자에 의 한 복 잡 한 내부 힘의 영향
을 전자의 정 지 질 량 의 변 화 로 대 체 하 고 대신에 기 름 을 물 로 대 체 하 였 듯 이 주변 환 경 ，
즉 결 정 을 양 성 자 와 전자 등이 없는 진공상태 혹 은 자 유 공 간 으 로 대체하여 생 각 할 수
있다. 따라서 유 효 질 량 을 사 용 하 면 격자 를 자 유 공 간 으 로 대 체 하 고 외부 힘의 영향만을
고려하여 뉴턴역 학에 의한 자유전자의 운 동 으 로 분 석 할 수 있다.
유효질 량의 방 정 식 을 유도하기 위하여 그림 3.1 1 의 E-k 곡 선 을 생각한 다 . 이를 위하
여 전자 가 거의 비어있 는 전 도 대 와 거의 채워져 있는 가 전 자 대 를 살펴보자.
그림 3.7에 나 타 난 자 유 전 자 의 E-k 곡 선 을 먼저 생각해 보 자 . 식 (3.28)에서 보듯이
에너지와 운동량은 = P 2! m = 가2/:2의 관 계 를 갖 는 다 . 여기서 w 은 전자의 정 지 질 량
이다. 운 동 량 과 파 수 쇼 는 " = 心 의 관 계 를 갖는다. 식 (3.28)을 k \] 대하여 미분하면

= 관
m
= 쏘
m (3.38)

이 된다. 운 동 량 과 속도의 관계로부터 식 (3.38)은

ld E = ^ = v (3.39)
h dk m

이 되며，여기서 는 입자의 속도이다. 의 쇼에 대한 1 차 미분은 입자의 속 도 와 관계된다.

E 를 소에 대하여 2차 미분하면

d 2E = h 2
dk 2 ~ m (3.40)

이 되며，식 (3.40)을 다시 쓰면
 3. 2 고체의 전기 전도 77

\ d 2E _ \
h 2 dk 2 m (3.41 )

이 되 며 ，유 효 질 량 의 식 을 얻을 수 있다. 쇼에 대 한 표의 2차 미 분 은 유 효 질 량 의 역수에
비 례 한 다 . 자 유 전 자 의 경우 질 량 은 상 수 이 므 로 (비 상 대 성 질 량 ) 2차 미 분 도 상 수 이 다 .
그림 3.7에서 S E Id k 1 은 양의 량인 것을 주 의 해 야 하 며 , 이 것 은 유 효 질 량 도 역시 양의
량임 을 의미한다.
자유 전자에 전계 를 인가하고 뉴턴의 운 동 방 정 식 을 사용하면

F — m a = —eE (3-42)

이 되고, 여기서 a 는 가속도이고 , 는 인가 전계 그 리 고 e는 전자 전 하량이다. 가 속 도 를

구하면

(3.43)

이 된다. 자유 전자의 운 동 은 음 전하 를 가 지므로 전계에 대하여 반대 방향이다.

이제 이 결 과 를 허 용 에 너 지 밴 드 의 하 단에 있는 전자에 적용해 보 자 . 그림 3.1 6의
허용 에 너 지 밴 드 를 생각하 자 . 이 에너지 밴드 의 하 단 근처의 에 너 지 는 자 유 전 자 와 마 찬
가지 로 근 사 적 으 로 포 물선이다. 따라서

E - E c = Cx(k)2 (3_44)

이다. 에너지 Ec는 밴드의 하 단 에 너 지 를 나 타낸다. E > 이므로 파라미터 (기은 양의

량이 다.
식 (3.44)로부터 를 쇼에 대하여 2차 미분을 취하면

% = 2C> (3.45)
이 된다. 식 (3.45)를 다시 쓰면
1 d2E _ 2C,
(3.46)
이 된 다 . 식 (3.46)을 식 (3.41 )과 비 교 하 면 ^ 2 ^ 은 유 효 질 량 과 같 다 . 그 러 나 ，그림
3.1 6a 에서 곡선의 곡 률 은 일 반 적 으 로 자 유 전 자 의 곡선의 곡 률 과 같지 않다. 이 것 을 다
시 쓰면
1 d 2E _ 2C, _ 1
h 2 dk 1 h2 m* (3.47)

이 되고 ，m* 을 유 효 질 량 이 라 고 부른다. C , > 0 이므로 역시 w * > 0이다.

유 효 질 량 은 양자역학적 결과를 고전적 힘의 방 정 식 과 결 부 시 키 는 파 라 미 터 이 다 . 대
부분의 경우 전도대 하단에 있는 전 자는 내부 힘 과 양자역학적 성 질 들 을 유 효 질 량 으 로
78 Chapter 3 고체양자이론의 입문

그림 3.1 6 (aU-공간에서 전도대와 포물선 근사，(bU-공간에서 가전자대와 포물선 근사

고 려 하 면 뉴 턴 역 학 으 로 그 운 동 을 묘 사 할 수 있는 고전적 입자로 생 각 할 수 있다. 에너

지밴드의 하단에 있는 전자에 전계 를 인가하면 가 속도는

—ev
쑤 (3 - 48)

이 되고, 여기서 m* 은 전자의 유 효 질 량 이 다 . 전도대 하 단 근처에 있는 전자의 유 효 질 량

w * 은 상수이다.

3. 2. 4 정공의 개념

그림 3.1 3a에서 보듯이 공 유 결 합 의 2차원 그 림 을 생 각 하 면 가 전 자 가 전 도 대 로 올 라 갈

때 양의 전 하 를 띤 빈 상 태 가 생 성 된 다 . r > 0 K 에서 모 든 가 전 자 들 은 열 에 너 지 를 얻
게 되 고 ，가 전 자 가 작 은 량의 열 에 너 지 를 얻으면 빈 상 태 로 뛰 어 들 수 있다. 빈 상 태 로
의 가전자의 이동은 양전하의 빈 상태 자체의 이동과 같다. 그림 3.1 7은 하나의 빈 상태
를 채우면 서 새 로 운 빈 상 태 를 만들어 내 는 결정에서 가 전 자 들 의 운 동 즉 가 전 자 대 에
서 양전하 의 운 동 을 나 타 낸 다 . 이 와 같 은 양전하의 운 동 은 새 로 운 전 류 를 만들어 내 며
전 자 전 류 와 함께 결정의 중 요 한 전 류 이 다 . 이 양 전 하 캐 리 어 를 정 공 (hole)이라 고 부 르
며，앞으 로 보게 될 것 이 지 만 뉴 턴 역 학 으 로 운 동 을 묘 사 할 수 있는 고전적 입자로 생각

• 니 니 •
=

•
==0=0=0

니 니
• 니

6
니
• •
n
6
"

•
• •
II
II

II

• • 0

^
교
= =
=

=
•
> 0
=

•
•
• • •
II =

II

II

y •}
=
0
0
;
=

계
M =
(

• • 9
>

N
&
9 :
II

•
=
?
一 9
一
=

n n•
n M 니

(a)

=
그림 3.1 7 반도체에서 정공의 운동의 시각화 그림
할 수 있다.

J = - e ^ j vt (3.49)
I (filled)

이다. 여기서 합 부 호 는 모 든 채워 진 상태에 대하여 취해진 다 . 이 합 부 호 는 거의 완전

히 채워진 가전자대에 대하여 취 해 지 므 로 대단히 많 은 수의 상 태 를 고 려 해 야 하 는 불편
함이 있다. 따라서 식 (3.49)를 다시 쓰면

•/= 一 세 >, (3.50)

i (total) i (empty)

이 된다.
만 약 완전히 채 워진 밴 드 를 고 려 할 경우 모 든 허용 상 태 가 전 자 로 채워져 있게 된
다. 각 전자 는 식 (3.39)로 주 어 지 는 속 도 를 갖 고 이동하는 것으로 생 각 할 수 있다.

(3.39)

밴 드 는 소에서 대 칭 이 고 각 상 태 는 채워져 있 으 므 로 속 도 네 를 갖 는 모 든 전자에 대해

서 속 도 - M 를 갖 는 전자 가 있다. 밴 드 는 완전히 채워져 있 으 므 로 쇼에 대 한 전자의 분
포 는 외 부 힘에 대하여 변 할 수 없다. 따라서 완전히 채워져 있는 밴 드 에 서 발 생 하 는
순 드 리 프 트 전류 밀 도 는 영 혹은

-e X ^ (3.51 )
I (total)

이다.
거의 채워져 있는 밴드에 대해서 식 (3.50)으로부터 드 리 프 트 전 류 밀 도 를 쓰면

J = +e V/ (3.52)
i (empty)

이고, 여기서 합 부호 속의 이는

그림 3.1 8 (a) 전자가 채워져 있는 상태와 비어 있는 상태를 나타내는 기존의 가전자대，(b) 빈 상태

를 양전하가 차지하는 새로운 개념도
80 Chapter 3 고체양자이론의 입문

이 며 ，빈 상 태 와 관 계 된 다 . 식 (3.52)는 빈 상태에 양 전 하 를 두 고 다 른 상 태 는 중 성 이 라
고 가 정 한 것 과 같다. 이 개념이 그림 3.1 8a 에 나 타 나 있다. 그림 3.1 8a 는 전 자 가 채워
져 있는 상 태 와 비어 있는 상 태 를 나 타 내 는 기존의 가 전 자 대 를 나 타 내 고 ，반면에 그림
3.1 8b는 양의 전하 가 빈 상 태 를 차 지 하 고 있는 새 로 운 개념을 나 타낸다. 이 개 념 은 그림
3.1 7에서 보았듯이 양 전하를 띤 빈 상태의 논 의 와 일치한다.
식 (3.52)의 비는 이 러 한 양 전 하 입자들이 반도체에 서 얼마 나 잘 이 동 하 고 있 는지를
나 타 낸 다 . 그림 3.1 6b 에 나 타 나 있는 에 너 지 밴 드 상 단 근 처 에 있는 전 자 를 생 각 하 자 .
에너지밴드의 상 단 근처의 에 너 지 는 포 물 선 으 로 근 사 할 수 있으므로

(E - E v) = - C2( k ) 2 (3.53)

이 된다. 에 너 지 。 는 에 너 지 밴 드 상단의 에너지이다. 가전자대에서 전자의 에 너 지 는

< 。 이므로 파라미 터 <2는 양의 량이 어야 한다.
식 (3.53)으로부터 소에 대하여 를 2차 미분하면

d 2E _
-2 C2 (3.54)
dk 2 _

이 된다. 이 방 정 식 을 다시 쓰면
1 d 2E _ _ 2 C2
(3.55)
h 2 dk 2 ~ h2

이 된다. 식 (3.55)를 식 (3.41 )과 비교하면

1 d 2E -2 C2 _ 1
h2 m* (3.56)
h 2 dk 1

이 된다. 여기서 m* 은 다시 유 효 질 량 이 다 . 상 수 디 는 양의 량 임 을 이미 언 급하였다. 따

라서 m * 은 음의 량을 의미하게 된다. 에너지밴 드의 상 단 근처에서 이 동 하 는 전 자 는 음
의 질량을 가진 것 같이 행동하게 된다.
유 효 질 량 파 라 미 터 는 양 자 역 학 을 고 전 역 학 과 연관 짖기 위하여 사 용 된 다 는 것을 기
억 해 야 한 다 . 이 러한 두 이 론 을 관계 지 으 려 는 시 도 는 음의 유 효 질 량 이 라 는 이 상 한 결
과 를 초 래 하 였 다 . 그 러 나 , 슈뢰딩거 파 동 방 정식의 해 는 고 전 역 학 과 상 반 되 는 결 과 를
초 래 하 였 다 는 것을 독 자 는 기 억 해 야 한다. 음의 유 효 질 량 은 또 다 른 그 러 한 예이다.
지 난 절에서 유 효 질 량 의 개 념 을 논 의 하 는 데 있어서 두 액체에서 운 동 하 는 구슬의
비 유 를 사 용 하 였 다 . 지 금 은 물 로 채워져 있는 용기 중 앙 에 얼 음 조 각 을 놓 아 둔 경 우 를
생 각 하 자 . 얼 음 조 각 은 중력의 힘 과 반 대 방 향 의 수 면 으 로 상 승 운 동 을 하게 된다. 이 얼
음 조 각 은 가 속 도 가 외부 힘에 대하여 반 대 이 므 로 음의 유 효 질 량 을 가진 것 같이 보인
다. 유 효 질 량 은 입자에 작 용 하 는 모 든 내부 힘을 고 려 한 것이다.
다시 에너지밴드의 상 단 근처의 전자 를 생 각 하 고 ，외부 전계에 대 한 뉴턴의 힘의 방
정식 을 사용하 면
F = m *次 = — e E (3. 57)
이 된다. 그 러 나 ，，
… 은 지금 음의 량이므 로

a = Hm*i = lm*T (3_58)

로 쓸 수 있다. 에너 지밴 드의 상 단 근처에서 운 동 하 는 전 자 는 외부 전 계 와 같 은 방 향 으
로 이동한다.
거의 완전 히 채 워 진 밴드의 전자의 순 운 동 은 양의 전 하 가 각 빈 상 태 에 관 계 되 고
식 (3.56)의 음의 m* 이 각 빈 상태에 관 계 되 면 단지 빈 상 태 를 고려함 으 로 써 묘 사 할 수
있다. 이 경우 이 밴 드 는 양의 전 자 전 하 와 양의 유 효 질 량 을 갖 는 입 자 들 을 가진 것으
로 묘 사 할 수 있다. 가전자 대의 이 러 한 입자들의 농 도 는 비 어 있 는 전자의 에너지 상태
의 농 도 와 같다. 이 새 로 운 입자가 정공이다. 따라서 정공 은 m p* 로 표시 되는 양의 유효
질 량 과 양의 전자 전하를 가 지므로 인가 전 계 와 같 은 방 향 으 로 이동한다.

3. 2.5 금 속 ，절 연 체 ，반도체

각 결 정 체 는 자신의 에 너 지 밴 드 구 조 를 갖 는 다 . 예를 들 면 실리콘에서 에너지 상 태 가

분리되어 가 전 자 대 와 전도대를 형성하는 복 잡 한 과정을 보았다. 그 러 한 복 잡 한 밴드
분 리 는 다 른 결 정 체 에 서 도 발 생 하 며 ，다 양 한 고 체 들 로 부 터 많 은 종 류 의 밴드 구 조 가
유 도 되 고 또 한 넓 은 범위의 전기적 특 성 을 나타낸다. 단 순 화 된 에 너 지 밴 드 를 살 펴 봄 으
로써 이 러 한 밴드 구조의 차이 때문에 발 생 하 는 전기적 특성의 근본적 인 차 이 점 을 정
성적으로 이해 하 고 자 한다.
여러 가지 가 능 한 에 너 지 밴 드 를 고 려 할 수 있다. 그림 3.1 9a는 전 자 가 완전히 비어
있는 에 너 지 밴 드 를 보 여 주 고 있다. 전 계 가 인 가 되 면 움 직 일 수 있는 입자 는 없으므로
전 류 는 흐르지 않 는 다 . 그림 3.1 9b 는 에너지 상 태 가 전 자 로 완전히 채워져 있는 또 다
른 에 너 지 밴 드 를 보 여 주 고 있다. 전 절에서 논의 하 였 듯 이 완전히 채워진 에 너 지 밴 드 도
전 류 를 만들지 못 한 다 . 완전히 채워져 있 던 지 ，혹 은 비 어 있 는 에 너 지 밴 드 를 갖 는 물질
은 절연체(insulator)이다. 절연체의 저항도(resistivity)는 대단히 크 며 ，혹 은 역으로 전도
도(conductivity)는 대단히 작다. 드 리 프 트 전류에 기 여 할 수 있는 전 하 입 자 는 근본적
으 로 존재 하지 않는다. 그림 3.1 9c는 절연체의 단 순 화 된 그 림 을 보 여 준 다 . 절연체의 밴
드캡 에너지 E g는 보 통 3.5에서 6 eV 정 도 이 며 ，혹 은 더 큰 경우도 있다. 그 러 므 로 상 온
에서 전 도 대 에 는 전 자 가 전혀 없고 가 전 자 대 는 완전히 채워져 있다. 절 연 체 에 는 열생
성된 전 자 와 정공 은 거의 존재하지 않는다.
반 도 체 (semiconductor)의 에 너 지 밴 드 는 그림 3.20과 같 다 . 그림 3.20a는 밴드의 하
단 근 처 에 비교적 약간의 전자들 이 있는 에 너 지 밴 드 를 보 여 주 고 있다. 여기에 전 계 를
인가 하면 전 자 는 에 너 지 를 얻어 높 은 에너지 상 태 로 이 동 하 고 ，결정체 속 을 이동한다.
이러 한 전하의 순 흐름이 전류이다. 그림 3.20b는 거의 채워진 에 너 지 밴 드 를 보 여 주 며 ，
이것 은 이 밴드에서 정공이 존 재 함 을 의미한다. 그림 3.20c 는 이 러 한 경우의 단 순 한 에
82 Chapter3 고체양자이론의 입문

허용 허용
에너지 에너지
밴드 밴드
(공핍) (거의 공핍)
(a) (a)
허용 허용
에너지 에너지
밴드 밴드
(충만) (거의 충만)

(b) (b)

전도대 전도대
(공핍) (거의 공핍)

Es 전자 £S •
공핍전자상태

가전자대 가전자대
(충만) (거의 충만)

(C) (C)

그림 3.1 9 (a) 빈 밴드 (b) 완전히 채워진 밴드 그림 3.20 (a) 거의 비어있는 밴드>(b) 거의 채워

그리고 (c) 두 허용된 에너지밴드 사이의 에너지 져 있는 밴드 그리고 (c) 두 밴드 사이의 에너지
캡을 보여주는 에너지밴드 캡을 보여주는 에너지밴드

너 지 밴 드 를 보여준 다 . 밴드캡 에 너 지 는 1 eV 정도의 크 기 를 가질 수 있다. 이 에너지 밴

드 는 r 〉 0 K 의 반 도 체 를 나타낸다. 다음 장에서 보게 될 것 이 지 만 반도체의 저 항도는
큰 차수의 크 기 로 조 절 되 고 변화될 수 있다.
금 속 은 저 항 도 가 작 은 것，즉 전 도 도 가 높 은 것이 특 성 이 다 . 금 속 의 에 너 지 밴 드 는
두 가지 형태 중 하 나 를 취한다. 그림 3.21 a 는 부 분 적 으 로 채워진 밴 드 를 보 여 주 며 ，여
기 에 는 전도에 이용될 수 있는 많 은 전자들이 있다. 그 러 므 로 이 물 질 은 높 은 전기 전
도 도 를 나타낸다. 그림 3.21 b 는 금속의 또 다른 형태의 에 너 지 밴 드 이 며 ，전 도 대 와 가전
자 대 가 중 첩 되 는 경우 를 보 여 준 다 . 그림 3.21 a와 같이 많 은 수의 전 자 와 동시에 전자 들
이 이 동 할 수 있는 많 은 수의 빈 상 태 가 존 재 하 므 로 이 물 질 도 역시 높 은 전기 전도 도
를 나타낸다.

부분적으로
채워진
밴드

그림 3. 21 (a) 부분적으로 채워진 밴 프 (b) 중첩된 밴드를 보여주는 두 가지 가능한 금속의 에너지밴드
 3. 3 3차원으로확장 83

이해도 평가

TYU 3.3 전도대의 전자에 대한 단순화된 E-k 곡선이 주어져 있다. a 값이 10 A 이다. 상
대적 유효질량 w*/m0를 계산하시오. (S스I_l = suy)
TYU 3.4 가전자대의 정공에 대한 단순화된 E-k 곡선이 주어져 있다. a = 12 A 일 때 상
대적 유효질량 lw*/m이를 계산하시오. (S86ZT0 = 1<切</*따1 s«V)

3.3 3차원으로확장
허용 밴드와 금지 밴드에 대한 기본 개념과유효질량에 대한 기본 개념이 전 절에서 다루어졌
다. 이 절에서는 이 개념들을 3차원으로 그리고 실제 결정체로 확 장할 것이다. 3차원 결정의
특성들을 -쇼도 또 밴드캡 그리고 유효질량을 사용하여 정성적 고찰을 시도할 것이다 여기서
는 단지 기본적인 3차원 개념에 대하여 간단히 언급하고 자세한 것은 고려하지 않을 것이다.
전 위 함 수 를 3차 원 으 로 확 장함에 있어서 부 딪 히 게 되 는 한 가지 문 제 는 원 자 들 간의
간격이 결정방향에 따 라 바 뀐 다 는 것이다. 그림 3.24는 [1 0이와 [1 1 0] 방향이 표시되어
있는 면심 입방 구 조 를 보 여 준 다 . 전 자들의 운 동 방 향 이 다르 면 전자들이 격 는 전위 에
너 지의 모양 이 달 라 지 고 또 한 쇼-공간에서의 에너 지도 달 라 진 다 . E-k 도 표 는 일 반 적 으
로 결정에서 쇼-공간 방향의 함수이다.

그림 3 . 2 4 [10이와 [110] 방향 을 보여주 는 면심입방 결정의 (100) 결정면

84 Chapter 3 고체양자이론의 입문

3.3.1 Si 과 GaAs 의 k - 공 간 도표

그림 3.25는 갈륨비 소와 실리콘의 E-k 도표를 보여준다. 이 단순화된 도표는 이 책에서 고려

할 기본적인 성질을 보여주지만 높은 차원에서 필요한 보다 자세한 사항은 나타나 있지 않다.
양과 음의 k - 축 자리에 두 개의 다 른 결정 방향 을 표시하였 음에 주의하라. 1차원 모델
에 대한 -쇼 도표는쇼에 대하여 대칭이므로 음의 좌표축을 표시함으로서 새로운 정보를 얻
을 수 없었다. [1 ] 방향을 + k 축에 두고 [川 ] 방향은 + k 축의 왼쪽，즉 - k 축에 두는 것
이 일반적인 관례이다. 다이 아몬드와 섬 아연광 격자의 경우 가전자대의 최대 에너지와 전
도대의 최소 에너지 지점은 쇼= 점, 혹 은 + 쇼나 나 의 두 방향 중 한 방향에 위치한다.
그림 3.25 a는 GaAs의 E-k 도 표 를 보여준 다 . 가전자대 의 최 대 와 전도대의 최소 에너
지 점은/ = 에 위 치 한 다 . 전 도대의 전자는 = 지점의 최 소 전도대 에너지 점에
주 로 위 치 한 다 . 왜 냐 하 면 전 자 는 작 은 에너지 상태부터 채우기 때 문이다. 이 와 유 사 하
게 가전자대의 정공 은 가전 자대의 최대 에너지 점에 주 로 위 치한다. GaAs에서 전도대
최저 에 너 지 와 가 전 자 대 의 최대 에너지 점은 같 은 쇼값에 위 치 한 다 . 이 러 한 성 질 을 갖
는 반 도 체 를 직 접 밴 드 겝 반 도 체 (direct bandgap semiconductor) 라고 부 른 다 . 이 반도체
에서 두 에 너 지 밴 드 사이의 전 이 는 동 일 한 ， = 에서 발 생 하 므 로 운동량의 변 화 없이
이루어 진다. 이 러 한 직 접 적 인 성 질 은 물질의 광 특성 에 중 대 한 영 향 을 준 다 . GaAs를
비롯 한 직접 밴드캡 반 도 체 들 은 반도체 레 이 저 와 광소자들에 사용하기 에 적합하다.
실리콘의 E-k 도 표 가 그림 3.25b 에 나 타 나 있 다 . 가전자대 의 최대 에너지 점은 GaAs
와 같이 k = 0에 위 치 한 다 . 전도대의 최저 에너지 점 은 k = 0이 아 니 라 [1 0이 방 향 위
에 위 치 한 다 . 최저 전도대 에 너 지 와 최대 가전자대 에너지 점의 에너지 차 이 를 에너지
캡으 로 정의한다. 최대 가전자대 에 너 지 와 최소 전도대 에 너 지 가 쇼축에서 일치하지 않
는 반 도 체 를 간 접 밴 드 겝 반 도 체 (indirect bandgap semiconductor)라고 부 른 다 . en 에너
지 점의 K 값이 일치하지 않기 때문에 전 자 가 전 도 대 와 가전자대 사이에서 전 이 할 때 k
값의 불 일 치 량 ，즉 운동량 의 차 이 가 보 존 되 어 야 한다. 이 러 한 운 동 량 보 존 은 전 자 와 결
정의 상호작용에 의하여 이루어진다.
게 르 마 늄 도 역시 간접 밴드캡 물 질 이 고 , 가전자대의 최대 는 소= 0에서 발 생 하 고 전
도 대 의 최 저 는 [1 1 1 ] 방 향 상에 발 생 한 다 . GaAs는 직접 밴드캡 반 도 체 이 지 만 GaP와
AlAs와 같 은 다 른 화 합 물 반 도 체 는 간접 밴드캡을 갖는다.

3. 3. 2 유 효 질 량 의 추가 개념

전도대의 최저 에너지 점 근처에서 E-k 도표의 곡 률 은 전자의 유 효 질 량 과 관계된 다 . 그

림 3.25로부터 GaAs의 전도대 최저값에 서 곡 률 은 실 리 콘 보 다 크 다 는 점에 유 의 하 라 .
이것 은 GaAs의 전도대에서 전자의 유효질량 이 실리콘 보 다 작 다 는 것을 의미한다.
1 차원 -소의 경우 유 효 질 량 은 식 (3.41 ) 즉 \ /m* = \ /h 2 •S E Id k 1 로 정 의 되 며 ，여기서
은 곡 률 을 나 타 낸 다 . 따 라 서 ，실제 3차 원 결 정 에 서 는 쇼가 3차원 벡 터 이 므 로 쇼는 세 가
지 다 른 값 을 가질 수 있으므로 유 효 질 량 도 3가지 값 을 나타낼 수 있다. 이 책 에 서 는 유
 4 4

/V
GaAs
전도대

가， 、
= 0.31 乂
랑

C/J - 1 1
0) Eg
조
1

-2
가전자대
[1 1 1 ] 0
\k
[1 0 이 [111] 0
k
[■

(a) (b)

그림 3.25 (a ) G a A s , (b) S i 의 에너지밴드 구조 (Sz e [1 2] 인용)

효질 량의 여 러 가지 다 른 값에 대 해 서 는 자세히 언급하지 않는다. 앞으 로 필 요 할 경우

3가지 다 른 유효질량의 적합 한 확률적 평균 값 을 사 용 할 것 이다.2)

3. 4 준 위 밀 도 함 수

이미 언급하였듯이 최종적 인 목 표 는 반도체 소자의 전 류 -전 압 특 성 을 설 명 하 는 것이다.

전류 는 전하의 흐름에 기 인하는 것이므로 반도체에서 전도에 참 여하는 전자와 정공의 수
를 결정 하는 것이 중 요 한 요소 가 된다. 전도에 기여하는 캐리어의 수 는 이용 가능한 에너
지 상태, 혹 은 양자상태의 수의 함수이다. 왜냐하면 파울리의 배타율에 의하면 단지 하나
의 전자만이 하나의 양자상태를 차 지 할 수 있기 때문에 양자상태의 수 가 많으면 결국 전
자의 수 가 많을 수 있음을 의미하기 때문이다. 에너지 준 위 가 허용 및 금지 에너지밴드로
분 리 되 는 현 상을 설 명 할 때 허용 에 너 지 밴 드 는 개별 에너지 준 위 들 로 구성된 점을 지적
하였다. 전자 와 정공의 수 를 계산하기 위 해서는 이 허용 에너지 상 태 들 을 에너지 함수로
표 현 하 여 야 하는데 이 것 을 에너 지 상 태 밀 도 함 수 (energy density of states function)라고
하며 ，단위 에너지당 단위 부피 당 양자상태 수 (단위 : 양자상태 수 /cm3 •eV)로 정의된다.

3人 1 수학적 유도

양자상태 밀도 를 에너지 함 수 로 결정하기 위 해 서 는 적절 한 수학적 모 델 을 고 려 할 필요

2) 유효질량 개념에 대한 심층 논의는 부록 F 를 참조할 것.

86 Chapter 3 고체양자이론의 입문

가 있다. 전 자 들 은 반도체의 전도대에 서 비교적 자 유 롭 게 이 동 할 수 있 지 만 결정 내부

에 갇 혀 있 다 . 따라서 첫 단계로서 3차원 무 한 양자우물에 갇혀 있는 하나의 자 유 전 자 를
생각하자. 여기서 양 자 우 물 은 결정을 나타낸다. 무 한 전위우물의 전위 는 다 음 과 같이 정
의된다.

V(x , 夕，z) = 0 for 0 < ;c < a

0 < y< a
(3.59)
0< z< 次

V(x , y , z) = 00 e lsew h e re

여기서 결 정 은 한 변의 길 이 가 a 인 육 면 체 라 고 가 정 한 다 . 3차원 슈 뢰딩거 파동 방 정 식

은 변수분리 방 법 으 로 풀 수 있다. 1 차 원 무 한 전 위 우 물 의 결 과 로 부 터 다 음 과 같이 쓸
수 있다 (문제 3.23 참조).

^ 뿜 = = 定 + 삭 + 낙 = (성 + «
v + nz ) (블 ) (3.60)

여기서 nx，ny , 그리 고 는 양의 정수이다. ( nx , ny , 그 리 고 «2의 음의 정수의 경우는 양의

정수의 경 우 와 비교하여 부 호 만 다르지 동 일 한 파 동 함 수 를 가 지 므 로 동 일 한 확 률 함 수
와 에너 지를 갖는 다 . 따 라 서 ，음의 정 수 는 양의 정 수 와 다 른 양 자 상 태 를 의미하지 않는
다.)
k 공 간에서 허 용 양 자 상 태 를 도 식 화 할 수 있다. 그림 3.26a 는 、 와 、 의 2차 원 그림
을 나타낸다. 각 점은 와 &의 여 러 가지 값에 해 당 하 는 허 용 양 자 상 태 를 나 타 낸 다 .
nx , ny , 그 리 고 ~의 양과 음의 값 은 동 일 한 에 너 지 를 가 지 므 로 동 일 한 양 자 상 태 를 갖는
다. 따 라 서 ，kx , ky , 그 리 고 쇼z의 음의 값에 해 당 하 는 추 가 양 자 상 태 는 존재하지 않기 때
문에 양자상태 밀 도 를 계 산 할 때 그림 3.24b 에 나 타 나 있는 k 공간의 구 (球 ) 부피 의 양
의 부분에 해 당 하 는 1 /8 영 역만 고려한다.
예를 들면 kx 방 향 으 로 두 양자상태 간의 거 리는

(a) (b )

그림 3 . 26 [10이와 [110] 방향을 보여주는 면심입방 결정의 (100) 결정면

 +i - K = ( nx + 1) (풍) - 세 ) = 품 (3.61 )

로 주어 진다. 이 결과 를 3차 원 으 로 일반화하면 단일 양자상태의 부 피 。 는

‘ = 料 3 (3.62)

이다. 이제 k 공 간에서 양 자 상 태 밀 도 를 계 산 할 수 있다. k 공 간에서 미 분 부 피 가 그림

3.26b 에 나타 나 있고, 4 Trk2dk 로 주어진다. 따 라 서 ，k 공간에서 양자상태 밀도의 미분은

Srik)d k = 2 { \ ) ^ ^ (3.63)

으 로 쓸 수 있다. 첫 번째 인자 2는 각 양 자 상 태 에 서 허 용 되 는 2개의 스 핀 상 태 를 고려
한 것이다. 다음 인자 i 은 kx，ky , 그 리 고 、 의 양의 값에 해 당 하 는 양 자 상 태 만 을 고 려 하
였기 때문에 포 함 되 었 다 . 인자 4 n k 2dk 는 미 분 부 피 이 고 ，인자 ( t t o )3은 단일 양자상태 의
부피 이다. 식 (3.63)은 다음 과 같이 간 소 화 된다.

gr { k)dk = 프 붓 3 (3.64)

식 (3.64)는 파라미 터 k 즉 운 동 량 의 함 수 로 양 자 상 태 밀 도 를 나 타 낸 다 . 이제 에너지 E

의 함 수 로 양 자 상 태 밀 도 를 유 도해보자. 자유전자에 대해서 파라미터 와 쇼는

K2 - 2 mE
h2 (3.65 a)

혹은

k = 농、 / 2 mE (3.65 b)

의 관 계 를 갖는다. 미분 값 는

出 에 、H dE (3.66)

이다. 그러 면 쇼2과 씨;의 표 현 식 을 식 (3.64)에 대 입하여 와 + 冗 사이 에 존 재 하 는 양

자상태의 수 를 다 음 과 같이 계 산 할 수 있다.

싸 )선 = 쁩 ( ¥ ) i V l 冗 (3-67)
h = 쇼/2따이므로 식 (3.67)은

gr ( E )d E = ^ •(2씨)3/2 •V E d E (3.68)

이 된다 . 식 (3.68)은 공간적 부피 a 3를 갖 는 결정에 대해서 에너지 와 + 쌔 사이의

양자상태의 총 수 를 의미한다. 만 약 부피 a 3으 로 나누면 결정의 단 위 부 피 당 양자상태밀
도 를 얻을 수 있다. 그러 면 식 (3.68)은
88 Chapte 3 고체양자이론의 입문

47r(2m)3 /2 ，
규
g (E ) = VE (3.69)

이 된다. 양자상 태 밀도 는 에너지 의 함 수 이 다 . 이 자 유 전 자 의 에 너 지 가 작 아짐에 따

라 이용 가 능 한 양자상태의 수 는 감 소한다. 이 밀 도 함 수 는 사 실 은 이 중 밀 도 이 다 . 즉 단
위 부 피 당 단위 에너 지당 양자상 태 수 로 주어 진다.

특정 에너지 범위의 단위 부피당 상태밀도를 계산한다.

식 (3.69)로 주어진 자유전자의 상태밀도를 고려하자. 에너지 0부터 1 eV 사이에 있는 단위
부피당 상태밀도를 계산한다.

행 n
양자상태의 부피밀도는 식 (3.69)로부터

4t t (2w )3/2 /-leV

N= / g( E ) dE V E dE

흑은

네 2녜
이 된다. 따라서 상태밀도는

N = ^ y x X l1 3 )3]V2 •f _ 0 .6 X l - r 2 = 4.5 X H F m- 3

혹은
" = 4.5 X 1021 states八:m3
이다.

S 3
양자상태밀도는 일반적으로 큰 수이다. 다음 절과 장에서 보게될 반도체의 유효상태밀도도
역시 큰 수이지만 보통 반도체의 원자밀도 보다는 작다.

연습 문제
Ex 3.3 자유전자에 대하여 다음 에너지 범위에서 양자상태밀도를 계산하시오. (a) 0 <
< 2.0 eV (b) 1 < < 2 eV.
U-삐 izOi 父 的 .8 = n (q) V■삐 zz i x 8n = n ( 표) 몌

3人 2 반도체의 양 자 상 태 밀 도

앞 절에서 3차원 무 한 양자우물 에 갇힌 질량 w 을 가진 자 유 전 자 의 모 델 을 사용하여 전

자 양자상 태밀도에 대한 일반적 인 표 현 식 을 유 도하였다. 이와 같 은 일반적인 모 델 을 반
도체에 확대 적용하여 전도대 및 가전자대의 양 자 상 태 밀 도 식을 유 도 할 것이다. 전자 와
정공 은 반도체 결정에 갇혀 있으므로 무한양 자우물의 기본 모 델 을 적용 할 수 있다.
자유 전자의 에 너 지 와 운동량 과의 포물선 관 계 는 식 (3.28) 즉 E = p 2/2 m = h 2k 2!2 m
로 주 어 진 다 . 그림 3.1 6a 는 쇼-공간에서 전도대 에 너 지 밴 드 를 보 여 준 다 . 전도대 하단에
서 쇼= 근처 의 E-k 곡 선 은 포 물 선 으 로 근 사 할 수 있으므로

= 瓦+ g (3.70)

으 로 쓸 수 있 고 ，여기서 E c 는 전도대 바 닥 에 너 지 이 고 박 은 전 자 유 효 질 량 이 다 .3> 식

(3.70) 은

F F - h 2k 2 ( 3 •기 )
c _ 2 ^*
로 다시 쓸 수 있다.
전도대 하단 에서 전자에 대 한 -소의 일반적 인 형 태 는 질량이 유 효 질 량 으 로 대체된
것 을 제 외 하 고 는 자 유 전 자 와 같다. 따라서 전도대 하단의 전 자 는 자신의 특 별 한 질량
을 가진 자 유 전 자 로 생 각 할 수 있다. 식 (3.기 )의 우 변 은 상 태 밀 도 함 수 의 유도과정에서
사 용 되 었 던 식 (3.28)의 우 변 과 같 은 형태이 다 . 자 유 전 자 모 델 을 낳았던 이러 한 유사성
때문에 식 (3.69)의 자 유 전 자 결 과 를 일반화하여 전도대의 에 너 지 상 태 밀 도 를

gXE ) = ^ y ，2 V E ^ E-c (3.72)

로 쓸 수 있다. 식 (3.72)는 스 하 에 대하여 성 립 한 다 . 전 도 대 에 서 전자의 에너 지 가

감소함에 따 라 양자상태의 수 도 역시 감소한다.
가 전 자 대 의 양 자 상 태 밀 도 는 위 와 같 은 무 한 전 위 우 물 모 델 을 사 용 하 여 얻을 수 있
다. 왜 냐 하 면 정공 도 역시 반도체 결정에 갇 혀 있 고 자 유 전 자 로 취 급 할 수 있기 때문이
다. 정공의 유 효 질 량 은 w/ 이다. 그림 2.21 b 는 쇼-공간에서 가 전 자 대 를 보 여준다. 자유정
공에 대하여 A = 0 근처 에 서 E-k 곡 선 도 역 시 포 물 선 으 로 근 사 할 수 있으므로

= 요.- S (3.73)
이다. 식 (3.73)은

= I 을 (3_74)

로 다시 쓸 수 있다.
식 (3 J 4)의 우 변 은 상 태 밀 도 함수의 일반적 유 도 과 정에서 사 용 되 었 던 같 은 형태이
다. 따라서 식 (3.69)의 상 태 밀도함 수 를 일반화하여 가전자대에 적용함으로써

4tt (2씨;)3,2
gv{ E ) = V e ~ ^e
— " 一 - (3.75)

3) 유효질량 개념에 대하여 더 깊은 논의는 부록 F를 참고할 것.

90 Chapter 3 고체양자이론의 입문

그림 3.27 에너지 함수에 대한 전도대의 에너지상태밀도와 가전자대의 에너지상태밀도

을 얻을 수 있다. 식 (3.75)은 s v에 대하여 성립한다.

양 자 상 태 는 금지 대 내 부 에 는 존 재 하 지 않 는 다 고 설 명 하 였 다 . 그 러 므 로 E ” < E <

표c 에 대하여 g ( £ ) = 이다. 그림 3.27은 에너지함수에 대 한 양자상태밀도의 그 림 을 나

타 낸 다 . 전 자 와 정공의 유 효 질 량 이 같 으 면 ，함 수 & ( )와 & ( )는 착 와 。 사이의 에너
지 통 로 ，혹 은 중간캡 에너 지 midgap을 사이에 두 고 대칭이 될 것이다.

r = ■ K에서 와표 c + 자' 사이에 존재하는 Si의 에너지상태의 총 수를 계산한다.

행 n
식 (3.72)를 사용하여

N -- 47r(2m*)3/2 \ J E - EC•dE
^示
4 n { 2 m * ) i/2 2
(E ~ 베 :
— 1?----------
4t t [2( 1.08X9.11 X l -3I)]V2 2 [(0.0259X1.6 X l -19)]3/2
(6.625 X 10_34)3 3
2.1 2 父 1025 m 3
혹은

N = 2 .1 2 X 1019cm'

■
이 예제의 결과는 반도체의 양자상태 밀도의 크기를 가늠할 수 있게 한다.

연습문제
Ex 3.4 T = 300 K에서 '와 Ev-kT 사이에 존재하는 Si의 에너지상태의 총 수를 계산하
시오. ( s,0I X l&L = N .SW)
3.5 통계역학

많 은 수의 입 자 들 을 다 루는데 있어서 각 개별 입자의 거 동 보 다 는 전체로서 집단의 통

계적 거 동 을 취급하게 된다. 예를 들 면 용기 속에 든 가 스 는 용기 벽에 평균 압 력 을 가
하게 된다 . 이 압 력 은 사 실 은 용기 속의 개별 가 스 입자들의 충돌 에 의 한 것 이 지 만 입
자 가 벽에 부딪 힐 때 각 개별 분 자 를 추적하 지 않 는다. 결 정 에 서 도 마 찬 가 지 로 전기적
특 성 은 많 은 수의 전자들의 통계적 거동에 의하여 결정된다.

3.5. 1 통계 법칙

입자들의 통계적 거동 을 다루는데 있어서 입자들이 따 라 야 하 는 법 칙 들 을 고 려 해 야 한

다. 에너지 상태에서 입자들의 분 포 를 결 정하는 세 가지 분 포 법칙들이 있다.
첫째 분 포 법 칙 은 맥 스 웰 -볼 츠 만 (Maxwell-Boltzmann) 확 률 함 수 이 다 . 이 경우 입자
들 은 i 부터 N 등 으 로 번 호 를 매 김 으 로 써 구 분 가 능 하 고 ，각 에너지 상태 에 허 용 되 는
입자의 수에 제한이 없다. 적당히 낮 은 압력 상태 의 용기 속에 든 가 스 분 자 들 의 거동
은 이 분포의 예가 된다.
두 번째 분 포 법 칙 은 보 스 -아 인 슈 타 인 (Bose-Einstein) 함 수 이 다 . 이 경 우 입 자 들 은
구 분 불 가 능 하 고 각 양자상 태에 허 용 되 는 입자의 수 에 는 제한이 없다. 광자 , 혹 은 흑체
복사의 거동이 이 법칙의 예가 된다.
세 번째 분 포 법 칙 은 페 르 미 -디 락 (Fermi-Dirac) 확 률 함 수 이 다 . 이 경우 입 자 들 은 구
분 불 가 능 하 지 만 각 양자 상 태 에 오직 하나의 입자만이 허 용 된 다 . 결정의 전 자 들 은 이
러한 법칙 을 따른다. 각 경우 입 자들은 상 호 간 에 는 서로 영향을 주지 않는 것으로 가정
한다.

3.5. 2 페 르 미 - 디 락 확 률 함 수

그림 3.28은 요,■개의 양 자 상 태 를 갖 는 /번 째 에너지 준 위 를 보 여 주 고 있다. 파울리의 배

타 율 (Pauli’ s Exclusion Principle)에 의하여 각 양 자 상 태 에 최대 1 개의 입 자 가 존 재 할
수 있 다 . 1 번째 입 자 를 양 자 상 태 에 넣 을 수 있 는 방 법 은 g ,•
개가 있 고 ，2번째 입 자 는
(次一1 ) 개，3번째 입자는 (g,•
—2)개 등 이런 식으 로 각 입자를 각 양자상태 에 배 치 할 수
있는 방법의 개 수 가 존 재 한 다 . 그러 면 ;_번째 에너지 준위에서 '개 의 입자를 배 열 할 수
있는 방법의 수는

/번째 I • I • I • I •
에너지 준위 I 1 1 2 1 3 1 ................ | 幻

양자 상태

그림 3 . 2 8 ft개의 양자상태를 갖 는 펜 째 에너지 준위

92 Chapter 3 고체양자이론의 입문

(g,)fe - I ) ' " (g/ - ( N - 1 )) = (gi gJ N d' (3.76)

이다. 이 표 현 식 은 '개 의 입자의 자신들 간의 모든 교환( permutation)을 포 함 한 것이다.

그 러 나 , 입 자 는 서 로 구 별 할 수 없기 때문에 주 어 진 배열에서 자 신 들 간에 교환에
의한 서 ！
개의 교 환 은 별개의 배열로 간 주 할 수 없다. 예를 들면 2개의 전 자 들 간의 상호
교 환 은 새 로 운 배 열 로 구 별 할 수 없다. 그 러 므 로 , /번 째 에너지 준 위 에 서 서개 입자 를
배 치 할 수 있는 실제 독립된 배열의 개수는

써 = g.!
(3.77)
一W
이다.

■■醫 ■ ■ 다음의 경우 입자를 배 열할 수 있는 가능한 방법 의 수를 계산한다. (a) 1 = N, =

10, (b) gi = 10, N , = 9

풀이
(a) gi = Nt = 10; 식 (3.77)으로부터

多! _ 1 0! _ ,
N, \( g i - Nd\ _ 10! _
이 된다.
(b) 8i = 10, N ( = 9

g,! _ 10! _ d )(9!) _

m gi - m (9!)(1 ) (9!) _

[S ]
(a)와 같이 만약 1 0개의 양자상태에 1 0개의 입자를 배열한다면，단지 1 개의 가능한 배열이
있을 뿐이다. 각 양자상태는 1 개의 입자를 갖게 된다. (b)와 같이 9개의 입자를 1 개의 양자
상태에 배열할 경우 1 개의 빈 상태가 있으므로 빈 상대가 발생할 수 있는 경우의 수는 1 0가
지이다. 그래서 1 0가지 가능한 배열상태가 존재한다.

연습문제
Ex 3.5 만약 유，= 10, N , = 8이면 배열 가능한 경우의 수를 계산하시오.
(外 'SUV)

식 (3.77)은 /번 째 에너지 준 위 에 서 7V,•

개의 입자를 배 열 할 수 있는 독 립 된 방법의 가지
수 를 나 타 낸 다 . «개의 에너지 준 위 에 서 구 별 할 수 없는 입자 ( N x, n 2, n 3, .....，A g 개의
입자를 배 열 할 수 있는 가 능 한 모 든 방법의 가지 수 는

次!
，= n (3.78)
m ig -N d i

이다. 파라미 터 w 는 이 러 한 시스템에 서 7V개의 전 자 를 배 열 할 수 있는 모 든 방법의 가

지 수 를 나 타 내 고 , 여기서 yv = X L 끼 는 총 전자의 수 이 다 . 이제 최 대 확 률 분 포 를 계
산 하 고 자 한 다 . 즉 化의 최 댓 값 을 구 할 것이다. w 의 최 댓 값 은 ,■에서 '를 변화시키면
구 할 수 있 는 데 ，이렇게 하면 분 포 가 변 하 지 만 , 총 입자의 수 와 총 에 너 지 는 고정시켜
두 어 야 한다.

N ( E)
- f F ( E )=
8 ( E) (3.79)
1 + exp
(부 )

수 밀도 N ( E ) 는 단위 에 너 지 당 단위 부 피 당 입자의 수 이 며 ，함 수 g( )는 단위 에 너 지 당
단위 부피 당 양자상태 의 수이 다. 함수九(及)를 페 르 미 - 디 락 (Fermi-Dirac) 분 포 ，혹 은 확
률 함 수 라 고 하며, 에너지 에 있는 하나의 양 자 상 태 를 전 자가 차 지 할 확 률 을 나타낸다.
하 를 페르미 에 너 지 라 고 부 른 다 . 이 분 포 함 수 의 다 른 의 미 는 어느 에너지 에 있는 총
양자상태 중에서 전자로 채워진 양자상태의 비율이다.

3.5. 3 분 포 함 수 와 페르미 에너지

분 포 함 수 의 의 미 와 페르미 에 너 지 를 이해하기 위하여 에너지에 대한 분 포 함 수 를 그려

보자. 먼저 r = 0 K 라고 두 고 E < E f 경우를 생각한다. 식 (3.79)의 지 수항은 exp[(及 -
라 )셔 n 여 exp( -이 = 0이 된다. 결과적 인 분 포 함 수 는 /八 < E F) = 1 이 된다. 다시
T = 0 K 이 고 ，E > 하 의 경 우 를 생 각 한 다 . 분 포 함 수 의 지 수 항 은 exp[(及 -及 사 //:7] 구

exp( + ) > + »가 된다. 결 과 적 으 로 페 르 미 -디 락 분 포 함 수 는 /

一 > EF) = 0이 된다.
r = 0 K 에 대 한 페 르 미 -디 락 분 포 함 수 가 그림 3.29에 나 타 나 있다. 이 결과 는 T =

K 에서 전 자는 가 능 한 가장 낮 은 에너지 상태에 있음을 보 여 준 다 . 하나의 양 자 상 태 가

채워질 확 률 은 < 하 에 대해서 1 이 며 ，E > 하에 대해서는 이다. 모 든 전 자 들 은 r
= K 에서 페르미 에너지 이하의 에 너지를 갖는다.
그림 3.30은 어느 특정 시스템의 분리된 에너지 준 위 와 각 에너지에서 가능한 양자상
태의 수 를 보 여 준 다 . 이 경우 시 스 템 은 1 3개의 전 자를 가 진 다 고 가 정 하 면 ，그림 3.30은
이 전자들이 T = 0 K 에서 양 자상태 사이에 어떻게 분 포 되 는 지 를 보 여 준 다 . 전 자 들 은
가능 한 가 장 낮은 에너지 상태에 있으므로 에너지 준위 A 과 직 사이에 있는 양자상태 가
채워질 확 률 은 1 이 된다. 그 리 고 에너지 준위 5에 있는 양 자 상 태 가 채워질 확 률 은 이
된다. 이 경우 페르미 준 위 는 E 4 보 다 는 크 고 E 5 보 다 는 작 아 야 한다. 페르미 에너 지는
전자의 통계적 확 률 분 포 를 결정하며，허용된 에너지 준 위 와 일치할 필요는 없다.
양 자 상 태 밀 도 g( )가 그림 3.31 에서 보듯이 에너지의 연속함수일 경 우 를 생각하자.
이 시스템에서 /∼개의 전 자 가 있 으 면 ，r = 0 K 에서 양 자 상 태 사이 의 이 전 자 들 의 분
포 는 점 선 과 같이 보인다. 전 자 들 은 가장 낮은 에너지 상태에 있으므로 E f 아래의 모 든
상 태 들 은 채 워 지 고 ，E f 위의 모 든 상 태 들 은 비어있게 된다. 이 시스템에서 신 )와 、 가
알려져 있으면，페르미 에너지 다 를 결 정할 수 있다.
% Chapter 3 고체양자이론의 입문

UUUUUUUUU
---------------------------------- E5

今 1 .0 --------------------------------------- 모4

빠 、
쎄 E,
0 W W
E ------ Ef 2

그림 3 .2 9 r = 0 K에서 에너지에 대한 그림 3 .3 0 r = 0 K에서 어느 특정 시스템의

페르미 확률함수 분리된 에너지 준위와 양자상태

온도가 r = K 이 상 으 로 증 가 할 경 우 를 생 각 하 자 . 전 자 들 은 어느 정도의 열에너

지 를 얻게 되어 일부 전 자 들 은 더 높 은 에너지 준 위 로 올 라 가 게 되 며 ，이 것 은 에너지
상 태 들 사이에 전자의 분 포 가 변하 는 것을 의미한 다 . 그림 3.32는 그림 3.30과 같 은 에
너지 준 위 와 양 자 상 태 를 나 타 낸 다 . 양자상태 사이의 전자의 분 포 는 r = K 의 경우로
부터 변 화 하 였 다 . E 4 준 위 로 부 터 두 전자들이 충 분 한 에 너 지 를 얻어서 5로 이 동 하 였
으 며 ， 3로부터 하나의 전 자 가 4로 이 동 하 였 다 . 온 도 가 증가함에 따 라 에너지에 대한
전자의 분 포 는 변화한다.
T 〉 0 K 에서 에너지 준위에 대한 전자분포의 변화 는 페 르 미 -디 락 분 포 함 수 를 그림
으로써 알 수 있다. E = 하 와 r 〉 0 K 에서 식 (3.79)는

ME = Ef) = 1 + exp (0) = I 士 ! = \

이 된다. E = 하 에 서 하나의 상 태 가 채워질 확 률 은 士이다. 그림 3.33은 페르미 에너지

는 온도에 대하여 무 관 하 다 고 가 정 하 고 여러 온 도 에 대해서 그 려 진 페 르 미 -디 락 분 포
함 수 를 보여준다.
절대온 도 0 K 이상의 온도에서 E f 위의 에너지상태들이 전자에 의하여 채워질 확 률
이 이 아 니 며 ，E f 아래의 에 너 지 상 태 들 이 비 어 있 을 확률이 존 재 한 다 . 이 결 과 는 일부

그림 3.31 r = 0K 에서 연속 에너지 시스템의 양자상•

태 그림 3 .3 2 r 0 K에 대한 그림 2.31 와 같
밀도 및 전자밀도 은 시스템의 에너지 준위와 양자상태
 3.5 통계역학 95

전자들이 열에너지의 증 가 와 함께 더 높 은 에너지 준 위 로 이 동함을 의미한다.

I목적 I E f 보다 큰 에너지 상태가 전자로 채워질 확률을 계산한다.

온도 r = 300 K 라고 둔다. 페르미 에너지 보다 3保 위의 에너지 준위가 전자로 채워질 확
률을 계산하라.

식 (3.79)로부터

ffiE ) IE '3 k T \
1 + exp | 1 +exp 、k T I

이며，

M E ) 0.0474 = 4.74%
1 + 20.09

이다.

■
E f 보다 큰 에너지에서 어느 상태가 전자로 채워질 확률，혹은 가능한 양자상태에 대한 전
자 수의 비는 1 보다 훨씬 작아진다.

연습^^
Ex 3.6 페르미 에너지가 전도대 아래 0.3 … 에 위치한다. T = 300 K 라 가정하자. ⑷ E

= Ec + k T /4 에너지 준위에 전자가 존재 할 확률을 계산하시오. (b) E = + 에 대해서

( a ) 의 계산을 반복하시오. [„_ [ x 休•(q) V O I X 9 Z.L 抑 suy]

그림 3.33으 로부터 위의 에 너 지 가 채워질 확 률 은 온 도 가 증 가 함 에 따 라 증 가 하 고

E f 아래의 상 태 가 비워질 확 률 은 온 도 가 증가함 에 따 라 증가한다.

목적 어느 에너지 상태가 비워질 확률이 1% 되는 온도를 계산한다.

특정 물질의 페르미 에너지 준위가 6.25 eV이고，이 물질의 전자들은 페르미-디락 분포함수
를 따른다고 가정하자. 페르미 에너지 아래 0.3 eV 상태가 전자를 갖지 않을 확률이 1 %되
96 Chapter 3 고체양자이론의 입문

는 온도를 계산하라.

행 n
어느 상태가 비워질 확률은

IE ~ ^ f \
1 + exp
kT I
이며，

0.01 =

1 + exp 5.95 - 6.25 \

一 1元 )

이다. W 에 대하여 풀면 肝 = 0.06529 … 이므로 온도는 T = 756 K가 된다.

區 互 )
페르미 확률함수는 온도의 영향이 큰 함수이다.

연습^^
Ex 3.7 E f 가 Ec 아래 0.3 에 위치한다. E = EC + 0.025 eV 에너지 준위에 전자가
존재할 확률이 8 x 1C 6이 되는 온도를 계산하시오. 여 = 1 suy)

E f 보 다 dE 위에 있는 상 태 가 채워 질 확 률 은 E f 보 다 dE 아래에 있는 상 태 가 비워질
확 률 과 같 다 는 점에 유의하 라 . 함 수 九 (幻 는 페르미 에너지 타 에 대하여 함 수 1 - M E)
와 대칭이다. 이러 한 대칭성질이 그림 3.34에 나타 나 있고 다음 장에서 사용될 것이다.
E - E f » 표 인 경우를 생각하자. 이 경우 식 (3.79)의 분모에 있는 지 수 항 은 1 보다
훨씬 큰 값 을 갖 는 다 . 분모의 1을 무시하면 페 르 미 -디 락 분 포 함 수 는

—(E — E f )
/ (公) = exp (3.80)
kT

이 된다. 식 (3.80)은 페르미-디 락 분 포 함 수 의 맥 스 웰 -볼 츠 만 근 사 ，혹 은 간단히 볼 츠 만

근 사 라 고 한다. 그림 3.35는 페 르 미 -디 락 확 률 함 수 와 볼 츠 만 근 사 를 보 여 준 다 . 이 그림

그림 3.34 양자상태가 채워질 확률，

/p(幻와 비워질 확률，1 - fF(E)
은 근 사 가 성 립하는 에너지 영역을 나타내고 있다. S

S S 볼츠만 근사가 성 립하는 에너지를 결정한다.

볼츠만 근사와 페르미-디 락 함수의 차이가 페르미 함수의 5% 되는 에너지를 竹'와 타 로 계
산하라.

그러면

exp
[ 뿌 ] 1 + exp e - ef \
kT 1
= 0.05
1 + exp
(부 )
이 다. 분모와 분자를 1 + exp( )로 곱하면
E Ef )
] -jl + exp[ E Ef
'- ( ~ ~ ]
exp 一 1 = 0.05
. kT kT \

이 되고，
_ (E - Ef )
exp 0.05
kT
혹:은
(E - E f ) = k T ln « 3kT

이 된다.

■
이 예제와 그림 3.33에서 보듯이 E - Ef 》 kT 은 다소 오해의 여지가 있다. 맥스웰-볼츠만
과 페르미-디락 함수는 E — E f - 3 kT 일 때 서로 5% 차이 내에 들게 된다.

연습 문제
Ex 3.8 볼츠만 근사와 페르미 -디 락 함수의 차이가 페르미 함수의 2% 되는 경우에 대해
서 예제 3.8의 계산을 반복하시오. (J M 'i = J3 - 3 -suy)
98 Chapter3 고체양자이론의 입문

실제 볼 츠 만 근 사 는 exp [ ( E - EF) / k n 〉〉 1 일 때 성 립한다. 그러 나, 볼 츠 만 근 사 를 적용

할 때 일 반 적 으 로 E - E f » kT 을 사 용 한 다 . 다 음 장에서 반 도 체 를 논 의 할 때 이 볼 츠
만 근 사 를 사 용 할 것이 다.

이해도평가

TYU 3.5 페르미 에너지가 가전자대 위 0.35 에 위치한다. 온도는 T = 300 K 이다. (a)
E = E v —k m 에너지 준위에 전자가 비어 있을 확률 을 계산하시오. (b ) E =
Ev -3 k T /2 에너지 준위에 대해서 반복하시오. L-OI x Z0'£ (q) -i-01 父OZ’8 料 'suy]
TYU 3.6 T = 400 K에 대해서 Ex 3.6을 반복하시오. [s_ I x IZ 9 W VOI x I t 抑 -suy]
TYU 3.7 T = 400 K 에 대해서 TYU 3.5를 반복하시오. [9-0l X S8'8 ⑷ 네 父I V Z (비 'suy]

3. 6 요 약

■ 결정이 형성되도록 원자들을 가까이 접근시키면 전자의 양자화된 에너지 준위들이 분

리되어 에너지밴드를 만든다.
■ 허용밴드와 금지밴드의 개념은 양자역학과 슈뢰딩 거 파동방정식을 Kronig-Penney 모
델을 사용하여 단결정의 전위함수에 적용하면 보다 깊이 이해할 수 있다. 이 결과는 반
도체의 에너지밴드 이론의 기초가 된다.
■ 유효질량의 개념을 배웠다. 유효질량은 외부 힘에 대한 결정 내부에서 입자의 운동과
관계되며，결정격자가 입자 운동에 미치는 영향을 고려한 것이다.
■ 반도체 에는 2 종류의 전하 입자가 존재한다. 전자는 허용 에 너 지 밴드의 바닥에 너 지 에
존재하고 음의 전하와 양의 질량을 갖는다. 정공은 허용 에너지밴드의 꼭대기에너지에
존재하며 양의 전하와 양의 질량을 갖는다.
■ 실리콘 와 갈륨비소 반도체의 E-k 다이어그 램을 살 펴 보 았 고 ，직접 밴드와 간접밴드의
개념을 논의하였다.
■ 허용 에너지밴드 내의 에너지들은 실제 분리된 에너지 준위들이 고，각각은 유한한 수
의 양자상태를 내포하고 있다. 양자상태의 단위에너지당 밀도 3차원 무한양자우물 을
모델로 사용하여 유도하였다.
■ 많은 수의 전자와 정공들을 취급함에 있어서 이러한 입자들의 통계적 거동을 고려해야
한다. 페르미-디락 확률함수를 유도하였다. 이것은 에너지 표에 있는 양자상태를 전자
가 차지할 확률을 나타낸다. 페르미 에너지를 정의하였다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

허용 에너지밴드 양자역학을 기초로하여 결정내의 전자가 차지하도록 허용된 에너지 준위

의 영역 혹은 에너지밴드
상태밀도함수 단위부피당 단위에너지당 개수의 단위를 사용하며, 에너지에 대한 양자상태
 의 밀도 함수
전자 유효질량 결정의 전도대 가속도와 외부힘과 관계된 파라미터 ; 결정의 내부힘의 영향
을 고려한 파라미 터
페 르 미 -디 락 분 포 함 수 허용된 에너지 상태가 전자에 의하여 채워질 확률과 에너지 상태에
서 전자의 통계적 분포를 나타내는 함수
페르미 에너지 간단히 정의하면 ，T = 0 K 에서 그 에너지 이하의 모든 상태는 전자로 채워
지고 그 이상의 모든 상태는 비어있는 에너지
금지 에너지밴드 양자역학을 기초로 하여 결정에서 전자가 차지하도록 허용되지 않은 에너
지 준위의 영역，혹은 에너지밴드
정 공 가전자대 상단에 있는 전자의 빈 상태와 관련된 양전하를 띤 입자
정공 유효질량 결정의 가전자대 정공의 가속도와 외부힘과 관계된 파라미터 ; 결정의 내부
힘의 영 향 을 고 려 한 파라미터
k - 공 간 다 이 어 그 램 결정의 전자 에너지에 대한 쇼관계 도표. 여기서 쇼는 결정간섭과 연관
된 운동의 운동량 관련 상수이 다.
크 로 니 - 페 니 모 델 주기 계단 함수들에 의해 일차원 단결정 격자에 존재하는 주기 전위함

수의 수학적 모델
M axw ell-B olzm ann 근 사 Fermi 에너지의 수 AT 이하，혹은 이상의 에너지에서 Fermi-
Dirac 분포함수가 간단한 지수함수로 근사될 수 있는 조건

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장을 공부한 후，독자들은 다음과 같은 능력을 갖추어야 한다.

■ 허용 에너지대와 금지 에너지대의 개념에 대하여 논할 수 있다.
■ 실리콘에서 에너 지 밴드의 나뉨을 말할 수 있다.
■ k 다이어그램에 대한 로부터의 유효질량을 정의할 수 있고, 결정에서 입자의 운동에
대한 개념적 의미를 말할 수 있다.
■ 홀의 개 념 을 설 명 할 수 있 다 .
■ 금속，절연체 그리고 반도체간의 차이점을 에너지밴드의 개념으로 열거할 수 있다.
■ 상태 밀도함수의 유효밀도를 구할 수 있다.
■ 상태 밀도함수의 의 미가 무엇인가?
■ 페르미-디락 분포 함수와 페르미 에너지의 의미를 이해한다.

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

1. Kronig-Penney 모델이란 무엇인가? 그것이 의미 있는 결과는 무엇인가?

2. 슈레딩 거 파동방정식에 크로니-페니 모델을 사용한 두 가지 결과에 대하여 논하라.
3. 유효질량이란 무엇인가? E-k 곡선에서 유효질량은 어떻게 정의되는가?
4. 직 접 밴드갭 반도체란 무엇인가? 간접 밴드캡 반도체란 무엇인가?
5. 상태밀도함수의 의미는 무엇인가?
6. 상태밀도함수를 유도하는데 사용되는 수학적 모델은 무엇인가?
1 00 Chapter3 고체양자이론의 입문

7. 일반적으로, 상태밀도와 에너지 사이의 관계는 무엇인가?

8. 페르미-디락 확률함수의 의미는 무엇인가?
9. 페르미 에너지란무엇인가?

문제

3.1 절 허 용 에 너 지 밴 드 와 금 지 대

3.1 실리콘의 에너지밴드 분리를 보여주는 그림 3.4b를 고려하자. 평형상태의 원자 간의

간격이 변화할 경우 실리콘의 전기적 특성은 어떻게 변하는가를 논의하라. 어느 정
도 간격에서 물질이 절연체 또는 금속처럼 행동하는가를 결정하라.
3.2 식 (3.3)에 주어진 풀이 형식을 이용하여 식 (3.4)와 (3.6)이 슈뢰딩거 파동방정식으
로부터 유도된 것을 보여 라.
3.3 식 (3.9)와 (3.1 0)이 각각 식 (3.4)와 (3.8)에서 주어진 미분방정식의 해임을 보여라.
3.4 식 (3.1 2)，(3.1 4)，(3.1 6)，그리고 (3.1 8)이 크로니-페니 모델에서 경계조건으로부터
나온 결과임을 보여라.
3.5 (a) 0 ^ aa ^ 4ir 에서 함 수 /(ota) = 12(sin aa)/aa +cos a a 를 그려라. 또한，f ( a a )
= COS ka 로 주어 진 함수에서 이 수 식 을 만 족 하 는 a 田 값을 찾아라. (b)(i) ka = t t,

(ii) A:a = 2tt ■

일 때 aa 값을 구하라.
3.6 함수 f(a a ) = 5 sin aa /aa+cos aa = cos 灰公에 대하여 문제 3.5를 반복하라.
3.7 식 (3.24)을 이용하여, « = 0, I , 2, ... 에 대하여, k = mr/a 에서 dE ldk = 0임을 보여
라.
3.8 문제 3.5의 변수들과 a = 4.2 A 을 이용하여，(a) ka = t t , (b) k a = 2tt 에 존재하는
금지 에너지밴드의 폭(eV로)을 구하라. (그림 3.8c를 참조하라.)
3.9 문제 3.5의 변수들과 a = 4.2 A 을 이 용 하 여 ，(a) 0 < to < t t , (b) 0 < ka < 2t t 에
존재하는 허용 에너지밴드의 폭<eV로)을 구하라.
3.10 문제 3.6의 변수들을 이용하여 문제 3.8을 반복하라.
3.11 문제 3.6의 변수들을 이용하여 문제 3.9를 반복하라.
3.12 반도체의 밴드캡 에너지는 보통 약한 온도의 함수이다. 어떤 경우 밴드캡 에너지와
온도와의 관계는 Eg = 切 0) - 으로 수식화할 수 있다. 여기서 & (0)는 T = 0 K

에서 밴드접 에너 지 값이다. 실리콘에서 변수값들은 &( ) = 1 .1 7 0 e V , a = 4. 7 3 x

1 0 - 4 e V /K 그리고 (3 = 63 6 K 이다. 0 호r 흐 6 00 K 사이에서의 온도에 대한及 를

그려라. 특히，그 = 3 00 K 에서 값을 표기하라.

3 .2 절 고 체 의 전 기 전 도

3.1 3 두 개의 가능한 전도대가 그림 P3.13에서 E -k 곡선으로 주어져 있다. 어느 밴드의 전

자유효질량이 더 무거운지 결정하고, 그 이유를 설명하라.
3.14 두 개의 가능한 가전자대가 그림 P3.14에서 E -k 곡선으로 주어져 있다. 어느 밴드의
정공유효질량이 더 무거운지 결정하고, 그 이유를 설명하라.
 문제 101

k— k (k ~ {)

그림 P3.15 문 제 3.1 5 를 위 한 그 림 그림 P3.16 문 제 3.1 6을 위 한 그 림

3.15 각각의 허용 에너지밴드에 대한 -쇼곡선이 그림 P3.1 5에 주어져 있다. (a) 유효질량

의 부호와 (b) 표기된 네 가지 위치에서 입자의 진행방향을 구하라.
3.16 그림 P3.1 6은 두 가지 반도체 물질에 대한 전자의 전도대 E -k 곡선 을 보이고 있다.
두 전자의 유효질량(자유전자 질량단위로)을 구하라.
3.17 그림 P3.1 7은 두 가지 반도체 물질에 대한 정공의 가전자대 E -k 곡선을 보이고 있다.
두 정공의 유효질량(자유전자 질량단위로)을 구하라.
3.18 (a) GaAs의 금지대 밴드캡 에너지는 1 .42 … 이다. (i) 가전자와 간섭하여 전자를 전
도대로 이온화할 수 있는 입사 광자의 최소 주파수를 구하라. (ii) 그에 해당하는 파
장을 구하라. (b) 실리콘 에너지밴드캡이 1.12 … 일 때 (a)를 반복하라.
3.19 자유전자의 E -k 곡선(곡선 A)과 반도체에서 전자의 E -k 곡선(곡선 비이 그림 P3.I9
에 나타나 있다. (a) 각 곡선에 대한 dE ldk 니:곡선과 (b) 각 곡선에 대한 산 E ld k 2 -쇼곡
선을 그려라. (c) 두 경우에 있어서 유효질 량을 비교하였을 때 어떤 결론을 내릴 수
있는가?

3 .3절 삼 차 원 으 로 확 장

3.20 실리콘의 에너지밴드가 그림 3.25b 에 나타나 있다. 전도대의 최소 에너지는 [1 0이방

향에 있다. 최솟값 근처에서 일차원 방향의 에너지는 다음과 같이 근사할 수 있다.
E = E — E\ cos a (k — Jc )
1 02 Chapter3 고체양자이론의 입문

그림 P3.1 9 문제 3.1 9를 위한 그림

여기서 차)는 최소 에너지에서의 값이다. k = 知에서 입자의 유효 질 량 을 위 수식의

파라미 터를 사용하여 나타내 라.
3.21 게르마늄의 전도대에 있는 전자에 대해서 일정한 운동에너지 곡선은 실리콘과 같이
4개의 타원으로 이루어 져 있다(부록 F 참조). 장축과 단축의 유효질량은 각각 m , =
1 .64w0, m, = 0.082꼐 이 다 . (a) 상태밀도 유효질량，(b) 전도도 유효질량을 각각 구하
라•
3.22 어 사 에 는 유효질량이 각각 mhh = 0.45예)과 mlh = 0.082써0인 무거운 정공과 가 벼
운 정공이 존재한다. (a) 상태밀도 유효질량，(b) 전도도 유효질량을 각각 구하라.

3 .4절 상 태 밀 도 함 수

3.23 식 (3.59)에 주어진 삼차원 무한 전위우물함수와 변수분리법을 이용하여 식 (3.60)을

유도하라.
3.24 식 (3.69)가 식 (3.64)로부터 유도될 수 있음을 보여 라.
3.25 GaAs(w„ = 0.067께))에서 1차원적 인 전자가스의 상태밀도함수를 유도하라. 운동에
너지는 = (± p )2/2<= 이며，각 에너 지 준위마다 2개의 운동량 상태가 존재함을 의
미한다는 것을 주의하라.
3.26 (a) (i) T = 300 K와 (ii) T = 400 K에서 와 E .+ 2 k T 사이에 존재하는 실리콘의 에
너지상태의 총수를 구하라. (b ) GaAs에 대해서 (a) 문제를 반복하라.
3.27 (a) (i) T = 300 K와 (ii) T = 400 K 에서 와 Ec-2 k T 사이에 존재하는 실리콘의 에
너지상태의 총수를 구하라. (b) GaAs에 대해서 (a) 문제를 반복하라.
3.28 (a) 실리콘의 전도대에서 Ec < E < 兵.+0.4 eV 범위에 존 재하는 상태 밀 도 를 그려
라. (b) 가전자대에서 „_ 0.4 eW < E < Ev 범위에 존재하는 상태밀도를 그려라.
3.29 (a)실리콘에서 가전자대의 에 존재하는 상태밀도에 대한 전도대의 . +대 에
존재하는 상태밀도의 비율을 구하라. (b) GaAs에 대하여 (a) 문제를 반복하라.

3 .5 절 통계 역 학

3.30 (a) T = 200 K, (b) T = 300 K, (c) T = 400 K 에 대해서 一0.2 < ( E - E F) < 0.2 eV
범위에서 식 (3.79)로 표현되는 페르미-디락 확률함수를 그려라.
3.31 (a) gi = 1 0이고 끼 = 7 에 대해서 예제 3.5를 반복하라. (b) (i) gi = 1 2, N t = 10 그
리고 (ii) gi = 1 2’ N, = 8에 대해서 (a) 문제를 반복하라.
3.32 만약 어느 상태의 에너지 준위가 페르미 에너지 보다 (a) k T, (b) 5k T, (c) ■ 만큼
위에 위치할 때 그 에너지 준위가 전자로 채워질 확률을 구하라.
3.33 만약 어느 상태의 에너지 준위가 페르미 에너지 보다 (a) kT, (b) 5 k T, (c) 1 0奸 만큼
아래에 위치할 때 그 에너지 준위가 비어있을 확률을 구하라.
3.34 (a) 실리콘에서 페르미 에너지가 전도대 에너지 及c보다 0.30 eV 낮은 위치에 있다. T
= 300 K 에서 及f 드 드 E c + 2 k T 범위에 있는 상태를 전자가 차지 할 확률을 그려
라. (b) 실리콘에서 페르미 에너지가 가전대 에너지 '보 다 0.25 eV 높은 위치에 있
다. E v - 2 k T eV < < „ 범위에 있는 상태에 전자가 비어있을 확률을 그려라.
3.35 & + 以의 에너지상태에 전자가 채워질 확률은 의 에너 지상태에 비어 있을 확
률과 같다. 페르미 에너지 준위의 위치를 착 와 , 의 함수로 결정하라.
3.36 6개의 자유전자들이 폭이 a = 12 A 인 무한 전위우물 안에 있다. :r = 0 일 때 페르
미 에너지 준위를 구하라.
3.37 (a) 5 개의 전자가 세 면의 폭이 모두 10 A 로 동일한 삼차원 무한 전위우물 안에 존
재한다. 이것들이 자유전 자라 가정할 때 ，：
r = k 에서 페르미 에너지는 얼마인가?
(b) 13개의 전자에 대하여 (a)를 반복하라.
3.38 페르미 에너지로부터 만큼 위에 있는 에너지 상태에 전자가 채워질 확률이 페르
미준위로부터 A 만큼 아래에 있는 에너지 상태에 전자가 비어 있을 확률과 같다는
것을 보여 라.
3.39 (a) E P 위에 있는 에너지로서 페르미-디락 확률 함수가 볼츠만 근사의 1% 이내가 되
는 에너지를 결정하라. (b) 이 에너지의 확률 함수의 값을 계산하라.
3.40 T = 300 K 에서 특정 물질의 페르미 에너지 준위가 5.50 … 이다. 이 물질안의 전자
는 페르미-디 락 분포 함수를 따른다. (a) 5.80 eV를 전자가 차지할 확률을 구하라. (b)
온도가 T = 700 K로 증가할 때 (a)를 반복하라 (하 는 일정하다고 가정하자). (c) 페
르미 준위 아래 .25 eV 에너지 상태에 전자가 비어있을 확률이 2%인 온도를 계산
하라.
3.41 T = 300 K 에서 구리의 페르미 에너지는 7.0 eV 이다. 구리에서 전자는 페르미-디락
분포함수에 따른다. (a) 7.1 5 eV 에 너지를 전자가 차 지 할 확률 을 구하라. (b ) T =
1 000 K 인 경우에 대하여 (a)를 반복하라 (하 는 일정하다고 가정하자). (C ) E = 6.85
eV, r = 300 K 인 경우에 대하여 (a)를 반복하라. (d) T = 300 K와 T = 1 000 K에서
E = 다 를 전자가 차지할 확률을 구하라.
3.42 그림 P3.42 의 에너 지 준위를 고려하자. T = 300 K 이다. (a) 만일 직 - E F = 0.30 eV
이면 = 직 를 전자가 차지할 확률을 구하라, 그리고 E = 2에 전자가 비어있을 확
률을 구하라. (b) E f - E 2 = 0.40 … 일 경우에 대하여 (a)를 반복하라.
3.43 , - 及2 = 1.42 … 인 경우에 대하여 문제 3.42를 반복하라.
3.44 페르미-디락 분포함수의 에너지에 대한 도함수를 구하라. (a) T = 0 K, (b) T = 300
K, 그리고 (c) T = 500 K 에서 에너지에 대한 도함수를 그려라.
3.45 T = 300 K 에서 페르미 에너지 준위가 정확하게 반도체의 밴드캡의 중간이라고 가
m Chapter3 고체양자이론의 입문

• ev

K
?

그림 P3.42 문제 3.42를 위한 에너지 준위

정하자. (a) Si, Ge, GaAs 에 대하여 전도대의 최소 에너지 상태가 전자에 의해 점유
될 확률을 계산하라. (b) Si, Ge, GaAs 에 대하여 가전자대 최대 에너지 상태가 비어
있을 확률을 계산하라.
3.46 페르미 에너 지로부터 0.60 eV 만큼 위에 있는 에너 지 상태가 전자 점유 확률이 m - 8
이 되는 온도를 계산하라. (b)확률이 1(T6일 때 (a)를 반복하라.
3.47 EF = 5.0 eV 이고 (a) T = 200 K, (b) T = 400 K 인 경우에 대하여 / ( ) = 0.95 와
M E ) = 0.05 사이의 에너지 범위(eV 로)를 구하라.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. Dimitrijev, S. Prin ci p les o f Se mico nd uct or D e vices. New York: Oxford University,
2006.
2. Kano, K. Se micon d uct or D e vic es. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1998.
3. Kittel, C. In tro d uctio n to So lid State P h ysics, 7th ed. Berlin: Springer-Verlag, 1993.
4. McKelvey, J. P. So lid State P h ysics f o r En g in e erin g a n d M a t e rials Scie nce. Malabar,
FL: Krieger, 1993.
5. Pierret, R. F. Se mico nd uct or _D끗 Fu n d a m e n t als. Reading, MA: Addison-Wesley,
1996.
* 6. Shockley, W. Ele c tr o ns a n d H oles in Se mico nd uct ors. New York: D. Van Nostrand,
1950.
7. Shur, M. In tro d uctio n to Ele c t r o n ic D e vices. New York: John Wiley and Sons, 1996.
*8. Shur, M. P h ysics o f Se mico nd uct or D e vices. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1990.
9. Singh, J. Se micon d uct or D e v ic es: A n In tro d uctio n. New York: McGraw-Hill, 1994.
10. Singh, J. Se micon d uct or D e v ic es: B asic Prin ci p les. New York: John Wiley and Sons,
11. Streetman, B. G., and S. K. Banerjee. So lid State Ele c t r o n ic D e vic es, 6 th ed. Upper
Saddle River, NJ: Pearson Prentice Hall, 2006.
12. Sze, S. M. Se mico nd uct or D e v ic es: Ph ysics a n d Tech nolo gy, 2nd ed. New York: John
Wiley and Sons, 2001.
*13. Wang, S. Fu n d a m e n t als o f Se mico nd uct or Th e o ry a n d D e vic e P h ysics. Englewood
Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1988.
14. Wolfe, C. M., N. Holonyak, Jr., and G. E. Stillman. P h ysic a l Pro p erties o f
Se mico nd uct ors. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1989.

표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

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평 형 상 태 의 반도체

지금까지 일반적인 결정을 다루었고 단결정 격자에서 전자의 몇 가지 특성을 밝히기 위하여 양
자역학의 개념을 일반적인 결정에 적용하였다. 이 장에서는 이 개념들을 특별히 반도체에 적용
할 것이다. 특히 페르미-디락 확률함수와 함께 가전자대와 전도대의 양자상태 밀도를 사용하여
가전자대와 전도대의 전자 및 정공의 농도를 각각 계산할 것이다. 또한 페르미 에너지 개념을
반도체에 적용할 것이다.
반도체 소자의 전류-전압 특성을 밝히는 것이 최종 관심사이다. 전류는 전하의 순흐름에 기
인하므로 전류를 만드는데 사용되는 전하 캐리어의 수를 결정하는 것이 필요하다. 우리는 금속
도선에서 주요 전하 캐리어로서 전자에 익숙해 있다. 반도체에서는 전하 캐리어로서 전자 뿐
아니라 이와 상응하게 중요한 2차 캐리어로서 정공이 있다. 이 장은 전자와 정공의 농도에 초
점이 있으며 반도체와 관련한 다양한 용어들을 취급한다.
이 장에서는 평형상태(equilibrium)의 반도체를 다룬다. 평형상태 혹은 열평형상태(thermal
equilibrium)는 전압, 전계 자기장 혹은 온도 기울기와 같은 외부 힘이 반도체에 작용하지 않는
상태를 의미한다. 이 경우 반도체의 모든 성질은 시간에 대하여 변하지 않는다. ■

A. 0 개설
■ 페르미 에너지에 대한 반도체의 열평형상태의 전자 및 정공농도 표현식 유도
■ 반도체에 특정 불 순 물 원 소들을 주입함으 로써 반도체의 물 성 을 의 도 적 으 로 변화
시 키 는 공정에 대한 논의
■ 반도체 에 주 입 된 도펀트 의 농도 에 대 한 열평 형 상 태 의 전자 및 정 공 농 도 표현식
유도
■ 반 도 체 에 주 입 된 도 펀 트 의 농도 에 대 한 에 너 지 밴 드 에 서 페르미 에너지의 위치
결정

1 05
1 06 Chapter 4 평형상태의 반도체

A.1 반 도 체 의 전 하 캐리어
전 류 는 시 간 당 이 동 한 전 하 량 으 로 결 정 된 다 . 반 도 체 에 는 전 자 와 정공의 두 가지 형태
의 전 하 캐 리 어 가 전류에 기여한 다 . 반도체에서 전 류 는 주 로 전도대의 전자의 수 와 가
전자대의 정공의 수에 의하여 결정되므로 반도체의 중 요 한 특 성 은 이 러한 전하 캐리어
의 농 도 이 다 . 전 자 와 정공의 농 도 는 앞에서 이미 다 루 었 던 상 태 밀 도 함 수 와 페르미 분
포 함 수 에 관 련 된 다 . 이 러 한 관계의 정성적 논의 후 열평형 상 태 의 전 자 와 정공의 농 도
를 수 학 적 으 로 유 도 할 것이다.

A.1.1 평형상태 의 전 자 와 정공 분포

전도대의 에너지 에 대 한 전자농도의 분 포 는 양자상태 밀 도 와 하나의 양 자 상 태 가 전자

에 의하여 채워질 확률의 곱 으 로 주어진다. 이것은 다 음 과 같 은 방 정 식 으 로 쓸 수 있다.

n ( E ) = gc( E )f F( E ) (4.1 )

여기서 / >(公)는 페 르 미 -디 락 확 률 함 수 이 고 , &(及 )는 전도대의 양자상태 밀도이다. 전

도대에서 단 위 부 피 당 총 전 자 농 도 는 전체 전도대 에너지에 대하여 식 (4.1 )을 적분함 으
로써 구 할 수 있다.
이 와 유 사하게 가전자 대의 에너지에 대 한 정공의 분 포 도 가전자대의 양 자 상 태 밀 도
와 양 자 상 태 가 전자에 의하여 채워지지 않 을 확 률 의 곱 과 같다 . 즉 다 음 과 같이 주어
진다.

p(E ) = g„( )[l - M E ) ] (4.2)

단위 부피 당 총 정공의 농 도 는 이 함 수 를 가전자대 의 전체 에너지에 대하여 적 분함으

로써 구 할 수 있다.
열 평 형 상 태 의 전 자 와 정공의 농 도 를 구하기 위해서 전도대 하 단 부 & 와 가전자대
상 단 부 。 에 대한 페르미 에너지 하 의 위 치 를 결 정 하 는 것이 필요하다. 이 문 제 를 다루
기 위해서 먼저 진 성 반 도 체 (intrinsic semiconductor)를 고 려 할 것이다. 이상적인 진성 반
도 체 는 불 순 물 과 결함이 전혀 없는 순 수 한 반 도 체 이 다 . 앞 절에서 논 의 한 바 와 같이 r
= k 의 진 성 반 도 체 에 서 가전 자 대 의 모 든 에너지 상 태 는 전 자 로 채 워 지 고 전도대의

모 든 에너지 상 태 는 전자의 빈 상 태 이 다 . 그 러 므 로 페르미 에 너 지 는 .와 & 사이에 있

어야 한다. (페르 미 에너지는 허용된 에너지밴드에 있어야 하 는 것은 아니 다 .)
온 도 가 0 K 이 상으로 증가함에 따 라 가 전 자 들 은 열에너 지를 얻게 된다. 가전자대의
일부 전 자 들 은 충 분 한 에 너 지 를 얻어서 전 도 대 로 올 라 가 게 된다. 전 자 가 가전자대에서
전 도 대 로 올 라 가 게 됨에 따 라 가 전 자 대 에 전자의 빈 자리 즉 정공이 생 성 된 다 . 따라서
진 성 반 도 체 에 서 는 열에너지에 의하여 전 자 와 정공의 쌍이 생 성 되 므 로 전도대의 전자
의 수 와 가전자대의 정공의 수 는 같다.
그림 4.1 은 전도대의 상 태 밀 도 함 수 此 (리 와 가전자대 의 상 태 밀 도 함 수 요V(E) 그 리 고
 4 .1 반 도 체 의 전 하 캐 리 어 1 7

그림 4.1 (a) 상태밀도함수，페르미-디락 확률함수，그리고 하가 중간갭(midgap) 에너지 근처에 있을 경우 전자와 정공의 농도를
나타내는 면적; (b) 전도대 하단부 부근을 확대한 그림, (c) 가전자대 상단부 부근을 확대한 그림.

T > K 에서 하 가 c와 의 대략 중간정 도에 위 치 하 는 페 르 미 -디 락 분 포 함 수 를 보여
준 다 . 전 자 와 정공의 유 효 질 량 이 같 다 고 가 정 하 면 此 (幻 와 ∼( )는 중 간 에너 지 (하 와
의 가운데 에 너지 )에 대하여 대 칭 함 수 가 된다. 이미 언 급 한 바 와 같이 E > 하 에 대한
함 수 /f ( )는 에너지 E = 하 에 대하여 < 하 에 대 한 함 수 l - / f ( )에 대칭이 다 . 이것
은 E = 하 + 바에 대 한 함 수 />( )는 E = F_ d 어] 대 한 함 수 1 一/ (及)와 같 다 는 것을
의미한다.
그림 4.lb 는 전도대 에너지 E c 위에서 /乂 )와 gc( )의 그 래 프 를 보 여 주 는 그림 4.1 a
을 확 대 한 그림이다. 此 ( )와 /F( )의 곱 은 식 (4.1 )에서 주어진 전도대의 전자농도 분포
«( )를 나타낸 다 . 이 곱의 그 래 프 는 그림 4.la 에 나 타 나 있다. 그림 4.1 c 는 가전자대 에
, 아래 에서 [ l - / f ( )]와 사
너지 公、 )의 그 래 프 를 보 여 주 는 그림 4.1 a을 확 대 한 그림이
다. 용v( )와 1 -九 ( )의 곱의 곡 선 은 식 (4.2)에 주어 진 가 전 자 대 의 정 공 농 도 의 분 포
/H及)를 나타낸 다. 이 곱의 그 래 프 도 그림 4 .la 에 나 타 나 있다. 이 곡선의 면적은 전도대
의 총 전 자 농 도 와 가전자대의 총 정 공 농 도 이 다 . 이 것으로부터 만 약 (幻 와 故乂及)가 대
칭이면 전 자 와 정 공 농 도 가 같기 위하여 페르미 에 너 지 는 중간접 에너지에 위 치 해 야 함
1 08 Chapter/i 평형상태의 반도체

을 알 수 있 다 . 만 약 전 자 와 정 공 의 유 효 질 량 이 같지 않 으 면 상태 밀 도 함 수 요c (幻 와
g u( )는 중간갭 에너지에 대하여 대칭이 되지 않 고 ，따라서 진 성 반 도 체 에 서 전 자 와 정
공 농 도 가 같기 위 해서는 페르미 준 위 가 중간캡 에너지로부터 약간 이동하게 된다.

스.1 .2 n 와 p 방정식

진성반도체의 페르미 에 너 지 는 밴드캡 가운데 근처에 있다고 하 였다. 열평형상태의 전

자 농 도 따와 정 공 농 도 께 의 방 정 식 을 유도함에 있어서 특 별 한 경우 페르미 에 너 지 는 이
밴드캡 가운데 에너지로부터 벗어 날 수 있음을 보게 될 것이다. 그 러 나 일단 페르미 준
위는 밴드접 에너지 내에 있음을 가정한다.

열평형상태의 전자농도 열평형상태의 전 자 농 도 식 은 식 (4.1 )을 전도대 에너지에 대하

여 적분함으로써 구 할 수 있다. 즉

n=J S c{ E ) I f { E ) d E (4.3)

적분의 하 한 은 이고 상 한 은 전도대 에너 지의 상 단 이 어 야 한 다 . 그 러 나 페르미 확 률

함 수 는 그림 4.1 a에서 보듯이 에 너 지 가 증 가 함 에 따 라 급격히 에 접 근 하 므 로 적분의
상 한 을 무 한 대 로 취하여도 큰 오 차 는 없다.
페르미 에 너 지 는 금지대 밴드캡 내에 있다고 가 정 한 다 . 전도대의 전 자 들 은 전도대
의 하 단 에너지 꾹. 보 다 크다. 즉 E 〉 E c. 만 약 ( E c — E F ) » 쇼r 이면 (E - E F ) » kT
이므로 페르미 확 률 함 수 는 볼 츠 만 근사 로 축 소 할 수 있 다 .1〉 즉

~ (E ~ Ef )
M E) = exp (4.4)
(E ~ Ef ) kT
1 + exp
kT

볼 츠 만 근 사 를 식 (4.3)에 적용하면 전도대의 열평형상태 전 자 농 도 는 다 음 과 같이 주어

진다.

47r (2m )3/12 -{E - Ef )

n 、、 E — Ec ex p dE (4.5)
^ h3— — kT

식 (4.5)의 적 분은 변수를 치환함으로써 쉽게 풀어질 수 있다. 즉

E - Ec
(4.6)
kT

로 치 환하면，식 (4.5)는

1) 맥스웰-볼츠만과 페르미-디락 분포함수는 E - E F 는 3 kT (그림 3.35 참조)일 때 상호 5% 오차 범위에

들어간다. 따라서〉〉 기호를 흔히 사용하지만 볼츠만 근사가 언제 유효한지에 대한 어느 정도 오해를 불
러 올 수 있다.
 4 .1 반 도 체 의 전 하 캐 리 어 1 09

_ (E C - E f )
«= ^ f^ e x p 171/2 e x p ( — 17) d r] (4.7)
kT

이 된다. 이 적분 은 감 마 (gamma) 함수로서 그 값은

°°
/» 1
/ V /2 e x p ( - 17) d r] = ^ V 7f (4.8)
Jo

이다. 그러 면 식 (4.7)은

/2 vn예 _ \- ( Ec - Ef ) ]
n = 21 (4.9)
l If ) 6X P kT J

가 된다. 파라미 터 '. 를 다 음 과 같이 정 의하면

lir m * k T
(4.1 0)
~ ~ h 2—

여기서 파라미터 비 는 전자의 상 태 밀 도 유 효 질 량 (density of ststae effective mass) 이다.

전도대의 열평형상태의 전자농도는

~ ( E C- E f )
n = N c exp (4.1 1 )
kT

이 된다. 파라미 터 N c를 전도대의 유효상태밀도함수 (effective density of states function)

라고 한다. 만 약 m : = 라고 가 정하면 T = 300 K 에서 유효상태 밀도함수의 값 은 이
되고，대부 분 반도체의 '가 이 정도의 값을 갖는다. 전자의 유효질량이 /해보다 크거 나
작으면 유효상태밀 도 함 수 의 값도 따라서 변 하지만 비슷한 크기의 차 수 를 갖는다.

I 목적 E = EC + 다/2에서 전자가 채워져 있는 전도대의 한 상태를 전자가 차지할 확률

을 계산한다. T = 300 도에서 실리콘의 열평형상태의 전자농도를 계산한다.
페르미 에너지는 전도대 아래 0.25 eV라고 가정한다. T = 300 K에서 실리콘의 따 의 값
은 N c = 2.8 X 1 19 cm —3이다. (첨부 B 참조)

험 n
E = 쏴.의 에너지를 전자가 차지할 확률은

1 \ - ( E - E f )] '~ ( E C + { k T /2 ) - E f)]
M E) = e xp = e xp
kT kT
1 +CXP( k T ')
혹은

-(0. 2 5 + ( 0. 0 2 5 9 /2 ))
I f{ E ) = e xp 3.90 X l -
0^ 2 5 9

이다.
110 Chapter4 평형상태의 반도체

전자의 농도는

” 。 = 凡 e x p [ ~ (ECk T E f ) ] = (2 ,8 X 1 0'9)

혹은

n = 1 .80 X 1 015 c m - 3

d S
하나의 상태가 점유될 확률은 아주 작다. 그러나，엄청난 수의 상태가 존재하기 때문에 모
든 상태 에 존재하는 모든 전자의 농도는 상당히 큰 값을 갖는다는 것을 유의 해야 한다.

연습문제
Ex 4.1 에너지 E = E c + k T °d 양자 상태를 전자가 차지하는 확률을 구하라. 페르미 에너
지는 전도대 아래 0.25 eV 라고 가정한다. T = 300 K에서 갈륨비소의 전자의 농도를 계산
하라. ,0l X Z O 'i = u ‘s-OI X 9£ Z = ^ / ' s u y ]

열평형상태의 정공농도 가전자대의 열평형상태의 정 공 농 도 는 가전자대의 에너 지에 대

하여 식 (4.2)를 적분하여 구 할 수 있다. 즉

P = j g»( )[l (幻 ] d E (4.1 2)

여기서

1 ~ M E) = 7T 一一 (4. 1 3a)
1+exp( ^ j H

임을 유 의 하 라 . 가전자 대의 에 너 지 는 < 。 이므 로 (Ef - E v) » /r (페 르 미 에너지

는 여전히 밴드캡 내에 있다고 가 정 한 다 )이 면 ，볼 츠 만 근사로부 터 약간 다 른 형 태 를 갖
게 된다. 식 (4.1 3a)는

~(E f ~E )
1 -M E ) exp (4.1 3b)
kT
1 + exp
[부 )
이 된 다 . 식 (4.1 3b) 의 볼 츠 만 근 사 를 식 (4.1 2)에 적 용 하 면 가 전 자 대 의 열 평 형 상 태 의
정공농도는
rEv At t (2씨*)3/2 ~{Ef - E)
p = \ J E V- E exp dE (4.1 4)
/
J —00
kT

가 되고，여기서 적분의 하 한 은 가전자대의 하 단 대신에 음의 무 한 대 를 취한다. 지 수 항

은 빨리 감 소 하 므 로 이 근 사 가 적 절하다.
 4.1 반 도 체 의 전 하 캐 리 어 111

식 (4.1 4)는 변수를 치환하므로써 쉽게 풀어진 다 . 즉

EV~ E
V (4.1 5)
kT

로 치환 하면 식 (4.1 4)는

- 4 7 r( 2 m kiy
P h3
ex p ( 표소7, ~ f ( T7，
) 1/2 e x p C - r j O J t )" ( 4 .1 6 )
J +00

이 되 고 ，여기서 음의 부 호 는 미 분 항 = 으로부터 온 것이다. V 의 하 한 은

E = 一 이므 로 = + ^이 됨 을 유 의 하 라 . 적분의 순 서 를 바꾸면 또 다 른 -부 호 가
도입된다 . 식 (4.8)을 사용하 면 식 (4.1 6)은

(lirm l kT 、이 1 \- ( E f ~ E v) }
P = 2
l 好 ) exp kT
(4.1 7)

이 된다. 파라미 터 凡 를 다음 과 같이 정의하며,

2 7 rmpkT \ 3/2
Nv = 2 (4.1 8)
~ ~ h 2一 /

가전 자대 의 유 효 상 태 밀 도 함 수 라 고 부른 다 . 파라미터 ⑶ /는 정공의 상 태 밀 도 유 효 질 량
이다. 가전자대의 열평형상태의 정공농도는

_ ( Ef ~ E v)
p = Nv ex p (4.1 9)
kT

이 된다. 대부분의 반도체의 경우 ';의 크 기 도 역시 T = 300 K 에서 W 19 cm - 3의 크기

를 갖는다.

T = 400 K 에서 실리콘의 열평형 정공농도를 계산하라.

페르미 에너지는 가전자대 위 0.27 e V 이라고 가정한다. T = 300 K에서 실리콘의 ^ 값
은 = 1 .04 x 1 19 c m * 3. (첨부 B 참조)

T = 400 K 에서 파라미터 값들은 아래와 같다.

N v = (1 .04 父 1 019) ( | 융응)3" = 1 .60 父 1 019 c m " 3

kT = (0.025 9) 응응) = 0.03453 e V

그러면 정공농도는

P = 比6XP [— k T Ev ) \ = (L 6 ° X 1 19) exP ( { T C I

112 Chapter4 평형상태의 반도체

혹은
p = 6.43 X 1015 c m 一 3

이다.

區 호 ]
어떤 온도에서든지 파라미터 값들은 300 K 일 때 값과 온도 의존성을 활용하여 계산할 수
있다.

연습 문제
Ex4.2 (a ) T = 25 0 K일 때 4.2 를 반복하라. (b) T = 25 0 K 에 대한 T = 4 00 K의 /v 익
비율을 구하라. th a t at r = 400 K ? 이 x VS'V (?) 나-iu o
[— I i x Z 6 'l = d (D) .SUV ]

유효상태 밀 도 함 수 '. 와 ' ^는 주어 진 반도체 에 대하여 특정 온 도에서 상수이 다. 표

4.1 은 실 리 콘 ，갈 륨 비 소 , 게 르 마 늄 의 유 효 상 태 밀 도 함 수 와 유 효 질 량 의 값 을 보 여 준 다 .
갈륨비소의 Nc 값 은 전형적인 값 1 019 cm - 3 보다 작음에 유의하라. 이 차이 는 갈 륨 비 소
의 전자의 유효질량이 작기 때문이다.
전도대 의 열평 형 상태 의 전 자 농 도 와 가전자대 의 열 평 형상태 의 정 공 농 도 는 유효상태
밀 도 함 수 와 페르미 에너지에 직접 관련되어 있다.

이해도 평가
E4.1 T = 300 K 에서 페르미 에너 지 준위가 전도대 에너 지 E c 아래 0.22 eV 에 있을 때 실리콘
의 열평형상태의 전자농도와 정공농도를 계산하라.& 의 값은 첨 부 B.4를 참조할 것.
( _ U I3 i X 休 .8 = (切 ‘ 卜 U » SI i 父 "g = u -su v )

E4.2 T = 300 K에서 페르미 에너지 준위가 가전자대 에너지 Ev 위 0.3e V 에 있을 때 G a A s 의

열평형상태의 전자농도와 정공농도를 계산하라. 公,의 값은 첨부 B.4를 참조할 것.
( f-U iD e, i X S '9 = °d \ ^uio 6 LL0 . 0 = ° « . s u v )

A. 1.3 진 성 캐 리 어 농 도

진 성 반 도 체 에 대하여 전도대 의 전 자 농 도 는 가 전 자 대 의 정 공 농 도 와 같다. 진 성 반 도 체

의 전 자 와 정 공 농 도 를 각 각 자와미라고 표 시 하 고 , 보 통 진 성 전 자 농 도 와 진 성 정 공 농 도
라 고 부 른 다 . 그러 나 «
,■= /?,■이므로 간단히 파라미 터 이를 사 용 하 여 진성캐리어농도 를

표 4.1 유효상태 밀도함수와 유효질량의 값

Nc (cm-3) Nv (cm-3) m * /m m * /m

실리콘 2.8 X 1019 1.04 X 1019 1.08 0.56

갈륨비소 4.7 X 1017 7 .0 X 1018 0.067 0.48
게르마늄 1.04 X 1019 6.0 X 1018 0.55 0.37
표 시 하 고 ，이 것 은 진 성 전 자 와 정 공 농 도 를 동 시 에 의 미 한 다 .
진 성 반 도 체 의 페 르 미 에 너 지 준 위 를 진성 페르미 에 너 지 라 고 부 르 고 ，E F = E F i로
표 시 한 다 . 식 (4.1 1 )과 (4.1 9)를 진 성 반 도 체 에 적 용 하 면

~ ( E C 一 E Fi)
n = rij = N c exp (4.20)
— 1元

이고，

- ( 及« - E v)
p = P i = Iti = N v exp (4.21 )
kT

이 다 . 식 (4.20)과 (4.21 )을 곱 하 면

~ ( E C - E Fi) r- ( «- „ ) !
nf = N CN V exp •exp (4.22)
kT kT

이 고 ，정 리 하 면

n] = N CN V exp
’ -五 니 (4.23)
= N CN V exp
kT kT J

이다. 여기서 E g는 밴드캡 에 너 지 이 다 . 특정 온 도 에 서 주 어 진 반 도 체 에 대하여 값은

일 정 하 고 ，페 르 미 에 너 지 에 대 하 여 무 관 하 다 .
T = 300 K 에 서 실 리 콘 의 진 성 캐 리 어 농 도 는 표 4.1 의 유 효 상 태 밀 도 함 수 값 을 사 용
하여 계 산 할 수 있 다 . = 1 .1 2 eV 에 대 하 여 식 (4.23) 으 로 부 터 계 산 한 값 은 «,+ =
6.95 x 1 09 c m -3이 다 . T = 300 K 에 서 실 리 콘 의 이 값 2》으 로 보 통 받 아 들 이 는 값 은 1.5
x 1 10c m - 3이 다 . 이 러 한 차 이 는 여 러 가 지 원 인 으 로 부 터 발 생 한 다 . 첫 째 , 유 효 질 량 은
방 사 광 공진 실험이 수 행 되 는 저온에서 측정 된 값이다. 유 효 질 량 은 실 험 적 으 로 측정 된
파 라 미 터 이 고 ，유 효 질 량 은 입 자 가 결 정 에 서 얼 마 나 잘 이 동 하 는 가 를 나 타 내 므 로 이 파

라 미 터 는 약 간 온 도 의 함 수 이 다 . 다 음 으 로 반 도 체 의 상 태 밀 도 함 수 는 3차 원 무 한 양 자
우 물 에 갇혀 있는 전자의 모 델 을 일 반 화 함 으 로 써 얻 어 졌 다 . 이 이론적 함 수 는 물 론 정
확 히 실 험 과 일 치 하 지 않 는 다 . 그 러 나 ，이 론 과 실 험 값 의 차 이 는 대 략 2 배 정 도 이 고 ，대
개 의 경 우 심 각 한 오 차 는 아 니 다 . 표 4.2는 T = 300 K 에 서 실 리 콘 ，갈 륨 비 소 ，게 르 마 늄
의 이로서 보 통 받 아 들 이 는 값 들 이 다 .

진성 캐 리 어 농 도 는 강 한 온 도 의 함 수 이 다 .

표 4.2 r = 300K에서 보통 사용하는 «，

의값

실리콘 — 1.5 X 1010cm-3

갈륨비소 미= 1.8 X 106cm-3
게르마늄 rii = 2.4 X 1013cm-32

2) 여러 참고문헌들은 상온에서 실리콘의 진성캐리어 농도의 값에서 다소 차이를 보이고 있으며，일반적으

로 1 X 1010과 1.5 X 1010 cnT 3의 범위에 포함된다. 대부분의 경우 이러한 차이는 중요하지 않다.
1 U Chapters 평형상태의 반도체

I 목적 I r = 250 K 와 r = 400 K 에서 갈륨비소의 진성 캐리어농도를 계산한다.

r = 300 K 실리콘의 '. 와 乂의 값은 각각 2.8 x 1 019 cm- 3와 1 .04 x 1 19 Cm _ 3이다.
N와 N v 모두 r 3/2어j 따라 변한다. 실리콘의 밴드캡 에너지가 1 .1 2 eV 이고，이 온도범위에
서는 변하지 않는다고 가정한다.

행 n
식 (4.23)을 사용하면 T = 250 K 에서

자 = (2-8 x 1 0-K1.04 x ， ( |합

= 4.90 X 1 015

이므로

rii = 7 .0 X 1 07 c m -3

T = 400 K 에서

„? = (2.8 X 1 0^X 1 .04 X u n g ) 3 여 ( 259): 4 1 2 /3 )

= 5.67 X 1 024

이므로

n, = 2.38 X 1 012 c u r 3

(S )
이 예제로부터 진성캐리어농도는 온도가 1 50°c 증가함에 따라 차수가 4 증가함을 유의하라.

연습문제
Ex 4.3 (a) 7" = 200 K와 7" = 450 K 에서 갈륨비소의 진성캐리어농도를 계산한다. 갈륨
비소의 밴드캡 에너지 E g = 1 .42 eV 이고，이 온도범위에서는 변하지 않는다고 가정한다.
(b) f 근 뽑 |■에 대한 T = 250 K의 «，
•
의 비율을 구하라.

U I X 1 9> ( 公) 다-Ui。eOI X £VL = (0 死 )，

w V u i 。6이 X 6Z £ = (00P)fu ( 公) ^ u y ]

그림 4.2는 실 리 콘 ，갈 륨 비 소 ，게 르 마 늄 에 대하여 식 (4.23)으로부터 온도에 대한 /!，

의 도 표 이 다 . 그 림에서 보듯이 이 러 한 반 도 체 들 의 미 값 은 온 도 가 적 당 한 범위에 걸쳐
변함에 따 라 쉽게 여러 차수의 크 기로 변한다.

이해도 평가
TYU 43 다음의 경우 실리콘의 진 성 캐 리 어 농 도 를 계산하라 ; (a) r = 200民 (5)r = 450民
(c) r = 450 K/T = 200 K의 자 비를 구하라.
[ 8 I X 9Z Z (J) iOI X Z L 'l = 'u (公) 느 - uio t O I X £9'L = u ( 公) 's u y ]
，
 4.1 반 도 체 의 전 하 캐 리 어 115

1 500 TCC)
11 000 500 200 1 00 27 0— 20
101

o'
lo 1
"

^5 •
Q IU I

^
•
4

•
公

머 M3 •
^

T
^2 •
nr
••
rK
께 1
、 o'
져 o 1

10

109

108

107

106
0.5 1 .0 1 .5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
iooo/ r(K_1)

그림 4 . 2 온도에 대한 G e ，Si, G a A s 의 진성캐리어농도 (Sz e [1 3] 참조)

T Y U 4.4 E 4.3 을 G a A s 에 대 하 여 반 복 하 라 .
[이이 X I8 Z ⑶ -e-Ui , l X ■ = (q) : -삐 스 .1 = ?w ( v ) .SUV]

TYU 4.5 E 4.3 을 G e 에 대 하 여 반 복 하 라 .

[g l 父 8「 1 ⑶ w ( 公)
siOI X L 6 Z = ， 느- 삐 mOI X S IX = ?w i p ) *suy]

UM 진성 페르미 준위 위치

진 성 반 도 체 에 서 페르미 에너지 준 위 는 금지대 밴드캡의 중 앙 근처에 위 치 한 다 는 것을

정 성 적 으 로 설 명 하 였 다 . 진성 페르미 준위 위 치 를 정확하게 계 산 할 수 있다. 진 성 반 도
체에서 전자 와 정공 농 도 는 같기 때문에 식 (4.20)과 (4.21 )을 같게 놓으면

사 exp exp [ 에 r_ 요사 (4.24)

이 된다. 이 방정식의 양변에 자연 l g를 취하여 하,•

를 구하면
116 Chapter4 평형상태의 반도체

公 i = 士( Ec + E v) + ^ kT \n 사 (4.25)

식 (4.1 0)과 (4.1 8)에 의하여 주어진 '와 凡 의 정의로부터 식 (4.25)는

EFi = \ ( EC+ E v) + |* r i n (J ) (4.26a)

가 된다. 첫 항 i ( Ec + „)는 ,와 „의 사이의 정확히 가운데 에 너 지 이 다 . 다 음 과 같

은 정의에 의하여

2 ( 표c + E v) _ 표 m idgap

이므로

EFi 표1m idgap —^ m n _

• (4.26b)

이다. 전 자 와 정공의 유효 질 량 이 같으 면 즉 이 면 ，진성 페르미 준 위 는 정확히

밴드갭의 중앙이 된다. 만 약 m; > 이면，진성 페르미 준 위 는 중앙의 위에 위 치 하 고 ，
m < 이면，밴드집 중앙의 아래에 위치한 다 . 상 태 밀 도 함 수 는 캐리어 유 효 질 량 과 직
접 관 계 되 므 로 유 효 질 량 이 크면 상 태 밀 도 함 수 가 커 진 다 . 진성 페르미 준 위 는 전 자 와
정공의 수 가 같아지기 위해서 상 태 밀 도 함 수 가 큰 밴드로부터 멀어진다.

B H IB IB M @ 3 T = 300 K에서 실리콘의 밴드캡 중앙에 대한 진성 페르미 준위의 위치를 계산한다.

실리콘의 유효상태밀도 캐리어질량이 w: = 1.08 씨 와 비 = 0.56 이다.

행 n
밴드캡 중앙에 대한 진성 페르미 준위는

E f i — 及midgap = 을■찌 n( 급 ) = 을 (0.0259) In

혹은

E Fi — midgap = —0.01 28 eV = —1 2.8 meV

S 5]
실리콘의 진성 페르미 준위 는 가운데 에너지캡 아래 1 2 . 8 m e V 에 위치한다. 1 2 . 8 m e V 와
5 6 0 m e V (실리콘의 밴드캡 에너지의 1 /2인 에너지)를 비교해보면 1 2.8 m e V 는 아주 작기 때

문에 많은 경우 진성 페르미 준위는 밴드캡 중앙에 위치한다고 근사할 수 있다.

연 습 ^ fll
Ex 4.4 T = 300 K에서 다음 반도체에서 진성 밴드캡 중앙에 대한 진성 페르미 에너지
준위의 위치를 계산하시오.
 4.2 도펀트 원자와 에너지 준위 117

(a) Gats and (b) Ge. [A3ui 스一 (公) tA^ra g r 8 e + ( 公) su y ]

이해도 평가 __ ________ _ _ 대 _ _ _ __
TYU 4.6 다 음 온 도 에 서 실리콘 반도체에 대하여 밴드갭의 중앙으로 부터 진성 페르미 에
너 지 준위의 위 치를 계산하시오 . a) r = 200 民 b) r = 400 K. 이 온 도 범 위 에 서 유
효 질 량 은 변하지 않는다고 가정함. [A3UII0•
스I - (<?) S0S'8 - (») 'suy]

U2 도펀트원자와에너지준위

진 성 반 도 체 가 흥 미 로 운 재료 일 수 있 으 나 반 도 체 의 실제 저 력 은 소량 의 특정 도 펀 트
혹 은 불 순 물 원 자 를 첨 가 함 으 로 써 발 휘 된 다 . 1 장에서 잠 깐 언 급 하 였 던 이 도 핑 공 정 은
반도체의 전기적 특 성 을 크게 변화시킬 수 있다. 외인성반도체 (extrinsic semiconductor)
라고 부 르 는 도핑 된 반 도 체 가 다 음 장 들 에 서 논 의 하 게 될 반도체 소 자 들 에 사 용 되 는
주요 재료이다.

A.2.1 정성적 설명

3장에서 실리콘의 공 유 결 합 을 논 의 하 였 고 , 그림 4.3에서 보듯이 단결정 실 리 콘 격자의

간 단 한 2차원 그 림 을 고 찰 하 였 다 . 이제 여기에 인(P)과 같은 5족의 원 소 를 치 환 불 순 물
로서 첨 가 한 경우 를 생 각 하 자 . 5족 원 소 는 5 개의 가 전 자 를 가 진다. 이 중 4개는 실 리 콘
원 자 와 공 유 결 합 하 는 데 사 용 되 고 ，5 번째 전 자 는 인 원 자 와 느 슨 하 게 결합되 어 남게 된
다. 이 효 과 가 그림 4.4에 도식되 어 있다. 5 번째 가전자를 도너(donor) 전자라고 부른다.
도너 전 자 가 없는 인 원 자 는 양 전 하 를 띠 게 된다 . 아 주 낮 은 온 도 에 서 도너 전 자 는
인 원자에 결합되어있다. 그 러 나 ，도너 전 자를 전 도대로 상승시키는데 필요 한 에너지는
공 유 결 합 에 관 여 한 전 자 들 보 다 작 을 것이 라는 것을 직 관 적 으 로 알 수 있다. 그림 4.5
는 에 너 지 밴 드 그 림 이 며 ，에너지 준위 E d는 도너 전자의 에너지 준위이다.

•
•
• •
• —1 •
•
• 11
•
•
• •
•
•
••
• 1 •
•
•• •1
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• .
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si •>• •• si
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•1 — •1
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si
•
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•
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• • •
•• II II II II
M •
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• •
• • • •.
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•1_ •1 si
•_ 1
Si = Si = Si = Si = I P | = Si
I

••
_ • — ••
I

_
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• _ • si
si •
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•• II II II J lZ II II
_
_ si
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si Si = Si = Si ^S i = Si = Si
si •
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• _ si •
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_ •« • •.
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I

_ 1 • Si = Si = Si == =
I

_
_
_
_
_
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•
• 11
_
_ •
•
_
_ •
•
•
•
••

그림 4.3 진성 실리콘 격자의 2차원 그림 그림 4.4 인 원자로 도핑된 실리콘 격자

의 2차원 그림
118 Chapter/. 평형상태의 반도체

•
••
••
전도 대 •
••
••
•• ••
•• •• ••
•• ••
• • 公

h j
•
TT • 신
•
• 7T
•
• ••
• ••
••
•••
•

f
가전자대
(a) (b)

그림 4.5 (a) 개별 도너 에너지 상태와 (b) 이온화된 도너 상태의 영향을 나타낸 에너지밴드

열에너 지와 같은 작 은 량의 에 너 지 가 도너 전자에 가 해지면 양 전 하 를 띤 인 이온을

남 기 고 도너 전 자 는 전 도 대 로 상 승 한 다 . 전도대 전 자 는 결정 내 부 를 이동하면 서 전류
를 생 성 시 키 는 반면에 양 이 온 은 결정 내에 고정되어 있다. 이 러 한 형태의 불 순 물 원자
는 전자를 전도대에 제공하기 때문에 도너 불 순 물 (donor impurity) 원 자라고 부른다. 도
너 불 순 물 원 자 는 가전 자 대 에 정공 을 만들지 않고 전도대에 전 자 를 제 공 한 다 . 따 라 서 ，
이러 한 반 도 체 를 «형 반도체라고 부른다. («은 음 전 하 전 자 를 의 미 한 다 .)
이 제 3족의 붕 소 (미 를 치환 불순물로서 실리콘에 첨 가하자. 3족 원 소 는 3개 의 가전
자 를 갖 고 , 모 두 공 유 결 합 에 참 여 한 다 . 그림 4.6a 에서 보듯이 1 개의 공 유 결 합 자 리 가
비어있다. 만약 전자 가 이 빈 자 리 를 차 지 하 려 면 이 전자의 에 너 지 는 가전 자 보 다 커야
하는데 이 것은 전 자 가 이 빈 자 리 를 차 지 한 후 붕 소 원자의 순 전 하 는 음 전 하 가 되기
때 문 이 다 . 그 러 나 ，이 빈 자 리 를 차 지 하 는 전 자 는 전 도 대 로 상 승 할 만 큼 큰 에 너 지 를
갖지 못하기 때문에 빈 자리의 에너지 상 태 는 전도대 에너지 보 다 훨씬 작 은 에 너 지 를
갖 는 다 . 그림 4.6b는 가전 자 들 이 어떻게 작 은 열 에 너 지 를 얻게 되어 결정 내에서 이동
하 는 지 를 보 여 준 다 . 붕 소 원자의 빈 자 리 는 채 워 지 고 ，다 른 가 전 자 자 리 는 비게 된다.
이 다 른 빈 전자 자 리 는 반도체의 정공으로 생 각 할 수 있다.
그림 4.7은 빈 자리의 에너지 상 태 와 전도대의 정공 생 성 을 보 여 준 다 . 정 공 은 결정
내 를 이동하면서 전류를 생 성 하 는 반면에 음전하의 붕 소 원 자 는 결정 내에 고 정 되 어 있

•• 니
•• ••
• 니 •
니
•
si si
= Si = Si = Si = = Si •
si
Si = = Si - - Si = = Si = Si “ =

si si
II II II II si II II II II II
• •
=
Si = S i— B = = Si Si = = Si = Si 코 j f i = Si =
si si
si II II II II
•
= • II II p II II
•
si
Si = = Si = = Si = = Si si
Si = = Si = / S i = = Si = Si — -
si
ll
ll II II II II II I I ” [-1 1 II II
니
Si = = Si = Si = = Si Si = Si = = Si = = Si = Si = 그그

(a) (b)

그림 4.6 붕소 원자가 도핑된 실리콘 격자와 (b) 붕소 원자가 이온화되어 정공을 생성시킨 실리콘
격자의 2차원 그림
 4.2 도 펀 트 원 자 와 에너지 준위 119

전도대
Ec Ec
• K
K
TT TT
• r
•••
K
• 公
• -K•
B:
v
져
가전자대
(a) (b)

그림 4.7 (a) 개별 억셉터 에너지 상태와 (b) 이온화된 억셉터의 영향을 나타낸 에너지밴드

다. 3족 원 소 는 가 전 자 대로부터 전 자 를 받 아 들 이 므 로 억셉터 불순물 (acceptor impurity)

원 자 라 고 부 른 다 . 억셉터 원 자 는 전도대 에 전 자 를 생 성 하 지 않고 가 전 자 대 에 정 공 을
생 성 한 다 . 이러 한 형태의 반 도 체 를 P 형 반도체이라고 부 른 다 . ip 는 양 전 하 정공 을 의미
한다 .)
순 수 한 단결정 반 도 체 를 진 성 반 도 체 라 고 부 른 다 . 도너 혹 은 억 셉 터 와 같 은 도 펀 트
원 자 를 조절 된 양으 로 첨가함으로써 외 인 성 반 도 체 를 만 든 다 . 외 인 성 반 도 체 는 전 자 우
성어형)을 갖던지 혹 은 정공 우 성 (P 형 )을 갖는다.

4. 2. 2 이온화에너지

도너 불 순 물 이 온 과 도너 전자 사이의 거 리를 근 사 적 으 로 계산하여 도너 전 자 를 전도
대로 상승시키 는 데 필 요 한 에 너 지 를 계 산 할 것이다. 이 에 너 지 를 이온화 에너지라고 부
튼 다 . 이 계 산 을 위하여 보어의 원 자 모 델 을 사 용 할 것이 다 . 이 모 델 을 사 용 하 는 데 대
한 타 당 성 은 수소 원자에서 원 자 핵 과 전자 사이의 양 자 역 학 적 으 로 가 장 개연성 높 은 거
리가 보어 반 경 과 일 치 한 다 는 점에서 찾 을 수 있다. 양 자 역 학 으 로 결 정 되 는 수 소 원 자
의 에너지 준 위 들 도 역시 보어 이론에서 얻어지 는 결 과와 일치한다.
도너 불 순 물 원 자 를 반도체 속에서 도너 이온의 궤 도 를 회 전 하 는 도너 전 자 를 가진
원 자 로 상 상 해 보 자 . 수 소 원 자 의 경 우 에 사 용 했 던 자 유 공 간 의 유 전 률 (dielectric
constant) 대신에 이 계산 에 서 는 반도체의 유 전 률 을 사 용 해 야 한다. 또 한 전자의 유효질
량을 사용 한다.
이 계 산 은 전 자 를 궤도에서 회 전 시 키 는 원 심 력 과 전 자 와 이온 사이의 쿨 롱 인력을
같게 둠으로써 시작한다 . 이 조 건 은 안정된 궤 도 운 동 을 위한 것이다. 따라서

e2 m* i，
2 (4.27)
477 e rl

u는 속도의 크 기 이 고 ，'은
이다. 여기서 ■ 궤도반 경 이 다 . 각 운 동 량 도 양 자 화 된 다 고 가정
하면

(4.28)
1 20 Chapter 평형상태의 반도체

이다. 여기서 «은 양의 정수이다. 식 (4.28)로부터 i，

에 대하여 풀 고 ，식 (4.27)에 대 입 하
여 반경 을 구하면

_ n 2 h 2 477 e
(4.29)
n m ^ e2

이 된다. 각 운동량의 양 자 화 가 반경의 양 자화를 유도한다.

보어 반 경 을 다음 과 같이 정의한다.

따= 쓰 ^ = 0.53 A (4.30)
m ez

도너 궤도의 반 경 을 보어 반 경으로 정규화하면

(4_31 )

이고, 여기서 다은 반도체 의 유 전 상 수 이 고 ， 는 전자의 정 지 질 량 이 며 ，써*은 반도체에

서 전자의 전도도 유효질량기이다.
n = 1 인 최저 에 너 지 상 태 에 대 해 서 실 리 콘 의 유 전 상 수 er = 1 1 .7과 유 효 질 량
w */m = 0.26을 사용하면

S = 45 (4-32)

이 고 ，이 = 23.9 A 이다. 이 반 경 은 근 사 적 으 로 실 리 콘 의 격 자 상 수 의 4배 와 일 치 한 다 .
실리콘의 단 위 셀 은 8개의 원 자 를 내 포 하 므 로 도너 전자의 궤 도 반 경 은 많 은 실 리 콘 원
자 들 을 포함하 게 되므로 도너 전자는 도너 원자에 단단히 결합되어 있지 못 한 것을 의
미 한다.
궤도전자의 총 에 너 지 는

E = T+ V (4.33)

이고, T 는 운동에 너지이며 V는 전자의 위치 에 너 지 이 다 . 운 동 에 너 지 는

r = 士m * v 2 (4.34)

이다. 식 (4.28)의 속 도 I 와 식 (4.29)의 반경 r„ 을 사 용하면 운 동 에 너 지 는

j _ m* g4 (4.35)
2 ( nh ) 2( 4 jre) 2

이 된다. 위 치 에 너 지 는

3) 전자와 정공이 이동할 때는 전도도 유효질량을 사용한다. 유효질량에 대한 첨부 F 참조.

 4.2 도펀트 원자와 에너지 준위 1 21

_ ~ e2 _ —m* g4
(4.36)
47T6rn (n^)2(47re)2

이 된다.
총에 너 지 는 운동에 너 지 와 위 치 에 너 지 의 합이 므로

及= r + v = —m* g4 (4.37)
2 ( n h )\A ir e )2

이다. 수 소 원 자 에 있어서 m * = m。와 e = e。이다. 최 저 에 너 지 상 태 에 있는 수 소 원 자

의 이 온 화 에 너 지 는 E = 1 3.6 … 이다. 만 약 실 리 콘 을 고 려 하 면 이 온 화 에 너 지 는 E =

-2 5 .8 meV 이고 실리콘의 밴드캡 에너지 보 다 훨씬 작다. 이 에 너 지 가 도너 원자의 근

사 이온 화 에너 지，혹 은 도너 전자 를 전도대 로 상승 시 키 는 데 필요한 에너지이다 .
실 리 콘 과 게르마 늄 에 서 인과 비 소 와 같 은 통 상 적 인 도너 불 순 물 에 대해서 수 소 모
델 은 잘 맞으며 이 온 화 에너지 크 기 를 추 축 할 수 있다. 표 4.3은 실 리 콘 과 게르마늄 의
몇 가지 불순 물에 대해서 실 험 적 으 로 측 정 한 이 온 화 에 너 지 를 나 열하였다. 게 르 마 늄 과
실리콘의 유 전 상 수 와 유 효 질 량 은 서로 다 르 므 로 이 온 화 에너지 또 한 다를 것으로 예측
된다.

A.2.3 I - V 족 반도체 계열

전 절에서 실 리 콘 과 같 은 IV족 반도체 계열의 도 너 와 억셉터 불 순 물 에 대하여 고 찰 하

였다. 갈 륨 비 소 와 같 은 III-V족 화 합 물 반 도 체 의 경우 더 복 잡 하 다 . Be, Zn, Cd과 같 은
II족 원 소 는 III족 갈 륨 원 소 를 대 체 하 는 치 환 불 순 물 로 서 격 자자리 에 들어 가서 억셉 터
불순물이 된다. 이와 같이 Se과 고군과 같 은 VI족 원 소 는 V 족 비 소 원 소 를 대 체 하 는 치환
불순 물로 서 격자자리에 들어가서 도너 불순물이 된다. 이 러 한 불순물의 이 온 화 에너지
는 실 리콘의 불 순 물 의 이 온 화 에너지 보 다 작 다 . 갈 륨 비 소 에 서 전자의 유 효 질 량 이 정
공 보 다 작기 때문에 도너의 이온 화 에 너지는 억셉터 보다 작다.
실 리 콘 과 게 르 마 늄 과 같은 IV 족 원소도 갈륨비소에서 불 순 물 원 자가 될 수 있다. 만
약 실 리콘이 갈 륨 원 자 를 대 체 하 면 실 리 콘 원 자 는 도너 역 할 을 하 지 만 실 리 콘 원 자 가
비소 원 자 를 대 체하면 실 리 콘 원 자 는 억셉터 역할 을 한다. 게 르 마 늄 도 같 은 역할을 한
다. 이 와 같 은 불 순 물 을 양 쪽 성 (amphoteric) 이 라 고 부 른 다 . 실 험 적 으 로 갈 륨 비 소 에 서

표 4.3 실리콘과 게르마늄의 불순물 이온화 에너지

Ionization energy (eV)

Impurity Si Ge
Donors
P hosphorus 0.045 0 .0 1 2
A rs e nic 0.05 0.01 27
Acceptors
B oro n 0.045 0.01 04
A lu m in u m 0.06 0 .0 1 0 2
1 22 Chapters 평형상태의 반도체

표 4.4 갈륨비소의 불순물 이온화 에너지

불순물 이온화 에너지(eV)

도너
셀렌 0.0059
텔루 르 0.0058
실리 콘 0.0058
게르 마눈 0.0061

억셉터
베릴륨 0.028
아연 0.0307
카드뮴 0.0347
실리콘 0.0345
게르마늄 0.0404

게 르 마 늄 은 주 로 억 셉 터 가 되 고 ，실 리 콘 은 도 너 가 된다. 표 4.4는 갈륨비소 에서 다 양 한

불순물 들의 이 온 화 에너 지 를 나열하였다 .

이해도 평가

TYU 4.7 a) GaAs의 최저 에너지상태에 있는 도너 전자의 반경(보어 반경으로 정규화된

값)과 이온화 에너지를 계산하시오. (b) Ge에 대해서 (a)와 동일한 계산을 하시오.
[ ' ! v/ ' u ‘ 八3™ LZ 9 - (切 :S.S 6 I = (切/ 1" ‘ 八3«1 0 S - (” ) s u y ]

A. 3 외인성반도체

진 성 반 도 체 는 결정에 어떤 불 순 물 원 자 도 존재하지 않 는 물 질 을 의 미 한 다 고 정 의하였

다. 외 인 성 반 도 체 는 일정량의 특정 도 펀 트 ，혹 은 불 순 물 원 자 를 첨가하여 열평형상태의
전 자 와 정공의 농 도 가 진 성 반 도 체 와 다르게 만든 물 질 이 다 . 외 인 성 반 도 체 에 서 는 2개의
캐리어 중에 어느 하나의 캐 리어가 지배 적 으 로 많이 존재한다.

느3.1 전 자 와 정공의 평형상태 분포

반도체에 도 너 와 억셉터 불 순 물 원 자 들 을 첨 가하는 것은 전 자와 정공의 에너지 분 포 를

변 화 시 킨 다 . 페르미 에 너 지 는 분 포 함 수 와 관 계 되 므 로 페르미 에 너 지 는 도 펀 트 원 자 가
첨 가 되 면 변 할 것 이 다 . 만 약 페르미 에 너 지 가 가운데 캡으로부터 멀 어 지 면 전도대의
전 자 농 도 ，혹 은 가 전 자 대 의 정 공 농 도 가 변 할 것 이 다 . 이 러 한 효 과 가 그림 4.8 과 그림
4 .9 에 나 타 나 있다. 그림 4.8 은 Ef > E F i9 ] 경 우 를 나 타 내 고 ，그림 4 .9는 Ef < 及 ,■
의
경우를 나타낸다. Ef > 의 경우 전 자 농 도 는 정 공 농 도 보 다 크 고 ，E f < 하,.의 경우
정 공 농 도 는 전 자 농 도 보 다 더 크다. 전 자 농 도 가 정 공 농 도 보 다 클 때 반 도 체 는 도너 불
순물이 첨가된 «형 이고，정 공 농 도 가 전 자 농 도 보 다 클 때 반 도 체 는 억셉터 불순물이 첨
가된 형이다. 반도체 에서 페르미 에너지 준 위 는 전 자 와 정 공 농 도 가 변함에 따 라 변하
 4. 3 외인성반도체 1 23

그림 4 .8 상태밀도함수，페르미-디락 확률함수 그리고 타가 그림 4.9 상태밀도함수, 페르미-디락 확률함수 그리고 가

밴드갭의 상단부에 있을 때 전자와 정공의 농도를 표시하는 밴드캡의 하단부에 있을 때 전자와 정공의 농도를 표시하는
면적을 나타내고 있다. 면적을 나타내고 있다.

고 ，다 시 페 르 미 에 너 지 는 도 너 와 억 셉 터 불 순 물 이 참 가 됨 에 따 라 변 한 다 . 불 순 물 농 도
의 함 수 로 서 페 르 미 준 위 의 변 화 가 4.6절 에 서 논 의 될 것 이 다 .

열 평 형 상 태 의 전 자 와 정 공 농 도 에 대 하 여 앞 절 에 서 유 도 한 표 현 식 즉 식 (4.1 1 )과
(4.1 9)는 페 르 미 에 너 지 에 대 한 « 와 써 의 표 현 식 이 다 . 이 방 정 식 들 을 다 시 쓰 면

~ ( E C- E f )
n N c exp
kT

一 (E f - 瓦) l
P N v exp
kT

이 다 . 방 금 논 의 하 였 듯 이 페 르 미 에 너 지 는 밴 드 갭 에 너 지 안 에 서 변 하 며 이 에 따 라 자)
와 값도 변한다.

@ 3 주 어 진 페르미 에너지에 대하여 열 평 형 상 태 의 전 자 와 정 공 농 도 를 계 산 한 다 .

1 24 Chapter/, 평형상태의 반도체

T = 300 K에 대하여 Nc = 2.8 X 1 019 cm - 3와 凡 = 1 .04 x 1 019 cm —3를 갖는 실리콘

을 생각한다. 페르미 에너지가 전도대 아래 0.25 eV 있다고 가정하자. 만약 실리콘의 밴드
캡 에너지가 M 2 … 라고 가정하면 페르미 에너지는 가전자대 위 0.87 … 에 있을 것이다.

식 (4.1 1 )을 사용하면

n = (2.8 X 1 019) e xp ( 0 2 5 9 ) = 1 8 X 1 0'5 cm_ 3

이며，식 (4.1 9)로부터

p = (1 .04 X 1 019) e xp = 2.7 X 1 04 c m —3

이 된다.

[독 히 페르미 에너지의 변화는 반도체에 첨가된 도너와 억셉터 불순물 농도의 함수이다.
그러나，이 예에서는 페르미 에너지가 수십 분의 1 eV 변함에 따라 전자와 정공농도가 진성
캐 리 어농도 크기 의 수 차수만큼 변함을 보여준다.

연습문제
Ex 4.5 페르미 에너지 준위가 가전자대 에너지 Ev 위 0.21 5 세 위치할 때 T = 300 K
에서 실리콘의 열평형상태 전자와 정공농도를 계산하시오.
(e-ura , 1 x Z.8'1 = ° u * _ uio SI i x 8S.Z = ° d ' su y )

이 예에서 n 0 > /성이므로 반 도 체 는 «형 이 다 . n 형 반 도 체 에 서 전 자 를 다 수 캐리어

(majority carier)라고 부 르 고 정공 을 소 수 캐 리어 (minority carrier) 라고 부른 다 . 이 예에
서 때 와 께 의 값 을 비 교 해 보 면 이 러 한 용어 의 사 용 을 이 해 하 게 될 것 이 다 . 이 와 같이
n < 써인 "형 반 도 체 에 서 는 정공이 다수 캐리어이고 전자 가 소수 캐리어이다.
전 자 와 정공의 열 평 형 상 태 의 농도 에 대 한 또 다 른 표 현 식 을 유 도 하 자 . 식 (4.1 1 )의
지수항에 진성 페르미 에 너 지 항 을 더하고 빼면

n = Nc exp [ 에 (4.38a)

가 되며，즉

刀 = Nc e x p E- t Eh exp — 瓦은쇼 (4.38b )

가 된다. 진성캐리어 농 도 는 식 (4.20)에 의하여

», = M. eXp [ —(성 와

이므로 열평형상태의 전자농도는

 公 _ 五1 ,‘
(4. 39)
n = r ii exp
kT

이다. 이와같이 식 (4.1 9)의 지수항에 진성 페르미 에너지 항 을 더하고 빼면

一 (E f ~~ E Fi) (4.40)
p - rii e x p
kT \

이 된다.
앞 으 로 보게 되 겠 지 만 페르미 에 너 지 는 도 너 와 억 셉 터 가 첨 가될 때 변 하 지 만 식
(4.39)와 (4.40)은 페르미 에 너 지 가 진성 페르미 에너 지 와 차이 만 큼 « 와 는 «，
.와 차
이 나게 됨 을 보 여 준 다 . 만 약 E f > 하,■이 면 « > 자이고 p 0 < «，
•
이 다. «형 반도체의 한
가지 특 성 은 E f > .이므로 따 > p 이다. 이 와 같이 "형 에 서 는 E f < 하,■이므로 p 0 >

«，
■이고 «0 < 자이다. 따라서 p 0 > « 이다.
«0와 p 0가 하 와 의 함 수 관 계 를 그림 4.8과 4.9에서 볼 수 있다. 다 가 하,.의 위 로 나 아
래로 움 직 임 에 따 라 전 도 대 와 가 전 자 대 에 서 상 태 밀 도 함 수 와 확 률 함 수 와 의 겹 치 는 부
분이 변한다. £ F가 EFi 위로 이동함에 따 라 전도대에서 확 률 함 수 는 증 가 하 는 반면에 가
전자대 에서 전 자가 비 어 있을 확 률 즉 ] 一 九 (幻 은 감소한다. E F 가 EFi 아래로 이동함에
따 라 반대 현상이 발생한다.

스.3. 2 n * p •占_

식 (4.1 1 )과 (4.1 9)로 주어진 와 께의 일반식 을 곱한다. 그 결과는

n p = Nc Nv e x p E f) e x p - (及 一 — (4.41 )

이고，

一E
n p = Nc Nv e x p 一j元 「 (4.42)

이 된다.
식 (4.42)가 페르미 에너지의 일반적인 값에 대하여 유도되었기 때문에 와 竹 )가 같
을 필 요 는 없다. 식 (4.42)는 진 성 반 도 체 에 대하여 유 도 된 식 (4.23)과 정확히 같다 . 따
라서 열평형상태에 있는 반도체에 대하여

« Pa = n ] (4.43)

의 관 계 가 성 립한다.
식 (4.43)은 «0와 의 곱 은 주어 진 온도에서 주어 진 반도체 에 대하여 항 상 상 수 임 을
의 미 한 다 . 이 방 정 식 은 단순 해 보이 지만 열평 형 상 태 에 있는 반 도 체 의 근본적 인 원리
1 26 Chapter 4 평형상태의 반도체

중 하 나 이 다 . 이 관 계 의 중 요 성 은 이 어 지 는 장 에 서 더 명 확 해 진 다 . 식 (4.43)은 볼 츠 만
근 사 로 부 터 유 도 되 었 음 을 명 심 해 야 한 다 . 불 쯔 만 근 사 가 성 립 하 지 않 으 면 식 (4.43)도

성립하지 않는다.
열평 형 상 태 에 있는 외 인 성 반 도 체 는 엄밀히 말하여 비록 열생성된 캐 리 어 들 은 존재
하 지 만 진 성 캐 리 어 는 존 재 하 지 않 는 다 고 할 수 있다. 진 성 전 자 와 정 공 농 도 는 억 셉 터 와
도 너 불 순 물 에 의 하 여 변 화 되 었 다 . 그 러 나 ，식 (4.43)의 진 성 농 도 를 단순히 반도체의

물성 파 라 미 터 로 생 각 할 수 있다.

*43. 3 페 르 미 - 디 락 적 분

열 평 형 상 태 의 전 자 와 정 공 농 도 에 대 한 식 (4.1 1 )과 (4.1 9)를 유 도 하 는 데 있 어 서 볼 츠 만

근 사 가 성 립 한 다 고 가 정 하 였 다 . 만 약 볼 츠 만 근 사 가 성 립 하 지 않 으 면 열평 형 상 태 전 자
농 도 를 식 (4.3)으 로 부 터

(E - E c) ' /2 d E
(4.44)
n =
1 +exp (프 瓦 욘 )

가 된다. 다시 변 수 를

E ~ EC
V =
(4.45 a )
kT

e f - e c
Vf = (4.45 b )
kT

로 치 환 하 면 식 (4.44)는

( 2 m *kT 13/2 171/2 d r ]

n = 4 tt (4.46)
ex p (17 - r] F)

이 돤 다. 적 분 을 다 음 과 같이 정 의한다.

7]]/2 d r ]
1 /2( 刀 ) (4.47 )
1 + ex p (17 - r jf)

페 르 미 -디 락 적 분 이 라 고 부 르 는 이 함 수 는 변 수 、 에 대 하 여 표 로 계 산 되 는 함 수 이

다 . 그 림 4.1 0은 페 르 미 -디 락 적 분 의 그 림 이 다 . 만 약 Vf > 이면 하 > c이 므 로 페 르

미 에 너 지 는 사 실 상 전 도 대 내에 있게 된다 .

[독 척 1 페 르 미 -디 락 적 분 을 이 용 하 여 전 자 농 도 를 계 산 한 다 .
VF = 2라 고 두 면 페르미 에 너 지 는 T = 300 K 에서 전 도 대 위 약 52 m e V 에 존 재 한 다 .
 4.3 외인성반도체 1 27

10

•
b
10

1 _
-6 -4 -2 0 2 4 6
(EF-E^kT 미야

그림 4.1 0 페르미 에너지의 함수로서 페르미-디락 적분 Fl/2(Sze[ll] 참조)

■四
식 (4.46)은

w0= NCFi/2 (t 7f )

이 된다. 300 K에서 실리콘에 대하여 Nc = 2.8X 1 019 cm - 3이고，그림 4.1 0으로부터 페르
미-디락 적분은 기/2(2) = 2.3이다. 따라서

n (2.8 X 1 019)(2 . 7 ) = 8.53

이다.

1주 석 1
식 (4 . 1 1 ) 을 사용하면 해의 열평형상태의 값은 해 = 2 . 0 8 x l 2 0 c m - 3 이고，이것은 볼츠만
근사가 이 경우 성립하지 않으므로 옳지 않다.

연습^^
E x 4. 6 T = 3 00 K 에서 실리콘의 n0 = 1 .5 x 1 20 c m -3 이면 전도대 에너지 .에 대한 페
르미 에너 지 준위의 위치를 계산하시오. Ec. ( a s 88380'0 ^ " 3 's u y )

열평형상태의 정공 농 도 를 계산하기 위해서 동 일 한 방법 을 사용한다. 따라서

[2쭈 ( ,)1/2 dr ] '

P = 47T (4.48)
1 + exp ( 7], _ Vf)
1 28 Chapter/. 평형상태의 반도체

이고, 여기서

V = 느 군 (4. 49a)

이고

V 'f = 드 쓴 (4.49 b )

이다.
식 (4.48)에 서 적 분 은 비 록 변 수 는 약 간 다 르 지 만 식 (4.47 )에 서 정 의 한 같 은 페 르

미 -디 락 적 분 이 다 . 만 약 水 > 이 면 페 르 미 준 위 는 가 전 자 대 에 있게 된 다 는 점 을 유의
하자.

이해도 평가

TYU 4.8 (a ) EF = 이고 T = 300 K 일 때 실 리 콘 의 열 평 형 상 태 의 전 자 농 도 를 계 산 하

라. (b ) Ef = ∼이 고 T = 300 K 일 때 실 리 콘 의 열 평 형 상 태 의 정 공 농 도 를 계
산하라. [C-UW 81 이 X Z9 'L = °d (功 6，
이 X SO'Z = (») 'SUV]

U.2M 축 퇴 와 비축퇴 반도체

반 도 체 에 도 펀 트 원 자 들 의 도 핑 을 논 의 함 에 있어서 도 펀 트 원자의 농 도 가 반 도 체 를 구

성 하 고 있는 원자의 농 도 와 비교하여 작다 고 묵 시 적 으 로 가정하였다. 작은 수의 불순

물 원 자 들 은 멀 리 떨 어 져 서 넓 게 퍼 져 있기 때 문 에 n 형 반 도 체 의 경 우 도 너 전 자 들 사
이의 상 호 간 섭 은 없다. 불 순 물 은 n 형 반 도 체 에 서 개 별 적 이 고 비 간 섭 적 인 도너 에너지

상 태 를 만 들 고 ，P 형 반 도 체 에 서 는 개 별 적 이 고 비 간 섭 적 인 억 셉 터 에 너 지 상 태 를 만 든
다 고 가 정 하 였 다 . 이 러 한 형 태 의 반 도 체 를 비 죽 퇴 ( n o n d e g e n e r a te ) 반 도 체 라 고 한 다 .

만 약 불 순 물 농 도 가 증 가 하 면 불 순 물 원 자 들 사 이 의 거 리 가 감 소 하 고 도너 전 자 들
이 서 로 간 섭 하 기 시 작 하 는 점에 도 달 하 게 될 것 이 다 . 이 러 한 현 상 이 발 생 할 때 단일
개별 도너 에 너 지 는 에 너 지 밴 드 로 형 성 될 것 이 다 . 도 너 농 도 가 더 욱 증 가 함 에 따 라 도

너 에너지 상태의 밴 드 화 는 더 확 장 되 고 전도대 하 단 과 겹치게 된다. 이 러 한 겹 침 은 도

너 농 도 가 유 효 상 태 밀 도 와 유 사 한 크 기 를 가질 때 발 생 한 다 . 전도대 의 전 자 농 도 가 상태
밀 도 Nc 보 다 클 때 페르미 에 너 지 는 전 도 대 내 부에 있게 된 다. 이 러 한 형 태의 반 도 체
를 축 퇴 ( d e g e n e r a te ) n 형 반 도 체 라 고 부 른 다 .
이 와 마 찬 가 지 로 p 형 반 도 체 에 서 억 셉 터 도 핑 농 도 가 증 가 함 에 따 라 개 별 적 인 억셉
터 에너지 상 태 가 에 너 지 밴 드 로 형성되어 가전자대의 상 단 과 겹쳐지게 된다. 페르미
에너지는 정공농도가 상태밀도 를 넘 어 서 게 될 때 가 전 자 대 내 부 에 있게 된 다 . 이러
한 형태의 반 도 체 를 축퇴 P형 반 도 체 라 고 한다.
축 퇴 n 형 과 축 퇴 p 형 반 도 체 에 대 한 에 너 지 밴 드 의 그 림 모 형 이 그 림 4.1 1 에 나 타 나
 4.4 도 너 와 억 셉터의통계 1 29

•
전도대 전도대
-K
' .공핍상태

lK h lk lK B
^
•
•t V 충만상태 (전자)
TK
져 (전자)
I다

:
가전자대 가전자대
(a) (b)

그림 4.1 1 축퇴된 (a )n ^ (b )[^ 반도체의 단순화된 에너지밴드 그림

있다. E f 아래의 에너지 상 태 들 은 대부분 전자로 채 워지고 위의 에너지 상 태 들 은 대

부 분 비어 있다. 전 술 한 바 와 같이 축퇴 n 형 반도체에서 하 는 Ec 위에 위 치 하 므 로 하 와
Ec 사이의 양 자 상 태 들 은 대부분 전자 로 채워진다. 그래서 전도대의 전 자 농 도 는 대단히
크게 된다. 이와 같이 축퇴 P 형 반도체 에서 하 는 Ev 아래 에 위 치 하 므로 와 E f 사이 의
에너지 상 태 들 은 대부 분 비어 있고，따라서 가전자대의 정공농도는 대단히 크게 된다.

U .U 도너와억셉터의통계

지난 장에서 특정 에너지 상 태 가 전자 로 채워질 확 률 을 나 타 내 는 페 르 미 -디 락 분 포 함

수 를 다 루 었 다 . 이 함 수 를 다시 논의하 여 확 률 통 계 를 도 너 와 억셉터 에너지 상태에 적
용 할 것이다.

u .u .\ 확 률 함 수

페 르 미 -디 락 확 률 함 수 를 유 도 하 는 데 사 용 된 하나의 조 건 은 오직 하나의 입자만이 각

양자 상태 에 허 용 되 는 파울리의 배 타율이다. 파울리의 배 타 율 역시 도 너 와 억셉터 상태
에도 적용된다.
N , 전 자 와 요,. 양 자 상 태 가 있다고 가 정 하 자 . 여기서 첨자 /는 /번 째 에너 지 준 위 를 나
타 낸 다 . 첫 번째 입자를 양자상태에 둘 수 있는 방 법 은 故■개가 있다. 각 도너 준 위 는 도
너 전자에 대해서 두 가지 가 능 한 스핀 방 향 을 가지 고 있 으 므 로 각 도너 준 위 는 2개의
양 자 상 태 를 가 지 고 있다. 그 러 나 ，양 자 상 태 가 두 개 이 더 라 도 모 든 도너 준위의 동 일 한
방향의 스핀이 우 선 적 으 로 모 두 채워 진 후 다 른 방향의 스핀이 채 워 지 므 로 하나의 전
자 가 하나의 도너 준위의 한 양 자 상 태 (스 핀 업 )를 채우면 그 도너 준위의 두 번째 양자
상 태 (스 핀 다 운 )는 다 른 도너 준 위 들 의 스핀 업 양 자 상 태 가 다 채워질 때까지 다 른 전
자 를 받 아 들 일 수 없다. 하나의 전 자 를 채 움 으 로 써 원자의 빈자리 조 건 -도 너 불 순 물
은 도 너 전 자 를 하 나 만 갖 는 다 -이 충족되 기 때문에 도너 준위 에 두 번째 전 자 를 첨가
하 는 것은 불 가 능 하 다 . 즉 양 자 상 태 는 둘이 지 만 전자는 하 나 만 둘 수 있 으므로 도너 에
너 지 상태에 있는 도너전자의 분 포 함 수 는 페 르 미 -디 락 함 수 와 는 약간 다르다.
1 30 Chapter 4 평형상태의 반도체

도 너 상 태 를 차 지 하 는 전자의 확 률 함 수 는

Nd
rid = ( 4 .50)
( E d ~ Ef \
1 + j exp
kT I

이다. 여기서 心는 도 너 준 위 를 차 지 하 는 전 자 농 도 이 고 句 는 도너준위 의 에너지이다 . 이

방 정식의 인수 1 /2는 위에서 언 급 한 전자의 스핀 방 향 을 고 려 한 결 과 이 다 . 인수 1 /2은
때로는 l /g 로 쓰 고 여기서 g 를 퇴화인자 (de ge nera cy f a ctor)라고 부른다.
식 (4.50)은

nd = N d - N+d (4.51 )

라 고도 쓸 수 있다. 여기서 N d+ 는 이온화된 도 너 농 도 이 다 . 많 은 경우 도너 상태에 남아

있는 전 자 농 도 보 다 는 이온 화된 도 너 농 도 가 더 중 요 하 다 . 왜냐하면 이온화된 도 너 농 도
는 전도대 로 이온화된 전 자 농 도 와 동일하기 때문이다.
억셉터 원자에 대해서 도 같 은 분 석 을 하면 다 음 과 같 은 식을 얻을 수 있다.

Pa = K ~ N (4.52)
1 + g exp
(수 )
여기서 N a 는 억셉터 원자의 농 도 이 고 ，及a는 억셉터 에너 지 준 위 ，此 는 억셉터 에너지
준위에 있는 정공농도이다. 그 리 고 A。 는 이온화된 억셉터 농 도 이 다 . 억셉터 에너지 상
태에 있는 정공 은 전하 적 으 로 중성이며 4.2.1 절에서 논 의 한 바 와 같이 주변의 가 전 x f 를
포획하기 전 억셉터 원자의 빈자리 결함에 해당한다. 파라미터 요는 퇴화인 자 이 다 . 바닥
상태의 퇴 화 인 자 g 는 실 리 콘 과 갈륨비소 의 경우 억셉터 준위에 대해서 밴드 구 조 때문
에 보 통 4가 된다.

U. U2 완전 이 온 화 와 동결

도너 에너지 상 태 에 있는 전자의 확 률 함 수 는 식 (4.50)으 로 주 어 졌 다 . 만 약 ( Ed - E F )

» y tr 이면

Nd - ( Ed - E f )
nd 2 Nd e x p (4.53)
( E dj - E A kT
exp I
kT I

이다. 만 약 ( Ed - E F ) » 切 끼 면 볼 츠 만 근 사 가 전도대의 전자에 적 용 되 므 로 식 (4.1 1 )

로부터

~ ( EC~ Ef )
n = Nc e x p
kT

가 된다.
 4.4 도너와억셉 터 의 통 계 1 31

총 전자의 수에 대 하여 도너 상태 에 있는 전자의 상대 적 인 수 를 비 교 할 수 있다. 그

러므 로 전도대 의 총 전 자 수 와 도너 상태 에 있는 전자의 합에 대 한 도너 상태 에 있는
전자 수의 비를 계산 할 수 있다. 식 (4.53) 과 (4.11)을 사용하면

~ ( Ed — E F)
2 Nd exp
nd kT (4.54)
nd + n \- ( Ed- E F) \- ( ec - e fy
2 Nd exp + Nc exp
kT kT

이 된다. 페르미 에 너 지 는 이 방정식에서 상 쇄 된 다 . 분자로써 분 모 와 분 자 를 나누면

nd = ___________1___________
(4.55)
nd + 1 Nc ~ ( E C — E d)
1 + 2A ^ exp — 瓦 ^]

이 된다. 인자 (E c - E d) 는 바로 도너전자의 이 온 화 에너지이다.

I 목적 I T = 300 K 에서 도너 상태에 남아있는 전자 수의 비율을 계산한다. K i y i i M

T = 300 K 에서 도핑농도 Nd = 1016 c m -3인 도핑을 생각한다.

풀이
식 (4.55)를 사용하면
rid = 0. 004 1 = 0. 4 1 %
n + nd

■
이 예제는 전도대에 비하여 도너 상태에는 아주 적은 수의 전자가 있음을 보여준다. 중요한
것은 도너 상태에서 이온화된 모든 전자들은 전도대로 이동한다는 것이다. 왜냐하면 도너
상태의 0.4% 만이 전자로 채워져 있기 때문이다. 이러한 상태를 완전이온화라고 부른다.

연습문제
Ex 4.7 (a) T = 250 K 와 (b) T = 200 K 에서 예제 4.7 을 반복 계산하시오. (c) 온도가 감
소함에 따라 그 비는 어떻게 변화하는지 설명하시오.
운 극 In r r 士2 七a l l o f t 不往 位玉궁 切 네 乂 SL_l (功 -0 I X OS•
스(») su y ]

상 온 에 서 도너 상 태 는 원 칙 적 으 로 완 전 이 온 화 (complete ionization) 되 며 ，통 상 적 인
도 핑 농 도 인 1 016 cn 3일 경우 거의 대 부분의 도너 불 순 물 원 자 들 은 전 도 대 로 전 자 를
이온 화시킨다.
상온에서 억셉 터도 역시 완 전 이 온 화 된 다 . 이것 은 각 억셉터 원자 가 가전자대로부터
전자를 받아들이므로 는 이 된 다 는 의 미 이 다 . 통 상 적 인 억셉터 도 핑 농 도 에 서 하 나
의 억셉터 원 자 는 하나의 정 공 을 가 전 자 대 로 이 온 화 시 킨 다 . 이 러 한 이 온 화 현 상 과 전
도대 및 가전자대에서 전자 와 정공의 발생이 각 각 그림 4.12 에 나타 나 있다.
완 전 이 온 화 의 반대 현 상 이 『 = 0 K 에서 발 생 한 다 . 절 대 온 도 K 에서 모 든 전 자 는
1 32 Chapter4 평형상태의 반도체

전도대 전도대
_ EC
，

t+ i + l + l + 1+ 1+ y
4-
■
R- 瓦
7T 7T ' EFi
- E Fi
玄 玄 Ea
져 져 4 의 I
+、 + Ev
) )
f표 + + + +
가전자대
V
가전자대
(a) (b)

그림 4.1 2 (a) 도너 상태와 (b) 억셉터 상태의 완전이온화를 보여주는 에너지밴드 그림.

전도 에 A
전도 대
^
-
•

K
K
7r 7r•
• ^
k• •
> r <
r < 一
져

f
하
져 v
가전자대 가전자대
(a) (b)

그림 4.1 3 (a ) n 형 반도체와 (b) p 형 반도체의 T = 0 K 에서 에너지밴드 그림.

가 능 한 가장 낮 은 에너 지 상태에 있게 된다. 즉 n 형 반도체에서 각 도너 상 태 는 하나의

전 자 를 가 져 야 하 므 로 nd = N d 혹 은 N ; = 0이 된 다 . 그 러 면 식 (4.5 0)으 로 부 터
e \ p [ ( Ed - Ef ) / kT ] = 0이 어야 한 다 . 1 = 0 K 이므 로 이 것 은 e xp ( - 。。) = 0이 어야 하고
따라서 E f > Ed 임을 의 미 한 다 . 페르미 에너지 준 위 는 절 대 온 도 0 K 에서 는 도너 에너
지 준위 위에 있 어 야 한 다 . p 형 반 도체의 경우 절 대 온 도 0 도에서 불 순 물 원 자 는 어떤
전자 도 가질 수 없 으므로 페르미 에너지 준 위 는 억셉터 에너지 상태 아래에 있어 야 한
다. 그래서 전자의 분 포 와 페르미 에 너 지 는 온도의 함 수이다.
이 책 에 는 없 지 만 자 세 한 분석 에 의 하면 페르미 에 너 지 는 n 형 반도체의 경우 & 와
Ed 가운데 위 치 하 고 p 형 반 도체에 대 해 서 는 a와 „ 가운데 위 치 한 다 . 그림 4.1 3은 이
러 한 현 상 을 보 여 준 다 . 도너 상 태 로 부 터 어떤 전자 도 열에너지에 의하여 전 도 대 로 상
승하 지 못 하 고 이 러 한 현 상 을 동결(freeze out)이 라 고 한 다 . 이와같이 가 전 자 대 로 부 터
어떤 전자도 억셉터 상 태 로 상승하지 못 할 때 이것도 역시 동 결 이 라 고 한다.
r = 0 K 의 동결과 T = 300 K 의 완 전 이 온 화 사이에 도 너 와 억셉터의 부 분 이온 화
가 있다.

■ ■ ■ ■ ■ I 목적 I 억셉터 원자의 90%가 이온화되뉴 온도름 계산하다.

농도 Na = 1 016 cm 3 으로 붕소가 도핑된 p형 실리콘을 생각한다.
가전자대와 억셉터 상태에 있는 정공에 대한 억셉터 상태에 있는 정공의 비율을 계산한다•
볼츠만 근사와 퇴화인자 유 = 4를 고려하면

숙 ∼心
이다. 90% 이온화되려면
Pa
-- 0.1 0
P + Pa (1.04 X 1019)
\3 /2

(355 • exp 1 -0.045 '

4 (1 0 16) a 259 (옮 )

이다. 반복계산하면 T = 193 K 가 얻어진다.

S 3
이 예제는 약 상온 l °C 아래에서 억셉터 원자의 90%가 이온화됨을 보여준다. 다시 말하
면 억셉터 원자의 90%가 가전자대에 정공을 보태주었다.

연습문제
E x 4.8 다음 온도에서 Na = I 016 cn 3 도핑된 실리콘의 억셉터 상태에 있는 정공의 비
율을 계산하시오. U-OI X 9 스'8 (<?) V I X T6' (») suy ]

이해도 평가

TYU 4.9 실리콘에서 B의 농 도 7 } N a = 1 017 c m - 3일 때 T = 300 K 에서 억셉터 상태에

남아있는 정공을 총 정공에 대한 비율로 계산하라. (6/.I 0 S W )

TYU 4.1 0 P 7 \ N d = 1 015 c m - 3 도핑된 실리콘에 대해서 다음 온도에서 이온화된 P 원자
의 비율 을 계산하시 오. ( a) T = 1 00 K , ( b ) T = 200 K , ( c ) T = 300 K , ( d ) T
= 400 K [%86'66 (P) -%96 66 (3) -%Z^66 iR) -%Z9'£6 (») _SUV ]

4. 5 전하중성

열 평 형 상 태 에 서 반 도 체 는 전 기 적 으 로 중 성 이 다 . 전 자 는 음 전 하 와 양 전 하 를 만들면서
에너 지상태 에 분포되어 있지만 순 전하 밀 도 는 이다. 이 전 하 중 성 조 건 은 열평형상태의
전자 와 정공 농 도 를 불 순 물 도핑농 도의 함 수 로 계산하는데 사용된다. 보 상 (compe ns ate d )
반 도 체 를 정의 하고 전자 와 정 공 농 도 를 도 너 와 억셉터 농도의 함수 로 계산 할 것이다.

4.5. 1 보상 반도체

보 상 반 도 체 는 같 은 영역에 도 너 와 억셉터 불 순 물 을 함께 도 핑 한 반 도 체 이 다 . 보 상 반
1 3^ Chapter 4 평형상태의 반도체

도 체 는 예 를 들어 P 형 반 도 체 에 도너 불 순 물 을 확 산 함 으 로 써 만 들 수 있다. n 형 보 상
반도체는 > N a 일 때 형 성 되 고 ，p 형 보 상 반 도 체 는 & < N a 일 때 형성된다. 만 약 ~
= 乂 이 면 완전 보 상 반 도 체 가 되고 앞으로 보 겠 지 만 진성 반도체의 특 성 을 갖는다. 보
상 반 도 체 는 소 자 를 제 작 하 는 동안에 자연히 형성된다.

4.5. 2 열평형상태의 전자 및 정공농도

그림 4.1 4는 보 상 반 도 체 를 만들기 위하여 도 너 와 억셉터 불 순 물 을 같 은 영역에 도핑

했 을 때 반 도 체 의 에 너 지 밴 드 를 나 타 내 고 있 으 며 ，전 자 와 정공이 에너지 상 태 에 서 어
떻게 분포될 수 있는지 를 보여준다.
전 하 중 성 조 건 (charge n e utra lity c o n d itio n )은 음 전 하 와 양전하의 농 도 를 같게 둠으 로
써 표현된 다 . 그러면

n + N = p + N^d (4.56)

혹:은

n + (Na - p a) = + ( Nd - nd) (4.57)

이다. 여기서 해 와 써 는 각 각 전 도 대 와 가전자대에 있는 열평형상태의 전 자 와 정공농 도

이다. 파라미터 nd는 도너 에너지 상태에 있는 전 자 농 도 이 므 로 " / = N d - nd은 양 전하
를 띤 도너 상태 의 농도이 다. 이 와 같이 p a는 억셉 터 상태 에 있는 정 공 농 도 이 므 로

전체 전자농도

열 전자 i 도너 전자

• Ec

Ed

비이온화 버 = (Nd - nd)

도너 이온화 도너
，EFi
비이온화 Na = ( N a - p a)
억셉터 이온화 억셉터

Ea
X U .. ^ ! 公v

열 정공 억셉터 정공

전체 정공농도

그림 4.1 4 이온화와 이온화되지 않은 도너와 억셉터를

보여주는 보상 반도체의 에너지밴드 그림이다.
 4.5 전하중성 1 35

= N a - p a 은 음 전 하 를 띤 억셉터 상태 의 농 도 이 다 . 페르미 에 너 지 와 온 도 에 대 한 « ,
p , nd 그 리 고 此의 표현식들이 있다.

열평형상태 전자농도 완 전 이 온 화 를 가정하 면 ~ 와 모 두 이고，식 (4.57)은

n + Na = p + nd (4.58)

이 된다.
만 약 p 를 n f /해 로 표현하 면 식 (4.58)은

n 세 Nd (4.59b )

가 되고 ，다시

« _ ( Nd - Na) n —«
■= 0 (4.59b )

가 된다. 전자 농도 때는 2차 방정식의 근의 공 식 을 사용하여 계산할 수 있다. 즉

( Nd - N a) ( Nd - Na ) (4.60)
n +
2 서

이 다. 근의 공식 에 서 양의 부 호 를 사 용 해 야 한다 . 왜 냐하면 사a ~ = 0인 진성 반도
체의 경우 전 자 농 도 는 양의 값，즉 따 = 자이어야 하기 때 문 이 다 ­
식 (4.60)은 n 형 반 도 체 ，즉 ~ 〉 N a 인 경우 전 자 농 도 를 계산하는데 사 용 된 다 . 식
(4.60)이 보 상 반도체에 대하여 유 도 되 었 지 만 이 방 정 식 은 ^ = 에 대해서도 성립한
다.

주어진 도핑농도에 대하여 T = 300 K 에서 열평형상태의 전자와 정공농도를 계산

한다. (a) Nd = 1 016 c m -3 과 7Va = 0 일 경우，(b ) Nd = 5 x 1 015 c m —3과 A느 = 2 x 1 015 c m -3
일 경우. T = 300 K 에서 진성 캐리어 농도는사,. = 1 . 5 X 1 010 c m -3이라고 가정한다.

풀이
(a) 식 (4.60)으로부터 다수 캐리어 전자농도는

n = ^ + (뿌 )2+ ( 1 _5 x 1 10) 2 = 1 16 c m —3

이다. 소수 캐리어 정공농도는

_ n ] _ (1 .5 X 1 010) 2
= 2.25 X 1 04 c m - 3
Pa = W0 ------- i I^

이다.
(b ) 식 (4.60)으로부터 다수 캐리어 전자농도는

n =
5 父 1 15 도2 X .1으으+ 이 5 X 1 애 - 2 X l i꾸 + (15 x 1 10)2 s 3 x 1 (P cm~3
1 36 Chapter4 평형상태의 반도체

이다. 소수 캐리어 정공농도는

_ n] _ (1 .5 X 1 010)2 _
7.5 X 1 04 cm 一3
p' ' ~ n 3 X 1 15 =
이다.

■
두 경우 모두 ( Nd - N a) » 이므로 열평평상태의 다수 캐리어 전자농도는 도너와 억셉터
농도 차이와 같다. 두 경우 모두 다수 캐리어 전자농도는 소수 캐리어 정공농도에 비하여
차수가 수 배 정도 크다.

연습^^
E x 4. 9 도핑농도가 = 7 x 1 이5 c m -3, Na = 3 x 1 15 c m —3일 때 다음 온도에서 열평형
상태의 전자와 정공농도를 계산하시오. (a ) T = 2 5 0 K , (b ) 7 = 400 K

[ E- m 3 6 l x 9 I P 'l = ° r f l _ u i o SI [ X p = °u(q) e_uiD g i i ' i = 쌔 ‘ E_ u w s

； i X p = u (a) s u y ]

예제 4.9의 결 과 와 앞에서 논 의 하 였 듯 이 전도대의 전 자 농 도 는 도너 불 순 물 원 자 를

도 핑 함 에 따 라 진성 캐리어 농 도 이 상으로 증 가 한 다 . 이 와 동시에 소 수 캐리어 정공 농
도 는 도너 원 자 들 을 도핑함에 따 라 진성 캐리어 농 도 이하로 감소한 다 . 도너 불 순 물 원
자 와 이에 해 당 하 는 도너 전 자 를 도 핑 함 에 따 라 에너지 상 태에서 전자의 재 분 포 가 발
생한다. 그림 4.1 5는 이 러 한 물리적 재분포의 그 림 을 보 여 준 다 . 일부 도너 전자들이 가
전 자 대 의 빈 상 태 로 떨어질 것 이 고 , 이렇게 됨에 따 라 진성 정공의 일 부 가 사 라 진 다 .
그 러 므 로 소 수 캐리어 농 도 는 예제 4.9에서 보듯이 감 소 할 것이다. 이 와 동시에 이러한
재분포 때문에 전도대의 순 전 자 농 도 는 단순히 도 너 농 도 와 진성 전자농도의 합 과 같지
않다.
진성 전자

- H 우 ) ) )
+ + + + + +
------------,--------------------------------- ,---------
이온화도너 비이온화도너

> 약간의 도너 전자가

약간의 진성정공을
소멸시킨다.
f
I [
© © © + > 진성정공
'— „— 1

NetP =|

그림 4.1 5 도너가 첨가될 때 전자의 재분포를 보여주는 에너지밴드 그림.

[H ] 주어진 도핑농도에 대하여 게르마늄의 열평형상태의 전자와 정공농도를 계산한다.
T = 300 K 에서 Nd = 2x 1 014 c m _ 3과 Na = 0으로 도핑된 게르마늄을 생각하자. =
2.4 x 1 013 c m -3라고 가정한다.

향 !!
다시 식 (4.60)으로부터 다수 캐리어 전자농도는

2 X 2 1 0 '4 + V ( 2 >y 1 4) 2 + (24 x 1 i3 )2 = 2 . 02 8 X 1 01 4c u t 3

이다. 소수 캐리어 정공농도는

(2 .4 1 013) 2
父
= 2 .84 X 1012cm—
3
2 . 02 8 X 1 014

이다.

S 3
만약 도너 불순물 농도가 진성캐리어 농도와 많이 다르지 않으면 열평형상태의 다수 캐리
어 전자농도는 진성캐리어 농도의 영향을 받는다.

연습
E x 4.10 다음 온도에 대해서 예제 4.1 0의 계산을 반복하시오. ( a) T = 250 K, (b) T =
350 K, (c ) 도핑농도가 작은 반도체는 온도가 증가함에 따라 어떻게 변하는지 설명하시오.
[ '-b i i p t 吉 히 位 극 It e H 位 ⑶ f, OI X 6S0 I =
X 6 S 01 = °d ‘ _ u w „, i x 6 0 = °« (<?) - 八 며 。 60I X L V 6 = 쌔 ‘ _ 삐 w i x Z= ( ) 's u y ]
田

진성캐리어 농 도 «，
■는 온도의 의존성이 대단히 큰 함수 인 것을 보 았 다 . 온 도 가 증 가
함에 따 라 추 가 전 자 -정 공 쌍이 열 생 성 되 므 로 식 (3.60)의 n } 항이 지배적이 되고，반도
체는 결국 외인성 특 성 을 잃어 버릴 것이다. 그림 4.1 6은 도 너 가 5 x l 01 4c m _ 3으 로 도
핑된 실리콘의 전 자 농 도 와 온도의 관 계 를 보 여 준 다 . 온 도 가 증가함에 따 라 진 성 농 도 가

그림 4.1 6 부분이온화，외인성 및 진성 등 세 영역을 보여 주는 온도에 대한 전자농도

1 38 Chapter4 평형상태의 반도체

지배적이 되 는 영 역 을 볼 수 있다. 또 한 저온에서 부 분 이 온 화 , 혹 은 동결의 시 작 점 을

볼 수 있다.
열평형 정공농도 식 (4.58)을 다시 고 려 하 고 따를 상//7 으로 표현하면

n2
《 + Na = Pq Nd (4.61 a)

이 되고，
pi ~ ( Na - Nd)p - n] = 0 (4.61 b )

가 된다. 근의 공 식 을 사용 하면 정공농도 는

Na - Nd , - N d 、2 , ,2
Po 2 + V l 2 ) +n'

가 된다. 여기서 다시 양 부 호 를 사 용 하 여 야 한다. 식 (4.62)는 Na > N d 인 p 형 반도체에

서 열 평 형 상 태 의 다 수 캐리어 정 공 농 도 를 계산하기 위하여 사 용 된 다 . 이 방 정 식 은 또
한 Nd = 0일 경우에 도 적용된다.

W B IB B B f S 3 보 상 p 형 반도체에서 열평형상태의 전자와 정공농도를 계산한다.

T = 300 K 에서 Na = 1 016 c m —3과八느 = 3 x 1 015 c m —3으로 도핑된 실리콘 반도체 생
각하자. nt = 1.5 x 1 10 c m - 3라고 가정한다.

풀이
Na > 이므로 보상 반도체는 p 형이고，열평형상태의 다수 캐리어 정공농도는 식 (4.62)에
의하여

P 0 = 1 0 '6 - \ x 1015 + / ( 10,6 三| X 107 + (1 .5 x 1 0 ，

이므로
~ 7 X 1 015 c m -3

소수 캐리어 전자농도는 다음과 같다.

_ n] (1 . 5 父 1 010) 2
= 3 .21 X 1 04 c m _ 3
W = ^ = 7 X I"

C H ]
완전이온화와 (乂 -& ) » 이를 가정하면 다수 캐리어 정공농도는 근사적으로 바로 억셉터
와 도너 농도의 차와 같다.

연습문제
E x 4.1 1 T = 300 K 에서 실리콘을 생각하자. 다음 도핑농도에 대하여 열평형상태의 전
와 정공농도를 계산하시오. (a ) Na = 4 x 1 16 c m ' 3, Nd = 8 x l 15 c m —3, ( b ) Na = Nd = 3

X l O 15 c m -3 . [e-UK) 이이 X g 'l = °u = °d (q) te_ uio x £ 'L = ^ 9iO I X Z'£ = d(v) *suv]
 4.6 페 르 미 에 너 지 준 위 의 위치 1 39

보 상 P 형 반도체에 대해서 소 수 캐리어 전자농도는

«= N d)
P ~ ~ W a-

로부터 계산됨을 유의하라.

식 (4.60)과 (4.62)는 각 각 n 형 반도체의 다수 캐리어 전 자 농 도 와 p 형 반도체의 다수
캐리어 정 공 농 도 를 계산하 는데 사 용 된 다 . n 형 반도체의 소 수 캐리어 정 공 농 도 는 이론
적 으 로 식 (4.62)로부터 계 산 할 수 있다. 그 러 나 ，앞의 예 에 서 와 같이 1 04 c m _ 3의 차수
를 갖 는 수 를 구하기 위하여 1 16 c m - 3의 큰 차수의 두 수 를 서로 빼 야 하 므 로 큰 오 차
때문에 실 제 적 으 로 가능하지 않다. 소 수 캐리어 농 도 는 다 수 캐리어 농 도 가 일단 계산
되면 n j j 0 = «,2으로부터 계산된다.

이해도 평가

TYU 4.1 1 T = 300 K 에서 Nd = 5 x l 15 cm " 3, Na = 2 x 1 016 cm —3 도핑된 보상 GaAs

반도체에 대해서 열평형상태의 전자 및 정공농도를 계산하라.
(卜 UI3 卜 1 X 9Y Z = °M ‘ E-UI。91 1 X S 'l = °d -s u y)

TYU 4.1 2 실 리 콘 이 Nd = 1 015 cm —3와 A느 = 0로 도 핑 되 어 있 다 . (a ) 300 < 7 < 600 K

에서 전 자 농 도 를 온 도 에 대 한 그 래 프 로 그 려 라 . (b ) 전 자 농 도 가 1.1 x 1 015 cm - 3
와 같아지는 온도를 계산하라. 노 여 SI이 X 017-1 = "N -s«V)
TYU 4.1 3 n 형 재료를 사용하는 실리콘 반도체 소자가 T = 550 K 에서 작동하고 있다. 이
온도에서 진성캐리 어농도가 총 전자농도의 5%를 넘 지 않아야 한다. 이 러한 요
건을 만족하기 위한 최소 도너농도를 계산하시오. ( _ U» SI i X O f l = PN -suy )

46 페 르 미 에 너 지 준 위 의 위치

4.3.1 절에서 전 자 와 정 공 농 도 가 밴드접 에너지에서 페르미 에너지 준 위 가 이동함에 따

라 어떻게 변 하 는 지 를 정 성 적 으 로 설 명 하 였 다 . 그 리 고 4.5절에서 도 너 와 억셉터 불 순
물 농 도 의 함 수로 서 전 자 와 정 공 농 도 를 계 산 하 였 다 . 이제 도 핑 농 도 의 함 수 와 온도의
함수로서 페르미 에너지 준위의 위 치 를 결 정 할 수 있다. 페르미 에너지의 관 련 성 을 수
학적 유 도 후에 더 상세히 설 명 할 것이다.

46. 1 수학적 유도

밴드집 내에서 페르미 에너지 준위의 위치는 이미 유도 된 열평형상태의 전 자와 정공농

도 식 을 사 용 하 여 결정 될 수 있다. 만 약 볼 츠 만 근 사 가 성 립 한 다 면 식 (4.1 1 )로부터 np
= N c 다 아 -切 -及 /피 를 얻을 수 있다. 이 식으로부터 足 -하 를 구 할 수 있고，
UO Chapter4 평형상태의 반도체

(4.63)

이 된다. 여기서 «。는 식 (4.60)에 의하여 주 어 진 다 . 만 약 7、 » 미인 n 형 반 도 체 의 경

우 ，n 0 - 이므로

Ec - E f = kT \n (3.64)

이다.
전 도대의 최저 에 너 지 와 페르미 에너지 사이의 거 리 는 도 너 농 도 의 로 그 함 수 이 다 .
도 너 농 도 가 증가함에 따 라 페르미 에너 지는 전도대에 가까이 이동한다. 역으로 페르미
에 너 지 가 전도대에 가까이 이동하면 전도대의 전 자 농 도 가 증 가 한 다 . 보 상 반도체의 경
우 식 (4.64)의 N d 항 은 간단히 N f N a，즉 유효 도 너 농 도 로 대치된다.

a s 특정 페르미 에너지를 얻기 위해서 필요한 도너 불순물 농도를 계산한다.

T = 300 K 에서 실리콘은 억셉터 불순물 농도 Na = 1 016 c m - 3를 가지고 있다. 실리콘
이 n 형이고，페르미 에너지가 전도대 바닥 에너지 아래 0.2 e V 에 위치하는데 필요한 도너
불순물 원자의 농도를 결정한다.

식 (4.64)로부터

£ f _ £f = , r l n (_ A _ )

을 얻을 수 있고

Nd - N a = Nc e xp [

이 된다. 그러면

Nd - N a = 2.8 X 1 019 e xp [ ( = ] = 1 .24 X 1 016 c m 一3

혹은

Nd = 1 .24 X 1 016 + Na = 2.24 X 1 016 c m —3

이 된다.

S 3
보상 반도체는 특정 페르미 에너지 준위를 얻기 위하여 제작될 수 있다.

연습문제
E x 4.1 2 T = 300 K 에서 도핑농도 八느 = 8 x l 015 c m _ 3J V a = 5 x 1 15 c m —3인 실리콘에
대해서 모 게 대한 페르미 에너지의 위치를 계산하시오. (八3 89e^'0 = J3 - D3 'suy )
 4 .6 페르미 에너지 준 위 의 위치 U 1

페르미 준위의 위치에 대한 약 간 다 른 표 현 식 을 유 도 할 수 있다. 식 (4.39)로부터 «0

= n , e x p [(하 一 f i)/비 이다. 하 一하，
에 대하여 구하면

E F - E Fi = k T \ n ( ^ ) (4.65)

이다. 식 (4.65)는 특히 « 가 식 (4.60)에 의하여 주 어 지 는 n 형 반도체에 서 페르미 준위

와 진성 페르미 준위의 차 이 를 도너농 도의 함수로서 구하기 위하여 사용될 수 있다. 만
약 순 유 효 도너 농 도 가 0이 면 ~ 시 、 = 0이 므 로 따 = «，
.와 E f = 하,■이 다. 완전 보 상
반 도 체 는 캐리어 농 도 와 페르미 준위 위치에 있어서 진성의 특 성 을 갖는다.
P 형에 대해 서 같 은 형태 의 방 정 식 들 을 유 도 할 수 있 다 . 식 (4.1 9)로 부터 p 0 = N v
e xp [ - ( 하 - 이 므 로

Ef - E v = k T \n ( ^ -) (4.66)

■이면 식 (4.66)은
이 된다. 만 약 乂 » «，

= (4.67)

로 쓸 수 있다.
P 형 반도체에 있어서 페르미 에 너 지 와 가전자대 최고 에너지 사이의 거리 는 억셉터
농도 의 로 그 함 수 이 다 . 즉 억셉터 농 도 가 증 가 함 에 따 라 페르미 에 너 지 는 가 전 자 대 에
가까이 접 근한다. 식 (4.67)은 볼 츠 만 근 사 가 성 립 한 다 고 가정 한 것 이 다. 다시 p 형 보 상
반도체에 대해서 식 (4.67)의 N a 항 은 N a —N d , 즉 순 유 효 억셉터 농 도 로 대치된다.

페르미 준 위 와 진성 페르미 준위 사이의 관 계 를 정공농도의 표 현 식 으 로 유 도 할 수

있다. 식 (4.40)으로부터 p 0 = 시,, e x p [ —(목 一하,.)/«] 이고，

E f , - E f = k T \n ( g -) (4.68)

이 된다. 식 (4.68)은 진성 페르미 준 위 와 페르미 에너지 사이의 차 이 를 억셉터 농 도 로

써 구하기 위하여 사 용 할 수 있다. 식 (4.68)의 정 공 농 도 께 는 식 (4.62)에 의하여 주어
진다.
식 (4.65)로부터 n 형 반도체에 대해서 « > «,■와 하 > E Fi 인 것을 유 의 하 라 . n 형 반
도체의 페르미 준 위 는 하,. 위에 있다. p 형 반도체에서 p 0 > 이고，식 (4.68)로부터 E n
"，
> 하 인 것 을 알 수 있다. P 형 반 도 체 의 페르미 준 위 는 E Fi 아래에 있다. 이 결과들이
그림 4. ]7에 나타 나 있다.
H 2 Chapter 4 평형상태의 반도체

A
-
- ^• •
-
K
하
7r
l
^/ K
ol 7 r
F'
T< •
s •• F
:
7< V
5{: £•

(a) (b)

그림 4.1 7 ( a ) n 형 (Nd 〉 Na)과 (b) p 형 ((/Vrf < A y 반도체의 페르미 준위의 위치

Nd (cm^ )
1012 1013 1014 1015 1016 1017 101:

그림 4.1 8 도너농도 (n형)와 억셉터 농도 (p형)의 함수로서 페르미 준위의 위치

스.6. 2 도 평 농 도 와 온도에 대한 EF의 변화

페르미 에너지 준 위 를 도핑농도 의 함수로서 나타낼 수 있다. 그림 4.1 8은 r = 300 K 에

서 실리콘에 대하여 도 너 농 도 (n 형 )와 억셉터 농 도 (p 형)의 함수로서 페르미 에너지 준위
를 나타내었다 . 도핑 준 위 가 증가함에 따 라 페르미 에너지 준 위 는 n 형의 경우 전도대에
가까이 이동하고 P 형의 경우 가전자대에 가까이 이동한다. 지금까지 유 도 한 페르미 에
너지에 대한 방 정 식 들 은 볼 츠 만 근 사 가 성립한다고 가 정 하 였 다 는 것을 명심하자.

■ ■ ■ H e■ ’ 「례 볼츠만 근사가 성립하는 페르미 에너지 준위와 최대 도핑농도를 계산한다.

T = 300 K 에서 붕소가 도핑된 p 형 실리콘을 생각하자. 볼츠만 근사의 한계는
= 3때 일 때 발생한다고 가정한다. (4 2절 참조)

향 !!
표 4.3으로부터 실리콘에서 붕소의 이온화 에너 지는 Ea - Ev = 0.045 … 임을 알 수 있다.
만약 f , = 표—##이 라 고 가정하면 식 (3.68)로부터 최대 도핑의 페르미 에너지 위치는

E Fi - E F = 농 - (及a - 及„) - (E f - Ea) = * 7 In ( ^ )

 4.6 페르미 에너지 준 위 의 위치 1 43

혹은

0.5 6 - 0.045 - 3(0.025 9) = 0.437 = (0.025 9) In ( ^ - )

이다. 따라서 도핑농도에 대해서

Na = rit e xp ( 。
。요3; ) = 3.2 X 1 017 c m -3

이 된다.

(H )
실리콘에서 억셉터(도너) 농도가 대략 3 x 1 17 c m _ 3보다 크면 분포함수의 볼 츠 만 근사가
적합하지 않게 되고，페르미 준위 위치에 대한 방정식은 더 이상 정확하지 않다.

연습^^
E x 4.1 3 T = 300 K 에서 A s 이 도핑된 실리콘에 대해서 볼츠만 근사가 성립하는 최대 도
핑농도를 구하시오. 그 기준으로 Ed - EF = 3 kT 를 사용하시오. (E-iro il i x ZO'Z = °«'suy )

식 (4.65)와 (4.68)에서 진성 캐리어 농 도 는 온도의 강 한 함 수 이 므 로 하 도 역시 온

도의 함 수 이 다 . 그림 4.1 9는 실리콘에서 여러 가지 도 너 와 억셉터 농도에 대해서 페르
미 에너지 준위의 변화를 보여준 다 . 온 도 가 증가함에 따 라 이는 증 가 하 고 , 는 진성 페
르미 준위 가 까 이 로 이동한다. 고온에서 반 도 체 는 외인성의 특 성 을 잃어버리기 시 작 하
고 진성 반 도 체 와 같이 거 동하기 시 작 한 다 . 아 주 저온에서 는 동결 이 발 생 하 고 볼 츠 만
근 사 가 더 이상 적합하지 않고 페르미 준위 위치에 대해서 유 도 한 방 정 식 들 은 더 이상
적용되지 않는다. 동결이 발 생 하 는 저온에서 페르미 준 위 는 n 형의 경우 위로 이동하
고 P 형의 경우 Ea 아 래 로 이 동 한 다 . 절 대 온 도 0 K 에서 E f 아래 모 든 에너지 상 태 들 은
가득 차 고 E f 위 모 든 에너지 상 태 들 은 비어있게 된다.

그림 4.1 9 다양한 도핑농도에 대해서 온도함수로서 페르미 준위의 위치를 나타냄. (Sze [1 1 ] 참조)
1 44 Chapter4 평형상태의 반도체

스.6. 3 페르미 에 너지의 관련성

페르미 에너지 준위의 위 치 를 도 핑 농 도 와 온도의 함수로서 계 산 하 였 다 . 이 러 한 분 석 은

약 간 임 의 적 이 고 가 상 적 인 것처럼 보 인 다 . 그 러 나 ，이 러 한 관 계 는 앞으 로 논 의 하 게 될
pn 접합 과 반도체 소자에서 중 요 한 역할을 하게 된다. 중 요 한 점 은 열평형상 태에서 페
르미 에너지 준 위 는 전체 시스템에 걸쳐서 일 정 하 다 는 것이다. 이 말에 대해서 증 명 은
하지 않지 만 다 음 예를 통하여 타 당 성 을 직관적으로 알 수 있다.
전자 가 그림 4.20a 에서 보듯이 허용 밴드의 에너지 상태에 분포되어 있는 특정 재료
A 가 있다고 가 정하자. E f a 아래 대부분의 에너지 상 태 들 은 전 자 가 채워져 있고，E f a 위
대부분의 에너지 상 태 들 은 전 자 가 비어 있다. 전 자 가 그림 4.20b 에서 보듯이 허 용 밴 드
의 에너지 상 태에 분 포되어 있는 특정 재 료 B 를 생 각 하 자 . E f b 아래 대부분의 에너지
상 태 들 은 전 자 가 채워져 있고，E f b 위 대부분의 에너지 상 태 들 은 전 자 가 비어 있다. 만
약 이 두 물 질 들 을 밀착되게 붙 이 면 전체 시스템의 전 자 들 은 가 능 한 낮 은 에 너 지 를 찾
아서 이 동 할 것이다. 재료 A 의 전 자 들 은 열 평 형 상 태 에 도 달 할 때까지 그림 4.20c 에서
보듯이 재료 B 의 낮 은 에너지 상 태 들 로 흘 러 든 다 . 열 평 형 상 태 는 전자의 분 포 가 에너지
의 함수로서 두 물질에 서 같 을 때 이 루 어 진 다 . 이 러 한 평 형 상 태 는 페르미 에 너 지 가 그
림 4.20d 에서 보듯이 두 재료에서 같아질 때 이 루 어 진 다 . 반도체에 서 물 리 적 으 로 중요
한 페르미 에 너 지 는 반도체 재 료 와 소자의 특 성 을 나 타 내 는 훌 륭 한 가시적 표현 방법
을 제공한다.

허용
에 너지
상태 허용
에 너■
상태

(a)

그림 4.20 열평형상태의 (a) 재료 A, (b) 재료 B，( ) 재료 A와 B를 밀착된 상태，그리고 (d) 열평형

상태의 밀착된 재료 A와 B의 페르미 에너지.
이해도평가 _____
TYU 4.1 4 p 형 G a A s 에서 T = 300 K 일 때 가전자대 에너지에 대한 페르미 에너지의 위치
를 계산하시오. 도핑농도는사 a = 5 x l 016 c m —3이고 = 4 x l 15 c m -3이다.
(A 3 0 £!'0 = "3 - J3 'SUV )

TYU 4.1 5 n 형 S i 에서 T = 300 K 일 때 진성 페르미 에너지에 대한 페르미 에너지의 위치

를 계산하시오. 도 핑 농 도 는 Nd = 2 x 1 017 c m —3이 고 Na = y 乂 1 016 c rr T 3이다.
(A3 \Z V 0 = ,J3 - J3 'suy)

■ 전도대의 전자농도는 전도대에서 상태밀도함수와 페르미-디락 확률함수의 곱의 전도

대 에너지에 대한 적분이다.
■ 가전자대의 정공 농도 는 가전자대에서 상 태 밀 도 함 수 와 한 상 태 가 비어있을 확률, 즉
[1 -/ )]의 곱의 가전자대 에너지에 대한 적분이다.
■ M a xw e ll-B oltz m a nn 근사를 사용하여 전도대에서 열평형상태의 전자농도는

… = AUxp[— —西 — j

로 주어진다. 여기서 박 는 전도대의 유효상태밀도이다.

■ M a xw e ll-B oltz m a nn 근사를 사용하여 가전자대 에서 열평 형상태의 정공농도는

P = N^ P [ — 瓦 '— J

로 주어진다. 여기서 N v는 가전자대의 유효상태밀도이다.

■ 진성캐리어농도는

~ Es
nf = AyV„exp
~W

로부터 유도된다.
■ 반도체를 도너 ( V 족 원소)와 억셉 터(III족 원소) 불순물로 도핑 하여 n형 및 P 형 외 인성
반도체로 만든다는 개념을 는의하였다.
■ 기본 관계식 «的 = 바을 유도하였다.
■ 완전이온화와 전하중성의 개념을 사용하여 전자와 정공농도를 불순물농도의 함수식으
로 유도하였다.
■ 페르미 에너지의 위치를 불손문농도의 함수로 유도하였다.
■ 페르미 에너지의 관련성을 논의하였다. 페르미 에너지는 열평형상태의 반도체에서 일
정하다.
U 6 Chapters 평형상태의 반도체

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

억 셉 터 원 자 반도체에 첨가되어 p 형 반도체를 만드는 불순물 원자

전하 캐리어 반도체 내부에서 이동하여 전기를 발생시키는 전자와 정공
보 상 반도체 같은 반도체 영역에 도너와 억셉터를 동시에 포함한 반도체
완 전 이 온 화 모든 도너 원자들이 도너 전자를 내줌으로써 양전하를 띠게 되고，모든 억셉

터가 전자를 받음으로써 음 전하를 띠 게 되는 조건

축퇴 반도체 전자농도 혹은 정공농도가 유효 상태 밀도 보다 커서 페르미 준위가 전도대 (n
형) 혹은 가전자대 (P 형) 내에 있는 반도체
도 너 원 자 반도체에 첨가되어 n 형 반도체를 만드는 불순물 원자
유효 상태 밀도 양자상태 &(幻 와 페르미 함 수 /f (公 )의 곱을 전도대 에너지에 걸쳐 적분한
파라미터 所 와 양자상태 사 )와 페르미 함수 [1 - / f ( )]의 곱을 가전자대 에너지에 걸
쳐 적분한 파라미터 Nv
외인성 반도체 조절된 양의 도너와 억셉터를 첨가하여 전자( n 형)와 정공농도(p 형)가 진성
캐리어 농도 보다 많은 반도체
동 결 온도가 낮아지고 도너와 억셉터가 전하적으로 중성이 되는 조건. 전자와 정공농도가
대단히 작아진다.
진 성 캐 리 어 농 도 치 진성 반도체에서 전도대의 전자농도와 가전자대의 정공농도 (전자농
도와 같음)
진 성 페 르 미 준 위 EFi 진성 반도체의 페르미 준위의 위치
진성 반도체 어 떤 불순물 원자와 결함도 전혀 없는 순수한 반도체
비축퇴 반도체 비교적 적은 수의 도너와 억셉터가 첨가되어 개별적이고 비간섭적인 도너
상태와 억셉터 상태들이 형성되는 반도체

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장을 공부한 후，독자들은 다음과 같은 능력을 갖추어 야 한다.

■ 페르미 에너지의 개념에서 전자와 전공의 열적 평형 농도식을 유도할 수 있다.
■ 진성 캐리 어 농도의 표현식을 유도할 수 있다.
■ 전자와 정공의 유효상태밀도함수의 의미를 논의할 수 있斗
■ T = 300 K 에서 실리콘의 진성 캐리어 농도치를 말할 수 있다.
■ 진성 페르미 준위의 표현식을 유도할 수 있다.
■ 반도체 에 도너와 억셉 터 불순물 원자를 더한 영향을 설명할 수 있다.
■ 완전 이온화의 개념을 이해한다.
■ «水 = 이2 표현식의 유도를 이 해한다.
■ 축퇴 반도체와 비축퇴 반도체의 의미를 말할 수 있다.
■ 전하 중성의 개념을 서술할 수 있다.
■ 불순물 도핑농도의 개념으로 따와께의 수식을 유도할 수 있다.
■ 도핑농 도와온도에 대한 다양한 페르미 에너지에 대하여 기술할 수 있다.
 문제 147

복습 질문

1. 전도대(及 > 착)에서 전자농도는 에너지 표에 대해서 어떻게 변하는가?

2. 페르미 함수식으로 따에 대한 식을 유도할 때，적분의 상한은 전도대의 가장 높은 에너
지이여야 한다. 무한대를 대신 사용할 수 있음을 증명하라.
3. Boltzmann 근사식이 적용된다고 할 때，페르미 에너지 식을 이용하여 «와 의 방정
식을 적어라.
4. 진성반도체에서 전자와 정공의 생성 요인이 무엇인가?
5. 어 떤 조건하에서 진성 페르미 준위가 가운데 위치하는가?
6. 도너 불순물이란 무엇인가? 억셉터 불순물이란 무엇인가?
7. 완전 이온화란 무슨 뜻인가? 동결이란 무슨 뜻인가?
8. 마와 깨의 곱과 같은 것은 무엇인가?
9. 완전 이온화 조건으로써 전하 중성식을 적어라.
1 0. n-type 물질에서 « 와 온도관계의 그래프를 그려 라.
1 1 . 페르미 에너지와 도너 불순물 농도간의 그래 프 ，페르미 에너지와 온도간의 그래프를
그려라.
1 2. 페르미 에너지의 관련성을 설명하시오.

문제

4.1 절 반 도 체 의 전 하 캐리어

4.1 ( a) 실리 콘，(b ) 게르마늄, (c ) 갈륨비소에 대한 T = 200, 400, 600 K 에서의 진성 캐

리 어 농도 /2,•
를 계산하라.
4.2 200 < r < 600 K 의 온도범위에서의 (a) 실리콘，(b ) 게르마늄，(c ) 갈륨비소에 대한
진성 캐리어 농도 «，
를 그려라.切에 대한 로그 스케일을 이용)
4.3 실리 콘 소자 에서의 최대 진성 캐리어 농 도 는 5 ><1 니 Cm _ 3으로 제 한 된 다 . ~ =
1.1 2 e V 라고 하자. ( a) 소자에 대하여 허용된 최대온도를 구하라. ( b ) 최대 진성 캐리
어 농도가 5 x 1 012 c m -3으로 제한될 때 (a)를 반복하라.
4.4 특 정 한 반도체 물질에 서 유 효 상 태 함 수 밀 도 는 Nc = 7300)3/2와 •
(77300)3/2이고 자. 와 & 는 온도에 독립적인 상수이다. 실험적으로 진성 캐리어 능도
7\T = 200 K 에서 자 = 1 .40 x 102 c m —3이고^ 7 = 400 K 에서 자 = 7.70 x 1 0'° cm 3
으로 결정되었다. 곱 N m •∼ 의 값과 밴드캡 에너지 凡 를 구하라< g는 이 온도범위
를 넘어서면 변화가 없다고 가정한다).
4.5 2개의 반도체 물질들은 물질 A 의 밴드캡 에너 지 0.90 … 와 물질 묘의 밴드접 에너 지
1 .1 0 e V 를 제외하고 모두 같은 특징을 가지고 있다. ( a) T = 200 K , (b ) r = 300 K
그리고 (c ) T = 400 K 에서 물질 A 에 대한 물질 B 의 자의 비를 구하라.
4.6 ( a) 전도대에서 곱 사 )九(及)의 크기는 그림 4.1 에 보듯이 에너지의 함수이다. 볼츠
만 근사가 유효하다고 가정하자. 그 곱의 값이 최대가 되는 에너 지를 公c로부터 얼마
인지 구하라. (b ) 가전자대에서 곱 次.( )[1 -/ F(及)의 크기에 대하여 (a )를 반복하라.
U 8 Chapter-i 평형상태의 반도체

4.7 반도체에서 볼츠만 근사를 가정하자. E = 公c + 772에 대한 = + 4竹，

에서 n( E )
= 사 幻 />(幻의 비를 구하라.
4.8 실 리 콘에서 E c — E f = 0.20 … 라 가정 하자. 다음 온도에 서 +0.1 0 e V
범위에서 n ( E ) = 次.( )/F( )를 그려라. ( a) T = 200 K , (b ) T = 400 K
4.9 (a) T = 300 K 에서 실리콘을 생각하자. 0.2 른 Ec - Ev 침 0.4 … 의 에너지 범위에서
열평형상태 전자농도 «0(l g 스케일로 )를 그려라. (b ) 0.2 흐 E f - E v S 0.4 … 범위에
서 정공농도에 대하여 ( a)를 반복하라.
4.1 0 실리콘, 게르마늄, 갈륨비소에서 전자와 정공의 유효질량이 주어졌을 때 r = 300 K
에서 각 반도체의 진성 페르미 에너지 준위의 위치를 밴드캡의 중앙에 대하여 계산
하라.
4.1 1 T = 200, 400, 600 K 에 대하여 실리콘의 E F i를 밴드캡의 중앙에 대하여 계산하라.
4.1 2 ( a) 반도체의 캐리어 유효질량은 < = 1.21 m0, m*p = 0.70 /V 기다. T = 300 K 에서
밴드캡의 중앙에 대하여 진성 페르미 준위의 위치를 구하라. (b ) m \ = 0.080 w o 이고

m = 0.75 째 인 경우에서 (a ) 번을 반복하라.

4.1 3 만일 특정한 반도체의 전도대 상태밀도함수가 쇼와 같은 상수라면，페르미-디락 통계
와 볼츠만 근사가 성 립한다고 가정할 때 열평 형상태 전자농도의 식을 유도하라.
4.1 4 상태밀 도함 수가 E > 에 대해서 & .( )= Cx{ E - Ec) S . 주어질 때 문제 4.13을 반복
하라. 여기서 이 은 상수이다.

4 .2 절 도 펀 트 원 자 와 에너지 준위

4.1 5 보어 이론을 사용하여 게르마늄에서 도너 전자의 이온화 에너지와 반지름을 계산하

라.
4.1 6 갈륨비소에 대해서 문제 4.1 5을 반복하라.

4 .3절 외 인 성 반 도 체

4.1 7 T = 300 K 에서 실리콘이 비소원자들로 도핑되어 전자농도가 « = 7 x l 015 c m -3이

되었다. ( a) E c - Ef 값을 구하라. (b ) E f - E v% 구하라. (c ) 깨를 계산하라. (d ) 어느 캐
리어가 소수 캐리어인가? ( e ) EE - E F i% 구하라.
4.1 8 T = 300 K 에서 실리콘의 깨값은 2 x 1 016 c m —3이다. ( a) EF - E V^ 구하라. (b ) E c -
하의 값을 계산하라. (c ) 해의 값은 무엇인가? (d ) EFi- E F 를 결정하라
4.1 9 T = 300 K 에서 실리콘의 전자농도는 «0 = 2 x 105 c m - 3이다. ( a) 가전자대 에너지
준위에 대하여 페르미 준위의 위치를 결정하라. (b ) 께의 값을 결정하라. (c ) 이 물질
은 n 형 인가? p 형 인가?
4.20 ( a) 만일 T = 375 K 에서 갈륨비소 가 EC- EF = 0.28 … 일 때，해와 깨의 값을 계산
하라. (b ) ( a)에서의 n 의 값이 일정하다고 가정할 때 ，T = 300 K 에서 C- F와 /? 의
값을 구하라.
4.21 실리콘에 대하여 4.20을 반복하라.
4.22 T = 300 K 에서 실리콘의 페르미 에너지 준위는 미드캡 에너지 만큼 가전자대 상단
에너지에 가까이 위치한다. ( a) 이 물질은 n 형인가? p 형인가? (b ) 비)와/성의 값을 계
 산하라.
4.23 ( a ) T = 300 K 에서 실리콘의 페르미 에너지 준위는 진성 페르미 준위보다 0.22 eV
만큼 위에 위치한다. 하 와 께 를 결정하라. (b ) 갈륨비소에 대하여 (a ) 를 반복하라.
4.24 T = 300 K 에서 실리콘이 붕소 원자들로 도핑되어 정 공 농 도 가 깨 = 5 x 1 015 cm - 3

가 되었다. ⑷ 표F - 。 를 찾아라. (b ) 及c- 하 를 결정하라. ( C) «를 결정하라. (d ) 어느

캐리어가 다수 캐리어인가? (e ) 하 ,一 하 를 결정하라.
4.25 T = 400 도에 대해 문제 4.24를 반복하라. 정공농도는 변하지 않고 일정하다고 가정
하라.
4.26 만약 f - ; = 0.25 … 일 때，T = 300 K 에서 갈륨비소의 «와 의 값을 결정하라.
4.27 실리콘에 대하여 문제 4.26를 반복하라.
4.28 ( a) T = 300 실리콘에서 EF = Ec + kT/2라고 가정하자. «를 결정하라. (b) 갈륨
비소에 대하여 ( a) 를 반복하라.
4.29 T = 300 K 에서 정 공 농 도 가 p 0 = 5 x 1 019 cm - 3인 실리콘을 고려하자. c—及 를 결
정하라.
4.30 ( a ) T = 300 K 의 실리콘에서 EF- EC = 4 奸이다. 전자의 농도를 결정하라. (b ) 갈륨
비소에 대하여 (a ) 를 반복하라.

4 .4 절 도 너 와 억 셉 터 의 통계

*4.31 전도대와 가전자대에서 에너지 함수로서 전자와 정공농도는 그림 4.8 에서 보듯이 특

정한 에너지에서 최고점을 갖는다. 실리콘에서 E c - E f = 0.20 e V 라 가정하자. 농도
가 최고가 되는 에너지를 각 밴드의 최고 및 최소 에너지를 기준으로 구하라.
*4.32 반도체에서 볼츠만 근사가 성립하려면 페르미 준위는 n형 물질에서 는 적어도 도너
준위 3 kT 아래에，p 형 물질에서는 적어도 억셉터 준위 3 kT 위에 있어야 한다. T =

300 K ( a ) 실리콘, (b) 갈륨비소에서 볼츠만 근사가 성립하기 위한 n형 반도체의 최

대 전 자 농 도 와 "형 반도체의 최대 정공농도를 결정하라.
4.33 5 0 < 200 K의 실리콘에 있어서 총 전자농도에 대한 이온화 되지 않은 도너 원
자의 비를 온도에 대하여 그리시오.

4 .5 절 전 하 중성

4.34 다음의 조건에서 실리콘의 열평형상태 전자 및 정공농도를 구하라.

( a ) T = 300 K , Nd = 1 015 cm -3 JVa = 4 x l 15 cm —3
(b ) T = 300 K , 八 = 3 x 1 016 cm —3, Nu = Q
(c ) T = 300 K , Nd = Na = 2 x l 15 cm 一3
(d) T = 375 K ，Nd = Q，Na = 4 x 1 015 cm —3
(e ) T = 450 K , Nd = 1 014 cm —3, Na = Q
4.35 갈륨비소에 대하여 문제 4.34를 반복하라.
4.36 (a ) T = 300 K 에서 게르마늄 반도체를 생각하자. ( i) Nd = 2 x 1 015 cm - 3, Na = 0과
(ii) Na = 1 016 cm - 3, Nd = 7 x 1 015 cm - 3일 때 열평형상태 전자 및 정공농도를 계산 *

*표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

1 50 C h a p te r 평형상태의 반도체

하라. (b ) 갈륨비소에 대해서 ( a)를 반복하라. (c ) (비의 갈륨비소 경우 소수 캐리어농

도는 대략 1 _3 cm —이다. 이 결과는 물리적으로 무엇을 의미하는가?
*4.37 T = 300 K 에서 n 형 실리콘의 페르미 준위는 전도대로부터 245 m e V 아래에 그리고
도너준위로부터 200 m e V 아래에 있다. ( a) 도너준위를 전자가 차지할 확률, (b) 전도
대로부터 kT 위에 있는 에너지 상태를 전자가 차지할 확률을 구하라.
4.38 실리콘，게르마늄，갈륨비소가 T = 300 K 에서, Nd = 1 x l 13 c m ^3, N a = 2.5 父 1 013
c m -3로 도핑되었다고 가정하자. 각 재료에 대해서 ( a) n 형인가，p 형인가? (b ) 해 와 께
를 계산하라.
4.39 7 = 300 K 에서 실리콘 반도체 소자에 비소가 2 x 1 015 c m 3 그리고 붕소가 1 .2 x ] 15
c m -3 농도로 도핑되어 있다. ( a) 이 반도체는 n 형인가，p 형 인가? (b ) 따 와 과 를 계산하
라. (c ) 추가로 붕소를 더 도핑하여 정공농도가 4 x 1 015 c m -3이 되도록 만들려고 한다.
붕소 농도를 얼마나 더 추가해야 하는가? 그리고 새로운 n0 값은 얼마인가?
4.40 T = 300 K 에서 실리콘의 열평형 정 공 농 도 가 = 2 x l 5 c m —이다. 열평형 전자
농도를 구하라. 이 실리콘은 n 형 인가，p 형인가?
4.41 T = 250 K에서 게르마늄 반도체에 대해서 깨 = 4 « 그 리 고 Nd = 0이다. p 0, n 0 그

리고 … 를 구하라.
4.42 Nd = 0와 /Va = 1 014 c m —3로 도핑된 실리콘 샘플을 고려하자. 200 < 7 < 500 K 범
위의 온도에 대한 다수 캐리어 농도를 그리시오.
4.43 T = 300 K 에서 실리콘에 도핑된 억셉터 농도 사a = 0이다. 1 015 < < 1 018 c m 3
범위의 에 대한 소수 캐리어 농도(lo g -lo g 로)를 그리시오.
4.44 갈륨비소에 대해 문제 4.43를 반복하라.
4.45 특정 반도체 가 ~ = 2 x l 14 c m ~3 그리고 ~ = 1.2 x 1 014 c m —3으로 도핑되어 있
다. 열평형 전자농도가 /2 = 1.1 x 1 14 c m - 3으로 확인되 었다. 완전 이온화라고 가정
할 때，진성캐리어 농도와 열평형 정공농도를 구하라.
4.46 ( a) T = 300 K에 서 실 리콘에 붕 소 농 도 가 3 x 1 016 Cm _ 3, 비 소 농 도 가 1 .5 x 1이6
c m - 3으로 균일하게 도핑되어 있다. 이 물질은 n 형인가，p 형인가? 다수 캐리어와 소
수 캐리어의 열평형 농도를 계산하라. (b ) 추가로 불순물을 도핑하여 정공이 다수 캐
리 어 가 되 고 열평형상태 농도가 Po = 5 x K ) l 6 c m _ 3된다. 불순물의 형(type )는 무엇
이고，농도는 얼마인가? 새로운 값은 얼마인가?
4.47 Ta = 300 K 에서 실리콘에의 도핑농도가八 = 7 x l 015 c m —3이고，미) = 2 x l 4 cm —
3이다. (a ) 이 재료는 n 형인가，p 형인가? (b ) 다수 캐리어와 소수 캐리어 농도는 얼마
인가? (c ) 도너 불순물 농도는 얼마이어야 하는가?

4 .6절 페르미 에너지 준 위 의 위치

4.48 Na = 1 015 c m - 3의 억셉터 농도와 ~ = 0의 도너농도를 갖는 게르마늄을 고려하자.

7 = 200 K , r = 400 K ,T = 600 K 에서 진성 페르미 준위에 대한 페르미 에너지의
위치를 계산하라.
4.49 T = 300 K 에서 Nd = 1 014, 1 015, 1 016, 1 017 c m —3의 도너농도를 갖는 실리콘을 고려
하자. Na = 이라 하자. (a) 각 농도에 대하여 전도대로부터 페르미 에너지 준위의
 위치를 계산하라. (b) ( a)에서 주어진 도너농도들에 대하여 진성 페르미 에너지 준위
로부터 페르미 에너지 준위의 위치를 구하라.
4.50 실리콘 소자가 도너농도 1 15 c m _ 3으로 도핑되어 있다. 소자가 적절히 동작하기 위
해서는 진성 캐리어 농도가 전자농도의 5% 이하로 유지되어 야 한다. (a) 소자가 동
작할 수 있는 최대 온도는 얼마인가? (b ) —E f 가 T = 3 K 의 값에서 ( a)의 최대
온도의 값으로 얼머나 변해야 하는가? (c ) 페르미 준위는 높은 온도에서 진성 페르미
준위에 가까워지는가 아니면 멀어지는가?
4.51 Na = 3 x l 015 c m —3의 억셉터 농 도 와 = 0의 도너농도로 도핑된 실리콘을 고려하
자. 200 < 7 < 600 K 범위의 온도에서 진성 페르미 준위에 대한 페르미 에너 지 위
치를 그리 시오.
4.52 T = 300 K 이고 Nd = 0인 갈륨비소를 고려하자. ( a) 1 014 < /Va < 1 017 c m —3 범위에
서 억셉터 도핑농도의 함수로서 진성 페르미 에너지 준위에 대한 페르미 에너지 준
위의 위치를 그리시오. (b ) ( a)의 억셉터 도핑농도 범위에서 가전자대 에너지에 대한
페르미 에너지 준위를 그리시오.
4.53 Eg = 1 .50 e V , m*p = 10 m *n, T = 300 K , «
,■= 1 x l 5 c m 一3인 특수 한 반도체를 생
각하자. ( a) 밴드집의 중간에 대한 진성 페르미 에너지 준위의 위치를 구하라. (b ) 불
순물 원자가 페르미 에너지 준위가 밴드캡 중간으로부터 0.45 e V 아래에 위치하도록
도핑 된다. 出 도핑한 것은 억셉 터 인가 도너 인가? ( ii) 불순물의 도핑농도는 얼마인가?
4.54 T = 300 K 에서 실리콘은 ' > = 5 x 1 15 c m -3 농도로 억셉터가 도핑되어 있다. 페르
미 준위가 전도대 끝에서 .215 e V 아래에 있는 n 형 보상반도체가 되도록 도너를 도
핑하려고 한다. 도너 의 농도는 얼마이 어 야 하는가?
4.55 ( a) T = 3 00 K 에서 실리콘 은 = 6 x l 0 15 c m - 3의 농도로 억셉터 불순물 원자로
도핑되었다. ( i) Ec - 다 를 구하라. ( ii) 페르미 준위가 전도대 끝으로부터 kT 만큼 아
래 위치로 이동하기 위해서 도핑해 야 할 도너의 농도를 계산하라. (b ) 도너농도 ~
= 1 x lO 15 c m -3로 도핑된 갈륨비소에 대해서 문제 ( a)를 반복하라.
4.56 ( a) T = 300 K , Na = 2 X l O 16 c m —3의 농도로 붕소가 도핑된 실리콘에서 진성 페르
미 준위에 대한 페르미 준위의 위치를 구하라. (b ) 실리콘에 如 의 농 도 로 ~ = 2 X
1 016 c m _ 3인 원자가 도핑된 경우에 대해 ( a)를 반복하라. (c ) ( a)와 (b )에 대하여 « ,
P 을 계산하라.
4.57 T = 300 K 에서 갈름비소는 7 x 1 015 c m _ 3의 농도로 도너 불순물 원자가 도핑되어있
다. 추가로 불순물을 도핑하여 페르미 준위가 진성 페르미 준위로부터 .55 e V 위에
위치하도록 하려고 한다. 도핑하는 불순물 원자의 농도와 형태(도너 또는 억셉터)를
구하라.
4.58 문제 4.34에 주어진 조건에서 진성 페르미 에너지에 대한 페르미 에너지 준위를 구
하라.
4.59 문제 4.35에 주어진 조건에서 가전자대 에너지에 대한 페르미 에너지 준위를 구아라•
4.60 문제 4.47에 주어진 조건에서 진성 페르미 에너지에 대한 페르미 에너지 준위를 구
하라.
1 52 Chapter4 평형상태의 반도체

요약 및 복습

4.61 새로운 반도체를 디자인하려고 한다. 반도체는 p 형이고 억셉터는 5 x 1 15 c m -3으로

도핑하려고 한다. 완전한 이 온 화 와 yvd = 이라고 가정한다. T = 300 K 에서 유효상
태밀도 함수 가 = 1 .2 x l O l 9 c m —3이고 사„ = 1 .8x l 19 인데 r 2으로 변한다.
이 재료로 만든 반도체 소자는 T = 350 K 에서 정공농도가 5.8 x 1 卜 c m " 3 보다 크
지 않아야 한다. 이 새로운 반도체의 최소 밴드캡 에너지는 얼마이어야 하는가?
4.62 실리콘 원자가 농도 7 X 1 0 15 c m 3으로 갈륨비소에 도핑되었다. 실리콘 원자들은 완
전이온화된 도펀트이고 농도의 5% 는 갈륨 원자를 치환하고，9 5 % 는 비소원자를 치
환하였다고 가정한다. T = 3 00 K 이다. ( a ) 도너와 억셉터농도를 구하라. (b ) 이 물질
은 n 형 인가? p 형 인가? (c ) 전자와 정공농도를 계산하라. (d ) 하 ，
에 대해서 페르미 준
위의 위치를 구하라.
4-63 반도체 물질의 결점들은 금지대 안에 허용된 에너지 상태를 만든다. 실리콘의 특정
결함은 2개 에너지 준위를 만든다고 가정한다. 하나는 가전자대 위 0.25 … 에 위치
하는 도너 준위이고，다른 하나는 가전자대 위 0.65 … 에 위치하는 억셉터 준위이다.
각 결함 에너지 준위의 전하상태는 페르미 에너지의 함수이다. ( a) 페르미 준위가 及„
에서 착까지 이동하는 동안 각 결함 에너지 준위의 전하밀도를 그리시오. (i ) 고준위
도핑된 형 반도체와 (i i ) 고준위 도핑된 형 반도체에서 어느 결함 에너지 준위가 압도
적인 전하밀도를 보이는지 결정하시오. (b ) (i ) Nd = 1 017 cri 3으로 도핑된 n 형 반도
체와 (i i ) Nd = 1 017 c m -3으로 도핑된 형 반도체에서 전자 및 정공농도와 페르미 에
너지의 위치를 구하라. (c ) 도펀트가 도핑되지 않은 반도체에서 페르미 에너 지 위치
를 구하라. 이 반도체는 n 형 인가? p 형 인가? 아니 면 진성 인가?

^ •고문헌 ________________________________________________________
1. Hess, K . A d v a n c e d T heory o f S e m ic o n d u c to r D e v ic e s . E nglewood C liffs , N J : Prentice
H a ll , 1 988.
*2. H u , C . C . M o e rn S e m ic o n d u c to r D e v ic e s f o r I n te g ra te d C irc u its . Upp er Saddle R iv er,
N J ; Pearson Prentice H a ll , 201 0.
3. K ano , K . S e m ic o n d u c to r D e v ic e s . Upper Saddle R iv e r, N J : Prentice H a ll , 1 998.
4. L i , S. S. S e m ic o n d u c to r P h y s ic a l E le c tro n ic s . N e w Y o rk : Plenum Press, 1 973.
5. M c K e lv e y , J. P. S o lid S tate P h y sics f o r E n g in e e rin g a n d M a te r ia ls S c ie n c e . M ala bar,
F L .: Krie g er Publishing , 1 993.
6. N avon , D. H . S e m ic o n d u c to r M ic ro d e v ic e s a n d M a te ric d s . N ew Y o rk : H o lt , Rinehart &
W inston , 1986.
7. Pierret, R . F . S e m ic o n d u c to r D e v ic e F u n d a m e n ta ls . R e ading , M A : A ddison - W esle y ,
1 996.
8. Shur, M . I n tro d u c tio n to E le c tro n ic D e v ic e s . N ew Y ork : John W ile y and Sons, 1 996.
*9. Shur, M . P h y sics o f S e m ic o n d u c to r D e v ic e s . E nglewood C liffs , N J : Prentice H a ll , 1990.
10. Singh , J. S e m ic o n d u c to r D e v ic e s : A n I n tr o d u c tio n . N ew Y ork : M c G ra w -H ill , 1 994.
1 1 . Shur, M . P h y sics o f S e m ic o n d u c to r D e v ic e s . B a s ic P r in c ip le . N ew Y ork : John W ile y *

*표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

 참고문헌 1 53

and S o n s , 2001 .
*1 2. S m ith , R . A . S e m ic o n d u c to rs . 2 n d e d . N ew Y o rk ; C a m b rid g e U n iv ersity P re s s , 1 978.
1 3. S tre e tm a n , B . G ., an d S . B a n e rje e . S o lid S tate E le c tro n ic D e v ic e s . 5 th e d . U p p e r S ad d le
R iv e r , N J : P re n tic e H a ll , 2000.
1 4. S z e , S . M . P h y sic s o f S e m ic o n d u c to r D e v ic e . 2 n d e d . N ew Y o rk : W ile y , 1 981 .
*1 5. W a n g , S . F u n d a m e n ta ls o f S e m ic o n d u c to r T heory a n d D e v ic e P h y s ic s . E n g le w o o d
C liffs , N J : P re n tic e H a ll , 1 989.
*1 6. W o lfe , C . M . N . H o lo n y a k , J r ., an d G . E . S tillm a n . P h y s ic a l P ro p e rtie s o f
S e m ic o n d u c to rs . E n g le w o o d C liffs , N J : P re n tic e H a ll ,
1 989.
1 7. Y a n g , E . S . M ic ro e le c tro n ic D e v ic e s . N ew Y o rk : M c G ra w -H ill , 1 988.
 <

캐리어 전송 현상

전 장에서 열 평 형 상 태 의 반 도 체 를 논 의 하 였 고 , 전 도 대 와 가 전 자 대 의 전 자 와 정 공 농 도 를 각각

계산 하였다. 이러한 전하 입자들의 농 도 를 아는 것은 반도체의 전기적 성 질 을 이해하는데 대단

히 중요하다 . 반도체에서 전 자 와 정공의 순 흐 름 은 전 류 를 생성한다. 이러한 전 하 입자들이 이
동 하 는 현 상 을 전 송 (Tra ns p ort )이라고 한다. 이 장에서 반도체의 두 가지 전 송 메 커 니 즘 을 고
찰 할 것이다. 즉 드 리 프 트 ( Drift )—전계에 의 한 전하의 이동과 확 산 (Diffusion )- 농 도 차 에 의한
전하의 흐름이 다. 반도체에서 온 도 차 도 역시 전 하 이동의 요인이 됨 을 언급할 필 요 가 있다. 그
러나, 반도체 소자의 크 기 가 작 of짐에 따라 이 영향은 보 통 무시된다.

캐리어 전송 현 상 은 최 종 적 으 로 반도체 소자의 전류- 전 압 특 성 을 결정하기 위 한 기초이다.

이 장에서 비록 전송 현상에 의하여 전 자 와 정공의 순 흐름이 있지만 열평형 상 태 는 근본 적 으 로
깨 어 지 지 않 는 다 고 묵 시 적 으 로 가정 한 다 . 비 평 형 (non - e q uilibriu m ) 현 상 은 다 음 장에서 다룰

것이다. ■

5. 0 개설
■ 캐리어 드 리 프 트 와 인가 전계에 의한 드 리 프 트 전류의 메 커 니 즘 을 설명한다.
■ 캐리어 이동도(M o b ilit y )를 정의하 고 특 성 을 설명한다
■ 캐 리 어 확산의 메 커 니 즘 과 캐 리 어 농도차에 의 한 확산전류 에 대하여 설 명 한다.
■ 캐리어 확 산 계 수 (d iffu s io n c o e fficie n t )를 정의한다.
■ 반도체 에서 불균일 도핑농도의 효 과 를 설명한다.
■ 반도체의 홀 효과 <H a ll e ffe ct )를 논 의 하 고 분석한다.

5.1 캐리어 드 리 프 트

반도체에 작 용 한 전계 는 전 자 와 정공에 힘을 가하게 되므로 전 도 대 와 가전자대에 이용

1 55
1 56 Chapter5 캐리어 전송 현상

할 수 있는 에너지 상 태 가 있으면 전 자 와 정 공 들 은 순 가 속 과 순 이 동 을 하게 된다. 이

러한 전계에 의 한 전하의 순 이 동 을 드 리 프 트 라 고 한다 . 전하의 순 드 리 프 트 는 드 리 프
트 전류 를 만든다.

5.1.1 드 리 프 트 전류 밀도

만 약 평균 드 리 프 트 속 도 …로써 이 동 하 는 양의 전 하 밀 도 p 가 있으면 드 리 프 트 전류밀

도는
Jdrf = pvd (5그a)

로 주어진다. 단위 는

h r f = ( 역 ) •(부 ) = _ 흑 I = 식 (5.1 b )
\ cm 5 I ' ’ cm 1 — s cm 1

이다. 정공에 의한 양전하의 경우

Jp\drf = ( ep ) vdp (5-2)

이다. 여기서 는 정공에 의 한 드 리 프 트 전 류 밀 도 이 고 ，v dp는 정공의 평균 드 리 프 트

속도이다.
전계가 있는 상황에서 양전하의 정공 운 동 방 정 식 은
F = m*p a = eE (5.3)

이다. 여기서 으는 전자의 전 하 크 기 이 고 ，a 는 가 속 도 ，E 는 전계 그 리 고 빠 는 정공의 유

효 질 량 이 다 U 만 약 전 계 가 일정하면 속 도 는 시간에 대하여 선 형 적 으 로 증 가 함 을 예상
할 수 있다. 그 러 나 ，반도체 에서 전하 입 자 들 은 이온화된 불 순 물 원 자 들 과 열적 진동 을
하 는 격자 원 자 들 과 충 돌 한 다 . 이 러한 충 돌 혹 은 산 란 현 상 ( sc a ttering )은 입자들의 속 도
특 성 을 변화시 킨다.
정공이 전계에 의하여 결정에서 가속됨에 따 라 속 도 는 증 가 한 다 . 전하 입자들이 결
정의 원 자 들 과 충 돌 할 때 입자는 자기의 에 너 지 를 전부，혹 은 대 부 분 잃어버린다. 입자
는 다시 가속하기 시 작 하 고 다시 충 돌 할 때까지 에 너 지 를 얻게 된다. 이러 한 현 상 은 계
속 반 복된다. 이 러한 과 정 을 통하여 입자는 평균 드 리 프 트 속 도 를 갖게 되 고 ，저전계에
서 는 전계 크기에 직접 비례한다. 이 것을 수 식 으 로 쓰면

vdp = /나E (5.4)

이다. 여기서 f Lp 는 비 례 상 수 이 고 정공 이 동 도 라 고 부 른 다 . 이 동 도 는 입자가 전계에 의

하여 얼마나 잘 반 도 체 를 통 과 하 는 지 를 나 타 내 므 로 반도체의 중 요 한 파 라 미 터 이 다 . 이
동도의 단 위 는 보 통 cm 2AV-sec로 표현된다.

1) 캐리어가 움직일 때는 전도도 유효질량을 사용한다. 유효질량의 개념에 대해서 보다 상세히 논의하려면
부록 F를 참조할 것.
 5.1 캐 리 어 드 리 프트 1 57

표 5.1 낮은 도핑농도에 대하여『 = 300K 에서 몇 가지 일반적

인 이동도의 값

(cmW-s) [x (cm2/V-s)
실 리콘 5
3
0
(
(
4
8
4
1
0(
갈 륨비소 0
5( 0
91

게 르마」 9

식 (5.2)와 (5.4)를 결합함으로써 정공에 의 한 드 리 프 트 전류 밀 도 는

JP\drf = ( ep) vdp = efippE (5.5)

이 된다. 정공 드 리 프 트 전류는 작 용 하 는 전 계 와 같 은 방 향을 갖는다.

같은 논 리 가 전자에 적용되므로 전자 드 리 프 트 전류밀도의 식을 쓰면

Jn\drf = pVdn = (一 en) vd„ (5 .6)

이다. 여기서 I • 눈 전자 드 리 프 트 전 류 밀 도 이 고 , Vdrl은 전자의 평균 드 리 프 트 속도이

다. 전자의 순 전 하 밀 도 는 음이다.
전자의 평균 드 리 프 트 속 도 도 역시 작 은 전계에서 전계에 비례한다. 그 러 나 , 전자는
음의 전 하를 가 지 므 로 전자의 이동은 전계 방 향과 반대이다. 따라서

Vdn = -/x„E (5.7)

이다. 여기서 fJL„은 전자 이동도이고，양의 값 을 갖는다. 따라서 식 (5.6)은

Jn\drf= (-en)(-/A„E) = e/x„nE (5.8)

이 된다. 비록 전자의 이 동 도 는 전계에 대하여 반대 방 향 이 지 만 전자 드 리 프 트 전 류 는

동 일 한 방 향 을 갖는다.
전 자 와 정 공 이 동 도 는 다 음 절에서 보게 되듯이 온 도 와 도 핑 농 도 의 함 수 이 다 . 표
4.1 은 낮 은 도 핑 농 도 에 대하여 r = 300 K 에서 몇 가지 일반적 인 이동도의 값 을 보여
준다.
전 자 와 정공이 드 리 프 트 전류에 기 여 하 므 로 총 드 리 프 트 전 류 밀 도 는 개별 전 자 와
정공 드 리 프 트 전류밀도의 합이다. 따라서

Jdrf = e (ji„n + i pp)E (5.9)

이다.

목적 I 주 어 진 전 계 에 대 하 여 빈■도체의 드 리 프 트 저 류 믿 도 름 계 사 하 다 .
도핑농도 八 = 0이 고 Nd = 1 016 c m —3이고 T = 300 K 일 때 갈륨비소 반도체를 생각한
다. 완전 이온화와 전자 및 정공의 이동도는 표 4.1 의 값을 갖는다고 가정한다. 만약 인가
1 58 Chapter5 캐리어 전송 현상

전계가 묘 = 10 V /cm 이면 드리프트 전류밀도를 계산하라.

풀이
Nd > Na 이므로 반도체는 n 형이고 다수 캐리어 전자농도는 4장으로부터

„ = 보 링 노 + 사 (반 근 )1+ n] - II P cm 3

이다. 소수 캐리어 정공농도는

n] (1 .8 X 1 06)2
P= n = 1 16— = 3.24 父 1 0_ 4 c n r 3

이러한 외인성 n 형 반도체에 대해서 드리프트 전류밀도는

Jdrf = e „ n + /xpp)E = e /Li„ NdE

그러면

JdKf= (1 .6 X 1 0-19)(8500)(1 0'6)(1 0) = 136 A /cm2

이다.

]
비교적 작은 전계가 인가된 반도체에 아주 큰 드리프트 전류밀도가 흐른다. 이 예제로부터
드리프트 전류는 보통 외인성 반도체에서 주로 다수 캐리어에 의한 것임을 유의하여야 한
다.

연습 ^^1
Ex 5.1 p형 실리콘을 사용하는 소자에 전계 E = 1 20 V /c m 를 인가할 경우 드리프트 전
류 Jdrf = 75 A / c m 2이 필요하다. 이 러한 요건을 만족하기 위한 도핑농도를 계산하시오. 전
자와 정공의 이동도는 표 5.1 의 값을 사용할 것. (E-出3 S,0T x 아_8 = °N -s u v )

5. 1. 2 이동 도 효과

전 절에서 전 계 와 캐리어의 평 균 속 도 를 관 련 짓 는 이 동 도 를 정 의 하 였 다 . 전 자 와 정공
이 동 도 는 식 (5.9)에서 보듯이 캐리어 드리프트 의 특 성 을 결 정 하 는 중 요 한 반도체 파 라
미터이다.
식 (5.3)은 정공의 가 속 도 와 힘(전겨 1)과의 관 계 를 나 타낸다. 이 식을 다시 쓰면

F = m *p ^ = eE (5.1 0)

이다. 여기서 v 는 전계에 의한 입자의 속 도 이 고 , 무작위 열속도 (ra ndom th erm al v e lo c ity )
는 포함하지 않는다. 만 약 유 효 질 량 과 전 계 가 일 정 하 다 고 가 정 하 면 식 (5.1 0)을 적분 하
여
 5 .1 캐리어 드 리 프 트 1 59

그림 5.1 반도체에서 (a) 전계가 없을 때와 (b) 전계가 있을 때 통상적인 정공의 무작위 운동.

을 얻을 수 있다. 여기서 초기 드 리 프 트 속 도 는 0이라고 가정하였다 .

그림 5 . l a 는 전 계 가 0일 때 정공의 무작위 열 속 도 와 운동의 그림 모 델 이 다 . Tcp는 충
돌 과 충 돌 사이 의 평균시간이 있다. 만 약 작 은 전계 가 그림 5 . l b 와 같이 인가되 면 전계
방 향 으 로 정공의 순 드 리 프 트 가 발 생 하 고 ，순 드 리 프 트 속 도 는 무작위 열속도의 약 간
변화에 의 한 것 이 므 로 충 돌 사 이 의 시 간 은 두 드 러 지 게 변하지 않 을 것 이 다 . 만 약 식
(5.1 1 )에서 시 간 t 대신에 충 돌 평 균 시 간 Tcp를 사 용 하 면 충 돌 , 혹 은 산 란 바 로 직전 평
균 피크 속도 는

l^lpeak = (5.1 2 a )

이다. 평균 드 리 프 트 속 도 는 피크 값의 1 /2이므로

⑷윳) E (5-12b>
이다. 그 러 나 ，만 약 무작위 열속도에 대 한 충 돌 시 간 을 적절히 평균하면 식 (5 .1 2b )에서
1 /2은 무시된 다 . 그러면 정공 이 동도는

^ = = < (5. 13)

이 된다.
같 은 분석이 전 자에도 적용되므로 전자의 이동도는

나， 무읎 (5-1 4)

이 된다. 여기서 은 전자의 평균충돌시 간이 다.

반 도 체 에 는 캐리어 이동도에 영향을 주 는 지배적인 두 가지 충 돌 ，혹 은 산란 메커니
1 60 Chapter5 캐리어 전송 현상

즘이 있다. 즉 포 논 산 란 (phonon sc a ttering ), 혹 은 격 자 산 란 (la ttic e sc a tte ing )과 이 온 화

불 순 물 산 란 (io niz e d im p urity sc a ttering ) 이 다.
반도체 의 원 자 들 은 절 대 온 도 0 K 이상의 온 도에서 일정량의 열 에 너 지 를 가 지 므 로
격 자 점 을 중 심 으 로 무작위 진 동 을 하게 된다 . 격 자 진 동 은 완 벽 한 주기 전 위 함 수 를 붕
괴 시 킨 다 . 완 벽 한 주기 전 위 는 전 자 가 반 도 체 를 통 과 하 는 동 안 충 돌 , 혹 은 산 란 없이
이동 할 수 있도록 한다. 그 러 나 ，열진동은 전위함수의 붕 괴 를 가 져 오 고 ，이것은 전자 혹
은 정공 과 진 동 하 는 격자 원 자 들 사이에 간 섭 을 초 래 한 다 . 이 격 자 산 란 을 포 논 산 란 이 라
고 도 부른다.
격 자 산 란 은 원자의 열 진 동 과 관 계 되 므 로 산란이 발 생 하 는 율 은 온도의 함 수 이 다 .
만 약 격 자 산 란 만 존 재 할 경우 관 찰 될 이 동 도 를 /느 이 라 고 하면 일차 근 사 산 란 이 론 에
의한 온도 관계식은

此 네 1 (5.1 5)

이 다. 격 자 산 란 에 의 한 이 동 도 는 온 도 가 감 소함에 따 라 증 가 한 다 . 직관적 으 로 온 도 가
감 소함에 따 라 격 자 진 동 은 감 소 할 것 을 예 상 할 수 있다. 이 것은 산 란 확 률 역 시 감 소 하
고 따라서 이 동도는 증 가 함 을 의미한다.
그림 5.2는 실리콘에서 전자 와 정공 이동도의 온 도 의 존 성 을 보여준 다 . 저준위 도핑
반 도 체 에 서 는 격자산란이 지 배 적 이 고 설 명 하 였 듯 이 캐리어 이 동 도 는 온도에 따 라 감
소한다. 이동도의 온 도 의 존 성 은 에 비례한다. 그림의 삽입 부 분 은 파라미터 «이 일
차 근 사 산란이 론이 예측하였듯이 3/2가 아 니 라 는 것을 보 여 준 다 . 그 러 나 ，이 동 도 는 온
도 가 감소함에 따 라 증가한다.
캐리어 이동도에 영향 을 주 는 두 번째 산 란 메 커 니 즘 은 이 온 화 불 순 물 산 란 이다. 불
순 물 원자들 이 반도체 의 특 성 을 변화, 혹 은 조 절하기 위하여 첨 가 된 다 는 것 을 살 펴 보
았다. 이 불 순 물 들 은 상온에서 이 온 화 되 므 로 쿨 롱 간섭이 전 자 ，혹 은 정 공과 이 온 화 불
순 물 사이에 존 재 한 다 . 이 쿨 롱 간 섭 은 산 란 혹 은 충 돌 을 초 래 하 고 전하 캐리어의 속도
특 성 을 변화시 킨다. 만 약 이 온 화 불 순 물 산 란 만 존 재 할 경우 관 찰 될 이 동 도 를 라고
하면 일차적으로

이다. 여기서 N , = N + N ~는 반도체의 총 이온 화 불 순 물 농도이 다 . 만 약 온 도 가 증 가

하면 캐리어의 무작위 열 속도는 증가하여 캐 리 어 가 이 온 화 불 순 물 중심 근처에서 머무
는 시간이 감 소 한 다 . 쿨롱힘 이 작 용 하 는 지 역 근처 에서 머 무 는 시간이 작 을 수 록 산 란
효 과 는 작 고 사/의 예 상 되 는 값 은 커진다. 만 약 이 온 화 불 순 물 수 가 증 가 하 면 이 는 작아
짐을 의미한다.
그림 5.3은 T = 300 K 에서 게 르 마 늄 ，실 리 콘 그 리 고 갈륨 비 소 의 전 자 와 정공 이동
도 를 불 순 물 농도의 함수로 서 나 타낸 도 표 이 다 . 더 정확하게 설 명 하 면 이 곡 선 들 은 이
 5.1 캐 리 어 드 리 프 트 1 61

0 예
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1 62 Chapters 캐 리 어 전 송 현 상

10lb 1017 1018 1019

불순물 농도 (cm- 3)

그림 5.3 T = 300 K에서 게르마늄，실리콘 그리고 갈륨비소(GaAs)

의 불순물 농도에 대한 전자와 정공 이동도 (Sze [12] 인용)

동 도 와 이 온 화 불 순 물 농 도 外의 그 래 프 이 다 . 불 순 물 농 도 가 증 가 함 에 따 라 불 순 물 산
란 중심의 수 는 증가하여 이 동도는 감소한다.
'이 격 자 산 란 에 의 한 평 균 충 돌 시 간 이 면 出/느은 dt 시 간 동 안 발 생 하 는 격 자 산 란
확률이다. 이와 같이 가가 이 온화 불 순 물 산란에 의한 평균충 돌 시 간 이 면 소 /은 dt 시간
동 안 발 생 하 는 이 온 화 불 순 물 산란의 확 률 이 다 . 만약 이 러한 두 가지 산 란 현상이 독립
적이면 시간 동 안 발 생 하 는 산 란 확 률 은 각 개별 산란의 합 혹 은

dl _ dl , dl (5.1 7)

이다. 여기서 t는 충 돌 사이의 평 균시간이다 .

식 (5.1 7)과 식 (5.1 3) 혹 은 식 (5.1 4)에 의하여 주어 진 이동도 정의 를 비교하면

1 1 -L 1 (5.1 8)
나
—
나 ，T L 나

이 된다. 여기서 사/는 이 온 화 불 순 물 산 란 과정에 의 한 이 동 도 이 고 I L는 격자 산 란 과

정에 의한 이 동도이다. 파라미터 사는 이 동도이다. 두 가지 혹 은 그 이상의 산 란 메커니
즘이 존 재 할 경우 순 이동도인 개별 이동도 역수의 합 은 감소한다.
 5 .1 캐리어 드리프트 1的

목적 I 다음의 도핑농도와 온도에 대해서 전자 이동도를 결정한다.

그림 5.2를 사용하여 실리콘의 전자 이동도를 구하시오.
( a) T = 25 °C 에서 i ) Nd = 1 016 c m - 3, i i ) Nd = 1 017 c m -3,
(b ) Nd = 1 016 c m - 3에 대해서 i ) r = 0 °C , i i ) T = 1 00 °C .

그림 5.2로부터 이동도 값을 찾을 수 있다.

(a ) r = : 25 °C ; \) Nd = 1 016 c m -3 ixn = 1 200 cm2/V •sec
i i ) A，
d = 1 017 c m -3 = 800 cm2/V •sec
(b ) Nd -= 1 016 c m -3; i ) T = 0 c —” i n 는 1 400 cm2/V •sec
ii) T = 100 °c — 나„ = 780 cm2/V •sec

1주석)
이 예제의 결과는 이동도가 도핑농도와 온도의 함수임을 보여준다. 이러한 관계는 반도체
소자의 설계시 반드시 고려되어야 한다.

연습문제
Ex 5.2 그림 5.2 로부터 다음의 경우 실리콘의 정공 이동도를 구하시오. (a) 7 = 25 °C에
서 i) Na = 1016 cm -3, ii) Na = 1018 c m -3, (b) Na = 1014 c m - 3에 대해서 i) T = 0 °C, ii)
T = 100 °C. [(S-A/.UI3 = drl (u)
‘s-八/ ose = di1 (!) (q ) s-A/zuio n = drl (;/) ‘s-八八uw 대 s d，
r1 ⑴ (p ) -suy)]

5. 1. 3 전도 도

식 (5.9)에 의하여 주어진 드 리 프 트 전류밀도는

Jdrf = e ( ix„n + iJ-pP)E = crE (5.1 9)

로 주 어 진 다 . 여기서 는 반도체의 전 도 도 (c o n d u c tiv ity ) 이다. 전 도 도 는 (f i -c m ) - 1의 단

•
위 를 가 지 고 , 전 자 와 정 공 농 도 그 리 고 이동도의 함 수 이 다 . 이제 이 동 도 는 불 순 물 농 도
의 함수 인 것을 알았다. 그러면 전 도 도 는 불 순 물 농도의 약간 복 잡 한 함수이다.
전도도의 역수는 저항 도 (re s is tiv ity )이다. 이것은 p 으 로 표 시 하 고 11 -crn 의 단 위 를 갖
는다. 저항도의 공 식 을 쓰 면 2>

P = ^ = V i^ n + ^ p) (5'2 )

이다 . 그림 5.4는 T = 300 도에서 실 리 콘 , 게 르 마 늄 ，갈 륨 비 소 그 리 고 갈 륨 인 ( G a P )의

2) p 기호는 전하밀도를 표시하는 데도 사용된다. 시가 사용되는 문맥에서 그것이 전하밀도를 의미하는지 아

니면 저항을 의미하는지를 분명히 해야 한다.
1 6스 Chapter5 캐 리 어 전 송 현 상

101

E
V
C 0
1
0
1
)
머.

0"

1 14 1 15 1 16 1 17 1 18 1 19 1 2 1 21

불순물 농도 (c m - 3)

그림 5 . 4 T = 300 K 에서 (a) 실리콘，(b) 게르마늄 , 갈류비소，갈륨인 ( G a p )의 불순물

농도에 대한 저항도.
 5 .1 캐리어 드리프트 1的

저 항 도 와 불 순 물 농 도 함수의 그 래 프 이 다 . 분명히 곡 선 들 은 이동도의 영향 때문에 N d

혹 은 ^의 선 형 함 수 는 아니다.
만 약 그림 5.4와 같이 전압이 인가되 어 전류 /를 생 산 하 는 반도체 막 대 가 있으면

이다. 그리 고

E _ V (5.21 b )
L

이다. 식 (5.1 9)를 다시 쓰면

I _ (5.22 a )
A )

혹•
은

V = (5.22b )
= (옮 )/:= ( x ) / = w

이다. 식 (5.22 b )는 반도체 에 대한 옴의 법칙이 다 . 이 저 항 은 저 항 도 ，혹 은 전 도 도 그리

고 반도체의 모양의 함수이다.
만 약 예를 들어 N a{ N d = 0)이고 ^ » 미로 억셉 터 도핑 된 p 형 반 도 체 를 생 각 하 고
전 자 와 정공 이 동도가 같 은 크기 라고 가정하 면 전도도는

■= e (/xnn + n Pp ) = eiJ,pp (5.23)

이 된다. 또 한 완전 이온화 를 가정하면 식 (5.23)은

or = eiipNa ~ ^ (5.24)
1 66 Chapter5 캐 리 어 전 송 현 상

0
1

—(
•
•
V
S
머
머
져

(K

그림 5 .6 실리콘의 전자농도와 전도도 대 온도 역수 (Sm [1 0] 참 조 )

이 된다. 외인성 반도체의 전 도 도 와 저 항도는 주로 다수 캐리어 파라미터의 함수이다.

특정 도핑농 도에 대해서 반도체의 캐리어 농 도 와 전 도 도 를 온도의 함수로서 나타낼 수
있다. 그림 5 .6 온 N d = 1 015 c m _ 3일 때 온 도 역수의 함수로서 실리콘의 전 자 농 도 와 전
도 도 를 나 타 낸 다 . 그 림 에 서 보듯이 중 간 온 도 영 역，혹 은 외인성 온 도 영역에서 완전
이 온 화 되고 전 자 농 도 는 일정하게 유지된다. 그러나, 이 동도는 온도의 함 수 이 므 로 전도
도 는 이 영 역 에 서 도 온도에 따 라 변한다. 더 고온에서 진성 캐리어 농 도 는 증 가 하 고 전
자 농 도 와 전 도 도 를 지배하기 시 작 한 다 . 더 낮 은 온 도 영 역 에 서 는 동결이 시 작 되 고 전
자 농 도 와 전 도도는 온 도 가 감소함에 따 라 감소한다.

■ ■ 않 ■ I목적 I 보상 반 도 체 의 도 핑 형태와 전도도가 주어지며 도핑뉴도와 다수 캐 리 어 이 동 도 름

결정한다.
전도도가 ■= l ^ f l -c m - 1) 이고 억셉터 도핑농도가 1 017 c m - 3일 때 r = 300 K 에서 보
상 n 형 실리콘을 생각하자. 도너농도와 전자 이동도를 결정하라.

험 n
T = 300 K 에서 n 형 실리콘에 대해서 완전 이온화를 가정할 수 있다. 그러므로 A^ -7 Va »
代를 가정하면 전도도는
■~ e ^ nn = e ^ n (N d - N a)

이다. 따라서

1 6 = (1 .6 X 1 0_ 19) 此 (的 - 1 17)

이 된다. 이동도는 이온화 불순물 농도의 함수이므로 그림 5.3을 사용하여 시행착오로써 사,,
와 '/를 결정할 수 있다. 예를 들면 만약 心 = 2 x 1 017을 선택하면 N, = N d+ + N ~ = 3x
 5.1 캐리어 드리프트 1 67

1 017이므로 i n = 51 0 cm 2 /-s e c 이고 a = 8.1 6 ( ( l-c m ) —1 이 된다. 만 약 Nd = 5 '父 1 017 이면

N, = 6 x 1 017 이므로 / „ « 325 c m 강V -s e c 이고 cr = 20.8 ( f l - c m ) -1 이 된다. 도핑농도는 두
값 사이에 있음을 알 수 있다. 더 시행착오를 하면

Nd «3.5 X 1017cm-3

이고

， : 400 cm2/V-s
나，
이며
(j « 16 (f t -cm)-1

이 된다.

1주석 1
이 예제로부터 고 전도도 반도체에서 이동도는 캐리어 농도의 강한 함수임을 알 수 있다.

연습문제
E x 5.3 T = 300 K 에서 보상 반도체의 도 핑 농 도 가 = 2.8 x l O 17 c m _ ' N d = 8 x l 016
c m 3 일 때 다음을 계산하시오. ( a) 정공 이동도, (b ) 전도도，(c ) 저항도.
[ ( u »- u ) 9 5 1 0 = d (3) V (u»-u ) y g = d (q) :s-八 / z= 내 (») 체 、/】

I 목적 I 주어진 전류밀도를 취급할 수 있는 특정 저항을 가진 반도체 저항을 설계한다. ^ S B E D

T = 300 K 에서 실리콘 반도체는 초기에 도너로 농 도 가 ~ = 5 x l 015 c m —3으로 도핑되었
다. 보상 p 형 반도체를 만들기 위해서 억셉터를 도핑하려고 한다. 저항은 10 k n 이고 5 V 가
인가되 었을 때 50 A / c m 2의 전류밀도가 흐른다.

령 n
5 V 를 10 M l 에 인가하면 총전류

/ = ~ = = 0.5 m A
K 1U
이다. 만약 전류밀도가 5 0 A /c m 2으로 제한되면 단면적은

A = j = °-5 g 10~3 = 10—

5cm2

이다. 만약 여기서 전계를 E = 1 00 V /cm 로 제한하면 저항의 길이는

X 10_2cm
L = I = TM

이 된다. 식 (5.22b )로부터 반도체의 전도도는

_ _ L _ 5 X 1 -2 0.50 (n -cm)-1
RA (1 04)(1 0_5)

이다. 보상 p 형 반도체의 전도도는

1 68 Chapters 캐리어 전송 현상

= e Pp = e ^ p (Na - Nd)
나

이다. 여기서 이동도는 총 이온화 불순물 농 도 N a + N d의 함수이다.

시행착오로써 만약 /Va = l .25 x l 1 6cm-3*이면 八느 + N d = 1 .75 x 1 0 16 c m - 3 이고, 정공
이동도는 그림 5.3으로부터 대략 I p = 41 0 c m 2八/-s e c 가 된다. 그러면 전도도는

a = e/jip(N a - N d) = (1 . 6 X 1 0 19)(4 1 0)(1 . 2 5 X 1 16 - 5 X 1 015) = 0. 492

이 된다. 이것은 우리가 필요한 값에 대단히 가까운 값이다.

區 호 ]
이동도는 총 이온화 불순물 농도에 관계되므로 특정 전도도를 이루기 위한 불순물 농도를
결정 하는 것은 간단한 문제 가 아니 다.

연습 문제
E x 5.4 단면적 A = 1 0-6 cm 2이고 길이가 L = 1 .2 x 1 _3 c m 인 p 형 반도체 막대에 대해
서 0.5 V를 인가할 경우 2 m A 의 전류가 필요하다. 필요한 ( a) 저항, ( b ) 저항도，(c ) 도핑농
도，(d ) 정공 이동도를 계산하시오.
[s-A/i-uiD 0117 s dn (p) : UI3 SI i X £'L S "N { ) (UI3 -U ) e80'Z 切 ') - m S'Z (p) 's n y ]

진성 반도체에 대해서 전 도도는

, = e( ix„
■ + I p) «
,■ (5.25)

로 쓸 수 있다. 진성 반도체 에서 전 자 와 정 공 농 도 는 같 으 므 로 진성 캐리 어농도 하 나 로

표 시 하 지 만 전 도 도 를 계 산 할 때 는 이 동 도 는 전 자 와 정공 이 동 도 모 두 고 려 해 야 한다.
일 반 적 으 로 전 자 와 정공 이 동 도 는 같지 않기 때문에 진성 전 도 도 가 주 어 진 온 도 에서
최솟값이 아닐 수 있다.

5. 1. 4 속 도 포 화

지금까지 드 리 프 트 속 도 를 논 의 하 는 데 있어서 이 동 도 는 전계의 함 수 가 아 니 라 고 가정

하 였 다 . 즉 드 리 프 트 속 도 는 전계에 대해서 선 형 으 로 증 가 한 다 고 가 정 하 였 다 . 입자의
총 속 도 는 무작위 열 속도와 드 리 프 트 속도의 합이다. T = 300 K 에서 평균 열에너지 는

^ mv2,h = 특 kT = | (0.0259) = 0.03885 eV (5.26)

로 주어진 다 . 이 에 너 지 는 실리콘의 전자에 대해서 대략 1 7 c m /s e c 의 열속도에 해당 한

다. 만 약 저준위 도 핑 된 실 리 콘 에 서 전자 이 동 도 를 、 = 1 350 c m 2/V - s e c 라 고 가 정 하
면，전계 가 대략 75 V /c m 일 경우 드 리 프 트 속 도 는 열속도의 1 %에 해 당 하 는 1 05 c m /s e c
가 된다. 이 전계는 전자의 에너 지를 크게 변화시키지 못한다.
그림 5 .7 은 실 리 콘 , 갈 륨 비 소 와 게르마 늄 에 서 전 자 와 정공에 대 한 전계의 함수로서
 5.1 캐리어 드 리 프 트 1 69

10 •
8

10
0

(s / lu
•
公 •
7

머
^r
^o
벼
•
^
6
n〒
r •

1 05
1 02 103 1 04 1 05 1 06
전계(VYcm)

그림 5.7 고순도 실리콘, 게르마늄 그리고 갈륨비소의 캐리어

드리프트 속도 대 전계 (Sze [1 이 참조)

평 균 드 리 프 트 속 도 를 그린 것이다. 전 계 와 속 도 가 선형의 관 계 를 갖 는 전 전계 영역에

서 드 리 프 트 속 도 대 전계 곡선의 기 울 기 가 이 동 도 이 다 . 고 전계에 서 캐 리 어 의 드 리 프

트 속 도 의 거 동 은 저 전계에서 관 측 되 었 던 선형 관 계 로 부 터 크게 벗 어 난 다 . 예 를 들면

실 리 콘 에 서 전자의 드 리 프 트 속 도 는 약 30 kV/cm 의 전계에서 거의 1 07 cm/sec로 포 화

된다. 만 약 전 하 캐 리 어 의 드 리 프 트 속 도 가 포 화 되 면 드 리 프 트 전 류 밀 도 역시 포화되

어 전 계 와 무 관 하 게 된다.

실 리 콘 에 서 실 험 적 캐리어 드 리 프 트 속 도 와 전계의 관 계 는 전 자 에 대해서 다 음 과

같이 근 사 할 수 있 다 [2 ].

Vs
Vn 1 /2 (5.27 a)

그 리 고 정공에 대해서 다 음 과 같다.

vp : (5.27 b )
(% )

여기서 r = 3 00 K 에 서 vs = 1 07 cm/ s, E on = 7 x l 3 V / cm, E 0 2 x l 4 V / c m이 다 .

저 전계에서 드 리 프 트 속 도 는 다 음 과 같이 간 소 화 된 다 .

Vn ! VS (5.28a)

싸 1 Vs (5.28b )
( 돐 ).

저 전 계 에 서 드 리 프 트 속 도 는 이미 논 의 한 바 와 같이 전계에 대해서 선 형 함 수 이 다 . 그
1 70 Chapters 캐 리 어 전 송 현 상

그림 5 .8 전도대의 낮은 계곡과 높은 계곡을 보여주는 갈륨비소의 에너지밴드 구조 (S z e [1 5 ] 참조)

러나，고전계에서 드 리 프 트 속 도 는 포 화 속 도 로 포화된다.
갈 륨 비 소 의 드 리 프 트 속 도 대 전계 특 성 은 실 리 콘 이 나 게 르 마 늄 보 다 더 복 잡 하 다 .
저 전계에서 드 리 프 트 속 도 대 전계 곡선의 기 울 기 는 일 정하고 저 전계 전 자 이 동 도 가
되며, 갈륨비 소에 대해서 대략 8500 cm 2AV-sec 이다. 갈륨비소 의 저 전계 전자 이동 도 는
실 리 콘 보 다 훨씬 크다. 전 계 가 증 가 함 에 따 라 갈륨 비 소 의 전 자 드 리 프 트 속 도 는 최대
에 도 달 했 다 가 다시 감 소 한 다 . 미 분 이 동 도 는 곡선 의 특 정 점 에 서 vd 대 E 의 기울기이
고 ，드 리 프 트 속 도 대 전계 곡선의 음의 기 울 기 는 부 성 (n e g a tiv e ) 미분 이 동 도 를 나타 낸
다. 부성 미분 이 동도는 음의 미분 저항을 만 들 며 ，이 특 성 은 발진기 설계에 사 용 된 다 •
부성 미분 이 동 도 는 그림 5.8에 나 타 난 갈륨비소 의 E - k 그 림 을 고찰함으 로 써 이해
할 수 있다. 낮 은 계곡의 전자의 상 태 밀 도 유 효 질 량 은 m ; = 0.067、 이다. 유효질 량 이
작 으 면 이 동 도 는 커 진 다 . 전 계 가 증 가 함 에 따 라 전자의 에 너 지 는 증 가 하 여 상 태 밀 도
유 효 질 량 은 0 . 5 5 , 인 높 은 계 곡 으 로 산 란 될 수 있다. 높 은 계곡의 유 효 질 량 이 크 므 로
이 동 도 는 작 아 진 다 . 이 러 한 밸리 간 천이 메 커 니 즘 은 전계에 대 한 전자의 평균 드 리 프
트 속도의 감 소 ，혹 은 부성 미분 이동도 특 성 을 초래한다.

이해도 평가
T Y U 5.1 T = 300 K 에서 도핑농도 Nd = 1 015 c m - 3, Na = 1 014 c m _ 3 인 실리콘에 대해
서 전계 E = 35 V /cm 를 인가하였을 때 드리프트 전류밀도를 계산하시오. 단
전자와 정공의 이동도는 표 5.1 의 값을 사용할 것. (少w /v 8'9 'suy )
T Y U 5.2 T = 300 K 에서 도핑농도 八느 = 5 x 1 016 c m ' 3, Na = 2 x l 01 6cn 「 3인 실리콘에
대해서 (a) 전자와 정공 이동도를 구하시오. (b ) 전도도와 저항도를 구하시오.
 [ura-y 8 z = d ‘ 卜 (uiD-y) g> = - ( 功 s-a /zuio ge = drl ‘s-八/Zuw I = url (田) -suy]

T Y U 5.3 실리콘 반도체 소자를 제작하기 위해서 n 형이고 T = 300 K 에서 저항도가 0.1 0
n -c m 인 반도체가 필요하다. ( a) 필요한 도핑농도를 계산하시오. (b ) 전자 이동
도를 구하시오. [s-八서t o 569 = 대 ( q) 나-t o ，9I i x 6 = piV V S ain S y u i a y (») -suy ]

5. 2 캐리어확산

반도 체 에 서 드 리 프 트 외에 전 류 를 유 도 할 수 있는 두 번째 메커 니 즘 이 있다. 그림 5.9
에서 보듯이 용 기 가 막 으 로 두 부 분 으 로 구 분 된 용기에 대 한 고 전 적 인 예를 고 찰 하 자 .
왼 쪽 은 특정 온도 의 기체 분 자 를 가 지 고 있고, 오 른 쪽 은 비 어 있다. 기 체 분 자 들 은 계
속적 인 무작위 열 운동을 하므 로 막이 파괴 되 면 기 체 분 자 들 은 용기 의 오 른 쪽 으 로 흘러
간다. 확 산 은 입자들이 높 은 농 도 영역에서 낮 은 농 도 영역으로 이 동 하 는 현상이다. 만
약 기체 분자 들이 전기적 전 하 를 띠고 있으면 이 러 한 전하의 순 흐 름 은 확 산 전 류 를 만
든다.

5.2.1 확 산 전 류 밀 도

반 도체의 확 산 현 상 을 이해하기 위해서 간 단 한 분 석 을 시 도 한 다 . 전자의 농 도 가 1차원

에서 그림 5 .1 0과 같이 변 한다고 가정하자. 온 도 는 일 정 하 므 로 전자의 평균 열 속 도 는 ;c
와 무 관 하 다 고 가 정 한 다 . 전 류 를 계산하기 위해서 단위 시 간 단위 면 적 당 ;c = 0에 있
는 평 면 을 가 로 지 르 는 전자의 순 흐 름 을 구 할 것이다. 만 약 그림 5.1 0에서 보듯이 거리
이 전자의 평균자유행정 (me an fre e p a th ), 즉 전 자 가 충 돌 할 때 까지 이 동 한 평균 거 리(/
< 아… „) 이 면，평균적 으로 = -/에 서 오 른 쪽 으 로 이 동 하 는 전 자 들 과 ;c = + /에서 왼
쪽 으 로 이 동 하 는 전 자 들 은 x = 0 평면 을 통 과 한 다 . = -/에 있는 전자의 1 /2은 어느
경우 든 오 른 쪽 으 로 이 동 하 고 ，x = /에 있는 전자의 1 /2은 왼 쪽 으 로 이동한 다 . x = 0에
서 방 향 으 로 이 동하는 순 전자 흐 름 율 F „ 은

F „ = ~ n ( - l) v , h - ^ n ( + l) v , h = ^ % [ «( -/) «(+ /)] (5.29)

로 주어 진다.
만 약 전자의 농 도 를 x = 0 근처에서 테일러 전개하여 첫 항 만 취하면, 식 (5.29)는

그림 5.9 한 쪽에 기체 분자들을 가지고 막으로 분리되어 있는 용기

1 72 Chapters 캐 리 어 전 송 현 상

그림 5.1 0 전자농도 대 거리

F서 니 卜 (0) - / 쉽 - 卜 + / ■ } (5.30)

로 쓸 수 있고,

Fn = - vthl ^ (5.31 )

이 된다. 각 전자는 전하 ( _ 비를 가지므로 전류는

J = ~ eFn = (5.32)

이 된다. 식 (5.32)에 의 한 전 류 는 전자 확산전류밀도(electron diffusion current density)

이고 전자농도의 거 리 미분，혹 은 농 도 기울기에 비례한다.
높 은 전 자 농 도 영역에서 낮 은 전 자 농 도 영역으로의 전자 확 산 은 이 예의 경우 음의
방 향 으 로 흐 르 는 전자 속(flux)을 만든다. 전 자 는 음의 전 하 를 가지 므로 전류의 방향 은
양의 I 방향이 된다. 그림 5.1 la는 이 러 한 1 차원 전 자 속 과 전류 방 향 을 나 타 낸 다 . 이러
한 1 차원의 경우 전자 확 산 전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다•

Jnx\dif = eDn ^ (5.33)

여기서 D „ 을 전자 확산계수라고 부 르 고 ，단 위 는 cm2/sec이며，양의 량이다. 만 약 전류밀

도 기 울 기 가 음이 면 전자 확 산 전 류 밀 도 는 음의 x 방향이 된다.
그림 5.1 lb는 반도체 에서 거리의 함수로서 정 공 농 도 를 나 타 내 고 있다. 농 도 가 높 은
영 역에서 낮 은 영 역으로 흐 르 는 정공 확 산 은 음의 요방향의 정공 속 을 만 든 다 . 정 공 은
양의 전 하 를 띤 입 자 이 므 로 확 산 전 류 밀 도 는 음의 ^방 향 을 갖 는 다 . 정공 확 산 전 류 밀 도
 5 .2 캐리어 확 산 1 73

C 전자속
.
머
此
전자확산
전류밀도
古
져

(a)

정공 유속
D-

머
정공확산
—
요• 전류밀도
K
T^J

(b)

그림 5.1 1 知) 농도 차에 의한 전자 확산，(b) 농도 차에 의한 정공 확산

는 정 공농도 기 울 기 와 전자 전하에 비 례하므 로 1 차원의 경우 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

J px\ d if = ~ e D v % (5_34)

파라미 터 '를 정공 확산계수라고 부 르 고 ，단 위 는 cm2/sec이 며，양의 량 을 갖는다. 만약

정공농 도 기울기 가 음이 면，정공 확 산 전 류 밀 도 는 양의 요방향을 갖는다.

rw w i 주어진 농도 기울기에 대하여 확산 전류밀도를 계산한다.

T = 300 K의 n형 갈륨비소 반도체에서 전자농도가 거리 0.1 cm에 걸쳐서 1 x 1 18에서
7 x 1 017 cm-3으로 선형적으로 변한다고 가정하자. 만약 전자 확산계수가 Dn = 225 cm2/sec
이 면 확산전류밀도를 계산하라.

풀이
확산전류밀도는

1빼 = e D ”꼲 eD" 농
= (1 .6 X 1 0~ 19)(2 2 5 ) j 1 X 1 0 q ~ J 父 1 n) = 1 08 A /c m 2

區 空 ]
상당한 확산전류밀도가 약간의 농도 기울기를 가진 반도체에서 생성될 수 있다.
MU Chapters 캐 리 어 전 송 현 상

연습문제
Ex 5.5 실리콘의 전 자 농 도 가 p(x) = 1016 e ^ x/Lp)16(x > 0)이고，Lp = 2 x 10-4 cm이다.
정공의 확산계수가 >p = 8 cm2/s 이라고 가정할 때 다음 위치에서 정공 확산전류밀도를 계
산하시오. (a) x = 0, (b) jr = 2 x 1 _4 cm, (c) x = 10-3 cm.
[3出3/V iefr' 0 = " r ( P ) 느ura/V K ' Z = df (?) 예 지 P9 = " f ( ) ’su v ]

5. 2. 2 총 전 류 밀 도

반 도 체 에 는 4가지의 독 립된 전류 메커니즘이 있다. 이 성 분 들 은 전자 드 리 프 트 와 확 산

그 리 고 정공 드 리 프 트 와 확 산 이 다 . 총 전 류 밀 도 는 이 러한 4가지 성분의 합 이 고 , I 차원
의 경우

nE x + ep 나 p Ex + eD„ 속 ^ — e D p 운
J = enn ， (5.35)

이 된다. 이 방 정 식 은 3차 원 으 로 일반화할 수 있고

J = e n f i„ E + epfjipE + e D„V n — e D pV p (5.36)

이 된다.
전 자 이 동 도 는 전 자 가 반 도 체 에 서 전계에 의하여 얼 마 나 잘 이 동 하 는 지 를 나 타 낸
다. 전 자 확 산 계 수 는 전 자 가 반도체 에서 농 도 기울기 에 의하여 얼 마 나 잘 이동하는 지
를 나타낸다. 전자 이 동 도 와 확 산 계 수 는 독립 파 라 미 터 가 아니다. 이 와 같이 정공 이동
도 와 확 산 계 수 도 독립 파 라 미 터 가 아 니 다 . 이 동 도 와 확 산 계 수 의 관 계 는 다 음 절에서
논 의 할 것이다.
반도체 의 총 전류에 대 한 표 현 식 은 4가지 항 을 갖 는 다 . 다행히 대부분의 경우 반도
체의 특정 영역에서 특정 시간에 한 가지 항 만 고 려 해 도 된 다 는 것을 알게 될 것이다.

이해도 평가

TYU 5.4 실리콘의 전자농도가 «( ) = 1 0 15 e 一、xlL n、 c m _ 3 ( x 〉 0 ) 이고，Ln = 1 0- 4 c m 이

다. 전자의 확산계수가 Dn = 25 c m 2/s 이다. ( a ) x = 0, (b ) x = 1 0 - 4 c m , (c ) x

에서 전자의 확산전류밀도를 계산하라.

[0 ( P ) 느피：
W i n - (<?) 나IW/V 卜 (») -suy]
TYU 5.5 실리콘의 정 공 농 도 가 x = 0에서 = 0.01 cm 까지 선형적으로 변한다. 정공 확
산계수가 Dp = 10 cm 2/s, 정공 확 산 전 류 밀 도 가 20 A /cm 2, 그리고 x = 0에서
정 공 농 도 가 " = 4 x 1 017 c m _ 3이다. x = 0.01 c m 에서 정공농도의 값을 구하
라 . ( e- UJSu OI X <iLZ suy )
 5.3 경사불순물분포 175

5. 3 경 사 불 순 물 분포

지금까지 대부분의 경우 반 도 체 가 균일 도핑 되 었다고 가 정 하 였 다 . 그러 나 대부분의 반

도체 소 자 들 은 불 균 일 도 핑 된 영역 을 가진 다 . 불 균 일 도 핑 된 반 도 체 가 어떻게 열평형
상태에 도달하게 되 는 지 를 고 찰 할 것이다. 그 리 고 이 분석으로부터 이 동 도 와 확 산 계 수
를 연결 짓는 아인슈타인 관 계 식 을 유 도 할 것이다.

5.3.1 유도 전계

도너 불 순 물 원 자 들 로 불균일 도핑 된 반 도 체 를 생각하 자 . 만 약 반 도 체 가 열평형상태에

있 으 면 ，페르미 에너지 준 위 는 결정 전체에 걸쳐서 일 정 하 므 로 에 너 지 밴 드 그 림 은 정
성 적 으 로 그림 5.1 2와 같이 된다. 이 경우 도 핑 농 도 는 c가 증 가 함 에 따 라 감 소 한 다 . 높
은 도핑 영역 으로부 터 낮 은 영역, 즉 + x 방 향 으 로 의 다 수 캐리어 전자의 확산이 있을
것이 다. 음 전자의 흐 름 은 뒤 에 양 이 온 화 된 도너 이 온 을 남기 게 된다. 양 과 음 전하의
분 리 는 확 산 과 반 대 방 향 으 로 전 계 를 유도한 다 . 평형상태에 이르면 이동 가 능 한 캐리어
농 도 는 고정 불 순 물 농 도 와 정확히 같지 않 고 ，유 도 전 계 는 더 이 상 전 하 가 분 리 되 지
않 도 록 억제한 다 . 흥 미 로 운 것은 확산 에 의하여 유 도 된 공 간 전 하 는 불 순 물 농도의 극
히 일부 영 역 이 므 로 이동 가 능 한 캐리어 농 도 는 불 순 물 도 핑 농 도 분 포 와 많이 다르지
않다.
전위 산는 전자의 위치 에 너 지 와 (一 e )의 관 계 를 가지므로

(j) = + j ( E f - E Fi) (5.37)

이 된다. 1 차원의 경우 전계는 다 음 과 같이 정의된다.

으 f =i 뿜 (내 )

만 약 진성 페르미 준 위 가 열 평 형 상 태 에 서 거리의 함 수 로 변 하 면 ，전 계 는 반도체 내에

존재한다.

그림 5.1 2 불균일 도너 불순물 농도를 갖는 반도체의 열평형상태 에너지밴드 그림.

1 76 Chapter 5 캐 리어 전 송 현 상

만약 전 자 농 도 가 거 의 도너 불 순 물 농 도 와 같은 준 중 성 조 건 (quasi-ne uatral c o n ditio n )

을 가정하면

n = rii ex p E f ^ Fl ~ N d{x) (5.39)

이 된다. /r/에 대하여 풀면

E F - E Fi = k T \ n [ ^ ] (5 . 4 0)

이 된다. 페르미 준위 는 열평형상태에서 일 정 하 므 로 X 에 대하여 미분하면

d E Fi _ k T d N d(x)
(5.41 )
dx N d (x ) dx

이 된다. 그러면 전계는 식 (5.41 )과 (5.38)을 결합하여

F = - (kT) 1 dNd( X) (5.42)

다 _ 、 e ! N d(x) dx

가 된다. 전계 가 있으므로 불균일 도핑에 의하여 반도체 내에 전 위 차 가 발 생 할 것이다.

■ r ■ • ■. I 목적 I 주어진 선형으로 변하는 도핑농도에 대하여 열평형상태에서 반도체에 유도된 전

계를 계산한다.
T = 3 00 K 에서 n 형 반도체의 도핑농도가 다음과 같이 주어 진다고 가정하자.

Nd(x) = 1 016 - 1 0l9x (c m -3)

여기서 x 는 cm 의 단위를 가지며 0 드 ;c 드 1 사m 이다.

풀이
도너 도핑농도를 미분하면

dNd. (jr) = - 1 0 19 (c m -4)

ax

이고，식 (5.42)에 의한 전계는

一 -( 0 . 0 2 5 9 ) ( -1 0 M)
比 (1 016- 101切

이다. 예를 들면 = 에서

E , = 25 .9 V /cm

이 된다.

■
전 절에서 논의한 드리프트 전류로부터 비교적 작은 전계가 상당 한 드리프트 전류밀도를
만드는 것을 상기해 보면 불균일 도핑으로부터 유도된 전계도 반도체 소자 특성에 상당한
영향을 미칠 것을 짐작할 수 있다.
 5.3 경사불순물분포 177

연습
E x 5 .6 T = 300 K 에서 n 형 반도체의 도너 도 핑 능 도 가 N d(x ) = 1 016 e 고이 고 L = lx

1 0- 2 c m 이고 가정하자. 다음 위치에서 유도전계를 계산하시오. ( a ) x— 0, (b ) x = 1 0-4 cm

[(<?) p™ (田) J J u»/A S6 Z' \ = a 'suy ]

5. 3. 2 아 인 슈 타 인 관계

만 약 그림 5.1 2의 에 너 지 밴 드 그 림 으 로 표현 된 불균일 도 핑 되 었 고 전기적 연결이 되어

있지 않 으 므 로 열평형상태에 있는 반 도 체 를 생 각 하 면 개별 전 자 와 정 공 전 류 는 0이 되
어야 한다. 즉

•
/„ = 0 = enix„E x + eD„ 불 (5.43)

이어 야 한다. 만약 준 중 성 을 가정하여 n « 八 以 )이 면 , 식 (5.43)은

•
/„ = 0 = 대 „ N d(x ) E x + eD „ 엔 분 (5.44)

가 된다. 식 (5.42)의 전 계 표 현 식 을 식 (5.44)에 대입하면

1 d N d {x ) d N d(x )
0= — en .nNd( x ) (■쌓:) + eD n (5.45)
N d(x ) dx dx

을 얻을 수 있다. 식 (5.45)는 다음의 조건에서 성립한다. 즉

D n ^-kT (5.46 a)

이다.
정 공 전 류 도 역시 0이어야 한다. 이 조건으로부터

1노 = 료
(5.46b )
I P e

을 얻을 수 있다. 식 (5.46 a)와 (5.46b )를 결합하면

= ^ p_ = kT (5.47)
fin I p ^

가 된다. 확 산 계 수 와 이 동도는 독립 된 파 라 미 터 가 아니다. 식 (5.47)로 주 어 지 는 이동도

와 확산계수의 이 러한 관 계 를 아 인 슈 타 인 관 계 라 고 부른다.I

I 목적 I 주어진 캐리어 이동도로써 확 산 계 수 를 계산한다. 특정 캐리어의 이동도가 T = B E IB

300 K 에서 1 000 c m 2/V -se c 라고 가정한다.

아인슈타인 관계를 사용하여

1 78 Chapters 캐리어 전송 현상

D = ( 루 ) f i = (0.025 9X 1 000) = 25.9 c m 2/s

이다.

■
비록 이 예제는 비교적 간단하지만 이동도와 확산계수의 크기의 차수를 기억해 두어야 한
다. 확산계수는 상온에서 대략 이동도보다 40배 정도 작다.

연습문제
E x 5.7 T = 300 K 에서 반도체의 확산계수가 D„ = 21 5 c m 2/ s e c 라고 가정하자. 전자의
이동도를 구하시오. ( S-A / z UI3 1 8 = 대 -suy )

표 5.2 는 실리콘, 갈 륨 비 소 그 리 고 게르마늄 에 대하여 표 5.1 에 나 타 난 T = 300 K 에서

이동도에 해 당 하 는 확산계수의 값을 보 여 주 고 있다.
식 (5 .47 ) 로 주 어 지 는 이 동 도 와 확 산 계 수 의 관 계 는 온 도 항 을 갖 고 있다. 주된 온도
영향은 5 2 절에서 논 의 한 격자 산 란 과 이 온 화 불 순 물 산란의 결 과 임 을 명 심 해 야 한
다. 이 동 도 는 산 란 현 상 때문에 강 한 온도의 함 수 이 므 로 확 산 계 수 역시 온도의 함수이
다. 식 (5 .47 )로 주 어 지 는 특정 온 도 의 존 성 은 실제 온 도 특성의 작 은 부분이다.

*5. 4 홀 효 과

홀 효 과 (H a ll e ffe c t)는 전 기 장 및 자 기 장 에 의하여 이 동 하 는 전하에 작 용 하 는 힘의 결

과이다. 홀 효과는 반도체가 n형 혹은 p형인지를 구별하 고 ，
3) 다 수 캐리어 농 도 와 다수
캐리어 이 동 도 를 측 정 하 는 데 사 용 된 다 . 이 절에서 논 의 하 게 될 홀 효 과 소 자 는 실험적
으 로 반도체 파 라 미 터 를 측정하는데 사용된 다 . 그 러 나 ，자 기 장 감지기 및 회로 등에 광
범위하게 활용된다.
전하 ^를 가지 고 자기 장에서 이 동 하 는 입 자에 작 용 하 는 힘은

F = qvX B (5 _48)

표 5 . 2 r = 300 K 에서 통상적 인 이동도와 확산계수 값 ( /X =

c m 2/V -s e c” D = c m 2/s e c)

나，
， 公„ th DP

실리콘 1 350 35 480 1 2.4

갈륨비소 8500 220 400 1 0.4
게르마늄 3900 101 1 900 49.2

* 표시된 절은 반도체 이해의 총 정리 차원에서 다룰 수 있으나 생략하더라도 본 교과서의 연속성에는 문제

가 없음.
3) 다수 캐리어 농도가 소수 캐리어에 비하여 압도적으로 큰 외인성 반도체를 가정한다.
 5 .4 흘 효 과 1 79

그림 5.1 3 흘 효과를 측정하는 도형

로 주 어 진 다 . 여기서 벡터 외 적 은 속 도 와 자 기 장 사이에 적 용 되 므 로 힘 벡 터 는 속 도 와
자 기 장 모두에 수직 이 다.
그림 5.1 3은 홀 효 과 를 나 타 낸 다 . 전류 /，
를 갖 는 반 도 체 가 전류에 수 직 인 자기장에
놓여 있다. 이 경우 자 기 장 은 z 방 향 을 향 하 고 있다. 반도체에 흐 르 는 전 자 와 정공 은 그
림에 표시 된 힘의 영향을 받게 된다. 전 자와 정공에 작 용 하 는 힘 은 (一 } 방향이다. p 형
반 도 체 (깨 > 때 )에 는 y = 0 표면에 양 전 하 가 축 적 되 고 ，n 형 반 도 체 (따 > 깨 )에 는 j =
표면에 음 전하 가 축적된다. 이 전 하 는 그림에서 보듯이 y 방 향으로 전 계를 유도한다.
정상상태에서 자 기 장 힘은 정확히 유도 된 전기 장 힘 과 균 형 을 이루게 된다. 이 균 형은

= 公[E + 1 X B ] = (5.49 a)

로 쓸 수 있고，
q E y = qvxB z (5.49b)

가 된다.
y 방 향 으 로 유 도 된 전 기 장 을 홀 전계 이 라 고 부 른 다 . 홀 전 계 는 반 도체에 전 압 을 유
도 하 고 ，홀 전압이 라고 부른다. 즉

VH = + E h W (5.50)

로 쓸 수 있다. 여기서 는 + J 방향이 양의 방 향 이 라 고 가 정 하 면 는 그림과 같은

극 성 을 갖게 된다.
정공이 다 수 캐리어인 P 형 반도체에서 홀 전압은 그림 5 .1 3에서 정의된 방향이 양의
방향이 된다. 전자 가 다 수 캐리어 인 n 형 반도체 에서 홀 전압 은 반대 극 성 을 갖게 된다.
1 80 Chapter5 캐 리 어 전 송 현 상

홀 전압의 극 성 은 외 인성 반 도 체 가 n 형 혹 은 p 형 인지를 결정하는데 사용된다.

식 (5.50)을 식 (5.49)에 대입하면

Vh = v x WB z (5.51 )

이 된다. P 형 반도체에 대해서 정공의 드 리 프 트 속 도 는

_ 人 _ h (5.52)
v ^ - e p ~ (e p )(W d)

로 쓸 수 있다. 여 기 서 《는 전자 전하의 크 기이다. 식 (5.52)와 (5.51 )을 결합하면

hBz
VH (5.53)
ep d

이 된다 정공에 대하여 풀면

P (5.54)
edVH

를 얻을 수 있다. 다 수 캐리어 정 공 농 도 는 전 류 와 자 기 장 그 리 고 홀 전압에 의하여 결

정 된다.
n 형 반도체에 대하여 홀 전압은

(5.55)

로 주 어 지 므 로 전자농도 는

= /, 公, (5.56)
ed V H

가 된다. 홀 전 압 은 n 형 반도체에 대하여 음 이 므 로 식 (4.56)으로부터 결 정 되 는 전자 농

도 는 사 실 은 양의 값 임을 주 의하라.
일단 다 수 캐리어 농 도 가 결정되면 저전계 다 수 캐리어 이 동 도 를 계 산 할 수 있다. P
형 반도체에 대해서

Jx = epfipEx (5.57)

이다. 전 류 밀 도 와 전계 는 전 류와 전 압으로 변 환할 수 있으므로 식 (5.57)은

h = ep^pVx (5.58)
W d_ L

이 된다. 그러면 정공 이동도는

I XL
(5.59)
此 _ e p Vx Wd

로 주 어 진 다 . 이 와 같이 n 형 반 도체에 대 해 서 도 저전계 전자 이 동 도 는 다 음 과 같이 결
정된다. 즉

1XL
(5.60)
" _ enVx W d

이다.

Z 3 주어진 홀 효과 파라미터를 사용하여 다수 캐리어 농도와 이동도를 결정한다.

그림 5.1 3에 나타난 도형을 생각하자_ L = 1 0-1 cm, W = 1 0-2 cm, d = 10 3 cm이다. 또
한 /^ = 1 .0 mA, Vx = 12.5 V, B z = 500 gauss = 5 x 1 0-2 tesla, VH = —6.25 mV이다.

텔 n
이 도형에서 음의 홀 전압은 n형 반도체임을 의미한다. 식 (5.56)를 사용하여 전자농도를 다
음과 같이 계산할 수 있다.
-(1 -3)(5 X 10_2) 5 X 1021 m-3= 5 X 1015cm一
(1 .6 X 1 019)(1 -5)(-6.25 X 10_3)

그러면 전자 이동도는 식 (5.60)로부터

I n
(1 0—
3)(1 _3) 0.1 0mW-s
(1 .6 X 10一19)(5 X 102,)(12.5)(1 -4)(1 -5)
혹은

I n= 1000cm2/V-s

이다.

■
정확한 결과를 얻기 위해서는 홀 효과 방정식들에 MKS 단위를 지속적으로 사용해야함을
유념해야 한다.

연습문제
Ex 5.8 그림 5.1 3의 구조 를 갖는 p형 실리콘 반도체의 크기가 쇼 = 0.2 cm, ^ = 1 0-2
cm, 넜 = 8 X 10一4 cm이다. 반도체의 파라미터는 p = 1 16 cm一3, = 320 cm2/V •sec이
다. Vx = 10 V，B : = 500 gauss = 5 x 1 0-2 tesla일 때，八와 를 구하시오.
(Aui 08 0 = HA *Vtti 8W)r = 7 "suy)

5.5 요약
■ 두 가지 기본 전도 기구는 인가 전계에 의한 드리프트와 농도 변화에 의한 확산이다.
■ 인가 전계가 있을 때 캐리어는 산란에 의하여 평균 드리프트 속도에 도달한다. 반도체
내의 중요한 두 가지 산란 기구는 격자 산란과 불순물 산란이다.
1 82 Chapter5 캐 리 어 전 송 현 상

■ 평균 드리프트 속도는 작은 전계에서 인가 전계에 대하여 선형함수의 관계를 갖지만

1 7 v/c m 정도의 높은 전계에서 포화한계에 도달한다.
■ 캐리어 이동도는 평균 드리프트 속도와 인자 전계의 비율이다. 전자와 정공 이동도는
온도와 이온화된 불순물농도의 함 수이斗
■ 드리프트 전류밀도는 전도도와 전계의 곱으로 O hm 법칙의 형태의 관계를 가진다. 전
도도는 캐리어 농도와 이동도의 함수이다. 저항도는 전도도의 역수이다.
■ 확산계수와 이동도는 아인슈타인 관계를 갖는다.
■ 홀 효과는 전하를 띤 캐리어가 수직의 전계 및 자계가 존재할 때 발생하는 현상이다.
전하 캐리어는 휘어지면서 홀 전 압 을 만든다. 홀전압의 극성은 반도체 전도도 형태의
함수이다. 다수 캐리어 농도와 이동도는 홀전압으로부터 구해진다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

전도도 캐리어 드리프트와 관련된 물성 파라미터. 정량적으로는 전계에 대한 드리프트 전

류밀도의 비이다.
확산 입자가 높은 농도 영역에서 낮은 농도 영 역으로 이동하는 현상.
확산계수 입자 속과 입자농도 기울기를 관련 짓는 파라미 터.
확산전류 전하를 띤 입자의 확산에 의한 전류
드 리 프 트 전계의 영향 하에서 전하를 떤 입자들의 이동 현상.
드리프트전류 전하를 띤 입자들의 드리프트에 의한 전류.
드리프트 속도 전계가 존재하는 상황에서 전하를 띤 입자들의 평균 속도.
아인슈타인 관계 이동도와 확산계수와의 관계.
홀 전 압 홀 효과 측정에 의하여 반도체에 유도된 전압.
이온화 불순물 산란 전하 캐 리어와 이온화 불순물 중심과의 간섭.
격자산란 전하 입자와 열진동하는 격자 원자와의 간섭.
이동도 캐리어 드리프트 속도와 전계를 관련짓는 파라미터.
저항도 전도도의 역수. 전류에 대한 저항 정도를 나타내는 물질의 파라미터.
속도포화 전계의 증가와 함께 발생하는 캐리어 드리프트 속도의 포화.

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장을 공부한 후，독자들은 다음과 같은 능력을 갖추어 야 한다.

■ 캐리어 표동전류밀도에 대하여 말할 수 있다.
■ 전계가 존재하 는 상황에 서 캐 리 어가 왜 평균 드리프트 속도에 도달하는지 설명할 수
있다.
■ 격자 산란과 불순물 산란의 작용을 이 해한다.
■ 이동도를 정의하고 이동도에 의존적 인 온 도 와 이온화된 불순물 농도를 설명할 수 있
다.
■ 전도도와 저항도를 정 의할 수 있다.
■ 속도포화를 설명할 수 있다.
■ 캐리어 확산전류밀도를 설명할 수 있다.
■ 아인슈타인 관계를 말할 수 있다.
■ 홀 효과를 설명할 수 있다.

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

1. 총 드리프트 전류 밀도 방정식에 대하여 서술하라. 드리프트 전류 밀도와 전계의 선형

관계가 항상 유효한가? 유효하지 않은가?
2. 전자와 정공의 이동도를 정의하라. 단위 이동도란 무엇인가?
3. 이동도가 온도에 종속적인지 설명하라. 왜 캐리어 이동도는 이온화된 불순물 농도의
함수인가?
4. 전도도를 정의하라. 저항도를 정 의하라. 단위 전도도와 단위 저항도란 무엇인가?
5. 실리콘의 전계에 대한 전자의 드리프트 속도에 대하여 그려라. 갈름비소에서 반복하
라■
6. 전자와 정공의 확산 전류 밀도 방정식을 서술하라.
7. 아인슈타인 관계란 무엇인가?
8. 반도체에서 도너 불순물 농도 차에 따라 유도되는 전계의 방향은? 억셉터 불순물의 농
도차에 대하여 반복하라.
9. 홀 효과에 대하여 묘사하라.
1 0. 반도체의 전도도 유형(n-형 또는 p -형)에 따라 변하는 홀 전압의 극성을 설명하시오.

문제

5.1 캐리 어 드 리 프 트

5.1 실리콘의 도 너 불 순 물 원자의 농 도 가 % = 1 15 c m - 3 이다. 전자 이 동 도 가 =

1 3 00 c m 3/V -s , 정공 이동도가 … = 4 5 0 c m 2 A V -s 라고 가정한다. (a ) 그 재료의 저항
도를 계산하라. (b ) 전도도는 얼마인가?
5.2 빼 실리콘의 전 도 도 는 (r = 1 . 8 0 ( f l-c m 1이다. 만약 이동도의 값이 此 = 1 250

c m 2 A V -s 와 = 3 80 c m 2 A V -s 라면 그 물질의 억셉터 불순물 농도를 구하라.

5.3 (a) T = 3 00 K 에서 n 형 실리콘의 필요한 전도도는 a = l O ( f l-c m ) - 1이다. 도너 불순
물 농도는 얼마 필요한가? 이 불순물 농도에 해당하는 전자 이동도를 구하라. (b ) p

형 실리콘은 P = 0 . 2 0 ( n -c m ) 의 저항도가 필요하다. 억셉터 불순물 농도는 얼마 필

요한가? 그리고 정공 이동도는 얼마인가?
5.4 (a) T = 3 00 K 에서 p형 갈륨비소의 필요한 저항도는 p = 0 . 3 5 ( ( l-c m ) 이다. 필요한
억셉터 불순물 농도를 구하라. 이 불순물 농도에서의 정공 이동도를 구하라. ( b ) n 형
갈륨비소의 전도도는 cr = 1 2 0 0 1 -c m ) - 1이다. 도너 불순물 농도와 전자 이동도를 구
하라.
5 .5 실리콘 반도체의 길이는 2.5 c m , 단면적은 0.1 c m 2 이다. 그 실리콘은 n 형이고 =
2 x l 15 c m - 3 의 도너 불순물이 도핑되어 있다. 그 반도체의 측정한 저항은 70 I I 이
1 8스 Chapters 캐 리 어 전 송 현 상

다. 전자의 이동도를 구하라.

5.6 T = 300 K 에서 Nd = 1 016 c m - 3, Na = 0 도핑된 갈륨비소 반도체를 생각하자. ( a)
열평형상태 전자 및 정공농도를 계산하라. (b ) 10 V /m 전계를 인가한다. 드리프트 전
류 밀도를 계산하라. (c ) N d = ,Na = 1 016일 때 (a)와 (b )를 반복하라.
5.7 실리콘 반도체는 0.0이 cm 2의 단면과 K T 3 c m 의 길이를 가지고 있으며 끝에 10 V
배터리가 연결되어 있다. 실리콘에 100 m A 전류가 흐르길 원한다. 온도는 T = 300
K 이다. ( a ) 필요한 저항，(b )필요한 전도도를 계산하라. (c ) 그 전도도를 성취하기 위
해서 필요한 도너농도는 얼마인가? 그리고 (d ) 초기에 도 너 농 도 가 = 1 015 c m -3
도핑되어 있었다면 (이에서 계산된 전도도를 갖는 보상 p 형 반도체를 형성하는데 필
요한 억셉터 농도를 계산하라.
5.8 실 리콘 반도체 저항 은 8.5 x K T 4 cm 2 단면의 직사각형 의 막 대 기 형 태 이 며 ，길이
0.075 c m 이고, 2 x 1 16 cm —3 농도로 붕소가 도핑되어 있다. T = 300 K 라고 하자.
실리콘 저항 끝에 2 V 전압이 인가되어 있다. (a ) 저항의 전류를 계산하라. (b ) 길이
가 3배 증가했 을 경우에 ( a)를 반복하라. (c ) ( a)와 (b )에서 정공 드리프트 평균 속도
를 구하라.
5.9 ( a) 갈륨비소 반도체 저항은 도너불순물 농 도 가 = 2 x l 15 c m - 3이고 단면적이 5
x l O " 5 cm 2이다. 바이어스 전압 5 구를 인가할 때 전류는 / = 25 m A 이다. 저항의 길
이를 구하라. (b ) ( a) 결과를 사용하여 전자의 드리프트 속도를 계산하라. (c ) 인가 전
압을 20 V 로 증가시 키고 전자는 포화속도 5 x 1 6 cm/ s로 이동하면 전류는 얼마인
가?
5.10 ( a) 3 V 의 전압이 1 cm 길이의 반도체 양단에 걸려있다. 평균 전자 드리프트 속도가
104 cm/ s 이다. 전자 이동도를 구하라. (b ) 만약 ( a)의 전자 이동도가 800 c m W •s 이
면 평균 전자 드리프트 속도는 얼마인가?
5.11 그림 5.7의 실리콘과 갈륨비소에 대한 속도-전계 관계를 사용하여 ( a) 1 k V /cm 와 (b )
50 k V /c m 의 전계에 대해 I /xm 거 리를 통과하는 전자의 통과 시간을 구하라.
5.12 완전하게 보상된 반도체는 도너 와 억셉터 농도가 정확히 같은 반도체이다. 완전한
이온화를 가정할 때 불순물 농도가 ( a) N a = N d = 1 014 c m - 3, (b ) N a = Nd = 1 016
c m - 3, (c ) N a = N d = 1 018 c m - 3인 경우 T = 300 K 에서 실리콘의 저항도를 구하라.
5.13 ( a) p 형 갈륨비소는 T = 300 K 에서 전도도가 ■= y H -cm ) - 1이다. 열평형상태의
전자 및 정공농도를 계산하라. (b ) 저항도 p = 8(n -cm )인 n 형 S i 에 대하여 ( a)를 반
복하라.
5.14 반도체 는 I n = 1 000 cm 2 V -s, ! p = 600 cm 2, 그리고 Nc = Nv = 1 019 c m -3이다.
이 세 가지 변수들은 온도에 독립 이다. T = 300 K 에서 측정된 진성 반도체의 전도
도는 cr = l -6(a -c m 1이다. T = 500 K 에서 전도도를 구하라.
5.15 ( a) T = 300 K 에서 진성 (i ) 실리콘, (i i ) 게르마늄，그리고 (i i i ) 갈륨비소의 저항도를
계산하라. (b ) ( a)의 반도체로 사각형 막대모양의 반도체 저항을 만들 때 단면적이 85
/xm2이고 길이가 200 라면 각 반도체의 저항을 구하라.
5.16 n 형 실리콘은 T = 300 K 에서 O^ V o h m -c m r 1의 전도도를 가진다. ( a) 도너 불순물
농도는 얼마인가? 그리고 전자 이동도는 얼마인가? (b ) (i ) T = 250 K , (i i ) T = 400
 문제 1 85

K 에서 예상되는 전도도는 얼마인가?

5.17 반도체의 전도도는 깊이에 따라 •
⑴ = a0 ex p ( - x / d ) 으 로 변하고，여기서 a 0 = 20
(o h m -c m ) - 1, d = 0.3 /u m 이다. 만약 반도체의 두께가 ; = 1 .5 /ttm 라면, 평균 전도도
를 구하라.
5.18 n 형 실리콘 저항의 길이 L = 150 사m ，폭 … = 7.5 사m ，두께 r = 1 사m 이다. 저항
의 길이 방향으로 2 V 전압을 인가하였다. 도너 불순물 농도는 저항의 두께에 따라
선형적으로 변한다. 꼭대기에서 Nd = 2 x l 16 c m - 3, 바닥에서 Nd = 2 x 1 015 c m -3
이다. 캐리어의 평균 이동도는 此 = 750 cm 2/ V -s 라고 가정하자. ( a) 전계는 얼마인
가? (b ) 평균 전도도를 구하라. (c ) 저항에 흐르는 전류를 구하라. (d ) 꼭대 기 근처 에
서의 전류 밀도와 바닥 근처에서의 전류밀도를 구하라.
5-19 Nd = 2 x 1 0'6 c m _ 3와 Na = 0의 불순물 농도로 도핑 된 실리콘을 고려하자. 전계에
대한 전자 표동 속도의 실험식은 다음과 같이 주어진다.
= JE

따 小 + (쓴 ) 2
여기서 사„0 = 1 350 cm2V-s, vsat = l .8 x 1 7 crn/s이고 E의 단위는 V八;m이다. 0 드 及
드 1 6 V/cm 범위의 전계(log-log 크기)에 대한 전자 표동전류 밀도(크기로 )를 그리
시오.
5.20 T = 300 K 에서 의 실리콘을 고려하자. 전자의 이동도가 = 1 350 cm ， -sec이 라
고 가정하자. 전도대에서 전자의 운동에 너지 는 (1 /2)<년 이 고 여기서 m : 은 유효질
량이고 vd는 드리프트 속도이다. 만일 인가된 전계가 (a) 10 V /cm , (b ) 1 k V /c m 인 경
우에 전도대에서 전자의 운동에너지를 구하라.
5.21 E = 1 00 V /cm 의 전계가 인가되고，Nd = 1 014 c m " 3, Na = 0로 일정하게 도핑된 반
도체를 고려하자. I n = 1 000 cm 2/V -sec, /jlp = 0이라고 가정하자. 역시 다음의 파라
메타를 가정하자.

N C= 2 X 1 019 ( r /3 00) 3/2 cm"3

N v = I X 1 019 (r/3 00) V 2 c m - 3
Es = l. l O e V

( a ) T = 300 K 에서 의 전류밀도를 계산하라. (b ) 어 떤 온도에서 이 전류가 5% 증가

하는가<농도는 온도에 독립 이 라고 가정하자.)
5-22 반도체 물질은 각각 전자와 정공의 이동도 此,과 … 를 갖는다. 전도도가 정공농도 깨
의 함수로서 고려되어 질 때 ( a) 전도도의 최솟값 CTmin이

_ 2 a_i(、i „ i_ipy n
"min 一 —7
(/X끼 +
T"
ixp)\ —

로서 표현됨을 보여라. 여기서 야는 고유 전도도이다. (b ) 상응하는 정공농도가깨 =

■(比 /시 1/2임을 보여라.
«，
5.23 T = 300 K에서 세 가지 실리콘 반도체를 생각하자. n 형 반도체는 비소가 Nd = 5父

1 16 c m - 3 농도로 도핑되어 있다. p 형 반도체는 붕소가 ' i = 2 X 1 016 c m - 3 농도로

1 86 Chapters 캐 리 어 전 송 현 상

도핑되어 있다. 보상 반도체는 상기 n 형 및 p 형 반도체의 도너와 억셉터 농도로 도핑

되 어 있다. (a ) 열평 형상태 에서 각 반도체의 전자 및 정공농도를 구하라. (b ) 각 반도
체의 다수 캐리어 이동도를 구하라. (c) 각 반도체의 전도도를 구하라. (d ) 각 반도체
에 드 리 프트 전류 밀도 •
/= 1 20 A /c m 2 를 유도하는데 필요한 전계를 구하라.
5.24 특정 반도체에 세 가지 산란 메커니즘이 존재한다. 만약 오직 첫 번째 산란 메커니
즘만 존재한다면，이동도는 이 = 2 0 0 0 c n v W -s 일 것이고，만약 두 번째 산란 메커니
즘만 존재한다면, 이동도는 此 = 1 5 00 c m 2/ V -s 이 될 것이고，만약 세 번째의 메커니
즘만 존재한 다면 ，이동도는 = 5 00 c n v V V -s 이 될 것이다. 세 가지 메커니즘이 동
시에 존재할 때 이동도는 얼마인가?
5.25 T = 3 00 K 에서 실리콘의 전자 이동도가 I „ = 1 3 00 c n v W -s e c 라고 가정한다. 마찬
가지로 이동도는 격자산란에 의해 결정되고 3/2의 관계를 갖는다고 가정한다. (a )

T = 2 00 K , ( b ) T = 4 00 K 에서 전자 이동도를 구하라.
5.26 반도체내에 두 개의 산란 메커니즘이 존재한다. 만일 첫 번째 메커니즘만이 존재한
다면，이동도는 2 5 0 c r r r W -s e c 가 될 것이다. 만일 두 번째 메커니즘만이 존재한다면
이동도는 5 00 c m 2/V -s e c 가 될 것이다. 두 개의 산란 메커니즘이 동시에 존재할 때 이
동도를 구하라.
5.27 실리콘에서 유효상태함수밀도는 다음의 수식으로 쓸 수 있다.

乂 = 2_8X1 ()1 9( 士 ) 3" ^ = 1 -04 x l 0'9(35 r r

이동도는 다음과 같이 주어 졌다고 가정하자.

= 1 35 (士 ) V2 i나 = ■ ( 30 ) "

밴드집 에너지가 Eg = 1 .1 2 … 이고, 온도에 독립이라고 가정하자. 2 00 < T < 600

k 범위의 r 에 대한 함수로써 진성 전도도를 그리시오.

5.28 (a) n-type 반도체에서 전자의 이동도가 다음과 같이 주어 졌다고 가정하자.

1350
Nd
5 X 1 016

여기서 N d는 cm _3 단위의 도너농도이다. 완전 이온화되었다고 가정할 때，1 0 15 <

Nd < 1 018 c m - 3 범위의 에 대한 함수로써 전도도를 그리시오. (b ) 만약 이동도가
도너농도와 상관없이 1 3 5 0 c m 2八나로 동일할 때 ( a ) 번과 결과를 비교하라. (c ) E =

1 0 V /c m 의 전계가 반도체에 가해졌다면, ( a )와 (비의 전자 드리프트 전류밀도를 그

리시 오.

5 .2 캐리어 확 산

5.29 T = 3 00 K 에서 실리콘 샘플을 고려하자. 전자농도가 그림 P 5 .29와 같이 거리에 따

라 선형적으로 변화한다고 가정하자. 확산 전 류 밀 도 는 •/„ = 0. 1 9 c m 2 이다. 만일 전
자 확산 계수가 D ” = 25 c m 2/s e c 라고 가정할 때 x = 0 에서 전자농도를 구하라.
5.30 안정 상태에서 실리콘에서의 전자 분 포 는 x 에 대한 선형 함수로 근사할 수 있다.
전자농도의 최댓값은 = 0에서 발생한다. 그리고 «(0) = 2 x 1 16 c m -3이다.
x = 0.01 2 c m 에서 전자농도가 5 x 1 15 c m - 3이다. 확산 계수가 D „ = 27 cm 2/sec라
면，전자 확산 전류 밀도를 구하라.
5.31 반도체 에서 전자 확산 전류밀도는 Jn = —2 A /c m 2로 일정하게 주어 졌다. x = 0 일
때 전 자 농 도 는 «(0) = 1 015 c m - 3이다. ( a ) 실리콘의 = 30 c m 2/s e c 라면 z = 20
나m 에서 전자농도를 구하라. (b ) 갈륨비소의 Dn = 230 c m 2/ s e c 일 때 (a ) 를 반복하라.
5.32 p 형 갈륨비소에서 정공농도는 一L 드 ;c 드 0 범위에서 p = 1 0l6( l + x / )2c m _ 3이며，여
기서 스 = 1 2 사미이다. 정공 확산계수 Dp = 10 cm2/s 이다. (a) x = 0, (b ) jc = 一6 /xm ,
(c ) x = -1 2 에서 정공 확산 전류 밀도를 계산하라.
5.33 실리콘의 전자농도는 & 에서 «(文) = 1 015 e - xlL，c m -3이고，정공농도는 jc < 0에
서 폐 ) = 5 x l 15 e + xlL- c rr T 3이다. 여 기 서 ，L n = 2 x l _3 cm ，Lp = 5 x l _4 c m 이
고，전자와 정공의 확산계 수는 각각 Dn = 25 cm 2/s와 公p = 10 cm 2/s 이다. 총 전류
밀도는 x = 0에서 정공 확산 전류밀도와 ;c = 0에서 전자 확산 전류밀도의 합으로
정의된다. 총 전류밀도를 계산하라.
5.34 반도체의 정 공 농 도 는 x > 0에서 p ⑴ = 5 X 1 015 e_ xlLP c m - 3이다. 다음의 경우 (a ) x
= 0 (b ) x = Z y 게서 정공 확 산 전 류 밀 도 를 구 하 라 . ( i ) 실리콘 반도체의 Dp = 10
cm 2/s，L p = 50 m 인 경우，( ii ) 게르마늄 반도체의 Dp = 48 cm 2/s, Lp = 22.5 사m

인 경우. _
5.35 T =300 K 에서 실리콘의 전자농도는 « ) = 1 016 exp (~j ^ ) c m 이다. (x 는 /njn 단위
이며 ，0 S 드 25 사m 범위를 갖 는 다 .) 전자 확 산 계 수 는 Dn = 25 c m 2/ s 이고 전자
이동도는 I „ = 960 c m 강V - s 이다. 반도체를 통하는 전체 전자 전류밀도는 / n = -4 0
A /c m 2으로 일정하다. 전자전류는 확산과 드리프트 전류 성분으로 구성된다. 반도체
내에 반드시 존재하는 전계를 :c의 함수로 구하라.

G
쓰

0 — 0.01 0
x (cm)

그림 P 5.29 문제 5.29의 그림

5.36 반도체의 총 전류밀도는 / = - 1 0 A /c m 2 으로 일정하다. 총 전류밀도는 정공 드리프

트 전류밀도와 전자 확산전류밀도로 구성된다. 정공농도가 1 0 16 c m - 3 으로 일정하고，
전자농도는 «(功 = 2 x l 15 세 c m - 3이며，여기서 L = 1 5 /Lim 이다. 전자 확산계수
가 >,, = 2 7 c m 2/s , 정공의 이동도가 ! p= 4 2 0 c m 2/ V -s 라면，( a ) x > 0 에서 전자 확
산전류 밀도，( b ) jr > 0 에서 정공 드리프트 전류밀도，( c ) x > 0 에서 요구되는 전계
1 88 Chapters 캐 리 어 전 송 현 상

를 구하라.
*5.37 일정한 크기의 전계 E = 12 V /c m 가 n 형의 갈륨비소 반도체에서 + ; c방향으로 0 호
드 50 /u n 범위에 존재한다. 총 전체 전류 밀도는 일정하고 / = 1 A /cm 2이다.
jc = 0에서 드리프트와 확산 전류는 같다. T = 300 K 와 I n = 8000 cm 2/V -s로 가정
하자. ⑷ 전자농도 n (x )의 표현식을 구하라. (b ) x = 0과 c = 50 u_rn 에서 전자농도
를 계산하라. (c ) x = 50 Mm 에서 드리프트와 확산 전류밀도를 계산하라.
*5.38 n 형 실리콘에서 페르미 에너지 준위는 짧은 범위에서 길이에 대하여 선형적으로 변
한다. = 에서 EF - EFi = 0.4 e V 이고 c = 1 0~3 c m 에서 及 一及 ,. = 0.1 5 … 이다.
( a) 거 리에 대한 전자농도 표현식을 구하라. (b ) 전자 확산 계수가 D „ = 25 cm 2/s 이
면 (i ) jc = 0과 (i i ) jc = 5 x 1 0-4 c m 에서 전자 확산전류밀도를 계산하라.
*5.39 ( a) 반도체의 전자농도가 0 드 ;c 드 쇼에서 n = 1 0!6(1 一 c/ ) c m - 3이며，여기서 L =
10 나m 이다. 전자 이동도와 확산계수 는 fin = 1 000 cm 2/V -s, Dn = 25.9 cm 2/s 이다.
전계를 인가하여 총 전자 전류밀도는 주어진 x 의 범위에서 J „ = —80 A /cm 으로 일
정하다. 필요한 전계를 거리의 함수로 구하라. (b ) J „ = -2 0 A /cm 2일 때，문 제 ⑷ 를
반복하여 라.

5 .3절 경 사 불 순 물 분 포

5.40 열평형 상태(전류가 없다.)의 T = 300 K 에서 n 형 반도체를 생각하자. 도너농도 는 0

드 ;c 드 [ 영역에서 N / x) = N d0 e _ 교이다. 여기서 N m = 1 016 c m - 3, L = 10 /x m 이
다. ( a) 0 드 x 드 쇼에서 ;c의 함수로 전계를 계산하라. (b ) x = 0과 x = L 사이 의 전
위차를 계산하라. (x = 쇼에 대하여 = 에서 전위는 ‘양 이다.)
5.41 예제 5.6 의 자료를 사용하여 ;c = 0 과 r = 1 /tm 사이 전위차를 계산하라.
5.42 ( a) T = 300 K 에서 길이 0.1 c m 에 걸쳐 일정한 전계 500 V /m 을 유도하는데 필요한
반도체의 도핑 분포를 구하라.
*5.43 G a A s 에서 도너 불순물 농도가 0 드 ;c 드 영 역에서 A느 = NM exp ( - x / )으로 변한
다. 여기서 = 0.1 사m ，N d0 = 5 x 1 16 cm —3이다. 그리고 i „ = 6000 cm 2/V -s，T
= 300 K 라고 가정하자. ( a) 주어진 ;c의 영역에서 거리에 대한 전자 확산전류밀도의
표현식을 유도하라. (b ) 확산 전류밀도를 상쇄하는 드리프트 전류밀도를 발생시키는
유도전계를 구하라.
5.44 ( a) 그림 5.2 a 에서 Nd = 1 017 c m - 3인 실리콘의 전자 이동도를 생각하자. 一 50 드 T
< 200° 범위에서 온도에 대한 전자 확산계수를 계산하고 그리시오. (b ) 온도에 관
계없이 전자 확산계수가 와, = (0.0259)化으 로 주어졌을 때 문제 ( a)를 반복하라. 확
산계수의 온도 의존도에 관하여 어떤 결론을 내릴 수 있을까?
5.45 T = 300 K 의 반도체에서 ( a) (i ) 전자 이동도가 ! n = 1 1 50 cm 3/V -s 일 때，(i i ) 전자
이동도가 „ = 6200 c n v W -s 일 때 전자 확산계수를 구하라. (b ) 정공 확산계수가 (i )
= 8 cm2/s 일 때, (i i ) Dp = 35 cm2/s 일 때 정공 이동도를 구하라.*

* 표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

5 .4 절 홀 효 과

(홀 효과의 기하학적 구조는 그림 5.13을 참조하라.)

5.46 실리콘은 r = 300 K 에서 인 원자가 2 x 1이6 c m - 3의 농도로 일정하게 도핑되 었다.
홀 소자는 예제 5.8과 동일한 기하학적 구조를 갖는다. 전류는 /，= 1 .2 m A 이고, 자
계는 公 = 500 gauss = 5 X 1 0-2 tesla 이다. (a) 홀 전압, (b ) 홀 전계를 구하라.
5.47 T = 300 K 에서 게르마늄의 도너 가 5 x 1 015 c m ~3 농도로 도핑 되 었다. 홀 소자의 크
기는 d = 5 x 1 오 3 c m , … = 2 X 1 —2 c m , L = 1 0—1 c m 이다. 전류는 Ix = 250 fiA ,
인가전압은 = 1 00 m V 그리고 자속 밀도는 = 500 g a u s s = 5 x 1 ~2 te s la 이
다. 다음을 계산하여라.
(a) 홀 전압 (b ) 홀 전계 (c ) 캐리어 이동도
5.48 T = 300 K 에서 실리콘 홀 디바이스는 다음의 기하학적 구조를 갖는다: d = 1 0-3
cm , W = 】 C r 2 cm ，L = 1 0-】 cm . 다음의 파 라 메 타 는 측 정 된 다 . Ix = 0.50 m A ,
= 15 v o lts , VH = -5 . 2 m V , Bz = 0.1 0 te s la , ( a ) 전도 형태, ( b ) 다수 캐리어 농 도 ，
(c ) 다수 캐리어 이동도를 계산하라.
5.49 T = 300 K 에서 실 리콘을 생 각하자. 홀 효과 소자는 다음의 기 하학적 구조를 갖는
다: 넜 = 5 x 1 0-3 cm , W = 5 x 1 -2 cm , L = 0.50 cm . 측정된 전기 적 파라미터는 / v
= 0.50 m A , Vx = 1.25 V ，B : = 650 gauss = 2.5 x 1 0-2 te sla 이다. 홀 전계는 EH =

-1 6.5 m V 八;m 이다. 다음을 구하여라.

( a) 홀 전압 (b) 전도도 유형 (c ) 다수 캐리어 농도 (d ) 다수 캐리어 이동도
5.50 T = 300 K 에서 갈륨비소 반도체를 생각하자. 홀 효과 소자는 다음의 기하학적 구조
를 갖는다: d = 0.01 cm , W = 0.05 cm , L = 0.5 cm . 전기적인 파라미터는 /, = 2.5
m A, Vx = 2.2 V ，B , = 2.5 父 1 0-2 te s la 이다. 홀 전압은 VH = -4.5 m V 이다. 다음을
구하여라. ( a) 전도도 유형 (b ) 다수 캐리어 농도 (c ) 이동도 (d ) 저항도

요약 및 복습

5.51 n 형 실리콘 반도체 저항기가 5 V 인가전압에 대해서 5 m A 의 전류가 흐르도록 설계

되었다. ( a ) Nd = 3 x 1 14 c m - 3, Na = 0 일 때，요구되는 사양을 만족시키는 저항을
설계하라. (b ) N d = 3 x 1 016 c m - 3, Na = 2.5 x 1 016 c m - 3일 때，저항을 재설계하라.
(c ) 도핑 농도와 비교하여 설계된 두 저항의 상대적인 길이에 대하여 토론해보자. 선
형 관계인가?
5.52 홀 효과 소자를 제작할 때，홀 전압이 측정되는 두 지점이 실제로는 전류 /、에 수직으
로 정렬되지 않을 수도 있다. (그림 5.1 3을 보시오.) 이 정렬 불량이 홀 전압에 미치
는 영향에 대하여 토론해보자. 유효한 홀 전압이 두 측정값 즉 + z 방향의 자기장으
로 측정한 값과 - z 방향의 자기장으로 측정한 값으로부터 얻어질 수 있다는 것을 보
여라.
5.53 반도체의 전도도 유형을 결정하는 또 다른 기술은 열탐침법이다. 이 방법은 두 개의
탐침과 전류의 방향을 가리키는 전류계로 구성된다. 하나의 탐침은 가열되고 다른
하나는 실온 상태로 둔다. 전압은 인가되지 않지만 탐침들이 반도체에 닿으면 전류
는 나타난다. 이 열탐침법의 동작 원리를 설명하고 p 형과 n 형 반도체에서 전류 방향
1 90 Chapter5 캐리어 전송 현상

을 가리키는 도면을 그리시오.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
*1. B u b e , R . H . E le ctorn s in S olid s: A n In tro d u c to ry Survey. 3 rd e d. S a n D i e g o , C A :
A c a d e m ic P re ss, 1 992.
2. C a u g h e y , D . M . ，a n d R . E . T h o m s . “ C a rri e r M o b ili t i e s in S ilic o n E m p ir i c a l l y , R e l a t e d
t o D o p in g a n d F i e l d . ” P roc. I E E E 55 (1 9 6 7 ), p. 21 92 .
3. D i m i t r i j e v , S. P rin c ip le s o f S e miconductor D e vic e s, N e w Y o r k : O x f o r d U n iv e r s it y ,
2006.
4. K a n o , K . S e miconductor D evic e s. U p p e r S a d d l e R i v e r, N J : P r e n tic e H a ll, 1 998.
*5. L u n d s tr o m , M . F und a m e nta ls o f C a rri e r H m s p o rt . V ol. X o f M o d u l a r S eries on S o lid
State D e vic e . R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y , 1 990.
6. M u l l e r , R . S ., a n d T . I. K a m in s . D e vic e E le ctro nic s f o r In t e gra t e d C irc u its . 2 n d e d.
N e w Y o r k : W il e y , 1 986.
7. N a v o n , D . H . S e miconductor M icro d e vic e s a nd M a t e ria ls . N e w Y o r k : H o lt, R in e h a rt &
W in s t o n , 1 986.
8. P i e rr e t, R . F . S e miconductor D e vic e F und a m e nta ls. R e a d in g , M A : A d d is o n - W e s l e y
P u b li s h in g C o ., 1 996.
9. S h u r, M . In tro d u c tio n to E l e c tro n ic D e vic e s. N e w Y o r k : J o h n W i l e y a n d S o n s, 1 996.
*10. S h u r, M . P hysics o f S e miconductor D e vic e s. E n g l e w o o d C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 990.
11. S in g h , J. S e miconductor )끗 v/c 싼 : A n In tro d u c tio n . N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 994.
12. S in g h , J. S e miconductor D e vic e s: B a sic P rin cip le s . N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s,
2001.
13. S tr e e tm a n , B . G ., a n d S. B a n e rj e e . S o lid State E l e c tro n ic D evic e s. 5 t h e d. U p p e r s a d d l e
R i v e r, N J : P r e n tic e H a ll, 2000.
14. S z e, S. M . P hysics o f S e miconduct 이 . D evic e s, 2 n d e d. N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d
S o n s, 1 981 .
15. S z e, S. M . S e miconductor D e vic e s: Physics a n d T e chnology, 2 n d e d. N e w
Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s, 2001 .
*16. v a n d e r Z i e l, A . S o lid State P h ysic a l E le ctro nics. 2 n d e d. E n g l e w o o d C l if f s , N J :
P r e n tic e H a ll, 1 968.
17. W a n g , S. F un d a m e nta l o f S e miconduct 이 . T h e ory a n d D e vic e Physics. E n g l e w o o d
c l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 989.
18. Y a n g , E . S. M icro e l e c tro n ic D evic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 988.

표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

/

반 도 체 내 에 서 의 비평형 과 잉 캐 리 어

우리는 4장에서 열평형상태에 근거하여 반도체의 물성에 대하여 논의했다. 반도체 소자에 전류

가 흐르거나 전압이 인가될 때 반도체는 비평형 조건에서 동작하게 된다. 우리는 5장에서 전류

전송을 논 할 때 비평형상태를 고려하지 않았지만 평형상태를 심하게 벗어나지 않는다고 묵시적

으 로 가 정 했 다 . 만 약 에 반 도 체 에 외 부 여 기 ( excit a tion )가 가 해 진 다 면 전 도 대 의 과 잉 전 자 와 가

전 자대의 과잉 정 공 은 열 평 형 상 태 에 서 의 농 도 보 다 더 많이 존 재 할 것이다. 우 리 는 우선 과잉

캐리어의 생성과 재결합 및 과잉 캐리어들이 생성되고 재결합 되 는 비율에 대한 일반적인 논의

부터 시 작 할 것이다. 본 장 에 서 는 시 간 과 공간 좌 표 의 함수로서 비평형 상태의 전자와 정공의

움직임을 논의할 것이다.

과잉 전 자 와 과잉 정 공 은 서로 독 립 적 으 로 움직이지 않는다. 그들은 같은 유효확산계수, 드

리프트 이동도, 수명을 갖고 확산, 드리프트, 재결합한다. 이를 a m bip olar 전송이라고 부른다.

우리는 과잉 전자와 과잉 정공의 성질을 나타내는 a m bip olar 전송 방 정 식 을 유 도 한 다 . 과잉

캐 리 어 는 반도체 재료의 전기적 특성에 큰 영향을 주며 이 과잉 캐리어의 특징이 반도체 소자

의 동작에 있어서 기초가 된다. ■

6.0 개설
이 장에서 우 리 는 다 음 을 논 의 할 것이다.
■ 반도체 내에서 과잉 캐리어의 생성 및 재 결 합 과정에 대해 논의한다.
■ 과잉 캐리어의 재 결합률 및 생 성 률 을 정 의하고 과잉 캐리어 수명에 대해 정의한다.
■ 왜 과잉 전 자 와 과잉 정공이 서로 독립 적 으로 움직이지 않는 이유 를 논 의 한 다 . 과
잉 캐리어의 동 작 을 앰비폴러 전송 (a m bip ola r tra nsport ) 이 라 고 부 르 며 ，앰비폴러
전 송 방 정 식 을 유도한다.
■ 엠 비폴러 전송방정 식을 여 러 상황에 적용하여 과잉 캐 리 어 의 시 간특성 및 공 간 특
성을 결정한다.
■ 유사-페 르미 에너지 준 위 를 정의한다.
■ 반도체 내에서 결함이 과잉 캐리어의 수명에 미치는 영향을 분 석한다.
1 91
1 92 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

■ 반도체 표면에서 결함이 과잉 캐리어 농도에 미치는 영향을 분석한다.

6. 1 캐 리어 생 성 및 재 결 합

이 장에서 우 리 는 다 음 과 같이 정 의 하 는 캐리어의 생 성 과 재결합에 대해 논 의 한 다 . 즉

생 성 ( g e n era tion )은 전 자 들 과 정공들이 만 들 어 지 는 과 정 이 고 재 결 합 (re c o m bin a tio n )은

전 자 들 과 정공들이 소 멸 되 는 과정이다.
열평형 으로 부터 조 금 이 라 도 벗어나면 반도체 내에서의 전 자 와 정공의 농 도 는 변화
될 것이다. 예 를 들 면 ，온 도 가 갑자기 증 가 하 면 전 자 와 정공의 열적 생성률이 증 가 하 고
이 로 인해 그 농 도 는 새 로 운 평 형값에 도 달 할 때까지 시간에 따 라 변화될 것 이 다 . 빛
(포 톤 의 흐 름 )과 같 은 외 부 여 기 도 전 자 와 정 공 을 생 성 시 키 고 비평형 조 건 을 만 든 다 •
생 성 과 재 결 합 과 정 을 이해하기 위해서 우 리 는 먼저 밴 드 와 밴드간의 생 성 과 재 결 합 을
고 찰 하 고 그 다음에 트 랩 이 나 재 결 합 중 심 으 로 일 컬 어 지 는 밴드 갭 내 에 허 용 되 는 전자
적 에너지 준위의 효 과 를 고 찰 하 기 로 한다.

6.1.1 평 형상태의 반도체

우 리 는 앞서 각각의 전 도 대 와 가전자대에 있는 전 자 와 정공의 열평형 농 도 를 구 하 였 다 ­

열평형상태에서 이들의 농 도 는 시간에 의존하지 않는다. 그 러 나 전 자 들 은 열적 과정의
무 질 서 한 성질에 의해 가전 자대로부터 전 도 대 로 끊임없이 열적으로 여기된다. 이와 동
시 에 ，전 자 들 은 전도대 내의 결 정 속 을 무 질 서 하 게 움 직 이 다 가 가 전 자 대 내의 정 공 과
아 주 가깝게 접근하게 되고 빈 준 위 속 으 로 ‘떨 어지게 ’ 될 것이다. 이 재 결 합 과 정 은 전
자 와 정공 모 두 를 소 멸 시 킨 다 . 순 캐리어 농 도 들 은 열평형일 때 시간에 의존하지 않으
므 로 전 자 와 정공의 생 성 률 과 재 결 합 률 은 같 아 야 만 한다. 생성 과정 및 재 결 합 과 정 을
그림 6.1 에 도 식 적 으 로 나타내 었다.
과 Gp0을 각 각 전 자 와 정공의 열 -생 성 률 로 놓 고 단 위 는 #/cm 3-s 로 놓 자 . 밴 드 와
밴드간의 직접 생성에 있어서 전 자 와 정 공 은 쌍 으 로 생 성 되 므 로 우 리 는 다 음 을 얻을
수 있다.

0 分 ♦，
------
전자-정공 전자-정공
생성 재결합

■
及V
© x -0

그림 6. 1 전자 정공 생 성 및 재결합
 6.1 캐리어 생성 및 재결 합 1 93

G „ = Gp (6_1 )

열평 형 의 반도체에 대하여 상„ 과 /?p 을 각 각 전 자 와 정공의 생 성 률 로 놓 고 단 위 는 앞에

서 와 같이 #/cm 3-s로 놓자. 밴 드 와 밴드간의 직접 재결합에 있어서 전 자 와 정 공 은 쌍으
로 재 결 합 되 므 로 다음 식처 럼 된다.

穴 no — RpO ( 6 .2 )

열평형에서 전 자 와 정공의 농 도 는 시간에 의존하지 않 으 므 로 생 성 과 재 결 합 률 은 같으

며 따라서 우 리 는 다 음 과 같 은 식을 얻을 수 있다.

G„ = Gp = R „ — Rp (6.3)

6. 1. 2 과잉 캐리어 생성 및 재 결 합

이 장 에 서 는 부 가 적 인 표 기 법 들 을 도 입 하 였 다 . 표 6.1 은 이 장 전체에 걸쳐 많이 사 용
되는 기호들의 몇 가지 를 나타낸 것이다. 다 른 기 호 들 은 각 장에서 이미 설 명 한 것처럼
정의될 것이다.
예 를 들 면 고 에 너 지 의 광 자 들 이 반 도 체 로 입 사 되 면 ，가 전 자 대 에 있는 전 자 는 전도
대로 여기 된다. 이 러 한 상황이 벌어질 때, 전 도 대 에 는 전 자 가 생 성 될 뿐 만 아 니 라 가
전 자 대 에 는 정공이 생 성 된 다 . 즉 전 자 -정 공 은 쌍 으 로 생 성 된 다 . 부 가 적 으 로 만 들 어 진
전 자 와 정공 을 과 잉 전 자 (excess ele ctrons )와 과 잉 정 공 (excess hole s ) 이 라고 부른다.
과잉 전 자 들 과 정 공 들 은 외부의 힘에 의해 특 정 한 비율 로 생 성 된 다 . 과잉 전자들의
생 성 률 을 요:!로 놓 고 과잉 정공들의 생 성 률 을 < 로 놓 斗 이 생 성 률 도 #/c m 3-S의 단 위 를
갖 는 다 . 밴 드 와 밴 드 간 의 직접 생 성 에 서 과잉 전 자 들 과 정 공 들 은 쌍 으 로 생 성 되 므 로
우 리 는 다음 을 얻을 수 있다.

g'n = g'p (6-4)

과잉 전 자 들 과 정공들이 생성될 때 전도대의 전 자 농 도 와 가전자대의 전 자 농 도 는 그

열평형 값 보 다 증가하게 되므로 우 리 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

n = n + 8n (6.5 a)

표 6.1 6장에서 사용되는 기호들

기호 정의
«0, P
열평형 전자 및 정공 농도(시간과 위치에 독립적임 )
n，p
hn = n — n 총 전자 및 정공 농도 (시간과 위치의 함수일 수 있다)
= p ~ p 과잉 전자 및 정공 농도(시간과 위치의 함수일 수 있다)
gn，8p 과잉 전자 및 정공 생성률
R 'm K 과잉 전자 및 정공 재결합를
T” ，Tp 과잉 소수 캐리어 전자 및 정공 수명
1 9A Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

p = p + 8p (6.5 b )

여기서 « 와 /선 는 열평형 농 도 이 고 心 과 8 p 는 과잉 전 자 와 과잉 정공의 농도이 다 . 그림

6.2는 과잉 전자-정 공의 생 성 과 정 과 그로 인해 생성된 캐리어 농 도 를 나 타 내 고 있는 것
이다. 외부의 힘이 평 형 을 깨뜨리면 반 도 체 는 더 이상 열평형이 아니다. 비평형 상태에
서 식 (6.5 a )와 (6.5 b )로부터 np # /3 p 0 = nf ] 됨을 알 수 있을 것이다.
과잉 전 자 와 정공의 정상상태(ste a dy -state ) 생 성 은 캐리어 농 도 를 지 속 적 으 로 증대
시 키 지 는 않는다. 왜 냐 하 면 ，열평형의 경 우 에 서 처 럼 ，전도대에 있는 전자 가 가 전 자 대 로
“떨 어 지 게 (f a ll d o w n )” 되면 과잉 전 자 -정 공 재 결 합 과정이 일어나기 때 문이다. 이 과정
을 그림 6.3에 나 타 내 었 다 . 과잉 전자들에 대한 재 결 합 률 은 사'„ 으 로 정공에 대한 재 결 합
률 은 /?'p로 표 시 한 다 . 두 파 라 미 터 들 은 #/c m 3-s 의 단 위 를 갖 는 다 . 과잉 전 자 와 정 공 은
쌍 으 로 재 결 합 하 므 로 재 결 합 률 은 반드시 같다. 우 리 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

K = R'P (6-6)

밴 드 와 밴드간 의 직접 재 결 합 을 고 려 할 때 재 결 합 은 자 발 적 으 로 일어난 다 . 따라서 전

자 와 정공의 재 결 합 확 률 은 시간에 관계없이 일정하다. 전자의 재 결 합 률 은 전자농도에
비 례 해 야 하며 정공의 재 결 합 률 은 정공의 농 도 에 비 례 해 야 한 다 . 만약에 전 자 나 정공
이 없다면 재결합은 일어나지 않는다.
전자농도의 순 변 화율은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

8n

8p Po

그림 6.2 광자에 의한 과잉 전자와 과잉 정공 밀도의 생성

(三 卜 \ 0 + \
Ec

유 유
Ev
X ♦( J ) x M +) ,+ + +

그림 6. 3 열평형을 이루기 위한 과잉 캐리어들의 재결합

 6.1 캐리어 생성 및 재 결 합 1 95

현 은 = a r[ n - - n ( t)p ( t) ] (6.7)
여기서
n( t) = n + bn ( t) (6,8a)
p ( t) = p + Sp ( t) (6.8b )

식 (6.7)의 첫 번째 항 c v j ,2은 열평형 생 성률이다. 과잉 전 자 와 정공이 쌍 으 로 생 성 되 고

재 결 합 되 므 로 우 리 는 dn ( t) = 切 ( f )가 됨을 알 수 있다(과잉 전 자 와 전 자 농 도 는 같으 므
로 괄 호 안의 과 잉 캐 리 어 를 전자, 혹 은 정공의 둘 중의 어느 쪽 으 로 도 생 각 할 수 있으
므 로 간단 히 취 급 할 수 있 다 ). 열평 형 파라미 터 인 와 /성는 시 간 에 독립 적 이 므 로 식
(6.7)은 다 음 과 같이 된다.

• : ( ’)) = a r[ n - (n + 8 n (t))(p + 8 p (t))]

dt (6.9)
= - a r8 n (t)[(n + p ) + 8 n (t)]

식 (6.9)는 저 -수 준 주 입 (lo w -le v e l in je c tio n )의 조 건 을 적용하면 쉽게 풀 린 다 . 저 -수

준 주 입 은 열평형 캐리어 농 도 와 비교했을 때 과잉 캐리어 농도의 양을 제 한 시 킨 다 . 도
핑시 킨 n 형 물질에서 일반적으로 따 » 께 이 고 , 도 핑시킨 p 형 물 질 에 서 는 p 0 » n 0 이
다. 저 -수 준 주 입 이 란 과잉 캐리어의 농 도 가 열평형의 다수 캐리어 농 도 보 다 아주 작은
상 태 를 의미한다. 반대 로 고 -수 준 주 입 (hig h-le v e l in je c tio n )은 과잉 캐리어 농 도 가 열평
형의 다수 캐리어 농 도 와 비 슷 하 거 나 더 클 때 일어난다.
만 약 P 형 물질 切 )》 « )에서 저 -수 준 주 입 ( S«( « p 0) 상 태 라 면 식 (6.9)는 다 음
과 같이 된다.

生추 ,(’)) = - a rp 8 n(t) (6.10)

이 식의 해 는 최초의 과잉 캐리어 농 도 값으로 부터 지 수 적 으 로 감 소 한 다 . 이를 식으 로

표 현 하 면 다 음 과 같다.

8 n(t) = 8n(0)e ~ arP t = 8n(0)e ~ t/Tn0 (6.11)

여기서 = (이 께 )-1 이고 저 -수 준 주입일 때 일정 하다. 식 (6.1 1 )은 과잉 소 수 캐리어

인 전자의 감 소 를 나 타 내 는 것이며 t „0를 과잉 소 수 캐 리 어 수 명 (excess m in o rity c a rrie r
lif e tim e ) 이 라고 부른다.

양( + )의 값 으 로 정 의 되 는 과잉 소 수 캐리어 전자의 재 결 합 률 은 식 (6.1 0)을 이용하

여 다 음과 같이 쓸 수 있다.

= + a rP 8 n(t) = ^ (6.12)

1 ) 5 장에서 우리는 T를 충돌간의 평균 시간으로 정의하였다. 여기서 우리는 T를 재결합이 일어나기 전의 평

균 시간으로 가정하겠다. 이 두 파라미터는 아무런 관련이 없다.
1 96 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

밴 드 와 밴 드 간 직접 재 결합에 있어서 과잉 다 수 캐리어 정공 재 결 합 률 은 같으며 따 라

서 p 형 물 질 에 서 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

(6.1 3)
R' 세 = _8 쁜

저 -수 준 주입 상 태 ( & ⑴ « 해 )인 n 형 물 질 인 경 우 («0 » 마))에 는 시 정 수 Tp0=

(아 따 1를 가 지 고 소 수 캐리어 정공이 감 소 하 는 데 , 여기서 Tp0는 과잉 소 수 캐리어 수
명 을 나 타 낸 다 . 다 수 캐리어 전 자들의 재 결 합 률 은 소 수 캐리어 정공들의 재 결 합 률 과
같 으 므 로 우 리 는 다음 을 얻을 수 있다.

8 n ( t) (6.1 4)
K = R'P

과잉 캐리어들의 생 성 률 은 전 자 나 전자농도의 함 수 가 아니다. 일반 적 으 로 생 성 률 과

재 결 합 률 은 공 간 과 시간의 함수이다.

I 목적 I 과잉 캐리어 특성의 시간 함수를 결정하라.

반도체 내에서 과잉 캐리어의 농도가 s «(0) = 1 015 c m 3로 균일하게 생성된다고 가정
하자. t = 0에서 과잉 캐리어의 생성을 멈추도록 인가함수를 인가한다. 과잉 소수 캐리어
수명 t „ = 1 -6 에 다 . t > 0에서 &바 )를 구하라.

행 n
식 (6.1 1 )로부터

8 n ( t) = S n( 0 )e ^ = 1 015 e —,/10_6 c m —3

이다. 예를 들어 ，t = 0부터 r = 10 일 때 다음과 같다.

f = 0, 8 n = 1 015 c m -3

t — 1 /Lts, 8 n = 1 015 e —in = 3 . 6 8 X 1 014 c m -3

t = 4 /a s , 8 n = 1 015 e ~ m = 1 .83 X 1 013 c m -3

t = lO p ts , 8 n = 1 015 e ~ w / l = 4 . 5 4 X 1 01 0c m 一3

區互 )
이 결과는 단순히 외부 여기전원이 제거된 후，시간에 따라 과잉 캐리어가 지수 함수적으로
감소하는 것을 설명하는 것이다.

연습 문제
E x 6.1 예제 6.1 에 주어 진 파라미 터를 이용하여 ( a ) f = 0, (b ) r = 1 / s ，( c ) t = 4 s,
및 (d) f = 10 떠 일 때의 과잉 캐리어의 재결합를을 계산하라.
[ , _ s E_ u i o 9 l i

X ( P ) ,-S e _u i o 6, i x 81 ⑶ :卜Se -UW o j Oi x 89' 切) W ™ 。i^OI W ' s u V]

 6.2 과잉 캐 리 어 의 특성 197

6. 2 과잉캐리어의특성

과잉 캐리 어들의 생 성 률 과 재 결 합 률 은 중 요 한 파 라 미 터 이 지 만 ，전 계 와 농도의 기울기

가 존 재 할 때에 시 간 과 공간의 함수로 서 과잉 캐리 어 들 이 어떻게 반 응 하 는 가 하 는 것
도 아 주 중 요 하 다 . 앞 절에서 언 급 한 것 처 럼 , 과잉 전 자 와 과잉 정 공 은 서 로 독 립 적 으
로 움 직이지 않 지 만 , 그 것 들 은 동일 유 효 확 산 계 수 와 동일 유 효 이 동 도 를 가 지 고 확 산
및 드 리 프 트 한다. 이 현상 을 앰비폴러 전송 (A m b ip o la r tra nsport )이라고 부 른다. 여기서
우 리 가 알 아 야 만 하 는 것은 이들 과잉 캐리어 의 성 질 을 특 징 짓 는 유 효 확 산 계 수 와 유
효 이 동 도 가 무 엇 인 가 하 는 것이다. 이 문 제 를 풀기 위해서 우 리 는 캐리어에 대 한 연속
방 정 식 을 유 도 해 야 하고 그 다음에 엠비폴러 전 송 방 정 식 을 유 도 해 야 한다.
최종적 결과 로 저 수 준 상황에서의 도핑 반도체에 있어서(이 개념 은 해석 중에 정의
될 것 이 다 )，유 효 확 산 계 수 와 유 효 이 동 도 파 라 미 터 는 소 수 캐리어의 그 것 임 을 알게 될
것이다. 이 결과 는 다음에서 확실하게 유 도 ，전개될 것이다. 다 음 장들에서 알게 되듯이
과잉 캐리어들의 성 질 은 반도체 소자의 특성에 아주 중 요 한 영향을 끼친다.

6.2.1 연속방정식

이 절 에 서 는 전 자 와 정공에 대 한 연속방정식을 유 도 한 다 . 그림 6.4에 일차원적 정공 입

자 흐름이 ^점 에 서 미분 성분이 들 어 가 고 x + 쇼 점 에 서 미분 성분이 나 오 는 미분 체적
성 분 을 보 인 다 . 파라미 터 고는 정 공 입 자 흐 름 이 고 단 위 는 정 공 개 수 /c m 2-s 이다. 보인
입자 전류밀도의 x -성분에 대하여 우 리 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

SF +
F x (x + dx ) = F x{ x ) + 금 . dx (6.1 5)

이 식 은 ，고 c + & ) 의 T a ylor 전 개 식 이 고 미분 길이 dx 는 작 은 값 이 므 로 전개식에서 처

음의 두 항만이 의 미 가 있다. 미분 체적 성분 범위에서 단 위 시 간 당 정공 숫자의 순 증 가
는 정공 흐름의 X 성분에 기 인하며 다 음 과 같이 주어진다.

^ dF +
- ^ d x d y d z = [ FpX(x ) — F ;x (x + dx ) ] dy d z = — 리 dx d y d z ^①

그림 6.4 정공 -입 자 흐 름 의 x성 분 을 보이는 미분체적

1 98 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

예 를 들어 만 약 ■乂 0 > 고(;r + 쇼 )이 라 면 , 시간에 따 른 미분 체적 성 분 내의 정공의

숫 자 는 순 증 가 를 보일 것이다. 만 약 ，삼 차 원 적 인 정공 흐 름 으 로 식 을 일 반 화 시 키 면 식
(6.1 6)의 우 변 은 - •사 dx dy 쇼 로 쓸 수 있고，여기서 •자 는 흐 름 벡터의 발산이
다. 우 리 는 여기서 일차원적 해 석만 행 할 것이다.
정공의 생 성 률 과 재 결 합 률 은 미분 체적 내에서 정공의 농도에 영향을 끼친다. 미분
체적 성분 내에서 단 위 시 간 당 정공의 순 증 가 는 다 음 과 같이 주어진다.

뽑 dx dy dz = - - 숲 dx dy dz + gPdx dy dz —^ dx dy dz (6.1 가、

여기서 P 는 정 공 밀 도 이 다 . 식 (6.1 7)의 우변의 첫 번째 항 은 정공의 흐름에 기 인 한 단

위 시 간 당 정공의 증 가 를 나 타 내 고 , 두 번째 항 은 정공의 생성에 기 인 한 단 위 시 간 당 정
공의 증 가 를 나 타 내 며 ，마 지 막 항 은 정공의 재 결 합 에 기 인한 단 위 시 간 당 정공의 감소
를 나타낸다. 정공의 재 결 합 률 은 각 /∼로 주 어 지 고 여 기 서 、 에는 열평형 캐 리 어 수 명 과
과잉 캐리어수명이 포함되어 있다.
식 (6.1 7) 양 변 을 미분체적 dx dy dz 로 나누 면 단위 시 간 당 전 자 농 도 의 순 증 가 는 다
음 과 같다.

^ = J I l + s - P- (6.1 8)
dt dx Sp Tp,

식 (6.1 8)은 정공의 연속방 정식이다.

마 찬 가 지 로 ，전자에 대한 일차원적 연속방 정 식 은 다 음 과 같이 주어진다.

dn _ (6.1 9)
~dt _ 뿜 +네
여기서 P，: 은 전자 입자 흐 름 이 고 단 위는 역시 전자 개수/cm 2-s로 주 어진다.

6. 2. 2 시 간 의 존 확산 방정식

5장에서 우 리 는 정공과 전자의 전 류 밀 도 를 유 도 하 였 고 일 차 원 적 으 로 다 음 과 같이 주어

짐을 알았다.

J P = e 나 pp E ( 6 .20)
eDp뽑
및

J„ = e^i nn E + e D n^ (6 .2 1 )

이때 정공 전 류 밀 도 를 + e 로 나 누 고 전자 전 류 밀 도 를 - e 로 나누 면 우 리 는 각각의 입
자 흐 름 을 얻을 수 있다. 이들 식은 다 음 과 같이 된다.

A _ = F = ^ PE - Dp d£ (6.22)
 6.2 과잉 캐리어의 특성 1 99

( _ 任) = P n ~ — —D n^ 농 (6.23)

식 (6.22)와 (6.23)의 발 산 을 취 하 고 ，(6.1 8)과 (6.1 9)의 연 속 방 정 식 에 대 입 시 키 면 다 음

을 얻는다.

_ d ( p E ) ， n d 2p
하) P (6.24)
dt ， 나 dx + 와 切2 +요 _ V
및
dn _. a (« E ) + n d 2n , p n
(6.25)
~dt " - + 此， ax + D " d x 2 + 8 " ~ " TW

우 리 는 여기서 일차원적 해 석 에 만 국 한 한 다 는 것 을 명심하여 곱의 미 분 을 다 음 과 같이

전개시킬 수 있다.

d(pE )
(6.26)
dx

삼차원적 해 석 으 로 더 일반화 시키 려면 식 (6.26)은 벡터 식 으 로 바 꿔 야 만 할 것이다. 식

(6.24)와 (6.25)는 다 음 과 같은 형태로 쓸 수 있다.

D는 _ « +p % ) +8" 용=普 (6.27)

및
d 2n , n _ dn
D„ + gn (6.28)
교 + 此 (E l f + 를

식 (6.27)과 (6.28)은 각 각 정 공 과 전자에 대 한 시 간 의 존 확 산 방 정 식 을 나 타낸다. 전자

농 도 "와 전 자농도 /?에는 모 두 과잉 농 도 가 포함되 어 있으므로 식 (6.27)과 (6.28)은 과
잉 캐리어의 공 간 과 시간에 대 한 경향을 나 타 내 고 있다.
정 공 과 전 자 농 도 는 식 (6.5 a)와 (6.5 b )에서 주 어 진 열 평 형 값 및 과 잉 값 에 대한 함 수
이다. 열평형 농 도 따 와 께 는 시간의 함 수 는 아니다. 균일 반도체의 특 별 한 경우에 대해
« 와 깨 는 또 한 공간에 독 립 적 이 다 . 그 렇 다 면 식 (6.27)과 (6.28)은 다 음 과 같 은 형태로
쓸 수 있을 것이다.

d(8p) d(8 p )
녀 I)
d 2( d p ) P
DP E gp (6.29)
dx2
나 p
dx ~dT
및

"롤) +gn
d 2( 8 n ) d (8n) n d(8n)
Dn E (6.30)
dx2 dx ~dT

식 (6.29)와 (6.30)은 전 체 농 도 «과 각항 및 과잉 농 도 과 切 항 만 을 포 함 하 고 있다는

것에 주목하기 바란다.
2 00 Chapter 6 반 도 체 내 에 서 의 비평 형 과잉 캐리어

6. 3 엠 비 폴 러 전 송 (a m b ip o la r tra n s p o rt )

처음부터 우 리 는 식 (6.20)과 (6.21 )의 전류 관 계 식 에 있어서 전 계 가 인가된 것으 로 가

정했었다. 이 전계 항 은 식 (6.29)와 (6.30)에 주어 진 시 간 의 존 확 산 방정식에 나 타 나 있
다. 만 약 , 과잉 전자의 펄 스 와 과잉 정공의 펄 스 가 전 계 가 인가된 반도체의 어떤 특별
한 점에서 생 성 된 다 면 과잉 정 공 과 과잉 전 자 는 서 로 반 대 되 는 방 향 으 로 드 리 프 트 될
것이 다 . 그 러 나 전 자 들 과 정 공 들 은 대전 된 입 자 들 이 므 로 이 러한 입자의 분 리 는 두 입
자 들 간에 내부 전 계 를 유 기 시 킬 것이 다 . 이 내부 전 계 는 전 자 와 정 공 을 서로 반대 방
향 으 로 끌 어 당 기 는 힘 을 만 들 것 이 다 . 이 효 과 를 그림 6.5에 보 인 다 . 이때 식 (6.29)와
(6.30)에 있는 전계 항 은 외부에서 인가한 전 계 와 유기된 내 부 전 계 를 합 한 것으로 된다.
이 E -전계( E -fi e ld )는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

E = E app + E int (6.31 )

여기서 E app는 인가한 전 계 이 고 E int는 유 기 된 내부 전계이다.

내 부 E -전 계 가 전 자 들 과 정 공 들 을 끌 어 당 기 는 힘 을 만들기 때문에 이 E -전 계 는 과
잉 전 자 들 과 정공들의 펄스 를 잡 고 있게 될 것이다. 그때 음 으 로 대전된 전 자 들 과 양으
로 대전된 정 공 들 은 단일 유 효 이 동 도 나 확 산 계 수 를 갖 고 각 각 드 리 프 트 ，혹 은 확 산 하
게 될 것 이 다 . 이 현 상 을 엠 비 폴 러 확 산 ( a m b ip o l a r d iff u s io n ), 혹 은 엠 비 폴 러 전송
(a m bipola r tra nsport ) 이 라고 부른다.

6. 3. 1 앰비몰러 전송 방정식의 유도

시 간 의 존 확 산 방 정 식 인 (6.29)와 (6.30)은 과잉 캐리어들 의 움 직 임 을 나 타 낸 다 . 그 러 나

과잉 전 자 와 과잉 정공의 농 도 를 내 부 전 계 와 관계시키기 위 해 서 는 제3의 방정식이 필
요하게 된다. 이 관 계 가 다 음 과 같이 표 현 되 는 Poisson 방정식이다.

v c _ e(^p - 8 n) _ 3Einl (6.32)

V * 다m e dx

여 기 서 。는 반도체 물질의 유전률이다.

우 리 는 식 (6.29)，(6.30) 및 (6.32)의 해를 더욱 쉽게 구하기 위해서 약간 근사화시킬
필 요 가 있다. 우 리 는 비교적 작 은 내부 전 계 만 으 로 도 과잉 전 자 와 과잉 정공이 드리 프

그림 6. 5 과잉 전 자와 과잉 정공이 분리됨에 따른 내부 전계 생성
 6.3 앰비폴러 전송(ambipolar transport) 2 01

트 와 확 산 을 동 시에 하기에 충 분 하 다 는 것 을 알 수 있다. 따라서 우 리 는 다 음 과 같이

가 정 할 수 있다.
IEintl « IE appl (6.33)

그러나 •E int항 은 무 시 할 수 없다. 우 리 는 중성 전하의 조 건 을 적용하게 될 것이다. 즉

우 리 는 과잉 전자 농 도 가 공 간 과 시간상의 어떤 점에서 과잉 정공의 농 도 와 같게 됨으로
써 균 형 을 이 룬다고 가정하겠다 . 만 약 이 가정이 정 확 하 다 면 ，두 종류의 입자를 함께 유
지하기 위해서 유 기 된 내부 전 계 가 존 재 할 필 요 가 없다. 그 러 나 과잉 전 자 농 도 와 과잉
정공의 농 도 가 아주 조금이 라도 차 이 가 난다면 드 리 프 트 와 확 산 을 함께 유지하기 위해
필 요 한 내부 E -전 계 가 있어야 할 것이다. 예를 들어 과 初에 1 %의 차 이 가 있다면 식
(6.29)과 (6.30)에 있는 .E = •E int항의 값 을 무시 할 수 는 없게 될 것이다.
우 리 는 식 (6.29)과 (6.30)를 연 립하여 풀 면 •E 항 을 소 거 할 수 있다. 식 (6.1 )과
(6.4)를 고려하여 우 리 는 다 음 과 같이 정의 할 수 있다.

gn = gp = g (6_34)

또 한 식 (6.2)와 (6.6)을 고려하여 다 음 과 같이 정의 할 수 있다.

/?„ = 운 = /?" = 운 ; (6.35)

식 (6.35)에 있는 수 명 은 열평형 캐리어 수 명 과 과잉 캐리어 수 명 을 포 함 하 고 있다. 만

약 전 하 중 성 조 건 을 도 입 하 면 Sn - 切 가 된다. 식 (6.29)와 (6.30)에 있는 과잉 전 자 와
과잉 정공의 농 도 는 8 n로 나타낼 수 있다. 그때 식 (6.29)와 (6.30)은 다 음 과 같이 다시
쓸 수 있다.

d2(8 n) d(8 n) (6.36)

D, 此 (E 쁨 + 」p | | ) + g R
dx2 1
및

+ J E a(s«) d( 8 n )
(6.37)
d x2 dx +"f) + 容 一 /?
~dT

만 약 식 (6.36)에 finn 을 곱 하 고 식 (6.37)에 사버를 곱하여 두 식 을 더하면 •E =

d E /d x 항 은 소거될 것이다. 두 식 을 더한 결과는 다 음 과 같다.

( n , n 、d2( 8 n ) d( 8 n )
(나 nnDp + fippD n) 切2 + (j 사 Lp)(p - n ) E —瓦「
(6.38)
+ (/x„n + f i pp )( g ~ R ) = { ^ nn + 나 PP ) 쓰 소

식 (6.38)을 v z + /^ ) 로 나누면 이 식은 다 음 과 같이 된다.

D' ^ l + f, ' E ^ l + g - N - d( S n)
(6.39)
d x2 dt
2 02 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

여기서

公, = ix„nDp + 나 ppD„ (6.40)

나 nn + ! Pp

, = l^ n ^ p ip - n)
/ nn + iJipP (6.41 )

식 (6.39)를 앰 비 폴 러 전 송 방 정 식 ( a m b ip o la r tr a n s p o r t e q u a tio n ) 이 라 부 르 며 ，이 식 은 시

간 과 공간에 있어서의 과잉 전 자 와 과잉 정공의 움 직 임 을 나타 낸 다 . 파라미터 IT 은 엠

비 폴 러 확 산 계 수 (a m b ip o la r d iffu sio n c o e ffic ie n t ) 라 부 르 고 사 '은 앰 비 폴 러 이 동 도 (a m b ip o la r

m o b ility ) 라 고 부 른 다 .

이 동 도 와 확 산 계 수 에 관 한 티 n s te in 관 계 는 다 음 과 같 다 .

이 관 계 를 이 용 하 면 엠 비 폴 러 확 산 계 수 는 다 음 과 같 은 형 태 로 쓸 수 있다.

D „ D p (n + p)
D „n + D pp
(6.43)

엠비폴러 확 산 계수 D '와 엠비폴러 이동도 I 1은 각 각 전 자 농 도 «과 전 자 농 도 "의 함 수

이다. 과 P는 과잉 캐리어 농 도 해 을 포 함 하 고 있 으므로 엠비폴러 전송 방정식에 있는
계 수 는 상 수 로 되 지 않 는 다 . 그 러 므 로 식 (6.39)로 주 어 진 엠 비 폴 러 전 송 방 정 식 은 비 선
형 미분 방정식이다.

6. 3. 2 외인성 도명 및 저 주입에 의한 제 한

엠 비 폴 러 전 송 방 정 식 은 외 인성 반 도 체 및 저 수 준 주 입 을 고 려 해 넣 는 다 면 간 단 해 지
고 선 형 화 될 것 이 다 . 식 (6.43)으 로 부 터 엠 비 폴 러 확 산 계 수 는 다 음 과 같 이 쓸 수 있 다 .

_ DnDP[ ( n + Sn ) + ( p + 5«)] (6 44)

D „ (n + 8 n) + D p 0+ Sri)

여기서 «와 는 각각 열평형의 전자 와 정공의 농 도 이 며 , Sn은 과잉 캐리어 농 도 이 다 .

만약 p형 반도체를 고려한다면 p0 » « 로 가 정 할 수 있 다 . 저 -수 준 주 입 ，혹 은 저 주 입
(lo w in je c tio n ) 조 건 이 란 과 잉 캐 리 어 농 도 가 열 평 형 다 수 캐 리 어 농 도 보 다 아 주 작 을

때 를 의 미 한 다 . P 형 반 도 체 에 대 해 저 -주 입 을 적 용 하 면 8n <5C 꺼 )가 된 다 . 께 및
« « 깨 라 고 가 정 하 고 ，또 ' 과 '는 값 이 같 다 고 가 정 하 면 식 (6.44)의 엠 비 폴 러 확
산 계 수 는 다 음 과 같이 된다.
 6.3 앰비폴러 전송(ambipolar transport) 2 03

D' = Dn (6.45)

외인성 P 형 반 도 체 와 저 주입 조 건 을 엠비폴러 이동도에 적 용 시 키 면 식 (6.41 )은 다음

과 같이 줄어든다.

저 주입 조건하의 외인성 p 형 반도체에 있어서 엠비폴러 확 산 계수와 엠비폴러 이동도 계수

는 상 수 값 인 소 수 -캐 리 어 전 자 파 라 미 터 값 들 로 된 다 는 사 실 에 주 의 깊 게 주 목 할 필 요 가 있

다. 엠비폴러 전송 방 정 식 은 상 수 계수를 가지 는 선형 미 분 방 정 식 으 로 줄어든다.

만 약 지금 저 주입하의 외인성 n 형 반 도 체 를 고 려 한 다 면 우 리 는 « n 0 및 8 n «
따로 가정 할 수 있고，따라서 식 (6.43)의 엠비폴러 확 산 계 수 는 다음 과 같이 줄어든다.

D ' = Dp (6-47)

그리 고 식 (6.41 )의 엠비폴러 이 동도는 다음 과 같이 줄어든다.

I ’ = 가나 (6.48)

또 엠비폴러 파라미터는 상수인 소수 캐 리 어 값 들 로 표 현 됨 을 알 수 있 다 . n 형 반 도체에

대해 엠 비폴러 이 동 도 는 음의 값이 라는 것에 주 목하기 바 란 다 . 엠 비폴러 이 동 도 항 은

캐리어 드 리 프 트 와 관련이 있 으 며 ，따라서 드 리 프 트 항의 부 호 는 입자의 전하에 의존
한다. 등 가 엠비폴러 입자는 식 (6.30)과 (6.39)를 비교하면 알 수 있듯이 음 으 로 대전되
어 있다. 만 약 엠비폴러 이 동 도 가 양으 로 대전된 정공의 형 태 로 되면 식 (6.48)에 보인
것처럼 음인 부호 로 대체된다.
엠비폴러 전송 방정식에 있어서 우 리 가 고 려 해 야 할 남 아 있는 항 은 생 성 률 과 재결
합 률이다. 전 자 와 정공의 재 결 합 률 은 같고 R „ = R„ = n l Tm = p / Tp , 드 로 식 (6.35)가
주 어 진 다 는 것을 다시 한 번 상 기 하 기 바 란 다 . 여 기 서 、 와 Tp t는 각 각 전 자 와 정공의
수 명 을 나타낸다. 수명의 반비례 관 계 를 고려한 다 면 1 /、 는 전 자 가 정공과 만나서 재결
합 하 는 단위 시간당의 확 률 을 나타낸다. 마 찬 가 지 로 1 /'，
는 정공이 전 자 와 만나서 재 결
합 하 는 단위 시간당의 확 률 을 나타낸다. 만 약 ，다시 한 번 저 주입하의 외 인성 p 형 반도
체를 고 려 한 다 면 ，과잉 캐 리 어 가 존 재 한 다 고 하 더 라 도 다 수 캐리어 정공의 농 도 는 결
국 일정하게 될 것이다. 그때 다 수 캐리어 정 공 과 만나게 되는 소 수 캐리어 전자의 단
위 시 간 당 확 률 은 결 과 적 으 로 일 정 하 다 . 따라서 T„t ^ 이 므 로 ，외인성 p 형 반도체에
대한 소 수 캐리어 전자의 수 명 은 저 주입 하에서 일정하게 유지된다.
마 찬 가 지 로 저 주입하 의 외인성 n 형 반 도 체 를 고 려 한 다 면 소수 캐리어 정공의 수명
rpt 사 는 일정하게 유지될 것이다. 비록 저 주입 조건하에 있을지라 도 소 수 캐리어 정
공의 농 도 는 수 차 수 (ord ers ) 크기 로 증가한 다 . 정공과 만 나 는 다수 캐리어 전자의 단위
시 간 당 재 결 합 확 률 은 격렬하 게 변화하 게 될 것이다. 그때 과잉 캐 리 어 가 존 재 한 다 면
다수 캐리어 수 명 은 근 본 적 으 로 변화하게 될 것이다.
엠비폴러 전송 방 정 식 에 있는 생 성 과 재 결 합 항 을 다시 한 번 생각해 보자. 전자에
2 04 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

대해서 다음 과 같이 쓸 수 있다.

g -R = g n - Rn = ( G „0 + g 'n) - (7?„ + R 'n) (6.49)

여기서 g „ 와 乂 은 각각 열평형 전 자 와 과잉 전자의 생 성 률 을 나 타 낸 다 . /?„ 와 /r „ 은 각

각 열평형 전 자 와 과잉 전자의 재 결 합 률 을 나타낸다. 열평형일 때 다 음 식과 같이 된다.

nO= ^nO (6.50)

따라서 식 (6.49)는 다음 과 같이 줄어든다.

g - R = g 'n - K = g'n (6.51)

여기서 T„ 은 과잉 소 수 캐리어 전자의 수명이다.

g - R = gp — Rp = (C + 라) _ ( Rp + R„ ) (6.52)

여기서 G p()와 와 는 각 각 열평형 정 공 과 과잉 정공의 생 성 률 을 나 타 낸 斗 穴p 와 와 항 은

각 각 열평형 정 공 과 과잉 정공의 재 결 합 률 을 나 타낸다. 열평형일 때 다 음 식 과 같이 된
다.

Gp = /?^ (6.53)

따라서 식 (6.52)는 다 음과 같이 줄 어든다.

g - R = g 'p - R'p = g 'p - ^ (6.54)

여기서 Tp 는 과잉 소 수 캐리어 정공의 수명이다.

과잉 전자의 생 성 률 은 과잉 정공의 생 성 률 과 반드시 같 아 야 한다. 과잉 캐리어의 생
성 률 을 유 '으 로 정 의 하 면 《 = 와 三 요'로 된다. 또 한 소 수 캐리어의 수 명 은 저 주입 조
건 하 에 서 는 늘 상 수 값 을 갖 는 다 . 그때 엠비폴러 전송 방정식에 있는 유 -/?항 은 소 수 캐
리어 파라미 터들 의 항 으 로 쓸 수 있을 것이다.
저 주입하의 P - 형 반 도 체 에 대 한 식 (6.39)로 주 어 지 는 엠비폴러 전송 방 정 식 은 다
음 과 같이 된다.

d 2( 8 n ) | c d(8n) , , 8n _ d(Sn)
(6.55)
~ W ~ 8 dT

파라미터 Sn 은 과잉 소 수 캐리어 전자의 농 도 이 고 파라미터 t „0 은 저 주입하의 소 수 캐

리어의 수명이며 다른 파 라 미 터 들 은 통상의 소 수 캐리어 전자의 파 라 미 터 들 이 다 .
이 와 유사하 게 저 주입하의 외인성 n 형 반도체에 대 한 엠비폴러 전 송 방 정 식 은 다음
과 같다.
 6.3 앰비폴러 전송(ambipolar transport) 2 05

녀 분 - 나 - 옮 =뿌 (6.56)

파라 미터 8P 는 과잉 소 수 캐리어 정공의 농 도 이 며 ， 는 저 주 입 하 의 소 수 캐리어 정

공의 수 명 이 며 ，다 른 파 라 미 터 들 은 통상의 소 수 캐리어 정공의 파라 미 터 들 이 다 .
식 (6.55)와 (6.56)에 있는 전송 및 재 결 합 파 라 미 터 들 은 소 수 캐리어에 대한 것들이
라는 것을 주의 깊게 주 목 할 필요 가 있다. 식 (6.55)와 (6.56)은 공간좌표와 시간의 함수로
서 과잉 소수 캐리어의 드리프트，확산，재결합을 나타낸다. 우 리 는 여기서 중성 전 하 조
건을 적 용 하 면 과잉 소 수 캐리어의 농 도 는 과잉 다 수 캐리어의 농 도 와 같 다 는 것을 상
기 하 자 . 그때 과잉 다 수 캐 리 어 는 과잉 소 수 캐리어 함께 확 산 과 드 리 프 트 하 게 된다 .
따라서 과잉 다 수 캐리어의 움 직 임 은 소 수 캐리어의 파 라 미 터 에 의해 결 정된다. 이 엠
비폴러 현 상 은 반도체 물성에 있어서 매우 중 요 하 며 ，반도체 소자의 특 성 과 동 작 을 설
명하는데 기초 가 된다.

6. 3. 3 앰비 몰러 전 송 방 정 식 의 적용

우 리 는 여기서 몇 가지 문 제 들 에 관 한 엠 비폴러 전송 방 정 식 을 풀어 보 기 로 한 다 . 이
예 제 들 은 반도체 물질 내에서 과잉 캐리어의 성 질 을 설명하는데 도 움 을 줄 것 이 며 ，그
결 과들은 나중에 pn 접합 과 다른 반도체 소 자 들 을 논 할 때 에 사용될 것이다.
다음에 나 오 는 예 제 들 은 엠비폴러 전 송 방 정 식 을 푸 는 데에 몇 가지 통 상 적 인 간략
화 를 사용한 다. 표 6.2에 이 간 략 화 와 그 효 과 들 을 요약하였다 .

반도체가 열평형상태로 돌아옴에 따른 과잉 캐리어의 시간적 특성을 결정하라.

아무런 전계도 인가되지 않은 무한히 큰 균일한 n형 반도체를 생각하자. r = 0일 때 결
정 내에서 과잉 캐리어 농도는 일정하지만 ，t > 0일 때 에 는 ， = 0으로 가정한다. 만약 과
잉 캐리어의 농도가 열평형 전자농도보다 아주 작다고 가정한다면，저-주입 조건을 적용할
수 있다. f 느 0일 때의 과잉 캐리어 농도를 시간의 함수로서 계산하라.

표 6.2 통상적인 엠비폴러 전송방정식 간략화

기호 정의
d(8n d(8p)
=0
정상상태 dt - = , dt
d2(8n) d2(8p )
과잉캐리어의 균일 분포(균일 생성률) =0
D- ^ - ， 마 J -
F d(8n) F d(8p) == 0
영 전계 dx = 0, dx
과잉캐리어 생성 없음 g' == 0
8n _
과잉캐리어 재결합 없음{무한수명) ， 生Tp --= 0
2 06 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

^ 0
n -형 반도체에 대해 우리는 식 (6.56)으로 주어진 소수 캐리어 정공에 관한 엠비폴러 전송
방정식을 고려할 필요가 있다. 방정식은 다음과 같다.

n 크 2( 知 ) d(8 p ) = d(8 p )
f pE dx Tp dt
p dx2

과잉 정공의 농도가 일정하다고 가정하였으므로 f i {8 p 、ld)근 = d(8 p )/d x = 0이다. t > 0일

때 g ' = 0으로 가정하였으므로 식 (6.56)은 다음과 같이 된다.

d( Sp) = _ 5 p (6.57)
dt ~ t p

공간적 변화가 없으므로 총 시간 도함수를 사용할 수 있다. 저 주입일 때 소수 캐리어 정공

의 수명 Tp 는 일정하다. 식 (6.57)에 대한 해는 다음과 같다.

Sp( t) = Sp(0 ) e ~'^T,° (6.58)

여기서 Sp( O)는 t = 0인 시각에 존재하는 과잉 캐리어의 균일한 농도이다. 과잉 정공의 농

도는 시간에 따라 지수적으로 감소하며，이때 시정수는 소수 캐리어 정공의 수명과 같다.
중성전하 조건으로부터 = Sp 인 관계가 성립하며，과잉 전자농도는 다음과 같이 주
어진다.

Sn( t) = Sp( t) = Sp( 0 ) e ~'/T,° (6.59)

(S J
n -형 반도체 내에서 과잉 전자와 과잉 정공은 과잉 소수 캐리어 정공의 수명에 의해 결정된
비율로 재결합한다.

연습 문제
E x 6.2 Nd = 1 016 crr「 3로 도핑된 n 형 갈 름 비 소 ( G a A s )를 생각하자. t = 0에서 cm 3 당
1이4개의 전자-정공 쌍이 균일하게 생성됐다고 가정하고，이때의 소수 캐리어 정공의 수명
은 Tp0 = 50 ns 라 가정하자. 소수 캐리어 과잉 전자농도가 ⑷ 그 초기 값의 1/e 인 값으로 감
소될 때의 시간 및 (b ) 그 초기 값의 1 0%인 값으로 감소될 때의 시간을 구하라.
[su 11 =1 (功 -su os = I (田) -suy ]

목 적 I 과잉 캐리어가 정상상태 조건으로 도달할 때 그 과잉 캐리어의 시간 의존성을 결

정하라.
또 다시 아무런 전계도 인가되지 않은 무한히 큰 균일한 n 형 반도체를 생각하자. t < 0
일 때，반도체는 열평형에 있고 ，f 브 0일 때 결정 내에서는 일정한 재결합률이 존재한다고
가정하자. 저 주입 조건을 가정하여 시간 함수로서의 과잉 캐리어 농도를 계산하라.
 6.3 엠비폴러 전송(ambipolar transport) 2 07

풀이
식 (6.56)에 있는 일정 생성률 및 균일 반도체의 조건은 d 2( 8 p 、/ dx
) 2 = d ( 8 p)/dx = 0이므로，
이 경우의 방정식은 다음과 같이 된다.

, _ Sp — d( Sp)
(6.60)
8 으 5

이 미분 방정식의 해는 다음과 같이 된다.

Sp( t) = g ' T ^ l - e ~,hp») (6.61)

區호 ]
f 로 갈 때，정상상태 과잉 정공 및 과잉 전자는 g ' Tp 에 도달한다. 식 (6.60)은 과잉 캐
리어에 대한 생성률 및 재결합률 둘 다 포함한다.

연습문제
E x 6.3 예제 6.3 에서 T = 300 K인 = 5 x 1 16 c m —3으로 도핑된 n형 반도체를 생각
하자. g ' = 5 x l 21 c m 一3너 이 고 t p = I 0 _ 7s 로 가 정 하 자 . ( a ) ( i)t = 0, ( ii )? = 1 0—7s ，
( iu ) t = 5 x l -7s , ( iv )r — 일 때의 初 ( f) 를 구하라. (b ) ( a ) 항의 결과를 고려 할 때 저-수준
조건이 유지되는가 [saX vm .0 = (xBui)rfg (功
M i x S (사?) w O l X 9 9 6 ' p (!!!) H i x 9 l' (??) (?) (p) -s u y]

과잉 소 수 캐리어 전 자 농 도 는 과잉 소 수 캐리어의 수 명 과 동 일 한 시 정 수 7一를 가 지 고

시간에 따 라 증 가 한 다 . 과잉 캐리어 농 도 는 비록 정상상태 인 과잉 전 자 와 과잉 정공 생
성이 존 재 할 지 라 도 시간이 무 한 대 로 감에 따 라 정상상태 값에 도 달 하 게 된다. 이 정상
상태 효 과 는 식 (6.60)에서 d { Sp)ldt = 0으로 놓 으 면 된다. 남 아 있 는 항 은 단순히 정상
상태에 있어서 생 성 률 과 재결합률이 같게 된다.

이해도 평가

TYU 6.1 7 = 300 K 에서 Nd = 5 x 1 016 cm -3의 농도로 붕소 원자로 도핑된 실리콘을 생각

하자. 균일하게 도핑된 반도체에 생성된 과잉 캐리어의 농도는 1 015 c m _ 3이다. 소
수 캐리어 수명은 5 s이다. ( a) 소수 캐리어는 어떤 형의 캐리어인가? (b) r > 0
일 때 g' = = 0이라고 가정하고 t > 0일 때의 소수 캐리어 농도를 산출하라.
[ 卜 1113 9_0IX S/>-a s iO I ( 公) SU O flD 3[3 (V) -SU V ]

TYU 6.2 TYU 6.1 에 주어진 것과 같은 실리콘을 고려한다. 이 물질은 t < 0에서 열평형
상태에 있다. ^ = 0일 때 과잉 캐 리 어 를 생 성 시 키 도 록 전원을 켜서 요' = 5
1 20 c m - 3—- 1의 생성률로 캐리어를 생성시킨다. ( a) 소수 캐리어는 어떤 형의
캐 리 어 인가? (b U 〉 0일 때 의 소수 캐 리 어 농도를 산출하라. (c ) f 로 갈
때 소수 캐리어 농도를 산출하라.
[t -Ui3w0I x g (3) E-iuo [ 9_ , xs /,-3 - I ] w 이 X I月 ) isuojp ap ( v ) -suy ]
2 08 Chapter 6 반도체 내 에 서 의 비평 형 과잉 캐리어

「례 과잉 캐리어 농도의 정상상태 공간 의존성을 결정하라.

균일하고 무한대인 크기를 가지는 P형 반도체를 생각하자. 인가된 전계는 으로 가정하
자. 그림 6.6에 보인 것과 같은 일차원 결정에 있어서 과잉 캐 리 어 가 X = 에서만 생성된다
고 가정하자. x = 0에서 생성되는 과잉 캐리어는 및 一x 인 두 방향으로 확산하기 시작
할 것이다. x의 함수로서의 정상상태 과잉 캐리어 농도를 계산하라.

행 n
과잉 소수 캐리어 전자에 대한 엠비폴러 전송방정식은 식 (6.55)에 주어져 있고 다음과 같
이 쓸 수 있다.
n 때 ”) + „ 쓰인}1
u " dx2 十 나” a dx 十玄 T„ dt

문제의 가정으로부터 JC_ 0 일 때에 = 0, g ' = 0이고，정상상태에 있어서 d( Sn)l d t = 0이

다. 일차원 결정이라고 가정하면 식 (6.55)는 다음과 같이 된다-

다 (6'62)

양변을 확산 계수로 나누면 식 (6.62)는 다음과 같이 된다.

— 8n = (f j S n ) = (6.63)
d x2 D nr„ dx2 L 2n

여기서 L „2 = >„T„0으로 정의된다. 파라미터 L„은 길이의 단위이며 소수 캐리어 전자의 확

산 길이라 부른다. 식 (6.63)의 일반해는 다음과 같다.

Sn(x) = A e ^x/L" + B e x/L" (664)

소수 캐리어 전 자 가 x = 0으로부터 확산함에 따라 소수 캐리어 전자는 다수 캐리어 정공과

재결합하게 될 것이다. 그때 소수 캐리어 전자농도는요 = + 및 x = — 에서 영으로 감
소하게 될 것이다. 이 경 계 조 건 은 x 〉 0일 때 fi = 0이고 jc < 일 때 /1 = 0이라는 것을 의
미한다. 식 (6.63)에 대한 해는 다음과 같이 쓸 수 있을 것이다.

8n(x) = Sn(0)e~x/Ln x >0 (6.65a)

그림 6.6 jc = 0일 때 정상상태 생성률

 6.3 엠비폴러 전송(ambipolar transport) 2 09

8 n(x) = 8n(0)e +x/Ln x< 0 (6.65b)

여기서 加 (0)는x = 0에서의 과잉 전자의 농도값이다. 정상상태의 과잉 전자 농도는X = 0

인 지점으로부터 거리에 따라 지수적으로 감소한다.

S 3
정상상태 과잉 농도는 x = L„일 때 그 초기값의 Ue로 감소하게 됨을 알 수 있다.

연습문제
E x 6.4 예제 6.4에서 T =300 일 때 /、 = 5 x 1 16 cn 3으로 도핑된 p 형 실리콘을 생
각하자. t „ = 5 x 1 0~7 s, Dn = 25 cm 2/s, 5/2(0) = 1 015 c m —3로 가정하자. ( a) 확산길이 L„
값을 계산하라. (b ) (i)x = 0, ( n)x = +30 /x m , (iii) x = —50 /j ,m , (ii)x = +85 /Am, (iv ) x
= -1 2 0 이일 때의 8 n 을 구하라. [c - ir o E[ i x 9 ⑷ ‘ 고 。 iOI X W 6 (사)

uio M이 x £VZ (???) ‘ -Ui3 „ 0 ! x 8Z> 0 . 0 siOI (?) (功 ^rrf 9 g = "7 (P) suy]

앞서 우 리 는 전 하 중 성 을 가 정 하 였 다 . 따라서 정상상태의 과잉 다 수 캐리어 정공의 농

도 역시 동 일 한 소 수 캐리어 전자의 확 산 길 이 。 인 특 성 값 을 가 지 고 거리에 따 라 지수
적 으 로 감 소 한 다 . 그림 6.7은 거 리의 함 수 로 표 현 한 총 전 자 및 정공의 농 도 를 보인 그
래 프 이 다 . p 형 반도체에 있어서 之(0) « 께 인 저 주 입 을 가 정 하 자 . 총 다 수 캐리어 정
공의 농 도 는 거의 변화하지 않 는 다 . 그 러 나 次(0) >>« 이며 아 직 도 斗 주 입 조 건 을 만
족 하 고 있다. 소 수 캐리어의 농 도 는 수 차수( ord ers ) 크기 로 변화하게 된다.

그림 6.7 과잉 전자 및 정공이 x = 0에서 생성될 때의 정상상태 전자 및 전자농도

21 0 Chapter 6 반 도 체 내 에 서 의 비평 형 과잉 캐리어

이해도평기^_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ ^ _ _ _ _ _ _ __

TYU 6.3 과잉 전자 및 정공이 실리콘 막대의 한 끝에서(요 = ) 생성되었다. 인(p h o sp h o ru s )

원자로 도핑된 실리콘의 농도 는 = 1 01 7c m - 3이다. 소수 캐리어 수 명은 1
와이 며 전자 확 산 계수 D „ = 25 c m 2/ s 이고 정공 확 산 계수 Dp = 1 0 c m 2/ s 이
다. 만약 加 (0) = 5/7(0) = 1 015 c m - 3이라면 x 〉 0 일 때 정상상태 전자농도 및
전자농도를 계산하라. uw 극，[y [z 뇨 l _ uio olx9l /r_3SIO lW rf9= W «8 suy ]
TYU 6.4 T Y U 6.3 에 주어 진 파라미터들을 이용하여 x = 10 일 때의 전자 및 정공의
확산 전류밀도를 산줄하라. 69 ' - = Y ‘ zu k ，
/V 69 e '0+ = df su y]

엠비폴 러 전 송 방 정 식 을 특정 상황에 적 용 시 킨 앞의 세 예 제 는 균 일 조 건 ，혹 은 정 상 상
태 조건 중의 어느 한 조 건 을 가 정 하 였 고 단지 시 간 변 화 만 을 혹 은 공 간 변 화 만 을 고려
하 였 다 . 이제 같 은 문 제 에 대하여 시 간 과 공 간 둘 다 의 존 하 는 예 제 를 고려 해 보 기 로
하斗

목적 I 과잉 캐리어 농도의 시간 및 공간에 동시에 의존하는 성질을 결정하라.

/= 및 I = 0에서 전자-정공 쌍의 유한한 숫자로 갑자기 생성되 었다고 가정하자. 그
러나 f 〉 일 때 g' = 으로 가정한다. 방향으로 티인 전계가 일정하게 인가되고 있는
n -형 반도체를 생각하자. x 와 f 의 함수로서 과잉 캐리어 농도를 계산하라.

행 n
소수 캐리어 정공에 대한 일차원 엠비폴러 전송방정식은 식 (6.56)으로부터 다음과 같이 쓸
수 있다.

(6.66)

이 편미분 방정식에 대한 해는 다음과 같다.

8p (x, t) = p '(x , t)e - t/ Tp (6.67)

식 (6.67)을 식 (6.66)에 대입시키면 다음과 같은 편미분 방정식으로 된다.

» d2p\x, t) 낀 dp\x, t) _ dp\x, t)

( 6.68)
Dp a jc 2 ' 나p E — 표 — =

식 (6.68)은 라플라스 변환 기 법을 사용하면 정상적으로 풀린다. 자세한 수식은 생략하고

이 식을 풀면 다음과 같다.

' ~ (x - /X p E qQ2
p \ x , t) exp (6.69)
(47 rDpty /2 4 ^ 7 一

식 (6.67)과 (6.69)로부터 과잉 소수 캐리어 정공의 농도에 대한 전체 해는 다음과 같다.

fin( Y - e~t/Tp ~(x - E r)2j

야이)
a
(如 때 마 에 (6.70)
 6.3 앰비폴러 전송(ambipolar transport) 21 1

區互 ]
우리 는 식 (6.70)이 편미분 식인 (6.66)에 직접 대입하여 얻어진 해임을 알 수 있었고，식
(6.70)은 정규화 되 지 않았음에 유의하라.

연습^^
E x 6.5 예제 6.5의 결과를 상정한다. Dp = 1 0 cm 2/s, rp0 =1 ( 7 s, ! p =400 cm 2AV-s 및
E =1 00 V 八;m 일 때 다음을 구하라. (a) (/) x = 20 m , (i i ) x = 40 /xm , (ii i ) x = 60 나이에서
t = 1 0_ 7 s 일 때의 切를 구하라. (b ) (i ) f = 5 x l -8 s, (i i ) t = 1( 7 s, (i i i ) f = .2 x l 0_ 7 s에
서 ;c = 40 Aim 일 때의 Sp를 구하라. 그림 6.9에 보인 그래프의 결과와 비교해 보라.
[ S9' (???) ‘8. 01 (??) (?) (功 81 '8 (!!!) *8' 01 (?/) ‘81 '8 (?) (») _S W ]

식 (6.70)으로부터 시 간 변화에 대한 거리 x 의 함 수 를 그릴 수 있다. 그림 6.8은 인가

전계 가 영일 때의 그 러 한 경우를 보인 것이다. t > 0일 때，과잉 소 수 캐리어 정공은 +;c
및 一;c의 양 방 향 으 로 확산한다. 이 시 간 동 안 생 성 되 었 던 과잉 다 수 캐리어 전자 는 정공
과 정확히 똑 같 은 비율로 확 산 한 다 . 시 간이 지 남에 따 라 과잉 정 공 과 과잉 전 자 가 재결
합하여 f = 일 때 과잉 정공의 농 도 는 영으로 된다. 이 특 별 한 예제에 있어서 확 산 과

재결합의 두 과정이 동시에 일어난다.

그림 6.9는 인가된 전 계 가 영이 아닐 때，시 간 변 화 에 대 한 거리의 함 수 를 나 타 내 는
식 (6.70)을 그 림 으 로 보인 것이다. 이 경우에 과잉 소 수 캐리어 정공의 펄 스 는 전계 방
향인 + x 방 향 으 로 드 리 프 트 된 다 . 우 리 가 앞서 얻은 것처 럼 확 산 과 재 결 합 과정이 같은
것 임 을 알 수 있다. 중 요 한 것은 어떤 순 간 에 서 의 시 간 및 공 간 에 서 의 어떤 점에서 전

그림 6. 8 전 계가 인가되지 않을 때 시간변화에 따른 과잉 전자농도 대 거리

21 2 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

하 중 성 조 건 Sn = 初이 성 립 한 다 는 사 실 이 다 . 과잉 전 자 농 도 는 과잉 전 자 농 도 와 같다.
이 경우에 과잉 전 자 펄 스 는 비 록 전 자 가 마 이 너 스 전 하 를 띠고 있다 고 하더 라도 인가
전 계 와 같 은 방 향 으 로 움직 인다. 엠비폴러 전 송 과정 에 있어서 과잉 캐 리 어 들 은 소 수
캐리어 파 라 미 터 들 에 의해 특성지어 진다. 이 예제에서 과잉 캐 리 어 들 은 % ，fi p , TpQ를
포 함 하 는 소 수 캐리어 정 공 파 라 미 터 들 에 따 라 행동하게 된다. 과잉 다 수 캐리어 전자
들 은 과잉 소 수 캐리어 정공들에 의해 끌려간다.

이해도 평가

T Y U 6.5 좋은 근사조건으로서 식 (6.70)으로 주어진 표준화된 과잉 캐리어 농도의 최댓

값은 c = 일 때 일어난다. 다음의 파라미터 Tp0 = 5 i j ls, Dp = 10 cm 2/s,
I p = 386 cm 2AV-s，E = 10 V /cm 로 가정한다. ( a) f = 1 /j ls , (b ) r = 5 f xs , (c )
t = 15 fis , (d ) t = 2 5 ，
a s 인 시간에 있어서의 최댓값을 계산하라. ( a)~ ( d )에 있

어서 해당하는 X값은 얼마인가? [wry g96 = X ' OZ\ ' 0 ( P)

:uir/ 6스S = y ‘이 •
i (a) :mr/ 61 = r ‘스>1 (功 때버 9.8 = r ‘0' 스(») ' suy ]
T Y U 6.6 식 (6.70)으로 주어진 과잉 캐리어 농도는 최댓값으로부터 1 확산길이 떨어진
지점에서 계산할 수 있다. T Y U 6.5에 주어진 파 라 미 터 를 사용하여 ( a) f = 1
fis , (i ) x = 1.093 x l ~2 cm , (i i ) x= —3.21 X 1 0-3 cm , (b ) t = 5 fis , (i ) x = 2.64
xl —2 cm , (i i ) x = 1 .22 x l -2 cm , (c ) / = 15 /i .s, (i ) x = 6.50 X 1 0_ 2 cm , (i i )
jc = 5.08 x l - 2 c m 일 때의 Sp값을 계산하라.

[ 0 I ( ?) ‘ SO_I (?) ⑶ V l l (?.0 V I l (?) (<?) -60Z (?.0 l60Z (?) (») suy ]
 6.3 엠비폴러 전송(ambipolar transport) 21 3

6. 3.A 유전 완화 시 정 수

우 리 는 앞의 해석에 있어서 유 사 -중 성 조 건 ，즉 과잉 정공의 농 도 는 과잉 전자의 농 도

와 균 형 을 이룬다고 가 정 하 였 다 . 그림 6.1 0에 보인 것 과 같 은 8 p 인 균 일 한 농 도 를 갖 는
정공이 반도 체 표면 쪽 으 로 갑자기 주 입 되 는 상 황 을 생 각 하 자 . 이때 반 도 체 는 순간적
으 로 과잉 전 자 농 도 를 띄게 되며 순 양 전 하 밀 도 는 과잉 전자의 농 도 와 균 형 을 이루지
않게 된다. 전하 중 성 은 어떻게 그 리 고 얼마나 빠르게 일어나게 될까?
이를 정 의하는 세 방 정 식 을 고려해 보자. P oission 방 정 식 은 다 음 과 같다.

V E = § (6.71 )

옴의 법칙인 전류 방 정 식 은 다 음 과 같다.

J = aE (6-72)

생 성 과 재 결 합 효 과 를 무 시 한 연속 방 정 식 은 다 음 과 같다.

(6.73)
ot

파라 미터 시는 순 전 하 밀도입며 초 기 값 은 라 切 )이 다 . 표면의 짧 은 거리에 있어서 8p 는

균 일 하 다 고 가정한다. 파라미터 e은 반도체의 유전률이다.

옴의 법칙의 발 산 을 취하고 P oission 방 정 식 을 이용하면 다 음 식이 얻어진다.

V ■7 = crV •E = 프은 (6.74)

식 (6.74)을 연 속 방 정 식 으 로 치환하면 다음 식 을 얻는다

crp _ dp _ dp
(6.75)
7 = ~~dt = ~~dt

식 (6.75)는 시간만의 함 수 이 므 로 이 방 정 식 을 전체 도 함 수 로 쓸 수 있으며 식 (6.75)는

다 음 식처럼 된다.

f + (f)p = (6.76)
식 (6.76)은 1 계 미분방정식이며 그 해는 다음 식 과 같다.

p ( t) = p ( 0 ) e ~ ^ Td) (6.77)

5
정공

그림 6. 1 0 n형 반도체 표면의 작 은 영역으로 정공농도 주입

2U Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

여기서

로 되 며 &를 유전 완 화 시 정수라고 부른다.

^벨 ^^^^■ lI U 특정 반도체에 대한 유전 완 화 시 정수를 계산하라.

Nd = 1 016 c m - 3인 도너 불 순 물 농 도 를 갖 는 n 형 반 도 체 를 상정하여 유전 완 화 시
정 수 를 계산하라.

■0 1
전 도 도 는 다 음 과 같다.

(7 « e/JLnNd = (1 .6 X 1 0-,9)(1 200)(1 016) = 1 .92 ( H -c m 1

여기서 이동도 값은 그림 5.3으로부터 얻은 근사값이다. 실리콘의 유 전률은 다음과 같다.

e = er e = (1 1 .7 )(8.85 X 1 0_ 14) F /cm

따라서 유전 완 화 시 정수는 다 음 과 같다.

(1 1 .7 X 8.85 X 1 0_ 14)
= 5.39 X j - 1 3s
L92- -

혹•
은
Td = 0.5 39 ps

■
식 (6.77)로부터 순 전하 밀도 가 영으로 되는 때，즉 유 사 -중 성 조 건 에 도 달 하 는 때는 대
략 4배의 시 정 수 ，혹 은 약 2 ps 로 됨을 예 상 할 수 있다. 식 (6.73)인 연속 방 정 식 에 는 어
떠 한 생성 및 재 결 합 항 도 포 함 되 지 않 으 므 로 최초의 양 전 하 는 벌크 n 형 물 질 로 부 터
과잉 전자를 만 들 고 이 전 자 들 을 끌 어 당 김 으 로 써 중 성 화 된 다 . 이 과 정 은 대략 0.1 s인
정 상 적 인 과잉 캐리어 수 명 과 비 교 하 면 매 우 빠르게 일어난 다 . 이때 유 사 -중 성 조 건 은
정당하다.

연습문제
E x 6.6 ( a) Nd = 5 x 1 015 c m 3로 도핑된 n형 G a As 반 도체를 상정하여 유전 완 화 시정
수 를 계산하라. (b) Na = 2 x 1 16 c m - 3로 도핑된 p형 실리콘에 대하여 (a)를 반복하라.
[sd 608 0 = p느 (功 sd 6 1 0 = p上(») su y ] *

*6 .3 .5 H a y n e s -S h o c k le y 실 험

우 리 는 반 도 체 내에서 과잉 캐 리 어 의 특 성 을 표 현 하 는 수 학 적 해 석 을 유 도 하 였 다 .
H a yn e s-S hockle y 실 험 은 과잉 캐리어의 특 성 을 실 제 로 측 정 한 최초의 실 험 들 중의 하
 6.3 앰비폴러 전송(ambipolar transport) 21 5

나였다.
그림 6.1 1 에 기 본 적 인 실험 배 치 를 보 인 다 . 전압 원 기 은 n 형 반도체 샘플에 +;c 방
향 으 로 전계 E 0를 인가시키기 위 한 것 이 다 . 과잉 캐 리 어 들 은 접촉점 보에서 반 도 체 로
효 과 적 으 로 주입된 다 . 접촉점 B 는 전 압 원 。 에 의해 역방향 바 이 어 스 된 정류 접촉이다.
접촉점 B 에 는 반 도 체 를 통해 과잉 캐리어들이 드 리 프 트 됨 에 따 라 그 캐리어들이 모이
게 될 것이다. 캐리어들이 모이면 출 력 전 압 、 이 발생하게 될 것이다.
이 실 험 은 예제 6.5에서 살 펴 본 문제에 해 당 하 는 것이다. 그림 6.1 2에 두 조건에 대
한 접촉점 A 와 B 에서의 과잉 캐리어 농 도 를 보 인 다 . 그림 6.1 2 a 는 f = 0일 때 접촉점
A 에서의 이상적 과잉 캐리어 펄 스 를 보인 것 이 다 . 전 계 가 묘이로 주 어 졌 을 때，과잉 캐
리 어 는 그림 6.1 2b 에 보인 시 간 함 수 인 출 력 전 압 이 생성되어 반 도 체 를 따 라 드 리 프 트
될 것이다. 펄스의 최 대 치 는 시 간 ? 일 때 접촉점 B 에 도달하게 될 것이다. 만 약 인가한
전 계 가 E 02 < E 01 인 E 02 값 으 로 감 소 한 다 면 접 촉 점 B 에 서 의 출 력 전 압 응 답 은 그림
6.1 2c 에 보인 것처럼 근 사 되 어 보일 것 이 다 . 더 작 은 전 계 가 인 가 된 다 면 과잉 캐리어
펄스의 드 리 프 트 속 도 는 더 작게 되 며 ，그 리하여 접촉점 모에 도 달 하 는 펄스의 시간이
더 길어지게 될 것이다. 이 더 긴 시 간 동 안 에 는 더 많 은 확 산 과 더 많 은 재결합이 일어
나게 될 것이다 . 그림 6.1 2b 및 그림 6.1 2 c 에 보인 과잉 캐리어 펄스 형 태 는 이 러 한 두
전계조건에 대한 것으로 서로 다르다.
소 수 캐리어의 이 동 도 ，수 명 ，확 산 계 수 를 이 단 순 실험으로 부 터 측 정 할 수 있다. 양
호 한 1차 근 사 로 서 ，소 수 캐리어 펄스의 최 대 치 는 식 (6.70)에 있는 거 리 와 시 간 항이
있는 지수 항이 영일 때 접촉점 B 에 도 달 하 며 ，다 음 식처럼 나타낼 수 있다.

x —ju,,, E f = 0 (6.79 a)

이때 x = 이며，여기서 크는 접촉점 A 와 B 사이의 거 리이고，t = ，이며，여 기 서 ，은 펄

스의 최대 치가 접촉점 묘에 도 달하는 시간이다. 이동도는 다 음 과 같이 산 출 할 수 있다.

다， 옮 (6_79b)

그림 6. 11 기본적인 Haynes-Shockley 실험 배치도

21 6 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

S f
?5r
R
>

(a)

전계，E0I

시간-

전계，
E 2< E l

시간-
(c)

그림 6.1 2 (a)f = 0일 때 단자 A에서의 이상적인 과잉 캐리어 펄스. (b) 어떤 인가된 전계에 대한

단자 묘에서의 과잉 캐리어 펄스 대 시간. (c) 더 작은 전계가 인가됐을 때 단자 묘에서의 과잉 캐리
어 펄스 대 시간

그림 6.1 3은 시간의 함 수 로 서 출 력 응 답 을 다시 보 인 것 이 다 . 시 간 사과 ~에 있어서

과잉 농도의 크 기 는 그 최댓값의 e - 1이다. 만 약 가과 h 사이의 시간 차 이 가 크지 않다면
이 시 간 동안 에 心™ 와 (477/샷 )1/2는 그다지 크게 변화하지 않 는 다 . 그때 방정 식 은 t
= 아과 사 = 닌에서 다음 식 을 만족시 킨다.

{d - n.p^. at) 2 = 4 DP (6.80)

만 약 식 (6.80)에 있는 f = 사 및 아 = 匕로 놓 고 방정 식 의 두 결 과 식 을 더하면 확산계

수 가 다 음 과 같이 주어지 게 될 것이다.

(^ g ) W ( 6 .81)
DP 16r

여기서
 6.4 유사- 페르미松uasi_Fermi) 에너지 준위 21 7

그림 6.1 3 확산계수를 정의하기 위한 출력 과잉 캐리어 펄스 대 시간

At = t2 ~ h (6.82)

그림 6.1 3에 보인 곡 선 아 랫 부 분 의 면적 는 다 수 캐리어 전 자 와 재 결 합 하 지 않 는
과잉 정공의 수에 비 례하며 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

S = K exp ( ^ ) = K^ ( ~ i^ ) (6.83)

여기서 K 는 상 수이다. 전계를 변화시킴에 따 라 곡선 밑의 면 적 은 변하게 된다. ( d / fipE 0)

의 함 수 로 In 선)을 그리면 그 기 울 기 가 (1 /T p0) 인 직선으로 되며, 따라서 소 수 캐리어 수
명도 이 실험으로부터 산 출 할 수 있다.
H a yn e s-S ho ckle y 실 험 은 드 리 프 트 ，확 社 재결합의 기본적 세 가지 과 정 을 단 한번
의 실 험 으 로 관 찰 할 수 있는 점 에 서 는 아주 훌 륭 한 것이다. 이 동 도 는 간 단 하 면 서 도 정
확 한 값 으 로 산 출 할 수 있다. 확 산 계 수 와 수 명 은 더욱 복 잡하며 때 로 는 부 정 확 한 값으
로 되기 도 한다.

6.4 유 사 -페 르 미 ( 1 1 33卜 F e rm i ) 에 너 지 준 위

열평형인 전 자와 정공의 농 도 는 페르미 에너지 준위의 함수이며 그 식은 다 음 과 같다.

n rii exp | F 만 F,) (6.84 a )

P ~ exp ( F，
kT 사 (6.84b )

여기서 타 와 及 •
는 각 각 페르미 에 너 지 와 진성 페르미 에 너 지 를 나 타 내 며 ，«，
•
는 진성 캐
리어농 도 이 다 . 그림 6.1 4 a 에 E f > EFi°A n 형 반도 체에 대 한 에 너 지 -밴 드 다 이 어 그 램 을
보인다. 이때 우 리 가 예상했 던 대로 식 (6.84 a)와 (6.84b )로부터 « > nt 및 /? < 임을
알 수 있다. 마 찬 가 지 로 , 그림 6.14b 에 E f < 하,■인 p 형 반도체에 대 한 에 너 지 -밴 드 다이
어 그 램 을 보 인 다 . 역시 우 리 가 p -형 물질에 대해 예상했던 대로 식 (6.84 a)와 (6.84b )로
부터 n 0 < 및 께 〉 자임을 알 수 있다. 이 결 과들은 열평형에 대한 것이다.
만 약 어떤 반도체 내에 과잉 캐리어가 생성된다면 그 때 는 이미 열평형상 태가 아니며
21 8 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

A A

- —
— •

K h lk lK P
^ K
h
•
^ k

^
•
K

:
B
:
착
(a) (b)

그림 6 . 1 4 ( a ) n 형 반도체 및 (b) p 형 반도체에 대한 열평형 에너지-밴드 다이어그램

페르미 에 너지는 명확하게 정의할 수 없다. 그 러나 우 리 는 비평형상태에 적용 할 수 있는

전자에 대한 유사-페 르미 준 위 와 정공에 대한 유사-페 르미 준 위 를 정의 할 수 있다. 만약
과 Sp 가 각 각 과잉 전자 와 과잉 정공의 농도라면 우리 는 다음과 같이 쓸 수 있다.

l EFn - EF
n -h 8n = 미 exp (6.85 a)

p -\- dp = rii e x p
(부 ) (6.85 b )

여기서 E F „ 과 E F p는 각 각 전 자 와 정공에 대한 유 사 -페 르 미 에너지 준 위 이 다 . 전체 전자

농 도 와 전체 전 자 농 도 는 유사-페 르미 준위의 함수이다.

목적 I 유사-페르미 에너지 준위를 계산하라.

T = 300 K 에서 «0 = 1 015 err 3, = 1 010c m ^3, p 0 = 105 c m —3의 캐리어 농도를 갖고
있는 n-형 반도체를 생각한다. 비평형에서 과잉 캐리어농도는 8 n = 8p = 1 013 c m - 3이다.

행 n
열평형에서의 페르미 준위는 식 (6.84a)으로부터 정의되므로 다음과 같이 된다.

E f - 及„ = /t r i n ( ^ ) = 0.2982 eV

비평형에서의 전자에 대한 유사-페르미 준위를 산출하기 위해 식 (6.85 a)를 사용하면 다음

식을 얻는다.

E Fn - E Fi = k T \n ( ” ° 히 = 0.2984 eV

식 (6.85 b)를 써서 비평형에서의 정공에 대한 유사-페르미 준위를 계산할 수 있으며 다음

식처럼 된다.

E Fi 一 E Fp = k T In ( " ° ^ 8 p) = 0.1 7 9 e V
 6.5 과잉 캐리어 수명 21 9

—
0 .2 9 8 2 eV 0 .2 9 8 2 eV
0.298 4 e V
—
F
■ ^
C !______________________ E Fn

• ^

K k llk - t K B
K
Tr FZ ^•
• V 하
••
-Kt 0 .1 7 9 eV
g ^v
:

:
(a) (b)

그림 6.1 5 (a) Nd = 1015 cm-3 및 /?,. = Wwcm_ 3일 때의 열평형 에너지밴드 다이어그램

(b) 1013cm-3인 과잉 캐리어들이 존재할 때의 전자들과 정공들에 대한 유사-페르미 준위

]
정공에 대한 유사-페르미 준위는 «보다 아래쪽에 있는데 반해서 전자에 대한 유사-페르미
준위는 하,■보다 위쪽에 있다.

연습 문제
Ex 6.7 T = 300 K에서 N d = 3 x 1 015 cm^3, N a = 1 016 cm —3인 불순물 농도로 도핑 된
실리콘이 있다. 이 반도체에 과잉 캐리어가 그 정상상태의 농도값이 8n = Sp = 4 x l 014
cm- 3으로 되도록 생성된다. (a) 진성 페르미 준위를 기준으로 하는 열평형 페르미 준위를
구하라. (b) E Fi를 기준으로 하는 과 E Fp를 계산하라.
[A3 S6 9r = !J3 - UJ3 ‘八 3 Z的 • = dJ3 - ,J3 (功 : 八3 808 '0 = J3 - ,J3 ( ) 'SW]

그림 6.1 5a는 열평형에 대한 페르미 에너지 준 위 를 에 너 지 -밴 드 다 이 어 그 램 으 로 나

타낸 것이다 . 그림 6.1 5b는 비평형 조 건 하 에 서 의 에 너 지 -밴 드 다 이 어 그 램 을 나 타 낸 것
이다. 다 수 캐리어 전 자 농 도 는 저-주입 조건에 있어서 크게 변하지 않기 때문에 전자에
대한 유사 -페 르미 준 위 는 열평형 페르미 준 위 와 큰 차 이 가 없다. 소 수 캐리어 정공에 대
한 유사 -페 르미 준 위 는 페르미 준위로부터 아주 많이 다르며 이 사 실 은 열평형으로부터
많이 벗 어 난 다 는 사 실 을 나 타 내 는 것이다. 전 자 농 도 가 증 가 하 므 로 전자에 대한 유사-페
르미 준 위 는 전 도 대 쪽 으 로 약 간 더 접근하 게 된다. 전 자 농 도 는 크게 증 가 하 므 로 인해
정공에 대 한 유 사 -페 르 미 준 위 는 가 전 자 대 쪽 으 로 더 많이 접근하게 된다. 우 리 는 순 바
이어스 pn 접합을 논 의 할 때 유사-페 르미 에너지 준 위 를 다시 고려하게 될 것이다.

*6.5 과 잉 캐 리 어 수명

과잉 전 자 와 과잉 정공의 재 결 합 률 은 반도체 에 있어서 중 요 한 특성 이 며 다 음 장들에서

알게 되 겠 지 만 소 자 특성에 많 은 영향을 미친다. 우 리 는 재결합에 관하여 이 장의 처음
부분 에서 간단 하게 살 펴 보 았 듯 이 ，재 결 합 률 은 평균 캐리어 수명에 반 비 례 한 다 는 것을
220 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

논 의 했 었 다 . 우 리 는 지금까지 평균 캐리어 수 명 은 반도체 물질의 단 순 한 하나의 파 라

미 터 라는 것을 가정 해 왔다.
우 리 는 전자적 에너지 준 위 가 금 지 대 인 에너지 집 내 에 는 존재하지 않는 이상적 반
도 체 를 가정해 왔다. 이 러 한 이상적 효 과 는 이 상적인 주 기 적 -전 위 함 수 를 갖 는 완 전 한
단결정 물질 내에서 나타나게 된다. 실 제 로 반도체 물질의 결정 내 에 는 결함들이 존재
하 므 로 완 벽 한 주 기 적 -전 위 함 수 로 되지 않는다. 만 약 이들 결함의 밀 도 가 그다지 많지
않다면 결함 은 금지대 내에 개별적인 전자적 에너지 준 위 를 발 생 시 킨 다 . 이들 허 용 에
너지 준위들이 평균 캐리어 수 명 을 산 출 함 에 있어서 지 배 적 인 영 향 을 미치게 될 것이
다. 평균 캐리어 수 명 은 재결합에 관 한 S hockle y -R e a d-H a ll 이론으로 산 출 할 수 있다.

6.5 .1 S h o c k le y - R e a d -H a ll 재 결 합 이 론

금지대 내에 있는 트 랩 (tra p )으 로 불 리 는 허 용 에너지 준 위 는 전 자 와 정공 모 두 를 거의

같 은 확 률 로 포 획 하 는 재 결 합 중 심 (re com bin a tion c e nter)으로 작 용 한 다 . 이 포획 확률이
같 다 는 의 미 는 전 자 와 정공에 대 한 포획 단 면적이 근 사 적 으 로 같 다 는 것 을 의 미 한 다 .
재결합에 관 한 S h ockle y-R e a d-H a ll 이론 은 단일 재 결 합 중 심 ，혹 은 트랩이 밴드캡 내
의 어떤 에너지 ,에 존 재 한 다 고 가 정 한 것이다. 그림 6.1 6어1 나타낸 것처럼 네 가지 기
본 과 정 이 이 단일 트 랩 에 서 발 생 할 수 있다. 우 리 는 이 트 랩 을 억 셉 터 -형 트 랩 이 라 고
가정하겠다 . 즉 그 트랩에 전 자가 있으면 음으 로 대 전되고 전자가 없으면 중성이다.
네 가지 기 본 과 정 은 다 음 과 같다.

과정 1: 초기 에 중 성 으 로 비 어 있는 트랩 에 의해 전 도 대 로 부 터 전 자 를 잡 아 오 는 전
자 포획.
과정 2: 과정 1 의 역 과정, 즉 초기 에 트랩에 포획되어 있던 전 자 가 전도대로 되돌 아
가 는 전자 방출.
과정 3: 전 자 가 들 어 있 는 트랩에 의해 가 전 자 대 로 부 터 정공 잡 아 오 는 정공 포 획 (혹
은 이 과 정 은 트랩으로 부터 가전자대로의 전자 방출 과 정 이 라 고 생 각 할 수 있다).
과정 4: 과정 3의 역 과 정 ，즉 중성 트랩으 로 부 터 가 전 자 대 로 정 공 을 내 보 내 는 정공
방 출 (혹 은 이 과 정 은 가 전 자 대 로 부 터 트 랩 으 로 의 전자 포획 과정 이 라 고 생 각 할 수
있다).

과정 1 에 있어서 전도대로부터 전 자 가 트랩에 의해 포 획 되 는 비율 은 전도대에 있는

전자의 밀 도 와 비례하며 빈 트랩 준위 밀도에 비례한다. 전자 포 획 율 은 다 음 과 같이 나
타낼 수 있다.

Rcn = CJV,[1 - ME,)]n (6.86)

여기서 ，

Rcn = 포획률 (#/cm 3-s)

 6.5 과잉 캐리어 수명 221

과정 1 과정 2

-4 ------------- 心 Ec

Ev Ev
전자 포획 전자 방출

과정 3 과정 4

E Ec

及V
호울 포획 호울 방출

그림 6.1 6 억셉터-형 트랩에 대한 네 가지 기본적인 포획 및 방출 과정

C „ = 전자-포획 단면적 비례 상수
N , = 트랩 중심의 총 농도
n = 전도대의 전자농 도
f F( E t) = 트랩 에너지의 페르미 함 수이다

트랩 에너지의 페르미 함 수 는 다 음 과 같이 나타낼 수 있다.

M E ,)
1 + exp
벼 (6.87)

이 식 은 트랩 에 전 자 가 들 어 갈 확 률 이 다 . 함 수 [1 —f F( E t) ] 는 트랩이 비 어 있 는 확률이
다. 식 (6.87)에 있어서 이 해석에서 축 퇴 를 인자 1로 가정하여 통 상 적 으 로 근 사 시 켰 다 .
그 러 나 만 약 축 퇴 를 인자 가 포 함 되 면 이 식 은 나중에 해 석 하 는 데 있어서 다 른 상 수 로
병합될 것이다.
과정 2에 있어서 포획된 트랩으 로부 터 전 자 가 전 도 대 로 되 돌 아 갈 비율은 포획된 트
랩의 수에 비 례하 므로 다 음 식과 같이 나타낼 수 있다.

Ren = E„ N ，
M E ,) (6.88)

여기 서，

Ren = 방■# # (# /cm 3-s)

En = 상수
222 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

九(公,) = 트랩이 채워질 확 률

열평형상태에 있어서 전자 가 전도대로부터 포 획 되 는 비율 과 전자 가 전 도대로 재 방

출될 확 률 은 같 아 야 만 한다. 따라서 다 음 식 처 럼 된다-

Ren= Rcn (6.89)

및
EnN ，
U ( E .) = CnN,[l - / ro ( ,) K (6.90)

여기서 /™ 는 열평형의 페르미 함수이 다 . 열 평 형 상 태 에 서 는 포 획 율 항에 있는 전 자농 도

는 열평 형 값인 해임 에 유 의 하 라 . 페르미 함수에 대 한 B oltz m a n n 근 사 를 쓰면 Cn 항 으
로 표현한 „은 다 음 식 과 같다.

E„ = n ’ Cn (6.91 )

여기서 '은 다 음 식과 같다.

一 ( Ec — E t) (6.92)
n ，== Nc exp
1 kT

만 약 트랩 에너지 ,가 페르미 에너지 다 와 같다 면 파 라미터 «'은 전 도대에 존 재 하 는

전 자 농 도 와 같 은 값으로 된다.
비 평 형 상 태 에 서 는 과잉 전 자 가 존 재 하 므 로 전자들이 전도대로 부터 포 획 되 는 순 비
율 은 다 음 식 과 같다.

Rn = Ren ~ Ren (6'93)

이 식 은 포 획 율 과 방 출율의 차 이 다 . 식 (6.86)과 (6.88)을 식 (6.93)과 조 합 시 키 면 다음

식이 얻어진다.

Rn = [ CnN ,(l - M E , )) n ] - [ EnN ,f F( E ,)] (6.94)

이 식에 있어서 전 자 농 도 n 은 과잉 전 자 농 도 를 포 함 하 는 전체 농 도 임 에 유 의 할 필요 가
있다. 식 (6.94)에 있어서 나머 지 상 수 들 과 항 들 은 앞서 정 의 한 것 과 같 고 ，페르미 확 률
함수의 페르미 에 너 지 는 전자에 관 한 유 사 -페 르 미 에 너 지 로 대 체 해 야 한다. 상 수 „ 및
은 식 (6.91 )과 같은 관 계 식 을 가 지 므 로 순 재 결 합 률 은 다음 식처럼 표현된다.

R„ = CnN , [n(l - f F( E ,)) ~ n 'M E ,)] (6.95)

만 약 재 결 합 이론에 있어서 과정 3 및 4를 고 려 한 다 면 가전자대로부터 포 획 되 는 정

공의 순 비율은 다음 식과 같다.

R„ = CpN ,[p M E ,) - ^ (1 - M E ,))] (6.96)

여기서 나 는 정공 포획율에 비례하는 상 수 이 고 ;/은 다 음 식과 같다.

 6.5 과잉 캐리어 수명 223

P' = Nvcx P [ ^ ' k ~ E v )] (6.97)

반도체 내에 트 랩 밀 도 가 너무 많지 않다면 과잉 전 자 와 과잉 전 자 농 도 는 같 고 전자
와 정공의 재 결 합 률 은 같다. 만 약 식 (6.95)와 식 (6.96)을 같게 놓 고 페르미 함수에 관
해 풀면 다 음 과 같다.

Cnn + Cpp '

/H 及,) = (6.98)
C„(n + n ' ) + Cp(p + p ')

n ，p r = 서이므로 식 (6.98)을 식 (6.95)나 (6.96)으로 대체시키 면 다음 식처럼 된다.

一 C„ CpN,[np - n f )
(6.99)
n p_ C„(n + n ，) + Cp(p + p ' ) _ K

식 (6.99)는 E = 게서의 재 결 합 중심에 의 한 전 자 들 과 정공들의 재 결 합 률 이 다 . 만약

열 평 형 을 고 려 한 다 면 ，np = « p = 서이므로 R„ = Rp = 0로 된 다 . 이때 식 (6.99)는
과잉 전 자 들 과 과잉 정공들의 재결합률이 다.
식 (6.99)에 있어서 은 과잉 캐리어들의 재 결 합 률 이 므 로 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

^ _ 8n (6.1 00)

여기서 Sn은 과잉 캐리어 농도이며 t는 과잉 캐리어의 수 명 이 다 .

6 .5 .2 외인성 도평 및 저 주입에 의한 제 한

엠비폴러 전 송 방 정 식 인 식 (6.39)에 외인성 도 핑 과 저 주입에 의 한 제 한 을 적용하면 비

선형 미 분 방 정 식 이 선형 미 분 방 정 식 으 로 간 략 하 게 된 다 . 우 리 는 똑 같 은 제 한 조 건 을
재 결 합 률 방정 식 에 적 용 할 수 있다.
저 주입하의 n -형 반 도 체 를 생각해 보자. 그러면 다 음 과 같이 된다.

n 》 p , n 》 dp , n > n\ n 》 pf

여기서 8p 는 과잉 소 수 캐리어 정공의 농 도 이 다 . « » n ' 및 n 0 » //인 조 건 은 트랩

에너지 준 위 가 에너지대 중간캡 근처에 있다는 의 미 이 고 , 따라서 n ' 및 p ’ 은 진성 캐리
어 농 도 와 별 차 이 가 없다. 이들 가 정 을 적용하면 식 (6.99)는 다 음 과 같이 된다.

R = CpN ,8p (6.1 01 )

n -형 반도 체 내의 과잉 캐리어의 재 결 합 률 은 소 수 캐리어 정공의 포획 단 면 적 과 관계

가 있는 파라미 터 나 의 함 수 이 다 . 그때 재 결 합 률 은 엠비폴러 전송 파 라 미 터 들 이 그 들
의 소 수 캐리어 값 들로 된 것과 같은 소 수 캐리어 파라미터의 함수 로 된다.
재 결 합 률 은 소 수 캐리어의 평 균 수 명 과 관 계 가 있다. 식 (6.1 00)과 (6.1 01 )을 대응시
Il k Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

키면 다 음 과 같이 된다.

R = ^ = CpN , 8 p ^ ^ (6.1 02)

이때 y 은 다 음 과 같다.

Tp0 = C^ N , (6.1 03)

그 리 고 여기서 Tp 은 과잉 소 수 캐리어 정공의 수 명 이 다 . 만약 트 랩 농 도 가 증 가 하 면 과

잉 캐리어의 재 결 합 률 은 증 가 하 며 ，따라서 과잉 소 수 캐리어 수 명 은 감소한다.
마 찬 가 지 로 , 저 주 입 하 의 세게 도 핑 된 외인성 p 형 반 도 체 가 있다면 다 음 과 같이 가
정 할 수 있다.

p 》 «， p > Sn , p 》 n\ p »p’

이때，수 명 은 과잉 소 수 캐리어 전자의 수명이 되며，식으로 표 현하면 다 음 과 같다.

t비 = 옳 (6.1 04)

다시 한 번，다 음 사실에 주 의 할 필 요 가 있다. 즉, n 형 물질에 있어서의 수 명 은 소수

캐리어 정공의 포 획 율 과 관 계 가 있는 의 함 수 이 다 . 그 리 고 p 형 물질 에 있어서의 수
명은 소 수 캐리어 전자의 포 획 율 과 관 계 가 있는 C „ 의 함 수 이 다 . 저주입하의 외인성 물
질에 대한 다 수 캐리어의 수 명 은 소 수 캐리어의 수 명 과 같게 된다.

M 管傷 拜 __ I 목적 I 진성반도체 내의 과잉 캐리어 수명을 산출하라.

식 (6.1 03)과 식 (6.1 04)에서의 과잉캐리어 수명 정의를 식 (6.99)에 적용시키면 재결합
률은 다음 식처럼 된다.

{np ~ n2) (6.1 05)

Tp ( n + n' ) + Tn ( p + p ’)

과잉 캐리어가 포함된 진성반도체를 상정한다. 그러면 n = nt + 8 n 및 " = «,+ 하z이며，n ’

= p’ = 이로 가정한다.

텔 n
식 (6.1 05)는 다음처럼 된다.

요 _ 2 rii8 n + (8 n) 2
(2rii + 8n)(Tp + 八 )

만약 매우 낮은 저주입이라고 가정하면 8 n « 2이이므로 다음 식처럼 된다.

R =
8 n : 8n
tp

여기서 T는 과잉캐리어 수명이며，진성반도체에서는 T = 7^ + 이다.

 6.6 표 면 효 과 225

S 3
과잉캐리어 수명은 외인성 반도체로부터 진성반도체로 변함에 따라 증가한다.

연습 문제
E x 6.8 T = 300 K 에서 Nd = 1 015 c m _ 3, Na = 0인 불순물 농도로 도핑된 실리콘을 생
각한다. 과잉 캐리어 재결합률 방정식에 있어서 n ’ = p’ = «，
■로 가정하고 Tp = r „0 = 5 x
1 0-7드로 가정한다. 8 n = 8p = 1 014 c m -3일 때 과잉캐리어의 재결합률을 산출하라.
(,_ s e_ u i o oz i x 08'I -s w )

직 관 적 으 로 우 리 는 과잉 소 수 캐 리 어 와 재 결 합 하 는 다수 캐리어의 개수 는 외인성 반도
체 가 진 성 반 도 체 로 됨에 따 라 감 소 함 을 알 수 있다. 진성반도체 내 에 는 재결합에 필요
한 캐 리 어 수 가 더 적 으므로 과잉 캐리어 평 균 수 명 은 증 가한다.

*6.6 표 면 효 과

앞서의 모 든 논의 에 있어서 우 리 는 반 도 체 는 크 기 는 무 한 대 라 고 묵시 적으로 가정해 왔

다. 따라서 우 리 는 반도체 표면에서 어 떠 한 경 계 조 건 도 고려하지 않 았다. 반도체의 어
떤 실 제 적 인 응용 에 있어서, 물 질 은 무 한 대 로 크지 않으며 따라서 반 도 체 와 그 중간에
는 표면이 반드시 존재하게 된다.

6.6.1 표면 준위

반 도 체 가 표면에서 갑자기 끝나게 될 때，이 상적인 단결정 격자의 완 전 한 주기적 특성

은 표 면에서 가 파르 게 끝나게 된다. 주 기 적 인 전위 함 수 가 붕 괴 되 면 에 너 지 밴 드 캡 내
에 전자적 에너지 준 위 를 만들게 된다. 앞 장에서 우 리 는 반도체 내에서의 단 순 한 결함
은 밴드캡 내에 불 연 속 적 인 에너지 준 위 를 만 든 다 고 설 명 하 였 다 . 표 면 에 서 주 기 적 인
전 위 가 급격히 끝 남 으 로 인해 밴드갭 내에 에너지 준위의 분 포 가 생기게 된다. 벌크 반

그림 6.1 7 금지대 내에 있는 표면 준위 분포
226 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

도체 내에 불 연 속 에너지 준 위 가 생 기 는 것을 그림 6.1 7에 도 식 적 으 로 보인다.

S hockle y -R e ad-H a ll 의 재 결 합 이론 은 과잉 소 수 캐리어 수명이 트랩 준위 밀도에 반

비 례 한 다 는 사 실 이 다 . 표면에서 트랩의 밀도 는 벌크에서 보 다 많 으 므 로 표면에서의 과

잉 소 수 캐 리어의 수 명 은 벌크 물 질 에 서 의 수 명 보 다 작게 된 다 고 말 할 수 있다. 예를
들어 만 약 외인성 n-형 반 도 체 를 상정하여 생 각 할 때，식 (6그02)로 주 어 진 벌크에서의
과잉 캐리어 재 결 합 률 은 다 음 과 같이 된다.

니 ^ (6，
_

여기서 SpB는 벌크 물질 내에서 과잉 소 수 캐리어 정공의 농 도 이 다 . 표 면 에 서 의 과잉

캐리어 재결합률에 대한 유 사 한 표 현 을 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

^ = (6. 1 07)

여기서 8 p s는 표면에 서 과잉 소 수 캐리어 정공의 농 도 이 고 ，Tp ，

는 표면에서 과잉 소 수
캐리어 정공의 수명이다.
과잉 캐 리 어 가 반 도체의 전체 영역에 걸쳐 일정 한 비율 로 생 성 되 고 있다고 가 정 하
자. 정상상 태에서의 생 성 률 은 균 일 하 고 무 한 크기의 반 도 체 인 경우에 대한 재 결 합 률 과
같 다 . 이 와 같 은 사 실 을 이 용 하 면 표 면 에 서 의 재 결 합 률 과 벌크 물 질 내에서의 재 결 합
률 은 같 아 야 한다. 이때 > < 이므로 표면에서 과잉 소 수 캐리어의 농 도 는 벌크 영
역 내에서의 과잉 소 수 캐리어 농 도 보 다 작다. 즉 ，8 p s < SpB로 된다. 한 예로 그림 6.1 8
에 과잉 캐리어 농 도 를 반도체 표면으로부터의 거리 함수로써 표 현 한 것을 보인다.

■ B B M 목적 I 반도체의 표면으로부터 거리의 함수로 표현한 정상상태 과잉 캐리어 농도를 산출

하라.
표면이 그림 6.18과 같은 jc = 0 인 반도체를 생각하자. n-형 반도체에서 8 Pb = 1014 c m - 3
이고 벌크에서 Tp0 = 1 0 -6 s 이며 표면에서 Tp0s = * s이
1 0_ 7 10 * 다. 인가된 전계는 영 이 고 ' =
1 0 c m 2/s 로 가정한다.

그림 6.1 8 정상상태 과잉 호울농도 대 반도체 표면으로부터의 거리

 풀이
식 (6.1 06) 및 (6.1 07)로부터 다음을 얻는다.

8pB _ 8ps
Tp Tp s
따라서

Sp, = SpB( ^ ) = ( l 14) ( |놈 ! ) = 1 013cm -3

식 (6.56)으로부터 다음과 같이 쓸 수 있다.

乂 뿐 에 0 (6.1 8)

생성률은 벌크 내에서의 정상상태 조건으로부터 산출되며 다음과 같다.

普 := 뿜 =1 2° Cm_3-S—
1

식 (6.1 07)의 해는 다음과 같다.

Sp(x) = g ' Tp + AexlLp + Be~x/Lp (6.1 09)

x —>+ 감에 따라 ，Sp( x ) = SpB = g rTp0 = 1 014c m _ 3로 되며 이 는 /! = 0임을 의미한

다. x = 0일 때 다음 식을 얻게 된다.

Sp(0) = Sps = 1014+ B= 1013cm一3

따라서 B = - 9 X 1 013이다. 표면으로부터 거리의 함수로써 소수 캐리어 전자농도의 전체

를 표현한 해는 다음과 같다.

Sp(x) = 1014(1 - 0.9 6 '^)

여기서
L p = \j D p T p o = ∼/ ( 1 0) ( 1 0’ = 31 .6 f i m

區3
과잉 캐리어 농도는 벌크에서보다 표면에서 더 작다.

연 습 ^^
E x 6.9 ( a) rp0s = 0인 경우에 예제 6.9를 반복하라. (b ) x = 0일 때 과잉 전자농도는 얼
마인가? (c ) 이 특별한 경우에 표면에서 과잉 캐리어의 재결합률은 얼마인가?
[ 0 = ( ¥§ (q) ‘ (서 /X- 3
= M (3) ： - 1)°안,多 = (x)ds (B) -suy]

6.6. 2 표면 재 결 합 속도

그림 6.1 8에 보인 것처럼 표면 근처에서 과잉 캐리어 농도의 기 울 기 가 존 재 할 때，벌크

영역에 있는 과잉 캐 리 어 들 은 표면 쪽 으 로 확 산하여 표 면에서 재결합하게 된다. 이와
같 은 표면 쪽 으 로 확 산 하 는 것은 다 음 과 같 은 식 으로 표 현 할 수 있다.
228 Chapter 6 반도체 내에 서 의 비평 형 과잉 캐리어

~DP h • 회유
CIX J surf
= s8p\SUT{ ( 6. 1 1 0)

이때 식의 각 변은 표면에서 구 할 수 있다. 파라미터 «은 표 면 과 법선방향의 외부 로 향

하 는 단 위 벡 터 이 다 . 그림 6.1 8의 모 양 을 이용하면 씨 初 )/쇼 는 양의 값 이 고 요은 음의 값
이다. 따라서 파라미터 x 는 양의 값이다.
식 (6.1 1 0)의 단 위 를 분석 해 보면 s는 cm / s，혹 은 속도의 단 위 를 갖 는 다 . 파라미터 s
를 표 면 재 결 합 속 도 (surfa c e re co m bin a tio n v e lo c ity ) 라고 부 른 다 . 만 약 표 면 과 벌크 내
에서의 과잉 능 도 가 같 다 면 기울기 항 은 영으 로 되며, 표면 재 결 합 속 도 도 영 으 로 될
것이다. 표면에서 과잉 농 도 가 더 작아짐에 따 라 기 울 기 항 은 더 커지게 되고 표면 재결
합 속 도 는 증 가 한 다 . 표면 재 결 합 속 도 는 벌 크 영 역 과 비교하여 표 면 특 성 의 어 떠 한 지
표 를 제공해 준다.
식 (6.1 1 0)은 예제 6.8에서 식 (6.1 09)로 주 어 진 일반해에 대 한 경 계 조 건 으 로 써 사용
할 수 있다. 그림 6.1 8을 이용하면 요 = -1 로 되고 식 (6.1 1 0)은 다 음 과 같이 된다.

d(8p )
DP d x s8 pU ( 6 . 111)

식 (6.1 09)에서 계수 A 는 영 이 었 으 므 로 식 (6.1 09)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

以 surf = 5/7(0) = g'TpO + B (6.1 1 2 a)

및

d (Sp) = d (8 p ) 公
(6.1 1 2b )
dx surf dx X

식 (6.1 1 2 a)와 (6.1 1 2b )룰 식 (6.1 1 1 )에 대입하고 계 수 요에 대해 풀면 다 음 을 얻는다.

及 _ ~ s S fTP
(D p/ Lp) + s
(6.1 1 3)

이때 과잉 소 수 캐리어 정공의 농 도 는 다 음 과 같다.

sLpe~x/Lp \
⑯⑴ = 8 fTp 1 (6.1 1 4)
+ 도Lp J
公P T

I 목 적 I 예제 6.9에 주어진 파라미터들에 상응하는 표면 재결합 속도 값을 산출하라.

예제 6.9로부터 容’ 7느 =1014 c m -3, D p= \ 0 cm 2/ ' 나 =31 .6 m , 5/7(0) = 1 013 c m -3이다.

■四
표면에 있어서 식 (6.1 1 4)를 쓰면

S
5p( ) = g 'T p 1
{Dp/Lp) + s
표면 재결합 속도에 대해 풀면 다음과 같이 된다.

D P I g ’ Tp
i

이 식에 각각의 값을 대입하면 다음과 같다.

10 1 014
2 .8 5 X 1 0 4 c m / s
3 1 .6 X 1 0_ 4 "To11

(H )
이 예제는 s = 3 x l 4 cm/s 정도인 표면 재결합 속도가 있을지라도 표면 근처에 만드는 태
양전지와 같은 반도체 소자의 성능을 심하게 열화시 키는 것을 보여주는 것이 다.

연습문제
E x 6.1 0 ( a) 식 (6.1 1 4)를 써서 (i ) s = 및 (i i ) s = 0일 때의 Sp(;c)를 구하라. (b ) (i ) 무한
표면 재결합 속도 여 = 미 및 抑 영 표면 재결합 속도 냐 = )의 의미는 무엇인가?
[jubjsuod = (x )d g pire =
(0)的 (??) ‘0 = (公)ds (?) ( 功 = (x)dS (?.0‘(，
까 -3 - I ) 0아 ,8 = (여 9 (?) ( ) 'suy ]

위의 예 제 에 서 ，표면에서 Lp = 31 .6 나m 정도밖에 떨어지지 않은 곳，즉 이곳의 과잉 캐

리어 농 도 는 벌크에서의 값의 단지 2/3인 거리에 있을 지 라 도 표 면 은 과잉 캐리어 농 도
에 심 대 한 영 향 을 주게 된다. 다 음 장에서 다루게 되 겠 지 만 소 자 성 능 은 과잉 캐리어
특성 에 큰 영향을 준다.

6.7 요 약

■ 과잉 전자와 과잉 정공의 생성과 재결합 과정에 대하여 공부하였다. 과잉 캐리어 생성

률 및 재결합률을 정의하였다.
■ 과잉 전자 및 과잉 정공은 서로 독립적으로 움직이지 않고 함께 움직인다. 이러한 통상
적인 움직 임을 엠비폴러 전송이라고 부른다.
■ 엠비폴러 전송 방정식을 유도하였으며, 저 주입과 외인성 도핑의 제한을 엠비폴러 전
송 방정식의 계수에 적용시켰다. 이 조건하에서 과잉 전자 및 과잉 정공은 소수 캐리어
특성값으로 줄어들게 되어 확산과 드리프트하게 되며 이 결과는 반도체 소자 동작의
기본이 된다.
■ 과잉 캐리어 수명의 개념을 전개하였다.
■ 시간의 함수，공간의 함수 및 시공간의 함수로서 과잉 캐리어 특성의 몇 가지 예제들을
풀어 보았다.
■ 전자에 대한 유 斗 페 르 미 준위와 정공에 대한 유사-페르미 준위를 정의하였다. 이 파라
미터들은 비평형하의 반도체에서 전체의 전자 및 전자농도를 특성 짓는 파라미터 이다.
230 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

■ Shockley-Read-Hall의 재결합 이론을 살펴보았다. 과잉 소수 캐리어 수명에 관한 표현

식을 전개하였다.
■ 반도체 표면 효과는 과잉 전자 및 과잉 정공의 특성 에 영향을 끼 친다. 표면 재결합 속
도를 정의하였다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

엠 비 폴 러 확 산 계 수 과잉 캐리어의 유효 확산계수
엠 비 폴 러 이 동 도 과잉 캐리어의 유효 이동도
엠 비 폴 러 전 송 과잉 전자와 과잉 정공이 같은 유효 확산계수, 이동도，수명을 가지고 확산，
드리프트，재결합하는 과정
엠비폴러 전송방정식 시간과 공간좌표의 함수로써 과잉 캐리어의 움직임을 표현한 방정식
캐리어 생성 가전자대로부터 전도대로 전자를 올라가게 하여 전 차 정 공 쌍이 생성되는 과정
캐리어 재결 합 전자가 가전자대의 빈 상태(정공)로 “떨어지게 “됨으로써 전자-정공 쌍이 소
멸되는 과정
과잉 캐리어 과잉 전자 및 과잉 정공의 두 가지를 표현하는 용어
과 잉 전 자 전도대에 있는 전자의 농도가 열평형에서의 농도보다 많은 것
과 잉 정 공 가전자대에 있는 정공의 농도가 열평형에서의 농도보다 많은 것
과잉 소수 캐 리 어 수 명 과잉 소수 캐리어가 재결합하기 전까지 존재하는 평균시간
생성률 전자-정공 쌍이 생성되는 비율(#/cm3-s)
저 -수 준 주 입 과잉 캐리어의 농도가 열평형에서의 다수 캐리어의 농도보다 아주 작을 때
의 조건
소수 캐리어 확산길이 소수 캐리어가 재결합하기 전까지 확산한 평균길이로서 이 파라미터
는 、，石 ; 와 같고 여기서 ，D 및 t 는 각각 소수 캐리어의 확산계수 및 수명을 나타낸다.
유 사 -페 르미 준 위 전자에 대한 유사-페르미 준위와 정공에 대한 유사-페르미 준위는 각각
비평형에서의 전자와 정공의 농도에 관계가 있으며，열평형상태의 진성 캐리어 농도와
진성 페르미 준위와 대응된다.
재결합률 전자-정공 쌍이 재결합하는 비율(#/cm3-s)
표면 재결합 속도 표면에 있어서 과잉 캐리어 농도의 기울기와 과잉 캐리어의 표면농도와
관계되는 파라미터
표면 준위 반도체 표면에 있어서 밴드캡 내에 존재하는 전자적 에너지 준위

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장을 공부한 후에 독자들은 다음 사항을 알아야 한다.

■ 과잉 생성 및 재결합의 개념을 설명할 수 있다.
■ 과잉 캐리어 수명의 개념을 설명할 수 있다.
■ 정공과 전자에 대한 시간-의존 확산 방정식이 어떻게 유도되는지를 설명할 수 있다.
■ 엠비폴러 전송 방정식이 어떻게 유도되는지를 설명할 수 있斗
■ 엠비폴러 전송 방정식에 있어서 계수들이 저 주입 및 도핑 반도체하에서 소수 캐리어
 값으로 줄어든다는 결과를 이해하여야 한다.
■ 엠비폴러 전송 방정식을 여러 문제들에 적용할 수 있어야 한다.
■ 유전 완화 시 정수의 개념을 이해할 수 있어야 한다.
■ 전자와 정공에 관한 유사-페르미 준위를 산출할 수 있어야 한다.
■ 주어진 과잉 캐리어 농도에 대한 과잉 캐리어 재결합률을 산출할 수 있어야 한다.
■ 과잉 캐리어 농도에 관련된 표면 효과를 이해할 수 있어야 한다.

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

1. 열평형상태에서 왜 전자 생성률과 재결합률이 같은가?

2. 과잉 캐 리 어 재 결합률을 과잉 캐리 어 농도와 과잉 캐리 어 수명 의 항으로 정 의하라.
3. 예를 들어, 입자의 유속 변화의 결과에 따라 정공의 밀도가 어떻게 변하는지 설명하라.
4. 일반적 인 엠비폴러 전송 방정식 이 왜 비선형 인가?
5. 전계가 인가되어 있을 때 과잉 전자와 정공의 펄스가 왜 함께 이동하는지를 정성적으
로 설명하라.
6. 저주입하에서 과잉 캐리어 수명이 소수 캐리어 수명으로 되는 이유를 정성적으로 설명
하라.
7. 생성률이 0으로 될 때 과잉 캐리어 밀도의 시간의존성을 구하라.
8. 외부의 힘이 작용하고 있을 때，과잉 캐리어 밀도는 시간이 지남에 따라 왜 증가하지
않는가?
9. 어떤 반도체에 있어서 갑자기 생성된 전자，혹은 정공의 어떤 한 과잉 캐리어 농도가
존재한다고 할 때, 순 전하 밀도가 빨리 영으로 되는 기구를 설명하라.
1 0. 전자에 관한 유사-페르미 준위의 정의를 설명하라. 정공에 대하여 반복하라.
1 1 . 반도체 내에 트랩이 존재하면 왜 과잉 캐리어의 재결합률이 증가하는지 설명하라.
1 2. 일반적으로 과잉 캐리어 농도는 벌크에서 보다 표면에서 더 적은 이유는 무엇인가?

■젠 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

(주: 문제에서 특별히 주어지지 않은 것이 있다면 부록 B 에 있는 반도체 파라미터들을 이용

하라. T = 300 K 로 가정하라.)

6.1 절 캐리 어 생성 및 재 결 합

6.1 T = 300 K 에서 = 5 X 1 015 예 인 도너 불순물 원자로 도핑된 실리콘을 상정한

다. 소수 캐리어의 수명은 2 x l (T 7 s 이다. ( a) 정공의 열평형 생성률을 구하라. (b ) 과
잉 캐리어는 Sn = Sp = 1 014c m - 3로 생성된다. 이러한 조건하에서의 정공의 재결
합률은 얼마인가?
6.2 G a A s 가 T = 300 K 에서 Na = 2 x l 16 c m - 3인 억셉터 불순물 원자로 균일하게 도
핑되어 있다. 소수 캐리어의 수명은 5 x 1 -7 s로 가정한다. ( a) 만약 과잉 전자농도
가 加 = 5 x 1 014 c m _ 3일 때 전자-정공의 재결합률을 구하라. (b ) ( a)의 결과를 이용
하여 정공의 수명을 구하라.
232 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

6.3 Nd = 1 016 cm _3인 도너농도를 갖는 n 형 반도체가 있다. 소수 캐리어 정공의 수명은

Tp0 = 20 싸 이 다 . ( a)다수 캐리어 전자의 수명을 구하라. (b ) 이 재료의 전자와 정공
에 대한 열평형 생성률을 구하라. (c ) 이 재료의 전자와 정공에 대한 열평형 재결합
률을 구하라.
6.4 ( a) 단면적이 1 cm 2이고 두께가 0.1 c m 인 어떤 반도체 샘플이 있다. 6300A 의 파장
을 갖는 빛이 1 와트의 균일 흡수에 의해 단위 시간당 단위 체적당 생성되는 전자-정
공 쌍의 개수를 구하라. 하나의 포톤은 하나의 전자-정공 쌍을 생성한다고 가정하라.
(b ) 만약 과잉 소수 캐리어 수명이 1 0 s 라면 정상상태 과잉 캐리어 농도는 얼마인
가?

6 .2절 과잉 캐 리 어 의 수 학 적 해석

6.5 식 (6.1 8)과 (6.20)으로 부터 식 (6.27)을 유도하라.

6.6 그림 6.4에 보인 것처럼 일차원적 정공의 흐름을 생각하자. 만약 이 미분 체적 내에
서 정공 생 성 률 。 = 1020 c m - 니 -1이고 재결합률이 2 x 1 】9 c m - ' s - 1이라면 정상
상태의 전자농도를 유지하기 위해서는 입자 전류밀도의 기울기는 얼마가 되어야 하
는가?
6.7 생성률이 0이라고 가정하고 문제 6.6을 반복하라.

6 .3절 엠비폴 러 전송

6.8 식 (6.29)와 (6.30)으로 주어지는 연속방정식에서 출발하여 식 (6.39)로 주어지는 엠

비폴러 전송방정식을 유도하라.
6.9 실리콘 샘플이 T = 300 K 에서 균일한 억셉터 농도 7 x l 15 c m -3로 도핑되어 있다.
과잉 캐리어 수명은 = 1 0~7 s 이 斗 (a) 엠비폴러 이동도를 구하라. (b ) 엠비폴러
확산 계수를 구하라. (c ) 전자 수명 및 정공 수명은 얼마인가?
6.1 0 T = 300 K 에서 균일 도너농도 가 4 x l 013 c m - 3인 Ge 샘플이 있다. 과잉 캐리어 수
명 r „ = 2 x 1 0-6 S이다. ( a) (i )엠비폴러 확산 계수，(i i )엠비폴러 이동도를 구하라.
(b ) 전자 수명 및 정공 수명을 구하라.
6.1 1 어떤 n-형 반도체에 빛이 균일하게 조사되고 균일하게 과잉 생성률요'의 비율로 생
성된다고 가정하자. 정상상태에 있는 반도체에서 전도율의 변화가 다음과 같이 주어
짐을 보여라.
= e (n ，
„ + ^ p)Tp g '

6.1 2 T = 300 K 에서 억셉터 불순물 원자 Na = 1 016 c m - 3인 농도로 균일하게 도핑된 실

리콘 샘플이 있다. t = 0에서 광원이 o n 되어 과잉 캐리어가 샘플 전체에 유'= 8 x
로 균일하게 생성되고 있다. 소수 캐리어의 수명은 T n () = 5x l _7 s，
이동도는 I „ = 900 cm 2AV-s，(jbp = 380 cm 2/V -s로 가정한다. (a ) ? 브 0일 때 시간의
함수로써 실리콘의 전도율을 계산하라. (b ) (i ) f = 0 및 (i i ) f = 일 때의 전도율은
얼마인가?
6.1 3 T = 300 K 에서 ~ = 5 x 1 15 cm_ 3로 균일하게 도핑된 n 형 G aA s 반도체가 있다.
실리콘 샘플이 있다. 소수 캐리어의 수명은 = 5 x 1 0_ 8s 이다. 이동도 값은 卜1 =
 문제 233

7500 cm 2/ V -s, ^ = 31 0 cm 今V -s로 가정한다. t = 0에서 광원이 o n 되어 g ' = 4 x

1021 c m -3-s 시로 균일하게 과잉 캐리어가 생성되고 t = l -6 s 에서 o ff 된다. ( a) 0 <
f 드 ® 범위에서 과잉 소수 캐리어 농도 대 시간을 구하라. (b ) ( a)와 똑같은 시간동안

에 있어서 반도체의 전도율 대 시간을 계산하라.

6.1 4 T = 300K 에서 어떤 실리콘 막대의 길이가스 = 0.05 c m 이고 단면적은가 = 1 0一5
c m 2이다. 이 반도체는八느 = 8 X 1 015 c m —3 및 Na = 2 x l 015 c m —3으로 균일하게 도
핑되어 있다. 1 V 의 전압이 샘플 양끝에 인가되고 있다. f < 0일 때，반도체에 빛이
균일하게 조사되고 있어서 생성률 g ' = S x K P c n r ^ s - 1 인 과잉 캐리어가 생성되
고 있다. 소수 캐리어의 수명은 ' = 5 x 1( 7 예 다 . t = 0에서 광원을 o f f 시켰다. t
^ 일 때 반도체에서의 전류를 시간의 함수로써 구하라.
6.15 실리콘이 T = 300 K 에서 Na = 2 x l 016 c m - 3 맞 Nd = 6 x l 15 c m - 3로 균일하게
도핑되어 있고 f < 일 때 열평형상태에 있다. 광원을 f = 에서 켜서 g ' = 2 x l 021
c m - 3-。 1 인 균일 생성률로 과잉 캐리어를 발생시킨다. 인가 전계는 이다. ( a) 만약
최대 정상상태 과잉 캐리어 농도가 8n = Sp = 5 x l 01 4C m_ 3일 때 과잉 캐리어 수
명을 구하라. (b ) 시간의 함수로써 과잉 캐리어 농도 및 과잉 캐리어 재결합률에 대
한 표현식을 유도하라. (c ) 과잉 소수 캐리어의 농도가 정상상태 값의 각각 ( i ) 1 /4, ( ii )
1 /2, (iii ) 3/4, ( iv ) 95% 인 값으로 되는 시간을 구하라.
6.16 T = 300 K 에서 농도가 각각 八~ = 8 x 1 015 c m —3이고 八 = 2 x 1 015 c m —3인 G aA s

가 있다. 열평형의 재 결 합 률 은 /?。= 이다. ( a ) 소수 캐리어 수명은

얼마인가? (b ) 과잉 캐리어의 균일한 생성률의 결과 과잉 캐리어 재 결 합 률 은 /?' = 2
x l O 21 c m - 3—- 1 이다. 정상상태 과잉 캐리어 농도는 얼마인가? (c ) 과잉 캐리어 수명
은 얼마인가?
6.17 ( a) T = 300 K 에서 도너 원자가 1 016 c m —3로 도핑된 실리콘을 상정한다. r p0 = 5 x
1 -7s 이다. t = 0에서 광원을 켜서 g ' = 인 균일한 생성률로 과잉
소수 캐리어가 생성된다. t = 5 x l 0_ 7s 일 때，광원을 끈다. 出 0 드? 드 。。일 때의 r
의 함수로써 과잉 소수 캐리어 농도에 대한 표현식을 유도하라. (i i )광원을 끌 때 과
잉 농도값 은 얼마인가? (b ) t = 2 x 1 0_ 6s 에서 광원을 끈 경우에 ( a)를 반복하라. (c )
( a) 및 (b )항에 대한 과잉 소수 캐리어의 농도 대 시간의 그림을 그려라.
6.18 1 017 c m _ 3인 억셉터 원자로 균일하게 도핑된 어떤 반도체가 다음과 같은 값을 갖는
다. Dn = 27 cm 2/s, Dp = 12 cm 2/s, t „0 = 5 x 1 0-7s，rp0 = 1 0_ 7s. < 0일 때 외부
소스가 이! 상태로 되어있고 이때 요' = 1021 c m - 、 - 1의 생성률로 과잉 캐리어 농도
가 일정하게 생성된다. t = 0에서 외부 소스를 o ff 시키고 t = 2>U 0- 6s 일 때 다시
온 시킨다. ( a) 0 동안 f 의 함수로써 과잉 캐리어 농도의 표현식을 유도하
라. (b ) (i ) t = 0’ (i i ) t = 2 x 1 0-6s, (i i i ) f = 일 때 과잉 전자농도의 값을 구하라.
(c ) 시간의 함수로써 과잉 캐리어 농도의 그림을 그려라.
6.19 T = 300 K 에서 Na = 2 x l 015 cm- 3으로 균일하게 도핑된 p -형 실리콘 막대가 있다.
인가된 전계는 이다. 광원이 그림 P6.1 9에 나타낸 것처럼 반도체의 끝에서 조사된
다. ;c = 0에서 생성된 과잉 캐리어의 정상상태 농 도 는 初 (0) = 8 n( 0 ) = 2 X 1 014
cm- 3이다. 파라미터들은 다음과 같다고 가정한다. I „ = 1 200 cm2/V-s, ! p = 400
234 Chapter 6 반 도 체 내 에 서 의 비평 형 과잉 캐리어

cm 2/V -s, r „ = 1 0-6s, rp0 = 5 x 1 0_7s. 표면효과는 무시하고 (a ) 반도체 안으로 들

어가는 정상상태의 과잉 전자농도 및 과잉 전자농도를 거리의 함수로써 계산하라.
(b ) 거리의 함수로써 반도체 안으로 들어가는 정상상태의 전자 및 정공의 확산 전류
밀도를 계산하라.

그림 P 6 . 1 9 문제 6.1 9 및 6.21 에 대한 그림

6.20 r = 300 K 일 때 iVa = 1 x 1 0 14 c m _3으로 도핑된 반-무한대 (jc > 0) 실리콘 막대에 x

= 의 끝부분에 “소수 캐리어 소멸기 ( d i g e s te r ) ” 를 달았다. 이 소 멸 기 는 ;c = 0 에서

np = 으로 만드는 역할을 한다. («p는 p 형 반도체에서 소수 캐리어 전자의 농도이

다.) 전계는 이다. ⑷ ， 및 의 열평형 값을 구하라. (b ) x = 0 일 때 과잉 소수 캐
리어의 농도값을 구하라. (c ) x 의 함수로써 정상상태의 과잉 소수 캐리어 농도 표현
식을 유도하라.
6.21 p형 실리콘 반도체 내에서 과잉 캐리어가 그림 P 6.1 9에 나타낸 것처럼 실리콘 막대
의 끝 ;c = 0 에서 생성되고 있다. 균일 도핑농도는 八^ = 7 X 1 0 16 c m -3 이고 八。 = 2
x 1 016 c m -3 이다. x = 0 에서 정상상태 과잉 캐리어의 농도는 Sp ( 0 ) = Sn ( 0 ) = 5 X

I 0 14 c m _ 3 이다. (표면효과는 무시.) 인가된 전계는 0 이다.반도체의 파라미터들은 t „0

= Tp = 1 0_ 6 s, Dn = 25 c m 2/s , Dp = 1 0 c m 2/s 로 가정하라. ( a ) ( i) x = 0 에서 과

전자 및 정공 전류 밀도를 계산하라. (b ) x = 1 5 x 1 0-3 c m 에 대한 (a ) 를 반복하라.
6.22 n 형 실리콘 반도체를 생각한다. 그림 6.6에 나타낸 것처럼 과잉 캐리어가;*: = 0에서
생성되고 있다. 전계 E 0가 + x 방향으로 인가된다. 정상상태 과잉 캐리어 농도에 대한
표현식이 다음처럼 됨을 보여라.
S p(x) = A e x p ( i —x) x > 0 and d p(x) = A e x p (^ + x ) x < 0

여기서

그리고
_ 나 pLp_E
신게
6.23 문제 6 . 2 2 로부터 ( a ) E 0 = 0 및 (b ) E 0 = 1 0 V /c m 에 대한 과잉 캐리어 농도 切 ⑴ 대
요를 그려 라.
*6.24 문제 6.1 9에서 논의한 반도체를 생각한다. 일정한 전계 E 0가 + x 방향에서 가해진다
고 가정한다. ( a) 정상상태 과잉 전자농도에 대한 표현식을 유도하라(해의 형태는 e _
로 하라). ( b ) ( i) E = 0 ( i i ) E 0 = 12 V /c m 일 때 如 대 c의 그림을 그려라. (c ) ( b )
항에서 그린 두 곡선의 일반적인 특성을 설명하라.

*표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

6.25 p 형 반도체가 f < 0일 때 열평형에 있으며 그 소수 캐리어의 수명은 무한대라고 가
정한다. 또한，반도체에 일정하게 빛을 조사하여 다음과 같이 균일한 생성률 g ' w 가
생긴다고 가정한다.

g '(t) = G'0 fo r O < t < T

g '(t) = 0 for < 0 and t > T

여기서 (기는 상수이다. 시간의 함수로써 과잉 소수 캐리어의 농도를 구하라.

*6.26 그림 P6.26에 보인 n 형 반도체를 생각한다. 빛을 조사하여 - L < x < + L 영역에서
일정한 과잉 캐리어 생성률 G '이 생긴다. 소수 캐리어의 수명은 무한대로 가정하고
과잉 소수 캐리어 전자농도는 x = -3 L 및 x = +3 Z제 서 0으로 간주하라. 인가된 전
계가 0이고 저 주입인 경우에 대해 정상-상태 과잉 소수 캐리어 농도 대 x 값을 구하라.

빛조사

-3 L -L 0 L 3L

그림 P 6 . 2 6 문제 6.26 에 대한 그림

6. 2 7 n형 반도체를 H a y n e s -S h o c k l e y 실험 에 사용하고 있다. 샘플의 길이는 0. 4 c m 이고 기

= 8 V 인 전압을 인가하였다. 접촉점 A 와 묘의 거 리는 0. 2 5 c m 이다. 접촉점 A 에 캐
리어를 주입시킨 후 32 fis 지나서 접촉점 B 에 펄스의 최댓값이 도달한다. 펄스폭은
효= 9.3 5 /x s 이다. 정공 이동도 및 확산계수를 구하라. 구한 결과를 E in s t e in 관계식
과 비교하라.
6. 2 8 함 수 /( X， = ( 4 7 r /) f ) -1 /2e x p ( -; «: 2/4 D f ) 를 고려 한 다 . (a) 이 함 수 는 미 분방정 식
D { d2fld x 2) = dfldt 와 해임을 보여라. (b ) 함 수 /(X，/)의 x 가 一 에서 + 까지의 적
분 값이 모든 시간 값에 대하여 1 임을 보여라. (c ) 이 함수는 까 영에 근접함에 따라
8 함수로 근접함을 보여 라.

6. 2 9 H a y n e s -S h o c k l e y 실험의 기본 식은 식 (6 . 7 0) 으로 주어진다. (a ) E 0 = 0 및 E0 뉴 0일
때의 여러 따 에 대한 S p(x ， t) 대 의 그림을 그려라. (b ) E 0 = 0 및 E0 _ 0일 때의
여 러 a•
값에 대한 SP (자 t) 대 r 의 그림을 그려라.

6 .4 절 유 사 -페 르 미 에 너 지 준 위

6. 3 0 N d = 4 x l 0 1 6 c m -3의 불순물 농도로 도핑된 n -형 실리콘에 빛이 조사되어 g ' = 2

x 1 21 c m _ 3 s e c -1 의 일정한 생성율 로 과잉 캐리어가 생성된다. =1 ( 6 s e c,
tp = 5 x 1 - 7 s e c 로 가정한다. ( a ) 열평형 상태에서 E F - 하 ,를 구하라. ( b ) E F i를
기준으로 전자와 정공의 유사 페르미 에너지 준위의 위치를 계산하라. (c) 하„과 하
간의 차는 얼마( e V 로)인가?
236 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

6.31 T = 300 K 에서 = 5 x 1 015 c m _ 3으로 도핑된 p 형 실리콘 반도체가 있다. ( a) 진

성 페르미 준위에 대한 페르미 준위의 위치를 구하라. (b ) 열평형 다수 캐리어 농도
의 10% 되는 과잉캐리어 농도가 생성되고 있다. 진성 페르미 준위에 대한 유사-페르
미 준위를 구하라. (c ) 진성 준위에 대한 페르미 준위 와 유사-페르미 준위의 그림을
그려라.
6.32 T = 300 K 에서 N d = 5 x l 15 c rr T 3으로 도핑된 n 형 실리콘이 있다. E Fn - E F =

1 .02X 1 0-3 e V 1 4. ( a) 과잉 캐리어의 농도 는 얼마인가? (b ) E Fn 一 E Fi를 구하라.

(c ) E Fj — E Fp롤 구하라.
6. 3 3 N a = 6 x 1 015 c m —3으로 도핑된 p 형 실리콘 샘플이 있다. E Fn - E Fi = 0. 2 7 0 … 이
다. (a ) 과잉 캐리어의 농도를 구하라. (b ) E Fl - E Fp를 구하라. ( c ) ( i) E f - 의표
현식을 유도하라. ( ii) E f - E Fp를 구하라.
6.34 N d = 1 016 c m _ 3으로 도핑된 n 형 G a A s 가 있다. 8p = (0.02>/Vd인 과잉 캐리어의 농
도에 대한 (i ) E Fn - E Fi 및 (i i ) E Fi - E Fp% 구하라. (b ) Sp = (0.1 )& 일 때 ( a)를 반

복하라.
6.35 T = 300 K 에서 N a = 1 016 c m -3으로 도핑된 p 형 G a As 반도체가 있다. 과잉 캐리어
의 농도는 50 /xm 의 간격에서 1 014 c m -3에서 0으로 선형적으로 변한다. 진성 페르미
준위에 대한 유사-페르미 준위의 위치 대 거리를 그려라.
6.36 T = 300 K 에서 N a = 5 x 1 014 c m ~3으로 도핑된 p 형 실리콘이 있다. 과잉 캐리어가
그 실리콘에 존재하며 E f - E Fp = (0.01 )쇼r 로 가정한다. ( a)이 조건이 저 주입에 상
응하는가? 왜 혹은 왜 그렇지 않은가? (b ) E Fn - E Fi를 구하라.
6. 3 7 N d = 1 016 c n 3의 농도로 도너 도핑 된 n 형 실리콘 샘플이 있다. 과잉 정공농도는
8 p(x) = 1 014e x p ( —x /1 0 -4 ) c m -3 로 생성된다. 0 드 x 드 4 x 1 C 4 범위에서의 함수
Epi — Epp 대 경■그려 라.
6.38 = 2 x l 1 6c m _ 3로 도핑된 n 형 실리콘이 있다. ( a) 1 011 < 8p < 1 015 c m —3범위
에서의 E Fi - E Fp 대 8P 를 그 려 라 에 대하여는 로그(대수) 스케일을 써라). (b ) E Fn
에 대하여 ( a)를 반복하라.
- 하,•

6 .5 절 과잉 캐 리 어 의 수명

6.39 식 (6 . 9 9 ) 및 식 (6 . 1 03 ), ( 6 . 1 04 ) 에서 주어진 t „ 와 Tp 의 정의를 생각한다. n ' = p'

= 미■로 두자. 반도체의 어떤 특별한 영역에서 n = p = 0이라고 가정한다. ( a) 재결
합률 /?을 구하라. (b ) 이 결과의 물리적 의미를 설명하라.
6.40 다시 식 (6.99) 및 식 (6.1 03), (6.1 04)에서 주어 진 & 와 > 의 정의를 생각한다. Tp 0

= 10—7 s, r „ = 5 x 1 -7 s로 두고，또한 n ' = p ’ = n, = 1 010c m —3로 두자. 8 n <SC

«,인 상태 인 매우 낮은 저 주입으로 가정한다. 다음의 반도체에 대해 RI 8 n 을 계산하
라. (a) n 형 (« » p 0) , (b ) 진성(«0 = p = )，(c ) p 형 (p 0 》
«,• n0)

6.6절 표 면 효 과

*6.41 그림 P 6.41 에 나타낸 것처럼 N d = 1 01 6 c m -3 이고 균일한 과잉 캐리어 생성률 요' =

1 021 c m _ 3 -s _ 1 을 갖는 n -형 반도체가 있다. D p = 1 0 c m 2/s 와 Tp = 1 0—7 s 로 간주하
 라. 전계는 0이다. (a) x = 0에서 표면 재결합속도가 (i ) 5 = (i i ) S = 2000 cm/s (i i i ) s
= 인 경우의 정상상태 과잉 소수 캐리어 농도 대 기를 구하라. (b) (i ) 5 = 0 (i i ) s =

2000 cm/s (ii i ) s = 인 경우의 x = 0에서의 과잉 소수 캐리어의 농도를 계산하라.

，: = 0 ------- ► x

그림 P 6.41 문제 6.41 에 대한 그림

*6.42 ⑷ 그림 P6.42에 나타낸 것처 럼 다음 파라미 터 를 갖는 p 형 반도체가 있다. Na = 5

1 16 cm 3, Dn = 25 cm 2/s, t „ = 5 x 1 0_ 7 s. 두 표면에서의 표면 재결합속도는 그
림에 나타낸 바와 같다. 전계는 이다. x = 0에서 과잉 캐리어 생성률이 g ，= 2 X

1 21 c m _ 3s - 】로 되도록 반도체에 빛을 조사시킨다. 정상상태에서 과잉 소수 캐리어

전자농도 대 x 를 구하라. (b ) t „0 = »인 경우에 대 해 (a)를 반복하라.
*6.43 그림 P6.43어j 보인 n 형 반도체를 생각한다. Dp = 10 cm2/s 및 Tp0 = 로 간주하라.
전계는 이다. 과잉 전자와 정공의 흐름은 x = 0에서 조사된다고 간주한다. 각각의
캐리어 흐 름 은 1 019 c arriers /cm 2-s로 두 자 . 표면 재 결 합 속 도 가 ( a) s( W = , (b )
成H = 2000 cm/s 일 때의 소수 캐리어 정공 전류 대 를 구하라.
*6.44 그림 P6.44에 보인 p 형 반도체를 생각한다. 표면 재결합속도는 그림에 나타낸 바와
같다. 반도체의 一… < x < 0 사이에서 일정하게 빛이 조사되므로 인해 일정한 과잉
캐리어 생성률 (가이 생성된다. 만약，소수 캐리어의 수명이 무한대이고 전계가 0이
라면 정상상태 과잉캐리어 농도 대 x 를 구하라.
6.45 식 (6.1 1 3)에서 사용한 s 의 여러 값에 대해 8 p ( x ) 대 그림을 그려라. 적절한 파라미
터 값을 선택하라.

s= 0

P형 n형
J = 00 s(W)
=0 = w= 30 X lO ^ c m x == 0 X = W
W = 20 X l -4cm

그림 P 6.42 문제 6.42 에 대한 그림 그림 P 6 .4 3 문제 6.43 에 대한 그림

빛조사

______ 5=
x = —W x = 0 x = +W

그림 P 6 .4 4 문제 6.44 에 대한 그림
238 Chapter6 반도체 내에서의 비평형 과잉캐리어

요약 및 복습

*6.46 그림 P 6.41 에 보인 n형 반 도체를 생각한다. 이 반 도체는 ~ = 3 x 1 016 c m ~ 3과

= 0으로 도핑되어 있다. D p = 12 cm 2/s 이며，Tp0 = 2 x l _7s로 간주하라. 전계는 0
이다. 표면 재결합속도가 표면에서 소수 캐리어 확 산 전 류 밀 도 가 = -0.1 8 A /cm 2
보다 작도록 “설계” 하라. 이때 과잉 캐리어 생성률은 g ' = 3 x 1 21 c n r 3-s - 1로 균일
하다.
6.47 과잉 캐리어가 존재하는 어떤 반도체가 있다. 캐리어수명과 재결합률의 정의로부터
전도대 에 전자가 머무는 평균시 간과 가전자대 에 정공이 머무는 평균시간을 구하라.
이들 관계를 如 진성반도체 및 (b ) n -형 반도체에 대하여 논의하라.
*6.48 (a) 4 사m 의 두께를 갖는 G a As 포토 컨덕 터( p h o t o c o n d u c t o r) 를 설계하라. 수명은 각
각 t „0 = 1 0—7s，T/)0 = 5 x 1 0~ 8s 및 농도는 N d = 1 016 c m -3로 간주하라. g ' = 1 021

c m -느 1의 여기가 있을 때，2 V 의 전압을 인가하여 최소 2 사A 의 광전류가 필요하

다. (b ) ⑷ 에 주어진 똑같은 파라미터를 갖는 실리콘 포토 컨덕터에 적용할 때의 설
계를 반복하라.

^•고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. B u b e , R . H . P h o to e le ctro n ic P ro p e rtie s o f S e m ico nd uctors ，N e w Y o r k : C a m b rid g e
U n i v e r s it y P re ss, 1 992.
*2 . d e C o g a n , D . S o lid S tate D e vic e s: A Q u a ntum P hysics A p pro a ch . N e w Y o r k :
S p rin g e r-V e rl a g , 1 987 .
3. D i m i t r i j e v , S. P rin c ip le s o f S e m ico nd uctor D e vic e s. N e w Y o r k : O x f o r d U n i v e r s it y
P re ss, 2006.
4. H a ll, R . H . “ E l e c tr o n - H o l e R e c o m b in a tio n . ” P h y sic a l R e vie w 87 , n o. 2 ( J u l y 1 5,
1 95 2 ), p. 387 .
5. H a y n e s , J. R ., a n d W . S h o c k l e y . “ T h e M o b i l i t y a n d L i f e o f In j e c t e d H o l e s a n d
E l e c tro n s i n G e r m a n iu m . ” P h y sic a l R e vie w 81 , n o. 5 ( M a r c h 1 , 1 95 1 ), p p. 83 5 一 843.
*6 . H e s s, K . A dv a nc e d T h e ory o f S e m ico nd uctor D e vic e s. E n g l e w o o d C l i f f s , N J : P r e n tic e
H a ll, 1 988.
7. K a n o , K . S e m ico nd uctor D e vic e s. U p p e r S a d d l e R i v e r, N J : P r e n tic e H a ll, 1 998.
8. K in g s t o n , R . H . S e m ico nd uctor S urfa c e P hysics. P h il a d e lp h i a , P A : U n i v e r s it y o f
P e n n s y lv a n i a P re ss, 1 95 7 .
9. M c K e l v e y , J. P. S o lid S tate P hysics f o r E n g in e e rin g a n d M a te ria ls S cience. M a l a b a r,
F L : K r i e g e r P u b lis h in g , 1 993.
10. P i e rr e t, R . F . S e m ico nd uctor D e vic e F un d a m e nta ls. R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y ,
1 996.
11. S h o c k l e y , W . , a n d W . T . R e a d, Jr. “ S t a tis tic s o f th e R e c o m b in a tio n s o f H o l e s a n d
E l e c tro n s . ” P h y sic a l R e vie w 87 , n o . 5 ( S e p t e m b e r 1 ，1 9 5 2 ) ，p p. 835 - 842.
1 2. S in g h , J. S e m ico nd uctor D e vic e s: A n In tro d u c tio n . N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 994.
1 3. S in g h , J. S e m ico nd uctor D e vic e s: B a sic P rin c ip le s . N e w Y o r k : J o h n W i l e y a n d S o n s,
2001 .

표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

 1 4. S tre e tm a n , B . G ., an d S . K . B a n e rje e . S o lid S tate E le c tro n ic D e v ic e s , 6th e d . U p p er
S ad d le R iv e r , N J : P e a rso n P re n tic e H a ll , 2006.
*1 5. W a n g , S . F u n d a m e n ta ls o f S e m ic o n d u c to r T heory a n d D e v ic e P h y s ic s . E n g le w o o d
C liffs , N J : P re n tic e H a ll , 1 989.
1 6. W o lfe , C . M ., N . H o lo n y a k , J r ., a n d G . E . S tillm a n . P h y s ic a l P ro p e rtie s o f
S e m ic o n d u c to rs . E n g le w o o d C liffs , N J : P re n tic e H a ll , 1 989.
 … 접합

지금까지 우리는 이 책에서 반도체 물질의 특성에 대하여 고려해 왔다. 열평형에서 전자농도와

정공농도를 계산했으며 페르미 준위의 위치를 구 하 였 다 . 그때, 과잉 전자와 과잉 정공이 반도

체 내에서 존 재 하 는 비평형 조 건 에 관하여 살 펴 보 았 다 . 이제 우 리 는 n-형 반도체와 p- 형 반도

체를 서로 접촉시킨 pn 접합에 관하여 살펴보기로 한다.

대부분의 반도체 소자는 n- 형 및 p- 형 반도체 영역 사이에 적 어 도 하 나 이상의 접 합 을 포

함하고 있다. 반도체 소 자 특성과 동 작은 이 pn 접 합 들 과 밀접하게 접속되어 있어서 우 선적으

로 이 기본 소자에 상당한 관심을 쏟아야 한다.

이 장에서는 제로 바이어스된 pn 접합 및 역바이어스된 pn 접합의 정전기학에 관하여 알

아볼 것이며 pn 접 합 다 이 오 드 의 전 류 -전 압 특 성 은 다 음 장 에 서 다 루 게 될 것 이 다 . ■

7 .0 개설

이 장에서 우 리 는 다 음 을 논 의 할 것이다.

■ 균 일 하 게 도 핑 된 pn 접 합 에 관 하 여 상 정 한 다 . 이때 반 도 체 의 한 쪽 은 억 셉 터 로

균 일 하 게 도 핑 되 어 있고 그 인접 영 역 은 도 너 로 균 일 하 게 도핑되 어 있다.

■ 열평형상태 pn 접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 결 정 한 다 .

■ p영 역 과 n영 역 사 이 에 있는 공 간 전 하 영 역 의 생 성 을 논 의 한 다 .

■ 공 간 전 하 영 역의 전 계 를 결 정 하 고 내 부 전위 장 벽 을 계산 하 기 위해 Poisson 방 정

식 을 적 용 한 다 .

■ 역 바 이 어 스 전압이 인가될 때 pn 접합 에 서 발 생 하 는 변 화 를 해 석 한 다 . 공 간 전 하

폭 및 공핍 커 패 시 턴 스 에 관 한 표 현 식 을 유 도 한 다 .

■ pn 접합의 전 압 항 복 특 성 을 해 석 한 다 .

■ 불 균 일 하 게 도 핑 된 pn 접 합 의 특 성 을 상 정 한 다 . 특 수 한 도핑 프 로 파 일 은 pn 접

합의 원 하 는 특 성 을 유 도 할 수 있다.
2 스2 Chapter 7 … 접합

7.1 pn 접 합 의 기 본 구 조
그림 7.1 a 에 pn 접 합 을 도 식 적 으 로 나 타 내 었 다 . 중 요 하 게 인 식 해 야 할 것은 반도체 전
체 영 역 은 단결정 물 질 이 며 한 영 역 은 억셉터 원 자 가 도 핑 된 p 형 이 고 인 접 한 영 역 은
도너 원 자 가 도 핑 된 n 형 이 다 . n 영역 과 p 영역의 접촉면이 분 리 되 는 계 면 을 금 속 학 적 접
합 (m e ta llurgic a l ju n c tio n ) 이 라고 부른다.

P 영역과 n 영역에서의 불 순 물 도 핑 농 도 를 그림 7.1 b 에 나 타 내 었 다 . 간략화시키기 위

해 ，도 핑 농 도 는 각 영역 내 에 서 는 일 정 하 고 접 합 부 에 서 는 도핑이 가 파 르 게 변 화 하 는
계 단 접 합 (step ju n c tio n ) 이라 고 생 각 하 겠 다 . 먼 저 ，금속학적 접합에서 전 자 와 정 공 농 도

는 매우 큰 밀도 기 울 기 를 갖게 된다. n 영역 내의 다 수 캐 리 어 인 전 자 는 p 영 역 으 로 확
산하기 시 작 하 며 ，P 영역 내의 다 수 캐 리 어 인 정 공 은 n 영역으로 확 산하게 된다. 반도체
를 외부 로 접속시키지 않 는 다 면 이 확 산 과 정 은 계 속 적 으 로 진행되지 않게 된다. n 영역
으 로부터 전 자 가 확 산 함 으 로 써 양 으 로 대전된 도너 원 자 가 남게 될 것이 다 . 마찬가 지
로 ，p 영역으로부터 정공이 확 산 함 으 로 써 음 으 로 대전된 억셉터 원 자 가 나타나게 된다.
n 및 p 영역 내의 순 수 양 및 음의 전 하 는 금 속 적 인 접합영역 근 처 에 서 양의 방향에 서
음의 방 향 으 로 ，즉 n 영역에서 p 영역으로 전계를 유기시킨다.
순 수 양 및 음 으 로 대전 된 영 역 을 그림 7.2에 나 타 내 었 다 . 이들 두 영 역 을 공 간 전 하
영 역 (space charg e re gio n ) 이라 고 부 른 다 . 모 든 전 자 와 정 공 은 전계에 의해서 공 간 전 하

영 역 밖으 로 없어지게 된다. 공 간 전 하 영역은 유 동 전 하 가 고갈 된 곳 으 로 이 영 역을 다

른 말 로 공 핍 영 역 (d e ple tion re gio n ) 이 라 고 도 부 른 다 . 이들 두 용 어 는 서로 바꿔서 사 용
하 기 도 한다. 공 간 전 하 영역의 각 끝 에 는 다 수 캐리어 농 도 가 있 으 므 로 밀도 기 울 기 가

Na 음전하 Nd 양전하

접합
(a)

Nd
저 고 회•人 V

、卜의• T_r

x= 0
(b)

그림 7.1 (a) … 접합의 간략화된 그림 (b) 이상

적으로 균일 도핑된 pn 접합의 도핑 프로파일
존재 하게 된다. 우 리 는 이 밀도 기 울기를 다수 캐리어에 작 용 하 는 “확 산 력 ” 을 생 성 한 다
고 생 각 할 수 있다. 공 간 전 하 의 끝에서 전 자 와 정공에 작 용 하 는 이들 확 산 력 을 그림에
나 타 내 었 다 . 공 간 전 하 영역에 있는 전 계 는 각 입자에 대하여 확 산 력 과 반 대 인 방 향 인
전 자 와 정공에 또 다 른 힘 을 가하게 된다. 열평형에서 확 산 력 과 E -전 계 력 은 정확히 서
로 균 형 을 이루게 된다.

7. 2 제 로 인 가 바 이 어 스

우 리 는 앞서 기본적인 pn 접합 구 조 와 어떻게 공 간 전 하 영역이 형 성 되 는 가 를 간단하게

살 펴 보 았 다 . 이 절 에 서 는 어 떠 한 전 류 도 흐르지 않고 외부에 어 떠 한 힘 도 인가시키지
않는 열평형상태에서의 계 단 접 합 특성 에 관하여 논 의 하 겠 다 . 또 한 공 핍 영 역 에 서 의 공
간 전 하 영역 폭，전계 및 전 위차 등 을 구하게 될 것이다.
이 장 에 서 는 앞 장들에 서 고 려 한 두 가지 가정에 근 거하여 해 석 한 다 . 첫 번째 가정
은 B oltz m a n n 근 사 가 유 효 하 다 는 것으 로 이는 각 반도체 영역이 de ge n erate d 되지 않게
도 핑 된 것 을 의 미 한 다 . 두 번째 가 정 은 완전 이 온 화 된 것 으 로 이는 pn 접합의 온 도 가
“너무 낮지 ” 않다 는 것이다.

7 .2 .1 내부 전위 장벽

만 약 pn 접 합 양단에 전 압 을 인가하지 않 는 다 고 한 다 면 접 합 은 페르미 에너지 준 위 가

시스템 전체 영역에서 일 정 한 열평형 에 있게 된다 . 그림 7.3에 열평형에 있는 pn 접합
의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 나 타 내 었 다 . 전도대 및 가전자대 에 너 지 는 공 간 전 하 영역
을 통 과 할 때에 P 및 n 영역간의 페르미 에너지 변화에 대한 전도대 및 가전자대의 상대
적 위치 때문에 휘어지게 된다.
n 영역의 전도 대에 있는 전 자 는 p 영역의 전 도 대 로 이 동 하 려 고 할 때에 전위 장 벽 을
느 끼 게 된 다 . 이 전위 장 벽 을 내 부 전 위 장 벽 (b u ilt-in p o t e n tia l b a rrie r ) 이 라 고 부르 며

그림 7 . 3 열평형에 있는 pn 접합의 에너지밴드 다이어그램

244 Chapter 7 … 접 합

、，
.로 표 시 한 다 . 내 부 전위 장 벽 은 n 영역에 있는 다 수 캐리어 전 자 와 p 영역에 있는 소
수 캐리어 전 자 사이 에 평 형 을 유 지 시 키 며 ，또 한 p 영역에 있는 다 수 캐리어 정 공 과 n
영역에 있는 소 수 캐리어 정공간의 평 형 을 유 지 시 킨 다 . 접합에 걸 리 는 이 전 위 차 는 전
압 계 로 는 측 정 할 수 없다. 그 이 유 는 프 로 우 브 와 반 도 체 사 이 에 새 로 운 전위 장벽이
생 겨 서 。 를 상쇄시키기 때문이 다 . 전 위 。 ，
•
는 평 형 을 유지시키며 이 전 압 으 로 전류 를
흐르게 할 수 없다.
진성 페르미 준 위 는 접 합 전체에 걸쳐서 전도대 끝 에 서 부 터 등 거 리 이 므 로 , 내부 장
벽은 P 및 n 영 역에 있는 진성 페르미 준위 사이의 차로써 구 할 수 있다. 그림 7.3에 나
타낸 것처럼 전위 및 4>Fp 정의 할 수 있으므로 다 음 과 같이 표 현 할 수 있다.

Vbi = \(j) Fn\ + \<l) Fp\ (7.1 )

n 영 역 에 있어서 전도대 내의 전자 농 도 는 다 음 과 같이 주어진다.

n = N c exp 니 kT E f> (7-2)

이것 은 또 한 다 음 과 같은 형 태로 쓸 수 있다.

n = rii exp E h (7.3)

여기서 «,■와 公F，

■는 각 각 진성 캐리어 능도 및 진성 페르미 에 너 지 를 나 타 낸 다 . n 영역에
서 전위 小 F„ 는 다 음 과 같이 정의 할 수 있다.

^ F n = E Fi — E F (7.4)

그 러 므 로 식 (7.3)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

n = n , exp (쌓 ’' (7.5)

식 (7.5)의 양 변 을 자연 대 수 를 취하 고 « = N d 로 놓 고 전위에 대해서 풀면 다 음 을 얻

는다.

如 = 그F ] n (유 ) (7-6)

유사하게 P 영역에서 정 공 농 도 는 다 음 과 같이 주어진다.

p = N a = Hi exp EF，
kf — (7.7)

여기서 N a는 억셉터 농도이다 . p 영 역에서 전위 4>F p를 다 음 과 같이 정의 할 수 있다.

e (l) Fp = E fi 一 Ep (7.8)
 7.2 제 로 인 가 바 이 어 스 245

식 (7.7)과 식 (7.8)을 조합하면 다 음 식처럼 된다.

ln ( ^ ) (7.9)

마 지 막 으 로 ，계단접합에 대 한 내부 전위 장 벽 은 식 (7.6)과 (7.9)를 식 (7.1 )에 대입하면

다음 식처럼 된다.

야 ln ， 卜 시 쀍 (7.1 0)

여기서 V"f = 쇼77《 이며 열전압 (th erm al volta g e ) 이라고 부른다.

이 시점에서 우 리 는 표기법 이 난 해 하 다 고 생 각 할 수 도 있 겠 지 만 표 기 법 은 매 우 중
요 하 다 는 사실에 주 의 해 야 한다. 앞에서 반도체 물 질 을 논 의 할 때에 N d9 \ N a는 같 은 영
역 내에서의 도너 및 억셉터 불 순 물 농 도 라 고 표 기 하 였 는 바 , 그런 까닭에 보 상 반도체
를 형 성 하 게 된다 . 이 책에 있는 이 러한 점 으 로 부 터 N d와 N a는 각각의 n 과 p 영 역에서
순 수 도 너 와 억셉터 농 도 라 는 사 실 을 알 아 야 한다 . 예 를 들 면 ，p 영 역 이 보 상 물질이 라
면 N a는 실제의 억셉 터 와 도너 불 순 물 농 도 간 의 차 를 나 타 내 게 될 것 이 다 . n 영역에 대
한 파라미 터 ~ 는 같 은 방 식으로 정 의 할 수 있다.][S

[S ] pn 접합에서 내부 전위 장 벽 을 계산하라.
T = 300 K에서 Na = 2 x l 017 cirT3 및 = 1 015 cm-3로 도핑된 실리콘 pn 접합이 있
다.

풀이
내부 전위 장벽은 식 (7.1 0)으로부터 구할 수 있다.

八 = % In ( 뚜 ) = (0.0259) In = 0.713 V

만약 … 접합의 p형 영역에 있는 도 핑 농 도 를 ^ = 1 01 6cm_ 3로 변 화 시 키 고 & = 1 015

cm-3로 하면 내부 전위 장벽은 八,. = 0.635 V로 된다.

내부 전위 장벽차는 그 대수적 의존성 때문에 그 도핑농도가 몇 승(orders)이나 변화하여도

약간밖에는 변화하지 않는다.

연습^^
E x 7.1 ( a) T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합에 있어서 다음에 대한 빌트-인 전위 장벽
을 계산하라. (i ) N a = 5 x 1 15 c m -3, N d = 1 017 c m 一3 (i i ) N a = 2 x 1 016 c m - 3, N d = 2 x
1 015 c m - 3 (b) G a As pn 접합에 대한 (a )를 반복하라.
[ A P V l (??) ‘ A 02 'I (?) (<?) U 9_ 0 (?.0 ‘ A 9EZ. 0 (!) (») s u y ]
246 Chapter 7 … 접합

p (C/cm3)
P
+ e N d --------------

一xp

그림 7.4 계단 접합 근사로 간주한 균일하

게 도핑된 pn 접합의 공간전하 밀도

7. 2. 2 전계

전 계 는 양 과 음의 공 간 전 하 밀도 가 분 리 됨 으 로 인해서 공 핍 층 내에 생 성된다. 그림 7.4

에 균일 도핑 및 계단 접 합 근 사 를 가 정 한 pn 접합 내의 체적 전 하 밀 도 분 포 를 보인다.
여기서 우 리 는 공 간 전 하 영역이 c= + 사의 n 영역 끝에서 갑자기 끝 나 며 ，x = - xp( xp
는 양의 값)의 P 영역 끝에서 갑자기 끝 난 다 고 가정하겠다.
전계 는 일차원적 해석인 다음의 Poisson 방정식으로부터 구 할 수 있다.

d 24>(x) _ - p ( x ) _ d E (x ) (j j j -v

~ d? ^ 一 瓦 T .

여기서 必⑴는 전 위 ，E W 는 전계, 써지는 체 적 전 하 밀 도 ，e, 는 반 도 체 의 유 전 률 이 다 . 그

림 7.4로부터 전 하 밀 도 는 다음 식처럼 된다.

p(x) = —e N a —xp < jc < 0 (7 . 1 2 a )

p(x) = e Nd 0 < a < (7 . 1 2 b )

p 영역 내에서의 전계는 식 (7.1 1 )을 적분함으로써 구 할 수 있으며, 다 음 식처럼 된다.

E = J ^ - dx= ~ J ^ W~dx = Z T r x + C> (7.1 3)

여기서 이 은 적 분 상 수 이 다 . 전 계 는 열평형에서 전 류 가 영 이 므 로 x < —유인 중성 p 영

역 내 에 서 는 영이다. pn 접 합 구 조 내 에 는 표 면 전 하 밀 도 가 없 으 므 로 전 계 는 연 속 함 수
로 된다. 적 분 상 수 는 x = 一사에서 E = 으 로 놓 고 구 할 수 있다. 따라서 P 영역 내에
서의 전계는 다 음 과 같이 주어 진다.

E = — + x p) —xp < a: ^ 0 (7.1 4)

 7.2 제 로 인 가 바 이 어 스 W

n 영역 내에서의 전 계는 다 음 식에서 구 할 수 있다.

E = j 뿌 d세 나 Cl (7 -1 5 )

여기서 ( 2도 적 분 상 수 이 다 . 상 수 C 2는 전 계 가 n 영역 내에서 영 이 고 연 속 함 수 이 므 로 x
= 사에서 E = 0으 로 놓 고 구 할 수 있으며，다 음 식처럼 된다.

E = —§ ^ - ( xn — x) 0< x ^ (7.1 6)

전 계 는 금속 적 인 접 합 ，즉 I = 0에서 역시 연 속이다. 식 (7.1 4) 및 (7.1 6)을 x = 0에서

서로 같게 놓으 면 다음처 럼 된다.

Naxp = Ndxn (7.1 7)

식 (7.1 7)은 p 영역 내에서 의 단 위 면 적 당 음 전 하 의 수 는 n 영역에서 의 단 위 면 적 당 양전

하의 수 와 같다 는 것을 의 미한다.
그림 7.5는 공핍영역 내에서의 전계 를 나타낸 것이다. 전계의 방 향 은 n 영역에서 p 영
역 쪽 으 로 향한다 . 즉 이 그림의 -X 방 향 으 로 향한다. 균일하게 도핑된 pn 접합에서 E -
전 계 는 접합에 걸쳐서 거리의 선형 함 수 이 고 최 대 (크 기 ) 전 계 는 금속학적 접합에서 나
타나게 된다. P 및 n 영역 사이에 전압이 인가되지 않 을 지 라 도 공핍영역 내 에 는 전 계 가
존재한 다.
접 합 내에 서의 전 위 는 전 계 를 적 분 함 으 로 써 구 할 수 있다. p 영역 내 에 서 는 다 음 과
같이 된다.

c/)(x) = — J E (x)d x = J컬 + xp)d x (7.1 8)

:혹 은 •

4>(x ) = 추 + xp x^j + C[ (7.1 9)

그림 7 . 5 균일하게 도핑된 pn 접합의 공 간 전 하 영역에서의 전계

여기서 다 은 적분상 수 이 다 . pn 접합 양단의 전 위 차 는 절대 전위 가 아닌 중 요 한 파라미
터 이 므 로 우 리 는 임 의 로 x = —유에서 전 위 를 영 으 로 놓 아 도 된다. 이때 적 분 상 수 는
다 음 과 같이 된다.

C[ = ^ x 2p (7.20)

따라서 P 영역 내에서의 전위 는 다 음과 같이 쓸 수 있다.

(l>(x ) = (x + xpf ( ~ xp < X < 0) (7.21 )

n 영역 내에서 의 전 위 는 n 영역 내에서의 전 계 를 다 음 과 같이 적 분 함 으 로 써 구 할 수

있다.

<j)( x ) = J ^ ^ ( xn — x)dx (7.22)

그때 전위 는 다음처 럼 된다.

…⑴ = 뿌 [ xn - x - ^ + C[ (7.23)

여기서 C 2' 는 또 다 른 적 분 상 수 이 다 . 전 위 는 연 속 함 수 이 므 로 금 속학적 접 합 ，즉 x = 0

에서 식 (7.21 )과 (7.23)을 같게 놓으면 다음처럼 된다.

더 一 ^ (7.24)

n 영역 내에서의 전위 는 다 음 식과 같다.

4>(x ) = x — 늘) + ~2^ ~ ( —^ —x n) (7.25)

그림 7.6은 접 합 전체에 걸친 그 림 으 로 거리의 제곱에 비 례 하 는 의 존 성 을 보 인 다 .

^ = 사에서의 전위의 크 기 는 내부 전위 장 벽 과 같다. 그때 식 (7.25)로부터 다 음 식 을

그림 7 .6 균일하게 도핑된 pn 접합의 공 간 전 하 영역 전체에 걸친 전위

얻는다.

Vw = \4>(x = x n)\ = 융 { N dx l + N y p) (7.26)

전자의 전위 에 너 지 는 = _ 째 로 주 어 지 며 ，이것 은 전 자 전 위 차 에 너 지 도 공 간 전 하
영역 전체에 걸쳐서 거리의 제곱에 비 례 한 다 는 것을 의 미 하 는 것이다. 그림 7.3에서 보
일 때 에 는 곡선 의 정 확 한 모 양 은 이해하지 못 했 었 지 만 , 거리의 제곱에 비 례 하 는 제 곱
의 존 성 을 그림 7.3에 에너지밴드 다 이 어 그 램 으 로 나타낸 바 있다.

7. 2. 3 공 간 전 하 폭

우 리 는 공 간 전 하 영역이 금속학적 접합으로부터 p 및 n영역으로 확 장 되 는 거리를 구 할

수 있다. 이 거 리 를 공간전하폭(Space Charge Width) 이라고 부 른 다 . 식 (7.1 7)로부터 다
음 식과 같이 쓸 수 있다.

r _ NdXn (7.27)
p ~ ~ n 7

이때 식 (7.27)을 (7.26)에 대입하여 사에 대해서 풀면 다음 식 을 얻는다.

(7.28)
關 I Na + Nd

식 (7.28)은 인가 전 압 이 0일 때 n-형 영 역 으 로 확 장 해 간 공 간 전 하 폭 , 즉 공핍 영역의

폭 사 이 다.
유사하게 식 (7.1 7)을 사 에 대해서 풀어 식 (7.26)에 대입하면 다 음 과 같이 된다.

U /2
Xp
s V bi (7.29)
k . 세

여기서 •
우는 인가전압이 영일 때 p 영역으 로 확장해 간 공핍영역 폭이다.
총 공핍 폭 , 즉 공 간 전 하 폭 …는 이들 두 성분의 합으 로 다음 식 과 같다.

W = xn + xp (7.30)

식 (7.28)과 (7.29)를 이용하면 다 음 식을 얻는다.

化: \2esVbl r 見 + 八이i 1 /2
(7.31 )
1 e N Nd Jj

내부 전위 장 벽 은 (7.1 0)으로부터 구 할 수 있고, 이때 총 공 간 전 하 폭 은 식 (7.31 )을 이용

하여 얻는다.
250 Chapter 7 … 접합

■ ■ 대 ■ pn 접합에서 공 간 전 하 폭 과 전계 를 계산하라.
T = 300 K 에서 Na = 1 016 c m - 3과 = 1 015 c m _ 3로 도핑된 실리콘 pn 접합을 상정
한다.

예제 7.1 에서 내부 전위 장벽은 V、 = 0.635 V 이었다. 식 (7 .31 )로부터 공간전하 폭은 다음

과 같다.
[ 2 e sV bi \ N a + A내 1，
2
w =
1 e N aN d Jj
_ [2(1 1 .7 )(8.85 X 1 0_ 14)(0.635) 1016+ 10151 ]1/2
_ I 1 .6 X 1 0 一19 (1016)(1015) j j
= 0.951 X 1 0-4 cm = 0.951 / x m

식 (7.28)과 (7.29)를 이용하면 x „ = 0.8644 m , xp = 0.0864 이다.

예를 들기 위해서 식 (7.1 6)을 이용하면 금속학적 접합에서 최대 전계는 다음과 같다.

(1 .6 父 1 - ' 9)(1 0 15)(0.8644 X 1 0_ 4)

= - 1 . 3 4 X 1 04 V /cm
(1 1 .7)(8.85 X 1 0 14)

區 3

pn 접합의 공간전하 영역 내에서의 최대 전계는 매우 크다. 그러나 우리는 이 영역 내에는

유동전하가 없다는 사실에 유의해야 한다. 따라서 드리프트 전류는 흐르지 않는다. 우리는
또 이 예제로부터 각 공간전하 영역폭은 도핑농도에 반비례하는 함수라는 사실에 주의할
필요가 있다. 공핍 영역은 적게 도핑된 영역 쪽으로 보다 많이 확장된다.

연습
E x 7.2 T = 300 K 에서 인가 전압이 없는 실리콘 p n 접합에 있어서 도핑농도는 Nd = 5

X 1 016 c m _ 3, Na = 5 x 1 015 c m -3 이다. xn, xp, W 및 IEmaxl를 구하라.

( u id / a ^ i x 8I' = n 'w o s_ l X JS'f = /H X II> = dc ‘u »9- 이 X I I > = t s u v )

이해도 평가

T Y U 7.1 T = 3 0 0 K 에서 인가 전압이 없는 실리콘 p n 접합에 있어서 도핑농도가 (a ) N a

= 2 x 1 17 c m - 3 , N d = 1 0 16 c m - 3 및 (b ) 7Va = 4 x l 15 c m - 3 , N d = 3 x 1 0 16

c m - 3인 경우의 V b,.， xp ， W 및 IEmaxl를 구하라. [삐 /A ,01 X 9L'Z

= r '-g l ‘I배 WOSO = M 너6 9 t f = dx ‘urrf 96S 0 0 = ux ‘八 6690 = nA (功 뼤 、 t公I 父

LL'V = 'ui-nf ^ = M ‘出竹 K 1 0 0 = dx ‘im f S80 ' 0 = 방 ‘A ZLL'O = 'qA (v) 's u y ]
T Y U 7.2 G aA s pn 접합에 대한 연습문제 E x 7 .2 를 반복하라. 如 /쇼兩1 x 98' = |계
‘uj t Y的 1 9.0 = M ‘uiTTf 06SS 0 = dx ‘ui，
rf 6gg = ， ‘八 9 8 r i = !qA ' SW )
 7.3 역 방 향 인 가 바 이 어 스 25 1

7. 3 역방향 인 가 바 이 어 스

만약 P 및 n 영 역 사이 에 전 위 를 인가시 키면 그 때 에 는 더 이 상 평 형 상 태 가 아 니 다 . 즉
페르미 에너지 준 위 는 시스템 전체에 걸쳐서 더 이 상 일정하지 않다. 그림 7 .7 에 p 영역
을 기 준 으 로 n 영역에 양인 바 이 어 스 를 인 가 했 을 경우의 pn 접합의 에 너 지 밴 드 다이어
그 램 을 보 인 다 . 양의 전 위 가 아 래 쪽 으 로 향함에 따 라 n 쪽의 페르미 준 위 는 p 영역의 페
르미 준 위 보 다 아 래쪽에 오게 된다. 둘 사이의 전 위 차 는 에너지 단 위 로 표 현 되 는 인가
전 압과 같다.
V tQtal로 표 시 되 는 총 전위 장 벽 은 증가하 게 된다. 인가 전 위 차 는 역방향 바 이 어 스 조

건이다. 총 전위 장 벽 은 다 음 과 같다.

V tm a l = + \4>f p \ + VR (7 .3 2 )

여 기 서 、 은 인 가 한 역방 향 바 이 어 스 의 크 기 를 나 타 낸 다 . 식 (7 .3 2 ) 는 다 음 과 같이 다
시 쓸 수 있다.

= vb, + VR (7.33)

여기서 ∼는 열평형에서 정의했던 내부 전위 장 벽 과 똑같다.

7.3.1 공 간 전 하 폭 과 전 계

그림 7.8에 역 방향 바 이 어 스 。 을 인 가 한 매 접 합 을 보 인 다 . 이 그림에 공 간 전 하 영역
내에서의 전계 및 인가전압에 의해서 유기 된 전계 E app도 보 였 다 . 중 성 인 p 및 n 영역에
서의 전 계 는 이 거 나 극히 작 으 며 ，이 것 은 공 간 전 하 영역 내의 전계의 크 기 는 인 가 한
전압에 의해 열평 형에서의 전 계 보 다 더 크 다 는 것을 의 미 한 다 . 전 계 는 양의 전 하 쪽에
서 시 작하여 음의 전하 쪽에서 끝 난 다 . 이 것 은 전 계 가 증 가 하 면 양 및 음의 전 하 수 효
도 증 가 해 야 한 다 는 것을 의 미 한 다 . 주 어 진 불 순 물 도 핑 농 도 에 대해 공핍 영역 내에서

及C

ef„

E Fi

Ev

그림 7 .7 역방향 바이어 스 하에 있는 pn 접합의 에너지밴드 다이어그램

252 Chapter 7 pn 접합

Eapp

------------------------------ O - Vr + 0 ------------------------------

그림 7.8 역방향 바이어스 전압을 인가한 pn 접합에서 ∼에

의해 유기된 전계의 방향 및 공간전하 전계를 보이는 그림

의 양 및 음의 전 하 수 효 는 공 간 전 하 폭 " 가 증 가 할 때 에 만 늘 어 난 다 . 그 러 므 로 역방향
바 이 어 스 전 압 。 이 증 가 함 으 로 써 공 간 전 하 폭 " 가 증 가 한 다 . 우 리 는 벌크 !! 및 P 영역
에서의 전 계 는 이라고 가정해 왔다. 이 가 정 은 다 음 장에서 전 류 -전 압 특 성 을 논 할 때
명확하게 될 것이다.
앞의 모 든 식에서 내부 전위 장 벽 은 총 전위 장 벽 으 로 바꿔 표 현 할 수 있다. 총 공 간
전 하 폭 은 식 (7.31 )로부터 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

W = (7.34)
왼 부 되 람

이 식 을 보면 역방 향 바 이 어 스 전 압 을 인가함에 따 라 총 공 간 전 하 폭 이 증 가 하 는 것을
알 수 있다. 총 전위 장벽 V total을 식 (7.28)과 (7 .29)에 대 입 시 키 면 ，각 각 n 및 p 영역
내에서 의 공 간 전 하 폭 은 인 가 한 역 방 향 바 이 어 스 전압의 함 수 라 는 것을 알 수 있을 것
이다.

I 목적 I 역방 향 바 이 어 스 전 압 을 인 가 했 을 때 pn 접 합 내에서의 공 간 전 하 폭 을 계 산 하
라-
다시 한 번 r = 300 K 에서 Na = 1 016 c m -3 과 사d = 1 015 c m 一3로 도핑된 실리콘 pn 접
합을 생각한다. = 1 .5 x 1 10 c m - 3 및 。 = 5 V로 가정한다.

■田 ]
내부 전위 장벽은 예제 7.1 에서 Vbi = 0.635 V 로 계산된 것을 이용한다. 공간 전 하 폭은 식
(7.34)로부터 계산할 수 있으며，다음과 같다.

| 2 ( 1 1 .7 ) ( 8 .8 5 X 1 - 14) ( 0 .6 3 5 + 5 ) 1016+ 1 0 15] |

1 1 .6 X 1 0 시9 [ ( 1 0 16) ( 1 0 15) J |

W = 2 .8 3 X 1 0 ' 4 c m = 2 .8 3 jLtm

區S
공간전하폭은 제로 바이어스일 때 0.951 /a m 이었다가 5 V 의 역방향 바이어스를 인가하면
2.83 yum로 증가하게 된다.
 7.3 역 방 향 인 가 바 이 어 스 253

연습문제
Ex 7.3 (a ) T = 3 00 K 에서 N a = 5父 1 015 c m —3과 N d = 5 x 1 016 c m -3 로 도핑된 실리콘
pn 접합이 있다. 역방향 바이어스 전 압 。 = 4 V 로 인가되어 있다. Vhi, x n, xp 및 ，를 구하
라. (b )。 = 8 V 일때 ( a )를 반복하라. [ra-rf 9Z.S I = M z£Vl = dx ‘에 ZZVYQ
= "x ‘ 8 U . 0 = ,qA iR) -wrl 6 g r i = M 방니 f S O 'I = 今 ‘u! 竹K O I' O = •
士‘ A 8I Z /0 = lqA (») su y]

공핍 영역 내에서의 전계의 크 기 는 인가 한 역방향 바 이 어 스 전압에 따 라 증 가 한 다 . 전

계는 식 (7.1 4) 및 (7.1 6)에 주어져 있으며 ，공 간 전 하 영역 전체에 걸쳐서 거리의 선형 함
수 이 다 . 역방 향 바 이 어 스 전압의 증가 에 따 라 시 과 유 가 증 가 하 기 때문에 전계의 크기
도 역시 증가하게 된다. 최대 전계는 계속 금속학적 접합에 생긴다.
금속학적 접합에서의 최대 전계 는 식 (7.1 4)와 (7.1 6)을 이용하면 다음처럼 된다.

E max = :측 느 = : 쓴 (7.35)

만 약 식 (7.28)이나 (7.29)의 한 식에 총 전위 장벽 V노 을 이용하여 표 현 하 면 다 음

식과 같이 된다.

2 e ( Vbl + VR) / NaNd U /2

(7.36)
匕 \ Na + hN d )

한 편 ，pn 접합 내에서의 최대 전 계를 다음 과 같이 쓸 수 도 있다.

_ 2 ( Vb, + VR)
F
■Lmax - (7.37)
w

여기서 …는 총 공 간 전 하 폭 이 다 .

[ ^ W 1 최대 전계 및 전압인 사 양 조 건 을 얻는 데 핑요하 pn 접함음 섬계하라. 혈 ■ 田 1B H

T = 300 K 에서 = 5 '乂 1 017 c m - 3로 p 형 도핑된 실리콘 pn 접합이 있다. = 25 V
로 역 바이어스를 인가하였을 때，최대 전계가 IEmaxl = 2.5 x 1 5 V /c m 가 되기 위해 필요한
n 형 의 도핑농도를 구하라.

■田 ！
최대 전계는 식 (7.36)으로 주 어 진 다 .。 에 비해 V、 는 무시할 수 있으므로 다음을 얻는다.
f 2 e V R lt N a N d \
l^ a xl = [ es \[ N a + N d ]

혹•
은

[ 2(1 .6 X l - 19)(25) (2 X 1 0 i7) N d 11

2.5 父 1 05 =
1 (1 1 .7)(8.85 X 1 0 - 14) [ 2 X 1 017 + N d J j
따라서 다음을 얻는다.

Nd = 8.43 X 1 015 c n r 3

■
어 떤 주어 진 역방향 바이 어스에 있어 서 Nd 값이 작을수록 IEmaxl 값이 작아진다. 따라서 이
예제에 있어서 구 한 서 i 값은 사양값을 만족시키는 최댓값이다.

연습^^
E x 7.4 (a ) T = 300 K 에서 역방향 바이어스 되어 있는 어떤 G aA s p n 접합의 최대 전계
는 IEmaxl = 7 .2x l 4 W c m 이다. 도핑농도는 八노 = 5 x 1 15 cm - 3，Na = 3 x 1 16 c m —3이다.
인가할 수 있는 최대 역방향 바이 어스 전압을 구하라. (A \Z '£ = HA ' s w )

7. 3. 2 접합 커 패 시 턴 스

공핍영역 내에서 양 및 음의 전 하 가 분리되기 때문에 커 패 시 턴 스 는 pn 접 합 과 관 계 가

있게 된다. 그림 7.9에 및 로 역방향 바 이 어 스 전압이 인가될 때 공핍영역 에
서의 전 하 밀 도 를 보인다. 역방향 바이 어스 전압이 ^ 만 큼 증 가 하 면 n 영 역 에는 증분의
양 전 하 가 그 리 고 P 영 역 에 는 증분의 음 전 하 가 생기게 된다. 접 합 커 패 시 턴 스 는 다 음 과
같이 정의된다.

( 네 (7.38)

그림 7.9 균일하게 도핑된 pn 접합에 있어서 역방향 바이어

스 전압의 미분변화에 따른 공간전하폭의 미분변화
 7.3 역 방 향 인 가 바 이 어 스 255

여기서 C後 '은 다 음 과 같다.

d Q ’ = e Nd dxn = e N a dxp (7.39)

미 분 전 하 d Q r 의 단 위 는 C /cm 2이며 커 패 시 턴 스 C ’ 의 단 위 는 farads / cm 2 ( F /cm 2)，혹 은

단위 면적 당 커패시턴 스이 다.
총 전위 장벽에 관 한 식 (7.28)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

l2 e s(V bi + VR) 1지 i 11 (7.40)

1 e k J [紙 + 八，J j

접합 커 패 시 턴 스 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

C (7.41 )
dS r eN^ k

따라서 접합 커 패 시 턴 스 는 다 음 과 같다.

eesN ^ d yn
C = (7.42)
2(V bi + VR)(N a + N d) j

정 확 한 커 패 시 턴 스 표 현 식 은 p 영역으 로 확 장 되 는 공 간 전 하 영역 유를 고려 함 으 로 써 얻
어진다. 한 편 ，접합 커 패 시 턴 스 는 공 핍 증 커 패 시 턴 스 (d e ple tion la y er c a pacitance )로 부르
기도 한다.

_ pn 접합의 접합 커 패 시 턴 스 를 계산하라. 1■ ■ 전 M
예제 7.3에서 주어진 것과 똑같은 pn 접합을 생각한다. 역 시 。 = 5 V 로 간주하라.

접합 커패시턴스는 식 (7.42)로부터 다음과 같이 된다.

, _ f(1 .6 X 1 - 19)(1 1 .7 )(8.85 X 1 0 -14)(1 0 ,6)(1 0 15)1 '/2

"" [ 2(0.635 + 5 )(1 0 16 + 1 015) J

또는

C = 3 .的 X 1 0—9 F/cm 2

만약 ，pn 접합의 단면적이 A = 1 -4 cm 2이라면 총 접합 커 패 시 턴 스 는 다 음 과 같다.

C = C ' -A = 0.366 X 1 0 12 F = 0.366 pF

(S J
접합 커패시턴스의 값은 보통 p F ，혹은 그 이하 범위이다.
256 Chapter 7 … 접합

연습 문제
E x 7.5 (a ) T = 300 K 에서 Na = 5父 1 015 c m —3, Nd = 2 x l 016 c m —3로 도핑된 G aA s pn
접합을 상정한다. ( a ) 。 ,를 계산하라. (b ) 心 = 4 V 일 때 접합 커패시턴스 C' 를 구하라. (c )
。 = 8 V 일 때 (비를 반복하라.
[fiu a /d 6-01 X 9 '9 = ,3 iP) 6-01 X 81 ?'8 = ,D (功 -A 91 1 = !qA ( ) . SUV ]

역방향 바 이 어 스 상태의 공 간 전 하 영역의 총 공 핍 폭 …에 관 한 식 (7.34)와 접 합 커

패시 턴스 C ' 에 관 한 식 (7.42)를 비교하면 다 음 과 같이 표 현 할 수 있다.

C ，= 드 (7.43)

식 (7.43)은 평 행 판 커패시 터 의 단 위 면 적 당 커 패 시 턴 스 로 표 현 한 것 과 똑 같 은 형태이

다. 그림 7.9를 고 려 하 면 ，앞 에 서 와 똑 같 은 결론에 도 달 한 다 . 접 합 커 패 시 턴 스 역시 pn
접합에 인가된 역 방향 바이 어스의 함 수 이 므 로 공 간 전 하 폭 은 역방 향 바이 어스 전압의
함 수 라 는 사실에 주 목 할 필요가 있다.

7. 3. 3 일방 접합

일 방 접 합 ( on e-sid e d ju n c tio n )이라고 부 르 는 특 별 한 pn 접합 을 생 각한다. 만 약 ，예를 들

어 N a » ~ 라 면 이 접합 을 p+ n 접합이 라고 부 른 다 . 식 (7.34)로부터 총 공 간 전 하 폭 은
다 음 과 같이 된다.

- P ， 은T (7.44)

및 유에 대한 표 현 식 은 p + n 접합에서는 다 음 과 같이 된다.

자《 爲 (7.45)
및

切" = 지 (7.46)

대부분 의 전 체 적 인 공 간 전 하 층 은 적게 도 핑 된 쪽 으 로 확 장 하 게 된다. 이 효 과 를 그림
7 .1 0에 보인다.
p + n 접합의 접합 커패시 턴 스 는 다 음 과 같이 된다.

eesN d f
C « (7.47)
2(V b, + VR) \

일방 접합에 서의 공 핍 층 커 패 시 턴 스 는 적게 도핑된 영역 내에서의 도핑농도의 함수이

다. 식 (7.47)을 다른 형태로 쓰면 다 음 과 같다.

2(V bi 土 VR)
(7.48)
(士 )2 = eesN d
 7.3 역 방 향 인 가 바 이 어 스 257

p+ n
+ e N d -------------

그림 7.10 일방 p-n 접합의 공간전하밀도 그림 7.11 균일하게 도핑된 pn 접합의

(I/O 2 대 ^

이 식 을 보면 커패시턴스 제곱근의 역수는 인가한 역방향 바 이 어 스 전압의 선형함수임

을 알 수 있다.
그림 7.1 1 은 식 (7.48)을 그 림 으 로 나타낸 것이다. 접합의 내부 전 위 는 곡 선 을 (1 /C ') 2
= 인 점에 외 삽 함 으 로 써 구 할 수 있다. 곡선의 기 울 기 는 접합에서 적게 도 핑 된 영역
에서의 도핑농도에 반 비 례 한 다 . 따라서 이 도 핑 농 도 는 실 험 적 으 로 구 할 수 있다. 이 커
패 시 턴 스 를 유 도 하 는 데에 사 용 한 가 정 에 서 는 두 반도체 영역에서의 균일 도 핑 ，계단
접합 근 사 ，pla n ar 접 합으로 간주한다.

S 3 그림 7.1 1 에 주어 진 파 라 미 터 를 갖는 p +n 접합에서 불 순 물 도 핑 농 도 를 구하라.

r = 300 K 에서 그림 7.11 에 주어진 실리콘 p + n 접합에 대한 곡선의 절편과 기울기를
가정하면，각각 = 0.725 V 이고 6 .1 5 x l 15[(F八;m2) - 2(V )-1] 이다.

■a i
그림 7 .1 1 에서의 곡선의 기울기는 21e es N d로 주어 지므로 N d는 다음과 같다.

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 2_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
기울기 (1 .6 X 10_19)(1 1 .7)(8.85 X 10一】4)(6.1 5 X 10>5)
또는

N d = 1.96 X 1015cm 3

。 의 표현식으로부터 는 다음과 같다.

V„ =

'에 대해서 풀면 다음과 같다.

258 Chapter 7 … 접합

0.725 \
뽑 쁑 쁨 - 0 .0 25 9/

Na = 1 .64 X 1 017 c m -3

■
이 예제의 결과는 7Va » N d임 을 나타낸다. 따라서 일방 접합의 가정이 타당하다.

연습문제
E x 7.6 T = 300 K 에서 NR = … 로 바이어스되어 있는 실리콘 일방 n+ p 접합의 실험적
으로 측정된 접합 커패시턴스는 C = 0.1 05 p F 이다. 내부 전위 장벽은 V노 = 0.765 V 이다.
단면적은 A = 1 0_ 5 cm2이다. 도핑농도를 구하라. [ _ UI3 U0IX Z 0. =PA _ ra;，s| IX K r =°Arsuv]

일방 pn 접합은 도 핑 농 도 및 내부 전위 를 실 험 적 으 로 구 할 때 유용하다.

이해도 평가

TYU 7.3 (a) r = 300 K에서 V、 = 8 V로 역방향 바이어스되어 있는 실리콘 pn 접합이 있

다. 도핑농도는 Na = 5 乂 1 016 err 3, N d = 5 x 1 015 cm—3이다. x n, xp, W 및 IEmaxl
를 구하라. (b) = 12 V의 역방향 바이어스에 대한 (a)를 반복하라.
[IU3/A sOI X K ' l =

l^ al ‘ui。„_ i x 6'i = m ‘出。s—

oi x ez.'i = 今 - ix
t， zl \ = ’ (功 -ms/A s이 x
1 .1 = r™ 3l 'M3 „_ 0l x '1 = M ‘u»s_ i X £P1 = 吐 ‘ura，
-이 X £V \ = "x (D) 'suy]
TYU 7.4 T = 300 K에서 도핑농도 Nd = 2 x 1 016 cm-3, 八^ = 8 x 1 015 cm—3 및 단면적 A
= 5x l -5 cm2인 실리콘이 있다. (a) 。 = 2 V 및 (b) VR = 5 V 일 때의 접합
커 패시턴스를 구하라. [때 8沙•(功 ：
jd 的9,0 (” ) 'suy]

1 .U 접 합 ^ ■복

앞 절에서 우 리 는 pn 접 합 양단에 역 바 이 어 스 전 압 을 인 가 하 였 을 때의 효 과 들 을 결정
하였다. 그 러 나 역바이 어스 전압은 무 제 한 적 으 로 증가시킬 수 없다. 즉 ，어떤 특 별 한 전
압에서 역바이 어스 전 류 는 급 격 하 게 증 가 할 수 있다. 이 점 에 인가된 전 압 을 항 복 전 압
(b re a k d o w n v o lta g e ) 이 라고 부른다.
pn 접합에 있어서 역바이어스 항 복 을 일 으키는 두 가지 물리적 메 커 니 즘 은 제 너 효
과 ( Z e n e r e f f e c t ) 와 애 벌 런 치 효 과 ( a v a la n c h e e f f e c t ) 이다 . Z e n e r 항 복 은 세게 도 핑 된 p n

접합에서 생 기 는 터널링 메 커 니 즘 에 의해 일어난 다 . 세게 도 핑 된 접합에 있어서 역바

이어스되어 있는 동 안 에 는 접합의 반대쪽에 있는 전 도 대 와 가 전 자 대 는 아주 가깝게 되
어 전자는 P 영역의 가전자대로부터 n 영역의 전 도 대 로 직접 터 널 링 ( tu n n e lin g ) 이 일어나
게 된다. 이 터널링 과 정 을 그림 7.1 2 a 에 도 식 적 으 로 보인다.
 7.4 접 합 항 복 259

P영역 n영역

그림 7.1 2 (a) 역바이어스된 pn 접합 내에서의 제너항복 메커니즘，(b) 역바이어스된 pn 접합 내에서의 애벌런치 항복 과정

애벌런치 항 복 과 정 은 공 간 전 하 영역을 건너 옴 직 이 는 전 자 나 정공이 전계 때문에

충 분 한 에 너 지 를 얻게 되어 공 핍 층 내에서 원자적 전자 와 충돌함으로써 전자-정 공쌍이
생 성되게 된다. 애벌런치 과 정 을 그림 7.1 2 b 에 도 식 적 으 로 나 타 내 었 다 . 새롭게 생성 된
전자 와 정공 은 전계에 의해 서로 반 대 방 향 으 로 움 직 이 고 그 로 인해 역바 이 어 스 전 류 가
증 가 하 게 된다. 더 욱 이 ，새롭게 생 성 된 전 자 나 정 공 은 다 른 원 자 를 이 온 화 시 키 기 에 충
분 한 에 너 지 를 얻게 되며 이것이 애벌런치 과 정 을 일으키게 하 는 것이다. 대부분의 pn
접합에 있어서 지배적인 항 복 메 커 니 즘 은 애벌런치 효과에 의 한 것이다.
만 약 역 바 이 어 스 전 자 전 류 /„0가 그림 7.1 3에 나타낸 것처럼 x = 0에서 공 핍 영 역 으
로 들 어 간 다 고 가 정 하 면 전 자 전 류 /„은 애벌런치 과정 때문에 공 핍 영 역 에 걸쳐 거리에
따 라 증 가 할 것이 다. x = …에서 전 자 전 류 는 다음 과 같이 쓸 수 있다.

In( W ) = Mnl n0 (7.49)

여기서 M „은 증 배 인 자 이 다 . 정 공 전 류 는 n 영역에서 p 영 역으로 공 핍 영 역 을 통해 증 가 하

그림 7.1 3 애벌런치 증배가 일어나는 동안 공간전하 영역에서의 전자 및 정공 전류 성분

며 X = 0에 서 최 댓 값 에 도 달 하 게 된 다 . 총 전 류 는 정 상 상 태 에 있 어 서 p n 접 합 전 체 에

서 일정하다.
어 떤 점 x 에서 증 분 전 자 전 류 에 대 한 표 현 식 은 다 음 과 같 이 쓸 수 있다.

d ln(x) = I n(x ) a n d x + I p(x)a p dx (7.50)

여기서 a „ 및 는 각 각 전 자 및 정공의 이 온 화 율 이 다 . 이 온 화 율 은 단위 길 이 당 한 개

의 전 자 ( «„ ) ，혹 은 한 개 의 정 공 ( % ) 만 큼 생 성 되 는 전 자 -정 공 쌍 의 수 를 말 한 다 . 식
(7 .5 0)은 다 음 과 같 이 쓸 수 있 다 .

= I „(x ) a „ + I p(x ) a p (7.51 )

총 전 류 /는 다 음 과 같 다 .

/ = /„(x ) + Ip(x) (7.52)

이 것 은 일 정 하 다 . 식 (7 .5 2)로 부 터 수 ⑴ 에 대 해 서 풀 고 식 (7 .引 )에 대 입 하 면 다 음 을 얻

는다.

반 분 + ( «P — a „)/„ c) = apl (7.53)

만약 전 자 와 정공의 이온화율이 같다고 가정하여 다음처 럼 표현하면

a„ = ap= a (7.54)

그 때 식 (7.53)은 간 단 하 게 되 며 공 간 전 하 영 역 전 체 에 걸 쳐 적 분 시 킬 수 있 다 . 따 라 서

다 음 을 얻 을 수 있다.

U W ) 一 /„(0) = I f W a d x (7.55)

식 (7 .49)를 이 용 하 면 식 (7 .5 5 )는 다 음 과 같 이 쓸 수 있 다 .

M„ I„ - /„(0) (7.56)
a dx

- I 및 /, (0) = /„ 이 므 로 식 (7 .5 6)은 다 음 과 같 이 된 다 .

1 a dx (7.57)

애 벌 런 치 항 복 전 압 은 사 „이 무 한 대 로 접 근 하 는 전 압 으 로 정 의 한 다 . 이 때 애 벌 런 치 항 복
조 건 은 다 음 과 같이 주어 진다.

adx = 1 (7.58)
 0
? 8
0 1
6
/ 1
4
> 1
2
1
0

S O I)W I3 :w -.
8
6

-
4
2
1
1

on
T
빠
■
.
&.
0
1
4
/ 6 1
7 8 5 1
8
1
X

시 C•

그림 7.1 4 불순물 도핑농도의 함수로 보인 일방형 접합

내에서 항복 때의 임계전계(Szeand/Vg [1 4])

이 온 화 율 은 전계에 강하게 의 존 하 는 함수이며 전 계 는 공 간 전 하 영 역에서 일정하지 않

으 므 로 식 (7.58)은 구 하 기 가 쉽지 않다.
예를 들어 , 만약 일방형 P +n 접 합 을 고 려 한 다 면 최 대 전 계 는 다 음 과 같이 주어진다.

E_ = 인 즌 (7.59)

공핍 폭 시,은 근 사 적 으 로 다 음 과 같다.

{레 走 r
여기서 은 인가한 역바이 어스 전압의 크기이다. 여기서 내부 전위 V、 는 무 시하였다.
만약 지금 을 항 복 전 압 。 라고 정 의 한 다 면 항 복 에 서 의 최 대 전 계 E max는 임계전
계 E crit로 정의된다. 식 (7.59)와 (7.60)을 조합하 면 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

여기서 N B 는 일방형 접합의 저 농 도 로 도핑 된 반도체의 도 핑 농 도 이 다 . 그림 7.1 4에 보

인 임계전계는 도핑에 약간 의 존 하 는 함수이다.
균일하게 도핑 된 p lrn a r 접합에 대하여 알아보았다. 항 복 전 압 은 선형적 기 울기를 갖
는 접 합 에 서 는 감 소 한 다 (7.5절 참 조 ). 그림 7 .15는 일방형 계단형 접 합 과 선형적 기울기
를 갖 는 접합에 대한 항 복 전 압 을 보 이 는 그림이 다 . 만약 확 산 접합의 곡 률 을 고려해 넣
는다 면 항 복 전 압 은 더욱 나빠지게 될 것이다.

원하 는 항 복 전 압 사양에 맞추기 위한 일방형 n+ p 접 합 다 이 오 드 를 설계하라.

T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합에서 Nd = 3 x l 18 c m - 3으로 도핑되어 있다고 가정한
 불순물 농도 A노( c m - 3 )
1 014 1 15 1 16 1 17 1 18

1 卜 -tw m m i i mf]「 i i min 1

「 丁 미~印 i
= = 、 !;;: — = = = = = == r = 3 0 0K =

(A ) :
loo
10
•f
져
•

1020 1021 1022 1023 1024

불순물 기울기 a(cm_ 4)

그림 7.1 5 일방형도핑 및 선형적 기울기를 갖는 접합에서의 항복전압 대 불순물농도 (Sze[1 4])

다. 항복전압 = 1 구로 되는 다이오드를 설계하라.

풀이
그림 7 . 1 5 로 부 터 일 방 형 계 단 형 접 합 의 저 농 도 로 도 핑 된 쪽 의 도 핑 농 도 는 = 1 00 V 인
항 복 전 압 에 서 약 4 x 1 15 c m 3이다.
4 x l 0 15 c m -3 인 도 핑 농 도 에 대 한 임 계 전 계 는 그 림 7 . 1 4 로 부 터 약 3 . 7 x l 5 V /c m 이 다 .
그 때 식 (7 . 6 1 ) 로 부 터 항 복 전 압 은 다 음 처 럼 1 1 0 V 로 되 며

v - 느 호 i - (1 1 .7 X 8.85 X 1 0-내)(3.7 X 1 0子
2eNB _ 2(1 .6 X 1 -' 9)(4 X 1 015) UUV

이 것 은 그림 7 .1 5의 결 과 와 잘 맞 는 다 .

■
그림 7 . 1 5 에 보 인 것 처 럼 적 게 도 핑 된 영 역 에 서 도 핑 농 도 가 감 소 함 에 따 라 항 복 전 압 은 증
가한다.

연습 문제
E x 7.7 일 방 형 이 며 pla n a r인 균 일 도 핑 된 실 리 콘 pn 접 합 다 이 오 드 가 항 복 전 압 VB =
60 V 로 되 도 록 설 계 하 려 고 한 다 . 이 사 양 에 맞 추 도 록 저 도 핑 된 영 역 의 최대 도 핑 농 도 를
구하라. (C-出。Sl이 X 8 « 8사 'S U V )

*7.5 불 균 일 하 게 도 핑 된 접 합

이 제 까 지 우 리 는 pn 접 합 에 대 해 알 아 보 면 서 각 반 도 체 영 역 이 균 일 하 게 도 핑 되 어 있
다 고 가 정 해 왔 다 . 실 제 의 pn 접 합 구 조 에 있 어 서 는 항 상 그 러 한 것 은 아 니 다 . 몇 몇 전
 7.5 불 균 일 하 게 도 핑 된 접 합 263

자 공 학 의 응 용 에 서 는 특 별 한 … 접 합 커 패 시 턴 스 의 특 성 을 얻기 위 해 특 별 히 불 균 일 한

도핑 분 포 를 이 용 하 기 도 한다.

7.5.1 선 형 적 으 로 경사진 도명 을 갖는 접합

기 판 이 균 일 하 게 도 핑 된 n -형 반 도 체 라 고 생 각 하 고 만 약 표 면 을 통 하 여 억 셉 터 원 자 가
확 산 한 다 고 가 정 하 면 불 순 물 농 도 는 그 림 7.1 6에 보 인 것 처 럼 분 포 하 려 고 할 것 이 다 .

그림에서 = / 인 점은 금속학 적 접합에 상 응 한 다 . 공핍 영 역은 앞에서 우 리 가 논 의 한

것 처 럼 금 속 학 적 접 합 으 로 부 터 p 및 n 영역 쪽 으 로 확 장 하 게 된 다 . 금 속 학 적 접 합 근 처
의 순 수 p -형 도 핑 농 도 는 금 속 학 적 접 합 으 로 부 터 거 리 의 선 형 함 수 로 써 근 사 시 킬 수 있
다 . 마 찬 가 지 로 , 1 차 근 사 로 서 순 수 n -형 도 핑 농 도 도 금 속 학 적 접 합 으 로 부 터 n 영 역 쪽

으 로 확 장 되 는 거리의 선 형 함 수 이 다 . 이 유 효 도핑 분 포 를 선 형 적 으 로 경 사 진 도 핑 을
갖는 접합이라고 부른다.
그 림 7.1 7 에 선 형 적 으 로 경 사 진 도 핑 을 갖 는 접 합 의 공 핍 영 역 내 에 서 의 공 간 전 하
밀 도 를 보 인 다 . 편 의 상 , 금 속 적 인 접 합 은 c = 0인 곳 으 로 한 다 . 공 간 전 하 밀 도 는 다 음 과

같이 쓸 수 있다.

p(x) = eax (7.62)

여기서 a 는 순 수 불 순 물 농도의 기 울 기 이 다 .
공 간 전 하 영 역 내 에 서 의 전 계 및 전 위 는 Poisson 방 정 식 으 로 부 터 구 할 수 있 으 며 ，

다 음 과 같이 쓸 수 있다.

dE = PW = eax (7.63)
dx

따라서 전 계 는 이 식의 적 분 을 취 함 으 로써 구 할 수 있으며 다 음 과 같다.

E = / 부 도쇼 = |뭇 (났 - 님) (7.64)

표면 =

그림 7.1 6 불균일하게 도핑된 P영역을

는 pn 접합의 불순물농도 pn 접합에서의 공간전하밀도
선 형 적 으 로 경사진 도 핑 을 갖 는 접합에서의 전계 는 균일하게 도핑된 접합에서 구 한 선
형 함 수 라 기 보 다 는 거리의 2차 함 수 이 다 . 최대 전계 역시 금속학적 접합에서 일어나게
된다. 전 계는 ^: = + 자 및 x = —사에서 0이라 는 사실에 주 의 할 필요 가 있다. 균일하게
도핑되 지 않 은 반도체 내에서의 전 계 는 정확하게 영은 아 니 지 만 그 크 기 는 작기 때문
에 벌크 영역 내에서 E = 0으 로 놓 아 근 사 시 켜 도 좋다.
전위는 다시 전계를 미분함으로 써 구 할 수 있으며 다 음 과 같다.

c/)(x ) = — J Edx (7.65)

만 약 우 리 가 임 의 로 ;c = —자에서 산 = 0으 로 놓 는 다 면 , 접 합 전체에 걸친 전 위 는 다
음 과 같이 된다.

4>{x) = 글 (* - 식 + 끊님 (7.66)

x = + 사에서의 전위의 크 기 는 이 함수에 대한 내부 전위 장 벽 과 같게 될 것이다. 따 라

서 다 음을 얻게 된다.

^ )= f - ^ = n, (찌 )

선 형 적 으 로 경사진 도 핑 을 갖 는 접합에 대 한 내부 전위의 또 다 른 표 현 식 은 균 일하게

도 핑 된 접합에서 사 용 한 표 현 식 으 로 부 터 근 사 시 켜 나 타 낼 수 있다. 내부 전위 표현식
은 다 음 과 같다.

y Jn •N d(x )N a( - x 0)
Vbi = (7.68)

여기서 Ag (x 0)와 yva( - 사 )는 공 간 전 하 영역 끝에서의 도핑농 도 이 다 . 이 도 핑 농 도 와 기울

기의 관 계 는 다 음 과 같다.

N d(x ) = a x (7 .69 a )

N a( - x ) = a x (7.69 b )

이때 선형적 기 울기를 갖는 접합에서의 내부 전위 장 벽 은 다음처럼 된다.

(7.70)

접합의 어느 한 쪽에서의 도핑 기 울기가 같지 않은 상황이 있을 수 도 있지만 우 리 는 여

기서 이러한 조 건 을 고려하지 않겠다.
만약 접합에 역방향 바이 어스 전 압 을 인가하면 전위 장 벽 은 증가하게 된다. 그때 위
 7 .5 불균일하게 도핑된 접합 2的

그림 7 . 1 8 선형적 기울기를 갖는 pn 접합에 있어서 역방향 바이어스

전압을 미분적 변화로 인가시킬 때에 변하는 공간전하폭의 미분적 변화

에서 표 현 한 내 부 전위 장벽 식 는 총 전 위 장 벽 v fc, + v s 로 바 뀌 게 된 다 . 식 (7.67)에

서 자에 대해서 풀 고 총 전위 장 벽 을 사 용 하 면 다 음 을 얻는다.

x = { § ' e h ^ i + ^ r)} (7.71 )

단위면적당 접합 커패시턴스는 균일하게 도핑된 접합에서 사용한 것과 같은 방법을 사

용 하 여 구 할 수 있 다 . 그 림 7 . 1 8에 미 분 전 압 d V l 인 가 됨 에 따 라 미 분 전 하 "分 가 나 타
나 는 것 을 보 인 다 . 이때의 접 합 커 패 시 턴 스 는 다 음 과 같이 된다.

dx
C' = = (e ax ) (7.72)
dV~R

식 (7 .기 )을 이 용 하 면 다 음 식 을 얻 는 다 .

c = (- 번 r (7.73)
\ l 2 ( Vh, + VR) j

우 리 는 여 기 서 C '은 균 일 하 게 도 핑 된 접 합 에 서 는 ( Vw + ∼ ) _ w 인 것 에 비 해 서 선 형
적 기울기를 갖는 접합에서는 c ' c( v노 에 비례한다는 사실에 주목할 필요가
있다. 선 형 적 기 울 기 를 갖 는 접 합 에 있 어 서 의 커 패 시 턴 스 는 균 일 하 게 도 핑 된 접 합 에 서
보 다 역 방 향 바 이 어 스 전압에 덜 의 존 하 게 된다.

7.5.2 초계단형 접 합 (Hyperabrupt junction)

접 합 에 는 균 일 도 핑 된 접 합 과 선 형적 기 울 기 를 갖 는 접 합 과 같 은 도핑 분 포 만 이 있는

1) 더 정확하게 해석하면 식 (7 .7 3 )에 있는 V노는 기울기 전압으로 바뀌어야 한다. 그러나 이 해석은 이 교과

서의 범위를 벗어나므로 자세히 다루지 않는다.
 P+ "

jc = 0

그림 7.1 9 일방 p+n 접합의 일반화된 도핑 분포(Sze [14] 참조)

것 은 아 니 다 . 그 림 7 .1 9에 일 반 적 인 일 방 p + n 접 합 을 보 였 는 데 ，여 기 에 서 는 〉 에서
n -형 도 핑 농 도 는 다 음 과 같 다 .

N = BjT (7.74)

m = 0인 때 에 는 균 일 도 핑 된 접 합 에 해 당 되 며 m = + 1 인 경 우 는 방 금 전에 논 의 한
선형적 기울기를 갖는 접합에 해당된다. m = +2 및 ⑵ = + 3 인 경 우 는 아 주 많이 도
핑 된 n+ 기 판 위 에 성 장 된 상 당 히 적 게 도 핑 된 n-형 층 을 가 지 는 구 조 가 이 에 근 사 적 으
로 해 당 된 다 . w 값 이 음 일 때 에 는 초계단형 접합(Hyperabrupt junction) 이 라 고 부 른 다 .
이 경 우 의 n-형 도 핑 은 벌 크 반 도 체 내 에 서 보 다 금 속 적 인 접 합 근 처 에 서 더 많 다 . 식
(7.74)는 w 이 음 일 때 = 0이 아 닌 x = 자 근 처 의 작 은 영 역 에 서 의 n -형 도 핑 을 근 사
화하는 데 사용된다.
접 합 커 패 시 턴 스 는 앞서 사 용 했 던 것 과 같 은 해석 방 법 을 써서 유 도 해 보 면 다 음 과
같다.

= J 쓰 r +1) V /(m+2) (7.75)

_ l(m + 2)(Vbi + VR)j

w 이 음 일 때 ，커 패 시 턴 스 는 버렉터 다이오드 ( v a r a c to r d io d e s ) 에 서 요 구 되 는 특 성 인 역

바 이 어 스 전 압 에 매 우 강 한 함 수 로 된 다 . 버렉터 ( v a r a c to r ) 라 는 용 어 는 v a r ia b le r e a c to r
로부터 온 말로써 이 소 자 에 서 는 그 리 액 턴 스 가 그 바 이 어 스 전압에 의해 조 절 된 다 .
만 약 버 렉 터 다 이 오 드 와 인 덕 턴 스 가 병 렬 로 접 속 되 어 있 다 면 그 /우 회 로 에 서 의 공

진 주 파 수 는 다 음 과 같다.

f = ------------ (7.76)
Jr lir V L C
식 (7.75)로부터 다이오드의 커 패 시 턴 스 는 다 음 과 같은 형태 로 쓸 수 있다.

C = C (y w + VR) - ^ m+2) (7-77)

일반적으로 회로 응용에 있어서，공 진 주 파 수 는 역방향 바 이 어 스 전 압 。 의 선 형 함 수 로

하기 위 해 서 는 다 음 과 같은 조건이 필요하다.

c tx V ~ 2 (7.78)

식 (7.77)로부터 파라미터 m 은 다 음 과 같은 형태로 되어 야 한다.

(7 .79 a )

(7.79 b )

특 별 한 도핑 분포로써 원하 는 커패시턴스 특 성 을 얻을 수 있다.

7.6 요 약

■ 균 일 도 핑 된 pn 접 합 에 대 하 여 알 아 보 았 다 . 이때 반 도 체 의 한 쪽 영 역 은 억 셉 터 불 순 물
로 균 일 도 핑 되 어 있 고 인접 영 역 은 도너 불 순 물 로 균 일 도 핑 되 어 있다.
■ 공 간 전 하 영역, 혹 은 공핍 영 역 은 n 및 p 영 역 과 는 분 리 된 금 속 학 적 접 합 의 양 쪽 에 형성
된다. 이 영역에서 가동의 전 자 및 정 공 들 은 완전히 고 갈 되 게 된다. 양 으 로 대 전 된 도
너 불 순 물 이 온 에 의 한 순 양 전 하 밀 도 는 n 영 역 내 에 존 재 하 며 ，음 으 로 대 전 된 억셉터
불 순 물 이 온 에 의 한 순 음 전 하 밀 도 는 P 영역 내에 존 재 한 다 .
■ 전 계 는 순 공 간 전 하 밀 도 에 의해 공 핍 영 역 내에 존 재 한 다 . 전계의 방 향 은 n 영역에서 p
영 역으로 향한다.
■ 전 위 차 는 공 간 전 하 영 역 에 걸쳐서 존 재 한 다 . 바 이 어 스 를 걸 어 주 지 않 는 상 태 에 서 내 부
전위 장 벽 으 로 알 려 진 이 전 위 차 는 열 평 형 을 유 지 시 키 며 ，n 영역 내의 다 수 캐 리 어 전
자 들 과 P 영 역 내의 다 수 캐 리 어 정 공 들 이 공핍 영 역 을 가 로 질 러 오지 못 하 도 록 한 다 .
■ (P 영 역 에 대 하 여 n 영 역 을 양 으 로 인 가 하 는 ) 역 방 향 바 이 어 스 인 가 전 압 은 전위 장 벽 ,
공 간 전 하 폭 및 전계의 크 기 들 을 증가 시 킨 다 .
■ 역 방 향 바 이 어 스 전 압 이 변 함 에 따 라 공 핍 영 역 내 에 서 의 전 하 의 양이 변 화 하 게 된 다 .
이 전압에 따른 전하의 변 화를 접합 커 패 시 턴 스 로 정의한다.
■ 충 분 히 큰 역 바 이 어 스 전 압 이 p n 접 합 에 인 가 될 때 애 벌 런 치 항 복 이 일 어 난 다 . 이때 큰
역 바 이 어 스 전 류 가 p n 접 합 에 유 기 된 다 . p n 접 합 에 서 도핑 레 벨 의 함 수 로 서 의 항 복 전
압 을 유 도 하 였 다 . 일 방 형 p n 접 합 에 있 어 서 항 복 전 압 은 저 도 핑 영 역 내의 도 핑 농 도 의
함수이다.
■ 선 형 적 기 울 기 를 갖 는 접 합 은 균 일 하 지 않게 도 핑 된 p n 접 합 이 다 . 전 계 ，내 부 전위 장
벽 및 접합 커패시턴스에 관한 표현식을 유도하였다. 이러한 접합에서의 함수관계를
표 현 하 는 식들은 균일하게 도핑된 접합에서의 표 현 식 들 과 는 다르다.
■ 특 별 한 도핑 분 포 를 이 용 하 여 특 별 한 커 패 시 턴 스 특 성 을 얻 을 수 있다. 초 계 단 형 접 합
은 금 속 학 적 접 합 으 로 부 터 멀 어 짐 에 따 라 도 핑 이 감 소 되 는 것 이 다 . 이 러 한 접 합 형태
는 공 진 회 로 에 사 용 하 는 버렉터 다 이 오 드 에 유 용 하 다 .

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

계단 접합 근사 공 간 전 하 영 역 과 중성 반 도 체 영 역 사이의 공 간 전 하 밀 도 는 계 단 적 인 불연
속 성 을 갖 는 다 는 가정
애벌런치 항복 큰 역 바 이 어 스 p n 접 합 전 류 가 생 성 되 는 과 정 으 로 이 는 공 간 전 하 영역 내에
서 전 자 및 정 공 이 원 자 적 전 자 와 충 돌 함 으 로 써 전 자 -정 공 쌍 이 생 성 되 기 때 문 에 생 긴
다.
내부 전위 장벽 열 평 형 에 있 는 pn 접 합 의 p 및 n 영역 사 이 에 나 타 나 는 정 전 기 학 적 전 위 차
임 계 전 계 항 복 시 공 간 전 하 영역 내 에 서 의 최 고 전 계
공핍층 커패시턴스 접합 커패시턴스의 다 른 이름
공핍영역 공 간 전 하 영역의 다 른 이 름
초계단형 접합 특 별 한 커 패 시 턴 스 -전 압 특 성 을 얻 도 록 만 든 접 합 으 로 서 금 속 학 적 접 합 에
서 멀어 질 수 록 한 쪽 의 도 핑 농 도 가 감 소 하 는 p n 접 합
접합 커패시턴스 역 바 이 어 스 하에 있 는 pn 접합의 커 패 시 턴 스
선형적 기울기를 갖는 접합 금속학적 접합의 양 쪽 중 어떤 한쪽의 도 핑 농 도 가 선형적 분 포
로써 근 사 화 되 는 p n 접 합
금 속 학 적 접 합 p n 접 합 에 서 p 및 n 으 로 도핑 된 영 역 사 이 의 계면

일방 접합 접 합 의 한 쪽 이 인 접 한 다 른 쪽 보 다 더 많이 도 핑 된 p n 접 합
역방향 바이어스 p n 접 합 의 p 영 역 에 대 하 여 n 영 역 에 양의 전 압 을 인 가 할 때의 조 건 으 로 서

두 영 역 간 의 전위 장 벽 은 열 평 형 에 있 는 내 부 전위 장 벽 보 다 더 높 다 .
공 간 전 하 영역 n 영역 내의 이 온 화 된 도 너 와 p 영 역 내의 이 온 화 된 억 셉 터 에 의 한 순 전 하
밀 도 가 존 재 하 는 금 속 학 적 접합의 양 쪽 영 역
공간전하폭 도 핑 농 도 및 인 가 한 전 압 의 함 수 인 공 간 전 하 영역의 폭
버렉터 다 이 오 드 바 이 어 스 전압에 따 라 그 리 액 턴 스 를 제 어 할 수 있는 다 이 오 드

점검사항 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장 을 공 부 한 후에 독 자 들 은 다 음 사 항 을 알 아 야 한다.
■ 공 간 전 하 영역이 왜 ，어 떻 게 형 성 되 는 지 를 설 명 할 줄 알 아 야 한 다 .
■ 영 바 이 어 스 및 역 방 향 바 이 어 스 된 pn 접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 그 릴 줄 알 아

야 한다.
■ 내 부 전위 장벽 전 압 의 표 현 식 을 정 의 하 고 유 도 할 줄 알 아 야 한 다 .
■ p n 접 합 의 공 간 전 하 영역 내 에 서 의 전 계 에 관 한 표 현 식 을 유 도 할 줄 알 아 야 한 다 .
 ■ 역방향 바이어스 전압이 인가될 때，공간전 하 영역의 파라미터들에 어떤 현상이 일어
나는지를 설명할 줄 알아야 한다.
■ 접합 커 패시턴스를 정의하고 설명할 줄 알아야 한다.
■ 일방 pn 접합의 특성과 속성을 설명할 줄 알아야 한다.
■ 역 바이어스된 pn 접합에 있어서 애벌런치 항복 기구를 설명할 줄 알아야 한다.
■ 선형적 기울기를 갖는 접합이 어떻게 형성되는지를 설명할 줄 알아야 한다.
■ 초계단형 접합을 정 의하고 설명할 줄 알아야 한다.

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

1. 내부 전위 장벽 전압의 표현식을 정의하고 어떻게 열평형을 유지하는지를 설명하라.

2. 왜 공간전하 영역 내에 전계가 형성되나? 왜 전계는 균일 도핑된 pn 접합 내에서 거리
의 선형함수로 되는가?
3. 최대 전계는 공간전하 영 역 내의 어 디 에 생기는가?
4. 왜 pn 접합의 더 낮게 도핑 된 쪽으로 공간전하 폭이 더 크게 되는가?
5. 역방향 바이어스 전압에 대한 공간전하 폭의 관계는 어떤 함수 의존성을 갖는가?
6. 왜 공간전하 폭은 역방향 바이 어스 전압에 따라 증가하는가?
7. 왜 역방향 바이어스된 pn 접합에 커패시턴스가 생기는가? 왜 역방향 바이어스 전압이
증가함에 따라 커패시턴스는 감소하는가?
8. 일방 pn 접합이란 무엇인가? 일방 pn 접합에 있어서 어떤 파라미터들을 결정할 수 있
나?
9. 왜 도핑농도를 증가시 킴 에 따라 pn 접합의 항복전압이 감소하는가?
1 0. 선형적 기울기를 갖는 접합이란 무엇인가?
1 1 . 초계단형 접합이란 무엇이며 그러한 접합의 이점，혹은 특성은 무엇인가?

문제

7. 2절 제로 인가 바이어스
7.1 T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합의 다음 조건에서의 V。를 계산하라. (a) Na = 2x

1 015 c m - 3 맞 Nd = (i ) 2 x 1이5, (i i ) 2x 1이6, (i i i ) 2x l 17 c m - 3, ( b ) Na = 2x l 17

c m - 3일 때 ( a)를 반복하라.
7.2 만약 T = 3 00 K 에서 그 도핑농도가 다음의 값들을 갖는다고 할 때，S i, G e 및 G a A s
pn 접합에 대한 내부 전위 장벽 匕,를 계산하라.
(a) Nd = 1 014 c m —3 Na = 1 017 c m -3

(b ) Nd = 5 x 1 016 Na = 5 x l 16

(c) Nd = 1 017 Na = 1 017

7.3 (a ) T = 3 00 K 에서 1 014 < Na = Nd 호 1 017 c m -3 범위에 있는 대 칭 인 "、 = N d) 실

리콘 pn 접합에 대한 내부 전위 장벽을 그려라. (b ) G a A s p n 접합에 대하여 ( a )를 반
복하라. (c ) T = 400 도에 대하여 (a) 및 (비를 반복하라.
270 Chapter 7 pn 접합

7.4 제로 바이 어스에 있는 계단형 실리콘 pn 접합이 T = 3 00 K 에서 Na = 1 017 c m _ 3과

Nd = 5 x 1 15 c m —3 인 도핑농도를 갖고 있다. (a ) 진성 페르미 준위를 기준으로 하는

접합 양쪽에서의 페르미 준위를 계산하라. (b ) 접합에 대한 열평형 에너지밴드 다이
어그램을 보이고 그 에너지밴드 다이어그램과 ⑷ 의 결과로부터 八,■를 구하라. (c) 식
(7 . 1 0) 을 이용하여 V노를 계산하고 (b )의 결과와 비교하라. (d ) 이 접합에 대한 사 ，xp ,
및 최대 전계를 구하라.
7.5 도 핑 농 도 가 Na = Nd = 2 x \이 6 c m -3일 때에 대한 연습문제 7.4를 반복하라.
7.6 T = 300 K 에서 열평형에 있는 실리콘 계단 접합이 n 영역에서는 하 一 „ = 0.365
… 로 되도록 ，p 영역에서는 하 = 0.330 … 로 되도록 도핑되어 있다. 이 pn 접
합의 에너지밴드 다이어그램을 그려라. (b ) 각 영역에서의 불순물 도핑농도를 구하
라. (c ) 。 를 구하라.
7 .7 Na = 2 父 1 015 c m —3 및 A 느 = 4 x 1 016 c m —3인 도 핑 농 도 를 갖는 균일 도핑 된 G aAs

pn 접합을 상정한다. 내부 전위 장벽 전압 Vbi 대 2 00 드 r 드 4 00 K 범위의 온도 그

림을 그려라.
7.8 ( a) T = 3 00 K 에서 균일 도핑된 실리콘 pn 접합을 생각한다. 제로 바이어스 상태에
서 총 공간전하 영역의 25%만이 n영역 내에 있다. 내부 전위 장벽은 八,. = 0. 7 1 0 V
이 다. 제로 바이 어스 상태 에 대해 다음을 구하라. (i ) N a , (i i ) N d, (i i i ) x „ , (iv ) x p , (v )
I E maxl. ( b ) Vhl = 0. 1 80 V 인 G aAs p n 접합에 대하여 ( a)를 반복하라.
7.9 실리콘 pn 접합에 있어서 불순물 도핑 분포가 그림 P7.9와 같다. 제로 바이어스 상태
에 대해 다음을 구하라. ⑷ (b ) 사과 유를 산 출 하 라 ，(c ) 열평형 에너지밴드 다이
어그램을 그려라，(d ) 전계 대 접합의 거 리를 그려라.
7.1 0 Na = 2 x l 01 7cn 「 3 맞 Nd = 4 x l O l 6 c m _ 3의 도핑농도를 갖는 균일하게 도핑된 실
리콘 pn 접합이 있다. ⑷ T = 300 K 에 서 。 ,.를 구하라. (b ) V노가 2% 감소했을 때의
온도를 구하라. (이 문제를 풀기 위해서는 몇 번의 시행착오가 필요할 것이다.)
7.1 1 균일하게 도핑된 실리콘 … 접합이 Na = 4 x l 0 16 c m —3 및& = 2 x l 0 15 c m —3 으로
도핑되어 있다. 측정된 내부 전위 장벽은 心,. = 0. 5 5 0 V 이다. 이 결과가 얻어지는 데
필요한 온도를 구하라.
7.1 2 같은 불 순 물 종류의 도핑 이 한 농 도 값 에 서 다른 농 도 값 으 로 변하 는 어 떤 “동형

( Na - N d) ( cm~3) '

1 016
N d ( cra_3)
ptype

2 f im 1 016

0 n type
- 1 0 15 1 015

4 X 1 015
0

그림 P 7 .9 문 제 7 .9 에 대 한 그림 그림 P 7 .1 2 문 제 7.12에 대 한 그림
 문제 27 1

(is o ty p e )” 계단 접합이 있다. n-n 동형 도핑 분포가 그림 P 7 .1 2 에 보인 것과 같다. (a)

이 동형 접합의 열평형 에너지밴드 다이어그램을 그려라. (b ) 이 에너지밴드 다이어

그램을 이용하여 내부 전위 장벽을 구하라. (c) 이 접합에 있어서 전하분포를 검토하
여 논의하라.
7.1 3 n 영역 옆에 진성 영역이 있는 특별한 형태의 어떤 접합이 있다. 이 접합은 n 영역과
낮게 도핑된 p 형 영 역으로 모델화 할 수 있다. T = 300 K 에서 실리콘은 도핑농도는
N d = 1 016 c m -3, N a = 1 012 c m -3로 가정한다. 제로 바이어스 상태에 대해 다음을
구하라. (a) Vhi, (b ) x n, (c ) xp, (d) IEmaxl. 또한, 전계 대 접합에서의 거리를 그려라.
7.1 4 우리는 공간전하 영역에 대한 계단 공핍근사를 가정하고 있다. 즉 공핍영역 내에는
어떤 자유 캐리어도 존재하지 않고 공간전 하 영역 밖의 중성영역의 반도체 끝에서
급격하게 변화한다는 것이다. 이 근사는 대부분의 적용에는 적합하지만 급격히 변화
하는 계단형 천이는 존재하지 않는다. 공간전하 영 역은 수 디바이 ( D ebye ) 폭에 걸쳐
서 변화한다. 여기서 n 영역의 디바이 폭은 다음처럼 주어진다.

, [ e끼 " 2

다음 조건들에 대한 를 계산하고 L /斗의 비를 구하라. p 형 도핑농도 는 ~ = 8

시 … 에 니 이 며 내 형 도 핑 농 도 는 ( a) Nd = 8 x l 1 4c m - 3, ( b ) Nd = 2.2 x l 16
c m -3, (c ) Nd = 公x 1 017 c m -3이다.
7.1 5 T = 300 K에서 도핑농도의 함수로서 균일하게 도핑된 pn 접합 양단에서의 전계 대
거리가 어떻게 변화하는지 설명하라. 인가 바이어스는 영으로 가정하라. 다음의 조
건하에서 공간전하영역 양단에서의 전계 대 거리를 스케치하 고 E maxl를 계산하라.
(a ) N a = 1 017 c m —3 및 1 014 < < 1 017 c m —3, (b ) N a = 1 014 c m -3 및 1 014 < Nd
호 l 17 c m ~3, (c ) N d > 1 00 N a 또는 N a > 1 00 N d 일 때의 결과는 어떠한가?

7.3절 역방향 인가 바이 어스

7.1 6 T = 300 K 에서 계단형 실리콘 pn 접합이 = 5 x 1 16 c m - 3 및 八느 = 1 015 c m - 3

의 도핑 농도를 갖는다. 다음을 계산하라. ( a) Vbi, (b ) (i ) V、 = 0 및 (i i ) 。 = 5 V 일
, (c ) (i ) V노 = 0 및 (i i ) VR
때의 W， = 5 V 일 때의 IEmJ .
7.1 7 문제 7 .1 0에서 주어진 T = 300 도일 때의 pn 접합을 생각한다. 접합의 단면적은 2x

1 0-4 c m 2이 고 。 = 2.5 V 인 역방향 바이어스 전압이 인가되었다. ( a) Vbl, (b) 사，xp,

… (c ) IE maxl, (d ) 접합 커패시턴스를 계산하라.
7.1 8 T = 300 K 에서 이상적 인 일방 실리콘 p +n 접합이 계단형 접합의 양쪽에서 균일하
게 도핑되어 있다. 도핑 관계는 7Va = 80 사/> 고 내부 전위 장벽은 = 0.7 40 V 이
다. 역방향 바이어스 전압은 心 = 10 V 로 인가되어 있다. 다음을 구하라. (a ) N a, N d-
(b ) xp, x n; (c) IE maxl; (d ) C /.

7.1 9 = 5 V 로 바이어스되어 있는 실리콘 n +p 접합이 있다. ( a) 만일 p 영역의 도핑농

도가 3배로 증가 할 때 내부 전위 장벽의 변화를 구하라. (b ) 억셉터 도핑이 N a 일 때
를 기준으로 억셉터 도핑이 3N a 일 때의 접합 커패시턴스의 비를 구하라. ( ) 도핑농
도가 증가하면 왜 접합 커패시턴스가 증가하는가?
7.20 ( a) 역방향 바이어스되어 있는 … 실리콘 접합의 최대 전계는 IEmaxl = 3 x 105 V/cm
이다. 도핑농도는 = 4 X 1 015 c m ~3 및 ' ; = 4 x 1 017 c m - 3이다. 역방향 바이어스
전압의 크기를 구하라. (b ) Nd = 4 x l 016 c m - 3 및 Nu = 4 x l 17 cm 一3에 대한 ( a)를
반복하라. (c ) Nd = Na = 4 x l 017 c m - 3에 대한 (a )를 반복하라.
7.21 T = 300 K 에 서 。 = 5 V 로 역방향 바이어스되어 있는 두 p + n 실리콘 접합이 있다.
접합 A 에서의 불순물 도핑농도는 ' ; = 1 018 c m - 3 및 ' / = 1 15 c m - 3이고，접합 B
에서의 불순물 도핑농도는 ' J = 1 0'8 c m - 3 및 ' / = 1 016 c m - 3이다. 접합 크에 대한
접합 A 의 다음 파라미터 비를 구하라. ( a) W , (b ) IEmaxl, (c ) C/.
7.22 T = 300 K 에서 균일 도핑된 G aAs pn 접합이 있다. 제로 바이어스 상태에서 접합 커
패시턴스는 C/이 이 고 10 V 의 역방향 바이어스 전압을 인가했을 때의 접합 커패시턴
스는 C/1 0)이다. 커패시턴스의 비율은

이다. 또한 역방향 바이어스 하에서 p 영 역 내로 들어간 공간전하폭은 총 공간전하폭

의 0.2 이 다. 다음을 구하라. ( a) Vh i, (b ) N a, N d.
7.23 T = 300 K 에서 Na = 2 x l 16 c m ^3 '갖 Nd = 5 x 1 015 c m —3로 불순물이 도핑되어
있는 GaAs pn 접합이 있다. 역방향 바이어스 전압의 두 값에 있어서 접합 커패시턴
스의 비는 ( /∼ )/C/( V K2) = 1 .5가 되도록 하고 싶다. 이때 V비 = 0.5 V 이다. V노 를
구하라.
7.24 ( a) T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합의 불순물 도 핑 농 도 는 = 2 x l 15 c m -3 및
Nd = 4 x 1 이6 cm —3이다. pn 접합 단면적은 5 x 1 0-4 cm 2이다. (i ) = 0 V 및 (i i )
= 5 V 일 때의 접합 커패시턴스를 구하라. (b ) G a As pn 접합일 경우에 ( a)를 반복
하라.
7.25 ( a) T = 300 K 에서 계단형 실리콘 pn 접합이 Na = 2 x l 017 cm "3 및 八 = ' 5 x 1 015
c m - 3로 균일 도핑되어 있다. pn 접합 단면적은 8 X 1 0— cm 2이다. 어떤 인덕턴스가
pn 접합과 병렬로 접속되어 있다. pn 접합에 역방향 바이어스 전압 八 = 10 V 로 인
가되었 을 때 공 진 주 파 수 는 / = 1-25 M H z 이다. 인덕턴스 값은 얼마인가? (b ) ⑷ 의
결과를 이용하여 0 ) 。 = 1 V 및 (i i ) 匕 = 5 V 인 역방향 바이어스 전압으로 인가
되었을 때의 공진주파수를 계산하라-
7.26 ( a) T = 300 K 에서 균일 도핑된 p + n 접합이 VR = 10 V 의 역방향 바이어스 전압에
서 최대 전계가 IEmaxl = 2.5 x l O 5 V /cm 로 되도록 설계되어 있다. n 영역 내에서의 최
대 도 핑 농 도 를 구 하 라 ( V w는 근 사 값 을 이 용 하 라 ). ( b ) 최대 전계가 IEmaxl = 105 V /
cm 로 되도록 하려고 할 때 ( a)를 반복하라.
7.27 ( a) T = 300 K 에서 단면적이 1(T 4 cm 2인 G a As pn 접합이 다음과 같은 특성이 되도
록 설계되어 있다. 즉 V、 = 2 V 의 역방향 바이어스 전압에서 총 공간전하폭의 20%
가 P 영역 내에 있고 총 접합 커패시턴스는 0.6 P F 이다. yva, N d, ，를 구하라. (b )
= 5 V 일 때 ( a)를 반복하라.
7.28 T = 300 K 에서 실리콘 pn 접합이 그림 P7.28에 보인 것과 같은 도핑 분 포 를 갖고
 (Na - Nd) (c m -3)
(A，
„ - A y (cm - 3 ) ，，

+5 X l 15
1016----------------------
1014 -------------
______________!_________
0 50 --------►
x= 0 x ( f im)
-1 014 —
- 1 0"

그림 P7.28 문제 7.28에 대한 그림 그림 P7.29 문제 7.29에 대한 그림

있다. 다음을 계산하라. ( a) Vbi, (b ) 제로 바이어스 상태에서의 사，xp, (c ) x n = 30 Aim

가 되기 위해 필요한 인가 바이어스.
7.29 T = 3 00 K 에서 실리콘 p n 접합이 그림 P 7 .2 9에 보인 것과 같은 도핑 분포를 갖는다.
( a) 공간 전하 영역이 확장하여 p 영역 끝까지 닿게 되는 데 필요한 역방향 바이어스
전압을 구하라. (b ) ( a)에서 계산한 역방향 바이어스 전압을 가지고 n + 영역 쪽으로
확장된 공간전하폭을 구하라. (c ) 이 인가된 전압에 대한 최대 전계를 계산하라.
7 . 3 0 ， = 30(^에 서 어떤 p + n 실리콘 다이오드는 = 2 x 1 017 c m - 3J V ( /= 2 x 1 015
c ， 3으로 도핑되어 있다. 접합의 단면적은 1 0_ 5 cm 2이다. ( a) V노를 계산하라. (b )(i )
V네 ，(i i ) V r
'， = 3 Y , (i i i ) VR = 5 V 일 때의 접합 커패시턴스를 구하라. (c ) 1 /C 2
대 을 그려라. 이 기울기 가 /、 를 구하는 데 쓰일 수 있으며 전압축과 교차하는 점
이 八,임을 보여 라.
7.31 T = 300 K 에서 G a As pn 접합의 총 접합 커패시턴스는 = 1 V 일 때 1 .1 0 p F 이었
다. 한 쪽의 도핑농도는 8 x 1 16 c m -3, 내부 전위 장벽 Vbi = 1 .20 V 이다. ( a) pn 접
합의 다른 쪽의 도핑농도와 (b ) 단면적을 구하라. (c ) 역방향 바이어스 전압을 변화시
켜 커패시턴스가 0.80 p F 로 될 때 。 값은 얼마인가?
7 .32 도 핑 농 도 가 변화함 에 따 라 역 방 향 바 이 어 스 전 압 。 에 따른 커 패 시 턴 스 C ’ 및
(1 / 2의 함수는 어떠한지 설명하라. 특히，이들 그림 대 7Va s 1 00 N d 일 때의 N a 및
이들 그림 대 ' 2 1 00 N a 일 때의 !九 를 고찰해 보라.
*7.33 pn 접합이 그림 P7.33에 보인 것과 같은 도핑 분포를 갖는다. 모든 역방향 바이어스
전압에 대해 사 > 자로 간주하라. (a)접합에 걸리는 내부 전위는 얼마인가? (b) 계단
형 접합 근사를 써서 접합 전체의 전하밀도를 스케치하라. (이공간전하 영역을 통과
하는 전계에 대한 표현식을 유도하라.
*7.34 그림 P 7 . 3 4 에 나타낸 것과 같은 도핑 분포를 갖는 실리콘 P IN 접합이 있 斗 여기서
T 는 불순물 도핑농도가 없는 이상적인 진성 영역에 상응하는 것이다. 총 공핍폭이
一2 에서 +2 나이까지 확장하도록 P I N 접합에 역방향 바이 어스 전압을 인가시 킨

:표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

27 Chapter 7 … 접합

Na ~ Nd (N d - N a) (c m - 3)

iy aO 5 X l 15

+ 1 +2
x0 1
一2 -1 ------- ►
X x ( fim )

— j 八 1U~

~ N d0
i r q p o n —►

그림 P 7 .33 문제 7.33에 대한 그림 그림 P 7 .34 문제 7.34에 대한 그림

다. (a) Poisson 방정식을 이용하여 x = 0에서의 전계 크기를 계산하라. (b ) P IN 접합

양단의 전계를 스케치하라. (C) 역방향 바이어스 전압은 얼마만큼 인가되어야 하는지
계산하라.

7 .4절 접 합 항 복

7.35 실리콘 n+p 접합 다이오드를 상정한다. 이 실리콘에 있어서 항복에 대한 임계전계는

약 E m., = 4 x 1 5 V /c m 이다. 항복전압이 ( a) 40 V 및 (b ) 20 V 로 되도록 최대 p 형 도
핑농도를 구하라.
7.36 역 항복전압이 80 V로 되도록 계단형 실리콘 n+p 접합 다이오드를 설계하라.
7.37 ( a) Nd = 1 016 c m - 3인 n 형 도핑농도를 갖는 계단형 p + n G a As 접합이 있다. 항복전
압을 구하라. (b ) Nd = 1 015 c m _ 3인 경우 ⑷ 를 반복하라.
7.38 ( a) Na = Nd = 2 x l 1 6Cm _ 3으로 대칭적으로 도핑되어 있는 실리콘 pn 접합이 있
다. 임계전계가 Ecrit = 4 X 105 V /c m 일 때 이 접합의 항복전압을 구하라. (b ) 도핑농
도가 Na = Nd = 5 x 1 015 cm 一3일 때 ( a)를 반복하라.
7.39 … = 5 x l 01 5c m -3인 n 형 도핑농도를 갖는 계단형 실리콘 p +n 접합이 있다. 공핍 영
역이 오믹 접촉부에 이르기(펀치쓰루) 전에 애벌런치 항복이 일어나도록 최소 n 영역
폭을 구하라.
7.40 Na = N d = 1 018 c m - 3으로 도핑되어 있는 실리콘 pn 접합 다이오드가 있다. 최대전
계가 106 V /c m 일 때 제너항복이 일어난다. 역바이 어스 항복전압을 구하라.
7.41 어떤 다이오드는 종종 n + pp +다이오드로 알려진 그림 P7.29에 보인 도핑 프로파일을
갖는다. 역바이어스 하에서 조기항복을 피하기 위해 공핍영역은 P 영역 내에 있어야
만 한다. P 영 역의 도핑은 1 015 c m -3이라고 가정한다. 만약 P 영 역 폭이 ( a) 75 나m ，(b )
150 /x m 일 때 공핍영역이 p 영역 내에 남아 있고 항복이 일어나지 않도록 하기 위한
역바이어스 전압을 구하라. 각각의 경우에 대하여 최대 공핍폭，혹은 항복전압의 어
느 쪽이 먼저 도달하는지를 논하라.
7.42 T = 300 K 에서 어떤 실리콘 pn 접합이 2 나m 의 거리에 걸쳐 도핑 프로파일이 Na =
1 018 c m -3에서 Nd = 1 018 c m -3로 선형적으로 변화한다. 항복전압을 산줄하라.
7 .5 절 불 균 일 하 게 도 핑 된 접 합

7.43 선형적 기울기를 갖는 접합이 있다. (a ) 식 (7 . 6 2 ) 로부터 출발하여 식 (7 . 6 4 ) 로 주어지

는 전계 표현식을 유도하라. (b ) 식 (7 . 6 6 ) 으로 주어지는 공간전하 영역 양단의 전위
에 대한 표현식을 유도하라.
7.44 T = 3 00 K 에서 선형적 기 울기를 갖는 실리콘 pn 접합의 내부 전위 장벽은 =
0. 7 0 V 이다. VR = 3.5 V 일 때 측정된 접합 커패시턴 스는 C '= 7 . 2 x 1 0 -9 F /c m 2 이

다. 순 불순물 농도의 기울기 a 를 구하라.

요약 및 복습

7 .45 ( a ) T = 3 00 K 에서 어떤 일방 n+p 실리콘 다이오드는 ~ = 3 x 1 17 c m —3으로 도

핑되어 있 다 .。 = 5 V 일때q = 0.45 P F 이 되도록 접합을 설계하라. ( b ) ( i) VR =

2-5 V 일때 및 ( ii) 。 = 0 V 일 때의 접합 커패시턴스를 계산하라.

7 . 46 단면적 1 ( T 5 c m 2인 일방 p +n 접합이 T = 3 00 K 에서 Vb, = 0.8 V 인 내부 전위를 갖
는다. ( l/ C p 2 대 。 의 그림은。 < 1 V 에서 선형 이고 VR > 1 V 에서는 일정하다. 커
패시턴스는 匕 = 1 V 에서 Cj = 0. 082 p F 이다. 이러한 커패시턴스 특성이 얻어지기
위한 금속학적 접합의 양쪽에서 의 도핑 농도를 구하라.
*7 .4 7 T = 3 0 0 K 에서 n -n 계단 접합 형태로 < 0 일 때 N d' = 1 0 15 c m - 3 이고 ;!: > 0 일때
N d2 = 5 x l 0 1 6 c m - 3으로 도핑된 실리콘이 있다. ( a ) 에너지밴드 다이어그램을 스케
치하라. (b) 八,.에 관한 표현식을 유도하라. (c ) 접합 양단에서의 전하밀도，전계，전위
를 스케치하라. (d ) 전하밀도는 어 디에서 왔으며 어디 곳에 위치하고 있는지 설명하
라.
*7.48 p 쪽에 는 a = 2 x l 1 9c m _ 3의 기울기를 갖는 선형적 기울기를 갖고 있고，n 쪽에는
1 015 c m -3으로 균일하게 도핑되어 있는 확산 실리콘 pn 접합이 있다. (a ) 제로 바이
어스인 상태에서 p 쪽의 공핍폭이 0.7 p m 일 때，제로 바이어스 상태에서의 총 공핍
폭, 내부 전위，최대전계를 계산하라. (b ) 접합 양단에서의 전위 함수를 스케치하라.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. D i m i t r i j e v , S. P rin c ip le s o f S e miconductor D e vic e s. N e w Y o r k : O x f o r d U n i v e r s it y
P re s s ，2006.
2. K a n o , K . S e miconductor D e vic e s. U p p e r S a d d l e R i v e r, N J : P r e n tic e H a ll, 1 998.
*3. L i , S. S. S e miconductor P h y sic a l E le ctronics. N e w Y o r k : P l e n u m P re s s, 1 993.
4. M u l l e r, R . S ” a n d T . I. K a m in s . D e vic e E le ctro nic s f o r In te gra t e d C irc u its , 2 n d e d.
N e w Y o r k : J o h n W i l e y a n d S o n s, 1 986.
5. N a v o n , D . H . S e miconductor M icro d e vic e s a n d M a t e ria ls . N e w Y o r k : H o lt , R in e h a rt &
W in s t o n , 1 986.
6. N e u d e c k , G . W . The P N J u n ctio n D iod e . V ol. 2 o f the M o d u l a r S erie s on S o lid State
D e vic e s, 2 n d e d. R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y , 1 989.
*7 . N g , K . K . C omple te G uid e to S e miconductor D evic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 995 . *

*표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

276 Chapter 7 … 접 합

8. P i e rr e t, R . F . S e miconductor D e vic e F und a m e nta ls. R e a ding, M A : A d d is o n -W e s l e y ,

1 996.
*9 . R o u ls t o n , D . J. A n In tro d u c tio n to the P hysics o f S e miconductor D evic e s. N e w Y o r k :
O x f o r d U n i v e r s it y P re ss, 1 999.
1 0. S h u r, M . In tro d u c tio n to E le c tro n ic D evic e s. N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s, 1 996.
*1 1 . S h u r, M . P hysics o f S e miconductor D e vic e s. E n g l e w o o d C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 990.
1 2. S in g h , J. S e miconductor D e vic e s: B a sic P rin ciple s . N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s,
2001 .
1 3. S tr e e tm a n , B . G ., a n d S. K . B a n e rj e e . S o lid State E l e c tro n ic D e vic e s, 6 th e d. U p p e r
S a d d l e R i v e r, N J : P e a rs o n P r e n tic e H a ll, 2006.
1 4. S z e, S. M . , a n d K . K . N g. P hysics o f S e miconductor D evic e s, 3 rd e d. H o b o k e n , N J :
J o h n W il e y a n d S o n s, 2007 .
1 5. S z e, S. M . S e miconductor D e vic e s: P hysics a nd T e chnology, 2 n d e d. N e w Y o r k : J o h n
W il e y a n d S o n s, 2001 .
*1 6 . W a n g , S. F und a m e nta ls o f S e miconductor T h e ory a n d D e vic e Physics. E n g l e w o o d
C l if f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 989.
1 7. Y a n g , E . S. M icro e l e c tro n ic D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 988.
 Q:
山
•
q
.
•
•

p n 접합 다이오드

-4 IL

앞 장에서 우리는 열평형 및 역바이어스 하에 있는 pn 접합의 정전기학적 특성에 관하여 논의

하 였 다 . 우 리 는 열 평 형 에 서 의 내 부 전 위 장 벽 을 구 하 였 고 공 간 전 하 영역 내의 전 계 를 계 산 하 였

다. 또한 접합 커패시턴스에 대하여 알아보았었다.

이 장에서 우 리 는 순 바 이 어 스 전압이 인가된 pn 접 합 에 관 하 여 논 의 하 며 전 류 -전 압 특 성 을 알

아보기로 한다. 순 바 이 어 스 전압이 인가될 때 pn 접합의 전위장벽은 낮아지게 되어 전자와 정공이

공간전하 영역을 가로질러 흐르게 된다. 정공이 p영 역 에 서 공간전하 영역을 가로질러 n영 역 으 로

흘러 들 어 갈 때 그 들 은 과잉 소 수 캐리어 정공이 되고, 6장에서 논 의 한 과잉 소 수 캐리어 확산, 드

리프트 및 재 결 합 과정 을 겪게 된다. 마찬가지로, 전 자 가 n영 역 에 서 공간전하 영역을 가로질러 p

영역으로 흘러 들어갈 때 그 들 은 과잉 소 수 캐리어 전자가 되며 똑 같 은 고정 을 겪 게 된 다 . ■

8. 0 개설

이 장에서 우 리 는 다 음을 논 의 할 것이다.
■ 순 바 이 어 스 전압이 인가될 때 pn 접합의 전 위 장 벽 은 낮아지게 되는 과 정 을 상정
한다. 이 때 정공 과 전자 가 접합을 가로질러 흐르게 되 어 다 이오드 전 류를 만들게
된다.
■ n 영 역에서의 과잉 정 공 과 p 영 역 에 서 는 과잉 전자에 관 한 경 계 조 건 을 유 도 하 고 ，
순 바이어스하에서 이 과잉 캐리어들의 성질 을 해석한다.
■ 순 바 이 어 스 된 pn 접합 다이오드의 이상적 전 류 -전 압 관 계 를 유도한다.
■ pn 접합 다이오드의 비 이상적 효 과 들 ，즉 고수 준 주 입 ，생성 및 재 결 합 전류 등에
관해 기술하 고 해석한다.
■ pn 접합 다 이 오 드 의 소 신 호 등 가 회 로 를 전 개 한 다 . 이 등 가 회 로 는 pn 접합에 있
어서 작 은 시 간 변화 전류 와 전압 을 연관시 키는 데에 사용된다.
■ 대신호 다 이오드 스위 칭 특 성 을 논 의 한 다 .
■ 터널 다 이 오 드 라 고 부 르 는 특 수 한 pn 접합 을 기술한다.
277
278 Chapter 8 pn 접합 다이오드

8.1 pn 접 합 전 류
pn 접합에 순 바 이 어 스 전압이 인가 되 었 을 때，전류 가 소 자 내에 유기될 것이다. 우 리 는
먼저 pn 접 합 내에서 전 하 가 어떻게 흐 르 는 가 를 정 성 적 으 로 논 의 한 후에 수 학 적 으 로
전 류 -전 압 관 계 를 유 도 하 기 로 한다.

8.1.1 pn 접합 내에서의 전하 흐름의 정성적 고찰

우 리 는 다시 금 에너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 고 찰 함 으 로 pn 접합 내에서 전류의 기구 를 정
성 적 으 로 이 해 할 수 있다. 그림 8.1 a 에 앞장에서 자세히 기 술 한 열평형 상 태 에 있는 …
접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보 인다. 예를 들어 전자들에 의해 보 이 는 전 위 장 벽 은
n 영역 내에 있는 많 은 전 자 농 도 를 억 제 하 므 로 P 영 역 으 로 흐 르 는 것을 막 는 다 . 마 찬 가
지 로 ，정공들에 의해 보 이 는 전 위 장 벽 은 P 영역 내에 있는 많 은 정 공 농 도 를 억제하므로
n 영역으로 흐 르는 것을 막는다. 그때 전위 장 벽 은 열평형을 유지한다.
그림 8.1 b 에 역바이 어스되어 있는 pn 접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보인다. n 영
역의 전위 는 p 영역을 기 준 으 로 양 이 므 로 n 영역 내의 페르미 에 너 지 는 p 영 역 보 다 낮다.
이때 총 전 위 장 벽 은 제로 바 이 어 스 때 보 다 더 높 다 . 우 리 는 논 의 할 때에 앞 장에서 증
가된 전 위 장 벽 은 전 자 와 정 공 을 계 속 적 으 로 억 제 하 므 로 전하의 흐 름 은 없고 따라서 전
류 는 흐르지 않는다고 간주 한다.
그림 8.1 c 에는 n 영역 을 기 준 으 로 p 영역이 양인 전압이 인가된 경우에 대 한 에너지
밴 드 다 이 어 그 램 을 보 인 다 . 이때 p 영역의 페르미 준 위 는 n 영 역 보 다 더 낮 다 . 이제 총

그림 8. 1 (a) 제로 바이어스，(b) 역바이어스 및 (c) 순바이어스에 대한 pn 접합과 관련되는 에너지밴드 다이어그램

전 위 장 벽 은 줄 어 들 었 다 . 더 작 은 전 위 장 벽 이 란 공핍영역 내의 전 계 가 줄 어 들 었 다 는 것
을 의 미 한 다 . 더 작 은 전 계 란 전 자 와 정공이 각 각 n 영 역과 p 영 역 내에서 더 이 상 억제
되지 않 는 다 는 것을 의미한다. 따라서 정공 확산이 p 영 역으로부터 공 간 전 하 영 역을 가
로질러 n 영 역 으 로 흐르게 된다. 마 찬 가 지 로 ，전 자 확산이 n 영역으 로 부 터 공 간 전 하 영
역을 가로질러 p 영역 으로 흐르게 된다. 전하의 흐름이 pn 접합에 전류를 생성시킨다.
정공이 n 영 역 으 로 주 입 된 다 는 것은 이 정공이 소 수 캐 리 어 라 는 것 을 의 미 한 다 . 마
찬 가 지 로 ，전자 가 p 영 역으로 주 입 된 다 는 것은 이 전 자 가 소 수 캐 리 어 라 는 것을 의 미 한
다. 이 들 소 수 캐 리어의 특 성 은 6장에서 논 의 한 엠비폴러 전 송 방 정 식 으 로 표 현 된 다 .
이들 영역 내 에 는 과 잉 캐 리 어 의 확 산 뿐 아 니 라 재 결 합 도 있다. 캐리어 확 산 이 라 함 은
확 산 전 류 가 있다 는 것을 의미한다. pn 접합 전 류 -전 압 관계식의 수학적 유 도 를 다 음 절
에서 논 의하겠다.

8.1.2 이상적 전 류 - 전 압 관계

pn 접합의 이상적 인 전 류 -전 압 관 계 는 다음의 4가지 기본 가정으로부터 유 도 된 다(마지

막 가정 은 세 부 분 으 로 되 어 있지만 각 부 분 은 전류 를 다루 고 있다).

1 . 계단형 공 핍 층 근 사 를 적용한다. 공 간 전 하 영역은 계단형 경계이며 공핍영역 밖

에서의 반 도 체 는 중성이다.
2. M a x w e ll-B o lt z m a n n 근 사 를 캐리어 통계에 적용한다.
3. 저 주입 개념 을 적용한다.
4a . 총 전류 는 모 든 p n 구조에 걸쳐서 일정하다.
4b . 각각의 전자 및 정공 전류는 … 구조에 걸쳐서 연속함수이다.
4c . 각각의 전자 및 정공 전류는 공핍영 역에 걸쳐서 일정하다.

이 장에 있어서 아주 많이 방정식의 표기들이 나타나게 된다. 표 8.1 에 전자 및 정공 농

표 8.1 이 장에서 통상적으로 사용하는 항들과 표기법

항목 의미
Na /써접합의 /?영역에 있어서의 엑셉터 농도
Nd 접합의«영역에 있어서의 도너농도
n n =~ - N d «영역에 있어서의 열평형 다수 캐리어 전자농도
Pp == N a P영역에 있어서의 열평형 다수 캐리어 정공농도
n p == n ] l N a P영역에 있어서의 열평형 소수 캐리어 전자농도
PnO == n ) l N d «영역에 있어서의 열평형 소수 캐리어 정공농도
P영역에 있어서의 총소수 캐리어 전자농도
Pn «영역에 있어서의 총소수 캐리어 정공능도
np( - xp) 공간전하 끝의 P영역에 있어서의 소수 캐리어 전자농도
Pn(Xn) 공간전하 끝 의 «영역에 있어서의 소수 캐리어 정공농도
8 n p = np ~ np "영역에의 과잉 소수 캐리어 전자농도
8 p n = P n ~ PnO „ 영역에서의 과잉 소수 캐리어 정공농도
280 Chapter 8 … 접합 다이오드

도의 여 러 항 들 을 열거하였 다. 앞 장에서 이미 많 은 항 들 을 사 용 하 였 지 만 ，편 의 상 여기
서 다시 나타내었다.

8.1.3 경계조건

그림 8.2에 열평형에 있는 pn 접합의 전도대 에 너 지 를 보인다. n 영역의 전 도 대 에 는 p 영

역 보다 더 많 은 전 자 가 존 재 한 다 . 내부 전 위 장 벽 은 이 전자의 높 은 밀 도 가 p 영역 쪽 으
로 흐르지 못하게 한다. 내부 전 위 장 벽 은 접합 양쪽의 캐리어 분 포 사이에 평 형 을 유지
하게 한다.
내부 전위장 벽에 대 한 표 현 식 은 앞 장에서 유도하여 식 (7.1 0)으 로 주어 졌으며 다음
과 같다.

Vw = y , l n j ^ )

이 식을 v , = A'77e 로 나누 고 양변에 지 수 를 취한 후 역수를 취하면 다음 얻는다.

nf - cxn( - eV k, \ (8.D
NaNd — exp l kT )

완전히 이온화되 었다고 가정하면 다음 과 같이 쓸 수 있다.

었 Nd ( 8 . 2)

여기서 /^ 는 n 영역에서 다 수 캐리어 전자의 열 평 형 농 도 이 다 . p 영 역 에 서 는 다 음 과 같

이 쓸 수 있다.

여 기 서 ， 는 소 수 캐리어 전자의 열평형농 도 이 다 . 식 (8.2)와 (8.3)을 식 (8.1 )에 대입 하

면 다 음 과 같이 된다.

그림 8. 2 pn 접합에서의 전도대 에너지

 8.1 pn 접합 전류 281

0 + Va _ 分

(a)

그림 8.3 (a) 순바이어스 전압이 인가된 pn 접합에서 에 의해 형성된 전계 방향과 공간전하 전계, (b) 순바이어스된 pn
접합의 에너지밴드 다이어그램

이 식 은 열평형에서 접합의 p 쪽에 있는 소 수 캐리어 전 자 농 도 와 접합의 n 쪽에 있는 다

수 캐리어 전자농도와의 관 계 를 보 여 주 는 식이다.
만 약 n 영 역을 기 준 으 로 p 영 역에 양의 전 압 을 인 가하면 전 위 장 벽 은 줄 어 든 다 . 그림
8.3 a 에 ■
匕 전압이 인가된 pn 접 합 을 보 인 다 . 벌크 p 및 벌크 ！
!영 역 내에서의 전계 는 정
상 적 으 로 는 매 우 작다. 결국 인가된 모 든 전 압 은 접합영역에 걸리게 된다. 인가된 전압
에 의해서 생긴 전계 E app는 열평형 공간전하의 전 계 방 향 과 반 대 방 향 이 며 , 따라서 공 간
전 하 영역 내에서의 순 수 한 전 계 는 열 평 형 값 이하 로 줄 어 든 다 . 열평형 때에 형성된 확
산 력 과 E -전계력 간의 미 묘 한 균 형 은 깨지게 된다. 다 수 캐 리 어 가 공 간 전 하 영역 을 건
너게 하 는 것을 방 해 하 는 전 계 력 은 줄 어 든 다 . 다 수 캐리어 전 자는 n 쪽으로부 터 공핍영
역으로 주입되어 p 물 질 로 들 어 가 고 ，다수 캐리어 정공은 p 쪽으로부터 공 핍 영 역 으 로 주
입되어 n 물 질 로 들 어 간 다 . 바 이어스 V a가 인가되어 있는 한 ，공 간 전 하 영역을 넘어가는
캐리어 주 입 은 계속되며 pn 접합에 전류가 생성된다. 이 바 이 어 스 조 건 을 순 바 이 어 스 라
고 부 르 며 ，순바이 어 스 된 pn 접합의 에너지 밴드 다이어그 램 을 그림 8.3b 에 나타내었다.
접합이 순 바 이 어 스 되 었 을 때，식 (8.4)의 전위장벽 는 (V노 一 로 대 체 시 킬 수 있으
며 다 음 과 같이 된다.

nP = nn0 exp | e ( '뇨 Va)) = n„ exp ( - ^ ) exp (8.5)

만 약 ，저 주 입 을 가정 한다 면 다수 캐리어 전 자농도 «„ 는 그다지 변하지 않는다. 그 러 나

소 수 캐리어 농 도 乂는 열 평 형 값 «p0의 크 기 보 다 수 ord er 더 큰 정도 로 벗어나게 된다.
식 (8.4)를 이용하면 식 (8.5)는 다음 과 같이 쓸 수 있다.

np = np exp (8.6)
(# )
282 Chapter8 pn 접합 다이오드

i
i
i
- Pn^Xn) = PnO^V
포 호 T U
저기- 고이
' eV ] J i
i
_ V)exP kT i
i
i
i
i
i *~ PnO
np ------------------------- I
i
~xp x = 0 xn

그림 8 . 4 순바이어스 전압에 의해 생성된 공간전하 영역 끝에서의 과잉 소수 캐리어 농도

pn 접합에 순 바 이 어 스 가 인가될 때 접 합 은 더 이상 열평형이 아니다. 식 (8.6)의 좌 변 은

P 영역 내의 총 소 수 캐리어 전자농도이며 이것 은 열평형 값 보 다 더 크게 된다. 순바이어

스 전압 은 전 위 장 벽 을 낮추기 때문에 n 영역으로 부터 오 는 다 수 캐리어 전 자 는 접합 을
지나 P 영 역 으 로 주 입되며 따라서 소 수 캐리어 전자의 농 도 를 증 가 시 키 게 된다. p 영역
내에는 과잉 소 수 캐리어 전 자 가 생성되게 된다.
전 자 가 p 영역으 로 주입 될 때 이들 과잉 캐 리 어 들 은 6장에서 논 의 했 던 확 산 및 재결
합 과 정 을 겪게 된다. 이때 식 (8.6)은 p 영역 쪽에 있는 공 간 전 하 영역의 끝에서의 소수
캐리어 전자농도에 대한 표현식이다.
순 바 이 어 스 전압하의 p 영역 내에 있는 다수 캐리어 정공에 대 해서도 공 간 전 하 영역
을 지나 n 영역 내로 주 입 되 는 과 정 은 앞 서 와 정확히 똑같이 일어나게 된다. 정공에 대
하 여 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Pn = PnO e x p H ) ( 8 '7 ^

여기서 은 n 영역 쪽에 있는 공 간 전 하 영역 끝에서의 소수 캐리어 정공농도이다. 그림

8.4에 이 결과 를 보인다. 순 바 이 어 스 전압 을 인가함으로써 pn 접합의 양쪽 영역에 과잉
소 수 캐 리 어 가 생성된다.

■ ■ ■ ■ 순바이어스된 pn 접합에서 공간전하 영역 끝에서의 소수 캐리어 농도를 계산하라.

T = 300 K 에서의 실리콘 pn 접합이 있다. n 영역에서의 도 핑 농 도 는 Nd = 1 016 c m _ 3 이고

p 영역에서의 도 핑 농 도 는 A?a = 6 x l 0 15 c m -3 이며, p n 접합에 0. 6 0 V 의 순 바이어스가 인가

된다고 가정하라.

식 (8.6)，식 (8.7) 및 그림 8.4로부터 다음을 얻는다.

np { - x p) = npo e xp and p„(xn) = p „ e xp ( t )

열평형 소수 캐리어 정공농도는

 ∼ = 1 = 산I 슴 ? = 3 .7 5 x l 0 4 c m _

| = a 4 , x i T = Z25xl 4cm-3

그러므로 다음을 얻는다.

n P ( ~ x p) = 3 .7 5 X 1 04 e x p ( ° ^ - ) = 4.3 1 X 1 014 c m -

P n { x „ ) = 2 . 2 5 X 1 04 e x p ( ° 2 g 9 ) = 2 . 5 9 X 1 01 4c m -3

區互 )
비교적 작은 순바이 어 스 가 인가될 때 소수 캐리어 농도는 많은 ord er의 양만큼 증가한다.
그러나 공간전하 끝에서는 과잉 소수 캐리어 농도가 열평형 다수 캐리어 농도보다 아주 적
으므로 저 주입 조건이 계속 적용된다.

연 습 ^^
E x 8.1 T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합에 있어서 N d = 2 乂 1 016 c m —3, N a = 5 x 1 16
c m -3인 불순물 농도로 도핑되어 있다. 접 합 은 。 = 0.650 V 로 순바이어스되어 있다. 공간
전하 끝에서의 소수 캐리어 농도를 계산하라. 아직도 저 주입을 계속 적용할 수 있는가?
[明 次 V m o M I X 的 .8 = ( 방 ) 방 ‘ ura w i X LS'£ = (dx-)du -s u y ]

식 (8.6)과 (8.7)로 주 어 지 는 공 간 전 하 영역 끝 에 서 의 소 수 캐리어 농 도 는 순바이어

스 전 압 (、 > )이 pn 접 합 양단에 인 가 되 었 다 고 가 정 하 고 유 도 하 였 다 . 그 러 나 가
음 (역 바 이 어 스 )으 로 되지 않 도 록 하 는 유 도 는 하지 않 았 다 . 만 약 pn 접합 에 영점 수
v o lt 이상의 역 바 이 어 스 전 압 을 인 가 시 키 면 식 (8.6)과 (8.7)로부터 공 간 전 하 영역 끝에
서의 소 수 캐리어 농 도 는 결 국 에 는 영으 로 됨 을 알 수 있다. 역 바 이 어 스 조 건 에 대 한
소 수 캐리어 농 도 는 열평형 값 이하로 떨어지게 된다.

8.1.4 소수 캐리어 분포

우 리 는 6장에서 n 영역 내에서의 과잉 소 수 캐리어 정공에 대한 엠비폴러 전 송 방 정 식 을

전개 한 바 있다. 이 방정식의 일차원적 인 표 현 식 은 다 음 과 같다.

d2 (ggn) ^Pn d(8 p n) ( 8 .8 )

D, 내 % 니 ，
dx2 dt

여기서 8p n = p„ - p „ 0 는 과잉 소 수 캐리어 정공농 도 로 서 총 소 수 캐 리 어 농 도 와 열평

284 Chapter 8 pn 접합 다이오드

형 소 수 캐리어 농 도 사이의 차이다. 엠비폴러 전 송 방 정 식 은 시 간 및 공 간 좌표의 함수

로써 과잉 캐리어의 움 직 임 을 기술한다.
5장에서 우 리 는 어떤 반도체 내에서의 드 리 프 트 전 류 밀 도 를 계 산 한 바 있다. 상 당
히 큰 전류 가 극히 작 은 전계에 의해서 생 성 되 는 것을 구 한 바 있다. 우 리 는 1 차 근 사 로
서 중성의 P 및 n 영역 내에서의 전계 는 영이라고 가정하겠다. ^ > 사인 n 영역 내에서 E

= 및 ， = 이 다. 또 한 만 약 정 상 상 태 라 고 가정 하 면 d( 8 pn)/dt = 0로 되 므 로 식
(8.8)은 다 음 과 같이 된다.

역 P니 0 (x > x n) (8.9)
dx! Lp

여기서 L j = DpTp0 M . p 영역 내에서 앞 에 서 와 같 은 조 건 으 로 놓 으면 과잉 소 수 캐리

어 전자농도는 다음처럼 된다.

d 2( 8 n p) 8np
(8.1 0)
於 ~ L] " ( <니

여기서 Ll = 이다.
총 소수 캐리어 농도에 대 한 경 계 조 건 은 다 음 과 같다.

Pnixn) = "„ e x p (D (8.1 1 a)

np( - x p) = ∼ exp ( 왕 ) (8.1 1 b)

Pn(x + ) = Pn (8.1 1 c)

np( x _ ) = ripo (8.1 1 d)

소 수 캐 리 어 가 공 간 전 하 끝에서부터 중성 반도체 영역으로 확산함에 따 라 그 들 은 다수

캐 리 어 와 재결합하게 된다. 그림 8.3a 에 보인 과 V。 의 길이는 매우 긴 상 황 ，특히 %
» Lp 및 化 » 스,,라고 가 정 하 기 로 한다. 과잉 소 수 캐리어 농 도 는 공 간 전 하 영역으
로부터 거 리가 먼 곳 에 서 는 영으로 된다. 이 구 조 를 긴pn 접합이라고 부른다.
식 (8.9)에 대한 일반해는 다 음과 같다.

^ Pn( x ) = Pn( x ) 一p = A ^ p + Be xlLP

n - (•: —^n) (8.1 2)

그리 고 식 (8.1 0)에 대한 일반해는 다 음 과 같다.

b n p( x ) = np{ x ) _ ripo = C ^lLn + D e ~ x,Ln (x 드-x p) (8.1 3)

식 (8.1 1 c )과 (8.1 1 d)의 경 계 조 건 들 을 적 용 하 면 계 수 A와 ■는 영 으 로 되 어 야 한다.

계수 와 C는 식 (8.1 1 a)와 (8.1 1 b)로 주 어 진 경 계 조 건 으 로 부 터 구 할 수 있다. 그때 과
잉 캐리어 농 도 는 江 ^ 사)에 대해 다 음 과 같이 된다.
 ( xn
걍PnM = Pn( x ) ~ p n = p n 에 (wf - 1 ex p
LP
(8.1 4)

그 리고 江 < - xpH 대해서는 다 음 과 같다.

Je V lx p + x \
8 np(x ) = np( x ) - = tip
\ ^ a \
一 1 (8.1 5)
[ expl lr ) eXPl L„ )

소 수 캐리어 농 도 는 접합으로부터 멀어짐에 따 라 거리에 지 수 적 으 로 감소하여 최종적

으 로 는 그들의 열 평 형 값 으 로 된다. 그림 8.5에 이 결 과 를 보인다. 다 시 금 우 리 는 n 영역
및 p 영역 모두의 길이 가 소수 캐리어의 확산길이에 비해 길다고 가정하겠다.
6장에서 비평형 조건에 있어서 과잉 캐리어에 적 용 시 키 는 유사-페 르 미 준위 개념을
논 의 하 였 다 . 과잉 전 자 는 중성 강영 역 에 존 재 하 고 ，과잉 정 공 은 n 영 역 에 존 재 하 므 로 유
사 -페 르 미 준 위 를 이들 영역에 적 용 시 킬 수 있다. 캐리어 농 도 의 항 으 로 유 사 -페 르 미
준 위 를 정의하면 다 음 식 과 같다.

p = p„ + Sp = rii e x p | - ^ ^ j (8.1 6)

«= «田+ Sn = «,'e x p (프표으사 (8. 1 7 )

그림 8.6은 pn 접 합 양 단 에 서 의 유 사 -페 르 미 준 위 를 보 인 다 . 식 (8.1 4) 및 식 (8.1 5)

로부터 캐리어 농 도 는 거리의 지수 함 수 이 며 ，식 (8.1 6) 및 식 (8.1 7)로부터 캐리어 농 도
는 유 사 -페르 미 준위의 지수 함 수 이 다 . 이때 유 사 -페르 미 준 위 는 그림 8.6에 보인 것처
럼 중성 P 및 n 영역에서 거리에 선형함수이다.
P 영역 내의 공 간 전 하 끝 근 처 에 서 는 8 n > «，
임을 의 미 하 는 EF„ - EFi > 0임을 유의
하라. 공 간 전 하 끝에서 떨어진 곳 에 서 는 8 ，
i < «，
■임을 의 미 하 는 > 0이며 과잉
전 자 농 도 는 영에 근 접 한 다 . 똑 같 은 논 의 를 n 영 역 내에서의 과잉 정공농도에 적용시 킬
수 있다.

그림 8. 5 순 바 이 어 스 하 에 있는 pn 접합에서의 정상상태 소 수 캐리어 농 도

286 Chapter 8 pn 접합 다이오드

그림 8.6 순바이어스되어 있는 pn 접합 양단에서의 유사-페르미 준위

저주입의 X = 사인 공 간 전 하 끝 에 서 는 다음 식처럼 쓸 수 있다.

n p „ { x„) = ?vp„„exp( 위 = n] exp(유 ) (8.1 8)

식 (8.1 6)과 식 (8.1 7)을 조 합 하 면 다음 식을 얻는다.

np = kTEFp)j (8.1 9)

식 (8.1 8)과 식 (8.1 9)를 비교해 보 면 ，유 사 -페 르 미 준위의 차 는 인 가 전 압 와 관계 지

을 수 있고 열 평 형 으 로 부 터 벗 어 나 는 것을 나 타 낸 다 . ，
，
과 의 차 는 공핍 영 역에서
는 거의 일정하다.
앞서 배 운 내용 을 다시 한 번 리뷰해 보 기 로 한다. 순 바 이 어 스 전압 은 pn 접합의 내
부 전 위 장 벽 을 낮 추 므 로 n 영역 쪽에서 전자 가 공 간 전 하 영역을 지나 p 영역으로 주입되
어 과잉 소 수 캐 리 어 를 만들게 된다. 이 과잉 전 자 들 은 벌크 p 영 역 으 로 확 산하여 그곳
에 있는 다 수 캐리어 정공 과 재결합하게 된다. 그때 과잉 소 수 캐리어 전 자 농 도 는 접합
에서부터 거 리 가 멀어짐에 따 라 감소한다. 정공이 공 간 전 하 영역을 지나 n 영역으로 주
입되는 과 정 도 똑 같 은 방 법 을 적용하여 설 명할 수 있다.

8.1.5 이 상적인 pn 접 합 전류

우 리 가 pn 접합 내의 전 류 를 구 하 는 데 사 용 한 방 법 은 앞 절에서 논 의 한 네 번째 가정
의 세 가지 조건에 기초 를 두 고 있다. 접 합 내의 총 전 류 는 공핍영역 전체에 걸쳐서 일
정 한 각각의 전 자 전 류 및 정공전류의 합이다. 전 자 전 류 및 정 공 전 류 는 pn 접 합 전체에
걸쳐 연 속 함 수 이 므 로 총 p „ 접 합 전 류 는 :c = 사에서의 소 수 캐리어 정 공 확 산 전 류 에
= —자에서의 소 수 캐리어 전자 확 산 전 류 를 더 한 것이다. 그림 8.5에 보인 것 과 같 은
소 수 캐리어의 농 도 기 울 기 로 인해 확 산 전 류 가 생기게 되 며 ，공 간 전 하 영역 끝에서 전
 전자 밀도 t

P n

J
^Total = Jp^n) + Jn( -Xp) ，一 Jpixn)

7 „ (-V 乂

~XP = 0 xn

그림 8.7 pn 접합의 공간전하 영역을 흐르는 전자전류 및 정공전류 밀도

계 가 영 이 라 고 가 정 할 수 있 으 므 로 소 수 캐리어의 드 리 프 트 전 류 성 분 은 무 시 할 수 있
다. pn 접 합 전 류 를 구 하 는 이러한 접 근 방 법 을 그림 8.7에 나타내었다.
x = 사에서 소 수 캐리어 정공의 확 산 전 류 밀도는 다음의 관계식으로부터 계산 할 수
있다.

dpn(,x )
JP(x„) = ~e D p ( 8.20)
dx

우 리 는 계 속 균 일 하 게 도 핑 된 영역 을 갖 는 다 고 가정해 오 고 있 으므로 열평형 소 수 캐

리어 농 도 는 일정하며, 따라서 정공의 확 산 전 류 밀도는 다 음 과 같이 된다.

J세 마 회 逆 (8 .2 1 )
CVC x=xn

식 (8.1 4)의 도 함 수 를 취하고 식 (8.21 )에 대입하면 다음 식을 얻는다.

( 8. 22)

이 순 바 이 어 스 조건에 대한 정 공전류 밀도는 + ; c방향, 즉 p 영역에서 n 영역으로 향한다.

같 은 방 법 으 로 ，x = 一자에서의 전자 확 산 전 류 밀도를 계 산 할 수 있다. 이것 은 다음
과 같이 쓸 수 있다.

d(8np(x ))
Jn( ~ xp) — e D „ (8.23)

식 (8.1 5)를 이용하면 다음 을 얻는다.

세 〉 = 우 다 에 (쁑 )_ 1 (8.24)
288 Chapter8 pn 접합 다이오드

전 자 전 류 밀도 또 한 七': 방향이 다.
우 리 가 처음에 가 정 한 것은 각각의 전자 및 정공 전 류 는 연 속 함 수 이 고 공 간 전 하 영
역 전체에 걸쳐서 일정하다고 하 는 것이었다. 총 전류는 전 자 와 정공 전류의 합이며 접
합 전체에 걸쳐 일정하다. 이들 전류의 크 기 를 다시 그림 8.7에 보인다.
pn 접합 내의 총 전류 밀 도 는 다 음 과 같다.

J =W + U ~ x P) = [쑤+ 쓴 ] 卜( ■ - I] (버)

식 (8.25)는 pn 접합의 이상적인 전 류 -전 압 관계에 대한 것이다.

여기서 파라미터 人는 다 음 과 같이 정의한다.

j _ eDpPn eD„ripp (8.26)

따라서 식 (8.25)는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

7 = / s[ exp ( ^ ) - l ] (8-27)

이상적인 다이오드 방정식이라고 부 르 는 식 (8.27)은 전 압 과 전류의 폭 넓 은 범위에 걸친

pn 접합의 전 류 -전 압 특 성 을 잘 서 술하고 있다. 식 (8.27)은 순 바 이 어 스 전압(Va > 0)인
조 건 을 가정하여 유 도 했 지 만 ,、 가 음(역 바 이 어 스 )으 로 되 지 않 도 록 하 는 유 도 는 하지
않는다. 식 (8.27)을 순 바 이 어 스 전압 의 함 수 로 하여 그 림 화 한 것을 그림 8.8에 보인
다. 만약 전압 Va가 수 kTleV 만 큼 음(역바이 어 스 )으 로 된다면 그때 역바이 어스 전류밀
도 는 역 바 이 어 스 전압에 의존하지 않게 된다. 이때 파라미터 人를 역 포 화 전 류 밀도라고
부른다. pn 접합 다이오드의 전 류 -전 압 특 성 은 명백하게 좌우대칭이 아니다.

그림 8.8 pn 접합 다이오드의 이상적인 /不특성

 8.1 pn 접합 전류 289

목적 I T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합에서 이상적인 역포화 전류밀도를 계산하라.

다음과 같은 파라미터를 갖는 실리콘 pn 접합을 상정한다.

N a = N d = 1 016 c m —3 rii = 1 .5 父 1 010c m 3

D n = 2 5 c m 2/s Tp = T„ = 5 X 1 0_ 7 s

D p = 1 0 c m 2/s €r = 1 1 .7

행 n
이상적인 역포화 전류밀도는 다음 식과 같이 주어진다.

Ln Lp

이 식은 다음과 같이 고쳐 쓸 수 있다.

이때 人는 다음과 같다.

， = (1 .6 X 1 0--X 1 .5 X 1 0'oy ( - ^ V s S p + T ^ V s ? ^ )

혹은 人 = 4 . 1 5 x 1 0 -! ' A /cm 2이다.

■
이상적인 역포화 전류밀도는 매우 작다. 만약 pn 접합의 단면적이 A = 1 0 4 c m 2 이라면

이상적인 다이오드의 역바이어스 전류는 / s = 4 . 1 5 x 1 0 -15 A 가 된다.

연습 문제
E x 8. 2 T = 3 00 K 에서 G a A s pn 접합 다이오드를 상정한다. 소자 파라미터는 다음과 같
다. 즉 ，八^ = 2 x 1 016 crr「 3, A = 8 x 1 15 c m 3 , Dn = 2 1 0 c m 2/s , D p = 8 c m 2/s , r no=

1 0 -7 s, rpo = 5 x l - 8 s 이다. 이상적인 역포화 전류밀도를 구하라.

( zu i W si 01 X = Y -s u y )

그림 8.9 전류를 대수 스케일로 그린 pn 접합 다이오드의 이상적인 /-V 특성

290 Chapter8 pn 접합 다이오드

만 약 식 (8.27)에 있는 순 바 이 어 스 전압이 수 k T le V 이상 인 양의 값 으 로 된 다 면 식
(8.27)에 있는 (一 1 )항 은 무 시 된 다 . 그림 8.9에 전 류 를 대 수 스 케 일 로 그 렸 을 때의 순 바
이 어 스 전 류 -전 압 특 성 을 보 인 다 . 이 상 적 으 로 이 그 림 은 、 가 수 k T le V 이상일 때 에 는
직 선으로 된다. 순바이 어스 전 류는 순바이 어스 전압의 지수함수이다 .

5 3 주어진 순바이어스 전압에서 특별한 전자밀도 및 정공 전류밀도를 생성하도록 pn

접합 다이오드를 설계하라.
T = 300 K에 있는 실리콘 pn 접합 다 이 오 드 를 생각한 다 . Va = 0.65 V 일 때 / „ = 20
A/cm2이고 사 = 5 A/cm2인 다이오드가 되도록 설계하라. 나머지 반도체 파라미터들은 예
제 8.2에 주어 진 것들을 써라.

전자의 확산전류밀도는 식 (8.24)로 주어지 며 다음과 같다.

c D nHp |
Jn exp - l
一T

숫자를 대 입하면 다음을 얻는다.

25 (1 .5 X 1 010)2
20 = (1 .6 X l - 19)A
1 0-7 Na

Na = 1 .01 X 1 015 cm -

정공의 확산 전류밀도는 식 (8.22)로 주어지 며 다음과 같다.

^Dppn (eV a \
Jp exp - 1
LP kT i

숫자를 대입하면 다음을 얻는다.

(1 .6 X 1 0 '9) Y g ，
一1 0一
7
(1_5 X 1 l )2 f e x p f J l M l
Nd 1 0.0 259/

Nd = 2.55 X 1 0,5cm

H ]
다이오드 전체에 흐르는 전자 및 정공 전류밀도의 상대 크기는 소자내의 도핑농도가 변하
면 변하게 된다.

연습문제
Ex 8.3 GaAs 다이오드에 대한 Ex 8.2 에 주어진 파리미터 를 이용하여 공간전하영 역 끝
에서의 전자 및 정공 밀도를 구하고，V성 = 1.05 V 인 순바이어스 전압에서 다이오드 내에서
의 총 전류밀도를 구하라.
[zuicyv ee i = xr Vmo/v g je r o = 今 o r i = (•노 一 )y suy]
8. 1.6 물리적 현상의 요약

우 리 는 지금까지 pn 접합에 순 바 이 어 스 전압 을 인가하였을 때의 상황에 대하여 알아보

아 왔 다 . 순 바 이 어 스 전 압 은 전 위 장 벽 을 낮 추 므 로 전 자 와 정공이 공 간 전 하 영 역 을 가
로질러 주 입 된 다 . 주입 된 캐 리 어 들 은 소 수 캐 리 어 가 되고 그때 접합으로부터 확산하여
다수 캐 리 어 와 재결합하게 된다.
우 리 는 공 간 전 하 영역 끝에서 소 수 캐리어 확 산 전 류 밀 도 를 계 산 하 였 다 . 식 (8.1 4)
와 (8.1 5)를 다시 상 기 하 면 p 및 n 영역 전체에 걸쳐서 거리의 함 수 로 써 소 수 캐리어의
확 산 전 류 밀 도 를 구 할 수 있다. 그 결과는 다 음 과 같다.

(X > xn) (8.28)

써 )= 농 W . ) - 1
(Xp + X
사 시 = ^ i [ e x p (— ) 시
(X < -Xp) (8.29)
e xph

소 수 캐리어 확 산 전 류 밀 도 는 각 영역 내에서 지 수 적 으 로 감 소 한 다 . 그 러 나 pn 접 합 을
통해 흐 르 는 총 전류 는 일정하다. 총 전 류 와 소 수 캐리어 확 산 전 류 의 차 이 가 다수 캐리
어 전류이다. 그림 8.1 0에 pn 구 조 를 흐 르 는 여러 전류 성 분 을 보인다. 예를 들어 접합으
로부터 떨어진 P 영역에서의 다수 캐리어 정공의 드 리 프 트 는 공 간 전 하 영역을 가로질러
n 영 역 으 로 들 어 가 는 정 공 을 공급하 며 또 한 과잉 소 수 캐리어 전 자 와 재결합하여 없어
지는 정공 을 공급한다. 같 은 논 의 를 n 영 역에 있는 전자의 드 리 프 트에도 적용할 수 있다.
우 리 는 순 바 이 어 스 된 pn 접합에서 과잉 캐 리 어 가 생 성 된 다 는 것을 살 펴 본 바 있다.
6장에서 유 도 한 엠비폴러 전 송 이 론 의 결과 로 부 터 과잉 캐리어의 움 직 임 은 저 주입에
있어서 소 수 캐리어의 파라미 터들에 의해 구 할 수 있었다. pn 접합의 전 류 -전 압 관 계 를
구 하 는 데에 있어서 우 리 는 소 수 캐리어의 움 직 임 과 특 성 을 알기 때문에 이들 소 수 캐
리어의 흐 름 을 고 려 한 다 . 우 리 는 양이 많 은 다 수 캐 리 어 보 다 는 소 수 캐 리 어 에 관하여
더 많이 생 각 한 것이 때때로 이상하게 보일지 모 르 지 만 ，그 러 나 그 이유 는 엠비폴러 전

전류밀도 +

다 수 캐리어
전자 전류

정공 확산
전류

그림 8. 1 0 순 바 이 어 스 하 에 있 는 pn 접합을 흐르는 이상적인 전자 및 정공 전류 성분

292 Chapter 8 pn 접합 다이오드

송이론 으로 부터 유도된 결과에서 보면 알 수 있게 될 것이다.

우 리 가 처음에 가 정 했 던 것처럼 P 및 n 영역 내에서의 전계 는 영이 아 니 므 로 p 및 n
영역 내 에서의 드 리 프 트 전 류 밀 도 가 존 재 한 다 는 사 실 에 유 의 할 필 요 가 있다. 우 리 는
중성영역 내에서의 전 계 를 계 산 할 수 있으며 우리의 영-전계 근사의 타 당 성 을 확 인 할
수 있다.

■■圖 冒 _ 주어진 다수 캐리어의 드리프트 전류를 생성하기 위해 필요한 실리콘 다이오드의

중성 영 역에서의 전계를 계산하라.
T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합에서 파라미터들은 예제 8.2에서 주어진 것과 같고
Va = 0.65 V 의 순바이어스가 인가되어 있다고 하자.

풀이
총 순바이어스 전류밀도는 다음처럼 주어 진다.

/ = ，[ eXp (f ) - l
•

역포화전류밀 도 는 예제 8 .2 에서 구한 값을 이용하면 다음과 같이 쓸 수 있다.

J = (4.1 55 X 1 0 ") 卜 {?( 0 쯩 9 ) - l | = 3.295 A /cm 2

접합에서 먼 n 영역 내에서의 총 전류는 다수 캐리어 전자 드리프트 전류로 될 것이므로 다

음과 같이 쓸 수 있다.
J = Jn ^ e[LnNdE

도 핑 농 도 는 Nd = 1 016 cm- 3이고 外, = 1 350 cmW-sec라고 한다면 전계는 다음과 같이 된

다.

E = -^ = -------------- -----------------------= 1 .525 V /cm

e fi„ N d (1 .6 X 1 0->9)(1 35 0 )(1 0 16)

■
전류-전압 식을 유도함에 있어서 우리는 중성 P 및 중성 n 영역에 있는 전계는 영이라고 가
정했었다. 비록 전계가 영이 아니라도 이 예제에서의 값은 매우 작다. 따라서 전계가 영이
라는 근사는 잘 들어맞는다.

연습 문제
Ex 8.4 E x 8.3 에서 기술한 G aA s … 접합 다이오드에 대한 중성 n 영역 및 중성 p 영 역에

있어 서 의 전계를 구하라. (u i V A SZ'£ = d3 'u i a /A ^690 0 = "3 's u y )

8. 1.7 온도 효과

식 (8.26)으 로 주 어 지 는 이상적인 역 포 화 전 류 밀 도 人 는 열평형 소 수 캐리어의 농 도

 8.1 pn 접합 전류 293

와 此 의 함수이 다 . 이들 소 수 캐리어 농 도 는 서에 비 례 하 며 ，이 " 는 온도에 매우 민감

한 함 수이다. 실 리 콘 pn 접합에 있어서 이상적 인 역 포 화 전 류 밀 도 는 온 도 가 매 1 0° C 증
가 할 때 마 다 거 의 4배로 증가한다.
순바 이 어스 전 류 -전 압 관 계 는 식 (8.27)로 주어 진다. 이 관 계 식 에 는 /,가 포함될 뿐
만 아 니 라 e xp (가 ^/好 )항 도 포함되어 있어서 순 바 이 어 스 전 류 -전 압 관 계 는 온도의 함수
로 도 된다. 온 도 가 증 가함에 따 라 똑 같 은 다 이 오 드 전 류 를 얻는 데 필 요 한 순 바 이 어 스
전 압 은 줄 어 들 게 된다. 만 약 전 압 을 일정하 게 유 지 시 킨 다 면 다 이 오 드 전 류 는 온 도 가
증 가 함 에 따 라 증 가 한 다 . 온도에 따 른 순바이 어 스 전류의 변화 는 역포화전류에서 보 다
는 덜 민감하다.

어 떤 pn 접합에서 온도변화에 따라 다이오드 전류를 일정하게 유지하기 위해 순바 r 4^ ■

이 어스 전압 변화분을 산출하라.
T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합이 처음에 0.60 ' /로 바이 어스되어 있다. 온도가 T =
31 0 K 로 증가한다고 하자. 접합 전체에 전류가 일정하게 흐르게 하기 위해 필요한 순바이
어스 전압의 변화를 계산하라.

례 n
순바이어스 전류는 다음과 같이 쓸 수 있다.

yoc e xpj ^ je x p ^ )

만약 온도가 변화하면 두 온도에 대한 다이오드 전류의 비를 다음처 럼 취하면 된다.

h = Q\ p ( - Eg/ kT2) Qxp( eVa2 /kT2)

J \ exip( - Eg/ kTi) Qxp( eVai / kTi)

전류가 일정하게 유지된다면 시 = / 2로 되고 다음과 같이 된다.

Eg 一 eVa2 _ Eg - eVai
—w2 w x—

T x = 300 K , T 2 = 31 0 K , Eg = 1 .1 2 e V , 心 = 0.60 V 로 놓은 다 음 ， 에 대해서 풀면

다음과 같이 된다.
1 .1 2 - Va2 _ 1 .1 2 - 0.60
31 0 300

따라서 다음 값을 얻는다.
Va2 = 0.5827 V

S 3
온도가 10° C 변화하는 함에 따라 순바이어스 전압 변화분은 -1 7 .3 m V 이다.

연습문제
E x 8.5 T = 300 K 에 서 八 = 1 .050 V 로 바이 어스된 G a As pn 접합 다이오드에 대하여
294 Chapter 8 pn 접합 다이오드

예제 8.5를 반복하라. (Am e'ZI- .SUV)

8. 1.8 “짧 은 ，
’ 다이오드

우 리 는 앞서의 해석에서 P 영역 및 n 영역 모 두 가 소 수 캐리어의 확 산 길 이 에 비해서 길

다 고 가 정 했 었 다 . 사 실 ，많 은 pn 접 합 구조에 있어서 한 영역이 소 수 캐리어의 확산 길
이에 비해서 짧 을 수 있다. 그림 8.1 1 에 이 러 한 예를 보인다. 즉 길이 % 이 소 수 캐리어
정공의 확산길이 & 보 다 매우 작다고 가정하였다.
n 영역 내에서의 정상상태 과잉 소 수 캐리어 정 공 농 도 는 식 (8.9)로부터 결 정되고 다

음 과 같이 주어 진다.

d 2 ( 8 p n) 8pn _

^ = 사에서 원래의 경계 조 건 을 적용하면 다음의 식 (8.1 1 a)처럼 주어진다.

Pn(xn) = P„ e X p ( ^ - |

두 번째 경 계 조 건 을 정 할 필 요 가 있 다 . 많 은 경 우 에 있 어 서 X = (사 + w g 에 오믹
(o h m ic )접촉이 존 재 한 다 고 가 정 하 고 무 한 표면 재 결 합 속도, 즉 과잉 소 수 캐리어의 농
도 가 영인 조 건 을 적용한다. 그때 두 번째 경 계 조 건 은 다 음 과 같이 된다.

Pn(x = 지 + Wn) = pn (8.30)

식 (8.9)에 대한 일반해 는 다 음 과 같 은 식 (8.1 2)로 주어진다.

Sp„ (x) = p n(x) - p n0 = + B e~x,L^ (x > x n)

이 경우에 있어서 n 영역의 길이 는 유한하기 때문에 일반해의 양 변 은 그 대 로 존 속 된 다 .

식 (8.1 1 b ) 및 (8.30)의 경 계 조 건 을 적용시키면 과잉 소 수 캐리어의 농 도 는 다 음 과 같이
된다.

sinh [( xn + W„ - x ) / Lp]
8 p n( x ) = p n exp
( # ) 시 sinh [ Wn/ Lp]
(8.31)

식 (8.31 )은 순 바 이 어 스 로 인가된 pn 접합의 n 영역 내에서의 과잉 소 수 캐리어 정공 농

그림 8.11 “짧은” 다이오드의 구조

도에 대 한 일 반 해 이 다 . 긴 다 이 오 드 에 대 한 조 건 인 » 나 이 라 면 식 (8.31) 은 식
(8.14) 과 같게 된다. 만 약 … « 、 이라면 sinh 항 은 다음 과 같이 근사화시 킬 수 있다.

(x n + — 、∼/지 + Wn — x \
sinh (8.32a)
LP LP

sinh (8.32b)
m i )

이때 식 (8.31) 은 다 음 과 같이 된다.

(x „ + W „^x\
(8.33)
8 p n( x ) = p n exp
# ) - 1 \~ w n~ j

소 수 캐리어 농 도 는 거리의 선 형 함 수 로 된다.

소 수 캐리어 정공 확 산 전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 주어진다.

d [ dpn( x ) ]
Jp = - e D p
dx

따라서 짧 은 n 영 역 에서는 다음이 같이 된다.

e D pp nl
JP(x) exp | (8.34)
~wT kTl

소 수 캐리어 정공의 확 산 전 류 밀 도 는 분 모 가 확산길이 나 가 아 니 라 길이 巧 ,로 된다. 확

산 전 류 밀 도 는 % « 사 이 므 로 긴 다 이 오 드 에 서 보 다 짧 은 다이오드 에서 더 크다. 또 한
소 수 캐리어 농 도 가 n 영역 전체에 걸쳐 거리에 대하여 근 사 적 으 로 선 형 함 수 로 되기 때
문에 소 수 캐리어 확 산 전 류 밀 도 는 일정하 다 . 이 와 같이 전 류 가 일 정 하 다 는 것은 짧 은
영역 내에 는 소 수 캐리어의 재결합이 없다는 것을 의미한다.

이해도 평가

T Y U 8.1 T = 300 K 에 있는 G a As pn 접합 다이오드에 있어서 도핑 농도는 Nd = 1 015

c m -3 , Na = 5 x l 0 16 c m -3 이다. 공간전하 끝의 어느 쪽에서도 소수 캐리어 농도
는 각각의 다수 캐리어 농도의 1 퍼센트 이하이다. 요구사양에 맞는 이 접합에
인가할 수 있는 최대 순방향 바이어스 전압을 계산하라. [A 내01 = (XBUl)°yl -s u y]

T Y U 8.2 T = 300 K 에 있는 실리콘 pn 접합에 있어서 다음과 같은 파라미터들을 갖는다.

즉 八느 = 5 x 1 016 c m -3 , Nd = lx 1 16 c m —3, D n = 25 c m 2/s, D p = 1 0 c m 2/s , r „

= 5 x l - ? s, rp0 = 1 X 1 0~ 7 에 다 . 단면적은 A = 1 0—3 c m 2 이고 순바이어스 전

압은 匕 = 0. 6 2 5 V 이다. 다음을 계산하라. (a ) 공 간전하 끝에서 의 소수 전자 확
산 전류, (b ) 공간전하 끝에서 의 소수 정공 확산 전류, ( pn 접합 다이오드의 총
전류. [VIU 竹1 (3) y u i 601 (<?) y u i K I' O (») 'suy ]
T Y U 8.3 T Y U 8 . 2 에 있었던 실리콘 p n 접합 다이오드를 상정한다. p 영역은 길고 n 영 역은
Wn = 2 /a m 로 짧다. (a ) 공핍영역에 있어서의 전자 전류와 정공 전류를 계산하
296 Chapter8 pn 접합 다이오드

라. (b) 왜 T Y U 8.2에서 구한 값과 비교하여 정공전류가 증가하나?

[ p9s^9J ui s^q ju9ipBJ§ (가 suap 이 oq 3q (q) tyui pp-g = dj -yui = 7 (v) -suy]

8. 2 생 성 - 재 결 합 전 류 및 고 ■주 입 수 준

우 리 는 이 상 적 인 전 류 -전 압 관 계 를 유 도 할 때에 저 주 입 을 가 정 하 였 고 공 간 전 하 영역
내에서 발 생 하 는 제 반 효 과 들 을 무 시 하 였 다 . 고 수 준 주입 및 공 간 전 하 영역 내에서 발
생 하 는 다 른 전류 성분들이 /-v 관 계 식 을 이상적 인 표 현 식 과 는 벗어 나게 만든다. 부 가
적인 전류가 6장에서 논 의 한 재결 합 과정에 의해 생성된다.

8.2.1 생성-재결합전류

S h oc kle y -R e ad -H a ll 의 재 결 합 이론에 의해 주어 진 과잉 전 자 들 과 과잉 정 공들의 재결

합 률 은 다 음과 같다.

R = C nCp N , ( n p - n ^ (8.35)
C„( n + n ' ) + C p( p + p')

통 상 대 로 파라미 터 n 및 /?는 각 각 전자 및 정공의 농도이다.

역 바 이 어 스 생성 전류 역 바 이 어 스 하에 있는 … 접합에 있 어 서 ，음 직 일 수 있는 전자
들 과 정공들은 최 종 적 으 로 는 공 간 전 하 영 역 밖으로 빠져나가게 된다 고 논 의 한 바 있다.
따라서 공 간 전 하 영역 내 에 서 는 n 며 p 여 0이다. 식 (8.35)의 재 결 합 률 은 다 음 과 같이
된다.

R= ~ CnCPN ,n (8.36)
C„n’ + CpP'

마 이 너 스 부 호 는 음의 재 결 합 률 을 의 미 하 므 로 역 바 이 어 스 된 공 간 전 하 영역 내에서
는 실 제 로 는 전 자 -정 공 쌍 이 생 성 되 고 있는 것 이다. 과잉 전 자 들 과 정공들의 재 결 합 은
열평형으로 되돌아가기 위 한 과 정 이 다 . 역바이어스된 공 간 전 하 영역 내에서의 전자 및
정공의 농 도 는 최 종 적 으 로 는 영으로 되기 때문에 전 자 들 과 정 공 들 은 트 랩 준 위 를 통 하
여 생성되어 열 평 형 으 로 되돌아가게 된다. 이 생성 과 정 을 도 식 적 으 로 그림 8.1 2에 나
타 내 었 다 . 전 자 들 과 정공들이 생 성 됨 에 따 라 그 들 은 전계에 의해 공 간 전 하 영 역 밖으
로 빠져나가게 된다. 전하의 흐 름 은 역바이어스 전류의 방 향 과 같다. 공 간 전 하 영역 내
에서 전 자 들 과 정 공 들 의 생 성 에 의해 발 생 된 이 역바이어스 생성 전류(re v ers e-bia s e d
ge neration curre nt )는 이상적인 역바이어 스 포화전류 에 추가되어 흐르게 된다.
우 리 는 식 (8.36)을 검토 하 면 역 바 이 어 스 생성 전 류 밀 도 를 계 산 할 수 있다. 만 약 간
단 한 가 정 을 취 하 고 트 랩 준 위 가 진성 페르미 준 위 에 있다고 한 다 면 식 (6.92)와 (6.97)
 8.2 생 성 -재 결 합 전류 및 고 •주입 수준 97

그 림 8. 1 2 역 바 이 어 스 된 pn 접합에서의 생성 과정

로부터 = 자및/ = 이로 된다. 그러 면 식 (8.36)은 다 음 과 같이 된다.

R = "I 1 (8.37)
N tc p N tC n

식 (6.1 03)과 (6.1 04)인 수명의 정 의를 사용하면 식 (8.37)은 다 음 과 같이 된다.

~rii
R (8.38)
+ Tn

만약 T „ 와 Tp 를 평균 한 새로 운 수 명 을 다음처럼 정의한다면

Tp 0 + TnO
T (8.39)
2

재 결 합 률 은 다 음 과 같이 된다.

-rij :
R 一 G (8.40)
2t

음인 재 결 합 률 은 생 성 율 을 의미하며 따라서 G 는 공 간 전 하 영역 내에서의 전 자 들 과 정

공들의 생성율 이다 .
생 성 전 류 밀 도 는 다음 식으로부터 구 할 수 있다.

•乂
gen e G dx (8.41 )

여기서 적 분 은 공 간 전 하 영역 전체에 걸쳐서 행 하 는 것이다. 만 약 생 성율이 공 간 전 하

영역에서 일정 하다고 간주하면 다음 식을 얻을 수 있다.
298 Chapter8 pn 접합 다이오드

T _ eriiW (8.42)
Jgen =

총 역바 이 어 스 전 류 밀 도 는 이 상 적 인 역 포 화 전 류 밀 도 와 생 성 전 류 밀 도 의 합이며 다
음처럼 표현한다.

J r = Js + /gen (8.43)

이 상 적 인 역 포 화 전 류 밀 도 人는 역 바 이 어 스 전압에 무 관 하 다 . 그 러 나 / gen은 역바이어

스 전압의 함수인 공 핍 폭 …의 함수이 다. 이 때 실제 의 역바이 어 스 전 류 밀 도 는 역바이 어
스 전압과 무관하지 않게 된다.

■병 W H M [5 3 역방향 바이어스된 pn 접합에 있어서 이상적인 역포화 전류밀도와 생성 전류밀도

의 상대 적 크기를 구하라.
T = 300 K의 실리콘 pn 접합에 있어서 파라미터들은 다음과 같다. 즉 = 25 cm2/s,
D p = 10 cm2/s, N a = N d = 1 016 cm—3, r = r p0 = r„ = 5 X 1 0-7 네 다 . 다이오드는 V노
= 5 V로 역바이어스되어 있다고 가정하라.

행 n
이상적인 역포화전류밀도는 예제 8.2에서 구하였고 그 값은人 = 4.1 55 xlO - 11 A/cm2이었
다.

(퇴 = (0.0259) In (1.5 X 1010)2 = 0.695 V

( 1016) ( 1016)
Vbi = V , ln

내부 전위는 다음과 같다.

\ 2 e s( Vb i+ VR) |\ Na + Nd\
1 e 1{ NaNd )
11/2
[2 (1 1 .7 )(8 .8 5 X l - ,4)(0.695 + 5) 1016 + 10161
1 1.6 X 1 0 19 (1 016)(1 0,6)J
10_4cm

공핍폭은 다음과 같다.

en.W _ (1.6 父 1 -|9)(1 .5 X 1010)(1 .21 4 X 10_4)
Jgen ' ~2 t 2(5 文 10~7)

생성전류밀도는 다음과 같다.

yge„ = 2.914 X 10_7A/cm2

혹은
■
乂gm — 2.914 X 10一7 ~ 、/ 1ri3
X _ 4.1 55X 1 0 -'= 7 X 1 °

두 전류의 비는 다음과 같다.

 8.2 생 성 -재 결 합 전류 및 고 ■주입 수준

■
두 전류밀도에 대한 결과를 비교해 보면 실온에 있는 실리콘 pn 접합 다이오드에 있어서 생
성 전류밀도는 이상적 인 포화전류밀도보다 그 크기 가 4승 정도 많다는 것을 알 수 있다. 실
리콘 pn 접합 다이오드에 있어서는 생성전류가 역바이어스 전류의 주된 원인이다.

연습 문제
E x 8.6 T = 300 K 에 있는 G aAs p n 접합 다이오드에 있어서 파라미터들은 다음과 같다.
즉 ，Nd = 8 x 1 016 c m -3, Na = 2 x l 15 c m -3, D n = 207 cm 2/s, D p = 9.80 cm 2/s, t 0 = r p0
= r„ = 5 x l -8 s 이다. ( a) 이상적 인 역방향 포 화 전 류 밀 도 를 계산하라. (b ) 다이오드가
V노 = 5 V 로 역바이어스되어 있을 때 역바이 어스 생성전류를 구하라. (b ) / gen//, 의 비를 구

하라. [i 이 '父' 89 (? ) 닌1m / V , -0 ! X 9 9 V 9 (功 느u iW -01 X LL9 'l ( ) suy]

순 바 이 어 스 재 결 합 전류 역바이어스된 pn 접합에 있어서 전 자 와 정공은 최 종 적 으 로 는

공 간 전 하 영 역 에 서 완전히 없어지게 되며 따라서 n = p 어 0로 된다. 그 러 나 순바이어
스 하에서 전 자 와 정 공 은 공 간 전 하 영역 을 지 나 주 입 되 므 로 실 제 로 는 공 간 전 하 영역
내에 는 약간의 과잉 캐 리 어 가 있게 된다. 이들 전 자 와 정공의 약 간은 공 간 전 하 영역 내
에서 재결합하게 되어 소 수 캐리어 분포에 기여하지 못하게 될 가능성이 있다.
전 자 와 정공의 재결 합 률 은 다 음 과 같 은 식 (8.35)로 주 어진다.

= C nC pN ,( n p - n f)
C „(n + n ') + Cp( p + p ')

분 자 와 분 모 를 C „ C 겨 ,로 나누 고 T „ 와 Tp 의 정 의를 이 용하면 재 결 합 률 은 다 음 과 같이
쓸 수 있다.

R = _ _ _ _ _ _ _ nP ~ nlj (8.44)
Tp (n + n ') + rn0(p + p ')

그림 8.1 3에 순 바 이 어 스 된 pn 접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보 인 다 . 그 림 에 는
전 자 와 정공에 대 한 진성 페르미 준 위 와 유 사 -페 르 미 준 위 가 그려져 있다. 6장의 결과
로부터 전자의 농 도 는 다음 과 같이 쓸 수 있다.

n = n , e xp [ ^ ^ ] (8.45)

그 리고 정 공 농 도 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

p = nie xp [ E F i ~T E F p] (8-46)

여기서 E F „ 과 EFp는 각 각 전자와 정공에 대한 유사-페 르미 준위이다.

그림 8.1 3으로부터 우리 는 다음 을 알 수 있다.
3 00 Chapter 8 pn 접합 다이오드

Ec
' ^Fn

EFi

Ev

그림 8.1 3 유사-페르미 준위를 포함하는 순바이어스된 pn 접합의

에너지밴드 다이어그램

{ E Fn 一 E Fi) + (E Fi - E Fp) = eVa (8.47)

여 기 서 。 는 인 가 한 순 바 이 어 스 전 압 이 다 . 다시 만 약 포 획 준 위 가 진성 페르미 준위에
있다 고 하면 «' = ， = 로 된다. 그림 8.1 4는 공 간 전 하 영역에 걸쳐서 거리의 함 수
로 표 현 한 재 결 합 률 의 상 대 적 크기 관 계 를 그린 것 이 다 . 이 그 림 은 식 (8.44), (8.45),
(8.46) 및 (8.47)을 이용하여 그린 것이다. 매 우 예 리 한 최댓값이 금속학적 접합 Cv = 0)
에서 일어난다.
공 간 전 하 영역의 중 앙 에 서 는 다음 식처럼 된다.

eVa
E fn — E Fi = E fi — Epp = —2 (8.48)

이때 식 (8.45)와 (8.46)은 다 음 과 같이 된다.

공간전하 영역에 있어서의

상대적 거리

그림 8.1 4 순바이어스된 pn 접합의 공간전하

영역에 있어서의 재결합률의 상대적 크기
 8.2 생 성 -재 결 합 전류 및 고 •주입 수준 1

rii exp (8.49)

p = h ,-exp (8.50)
, 2 kT )

만 약 n' = p — rij 및 '« Tp = 。로 가정하면 식 (8.44)는 다 음 과 같이 된다.

1] (8.51 )
2 t [ exp ( eVa/ 2 kT) + 1]

이 식은 전자 와 정공의 최대 재결합률이 순바이 어 스 된 pn 접합의 중앙에서 일어나는 것

을 의 미 하 는 것이 다 .、 》 쇼77e로 가정 하면 분자 에 있는 ( - 1 )항 과 분모에 있는 ( + 1)
항 은 무시 된다. 그러 면 식 (8.51 )은 다 음 과 같이 된다.

1 = 습 에 (봅 ) (8.52)

재 결 합 전 류 밀 도 는 다음으로부터 계산할 수 있다.

Jrec eR dx (8.53)

여기서 다시 적분 을 공 간 전 하 영역 전체에 걸쳐서 행한다. 그 러 나 이 경우에 있어서 재

결 합 률 은 공 간 전 하 영역 내 에 서 는 일정하지 않다. 공 간 전 하 영역의 중 앙 에 서 최대 재
결합 률을 구 할 수 있었으므로 다 음과 같이 쓸 수 있다.

yrec = ^ e x p( ^ j (8.54)

여기서 효'는 최대 재결합률이 효 과 적 으 로 일어나 는 길이이다. 그 러 나 자가 잘 정의되지

않은 혹 은 잘 알려 지 지 않은 파라미 터 이므로 관 습 적 으 로 다 음과 같이 쓴다.

시 =쓸 exp ( ■ ) = 人0exp (봅 ) (8'55)

여기서 …는 공간 전하폭이다.

총 순 바 이 어 스 전류 pn 접 합 내에서 의 총 순 바 이 어 스 전 류 밀 도 는 재 결 합 전 류 밀 도 와
이상 적인 확 산 전 류 밀 도 의 합 이 다 . 그림 8.1 5에 중성 n 영역 내에서의 소 수 캐리어 정공
농도의 그 림 을 보인다. 이 분 포 는 이상적 정공 확 산 전 류 밀 도 를 생기게 하 며 ，소 수 캐리
어 정 공 확 산길이 및 인가 접 합 전압의 함 수 이 다 . 이 분 포 는 공 간 전 하 영 역 을 지나 주
입되는 정공에 의해 생긴 것이다. 지금 만약 공 간 전 하 영역 내로 주 입 되 는 정공이 약간
있다고 한다 면 재결 합 으 로 인해 없어질 것이며 이 때에는 이렇게 없어지는 것을 보상시
 p

그림 8.1 5 n영역 내에서 재결합으로 인한 추가적인 정공들이

소수 캐리어 정공농도를 이루기 위해 P영역 쪽에서 공간전하
영역으로 주입되어야 함

켜주기 위해 p 영역 쪽에서 추 가 적 인 정공이 주 입 되 어 야 할 것이다. 이렇게 추 가 적 으 로

단 위 시 간 당 주 입 되 는 캐리어의 흐름이 재 결 합 전 류 를 형 성하게 된다. 이 추 가 된 성분
을 그림에 도 식 적 으 로 나타내 었다.
총 순 바 이 어 스 전 류 밀 도 는 재 결 합 전 류 밀 도 와 이 상 적 인 확 산 전 류 밀도의 합 이 므 로
다 음 과 같이 쓸 수 있다.

J = Jrec + J d (8.56)

여기서 / rec는 식 (8.55)로 주어진 값이며 J D는 다 음 과 같이 주어진다.

JD = Js cxp ( ^ ) (8.57)

식 (8.27)에 있는 (一 1 )항 은 무 시 된 다 . 파라미터 人는 이상적인 역 포 화 전류밀도 이며 앞

에서 재결 합 전류 를 논 의 하 였 을 때 알 수 있었던 것처 럼 시 의 값 은 人의 값 보 다 크다.
만약 식 (8.55)와 (8.57)에 자 연 로 그 를 취하면 다음 식을 얻게 된다.

In JItc = In 7 k) + 음눈 = In 시 + | (8.58a)

In 7D = In ^ = In 7S+ ^ (8.58b )

그림 8.1 6에 의 함수로서 대수 전류 스 케 일 로 그린 재 결 합 전 류 성 분 과 확 산 전류
성 분 을 보 인 다 . 두 곡선의 기 울 기 는 똑같지 않다. 또 한 그림에 두 전 류 성 분 의 합 인 총
전 류 밀 도 도 보였다. 우 리 는 여기서 저 전 류 밀 도 에 서 는 재 결 합 전 류 가 우 세 하 고 고 전류
 8.2 생 성 -재 결 합 전류 및 고 . 주입 수준

노(八? )

In (Js)

그림 8.1 6 순바이어스된 pn 접합에서의 이상적인 확산，재결합，총 전류

밀도 에 서 는 이상적 인 확 산 전 류 가 우 세 하 다 는 것에 주 목 할 필요 가 있다.
일반 적으로 다 이 오 드 전 류 -전 압 관 계 는 다음 과 같이 쓸 수 있다.

/ = /s[exp(£ f)_1 ] (8'59)

여기서 파라미터 «을 이상인자 (id e a lity fa ctor ) 라고 부른다. 큰 순 바 이 어 스 전압에 있어
서 확산 이 우 세 할 때 /2 === 1로 되 며 ，작 은 순 바 이 어 스 전압에 있어서 재결합이 우 세 할
때 « « 2로 된다. 1 < « < 2인 전이영역이 존재한다.

8.2.2 고-수준주입
이상적 다 이 오 드 /- V 관 계 식 에 있어서 우 리 는 저주입이 유 효 하 다 고 가 정 하 였 다 . 저주
입은 과잉 소 수 캐리어 농 도 가 항 상 다수 캐리어 농 도 보 다 매우 적다는 것을 의미한다.
그 러 나 순 바 이 어 스 전압이 증 가 함 에 따라, 과잉 캐리어 농 도 는 증 가하여 다 수 캐리어
농 도 와 비슷하거 나 오히 려 많을 수 있다. 식 (8.1 8)로부터 다음처 럼 쓸 수 있다.

np = n ] exp (위

n = n0 + Sn 및 p = p + 知 이 므 로 다음 식 을 얻는다.

{n + dn )(p „ + 8 p ) = nf exP (유 ) (8.60)

304 Chapter 8 pn 접합 다이오드

■^
/

(9I 3
/

S
/

' —

그림 8.1 7 순바이어스 전류 대 저 순바이어스 및 고 순바이어스 전압

고 -수 준 주입 하에서 8n > n 0 및 S p 〉 。 이므로 식 (8.60)은 다음처 럼 근사시 킬 수 있다.

(S n)(S p) = n f exp|y -j (8.61 )

8n = 切 이 므 로 다 음 식을 얻는다.

8n = 8 p = n , e x p (^ ~ ) (8.62)

고 -수 준 주입 하에서 다이 오 드 전 류 는 과잉 캐리어 농도에 비례하므로 다음 식을 얻는다•

I « exp (8.63)

고 -수 준 주입 영 역 에 서 는 주 어 진 다 이 오 드 전류의 증가에 따 라 다 이 오 드 전압이 더 많

이 증가한다.
그림 8.1 7에 저 -바 이 어 스 레벨에서 고 -바 이 어 스 레벨로의 다 이 오 드 순 바 이 어 스 전
류 를 보 인 다 . 이 그 림 은 저전압의 순 바 이 어 스 에 서 는 재 결 합 영향이 있고 고 전 압 순 바
이 어 스 에 서 는 고 -수 준 주입 이 영향을 받 는 다 는 것을 나타낸다.

이해도 평가
TYU 8.4 T = 300 K에 있는 실리콘 pn 접합에 있어서 파 라 미 터 들 은 다음과 같다. 즉 Na
= 2 x 1 015 cm-3, N d = 8 x 1 016 cm_ 3, Z)" = 10 cm2/s, = 25 cm2/s, t 0 =
T 0 = r„ = 1(T 7 s 1 4. 다이오드는 = 0.35 V로 순바이어스되어 있다. (a)
 이상적 다이오드 전류밀도를 계산하라. (b ) 순바이어스 재결합 전류밀도를 구하
라. (c ) 이상적인 확산전류에 대한 재결합 전류비를 구하라.
[ '2 ⑶ V n a /v „ i x Z e (公) tzw o /y „ 이 x L£ Y Z (P) sny]

8. 3 pn 접 합 의 소 신 호 모 델

우 리 는 지금 까지 pn 접 합 다 이 오 드 의 직 류 특 성 을 고려 해 왔 다 . 예 를 들 어 ，pn 접 합 을
갖 는 반도 체 소 자 가 선형증폭기 회로에 사 용 될 때 사 인 파 신 호 가 직 류 전 류 와 전압에
중 첩 되 므 로 pn 접합의 소신 호 특 성 은 중요하다.

8.3.1 확산저항

pn 접합 다이 오드의 이상적 전 류 -전 압 관 계 는 식 (8.27)으 로 주어지며 이때 J 와 人 는 전

류 밀 도 이 다 . 만 약 식의 양변에 접합 단 면 적 을 곱하 면 다 음 식처럼 된다.

/D = Is exp ( 총 ) - 1 (8.64)

여기서 / 는 다이오드의 전 류이고 /,는 다이오드의 역 포화전류이 다.

다이오드가 직류전압 로 순 바 이 어 스 되 어 있어서 직류 다 이 오 드 전 류 / 가 생성
되고 있다 고 가 정 하 자 . 그림 8.1 8에서 보인 것처럼 작 은 저 주 파 사 인 파 전압이 중첩되
어 있다면 그때 직류전류에 중첩 된 작 은 사 인 파 전 류 가 생성되게 될 것이다. 사 인 파 전
류 대 사 인 파 전압의 비를 증 분 컨 덕 턴 스 라 고 부 른 다 . 작 은 사 인 파 전류 및 전압의 범
위 내에 있어서 소 신 호 증 분 컨 덕 턴 스 는 바로 직류 전 류 -전 압 곡선의 기 울 기 로 되며 다

그림 8. 18 소 신 호 확 산 저 항 의 개념을 나타내는 곡선
3 06 Chapter8 pn 접합 다이오드

음 과 같이 표현된다.

_ dip (8.65)
8 d ~ w a v.=v„

증 분 컨덕 턴스의 역수는 증 분 저항이며 다 음 과 같이 정 의 된 다 •

r = 쓰 ( 8 . 66)
d dID 뉴 /에

여기서 /D0는 정지 다이오 드 전류이다.

만 약 다 이 오 드 가 순 바 이 어 스 영역에서 충분히 세게 바이어스 되 어 있다고 가 정 하 면
( - 1 )항 은 무 시 할 수 있고 증 분 컨 덕 턴 스 는 다 음 과 같이 된다.

(8-67)

이때 소 신호 증 분 저항은 컨덕턴스의 역함수이며 다 음 식처럼 표 현 할 수 있다.

( 8 . 68)

증 분 저 항 은 바 이 어 스 전 류 가 증 가 함 에 따 라 감 소 하 고 그림 8.18 에 보인 것처럼 /-V 특

성 기 울기에 반 비 례 한 다 . 증 분 저 항 은 또 한 확산저항 (d iffu s io n re sista nc e )이 라 고 도 부
론다 .

8. 3. 2 소신호 어 드 미 턴 스

앞 장에서 우 리 는 역바이어스 전압의 함수에 따른 … 접합 커패시턴스에 대하여 알아보

았다. pn 접 합 다 이 오 드 가 순 바 이 어 스 될 때 또 다 른 커패시 턴 스 는 다 이 오 드 어드미턴 스
의 요인이 된다. 순 바 이 어 스 하에 있는 pn 접합의 소 신 호 어드미턴스, 혹 은 임피 던 스 는
우 리 가 이미 알아보았던 소수 캐리어의 확 산 전 류 관 계 를 이용하여 유 도 할 수 있다-

정성적 해석 수학적 해 석 으 로 넘어가기 전 에 ，접 합 어드미턴 스의 한 성분인 확 산 커패

시 턴 스 를 유 도 하 는 물리적 과 정 을 정 성 적 으 로 이해해 보 기 로 한다 . 그림 8.19a 에 직류
전 압 으 로 순 바 이 어 스 된 pn 접합을 도 식 적 으 로 보 인다. 직류전압에 작 은 교 류 전 압 을 중
첩시키면 총 순 바 이 어 스 전압 은 = V dc+ v sin 대 로 쓸 수 있다.
접 합 양단의 전압이 변함에 따 라 공 간 전 하 영 역 을 가 로질러 n 영 역 으 로 주 입 되 는
정공의 수 도 변 화 한 다 . 그림 8.19b 에 시 간 함 수 로 서 의 공 간 전 하 끝 에 서 의 정 공 농 도 를
보인다. t = …일 때 ，교 류 전 압 은 영 이 고 ;c = 에서의 정공의 농 도 는 앞서 본 것처럼
PM = P n e xp ( Vdc小 ,)로 주어 진다.
교류전압의 양( + )의 반 사 이 클 동안에 그 교류전압 이 증가함에 따 라 ，^ = 에서의
 8.3 pn 접합의 소신호 모델 07

그림 8.1 9 (a) 순바이어스된 직류 값에 교류전압이 중첩된 pn 접합; (b) 공간전하 끝에서의

정공농도 대 시社 (c) 세 가지 다른 시간에 대한 n 영역 내에서의 정공농도 대 거리

정공의 농 도 는 증 가 하 여 교 류 전 압 의 최댓값 에 해 당 하 는 ? = 사일 때 최댓값에 도 달 한

다. 교 류 전 압 의 음 (-)의 반 사 이 클 동 안 에 는 접 합 양단에 걸 리 는 총 전 압 은 감소하여
乂 = 에서의 정공의 농 도 는 감 소한다. 농 도 는 교류전압 이 그 최대의 음인 값의 시간에
해 당 하 는 f = f 2일 때 최솟값 에 도 달 한 다 . 이때 ^ = 에서의 소 수 캐리어 정 공 농 도 는
그림 8.1 % 에 보인 것처럼 직류값에 중첩된 교 류 성 분 을 갖게 된다.
앞서 논 의 한 것처 럼 ，공 간 전 하 끝에서의江 = )에서의 정공의 농 도 는 n 영역으로 확
산하여 거기서 다 수 캐리어 전 자 와 재 결 합 한 다 . 우 리 는 여기서 교 류 전 압 의 주 기 는 캐
리어들이 n 영역으로 확산해 가는 데 걸리는 시간에 비해서 크다 고 가 정하겠다. 그 러 면 ，
n 영역 쪽 으 로 들 어 가 는 거리의 함 수 로 서 의 정 공 농 도 는 정상상태 분 포 로 취 급 할 수 있
게 된다 . 그림 8.1 9c 에 세 가지 다 른 시간에 대 한 정상상태 정 공 농 도 를 보 인 다 . t = t0
일 때，교 류 전 압 은 영이고 / = t0 곡 선 은 직 류 전 압 만 큼 설정된 분포에 해당한다. t = t x
곡 선 은 교류전압이 그 양( + )의 최댓값에 도 달 하 였 을 때 설정 된 분포에 해 당 하 며 ，t =

곡 선 은 교류전압이 그 음 ( _ ) 의 최댓값에 도 달 하 였 을 때 설정된 분포에 해 당 한 다 . 어

둡게 칠 한 면 적은 전 하 A 를 나 타 내 는 바, 이 것은 교 류 전 압 사 이 클 동 안 번 갈 아 충 방
전된다.
전 자 농 도 를 갖 는 p 영역 내에서 완전히 똑 같 은 과정이 일 어 나 고 있다. n 영역에서의
정 공 과 P 영역에서의 전자의 충 방 전 기 구 는 커 패 시 턴 스 를 유 발 한 다 . 이 커 패 시 턴 스 를
확 산 커 패 시 턴 스 (d iffu s io n c a pa cita nc e )라고 부른 다 . 이 확 산 커패시 턴 스 의 물리적 기구

는 앞 장에서 논 의 한 접 합 커 패 시 턴 스 와 는 다 르 다 . 통 상 적 으 로 순 바 이 어 스 된 pn 접합
에 있어서 확 산 커패시턴스의 크 기 는 접합 커패시턴스에서 보 다 무척 크다.

수학 적 해석 pn 접 합 내의 소 수 캐리어 분 포 는 작 은 사 인 파 전압이 직류 접합 전 압 에
중 첩 된 경우에 있어서 유 도 할 수 있다. 그때 이 들 소 수 캐 리 어 의 함 수 로 부 터 소 신 호 ，
3 08 Chapter 8 pn 접합 다이오드

그림 8.2 0 소신호 어드미턴스 계산에 사용된 순바이어스된 pn 접합의 직류 특성

혹 은 교 류 확 산 전 류 를 구 할 수 있다. 그림 8.20은 순바이 어스 직류 전압이 인가되 었을

때 pn 접 합 내에서 의 소 수 캐리어 분 포 를 나 타 낸 것 이 다 . 편 의 상 x = 인 점 을 n 쪽의
공 간 전 하 영역 끝에 있다고 놓 자 . ^ = 에서의 소 수 캐리어 정 공 농 도 는 식 (8.7)로 주
어진 此 ( ) = / ^ eXp ( e K / AT)로 되며 여 기 서 、 는 접 합 양단에 걸 리 는 전 압 이 다 . 八 를
다 음 과 같이 놓자.

K = V + Vl(f) (8.69)

여 기 서 。 는 직류 정지 바 이 어 스 전 압 이 고 비( 는 이 직류 레벨에 첨가된 교 류 신호전

압이다. 그 러 므 로 다 음과 같이 쓸 수 있다.

Pn{x = ) = p„0 exp { 니 '’ ° 유: 1(’ ) ] } = Pn( , t) (8.70)

식 (8.70)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

/?„(0, = pic exp (8/71 )

여기서 /뇨 는 다음 과 같다.

P ac = Pn exp ( 송 ) (8.72)

만 약 I비( 1 « (kT/e ) = 。 라고 가 정 하 면 식 (8.기 )의 지 수 항 은 선 형 항 만 을 포 함 하

는 T a ylor 급 수 로 전 개되 고 ，x = 0에서의 소 수 캐리어 정 공 농 도 는 다 음 과 같다.

p „(0, t) = pic 1 + (8.73)

만 약 시 간 변 화 전 압 비(0을 사 인 파 신 호 라 고 가 정 하 면 식 (8.73)은 다 음 과 같이 쓸 수
있다.

p„(0, = " dc ( 1 + 휴 eiM j (8.74)

 8.3 pn 접합의 소신 호 모델 2 9

여기서 ^ 은 가해진 사 인 파 전압의 페이저이다 . 식 (8.74)는 n 영역 내의 소 수 캐리어 정

공에 대한 시 간 의 존 확산방 정식 의 해에 있어서 경계조건으로써 사 용 할 예정이다.
중성 n 영역江 > 0)에 있어서 전 계 는 영 으 로 간 주 되 므 로 과잉 소 수 캐리어 정공의
특 성 은 다음의 식으로부터 구 할 수 있다.

r , d2( Sp „ ) 8p n d( Sp n) (公 거、
Dpl - ^ = 1 (8-75)

여기서 抄 ，
,은 n 영역 내의 과잉 소 수 캐리어 정 공 농 도 이 다 . 우 리 는 여기서 교 류 신호전
압 비( 을 사 인 파 로 간 주 하 면 에 대한 정상상태 해 는 직류해에 중 첩 된 사 인 파 해의
형태 로 되는 것을 알 수 있다. 이를 식으로 표현하 면 다 음 과 같다.

8 p n( x , t) = 8 p (x ) + p \{ x ) d M (8.76)

여기서 初 0(功는 직류 과잉 캐리어의 농 도 이 고 P l r)는 과잉 캐리어 농도의 교류성분 의

크기이다 . 切 0⑴ 에 대한 표 현 식 은 식 (8.1 4)로 주어 진 것과 똑같다.
식 (8.76)을 미분방정식 (8.75)에 대입시 키면 다음을 얻는다.

a 2[5/? (x )] a2/M X ) ^P (x) 土 P x j x ) ^ 1 (8.77)

DP { e뼈
TpQ - jc jp '(x ) e 細
dx2 dx2

이 식을 시 간 의존 및 시간 독립 항 으 로 묶어서 다시 쓰면 다 음 과 같다.

l D p d2[8 p 0( x )] 8p ( x ) } d2p \(x ) p x{x)

D, j( Pi(x) e<M = 0 (8.78)
dx2 dx2 TpO

만 약 교 류 성 분 기 (지 가 영이라면 첫 번째 중 괄 호 항 은 미분방정식 (8.1 0)과 똑 같 은 형태

로 되며 이것 은 영이다. 이때 두 번째 중괄 호 항 은 다 음 과 같다.

n d 2p '(x ) P i(x)
Tp - j ^ Pi( x ) = (8.79)
p —石

나 = ~' 인 사 실 을 상기하면 식 (8.79)는 다 음 과 같은 형태로 쓸 수 있다.

d 2p \(x) (1 + jcOTpo)
P\(x) = 0 (8.80)
dx2
1

또는

d 2p i(x )
C >,W = 0 (8.81 )
dx2

여기서 (무 은 다 음 과 같다.

(1 + j ^ Tpo)
C卜 (8.82)
1

식 (8.81 )에 대한 일반해 는 다 음 과 같다.

31 0 Chapter8 pn 접합 다이오드

Px(x) = K \e ~ CpX + K 2e +CpX (8.83)

하나의 경 계 조 건 은 기 江 + ~ ) = 0이므로 계수 k 2 = 0이다. 따라서 마 은 다 음 과 같

이 된다.

p ,(x ) = K 'e 一
c，
x (8.84)

식 (8.74)로부터 ;c = 0에서의 경계 조 건 을 적용하면 다 음 을 얻는다.

" i ( ) = A 、= A t (는) (8.85)

정공 확 산 전 류 밀도는 X = 에서 계산 할 수 있다. 이것은 다 음 과 같다.

가 = _ 바 ( 8 .86)

만 약 균질 반도체 라고 생 각 한 다 면 정공농도 의 도 함 수 는 과잉 정공농도의 도 함 수 와 똑

같게 된다.

d(8p„) d[8p (x)] dp \(x )

-e D r -e D . eDL (8.87)
V dx dx dx

우 리 는 이 식을 다음 과 같은 형태로 쓸 수 있다.

Jp — Jpo + jp(f) ( 8. 88)

여기서 사。는 다 음 과 같다.

시 = - e P型 ^ U = 누 卜 (쁑 ) - 사 ( 9)

식 (8.89)는 정공 확 산 전 류 밀 도 의 직 류 성 분 이 고 이 것 은 앞서 유 도 하 였 던 이 상 적 인 /-V
관 계 와 똑같다.
이때 확산전 류밀도의 사 인 파 성분은 다 음 과 같은 형태로 된다.

dpi(x ) (8.90)
j P(t) = = -e D p
dx
e뼈

여기서 사는 전류밀도 페이저이다. 식 (8.90)，(8.84)，(8.85)를 조합하면 다음과 같이 된다.

JP = —e Dp( —Cp) Pdc\

(8.91 )

총 교류 정공전류 페 이저 는 다 음 과 같이 된다.

I P = A J P = e A D pCpp d
(휘 (8.92)
 8.3 pn 접합의 소 신 호 모델 :1 1 1

여기서 고는 pn 접합의 단 면적이다. 다 에 대한 표 현 식 을 대입하면 다 음 을 얻는다.

I = 쓰는 V T T m ^ (I) ( 8 .9 3 )

만약 우 리 가 /pC)를 다 음 과 같이 정의하면

/p = 쓰 운 E느 = eAD 0 exp ( ^ ) (8.94)

그때 식 (8.93)은 다 음 과 같이 된다.

IP =ZpoV1+ j MTP (히 (8.95)

p 영역 내의 소 수 캐리어 전자에 대 해 서 도 똑 같 은 해 석 을 행하 면 다 음 과 같 은 식 을

얻게 된다.

In = In \ /\ + y W „ |^ -j (8.96)

여기서 /„ 는 다 음 과 같다

/n = f A D ^ exp ^ (8.97)

총 교 류 전 류 페 이 저 는 &와 으의 합 이 다 . pn 접합 어 드 미 턴 스 는 총 교 류 전 류 페 이 저 를
교 류 전 압 페 이저로 나눈 것으로 되며 다음처럼 표현된다.

=도운스 = (女 )[ W 可 + JMTP + M /l + 7 'W T „ ] ( 8 .9 8 )

이 러 한 어 드 미 턴 스 함 수 를 갖 도 록 합 성 할 수 있는 선 형 이 며 총 괄 적 이 고 유 한 하 고
수 동 이 며 좌 우 대 칭 인 회 로 망 은 없다. 그 러 나 우 리 는 다 음처럼 가 정하여 근 사 시 킬 수
있다.

C Tp 《 1 (8.99 a)

( Tn 《 1 (8.99b )

이들 두 가 정 에 는 교류신호의 주 파 수 가 너무 높지 않 다 는 사실이 내포되어 있다. 그때

우 리 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

V I 1 + 7- ^ (8.1 00a)
및

\/1 1+쑤 (8.1 00b )

31 2 Chapter8 pn 접합 다이오드

식 (8.1 00a )와 (8.1 00b )를 어 드 미 턴 스 식 (8.98)에 대입하면 다 음을 얻는다.

(8.1 01 )
이 허 字 )+ 니 1+쑤 )]

실 수 부 와 허 수 부 를 나누어 조 합하면 다 음을 얻는다.

^ = (음 ) (,，
0 + Z，tO) + ) ) ( 화
， 유 70Tp0 + 시0Tn0) (8.1 02)

식 (8.1 02)는 다 음 과 같 은 형태로 쓸 수 있다.

Y = gd + j (t)Cd (8.1 03)

파라미터 “ 를 확 산 컨 덕 턴 스 (diffu sio n conducta nce )라고 부르며 다 음 과 같이 주어 진다.

如 = (女 卜 + 。 = 븅 (8-1 04)

여기서 /De는 직류 바 이 어 스 전류이다. 식 (8.1 04)는 식 (8.67)에서 얻은 것과 똑 같 은 컨

덕 턴 스 이 다 . 파라미 터 디 를 확 산 커 패 시 턴 스 (d iffu s io n c a p a cita nc e )라고 부르며 다 음 과
같이 쓴다.

Cd ~ (옮 ") 시P TP + L Tn ) (8.1 05)

확 산 커패시턴 스 의 물리적 특 성 은 그림 8.21 처럼 나타낼 수 있다. 소 수 캐리어 농도의

직 류 값 은 전압의 교류성 분에 의해 변 화하는 것을 보 여 주 고 있다. AQ 전하는 접합 양단
에 걸 리 는 전압이 변함에 따 라 접합 내에서 충 전 과 방 전 을 번 갈 아 하게 된다. 전 압 변
화의 함수 에 따 른 축 적 된 소 수 캐리어 전하의 변화분이 바로 확 산 커 패 시 턴 스 이 다 . (0

rp0《 1 및 《 1 인 근 사 를 쓰면 소 수 캐리어 곡선에서 “구 불 구 불 한 선(w ig gle s )”

이 없게 된다. 사 인 파 주 파 수 는 충분히 낮기 때문에 항 상 지 수 곡 선 으 로 된 다 •

그림 8.21 순바이어스 전압변화에 따른 소수 캐리어 농도 변화

 8.3 pn 접합의 소 신 호 모델 31 3

I 목적 | pn 접합 다이오드의 소신호 어드미턴스를 계산하라.

이 예제에서는 앞 장에서 알아본 접합 커패시턴스와 확산 커패시턴스와의 크기를 바로
비교해 보기 위한 것이다. 확산저항도 계산할 것이다. N a » 久/라고 가정하면 p „ 0 » np0
이다. 이 가정은 ∼ 〉〉 /,, 라는 사실을 내포하고 있다. T = 300 K , Tp0 = 1 0 -7*s,* */ p0
**= I DQ
= 1 m A 로 놓아라.

^5 1 1
이들 가정을 적용하면 확산 커패시턴스는 다음과 같이 된다.

Q « ( 2^ ) (IPTp ) = (-2)(()1 2 5 9 ) ( l -3 )(l -7) = 1 .93 X 1 0-9 F

확산저항은 다음과 같다.

r = 3 _ = 0. 02 5 9 V
= 25 .9 f i
I dq 1 mA

區호 ]
순바이어스된 pn 접합의 확산 커패시턴스에 대한 1 .93 내 란 값은 예제 7 . 5 에서 계산한 역바
이어스된 pn 접합의 접합 커패시턴스보다 천 내지 만 배 더 크다.

연습 문제
E x 8. 7 T = 3 00 K 에 있는 실리콘 p n 접합에 있어서 다음과 같은 파라미터들을 갖는다.
八느 = 8 x 1 016* c m -3 , N a = 2 x 1 015 c m -3 , D n = 25 c m 2/s, D p = 1 0 c m 2/s, t „ = 5 x 1 0—7 s,

rp0 = 1 0 -7 s. 단면적은 A = 1 ( T 3 c m -2 이다. 만약 이 다이오드의 순바이어스된 전압이 (a )

Va = 0. 5 5 0 V , (b ) = 0. 6 1 0 V 일 때의 확산 저항 및 확산 커패시턴스를 구하라.
[JU 6 '0 Z = O ‘u 91 1 = ~ (公) -JU LO'Z = pD il5 2 U = ^ iP ) *s u y ]

순 바 이 어 스 된 pn 접합에 있어서 는 확 산 커 패 시 턴 스 가 커패시턴 스 항 을 결 정짓는 파

라미 터 이다. 다 이 오 드 전류 값이 아 주 크면 소 신 호 확 산 저 항 은 매우 작다. 다 이 오 드 전
류 가 감소 함에 따 라 확 산 저 항 은 증 가 한 다 . 우 리 는 순바이 어스된 pn 접합의 임 피 던스에
관 해 서 는 바이폴러 트 랜 지 스 터 를 논 의 할 때 다시 알아보기로 하겠다.

8. 3. 3 등 가 회 로

순 바 이 어 스 된 pn 접합의 등 가 회 로 는 식 (8.1 03)으로부터 전 개 할 수 있다. 이 회로 를 그

림 8.22 a 에 보 인 다 . 이 회로에 확 산 저 항 과 확 산 커 패 시 턴 스 에 병렬인 접 합 커 패 시 턴 스
를 추가시킬 필요 가 있다. 등 가 회 로 를 완 성 시 키 려 면 마 지 막 요 소 인 직 렬 저 항 을 추가시
킬 필 요 가 있다. 중성 n 및 p 영역은 유 한 한 저 항 을 가 지 고 있 으 므 로 실제 pn 접 합 에 는
직 렬 저 항 을 가지게 된다. 완 전 한 등 가 회 로 를 그림 8.22b 에 보인다.
실제 접합의 양 단 전 압 은 。 이며 pn 다 이 오 드 에 인 가 하 는 총 전 압 은 V app로 나타낸
31스 Chapte 8 pn 접합 다이오드

、— H
Q I세 vapp

(a) (b)

그림 8.22 (a) 이상적으로 순바이어스된 pn 접합 다이오드의 소신호 등가회로

(b) 완성시킨 pn 접합의 소신호 등가회로

그림 8.23 직렬저항 효과가 있는 pn 접합 다이오드

의 순바이어스된 /小 특성

다. 접 합 전 압 、 는 이 상 적 인 전 류 -전 압 표 현 식 에 서 의 전 압 이 다 . v app 표 현 식 을 다 음 과
같이 쓸 수 있다.

Vapp = K + Irs (8. 1 06)

그림 8.23에 직렬저 항의 효 과 를 나타내기 위하여 식 (8.1 06)으로부터 전 류 -전 압 특 성 을

그린 것을 보인 다 . 직 렬저항이 포 함 되 었 을 때 똑 같 은 전 류 값 을 얻기 위 해 서 는 큰 전압
이 필요하게 된다. 대부분의 다 이 오 드 에 있 어 서 는 직 렬 저 항 은 무 시 할 수 있다. 그 러 나
pn 접 합 을 갖 는 몇몇 반도체 소자에 있어서 직 렬 저 항 은 귀 한 루 프 를 만들게 되고, 이때

저항 은 이 득 성 분 과 곱해지게 되어 그로 인해 무 시 할 수 없게 된 다 ­

이해도 평가

T Y U 8.5 T = 300 K 에 있는 G a A s pn 접합 다 이 오 드 에 있어서 Dn = 207 cm 2/s, Dp =

 8.4 전하축적 및 다이오드의 과도특성 31 5

9.80 cm 2/s를 제외하고는 E x 8.7어] 주어진 파라미터들과 같다. 만약 이 다이오드

의 순바이스된 전압이 (a) 、 = 0.970 V ，(b ) Va = 1 .045 V 일 때의 확산저항 및
확산 커패시턴스를 구하라.
[du 0'스I = p3 ‘U 9 V\ = p-> (功 ij u 的■ = p j ‘u £ 9 Z = Pj (») ' suy ]
T Y U 8.6 T = 300 K에 있는 실리콘 pn 접합에 있어서 Ex 8.7에 주어진 파라미터들과 같
은 파라미터들을 갖는다. 중성 n영역 및 중성 p영역의 길이는 0.이 cm이다(옴성
접촉(ohmic contacts)은 무시하고).다이오드의 직 렬 저항값을 구하라.
(U 99 = 公 .SUV )

*8. 4 전 하 축 적 및 다 이 오 드 의 과 도 특 성

pn 접 합은 전 형 적 으 로 전기적 스위치 에 사용된다. on 상 태 로 표 현 되 는 순 바 이어스에서

는 작 은 인 가 전 압 을 가하더 라도 상당히 많 은 전 류 가 흐 르며, o f f 상 태 로 표 현 되 는 역바
이 어 스 에 서 는 단지 매우 적은 전류만이 흐른다. 회로응 용 에 서 의 주된 관 심 사 는 스위칭
상 태 에 서 의 pn 접 합 다 이 오 드 의 속 도 이 다 . 우 리 는 여기서 전 하 축 적 효 과 와 이에 의해
일 어 나 는 과 도 현 상 에 관하여 정 성 적 으 로 논의 해 볼 것이다. 또 한 우 리 는 어떤 수학적
유 도 없이 스위칭 시 간 을 나 타내는 식 을 간략하게 언급할 예정이다.

8人 1 Turn-Off 과도 특성

어떤 다 이 오 드 가 순 바 이 어 스 인 on 상 태 에 서 역 바 이 어 스 인 o f f 상 태 로 스위치 한 다 고
생 각 하 자 . 그림 8.24에 t = 0에서 인가 바 이 어 스 를 스위치 시 키 는 간 단 한 회 로 를 보인
다. t < 0에 있어 서 순바이 어스 전류는 다 음 과 같다.

그림 8.24 순바이어스에서 역바이어스로 다이오드를 스위칭 시키기 위한 간단한 회로

31 6 Chapter 8 pn 접합 다이오드

그림 8.25 (a) 정상상태 순바이어스 소수 캐리어 농도 (이 스위칭 중 여러 시간에서의 소수 캐리어 농도

I = IF = V f ~ V- (8.1 07)
Kf

그림 8.25 a 에 순 바 이 어 스 전압 가 인가된 소자에서 의 소수 캐리어 농 도 를 보였다. 다

이오드의 p 및 n 영역의 양 쪽 에 는 과잉 소 수 캐리어 전하 가 축 적 된 다 . 공 간 전 하 영역 끝
에서의 과잉 소 수 캐리어의 농 도 는 순 바 이 어 스 접 합 전압 에 의해 공 급 된 다 . 전압이
순 바 이 어 스 에 서 역 바 이 어 스 로 스 위 치 될 때 공 간 전 하 영역 끝에서의 과잉 소 수 캐리어
농 도 는 그림 8.25 b 에 나타낸 것처럼 더 이상 공급되지 않고 감소하기 시작한다.
공 간 전 하 영역 끝에서 과잉 소 수 캐리어 농 도 가 줄 어들게 되면 농 도 기 울 기 를 크게
만들어 서 역 바 이 어 스 방 향 으 로 확 산 전 류 를 흐르게 한 다 . 만 약 어떤 한 순 간 에 다 이 오
드 접합에 걸 리 는 전 압 이 。 과 비교하여 작 다 고 가 정 하 면 그때 역 바 이 어 스 전 류 는 근
사 적 으 로 다 음 과 같이 제한된다.

^ (8.1 08)
Kr

접 합 커 패 시 턴 스 는 순 시 적 인 접 합 전압의 변화에 따 라 변 화 되 지 는 않는 다 . 만 약 전류
/s 이 이 값 보 다 크다 면 순 바 이 어 스 전압이 접합 양단에 걸리게 되어 이렇게 되면 역바
이어스에 관 한 우리의 가정이 맞지 않게 된다. 만 약 전 류 // 이 이 값 보 다 작다면 역바이
어스 전압이 접합 양단에 걸리게 되어 이 것 은 접 합 전압이 순 시 적 으 로 변 화 한 다 는 것
을 의 미 하 는 것이다. 역 전 류 가 식 (8.1 08)로 주 어 지 는 값 으 로 제한되기 때문에 역바이
어스된 밀도 기 울 기 는 일 정 하 다 . 따라서 공 간 전 하 영역 끝 에 서 의 소 수 캐리어 농 도 는
그림 8.25 b 에 나타낸 것처럼 시간에 따 라 감소하게 된다.
이 역 전 류 ，R은 0+ 드 f 드 다일 때 거의 일 정 하 게 될 것이며 여 기 서 。를 축 적 시 간
(stora ge tim e )이 라 고 부 른 다 . 이 축적 시 간 은 공 간 전 하 영역 끝 에 서 의 소 수 캐리어 농

도 가 열평형 값으 로 도 달 하 는 데 필 요 한 시간의 길이이다. 이 시간이 지난 후에 접합에

걸 리는 전 압 은 변하기 시 작한다. 전 류 특 성 을 그림 8.26에 보 인 다 . 역 전 류 는 그림 8.25 b
 8.4 전하축적 및 다이오드의 과도특성 317

에 나타 낸 것처럼 t = -와 / = 에서의 각 소 수 캐리어 농 도 들 간의 차이 인 축 적된

소 수 캐리어 전하의 흐름이다.
축적시간 는 시 간 -의 존 연 속 방 정 식 을 풀면 구 할 수 있다. 일방형 p+ n 접 합을 생 각
하면 축 적 시 간 은 다음 식으로부터 구 할 수 있다.

세 옮 (8. 1 09)

여기서 e rf (x )는 오 차 함 수 이 다 . 축 적 시 간 에 대 한 근 사 적 인 해 는 다음에 주 어 지 는 식으
로부터 얻어진다.

ts = tp In 1 1 + (8.1 1 0)

호〉 ^인 때의 복귀 시 간 은 접합이 그 정 상 상 태 의 역 바이 어스 조건 에 도 달 하 는 데
필 요 한 시 간 과 같다. 과잉전하의 나 머 지 는 없어지며 공 간 전 하 폭 은 역바이어스 값에 따
라 증가하게 된다. 하 강 시 간 닌는 다 음 식으로부터 구 할 수 있다.

、 [프 : + e x p ( - f 2/ r p ) =
( 8. 1 1 1 )
Tp v w ^ r

총 tu m -o ff 시 간은 와 의 합이 다.
다 이 오 드 를 빠르게 스위치시 키기 위 해 서 는 큰 역전류를 인가시켜야 할 뿐 만 아니 라
소 수 캐리어의 수 명 을 작게 해 야 한다. 그때 다 이 오 드 회 로 를 설계함에 있어서 설 계 자
는 다 이 오 드 가 빠르게 스 위 치 될 수 있도 록 과 도 역 바 이 어 스 전류 펄스에 대 한 경로 를
제공해 주 어 야 한다 . 이 와 같 은 효 과 들 은 바이폴 러 트 랜 지 스 터 의 스 위 칭 을 논 의 할 때
논 의 할 예정이다.

8. A.2 Turn-On 과도 특성

turn-on 과 도 현 상 은 다 이 오 드 가 “o f f ’ 상태에서 순 바 이 어 스 인 “예 ” 상 태 로 스 위치될 때

일어난 다 . tu rn -o n 시키기 위 해 서 는 순 바 이 어 스 전류 펄 스 를 인가해 주 면 된다. turn-on
31 8 Chapter 8 pn 접합다이오드

의 첫 단 계 는 매 우 빠르게 일어나며 이 는 、 = 0일 때，역 바 이 어 스 값 에 서 부 터 그 열

평형 값 으 로 공 간 전 하 폭 이 줄 어들기 위해 요 구 되 는 시간의 길 이 이 다 . 이 시 간 동 안 이
온화 된 도너 및 억셉터 는 공간전하폭이 줄어들에 따 라 중성화된다.
tum-on 과정의 두 번째 단 계 는 소 수 캐리어 분 포 가 확 립 되 는 데 필요한 시간이다. 이
시 간 동 안 접 합 양단에 걸 리 는 전 압 은 그 정상상태 값 을 향하여 증 가 하 게 된다. 만 약 소
수 캐리어 수명이 짧고 순바 이 어 스 전류가 작다면 짧 은 turn-예 시간이 얻어질 것이다.

이해도 평가

T Y U 8.7 IF = 1 .75 m A 인 순 바 이 어 스 전류를 갖는 일방형 p + n 접합 실리콘 다이오드 가

V、 = 2 V 인 유효 역바이어스 전압과 /。 = 4 k l l 인 유효 직렬 저항값을 갖는 역
바이어스로 스위치된다. 소수 캐리어 정공 수명은 1 0_ 7 s 이다. ( a) 축 적 시 간 。를
구하라. (b ) 하강시간 ?2를 구하라. (c ) 이 다이오드의 turn-o ff 시간은 얼마인가?
[s i _ l x 3 « W s t _ i x g z 'l (功 i _ l x 9 fL'0 (P) .suv ]

*8.5 터널 다 이 오 드

터 널 다 이 오 드 (tu nn e l dio d e )는 n 영역 및 p 영역이 모 두 변 질 ( d e g e n era te ly )되게 도 핑 된

반 도 체 로 된 pn 접합이다. 우 리 는 이 소자의 동 작 을 토 론 할 때에 음의 미 분 저 항 을 보이
는 영역 을 알게 될 것이다. 터널 다 이 오 드 는 과 거 에 는 발진기 회로에서 사 용 되 었 지 만
지 금 은 다 른 형태의 고 체 소 자 가 고 주 파 발진기로써 사용되기 때문에 터널 다 이 오 드 는
학 술 적 으 로 만 관심의 대상이 되고 있다. 그 렇 지 만 이 소 자 는 2장에서 논 의 했 던 터널링
현 상 을 설명해 주 는 중 요 한 디바이스이다.
4장에서 논 의 했 던 변 질 되 게 도 핑 된 반 도 체 에 관하여 다시 상 기 해 보 자 . 변질되 게
도 핑 된 n -형 물질의 페르미 준 위 는 전도대 내에 있고 변질되게 도 핑 된 p -형 물질의 페
르미 준 위 는 가전자 대 내에 있다. :T = 0 K 때 일 지 라 도 전 자 는 n -형 물질의 전도대 내
에 존 재 하 고 정공(빈 준 위 )은 p -형 물질의 가전자대 내에 존재한다.
그림 8.27에 n 영역 및 p 영역 모 두 가 변질되게 도 핑 되 었 을 경우에 대 한 열평형에서
의 pn 접합 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보 인 다 . 공 핍 영 역 폭 은 도핑이 증 가 함 에 따 라 감
소하며 그림 8.27에 나타 낸 경우에 있 어 서 는 약 1 00A 정 도 이 다 . 접합에서의 전위장벽
은 그림 8.28에 나타 낸 것처럼 삼 각 형 태 의 전 위 장 벽 으 로 근 사 시 킬 수 있다. 이 전 위 장
벽은 2장에서 터 널링 현 상 을 설명하기 위해서 사 용 된 전 위 장 벽 과 유 사 하 다 . 장 벽 폭 은
작 고 공 간 전 하 영 역 내에서의 전계 는 매우 크다. 따라서 전 자 가 접합의 한쪽에서 다른
쪽으 로 금 지 대 를 뚫 고 지나 갈 가능성이 존재하게 된다.
간 략 화 시 킨 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 인 그림 8.29를 고 찰 해 봄 으 로 써 터널 다 이 오 드
의 전 류 -전 압 특 성 을 정 성 적 으 로 구 할 수 있다. 그림 8.29 a 는 바 이 어 스 인 가 가 없는 에
너 지밴드 다 이 어 그 램 을 나타낸 것으로서 /-V 다 이 어 그 램 에 서 는 전 류가 영이다. 단 순 하
 8.4 전하축적 및 다이오드의 과도특성 :J1 9

영역 P 영역
及C

■及V
ef

공간
전하
영역

그림 8.27 n 및 p영역 모두가 변질되게 도핑되어 열평형에 그림 8.28 터널 다이오드에 있어서 전위장벽의
있는 pn 접합의 에너지밴드 다이어그램 삼각형태 전위장벽 근사

게 생각하기 위해 온 도 가 K 근처에 있다고 가 정 한 다 면 그때의 모 든 에너지 상 태 는 접

합의 양쪽에서 E f 아래로 채워질 것이다.
그림 8.29b 에 작 은 순 바 이 어 스 전압이 접합에 인가될 때의 상 황 을 보 인 다 . n 영역의
전도대 내에 있는 전자 는 p 영역의 가전자대 내에 있는 빈 준 위 로 향하게 된다. 이들 전
자 들 중 어떤 것들 은 빈 준위 로 직접 터널링 될 가능성이 있으며 그림에 나타낸 것처럼
순 바 이 어 스 터널링 전 류 가 생 성 된 다 . 그림 8.29c 에 보인 것처럼 순 바 이 어 스 전압이 약
간 더 커짐에 따 라 n 영 역에서의 최대 전 자 수 는 p 영 역에서의 최대 빈 준위 수 와 같게
될 것이다. 따라서 최대 터널링 전류 가 생성된다.
순 바 이 어 스 전 압 을 계 속 증 가 시 키 면 그림 8.29d 에 나타 낸 것처럼 p 쪽의 빈 준 위 로
향 하 는 n 쪽에 있는 전자의 수 는 감소하 게 되어 터널링 전 류 는 감 소 한 다 . 그림 8.29e 에
서는 P쪽의 빈 준 위 로 직 접 적 으 로 향 하 는 n 쪽의 전 자 는 없다. 이 순 바 이 어 스 전압에 있
어서 터널링 전 류 는 영이며 /-V 특성에 보인 것처럼 정 상 적 인 이상적 확 산 전 류 가 소 자
내에 존재 하게 된다.
곡선 의 일부 는 전압이 증가함에 따 라 전 류 가 감 소 하 는 부분이 관 찰 되 는 바，이것은
미분 부 성 저 항 영역이다 . 이 영역에 대 한 전압 및 전류의 범 위는 매우 작다. 따라서 이
부 성 저 항 특 성 을 사 용 한 발진기에서 나오 는 출 력 은 무척 작다.
역 바 이 어 스 전압이 인가된 터널 다이오드의 간 략 화 된 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 그
림 8.30a 에 보 인 다 . p 쪽의 가전자대 내에 있는 전 자 는 n 쪽의 전도대 내에 있는 빈 준위
로 직 접 적 으 로 향하게 되기 때문에 전자는 p 영역에서 n 영역으로 직접 터널링되어 결과
적 으로 큰 역 바 이 어 스 터널링 전 류 가 생 성 된 다 . 이 터널링 전 류 는 역 바 이 어 스 전 압 을
인 가 하 기 만 하면 생 성 된 다 . 그림 8.30b 에 나 타낸 것처럼 역 바 이 어 스 전 류 는 역바이어
스 전압에 따 라 단조적이 며 급격하게 증가한다.
320 Chapter 8 pn 접합다이오드

그림 8.29 (a) 제로 바이어스，(b) 약한 순바이어스^ (c) 최대 터널링 전류를 생성하기 위한

순바이어스(계속)
 8.4 전하축적 및 다이오드의 과도특성 321

그림 8.29 (d) 터널링 전류가 (c)보다 적은 강한 순바이어스，(e) 확산전류가 우세한 순바이어스

상태에서 터널 다이오드의 간략화된 에너지밴드 다이어그램 및 I - V 특성

그림 8.30 (a) 역바이어스 전압이 인가된 터널 다이오드의 간략화된 에너지밴드 다이어그

램，( b ) 역바이어스 전압이 인가된 터널 다이오드의 I - V 특성
322 Chapter 8 pn 접합 다이오드

8.6 요 약

■ 순바이 어스 전압이 pn 접합 양단에 인가될 때 ( n 영 역에 대해 p 영 역이 양임 )，전위장벽

은 낮아지 게 되 어 p 영 역 쪽으로부터는 정공이，또한 n영 역 쪽으로부터는 전자가 접합
을 가로질러 흐른다.
■ 공간전 하 영역 끝에서의 n 영역의 소수 캐리어 정공농도와 공 간 전 하 영역 끝에서의 P
영역의 소수 캐리어 전자농도를 연관시키는 경계조건들을 유도하였다.
■ n 영역으로 흘러들어 간 정공은 거기서는 과잉 소수 캐리어로 되며 P 영역으로 흘러들
어 간 전자는 역시 그곳에서는 과잉 소수 캐리어로 된다. 과잉 캐리어의 성질은 6장에
서 유도한 엠 비폴러 전송방정 식으로 나타낼 수 있다. 엠 비폴러 전송방정 식을 풀고 경
계조건을 쓰면 각각 n 영역과 p 영역에서의 정상상태 소수 캐리어 정공농도 및 전자농
도가 유도된다.
■ 소수 캐리어 정공 및 전자농도에 기울기가 생기면 pn 접합에 소수 캐리어 확산전류가
생긴다. 이 확산전류가 pn 접합 다이오드의 이상적 전류•
전압 관계식을 만든다.
■ 역바이어스된 pn 접합의 공간전하 영역 내에서는 과잉 캐리어들이 생성된다. 이들 캐
리어들은 전계에 의해 공간전하 영역 밖으로 쓸려가며 역바이어스 생성전류로 부르는
전류를 생성시키고 이 전류는 역바이어스 다이오드 전류의 또 다른 성분이 된다. 순바
이어스된 pn 접합 다이오드의 공간전하 영역에는 과잉캐리어가 재결합한다. 이 재결합
과정은 순바이어스 재결합 전류를 생기게 하여 순바이어스 다이오드 전류의 또 다른
성분이 된다.
■ pn 접합은 다이오드의 소신호 등가회 로를 유도하였다. 중요한 두 가지 파라미 터로 확
산저항 및 확산 커패시턴스가 있다.
■ pn 접합이 순바이어스에서 역바이어스로 스위치될 때 축적된 과잉 소수 캐리어 전하
는 접합으로부터 제거되어야 한다. 이 전하가 제거되는 데 요하는 시간을 축적시간이
라고 부르고 이것은 다이오드의 스위칭 속도를 제한하는 인자이다.
■ 부성 미분저항 영역을 나타내는 터널 다이오드의 /-V 특성을 유도하였다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

캐리어 주입 전압이 인가될 때 pn 접합의 공간전하 영역을 지나가는 전하의 흐름

확산 커패시턴스 소수 캐리어 축적효과에 기인하는 순바이어스된 pn 접합의 커패시턴스
확 산 컨 덕 턴 스 순바이어스된 p n 접합에서 저주파，소신호 사인파 전류 대 전압의 비
확 산 저 항 확산 컨덕턴스의 역수
순바이어스 pn 접합의 p 영역이 n 영역에 대하여 양의 전압으로 인가될 때의 조건으로서 두
영역 사이의 전위장벽이 열평형 값보다 낮아지게 된다.
생성 전류 공간전하 영역 내에서 전자-정공 쌍의 열 생성에 의해 생기는 역바이어스 pn 접
합전류
고 -수 준 주 입 과잉 캐리어 농도가 다수 캐리어 농도와 같거나 그 이상이 되는 조건
“ 긴 ( L o n g )” 다 이 오 드 중성의 p 및 n 영역 모두가 소수 캐리어 확산길이와 비교하여 긴 pn

접합 다이오드
재결합 전류 전자와 정공이 공간전하 영역 내에서 재결합하여 흐르는 결과로 인해 생성되
는 순바이 어스 pn 접합 전류
역 포 화 전 류 pn 접합 내에서 이상적으로 역바이어스된 전류
“짧 은 ( S h o rt )” 다 이 오 드 중성 p 및 n 영역 중에서 어떤 하나가 소수 캐리어의 확산길이와
비교하여 짧은 pn 접합 다이오드
축적 시 간 다이오드가 순바이어스에서 역바이어스로 스위치될 때，공간전하 끝에서의 과잉
소수 캐리어 농도가 그 정상상태 값에서 영으로 가는데 걸리는 시간

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장을 공부한 후에 독자들은 다음 사항을 알아야 한다.

■ 순바이어스 전압이 인가될 때 pn 접합의 공간전하 영역을 가로질러 흐르는 전하의 메
커 니즘을 설명할 줄 알아야 한다.
■ 공간전하 영 역 끝에서 의 소수 캐 리 어 농도에 대한 경 계조건들을 기술할 줄 알아야 한
다.
■ pn 접합에 있어서 정상상태 소수 캐리어 농도에 대한 표현식을 유도할 줄 알아야 한다.
■ pn 접합의 다이오드에 대한 이상적 전류-전압 관계식을 유도할 줄 알아야 한다.
■ “짧은( Short)” 다이오드의 특성을 기술할 줄 알아야 한다.
■ pn 접합에 있어서 생성 전류 및 재결합 전류를 설명할 줄 알아야 한다.
■ 고-수준 주입을 정의할 줄 알고 이것이 다이오드 /-K 특성에 미치는 영향을 설명할 줄
알아야 한다.
■ 확산 저항 및 확산 커패시턴스의 의미가 무엇인지 설명할 줄 알아야 한다.
■ pn 접합에 있어서 T urn -O ff * 과도 응답을 설명할 줄 알아야 한다.

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

1. 영바이어스，순바이어스 및 역바이어스된 pn 접합의 에너지밴드를 스케치하라.

2. ( a) 순바이 어 스 하 및 (b ) 역바이어스하의 pn 접합에 있어서 과잉 소수 캐리어에 관한
경계조건을 기술하라.
3. 순바이어스된 pn 접합에 있어서의 정상상태 소수 캐리어 농도를 스케치하라.
4. pn 접합 다이오드에 있어서 이상적인 전류-전압 관계식을 유도하는 데 사용한 과정을
설명하라.
5. 순바이 어스된 pn 접합 다이오드를 통해 흐르는 전자전류와 정공전류를 스케 치 하라. 접
합 근처의 전류는 주로 드리프트에 의한 것인가 아니 면 확산에 의한 것인가? 접합에서
먼 곳의 전류는 무엇인가?
6. 이상적 역포화 전류의 온도 의존성은 어떠한가?
7. “짧은( Short)” 다이오드란무엇인가?
8. ( a) 생성 전류 및 (b ) 재결합 전류의 물리적 기구를 설명하라.
9. 재결합 효과 및 고-수 준 주입 효과를 나타내는 pn 접합 다이오드의 순바이어스 /-V 특
성을 스케치하라.
324 Chapter8 pn 접합다이오드

1 0. ( a) 확산 커패시턴스의 물리적 기구를 설명하라. (b) 확산 저항이란 무엇인가?

11. 순바이어스된 pn 접합이 오프로 바뀔 때，축적 소수 캐리어에 어떤 현상이 일어나는지
를 설명하라. 다이오드가 오프로 바뀐 직후의 전류는 어떤 방향인가?

문제_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
[다음의 문제들에 있어서 T = 300 K 에 있다고 가정하고 다른 언급이 없다면 다음과 같은
파 라 미 터 !을 갖는다고 가정한다. 실리콘 pn 접합에 있어서는 다음과 같다. D „ = 25 cm 2/s,
Dp = 10 cm 2/s, r „0 = 5 x l -7 s, r p0 = 1 0-7 s. G a As pn 접합에 있어서는 다음 과 같다.
D n = 205 cm 2/s, D p = 9.8 cm 2/s, = 5 x l -8 s, r p0 = 1 0-8 s.]

8.1 절 pn 접 합 전 류

8.1 ( a) T = 300 K 에서 어떤 이상적 pn 접합 다이오드가 순바이어스 영역에서 동작하고

있다고 하자. 전류가 1 0배 증가하기 위해 필요한 다이오드 전압의 변화분을 계산하
라. (b ) 전류가 1 00배 증가할 때 의 ( a)를 반복하라.
8.2 八 = 2 x l 15 c m —3 및 八 = 8 x l 15 cm 3인 도핑농도를 갖는 실리콘 pn 접합 다이
오드가 있다. ( a) 、 = 0.45 V , (b ) Va = 0.55 V , (c ) = -0.5 5 V 에 대한 공간전
하영역 끝에서의 소수 캐리어 농도를 구하라.
8.3 N d = 1 016 c m —3 및 八느 = 4 x 1 16 c m _ 3인 도핑농도 를 갖는 G a As pn 접합이 있다.
( a) Ka = 0.90 V , (b ) = 1 .1 0 V , (c ) Va = - 0 . 9 5 V 에 대한 공간전하영 역 끝에서
의 소수 캐리어 농도를 구하라.
8.4 ( a) 어떤 실리콘 pn 접합의 도 핑 농 도 는 각각 八~ = 5 x 1 15 c m - 3 및 八느 = 5 x 1 16
* c m - 3이다. 공간전하영역 양 끝에서의 소수 캐리어 농도 는 각 다수 캐리어 농도의
1 0%이하이다. (i ) 접합에 인가할 수 있고 또 요구되는 사양을 맞출 수 있는 최대 순
바이어스 전압을 구하라. ( i i ) 순바이어 스 전압을 제한하는 요인은 n 영역 농 도인가，
혹은 P 영역 농도인가? (b ) 도핑농도가八상 = 3 x l 16 c m - 3 및 Nu = 7 x l 15 cm _3일
때 ( a)를 반복하라.
8.5 Na = 5 x 1 016 c m -3 및 A노 = 1 016 c m —3인 도핑농도를 갖는 G a As pn 접합을 상정한
다. 접합 단면적은 가 = 1 0—3 c m - 2이고 인가 순바이어스 전압은 = 1 .1 0 구이다.
다음을 계산하라. (a) 공간전하영 역 끝에서 의 소수 전자 확산전류, (b ) 공간전하영 역
끝에서의 소수 정공 확산전류，(c ) pn 접합 다이오드의 총 전류.
8.6 n +p 실리콘 다이오 드가 T = 300 K 일 때 다음의 파라미 터 들 을 갖는다. Nd = 1 018
cm —3, Na = 1 016 cm —3, D n = 25 cm 2/ s , D p = 10 cm 2/s, Tp0 = r n0 = 1 /j ls , A =
1 0-4 cm 2이다. ( a) 0.5 V 인 순바이어스 전압 및 (b ) 0.5 V 인 역바이어스 전압에 대한
다이오드 전류를 계산하라.
8.7 이상적 게르마늄 pn 접합 다이오드가 다음의 파라미터들을 갖는다. N a = 4 x 1 015
cm 一
3, N d = 2 乂 1 017 c m —3, D p = 48 cm 2/s, D n = 90 cm 2/s, = t„0 = 2 X 1 0一6 s,
A = K 4 cm 2이다. ( a) 0.25 V 인 순바이어 스 전압 및 0.25 V 인 역바이어스 전압에
대한 다이오드 전류를 구하라.
 질문 325

8.8 일방형 p + n 실리콘 다 이 오 드 가 ~ = 5 x l 17c m - 3, yVd = 8 x 1 15 c n 3의 농도로

도핑되어 있다. 소수 캐리어 수명은 = 1 -7 s , Tp0 = 8 x l _ 8 s 이다. 단 면 적 은 /!
= 2x l -4 c m 2이다. ( a ) 역바이 어스 포 화 전류를 구하라. (b ) ( i ) Va = 0.45 V , (ii )
Va = 0 . 5 5 V ’ (c ) Va = 0.65 V 일 때의 순바이어스 전압을 구하라.
8.9 T = 3 00 K 에서 pn 접합 다이오드의 이상적 인 역 전류가 그 역포화 전류값의 9 0% 에
이르기 위해 인가해야 하는 역바이어스 전압을 계산하라.
8.1 0 다음 표 의 공 란 을 채워라.

C ase 뜨 (V ) /( m A ) Is (m A ) Js (m A /c m 2) A (c m 2)
1 0.65 0.50 2 X l -4
2 0.70 2 X 1 - 12 1 X l -3
3 0.80 1 X 1 0_ 7 1 X 1 0-4
4 0.72 1 .20 2 X 1 0_ 8

8.11 이상적 인 실리콘 pn 접합 다이오드가 있다. ( a) 공핍 영 역 내에서 전류의 90%가 전자

의 흐름에 기여하도록 하기 위 한 7V/ 、 의 비는 얼마로 되어야 하는가? (b ) 공핍영역
내에서 전류의 80%가 정공의 흐름에 기여하도록 ( a)를 반복하라.
8.12 실리콘 pn 접합 다이오드가 T = 300 K 일때 = 0 .6 5 부의 전압에서 / = 10 mA

인 다이오드 전류가 되도록 설계하려고 한다. 총 전류에 대한 전자 전류의 비는 0.1 0

이며 최대 전류밀도는 2 0 A /c m 2을 넘지 않는다. 예제 8 . 2 에서 주어진 반도체 파라미
터들을 사용하라.
8.13 T = 300 K 에서 이상적인 실리콘 pn 접합 다이오드가 순바이어스되어 있다. 소수 캐
리 어 수명은 t „0 = 1 0-6 s 및 Tp0 = 1 0_ 7 s 이다. n 쪽의 도핑농도는 = 1 01 6c m - 3
이다. p 영역의 도핑농도가 1 15 < < 1 018 c m _ 3의 범위로 변화함에 따라 공간전
하 영역을 가로지르는 총 전류에 대한 정공전류의 비를 그림으로 그려라 {도핑농도는
대수 스케일을 써라).
8.14 T = 300 K 일 때 실리콘 pn 접합 다 이 오 드 가 = 0 .1 r„ , 此 = 2 .4 … 이라고 가
정하자. 총 전류에 대한 공핍 영 역을 가로질러 흐르는 전자전류의 비를 전자 주입 효
율이라고 정의한다. ( a) N JN a 악 함수로서의 전자 주입 효율 표현식 및 (b ) p 형 전도
도에 대한 n 형 전도도의 비를 구하라.
8.15 단면적이 1 0- 4 cm 2인 실리콘 pn 접합이 T = 300 K 에서 다음의 파 라 미 터 들 을 갖
는다.

n region
N d = 1 017 c m " 3
Tp = 1 0_ 7 s
l n = 8 5 0 c m W -s
jitp = 3 2 0 c m 2/V -s
p region
N a = 5 X 1 015 c m 一3
= 1 0 '6 s
卜 t = 1 2 5 0 c m W -s
I^P = 4 2 0 c m 2/V -s

(a) 접합 양쪽의 진성 준위를 기준으로 페르미 준위 값을 포함하는 pn 접합의 열평형

에너지밴드 다이어그램을 스케치하라. (b ) 역포화 전류 /5를 계산하고 0.5 V 인 순바
이어스에 있어서의 순바이어스 전 류 /룰 구하라. (c ) 공간전하 끝사에서의 총 전류에
326 Chapter8 pn 접합 다이오드

----------- +va-o ----------- 卜

1
I I ' ' O-i P
I ! 1 n
I— t p | | n 卜」 I
i I 勤■ := 0 ，
， :一
—xpx = 0 xn X一

그림 P 8.1 6 문제 8.1 6에 대한 그림 그림 P 8.1 7 문제 8.1 7에 대한 그림

대한 정공전류 비를 구하라.
8.16 그림 P 8 . 1 6 에 보인 이상적 실리콘 pn 접합 다이오드의 구조를 상정한다. 도핑농도는
N a = 5 x l O l 6 c m -3 및 = 1 .5 X 1 016 c m ，5이고, 소수 캐리어 수 명 은 = 2 X
1( 7 s 및 ' = 8x l -8 매 다 . 단면적은 A = 5 x l 0 -4 cm 2이다. 다음을 계산하라.
(a) 정공에 의한 이상적 역포화 전류，(b ) 전자에 의한 이상적 역포화 전류，(c ) 、 =
0.8 Vbi°A 때 x = 사에서의 정공농도，(d) Va = 0.8 일 때 x = 사에서의 전자 전류，
(e) Va = 0.8 일때x = x„ + y Z y 게서의 전자 전류.
8.17 T = 300 K 인 그림 P 8.1 7에 보인 이상적 긴 실리콘 pn 접합 다이오드를 생각한다. n
영역은 cm 3당 1 016개의 도너원자로 도핑되어 있고 p 영역은 cm 3당 5 X 1 016개의 억셉
터원자로 도핑되어 있다. 소수 캐리어의 수명은 t „0 = 0.05 I s 및 Tp0 = 0.01 매
다. 소수 캐리어의 확 산 계 수 는 >„ - 23 cm2/s 및 )" = 8 cm 2/s 이다. 순바이어스 전
압 은 、 = 0.61 0 V 이다. 다음을 계산하라. ( a) a > 0에 대한 x 의 함수로써 의 과잉 정
공농도，(b ) x = 3 x 1 -4 c m 일 때의 정공 확산 전류밀도，(c ) x = 3 x 1 0~4 c m 일 때
전자 전류밀도.
8.18 저주입의 한계는 통상 다음처럼 정의된다. 즉 저 도핑된 영역 내에서의 공간전하 영
역 끝에서 소수 캐리어 농도 가 이 영역에서 다수 캐리어 농도의 1 /1 0로 될 때이다.
( a) 문제 8.7 및 (b ) 문제 8.8에 기술된 다이오드에 대하여 저 주입의 한계에 도달하
는 순바이어스 전압값을 구하라.
8.19 어떤 실리콘 pn 접합의 단면적이 1(T 3 m 2이다. 다이오드의 온도는 T = 300 K 이고
도 핑 농 도 는 /。 = 1 0l 6 c m -3 및 N a = 8 x l 15 c m —3이다. 소수 캐리어 수 명 은 、 =
1 0-6 s 및 ∼ = 10 7 s로 간주하라. 다음에 주어진 값에 대해 p 영역에서의 과잉 전
자의 총 개수와 n 영역에서의 과잉 정공의 총 개수를 계산하라. ( a ) Va = 0.3 V ，(b )
Va = 0.4 V ，(c ) Va = 0.5 V .
8.20 T = 3 00 K 에서 반도체 물질의 밴드캡 에너지를 제외한 전기적 파라미터와 물리적
파라미 터 가 똑같은 두 개의 이상적 pn 접합을 상정한다. 첫 번째 pn 접합의 밴드갭
에너지는 0. 5 2 5 … 이며。 = 0. 2 5 5 V 에서 10 m A 의 순바이어스 전류가 흐른다. Va
= 0. 3 2 V 의 순바이 어스 전압으로 10 나쇼의 전류를 생성하도록 두 번째 pn 접합의
밴드캡 에너지를 “설계” 하라.
8.21 역바이어스 포화전류는 온도의 함수이다. (a) /, 는 온도변화에 따라 진성 캐리어 농
도로부터만 변한다고 가정하고 /, = C T 3 exp(— /쇼D 임을 보 여 라 ，여기서 C는 상
수이고 다이오드 파라미터들만의 함수이다. (b ) ( i ) 게르마늄 다이오드 및 ( i i ) 실리
 콘 다이오드에 대하여 온도가 T = 3 00 K 에서 T = 4 00 K 로 증가할 때 의 증가를
구하라.
8.22 이동도, 확 산 계 수 ，소수 캐리어 수명 파라미터들이 온도에 무관하다 고 가 정한다 ( r
= 300 K 값을 이용하라). r „ = 1 0—6 s, rp0 = It )—7 s , Nd = 5 x 1 나 c m -3, Na = 5
x l 16 c m - 3로 간주하라. T = 200 K 에서 T = 500 K 까지의 ( a) 실리콘，(b ) 게르마
늄，( ) 갈름비소에 대한 이상적 pn 접합의 이상적 역포화 전류밀도를 그려라<전류밀
도는 대수 스케일을 써라).
8.23 단면적이 A = 5 x l O _ 4 cm 2인 어떤 이상적 실리콘 에 접합 다이오드가 있다. 도핑농
도 는 N a = 4 x 1 15 c m - 3, N d = 2 x 1 017c m -3 이다. E g = 1 .1 2 … 이며 확산 계수와
수명은 온도에 무관하다고 간주한다. 역바이어스 전류에 대한 순바이어스 전류의 비
는 0. 5 0 V 의 순바이어스 및 역바이어스 전압으로 2 X 1 0 4 이나 되며 또한 최대 역포화
전류는 1.2 이하이다. 다이오드를 이들 사양에 맞추기 위한 최대온도를 구하고
또한 어떤 사양이 제한하는 요인인가를 결정하라.
8.24 (a) 실리콘 pn 접합 다이오드의 n 영역이 竹^ = 0.7 다이인 “짧은 ( s h o rt)” 길이를 갖는
그림 8.1 1 에 보인 것과 같은 구조를 상정한다. 도핑농도는 사a = 2x l 】7c m -3, N d =

2 x l 15 c m -3 이다. 단면적은가 = 1 0 -3 c m 2 이다. ( i ) 저주입이 유효하도록 유지하는

최대 순바이어스 전압 및 (비이 순바이어스 전압으로 인해 생기는 전류를 구하라. (b)
도 핑 농 도 가 = 2 x l 0 15 c m -3, N d = 2 x l 17 c m -3로 서로 바뀔 때 ( a )를 반복하
라.
*8.25 어떤 p+n 실리콘 다이오 드가 그림 8.11 에 나타낸 것처럼 ” „ < 나인 좁은 n 영역을
갖도록 제작되어 있다. ^ = 사 + 에서 pn = 인 경계조건을 갖는다고 가정하라.
(a ) 식 (8 . 3 1 ) 에 주어진 것처럼 과잉 정공농도 切 에 대한 표현식을 유도하라. (b )

( a )의 결과를 이용하여 다이오드에서의 전류밀도가 다음과 같이 됨을 보여라.

니 는 - 뿐 ) [ exP 團 -사

8.26 실리콘 다이오드를 어떤 고정 순바이어스 전류에서 동작시켜 온도를 측정하는 데에

사용할 수 있다. 이 때 순바이 어 스 전압은 온도의 함수이 다. T = 3 00 K 에서 다이오
드 전압은 0. 6 0 V 이다. (a ) T = 31 0 K 및 (b ) T = 320 K 에서의 다이오드 전압을 구
하라.
8.27 순바이어스된 어떤 실리콘 다이오드가 온도센서로 사용되고 있다. 이 다이오드는 정
전류 전원으로 순바이 어스되 어 있 고 。 는 온도의 함수로써 측정 된다. (a ) 전자와 정
공에 대한 DIL 및 E g는 온도에 무관하다고 가 정 하 고 、 (:T) 에 대한 표현식을 유도하
라. (b ) 만약 다 이 오 드 가 / D = 0.1 m A 로 바이 어스되 어 있고 T = 3 00 K 에서 Is =
1 0 - 15 A 라고 한다면 2 0° C < T < 2 00° C 에 대한 V“ 대 『 의 그림을 그려라. ( c ) 1D =
1 m A 일 때 (비를 반복하라. (d ) 온도에 따른 밴드캡 에너지의 변화를 고려해 넣는다
면 ( a ) 에서 (이까지의 결과에 어떠한 변화가 있는지를 구하라.

표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

328 Chapter8 pn 접합 다이오드

8.2 절 생 성 -재 결 합 전 류

8.28 역바이어스 전압 ∼ = 5 V 가 인가된 실리콘 pn 접합 다이오드를 상정한다. 도핑농

도 는 Nu = Nd = 4 x l 016 crr「 3이고 단면적은 A = 1으 4 cm 2이다. 소수 캐리어 수명
은 자= = rp0 = 1 -7 s 이다. 다음을 계산하라. ( a) 이상적 역포화 전류, (b ) 역
바이어스된 생성 전류，(0) 이상적 포화 전류에 대한 생성 전류의 비.
8.29 문제 8.28에서 기술한 다이오드를 상정한다. 자를 제외한 모 든 파라미터들은 온도에
무관하다고 가정하라. ( a ) /5와 /# „ 이 같아지는 온도 를 구하라. 이 온도에서 의 l s 및
/# „의 값은 얼마인가? (b) T = 300 K 에서 이상적 확산전류가 재결합 전류와 같아지
는 순바이 어스 전압을 계산하라.
8.30 단면적이 A = 2 x 1 0-4 cm 2이고 도핑농도는 ~ = Nd = 7 x 1016 c m -3 인 G a As pn
접합 다이오드를 상정한다. 전자 이동도 및 정공 이동도는 각각 = 5500 cm 2/V-s
및 … = 220 cm 2/ V -s 이다. 수명은 저 = r „ = Tp0 = 2 x l C r 8 s 이다. ( a) (i ) 역바이
어스 전 압 。 = 3 V ，(i i ) 순바이어스 전 압 。 = 0.6 V ，(i i i ) 순바이어스 전압 =
0.8 V ，(iv ) 순바이어스 전압 = 1 .0 V 일 때의 이상적 다이오드 전류를 계산하라.
(b ) (i ) 、 = 3 V 일 때 생 성 전류를 산출하라. V성 = 0에서 외삽되는 재결합 전류는
Iro = 6X 1 0시4 A 로 가정하고 (i ) Va = 0.6 V ，(i i ) Va = 0.8 V ，(i i i ) Va = 1.0 V 일
때 생성 전류를 산출하라.
8.31 문제 8.30에 기술된 p n 접합 다이오드 를 생각한다. ( a) 0 .1 < < 1 .0 V 의 범위에
있어서 다이오드 재결합 전류 및 이상적 다이오드 전류(대수 스케일로) 대 순바이어
스 전압 그림을 그려라.
8.32 실리콘 pn 접합 다 이 오 드 가 T = 30 0 K 일 때 다음의 파 라 미 터 들 을 갖는다. N a =

Nd - 1 0 16 crr「 3, r p0 = r„0 = t = 5 XK 7 s, D p = 1 0 c m 2/s , D n = 25 c m 2/s 및

단면적은 1 0 _ 4 c m 2 이다. 0.1 < < 0 .6 V 의 범위에 있어서 다이오드 재결합 전류
및 이상적 다이오드 전류(대수 스케일로) 대 순바이어스 전압 그림을 그려라.
8.33 Na = Nd = 1 0 17 c n T 3 및 단면적이 5 x l 0 _ 3 c m 2인 T = 300 K 에 있는 G aA s pn 다
이오드를 고려하라. 소수 캐리어의 이동도는 I n = 3 5 0 0 c m 2/V - s 및 나" = 2 2 0 c m 2/

V - s 이다. 전자-정공 수명은 tm = rp0 = r0 = 1 - 8 에다. 0 .1 < ^ 1 .0 V 사이

의 다이오드 전압에서 재결합 전류를 포함하는 다이오드의 순바이어스 전류를 그려
라. 이 그림을 이상적 다이오드와 비교하라.
*8.34 식 (8.44)에서 시작하고 적절한 근사를 이용하여 순바이어스된 pn 접합의 최대 재결
합률이 식 (8.52)로 됨을 보여라.
8.35 그림 P 8 .3 5 에 보인 것처럼 T = 30 0 K 에서 N a = Nd = 5 x l 0 1 5c m - 3 의 불순물 도핑
농도와 7 ^ = Tp = T = 1 0_ _ 7 S 의 소수 캐리어 수명을 갖는 균일 도핑된 실리콘
pn 접합이 있다. VR = 10 V 인 역바이어스 전압이 인가되어 있다. 광원은 공간전하
영역에만 입사되어 g' = 4 x l 0 19 c m - 3 s 1의 과잉 캐리어 생성율을 생성시킨다. 생
성 전류밀도를 계산하라.
8.36 다음의 파라미터들을 갖는 긴 실리콘 pn 접합 다이오드가 있다. Nd = 1 018 c m _ 3, Na

= 3 x 1 16 c m -3, r „ = r )0 = r = 1 0—7 s, Dn = 18 cm 2/s, Dp = 6 cm 2/s 이다. 그

 질문 329

광원 입사

1
P n
1
1

- vR +

그림 P 8.35 문제 8.35 및 8.36에 대한 그림

림 P 8. 3 5 에 보인 것처럼 공간전하 영역에 광원이 입사되고 있는바，JG = 25 m A /c m 2

인 생성전류 밀도가 생성된다. 다이오드는 개회로 상태이다. 생성전류 밀도는 접합

을 순방향으로 바이 어스시 켜 서 생성 전류와 반대방향으로 순바이 어 스 전류를 유기 시
킨다. 생성전류 밀도와 순바이어스 전류밀도의 크기가 같아질 때 정상상태에 도달하
게 된다. 이 정상상태 조건인 경우에 유기되는 순바이어스 전압은 얼마인가?

8.3 절 pn 접 합 의 소 신 호 모 델

8.37 ( a ) I DQ = 1.2 m A 로 바이어스된 실리콘 pn 접합 다이오드의 소신호 확산 커패시턴

스 및 확산 저항을 계산하라. n 영역 및 p 영역 양쪽에서의 소수 캐리어의 수명은 0.5
s로 가정하라. (b ) 다 이 오 드 가 /De = 1 .2 m A 로 바이어스될 때 ( a )를 반복하라.
8.38 문제 8.3 7 에 기술된 다이오드를 상정한다. 50 m V 인 피크값을 갖는 사인파 신호전압
이 직류 순바이어스 전압에 중첩되어 있다. n 영역에 교대로 충방전되는 전하의 크기
를 구하라.
8.39 T = 3 00 K 에 있는 p + n 실리콘 다이오드를 상정한다. 다이오드 는 1 미쇼의 전류로
순바이어스되어 있다. n 영역 내에서의 정공 수명은 1 _7 s 이다. 공핍 커패시턴스는
무시하고 1 0 k H z , 1 00 k H z , 1 M H z , 1 0 M H z 인 주파수에서의 다이오드 임피던스를
계산하라.
8.40 문제 8.8에 기술된 파라미터 값들을 갖는 실리콘 pn 접합을 상 정 한 斗 (a ) -1 0 < Va
쏜 0.7 5 V 의 전압범위에 대한 공핍 커패시턴스 및 확산 커패시턴스를 산출하고 그려
라. (b ) 두 커패시턴스가 같아지는 전압을 구하라.
8.41 T = 300 K 에 있는 p +n 실리콘 다이오드가 있다. 확산 커패시턴스 대 순바이어스 전
류의 기울기는 2.5 x l O — F /A 이다. 순바이 어스 전류가 1 m A 일 때 정공 수명 및 확
산 커패시턴스를 구하라.
8.42 도핑농도가 = 4 x 1 17 c m -3 및 ' = 8 x 1 15 c m -3 인 일방형 p + n 실리콘 다이
오드가 있다. 다이오드 단면적은가 = 5 x l -4 c m 2 이다. (a) 최대 확산 커패시턴스는
In F 이다. 다음을 구하라. ( i) 다이오드에 흐르는 최대전류, ( ii) 최대 순바이어스 전압，
( iii) 확산저항. (b ) 최대 확산 커패시턴스가 0.2 5 내일 때 ( a )를 반복하라.
8.43 T = 3 00 도에서 어떤 실리콘 pn 접합 다이오드의 단면적은 1 0_ 2 c m 2 이다. p 영역의
길이는 0. 2 c m 이고 n 영역의 길이는 0.1 c m 이다. 도핑농도는 ~ = 1 01 5c m _ 3 및 7Va
= 1 16 c n 3이다. 다음을 구하라. (a ) 다이오드의 근사적인 직렬 저항값，( b ) 이 직렬
330 Chapter 8 pn 접합 다이오드

저항 양단에 .] V 인 전압강하가 생길 때 다이오드에 흐르는 전류.

8.44 어떤 특정 다이오드 전류를 얻기 위해 요구되는 순방향 바이어스 전압에 있어서 직
렬저항 효과를 알아보려고 한다. ( a) T = 300 K 에서 다이오드의 역포화 전류는 /, =
l -i A 이다. n 영역의 저항률은 0.2 f l -c m 이고 p 영역의 저항률은 0.1 f l -c m 이다. 각
중성영 역의 길이는 1 0—2 c m 이고 단 면 적 은 2 x l 0_ 5 cm 2이라고 가정한다. ( a) (i ) 1
m A 및 (i i ) 10 m A 인 전류를 얻기 위해 요구되는 인가전압을 구하라. (b ) 직렬저항을
무시하고 (a)를 반복하라.
8.45 (a) 어떤 다이오드의 역포화 전류는 /，= 5 x l 0_ 12 A 이다. 최대 소신호 확산저항은
rd = 32 요이다. 이 사양을 만족하기 위하여 인가할 최대 순바이어스 전압을 구하라.
(b ) 최 대 소신호 확산저항이 rd = 60 0 일 때 (a)를 반복하라.
8.46 (a) T = 300 K에서 어떤 이상적인 실리콘 pn 접합 다 이 오 드 가 、 = +20 mV로 순
바이어스되어 있다. 역포화 전류는 /s = K T 13 A 이다. 소신호 확산저항을 계산하라.
(b) Va = 一20 mV 인 역바이어스가 인가될 때의 (a)를 반복하라.

8.4절 전 하 축 적 및 다 이 오 드 의 과 도 특 성

8.47 ( a) 어떤 pn 접합이 순바이어스에서 역바이어스로 스위칭될 때 순전류 /f 에 대한 역

전류 &의 비는 0.2이다. 소수 캐리어 수명에 대한 축적시간의 비 를 구하라. (b )
/f 에 대한 // 의 비가 1 .0이라고 할 때 ( a)를 반복하라.
8.48 어떤 pn 접합이 순바이어스에서 역바이어스로 스위치된다. 축적시간은 t s = 0.3 tp

로 정의한다. ( a) 이 사양을 만족시키기 위 해 서 는 //제 대 한 /K의 비가 얼마로 되어야

하는가? 이 경우에 있어서 V TpO를 구하라-
8.49 영 바이어스일 때 접합 커패시턴스가 18 pF이 고 。 = 10 V 인 역바이어스일 때 4.2
pF인 다이오드를 상정한다. 소수 캐리어 수명은 1 0-7 이 다 . 다이오드가 2 mA인 전
류가 흐르는 순바이어스에서 10 kfl 저항을 통하여 인가되는 10 V의 역바이어스로
스위 칭 된다. turn-off 시간을 구하라.

8.5 절 터널 다 이 오 드

8.50 T = 300 K에서 어떤 실리콘 … 접합이 ' / = 사 = 5 x l l9 cni- 3으로 도핑되어 있

公

다. 계단 접합근사가 유효하다고 가정하고 순바이어스 전 압 。 = .4 V에서의 공

간전하폭을 구하라.
8.51 p영 역은 변질적으로 도핑되어 있고 n영역에서 E c = ■인 제로 바이어스 상태에서
의 계단형 pn 접합의 에너지밴드 다이어그램을 스케치하라. 순바이어스 및 역바이어
스 전류-전압 특성을 스케치하라. 이 다이오드는 종종 역방향(ba ckw ard ) 다이오드라
고 부르는 데 그 이유는 무엇인가?

요약 및 복습

8.52 ( a) 역바이어스된 pn 접합에서 왜 확산 커패시턴스가 중요하지 않은지를 물리적으로

설명하라. (b) 실리콘，게르마늄，갈륨비소 pn 접합이 있다. 만약 총 전류밀도가 순바
이어스 하에 있는 각 다이오드에서 같다고 한다면 예상되는 전자 전류밀도 및 정공
전류밀도의 상대값들에 관하여 논의하라.
*8.53 실리콘 p+n 접합 다이오드가 저주입하에서 동작하는 동안 최소 60 V 인 항복전압과
b = 50 mA인 순바이어스 전류를 유지하 도록 설계하고자 한다. 소수 캐리어 수명
은 = T„ = r p0 = 2 X 1 0 -7 s 이다. 도핑농도와 최소 단면적을 구하라.

*8.54 실리콘 계단형 접합 양쪽에서의 도너와 억셉터 농도는 같다. (a) 임계전계와 도핑농
도의 함수로 항복전압에 대한 표현식을 유도하라. (b) 만약 항복전압이 VB = 50 V
라고 한다면 허용되는 도핑농도의 범 위를 정하라.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. Dimitrijev, S. P rin c ip le s o f S e m iconductor D evic e s. New York: Oxford University
Press, 2006.
2. Kano, K. S e miconductor D e vic e s. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1998.
3. Muller, R. S” and T . I. Kamins. D e vic e E le ctro nic s f o r In t e gra t e d C irc u its , 2nd ed.
New York: John Wiley and Sons, 1 986.
4. Neudeck, G. W. The P N Ju nctio n D iod e . Vol. 2 of the M o d u l a r S eries on S o lid State
D e vic e s. 2nd ed. Reading, MA: Addison-Wesley, 1 989.
*5. Ng, K. K. C omple te G uid e to S e m iconductor D evic e s. New York: McGraw-Hill, 1 995.
6. Pierret, R. F. S e miconductor D e vic e F und a m e nta ls. Reading, MA: Addison-Wesley
Publishing Co., 1 996.
7. Roulston, D. J. A n In tro d u c tio n to the P hysics o f S e miconductor D evic e s. New York:
Oxford University Press, 1999.
8. Shur, M. In tro d u c tio n to E l e c tro n ic D e vic e s. New York: John Wiley and Sons, 1 996.
*9. Shur, M. P hysics o f S e miconductor D evic e s. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1 990.
10. Streetman, B. G., and S. K. Banerjee. S o lid State E l e c tro n ic D evic e s, 6th ed. Upper
Saddle River, NJ: Pearson Prentice Hall, 2006.
11. Sze, S. M. and K. K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Hoboken, NJ:
John Wiley and Sons, 2007.
1 2. Sze, S. M. S e miconductor D e vic e s: Physics a n d T e chnology ，2nd ed. New York: John
Wiley and Sons, 2001 .
*13. Wang, S. F und a m e nta ls o f S e miconductor T h e ory a nd D e vic e Physics. Englewood
Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1 989.
14. Yang, E. S. M icro e l e c tro n ic D e vic e s. New York: McGraw-Hill, 1 988.*

*표 시 는 이 책 보 다 수 준 이 높 은 참 고 문 헌 을 의 미 한 다 .
 •

ld < H
금속-반도체 이종접합 및
반도체 이종접합

우리는 앞의 두 장에서 pn 접합에 관하여 알아보았으며 이때 반도체물질은 전체 구조에 걸쳐

서 같다고 가정했다. 이러한 접합의 형태를 동종접합이라 부른다. 우리는 이러한 접합에 대한
정전기학적 이론을 전개하였고 전류-전압 관계를 유도하였다. 이 장에서 우리는 접합 양쪽의
물질이 같지 않은 금속-반도체 접합과 반도체 이종접합에 관하여 논의한다. 이러한 접합은 역
시 다이오드를 만들어 줄 수 있다.
반도체 소자 또는 집적회로는 외부 세계와 접속되어야 한다. 이 접속은 저항성 접촉이라는
비정류성 금속-반도체 접합에 의하여 만들어진다. 저항성 접촉은 양방향으로 전류를 통해 주는
낮은 저항 값을 갖는 접합이다. 우리는 이 장에서 금속-반도체 저항성 접촉을 만들어주는 조건
들을 살펴볼 것이다. ■

9. 0 개설

이 장에서 우 리 는
■ 금 속•
반 도체 접합의 에너지밴드 다 이 어 그 램 을 알아내게 된다.
■ 쇼트키 장벽 다이오 드로 알려진 정류성 금속•
반도체 접합의 정전기학 을 살펴본다.
■ 쇼트키 장벽 접합의 이상적인 전 류 -전 압 관 계 를 유도한다.
■ 쇼트키 장벽 다 이 오 드 와 … 접 합 다 이 오 드 사이 전 류 전송의 차 이 를 논 의 하 고 ,
turn-on 전압 과 스위칭 시간에서의 차 이 를 논의한다.

■ 낮 은 저항을 가진 비정류성 금 속 -반 도 체 접합인 저항성 접 촉 을 논 의한다.

■ 반도체 이종 접합의 특 성 을 살펴본다.

9. 1 쇼 트 키 (S c h o ttk y ) 장벽 다 이 오 드
1 900년대 초기 에 사용된 최초의 실용화된 반도체 소 자 중의 하 나 가 금 옥 반 도 체 다이오
334 Chapter9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

드였다. 점접촉 다 이 오 드 라 고 부 르 는 이 다 이 오 드 는 노출된 반도체 표면에 금 속 단결정

필 라 멘 트 를 접촉시켜 만들었 다 . 이들 금 속 -반 도 체 다 이 오 드 는 재현성이 나 쁘고 기계적
으로 신뢰성이 좋지 않았으며 1 950년대에 pn 접합으로 교체되었다. 그러 나 이제는 반도
체 및 진 공 기 술 을 이용하여 재현성 있고 신 뢰 할 만 한 금 속 -반 도 체 접 촉 을 제 조 할 수 있
다. 이 절에서 우 리 는 금 속 -반 도 체 정류성 접촉，혹 은 쇼 트 키 장 벽 다이오드에 대하여 알
아 볼 것이다. 대부분의 경우에 있어서 정류성 접촉 은 n -형 반도체 위에 만 들 어 진 다 . 이
이유 때문에 우 리 는 그 러 한 형태의 다이오드에 관하여 집중적으 로 논의한다.

9. 1. 1 정성적 특성

특 정 한 금 속 과 n -형 반 도 체 를 접촉시키 기 전의 이 상 적 인 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 그
림 9.1 a 에 보였다. 진공 준 위 가 기준 준위로서 사 용 되 었 다 . 파라미터 九 은 ( v o lts 로 측정
되 는 ) 금속의 일 함 수 이 고 산,는 반 도 체 의 일함수이며 '는 전자 친화력이다. 여러 가지
금속 의 일 함 수 가 표 9.1 에 주어져 있고 몇몇 반 도체의 전자 친화력이 표 9.2에 주어져
있다. 그림 9.1 a 에서 우 리 는 t > 九 로 가 정 하 였 다 . 이 상 황에 대 한 이 상 적 인 열평형
금속_ 반 도체 에너지밴드 다 이 어 그 램 을 그림 9.1 b 에 나타내었다. 접촉 전 반도체 내에서
의 페르미 준 위 는 금속의 페르미 준 위 보 다 위에 있다. 열평형에서 페르미 준 위 가 시스

진공 준위

그림 9.1 (a) 접촉 전의 금속과 반도체의 에너지밴드 다이어그램,

(b) (j>„ > 九인 경우 금속내반도체 접합의 이상적인 에너지밴드 다이어그램
 9.1 쇼트키保chot比y ) 장벽 다이오드 335

표 9.1 일부 원소의 일함수 표 9.2 일부 반도체의 전자 친화도

원소 일함수, <Pm 원소 전자 친화도,

A g ，은 4.26 G e, 게르마늄 4 13

A L , 알루미늄 4.28 S i, 실리콘 4

0
1

A u, 금 5.1 G a A s, 갈륨비소 4
7
0

C r, 크롬 4.5 A l A s , 알루미늄비소 (
5

M o, 몰리브덴 4.6
N i, 니켈 5.1 5
Pd, 팔라듐 5.1 2
Pt, 백금 5.65
T i, 티타^ 4.33
W , 텅스텐 4.55

템 전체에 걸쳐 일정하게 되기 위해서 전자 는 반도체 쪽에서 낮 은 에너지 상태에 있는

금 속 쪽 으 로 흘러 가게 된다. 양 전 하 를 띤 도너 원 자 가 반도체 내 에 남게 되 어 공 간 전 하
영 역을 만들게 된다.
파라미터 小 B0은 반도체 접촉의 이상적 인 장벽 높이이며 전자 가 금속에서 반도체 쪽
으로 이 동 하 려 고 할 때에 느 끼 는 전위 장벽이 다 . 이 장 벽 을 쇼트키( S c h o ttk y ) 장벽이라
고 부르며 이상적 으 로 는 다 음 과 같이 주어진다.

(ho = 切 - x) ( 9 _1)

반도체 쪽 에 서 는 ' ，
.가 내부 전위장 벽 이 다 . pn 접합의 경우 와 유 사 한 이 장 벽 은 전도대
내의 전 자 가 금 속 쪽 으 로 이 동 하 려 고 할 때에 보 이 는 장 벽 이 다 . 내부 전위장벽은 다음
과 같이 주어 진다.

Vbi = ( t>B0 ~ ( f>n (9.2)

이 식 에 서 도 pn 접합의 경우처럼 는 반도체의 도핑에 크게 의존하지 않는 함수이다.

만 약 금 속 을 기 준 으 로 반 도 체 에 양의 전 압 을 인 가 하 면 小m 는 이 이 상 화 된 경우에
있어서 변하지 않 는 반면에 반 도 체 -금 속 간 의 장 벽 높 이 는 증 가 한 다 . 이 바 이 어 스 조건
이 역방향 바이어스이다. 만 약 반 도 체 를 기 준 으 로 금속에 양의 전 압 을 인 가하면 小抑는

역시 본 래 대 로 일정하게 남 아 있 는 반면 반 도 체 -금 속 간 장벽 V노는 줄 어 든 다 . 이 상황에

서 는 장벽 이 줄어들었기 때문에 전 자 가 반도체 쪽에서 금 속 쪽 으 로 더 쉽게 흐르게 된
다. 이 바 이 어 스 조건이 순방향 바이어 스이다. 순 방 향 바 이 어 스 및 역 방 향 바 이 어 스 에
대한 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 그림 9.2 a 및 9.2b 어1 나 타 냈 으 며 ，여기에서 VR은 역방향
바이 어스 전압의 크기 이 고 、 는 순 방 향 바이 어스 전압의 크기 이다.
그림 9.2에 나타낸 금속 -반 도 체 접합에 대한 에너지밴드 다이어그램 대 전압의 관계
는 앞장에서 살 펴 본 pn 접합의 경우 와 매우 유사하 다 . 이 유 사 성 으 로 인해 우 리 는 쇼트
키 장벽 접합의 전 류 -전 압 특성이 pn 접합 다 이 오 드 의 지수함수적 성 질 과 유 사 하 리 라
336 Chapter? 금속-반도체 이종접합 및 반도체 이종접합

그림 9.2 금옥반도체 접합의 이상적인 에너지밴드 다이어그램，(a) 역방향 바이어스 경우，(b) 순방향 바이어스 경우

고 예상 할 수 있다. 그 러 나 여 기에서 의 전류 메커 니 즘 은 다 수 캐리 어 인 전자의 흐름에

기 인한다. 순 방 향 바 이 어 스 일 때，반도체 내의 전자들이 느 끼 는 장 벽 은 낮 아지게 되므
로 다 수 캐리어 전자 는 반도체 쪽에서 금 속 쪽 으 로 더 쉽게 흐르게 된다. 순 방 향 바이
어스 전류의 방 향 은 금속 에 서 반도체 쪽 으 로 의 방향이 다. 이 전 류 는 순 방 향 바이 어 스
전압 의 지수함 수이다.

9. 1. 2 이상적 접 합 특성

우 리 가 pn 접합에 대하여 사 용 한 방 법 과 똑 같 은 방 법 으 로 이 접합의 정전기학적 특성

을 구 할 수 있다. 공 간 전 하 영역 내에서의 전 계 는 Poisson 방정식으로부터 구 할 수 있
으며 다 음 과 같다.

g = PW (9.3)

여기에서 써지는 공 간 전 하 체 적 밀 도 이 며 。는 반 도체의 유 전 률 이 다 . 만 약 반도체의 도

핑이 균 일 하 다 고 가정하면 식 (9.3)에 적분을 취함으로써 다음을 얻게 된다.

E = y ^ = ^ +Cl (9.4)

여기에서 이 은 적 분 상 수 이 다 . 전계 는 반도체 내의 공 간 전 하 끝에서 이므 로 적 분 상 수

는 다 음 과 같이 구 할 수 있다.

eNdxn (9.5)
라

그러면 전 계는 다음 과 같이 쓸 수 있다.
 9.1 쇼트키 (Schottky) 장벽 다 이 오 드 337

E = - ^ ( xn - x ) (9.6)

이 식은 균일 하게 도 핑된 반도체에 대 해 서 는 거리의 선형함수이며 금 속 -반 도 체 간 계면

에서 최댓값에 도 달하게 된다. E -전 계 는 금 속 내 부 에 서 는 이므로 음의 표 면 전 하 가 금
속 -반 도 체 접합의 금 속 쪽에 존 재 해 야 한다.
공 간 전 하 영 역 의 폭 ，는 pn 접합에서 사 용 했 던 것처럼 계 산 할 수 있다. 그 결 과 는

한쪽이 일방 적으로 높게 도핑된 p + n 접합인 경 우 와 동일하다.

w = X n \2 es( Vh, + VK) ^ (9.7)

여 기 에 서 、 은 인 가 한 역방 향 바 이 어 스 전압의 크 기 이 다 . 여 기 에 서 도 다시 계단 접합
근 사 를 가 정하고 있다.

「혜 바이어스가 인가되지 않는 금속-반도체 다이오드에 있어서 이론적인 장벽높이，내

부 전위장벽，및 최대 전계를 계산한다.
T = 300 K 에서 텅 스 텐 과 ~ = 1 016 c m - 3으로 도핑된 n -형 실리콘 반도체와의 접촉에
대하여 고려한다.

행 n
표 9.1 로부터 텅스텐( W 의 일함수는 4)„, = 4.55 V 이고 표 9.2로부터 실리콘에 대한 전자친
화력은 Y = 4.이 V 이다. 그러면 장벽높이는 다음과 같다.

</>« = </>m - A- = 4.55 — 4.01 = 0.54 V

여기에서 如 는 이상적인 쇼트키 장벽높이이다. (K 을 다음과 같이 계산할 수 있다.

4>n = ^ f \ n ( 준 ) = 0.0259 In ( 픽 斜 0-’9) = 0.20 6 V

따라서 다음과 같다.

V bi = <^>n = 0.54 - 0.206 = 0.334 V

바이어스가 없는 상태에서의 공간전하 영역의 폭은 다음과 같다.

1/2 2(1 1 .7 )(8.85 X 1 0 14)(0.334)'
eN d (1 .6 X l - ,9)(1 0 16)

호
—I 으
1—

xn = 0.208 X 1 0-4 cm

그러면 최대 전계는 다음과 같다.

Irj I _ e N dXn (1 .6 X 1 0 -,9)(1 0 ,6)(0.208 父 1 0_ 4)

|[<max|
(1 1 .7X 8.85 X 1 0 14)
338 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

혹은 최종적으로 다음과 같다.

|E m«| = 3.21 父 1 04 V /c m

■
이 예제에서 계산된 공간전하 영역의 폭과 전계의 값은 pn 접합에서 얻은 값과 매우 유사
하다.

연습문제
E\ 9.1 텅스텐과 n-형 G aA s 사이 접합을 고려하라. G a A s 가 7Vd = 5 X 1 015 c m - 3의 농도
로 도핑되 었다 고 가정하라. 인가된 바이어스 전압이 0 V 인 경우에 대하여 이론적인 장벽
높이，내부 전위 장벽，최대 전계를 구하라.
( u w /A f O I X PZ'Z = | — H | ‘ A £Z9£'0 = ,qA ‘八 的 ’ 0 = 08中 's n y )

접 합 커 패 시 턴 스는 pn 접합에서 사 용 했 던 것과 같 은 방 법 으 로 구 할 수 있으며 다음

과 같다.

d x„ ees N d 1 /2
C = eNd (9.8)
2 (V bi + VR)

여기에서 C ' 은 단위 면 적 당 커 패 시 턴 스 이 다 . 식 (9.8)의 역수에 제 곱 을 취하면 다 음 식

을 얻는다.

(士 )2』 ^ ，

식 (9.9)를 사용하여 1차 근사로서 내부 전 위 장 벽 、 ，

을 구 할 수 있으며，식 (9.9)의 기울
기 로 부 터 반 도 체 도핑 ~ 를 얻 을 수 있 다 . 우 리 는 전위 산„을 계 산 할 수 있 고 , 또 식
(9.2)로부터 쇼트키 장벽 를 구 할 수 있다.

K U B W 목적 I 그림 9.3에 보인 실리콘 다이오드의 실험 데이터로부터 반도체 도핑과 쇼트키 장

벽높이를 계산한다. T = 300 K 이다.

텅스텐-실리콘 곡선의 절편은 약 = 0.40 꾸이다. 식 (9.9)로부터 다음과 같이 쓸 수 있다.

d g /c y _ M \ / c y _ 2
dVR W R eesNd

그러면 그림으로부터 다음과 같은 결과를 얻을 수 있다.

( 1 / C ') 2
4.4 父 1 013
。

따라서
 9.1 쇼 트 키 (Schottky) 장 벽 다 이 오 드 339

O 0

CSV
oo
— C3
M

O
)

IM
8

J
C
N
X I
0
I
(운
」

X
6
(s
fc
a
。 /
) rj
e
o
)
4

으i
^ ( V)

그림 9 . 3 텅스텐-실리콘 및 텅스텐-갈륨비소 S chottky 장벽

다이오드에 대한 X/C1 대 VR 특성(Sz e [1 4] 참조)

Nd ' 2 2.7 X 1 017 c m -3

6 X 1 0~19)(1 1 .7)(8.85 X 1 -14)(4.4 X 1 013)

«은 다 음 과 같이 계 산 할 수 있다.

선” = f i n ■ ) = (0-0259) in ( m j 斜 ) = 0-12 V

따라서

<i>Bn = Vbi + (j)„ = 0.40 + 0.1 2 = 0.5 2 V

여기에서 은 실 제 쇼 트 키 장벽 높 이 이 다 .

주석
0.52 V 인 실 험 값 은 예제 9.1 에서 구 한 산B„ = 0.54 V 인 이 상 적 인 장 벽 높 이 와 비 교 할 만 하
다. 이 들 결 과 들 은 상 당 히 잘 맞 는 다 . 다 른 금 속 에 대 해 서 는 실 험 과 이 론 의 차 이 가 더 크 다 .

연습^^
E x 9.2 그 림 9.3에 보 인 G a A s 다 이 오 드 의 커 패 시 턴 스 데 이 터 에 대 해 예 제 9.2를 반 복
하라. ( -ura siOI X Z9 P = PN ‘A W O s 'M s u y )

우 리 는 갈륨비소 쇼트키 다이오드의 내부 전위장벽이 실리콘 다이오드의 경우보다

크 다 는 것 을 알 수 있다. 이 러 한 실험적 결 과 는 금 속 접촉의 모 든 형태에 대해 통 상 적
으로 관측된다.
340 Chapter 9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

이해도 평가
TYU 9.1 T = 300 K 에서 이상적 인 크롬과 n-형 실리콘 간 쇼트키 다이오드를 생각해 보자.
반도체는 사d = 3 x 1 015 c m —3으로 도핑되었다고 가정한다. 다음을 구하시오. (a)
이상적인 쇼트키 장벽 높이，(b ) 내부 전위 장벽，(c ) 역방향 바이어스 전압이 5 V
일 때 최대 전계，(d) 역방향 바이어스 전압이 5 V 일 때 단위 면적당 커패시턴스
b «i 3M 6-0I X 88.9 = ,3 ip ) 없 V At OI X 86 9 = |계 的
:八 e e r o = ,qA (") -a 的 _o = 08中 suv ]
抑 ，
TYU 9.2 같은 불순물 농도를 가진 이상적인 팔라듬과 n-형 G a As 사이 쇼트키 다이오드에
대하여 T Y U 9.1 을 반복하라. […써 6_ i x 98 9 = ,D (P)

加 VA 누
01 x 스= |—3| 切 61 6 0 = ,qA (<?) -A SO'I = w 中 (») 'suV l

9. 1. 3 장 벽 높 이 에 있어서의 비이상적 인 효과

쇼 트 키 장 벽 저하 몇몇 효과들이 식 (9.1 )로 주 어 지 는 이 론 적 인 값으로부 터 실제의 쇼

트키 장 벽 높 이 를 변화시 킨다. 첫 번째 효과로서 쇼 트 키 효 과 혹 은 영 상 전하의 힘에 의해

유 발 되 는 전위장벽의 저하에 대하여 알아본다.
금속으 로부 터 거리 x 만큼 떨어져 유전체 내에 있는 전자는 전 계 를 생성한다. 전기력
선 은 금 속 표 면 에 대하여 직 각 으 로 뻗치며 마치 영상 전 하 가 금속표면으로부터 똑

금속 유전체
E (x )\

IC - -

ef \

(a)

그림 9.4 (a) 금욕유전체 경계면에서 영상 전하와 전기력선，(b) 전계가 0일 때 영상 전하에 의한

전위 에너지 장벽의 변화，(C) 전계가 일정할 때 영상 전하에 의한 전위 에너지 장벽의 변화
 9.1 쇼 트 키 保 chottky) 장 벽 다 이 오 드 341

같 은 거리의 금 속 내부에 위치하 여 있는 것 과 같게 된다 . 이 영상 효 과 를 그림 9.4 a 에

나타 내었다. 영상 전하의 쿨 롱 인력에 의하여 전자가 받 는 힘은 다 음 과 같다.

F = ----- r = —eE (9.1 0)

4t tc (lx )1

그러 면 전위 는 다 음 과 같이 구 할 수 있다.

—(p ( x ) = + / E dx ’ dx ' (9.1 1 )

4 t t €s •4 ( x ' ) 2 \6 t t € sx

여 기 에 서 ， 은 적분 변수이 고 전위는 ;c = ①에서 으로 가정하였다.

전자의 전위 에 너 지 는 - e 必⑴이다. 그림 9.4b 는 다 른 전 계 가 존재하지 않는 것으로
가 정 하 고 전위 에 너 지 를 그린 그 림 이 다 . 유전체 내에 전 계 가 존 재 하 면 전 위 는 바뀌며
다 음 과 같이 표 현 할 수 있다.

_ 산⑴ = 一& (9.1 2)

일 정 한 전계에 의 한 효 과 를 포 함 하 는 전자의 전위 에 너 지 를 그림 9.4c 에 보였 다 . 이제

최대 전 위 장 벽 은 낮아진 다 . 이러 한 전위 장벽의 저하가 쇼트키 효 과 ，혹 은 영 상 력 -유 발
저하 효과이 다.
우 리 는 다음 조건 으로부터 쇼트키 장벽 저하와 최 대 장벽 위치 x m을 구 할 수 있다.

d[e(f)(x)] _
(9.13)
dx

Xm = V l 6iJesE
(9.1 4)

(9.1 5)
솨

@ 3 쇼트키 장벽 저하와 최대 장벽 높이의 위치를 계산한다. ■ !田

반도체에서의 전계 E = 6.8 x 1 4 V /c m 인 갈륨비소 금속-반도체 접촉을 생각해 보라.

풀이
쇼트키 장벽 저하는 식 (9.1 5)로 주어지며 다음과 같다.

. /(1 .6 X 1 0 19)(6.8 X 1 04)

= 0.0273 V
V 47 r(1 3 . 1 )(8.85 X 1 0-14)

최대 장벽높이의 위치는 다음과 같다.

(1 .6 X 1 0- 19)
Xm: 16776,E 16 t t (1 3. 1)(8.85 X 1 0~14)(6.8 X 1 04)
3 A2 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

xm = 2 X 10-7 cm = 20 A

B J
비록 쇼트키 장벽 저하가 작은 값처럼 보이지만 장벽높이와 장벽 저하는 전류-전압 관계에
서 지수항에 나타나게 된다. 따라서 장벽높이가 조금 변화해도 쇼트키 장벽 다이오드의 전
류에 상당한 영향을 미칠 수 있다.

연습문제
E x 9.3 예제 9.1 에 기술된 쇼트키 다이오드 를 고려하자. 역방향 바이어스전압이 ( a) VR
= 1 V ，(b) 。 = 5 V 인 경우에 대하여 쇼트키 장벽 저하를 계산하라.
[ A Z.6E0 0 = 4>W ⑷ ;A 1 820 0 = 中 V (») . S W ]

계면 준위 그림 9.5는 갈 륨 비 소 및 실 리 콘 쇼트키 다 이 오 드 에 대 한 장 벽 높 이 의 측정
값 을 금 속 일함수의 함수로서 보여 주 고 있다. 측 정 된 장 벽 높 이 와 금 속 일 함 수 사이의
관 계 는 단조적 증 가 관 계 가 있지만 식 (9.1 )에서 주 어 진 단 순 한 관 계 와 맞지 않는다. 금
속 -반 도 체 접합 의 장 벽 높 이 는 금 속 일 함 수 와 반 도 체 표 면 ，혹 은 계면 준 위 (inte rfa c e
states)에 의해 결정된다.
그림 9.6은 열평형에서 금 속 대 n -형 반도체 접촉의 더욱 상 세 한 에 너 지 밴 드 다이어
그 램 을 보여 주 고 있다. 여기에서 우 리 는 얇 은 절연체 계면층이 금 속 과 반도체 사이에
존 재 한 다 고 가 정 한 다 . 계 면 층 은 전 위 차 를 지 탱 할 수 있지 만 금 속 과 반도체 사이에 전
자의 흐름에 지 장 을 주지 않 는다. 또 한 반도체 그림에서 금 속 -반 도 체 계면에서 의 표면

>

9
)
s
OQ
t
-
1
。

■체
,
F
T
<0

0.2

Mg A1 Ag W Pd

3.0 4.0 5.0 6.0

금 속 일 함 수 ，e 小nt (e V )

그림 9. 5 갈륨비소와 실리콘에 대한 금속의 일함수 변화에 따른

실 험 적 인 장 벽 높 이 ( C ro w le y와 Sze [2] 참 조 )
 9.1 쇼 트 키 (Scho竹 ky) 장 벽 다 이 오 드 3 3

사 OX

e(t>m T

~ \ e V bi
e(f>Bn
n
Ef e M{ :
하

e<t>0

그림 9 . 6 계면 층과 계면 준위가 있을 때 금옥반도체 접합의 에너지밴드 다이어그램

준위 분 포 를 보 여 주 고 있다. 우 리 는 표면 전위 如 아래에 있는 모 든 준 위 는 도너 준위
라고 가 정 한 다 . 이 것은 만 약 준위에 전 자 가 들어 있으면 중성 이고 준위 에 전 자 가 비 어
있다면 양으 로 대 전 되 는 것을 의미한다. 우 리 는 또 한 如 위에 있는 모 든 준 위 는 억셉터
준 위 라 고 가 정 한 다 . 이 것 은 만 약 준 위에 전 자 가 채워져 있지 않다면 중 성 이 고 전 자 가
들 어 가 면 음 전 하 를 띠는 것을 뜻한다.
그림 9.6에 있는 다이 어 그 램 은 如 위 와 아래에 있는 약간의 억셉 터 준 위 를 보여
주 고 있다. 이 준 위 들 은 전 자 를 받 아 들 이 려 는 경향이 있으며 전 자 가 들 어 가 면 음 전 하
를 띤다. 표면 준 위 밀 도 는 states/cm 2-e V 로 일 정 하 다 고 가 정한다. 표 면 전 위 , 표면 준
위밀 도 및 다 른 반도체 파라미 터간 의 관 계 는 다 음 과 같다.

(Eg - e ()) - e<j)Bn) = 옮 ~ ∼"leesNd(4>Bn —4，n) - 숨 쥰 [4 >m_ (公 + 4>Bn) ] (9.1 6)

다음 두 가지 극 한 적인 경우에 대하여 고려하여 보자.

경우 1 D it ^ 로 놓 斗 이 경우에 식 (9.1 6)의 우 변 은 0으 로 간다. 그 러 면 다 음 관계

가 성립한다.

少s„ = I ( 及s - e 少 ) (9 . 1 7 )

장 벽 높 이 는 밴드캡 에 너 지 와 전위 如 로 고 정된다 . 장 벽 높 이 는 금속의 일 함 수 와 반도체

의 전자 친화 력 에 는 전혀 무관하게 된다. 페르미 준 위 는 표면에서 표면전위 如 에 “고정
(pinn e d )” 된다.

경우 2 ),浴 一 0으로 놓자. 식 (9.1 6)은 다 음 과 같이 된다.

<f>Bn = (小 m ~ X)

이것 은 본래의 이상적인 식이다.

쇼트키 장 벽 높 이 는 장벽 저하 효 과 를 통하여 반도체 내에서 전계의 함 수 가 된다. 또
3U Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

한 장 벽 높 이 는 반도체 내 표면 준 위 의 함 수 이 다 . 그 러 므 로 장 벽 높 이 는 이상적 인 이론
값 과 는 다르게 된다. 표면 준 위 밀 도 는 정확하게 얼 마 나 존 재 하 는 지 를 예 측 할 수 없으
므 로 장 벽 높 이 는 실험적으로 결 정 되 어 야 하 는 파라미터이다.

이해도 평가_ _ _ _
T Y U 9.3 쇼트키 장벽 저하와 최대 장벽 높이의 위치를 TYU 9.1 에 기술된 접합에 대하여
구하라. 그 문제에서 구한 전계를 사용하라. (Y IZ = Wx ‘八3 620 0 = 4>V ' SUV)

9. 1.스 전 류 - 전 압 관계

금속 반도체 접합에서의 전 류 전 송 은 pn 접합에서의 소 수 캐리어에 기인하는 것과는 대

조 적 으 로 주 로 다 수 캐리어에 기 인 하 는 것이다. n -형 반 도 체 와 접촉된 정류접촉에서의
기 본 과 정 은 전 위 장 벽 을 넘 어 가 는 전자의 전송에 의 한 것 으 로 열 전 자 방 출 이 론 으 로 설
명할 수 있다.
열전자 방출 특 성 은 장 벽 높 이 가 好 '보 다 훨씬 크 다 는 가 정 을 이용하여 유 도 할 수 있
으 므 로 M a x w e ll-B o lt z m a n n 근 사 를 적 용 할 수 있으며 열 평 형 은 이 과정에서 영향받지
않 는 다 . 그림 9.7은 순 방 향 바 이 어 스 전 압 가 인가된 일차원 장 벽 과 2가지의 전자전
류 밀 도 성 분 을 보여 준다. 전류 人1 은 반도체 로 부 터 금 속 쪽 으 로 홀러 들 어 가 는 전자

va -

그 + 대

그림 9.7 영상 전하에 의한 장벽 저하 효과를 포함한 순방향 바이어스된

금옥반도체 접합의 에너지밴드 다이어그램
 9.1 쇼 트 키 沒 chottky) 장 벽 다 이 오 드 345

전류밀도이며，전류/는금속으로부터반도체쪽으로흘러들어가는전자전류밀도
이다.전류의첨자는전자가흐르는방향을나타낸다.통상적인전류방향은전자가흐
르는방향과반대이다.
전류밀도/ 는장벽을넘기충분한;C-방향의속도를갖는전자의농도에대한함
수이며다음과같이쓸수있다.

여기에서E : 는금속쪽으로열전자가방출하는데필요한최소에너지이고,'는전송
방향쪽으로의캐리어속도성분이며,e는전자의전하이다.증분전자농도는다음과같
다-
dn = gc(E ) M E ) dE (9.1 9)

여기에서次 .(£)는전도대내에서의상태밀도이고九(及)는Fermi-Dirac 확률함수이다.

M a xw ell-B oltzm a nn 근
사를적용하면다음과같이쓸수있다.
dn = 47T(y )3/2 V E ^ E C e x p [ -(g ^ 1 dE (9.20)
n kl .

만약&를초과하는전자의모든에너지가운동에너지라고가정하면다음과같다.
^ m * v 2 = E - Ec (9.21 )

금옥반도체접합에서의알짜전류밀도는다음과같이쓸수있다.
J = Js—m - Jm—S (9.22)

여기에서금속쪽에서반도체쪽으로의방향을양으로정의하였다.전류밀도는다음과
같다.
y = [ A * r e x p ( ^ ) ] [ e x p (f ) - l] _ )

여기에서상수사는다음과같다.
A* = — (9.24)

파라미터사를열전자방출에대한유효Richardson 상수라고부른다.
식(9.23)은통상적인다이오드에서의형식처럼다음과같이쓸수있다.
346 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

그림 9.8 PtSi-Si 다이오드의 실험적，이론적

역 바이어스 전류 (S z e 와 N g[1 5 ] 참조)

J ~ J st e x p - 1
(9.25)

여기서 / sr는 역포화 전류밀도이며 다 음 과 같다.

JST = A * T 2 e x p ( ^ g， (9.26)

우 리 는 여기에서 쇼트키 장벽 높이 이 영 상 력 -저 하 효과에 의해 변 화 된 다 는 사 실 을

상 기 할 필요가 있다. 즉 (hn = 싫 _ 必이다. 그러면 식 (9.26)은 다 음 과 같이 쓸 수 있
다•

사 = A *r exP ( - w 2-) exP ( ^ ) (9'27)

장벽높 이의 변화량 는 전 계 가 증 가 하 거 나 인가한 역방향 바 이 어 스 전압이 증가함에

따 라 증가하 게 된다. 그림 9.8은 쇼트키 장벽 다이오드 의 전형 적 인 역방향 바이 어스 전
류 -전 압 특 성 을 보여 주 고 있다. 역 방 향 바 이 어 스 전 류 는 장벽 저 하 효 과 때문에 역방
향 바 이 어 스 전압이 증 가함에 따 라 증 가 한 다 . 이 그 림 은 쇼트키 장벽 다 이 오 드 가 항 복
현 상으로 들어 가는 것도 함께 보여 주 고 있다.

■ ■ H i 목적 | I-V 특성으로부터 유효 Richardson 상수를 계산한다.

그림 9.9에 있는 텅스텐-실리콘 다이오드에 대하여 장벽높이 (t>B„ = 0.67 V 를 가정하라.
그림으로부터 JsT « 6 x l -5 A /cm 2이다.
 9.1 쇼 트 키 (Schottky) 장 벽 다 이 오 드 347

o
10

o
一
1

( 一 IKV V ) f
10~
10-

-:
o

1 0—
0.1 0.2 0.3
V (V)

그림 9 . 9 W -S i ，W -GaAs 다이오드에 대한 순방향

바이어스 전류 밀도 JF 대 。 (Sze 와 Ng[1 4] 참조)

■E n
는 다음과 같다.

•근(t>Bn
JsT = A * T2 e x p |-
1元「

따라서 보*는 다음과 같다.

A* JsT l
r exp\ kr
A* l ' J 0.67 = 1 1 4 A /K 2-cm 2
(300)2 e x p \ 0.0 259 J

주석
실험적으로 산출한 A * 값은 총fi„ 이 지수항에 있으므로 <、 „에 아주 강하게 의존하는 함수가
된다. 必 이 조금 변해도 R ic h a rd s o n 상수값은 많이 변하게 된다.

연습 문제
E x 9.4 자유전자에 대하여 이상적인 R ic h a rd s 예 상수를 계산하라.
ozi = 'suy)

그림 9.9에 보인 텅 스 텐 -실 리 콘 및 텅 스 텐 -갈 륨 비 소 다이오드 의 역 포 화 전 류 밀 도 는
그 크 기 가 거의 두 차 수 나 다른 것에 주 목 할 필요 가 있다. 이 두 차 수 라 는 차 이 는 두 다
348 Chapter9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

이오드에서의 장 벽 높 이 가 사 실 상 같다 고 가정하면 유 효 Richardson 상수에서 의 차 이를

반 영 하 는 것이다. 식 (9.24)로 주 어 지 는 유효 Richardson 상 수 는 전자의 유 효 질 량 을 포
함 하 고 있 으 며 , 실 리 콘 과 갈 륨 비 소 는 전 자 의 유 효 질 량 에 있어 서 상 당 히 다 르 다 .
Richardson 상수의 표현식에 유효질량이 들어 있다는 사 실 은 열전자 방출이론에서 유효
상 태 밀 도 를 사 용 한 직 접 적 인 결 과 이 다 . 그 결 과 실 리 콘 과 갈 륨 비 소 사이 의 보* 및 J sT
값 은 크게 다르다.

9. 1.5 쇼트키 장벽 다 이 오 드 와 pn 접합 다이오 드 와 의 비교

식 (9.25)로 주 어 지 는 쇼트키 장벽 다이오드의 이상적인 전 류 -전 압 관 계 가 … 접합 다이

오 드 와 같은 형태이지만 쇼트키 장벽 다이오드와 pn 접합 다이오드 사 이에는 두 가지 중
요 한 차이가 있다. 첫 번째는 역포화 전류밀도의 크기 이 며 두 번째는 스위칭 특성 이다.
쇼트키 장벽 다이오드의 역포화 전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 식 (9.26)에서 주어졌다.

" = ， r exp (봉 사

pn 접합 다이오드의 이상적인 역포화 전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

j _ e D nnp0 6 D p p no r
1 = — [ '

두 식의 형 태 는 크게 다르며 두 소자에서 전류 메 커 니 즘 도 다르다. 쇼트키 장벽 다이 오

드의 전류 는 전 위 장 벽 을 넘는 다수 캐리어의 열전자 방출에 의해 결 정 되 는 데 반해 pn
접합에서의 전류 는 소수 캐리어의 확산에 의해 결정된다.

| 목적 | 쇼트키 장벽 다이오드와 pn 접합 다이오드의 역포화 전류밀도를 계산한다.

장벽높이가 e t = 0.67 … 로 측정된 실리콘 위에 있는 텅스텐 장벽을 생각하여 보자.
유효 Richardson 상수 A* = 1 1 4 A/K2-cm2이다. T = 300 K이다.

장벽 저하 효과를 무시한다면 쇼트키 장벽 다이오드에 대해서는 다음과 같이 된다.

J ,T = A* T 2 exp = (1 1 4X 300)2 exp = 5.98 X 1 0_ 5 A J c m 2

T = 300 K에서 실리콘 … 접합이 다음의 파라미터들을 갖는다고 하자.

Na = 1 018 cm -3 Nd == 1 016 cm -
= 1 0 cm 2/s D n == 25 cm 2/s
Tp == 1 0 一
7s Tn == 1 0_ 7 s

그러면 우리는 다음 파 라 미 테 을 계산할 수 있다.

Lp = 1 .0 X 1 0-3 cm Ln = 1 .58 X 1 0-3 cm
Pn = 2.25 X 1 04 c m —3 np = 2.25 X 1 02 c m -3
 9.1 쇼트키 (Schottky) 장벽 다 이 오 드 349

pn 접합 다이오드의 이상적인 역포화 전류밀도는 식 (9.28)로부터 구할 수 있으며 다음과

같다.
(1 .6 X 1 0~19)(25 )(2.25 X 1 02) (1 .6 X 1 0_ 19)(1 0)(2.25 X 1 04)
Js
(1 .58 X 1 - 3) (1 .0 X 1 0- 3)
5.7 X 1 ->3 + 3.6 X 1 0-11 = 3.66 X 1 - " A /c m 2

주석
쇼트키 장벽 접합의 이상적인 역포화 전류밀도는 이상적인 pn 접합 다이오드의 역포화 전
류밀도보다 차수가 훨씬 크다.

연습문제
E x 9.5 예제 9.5의 결과를 사용하여 각 다이오드에서 10 m A 의 전류를 흐르게 하기 위하
여 필요한 순방향 바이어스 전압을 구하라. 각 다이오드 단면적은 K T 4 cm 2로 가정한다.
(A ZZ6V0 = "A *u p unf Xspjoips :八 況 9S.0 = "A 'uoipunf ud suy)

실리 콘 pn 접합 다이오 드에서의 역방향 바 이 어 스 전류는 생성전류에 의해 좌 우 된 다

는 사 실 을 상 기 할 필 요 가 있다. 전형적 인 생 성 전 류 밀도는 약 1(T 7 A /cm 2인 데 이것은
쇼트키 장벽 다 이 오 드 의 역 포 화 전 류 밀 도 보 다 2~3 차 수 더 작 은 값 이 다 . 또 한 생성 전
류 는 역방 향 바 이 어스된 쇼트키 장벽 다 이 오 드 에 서 도 존 재 하 지 만 이 생 성 전 류 는 /# 값
과 비교해 보면 무 시 할 정도로 적다.
JsT » 人이 므로 두 다이 오 드 의 순 방 향 바이 어스 특성 또 한 다르게 된다. 그림 9.1 0
은 쇼트키 장벽 다 이 오 드 와 … 접 합 다이 오 드 의 전형 적 인 /-V 특 성 을 보여 준 다 . 쇼 트
키 다이오드의 유 효 turn-o n 전압 은 pn 접합 다 이 오 드 보 다 작다.

목적 쇼트키 장벽 다이오드와 pn 접합 다이오드에서 1 0 A /c m 2의 순방향 바이어스 전류

밀도를 생성하기 위해 필요한 순방향 바이어스 전압을 계산한다.

쇼트키
다이오드 pn
접합
다이오드

(
V
E
)
Q
I

0 0.2 0.4 0.6

VD (V) — ►

그림 9.1 0 쇼트키 다이오드와 pn 접합 다이오드의

순방향 바이어스 전• 류-전압 특성의 비교
350 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

예제 9.5에서 주어졌던 파라미터를 갖는 다이오드를 고려한다. pn 접합 다이오드는 충분히

순방향 바이어스 되어 있어서 이상적인 확산전류가 지배적이라고 가정한다. T = 300 K라
하자.

쇼트키 장벽 다이오드에 대해서는 다음이 성립한다.

J = J st e xp (■斤 ) - 1 j

(-1 ) 항을 무시하고 순방향 바이어스 전압에 대해 풀면 다음과 같다.

= (f ) ln (i )= v ，ln (i )=_ 259) ln = 031 2 v

pn 접합 다이오드에 대해서는 다음과 같다.

V。= V, in ( j -) = (0.0259) In ( ^ f ^ ) = _ ■V

S 3
두 순방향 바이어스 전압을 비교해 보면 다음과 같다. 즉 쇼트키 장벽 다이오드의 turn-on
전압은 이 경우에는 약 .37 V이며 이 값은 pn 접합 다이오드의 tum-on 전압보다 작다.

연습문제
Ex 9.6 pn 다이오드와 쇼트키 다이오드가 같은 단면적을 가지고 있으며，0.5 mA의 순방
향 전류를 홀리고 있다. 쇼트키 다이오드의 역포화 전류는 5 x 1(T 7 A이다. 두 다이오드 사
이의 순방향 바이어스 전압 차이는 .3 V이다. pn 다이오드의 역포화 전류를 구하라.
(V : 卜이 X 99 V SUV)

tu rn -on 전 압 간의 실제적인 차이 는 금 속 -반 도 체 접촉의 장벽높이 및 pn 접합에서의

도핑농도의 함 수 이 지 만 , 항 상 그 차 이 가 비교적 크게 된다. 우 리 는 1 2장에서 tum-on 전
압의 차 이 를 이 용 하 는 하나의 응 용 인 쇼 트 키 크 램 프 된 트 랜 지 스 터 에 대하여 고 찰하게
될 것이다.
쇼트키 장벽 다 이 오 드 와 pn 접합 다이오드 에서 두 번째로 중 요 한 차 이 는 주 파 수 응
답 또 는 스위칭 특성 이다. 우 리 는 지 금 까 지 의 논 의 에 서 쇼트키 다 이 오 드 내의 전 류 는
전위 장 벽 을 넘는 다수 캐리어의 주입에 의해 흐 르 고 있다고 간주하여 왔다. 예를 들어
그림 9.1 의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 에 서 는 금 속 내에 있는 전 자 가 바 로 인접해 있는 반
도체 내의 빈 준 위 로 직접 갈 수 있 다 는 것 을 보 였 다 . 만 약 반 도 체 의 가 전 자 대 로 부 터
전 자 가 금 속 으 로 흘 러 간 다 고 한 다 면 이 효 과 는 정공이 반 도 체 로 주 입 되 는 것 과 같게
된다. 이렇게 정공이 주 입 되 면 n영역에 과잉 소 수 캐리어 정공이 생 성 된 다 . 그 러 나 계
산 뿐 만 아 니 라 측 정 을 해 보 아 도 전체 전류에 대 한 소 수 캐리어 정공전류 의 비 율은 대
부분의 경우 극히 작 은 것을 알게 된다.
 9.2 금 속 -반 도 체 저 항 성 접 촉 35 1

그래서 쇼트키 장벽 다 이 오 드 는 다 수 캐리어 소자이다. 이 사실이 의 미 하 는 바 는 순

방 향 바 이 어 스 된 쇼트키 다 이 오 드 에 는 확 산 커 패 시 턴 스 가 없다는 것이다. 확 산 커패시
턴스의 제 거 는 쇼트키 다 이 오 드 를 pn 접 합 다 이 오 드 보 다 더 높 은 주 파 수 에 서 사 용 할
수 있 도 록 만 든 다 . 또 한 쇼트키 다 이 오 드 가 순 방 향 바 이 어 스 에 서 역 방 향 바 이 어 스 로
스 위 칭 할 때 pn 접합에서 있었던 것처럼 축적 된 소 수 캐 리 어 를 제 거 할 필 요 가 없다. 소
수 캐리어 축 적 시 간 이 없기 때문에 쇼트키 다 이 오 드 는 고 속 스위칭 응 용 에 사 용 할 수
있다. pn 접합에 있어서의 스위칭 시간 은 일반적 으로 나노(n a no )초 범위임에 반해서 쇼
트키 다이오드에 대한 전형적인 스위칭 시간 은 보 통 피코( p ic o )초 범위에 있다.

이해도 평가

T Y U 9.4 ( a) pn 다이오드와 쇼트키 다이오드의 역포화 전류가 각각 1 시4 A 와 1(T 9 A 이

다. 각 다이오드에 1 00 사A 의 전류가 흐르기 위 해 필요한 순방향 바이 어스 전압
을 구하라. (b) 1 m A 의 전류에 대하여 ( a)를 반복하라.
[八 8S '0 ‘ A 9S9 0 (功 8的 •
0 ‘ A 96S 0 的 su y]

9. 2 금 속 _반 도 체 저항성 접촉

어떤 반도체 소 자 또 는 집 적 회 로 와 바 깥 세 상 사 이 에 는 접속이 만 들 어 져 야 한다 . 이들
접 속 은 저항성 접 촉 을 통하여 만 들 어 진 다 . 저항성 접 촉 은 금 속 -반 도 체 접 촉 이 지 만 정
류성 접촉이 아니다 . 저항성 접 촉 은 저 -저 항성 접합으로서 금 속 과 반도체 사이에서 양
방 향 으 로 전도 가 이 루어진다. 이 상 적 으 로 는 저항성 접촉 을 통 하 는 전류 는 인가한 전압
의 선 형 함 수 이 며 ，인 가한 전 압 은 매 우 작 아 야 만 한다. 일 반 적 으 로 저항성 접 촉 에 는 두
가지 형 태 가 있다. 첫 번째 형 태는 이상적인 비정류성 장벽이며 두 번째 형 태 는 터널링
장벽이 다 . 우 리 는 저항성 접촉 을 특 징 지 우 는 접촉 비 저항 값 을 정의 할 것이다.

9.2.1 이상 적인 비정류성 장벽

우 리 는 4>m > 必,인 경우에 대하여 그림 9.1 에서 이상적 인 금 속 과 n-형 반도체 사이 접

촉 을 알아 본 바 있다. 그림 9.1 1 은 그림 9.1 과 반대의 경우인 (pm < 九에 대하여 이상적
인 접 촉 을 보 여 준 다 . 그림 9.1 1 a 에 서 는 접 촉 전의 에너지 준 위 를 볼 수 있 으 며 ，그림
9.1 1 b 에서 는 열평형상태에 대하여 접촉 후의 장 벽 을 볼 수 있다. 이 접합에서 열평형이
이 루 어 지 려 면 전 자 는 금속으 로 부 터 에너지 준 위 가 낮 은 반도체 쪽 으 로 흘 러 가 야 하며
이것 은 표 면 을 더욱 n -형 반 도 체 로 만든다. n -형 반도체 내의 과잉 전자 전 하 는 사 실 상
표 면 전 하 밀 도 로 서 존 재 하 게 된다. 만 약 금속에 양 전 압 을 인가하면 반 도 체 로 부 터 금 속
으 로 흘러 들 어 가 는 전자에 대한 장 벽 은 없게 된다. 만 약 반 도 체 에 양 전 압 을 인가하면
금 속 으 로 부 터 반 도 체 로 흘러 들 어 가 는 전자에 대 한 유 효 장 벽 높 이 는 근 사 적 으 로 命매
352 Chapter9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

그림 9.1 1 4>m < 成인 경우 금속내반도체에 대한 이상적인 에너지밴드 다이어그램，(a) 접촉 社 (b) 접촉 후

= 九 으 로 되고 이것 은 도핑이 어느 정도 이 상 된 반 도 체 에 서 는 아 주 작다. 이 바이어

스 조건에 대 해서도 전자는 금속에서 반 도 체 로 쉽게 흘 러간다.
그림 9.1 2 a는 반도체 에 대해서 금속에 양전압이 인가될 때의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그
램 을 보 여 준 다 . 전 자 는 반 도 체 에 서 금 속 으 로 쉽게 “ 내 리 막 길 ” 을 따 라 흘 러 내 려 갈 수
있다. 그림 9.1 2b 는 금속에 대해 반도체에 양 전 압 을 인 가 하 는 경 우 를 보 여 준 다 . 전자 는
금속에서 반 도체로 쉽게 장 벽 을 넘어 흐른다. 이러한 접합이 저항성 접 촉 이 다 •
그림 9.1 3은 금 속 과 p -형 반도체 사이의 이상적인 비정류성 접 합 을 보여 준 다 . 그림
9.1 3 a 는 (t)m > 九인 경우에 대하여 접촉 전의 에너지 준 위 를 나 타 내 고 있다. 접촉이 이
루 어 졌 을 때 반 도 체 로부 터 의 전 자 들 은 열평형을 이루기 위해 금 속 으 로 흘러 들 어 갈 것
이며，더 많 은 빈 공 社 혹 은 정공들이 반도체 표면에 남게 될 것이다. 표면에서의 정공
의 과잉 농 도 는 반도체의 표 면 을 더 p -형 으 로 만든다. 금 속 으 로 부 터 의 전 자 들 은 반도체
의 빈 준 위 로 쉽게 이 동 할 수 있다. 이 전하의 이 동 은 반 도 체 로 부 터 금 속 으 로 정공이
이 동 하 는 것 과 같다. 우 리 는 금속 에 있는 정 공 들 도 반 도 체 로 흘 러 갈 수 있 음 을 알 수
있다. 이러한 접합도 역시 저항성 접 촉 이 다 •

그림 9 . 1 2 금속내 반도체 저항성 접촉의 이상적인 에너지밴드 다이어그램，(a) 금속에 양전압을

가한 경우，(b) 반도체에 양전압을 가한 경우
 9.2 금 속 -반 도 체 저 항 성 접 촉 35 3

쓰_ L _
f
1
i - :
3
`
. ^ i
f
^
t
t
^ 3\•
•
하 f

빠
(a)

그림 9.1 3 (km > 4>s인 경우 금속、P반도체에 대한 이상적인 에너지밴드 다이어그램，

(a) 접촉 전，(b) 접촉 후

그림 9.1 1 및 9.1 3에 보인 이 상 적 인 에 너 지 밴 드 는 표면 준위 의 영 향 들 을 고려하지

않았다 . 만 약 반도체의 금지대 중 간 윗부분 에 억셉터 표면 준 위 가 있다고 가 정 하 면 그
림 9.1 1 b 에 나 타 낸 경우에 대하여 모 든 억셉터 준 위 들 은 아래에 있기 때문에 이들
표면 준 위 들 은 음 전 하 를 띠게 될 것이 며 , 에 너 지 밴 드 다이어그 램 이 변하게 될 것이다.
마 찬 가 지 로 만 약 금 지 대 의 중 간 아래에 도너 표면 준 위 가 존 재 한 다 고 가 정 하 면 모 든
도너 준 위 들 은 그림 9.1 3b 에 나타낸 경우에 대하여 양 전 하 를 띠게 될 것이다. 양 전하를
띠게 된 표면 준위 또 한 에 너 지 밴 드 를 변화시킬 것이다. 그 러 므 로 만 약 금 속 과 n -형 반
도체 사이 접촉에 대하여 (匕 < 九 이 거 나 ，금 속 -p 형 반도체 접촉에 대하여 (匕 > 九인
경 우 에 는 반드시 좋 은 저항성 접촉이 이루어 지 지 않을 수 도 있다.

9. 2. 2 터널링 장벽

정류성 금 속 -반 도 체 접합에서의 공 간 전 하 영역의 폭 은 반도체 도핑의 제곱근에 반비례

한다 . 공핍 영 역 폭 은 반도체 내의 도 핑 농 도 가 증 가 함 에 따 라 감 소 한 다 . 따라서 도 핑 농
도 가 증 가 함 에 따 라 장 벽 을 통해 터 널 링 하 는 확률이 증 가 한 다 . 그림 9.1 4는 금 속 과 진
하게 도핑 된 n -형 에 피 층 과 접 촉을 이루고 있는 접합을 보여 주 고 있다.

그림 9 .1 4 고 농 도 로 도 핑 된 n 반 도 체 -금 속 접 합 의
에너지밴드 다이어그램
3於 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

W B I E 1W I 목적 I 진하게 도핑된 반도체의 쇼트키 장벽에 대한 공간전하 영역의 폭을 계산한다.

T = 300 K 에 있는 = 7 x l 1 8c m - 3로 도핑된 실 리콘을 고려하 라 . 쇼트키 장벽은
4>
Bn = 0.67 V 로 가정 하라. 이 경우에 대 해 V노 - 如 0로 가정할 수 있다. 장벽 저하 효과는
무시하라.

식 (9.7)로부터 바이 어스가 인가되지 않을 때 다음 식 이 성 립한다.

[2 예 1/2 2 (1 1 .7)(8.85 X 1 0_ 14)(0.67)_

eN d (1 .6 X l - 19)(7 X 1 018) .

또는

x n = l . \ X 1 0_ 6 c m = 1 1 0 A

■
진하게 도핑된 반도체에 있어서 공핍영역 폭 은 A 단위의 크기를 가지므로 터널링이 가능하
게 됨을 명백히 알 수 있다. 이러한 형태의 장벽 폭들에 대하여 터널링이 전류 흐름을 지배
하는 주요 메커 니즘이 될 수 있다.

연습문제
E x 9.7 금속과 G aAs 반도체 사이 정류성 접합의 공간전하영역의 두께를 계산하라. n -형
도핑농도는 Nd = 1 1 018 c m - 3이고 내부 전위는 Vbi = 0.80 V 라고 가정하라.
(Y L'SZl = -suy)

터 널링 전류 는 다음 과 같 은 형 태를 갖는다.

(9.29)
乂" CXP ( ^ )

여기에서 는 다 음 과 같다.

(9.30)
民。- t V국

터 널링 전류는 도핑농도에 따 라 지 수 함 수 적 으 로 증가한다.

9. 2. 3 접촉 비저항

저항성 접촉의 성 능 지 수 중 하 나 는 접 촉 비 저 항 인 代.이다. 이 파 라 미 터 는 V 바이어

스에서 전압에 대한 전류밀도의 도함수의 역수로 정의한다.

Rc = n -cm 2 (9.31 )
\o V ) v= o
 9.2 금 속 -반 도 체 저 항 성 접 촉 355

저항성 접 족을 위 해 서 는 '값 이 가 능 한 한 작 기 를 원한다.

반도 체 도 핑 농 도 가 낮 거 나 중 간 정 도 인 정류성 접촉에 대 한 전 류 -전 압 관 계 는 식
(9.23)인 다음 식으 로 주어진다.

-^B n
Jn = A * r 2 exp exp - 1
1元

이 접 합 에 서 는 열 전 자 방 출 전 류 가 지 배 적 이 다 . 이 경우에 대 한 접촉 비 저 항 은 다 음 과
같다.

' + e <t>B
( ? ) exP , kT (9.32)
Rc
A *T2

접촉 비 저항 은 장벽높이 가 감소함에 따 라 급격 히 감소한다.

높 은 불 순 물 농 도 를 갖 는 금 속 -반 도 체 접합에 대 해 서 는 터널링 과정이 우 세하게 될
것이다. 식 (9.29) 및 (9.30)으로부터 접촉 비 저항 은 다 음 과 같다.

- \ - 2 \ / esm *
Rc exp
\ (9.33)
h

이것 은 접촉 비저항이 반도체 도핑의 매우 강 한 함 수 임 을 나타내고 있다.

그림 9.1 5는 반도체 도핑의 함수로서 '의 이론적인 값 을 그린 것을 보여 주 고 있다.
도 핑 농 도 가 약 1 019 cm 3 이상일 때 에 는 터 널 링 과정이 우세하며 & 는 & 에 지 수 함 수
적 으 로 의 존 하 는 것을 알 수 있다. 도 핑 농 도 가 더 낮 을 때 에 는 代. 값 은 장 벽 높 이 에 의
존하며 도 핑 에 는 거의 무 관 하 게 된다. 또 한 그림에 백금 실 리 사 이 드 -실 리 콘 및 알루미

이 Cm

)2 ()
1■0 1
7
0
1 7
0
1
0
1
0
1

•(
1
•
•
•
•
S 0
1
。 0
1

0
1
0
1

그림 9.1 5 도핑농도의 함수로서 이론적 및 실험적 접촉의 비저항 값 (Sze와 Ng[1 5] 참조)
356 Chapter 9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

늄 -실 리 콘 접합에 관 한 실험적인 데 이터를 나타내었다 .

식 (9.33)은 터널링 접합의 접촉 비 저 항 으 로 서 이 것 은 그림 9.1 4에 보인 금 속 -n + 접
촉에 해 당 하 는 것이다. 그 러 나 n + n 접 합 도 역시 접 합 과 관 련 된 장벽이 있기 때문에 접
촉 비 저 항 을 갖게 된다. 도핑이 상당히 낮 은 n 영역에 대 해 서 는 이 접촉저항 이 접합의
전체 저항 값 을 실 질 적 으 로 좌우하게 된다.
저항성 접촉 을 형성하기 위 한 이 론은 단 순 하 다 . 양 호 한 저항성 접촉 을 형성하기 위
해 서 는 낮 은 장 벽 을 만 들 어 야 하며 표면에서 높게 도 핑 된 반 도 체 를 사 용 해 야 한다. 그
러나 양호 한 특 성 을 지니고 신 뢰 성 있 는 저항성 접촉 을 실 제로 제 조 하 는 기 술 은 이론처
럼 그리 쉽지 않다. 또 한 밴 드캡이 넓 은 물 질 에 서 양 호 한 저항성 접 촉 을 만 드 는 것은
더 욱 어 렵 다 . 일 반 적 으 로 이 러 한 물질에 대 하 여 는 낮 은 장 벽 을 얻 기 가 어 려 우 므 로 표
면에 도핑이 많이 된 반 도 체 를 써서 터널링 접 촉 을 형 성 시 킨 다 . 터널링 접 합 을 형 성 하
기 위해 확 산 ，이 온주입 ，경우에 따 라 서 는 에피 성장이 필요하다. 반도체에 서의 표면 도
핑 농 도 는 불 순 물 고용도에 제 한을 받으며 n -형 G a A s 에 대 해 서 는 약 5 x 1 019 c m - 3정도
이다. 표면 도 핑 농 도 의 불 균 일 성 도 접 촉 비저항에 대 한 이 론 적 인 한계에 도달하지 못
하게 할 수 있다. 실 제 로 양 호 한 저항성 접 촉 을 얻기 전에 많 은 실험적 공 정 을 거치 는
것이 필요하다.

9. 3 이 종 ( H e te ro )접 합

앞 장들에서 pn 접 합을 논 의 할 때에 우 리 는 반도체 물질이 전체 구조에 있어서 균 일 하

다고 가정했다. 이런 형태의 접합을 동 종 접 합 이 라 고 부 른 다 . 두 개의 다 른 반도체 물질
이 접합을 이룰 때 이 접합 을 반도체 이 종 접 합 이 라 고 부른다.
이 책의 많 은 주 제 들 에 서 와 마 찬 가 지 로 우리의 목 표 는 이 종 접 합 에 대 한 기 본 개념
을 제 공 하 는 것이다. 양 자 역 학 및 상 세 한 계 산 을 수 반 하 는 이 종 접 합 의 완 전 한 해 석 은
이 책의 범위 를 넘는다. 그래서 이종접합에 관 한 논 의 는 몇 가지 기본적인 개념 을 소개
하 는 것에 한정될 것이다.

9.3.1 이 종 접 합 물 질

이 종 접 합 시 키 는 데 사 용 한 두 물질이 다 른 에 너 지 밴 드 캡 을 갖기 때문에 접 합 계면에

에너지 밴드 의 불연속이 생기게 된다. 우 리 는 반도체의 에너지접이 좁 은 물질에서 에너
지집이 넓 은 물 질 까 지 급격 히 변 하 는 계 단 접 합 을 생 각 할 수 도 있다. 반 면 에 ，예로서
G a A s -A l vG a , _ , A s 시 스 템 을 생각하면 의 값이 경사진 이종 접 합 을 형성시키기 위해 수
n m 의 거 리에 걸쳐 연속적으 로 변 화할 수 도 있다. G a A s -A l vG a !_ , A s 시스템의 x 값을 변
화시킴 으로 써 우 리 는 밴드접 에 너 지 를 조 작 ，즉 설 계 할 수 있다.
유 용 한 이 종 접 합 을 형성하기 위 해 서 는 두 물질의 격 자 상 수 가 잘 맞 아 야 만 한다. 어
떠한 격자 부 정 합 도 결정에 결함을 발생시켜 계면 준 위 를 만들어 줄 수 있기 때문에 격
 9.3 이 종 (Hetero)접 합 357

Ec ] --------------
Eci________ 民2 Ecl -------------Ec2 民 ' ------------- -------------Ea
표 vl
EvX--------------
五 "v 2 표v2 표 v2

(a) (b) (c)

그 림 9.1 6 좁 은 밴 드 갭 에 너 지 와 넓 은 밴 드 캡 에 너 지 사 이 의 관 계 ， (a) 겹 친 경 우 , (b) 어 긋 나 며 일 부 가 겹 친 경

우 , (c) 전 혀 겹 치 지 않 은 경 우

자 정 합 은 중요하 다 . 예를 들면 게 르 마 늄 과 갈 륨 비 소 는 격 자 상 수 가 약 0.1 3% 범위 내에
서 정 합 한 다 . 게 르 마 늄 과 갈 륨 비 소 이 종 접 합 이 널리 연 구 되 어 오 고 있 다 . 최 근 에 는
G a A s 및 A l G a A s 시 스템의 격 자 상 수 가 0.1 4% 이 내 로 변 화 하 므 로 갈 륨 비 소 -알 루 미 늄
갈 륨 비 소 ( G a A s -A l G a A s ) 접합이 상당히 집중적으로 연구되어 오고 있다.

9 .3 .2 에너지밴드 다이어그램

에 너 지 밴 드 캡 이 좁 은 물 질 과 에 너 지 밴 드 캡 이 넓 은 물 질 로 이 종 접 합 을 형 성 시 킬 때에
밴드접 에 너 지 를 정 렬 시 키 는 것은 접합의 특 성 을 결정하는데 중 요 하 다 . 그림 9.16은 세
가지의 가 능 한 상 황 을 보여 준다. 그림 9.16a에 서 는 에 너 지 밴 드 접 이 넓은 물질의 금지
대 가 에 너 지 밴 드 캡 이 좁 은 물질의 밴 드 집 을 완전히 겹친 때 이 다 . 이 경 우 는 대부분의
이종 접합에 적 용 되 는 것 으 로 stra d dlin g(양 다 리 를 벌려 걸친 형 태 )이 라 고 부 른 다 . 다
른 가 능 성 으 로 서 그림 9.16b 및 9.16c에 나타 낸 바 와 같이 st a gg ere d(서 로 엇갈린 형
태) 및 brok e n g a p(단 절 된 캡)의 경우 가 있다.
이 종 접 합 에 는 네 가지 기 본 형 태 가 있다. 접합에서 도 핑 물 질 형 태 가 변 하 는 것을 이
형( a nisotyp e ) 이라 고 부른 다 . 우 리 는 nP 또 는 N p 접 합 을 형성시킬 수 있으며 여기서 대
문 자 는 밴드갭이 더 큰 물 질 을 나 타 낸 다 . 접합의 양쪽이 똑 같 은 도 핑물질 형 태를 가지
는 이 종 접 합 을 동형(isotyp e )이라 고 부 른 다 . 우 리 는 n N 및 pP 동형 이 종 접 합 을 형성시
킬 수 있다.
그림 9.17은 진 공 준 위 를 기 준 으 로 하여 격리된 n-형 및 P-형 물질의 에 너 지 밴 드 다
이 어 그 램 을 보 인 다 . 에 너 지 밴 드 겝 이 넓 은 물질의 전 자 친 화 력 은 에 너 지 밴 드 캡 이 좁 은
물질의 전 자 친 화 력 보 다 작다. 두 전도대 에너 지간의 차 는 AE [.로 표기하며 두 가전자대
에너지간의 차 는 A „로 표기한다. 그림 9.17로부터 우 리 는 다음 사 항 을 알 수 있다.

A c = e(Xn ~ Xp) (9.34a)

A E C + \ E V = E gP - E gn = A s (9.34 b )

비 축 퇴 적 으 로 도 핑 된 반 도 체 를 사 용 한 이 상 적 인 계 단 이 종 접 합 에 서 진 공 준 위 는 전도
대 및 가전자대 모두에 평행하 다 . 만 약 진 공 준 위 가 연속이라면 불연속적 인 .와 NEV
358 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

진공 준위

1Ecp

EgP GaAs

e fp

1 Evp

그림 9.17 좁은 밴드캡 물질과 넓은 밴드캡 물질의 접촉 전 에너지밴드 다이어그램

그림 9.18 열평형상태에 있는 nP 이종접합의 이상적인 에너지밴드 다이어그램

가 똑같이 이 종 접 합 계면에 존 재하게 될 것이다. 이 러 한 이 상적인 상 황 을 전자 친화력

규 칙 이 라 고 부 른 다 . 이 규칙의 적용성에 대 해 서 는 다소 불확실성 이 존 재 하 지 만 이종접
합의 논의에 있어서 좋 은 출 발 점 을 제공한다.
그림 9.1 8은 열평형에 있는 일반적 인 이상적 nP 이 종 접 합 을 보여 준다. 두 물질에서
페르미 준위이 일 치 되 려 면 전 자 가 에 너 지 밴 드 캡 이 좁 은 n 영역으로 부터 P 영 역 으 로 그
리고 정공이 에너지 밴드 캡이 넓은 P 영역으로부터 n 영역으로 접 합 을 건너 흘 러 야 한다.
동 종 접 합 과 마 찬 가 지 로 ，이 경우 에 서 도 전하의 흐 름 은 금속학적 접합 근처 에 공 간 전 하
영역 을 생기게 한다. n -형 영역의 공 간 전 하 영역 폭 을 사 으 로 표기하며 P-형 영역의 공
간 전 하 영 역 폭 을 사 로 표 기 한 다 . 전도대 및 가 전자대 의 불 연 속 과 진 공 준 위 의 변 화 도
그림 에서 볼 수 있다.
 9.3 이 종 (Hetero)접 합 35 9

그림 9 . 1 9 열평형상태에 있는 n N 이종접합의 이상적인 에너지밴드 다이어그램

9. 3. 3 이차원 전 자 가 스

앞에서 우 리 는 이종접합의 정 전 기 학 특 성 을 고려하 였으며 이제 동형 접합의 독 특 한 특

성에 관하여 논 의 한 다 . 그림 9.1 9는 열평형에 있는 n N G a A s-A l G a A s 이종접합의 에너
지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보여 준 斗 A l G a A s 는 중 간 정 도 내지 진하게 도 핑 된 n -형 이 며 ，
반면에 G a A s 는 덜 진하게 도 핑 되 었 다 거 나 혹 은 진 성 이 라 고 생 각 한 다 . 앞에서 언급 한
것처럼 열 평 형 을 이루기 위 해 서 는 에 너 지 밴 드 캡 이 넓 은 A l G a A s 로부터 전 자 가 G a A s
로 들 어 가 게 되고 계면에 인접 한 전 위 우 물 내에 전자 축적층이 만들어지게 된다. 앞에
서 터 득 한 양자역학의 기본적인 결과 는 전 위 우 물 내에 있는 전자의 에 너 지 가 양자화된
다 는 사 실 이 다 . 이차원 전 자 가 스 라 는 말 은 전 자 들 이 (계 면 에 수 직 인 ) 일차원 방 향 으 로
는 양 자 화 된 에너지 준 위 를 가 지 고 있 지 만 다 른 이 차 원 공간의 방 향 으 로 는 자 유 롭 게
움직 일 수 있는 상 태 를 나타낸다.
계면 근처에서의 전 위 함 수 는 삼각형태 전위우물로 근 사 화 시 킬 수 있다. 그림 9.20a는
계 단 접 합 계면근처 의 전도대 끝 을 보여 주 고 있 으 며 ，그림 9.20b 는 삼각형 전 위 우 물 을
근 사 적 으 로 나타낸 것이 다. 우 리 는 다음 과 같이 쓸 수 있다.

그림 9 . 2 0 N A l G a A s (넓은 밴드캡)와 n G a A s (좁은 밴드캡)의 이종접합의 전도대 끝 부분，

(b) 불연속 전자 에너지 준위를 지닌 삼각형 우물 근사법
360 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

그림 9.21 삼각형 우물에서의 전자농도 그림 9.22 경사진 이종 접합에서의 전도

대의 끝 부분

V(x ) = e E z z> 0 (9.35a)

V(z) = z < (9.35b)

이 전 위 함 수 를 이용하여 Schrodinger 파 동 방 정 식 을 풀 수 있다. 양 자 화 된 에너지 준위

를 그림 9.20b에 나타내었다. 더 높 은 에너지 준 위 들 은 보통 고려하지 않는다.
전 위 우 물 내의 전자들의 정 성 적 인 분 포 를 그림 9.21 에 나 타 내 었 다 . 계 면 과 평 행 하
게 흐 르 는 전 류 는 이 전 자 농 도 와 전자 이동도의 함 수 가 된다. GaAs가 덜 진하게 도핑
되 거 나 진 성 이 므 로 이차원 전 자 가 스 는 불 순 물 도핑이 적 은 영역 내에 있게 되며 그로
인해 불순물 에 의 한 산 란 효 과 가 최 소 화 된다. 전 자 가 이온화된 도 너 와 같 은 영역 내에
있을 때보다 전 자 이 동도는 훨씬 크게 될 것이다.
계 면 과 평행하 게 움 직 이 는 전 자 는 AlGaAs내의 이 온화된 불순물의 쿨 롱 인력에 의
해 여 전히 영향을 받 을 것이다. 이들 쿨 롱 힘 의 영향 은 경사진 AlGaAs-GaAs 이 종 접 합
을 사용함으로써 더 줄일 수 있다. 경사진 층 은 몰 분 율 x가 거리에 따 라 변하는 AltGa i_
aA s 층 을 말한다. 이 경우에 경사진 AlGaAs 진성 층 을 N-형 AlGaAs와 진성 GaAs 사이
에 삽입시 킬 수 있다. 그림 9.22는 열평형에 있는 경사진 AlGaAs-GaAs 이종접합 의 전
도대 끝의 모 양 을 보여 준다 . 전위 우 물 내에 있는 전 자 들 은 이온화된 불순 물 로 부 터 더
격 리 되 고 그 로 인해 전 자 이 동 도 는 계 단 이 종 접 합 내에서의 전 자 이 동 도 보 다 더 증 가
하게 된다.

*9.3.스 열평형 정 전 기 학

우 리 는 이제 그림 9.1 8에 보 여 준 nP 이종접합의 정 전 기 학 에 대하여 고 려 한 다 . 동종접

합 에 서 처 럼 전 위 차 는 n 영 역 과 P 영역 양 쪽 공 간 전 하 영역에 존 재 한 다 . 이 들 전 위 차 는
접 합 양쪽 내부 전위장 벽에 해 당 하 는 것이다. 이 러 한 이상적인 경우에 대 한 내부 전위
장 벽 은 그림 9.1 8에서 볼 수 있는 바 와 같이 진공 준 위 에 서 의 전 위 차 로 정 의된다. 내부
전 위 장 벽 은 양 쪽 공 간 전 하 영역에 걸 리 는 전 위차의 합 이 다 . 그 러 나 이 종 접 합 의 내부
전 위 장 벽 은 동 종 접 합 에 서 정의했던 것처럼 접 합 양 쪽 전도대 간의 차 이 ，혹 은 접 합 양
쪽 가전자대 간의 차 이 와 동 일 하 지 는 않다.
 9.3 이 종 (Hetero) 접 합 361

이 상 적 으 로 는 전체 전위장벽 는 일함수간의 차 이 로 구 할 수 있 으 며 ，즉 다 음 식
과 같다.

^ bi — ( J )s P ( >sn (9.36)

그림 9.1 7을 사용하여 식 (9.36)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

eVbi ~ ^Xp + EgP - (EFP - EvP)] - [exn + Egn - (EFn - Evn)] (9.37 a)

혹은

eVbi = e(xp ~ Xn) + (EgP ~ Egn) + (EFn - Evn) - {EFP - EvP) (9.37 b )

이 식은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

바, . = - 북 + 씩 + m n ( 는 ) - ( 최 (9.38)

최종적으로 식 (9.38)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

바 = A 瓦 + m n (는 •는 ) (9.39)

여기서 PP 및 는 각각 P 및 n 물질에서의 정공농도이고 N v„ 및 N vP 는 각각 n 및 P

물질에서의 유효 상 태 함 수 밀 도 이 다 . 우 리 는 또 한 전도대 이동 항 을 사용하여 표 현 하 는
내부 전위장벽에 대한 식을 다음 과 같이 얻을 수 있다.

e V bi = -A 瓦 + kT In ( 놓 ■논 ) (9.40)

목적 전자 친화력 규칙을 사용하여 n-G e 과 P-G a As 이종접합에 대한 A c， 및 。 ,.를

구한다.
Nd = 1 016 cra「 3으로 도핑된 n -형 G e 과 ^ = 1 016 c m —3으로 도핑된 P-형 G a A s 을 고려
하라. T = 3 00 K 로 가정하여 G e 의 진성 캐리어 농도 이 = 2 .4 X 1 0 13 c m -3을 사용하라.

M l
식 (9.3쑈)로부터 A E C는 다음과 같다.

= e(x„ - X p) = e(4.1 3 一4.07) = 0.06 eV

식 (9.34b)로부터 A及„는 다음과 같다.

= \ ES - A及。= (1.43 一0.67) — 0.06 = 0.70 eV

식 (9.39)로 부 터 。 를 구하기 위해서는 아 에 대 한 /、 를 구해야 하며 ‘ 는 다음과 같다.

_ n ] _ (2 .4 X 1 013)2
1010cm 3
—지 1016 = 5.76 X
362 Chapter9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

따라서 다음이 성립한다.

(1 0 16)(6 X 1 018)
e V bi = 0.7 0 + (0.0259) In
(5.76 文 1 010)(7 文 1 018)

최종적으로。，
는 다음과 같다.

Vbi= 1 .0 V

區호]
와 L E V 값은 같지 않으며 이로 인해 전자와 정공이 전위장벽을 다르게 느끼게 된다. 이
러한 비대칭성은 동종접합에서는 일어나지 않는다.

연습 문제
Ex 9.8 n-형 G e 과 P -형 G aAs 사이 이종 접합에 대하여 예제 9.8을 반복하라. G e 은 7Vd =
1 015 c m - 3의 도너로 도핑되어 있고，G a A s 는 = 1 015 c m -3 의 억셉터로 도핑되어 있다.
온도는 T = 300 K 로 하라. ( A 688 0= 's u y )

접합에서의 전 계 와 전 위 는 동 종 접 합 에 서 했던 것 과 똑 같 은 방 법 으 로 P oisson 의 방
정식으 로부 터 구 할 수 있다. 접합의 양쪽이 균일하게 도 핑 되 었 을 때 n 영역에서의 전계
는 다 음 과 같다.

E„ = 추H x„+ x) ( —xn < jc < 0) (9.41 a)

그리 고 p 영역에서는 다음 과 같다.

Ep = (x P - x) (0 < A < x P) (9.41 b )

여 기 에서 en 및 다는 각 각 n 및 P 물질 의 유 전 률 이 다 . 우 리 는 x = —사에서 E „ = 0이
며 ;c = 사에서 E P = 0이라 는 점을 주 목 할 필요 가 있다. 전 속 밀 도 D 는 접합 을 건너 연
속 이 므 로 다 음 과 같이 된다.

e„ E „ c = 0) = ePE P(x = 0) (9.42 a)

이 식으로부터 다음 식이 나온다.

N dnx n = N aPXp (9.42b )

식 (9.42 b )는 단순히 P 영역 내에서의 순 수 음 전 하 가 n 영역에서 순 수 양 전 하 와 같 다 는

것 을 의 미 하 는 것으로 이 것 은 pn 동 종 접 합 에 서 우 리 가 했던 것 과 동 일 한 조 건 이 다 . 우
리는 이종접합에서 존 재 할 수 있는 계면 준 위 를 무 시 하 고 있다•
전 위 는 공 간 전 하 영역 을 통 과 하 는 전 계 를 적 분 함 으 로 써 구 할 수 있 으 므 로 각 영역
에 걸리는 전위 차 를 다 음 과 같이 구 할 수 있다.
 9.3 이 종 (Hetero) 접 합 363

(9.43 a)

T/ _ eNaP£p (9.43b )
VbiP =

식 (9.42b )는 다 음 과 같이 다시 쓸 수 있다.

x„ _ NaP
(9.44)

이 전위장벽의 비는 다 음 과 같이 정해진다.

Vbin _ . 八 ” . 스_ _ pNap (9.45)

^ b iP N aP 네

이, 및 다는 같 은 정도의 크 기 라 고 가 정 하 며 ，더 큰 전위 차 가 더 낮게 도핑 된 영역에 걸
린다고 간주한다.
전체 내부 전 위 장 벽 은 다 음 과 같다.

Vbl = Vbi„ + = 부 + (9-46)

2€/>

예를 들어 식 (9.42 b )에서 사에 대하여 풀어 그 결 과 를 식 (9.46)에 대입하여 사에 대하

여 풀면 다 음 과 같다.

2 enePNaPVbi
(9.47 a)
eNdn( enNdn + ePN aP) .

또 한 사에 대하여 풀면 다 음 과 같다.

^ pNdnVbi
(9.47 b )
e N aP(、e nNdn + 드pN ap)

전체 공 핍 층 폭 은 다 음 과 같다.

u/ = r 4- = 2 e we P ( N dn + N aP) 2 V bi
(9.48)
n P ~ + e P N aP)
[ e N dnN a P { e ^ dn

만 약 역방 향 바 이 어 스 전압 을 이종접 합에 인가하면 를 Vbi + 。 로 대 체 하 기 만 하면

똑 같 은 식 을 적 용 할 수 있다. 유 사하게 만 약 순 방 향 바 이 어 스 전 압 을 이종접합 에 인가
하면 心 를 Vbi - 。 로 대체하여 역시 똑 같 은 식을 적 용 할 수 있다. 앞 에 서 처 럼 。 은 역
방향 바이 어스 전압의 크기 이 고 。 는 순 방 향 바이 어스 전압의 크기 이다.
동 종 접 합 의 경우 에서 처 럼 접 합 전압의 변화에 따 른 공핍영역 폭의 변 화 는 접 합 커
패 시 턴 스 를 생기게 한다. 우 리 는 nP 접합에 대해 다 음 을 알 수 있다.
3 6“ Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

_ _ _ _ _ _ e N dnN aPe neP_ _ _ _ _ _ (9.49)

c; = ( F /cm 2)
2 d + ePN aP)(V bi + V R)

( l / C/) 2 대 。 그 림 은 직 선 으 로 된다. 이 그림에서 (1 /C/) 2 = 0으 로 외 삽 을 적용하여 내

부 전위장벽。，
룰 구 할 수 있다.
그림 9.1 8은 nP 계 단 접 합 에 대 한 이 상 적 인 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 나 타 낸 것이
다. 실 험 적 으 로 구 한 A (. 및 에 대 한 값 은 전자 친화력 법칙 을 이용하여 구 한 이상
적 인 값 과 다 를 수 있다. 이 러한 차이에 대한 하나의 가 능 한 설 명 은 대부분의 이 종 접 합
이 계면 준 위 를 가지고 있다는 점이다. 만 약 정전기학적 전위 가 접합 전체에 걸쳐 연속
이라고 가정하 면 전 속 밀 도 는 계면 준위에서 포 획 된 표 면 전 하 때문에 이종접합 에서 불
연속적으로 될 것이다. 계면 준 위 는 금 속 -반 도 체 접 합 의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 변하
게 한 것처럼 반도체 이종접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 변화시킬 것이다. 이상적인
값으로 부터 벗어나게 되는 데 대한 또 하나의 가 능 한 설 명 은 두 물질이 이 종 접 합 을 형
성하기 위해 접근함에 따 라 각 물질의 전 자 궤 도 가 서로 상 호 작 용 을 하게 되어 계면에
서 수 A 의 천이영역이 생기기 때문이 다 . 그때 에 너 지 밴 드 접 은 이 천이영역에 걸쳐 연
속이 며 두 물질 고유의 특 성 을 갖게 되지 않게 된다. 그 러 나 비록 A 쏴.와 값이 전자
친화력 규칙으 로부 터 구 한 값 과 다 르 지 만 이종접합의 s tr a d d lin g 형태에 대 하 여 는 아직
도 다 음 과 같 은 관 계 는 성 립한다.

AEC+ „ = AEg (9.50)

우 리 는 여기에서 다 른 형태 이종접합 의 에 너 지 밴 드 다이어 그 램 의 일반적인 특 성 을 생

각해 볼 수 있다. 그림 9.23은 N p 이종접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보여 준 다 . 전
도대의 일반적인 형태 가 예를 들면 nP 및 N p 접합 과 다 를 지 라 도 똑 같 은 불 연 속 A (. 및
A E v 7 } 존 재하게 된다. 에너지밴드의 이 러 한 차 이 는 두 접합의 /不 특성에 영향 을 주게
된다.
이종접합의 다 른 두 가지 형태에 n N 및 pP 동형 접합이 있다. n N 접합의 에 너 지 밴
드 다 이 어 그 램 을 그림 9.1 9에 나 타 내 었 다 . 열 평 형 을 이루기 위하여 전자들이 밴드캡이
넓은 물질 로 부 터 밴드캡이 좁 은 물 질 로 흘러들어 갈 것이다. 밴드캡이 넓 은 물질 내에
양의 공 간 전 하 영역이 존 재 하 게 되고 밴드캡이 좁 은 물 질 의 표 면 에 전자의 축 적 층 이

公C"
Ef n

E vN

그 림 9 .2 3 열평형상태에 있는 N p 이종접합의 이상적인 에너지밴드 다이어그램

 9.3 이 종 (Hetero) 접 합 365

Ecp

Ef p
Evp

그림 9.24 열평형상태에 있는 pP 이 종 접 합 의 이 상 적 인 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램

생기게 된다. 전도대 내 에 는 많 은 에너지 준위들 이 존재하기 때문에 밴드접이 좁 은 물

질 내 에 는 공 간 전 하 영역의 폭 사 및 내부 전위장 벽 이 작게 형 성 되 리 라 고 예상된
다. 열평형에 있는 pP 이 종 접 합 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 그림 9.24에 나 타 내 었 다 . 열
평형 을 이루기 위하여 정공들이 밴드캡이 넓은 물질로부터 밴드캡이 좁 은 물 질 로 흘러
들어 가게 되어 계면에서 밴드캡이 좁 은 물질 내에 정공의 축적층이 생기게 된다. 이러
한 형태의 동형 이 종접합 들 은 명백히 동 종 접 합 에 서 는 가능하지 않은 것이다.

*9. 3.5 전 류 - 전 압 특성

pn 동 종 접 합 의 이 상적인 전 류 -전 압 특 성 은 8장에서 다 루 었 다 . 이종접합 의 에 너 지 밴 드

다 이 어 그 램 은 동종 접합 의 다 이 어 그 램 보 다 더 복잡하기 때문에 두 접합의 /-V 특 성 에 도
차 이 가 있음을 예상 할 수 있을 것이다.
동 종 접 합 과 이종 접합 간의 직접적 인 차이의 하 나 는 전 자 와 정공이 느 끼 는 장벽높이
에 있다. 동 종 접 합 내에 있는 전 자 와 정공에 대 한 내부 전 위 장 벽 은 같기 때문에 전 자
및 정공 전류의 상대 적 크 기 는 상대 적 도핑 수준에 따 라 다르게 된다. 이 종 접 합 에 서 는
전 자 와 정공이 느 끼 는 장 벽 높 이 는 같지 않다. 그림 9.1 8 및 9.23에 나타 낸 에 너 지 밴 드
다 이 어 그 램 은 이 종 접 합 내에서의 전 자 들 과 정공들에 대한 장 벽 높 이 가 아주 다를 수 있
다 는 것 을 보 여 준 것이다. 그림 9.1 8에서 전자에 대 한 장 벽 높 이 는 정 공 보 다 크기 때문
에 전자에 의 한 전 류 는 정공 전 류 와 비교하 면 무 시 할 수 있게 된다. 만 약 전자들에 의
한 장 벽 높 이 가 정 공 보 다 0.2 e V 크 다 면 , 다른 모 든 파라미 터들이 같 다 고 가 정 할 때 전
자 전 류 는 정 공 전 류 보 다 약 1 4 만 큼 더 작게 된다. 그림 9.23의 밴드 다 이 어 그 램 에 나
타낸 바 와 같이 이와 반 대 되 는 상 황 도 존 재 할 수 있다.
그림 9.23의 전도대 끝 과 그림 9.1 8의 가전자대 끝 은 정류성 금 속 -반 도 체 접합의 밴
드 끝 과 다소 유사하 다 . 우 리 가 금 속 -반 도 체 접합에 대하여 유 도 했 던 것처 럼 장 벽 을 넘
는 열전 자 방 출 이론에 근거 하여 이종접 합의 전 류 -전 압 특 성 도 일 반 적 으 로 다 음 과 같
이 유 도 할 수 있다.
366 Chapter? 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

(9.51 )
y = A*r e x p ( ^ )

여 기 에서 는 유 효 장벽높이 이다. 장 벽 높 이 는 pn 동 종 접 합 이 나 쇼트키 장벽 접합에서

의 경 우 와 마 찬 가 지 로 접 합 양단에 걸 리 는 인 가 한 전위에 의해 증 가 하 기 도 하 고 감소
하 기 도 한다. 그 러 나 이종접합의 /-V 특 성 은 확 산 효 과 및 터널링 효 과 를 포 함 하 는 변형
된 형 태 가 필 요 하 게 될 것 이 다 . 문 제 를 복 잡 하 게 하 는 또 다 른 인 자 는 캐 리 어 가 접합
한 쪽 으 로 부 터 접합의 다 른 쪽까지 갈 때 캐리어의 유 효 질 량 이 변 화 한 다 는 점 이다. 이
종접합의 /-V 관 계 를 실 제 로 유 도 한 다 는 것은 복 잡 하 지 만 ，I-V 방정식의 일반적인 형태
는 쇼트키 장벽 다 이 오 드 식 과 유사하며 일 반 적 으 로 한 가지 종류의 캐리어에 의해 좌
우된다.

9乂 요 약

■ 낮게 도핑된 반도체 위에 금속을 접촉시키면 쇼트키 다이오드라는 정류성 접촉을 만들

수 있다. 금속과 반도체 사이의 이상적 인 장벽 높이는 금속의 일함수와 반도체의 전자
친화력의 차이가 된다.
■ 금속을 기준으로 n-형 반도체에 양전압을 인가하면 (역 방 향 바이 어스) 금속과 반도체
사이의 장벽은 더 높아지고 거의 전류는 흐르지 않는다. n-형 반도체를 기준으로 금속
에 양전압을 가하면 (순방향 바이어스) 금속과 반도체 사이의 장벽은 낮아지고 열전자
방출이라는 프로세스에 의하여 전자가 쉽게 반도체로부터 금속으로 흐를 수 있다•
■ 쇼트키 장벽 다이오드의 이상적인 전류-전압 특성은 pn 접합 다이오드와 같다. 그러나
전류 메커니즘이 다르기 때문에 쇼트키 다이오드의 스위칭 속도가 더 빠르다. 또한 쇼
트키 다이오드의 역포화 전류가 pn 접합 다이오드보다 크기 때문에 주어진 전류에 대
하여 쇼트키 다이오드는 더 작은 순방향 바이 어스 전압을 필요로 한다.
■ 금속-반도체 접합은 또한 낮은 저항 값을 가지면서 양단에 거의 전압 강하 없이 양방
향으로 전류를 잘 흘려주는 저항성 접촉도 형성할 수 있다.
■ 반도체 이종접합은 다른 밴드집 에너지를 갖는 두 종류의 반도체 물질로 형성된다. 이
종접합의 유용한 특성의 하나는 계면에서의 전위우물의 생성이다. 전자는 계면과 수직
인 방향으로는 전위우물에 갇혀 있어도 그 전자들은 그 방향과 다른 2 방향으로는 자
유로이 움직일 수 있다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이형( a n i s o t y p e ) 접합 금속학적 접합에서 도핑물질의 종류가 변하는 이종접합

전자 친화력 규칙 이상적인 이종접합에 있어서 전도대에서의 불연속은 두 반도체에서의 전
자 친화력 간의 차이와 같다는 규칙
 이종접합 두 개 의 서 로 다 른 반 도 체 물 질 간 의 접 촉 으 로 생 긴 접 합
영 상 력 -유 발 (장 벽 ) 저 하 전 계 의 의 해 금 옥 반 도 체 접 합 에 서 최 고 전 위 장 벽 이 낮 아 지 는 것
동 형 ( is o ty p e ) 접 합 접 합 양 쪽 의 도 핑 물 질 의 종 류 가 같 은 이 종 접 합
저항성 접촉 금 속 과 반 도 체 간 의 양 방 향 으 로 전 류 를 잘 흘 리 는 낮 은 저 항 값 을 가 지 는 금
속 '반 도 체 접촉

R ic h a rd s o n 상 수 쇼트키 다이오드의 전 류 -전 압 관 계 에 있는 파라미터 A*

쇼 트 키 ( S c h o t t k y ) 장 벽 높 이 금 속 _ 반 도 체 접 합 에 서 금 속 에 서 반 도 체 까 지 의 전 위 장 벽 小 Bn
쇼트키 효과 영 상 력 -유 발 장 벽 저 하 의 다 른 용 어
접촉 비저항 v = 일 때 측 정 한 금속_반도체 접촉의 / 대 v 곡선 기울기의 역수

열전자 방출 충 분 한 열 적 에 너 지 를 가 진 캐 리 어 가 전 위 장 벽 을 넘 어 흐 르 는 과 정
터널링 장벽 전류가 장벽을 통과하는 캐리어들의 터널링에 의해 주로 흐르게 될 때 그때의

얇은 전위장벽

이차원 전자가스( 2 -DEG) 이 종 접 합 의 계 면 에 서 전 위 우 물 에 포 함 된 전 자 들 의 축 적 층 으 로

서 이 들 은 “다 른 ” 두 공 간 을 자 유 로 이 움 직 일 수 있 다 .

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장을 공부한 후 독자는 다음 사항과 같은 능력을 갖추어 야 한다.

■ 쇼트키 장벽 다이오드의 0 V 바 이 어 스 ，역 방 향 바 이 어 스 ，순 방 향 바 이 어 스 에 대하여

각 각 에 너 지 밴 드 다이 어 그램 을 그린다.

■ 순방향 바이어스된 쇼트 키 장벽 다이오드에서의 전류의 흐름을 기술한다.

■ 쇼트키 장벽 저 하 와 그 현상이 역포화 전류에 미치는 영향을 설명한다.

■ 계면 준위가 쇼트키 장벽 다이오드의 특성에 미치는 영향을 설명한다.

■ pn 접합 다이오드에 비해 쇼트키 다 이 오드의 역 포 화 전 류 가 큰 것이 미 치 는 영 향 을 설

명한다.

■ 저항성 접촉의 의미를 설명한다.

■ nN 이종접합의 에너지밴드 다이어그램을 그린다.

■ 2차 원 전 자 가 스 의 의 미 를 설 명 한 다 .

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

1. 이상적인 쇼트키 장벽 높이는? 에너지밴드 다이어그램 위에 쇼트키 장벽 높 이 를 나타

내라.

2. 에 너 지 밴 드 다이 어 그 램 을 사 용 하 여 쇼 트 키 장 벽 저 하 효 과 를 나 타 내 라.

3. 순 방 향 바이어스된 쇼트키 장벽 다이오드에서의 전류 흐름의 메커니즘은?

4. 쇼트키 다이오드와 pn 접 합 다 이 오 드 의 순 방 향 바 이 어 스 시 전 류 •전 압 특 성 을 비 교 하 라 .

5. 쇼 트 키 다 이 오 드 와 pn접 합 다 이 오 드 사 이 의 스 위 칭 특 성 에 서 의 차 이 를 설 명 하 라 . 전 하

저장 효과를 논의하라.

6- 4 >m < 4>s인 금 속 -반 도 체 접합에 대한 이상적인 에너지밴드 다 이 어 그 램 을 그려라. 이

접합이 왜 저항성 접합이 되는지 설명하라.

368 Chapter9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

7. 터널링 접합의 에너지밴드 다이어그램을 그려라. 왜 저항성 접합이 되는가?

8. 이종 접합이란?
9. 2차원 전자 가스란?

문제_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

(다 음 문제들 에 있어서 다른 언급이 없으면 실리콘에 대 해 서 는 A * = 1 20 A / K 2-cm 2로 ，

G aA s 쇼트키 다이오드에 대해서는 A* = l . l 2A / K 2-c m 2로 가정하라.)

9.1 절 쇼 트 키 장벽 다 이 오 드

9.1 T = 300 K 에서 알루미늄과 A = 1 0'6 cm _3으로 도핑된 n -형 Si 간의 접촉을 고려

하라.
(a) 접합이 형성되기 전 두 물질의 에너지밴드 다이어그램을 그려라. (b ) 접합이 형성
된 후 제로 바이어스일 때의 이상적 에너지밴드 다이어그램을 그려라. (c ) (비에 대해
서 如 0, xd 및 E max를 계산하라. (d ) 그림 9.5의 데이터를 이용해서 (b )와 (이를 반복하
라•
9. 2 (a ) N d = 5 x 1 15 c n f 3으로 도핑된 n -형 S i 위에 형성된 쇼트키 장벽 다이오드가 있
으며 장벽 높이는 (ho = 0-65 V 이다. 내부 전위 장벽 八 를 구하라. (b ) 도핑농도가
Nd = 1 016 c m -3 로 바뀔 때 싫 과 ■를 구하라. (c) 이 값들이 증가하는가? 감소하는
가? 변하지 않는가? (d) 도핑농도 Nd = 1 015 c m - 3일 때 (b )를 반복하라.
9.3 금을 n -형 실리콘 위에 얹어 형성한 이상적인 정류성 접촉이 있다. 도 핑 농 도 는 =
1 016 c m 一3이다. T = 300 K 을 가정하라. 다음에 대하여 이론 값을 구하라. ( a ) (f〉B ,

(b) V bi, (c ) 두 경우 (i ) yR = 1 V , ( ii ) VR = 5 V에 대 한시과 IEmaxl

9.4 Nd = 5 x l 015 c m —3으로 도핑된 n -형 G a A s 위에 금으로 형성된 쇼트키 다이오드가

T = 300 K 에 있다. 다음을 구 하 라 . ( a ) (b ) <j>n, (c ) Vb j, (d ) 두 경우 (i ) VR = 1
V , (ii ) = 5 V 에 대한 사과 IEmaxl
9.5 실험적으로 얻어진 전위장벽이 (f) B„ = 0.88 구일 때 문제 9.4 의 (비부터 (비까지 반복
하라.
9.6 ( a) T = 300 K 일 때 도핑농도는 八상 = 1 015 c m _ 3이고 단면적은 A = 1 ~4 cm 2인 백
금과 n -형 Si 간 접합이 있다. 그림 9.5의 데이터를 사용하여 두 경우 ⑴ = 1 V,
(i i ) = 5 V 에 대하여 접합 커패시턴스를 구하라. (b ) 도핑농도 Nd = 1 016 c m —에
대하여 ( a)를 반복하라.
9.7 T = 300 K 에서 n-형 G a A s 로 만든 쇼트키 다이오드의 1 /C '2 대 。 의 그래프를 그림
P9.7에 나타내었다. 여기에서 C ' 은 cm 2 당 커패시턴스이다. 다음을 구하라. ( a) Vh i,
(b ) N d, (c ) 九 및 (d) 4 m
9.8 T = 300 K 에서 Nd = 5 x 1 015 c m —3의 도핑농도를 갖는 텅스텐과 n -형 S i 간 쇼트키
장벽을 고려하라. 그림 9.5 의 데이터를 이용하여 장벽높이를 구하라. ( a ) 다음 두 경
우 (i ) = 1 V , ( ii ) VR = 5 V 에 대하여 Vbi, xn 및 IEmJ 를 계산하라. (b ) ( a ) 에서 구
한 E max를 이용하여 쇼트키 장벽 저하에 관한 A </> 및 、 을 구하라.
 ^
1 J3

X 2 7
一7
우
~ 1,

I -，i 1 1
-1 1 2
vR (y)

그림 P 9.7 문제 9.7 을 위한 그림

9.9 식 (9 . 1 2 ) 로 시작하여 식 (9 . 1 4 ) 및식 (9 . 1 5 ) 를 유도하라.

9.10 T = 3 00 K 에서 Nd = 1 016 c m -3 의 도핑농도를 갖는 A u -n -G a A s 쇼트키 다이오드가
있다. 그림 9.5 의 데이터를 이용하여 장벽높이를 구하라. 그리고 다음을 구하라. (a )

제로 바이어스 상태에서 Vbi，xn 및 IE maxl 를 계산하라. (b ) 쇼트키 장벽 저하 가장

벽 높이의 5% 가 되는 역방향 바이어스 전압을 구하라.
9.1 1 Nd = 1 016 c m 3인 n -형 실리콘에 금으로 접점을 만들어 만든 쇼트키 다이오드를 고
려하라. 쇼트키 장벽 저하 효과를 조사하라. (a) 역방향 바이어스 0 드 。 드 50 V 에
대하여 쇼트키 장벽 저하 A 必를 그려라. (b ) 같은 역방향 바이어스 전압 범위에 대하
여 J j y R)/j sT( v R = 0)의 비를 그려라.
*9.1 2 쇼트키 다이오드의 에너지밴드 다이어그램을 그림 9 . 6 에 보여 주고 있다. 파라미터
는 다음 값들로 가정한다.

( k m == 5.2 V 4>n = = 0 . 1 0 V ( t>o == 0.60 V

E g == 1 .43 eV 8 == 25 A 6/ == e

€ s == (1 3.1 )e X == 4.07 V N d == 1 01 6cm 一

3
D it == 1 013 e V 시 cm

( a) 계면 준위가 없는 이론적인 장벽높이 如 。를 구하라. (b ) 계면 준위가 있을 때의 장

벽높이를 구하라. ( ) 九,이 K = 4.5 V 로 변했을 때에 대하여 (a)와 ( b )를 반복하라.
*9.13 계 면 준위 와 계 면층이 있는 쇼트키 장벽 다이 오드가 있다. 파라미 터를 다음 값들로
가정한다.

(f>m = 4.75 V <f)n = 0.1 64 V (f>0 == 0.230 V

E s = 1. 1 2 eV 8 = 20 A €i == e
es = (1 1 .7)6 X = 4.01 V N d == 5 X 1 016 crn 3
(f)B = 0 .60 V

e V -' c m -2의 단위를 갖는 계면 준위 밀도 를 구하라.

9.1 4 Nd = 5 x 1 015 c m - 3을 갖는 n -형 실리콘 기판 위에 백금으로 형성된 쇼트키 다이오
드가 T = 300 K 에 있다. 장벽 높이는 = 0.89 V 이다. 다음을 구하라. ( a) 如 „ (b )

Vbi (c ) JsT (d ) Jn = 5 A /cm 2을 위 한 。 (쇼트키 장벽 저하는 무시하라).

9.15 (a) T = 300 K에서 n-형 실리콘 기판 위에 텅스텐이 형성된 쇼트키 다이오드를 고려
하라. 그림 9.5를 이용하여 장벽 높이를 구하라. 도핑농도는 ;、 = 1016 cm-3로 가정

표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

370 Chapter9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

하 고 ，단 면 적 은 A = 1 0-4 cm 2로 가 정 하 라 . 전류 를 (i ) 10 ixA , (i i ) 1 00 /x A , (i i i ) 1
i上 얻는데 필요한 순방향 바이어스 전압을 구하라. (b ) 온도 r = 350 K 에 대하여
( a) 를 반복하라(쇼트키 장벽 저 하는 무시 하라).
9.16 Nd = 1 016 c m -3으로 도핑된 n 형 G a A s 기판 위에 금을 증착하여 만든 쇼트키 다이
오드가 T = 3 00 K 에 있다. ( a ) 그림 9 . 5 를 이용하여 장벽 높이를 구하라. (b ) 역방향
바이어스 포화전류 JsT (c ) Jn = 1 0 A /c m 2로 하기 위한 순방향 바이어스 전압을 구하
라. (d ) 전류 밀도를 두 배로 늘리기 위해서는 순방향 바이어스 전압을 얼마나 변화
시켜야 하는가?(쇼트키 장벽 저하는 무시하라.)
9.17 단면적이 1 0 -4 c m 2 인 금 ( A u ) 과 n -형 G a A s 사이 쇼트키 다이오드를 고려하라. 전
(a)

압 범위 0 드 V노 드 0.5 V 에 대하여 순방향 전류-전압 특성을 그려라. 전류를 로그 눈

금으로 그려라. ( b ) n -형 실리콘 쇼트키 다이오드에 대하여 ( a )를 반복하라. (c ) 이러
한 결과로부터 어떤 결론을 내릴 수 있는가?
9.18 Nd = 1 016 c m _ 3으로 도핑된 n-형 실리콘 기판과 텅스텐으로 만든 쇼트키 다이오드
가 r = 300 K 에 있다. 단면적은 A = 1( 4 cm 2이 斗 ( a) 。 = 2 V 일 때，(b ) VR =
4 V 일 때의 역방향 바이어스 포화전류를 구하라<쇼트키 장벽 저하를 고려하라).
*9.19 식 (9.1 8)에 주어진 기본 전류 방정식에서 시작하여 식 (9.23)에 주어진 관계식을 유
도하라.
9.20 p n 접합 다이오드 및 쇼트키 다이오드의 역포화 전류밀도 는 T = 3 00 K에서 각각
10—11 A /c m 2 및 6 x l - 8 A /c m 2 이다. 쇼트키 다이오드의 단면적은 A = 1 0 -4 c m 2 이

다. 각 다이오드의 전류는 0. 80 m A 이다. 두 다이오드 사이 순방향 바이어스 전압의

차이는 0. 2 85 V 이다. 다음을 구하라. (a ) 각 다이오드에 가해지는 전압，( b ) pn 접합
의 단면적
9.21 p n 다이오드와 쇼트키 다이오드가 각각 A = 8x 1 - 4 c m 2의 단면적을 갖고 있다. T
= 3 00 K 에서 역 포 화 전 류 는 pn 다 이 오 드 와 쇼트키 다 이 오 드 가 각 각 8x 1 _ 13

A /c m 2 및 6 x I 0 - 9 A /c m 2 이다. 다음 전류를 흘려 주기 위하여 필요한 순방향 바이어

스 전압을 구하라. (a ) 1 50 사A , (b ) 7 00 A , (c ) 1 .2 m A

9.22 (a) 문제 9.21 에 기술된 2 개의 다이오드가 직렬로 연결되어 0. 80 m A 의 정전류로 구

동되고 있다. 다음을 구하라. (i ) 각 다이오드의 전류 ( i i ) 각 다이오드에 걸리는 전압
(b ) 다이오드들이 병렬로 연결되었을 때 (a)를 반복하라.
9.23 단면적 가 = 7 x 1 0-4 cm 2인 갖는 어 떤 쇼트키 다이오드와 pn 접합 다이오드가 있다.
쇼트키 다이오드 및 pn 접합 다이오드의 역포화 전류밀도는 T = 300 K 에서 각각 4
x 1 ~8 A /cm 2 및 3 x 1 0-12 A /cm 2이다. 각 다이오드에서는 0.8 m A 의 순방향 바이어
스 전류를 필요로 한다. ( a) 각 다이오드 양단에 필요한 순방향 바이어스 전압을 구
하라. (b) ( a)에서 구한 전압이 각 다이오드에 인가될 때 온도가 400 K 로 증가하면 각
다이오드의 전류는 얼마인가? (역 포 화 전류의 온도 의존성을 고려하라. pn 접합 다
이오드에 대하여 E、 = 1.1 2 … 이며 쇼트키 다이오드에서 (f BQ = 0.82 꾸이다.)
9.24 쇼트키 장벽 다이오드와 pn 접합 다이오드의 전류•
전압 특성을 비교하라. 예제 9.5의
결과를 사용하고 단면적을 5 x 1 -4 cm 2으로 가정한다. 0 m A 에서 10 m A 까지의 전
류 범위에 대해서 선형 눈금으로 전류-전압 특성 곡선을 그려라.
 문제 37 1

9.2 절 금 속 -반 도 체 저항 성 접 촉

9.25 저항성 접합의 접촉 저항이 Rc = 1 -4 (1 -cm 2이다. 단면적이 ( a ) 1 0-3 cm 2, (b) 1요 4

cm 2, (c ) 1 0~5 cm 2인 경우에 대하여 각각 접합 저항을 구하라.
9.26 (a) 저항성 접합의 접촉 저항이 R c = 5 x l -5 n -cm2이다. 접합의 단 면 적 은 1 0_ 5
cm2이다. 전류가 (i) / = 1 mA (ii) I = 100 사A인 경우에 대하여 각각 접합에 걸리
는 전압을 구하라. (b) 단면적이 1 0_ 6 cm2인 경우 (a)를 반복하라.
9.27 금속 과 실리콘 사이에 아주 낮은 장벽 높이를 갖는 저항성 접합을 만들 수 있다. ( a )
T = 3 00 K 에서 접촉 저항 ' = 5 x 1 -5 i i -c m 2를 만들어주는 如 „값을 구하라. (b )
접촉 저항 / ? = 5 x 1 0- 6 c m 2 에 대하여 ( a ) 를 반복하라.
9.28 일함수 (l)m = 4.2 V 인 금속이 = 4.0 V 및 及 = 1 .1 2 … 인 값을 갖는 n-형 실리
콘 반도체 위 에 증착되 었다. 접합에 계면 준위가 존재하지 않는다고 가정하라. T =
300 K 이다. ( a) 접합에 공간 전하 영역이 존재하지 않을 때 제로 바이어스에 대한 에
너지밴드 다이어그램을 그려라. (b) ( a)의 조건을 만 족 하 는 … 를 구하라. (c ) 금속 내
에 있는 전자가 반도체로 움직이려고 할 때 느끼는 전위장벽 높이는 얼마인가?
9.29 그림 P9.29에 보인 같이 제로 바이어스 상태의 실리콘 쇼트키 다이오드의 에너지밴
드 다이 어그램을 생각한다. 싫 = 0.7 V 이고 T = 300 K 이다. 전위가 최고값 아래
如</2인 점에서 xd = 50 A 으로 되는 데 필요한 도핑농도를 구 하 대 장 벽 저하 효과는
무시하라).
9.30 일함수가 4.3 e V 인 금속과 전자 친화력이 4.0 e V 인 p 형 실리콘과 금속-반도체 접합
이 형 성 되 었 다 . 실리콘의 억셉터 도 핑 농 도 Na = 5 x l 0»> Cm - 3이다. 온 도 는 r =
300 K를 가정한다. ( a) 열평형에서 에너지밴드 다이어그램을 그려라. (b) 쇼트키 장
벽높이를 구하라. (c ) 역방향 바이어 스 V、 = 3 V 에서의 에너지밴드 다이어그램을
그려라. (d ) 순방향 바이어스 Va = 0.25 V 에서의 에너지밴드 다이어그램을 그려라.
9.31 ( a) 일함수가 4.65 … 인 금속과 전자 친화력이 4.1 3 … 인 게르마늄과 금 옥 반 도 체 접
합이 형성 되었다. 게르마늄의 도너 도핑농 도는 A?d = 6 〉<1 1 3«11 -3이고7、 = 3 x
1 013 c m -3이다. 온도는 T = 300 K 를 가정한다. 0 V 바이어스에서 에너지밴드 다이
어그램을 그리고，쇼트키 장벽높이를 구하라. (b) 금속의 일함수가 4.35 e V 일 때 ( a)
를 반복하라.

Ec

그림 P 9.29 문제 9.29를 위한 그림
372 Chapter 9 금 속 -반 도 체 이 종 접 합 및 반 도 체 이 종 접 합

9. 3 절 이 종 접 합

9.32 다음에 대한 계단형 A l 3Ga 7A s -G a A s 의 이종접합의 에너지밴드 다이어그램을 그려

라. (a ) N + - A l G a A s , 인트린직 G a A s , (b ) N + —A l G a A s , p -G a A s (c ) P + - A l G a A s ,
n + —G a A s . 이때 A l .3G a a 7A s 에 대하여는 = 1 .85 e V 이고 A 及 = ♦ &라 고 가
정하라.
9.33 이상적 전자 친화력 법칙을 가정하여 문제 9.32를 반복하라. A E C 및 A 及„를 구하라.
*9.34 계단형 이종접합에 대한 식 (9 . 4 8 ) 을 P o is s 이! 방정식부터 시작하여 유도하라.

요약 및 복습

*9.35 ( a) 쇼트키 다이오드의 전류밀도에 관한 함수로서 ^八7 況'에 대한 표현식을 유도하라.

소수 캐리어에 의한 전류는 무시한다고 가정하라. (b ) G aAs 쇼트키 다이오드에 관한
j v y d r 와 Si 쇼트키 다이오드에 관한 dVJdT 를 비교하라. ( c ) Si 쇼트키 다이오드에
관한 匕 /"와 Si pn 접합 다이오드에 대한 d V jd T 를 비교하라.
9.36 같은 면적을 갖는 두 쇼트키 다이오드에 대한 (1 /C/ 대 이 측정되 었다. 한 다이오
드는 1 O -c m 실 리콘으로 만들었고 다른 하나는 5 fi-c m 실리콘으로 만들었다. 다이
오드 A 에 대하여는 전압축의 V K = -0.5 자에서 및 다이오드 묘에 대 하 여 는 。 =
-1 .0 V 에서 그래프의 전압 축과 교차한다. 다이오드 A 의 그래프에서 직선의 기울
기는 l . S x l O ^ F ' V ) -1이고 다이오드 B 의 기울기는 1 .5 X 1 017(F 2-V )_ 1이다. 어느 다
이오드의 일함수가 더 높은지，어느 다이오드의 실리콘 저항율이 더 낮은지를 정하
라■
*9.37 쇼트키 장벽 다이오드 및 저항성 접촉 다이오드는 둘 다 실 리 콘 집 적 회 로 위 에 특정
금속을 증착시켜 만든다. 금속의 일함수는 4.5 V 이다. 이상적인 금속-반도체 접촉을
고려하여 각 접촉에 대한 도핑농도의 허용범위를 구하라. P -형 및 n -형 실리콘 영역
의 두 경우 모두에 대하여 고려하라.
9.38 밴드캡 오프셋이 A (. = 0.3 e V 및 LEV= 0. 1 5 … 인 n -G a A s -p -A l G a A s 이종접합을
고려하라. 접합이 순방향 바이어스될 때 예상되는 전자전류 및 정공전류에 있어서의
차이에 대하여 논의하라.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. A n d e rs o n , R . L . “ E x p e rim e n t s o n G e -G a A s H e t e r o j u n c tio n s . ’’ S o lid-S ta te E le c tro n ic s 5,
n o. 5 ( S e p t e m b e r-O c t o b e r 1 962 ) ，p p. 3 41 7 -3 5 1 .
2. C r o w l e y , A . M . ，a n d S. M . S z e. “ S u rf a c e S t a t e s a n d B a rr i e r H e ig h t o f
M e t a l? -S e m ic o n d u c t o r S y s t e m s . ’ 、" 가" 72 a / o f A p p lie d P hysics 3 6 (1 9 6 5 ), p. 32 1 2 .
3. H u , C . C . M o d e rn S e m ico nd uctor D e vic e s f o r In te g ra te d C irc u its . U p p e r S a d d l e R i v e r,
N J : P e a rs o n P r e n tic e H a ll, 201 0.
4. M a c M i ll a n , H . F ., H . C . H a m a k e r, G . F . V ir s h u p , a n d J. G . W e rt h e n . “ M u l t i j u n c t i o n
I I I - V S o l a r C e lls : R e c e n t a n d P ro j e c t e d R e s u lt s . ” T w e ntie th IE E E P h o to v o lta ic
S p e d a lists C onfere nc e (1 9 88), p p . 487 -5 4.
5. M ic h a e ls o n , H . B . “ R e l a tio n b e tw e e n a n A t o m i c E l e c tr o n e g a ti v it y S c a l e a n d th e W o r k
F u n c t io n . ” IB M J o u rn a l o f R ese arch a n d D e v e lopm e nt 2 2 , n o. 1 (J a n u a ry 1 97 8), p p.
 7 2 -80.
6. P i e rr e t, R . F . S e m ico nd uctor D e vic e F un d a m e nta ls. R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y ,
1 996.
7. R id e o u t, V . L . “ A R e v i e w o f th e T h e o r y , T e c h n o l o g y a n d A p p li c a t i o n s o f
M e t a l-S e m ic o n d u c t o r R e c t i f i e rs.” T hin S o lid F ilm s 48, n o. 3 ( F e b ru a ry 1 , 1 97 8), p p .
2 61 -2 91 .
8. R o u ls t o n , D . J. B ip o la r S e m ico nd uctor D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 990.
*9 . S h u r, M . G a A s D e vic e s a n d C irc u its . N e w Y o r k : P l e n u m P re s s, 1 987 .
1 0. _ _ _ _ _ _ _ . In tro d u c tio n to E le c tro n ic D e vic e s. N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s, 1 996.
*1 1 . _ _ _ _ _ _ _ . P hysics o f S e m ico nd uctor D e vic e s. E n g l e w o o d C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 990.
*1 2 . S in g h , J. P hysics o f S e m iconductors a n d T h e ir H e te ro stru cture s . N e w Y o r k :
M c G r a w -H i l l, 1 993.
1 3. _ _ _ _ _ _ _ _ . S e m ico nd uctor D e vic e s: B a sic P rin c ip le s . N e w Y o r k : J o h n W i l e y a n d S o n s,
2001 .
1 4. S tr e e tm a n , B . G ., a n d S. K . B a n e rj e e . S o lid State E le c tro n ic D e vic e s. 6 t h e d. U p p e r
S a d d l e R i v e r, N J : P e a rs o n P r e n tic e H a ll, 2006.
1 5. S z e, S. M . , a n d K . K . N g . P hysics o f S e m ico nd uctor D e vic e s, 3 rd e d. H o b o k e n , N J :
J o h n W i l e y a n d S o n s, 2007 .
*1 6 . W a n g , S. F un d a m e nta ls o f S e m ico nd uctor T h e ory a nd D e vic e P hysics. E n g l e w o o d
C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 989.
*1 7 . W o lf e , C . M . , N . H o lo n y a k , J r., a n d G . E . S t illm a n . P h y sic a l P ro p e rtie s o f
S e m iconductors. E n g l e w o o d C l if f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 989.
1 8. Y a n g , E . S. M ic ro e le c tro n ic D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 988.
*1 9 . Y u a n , J. S. SiG e , G a A s , a n d In P H e te ro ju n c tio n B ip o la r T ra n sistors. N e w Y o r k : J o h n
W i l e y a n d S o n s, 1 999.

표시는 이 책보다 수준이 높 은 참고문헌을 의미한다.

 cn
기

M O S F E T 으| 기 초

우 리 가 이미 공 부 한 pn 동 종 접 합 다 이 오 드 를 포 함 해 서 단일 접 합 소 자 들 은 전 자 적 스 위 칭 회

로 의 구 성 과 전 류 -전 압 특 성 을 정 류 시 키 기 위 해 사 용 하 고 있 다 . 트 랜 지 스 터 는 다 른 회 로 요 소
들과 결합하여 전류 이 득 과 전압 이 득 , 신호 전 력 이 득 을 구 현 할 수 있는 다중 접합 반도체 소자

이다. 기 본 트 랜 지 스 터 동 작 은 소 자 의 다른 두 단자에 인 가 한 전압에 의해 한 단 자 에 서 의 전류

를 제 어하는 것이다.
금 속 -산 화 막 -반 도 체 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 ( MOS F E T)는 주 된 두 가지 트 랜 지 스 터 중 하 나

이 다 . 이 번 장 은 MOS F E T의 기 초 적 인 물 리 적 특 성 을 서 술 하 고 있 다 . 현 재 MOS F E T은 상 대

적 으 로 작 은 크 기 때 문 에 , 수 천 개 의 소 자 가 단일 집 적 회 로 내 에 실 장 될 수 있 는 디 지 털 응 용

에 광범위하게 활 용 되 고 있다.
n채 널 MOS F E T고[ p 채 널 MOS F E T으 로 MOS 트 랜 지 스 터 의 상 보 형 구 조 를 만 들 수 있 다 .
전자회로 설계는 두 소자가 하나의 회로로 사용될 때 매우 유 용 하 다 . 이 회 로 들 을 상보형

MO S ( CMO S ) 회 로 라 고 한 다 . ■

10. 0 개설

이번 장에서 우리 는
■ 금 속 -산 화 막 -반 도 체 구 조 인 M O S 커 패 시 터 의 인 가 전 압 함수 에 대 한 에 너 지 밴 드
특 성 을 공부한다.
■ M O S 커패시터 반도체에서 표면반전 개념을 논의한다.
■ M O S F E T 의 기본 파라미터 인 문 턱 전 압 을 유 도 하 고 정의한다.
■ 공핍 형，증가형 모 드 를 포 함 한 M O S F E T 의 다 양 한 물리 적 구 조 를 논의한다.
■ M O S F E T 의 이상적 인 전 류 -전 압 관 계 를 유도한다.
■ M O S F E T 의 소 신 호 등 가 회 로 를 소 개 할 것이다. 이 회 로 는 아 날 로 그 회로에서 소
신호 전류 와 소신 호 전 압 과 관 계 가 있다.
■ M O S F E T 의 주 파 수 제한 요 소 를 유도한다.
375
376 Chapter 1 0 MOSFET의 기 초

10. 1 2 단 자 M OS 구 조

그림 10.1 은 M O S F E T 의 핵심 인 금 속 -산 화 막 -반 도 체 커 패 시 터 의 구 조 를 나 타 낸 것이
다. 대부분 의 경우 고전도 성 다결정 실 리 콘 을 금 속 대 신 으 로 산 화 막 위 에 증 착 하 지 만
알 루 미 늄 이 나 다 른 금 속 물 질 들 을 사 용 할 수 있다. 그러 나 아 직 도 금속이 라 는 용 어 를
사용한다. 그림에서 파 라 미 터 。 는 산 화 막 두 께 이 고 ， 는 산화막의 유전률이다.

10. 1. 1 에 너 지 밴 드 그림

M O S 구조의 물리적 특 성 을 보 다 쉽게 설명하기 위 한 보조도구 로 서 간 단 한 평 행 판 커

패 시 터 를 생 각 할 수 있다. 그림 l .2a 는 평 행 판 커 패 시 터 로 ，아래 평판에 대하 위 평판
은 음의 전위에 있 으 며 ，절 연 물 질 은 두 평 판 을 분 리 하 고 있다. 이 바 이 어 스 하 에 서 음
( - ) 의 전하 는 상 단 평 판 상 에 ，양( + )의 전 하 는 하 단 평판상에 존 재 하 고 ，그림에 서 처 럼
전계 가 두 평판사이에 유도된 다 . 이 구조에 대한 단 위 면 적 당 커패시 턴 스 는

r = 4
a d o -1 )

이다. 여기서 e는 절연체의 유 전 률 이 고 ，d 는 두 평 행판 사이의 거리이다. 각 평판상에서

단 위 면 적 당 전하량의 크 기 는 ，

Q ' = C'V (1 -2)

이고, 여기서 프 라 임 표 시 는 단 위 면 적 당 전 하 또 는 커 패 시 턴 스 를 나 타 낸 다 . 전계의

크 기 는 다 음과 같다.

E = 공 (1 .3)

그림 1 0.2b 는 p 형 반도체 기판 을 가진 M O S 커 패 시 터 를 나타 낸 것이다. 상 단 금 속 게이

트 는 반도체 기판에 대하여 음의 전위에 있다. 평 행 판 커패시터 의 예로부터 음의 전하
가 금 속 판 상단 에 존 재 하 고 ，전 계 가 그림에 나 타 낸 방 향 으 로 유 도 될 것을 알 수 있다.
만 약 유도된 전계 가 반 도 체 를 통 과 한 다 면 다수 캐리어인 정 공 들 은 산 화 막 -반 도 체 접촉
부 를 향해 힘 을 받을 것이다. 그림 l .2c 는 음 으 로 가해진 게이트 전압에 따 른 M O S 커

1 ? ， 금속.
，一 절연체
호
CX 표o x ’

반도체 기판

그림 1 0.1 M O S 커패시터 구조
 10.1 2단 자 MOS 구 조 37 7

그림 1 0.2 (a) 전계와 컨덕터 전하를 나타낸 평행판 커패시터, (b) 전계와 전하흐름을 나타낸 게이트가 음으로 바이어스된
MOS 커패시터，(c) 정공 축적층을 가진 MOS 커패시터

패시 터에 서의 전하의 평형상태 분 포 를 나타낸 것이다. 산 화 막 -반 도 체 접합에서의 정공

축적층 (a ccum ula tion la y e r)은 M O S 커패시터의 하 단 평판상의 양전하에 해당한다.
그림 1 0.3a 는 M O S 커패시 터 에 그림 1 0.2에서 나타 낸 전압의 극 성 을 반 대 로 한 경
우에 대 한 그 림 을 나 타 낸 것이다. 이때 상 단 금 속 판 에 는 양의 전 하 가 존 재 하 고 유 도 된
전 계 는 반대방향이 된다. 이 경우에 전 계 가 반 도 체 로 향 한 다 면 ，다 수 캐 리 어 인 정 공 들
은 산 화 막 -반 도 체 계면으 로 부 터 멀 어 지 는 방 향 으 로 힘을 받 을 것 이다. 정공들이 계면
으로부터 멀 어 지 는 방 향 으 로 밀려감 에 따 라 ，이 온화된 억셉터 원 자 들 때문에 음의 공
간 전 하 영역이 생성된 다 . 유도된 공핍 영역 내의 음 전 하 는 M O S 커패시터의 하 단 평판
상의 음 전 하 에 해 당 한 다 . 그림 1 0.3b 는 양 으 로 가 해 진 게 이 트 전압에 따 른 M O S 커패
시터에서의 전하의 평형상태 분 포 를 나타낸 것이다.

(a)

그림 1 0.3 양으로 바이어스된 MOS 커패시터，(a) 전계와 전하흐름，(b) 유도된 공간전하 영역

37 8 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

게이트
산화막
영의
전압 P형
( a)

그림 1 0.4 P형 기판을 가진 MOS 커패시터의 에너지밴드 그림，( a) 영의 게이트 바이어스 J b ) 음의 게이트 바 이 어 스

(c) 양의 게이트 바이어스

그림 1 0.4는 다 양 한 게이트 전압에서의 p 형 기판을 가진 M O S 커패시터의 에너지밴

드 그 림 이 다 . 그림 1 0.4(a )는 M O S 소 자에 영의 게 이 트 전 압 을 인 가 했 을 때 이 상 적 인
경 우 를 보 여 준 다 . 반도체 내의 에 너 지 밴 드 가 평 탄 하 다 는 것 은 반도체 내에 순 전 하 가
없음을 나타낸다. 이 상 태 를 평탄대라고 하고 다음에 더 자세히 다 룰 것이다.
그림 1 0.4(b )는 음의 전압이 상 단 금 속 게이트에 가 해 진 경우에 대 한 p 형 기 판 을 가
진 M O S 커패시터의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나타낸 것이다. 벌크영역의 F ermi 준 위 보 다 산
화 막 -반 도 체 계 면에서 가전자대 의 가 장 자 리 는 F erm i 준위에 더 근접해 있다. 이 것은 정
공의 축 적 을 의 미 한 다 . 반도체 표 면 은 벌크영 역보다 더 뚜 렷 한 P 형 을 나 타 낸 다 . F ermi
준 위 는 M O S 가 열 적 평 형 상태 에 있고 산 화 막 을 통 과 하 는 전 류 가 없기 때문에 반도체
내에서 일정하다.
그림 1 0.4(c )는 양의 전압이 상 단 금 속 게이트에 가해진 경우에 대한 M O S 커패시터
의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나타 낸 것이다. 전 도 대 와 가전자대의 가장자리 들이 그림에 나타
낸 것처럼 휘어져 있 고 ，p n 접 합 과 유 사 한 공 간 전 하 영 역 을 나 타 낸 다 . 전 도 대 와 진성
R r m i 준위 E F i는 F ermi 준위 하 에 더 가깝게 이동한다. 유도 된 공 간 전 하 폭 은 시이 다.
이제 더 큰 양의 전압이 M O S 커패시터의 상 단 금 속 게이트에 가 해 지 고 있는 경우를
살 펴 보 자 . 유 도 된 전계의 크 기 가 증 가 하 고 M O S 커패시 터 상 의 대 응 하 는 양 과 음의 전
하들이 증 가 할 것으로 예 상 할 수 있다. M O S 커패시터에서 더 큰 음의 전 하 는 더 큰 공
간 전 하 영 역과 더 큰 대역의 휘 어 짐 을 유 도 한 다 . 그림 1 .5가 이 와 같 은 상 태 를 나타내
고 있다. 이 러 한 경우 진성 F e rm i 준 위 가 계 면 에 서 는 F erm i 준위 아래에 있게 되 며 ，전
도 대 가 가 전 자 대 보 다 F ermi 준위에 더 근접하게 된다. 이 것은 산 화 막 -반 도 체 계면 근처
의 반도체 표면이 n 형임 을 의미한 다 . 충분히 큰 양의 게 이 트 전 압 을 가함으로 써 반도체
의 표 면 은 P 형에서 n 형 반 도 체 로 반 전 되 고 ，산 화 막 -반 도 체 계 면 에 는 전자의 반전층
 10.1 2단 자 MOS 구 조 379

그림 1 0.5 큰 양의 게이트 바이어스에 대한 P형 기판을 가진

MOS 커패시터의 에너지밴드 그림

그림 1 0.6 n형 기판을 가진 MOS 커패시터，(a)양의 바이어스5(b) 적당한 음의 게이트 바이어스

(inv ersion la y er)이 유도된다.

지 금 까 지 는 P 형 반도체 기판 을 가진 M O S 커패시터의 구조에 대해 살 펴 보 았 는 데 n

형 반도 체 기 판 을 가진 M O S 커 패 시 터 에 대 해 서 도 똑 같 은 유형의 에 너 지 밴 드 그 림 을
그릴 수 있다. 그림 l .6a는 상 단 게이트 단자에 양의 전 압 을 인가한 경우에 대한 M O S
커패시터 구 조 를 나 타 낸 것이다. 양의 전 하 는 게 이 트 상 단에 존 재 하 고 전 계 는 그림에
나타 낸 방 향 으 로 유 도 되 며 , 전자의 축적층이 n 형 기판 내에 유 도 된 다 . 그림 1 0.6b 는 음
의 전 압 을 상 단 게이트 에 인가 한 경 우 를 나타 낸 것이다. 이 경 우 에 는 n 형 반도체 내에
양의 공 간 전 하 영역이 유도된다.
그림 1 0.7은 n형 기 판 을 갖 는 MOS 커패시터에 대 한 에 너 지 밴 드 그 림 을 나타 낸 것
이다. 그림 1 0.7 a는 게이트에 양의 전압이 가해져서 전자의 축적층이 형성된 경우를 나
타낸 것 이 다 ，그림 l .7b 는 인가된 음의 게 이트 전압에 의해 유 도 된 양의 공 간 전 하 영
역을 나타 낸 것이다. 그림 l .7b 에서 나타낸 바 와 같이 반도체 내부의 전 도 대 와 가 전 자
대는 계면에서 위로 휘 어 진 다 . 그림 1 0.7 c 는 더 큰 음의 전압이 케이트에 인가된 경우
에 대 한 에 너 지 밴 드 를 나 타 낸 것 이 다 . 전 도 대 와 가 전 자 들 이 훨씬 더 휘 어 지 고 진성
F ermi 준 위 는 F ermi 준위 위로 휘어져서 가 전 자 대 가 전 도 대 보 다 F ermi 준위에 더 근접

하게 된다 . 이 것 은 산 화 막 -반 도 체 계면 근처의 반도체 표면이 p 형 임 을 의 미 한 다 . 충 분

히 큰 음의 전 압 을 MOS 커패시터의 게이트에 가함으로 써 반도체 표 면 은 n형에서 p형
으 로 반 전 되 고 ，계 면 에 는 정공의 반전층이 유도된다.
380 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

유도된 양의
공간 전하 영역

사
3

게이트

정공 반전층
(c)

그림 1 0.7 n형 기판을 가진 MOS 커패시터의 에너지밴드 그림，(a) 양의 게이트

바이어 느 (b) 적당한 음의 게이트 바이어스1 (c) 큰 음의 게이트 바이어스

10. 1. 2 공법층의 두께

산 화 막 -반 도 체 계면 근처 에 유 도 된 공 간 전 하 영역의 폭 을 계산해 보자. 그림 1 0.8은 p

형 반도체 기 판 과 산 화 막 계면 근 처 에 유 도 된 공 간 전 하 영 역을 나 타 내 고 있다. 전위
如 는 E F i와 E f 사이 의 차 {단 위 는 volts)로서 다음처 럼 주어 진다.

시 분 ) |
싫 = V， ( _

여기서 N a 는 억셉터의 도 핑 농 도 이 고 ，이는 진성 캐리어 농도이다.

전위 九 를 일컬어 표 면 전 위 (surfa c e p o rt e n tia l )라 한 다 . 이 것 은 벌크 반 도 체 에 서 측
정 된 하,■와 하 , 사이의 차 (단 위 는 v o lts )로써 공 간 전 하 층 양단의 전 위 차 이 다 . 일방형 pn
접합 ton e-sid e pn ju n c tio n )에서 와 유사하게 공 간 전 하 폭 을 다음 식으로 쓸 수 있다.

- = (% 은 )1’2 (1 '5)
 10.1 2단 자 MOS 구 조 3 81

그림 1 0. 8 표면전위가 표현된 p 형 반도체의 에너지밴드 그림

여 기 서 는 。는 반 도 체 의 유 전 률 이 다 . 식 (1 0.5 )는 계 단 공 핍 근 사 (a b ru p t d e p l e tio n

a p p r o x im a t e ) 를 적 용 한 경우라고 가정한다.
그림 1 0. 9 는 九 = 2 0 /p 의 경우에 대한 에 너 지 밴 드 를 나타낸 것 이 다 . 표면에서
F e rm i 준 위 와 진성 F e rm i 준위간 의 차 는 벌크 반도체에서 진성 F e rm i 준위와 F e rm i 준
위간의 차 와 같 으 며 ，표 면 에 서 의 전 자 농 도 는 벌크 반도체에서 정 공 농 도 와 같다. 이 상
태에서 생 기 는 교 차 점 을 문턱 반전점 ( T h r e s h o l d i n v e r s i o n p o i n t ) 이라 하며, 이 상 태 가 생
성되기 위해 가 해 지 는 게 이 트 전 압 을 문턱전압 ( t h r e s h o l d v o lt a g e )이 라 한다. 만 약 게이
트 전압이 이 문턱 값 이 상 으 로 증 가 한 다 면 표 면 에 서 의 전 도 대 는 F e rm i 준위에 약간
더 근접하여 휘어지는 반면，표면에서의 전도대 내의 전하는 게이트 전압과 약간의 상 관
관 계 만 을 가진다. 그 러 나 표면에서의 전자농 도는 표 면 전 위 와 지수함수적인 관 계 가 있다.
표 면 전 위 가 수 [ kTle ) v o lt만 증 가 해 도 전 자 농 도 는 수 십 배 의 크 기 로 변화되 겠 지 만 공 간
전하 폭은 약간 만 변한다. 이 경우에 공 간 전 하 영 역은 본 질 적 으 로 최대 폭에 이른다.
최대 공 간 전 하 폭 지斤는 반전 천 이 점 에 서 九 = 2야 로 놓음으로써 식 ( 1 0 . 5 ) 로부터

다음 식 과 같이 계산 할 수 있다.

^ s^fp \ (10. 6)
XdT =
~ ^n 7 )
382 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

I 목 적 | 도 핑 농 도 에 대 해 Si 반 도 체 아 래 의 최 대 공 간 전 하 폭 을 계 산 한 다 . 단 억 셉 터 농 도 는
N a = 1 016 cm- 3, 절 대 온 도 는 r = 300 K이 며 ，진 성 캐 리 어 농 도 는 자 = 1.5 x 1 010cm -3이
다.

별 gi
식 (1 0.4)로 부 터

如 = K 1 " ( 분 ) = ( . 25 9) In = -3473 V

최대 공 간 전 하 폭 은

4 타 싫 ’1/2 [4(11.7)(8.85 X 10~14)(0.3473)'

XdT = (1.6 X 1 - '9)(1016)
. eNa ,

또는

Xdr = 0.30 X 10-4 cm = 0.30 jitm

(S ]
유 기 된 최 대 공 간 전 하 폭 은 pn접 합 공 간 전 하 폭 과 같 은 정 도 의 크 기 이 다 .

연습문제
Ex 1 0.1 산 화 막 과 P 형 실 리 콘 이 r = 300 K 에 서 접 합 되 어 있 다 고 생 각 하 자 . 실 리 콘 의
불 순 물 농 도 는 Na = 2 x 1 015 cm - 3이 다 . 최 대 공 간 전 하 폭 을 계 산 하 라 . P형 불 순 물 농 도 가
감소함에 따라 공간전하 폭은 증가 하겠는가? 감소하겠는가? (해 bmd u! luirV6J9'0 = '아

지 금 까 지 P형 반 도 체 기 판 에 대 해 살 펴 보 았 는 데 ，n형 기 판 에 서 도 같 은 형 태 의 최 대 유 도
공 간 전 하 영 역 폭 을 계 산 할 수 있 다 . 그 림 1 .1 은 n 형 기 판 을 가 진 문 턱 전 압 에 서 의 에
너 지 밴 드 그 림 을 나 타 낸 것 이 며 ，관 련 된 수 식 들 을 다 음 과 같 이 표 현 할 수 있 다 .

(1 0-7 )
</>^ = 시 11 (분 )

그리고

f 4 e나 시
XdT = ( 1 0. 8)
eNd 1/2

파라미 터 ‘ 와 命하은 항 상 양 의 값 이 라 고 가 정 한 다 . 그 림 1 0.1 1 은 실 리 콘 에 서 도 핑 농

도 와 관 련 하 여 T = 300 K 에 서 x 化 의 그 림 을 나 타 낸 것 이 다 . 반 도 체 도 핑 을 n 형 이 나 p

형일 수 있다.
 10.1 2단 자 MOS 구 조 383

1• 0
•
( u lr y ^ r

L •
< •
4
'| 0
져
女
水 0. 1•
.0

o 1•
. 1
4 5
1 1
6 lo1 8

N ，반도체 도핑 ( c m -3)

그림 1 0.1 1 최대 유도 공간전하 영역폭 대 반도체 도핑

10. 1. 3 표면 전 하 밀도

4장의 결과 로 부 터 ，전도대 에서 전자 농 도 는 다 음 과 같이 나타낼 수 있다.

rii exp E f —EFi (1 0.9)

kT

P 형 반도체 기판에서의 반전 전하 밀도는 다 음 과 같이 표 현 할 수 있다(그림 1 0.9 참 고 ).

ns = rii exp —rii exp (hp + 九 (1 0.1 0a)

kT

또는

ns = rii exp • exp (1 0. 1 0b)

384 Chapter 1 0 MOSFET의 기초

A 九 가 20/p보 다 클 때，다 음 과 같이 표 현 할 수 있다.

ns, = rii e x p ( 1 0. 1 1 )

、 는 문턱 반전 점에서 표면 전 하 밀 도 이 다 . 반전 전 하 밀 도 는 다 음 과 같이 표 현 할 수
있다.

ns = ns, e x p l ^ - j (1 0. 1 2 )

그림 1 0.1 2는 문턱 반전 전 하 밀도 n s, = 1 016 c m - 3일 경 우 ，표면 전위 함수에 대 한 반

전 전하 밀도 를 보여준 다 . 표면 전위 가 60-m V 증가함에 따 라 전자의 반전 전하 밀도가
1 0배 증 가 함 을 확인 할 수 있다. 앞에서 논 의 한 바 와 같이 표면 전위의 작 은 변화에 전
자의 반전 전하 밀도는 급속히 증가한 다 . 이것 은 공 간 전하 영역의 폭 은 최댓값에 이르
게 됨을 의미한다.

10. 1. 4 일함수 차

이제까지 관 심 을 가졌던 것은 반도체 물질의 에 너 지 밴 드 그림이었다. 그림 1 0.1 3a는 진

공준위에 대한 금 속 ，S i0 2 및 실리콘에 서의 에너지 준 위 를 나타낸 것이다. 금속의 일함
수는 如 이 고 , 전자친화력은 이며，파 라 미 터 사는 산 화 막 의 전 자 친 화 력 이 고 ，S i 0 2의
 1 0.1 2단 자 MOS 구 조 385

진공 준위
진공 준위

eXi
■슉•

ex
e(K

• Ec

E Fm ' Eg ^ 9 eV
■EFi • EFi

' EFs
Ef
\ EV

금속 이산화 실리콘 V p 형 실리콘

(a)

그림 1 0. 1 3 (a) 접촉전 M O S 계의 에너지 준위，(b) 접촉 후 열적 평형에서의 M O S 구조의 에너지밴드 그림

경우 사 = 0.9 V 이다.
그림 1 0.1 3b 는 제로 게이트 전압이 인가된 전체 M O S 구조의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나
타낸 것 이 다 . F e rm i 준 위 는 열적 평 형 상 태 에 서 전체 시 스 템 을 통해 일 정 하 다 . 수 정 된
금속의 일 함 수 를 (I) ; _ 금 속 으 로 부 터 S i0 2의 전 도 대 역 으 로 전 자 를 주 입 하 는 데 요구되
는 전위 -으 로 정 의 할 수 있다. 마 찬 가 지 로 / 은 수 정 된 전 자 친 화 력 으 로 정 의 된 다 . 전
압 v x0는 제로 게 이 트 인가 전압에 대 한 산 화 막 양단에 걸 리 는 전위 로 (f>m파 Y 사이의
차이기 때문에 이 아니다. 전위 九 는 이 경우에 대한 표 면 전 위 이 다 .
만 약 금속측의 F re mi 준위로부터 반도체측의 F e rm i 준위까지 의 에 너 지 를 합 하 면 ，

+ eV ox = ex' + y ~ e<h > + e 如必 (1 0.1 3)

이다. 식 (1 0.1 3)은 다음처럼 쓸 수 있다.

KxO + [ x' + ^ + (h 、 (1 0.1 4)

전위 小페는 다음처 럼 정의 할 수 있다.

(1 0.1 5)

이것 은 금 속•
반 도체 일함수의 차이다.

I 목적 I 주어진 M O S 와 반도체 도핑에 대한 금속•

반도체 일함수 차 小삐를 계산한다. ■■置
386 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

A l -S i02 접합에 대해 (f)m = 3.20 V 이고 S i-S i02 접합에 대해 / = 3.25 V 이다. Eg =

1 .1 2 V 로 하고 p 형 도핑을 = 1 015 c m —3으로 한다.

T = 300 K 에서의 실리콘에 대해, 다음처럼 知 를 계산할 수 있다.

如 = V, In ( ^ ) = ( . 259)ln ( 니 1스1; 1。) = 0.288 V

따라서 일함수 차는

必™ = 分; 一 ( X，+ §■ + 如 j = 3. 20 — (3. 25 + 0.560 + 0. 288)

또는
4> = -0.898 V

이다.

區互 ]
t 의 값은 P형 기판의 도핑 이 증가함에 따라 더 큰 음의 값이 될 것이다­

연습 문제
E x 10.2 Na = 1 016 c m 一3일 때, 예제 1 0.2를 반복하라. (八 Z•
的_0- = 1 's w )

산 화 막 위에 고 농 도 로 도 핑 된 다결정 실 리 콘 을 증 착 하 여 종 종 금 속 게 이 트 로써 이
용 한 다 . 그림 1 0.1 4a는 n+ 다결정 실 리 콘 게 이 트 와 p 형 기판 을 가진 MOS 커패시터 의
에 너 지 밴 드 그 림 을 나 타 낸 것 이 고 ，그림 1 0.1 4b는 p + 다결정 실 리 콘 게 이 트 와 모형 실
리콘 기판에 대 한 에 너 지 밴 드 그 림 을 각 각 나 타낸 것이다. 고 농 도 로 도 핑된 다결정 실
리 콘 에 서 는 n + 경우에 대해 E f = „라고 가 정 할 것이다.
n + 다결정 실리콘 게이트에 대해 금 속 • 반 도 체 일함수 차는

Ec

EFi
EF
Ev

그림 1 0.1 4 제로 게이트 바이어스에 대한 p형 기판을 가진 MOS 구조에서의 에너지밴드 그림，(a) n + 다결정 실리콘 게이트
(b) p + 다결정 실리콘 게이트
 10.1 2단 자 M O S 구 조 387

착
라

그림 1 0.1 5 음의 게이트 바이어스에 대한 n형 기판을 가진 MOS 구조의 에너지밴드 그림

(l)ms — X’ - x，+ S + 니 = - ,§ + 니

이고，p + 다결정 실 리 콘 게이트에 대 해서는

느 = [(X ’ + _ (X ’ + 굴 + 니 = (금 - 니 (10. 17)

이다. 그 러 나 고 농 도 로 도핑 된 n + 다결정 실 리 콘 과 ， 다결정 실리콘에 대해 F erm i 준

위는 각각 .1~ .2 V 정도 E c 위 와 ，Ev 아래 에 위 치 하 게 된 다 . 그 렇 다 면 실 험 적 인 4>ms
값 들 은 식 (1 0.1 6)와 식 (1 0.1 7)을 사용하여 계산된 값 들 과 약 간 차 이 가 날 것이다.
M O S 커 패 시 터 에 서 p 형 기 판 을 고 려 했 지 만 n 형 반도체 기 판 을 가질 수 있다. 그림
1 0.1 5는 음의 전압이 게이트에 인가될 때, 금 속 게 이 트 와 n 형 반도체 기판 을 가진 M O S
커패시터의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나타낸 것이다. 이 경우 금 속 -반 도 체 일함수 차는

4>ms = 4>'m ~ + 2^ ~ (1 0.1 8)

이다. 여기서 은 양의 값 이 라 고 가 정 한 다 . 11 +와 P + 다결정 실 리 콘 게이트에 대해서

도 유 사 한 표 현 식 을 얻을 수 있다.
그림 1 0.1 6는 다 앙 한 유형의 게이트에 대해 반도체 도핑의 함 수 로 일함수 차 를 나타
낸 것 이 다 . 주 목 할 점 은 다 결 정 실 리 콘 게 이 트 들 에 대 한 (、 、의 크 기 가 식 (1 0.1 6)과
(1 0.1 7)에 예 측 한 것 보 다 다소 크 다 는 점 이 다 . 이 차이 또 한 F e rm i 준 위 가 n + 게이트에
대 해 서 는 전도대 에 너 지 와 같지 않기 때 문 이 고 ，P + 게이트에 대 해 서 는 가 전 자 대 에 에
너 지 와 같지 않기 때 문 이 다 . 금 속 -반 도 체 일함수 차 는 다음에 다 룰 평 탄 대 와 문 턱 전 압
388 Chapter 10 MOSFET의기초

1014 1015 1016 1017 1018

N b (cm - 3 )

그림 1 0.1 6 알루미늄, 금，n _，p _ 다결정 실리콘

케이트들에 대한 금속-반도체 일함수차 대 도핑농
도 (Sze [17], Wermer [20])

파라미 터들에서 중요하다.

10. 1.5 평탄대 전압

평탄대 전압( F la t-b a nd volta g e )은 반도체 내의 대역의 휘어짐이 없고 이 영역 내에 순 공

간 전 하 가 0이 되도 록 인가된 게이트 전 압으로 정의한다. 그림 1 0.1 7은 이 런 평탄대상태
를 나 타 내 고 있다. 일 함 수 차 와 산 화 막 내 포 획 된 전 하 때문에 이 경우에 대 한 산 화 막
양단의 전 압 이 라 해서 반드시 은 아니다.
산 화 막 물질 내에서 순 전 하 밀 도 가 이라고 가 정 했 는 데 ，이 가 정 은 유효하지 않 다 _
보 통 은 양의 값인 순 고정 전 하 밀 도 가 절연체 내에 존 재 한 다 . 양의 전하 는 산 화 막 -반 도
체 계면 근 처 에 서 공 유 결 합 이 끊 어 진 댕 글 링 (d a n g lin g ) 형 태 로 존 재 한 다 . S i0 2의 열적

하 공

그림 10. 17 평탄대에 대한 MOS 커패시터의 에너지밴드 그림

형성 동 안 산 소 는 산 화 막 을 통해 확 산 하 고 ，지 2를 형성하기 위해 S i-S i 2 계면 근처에
서 반 응 한 다 . 실 리 콘 원 자 들 또 한 S i0 2를 형성하기 위해 반응하기 직전에 실 리 콘 물질
로부터 떨어져 나온다. 산 화 공 정 이 끝 날 때쯤에 여분의 실 리 콘 은 계면 근처 산 화 막 내
에 존 재 할 수 있 고 ，그 결과로서 댕글링 결합이 생 긴 다 . 일 반 적 으 로 이 산 화 막 전하의
크 기 는 산 화 분위기 및 질소 분 위 기 에 서 산 화 막 을 열 처 리 함 으 로 써 어느 정도 바 꿀 수
있으 나 전 하는 거의 0이 되지 는 않는다.
산 화 막 에 포함 된 순 고 정 전 하 는 산 화 막 -반 도 체 계면의 상당히 가 까 운 위치에 나 타
난 다 . M O S 구조 의 해 석 에 서 는 단 위 면 적 당 등 가 포 획 전 하 느가 산 화 막 -반 도 체 계면
바 로 근처 산 화 막 내 에 위 치 한 다 고 가 정 한 다 . 지금 소 자 내 에 존재 할 수 있는 다 른 산
화막형 전 하 들 은 무 시 한 다 고 가 정 한 다 . 파라미터 G 느는 보 통 단위 면적 당 전자의 전 하
량으 로 주어진 다.
제로 게 이 트 인 가 전압에 대해 식 (1 0.1 4)는 다음처럼 쓸 수 있다.

V „x + ^ = ( 1 0. 1 9 )

만 약 게 이 트 전압이 인가된 경우, 산 화 막 양단에 걸리 는 전 위 와 표 면 전 위 가 변할 것이

며，다음처럼 쓸 수 있다.

V = A V0X + 九 = ( Vm - Vox ) + 他 - (1 0.20)

식 (1 0.1 9)를 이용하면 다 음 과 같다.

va = y ox + 私 + ^ ( 1 0.21 )

그림 1 0.1 8은 평탄대 상태에 대 한 M O S 구 조 에 서 의 전 하 분 포 를 나 타 낸 다 . 반도체 내

에서 순 전 하 는 이고，등 가 고 정표면 전 하 밀 도 는 산 화 막 내에 존 재 한 다 고 가 정 할 수 있
다. 금속상의 전 하 밀 도 는 G m이고 전하중 성조 건으 로부터

QL + QL = O 0-22)

이다. 산 화 막 양단의 전압에 대해 와 ，을 다 음 식으로써 관 련 지 을 수 있다.

금속 산화막 P형 반도체

그림 10. 18 평탄대에 대한 MOS 커패시터의 전하분포

390 Chapter 1 0 MOSFET의 기 초

v ox = (1 0.23)
Cox

여기서 는 단 위 면 적 당 산 화 막 커 패 시 턴 스 이 다 .1>
식 (1 0.22)을 식 (1 0.23)에 대입하면 다 음 식을 얻는다.

~QL (1 0.24)
V X=
CX

평탄대 상 태에서 표 면 전 위 는 0 또 는 九 = 이다. 따 라 서 ，식 (1 0.21 )로부터 다 음 식을

얻는다.

VG = VFB —(f)ms — -z^r - (1 0.25)

l ox

식 (1 0.25)는 이 M O S 소자에 대한 평탄대 전압이다.

■ M i 舊■ 「뭬 p 형 반도체 기판을 가진 M O S 커패시터에 대해 평탄대 전압을 계산한다. tox = 20

nm = 2 00 A 의 두께를 가진 S i0 2 절연층과 n+ 다결정 실리콘 게이트，그리고 /V a = 1 016

c m -3으로 도핑된 p 형 반도체 기판을 가진 MOS 구조이며，c m 2 당 公 ss = 5 X 1 01 0의 전하량

을 갖는다고 가정하자.

행 n
그림 1 0.1 6으로부터 일함수 차는 (匕 = -1 1 V 이며 산화막 커패시턴스는 다음과 같다.

，
，_ ^x (3 . 9 )(8 . 8 5 X 1 -14) _
onn v in -8 1 .726 X 1 0_ 7 F /c m 2

등 가 산 화 막 표면 전하밀도는

公 = (5 X 1 0|0)(1 .6 X 1 ->9) = 8 X 1 0_ 9 C /c m 2

이다. 평탄대 전압은 다음과 같다.

& = -u5 v

■
P 형 기판에 대해 평탄대 상태를 이루기 위해 인가하는 게이트 전압은 음의 값이다. 고정산
화막 전하의 양이 증가한다면，평탄대 전압은 훨씬 더 큰 음의 값이 된다.

연습
E x 1 0.3 도 핑농도 N a = 2x 1 015 c m —3 산 화막 두께
， f ox = 4 nm = 40A , cm2 당 Q'ss

1) 일반적으로 단위면적당 커패시턴스，혹은 단위면적당 전하에 대해 프라임 ( ') 표시를 사용할 수 있지만,
편리를 위해 단위면적당 파라미터에 대한 프라임 표시를 생략할 것이다.
= 2 x l > 전하량을 가질 때 예제 1 0.3을 반복하라. 금속-반도체의 일함수 차이는 얼마 인
가? (八 K 0' 卜 = M八 ‘A e l - S 1 -suy )

10. 1.6 문 턱 전 압

문 턱 전 압 은 문턱 반전점에 이르는데 필요 한 게이 트 전압으로써 정 의 하 며 ，문턱 반전점

은 표 면 전 위 가 P 형 반 도체에 대해 九 = 20/p 이 고 ，n 형 반도체에 대해 九 = 2다 „일 때
의 상태 로써 정의한 다. 이 러 한 조 건 들 은 그림 1 0.9와 1 0.1 0에 나 타 나 있다. 문 턱 전 압 은
M O S 커패시터의 전기적 •기하학적 성질을 나 타 내 는 식으 로 표 현 할 수 있다.
그림 1 0.1 9는 p 형 반도체 기판에 대한 문턱 반전점에서의 M O S 소자에 대한 전하분
포 를 나 타 낸 것 이 다 . 이때 공 간 전 하 폭 은 최 댓 값 을 가 진다. 등 가 산 화 막 전 하 2 느와 문
턱 반전점에서 금 속 게이트상의 양의 전하 가 존 재 한 다 고 가정하 자 . 전하량에서의
프 라 임 ( ') 표 시 는 단 위 면 적 당 전 하 를 가 리 킨 다 . 비록 표면이 반 전 되 었 다 고 가 정 할 지 라
도 이 문턱 반 전 점 에 서 의 반 전 층 전 하 는 무 시 한 다 고 할 때, 전 하 량 보 존 법 칙 으 로 부 터
다 음 과 같이 쓸 수 있다.

2 r+ G = | Q U m a x )| (1 .26)

여기서

|2 5 ( m a x )| = eNaxdT (1 0. 2 7 )

이다. 이것 은 공핍 영역의 단 위 면 적 당 최대 공간전 하밀도의 크기이다.

그림 1 0.20은 양의 게이트 전압이 인가된 M O S 계의 에너 지 밴 드 그 림 을 나타낸 것이
다. 언급 했듯이 인가된 게 이 트 전 압 은 산 화 막 양단의 전 압 을 변 화 시 키 고 ，표 면 전 위 를
변화시 킬 것이다. 식 (1 0.20)으로부터 다음 을 얻는다.

V = AV0X+ A (p s = Vox + 私 + (kms

문턱 반 전 점 에 서 。 = V ™ 으 로 정 의 할 수 있다. 여기서 V T N은 전 자 반 전 층 을 생 성 하

금속 산화막 P형 반도체

그림 1 0. 19 p형 기판을 가진 MOS 커패시터의 반전점에서의 전하분포

392 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

Vox

Ec

E Fi
Ef
Ev

그림 1 0.20 양의 게이트 바이어스가 인가된 MOS 구조의 에너지밴드 그림

는 문 턱 전 압 이 다 . 표 면 전 위 는 문턱 반 전 점 에 서 (K = 2‘ 이 므 로 식 (1 0.20)은 다음처
럼 쓸 수 있다.

+ 2^ + ^ (10. 28)

여기서 V 。#는 이 문턱 반전점에서 산 화 막 양단의 전압이다.

전압 V 。#는 금속상의 전 하 와 산 화 막 커패시턴스에 관련된다.

VmT = ^ k (10-29)
l X

여기서 는 단 위 면 적 당 산 화 막 커 패 시 턴 스 이 다 . 식 U 0.26)을 이 용 하 면 ，다 음 과 같이
쓸 수 있다.

V xr e k 7그 -(IG뇨 (max)I - Q ) (1 0.30)

CX l ox

가지 막으 로 ，문턱 전압은 다 음 과 같다.

|公느 (max)| Q'ss

Vt n : + (\)ms + 2(j)fp (1 0.31 a)
C x

또는

V™ = ( | Q ® ( m a x )| - Q s) ( 는 ) + (f>ms + 2싫 (1 0.31 b)

평탄대 전압에 대한 식 (1 0.26)의 정의로부터 문턱전압에 대한 다 음 식，

|公노(max)|
Vm + V FB + 2 4 >fp (1 0.3 1 c)
C x
 1 0.1 2단 자 MOS 구 조 393

얻을 수 있다.
주 어 진 반도체 물 질 , 산 화 막 재 료 및 게 이 트 물질에 대해 문 턱 전 압 은 반도체 도 핑 ，
산 화 막 전하 公 ss 및 산 화 막 두 께 와 관련된다.

S 3 알루미늄 게이트를 사용한 M O S 문턱전압을 계산한다.

P형 실리콘 기판을 가지고 T = 300 K 에서 Na = 1 015 c m - 3 이다. 公사 = 1 010 c m -2, tm
= 12 nm = 1 20A , 이산화실리콘 산화막이라 가정하자.

행 n
그림 1 0.1 6로부터 일함수 (匕 = -0.88 꾸이다. 여러 파라미터들은 다음처럼 계산할 수 있
다.

如 = 父 In ( 분 ) = (0. 02 5 9 ) In ( j y ^ o ) = 0-2 87 7 V

그리고

사 = {쓰 表 = (4(1 1 ^8.85 X l -X 2877)|-^ = 8.63 乂 1 _5에

eN a (1 .6 X 1 -'9)(1 0'5)

그러면，
( m a x ) | = e N a x „ = (1 . 6 X 1 0_ 19) ( 1 0 15)(8 . 6 3 X 1 0~ 5) = 1 .381 X 1 ( 8 C /c m 2

문턱 전압은

V tn = (|2 도 ( m a x )| 一 Q s ) ( 는 ) + ^ + 2싫

120 X 10 一
= [(1 . 3 8 1 X 1 0_ 8) - ( 1 0 10) (1 . 6 X 1 0이 9) ] •
(3.9)(8.85 X 1 ->4)

+ ( —0. 8 8 ) + 2 (0 . 2 8 7 7 )

V t n = -0 . 2 6 2 V

B 5)
이 예제에서 산화막 내의 양전하와 일함수 전위차를 함께 관련지어 제로 인가 게이트 전압
에도 전자 반전층 전하가 유도되기에 충분할 정도로 반도체가 매우 얄게 도핑되어 있다. 이
상태는 문턱 전압을 음으로 만든다.

연습
Ex 1 0.4 T = 3 00 K 에서 아래와 같은 파라미터를 가지는 실리콘 M O S의 금속-반도체
일함수 차이 와 문턱전압을 결정하라. p + p o ly s ilic o n g a te, Na = 2 x 1 016 c m -3 , tox = 8 nm

= 80 A , 그리고 !2 느 = 2 x l 10 c m -2 . (八 9 I . I + = *A 8 S '0+ = sw(j> 's u y )

P 형 기판에 대 한 음의 문 턱 전 압 은 공핍형 소 자 임 을 의 미 한 다 . 제로의 반 전 층 전하

를 만들기 위해 음의 전압이 게이트에 인 가 되 어 야 하 고 ，반면에 양의 게이트 전 압 은 더
큰 반 전층 전하 를 유 도 할 것이다.
3% Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

2
0

>)

-2

-3
1013 1014 1015 1016 1017 1 01 '
八느 (cm —3)

그림 1 0.21 산화막에 포획된 전하의 다양한 값에 대한 n채널 MOSFET

의 문턱전압 대 P형 기판의 도핑농도 ( X= 500A 알루미늄 게이트)

그림 1 0.21 은 다 양 한 양의 산 화 막 전하값들 에 대 한 억셉터 도핑 농 도 의 함 수 로 문턱

전압 의 좌 표 그 림 을 나타낸 것이다. 증가형 소 자 를 얻기 위해 p 형 반 도 체 가 다소 높
게 도 핑되어 있음에 주 목 한 다 . 이 전에 유 도 한 문 턱 전 압 은 p 형 반도체 기판의 경우에
대한 값이고, n형 반도체 기판에 대하여 같은 방 법 으 로 유 도 할 수 있다. 여기서 음의 게
이트 전 압은 산 화 막 -반 도 체 계면에서 정공 반 전 층 을 유 기 할 수 있다.
그림 1 0.1 5에서 음의 게 이 트 전압이 인 가 되 고 ，n 형 기판에 대 한 M O S 구조의 에너
지밴 드 그 림 을 나 타 내 었 는 데 ，이 경우에 대 한 문 턱 전 압 은 다 음 과 같이 유 도 할 수 있다.

V t p = ( - \ Q ' sd (max)I - 2 요) ( 는 ) + 4>ms - 2싫 ! (1 0.32)

(’ 니
여기서

= K ~\ x +§ - (1 0.33a)

(1 0.33b)

|
\ Q sd (max) 1 = e Ndx dT

[如 시 1， 2 (1 0.33c)
XdT =

야，
l eNd 1
그리고
(hn = (1 0.33d)

이다. 사7•
와 산/fl은 양의 값 으 로 정 의 됨 에 주 의 하 라 . 또 한 V p 의 표 기 는 정 공 반 전 층 을
유 도 하 는 문 턱 전 압 임 에 주 의 하 라 . 후에 문 턱 전 압 에 표 시 한 yv과 ，첨 자 표 기 는 빼 겠 지 만
 1 0.1 2단 자 MOS 구 조 395

^ ( cm-3)

그림 1 0. 2 2 산화막에 포획된 전하의 다양한 값에 대한 P 채널 M O S F E T 의

문턱전압 대 n 형 기판의 도 핑 농 도 = 5 0 0 A ，알루미늄 게이트)

당 분 간 은 분 명 한 구 별 을 위해 이용 할 것이다.
그림 1 0.22는 g 느의 몇몇 값들에 대해 V p 대 도핑농도의 그 림 을 나타낸 것이다. 양
의 산 화 막 전하의 모 든 값들에 대해 이 M O S 커 패 시 터 는 항 상 증가형 소자임에 주 목 한
다. Q'ss 전 하 가 증가 함에 따 라 문턱 전압 은 더 큰 음의 값이 되고, 이것은 산 화 막 -반 도 체
계면에서 정공 반전 층이 생성되는데 있어 더 큰 게이 트 전압이 인 가 되 어 야 함 을 의미
한다.

I 목적 I 게이트 물질을 결정하고，특정한 문턱전압을 갖도록 반도체의 도핑을 설계한다. 산 醫Q B D S B

화막 Si02, N 형 실리콘 기판을 가지는 M O S 구조를 생각하자.
산화막 두께는 ?。x = 12 nm = 120 A 이고 포획된 전 하 밀 도 는 。 = 2 x l 10 c m -2이다.
VTP = -0.3 V 가 되도록 도핑농도를 결정한다.

풀이
이 설계문제는 수식에 대입하면 바로 풀어지는 문제가 아니다. 왜냐하면 (kfn，Xj t , 있 D(m a x )
그리고 (匕 항 은 도핑농도로 표시되기 때문이다. 즉 문 턱 전 압 은 '/와 비선형 관계를 이룬다.
컴퓨터를 이용하여 풀지 않을 경우 시행착오 방법으로 해를 구한다.
그림 1 0.22에서 알루미늄 게이트를 가질 때 문턱전압을 알 수 있다. 문제에서 요구되는
문턱전압은 그림 1 0.22에서 알 수 있는 값보다 더 작은 음의 값이 기 때문에，알루미늄 게이
트를 사용한 M O S 보다 더 큰 양의 我 를 가지는 물질이 필요하다. 그러므로 p + polysilicon
게이트를 선택한다.
Nd = 1 017 c m -3에 대해, 그림 1 0.1 6으로부터 +1 .1 V 이다. 따라서，

如 = 乂노( ^ ) = (0-02 5 9 )l n ( 1 5 1 l71 1 0) = 0.407 V

/4 e s^ V /2 _ [4 (1 1 . 7 )(8. 85 X 1 - ,4)(0. 4 07 )1 ;
XdT = l eNd 1 1 (1 .6 X l - ,9)(1 017) J

= 1 .026 X 1 - 5 c m
396 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

|幻 D(max)| = e N ^ = (1 .6 X 1 -'9)(1 0,7)(1 .026 X 1 0_ 5)

= 1 .642 X 1 0~7 C/cm2

문턱 전압은

W p = H G 뇨( m a x )| - Q fss] •( ^ ) + 2如

또는，

T/ _ [-(1 .642 X 1 0_ 7) - (2 X 1 0,0)(1 .6 X l - 19)] •(1 20 X 1 0~8)

Vt p ---------------------------------------------------------------------
(3.9)(8.85 X l -14)

이다. 따라서
Vt p = -0.296 V = 一0.3 V

S 3
문턱전압은 음의 값이며，이는 n 형 기판을 가진 MOS 커패시터가 증가형 소자임을 의미한
다. 반전층 전하는 제로 게이트 전압에서 이고，음의 게이트 전압이 정공 반전층이 유기되
도록 인가되 어야 한다.

연습 문제
E x 1 0.5 T = 3 00 K , 산화막 S i 0 2, N 형 실리콘 기판을 가지는 M O S 커패시터를 생각하
자. p + p o l y s il i c o n 게이 트 ，N d = 2 x 1 016 c m -3 , tox = 2 0 n m = 2 00 A 그리고 Q ’ss = 5 x
l 10 c m -2. 문턱전압을 결정하라. 증가형 소자인가，공핍형 소자인가?
(3p o u i iu3Ui9DUBqu9 Z V — = dlA 's u y )

이해도 평가

TYU 1 0.1 ( a) T = 300 K 에서 산화막一 n 형 실리콘 접합을 생각하자. 실리콘의 도핑농도

는 Nd = 8 x l ” c m _ 3이다. 실리콘의 최대 공간전하폭을 계산하라.
(b ) 도핑농도가 = 4 x l 16 c m —3일 때 ( a)를 반복하라.
[uimf g g r o (功 uirV 3 (v) -s u y]
TYU 1 0.2 p 형 실리콘 기판을 가지고 n + p olysilicon 게이트를 가지는 M O S 구조를 생각
하자. 실리콘의 도 핑 농 도 는 ;、 = 3 x l 16 c m - 3이다. 식 (1 0.1 6)을 사용해서
를 구하라. ( A 9C6 0 - = 1 su y)

TYU 1 0.3 식 (1 0.1 7)을 사용해서 p+ polysilicon 게이트를 가질 때，T Y U 1 0.2를 반복하라.
( A 1 ? 81 '0+ == ™<?> 's u y )

TYU 1 0.4 T Y U 1 0. 3 에서의 M O S 커패시터 구조에서，산화막 두께는 f QX = 1 6 nm = 1 60

A 이고 포획된 전하밀도는 公 ss = 8 x 1 010 c m -2이다. 평탄대 전압을 구하라.

( A S 2 T 0+ 'S W )

TYU 1 0.5 n + polysilicon 게이트，산화막 Si0 2, N a = 3 父 1 016 c m - 3로 도핑된 p 형 실리콘

기판을 가지고 ，公 ss = 5 x 1 010 cn 2라고 가정하자. VTN = +0.65 구가 되는
산화막 두께를 구하라. (Y ZSP = mu 2_外 = xoi ' suy )
 1 0.2 커 패 시 턴 스 대 전 압 특 성 397

10. 2 커패시턴스대전압특성

M O S 커패시터 구 조 는 M O S F E T 의 핵 심 이 다 . 소자의 커 패 시 턴 스 대 전 압 또 는 C -V 특
성 들 로 부 터 M O S 소 자 와 산 화 막 -반 도 체 계면에 대 한 많 은 정 보 들 은 얻을 수 있다. 소
자의 커 패시 턴 스 는 다음처럼 정의한다.

여기서 dQ 는 커패시터 양단의 전압의 미 분 면 화 " V 에 대해 한 평판상에서의 전하의 미

분 변 화 량 이 다 . 커 패 시 턴 스 는 소 신 호 또 는 a c 파 라 미 터 로 써 dc 전압이 가 해 지 는 상태에
서 작 은 ac 전 압 을 측 정 함 으 로 써 측 정 된 다 . 따 라 서 , 커 패 시 턴 스 는 d c 게 이 트 전압의 함
수 로 측정한 다.

10. 2. 1 이상적 인 C-V 특성

먼저 M O S 커패시터의 이 상적인 C -V 특 성 을 고 려 하 고 나서 이 상 적 인 결 과 와 다 른 부
분 을 논 의 한 다 . 처음에 산 화 막 내에 포획 된 전 하 가 없고，산 화 막 -반 도 체 계면에 포획된
전하 가 없다고 가정한다.
M O S 커 패 시 터 에 서 는 관심의 대상이 되 는 세 가지 동 작 상 태 ，즉 축 적 ，공핍 그 리 고
반전이 있다. 그림 l .23a 는 음의 전압이 게이트에 인가된 경우에 대해 p 형 기 판 을 갖
는 M O S 커패 시터의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나타 낸 것이다. 산 화 막 -반 도 체 계면에서 반도
체 내에 정 공 축 적 층 이 유 도 된 다 . 그림 l .23b 에 나 타 낸 것처럼 M O S 구 조 양 단 전 압
에서의 작 은 미 소 변 화 는 금 속 게이트 상의 전 하 와 정공축적 전하에서 의 미 소 변 화 를 야
기할 것이다. 전하밀도에서의 미소변화는 평행판 커패시터에서처럼 산화막의 가장자
리에서 일 어 난 다 . 이 러 한 축 적 모 드 에 대해 M O S 커 패 시 터 의 단 위 면 적 당 커 패 시 턴 스

금속 산화막 p형 반도체

(b)

그림 1 0. 2 3 (a) 축적 모드에 대한 MOS 커패시터의 에 너지밴드 그림，(b) 게이트 전압의 미소변화에 대한 축적모드의
미소 전하 분포
398 Chapter 1 0 MOSFET의 기 초

금속 산화막 p 형 반도체

그림 1 0.24 (a) 공핍에 대한 MOS 커패시터의 에너지밴드 그림, (b) 게이트 전압의 저주파에서의 미소변화에 대
한 반전모드에서의 미소전하 분포

은 바로 산 화 막 커패시 턴 스 이 다 . 즉

C '( acc) = C x
ox
(1 0.35)
호o x

그림 1 0.24a 는 작 은 양의 전압이 반도체 내에서 공 간 전 하 영역을 유 도 하 도 록 게이트에

인가될 때 M O S 소자의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나 타 낸 것 이 고 ，그림 1 0.24b 는 이 상태 에
대 한 소 자 전채의 전 하 분 포 를 나 타 내 고 있다. 산 화 막 커 패 시 턴 스 와 공핍영역의 커패시
턴 스 가 직 렬 로 놓여 있다. 커 패 시 턴 가 직렬 로 놓여 있다. 커패시터 양 단 전 압 에 서 의 작
은 미소 변화 는 공 간 전 하 폭 에 서 의 미소 변 화 를 일으킬 것이다. 전 하 밀 도 에 서 의 미소변
화 가 그림에 나타나있다 . 직렬결합의 총 커패시 턴 스 는

(1 0.36 a)
C’(depl) Cm C SD

금속 산화막 P형 반도체
I삔 ' 、);
卜

Ec + 0，
~ xdT~
•EFi
EF
| Ev
左 ~Q '

\d Q '\

(b)

그림 1 0. 25 반전 모드에 대 한 MOS 커패시터의 에너지밴드 그림, (b)게이트 전압의 저주파에서의 미소변화에 대한

반전모드에서의 미소전하 분포
 1 0.2 커 패 시 턴 스 대 전 압 특 성 399

또는

C (d epl) = Cf s° (1 0.36b )
L x '

이다. C ox = 와 C，
SD = "句 이 기 때문 에 ，식 (1 0.36b )는 다음처럼 쓸 수 있다.

(depl) =
C， C xr = —~ (10. 37)
1 +우 C + ( 놓)∼

공간 전하 폭이 증가 함에 따라 총 커패시턴스 C '( d e pl)은 감소한다.

최대 공 핍 폭 에 는 도 달 하 지 만 본 질 적 으 로 반전 전 하 밀 도 가 인 상 태 를 문턱 반 전점으
로 정 했 는 데 ，이 상 태 를 최소 커패시턴스 C min으 로 두면 다 음 식으로 주어진다.

_ _ _ _ ^ox_ _ _ _
(1 0.38)
^ + (닐f )

그림 1 0.25 a는 반 전 상 대 에 대 한 M O S 소자의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나 타낸 것이다. 이상

적인 경 우 에 ，M O S 커패시터 양 단 전 압 에 서 의 작 은 증 분 변 화 는 반 전 층 전하밀도에서의
미 소 변 화 를 일 으 키 지 만 공 간 전 하 폭 은 변하지 않는다. 그림 1 0.25b 에 나타낸 것처럼 반
전 전 하 가 커패시터 전압에서의 변화에 따 라 움 직 인 다 면 , 커 패 시 턴 스 는 다시 산 화 막 커
패 시 턴 스 가 된다. 즉 다 음 과 같다.

C ’(in v ) = Cox = 告 (1 0.39)

그림 1 0.26은 p 형 기 판 을 가진 M O S 커패시터의 이상적인 커 패 시 턴 스 대 게이트 전압

또 는 C -V 특 성 을 나타 낸 것이다. 세 개의 점 선 부 분 들 은 세 성 분 C'SD 및 C min에 대
응 하 며 ，실 선 곡 선 은 M O S 커 패 시 터 의 이 상 적 인 순 커 패 시 턴 스 를 나 타 낸 다 . 그림에서
나타낸 중 반 전 (moderate irw e rsio n ) 영역은 공 간 전 하 밀 도 만이 게이트 전압에 따 라 변하

그림 1 0.26 p형 기판을 가진 MOS 커패시터의 이상적인 저주파

커패시턴스 대 게이트 전압
 Chapter 1 0 MOSFET의 기초

는 점 과 반 전 전 하 밀도만이 게 이 트 전압에 따 라 변 하 는 점간의 천 이 영 역 이 다 . 평탄대

상태 에 대 응 하 는 곡 선 상 의 점 에 주 의 한 다 . 평탄대 상 태 는 축 적 과 공핍 상 태 들 사이 에
서 일어난다. 평탄대에서의 커 패 시 턴 스 는 다음 식 과 같이 주어진다.

CpB (1 0.40)

평탄대 커 패 시 턴 스 는 반도체 도 핑 농 도 뿐 만 아니라. 산 화 막 두 께 와 도 관 련 됨 에 주 의 한

다. C -V 곡선상 에 대한 이 점의 일반적인 위 치 가 그림 1 0.26에 나 타 나 있다.

i i b l l 各f M S 3 M O S 커패시터 에 대한 C min, C一 를 계산한다.

사용된 기판은 T = 300 K 에서 Na = 1 016 c m - 3에 도핑된 p 형 실리콘 기판이며，산화막
은 tox = 18 nm = 1 80 A 의 두께를 가진 Si02이고, 게이트는 알루미늄이다.

풀이
산화막 커패시턴스는

C ox = 누 = (3.9)(8.85 X 1 0~14) = 1 .91 75 父 1 0~7 F/cm2

1 80 父 1 -8

최 소 커 패 시 턴 스 를 구 하 기 위해 다 음 계 산 이 필 요 하 다 .

(h > = ^ In ( 쑨 ) = (0.0259) In ( 1 ^ 1 ) = 0.3473 V

그리고
4 6 ^ 1 V2 4(1 1 .7)(8.85 X 1 0_ 14)(0.3473)
XdT = eN a I (1 .6 X l -19)(1 016)

= 0.30 X l -4 cm

그렇다면

_ eox _ (3.9X 8.85 X 1 0"14)

tax + ( 놓 ) 자r 1 80 X l -8 + ( 푸 )(0.30 X 1 0_ 4)

= 2.925 X IQ-8F /cm2

또，

C L _ 2.925 X IQ— 8 = 0.1 525

C ox 1 .91 75 X 1 0_ 7

평탄대 커패시턴스는
ex
C

(3.9)(8.85 X 1 0_ 14)
( 3.9 \, /( 259)(1 1 .7X8.85 X W ^ )
1 80 X 1 -8 +
l l l .7 V (1.6 X 10_ 19)(1016)
 1 0.2 커 패 시 턴 스 대 전 압 특 성 스 1

1 .091 X 1( 7 F/cm2

이다. 그 리 고

C' fb _ 1 .091 X 1 Q-7

0.569
C ox ~ 1 .91 75 X 1 0_

이다.

■
C nin 대 와 C; 대 대 의 비 율 은 C-V 곡 선 에 서 얻 어 지 는 대 표 적 인 값 들 이 다 .

연 습 ^^
Ex 1 0.6 다 음 의 파 라 미 터 를 가 지 는 M O S 커 패 시 터 를 생 각 하 자 . n + p o l y s il i c o n 게 이 트 ，
a = 3 x 1 16 c m " 3, tm = 8 n m = 8 A ，그 리 고
A， 公 ss = 2 x 1 > c m -2. C min/Cox와 C 'FB/ Cm
를 구하라. (W)S_ 0 = xoD /gj,D l 8 I I '0 = xo3 H D 's u y )

채 널 길 이 와 폭 의 값 들 은 각 각 쇼 = 2 /tm 와 … = 20 사m 이 다 . 그 렇 다 면 이 예 제 의
경우 총 게이트 산화막 커패시턴스는

CoxT= CoxL W = (1 . 9 1 7 5 X 1 0_ 7)(2 X 1 0~4)(2 0 X 1 0_ 4)

= 7 . 67 X 1 - 14 F = 0. 07 67 p F = 7 6 . 7 fF

전형적 인 MO S 소자에서 총 산 화 막 커 패 시 턴 스 는 매 우 작다.

같 은 형 태 의 이 상 적 인 C -V 특 성 은 전 압 축 의 부 호 를 바 꿈 으 로 써 n 형 기 판 을 가 진
MO S 커 패 시 터 에 대 해 서 도 얻 어 진 다 . 축 적 상 태 는 양의 게 이 트 바 이 어 스 에 대해서 얻
어 지 고 ，반 전 상 태 는 음 의 게 이 트 바 이 어 스 에 대 해 서 얻 어 진 다 . 이 상 적 인 곡 선 이 그 림
1 0. 2 7 에 표 시 되 어 있다.

그림 1 0. 2 7 n 형 기판을 가진 M O S 커패시터의 이상적인 게이트

전압 대 저주파 커패시턴스
4 02 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

10. 2. 2 주파수 효과

그림 1 0.25 a는 p 형 기판 을 가진 반 전 상 태 로 바 이 어 스 된 M O S 커 패 시 터 를 표 현 하 였 다 .
이상적인 경 우 에 는 커 패시 터 전압에서의 미 소 변 화 가 반 전 층 전하밀도에서 미소 변 화 를
일 으 킨 다 는 점 을 논 의 하 였 지 만 ，반 전 전 하 밀도에서의 변화 를 제 공 하 는 전 자 공급원 에
대해서도 알 아 야 한다.
반 전 층 전 하 밀 도 를 변화시 킬 수 있는 두 개의 전 자 공 급원이 있다. 첫 번째 공 급 원
은 P 형 기판으로 부 터 공 간 전 하 영 역을 가 로 지 르 는 소 수 캐리어 전자들의 확산에 의한
것이다. 이 확 산 과 정 은 이상적인 역 포 화 전 류 를 생 성 하 는 역방향 바 이 어 스 된 p n 접합에
서의 과 정 과 같다. 두 번째 전 자 공 급 원 은 공 간 전 하 영역 내의 전 자 -정 공 쌍 의 열적 생
성 에 의 한 것이 다. 이 과정 또 한 역 방 향 바이 어 스 생 성 전류 를 생 성 하 는 pn 접 합에 서 나
타 나 는 과 정 과 같다. 이 들 두 과 정 은 특정 비율 로 전 자 를 생 성 한 다 . 이런 이유 로 반전
층 에 서 의 전 자 농 도 는 순 간 적 으 로 변 할 수 없다. 만 약 M O S 커패시터 양단의 a c 전압이
급격히 변 한 다 면 ，반 전 층 전 하 는 변하지 않을 것이고, 이 렇게 해서 C -V 특 성 은 커패시
턴스 를 측정하 는데 이용되는 a c 신호 주 파 수 함 수 가 될 것이다.
매 우 높 은 주 파 수 에 서 반 전 층 전 하 는 커패시 터 전압의 미 소 변 화 에 반 응 하 지 않는
다. 그림 1 0.28은 p 형 기판 을 가진 M O S 커패시터에서의 전 하 분 포 를 나타낸 것이다. 높
은 신호 주파수 에서 전하의 미 소 변 화 는 금 속 과 반도체 내의 공 간 전 하 폭 에 서 일어난다.
그렇다 면 M O S 커 패 시 턴 스 는 앞에서 검토했던 C min이다.
C-V 특성의 고 주 파 와 저 주 파 범위가 그림 1 0.29에 표현되어 있다. 일 반 적 으 로 고 주
파 는 1 M H z 정도이 고 , 저 주 파 는 5-1 00 h z 의 범위에 있다. 전 형 적 으 로 M O S 커패시터
의 고 주 파 특 성 을 측정한다 .

10. 2. 3 고정 산 화 막 과 계면 전 하 효 과

이 제까지 특 성 과 관 련 한 모 든 논의 에서 고정 전 하 또 는 산 화 막 -반 도 체 계 면 전 하 들

그림 1 0. 28 게이트 전압의 고 주파 미소변화에 대한 반전상태에서의 미소전하 분포

 1 0.2 커 패 시 턴 스 대 전 압 특 성 스 3

그림 1 0.29 p형 기판을 가진 MOS 커패시터의 저주파와 고주파 커패시턴스 대 게이트 전압

이 없는 이상적 인 산 화 막 을 가 정 했 다 . 이들 두 가지 유형의 전 하 들 은 C -1 / 특성에 변화

를 미칠 것이다.
고정 산 화 막 전 하 가 문 턱 전 압 에 어떻게 영향 을 미 치 는 가 는 이미 논의했는더 ，이 전
하는 또 한 평탄대 전압에 영향을 줄 것이다. 식 (1 0.25)로부터 평탄대 전 압을 다음 식으
로 주어 졌다.

v , Q'ss
^FB — (Pms ~ 〒 「 -
l x

여기서 空느는 등 가 고정 산 화 막 전 하 이 고 (匕 는 금 속 -반 도 체 일함수 차이다. 평탄대 전

압 은 양의 고정 산 화 막 전 하 로 인해 더 큰 음의 전 압 으 로 이 동 한 다 . 산 화 막 전 하 가 게
이트 전압에 무관 하기 때 문 에 ，그 곡 선 들 은 산 화 막 전하에 따 라 평 행 이 동 을 나 타 내 고 ,
C-V 곡선의 모 양 은 이상적 인 특 성 과 같 은 모 양 을 유지한 다 . 그림 1 0.30은 양의 고정 산
화 막 전하의 몇 가지 값들에 대 한 p 형 기판 을 가진 M O S 커패시터의 고 주 파 특 성 을 나
타낸 것이다.

그림 1 0.30 포획된 유효 산화막 전하의 몇가지 값에 대한 p형

기판을 가진 MOS 커패시터의 고주파 커패시턴스 대 게이트 전압
스 스 Chapter 1 0 MOSFET의 기 초

Ec

rm
허 용되는
전자 의 에 너 지 억셉터 상태

= =T = l m i
상태
E Fi

도너 상태
一 ，
及 V

그림 1 0.31 산화막 반도체 계면에서 계면상태를

표현하는 도식적 그림

C -V 특 성 은 등가의 고정 산 화 막 전 하 를 구 하 는 데 이용될 수 있다. 주어 진 M O S 구

조에 대해 와 ^ 。 가 알 려 지 면 , 이 상 적 인 평탄대 전 압 과 평탄대 커 패 시 턴 스 를 계산
할 수 있다. 평탄대 전압의 실 험 치 는 곡 선 으 로 부 터 측 정 할 수 있 고 ，이렇게 한 후
고정 산 화 막 전하의 값 을 구 할 수 있다. C -V 측 정 은 M O S 소자의 특 성 을 결 정 하 는 유
용 한 분 석 도 구 이 다 . 예를 들 면 이런 측 정 은 특히 M O S 소자의 방 사 효 과 를 연구하는데
유 용 한 데 ，이것 은 다 음 장에서 다룰 것이다.
schottky 장벽 다이 오 드 를 다 룬 9장에 서 산 화 막 -반 도 체 계 면상태 에 대 해 처음 접하

였 는 데 , 그림 1 0.31 은 산 화 막 -반 도 체 계면 에 서 의 반 도 체 의 에 너 지 밴 드 그 림 을 나타 낸
것 이 다 . 반도체 의 주기적 특 성 은 계면에서 종 료 되 고 ，전자 에너지 준 위들이 금지대 내
에 존 재 할 것 이 다 . 이들 허 용 에너지 상 태 들 을 일컬어 계 면 상 태 라 한 다 . 전 하 는 고정
산 화 막 전 하 와 대 조 적 으 로 반 도 체 와 계면상태 사 이 를 흐 를 수 있다. 이들 계 면 상 태 에
서의 순 전 하 는 금지대 내의 F e rm i 준위의 위치 와 관련된다.
일반적으로 억셉터 상 태 는 금지대의 1 /2 상 단 에 ，도 너 상 태 들 은 금지대의 1 /2 하단에
존 재 한 다 . 만일 F e rm i 준 위 가 억셉터 상태 아 래 에 있 다 면 억셉터 상 태 는 중 성 이 고 ，
F erm i 준 위 가 억셉터 상태 위에 있다면 억셉터 상 태 는 음 으 로 대전된다. 만일 F erm i 준
위 가 도너상 태 위에 있다면 도 너 상 태 는 중 성 이 고 ，F erm i 준 위 가 도너상태 아래에 있다
면 도 너 상 태 는 양 으 로 대 전 된 다 . 그 렇 다 면 , 계면상태의 전 하 는 M O S 커패시터 양단에
인가된 게이트 전압과 관련된다 .
그림 1 0.32a 는 축 적 상 태 에 바 이 어 스 된 M O S 커패시터 p 형 반도체내 에 너 지 밴 드 그
림을 나 타낸 것이다. 이 경우에 도너 준위에 포 획 된 순 양의 전 하 가 존 재 한 다 . 이제 그
림 1 0.32b 에 표 현 된 에 너 지 밴 드 그 림 을 형성하기 위해 게 이 트 전 압 을 변화시켜 보자.
F erm i 준 위 는 표 면에서 진성 F e rm i 준 위 와 일 치 한 다 . 따라서 모 든 계 면 상 태 들 은 중성
이다. 이런 특 정 한 바 이어스 상 태 는 중 간 접 (midg a p )으 로 알려져 있다. 그림 1 0.32c 는 억
셉터 상태에 순 음의 전하 가 존 재 하 는 반 전 상 태 를 나타낸 것이다.
계면상태의 순 전 하 는 게이 트 전압이 축적, 공핍상태에서 반 전 상 태 로 점 진 적 으 로 변
함에 따라 양에서 음 으 로 변한다. 주 목 할 점은 곡선이 양의 고정 산 화 막 전하 때문
에 음의 게 이 트 전압의 방 향 으 로 이 동 한 다 는 것이다. 계 면 상 태 가 존 재 할 때 이동의 양
 1 0.2 커 패 시 턴 스 대 전 압 특 성 스 5

중 서0의 ■
와
악 세2 터
야의
0
도너

중 의
도너

중 ^
악
다
Kjo

公
V

중서
• 의 』
억 터
세!!

으의
하
D

도너

중 서0의
도너

(c)

그림 1 0.32 MOS 커패시터가 (a) 축적상태, (b) 중간캡 상태，(c) 반전상태로 바이

어스될 때 계면상태에 포획된 전하를 표현한 p형 반도체의 에너지밴드 그림

과 방 향 은 게 이 트 전 압 을 점 진 적 으 로 변화시킴에 따 라 변한다. 왜 냐 하 면 계면에 포획

된 전하의 양과 부 호 가 변하기 때문이다. 따라서 곡 선 은 그림 1 0.33에서 표 현 한 것
처럼 모양이 일그러진다.

그림 1 0.33 계면상태 효과를 표현한 M0S 커패시터의 고주파 C-V 특성

스06 Chapter 1 0 MO況 'ET의 기초

C-V 측 정 은 또 한 반도체 소 자 공 정 을 제 어 하 는 분 석 도 구 로 써 이 용 할 수 있다. 주어

진 MOS 소자에 대해 이상적 인 C -V 곡 선 을 구 할 수 있다. 어떤 실험곡선에 서 곡선의 일
그 러 짐 은 계면상태의 존 재 를 가 리 키 고 , 곡선의 평 행 이 동 은 고정 산 화 막 전하의 존 재 를
가 리 킨 다 . 곡선의 일 그러진 정 도 는 계면상태의 밀 도 를 구 하 는 데 이 용 할 수 있다. 이러
한 유형의 측 정 은 다음 장에서 고 려 할 MOS 소자의 방 사 효과의 연구에 매우 유용하다.

10. 3 기본적인 M O S F 티T 동 작

MOS 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 에 서 의 전 류 는 산 화 막 -반 도 체 계면에 근 접 한 반 전 층 ，즉 채
널영역 에서의 전하의 흐 름 때 문이다. 앞에서 증 가 형 (enhancement) MOS 커패시터에서
반 전 층 전하의 생 성 을 논 의 했 는 데 ，또 한 제 로 게 이 트 전압에서 이미 채널이 존 재 하 는
공핍 형 (depletion) 소자 를 논 의 하 고 자 한다.

1 0. 3 . 1 MOSFET 구 조

4가지 기본적인 MOSFET형이 있다. 그림 1 0.34는 n채널 증가형 MOSFET을 나타낸 것

인 데 ，증 가 형 이 란 표 현 은 제 로 게 이 트 전압에 대해 반도체 기 판 영 역 이 산 화 막 아 래 와
접해있 어 바 로 반 전되지 않 음 을 의 미 한 다 . 양의 게 이 트 전 압 은 전 자 반 전 층 을 유 도 하
고 ，이 것 은 n 형 소 스 와 n 형 드 레 인 영 역 을 연 결 한 다 . 소 스 단 자 는 채 널 을 통해 드레 인
단 자 로 흐 르 는 캐리어의 공 급 원 이 다 . 이 러 한 n 채널 소자의 경우 전자들이 소스로부터
드 레 인 으 로 흐 르 므 로 ，전 류 는 드레인에서 소 스 로 흐 른다. 이 n 채널 증가형 소자에 대한
일반적인 회 로 기 호 가 그림에 표현되어 있다.
그림 1 0.35는 n채널 공핍형 MOSFET을 표 현 하 고 있다. 게이트에 0의 전압이 인가
된 상 태 에 서 도 n채널 영역이 산 화 막 아래에 존 재 한 다 . 그 러 나 p형 기 판 을 가진 MOS
소자의 문 턱 전 압 은 음 이 다 . 즉 이 러한 상 태 는 게이트에 의 전압이 인가된 상 황 에 서 도

소스 (S) 게이트 ( G ) 드레인 (D )

그림 1 0 . 3 4 n 채널 생성형 M O S F E T 에 대한 단면도와 회로 기호
 1 0.3 기 본 적 인 MOSFET 동 작 07

소스 (S) 게이트 ( G ) 드레인 (D )

그림 1 0 . 3 5 n 채널 공핍형 M O S F E T 에 대한 단면도와 회로 기호

이 미 전 자 반전층이 존 재 하 고 있음을 의 미한다. 그 러 한 소 자 를 공핍 형 소 자 라 한다. 그

림에 나타 낸 n 채 널 은 전 자 반 전 층 또 는 의 도 적 으 로 도 핑 된 n 영역일 수 있다. n 채널 공
핍형 M O S F E T 에 대한 일반적인 회 로 기 호 가 그림에 표현되어 있다.
그림 1 0.36a와 1 0.3的 는 p 채널 증가형 M O S F E T 과 p 채널 공핍형 M O S F E T 을 각 각
나 타 내 고 있다. p 채널 증가형 소자에서 음의 게이 트 전 압 은 p 형 소 스 와 드레 인 영역을
연결 할 정공 반전층이 생 성 되 도 록 반드시 인 가 되 어 야 만 한다. 정공이 소스에서 드레인
으 로 흐 르 므 로 전 류 도 소스에서 드 레 인 으 로 흐른다. 공핍형 소자에서 p 채널 영역은 제
로 게이 트 전압에서도 존 재한다. 일반적인 회로기호들이 그림에 표현되어 있다.

1 0. 3 . 2 전 류 -전 압 관계-개념

그림 1 0.37 a는 문 턱 전 압 보 다 낮 은 게 이 트 -소 스 전 압 과 매우 작 은 드 레 인 -소 스 전 압 만 을
가진 n 채널 증가형 M O S F E T 을 나타 낸 것이다. 소 스 와 기 판 은 접지되어 있다. 이런 바
이 어 스 구 성 에 서 는 전 자 반 전 층 은 없고, 드레 인 -기 판 p n 접 합 은 역방 향 바 이 어 스 되 며
드레인 전류 는 이다 (p n 접합 역방향 전류는 무 시 한 다 ).
그림 1 0.37 b 는 > 다 와 같 은 게이 트 전압이 인가된 M O S F E T 을 나 타 내 고 있다.
작 은 드레 인 전압이 인가될 때, 전 자 반전층이 형성되어 서 반 전 층 내의 전자들이 소스
에서 양의 드레 인 단 자 로 흐른다. 전류 는 드레 인 단 자 로 들어 가서 소 스 단 자 로 나온다.
이상적인 경우에 산 화 막 을 통과해서 게이트 단자 로 흐 르 는 전류 는 없다.
작은 값들에 대 해 ，채 널 영 역 은 저항의 특 성 을 가진다. 그래서 다 음 과 같 은 식으
로 표 현 할 수 있다.

Id = gd V s (1 0.41 )

여기서 & 는 0으 로 접근할 때의 채널 컨덕턴스로써 정의하며，다 음 과 같다

8d = ^ ' ^n\Q '„ \ (1 0.42)

새 8 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

소스 (S) 게이트 (G) 드레인 (D)

소스 (S) 게이트 (G) 드레인 (D)

그림 10.36 단면도와 회로기호 (a) p채널 증가형 MOS抑 T，(b)p 채널 공핍형 MOSFET

v as < v t 斗Vas vgs > v t + V DS

그림 10.37 n 채널 증가형 MOSFET, ⑶ 인가된 게이트 전압 VGS < 다에 대해，(b) 인가된 게이트 전압 카;s > VT 대해
 1 0.3 기 본 적 인 MOSFET 동 작 4 09

그림 1 0.38 세 가지 V노 전압에서 작 은 。 값에 대한 /D 대 특성

여기서 f느 은 반 전 층 내의 전자들의 이동도이고，I公 I은 단 위 면 적 당 반 전 층 전하의 크기

이다. 반 전 층 전 하 는 게이트 전 압 과 관 련 된 다 . 따라서 기본적 인 M O S 트랜지스터 동 작
은 게 이 트 전압에 의 한 채널 컨덕턴스의 변화에 의해 이 루 어 진 다 . 즉 채널 컨 덕 턴 스 는
드레 인 전 류 를 결정한다. 여 기서는 이 동 도 가 일정 하 다 고 가 정 하 고 다음 장에서 이동도
의 효 과 와 변화에 대해 논 의 할 것이다.
그림 1 0.38에 는 작 은 값에 대 한 /D 대 특성 이 표 현 되 어 있다. V GS < 八 일
때，드레 인 전 류 는 이다. 가 바 보 다 더 커짐에 따 라 채널 반전 전 하 밀 도 가 증 가 하
고 ，이 것은 채널 컨덕 턴스 를 증가시 킨다. 그림 에 표현되 어 있듯이 큰 gd 값 은 /D 대
특성의 초기 기울 기를 더 크게 만든다.
그림 1 0.39a는 > 다 와 인가된 전압이 작 은 경우에 대 한 기 본 적 인 M O S 구
조 를 나타 낸 것이다. 그림에서 반전 채널층의 두 께 는 정 성 적 으 로 상 대 적 인 전 하 밀 도 를
가 리 키 며 ，이 것은 본 질 적 으 로 전체 채 널 길 이 를 따 라 일정하다. 그에 대 한 。 대 특
성곡선이 그림에 표현되어 있다.
그림 1 0.39b 는 값 이 증 가 할 때의 상 황 을 나 타 내 고 있다. 드 레 인 전압이 증 가 함
에 따 라 드레 인 단 자 근처의 산 화 막 양 단 전 압 강하 는 감소한 다 . 이 것은 드레 인 단자 근
처에 유 도 된 반 전 전 하 밀도 역시 감 소 함 을 의미한 다 . 이때, 드 레 인 에 서 채널의 컨덕턴
스 가 감 소 하 는 데 . 이 것 은 / D 대 V DS 곡선의 기 울 기 가 감 소 함 을 의 미 한 다 . 이 러 한 효 과
는 & 대 곡선으로부터 확 인 할 수 있다.
가 드레 인 단자에서 산 화 막 양단의 전 압 강 하 가 다 와 같 아 지 는 점까지 증 가 할 때
유 도된 반 전 전 하 밀 도는 드레인 단자에서 이 된다. 이 효 과 가 도 식 적 으 로 그림 1 0.39c
에 표현되어 있다. 이 지점에서 드레인에 서 의 컨 덕 턴 스 는 0이고, 이것 은 /대 VDS 곡선
의 기울기가 이 됨 을 의미한다. 이러한 상 태 를 다 음 과 같은 식으로 표 현 할 수 있다.

Vgs _ (sat) = Vt (1 0.43 a)

또는
^1 0 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

채널
VGSl〉 반전
전하

산화막

i
s _

-
'

공핍
영역
P형

/
D
노
A vm
I

채널
반전
전하

3
(b)
VGS\

h)

VD5(sat)VD5

포화

V公 s(sat) VDS

그림 1 0.39 KG5 < 바일 때 단면도와 1D 대 ∼ 곡선，(a) V노가 작을 때，

(b) D5가 클 때，(c) V DS = V노(sat) 일 때，(d) V D S 〉 V노(sat) 일 때
 1 0.3 기 본 적 인 MOSFET 동 작 11

Vas (sat ) = V s — Vj (1 0. 4 3 b )

이다. 여 기 서 。 必 아 )는 드 레 인 단자에 서 0의 반 전 전 하 밀 도 를 생 성 하 는 드 레 인 -소 스
전압이다.
가 。 必 아 ) 보 다 더 커질 때, 반 전 전 하 가 이 되는 채널내의 점은 소스 단자를
향하여 이동한 다 . 이 경 우 에 ，소스에 서 채널 로 주 입 되 는 전 자 들 은 채 널 을 통해 흘러서
드레 인으로 향 한 다 . 따라서 전 하 가 0이 되는 점에서 전 자 들 은 공 간 전 하 영 역으로 주입
된 전 자 들 은 전계에 의해 드 레 인 으 로 쓸 려 가 게 된다. 만 약 채널 길이의 변 과 이 본
래의 길이 인 L과 비교해서 작 다 고 가 정 하 면 드 레 인 전 류 는 VDS > VflS(sat) 인 경우 일
정 할 것이다. ID 대 특성 영역을 일컬어 포화영역(saturation region) 이라 하 며 ，그림
1 0.39d에 이 러한 동 작 영 역 을 표 현 하 고 있다.
가 변 할 때，ID 대 V DS 곡 선 은 변 할 것 이 다 . 가 증 가 한 다 면 ID 대 곡선의
초기 기울기 가 증 가 한 다 . 또 한 식 ( l .43b)로부터 VDS(sat) 의 값이 와 관 계 가 있음에
주목하 자. 그림 1 0.40은 n채널 증가형 MOSFET에 대한 곡 선 군 을 표 현 하 고 있다.
그림 1 0.41 은 n채널 공핍형 MOSFET을 나 타 낸 것 이 다 . 만 약 n채널 영역이 실제 로
금 속 -반 도 체 일함 수 차 와 산 화 막 내 의 고정 전하에 의해 유기 된 전 자 반전층이 라면 전
류 -전 압 특 성 은 바 가 음의 값 이 라 는 것만 제 외 하 고 는 논 의 해 왔 던 것과 정확히 같다. 또
한 n 채널 영역이 실 제 로 n형 반도체 영역인 경 우 를 고 려 할 수 있다. 이런 유형의 소 자
에 서 는 음의 게 이 트 전 압 은 산 화 막 아래에 공 간 전 하 영역 을 유 기 시 키 고 n 채널 영역의
두 께 를 감소시 킨다. 양의 게 이트 전 압 은 전 자 축 적 층 을 생성하여 드레 인 전 류 를 증가시
킨다. 이 소자에 대한 한 가지 기본적 인 요 구 사 항 은 소 자 가 차 단 상 태 가 되도 록 하기 위
해 채널두께 자가 유기된 최대 공 간 전 하 폭 보 다 작 아 야 만 한 다 는 것이다. 그림 1 0.42는 n
체널 공핍 형 MOSFET에 대한 일반적 인 ID 대 VDS 곡 선 군 을 나타낸 것이다.
다 음 절에서 n 채널 MOSFET에 대 한 이상적 인 전 류 -전 압 관 계 식 을 유 도 할 것이다.
비포화 영역에서 다 음 과 같은 식을 얻을 수 있다.

^D5(sat) = ^GS _

그림 1 0 . 4 0 n 채널 증가형 M O S F E T 에 대한 그림 1 0. 4 1 n 채널 공핍형 M O S F E T 의 단면도

1 대 곡선군
12 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

V노(sat) = VGS — VT

그림 1 0.42 n채널 공핍형 MOSFET에 대한 !D 대 카„ 곡선군

Id = [2( V느 - VT) VDS - n s] ( 1 0.44a)

위 식 은 다음 과 같이 쓸 수 있다.

/ = y •f •[ 2 ( Vgs - VT) VDS - V d2 s] (1 0.44 b )

또는

Id = Kn [ 2 ( V s - VT) VDS - V d2 s] (1 0.44 c)

파라미터 K = 사,,〔 、 이고 n 채널 M O S F E T 에서 공정 전도 파라미터 (process conductio n

p ara m e ter)이 며 ，단 위 는 A 八 ^을 사 용 한 다 . 또 한 파 라 미 터 K „ = { W^ nCox) l 2 L = 따

12) ( W7 L ) 이고 n 채널 M O S F E T 에서 전도 파라미터 (conduction para m eter)이 고 ，단 위 는

A / V 2이다.

포 화 영역에서 이상적인 전 류 -전 압 관 계 식 은 다 음 과 같이 나타낼 수 있다.

lD = W^ k iVGS- VTy (1 0.45 a)

또는

I = ^ - ^ - ( VGS- VTy (l .45b )

또는

Id = Kn( V s - VTy (1 0.45 c )

일 반 적 으 로 특정 공정에서 k 'n 는 일 정하다. 식 (1 0.44b )와 식 (1 0.45 b )로부터 M O S F E T

설계에 있어서 전 류량은 …，스값에 의해 결 정 됨 을 알 수 있다.
p 채널 M O S F E T 의 동 작 은 정공이 캐 리 어 이 고 전류 방 향 과 전압의 극성이 반대인 것
 1 0.3 기 본 적 인 MOSFET동 작 스1 3

을 제외 하면 n 채널 M O S F E T 과 동일하다.

*10.3.3 전류-전압 관계-수학적인 유도

앞 절 에 서 는 전 류 -전 압 특 성 을 정 성 적 으 로 논 의 했 다 . 이 절 에 서 는 드 레 인 전 류 (/시 , 게
이 트 -소 스 전 압 ( V GS) 드레 인 -소 스 전 압 ( V M ) 사 이의 수학적 인 관 계 를 유 도 하 고 자 한 다 .
그림 1 0.43은 이러 한 수학적 유도에 이용할 소자의 기하학적 구 조 를 나타낸 것이다.
이 해 석 에 서 는 다 음 과 같 은 가정 을 한다.

1. 채널에서의 전 류는 확산에 의해서라기 보 다 는 표동에 의한 것이다.

2. 게 이 트 산 화 막 을 통 과 하 는 전 류 는 없 다 .
3. 경사형 채널 근 사 (gra du al ch a nn el a p pro xim a tio n )를 dEy / dy 》 dEx/ d x° \] 이용 한
다. 이 근 사 가 의미하 는 바 는 가 본 질 적 으 로 일 정 하 다 는 것이다.
4. 임의의 고정 산 화 막 전하는 산 화 막 -반 도 체 계면에서의 등 가 전 하 밀도이다.
5. 채널 내에서의 캐리어의 이 동 도 는 일정하다.

o h m 의 법칙 을 이용하여 해석 을 시작한다. o h m 의 법칙은 다음처 럼 쓸 수 있다.

Jx = a E x (1 0.46)

여기서 ■는 채널의 전 도 도 이 고 ，E x는 드 레 인 -소 스 전압에 의해서 채 널 을 따 라 만들어

지는 전계이 다. 채널 전 도 도 는 好 = 아 V ?公0로 주 어 진 다 . 여기서 凡 은 전자 이 동 도 이 고
« 0는 전자 반전 층에서의 전자농도 이다 .
총 채 널 전 류 는 기와 1 방 향 으 로 단면적 전체에 대해 人를 적분함으로써 구 할 수 있다.

h = Jx d y dz (1 0.47)

채널
s 반전층. ^ 유도된
(전자) _공핍영역i
(electrons)

산화막

■W W W W W W X V v W W W W

■
P 기판

" X

그림 1 0. 4 3 대 VDS 관계를 유도를 위한 M O S F E T 구조

UUt Chapter 1 0 MOSFET의 기초

또한，

Q'n = - J en(y) dy (1 0.48)

여기서 公: 는 단 위 면 적 당 반 전 층 전하이고 이 경 우 에 서 는 음의 값이다.

이렇게 해서 식 (1 0.47)은

h = ~ W ^ n Q EX ( 1 0.4 9 )

여기서 …는 채널폭으로써 z에 대해 적분해서 구 할 수 있다-

전 류 -전 압 관계식 유도에서 이 용 할 두 가지 개 념 들 은 전 하 중 성 조 건 과 Gauss법칙이
다. 그림 1 0.44는 카;s > 다 에 대한 소 자 전체의 전 하 밀 도 를 나 타 낸 것이다. 모 든 전하
들 은 단 위 면 적 당 전하로써 주 어 지 며 ，전하중성 의 개 념 을 이 용 하 면 ，다음처럼 쓸 수 있
다.

Q ' ,n + Q L + Q'n + Gso(max) = 0 (1 0.50)

반 전 층 전 하 와 유기된 공 간 전하는 이런 n채널 소자에 대해 음이 될 것이다.

Gauss 법 칙은 다음처럼 쓸 수 있다.

^ eE„ dS = Q t (1 0.51 )

여기서 적 분 은 폐곡 면 전체에 대 한 것 이 다 . 는 표면 에 의해 둘 러 싸 인 총 전 하 이 고 ，
公„은 표 면 、를 가로질러 밖으 로 향 하 는 전계의 법선성분이다 . Gauss 법칙은 그림 1 0.45
에서 정 의 한 표면에 대해 적 용 할 수 있다. 표면이 폐 곡 면 이 어 야 만 하기 때문에 가:V 평

게이트

그림 1 0 . 4 4 V노 > V V 게 대한 n 채널 증가 그림 1 0. 4 5 G auss 법칙을 적용한 경우의

형 M O S F E T 전하분포 구조
 1 0.3 기 본 적 인 MOSFET 동 작 41 5

면에서 두 표면의 끝 을 고 려 해 야 한다. 그 러 나 Z성 분 전 계 가 없 으 므 로 두 표면의 끝 은

식 (1 0.51 )의 적분에서 고려되지 않는다.
이제 그림 1 0.45에서 1과 2로 표시된 표 면 을 고려하자. 경사형 채널근사로부터 & 가
채널의 길이 를 따라서 일정하 다고 가 정 할 것이다. 이것이 의 미 하 는 바는 표면 2로 들어
가는 가 표면 1 로부터 밖 으 로 나 가 는 ^ 와 같 다 는 것이다. 식 (1 0.51 )의 적 분 은 밖으
로 향 하 는 전계의 성 분 을 포함하기 때문 에 ，표면 1과 2와 관 련 한 성 분 들 은 서로 상쇄된
다. 표면 3은 중성 p 영역 내에 있으므로 이 표면에서 전계는 0이다.
표면 4는 식 (1 0.51 )에 영향을 미 치 는 유 일 한 표 면 이 다 . 산 화 막 내에서 전계의 방향
을 고 려 하 면 ，식 (1 0.51 )은

소 e E „ dS = - eoxE oxiy d x = QT (1 0.52)

여기서 e QX는 산화막의 유 전률이다. 폐곡면 내의 총 전 하 는 다 음 과 같다.

Q t = IQ L + Q '„ + Q ' S
D(m e ix)]W d x (1 0.53)

식 (1 0.52)을 식 (1 0.53)과 결합하면 다음 식을 얻는다.

- e xE ox = <2 + Q '„ + 2 느(m ax ) U .54)

이제 에 대 한 표 현 식 이 필 요 하 다 . 그림 1 0.46a 는 산 화 막 과 채 널 을 표 현 하 고 있다.
소 스 가 접지 전위에 있다고 가정한 다 . 전 압 。 는 채 널 길 이 를 따 라 어떤 x 점에서의 채널
내 전 위 이 다 . I 에서 산 화 막 양단의 전 위 차 는 V cs，^ 및 금 속 -반 도 체 일함수 차 와 관련
된다. 그림 1 0.46b 는 :c점에서 M O S 구 조 를 통 한 에 너 지 밴 드 그 림 을 나 타 낸 것 이 다 . p
형 반도 체 내의 F erm i 준 위 는 타 „ 이 고 ，금속내 의 F erm i 준 위 는 ∼이 므 로 ，다 음 을 얻
는다.
- E Fm = e( V s - Vx) (1 0.55)

아V

^Fm ■

(b)

그림 1 0.46 (a) 채널을 따라 점 쎄서의 전위，(b) x점에서의 MOS 구조의 에너지밴드 그림

41 6 Chapter 10 M O S F E T 의 기 초

전 위 장 벽 을 고 려 하 면 ，다음처럼 쓸 수 있다.

Vcs - K = (此 + Vox) _ ( ， + § —《 + 니 (1 1 -56)

이 것은 또 한 다음처 럼 쓸 수 있다.

v cs - K = V x + 2 (1〉伊 + 步비 (1 1 -57)

여기서 (匕 는 금속 -반 도 체 일함수 차 이고，반전상태에 대해 九 = 이다.

산 화 막 내의 전계는

F = 도 (1 0.58)
그O
•
■ X fl ox

식 (1 0.54)，(1 0.57) 및 (1 0.58)을 결합하면 다음처럼 식 을 구 할 수 있다.

- e„x E ox = 구 프 [( V GS - Vx) - d + 2如 )]
(1 0.59)
= Q'ss + Q'n + e 느 (max)

식 (1 0.59)로부터 반 전 전 하 밀도 公 ;을 식 (1 0.49)에 대입하면 다 음 을 얻는다.

h = - w ^ nCm 준 [( V C5 - Vx) - Vr] (1 0.60)

여기서 Ex = 一 c fv y 必c이고，식 (1 0.31 b )에 정의된 문턱 전 압 이 다 .

이제 채널길이 전체에 대해 식 (1 0.60)을 적분하여 다음 식을 얻는다.

rL r Vx( L)
/ Ix d x = - W/x„ c ox / [( y c5 - Vr) - Vx] dVx (1 0.61 )
Jo Jvm

이동도 此!은 일정 하다고 가정한다. n 채 널 소자에 대하 여 ，드레 인 전 류 는 드레 인 단자 로

들 어 가 고 전체 채널 길이를 따 라 일정하다. ID = 一 /,로 두 면 ，식 (1 0.61 )은

Id = W ^ 2 L X- [2(∼ — V ^>V d s _ V見 ] ( 1 0 _6 2 )

이다. 식 ( 1 0.62 )는 VGS S 다 와 0 드 VDS < V느 ( sat)에 대해서 이용될 수 있다.

식 (1 0.62)는 다 음과 같이 표 현 할 수 있다.

l = \ ，\ ' [ 2(V gs — Vt )Vds — ] = Kn[ 2 ( Vcs - VT) VDS - Vd2 s] (1 0.63)

시 은 공정 전도 파 라 미 터 이 고 ，„ 은 전도 파 라 미 터 이 다 . 이 파 라 미 터 들 은 식 (1 0.44b )와
식 (1 0.44c )에서 정의했다.
그림 1 0.47은 V GS의 몇몇 값들에 대해 V DS와 관 련 하 여 식 (1 0.62)의 그 림 을 나 타 낸
 1 0. 3 기본적인 MOSFET 동 작 스1 7

그림 1 0.47 식 (10.62)에 의한 /0 대 V
노곡선

것이다. dID/ dVDS = 0으로부터 전류의 첨두 값에서 V DS의 값 을 알 수 있다. 따라서 식

(1 0.62)를 이 용 하 면 , 다 음 과 같 은 조건이 될 때 첨두 전 류 값 (p e a k c urre n t )을 구 할 수
있다.

V s= — VV (1 0. 6 4 )

이 값 은 곧 V^ ( sat) 이고，포 화 가 일 어나는 점이다. VDS > Vo ^ a t )에 대해 이상적인

드레 인 전 류는 일정 하고 다 음 과 같다.

/ D (s a t) = W>^ i X [I2(∼ - V r) V DS(s a t) - V t ( s a t ) ] (1 -65 )

V r a (s a t)에 대해 식 (1 0. 6 4 ) 를 사 용 하 면 ，식 (1 0. 6 5 ) 는

I D (s a t) = 프 ^ ( V OT - VTf (1 0. 6 6 )

이 된다. 식 (1 0.66) 또 한 다음 과 같이 표 현 할 수 있다.

Id = ^ - ~ - ( V gs - V rf = K n ( VGS - V rf ( 1 -67 )

식 ( 1 0. 6 2 ) 는 0 드 VDS < V DS( s a t ) 에 대해 비 포화영역에서의 n 채널 M O S F E T 에 대한 이

상 적 인 전 류 -전 압 관 계 식 이 고 ，식 (1 0. 6 6 )은 VDS > V flS ( Sa t ) 에 대해 포 화 영 역 에 서 의 n

채널 M O S F E T에 대 한 이상적 인 전 류 -전 압 관 계 식 이 다 . 이 들 / -V 표 현 식 은 분명 n 채널

증가 형 소 자에 대해 유 도 되 었 지 만 ，이 와 같 은 식 들 은 문 턱 전 압 다 가 음의 n 채널 공핍
형 M O S F E T에 적용된다.

I 목적 I 주어진 인가 바이어스에 대해 특정 전류가 유도되도록 M O S F E T의 폭을 설계한다. ■ ■ B 8W

L = 1 .25 jum , I n = 650 c m W -s, C ox = 6.9 x l -8 F /cm 2 및 = 0.65 V 인 파라미터

를 가진 이상적인 n 채널 M O S F E T 을 고려하자. VGS = 5 V 에 대해 / D( sat) = 4 m A 가 되도
록 ，를 설계한다.
18 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

■s n
식 (1 0.66)로부터
Cx
/ D(s at) = ( VGS ~ V t) 2
2L
또는
W(65Q)(6.9 X IQ"8)
4 X IQ—
3= •(5 - 0.65)2= 3.39 W
2(1.25 X l -4)
따라서
W = 11.8 fim

區U
M O S F E T 의 전류구동 능력은 채널폭 에 정비례한다. 전류취급 능력은 化를 증가시 킴으로
써 증가시 킬 수 있다.

연습문제
E x 1 0.7 n 채널 M O S F E T 의 파 라 미 터 는 ,, = 650 cm 2/V -s, tox = 8 nm = 80A, W/L
= 12, 그리고 다 = 0.40 V 이다. 트랜지스터가 포화영역에서 동작될 때, ( a) VGS = 0.8 V ,
(b) = 1.2 V , 그리고 (c ) V GS = 1.6 V 에서 드레 인 전류를 구하여라.
[yui zzvz (^) a 'i (<?) 69z o (») 's w ]

이 동 도 와 문 턱 전 압 파라미 터 들 을 실험 적으 로 결정하기 위해 /不 관 계 를 이 용 할 수
있다. 식 (1 0.62)로부터 매우 작 은 V느 의 값들에 대해 다음처럼 쓸 수 있다.

Id = ( V는 - VT) VDS (1 0.68)

그림 1 0.48a 는 일정한 ∼ 게 대해 V노 에 관 련 한 식 (1 0.68)의 그 림 을 나타낸 것이다. 직

그림 10.48 (a) 증가형 MOSFET에 대한 (“ 가 작을 때) /D 대 V느 ，(b) 증가형(곡선 A)과

공핍형(곡선 B) n채널 MOSFET에 대한 포화영역에서의 이상적인 백 대 Ves
 1 0. 3 기본적인 MOSFET 동 작 41 9

선은 점들과 잘 일치한다. 낮은 값 에 서 직 선 과 의 편 차 는 문턱 전 압 아 래 ( sub ­

thre shold ) 전도성 때 문 이 며 ，높 은 값에서의 편 차 는 게 이 트 전 압 과 관 련 되 는 이동도
때문이 다 . 이들 두 효 과 들 을 다 음 장에서 고 려 할 것이다. 전 류 가 이 되도록 직선을 연
장하면 문 턱 전 압 을 얻고, 그 기 울 기 는 반전 캐리어 이동도에 비례한다.
식 (1 0.66)에 제 곱 근 을 취하면 다 음 을 얻는다.

V W iS) = \[ 편■ 와y GS - V T) U .69)

그림 1 0.48(b )는 식 (1 0.69)에 대 한 그 림 을 나 타 낸 것이다. 이 상 적 인 경우에 같 은 정보

를 두 곡선 으로부터 얻을 수 있지만. 다 음 장에서 알게 되듯이 문턱 전 압 은 단채널 소 자
에서 와 관 련 된 다 . 식 (1 0.69)가 포 화 영 역 에 바 이 어 스 된 소 자에 적용되기 때문에
이 식에서 파 라 미 터 바 는 그림 1 0.48(a )에서 구 한 직 선 연 장 으 로 얻어진 값 과 다 를 수
있다. 일반적으로 비포 화 전 류 -전 압 특 성 들 은 보 다 신 뢰 할 수 있는 값 을 제공한다.

@ 3 실험결과로부터 반전 캐리어 이동도를 결정한다. ■ ! ! 田!B 量■

… = 1 5 /xm ，L = 2 사m 및 C ox = 6.9 x 1 0-8 F /cm 2을 가진 n 채널 M O S F E T 을 고려하자.
V DS = 0.1 0 V 에 대한 비포화영역에서 드레인 전류는 F g s = 1.5 V 에서 / D = 35 f i A , V GS

= 2.5 V 에서 1D = 75 라고 가정한다.

행 n
식 (1 0.68)로부터 다음처 럼 쓸 수 있다.
W lln C x
I di 一 I di L
( Vgs2 ~ Vgsi) Vds

그래서

75 父 1 -6 - 35 X 1 -6 x l -*)(2.5 - 1 .5X0.1 0)

이다. 따라서

= 7 7 3 c m W -s

이며，이렇게 해서 다음을 결정할 수 있다.

Vr = 0.625 V

區포 ]
반전층 내에서의 캐리어의 이동도는 표면산 란 효과 때문에 벌크 반도체 내의 이동도보다
작다. 다음 장에서 이 효과를 논의할 것이다.

연습^^
E x 1 0.8 n 채널 M O S F E T 이 다음과 같은 파라미 터를 가진다. W = 6 fxm, L = 1.5 /xm,
그리고 = 8 nm = 80 A . 트랜지스터가 포화영역에서 동작될 때，드레인 전류는 =
420 Chapter 1 0 M O S ^ T 의 기초

1 .0 V 에서 / D( sat) = 0.1 32 m A , VGS = 1 .25 V 에서 / D( sat) = 0.295 m A 이다. 전자 이동도

와 문턱 전압을 계산하라. (A S的•
0 = XA ' s-A/jUio 9 s url -suy )

p 채널 소자의 전 류 •
전 압 관 계 는 같 은 방식의 해 석 으 로 얻을 수 있다. 그림 1 0.49은 p
채널 증가형 M O S F E T 을 나타낸 것이다. 전압의 극 성 과 전 류 방 향 은 n 채널 소 자 와 는 반
대이다. 이 소자에 대한 변경된 첨자표기에 주의하자.
그림에서의 전류 방향에 대한, 비 포 화 영 역으로 바 이 러 스 된 모채널 M O S F E T 의 전
류■전압 관 계 는 다 음 과 같다.

Id = 프 ^ 1 [ 2 ( VSC + V t) Vsd ~ ] (1 _7 )

식 (1 0.70)은 0 드 VSD < V뇨 ( sat) 에 대해 타당하다.

또한, 식 (1 0.70)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

/D = y •f •[ 2 ( Vsg + Vr) VSD - = Kp [2( V S0 + VT) VSD - V2SD] (1 0.기 )

k'p = /;는 P 채널 M O S F E T 의 공정 전도 파라미터이고，K p = ( ^ pC OT)/(2/L ) = { k'

p/2) •( W7 L )는 전도 파라미더이다.
트 랜 지 스 터 가 포 화 영 역 으 로 바 이 어 스 되어 있을 때，전 류 -전 압 관 계 는 다 음 과 같다.

/0_ = f (心 + 방 ( 1 0-72)

식 (1 0.72)는 V노 > V노 ( sat)에 대해 타당하다.

또 한 ，식 (1 0.72)는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

+ VSD _

그림 1 0.4 9 p 채 널 증 가 형 M O S F E T에 대 한 단 면 도 와 바 이 어 스 구성
 1 0. 3 기본적인 MOSFET 동 작 스21

i = Y ' T ' ( V s g + V t)2 = KpiVsG + V t)2 (1 .73)

소 스 -드 레 인 포 화 전압 은 다 음 과 같다.

VSD(s at) = Vsa + VT ( 1 0-7 4 )

이다. VT 앞의 부 호 가 변한 것 과 이 동 도 가 정공 반 전 층 전하에서 의 정공의 이 동 도 라 는

점에 주목하 자 . 기 억 할 점은 다 가 p 채널 증가형 M O S F E T 에 대해 음 이 고 p 채널 공핍형
소자에 대 해서는 양 이 라 는 것이다.
전 류 -전 압 관계의 유도에 서 적 용된 가 정 은 식 (1 0.50)에 의해 주 어 진 전 하 중 성 조 건
이 채널길이 전체에 대해 적용될 수 있 으 며 ，있 D( m a x ) 가 채 널 길 이 를 따 라 일 정 하 다 는
것 이 다 . 그 러 나 공 간 전 하 폭 은 드 레 인 -소 스 전 압 때문에 소 스 와 드레 인 사이에서 변하
고 ，Vos > 일 때 드레인에서 최 대 가 된다. 채널길이 에 따 른 공 간 전 하 밀도의 변화 는
반 전 층 전하의 변 화 와 일치하여 균 형 을 이 루 어 야 한 다 . 공 간 전 하 폭 에 서 의 증 가 는 곧
반 전 층 전 하 가 감 소 하 고 드레 인 전 류 와 드레 인 -소 스 포 화 전 압 이 이상적 인 값 들 보 다 작
다 는 것을 의미 한다. 실제 포 화 드레 인 전류 는 이 벌 크 전 하 효 과 때문에 예 측 되 는 값보
다 20%정 도 작아 질 수 있다.

10.3.4 전달 컨덕턴스

M O S F E T 전 달 컨 덕 턴 스 는 게 이 트 전압의 변화에 대 한 드 레 인 전 류 에 서 의 변화로써

정의한다. 즉

^ = w t (1 0.75)

이다. 전 달 컨 덕 턴 스 는 때때로 트랜지스터 이득이 라 고 도 한다.

만 약 비 포 화 영역에서 n 채널 M O S F E T 가 동 작 한 다 면 , 식 (1 0.62)를 사 용 하 여 다 음
을 얻는다.

以 = 출 = 편 슨 -V느 (1 0.76)

전달 컨덕 턴 스 는 V w 와 함께 선 형 적 으 로 증 가 하 지 만 비포화영 역에서 에 무관하다.

포화영 역에서 n채널 M O S F E T 의 I-V 특 성 들 은 식 (1 0.66)에 의해 주 어 졌 다 . 이 영 역
의 동작에서 전달 컨덕 턴스 는 다 음 식으 로 주어 진다.

- V T) (1 0.77)

포화 영역에 서 전달 컨덕 턴 스 는 카 와 선형적 인 관 계 가 있고, V DS에 무관하다.

전 달 컨 덕 턴 스 는 소자의 기하학적 함수일 뿐 아니라, 캐리어 이 동 도 와 문턱 전압의
함 수 이 다 . 전 달 컨 덕 턴 스 는 소자의 폭이 증 가 함 에 따 라 증 가 하 며 ，채널 길 이 와 산 화 막
422 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

e<Ps = 이 2 산하 + Vss)

•
^

公
V

그림 1 0 . 5 0 ( a ) n 채널 M O S F E T 에 대해 인가된 전압 . (b) Vss = 0 일 때 반전점에서의 에너지밴드 그림，

(c) VSB > 0 이 인가될 때 반전점에서의 에너지밴드 그림

두 께 가 감 소 함 에 따 라 증 가 한 다 . M O S F E T 회로의 설 계에서 트 랜 지 스 터 의 크 기 ，특히

채널 폭 W 는 중 요 한 공학적 설계 파 라 미 터 이 다 .

10. 3.5 기판 바 이 어 스 효과

이제까지 모 든 해석들에서 기판 은 소 스 와 접지전위 에 연 결 하 였 는 데 M O S F E T 회로에

서 소 스 와 기 판 은 소 스 와 다 른 전위에 있을 수 있다. 그림 1 0.50a 는 n 채널 M O S F E T 와
이와 관련된 이중첨자로 된 전 압 변 수 들 을 나타낸 것이다. 소스대 기판 p n 접합 은 항 상 0
이거나 역방향 바 이 어 스 되 어 야 하 므 로 가 항 상 0과 같 거 나 더 커야한다.
만 약 = 이면 문 턱 상 태 는 이전에 논 의 되 었 고 ，그림 l .50b 에서 표 현 했 던 것처
럼 九 = 20/p일 때의 상태로써 정의한다. VS B 〉 0일 때 표 면 은 九 = 2‘ 일 때처럼 반
전을 하려 할 것이다. 그 러 나 이들 전 자 들 은 소스의 전 자 들 보 다 더 높 은 전위 에너지에
있다. 새롭게 생 성 된 전 자 들 은 측 면 으 로 이동하여 소 스 단 자 를 통해서 밖 으 로 흐 른다.
九 = 2 ~ + V ss일 때，표 면 은 평형 반 전 상 태 에 이른다. 이 상태에 대 한 에 너 지 밴 드 그
림은 그림 1 0.50c 에 표현되어 있다. E F „ 으 로 표시된 곡 선 은 p 기판으로부터 역방향 바이
어스된 소 스 기 판 접 합 을 거쳐 소스 접촉부까지에 이르 는 R r m i 준위이다.
산 화 막 아래의 공 간 전 하 영역 폭 은 역방 향 바 이 어 스 된 소 스 -기 판 접합전압 이 인가
될 때 본래의 ^ 값보 다 증 가 된 다 . VSB > 0이 인가되면 이 영 역과 관련되어 더 많은 전
하 가 존재한다.
M O S 구 조 전체에 대해 전 하 중 성 조 건 을 고 려 하 면 상 단 금 속 게이 트 위의 양 전 하 는

문턱 반 전 점 에 이르기 위해 증 가 된 음의 공 간 전 하 를 보상하기 위해 증 가 되 어 야 한다.

그래서 VSB > 0일 때, n 채널 M O S F E T 의 문 턱 전 압 은 증가한다.
VSB = 0일 때 얻은 식은

Q' s d (max) = - e N j c jr = - /2 ees 八’‘시 ) (10.78)

이고 > 0일 때，공 간 전 하 영역폭이 증 가 하 고 이때 얻는 식은

 1 0. 3 기본적 인 MOSFET 동 작 스2 3

Q sd = = - \ ^ 2 e e sN a(2(l)jp + VSB) (1 0.79)

이다. 따라서 공 간 전 하 밀도에서 의 변화는 다음 과 같다.

AQ' sd = - V ^ J fa W 2^ + Vse - \ /2 ^ ] (1 0.80)

문턱 상 태 에 이르기 위해 필요 한 게이트 전압 은 증 가 되 어 야 만 한다. 문 턱 전 압 에 서 의 변

화는 다음처럼 쓸 수 있다.

A 가 = = V p K [ V 2 ( p/ P + V s - V ^ ] ( 1 0.81 )
l X l X

여기서 A 다 = V j ( V SB > 0 ) - Vr ( V SB = 0)이다. 주 의 할 점은 n 채널 소자의 경우 A 다 가

항 상 양이 되 도록 하기 위해 V Sfi는 항 상 양 이 어 야 한 다 는 것이다. n 채널 M O S F E T 의 문
턱 전 압 은 소 스 -기 판 접합전압의 함수로써 증 가 할 것이다.
식 (1 0.81 )로부터 다 음 과 같이 정의한다.

V 2 e e sN „ (10.82)
7 瓦 —

7은 기 판 효 과 계수 라고 하 고 ，식 (1 0.81 )은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

AVV = y [ \/2 ^ + VSB - 、「 巧 하 ]

(10.83)

I 목적 I 인가된 소스-기 판 전압에 따른 문턱 진압의 변화와 기판 효과 계수를 계산할 수 있다.

T = 300 K 에서 n 채널 실리콘 M O S F E T 를 고려하자. 기판이 = 3 x 1 16 c m -3으로 도
핑되어 있고，산 화 막 은 。 = 20 nm = 200 A 의 두께를 가지는 지 02이다. VSB = 1 V 로 두자.

다음을 계산할 수 있다.

4>j p = V, In ( 쑨 ) = (0.0259) In ( 스 수 : 。) = 0-3758 V

또한 다음을 알 수 있다.
__ em _ (3.9X8.85 X 1 0 ^ _ ,
7*F/cm2
1 0—
ox _ t ox _ 200 X 1 0-8

식 (1 0.82)로부터 기판 효과 계수를 구할 수 있다.

_ V 2^N ~a [2(1 .6 X 1 -19)(1 1 .7X8.85 14)(3 父 1 016)]1/2

y = ------------=
C X
---------------------------------
1 .726 X 1 0_ 7

또는
7 = 0.5776 V 1/2

VSB = 1 V 일 때의 문턱전압 변화는

U1 U Chapter 1 0 M O 況 ' E T 의 기초

V노 ( V )

그림 1 0.51 n채 널 MOSFET에 대 한 V노 의 몇 몇
값들에서의 대 그림

AV t-= 7 [、/2必命 + VSB - V 2산企]

= (0.5776)[\/2(0.3758) + 1 - a/2(0.37 5 8)]

= (0.5776)[ 1 .3235 - 0.8669] = 0.264 V

S 3
그림 10.51 은 인가된 V SB의 다양한 값에 대한 V / D(sat) 대 카 의 그림을 나타낸 것이다. 초
기의 문턱전압 는 0.64V 이다.

연습 문제
E x 10.9 실리콘 M O S 소자가 다음과 같은 파라미터를 가진다. N a = 1 016 c m -3 , tox =

12 nm = 1 20A . ⑷ 기판효과계 수를 계산하라. (b ) (i ) VSB = 1 V , (i i ) VSB = 2 V 일 때 문

턱 전압의 변화를 계산하라. [ A Z9V0 = M V 切) ‘ A 스 60'0 = MV (?) (功 -z/i A 00Z 0 = 人( ) suy]

만 약 기 판 바이 어 스 가 요채 널 소 자 에 인 가 된 다 면 문턱 전 압 은 보 다 큰 음의 값 으 로
이 동할 것이다. 왜냐하면 P 채널증가형 M O S F E T 의 문턱 전압 은 음의 값이기 때문에 기
판 전 압 은 반 전 층 을 이 루 기 위해 인 가 된 음 의 게 이 트 전 압 을 증 가 시 킨 다 . n 채널
M O S F E T 어卜국도 같은 설명이 성립한다.

이해도 평가
TYU 10.6 Ex 1 0.7과 같은 n 채널 M O SF E T 이 포화영 역에서 VGS = 1 .0 V 일 때，ID = 1 00 다A 가
되도록 WV스비율을 결정하라. (86'1 = l/M -suy )
TYU 10.7 p 채널 M O S F E T 의 파라미 터 가 = 31 0 c m W -s , tm = 220 A , W/L = 60, 그
리고 V = -0. 4 0 V 이다. 트랜지스터가 포화영역에서 동작할 때，VSG = 1, 1 .5,
그리고 2 V 에서 드레인 전류를 구하라. (vm Pub Z 1 '9 ZS 0 = °I ' SUV )
TYU 10.8 TYU 1 0.7 의 p 채널 M O S F E T 이 포화 영역에서 동작하고 = 1 .25V 에서 드
레 인전류 / = 200 사A 가 흐르도록 W7L 비율을 결정하라. 0 _ II = 7 /M 'suy )
T Y U 1 0.9 기판의 도핑농도가 7Va = 1 015 c n T 3일 때，연습 문제 E x 1 0.9를 반복하라.
[八 9 S0_ 0 = (?.0 ‘ A t-ie O 'O = XA V (?) (功 -Z/, A 90 0 = 足 抑 _ suV ]

10. 4 주 파 수 제 한

많 은 응용에서 M O S F E T 은 선형증 폭회로에 이용된다. M O S F E T 에 대한 소 신 호 등가회

로 는 전 자 회 로 를 수 학 적 으 로 해석하기 위해 필요하다. 등 가 회 로 는 주 파 수 효 과 를 나타
내는 커 패 시 턴 스 와 저 항 들 은 포 함 한 다 . 소 신 호 등 가 회 로 를 먼저 다 룬 후 M O S F E T 의
주 파 수 응 답 을 제 한 하 는 물 리 적 인 요 소 들 을 논 의 할 것이다. 그 리 고 중 요 관 심 사 인 트
랜지스터 차 단 주 파 수 를 정의하 고 이에 대한 표 현 식 을 유 도 할 것이다.

10乂. 1 소신 호 등 가 회 로

M O S F E T 의 소 신 호 등 가 회 로 는 기본적 인 M O S F E T 구조로부 터 구성된 다 . 소자의 기본

적인 특 성 방 정 식 을 나 타 내 는 회 로 성 분 과 함께 트랜지스 터 구 조 내에 본 질 적 으 로 존재
하 는 커 패 시 턴 스 와 저 항 을 나 타 내 는 모델이 그림 1 0.52에 표현되어 있다. 등 가 회 로 에
서 소 스 와 기판 은 접지되어 있다고 가정한다.
게 이 트 에 연결 된 두 개의 커 패 시 턴 스 들 은 소 자 내에 본 질 적 으 로 존 재 하 는 성분이
다. 이들 커 패 시 턴 스 들 은 (。，
와 신래로서 각 각 게 이 트 와 소스 및 드레 인 단 자 근처의 채
널 전 하 사이의 상 호 작 용 을 나타낸 다 . 나머지 두 게이 트 커 패 시 턴 스 와 C gdp는 기생
또 는 오버랩 커 패 시 턴 스 들 이 다 . 실제 소자에 서 게이 트 산 화 막 은 허 용 오 차 나 제 작 요 소
들 때문에 소 스 및 드 레 인 접 촉 단 과 겹칠 것 이 다 . 앞 으 로 알게 되 겠 지 만 ，드 레 인 오버
랩 커패 시턴스 C gdp는 소자의 주 파 수 응 답 을 더 낮게 한다. 파라미터 C ds는 드 레 인 -기 판
접합 커 패 시 턴 스 이 고 ，r , 와 r d는 소 스 와 드레 인 단 자 들 과 관련 된 직 렬 저 항 이 다 . 소 신 호
채 널 전 류 는 전달 컨 덕 턴 스 를 통해 내부 게 이 트 -소 스 전 압 으 로 조절된다.

그림 1 0. 5 2 n 채널 M O S F E T 구조에서 고유저항과 커패시턴스

426 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

그림 1 0.53 공통 소스 n채널 MOSFET의 소신호 등가회로

그림 1 0.54 공통 소스 n채널 MOS抑 T의 간략화된 저주파 소신호 등가회로

그림 1 0.53은 n 채널 공 통 -소 스 M O S F E T 에 대한 소 신 호 등 가 회 로 를 나타 낸 것이다.
전압 는 내부 게 이 트 -소 스 전 압 으 로 채널 전 류 를 제 어 한 다 . 파라미터 C gsr와 는
총 게이트 소스 및 총 게 이 트 -드 레 인 커 패 시 턴 스 들 이 다 . 그림 1 0.53에 나타낸 파라미터
r ds는 그림 1 0.52에 서 는 표 현되어 있지 않다. 이 저 항 은 / D 대 기울기와 관련된다.
포 화 영 역 에 바 이 어 스 된 이 상 적 인 M O S F E T 에서 I D 는 r ds가 무한대 값이 되 도 록 하기
위해 에 무 관 하 다 . 단 채널 길이 소자에서 특 히 。 는 채 널 길 이 변 조 때문에 유 한 하
게 된다. 채 널 길 이 변 조 는 다 음 장에서 고 려 할 것이다.
그림 1 0.54는 저주파에서 적 용 되 는 간 략 화 된 소 신 호 등 가 회 로 이 다 . 직 렬 저 항 r s 와
r d는 무시하였기 때문에，드레인 전류는 본질적으 로 전달 컨덕턴스를 통 한 게이트-소스 전
압에만 관계된다. 입력 게이트 임피던스는 이 간략화 된 모델에서 무한대 값을 가진다.
소 스 저 항 자는 트 랜 지 스 터 특 성 에 중 대 한 영 향 을 줄 수 있다. 그림 1 0.55는 자를 포
함 하 는 반면 r ds는 무시 한 간 략 화 된 저 주 파 증 가 회 로 를 나타낸 것이 다. 드레 인 전류 는

그림 1 0.55 소스저항 己를 포함하는 공통-소스 n채

널 MOSFET의 간략화된 저주파 소신호 등가회로
 (1 0.84)

(1 0.85)

식 (1 0.84)으로부터 드레 인 전류 는 다음처 럼 쓸 수 있다.

소 스 저 항 은 유 효 전 달 컨덕턴 스 또 는 트랜지스터 이득을 감소시킨다.

p 채널 M O S F E T 의 등 가 회 로 는 모 든 전 압 극 성 들 과 전류방향 들 의 반대 인 것을 제외
하 고 는 정확히 n 채널의 등 가 회 로 와 같다. n 채널 모델 내에서 그 와 같 은 커 패 시 턴 스 들
과 저항들이 P 채널 모 델 에 도 적용된다.

10人 2 주 파 수 제 한 요 소 와 차 단 주파수

M O S F E T 에는 기본적 인 두 가지 주 파 수 제 한 요소들이 있다. 첫 번째 요 소 는 채널 천이

시 간 이 다 . 만 약 캐 리 어 가 포 화 표 동 속 도 v sat로 이 동 한 다 면 ，천 이 시 간 은 Tt = L / usat ]
다. 여기서 쇼은 채 널 길 이 이 다 . 만 약 i ，
sat = 1 07 cm / s 이고 L = 1 사m 이면 Tt = I 0 p s이
므로 G H z 의 최대 주 파 수 로 해 석 된 다 . 이 주 파 수 는 M O S F E T 의 전 형 적 인 최대 주
파 수 응 답 보 다 훨씬 더 크다. 그래서 채 널 을 통 한 캐리 어 들 의 천 이 시 간 은 보 편 적 으 로
M O S F E T 의 주 파 수 응 답 을 제 한 하 는 요 소 가 아니다.

두 번째 제 한 요 소 는 게 이 트 또 는 커패시 터 충 전 시 간 이 다 . 그림 1 0.56은 r s，r d , r ds

및 C ds를 무 시 한 소신 호 등 가 회 로 를 나타낸 것이다. 여기서 차 은 부 하 저 항 이 다 .
이 등가 회로에서 입력 게이트 임피 던 스 는 더 이상 무한하지 않다. 입력 게이트 노드
에서 전류들을 합하 면 다음 식을 얻는다.

/,■= j u > C g sTV gs + j u > C gdT { V g S — V d) (1 0.87)

여기서 /,■는 입력 전 류 이 다 . 마 찬 가 지 로 출력 드 레인 노드에서 전 류 들 을 합하면 다 음 식

을 얻는다.

그림 1 0.56 공틀'소스 n채널 MOSFET의 고주파 소신호 등가회로

스2 8 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

그림 1 0.57 Miller 커패시턴스를 포함하는 소신호 등가회로

욺 + gmVgs + i ( CgiT( Vd - Vgs) = 0 (1 0.88)

전 압 변 수 。 를 제거하기 위해 식 (1 0.87)과 식 (1 0.88)을 결 합 하 면 ，다음처럼 입 력 전 류

를 구 할 수 있다.

/, = jc o C gsT + (1 '89)

보통 ( RLCgdr는 1보 다 훨씬 작 아 서 ，분모에 있는 (jc RLC gdT) 항 을 무 시 할 수 있다. 따라

서 식 (1 0.89)는 다음 과 같이 간단해 진다.

/, = M C gsT + Cg肝(1 + gmRL) ] Vgs (1 0.90)

그림 1 0.57은 식 (1 0.90)에 의해 표현 된 등가입 력 임 피 던 스 를 갖 는 등 가 회 로 를 나타 낸

것이다. 파라미터 C M은 M ill e r 커패시턴스로 다음처럼 주어진다.

CM = C g ir { \ + gmR L) ( 1 0.91 )

이제 드레 인 오버랩 커 패 시 턴 스 (ov erla p c a p a cita nc e )의 영향이 심 각 함 을 확인 해 보자.

트 랜 지 스 터 가 포화영 역에서 동 작 할 때, C gd는 본 질 적 으 로 영이 되 지 만 C gdp는 일 정 하
다. 이 기생 커 패 시 턴 스 는 트 랜 지 스 터 의 이득에 의해 곱 해져서 입력 임피던스에 중 요
한 요 소 가 될 수 있다.
차 단 주 파 수 /7•
는 소자의 전류이득의 크 기 가 1 인 점에서의 주 파 수 로 정 의 하 거 나 ，입
력 전 류 /,.의 크기 가 이 상적 인 부 하 전 류 시와 같 아 질 때 의 주 파 수 로 정 의 한 다 . 그림
1 0.57로부터 알 수 있는 것은

: j M( CgsT + Cu) Vgs (1 0.92)

이고 이상적인 부 하 전 류 는

!d —gm (1 0.93)

이렇게 해서 전류이득의 크 기 는

h Sm (1 0.94)
h 2 7jf( C gsT + C m)
 10.4 주 파 수 제 한 스2 9

차 단 주 파 수 에 전류이득의 크 기 가 1과 같 도 록 둔 다 면 ，

r _ _ _ _ _ _ 8 m_ _ _ _ _ _ 8m
T 277 ( + Cm) 2 t tCg
(1 0.95)

여기서 는 등 가 입력 게 이 트 커 패 시 턴 스 이 다 .
이 상 적 인 M OSFET에 서 오 버 랩 또 는 기 생 커 패 시 턴 스 Cpp나 들 은 0이 다 . 또 한
트 랜 지 스 터 가 포 화 영 역 에 서 바 이 어 스 될 때 ，C때 는 0에 접 근 하 고 는 근사적으로
( OTWL이 다 . 포 화 영 역 에 바 이 어 스 된 이 상 적 인 M OSFET의 전 달 컨 덕 턴 스 는 일 정 한 이
동 도 를 가 진 다 고 가 정 하 면 식 (1 0.7 7 )에 주 어 진 것 과 같 이

이다. 이 렇 게 해서 이상적 인 경 우 에 대 한 차 단 주 파 수 는 다 음 과 같 다 .

WfJLn C ox
§m _ L _ _ _ _ _ _ _ __ _ V t) _ ^ n( V GS ~ VT) (1 0.96)
fr :
2 t tCg 2 t t ( C oxW L) 2 t tL 2

3 3 ] 일 정 한 이 동 도 를 갖 는 이 상 적 인 MOSFET의 차 단 주 파 수 를 계 산 한 다 . n채 널 소 자 BIEBBBil
에서 전 자 이 동 도 는 I „ = 400 cm2시/-s 이 고 ，채 널 길 이 는 L = 4 /배 라 고 가 정 한 다 . 또 한 다
= 1 V이고 = 3 V라 고 가 정 한 다 .

됐 n
식 (1 0.96)으 로 부 터 차 단 주 파 수 는

r _ ^ ( V GS - VT) _ 400(3-1 )
= 796 M H z
tT l ^ L1 2i7 (4 文 1 0~4)2
이다 .

(S ]
실제 M O S F E T 에 서 는 기생 커 패 시 턴 스 의 효 과 로 이 예 제 에 서 계 산 된 값 보 다 적 은 차 단 주
파 수 를 가질 것이다.

연습
Ex 10.10 n 채널 M O S F E T 이 다음과 같은 파라미터를 가진다. ! n = 4 2 0 c m 2/V -s , tox =

18 nm = 1 80 A , L = 1.2 /x.m, W = 2 4 /x m , 그 리 고 V누 = 0. 4 V 이 다.
트랜지스터는 = 1 .5 V 에서 포 화 영 역 으 로 바 이 어 스 되 어 있 다 . 차 단 주 파 수 를 결정

아라 . (z h o ir e = i/ s w )

이해도 평가

TYU 10.10 연 습 문 제 E x 1 0.1 0의 n 채 널 M O S F E T 을 고려하자. 트랜지스터 에 부하저 항 穴L =

430 Chapter 10 MOSFET의 기초

10 m 이 연결되어 있다. Miller 커 패 시 턴 스 (^과 게이트-드레 인 커패시턴스

의비를구하여라. ( 8 / J ' suV )

*1 0.5 CMO S 기술

본 교재의 주된 목 적 은 반도체 물성 및 소자에 대한 기초적인 물리적 특 성 을 제 시 하 였

고 ，여 러 제 조 공 정 은 자세히 고 려 하 지 는 않 았다. 제조공정 에 관 한 중 요 한 내 용 는 다른
책 을 참조하기 바란다. 그 러 나 폭넓게 사 용 되 는 몇몇 기 초적인 M O S 기 술 들 은 소자의
회로의 본 질 적 인 특 성 을 이해하기 위해 고 려 해 야 한 다 . 간단히 고 려 할 두 가지 M O S
기술 은 상보형 M O S ，즉 C M O S 공정이다.
이제까지 n 채 널 과 p 채널 증가형 M O S F E T 의 물리적 특 성 을 고 려 하 였 다 . 두 소 자 들
은 C M O S 디지털 논 리 회 로 의 기본이 되 는 C M O S 인버터에 이 용 된 다 . 디지털 회로에
서 d c 전 력 소 비 는 상보형 p 채 널 과 n 채널 쌍 을 이용함으로써 매우 낮 은 수 준 으 로 감소시
킬 수 있다.
집 적 회 로 내에 n 과 p 채널의 트 랜 지 스 터 를 넣기 회로 p 와 n 기판 영 역 은 전 기 적 으 로
절 연 시 켜 야 한다. P우 물 공 정 은 C M O S 회 로 를 위해 일 반 적 으 로 이용된 기 술 이 었 다 . 공
정은 먼저 P 채널 M O S F E T 이 제조될 n 형의 실리 콘 기판 을 적당히 낮게 도 핑 한 다 . 확 산
된 P 영역 -P 우물이 형 성 되 고 내부에 n 채널 M O S F E T 이 제 조 된 다 . 대부분의 경우에 p 형
기판 도 핑 준 위 는 n 형 기판 도 핑 을 쉽게 보상하여 p 우 물 을 형 성 한 다 . 그림 1 0.58a 에 간

다결정 실리콘 다결정 실리콘

p well I n well

n 기판 P 기판

(a) (b)
다결정 실리콘
— 게이트
FOX FOX FOX

p w e ll n well

P 또는 n 기판

(c)

그림 1 0 . 5 8 C M O S 구조 (a) p 우물，(b) n 우물，(c) 쌍우물(Y a n g[21 ] 참조)

단한 P우물 CMOS 구조의 절 단 면 을 보였다. F OX 는 필드 산 화 막 ( f i e l d o x id e )의 표시로
소 자 를 분 리 하 는 상 대 적 으 로 두 꺼 운 산 화 막 이 다 . 필드 산 화 막 은 n 또 는 p 기 판 각 각 을
반 전 하 도 록 하여 두 소 자 사이 의 절 연을 유 지 하 도 록 실제로 추가공정 단 계 가 포함되 어
야 만 한다 . 예를 들어 연 결 선 을 만들어 p 우 물 과 n 우물이 전 기 적 으 로 적 당 한 전압에 연
결 되 도 록 한다. n 기판 은 항 상 p 우 물 보 다 더 높 은 전위에 있 어 야 만 한다. 그러면 p n 접합

이 항 상 역 방향 바이 어스되 어 있다.
문 턱 전 압 조 정 을 위해 현재 폭넓게 이용되 고 있는 이온주입이 n우 물 CMOS 공정과
쌍우물 C M O S ( t w i n -w e l l C M O S ) 공정 둘 다에 이용될 수 있다. 그림 1 0. 5 8 b 에 보인 n

우물 CMOS 공 정 은 먼저 최 적 화 된 p 형 기판으로 n 채널 M O S F E T 를 형 성 한 다 (일 반 적
으로 n 채널 M O S F E T이 우 수 한 성 능 을 가 지 고 있어서 n우물 C M O S 공정은 우수한 n

채널 소 자 를 만든 다 ). n 우물이 첨가되어 p 채널이 제조된다. n 우 물 도 핑 은 이온 주 입 으 로

조절될 수 있다.
그림 1 0. 5 8 c 에 보이는 쌍우물 CMOS 공정은 p 우물과 n우물 둘 다 를 적절히 도 핑 하
여 각 트 랜 지 스 터 의 문 턱 전 압 과 전 달 컨덕 턴 스 를 조 절 한 다 . 쌍 우 물 공 정 은 자기 정 렬
( s e l f -a li g n e d ) 된 채널 멈춤 ( c h a n n e l s t o p ) 때문에 더 높 은 집 적 도 를 갖는다.
CMOS 회로에서 중 요 한 문 제 는 래치 업 ( L a t c h u p ) 이었다. 고 전 류 ，저 전압 상 태 라 일
컫는 래치업은 4 층의 … … 구조에서 발 생 할 수 있다. 그림 1 0. 5 9 a 는 C M O S 인버터 회로
를 나 타 내 고 그림 1 0. 5 9 ( b ) 는 인버터 회로의 간 단 한 집 적 회 로 레 이 아 웃 ( l a y o u t ) 을 보였
다. CMOS 레이아웃에서 p + 소 스 -n 기판 -p 우 물 -n + 소 스 가 4 층 구 조 를 형성한다.
그림 1 0. 6 0 은 4 층 구조의 등 가 회 로 이 다 . S C R 동작은 기생 p n p 와 n p n 트랜지스 터들의

상 호 작 용 으 로 일어난다 . npn트랜지스터는 수직으로 n + 소 스 -p 우 물 -n 기 판 구조에 대응

되고 pnp 트 랜 지 스 터 는 측 면 으 로 p 우 물 -n 기 판 -p + 소 스 구조에 대응한다. 보통의 CMOS

동 작에서 두 기생 바이폴 러 프 랜 지 스 터 들 은 차 단 상태 에 있지만, 어떤 조 건 하 에 서 애

벌런치 항복이 P우 물 과 n 기판 접합에서 일어나서 두 바이폴러 트 랜 지 스 터 들 을 포 화 상
태로 구 동 시 킬 수 있다. 이 고 전 류 ，저 전 압 상 태 -래 치 업 은 정 궤환에 의해 CMOS 회로
를 동 작 불 능 으 로 만 들 고 ，또 한 영구적인 손 상 이 나 회로의 파 괴 로 이어질 수 있다.

VDD

P 채널 입력

입력 | 1출력 출력
1 Vdd

채널
i_D비 — | 삶 ’》 ’서요
P 우물
기판
(a) (b)

그림 1 0.59 (a) CMOS 인버터 회로 (b) CMOS 인버터의 간략화된 집적회로 단면도
432 Chapter 1 0 MC6FET의 기초

그림 1 0.60 (a) 기본적인 pnpn구조의 분리,(b) 4층 pnpn소자의 두 트랜지스터 등가회로

만 약 此 의 곱 을 항 상 1보 다 작게 한 다 면 래 치 업(L a tc h -u p )을 막 을 수 있다. 여 기
서 公,과 는 각 각 기생의 npn 과 p n p 바이폴러 트랜지스 터의 공통이미터 전류이득이 다.
래치 업을 방 지 하 는 한 가지 방 법 은 소 수 캐리어의 수 명 을 짧게 만 드 는 것이다. 소 수 캐
리 어 수명 감 소 는 금 (g o ld )도핑 이 나 중성 자 방 사 (n e utron irr a d ia tio n )에 의 해 반도체 내
에 깊은 트 랩 (de ep tra p )을 만들어 이 루 어 질 수 있 고 ，깊 은 트 랩 은 과잉 소 수 캐리어의
재 결 합 률 을 증 가 시 켜 서 전 류 이 득 을 감 소 시 킨 다 . 래치 업을 방 지 하 는 두 번째 방 법 은
적 당 한 회로 레 이 아 웃 기 술 을 사 용 하 는 것이다. 만 약 두 바이폴러 트 랜 지 스 터 들 이 효
과 적 으 로 분리 될 수 있다면 래 치 업 은 최 소 화 되 거 나 없앨 수 있다. 또 한 두 기생 바 이폴
러 트 랜 지 스 터 들 은 다 른 제 조 기 술 을 이용해서 분 리 시 킬 수 있다. 예를 들 면 ，절 연 층 상
의 실 리 콘 기 술 ( s ilic o n -o n -in s u l a to r t e c h n o lo g y )은 절 연 체 에 의 해 n 채 널 과 p 채 널
M O S F E T 를 서로 격리시킨다 . 이 격리 방 법 으 로 바이폴러 트 랜 지 스 터 들 을 분 리 시킨다.

10.6 요 약

■ 이 장에서는 금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터의 기본동작원리와 특성들을 논

의하였다.
■ M O S F E T 의 핵심은 M O S 커패시터이다. 산화막-반도체 계면 근처에 반도체 내의 에너
지밴드는 M O S 커패시터 양단에 인가한 전압에 따라 휘어진다.
■ 산화막-반도체 계면의 게이트에 양의 전압을 인가하면 P 형에서 n 형으로 반전되고 또
는 게이트에 음의 전압을 인가하면 n 형에서 p 형으로 반전된다.
■ 문턱 전압은 반전 천이 점에 이르기 위해 인가하는 게 이트 전압이 다. 문턱 전압과 반도체
 도핑농도의 크기와 같아지는 점이다. 평탄대 전압을 정 의하고 논의했다.
■ M O S F E T 의 두 가지 기본적 인 형 태는 전류가 전자들의 흐름에 기 인하는 n 채널과 전류
가 정공들의 흐름에 기 인하는 P채널이다. 이들 각각은 증가형 모 드 -소 자가 정상 차단
상태이고 인가된 게이트 전압에 의해 도통하는 모 드 - 와 공핍형 모 드 -소 자 가 정상도
전 상태이고 인가된 게이트 전압에 의해 차단상태로 바뀌는 모 드 -일 수 있다.
■ 트랜지스터 동작의 기본은 게이트-소스 간 전압에 의한 드레인 전류의 변화이다.
■ 이상적 인 M O S F E T 의 전류•전압 관계들을 유도했다.
■ 기판 효과 계수를 정의하고 논의했다. 기판효과에 의해 변화된 문턱전압을 유도했다.
■ M O S F E T 의 소신호 등가 회로를 알아 봤다.
■ M O S F E T 에서 주파수 제한에 영향을 주는 다양한 물리 적 인 요소들을 고려하였다. 차
단주파수에 대한 표현을 알아 봤다.
■ C M O S 기술을 간단히 고려하였다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

죽 적 층 전 하 ( A c c u m u l a tio n l a y e r c h a rg e ) 열적평형상태의 다수 캐리어 농도 보다 큰

산화막 바로 아래 에 유기 된 전하
채널 컨 덕 턴 스 (c h a n n e l c o n d u c ta n c e ) —*■0 조건에서 드레인-소스 전압의 변화에
대한 드레 인 전류의 변화량
채 널 컨 덕 턴 스 변 조 (c h a n n e l c o n d u c t a n c e m o d u l a tio n ) 채널 컨덕턴스가 게이트-소
스 전압에 따라 변하는 일련의 과정
C M O S 상 보 형 M O S (c o m p le m e n t a ry M O S ) 단일 반도체 칩 내에 제조된 전자 회로에
서 p와 n 채널 소자 둘 다를 이용하는 기술
전 도 파 라 미 터 (c o n d u c tio n p a r a m e t e r) M O S F E T 의 전류•전압 관계식에서 곱해지는 인 자
차 단 주 파 수 ( c u t o f f f r e q u e n c y ) ac 입력 게이트 전류가 ac 출력 드레인 전류와 같아지는
점에서의 신호 주파수
공 핍 형 M O S F E T(d e ple tion m o d e M O S F E T ) 소자가 차단되도록 게이트 전압을 인가
하는 유형의 MOS F E T
증 가 형 M O S F E T (e n h a n c e m e n t m o d e M O S F E T ) 소자가 도통하도록 게이트 전압을
인가하는 유형 의 M O S F E T
등 가 고 정 산 화 막 전 하 ( e q u i v a l e n t f i x e d o x i d e c h a r g e ) 산화막-반도체 계면에 근접한
산화막 내의 유효 고정 전하
전 계 효 과 { fi e ld - e ff e c t ) 반도체 표면과 수직 인 전계에 의해 전도율을 변화시킬 수 있는 현상
평 탄 대 전 압 ( f l a t-b a n d v o lt a g e ) 산화막 아래 반도체 내에 공간전하 영역이 없는 평탄
대 상태를 이루도록 인가하는 게이트 전압
계면 상 태 (in t e rf a c e s t a t e s ) 산화막-반도체 경계면에서 금지대 에너지 내의 허용되는
전자의 에너지 상태
반 전 층 전 하 (in v e rs io n l a y e r c h a r g e ) 산화막 바로 아래에 유기된 전하로써 반도체 도
핑과 비교해서 반대의 전하
434 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

반전층 이동도( i n v e r s i o n l a y e r m o b ilit y ) 반전층 내에서의 캐리어의 이동도

금 속 -반 도 체 일함수 차( m e t a 卜 s e m i c o n d u c t o r w o r k f u n c t i o n d if f e r e n c e ) 파라미
터는 선„ „ 이고，금속의 일함수와 반도체의 전자친화력 사이의 차
산화막 커패시터 ( o x i d e c a p a c i t a n c e ) 단위면적당 커패시터인 C ox로 산화막 두께에 대
한 산화막 유전률의 비
공정 전도 파라미터 ( p r o c e s s c o n d u c t i o n p a r a m e t e r) 캐리어 이동도와 산화막 커패
시턴스의 곱
포화 ( s a t u r a t i o n ) 반전전하 밀도가 드레인에서 영이 되고，드레인 전류가 와 무관한
상태
강 반전( s tr o n g in v e r s i o n ) 반전전하 밀도가 반도체 도핑농도의 크기보다 더 커진 상태
문턱 반전점( t h r e s h o l d i n v e r s i o n p o in t) 반전 층 전하밀도가 반도체 도핑농도의 크기
와 같아지는 상태
문턱전압 ( t h r e s h o l d v o lt a g e ) 문턱 반전 점에 이르도록 인가하는 게이트 전압
전달 컨덕턴스 ( t r a n s c o n d u c t a n c e ) 게이트 전압의 증분에 대한 드레인 전류의 증분율
약 반전( w e a k i n v e r s i o n ) 반전전하 밀도가 반도체 도핑농도의 크기보다 적은 상태

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
이 장을 공부한 독자들은 다음을 알아야 한다.
■ 다양한 바이 어스 상태 아래 에서 M O S 커 패시 터 의 반도체 안의 에 너 지 밴드 다이 어그램
을 그리 기
■ 전하의 반전층이 M O S 커패시터에서 만들어지는 과정
■ 반전층이 형 성 되 었을 때 공간 전하 폭이 최 댓값에 도달하는 이유
■ 금속 반도체 일 함수 차이 그리고 그 값이 알루미늄 ，n +다결정 실리콘 그리고 p +다결
정 실리콘 게이트 사이에서 차이점
■ 평탄대 전압에 의해 무엇이 생성
■ 문턱전 압을정의
■ 고주파수 그리 고 저주파수 상태 에 서 p 형 과 n 형 반도체 기 판을 가진 M O S 커 패 시 터 의
C -V 특성
■ C-V 특성에서 포획된 고정 산화막 전하와 계면 상태
■ n 채널과 p 채널 M O S F E T 구조의 단면도
■ M O S F E T 의 기본 동작
■ 비포화 그리고 포화 지 역에서 바이어스 되 었을 때 M O S F E T 의 /-V 특성
■ 문턱전압에서 기판 바이어스 효과
■ 커패시터를 포함하는 M O S F E T 의 소신호 등가 회로 그리고 각 커패시터의 물리적인 원리
■ M O S F E T 의 컷 오프 주파수를 정의
■ C M O S 구조의 단면도
■ C M O S 구조에서 래치-업
복습 질문
1. n 형 기판을 가지는 M O S 커패시터에 대해 에너지밴드 그림을 축적，공핍, 반전모드에
대해 그려라.
2. 반전 전하층이 생기면 어떤 결과가 생기는지 설명하라. p 형기판의 M O S 커패시터에서
어떻게 반전전하층이 생기는지 설명하라.
3. 반전층이 만들어지면 왜 반도체 M O S 커패시터에서 공간 전하 영역이 최대 폭이 되는
지 설명하라.
4. 반도체 M O S 커 패시 터에서 전자 친화도를 정 의 하라.
5. p 형의 기판과 n +다결정 실리콘 게이트가 제로 바이어스될 때의 에너지밴드 그림을 그
려라.
6. 평탄대 전압 을정의하라.
7. 문 턱전압을정의하라.
8. n 형 기판의 M O S 커패시 터의 저주파에 대한 C -V 특 성 곡 선 을 그려라. 고주파가 되면
어떤 특성의 변화가 생기는가?
9. p 형 기판을 가진 M O S 커 패시 터 의 고주파 C -F 특성에서 평탄대 전압의 근사 커패시턴
스를 구하라.
1 0. 만약 대량의 포획된 산화막 양전하 가 증가한 다면 p 형 기판을 가진 M O S 커패시터의
C -V 특성에서의 어떤 결과가 생기는가?
1 1 . 트랜지스터가 비포화 영역안에서 바이어스 되었을 때 채널 영역에서의 반전 전하 밀도
를 그려라. 트랜지스터가 포화 영역안에서 바이어스 되었을 때의 경우도 대해서도 그
려라.
12. V노 ( sat)룰 정 의 하 라 .
1 3. n 채널과 p 채널에 대해서 증가형 모드와 공핍형 모드를 정의하라.
14. 반전모드에서 바이어스 되 었을 때 p 형 기판을 가진 M O S 커패시터의 전하 분 포를 그
려라. 전하 중성 방정식을 적어 라.
1 5. 역바이어스된 소스-기판전압이 M O S F E T 에 적용되었을 때 문턱전압이 왜 변하는지 토
론하라.

문제_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
(주의: 아래의 문제들은 M O S 시스템에서 반도체와 산화막들은 각각 실리콘과 이산화 실리
콘이 라 하 고 ，언급이 없으면 온도 는 T = 300 K 라고 가정한다. 그림 1 0.1 6를 사용하여 금
속^반도체의 일함수의 차를 구하는데 사용하라.)

1 0.1 절 2단 자 M O S 구 조

1 0.1 그림 P 10.1 는 4개의 이상적인 M O S 커패시터들의 d c 전하의 분포도이다. 각 경우에

대해 ( a) 반도체는 n 형 인가 p 형 인가? (b ) 소자는 축적，공핍，반전 중 어느 모드에 바
이어스 되어있는가? (c ) 반도체 영역에서의 에너지밴드를 그려라.
1 0.2 ( a) S i, G a A s , G e 을 기판으로 하는 p 형의 M O S 를 만들었을 때. 각각에 대한 최대 공
436 Chapter 10 MOSFET의 기초

그림 P 1 0. 1 연습문제 1 0.1 에 대한 그림

간전하 영역 폭 왕 와 최대 공 간전하 밀도 收도(m a x ) l를 구하라. 여기서 r = 300 K

로 두고 (i ) N a = 7 x 1 15 c m ^3, (i i ) 八 = 3 x 1 016 c m - 3이라고 가정한다. (b ) T =
350 K 일 때 (a)를 반복하라.
1 0.3 (a) 실리콘을 기판으로 하는 n 형의 서 이 를 고려해 보 자 .『 = 300 K 로 두고>IQ도(max)l
= 1.25 x l -8 C /c m -2이 되도록 반도체 도핑을 결정하라. (b ) 최대 공간전하폭을 갖
는 표면전위를 결정하라.
1 0.4 p 형 실리콘을 갖는 M O S 구조에서 게이트가 ( a) 알루미늄，(b ) n _ 다결정 실리콘，(c )
P + 다결정 실리콘일 때의 금 속 -반 도 체 일함수 차 令 를 결 정 하 라 = 6 X 1 0 15

c m —3으로 한다.
1 0.5 알 루 미 늄 -이 산 화 실리콘-실 리콘 M O S 트랜지스터 구조에서 도핑농도는 ~ = 4X

1 16 c m - 3이다. 예제 1 0.2의 파 라 미 터 들 을 이용해서 금속-반도체 일함수 차 (f>ms를

결정하라.
1 0.6 n 형 실리콘을 갖는 M O S 구조를 고려하자. 금속-반도체 일함수 차 (Pms = 一 0.30 V
가 되도록 하고자 한다. 게이트가 ⑷ n +다결정 실리콘，(b ) p +다결정 실리콘，(c ) 알
루미늄일 때 조건을 만족하는 실리콘 도핑을 결정하라. 만약 이 조건을 만족하지 않
는 게이트가 있다면 그 이유를 설명하라.
1 0.7 (a ) 문제 1 0. 5 의 M O S 커패시터를 고려하자. 산화막의 두께는 tox = 20 nm = 2 00 A ,

公 ss = 5 x l0 > ° c m 일 때，평탄대 전압을 구하여라. (b ) tm = 8 nm = 80A 일 때，( a )

를 반복하라.
1 0.8 (a ) n +다결정 실리콘-이산화 실리콘 -n 형 실리콘 MOS 트랜지스터를 고려하자.
Nd = 4 x l 015 c m - 3이고，tm = 20 n m = 았) A 일 때，이상적인 평탄대 전압을 구하
여라. (b ) (a)의 결과를 고려해서 (i ) 公 ss = 4 X 1 010 c m - 2, (i i ) 公 ss = 1 011 c m -2일 때，
평탄대 전압을 구하라. ( ) /ox = 12 n m = 1 20A 일 때，( a) (비를 반복하라.
1 0.9 tox = 450A 를 갖는 알루미늄 게이트-이산화 실리콘-실리콘 M O S 구조를 고려하자.
실리콘 도핑 N a = 2 x l 16 c m -3 이고 평탄대 전압은 = -1 . 0 자이다. 고정 산화
막 전하 e 느를 결정하라.
1 0. 1 0 N a = 2 x l 0 16 c m -3를 갖는 p 형 실리콘 기판에 MOS 트랜지스 터를 제조하였다. 산
화막 두께 tm = 1 5 nm = I5 0 A 이고 등가의 고정 산화막 전하 Q 'S5 = 7 x 1 0 '° c m -2
이다. ( a ) n +다결정 실리콘 게이트，( b ) p +다결정 실리콘，( c ) 알루미늄 게이트에 대
한 문턱 전압을 계산하라.
1 0.1 1 N d = 3 x l 15 c m 3을 갖는 n 형 실리콘 기판에 대해 문제 1 0. 1 0을 반복하라.
1 0. 1 2 Na = 5 x 1 >5 cm- 3을 갖는 p 형 실리콘 기판에 400A 두께의 산화막을 성장시켰다.
평탄대 전압이 一0.9 V 일 때，문턱 전압점에서의 표면전위를 계산하라. 또한 산화막
전하를 무시한 문턱 전압을 계산하라. 이 소자에 대한 최대 공간전하폭을 계산하라.
1 0.1 3 p 형 실리콘 기판에 알루미늄 게이트를 갖는 M O S 트랜지스터를 제조하였다. 산화막
두께 가 Q = 22 nm = 220A 이고，등가의 고정 산화막 전하 公 ss = 4 x l 010 c m " 2
이다. 측정된 문턱전압 다 = +0.45 V 일 때，p 형 도핑을 결정하라.
1 0. 1 4 다음과 같은 파라미터를 가지는 MOS 소자를 고려하자. p+ 다결정실리콘，n 형 실리
콘 기판 ，t x = 18 nm = 1 80A , 公 ss = 4 x l 010 c m —2. 문턱전압이 一0.35 < V TP <
-0.25 V 일 때，도핑농도를 구하라.
1 0.1 5 문제 1 0.1 3에서 측정된 문턱전압 다 = -0.975 V 일 때，n 형 도핑을 구하여라.
1 0.1 6 tm = 18 nm = 1 80 A 의 산화막 두께와 = 1 015 c m -3 의 도핑을 갖는 n+ 다결정
실 리 콘 -S i 0 2-S i MOS 커패시터가 있다. 산화 막 전하밀도 公 ss = 6 x 1 10 c m -2 이다.

다음을 계산하라. (a ) 평탄대 전압，(b ) 문턱 전압.

1 0.1 7 그림 1 0.41 은 자형 다결정 실리콘 게이트를 갖는 n 채널 공핍형 M O S F E T 이다. n 채널

도핑 N d = 1 015 c m 3이고，산화막 두께 = 500 A , 등가의 고정 산화막 전하 公 ss

= 1 10 cm _ 2이다. n 채널 두께 ~를 최대 유기 된 공간전하폭이 라고 하면(n 채널-p 기판

접합에서의 공간전하 영역은 무시한다)，(a) 채널 두께 tc，(b ) 문턱전압을 구하라.
1 0. 1 8 n +다결정 실리콘 게이트와 n 형 실리콘 기판을 갖는 MOS 커패시터를 고려하자 .
= 1 16 c m -3 이라 하고，n +다결정 실리콘에서 E f - E c = 0. 2 e V , 산화막 두께 tox =

3 00 A 이라 가정한다. 또한 乂 ( p o l y s il i c o n ) = \ ( s in g l e -c r y s t a l s i l i c o n ) 이라고 가정
한다. ( a ) ( i) V G = 0, ( i i ) 평탄대에 대해서 에너지밴드를 개략적으로 그려라. (b ) 금
속-반도체 일함수 차를 계산하라. (c) 고정 산화막과 계면상태가 없는 이상적인 경우
에 대한 문턱 전압을 계산하라.
* 1 0. 1 9 n 채널 M O S F E T 의 문턱전압이 식 (1 0. 3 1 a ) 로 주어진다. 2 00 < T < 45 0 K 에 걸친 다
대 온도의 그림을 그려라. 알루미늄 게이트와 n +다결정 실리콘 게이트를 고려하자.
일함수가 온도에 무관하다고 가정하고 예제 1 0. 4 에 있는 파라미터들과 비슷한 소자 *

*표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

438 Chapter 10 MOSFET의 기초

파라미터！을 사용하라.
*1 0.20그림 10.21 과 같이 p 형 기판의 도핑농도에 대한 n채널 M O S F E T 의 문턱전압의 도표
를 그려라. n +와 p +다결정 실리콘 게이트의 적당한 소자 파라미터들을 사용하라.
*1 0.21 그림 1 0.22과 같이 n 형 기판의 도핑농도에 대한 p 채널 M O S F E T 의 문턱전압의 도표
를 그려 라 n +와 p +다결정 실리콘 게이트 둘 다에 대해 적당한 소자 파 라 미 터 들 을
사용하라.
1 0.22 문제 1 0.1 2에서 주어진 N M O S 소자를 고려하자. VT 대 /。，
를 20 < tox 드 500A 범위
에서 그려라.

1 0.2절 특성

10.23 Na = 1 016 c m -3의 억셉터 농 도 로 도 핑 된 p 형 실리콘 기판에 /QX = 12 nm = 1 20A

의 이산화 실리콘 두께를 갖는 이상적인 알루미늄 게이트 M O S 커패시터가 있다. ( a)
/ = 1 H z , (b ) / = 1 M H z 에서 커패시턴스 C M，C ' FB， C min, C ' (in v )를 결정하라. (c )
와 자 를 결정하라. (d ) ( a)와 (이에 대한 C ' IC m 대 。 를 대략적으로 그려라.
1 0.24 Nd = 5 x 1 014 c m -3의 도너농도로 도핑된 n 형 실리콘 기판에 대해 문제 1 0.23을 반
복하라.
*1 0.25 중첩의 원리를 사용하여，다음 식으로 주어지는 산화막 내의 고정된 전하분포 벼시에
기인한 평탄대 전압의 이동을 보여라.

A Vra = - j - r ^
Cox J

1 0.26 문제 1 0.25의 결과를 이용하여 다음의 산화막 전하분포에 대한 평탄대의 이동을 계

산하라. ( a) 산화막-반도체 계면 전체에 公 ss = 8 x l 1 0Cm - 2이 분포한다. tm = 200

A 이다. ( b ) tm = 200A 인 산화막 전체에 公 ss = 8 x l 010 c m - 2이 균일하게 분포 한

다. (c ) 公 ss = 8 x 10"> c m -2은 c = tm = 200 A (산화막 반도체 계면)에서 최대인 삼
각분포를 형 성 하 고 :v = (금속-산화막 계면)에서 제로가 된다.
1 0.27 n +형 다결정 실리콘 게이트와 진성 실리콘을 사용하여 이상적인 M O S 커패시터를 제
조한다. ( a) 평탄대 조건하에서 M O S 구조 전체의 에너지밴드를 대략적으로 그려라.
(b) 게이트 전압이 음에서 양으로 변할 때까지 저주파 C -V 특성을 대략적으로 그려라.
10.28 p 형 기판을 갖는 M O S 커패시터를 고려하자. 도너형 계면 트랩은 중간캡(이를 태면
타 ,)에 만 존재한다고 가정한다. 축적층전하로부터 반전층에 이르는 고주파 c -y 곡선
을 대략적으로 그리고，이상적인 C -V 곡선과 비교하라.
1 0.29 그림 P 1 0.29의 M O S 커패시터를 고려하자. 이상적인 S i02이고 (no traped charge ) tox
= 500A 이라 가정하고 도핑농도는 1 01 6c m _ 3이고 ~ = 1 016 c m - 3이다. ( a)

，— 호
OX —

그림 P1 0.2 9 연 습 문 제 1 0. 2 9 에 대 한 그림
 = - 0 .8 V

그림 P 1 0. 3 0 연습문제 1 0.30에 대한 그림

그림 P 1 0. 3 1 연습문제 1 0.31 에 대한 그림

( i) 평탄대，( i i ) VG = 3 V , ( iii) V G = -3 꾸일 때의 이 소자를 통한 에너 지밴드 그림

을 그려라. (b ) 평탄대전압을 계산하라. (c ) 다음의 경우에 대해 산화막 전위를 대략
구하여라. ( i) y G = + 3 V ( ii) VG = -3 V , (d ) 고주파에 대해서 C -V 특성을 그려라.
1 0.30 고주파수에 대한 C -V 특성 곡선이 그림 P 1 0. 3 0 에 나타나 있다. 이 소자의 면적은 2

)(i 이다.
x 1 0-3 c m 2 금속-반도체의 일함수의 차는 4)ms = -0 . 5 0 꾸이고 산화막은 Si 2,

실리콘 반도체이며 도핑농도는 2 x l 0 16 c m - 3이다. ( a ) 이 반도체는 n 형 인가 p 형 인

가? (b ) 산화막의 두께는 얼마인가? (c ) 등가의 포획된 산 화 막 전하 밀도는 얼마인

가? (d) 평탄대의 커패시턴스를 구하라.
1 0.31 고주파의 C -V 곡선이 그림 P 1 0.31 에 나타나 있다. (a ) 평탄대，반전，축적, 문턱 전압，
공핍 상태와 일치하는 지점을 구하라. (b ) 각 상태에 해당하는 반도체의 에너지밴드
그림을 그려라.

1 0.3 절 기본 적 인 M O S F E T 동 작

1 0.32 반전층 전하밀도를 포함하는 표현식이 식 ( W .5 9 )에 주어졌다. 문턱전압의 정의를 고

려하여 반전층 전하밀도가 포화상태에 있는 드레인 단자에서 제로가 됨을 보여라.
[힌트 : Vx = VDS = V DS(s a t)]
IM Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

1 0.33 다 음과 같은 파라미 터를 가 지 는 n 채널 M O S F E T 을 고 려 하 자 . k'n = 0.1 8 m A / V 2,

W/L = S, VT = 0.4 V . ( a ) V，GS = 0.8 V ，VDS = 0.2 V ，(b ) VGS = 0.8 V ，VDS = 1.2
V , (c ) Vcs = 0.8 V ，VDS = 2.5 V ，(d ) V GS = 1.2 V ，VDS = 2.5 V 일 때, 드레인 전류
를 구하라.
1 0.34 다음 과 같은 파 라 미 터 를 가 지 는 p 채 널 M O S F E T 을 고 려 하 자 . 나 = 0. 1 0 m A / V 2,

W/L = 1 5, VT = -0 . 4 V . ( a ) VSG = 0.8 V ，VSD = 0.2 5 V ，(b ) VSG = 0.8 V ，VSD =

1 .0 V ，( c ) V 5G = 1 .2 V ，VSD = 1 .0 V ，( d ) VSG = 1 .2 V ，VSD = 2 . 0 V 일 때，드 레인

,
전류 & 를 하라.
1 0.35 n 채널 M O S F E T 의 파라미 터는 쇼„' = 0.6 m A / V 2, VT = 0.8 V 이다. V，
cs = 1 .4 V ，VSB
= v = 4 V 가 인가되었을 때，드레인 전류는 ] m A 가 흐른다. (a ) W光 을 구하
라. (b ) VGS = 1-85 V , VSB = 0 V , VDS = 6 V 일 때，/0를 구하라. (c) VGS = 1 .2 V，
VSB = V ，VDS = 0.1 5 V 일 때，/0를 구하라.
1 0.36 다음과 같은 파라미터를 가지는 p채널 M O S F E T 을 고려하자. k'n = 0.1 2 m A 八나，WIL
= 2 . V노 = 0 V , VfiS = 0 V , VSD= 1 .0 V 일 때，l D = 1 00 A 가 흐른다. ( a) 다를
구 하 라 . (b ) V노 = 0.4 V ，VSB = 0 V ，VSD = 1.5 V , (c ) VSG = 0.6 V , VSB = 0 V ,
VSD = .15 V 일 때，/ 를 구하라.
1 0.3 7 이상적인 n 채널 M O S F E T가 다음의 파라미터 들을 갖는다. VT = 0.45 V ，f i n = 425
m2/V -s, t = 1 1 0A , ,ox = 11 nm = 1 1 0 A , VK = 20 jum , L = 1 .2 사m . ( a) 0 < VDS
드 3 V 이고，V GS = 0, 0.6, 1.2, 1.8, 2.4일 때, I D 대 “ 의 좌표그림을 그려라. 각 곡선
의 。 必하) 점을 지시하라. (b ) 0 < F cs < 2.4 V 에 대한 좌표곡선 V / D(sat) 대 를
그려라. (c ) VDS = 0.1 V 이고 0 드 V GS s 2.4 V 에 대한 /D 대 그림을 그려라-
1 0-38 이상적 인 p 채널 M O S F E T 가 다음의 파 라 미 터 들 을 갖 는다. 다 = -0.3 5 V , ^ =
21 0 cm 2/ V -s, /ox = 11 nm = 110 A , ^ = 35 m, L = 1.2 fxm . ( a) 0 < VSD < 3 V
이 고 ，V노 = 0, 0.6, 1 .2, 1 .8, 2.4 V 인 / D 대 VDS의 좌 표 그 림 을 그려 라. 각 곡선의
VSD(sat) 점을 지시하라. (b ) 0 < VSG < 2.4 V 인 V /D(sat) 대 그림을 그려라. (c )
0 s VSG 드 2.4 구이고 VSD = 0.1 V 인 1D 대 그림을 그려라.
1 0-39 VT = -0.8 V 를 제외하고 문제 1 0.37에서 주어진 것과 같은 파라미터를 갖는 n 채널
M O S F E T 를 고려하자. ( a) 0 < < 3 V 이고 V GS = -0.8, 0, +0.8, +1 .6 V 인 /D
대 VDS의 좌표그림을 그려라. (b ) -0.8 < VGS < +1 .6 V 에 대한 대 의
좌표그림을 그려라.
1 0.40 그림 P 1 0.4 처럼 바이어스 된 n 채널 증가형 모드 M O S F E T 에 대한 C -V 특성 곡선인
[ D 대 카)s 의 그림을 ⑷ = 0, (b ) VGD = I V 2, (c ) V GD = 2다인 경우에 대해 그
려라.
1 0.41 그림 P 10.41 에 어떤 N M O S 소자의 소스 드레인 저항이 포함된 단면이 나타나 있다.
이 저항들은 n +기판 반도체의 저항과 저항성 접촉 저항이다. 이상적인 방정식들에
대해 V GS는 \노 - /& 로 、 는 V D—/D(/?s+/? )로 대치된다. 트랜지스터의 파라미터
는 다 = 1 V ，於,, = 1 mA AV 2이다. ( a) 0 < < 5 V 이 고 。 = 2 V ，V G = 3 V 인
경우에 대해 (i ) Rs = Rd = , (i i ) Rs = RD = \ k H , /D대 V노의 그 래프를 그려라.
(b ) 0 < /D < 1 m A 이고 VD = 0.1 W, V d = 5 V 에 대해 (i ) Rs = RD = 0, (i i ) Rs =
 문제 441

R d = 1 k f l 인 경우에 대해 식 대 。 의 그래프를 그려라.

1 0.42 문제 1 0. 3 7 에서 주어진 것과 같은 파라미터를 갖는 n 채널 M O S F E T이 있다. 게이트
단자가 드레 인 단자에 연결된다. 0 < < 5 V 에 대한。 대 의 그림을 그려라.
트랜지스터 가 포화와 비포화에 바이어스되는 의 범위를 구하라.
1 0.43 p 채널 M O S F E T 에 대한 채널 전도도가 다음처럼 정의된다.

0 < V SG < 2 . 4 V 에 대해 문제 1 0. 3 8 의 p 채널 M O S F E T 에 대한 채널 전도도 좌표그

림을 그려라.
1 0.44 n 채널 M O S F E T이 VDS = 50 m V 에서 = dID/ dVGS = 1 .25 m A /V , VT = 0.3 V 이
다. (a ) K „ 을 구하라. (b ) VGS = 0. 8 V , VDS = 50 m V 에서 드레 인 전류를 구하라. (c)

= 0.8 V , VDS = 1 .5 V 에서 드레인 전류를 구하라.

1 0.45 그림 P 1 0.45 는 포화 영역에 바이어스 된 이상적인 n 채널 M O S F E T의 실험적인 특성
이다. w /L = 1 0이고 tox = 42 5 A 일 때，다 와 … 을 구하라.

그림 P10. 45 연습문제 10.45에 대한 그림

I山 1 Chapter 1 0 M O S F E T 의 기초

1 0.46 어떤 n 채널 M O S F E T 의 특성곡선의 파라미터들은 / D( sat) = 2 x l _4 A , V노 (sat) =

4 V , Vr = 0.8 V 이다.
( a) 게이트 전압은 얼마인가?
(b ) '은 얼마인가?
(c ) V G = 2 V , VDS = 2 V 일 때，/ 를 결정하라.
(d ) V G = 3 V , VDS = 1 V 일 때，/ 를 결정하라.
(e) (c )와 (d )의 각각의 상태에 대해 반전전하 밀도와 n 채널의 공핍영역을 그려라.
1 0.47 ( a ) 이상적인 n 채널 M O S F E T 은 반전 캐리어 이동도 ! „ = 450 cm 2/ V -s를 갖는다.
문턱전 압 바 = 0.4 V 이고 산화막 두께 tm = 18 nm = 1 80A 이다.포화영역에 바
이어스 될 때 요구되는 전류는 V GS = 2.0 V 일 때 / D(sat) = 0.8m A 이다. (i ) K„ 을 구
하라. (i i ) 요구되는 비율을 구하라. (b) V S( = 2.0 V 일 때 ∼ = 21 0 cm 2" - s와
= -0.4 V 부분을 제외하고는 ( a)와 같은 파라미터를 갖는 p 채널 M O S F E T 이 있
다. (i ) K „ 을 구하라. (i i ) 요구되는 비율을 구하라.
1 0.48 문제 1 0. 3 7 에서 설명된 트랜지스 터를 고려하자. ( a ) VDS = 0. 1 0 V 에 대한 을 계
산하라. (b ) V GS = 1 .5 V 에 대한 g„„를 계산하라.
1 0.49 문제 1 0.38에서 설명된 트랜지스터를 고려하자. ( a ) VSD = 0.1 0 V 에 대한 요„ 을 계
산하라. (b ) V뇨 = 1.5 V 에 대한 g 를 계산하라.
1 0.50 n 채널 M O S F E T 이 다음의 파라미터들을 갖 는 다 . N a = 5 父 1 016 c m -3, tox = 1 5 nm

= 1 50A , = 450 c m 2/V -s ，VFB = —0.5 V ，L = 1 .2 /j-m , W7 = 8 /x m . ( a) 몸체효

과계수(7 )를 구하라. (b ) 다음의 소스-기판 전압 V = 0, 1 ，2 및 4 V 에 대해 트랜지스
터가 포화에 바이어스될 때 0 드 /드 0.5 m A 에 걸친 대 의 그림을 그려라.
(c) (비의 상태에서 문턱전압은 얼마인가?
1 0.51 기판의 농 도 가 八느 = 1 016 c m -3, 몸 체 효 과 계 수 가 7 = 0. 1 2 V 1 /2이다. 문턱전압이
V ss = 2.5 V 에서 다 = 0.5 V 이다. V노 = 0 자에서 다는 얼마인가?
1 0.52 tm = 2 0 n m = 2 0 0 A 와，N a = 5 x 1 015 c m —3 인 p 채널 M O S F E T 를 고려하자. ( a ) 몸
체효과계수(7)를 구하라. (b ) 기판-소스전압 = 0의 곡선으로부터 문턱 전압에서
의 이동 A 다 = -0 . 2 2 V 일 때 기판-소스전압 ∼ 를 구하라.
1 0.53 N M O S 소 자 가 다음의 파라미 터를 갖 는 다 : n + p o l y g a t e , tox = 4 0 0 A , N a = 1 015
c m -3, 公 ss = 5 x 1 010 c m -2. ⑴ 문턱 전압 바 를 구하라. ( b ) V T = 0 V 까지 V노 전압

을 인가하는 것이 가능한가? 그렇다면 그때의 VSB 전압은 얼마인가?

1 0.54 기판 바이어스의 변화로 생기는 문턱전압의 변화를 조사하라. 문턱전압의 이동은 식
(1 0.81 )로 주 어 진 다 . 0 드 V노 드 5 V 의 범위에 걸친 A 마 대 V노의 그 림 을 그려라.
V노의 범위 전체에서 A 다 가 0.7 V 의 최댓값으로 제한받는 조건을 구하라.

1 0.4절 주 파 수 제 한

1 0.55 폭 대 길이비 m L = 1 0, 전자 이동도 I n = 4 00 c m W -s , 산화막 두께 /QX = 47 5 A

그리고 문턱전 압 = + 0. 6 5 V 인 이상적인 n 채널 M O S F E T 을 고려하자. (a ) 포화
전달 컨덕턴스 g 는 = 5 V 일 때의 이상적인 값의 2 0% 이상 감소되지 않도록
소스저항의 최댓값을 결정하라. ( b ) ( a ) 에서 계산된 자를 이용하여 = 3 V 일때
 이상적인 값으로부터 가 얼마나 감소되는가를 결정하라.
1 0.56 n 채널 M O S F E T 이 다음과 같은 파라미터를 갖는다.

/it„ = 400 cm2/V-s t ox = 500 A

L = 2 fi m W = 20 /Mm
VT = +0.75 V

트랜지스터 가 = 4 V에서 포화영 역 에서 바이 어스되 었다고 가정하면 (a) 이상적

인 차단 주파수를 구하라. (b) 소스와 드레 인 양단의 게 이 트 산화막 중첩 이 0.75 fim
라고 가정하고 차 = 10 k l l 이 출력에 연결될 경우 주파수를 계산하라.
1 0.57 포화영역에서 전자의 속도가 usat = 4 x l 016 cm/ s 일 때 문제 W .56을 반복하라.

요약 및 복습

*1 0.58문 턱 전 압 VV = 0.65 V 인 다결정 실 리 콘 게 이 트 를 가진 이상적 인 실 리 콘 n 채널

M O S F E T 을 설계하라. 산화막 두께 tm = 300 A , 채널길이 L = 1 .25 나m ，포획된 전
하 公 ss = 1 .5X 1 0" c m —2 이라고 가정한다. VGS = 2 .5 V ，VDS == 0.1 구에서 드레인
전류 / D = 50 사쇼를 얻고자 한다. 요구되는 게이트 유형과 기판 도핑능도 및 채널폭
을 구하라.
*1 0.5 9 문 턱 전 압 다 = 一 0.65 V 인 다결정 실리 콘 게 이트를 가진 이상적인 실리콘 n 채널
M O S F E T 을 설계하라. 산화막 두께 tox = 300A ，채널길이 L = 1.25 사m ，포획된 전
하 公 ss = 1.5 x 1 0" c m - 2이라고 가정한다. V뇨 = 0 V 에서 드레 인 전류 / D( sat) =
50 (jJ 、를 얻고자 한다. 요구되는 게이트 유형과 기판 도핑농도 및 채널폭을 구하라.
*1 0.60그림 1 0.59a와 같은 C M O S 인버터 회로를 고려하자. 이상적인 n과 p 채널 소자들이 L
= 2.5 /xm 의 채널 길이로 설계되어 있고 산화막 두께는 tox = 450A 이다. 반전 채널
이동도가 벌크의 이동도의 1 /2이라고 가정한다. n 과 p 채널 트랜지스터의 문턱전압이
각각 +0.5 V ，一0.5 꾸이다. 드레인 전류는 인버터의 입력전압이 VDD = 5 V 에서 1.5
V 와 3.5 V 일 때 /D = 0.256 m A 이다. 게이트 물질은 각 소자에서 같다. 게이트 유형
과 기판 도핑농도 및 채널폭을 결정하라.
*1 0.61 이상적 인 n 채널과 p 채널 M O S F E T 상보형 쌍으로 설계된 소자는 같은 바이 어스에서
같은 /-V 특성을 나타낸다. 두 소자는 같은 산화막 두께 250 A 을 가지고 채널 길이 L
= 2 /x m 이 다. 이상적 인 S i02 층이 라고 가정한다. n 채널 소자의 채 널폭은 … = 20
사m 이다. 반전층의 이동도는 1 „ = 600 cm 2" - s 이고 p = 220 cm 2AV-s 이다. ( a) n 형
과 P 형의 기판 도핑농도를 구하라. (b ) 문턱전압은 얼마인가? (c ) p 채널 소자의 채널
폭은 얼마인가?

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1 . D im itrije v , S. Principle s o f Semiconductor Devices. N ew Y o rk : O xford U niv e rsity ,
2006.
2. H u , C . C . Modern Semiconductor Devices fo r Integrated C icuits . U pp er Saddle R iv er,
N J : Pearson Prentice H a ll , 201 0.
3. K a no , K . Semiconductor Devices. Upp er Saddle R iv er, N J : Prentice H a ll , 1 998.
4. M u lle r , R . S.，and T . I . K a mins . Device E lectronics fo r Integrated C ircuits . 2nd ed.
IM Chapter 1 0 M O S F E T 의 기 초

N e w Y o r k : W il e y , 1 986.
5. N g , K . K . C omple te G uid e to S e miconductor D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 995 .
6. N i c o ll i a n , E . H . , a n d J. R . B r e w s . M O S P hysics a n d T e chnology. N e w Y o r k : W il e y ,
1 982.
7. O n g , D . G . M od ern M O S T e chnology: Processes, D e vic e s, a n d D e sign. N e w Y o r k :
M c G r a w -H ill, 1 984.
8. P i e rr e t, R . F . S e miconduct 이 - D e vic e F u n d a m a it a ls . R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y ,
1 996.
9. R o u ls t o n , D . J. A n In tro d u c tio n to the P hysics o f S e miconductor D e vic e s. N e w Y o r k :
O x f o r d U n i v e r s it y P re ss, 1 999.
1 0. S c h ro d e r, D . K . A dv a nc e d M O S D e vic e s, M o d u l a r S erie s on S o lid State D e vic e s.
R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y , 1 987 .
11. S h u r, M . In tro d u c tio n to E l e c tro n ic D evic e s. N e w Y o r k : J o h n W i l e y & S o n s, In c . ,
1 996.
*1 2. _ _ _ _ _ _ _ _ P hysics o f S e miconductor D e vic e s. E n g l e w o o d C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 990.
1 3. S in g h , J. S e miconductor D e vic e s: A n In tro d u c tio n . N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 994.
1 4. _ _ _ _ _ _ _ _ S e miconductor D e vic e s: B a sic P rin cip le s . N e w Y o r k : W il e y , 2001 .
1 5. S tr e e tm a n , B . G ., a n d S. K . B a n e rj e e . S o lid State E l e c tro n ic D e vic e s. 6 t h e d. U p p e r
S a d d l e R i v e r, N J : P e a rs o n P r e n tic e H a ll, 2006.
1 6. S z e, S. M . H igh-S p e e d S e miconductor D e vic e s. N e w Y o r k : W il e y , 1 990.
1 7. S z e, S. M . a n d K . K . N g . P h y s ic s o f S e m ic o n d u c t o r D e v ic e s , 3 rd e d. H o b o k e n , N J :
J o h n W i l e y & S o n s, In c . , 2007 .
1 8. T a u r, Y . a n d T . H . N i n g . F und a m e nta ls o f M o d ern V L S I D e vic e s, 2 n d e d. C a m b rid g e
U n i v e r s it y P re ss, 2009.
*1 9. T s i v i d i s , Y . O p era tio n a n d M o d e lin g o f the M O S T ra n sistor. 2 n d e d. B u rr R id g e , I L :
M c G r a w -H ill, 1 999.
20. W e rn e r, W . M . “ T h e W o r k F u n c tio n D iff e r e n c e o f th e M O S S y s t e m w i t h A l u m i n u m
F i e l d P la t e s a n d P o l y c r y s t a lli n e S ili c o n F i e l d P l a t e s .” S o lid State E le ctro nic s 1 7,
(1 9 7 4 ), p p . 7 69-7 7 5 .
21 . Y a m a g u c h i, T . , S. M o r i m o t o , G . H . K a w a m o t o , a n d J. C . D e L a c y . “ P ro c e s s a n d D e v ic e
P e rf o rm a n c e o f 1 m -C h a n n e l n -W e l l C M O S T e c h n o l o g y . ” I E E E Tra ns a ctions on
E le ctro n D e vic e s E D -3 1 ( F e b ru a ry 1 984), p p. 2 05 -2 1 4.
22. Y a n g , E . S. M icro e l e c tro n ic D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H i l l, 1 988. *

*표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

 M O S F 타■ 추 가 개념

이번 장은 M O S F E T 에서 자주 일어나는 추가 개념들을 다루고 있다. 추가되는 개념들은 비이

, 소형소자구조(sm all d e vic e g e o m e try ), 항복, 이온주입에 의한 문턱전압조정 그
상적인 효고)■
리고 방사효과 등이다. IC s 내에 M O S F E T 를 제조할 때 중요시되는 많은 세부사항들이 있지
만, 여기서는 몇 가지만을 고려한다. 더 추가되는 세부사항들은 보다 수준 높은 교재에서 찾을
수 있을 것이다. ■

11. 0 개설

이번 장에서 우리 는
■ 문 턱 전 압 에 이르 기 전에 채 널 에 유 도 되 는 전 류 에 의 한 현 상 인 ，문 턱 아 래 전 도
(subthre shold co nd u ctio n )를 분석, 기술한다.

■ 단채 널 효과의 특 성 과 한정 된 출력 저 항 을 유 도 하 는 채 널 길 이 변조 (ch a mie l le ngth

m o d ula tio n )를 분석한다.

■ 증 가 하 는 게이 트 전 압 때문에 캐리어 이 동 도 가 줄 어 드 는 효 과 를 고려한다.

■ 캐리어 속 도 포 화 (v e lo c ity s a tura tion )효 과 를 분 석 한 다 . 캐 리 어 들 은 단채 널 소자에
서 쉽게 속도포 화에 도 달 할 수 있다.
■ 소 자 크 기 가 줄 어 들 었 을 때 다수의 파 라 미 터 들 (p aram eters )이 어떻게 변 화 되 어 야
하 는 가 를 기술하 는 M O S F E T 스 케 일 링 ( S c a ling )에 대해 논의한다.
■ 단채널 길 이 와 협 채 널 은 기 하 학 적 인 소 자 때문에 생 기 는 문 턱 전 압 의 변 화 를 고려
한다.
■ 또 한 M O S F E T 의 다 양 한 항 복 (bre a kdow n )전압 과 정 을 분 석 하 고 기술한다.
■ 이온주입에 의한 문턱전압의 조절 기 술 을 분 석 하 고 기술한다.
■ 포획 전 하 를 만 드 는 이 온 방 사 (io n i z in g r a d i a tio n )와 고 온 전 자 효 과 (h o t e le ctro n
선표비를 고려한다.
IM > Chapter 1 1 MOSFET 추 가 개념

11.1 비이상적인 효과

임의의 반도체 소 자 로 측 정 한 M O S F E T 특 성 들 은 여 러 가지 가 정 과 근 사 방 법 을 이용
하여 이 론 적 으 로 유 도 한 이 상 적 인 관 계 식 들 과 는 약간의 차 이 가 있다. 이 절 에 서 는 이
상 적 인 관 계 식 을 유 도 할 때 이 용 한 가 정 들 과 차 이 를 나 타 내 는 다섯 가지 효 과 들 을 다
룰 것 이 다 . 이 들 효 과 들 은 문 턱 아 래 전 도 (su bthre sh old c o n d u c tio n ), 채 널 길 이 변 조
(ch a n n e l le n g th m o d u l a tio n ), 이 동 도 변 화 ( m o b ilit y v a ri a tio n s ), 속 도 포 화 (v e lo c ity
s a tura tion ), 그리 고 탄 도전 송 {b a llis tic tra nsport )들이다.

11. 1. 1 문 턱 아 래 전도

이상적 인 전 류 -전 압 관 계 식 에 서 는 가 다 보 다 작 거 나 같 을 때 드레 인 전 류 는 0이 었
다. 실 험 적 으 로 는 /D는 V GS 드 다 일 때 0이 아 니 다 . 그림 11.1 은 유 도 된 이 상 적 인 특성
과 실 험 적 인 결 과 를 비 교 한 그 림 이 다 . V G5 < 다 에 존 재 하 는 드 레 인 전 류 를 문턱아래
전류 (subthreshold curre nt ) 라 한다.
그림 1 1 .2는 九 < 2<%로 바 이 어 스 된 p 형 기 판 을 갖 는 M O S 구조의 에 너 지 밴 드 그
림 이다. F e rm i 준 위 가 가 전 자 대 보 다 전도대에 더 가까워서 반도체 표 면 은 저 도 핑 된 n
형 물질의 특 성 을 나 타낸다. 이것으로부터 약하게 반전된 채 널 을 통해 n + 소 스 와 드레
인 사이에 어떤 전 도 가 일 어 난 다 고 예 상 할 수 있다. 知 < 九 < 2산/p인 상 태 를 약반전
(w e a k in v e rsio n ) 이 라 한다.
그림 1 1 .3은 작 은 V노가 가해질 때 축 적 과 약 반 전 ，문 턱 에 서 채 널 길 이 를 따 라 보인
표 면 전 위 (九 )이 다 . 벌크 P 기 판 은 제 로 전위에 있다 고 가 정 한 다 . 그림 1 1 .3b 와 1 1 .3c 는
축 적 과 약반전 의 경우이 다 . n + 소 스 와 채널 영역 사이에 전위장벽 이 있어서 전 자 들 은
채 널 전 류 를 생성하 기 위해 전 위 장 벽 을 넘 어 야 만 한 다 . 이 러 한 장 벽 들 을 pn 접합의 장

그림 11.1 V &" 대 카;s에 대한 이상적 곡 그림 1 1 .2 如 < 九 < 2知일 때 에너지밴

선과 실험적인 곡선 비교
 ll.l 비이상적인효과 447

그림 1 1 .3 (a)n 채널 MOSFET의 채널길이에 따른 단면도, (b) 축적상태，(c) 약반전 상태，(d) 반전 상태에서 채널길이에
따른 에너지밴드

벽들과 비교하면 채 널 전류는 와 지수함수적 인 관계 에 있다고 할 수 있다. 반전상태

에서 그림 1 1 .3d 에 보인 장 벽 은 너무 낮아서 지수 함 수 적 인 관련성이 떨어지기 때문에
저항성 접촉에 가깝게 된다.
문턱아래 전류에 대한 실제 유 도 는 이 교재의 범위를 넘어선다.

/D(sub)=c [ exp ( ^ ) ] . [ l - exp ( ^ ) ( 1 1 . 1)

만일 V노 가 몇 배의 奸 /… 보 다 크 다 면 ，문턱아래 전류는 V노 에 무관하다.

그림 1 1 .4는 몇몇 V쌔 전압들에 대 한 문 턱 아 래 전 류 (subthreshold current)의 지 수 함
수 적 인 움 직 임 을 보 인 다 . 또 한 곡 선 위에 보 여 지 는 값 은 가 이 다 . 이 상 적 으 로 대략 60
mV 정도의 가; 변화에 대해 문턱 아래 전류의 크기 변화는 차 수 1 정도이다. 문턱 아래 전
도의 상 세 한 분 석 으 로 In ID 대 곡 선의 기 울 기 는 반도체 도 핑 과 계 면 상 태 밀도의
함 수 임 을 보 여 준 다 . 이들 곡선의 기울기 측 정 값 은 산 화 막 -반 도 체 계면상태 밀도 를 실
험 적으로 결정하는데 이용된다.
M O S F E T 가 문 턱 전 압 이 나 문 턱 전 압 조 금 아래에 바 이 어 스 된 다 면 드 레 인 전 류 는

이 아니다. 문 턱 아 래 전 류 는 수 백 ，수천의 M O S F E T 들이 이 용 되 는 대규 모 집적회로에

서 전 력 소 비 를 크게 증 가 시 킬 수 있다. 회 로 설 계 에 서 는 문 턱 아 래 전 류 를 고 려 하 거 나
M O S F E T 를 “차단” 상태에서 충분히 문 턱 전 압 아래에 바 이 어 스 되 도 록 해야 한다.

11. 1. 2 채널 길 이 변조

이 상 적 인 전 류 -전 압 관 계 식 의 유 도 에 서 채 널 길 이 L은 일 정 하 다 고 가 정 했 다 . 그 러 나
M O S F E T 가 포화영 역에 바 이 어 스 될 때 드레 인 단 자 에 서 의 공핍 영 역은 측 면 으 로 채널
IM Chapter 1 1 MOSFET 추 가 개념

그림 1 1 .4 몇몇 기판전압에 대한 문턱아래 전류• 전압

특성(문턱 전압이 각 곡선상에 표시된다). (Schroder [1刀
참조)

내에 확장되어 유 효 채 널 길 이 를 감 소 시 킨 다 . 공 핍 영 역 폭 이 바 이 어 스 에 의존하기 때문
에 유 효 채 널 길 이 또 한 바 이 어 스 에 의 존 하 고 드 레 인 -소 스 전 압 에 의해 변 조 된 다 . 그림
1 1 .5에 n 채널 MOSFET의 채널길이 변조효과를 나 타 내 고 있다.
제 로바이 어스 상 태의 pn 접합의 p 영 역 으로 확 장 된 공핍 영 역 넓 이는 다음처 럼 쓸
수 있다.

l2e^fp ( 11. 2)
V
a
eNa

n+p 접합의 한 쪽 면 에 서 ，본 질 적 으 로 인가된 모 든 역 방향 바 이 어 스 전 압 은 저도핑

9 VGS , 반전전하
S
/ ^ V ds

유
구
1 觸 ■ n+
■ n+
- T 、、

"----V )5(sat) VGS VT ■ Vd s *

= V公도 — VD5(sat)

그림 1 1 .5 채 널 길 이 변 조 효 과 를 보 여 주 는 n채 널 M O S F E T의 단 면
된 P 영 역 을 가 로 지 른 다 . 드 레 인 -기 판 접 합 의 공 간 전 하 넓 이 는 대략

x p = d + ^ os) (1 1 -3 )

이 다 . 그 러 나 A L로 정 의 되 는 공 간 전 하 영 역 은 그 림 1 1 .5 에 보 여 지 는 것 처 럼 >

V^ ( sat) 까 지 그 형 태 가 시 작 되 지 않 는 다 . 따라서 A L을 결 정 하 기 위 한 첫 번째 접 근 으

로 ，^ d s = V노 ( sat) 일 때 총 공 간 전 하 넓이에 존 재 하 는 공 간 전 하 넓이의 차, 혹 은

+ VflS( sat) + A V ds - \ /<i>fp + VM ( sat) ] (1 1 . 4 )

로 쓸 수 있다. 여기서

A V ds = VDS ~ Vns( sat) (1 1 . 5 )

인 가 된 드 레 인 -소 스 전 압 은 이 고 ， VDS > V노 ( sat) 이 라 가정한다.

AL 결 정 을 위 한 두 번째 접 근 으 로 그림 1 1 .6 을 고 찰 하 고 ，일 차 원 Poisson 방 정 식 을

재 고 한 다 . E sat은 핀 치 오 프 된 반 전 층 의 한 점에서 측 면 전 계 이 다 . 전류에 기 여 하 는 어떤

전하의 존 재 를 무 시 하 므 로 다음처 럼 쓸 수 있다.

예 마 6)

여기서 p⑴ = - eJVa 이 고 이 것 은 일정하게 도 핑 된 기 판 을 나 타 내 는 상 수 이 다 . 적분식

(1 1 . 6 )과 쇼 스 로 정 의 된 공 간 전 하 영역에서의 주 어 진 전계의 경 계 조 건 을 적용하 면

E = - ^ - E sat (1 1 . 7 )

이다. 이 영역에서의 전 위 는

<j)( x ) = ~ J Edx = 각 : + E satx + C, (1 1 . 8 )

게이트

그림 11.6 채널길이 변조 효과를 보여주는 n채널 MOSFET의

드레인 단자 부근 단면적의 확대
的 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

이다. 여기서 이 은 적분상수다. 경 계 조 건 은 0江 = ) = V，

DS( sat)과 ，小 (x = A L ) = VDS

이다. 이러 한 경 계 조 건 을 식 (1 1 .8)에 대입하면

VDS = eN^ L )1 + E sat(A L ) + VDS( sat) (1 1 .9)

를 얻고，A L 에 관해서 풀 면 ，

AL = 사고 ^~ [\/</>sat + [ V S — V/jiCsat)] - 、J 必sat ] (1 1 .1 0)

이다. 여기서

이다. 일반적 으로 E sat 값의 범위는 104 < E sat < 2 x 1 5 V /c m 이다.

A L 을 결정하기 위해 사 용 되 는 다 른 모 델 들 은 드레 인 전류에 의 한 음 전 하 를 포 함 하
고，이차원 효 과 들 도 포함한다 . 이러한 모 델 들 은 여기서 다 루 지 는 않는다.
드레인 전류는 채널길이에 반비례하기 때문에 다음처럼 쓸 수 있다•

( 11. 11)
\1
L - AL

여기서 心 는 실제 드레 인 전 류 이 고 ，I D 는 이 상적인 드 레 인 전류이다. 이 의 함수

이므로 트랜지스터 가 포화영 역에 바이 어스 된다 할지 라도 /요 는 의 함수이다.
心 는 。«의 함 수 이 고 ，출력 저항 은 더 이상 무한대 가 아니 다. 포화영 역 에 있는 드레
인 전류를 나타내면

I ’D = 동 ' — [ d - V rf (1 + AV느 )] (11.12)

VD (V )

그림 11.7 단채널 효과를 보여주는 MOSFET의

전류-전압 특성 (Sze [22] 참조)
 1 1 .1 비이상적인효과 45 1

여기서 X 는 채 널 길 이 변 조 파라미터이다.
출력 저항 은 아 래 와 같이 주어진다.

r = (출 ) = { t ' T ' (V s~ W)2' A } (1 1 .1 3 a)

\ 가 정 상 적 으 로 작 으 므 로 ，식 (1 1 .1 3a)는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

r 나 ( U -1 3b)

그림 1 1 .7은 채널 길이 변조 로 인하여 포 화 영 역 에 서 양의 기 울 기 를 가 지 는 몇 가지 전
형적 인 /요 대 곡 선 을 나 타 내 고 있다. M O S F E T 의 크 기 가 점점 작 아 지 면 서 채널 길
이의 변 화 A L 가 본래 길이 쇼의 많 은 부 분 을 차 지 하 므 로 ，채널길이 변 조 는 보 다 뚜 렷 하
게 된다.

r뭬 단채널 변조로 인한 드레인 전류의 증가를 결정한다.

Na = 2 x 1 016 c m - 3, 문 턱 전 압 = 0.4 V ，그 리 고 채 널길이 L = 1 사m 인 n 채널
M O S F E T 을 고려하라. 이 소자는 V GS = 1 V , VDS = 2.5 V 에 바이어스 되어 있 斗 실제의
드레인 전류와 이상적인 값의 비를 결정하라.

풀이
계산하면

如 = V , l n ( ^ ) = (0.0259)In ( 품 뿜 ) = 0.3653 V

VDs(sat) = Vcs — Vr = 1.0 — 0.4 = 0.6 V

이고

A V s = V s - VDS(sat) = 2.5 -0 . 6 = 1 .9 V

이 다. 식 (1 1 .4)를 통해 계산하면

쇼= ^~ e N ~ V 5 (s a t) + W s ~ 4>fp + V 5 (s a t)]

= [V Q3653 + 06 + 1 9 ~ v .3653 + 0.6]

= 1 .807 X 1 0一5 cm

따라서
L = 0.1 807 /Ltm

이다. 그러므로

_ L _ _ _ _ _ 1___ _ i
h _ L - A L _ 1 -0. 1 8 07 _
452 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

區互 )
트랜지 스터 가 포화영역에서 바이어스 되어있을 때，유효 채널 길이가 감소하면 실제의 드
레인 전류가 증가한다.

연 습 ^^
Ex 1 1 .1 예제 1 1 .1 에서 다룬 소자와 채널 길이를 제외한 특성들이 같은 n 채널 MOSFET

이 있 斗 이 트랜지스터는 = 0.8 V 과 = 2.5 V 에 바이어스 되어있다. 채널 길이 변

조가 1 . 3 5 보다 크지 않을 때，최소의 채널 길이를 구하라. (께 % 9 '0 = 7 -s u y)

11. 1. 3 이동도

이 상 적 인 /-V 관계식 유 도 에 서 묵 시 적 으 로 이 동 도 가 일 정 하 다 고 가 정 했 다 . 그 러 나 이
가 정 은 두 가지 이유로 해서 수 정 되 어 야 만 한다. 고 려 되 는 첫 번째 효 과 는 게이트 전압
에 다 른 이동도의 변화이다. 이동도 변화에 대한 두 번째 이유는 캐 리 어 가 속 도 포 화 한
계에 이름에 따 라 유 효 캐리어 이 동 도 가 감소한다. 이 효 과 는 다 음 절에서 다룰 것이다-
반 전 층 전하 는 수직전계에 의해 유 도 되 고 이것 을 n 채널 소자에 대해 그림 1 1 .8에 보였
다. 양의 게 이트 전압 은 반 전 층 내의 전 자 들 을 표 면 으 로 향하게 한다. 전 자 들 은 채널 을
통하 여 드 레 인 으 로 이 동함에 따 라 ，표 면 으 로 끌리 게 되 지 만 ，국 부 적 인 C o u b m b 힘에
의해 반발한다. 그림 1 1 .9에 보 이 는 이 효 과 를 표면산란 (surfa c e sc a ttering )이라 한다.
표 면 산 란 효 과 는 이 동 도 를 감소시 킨다. 만 약 양의 고정 산 화 막 전 하 가 산 화 막 -반 도
체 계면근처 에 있다면, 이 동 도 는 추 가된 C oulom b 힘 에 의해 훨씬 더 감소될 것이 다.
반 전 전 하 이 동 도 와 수평 전계 사이의 관 계 는 보 통 실 험 적 으 로 측 정 된 다 . 유 효 수 평 전
계는 다음처 럼 정 의 할 수 있다.

E efr = 士 (|2느 (max )| + 1 2 스) (1 1 .1 4)

유 효 반 전 전 하 이 동 도 는 게 이 트 전압의 함 수 인 채널 컨 덕 턴 스 로 부 터 결 정 할 수 있다.
그림 1 1 .1 0은 r = 300 K 에서 다른 산 화 막 두 께 와 도핑 준 위 에 대한 유 효 전 자 이 동도를

+ V&S

산화막
S
사 入 ，'
공간전하영역
반전층

그림 11. 8 n 채 널 MOSF ET 의 수 직 전 계 그림 11.9 전 하 표 면 산 란 효 과 의 개 요

 1U 비이상적인효과 453

•• •
2

여(
. •• •

、一/
1

3
。)
버
水
4••••
$0

2 I I I I II111__ I I I I iiii
1 04 1 05 1 06
반전층 내의 유효전계 eft(V/cm)

그림 11.10 측정된 반전층 전자 이동도 대 반전층에서의 전계

나타낸다. 유효이동도는 반전층에서의 전계에만 관련되고 산화막 두께와는 무관하다.

유 효 이 동 도 는 다 음 으 로 표 현 할 수 있다.

Meff = (1 1 .1 5)

여기서 씨)와 E 는 실험적 인 결과로부터 결정된 상수이다.

유 효 반 전 전 하 이 동 도 는 격 자 산 란 때문에 온 도 와 밀 접 한 관 련 을 갖는데 온 도 가 감
소함에 따 라 이 동도 는 증가한다.

주어진 반도체 도핑에 대한 문턱에서의 유효전계름 계산하다. B B IB C T

T = 300 K 에서 N a = 3 x l 16 c n r 3으로 도핑된 p 형 실리콘 기판을 고려한다.

10장의 결과로부터 계산할 수 있는 것은

如 = R In ( ^ ) = (0-0259) In ( 스 수 : 。) = 0.376 V

이고

니 4es如p\ la _ [4(11.7)(8.85 X 1 - '4)(0.376)11/2

XdT _ 1 eNa I ~ ~ (1.6 X 10~19)(3 X 1016)— —一J

이다. 따라서 왕 = 18 /xm 이다，이렇게 해서

\Q' sd (max)| = eNa = 8.64 X 10-8 C/cm2

이다. 문턱 반전점에서 Q ， n= 으로 가정하면, 식 (1 1 .1 4)로부터 유효전계를 알 수 있다.

Eeff = h \ Q '^ (max)l = (11.?)^85 >< 1 - 14) = 8 34 X 104 V/cm

區3
그림 1 1 .1 0으로부터 알 수 있는 것은 표면에서 이 유효 수평전계의 값은 유효 반전전하 이
^54 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

동 도 를 벌크 반 도 체 에 서 보 다 더 작게 만든다.

연습문제
Ex 11.2 표 면 에 서 의 전계 E # = 2 x 1 05 V /c m 일 때 ，유 효 반 전 층 전 자 이 동 도 를 결 정 하
라 . (그 림 1 1 .1 0을 이 용 ) (s-A / uw gg 5 며 .su V)

유 효 이 동 도 는 식 (1 1 .1 4)에 있는 반 전 전 하 밀 도 를 통 과 하 는 게 이 트 전 압 과 관 련 된
다. 게이트 전압이 증가함에 따라，캐리어 이 동 도 는 훨씬 더 감소한다.

11. 1. 4 속 도 포 화

장채 널 M O S F E T 의 해석에서 이 동 도 가 일 정 하 다 는 가 정 은 표 동 속 도 가 전 계 가 증 가 함
에 따 라 아 무 제한없이 증 가 한 다 는 것을 의 미 한 다 . 이 상적인 경우에 캐리어 속 도 는 이
상 적 인 전 류 를 만 드 는 한 증 가 한 다 . 그 러 나 캐리어 속 도 는 전 계 가 증 가 함 에 따 라 포 화
한 다 는 것 을 알 았 다 . 속 도 포 화 는 단채널 소 자에서 더 욱 두드러 지 게 되는데 이 것은 관
련된 수 평 전 계 가 일반적 으로 더 크기 때문이다.
이 상 적 인 /小 관계에 서 전 류 포 화 는 반 전 전 하 밀 도 가 드레 인 단자에서 이 되 는 ，즉
다 음 조건이 성 립 할 때 일어난다.

V s = as(sat) = V s —Vt (11.16)

이 것 은 n 채널 M O S F E T 에 대 한 것이다. 그 러 나 속 도 포 화 는 이 포 화 조 건 을 바 꿀 수 있
다. 속 도 포 화 는 수 평 전 계 가 대략 104 V /c m 일 때 일어 날 수 있다. 만일 채널길이 L = 1
다미인 소 자 에 서 VDS = 5 V 라면 평 균 전 계 는 5 x 1 04 V /c m 이다. 이 속 도 포 화 는 단채널
소자에서 일 어나는 것과 매우 유사하다.
수 정된 / f l ( sat) 특 성 은 대략 다음 식으로 나타난다.

/" ( sat) = W C ox( VGS - V7) i;sat ( 11 •

17)

여기서 ∼ 는 포 화 속 도 (벌 크 실리콘에 서 전자의 속 도 는 대략 1 7 cm /s)이고 C ox는 c m 2

당 게이트 산 화 막 커 패 시 터 이 다 . 수 직 전 계 와 표 면 산 란 때문에 포 화 속 도 는 인가 한 전압
에 따 라 어느 정도 감소한 다 . 속 도 포 화 는 / D(sat)값을 이상적인 관계식에서 예 측 되 는 값
보 다 더 작게 하 고 V DS( sat) 또 한 더 작게 만 들 것이다. / D( sat) 전 류 는 이 전에 예견했 던
이상적 인 제곱법칙에 의 존 하 기 보 다 가 에 근 사 적 으 로 선형 적 관계이다.
이동도 대 전계에 대한 몇 가지 모델들이 있다. 일 반 적 으 로 사 용 하 는 특 정 한 관계식
은 다 음 과 같다.
/^eff
나= (11.18)
> effE \2l 1/2
、 있 sat /

그림 1 1 .11 은 일정 한 이 동 도 와 전계에 의 존 하 는 이동도에 대 한 /0 대 V w 전압의 특성

 1 1 .1 비이상적인효과 45 5

VG = 5 V /

// ~-
일정한 ^
/ 이동도 -
/
- / 속도포화 -
/ 一 -
/
/
/ 4 V

- Z
<
旦
° - / / VG - 5 V

f - 一 - 3V
4 V

r 3V -
卜 __

— 적 - = 1V
5 10
V (V)

그림 11.11 일정한 이동도 (점선)에 대한 /D 대 。 곡선과 전계에

의존하는 이동도 및 속도포화 효과의 비교 (Sze [22] 참조)

을 비교 한 것이다. 이 그림의 전계에 의 존 하 는 이동 도 곡 선 (실 선 )에 서 작 은 / D( sat) 값들

과 의 관계에서 근 사 적 으 로 선형 이다.
전달 컨덕 턴스 는 다음으로부터 알 수 있다.

a/z)(sat)
마 at (1 1 .1 9)
dV S

이것 은 속 도 포 화 가 일어 날 때 V w 와 에 무 관 하 다 . /D는 속 도 포 화 효과에 의해 포 화
되고 전달 컨덕턴스 를 일정하게 만든다.
속 도 포 화 가 일어날 때, 차 단 주 파 수 는 다 음 으 로 주 어진다.

_ _8_m
_ _ _ _ _切_ _ _있_ _ sat
_ _ _ ^sat ( 1 1 . 20)
f r : 2t t C^ ~ 2 t t ( C 0XW L) ~ I t tL

여기서 기생 커 패 시 턴 스 들 은 무 시 할 수 있다고 가정한다.

11. 1.5 탄 도전 송

5장에서 논 의 했 던 것처럼 반도체 내의 산 란 현 상 은 캐리어 속 도 를 평균 표 동 속 도 로 제

한 한 다 . 평균 표 동 속 도 는 충 돌 사이 의 평 균 시 간 또 는 산 란 작 용 사이 의 평균거 리 의 함
수이다 . 장채널 소자에서 채널길이 쇼은 충 돌 사이의 거 리 1보 다 훨씬 더 길어서 평균 캐
리어 표 동 속 도 가 존 재 한 다 . M O S F E T 의 채 널 길 이 가 감소함에 따 라 충 돌 1 사이의 평균
거 리 는 L 과 비 교 할 수 있게 되어 이전 해석이 유 효 하 지 않 을 수 있다. 채 널 길 이 가 더
감소되어 L < 1이 되면，캐리어들의 대부분이 소스로부터 드레 인으로 산 란 작 용 을 받지
的 6 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

않고 이동할 수 있다. 이 캐리어의 이동을 탄 도 전 송 (b a llis tic tra nsport ) 이라 한다.

탄 도 전 송 은 캐리어들이 평균 표 동 속 도 나 포 화 속 도 보 다 훨씬 더 빨리 이 동 한 다 는 것
을 의 미하고, 이 효 과 를 이용해서 소 자 를 매우 빠르게 할 수 있다. 탄 도 전 송 은 서브 마
이 크 론 (L < 1 사m )소 자에서 일어 날 것이다. M O S F E T 기술이 채 널 길 이 를 0.1 /a m 로
계속해서 줄여감 에 따 라 탄 도 전 송 현상이 매우 중요하게 될 것이다.

이해도 평가 _ _ _ _________ _ _

T Y U 1 1 .1 M O S E F E T 문턱아래 영역 V노 〉 〉 소77e 에서 바이어스 되어 있다고 생각하자. 이

상적 일 때，드레인 전류의 변화율이 1 0이 되는 게이트-소스전압의 변화는 무엇
인가? (Am W 6S = soAV ' SUV )
T Y U 1 1 .2 N M O S 트랜지스터의 파라미터가 다음과 같다고 생각하자. „ = 1 000 c m W -s,
Cox = 1 C 8 F /cm 2, W = 10 /u m , L = 1 /j ,m , VT = 0.4 V ，그리고 usat = 5 x l 6
cm/s. 0 호 씀 4 V 의 범위에서 (a) 이상적인 트랜지스터 (식 (1 0.45 a)), (b ) 포
화속도가 발생했을 때 (식 (1 1 .1 7)), / D(sat) 대 V GS 를 하나의 그래프에 그려라.
[V 거(f 0 - soA ) e = (JBS)°/ (<?) -vrl z( y _ 쪄八) 도= ( j es) / ( v ) -suy ]

11. 2 M O S F E T 스 케 일 링

지 난 장에서 주 목 했 던 것처 럼, M O S F E T 의 주 파 수 응 답 은 채 널 길 이 가 감 소 함 에 따 라
증 가 한 다 . 지난 20년 동 안 C M O S 기술 발전의 원 동 력 은 채널길이의 감소에 있었다. 채
널길이 0.1 3 jum 또 는 보 다 작 은 것이 현재 표 준 이 다 . 채널 길 이 가 축 소 했 을 때 고려되
어야 할 하나의 문 제 는 다른 소 자 파라미터 들의 비율이다.

11.2.1 정전계 스 케 일 링 (C o n sta n t - F ield )

정전계 스 케 일 링 의 원 리 는 절대 상 수 로 남 아 있 는 전 계 (수 평 , 수직 전계 둘 다 )처럼 스
케일 된 소 자 넓 이 와 소자의 전 압 이 다 . 스 케 일 된 소자 의 신 뢰성이 손 상 되 지 않 는 다 는
것을 확실히 하기 위하 여 ，스 케일된 소자의 전계는 증가하지 않 아야 한다.
그림 1 1 .1 2a 는 본래 N M O S 소자의 단 면 과 파 라 미 터 를 보 여 주 고 , 그림 1 1 .1 2b 는 스
케일 파 라 미 터 가 쇼로서 스케일 된 소 자 를 보여준 다 . 전 형 적 으 로 주 어진 기 술 세대 당 쇼
« 0.7 이다.
그림에서 보인 것처럼 채 널 길 이 는 L 에서 노까지 스 케 일 되 어 있다. 일정 한 수 평전계
를 유지하기 위해 드레인 전압 또 한 V V 게서 하노로 스 케 일 되 어 야 한다. 최대 게이트 전
압 역시 게 이 트 전 압 과 드 레 인 전압이 양 립 할 수 있 도 록 八;에서 로 스케일되어진
다. 일정한 수 직 전 계 를 유지하기 위해 산 화 막 두께 역시 Q 에서 k 나 로 스케일된다.
일방형 pn 접합의 드레 인 단자에서 최대 공 핍 층 넓이는
 11.2 MOSFET 스 케 일 링 457

kVG
kV

k t ox

조 7 V kn
kL ~
Na
- j doping

(a) (b)

그림 11.12 (a) 원래 NMOS 트랜지스터，(b) 스케일된 NMOS 트랜지스터의 단면

XD= 사 느 에 VDi_ (1 1 .21 )

이다. 채 널 길 이 가 감 소 함 에 따 라 ，공 핍 층 폭 역시 감 소 되 어 질 필 요 가 있다. 만 약 기판
도 핑 능 도 가 ( l / k ) 만 큼 증 가 한 다 면 ，공 핍 층 폭 쇼에 의해 V D가 감 소 함 에 따 라 대략 쇼만
큼 감소한다.
포화영역에서 바이어스된 트랜지스터의 채널 넓이당 드레 인 전류는

# = 증 S ( 匕 - 대 2— w ~ m (kv° _ 대 2 이 co n sta nt ( 1 1 -2 2 )

이다. 채널 폭 당 드 리 프 트 전류가 본 질 적 으 로 상 수 로 남아있고, 소에 의하여 채널 폭이 줄

어든다면，드레인 전류 또한쇼로 인해 줄어든다. 소자의 면적이 A 竹또이고，소2으로 줄어
들고，/5 = " 인 전력 역시 쇼2으로 줄어든다. 칩 내의 전력밀도는 여전히 변하지 않는다.
표 11.1 은 소 자 스 케 일 링 과 회로 파라미터의 영향을 요 약했다. 내부연결선의 길이와
폭 역시 똑 같 은 비례 인자로 감 소 된 다 는 가 정 을 명심하라.

표 11.1 정전계스케일링 의요약

소자와 회로 파라미터
비례 인자
( * < 1)
스케일된 파라미터 소자 넓 이 (L, fox, Xj) k
도핑농도 [N a，Nd) 1A
k
전압
소자 파라미터의 전계 1
영향 캐리어 속도 1
k
공핍층 폭 k
키패시턴스 (C = e A/t) k
회로 파라미터의 소자 밀도
\/1 c
영향 전력 밀도 1
소자당 전력소비 (P = IV ) k2
회로 지연 시간 = C V/1) k
전력 지연 곱 (가 ) k3
출 처 : Taur and Ning(23)
58 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

11. 2. 2 문턱전압一첫번째 근사

정전계 스케일 링 에 서 소 자 전 압 은 비 례 인 자 소에 의해 감 소 한 다 . 문 턱 전 압 역시 같 은 인
자에 의해 스 케 일 링 하 는 것이 적절하다. 일정하게 도핑된 기판에서 문 턱 전 압 은

V T = V F B + 2<t>fp + ^ 2^ 2^ (11.23)
l X

이다. 식 (11.23) 의 첫 번 째 ，두 번째 항 은 스 케 일 되 지 않 는 물질적 파 라 미 터 이 고 도핑

농도 에 대해 매 우 낮 은 함 수 이 다 . 마 지 막 항 은 대략 \/포 에 비 례 하 며 , 따라서 문 턱 전 압
은 비 례 인자 소를 가지고 직 접 스케 일 링 하 지 는 않는다.
문 턱 전 압에서의 단채널 효 과 는 이 장의 11.3 절에서 논 의 할 것이다.

11. 2. 3 일반화된 스케일링

정전계에서 인가된 전압 은 소 자 넓이로서 쇼와 같은 비 례 인 자 를 가 지 고 스 케 일 한 다 . 그

러나 실제 기술적 진보에 있어서 전압 은 같 은 비 례 인 자 를 가 지 고 감소하지 않는다. 예
를 들 어 ，이전의 회로에서 사 용 된 규 격 화 된 전원 공 급 수 준 을 변 화 시 키 기 에 약간의 부
담 을 갖 고 있다. 뿐 만 아니 라 부 적 절 하 게 인가된 전압에서 문 턱 전 압 과 문 턱 아 래 전류
와 같이 스 케 일 되 지 않은 인 자 는 축 소 된 다 . 결 과 적 으 로 M O S 소자에서 전 계 는 소자의
크 기 가 줄 어 듦 에 따 라 증 가 하 는 경 향 을 갖 는 다 . 전계의 증 가 로 인한 결 과 는 신 뢰 도 를
감소시 키고 전력 밀도 를 증가시 킨다. 전력 밀 도 가 증 가 함 에 따 라 소 자 온 도 는 증 가하게
될 것이다. 온도의 증 가 는 소 자 안정성에 영향을 미칠 것이다. 산 화 물 두 께 가 감 소 하 고 ，
전 계 가 증 가 함 에 따 라 게 이트 산 화 물 은 항복에 가까워 지 고 산 화 물 보 존 을 유지 하 기 는
더 욱 더 어려워지게 될 것이다. 뿐 만 아 니 라 산 화 물 을 통 과 하 는 캐리어의 직접 터널링
이 발 생 하 는 것이 더욱 쉬워질 것이다. 또 한 전계의 증 가 는 후에 논 의 될 고 온 전 자 (hot
e le ctron ) 현상의 기회를 증 가 시 킬 것이다. 그래서 소 자 크기의 감 소 는 반드시 해 결 해 야
할 도전적 인 문 제 를 야기한다.

이해도 평가
T Y U 1U NMO S 트랜지스터가 다음 파라미 터를 가진다. L = 1 ^1 1 1 ,^=1 0^1 1 1 ,^ = 250A ,
Na = 5 x 1015c rt T 3, 인 가전압3 V 를 가진다. 만약 이 소자가 정전계 스케일링을 사
용해 스케 일되 어 있다면 쇼= 0.7의 비 례 인자를 위한 새로운 소자 파라미 테 을 결
정하•
근]•
. \'1 JO S3§BJ|OA p9I|ddB pire
‘ _ u n sl i x V Y L = VN ^ = 자 ^ L = M ‘ 出 니 스•
0 = 7 .s u v )

11. 3 문턱전압조정

이전 장에서 문 턱 전 압 과 전 류 -전 압 특 성 을 표 현 한 이 상 적 인 M O S F E T 관 계 식 들 을 유
 1 1 .3 문 턱 전 압 조 정 459

도 하 였 다 . 또 한 채널길이 변 조 를 포 함 한 몇 가지 비 이 상 적 인 효 과 들 을 고 려 했 었 다 . 문
턱전압에 추 가 되 는 효 과 들 은 소자의 크 기 가 줄어듦에 따 라 나타난 다 . 채널길이의 감소
는 M O S F E T 의 주 파 수 응 답 과 전달 컨덕 턴 스 를 증가시킬 것이다. 그리 고 채널폭에서의
감 소 는 집적회로의 집 적 도 를 증가시킬 것이다. 이렇듯 채 널 길 이 와 채 널 폭 각각의 변화
에 대해 문턱전압이 영향을 받 을 수 있다.

11. 3. 1 단채널 효과

이상적인 M O S F E T 에 대해 전하중성의 개념 을 이용하여 문 턱 전 압 을 유도했 다 . 이 개념

에서 금 속 산 화 막 반 전 층 내 에 있는 전 하 와 반도체의 공 간 전 하 영 역 내 전하의 합 은 이
다. 또 한 게 이 트 면적 이 반도체 내 의 활성 면적 과 똑 같 다 고 가정 했었다. 이 가 정 을 이 용
하여 등가 의 표 면 전 하 밀 도 만 을 고 려 했 었 고 활성 채널 영역 내로 확 장 되 는 소 스 와 드
레인 공 간 전 하 영역 때문에 나 타 나 는 문턱전 압에서의 어떠한 효 과 들 도 무시했다.
그림 1 1 .1 3a 는 평탄대에서 제로의 소 스 와 드레 인 전 압 을 인가한 장채널 n - M O S F E T
의 단 면 을 보 인 다 . 소 스 와 드 레 인 에 서 의 공 간 전 하 영 역 은 채널 영 역 으 로 확 장 되 지 만
전체 채널 영역의 작 은 일 부 분 만 포 함 한 다 . 그림 1 1 .1 3b 에 보인 것처럼 게이 트 전 압 은
반전상태에서 채널 영역 내에 유 기된 모 든 공 간 전 하 를 조 절 할 것이다.
채 널 길 이 가 감 소함에 따 라 게이트 에 의해 조 절 되 는 채널 영역내 전하의 일부 가 감
소 한 다 . 평탄대 조 건 에 서 이 효 과 를 그림 1 1 .1 4에 보 여 준 다 . 드 레 인 전압이 증 가 함 에
따 라 ，드레 인에서 역방 향 바 이 어 스 공 간 전 하 영역 은 채널 영역 내로 더 확 장 되 고 ，게이
트 는 벌 크 전 하 보 다 더 작 은 전 하 를 조 절하게 될 것이다. 게이트에 의해 조 절 되 는 채널
영역 내의 전하의 양 公 0(m a x )는 식 (1 1 .24)로 알 수 있는 것처럼 문 턱 전 압 에 영 향 을
준다.

V tN — ( |G ; D ( m a X ) | — G L ) (끝 ) + + 모4)fp (1 1.24)

그림 11.15에서 보 여 지 는 파 라 미 터 들 을 고려하여 문턱전압에 영향을 주 는 단채널 효 과

들 을 정 량 적 으 로 결 정 할 수 있다. 소 스 와 드 레 인 접 합 은 확 산 된 접합깊이 ~로 표 현 할
수 있다. 게 이트 아래의 측면 확산거 리를 수직 확산거 리와 같 다 고 가 정 하 면 확 산 된 접
합에 대 해 서 는 타 당 한 근 사 이 지 만 이온 주 입 된 접합에 대 해 서 는 정확성이 떨어지게 된

Gate

그림 11. 13 장채널 n MOSFET 의 단면，(a) 평탄대，(b) 반전

460 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

그림 11.14 평탄대에서 단채널 n MOSFET의 그림 11.15 단채널 문턱전압 모델에서의

단면 전하공유<Y au[26] 참조)

다. 처음에 소 스 와 드레인 기판 접촉단이 모 두 접지준위에 있는 경 우 를 고 려 할 것이다.

이 해석에 있어서 기본적인 가정 은 게이트 아래 사 다 리 꼴 면적 내의 벌 크 전 하 가 게
이트에 의해 조 절 된 다 는 것 이 다 . 벌크 공 간 전 하 영역 양단의 전 위 차 는 문턱 반전점 에
서 2姑 이 고 소 스 와 드 레 인 접합의 내 부 (b u ilt -in )전위 장 벽 높 이 또 한 근 사 적 으 로 2如
이므로 이 것은 세 공간전하폭이 본 질 적 으 로 같 다 는 것을 말한다. 즉

x„ ^ xd ^ Xj t = xdT (11.25)

이고，기하학적 근 사 를 사 용 하 면 ，사 다 리 꼴 내의 단 위 면 적 당 평균 벌 크전하 公 B는

\Q'B\ L = e N aXlr r ( ^ ^ ) (11.26)

이다. 기하학적 구조로부터 다음 을 알 수 있다.

L + L' _ (11.27)
- 1
2L

그러면

\Q'b \ = e N ax dT 1 - ( /l + 투 一 1) (U .2 8 )

이다. 식 (1 1 .28)은 문 턱 전 압 표현식에 있는 I야 (m a x)l를 대신해서 사용한다.

IG 노( m a x)l = 이 기 때문에 다를 다음처 럼 쓸 수 있다.

e N ax dT
w = (11.29)
CX

여기서
 1 1 .3 문 턱 전 압 조 정 461

스V ’ r — ^ / "(s h o r t channel) ''KzXlong channel) ( • )

이다. 채 널 길 이 가 감 소 함 에 따 라 문 턱 전 압 은 음의 방 향 으 로 이 동 하 고 , 따라서 n 채널
M O S F E T 는 공핍 모 드 로 들어 간다.

r례 단채널 효과에 기 인하는 문턱전압 이동을 계산한다. ■ ■ B C T

N a = 3 x 1 016 c m —3과 tox = 20 nm = 200A 을 갖는 n 채널 M O S F E T 를 고려하라. L =
1.0 사m 라 두고 ，rj = 0.3 라고 가정한다.

다음처럼 산화물 커패시턴스를 구할 수 있다.

r _ e0, _ (3 . 9 )(8 . 8 5 X 1 -14) _
1 .726 父 1 -7 F /c m 2
ox~~Ux 2 00 X 1 0一8

전위는

如 ，= V, I n ( 분 ) = (0. 02 5 9 ) I n ( 품 1 ) = 0. 3 7 5 8 V

이다. 이렇게 해서 최대 공간전하폭은 다음처럼 알 수 있다.

'4 es(f)/p' 1/2 4(1 1 .7 )(8.85 X 1 0~14)(0.37 5 8)' 1 /2

XdT = eNa (1 .6 X 1 - |9)(3 X 1 016)

= 0. 1 8 1 0_ 4 c m = 0. 1 8 f i m

마지막으로 문턱전압 이동은

eNaXdT ^XdT ~ 1
Cx
(1 . 6 X 1 -'9)(3 X 1 016)(0. 1 8 X 1 0_ 4) 0.3 , / , , 2 (0. 1 8 ) |
1 .7 26 X 1 _7 [l. O l \ 1 ' + 0.3 N.

이다. 따라서

\ V T = -0 . 0 7 2 6 V

이다

B 5)
n 채널 M O S F E T의 문턱전압값이 예제에서 VT = 0. 3 5 V 라면 단채널 효과로 인해 =
-0 . 0 7 2 6 V 만큼의 이동이 나타나고，이것은 소자설계에서 고려해야 할 필요가 있다.

연습문제
Ex 11.3 소자의 파 라 미 터 가 = 1 '6 cm- 3, L = .75 tm = 12 nm = 1 20A , t]

= -25 사이일 때，예제 1 1 .3 를 반복하라. (A 6 9 W 0- = M V _SUV )

단채널의 효과 는 채 널 길 이 가 감소함에 따 라 더 뚜렷하게 된다.

그림 1 1 .1 6에는 n 채널 M O S F E T 에 대 한 채널길이에 따 른 문 턱 전 압 이 동 을 보인다.
스62 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

25 V
Vds = 125
I
I 0.4
흐 ^5 = V

■Vb5 = 4 V

0 1 2 3 4 5 6 7
L, jLtm 채널 길이 (Mm)

그림 11.16 다양한 기판도핑에 따른 문턱 그림 11.17 드레인-소스와 기판-소스 전압의 두

전압 대 채널길이 (Yau [26] 참조) 값에 대한 문턱전압 대 채널길이(Yang [25] 참조)

기판도핑이 증 가 함 에 따 라 ，앞 장에서 보았 던 것처럼 초기 문 턱 전 압 이 증 가 하 고 단채

널 문 턱 전 압 이동 또 한 더 커지게 된다. 채 널 길 이 가 대략 2 /내1 보다 더 작게 될 때까지
문 턱 전 압 에 서 의 단채널 효 과 는 중요시되 지 않는다. 문 턱 전 압 이동 또 한 확 산 자가 작 아
짐에 따 라 더욱 작아져 서 매 우 얄은 접 합 은 채 널 길 이 에 대 한 문 턱 전 압 의 의 존 도 를 감
소시 킨다.
식 (1 1 .29)는 소 스 ，채널 그 리 고 드 레 인 공 간 전 하 폭 들 이 모 두 같 다 는 가 정 을 이 용하
여 유 도되었다. 지금 드레인 전압 을 가한다면 드레인 단자에서 공간전하폭이 넓 어지고 ，
이 것 은 " 을 더 작게 만 들 고 게 이 트 전압에 의해 조 절 되 는 벌크전하 의 양 은 감 소 한 다 .
이 효과 로 문턱 전압은 드레 인 전압의 함수이 다 . 따라서 드레 인 전압이 증가함에 따 라 n
채널 M O S F E T 의 문턱 전압은 감소한다. 그림 1 1 .1 7은 문 턱 전 압 대 채널길이의 그림 으 로
드레인 대 소스전압에 대한 두 값과 기판 대 소스전압에 대한 두 값에 대해 그려졌다.

11. 3. 2 협 채 1! 효과

그림 1 1 .1 8은 반 전 상 태 로 바이어스된 n 채널 M O S F E T 의 채 널 폭 을 따 라 그려진 단면 을
보 이 고 있다. 전 류 는 채 널폭에 수 직 으 로 반 전 전 하 를 통 과 한 다 . 그림 에서 주 목 할 것은
채널폭의 각 끝에 추 가 되 는 공 간 전 하 영역이 있다 는 것이다. 이 추 가 된 전 하 는 게이 트
전압에 의해 조 절 되 지 만 이상적 인 문턱 전압 관계식의 유 도 에 서 는 포함되지 않았다. 문
턱전 압 표 현 식 은 이 추 가된 전 하를 포함하여 수 정 해 야 한다.
단채널 효 과 를 무 시 한 다 면 ，게이트로 제 어 되 는 벌 크 전 하 는 다음처럼 쓸 수 있다.

O r = O. r o + 느Q b
(1 1 .31 )

여기서 q b는 총 벌 크 전 하 이 고 ，e so는 이상적인 벌 크 전 하 이 다 . 그 리 고 스 ^ 는 채널폭의

 1 1 .3 문 턱 전 압 조 정 463

그림 1 1 .1 8 소자의 폭을 따라서 공핍영역을 보여주는 n 채널 MOSFET의 단면

끝에서 추 가 된 벌 크 전 하 이 다 . 문턱 반전점 에 바 이 어 스 되 고 , 균 일하게 도핑 된 p 형 반도

체에 대해 이상적인 벌크전 하는

I Qbo| = WLxjj- (1 1 .32)

이다. 그리 고

A Q b = e N aDcdT^ x dT) (1 1 .33)

이다. 여기서 운는 즉면 공 간 전 하 폭 을 고 려 한 적 합 파 라 미 터 (fittin g p ara m e ter)이다. 측

면 공 간 전 하 폭 은 끝에 있는 두 꺼 운 필드 산 화 막 과 이온주입에 의해 만들어진 비 균일한
반도체 도핑 때문에 수 직 폭 왕 와 똑같지 않다. 끝부분이 반원이라면 요 = 77/2이다.
그래 서 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

\ Q b \ = |2« | + | 에 = e N a W L x dT + e N a L x dT(^xdT)

^ e N a W L x dT( \ + ^ ) (1134)

가장자리 공 간 전 하 영역의 효 과 는 폭 …가 감 소 함 에 따 라 중 요 하 게 되고(운X#)인 자 는

폭 …에 대해 중 요 한 부분이 된다.
추가 된 공 간 전 하 로 인한 문턱 전압에서 의 변화는

과 = 측 지 취 (1 1 .35)

이다. 협 채 널 로 인한 문 턱 전 압 에 서 의 이 동 은 n 채널 M O S F E T 에 대해 양의 방 향 이 다 .
폭 ^ 가 더욱 작아짐에 따 라 문턱전 압에서의 이동은 더욱 커지게 된다.

S §] 협채널 효과로 인한 문턱전압의 이동을 특정값으로 제한하는 채널폭을 설계한다.

八^ = 3 x 1 016 cm- 3, tox = 20 nm = 200 A 를 가진 n 채널 MOSFET를 고려한다. 운=
77/2로 두고 문턱 이동을 A Vr = 0.2V로 제한하고자 한다.
느( Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

텔 n
C x = 1 .726 X 1 0-7 F /c m 2 and Xdr = 0.1 8 싸 n

식 (1 1 . 3 5 ) 로부터 채 널폭을 다음처 럼 표현할 수 있다.

eNa{ ^ ) ( 1 6 x 1 ( 19)(3 X l 16) ( f ) ( -1 8 X 1 -4)2

W = ~c Z W t) = (1 .7 26 文 1 0_ 7)(0.2)

= 7.08 X 1 0一5 cm

W = 0.7 08 /xm

■
주목할 것은 A 다 = 0.2 V 의 문턱전압이동은 = 0. 7 08 사m 의 채널폭에서 일어난다는 것
이다. 이것은 대략 유도된 공간전하폭 x# 보다 4 배 더 크다.

연습
Ex 11.4 N a = 1 016 c m -3과 산화막 두께 tm = 8 n m = 80 A 일 때，예제 11 .4 를 반복하
라. 문턱전압의 이동을 A y r = o . i v 로 제한할 때 채널 폭을 결정하라.
(따며 V Z i' O = M -SUV)

그림 1 1 .1 9는 채널폭의 함 수 로 문 턱 전 압 을 보 인 다 . 주 목 할 점은 유 기 된 공 간 전 하 폭
과 비교해 큰 채널폭에 대해 문턱전 압 이 동 이 크 다 는 것이다.
그림 1 1 .20(a )와 I I .20(b )는 각 각 n 채널 M O S F E T 에서 단 채 널 과 협채널 효 과 로 인
한 문 턱 전 압 의 이 동 을 정 량 적 으 로 보 여 준 다 . 협채널 소 자 는 문 턱 전 압 을 더 크게 만 들
고，단채널 소 자 는 문 턱 전 압 을 더 작게 만든다. 단 채 널 과 협채널 효 과 가 동시에 존 재 하

0 .75 r

0 .7 0 -

0 .65 f

( 0. 60

1 0.
•) 0. 55

0.
$ 0.
50

w
- 45 N a = 1.55 X 1016c m -3
dn
N a = 1.25 X 1 0 16cm ~
40
■스

0 301 | | | | | | | | |
' 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

폭 ( 사m)

그림 1 1 . 1 9 문턱전압 대 채널폭(실선은 이론값，점은

실험값) (A k ers [1 ] 참조)
 1 1 .4 부 가 적 인 전 기 적 특 성 465

(a) (b)

그림 1 1 .20 문턱전압의 정성적인 변화. (a) 채널길이에 따라, (b) 채널폭에 따라

는 소자에 대해 두 모 델 을 게이트에 의해 조 절 되 는 공 간 전 하 영역의 3 차원 체 적 근 사 로

결합 할 필요 가 있다.

11. 4 부 가 적 인 전 기 적 특 성

반도체 물 리 와 소 자 들 에 대 한 입 문 서 에 는 포 함될 수 없는 MOSFET에 대 한 많 은 양의
정 보 가 있지 만 추 가 적 으 로 두 주 제 가 여기에 포 함 되 어 야 만 한 다 . 즉 항 복 전 압 과 이온
주입에 의한 문턱 전압 조정 이다.

11人 1 항 복 전 압

MOSFET에서 몇 가지 전 압 항 복 (voltage breakdown) 과정이 고 려 되 어 야 만 한 다 . 산 화

막 양단의 전 압 항 복 뿐 만 아 니 라 반도체 접 합 에 서 의 여 러 가지 전 압 항 복 과 정 들 이 포
함된다.

산 화 막 항 복 ( O xid e B re a kd ow n ) 이제까지 산 화막이 완 벽 한 절 연 체 라 고 가 정 하 였 다 .

그 러 나 산 화 막 내의 전 계 가 충 분 히 커 진 다 면 ，항 복이 일 어 날 수 있고 이 것 은 대단히
큰 파 괴 를 만 들 수 있다. 이 산 화 실리콘 에서 항복의 전 계 는 6 x l 6 V/cm 정도이 다 . 이
항 복 범 위 는 실리 콘에서의 항 복 보 다 크 지 만 게이트 산 화 막 또 한 매우 얇다. 500 A 두께
를 갖 는 산 화 막 항 복 전 압 은 대 략 30 V 의 게 이 트 전 압 이 다 . 그 러 나 안 전 여 유 계 수
(safety margin of a factor ) 3 을 적 용 하 면 = 500 A 이 갖 는 최대 안전 게이트 전압은
1 0 V 이다. 안 전 마 진 은 산 화 막 내에 전계 를 낮 추 는 결함 ( defect ) 이 있을 수 있기 때문에
필요하다. 산화막 항복은 보 통 전력소자나 산화막이 매우 얇은 소자를 제외하고는 심
각 한 문 제 가 아니 다. 다 른 산화막의 열화 (oxide degradation ) 문 제 는 이 장의 뒤에서 다
룰 것이다.

애 벌 런 치 항 복 (A v a la n c h e Bre a kdow n ) 애벌런치 항 복 은 드레인 단 자 근처 공 간 전 하

영역 내에 충 돌 이온화에 의해 일어 날 수 있다. 7 장의 pn 접합에서 애벌런치 항 복 을 고
려했다. 이상 적인 평면 일방형 (planar one-sided) pn 접합에서 항 복 은 주 로 저준위 도핑
A66 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

G D

公
B

그림 1 1 .21 드레인 접합에서의 전계에 대한 곡면효과

된 영역 내의 도핑농도의 함 수 이 다 . M O S F E T 에 대 해 ，저준위도핑 영역은 반도체 기판

에 해당한다. 예 제 에 서 ，P 형 기판도핑 N a = 3 x l 016 c m - 3이면 ，pn 접 합 항 복 은 평면접
합fp la n a r ju n c tio n )에 대해 대략 25 v o lt 이다. 그 러 나 n +드 레 인 단 은 적당히 얕게 확산 된
영 역으로 큰 곡 면 을 가질 수 있다. 공핍영역 내의 전 계는 곡면에 집중되는 경향이 있어
서 항 복 전 압 을 낮춘다. 이 곡 면 효 과 를 그림 11.21 에 보 여 주 고 있다.

준 애 벌 런 치 와 스 냅 백 항 복 ( N e a r A v a la n c h e a n d S n a p b a c k B re a k d o w n ) 1 ) 그림

1 1 .22에 또 다 른 항 복 과 정 으 로 만 들 어진 S 모양의 항 복 곡 선 을 보인다. 이 항 복 과 정 은 2

차 효과에 기 인하고 그림 1 1 .23을 가 지 고 설 명 할 수 있다. 그림 1 1 .23 a 의 n 채널 증가형
M O S F E T 의 기하학적 구 조 는 p 형 기 판 을 갖 는 n 형 소 스 와 드레 인 접 촉 단 을 보 이 고 있

다■

1) 이 절은 나중에 1 2장 바이폴러 트랜지스터에서 언급되어 있다.

 1 1 .4 부 가 적 인 전 기 적 특 성 스67

(a) (b)

그림 1 1 .23 (a) n 채널 MO奸ET의 단면，(b) 기생 바이폴러 트랜지스터를 포함하는 등가회로

소 스 와 기 판 은 접 지 전 위 에 있고, n (소 스 )-p (기 판 )-n (드 레 인) 구 조 는 그림 1 1 .23b 의

등 가 회 로 와 같이 기생 바이폴러 트 랜 지 스 터 를 만든다.
그림 1 1 .24a 는 드 레 인 근처 공 간 전 하 영역 내에서 애벌런치 항 복 을 시 작 할 때의 소
자 를 나타낸 다. 특정 전압에서 갑자기 일 어나는 애벌런치 항 복 을 생 각 하 지 만 애벌런치
항 복 은 작 은 전류 전위에서 시작하여 점 진 적 으 로 진 행 하 는 과 정 이 고 항 복범위 약간 아
래에 있는 전계 에서 일어난 다 . 애벌런치 과정에 의해 발 생 된 전 자 들 은 드 레 인 으 로 홀
러들어 드레 인 전류에 기여하게 된다. 애 벌 런 치 로 생성된 정 공 들 은 일반적으로 기 판을
통해 기 판 단 자 로 흐 른 다 . 기판의 저항이 0이 아니기 때 문 에 ，그림에 서 처 럼 전 압 강 하 가
일어난다. 이 전 위 차 는 소 스 -기 판 pn 접 합 을 소 스 단 자 주변 순 방 향 바 이 어 스 로 구 동 한
다. 소 스 는 높게 도핑 된 n 형 이므로 많 은 수의 전 x f 들이 소 스 단 으 로 부 터 순 방 향 바이 어
스하 의 기 판 내로 주 입 될 수 있다. 이 과 정 은 기 판 에 서 의 전 압 강 하 가 0.6-0.7 V 로 증
가함 에 따 라 더 심하게 될 것 이 다 . 주 입 된 전 자들의 일 부 는 기생 베 이 스 영 역 을 가로
질러 역 방 향 바 이 어 스 된 드 레 인 공 간 전 하 영 역 내로 확 산 하 여 드 레 인 전류에 첨가될
것이다.

그림 1 1 .24 (a) 드레인의 애벌런치로 인한 기판전류에 의한 전압강하，(비 기생 바이폴러

트랜지스터의 내부
468 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

애벌런치 항 복 과 정 은 전 계 뿐 만 아니라, 포함된 캐리어의 수 와 도 관련된 다 . 애벌런치 항

복 은 드 레 인 공 간 전 하 영역의 캐리어의 수 가 증 가 함 에 따 라 증 가 하 고 이렇게 해서 재
생 성 과 정 궤 환 과 정 을 가진다. 드레인 단 자 근처의 애벌런치 항 복 은 기 판 전 류 를 만 들 고
기 판 전 류 는 순 방 향 바 이 어 스 된 소 스 -기 판 pn 접 합 전 압 을 만 든 다 . 순 방 향 바 이 어 스 된
접 합 은 역으로 드레인에 확 산 할 수 있는 캐 리 어 를 주입하여 애벌런치 과 정 을 증가시키
는 정 궤 환 은 불 안 정 한 시 스 템 을 만든다.
그림 1 1 .22 에 보인 스 냅 백 또 는 곡선의 부 저 항 부 분 은 기생 바이폴러 트 랜 지 스 터 를
이용하여 설명될 수 있다. 이 미 터 (소 스 )근 처 바이폴러 트 랜 지 스 터 의 베 이 스 전 위 는 거
의 격리되어 외부에서 가해진 전 압 보 다 애 벌 런 치 로 생성된 기판전류에 의해 결정되기
때문이다.
그림 1 1 .24에 보인 개방 베이스 바이폴러 트랜지스 터에 대해 다음처럼 쓸 수 있다.

Ic = aI E + I cbo (1 1 .36)

여기서 a 는 공 통 베 이 스 전 류 이 득 이 고 / 는 베 이 스 컬렉터 누 설 전 류 이 다 . 개 방 베이
스 / c = & 에 대해，식 (1 1 .36)은 다 음 으 로 된다.

Ic = a l c + Icbo (1 1 .37)

항 복 에 서 ，B -C 접합에서의 전 류는 증 배 인 자 사에 의해 곱해진다.

Ic = M { a l c + Icbo ) ( 8 )

사에 대해 풀면 다음 을 얻는다.

_ M I cbo (1 1 .39)
c ~ 1 -a M

항복은 /c 로 만 드 는 조 건 으 로 정 의 하 고 단일 역 방 향 바이 어스된 pn 접합의 항복

은새 이다. 그 러 나 식 (1 1 .39)로부터 항 복 은 이제 a M —> 1 인 조 건 으 로 정의하거
나, 개 방 베 이 스 상태의 항 복 은 M 1 /a 일 때 일 어 난 다 . 이 것 을 간 단 한 pn 접 합 보 다
훨씬 더 낮 은 증배 인자이다.
증배인자에 대한 실험적 관 계 식 은

M =
1 (1 1 .40)
1 - (vCE/vBDy

이다. 여기서 m 은 3~6의 범위에 있는 실 험 상 수 이 고 ， 는 접합항복전압이다.

공 통 베이 스 전 류 이 득 는 컬렉터 전류의 작 은 값들에 대해 컬렉터 전 류 와 밀 접 한 관
련을 갖는다. 이 효 과 는 1 2장의 바이폴러 트랜지스터 에서 논의 되 었다. 저 전류에서 B -E
접합의 총 전류의 대부분이 재 결 합 전 류 이 므 로 공 통 베 이 스 전 류 이 득 은 작 다 . 컬렉터
전 류 가 증 가 함 에 따 라 a 값 은 증 가 한 다 . 애벌런치 항복이 시 작 되 고 / c■가 작 으 므 로 ，a M
= 1 조 건 을 만드는 데 특 정 한 사과 마 값이 요 구 된 다 . 컬렉터 전 류 가 증 가 함 에 따 라 a
 1 1 .4 부 가 적 인 전 기 적 특 성 스69

그림 1 1 .25 (a) 장채널 MOSFET의 표면을 따라 그려진 등전위，(b) 펀치스루에 대한

단채널 MOSFET의 표면을 따라 그려진 등전위

가 증 가 하 므 로 더 작 은 사 과 V C 값들이 애 벌런치 항 복 상 태 를 만드는데 요구된다. 이 렇

게 하여 스냅백 또 는 부 저 항 ，항복특성 이 만들어 진다.
순 방 향 바이어스된 소 스 -기 판 접합으로부터 주 입 된 전자들의 일부만이 드레인 단 자
에 모 아 진 다 . 보 다 정 확 한 스냅백 특성 의 계 산 은 이 부 분 을 고 려 할 필 요 가 있다. 위의
논 의 는 스냅백 효 과 를 정성 적 으 로 설 명 하 고 있으나 이렇게 간 단 한 모 델 은 수정이 필요
하다. 스냅백 효 과 는 전 압 강 하 를 막기 위해 높게 도핑 된 기 판 을 이 용 함 으 로 최 소 화 할
수 있다. 높게 도 핑 된 기 판 위에 요 구 되 는 문 턱 전 압 을 만들기 위해 적 당 한 도 핑 농 도 를
갖 는 얇은 에피택시얼 P 형 층 을 성장한다.

준 펀 치 스 루 효 과 ( N e a r P u n c h-T hro u g h E ff e cts ) 펀 치 스 루 는 드 레 인 -기 판 공 간 전 하

영역이 완전히 채널 영 역 을 가 로질러 소 스 -기 판 공 간 전 하 영 역 으 로 확 장 된 상 태 이 다 .
이 상 태에서 소 스 와 드레 인 사이의 장 벽 은 완전히 제 거 되 고 매 우 큰 드레 인 전 류 가 존
재한다.
그 러 나 드레 인 전 류 는 실제 펀 치 스 루 상 태 가 되기 전에 급격 히 증가하기 시 작 할 것
이다. 이 특 성 을 일러 준 펀 치 스 루 라 고 한다. 또 한 드 레 인 유 기 장 벽 감 소 ( D I B L )라고 한
다. 그림 1 1 .25 a 는 V GS < V r 이 고 드레 인 대 소 스 전 압 이 상 대 적 으 로 작 을 때 장 채 널
n M O S F E T 에 대해 소 스 로 부 터 드 레 인 까 지 의 이 상 적 인 에 너 지 밴 드 그 림 이 다 . 큰 전위
장벽 이 드레 인과 소 스 사이 의 큰 전 류 를 막 아 낸 다 . 그림 1 1 .25 b 는 상 대 적 으 로 큰 드레
인 전 압 V DS2가 가해질 때의 에 너 지 밴 드 그 림 이 다 . 드 레 인 단 자 근처의 공 간 전 하 영역
은 소 스 공 간 전 하 영역과 상 호 작 용 을 시작하 고 동시에 전 위 장 벽 은 낮아져있다 .
전 류 가 장벽 높이에 지수함 수 적 인 관 계 가 있기 때문에 일단 준 펀 치 스 루 상태에 도달
하게 되면 전 류 는 드 레 인 전 압 과 함께 갑자기 증 가 할 것 이 다 . 그림 1 1 .26는 몇몇 전형
적인 준 펀 치 스 루 상태에 있는 단채널 소자의 특 성 을 보인다.

목적 계단접합근사 (a brupt ju n ctio n a pproxim a tion )를 가정한 이론적인 펀치스루전압을 W B IB C T

계산한다.
소스 와 드레인이 Nd = 1 019 c m - 3의 도핑농 도를 갖고 채널 영역이 八^ = 1 16 c m -3 의
스70 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

그림 1 1 .26 펀치스루 효 과를 나타내는 전형적 인 M O SFET 의 /-V 특성

도핑농 도를 갖는 n 채널 MOSFET를 고려하라. 채널길이 = 1.2 A n라하고 소스와 기판

은 접지전위에 있다 가정한다.

행 n
pn 접합내부 전위장벽은 다음으로 주어진다.

(NaNd\ ( 1016)( 1019)

Vbi = V,\n = (0.025 9) In = 0.874 V
(1.5 X 1010)2

제로 바이어스된 소스-기판 pn 접합폭은

[2esVbi 1/2 2(11.7)(8.85 X 1 -14)(0.874) '

0.336 jam
[ eNa (1.6 X 1 0 19)(1016)

이다. 역방향 바이어스된 드레인-기판 pn 접합폭은 다음으로 주어진다.

\2es(Vbi + VDS) P
如 = 1— w a— J

펀치스루에서 다음을 얻을 것이다.

Xd + xd = L or 0.336 + xd = 1.2

여기서 펀치스루 상태에서 x d = 0.864 사m이다.

T/ , T/ _ x2d eNa _ (0.864 X 10一4)2(1.6 X 10_ 19)(1016)

Vbi Vds ~ 2(11.7)(8.85 X 1 -14)

= 5 .77 V

이렇게 해서 펀치스루 전압을 알 수 있다.

]
두 공간전 하 영역이 펀치스루에 근접하면 계단접합 근사(abrupt junction approximation)는
더 이상 좋은 가정이 아니다. 드레 인 전류는 이론적 펀치스루 전압에 도달하기 전에 급격
히 증가하기 시작할 것이다.
 1 1 .4 부 가 적 인 전 기 적 특 성 71

연습문제
Ex 1 1 .5 Na = 3 x 1 016 cm-3, 채널 길이 L = 0.8 사m일 때，예제 1 1 .5를 반복하라.
(A ZS'L = saA 's u y )

1 016 cm- 3의 도핑에 대해 두 공 간 전 하 영 역 들 은 계 단 공 핍 층 (abrupt depletion layer)

이 대략 0.25 떨어질 때 상호작 용하 기 시 작 할 것이다. 준 펀 치 스 루 상 태 가 일어나는
지점 에서 드 레 인 전 압 -또 는 드 레 인 유기 장벽 감 소 (drain-induced barrier lowering)-예
제 1 1 .5(문제 1 1 .33을 보라)에서 계산된 것처 럼 이상적 인 펀 치 스 루 전 압 보 다 상당히 낮
아진다.

*11 乂. 2 저준위 도평 드레인 트랜지스 터

접 합 항 복 전 압 은 최대 전계의 함 수 이 다 . 채 널 길 이 가 작 아 짐 에 따 라 ，바 이 어 스 전 압 을
비례해서 줄일 수 있는 것이 아 니 다 . 그래서 접 합 전 계 들 은 더 커지게 된다. 전 계 가 증
가함에 따 라 준 애 벌 런 치 항 복 이 나 준 펀 치 스 루 효 과들이 더 심 각하게 된다. 게 다 가 소
자의 기하학적 구 조 와 규 모 가 축소됨 에 따 라 기 생 바이폴러 소 자 가 더 뚜렷이 나 타 나
고 항복효과들이 증가한다.
항 복 효 과 를 감 소 시 키 는 한 가지 방 법 은 드 레 인 단의 도 핑 분 포 모 양 을 바 꾸 는 것이
다. LDD(Lightly Doped Drain) 설 계 와 도 핑 분 포 가 그림 1 1 .27a에 보 여 진 다 . 일반적인
MOSFET와 도 핑 분 포 를 비교하기 위해 그림 1 1 .27b에 보 였 다 . 저준위 도 핑 된 영역 을
도 입 함 으 로 공 간 전 하 영역 내에 최대 전계 는 감 소 되 고 항복효과들이 최소화된다. 드레
인 접합에서 최대 전 계 는 반도체 도 핑 뿐 만 아 니 라 n+드 레 인 영역의 곡 면 과 도 관 련 된
다.

A A P ly-Si B B P ly-Si
t

U - 0.3 fxm
20 I----------- 20

A -A 단면 B -B 단면
rw

1 8

•• 호 7

15 15
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Distance (/im) Distance (/xm)
(a) (b)

그림 1 1 . 2 7 (a) L D D 구조，(b) 일반적 인 구조 ( O gura et a l[1 2] 참조)

72 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

LDD 일반

(i /
A 0
寸

一)
때
♦
서
OT
3 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

표면상의 위치 (Atm)

그림 1 1 . 2 8 거리의 함수로 S i-S i02 계면에서의 전계의

크기 = 1 0 V ，VSB = 2 V , V GS = V ^ O g u r a et a l.[1 2]

참조)

그림 1 1 .28은 물리적 인 n +드 레 인 단 과 L D D 구 조 를 똑 같 은 그림 위에 중 첩 하 여 보
였다. L D D 구 조 내에 산 화 막 -반 도 체 계면에서 전계의 크 기 는 일반적인 구 조 에 서 의 전
계 보 다 작다. 일 반 소 자 내의 전 계 는 대략 금 속 학 적 접합에서 최 대 가 되고 전도성이 높
은 n + 영 역 에 는 전 계 가 없기 때문에 드레 인 에 서 빨리 이 된다. 반면, L D D 소 자 내의
전 계 는 드레인 에서 0으로 떨어지기 전에 n 영역을 가로질러 확 장 된 다 . 이 효 과 는 항복
현 상 과 고 온 전 자 효 과 를 최 소 화 한 다 . 이 것 은 1 1 .5.3절에서 논 의 할 것이다. L D D 소자에
서 두 가지 불 리 한 점은 공정의 복 잡 성 과 드레인 저항의 증 가 이 다 . 그 러 나 첨 가 되 는 공
정 단 계 들 로 인해 소자의 성능이 상당히 개선된다. 그림 1 1 .27에 보여진 L D D 소자의 단
면 은 소 스 단 자 에 저준위 도핑 된 영역을 가 리 킨 다 . 이 영역이 있다고 해서 소자의 성능
이 개 선 되 지 는 않 지 만 가 능 한 한 많 은 공정의 복 잡 성 을 감 소 시 킨 다 . 또 한 직렬저항이
첨 가 됨 으 로 소 자 내의 전 력 소 비 를 증 가 시 킬 것 이다. 이 와 관 련 한 내 용 은 고전력 소 자
에서 고 려 되 어 야 한다.

11. 4. 3 이 온 주 입 에 의 한 문 턱 조 절

고정 산 화 막 전하, 금 속 -반 도 체 일함수 차 ，산 화 막 두께 그 리 고 반도체 도 핑 과 같 은 몇

몇 요 소 들 은 문턱 전압에 영향 을 준다. 이들 모 든 파라미 터 들 은 특 정 한 설 계 와 제 조 공
정에서 고 정 될 수 있 지 만 ，만 들 어 진 문 턱 전 압 을 모 든 응 용 분 야 에 서 받 아 들 일 수 있는
것 은 아 니 다 . 이 온 주 입 은 요 구 되 는 문 턱 전 압 을 얻기 위해 산 화 막 -반 도 체 표 면 근 처 의
기판도핑을 변 경 하 거 나 조정하는데 이용될 수 있다.
도 핑 을 변화시 켜서 문 턱 전 압 을 바꾸기 위 해 ，정확하게 조 절 된 도 너 나 억셉터 이온
을 산 화 막 표면근 처 반도체 내 에 주입 시 킨다. M O S 소 자 가 공핍 이 나 반전 상 태 에 바이
어 스 되 거 나 ，주 입 된 불 순 물 원 자 들 이 공 간 전 하 영역 내에 있을 때，이 온 화 된 불 순 물 전
 1 1 .4 부 가 적 인 전 기 적 특 성 47 3

Metal Oxide P_ type

Metal Oxide p-type semiconductor
semiconductor
，- D, (cm 一 2)

i Na
1
/ 1
1
/ i
x z: 0 x = x dT

(a) (b)

그림 1 1 .29 (a) 델타함수로 근사된 이온주입 분포도，(b) 깊이 요,가 공간전하폭

사7■보다 적은 계단접합으로 근사된 이온주입 분포도

하 들 은 최대 공 간 전 하 밀도에 더 해 (또 는 빼)지므로서 문 턱 전 압 을 조절한다. p 나 n 형 기

판 내에 억셉터 이 온 을 주 입 함 으 로 써 문턱 전 압 은 보 다 양의 값 으 로 이 동 하 는 반면에
도너 이온 을 주입 함으로써 문 턱 전 압 은 보 다 음의 값으로 이동 할 것이다.
첫 번째 가 정 으 로 써 그림 1 1 .29a 에 보 인 것처럼 산 화 막 -반 도 체 계면에 인 접 한 p 형
기판 내에 cm 2 당 다 억셉터 원자들이 직접 주 입 된 다 고 가 정 한 다 . 주 입 으 로 인한 문턱
전압의 이동 은

AVr =+우 (1 1 .41 )

l X

이다. 만 약 도너 원자들이 p 형 기판 내에 주 입 된 다 면 ，공 간 전 하 밀도 는 감 소 할 것이다.

그러면 문 턱 전 압 은 음의 전압방 향 으 로 이동 할 것이다.
두 번째 유형의 주 입 근 사 는 계 단 접 합 으 로 그림 1 1 .29b 에 보 였 다 . 만 약 문턱 반전점
에서 유기 된 공간전 하 폭 이 자보다 작 다 면 ，문턱 전압 은 cm 3 당 ' 원자들로 균일하게 도
핑된 농 도 를 가진 반도체 에 의해 결정된 다 . 반면에 만 약 유 기 된 공 간 전 하 폭 이 문턱 반
전점 에서 자보다 크다 면 요#의 새 로 운 표현식 이 유도되 어 야 한다. Poisson 방정 식 을 적
용하여 계단주입 후 최대 유도 공 간 전 하 폭 을 다음처럼 쓸 수 있다.

=
Xdr V 5 2‘ - (紙 - N a ). ( 1 1 .4 2 )

xdT > 자일 경우 계단주입 후 문턱 전압은

VT = Vm + ^ 1 (1 1 .43)

이다. 여기서 V노 는 주입 전 문턱 전 압 이 다 . 파라미터 D /는 다 음 으 로 주어진다.

U1U Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

D, = (Ns - N a)x, (1 1 .44)

이것은 cm2 당 주 입된 이온의 수이다. 주입 전 문 턱 전 압 은

eN^ j-ro
Vt V so + (1 1 .45)
CX
= 2 < ^

이다. 여기서 첨자 “0” 는 주입 전 값을 나타낸다

문턱전압을 특정한 값으로 조정하는데 요구되는 이온주입량을 설계한다.

도핑농도 ' I = 5 x 1 15 cm- 3과 산화 막 두께 = 18 nm = 1 80A 그리고 초기 평탄
대 전압 Vra() = - 1.25 V를 갖는 n 채널 MOSFET를 고려하라. 문턱전압 다 = +0.4 V가
얻어지도록 이온주입량을 결정하라.

필요한 파라미 테 을 계산한다.

<t>fp = V, In ( 분 ) = (0. 02 5 9) In ( A X .1- R ^ I = 0.3294 V

1 .5 X 1 010/

(j)fp 1/2 4 (1 1 . 7 )(8. 85 X l - 14)(0. 3 2 9 4 )' 1 /2

XdTO : eN a (1 .6 X 1 0_ 19)(5 X l 15)

= 0.41 3 0 X l - 4 c m

e이 一 (3 . 9)(8. 85 X 1 0-14)
Cx: 1 0_ 7 F /c m 2
~Ux 1 80 X 1 0_ 8

처음의 주입전 문턱전압은

eNgXdro
V t o = Vf bo + ^ fp O +
CX
(1 .6 X 1 0一 19) (5 X 1 015)(0. 4 1 3 0 X 1 0-4)
= -1 . 2 5 + 2 (0.3 2 94)
1 .9 1 0_ 7
= -0 . 4 1 9 V

주입 후 문턱 전압은 식 (1 1 .43)로부터
eDi
Vt = V to +
~c 7x

이므로
(1 .6 X 1 0_ 19) 公 ,
+ 0. 4 0 = -0 . 4 1 9 +
1 .91 7 5 X 1 0_ 7

이다. 균일한 계단주입이

公 / = 9.81 5 X 1 0" c m —2

이므로 ;c, = 0.1 5 사m 의 깊이로 확장된다면，표면에서의 등가 억셉터 농도는

Ns ~ N a -
알
 1 1 .5 방 사 와 고 온 전 자 효 과 스75

또는
Ns = 7.04 X 1016 cm - 3

이다.

■
이 계산은 채널 영역 내에 유기된 공간전하폭이 이온주입 깊이 자보다 더 크다고 가정한 것
이다. 이 예제에서 요구조건이 실제로 만족됨을 볼 수 있다.

연습 문제
E x 1 1 .6 Na = 1 015 c m - 3과 산화막 초기 평탄대 전압 = +0.95 V 인 다결정 실리
콘 게이트，산화막 두께 tm = 12 nm = 1 20A 를 갖는 실리콘 M O S F E T 이 있다. 최종 문턱
전압 다 = +0.40 V 가 필요하다. 그림 1 1 .29(a)에서 보인 것처 럼 이상화된 델타함수를 사
용한 이온 주입 분포도로 가정한다. (a) 주입되는 이온의 형태(억셉터 혹은 도너)는 무엇인
가? (b ) 이온주입량 公/룰 결정하라. U-IUD n i x n 'Z = 竹 W) J u p (») -suy ]

실제 주 입 량 대 거 리는 델타나 계 단 함 수 가 아 니 라 가 우 시 안 형 으 로 분 포 되 는 경향이
있다. 비 균 일 한 이온 주입 밀 도로 인해 문 턱 이 동 은 " inv 대 。 곡 선 에 서 이 동 으 로 정의
할 수 있다. 여기서 N 삐는 cm 2 당 반전 캐리어 밀도이다. 이 이 동 은 트 랜 지 스 터 가 선형
모 드 에 바이 어 스 될 때 드 레인 전류 대 유노의 실 험적인 결과에 대응한다. 주입 된 소자에
서 九 = 2산/p인 문턱 반전점의 기준 은 기판 내에 비 균일한 도핑 때문에 확실하지 않다.
문턱 전압 의 결정 은 훨씬 복 잡 하 므 로 여기서 논의하지 않을 것이다.

이해도 평가

T Y U 11.4 최종 문턱 전압이 (a) VT = +0.25 V , (b) VT = -0.25 V 일 때，E xl 1.6을 반복하라.

[ ii OI X £ 'Z = 'Q (功 느 -1113 [| 1 X Z0'8 = 竹 ( ) -suy]

*11.5 방사와고온전자효과

M O S 커패 시 터 의 커 패 시 턴 스 -전 압 특 성 과 M O S F E T 특 성 들 에 서 포 획 된 고정 산 화 막
전 하 와 계 면상태 전하의 효 과 를 고 려 하 였 다 . 이들 전 하 들 은 산화막이 본 질 적 으 로 완전
한 유전 체이기 때문에 존 재 할 수 있고 순 전 하 밀 도 (n et charge d e nsity )가 유전물질 내에
존 재 할 수 있다. 이들 전 하 를 생 성 하 는 두 가지 과 정 은 애벌런치 항 복 근 처 에 서 동 작 하
는 M O S F E T 의 드 레 인 영역에 서의 이 온 방 사 (io n i z in g ra d ia tio n )와 충 돌 이 온 화 (im p a ct
io niz a tio n ) 이다.
Van A ll e n 방사선 대를 지나는 통신위성 궤도 내에서 M O S 소 자 는 이온방사에 노 출
된다. 이 온 방 사 는 추가적 인 고 정 전 하 와 계 면 상 태 를 만들어 낼 수 있다. M O S F E T 에 대
476 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

한 방사효과의 논 의 는 소자의 특성 에서 나 타 나 는 영구적 인 효 과 만 을 고 려 할 것이다.

또 다른 공급원이 산 화 막 전 하 와 계 면 상 태 를 생 성 할 수 있다. 즉 ，고 온 전 자 효 과 이 다 .
애벌런치 항복근처에서 동 작 하 는 M O S F E T 의 드레인 단 자 근처 전 자 들 은 열적 평형 값
보 다 훨씬 큰 에 너 지 를 가질 수 있다. 이들 고 온 전 자 들 은 산 화 막 -반 도 체 장 벽 을 통 과 할
수 있을 만큼 충 분 한 에너 지를 가진다.

11.5. 1 방 사 유 도 된 산 화 막 전하

반 도 체 나 산 화 막 물질 내에 입사하는 감 마 선 이 나 X 선은 가전자대 전 자 들 과 상 호 작 용 을
할 수 있다. 입사된 광 자 (p hoton )들 은 전자들이 전 도 대 로 상 승 할 수 있도록 가전자들 에
게 충 분 한 에 너 지 를 공 급 할 수 있다. 이런 과 정 은 전 자 -정 공 쌍 을 생 성 한 다 . 새롭 게 생
성된 이들 전자 와 정공들은 전계의 영향하에서 이동할 수 있다.
그림 1 1 .30은 양의 게이 트 전 압 을 갖 는 p 형 기판의 M O S 소자의 에 너 지 밴 드 그 림 을
보인다. 이 산 화 실리 콘 금지대 에 너 지 는 대략 9 … 이다. 이 그 림 은 이온방사에 의해 산
화 막 내에 전 자 -정공쌍이 생 성 되 는 것을 보 이 고 있다. 방 사 유 기 된 전자에 가 해 지 는 힘
은 게 이 트 로 향 하 고 방 사 유 기 된 정공에 가 해 지 는 힘 은 반 도 체 로 향 한 다 . 산 화 막 내에
생 성된 전 자 들 은 20 cm 2/ V -s 정도의 이 동 도 를 갖 고 이 동 한 다 . 또 한 고 전 계 에 서 산 화 막
내 전 자 속 도 는 대략 1 7 cm / s로 포 화 된 다 . 그래서 전 형 적 인 산 화 막 두 께 에 대 한 전자
천 이 시 간 은 수 psec 정도이다 . 양의 게이트 전압에 대해 많 은 수의 방 사 유 기 된 전자 들
은 게이트 단 자 를 통해 밖 으 로 흘러 나간다. 이 런 이 유 로 해서 일 반 적 으 로 이들 전자 들
은 M O S 소자의 방사응답에 중 요 한 역할을 하지 않는다. 반 면 ，생성된 정 공들은 산화 막
을 통해 호 핑 전 송 과 정 (H o p pin g tra nsport process)으 로 진행된다(그림 11 .30에 그 림으로
보 였 다 ). 정공 전 송 과 정 은 시간에 따 라 분 산 되 고 전계, 온 도 ，산 화 막 두 께 와 관 련 된 다 .

(4) Si 금지대 내에

전^!•
/전공쌍
그림 1 1 .30 양의 게이트 바이어스를 갖는 MOS 커패시터에서 이온방사로
유도되는 과정의 개념도 (Ma et al. [7] 참조)
 1 1 .5 방 사 와 고 온 전 자 효 과 UT]

.5

( A5
V—
-1 0 -5 0 +5 + 10
게이트전압 ( V )

그림 1 1 .31 조사되는 동안 인가한 게이트 바이어

스와 관련하여 M O S 커패시터의 방사유도된 평탄
대 전압이동(M a et al. [7] 참조)

이 산 화 실리콘에서 유 효 정 공 이 동 도 는 전 형 적 으 로 l (T 4~ l - u cm 2/ V -s 의 범위에 있다.

이렇게 정공 은 전 자들과 비교해 볼 때 상 대 적 으 로 이동성이 없다.
정공이 실 리 콘 -이 산 화 실리 콘 계면에 도 달 할 때，일부는 포획면에 잡히게 되고 반면
나 머 지 들 은 실 리 콘 으 로 흐르게 된다. 순 양의 방 사 유 도 된 전 하 는 이제 이들 포 획 된 정
공 때문에 산 화 막 내에 포 획 된 다 . 이들 포획 된 전 하 들 은 수 시 간 에 서 수년 동 안 지속될
수 있어 양의 산 화 막 전하는 문 턱 전 압 을 음 으로 이동시킨다.
측 정 된 면적의 정공포 획 밀 도 는 산 화 막 과 소 자 공 정 에 의존하여 1 012~1 013 c m - 2의
범위에 있다. 일반 적 으 로 이들 포 획 군 들 은 대략 S i -S i0 2 계면의 5 0A 에 위치한다. 정공
포 획 은 보 통 3가의 실 리 콘 결 함 과 관 련 되 어 S i 0 2 구 조에서 산소의 빈 공 간 을 갖 는 다 .
산소의 빈 공 간 들 은 S i-S i0 2 계면 근처의 영역에 실 리 콘 내에 위치한다.
문턱 전 압 이 나 평탄대 전 압 이 동 은 포획 된 전하의 양의 함 수 이 고 전 압 이 동 은 산 화 막
양단에 가 한 전압의 함 수 이 다 . 그림 1 1 .31 은 조 사 (irr a d i a tio n )되 는 동 안 가 해진 게이트
전압의 함 수 로 M O S 커패시 터의 평탄대 전 압 이 동 을 보 인 다 . 작 은 게이 트 전압에 대해
임의의 방 사 생성된 정공 과 전 자들은 산 화 막 내에서 재결합한다.
따라서 S i-S i0 2 계면에 도 달 하 는 전 하 와 포 획 되 는 전하의 양은 큰 양의 게이트 전압
에 대 한 것 보다 작다. 여기서 본 질 적 으 로 모 든 방 사 생성 된 정 공 은 전 자 와 재 결 합 하 는
것 없이 계면에 이른다. 그림에 보인 것처럼 포 획 되 는 생 성 정 공 의 비율이 상 대 적 으 로
일정하다면，전 압 이 동 은 양의 게이트 바이어스에 무관하게 된다. 음 으 로 가해진 게이트
전압에 의해 방 사 유 도 된 정 공 은 게 이트 단 자 를 향해 움직 인다. 게 이트 근처 산 화 막 내
에 양의 전하 가 포획될 수 있지만，이 문턱전 압에 대해 포획된 전하의 효 과 는 작다.

@ 3 방사유도된 산화막 전하 포획에 기 인한 문턱 전압의 이동을 계산한다. tm = 25 nm 네■ .■

= 250 A 의 산화막을 갖는 M O S 소자를 고려하라. 이온방사의 한 주기 펄스로 산호막 내에
cm 3 당 1 018의 전자-정공쌍이 생성된다고 가정한다. 또한 전자들은 재결합 없이 게이트 단
자를 통해 쓸려가고, 생성된 정공의 20퍼센트가 산화막-반도체 계면에 포획된다.
478 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

행 n
산 화 막 내에 생성된 정공의 면 적 밀도는

Nh = (1 018)(250 X 10_8) = 2.5 X 1012cm 一2

이고，포획된 등가의 표 면 전 하 밀도는

(Z = (2.5 X 10|2)(0.2)(1 .6 X 1 -'9) = 8 X 1 -8 C /cm2

여기서

C„ = ^ = (3-9^(58 8^ '4) = 1.381 X 1 -7 F /cm2

이다. 문턱 전 압 이 동 은

W = -■요므 = ——8 x 1 8— = - 579 V

T Cox 1.381 X 1 0^7

B 51
이전에 보 았 던 것 처 럼 ，양의 고정 산 화 막 전 하 는 문 턱 전 압 을 음의 전 압 방 향 으 로 이동 시 킨
다. 이 온 방 사 는 증가형 소 자 를 공 핍 형 으 로 변경시킬 수 있다.

연습 문제
Ex 11.7 MOS 소자의 산 화 막 두 께 가 ( a ) tox = 12 nm = 1 20 A 일 때，(b ) tox = 8 nm =

80 A 일 때 예제 1 1 .7 을 반복하 라 . ( 산 화 막 두께의 감 소 로 인한 문턱전압의 이 동 을 설명하

라. [U ! 따 s s q ( j ) a £ 6 S 0'0- = M V (功 ; A K l -= ( D) ' SUV ]

그 러 므 로 집 적 회 로 내 n 채널 M O S F E T 에서 방 사 유 도 된 산 화 막 전 하 에 의 해 야 기 되 는
실패 메 커 니 즘 은 증 가 형 에서 공 핍 형 으 로 변 화 하 는 것 이 다 . 소 자 는 = 에서 차 단 보
다 도 통 으 로 바뀌에 된 다 ; 따라서 회로 기 능 이 파 괴 되 거 나 과잉의 전 력 공 급 전 류 가 회
로 내에 생 성 될 수 있다.
p 채 널 M O S F E T 에서 게 이 트 전 압 은 보 통 기 판 에 대해 음 의 전 압 이 다 . 산 화 막 내에
방 사 생 성 된 정 공 은 게 이 트 -산 화 막 계 면 방 향 으 로 힘 을 받 는 다 . 이 영역 내에 포 획 된 전
하 들 은 문턱 전 압 에 적 은 영 향 을 주 므 로 게 이 트 -산 화 막 과 산 화 막 -반 도 체 계 면 에 서 포획
농 도 의 크 기 가 같 다 면 p 채널 M O S F E T 의 문 턱 이 동 이 보 통 더 작 다 .

11.5. 2 방 사 유 도 된 계면상태

M O S 커 패 시 터 의 C -V 특 성 과 M O S F E T 특 성 에 서 계 면 상 태 의 효 과 를 고 려 하 였 다 . 문턱
반 전 점 에 서 n 채 널 M O S 소 자 의 계 면 상 태 내에 있 는 순 전 하 들 은 음 의 값 이 다 . 이 음 의
전 하 들 은 문 턱 전 압 을 양의 전 압 방 향 으 로 이 동 시 켜 서 양의 산 화 막 전 하 로 생 기 는 이 동
과 반 대 가 된다. 또 한 계 면 상 태 가 전하로 채워지기 때문에 그 들 은 반 전 전 하 캐 리 어 와
 1 1 .5 방 사 와 고 온 전 자 효 과 47 9

• o- *'

• o-

(V )
(
1
•
• o-y
c
A
져 o-
)
하 • -l N*

Iwo
可 -l
lo-l
(
In r
DN
lo•
可

I
N
印 lo 4

-5-4-3-2-1 0 1 2 3 4 5
게이트 전압(V)

그림 1 1 .32 문턱전압 대 총 이온방사량 그림 1 1 .33 조사전 MOSFET의 문턱이하

(a) n채널 MOSFET，여) p채널 MOSFET(Ma 전류 대 게이트 전압과 4개의 총 방사량
et al.[7] 참조) (Ma et al. [7] 참조)

쿨 롱 작 용 을 하 는 또 다른 공급원이 된다. 이것 은 반전 캐리어 이 동 도 가 표 면 산 란 효 과

를 통 한 계면 상태 밀 도 와 관 련 된 다 는 것을 의 미 한 다 . 이렇게 해서 계 면 상 태 는 문 턱 전
압과 캐리어 이동도 둘 다에 영향을 미친다.
M O S 소 자 가 이 온 방 사 에 노 출 될 때 추 가 되 는 계 면 상 태 들 은 S i -S i 0 2계면에 생 성된
다. 방 사 유 도 된 계 면 상 태 들 은 금지 대 의 아래 절반 을 도 너 상 태 로 ，위 절반을 억셉 터상태
로 만 든 다 . 그림 1 1 .32은 이 온 방 사 량 과 관 련 한 n 채 널 과 p 채널 M O S F E T 에서 문 턱 전
압을 보인다 . 처음에 우 리 는 방 사 유 도 된 양의 산 화 막 전하로 인해 두 소 자 가 음의 문턱
전 압 으 로 이 동 한 다 는 것을 알았다. 더 높 은 방사 량 에 서 발 생 하 는 문턱 의 역 이 동 은 방
사 유도된 양의 산 화 막 전하를 보 상 하 는 방사유도된 계면상태의 생성에 기여한다.
문턱 아래 전 도성의 논 의 에 서 문 턱 아 래 의 영역에서 In I D 대 곡선 의 기 울 기 는
계면 상태 의 밀 도 와 관 련 된 다 는 것을 언급했다. 기울기 에 서 의 변화 는 계면상태 의 밀도
가 총 방사량에 따 라 증 가 한 다 는 것을 가리 킨다(그림 1 1 .33).
방 사 유 도 된 계 면상태 의 증 가 는 상대 적으로 오랜 기간 동안에 일어 나고 산 화 막 내 에
가해진 전 계 와 밀접 한 관 련 을 갖는다. 그림 1 1 .34에는 방 사 유 도 된 계면상태 밀도 대 시
간 을 몇몇 가해 진 전계에 대해서 보 였 다 . 마 지 막 계 면 상 태 밀 도 는 이 온 방 사 의 한 주기
펄스 후에 생성에 대 한 모 델 은 S i-S i 0 2 계면근처 방 사 생 성 된 정공의 전 송 과 포획에 의
존 한 다 . 이 전 송 과 포 획 과 정 은 시 간 과 전계에 의 존 하 므 로 ，계 면 상 태 의 증 가 를 시 간 과
전계에 의 존 하 도 록 만든다.
방 사 유 도 된 계 면 상 태 의 증 가에 대 한 S i-S i0 2 계면의 감 도 는 소 자 공 정 과 밀 접 한 관
련이 있다. 알 루 미 늄 게이 트 M O S F E T 내에서 계 면 상 태 의 증 가 는 다결정 실 리 콘 -게 이
트 소 자 보 다 더 작다. 이 차 이 는 아 마도 고 유 한 차 이 보 다 는 두 공 정 기 술 사이의 가변성
의 결과일 것이다. 수 소 는 방사 유 도 된 계면상태 증가에서 중 요하게 된 다 -수 소 는 계면
상태에서 댕글 링 (d a n glin g ) 실리 콘 결합 을 보 호 하 고 ，방 사 전 계면상태 밀도 를 감소시킨
다. 그 러 나 수소 에 의해 보 호된 소 자 들 은 방 사 유 도 된 계면상태 의 증가에 대해 훨씬 더
민 감 하 다 . 계면에서 실 리 콘 -수 소 결 합 은 방 사 과 정 에 의해 파 괴 될 수 있어서 계면상태
48 Chapter 11 MOSFET 추 가 개념

그림 1 1 .34 산화막 전계의 몇몇 값에 대한 방사유도된 계면상태

밀도 대 이온방사 펄스가 가해진 후의 시간(M a e t a l. [7] 참조)

포 획 과 같 은 작 용 을 하 는 댕 글 링 (dangling) 실리 콘 결 합 을 남긴다. 계면에서의 이들 트

랩은 전자스핀 공 진 실 험 을 통해 확인되었다.
계 면 상 태 들 은 MOSFET 특성에 심 각 한 영향을 준다. 이것 은 MOSFET 회로의 성능
에 영향을 줄 수 있다. 방 사 유 도 된 계 면 상 태 들 은 문 턱 전 압 에 서 의 이 동을 불 러 일 으 키 고
회로동작에 영향을 준다. 이동도에서 의 감 소 는 회로의 출력 구 동 능 력 과 속도에 영향을
줄 수 있다.

11.5. 3 고 온 전 자 충 전 효 과

MOSFET에서 항 복 전 압 효 과 를 고 려 했 었 다 . 특히 드레인 접합 공 간 전 하 영역에서 전계

가 증가함에 따라，전 자 -정 공 쌍 들 은 충 돌 이온화에 의해 생성될 수 있다. n 채널 MOSFET
에서 생성 된 전 자 들 은 드 레 인 으 로 쓸 려 가 게 되 고 ，생 성 된 정 공 들 은 기판 내로 쓸 려 가
게 된다.
공 간 전 하 영역 내에서 생성된 전자들의 일부는 양의 게이 트 전압에 의해 유 기된 전
계 때문에 산 화 막 에 끌리 게 된다. 이 효 과 를 그림 1 1 .35에 보 였 다 . 이들 생 성 된 전자 들
은 열적 평 형 값 들 보 다 훨씬 큰 에너 지를 가지 게 되 므로, 이를 고 온 전 자 (hot electron)라
한 다 . 만 약 전자들이 1.5 eV 정도의 에 너 지 를 갖 는 다 면 ，전 자 들 은 산 화 막 내로 터 널링
할 수 있다. 또 한 어떤 경우에 전 자 들 은 실 리 콘 •
산 화 막 전 위 장 벽 을 넘어 게이트 전류를
만 들어서 (fA) (1 -15 시 나 (PA) (1 ->2 A) 범위 정도에 있을 수 있다. 산 화 막 을 통해
이 동 하 는 전자의 일 부 분 은 포획되 어 산 화 막 내에 순음의 전 하 밀 도 를 만 들 수 있다. 전
자 가 포획될 확 률 은 보 통 정공이 포 획될 확 률 보 다 는 적다. 그 러 나 고 온 전 자 로 유 도 된
게이 트 전 류 들 은 오랜 기 간 동 안 존 재 할 수 있 어서，음 전 하 충 전 효 과 가 만 들 어 진 다 . 음
의 산 화 막 전 하를 포획함으로써 문 턱 전 압 은 국 부 적 으 로 양의 값 으로 이동할 것이다.
활 동 적 인 전자들이 Si-Si0 2 계 면 을 지 나 가 면 서 추가의 계 면 상 태 를 생 성 시 킬 수 있
 11.6 요 약 481

그림 1 1 .35 고온 캐리어 생성，전류생성，그리고 산화막내 전자 주입

다 . 계 면 상 태 를 생 성 하 는 타 당 한 이 유 는 실 리 콘 -수 소 결 합 의 파 괴 때 문 이 다 . 댕 글 링
( dangling ) 실 리 콘 결 합 이 만 들 어 져 서 계 면 상 태 로 동 작 한 다 . 계 면 상 태 에 서 전 자 포 획 은

문 턱 전 압 의 이 동 ，추 가 표 면 산 란 그 리 고 이 동 도 의 감 소 를 일 으 킨 다 . 고 온 전 자 충 전 효 과

들 은 연 속 된 과 정 이 어 서 , 소 자 는 오 랜 기간에 걸쳐 성 능이 점 차 감 소 한 다 . 이 감 소 는

바 람 직 하 지 않 는 효 과 로 소 자 의 사 용 수 명 을 제 한 한 다 . 1 1 .4.2절 에 서 저 준 위 도 핑 드 레 인
구 조 ( L D D )를 논 의 했 다 . 이 소 자 에 서 최 대 전 계 가 감 소 되 므 로 충 돌 이 온 화 와 고 온 전 자

효과의 가능성은 감소한다.

11.6 요 약

■ 이 번 장 에 서 는 MO S F E T의 좀 더 어 려 운 개 념 을 논 의 했 다 .
■ 문 턱 아 래 전 도 는 MO S F E T 에 서 게 이 트 -소 스 간 전 압 이 문 턱 전 압 보 다 적 을 때 에 도 드
레 인 전 류 가 제 로 가 아 닌 것 을 의 미 한 다 . 이 경 우 에 트 랜 지 스 터 는 약 반 전 모 드 로 바이
어 스 되 어 지 고 ，드 레 인 전 류 는 드 리 프 트 메 커 니 즘 보 다 확 산 에 의 해 다 소 좌 우 된 다 . 문

턱 아 래 전 도 는 집 적 회 로 에 서 중 요 한 정적 바 이 어 스 전 류 를 이 끌 게 된 다 .
■ MO S F E T 가 포 화 영 역 에 바 이 어 스 될 때 채 널 의 유 효 길 이 는 드 레 인 전 압 에 따 라 드레
인에서의 공 핍 영 역 이 채널 내로 확 장 하면서 감 소 한 다 . 채 널 길 이 가 바 이 어 스 에 의 존 하
게 되 면 드 레 인 전 류 는 포 화 영 역 에 서 조 차 드 레 인 -소 스 의 전 압 의 함 수 가 된 다 . 이 효 과

는 채널길이 변 조 로 알려져 있다.

■ 반전층의 캐리어 이동도 는 상 수 가 아니다. 게이트 전압의 증 가 와 추 가 계 면 산 란 으 로
인해 산 화 물 계 면 에 서 수직 전 계 는 증 가 한 다 . 증 가 된 캐 리 어 산 란 은 이 동 도 감 소 를 야
기 하 고 이상적 전류 전압관계에서 벗 어 난 다 .
■ 채널길이가 감소함에 따라 일반적으로 측면 전계는 증가한다. 채널을 통해 흐르는 캐

리 어 들 은 포 화 속 도 에 이르게 된다. 드레 인 전 류 는 더 낮 은 드레 인 전압에서 포화될 것

이 다 . 이 경 우 에 드 레 인 전 류 는 게 이 트 -소 스 간 의 전 압 의 선 형 함 수 가 된 다 .
■ MO S F E T 설 계 의 경 향 은 소 자 를 더 욱 더 작 게 만 드 는 것 이 다 . 정 전 계 스 케 일 링 의 원 리
482 Chapter 1 1 MOSFET 추가 개념

를 다 루 었 다 . 이 원 리 는 기 판 도 핑 농 도 가 비 례 인 자 에 의 해 증 가 되 면 채 널 길 이 ，채 널 폭 ，
산 화 물 두 께 ，그 리 고 동 작 전 압 이 똑 같 은 비 례 인 자 에 의 해 감 소 된 다 는 것 을 의 미 한 다 .
■ 소 자 넓 이 감 소 에 따 른 문턱 전 압 의 조 절 을 다 뤘 다 . 기 판의 전 하 공 유 효 과 로 인해
문 턱 전 압 은 채 널 길 이 가 감 소 함 에 따 라 감 소 하 고 ，채 널 폭 이 감 소 함 에 따 라 증 가 하 게
된다.
■ 몇 가 지 전 압 항 복 메 커 니 즘 을 다 뤘 다 . 이 들 은 산 화 물 항 복 ，애 벌 런 치 항 복 ，준 애 벌 런 치
혹 은 스 냄 백 항 복 ，그 리 고 준 펀 치 스 루 효 과 를 포 함 한 다 . 이 러 한 메 커 니 즘 은 소 자 넓 이

가 줄 어 듦 에 따 라 강 화 된 다 . 저 준 위 도 핑 된 드레 인 트 랜 지 스 터 는 드레 인 항 복 현 상 을
최소화하는 경향을 갖는다.

■ 다양한 반 도 체 와 소 자 파 라 미 터 들 은 특정 설 계와 공정 과정에서 고 정되어있다. 그 러나

최 종 문턱 전 압 은 모 든 응 용 에 서 수 용 되 어 지 지 는 않 는 다 . 이 온 주 입 은 요 구 되 는 문턱
전 압 을 변 화 시 키 고 ，채 널 영 역 내 의 적 절 한 기 판 도 핑 을 조 절 하 는 마 지 막 단 계 에 필 수
적 으 로 사 용 한 다 . 이 과 정 은 이 온 주 입 에 의 한 문 턱 전 압 조 절 이 고 ，소 자 공 정 에 광 범

위하게 사용된다.
■ MOS F E T 동 작 에 서 이 온 화 방 사 효 과 와 고 온 전 자 효 과 는 간 략 하 게 논 의 되 었 다 .

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

채 널 길 이 변 조 ( C h a n n e l l e n g t h m o d u l a t i o n ) MO S F E T 가 포 화 모드에 바 이 어 스 되 었
을 때 드레인 대 소스전압에 따른 유효 채널길이의 변화
고 온 전 자 ( H o t e l e c t o ro n s ) 높 은 전계 내 에 서 가 속 됨 으 로 써 야 기 되 는 열적 평 형 값 보 다

더 큰 에너 지 를 갖 는 전 자
저 준 위 도 핑 트 랜 지 스 터 (L ig h tly d o p e d d r a i n L D D) 전 압 항 복 효 과 를 감 소 시 키 기 위해
저 준 위 도 핑 드 레 인 영 역 을 가 진 MOS F E T
협 채 널 효 과 ( N a rro w - c h a n n e l e f f e c t s ) 채 널 폭 이 좁 아 짐 에 따 른 문 턱 전 압 의 이 동
준 펀 치 스 루 (N e ar p u n c h- thro u g h) 드 레 인 대 기 판 전 압 에 의 한 소 스 와 기 판 사 이 의 전
위 장 벽 의 감 소 , 이 로 인해 드 레 인 전 류 의 급 격 한 증 가
단 채 널 효 과 ( S h 이 i -c h a n n e l e f f e c t ) 채 널 길 이 가 작 아 짐 에 따 른 문 턱 전 압 의 이 동
스 냅 백 ( S n a p b a c k ) 기 생 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 의 가 변 전 류 이 득 에 기 인 한 MO S F E T 에 서

항복 동안의 부저항 효과
문 턱 아 래 전 도 (S u bthre sh old c o n d u c tio n) 트 랜 지 스 터 가 문턱 반전점 아래에 바이어
스 될 때 MO S F E T 에 서 의 전 류 전 도 과 정
표 면 산 란 ( S u rf a c e s c a t t e r i n g ) 캐리어가 소스와 드레인 사이에서 표동함에 따라 산화
막 -반 도 체 계 면 에 서 의 캐 리 어 들 의 전 계 의 인 력 과 쿨 롱 척 력 의 과 정
문 턱 조 정 ( T hr e s h o ld a d ju s tm e n t) 이 온 주 입 을 통 해 반 도 체 도 핑 농 도 를 변 화 함 으 로 써

문턱 전 압 을 바 꾸 는 과정
점검사항

이 장 을 공 부 한 후 ，독 자 는 다 음 과 같 은 능 력 을 가 져 야 한 다 .
■ 문 턱 아 래 전 도 효 과 와 개념
■ 채널길이 변조
■ 전 하 이 동 도 대 게 이 트 -소 스 전 압 ，M O S F E T 의 전 류 -전 압 특 성 의 효 과
■ M O S F E T 의 전 류 -전 압 관 계 에 서 속 도 포 화 의 효 과

■ M O S F E T 소 자 설 계 의 정 전 계 스 케 일 링 의 미 를 정 의 ，정 전 계 스 케 일 링 에 서 소 자 파 라

미 터 를 변 화 시 키 는 방법
■ 채 널 길 이 감 소 ，채 널 폭 감 소 에 따 른 문 턱 전 압 변 화 의 원 인
■ 산 화 물 항 복 ，애 벌 런 치 항 복 ，스 냅 백 항 복 ，준 펀 치 스 루 효 과 같 은 M O S F E T 에 서 다 양 한
전압항복 메커니즘
■ 저준위도핑 드 레 인 트 랜 지 스 터 의 장점

■ 이 온 주입 에 의 한 문턱 조 절 과 정 과 장점

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. 문 턱 아 래 전 도 가 무 엇 인 가 ? M O S F E T 의 /小 관 계 에 서 문 턱 전 도 효 과 는 무 엇 인 가 ?
2. 채 널 길 이 변 조 가 무 엇 인 가 ? 채 널 에 서 공 핍 층 넓이 을 계산하는 방법을 약술하라.
3. 일반적으로 왜 반전층에서 전하 이동도가 인가전압을 갖는 상 수 가 아닌가?
4. 속 도 포 화 가 무 엇 이 고 ，M O S F E T 의 /-V 관 계 에 서 속 도 포 화 의 영 향 은 무 엇 인 가 ?
5. 정 전 계 스 케 일 링 이 무 엇 이 고 ，M O S F E T 에 서 정 전 계 스 케 일 링 을 변 화 시 키 는 파 라 미 터

는 무엇인가?
6. M O S F E T 에서 단 채 널 의 채 널 에 서 공 간 전 하 영 역 을 그 리 고 , 전 하 공 유 효 과 를 보 여 라 .

왜 단채널 NM O S 소자에서 문턱전압이 감소하는가?

7. N M O S 소자의 폭 을 따라서 공 간 전하 영역을 그려라. N M O S 소자의 채널폭이 감 소 함

에 따 라 왜 문턱 전압이 증 가 하 는 가 ?
8. NMOS 소 자 의 ，D 대 。 를 스 케 치 하 고 ，스 냅 백 항 복 현 상 을 보 여 라 .
9. N M O S 소 자 의 소 스 와 드 레 인 간 의 에 너 지 밴 드 를 그 리 고 ，준 펀 치 스 루 효 과 를 보 여 라 .

1 0. 저 준 위 도 핑 드 레 인 트 랜 지 스 터 의 단 면 을 그 리 고 ，이 설 계 의 장 점 과 단 점 은 무 엇 인 가 ?
11. 문 턱 전 압 을 증 가 하 기 위해 M O S F E T 에 주 입 되 는 이온 형 태 는 무 엇 인 가 ? 문 턱 전 압 을
감 소 하 기 위해 M O S F E T 에 주 입 되 는 이 온 형 태 는 무 엇 인 가 ?

문제

(주의: 아래의 문제들에서 M O S 시스템에서 반도체와 산화막은 각각 실리콘과 이산화 실리

콘이라 하고，언급이 없으면 온도는 T = 300 K 라고 가정한다.)

1 1 .1 절 비 이 상 적 인 효 과

11.1 M O S F E T 의 문턱 아래의 전류가 0 드 y GS < 1 V 의 범위에 대해 다음처럼 주어진다.

84 Chapter 1 1 MOSFET 추가 개념

，D = I 。- e x p ( 옮 )

여기서 상수 2.1 은 계면상태 효과를 고려한 값이다. 칩 상에 1 6개의 동일한 트랜지

스터가 모두 똑같은 와 V DD = 0.5 V 에 바이어스 되어 있다. (1 ) V GS = 0. 5 , 0. 7 ,

0. 9 V 에서 칩에 공급되어 야만 하는 총전류를 구하라. (b ) 같은 값에 대해 칩 내

에서 소비되는 총전력을 구하라.
1 1 .2 M O S F E T 의 문턱 아래의 전류가 ID = /s c x p ( V GS/ n V t) ^ 주어진다. ( a) n = 1, (b ) n
= 1.5 (c ) n = 2.1
11.3 실리콘 n 채널 M O S F E T 가八 = 2 x 1 016 c m —3의 억셉터 도핑과 Vr = 0. 4 0 V 의 문
턱전압 을 갖는다. 다음 채널길이의 변화 을 결정하라. ( a) y GS = 1 .0 V , VDS =
2.0 V , (b) V GS = 1 .0 V , V DS = 4.0 V , (c ) V GS = 2.0 V ，V D S = 2.0 V 과 (d) V GS =
2.0 V ，VDS = 4 . 0 V .
11.4 문제 1 1 . 3 에서 다룬 M O S F E T을 고려하라. ( a ) V GS = 2 V , V DS = 3 V 일 때 증분변
화 AZ서 본래 길이 L 의 1 0%를 넘 지 않도록 하는 최소 채널길이 를 구하라. (b ) V DS

= 5 V 에 대해 ( a )를 반복하라.
11.5 Na = 4 x l 0 16 c m -3, tm = 1 2 nm = 1 20A , 公 s = 4 x l 0 10 c m —2 그리고 (l ms = —0.5 V
을 갖는 n 채널 M O S F E T 이 V GS = 1 .25 V 와 V뇨 = 0 에 바이어스 되어 있다. (a) A L
을 계산하라. 0) V노 = 1 V ( ii) A V os = 2 V ( h i) A V d s = 4 V (b) V GS = 1 .25 V
와 카« = 4 V 일 때，M IL = 0.1 2 가 되는 최소 채널 길이를 구하라.
1 1 .6 Na = 3 x 1 16 c m -3, VT = 0.40 V ，k'n = 50 /x A / V 2, L = 0.80 사m 과 竹7 = I 5 사m 을
갖는 실리콘 M O S F E T 이 있다. ( a ) V GS = 1.0 V 이면서，(i ) V DS = 2.0 V 그리고 (i i )
V DS = 4.0 V 일 때의 전류 心값을 결정하라. (b ) 출력저항을 r = ( A /y A V ^ ) - 1라고
정의할 때, ( a)에서의 a v 값을 구하라. (c ) VGS = 2.0 V 일 때，( a )와 (비를 반복하라.
11.7 k'n = 7 5 a i A / V 2, W / L = 1 0, 그리고 다 = 0. 3 5 V 인 실리콘 n 채널 M O S F E T을 고려
하라. 인가된 드 레인-소스 전압은 V DS = 1 .5 V 이다. ( a ) V，GS = 0.8 V 일 때，( i) 이상
적인 드레인 전류, ( ii) X = 0. 02 V - 1 에서의 드레인 전류，그리고 ( iii) \ = 0. 02 V - 1

에서의 출력저항을 구하라. (b ) V GS = 1 .25 꾸일 때 ( a )를 반복하라.

11.8 n 채널 M O S F E T 이 기판 도핑농도 N a = 1 016 c m —5와 V DS(s a t) = 2 V 를 갖는다. 식
(1 1 . 1 0) 을 이용하여 2 드 V느 드 5 V 의 범위에서 ( a ) E sat = 1 04 V /c m 과 E sat = 2x

1 05 V /c m 일 때 스대 V DS를 그려라.
1 1 .9 E sat = VM ( sat)/스에 의해 주어지는 반전전하 핀치오프 점에서 측면 전계를 가정하라.
( a) 1 = 3, 1.0, 0.50, 0.25, 0.1 3 사m 에서 ‘ 을 결정하라. (b ) (a)로 주어진 각 경우에
전하 드리프트 속도를 계산하라.
11.10 VT = 0.45 V ，1 n = 425 cm 2/V -s，?ox = 11 nm = 1 1 0 A, M7 = 20 /u.m , 그리고 L =

1.2 /x m 인 실리콘 n 채널 M O S F E T 이 있다. 기판 도핑농도는 = 3 x 1 16 c m - 3이

다. (a ) V GS = 0.8 V 이고，M 뇨 = 2 가날 때，식 (1 1 .4)와 (1 1 .1 1 )을 이용하여，출력 저
항，r 0 = ( dI! ) / dVDSr l을 계산하라. (b ) 채널길이가 L = 0.80 사m 로 줄 어 들 었 을 때
( a)를 반복하라.
11.11 ( a) ( W /L ) = 1 0, C ox = 6.9 x 1 0 애 F /c m 2, 다 = +1 V 를 갖는 n 채널 증가형 M O S F E T
 를 고려하라. 이동도 I „ = 500 cm 2AV-s로 일정하다고 가정한다. 트랜지스터가 포화
영역에 바이어스될 때 0 드 드 5 V 에 대한、 「0 대 의 좌표그림을 그려라. (b )
채널에서의 유효이동도가 다음으로 주어진다.

flat = Mo

여기서 / 0 = 1 000 cm 2/V -s 이고, E c = 2.5 X 104 V /c m 이다. 첫 번째 근사에서처럼

E eff = VGS/ t m 로 둔다. V T D 대 관계에서 /시 대신에 사해를 이용하여 ( a) 부분에서
처럼 똑같은 의 범위에 대해 V T d 대 의 좌표그림을 그려라. (c ) 같은 그래프상
에 ( a )와 (이의 곡선을 그려라. 두 곡선의 기울기에 대해 뭐라고 말할 수 있는가?
11.12 N M O S 소자의 전자 이동도의 변화를 기 술하는 하나의 모 델은 다음 과 같이 사용
된다.
0
~ 1 + e( v GS- v ™)

여기서 6»는 이동도 분해 파 라 미 터 다 . C ox = 1 0_ 8 F /cm 2, ( W/ L ) = 25, = 800

cm 2/V -s, Vm = 0.5 V 의 파라미 터를 갖는다고 가정한다. s V GS 드 3 V 의 범위를
갖는 N M O S 소자가 포화영역에서 바이어스 되어 있다. ( a) 0 = 0(이상적 경우)，(b )
0 = 0.5 V - i 에서 V 7금대 를 같은 좌표상에 그려라.
11.13 다음 과 같은 파라미 터 들 을 갖는 n 채널 증가형 M O S F E T 가 있다. 다 = 0.40 V ，tm
= 20 nm = 200 A , L = 1 .0 사m 과 IV = 10 /xm . ( a) 이동도 = 475 cm 2/V -s로
일 정하고，다음의 조건에 서 = 2 V 를 만 족 하 는 I D 값을 구하 라 (i ) VDS =
0.5 V , (i i ) VDS = 1 .0 V , (i i i ) VDS = 1 .25 V , (iv ) VDS = 2.0 V . (b ) 그림 PI 1 .1 3에 보
인 캐리어 속도 대 의 구분근사선형 모델을 고려하라. ( a)에 주어진 것과 같은 전
압값에 대해 I D 값을 구하라. [식 (1 1 .1 7)을 보라] (c ) ( a)와 (비에 대해 K J s a t ) 값을
결정하라.
11.14 문턱전압 VTN = 0.4 V 를 갖는 N M O S 트랜지스터를 고려하라. ( a) 이상적 M O S F E T
(일정한 이동도), (b) 그림 P 1 1 .1 3에 주어진 드리프트 속도를 갖는 소자에서 0 도 VGS
5 3 V 범위를 갖는 VM ( sat)을 같은 좌표상에 그려라.

1 1 .2절 M O S F E T 스 케 일 링

11.15 포화와 비포화 바이어스 영역에서 이상적 전류-전압 관계에 정전계 스케일링을 적용
하라. ( a) 각 바이어스 영역에서 드레인 전류 스케일은 얼마인가? (b ) 각 바이어스 영
역에서 소자 스케일당 전력 소비는 얼마인가?

그림 P 1 1 .1 3 연습문제 1 1 .1 3과 1 1 .1 4를 위한 그림
486 Chapter 1 1 MOSFET 추가 개념

11.16 n 채널 내에서 포화속도로 이르는 전하와 같이 바이어스된 M O S F E T 을 고려하라. 만

약 정전계 스케일링이 소자에 적용하면 드레인 전류 스케일은 어떻게 되는가?
11.17 k'n = 0.1 5 m A / V 2, L = 1.2 ^ m , W = 6.0 m ，그리고 = 0.45 V 의 파라미터 를
갖는 n 채널 M O S F E T 가 있다. 이는 0~3 V 에서 동작한다. k = 0.65의 정전계 비례인
자를 적용하였지만 V TN은 일정하다고 가정하라. ( a) (i ) 원래 소자，(i i ) 스케일된 소자
의 최대 드레인 전류를 결정하라. (b ) (i ) 원래 소 자 ，(i i ) 스케일된 소자의 최대 전력
소비를 결정하라.

11.3절 문 턱 전 압 조절

11.18 N a = 5 x 1 016 cm —3과 = 12 nm = 1 20A 을 갖는 다채널 M O S F E T 을 고려하라.

rj = 0.25 ixm , L = 0.80 사m 이면 단채널 효과로 인한 문턱전압 이동을 구하라.
11.19 N a = 2x 1 016 c m -3, L = 0. 7 0 /배 과 tox = 8 n m = 80A 을 갖는 n 채널 MOSFET

이 있다. rj = 0. 3 0 A im , 일 때，단채널 효과로 인해 설계된 문턱전압은 Vr = 0. 3 5 V

이다. 긴 채널에 상당하는 문턱전압을 구하라.

11.20 N a = 3 x 1 16 c m - 3과 산화막 두께 tox = 2 0 nm = 2 00 A 을 갖는 n 채널 MOS F E T
이 있다. 확산된 접합의 반경 = 0. 3 0 사m 이다. 단채널 효과로 인한 문턱전압 이동
이 AVV = —0.1 5 V 보다 더 크지 않다면，최소 채널길이 L 을 구하라.
*11.21 단채널 효과로 인한 문턱전압의 이동이 식 (1 1 . 2 9 ) 에 의해 주어졌다. 이 식은 모든 공
간전하 영 역이 동일한 폭을 가진다고 가정한 것이다. 드레인 전압을 가한다면，이 식
의 가정은 더 이상 쓸 수 없다. 동일한 사다리꼴 근사를 이용하여 문턱전압의 이동이
다음으로 주어짐을 보여 라.

A Vr = _ 추 쓰 1 . 윤 (V 卜 1■부 + 幻2 - 1 ) + ( 상 1 + ^ + j82 - l )

여기서

이고， 와 x dD는 각가 소스와 드레 인 공간전하폭이 다.

*11.22단채널 효과로 인한 문턱전압 이동을 나타내는 식 (1 1.29)은 L이 충분히 커서 사다리
꼴 전하영역이 그림 I I .15에서처럼 정의될 수 있다고 가정하여 유도된 것이다. L이
충분히 작아서 사다리꼴이 삼각형으로 될 경우에 대한 A 다의 표현식을 유도하라. 여
기서 펀치스루는 일어나지 않는다.
11.23 단채널 효과를 고려하라. 그림 11 .1 6에 보인것처럼 0.5 드 L 드 6 의 범위에서 다
V대를 대 L 을 그려라. VSB = 0로 가정하고 그림에 주어진 파라미터들을 사용하라.
11.24 VSB = 0, 2, 4, … 에 대해 N a = I 016, !017 c m _ 3에서 문제 11 .23을 반복하라.
11.25 식 (11 .29)은 단채널 효과에 기인하는 문턱전압의 전이를 기술한다. 만약 정전계 스
케일링이 적용되면 쇼다에서 비례인자는 무엇인가?
11.26 기판도핑 = 3 x 1 16 c m -3이고 ，W = 2.2 yu,m 산화막 두 께 。 = 8 11 1 = 80入 인*

*표시된 문제는 더 어 려운 문제를 의미한다.

 그림 P 11. 27 연습문제 11.27를 위한 그림

n 채널 MOSFET가 있다. 단채널 효과를 무시하면 협채널 효과로 인한 문턱전압의

이동을 계산하라〈적합 파라미터 용 = 7 7 /2 로 둔다).
11.27 Na = 1 016 c m 一3, tm = 12 nm = 1 20A 인 n 채널 MOSFET를 고려하라. 채널폭 끝의
공핍 영 역은 그림 P 1 1 .27에 보인 삼각형 영 역으로 근사될 수 있다. 수직과 측면의 공
핍폭이 X d r로 같다고 가정하라. 협채널 효과로 인한 문턱의 이동이 A V t = +0.045 V
라 할 때 최소 채널폭 W 를 계산하라. (단채널 효과 무시)
11.28 협채널 효과를 고려하라. 예제 1 1 .3에 기술된 트랜지스터 파 라 미 테 을 사용하라. 장
채널 소자의 0.5 드 … 드 5 에서 다一^/빕를 그려라.
11.29 식 (1 1 .35)는 협채널 효과에 기인하는 문턱전압에서 전이를 기술한다. 만약 정전계
스케일링이 적용되면 A 자에서 비례인자는 무엇인가?

11.4절 부 가 적 인 전 기적 특성

11.30 (a) 두께 tox = 20 nm = 200 A 인 이산화 실리콘 게이트 절연물을 갖는 MOS 소자가
있다. (i) 이상적 인 산화막 항복전압을 구하라. (ii) 안전계수 3이 요구된다면 안전하
게 인가할 수 있는 최대 게이트 전압을 구하라. (b) 두께가 = 8 nm = 80A 일 때
(a)를 반복하라.
11.31 (a)전력 MOSFET에서 8 V의 최대 게이트 전압이 가해지고 있다. 안전계수 3이 주어
진다면，필요한 최소의 산화막 두께를 구하라. (b) 최대 게이트 전압이 12V일 때 (a)
를 반복하라.
*11.32스냅백 항복(snapback breakdown) 상태는 aM = 1일 때로 정의된다. 여기서 a 는 공
통베 이스 전류이득이고 사은 식 (1 1 .40)에서 주어 지는 증배 인자이 다. m = 3, VBD =

15 V 라고 두고 공통 베이스 전류이득은 접합전류 /D와 매우 밀접한 관련을 갖는다.

a 가 다음 관계식으로 주어진다.

« = (0.1 8) lo g ,。( 元 놓 )

여기서 / 는 암페어 단위이다. 1 -8 ^ ^ 1 -3 A 의 범위에서 스냅백 조건을 만족

하 는 。 대 V C 의 곡선을 그려라(전류에 대해 로그 스케 일을 용하라).
1 1 .33 준펀치스루 (net punch -through )는 두 공핍영역이 대력 6 D ebye 길이 내에 각각 있을
때 일어난다. 외인성 Debye 길이 내 는 다음처럼 정의한다.
쇼8 8 Chapter 1 1 MOSFET 추 가 개념

, _ \ es{ kT/ e) 1/2

Ld ~ [ ^ nT

예제 1 1 .5 에 있는 n 채널 M O S F E T를 고려하여 준 펀 치 스 루 를 계산하라. 이 전압은

예제에서 구한 이상적인 펀치스루와 비교해서 어떤가?
11.34 n 채널 M O S F E T의 준펀치스루 전압(문제 1 1 .33 을 보 라)은 = 5 V 이상의 전압
에서 일어난다. 소스와 드레인 영역은 /、 = 1 019 c m -3에 채 널 영 역 은 = 3 x l 16
c m _ 3에 도핑되고 소스와 기판은 접지에 연결되어 있다. 최소 채널길이를 구하라.
1 1 .35 문제 1 1 .34 을 반복하라. 소스-기판 전압 V노 = 2 V 가 가해진다고 가정한다.
1 1 .36 산화막 두께 = 12 nm = 1 2 0 A 인 n 채널 M O S F E T 의 문턱전압은 양의 방향으로
0.80 V 까지 이동되어야 한다. 이때 주입되는 이온의 형과 필요한 양을 결정하라.
1 1 .37 산화막 두께 tm = 1 8 nm = 1 80A 인 n 채널 M O S F E T의 문턱전압은 음의 방향으로
0.60 V 까지 이동되어야 한다. 이때 주입되는 이온의 형과 필요한 양을 결정하라.
1 1 .38 Na = 6 X 1 0 15 c m -3, t ox = 15 nm = 1 50 A , Q : s = 5 x 1 010 c m _ 2와 n +다결정 실리
콘 게이트를 갖는 n 채널 M O S F E T을 고려하라. (a ) 문턱전압을 구하라. (b) V r = +
0.5 0 V 를 얻고자 한다. 이 조건을 만족하기 위한 이온주입 밀도와 주입 되는 형을 구
하라. 이온주입은 산화막-반도체 계면에 바로 근접한 곳에 행한다.
1 1 .39 도핑농도 Nd = 2 x l 16 c m -3, 산화막 두께 tox = 1 8 nm = 1 80A , 그리고 등가고정
산화막 전하 公 ss = 1 0" c m - 2인 p + 다결정 실 리 콘 게 이 트 를 가 지 는 p 채널
M O S F E T이 있다. (a ) 문턱 전압을 구하라. (b ) V T = -0 . 4 0 V 를 얻고자 한다. 이 조
건을 만족하기 위한 이온주입 밀도와 주입되는 형을 구하라. 이온주입은 산화막 -반
도체 계 면에 바로 근접한 곳에 행한다.
1 1 .40 N a = 4 X 1 0 15 c m 3, t m = 8 n m = 8 0 A , 평탄 대역대 전압 가 = -1 . 2 5 V 를 갖는
n 채널 M O S F E T를 고려하라. (a ) 문턱전압을 구하라. (b ) 증식형 모드 소자의 문턱전
압다 = + 0-4 0 V 를 얻고자 할 때，필요한 이온주입 밀도와 형을 구하라. (c) 공핍형
모드 소자의 문턱 전압 다 = - 0.40 V 를 얻고자 할 때 (비를 반복하라.
1 1 .41 tm = 500A 을 가진 소자의 채널과 N a = 1 014 cm _3을 갖는 p 형 기판에 이 = 1 012
c m - 2이 유효 주입량을 이용한 억셉터로 주입된다. 주입은 자 = 0.2 사!11를 갖는 계
단함수로써 근사된다. Vse = 1 .3, 5 V 에 대해 몸체 바이어스 효과로 인한 문턱 전압
의 이동을 구하라.
1 1 .42 M O S F E T 이 다음과 같은 파라미 터들을 갖는다. n +폴리 게 이트 ，Q = 80 A , ~ =
1 017 c m - 3, Q'ss - 5 x l 0'° c m -2. ( a) 이 M O S F E T 의 문턱전압 은 얼마인가? 이 소자
는 증가형 모드인가? 공핍형 모드인가? (b ) VT = 0에서 주 입되는 형태와 주입량 은
얼마인가?

1 1 .5 절 방 사 와 고 온 전 자 효 과

11.43 1 rad ( S i)은 이산화 실리콘에서 평균 8 x 1 요 전 斗 정 공 쌍 /cm 3을 만든다.니 총 주입량 1

1 ) 1 ra d(Si)은 실리콘에 단위체적당(cm3) 분포된 에너지는 1 00 ergs 이다. 산화막 이온주입효과에 대해 전체

이온주입량으로 같은 표현이다.
 이 1 05 r a d s ( S i ) 인 이 온 방 사 펄 스 가 7 5 0 A 의 산 화 막 을 갖 는 M O S 소 자 에 입 사 된 다 고
가 정 하 라 . 전 자 -정 공 의 재 결 합 이 없 고 전 자 들 이 게 이 트 단 자 를 통 해 밖 으 로 쓸 려 나
간 다 고 가 정 하 라 . 만 약 생 성 된 정 공 의 1 0퍼 센 트 가 산 화 막 -반 도 체 계 면 에 포 획 될 때
문턱 전 압 이 동 을 구 하 라 .
1 1 .44 연 습 문 제 1 1 .43 을 다시 고 려 하 라 . 문 턱 전 압 이 동 이 A 다 = -0 . 5 0 V 이 상 을 넘지 않
을 때 포 획 될 수 있 는 정 공 의 최대 백 분 율 을 구 하 라 .
1 1 .45 방 사 유 기 정 공 포 획 (r a d i a t io n -i n d u c e d h o l e tr a p p i n g ) 의 간 단 한 모 델 로 부 터 문 턱 전 압
이동은 c - 《 x에 비 례 함 을 보 여 라 . 얇 은 산 화 막 ( t h i n o x i d e )은 방 사 허 용
(r a d i a t io n -t o l e r a n t) M O S 소 자 에 대해 요 구 한 다 .

요약 및 복습

*1 1 .4 6 다 결 정 실 리 콘 게 이 트 를 가 진 실 리 콘 n 채널 M O S F E T 의 문 턱 전 압 다 = + 0. 3 0 V 가
되게 설 계 하 라 . 산 화 막 두 께 tox = 1 2 n m = 1 2 0 A 이 고 채 널 길 이 L = 0. 80 사m 이 다 .
Q'ss = 이 라 고 가 정 하 라 . V노 = 1 .25 V 이 고 V DS = 0. 2 5 V 일 때 드 레 인 전 류 는 l D
= 80 나쇼가 되 어 야 한 다 . 그 기 판 의 도 핑 농 도 ，채 널 길 이 ，그 리 고 필 요 로 하 는 게이
트의 종 류 를 결 정 하 라 . 가 능 한 이 온 주입 과 정 을 상 세 히 기 술 하 라 .
*1 1 .4 7 특 별 한 공 정 으 로 다 음 과 같 은 파 라 미 터 를 갖 는 n 채널 M O S F E T 를 만 들 고 자 한 다 .

= 325 A L = 0.8 /j-m

Na = 1 016cm3 W = 2 0 fim

n+ polysilicon gate rj = 0.35 /x m

Q'ss = l " c m '2

T = 3 00 K 에서 다 = 0.3 5 V 인 문 턱 전 압 을 얻 고 자 한 다 . 이 온 주 입 으 로 문 턱 을 조 절

하기 위해 추 가 되 는 공 정 을 설 계 하 라 . 이 공 정 은 .35 깊이의 계 단 함 수 모 양 을
만든다.
*1 1 .4 8 C M O S 인버 터 는 같 은 크기 의 동 일 한 농 도 1 016 c m _ 3, 。 = 1 5 0 의 동 일 한 산 화 물
두께， = + 8x 1 > c m - 2의 동 일 한 산 화 물 트 랩 전 하 를 갖 는 n -채 널 과 p -채 널 소
자 로 설 계 된 다 . n 채널의 게 이 트 는 p + 폴 리 이 고 , p 채널의 게 이 트 는 n + 폴 리 다 . 최종
문 턱 전 압 들 이 V TN = + 0. 5 V ，V TP = —0.5 V 와 같 은 각 각 의 소 자 에 서 이 온 주 입 형
태 와 주입 투 여 량 을 결 정 하 라 .

^ ■고문헌
1. A k e r s , L . A . , a n d J. J. S a n c h e z . “ T h r e s h o ld V o lt a g e M o d e l s o f S h o rt, N a rr o w , a n d
S m a ll G e o m e try M O S F E T s : A R e v i e w . ” S o lid State E le ctro nic s 25 ( J u l y 1 9 82 ) ，p p.
6 2 1 -6 41 .
2. B a lig a , B . J. F un d a m e n ta h / P o w e r S e miconductor D evic e s. S p rin g e r, B e r lin ,
G e rm a n y 2008.
3. B r e w s , J. R . “ T h r e s h o ld S h ift s D u e t o N o n u n if o r m D o p in g P r o f i le s i n S u rf a c e C h a n n e l
M O S F E T s . ” I E E E Tra ns a ctions on E le ctro n D e vic e s E D -2 6 ( N o v e m b e r 1 97 9) ，pp.
1 696-1 7 1 0.
4. D i m i t r i j e v , S. P rin cip le s o f S e miconductor D evic e s. N e w Y o r k : O x f o r d U n i v e r s it y
490 Chapter 1 1 MOSFET 추 가 개념

P re ss, 2006.
5. K a n o , K . S e miconduct 이 . D e vic e s. U p p e r S a d d l e R i v e r, N J : P r e n tic e H a ll, 1 998.
6. K l a a s s e n , F . M . , a n d W . H e s. “ O n th e T e m p e r a t u r e C o e f f i c i e n t o f th e M O S F E T
T h r e s h o ld V o lt a g e . ” S o lid State E le ctro nic s 29 ( A u g u s t 1 986), p p. 7 87 -7 89.
7. M a , T . P ., a n d P. V . D r e s s e n d o rf e r. Io n i z in g R a d ia tio n E ffe cts in M O S D e vic e s a nd
C irc u its . N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s, 1 989.
8. M u l l e r , R . S . ， a n d T . I. K a m in s . D e vic e E le ctro nic s f o r In te gra t e d C irc u its . 2 n d e d.
N e w Y o r k : J o h n W i l e y a n d S o n s, 1 986.
9. N e a m e n , D . A . , B . B u c h a n a n , a n d W . S h e d d. “ I o n i z i n g R a d i a tio n E ff e c t s i n S O S
S tru c t u r e s . ” I E E E Tra ns a ctions on N u c le a r Science N S -2 2 ( D e c e m b e r 1 97 5 ), p p.
2 1 7 9 -2 2 02 .
*10. N i c o ll i a n , E . H . , a n d J. R . B r e w s . M O S Physics a n d T e chnology. N e w Y o r k : J o h n
W il e y a n d S o n s, 1 982.
11. N i n g , T . H . , P. W . C o o k , R . H . D e n n a rd , C . M . O s b u m , S. E . S c h u s t e r, a n d H . N . Y u .
“ 1 ^cm M O S F E T V L S I T e c h n o l o g y : P a rt I V -H o t E l e c tr o n D e s ig n C o n s tr a in t s . ” I E E E
Tra ns a ctions on E le ctro n D e vic e s E D -2 6 ( A p r i l 1 97 9), p p. 3 46-3 5 3 .
12. O g u r a , S” P. J. T s a n g , W . W . W a lk e r, D . L . C r i t c h l o w , a n d J. F . S h e p a rd. “ D e s ig n a n d
C h a r a c t e ris tic s o f th e L i g h t l y D o p e d D r a in -S o u r c e ( L D D ) In s u l a t e d G a t e F i e l d -E f f e c t
T r a n s is t o r. ” I E E E Tra ns a ctions on E le ctro n D e vic e s E D -2 7 ( A u g u s t 1 980), p p.
1 3 5 9-1 367 .
1 3. O n g , D . G . M o d ern M O S T e chnology: Processes, D e vic e s, a nd D e sign. N e w Y o r k :
M c G r a w -H ill, 1 984.
14. P i e rr e t, R . F . S e miconductor D e vic e F und a m e nta ls. R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y ,
1 996.
15. R o u ls t o n , D . J. A n In tro d u c tio n to the P hysics o f S e miconductor D e vic e s. N e w Y o r k :
O x f o r d U n i v e r s it y P re ss, 1 999.
16. S a n c h e z , J. J., K . K . H s u e h , a n d T . A . D e M a s s a . “ D r a in -E n g in e e r e d
H o t-E l e c tr o n -R e s is t a n t D e v ic e S tru c tu r e s : A R e v i e w . I E E E Tra ns a ctions on E le ctro n
D e vic e s E D -3 6 (J u n e 1 989), p p. 1 1 2 5 -1 1 3 2 .
17. S c h ro d e r, D . K . A dv a nc e d M O S D e vic e s，M o d u l a r S erie s on S o lid State D evic e s.
R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y , 1 987 .
18. S h u r, M . In tro d u c tio n to E le c tro n ic D e vic e s. N e w Y o r k : J o h n W i l e y a n d S o n s, 1 996.
*19. _ _ _ _ _ _ _ . P hysics o f S e miconductor D e vic e s. E n g l e w o o d C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 990.
20. S in g h , J. S e miconductor D e vic e s: B a sic P rin ciple s . N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s,
2001 .
21. S tr e e tm a n , B . G ., a n d S. B a n e rj e e . S o lid State E l e c tro n ic D e vic e s. 6 th e d. U p p e r S a d d l e
R i v e r, N J : P e a rs o n P r e n tic e H a ll, 2006.
22. S z e, S. M . , a n d K . K . N g . P h y s ic s o f S e m ic o n d u c t o r D e v ic e s , 3 rd e d. H o b o k e n , N J :
J o h n W il e y a n d S o n s, 2007 .
23. T a u r, Y . a n d T . H . N i n g . F und a m e nta ls o f M o d e rn V L S I D e vic e s, 2 n d e d. N e w Y o r k
C a m b rid g e U n i v e r s it y P re s s, 2009.
*24. T s i v i d i s , Y . O p e ra tio n a n d M o d e lin g o f the M O S T ra n sistor, 2 n d e d. B u rr R id g e , I L :
M c G r a w -H ill, 1 999.
25. Y a n g , E . S. M icro e l e c tro n ic D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H i l l, 1 988.
2 6. Y a u , L . D . “ A S im p l e T h e o r y t o P r e d ic t th e T h r e s h o ld V o lt a g e o f S h o rt-C h a n n e l
I G F E T s :’ S olid-S ta te E le ctro nic s 1 7 ( O c to b e r 1 97 4), p p . 1 05 9-1 063 . *

* 표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

 Q£
L IJ
」
.•
•
•
•

바이폴러 트랜지스터

다 접 합 반도체 소 자인 트 랜 지 스 터 는 다 른 회 로 소 자 들 과 함 께 , 전 류 이 득 , 전 압 이 득 과 신호적

인 전력 이 득 을 낼 수 있 다 . 그 러 므 로 다 이 오 드 는 수 동 적 인 데 반 해 , 트 랜 지 스 터 는 능 동 소 자 로

서 취 급 한 다 . 기본 적 인 트랜 지 스 터 동 작 은 소자의 다 른 두 단자에 인 가 한 전압에 의해 한 단자

에서 전 류 를 제 어 하 는 것 이 다 .
바 이 폴 러 접 합 트 랜 지 스 터 ( BJT )는 트 랜 지 스 터 의 두 주 요 형 태 중 에 한 가 지 이 다 . BJT 으| 기

본 적인 물 리 를 이 장에서 전 개 한 다 . 바이폴러 트 랜 지 스 터 는 높 은 전 류 이 득 때 문에 아 날 로 그 전
자 회로에서 광범위하게 사용한다.
BJT 으| 두 상 보 성 모 양 의 npn 고[ pnp 소 자 를 제 조 할 수 있 다 . 전 자 회 로 설 계 는 소 자 의 두
형태가 동 일한 회로에서 사용할 때 매우 다양해진다. ■

12. 0 개설

이 장에서 다음 을 토 의 할 것이다.
■ 세 가 지 로 분 리 된 도핑 영 역 과 두 접 합 들 사이에 매우 강 한 상 호 작 용 이 일 어 나 는
매우 가까 운 두 pn 접합인 바이폴러 트랜지스터 의 물리 적 구 조 를 논한다.
■ 동작 의 다 양 한 가 능 모 드 를 포 함 한 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 의 기본 동 작 원 리 를 논
한다.
■ 소자에서 다 양 한 동 작 모드에 대한 소 수 캐리어 농도에 대한 표 현 식 을 유도한다.
■ 바이폴러 트랜지 스터 에서 다 양 한 전류 성분에 대한 표 현 식 을 유 도한다.
■ 공 통 -베 이 스 와 공 통 이미터의 전 류 이 득 을 정의한다.
■ 전류이득에 대한 표 현 식 을 유 도 하 고 한계 인자들을 정의한다.
■ 베 이 스 폭 변 조 와 고 -준 위 주입 효 과 를 포 함 한 바이폴러 트 랜 지 스 터 에 서 여러 비
이상적 인 효 과 들 을 논한다.
■ 바이폴러 트 랜 지 스 터 의 소 신 호 등 가 회 로 를 개 발 한 다 . 이 등 가 회 로 는 아 날 로 그 회
로에서 소신호 전 류 와 전압 관계에 이용한다.
■ 주 파 수 한계 인자를 위 한 표 현 식 을 유 도 하 고 정 의한다.
492 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

■ 일부 특 별 한 바이폴러 트랜지스터 설계의 기하학적 구 조 와 특 성 들 을 제시한다.

12.1 바이폴러 트랜지스터 동 작

바이폴 러 트 랜 지 스 터 는 각 각 세 개의 도핑 영 역 과 두 개의 pn 접 합 을 가 지 고 있다. 그
림 1 2.1 은 회 로 심 볼 과 함께 npn 바이폴러 트 랜 지 스 터 와 pnp 바이폴러 트랜지스터의 기
본 구 조 를 보 여 준 다 . 세 개의 단 자 는 각 각 이 미 터 ( e m itt e r ), 베 이 스 (bas e ), 컬렉 터
( c o ll e c to r )이 다 . 베 이 스 영역의 폭 은 소 수 캐 리 어 의 확 산 길 이 와 비 교 할 만 큼 짧 다 .
(+ + )와 ( + ) 표 시 는 바이폴러 트 랜 지스터에서 일 반 적 으 로 사 용 하 는 불 순 물 도 핑 농 도
의 비교 정 도 를 나 타 낸 다 . (+ + )는 매 우 높게 도 핑 한 것을 의 미 하 고 ，( + ) 는 적당히 도
핑한 것을 의 미한다. 이미터 영역은 가장 높 은 도 핑 농 도 를 가진다. 컬렉터 영역은 가장
낮은 도핑농도를 가진다. 이러한 상대적인 불순물 농도와 좁은 베이스폭을 사용하는
이유 는 바이폴러 트 랜 지 스 터 의 이론 을 전개함에 따 라 분명해 질 것이다. pn 접합에 대
해 전개 한 개 념들을 바이폴러 트랜 지 스 터 에 직접 적용한다.
그림 1 2.1 의 블 록 다 이 어 그 램 은 트 랜 지 스 터 의 기 본 구 조 를 나 타 내 지 만 매 우 간 략 화
시킨 그 림 이 다 . 그림 1 2.2a 는 집 적 회 로 구 조 로 제 작 한 고 전 적 인 npn 바이폴러 트랜지
스터의 단 면 을 보 여 주 며 ，그림 1 2.2b 는 더 현 대 적 인 기 술 을 이용하여 제 작 한 npn 바이
폴러 트 랜 지 스 터 의 단 면 을 보 여 준 다 . 바이폴러 트랜지스 터 의 실제 구 조 가 그림 1 2.1 의
블 록 다이 어그램에서 제 안 한 만큼 간단하지 않 다 는 것을 바 로 알 수 있다. 트랜지스터
의 실 제 구 조 가 복 잡 한 이유 는 연결단자들이 표면에서 만들어지기 때문이다. 또 한 반도
체 저항을 최소화하기 위해서 높게 도 핑 한 n + 매몰층이 있어야 하기 때문이다. 또 다른
이유는 반도체 재료에 한 개 이상의 바이폴러 트 랜 지 스 터 를 제 조 하 려 고 하기 때문이다.
예 를 들 면 개별 트 랜 지 스 터 는 모 든 컬 렉 터 가 같 은 전위에 있으면 안되기 때문에 서로
를 격 리 시 켜 야 한다. 이 격 리 는 P+ 영 역으로 하 며 ，그래서 그림 1 2.2a에서 보 여 준 바 와
같이 소 자 는 역방향 바 이 어 스 시킬 pn 접합으로 분 리 하 거 나 ，혹 은 그림 1 2.2b 에 서 와 같
이 산 화 막 영역으로 격리시킨다.
그림 1 2.2에서 보 여 준 소자로부터 주 목 해 야 할 주 요 한 점은 바이폴러 트 랜 지 스 터 가
대칭적 소 자 가 아 니 라 는 것이다. 비록 트 랜 지 스 터 가 두 개의 n 영역 또 는 두 개의 p 영

이미터 i 이니 비
P P

卜 〔
베이스 B

(a) (b)

그림 12. 1 (a) npn과 (b) pnp 바이폴러 트랜지스터의 간 략 화 한 블 록 다 이 어그램과 회로심벌

 12.1 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 동 작 스9 3

B E C

(a) (b)

그림 1 2.2 (a) 기존의 집적회로 npn 바이폴러 트랜지스터 (b) 산화막-격리의 npn 바이폴러 트랜지스터의 단면도(Muller와
Kamins[3] 참조)

역을 포 함 할 지 라 도 이 미 터 와 컬렉터에서의 불 순 물 도 핑 농 도 와 이들 영역의 크 기 도 크
게 다르다. 그림 1 2.1 의 블 록 다 이 어 그 램 은 매 우 간 략 화 하 였 지 만 기본적인 트랜지스터
이론의 전개에 있어서 유 용 한 개념들이 다.

12. 1. 1 동작의 기본원리

npn 과 pnp 트 랜 지 스 터 는 상 보 소 자 들 이 다 . npn 트 랜 지 스 터 를 이용하여 바이폴러 트랜

지스터 이 론 을 전개해 나 갈 것이며 동 일 한 기 본 원 리 와 방 정 식 들 은 역시 p n p 소 자 에 도

적 용 할 수 있을 것 이 다 . 그림 1 2.3은 각 영역이 균 일 하 게 도 핑 하 였 을 경우에 대해서
npn 바이폴러 트랜 지스터 내에서 이상적 인 불 순 물 도 핑 분 포 를 보 여 준 다 . 이 미 터 ，베이
스 와 컬렉터에서 전형적인 불 순 물 도 핑 농 도 는 각 각 1 019 c m - 3, 1 017 c m - 3과 1 015 c m - 3
정도이다.
정상적 인 바이 어스 모 양에서 베 이 스 -이 미 터( B -E ) pn 접 합 은 순 방 향 으 로 바이 어스
를 인 가하고 베 이 스 -컬 렉 터 ( B -C ) pn 접 합 은 역 방 향 으 로 바 이 어 스 를 인가한다. 이 모 양
을 순 방 향 -활 성 ( F orw a rd -a ctiv e ) 동 작 모 드 라 고 한다. B -E 접합 은 순 방 향 바이 어스 가 걸
려 있어서 전 자 는 이미터로 부 터 베 이 스 속 으 로 B -E 접 합 을 거쳐 주 입 한 다 . 이들 주입
전 자 들 은 베이 스 내에서 소 수 캐리어의 과 잉 농 도 를 형성한다. B -C 접 합은 역방 향 으 로

그림 12. 3 균일하게 도 핑 한 npn 바이폴러 트랜지스터의 이상화한 도핑 측면도

494 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

바 이 어 스 가 걸려 있어서 B -C 접합의 가장자리에서 소 수 캐리어 농 도 는 영이다. 따라서

그림 1 2.4에 나 타 난 것과 같이 베 이 스 내에서 전 자 농 도 를 예 측 할 수 있다. 전자농도 의
큰 기 울 기 는 이미터에서 주 입 한 전자들이 베 이 스 를 거쳐 B-C 공 간 전 하 영 역 속 으 로 확
산 한 다 는 것 을 의미하 며 이 공 간 전 하 영역의 전 계 가 전 자 들 을 컬 렉 터 로 휩쓸어 보낼
것 이 다 . 가 능 하 면 많 은 전자들이 베 이 스 내에서 다 수 캐 리 어 인 정공과의 재 결 합 없이
컬렉터 에 도 달 하 기 를 원 한 다 . 이 러 한 이유 때문에 베이스의 폭 은 소 수 캐리어의 확 산
길 이 보 다 짧 을 필요 가 있다. 만 약 베이스폭이 짧다면 소 수 캐리어인 전 자 농 도 는 B -E 와
B -C 두 접합 전압의 함 수 이 다 . 이 두 접 합 들 은 상호작용하는 pn 접 합 이 라 불릴 만 큼 충

분히 가깝다.

(a)

E-B 공간 B-C 공간
전하영역 전하영역
이미터 베이스 컬렉터

그림 1 2.4 npn 바이폴러 트랜지스터의 (a) 순방향-활성 모드의 바이어스 (b) 순방향-활성 모드의
동작에서 소수 캐리어 분포，(c) 순방향-활성 모드와 영 바이어스 하에서 에너지밴드 다이어그램
 12.1 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 동 작 495

C B E

그림 1 2.5 순방향 활성 모드에서 전자의 집속과

주입을 보여주는 npn 바이폴러 트랜지스터의 단면도

그림 1 2.5는 n형 이미터로부터 전자의 주입 (그래서 이름이 이 미 터 )과 컬렉터에서 전

자의 집속(그래서 이름이 컬 렉 터 )을 나 타 내 는 npn 트랜지스 터의 단 면 을 보여준다.

12. 1. 2 간 단 화 한 트 랜지스터 전 류관계

간 략 화 한 분 석 을 고 려 함 으 로 써 다 양 한 전 류 와 전압 사이의 관 계 와 트랜지스터 동작의

기 본 적 인 이 해 를 할 수 있다. 이 논의 이후에 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 의 물 성 에 대해 더
상 세 한 분 석 을 할 것이다.
소 수 캐리어 농 도 는 순 방 향 활성 모 드 로 인가시킨 npn 바이폴러 트랜지 스 터 에 대해
그림 1 2.6에서 다시 보 여 준 다 . 이 상 적 으 로 베이스 에 서 의 소 수 캐리어의 전 자 농 도 는 거
리의 선형적 인 함 수 이 고 재 결합이 없 다 는 것 을 함 축 한 다 . 전 자 는 베 이 스 를 가로질러
확 산 하 고 B -C 공 간 전 하 영역의 전계 때문에 컬렉터로 끌려간다.

E (n) B (p) C (n)

그림 1 2. 6 순 방 향 바이어스의 npn 바이폴러 트랜지스터에서 기본적인 전류와 소수 캐리어 분포

^96 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

컬렉터 전류 베이스에서 이상적인 선형 전자 분 포 로 가정하면 컬렉터 전 류 는 다 음 식

으로 주어 진 확 산 전류로 쓸 수 있다.

e D„A BEf = eD „A M [ ^ _ ]= 그 ^ •w e x p ( 實 ) (1 2.1 )

여기에서 A B 는 B -E 접합의 단 면 적 이 고 ，/눠 는 베이스에서 열적 평형 전자농 도 이 며 , V ,

는 열적 전압이다. 전자의 확 산 은 기존의 전 류 가 一^ 방 향 이 도 록 하기 위해 방향이
다. 단지 크 기 만 고 려 하 면 ，식 (1 2.1 )은 다 음 과 같다.

ic = h exp (1 2.2)

컬렉터 전류 는 베 이 스 -이 미 터 전 압 으 로 제어한 다 . 즉 소자의 한 단자에서 전 류 는 소자

의 다 른 두 단자에 인 가하는 전 압으로 제어한다. 이미 언급한 바 와 같이 이것이 기본적
인 트랜지스터 동작이다.

이미터 전류 그림 1 2.6에서 나 타 낸 이미터 전류의 한가지 성분 / 1 은 이 미 터 에 서 부 터

베 이 스 로 주 입 하 는 전자의 흐 름 이 다 . 그 때 ，이 전 류 는 식 (1 2.1 )에서 주 어 진 컬렉터 전
류 와 동일하다.
베 이 스 -이 미 터 접합의 순 방 향 인가 때문에 베이스의 다 수 캐 리 어 인 정 공 은 B -E 접
합 을 가로질러 이 미 터 로 주 입 한 다 . 이 주입 정공들이 그림 1 2.6에서 나 타낸 것 과 같이
pn 접 합 전류 / 2가 된다. 이 이미터 전 류 는 오직 B -E 접 합 전류이며 그래서 이미터 전

류의 이 성 분 은 컬렉터 전류의 일부분이 아니다. ; 2가 순 방 향 으 로 바이어스 시 킨 pn 접

합 전류이기 때문에 (오직 크 기 만 고 려 하 여 ) 다음 식으 로 쓸 수 있다.

노 = 一 exp (~^사 (1 2.3)

여기에서 八2는 이미터 에서 소 수 캐리어 정 공 파 라 미 터 들 을 포 함 한 다 . 전체 이미터 전

류 는 두 성분의 합이다.

군= i i + in = ic + in = /s exP(-p—) (1 2.4)

식 (1 2.4)에서 모 든 전류 성 분 은 e xp (∼ 八g 의 함수이기 때문에 이미터 전류에 대 한 컬

렉 터 전류의 비는 상수이 며 다 음 과 같다.

(1 2.5)

여기에서 «는 공 통 -베 이 스 전 류 이 득 이 라 부 른 다 . 식 (1 2.4)를 고 려 하 면 i c < iE, 혹은

a < 1 이다. i E2 y } 기본적인 트랜지스터 동작의 일부분이 아니기 때문에 전류에서 이 성
분이 가능하면 적은 것이 좋다. 그때 공 통 베이스 전 류 이 득 은 가능하면 1 에 가까운 값이
 1 2.1 바이폴러 트랜지스터 동작 스 97

그림 1 2.7 이상적인 바이폴러 트랜지스터의 공투베이스 전류-전압 특성

좋다.
그림 1 2.4a와 식 (1 2.4)를 참고하 여 이미터 전 류 는 베 이 스 -이 미 터 전압의 지 수 함 수
이 고 ，컬렉터 전 류 는 ic = 이 라 는 것을 주 의 하 라 . 첫 번째 간 략 화 를 위해서 B-C 접
합에 역방 향 바 이 어 스 로 인가시키는 동 안 은 컬렉터 전류 는 베이스-컬 렉터 전압에 대해
독 립 적 이 다 . 공 통 -베 이 스 트랜지 스터 특 성 은 그림 1 2.7로 나타낼 수 있다. 바이폴러 트
랜 지 스 터 는 정 전류원처럼 동 작 을 한다.

베이스 전류 그림 1 2.6에 나타낸 것과 같이 이미터 전류 / 2의 성분 은 B-E 접합 전류이

며，그 러 므 로 이 전 류 는 一 와 같이 베 이스 전류의 성 분 이 다 . 베 이 스 전류에서 이 성분
은 e xp ( 、 八Q 에 비 례한다.
여 기 에 는 베이 스 전류의 두 번째 성분이 있다. 베이스에서 다수 캐리어 정 공과 소 수
캐리어 전자의 재결 합이 일어나지 않 는 이 상 적 인 경 우 를 고 려 하 자 . 하 지 만 실 제 는 약
간의 재결합이 있을 수 있다. 베이스 에서 다 수 캐 리 어 인 정공이 없어지기 때문에 정공
은 베이 스 단 자 속 으 로 양전하의 흐 름 으 로 재 공 급 되 어 야 한다 . 전하의 이 흐 름 은 그림
1 2.6에서 전류 一 를 가 리 킨 다 . 베이스 에서 단위 시 간 당 재 결 합 정공의 수 는 베 이 스 [식
(6.1 3) 참 고 ]에 서 소 수 캐리어 수에 정 비 례 한 다 . 그 러 므 로 전류 一 는 e xp ( i 細八 g 에 또
한 비례한다. 전체 베이스 전류는 와 “ 의 합이 고 e xp ( /i g 에 비례한다.
베 이 스 전류 대비 컬렉터 전류의 비는 양 전 류 가 eXp (∼ / V ,)에 비례하기 때문에 일
정 하다. 그때 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

( 1 2. 6)
Ib

여기에서 /3는 공 통 -이 미 터 전 류 이 득 이 라 부 른 다 . 일 반적으로, 베이스 전 류 는 상 대 적 으

로 너무 적어서 공 통 -이 미 터 전 류 이 득 은 보 통 1 보 다 (1 00 혹 은 그 이 상 정 도 ) 훨씬 크
다.
스98 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

1 2. 1. 3 동작 모드

그림 1 2.8은 간 단 한 회로에서 npn 트 랜 지 스 터 를 보 여 준 다 . 이 구 조에서 트 랜 지 스 터 는

세 개의 동 작 모 드 중 하나의 모 드 로 바이 어 스 가 걸려 있을 수 있다. 만 약 B -E 전압이
영 이 거 나 역방 향 바 이 어 스 ( y S < 0)이라면 이 미 터 로 부 터 다 수 캐리어 전 자 는 베 이스
로 주 입되지 않 을 것이다. B -C 접합이 또 한 역방 향 바 이 어 스 이 면 이 미 터 와 컬렉터 전
류 는 이 경우에 대해서 영일 것이다. 이 조 건 을 트 랜 지 스 터 에 서 모 든 전 류 는 영인-차단
( C u to ff ) 모 드 라 고 부른다.
B -E 접합에 순 방 향 바 이 어 스 로 인가 할 때 앞에서 언급 한 것과 같이 이미터 전류 가
생 성 되 고 베 이 스 속 으 로 주 입 한 전 자 들 은 컬렉터 전 류 가 된다. 컬 렉 터 -이 미 터 루 프 주
위 에 K V L 방정 식을 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Vcc = H + V cb + yBE = + V ce (1 2.7)

만 약 V c c 가 충분히 크 고 이 충분히 작다면 그때 V Cfi > 0이고，이 것 은 npn 트 랜 지 스

터의 B -C 접합이 역방 향 바 이 어 스 로 인 가 하 는 것을 의 미 한 다 . 따라서 이 조 건 은 순 방
향 활성 영역의 동작이다.
순 방 향 으 로 인가 시 킨 B -E 전 압 을 증 가함에 따 라 컬렉터 전 류 와 。 도 역시 증 가 할
것 이 다 .。 의 증 가 는 역방향으로 인가 시킨 C -B 전압，혹 은 IV느 jl 가 감 소 한 다 는 것을 의
미한다. 어떤 점 에 서 。 과 V c c 의 조 합 으 로 B -C 접합에 영 전압이 될 때 컬렉터 전류는
충분히 증 가 할 수 있다. 이 점 이상에서 사의 약간의 증 가 가 。 의 약간의 증 가 를 일으
키 고 ，B -C 접 합 은 순 방 향 바 이 어 스 ( Vcs < 0)가 걸린다. 이 조 건 을 포 화 1^ S a tura tion ) 라
고 한다. 포 화 모 드 동작에서 B -E 와 B -C 접합 은 모 두 순 방 향 으 로 바 이 어 스 가 인가되고

그림 1 2.8 공통 이미터 회로 모양에서 npn 바이폴러 트랜지스터

1) 바이폴러 트랜지스터에 대한 “ 포화” 의 개념은 1 0장에서 언급한 M O S F E T 에 대한 “포화 영역” 의 원리와

같지가 않다. B J T 에서 적용한 것과 같은 “ 포화” 용어는 출력 전류와 출력 전압이 베이스-이미터 전압 변
화와 같이 변화하지 않는다는 것을 의미한다 . M O S F E T 에서 적용한 것과 같은 “포화 영역” 용어는 출력
전류가 드레인-소스 전압의 변화에 따라서 변화( 이상적으로)하지 않는다는 것을 의미한다.
 1 2.1 바이폴러 트랜지스터 동작 스99

증가
h

차단

그림 1 2.9 중첩시킨 부하선을 갖는 바이폴러 트랜지스터의 공통이미터 전■

류-전압 특성

컬렉터 전류 는 더 이상 B -E 전 압으로 조절이 되지 않는다.

그림 1 2.9는 트 랜 지 스 터 가 공통 -이 미 터 모 양(그림 1 2.8)으 로 연결할 때에 일정 베이
스 전류에 대해 I c 대 V C 의 트 랜 지 스 터 전류 특 성 을 보 여 준 다 . 컬 렉 터 -이 미 터 전 압 은
베 이 스 -컬 렉 터 접합이 역 방 향 으 로 인가될 정도 로 매우 클 때, 컬렉터 전 류 는 이 일차­
함 이 론 으 로 상 수 이 다 . C -E 전압의 작 은값에 대해서 베 이 스 -컬 렉 터 접 합 은 순 방 향 바
이어 스로 되고 컬렉터 전류는 일정 베이스 전류에 대해서 영으로 감소한다.
C -E 루 프 주위에 K irc h h o ff 전 압식을 쓰면 다 음 과 같다.

Vce = Vcc - (1 2.8)

식 (1 2.8)은 컬렉터 전 류 와 컬 렉 터 -이 미 터 전 압 사이에 선 형 적 인 관 계 를 나 타 낸 다 . 이

선형적 관 계 를 부하선(L o a d L in e ) 이 라 하 고 그림 1 2.9에 나 타 내 었 다 . 트랜 지 스 터 특성
에 중 첩 시 킨 부 하 선 은 트 랜 지 스 터 의 바 이 어 스 조 건 과 동 작 모 드 를 나타내는데 사 용 할
수 있다. 차 단 모 드 는 / c = 일 때 일어나며 포 화 는 베 이 스 전 류 변화에 대 한 컬렉터
전류 변 화가 더 이상 없을 때 발 생 하 고 ，순 방 향 활성 모 드 는 관계식 l c = 신 /B 가 타당할
때 일어난다. 이 세 가지 동 작 모 드 를 그 림 으 로 표시하였다.
네 번째 바이폴러 트랜지 스 터 에 대 한 동 작 모 드 는 비록 그림 1 2.8에 나 타 난 회로 모
양은 아니 지만 가 능 하다. 반전 활성 모드로 알려 진 이 네 번째 모 드 는 B -E 접합이 역 방
향 으로 인가 시키며 B -C 접합은 순 방 향 으 로 인가 시킬 때 일어난다. 이 경우에 있어 트
랜 지 스 터 는 “거꾸 로” 동 작 을 하 고 이 미 터 와 컬렉터의 역할이 반 대 가 된다. 트랜지스터
가 대칭 적인 소 자 가 아 니 라 는 것을 논 의 를 하였다. 그래서 반전-활 성 특 성 은 순 방 향 -활
성 특 성 과 같지 는 않을 것이다.
4가지 동 작 모드에 대한 접합 전압 조건들이 그림 1 2.1 0에서 보여준다.

12. 1 乂 바이몰러 트 랜지스터 증폭

바이폴러 트 랜 지 스 터 는 다 른 부 품 과 서로 연결하여 전 압 과 전 류 를 증 폭 할 수 있다. 아

래의 논의에서 정 량 적 으 로 이 증 폭 을 증 명 할 것이다. 그림 1 2.1 1 은 공 통 -이 미 터 모양의
5 00 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

VCB

반전 포화
활성

BE

차단 순방향
활성

그림 1 2.1 0 바이폴러 트랜지스터의 네 그림 1 2.1 1 베이스-이미터 루프에 포함된 시간-변화 정

가지 동작 모드에 대한 접합의 전압조건 현파 전압 다를 갖는 공통-이미터 npn 바이폴라 회로 모양

npn 트 랜 지 스 터 를 보 여 준 다 . 트 랜 지 스 터 에 서 dc 전 압 원 ，V m 와 V cc는 순 방 향 -활 성 모
드 의 바 이 어 스 로 사 용 한 다 . 전 압 원 。는 증 폭 할 때 필 요 한 시변 입 력 전 압 (가 령 인공위
성으로부터 신 호 )을 나타낸다.
그림 1 2.1 2는 v ,•
가 정 현 파 전 압 이 라 는 가정하에 다 양 한 전 압 과 전 류 가 회로에서 발

(a)
전류

l CQ

G
’ 公

(c)

그림 1 2.1 2 그림 12.11 의 회로에서 존재하는 전류와 전압 (a) 입력 정현파 신호 전압，(b) 영 dc 전압

을 중첩한 정현파 베이스와 컬렉터 전류，(c) 영 dc 값을 중첩한 Rc 저항에 걸리는 정현파 전압
생 한 다 는 것을 보여준다 . 정 현파 전압 비는 dc 영 전압값에 중첩 시킨 베이스 전류의 정

현파 성 분 을 유 기 시 킨 다 . ic = 이므로 상 대 적 으 로 큰 정 현 파 컬렉터 전 류 가 컬렉터

전류의 dc 값에 중첩 이 된다. K irc h h o ff 의 전 압 법칙에 의해 시 간 -변 화 컬렉터 전 류 는
R C 저 항 양단에 시 간 -변 화 전 압 을 유 기 시 킨 다 는 것은 바이폴러 트 랜 지 스 터 의 컬렉터
와 이미터 사이에 존 재 하 는 dc 값에 중 첩 시 킨 정현 파 전압 을 의미한다. 회로의 컬렉터-
이미터 부분에서 정현 파 전압 은 신호 입 력 전 압 기 보 다 크 며 ，그 러 므 로 회로 는 시 간-변
화 신호에 대해서 전압 이득을 얻는다. 따라서 회로는 전압 증폭기로 알려져 있다.
이 장의 나머지에서 좀 더 상 세 한 바이폴러 트랜지스터의 동작 과 특 성을 다룰 것이다.

12. 2 소 수 캐리어 분 포

간 단 한 pn 접 합 에 서 와 같이 소 수 캐리어 분포에 의해 결 정 되 는 바이폴러 트랜지스 터의

전 류 를 계 산 하 고 자 한다. 확 산 전 류 가 소 수 캐리어의 농 도 기 울 기 에 의해 생 성 되 므 로 ，
트 랜 지 스 터 의 각 세 영역에서 정 상 상태의 소 수 캐리어 분 포 를 결 정 해 야 만 한다. 먼저
순 방 향 활성 모 드 를 고 려 한 후 다 른 동 작 모 드 를 고 려 하 자 . 다 음 분석에서 사 용 한 설명
을 표 1 2.1 에 요약하 였다 .

1 2.2.1 순 방 향 활성 모드

그림 12.13 에 나타 낸 구 조 를 갖 는 균일하 게 도 핑 한 npn 바이폴러 트 랜 지 스 터 를 고 려 하

표 12.1 바이폴러 트랜지스터의 분석에서 사용하는표기

표기 정의
npn 과 pnp 트랜지스터 양쪽에 대해
N e, Nb> N c 이미터와 베이스，컬렉터에서의 도핑농도
중성 이미터，베이스 그리고 컬렉터 영역의 폭
D e，D b, D c 이미터와 베이스，컬렉터에서의 소수 캐리어 확산 계수
L_e, L b, L 이미터와 베이스，컬렉터에서의 소수 캐리어 확산 길이
TfO, T公, Tc 이미터와 베이스，컬렉터에서의 소수 캐리어 수명
이미터에 대해
n公, Pco
P eo, 이미터와 베이스，컬렉터에서의 열적 평형 상태의 전자，정공의 소수
캐리어 농도
P e c ”) nB(x), P c ip d ') 이미터와 베이스，컬렉터에서의 전자와 정공의 소수 캐리어 전체 농도
8P e( / X 8nB( x \ 8pc(x ,r) 이미터와 베이스，컬렉터에서의 전자, 정공의 과잉 소수 캐리어 농도
pnp 에 대해
^ 0> P b , f^CO 이미터와 베이스，컬렉터에서의 열적 평형 상태의 전자，정공의 소수
캐리어 농도
n six'), p B(x), nc(xf') 이미터와 베이스，컬렉터에서의 전자의 정공의 소수 캐리어 전체 농도
SnE(x'), SpB(x), Snc(x ") 이미터와 베이스，컬렉터에서의 전자，정공의 과잉 소수 캐리어 농도
5 02 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

이미터 베이스 컬렉터

-n - -p - -n -
r t
I
t
I
I I

I
째~ XB---— 1 * *
I 1
x' = xE JC’ = 0 JC= 0 文= S ’’ = 0 x " = xc
_ x' .V------ ► x " -------►

그림 1 2.1 3 소수 캐리어 분포를 계산하기 위한 npn 바이폴러 트랜지스터의 기하구조

자. 개개의 이 미 터 ，베 이 스 ，그 리 고 컬렉터 영 역 을 고 려 할 때 그림에서 나 타 낸 것과 같

이 양의 x 또 는 / ' 좌 표 를 고 려 하 고 ，공 간 전 하 영역의 가 장 자 리 까 지 원 점 을 이동시
킬 것이다.
순 방 향 활성 모드에 서 B -E 접 합 은 순 방 향 으 로 B -C 접 합 은 역 방 향 으 로 바이 어스 를
인가한 다 . 그림 1 2.1 4에 나 타 낸 것 과 같 은 소 수 캐리어 분 포 를 기 대한다. 두 개의 n 영
역이 있기 때문에 이 미 터 와 컬렉터 양쪽 모 두 소 수 캐리어인 정공이 존 재 할 것이다. 이
두 소 수 캐리어 정공 분 포 들 을 서로 구별하기 위해서 그림에 나 타 나 있는 것과 같 은 표
기를 사 용 할 것이다. 따라서 소 수 캐 리 어 만 다 루 고 있다는 것만 명심하면 된다. 파라미
터 P e o, 와 P a )는 각각 이 미 터 ，베 이 스 와 컬렉터에서 열평형상태의 소 수 캐리어 농도
를 나타낸다.
함 수 此 ( / ) ，야 切 와 /노 ( /') 는 각 각 이 미 터 ，베 이 스 와 컬 렉 터 에 서 의 정상 상태 소 수
캐리어 농 도 를 표시한 다 . 중성 컬렉터 길이 는 컬렉터에서 소 수 캐리어 확 산 길이 L c
와 비교하여 충분히 길다고 가 정 하 지 만 한 정 된 이미터 길이 xE로 간 주 할 것이다. 만약
표면 재 결 합 속 도 가 / = 산에서 무 한 대 라 고 가 정 한 다 면 ，/ = 사에서 과잉 소 수 캐 리
어 농 도 는 영 이 거 나 ，p E(x = % ) = P e 7\ 된다. 무 한 표면 재 결 합 속 도 는 = 사에서
옴(o h m ic : 저항성 ) 접촉으로 제작 할 때 양호 한 근 사 가 된다.

베이스 영역 정상상태에서 과잉 소 수 캐리어의 전 자 농 도 는 6장에서 상세히 언급했던

엠 비 폴 러 (ambipolar)의 전송 방 정 식 으 로 부 터 얻 어 진 다 . 중성 베 이 스 영역에서 전 계 가

이미터 베이스 컬렉터

-n - -n -
乂 P

V fiW

/
P e ^ ') / P co

___nA . 乂 ，， '
/ Peo
\ 乂 ， 아 (， )
\
c

= XE x' = 0 a: = 0 = ^ X” = 0
X ■
■
■' x" --------

그림 1 2.1 4 순방향 활성 모드로 동작하는 npn 바이폴러 트랜지스터에서의 소수 캐리어 농도

인가하지 않았 을 경우에 정상상태에서 엠비폴러 전 송 방 정 식 은 다음 식으로 줄어든다.

n a 2(Sns(i )) 8 nB( x ) _ A n 9 0、
Db dx즈 _ 거 _ ° ( ’

여기에서 SnB 는 과잉 소 수 캐리어 전 자 농 도 이 고 ， 노와 t加는 각 각 베 이 스 영역에 소 수

캐리어 확 산 계수 와 수명이 다 . 과잉 전자 농 도 는 다음 식으로 정의한다.

8 nB( x ) = nB( x ) - nB (1 2.1 0)

식 (1 2.9)의 일반 해는 다음 과 같이 쓸 수 있다.

Sns(x) = A exp (운즈) + exp (고즈) (1 2.1 1 )

여기에서 L b 는 L b = 이며 베이스에서 소 수 캐리어 확 산 길 이 이 다 . 베 이 스 는 한

정된 폭이어서 식 (1 2.1 1 )에 있는 두 지수항을 유 지 해 야 만 한다.
두 경계면에서 과잉 소 수 캐리어 전 자 농 도 는 다음 식 과 같다.

8n B(x = 0) = SnB(0) = A + B (1 2.1 2 a)

그리 고

8 u b(x = Xb) — Sng(xg) = A e x p | ^ B j B e xp| ^ s | (1 2.1 2 b )

B -E 접합 은 순 방 향 으 로 인가하여서 x = 0에서 경계조건은 다 음 과 같다.

Sns(0) = nB(x = 0) ~ n B = n B exp (프 ^ ) - 1 (1 2.1 3 a)

B -C 접합 은 역방 향으 로 인가하여서 X = 사에서 경 계 조 건 은 다 음 과 같다.

SnB(x B) = n B(x = x B) - n B0 = 0 - n BQ = 一 n B0 (1 2.1 3b )

식 (1 2.1 3 a )와 (1 2.1 3b )에 의해 주어 친 경계 조 건 을 이용하여 식 (1 2.1 2 a)와 (1 2.1 2b )로 부

터 계수 보와 산를 구 할 수 있으며 그 결과는 다 음 과 같다.

A
~n B0 — 자公0 exp (普) (공)
2 sinh
(g )
exp
(1 2.1 4 a)

그리 고

(公Vbe \ _
nB exp exp
公 =
[~ W l _ (S ) + nm (1 2.1 4b )
2 sinh
(ffl

그 때 ，식 (1 2.9)에 식 (1 2.1 4 a)와 (1 2.1 4b )를 대 입 함 으 로 써 베 이 스 영역에서 과잉 소 수

5 04 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

1 .4

1.2
sinh ( y ) -

3
q
•
-s

0.2 -

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 .0 1 .2

y

그림 1 2.5 쌍곡선 사인 함수와 선형근사

캐리어 전 자 농 도 는 다 음 식 과 같이 쓸 수 있다.

公HZ公、
/V 、—
니卜(끙 H
smh ( 노

smh ( g )
) smh (드 )}

식 (1 2.1 5 a )는 sinh 함 수 때문에 어렵게 보 인 다 . 베 이 스 폭 사 가 소 수 캐리어 확 산 길 이

에 견줄 만큼 짧 기 를 원 한 다 는 것을 강 조하였다. 이 조 건 은 이런 면에서 다소 임의성
이 있는 것으로 보일 수 있지만 계산 전 체를 통 한 과정으로 써 그 이유가 분 명 해 질 것이
다. 또한-切 < 니 이 기 를 원하기 때문에 sinh 함수의 독 립 변 수 는 항 상 1 보다 작 으 며 ，대
부 분 의 경우에 있 어 서 는 1 보 다 훨씬 작 다 . 그림 1 2.1 5는 0 드 3녀 1 에 대해 sinhCy)의
그 림 을 보 여 주 고 ，또한기의 작 은 값에 대해 선 형 근 사 를 보 여 준 다 . 만 약 :y < 0.4이면
sin h (j ) 함 수 는 단지 3% 이내에서 선 형 근 사 와 차 이 를 보 이 고 있다. 따라서 다 음 은 식
(1 2.1 5 a)에서 과잉 전자농도 S해 는 중성 베이 스 영역 을 통해 근 사 적 으 로 ^의 선 형 함 수
라는 결론에 이른다. x « 1 의 경우 sinh ⑴ = i 라 는 근 사 를 사 용 할 때 베 이 스 에 서 과
잉 전자 농 도 는 다음 과 같이 주어진다.

5«s(x ) « 뿜 { exp (량놓자 - 1 ( xB - x ) - (1 2.1 5 b )

예제 계산의 일부에서 이 선형 근 사 를 나중에 사 용 할 것이다. 식 (1 2.1 5 a )와 (1 2.1 5 b )에

서 결 정한 과잉 캐리어 농도의 차이 는 다음의 연습 문제에서 증명한다.
 1 2.2 소수캐리어 분포 5 05

이해도 평가
TYU12.1 실리콘 바이폴러 트랜지스터의 이미터와 베이스가 W l8 c r i T 3과 1 0l6 c m -3의 불순
물 농도로 각각 도핑한다. VBE = 0.61 0 V 의 순방향-바이 어스 B-E 전압을 인가한다.
중성 베이스폭-切 = 2 와 베이스에서 소수 캐리어 확산 길이 L b = 1 0 사m 이다.

(a )x = 0,(b )x = X g/2 에서 베이스의 과잉 소수 캐리어 농도를 계산하라. 四 선형 소

수 캐리어 농도분포[식 (1 2.1 5 b)] 의 이상적인 경우에 대 한 x = A' [식 (1 2 . 1 5 a)]에서

실제 소수 캐리어 농도의 비를 결정하라.

[0S66 0 = (t ,0I X Z W6'I / h 0I X />68_ I ) = !피y (a)

: _ uio „, i X 사，
68.1 = ( z /ax)"u = ( q) e-UI3 M이 X I 8. = (0 ) 8u ( ) -suv ]

표 1 2.2는 쌍 곡 선 함수의 일 부 를 테일러 전 개 로 이 장의 이 절에서 직 면 하 는 것을

보인 다. 대부분의 경우 이 러한 함 수 들 을 전 개할 때 오직 선형 항 만 을 고 려 할 것이다.

이미터 영역 지금 이미터에서 소 수 캐리어 정 공 농 도 를 고 려 하 자 . 정상상태의 과잉 정

공 농 도 는 다 음 식으 로 결정이 된다.

d2[8 p E{ x ') \ 병 = (1 2.1 6)

D e
dx' 2

여기에서 와 t 는 각 각 이미터에서 소 수 캐리어 확 산 계 수 와 수 명 이 다 . 과잉 정 공 농

도 는 다음 식으 로 주어 진다.

8 p E( x ’ ) = p E( x ' ) - Pe (1 2.1 7)

식 (1 2.1 6)의 일반 해는 다음 과 같이 쓸 수 있다.

하7 ( ,) = C exp + 7) exp (-호프-) (1 2.1 8)

여기에서 L£ = V 다 t 0 이다. 만 약 중성 이미터 길이 사 가 반드시 스 에 견줄 만 큼 짧다

고 가 정 하 면 ，식 (1 2.1 8)에 있는 양쪽 지 수항은 유지된다.
두 경계면에서 과잉 소 수 캐리어 정공농도는 다음 식 과 같다.

8p E(x ' = 0) = 8p E(0) = C + D (1 2.1 9 a)

표 1 2.2 쌍곡선 함수의 테일러 전개

함수 테일러 급수

sin h (jc )

c o s h (x) 1 +■} + 곪+ …

ta n h (x)
서 유 …
5 06 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

그리 고

8p E(x ' = x E) = 8p E(x E) = C exP (늘 ) + D exP ( l 군 ) (1 2.1 9b )

다시，B -E 접합 은 순 방 향 으 로 바 이 어 스 를 인가한다.

Sp (0) = p E{ x ' = ) _ p 抑 = 夕 exp( ^ 자 - 1 (1 2.20a)

/ = 상에서 무한대 표면 재결합 속 도 는 다 음 식을 의미한다.

8 p E( x E) = 0 (1 2.20b )

식 (1 2.1 9)와 (1 2.20)을 이용하여 C 와 )를 풀면 식 (1 2.1 8)에 있는 과잉 소 수 캐리어 정

공 농 도 는 다 음 식이 된다.

(1 2.21 a)

이 과잉농도는 만약•
느 가 작다면 거리에 따 라 매우 근사적 선 형으로 변할 것이다.

하 )E ~ ^ exp - i (x E ~ x r)
[ kr )

만약 사 가 다 에 견줄 만 큼 길다면 그때 S此 ( / ) 는 산에 지수적 종 속 으 로 나타난다.

이해도 평가

T Y U 1 22 1018c n T 3과 1016c m -3의 농도로 각각 균일하게 도핑한 이 미터와 베이스 영 역을 갖

는 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. VBE = 0.61 0 V 의 순방향 바이어
스 B-E 전압을 인가한다. 중성 이미 터 폭 ;c = 4 사m 이고，이 미 터 에서 소수 캐 리 어
의 확 산 길 이 다 = 4 사m 이 다 .( a )x = 0과오 = X /2 일 때 이미터의 과잉 소수 캐리
어 농도를 계산하라. [ -出。Z,0I X 689'I W i ,0l X 808X (») ' suy ]

컬렉터 영역 컬 렉 터 에 서 과잉 소 수 캐리어 정 공 농 도 는 다 음 식 으 로 부 터 결 정 할 수
있다.

d2[8 p c (x!')] 8 p c (x ")

Dc ( 1 2.22)
dx"2 t <d

여기에서 노와 는 각 각 컬렉터에서의 소 수 캐리어 확 산 계 수 와 소 수 캐리어 수명이

다. 컬렉터에서의 과잉 소 수 캐리어 정 공 농 도 는 다음 식과 같이 표 현 할 수 있다.
 1 2 .2 소수캐리어 분포 5 07

8 p c (.x " ) = p c(x" ) ~ pco (1 2.23)

식 (1 2.22)의 일반해는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Spc ( x " ) = G e x p (은 ) + / / e x p | -^ j (1 2.24)

여기에서 L c = V Z )c t c o 이다. 만 약 컬 렉 터 가 길 다 고 가 정 하 면 ，계수 G 는 과잉 농 도 가

제 한 적 으 로 유지하여 야 하기 때문에 영 이 되 어 야 만 한다. 2차 경 계 조 건 은 다 음 식으 로
주어진 다.

8pc(x" = ) = 8pc (0) = Pc(x" = ) - Pco = - Pco = ~Pc (1 2.25)

따라 서 ，컬렉터에서 과잉 소 수 캐리어 정공 농 도 는 다 음 식 과 같이 주어진다.

8p c (x " ) = ~ pc exp (1 2.26)

이 결과 는 역방 향으로 인가한 pn 접합의 결과를 예상 한 것과 정확하게 같다.

이해도평가 _ _ _

T Y U 1 23 순방향 활성 영역으로 인가한 npn 바이폴러 트랜지스터의 컬렉터 영역을 고려하

자 .뇨 와 비교하여，x " 의 어 떤 값에서，열적 평형값의 95 %에 도달하는 소수 캐 리 어
농도의 크기는 얼마인가? ( = >7/, ' SUV )

12. 2. 2 다른 동작 모 드

바이폴러 트 랜 지 스 터 는 차단，포 화 ，반전활성 모드 로 동 작시킬 수 있다. 이들 동 작 조건

에 대 한 소 수 캐리어 분 포 를 정 량 적 으 로 토 의 할 것이며 이 장의 마 지 막 부분에서 연습
문 제 로 실제 계산 을 할 것이다.
그림 1 2.1 6a 는 차 단 상태에 서 npn 바이폴러 트 랜 지 스 터 에 서 의 소 수 캐리어 분 포 를
보 여 준 다 . 차 단 상 태 에 서 는 B -E 와 B -C 접 합 양쪽에 역 방 향 으 로 바 이 어 스 가 인 가 됨 으

그림 1 2 . 1 6 (a) 차단，(b) 포화로 동작하는 npn 바이폴러 트랜지스터의 소수 캐리어 분포

5 08 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

C B E

그림 1 2.1 7 (a) 반전활성 모드로 동작하는 npn 바이폴러 트랜지스터의 소수 캐리어 분포，(b) 반전활성 모드에서 전자의
주입과 집속을 보이는 npn 바이폴러 트랜지스터의 단면도

로 ，즉 소 수 캐 리 어 농 도 는 각 공 간 전 하 영 역 가장자리 에서 영 이 된다. 이 그림 에서 이
미 터 와 컬렉터 영역이 ‘길다’ 고 가 정 하 면 ，베 이 스 는 소 수 캐리어 확산길이 에 견줄 만큼
짧 다 . 그래서 x B « 이기 때문어1, 필 연 적 으 로 모 든 소 수 캐 리 어 가 베 이 스 영역에서
빠져나간다.
그림 1 2.1 6b 는 포 화 상 태 에 서 동 작 하 는 npn 바이폴러 트 랜 지 스 터 의 소 수 캐리어 분
포 를 보 여 준 다 . 포 화 상 태 에 서 는 B-E와 B-C 접 합 양쪽에 순 방 향 으 로 바 이 어 스 가 인가
됨 으 로 즉 과잉 소 수 캐 리 어 가 공 간 전 하 영역의 가 장 자 리 에 존 재 한 다 . 그 러 나 컬렉터
전 류 는 트 랜 지 스 터 가 포 화 상 태 일 때도 여전히 존재하기 때문에 베이스에서 소 수 캐리
어 전자농도의 기울기 는 여전히 존 재 할 것이다.
마 지 막 으 로 ，그림 1 2.1 7 a 는 npn 트 랜 지 스 터 에 서 반전활성 모드에 대한 소 수 캐리어
분 포 를 보 여 준 다 . 이 경우에 서 B-E 접 합 은 역 방 향 으 로 B-C 접 합은 순 방 향 으 로 바이 어
스 가 걸 리므로 컬렉터로부터 전자들이 계속 베 이 스 로 주 입 한 다 . 베이스에서 소 수 캐리
어 전자농도의 기 울 기 는 순 방 향 활 성 모 드 와 비교 할 때 반대 방향이어서 이 미 터 와 컬렉
터 전류의 방 향 도 반 대 가 된다. 그림 1 2.1 7 b 는 컬렉터에서 베 이 스 로 전 자 주 입 을 보여
주 고 있다. B-C 면적이 정 상 적 으 로 B-E 면 적 보 다 훨씬 크기 때문에 주 입 한 전 자 모 두
가 이 미 터 로 집 속 되 는 것은 아 니 다 . 베 이 스 와 컬렉터의 상 대 적 도 핑 농 도 는 베 이 스 와
이미터의 도 핑 농 도 와 비교하여 차 이 가 있다. 즉 트 랜 지 스 터 는 대칭적이 아니다. 동작에
서 순 방 향 활 성 과 반전활성 동 작 모 드 사 이 에 는 상 당 한 특성 차 이 가 있는 것을 예상 할
수 있다.

12. 3 저 주 파 수 에 서 공 통 베 이 스 전 류 이 득

바 이폴러 트 랜 지 스 터 동작 의 기본 원 리 는 B-E 전압에 의 한 컬렉터 전류의 제 어 이 다 .

컬렉터 전 류는 이미터에서 부터 B-E 접합 을 지나 베이스에 주입 된 후에 컬렉터에 도 달
하 는 다수 캐리어의 개수의 함수이 다 . 공통 베이스 전류이득(common-bas e curre nt g a in )
은 이미터 전류에 대한 컬렉터 전류의 비율로 정 의 한 다 . 다양하게 대전된 캐리어의 흐
 12.3 저 주 파 수 에 서 공 통 베 이 스 전 류 이 득 5 09

름 은 소 자 에 서 특 별 한 전류로 서 정 의 하 도 록 한 다 . 여러 인자에 의해서 트 랜 지 스 터 의

전 류 이 득 을 정의하기 위해서 여러 정 의 들 을 사 용 할 것이다.

12. 3. 1 기여 인자

그림 1 2.1 8은 npn 바이폴러 트 랜 지 스 터 에 서 다 양 한 입자 유 속 성 분 을 보 여 준 다 . 이 다

양 한 유 속 성 분 을 정 의 하 고 그 결과로 나 타 나 는 전류 를 고 려 할 것이다. 비록 유 속 성분
들이 많 을 지 라 도 ，그림 1 2.1 4에 보 여 준 소 수 캐리어 분 포 와 각 인자의 상관관계에 의해
상 태 를 명확하게 하는데 도 움 을 줄 수 있다.
인 자 /。 는 이미터에서 베 이 스 로 주 입 하 는 전자 유 속 이 다 . 전자들이 베 이 스 로 확 산
함에 따 라 일부 는 다 수 캐 리어인 정 공 과 재 결 합 할 것이다. 재결합에 의해 없어진 다 수
캐리어 정공 은 베이 스 단자에서부터 다시 채 워 져 야 만 한다. 이 대체 정공 유 속 은 /。 로
표 기 한 다 . 컬렉 터에 도 달 하 는 전 자 유 속 은 /。 이다. 베이스의 다 수 캐리어 정 공 은 •
/
로 표 기 한 정공 유 속 결과인 이 미 터 로 역으로 주 입 한 다 . 순 방 향 바 이 어 스 때문에 B-E
공 간 전 하 영 역으로 주 입 한 일부 전 자 와 정 공 들 은 이 영 역에서 재 결 합 할 것이다. 이 재
결합이 전 자 유 속 /«을 유 도 한 다 . 전 자 와 정공들의 생 성 은 역 방 향 으 로 인 가 한 B-C 접
합에서 일어난다. 이 생성이 정공 유 속 사 를 만들어낸다.
최 종 적 으 로 ，B-C 접합에서 이상적 인 역 방 향 포 화 전 류 는 정공들의 유 속 / 로 표기
한다.
npn 트 랜 지 스 터 에 서 대 응 하 는 전기적 전 류 밀 도 성 분 은 순 방 향 활 성 모 드 에 대 한 소
수 캐리어 분 포 를 그림 1 2.1 9에 나 타 내 었 다 . 이 곡 선 들 은 그림 1 2.1 4와 같이 동 일 하 다 .
pn 접 합 에 서 와 같이 바이폴러 트 랜 지 스터에서 전류 는 소 수 캐리어의 확 산 전 류 이 며 ，이
전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 정의한다.

K e- 베이스 내 ;c = 에서 소 수 캐리어 전자의 확산에 기인한 것

/„ c 베이 스 내 ^ = 자에서 소 수 캐리어 전자의 확산에 기인한 것
J R B- Jn E ^Jn C 사이의 차 이 ，베이스에서 다 수 캐리 어 인 정 공 과 과잉 다수 캐 리 어 인
전자의 재 결 합 에 기 인 한 다 . J RB 전 류 는 재 결합에 의해 소 실 된 정 공 을 대 체 하
기 위한 베이 스 속에서 정공의 흐름이다.

그림 12.18 순방향 활성모드로 동작하는 npn 바이폴러 트랜지스터의

입자 전류밀도 혹은 유속 성분
51 0 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

그림 1 2.1 9 순방향 활성모드로 동작하는 npn 바이폴러 트랜지스터의 전류밀도 성분

Jp E 이미터 내 노 = 에서 소수 캐리어 정공의 확산에 기인한 것

J r . 순 방 향 으 로 인가한 B-C 접합에서 캐리어의 재결합에 기 인한 것

Jpc 컬렉터 X = 0에서 소수 캐리어 정공의 확산에 기인한 것

JG 역방향 으로 인가한 B-C 접합에서 캐리어의 생성에 기 인 한 것

전 류 八 B，JPE와 八 은 단지 B-E 접합의 전 류 이 고 컬렉터 전 류 에 는 기 여하지 않 는다. 전

류 ■VO와 九 는 단지 B-C 접합의 전 류 이 다 . 이들 전 류 성 분 들 은 트 랜 지 스 터 의 동 작 이 나
전 류 이 득 에 는 기여하지 않는다.
공 통 -베 이 스 d c 전류이득은 다 음 과 같이 정의한다.

a = ^ (1 2.27)

만 약 활성 단 면 적 이 컬 렉 터 와 이 미 터 가 동 일 하 다 고 가 정 하 면 , 그때 전 류 밀 도 에 의한
전 류 이 득 은 다 음 식으로 쓸 수 있다.

Jc _ JnC + J g + JpcO (1 2.28)

«0 =
J e Jn E +: + JpE

컬렉터 전 류 가 이미터 전류의 변화에 의해 어떻게 변 화 할 것인가에 대 한 해결에 일차

적인 관심이 있다. 소신호 혹 은 정현 파 ，공 통 -베 이 스 전 류 이 득 은 다 음 과 같이 정의한다.

_ 8 Jc _ _ _ _ _ JnC_ _ _ _ (1 2. 29)
3Je J/tE Jr ~ JpE

역방향 으로 인가한 B -C 전류 九 와 / 는 이미터 전류의 함 수 가 아니다.

 12.3 저 주 파 수 에 서 공 통 베 이 스 전 류 이 득 51 1

식 (1 2.29)를 다 음 과 같이 다시 쓸 수 있다.

시최■占속) 야,
또는

a = y a T8 (1 2.30b)

식 (1 2.30b)의 인수 들은 다음 과 같이 정의한다.

J = ( j J + j pE) = 이미터 주입 효 율 인 자 (1 2.31 a)

아 = = 베이스 전 송 인 자 (1 2.31 b)

8 = j Jn^ Jl Er = 재결합인자 (1 2.31 c)

Jn E 卞 사 卞 JpE

이미터 전류의 변 화 와 정 확하게 같 은 컬렉터 전류의 변 화 를 가 지 거 나 혹 은 a = 1 이

이 상 적 이 다 . 그 러 나 식 (1 2.29)에서 a 가 항 상 1보 다 작 다 는 것을 알 수 있다. 목 표 는 a
를 가 능하면 1 에 가깝게 만 드 는 것이다. 이 목 표 를 달성하기 위해 각 인자가 1 보 다 작
기 때문에 가능하면 1 에 가깝게 식 (1 2.30b)에서 각 항 들 을 고 려 해 야 만 한다.
이미터 주입 효율인天[(emitter injection efficiency factor) y는 이미터에서 소 수 캐리
어 정공 확 산 전 류 를 설명한다. 이 전류 는 이미터 전류의 부 분 이 지 만 /#가 컬렉터 전류
의 부분이 아닌 것으로 트랜지 스터 의 동 작 에 는 기여하지 않는다.
베이스 전송 인자(base transport factor) 는 베 이 스 에 서 과잉 소 수 캐리어 전자의
재 결 합 을 설명 한다. 이상적으로 베 이스에서 재 결 합 은 일어나지 않는 것이다.
재결합 인자(recombination factor) 5는 순 방 향 으 로 인 가 한 B-E 접합에서 재 결 합 을
설명한다. 전 류 /s는 이미터 전류에 기여 하 지 만 컬렉터 전 류 에 는 기여하지 않는다.

12. 3. 2 트랜 지스터 전 류 성 분 과 전 류 이 득 인자의 유도

트 랜 지 스 터 에 서 전 기 적 ，기하학적 파 라 미 터 에 의 한 각각의 이 득 인 자 와 다 양 한 트랜지

스터 전 류 성 분 을 결 정 하 기 를 원 한 다 . 이 러 한 유 도 결 과 가 트 랜 지 스 터 에 서 다 양 한 파
라미터들이 어떻게 소자의 전기적 특 성 들 에 영향 을 미 치 는 가 를 설 명 할 것 이 며 , “양호
한” 바이폴러 트 랜 지 스 터 를 설 계 하 는 방법 을 제시 할 것이다.

이미터 주입 효 율 인 자 먼저 이미터 주입 효율인자를 고 려 하 자 . 식 (1 2.31 a)로부터 다 음

식을 갖는다.

1 = (1 2. 3 2)
51 2 C hapters 바이폴러 트랜지스터

1 2.2.1 절에서 순 방 향 활 성 모 드 에 대해 소 수 캐리어 분 포 함 수 를 유 도 하 였 다 . 그림 1 2.1 9

에서 정 의 한 것 과 같이 가 음의 I 방향에 있 다는 것을 주의 하 면 서 전 류 밀 도 를 다 음
과 같이 쓸 수 있다.

JpE = - eD E 45 ^ )]-[,_
， (1 2.33 a)

그리 고

JnE= ( - ) eD B ^ ^ - 2.33b )
ax k=o

여기에서 S/성( / ) 와 、 ⑴ 는 각 각 식 (1 2.21 )과 (1 2.1 5)에 의해 주어진다.

切^(分 )와 를 적절하게 미분함으로써 다 음 식을 얻는다.

eD EpE 1
JpE : exp ( 12.34a)
， )_ tanh ( x e / L e )

그리고

. 一 ePBnB [ l | [exp ( eVBE/ k T ) - 1] (12.34b)

L b l sinh (xfl/L8) tanh ( xB/ L B)

양의 JpE와 八 E 값 들 은 전 류 가 그림 1 2.1 9에 나 타 난 방 향 과 같 다 는 것을 의 미한다. 만약

B -E 접합이 V 래 » 쇼7 이도록 순 방 향 바 이 어 스 를 충분히 크게 인 가 한 다 고 가 정 하 면 ，

그때

e x p ( , ) 》 i

그리 고

e\p(eVBE/kT) 公 1
tanh (x b / L b ) sinh (xB/L B)

가 된다. 이미터 주입 효 율 은 식 (1 2.32)로부터 다음 식과 같다.

Y
- 1 (12.35a)
+ P eoD e L b . tanh ( x b / L b)
tanh {x e / L e )

만 약 식 (1 2.35 a )에서 此 와 해 를 제 외 한 모 든 파 라 미 터 가 고정되어 있다고 가 정 하 면 ，

그때 그 1 이 되도록 하기 위해서 p £0 « 가 되 어 야 만 한다. 다음 식을 쓸 수 있다.

_ n] _ n]
Pm = WE and Hbo = N

여기에서 N E와 N B는 각 각 이미 터 와 베 이스의 불 순 물 도 핑 농 도 이 다 . 그때 p E 0 « n B0
 1 2 .3 저주파수에서 공통 베이스 전류이득 51 3

조 건 은 A노 « N B 인 것을 의 미 한 다 . 1 에 가 까 운 이미터 주 입 효 율 을 위해서 이미터 도

핑은 베 이 스 도핑 에 비교하여 높 아 야 만 한다. 이 조 건 은 p -형 베이스의 정 공 보 다 n -형
이미터로에서 더 많은 전자들이 B -E 공 간 전 하 영역으로 주 입 한 다 는 것을 의미한다. 만
약 사 « L b9 \ xe « L 이면，이미터 주입 효 율 은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

(1 2.35 b )
1 I Nb De Xb
1 + A^ D~b 瓦

이미터주입효율계산
다음의 트랜지스터 파라미터로 가정하라. N b = 1 015 c m - 3, N e = 1 017 c m ~3, D E = 10
cm 2/s, D B = 20 cm 2/s, x B = 0 . 8 0 와 x E = 0.60 /xm .

식 (1 2.35 b )로부터,

0. 9 9 3 4

(f i i i t ) i + i m ( l )
\2 il .6 0

이 간단한 예제는 이미터 주입 효율의 전형적인 크기를 보여준다.

연습문제
E x 12.1 만약에 베 이 스 와 이미터 도 핑 농 도 가 각각 = 5 x 1 15 c m - 3와 A노 = 1 018
c m _3 일 때 예제 12.1 을 반복하라. (스966_0 = 소*suy )

베이스 전송인자 다음에 고 려 해 야 할 항 은 a T = J nC/J nE인 식 (1 2.31 b )로 주 어 지 는 베

이스 전송인자이다. 그림 1 2.1 9에서 보여진 전류 방향의 정의로부터 다음 식으 로 쓸 수

있다.
d [8 n B(x)}
J nC = ( _ ) 쓰 )公 (1 2.36 a)
dx \x= xB

그리 고

d [8 n B(x)]
JnE = (、—)e D B (1 2.36b )
dx 요=

식 (1 2.1 5)에 주어 진 하切⑴에 대한 표 현 식 을 이용하여 다음 식을 얻는다.

r _ e P Bn B0 i [e xp (e V BE/k T ) 一 1 ] 十 1 } (1 2.37)
l b 1 sinh {xB/ L B) tanh { x B/ L B) ]

/ 冗에 대한 표 현 식 은 식 (1 2.34 a )에 주어졌다.
5 U Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

만 약 B -E 접합이 V » k T le 7 \ 되 도 록 순 방 향 바이 어 스 를 충분히 크게 인 가 한 다
고 다시 가 정 하 면 ，그때 exp( eVB£/ kT ) 》 1 이 된다. 식 (1 2.31 b )에 식 (1 2.37)과 (1 2.34b )
치환함으로써 다음 식 과 같다.

a _ Jnc ~ e\ p ( eV BE/ k T ) + cosh ( xB/ L B) (1 2 38)

0:1 JnE 1 + e\ p ( eV BE/ k T ) cosh ( xB/ L B)

% 가 I 에 가 깝 도 록 하기 위해서 중성 베 이 스 폭 & 는 베이스에서 소 수 캐리어 확산길이

L b 보 다 훨씬 더 작 아 만 한다. 만약 사 « 니이 면, 그때 cosh (사 /니 는 1 보다 약 간 더 클
것이다. 추 가 로 만 약 e x p ( eV B£ / kT ) » 1 이면，베이 스 전 송 인 자 는 근 사 적 으 로 다 음 식이
된다.

aT 1 (1 2.39 a)
cosh ( x b / L b)

xB « L s 일 경우 테일러 전개에서 cosh 함수 를 전 개 할 수 있으며，다 음 식 과 같이 된다.

CtT 2 ( x b / L b) 2 (1 2.39b )
cosh (x b / L b) 1 + U x B/ L By

베 이 스 전 송 인 자 아 는 만 약 자 « 。 이면 1 에 가 까 워 질 것이다. 여기에서 중성 베이 스
폭 사 가 。 보 다 작아질 것 이라는 앞서 지적 한 이유를 이해 할 수 있다.

W B tB E C T 베 이 스 전 송 인 자 계산
xB = 0.8 0 Mm와 。 = 1 0.0 /xm 의 트랜지스터 파라미터로 가정하라.

델 n
식 ( 1 2 . 3 9 b ) 로부터，

cosh
間 cosh
，
0.80
、10. 0
0.9968

■
이 간단한 예제는 베이스 전송인자의 전형적인 크기를 보여준다.

연 습 ^^
Ex 1 2.2 xB = 1 .2 ixm 9 \ L B = 1 0.0 /x m 에 대해서 예제 1 2 .2 를 반복하라. (8366'0 = 110 's u y )

재 결합 인자 재결 합 인자는 식 (1 2.31 c )에 의해 주어졌으며 다 음 식 과 같이 쓸 수 있다.

Jn E 수 JpE JnE 1
(12.40)
JnE + 가 + Jp E Jn E + J r 1 + J r/J nE
 12.3 저 주 파 수 에 서 공 통 베 이 스 전 류 이 득 51 5

식 (1 2.40)에서 JpE « 라고 가 정 하 였 다 . 순 방 향 으 로 인 가 한 pn 접합에서 재결합에

기인 한 재 결 합 전 류 밀 도 는 8장에서 논 의 하 였 고 ，다 음 과 같이 쓸 수 있다.

exBEni feVBE\ )
Jr = exp 乂 exp 쓰 (1 2.41 )
2 t ,2 k T ) 、2 k T ]

여기에서 사 e 는 B -E 공 간 전하폭이다.
식 (1 2.34b )로부터 전류 八 는 다 음 과 같이 근사시 킬 수 있다.

JnE = 시 e x p (림 자 (1 2.42)

여기에서

公 ^2 公
JsO = (1 2.43)
L b tanh ( x B/ L B)

따라서 식 (1 2.40)으로부터 재결 합 인자는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

8 =
1 (1 2.44)
—e Vbe \
1+ e x p l 2 kT )

재결합 인자는 B -E 전압의 함수이 다 . 가 증 가함에 따 라 재 결 합 전 류는 점점 더 열세

하게 되어 재 결합 인자는 1 에 가까워진 다.

재결합인자계산 ■■ B H W
다음의 트랜지스터 파라미터로 가정하라. = 0.1 0 Atm, T = 1 0_ 7 ,
s N b = 5 x l 15
c m -3, D b = 20 cm 2/s, L B = 10 사m ，xB = 0.80 /xm 와 V公 표 = 0.50 V .

행 n
식 (1 2.41 )로부터

八 = 똑 민 = M 즈 ■ ， . ! _집 o i u x u n = L 2 X 1 _ 7 A /cm 2
2t 2(1 0 一7)

식 (1 2.43)으로부터

끗 /) 公 자 公 e D B ( n 2j N B)
JsO :
L b t a n h ( x B/ L B) L B t a n h ( x B/ L B)

_ (1 . 6 X l - 19) (2 0) [( 1 . 5 X 1 0I0) 2/5 X 1 015] _

1.804 X 10_9 A/cm2
(1 0 X l - 4) t a n h ( 0. 8 0 /1 0 . 0)

그때 식 (1 2.44)로부터，재결합 인자는 다음 값을 얻는다.

8 =
- 스으. exp l - v BE\ 1 4- [ 1.2 X 10-7 \ . exD( - .5 \
JsO l 2Vt ) U . 804 X l -9 / P \ 2(0.0259) j
= 0.99574
51 6 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

(S J
이 간단한 예제는 재결합 인자의 전형적인 크기를 보여준다.

연습문제
E x 1 2.3 VBE = 0.65 V 에 대해서 예제 1 2.3을 반복하라. (9Z.666 0 = § 'suy )

재 결 합 인자는 반드시 표 면 효 과 를 포 함 하 여 야 한다. 표 면 효 과 는 6장에서 논 의 한 것

과 같이 표면 재 결 합 속 도 로 설 명 할 수 있다. 그림 1 2.20a 는 반도체 표면 근 처 에 있는
npn 트랜지스터의 B -E 접 합을 보인다. 그림 1 2.20b 는 베이스 영역내 단면 A -A ' 에 따른
과잉 소 수 캐리어 전 자 농 도 를 보 인 다 . 이 곡 선 은 순 방 향 으 로 인 가한 접합의 소 수 캐리
어 농 도 이 다 . 그림 1 2.20c 는 표 면 으 로 부 터 단면 C -C ' 에 따 른 과잉 소 수 캐리어 전자 농
도 를 나 타 낸 다 . 표 면 에 서 의 과 잉 농 도 는 벌크 물질 내에서의 과잉 농 도 보 다 낮 다 는 것
을 이미 보 인 바 있다. 이 전 자 분 포 때문에 전 자 들 이 다 수 캐리어 정 공 과 재 결 합 하 는
벌크 방향에서부터 표면 방 향 으 로 전 자 가 확산하게 된다. 그림 1 2.20d 는 이미터에서 베
이스 로 전자주입 및 표 면 에 서 의 전자의 확 산 을 보 여 준 다 . 이 확 산 은 다 른 재 결 합 전류
의 성 분 을 생성하며 이 재 결 합 전 류 성 분 은 재 결 합 인자 S를 포 함 하 여 야 만 한 다 . 실제
계산 은 2차원 분 석 을 요구하기 때문에 난 해 하 지 만 ，재 결 합 전류의 형 태 는 식 (1 2.41 )의
형 태 와 같다.

12. 3. 3 요 <약

이미 모 든 유 도 식 에 서 npn 트 랜 지 스 터 를 고 려 한 것 과 같 이 ，정 확 하 게 동 일 한 해 석 을
pnp 트 랜 지 스 터 에 도 적 용 한 다 . 즉 전 자 농 도 가 정 공 농 도 가 되고 그 반 대 가 되 는 것을
제 외 하 고 는 같 은 소 수 캐리어 분 포 를 얻을 수 있을 것 이 다 . 전 류 방 향 과 전 압 극 성 들
또 한 바뀐다.

그림 1 2.20 표면쪽으로 향하는 캐리어 확산을 나타내는 E-B 접합의 표면

 12.3 저주파수에서 공통 베이스 전류이득 51 7

식 (1 2.27)에서 = I C/ I E 같이 정 의 한 공 통 베 이 스 전 류 이 득 을 고 려 하 였 다 . 공 통
이미터 전 류 이 득 分) = /c//fi로 정 의 하 였 다 . 그림 1 2.8로부터 / = /f i+ /c 임을 알 수 있
다. K C L 방 정 식 으 로 부 터 공 통 이 미 터 와 공 통 베 이 스 전 류 이 득 사이의 관 계 를 결 정 할
수 있으며 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

k = k + i
Ic Ic

전류이득의 정의 로 치환하면 다 음 식 을 얻는다.

= i +1

이 관 계 는 실제 쇼 와 소 신 호 조건 양쪽이 일치하기 때문에 첨 자 를 없앨 수 있다. 이제

공 통 이미터 전 류 이 득 은 다 음 과 같이 공 통 베이스 전 류 이 득 으 로 쓸 수 있다.

공 통 이미터 전류이득에 의해서 공 통 베이스 전 류 이 득 은 다 음 과 같다.

나
표 1 2.3은 자 « L b 9 \ xe « 다 이 라 고 가 정 한 공 통 베이 스 전류이 득 에 서 제 한 인자에

표 1 2.3 제한 인자의 요약

이미터 주입

1 + 북f . 농 .통
(x b 《 L b ) (X e 《 L e)

Ne

베이스 전송인자
OLt s (xb L b)
M S )2
재결합인자

공통 베이스 전류이득
a = ya. T^
~ e V BE 시
1+f •& •증 4 는 XP ( 1 /

공통 이미터 전류이득

卜 a
5 18 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

대 한 표 현 식 을 요약 해 놓 았 다 . 또 한 공 통 -베 이 스 전 류 이 득 과 공 통 -이 미 터 전 류 이 득 에
대 한 근 사 표 현 식 도 나타내 었다.

12.3.스 이득 인자의 예제 계산

만 약 浴의 전 형 적 인 값이 1 00이 라 고 가 정 한 다 면 ，그때 a = 0.99가 된다. 또 한 y =

= 즈라고 가정하 면 각 인자는 3 = 1 00이 되기 위해서 a 는 0.9967이 어 야 만 한다. 이 계
산 은 합 당 한 전 류 이 득 을 얻기 위해서 어떻게 각 인 자 가 1 에 근 접 해 야 하 는 가 에 대해
제시한다.

^ [^ 1 y = 0.9967과 같은 이미터 주입 효율인자를 구하기 위해서 베이스 도핑에 대하 이

미터 도핑의 비율을 설계한다.
npn 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. 간결하게 하도록 D £ = D b , L e = 다 와 ;c = xB
로 가정한다.

행 n
식 (1 2.35 a)는 다음 식처럼 줄어든다.

따라서

y = — = 0. 9967
1 + 군
그때

불 = 0.00331 or 춘 = 3 02

이다.

■
이미터 도핑농도는 높은 이미터 주입 효율을 얻기 위해서 베이스 도핑농도보다 훨씬 더 높
아야만 한다.

연습 문제
E x U .4 트랜지스터 파라미터가 예제 1 2.4에서 묘사한 것과 같다고 가정하라. 추가하여
N e = 6 x l 18 c m -3, 이미터 주입 효율은 y = 0. 9 9 5 0 인 경우 베이스 도핑농도를 결정하라.

( e-U W 9i0I 父 Z0'£ = aN -s u y)

| 목적 | a T = 0.9967과 같은 베이스 전송인자를 구하기 위해서 요구하는 베이스폭음 섬계

한다.
 12.3 저주파수에서 공통 베이스 전류이득 51 9

pnp 바이폴러 트랜지스터에서 D b = 10 cm2/s와 t 公0 = 10—7 용라고 가정하자.

텔 n
베이스 전송인자는 pnp와 npn 트랜지스터 모두에 적용할 수 있고 다음과 같이 주어진다.

OLt — = 0.9967
c o s h ( x b / L b)

따라서
Xb/ L b = 0.0814

여기에서

Lb = V D bTbo = V ( 1 ° X 10~7) = l -3 cm

베이스폭은 다음과 같아야만 한다.

xB = 0.814 X 10_4cm = 0.814 jam

d 互)
만약 베이스폭이 약 0.8 사m 이하이면，그때 요구하는 베이스 전송인자를 얻을 수 있다. 대
부분의 경우에서 베이스 전송인자는 바이폴러 트랜지스터 전류이득에서 제한인자가 아니
다.

연습문제
Ex 1 2.5 트랜지스터 파라미터가 예제 1 2.5에서 묘사한 것과 같다고 가정하라. 베이스
전송인자가 a T = 0.9980인 경우 최소 베이스폭 자를 결정하라. ( e-Uk 9,0I x Z0'£ = aN 'suy )

5 §] 8 = 0.9967과 같은 재결합 인자를 구하기 위해 필요한 순방향 바이어스 B-E 전압 ■텔 ■醫 H R i

을 계산한다.
T = 300 K에서 npn 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. = 10~8 A/cm2와 /i0 = 10—11
A/cm2로 가정하자.

식 (12.44)로부터 재결합 인자는

1
eVBE\
~wr)
~
1 + ~ exp
JsO

이므로，이때 다음과 같다.

0.9967 =
1Q~8 e x p 一사’비
10一11

이 식을 재배열할 수 있고 다음과 같이 쓸 수 있다.

520 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

exp
+ gVgg\ _ 0. 9 9 6 7 X 1 03
= 3 . 02 X 1 05
一호瓦디 1 - 0. 9 9 6 7

그러므로

VBE = 2(0.0259) In (3.02 X 105) = 0.654 V

S 3
이 예제는 재결합 인자가 바이폴러 전류이득에서 중요한 제한 인자가 될 수 있다는 것을 증
명한다. 이 예제에서 만 약 가 0.654 V 보다 작다면 그때 재결합인자 S는 바람직한 값인
0.9967 이하로 떨어질 것이다.

연습문제
E x 12.6 만 약 / 比 = 1( 8 A /cm 2와 /비 = 1 0-11 A /cm 2 이면，8 — 0.9950인 경우 V B £ 값
을 결정 하라. ( A 0Z 9 0 = 3BA -s u y )

B 5B K H W 목적 T = 300 K 에서 주어진 파라미터에 대한 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터의 공통

이미터 전류이득을 계산한다.
다음 파라미터를 가정하자.

d e == 1 0 c m 2/s x B == 0. 7 0 /Ltm
D b == 2 5 c m 2/s x E == 0. 5 0 jLtm
T fo == 1 X l -7 s n e == 1 X 1 01 8c m -3
Tfi == 5 X l -7 s n b == 1 X 1 016 cm 3
J/O = : 5 X I Q -8 A /c m 2 BE == 0. 6 5 V

파라미터들은 다음과 같은 계산 값이다.

(1 . 5 X 1 010) 2
P eo = = 2 . 2 5 X 1 02 c m -3
1 X l 18

(1 . 5 X 1 010) 2 _
穴 BO = = 2 . 2 5 X 1 04 c m -3
1 X 1 016

Le = \ / D eTe = 1 0 3cm

Lb = / D bTb = 3 .5 4 X 1 0~ 3 c m

헬 n
식 (1 2.35 a)로부터 이미터 주입 효율인자는 다음과 같다.

' ! (2 . 2 5 X 1 02) (1 0)(3 . 5 4 X 1 0~ 3) t a n h (0. 01 9 8 )

一 (2 . 2 5 X 1 04)(2 5 ) (1 - 3) t a n h (0. 05 0)

식 (1 2.39a)로부터，베이스 전송인자는 다음과 같다.

a T= = 0. 9 9 9 8
cosh
0.70 X 1Q-M
3.54 父 1 -3 /
식 (1 2.44)로부터 재결합 인자는 다음과 같다.

x 10" expf - ° - 65
JsO i 2 (0 . 0 2 5 9 )/

여기에서
e Z ) 公n 公 (1 . 6 X 1 0 19)(2 5 )(2 . 2 5 X 1 04)
JsO : 1.29 X 1 -9 A/cm2
L b t a n h (중 、j 3.5 4 X l - 3 t a n h (1 . 9 7 7 X 1 0_ 2)

지금 8 = 0.99986임을 계산할 수 있다. 이때 공통 베이스 전류이득은

a = y a T S = (0. 9 9 4 4 )(0. 9 9 9 8 )(0. 9 9 9 8 6 ) = 0. 9 9 4 06

이다. 여기에서 공통 이미터 전류이득은 다음과 같은 값을 얻는다.

ol _ 0. 9 9 4 06
p 167
1 0. 9 9 4 06

S 3
이 예제에서 이미터 주입 효율은 전류이득을 제한하는 인자이다.

연습^^
Ex 1 2.7 y = aT = 0.9980, = 5x l _9 A/cm2와 /^) = 2 x l -11 A/cm2이라고 가정
하라. (a) VBE = 0.550 V와 (b ) VBE = 0.650 V에 대하여 공통 이미터 전류이득 /3 를 결정하
라- IPOZ = Si (<?) -S S6 = f/ (») 'SUV]

이해도 평가
주의: 다음의 이해도 평가에서 r = 300K 에서 실 리 콘 npn 바이폴러 트랜지스터를 가 정 하 斗 D
= 8 cm2/s, D b = 20cm2/s, Dc = 1 2cm2/s, = 10-8 s, Tm = 10_ 7 s, Tq j = 1 0_ 6s.

T Y U 1 2.4 만약 이미터 도핑농도 A노 = 5 x l 18 c m —5이면，이미터 주입 효율 거 = 0.9950

이도록 베이스 도핑농도를 구하라. xE = 2 xB = 2 m 가정한다.
가,이 X 8 0 1 = aN 's u y )
( -U i

T Y U 1 2.5 a T = d = 0.9967, x B = x E = \ /xm . NB = 5 x 1 016 err 3와 N E = 5 x 1 018

c m -3라고 가정하자. 공통 이미터 전류이득 사를 결정하라. ( VZ 6 = Si 'suy )
T Y U 1 2.6 y = d = 0.9967, x B = 0.80 다m라고 가정하자. 공통 이미터 전류이득 /3를 결

정하라. (IZ I = 상_suv )

12乂 비 이 상 적 인 효 과

앞선 논의에서 균 일하게 도 핑 한 영역，낮 은 주 입 ，일정한 이 미 터 와 베 이 스 폭 , 이상적인

일정 한 에너지 밴 드 캡 ，균 일 한 전 류 밀 도 및 항복에 있지 않는 접합의 트 랜 지 스 터 를 고
522 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

려하였다. 만 약 이런 이 상적인 조건의 일부 가 없다면, 그때 트랜 지 스 터 특 성 들 은 유도

하였던 이상적 인 특성에서 빗나갈 것이다.

12乂. 1 베 이 스 폭 변조

중성 베 이 스 폭 사 가 일 정 하 다 고 묵 시 적 으 로 가 정 하 였 다 . 그 러 나 베 이 스 폭 은 베 이스 영
역으로 확 장 하 는 공 간 전 하 영역의 폭이 B -C 전압에 따 라 변화하기 때문에 B -C 전압의
함 수 이 다 . B -C 역방향 바 이 어 스 전압이 증가함에 따 라 B -C 공 간 전 하 영 역폭은 증 가 하
며 그것이 자 를 감 소 시 킨 다 . 중성 베이스폭의 변화는 그림 1 2.21 에서 관 측 하 는 것과 같
이 컬렉터 전 류 를 변화시킬 것이다. 베 이 스 폭 의 감 소 는 소 수 캐리어 농도의 기 울 기 를
증 가 시 키 고 , 차 례 로 확 산 전 류 를 증 가 시 킨 다 . 이 효 과 를 베 이 스 폭 변 조 (bas e w id th
m o d ula tio n )라 하 며 ，또 한 Early 효과라고도 한다.
E a rly 효 과 는 그림 1 2.22에 나타낸 전 류 •
전 압 특 성 으 로 알 수 있다. 대부분의 경우에
있어서 일정한 베이 스 전 류는 일정한 B -E 전압 과 동일하 다 . 이상 적 으 로 컬렉터 전류 는
B -C 전 압 과 는 독립적 이 어 서 곡선의 기 울 기 는 영이다. 따라서 트 랜 지 스 터 의 출력 컨덕
턴 스 는 영이 될 것이다. 그 러 나 베 이 스 폭 변조, 즉 E a rly 효 과 는 영이 아닌 기 울 기 를 갖
고 한 정 된 출력 컨 덕 턴 스 를 생 기게 한 다 . 만 약 컬렉터 전류 특성이 영이 되 는 컬렉터
전류까지 외 삽 시 키 면 곡 선 은 E a rly 전 압 으 로 정의된 한 점에서 전 압 축 과 교 차 한 다 . 이

증가하는
C-B 전압에
따라 공간 전하
가장자리가 이동

그림 1 2.21 B-C 공간 전하폭의 변화에 따른 소수 캐리어와 베이스폭의 변화

그림 1 2.22 Early 효과와 Early 전압을 보여주는 컬렉터 전류 대 컬렉터-이미터 전압

 12.4 비이상적인효과 5 23

Early 전 압 은 양의 값 이 다 . 이 것 은 트 랜 지 스 터 사 양에서 주 어 진 일 반적인 파라 미 터 이

다. Early 전압의 전형 적 인 값 은 1 00-300 V 의 범 위를 가진다.
그림 1 2.22로부터 다 음 식으로 쓸 수 있다.

화: = p = ’ c _ (1 2.45a)
dvCE ~ 8 ~ yC + 。 '

여기 에 서 。 와 V C 는 양의 값 으 로 정 의 하 고 此는 출력 컨덕턴스로 정 의 하 고 , 서는 출력
저항 으로 정의한다. 식 (1 2.45a)는 다음 형태로 다시 쓸 수 있다.

Ic = go { V c e + VA) = ^ ( VCE + VA) (1 2.45b)

이 식은 컬렉터 전 류 가 C-E 전압 또 는 C-B 전압의 함 수 라 는 것을 명쾌하게 보여준다.3

S 3 중성 베이스폭이 변화함에 따른 컬렉터 전류의 변화를 계산하고，Early 전압을 추 出

정한다.
다음의 파라미터를 갖는 균일하게 도핑한 실리콘 npn 트랜지스터를 고려하자. N B = 5

x 1 016 cm —3와 N c = 2 x 1 015 cm—3, x B0 — 0.70 /乂m와 D B = 25 cm2/s, x B0《 쇼及 와

= 0.60 V로 가정하자. 컬렉터-베이스 전압은 2 드 드 10 V이다.

x B0 « L b 가정하면，베이스에서 과잉 소수 캐리어 전자농도는 식 (1 2.1 5b)에 의해 근사식

으로 쓸 수 있다.

8 hb (x ) =봉 H 쁑 ) t o - x) - x >

컬렉터 전류는 다음 식이다.

|7c| = eDs« ^ s ^ exp( ^ )

해 Q의 값은 다음과 같다.

.5 X 1010)2
nB : 4.5 X 103c m -3
5 X 1016

VCB = 2 V 일 때，(다 음 연습 문제 Ex 1 2.8을 보자) 다음과 같다.

xB= xb — x dB = 0.70 — 0.0518 = 0.6482 /x m

W ^ ^ ^ X1 3)exp f ^ | = 3,95 A /—
0.6482 X 10_4 F \ 0.0259

V^Cfi = 10 V 일 때，(다음 연습 문제 Ex 1 2.8을 보자) 다음과 같다.

xB = 0.70 — 0.103 = 0.597 jLtm

52스 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

와
(1.6 X 1 - 19)(25)(4.5 X 103) / Q.6Q \
|人 :| = = 3.469 A/cm2
0.597 X 10-4 P l 0.0259/

식 (1 2.45 a)로부터，다음과 같다.

dJc _ A»/c _ ]c _ Jc
dVcE AV cb ^ ce + Va Vbe + V cb + VA

혹은

3.469 - 3.195 _ 3.195

8 0.60 + 2 + VA

따라서 E a rl y 전압은 다음 값과 같다.

VA = 90.7 V

(H )
이 예제는 컬렉터 전류가 B-C 공간전하폭의 변화와 함께 중성 베이스폭이 변화에 따라 어
떻게 얼마나 많이 변할 수 있는가를 나타내고, 이것은 또한 E arly 전압의 크기를 가리킨다.

연습문제
E x 12.8 예제 1 2.8에서 제시한 파라미터를 갖는 실리콘 npn 트랜지스터를 고려하자. (a)
VCB = 2 V 와 (b ) = 10 V 의 C -B 전압에 대해서 중성 베이스폭을 결정하라( B -E 공간
전하폭은 무시). [wri 6S'0 = 吹 (?) 切inf Z2 V9 0 = ax (») ' S«V ]

이 예 제 와 연습문제는 또 한 트랜지스터 제조 공정에서 의 허용오차에 기인 한 트랜지

스터 특성 변화 를 예 상 할 수 있다는 것을 증 명 한 다 . 특히 공정에서 단순히 허용오차 에
서 기 인 한 컬랙터 전류 특성의 변화 를 야기 시킬 좁 은 -베 이 스 트 랜 지 스 터 의 베 이 스 폭
에 변화가 있을 것이다.

12.스.2 고주입

엠비폴러 전 송 방 정 식 은 저 주 입 으 로 가 정 한 소 수 캐리어 분 포 를 구하기 위해서 사 용 한

다 .가 증가함 에 따 라 주 입 한 소 수 캐리어 농 도 는 다수 캐리어 농 도 보 다 근 접 하 거 나
심지어 더 커 지 기 도 한다. 만 약 준 -전 하 중 성 을 가 정 한 다 면 , 그때 i = 에서 P-형 베이
스의 다 수 캐리어 정 공 농 도 는 그림 1 2.23에서 나 타 난 것과 같이 과잉 정공 때문에 증 가
할 것이다.
두 가지 효 과 가 고 주 입 의 트 랜 지 스 터 에 서 일 어 난 다 . 첫 번째 효 과 는 이미터 주입
효율의 감 소 이 다 . x = 0에서 다 수 캐리어의 정 공 농 도 는 고주입에 따 라 증가하기 때문
에 더 많 은 정공들이 순 방 향 으 로 인가 한 B -E 전 압 때문에 이미터 속 으 로 역 주 입 을 한
다. 주입 정공의 증 가 는 사 전류를 증 가 시 키 고 ， 의 증 가 는 이미터 주입 효 율 을 감소
 1 2.4 비이상적인효과 525

20•
•
1

P- 베 이 스

在 .S
03
애
15•
•

4->
0•
• •

••
•

t olls
5•

.
i( 8 i( r i( 10
" iou
I = X = Xg 컬렉터 전류여)

그림 1 2.23 저주입과 고주입하에 베이스 그림 1 2.24 공통 이미터 전류이득 대 컬

의 소수 캐리어와 다수 캐리어 농도(실선: 렉터 전류 (Shur[1 3]로 부터)
저 주입; 점선: 고주입)

시 킨 다 . 따라서 공 통 이미터 전 류 이 득 은 고주입 때문에 감 소 한 다 . 그림 1 2.24는 전형

적인 공 통 이미터 전류이득에 대한 컬렉터 전류 곡선의 관 계 를 보 여 준 다 . 낮 은 전류에
서의 낮 은 이 득 은 작 은 재 결 합 인자 때 문 이 고 높 은 전류에서 의 강 하 는 고주입 효 과 때
문이다 .
이제 두 번째 효 과 를 고 려해 보자. 저 농 도 주 입 에 서 npn 트 랜 지 스 터 에 대 한 ;c =
에서의 다 수 캐리어 정공농 도는

PP( )= Pp = Na (1 2.46 a)

이고，소 수 캐리어 전자농도는

n P( ) = /v e x p (광 사 (1 2.46b )

이다. p n 을 곱하면 다음 식과 같다.

pp(0)np(0) = PporipoQxp ，eVsE_) (1 2.46c )

、kT I

고 주 입 에 서 도 식 (1 2.46c )를 여전히 적 용 한 다 . 그 러 나 ∼(0) 역시 증 가 할 것 이 고 매 우

높은 고주 입에 대해서 ∼( )은 ∼( )와 거의 같 은 비율로 증 가 할 것이다. ∼(0)의 증 가 는
점 근 선 적 으 로 함수에 접근 할 것이다.

np( ) ^ e xp( ^ ) (1 2.47)

베이 스에서 과잉 소 수 캐리어 농 도 와 컬렉터 전 류는 저 주 입 보 다 고주입에 서 B -E 전압

에 따 라 더 느린 비율 로 증 가 할 것이다. 이 효 과 가 그림 1 2.25에서 보여준 다 . 고주입 효
526 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

BE 卜

그림 1 2.25 고주입 효과를 보여주는 컬렉터 전류 대 베이스-이미터 전압

과 는 pn 접합 다이오드에서 직 렬저항의 효 과 와 매우 유사하다.

12乂.3 이미터 밴드접 협소

이미터 주입 효율에 영향을 주 는 또 다른 현 상 은 에너지캡 협소이다. 앞의 논의에서 이

미터 주입 효 율 인 자 는 계속 증 가 하 고 베 이 스 도핑에 대 한 이미터 도핑의 비율이 계속
해서 증 가 함 에 따라서 1 에 근 접 한 다 는 것 을 암 시 했 다 . 실 리 콘 이 점점 더 높 은 도핑에
따 라 n_형 이미터의 개별 도너 에너지 준 위 는 여러 에 너 지 밴 드 로 갈 라 진 다 . 불 순 물 도
너 원자의 농 도 가 증 가함에 따 라 도너 원자 들 사이의 거 리는 좁 아 지 고 ，도너 준위의 분
리는 도너 원 자 들 간의 상 호 작 용 에 의해 일 어난다. 계 속 적 인 도핑의 증가에 따 라 도너
밴드 가 넓 어지고, 휘 어 지 고 ，전 도 대 로 향해 올라가서 결국 은 전 도 대 와 합 해 진 다 . 이 점
에서 유효 에너지 밴 드 캡 은 좁 아 진 다 . 그림 1 2.26은 불 순 물 도 핑 농 도 에 따 른 에너지 밴
드접의 변화에 대한 플 롯 을 나타낸다.

>(
•9•
•••
，
서
병
비

그림 1 2.26 실리콘에서 배드캡 협소 인자 대 도너 불순물 농도 (Sze[18] 참조)

 1 2.4 비이상적인효과 527

에너지 밴드접의 감 소 는 진성 캐리어 농 도 를 증 가 시 킨 다 . 진성 캐리어 농 도 는 다 음

과 같이 주어 진다.

nf = Nr N „ e 'p 니 (1 2.48)

높게 도 핑 한 이미터에서 진성 캐리어 농 도 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

此 = ^ e xp [ - ^ A s)] = »f e x p ( ^ ) (1 2.49)

여기에서 E g0는 낮은 도핑농도에서 에너지 밴드 캡 이 고 &는 밴드접 협소 인자이다.

이미터 주입 효 율 인자는 식 (1 2.35)에 의해 다 음 과 같이 주어진다.

I + P eoD e L b . tanh ( x ^ / Lg)

nB D BL E tanh ( x E/ L E)

P ' 0항 은 이미 터에서 열적 평형 소 수 캐리어 농 도 이 고 밴드캡 효 과 를 고 려 하 여 다 음 과

같이 쓸 수 있다.

P'e o =
(1 2.50)

이미터 도 핑 농 도 가 증 가 함 에 따 라 는 증 가 한 다 . 따라서 // 는 증 가 한 이미터 도핑

사 에 따 라 계속해서 감소하지 않 는 다 . 만 약 /4 ) 가 밴드겝 협소 때문에 이미터 주입 효
율 은 증 가 한 이미터 도핑의 증가에 따 라 계속 증가하지 않고 떨어지기 시작한다.

@ 3 이미터에서 밴드캡 협소에 기 인 한 此 의 증가를 결정한다. M U S S

T = 300 K 에 있는 실리콘 이미터를 고려하자. 이미터 도핑은 1 018 c m - 3에서 1 019 c m - 3
까지 증가한다고 가정하자. 의 새로운 값과 비 p ，OE/p EO를 결정하라.

됐 n
Ne = 1 018 c m _ 3와 1 019 cm 3의 이미터 도핑농도에 대해서，에너지캡 협소를 무시하면 다
음과 같다.

_ n] _ (1.5 X 1010)2
= 2.25 X 102 cm-3
에 = ~ I石 巧 ~
그리고

_ nf _ (1.5 X 1010)2
= 2.25 X 10' cm"3
체 = ~ 市 교 — 一

그림 1 2.26에서 보여준 밴드갭 협소를 고려하 여，N £ = 1 018 c m - 3과 1 019 c m - 3에 대해서，

각각 다음 값이 얻어 진다.

= (1.5 X 1010)2 / 0.Q20 \

= 4.87 X 102 cm-3
1018 0.0259 j
5 28 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

그리고

1 010)2
P eo = 4.94 父 102 cm '
1019 eXp\ 0.0259

N e = 1 018 cm- 3에 대해서 하 (/p 의 비를 계산하면 다음과 같다.

소 - „ „„ ( 스 시 _ / 0.020
Pm expl 균 ) = e xn ■ 히 = 2 _1 6

N e = 1 019 cm_ 3에 대해서 다음 값을 얻는다.

= exp ( S ) = 21 -95

■
만약 이미터 도핑이 1 018 cm-3에서 1 019 cm-3까지 증가한다면 열적 평형 소수 캐리어 농도
는 예상한 1 0배까지 감소하기보다 오히 려 1 .5배 만큼 실제로 증가하였다. 이 효과가 밴드캡
협소에 기 인한 결과이다.

연습
Ex 1 2.9 밴드캡 협소를 고려한 A노 = 1020 cm_3의 이미터 도핑농도에 대해 열평형 소
수 캐리어 농도를 결정하라. (E-미 녜 X 81 91 = °付‘ -11»SZ'Z = ^ d -su y)

이미터 도핑이 높 아 짐 에 따 라 밴드캡 협 소 인 자 쇼E g는 증 가 할 것이다. 이 것 은 실제

로 此 를 증가시 킬 수 있다. /切)가 증가함에 따 라 이 미 터 주입 효 율 은 감소한다. 따라 서 ，
그림 1 2.24에 서 와 같이 이 것 은 트랜지스 터 이 득 을 감 소 시 킨 다 . 매 우 높 은 이미터 도핑
은 밴드접 협소 효 과 때문에 예 상 한 것보다 더 낮 은 전류이득의 결과일 수 있다.

12. 4乂 전류 밀집

베 이 스 전 류 는 보 통 컬 렉 터 나 이미터 전 류 보 다 훨씬 더 작기 때문에 트 랜 지 스 터 에 서
베이스 의 영향 을 최 소 화 하 려 고 한다 . 그림 1 2.27은 베 이 스 전류의 측 면 분 포 를 보 여 주
는 npn 트 랜 지 스 터 의 단 면 도 이 다 . 베 이 스 영역 은 전 형 적 으 로 일 마 이 크 로 미 터 (1 /Jim )
이하의 두 께 를 가 지고 있기 때문에 베이스 저항이 상당히 크다. 영이 아닌 베이 스 저항
은 이미터 영역 아래에서 측면전위 차 이 를 일으킨다. npn 트 랜 지 스터에서 전 위 는 이미
터의 가 장 자 리 에 서 중 앙 으 로 갈 수 록 감 소 한 다 . 높게 도 핑 한 이미터에 있어서 첫 번째
근사에서 이 미터를 등전위 영 역으로 생 각 할 수 있다.
이미터에서 베 이스로 주 입 하 는 전자의 수 는 B-E 전압에 지 수 적 으 로 의존한다. 이미
터의 가 장 자 리 와 중 앙 사이에서 베이스의 측면 전 압 강 하 때문에 더 많 은 전자들이 중
앙 보 다 는 이미터 가장자 리 근 처 로 주 입 할 것 이 며 ，이미터 전 류 가 가장자리 쪽에서 더
밀집하게 된다. 전류밀집 효 과 는 그림 1 2.28에 개 략 적 으 로 나 타 내 었 다 . 이미터 가장 자
리 근처 에서 더 큰 전류 밀도 는 국부적 인 고 농 도 주입 효 과 뿐 만 아니 라 국부적 인 가열
 1 2.4 비이상적인효과 529

베이스 이미터
D 0
ii
h

/ /s/2
신1 ' ，

) l )
( 뿨 (

그림 12. 27 베이스 영역에서 베이스 전류분포와 측면 그림 12. 28 이미터 전류밀집 효과를 보여

전위강하를 보여주는 npn 바이폴러 트랜지스터의 단면도 주는 npn 바이폴러 트랜지스터의 단면도

효 과 를 일으킨다. 불 균 일 이미터 전 류 는 또 한 이미터 아래의 불 균 일 한 측면 베 이 스 전

류 를 초 래한다. 불 균 일 베 이 스 전류 때문에 거리에 대 한 실제 전 위 강 하 를 계산하기 위
해 서 는 2차 원 의 해 석 이 필 요 하 다 . 다 른 접 근 은 트 랜 지 스 터 를 많 은 작 은 병 렬 트 랜 지 스
터로 나 누 는 것 과 등 가 외 부 저 항 으 로 각 베 이 스 부분의 저 항 을 묶 는 것이다.

큰 전 류 를 취 급 하 도 록 설 계 한 전력 트 랜 지 스 터 는 바 람 직 한 전 류 밀 도 를 유 지 하 기 위
해서 큰 이미터 면적이 필 요 하 다 . 전 류 밀 집 효 과 를 피하기 위 해서 이 들 트 랜 지 스 터 들
은 좁 은 이 미 터 폭 을 갖 도 록 설 계 하 고 빗 살 모 양 의 설 계 로 제 작 한 다 . 그 림 12. 29는 이
미터 전 류 밀 집 효 과 를 고 려 한 기 본 구 조 를 보 인 다 . 사 실 상 필 요 한 이 미 터 면 적 을 얻기
위해서 많 은 좁 은 이 미 터 들 을 병 렬 로 연결한다.

이해도 평가
T Y U 12.7 그림 l Z 3 에 보 인 구 조 를 고 려 하 자 . 베 이 스 도 핑 농 도 八노 = 1016cm _ 3, 중성 베 이 스
폭 % = 0.80 jam, 이미터 폭 S = 10fim , 이미터 길이 L = 10 나m이다. (a )x = 0와 ;c
= 572사 이 에 서 베 이 스 의 저 항 을 결 정 하 라 . 정 공 이 동 도 p = 400 c m W -s라 고 가

, / 베이스 이미터
/ 단자 단자

그림 12. 29 빗살 모양의 npn 바이폴러 트랜지스터 구조의 (a) 평면도 (b) 단면도
5 30 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

이미터
P 베이스

x = S /2
n 컬렉터

그림 1 2 . 3 0 T Y U 1 2.7 의 그림

정하자. (b) 만약 이 영역에서 베이스 전류/乂2 = 5 너 、로 주어지고 일정하다면그

= 과 x = S/2 사이에서 전위차를 결정하라. (c) (b) 부분의 결과를 이용하여 ，x = 0
에서 이미터의 전류 밀도 대 x = 에서 전류 밀도의 비는 얼마인가?
[6S 9 ⑶ A i 8 '8 t (功 切과 LL'6 (») 's u y ] *

*12乂.5 불균일 베이스 도평

바이폴러 트 랜 지 스 터 의 해 석 에 서 는 균 일하게 도 핑 한 베 이스 영 역으로 가 정 하 였 다 . 그

러나 균 일 한 도 핑 은 거의 일어나지 않 는 다 . 그림 1 2.31 은 npn 트 랜 지 스 터 에 서 두 배로
확 산 시 킨 도핑 분 포 를 보 인 다 . 균 일 하 게 도 핑 한 n -형 기판에서 시작하여 보 상 p -형 베
이스 를 형성하기 위해서 표면에서 부터 억셉터 원 자 를 확 산 시 키 고 ，다음에 이 중 으 로 보
상 한 n -형 이 미터를 형성하기 위해서 표면에서부 터 도너 원 자 를 확 산 시 킨 다 . 이 확 산 공
정 이 불균일 도핑 분 포 를 만든다.
5 장에서 경사 진 불 순 물 농 도 가 전 계 를 형 성 시 킨 다 는 것 을 확 인 하 였 다 . 열적 평형
상태에 있는 P -형 베이스 영역에 대해 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

JP = e^ pNaE - 바 뿐 = (1 2.51 )

5 x 1 01 9 Nd n -형
、，一이 미 터
、

K , p -형

그림 1 2 . 3 1 이중 확산 npn 바이폴러 트랜지스터의 불순물 농도 분 i

그 때 ，전계 는 다 음 식과 같다.

그림 1 2.31 의 예를 이 용 하 면 d N Jd x 는 음의 값 이 다 . 그 러 므 로 유기 전 계 는 음의 a:방 향
이다.
전 자 들 은 n -형 이미터에서 베 이 스 로 주 입 되 고 베이스에서 소 수 캐리어 인 전 자 들 은
컬렉터 영역 으로 확산하기 시 작한다. 불 균 일 한 도핑 때문에 베이스에서 유 기 한 전 계는
전 자 들 을 컬 렉 터 로 향 하 도 록 힘을 더 가한다. 그때, 유기 전 계 가 베이스 영역을 지 나 가
는 소 수 캐리어의 흐 름 을 돕는다. 이 전계를 가 속 전 계 (a cc elerating fi e ld )라고 한다.
가 속 전 계 는 이미 존 재 하 는 확 산 전 류 에 추 가하여 전류의 표 동 ( d r if t : 드 리 프 트 ) 성분
을 만 든 다 . 소 수 캐리어 전 자 농 도 는 베 이 스 를 지나면서 변화하기 때문에 표 동 전류 밀
도 는 일정하지 않을 것이다. 그 러 나 베 이 스 를 지 나 는 전체 전 류 는 거의 일정하다. 불 균
일한 베 이 스 도핑에 기 인 한 베이 스 영역 내에 유 기 된 전계 는 표 동 전 류 와 확 산 전류의
합이 일 정 하 도 록 베 이 스 를 통해 소 수 캐리어 분 포 를 바 꿀 것 이다. 균 일 하 게 도 핑 한 베
이스 이 론 은 베 이 스 특 성 을 평 가 하 는 데 매 우 유 용 하 다 는 것 을 여러 가지의 계산에서
설 명하고 있다.

12人 6 항 복 전 압

바이 폴러 트 랜 지 스 터 에 서 고 려 할 두 가지 항 복 메커니즘 이 있다. 첫 번째 는 펀 치 -스 루
이다. 역방 향으로 인가한 B -C 전압이 증가함 에 따 라 B -C 공 간 전 하 영역이 넓어지고 중
성 베이 스 영역 으로 더 확장된 다 . B -C 공 핍 층 영역이 완전히 베이스에서 확장하여 B -E
공 간 전 하 영 역까지 도 달 하 는 것이 가 능 한 데 ，이 효 과 를 펀 치 -스 루 ( punch -thro ugh )라 한
다. 그림 1 2.32 a는 열적 평형에서 npn 바이폴 러 트 랜 지 스 터 의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램
이 고 ，그림 1 2.32b 는 역 방 향 으 로 인 가시킨 B -C 접 합 전압의 두 값에 대 한 에 너 지 밴 드

그림 1 2.32 (a) 열적 평형상태，(b) 펀치-스루 전 V노과 펀치-스루 후 V노의 역방향 바이어스 B-C
전압에서 npn 바이폴러 트랜지스터의 에너지밴드 다이어그램
5 32 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

그림 12.33 펀치-스루 전압을 계산하기 위한 바이폴러 트랜지스터의 모양

다 이 어 그 램 이 다 . 낮 은 C -B 전압 V노 을 인가할 때 B -E 전위 장 벽 은 영향을 받지 않는다.

따라서 트랜지스터 전 류는 본 질 적 으 로 여전히 영이다. 큰 역방향 인가 전 압 。 2를 인가
할 때 공 핍 층 영역 은 베 이 스 영역에서 확 장 하 여 서 B -E 전위 장 벽 은 C -B 전 압 때문에
낮아진다. B -E 접합에서 전위 장벽의 저하는 C -B 전압이 약간 만 증 가 해 도 큰 전 류 증 가
를 형성시킨다 . 이 효 과 가 펀 치 -스 루 항 복 현 상 (punch-through bre a kdow n ph e nom e non )
이다.
그림 1 2.33은 펀 치 -스 루 전압 을 계산하기 위해 트랜지 스 터 의 모 양 을 나타낸 것이다.
N B와 N c 는 각 각 베 이 스 와 컬렉 터 의 균 일 한 불 순 물 도 핑 농 도 라 고 가정하자. 사0는 베이

스의 금속학적 폭 이 라 하 고 , x dB는 B -C 접 합 에 서 부 터 베 이 스 속 으 로 확 장 하 는 공 간 전
하 폭이 라 하자.
만 약 ，영 바이 어스 또 는 순 방 향 으 로 인 가 한 B -E 접합의 좁 은 공 간 전 하 폭 을 무 시 한
다면 계단형 접합근사의 가정 하에서 펀 치 -스 루 는 B = 사0일 때 일어난다. 따라서 다
음 과 같이 쓸 수 있다.

2 es( Vbi + Vpt) . 브드 . 1

XdB = XB = (1 2.53)
公 n c + n b

여 기 에 서 、 는 펀치 -스 루 일 때의 역방향으로 인가시킨 B -C 전압이다. 心 를 。 에 비교

하여 무시하 면 다음 과 같이 에 대해 풀 수 있다.

_ e4 N b (N c + N B) (1 2.54)
p，~ 2es Nc

해 隱 HH8 펀치-스루 전압 설계 사양에 맞는 컬렉터 도핑과 컬렉터 폭을 설계한다.

금속학적 베이스폭이 0.5 pm 이고，베이스 도핑 N b = 1 016 cm- 3인 균일하게 도핑한 실
리콘 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. 펀치-스루 전압은 V미 = 25 V이다.

■31
최대 컬렉터 도핑농도는 식 (1 2.54)으로부터 다음과 같이 결정할 수 있다.

^ _ (1 . 6 x 1 0 19)(0. 5 X 1 - 4) 2( 1 ' 6) ( ^ c + 1 016)

25 2 (1 1 . 7 )(8 . 8 5 X 1 0~ l4)iV c

또는
 1 2 .4 비이상적인효과 5 33

1 2.94 = 1 , 1 016
+ W

따라서 다음과 같다.

N c = 8.38 X 1 014cm_3

컬렉터의 이 n-형 도핑농도를 이용하면，컬렉터에서 확장되는 공핍영역이 기판에 도달하지

않을 것이며, 컬렉터 영역에서 항복이 일어나도록 컬렉터 영역의 최소 폭을 결정할 수 있
다. 7장의 결과를 이용해서 다음이 된다.
xdc = Xc = 5.97 jLtm

(S ]
그림 7.1 5로부터 이 접합에 대해 예상하는 애 벌 런 치 ( avalanche ) 항복 전압은 300 V 이상이
다. 명백하게 펀치-스루는 이 경우에서 정상 항복전압에 이르기 전에 일어난다. 더 큰 펀치-
스루 전압에 대해，더 낮은 컬렉터 도핑농도는 비실현적이기 때문에 더 큰 금속학적 베이스
폭이 필요하다. 더 큰 펀치-스루 전압은 이 영역에서 정상적인 항복보다 빨리 일어나는 항
복을 피하기 위해서 더 큰 컬렉터 폭이 필요하다.

연습문제
E x 1 2.1 0 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터의 금속학적 베 이 스 폭 ;cfi = 0.80 yam이다. 베
이스와 컬렉터 도핑농도는 각 각 /Vs = 5 x l 016 c m -3과 / = 2 x l 15 c m - 3이다. ( a) 펀치-
스루 항복 전압을 결정하라. (b ) 예상하는 애벌런치 항복 전압은 얼마인가?
[A 08I = A3 (<?) -A 休9 = ,dA ( ) 'suy]

고 려 할 두 번째 항 복 메 커 니 즘 은 애벌런치 항 복 이 지 만 트랜지 스 터 의 이 득 을 고려해

야 한 다 .2> 그림 1 2.34a 는 B -C 접합 에 역 방 향 바 이 어 스 를 인 가 하 고 이 미 터 를 개 방 한
npn 트 랜 지 스 터 를 나 타 낸 다 . 전 류 I C B O 는 역 방 향 으 로 인 가 한 접 합 전 류 이 다 . 그림
1 2.34b 는 인가 한 C -E 전 압 과 베이 스 단 자 가 개방되어 있는 트 랜 지 스 터 를 보 여준다. 이
바 이 어 스 모 양 은 또 한 B -C 접합에 역방향으로 인가를 하 도 록 한다. 이 바 이 어 스 모양에
대한 트랜지스터 의 전 류는 / 로 표시한다.

E n C
0----- 匕 —■卞

才 _ a I CEO 거
_
I CE O
CE

一 主 ; 1卜 —
(b)

그림 1 2.34 (a) 포화전류 1빠 를 갖는 개방 이미터 모양，(b) 포화전류 ICE0를 갖는 개방 베이스 모양

2) 트랜지스터의 베이스와 컬렉터에서 도핑농도는 제너 항복을 고려 할 인자가 아닐 정도로 충분이 낮다.

534 Chapters 바이폴러 트랜지스터

그림 1 2 .34 b 에 보인 전류 1CB0는 정 상 적 인 역 방 향 으 로 인 가 한 B -C 접합 전류이다.

이 전류의 성 분 은 컬렉터에서 B -C 공 간 전 하 영역을 지나서 베 이스로 가는 소 수 캐리어
정공의 흐름에 기 인한다. 베 이스 로 가 는 정 공 흐 름 은 이 미 터 에 대하여 베 이 스 가 양이
되 도록 하고 B -E 접합은 순 방 향 바이 어스 가 된다.
순 방 향 으 로 인가한 B -E 접합 은 이미터에서 베 이 스 로 전자들의 주 입 으 로 인하여 기
본 적 으 로 전류 사 0를 형성시 킨다. 주 입 한 전 자 들 은 B -C 접합 을 향해 베 이 스 를 가로질
러 확 산 한 다 . 이 들 전 자 들 은 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 에 서 모 든 재 결 합 과정 에 예속되 어
있다. 전자들이 B -C 접합에 도 달 할 때, 이 전 류 성 분 을 a / e C)라 하 며 , 여기에서 a 는 공
통 베이스 전류이 득이다. 그 러 므 로 다음 식을 갖는다.

IcEO ~ (乂 1c e + IcBO (1 2 . 5 5 a )

또는

I ceo = « p icso (1 2 . 5 5 b )

여기에서 산는 공 통 이미터 전 류 이 득 이 다 . 역 방 향 으 로 인 가 한 접 합 전 류 /a w 는 트랜지

스 터 를 개방 베이스 상 태 로 인가시킬 때 전 류 이 득 /3를 곱한다.
트 랜 지 스 터 가 그림 1 2.34 a 와 같이 개 방 이미터 구 조 로 인 가 시 킬 때，항 복 상 태 에 서
전 류 。… 는 、 m i c b o 7\ 된다. 여기에서 사은 증 배 인 자 ( m u l t i p l i c a t i 이1 f a c t o r ) 이다.

증배 인자에 대한 실험 적 근 사 는 보통 다 음 과 같다.

M= 1- ( Vcl/B VcsoY (1 2'56)

여기에서 n 은 보 통 3과 6 사이에 있는 실험적 상 수 이 고 ，fi V 느 …는 이 미 터 가 개 방 상태

에서 B -C 항복전압 이 다 .
트 랜 지 스 터 가 그림 1 2.34 b 와 같이 베 이 스 가 개 방 회로로 바 이 어 스 를 인가할 때 B -C

접합에서 의 항복상태 의 전류 는 다음 식 이 되도 록 M을 곱한다.

I ceo = M { a I CE + I cbo) (1 2 .5 7)

/a w 에 대해 풀 면 ，다음 식 을 얻는다.

, _ M I cbo (1 2.58)
I ceo ~ 1 - aM

항복에 대한 조 건 은 다 음 과 같이 대응한다.

aM = 1 (1 2 . 5 9 )

식 (1 2 . 5 6 ) 을 이용하 고 V느 어 V느 라 고 가정하면 식 (1 2 . 5 9 ) 는 다 음 과 같다.

1- { B V CE / B V cB ) n = 1 (12*60)
 1 2.4 비이상적인효과 535

1
i L
1

개방 개방 _
’ C 베 이 스 ': 이미터
1
1
1

JC E O 께

1
1 _____ y
h : BO
, ,

DVCe ^ cbo
V -------

그림 1 2.35 개방 베이스와 개방 이미터 구조의 항복전압과 포화전류 비교

여기에서 요자 0는 개 방 베이스 모양에서 항 복 C -E 전압이다. 에 대해 풀면 다음

식이다.

BV c eO = B V cB O ^y 1 —0! (1 ^.61 )

여 기 에 서 ，다시 a 는 공 통 베 이스 전 류 이 득 이 다 . 공 통 이 미 터 와 공 통 베 이 스 전 류 이 득
은 다 음 과 같 은 관련이 있다.

Z3 = 1 - a (1 2.62 a )

보 통 a « 1 이므로 ，그래서 다 음 식이 된다.

1- a 야 (1 2.62b )

따라서 식 (1 2.61 )은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

BV cbo (1 2.63)
B V ceo =
1 /F

개 방 베 이 스 모양에서 항 복 전 압 은 인자 < 3 에 의 해 ，실제 애벌런치 접 합 항 복 전 압 보

다 더 작다. 이 특 성 은 그림 1 2.35에서 보여준다.

I 목적 I 항복전압 설계 명세에 맞는 바이폴러 트랜지스터를 설계한다.

공통 이미터 전류이득 산 = 1 00과 베이스 도핑농도 = 1 017 c m - 3인 실리콘 바이폴
러 트랜지스터를 고려하자. 최소 개방 베이스 전압은 15 V 이다.

행 n
식 (1 2.63)으로부터 최소 개방 이미터 접합의 항복전압은 다음과 같이 되어야만 한다.

B V c bO : 公V c e o

실험 적 상수 «이 3이라고 가정할 때 다음 값이 된다.

536 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

BV cbo = \/ 1 0(\5) = 69.6 V

그림 7 . 1 5 로부터 최대 컬렉터 도 핑 농 도 는 이 항 복 전 압 을 구하기 위해서 근 사 적 으 로 7 X

1 015 c m -3이 되어야 한다.

(B )
트랜지스터 회로에서 트랜지스터는 최악의 상황에서도 동작하도록 설계해야만 한다. 이 예
제에서 트랜지스터는 항복이 일어나지 않고 개방 베이스 구조에서 동작할 수 있어야만 한
다. 앞에서 결정한 것과 같이 항복전압의 증가는 컬렉터 도핑농도를 감소시 킴으로써 얻을
수 있다.

연습
Ex 12.11 불균일하게 도핑된 실리콘 바이폴러 트랜지스터가 각 각 心 = 7 x l i6 Cm _ 3과
Nc = 3 x l 15 cm_ 3의 베이스와 컬렉터 도핑농도이다. 공통 이미터 전류이득 /3 = 1 25이

다. « = 3의 실험적 상수값을 가정하여, (a) 마 는 0와 ( b ) … ^ 를 결정하라.

[八 5Z = 033A ff (<?) -A SZ\ = 0的 A ff (») -s u y]

이해도 평가

TYU 12_8 특별한 트랜지스터가 출력 저항 200 K Q 과 。 = 125 V 의 E arly 전압을 갖는다. VCE
가 2 V 에서 8 V 까지 증가할때 컬렉터 전류 변화를결정하라. (vTy e = 3/v s u v )
TYU 12.9 ( a) 만약 제조 허용범위 때문어1，트랜지스터의 중성 베이스폭이 0.800 < <
1 .00 /xm 의 범위 이상으로 변한다면, 베이스 전송인자 a T 변화를 결정하라. L b
= 1 . 41 4 x 1 _ 3 cm 로 가정하자. ( b ) ( a)의 결과와 y = 8 = 0.9967 가 정 하 여 ，
공통 이미터 전류이득의 변화는 얼마인가?
[I Z I > f> 6 01 (<?) 冷866.0 > »> SZ.66 0 (») 's u y ]
TYU 12.10 베이스 불 순물 도 핑 농 도 N b = 3 x l 1 6c m - 3이고，금속학적 베 이스폭 사 =
0. 7 0 이다. 최소 요구 펀치-스루 항복 전압 Vp, = 70 V 이다. 최대 허용 컬렉
터 도핑농도는 얼마인가? ( £_ iu d £1 i x I8 'S = 's u v )

12.5 등 가 회 로 모 델

트 랜 지 스 터 회 로 를 해 석 하 려 면 손 계 산 ，혹 은 컴퓨터 코 드 를 이 용 하 든 트 랜 지 스 터 의
수학적 모델 또 는 등 가 회 로 가 필요하다. 여 기에는 어떤 장 점 과 단 점 을 각 각 갖 는 몇 가
지 가 능 한 모델이 있다. 모 든 가 능 한 모델들의 상 세 한 연 구 는 이 책의 범위 이 상 이 다 .
그 러 나 일반적인 두 가지 등 가 회 로 모 델 을 고 려 할 것이다. 이 각각의 두 모 델 은 직접적
으 로 pn 접합 다 이 오 드 와 바이폴러 트랜지스터 에서 행했던 연구에 따른다. 전자회로의
컴퓨터 해석이 손 계 산 보 다 더 일 반 적 으 로 사 용 하 지 만 컴퓨터 코 드에서 사 용 한 트랜
지스터 모델의 유 형 들 을 고 려 하 는 것이 유익하다.
 전 자 회 로 에 서 그 들 의 용 도 에 의 해 정 의 한 —스 위 칭 과 증 폭 一 두 범 주 로 바 이 폴 러 트
랜 지 스 터 를 나 누 는 것이 유 용 하 다 . 스 위 칭 은 보 통 트 랜 지 스 터 를 그 것 의 “오 프 (off)” 상
태 또 는 차 단 상 태 에 서 부 터 순 방 향 활성 또 는 포 화 상 태 인 “온 (on)” 상 태 까 지 ，그 리 고 다
시 “오 프 (off)” 상 태 로 되 돌 아 가 는 것 을 의 미 한 다 . 증 폭 은 보 통 바 이 어 스 전 압 과 전 류 가
오직 변 화 하 도 록 dc값에 정 현 파 신 호 를 중 첩 시 키 는 것 을 의 미 한 다 . E b e r s -M o ll 모 델 은
스 위 칭 응 용 에 사 용 하 고 ，하 이 브 리 드 -파 이 (hybrid-pi) 모 델 은 증 폭 응 용 에 사 용 한 다 .

*12.5. 1 Ebers-Moll 모 1벌

Ebers-Moll 모 델 ，즉 등 가 회 로 는 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 의 고 전 적 모 델 중 의 하 나 이 다 .
이 특 별 한 모 델 은 상 호 작 용 하 는 다 이 오 드 접합에 근 거 를 두 고 있고 트 랜 지 스 터 동 작 모
드 의 어 떤 경 우 에 도 적 용 할 수 있 다 . 그 림 1 2.36은 Ebers-Moll 모 델 에 서 사 용 한 전 류
방향과 전압 극성을 보여준다.
전 류 는 단 자 로 들어 가 는 모 든 것 으 로 정 의 하 며 다 음 과 같 다 .

사 + /s + /c = (1 2.64)

이미터 전 류 의 방 향 은 지 금 까 지 고 려 하 였 던 것 과 반 대 이 지 만 해 석 에 서 시 종 일 관 되 게
적 용 한 다 면 정 의 한 방 향 은 문 제 가 되지 않 을 것 이 다 .
컬렉터 전 류 는 일 반 적 으 로 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

I c = a FI F - 1R (1 2.65a)

여 기 에 서 따 는 순 방 향 활 성 모 드 에 서 공통 베이스 전류이 득 이 다 . 이 모 드 에 서 식 (1 2.65a)

는 식 (1 2.65b) 가 된 다 .

I c = a F _ lF + l cs (1 2.65b)

여 기 에서 전 류 /es는 역 방 향 으 로 인 가 한 B-C 접 합 전 류 이 다 . 전 류 I F는 다 음 과 같 다 .

I f = hs exp - 1 (1 2 . 6 6 )

만 약 B-C 접 합이 포 화 와 같 은 순 방 향 으 로 인 가 하 면 그때 전 류 I R을 다 음 과 같이 쓸 수
있다.

n P n
------- - ------
■ - ’C
_ Vb e + ，BC
、
h

그림 12. 36 Ebers-Moll 모델에 대한 전류방향과 전압극성의 정의

538 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

7«= / cs[ e x p ( ^ ) - l ] (1 2 . 67 )

식 (1 2 . 6 6 ) 과 (1 2 . 6 7 ) 을 이용하여 식 (1 2 . 6 5 a ) 의 컬렉터 전류는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Ic = a FI ES exp (북 피 - 1 - Ics exP (평 자 - 1 (1 2.68)

또 한 이 미 터 전 류는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

I E = a RI R - I F (1 2 . 69)

또는

h = a RI cs e x p (평 자 - 1 - I ES e x p (필 자 - 1 (1 2 . 7 0)

전류 / 는 역방향으로 인가한 B -E 접합전류이고 은 반전 활성 모 드 에 서 공 통 베이

스 전류이 득이 다. 식 (1 2 . 6 8) 과 (1 2 . 7 0) 은 고전적인 E b e r s -M o ll 방정식이다.
그림 1 2 .3 7 은 식 (1 2 . 6 8 ) 과 (1 2 . 7 0) 에 대 응 하 는 등 가 회 로 를 보 여 준 다 . 등가회로 에 서
전 류 원 은 다 른 접 합 양단전압 에 의 존 하 는 전 류 성 분 을 나타낸다. E b e r s -M o ll 모델은 네
개의 파라미 터(따 ，a R, I E S, I c s ) 를 갖는다. 그러 나, 단지 세 개의 파라미 터 만이 독립 적 이
고，가역성 관 계 는 다 음 과 같다.

O^F^ES = O^R^CS (1 2 . 7 1 )

트랜지스터에서 E b e r s -M o ll 모 델 은 네 개의 동 작 모 드 각각 에 대해 타 당하기 때문에

포 화 모 드 에 서 도 이 모 델 을 사 용 할 수 있다. 예 를 들 면 ，포 화 모 드 는 B -E 와 B -C 접합
양쪽 모두 순방향 으 로 바이어스를 인가하며, 따 라 서 > 0과 V % > 0이 된다. B -E

접 합 양단에 전 압 을 인가하기 때문에 B -E 전 압 은 알 려 진 파 라 미 터 가 될 것이다. 순 방

향으로 인가한 B -C 전 압 은 트 랜 지 스 터 를 포 화 상 태 로 구 동 시 키 며 ，E b e r s -M o ll 방정식
으로부터 결 정 할 미지수 이다. 정 상 적 으 로 전 자 회 로 응용에 있어서 포화상태에 있는 컬
렉터-이미터 전압이 중 요 하 며 ，C -E 포 화 전압은 다 음 과 같이 정 의 할 수 있다.

a RJ R a /

、 Z \
h 、낫 V ’c

V公 V公 c

니 」 너 〉 니
h h

h - h = fe [e x p (즈음드

그림 12.37 기본적인 Ebers-Moll 등가회로

 12.5 등가회로모델 539

Vc (sat) = Vbe — Vac (12.72)

Ebers-Moll 방 정 식 을 결합함으로써 마 一 아 )에 대 한 하나의 표 현 식 을 구 할 수 있다. 다

음 예에서 어떻게 Ebers-Moll 방 정 식 을 손 계 산 으 로 이 용 할 수 있고, 또 한 어떻게 컴퓨
터 분 석 으 로 더 쉬운 계산을 할 수 있는가 를 알 수 있을 것이다.
식 (12.64)와 (12.70)을 결합함으로써 다 음 식 을 얻는다.

- d s + Ic ) = «니 exp (필 자 - l j - / S[ e x p (뽑 ) - 1] (1 2 .7 3 )

만 약 식 (1 2.73)으 로부터 [ e xp ( eV sc/쇼D —1 ]에 대해 풀 고 ，그 결과 표 현 식 을 식 (1 2.68)

에 대 입 하면 V 는 다 음 과 같다.

乂 C，
(l _ 公 :，
?) + /g + 一 (乂FOCR) (12.74)
V be = ViIn
，公5(1 _ l f ol 유)

여 기 에 서 、 는 열적 전압이다. 유 사 하 게 만 약 식 (1 2.68)로부터 [ e xp 여。 //幻 -1 ]에 대

해 풀 고 그 결과 표 현 식 을 식 (1 2.73)에 대입하면 는 다 음 과 같다.

메 _ (1 一 누), c + lc s (l 一 公 …公 ) (12.75)
Vbc = Vt\n
Z cs(l — a Fa 유)

식 (1 2.74)와 (1 2.75)의 분자에 있는 노 와 / eiS 항 은 무 시 할 수 있다. V，

대 ( sat)에 대해 풀
면 다 음 과 같다.

/(7 (1 ~ !/;) + /公 . Ics_

Vc (sat) — V be 一 ^ cb = V,ln (1 2.76)
~ (1 — (父 F) I C I e s ,

느 에 대 한 느 의 비는 식 (12/71)로부터 아 와 아 로 표 현 할 수 있다. 결국 다 음 과 같이
쓸 수 있다.

/ c ( l — a R) + /公
Vc묘(sat) = Vtln (1 2.77)
a FIB - (1 - lf )Ic aR

I목적 I T = 300 K에서 바이폴러 트랜지스터의 컬렉터-이미터 포화 전압을 계산한다.

a F = 0.99, a R = 0.20, I c = 1 mA, 그리고 /公 = 50 /乂A라고 가정하자.

파라미터들을 식 (1 2.77)에 대입하면 다음 식과 같다.

(1 )(1 - 0.2) + (0.05 ) 0.99 \

V뇨 (s a t) = (0.025 9) In = 0.1 21 V
(0.99)(0.05 ) - (1 - 0.99)(1 ) 0. 2 0 /

B ]
이 카; (sat) 값은 전형적인 컬렉터-이미터 포화전압이다. 로그 함수이기 때문에 V느 (sat)는
5 40 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

사 와 /s의 강한 함수 관계가 아니다.

연습 문제
Ex 12.12 aF = 0.992, a R = 0.05, I c = 0.5 mA, 그리고 I B = 50 /■(요의 트랜지스터 파라
미터에 대한 예제 12.12 를 반복하라. (a ih ' = ( j bs) 3 a -suy)

12.5. 2 Gummel-Poon 모 11팔

B J T 의 G u m m e 卜P oon 모델은 Ebers-Moll 모델 보 다 트랜지스터 에서 더 많은 물리 적 인

인자 를 고 려 한 다 . 이 모 델 은 예를 들어 베이스에서 불 균 일 한 도 핑 농 도 인 곳 에 도 사 용
할 수 있다.
npn 트랜지스터 의 베이스에서 전자 전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

J„ = e fji„n(x)E + eD„ 소 윤 、
. (12.78)

만약 불 균 일 한 도핑이 베이스에 존 재 한 다 면 전 계 가 베이스에서 일어날 것이다. 이것 은

12.4.5절에서 논 의하였다. 식 (12.52)로부터 전계는 다 음 식의 형태로 쓸 수 있다.

P _ fcr 1 M x) (12.79)
公 p {x) dx

여기에서 자⑴는 베이스에서 다수 캐리어 정공 농 도 이 다 . 저 주입 하에서 정 공 농 도 는 정

확히 억셉터 불 순 물 농도이 다 . 그림 12.31 에서 보 여 준 도핑 분포로서 전계는 음 {컬렉 터
로부터 이 미 터 까 지 )이 다 . 이 전계의 방 향 은 베 이 스 를 지 나 는 전자의 흐름에 도 움 을 준
다­
식 (12.78)에 식 (12.79)를 대 입 하 면 ，다 음 을 얻는다.

dp( x ) dn( x )
Jn = e나„ n( x ) • 부 •多늦 (12.80)
—瓦「 干 eU" —瓦「

아인슈 타인 관 계 를 이용하면, 식 (12.80) 을 다 음 식 의 형 태 로 쓸 수 있다.

eDn # d(p n )
” ⑴ 떻 + /切 빠 ) (12.81)
dx dx p (x) dx

식 (12.81)은 다 음 식의 형 태 로 쓸 수 있다.

JnPix) _ d(p n ) (12.82)

eDn dx

전 자 전 류 밀 도 는 본 질 적 으 로 상 수 이 고 확 산 계 수 가 상 수 인 것 으 로 가 정 을 하 고 ，베이
스 영역에서 식 (12.82)를 적분함으로써 다음 식을 얻는다.

Jn 卜
p { x)d x = f 성 으 dx —p { xB) n { x B) —p { 0 ) n { Qi) (12.83)
B -E 접합이 순 방 향 바이 어 스 이 고 , B -C 접합이 역방향 바 이 어 스 이 다 라 는 가 정 으 로 «(0)
= 해0exp(‘ A g 와 «(사 ) = 0을 갖 는 다 . n BOp = 바인 것을 명 심 하 면 ，식 (1 2.83)은 다
음 과 같이 쓸 수 있다.

j _ - eg „ nfexp(yfl / V,) (1 2 84)

/
p (x ) dx

분모 의 적 분 은 베이 스 에 서 전체 다 수 캐리어 전 하 이 고 ，와 로 정 의 한 베 이 스 G um m el

수로서 알려져 있다.

만 약 이미터에서 동 일 한 분 석 을 수 행 한 다 면 ，n p n 트랜지스 터 의 이미터에서 정공 전
류 밀도 는 다 음과 같이 표 현 할 수 있다.

= - e D X exp O W ^) (1 2.85)
J P C XE
/ n (x ')d x '
Jo

분 모 에 서 적 분 은 이 미 터 에 서 전체 다 수 캐 리 어 전 하 이 고 ， 로서 정 의 한 이미 터
G ummel 수로서 알려 져 있다.
G u m m e l-P o o n 모델에서 전 류 는 베 이 스 , 이미터에서 전 체 를 적 분 한 전하의 함수이
기 때문 에 이 러 한 전 류 는 불 균 일 하 게 도 핑 한 트 랜 지 스 터 에 대 해 서 도 쉽게 결 정 할 수
있다.
G u m m e l-P o o n 모 델 은 가령 E a rly 효 과 와 고준위 주 입 과 같이 중 요 한 비이상적 인 효
과 들 을 고 려 할 수 있다. B -C 전압이 변할 때 베이스 G um m el 수 가 변 하 도 록 하기위
해서 중성 베 이 스 폭 도 변한다. B -C 전압에 따 라 Qb 변화는 그때 B -C 전압의 함수인 식
( 1 2 . 8 4 ) 에서 주 어진 전자 전 류 밀 도 를 형 성 시 킨 다 . 이것이 1 2 . 4. 1 절에서 이미 논 의 한 것
으 로 E arly 효과 또 는 베 이 스 폭 변 조 효과이 다.
만약 B -E 전압이 너무 크 다 면 ，더 이상 저 주 입 도 적용되지 않고, 이 것 은 고준위 주
입으로 된다. 이 경 우 에 서 ，베이스의 전체 정 공 농 도 는 증 가 한 과잉 정 공 농 도 때문에 증
가한다. 이것은 베이스 G um m el 수 가 증 가 할 것 이 라 는 것을 의 미 한 다 . 식 (1 2 .8 4 )로 부

터 베이스 G um m el 수의 변화는 전 자 전류 밀 도 가 또 한 변할 것 이 라 는 것을 함 축 한 다 .
고준위 주 입 은 이미 1 2 . 4 . 2 절에서 논 의하였다.
G u m m e l-P o o n 모 델 은 트랜지스터 의 기본동작의 서 술 뿐 만 아니 라 비 이상적 인 효 과
들 을 서술하는데 사 용 할 수 있다.

12.5. 3 하 이 브 리 드 -파 이 모델

바이폴러 트 랜 지 스 터 는 주 로 시 간 변 화 또 는 정 현 파 신호 를 증 폭 하 는 회로에 사용한 다 .

이런 선형 증폭기 회 로 에 서 ，트 랜 지 스 터 는 순 방 향 활성 영역으로 바 이 어 스 를 인가하고
작 은 정 현파 전압 과 전 류 는 dc 전 압 과 전류에 중 첩 한 다 . 이들 응 용 에 서 ，정 현 파 파라미
5스2 Chapters 바이폴러 트랜지스터

그림 1 2.38 (a) 소신호 전류와 전압을 갖는 공통 이미터의 npn 바이폴러 트랜지스터, (b) 하이브
리드-파이 모델에 대한 npn 바이폴러 트랜지스터의 단면도

터 에 관심 이 있고, 그래서 8장에서 전개했던 pn 접합의 소 신 호 어 드 미 턴 스 파라미 터를

이용하여 바이폴러 트랜지스터의 소신 호 등 가 회 로 를 전 개하는 것이 편리하다.
그림 1 2.38a 는 소 신 호 단 자 전 압 과 전 류 를 갖 는 공 통 이미터 구조의 npn 바이폴러
트 랜 지 스 터 를 나 타 낸 다 . 그림 1 2.38b 는 npn 트 랜 지 스 터 의 단 면 도 를 나 타 낸 다 . C , B , E
단 자 는 트랜지 스 터 의 외부 연결 단 자 이 고 ，반면에 C ' ，B ' ，E ' 점은 이 상 화 시 킨 컬렉 터 ，
베이 스 ，이미터 영역이다.
다 양 한 단 자 들 을 개 별 적 으 로 고려 함 으 로 써 트 랜 지 스 터 의 등 가 회 로 를 만 들 수 있다.
그림 1 2.39a는 외 부 입력 베 이 스 단 자 와 외 부 이미터 단 자 사이의 등 가 회 로 를 나 타 낸
다. 저 항 。는 외부 베이 스 단 자 B 와 내부 베 이 스 단 자 B ' 사이의 베 이 스 내에 있는 직
렬 저 항 이 다 . B '- E ' 접 합 은 순 방 향 바 이 어 스 가 되어서 는 접합 확 산 커패시턴스이
고 ，r „ 는 접 합 확 산 저항이 다 . 확 산 커 패 시 턴 스 ‘ 는 식 (8.1 05)에서 주 어 진 확 산 커패
시 턴스 Q 와 같 고 확 산 저항 ~ 는 식 (8.68)에서 주어 진 확 산 저항 와 같다. 두 파라미
터의 값은 접합전류의 함 수 이 다 . 이들 두 요 소 는 접합 커 패 시 턴 스 인 나 ,와 병렬로 되어
있다. 마 지 막 으 로 ， 는 외부 이미터 단 자 와 내부 이미터 영역 사이의 직렬 저 항 이 다 .
이 저항 은 너무 작아서 보 통 1 ∼2 I I 정도일 수 있다.
그림 1 2.39b 는 컬렉터 단자에서 본 등 가 회 로 를 나 타낸다. 저항 는 외 부 와 내부 컬
렉터 단 자 를 연 결 하 는 직렬 저 항 이 고 ，커 패 시 턴 스 디 는 역 방 향 으 로 인 가 한 컬 렉 터 와
기 판 접합의 접합 커 패 시 턴 스 이 다 . 종 속 전류 원 는 내 부 베 이 스 -이 미 터 전압으
로 제 어 하 는 트랜지 스터내의 컬렉터 전류이다. 저항 r 0는 출력 컨 덕턴스 요0의 역수이고 ，
일차적 으로 Early 효 과 때문에 나타난다.
마 지 막 으 로 , 그림 1 2.39c 는 역 방 향 으 로 인 가한 B '- C ' 접합의 등 가 회 로 이 다 . 파라미
터 는 역 방 향 으 로 인가 한 접합 커 패 시 턴 스 이 고 ， 는 역 방 향 으 로 인가 한 확 산 저항
 12.5 등가회로모델 543

(b) (c)

그림 1 2.39 (a) 베이스와 이미터 (b) 컬렉터와 이미터 (c) 베이스와 컬렉터 사이에 있는 하이브리드-
파이 등가회로의 성분

이다. 정 상 적 으 로 ， 는 수 M 정도여서 무 시 할 수 있다. C 의 값 은 보통 Q 보 다 매우 작

지 만 밀러 효 과 ( M ill e r e ffe cts )와 밀러 커 패 시 턴 스 를 유 도 하 는 출력 조정 효 과 때문에
신 는 대부 분의 경우에 있어서 무 시 할 수 없다. 밀러 커 패 시 턴 스 는 트 랜 지 스 터 의 이득
을 포함하는 와 출력 조정 효 과에 기 인한 B ' 와 E ' 사 이 에 서 등 가 커 패 시 턴 스 이 다 .
또 한 밀러 효 과 는 출력 의 C ' 와 E ' 단 자 사이 에서 C 를 반영한다. 그러 나 출력 특성 의 효
과 는 보 통 무 시 할 수 있다.
그림 1 2.40은 완 전 한 하 이 브 리 드 -파 이 등 가 회 로 를 나 타 낸 다 . 컴퓨터 시 뮬 레 이 션 은
많 은 소 자 때문에 완 전 한 모 델 을 보 통 요 구 하 지 만 바이폴러 트랜지스터의 주 파 수 효 과

그림 12. 40 하이브리드-파이 등가회로

51 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

를 이해하기 위해서 약간의 간 략 화 가 가 능 하 다 . 예 를 들 어 , 이득이 입력신호 주파수 의

함 수 라 는 의미 는 트랜지스터 에서 커 패시 턴 스는 주 파 수 효과 를 결정한다.

HKHBJ r례 일차적으로 근사화해서 소신호 전류이득이 낮은 주파수 값의 i /v 즈 값까지 감소하

는 주파수를 결정한다.
그림 12.41 에서 나타낸 간략화한 하이브리드-파이 회로를 고려하자. CM, Cs, / ， Cje, r ,
그리고 직 렬 저항성분들을 무시한다. 이것이 일차항 계산이고 정상적으로 C 는 무시할 수
없다는 것을 강조해야만 한다.

행 n
매우 낮은 주파수에서 다 는 무시할 수 있어서 다음 식과 같다.

Vbe = h rn and Ic = gmVbe = gm h

그때 다음과 같이 쓸 수 있다.

hfeO = 十= 1따
公，
，

여기에서 스/rt는 저주파수，소신호 공통 이미터 전류이득이다.

Q 를 고 려하면 다 음 식 과 같다.

Vbe = h (1 + jw r X . )

따라서

Ic = SmVbe = h (1 + / a) r „ c j

혹은 소신호 전류이득은 다음과 같이 쓸 수 있다.

片. = 쇼= ( _ ^ )
' h U + > r„c j

전류이득의 크기는 다음 식과 같다.

U -I = | 식 = _ _ _ _ _ ^ _ _ _ _ _ _ = _ _ _ _ _ _ _ 느 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
' I미 V I + — v C )2 V l + (2 ir/， v C V)2

전류이득의 크 기 는 / = 1/277∼C 에서 그것의 낮은 주파수값의 1/∼巧까지 떨어진다.

그림 12.41 간략화한 하이브리드-파이 등가회로

 만 약 ，예를 들어 ∼ = 2.6 K 11 이고 C따 = 4 p F 이면, 그때 주 파 수 는 다 음 값 과 같다.
/= 1 5.3 M H z

■
고주파 트랜지스터는 확산 커패시턴스가 작아야만 하는데，이는 작은 소자를 사용해야 한
다는 것을 암시한다.

연습문제
E x 12.13 예제 1 2.1 3을 사용하여，IA,.I = /낫 /V 크 가 / = 35 M H z 인 그런 주파수 의 최
댓값을 결정하라. (jd = UJ *suy)

12.6 주파수제한

앞 절에서 전개했던 하 이 브 리 드 -파 이 등 가 회 로 는 커 패 시 터 -저 항 회로 를 통해서 주 파 수

효 과 를 소 개 한 지 난 절의 확 장 이 다 . 이제 소자의 주 파 수 제한에 영향 을 주 는 바이폴러
트 랜 지 스 터 에 서 다 양 한 물리적 인 자 들 을 검 토 할 것 이고 그 다음에 트 랜 지 스 터 의 성능
지수인 트랜지스터 차 단 주 파 수 (c u to ff fre qu e ncy )를 정의할 것이다.

12.6. 1 시 간 지 연 인자

바이 폴러 트 랜 지 스 터 는 주 행 시 간 소 자 이 다 . 예를 들 면 ，B -E 접합 전압이 증 가 할 때 이
미터에서 추 가 적 인 캐 리 어 가 베 이 스 로 주입하여 확 산 하 고 , 컬렉터 영 역으로 모아진 다 .
주 파 수 가 증 가함에 따 라 이 주 행 시 간 은 입력 신호의 주기에 필 적 할 수 있다. 이 점에서
출 력 응 답 은 입력에 따 른 위상에 더 이 상 존 재 하 지 않 으 며 ，전 류 이 득 의 크 기 는 감 소 할
것이다.
전체 이미 터에서 컬렉터에 이 르 는 시 정 수 또 는 지 연 시 간 은 네 개로 분 리 한 시 정 수
로 구성되 며 , 그 식은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Tec = Te + Tb + Td + Tc (1 2.86)

여기에서
Tec = 이미터에서 컬렉터에 이르 는 시간지연
Te = 이 미 터 -베 이 스 접합 커패시턴스의 충 전 시 간
Th = 베이스 주 행 시 간
Td = 컬렉터 공핍 영역의 주 행 시 간
Tc = 컬렉터 커패시턴스의 주 행 시 간

순 방 향 으 로 인가 한 B -E 접합의 등 가 회 로 를 그림 1 2.39a 에 나 타 내 었 다 . 커 패 시 턴 스
는 접 합 커 패 시 턴 스 이 다 . 만 약 직렬 저 항 성 분 을 무 시 한 다 면 이 미 터 -베 이 스 접 합 커패
546 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

시 턴스의 충 전 시 간 은 다 음 식 처 럼 된다.

Te = r'e ( Cje + Cp) (1 2.87)

여기에서 사 는 이미터 접 합 또 는 확 산 저항이다. 커 패 시 턴 스 나 는 베 이 스 와 이미터 사

이에 존 재 하 는 어떤 기생 커 패 시 턴 스 를 포 함 한 다 . 저 항 r ’e 는 / 대 V B £ 곡 선 기울기 의
역수로서 나타난다. 따라서 다음 식이 된다.

r 'e = hf - TE (1 2.88)

여기에서 / 는 dc 이미터 전류이다.

식 (1 2.86)의 둘째 항 Tb는 베 이 스 주 행 시 간 으 로 ，즉 소 수 캐 리 어 가 중성 베 이 스 영
역을 확산하는데 필요 한 시간이다. 베이스 주 행 시 간 은 B -E 접합의 확 산 커 패 시 턴 스 Cn
와 관 계 가 있다. npn 트 랜 지 스 터 에 대해 베 이 스 에 서 전 자 전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 쓸
수 있다.

Jn = ~ enB{ x ) v{ x ) (1 2.89)

여기에서 너지는 평 균 속 도 이 고 ，다 음 과 같다.

v( x ) = d x/dt 혹은 d t = dx/ v( x ) (1 2.90)

주 행 시 간 은 그때 적 분을 취함으로써 구 할 수 있다.

dx = [ XBenB( x ) dx
Tb = (1 2.91 )
Jo 격 - l

베이스에서 전자농도는 근사적으로 선형(예제 1 2.1 5b 참 조 )이 고 다음과 같이 쓸 수 있다.

께 -니 exp ( 뽑 )]( 1 -증) (1 2.92)

그리 고 전자 전류 밀 도 는 다 음 과 같이 주어 진다.

Jn = 必 „적 만 (1 2.93)
dx

베이스 주 행 시 간 은 식 (1 2.91 )로서 식 (1 2.92)와 (1 2.93)을 조합하여 구한다.

(1 2.94)

식 (1 2.86)에서 세 번째 항의 시간지연 인자 ~ 는 컬렉터 공핍영역 의 주 행 시 간 이 다 . npn

소 자에서 전 자 들 은 그들의 포 화 속 도 로 B -C 공 간 전 하 영 역 을 지 나 간 다 고 가 정 하 였 을
때 다 음 을 얻는다.

(1 2.95)

여 기 에서 ;。 는 B -C 공 간 전 하 폭 이 고 ，。는 전 자 포 화 속도이다.
식 (1 2.86)에서 넷째 항의 시 간 지 연 인자 ' 는 컬렉터 커 패 시 턴 스 의 충 전 시 간 이 다 .
B -C 접 합 은 역 방 향 으 로 바 이 어 스 가 인가되어 있어서 접 합 커 패 시 턴 스 와 병렬 로 연결

되어 있는 확 산 저 항 은 매우 크다. 따라서 충전 시 간 상 수 는 컬렉터 직렬 저 항 의 함수

이 다. 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

t c = rc( CM+ Q (1 2.96)

여기에서 <7 는 B -C 접 합 커 패 시 턴 스 이 고 ，C s는 컬 렉 터 -기 판 사이의 커 패 시 턴 스 이 다 .

얇은 에피택시 얼 트 랜 지 스 터 에 서 의 직렬 저 항 은 일 반 적 으 로 작다. 그래서 시 간 지 연 T (.

는 어떤 경우 에 서 는 무 시 할 수 있다.
다 양 한 시간지 연 인자들에 대 한 예제 계 산 은 차 단 주 파 수 논의의 일 부 분 으 로 다 음
절에서 언급 할 것이다.

12.6. 2 트 랜 지 스 터 차 단 주파수

주파 수의 함수로서 전 류 이 득 은 예제 1 2.1 3에서 전개하였기 때문에 공 통 베이 스 전류이

득 은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

公 :0
(1 2.97)
편
여기에서 때 은 저 주 파 수 공 통 베 이 스 전 류 이 득 이 고 ，/ a는 알 파 차 단 주 파 수 (alph a c u to ff
fre q u e n c y )로 정 의 한 다 . 주 파 수 /a는 다 음 과 같이 이 미 터 에 서 컬렉터에 이 르 는 시간지

연 도 와 관 계 가 있다.

( 1 2 _9 8 )

주 파 수 가 알 파 차 단 주 파 수 와 같 을 때 공 통 베 이 스 전류이득 의 크 기 는 그것의 낮 은 주
파 수 값의 1 /\ Z조이다.
다 음 식 을 고 려 함 으 로 써 알 파 차 단 주 파 수 를 공 통 이미터 전 류 이 득 에 관 계 를 시킬
수 있다.

J8 = (1 2. 99)
5 ^8 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

식 (1 2.97)에 주어 진 표 현 식 으 로 식 (1 2.99)에서의 a 를 대 치 할 수 있다. 주 파 수 /가 /„ 와

같 은 크기의 정도일 때，다음 식이 된다.

， I 은 士 f (1 21 )

여기에서 - 1 이라고 가정했다. 신호 주 파 수 가 알파 차 단 주 파 수 와 같 을 때, 공 통 이

로서 차 단 주 파 수 (c u to ff 打e qu e ncy )로
미터 전류이 득의 크 기 는 1 과 같다. 보 통 표 기 는 /7•
정 의하며，따라서 다 음 식으로 표현한다.

( 1 2. 1 01 )

예제 1 2.1 3의 해석으로부터 공 통 이미터 전 류 이 득 은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

- 此 (1 2 . 1 02 )
1 + i( f/U )

여기에서 /^는 베 타 차 단 주 파 수 (beta c u to ff fre qu e ncy ) 라고 하 며 ，공 통 이 미터 전류이득

" 의 크 기 가 그것의 낮은 주 파 수 값의 1 /V 즈까지 떨어질 때의 주 파 수 이 다 .
식 (1 2.99)와 (1 2.97)을 결합시 키 면 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

«
= « = 1 + ( /// r) = a (1 2.1 03)
P ~ _ 1 一 a° _ 1 _ 따 + j( f /f r )
1 + j( f /f r )

또는

a ~ ___ P
만 =
r / 1 " .P f (1 2.1 04)
(1 - « )
[ 7 (1 - «o)/rJ l + J 7 T

여기에서

그림 1 2. 4 2 공 통 이미터 전류이득 대 주파수의 보드(bode) 플롯

 1 2 .6 주 파 수 제 한 5스9

/3 = } a ~ 국」 一
1 一 a 0 1 —a

식 (1 2.1 02)와 (1 2.1 04)을 비 교 할 때 베타 차단 주파수는 다 음 식처럼 차 단 주 파 수 와 관

련이 있다.

(1 2.1 05)
1

그림 1 2 .42 는 주 파 수 함수로서 공 통 이 미 터 전류이 득에 대한 보드 플 롯 을 나타내며,

베 타 와 차 단 주파수의 비 교값을 보여준다. 주 파 수 가 로 그 눈 금 으 로 되어 있어 가 와 九 는
보 통 상당 하게 차 이 가 나는 값을 가 진 다 는 것을 명심하여라.

목적 I 주어진 트랜지스터 파라미터에 대해 바이폴러 트랜지스터의 차단 주파수와 이미 E l i H f f l

터에서 컬렉터까지 주행시간을 계산한다.
T = 300 K 에서 실리콘 n pn 트랜지스터를 고려하고，다음 파라미터들을 가정하자.

IE — 1 m A Cje = 1 p F
x B = 0. 5 jLtm D n = 2 5 c m 2/s
x dc = 2 . 4 i i m r c = 20 f l
= 0.1 p F C 5 = 0.1 p F

령 n
먼저 다양한 시간지연 인자들을 계산한다. 만약 기생 커패시턴스를 무시하면 이미터-베이
스 접합 충전시간은 다음 식이다.

Te = K C je

=꼴뿍춤=
사
여기에서

25 9X1
그때

r , = ( 2 5 . 9 ) ( 1 0 12) = 2 5 . 9 p s

베이스 주행시간은 다음 식이다.

_ 4 _ ( .5 X 1 0-4) 2 _ 이
J b = 2 D „= ~ 2 (2 5 )~ = 5 pS

컬렉터 공핍 영역 주행시간은 다음 식이다.

Td : . ~Xdc . 2.4
v7 •
X 10
24 ps
1 07

컬렉터 커패시턴스 주행시간은 다음 식이다.

t c= rc ( Q + Q = (2 0)(0. 2 X 1 0_ 12) = 4 p s
550 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

따라서，전체 이미터에서 컬렉터에 이르는 시간지연은 다음 식이다.

Tec = 2 5 . 9 + 5 0 + 2 4 + 4 = 1 03 .9 p s

그래서 차단 주파수는 다음과 같은 계산 값이다.

fT = 石 = 2 tt ( 1 03 . 9 5 0 0 ^ = L53 G HZ

만약 저주파수 공통 이미터 전류이득 (3 = 1 00이라고 가정하면，베타 차단 주파수는 다음

식이다.

^ =f = i t ^ = 15-3 M H z

S 3
고주파 트랜지스터의 설계는 커패시턴스를 줄이기 위해서 작은 크기의 소자를 요구하고 베
이스 주행시간을 줄이기 위해서 좁은 베이스폭을 요구한다.

연습문제
E x 1 2.1 4 IE = 50 M - CJe = 0.40 p F , = 0.05 p F 를 제 외 하 고 ，예제 1 2.1 4에서 서술
한 것과 같이 동일한 파라미터를 갖는 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. 이미터-컬렉터 주
행 시간，차단주파수와 베타 차단주파수를 결정하라.
(z h n w s = V ' m n w s = H ‘선 rzsz = 아 's w )

12.7 대신호스위칭

트 랜 지 스 터 를 한 상태에서 다른 상 태 로 스 위 칭 하 는 것은 앞에서 논 의 했 던 주 파 수 특성
과 대단히 밀 접 한 관 계 가 있다. 그 러 나 스 위 칭 은 대 신 호 변 화 를 고 려 한 반 면 ，주 파 수
효 과 는 신호의 크기에 있어서 오직 작 은 변화만을 가정하였다.

12.7. 1 스위칭 특성

회로에서 npn 트 랜 지 스 터 가 차단상태에서 포 화 상 태 로 스 위 칭 과 다시 포화상태에서 차

단 상 태 로 역 스 위 칭 을 나 타 낸 그림 1 2.43a 를 고 려 하 자 . 스위칭 주기 동 안 트 랜 지 스 터 에
서 일 어나는 물리적 과 정 을 설명한다.
먼저 차 단 상 태 에 서 포 화 상 태 로 스 위 칭 하 는 경 우 를 고 려 하 자 . 차 단 상태 V패 = VBB
< 0 에서 B -E 접 합 은 역 방 향 으 로 바 이 어 스 를 인 가 한 다 고 가 정 하 자 . t = 0 에서 그림
1 2.43b 에서 나 타 난 것과 같이 가 의 값 으 로 바 뀐 다 고 가 정하자. 또 한 V SB0가 궁
극 적 으 로 포 화 상 태 로 트 랜 지 스 터 를 구 동 하 도 록 충분히 양의 전압이 라고 가 정 하 자 .
드 f 드 ?1에 대해서 베 이 스 전 류 는 B -E 접합이 역 방 향 바 이 어 스 에 서 부터 약 간 순 방 향
 12.7 대신호스위칭 551

v BB0

T im e----- ►
V BB

t = 0 t = h

(b)

그림 1 2 . 4 3 (a) 트랜지스터 스위칭을 위해 사용된 회로 (b) 트랜지스터 스위칭을 위한 베이스

입력 파형, (c) 트랜지스터 스위칭 동안의 컬렉터 전류 대 시간

바 이 어 스 가 되 도 록 전 하 를 공 급 한 다 . B -E 접합의 공 간 전 하 폭 은 좁 아 지 고 ，이 온 화 한
도 너 와 억 셉 터 는 중 성 화 가 된다. 또 한 적은 양의 전하 가 이 시 간 동 안 베 이 스 로 주 입 한
다. 컬렉터 전류 는 지 연 시 간 이 라 언급 한 이 시 간 주기 동 안 컬렉터 전류의 최종값의 영
에서부터 W 퍼센트까지 증가한다.
닌의 시 간 주기 동 안 베이 스 전류 는 거의 차 단 상 태 에 서 부 터 거의 포화상태
까지 B -E 접 합 전 압 을 증 가 시 키 는 전 하 를 공 급 한 다 . 이 시 간 동 안 , 부 가 적 인 캐 리 어 가
베 이 스 로 주입 하여서 베이 스 내의 소 수 캐 리어인 전자농도 의 기 울 기 가 증가하여 컬렉
터 전 류 를 증 가 시 킨 다 . 이 기 간 동 안 컬렉터 전 류 는 최종 값의 1 0 퍼센트에서 90 퍼센
트까지 증 가 하 는 동안 의 이 시 간 주 기 를 상승시 간 이 라 고 한 다 . t > 닌일 때, 베 이 스 구
동 은 계 속 베 이 스 전 류 를 계 속 공 급 하 고 ，트 랜 지 스 터 를 포 화 로 구 동 시 키 고 소 자 내의
최종 소 수 캐리어 분 포 를 이루게 한다.
포화 상태에서 차단상 태까지 트랜지스터 스 위 칭 은 이미터, 베이스, 컬렉터 영역에서
저장 된 과잉 소 수 캐리어 모 두 를 제 거 하 는 것을 의미한 다 . 그림 1 2.44는 트 랜 지 스 터 가
포 화 상 태 일 때 베 이 스 와 컬렉터에 있는 축 적 전 하 를 나 타 낸 다 . 전하 Q B 는 순 방 향 활성
트 랜 지 스 터 에 저장 된 과잉 전 하 이 고 ，G e x 와 2 c 는 트 랜 지 스 터 가 포 화 상 태 로 바 이 어 스
를 인가 할 때 저장된 여분 전하이다. t = f 3에서 베 이스 전압 는 (一 ∼)의 음의 값으
로 바 뀐 다 . 트 랜 지 스 터 에 서 베 이 스 전 류 는 pn 접 합 다 이 오 드 가 순 방 향 에 서 역방 향 바
이 어 스 로 바 뀌 는 경 우 에 서 와 같이 방향이 반 대 가 된다 . 역 방 향 베 이 스 전 류 는 이미터
와 베 이 스 영역 으로 부터 저장 된 과잉 캐 리 어 를 끌 어 당 긴 다 . 처음에 컬렉터 전 류 는 베
이스에서 소 수 캐리어 농도의 기 울 기 가 순 간 적 으 로 바뀌지 않기 때문에 두 드 러 지 게 바
552 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

뀌지 않는다. 트 랜 지 스 터 가 포 화 상 태 로 바 이 어 스 를 인가할 때，B -E 와 B-C 접합이 순 방

향 으 로 바 이 어 스 가 걸 린 다 는 것을 상기 해 보자. 베 이 스 내의 전 하 ∼는 컬렉터 전류
가 변화하기 전에 순 방 향 으 로 인가한 B -C 전압이 영 볼 트 로 감소시키기 위해서 제거해
야 만 한다. 이 시간지 연을 축적 시간(stora ge tim e ) 이 라고 하 고 t s로 표 기 한 다 . 축 적 시 간
은 컬렉터 전 류 가 그것의 최대 포화값의 90 퍼센 트 까 지 감 소 할 때 1/BB가 그 시간에서
바 뀌 는 점 사이의 시간이다 . 축 적 시 간 은 보 통 바이폴러 트랜지스 터 의 스위칭 속도에서
가 장 중 요 한 파라미 터 이 다.
최종 스위칭 지 연 시 간 은 컬렉터 전 류 가 90 퍼센트에 서 10 퍼 센 트 값까지 감 소 하 는
동안의 하 강 시 간 //■이다. 이 시 간 동 안 B -C 접 합은 역방 향 으 로 인가되어 있지만 베이스
에 있는 과잉 캐리어들이 계속 제거되면서 B -E 접합의 전압이 감소한다.
트 랜 지 스 터 의 스위칭 시 간 응 답 은 E b e rs-M o ll 모 델 을 사용하여 구 할 수 있다. 주 파
수 종 속 이 득 파라미 터 를 사 용 하 여 야 하며 라 플 라 스 변 환 기 술 은 시 간 응 답 을 구하기
위해서 이용한다. 더 이상의 상 세 함 은 여 기 에 서 는 다루지 않을 것이다.

12.7. 2 쇼트키 크 램 프 ( S c h o t t k y c l a m p e d ) 트 랜지스터

축 적 시 간 을 감 소 시 키 고 스위칭 속 도 를 증가시키 기 위해서 자주 사 용 하 는 한 방법이 쇼

트 키 크 램 프 트 랜 지 스 터 를 이 용 하 는 것이다. 이것 은 일 반 적 으 로 그림 1 2.45 a 에서 나타
낸 것과 같이 npn 바이폴러 소자의 베 이 스 와 컬렉터 사이에 쇼트키 다 이 오 드 를 연결함
으로써 가능하 다 . 쇼 트 키 로 고 정 한 트랜지 스 터 의 회로 표 시 를 그림 1 2.45 b 에 나 타 내 었
다. 트랜지스터 가 순 방 향 활성 모 드 로 인가시 킬 때 B -C 접합 은 역 방 향 으 로 바이 어스가
인가된다. 그 러 므 로 쇼트키 다 이 오 드 는 역 방 향 으 로 바 이 어 스 가 인가되고, 회로에서 효
과 적 으 로 동 작 한 다 . 쇼 트 키 로 고 정 한 트랜지스터 즉 간단히 쇼트키 트 랜 지 스 터 의 특징
은 일반적인 npn 바이폴러 트랜지스터의 특 징 과 같다.
트 랜 지 스 터 가 포 화 상 태 로 구 동 할 때 B -C 접 합 은 순 방 향 으 로 인 가 된 다 . 그 러 므 로
쇼트키 다 이 오 드 또 한 순 방 향 바이 어 스 가 인 가된다. 쇼트키 다 이 오 드 의 유 효 도 통 전
압 은 근 사 적 으 로 pn 접합의 도 통 전압의 절 반 이 라 는 9장의 논 의 를 상기 해 보자. 이 도
 1 2 .8 다른 바이폴러 트랜지스터 구조 553

保一 c
니

(a) (b)

그림 1 2 . 4 5 (a) 쇼트키 크 램 프 (S c h o ttk y cla m p e d) 트랜지스터

(b) 쇼트키 크램프 트랜지스터의 회로 표시

통 전압의 차 는 과잉 베 이스 전류의 대부분이 쇼트키 다 이 오 드 로 흐 를 것 이 며 ，따라서

베 이 스 와 컬렉터에 축 적 한 과잉 캐리어의 양이 급격히 감 소 하 도 록 베 이 스 와 컬렉터에
쇼트키 다 이 오 드 를 연 결 한 다 는 것을 의 미한다. B -C 접합에 있는 베 이 스 와 컬렉터에서
의 과잉 소 수 캐리어 농 도 는 의 지 수 함 수 이 다 . 예 를 들어 만 약 가 0. 5 V 에서
0. 3 V 로 감 소 하 면 ，과잉 소 수 캐리어 농 도 는 크기의 세 차 수 이상 감 소 한 다 . 쇼트키 트
랜지 스터 의 베이 스에 저장된 감 소 한 과 잉 전 하 들 이 크게 축 적 시 간 을 감 소 시 킨 다 . 즉, 1
ns 정도 또 는 그 이하의 축적 시간 은 쇼트키 트랜지스터 에서 흔하게 나타난다.

*12.8 다 른 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 구 조

이 절 에 서 는 두 개의 특 수 한 바이폴 러 트랜지 스터 구 조 를 간단하게 소 개 한 다 . 첫 번째

구 조 는 다결정 실리 콘 이미터 바이폴러 접합 트 랜 지 스 터 ( B J T ) 이고，두 번째는 이 종 접 합
바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 ( h e t e r o j u n c t i o n b i p o l a r tr a n s i s t o r : H B T ) 이다. 다결정 이미터 B J T 는
최근 몇몇의 집적회로에 사 용 하 고 있고，H BT 는 고 주 파 /고 속 응용에 사용한다.

12.8. 1 다결정 실 리 콘 이미터 BJT

이미터 주입 효 율 은 베 이 스 에 서 이 미 터 로 역 으로 주 입 되 는 캐 리 어 에 의해 감 소 한 다 .
이 미 터 의 폭 은 일 반 적 으 로 얇고 그것이 속 도 를 증 가 시 키 며 기생 저 항 을 감 소 시 킨 다 .
그 러 나 얇은 이 미 터 는 그림 1 2 . 1 9 에서 나타낸 것과 같이 소 수 캐리어의 농 도 기 울 기 를
증가시 킨다. 이 기울기 의 증 가 는 B -E 접 합 전 류 를 증가시 키고 차 례 로 이 미 터 주입 효
율 과 공 통 이미터 전 류 이 득 은 감소시킨다 . 이 효 과 역시 표 1 2 .3의 요약에 나타내었다.
그림 1 2.46는 다 결 정 실 리 콘 이 미터를 갖는 npn 바이폴러 트랜지스터의 이 상 화 한 단
면도이다 . 이 그림에서 나타낸 것과 같이 p -형 베이스와 n -형 다결정 실 리 콘 사이에 아
주 얇은 n + 단결정 실 리콘 영역이 있다. 해석 을 위 한 일차 근사로써 확 산 계 수 가 작 다 는
것을 의 미 하 는 낮 은 이동도의 실리콘 으 로 서 이미터의 다결정 실리 콘 부 분 을 언급하여
554 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

n 컬렉터

그림 1 2.46 npn 다결정 실리콘 이미터 표대의 간략화한 단면도

보자.
이미터의 다결정 실 리 콘 과 단결정 부 분 모두의 중성 영역 폭이 각각의 확 산 길이 보
다 훨씬 짧 다 고 가 정하면 그때 소 수 캐리어 분 포 함 수 는 각 영역에서 선형이 될 것이다.
소 수 캐리어 농 도 와 확 산 전 류 둘 다 다결정 실 리 콘 과 실리 콘 계면에서 연 속 적 이 어 야 만
한다. 그 러 므 로 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

n 넜 (욕 (poly )) _ n
(1 2.1 06 a)
e"的 ， 一 dx e"功 '*) — dx—

또는

넜(切的 n ) =_ l )£(p oly ) , "(즈 £(poly )) (1 2.1 06b )

dx D E(nn dx

D E(poly) < (n 이기 때문에 이때 n + 영역에 있는 B -E 공핍 영역의 이미터 가장자리에

서 소 수 캐리어 의 농 도 기 울 기 는 그림 1 2.47에 나 타 낸 것과 같이 감 소 한 다 . 이 것 은 공
통 이미터 전류이득이 증 가 하 도 록 베 이 스 에 서 부 터 이미터 속 으 로 역 주 입 하 는 전 류 가
감 소 한 다 는 것 을 의미한다.

SpE

그림 1 2.47 다결정 실리콘과 n+ 실리콘 이미터에서 과잉 소수 캐리어 정공농도

 12.8 다른 바이폴러 트랜지스터 구조 555

그림 1 2 . 4 8 ( a )S i G e -베이스 트랜지스터의 베이스에서 가정한 보론과 게르마늄 농 도 (b) S i-베이스와

Si G e -베이스 트랜지스터의 에너지밴드 다이어그램

12.8. 2 실 리 콘 - 게 르 마 늄 베이 스 트랜지스 터

Ge(~0.67 eV)의 에너지 밴 드캡은 Si(~1.12 eV)의 에 너 지 밴 드 캡보다 상당히 작다. Si에
Ge를 혼 합 함 으 로 써 에너지 밴드갭이 순 수 Si와 비교하여 감 소 할 것이다. 만 약 Ge를 Si
바이폴러 트 랜 지 스 터 의 베이 스 영역에 혼 합 시 킨 다 면 에너지 벤드캡의 감 소 는 소 자 특
성에 영향 을 미칠 것이다. 바 람 직 한 Ge 농 도 분 포 는 베 이 스 -이 미 터 접 합 근처에 Ge 의
최 소 량 과 베 이 스 -컬 렉 터 접합 근처에 Ge의 최 대 량 을 가 지 는 것이다. 그림 12.48a는 p -
형 베이스의 이상적 인 보 론 도 핑 농 도 와 선형 Ge 농 도 분 포 를 보인다.
그림 12.48a에서 주 어 진 보 론 과 Ge로 가 정 하 고 ，SiGe-베 이 스 npn 트 랜 지 스 터 의 에
너지 밴 드 캡 은 Si-베이스 npn 트 랜 지 스 터 와 비교 한 것을 그림 12.48b에서 보 여 준 다 . 두
트 랜 지 스 터 의 이 미 터 -베 이 스 접 합 은 Ge 농 도 가 이 영 역 에서 매 우 낮기 때문에 본질적
으로 동 일 하 다 . 그 러 나 베 이 스 -컬 렉 터 접 합 근처 SiGe-베이 스 트 랜 지 스 터 의 에너지 밴
드 갭 은 Si-베이 스 트 랜 지 스 터 의 에너지 밴드갭 보 다 작다. 베 이 스 -이 미 터 접합 파라미
터가 베이 스 전 류를 결정 할 것이고 그래서 양쪽 트랜지스터에서 베이스 전류는 본질적
으 로 동 일 하 다 . 에너지 밴드캡의 이런 변화가 컬렉터 전류에 영향을 미칠 것이다.

컬렉터 전류 와 전 류이득 효 과 그림 12.49는 SiGe와 Si 트랜지 스 터 의 베이스 영역을 통

한 열적 소 수 캐리어 전 자 농 도 를 보인다. 이 농 도 는 다 음 식으로 주어진다.

여기에서 N B 는 상 수 로 가정한 다 . 그 러 나 진성 농 도 는 에너지 밴드캡의 함 수 이 며 ，다 음

과 같이 쓸 수 있다.

뿔 니 #) (12 )
'18
556 C h apters 바이폴러 트랜지스터

전자농도

베이스
y
z
이미터 nB S iG e 베이스 , 一 컬렉터

n B S i 베이스

그림 1 2 . 4 9 S i 과 Si G e 베이스 트랜지스어의 베이스 영역에서의

열적 평형 상태의 소수 캐리어 전자농도

여기에서 비 S i G e )는 Si G e 물질의 진성 캐리어 농 도 이 고 ，자( S i )는 Si 물질의 진성 캐리

어 농도이며， 는 S i 의 에너지 밴 드 캡 과 Si G e 물질의 에너지 밴드캡의 차이이다.
Si G e -베이스 트랜지 스터에서 컬렉터 전류 는 증가한 다 . 첫 번째 근 사 와 같이 앞선 분
석으로부터 이 것 을 알 수 있다. 컬렉터 전 류 는 식 (1 2.36 a)로부터 구 하 였 고 ，유 도 는 베
이 스 -컬 렉 터 접합에서 하 였 다 . 이 것 은 식 (1 2.37)의 컬렉터 전류 표현에서 n B0 값 은 베
이 스 -컬 렉 터 접합의 값 을 의 미 한 다 . 그 러 므 로 이 값 은 S i G e -베 이 스 트 랜 지 스 터 (그 림
1 2.49) 보 다 크기 때문에 컬렉터 전 류 는 S i -베 이 스 트 랜 지 스 터 와 비교하여 크다. 두 트
랜지스터의 베 이 스 전 류 는 동일하기 때문에 그때 컬렉터 전류 증 가 는 S i G e -베 이 스 트
랜지스터의 전류이득이 크 다 는 것을 의 미한다. 만 약 밴드겝 협 소 가 1 00 m e V 이면 컬렉
터 전류는 증 가 하 고 전 류 이 득 은 약 4배 가 된다.

E a rly 전압 효 과 S i G e -베 이 스 트 랜 지 스 터 에 서 E a rly 전 압 은 S i -베 이 스 트 랜 지 스 터 의
E a rly 전 압 보 다 훨씬 크다. 이 효과에 대 한 설 명 은 컬렉터 전 류 와 전 류 이 득 에 대 한 설
명 보 다 명확하지 않다. 1 00 m e V 의 밴드갭 협소에 대해서 E a rly 전 압 은 약 1 2배 로 증
가한다. 베이스 영역에서 G e 혼 합 은 수십 배 정도로 E a rly 전 압을 증가시킨다.

베이 스 주 행 시 간 과 이 미 터 -베 이 스 충 전 시 간 효 과 베 이 스 -이 미 터 접합에 서 부 터 베이
스-컬 렉터 접합까지 에너지 밴드겝의 감 소 는 베이스에서 전계 를 야기시켜서 P-형 베이
스 영 역을 지 나 는 전 자 를 더 욱 가 속 하 도 록 돕 는 다 . 1 00 m e V 의 밴드집 협소에 대해서
유기 전계는 1 3에서부터 1 4 V /c m 정도이다. 이 전계 는 2.5배 정도의 베이스 주 행 시 간
을 감소시 킨다.
식 (1 2.87)에 주 어 진 이 미 터 -베 이 스 접 합 충전 시 정 수 는 이미터 확 산 저 항 사 에 정
비례한다. 이 파 라 미 터 는 식 (1 2.88)과 같이 이미터 전류에 반비례 한다. 주 어 진 베이 스
전류에 대해서 S i G e -베 이 스 트 랜 지 스 터 의 전 류 이 득 이 크기 때문에 이미터 전 류 가 크
다. S i G e -베이 스 트 랜 지 스 터 의 이 미 터 -베 이 스 접 합 충 전 시 간 은 S i-베 이 스 트랜지스 터
의 충전 시 간 보 다 더 작다.
S i G e -베 이 스 트 랜 지 스 터 의 베 이 스 주 행 시 간 과 이 미 터 -베 이 스 충 전 시간의 감 소 는
 12.8 다른 바이폴러 트랜지스터 구조 557

차 단 주 파 수 를 증가시 킨다. 이 런 소자의 차 단 주 파 수 는 S i -베 이 스 소자의 차 단 주 파 수

보 다 근 본 적 으 로 높다.

12.8. 3 이 종 접 합 바이몰러 트랜지스 터

앞에서 언급했듯이 바이폴 러 트 랜 지 스 터 에 서 전류 이 득 의 기 본 제 약 중의 하 나 가 이미

터 주입 효율이 다 . 이미터 주입 효율 y 는 이미터에서 열적 평형 소 수 캐리어 농 도 /切 )의
값 을 감 소 시 킴 으 로 써 증 가 시 킬 수 있다. 그 러 나 이미터 도핑이 증 가 함 에 따 라 밴드캡
협 소 효 과 는 이미터 주입 효 율 에 서 의 어떤 개 선 을 파 생 시 킨 다 . 하나의 해 결 책 은 이미
터에 넓 은 밴 드 캡 의 물 질 을 이 용 하 는 것 이 며 ，이렇게 함 으 로 써 베 이 스 에 서 이 미 터 로
되 돌 아 오 는 캐리어의 주 입 을 최소화시킬 수 있다.
그림 1 2.50a는 개별 알 루 미 늄 갈 륨 비 소 /갈 륨 비 소 의 이 종 접 합 바이폴러 트랜지스 터
의 구 조 를 보 여 주 고 ，그림 1 2.50b 는 n-A l G a A s 이미터에서 p-G a A s 베 이 스 접합까지의

(a)

1 ■
n
.

(b)

그림 1 2 . 5 0 (a) 개별 및 집적화 구조의 A l G a A s/G a A s 이종접합 바이폴

러 트랜지스터의 단면도，(b) n-A l G a A s 이미터와 p-G a A s 베이스 접합의
에너지밴드 다이어그램 ( F rom T iw a ri et al. [1 9].)
558 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

밴드 다이 어 그 램 을 보 여 준 다 . 큰 전 위 장 벽 。 는 베이스에 서 이 미 터 로 역 주 입 할 수 있
는 정공의 수 를 제한한다.
진성 캐리어 농 도 는 다 음 과 같이 주 어 지 는 에너지 밴드캡의 함 수이다.

n fo c e x p ( ^ )

주 어 진 이미터 도핑에 대해 이 미 터 로 주 입 하 는 소 수 캐리어 정공의 수 는 좁 은 밴드캡

에서부터 넓은 밴드캡의 이미터까지 변화하면서 다 음 인자 만큼 감소한다.

예를 들 어 ，만 약 。 = 0.30 e V 이면，바 은 T = 300 K 에서 약 1 05까지 감 소 할 것이다.

넓은 밴드캡 이미터에서 «,2의 급 격 한 감 소 는 매우 높 은 이미터 도핑에 대한 요 구 가 줄
어들 수 있고，높 은 이미터 주입 효 율 을 여전히 얻을 수 있다는 것을 의 미 한 다 . 더 낮은
이 미터 도 핑 은 밴드캡 협소 효 과 를 감소시 킨다.
이 종접합 G a A s 바이폴러 트 랜 지 스 터 는 초 고 주 파 소자 로 이용될 수 있다. 넓은 밴드
캡 이미터에서 더 낮은 이미터 도 핑 은 소자의 속 도 를 증 가 시 키 면 서 ，더 작 은 접 합 커패
시 턴 스 를 갖는다. 또 한 ，G a A s npn 소자에서 베이스의 소 수 캐 리 어 는 높 은 이 동 도 를 가
지는 전자이다. G a A s 의 전자 이 동 도 는 거 의 실리콘의 5 배이다. 따라서 G a A s 베이스에
서 의 베 이 스 주 행 시 간 은 매 우 짧 다 . 0.1 정도의 베 이 스 폭 을 가진 실험적
A l G a A s/G a A s 이 종 접 합 트 랜 지 스 터 는 40 G H z 정도에서 차 단 주 파 수 를 나타낸다.
G a A s 의 한가지 단 점 은 낮 은 소 수 캐리어 수 명 시 간 이 다 . 짧 은 수 명 시 간 은 좁 은 베이
스 소자의 베이스에서 인 자 가 되는 것이 아 니 라 더 큰 B -E 재 결 합 전류의 결과 로 나타
나 고 ，이것은 재 결 합 인자와 전 류 이 득 을 감 소시킨다. 현재 1 50 정도의 전류이득이 보고
되고 있다.

12.9 요 약

■ 두 쌍보 바이폴러 트랜지스터가 있다. 一 npn 과 pnp . 각 트랜지스터는 각각 세 도핑 영

역과 두 pn 접합을 갖는다. 중앙 영역(베이스)은 매우 좁고, 그래서 두 pn 접합을 상호
작용 접합이라 한다.
■ 순방향-활성 모 드에서，B-E 접합은 순방향으로 인가하고，B-C 접합은 역방향으로 인
가한다. 이미터로부터 다수 캐리어는 베이스에서 소수 캐리어로 주입된다. 이런 소수
캐리어는 베이스에서 B-C 공간전하 영역까지 확산하며，그들은 공간전하 영역의 전계
때문에 컬렉터로 쓸려 나간다.
■ 트랜지스터가 순방향-활성 모드 동작으로 인가시킬 때, 트랜지스터(컬렉터 전류)의 한
 단자에서 전류는 트랜지스터(베이스-이미터 전압)의 다른 두 단자에 인가한 전압으로
제어한다. 이것이 기본적인 트랜지스터 동작이다.
■ 트랜지스터의 각 영역은 소수 캐리어 농도를 결정한다. 소자에서 기본 전류는 이런 소
수 캐리어의 확산에 의해 결정된다.
■ 공통 이미터 전류이득을 유도하 는 공통 베이스 전류이득은 세가지 인 자 一 즉 이미터
주입 효율，베이스 전송인자，재결합 인자들의 함수이다. 이미터 주입 효율은 베이스로
부터 이미터로 역으로 주입하는 캐리어들을 고려하고, 베이스 전송인자는 베이스 영역
의 재결합을 고려하고, 재결합 인자는 순방향으로 인가한 B-E 접합에서 재결합하는 캐
리어들을 고려한다.
■ 여 러 가지 비 이상적 인 효과들을 고려하였다:
1. 베이스폭 변조, 혹은 Early 효 과 一 B-C 전압의 변화로 중성 베이스폭의 변화，B-C
혹은 C-E 전압의 변화로 컬렉터 전류의 변화로 나타난다.
2. 고 주입은 베이스-이미터 전압으로 낮은 율로 증가하는 컬렉터 전류를 야기시키는
효과이다.
3. 이미터 밴드집 협소는 매우 높은 이미터 영역의 도핑농도 때문에 낮은 이미터 주입
효율을 일으킨다.
4. 전류 밀집은 이미터의 중앙보 다 이미터 가장자리에서 큰 전류 밀도가 나타나는 효
과이다.
5- 불 균일한 베이스 도핑농도는 베이스 영역에서 전계를 일으키며，베이스를 지나는
소수 캐리어의 흐름을 돕는다.
6. 두 항복 전압 메커니즘一 펀치-스루(punch-through)와 애벌런치(avalanche).
■ 트랜지스터 의 세가지 등가회로 혹은 수학적 인 모델을 고려하였다. Ebers-Mool 모델과
등가회로는 어떠한 트랜지스터 동작 모드에도 이용한다. Gummel-poon 모델은 트랜지
스터에서 불균일 도핑이 존재할 때 이용하는 것이 편리하다. 소신호 하이브리드-파이
(hybrid-7r) 모델은 선형 증폭회로에서 순방향 활성 모드로 동작하는 트랜지스터에 응용
한다.
■ 트랜지스터에서 특징적인 장점인，트랜지스터의 차단 주파수는 공통 이미터 전류이득
의 크기가 1과 같게 될 때의 주파수이다. 주파수 응답은 이미터-베이스 접합 커패시터
충전시간，베이스 주행시간，컬렉터 공핍영역 주행시간과 컬렉터 커패시턴스 충전시간
의 함수이다.
■ 스위칭 특성들은 비록 스위칭이 전류와 전압의 큰 변화를 포함한다 해도 주파수 한계
와 밀접한 관계이다. 스위칭에서 중요한 파라미터는 축적시간이며，이 것은 포화에서부
터 차단까지 스위칭하는 트랜지스터 에 응용한다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

알파 차단 주파수(Alpha cutoff fre qu e ncy ) 공통 베이스 전류의 크기는 그것의 저주파 값

의 i /v r 이 되는 곳에서의 주파수로서 또한 차단 주파수와 같다.
밴드겝 협소(B a ndg a p n arrowing ) 높은 이미터 도핑농도에 따른 금지 에너지 밴드캡에서
5 60 C h apters 바이폴러 트랜지스터

의 감소
베 이 스 주 행 시 간 (B ase tra n sit tim e ) 소 수 캐 리 어 가 중 성 베 이 스 영 역 을 통 과 하 는 데 걸 리
는 시간
베 이 스 전 송 인 자 (B ase tra nsport fa ctor》 중 성 베 이 스 폭 에 서 재 결 합 을 설 명 하 는 공 통 베 이

스 전류이득에서 인자
베 이 스 폭 변 조 (B ase width modulation ) C-E 또 는 C-B 전 압 에 따 른 중 성 베 이 스 폭 의 변 화
베 타 차 단 주 파 수 (Beta cutoff fre qu e ncy ) 공 통 이 미 터 전 류 이 득 의 크 기 가 그 것 의 저 주 파
값의 이 되는 곳에서의 주파수
컬 렉 터 커 패 시 턴 스 충 전 시 간 (C ollector c a p a cita nc e ch arging tim e ) 이 미 터 전 류 의 변 화
에 따 른 B - C 와 컬 렉 터 -기 판 공 간 전 하 영 역 폭 을 변 화 시 키 기 위 해 요 구 하 는 시 간 을 설 명

하는 시정수
컬 렉 터 공 핍 영 역 주 행 시 간 (C ollector deple tion region tra nsit tim e ) 캐 리 어 가 B-C 공 간 전

하 영역을 지나가는데 걸리는 시간

공 통 베 이 스 전 류 이 득 (C ommon b a s e curre nt g a in ) 이 미 터 전 류 에 대 한 컬 렉 터 전 류 의

비율
공 통 이 미 터 전 류 이 득 (C ommon b a s e c urre nt g a in ) 베 이 스 전 류 에 대 한 컬 렉 터 전 류 의

비율
전 류 밀 집 (C urre nt crowding ) 한 정 된 베 이 스 전 류 와 베 이 스 저 항 에 기 인 한 베 이 스 영 역 에
서의 측 면 전 압 강 하 에 의해서 생 겨 난 이미터 접 합 영 역 을 지 나 는 불 균 일 전 류 밀 도
차 단 상 태 ( C utoff ) 영 또 는 역 방 향 바 이 어 스 전 압 이 트 랜 지 스 터 양 접 합 에 인 가 한 바 이 어 스
조 건 으 로 트랜지스터 전류는 영이 된다.

차 단 주 파 수 (C utoff fre qu e ncy ) 공 통 이 미 터 전 류 이 득 의 크 기 가 1 일 때 의 주 파 수

E arly 효 과 (E arly e ffe ct ) 베 이 스 폭 변 조 의 다 른 용 어
E arly 전 압 (E arly volta g e ) I c 대 Ve 곡 선 을 영 전 류 까 지 외 삽 에 의 해 얻 어 진 전 압 축 과 교
차 하 는 지 점 의 전 압 (크 기 )값
이 미 터 一 베 이 스 접 합 커표H 시 턴 스 충 전 시 간 ( E mitter-b a s e junction c a p a cita nc e ch arging
tim e ) 이 미 터 전 류 변 화 에 따 른 B-E 공 간 전 하 폭 을 변 화 시 키 기 위 한 시 간 을 설 명 하 는
시정수
이 미 터 주 입 효 율 인 자 (E mitter inje ction e fficie ncy f a ctor ) 베 이 스 에 서 부 터 이 미 터 로 캐 리

어의 주 입 을 설 명 하 는 공 통 베 이 스 전 류 이 득 인 자
순 방 향 활 성 (F orward a ctiv e ) B-E 접 합 이 순 방 향 으 로 바 이 어 스 를 인 가 하 고 ，B-C 접 합 은
역 방 향 으 로 인 가 하 는 바이 어 스 조 건
반 전 활 성 (Inverse a ctiv e ) B-E 접 합 이 역 방 향 으 로 바 이 어 스 를 인 가 하 고 ，B-C 접 합 은 순 방
향 으 로 인 가 하 는 바이 어 스 조건
출 력 컨 턱 턴 스 (O utput conducta nc e ) C-E 전 압 에 서 대 응 차 이 변 화 에 대 한 컬 렉 터 전 류 차

이의 변 화 비 율
 점검사항

이 장을 공부한 후，독자는 다음 능력을 가져야 한다:

■ 트랜지스터의 기본적 동작을 서술할 수 있다.
■ 열평형상태 에서 트랜지스터 의 에너 지밴드와 다양한 동작 모드로 바이 어스 인가할 때
를 그림으로 그릴 수 있다.
■ 베이스-이 미터 전압의 함수로서 의 컬렉터 전류를 적절한 일차 근사로 계산할 수 있다.
■ 다양한 동작 모드 하에서 트랜지스터를 통해서 소수 캐리어 농도를 그림으로 그릴 수
있다.
■ 소수 캐리어 분포 곡선으로부터의 트랜지스터에서 다양한 확산과 다른 전류 성분들을
정의할 수 있다.
■ 전류이득 제한 인자의 물리적인 메커니즘을 설명할 수 있다.
■ 트랜지스터에서 전류 성분으로부터 전류 제한 인자를 정의할 수 있다.
■ 트랜지스터의 전류-전압 특성에서 그것의 효과와 베이스폭 변조의 물리적인 메커니즘
을 묘사할 수 있다.
■ 바이폴러 트랜지스터에서 전압 항복 메커니즘을 묘 사 할 수 있다.
■ 순방향 활성 모드로 인가시 킨 트랜지스터 의 간단화한 소신호 하이브리드-파이 등가회
로를 그릴 수 있다.
■ 바이폴러 트랜지스터의 주파수 응답에서 네 개의 시간 지연，혹은 시정수 성분을 정량
적으로 설명할 수 있다.

복습 질문__________________________________________________________________

I. 순방향 활성 모드로 인가시킨 npn 바이폴러 트랜지스터에서 전하의 흐름을 묘사하라.

전류는 표동 혹은 확산인가?
2- 공통 이미터 전류이득을 정의하고，첫 근사에서，전류이득이 일정한 이유를 설명하라.
3. 차단，포화와 반전-활성 모드의 조건들을 설명하라.
4. 순방향 활성 모드로 인가시킨 pnp 바이폴러 트랜지스터에서 소수 캐리어 농도를 그려
라.
5. 공통 베이스 전류이득에서 세 가지 제한 인자들을 정의하고 설명하라.
6. 베이스폭 변조의 의미는 무엇인가? 이 효과를 설명한 다른 용어는 무엇인가?
7. 고주입의 의미는무엇인가?
8. 이미터 전류 밀집을 설명하라.
9. / CB0와 C E 0를 정의하고，왜 I C E 0 > /« 인가를 설명하라.
1 0. npn 바이폴러 트랜지스터에서 간단화한 하이브리드-파이 모델을 그리고，이 등가회로
를 사용하는 경우를 설명하라.
I I . 바이폴러 트랜지스터의 주파수 제한에서 시간지연 인자를 묘사하라.
1 2. 바이폴러 트랜지스터의 차단 주파수란 무엇인가?
1 3. 포화와 차단 사이에 스위칭을 할 때 바이폴러 트랜지스터의 응답을 묘사하라.
562 C hapters 바이폴러 트랜지스터

문제__________________________________________________________ _ ____________

(주의: 다음 문제에서，그림 1 2.1 3에 나타나 있는 트랜지스터 구조를 이용하라. 다른 언급이

없는 경우 :T = 300 K 라고 가정하라.)

1 2.1 절 바이폴러 트랜지스터 동작

12.1 열적 평형상태에 있는 균일하게 도핑한 n + +p +n 바이폴러 트랜지스터에 대해 (a)

에너지밴드 다이어그램을 그려라，(b) 소자 내의 전계를 그려라，(c ) 순방향 활성 영
역으로 바이 어스가 걸린 트랜지스터 에 대해 (a )와 (b)를 반복하라.
12.2 각 영역에서 균일하게 도핑한 p++n+p 바이폴러 트랜지스터를 고려하라. 트랜지스
터가 ( a) 열적 평형상태일 때，(b) 순방향 활성모드의 바이어스일 때，(c ) 반전활성
영역의 바이어스일 때，(d ) 역방향으로 인가시킨 B -E 와 B-C 접합 양쪽이 차단 상태
일 때，각 경우에 대하여 에너지밴드 다이어그램을 그려라.
12.3 npn 바이폴러 트랜지스터에서 베이스 영역의 파라미터 D n = 18 cm 2/s, «B = 4 x
103 c m -3, xB = 0.80 p m 과 ABE = 5 x 1 0-5 cm 2이다. ( a ) 식 (1 2.1 )과 (1 2.2)를 비교
하 여 ，/s의 크 기 를 계산하 라 . (b) (i ) vBE = 0.58 V ，(i i ) vBE = 0.65 V ，(i i i ) vBE =

0.72 V 에 대해서 컬렉터 전류를 계산하라.

12.4 npn 바이폴러 트랜지스터가 다음의 베이스 파라미터를 가진다. D„ = 22 cm2/s, x B
= 0.80 /xm와 = 2 x 104 cm-3, (a) 컬렉터 전류는 vBE = 0.60 V로 인가할 때，
\ic \ = 2 m A 이다. 요구되는 베이스-이미터 단면적 A B 는 얼마인가?
12.5 연습문제 12.3에서 제시한 트랜지스터를 고려하자. (a) a = 0.9850의 공통 베이스
전류이득에 대하여，공통 이미터 전류이득을 결정하라. [주 의 : P = a / ( l - a ) ] . (b)
연습문제 1 2.3에서 결정한 컬렉터 전류에 대한 이미터와 베이스 전류를 결정하라•
(c) a = 0.9940의 공통 베이스 전류이득에 대해서 ⑶ 와 (b) 부분을 반복하라.
12.6 바이폴러 트랜지스터가 순방향 영역으로 인가되어 있다. (a) IB = 4.2 사A의 베이스
전 류 와 / e = 0.625 m A 의 컬렉터 전류에 대하여，(i) /3, (ii) «와 (iii) / 를 결정하라.
(b) l c = 1.254 mA의 컬렉터 전류와 / = 1.273 mA의 이미터 전류에 대하 여 ，(i)
13, (ii) a 와 (iii) /s를 결정하라. (c) IB = 0.065 나A의 베이스 전류와 )8 = 150에 대
하여，(i) a, (ii) 사와 (iii) / 를 결정하라.
12.7 npn 바이폴러 트랜지스터가 f3 = 1 00의 공통 이미터 전류이득을 갖는다고 가정하
자. ( a) 0.01 m A 증분으로 가 영에서 0.1 m A 까지 변할 때，그림 1 2.9에서와 같이，
이상적 인 전류-전압 특성 Oc 대 v C E) 을 그려 라. i，C E는 드 " C 드 1 자이 라고 놓자.
(b) 그림 12.8 회로에서 Vcc = 10 V 와 /?c = 1 k f i 을 가정하고，( a) 부분에서의 트
랜지스터 특성에서 부하선을 중첩시켜라. (c ) i B = 0.05 m A 에 대응하는 노와 I切;의
값을 결과 그래프 위에 플롯하라.
12.8 그림 1 2.8을 고려하자. Vcc = 3 V 와 VB = 0.65 V 가정하자. (a) Rc = 25 비 에
대하여，(i ) 0.20 드 VC 드 3 V 범위 이상에서 I c 대 VC 를 플롯하라. (i i ) /c가 어떤
값에서 마 = 인가? (b ) Rc = 1 비 에 대하여，(a) 부분을 반복하라.
1 2.2절 소 수 캐리 어 분 포

12.9 T = 300 K에서 균일하게 도핑한 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터가 순방향 활성
모드로 인가되어 있다. 도핑농도는八노 = 8 x l 017 cm ~ 3, NB = 2 x l 1 6cm_ 3와 A노
= 1 15 c m - 3이다. ( a) 열평형 값 /^ , 해 와 "이 의 값을 결정하라. (b ) V BE = 0.640
V 에 대해서， = 에서 해 와 / = 에서 ∼ 의 값을 계산하라. (c ) 소자에서 소수
캐리어 농도를 그림으로 그리고 각 곡선에 명칭을 붙여라.
1 2.1 0 T = 3 00 K 에서 균일하게 도핑된 실리콘 pnp 트랜지스터가 순방향 활성 모드로 인
가 상태이다. 도 핑 농 도 는 八노 = 5 x l 0 17 cm - 3，NB = 1 016 cm—3과 八는 = 1 015 c m —3
이다. (a) 열적-평형값 «抑，p B0, ” 別를 계산하라. (b ) VEB = 0. 61 5 V 에 대해서 x = 0

에서 & 와 / = 0에서 七의 값을 결정하라. (c ) 소자에서 소수 캐리어 농도를 그리

고 각 곡선에 명칭을 붙여라.
1 2.1 1 T = 3 00 K 에서 균일하게 도핑한 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. 소
자는 = 2 .5 V 로 순방향 활성 모드로 인가되어 있다. 금속학적 베이스폭 사 =
1 .0 m 이다. 도 핑 농 도 는 八노 = 8 x l 0 17 c n T 3, N B = 2 x 1 016 c m —3과 八는 = 1 015
c m -3 이다. ( a ) x = 0 에서 nB , 소수 캐리어 농도가 다수 캐리어 정공농도의 10 %가
되도록 B-E 전압을 결정하라. (b ) 이 인가에서，x = 0 에서 소수 캐리어 정공농도를
결정하라.
12.12 식 (1 2.1 5 a)에 주어진 것과 같이 npn 바이폴러 트랜지스터의 베이스에서 소수 캐리
어 전자농도를 고려하자. 이 문제에서，B -C 접합에서 평가한 전자농도의 기울기와
B -E 접 합에 서 평 가한 기울기 를 비 교 하 고 자 한다. 특히 ( a) x b / L b = 0.1 ，(b ) x B/ L B
= 1 0, (c ) XB/ L B = 1 0에 대해서 X = 0에서 公)/公X'에 대 한 X = 사에서 d ( S n B) / d x

의 비를 계산하라.
12.13 식 (1 2.14a)와 (1 2.14b)에 의해 주어진 계수에 대한 표현식을 유도하라.
*12.14 순방향 활성 영역에서 동작하는 균일하게 도핑한 pnp 바이폴러 트랜지스터의 베이
스 영역에서 과잉 소수 캐리어 정공농도에 대한 표현식을 유도하라.
12.15 npn 바이폴러 트랜지스터의 베이스에서 과잉 전자농도는 식 (1 2.1 5 a)에 의해 주어
진다. 선형근사는 식 (1 2.1 5 b )에 의해 주어진다. 만약 S«B0Cc)가 식 (1 2.1 5 b )에 의해
주어진 선형근사이고, 가 식 (1 2.1 5 a)에 의해 주어진 실제 분포라면，

8nB (x) - 8 n B (x)

X 1 00%
8 nB (x)

( a) x b / L b = 0.1 (b ) x b / L b = 1 .0에 대하여 ，x = V 2에서 위 식을 결정하라. V BE »

/t r / e 라고 가정한다.
12.16 낮은 주입에서 순방향 활성 영 역으로 인가한 균일하게 도핑한 실리콘 pnp 바이폴
러 트랜지스터를 고려하자. x = 0에서 과잉 소수 캐리어 정공농도는 初 B(0) = 1 015
c m - 3이고 = 사에서 과잉 소수 캐리어 정 공 농 도 는 = - 5 x 1 3 cm 3
이다. ( a) 베이스에서 다수 캐리어 전자농도는 얼마이며，E -B 전압은 얼마인가? ( b )
xB = 0.80 m 와 )B = 10 cm 2/s로 가정하면，x B 《 Z생인 경우에 대하여 (i ) jc = 0*

*표시된 문 제 는 더 어려운 문 제 를 의미한다.

5 6스 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

와 (i i ) x = 자에서 확산 전류 밀도의 크기를 계산하라.(식 (1 2.1 5 b ) 참고) (c ) x B =

Lb = 12 인 경우에 대해서 (b ) 부 분을 반복하라. (식 (1 2.1 5 a) 참고 ). ( d ) (비와
(c ) 부분에 대해서 ■/(JC = XB)/J(x = 0) 비를 구하라.
*1 2.1 7 ( a) r = 300 K 에서 균일하게 도핑한 npn 바이폴러 트랜지스터를 포화상태로 인가
하였다. 소수 캐리어에 대한 연속방정식에서 시작하여，베이스 영역에서 과잉 전자
농도가 자는 중성 베이스폭인 xBl l B « 1 에 대해 다음의 식과 같이 표현할 수 있다
는 것을 보여라.

S_ ) = {[exp ( 씀 ) —1 ] ( 1 - 송 ) + [exp ( 뽑 ) _ 1 ] (돎 )}

(b ) 베이스의 소수 캐리어 확산 전류가 다음과 같이 주어짐을 보여라.

나 -해 미 exp ■자 - exp ( 충 ) ]

(c ) 베이스 영역에서 전체 과잉 소수전하( C /cm 2)가 다음과 같이 주어짐을 보여라.

‘ =누 { 卜 (뽑 ) - 사 + 卜 ( 융 ) -사}

*1 2.1 8 N e = 1 018 c m -3, 八노 = 5 x 1 16 c m 一3, N c = 1 015 c m —3인 균일 한 도 핑 농 도 를 갖

는 r = 300 K 에서 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. D B = 25 cm 2/s,
xB = 0.70 fim , xB 《 JLB라고 가정하자. 트랜지스터는 L/„l = 125 A 八;m 2과 V £B
0.70 V 인 포화상태에서 동작한다. ( a) V BC, (b ) y C ( sat), (c ) 베이스에서 과잉 소수
캐리어 전자의 # /c m 2, (d ) 긴 컬렉터에서 과잉 소수 캐리어 정공의 #/cm 2를 결정하
라. Lc = 35 yum라고 놓아라.
1 2.1 9 T = 300 K 에서，npn 실리콘 바이폴러 트랜지스터를 A노 = 1 19 c m - 3, NB = 1 017
cm 3, N c = 7 x l 015 c m - 3로 균일하게 도핑하였다. 트 랜 지 스 터 는 = 一2 V 이
고 ，y BC = 0.565 V 로 반전 활성모드로 동 작 하 고 있다. ( a) 소자에서 소수 캐리어
분포를 그려라. (b ) jc = 자 와 /' = 0에서 소수 캐리어 농도를 계산하라. (c ) 만약 금
속학적 베이스폭이 1.2 일 때, 중성 베이스폭을 결정하라.
1 2.20 NE = 5乂 1 017 c m 一3, NB = 1 016 cm —3, Nc = 5x 1 014 c m —3의 도핑농도 를 갖고 T

= 300 K 에서，균일하게 도핑한 실리콘 pnp 바이폴러 트랜지스 터가 반전 활성 모

드로 인가하였다. 낮은 주입 조건이 적용하도록 하는 최대 B-C 전압은 얼마인가?

12. 3절 트랜지스터 전류와 저주파수 공통- 베이스 전류이득

1 2.21 ( a) 다음 전류는 균일하게 도핑한 npn 바이폴러 트랜지스터에서 다음과 같은 측정
값이다.
LiE ~: 0. 5 0 m A == 3 .5 나 k
he == 0. 4 9 5 mA I r == 5 . 0 /x A
I g == 0. 5 0 n A IpcO == 0. 5 0 / i A

다음 전류이득 인자를 구하라. (i ) y , ( ii ) a T, ( iii ) 8, ( iv ) a 와 (v ) /3. (b ) 만약 공통 이

미터 전류이득의 요구한 값 /3 = 1 20이라면，이때 y = 아 = 5라 가정하면 적합한
 In 와 八의 새로운 값을 결정하라.
1 2.22 T = 300 K 에서 실리콘 pnp 바이폴러 트랜지스터가 A B = 5 x 1 ~4 cm 2의 B -E 단
면적， = 0.70 사이의 중성 베이스폭，x E = 0.50 이의 중성 이 미터폭 J V = 5x
1 017 c m -3, N b = 1 016 c m ~3, N c = 1 015 c m - 3의 도핑농도 를 가진다. 다른 반도체
파라미터는 D b = 10 cm 2/s, D e = 15 cm 2/s, t eo — t bo = 5 x l -7 s , t co = 2 x
1 0_ 6 s 이다. 트 랜 지 스 터 가 순 방 향 활성 영역으로 인 가 하 였 고 ，재 결 합 인자 8 =

0.995이다. (a) VBE = 0.550 V ，(b ) I B = 0.80 / jl A , (c) I e = 125 /a A 에 대하여 컬렉

터 전류를 결정하라.
1 2.23 T = 300 K 에서 다음 파라미터를 갖는 균일하게 도핑한 npn 바이폴러 트랜지스터
를 고려하자.

N e == 1 018 c m -3 N b = 5 X 1 016 c m -31 N c = 1 015 c m -3

D e == 8 c m 2/s D b = 1 5 c m 2/s 公 c = 1 2 c m 2/s
T bo == 1 0_ 8 s T bo = 5 X l -8s Tc = 1 0~ 7 s
x E == 0. 8 /a m x b = 0. 7 /A m JrO = 3 X 1 0 -8 A /c m 2

VBE = -6 V 이 고 F C = 5 V 에 대하여 ，( a) 전류 J „ E，Jp E , 九c 와 J R, (b ) 전류이득

인자 y , a T, 8, a 와 사를 계산하라.

소자 베이스 토핑 베이스 폭

A N b == 八^50 XB == Xbo
B N b - =2 N b X b == X bo
C N b == N bo XB == X bo / 2

12.24 3종류의 npn 바이폴러 트랜지스터가 베이스 도핑농도와 중성 베이스폭을 제외하고

동일한 파라미터를 갖는다. 3종류의 소자에 대한 베이스 파라미터는 다음과 같다.
(B 소자에 대한 베이스 도핑농도는 A 와 C 의 두배이고 ，C 소자에 대한 중성 베이스
폭은 A 와 B 의 절반이다.)
( a) (i ) 소자 B 에 대한 소자 A 와 (i i ) 소자 C 에 대한 소자 A 의 이미터 주입 효율의
비율을 결정하라.
(b ) 베이스 전송인자에 대해서 ( a) 부분을 반복하라.
(c ) 재결합 인자에 대한 ( a) 부분을 반복하라.
(d) 어느 소자가 가장 큰 공통 이 미 터 전류이득 사를 갖는가?

소자 베이스 토핑 베이스 폭

A N e == N e x E == •: 0
B n e =: 2 N m X e == 0
C N e -= N e x E == X e / 2

12.25 이미터 파라미터들이 변하는 세 소자에 대해서 문제 12.24를 반복하라.

세 소자에 대한 이미터 파라미터는 다음과 같다.
12.26 npn 실리콘 트랜지스터가 VBE = -3 꾸이고 VV = 0.6 V로써 반전 활성모드로 인
566 C h apters 바이폴러 트랜지스터

가시킨다. 도 핑 농 도 는 八노 = 1 0l 8 c m ~3, yVB = 1 017 cm ~ \ Nc = 1 01 6cm —3이다.

다른 파라미터는 자 = 1 m, D b = 20 cm 2/s, D E = 10 cm 2/s, D c — 15 cm 2/s, t e0

= t b0 = TC0 = 2 x i c r 7 8와八 = 1 0—3 cm 2이다. ( a) 소자에서 소수 캐리어 분포를

계산하고 그래프를 그려라. (b ) 컬렉터와 이미터 전류를 계산하라. (기하학 적인 인
자를 무시하고 재 결합 인자는 1 이 라고 가정한다.)
12.27 ( a) x b / L b = 0.01 , 0.1 , 1 .0, 1 0에 대하여，베이스 전송인자, 아 를 계산하라. y 와 5가
1 이라고 가정할 때，각 경우에 대하여 ]8를 결정하라. (b ) N b/ N e = 0.01 ，0.1 ，1.0, 10
에 대하여 ，이미터 주입 효율 꾸를 계산하라. a r와 S가 1 이라고 가정할 때，각 경우
에 대하여 a 를 결정하라. (c ) ( a)와 (b) 부분의 결과를 고려하여，베이스 전송인자나
이미터 주입효율이 공통 이미터 전류이득에 대해 제한 인자가 될 때 어떤 결과가
관련될 수 있을까?
12.28 (a) VBE = 0.2, 0.4, 0.6 V 에 대해 재결합 인자를 계산하라. 다음 파라미터를 가정하자.

D b == 2 5 c m 2/s D e == 1 0 c m 2/s
n e == 5 X 1 018 c m —3 N b == 1 X 1 017 c m -3

N c == 5 X 1 015 c m -3 Xb == 0. 7 /x m

Tb == T eo = 1 0 一7 s JrQ == 2 X l - 9 A /c m 2

r ii == 1 .5 X 1 010 c m -3

(b ) 베이스 전송인자와 이미터 주입 효율인자가 1 이라고 가정할 때，( a)부분 조건에

대해 공통 이미터 전류이득을 계산하라. (c ) (b )의 결과를 고려할 때，공통 이미터
전류이득에서 제한인자인 재결합 인자에 대하여 무엇을 설명할 수 있는가?
12.29 다음 파라미터를 갖는 T = 3 00 K 에서 균일하게 도핑한 실리콘 npn 바이폴러 트랜
지 스터 ' 를" 고려 하자". D 及 = 23 cm ~/s, D — 8 cm -/s, Tg = 2 x 10 ^ s, t "£ = 8x
1 0~8 s, N b = 2 x l 16 c m —3과 x = 0. 3 5 /j, m . 재결합 인자 S = 0. 9 9 7 5 이도록 결
정을 한다. 요구 하 는 공통 이미터 전류이득 /3 = 1 5 0 이다. xB = 0. 8 0 의 최소
중성 베이스폭을 설계할 수 있다. ( a) 이 사양에 부합하도록 적당한 중성 베이스폭
과 최소 이미터 도핑농도，A노를 결정하라. (b ) ( a) 부분의 결과를 사용하여，아 와 서

가 얼마인가?
*12.30 T = 300 K의 npn 실리콘 바이폴러 트랜지스터에서 재결합 전류밀도 / 비는 5 x 1 0-8
A7c m 2이다. 균일한 도핑농도는 N e = 1 018 c m —3, NB = 5 x 1 016 cm —3, Nc = 1 015
c m - 3이다. 다른 파 라 미 터 는 D e = 1 0 c m 2/s , D B = 25 c m 2/ s , t 抑 = 1( 8 s , t bo =
1 0~7 s 1 4. VBE = 0.55 V 가 될 때，재결합 인자 S = 0.995 가 되도록 하는 중성 베
이스폭을 결정하라. (b ) 만약 온도에 따라 상수이 면，온도가 T = 400 K 일경
우 에 서 = 0.55 V가 될 때 S 의 값은 얼마인가? ⑷ 부분에서 결정된 사의 값을
이용하라.
12.31 (a) 바이폴러 트랜지스터에 대해，0.01 < (x b / Lb) < 1 0의 범위에 걸쳐 (사/。 )의 함
수로서，베이스 전송인자 아 를 플롯하라.(수평축에는 로그축을 사용하라) (b ) 이미
터 주입 효율과 재결합 인자가 1 이라고 가정하였 을 때, ( a) 부분의 조건들에 대해
공통 이미터 이득을 그려라. (c ) (b ) 부분의 결과를 고려하면서，공통 이미터 전류이
득에서 제한 인자가 되는 베이스 전송인자를 어떻게 설명할 수 있는가?
12.32 ( a ) 0.01 < N b /N e < 1 0의 범위에 걸쳐，N B/N E, 도핑비의 함수로서 이미터 주입 효
율을 플롯하 라. D e = D b, Lb = Le , x b = 社라고 가 정 하 라 (수 평 축 에 는 로그축을
사용하라). 밴드캡 협소효과를 무시한다. (b ) 베이스 전송인자와 재결합 인수가 1 이
라고 가정할 때，( a ) 부분에서 조건들에 대한 공통 이미터 이득을 플롯하라. (c) (b )
부분의 결과를 고려하면서, 공통 이미터 전류이득에서 제한인자가 되는 이미터 주
입 효율에 대하여 어떻게 설명할 수 있는가?
12.33 ( a ) 0.1 < V BE < 0. 6 에 대해서 순방향 인가 B - E 전압의 함수로서 재결합 인자를 플

롯하라. 다음 파라미 테 올 가정하자.

D b - = 25 cm 2/s D e == 10 cm 2/s
n e == 5 X 1018 crrr3 n b == 1 X 1017 c m —3

N c == 5 X 1015 cm - 3 X b == 0.7 jum

Tb == T e = 10—7 s 乂公 == 2 X l -9 A / cm 2
r ii == 1.5 X 1010 c m -3

(b ) 베이스 전송인자와 이미터 주입 효율인자가 1 이라고 가정할 때，(a)에 있는 조건

들에 대해 공통 이미터 이득을 플롯하라. (c ) (b)부분의 결과를 고려하면서，공통 이미
터 전류이득에서 제한인자가 되는 재결합 인자에 대하여 어떻게 설명할 수 있는가?
12.34 BJT에서 이미터는 높은 동작 속도를 얻기 위해서 종종 매우 얇게 만든다. 이 문제
에서 전류이득에 대한 이미터 폭의 효과를 알아볼 것이다. 식 (1 2.35 a)에 의해 주어
진 이미터 주입 효율은 고려하자. N e = 1 0 0 Nb , D e = 와 다 = 。 라고 가정하
자. 또 한 자 = 0.1 다 라 고 하자. 0.01 다 < < 10Z성에 대해서 이미터 주입 효율을
플롯하라. 이런 결과로부터，전류이득에 대한 이미터 폭의 효과를 검토하라.

1 2.4절 비 이상적 인 효 과

12.35 npn 바이폴러 트랜지스터가 순방향 활성 모드로 인가되어 있다. (a ) 컬렉터 전류가
VCE = 2 V 일 때 /c = 1 .2 m A 이다. E a rly 전압 VA = 1 20 V 이다. ( i) 출력 저항 r a,
( ii) 출력 컨덕턴스 g0, ( iii) VCE = 4 V 에서 인가할 때 컬렉터 전류를 결정하라. (b )

만약 V느 = 2 V 를 인가하고 E a rly 전압 匕 = 1 60 V 일 때 컬렉터 전류 / e = 0.2 5

mA 이면 (a ) 부분을 반복하라.
12.36 pnp 바이폴러 트랜지스터의 출력 저항 r 0 = 1 80 K fl이다. E arly 전압 V、 = 80 V
이다. 만약 V e가 2에서 5 V 까지 증가한다면，컬렉터 전류 변화를 결정하라.
12.37 T = 300 K에서 균일하게 도핑 한 실리콘 npn 바이폴러 트 랜 지 스 터 가 A노 = 2 x
1 018 c m -3, N B = 2 x 1 016 crr「 3, N c = 2 x l 15 c m -3, x B0 = 0.85 "교 와 D B = 25
cm2/s 파라미 터를 가진다. x B 0 《 L b 가정하고，V BE = 0.650 V 로 놓 斗 ( a) (i ) V CB
= 4 V ，(i i ) V CB = 8 V ，(i i i ) V CB = 12 V 에 대해서 베이스에서 전자 확산 전류 밀
도를 결정하라. (b ) E arly 전압을 추정하라.
*12.38 바이폴러 트랜지스터의 베이스폭은 큰 전류이득과 속도 증가를 제공하기 위해 일
반적으로 작다. 베이스 폭은 E arly 전압에도 영향을 미친다. T = 300 K 의 실리콘
npn 바이폴러 트랜지스터에서, 도핑농도는 A노 = 1 018 c m -3, NB = 3 x l 1 6c m ^3,
八노 = 5 x 1 15 c m —3이다. D b = 20 cm 2/s 이고 ∼ = 5 x 1 -7 s 라고 가정하고 V B£
5 68 C h apters 바이폴러 트랜지스터

= 0. 7 0 V 라고 하자. 두 데이터 점과 같이 전압 = 5 V 와 = 10 V 을 이용
하여，( a ) 1 .0 /x,m , ( b ) 0. 8 0 /a m , ( c ) 0. 6 0 /«n 의 금속학적 베이스폭에 대해서 E a rly

전압을 추정하라.
12.39 균일하게 도핑한 p n p 실리콘 바이폴러 트 랜 지 스 터 가 = 1 016 c m -3의 베이스 도
핑농도와 A 노 = 1 015 c m -3의 컬렉터 도핑농도，사0 = 0. 7 0 사미의 금속학적 베이스
폭 과 /) s = 1 0 c m 2/s 의 베이스 소수 캐리어 확 산 계수와 사 = l ( T 4 c m 2 의 B -E

단면적을 갖는다. 트랜지스터가 V 別 = 0. 62 5 V 의 순방향 활성 모드로 인가한다. x B

« L b 가정하고，B -E 공간 전하 폭은 무시한다. (a ) 가 I 우에서부터 5 V 까지 변
할 때 중성 베이스폭의 변화를 결정하라. (b ) 컬렉터 전류에 대응하는 변화를 찾아
내라. (c) E a rly 전압을 추정하고，( d ) 출력 저항을 찾아내라.
12.40 x E = x B, L e = L b, D e = … 인 균일하게 도핑한 실리콘 n p n 바이폴러 트랜지스터
를 고려하자. a T = 8 = 0. 9 9 5 이고 N B = 1 017 c m -3 라고 가정하자. (a ) 밴드캡 협
소 효 과 를 무 시 할 때 와 ，(b ) 밴드캡 협 소 효 과 를 고 려 할 때에 대 해 서 , A노 = 1 017,
1 18, 1 19, 1 20 c m -3 에 대한 공통 이미터 전류이득 /3 를 계산하고 그려라.
12.41 T = 300 K 에서 실 리 콘 pnp 바 이 폴 러 트 랜 지 스 터 가 이미터 주입 효율이 y =
0.996이도록 설계하였다. x E = x B, L e = L b, D e = D b, N e = 1 019 c m —3으로 가정
하자. (a) 밴드갭 협소를 고려하면 서，최대 베이스 도핑을 결정하라. (b ) 만약 밴드
캡 협소를 무시한다면，요구하는 최대 베이스 도핑은 얼마인가?
12.42 일차 근사형 계산으로 전류밀집 효과는 그림 P 1 2.42에서 나타낸 크기를 이용하여
결정할 수 있다. 베이스 전류의 절반이 이미터 줄의 각 면으로부터 들어가서 이미
터의 중앙까지 균일하게 흘러간다고 가정하자. 베이스는 다음 파라미터를 갖는 P-
형 이 다. 八노 = 2 x 1 016 cm —3, x B = 0.65 씨 n ，/ p = 250 cm 2/ V -s, 와 으 = 25 /乂m .
(a) S = 10 /u m 로 가정하고 (i ) x = 0과 x = 5/2 사이에 저항을 계산하라. (i i ) 만약
I b/2 = 5 A 이면，a: = 과 ;c = 5/2 사이 의 전압 강하를 계산하라. (i i i ) x = S/2에
서 = 0.60 V 에 대해서 ，x = 0에 비하여 ;c = 、/2에서 베이스로 주입하는 전자
의 수의 비를 결정하라. (b ) 5 = 3 에 대해서 ( a) 부분을 반복하라.
12.43 이미터 폭 S를 제외하고 문제 1 2.42에서 주어진 소자 파라미터와 그림 P 1 2.42에서
나타낸 크기를 고려하자. x = 、/2에서 베이스로 주입하는 전자의 비가 x = 0과 비
교하여 0.90 보다 적지 않 도 록 、의 최댓값을 결정하라.
*12.44 확산시킨 n +pn 바이폴러 트랜지스터에서 베이스 도핑은 다음과 같이 지수적으로
근사시킬 수 있다.

그림 P 12. 42 문제 12.42와 12.43을 위한 그림

 Nb = _ ) exp

여기 에서 a 는 상수이고 다음과 같이 주어진다.

(a) 열적 평형상태에서，중성 베이스 영역의 전계가 일정함을 증명하라. (b ) 전계의

방향을 나타내라. 이 전계가 베이스를 지나는 소수 캐리어 전자의 흐름을 돕겠는가
아니면 방해하겠는가? (c ) 순방향 바이어스 하의 베이스에서 정상상태 소수 캐리어
전자농도에 대한 표현식 을 유도하라. 재결합이 베이스에 서는 일어나지 않는다고
가정하자<전자 전류밀도로 전자농도를 표현하라).
1 2.45 N e = 1 018 c m —3, N B = 5 x 1 16 c m —3, N c = 2 x l 0 15 c m —3의 도핑농도로 균일하
게 도핑 한 실리콘 npn 바이폴러 트랜지 스터를 고려하자. 공통 베이스 전류이득 a

= 0. 9 9 3 이다. ( a ) B V bco, ( b ) 와 (c ) 이미터-베이스 항복전압 을 결정하라.(실

험적 상수에 대해 W = 3 이라고 가정하자)
1 2.46 고전압 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터는 균일한 베이스 도핑 N B = 1 016 err 3이
고 공통 이미터 전류이득 P = 5 0이 되도록 설계하였다. 항복전압 는 적어도
60 V 이다. 이 전압을 유지하기 위한 최대 컬렉터 도핑과 최소 컬렉터 길이를 구하
여라.(« = 3 으로 가정)
1 2 .47 실리콘 npn 바이폴러 트랜지스터가 N B = 5 公~ 1 016 c m -3와 N c = 8 x 1 015 c m -3 으

로 균일하게 도핑되어 있다. 금속학적 베이스폭은 VB£ = 0과 = 0일 때 =

0. 5 0 M m 이다. ( a ) 예상하는 애벌런치 B -C 항복 전압을 결정하라. (b ) 펀치-스 루가
일어날 때의 의 값 계산하라.
1 2.48 N b = 2 x 1 016 c m —3과 사c = 5 x l 0 15 c m —3의 도 핑 농 도 와 x B0 = 0. 65 사m 의 금속
학적 베이스폭을 가진 npn 실리콘 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. V BE = 0.62 5

V 로 두라. ( a ) 펀 치 -스 루 에 서 。 를 결정하라. (b ) 펀치-스루에서 B-C 공간 전하 영

역의 최대 전계의 크기를 계산하라.

1 2.49 균일하게 도핑 한 실리콘 p n p 바이폴러 트랜지스터가사 = 1 018 c m -3, N B = 5 x

1 016 c m —3과 八노 = 3 x l 15 c m —3의 도핑농 도를 가진다. 펀치-스루 전압이 Vpt =

15 V 인 최소 금속학적인 베이스 도핑을 결정하라.

1 2.5 절 등 가 회 로 모 델

1 2.50 포화상태에서 npn 트랜지스터의 & (sat) 전압은 베이스 전류가 증가함에 따라 천
천히 계속해서 감소한다. E b ers-M oll 모델에서，a F = 0.99, a R = 0.20, / c = 1 m A
라고 가정 하자. T = 300 K 에서 , ( a) V CE( sat) = 0.30 V ，(b ) V C (sat) = 0.20 V 와
(c ) KC ( sat) = 0.1 0 V 를 주기 위한 필요한 베이스 전류 /B를 결정하라.
1 2.51 활성모드로 인가한 npn 바이폴러 트랜지스터를 고려하자. E b ers-M oll 모델을 이용
하여，a F, a R, I ES, 뇨 와 v 로 베이스 전류 /s에 대한 방정식을 유도하라.
1 2.52 E b ers-Moll 모델을 고려하고 베이스 단자가 /s = 0되도록 개방한다. 컬렉터-이미터
전압을 인가할 때，다음 식이 성 립함을 증명하라.
570 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

(1 - a Fa R)
Ic — I CEO = IcS
(1 - 야 )

12.53 E b ers-M oll 모델에서 파라미터는 (xF = 0.9920, I ES = 5 x l -14 A , I cs = 1 0-13 A

이다. r = 300 K 로 하자. (a) VBE = 0.2 V ，(b ) VBE = 0.4 V , (c ) VBE = 0.6 V 에 대
한 그리고 一0.5 < VC B < 2 V 에 대해서 l c 대 를 그려라(주의 = - V B C).
12.54 E b ers-M oll 모델로부터 컬렉터-이미터 포화 전압은 식 (1 2.77)로 주어진다. a F =

0.975, a R = 0.1 5 과 /c = 5 A 인 전력 B J T 를 고려하자. 0.1 5 < / fi < 1 A 의 범위에

걸친 카: (sat) 대 &를 플롯하라.

1 2. 6절 주 파 수 제 한

12.55 다음 파라미터를 갖는 T = 300 K에서 균일하게 도핑한 실리콘 트랜지스터를 가정

하자.
h — 0. 2 5 m A Cje = 0. 3 5 p F

X b = 0. 6 5 /x m Dn= 2 5 c m 2/s

Xdc = 2.2 jLim rc = 18 II

C s = C ^ = 0. 02 0 p F P = 1 25

(a ) 주행 시간 인자 ( i) Te ( i i ) rh ( i i i ) 。와 (iv ) 를 결정하라. (b ) 전체 주행 시 간 ，
rec
를 계산하라. (c ) 차단 주 파 수 /^를 계산하라. (d ) 베타 차단 주파수/ 를 계산하라.
12.56 특별 한 바이폴러 트 랜 지 스 터 에 서 ，베이스 주행 시 간 은 전체 지연시간의 2 0% 이다.
베이스폭은 0.5 j u m 이고 베이스 확산계수는 Z)B = 2 0 c m 2/s 이다. 차단 주파수를 결
정하라.
12.57 B J T 의 베이스 주행시간이 1 00 p s 이고 1 07 c m /s 의 속도로 1 .2 B -C 공 간 전하
영역을 지나는 캐리어를 가정하자. 이미터-베이스 접합 충전시간은 25 우이고 컬렉
터 커패시턴스와 저항은 각각 0.1 0 p F 와 10 (1 이다. 차단 주파수를 결정하라.

요약 및 복습

*12.58 ( a) T = 300 도에서 실 리콘 npn 바이폴러 트 랜 지 스 터 가 적 어 도 V、 = 1 40 V 의

E arly 전압과 /3 = 1 20의 전류이득을 가지도록 설계하라. (b ) pup 바이폴러 트랜지
스터 에 대 해 ( a) 부분을 반복하라.
*12.59 T = 3 00 K 에서 /3 = 1 00 이 되도록 균일하게 도핑한 실리콘 npn 바이폴러 트랜지
스터를 설계하라. 최대 CE 전압은 1 5V가 되고 어떤 항복전압도 적어도 이 값의 3

배이다. 재결합 인자 8 = 0. 9 9 5 로 일정하다고 가정하자. 트 랜 지 스 터 는 요 = 5 mA

의 최대 컬렉터 전류를 갖는 저주입에서 동작한다. 밴드캡 협소 효과와 베이스폭

변조 효과 는 최소화되 어 있다. D E = 6 c m 2/s , D b = 25 c m 2/s , r 0 = 1 0 —8 s, t bo
= l -7 s로 하자. 도핑농도 ，금속학적 베이스폭 ，활성 면적과 최대 허용 를 구
하라.
*12.60 상보적인 npn과 pnp 바이폴러 트랜지스터를 한 쌍을 설계하자. 트랜지스 터는 竹、
= 0. 7 5 (교의 금속학적 베 이 스 폭 과 ; =
/• 0.5 /x m 의 이미터 폭이다. 다음의 소수
캐리어 파라미터들을 각 소자에 인가한다고 가정하자.
 참고문헌 571

D n = 23 c m 2/s r n = 1 0-7 s
Dp = S c m 2/s Tp = 5 X 1 0_ 8 s

각 소자에서 컬렉터 도핑농도는 5 x 1 015 c m _ 3 이고，각 소자에서 재결합 인자 8 =

0. 9 9 5 0 으로 일정하다. (a ) 가능하다면 각 소자에서 단 = 1 00이 되도록，소자를 설계
하라. 그리고 불가능하다면 어느 정도 가깝게 부합시킬 수 있는가? (b ) 인가한 동일
순방향 바이어스의 베이스-이미터 전압으로 컬렉터 전류가 저주입에서 동작하는
각 소자와 함께 /e = 5 m A 이 된다. 활성 단면적을 구하라.

^ •고 문 헌 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. D i m i t r i j e v , S. P rin c ip le s o f S e miconductor D evic e s. N e w Y o r k : O x f o r d U n iv e r s it y ,
2006.
2. H u , C . C . M o d e rn S e miconductor D e vic e s f o r In t e gra t e d C irc u its . U p p e r S a d d l e R i v e r,
N J : P e a rs o n P r e n tic e H a ll, 201 0.
3. K a n o , K . S e miconductor D e vic e s. U p p e r S a d d l e R i v e r, N J : P r e n tic e H a ll, 1 998.
4. M u l l e r , R . S ., a n d T . I. K a m in s . D e vic e E le ctro nic s f o r In t e gra t e d C irc u its . 2 n d e d.
N e w Y o r k : J o h n W il e y & S o n s, 1 986.
5. N a v o n , D . H . S e miconductor M icro d e vic e s a nd M a t e ria ls . N e w Y o r k : H o lt, R in e h a rt,
& W in s t o n , 1 986.
6. N e u d e c k , G . W . The B ip o l a r Ju n ctio n T ra n sistor. V o l. 3 o f th e M o d u l a r S eries on S o lid
State D evic e s. 2 n d e d. R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y , 1 989.
7. N g , K . K . C omple te G uid e to S e miconductor D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 995 .
8. N i n g , T . H . ，a n d R . D . Is a a c. “ E f f e c t o f E m it t e r C o n t a c t o n C u rr e n t G a in o f S ilic o n
B i p o l a r D e v ic e s . ” P o ly s ilic o n E m itt e r B ip o l a r Tra nsistors, e ds. A . K . K a p o o r a n d D . J.
R o u ls t o n . N e w Y o r k : I E E E P re ss, 1 989.
9. P i e rr e t, R . F . S e miconductor D e vic e F und a m e nta ls. R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y ,
1 996.
1 0. R o u ls t o n , D . J. B ip o l a r S e miconductor D e vic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 990.
11. _ _ _ _ _ _ _ . A n In tro d u c tio n to the P hysics o f S e miconductor D evic e s. N e w Y o r k : O x f o r d
U n i v e r s it y P re s s, 1 999.
*1 2 . S h u r, M . G a As D e vic e s a nd C irc u its . N e w Y o r k : P l e n u m P re ss, 1 987 .
1 3. _ _ _ _ _ _ _ . In tro d u c tio n to E l e c tro n ic D evic e s. N e w Y o r k : J o h n W i l e y & S o n s, In c . , 1 996.
*1 4 . _ _ _ _ _ _ _ . P hysics o f S e miconductor D evic e s. E n g l e w o o d C l if f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 990.
1 5. S in g h , J. S e miconductor D e vic e s: A n In tro d u c tio n . N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 994.
1 6. _ _ _ _ _ _ _ . S e miconductor D e vic e s: B a sic P rin ciple s . N e w Y o r k : J o h n W il e y & S o n s, In c . ,
2001 .
1 7. S tr e e tm a n , B . G . ，a n d S. K . B a n e rj e e . S o lid State E l e c tro n ic D e vic e s, 6 t h e d. U p p e r
S a d d l e R i v e r, N J : P e a rs o n P r e n tic e H a ll, 2006.
1 8. S z e, S. M . H igh-S p e e d S e m iconductor D e vic e s. N e w Y o r k : J o h n W il e y & S o n s, 1 990.
1 9. _ _ _ _ _ _ _ . a n d K . K . N g . Physics o f S e miconductor D evic e s, 3 rd e d. H o b o k e n , N J : J o h n
W i l e y & S o n s, In c . , 2007 .
2 0. T i w a r i, S” S. L . W r i g h t, a n d A . W . K l e in s a s s e r. “ T r a n s p o rt a n d R e l a t e d P ro p e rti e s o f
( G a , A l) A s /G a A s D o u b l e H e t e r o j u n c t io n B i p o l a r J u n c tio n T r a n s is to rs . ” I E E E
Tra ns a ctions on E le ctro n D e vic e s, E D -3 4 ( F e b ru a ry 1 9 87 ) ，p p. 1 85 -1 87 . *

*표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

572 Chapter 1 2 바이폴러 트랜지스터

*2 1 . T a u r, Y . a n d T . H . N i n g . F und a m e nta ls o f M od e rn V L S I D e vic e s, 2 n d e d. C a m b rid g e

U n i v e r s it y P re s s, 2009.
*2 2 . W a n g , S. F und a m e nta ls o f S e miconductor T h e ory a n d D e vic e Physics. E n g l e w o o d
C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 989.
*2 3 . W a rn e r, R . M . J r., a n d B . L . G ru n g . T ra n sistors: F und a m e nta ls f o r th e Inte gra te d-
C irc u it E ngin e er. N e w Y o r k : J o h n W il e y & S o n s, 1 983.
2 4. Y a n g , E . S. M icro e l e c tro n ic D evic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H i l l, 1 988.
*2 5 . Y u a n , J. S. S i G e , G a As, a nd In P H e t e roju n ctio n B ip o l a r Tra nsistors. N e w Y o r k : J o h n
W il e y & S o n s, In c . , 1 999.
 •
山
.
L
o.
<
•
•

접합 전계효과 트랜지스터

접합 전계효과 트랜지스터(Junction Field-Effect Transistor 표 데 는 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 의 개

별 적 인 분 류 이 다 . MOSF ET는 1 장 과 1 1 장 에 서 고 려 하 였 다 . 이 장 에 서 는 … 타 의 물 성 과 특 성 을

다 룬 다 . 비 록 앞장에 서 MOS와 바이폴러 트 랜 지 스 터 를 논 의 하 였 지 만 , 이 장에서 물 질 은 오직 반 도

체 물질적 성 질 과 pn과 쇼 트 키 장벽 접 합 의 특 성 에 관 한 지 식 을 추 정 한 다 .

앞 장에서 언 급 한 트 랜 지 스 터 와 같이 JFET는 다 른 회 로 소 자 와 결 합 하 여 , 전 압 이 득 과 신 호 전

력이 득 을 구 할 수 있다. 다시, 기본적인 트랜지스터 동 작 은 소자의 다른 두 단자에 인가하는 전 압

에 의 한 한 단 자에서 전 류 의 제 어 이 다 .
여 기 에 는 JF ET의 두 가지 일 반 적 인 구 분 이 있 다 . 첫 번 째 가 pn 접 합 F ET, 혹 은 pn JF ET이

고, 두 번 째 는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터( Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor

MESF ET)이 다 . pn JF ET는 pn 접 합 으 로 제 작 하 고 , MESF ET는 쇼 트 키 장벽 정 류 성 접 합 을 이 용
하여 제 작 한 다 . ■

13. 0 개설

이 장에서 다음 을 토 의 할 것이다.
■ 기 학 구 조 를 제 시 하 고 ，pn J F E T 와 M E S F E T 소자의 기 본적 인 동 작 을 논의한다.
■ 채널에 수 직 면 인 전계에 의 한 J F E T 의 채널 컨덕턴스의 변 조 를 분 석 한 다 . 변 조 하
는 전 계 는 역 방 향 으 로 인가 한 pn 접합，혹 은 역 방 향 으 로 인가 한 쇼트키 장벽 접합
의 공 간 전 하 영 역을 유 기시킨다.
■ 소자의 반도체 물 질 과 기하학적 특성에 의해 J F E T 의 이 상 적 인 전 류 -전 압 특 성 을
유도한다.
■ J F E T 의 전류이득, 혹 은 전달 컨덕 턴스를 고려한다.
■ 채 널-길이 변 조 와 속 도 포 화 효 과 를 포 함 한 J F E T 에서 몇 가지 의 비 이상적 인 효 과
를 논의한다.
■ 소자에서 소신 호 전류 와 전압에 관 련 되 는 J F E T 의 소신 호 등 가 회 로 를 전개한다.
573
57스 Chapter 1 3 접합 전계효과트랜지스터

■ J F E T 의 주 파 수 응 답 과 제한에 영 향 을 미 치는 다 양 한 물리 적 인 인 자를 조 사 하 고 ，
차 단 주 파 수 표 현 식 을 유도한다.
■ H E M T 라 불 리 는 특 별 한 J F E T 의 기학학적 구 조 와 특 성 을 제시한다.

13. 1 J F E T 개념

전 계 효 과 현상의 개념은 최초로 제 안 한 고체상태 트랜지스 터의 기초였다. 1 920년 대와

1 930년 대의 특 허 분 야 는 그림 13.1 에 나타낸 트 랜 지 스 터 를 구 상 하 고 연구하였다. 전압
을 금 속 판 에 인가하여 금 속 아래 반도체의 컨 덕 턴 스 를 변 조 시 키 고 옴 (저 항 성 ) 접 촉 사
이의 전 류 를 조 절 하 였 다 . 양 호 한 반도체 물 질 과 공 정 기 술 을 그 당시 에는 이 용 할 수 없
었으며 ，따라서 소 자 는 1 950년 대 이 전 까 지 는 심각하게 고려하지 않았다.
반도체 표면에 수 직 으 로 인가한 전계로 반도체의 컨 덕 턴 스 가 변 조 하 는 현 상 을 필드
효 과 라 부 른 다 . 트 랜 지 스 터 의 이런 형 태 는 다 수 캐 리 어 인 한 가지의 캐리어만이 동 작
에 관 여 한 다 는 것 을 강조하기 위해서 또 한 단극성 트 랜 지 스 터 라 부 른 다 . 이 절에서 정
성 적 으 로 J F E T 의 두 가지 형태의 기 본 적 인 동 작 을 토 의 를 하 고 J F E T 용어 의 일부 를
소 개 할 것이다.

1 3. 1. 1 기본적인 pn J F E T 동 작

전 계 효 과 트 랜 지 스 터 의 첫 번째 형 태 는 pn 접합 전 계 효 과 트랜지스터 또 는 pn J F E T 이
다. 대 칭 적 인 소 자 를 간 략 화 한 단면이 그림 1 3.2에서 보 여 준 다 . 채널로서 알 려 진 두 p
영역 사이의 n 영 역 은 이 n-채널 소 자 에 서 다 수 캐 리 어 인 전 자 는 소 스 와 드 레 인 단 자
사이에 흐른다. 소 스 는 외부회 로 에 서 부 터 캐 리 어 가 채널로 들 어 가 는 단 자 이 고 , 드레인
은 캐 리 어 를 소자로부터 끌 어 들 이 는 단 자 이 며 ，게 이 트 는 조절 단자이다.
그림 1 3.2에 보 여 준 상 하 두 게이트 단 자 는 하나의 게이트 접속 을 형성하기 위해 서
로 연결한다. n -채널 트랜지스터 내에서 전도에 우 선 적 으 로 다수 캐리어인 전 자 가 관련

게이트

그림 1 3 .1 L ili e n f e id 트랜지스터의 이상화 그림 1 3 . 2 대칭적인 n -채널 pn 접합 FET 의

(Pierret[1 0] 참조) 단면도
하므로, J F E T 는 다 수 캐리어 소자이다.
상 보 P-채널 J F E T 는 n -채널 소자의 영역에 반 대 인 p 영 역 과 n 영 역 으 로 제 조 할 수
있다. 정 공 은 소 스 와 드 레 인 사이 의 P-채 널 로 흐 르 며 ，소 스 단 자 는 정 공 을 공 급 하 는
원 천 이 다 . P-채널 J F E T 에서 전 류 방 향 과 전 압 극 성 은 n -채널 소 자 와 반 대 이 다 . p -채널
J F E T 는 낮 은 정 공 이 동 도 때문에 n -채널 J F E T 보 다 일 반 적 으 로 더 낮 은 주 파 수 소 자
이다.
그림 1 3.3 a 는 게이트에 영 볼 트 를 인가 한 n -채널 pn J F E T 를 보 여 준 다 . 만 약 소 스 가
접지 전 위 이 고 낮 은 양의 드레 인 전 압 을 인 가 한 다 면 드레 인 전류 /D는 소 스 와 드레 인
단 자 사이 에서 생 성 한 다 . n -채 널 은 본 질 적 으 로 저항이어서 그림에서 보 여 주 는 것처럼
낮은 값의 경우에 1 D 대 특 성 은 거의 선형적이다.
소 스 와 드레인에 대해 pn J F E T 의 게이트에 전압 을 인가할 때 채널의 컨덕턴스가 바

v s=

「 _ _ _ JJ
S ----------- < ■ ~°

if P+ ll

v G5 =

그림 1 3 . 3 (a) 영 게이트 전압, (b) 낮은 역 바이어스시킨 게이트 전압，(c) 핀치오프에 도달하기 위한

게이트 전압과 낮은 VDS 값에 대한 /-V 특성과 게이트-채널간 공간 전하 영역
576 Chapter 1 3 접합전계효과트랜지스터

뀐다. 만약 그림 1 3.3에 보 여 준 n -채널 pn J F E T 의 게이트에 음의 전압을 인가한다면 게

이 트 와 채널 사이 pn 접합 은 역방향 바 이 어 스 로 인가된다. 이때 공 간 전 하 영역 은 넓어
지 고 ，따라서 채 널 영 역 은 좁 아 지 며 ，n -채널의 저 항 은 증 가 한 다 . 낮 은 의 경 우 ，/대
VDS 곡선의 기 울 기 는 감 소 한 다 . 이 러 한 효과들이 그림 1 3.3b 에서 보 여 준 다 . 만 약 보 다
높 은 음의 게 이 트 전 압 을 인가하면 그림 1 3.3c 에 보 여 준 조 건 을 달 성 할 수 있다. 역방
향 으 로 인가시킨 게이트에서 채널 사이 공 간 전 하 영역은 완전히 채 널 영 역 을 채 우 고 있
다. 이 러한 상 태 를 핀 치 오 프 (p in c h o ff ) 라 한다. 핀치오프에서 드레인 전 류 는 공핍영역이
소 스 와 드레인 단 자 를 격리시키기 때문에 본 질 적 으 로 는 영이다. 그림 1 3.3c 는 이 경우
뿐 만 아니 라 다 른 두 경우의 / D 대 곡 선 을 보여준다.
채널 내에서 전류는 게이트 전압으로 조 절 한 다 . 소자의 다른 부분의 전 압 으 로 한 부
분의 전 류 를 제 어 하 는 것이 기본적 인 트 랜 지 스 터 동 작 이 다 . 이 소 자 가 정상동작 또 는
공 핍 모 드 (d e ple tion m od e ) 소 자 이 며 ，이것 은 소 자 를 차단하기 위해 게이트 단자에 전압

을 인가해야만 한 다 는 것을 의 미한다.
지금 게이트 전압 을 영 볼 트 로 고 정 하 고 ( V GS = 0) 드레인 전압이 변 하는 상 태 를 고
려하자. 그림 1 3.4a 는 영의 게 이 트 전 압 과 낮 은 드 레 인 전압에 대 한 그림 1 3.3a 의 반복
이다. 드레인 전 류 가 양( + ) 으로 증 가 할 때 게 이 트 -채 널 사이 pn 접합은 드레인 단 자 근
처 에 는 역 방향 바 이 어 스 가 증 가 되 어 서 ，공 간 전 하 영 역은 채널 안 으 로 더욱 더 확 장 한
다. 채 널 은 본 질 적 으 로 저 항 기 이 고 유 효 채 널 저 항 은 공 간 전 하 영역이 넓 어 짐 에 따 라
증 가한다. 그 러 므 로 I D 대 특성의 기울기는 그림 1 3.4b 와 같이 감 소한다. 따라서 유
효 채널 저 항 은 채널 길 이 를 변 화 시 키 고 ，채 널 전 류 는 일 정 해 야 하기 때문에 채 널 을 통
한 전압 강하 는 위치에 따 라 변한다.
만 약 드 레 인 전 압 을 더욱 증 가 시 키 면 그림 1 3.4c 에서 보 여 준 상 태 를 초 래 할 수 있
다. 채 널 은 드 레인 단자에서 핀 치 오 프 된다. 드레인 전압이 계속 증 가 해 도 드 레 인 전류
의 증 가 는 더 이상 일어 나지 않는다. 이 상태 에 대 한 /-。 특성 또 한 이 그림 에서 보여 진
다. 핀 치 오프에서의 드레 인 전 압은 V DS( sat)로 언 급한다. VDS > V D5(sat) 경우 트 랜 지 스
터는 포화영역에 있다고 하 며 ，이 러 한 이상적인 경 우 에 는 드레인 전 류 는 V os에 독립적
이다. 얼핏 보 기 에 는 채널이 드레인 단 자 근처에서 핀 치오프 될 때 드레인 전류 가 영일
것으로 예상한다. 하 지 만 왜 이것이 전류가 영이 아 닌 지 를 설명하겠다.
그림 1 3.5는 채널에서의 핀 치오프 영역을 확 대 한 그 림 을 나 타낸다. 길이 A L 을 갖는
공 간 전 하 영역 은 n -채 널 과 드 레 인 단 자 를 분 리 시 킨 다 . 전 자 는 소 스 에 서 부 터 n -채 널 을
통해서 이 동 하 고 ，전계 힘에 예속된 공 간 전 하 영 역 으 로 주 입되어 전 자 가 드 레 인 접촉
면으로 끌려 들어간다. 만약 A 스 « 스이라고 가정하면 n -채널 영역에서 전계는 Vz«( sat)
의 전계로부터 변화하지 않고 남 아 있다. 드 레 인 전 류 는 가 변 화 해 도 일 정 할 것이
다. 일단 캐 리 어 가 드 레 인 영역에 주 입 되 면 드 레 인 전 류 는 에 독 립 적 이 될 것이다.
그래서 소 자 는 일정한 전류원 같이 보인다.
 1 3.1 JFET 개념 577

^5 = °

h)
(+ )∼
，

^ G5 =
(a)

충 전하 는
° (++)^D5 채널
저 항성 분

^5 =
(b)

yGS=
O

_ 1 一— g ! _ 一 ) i ♦ 느 ' z， ， 포화
S n 니 >------------ (+ + + )V D5 /
一 If / 영역
，「 一 F ~ ) ! /
V s

^ G5 =
(C )

그림 1 3.4 (a ) 낮은 드레인 전압, (b) 높은 드레인 전압，( C ) 드레인 단자에서 핀:지오프에 도달하기 위
한 드레인 전압에 대해서와 영 게이트 전압에 대해서 /-V 특성과 게이트-채널 간 공간 전하 영역

∼ =
Q

V노 (sat) ■

VdS〉 ^D5(sat)
---------O

P+ —

^05 = °
— L --------

그림 1 3 . 5 〉 V s(Sat)에 대한 채널에서 공간 전하
영역의 확장 모양
578 Chapter 13 접합 전계효과트랜지스터

13. 1. 2 기본적인 MESFET 동작

접 합 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 의 두 번째 형 태 는 M E S F E T 이다. p n 접합 F E T 에서 게이 트
접합 은 쇼 트 키 ( S c h o t t k y ) 장벽의 정 류 성 접촉으로 대체한다. 비록 M E S F E T는 실 리콘으
로 도 제 조 할 수 있지만 ，일반적으로 갈 륨 비 소 또 는 다 른 화 합 물 반도체 재료 를 주 로 사
용한다. G aAs M E S F E T의 간 단 한 단 면 도 가 그림 1 3.6에 나 타 나 있다. G a A s의 얇은 에
피텍셜 층 을 활 성 영 역 으 로 사 용 한 다 . 기 판 은 반절 연 기 판 으 로 알 려진 매 우 높 은 저항
도의 G aAs 물질이다. G a A s 는 1 09 O -c m 만 큼 높 은 저 항 도 를 갖 는 반 절 연 체 로 만들기
위해 에너지 밴드갭의 중심 가까이에 억셉터처럼 거 동 하 는 크 롬 ( C r ) 을 의 도 적 으 로 도
핑한다. 이 런 소자들의 장 점 은 높 은 전자 이동도에 의 한 짧 은 주 행 시 간 과 보 다 빠 른 응
답 ，즉 반절연 체 G aAs 기 판 으 로 기생 커패시턴스의 감 소 와 단 순 한 제조공정의 결과 를
가져온다.
그림 1 3 .6에 보여준 M E S F E T 에서 역 방 향 으 로 인 가시킨 게 이 트 -소 스 전 압 은 pn 접
합 F E T의 경우처럼 채널 컨 덕 턴 스 를 변 조 시 키 는 금 속 게이트 아래에 공 간 전 하 영역을
유 기 시 킨 다 . 만 약 인 가 한 음 의 게이트 전압이 충분히 크 다 면 ，공 간 전 하 영 역 은 결국 기
판까지 도 달 할 것이다. 이 조 건 을 핀 치 오 프 라 고 한다 . 이 그림에서 보 여 준 소 자 는 게이
트 전압이 채 널 을 핀 치 오 프 시키기 위해 인 가 하 여 야 하기 때 문 에 ，역시 공핍 모 드 소자
이다.
만 약 진 성 물 질 로 서 반절 연 기 판 을 취 급 하 면 기 판 -채 널 -금 속 구조의 에 너 지 밴 드 다
이 어 그 램 은 게이트 에 인 가 한 영 바 이 어 스 의 경우인 그림 1 3.7 에 나타 낸 것 과 같다. 채
널 과 기 판 사 이 와 채 널 과 금 속 사 이 에 전위 장벽이 있기 때문에 다 수 캐 리 어 인 전자 는

옴 {저 항 성 ) 정류성 옴 <저 항 성 )
접촉 접촉 접촉

그림 1 3 . 7 n -채널 M E S F E T 에서 이상화한 기판-채널-금속의 에너지밴드 다이어그램

 1 3.2 소 자 특 성 579

게이트
vos = 0

n 채널

반절 연기 판

(a)

V GS = V T VGS > VT

(b) (c)

그림 1 3 . 8 (a) 7 CS = 0, (b) V GS = VT, (c) V況 > 다인 경우에서의 증가모드 M E S F E T 의 채

널 공간 전하 영역

채널 영역에 갇히게 된다.

지 금 채널이 = 0에서 핀 치 오 프 가 일 어 나 는 또 다 른 형태의 MESFET를 고려
해 보 자 . 그림 1 3.8a는 채널의 두 께 가 영 바 이 어 스 인 공 간 전 하 폭 보 다 더 작 은 경 우 를
보 여 준 다 . 채 널 을 열기 위해서 공핍 영역은 감 소 하 여 야 만 한다. 순 방 향 바 이 어 스 전압
을 게 이 트 -반 도 체 접 합 에 인 가 하 여 야 만 한 다 . 낮 은 순 방 향 전 압 을 인 가 할 때 그림
1 3.8b에 보 여 준 문턱(threshold)이 라 알 려 진 조 건 -공 핍 영 역 은 채 널 을 통 해 서 만 오직
확 장 한 다 . 문턱 전 압 은 핀 치 오 프 상 태 를 만들기 위해 인 가 해 야 만 하 는 게 이 트 -소 스 의
전 압 이 다 . 이 n-채널 MESFET어1 대 한 문 턱 전 압 은 n-채널 공핍 모드에 대 한 음의 전압
과 대 조 적 으 로 양의 전 압 이 다 . 만 약 더 큰 순 방 향 바 이 어 스 를 인가하면 채 널 영 역 은 그
림 1 3.8c 에 보인 것처럼 열린다. 인가 한 순 방 향 바이어스 의 게 이 트 전압 은 중 요 한 게이
트 전 류 가 흐르 기 전에 수십 분의 1 볼 트 까 지 제 한 한 다 . 이 소 자 가 n -채널 증 가 모 드
MESFET로 알려 져 있다. 증 가 모 드 p-채 널 MESFET와 증 가 모 드 pn 접 합 FET는 같이
제 작 할 수 있다. 증 가 모 드 MESFET의 장 점 은 회로 에서 게 이 트 와 드 레 인 의 전 압 극성
을 동 일 하 게 설 계 할 수 있다는 것이다. 그 러 나 출 력 전 압 진 폭 은 이런 소 자 들 에 비해서
매우 작다.

13. 2 소 자 특 성

J F E T 의 기본 전기적 특 성 을 설명하기 위해 먼저 일정하게 도 핑 한 공 핍 모 드 pn J F E T 를

고 려 할 것이며 , 증 가 모 드 소 자 를 논 의 할 것이다. 핀 치 오 프 전 압 과 드 레인 소 스 간 포 화
전압 을 정의하 고, 이 러 한 파라미 터의 표 현 식 을 기하학적 구 조 와 전기적 성질로부터 유
5 80 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

h \
금 속 ^ ^
、’ Z)2 = 2//)
/ !
盤 務 獨
, D1 반절연 기관

(a) (b)

그림 13.9 (a) 대칭적인 양면 pnJFET와 (b) 한면 MESFET의 드레인 전류

도 할 것이다. 이상적인 전 류 -전 압 관 계 를 유 도 하 고 전 달 컨 덕 턴 스 , 또 는 트 랜 지 스 터 이 득
을 전개 할 것이다.
그림 1 3.9a 는 대 칭 적 인 양면 pn J F E T 를 보 이 며 ，그림 13.9b는 반 절 연 기 판 을 갖 는
M E S F E T 를 보 인 다 . 양면 소 자 를 병 렬로 연 결 한 두 J F E T 로 간 단 하 게 고 려 함 으 로 써 두
소자에 대한 이상적 인 D C 전 류 -전 압 관 계 를 유 도 할 수 있다. 양면 소자에서 드 레 인 전
류 는 I D2 = 2 /D1 일 수 있도록 /이 에 의해서 /-V 특 성 을 유 도 한 다 . 이상적인 경우에서 한
면 소자의 기판에서 어떠 한 공핍 영 역도 무시한다.

13. 2. 1 내부 편치오프 전압，띤 치오프 전압■과 드레인-소스 포화 전압

n - 채널 pn JFET 그림 1 3.1 0a 는 간 단 화 한 한면 n -채널 pn J F E T 를 보 인 다 . p + 게이 트

영 역 과 기 판 사이의 금 속 학 적 채 널 두 께 는 «이 고 ，한 면 p + n 접합의 유기 공 핍 영 역 폭
은 스이다. 드 레 인 -소 스 전 압 은 영(0)으 로 가정한 다 . 만 약 계단형 공핍 근 사 로 가정하 면
공 간 전하 폭 은 다 음 과 같다.

h \ 2 e s ( V b, - V Gsn n ( 1 3 .1 )
eN d

여 기 에 서 는 게 이 트 -소 스 의 전 압 이 고 V노는 내 부 (built-in) 전 위 장벽이다. 역 방 향 으

로 인가시킨 P + n 접합에 대해서， 는 음 전 압 이 어 야 한다.
핀치오프에서 h = 이고，p + n 접합 을 가 로 지 르 는 전체 전위 는 내부 핀 치 오 프 전압
이 라 부 르 고 ，V%로 표기 하며 다음 식을 가진다.

v as

(a)

그림 1 3 . 1 0 간략화한 (a) n -채널，(b) p -채널 p n J F E T 의 기하

 1 3.2 소 자 특 성 5 81

_ [2 e y 시 1/2 (1 3.2)
— TeN T.
또는

ea2 Nd
Vp (1 3.3)
1

내부 핀 치오프 전압 은 양의 값 으 로 정 의하는 것을 주의하라.

내부 핀 치 오 프 전압 는 핀치오프에 도달하기 위 한 게이트 -소 스 의 전압이 아니다.
핀치오프에 이르기 위해 인 가 해 야 만 하 는 게 이 트 -소 스 전압 은 핀 치오프 전압으로 묘 사
하 고 ，또 한 다양하게 턴 -오 프 (turn -o f f ) 전압 혹 은 문턱(thre shold ) 전압으로도 부른다. 핀
치오 프 전압 은 로 표 기 하 고 식 (1 3.1 )과 (1 3.2)로부터 다 음 과 같이 정의한다.

Vbi — 。 = V。 혹은 Vp = Vbi - y^o (1 3 . 4 )

n -채널 공 핍 모 드 J F E T 에서 핀 치 오 프 에 이르기 위 한 게 이 트 -소 스 전 압 은 음 이 다 . 그래

서 v P > v y 기다.

I 목적 I n -채널 J F E T 의 내부 핀치오프 전압과 핀치오프 전압을 계산한다. W O R W

T = 300 K 에서 일정하게 도핑한 실리콘 n -채널 J F E T 의 p + n 접합이 도핑농도를 & =
1 018 c m -3과 八~ = 1 016 c m -3이라 가정하자. 금속학적 채널 두께 a 는 0.7 5 /j l iu = 0.7 5 x

1 0-4 c m 라 가정하자.

내부 핀치오프 전압은 식 (1 3.3)에서 주어졌으므로 다음 식을 얻는다.

_ e산 Nd _ (1 . 6 X 1 0 ^ X 0 7 5 X 1 - 4) 2( 1 0 내) =
26., 2 (1 1 . 7 )(8 . 8 5 X 1 0~ 14) 시 사

내부 전위 장벽은 다음 식이다.

Vm = V, In = (0.025 9) In [ ■ 꼿분흉]= -81 4 V

식 (1 3.4)로부터 핀치오프 전압은 다음과 같은 값이다.

Vp = Vbi - Vp = 0. 8 1 4 - 4 . 3 5 = -3 . 5 4 V

■
n -채널 공핍모드 소자의 경우 핀치오프 전압，혹은 핀치오프에 이르기 위한 게이트-소스 전
압은 이미 설명했듯이 음의 값이다.

연습문제
Ex 1 3.1 T = 3 00 K 에서 실리콘 n -채널 J F E T 가 /、 = 1 018 c m -3 의 게이트 도핑농도와
5 82 Chapter 1 3 접합 전계효과트랜지스터

== 2 x 1 16 c m -3을 가진다. 핀치오프 전압 Vp = -2 .5 0 V 가 되도록 금속학적 채널 두께 a

를 결정하라. (u때 f 9 V 0 = 田 'suy )

핀치오프 전압은 JF E T를 차 단 시 키 기 위해서 인 가 해 야 하 는 게 이 트 -소 스 전 압 이 고 ，

그래서 회로 설계의 전압 범위 내에 있어야 한다. 핀 치 오 프 전압의 크 기 는 접합의 항복
전 압보다 작 아 야 만 한다.

p - 채널 pn JFET 그림 1 3 . 1 0b 는 고려한 n - 채널 J F E T 로서 같 은 기 본 적 인 기하학적 구

조 를 가진 P -채널 J F E T 를 보 여 준 다 . 한면 n+p 접합에 대해서 유기 공핍 영 역 을 h 로 다
시 표기하면 다 음 식과 같다.

h \2 e s(Vbl + V s ) ^ (1 3 . 5 )
. eNa .

역방향으로 인가한 n+ p 접합의 경우，가;s는 양 이 어 야 한다. 내부 핀 치 오 프 전 압 은 h =

일 때가 되 도 록 핀 치 오 프 가 되기 위 한 전체 pn 접합 전압인 것으로 정 의 하 며 ，다 음 식
을 갖는다.

2내 시 1，2
(1 3 . 6 )
~ ^ N7 .

혹 •은 •

ea2 Nq
(1 3 . 7 )
vv

P-채널 소자에 대 한 내부 핀치오프 전압은 역시 양의 값이 되는 것으로 정의한다.

핀 치 오 프 전 압 은 핀 치 오 프 조 건 을 이루기 위 한 게 이 트 -소 스 전 압 으 로 다시 정 의 한
다. P -채널 공 핍 모 드 소자의 경우，식 ( 1 3 . 5 ) 로부터 핀치오프에서 다 음 식을 갖는다.

Vbi + VP = V„ 0 혹은 가 = V p - Vb, (1 3 . 8 )

P -채널 공핍 모 드 JF E T에 대한 핀치오프 전압은 양의 값이다.

_ 주어진 핀치오프 전압을 이루기 위한 채널 도핑농도와 금속학적 채널 두께를 설계

한다.
T = 300 K 에서 실리콘 p -채널 p n J F E T 를 고려하자. 게이트 도핑농도는八상 = 1 0l 8 c m ' 3

이라고 가정하자. 핀치오프 전압이 Vp = 2 .2 5 V 가 되도록 채널 도핑농도와 채널 두께를 결

정하라.

풀이
이 설계 문제에는 유일한 풀이만 있는 것은 아니다. N a = 2 X 1 0 16 c m _ 3의 채널 도핑농도를
택 해 서 채 널 두 께 를 결 정 할 것이 다 . 내 부 접 촉 전위 장 벽 은 다 음 식 이 다 .

V6i = K In ( 쓸 ) = (0.025 9) In [ 목 습 뽑 |가 = 0.832 V

식 (1 3.8)로부터 내부 핀치오프 전압은 다음 값이어야만 한다.

Vpo = Vbi + VP = 0.832 + 2.25 = 3.08 V

식 (1 3.6)으로부터 채널 두께는 다음 값으로 결정할 수 있다.

Vp 1/2 2(1 1 .7 )(8.85 X 1 -' 4)(3.08)1

eNa (1 .6 X 1 0_ 19)(2 X 1 016) .

C H )
만약 선택한 채널 도핑농도가 높다면 요구한 채널 두께는 감소할 것이다. 채널 두께가 매우
작은 값은 적당한 허용 한계 이내에서의 제조는 어려울 것이다.

연습
Ex 1 3.2 T = 3 00 K 에서 균일하게 도핑한 실리콘 p - 채널 J F E T 의 n + p 접합이 Nd = 1 018

c m -3의 게이트 도핑 농도와 = 1 016 c m -3의 도핑농도를 가진다. 금속학적 채널 두께 a

= 0. 4 0 나m 이다. JF E T의 내부 핀치오프 전압과 핀치오프 전압을 결정하라.
(A ZZV0 = dA ‘A 9e n = dA .S U V)

또 한 ，채널 도 핑 농 도 가 더 낮다면 소자의 전류 능 력 은 감 소 한 다 는 것을 다음에 보일

것이다. 거기 에는 어떤 설계 문제에서 고 려 해 야 할 명 확한 교 환 조건들이 있다.
드 레 인 -소 스 전압이 영 볼트일 때 n -채 널 과 p -채널 J F E T 양쪽에 대해 핀 치 오 프 전압
을 결 정 한 다 . 지금 게 이 트 와 드레 인 양쪽에 전 압 을 인 가 한 경 우 를 고 려 하 자 . 공핍영역
폭 은 채 널 을 통 과 하 는 길이에 따 라 변 할 것 이 다 . 그림 1 3.1 1 은 n -채널 소 자 에 대해 간
.와 V GS의 함 수 이 지 만 드
략 화 한 기하학적 모 양 을 보 인 다 . 소 스 끝에서 공핍 폭 h ' 은 、 ，
레 인 전압의 함 수 는 아니 다. 드레 인 단자에서 공핍 폭 은 다 음 식으로 주어 진다.

= \2 eAVb i + VDs - V s) } ^ (1 3.9)

그림 1 3.1 1 n -채널 pn 접합 F E T 의 간략화한 기하구조

5 84 Chapter 1 3 접합전계효과트랜지스터

다 시 ，V es는 n -채널 소자의 경우 음의 값 이 라 는 것을 명 심 해 야 한다.

드레 인 단자에서 핀 치 오 프 는 h 2 = a 일 때 일어난다. 이 지점에서 포 화 조 건 이 라 알
려진 핀치오프에 도달한다. 그 래서，VDS = V DS( sat) 이다. 그때

= '2 es( Vbi + V이(sat) - Vcs) ] ^

(1 3.1 0)
~ . Wd .

이것 은 다음 식 과 같이 다시 쓸 수 있다.

Vbi + V s(sat) - VGS = -^ = Vp( (1 3.1 1 )

-QT

V 5(sat) = … 一 ( Vb, - VGS) (1 3.1 2)

식 (1 3.1 2)는 드 레 인 단자 에서 핀 치 오 프 를 일 으 키 는 드 레 인 -소 스 전 압 을 나 타 낸 다 . 드
레 인 -소 스 포 화 전 압 은 역방향 바이어스의 게 이 트 -소 스 전압 증가에 따 라 감 소 한 다 . 만
약 I가닌 > 이 이 면 식 (1 3.1 2)는 의 미 가 없다는 것을 명 심 해 야 한다.
p -채널 J F E T 에서 전압 극 성 은 n -채널 소자의 극 성 과 반 대이다. p -채널 J F E T 에서 포

화 를 다음 식에서 보여준 다.

VSD( sat) = Vpo - ( Vbi + VGS) (1 3.1 3)

여기에서 소 스 는 드레인에 대하여 양이다.

1 3. 2. 2 이상적인 DC 전 류 - 전 압 관 계 一 공 집 모 드 jF E T

J F E T 의 이상적 인 전 류 -전 압 관계식의 유 도 는 다소 지루하고, 결과 식들도 손 계산으 로

도 성가신 것이다. 이 유 도 를 하기 전에 J F E T 가 포 화 영 역 으 로 바 이 어 스 를 인 가 할 때 I -
V 특성의 좋 은 근사식 인 아래의 표 현 을 고 려 하 자 . 이 식은 J F E T 응용에 광 범 위 하 게 사

용하며 다음 식으로 주어 진다.

(1 3.1 4)
/ = 니 卜 농 )

여기에서 조d ss는 = 일 때의 포 화 전 류 이 다 . 이 절의 마지막에 서 식 (1 3.1 4)에 의해

주어진 근 사 식 과 유 도 한 이상적 전 류 -전 압 식 을 비 교 할 것이다.

卜 \/유 도 J F E T 의 이상적인 전 류 -전 압 관 계 식 은 옴(o h m )의 법칙에서 시작하여 유 도 한

다. 그림 1 3.1 1 에 보인 기하 구 조 를 갖 는 n -채널 J F E T 를 고 려 하 자 . 양면의 대 칭 기하 구
조 의 절 반 을 고 려 한 다 . 채 널 내 A•점 에 서 채 널 의 미 분 저 항 은 다 음 식 이 다 .

dR = ^ r (1 3.1 5)
A (x)

여기에서 P는 비 저 항 이 고 보江)는 단 면 적 이 다 . 만 약 n-채널에서 소 수 캐리어 정 공 을 무

시하면 채널 비저 항은 다음 식이다.

(1 3.1 6)
P e^ nNd

단 면 적 은 다음 식으 로 나타난다.

A (x) = [a — h(x)] W (1 3.1 7)

여기에서 …는 채널폭이 다. 식 (1 3.1 5)는 다 음 식 과 같이 쓸 수 있다.

— _ _ _ _ _ _ _ _ _ dx _ _ _ _ _ _ _ _ _
(1 3.1 8)
~ e finN d[a ~ h (x )] W

미분길이 쇼에 대한 미분 전 압 은 다음 식으 로 쓸 수 있다.

d V (x) = I D\ d R(x) (1 3.1 9)

여기 에서 드 레 인 전류 /D1 은 채 널 을 통 한 상 수 이 다 . 식 (1 3.1 9)에 식 (1 3.1 8)을 대 입 하

면, 다 음 식을 얻는다.

Ip i dx
dV(x) = (1 3.20a)
e ^ nN dW [a - h(x)]

혹:은

I D\d x = ejxnN dW [a — h(x)] d V(x) (1 3.20b )

공핍 폭 비지는 다 음 식으로 나타난다.

2e 가 ，
⑴ + 八 - 에 1/2
h(x) = (1 3.21 )
~ ~ eNd 1

여기에서 V(功는 드 레 인 -소 스 전압에 기인 한 채널에서의 전위이다. 식 (1 3.21 )에서 V( x )

로 풀 고 미분 을 하면 다 음 식을 얻는다.

d V (x) = eN上 ( $ d h (功 (1 3.22)

그러면 식 (1 3.20b)는 다 음 식이 된다.

I d ' dx = .세 ’ ") ^ [a h{x) d h(x) — h(x)2 d h(x)] (1 3.23)

5 86 Chapter 1 3 접합전계효과트랜지스터

드레 인 전류 /이 은 채널 길 이 를 따 라 식 (1 3.23)을 적 분 으 로 구 한 다 . 전 류 와 이동 도
가 채널에서 일정하다고 가정하면 다음 식을 얻는다.

_ tin ( eNd)2W phi phi

Zdi I a h dh — / h2dh (1 3.24)
€sL
,Jh' J hx

혹은

I d' = ^ [ f (변 ~ h \ ) - \ { h \ - h\) (1 3.25)

다 음 식을 주의하면서

느2 _ ^ s i^ D S + Kb/ — ^ Gs) (1 3.26 a)

2 eNd

九2 _ 2e5(Vw — V s) (1 3.26b )
1 e Nd

_ e a2N d (1 3.26c )
Vp =
2es

식 (1 3.25)는 다 음 식과 같이 쓸 수 있다.

, _ ^ n(.eNdy 노 _ 21 V ds + V„, _ V비 班 2 / n . ~ V 5\3/2 (1 3.27)

/ di 2^ L 3\ ^ ) 玄l ∼ |

다 음 식 과 같이 정의한다.

Ipi 공 ^ n( eNd) 2 Wa3 (1 3.28)

여기에서 / P1 은 핀치오프 전류라고 부른다. 식 (1 3.27)은 다음 식이 된다.

V dS + ^bi _ V gS
,Z)1 = Jp \
[3 獄 - 2
v> 3/2- ( V )1

식 (1 3.29)는 0 < IV G5I < \ Vp \, 그 리 고 0 드 VDS s V DS( sat ) 인 경 우 에 타 당 하 다 . 만 약

영 -전 압 을 인가시 킨 공핍 영 역을 무 시 하 거 나 ，혹 은 와 양쪽이 영 볼트이 면 ，J F E T
에서 핀 치오프 전류 /P1 은 최대 드레인 전 류 가 된다.
식 (1 3.29)는 비 포 화 영역에서 한 쪽 만 의 n -채널 J F E T 의 전 류 -전 압 관 계 이 다 . 그림
1 3.9a 에 보 여 준 양면의 대칭적 J F E T 의 경우 총 드레인 전 류 는 /02 = 2。 이 된다.
식 (1 3.27)은 또 한 다음 식 과 같이 쓸 수 있다.

hn = G i | y V 금: [( ^ 及
5 + Vw — V g s ) 2 먀一(Vbi ~ V s)3/' ] | (1 3 .3 0)

여기에서
 _ 卜 (e N dY W a3 _ e ii nN d Wa _ 3 /미
(13.31)
G 1= 2떠 = — ” ‘

채 널 컨 덕 턴 스는 다음 식으로 정의한다.

公,Z)1 (1 3.32)
gd = dVDS vDS->-o

V D5에 대해서 식 (1 3.30)을 미 분하면，다음 식 을 얻는다.

겄,D1 _ 1- v^ z 1 g s Y /2 (1 3.33)
8d = dVDS Vos-^-0 1 늚1

만약。，
•
와 V GS 양쪽 이 영 볼 트 라 면 ，G 01 은 채 널 의 컨 덕 턴 스 가 될 것 이 라 는 것 을 식
(1 3.33)으로 부터 주 의 하 자 . 만 약 채널 내에 공 간 전 하 영역이 존 재하지 않 는 다 면 이 조
건 은 존 재 할 것이다. 식 (1 3.33)으로부 터 채널 컨 덕 턴 스 는 게 이 트 전압에 의해 변조되
거나 제 어 된 다 는 것을 또 한 명 심 할 필요 가 있다. 이 채널 컨덕턴스 변조 가 전 계 효 과 현
상의 기본이다.
다음 식일 때 n -채널 J F E T 에 대해서 드레인이 핀치 오 프 가 일어나는 것을 보여준다.

VDS = V d s( sat) = Vp - ( Vbi - V GS) (1 3.34)

포 화 영 역에서 포 화 드레인 전 류 는 다 음 식이 되 도 록 식 (1 3.29)에서 V뇨 = VM ( sat)로

놓음으로써 결 정할 수 있다.

/ B1 = / ,(sat) = / „ { l - 3 [1 ( 1 3.35 )

이상 적인 포 화 드레 인 전류 는 드 레 인 -소 스 전압에 독 립 적 이 다 . 그림 1 3.1 2는 실 리 콘 n -
채널 J F E T 의 이상적인 전 류 -전 압 특 성 을 보인다.

그림 1 3.1 2 a = 1 .5 A im , W/L = 1 70, Nd = 2.5 X 1 015

c m _ 3의 실리콘 n -채널 J F E T 의 이상적인 전류-전압
특성 (Y a ng[22] 참조)
5 88 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

n -채널 J F E T 에서 최대 전류를 계산한다.

다음과 같은 변수를 갖는 T = 3 00 K 에서의 실리콘 n -채널 J F E T 을 고려하자. N a = 1 018

c m -3 , Nd = 1 016 c m 一 3, 公 = 0.7 5 사m , L = W /x m , = 30 사m , ! n = 1 000 c m 2/V -s .

顯田！
식 (1 3.28)로부터 핀치오프 전류는 다음 식이 된다.

, _ (1 000)[(1 . 6 X 1 0 -19) ( 1 0 16) ] 2 (3 0 X 1 0—4)(0. 7 5 X 1 0 -4) 3 _ A _ A

Ip i 6 (1 1 . 7 )(8 . 8 5 X l - 14) ( l X 1 0_ 4) m

또한 예제 13.1 로부터 V、 = 0.841 V ，Vp0 = 4.35 V 를 구하였다. 최대 전류는 = 0일

때 일어나며，식 (1 3.35)로부터 다음 값을 얻는다.

/ Di( m a x ) (13.36)

혹:은

0. 8 1 4
/ 이 ( m a x ) = (0. 5 2 2 ) s 1 — 3
4.35 / I V W 1H 0. 3 1 3 m A

■
J F E T 를 통과하는 최대 전류는 핀치오프 전류 /Pl보다 작다.

연습 문제
E x 1 3.3 Na = 1 018 c m 一3, Nd = 1 016 c m —3, a = 0.40 /u,m , L = 5 씨 n ，IV = 50 씨 n ， „
= 900 cm 2/V -s 의 파라미터를 갖는 n - 채널 실리콘 pn J F E T 를 고 려하자. VGS = 0에 대한
핀치오프 전류 /P1 과 최대 드레인 전류 / D1(sat)를 계산하라.
[벼 ZYZZ = (Jes) ,0/ LiZ'O = UI 'suy ]

이 예제에서 계산 한 최대 포 화 전류 는 폭에 대 한 길이 비율의 큰 차이 때문에 그림

1 3.1 2에서 보 여 준 것 보다 상당히 작다. J F E T 의 핀 치 오 프 전압을 한번 설계하면 채널 폭
，는 소자의 전류 능 력 을 결 정하는 일차적인 설계 변수이다.

요 약 손 계 산으로 식 (1 3.29)와 (1 3.35)를 사 용 하 기 는 다소 성 가시다. 포 화 영 역에서 드

레인 전류 는 다 음 식으로서 이 절의 앞부분에서 언 급한 식 (1 3.1 4)에 의해 좋 은 근사식
으 로 주어 진다는 것을 알 수 있다.

Id = I dss

전류 / m s 는 최대 드레 인 전류이며 식 (1 3.36)에서 / D 1( m a x )와 같다. 파라미터 V GS는 게

이 트 -소 스 전압이며 '는 핀 치 오 프 전 압 이 다 . n -채널 공 핍 모 드 J F E T 의 경우 와 Vp
는 둘 다 음 (-)이 며 ，P-채널 공 핍 모 드 소자의 경 우 는 둘 다 양( + ) 이다 . 그림 1 3.1 3은
 1 3.2 소 자 특 성 5 89

그림 1 3.1 3 포화 영역으로 바이어스시킨 JFET의

1 대 VGS 특성을 위한 식 (1 3 . 1 4 ) 와 (1 3 . 3 5 ) 의 비교

식 (1 3.1 4)와 (1 3.35) 사이의 비교를 나타낸다.

13. 2. 3 전 달 컨 덕턴스

전 달 컨 덕 턴 스는 JFET 의 트 랜 지 스 터 이 득 이 다 . 이 는 게이 트 전압이 드 레 인 전 류 를 결
정하 는 조 절 량 을 의 미 하 며 ，다 음 식으로 정의한다.

세 (1 3.37)

앞 절에서 유 도 한 이 상 적 인 드 레 인 전류에 대 한 표 현 식 을 사 용 하 면 전 달 컨 덕 턴 스 의
표 현 식 을 쓸 수 있다.
비 포 화 영역에서 n-채널 공핍 모 드 소자에 대한 드 레 인 전 류 는 식 (1 3.29)로 주 어 졌
다. 그래서 같 은 영역에서 트랜지스터의 전달 컨덕 턴 스 는 다 음 식 과 같이 결정 할 수 있
다.

a . = dI° l = — V S \ + ] _ | (1 3.38)
gmL avG5 匕 V
■ VP [ v l n ,-- VCJ +

가 작아 질 때 극 한 을 취하면 전달 컨덕턴스는 다 음 식이 된다.

∼ 3 Ip i V公 5
(1 3.39)
8m L= s^ ' y J v^ - Vas)

컨덕턴스 파라미터 G이에 의해서 또 한 식 (1 3.39)로 쓸 수 있다.

_ G i _____ ^5 __________
(1 3.40)
V W r ' ，이 )

JFET의 경우 포 화 영역에서 이상적인 드레인 전류 는 식 (1 3.35)에 의해 주어졌 다 . 그때

590 Chapter 1 3 접합전계효과트랜지스터

포 화 영역에서 전달 컨덕턴스는 다음 식으 로 밝혀진다.

1- Vb v J GS) ( n .41 a)

식 (1 3.1 4)에 의해서 주어 진 전 류 -전 압 근 사 법 을 사 용 함 으 로 써 다 음 식 과 같이 전달 컨

덕 턴스 를 쓸 수 있다.

^ = d 3.41 b )

가 n -채널 J F E T 의 경우는 음 { -)이 기 때문에，“ 는 양( + ) 이다.

H B iB S i 포화 영역으로 인가한 n-채널 공핍 모드 JF ET》 ] 최대 전달 컨덕턴스를 결정한다.

예제 1 3.3에서 설명한 실리콘 J F E T 를 고 려하자. I PX = 0.522 m A , Vbi = 0.81 4 V ，Vp0
= 4.35 V 로 계산하였다.

최대 전달 컨덕턴스는 = 0일 때 발생한다. 그래서 식 (1 3 . 4 1 a ) 는 다음 값으로 쓸 수 있

다.

“ m a x) = 는 ( 卜 V S = ^ (1 - V W ) = ° - 2 0 4 m A /V

■
포화 전달 컨덕턴스는 V GS의 함수이며 카;s = 일 때 영이 된다.

연습문제
E x 1 3 .4 연습 문제 E x 1 3 . 3 에서 서술한 n -채널 J F E T 의 최대 전달 컨덕턴스를 결정하라.
[A/VUI 6 r = (X ^UI)^§ -suy]

실 험적인 전달 컨덕 턴 스 는 소 스 직렬 저 항 성 분 으 로 기인해 이 이상적 표현으로부터

벗어날 수 있다. 이 효과 는 나중에 J F E T 의 소신 호 모델의 논의에서 고 려 할 것이다.

13. 2乂 MESFET

지금까지 의 논의 에서 pn J F E T 를 명 백하게 설 명 하 였 다 . M E S F E T 는 pn 접 합 을 쇼트키

장벽의 정류성 접 합 으 로 대 체 한 것을 제 외 하 고 는 pn J F E T 와 동 일 한 기 본 소 자 이 다 . 간
략 화 한 M E S F E T 의 기 하 구 조 는 그림 1 3.9b 에 나 타 나 있다. M E S F E T 는 보 통 갈 륨 비 소
로 제작한다. n -채 널 과 기판 사이에 존 재 할 수 있는 어떠한 공핍 영역도 무 시 할 것이다.
또 한 논 의 는 공 핍 모 드 소 자 로 제 한 하 였 고 ，여기에서 게 이 트 -소 스 전압은 트 랜 지 스 터 를
차 단 하 도 록 인가하였다. 기본적인 동 작 은 13 2절에서 거 론 하 였 고 증 진 모 드 G a A s
M E S F E T 도 만 들 수 있다. 또 한 증 진 모 드 G a A s pn J F E T 를 고려한다.
 G a A s 는 전자 이 동 도 가 정공 이동 도 보 다 훨씬 더 크기 때문에 n -채널 G a A s M E S F E T
나 J F E T 에 대해서 심도있게 설 명 을 할 것이다. 주 어진 식 (1 3.3)에 의해，내부 핀치오프
전압의 정 의 는 또 한 이런 소 자 에 도 동 일하게 적 용 된 다 . 증 가 모 드 J F E T 의 고려에서 문
턱 전 압 의 용 어 는 대 체 로 핀 치 오 프 전 압 대신에 사 용 한 다 . 이 러 한 이 유 로 M E S F E T 에
대 한 설명에서 문턱 전압의 용 어 를 사 용 할 것이다.
n-채널 M E S F E T 의 경우 문 턱 전 압 은 식 (1 3.4)로부터 다음 식으로 정의한다.

Vbi — VT = Vp 혹은 가 = Vbi — Vp (1 3.42)

n -채널 공핍 모 드 J F E T 의 경우 Vr < 0이며, 증 가 모 드 소자의 경우 다 > 0이다. 증가 모

드 n -채널 J F E T 에 대해서 Vbi > Vp0인 것은 식 (1 3.42)로부터 알 수 있다.I

I 목적 제시한 문턱전압을 얻기 위한 G a As M E S F E T 의 채널 두께를 결정한다.

T = 300 도에서 금 쇼트키 장벽접촉을 갖는 n -채널 G a As M E S F E T 를 고려하자. 장벽높
이 (f>B„ = 0.89 V 라고 가정하자. n -채널 도 핑 은 ~ = 2 x l 15 c m - 3이다. VT = +0.25 V 인
채널두께를 설계하라.

다음 관계를 갖는다.

^ = V , in ( | ) = (0. 02 5 9 ) In ( ^ M ) = 0. 1 41 V

그래서 내부(b u ilt -in ) 전위장벽은 다음 식이다.

Vbi = <\>Bn ~ (\>n = 0.89 一 0.141 = 0.749 V

식 (1 3.42)로부터 문턱 전압은 다음 식 이다.

VV = Vbi —Vp

혹은

Vp = Vbi - V T = 0.749 - 0.25 = 0.499 V

그래서

ea2Nd
Vp(
2es

흑 은

a2 (1 .6 X 10_ 19) (2 X l 15)

0.499
2(13.1) (8.85 X 10一14)

그래서 채널 두께 公 = 0.601 jitm 이다.

592 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

(H )
이 증 가 모 드 n -채 널 M E S F E T 의 경 우 내 부 핀 치 오 프 전 압 은 내 부 전 위 장 벽 보 다 작 다 . 보 다
짧 은 채널 두 께 는 보 다 큰 문 턱 전 압 의 결 과 가 될 것이다-

연습 문제
E x 1 3.5 장벽높이 = 0.85 V 를 갖 는 n -채널 G aA s M E S F E T 를 고 려 하 자 . 채 널 도 핑 농
도 N d = 5 父 1 015 c m - 3이 고 ，채 널 두 께 a = 0.40 /xm 이 다 . 내 부 핀 치 오 프 전 압 과 임계 전 압
을 계산하라. (八 081 0 = ‘A OZSS'O = dA 'SUV)

증 가 모 드 J F E T 의 설 계 는 이 조 건 을 이루기 위해 좁 은 채 널 두 께 와 낮 은 채널 도 핑 농

도 를 사 용 함 을 의 미 한 다 . 수 십분의 I 볼 트 인 내부 핀 치 오 프 전 압 을 이루기 위해 필요
한 채 널 두 께 와 도핑농도의 정밀한 조 절 은 증 가 모 드 M E S F E T 의 공 정 을 어렵게 한다.

목적 | 채 널 을 열기 위 해 n -채 널 G aA s 증 진 모 드 p n J F E T 에서 요 구 하 는 순 방 향 바 이 어 스

게이트 전압을 계산한다.

N a = 1 018 c m - 3, N d = 3 x l 15 c m - 3, a = 0.70 사이를 갖 는 T = 300 K 에서 G a A s n -
채 널 p n 접 합 때 구 를 고 려 하 자 . 영 볼 트 드 레 인 전 압 을 갖 는 두 께 가 0.1 0 사m 인 채 널 영 역 을
열기 위해 요 구 하 는 순 방 향 바 이 어 스 게 이 트 전 압 을 결 정 하 라 .

내부 전 위 장벽은 다음 식이다.

,, lN aN d \ " 、이 “ 、, . [( l 18)(3 X 1 0미 一 , ，c ',

Vbi = ln ( 기 ! = _ 59) ln [ (1 .8X 1 0, - L25 V

내부 핀치오프 전압은 다 음 식이다.

_ ea2 Nd _ (1 .6 X 10 19)(0.7 X 1 0_4)2(3 X 1 015) _

^ ^ 2(1 3.1 )(8.85 X 1 -14) '

이 는 다 음 값 의 문턱 전 압 을 구 할 수 있다.

VT = Vbi - Vp = 0.24 V

채 널 공 핍 폭 은 식 (1 3.1 )에 의해 주 어 진 다 . h = 0.60 로 놓 으 면 0.1 의 공핍되지 않은

채널 두 께 를 추 출 할 것 이 다 . 에 대해서 풀 면 다 음 값 을 얻는다.

eh2Nd _ . „ _ (1 .6 X 1 0-|9)(0.6 X 1 0^4)2(3 父 1 015)

Vas _ Vbi ~2 es 2(1 3.1 )(8.85 文 1 0_ 14)

= 1.25 - 0.745 = 0.50 V

區至]
0.50 V 로 인 가 한 게 이 트 전 압 은 문 턱 전 압 보 다 크 다 . 그 래 서 유 기 시 킨 공핍 영 역 은 금 속 학 적
채널 두 께 보 다 작 을 것 이 다 . 그때 n -채널 영 역 은 소 스 와 드 레 인 접 촉 사 이 에 형 성 된 다 . 순 방
향 바 이 어 스 게 이 트 전 압 은 틀 림 없 이 너 무 크지 않 거 나 혹 은 바 람 직 하 지 않 는 게 이 트 전 류
가 소자에서 나타나지 않아야 한다.

연습문제
Ex 13.5 n-채널 GaAs MESFET가 <j)Bn = 0.89 V의 게이트 장벽높이를 갖는다. 채널 도핑
농 도 Nd = 1016 cm -3이다. VT = 0.25 V의 임계전압이 되는데 요구되는 채널 두께는 얼마
인 가 ? (따 서 083 0 = 公 -suv)

이 상 적 으 로 ，증 가 모 드 소자의 /-V 특 성 은 공핍 모 드 소 자 와 같 다 .一 단 지 실제 차이
는 내부 핀 치 오 프 전압의 상 대 적 인 값이다. 포 화 영역에서의 전 류 는 다 음 식 (1 3.35)로
나타낸다.

/fll = / . ( sat) = / . { l -3 [1 - f V ^ ] }

n -채널 소자에 대한 문 턱 전 압 다 = Vbi - 과 같이 식 (1 3.42)에 정 의 하 였 고 다 음 식

으로 쓸 수 있다.

Vbi = (1 3.43)

식 (1 3.35)에 ，
.에 관 한 이 표현 을 대입하면 다음 식을 얻는다.

/D1_ = 나 - 가 卜 ( ^ ^ ) ] + 斗 - P H ^ ) f /2} (1 3-44)

식 (1 3.44)는 V GS > 다 일 경우 타당하다.

트 랜 지 스 터 가 처음 도 통 할 때 - V T) « Vp0를 갖 는다. 그때 식 (1 3.44)는 테일
러 급 수 로 확 장 할 수 있으며，다 음 식을 얻는다.

/B,(sat) « In | ( ' 지 (1 3.45)

니과 에 대해서 표 현 식 들 을 대 체 시 키 면 ，식 (1 3.45)는 다 음 식이 된다.

/ i ( sat) = ~2aL~ ^ G5 — W )2 for ^ gs — W (1 3.46)

식 (1 3.46)을 다 음 식 과 같이 쓸 수 있다.

/이 (sat) = kn( V s — V t) 2 (1 3.47)

여기에서

_ fjin es W
(1 3.48)
n_ 2 aL
594 Chapter 1 3 접합전계효과트랜지스터

그림 1 3 . 1 4 증가모드 J F E T 의 실험과 이론적인 V T f 대 。 특성

인 자 kn은 ' 전도 파 라 미 터 (conduction parameter) 라 고 부 른 다 . 식 (1 3.47)의 형 태 는

MOSFET의 경우에서 도 똑같다.
식 (1 3.47)의 제곱 근 ，혹 은 V / D 1( sat) 대 Vcs는 그림 1 3.1 4에 보 여 준 이상적 점 선으로
서 그릴 수 있다. 이상적 곡 선 은 문턱 전 압 바 와 전 압축이 교 차 한 다 . 실 선 은 실험적 인
결 과를 나타낸 다 . 식 (1 3.46)은 문 턱 전 압 근처에서 실험 결과를 잘 설명하지 못 한 다 . 이
상적 전 류 -전 압 관 계 식 은 pn 접합에 대해 계단형 공핍 근 사 를 가정해서 유 도 하 였 다 . 그
러나 공핍영 역이 거의 채널 전체로 퍼졌 을 때，공 간 전 하 영역에 대한 더 정 밀 한 모 델 은
문 턱 전 압 근처에서 드레 인 전류 특 성 을 보 다 정밀하게 예견하는데 사 용 할 수 있어야 만
한다. 1 3.3.3절에서 문턱아래( subthre shold ) 전 도를 고 려 할 것이다.

주어진 바이어스에 대해서 설정한 전류를 만들기 위한 n -채널 GaAs 증가모드 pn

JFET의 채널 폭을 설계한다.
예제 1 3.6에 설명한 GaAs JFET를 고 려 하 자 . 추 가 하 여 ，i ,, = 8000 cm2/V-s, L = 1.2
사이라고 가정하자. VGS = 0.5 V의 인가전압을 가지는 /D1 = 75 /xA이도록 채널 폭을 설계
하라.

행 n
포화 영역에서 전류는 다음 식으로 나타난다.

Im = K(Vas - Vrf

혹은

7 5 X 1 0_ 6 = * „ ( 0. 5 - 0. 2 4 )2

그때 전도 매 개 변수는 다음 식 이다.

k„ = 1 .1 09 m A /V 2

식 (1 3.48)로부터 전도 매개 변수는 다음 값으로 나타난다.

 1 3.2 소 자 특 성 5 95

_ 셰
에 瓦 ~

혹:은
3 = (8000X13.1X8.85 X 1 0 14)(W)
• 2(0.70 X 10 4)(1.2 X 10_ 4)

이므로 요구한 채널 폭은 그때 … = 20.1 /xm 이다.

(S ]
포화 전류는 만약 가 증가하거 나 혹은 트랜지스터 의 폭이 증가한다면 명 백하게 증가할
것이다.

연습 ^ fll
E x 1 3.7 연습 문제 E x 1 3.5에서 언급한 G a As M E S F E T 를 고려하자. 더욱이，i n = 7000
c m W -s，L = 0.8 fim , W = 25 Aim로 가정한다. VGS = 0.50 V 에 대해서 전도 파라미터 kn
과 / D1(sat)를 계산하라. [Vui g沈• = bs) 1 /\ m v i A re 상-suy ]
=■

포 화 영 역 내에서 동 작 하 는 증 가 모 드 소자 의 전 달 컨 덕 턴 스 를 유 도 할 수 있다. 식
(1 3.47)을 이용하여 식 (1 3.49)로 쓸 수 있다.

gn. = dI ydGf = 2 kn( V s - VT) (1 3.49)

V GS가 공핍 영역 소자에 대해서 증 가 했 던 것 과 같이 가 증 가 모 드 소자에 대 해 서 도

증가 함에 따 라 전달 컨덕턴스도 증가한다.

이해도 평가

T Y U 13.1 G aAs p n 접합 n -채널 F E T 를 고려하자. p + 게 이트 도핑농도 兄 = 5 x 1 18c m -3과

n 채널 도핑농도사 d = 5 X 1 15 c n f 3이다. 영-바이어스 공핍폭이 1 쑈 이도록，즉 채
널이 영 바이어스에서 완전히 공 핍 되 었 다 의 값과 핀치오프 전압을 결정하라.
( A 스6e + = dA ‘따 서 ei^O = ” suy)

T Y U 1 3.2 식 (1 3.28)에 의해서 주어진 핀치오프 전류 니 과 식 (1 3.26c )에 의해 주어진 핀

치오프 전압은 사„ 이 스 로 대체하고，또 한 … 를 乂 로 대체하여 적용한다. p -채
널 실리 콘 J F E T 가 다음의 파라 미 터 를 갖는 것으로 가정하자. Nd = 5 x l 18
cm —3, N a = 2 x 1 016 c m " 3, 公 = 0.50 /i ,m ，L = 5 /u-m , W = 4 0，
/계 와 타 =
400 cm 2/V -s. VGS = 0에 대해서 핀치오프 전류 /P1 과 최대 드레인 전류 / f l l ( Sat)
를 계산하라. [、매 9 Z'0 = (lBs)i / ‘v u i 659 0 = ,dI suy ]
5 96 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

*1 3 .3 비이상적 효과

어떤 반도체 소 자에서 이상적 소자의 특 성 을 변 화 시 킬 비이상적 효 과 들 이 있다. 앞선

논 의에서 일 정 한 채 널 길 이 와 일 정 한 이 동 도 를 갖 는 이 상적인 트 랜 지 스 터 를 고 려 하 였
다. 또 한 게 이 트 전 류 도 무 시 하 였 다 . 그 러 나 J F E T 를 포화영 역 으 로 바 이 어 스 시 킬 때，
유효 전기적 채 널 길 이 는 의 함 수 이 다 . 이 비이상적 효 과 를 채널길이 변 조 라 부른다.
더욱이 트 랜 지 스 터 를 포화 영역에서 혹 은 포화영역 근처에서 바 이 어 스 시킬 때，채널내
전 계 는 다 수 캐 리 에 ■을 포화 속 도 에 이르게 하 도 록 충분히 커질 수 있다. 이 점에서 이
동 도 는 더 이 상 일정하지 않다. 게 이트 전류의 크 기 는 회로설계에서 중 요 하 게 다 룰 필
요 가 있는 입력 임피던스에 영향을 미칠 것이다.

13. 3. 1 채널 길이 변조

예 를 들 면 식 (1 3.27)에 의해서 주 어 진 드 레 인 전류의 표 현 은 채 널길이 L 에 반 비 례 한

다. 전류식의 유도에서 묵 시 적 으 로 채 널 길 이 는 일정한 것으로 가정하였다. 그 러 나 유효
채 널 길 이 는 변 할 수 있다. 그림 1 3.5는 트 랜 지 스 터 가 포 화 영 역 으 로 바 이 어 스 시킬 때
채널내의 공 간 전 하 영역을 보 여 준 다 . 중성의 n-채널 길이는 가 증 가 할 때 감 소한 다.
따라서 드 레 인 전 류 는 증 가 할 것이다. 유 효 채널 길 이 의 변 화 와 드 레 인 전류에 상 응 하
는 변화를 채널길이 변조라 부른다.
식 (1 3.28)의 핀치오 프 전류 는 채널길이 변조로 수정하여 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

/；, = 다" 상 ， 3 (13.50)

여기에서

L f= L - i A L (13.51)

이다. 만 약 그림 1 3.5에 보 여 준 채널 공핍 영역이 동 일 하 게 채 널 과 드레인 영 역 으로 확

장 한 다 고 가정하 면 첫 번째 근 사 와 같이 L 에 대한 표현에서 인자 ^■을 포 함 할 것이다.
드레 인 전류 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

/;>' = / 1 f e = /D1 | L _ (1 3.52)

여기에서 /이 은 식 (1 3.35)에 의해 예 견 한 이상적 드 레인 전류이다. 포화영역에서 전류-

전압 특성의 또 다 른 형식 은 식 (1 3.53)이다.

/노(sat) = I d \ (s a t)(l + A V 5) (1 3.53)

유 효 채널길이 Z 는 어 sat) 전압 을 유 지 시 키 고 채널 내에서 공 간 전 하 영역길이 은

 1 3.3 비이상적효과 597

포 화 값 이상의 드레 인 전압 을 유 지시킨다. 이 공 핍 길 이 는 식 (1 3.54)로 주어진다.

A L = [ 2es( V노 - W s a t ))? " (1 3.54)

eNd

유 효 채 널 길 이 가 。 계 따 라 변화하기 때문 에 ，지금 드레인 전 류 는 의 함수이다. 드

레인 단자에서 소신 호 출 력 임 피 던 스는 식 (1 3.55)로서 정의한다.

_ ^ ^ 0 5 ∼ 公 S (1 3.55)
1네

목 적 I 채널길이 변조 효과에 기 인한 드레인 단자에서 소신호 출력 저항성분을 계산하기

위한 것이다.
채널 도핑이 /Vd = 3 x 1 015 c m - 3인 n -채널 공핍 모드 실리콘 JF E T를 고려하자. L = 10

사m 이고 I Pl = 4.0m A 라 가 정 하 자 . 가 VDS(1 ) = V DS( sat) + 2.0에 서 부 터 ∼ s(2) =

VDS( sat) + 2.5까지 변할 때 r ds를 계산하라.

C T 1

A y D5 _ V ds { 2 ) 一 V DS( \ )
rds: M m A /L ,(2) -

을 갖는다. 다음 값과 같이 두 전압에 대해서 채널길이의 변화를 계산할 수 있다.

1 /2 1 /2
265( V d 5 (2) — V s (s a t)) 2 ( 1 1 .7 )(8.85 X 1 0 - 14)(2.5 )
L(2) 1 .04 /xm
eNd (1 .6 X l - ,9) ( 3 X 1 015)

그리고
1 /2
2 (1 1 .7 )(8.85 X l - ,4)(2.0 )
L(l ) : 0 .929 /m
(1 .6 X 1 0 _ 19) ( 3 父 1 0 15)

이다. 드레인 전류는

/ d,(2) = /D, / L \ .= 4.0( 10 \

, 9.48/
(卜 士풔
와 같고，
L \ = 4. (' 1 \
^Dl( l ) = , D1 , 9.5 4/
를A L⑴ J
(卜

출력 저항성분은 다음 값으로 계산할 수 있다.

2 .5 - 2.0
: 1 8.9 m
4 (지 - 4 ( 10
1 9 .4 8 1 9.54

區 3
출력 저항성분의 이 값은 무한한 이상적 값보다 상당히 작다.
5 98 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

그림 1 3 . 1 5 캐리어 속도와 공간 전하폭의 포

화 효과를 보이는 J F E T 의 단면도

연습문제
Ex 13.8 만약 채널 도핑농도 Nd = 1 016 c m -3까지 증가한다면，예제 1 3 .8 을 반복하라. 모
든 다른 파라미 터는 동일하게 둔다. (U W 6 = 카 ' suy )

고 주 파 M E S F E T 에 대해서 전형적인 채널 길이는 1 정도이다. 채널길이 변 조와

다 른 효 과 들 은 단채널 소자에서 매우 중 요하다.

13. 3. 2 속도 포화 효과

실 리 콘 에 서 캐 리어의 표 동 속 도 는 증 가 하 는 전계에 따 라 포 화 한 다 는 것을 보 였 다 . 이
속 도 포 화 효 과 는 이 동 도 가 일정하지 않 다 는 것을 의 미 한 다 . 매우 짧 은 채널에 대해서
캐리 어들은 J F E T 의 전 류 -전 압 특 성 을 변화시 키는 포화속도에 쉽게 도 달 할 수 있다.
그림 1 3.1 5는 인가한 드레인 전류에 따 른 채 널 영 역 을 보인다. 채널이 드레인 단자에
서 좁아 질 때 캐 리 어 들 의 속 도 는 채 널 을 통 과 하 는 전 류 가 일정하기 때문에 증 가 한 다 .
캐 리 어 가 채널의 드 레 인 끝 부 분 에 서 먼저 포 화 가 일어난 다 . 공핍 영 역은 포 화 두께 에
도 달 할 것이며, 다음 식으 로 쓸 수 있다.

/ i (sat) = eNdvsat(a - hSM)W (1 3.56)

여 기 에 서 는 포 화 속 도 이 고 /。 는 포 화 공 핍 폭 이 다 . 이 포 화 효 과 는 이전에 결 정 한
VDS( sat) 값 보 다 더 작 은 드 레 인 전압에서 일어난 다 . /야( sat)와 V DS( sat) 양 쪽 은 이전에

계산 한 값보 다 더 적은 값이 된다.
그림 1 3.1 6은 / D 대 V DS의 규 준 화 한 플 롯 을 보 인 다 . 그림 1 3.1 6a는 일정한 이동도의
경우에 대 한 것이 고 그림 1 3.1 6b 는 속 도 포화의 경우에 대 한 것이다. 속 도 포 화 가 일어
날 때 전 류 -전 압 특성 이 변화하기 때문에 전달 컨덕 턴스 또 한 변 화 한 다 —전 달 컨덕턴
스 는 더 작아진다. 따라서 속 도 포 화 가 일어날 때 트랜지스 터의 유 효 이득은 감소한다 .

13. 3. 3 문 턱 아 래 (Subthreshold )와 게이트 전류 효과

J F E T 에서 문 턱 아 래 전류 는 게이트 전압이 핀 치 오 프 나 문 턱 값 이하일 때 나 타 나 는 드레

인 전류이다. 문턱아 래 전도 는 그림 1 3.1 4에서 보였다. J F E T 를 포 화 영 역 으 로 인가시킬
때 드레 인 전 류 는 게이 트 와 소 스 전압에 따 라 2차 방정 식으로 변화한 다 . 가 문턱 값
 13.4 등가회로와주파수한계 599

S
A
I 료

A
고

A
4

.8
.0

，0 0.2 0.4 0.6

v DS/ v P

(a)

0.4
전계-종속 이동도
값 •

一
)

A
1 •
o.
■끼 I 0.2 o .2 •• •

도
o .3 •
A
o.4
o.6
0 o..8
0
0 0.2 0.4 0.6 1.
Vos^po
(b)

그림 1 3 . 1 6 일정한 이동도와 전계-종속 이동도에 대한 규준화

ID 대 VDS 플롯 (S z e[1 9] 참조)

이하일 때 드 레 인 전 류 는 게 이 트 와 소 스 간 전압에 따 라 지 수 적 으 로 변 화 한 다 . 문 턱 값
근처 에서 계 단 공 핍 근 사 는 채널 영역에서 정 확 한 모델이 아 니 다 . 공 간 전 하 영역에서
의 더 상 세 한 전위 단 면 도 를 반드시 사 용 해 야 만 한다. 그 러 나 이러 한 계 산 들 은 이 교과
의 범위 이상이다.
게 이 트 전압이 n -채널 M E S F E T 에서 문턱 이 하 대 략 0.5 V 에서 1 .0 V 일 때 드 레 인
전 류 는 최솟값에 도 달 하 고 게이 트 전압이 감 소 할 때 천천히 증 가 한 다 . 이 영역에서 드
레인 전 류 는 게이 트 누설 전류이다. 그림 1 3.1 7은 게이트 전압의 3 영역에 대해서 드레
인 전류 대 ~ 5의 플 롯 이 다 . 곡 선 은 드 레 인 전 류 가 문턱치 아래에서 작게 되 지 만 영이
아님 을 나타낸다. 최소 드레인 전류는 저전력 회로 응용에서 고 려 할 필요 가 있다.

*13. 4 등 가 회 로 와 주 파 수 한 계

트 랜 지 스 터 회 로 를 분석하 기 위 하 여 , 수학적 모 델 이 나 트랜지스터 등 가 회 로 가 필 요 하

다. 가 장 유 용 한 모델 중 하 나 는 트 랜 지 스 터 를 선형 증 폭 회로에 적 용 하 는 소 신 호 등 가
회 로 이 다 . 이 등 가 회 로 는 등 가 커 패 시 턴 스 -저 항 회 로 를 통해 트 랜 지 스 터 의 주 파 수 효
6 00 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

1
•
1o-:
o-: 인가한 드레 인 바이어스 = V 노 = 0. 1 00 v o lt
o
1o—<
•
1o

T
< o 채널 게이터의 정상 영 역 _
1o
) •o
1
•
/ -(
문턱아래 영역

Y
1
^ •
1

W-J
OJ -} •
■'• 게 이 트 누 설 영역
1 —
(
1 •
x
• '
5
비 •
K lr
x
•
■채널 전도
^ 1
■게이트 다이오드 역 누설
•
측 정 데이터
•

1 0_10
-1 0 -8 -6 -4 -2
게이트 바이 어스，V Gc (v o lt)

그림 1 3 . 1 7 정상적인 드레인 전류，문턱아래 전류 , 그리고 게이트

누설전류를 나타내는 GaAsMESFET에 대해서 측정한 드레인 전류
대 V GS ( D a rin g P ] 로 부터)

과 를 소 개 할 것이다. J F E T 에서 주 파 수 한계에 영향을 주 는 다 양 한 물성 인자를 여기에

서 고 려 하 고 ，성능지 수인 트랜지스터 주 파 수 도 그때 정의한다.

13.스.1 소신호 등 가회로

소 스 와 드 레 인 직렬 저 항 을 포 함 하 는 n -채널 pn J F E T 단 면 을 그림 1 3.1 8에서 보 인 다 .

기판은 반절연의 갈 륨 비 소 ，혹 은 P + 형의 기판이다.
그림 1 3.1 9는 J F E T 에 대 한 소 신 호 등 가 회 로 를 보 인 다 . 전 압 는 드레인 전류를
제 어 하 는 내부 게 이 트 -소 스 전 압 이 다 . /。 와 C ” 파 라 미 터 는 각 각 게 이 트 -소 스 확 산 저
항 과 접합 커 패 시 턴 스 이 다 . 정 상 적 으 로 。 가 크 도 록 게 이 트 -소 스 접합 은 공핍 모 드 동
안 소 자에서 역 방 향 으 로 인가시 키 고 ，증 가 모 드 소자에 대해 오직 낮 은 순 방 향 바이 어
스 전압 을 갖는다. 파라미터 /•
래와 C 때는 각 각 게 이 트 와 드 레 인 간 저 항 성 분 과 커패시턴
스 이 다 . 저 항 성 분 r ds는 채널길이 변조 효과의 함 수 인 ，한정된 드레인 저 항 성 분 이 다 . 커

Cgd

그림 1 3 . 1 8 소스와 드레인의 직렬 저항 그림 1 3 . 1 9 J F E T 의 소신호 등가회로

성분을 갖는 J F E T 의 단면도
 1 3.4 등 가 회 로 와 주 파 수 한 계 601

그림 1 3.20 (a) 이상적인 저주파수의 소신호 등가회로 (b) rs 포함한 이상적인 등가회로

패 시 턴 스 Q s는 주 로 드 레 인 -소 스 기생 커 패 시 턴 스 이 고 ，디 는 드 레 인 -기 판 사이의 커패
시 턴스이 다.
이 상 적 인 소 신 호 등 가 회 로 는 그림 1 3.20a 에서 보 여 준 다 . 모 든 확 산 저 항 성 분 은 무
한하고 , 직 렬 저 항 성분 은 영이고 저주파에서 커 패 시 턴 스 는 개방 회 로 가 된다. 소신호 드
레 인 전류 는 단지 전달 컨덕 턴스 와 입 력-신 호 전압의 함수인 다 음 식을 가진다.

L = ^ Vg, (1 3.57)

소스 직 렬 저항의 효 과 는 그림 1 3.20b 를 사용하여 구 할 수 있으며，다 음 과 같다.

Ids = gm V jv (1 3.58)

。 와 / 의 관 계 는 다 음 과 같다.

Vgs = Vg'S' + ( gm Vg' s' ) rs = (1 + gmrs) Vs'S (1 3.59)

식 (1 3.58)은 그때 다 음 식으로 쓸 수 있다.

= (- 고느자) Vgs = g'm Vgs (1 3.60)

소스 저항의 효 과 는 유 효 전 달 컨 덕 턴 스 나 트랜지스터 이득을 감소시킨다.

요„2이 dc 게 이 트 -소 스 전압의 함 수 임 을 상 기하라. 그래서 ‘ 은 또 한 카 의 함수이다.
식 (1 3.41 b )는 트 랜 지 스 터 가 포 화 영 역 으 로 바 이 어 스 를 인가할 때 “ 과 의 관계이다.
6 02 Chapter 1 3 접합전계효과트랜지스터

그림 1 3.21 은 rs = 2000 (1 으 로 놓 고 ，예제 1 3.4의 파 라 미 터 들 을 사용하여 이 론 과 실험

적인 전달 컨 덕턴스 값의 비 교 를 나 타 낸 다 야 = 2000 n 은 과 도 한 것처럼 보 이 나 반도
체의 활성 두 께 는 1 Mm ，혹 은 보 다 적 은 정도에 있을 수 있음 을 유 념 하 라 . 따 라 서 , 만
약 특 별 한 고 려 를 하지 않는다면 큰 직렬 저항성분이 결과일 수 있다).

13.스.2 주파수 제 한 인자 와 차 단 주파수

J F E T 에는 두 가지 주 파 수 제 한 인 자 가 있다. 첫 번 째 는 채널 주 행 시 간 이 다 . 만일 채널
길 이 가 1 씨 n 이고 캐 리 어 가 포 화 속 도 에 서 이 동 한 다 고 가 정 하 면 ，그때 주 행 시 간 은 식
(1 3.61 )의 값 정도이다.

_ — L. _ 1 X 10 4 — 1 n M
1 X 1 0+ 7 _ 1 0 ps (1 3.61 )

채 널 주 행 시간은 초 고 주 파 소 자 를 제 외 하 고 보 통 은 제 한 인 자 가 아니다.
두 번째 로 주 파 수 제 한 인 자 는 커 패 시 턴 스 충 전 시 간 이 다 . 그림 1 3.22는 우 선 적 으 로
커 패 시 턴 스 를 포 함 하 고 ，확 산 저 항 들 을 무 시 한 간 략 화 한 등 가 회 로 이 다 . 출 력 전 류 는 단
락 -회 로 전류일 것이 며 입 력신호 전 압 。 의 주 파 수 가 증 가함에 따라서 와 C gs의 임
피 던 스 는 감 소 하 고 C gd를 지 나 는 전 류 는 감 소 할 것 이다. 상 수 상 „,'5에 대해서 그때 전
류 。 는 증 가 할 것이 다. 출력 전류는 주파수의 함 수 가 된다.
만 약 커 패 시 턴 스 충전 시 간 이 제 한 인 자 라 면 ，차 단 주 파 수 /7■는 입력전류/,■의 크 기 가
진성 트 랜 지 스 터 의 이 상 적 인 출력 전류 ‘ 。 5의 크 기 와 동 일 할 때의 주 파 수 로 서 정의
한다. 출 력 을 단 락 -회 로 로 연결할 때 식 (1 3.62)를 갖는다.

/,=; ) ( Css + CS,) VSJ (1 3.62)

-i 0.25

20

(
15 的
U I)

년
•J
0 L

0.05

-4 -3 -2
VGS (V)

그림 1 3 . 2 1 소스 직렬저항이 (a) 없을 때，
(b) 있을 때의 J F E T 전달 컨덕턴스 대 V뇨 회로
 1 3.4 등 가 회 로 와 주 파 수 한 계 6 03

만약 q C ^ + C 때라 놓으면 차 단 주 파 수 는 다 음 과 같다.

l/,l = 2 7 r fTC GVgs = g mVgs (1 3.63)

혹 : 은

本 _ 8 m
(1 3.64)
fT _ 찌
식 (1 3.41 b )로부터 최대 허용 전 달 컨 덕 턴 스 는 식 (1 3.65)이고，

e ^ nN d W a
gms (m ax ) = G , = — — (1 3.65)

최소 게이 트 커 패 시 턴 스 는 다음 식 (1 3.66)이다.

CG (m in ) = 넣 드 (1 3.66)

여기에서 以는 최대 공 간 전하폭이다 . 최대 차단 주파수는 식 (1 3.67)로 쓸 수 있다.

_ en，nNda 2 (1 3.67)
J t~ 2 i r e sL 2

5 3 실리콘 JF E T의 차단 주파수를 구한다. 다음 파라미 터를 갖는 실 리콘 JF E T를 고려

하자.
/ „= 1000 cmW-s a = 0.60 jxm
Nd = 1016cm-3 L= 5 jLtm

파라미터를 식 (1 3.67)에 대입하여 다음 값을 가진다.

f = ( 1 .6 x l O -'^ O O O X H P ) ( 0 .6 x io -V =
^ iT T e J } 277(1 ] ,7)(8.85 X l -4)(5 X 1 0_ y —시나 u n z

區호]
이 예제는 실리콘 JF E T가 비교적으로 큰 차단 주파수를 가질 수 있음을 보인다.

연습 문제
E x 1 3.9 n -채널 실리콘 JF E T가 만약 채널 도 핑농 도 사” = 1 000 cm 2/ V -s, Nd = 5 x 1 15
c m -3, a = 0.50 사이와 L = 1 사이이다. 차단 주파수를 결정하라. 스= ^ ' suy )
(ZHO 69•

매우 작 은 기하 구 조 를 갖는 갈륨비소의 J F E T 또 는 M E S F E T 에 대한 차 단 주 파 수 는
오히려 더 높 아 진 다 . 채널 주 행 시 간 은 차 단 주 파 수 를 위 한 표현식이 변형될 필 요 가 있
(M Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

을 경우 역시 초 고 주 파 소자에서 인자가 된다.

G aAs F E T의 한 가지 응 용 은 초 고 속 디지털 집 적 회 로 이 다 . 기존 G aAs M E S F E T 논
리 게이트 는 나 노 (1 0_ 9)초 이하 범위의 전파 지연시간을 얻을 수 있다. 이들 지연 시 간 은
빠른 ECL 보 다 더 짧지 는 않지만 적어도 비교는 할 수 있으며，그 러 나 전력 손 실 은 ECL

회로보다 3 배 정도로 크기 가 작다. 증가형 모드 G aAs JF E T는 논리 회로에서 구 동 회로로

사 용 하 며 ，그 리 고 공핍형 모 드 소 자 는 부 하 로 써 사 용 할 수 있다. 45 p s 만 큼 낮 은 전파
지 연 시간은 관측하였다. 특수한 JF E T 구 조 는 속 도 를 더욱 증가시 키 기 위해 사 용 할 수
있다. 이 런 구 조 는 다음 절에서 논 의 할 변 조 도 핑 전계효과 트랜지스터 에 속한다.

이해도 평가

TYU133 p•
채널 실리콘 JF E T가 파라미터 a = 0. 5 0 /u m ，/xp = 4 0 0 cm2/ V - s, Na = 2 x ] 16cm ^3
와 L = 4 사m로 고려하자. 차 단 주 파 수 를 계산하라. (ZHO 스0' = ^ ' suy )
TYU 13.4 n -채 널 GaAs JF E T 가 파라미 터 a = 0. 5 0 Aim, L = 1 사m, Nd = 3 x 1 015 1 3와 i n=
6 5 0 0 c m 2八^—이다. 차단 주파수를 결정하라. ( Z H O Z. OI = ^ /' s u y )

*13.5 높 은 전 자 이 동 도 트 랜 지 스 터

주 파 수 요 구 ，전 력 능 력 그 리 고 낮 은 잡 음 성 능 의 요 구 가 증 가 함 에 따 라 서 ，갈 름 비 소
M E S F E T는 설 계 와 성능에서 그 한계까지 요 구 한 다 . 이 러한 요 구 들 은 단 채 널 길 이 ，큰
포 화 전 류 ，그 리 고 큰 전달 컨 덕 턴 스 를 갖 는 매우 작 은 F E T를 의 미한다. 일 반 적 으 로 이
런 요 구 들 은 게 이 트 아래 채널 도 핑 을 증 가 시 킴 으 로 가 능 하 다 . 고 려 했 던 모 든 소자에
서 채 널 영 역 은 동 일 한 영역에서 도핑 불 순 물 과 다 수 캐 리 어 를 갖 는 벌크 반 도체에 도
핑 한 층 속에 있다. 다수 캐 리 어 가 이 온 화 한 불 순 물 산 란 을 일으키는 것은 캐리어의 이
동 도 를 감소시 키고 소자의 성능을 저하시 킨다.
증 가 한 도핑 때문에 G a A s 에서 이 동 도 와 최대 속도의 열화는 이 온 화 한 불 순 물 로 부
터 다 수 캐리어 분리로서 최소화시 킬 수 있다. 이 분 리 는 전 도 대 와 가전도대의 단절 불
연 속 성 을 가 지 는 이종구조에서 얻을 수 있다. 9 장에서 기본적 인 이종접합의 성 질 을 고
려하였 다 . 그림 1 3.23은 열적 평형에서 전도대 에 너 지 는 n -A l G a A s -진성 G a A s 이종접
합의 F e rm i 에 너 지 와 관련 이 있다 는 것은 보 여 준 다 . 넓은 밴드캡 A l G a A s 로부터 전자
가 G aAs 속 으 로 흐 를 때 와 전위 우 물 로 제 한 할 때 열적 평형 을 얻을 수 있다. 그 러 나 전

자 는 이 종접합 경 계면 으 로 평행하게 움 직 이 는 것이 자유스럽다.

그림 1 3 .2 3 N -A l G a A s -진성 G a A s 계단 이종접합에 대한 전도대 가장자리

 13.5 높 은 전 자 이동도 트랜지스터 6 05

이 구 조 에 서 전위 우 물 내의 다 수 캐리어 전 자 들 은 A l G a A s 내에서 불 순 물 도 펀 트
원자로부터 금 방 분리된 다 . 그래서 불 순 물 산 란 을 최소화시 키는 경향이 있다.
이 러 한 이 종 접 합 으 로 제 작 한 F E T 는 여 러 이 름 으 로 알려져 있다. 여기에서 사 용 한
용 어 는 높 은 -전 자 이 동 도 트 랜 지 스 터 ( H ig h-E le c tro n M o b ilit y T ra n sistor : H E M T ) 이다.
다 른 이 름은 변 조 -도 핑 전계효과 트랜지스터 (M o d u la tio n D op e d F ie ld-E ff e c t T ra nsistor :
M O D F E T ), 선별적 도핑 이종접합 전계효과 트랜지스터 (S e le ctiv e ly D op e d H e terojunctio n
fi e ld e ff e c t T r a n s is to r : S D H T ), 그 리 고 2차 원 전 자 가 스 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 ( T w o -
dim e nsion a l E le ctron G as F ie ld E ff e c t Tra n sistor : T E G F E T )를 포함한다.

1 3.5.1 양 자 우 물 ( Q u a n t u m W e ll ) 구 조

그림 1 3.23은 N -A l G a A s -진성 G a A s 이종접합의 전도대 에너지를 보였다. 전자들의 이차

원적 표면 채널 층 은 비도핑 G a A s 에서 얄 은 전위 우 물 (-80 A )을 형 성 한 다 . 1 12 c m - 2
의 전 자 면캐리어 (she et c a rrie r) 밀 도 가 얻어진다. 불 순 물 산 란 효 과 가 감소하기 때문에
이 종 접 합 으 로 평행 하게 이 동 하 는 캐리어 의 낮 은 전계 이동도의 개선이 일 어난다. 300
K 에서 이 동 도 는 8500-9000 cm 2/V-s 범위에서 보 고 되 고 , 여기에서 N d = 1 017 c m - 3으
로 도 핑 한 G a A s M E S F E T 는 5000 cm 2八니보다 작 은 낮 은 전 계 이 동 도 를 갖 는 다 . 지금
이 종 접 합 에 서 전 자 이 동 도 는 격자 또 는 포 논 산란이 지 배 적 인 경 향 이 고 , 따라서 온 도
가 감 소 할 때 이동 도는 급격 히 증가한다.
불 순 물 산 란 효 과 는 전 자 들 과 이 온화한 도너 불순물의 분 리 를 증가시 킴으로서 더 감
소시 킬 수 있다. 그림 1 3.23에 보 여 준 계단형 이종접합의 전위 우물에서 전 자 들 은 도너
원자로부터 분 리 되 지 만 ，여전히 쿨 롱 인력에 예속되어 있다. 비도핑 A l G a A s 의 얇은 간

(b)

그림 1 3 . 2 4 N -A l G a A s -비도핑 A l G a A s -비도핑 G a A s 이종 접합에 대한 전도대 가장자리

( S hur[1 3] 참조)
6 06 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

격층은 도핑 A l G a A s 와 비도핑 G a A s 사이 에 놓여 있다.

그림 1 3.24는 이 러 한 구조에 대 한 에너지대 다 이 어 그 램 이 다 . 캐 리 어 들 과 이 온 화 한
도 너 들 사이의 분리 증 가 가 심지어 거 기 에 는 쿨 롱 상 호 작 용 이 덜하기 때문에 전 자 이
동 도 를 점점 더 증 가 시 킨 다 . 이 경사형 이종접합의 한가지 단 점 은 전위 우물에서 전자
밀도가 계단접합에서 보 다 더 작 아 지 는 경향이 있다는 것이다.
분 자 선 에 피텍셜 공 정 은 특 정 한 도 핑 을 갖 는 특 정 한 반도체 물 질에서 매 우 얇은 층
의 성장이 가 능 하 다 . 특히 다 층 변조-도 핑 이 종 구 조 는 그림 1 3.25에 나 타 난 것처 럼 형
성시킬 수 있다. 전자의 여러 표면 채 널 층 은 평행하게 형성된다. 이 구 조 는 F E T 의 전류
용 량 을 증가시 킬 수 있는 채 널 전자 밀도를 증가시 키는 것과 같 을 것이 다.

13.5. 2 트랜지 스터 성능

전 형 적 인 H E M T 구 조 가 그림 1 3.26에서 보 여 준 다 . N -A l G a A s 는 비도핑 A l G a A s 간격
층 과 비도핑 G a A s 층 으 로 격 리 시 킨 다 . N -A l G a A s 에 쇼 트 키 ( S c h o ttk y ) 접 촉 은 트 랜 지 스
터의 게이트 형 태 이 며 ，이 구 조 는 “정 상 적 인 ” M O D F E T 이다. “반전” 구 조 는 그림 1 3.27
에 나타낸다. 이 경우 쇼트키 접촉은 비도핑 G a A s 층 으 로 만든다. 반전 M O D F E T 는 정
상적 인 구 조 보 다 적게 연 구 되 었 는 데 ，이는 정상적 인 구 조 가 월 등 한 결 과 들 을 나타내 었
기 때문이다.
전 위 우 물 에 서 이차원적 전 자 가 스 층 의 전 자 밀 도 는 게 이 트 전 압 으 로 조 절 할 수 있
다. 쇼트키 게이트의 전 계 는 충 분 하 게 큰 음 전 압 을 게이트에 인가 할 때 전위우물에서
2-차원적 인 전 자 가 스 층 은 공핍 이 일어난 다 . 그림 1 3.28은 게이트에 인 가 한 역 방 향 과

도핑 AlGaAs

전 GaAs~

도핑 AlGaAs

전 업 < 과로핑 GaAs 간격 층

도핑 AlGaAs
옴 {저항성) 접촉
전■ ~ < 모 핑 GaAs
n+ G a A s 、
도핑 AlGaAs 게이트 \ [ 드레인1
f 소 슈 ) /
니
一
系、 / U //// A
비도핑 GaAs 0.2 /x m
n+ AlGaAs
비도핑 A l G a A s 간격층

비도핑 완충 비도넋 G a A s 와중 '

2-D
반절연 G a A s 기판
반절연 기판 전자 가스

그림 1 3 . 2 5 다중 변조-도핑 이종구조 그림 1 3 . 2 6 '■정상적인” A lG a A s-G a A s

HEMT
 1 3.5 높 은 전 자 이 동 도 트 랜 지 스 터 6 07

금속게이트

비도핑 G a A s

도핑 ( A l, G a )A s

비도핑
( A l, G a )A s 층

그림 1 3 . 2 7 “반전” G a A s-A l G a A s H E M T (S h ur[1 3] 참조)

금속 i AlGaAs i GaAs

그림 1 3 . 2 8 (a) 영 게이트 바이어스，(비 음 게이트 바이어스를 갖는 정상적인

H E M T 의 에너지밴드 다이어그램

영 전압 인가에 따른 금 속 -A l G a A s-G a A s 구조의 에너지밴드 다 이 어 그 램 을 보여준다.

영 전 압 인가일 때 에 는 G a A s 의 전도대 가 장 자 리 는 2-차 원 적 인 전 자 가 스 의 밀도 가
높 다 는 것을 의미하며 페르미 준위 아래에 있다. 게이트에 음 전압의 인가로서 G a A s 의
전도대 가 장 자 리 는 2-차 원 적 인 전자가스의 밀 도 는 매 우 낮고 F E T 의 전 류 는 필 연 적 으
로 영임 을 의미하며 페르미 준위 위에 있다.
쇼트키 장 벽 은 표면으 로부 터 A l G a A s 층 을 공핍 시 키고，이종접합은 이 종 접 합 계 면으
로부터 A l G a A s 층 을 공 핍 시 킨 다 . 이 상 적 으 로 소 자 는 두 개의 공 핍 영 역 이 A l G a A s 층 을
통 한 전 자 전 도 를 막기 위해서 꼭 겹 쳐 지 도 록 설 계 해 야 만 한 다 . 소자의 공 핍 모 드 에 대
해서 쇼트키 게 이트로부터 공 핍 층 은 오직 이 종 접 합 층 으 로 확장 될 것이다. 소자에서 의
증 가 모 드 에 대해서 도핑 A l G a A s 층의 두 께 는 더 얇 아 지 고 ，쇼트키 게 이 트 내부 전위장
벽은 A l G a A s 층 과 2-차 원 적 인 전 자 가 스 채 널 을 완전히 공 핍 시 킬 것 이다. 소자의 증 가
모드에서 게이트에 인가한 양(+ ) 전압은 소 자 를 동작시 킬 것이 다.
정 상 적 인 구조 에서 2-차 원 적 인 전자가 스의 밀도 는 전하제어 모 델 을 사용하여 나타
낼 수 있으며 다음 식으로 쓸 수 있다.

W- = gT / + A ^ ) (^ ~ V°ff) 03-68)
6 08 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

2-D
바이패스 전자가스

. 쇼
° _
•거 ，
냐，
<1VG 여기에
I £f = e fi

그림 1 3 . 2 9 A J G a A s 에서 전도 채널을 생성시키는 (a) 낮은 순방향 게이트 전압，(b) 큰 순

방향 게이트 전압을 갖는 증진모드 H E M T 의 에너지밴드 다이어그램( F rit z s c h e [到로 부터)

여기에서 eN은 N -A l G a A s 의 유 전 률 이 고 ，d = 句 +피 는 도 핑 -플 러 스 -비 도 핑 A l G a A s 층
의 두 께 이 고 ，A rf 는 다음 식으로 주어진 교 정인자이다 .

= —^ ~ 80 A (1 3.69)

문턱 전 압 는 다 음 식 으 로 표현한다.

v„ff = <t>B - ^ - y P2 ( 1 3_70)

여기에서 如 는 쇼트키 장벽 높 이 이 고 ，' 2 는 다음 식 이 다 •

= (1 3.71 )
p2 2eN

음의 게이트 바이 어 스 는 2-차원적 인 전 자 가 스 농 도 를 감소시 킬 것 이다. 만 약 양( + )의

게이트 전압 을 인 가 한 다 면 ，2-차원적 인 전자가스의 밀도는 증 가 할 것이다. 증 가 하 는 게
이트 전압 은 전자가스의 페르미 준 위 를 가로질러 A l G a A s 의 전도대까지 2-차 원 적 인 전
자 가 스 의 밀 도 를 증 가 시 킬 것 이 다 . 그림 1 3.29는 이 효 과 를 보 여 준 다 . 이 지 점 에 서
A l G a A s 에서 평행 한 전 도 경 로 를 형성하기 때문에 게 이 트 는 전자가스에 대한 제 어 를 할

수 가 없다.

■ H 置H B _ N -A l G a A s -진성 G aAs 이종접합에 대한 2-차원적인 전자농도를 결정한다.

500A 의 두께 를 가지고 1 18 c m _ 3의 도핑 N -A l 03G a 07A s 를 고 려하고, 20A 의 비도핑
간격층을 가정하자. 如 = 0.85 V 와 L E Jq = 0.22 V 로 놓자. A l 03Ga 7A s 의 비유전 상수는
eN = 1 2.2 이다.

령 n
파라미 터 Vp2는 다음과 같이 구한다.

_ q N dd ] _ (1 . 6 X 1 0->9) ( 1 0 '8)(5 00 X 1 0 -8) 2 _

p2 _ ~ 2 T n 2 (1 2 . 2 X 8 . 8 5 文 1 0~ 14)
 13.5 높 은 전 자 이 동 도 트 랜 지 스 터 609

이때 문턱 전압은 다음 값이다.

公c
Voff = <\>B • VP2 = 0.85 - 0.22 一 1.85 = -1.22 V

' = 에 대한 채널전자농도는 식 (1 3.68)로부터 구할 수 있다.

(12.2X8.85 X 10_ 14)

ns: rg [-(-1 .2 2 )] = 1.37 X 1012cm-2
(1.6 X 1 - 19)(500 + 20 + 80) X 10

O
문 턱 전 압 Voff는 이 소자에 공핍모 드 MODFET를 되게 하며，음이다. 음의 게이트 전압의
인가는 소자를 차단시킬 것이다. ns « 1012 c m -2의 값은 전형적인 채널농도이다.

MODFET의 전 류 -전 압 특 성 은 전 하 제어 모 델 과 점차적인 채 널 근 사 를 사용하여 알

수 있다. 채널 캐리어의 농 도 는 다 음 식으로 쓸 수 있다.

n lx ) = q(d + \ d ) [Vs — _ (1 3.72)

여기에서 V(신는 드 레 인 -소 스 전압에 기 인한 채널의 전 위 이 다 . 드 레 인 전 류 는 다 음 식

이다.

I = qns ^(E) ^ (1 3.73)

여기에서 나리는 캐리어 의 표 동 속 도 이 고 ，…는 채널의 폭 이 다 . 이런 해 석 은 1 3.2.2 절

에서 pn JFET에 대 한 해 석 과 유사하다.
만약 이동도가 일정하다고 가정하면 낮은 값에 대해서 그때 전 류 식 은 다 음 과
같다.

/ d = 2 iJ T + \ d ) [2(Vs - D V피 - V시 (1 3.74)

이 식의 형 태 는 비 포 화 영역에서 동 작 하 는 pn JFET와 MESFET에 대한 것과 동일하다.

만 약 가 캐 리 어 들을 포화속도에 도 달 하 도 록 증 가 시 킨 다 면 전 류식은 다 음 과 같다.

/ (sat) = {/ l WA d) ( Vg ~ y ff - V )vsat (1 3.75)

여기에서 usat는 포 화 속 도 이 며 = E/ 이다. 또 한 티 는 포 화 속 도 를 유 발 하 는 채널 내

의 전계이다.
다 양 한 속 도 대 전계 모 델 은 다 른 /-V 표 현 식 을 유도하기 위해 사 용 할 수 있다. 그러
나 식 (1 3.74)와 (1 3.75)는 대부분의 상황에 만 족 스 러 운 결 과 를 나 타낸다. 그림 1 3.30은
실 험 과 계 산 한 / -V 특성 사이의 비 교 를 나 타 낸 다 . 그 림에서 관 찰 한 것처럼 이런 이종
접 합 소 자 의 전 류 는 매 우 크다. MO D F E T의 전 달 컨 덕 턴 스 는 pn JFET와 MESFET에 대
61 0 Chapter 1 3 접합 전계효과트랜지스터

25

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2 5
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G aAs 완 충
0.0 1 .0 2.0
드레 인-소스간 전압 ( V ) 반절연 기판

그림 13.30 실선 곡선은 수치적 계산이고， 그림 13.31 다층 HEMT

점선은 측정한 증가 모드 HEMT의 전 류 전
압 특성 (Shur[13] 참조)

한 것 과 같이 정 의 한 다 . T = 300 K에서 전 형 적 인 측 정 값 은 250 mS/mm의 범위 이내

이며 더 높 은 값 도 보 고 되 고 있다. 이 런 전 달 컨 덕 턴 스 값 은 pn JFET, 혹 은 MESFET의
양쪽에 대 한 것보다 상당히 큰 값이다.
또 한 HEMT는 다 층 이 종 접 합 층 으 로 제 조 하 며 이 소자의 형 태 는 그림 1 3.31 에 보
인다. AlGaAs-GaAs 계면에 대한 단일 이종 접 합 은 1 x 1 012 cm - 2 정도의 최대 2-차원
적 인 전 자 면 밀 도 를 갖 는 다 . 이 농 도 는 동 일 한 에 피 텍 셜 층 에 서 둘 또 는 그 이상의
AlGaAs-GaAs 계면을 제작함으로써 증 가시킬 수 있으며, 따라서 소자의 전류용량도 증
가 하 고 전력 성 능 도 향 상 된 다 . 다채널 배 MT는 병 렬 로 연 결 한 다 층 단일 채널 HEMT
로서 동 작 하 고 ，약 간 다 른 문 턱 전 압 을 갖 지 만 오직 동 일 한 게 이 트 가 변조를 시킨다. 최
대 전달 컨 덕 턴 스 는 각 채널에 따 른 문 턱 전 압 의 변 화 때문에 채널 수에 직 접 적 으 로 축
적이 될 수 없을 것 이 다 . 추 가 로 게 이 트 와 채널 사이 의 거 리 가 증 가 함 에 따라서 유 효
채 널 길 이 는 증가한다.
HEMT는 고 속 논리회 로에서 사 용 할 수 있다. 이 들은 T = 300 K에서 5.5 GHz의 클
럭 주파수에서 동 작 하 는 플립플럽 회 로 에 도 사 용 하 고 있다. 즉 클럭 주 파 수 는 낮 은 온
도에서 증 가 할 수 있다. 또 한 소 신 호 ，고 주 파 증 폭 기 도 연 구를 하 였 다 . 낮 은 잡 음 과 비
교적 큰 이득을 보 이 는 HEMT는 35 GHz에서 동작한 다 . 최대 주 파 수 는 채널 길 이가 감
소함에 따라서 증 가 한 다 . 0-25 pm 의 채널 길이에서 1 00GHz 정도의 차 단 주 파 수 를 측
정하였다.
HEMT가 고 속 동 작 ，낮 은 전 력 손 실 ，그 리 고 낮 은 잡음의 달성에 의해서 다 른 FET
기 술들 보 다 더 우 수 하 다 . 이런 장 점 들 은 FET어1 대 한 채 널 층 으 로 비도핑 GaAs를 이용
함 으 로 써 얻어진 월 등 한 전 송 특 성 으 로 부 터 직접 유 도 한 다 . 비도핑 채널에서 적 당 한
캐리어 농 도 를 얻기 위 한 한 방 법 은 보 여 준 것과 같이 반도체 이종 접합 계면에 캐리어
들 을 축 적 하 는 것이 다 . HEMT의 단 점 은 이 종 접 합 에 대 한 제조공정 이 더 복 잡 하 다 는
것이다.
1 3. 6 요약

■ 접합 전계 효과 트랜지스터의 물성，특성과 동작을 이 장에서 언급하였다.

■ JFET에서 전류는 전류의 방향에 수직적으로 인가한 전계로 제어한다. 전류는 소스와
드레인 접촉 사이에서 채널 영역에 있다. pn JFET에서 pn 접합의 한쪽 면에 형성하는
채널은 채널 컨덕 턴스를 변조하도록 이용한다.
■ JFET의 일차적인 두 개의 파라미 터는 내부 핀치오프 전압 과 핀치오프 전압 '이
다. 내부 핀치오프 전압은 양의 값으로 정의하고，접합 공간 전하 영역이 채널 영역을
완전하게 채우도록 하는 전체 게이트와 채널간의 전위이다. 핀치오프 전압은 핀치오프
조건을 이루도록 인가하는 게이트 전압으로 정의한다.
■ 이상적인 전류-전압 관계를 유도하였다. 전달컨덕턴스，혹은 트랜지스터 이득은 게이
트-소스 전압 변화에 대한 드레인 전류의 변화율이다.
■ 비이상적인 효과를 고려하였다. 즉 채널-길이 변조，속도포화, 문턱아래 전류，이런 각
각의 효과들은 이상적 인 전류_전압 관계를 변화시 킨다.
■ JF E T의 소신호 등가회로를 전개하였다. 트랜지스터에서 등가회로는 주파수 효과를 소
개하는 커패시턴스를 포함한다. 두 물성적인 인자는 즉 채널 주 행 시 간 과 커패시턴스
충전시간에서 주파수 제한에 영향을 준다. 정상적으로 단채널 소자에서 커패시턴스 충
전 시정수는 제한인자이다.
전 자 이동도 트랜지 스터 (H EMT) 구조는 이종접합을 이용하였다. 2-차원적인 전
■ 높은•
자가스가 이종접합 계면에서 전위 우물을 제한한다. 그러나 전자는 계면에서 평행 이
동이 자유롭다. 이온화한 불순물 산란 효과를 최소화하고, 높은 이동도의 결과가 되도
록 하기 위해 이러한 전자들이 이온화한 도너에서 부터 분리된다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

정전용량 충전 시간(C a pa citance ch arging time) 입력 게이트 신호의 변화로 입력 게이트

정 전 용량을 충전 혹은 방전에 관련된 시간
채널 컨덕턴스(C hannel conduta nc e) 드레인-소 스 전압이 영에 도달할 때 드레인-소 스 전
압의 변화에 대한 드레인 전류의 변화비
채널 컨덕턴스 변조(C hannel conduta nc e modulation) 채널 컨덕턴스가 게이트 전압으로
변화하는 과정. 이것이 기본적 전계 효과 트랜지스터 동작이다.
채널길이 변조(C hannel le ngth modulation) 포화영역으로 인가시킨 JF E T에서 드레인-소
스 전압으로써 유효 채널길이의 변화
전도 파라미터(C onduction param eter) 증가모드 ME S F E T에서 드레인 전류 대 게이트-소
스 전압에 대한 표현식에서 곱하기 인자 kn
차단 주파수(C utoff fre qu e ncy) 소신호 드레인 전류 대 소신호 입력 게이트 전류의 비가 1
과 동일한 주파수로 정 의한 트랜지스터 에 대한 특징 적 인 장점
공핍모드 J F F H D e ple tion mode JF E T) 게이트-소 스 전압이 핀치오프를 생성하거나 소자
를 차단시키기 위해서 인가하는 JF ET
61 2 C h apters 접합 전계효과트랜지스터

증 가 모 드 J F E T(E nhancement mod e JF E T) 핀치오프가 영 게이트 전압에서 나타나고 게

이트-소스 전압이 소자를 동작시키는 채널을 유기시키기 위해 인가하는 JF ET
내 부 핀 치 오 프 전 압 (Internal pinchoff voltage) 핀치오프에서 게이트 접합을 가로지르는 총

전위 강하
출 력 저 항 (O utput resistance) 일정한 게이트-소스 전압에서 드레인 전류의 미분 변화에 대
한 드레인-소스 전압에서 미분 변화의 비
핀 치 오 프 (Pinchoff) 채널의 자유 캐리어들이 완전히 공 핍 하 도 록 채널을 통해 게이트 접합

공간 전하 영 역을 완전히 확장하기 의한 조건

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
이 장을 공부한 후，독자는 다음 능력을 가져야한다.
■ pn JFET와 MESFET의 기본적 인 동작을 묘사할 수 있다.
■ 전류는 어 떻 게 반절 연 기 판을 갖는 GaAs MESFET의 채 널 영 역 에서 형 성 하는가를 논
할 수 있다.
■ 공핍 모드 JFET의 I- V 특성을 그릴 수 있다.
■ 내부 핀치오프 전압은 어떻게 정의하며，핀치오프 전압은 어떻게 정의하는가를 논할
수 있다.
■ JFET에 대해서 전달 컨덕턴스를 정의할 수 있다.
■ 증가 모드 MESFET의 개 념을 논할 수 있다.
■ JFET에서 채널 길이 변조，속도 포화 효과，문턱아래 효과를 포함한 비이상적인 효과
를 논할 수 있다.
■ JFET의 소신호 등가회로를 그릴 수 있다.
■ 주파수 제한 인자를 논할 수 있고，차단 주파수를 정의할 수 있다.
■ 간단한 HEMT 의 단면도를 그릴 수 있다.
■ HEMT의 장점과 MESFET의 장점을 묘사할 수 있다.

복습 질문_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. p-채널 pn JFET의 단면도를 도시하고，소자 동작에 대해 전압 극성을 표시하라.
2. 포화 와 비포화로 인가시킬 때 공핍 영 역 을 나 타내는 P-채널 pn JFET의 단 면도를 그
려라.
3. pn JFET에서 포화전류의 메커니즘은 무엇인가?
4. n-채널 GaAs MESFET의 단면도를 그려라.
5. MESFET에 포화전류의 메커 니즘은 무엇인가?
6. pn JFET에 대해서 내부 핀치오프 전압과 핀치오프 전압의 정의하라.
7. MESFET에 대해서 임계전압을 정의하라.
8. JFET의 소신호 등가회로를 그려 라.
9. JFET에 대해서 두 가지 주파수 한계 인자를 정의하라. 차단 주파수에 대한 조건을 정
의하라.
10. AlAs-GaAs HEMT의 단면도를 그려라. 이종접합의 전도 에너지밴드를 그려라.
11. MESFET와 비교하여 HEMT의 주요 장점이 무엇인가?

문제

(주의: 다음 문제에서 다른 언급이 없는 경우 r = 300 K라고 가정한다.)

1 3.1 절 JFET 개념

13.1 (a) 그림 1 3.2 에 보여준 구조와 유사한 p -채널 J F E T 의 구조를 그려라. (b) 그림 1 3.3
과 1 3.4 에 보여준 것들과 유사한 전류방향과 전압극성을 포함하여, 정성적으로 /小
특성을 설명하라.
13.2 그림 P 1 3.2 의 n -채널 J F E T 를 고려하자. p -형 기판은 n -형 소스 단자와 연결되어 있
다. VDS = 0일 때 다양한 값에 대해서와 V GS = 0일 때 다양한 VDS 값에 대한
공간전하 영역을 그려라.

1 3.2 절 소 자 특성

13.3 T = 300 K에서 n-채널 GaAs pn JFET가八느 = 3 x l 16 cm* 3, N a = 2 x l 01 8cm—3

의 도핑농도와 a = 0.40 /xm를 가진다. (a) (i) 내부 핀치오프 전압 와 (ii) 핀치
오프 전압 '를 계산하라. (b) (i) VDS = 0, (ii) VDS = 0.5 V, (iii) VDS = 2.5 V에
대해서와 =- .5 V에 대해서 최소 공핍하지 않은 채널의 두께 a -h 를 결정하
라. (c) (i) V GS = 0과 (ii) VGS = -1 .0 V에 대해서 V이(sat) 구하라.
13.4 동일한 기하구조와 전기적 파라미터를 갖는 n-채널 실리콘 pn JFET에 대하여 문제
1 3.3을 반복하라.
13.5 T = 300 K에서 p-채널 GaAs JFET를 고려하자. 파라미터는 Nd = 1 018 cm_ 3, a =

0.65 이다. (a) 내부 핀치오프 전압 Vp0 = 2.75 V가 되는 채널 도핑농도를 결정

하라. (b) (a) 부분의 결과를 이용하여, 핀치오프 전압 '는 얼마인가? (c) VSD = 0
에 대해서，최소 공핍되지 않는 채널 두께가 0.1 5 pm 가 되도록 카 의 값을 결정하
라. (d) yGS = 0에 대해서 채널이 드레인 단자에서 막 핀치오프가 되도록 가D의 값
을 계산하라.
13.6 동일한 기하구조와 전기적 파라미터를 갖는 p-채널 실리콘 pn JFET에 대해서 문제
13.5 반복하라.
13.7 p-채널 실리콘 pn JFET의 파라미 터 가 = 3 x 1 18 cm- 3JVa = 2 x l 1 6Cm_ 3이
다. (a) 핀치오프 전압 ' = +3.0 V이도록 금속학적 채널 두께 «를 결정하라. (b)

그림 P1 3.2 문제 13.2에 대 한 그림
6H Chapter 1 3 접합전계효과트랜지스터

(a) 부분의 결과를 이용하여，내부 핀치오프 전압 ' 0를 결정하라. (c) (i) 카 = 0

V와 (ii) V g s = 나 V 에 대해서 VSD(sat)를 결정하라.
13.8 p- 채널 GaAs pn JFET 가 문제 13.7에서 주어진 것과 같이 동일한 파라미터를 갖는
다. (a), (b)와 (c) 부분에 대해서 계산을 반복하라
13.9 실리콘 n- 채널 pn JFET 에서 도 핑 농 도 가 '^ = 4 x 1 018 cm-3, N d = 4 x l 16 cm一3
이다. (a) V GS = 0에 대해 VflS(sat) = 5.0 V이도록，채널 금속학적 두께를 설계하
라. (b) ⑷ 부분의 결과를 이용하여，(i) 내부 핀치오프 전압 와 (ii) 핀치오프 전
압 '를 결정하라.
13.10 p- 채널 GaAs JFET 를 고려하자. 도핑농도가 N d = 1018 cm —3, N a = 5 x 1015 cm —3
이다. (a) V GS = +1.0 V 에 대해 VSD(sat) = 3.5 V 이도록 채널 금속학적 두께를 설
계하라. (b) (a) 부분의 결과를 이용하여, (i) 내부 핀치오프 전 압 와 (ii) 핀치오
프 전압 '를 결정하라.
13.11 T = 300 K 에서 n- 채널 실리콘 JFET 가 다음 파라미터를 갖는다.

Na — 1019cm 3 Nd = 1016cm 一3
a = 0.50 /im L = 20 /xm
W = 400 jLtm i n = 1000 cmW-s

속 도 포 화 효 과 를 무 시 하 고 ，(a) I n , (b) (i) v GS = , (ii) v cs = VPI4, (iii) v GS =

Vp/2 , (iv) VGS = 3v y 4에 대한 VDS(sat), (c) (b) 부분에서 동 일 한 VGS 값에 대해
/D1(sat)을 계산하라. (d) (비와 (c) 부분으로부터 결과를 이용하여 /-V 특성을 그려라.
13.12 문제 13.11 에 나타난 JFET 를 고려하라. 0 < \V GS\ < 이 에 대해 VGS의 함수로서 채
널 컨덕 턴스 &를 계산하고 그려 라.
13.13 다음의 파라미터를 가지고 T = 300 K 에서 n- 채널 GaAs JFET 를 고려하자.

Na = 5 X 1018cm-3 Nd ~-= 2 X 1016cm-3

a = 0.35 jLtm L == 10 jam
W = 30 jLtm 1 n -= 8000 cmW-s

속도 포화 효과를 무시하고，(a) G이，(b) VG5 = 0과 VGS = Vp/2에 대해서 V s(sat)，

(c) V GS = 0와 VGS = Vp/2 \} 대한 /D1(sat)，(d) (이와 (c)로부터 결과를 이용하여，I -
V 특성을 그려라.
13.14 문제 13.11 로부터 파라미터를 이용하여 포화 영역에서 최대 전달컨덕턴스를 계산
하라_ 단위 폭당 밀리지멘스 (ms) 대비 최대 전달 컨덕턴스를，혹은 mS/mm 로 표준
화하라.
13.15 (a) 문제 1 3.1 3에서 설명한 트랜지스터에 대해 최대 전달컨덕턴스를 계산하라. (b)
만약 채널 길이가 2 로 감소한다면 최대 전달컨덕턴스를 결정하라.
13.16 금 속 -n-GaAs MESFET 의 쇼트키 장벽 높 이 ，如 ,,은 90 V 이다. 채널 도핑 은 N d =
1.5X 1016 cm —3이고，채널 두께는 a = 0.5 m 이다. T = 300 K. (a) 내부 핀치-오
프 전압 ' 와 문턱전압 다를 계산하라. (b) MESFET 가 공핍형，혹은 증가형 인지를
결정하라.
13.17 금의 쇼트키 장벽 접촉을 갖는 T = 300 K 에서 n- 채널 GaAs MESFET 를 고려하자.
(h n = 0.89 v 라고 가정한다. 채널 두께는 a = 0.35 m 이다. (a) 문턱 전압 =
 0.1 0 V가 되기 위한 균일한 채널 도핑을 구하여라. (b) (a) 부분의 결과를 이용하여，
T = 400 K에서의 문턱전압을 결정하라.
1 3.1 8 n-채널 GaAs MESFET에서 금속 접촉의 장벽 높이 如 „은 0.87 구이다. 채널 도핑은
N d = 2 x l 016 cm-3이다. (a) 내부 핀치오프 전압 = 1.5 V가 되도록 채널 두께
를 결정하라. (b) ⑴ 부분의 결과를 이 용하여，문 턱 전 압 다 를 구하라. (c) (i) yDS
= , (ii) VDS = 1 V，(iii) VDS = 4 V 일 때，yGS = + 0.4 V에 대한 공핍되지 않는
채널의 최소 폭을 계산하라.
1 3.1 9 두 개의 n-채널 GaAs MESFET의 장벽 높이 (卜Bfl = 0.87 V이다. (a) 소자 1 에서 채
널 도핑농도 N d = 5 乂1 015 cm- 3이고，채널의 금속학적 두께 a = 0.50 이다. 문
턱전압을 결정하라. (b) 소자 2에서 채널 도 핑 농 도 씨 = 3 x l 016 cm 3이다. 문턱전
압이 소자 1 의 문턱전압과 동일하도록，금속학적 채널 두께 ^를 결정하라.
1 3.20 <t>Bn = 0.85 V와 a = 0.25 이 며，T = 300 K에서 n-채널 GaAs MESFET를 고
려하자. 다 = .5 V가 되도록 채널 도핑농도를 결정하라.
1 3.21 n-채널 실리콘 MESFET가 금 접촉을 이용하여 제작하였다. 그리고 n-채널 도핑은
N d = 1 016 cm-3이고，온도는 T = 300 K이다. = 0.35 V의 게이트 전압이
= 으로 인가할 때，공핍 되 지 않는 채널 두께가 . 75 이 다. (a) 채널 두께 a와
문턱전압 다 를 결정하라. (b) VGS = 0.35 V에 대한 V s(Sat)의 값을 결정하라.
1 3.22 n-채널 GaAs MESFET의 쇼트키 장벽 높이 (t)Bn은 0.90 V이다. 금속학적 채널 두께
a = 0.65 m이고 채널 도핑농도 N d = 2 x l 016 cm—3이다. (a) (i) Vhi, (ii) Vp , (iii)
다 를 결정하라. (b) (i) VGS = 一 1.0 V，(ii) VGS = -2 .0 V，(iii) V GS = 一3.0 V에
대한 VDS(sat)를 계산하라.
1 3.23 n-채 널 GaAs MESFET의 파라미 터 다 = 0.1 5 V， = 0.25 사m, L = 1.5 fx,m , W
= 12 사m와 i n = 6500 cm2/V-s 이다. (a) 전도 파라미 터 、 을 결정하라. (b) (i) V GS
= .25 V와 (ii) V GS = 0.45 V에 대해서 /D1(sat)를 구하라. (c) (i) V GS = 0.25 V와
(ii) V GS = 0.45 V에 대한 VDS(Sat)를 구하라.
1 3.24 n-채널 GaAs MESFET가 채널 폭을 제외하고 문제 1 3.23에서 서술한 것과 같은 동
일한 파 라 미 터 를 가진다. (a) VGS = 0.45 V에서 최대 전달 컨덕턴스 gms = 1.25
mA/V 이다. 요구하는 채널 폭 ，를 결정하라. (b) (a) 부분의 결과를 이용하여, (i)
V GS = 0.25 V，(ii) V GS = 0.45 V에 대한 /D1(sat)을 구하라.
1 3.25 V노 의 주어진 값에 대해서 I D1 대 V노 를 그리기 위해 식 (1 3.27)을 사용하라. 만약
가 카«(sat) 보다 더 크게 허용한다면，그 때 。 은 匕w(sat)가 일어나는 첨두값이
감소한다. 이 그래프 로 부 터 ， 의 여러 값에서 어 sat)를 결정하라. 식 (1 3.1 2)로
부터 결정된 그런 값들과 이 값들을 비교하라.
1 3.26 이 문제는 식 (1 3.35)의해 주어진 것과 함께 식 (1 3.1 4)의해 주어진 것과 같이 JFET
드레인 전류를 비교하기 위한 것이다. VGS = 0에서 드레인 전류가 두 식으로부터
동일하도록 소자의 파 라 미 테 을 선택하라.

1 3.3 절 비 이 상 적 인 효 과

1 3.27 균일하게 도핑한 n-채널 실리콘 pn JFET가 다음의 파라미터를 가진다. N a = 1 018
61 6 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

cm-3, N d = 3 x 1 016 cm-3, a = 0.50 /xm, ! n = 850 cm2/V-s. 최대 드레 인-소스

전압 VDS = 10 V이다. (a) yGS = 0 V에 대해서 유효 채널 길이 L ' 가 원래 채널 길
이의 90% 보다 짧지 않다. L의 최솟값을 결정하라. (b) V GS = -3 V에 대해서 (a)
부분을 반복하라.
*1 3.28 만약 채널 길이의 변화 A L 이 작다고 가정한다면，식 (1 3.53)에서 주어진 A 에 대한
채널 파라미터에 의해서 근사 표현식을 유도하라<주의: 파라미터 A는 상수가 아닐
수 있다. 그러나 1.5 VDS( sat) < < 3.0 Vos( sat) 범위 이상에서 A 에 대한 표현식
을 그림으로 식 (1 3.53)을 사용하여 증명하라. 전형 적 인 파라미 터 값들을 사용하라).
*1 3.29 첫 번째 근사에 따라서，n-채널 실리콘 JFET의 채널에서 전계가 채널을 통해서 균
일하다는 것을 가정하자. 또한，전자에 대해서 표동속도 대 전계가 그림 P 1 3.29에
주어진 구분적 선형 근사에 의해 주어진다고 가정하고, 다음과 같다.
Na = 5 X 1018 c m -3 Nd = 4 X 1016 c m -3
L = 2 /xm W = 30 g m
a = 0.5 0 jLim

(a) yGS = 0이라 놓고 속도 포화가 일어나는 곳에서 1 /어를 결정하라. (b) V GS = 0

에서 가sal를 결정하라. (c) 속도 포화가 일어난다면 /D1(sat)를 계산하라. (d) 만약 전
자 이 동도가 상 수 로 = 1 000 cm2" - s이면，또 속도 포 화 가 일어나지 않을 때
“ (sat)를 계산하라.
*13.30 ⑷ 만약 L = I 사m이고，모 든 다른 파라미 터들을 같게 유지하고 문제 1 3.29를 반
복하라. (b) 만약 속도 포화가 일어난다면，/D1(sat) cc L -> 관계가 여전히 적용되는
가를 설명하라.
13.31 n- 채널 GaAs MESFET 의 채널 길이 스 = 2 사m 이다. 채널에서 평균 수평 전계 E =
5 kV 八:m 로 가정하자. (a) 일정 이동도 此 = 8000 cm2八니를 인가，(b) 속도 포화를
인가하는 것으로 가정하여 채널을 통한 전자의 주행시간을 계산하라.
13.32 n- 채널 실리콘 MESFET 의 채널 길이 L = 2 /xm 이다. 채널에서 평균 수평 전계 E
= 10 kV/cm 로 가정하자. (a) 일정 이동도 此 = 1 000 cm2/V-s 인가와 (b) 속도 포
화로 인가하는 것으로 가정하여 채널을 통한 전자의 주행시간을 계산하라.
13.33 그림 P1 3.33에서 보여준 것과 같이 핀치오프일 때，T = 300 K에서 한-면 실리콘 n-
채널 JFET를 고려하자. 소 스 -게 이 트 와 드레 인-게이트 사이에 역방향으로 인가한
전류를 보여준 것과 같이 기하학적으로 분리되어 있다. 역방향 인가 전류가 생성

v GS = y T

1 X l 4
전계 (V/m) L/2 L/2

그림 P1 3.29 문제 13.29의 그림* 그림 P13.30 문제 13.33의 그림

*표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

 전류에 의해 좌우한다고 가정 하고，다음과 같은 파라미 테 을 가정하자.
(a) VDS = 0, (b) V DS = 1 V，(c) VDS = 5 V에서 /DG를 계산하라[식 (8.42)을 사용
하고 공핍 영역의 부피도 고려하자].
Na = 5 X 1018 cm - 3 Nd = 3 X 1016cm 一3
r = 5 X 10_ 8s a = 0.30 jam
W = 30 fim L = 2.4 /xm

1 3.4 절 등 가 회 로 와 주 파 수 한계

13.34 M ESFET 의 소 스 직렬 저 항 성 분 은 전 달 컨 덕 턴 스 요„„ 값 을 감 소 시 킨 다 . GaAs

M ESFET 의 소스 영 역 에서 도 핑 농 도 N d = 7 x 1016 c m - 3이 고 ，크 기 는 a = 0.3
fim, L = 1.5 fim, W = 5.0 씨 n 이 다. fxn = 4500 cm2/V-s, (j)Bn = 0.89 V 로 놓자.
(a) V GS = 0 에 대하여 이상적 인 gms값을 결정하라. (b) 소 의 값이 이상적 인 값의
80 % 인 것에 대해 ~의 값을 결정하라. (c) a•
，가 (b) 부분에서 결정한 값보다 더 이상
크지 않도록 채널의 가장자리부터 소스 단자까지의 최대 유효 거 리를 결정하라.
13.35 문제 1 3.34에서 MESFET의 차단 주파수를 계산하라.
13.36 T = 300 K 에서 n-채널 GaAs MESFET 가 다음의 파라미 터들 을 가 진 다 . (f>Bn =
0.90 V , N d = 4 x 1016 cm -3 , /xn = 7500 cm2/V-s, a = 0.30 yu,m, = 5 /xm와 L
= 1.2 fjm . (a) 일정한 이동도 모델과 (b) 포화 속도 모델을 사용하여 차단 주파수
를 계산하라.
1 3.37 실리콘 n-채널 pn JFET를 생각하자. 파라미 터는 a = 0.40 m, i n = 1 000 cm2/V-
s과 N d = 2 x l 16 cm- 3이다. (a) L = 3 /xm와 (b) L = 1.5 에 대한 차단 주파
수를 결정하라.
13.38 실리콘 p-채널 pn JFET가 파라미터 i p = 420 cm2A/-s, a = 0.40 와 八노 = 2 X
1 016 cm—3이다. 차단주파수가 (a )/r = 5 GHz와 (b )/r = 12 GHz이도록 최대 채널
길이를 결정하라.

1 3.5 절 높 은 전 자 이 동 트 랜 지 스 터

13.39 N-Al0.3Ga0.7As-진성 GaAs 계단 이 종 접 합 을 고 려 하 자 . AlGaAs는 八성 = 3 x 1 018

cm- 3으로 도핑하고，두께 350 A을 가진다고 가정하자. 4>Bn = .B9 V로 놓 고 , A E C
= 0.24 … 로 가정하자. (a) Vrff를 계산하고，(b) ' = 0에 대해서 «5를 계산하라.
13.40 만약 문제 1 3.39의 JFET의 채널에서 전자들이 2 x 107 cm/sec의 포 화 속도로 이동
하고 있다면, (a) ' = 0에서 단위폭 당 전달 컨덕턴스，(b) = 0에서 단위폭 당
포화 전류를 결 정 하 라 = 1 V로 가정하자).
13.41 계단형 N-Al0.3Ga .7As-진성 GaAs 이 종 접 합 을 고 려하자. N-AlGaAs 는 N d = 2 x
1 18 cm_ 3으로 도핑을 하였다. 쇼트키 장벽 높이는 0.85 V이고, 이종접합 전도대의
가장자리 불연속성 착 = 0.22 eV 1 4- ff = -0.3 V이도록 AlGaAs층의 두께
를 결정하라.
61 8 Chapter 1 3 접합 전계효과 트랜지스터

요약 및 복습

*13.42 V GS = 0 와 / r = 10 GHz 에서 ' = - 3 .2 V ，/ D1(sat) = 1.2 mA 이 도 록 한 -면 실리

콘 p -채널 JFET 를 설 계 하 라 . L , " 와 ' J의 요 구 된 값 을 결 정 하 라 .
*13.43 V GS = 0.45 V 와 / r = 50 GHz 에서 Vr = +0.12 V, I DSS = 2.0 A이 도 록 如 „ =
0.89 V 인 한 -면 GaAs n - 채 널 MESFET 를 설 계 하 라 . i „ = 7500 cm 강V-s 로 가 정 하
자 .

*13.44 T = 300 K에서 각 소자에 대해 I DSS = 1 mA와 IV。 = 3.2 V가 되도록 상보 n-채
널과 P-채널 실리콘 JFET의 쌍을 설계하라. 만약 소자들이 0 드 드 5 V에서 동
작한다면 설계에서 속도 포화와 채널 길이 변조 효과들에 대해 설명하라.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. Chang, C. S., and D. Y. S. Day. “ Analytic Theory for Current-Voltage Characteristics
and Field Distribution of GaAs MESFETs.” I E E E Tra ns a ctions on E le ctro n D e vic e s
36, no. 2 (February 1989)，pp. 2697-280.
2. Daring, R. B. “ Subthreshold Conduction in Uniformly Doped Epitaxial GaAs
MESFETs.” I E E E Tra ns a ctions on E le ctro n D e vic e s 36, no. 7 (July 1989), pp.
12647-1273.
3. Dimitrijev, S. P rin c ip le s o f S e miconductor D evic e s. New York: Oxford University
Press, 2006.
4. Drummond, T. J., W. T. Masselink, and H. Morkoc. “ Modulation-Doped GaAs
/(Al,Ga)As Heterojunction Field-Effect Transistors: MODFETs.” Proc e e dings o f the
I E E E 74, no. 6 (June 1986), pp. 7737-812.
5. Fritzsche, D. “ Heterostructures in MODFETs.” S olid-S ta te E le ctro nic s 30, no. 11
(November 1987), pp. 11837-1195.
6. Ghandhi, S. K. VLSI F a b ric a tio n P rin c ip le s : S ilic o n a nd G a lliu m Ars e nid e . New York:
John Wiley & Sons, 1983.
7. Kano, K. S e miconductor D evic e s. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1998.
8. Liao, S. Y. M icro w a v e S olid-S ta te D e vic e s. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1985.
9. Ng, K. K. C omple te G uid e to S e miconductor D evic e s. New York: McGraw-Hill, 1995.
10. Pierret, R. F. F i e ld E ffe ct D evic e s. Vol. 4 of the Modular Series on Solid State Devices.
2nd ed. Reading, MA: Addison-Wesley, 1990.
11. ______. S e miconductor D e vic e F und a m e nta ls. Reading, MA: Addison-Wesley, 1996.
12. Roulston, D. J. An In tro d u c tio n to the P hysics o f S e miconductor D evic e s. New York:
Oxford University Press, 1999.
*13. Shur, M. G a A s D e vic e s a n d C irc u its . New York: Plenum Press, 1987.
14. ______. In tro d u c tio n to E l e c tro n ic D e vic e s. New York: John Wiley & Sons, 1996.
15. Singh, J. S e miconductor D e vic e s: A n In tro d u c tio n . New York: McGraw-Hill, 1994.
16. ______. D e vic e s: B a sic P rin ciple s . New York: John Wiley & Sons,
2001 .
17. Streetman, B. G., and S. K. Banerjee. S o lid State E le c tro n ic D e vic e s, 6th ed. Upper
Saddle River, NJ: Pearson Prentice Hall, 2006.
18. Sze, S. M. H igh-S p e e d S e miconductor D evic e s. New York: John Wiley & Sons, 1990.

표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

 참고문헌 61 9

19. ______. S e miconductor D e vic e s: P hysics a nd T e chnology. New York: John Wiley &
Sons, 1985.
20. Sze, S. ML and K. K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Hoboken, NJ:
John Wiley & Sons, 2007.
21. Turner, J. A., R. S. Butlin, D. Parker, R. Bennet, A. Peake, and A. Hughes. “ The Noise
and Gain Performance of Submicron Gate Length GaAs FETs.” G a/b F E T P rin cip le s
a n d T e chnology. Edited by J. V. Di-Lorenzo and D. D. Khandelwal. Dedham, MA:
Artech House, 1982.
22. Yang, E. S. M icro e l e c tro n ic D evic e s. New York: McGraw-Hill, 1988.
 광소자
\ _______________
^■예 —

앞장들에서 우 리 는 전기 신 호 를 증 폭 하 고 스 위 칭 하 는 데에 사 용 되 는 트랜지스터의 기본적 물리

에 관하여 알 아 보았다. 반도체 소 자 는 광 에너 지 를 전기 에너지로 변환하고, 또 전기 신 호 를 광

신호로 변환하기 위해 설계될 수 있다. 이러한 소 자 들 은 광 섬유를 통한 광대역 통신과 데이터

통신에 사용된다. 이러한 소자들을 일반적으로 분류하여 광전자공학으로 부른다.

이 장에서 우리는 태양전지, 몇 가지의 광 검 출 기 ( P h o to d e te c tor), 발 광 다 이 오 드 (Light

E mitting Diode 또는 LE D )와 레이저 다이오드의 기본 원리를 논의한다. 태양전지와 광검출기

는 광 에 너 지 를 전기 에너지로 변환하고, 발광 다이오드와 레이저 다이오드는 전기 에너지를

광 에너지로 변환한다. ■

U .0 개설

이 장에서 우리 는
■ 반도체 내 광자 의 흡 수 를 논 의 하 고 분 석 한 후 ，몇 가지 반 도 체 물 질 에 대 한 흡 수
계수 데 이 터 를 제시한다.
■ 태양전지의 기본 원리 를 고 찰 한 후 전 류 -전 압 특 성 을 분 석 하 고 변 환 효 율 을 논 의 한
다.
■ 동 종 접 합 ，이 종 접 합 과 비정질 실 리 콘 태 양 전 지 를 포 함 하 는 여러 종류의 태양전지
를 소개한다.
■ 광 전 도 체 ，광 다 이 오 드 와 광 트 랜 지 스 터 를 포 함 하 는 광 검 출 기 의 기본 원 리 를 논의
한다.
■ 여러 광검출기의 출 력 전 류 특 성 을 유도한다.
■ 발 광 다이오드의 기 본 동 작 을 소 개 하 고 분 석한다.
■ 레이저 다이오드의 기 본 원 리 와 동 작 을 논 의한다.
622 Chapter U 광 소 자

141 광 흡수

2장에서 우 리 는 파 동 -입 자 이 중 성 을 논의 하 면 서 광 파 를 광 자 라 는 입자로서 취 급 할 수
있 다는 점을 언 급 하 였 다 . 광자의 에 너 지 는 £ = 쇼v이며 사는 플 랑 크 상 수 이 고 v는 주 파
수이다. 우 리 는 또 한 파 장 과 에 너 지 를 다 음 식과 같이 연관시킬 수 있다•

A=f = ^ = ^ / ，m (1 4.1 )

여기에서 E 는 광자의 에너지(eV 단 위 )이 고 c는 빛의 속도이다.

광 자 와 반도체 간 상 호 작 용 에 는 몇 가지 메커 니즘이 있다. 예를 들면 광 자 는 반도체
격 자 와 상 호 작용하 여 광자의 에 너 지 가 열로 변환될 수 있다. 광 자 는 도 너 나 억 셉 터 와
같 은 불 순 물 원 자 와 도 상 호 작 용 할 수 있 고 ，반도체 내의 결정 결 함 과 도 상 호 작 용 할
수 있다. 그 러 나 우 리 가 가 장 큰 관 심 을 가지고 있는 기본적 인 광자의 상 호 작 용 은 가전
자대의 전자와의 상 호 작 용 이 다 . 광 자 가 가전자대 의 전 자 와 충 돌하게 되 면 전자에 에너
지 를 충분히 전달하 여 전 도 대 에 올려 놓 을 수 도 있다. 그 러 한 과 정 은 전 자 -정 공 쌍 을
생성하여 과잉 캐리어 농 도 를 만들어 줄 수 있다. 과잉 캐리어의 거 동 은 6장에서 논의
되었다.

14. 1. 1 광 흡수 계수

반 도 체 를 빛으로 조 사하면 광 자 는 광자의 에 너 지 와 반도체의 밴드캡 에너지 & 에 따라

흡 수 되 거 나 반 도 체 를 통 과 할 수 있다. 만약에 광자의 에 너 지 가 보다 작으면 광자는
쉽게 흡 수되지 않 는 다 . 이 경 우 에 는 빛 은 물 질 을 통하여 투 과 하 고 반 도 체 는 투 명 하 게
보인다.
만약 E = h v 〉 이 면 광 자 는 가 전 자 와 상 호 작 용 하 여 전 자 를 전도대 에 올릴 수
있다. 가 전 자 대 에 는 전 자 가 많 으 며 , 전 도 대 에 는 빈 준 위 가 많아서 이 러 한 상 호 작 용 이
일 어날 확 률 은 h v 〉 일 때 높다. 이 상 호 작 용 은 전도대에 전 자 를 ，가전 자대에 정 공 ，
전 자 -정 공 쌍 을 만 들 어 준 다 . h v 값에 따 른 기 본 적 인 흡 수 과 정 을 그림 1 4.1 에 보여 준
다. /n，> E g일 때 전 자 -정 공 쌍이 생 성되며 초과분의 에 너 지 는 전 자 와 정 공에게 추 가
적인 운 동 에 너 지 로 주 어 졌 다 가 반도체 내에서 열로 소모된다.
광 속 (光 束 )의 세 기 는 /v c)로 나 타 내 며 에 너 지 /cm2-s 단 위 로 표 시 한 다 . 그림 1 4.2는

i
h v 스♦

1
I 3

그림 1 4.1 반도체 내에서의 전가정공 쌍의 광학적 생성

 1 4.1 광 흡 수 623

그림 1 4.2 미소 구간 내에서의 빛의 흡수 그림 1 4.3 두 가지의 흡수계수에 대한 광

자 세기의 거리에 따른 변화

위 치 x 에서 입 사 하 는 광 속 과 위 치 x + 쇼에서 나 가 는 광 속 을 보 여 주 고 있다. 단위 시 간
에 d x 구간에서 흡 수 되 는 에너 지는 다 음 과 같다.

a l v(x )d x (1 4.2)

여기에서 «는 흡 수 계 수 이 다 . 흡 수 계 수 는 단위 길이에서 흡 수 되 는 광자의 상 대 적 인 수

이며 cm- 1 단위로서 나타낸다.
그림 1 4.2로부터 우 리 는 다 음과 같이 쓸 수 있다.

I„ ( x + d x)—l v{x) = 선
】:은 :、 . (ix = —a l v{x) d x (1 4.3)

또는

쯔 분 = ~ a l v(x ) (1 4.4)

만약에 초기 조건 /v(0) = /v0을 주면 미분방정식 식 (1 4.4)에 대 한 해는 다 음 과 같다.

八⑵ = ■유 (1 4.5)

광속 의 세 기 는 반도체 내에서 거리에 따 라 지수 함 수 적 으 로 감 소 한 다 . 그림 1 4.3은 두

가지 흡수계수에 대하여 거 리 x의 함수로서 광속의 변화를 보여 준다. 흡 수 계 수 가 크면
광 자 는 비교적 짧 은 구간에서 흡수된다.
반 도 체 의 흡 수 계 수 는 광 자 의 에 너 지 와 밴드캡 에 너 지 에 따 라 크게 변 한 다 . 그림
1 4.4는 몇 반도체 물질에 대하여 파장의 함수로서 흡수계수의 변화 를 보여 준다. hv >
及 또 는 A < 1.24/及 인 경우에 흡 수 계 수 는 매 우 급격히 증 가 한 다 . h v < & 인 경우에
흡 수 계수 는 매우 작 아 이 에너지 범위에서는 반 도 체 는 투명하게 보인다.

I목적 i 입사 광 에너지의 90%를 흡수하기 위한 반도체의 두께를 계산한다. 실리콘을 대상 M U S B

으로 처음에는 입사 광의 파장 A = 1.0 을 가정하고 두 번째에는 k = 0.5 을 가정
 광 자 에 너 지 ( eV)

그림 14.4 일부 반도체에 대한 파장에 따른 흡수계수의 변화(Shur[12] 참조)

하라.

행 n
그림 14.4로부터 A = 1.0 나m 에서 흡수계수 a = 102 cm -1이다. 만약 거리 d 에서 90%가
흡수되려면 x = “ 에서 나오는 빛은 입사 광속의 1 0%가 될 것이다. 따라서 다음과 같은 식
을 쓸 수 있다.

거 리 에 대하여 풀면 다음과 같다.

넜= 士 In ((A ) — jqt In (10) = 0.0230 cm

두 번째의 경우에는 A = 0.5 나m에서 흡수계수가 a = 104 cm- 1이다. 입사 광속의 90%가
흡수되는 거 리 납는 다음과 같다.

d = y L In ^ 솨 = 2.30 父 10 4cm = 2.30 fjjn

■
입사 광의 에너지가 증가함에 따라 흡수계수 가 급격히 증가하여 광자의 에너지는 반도체
표면의 아주 좁은 영역에서 완전히 흡수될 수 있다.

연습 ^ ^ 1
Ex 1 4.1 두께가 5 /Am인 얇은 실리콘 판이 있다. 광자의 파장이 (a) A = 0.8 (b) A =
0.6 인 경우에 대하여 판을 통과하여 나오는 광자에너지의 비율을 구하라.
[%g*0I (公) -%L'09 ip) *suy]

그림 1 4.5는 흔히 사 용 하 는 일부 반 도체에 대하여 밴드캡 에 너 지 와 빛의 스펙트럼

과의 관 계 를 보여 주 고 있다. 우 리 는 실 리 콘 과 비 소 화 갈 륨 이 가 시 광 선 모 든 스펙트럼
을 흡 수 하 며 ，인화 갈륨은 예를 들면 적색 스펙트럼에 투 명 하 다 는 것을 알 수 있다.

U . 1. 2 전 자 - 정 공 쌍 생성 률

우 리 는 에 너 지 가 & 보 다 큰 광 자 가 반 도 체 에 서 흡 수 되 어 전 자 -정 공 쌍 을 생 성 한 다 는
것을 보여 주 었 다 . 세기 八⑴ 는 단 위 가 에 너 지 /cm2로서 a/v c)는 에 너 지 가 단 위 체 적 당
흡 수 되 는 율이다 . 만 약 에 너 지 가 加 인 광 자 하 나 가 흡수되어 전 자 -정 공 쌍 하 나 를 만든
다고 가정 하면 전 자 -정 공 생 성 률 은 다 음 과 같다.

여기에서 단 위 는 #/cm3-s이다. 우 리 는 / v«//zv 의 비가 광 속 이 라 는 것을 주 목 할 필요 가

있다. 만약에 흡 수 되 는 광 자 하 나 가 평 균 적 으 로 하 나 이 하의 전 자 -정 공 쌍 을 생 성 한다
면 식 (1 4.6)은 효 율 인수에 의하여 곱 해 져 야 한다.

상대적인
눈의 호흡

Si GaAs CdSe GaPCdS SiC GaN ZnS

v-----------v----------- ，
GaAs 卜 &

A (/im )
1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.45 0.4 0.35
I i i i i i i____________ i__________________ | _
i 1 i 1 i 1 i 1 i 1 i 1 i- ' i r一i 1 「 "기 i 1 i 「 *기
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6
Eg (eV)

그림 14.5 파장/에너지와 빛의 스펙트럼과의 관계 . 인간의 눈의

상대적인 반응도 포함되었음(Sze [16] 참조)
626 Chapter U 광 소 자

■B I B 9 S 3 입사 광의 세기가 주어졌을 때 전자-정공 쌍 생성를을 계산한다.

T = 300 K에서 비소화갈륨을 생각하자. 어떤 점에서 빛의 세기가 파장 A = 0.75 사m
에서 /、，
⑴ = 0.05 W/cm2이다. 이 정도의 세기는 예컨대 태양광의 전형적 인 값이다.

^넬 II
이 파장에서 비소화갈륨의 흡수계수는 a - 0. 9 x lO 4 c m - 1. 식 (1 4 . 1 ) 을 사용하면 광자의
에너지는 다음과 같다.

E = hv
1 .24 1 .65 eV
0.75

식 (1 4.6)으로부터 줄과 eV 사이의 변환을 고려하면 효율이 1 인 경우 다음을 얻는다.

a l v(x ) _ (0.9 X 104)(0.05)

= 1 .70 父 1 021 cm_3-s_1
~ h v ~ = (1 .6 X 1 -19)(1 .65)

입사 광자 세기가 정상 상태이면 6장으로부터 과잉 캐리어 농도는 Sn = g r 이다. 여기에서

T는 과잉 소수 캐리어 수명이다. 만약 예로서 T = l - 7 S라면

8n = (1 .70 X 1 021)(1 0_ 7) = 1 .70 X l0 14cm一3

s n
이 예제는 전자-정공 쌍 생성률의 크기와 과잉 캐리어 농도의 크기를 대략 어느 정도되는지
알려준다. 분명한 것은 광자 세기가 거리에 따라 감소할수록 생성률도 감소한다는 점이다-

연습 문제
Ex 14.2 세기가 /、, = 0.1 0 W/cm2이고，파장 A = 1 /배 인 광속이 실리콘 표면에 입사하
고 있다. 표면에서 반사를 무시하고 깊이 (a) jc = 5 fim (b) x = 20 에서 전자-정공 쌍
생성률을 구하라. [卜s -며3 61이 X £ V P ⑷ :卜s f_uJ3 6I i x 6LP 抑 -suy]

이해도 평 가 _ _ _ _________________________________ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __

TYU 14.1 (a) 세기 / = 0.10 W/cm2인 광자 흐름이 실리콘 표면에 입사하고 있다. 입사 광자
신호의 파장은 A = 1 나m 이다. 표면에서의 반사를무시하고 표면으로부터 다음 깊
이에서 광속 세 기를 구하라. (i) x = 5 /xm (ii) x = 20 /mi. (b) 파장 A = 0.60 /xm에 서
(a)를 반복하라. [zuw /m _ i x S ' ( )
*jtuo/Av geiO'O (?) (<?) 6180 0 (；
?) 폐 !A IS60 0 (?) (田) _SUV]

U .2 태양전지

태 양 전 지 는 접합에 전압 을 직접 걸지 않 은 pn 접합 소 자 이 다 . 태 양 전 지 는 광 자 파 워 를
전기 파 워 로 변 환 하 고 부 하에 전 력 을 공 급 한 다 . 이 러 한 소 자 는 위 성 이 나 우 주 차량의
 R

그림 1 4.6 저항성 부하가 연결된 pn 접합 태양전지

전 원 을 위하여 또 한 일부 계산기의 전원으 로서 사용되어 왔다. 우 리 는 먼저 과잉 캐리

어가 균일 하게 생 성 되 는 pn 접 합 셀 을 고 려한다. 우 리 는 또 한 이종 접 합 과 비정질 실리
콘 태 양 전 지 를 간략히 논 의 할 것이다.

14. 2. 1 pn 접 합 태양전지

그림 1 4.6에 보인 저항성 부 하 를 갖 는 pn 접 합 을 생 각 하 자 . 접합에 0 V를 가 하 여 도 그

림에서 보인 바 와 같이 공 간 전 하 영역에 전 계 가 존 재 한 다 . 입 사 하 는 광 자 는 공 간 전 하
영역에 전 자 -정 공 쌍 을 생 성 하 고 ，그 전 자 -정 공 쌍 은 전계에 의하여 휩 쓸 려 감으로써 광
전류 "이 역방향 전류 방 향 으 로 그림에서 보인 바 와 같이 흐르게 된다.
광 전 류 " 은 저항성 부 하 양단에 전 압 강 하 를 일 으 키 며 ，그 전 압 강 하 는 pn 접 합 을
순 방 향 으 로 바이 어스 한 다 . 그 순 방 향 바이 어 스 는 그림 에서 나 타 낸 바 와 같이 순 방 향
바이 어스 전류 / F를 발생시 킨다. pn 접합에 흐 르 는 역 방 향 바이 어스 방 향 으 로 의 알 짜
전류 는 다 음 과 같다.

I = I L ~ h = h - h exp - 1 (14.7)

여 기 에 서 는 이상적 인 다 이 오 드 식이 사용되 었다. 다 이 오 드 가 더욱 순 방 향 으 로 바이어

스됨 에 따 라 공 간 전 하 영역의 전계 크 기 가 감 소 하 지 만 0으 로 가 거 나 방 향 을 바 꾸 지 는
않는다 . 광 전 류 는 항 상 역방 향 바이 어스 방향이며 알 짜 태양전지 전류 도 또 한 항 상 역
방향 바 이 어 스 방향 이다.
두 가지 흥 미 로 운 극 한 적 인 경 우 가 있다. 단 락 회 로 상 태 는 7? = 0이어서 V = 일
때 일어난다. 이 경우의 전류는 단 락 회 로 전 류 라 하며 다음 과 같다

I = 1묘= h (14.8)

두 번째 극 한 적 인 경 우 는 개 방 회 로 상 태이며 /? 일 때 일 어난다. 알 짜 전 류 는 0이
되며 발 생 되 는 전압 은 개 방 회 로 전 압이라 한다. 광 전 류 는 순 방 향 바 이 어 스 접합전류 에
628 Chapter U 광 소 자

의하여 정확히 균형이 잡히게 되어 다음이 성립한다.

/ = 0 = I L- I S exp (부는) - 1 (1 4.9)

우 리 는 개 방 회 로 전압을 다 음 과 같이 구 할 수 있다.

K e= V, ln ( l + | ) (1 4.1 0)

식 (1 4.7)로부터 다 이 오 드 전압의 함수로서 구 한 다 이 오 드 전 류 를 그림 1 4.7에 보 여 준

다. 우 리 는 그림에서 단 락 회 로 전류 와 개방회로 전압에 주 목 할 필요 가 있다.

「례 실리콘 pn 접합 태양전지의 개방회로 전압을 구한다. T = 300 K에서 다음 파라미

터를 갖는 실리콘 pn 접합을 고려한다.
N a == 5 X 1 0'8cm -3 Nd == 1 016c m '
D n == 25 cm2/s 公， : 1 0 cm2/s
T„ == 5 X 1 0_ 7 s tp == IQ—
7s

광전류밀도 = IJ A = 15 mA/cm2으로 가정한다.

령 n
다음이 성립한다.
사 는 ( 뿐 + 는 卜 시 읎 + 초 )

우리는 다음을 계산할 수 있다.

L„ = V D ^ = V (25 )(5 X 1 0-7) = 35.4 /xm

Lp = y/DpTpo = \/(1 0)(1 0_7) = 10.0 /xm

그러면 다음이 성 립한다.

 Js = (1 .6 X l -'9)(1 .5 X 1010)2 X _ _ _ _ _ _ _ _ _ 25_ _ _ _ _ _ _ _ _ + 10
(35.4 X 1 으 4)(5 X 1 018) (1 0 X 1 0_4)(1 016)

= 3.6 X 10—
11 A/cm2
식 (1 4.1 0)으로부터 다음을 구할 수 있다.

。 = ， ln (1 + 용 ) = K In (1 + 숫 ) = (0.0259) l n ( l + = 0.51 4 V

區 互 )

우리 는 이 접합의 내부 전위 장벽 = 0.8556 V 인 것을 구할 수 있다. 개방회로 전압과

내부 전위 장벽의 비를 취하면 八노. = 0.60임을 알 수 있다. 개방회로 전압은 항상 내부
전위보다 작을 것이다.

연습문제
Ex 1 4.3 다음과 같은 파라미 터를 갖는 비 소화갈 륨 pn 접 합 태 양전지 를 고려 하라: N a =
1 017 cm —3, N d = 2 x 1 016 cm -3 , D n = 1 90 cm2/ s, D p = 10 cm2/ s, r n0 = 1 0一7 s 그리고
= 1( 8 s . 광전류밀도 八 = 20 mA/ cm2가 태양전지에서 생성되고 있다고 가정하라. ( a) 개
방회로 전압을 계산하라. (b) 개방회로전압과 내부전위장벽의 비를 구하라.
[ 8스■
0= 'qA /xA (<7) -A IL 6 0 = MA (田
) 'suy]

부하에 공 급 되 는 전 력은 다 음 과 같다.

P = I - V = I L - V ~ I S [ e x p ( |^ ) - l | •V (1 4.1 1 )

우 리 는 이 식의 미 분 을 으 로 놓 음 으 로 써 부하에 최 대 전 력 을 공 급 하 는 전 류 와 전 압 을
구 할 수 있다. 식 (1 4.1 1 )을 사용하여 다음 을 구 할 수 있다.

풍 = 0 = I 「 I S [exp ( 쏟 ) - 1 ] - I sVm(을 ) exp ( ■ (1 4.12)

여 기 에 서 。 은 최대 전 력 을 발 생 시 키 는 전압이다. 우 리 는 식 (1 4.1 2)를 다 음 과 같이 다

시 쓸 수 있다.

( 1 + 몹 卜 P( # ) = 1 + 용 (14_13)

V m 값 은 시행 착 오 방 법 을 통하여 구 할 수 있다. 그림 1 4.8은 최 대 전 력 직사각형을 보

여 준다. 여기에서 /m은 V = 에서의 전류이다.

14. 2. 2 변환 효율 및 집광

태양전지의 변환 효 율 은 입사 광 파워에 대한 출력 전력의 비로서 정의된다. 최대 출력

630 Chapter U 광 소자

그림 1 4.8 태양전지 전류-전압 특성의 최대 전력 직사각형

전력에 대하여 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

7) = ^ X 1 00% = ^ X 1 00% (1 4.1 4)

" in 八in

태 양 전 지 에 서 최대 전 류 와 최대 전 압 은 각 각 / 와 V。 이 다 . 비 /„少 „,// 八 는 충진 인자
라고 부르며 태양전 지로부터 얻을 수 있는 전력의 척도이다. 보 통 충진 인자(fill factor)
는 0.7에서 0.8 사이 이다.
종전의 pn 접 합 태 양 전 지 는 단일 반도체 밴드캡 에 너 지 를 가지 고 있었다. 그 러 한 전
지가 태 양 광 스펙 트 럼 에 노 출 되 면 에 너 지 가 & 보 다 작 은 광 자 는 태양전지 의 전기출력
에 아무런 영향을 주지 못 했 다 . 에 너 지 가 보 다 큰 광 자 는 태양전지 출력 전력에 기여
하지만 보다 큰 부 분 은 결국 열로서 사 라 질 것 이다. 그림 1 4.9는 태양광의 스펙트럼
성분별 조 사 도 (단 위 면적 당 단위 파 장 당 파 워 )를 보 여 주 고 있다. 그림 1 4.9에서 공기질
량 값 은 지구 대 기 권 밖의 태 양 광 의 스 펙 트 럼 성 분 별 조 사 도 를 나 타 내 며 ，공 기 질 량
값 1은 정오에 지표면에서 의 태양광의 스펙트럼 성분별 조 사 도 를 나 타 낸 다 . 실 리 콘 pn

0. 2 0. 8 1.4 2. 0 2. 6
파장 (/xm)

그림 14.9 태양의 스펙트럼 조사도 (Sze [16] 참조)

 1 4.2 태양 전 지 631

50

40

3•
浴
6)
♦
대
2f•

0 1 2 3
弓 (e V )

그림 1 4.1 0 T = 300 K에서 C = 1 sun일 때와 C = 1000 sun일 때 밴드

캡 에너지의 함수로서 이상적인 태양전지의 효율 (Sze[16] 참조)

접 합 태 양 전 지 의 최대 효 율 은 약 28%이다. 직렬 저 항 과 반도체 표 면 으 로 부 터 의 반 사
와 같은 비이상적인 요 인 은 변 환 효 율 을 보통 1 0%에서 1 5% 사 이 로 저하시킨다.
빛의 세 기 가 수백 배로 증 가 하 도 록 태 양 광 을 집속하기 위하여 대형 광 학 렌즈 가 사
용될 수 있다. 단 락 회 로 전 류 는 빛의 세기에 비례하여 선 형 적 으 로 증 가 하 는 반면에 개
방회 로 전압 은 세기에 따 라 약간 만 증가하 는데 그친다. 그림 1 4.1 0은 태양광의 두 가지
값의 세기에 대하여 300 K에서 이상적 인 태양전 지의 효 율 을 보 여 준 다 . 우 리 는 변환효
율이 빛의 세기 에 따 라 약 간 만 증 가 함 을 볼 수 있다. 집 광 기 술 을 사 용 함 으 로 써 갖 는
주 요 장 점 은 광 학 렌즈 가 상 응 하 는 면적의 태 양 전 지 보 다 저렴하기 때문에 전체 시스템
비용 을 줄 여 준 다 는 점 이 다.

U . 2. 3 불 균 일 한 흡수 효과

우 리 는 앞 절에서 반 도 체 에 서 의 광 자 흡 수 계 수 가 입사 광자의 에너지 또 는 파장에 따

라 크게 변 한다는 사 실 을 알고 있다. 그림 1 4.4는 몇 개의 반도체 물질에 대하여 파장의
함수로서 흡 수 계 수 를 보 여 주 었 다 . 흡 수 계 수 가 증가함에 따 라 더욱 많 은 광 자 가 반도체
깊 숙 한 곳 보 다 표면 가까 이 에 서 흡 수 된 다 . 그 러 면 이 경 우 에 는 태 양 전 지 에 서 과잉 캐
리어 생성이 균일하지 않을 것이다.
표면으로부터 거리인 ;c의 함수로서 초당 cm3 당 흡 수 되 는 광자의 수 는 다 음 과 같다.

a (p e ~ (1 4.1 5)

여기에서 와)는 반도 체 표면에 서 입 사 하 는 광 속 (cm- 2 sec- 1) 이다. 우 리 는 표면 에 서 의

광자의 반 사 도 고 려 할 수 있다. 반 사 되 는 광 자 가 차 지 하 는 부 분 을 짜 A)이라 하자. 만약
632 Chapter U 광 소 자

4
4
35
0
5
3
2
20
5
10
15
0

(
r lo
Jl- J
-
C
J IJ
버
手

x (/im ) 一 x ' (/xm) —

그림 1 4.1 1 pn 접합 태양전지에 두 값의 입사 광자 파장으로 빛을 조

사할 때 유도되는 소수 캐리어의 정규화된 정상 상태 분 포 = 2 ftm ,
W = 1 jam , Lp = Ln = 40 /im)

흡 수 되 는 각 광 자 가 하나의 전 자 -정 공 쌍 을 생 성 한 다 고 가 정 하 면 ，표 면 으 로 부 터 떨어
진 거리 x의 함수로서 전 자 -정 공 생 성 률 은 다 음 과 같다.

G l = a ⑷ $ (A)[l - 穴 ⑷ ] ( 써 (1 4.1 6)

여기에서 각 파 라 미 터 는 입사 파장의 함 수 가 될 수 있다. 그림 1 4.11 은 이 러 한 pn 태양

전지에서 표면에 서 5 = 일 때 두 가지 값의 파장에 대하여 과잉 소 수 캐리어 농 도 를
보여준다.

\U .2.U 이 종 접 합 태양전지

앞 장에서 언 급 한 바 와 같이 이 종 접 합 은 밴드캡 에 너 지 가 서로 다 른 2개의 반도체 사

이에 형성된다. 열평형상태에 있는 전형적인 pN 이종접합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을
그림 1 4.1 2에 보였 다 . 광 자 가 밴드캡이 넓은 물질에 조 사 된 다 고 가 정 하 자 . E gN 미만의

그림 1 4.1 2 열평형상태에 있는 pN 이종접합의 이상적인 에너지밴드 다이어그램

에 너 지 를 가진 광 자 들 은 광학적 창 문 으 로 작 용 하 는 넓은 밴드갭 물 질 을 통과하게 되며，
E gp 이상의 에너 지를 가진 광 자 들 은 좁 은 밴드캡 물질에 흡수될 것이다. 평 균 적 으 로 공

핍영역 내 및 접 합 (정 확 하 게 는 공 핍 영 역 끝 )으 로 부터 확 산 거 리 내에서 생 성 되 는 과잉
캐 리 어 들 은 모이게 되어 광전류에 기여하게 된다. E gN 이상의 에 너 지 를 가진 광 자 는 넓
은 밴드캡 물질 에 흡 수 되 게 되며 접 합 (공핍 영역 끝 )으 로 부 터 확산거리 내에서 생성되
는 과잉 캐 리 어 들 은 수 집 된 다 . 만 약 이 충분히 크 다 면 그 때 에 는 큰 에 너 지 를 가진
광 자 가 좁 은 밴 드 접 을 갖 는 물질의 공 간 전 하 영 역 에 서 흡 수 될 것이다. 이 러 한 이종접
합 태 양 전 지 는 특히 단파장에서 동 종 접 합 태 양 전 지 보 다 더 양 호 한 특 성 을 갖는다.
이 종 접 합 의 한 변 형 을 그림 1 4.1 3에 나 타 내 었 다 . pn 동 종 접 합 이 형 성 된 후에 넓은
밴드캡 물 질 을 그 위에 성 장 시 킨 다 . 밴드집이 넓 은 물 질 은 " v < g l인 광 전 자 에너지
에 대하여 광학적 창 문 으 로 작용한 다 . E g2 < h v < gl인 에 너 지 를 갖 는 광 자 는 동종접
합내에서 과잉 캐 리 어 를 생 성 시 키 며 ， > g l인 에 너 지 를 갖 는 광 자 는 창문형 물질내
에서 과잉 캐 리 어 들 을 생 성 시 킬 것 이 다 . 만 약 좁 은 밴 드 캡 을 갖 는 물질의 흡 수 계 수 가
크다 면 모 든 과잉 캐 리 어 들 은 접합으로부터 확산거 리 내에서 생 성 되 므 로 수집 효율이
매우 높게 될 것이다. 또 한 그림 1 4.1 3에 Al/ 과 에서 여러 몰 분 율 ;c에 대하여 정규
화된 스펙트럼 응 답 을 보였다.

s
、
h
.
,
-
&
0 I0
때.
W-
시
때
*
4

十
W0

hv (eV)

그림 1 4.1 3 상이한 조성비를 갖는 몇 가지의 AlGaAs/GaAs 태양전지의

정규화된 스펙트럼 응답 특성 (Sze [17] 참조)
U . 2.5 비정질 실리 콘 태양전지

단결정 실리콘 태 양 전 지 는 고가인 경향이 있으며，지름이 대략 6인치 이하의 크기에 한

정된다. 태양전지에 의하여 전 력 을 공 급 받 는 시 스 템 은 일반적으로 필 요한 전 력 을 발생
시키기 위하여 매 우 큰 면 적 을 필 요 로 한 다 . 비정질 실리콘 태양전지는 큰 면적이면서
상 대 적 으 로 저렴 한 태양전지 시 스 템 을 제 조 할 수 있는 가 능 성 을 제공한다.
600° C이하의 온도에서 CVD 기술을 사용하여 실 리 콘 을 쌓으 면 기 판의 형 에 무 관 하
게 비정질 필름이 형 성 된 다 . 비정질 실 리 콘 에 서 는 아 주 짧 은 구 간 에 서 만 규 칙성이 존
재하 고 결정 영역은 관측되지 않는다. 수 소 를 실리콘에 집어 넣어 댕글링 본드(dangling
bond)를 줄임으 로써 수 소 결 합 비 정 질 실리콘이 라는 물 질 을 만 들 수 있다-
비정질 실 리콘에 대 한 상 태 밀 도 함 수 대 에 너 지 를 그림 1 4.1 4에서 볼 수 있다. 비정
질 실 리 콘 은 단결정 실리콘의 밴드갭 에너지 내에 많 은 수의 전자 에너지 준 위 를 허용
한 다 . 그 러 나 단거 리의 규 칙 성 때 문 에 유 효 이 동 도 가 작 아 서 보 통 1 0_ 6에서 1 _3
cm2，V-s 범위에 있다. E c 위 와 v 아래에 있는 준위 에 대 한 이 동 도 는 1 에서 1 cm2/V-s
사이의 값 을 갖 는 다 . 따라서 & 와 。 사이에 있는 에너지 준위 에 의 한 전기 전 도 는 낮
은 이동도 때문에 무 시 할 수 있다. 이동도에 서의 차이 때문에 & 와 v는 이동 도 끝 이 라
고 불 리 우 며 , & 와 氏 사이의 에 너 지 를 이동도 캡 이 라 고 부 른 다 . 이동도 캡은 구 체적인
형의 불 순 물 을 첨가하여 변화시킬 수 있다. 보 통 이동도 캡은 1 .7 eV 정도이다.
비정질 실 리 콘 은 매 우 높 은 광 흡 수 계 수 를 가 지 고 있 어 서 ，대부분의 빛은 표 면 으 로
부터 1 이내에서 흡 수 된 다 . 따라서 태 양 전 지 를 위 해 서 는 아 주 얇 은 층의 비정질 반
도 체 가 필 요 하 다 . 보 통 비정질 실 리 콘 태 양 전 지 는 그림 1 4.1 5에서 보 여 주 는 PIN 소 자

그림 1 4.1 4 비정질 실리콘의 상태밀도함수 대 에너지

(Yang [2이 참조)
 그림 1 4.1 5 비정질 실리콘 PIN 태양전지의 知) 단면도，(b) 열평형
상태의 에너지밴드 다이어그램，(c) 광 조사 상태의 에너지밴드 다이
어그램

이다. 광 학 적 으 로 투 명 한 산 화 주 석 인 둠 으 로 코 팅 된 유리 기 판 위에 비정질 반 도 체 를
쌓아서 만 든 다 . 만 약 알 루 미 늄 을 후 면 접 점 으 로 사 용 하 면 투 과 되 는 광 자 를 다시 PIN
소 자 속 으 로 반사 시킬 것이다. n +와 p+ 영역은 아 주 얇을 수 있으며 진 성 영 역 은 0.5에
서 1 .0 /xm정도의 두 께 를 가질 수 있다. 열평형의 경우에 대한 에 너 지 밴 드 다이어그램
을 그 림에서 보 여 준 다 . 전에 논 의 한 바 와 같이 진 성 영 역 에 서 생 성 되 는 과잉 캐 리 어 는
전계에 의하여 분리되어 전 류를 만든다. 변환 효 율 은 단결정 실 리 콘 보 다 작 으 나 저 렴 한
가격이 이 기술의 매 력 이 다 . 약 40 cm 폭으로 서 길이 는 수 미터인 비정질 실 리 콘 태양
전지 가 제 작되고 있다.

이해도 평가
TYU 1 4.2 예제 1 4.3에 주어진 파 라 미 터 를 가진 실리콘 pn 접 합 태 양 전 지 를 고려하라. 개
방회로 전 압 ^ = 0.60V를 발생시키기 위하여 필 요 한 광 전 류 밀도를 구하라.
(zm /v v i v o = 1[ -suv)
TYU 1 43 예제 14.3에 기술된 실 리 콘 에 접합 태 양 전 지 를 고려하라. 태양 빛의 강 도 가 W
배로 증 가 한 다 고 하고 개방회로 전압 을 계산하라. ( A f L S 'O = x h ’ s u y )

TYU 14.4 TYU 14.2에 기술된 실리 콘 태양 전 지 가 1cm2의 단 면 적 을 가 지 고 있다. 부하에

공 급 할 수 있는 최 대 전력을 구하라. (M sor 0 suy)

143 광검출기

광자의 존 재 를 검출하는데 사 용 할 수 있는 여러 종류의 반도체 소 자 가 있다. 이러 한 소

636 Chapter U 광 소 자

자 들 은 광 검출기로서 알려져 있다. 그 소 자 들 은 광 신 호 를 전기 신 호 로 변 환 한 다 . 과잉

전 자 와 정공이 반도체 내에 생성될 때 물질의 전 도 도 가 증 가 한 다 . 이 러 한 전도도의 변
화 가 광 전 도 체 의 기초이며 아 마 가 장 간 단 한 종류 의 광검출기 이다. 만 약 전 자 와 정공
이 pn 접합의 공 간 전 하 영역에서 생 성 된 다 면 전 자 와 정 공 은 전계에 의하여 분 리 되 어
전 류 가 발 생 한 다 . pn 접 합 은 광 다 이 오 드 와 광 트 랜 지 스 터 를 포 함 한 몇 가지 광검출기
소자의 기반이다.

U .3.1 광전도체

그림 1 4.1 6은 양단에 저항성 접촉 을 가진 막대 형태의 반도체에서 두 단자 사이에 전압

을 걸어준 상 태 를 보여준다 . 초기 열평형에서의 전 도 도 는 다 음 과 같다.

■ = e ( f i nn + ixpp ) (1 4.1 7)

만 약 과잉 캐 리 어 가 생 성 된 다 면 전 도도는 다 음 과 같이 된다.

■= 4나 „(«0 + 8 n ) + fi .p(p + 8p )] (1 4.1 8)

여기에서 과 8p 는 각 각 과잉 전 자 와 정공 농 도 이 다 . 만 약 n-형 반 도 체 를 고 려 한 다 면
전하 중 성 을 적용하여 8n = 8p E S p 를 가 정 할 수 있다. 우 리 는 8p 를 과잉 캐리어의 농
도로서 사 용 할 것이다. 정상 상 태에서 과잉 캐리어 농 도 는 8p = Gl t p 로 주 어 진 다 . 여
기에서 아 은 과잉 캐리어의 생성률(cm- 3—- 1) 이며 Tp는 과잉 소 수 캐리어의 수 명이다 .
식 (1 4.1 8)로부터 전 도 도 는 다음 과 같이 다시 쓸 수 있다.
 1 4.3 광 검 출 기 637

■= e ( ix nn + ixpp ) + e ( Sp )( fji „ + n P) (1 4.1 9)

광전도도로서 알려져 있는 광 여기에 의한 전도도의 변화는 다 음 과 같다.

Act = e(8p )(ijin + n，

p) (1 4.20)

인가된 전압에 의하여 반도체 내에 전 계 가 유 기 되 며 ，전 류 를 흐르게 한다. 전류 밀

도 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

/ = (■
■ / + JL) = ( ■ + Acr)E (1 4.21 )

여기에서 九는 광 여기전의 반도체 내 전류밀 도이 며 J L은 광 전 류 밀 도 이 다 . 광 전 류 밀 도

八 = Ao_ •표이다. 만 약 과잉 전 자 와 정공이 반도체 내에서 균 일 하 게 생 성 된 다 면 광전
류 는 다 음 과 같다.

I L = JL • A = • A E = e G LT人 + imp)A E (1 4.22)

여기에서 보는 소자의 단 면 적 이 다 . 광 전 류 는 과잉 캐리어 생성률에 직접 비례하며 생성

률 은 다시 입 사 광 속 에 비례한다.
만 약 과잉 전 자 와 정공이 반도체 내에서 균 일 하 게 생성되지 않 는 다 면 전체 광 전 류
는 단면에 대하여 광 전 도 도 를 적분하여 구 할 수 있다.
전자의 표 동 속 도 가 m „E이므 로 전자의 통 과 시 간 ，즉 전 자 가 광 전 도 체 를 흘 러 나 가
기 위하여 필요 한 시간 은 다 음 과 같다.

= _
t
" 此E (1 4.23)

식 (1 4.22)로부터 광 전 류 는 다 음 과 같이 다시 쓸 수 있다

h = eGL { ^ ] [ l + ^ ) A L (1 4.24)

우 리 는 광 전 도 체 의 이득 을 접점에 의하여 전 하 가 수 집 되 는 율 대 전 하 가 생 성 되 는
율의 비로서 정의 할 수 있다. 우 리 는 이득을 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

t - = ^ a l (1 4.25)

식 (1 4.24)를 이용하여 다음 과 같이 다시 쓸 수 있다.

rph = f ( 1 + S ) ( 1 4-26) I

I목적 I 실리콘 광전도체의 이득음 계산한다.

길이 L = 1 00 /xm, 단면적 A = 1 0-7 cm2, 소수 캐리어 수명 Tp = 1으 6 s 인 n-형 반도
체를 고려한다. 인가 전압 V = 10 V로 한다.

전자의 통과 시간은 다음과 같이 구해 진다.

10_9s
네 i = (1((135><0) )) = 세

그러면 광전도체의 이득은 다음과 같다.

480 \ = 1 .83 X 1 02
+ ) = 7.41 1 X 1 0-4 1 350)

■
반도체 물질로 만든 막대기 인 광전도체가 이득을 갖는다는 사실은 놀라울지도 모른다.

연습문제
Ex 1 4.4 예제 1 4.4에 기술된 광전도체에서 G l = 1021 cm—3 s — 1， = 10 Wcm일 때 광전
류를 구하라. n，
n = 1 000 cm2/V-s，i i p = 400 cm2/V-s를 가정하라. (V너fZ Z'O = 7/ -suy)

예로서 광자에 의하여 생 성 되 는 전자에게 어떠 한 일이 생기는지 고려하여 보자. 과

잉 전 자 가 생 성된 이후 양극 단 자 를 통하여 광 전 도 체 로 부 터 빠르게 빠져 나온다. 전체
광전도체에서 전하 중 성 을 유지하기 위 해 서 는 또 다른 전자 하 나 가 광전도체 의 음 극 을
통하여 광 전 도 체 속 으 로 들 어가서 양 극 을 향하여 표 동 하 게 된다. 이 러 한 과정이 캐리
어의 평균 수 명 과 같은 시 간 동안에 지속된 다 . 이 기간이 끝나 면 평 균 적 으 로 광 전 자 는
정 공 과 결합할 것이다.
예제 1 4.4의 파 라 미 터 를 사 용 하 면 전자의 통 과 시간 tn = 7 .41 x 1 0-9 네 다 . 간 단 하
게 의미 를 해석한다면 광 전 자 는 1 0_ 6 s 시 간 동안에 광전도체 회로를 1 35번 돌게 될 것
이다. 우 리 가 광자에 의해 생성된 정 공 을 고 려 하 면 생 성 되 는 전 자 하나에 대하여 광전
도체의 접점에서 수 집 되 는 전하의 전체 개수는 1 83이다.
광 신 호 가 종 료 되 면 광 전 류 는 소 수 캐리어 수 명 과 같 은 시 정 수 를 가 지 고 지 수 함 수
적 으 로 감 소 할 것이 다. 주 파 수 특성 의 스위 칭 속 도 는 수명 에 반비 례한다. 광 전 도 체 의
이득에 대 한 식으로부터 우 리 는 소 수 캐리어 수명이 길 기 를 희 망 하 지 만 ，스위칭 속 도
는 짧 은 수명 에 의하여 향 상 된 다 . 이 득 과 속 도 사이 에 교환(trade-off)관 계 가 분명 히 존
재 한 다 . 일 반 적 으 로 다음 에 우 리 가 논 의 할 광 다 이 오 드 의 성 능 은 광 전 도 체 에 비하여
우수하다.

U . 3. 2 광 다이오드

광 다이오드는 역방향 바 이 어 스 전 압 을 가하여 동 작 시 키 는 pn 접합 다 이 오 드 이 다 . 우리

는 먼저 전체 반도체 소자 에 균일하게 과잉 캐 리 어 가 생 성 되 는 긴 다 이 오 드 를 고 려한다 .
 1 4.3 광 검 출 기 6 39

vR

n p

PnO np

그림 14. 17 (a) 역방향 바이어스된 pn 다이오드，(b) 역방향 바이어스된

pn 접합에서의 소수 캐리어 농도

그림 1 4.1 7a는 역 방 향 바이 어스된 다이 오 드 를 보 여 주 고 있으 며 ，그림 1 4.1 7b는 광 자 를

조사하기 전 역방향 바이어스된 접합에서의 소 수 캐리어의 분 포 를 보여준다.
과잉 캐리어의 생 성 률 을 (、 이 라 하자. 공 간 전 하 영 역 안에서 생성 된 과잉 캐 리 어 들
은 전계에 의하여 매우 빠르게 공핍 영 역으로부터 쓸려 나오게 된다 ; 전 자 들 은 n 영 역
으로 쓸려 나 오 며 ，정 공 들 은 p 영 역으로 쓸려 나 온 다 . 공간전하 영 역으로부터 광자에 의
하여 생성 된 전류 밀 도 는 다음 과 같이 주어진다.

Ju=ef G id x (1 4.27)

여기에서 적 분 은 공 간 전 하 영역에 걸쳐 행한다. 만 약 (入이 공 간 전 하 영역에 걸쳐 균일

하다면 다음이 성립한다.

J l i = e G LW (1 4.28)

여기에서 H/는 공 간 전 하 영역의 폭 이 다 . 우 리 는 /u 이 pn 접 합 을 통 하 는 역방향 바이어

스 방향이 라는 점 에 유 의 할 필 요가 있다. 이 광 전 류 성 분 은 광자의 조사에 빠르게 응 답
하며 즉 시 응 답 성 분으로 알려져 있다.
식 (1 4.28)과 (1 4.25)를 비교하면 우 리 는 광 다이오드의 이득이 1 임에 주 목 할 필요가
있다. 광 다 이 오 드 의 속 도 는 공 간 전 하 영 역을 통 한 캐리어의 전송에 의하여 제 한 된 다 .
만 약 포 화 표 동 속 도 가 1 07 이쓰이 고 공핍 층 폭이 2 사m이 면 통 과 시 간 T, = 20 ps이
다. 이상적인 변조 주 파 수 는 2가의 주 기 를 가지므로 주 파 수 / = 25 GHz이다. 이 주 파 수
응 답 은 광 전 도 체 보 다 훨씬 높 은 것이다.
과잉 캐 리 어 는 다이오드의 중성 n과 p 영역 내 에 서 도 생 성 된 다 . p 영역에서의 과 잉
소수 캐 리 어 전자의 분 포 는 다 음 식 으 로 주 어 지 는 양극 전송 방 정 식 으 로 부 터 구 할 수

있다.

n d2(Snp) Snp _ d(8np) n 4 29'l

" 一 ^ — 바 H d T

우리는 중성영역에서 전계가 인 것 으로 가 정 할 것이다. 정상 상 태 에 서 는 改 8np) ld t =

0이므로 식 (1 4.29)는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

d 2(8np) 8np _ GL (게 m
—瓦 1 ： '

여기에서 L l = Z V „0이다.
식 (1 4.30)에 대 한 해 는 일반 해 와 특 수 해의 합 으 로 서 구 할 수 있다. 일반 해 는 다
음 식의 해로서 구해진다.

d 2{dn pU) _ 8nph _ (1 4.31 )

쇼2 代

여기에서 S«ph는 일반 해이며 다 음 으 로 주어진다.

8nph = A e ~x/Ln + B e +x,Ln {x s 0) (1 4.32)

경계 조건의 하 나 는 S«ph이 유 한 하 여 야 한 다 는 것이 며 ，이는 “긴” 다이오드에 대해서 는

B = 0이라는 것을 의미한다.

특 수 해 는 다음으로부터 구 할 수 있다.

_ 8 n^ = _ Gi (1 4.33)

그 해는 다 음 과 같다.

8 n pp = ^ = ^ ^ = G Lr n0 (나 .34)

정상 상태의 과잉 소수 캐리어 전자농도에 대한 전체 해는 다 음 과 같다.

Snp = A e ~x/Lr, + G l t „ (1 4.35)

역 방 향 바 이 어 스 된 접합에 대 하 여 서 는 •
»= 에서 전체 전자의 농 도 가 0이다. 그러 면
과잉 전 자 농 도 는 다 음 과 같다.
 Snp(x = 0) = -tipo (1 4. 36)

식 (1 4.36)의 경 계 조 건 을 사 용 하 면 식 (1 4.35 )에 의 하 여 주 어 지 는 전 자 농 도 는 다 음 과
같다.

8np = G l t „ - (G l t „ + np )e~xlL" (1 4.37)

우 리 는 n 영역에서의 과잉 소 수 캐리어 정공의 농 도 도 같 은 해석 방 법 을 사 용 하 여 구

할 수 있 다 . 그 림 M .1 7 에서 보 인 바 와 같이 / 표기 법 을 사 용 하 면 다 음 과 같이 쓸 수
있다.

= GLTp - ( GiTp + p „a)세 (1 4.38)

식 (1 4.37)과 (1 4.38)은 그림 1 4.1 8에 그 려 져 있 다 . 우 리 는 공 간 전 하 영 역 으 로 부 터 멀리

떨 어 진 곳 에 서 정 상 상 태 값 은 전에 주 어 진 값 과 같 다 는 점에 주 목 할 필 요 가 있다.
소 수 캐 리 어 농 도 의 기 울 기 는 pn 접 합 에 서 확 산 전 류 를 흐 르 게 한 다 . x = 0에서 소
수 캐리어 전자에 의 한 확 산 전 류 는 다 음 과 같다.

d ( 8 n p)
Jni - eD n
dx eDn 습 GLTnQ - (아凡0 + nP^ e~XLn^
으 ( G l T„ + ripo) (1 4.39)

식 (1 4.39)는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

eDnUpo
Aii —
• + (1 4.40)
一 [

그림 1 4 . 1 8 역방향 바이어스된 긴 pn 다이오드에서 빛에 의해 유도된

정상 상태의 소수 캐리어 농도
6 2 Chapter U 광 소 자

식 (1 4.40)의 첫 항 은 정상 상태에서 의 광 전 류 밀도이고, 둘째 항 은 소 수 캐리어 전자에

의 한 이상적인 역포화 전류밀도이다.
/ = 에서 소 수 캐리어 정공에 의한 확 산 전류 밀도江 방 향 으 로 )는 다 음 과 같다.

JP' = eG山 ，+ (1 4-41 )

유 사 한 방 법 으 로 첫 항 은 정상 상 태 에 서 의 광 전 류 밀 도 이 고 , 둘째 항 은 이상적인 역포
화 전류 밀도이다.
긴 다이오드에 대한 전체 정상 상태 다 이오드 광 전 류 밀 도 는 이 제 다 음 과 같다.

JL = eGLW + eGLL„ + eG 山 = e(W + L n + L p) G l (1 4.42)

광 전 류 는 다이오드의 역방 향 바 이 어 스 방 향 이 라 는 점에 유 의 하 라 . 식 (1 4.42) 에 의하여

주어 지는 광 전 류 는 다 음 세 가 지를 가 정 한 결과이 다. 첫째 전체 구조에 걸쳐 균 일 한 과
잉 캐리어 생 성 ，둘째 긴 다 이 오 드 ，셋째 정상 상 태 를 가 정 한 것이 다 •
광 전류의 확 산 성 분 의 시 간 응 답 은 상대 적 으 로 느리 다. 왜 냐하 면 이 전 류 들 은 소 수
캐 리 어 가 공 핍 층 을 향하여 확 산 한 결과이기 때문이다. 광전류의 확 산 성 분 을 지연 광전
류 라 고 부른다.

K T B IE B W [독 척 ] 역방향 바이어스된 긴 pn 다이오드의 정상상태의 광전류 밀도를 계산한다.

T = 300 K 에서 다음 파라미터를 갖는 실리콘 pn 접합을 고려한다.

N a == 1016cm-3 Nd == 1016cm-3
D n ~-= 25 cm2/s Dp = 10 cm2/s
T„ = 5 X l -7s
= Tp == 10一7s

역방향 바이어스 전압 = 5 V 가 인가된 것으로，G l = 1021 c m -3—- 1으로 가정한다.

우리는 다음과 같이 여 러 파라미터를 계산할 수 있다.

Ln = V D nT n = V (25 )(5 X 1 0_ 7) = 35 .4 사m

Lp = \ ZDpTp = V ( l )(l _7) = 100 나m

( 1 016) ( 1 016)
Vbi = V, ln (0.0259) ln 0.695 V
(1.5 X 1010)2
_ [2 eW 紙 + A이 (Vbi + V R)\ 1 / 2
1 e \ NaNd
f 2(11.7)(8.85 父 10一14) (2 X 1016) V/2
(0.695 + 5) 1.21 /xm
1.6 X 10一19 ( 1016) ( 1016)

마지막으로 정상 상태 전류 밀도는 다음과 같다.

Jl = e(W + Ln + L p)G l

= (1.6 X 10_19)(1.21 + 35.4 + 10.0) X 10_4(1021) = 0.75 A/cm2

區互 ]
다시 한번 이 광전류는 역방향 바이어스 방향이라는 점과 pn 접합에서의 역포화 전류 밀도
보다 몇 차수 이상 크다는 점을 염두에 두어라.

연습 문제
Ex 1 4.5 예제 1 4.5 에 기술된 광 다이오드의 도핑농도가 ' i = Nd = 1 015 c i i 3로 바뀐다.
(a) 정상 상태 광전류밀도를 구하라. (b ) 즉시 응답 광전류와 정상 상태 광전류의 비를 계산
하라. [ Z乂0•
0 = Y /' Y (<?) 느u »/v LSL'O = 1[ (田) sny ]

이 예제의 계 산 에 서 는 식 » 化와 사 » …이 었다. 많 은 pn 접 합 구 조 에 서 는 긴 다
이오 드 가정이 정당하지 않을 수 도 있 으므로 광전류에 대 한 식이 수 정 되 어 야 할 수 있
다. 더 구 나 광 자 에 너 지 흡 수 가 pn 구조에 걸쳐 균 일하지 않 을 수 도 있다. 불 균 일 한 흡
수의 영향은 다음 절에서 다룬다.

H . 3. 3 PIN 다이 오드

많 은 광검출기 응 용 에 서 는 응 답 속 도 가 중 요 하 다 . 그 러 므 로 공 간 전 하 영역에서 생성되

는 즉시 응 답 광 전 류 만 이 우리 가 관 심 을 갖 는 광 전 류 이 다 . 광 검 출 기 의 감 도 를 증가시
키 기 위하여 공 핍 층 의 폭이 가 능 하 면 크게 만 들 어 야 한 다 . 이는 P IN 광 다 이 오 드 에 서
달성될 수 있다.
PIN 다이오드는 진성 영 역에 의하여 떨어져 있는 p 와 n 영 역으로 구 성 된 다 . P IN 다이
오드의 스 케 치 를 그림 14. 19 a 에서 볼 수 있다. 진성 영역 …는 보 통 … 다이오드의 공 간

jc = jc =

(b)

그림 14. 19 (a) 역방향 바이어스된 PIN 다이오드

(b) 불균일한 광자 흡수를 보여주는 모양
644 Chapter U 광 소 자

전 하 영역의 폭 보 다 훨씬 크다. 만 약 역방향 바 이 어 스 가 걸리면 공 간 전 하 영 역은 전체

진성 영 역으로 확장된다.
광 속 타 가 p + 영역에 입 사 하 고 있 다고 가 정 하 자 . 만 약 P + 영 역의 폭 % 가 매 우 작
다 고 하면 진 성 영 역 에 서 거리의 함 수 로 서 광 속 은 必⑴ = 따，- …이다. 여기에서 a 는
광 자 흡 수 계 수 이 다 . 비 선 형 적 인 광 자 흡 수 를 그림 1 4 . 1 9 b 에서 보 여 주 고 있다. 진성영역
에서 생성 되는 광 전 류 밀 도 는 다 음 과 같이 구 할 수 있다.

JL = e f G Ldx = e f ( P o o i e ^ d x = e<P ( \ - e ~ aW) (1 4 . 4 3 )

Jo Jo

이 식 은 공 간 전 하 영역에서 전 자 -정 공 쌍의 결합이 없고 흡 수 된 각 광 자 가 한 쌍의 전
차 정 공 을 생 성 한 다 고 가정 한 결과이다.

「 목적 I PIN 다이오드에서 광전류밀도를 계산한다.

진성영역의 폭이 20 와m 인 실리콘 P IN 다이오드를 고려한다. 광속 은 1 017 c m —2-s -1 이
고 흡수계수 a = 1 03 c m -1 이라고 가정한다-

절 Q
진성영역의 전단부 끝에서의 전자-정공 생성률은 다음과 같다.
Gu = a<P = (1 3)(1017) = 1020cm-3-s_1

진성영 역의 후단부 끝에서의 전자-정공 생성률은 다음과 같다.

Gu = a 必，«"，= ( K PX lO ^exp [-(1 03)(20 X 10_4)]

= 0.135 X 1020cm^ -s-'

생성률은 분명히 진성영역에 걸쳐 균일하지 않다. 광전류는 따라서 다음과 같다.

人 = 배 0(1 -，°"， )
= (1 .6X 10 19)(1 0l7) { l-e x p [ -( l ^ O X 1 -4)]}
= 13.8 mA八:m2

S 3
PIN 다이오드의 즉시 응답 전류밀도는 보통 광 다이오드보다 크다. 왜냐하면 PIN 다이오드
의 공간전하 영역 폭이 더 크기 때문이다.

연습^ 제
Ex 1 4.6 광자 흡수 계수가 각각 (a) a = 102 c m - ' , (b ) a = 104 c m - 맨 두 가지 경우에
대하여 예제 1 4.6을 반복하라. [zui：
vvui 9I = Y ( q) zui3/yiu 63 = 7/ ( ) suy ]

대부분 의 상 황 에 서 는 긴 다 이 오 드 가 아 니 다 . 따라서 식 (1 4.43)에 의하여 기 술 되 는

광 전 류 는 대부분의 광 다이오드에 적용되지 않는다.
H . 3乂 애벌 런 치 광 다이오드

애 벌 런 치 광 다 이 오 드 는 애벌런치 광 다 이 오 드 에 걸 리 는 바 이 어 스 전압이 충격 이 온 화

를 일으킬 수 있을 만큼 충분히 크 다 는 점을 제외하면 pn 또 는 P IN 광 다 이 오 드 와 비슷

하 다 . 전에 논 의 한 바 와 같이 광자 의 흡 수 에 의하여 공 간 전 하 영역에 전 자 -정 공 쌍이
생성된 다 . 광자에 의하여 생 성 되 는 전 자 와 정공이 이제 충 격 이 온 화 를 통하여 추가적 인
전 자 -정 공 쌍 을 생 성 한 다 . 이제 애벌런치 광 다 이 오 드 는 애벌런치 증배 인수에 의하여
도 입 되 는 전류 이득 을 가지게 된다.
광자 의 흡 수 와 충격 이온화에 의하여 생 성 되 는 전 자 -정 공 쌍 은 공 간 전 하 영역으로
부터 신속하게 휩쓸려 나온다. 만 약 폭이 10 p m 인 공핍 층에서 포 화 속 도 가 1 07 cm / s 이
라면 통 과 시 간 은 다 음 과 같다.

변조 신호의 주 기 는 2 t ■
，
이므로 해 당 하 는 주 파 수 는 다 음 과 같다.

f = 」 —= -------i-------= 5 G H z
3 I t, 2 00 X 1 0_ 12

만 약 애벌 런치 광 다 이 오 드 의 전류 이득이 2 0 이라 면 이 득 -대 역 폭 곱 은 1 G H z 이다.

애벌런치 광 다 이 오 드 는 초 고 주 파 로 변조된 광파에 응 답 할 수 있다.

14. 3.5 광 트 랜지 스터

바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 도 광 검 출 기 로 사 용 할 수 있다. 광 트 랜 지 스 터 는 트랜 지 스 터 작 용
을 통하여 높 은 이 득 을 가질 수 있다. 그림 1 4.2 0a 에 n p n 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 를 보여
주 고 있다. 이 소 자 는 베 이 스 -컬 렉 터 접 합 면적이 크 며 ，보 통 베 이 스 를 개 방 한 상 태 로
사 용 한 다 . 그림 1 4 . 2 0b 는 광 트랜지 스터 의 블 록 다 이 어 그 램 을 보 여 주 고 있다. 역방향 바
이 어스된 B -C 접합에서 생 성 되 는 전 자 와 정 공 은 공 간 전 하 영역으로 부터 휩쓸려 나 와
광 전 류 /L을 발 생 시 킨 다 . 정공 은 P-형 베이 스 영 역 으 로 휩쓸려 나 와 베 이 스 를 이미터에
비하여 더 욱 양 전 위 로 만든다. B -E 가 순 방 향 바 이 어 스 되 므 로 전 자 가 이미터로 부터 베
이스로 주입 되게 되어 정상적인 트랜지스터 작 용 을 일으킨다.
그림 1 4 . 2 0a 로부터 우 리 는 다 음 을 알 수 있다.

IE = a IE + IL (1 4 . 4 4 )

여기에서 " 은 광자에 의해 생성된 전류이 고 «는 베이스 접지 전류 이득이다. 베 이 스 가

개방되 어 있으 므로 ! c = / 가 성 립한다. 그래서 식 (1 4 . 4 4 ) 를 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Ic = a lc + I L (1 4 . 4 5 )

& 에 대하여 풀면 다 음 을 구 할 수 있다.

6/»6 Chapter U 광 소 자

베 이스 떠

B
(b)

그림 14.20 (a) 바이폴라 포토트랜지스터，(b) 베이스를 개방한 광 트랜지스터의 블록 다이어그램

Ic = - r ^ - 04 .4 6 )
1 —a

«를 직 류 이미터 접지 전 류 이 득 浴에 관 련 시 키 면 식 (1 4 . 4 6 ) 은 다 음 과 같다.

/ c = (1 + j3 )/i. (1 4 . 4 7 )

식 (1 4 .4 7 )은 기본적인 B -C 광전류가 (1 +/3) 인 수 로 곱 해 진 것 을 보 여 준 다 . 그 러 므 로

광 트 랜 지 스 터 는 기본적 인 광 전 류 를 증 폭 한 다 .
비교적 큰 B -C 접 합 면 적 을 가 지 고 있어서 광 트 랜 지 스 터 의 주 파 수 응 답 은 B -C 접
합 커 패 시 턴 스 에 의하여 제 한 된 다 . 베 이 스 가 소자의 사 실 상 입 력 이 므 로 큰 B -C 커패시
턴 스 는 밀러 효과에 의하여 곱 해 져 서 광 트 랜 지 스 터 의 주 파 수 응 답 은 더욱 저 하 된 다 .
그 러 나 광 트 랜 지 스 터 는 애벌런치 광 다 이 오 드 보 다 는 저잡음 소자이다.
광 트 랜 지 스 터 는 이 종 접 합 으 로 도 만 들 수 있다. 1 2장 에 서 논 의 한 바 와 같이 밴 드 접
차이의 결과로서 주 입 효 율 은 증 가 한 다 . 밴드캡 차 이 로 낮게 베 이 스 를 도 핑 해 야 하 는
제 약 은 더 이 상 적 용 되 지 않 는 다 . 높 은 블 로 킹 전 압 과 높 은 이 득 을 가 지 며 ，상 당 히 진
하 게 도핑 되 고 좁 은 베 이 스 를 가 진 소 자 를 제 작 할 수 있다.

이해도 평가
T Y U 1 45 예제 1 4.5 에 주어 진 파 라 미 터 를 가진 긴 실 리 콘 pn 접합 다 이 오 드 를 고려하 자 . 단
면적 A = 1(T3 cm2이다. 광 다 이 오 드 는 5 k ll저 항 과 직 렬로 5 V 전원에 연결되어
있다. 파 장 A = 1 pm 인 광 신 호 가 광 다이오드에 입사하여 전체 소자에 걸쳐 균일
한 과잉 캐리어 생 성 률 을 일으키고 있다. 부 하 저항 양단의 전압이 0.5 V가 되도록
 1 4.4 광 발 광 과 전 기 발 광 647

입 사 광 세기를 정하라. (ZUW/M 992 0 = 7 'SUV)

v *m 광발광과전기발광

이 장의 첫 절에서 우 리 는 광자의 흡수에 의 한 전 자 -정 공 쌍의 생 성 을 논 의 하 였 다 . 궁

극 적 으 로 는 과잉 전 자 와 정 공 은 재 결 합 하 게 되고 , 직접 밴드갭 물 질 에 서 는 재결합이
광자 의 방 출 결 과로 나 타 날 수 있다. 광 방출의 일 반적인 성 질 을 발 광 이 라 한 다 . 만 약
과잉 전 자 와 정공이 광자의 흡수에 의하여 생 성 된 다 면 재 결 합으로부터 의 광 자 방 출 은
광 발 광 이 라 한다.
전 기 발 광 은 과잉 캐리어의 여기 가 인가된 전계에 기 인 한 전류의 결과일 때 광 자 방
출 을 일 으키는 과 정 을 말한다. 우 리 는 주 로 pn 접합을 건너 는 캐리어의 주입에 의 한 전
기발광에 관 심 을 가질 것이다. 발 광 다 이 오 드 와 pn 접 합 레이저 다 이 오 드 가 이러 한 현
상의 예 이 다 . 이 러 한 소 자 에 서 는 전 류 형 태 로 서 의 전기 에 너 지 가 직접 광 자 에 너 지 로
변환된다.

H . A. 1 기 본 천 이 ( T r a n s itio n s )

전 자 -정 공 쌍이 형 성되면 전 자 와 정공이 재 결 합 하 는 몇 가지 과정이 가 능하다. 직접 밴

드집 물 질 로 부 터 일부 과 정 은 광자의 방 출 로 이어질 수 있으 나 같 은 물 질 에 서 도 다 른
재결 합 과 정 은 그렇지 못 할 수 도 있다.
그림 1 4.21 a는 기 본적인 밴 드 간 천 이 를 보여 주 고 있다. (i )는 물질의 밴드갭 에너 지
에 가 까 운 진 성 방출에 해 당한다. (비 와 (내 )는 에 너 지 가 큰 전자 나 정공에 해당한다. 만
약 이 러 한 재결 합에서 광 자 가 방 출 되 면 방 출 되 는 광자의 에 너 지 는 밴드접 에 너 지 보 다
약간 클 것이다. 그 러 므 로 방출에 관 련 되 는 방 출 스 펙 트 럼 과 대역폭이 있게 된다.
그림 1 4.21 b 에 불 순 물 또 는 결 함 준 위 와 관 련 되 어 가 능 한 재 결 합 과 정 을 나타내 었
다. (i )는 전도 대로부터 억셉터 준위로 의 천이，(비 는 도너 준위로부 터 가전자대로의 천
이，(i i i )는 도너 준위로부터 억셉터 준위로의 천이, (i v )는 깊 숙 한 트랩에 의 한 재결합이
다. (끼 는 6장에서 논 의 한 쇼 클 리 -리 드 -홀 재 결 합 과정에 해당하며 광자의 방출이 이루
어지지 않는다. 다 른 재 결 합 과 정 은 광자의 방 출 로 이어질 수 도 있고 그렇지 않을 수 도
있다.
그림 1 4.21 c 는 오 제 이 ( A u g e r ) 재 결 합 과 정 을 보 여 주 고 있 으 며 ，이 과 정 은 진하게 도
핑된 직접 밴드갭 물 질에서 중 요 할 수 있다. 오제이 재 결 합 과 정 은 비 방 출 형 과정이다.
이에 보 여 준 한 경우에서의 오제이 재 결 합 은 다른 정공에게 에 너 지 를 이 전 하 는 전자와
정공사이에 발 생 하 는 재 결합이다. 비슷 한 방 법 으 로 두 번 째 경 우 에 는 (⑴에 보인 바 와
같이 다 른 전자 에게 에너지의 전달이 일 어 나 는 전 자 와 정공 사이의 재 결 합 이 다 . 이 과
정에 참 여 하 는 제3의 입자는 결국 격자에 열 형태로서 에 너 지 를 잃게 된다. 두 개의 정
6 8 Chapter U 광 소 자

，EC

' Ev

(i) (ii ) (iii )

(a)

一
10-
( w-
l t l .i v ) .

，EV
ur
1 .24 1 .28 1 .32 1 .36 1 .40 1 .44 1 .48 1 .52
(i ) (ii )
광 자에너지 (eV )
(c)
그림 1 4 . 2 2 r = 300 K 와 r = 77 K 에서의 GaAs 다이오
그림 1 4. 2 1 반도체에서의 기본적인 천이 드의 발광 스펙트럼 (Sze와 Ng [1 刀 참조)

공 과 한 개의 전자 를 참 여 시 키 는 과 정 은 주 로 진하게 도핑 된 p -형 물질에서 일 어 날 것
이며，두 개의 전 자 와 한 개의 정공을 참 여 시 키 는 과 정 은 주 로 진하게 도핑된 n -형 물질
에서 일어날 것이다.
그림 ]4 . 2 1 a 에 보 여 준 재 결 합 과 정 들 은 광자의 방출이 반드시 불 연 속 한 단일 에너
지로 만 일 어 나 지 는 않 고 ，어떤 범위의 에너지에 걸쳐 일어날 수 있다는 것을 나타낸다.
자연 방 출 률 은 다 음 과 같 은 형태를 가지고 있다.

— {hv — E g)
/( v ) v 2(hv — E g) l/2 exp (1 4 . 4 8 )
kT

여기에서 는 밴드캡 에 너지이다. 그림 1 4.22는 비 소 화 갈 륨 으 로 부 터 의 방출 스펙트럼

을 보 여 준 다 . 밴드캡 에 너 지 가 온도에 따 라 감소하기 때문에 최대 광 자 에 너 지 는 온 도
에 따 라 감소한 다 . 우 리 는 광 학 적 인 공 진 상 자 를 사용하여 레이저 다 이 오 드 에 서 는 방출
스펙트럼 대역폭을 크게 줄일 수 있다는 것을 보 여 줄 것이다.

1 A. 4. 2 발광 효율

우 리 는 모 든 재결합이 방 출 성 이 지 는 않 다 는 것을 보 여 준 바 있다. 효 율 적 인 발 광 물질
은 주 로 방출성 재결합이 일어나 는 물 질 이 라 할 수 있다. 양 자 효율은 모 든 과정에 대하
여 전체 재 결합률 대 방 출 성 재 결 합 률의 비로서 다 음 과 같이 정의한다.

V， 놓 (1 4.49)

여기에서 가 는 양 자 효 율 ，R r 은 방출성 재 결 합 률 ，/?은 과잉 캐리어의 전체 재결합률이

다. 재 결 합 률 은 (캐 리 어 의 ) 수명에 반비례 하기 때문에 우 리 는 양자 효 율 을 수 명 을 사 용
하여 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

네 V Tr (1 4-50)

여기에서 Tni은 비방출성 수 명 이 고 은 방출성 수 명 이 다 . 높 은 발 광 효 율 을 위 해 서 는

비방출성 수명이 길 어 야 한다. 그렇게 하여 비방출성 재 결 합 확률이 방출성 재 결 합 확
률에 비 하여 작 아 야 한다.
밴 드 간 전 자 와 정공의 재 결 합 은 가용 전자의 수 와 가 용 빈 준 위 (정 공 )의 수에 직접
비례 할 것이다. 우 리 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Rr = Bnp (1 4.51 )

여기에서 서,.은 밴 드 간 방출성 재결합 률 이 며 B 는 비 례 상 수 이 다 . 직접 밴드갭 물질의 B

값 은 1 06 정도로서 간접 밴드캡 물 질 보 다 크다. 간접 밴드캡 물질에서의 밴 드 간 방출성
직접 천이 확 률 은 매우 낮다.
직접 밴드접 물질로 부터 광자의 방출에서 부 딪 히 는 하나의 문 제 는 방 출 되 는 광자의
재 흡 수 이 다 . 일반 적 으 로 방 출 되 는 광 자 는 hv > & 의 에 너 지 를 가지 고 있으며, 이는 흡
수 계수가 이 아 니 라 는 것을 의미한 다 . 발 광 다 이 오 드로부터 광 출 력 을 발생시키 기 위
해 서 는 과 정 은 표면 근처에서 일 어 나 야 한다. 재흡 수에 대한 또 하나의 해 결 책 은 이종
접합 을 사 용 하 는 것이다. 뒷 절에서 이 러한 논 의 가 있을 것이다.

U . 4. 3 물질

광 학 소자 에 사 용 되 는 중 요 한 직 접 밴드캡 반 도 체 는 비소화갈 륨이 다. 또 하 나 큰 관심
을 가지 고 있는 화 합 물 물 질 은 A l 、
.G a i _ AA S이다. 이 물 질 은 특 정 한 특 성 을 얻기 위하여
알 루 미 늄 원자의 갈륨 원자에 대 한 비율을 바꾸어 줄 수 있는 화 합 물 반 도 체 이 다 . 그림
 Eg = 3.01 8

少，
’ 2.1 68、
>
•
= 19
)
간성 ■
계율 밴드캡 :

E fH T fi
스， 밴드캡
• s = 1.424

Al^ G aj.^A s
7 = 297 K
, , i , . . .

GaAs AlAs
몰분율 A l A s ，x

그림 1 4 . 2 3 에서 몰분율 펴 함수로서 밴드캡 에너지의 변화(S z e [1 8] 참조)

3.0
r = 300 K
G aAs 卜나P'

§
>
^ ⑮
)
^ IK ln lk

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

GaAs GaP 결정 모멘텀 P
몰분율 G a P ，x
(a) (b)

그림 1 4 . 2 4 ( ^ G o A s h P , 에서 몰분율 ;색 함수로서 밴드집 에너지의 변화，(b) G a A s —^ 에서

몰분율 x 의 함수로서 E-k 다이어그램 (幻 e [1 8] 참조)

1 4.23은 알 루 미 늄 과 갈 름 간 몰 분 율의 함 수 로 서 밴 드 캡 에 너 지 를 보 여 준 다 . 우 리 는 그
림에서 0 < jc < 0. 4 5 범 위 에 대 하 여 합 금 물 질 은 직접 밴 드 캡 물 질 이 라 는 것 을 알 수
있다. > 0. 4 5 에 대 해 서 는 이 물 질 은 간 접 밴 드 접 물 질 이 되어 광 소 자 에 부 적 합 하 다 .
0 < x < 0. 3 5 의 범 위 에 대 해 서 는 밴 드 캡 에 너 지 는 다 음 과 같이 표 현 할 수 있다.
 1 4.5 발 광 다 이 오 드 65 1

Eg = 1 .424 + 1 .247x e V (1 4.52)

광 학 소자에 사 용 되 는 또 하나의 화 합 물 반 도 체 는 G a A S h J , 시 스 템 이 다 . 그림 1 4.24a

는 몰 분 율 x 의 함수로서 밴드캡 에 너 지 를 보 여 준 다 . 0 브 드 0.45 의 범위에 대해서 이
물 질 은 역시 직접 밴드갭 물 질 이 다 . X > 0.45 범 위 에 서 는 밴 드캡이 간 접 적 으 로 된다.
그림 1 4.2새 는 대 k 다 이 어 그 램 을 보 여 줌 으 로 써 몰 분율이 변화함에 따 라 어떻게 밴
드갭이 직접적에서 간 접 적 으 로 바뀌는지 보 여 주 고 있다.

S 3 두 몰분율에 대한 G a A s , 물질에 대한 출력 파장을 구한다. M E lfg C T

처음에 G a As 를 고려한 다음 0 &쇼81_ 츠 를 고려한다.

풀이
G a A s 는 밴드캡 에너지 E g = 1 .42 e V 를 가지고 있다. 이 물질은 다음 파장을 갖는 광자를
출력할 것이다.
_ 1.24 _ 1.24 =
0.873 jiim
~ 1.42

이 파장 은 적외선 영역에 있고 가시광선 범위에 있지 않다. 만약 우리가 파장 A = 0.653

/■
u n 의 가시광선 출력을 원한다면 밴드접 에너지는 다음과 같아야 한다.

E
¥ = ^ = 1 -90e V

이 밴드집 에너지는 대략 몰분율 x 0.4에 해당한다.

區푀
GaASl_ vPv 시스템에서 몰분율을 바꿈으로써 출력은 적외선에서 적색으로 바쩔 수 있다.

연습 문제
Ex 14.7 몰분율이 각각 ( a) x = 0.15, (b) x = 0.30 인 두 가지 경우에 대하여 GaAs 卜 츠
물질의 출력 파장을 구하라. [UI규 got o= Y (月) 빈mf g ^- = y ( v) *suy]

H .5 발 광 다 이 오 드
광 검 출 기 와 태 양 전 지 는 광 에 너 지 를 전기 에 너 지 로 변 환 한 다 . 광 자 는 과잉 전 자 와 정
공 을 생성하여 전 류 를 발생시 킨다. 우 리 는 pn 접합에 전 압 을 가하여 전 류 를 흐르게 하
고 ，그 전 류 가 광 자 를 발생시 켜 광 출 력 을 얻을 수 도 있다. 이 러 한 역 메 커 니 즘 을 주입
전 기 발 광 이 라 고 부 른 다 . 이 소 자 는 발 광 다 이 오 드 (L E D : L ig h t E m ittin g D io d e )로서 알
려져 있다. L E D 의 스펙트 럼 출 력 은 30-40 nm 사이의 상 대 적 으 로 넓은 파 장 대 역 폭 을
가질 수 있다. 그 러 나 이 러 한 방 출 스 펙 트 럼 은 출력이 가시광선 범위에 있기 만 하면 특
정한 색깔로서 관측될 정도로 좁다.
U . 5. 1 빛의 생성

전에 논 의 한 바 와 같이 직 접 밴드집 물 질 에 서 전 자 와 정공이 직 접 밴 드 간 재 결합 과정
에 의하여 재 결 합 하 면 광 자 는 방출될 수 있다. 방 출 파 장 은 식 (1 4.1 )로부터 다 음 과 같
다■

= (1 4.53)

여기에서 E g는 e V 단위로 측 정 하 는 밴드캡 에너지이다.

순 방 향 바 이 어 스 전압이 pn 접 합 양단에 인가되면 전 자 와 정 공 은 공 간 전 하 영역 을
넘어 주입되 어 반 대 쪽 영역에서 과잉 소 수 캐 리 어 가 된다. 이 러 한 과잉 소 수 캐 리 어 는
중성 반도체 영 역으로 확 산 되 고 거 기 에서 다 수 캐 리 어 와 재 결 합 한 다 . 만 약 이 러 한 재
결합이 직접 밴 드 간 과정이 면 광 자 가 방 출 된 다 . 이 다 이 오 드 확 산 전 류 는 재 결 합 률 에
직접 비 례 하 므 로 출력 광 자 세 기 도 이 상 적 인 다 이 오 드 확 산 전류에 비 례 할 것이다. 비
소 화 갈 륨 에 서 는 전 기 발 광 은 주 로 접합의 P 측에서 일어난다. 왜 냐 하 면 전자 주입에 대
한 효 율 이 정공 주 입 보 다 높기 때문이다.

1久5. 2 내부 양자 효율

L E D 의 내부 양자 효율은 발 광 을 일 으 키 는 다 이 오 드 전류의 분 율 이 다 . 내부 양 자 효 율

은 주입 효율의 함 수 이 며 ，전체 재결합에 비 교 한 방출성 재결합의 백분율의 함 수 이 다 .

순 방 향 바 이 어 스 가 걸린 다이오드 에 서 세 가지 전류 성 분 은 소 수 캐리어 전 자 확 산 전
류 ，소 수 캐리어 정공 확 산 전 류 ，그 리 고 공간전하 재결합 전류이다. 이 전류 밀 도 는 각
각 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

e D nnp
Jn = 1 (1 4.54 a)
~~u~

e D pp n
Jp = (1 4.54b )
—[

eriiW
Jr = (1 4.54c )
2 t

공 간 전 하 영역에서 전 자 와 정공의 재 결 합 은 일반적으로 밴드캡 중 앙 근처에 있는 트랩

을 통하여 일 어 나 고 비 방 출 성 이 다 . 비 소 화 갈 름 에 서 발 광 은 주 로 소 수 캐리어 전자의
재결합에 기 인하므 로 우 리 는 주입 효 율 을 전자 전류의 전체 전류에 대한 분 율 (fra c tio n )
로 정의한다.

(1 4.55)
J„ + Jp + J r

여 기 에서 7는 주입 효율이 다. 우 리 는 / p가 다 이 오 드 전류의 작 은 부분이 되 도 록 하기

 1 4.5 발 광 다 이 오 드 的 3

위하여 n + p 다 이 오 드 를 사 용 하 고 ，또 한 //?이 전체 다 이 오 드 전류의 작 은 부분이 되도

록 하기 위하여 다 이 오 드 를 충 분하게 순 방 향 으 로 바이 어스함으 로써 7 가 1 에 접 근 하 도
록 만 들 수 있다.
전 자 가 일단 P-영 역에 주 입 되 면 모 든 전 자 가 방 출 성 으 로 재 결 합 하 는 것 은 아 니 다 .
우 리 는 방출성 및 비방출성 재 결 합 률 을 다 음 과 같이 정 의 할 수 있다.

Rr = 복 (1 4.56 a)

R nr = 뿡 (1 4.5 的 )

여기에서 사과 T 은 각 각 방출성 및 비방출성 재 결 합 수 명 이 며 ，Sn은 과잉 캐리어의 농

도이 다. 전체 재 결 합률은 다음 과 같다.

R = R r + R„r = 부= 等+ 본 (1 4.57)

여기에서 T는 알 짜 과잉 캐리어 수명이다.

방 출 효 율 은 방출성 재 결합의 분 율 로 다 음 과 같이 정의된다

(1 4.58)
T i \ nr 1
과 주

여기에서 1?는 방 출 효 율이다. 비방출성 재 결 합 은 금지대역 내 비방출성 트랩의 농도인

'에 비례한다. 분 명 한 것 은 /'가 감소함에 따 라 방출 효 율 은 증가한다.
내부 양자 효율 은 이제 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Vi = 7V (1 4.59)

방출성 재 결 합 률 은 p -형 도핑에 비례한다. p -형 도핑이 증가함에 따 라 방출성 재 결 합 률

은 증 가 한 다 . 그 러 나 p -형 도핑이 증가함 에 따 라 주입 효 율 은 감 소한다. 따라서 내부 양
자 효 율 을 최대 로 하 는 최적 도핑이 존재한다.

U .5. 3 외부 양자 효율

L E D 의 매 우 중 요 한 파 라 미 터 의 하 나 는 발 생 한 광 자 중 반 도 체 로 부 터 실제 방 출 되 는

광자의 분 율 로 정 의 되 는 외부 양자 효율이 다 . 외부 양자 효 율 은 보 통 내부 양자 효율보

다 훨씬 작 은 수 이 다 . 일단 광 자 가 반도 체 내에서 만 들 어 지 면 광 자 가 겪 는 세 가지의
손실이 있다. 즉 반도체 내에서의 광자의 흡 수 ，프 래 넬 ( F re sn el) 손 실 ，그 리 고 임계각 손
실이 다.
그림 1 4.25는 pn 접 합 L E D 를 보 여 준 다 . 광 자 는 어느 방 향 으 로 도 방 출 될 수 있 斗
방 출 되 는 광자의 에너지, hv > /> 므 로 이 방 출 되 는 광 자 는 반도체 내에서 다시 흡 수
6於 Chapter U 광 소 자

방출되는 광자 "2 «i
입사파
--------

투과파
잔사파

( 一 - 반사 코팅 g

그림 1 4 . 2 5 발광 다이오드의 … 접합에서 그림 1 4 . 2 6 유전체 경계면에서 입사/ 반사/

광자 방출 도식 그림 투과 광자의 도식 그림

될 수 있 다 . 대 다 수 의 광 자 는 실제 표 면 으 로 부 터 방 출 되 었 다 가 다시 반 도 체 에 서 재 흡
수된다•
광 자 는 반도체로부터 공 기 로 방출되어 야 한다. 따라서 광 자 는 유전체 경 계를 통 하
여 투 과 되 어 야 한 다 . 그림 1 4.26은 입 사 파 ，반 사 파 ，그 리 고 투 과 파 를 보 여 준 다 . 파 라 미
터 표2는 반 도 체 의 굴 절 률 이 고 , 국 은 공기 의 굴 절 률 이 다. 반 사 계 수 는 다 음 과 같 다 .

r = (K r )2 ( 1 4.60)

이 효 과 를 프 레 넬 손 실 이 라 부 른 다 . 반 사 계 수 r 는 입 사 광 자 중 에 서 반 도 체 로 다시 반
사되는 분율이다.

BilBIKliM S U 반 도체-공 기 경계에서 반 사 계 수 를 계산한다.

GaAs와 공기 사이의 경계를 고려하라.

행 n
A = 0. 7 0 에서 G a A s의 굴절률 ' = 3 . 8 이 고 ，공기의 굴절률 국 = 1 이다. 반 사 계 수 는
다 음 과 같다.

(n2 - ni \2 ._ /3.8 一 1.0 V 0.34

U 2+ n j 13.8 + 1.0/

]
반사계수 r = 0. 3 4 는 비 소 화 갈 룸 으 로 부 터 비 소 화 갈 륨 -공 기 경계에 입 사 하 는 광 자 중에서
34% 가 다시 반 도 체 로 반 사 된 다 는 것을 의미한다.

연습 문제
Ex 1 4.8 A = 0.70 씨 n 에서 GaAs의 굴 절 률 n2 = 3.8이 고 ，GaP 의 굴 절 률 «2 = 3.2이다.
몰 분 율 jc = 0.40인 GaAs^ P , 를 고 려 하 라 . 굴 절 률 이 몰 분 율 의 선형 함 수 라 고 가 정 하 고 ，
GaAs .6Pa4와 공기와의 경계에서의 반 사 계 수 를 구하 라 . (SI _0 = J _대\0
 1 4.5 발 광 다 이 오 드 65 5

그림 1 4.27 유전체 경계면에서 굴절과 임계각에서의 전반사를 보여주는 도식 그림

반도 체-공 기 경계면에 각 을 이루면서 입 사하는 광 자 는 그림 1 4.27에 서 와 같이 굴절

된다. 만 약 광 자 가 임 계 각 보 다 큰 각 으 로 입사하 면 광 자 는 전반사를 겪는다. 임 계 각 은
스넬( S n e ll )의 법칙으로부터 정하여지며 다 음 과 같다.

= sin -> (|-) (1 4.61 )

m 반도체-공기 경계에서 임계각을 계산한다.

G a A s 와 공기 사이의 경계를 고려하라.

령 n
A = 0.70 /urn에서 GaAs의 굴절률 = 3.8이고，공기의 굴절률 기 = 1 이다. 임 계각은
다음과 같다.

0c = sin-I( | ) = sin-1( l )= 1 5.3

■
1 5.3°보다 더 큰 각으로 입사하는 어떤 광자도 다시 반도체로 반사된다.

연습문제
E x 1 4.9 G a A s 0.6P0.4 fl 대하여 예제 1 4.9를 반복하라. 유전상수에 대한 논의에 대해서는
연습문제 E x 1 4.8을 보아라. (。 ，
91 = 39 'suy )

그림 1 4.28a는 외부 양 자 효 율 을 p -형 도핑농도의 함수로서 보 여 주 며 ，그림 1 4.28b 는

외부 양 자 효 율 을 표면 아래 깊이의 함수로서 그린 것 이다. 두 그림 다 외 부 양 자 효 율
이 1 -3% 까지의 범위에 있다는 것을 보여준다.
 ( Z n ，0 ) 짝이
격리되지 않은 경우

0.1
1 0 1( 1 017 1 01 1 015 광자에너지 (e V )
乂 (cm—3)
1.8 1 .9 2.0 2.1 2.2
(a)

버 OO
8

C TJ)
OO
OO
•
4
- M

^ 6

OT
h
•
••
(%

z
)

2
•E
4

U
t v/

10 15 20 25 30
x ( tim) 690 650 61 0 570

(b) 파장 (n m )

그림 1 4 . 2 8 ( a ) G a P 발광 다이오드의 억셉터 그림 1 4 . 2 9 G a A s P 다이오드의 파장<밴드갭

도핑농도 변화에 대한 외부 양자 효율， 에너지)에 대한 휘도(Y a ng [22] 참조)
(b ) G a A s 발광 다이오드의 접합 깊이 변화에
대한 외부 양자 효율 (Y a ng [22] 참조)

U .5.스 발광 다이오드 소자

L E D 의 출력 신호의 파 장 은 반 도체의 밴드접 에너지에 의하여 결 정 된 다 . 직접 밴드캡

물 질 인 비 소 화 갈 륨 은 밴드캡 에너지 E g = 1 .42 e V 를 가 지 고 있 어 서 ，파 장 A = 0.873
쎄 !을 발 생 시 킨 다 . 이 파 장 을 그림 1 4.5에 보 인 가 시 광 선 스 펙 트 럼 에 비 교 하 면 G a A s
L E D 의 출 력 은 가 시 광 선 영역에 있지 않다. 가 시 광 선 출 력 을 위 해 서 는 신호의 파장이
0.4-0.72 /m i 범위에 있 어야 한다. 이 파 장 범위 는 대 략 1 .7부터 3.1 … 의 밴드접 에너
지에 해당한다.
G a A S h J 3、
.는 그림 1 4.24에서 보인 바 와 같이 0 드 ;c 드 0.45 범위에 대하여 직접 밴
드갭 물 질 이 다 . x = 0.40에 서 는 밴드캡 에 너 지 는 약 & = 1.9 e V 이 며 ，적색 영역에서
광 출 력 을 내 보 낼 것 이 다 . 그림 1 4.29는 다 른 값의 요에 대하여 G a A S h ^ j 다 이 오 드 의
휘 도 를 보 여 준 다 . 최 댓 값 은 역시 적색 영역에서 발 생 한 다 . 평면 제 조 기 술 을 이용하여
G a A s06P04 단일 결정 배열이 숫 자 및 문 자 /숫 자 표 시 소 자 를 만드는데 사 용 되 고 있다.
몰분율 이 0.45보 다 크면 이 물 질 은 간접 밴드 반 도 체 로 바뀌어 양 자 효 율 은 크게 감소
 1 4.6 레 이 저 다 이 오 드 65 7

그림 1 4 . 3 0 G a A lA s 이종접합 발광 다이오드의 (a) 단면도，(b) 열평형에서 에너지밴드 다이어그램

(Y a ng [2 幻 참조 )

한다.
G a A ^ A S i i 는 이 종 접 합 구 조 로 L E D 를 만드는 데 사 용 할 수 있다. 소 자 구 조 는 그림
1 4.30과 같다. 전 자 가 넓은 밴 드 캡 을 가진 N -G a A l 07A s 03로부터 좁 은 밴 드 갭 을 가진 p-
G a A l 06A s 04로 주 입 된 다 . p 물질의 소 수 캐리어 전자 는 방 출 성 으 로 재 결 합 한 다 . E gp <

giv이므 로 광 자 는 넓은 밴드접 N 물 질 을 통하여 거의 흡수없이 방출된 다 . 넓은 밴드캡

N 물 질 은 광학적 창으로서 작 용 하 고 외부 양자 효 율 은 증가한다.

H .6 레 이 저 다 이 오 드
L E D 에서의 광 자 출 력 은 전자가 전도대로부터 가 전 자 대 로 천이하면서 에 너지를 방 출하
는데 기 인한다 . L E D 광 자 방 출 은 각 밴 드 간 천 이 가 독 립 적 이 라 는 점에서 자 연 방 출 이
다. 자연 방 출 은 상당히 넓은 대역폭을 갖 는 L E D 스펙트럼 출 력 을 내놓는다. 만약 L E D
의 구 조 와 동 작 조 건 을 바꾸면 소 자 는 새 로 운 모드에서 동작하여 파 장 대역폭이 0.1 nm
이하로 간 섭 성 (coh erent) 출 력 을 발생시 킬 수 있다. 이러 한 새 로 운 소 자 는 레이저 다이오
드이 며 ，레 이 저 는 유 도 방 줄 을 통 한 빛의 증 폭 (L ig h t A m p lific a tio n b y S tim ula t e d
E mission o f R a dia tion )을 나타낸다. 많 은 형태의 레 이 저 가 있지만 우 리 는 pn 접합 레이
저 다 이 오 드 에 만 관 심 을 가질 것이다.

H .6.1 유도 방 출 과 반전 분포

그림 M .31 a 는 입사 광 자 가 흡 수되어 전 자 가 에너지 준위 , 에서 E 2로 올 라 가 는 경우

를 보 여 주 고 있다. 이 과 정 은 유도 흡수 (induc e d a bsorption )로 알려져 있다. 만 약 전자
가 자 연 발 생 적 으 로 다시 낮은 에너지 준 위 로 광 자 를 방출하면서 천이하면 그림 1 4.31 b
에 나타 낸 것처럼 자연 방 출 과 정 이 다 . 반면에 그림 1 4.31 c 처럼 전 자 가 높 은 에너지 준
위에 있을 때 광 자 가 입 사 하 고 전 자 와 상 호 작 용 을 통하여 전 자 를 낮 은 에너지 준 위 로
65 8 Chapter U 광 소 자

E2
hv 유도 흡수
，타
(a)

，
公2
자연 방출 hv

El

e2
hv
1 자극에 의한 ) hv
유도 방출 hv
El
(C)

그림 1 4.31 각 과정의 도식 그림 . (a ) 유도 흡수 , (b ) 자연 방출，(c ) 유도 방출

천 이 시 킬 수 있다. 이 하 향 천 이 는 광 자 를 발 생 시 킨 다 . 이 과 정 은 입사 광자 에 의하여
개 시 되 므 로 자 극 성 또 는 유 도 성 방 출 이 라 부 른 다 . 이 자 극 성 방 출 은 두 개의 광 자 를 출

력 시 킨 다 는 것에 주 목 하 라 . 그래서 우 리 는 광 학 적 이득, 다시 말 하 면 증 폭 을 가 지 게 된
다. 두 개의 방 출 되 는 광 자 는 간 섭 성 을 가 진 다 -
열 평 형 에 서 는 반 도 체 에 서 의 전 자 분 포 는 페 르 미 -디 랙 통 계 에 의 하 여 결 정 된 다 . 만

약 볼 츠 만 근 사 가 성 립 하면 우 리 는 다 음 과 같이 쓸 수 있 다 •

_ ( E 2 - E ') (1 4.62)
ex p
1元

여 기 에서 N 겨 N 2는 각 각 에 너 지 준 위 직 과 2에 서 의 전 자 의 농 도 이 고 2 > '이 다 .

열 평 형 에 서 는 /、 < 씨 이 다 . 유 도 흡 수 확 률 은 유 도 방 출 확 률 과 정 확 히 같 다 . 흡 수 되
는 광자의 수 는 '에 비례하며 추가로 방출되는 광자의 수 는 均 에 비례한다. 광학적 증
폭 , 즉 레 이 저 작 용 이 일 어 나 기 위 해 서 는 우 리 는 사2 > ' 이 필요하다. 이를 분 포 반전
이 라 고 부 른 다 . 우 리 는 레이저 작 용 을 열 평 형 에 서 는 일 어 나 게 할 수 없다.
그 림 1 4.32는 세 기 / v로 1 방 향 으 로 진 행 하 는 광 파 의 두 개의 에 너 지 준 위 를 보여 준
다. 세 기 의 z 함 수 로 서 의 변 화 는 다 음 과 같 다.

d l #방 출 된 광 자 #흡 수 된 광 자 (1 4.63)
dz cm 3 cm 3

e2

Ex

그림 1 4.32 두 개의 에너지 준위를 가진 물질

을 통하여 z 방향으로 진행하는 빛
 1 4.6 레 이 저 다 이 오 드 65 9

두 = N 2Wt •h v - 이 써 •h v

여기 에서 " , 는 유도 천이 확률이다. 식 (1 4.63)은 손실이 없다고 가 정 하 고 있으며, 자연

방 출도 무 시한 다.
식 ( M .63)은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

뜻 = 7(v )/, (1 4.64)

여기에서 7 (v ) c ( N 2 - 이 )이 고 증 폭 인자이다. 식 (1 4.64)로부터 세 기 는 다 음 과 같이

얻을 수 있다.

I v = I v{ ) e^v)l (1 4.65)

증 폭 은 r (v ) > 일 때 발생하며 7( v ) < 이면 흡 수 가 일어난다.

우 리 는 접합의 양쪽이 축퇴 도핑이 되면 순 방 향 바 이 어 스 된 pn 동 종 접 합 에 서 반전
분 포 와 레이저 동 작 을 달 성 할 수 있다. 그림 H .33 a 는 열 평 형 에 서 축퇴 도 핑 된 pn 접
합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보 여 준 다 . 페르미 준 위 는 n 영역에서 전도대 안에 있
고 ，P 영역에서 가 전 자 대 안에 있다. 그림 1 4.33b 는 순 방 향 바 이 어 스 가 걸릴 때 pn 접
합의 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을 보 여 준 다 . 동 종 접 합 pn 다 이 오 드 에 서 이득 인수 는 다
음 과 같다.

y (v ) a { l - exp [ " 네 우 세 (1 4.66)

7 (v ) 〉 1 이기 위 해 서 는 우 리 는 h v < ( E Fn 一 £ Fp) 가 필 요 하 며 ，이는 접합이 축퇴 도 핑

되 어 야 한 다 는 것을 의미한 다 . 왜 냐 하 면 h v > 公5가 필요하기 때문이다. 접 합 부근에서
는 반전 분 포 가 일 어 나 는 영역이 있다. 많은 수의 빈 준위 위에 전도 대 에 서 많 은 수의
전 자 가 존 재 한 다 . 밴 드 간 재결합이 일어나면 광 자 는 E g < hv < (E f „ - E Fp) 의 에너지
를 가지 고 방출될 것이다.

그림 1 4 . 3 3 ⑶ 0 V 바이어스에서 축퇴 도핑된 pn 접합，(b) 순방향 바이어스가 걸려 광자를

방출하는 축퇴 도핑된 pn 접합
 레이저 출력

그림 1 4 . 3 4 (a) 절개된 (1 1 0) 면으로 F a bry-P erot 공진상자를 이루는 pn

접합 레이저 다이오드 (Y a ng [22] 참조)

U .6. 2 광학적 공진 상자

분 포 반 전 은 레이저 작용이 일어나기 위 한 하나의 조 건 이 다 . 간섭성 방 출 출 력 은 광학

적 공진 상자를 사용하여 얻을 수 있다. 공진 상 자 는 정 궤 환 으 로 부 터 광 세기의 점진적
증 가 를 일 으 킬 것 이 다 . 두 개의 평 행 한 거 울 로 구 성 되 는 공 진 상 자 는 패 브 리 -페 로
( F a bry -P erot) 공진기로 알려 져 있다. 공진 상 자 는 예로서 그림 1 4.34에 보인 바 와 같이
(1 1 0) 면을 따 라 비 소 화 갈 륨 결정 을 쪼개어 만들 수 있다. 광 파 는 접 합을 통하여 z 방향
으 로 진 행 하 고 양단의 거 울 사이에 반사되어 왕 복 한 다 . 거 울 은 사 실 상 부 분 적 으 로 반
사하여 광파의 일 부 를 {출 력 으 로 서 ) 접합으로부터 투 과 되 도 록 한다.
공 진 을 위하여 공진 상자의 길이는 다 음 과 같이 반파장의 정수 배 이 어 야 한다.

세 ) = L (1 4.67)

여기에 서 N 은 정 수 이 다 . A 는 작 고 L 은 비교적 크기 때문에 공 진 상 자 에 는 많 은 공 진

모 드 가 존재한 다 . 그림 H .35 a 는 파장의 함수로서 공진 모 드 를 보여준다.
순 방 향 전 류 가 pn 접합에 가 해 지 면 자연 방출이 처음에 일 어 날 것 이 다 . 자 연 방 출
스 펙 트 럼 은 비교적 넓어서 그림 1 4.35 b 에서 보 여 준 바 와 같이 가 능 한 레이저 모 드 와
겹치게 된다. 레이저 동작이 개시되기 위 해 서 는 자연 방 출 이득이 광 손 실 보 다 커야 한
 1 4.6 레 이 저 다 이 오 드 661

모드
ttl 11 t m
A2 파장
2L

(a)
자연 방출

레이저 동작 모드

(c)

그림 1 4 . 3 5 (a) 길이가 Z■인 공진 상자의 공진 모드，

(b) 자연 방출 특성 곡선 , (c) 레이저 다이오드의 실제
방출 모드(Y a ng [22] 참조)

다. 공 진 상 자 에 서 의 정 궤 환 으 로 레이저 동 작 은 그림 1 4.35 c 에서 나타낸 바 와 같이 몇

개의 특정 파장에서 일어날 수 있다.

14.6. 3 문 턱 전 류

소 자 내 에 서 의 광 세 기 는 식 (1 4.65)로부 터 / v cc 이 야 로 쓸 수 있다. 여기에서 7( v )는

증 폭 인 수 이 다 . 우 리 는 두 가지의 기 본 손 실 메 커 니 즘 을 가 지 고 있다. 첫 째 는 반도체
내에서의 광자의 흡 수이 다 . 우 리 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

l v c ^~a(v)z (1 4.68)

여기에서 a ( v ) 흡 수 계 수 이 다 . 두 번째의 손실 메 커 니 즘 은 공진 상 자 끝 을 통 한 부 분 투
과 또 는 부분적 인 반사에 기 인한다.
문 턱 이 라 고 부 르 는 레이저 동작이 개 시 되 는 점 에 서 는 공진 상 자 내에서 1 회의 왕복
여 행 을 통 한 광 손실이 광 이 득 에 의하여 정확히 상 쇄 된 다 . 그 러 면 문턱 조 건 은 다 음 과
같이 표 현 할 수 있다.

I 'I ' e x p I X h C ) ，) - 2 a (v ))L ] = 1 (1 4 . 6 9 )

여기에서 기 과 r 2는 두 개의 양 단 거울의 반 사 계 수 이 다 . 광 거 울 이 비 소 화 갈 름 의 쪼개
진 (1 1 0) 면일 때 반 사 계 수 는 대략 다 음 과 같이 주어진다 .
 3500

3000
300 K

12500

----- I

( 一U O / V )
2o 5 + 표 111 니

§
a = 1 5 c m —1
^ 500 2.1 X 1 0一 2 c m /A

1 000 -

Q ____ |_ ___ |_ __ |_ _ _ _ |_ _ _ _ _ _ |_ __ |_ _ _ _ |_ _ _ _
0 10 20 30 40 50 60 70 80

^ l n r ^ (cm_1)

그림 1 4.36 패브리-페로 공진 상자 종단 손실의 함수로서의

레이저 다이오드의 문턱전류 밀도(Yang [22] 참조)

「 아 = ( | ^ ) 2 ( 1 4,70)

여기에서 馬 와 ^ 은 각 각 반 도 체 와 공기의 굴 절 률 이 다 . 7V(v )는 문턱에서 광 이 득 이다.

문턱에서의 광 이 득 사 비 는 식 (1 4.69)로부터 다 음 과 같이 정할 수 있다.

^ )= a + i ln (r ^ ) (1 4-71 )

광 이 득 은 pn 접합 전류의 함 수 이 므 로 문 턱 전 류 를 다 음 과 같이 정의 할 수 있다.

네 + i l n (r ^ ) . (1 4'72)

여기에서 13는 이 론 적 으 로 또 는 실 험 적 으 로 결 정 된 다 . 그림 1 4.36은 거 울 손실의 함 수

로서 문 턱 전 류 밀 도를 보 여 준 다 . 우 리 는 pn 접합 레이저 다이 오 드 에 대한 문 턱 전 류 밀
도 는 상 대 적 으 로 높 다 는 것에 주 목 할 필 요 가 있다.

H . 6乂 소자 구조 및 특성

우 리 는 동 종 접합 L E D 에서 광 자 가 어느 방 향 으 로 도 방출될 수 있어서 그것이 외부 양

자 효 율 을 낮 춘 다 는 것을 알았다. 만 약 방 출 되 는 광 자 가 접합 부 근 으 로 갇히게 되면 소
자 특성에 서 상 당 한 개선이 이루어질 수 있다. 이 러 한 국 한 은 유전체 도 파 관 을 사 용 하
여 달 성 할 수 있다. 기본 소 자 는 3층 구조의 이 중 이종접합 이 며 이중 이 종 접 합 레이저
로 알려져 있다. 유전체 도파관에 필 요 한 조 건 은 중앙의 물질의 굴절률이 다 른 두 개보
다 높 아 야 한 다 는 것이다. 그림 1 4.37은 A l G a A s 계열의 물질에 대 한 굴 절 률 을 보 여 주
 1 4.6 레 이 저 다 이 오 드 663

1
C
O
0
U

GaAs AlAs
몰분율 A l A s ，x

그림 1 4 . 3 7 몰분율 x 의 함수로서의 의 굴절률

(Sze [1 8] 참조)

고 있다. 우 리 는 G a A s 가 가장 큰 굴 절 률 을 가지고 있다는 것에 주 목 할 필요 가 있다.

이중 이 종 접 합 레이저의 한 사 례 를 그림 1 4.38a 에서 볼 수 있다. 얇은 p -비 소 화 갈 륨
층이 P -A l G a A s 와 N -A l G a A s 층 사 이 에 끼여 있다. 간 단 한 에 너 지 밴 드 다 이 어 그 램 을
순 방 향 바 이 어 스 에 대하여 그림 1 4.38b 에 보 여 주 고 있다. 전 자 는 N -A l G a A s 로부터 p -
G a A s 로 주 입 된 다 . 전도대의 전위장 벽이 전 자 가 P -A l G a A s 영 역으로 확 산 하 는 것 을 막
아주기 때문에 반전 분 포 는 쉽게 얻어진다. 방사성 재 결 합 은 p-G a A s 영역에 국한된 다 .

자 p P
A l / } a 卜겨 1 GaAs Al^Ga^^As

() b
(c )
() d

그림 1 4 . 3 8 (a) 기본 이중 이종접합 구조，(b) 순방향하의 에너

지 밴드 다이 어그램 , (c) 구조를 통한 굴절률 변화，(d) 유전체 도
파관에서의 빛의 봉입( Y m g [22]로부터)
66스 Chapter U 광 소 자

<
) 0

(
피
f^r
hj
LJ
) 8

^
^

6
r<r
l^o
R)

20 40 60 80 1 00
다이오드 전류 (m A )

그림 1 4 . 3 9 여러 온도에서의 레이저 다이오드 전류에 대

한 전형적인 출력 파워(Y ang [22] 참조)

G a A s 의 굴절률 이 A l G a A s 보 다 크기 때문에 광 파 도 역시 G a A s 영역에 국 한 된 다 . 광 학

적 공 진 상 자 는 N -A l G a A s 와 p-G a A s 접합에 수직 방 향 으 로 반 도 체 를 쪼개서 형 성 할
수 있다.
전형적 인 광 출력 대 다 이 오 드 전류 특성 곡 선 을 그림 1 4.39에 있다. 문 턱 전 류 는 꺾
이는 점에서 의 전류 로 정 의 한 다 . 낮 은 전 류 에 서 는 출력 스 펙 트 럼 은 매우 넓으며 자연
방출의 결 과 이 다 . 다이 오 드 의 전 류 가 문 턱 전 류 를 조 금 넘 어 서 면 여러 개의 공진 주 파
수 가 관 찰 된 다 . 다 이 오 드 전 류 가 커지면 작 은 대 역 폭 을 가진 단일 모 드 가 지배적인 출
력이 발생된다.
레이저 다이오 드의 성 능 은 좀 더 넓은 광도파관 에 서 매우 좁 은 재 결 합 영역을 사용
하면 더욱 개 선 할 수 있다. 반도체 레이저 다 이 오 드 의 성 능 을 개선하기 위 한 지속적 인
노력으로서 다층 화 합 물 반 도 체 를 사 용 하 는 복 잡 한 구 조 가 제작되어 오 고 있다.
 주요용어 665

H .7 요 약
■ 반도체 안에서의 빛(광자)의 흡수와 방출은 광전자공학으로 불리우는 소자군에 대한
연구에 이르게 된다. 이 장에서는 이러한 소자 몇 가지가 논의되고 분석되었다.
■ 광자의 흡수 과정이 논의되고 반도체들에 대한 흡수계수 데이터가 제시되었다.
■ 태양전지는 광 파워를 전력으로 변환한다. 간단한 pn 접합 태양전지가 처음에 고려되
었다. 단락회로 전류，개방화로 전압, 최대 전력이 고려되었다.
■ 이종 접합과 비 정 질 반도체 태양전지도 고려 되 었다. 변환효율을 높이 고 상대 적으로 큰
개방회로 전압을 얻게 하는 경향이 있는 이종접합 태양전지를 제조할 수 있다. 비정질
태양전지는 저가격 대면적 태양전지 배열의 가능성을 제공한다.
■ 광검출기는 광신호를 전기신호로 변환하는 반도체소자이다. 광전도체는 아마 가장 간
단한 광검출기이다. 입사 광자에 의한 과잉 전자와 정공의 생성에 기 인한 반도체 전도
도의 변화가 이 소자의 기초이다.
■ 광 다이오드는 역방향 바이 어스를 거는 다이오드이다. 입사 광자에 의하여 공간전하영
역에서 생성되는 과잉 캐리어는 전계에 의하여 휩쓸려 흘러가 광전류를 만든다. 광전
류는 직접 입사 광 세기에 비례한다. P IN 과 애벌런치 광 다이오드는 기본적인 광 다이
오드의 변형이다.
■ 광 트랜지스터에서 생성되는 광전류는 트랜지스터의 이득에 의하여 증폭된다. 그러나
광 트랜지스터의 시간 응답은 밀러 효과와 밀러 커패시턴스 때문에 광 다이오드보다
더 늦다.
■ pn 접합에서의 광자 흡수에 대한 역 메커니즘은 주입 전기 발광이다. 직접 밴드캡 반도
체에서 과잉 전자와 정공의 재결합은 광자의 방출을 가져올 수 있다.
■ 발광 다이오드(L E D )는 과잉 전자와 정공의 자연발생적 인 재결합의 결과로서 광자 출
력을 내는 pn 접합 다이오드군이다. 출력 신호의 30 nm 정도 상당히 넓은 대역폭은 자
연발생적 과정의 결과이다.
■ 레이저 다이오드의 출력은 유도 방출의 결과이다. 패브리-페로 공진기( F a bry -P erot)라
는 광학적 공진 상자가 다이오드와 함께 사용되 어 광자 출력 의 위상이 맞아서 간섭 성
을 갖게 된다. 성능을 개선하기 위하여 다층 구조의 이종 접합을 만들 수 있다.

주 요 용 어 ___________________________________________________________________________

흡수계수 a 로 나타내는 반도체에서 단위길이당 흡수되는 광자의 상대적인 수

변환효율 태양전지에서 입사 광 파워에 대한 출력 전력의 비
지연 광전류 반도체소자에서 확산에 의한 광전류 성분
외부 양자 효율 반도체에서 생성되는 광자에 대한 방출되는 광자의 비
충진율(fill fa ctor) /乂 의 / SCV0C에 대한 비로서 태양전지로부터 꺼낼 수 있는 전력에 대한
척도. /„,과 、 은 각각 최대 전력점에서의 전류와 전압이며, /sc와 V父는 각각 단락회로
전류와 개방회로 전압이 다.
프레넬(Fresnel) 손실 경계에서 굴절률의 변화에 기인하는 반사 광자 대 입사 광자의 비
내부 양자 효율 발 광 을 일으키 는 다 이 오 드 전류의 분 율
레이저 다이오 드 유 도 방 출 에 의 한 빛의 증 폭 ( L i g h t A m p l i f i c a t i o n b y S t im u l a t e d E m is s i o n

o f R a d i a tio n )이 란 뜻의 약어로서 순 방 향 바 이 어 스 된 pn 접합에서 광학적 공진 상 자 를

함께 사용하여 생 성 되 는 광자의 유 도 방출
발광 다이오드 L E D ( L i g h t E m it t i n g D i o d e ) 라 약 어 로 부르며 순 방 향 바 이 어 스 된 pn 접합에
서 전 자 와 정공의 재결합에 의한 자연발생적 광자의 방출
발광 빛을방출하는성질
비방출성 재 결 합 실 리콘에서 전 도 대 와 가전자대 사이의 간접 천 이 와 같이 전 자 와 정공의
재결합 중에서 광 자 를 방출하지 않는 재 결 합
개방회로 전압 단 자 를 개 방 한 태양전지의 양단에 생 성 되 는 전압
광전류 광자의 흡 수 에 의하여 생 성 되 는 과잉 캐리어의 흐름에 기 인 하 는 반 도 체 소 자 내의
전류
반전 분포 어떤 에너지 준 위 에 있는 전자의 농 도 가 더 낮 은 에너지 준 위 의 전 자 농 도 보 다
큰 상황으로서 비평형 상태임
즉시 응답 광전류 반도체 소자의 공 간 전 하 영역 내에서 생 성 되 는 광 전 류 성분
방출성 재 결 합 비 소 화 갈 륨 에 서 의 직접 밴 드 간 천 이 와 같이 광 자 를 발 생 시 키 는 전 자 와 정
공의 재 결 합 과정
단락회로 전류 두 단 자 를 단 락 한 상태에서 태양전지에 흐 르 는 전류
유도 방출 전 자 가 입사하 는 광자에 의하여 자 극 을 받 아 낮 은 에너지 준 위 로 천이하면서 광
자 를 방 줄 하 는 과정

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이 장을 공부한 후 독자는 다음 능력을 갖추어 야 한다.

■ 반도체에서 광흡수를 설명한다. 언제 광흡수가 사실상 이 되는가?
■ 단락 전류와 개방 전압을 포함하여 태양전지의 기본 동작과 특성을 설명한다.
■ 태양전지의 변환 효율에 기여하는 요소를 논의한다•
■ 비정질 실리콘 태양전지의 장단점을 설명한다.
■ 광전도체의 이득이라는 개념을 포함하여 광전도체의 특성을 기술한다.
■ 간단한 pn 접합 광 다이 오드의 동작과 특성을 논의한다.
■ 간단한 pn 접합 다이오드에 비교하여 P IN 과 애 벌런치 광 다이오드의 장점을 논의한다.
■ 광 트랜지스터의 동작과 특성을 논의한다.
■ L E D 의 동작을 설명한다.
■ 레이저 다이오드의 동작을 설명한다.

복습 질문

1. 반도체 내에서의 광 흡 수 계 수 의 파장에 따 른 대 체 적 인 변 화 모 양 을 그 려 라 . 언제 광 흡

 수 가 사 실 상 0이 되는가?
2. pn 접 합 태 양 전 지 의 전 류 -전 압 특 성 을 그 려 라 . 태 양전지의 단 락 회 로 전 류 와 개 방 회 로
전 압 을 정의하라.
3. 어떻게 pn 접합 태 양 전 지 가 순 방 향 바 이 어 스 가 걸리게 되는지 논의하 라 .
4. 간 단 한 광 전도체에서 정상 상태의 광전류에 대한 식을 쓰라.
5. 광 다 이 오 드 에 서 즉시 응 답 광 전 류 가 어떻게 발 생 하 는 지 설 명 하 라 . 즉시 응 답 광 전 류
가 역방향 바이 어스 전압에 따 라 변하는가? 왜 그런가?
6. 광 트 랜 지 스 터 의 단 면 을 그 리 고 입사 광자에 의해 생 성 되 는 전 류 를 보 여 라 . 어떻게 전
류 이득이 얻어지는지 설명하라.
7. LED 의 기본 동 작 을 설명하라. 효율에 영향을 주 는 두 가지 인자를 명시하라.
8. LED 에서 어떻게 다른 색 깔 을 얻는가?
9. LED와 레이저 다이오드 와의 차 이 를 논하라 .
1 0. 레이저 다이오 드에 서 반전 분포의 개념에 대하여 논하라.

문제

1 4.1 절 광 흡 수

1 4.1 전 자 -정 공 쌍 을 생 성 할 수 있는 광원의 최대 파 장 을 다 음 각 반도체에 대하여 구 하

라. ( a ) S i, (b ) G e , ( c ) G a A s , ( d ) InP
1 4.2 (a ) 두 개의 광원이 각 각 A = 4 80 nm와 A = 725 nm 파장의 빛 을 생 성 한 다 . 각 파
장에 해 당 하 는 광 자 에 너 지 를 구 하 라 . (b ) 세 개의 광원이 각 각 E = 0. 87 e V , E =
1 .32 e V , E = 1 .90 e V 광 자 에 너 지 를 갖 는 빛을 생 성 한 다 . 각 광 자 에 너 지 에 해 당 하
는 파 장 을 구하라.
1 4.3 (a ) 두께가 1 .2 사이인 G a A s 표본이 있다. 그 표 본 을 에너 지가 / j v = 1 .65 … 인 광 자
를 생 성 하 는 광 원 으 로 빛을 쪼여 준다. 다 음 을 구하 라 . ( i) 흡 수 계 수 ，( i i ) 물질에 흡
수 되 는 에너지 의 분 율 ，( b ) 두 께 가 0. 8 /w n 인 G a A s 표본이 에 너 지 가 hv = 1 .90 e V

인 광 자 를 생 성 하 는 광 원 으 로 빛을 조여 주 는 경우에 대하여 ( a )를 반복하라 .

1 4.4 (a ) hv = 1 .3 … 이고 파워 밀 도 가 1 ( T 2 W /c m 2 인 빛이 얇은 판 형태의 실리콘에 입
사 하 고 있다. 과잉 소수 캐리어의 수 명 은 1 0— s 이다. 전 자 -정 공 생 성 률 과 정상상태
의 캐리어 분 포 를 구하라. 표면 효 과 는 무시한 다 .
1 4.5 n-형 G aAs 표본의 소 수 캐리어 수명이 Tp = 2 x 1 0 -7 에 다 . 에너지 hv = 1 .65 e V

의 광 자 가 반도체 의 표면에 과잉 캐리어 농 도 初 = 5 x 1 0*5 cm _ 3을 생 성 한 다 . (a)

입사 파 워 를 구하라 . (b ) 생성률이 표면 값의 1 0% 로 떨 어 지 는 거 리 를 구하라.

1 4.6 에너지 /대 = 1 .40 … 인 광 자 가 조 사 되 고 있는 실 리 콘 반 도 체 를 고 려 하 라 . ( a ) 9 0%

의 에 너 지 가 흡 수 되 는 물질의 두 께 를 구 하 라 . ( b ) 3 0% 의 빛이 물 질 을 투 과 하 는 두
께 를 구하라 .
668 C h a pter 1 4 광소자

그림 P 1 4 . 9 문제 1 4.9를 위한 그림

1 4.7 만약 G aAs 반도체의 두께가 1 이고 입사 단색 광자의 에너지의 5 0% 가 흡수된

다면 입사 광자에너 지와 파장을 구하라.
*14.8 x = 까지 퍼져 있는 n -형 반도체의 표면 x = 0에 ‘ 의 세기로 단색광이 입사하
고 있다. 반도체 내에서의 전계는 0이라고，표면 재결합속도는 s 라고 가정한다. 흡
수계수를 고려하여 정상상태의 과잉 정공의 농도를 x 의 함수로서 구하라.
*1 4.9 그림 P 1 4.9에 보인 바와 같이 세 기 가 / 인 단색광이 p -형 반도체에 입사하고 있다.
JC = 0에서의 표면재결합속도를 s = 라고，x = ，에서 표면재결합속도를 s = 자
라고 가정 한다. 정상상태 의 과잉 전자의 농도를 X 의 함수로서 구하라.

1 4.2절 태 양 전 지

14.10 다음 파 라 미 터 를 가진 긴 실리콘 pn 접합 태 양 전 지 가 T = 300 K 에 있다. N a =

1 016 c m -3 , N d = 1 015 c m 3, D n = 25 c m 2/s , D p = 10 c m 2/s , r „ = 1 0—6 s, Tp 0 =
5 x l - 7 s. 태양전지의 단면적은 5 c m 2 이다. 접합 전체가 전자-정공 생성률 아 =
5 x l 0 21 c m -3 s -네 되도록 균일하게 조사되고 있다. (a ) 공간전하영역에서 생성되
는 단락 회로 광전류를 계산하라. (b ) ( a )의 결과를 사용하여 개방 회로 전압을 구하
라. (c ) V。。의 에 대한 비를 구하라.
14.11 긴 실리콘 pn 접합 태양전지가 문제 1 4 . 1 0에 기술된 것과 동일한 파라미터를 가지
고 있다. 전지에서 생성된 광전류는 " = 1 20 m A 이다. 다음을 구하라. ( a) 개방 회
로 전압，(b ) 전체 태양전지 전류 / = 100 m A 를 흐르게 하기 위하여 접합에 걸리는
전압, (c ) 태양전지의 최대 출력 전력，(d ) 최대 전력을 생산하는 외부 부하 저항
14.12 문제 1 4.1 0에 기술된 태양전지를 고려하라. ( a) 전지에서 생성된 광전류는 /L = 1
m A 이다. 다음을 구하라. (i ) 개방 회로 전압，(i i ) 최대 출력 전력，(b ) 이제 태양전지
가 광전류가 1 배로 증가하도록 태양광 집속기를 사용한다. 다음에 대하여 새로운
값을 구하라. (i ) 개방 회로 전압，(i i ) 최대 출력 전력，(c ) 문제의 (비에서 구한 최대
전력의 ( a)에서 구한 최대 전력과의 비를 구하라.
14.13 T = 3 00 K 에서 과잉 캐 리 어 가 균일하게 생 성 되 고 있는 이상적인 긴 n+p 접합
G aAs 태 양전지를 고려하라. 다이오드의 파라미 터는 다음과 같다.
Nd = 1 019 c m -3 D „ = 225 cm2/s
t„ = Tp = 5 X 1 0_ 8 s Dp = 1 c m 2/s.*

*표시된 문제는 더 어려운 문제를 의미한다.

 생 성 되 는 광 전 류 밀도는 八 = 3 0 m A /c m 2 이다. 억셉터 도 핑 농 도 1 015 < <

1 18 c m -3에 대하여 억셉터 도핑의 함수로서 개방회로 전압을 그려라.

14.14 면적이 2 c m 2인 긴 실리콘 pn 접합 태양전지가 다음 파라미터를 가지고 있다.
Nd = 1019 err 3 Na= 3 X 1016 c m -3
Dp = 6 cm 2/s Dn = 18 cm 2/s
Tp = 5X l -7 S T „0= 5 X l -6 s

과잉 캐리어는 태양전지 내에서 균일하게 생성되고 있으며 JL = 25 m A /cm 2, T =

300 K 로 가정한다. ( a) 다이오드의 /-V 특성 을 그려라. (b ) 태양전지의 최대 전력

출력을 구하라. (c ) 최대 전력을 발생시키는 외부 부하 저항 값을 구하라.
14.15 단면적이 6 c m 2 이고 역포화전류 / s = 2 x 1 0 -9 A 인 실리콘 태양전지가 r = 3 00 K

에 있다. 유도된 단락 광전류는 1L = 1 80 m A 이다. 다음을 구하라. (a ) 개방 회로 전

압, (b ) 태양전지의 최대 출력 전력，( c ) 최대 출력 전력을 생산하는 부하 저항，(d )
만약 (이에서 구한 부하 저항이 5 0% 만큼 증가한다면 새로운 최대 출력 전력은 얼마
인가?
14.16 역포화전류 l s = 1 0~ 10 A 이고，유도된 단락 광전류 1L = 1 00 m A 인 실리콘 태양전
지가 r = 3 00 K 에 있다. ( a ) V 여를 구하라. (b ) Vm, I m, 을 구하라. (c ) 최대 출력
전력에서 동작하는 태양전지 몇 개가 직 렬로 연결되어야 출력 전압이 10 V 이상이
되는가? (d ) (이에서 구한 m V 전지 몇 개가 병렬로 연결되어야 5 .2 W 이상의 전력
을 생산하는가? (e ) (비의 결과를 고려하여 최대 전력을 생산하기 위하여 태양전지
시스템에 연결되어야 하는 부하 저항을 구하라.
*14.17 불균일한 흡수 특성을 갖는 pn 접합 태양전지를 고려하라. p 영역은 매우 길고 n 영
역은 짧은 경우에 대하여 단락회로 상태에 대하여 과잉 소수 캐리어 전자농도에 관
한 식을 유도하라.
14.18 비정질 실리콘에서 흡수계수는 hv = 1 .7 … 에서 대략 1 04 c m - 1 이고，hv = 2.0 e V

에서 대략 1 05 c m -1 이다. 각 경우에 대하여 9 0% 의 광자가 흡수되도록 비정질 실리

콘의 두께를 정하라.

1 4.3 절 광 검 출 기

14.19 N d = 5 x l 0 15 c m -3로 도핑된 n -형 실리콘 광전도체가 T = 3 00 K 에 있다. 단면적

A = 5 x 1 -4 c m 2 이고 길이 L = 1 20 m m 이다. 캐리어 파 라 미 터 들 은 mn = 1 2 00

c m 2/V -s , mp = 4 00 c m 2/V -s , r n0 = 5 x l - 7 s, r p0 = 1 0-7 s 이다. 광 전 도 체 는 전

자-정공 생성률 G l = 1 021 c m -3 s -며 되도록 균일하게 조사되고 있다. … 가 광전
도체에 걸려 있는 경우에 대하여 다음을 구하라. ( a) 열 평형 전류，(b ) 정상 상태 과
잉 캐리어 농도，(c ) 광전도도，( d ) 정상 상태 전류, ( e ) 광전류 이득

Nd = 5 X 1016 cm" Na = 0
fin = 8000 cm 2/V-! l±p = 25 0 cm W - s
Tn = l ~7 S Tp = 10~8 S.

14.20 G aAs 광전도체에서 과잉 전자와 정공이 균일하게 G L = 1 021 c m - S -s -1 로 생성되

 고 있다. 면적은 A = 1 0_ 4 cm 2이고 길이는 L = 100 Atm이다，다른 파라미터는 다
음과 같다.
만약 5 V 가 걸린다면 다음을 계산하라. ( a) 정상상태의 과잉 캐리어 농도，(b ) 광전
도도，(c ) 정상상태 광전류，(d) 광전도체 이득
14.21 두께가 1 /새1，폭이 50 /xm , 종 방향으로의 전계가 50 V 八:m 인 n-형 실리콘 광전도
체를 고려하라. 입사 광속 必 = 1 016 c m _ 2-s _ 1 , 흡 수 계 수 a = 5 X 104 c m - 1，
= 1 200 cm 2/V -s, i p = 450 cm 2/V -s, r p0 = 2x l -7 따 면 정상상태 광전류를 계
산하라.
14.22 다음 파라미터를 가진 긴 실리콘 pn 접합 광 다이오드가 T = 300 K 에 있다. N a =
1016 cm -3, Nd = 2 x 1015 cm —3, Dp = 10 cm2/s, D n = 25 cm2/s, Tp 0 = 10 —7 s, t „

= 5 x l _7 s. 다이오드의 단면적 A = 1 0 -3 cm2이다. 역방향 바이어스 전압 5 V 가

걸려 있고，광 다이오드 전체에서 전자-정공 생성률 G l = 1021 cm 3 s - 1이다. (a)
즉시 응답 광전류를 구하라. (b ) 접합으로부터 멀리 떨어진 p 와 n 영역에서 정상 상
태 과잉 캐리어 농도를 구하라. (c) 전체 정상 상태 전류를 구하라.
*14.23 그림 1 4.1 7에 보여준 기하 구조를 사용하여 소수 캐리어 정공에 대한 양극 전송 전
류 식으로부터 출발하여 식 (1 4.41 )을 유도하라.
14.24 T = 300 K 에서 3개의 실리콘 PIN 광 다이오드 A , B , C 가 각각 2, 10, 80 사이의 진
성영역의 폭을 가지고 있다. 그림 1 4.1 9에 보인 바와 같이 광속 必 = 5 x l 17c m -2-
s _ i 이 각 다이오드의 표면에 입사하고 있다. ( a) 흡수계수 a = 104 cn 1에 대하여
각 다이오드에 대하여 즉시 응 답 광전류밀도를 구하라. (b ) 흡수계수 « = 5 x 1 2
c m *"1에 대하여 ( a)를 반복하라.
14.25 그림 1 4.1 9에 보인 기하학적 구조를 갖는 실리콘 PIN 광 다이오드를 T = 300 K 에
서 고려하라. 진성영역의 폭은 100 비고이다. 진성영역이 완전히 공핍되도록 역방향
바이어스가 걸려 있다고 가정한다. 입사 광자 파워 /> = 0.080 W /cm 2, 흡수계수 a
= 1 3 c m -', 광 자 에 너 지 는 1.5 … 이다. 광 다이오드의 p + 최상위층에서 흡수를
무시하라. ( a ) 진성영역에서 거리에 따른 정상 상태의 전자-정공 생성률 G L을 구하
라. (b ) 정상 상태 광전류밀도를 구하라.
14.26 T = 300 K 에서 실리콘 PIN 광 다이오드가 그림 14.19어j 보인 기하학적 구조를 가
지고 있다. 진성영역의 폭은 2 0 /xm 이고 완전히 공핍되었다. (a) 진성영역에서 전
자 -정 공 쌍 생성률 G l = 1021 c m - 3 s - 1이고 진성영역 전체에 걸쳐 균일하 다 . 이
조건에 대하여 정상 상태 광전류밀도를 계산하라. (b ) 전자-정공 쌍 생성률은 x = 0
에서 G l = 1021 cm 3 s - 1이고 흡수계수 a = 103 c m - 1이다. 이 상황에 대하여 정
상 상태 광전류밀도를 구하라.
14.27 태양광에 노출된 실리콘 PIN 광 다 이 오 드 를 고려하라. A < 1 /Lim 파장의 광자에
대하여 최소한 90% 가 진성영역에서 흡수되도록 진성영역의 폭을 정하라. p +와 n +
영역에서의 흡수를 무시하라.

1 4.4 절 광 발 광 및 전 기 발 광

14.28 A l / } a i_ tAs 시스템을 고려하라. 가능한 직접 밴드캡 에너지 범위를 결정하고 해당

 하는 파 장 을 구하라 .
1 4.29 G a A s,_ ^ P v 시 스 템 을 고 려하라. (a) 몰 분 율 ;t = 0. 2 에 대하여 다 음 을 구 하 라 . ( i) 밴
드 7J 에 너 지 ，( i i ) 광 자 파 장 (b ) 몰 분율 jc = 0. 3 2 에 대하여 ( a )를 반복하라.
1 4.30 그 림 1 4.23을 사용하여 물질이 A = 0. 6 7 0 사이의 파 장 에 서 빛 을 방 출 하 도 록
A l , G a i _ .rA S에서 몰 분 율 별 구하라 . 해 당 하 는 밴드집 에 너 지 는 얼마인가?
1 4.31 G a A s ,„^ 시스템에 대하여 문제 1 4. 3 0을 반복하라.

1 4.5 절 발 광 다 이 오 드

1 4.32 pn 접 합 G aAs LED를 고 려 하 라 . 광 자 가 표 면 으 로 부 터 0.5 나이의 거리에 있는 접합

에 수 직 인 평면에 있는 모 든 방 향 으 로 균 일 하 게 광 자 가 생 성 되 고 있다. (a ) 전반사
를 고려하 여 반 도 체 로 부 터 방 출 될 가능성 이 있는 광자의 분 율 을 계 산 하 라 . (b ) (a)

를 이 용 하 고 프 레 넬 손 실 을 포함 하 여 반 도 체 로 부 터 공기 중 으 로 방 출 되 는 광자의
생 성 되 는 광자에 대한 분 율 을 구하라<흡 수 손 실 은 무 시 한 다 ).
*1 4.33 pn 접합 LED 에서 반도체 내 접합에 있는 점광원 을 고 려 하 고 광 자 가 모 든 방향으 로
균 일 하 게 방 출 된 다 고 가 정 하 라 . LED 의 외부 양 자 효율이 다 음 식에 의하여 주 어 진
다 는 것을 보여 라〈광 자 흡 수 를 무시).

여기에서 국 과 규2은 각 각 공 기 와 반도체의 굴절률이며 之는 임계각이다.

1 4.6 절 레 이 저 다 이 오 드

1 4.3 4 광 공 진 상 자 를 고 려 하 라 . ∼ 〉> 1이 면 두 개의 인 접 한 공 진 모 드 의 파 장 간격 이 AA
= A2/2스 임 을 보여 라 .
1 4.3 5 레이저 다이오드의 출력 광자가 밴드캡 에너지와 같다면 L = 75 나m 인 GaAs 레이
저에서의 인접 모드간 파장 간격을 구하라.

^•고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. Bhattacharya, P. S e miconductor O p to e le ctro nic D e vic e s, 2nd ed. Upper Saddle River,
NJ: Prentice Hall, 1997.
2. Carlson, D. E. “ Amorphous Silicon Solar Cells.” I E E E Tra ns a ctions on E le ctro n
D e vic e s ED-24 (April 1977)，pp. 449-53.
3. Fonash, S. J. S o la r C e ll D e vic e P hysics. New York: Academic Press, 1981.
4. Kano, K. S e m iconductor D e vic e s. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1998.
5. Kressel, H. S e miconductor D e vic e s f o r O p tic a l C ommuniccU ions: T opics in A p p lie d
Physics. Vol. 39. New York: Springer-Verlag, 1987.
6. MacMillan, H. F.，H. C. Hamaker, G. F. Virshup, and J. G. Werthen. “ Multijunction
III-V Solar Cells: Recent and Projected Results.” T w e ntie th I E E E P h oto v olt a ic
S p e cia lists C onfere nc e (1988)，pp. 48-54.
7. Madan, A. “ Amorphous Silicon: From Promise to Practice.” I E E E S p ectrum 23
(September 1986)，pp. 38-43.
8. Pankove, J. I. O p tic a l Processes in S e miconductors. New York: Dover Publications,
 1971.
9. P i e rr e t, R . F . S e miconductor D e vic e F und a m e nta ls. R e a d in g , M A : A d d is o n -W e s l e y ,
1 996.
1 0. R o u ls t o n , D . J. A n In tro d u c tio n to the P hysics o f S e miconductor D evic e s. N e w Y o r k :
O x f o r d U n i v e r s it y P re ss, 1 999.
11. S c h ro d e r, D . K . S e miconductor M a t e ri a l a n d D e vic e s C h a ra ct e riz a tio n , 3 rd e d.
H o b o k e n , N J : J o h n W il e y a n d S o n s, 2006.
1 2. S h u r, M . In tro d u c tio n to E l e c tro n ic D evic e s. N e w Y o r k : J o h n W i l e y a n d S o n s, 1 996.
*1 3 . _ _ _ _ _ _ _ . P hysics o f S e miconductor D e vic e s. E n g l e w o o d C l if f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 990.
1 4. S in g h , J. O p t o e l e c tro n ic s : A n In tr o d u c t io n to M a t e ri a ls a n d D e v ic e s . N e w Y o r k :
M c G r a w -H ill, 1 996.
1 5. _ _ _ _ _ _ _ . S e miconductor D e vic e s: B a sic P rin ciple s . N e w Y o r k : J o h n W il e y a n d S o n s,
2001 .
1 6. S tr e e tm a n , B . G ., a n d S. K . B a n e rj e e . S o lid State E l e c tro n ic D e vic e s, 6 th e d. U p p e r
S a d d l e R i v e r, N J : P e a rs o n P r e n tic e -H a ll, 2006.
1 7. S z e, S. M . S e miconductor D e vic e s: P hysics a n d T e chnology. N e w Y o r k : J o h n W il e y
a n d S o n s, 1 985 .
1 8. S z e, S. M . a n d K . K . N g . P h y s ic s o f S e m ic o n d u c t o r D e v ic e s , 3 rd e d. H o b o k e n , N J :
J o h n W i l e y a n d S o n s, 2007 .
*1 9 . W a n g , S. F und a m e nta ls o f S e miconductor T h e ory a nd D e vic e Physics. E n g l e w o o d
C l if f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 989.
2 0. W ils o n , J., a n d J. F . B . H a w k e s . O p to e le ctro nics: A n In tro d u c tio n . E n g l e w o o d C l i f f s ,
N J : P r e n tic e H a ll, 1 983.
*2 1 . W o lf e , C . M , N . H o lo n y a k , Jr., a n d G . E . S t illm a n . P h y sic a l P ro p e rtie s o f
S e miconductors. E n g l e w o o d C l i f f s , N J : P r e n tic e H a ll, 1 989.
22. Y a n g , E . S. M icro e l e c tro n ic D evic e s. N e w Y o r k : M c G r a w -H ill, 1 988.

표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

 기

반도체 초 고 주 파 및 전력 소자

우리는 앞 장들에서 다이오 드 와 트랜지스터의 기본 물 리 , 동작과 특 성을 논 의 하 였 다 . 우리는

이 러 한 반 도 체 소 자 들 의 전 류 -전 압 특 성 뿐 만 아 니 라 주 파 수 특 성 도 분 석 하 였 다 . 그 러 나 우 리 는
반도체 소 자 를 사 용 하 는 초 고 주 파 신호의 생 성 과 반도체 트 랜 지 스 터 의 전 력 을 다 루 는 능 력 을

구체적으로 고려하지는 않았다.

이 장 에 서 우 리 는 먼저 초 고 주 파 신 호 를 생 성 하 는 데 사 용 되 는 3 개 의 반 도 체 소 자 를 고 려 한
다 . 이 소 자 들 은 터널 다 이 오 드 , 건 ( G UNN ) 그 리 고 임 파 트 (IMPATT) 다 이 오 드 를 포 함 한 다 . 발

진 기 의 기 본 원 리 는 부 성 미 분 저 항 을 갖 는 영 역 이 존 재 하 여 야 한 다 는 것 이 다 . 우 리 는 각 다이
오드에서 부성 미분 저항이 생 성 되 는 과 정 을 살 펴 보 고 이 소자들 의 기 본 동 작 을 논 의 한 다 .

둘 째 우 리 는 전력 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 와 전력 MOS F ET을 포 함 하 는 3 개 의 특 화 된 반 도 체

전력 소 자 를 논 의 한 다 . 우 리 는 앞 장 들 에 서 이 러 한 소 자 들 의 기 본 물 리 를 고 려 하 였 고 , 전 류 -전

압 특 성 을 분 석 하 였 으 나 , 전 류 또 는 전 압 의 한 계 나 소 자 내 에 서 의 전 력 소 모 를 구 체 적 으 로 고려

하지 않 았 다 . 이 장에서 우 리 는 소 자 들 의 전 류 와 전 압 에 서 의 한 계 와 전 력 을 다 루 는 능 력 을 논
의 할 것 이 다 . 마 지 막 으 로 우 리 는 사 이 리 스 터 라 고 불 리 우 는 4층 구조의 동 작 과 특 성 을 논 의 한

다. ■

15. 0 개설

이 장에서 우리 는
■ 터널 다이오드에서 부성 미분 저항의 개념을 논 의 하 고 최대 저항성 차 단 주파수에
대 한 식을 유도한다.
■ G a A s 에서 부성 미분 이동 도 개 념 을 논 의 하 고 , 이 특성이 건 다 이 오 드 에 서 초 고 주
파 발 진 을 일으키 는 과 정 을 논의한다.
■ 임파트 다 이 오 드 발진기의 동 작 을 논 의 하 고 동적 부성 저항이 생 성 되 는 과 정 을 밝
힌다.
■ 전력 바 이 폴 라 트랜지 스 터 의 기본 기하학적 구 조 와 전기적 특 성 을 제 시 한 다 . 전류
67 3
67 쇼 Chapter 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

와 전압을 제 한하는 인자를 분 석 하 고 ，B J T 의 안전 동 작 영 역을 고 려 할 것이다.

■ 전력 M O S F E T 의 기본 기하학적 구 조 와 전기적 특 성 을 제 시 한 다 . 전 류 와 전 압 을
제 한 하 는 인자를 분 석 하 고 ，M O S F E T 의 안전 동 작 영 역을 고 려 할 것이다.
■ 일 반 적 으 로 사이 리스 터 로 언 급 되 는 4층 스위칭 소자의 동 작 을 논 의 한 다 . 몇 개 구
조의 동작이 분석될 것이다.

15.1 터널 다 이 오 드

에 사 키 ( E s a ki) 다 이 오 드 로 서 도 알려져 있는 터널 다 이 오 드 는 8.5절에서 간략히 논의되

었다. 이 소 자 는 n 과 p 영역이 모 두 축 퇴 적 으 로 도 핑 된 pn 접 합 이 라 는 것을 상 기 하 자 .
매우 높 은 도 핑 농 도 로 공간전하영 역의 폭 은 매우 좁 다 (… 있 0-5 x 1 0- 6 cm = 50 A ).
순 방 향 바 이 어 스 전 류 -전 압 특 성 은 그림 1 5.1 (a)에 다시 보인다. 작 은 순 방 향 바이어
스 전압의 경 우 에 는 어 < Vp ) , n 측 전 도 대 에 있는 전 자 들 은 p 영 역(그림 8.29를 보 라 )
의 가전자 대에 있는 비어 있는 상 태 와 직접 반대쪽에 있다. 전 자 들 은 위치 에너지 장벽
을 뚫 고 비어 있는 상 태 로 가게 되어 터널링 전 류 를 만 든다. Vp < V < Vv 범위에 있는
순 방 향 바 이 어 스 전압에 대 해 서 는 p 측의 비어 있는 상 태 와 직접 반 대쪽에 있는 전자
의 수 가 감 소 하 여 터 널링 전 류 가 감 소 한 다 . V > 。 에 대 해 서 는 정상적 인 다 이 오 드 의
확 산 전류가 지배한다.
Vp < V < Vv 범위에서 전압의 증가 에 따 른 전류의 감 소 는 부성 미 분 저 항 을 만든
다. 부성 미분 저항 현상 은 발진기 에 필요하다.
그림 1 5.l b 는 터널링 발생 범위 내의 확 장 된 전 류 -전 압 특성 곡 선 을 보여 준다. 곡선
위의 점은 부성 저항이 최솟값이 되는 곳이다</?min이 양의 값 이 라 는 적을 주 목 하 라 ). 다
이 오 드 가 一/?min 점에 바이어스되어 있을 때에 대 한 터널 다이오드 의 등 가 회 로 가 그림
1 5.2에 보 인 다 . 파라미터 다는 접 합 커 패 시 턴 스 이 며 ，파라미터 나 와 /수 는 각 각 기생 또

그림 1 5.1 ( a) 터널 다이오드의 순 방 향 바이어스 전 류 -전 압 특성，(b) 확대된 전 류 -전 압 특성

 그림 1 5.2 터널 다이오드의 등가회로

는 배선 인덕 턴 스 와 저항이다.
소신 호 입 력 임 피 던스는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

R mmC i
(1 5.1 )
마 - I 옳 石 卜 1 + 0 )2( „ C j

임 피 던스의 저항 부 분 은 다음 주파수에서 0으로 간다.

폐 ;元 . V 놓 -1 (1 5-2)

/ 〉 /;•주 파수에 대 해 서 는 임피던스의 저항 부분이 양이 되어 다 이 오 드 가 부성 미분 저

항 특 성 을 잃는다. 따라서 동 작 주 파 수 는 /。< f r 이어 야 한다. 주파수가 은 최대 저항성
차 단 주 파 수 로 불리 운다.
터널링 과 정 은 다 수 캐리어 효과 이 어 서 다 이 오 드 는 소 수 캐리어 확산에 의 한 시 간
지 연 을 보이지 않 으 며 ，이는 다 이 오 드 가 초 고 주 파 에 서 동 작 할 수 있 다 는 것을 의 미 한
다. 그 러 나 부성 저 항 특 성 을 보 이 는 영역이 비교적 작 은 전 압 범위이기 때문에 터널
다 이 오 드 는 광범 위하게 사 용 되 지 는 않는다.

15. 2 건 다 이 오 드

또 하나의 부성 미분 저항 소 자 는 건 다이 오드 또 는 이동 전자 소 자 (Tra nsferre d E le ctron

D e vic e ) 이다. 이동 전 자 현 상 은 고 이동 도 밴드에 있는 전도 전자들이 강 한 전계에 의

하여 저 이동 도 밴 드 로 산 란 되 는 경우에 몇 종류의 반 도 체 에 서 볼 수 있다. 저15장에서

G a A s 에서 전계에 따 른 표 동 속 도 를 논 의 하 였 다 . 그림 1 5.3은 다시 이 특 성 을 그린 것
을 보여 준다. In P 도 또 한 이와 같 은 특 성 을 보여 준다.
그림 1 5.4는 그림 5.8에 주 어 진 G a A s 의 에 너 지 밴 드 구조의 확 장 된 그 림 을 보여 준
다. 작 은 전계 에 대 해 서 는 전 도대에 있는 사 실 상 모 든 전 자 가 -쇼다 이 어 그 램 의 낮 은
계곡에 존 재 하 며 ，여 기 에 서 는 상 태 밀 도 유 효 질 량 이 작다. 작 은 유 효 질 량 은 큰 이동도
값 을 갖게 한다.
67 6 Chapters 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

(S - U I
。0 1 )
公 -
g
•
•
•
•

쑈
-c
Q

Eth 10 15

E (k V /c m )

그림 1 5 . 3 G a A s에 대한 전계에 따른 전자 표동속도

Conduction

Valence
band

그림 1 5 . 4 전도대의 하위 계곡과 상위 계곡을 보여 주는 G a A s 의 에너지밴드 구조

전 계 가 문턱 또 는 임 계 값 E th 이 상 으 로 증 가 하 면 전 자 들 은 두 계 곡 을 분 리 하 는 0.3
e V 이상의 에 너 지 를 얻게 되어, 전 자 들 은 상위 계 곡 으 로 산 란 되 며 ，여기에서 상 태 밀 도

유 효 질 량 은 훨씬 크다. 더 큰 유 효 질 량 은 이 동 도 를 더 작게 한다. 이동도의 변화를 수 반

하 는 계 곡간 이동 메 커 니 즘 은 전계의 증가에 따 라 평균 표 동 속 도 를 감 소 시 키 며 ，이는
부성 미분 전자 이동도 를 의미한다. G a A s 에서 최대 부성 미분 전자 이 동 도 는 약 - 2400
cm 2/V-s 이다.
그림 1 5.5 a 에서 보인 바 와 같이 양단에 저항성 접 촉 을 갖 으 며 , 부성 이 동 도 영역에
바 이 어 스 된 ( E bias > E lh) 2 단 자 n -형 G a A s 소 자 를 고 려 하 라 . 그림 1 5.5b 에서 보 이 는
바 와 같이 작 은 공 간 전 하 영 역 이 음 극 근처에 나 타 날 지 도 모 른 다 . 그 결 과 로 전 계 가 그
림 1 5.5 c 에 보인 것처 럼 이 영 역에서 증 가 한 다 (음 극 근처에 공간전하영 역의 변동이 발
생 되 도 록 특 별 한 소 자 구 조 를 만들 수 도 있다).
제6장에서 과잉 캐리어의 거 동 을 논 의 할 때 우 리 는 반도체 내의 순 캐리어 농도의
시간적 거동이 다음 식 에 의하여 주어 지는 것을 알 수 있었다.

SQ( t ) = 8 Q ( 0 )e t/ rd (1 5.3)

여기에서 는 유전체 이완 시상수이며 피코초 정도이다. 보 통 작 은 공 간 전 하 영 역 은 빠

 15. 2 건 다 이 오 드 67 7

Cathode Anode

bias

그림 1 5 .5 ( a) 단 순 화 된 두 단 자 GaAs 소 자 ，( b)
공 간 전 하 영역의 형 성 을 보여 주 는 거리에 따 른
전자능도，( c) 거리에 따른 전계

르게 중 화 되 는 경향이 있다. 유전 체 이 완 시 상 수 는 Td = d (r 로 주 어 지 며 ，여기에서 a

는 반도체의 전 도도 이다. 만 약 G a A s 가 부성 이동도 영역에 바 이 어 스 되어 있다면 전도
도 는 음이며 식 (1 5.3)의 지 수가 양이 되어, 도 메 인 이 라 고 불 리 우 는 공 간 전 하 영 역 이 양
극 을 향하여 표동하면서 실 제로 커질 수 있다. 도메인이 커지면서 (그림 1 5.6a ) 이 영역
의 전 계 가 증 가 하 고 ，그 것 은 나머 지 물 질 에 서 의 전 계 가 감 소 하 는 것을 의 미 한 다 . 도메
인 내의 전 계 는 임계 값 이상에 머 무 르 는 데에 반 하 여 , 도 메 인 밖의 물 질 에 서 전 계 는
그림 1 5.6a 에 나타 낸 바 와 같이 임계 값 아래로 떨어질 수 있다. 이러 한 이유 때문에 주
어진 시간에 물질 내에서 보통 한 도 메 인 만 만들어질 것이다.
도 메 인 이 양극에 다다르면서 전류 펄 스 가 외부 회로에 유 도 된 다 . 도 메인이 양극에
도 달 한 후 에 는 또 다 른 도메인이 음 극 주위에 형성될 수 있으며 이 러 한 과 정 은 반복된
다. 이렇게 그림 1 5.7에 보인 바 와 같이 일련의 전류 펄 스 가 생성될 수 있다. 전류 펄스
간 시 간 은 도메인이 소 자 를 표 동하여 통 과 하 는 데 걸 리 는 시 간 이 다 . 발진 주 파 수 는 다
음 과 같이 주어 진다.

/ = 1/ t = vd/L (1 5.4)

그림 1 5 .6 ( a) 도메인을 보여 주 는 거리에 따 른 전 자 농 도 ( b) 거리에 따른 전계

67 8 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

그림 1 5 . 7 G aAs 소자에서 시간에 따른 전류 펄스들

여기에서 찌 는 평균 표 동 속 도 이 고 스은 표 동 영역의 길이이다.

위에 기 술 한 발진 메 커 니 즘 은 통 과 시 간 모 드 (tra n sit-tim e mod e )라고 불 리 운 다 . 더
복 잡 한 동 작 모 드 가 가 능 하 다 . 연구 결 과 는 의 곱이 1 12 c m _ 2의 몇 배 가 될 때에
통 과 시 간 소자의 효율이 가 장 크 다 는 것을 보여 주 고 있다. 이 경우에 대하여 도메 인
은 표 동 영역의 약 절 반 을 채 우 며 ，거의 정 현 파 적 인 전 류 를 만 들 어 낸 다 . 최대 d c -rf 변
환 효 율 은 약 1 0%이다.
1 -1 00 G H z 또 는 그 이상의 주 파 수 범위에서 발 진 을 얻을 수 있다. 소 자 를 펄스 모
드에서 동 작 시 키 면 수백 w 범위의 첨두 출력 전 력 을 만 들 수 있다. 이동 전 자 소 자 들
은 많은 레이다 시스템에서 초 고 주 파 신호원으로서 사 용 되 고 있다.

15. 3 임 파 트 다 이 오 드

임파 트 (IM P A T T ) 용 어 는 IM P a ct io n iz a tio n A v ala nch e T ra n sit-T im e (중격 전리 애 벌런

치 통 과 시 간 )을 나 타 낸 다 . 임 파 트 다 이 오 드 는 고전계 애벌런치 영 역 과 초 고 주 파 에 서
동적 부성 저항 을 만 드 는 표 동 영 역으로 이루어 져 있다. 이 소자에서 만들어 지는 부성
저항 특 성 은 교 류 전 류 와 전 압 성분의 위상이 어 긋 나 도 록 하 는 시 간 지연의 결 과 이 며 ，
예를 들면 터널 다 이 오 드 와 비교하여 다 른 현 상 이 다 . 터널 다 이 오 드 는 전 류 -전 압 특성
에서 부성 ( ■ ，영역을 가지 고 있다.
임파트 다 이 오 드 의 한 예 는 그림 1 5.8a 에 보인 p +-n -i -n + 구 조 이 다 . 전 형 적 인 도핑
농 도 (크 기 )는 그림 1 5.8b 에 보인다. 소 자 는 역방향 바 이 어 스 가 걸려 n 과 진성영역이 완
전히 공 핍 된 다 . 소 자 내 전 계 는 그림 1 5.8c 에 보 인 다 . 우 리 는 /E d x = 。 임을 주 목 할
필요 가 있다. 여 기 에 서 。 는 인가된 역방향 바 이 어 스 전 압 이 다 .。 의 값은 항 복 전압에
매우 가깝다. 애벌런치 영역은 … 접합 가까이에 국 한 된 다 . 진성영역내 전 계 는 거의 일
정하며 진 성 영 역 은 표 동 영역을 만들어준다.
그림 1 5.9는 임파트 다 이 오 드 발 진 기 를 위 한 회 로 를 보여 준다. 발진기 동 작 을 위하
여 L C 공진 회 로 가 필 요 하 다 . 그림에서 볼 수 있는 바 와 같이 L C 공 진 회 로 에 양의 교
류 전압이 걸 리 는 동 안 다 이 오 드 는 항 복 영역에 들 어 가 서 전 자 -정 공 쌍이 P+ n 접합에
서 생성된 다 . 정 공 들 은 공핍 된 진 성 영 역 을 건너 표동하기 시작하는데에 반하여 생성된
전 자 들 은 p + 영 역 으 로 되 돌 아 흘러 간 다 . 일 반 적 으 로 정 공 들 은 포 화 속 도 로 움 직 인 다 .
부성 교 류 전압이 걸리는 동 안 소 자 는 항 복 전압 아래에서 동작하여 전 자 -정 공 쌍이 더
 15. 3 임 파 트 다 이 오 드 67 9

" ( cm-3)

그림 15.8 (a) 임파트 다이오드 구조 , (b) 임파트 다이오드 내 전형적인 도핑농

호 (c) 임파트 다이오드에 걸쳐 거리에 따른 전계

이상 만들어지지 않는다.
p + n 접합에서 애벌런치 전압의 첨 두 치 와 진성 표 동 영 역 으 로 정공이 주 입 되 는 것 사
이 에 는 애 벌 런 치 에 의하여 생 성 되 는 전 자 -정 공 쌍이 커지는데 걸 리 는 유 한 한 시 간 때
문에 본 질 적 으 로 상2의 위 상 천이가 있다. 출력 단자에서 전 류 와 전압 사이에 1 80도 위
상 천 이 를 만들어 주기 위 해 서 는 표 동 과정 동 안 추가적 인 77/2의 위 상 지 연이 필 요 하
다. 정공의 통 과 시 간 은 T = Z/ U, 이며，여기에서 L 은 표동영역의 길이이고, '는 정공의
포 화 속 도 이 다 . L C 회로의 공진 주 파 수 는 소자의 공 진 주 파 수 와 같 도 록 설 계 되 어 야 하
며 다 음 과 같다.

Vs
/ 2L
(1 5.5)

정공들이 음극에 도 달 할 때에 전류 는 최댓값에 있으며，전압 은 최솟값에 있다. 교류

680 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

전 류 와 교류 전압은 서로 1 80도 위상이 어긋나 있어서 동적 부성 저항을 만든다.

소자들은 1 G H z 또 는 그 보 다 높 은 주파 수 에 서 동 작 하 도 록 설계될 수 있 으 며 ，수
광의 출 력 을 내어 준다. 이 러 한 소자들의 효 율 은 1 0니 5 % 범위에 있 으 며 ，모 든 반도체
초 고 주 파 소 자 들 중에서 가 장 높 은 연속 출력 전 력 을 제 공 한 다 . 대부분의 반도체 소 자
설 계 에 서 와 같이 특 별 한 출력 특 성 을 만들기 위하여 다 른 구 조 를 만 들 수 있다.

1 5乂 전력 바이폴라 트랜지스터

앞 장의 논의에 서 우 리 는 최대 전 류 /전 압 /전 력 면에서의 실제 트 랜 지 스 터 의 한 계 를 무
시 하 였 다 . 우 리 는 트랜 지 스 터 가 어떤 전 류 와 전 압 도 수 용 할 수 있고, 소자에서 발 생 하
는 전 력 소 모 를 아무 런 손 상 없 이 받 아 들 일 수 있다고 묵 시 적 으 로 가 정 한 것 이다. 그러
나 전력 트 랜 지 스 터 에 있 어 서 는 우 리 는 트 랜 지 스 터 의 여러 가지 제 한 요소에 대하여
관 심 을 가 져 야 한 다 . 제 한 요 소 에 는 최대 정격 전 류 (수 암페어 정 도 ), 최대 정격 전압
(수 백 볼 트 정 도 )，최대 정격 전력 소모(수십 와트 정도) 등이 포 함 된 다 .시

15 . 4. 1 수직 전력 트 랜 지 스 터 의 구조

그림 1 5그0은 수직 npn 전력 트랜지스터 구 조 를 보여 주 고 있다. 우 리 는 이 미 수직 구조

npn 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 를 다루었다. 작 은 스위칭 소 자 에 서 는 컬렉터 단 자 는 역시 표

면 (위 )에 만든다. 그 러 나 수직 구 조 전력 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 에 서 는 컬렉터 단 자 는 소
자의 밑바닥에 만든다. 이 구 조 는 전 류 가 흐 르 는 단 면 적 을 극대화하기 때문에 선호되 고
있다. 게 다 가 도 핑 농 도 와 치 수 도 소형 스위칭 트 랜 지 스 터 의 경 우 와 같지 않다. 컬렉터
주 영 역은 항 복 현 상 을 유발하지 않고 높 은 베 이 스 -컬 렉 터 전 압 을 걸 수 있도록 낮 은 도

베이스 이미터

1) 인반적으로 최대 정격 전류와 최대 정격 전압은 동시에 발생하지 않는다는 것을 알 필요가 있다.

 15. 4 전 력 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 681

, / 베이스 이미터
/ 단자 단자

그림 1 5 .1 1

핑 농도를 갖게 한다. 또 다른 도 핑 농 도 가 높 은 n 영역을 형성시켜 컬렉터 저항을 줄이 고

외부 컬렉터 단 자 와 저항성 접촉을 만들어 준다. 베이스 영역도 소형 소 자 보 다 넓다. 높
은 베이 스-컬렉 터 전압 은 상 대 적 으 로 넓은 공 간 전 하 영역이 베 이 스 와 컬렉터 접합 영역
에 형 성 되 는 것을 의미한다. 넓은 베이스폭은 펀치스루 를 막기 위하여 필요하다.
전력 트 랜 지 스 터 는 큰 전 류를 다루기 위하여 단면적이 커야 한다. 우 리 는 전에 그림
1 5.1 1 에 나타 낸 양 손 가 락 을 깍지낀 모양의 구조에 대하여 설 명 하 였 다 . 1 2.4.4절에서 논
의 한 이미터 전류밀집효과 를 방지하 기 위하여 상 대 적 으 로 좁 은 이미터 폭 을 사 용 하 는
것이 필요하다.

15人 2 전력 트 랜 지 스 터 의 특성

전력 트랜 지 스 터 의 상 대 적 으 로 넓 은 베 이 스 폭 은 소 신 호 스위칭 트 랜 지 스 터 에 비하여
훨씬 더 작 은 전 류 이 득 을 의 미 하 며 ，큰 소자의 면 적 은 큰 접 합 커 패 시 턴 스 와 낮 은 차
단 주 파 수 를 의 미 한 다 . 표 15.1 은 범용 소 신 호 트 랜 지 스 터 와 두 개의 전력 트랜지스터
의 파 라 미 터 를 비 교 한 다 . 전력 트 랜 지 스 터 에 서 는 전류 이득이 보 통 20-1 00 정도로서
일 반 적 으 로 작 으 며 ，컬렉터 전 류 와 온도 에 따 라 크게 변 한다. 그림 1 5.1 2는 여 러 온 도
에서 전력 B J T 인 2N 3055의 전류 이득 대 컬렉터 전류 특 성 을 보여준다.
최대 정격 컬렉터 전류 /c, max는 다 음 사항들에 관련될 것이다. 반 도 체 를 외부 단자에
연결해 주 는 배선이 감 당 할 수 있는 최대 전류에 의해 제 한 되 거 나 ，전류 이득이 규정된
682 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

표 15.1 소신호용과 전력 BJT의 특성과 최대정격의 비교

소신호용 BJT 전력용 BJT 전력용 BJT

파라미터 (2N2222A) (2N3055) (2N6078)
Vce (max) (V) 40 60 250
Tc (max) (A) 0.8 15 7
P d (max) (W) 1.2 115 45
(at T = 25°C)
p 35-100 5-20 12-70
f T (MHz) 300 0.8 1

값 이하로 떨 어 지 는 컬렉터 전류에 의하여 제 한 되 거 나 ，트 랜 지 스 터 가 포 화 상 태 에 있을

때 최대 전력소모에 의해 주 어 지 는 전류로 제한된다.
B J T 에서 최대 정격 전 압 은 일 반 적 으 로 역 방 향 바 이 어 스 가 걸린 베 이 스 -컬 렉 터 접

합의 애벌런치 항복 현상과 연 관 된 다 . 이미터 접 지 에 서 는 항 복 현 상 은 pn 접 합 에 서 의

항 복 현 상 뿐 만 아 니 라 트랜 지 스 터 의 이 득 과 도 관련이 된다. 이 러 한 현 상 은 소절 1 2.4.6
에서 논 의 되 었 다 . 그림 1 5.1 3은 전형적인 / c 대 특 성 을 보여 준다. 트 랜 지 스 터 가 순
방 향 동 작 모 드 에 있을 때 에 는 실제 항 복 전압에 도달하기 전에 컬렉터 전 류 가 상당히
증가하 기 시 작 한 다 . 일단 항 복 현상이 일어나면 모 든 특성 곡선이 동 일 한 컬렉터-이미
터 전압에 합 류 하 는 경 향을 보인다. 이 전압 마 ， 는 트 랜 지 스 터 를 항 복 상태에 유지
하기 위하여 필요 한 최소한의 전압이다.
또 다른 항 복 현 상 은 2 차 항복이라 부 르 는 현상으로서 고 전 압 과 대전류에서 동 작 하
는 B J T 에서 발생한 다 . 전류밀도 에 있어서 약간의 불 균 일 성 으 로 인하여 전 류 밀 도 가 큰
부분에서 국 부 적 으 로 발열이 증 가 하 고 , 온 도 가 올 라 가 면 소 수 캐리어 농 도 가 증가하여
다시 전 류 밀 도 를 더욱 증 가 시 키 게 되는 현 상 이 다 . 이 효 과 는 정궤환이 되어 전 류 가 계
속 증 가 하 므 로 반 도 체 를 녹여 컬 렉 터 와 이미터 사이에 단 락 상 태 를 만 들 수 있다.
B J T 에서 소 모 되 는 평균 전 력 은 소자의 온 도 가 최 댓 값 이하에 머 물 도 록 하기 위하

q
0
•
0
(
( I I mu -I | | | m il —I 10 -
5
0
(
0( = = == 이미지 접지 i
•
7T= VW = 4 V
3
A(
•

s
L
)
1 u
u
•
lr /
뺘
$
져
瓦
•
Q
可
• 制

0.01 0.03 0.1 0.3 1 3 1 0 20 0 20 40 60 80 1 00 1 20 1 40

컬렉터 전 류 /C(A) 컬렉터-이미터 전압 카; (V)

그림 15.12 2N3055의 전형적인 이미터접지 dc 전류이 그림 1 5.1 3 바이폴라 트랜지스터의 안전 동작 영역 ( S O A )

득 특성 (hFE 대 / c ) 의 (a) 선형 눈금 그림，(b) 로그 눈금 그림
 15. 4 전 력 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 683

그림 1 5 .1 4 바이폴라 트랜지스터의 안전 동작 영역( S O A )의 ( a ) 선형 눈금 그림，(b ) 로그 눈금 그림

여 규정 된 최 댓 값 이 하로 유 지 되 어 야 한다. 만 약 컬렉터 전 류 와 컬 렉 터 -이 미터 전압이

직류 값이 라면 최대 전력소모정격 자 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

戶V = VcE조 C (1 5 . 6 )

식 (1 5.6)은 트랜지스터 전력 소모의 한 성분인 VB£ I S 성분 을 무 시 하 고 있다.

최대 전 류 와 전 압 ，전력소 모의 제 한 은 그림 1 5.1 4에서 보 는 바 와 같 이 ，c 대 마 특
성 위에 나타낼 수 있다. 평균 전력소모 다 에 대한 제 한은 식 (1 5.6)에 의하여 표 현 되 는
쌍 곡 선 이 다 . 트 랜 지 스 터 가 안전하게 동 작 할 수 있는 영역인 S O A(S a fe O p era ting A re a )
는 노 _ c，^ CE. sus- 자 와 트 랜 지 스 터 의 2차 항 복 현 상 에 의하여 경 계 가 정 해 진 다 . 그림
1 5.1 4a는 선형 눈 금 으 로 안전동작영역을 나타내 었다. 그림 1 5.1 4b 는 로 그 눈 금 으 로 같
은 특 성 을 보여 주 고 있다.

5 3 전력 B J T 에 요구되는 전류/전압/전력 정격을 결정한다. 그림 1 5.1 5에 있는 이미터

접지 회로를 대상으로 하며 사용할 파라미터는 /? = 10 f l 이고 = 35 V 이다.

V c e 7 \ 거의 0일 때 최대 컬렉터 전류는 다음과 같다.

I c (max) = ^ = 3.5 A

가 일 때 최대 컬렉터-이미터 전압은 다음과 같다.

VCe (max) = VCc = 35 V

그림 1 5 .1 5 바이폴라
부하선은 다음 식에 의하여 주어진다.
이미터 접지 회로
VcE = Vcc Ic R l

부하선은 그림 1 5.1 6에서 나타낸 바와 같이 안전동작영역 내에 머물러야 한다. 트랜지스터

의 전력 소모는 다음과 같다.
684 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

그림 1 5.1 6 예제 15.1 의 부하선과 최대 전력 곡선

P t = V ceJ c = (V cc — I cROI c ~ Vcc l c — ^ R l

최대 전력 소모가 발생하는 전류는 위 식의 미분을 0으로 놓고 구할 수 있다.

^ = 0 = VCC- 2 I CRL

따라서 그 전류는 다음과 같다.

1 _ Vcc _ 35 _
1 .7 5 A
c ~ 2 Rl ~ 2(I ) _

최대 전력 점에 해당하는 컬렉터-이미터 전압은 다음과 같다.

V c e = V c c 一 I c R l = 35 - (1 . 7 5 )(1 0) = 1 7 .5 V

트랜지스터의 최대 전력 소모는 부하선의 중심에서 발생한다. 최대 전력 소모는 따라서 다

음과 같다.
P T = V c e J c = (1 7 . 5 X 1 . 7 5 ) = 3 0. 6 W

(S )
주어진 응용에 맞는 트랜지스터를 찾기 위해서는 안전 인수를 보통 사용한다. 이 예와 같은
응용의 경우 최대 정격 전류가 3.5 A 보다 크고，최대 정격 전압이 35 V 이상이며，최대 전력
정격이 30.6 W 보다 큰 트랜지스터가 요구된다.

연습^^
E x 1 5.1 그림 1 5.1 5에 보인 이미터 접지 회로에 있는 B J T 가 / c, max = 5 A , 。 ，sus =
 15. 4 전 력 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 685

75 V ，P T = 30 W 의 제한 인수를 가지고 있다고 가정하라. 2차 항복 효과를 무시하고 다음

경우 (a) Vcc = 60 V ，(b ) Vcc = 40 V , (c ) Vcc = 20 V 에 대 하여 동작점 이 항상 안전동작
영역에 머 무 르도록차의 최솟값을 정하라. 각 경우에 대하여 최대 컬렉터 전류와 최대 트랜
지스터 전력 소모를 구하라. [M SZ = ( x b ui),/ ‘V S = (xBiu)3/ ‘U 1? = 7公(5) 0 = (이에切
‘V = ( x t o i)3/ ‘U 1 = 7公 (<?) -M. 0 = ( x r a i) r f ‘V 3 = ( x r a ip / ‘u = 7公 (») -suy ]

15. 4. 3 달링톤 쌍 (D arlington Pair ) 구성

언급 한 바 와 같이 전력 B J T 의 베 이 스 폭 은 상 대 적 으 로 넓게 하므 로 전류 이득이 상대적
으 로 작 다 . 유 효 전 류 이 득 을 증 가 시 키 는 방법의 하 나 는 그림 1 5.1 7과 같이 달링톤 쌍
(D a rlin g to n P a ir)을 사 용 하 는 것이 다. 전류 성 분 을 고 려 하 면 다 음 과 같 은 관 계 가 성 립

함 을 알 수 있다.

ic = icA + icB = P aIb + P bI ea = P aI b + i3g (1 + p A) iB (1 5.7)

전체 이미터 접지 전류 이득은 다 음 과 같다.

^ = /3a|8s + j8a + j8b (1 5.8)

Ib

그 러 므 로 각 개별 트 랜 지 스 터 의 이득 p A = ∼ = 1 5라면 달 링 톤 쌍 전체 이 득 은 i cl i B
= 255이다. 이 이 득 은 개별 소자의 이 득 보 다 훨씬 더 크다. 트랜지스터 ^ 를 끄는 것
을 돕기 위하여 그림 1 5.1 7에 서 와 같이 다 이 오 드 를 포함시 킬 수 도 있다. 다 이 오 드 를 통
하여 의 베 이 스 로 부 터 흘러 나 오 는 역 방 향 전 류 는 베 이 스 로 부 터 전 하 를 끌어 내 어
다 이 오 드 가 없을 때보 다 트 랜 지 스 터 를 빨리 꺼지게 할 수 있다.
그림 1 5.1 7에서 보 는 달 링 톤 쌍 은 보 통 전력 증 폭 기 의 출 력 단 에 서 npn 트랜지스터
가 필요 할 때 사용된다 . 마찬 가 지 로 pnp 달링 톤 쌍 도 전력 pnp 소자의 이득을 증가시키
기 위하여 사 용 할 수 있다.

베 조CA

오公 _

Qa
’ EA 舞

그림 1 5.1 7 npn 달링톤 짝 구성

686 Chapter 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

그림 1 5.1 8 n p n D a r lin g t o n 짝 구성의 집적회로 구현

집 적 회 로 로 구 현 하 는 경우 npn 달 링 톤 쌍 은 그림 1 5.1 8과 같이 만 들 수 있다. 그림

에 있는 이 산 화 규 소 는 두 트 랜 지 스 터 가 격리되도록 p 베이스 영역을 완전히 관통한다 .

+ vcc 이해도 평가
TYU15.1 그림 15J 0의 수직 구조 전력 실리콘 BJT를 생각하자.2⑴ V 의 역방향 바이어스 전
압이 베 이스-컬렉 터 접합에 인가되 어 있다. 다음 공간전하 영 역 폭을 계산하라. 如
컬렉 터 영 역，(b) 베 이 스 영 역 [urri 90 '0 = dx (功 -uiTV 9 0S = 깟 (») 'suy ]
TYU 15.2 그림 1 5.1 9의 이미터 팔로워 회로에서 Vcc = 10 V ，R E = 200 요이다. 트랜지
스터의 전류 이득 浴 = 1 50이고 전류와 전압 제한은 /c, max = 200 m A , V C , SUS
~ v cc = 50 V 이다. 트랜지스터의 동작점이 항상 안전동작영역에 있도록 하기 위하
여 필요한 최소한도의 트랜지스터 전력 소모를 구하라. (M S O = -suy )
그림 1 5.1 9 연습 문
제 T Y U 1 5 . 2 에 대한

15.5 전력 M O S F E T

전 력 MO S F E T의 기본 동 작 은 어떤 M O S F E T 과 마 찬 가 지 이 다 . 그 러 나 이 전력 소자의
전류 처리 능 력 은 보 통 암페어 단 위 이 고 드 레 인 -소 스 내 압 은 50-1 00 V 또 는 더 높 은
전압일 수 도 있다. 전력 M O S F E T 이 전력 바 이 폴 라 소자에 비해 가진 큰 장점 중 하나
는 제어 전압이 임 피 던 스 가 극히 높 은 게 이 트 에 가 해 진 다 는 점 이 다 . n 상 태 와 o f f 상
태 를 스위 칭 하 는 동 안 에 도 게 이 트 전 류 는 작아서 상 대 적 으 로 큰 전 류 를 작 은 전 류 로
스 위 칭 할 수 있다.

15.5. 1 전력 트 랜 지 스 터 의 구조

M O S F E T 에서 큰 전 류 는 아 주 넓은 채널 폭에 의하여 얻을 수 있다. 양 호 한 특 성 을 유
지하면서 넓은 채널 폭 을 얻기 위하여 전력 M O S F E T 은 병 렬 로 동 작 하 는 작 은 셀 들 을
 그림 15.20 이중 확산 구조의 MOS 트 그림 15.21 수직 채널 MOS 트랜지스터
랜지스터의 단면도 의 단면도

반 복 하 는 패 턴 으 로 제 조 된 다 . 큰 내 압 을 얻기 위하여 수직 구 조 가 사 용 된 다 . 두 개의
기 본 적 인 전력 M O S F E T 구 조 가 있다. 첫 번 째 는 DMO S라고 부르며 그림 1 5.20과 같
다. D M O S 소 자 는 이 중 확 산 공 정 을 거 친 다 . 베 이 스 또 는 기 판 을 구 성 하 는 p 영 역 과
n + 소 스 접촉 영역은 게이트의 끝에 의하여 정 의 되 는 공 통 창 을 통 한 확 산 으 로 형성된
다. 베 이 스 영 역은 n+ 소 스 보 다 깊숙이 확 산 시 킨 다 . 그 리 고 p 베이스와 n+ 소스의 측
면 방향 확 산 거리의 차이에 의하여 채널의 길이 가 결정된다.
전 자 는 소 스 단 자 를 들 어 와 게이 트 밑의 반 전 층 을 통하여 측면 방 향 으 로 n 표 동 영
역까지 흐 른 다 . 전 자 는 n 표 동 영 역을 통하여 드 레 인 단 자 쪽 으 로 수직 방 향 으 로 흐 른
다. n 표 동 영 역은 드레 인 항 복 전압이 충분히 크 도 록 하기 위하여 중 간 정도의 농 도 로
도 핑 되 어 야 한다. 그 러 나 n 표 동 영역의 두 께 는 드레인 저항을 최소화하기 위하여 가능
하면 얇아 야 한다.
두 번째 전력 M O SFET 구 조 는 그림 1 5 .2 1 에서 보 는 VM O S 구 조 이 다 . 수직 채널
M O S 인 VMO S 소 자 는 다른 제조 공 정 을 필요로 하 는 비평면형 구 조 이 다 . 이 경 우 에 는
P 베이 스 또 는 기판 확 산 은 전체 표면에 대하여 행해진다. 그 후에 V 모양의 홈 을 n 표
동영 역까 지 확 장 되 도 록 형성시킨다 . 어떤 화 학 용 액 은 실 리 콘 을 식각 할 때 (1 1 1 ) 평면을
다 른 평 면 보 다 빨리 녹 인 다 는 사실이 알려져 있다. 만약에 (1 00) 방향의 실리콘에 창 을
열어 식각하면 이러 한 용 액 은 V 모양의 홈 을 만 들 어 줄 것이다. 그런 후에 V 홈에 게이
트 산 화 막 을 기 르 고 금 속 게이 트 물 질 을 쌓 는 다 . 전 자 반전층이 베이스에 형 성 되 므 로
전 류 는 실 질 적 으 로 소 스 와 드 레 인 사이에 수 직 으 로 흐르게 된다 . 공핍층이 주 로 비교
적 낮게 도핑된 n 표 동 영역으로 형성되기 때문에 높 은 드레인 전압을 지탱 할 수 있다.
적 절 한 폭 -대 -길 이 비 를 갖 는 전력 M O S F E T을 만들기 위하여 많 은 MO SFET 셀을 병
렬로 연 결 한 다 는 것을 언급한 바 있다. 그림 1 5 .22는 H EX F F T 구 조 를 보여 준다. 각 셀
은 n+ 폴리실리콘 게이트로 만든 DMO S 소자이다. H E X F E T 은 cm 2 당 1 05 셀 정도의
매 우 높 은 패 킹 ( p a c k i n g ) 밀 도 를 가 지 고 있다. VMO S 구 조 에 서 는 홈의 비등방성 식 각
은 (1 00) 평면에서 [1 1 이 방 향 으 로 일 어 나 야 한 다 . 이 제 약 조건이 V M O S 를 H E X F E T
688 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

실리콘
금속 배선에 의해 게이트

구 조 로 만드는데 있어서 설계 방법에 제 한 을 준다.

15.5. 2 전력 M O S F E T 의 특성

표 1 5.2는 두 개의 n -채널 전력 M O S F E T 의 기본 파 라 미 터 를 보 여 준 다 . 드 레 인 전류 는
A 범위에 있으며 ，항 복 전압 은 수백 V 범위에 있다.
전력 M O S F E T 의 중 요 한 파라미터의 하 나 는 on 저항이며 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

Ron = 요S+ R cH + R d (1 5.9)

여기에서 차 는 소 스 접점 과 관련된 저항，상이는 채널 저항, R d 는 드레인 접 점 과 관련된

저 항 이 다 . 전력 M O S F E T 에 서 는 작 은 저 항 도 큰 전류에 의하여 상 당 한 전 력 소 모 를 일
으킬 수 있으므 로 와 R d 저항은 반드시 무 시 할 만 큼 작다 고 할 수 없다•
선형 동 작 영역에서 채널 저항 은 다 음 과 같이 쓸 수 있다-

저대 = W^ nCox(Vcs ~ V T) (1 5' 1 )

전 장들에서 우 리 는 이 동 도 가 온도의 증가에 따 라 감 소 한 다 는 사 실 을 알고 있다. 문턱

전 압 은 온도에 따 라 약 간 만 변 하 므 로 소자의 전 류 가 증 가 하 고 추 가 발열에 의하여 소
자 온 도 가 증 가 하 여 도 캐리어의 이 동 도 가 감 소 하 고 , 이에 따 라 채널 저항이 증 가 하 므

표 15.2 2 개의 전력 MOSFET의 특성

파라미터 2N6757 2N6792

VDS(max) (V) 150 400
/ (max) (at T = 25°C) 8 2
p m 75 20
 15. 5 전 력 MOSFET 689

vGS= \ vi
l 느 = 20 V

(u )

시
?
시
F -T M

rn-
비
R smy 초기 ? ) = 2 5 °C 에서
전류 펄스를 사용하여
2.0 /as
측정 (2.0 fis 전류 펄스의 발
열 효과는 극히 작음 )

0 10 20 30 40 50 60 70

/ , 드레 인 전류 ( A )

그림 1 5 . 2 3 M O S F E T의 전형적인 드레인-소스 저항 대 드레인 전류 특성

로 전 류 를 본 질 적 으 로 제한하 게 된 다 는 것 을 알 수 있다. 차 와 /。 저 항 은 반도체 비저

항에 비 례 하 므 로 이동 도에 반 비 례 하 고 서CH와 같 은 온 도 특 성 을 갖게 된다. 그림 1 5.23
은 드레 인 전류의 함수로서 전형적인 on 저항 값 특 성 을 보여 준다.
온 도 에 따 른 저항의 증 가 는 전력 M O S F E T 에 안 정 성 을 준 다 . 어떤 특정 셀의 전류
가 증 가하면 그에 따른 온도의 증 가 가 예 저항 을 키워 결국 전 류 를 제한하게 되는 것이
다. 이 러한 특 별 한 특성 때문에 전력 M O S F E T 의 전체 전류 는 어느 단일 셀에 집중되지
않고 병 렬 소자간에 고르게 분포하게 되어 연소(b urn -o u t )를 일으키지 않는다.
전력 M O S F E T 은 전력 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 와 동 작 원 리 와 성능 면에서 다 르 다 . 전
력 M O S F E T 의 우 수 한 특 성 은 빠 른 스위칭 시 社 2차 항복이 없는 점，넓 은 온 도 범위
에 걸친 안정된 이득 과 응 답 시간이 다 . 그림 1 5.24&는 2\6757의 전달 컨덕턴스의 온 도

10 10

(
S
•
(D
•
•

으•
S

•
)

•
i
•
rtr

■
비
如
져
0 1 2 3 4 5 6 7
드레인 전류 / d ( A ) 드레 인 전 류 / d ( a )
(a) (b)

그림 1 5 . 2 4 고전력 M O S F E T 의 여러 온도에서의 전형적인 특성，( a ) 전달 컨덕턴스 대 드레

인 전류，( b ) 드레인 전류 대 게이트-소스 전압
690 Chapter 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

’ O, max

v DS( y )

(a) (b)

그림 1 5.25 M O S F E T의 안전 동작 영역( S O A )의 ( a ) 선형 눈금 그림，(b ) 로그 눈금 그림

에 따 른 변 화 를 보 여 준 다 . M O S F E T 전 달 컨덕 턴스의 온도 에 따 른 변 화 는 그림 1 5.1 2
에서 보 는 B J T 전류 이득의 온도에 따 른 변 화 보 다 작다. 그림 1 5.24b 는 3가지 다 른 온
도에서 드레인 전류 대 게 이 트 -소 스 전 압 을 나타낸 그 림 이 다 . 일 정 한 게 이 트 -소 스 전압
에 대하여 드레 인 전 류 가 높 은 전류에 서 온 도 에 따 라 감 소 함 으 로 써 안정 성 을 가져 다
준 다 는 것에 주 목 할 필요가 있다.
전력 M O S F E T 은 안전 동작영 역에서 동 작 하 여 야 한다 . 전력 B J T 에 서 와 마 찬 가 지 로
안 전 동 작 영 역 은 3가지 요 소 인 최대 드레인 전류 ，/ D, max 정격 항 복 전압 S V DSS，최대 전
력소모 P T = V노S/D에 의하여 정의된다. 안 전 동 작 영 역 을 그림 1 5.25 a 에 선형 눈 금 으 로 ，
그림 1 5.25b 에 로그 눈 금 으 로 나타내 었다.

'목적 | M O S F E T 인버터의 최적 드레인 저항을 구한다. 그림 1 5.26에 있는 M O S F E T 인버

터회로에서 다음 표와 같은 파라미터를 가진 두 개의 다른 M O S F E T 의 사용을 고려한다.
VD D
소자 A 소자 B
B V d ss= 35 V B V ss= 35 V
r = 30 W Pr = 30 W
/ ,max = 6 A max = 4 A
/ ，
"----•V
—+
vi ----- Vds
행 n
두 소자에 대한 안전동작영 역 곡선은 그림 15.27과 같다.
소자 A 를 사용하는 인버터 회로에 대한 부하선은 A 곡선으로 보여주고 있다. 부하선은
그림 1 5.26 M O S F E T
전압 축을 V d = 24 V 가 되는 점에서 만난다. 이 곡선은 최대 전력 곡선에 접선을 이루며，
인버터 회로
전류 축 을 ，D = 5 A 에서 만난다. 만약 우리가 부하선이 최대 정격 전류 /D. max = 6A 에서
교차하도록 하였다면 부하선은 안전동작영역을 벗어났을 것이다.
부하선 A 에 대하여 드레인 저항은 다음과 같다.

/? 0 = M = 4.8 a

최대 전력 점에서의 전류는 다음과 같다(예제 15.1 의 결과를 사용).

 1 5 .5 전력 MOSFET 69 1

/ =높 =2^8)=2'5A
여기에 해당하는 드레인-소스 전압은 다음과 같다.

V DS = V DD - I d R d = 2 4 - ( 2 . 5 )(4 . 8 ) = 1 2 V

트랜지스터에서 소모할 수 있는 최대 전력은 P = VDDI D = (1 2)(2.5) = 30 …이며，최대 정

격 전력에 해당한다. 이 점은 곡선에 나타내었다.
소 자 B 를 사 용 하 는 인버 터 회로에 대 한 부 하 선 을 곡 선 묘로 나타내 었다. 부 하 선 은
전처럼 전압 축 을 V DD = 24 V 가 되는 점에서 만난다. 이제 이 곡 선 은 전류 축 을 /f l，max
= 4 A 에서 만 난 다 . 우 리 는 부하선 이 트 랜 지 스 터 의 안전동작 영 역 안에 들 어 와 있다는
것을 알 수 있다.
부하 선 상에 대하여 드레 인 저항은 다 음 과 같다.

R0 = ^ = f = en

최대 전력 점에서의 전류는 다음과 같다.

r — V公 p _ 2 4
= 2 A
lD ~
2 R^ ~ 7X6)

여기에 해당하는 드레인-소스 전압은 다음과 같다.

V D5 = Vd d - I d R d = 2 4 - (2 ) ( 6 ) = 1 2 V
692 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

트랜지스터에서 소모할 수 있는 최대 전력은 P = V DSI D = (1 2)(2) = 24W = 자 이 며 , 최

대 정격 전력보다 작다. 이 점도 곡선에 나타내었다.

■
소자 A 가 사용되면 드레인 저항은 최대 전력 소모에 의하여 결정된다는 것을 알 수 있다.
그러나 소자 묘가 사용되면 드레인 저항은 소자의 최대 정격 전류에 의하여 결정된다.

연습문제
E x 1 5.2 그림 1 5.26에 보인 소스 접지 회로를 고려하라. 다음 경우 ( a) RD = 12 O , VDD

= 24 V , ( b ) /? = 8il, V DD = 40 꾸에 대하여 요 구되는 M O S F E T 의 전류, 전압，전력에

대한 정격을 구하라.
[fA 0 = 상 ‘V g = mm'al ‘ A 0 V = ssaA 3 ⑷ 引 = 상 ‘ V Z = ^ ' ° 1 ‘ 八 竹 = ssaA 3 (») s u y ]

15.5. 3 기생 BJT

M O S F E T 은 구조의 본 질 적 인 부 분 으 로 서 기생 B J T 를 가 지 고 있다. 그림 1 5.20과 그림

1 5.21 의 D M O S 와 V M O S 구 조 에 서 도 기생 B J T 를 볼 수 있다. 소 스 단 자 는 n 형 이미터
에 해 당 하 고 ，p 형 베 이 스 (기 판 )은 p 형 베 이 스 에 , n 형 드 레 인 은 n 형 컬렉터에 해당 한 다 .

게이트

그림 1 5 . 2 8 (a ) 수직 M O S F E T , 기생 B J T 와 분포 저항을 보 여 주 는 단 면 도 ，( b )
M O S F E T, 기생 B J T 와 분포 저항에 대한 등가회로
이는 그림 1 5 . 2 8 에서 도 보여 주 고 있다. M O S F E T의 채널 길이 는 기생 요대의 베 이스폭
에 해당한다. 이 길이가 보통 상당히 짧 으 므 로 BJT의 전류 이득이 1 보다 클 수 있다.
B J T 는 항 상 꺼진 상태에 있어 야 하 며 ，이는 소 스 -몸 체 전 압 (이 미 터 -베 이 스 전압)이
에 가 까 워 야 한 다 는 것을 의미한다. 우 리 는 그림 1 5 . 2 0 과 1 5 .21 의 기 하 구조로부 터 소
스의 저항성 접촉이 P 형 몸 체 를 통 과 하 므 로 소 스 -몸 체 접합에 트랜지스 터 의 정 상 상태
에서 는 0 V 가 걸 리는 것을 알 수 있다. 그 러 나 묘 표 는 M O S F E T의 고 속 스위칭 중에 켜
질 수 있다.
그림 1 5 .28b는 기생 BJT의 베 이 스 와 컬 렉 터 가 게 이 트 -드 레 인 커패시턴스에 의하여
연결되어 있는 것 을 보 여 준 다 . 기생 또 는 분 포 저항이 또 한 베 이 스 와 이 미 터 를 연결 한
다. M O S F E T이 꺼질 때 드 레 인 -소 스 전압이 증 가하게 되어 게 이 트 -드 레 인 커 패 시 턴 스
에 전 류 가 흐르게 되며 이 전 류 는 기생 BJT의 컬렉터 단자 로 부 터 베 이 스 단 자 방 향 으
로 흐르게 된다. 이 유기 된 전류 가 충분히 크면 기생 저항을 통하여 흐르면서 BJT의 베
이 스 -이 미 터 전 압 을 충분히 순 방 향 으 로 바 이 어 스 하 여 트 랜 지 스 터 를 결 수 있다. 켜진
BJT는 드레 인 전류 를 더 크게 흐르게 하여 트 랜 지 스 터 를 연소시킬 수 있다. 이 항 복 현
상 을 스 냅 백 항 복 (s n a p b a c k bre a k d o w n ) 현 상 이 라 부르며 1 1 .4 .1 절에서 간략히 논 의 한
바 있다. 전 류 -전 압 특 성 은 그림 1 1 .22에서 볼 수 있다. 이 문 제 를 최 소 화 하 기 위하여
소자의 베이스-이미 터 분 포 기생 저 항을 최 소 화 하 도 록 설 계 하 여 야 한다.

15.6 사 이 리 스 터

전자 소자의 중 요 한 응용의 하 나 는 o ff 상태 또 는 차 단 상 태 와 on 상태 또 는 낮 은 임 피
던스 상태 사 이 를 스 위 칭 하 는 것 이 다 . 사 이 리 스 터 는 쌍안정 재생 스위칭 특 성 을 가진
일반 적인 반도체 pnpn 스위칭 소 자 군 을 일 컫는다. 우 리 는 이미 베 이 스 구 동 전 류 나 게
이트 전 압 을 가함 으로 써 결 ( t u r n -o n 할 ) 수 있는 트 랜 지 스 터 를 다루었 다 . 트 랜 지 스 터 가
n 상 태 를 유지 하기 위 해 서 는 베이 스 구 동 전 류 나 게 이 트 전 압 을 계속 인 가 하 여 야 한
다. 많 은 응용에 있어서 우 리 가 소자에서 원하 는 유 용 한 특 성 은 제어 신 호 를 통하여 낮
은 임피던스 상태로 스위칭하기 전에는 차단 상태 를 유지하고 낮은 임피던스 상태로
들 어 간 이 후 에 는 제어 신 호 를 계속 인 가 할 필 요 가 없 어 야 하 는 것 이 라 고 할 수 있다.
이 러한 소 자 들 은 60 H z 에서 동 작 하 는 산 업 용 제어 회 로 와 같이 낮은 주파수에 서 큰 전
류 를 스 위 칭 하 는 데 효율적이다 .
S C R ( S e m ic o n d u c to r C o n tr o ll e d R e c tifi e r 때 로 는 S ilic o n C o n tr o ll e d R e c t if i e r)은 흔
히 3 단 자 사이 리 스 터 를 부 르 는 이름이 다. S C R은 게 이트 제 어 단 자 가 달린 4층 pnpn

구 조 이 다 . 대부분의 다 른 반도체 소자처 럼 소 자 구 조 에 는 몇 가지의 변종이 있다. 우

리는 기 본 적 인 SCR 동 작 과 한 계 를 논 의 한 후에 기 본 적 인 4층 소자의 변 종 을 다 룰 것
이다.
694 Chapter 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

15.6. 1 기본 특성

그림 1 5.29a 는 4층 pnpn 구 조 를 보여 준다. 상단의 p 영 역은 양 극 이 라 부 르 고 하단의 n

영 역은 음 극 이 라 부 른 다 . 만약에 양 전 압 을 양극에 가하 면 소 자 를 순 방 향 바 이 어 스 를
걸 었다고 한다. 그러 나 접합 八에 역방향 바 이 어 스 가 걸려 아주 작 은 전류 만 흐른다. 만
약에 양극에 음 전 압 을 가 하 면 기 과 /3 접합에 역 방 향 바 이 어 스 가 걸리며 역시 아 주 작
은 전 류 만 흐 른 다 . 그림 1 5.2%는 이 러한 조건에 대 한 전 류 -전 압 특 성 을 보여 준 다 . 전
압 '는 / 2 접합에 대한 항 복 전압이다. 제 대로 설계된 소자의 경우에 차단 전압이 수천
볼 트 가 될 수 있다.
소 자 가 전 도 상 태 로 가 는 특 성 을 설명 하기 위하여 우 리 는 소 자 구 조 를 n p n 과 pnp
바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 가 결합된 것으로 모 델 링 할 수 있다. 그림 1 5.30a 는 우 리 가 4층 구
조 를 분 할 하 는 방 법 을 보 여 주 며 ，그림 1 5.30b 는 2-트랜지스 터 등 가 회 로 와 관련 전류 를
함께 보여준다. pnp 트랜지스 터의 베 이 스 가 npn 트랜지스 터의 컬 렉터와 같 으 므 로 베이
스 전류 /B1 은 컬렉터 전류 / 와 같 아 야 한다 . 마 찬 가 지 로 Pnp 트 랜 지 스 터 의 컬 렉 터 가
npn 소자의 베 이 스 와 같 으 므 로 /이이 /s2와 같 아 야 한 다 . 이 러 한 바 이 어 스 구 성 에 서 는
p n p 의 B -C 와 n p n 의 B -C 에 역방향 바 이 어 스 가 걸리 고 ，두 B -E 접 합에는 순 방 향 바이어
스 가 걸 린 다 . p n p 와 n p n 트 랜 지 스 터 의 베 이 스 접지 전류 이 득 을 각 각 이 과 a 2라 하면
다 음 식을 쓸 수 있다.

/ Cl = a , /A + / ), = 1^ (1 5.1 1 a)

I 2 ~ a 2사 + /c 2 = Ib \ (1 5.1 1 b)

여기에서 / a n 과 / a >2는 두 소자의 B -C 접합 역포화 전류이다. 이 구 성 에 서 는 八 = 八와

I
자

역방향 블로킹 순방향 블로킹

꾸 ，

(a) (b)

그림 1 5 . 2 9 (a) 기본적인 4 층 p n p n 구 조 ( b ) p n p n 구조의 초기 전■

류■전압 특성
 15. 6 사 이 리 스 터 695

，匕

사
>
/
n /
/
/
/
/ P
/

，
사 <

(a)

그림 1 5.30 ( a ) 기본 pnpn 구조의 분할，(b ) 4 증 p n p n 소자에 대한 2 -트랜지스터 등가회로

I Ci + Ic2 = 시이다. 식 (1 5.1 l a )와 (1 5.1 l b )를 더하면 다 음 식 을 얻는다.

lc\ + Ic2 = = ( 1+ 따 ) Ia + ,C01 + Ic 2 (1 5.1 2)

식 (1 5.1 2)로부터 양극 전류는 다 음 과 같이 구 할 수 있다.

, _ ,00，+ , C02 (1 5.1 3)

14 1 — ( a ，+ a 2)

(이 + 아 )이 1보 다 훨씬 작 기 만 하면 양극 전류 는 그림 1 5.29b 에 나타낸 것처 럼 작다.

베 이 스 접지 전 류 이득 이 과 a 2는 1 2장에서 논 의 한 바 와 같이 컬렉터 전류에 따 라
크게 변 한 다 .。 값이 작 을 때 에 는 각 소 자 에 서 의 컬렉터 전 류 는 단지 아 주 작 은 역포
화 전류이 다 . 컬렉터 전 류 가 작 다 는 것은 이 과 a 2가 1 보 다 훨씬 작 다 는 것을 의 미한다.
4층 구 조 는 이러 한 차 단 상 태 를 /2 접합이 항 복 상태에 들 어 가 거 나 외부 요인에 의하여

h 접합에 전류 가 유기 될 때까지 유지한다.

J 2 접합이 애벌런치 항복에 들 어 가 기 에 충분히 높 은 양극 전 압 을 가 하 는 조 건 을 먼
저 생각해 보자. 이 효 과 는 그림 1 5.31 a 에서 보 여 준 다 . 충격 이온화에 의하여 생 성 되 는
전 자 는 미 영역 으로 휩쓸려가서 미 영역을 더 음 전 위 로 만 든 다 . 충격 이온화에 의해 생
성된 정 공 은 p 2영역에 휩쓸려 가서 p 2 영역을 더 양 전위로 만든다. n x 영역이 더 음전위
가 되 고 p 2 영역이 더 양 전 위 가 되 는 것은 순 방 향 바 이 어 스 전 압 기 과 V 3가 증 가 하 는
것을 의 미 한 다 . 각 B -E 접합 전압의 증 가 는 전류의 증 가 를 가 져 오 고 다시 베이스접 지
전류 이득의 증 가 를 가 져 와 식 (1 5.1 3)에서 보 는 바 와 같이 시를 더 증 가 시 키 게 된다.
이제 재생적 인 정궤 환 상황이 되어 전류 사는 급격 히 증가하게 된다.
양 극 전류 사가 증 가 하 고 이 + a 2도 증 가 함 에 따 라 두 등 가 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 는
포화영 역으로 들어 가게 되고 入 접합 은 순 방 향 바이 어스가 걸린다. 소 자 양단에 걸리는
696 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

^4 — P\

w a n
h h
(a)

+ 기 一 - v2 + + v3 -

그림 1 5 . 3 1 (a) J 2 접합이 애벌런치 항복에 진입할 때의 p n p n 소자，(b ) 소

자가 고전류 저임피던스 상태에 있을 때 p n p n 구조에서의 접합 전압

전 압 은 감소하 며 그림 1 5.31 b에서 보 여 준 바 와 같이 대 략 다 이 오 드 하나의 전 압 강 하

와 같다. 소자의 전류는 외부 회로에 의하여 제 한된다. 만약에 전 류 가 증 가 하 도 록 허용
하면 저항성 손실이 중요해져 소 자 양단의 전압이 전류에 따 라 약 간 증 가 할 수 도 있다.
I A 대 。 특 성 을 그림 1 5.32에서 볼 수 있다.

15.6. 2 SCR 의 트 리 거 링 (T riggerin g )

지난 절에서 우 리 는 가운데 접합에서 애벌런치 항복에 의하여 4층 pnpn 소 자 가 켜지 는

경 우 를 고 려 하 였 다 . turn-o n 조 건 은 다 른 수 단 에 의 하 여 서 도 시 동 될 수 있 다 . 그림
1 5.33a는 세 번째의 단자인 게이트 제 어 단 자 를 가지고 있는 3단 자 S C R 을 보 여 준 다 . 우
리는 식 (1 5.1 1 a)와 (1 5.1 1 b )를 다시 고려하여 게이트 전류의 영향을 알 수 있다.
그림 1 5.33b는 게이트 전류를 포 함 하 는 2-트랜지스터 등 가 회 로 를 다시 보여준다. 우
리는 다 음 식을 쓸 수 있다.
 (a) (b)

그림 1 5 . 3 3 ( a ) 3 -단자 S C R ( b ) 3 -단자 S C R 에 대한 2 -트랜지스터 등가회로

/ C1 = a. J A + Ic i (1 5.1 4 a)

la = (x J k + l i (1 5.1 4b )

이제 k = 사 + V > 고 느 + /C2 = 시라고 쓸 수 있다•식 (1 5.1 4 a)와 (1 5.1 4b )를 더 하 면

다 음 식 을 얻는다.

lc\ + /c2 = ^4 = (幻 1 + ^i )Ia + a jg + / ! + Ic 2 (1 5.1 5)

八에 대하여 풀면 다 음 과 같다.

J _ a llg + Ucoi + ^002)

(1 5.1 6)
A 1 - ( a , + a 2)

우 리 는 게이 트 전 류 를 하 영역으 로 정공이 흘 러 가 는 것으로 생 각 할 수 있다. 정공의 추

가 유 입 은 그 영역의 전 위 를 높 이 고 npn 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 의 B -E 순 방 향 바 이 어 스
전 압 을 증 가 시 킨 다 . npn 트 랜 지 스 터 작 용 은 컬렉터 전류 /„ 를 증가시 키 고 ，이는 다시
pnp 트 랜 지 스 터 를 작 동 시 켜 전체 pnpn 소 자 를 켜서 낮 은 임 피 던 스 상 태 로 가게 만 든
다. S C R 을 on 상 태 로 스 위 칭 하 는 데 필 요 한 게 이 트 전 류 는 보 통 m A 범 위 이 다 . S C R
은 작 은 게이 트 전류로 결 수 있 으며，이 전류 는 수백 A 의 양극 전류를 제 어 할 수 있다.
게이트 전류 는 이제 꺼져도 … 요은 계속 전도 상태에 머무 를 것이다. S C R 이 전도 상태
로 일단 트 리 거 되 면 게 이 트 는 소 자 를 더 이상 제 어 할 수 없다. 그림 1 5.34에서 게이트
전류의 함수로서 S C R 의 전 류 -전 압 특 성 을 볼 수 있다.
그림 1 5.35 a 에 S C R 의 반 파 정 류 회 로 에 의 간 단 한 응 용 을 나 타 내 었 다 . 입력 신 호 는
교 류 전압이며 트리거 펄 스 가 S C R 의 tu m -on 을 제 어 한 다 . 우 리 는 트리거 펄 스 가 시 간
아에 발 생 한 다 고 가정한다 . r , 이 전 에 는 S C R 은 꺼져 있는 상태여서 부하에 흐 르 는 전류
698 Chapter 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

SCR

+
^out

그림 15 . 35 (a) 간단한 SCR 회 로 (b) 입력 ac 전압 신 호와 트리거 펄 之 (c) 출력 전압 대 시간

가 0이고 따라서 부 하 양단의 전 압 도 0이다. 시 간 / = 네 서 S C R 이 트 리 거 되 어 켜지
고 입력 전압이 부하 에 걸리게 된 다 (S C R 양단의 전 압 을 무 시 ). S C R 은 트리거 전압이
이미 전부터 꺼진 상태 에 있 었 어 도 양 극 -대 -음 극 전압이 이 될 때 꺼진다. S C R을 트
리거하여 켜는 시 간 을 조절하 여 부하 에 공 급 되 는 전 력 량 을 변 화시킬 수 있다. 효 율 과
제 어 도 를 증가시키기 위하여 전파(f u ll -w a v e ) 제어 회로를 설 계할 수 있다.
게 이 트 는 S C R 의 tu m -o n 의 제 어 를 가능하게 한다. 그 러 나 4층 pnpn 구 조 는 다 른 수
단 으 로 도 트 리 거 가 가 능 하 다 . 많 은 집 적 회 로 에 서 기생 pnpn 구 조 가 존 재 한 다 . 그 러 한
예의 하 나 는 1 장에서 고 려 한 C M O S 구 조 이 다 . 이 온 화 시 키 는 방사 선 펄 스 는 전자-정
공 쌍 을 생 성 하 여 , 특히 h 접합에서 광 전 류 를 흐르게 하면서 기생 pnpn 구 조 를 트리거
할 수 있다. 광 전 류 는 요이의 게 이트 전 류 와 동 등 한 효 과 를 주어 기 생 소 자 를 전도상태
로 스 위 칭 할 수 있다. 다시 언 급 하 지 만 소 자 가 한 번 켜지면 방 사 선 조 사 가 중 단 된 후
에도 전도 상태에 머무 를 것이다. 광 신 호 도 전 자 -정 공 쌍 을 생성하여 같 은 방 법 으 로 소
자 를 트 리 거 할 수 있다.
또 다 른 pnpn 소자의 트리거 메 커 니 즘 은 d V/dt 트리거 방 법 이 다 . 만 약 순 방 향 양극
전압이 급속히 가해지 면 / 2 접 합 양단 전압도 빠르게 변할 것 이 다 _ h 접합의 역방향 바
이어 스 전압이 변 한 다 는 것은 공 간 전 하 영역 폭이 증 가 하 여 전 자 가 접합의 미 쪽에서
제거되어 나오고 정공이 p 2쪽에서 제거 된 다 는 것을 의미한다. 만약 소가 크면 캐리어
의 제거 속 도 가 크고 게이트 전류에 해 당 하 는 큰 과 도 전 류가 흐르게 되어 소 자 를 낮은
임피던스 상태의 전도 상태 로 트 리 거 할 수 있다. S C R 소 자 에 서 는 보 통 d VIdt 정격이 주
어진다. 그러 나 기생 pnpn 구 조 에 서 는 rfW 소 트리거 메커니즘이 잠재적인 문제이다.

15.6. 3 SCR 의 tu r n -o f f

4층 pnpn 구 조 를 전도상 태에 서 차 단 상 태 로 스 위 칭 하 는 것은 전류 시를 이 + a 2 = 1조
건을 만 들 어 주 는 값 이하로 줄이 면 가능하다. 이 임 계 전류 사를 지 지 전 류 라 한다. 만약
기생 4층 구 조 가 전 도 상 태 로 트 리 거 되 면 소 자 를 끄기 위 해 서 는 유 효 양극 전 류를 해당
하 는 지 지 전 류 이하로 줄 여 야 한다. 이 필 요 조 건 은 기생 소 자 를 차 단 상 태 로 되돌려 놓
기 위 해 서 는 모 든 전원을 꺼야 한 다 는 것을 의미한다.
S C R 은 /72 영역에 정공 을 공 급 함 으 로 써 트 리 거 할 수 있다. S C R 은 같 은 영 역 으 로 부

터 정공 을 제거 함으로써 끌 수 있을 것이다. npn 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 를 포 화 상 태 로 부

터 빠져 나오게 할 만 큼 역 게 이트 전 류 가 충분히 크면 S C R 은 전도상태 에서 차단상태
로 스 위 칭 될 수 있다. 그 러 나 소자의 측 면 치 수 가 상당히 크기 때문에 음의 게 이 트 전
류 가 흐 르 는 동안에 / 2와 /3 접합에서 불균일 하게 바 이 어 스 가 걸리고 소 자 가 낮 은 임피
던스 상태 에 서 머 무 를 수 도 있다. 4층 pnpn 소 자 는 tu rn -o ff 기능에 대하여 구체 적 으로
고려하여 설계 되 어 야 한다.
7 00 Chapter 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

그림 1 5 . 3 6 기본적인 S C R 소자 구조

15.6.스 소자 구조

많 은 사이 리스터 구 조 가 특 정 한 응 용 에 맞추어 특 정 한 특 성 을 지 니 도 록 제 조 된 다 . 우
리는 구조의 다 양 성 을 이해하기 위하여 몇 개의 형 태 를 고려한다.

기본 S C R S C R 소 x }를 제조하는데 확 社 이온 주 입 ，에피 성장 등의 다 양 한 변종이 사

용될 수 있다. 기본 구 조 는 그림 1 5.36에서 보 여 주 고 있다. 기 과 영 역 은 상당히 높 은
비 저 항 을 가진 미 물 질 로 확 산 을 통하여 만 들 어 진 다 . n + 음극이 형 성 되 고 p + 게 이 트
접촉이 만 들 어 진 다 . 열 전 도 도 가 높 은 물 질 을 고전력 소자의 방 열 을 위하여 양 극 과 음
극 저항성 접촉에 사 용 할 수 있다. «, 영역의 폭 은 入 접 합 양단의 높 은 역 방 향 바이어
스 전 압 을 견뎌 내기 위하여 250 /xm 정도의 값 을 갖 는 다 . n +와 p + 영 역은 보 통 아 주
얇 은 반면에 기 과 p 2 영역의 폭 은 75 /xm 정도이다.

양 방 향 사 이 리 스 터 사 이 리 스 터 가 가 끔 교 류 전력 응용 에 사용되기 때문에 교류의 양

전 압 사 이 클 과 음 전 압 사 이 클 에 서 대 칭 적 으 로 스 위 칭 하 는 소 자 가 유 용 할 수 있다. 그
러한 소 자 가 여러 개 있 으 나 기본적인 개 념 은 그림 1 5.37 a 처럼 2개의 종래의 사 이 리 스
터를 반대 방 향 으 로 병렬 연 결 하 는 것이다. 이 러한 개 념 을 단일 소 자 로 집 적 화 한 것을
그림 1 5.37 b 에서 볼 수 있다. pnp 구조에 대칭 적 으 로 n 영역을 확 산 시 킨 다 . 그림 1 5.37 c
는 항 복 현 상 을 통하여 전 도 상 태 로 트리거 되는 경우의 전 류 -전 압 특 성 곡 선 을 보여 주
고 있다. 2 단 자 가 교 류 전압의 계 속 되 는 반주기 동안씩 양 극 과 음 극 역할을 교 대 로 수
행한다.
게이트 제어에 의한 트 리 거 링 은 하나의 게 이 트 가 반 대 방 향 으 로 연결된 두 사이리스
터 를 다 처 리 해 야 하기 때문에 더욱 복 잡 하 다 . 그 러 한 소자의 하 나 가 트라이액(tria c ) 이
다. 그림 1 5.38a는 트라이 액 의 단 면 을 보 여 준 다 . 이 러 한 소 자 는 두 극성의 게 이 트 신호
나 두 극성의 양 극 -음 극 간 전압에 의하여 전도 상 태 로 트리거될 수 있다.
 n2
미
P2
1

nl

1
P7
씨
(

(a) (b) (c)

그림 1 5.37 (a ) 양방향 대칭 특성을 위한 반대 방향의 2개 사이리스터의 병렬 연결，(b) 집적화

한 소자로서의 양방향 사이리스터，( c ) 양방향 사이리스터의 전 류 전 압 특성 (Ghandhi [6] 참조)

그림 1 5.38 ( a ) 트라이액 소자，( b ) 트라이액 소자의 구체적인 바이어스 구성 방법

(Ghandhi [6] 참조)

그림 1 5.38b 는 게 이트 제어 방법의 특 정 한 예를 보여 준다 . 단 자 1은 단 자 2에 대하
여 전 위 가 높 고 ，게이 트 전 류 가 음이 되 도 록 단 자 1 에 대하여 음전압이 게이트에 인가
된다. 이 러 한 극성 연결 은 전류 사을 흐 르 도 록 하 고 접 합 / 4에 순 방 향 바 이 어 스 가 걸린
다. 전 자 가 «3로부터 방출되어 p 2를 건너 확산하 여 마 영 역에서 수 집 된 다 . 이 경 우 에 는
«3P 2« i 이 포 화 영역에 있는 트랜지 스터 처럼 행동한다. 미에서 수 집 되 는 전자 는 이의 전
위를 하 보 다 낮 게 한 다 . p 2 n l 전합의 전 류 가 증 가 하 여 p 2 n ' P ln 4 사이 리 스 터 를 전도상태
로 트 리 거 할 수 있다.
게 이 트 ，양 극 ，음 극 전 압 을 다른 형태 로 연결하여 트 라 이 액 을 전 도 상 태 로 트 리 거 할
7 02 Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

그림 1 5 . 3 9 트라이액의 전류-전압 특성

그림 1 5 . 4 0 V 홈 M O S 게이티드 사이리스터 ( B a lig a [1 ] 참조)

수 도 있다. 그림 1 5.39는 트라이액의 단자에서의 특 성 을 보여준다.

M O S 게 이 티 드 사이 리 스 터 MOS 게이티드 사이리스터의 동 작 은 npn 바 이 폴 라 트랜지

스터의 이득의 제어에 근 거 를 든다. 그림 1 5.40은 V 홈 MOS 게이티드 사이리스터를 보
여 주 고 있다. M O S 게이트 구 조 는 n 표 동 영 역까지 확장되 어야 한다. 게이트 전압이 0
이면 p 베 이 스 영역의 공 핍 층 끝 은 사 실 상 평 탄 한 상태 에 있게 되며 / 2 접합에 평 행 하
다. 그러면 npn 트 랜 지 스 터 의 이득은 낮다. 이 효 과 를 파 선 으 로 그림에 나 타 내 었 다 . 게
이트에 양 전 압 을 가하면 P 베이스의 표면이 공 핍 된 다 . 게이트에 인접 한 P 베이스의 공
핍 층 은 점 선 으 로 나 타 낸 다 . npn 바 이 폴 라 소자의 베 이 스 중 공 핍되지 않은 부분 인 W
가 좁아져 서 소자의 이득이 증가한다.
대략 문턱 전압에 해 당 하 는 게이트 전압에서 n + 이미터로 부터 전 자 가 방출되어 공
핍 층을 통하여 n 표 동 영역으로 흘러간 다 . n 표 동 영역의 전위는 낮아져서 p + 양 극 과 n
표 동 영역 사이의 접 합 을 더욱 순 방 향 으 로 바 이 어 스 하 게 되 며 ，이 러 한 작 용 은 재생 된
 양극

、
pnp —

(a) (b)

그림 1 5 . 4 1 ( a ) M O S t u r n -o f f 사이리스터，( b ) M O S t u r n -o f f 사이리스터에 대한 등
가회로 ( B a lig a [1 ] 참조)

다. turn -on 을 개시하기 위하여 필요 한 게이트 전 압 은 대략 M O S 소자의 문 턱 전 압 이 다 .

이 소자의 장점 중 하 나 는 제 어 단자의 입 력 임 피 던스가 높기 때문에 큰 전 류 가 소 용 량
게이트 결합 전류에 의하여 스위칭 될 수 있다는 점이다.

M O S t u rn -o ff 사 이 리 스터 MO S t u rn -o ff 사 이 리 스 터 는 M O S 게 이 트 단자 에 신 호 를
가 함 으 로 써 양극 전 류 를 켰다 꼈 다 할 수 있다. 기 본 적 인 소 자 구 조 는 그림 1 5.41 에서
보여 주 고 있다. 바 로 전에 논 의 한 바 와 같이 n + pn 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터 는 양 전 압 을
게이 트에 가 함 으 로 써 결 수 있다. 사 이 리 스 터 가 일단 켜지면 소 자 는 게이트에 음 전 압
을 가함으 로써 끌 수 있다. 음 게이 트 전압 은 p -채널 M O S 트 랜 지 스 터 를 켜서 n +pn 바
이 폴 라 트 랜 지 스 터 의 B -E 접 합 을 사 실 상 단 락 시 킨 다 . p -베 이 스 영역을 들 어 오 는 정공
은 음 극 대신 새 로 운 전류 흐름의 경로 를 갖게 된다. 만약에 p -채널 M O S F E T 의 저항이
충분히 작 아지면 모 든 전류의 흐름이 n +p 이미터로부터 빼돌려져 n + pn 소 자 가 실질적
으 로 꺼지게 된다.

15 . 7 요약

■ 터널 다이오드의 전 류 -전 압 특성곡 선에서 부성 미분 저항의 개 념 은 초 고 주 파 다이

오 드 발진기의 설계에 사용된다. 최대 저항 차 단 주파수에 대 한 식이 유도된다.
■ 초고주파 건 다이오드 발진기의 동작은 부성 미분 저항의 개념에 근거를 두고 있다.
7 (K Chapter 1 5 반도체 초 고 주 파 및 전력 소 자

■ 임파 트 다이오 드 발진기는 주입 과 표동 시 간 지 연을 이용하여 미분 부성 저 항 영 역을

생성한다.
■ 전력 B J T 는 수직 구조이며 양손가락을 깍지낀 모양의 베이스-이미터 표면 구조이다.
컬렉터 표동 영역(도핑과 폭)이 정격 내압을 결정하며，베이스폭은 정격전압에서 펀치
스루를 막기 위하여 충분히 넓어야 한다.
■ 전력 B J T 의 특성은 최대 정격 컬렉터 전류，최대 정격 전압，최대 정격 전력소모로 나
타낸다. 이 세 파라미 터 가 안전동작영 역( S O A ) 을 결정한다.
■ 전력 M O S F E T은 수직 구조를 가지고 있으며，양손을 깍지낀 모양의 게이트-소스 표면
구조를 가지고 있다. 특정한 구조로서 DM O S와 VM O S 구조를 논의하였다. 드레 인 표
동 영역이(도핑과 폭) M O S F E T의 정격 차단전압을 결정하며，베이스(몸체)의 채널 길
이는 정격 차단 전압에서 펀치스루 항복이 일어나지 않도록 충분히 넓어야 한다 •
■ 전력 M O S F E T 의 주요 특성은 최대 정격 드레인 전류，최대 정격 전압，최대 정격 전력
소모로 나타낸다. 이 세 파라미 터는 트랜지스터 의 안전동작영 역을 결정한다.
■ M O S F E T 의 on 저항은 양의 온도계수 를 가지고 있어 전력 M O S F E T은 전력 B J T 보다

온도에 대하여 더 안정하다. 이 특성 덕택에 M O S F E T을 병렬로 제작하여 전류 용량을

크게 만드는 것이 가능하다.
■ 사이리스터는 고임피던스 저전류 상태와 저임피던스 고전류 상태 사이에 스위칭을 시
켜 주는 pnpn 스위칭 소자의 일반적 인 종류를 나타낸다. 이 소자들은 쌍안정 재생적
정궤환 스위칭 특성을 보인다.
■ 기본적인 p n p n 소자는 결합된 npn과 pnp 바이폴라 트랜지스터로서 모델링된다. 켜 있
는 상태에서는 두 트랜지스터가 포화영역에서 동작하도록 구동되어 고전류 저전압 조
건을 만들어준다. 오프 또는 차단 상태에서는 고전압을 걸어 줄 수 있으며，전류는 사
실상 이 다.
■ 사이리스터의 t u r n -o n 특성은 게이트 제어 단자를 통하여 제어될 수 있다. 3 단자 사이
리스터는 반도체 제어 정류기 ( S C R : S e m ic o n d u c t o r C o n tr o ll e d R e c t i f i e r) 로 일컫는다.

주요용어_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

이중 확산 구조 M O S F E T ( D M O S ) 소스와 채널 영역이 이중 확산 공정을 사용하여 만들어

지는 전력 MOSFET

HEXFET 다수의 개별적인 M O S F E T 이 육각형 형태로서 병렬로 만들어지는 전력 M O S F E T

의 구조
최대 정격 전류 전력 트랜지스터에서 정상 동작이 유지되는 조건에서의 최대 허용 전류
최대 정격 전력 전력 트랜지스터에서 영구적인 손상이 트랜지스터에 입혀지지 않는 조건
에서의 최대 허용 전력
최대 정격 전압 전력 트랜지스터에서 항복 현상이 일어나지 않는 조건에서의 최대 허용 전
압
부성 미분 이동도 반도체 물질의 표동속도-전계 특성곡선에서 전계가 증가함에 따라 표동
속도가 감소하는 영 역
 부성 미분 저항 반소자의 전류-전압 특성곡선에서 전압이 증가함에 따라 전류가 감소하는
영역
o n 저항 전력 M O S F E T 의 소스와 드레인 사이의 실효 저항
안전동작영역 전력 트랜지스터에서 최대 정격 전류，최대 정격 전압，최대 전력에 의하여
경계가 주어지는 허용 가능한 전류•
전압 영 역
2 차 항복현상 전력 B J T 에서 고온이 열적 폭주 (제어 불능) 상태를 일으키는 항복 현상
SCR 3 단자 사이 리스터를 부르는 흔한 이름
사이리스터 쌍안정 재생적 스위칭 특성을 보이는 pnpn 스위칭 소자의 일반적인 종류
이동 전자 효과 전도대의 전자가 고이동도를 갖는 낮은 에너지밴드에서 저이동도를 갖는
높은 에너지밴드로 산란되는 현상
트라이액 양방향 특성을 갖는 3단자 사이 리스터
V - 그루브 M O S F F T (V M O S ) 반도체 표면에 형성된 V 모양의 홈을 따라 채널이 형성되는
전력 M O S F E T

점검사항_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
이 장을 공부한 후 독자는 다음 능력을 갖추어야 한다.
■ 터널 다이오드의 전류-전압 특성곡선에서 어떻게 부성 미분 저항이 나오게 되는지 설
명한다.
■ G a A s 에서 부성 미분 저항 개념을 논의하고，이 현상이 건 다이오드에서 도메인을 어
떻게 만들어주는지 논의한다.
■ 임파트 다이오드 발진기의 동작을 논의한다.
■ 전력 B J T 의 단면을 그리고 전압과 전류 제한을 논의한다.
■ 전력 B J T 의 전류 이득이 소형 스위칭용 B J T 보다 일반적으로 낮은 이유를 논의한다.
■ 전력 B J T 의 안전동작영역을 그린다.
■ 달링톤 구성 에 대한 이유와 동작을 설명한다.
■ V M O S 전력 M O S F E T 구조의 단면을 그린다.
■ 전력 M O S F E T 의 안전동작영 역을 그린다.
■ 전력 M O S F E T 의 on 저항이 양의 온도계수를 갖는 이유를 설명한다.
■ pnpn 소자의 스위칭 특성을 설명한다.
■ S C R 의 스위칭 특성을 설명한다.

복습 질문 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ ___
1- 터널 다이오드의 전류-전압 특성곡선에서 어떻게 부성 미분 저항이 생성되는지를 설명
하라.
2. G a A s 의 표동속도-전계 특성곡선에서 어떻게 부성 미분 이동도가 나오게 되는지 설명
하라.
3. 임파트 다이오드에서 어떻게 부성 미분 저항 특성이 만들어지는지 설명하라.
4. 전력 미구에서 컬렉터 표동 영역의 도핑농도가 낮은 이유와 표동 영역이 넓은 이유는
7 06 C h a p te r 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

무엇인가?
5. 전력 BJT 의 베 이스-이 미 터 구조를 양 손가락을 깍지 낀 모양으로 만드는 이유는 무엇
인가?
6. 전력 BJT의 안전동작영 역을 그려라.
7. 전력 MOSFET 의 DMOS 구조가 어떻게 형성되는지 설명하라.
8. 전력 MOSFET 의 사용 전압 제한을 설명하라.
9. 전력 MOSFET의 on 저항” 을 정의하고 on 저항이 양의 온도 계수를 갖는 것을 보여라.
1 0. SCR 의 게이트 단자가 어떻게 스위칭 특성을 제어할 수 있는지 설명하라.

문제

1 5.1 절 터 널 다 이 오 드

1 5.1 n 영역과 p 영역 모두 축퇴적으로 도핑된 터널 다이오드에서 다음 경우 ( a)0 V 바

이어스，(b ) 0 < V < Vp , (c) Vp < V < V v, ( d ) V > 、 에 대하여 에너지 밴드 다이
어그램을 그리시오.
1 5.2 그림 1 5. lb 에서 파 라 미 터 는 /p = 20 m A , /v = 2 mA Vp = 0.1 5 V ，、 = 0.60 V 이
다. 이 두 점 사이의 전류-전압 특성을 직선으로 근사시키는 것을 가정하고 미분 부
성 저항의 값을 계산하라.
1 5.3 Rmin = l n , Rp = I n , Cj = 2 내의 값에 대하여 터널 다이오드의 최대 저항 차
단 주파수를 구하시오.

1 5 .2절 건 다 이 오 드

1 5.4 ( a ) G a As 이동 전자 소자가 = 1 015 c m -3 도핑농도를 가지고 있다. 다음을 구하

라. (i ) 최소 소자 길이，(i i ) 전류 펄스 간 시 社 (i i i ) 발진 주파수 vd = 1.5 X 107 cm/s
를 가정하라. (b ) Nd = 1 016 c i r r 3 도핑농도에 대하여 ( a)를 반복하라.
1 5.5 건 다이오드의 표동 영역의 길이가스 = 15 yam이다. 다이오드에 걸리는 전압이 8 V
와 10 V 사이에 진동한다. ( a) 소자 내 평균 전계를 구하라. (b) 그림 15.3을 사용하
여 평균 전자 표동속도를 구하라. (c ) (이의 결과를 사용하여 발진주파수를 구하라.

1 5 .3 절 임 파 트 다 이 오 드

1 5.6 표동 영역의 길 이 가 ! = 1 0/x m 인 실리콘 임파트 다이오드의 발진주파수를 구하

라.

1 5 .4절 전 력 바 이 폴 라 트 랜 지 스 터

1 5.7 그림 15.10에서 보여준 것과 같은 수직 구조 npn 전력 BJT를 고려하라. 도핑농도는

Ne = 1018cm —3，八노 = 8 x l 0 15 cm 一3JV C = 6 x l 0 14 c m -3이다. 중성 베이스 영역
은 2 사™ 이며, 베이스에서 전자의 확산 계수는 D b = 20 cm2/s 이다. B-E 면적은 0.4
cm2이다. (a) 베이스-이미터 접합 끝 베이스 영역에서 과잉 전자농도 는 Snp( 0 ) =
I014 cm _3이다. 다음을 구하라. (i) 베이스-이미터 전압，(ii) 컬렉터 전류의 대략적
 인 값，(b ) 다음을 구하라. (i ) 고준위 주입이 시작되는 경계에서의 베이스-이미터 전
압, (i i ) 컬렉터 전류의 대략적인 값
1 5.8 문제 1 5.7에 기술된 npn 전력 바이폴라 트랜지스터를 고려하라. ( a) 예상되는 베이
스-컬렉터 애벌런치 항복 전압을 구하라. (b ) 펀치-스루 전압을 구하라. (c ) 예상되
는 베이스-이미터 애벌런치 항복 전압을 구하라.
1 5.9 실리콘 pnp 전력 B J T 를 설계하고자 한다. 베이스 도핑농도는 = 5 X 1 015 c m -3
이다. 베이스-컬렉터 접합 항복 전압이 BV c b o = 1 000 V 가 되게 하려고 한다. 최대
컬렉터 도핑농도와 최소 베이스 및 컬렉터 영역의 폭을 구하라.
1 5.1 0 ( a ) 전력 B J T 의 = 300 V 로 가정하라. 다음 경우에 대하여 느 0를 구하라.
(0 13 = 1 0, (i i ) 13 = 50. n = 3으로 가정 하라(식 (1 0.63)을 참 조 ). ( b ) B V c b o =

125 V 에 대하여 ( a)를 반복하라.

1 5.1 1 달링톤 쌍의 유효 신가 p eff = 1 80이다. 구동 B J T 인 公^는 전류 이득이 !3 a = 25이
다. (a) 출력 트랜지스터 山 의 전류 이득은 얼마인가? (b ) 이 의 정격 컬렉터 전류
/ CB,max = 20A 라면 의 정격 컬렉터 전류는 얼마가 되어야 하는가?
1 5.1 2 전력 B J T 의 최대 전류，최대 전압，정격 전력은 각각 2 A , 1 20 V ，30 W 이다. ⑷ 선
형 전류/전압 눈금을 사용하여 이 트랜지스터에 대한 안전동작영 역을 그리고 라벨
을 붙여라. (b ) 컬렉터-이미터 바이어스 전압이 60 V 라면 부하에 최대 전력이 전달
되기 위한 차 값을 정하라. 이 R l 값에 대하여 최대 전류와 최대 전압을 구하라. (c )
최대 전류와 최대 전력을 얻기 위 한 차 값을 정하라. (d ) 최대 전압과 최대 전력을
얻기 위한 차 값을 정하라.
1 5.1 3 그림 1 5.1 5의 이미터 접지 회로가 Vcc = 12 V 에 바이어스되어 있다. 트랜지스터
전력 정격은 자 = 1 W 이다. (a) 최대 전력이 부하 저항 /"에 전달되도록 /? 을 결
정하라. (b ) 트랜지스터의 정격 전 류 /c，max는 얼마이어야 하는가?
1 51 4 그림 1 5.1 5의 이미터 접지 회로에 있는 트랜지스터의 파라미터가/누 = 2.5 W , VCE sus
= 25 V , I c，max = 500 m A 이다. 부하저항은 1 00 f t 으로 한다. 최대 전력이 부하에
공급되도록 하려 면 y 값은 얼마이 어야 하는가?

15.5절 전 력 M O S F E T

1 5.1 5 전력 MOSFET이 그림 15.26에 보인 인버터 회로에 = 200 V이고 / ? = 100 H

인 조건으로 사용된다. 접합 온도 25°C에서 트랜지스터의 on 저 항 은 / = 2 이
다. on 저항은 온도에 따라 선형적으로 증가하며，100°C의 접합 온도에서 3 ^이 다 .
접합 온도의 함수로서 트랜지스터의 전력 소모를 그려라.
1 5.1 6 세 개의 MOSFET 을 병렬로 연결하여 5A 의 전류를 흘려들이도록 하고자 한다. ⑷
세 소자의 on 저항은 각각 Ronl = 1.8 요，R on2 = 2 a 穴。n3 = 2.2 (1 이다. 각 소자
의 전류와 전력소모를 계산하라. (b ) 어떤 이유로 두 번째 트랜지스터의 on 저항이
/?on2 = 3.6 ( I 으로 증가한다. 각 소자의 전류와 전력소모를 다시 계산하라.
15.17 그림 1 5.2 의 D M O S 구조를 고려하라. 소스의 도핑농도는 5 x 1 17 Cm _ 3, 베이스의
도핑농도는 1 15 cn 3으로 가정한다. (a) 200 V 의 차단 전압을 지탱하도록 드레인
의 도핑농도，채널 길이，드레인 표동 영역의 폭을 설계하라. (b ) 80 V 의 차단 전압
7 08 C h a p te r 1 5 반 도 체 초 고 주 파 및 전력 소 자

에 대하여 ( a)를 반복하라.

1 5.1 8 전력 M O S F E T 이 그림 1 5.26에 보인 소스 접지 회로로 연결된다. 트랜지스터의 파
라미터는 ' = .2 A / V 2, = 2 V , l D ' max = 8 A , B V DSS = 80 V , = 45 W
이다. 회로의 파라미터는 = 60 V 이고，R l = 10 이다. ⑴ 선형 전류 및 전압
눈금을 사용하여 트랜지스터 의 안전동작영 역을 그리고 라벨을 붙여라. 같은 특성
곡선에 부하선을 그려라. (b ) V GS = 4, 6, 8 V 에 대하여 트랜지스터에서 소모되는
전력을 계산하라. 트랜지스터를 손상시킬 가능성이 있는가? 설명하라.
1 5.1 9 문제 1 5.1 8에 기술된 전력 M O S F E T 을 고 려하라. ( a ) VDD = 60 V 에 대하여 최대
전력이 부하에 전달되고，트랜지스터가 안전동작영역에 바이어스되어 있도록 차
값을 정하라. (b ) r l = 1 n 에 대하여 최대 전력이 부하에 전달되고，트랜지스터가
안전동작영 역에 바이 어스되어 있도록 하는 의 최 댓값을 정하라.

1 5 .6절 사 이 리 스 터

1 5.20 사이리스터를 스위칭하기 위한 하나의 조건은 이 + a 2 = 1 이다. 이 조건이 시 32 = 1

이라는 조건과 일치한다는 것을 보여라. 여기에서 比 과 신2는 사이리스터의 등가회
로에 있는 pnp와 npn 바이폴라 트랜지스터의 이미터 접지 전류 이득이다.
1 5.21 이온화시키는 방사선 펄스가 어떻게 기본적인 CMOS 구조를 고전류 저임피던스
상태에 들어가도록 트리거할 수 있는지 설명하라.
1 5.22 트라이 액이 양과 음 두 극성 의 양극-음극 전압에 대하여，양과 음 두 극성 의 게이트
신호를 사용하여 on 상태로 트리거시킬 수 있다는 것을 보여라. 각 전압에 대하여
극성 간 조합을 고려하라.

^■고문헌_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
1. Baliga, B. J. M od e rn P o w e r D e vic e s. New York: John Wiley and Sons, 1987.
2. _ _ _ _ _ _ . P o w e r S e miconductor D e vic e s. Boston: PWS Publishing, 1996.
3. Dimitrijev, S. P rin c ip le s o f S e miconductor D e vic e s. New York: Oxford University
Press, 2006.
4. Esaki, L. “ Discovery of the Tunnel Diode.” I E E E Tra ns. E le c. D e v., ED-23 (1976).
5. Fisher, M. J. P o w e r E le ctro nic s . Boston: PWS-Kent Publishing, 1991.
6. Gentry, F. E.，F. W. Gutzwiller, N. Holonyak, Jr., and E. E. Von Zastrow.
S e m iconductor C o n tro ll e d R e ctifi ers: P rin c ip le s a n d A p p lic a tio n s o f p np n D evic e s.
Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1964.
7. Ghandhi, S. K. S e m iconductor / 성vv끗 D e vic e s: P hysics o f O p e ra tio n a nd F a bric a tio n
T e chnology. New York: John Wiley and Sons, 1977.
8. Gunn, J. B. “ Microwave Oscillations of Current in III-V Semiconductors.” S o lid State
C om m .，1 (1963).
9. Oxner, E. S. P o w e r F E T s a nd T h e ir A p plic a tio n s . Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall,
1982.
1 0. Read, W. T. “ A Proposed High Frequency, Negative Resistance Diode.” B e ll Syst.
T ech. J., 31 (\9 5 S ).
1 1 . Ridley, B. K.，and T. B. Watkins. “ The Possibility of Negative Resistance Effects in
Semiconductors.” P ro c. Phys. Soc. L o n d., 78 (1961).
 12. R oulston , D . J. B ip o l a r S e m iconductor D e vic e s. N e w Y o rk : M c G ra w -H ill , 1 990.
13. Schroder, D . K . A dv a nc e d M O S D e vic e s: M o d u l a r S erie s on S o lid State D evic e s.
R e ading , M A : A ddison -W esle y , 1 987.
14. Shur, M . In tro d u c tio n to E l e c tro n ic D e vic e s. N e w Y o rk : John W ile y and Sons, 1 996.
15. Streetman, B . G ., and S. K . B anerje e . S o lid State E l e c tro n ic D e vic e s, 6th ed. Upper
Saddle R iv er, N J : Pearson Prentice H a ll , 2006.
16. Sze, S . M . S e miconductor D e vic e s: P hysics a nd T e chnology. N ew Y o rk : John W ile y
and Sons, 1 985.
17. Sze, S. M . and K . K . N g . P hysics o f S e miconductor D e vic e s, 3rd ed . H obok en , N J : John
W ile y and Sons, 2007.
*18. W a ng , S . F und a m e nta ls o f S e miconductor T h e ory a nd D e vic e Physics. E nglewood
C liffs , N J : Prentice H a ll , 1 989.
19. Y a ng , E . S . M icro e l e c tro n ic D e vic e s. N ew Y ork : M c G ra w -H ill , 1 988.

표시는 이 책보다 수준이 높은 참고문헌을 의미한다.

 A
><

선 택 한 부 호 의 목록

이 목 록 은 오직 한 분야에 서 특별히 사 용 하 고 정 의 한 어 떠 한 부 호 를 포함하지 않는다.

어떤 부 호 들 은 한 가지 이상의 의 미 를 가 지 지 만 그런 부 호 를 사 용 한 문 장에서 혼동되
지 않도 록 의미를 명확히 하였다. 각 부 호 와 관 련 한 보통 단 위 를 사용한다.

公 단 위세포 크기 ( A )，전위 우 물 폭，가속도, 불 순 물 농 도 기울 기 ，

한쪽면 J F E T 의 채널 두께 (c m )
ao 보어의 반경 ( A )
C 빛의 속도 (cm / sec)
d 거리 (cm ) ，
e 전 하 (크 기 ) (c o u l ), 네 이 피 어 리 안 ( N a pie ria n ) 베이스
f 주 파 수 (H z )
M E ) 페르미-디 락( F e rm i -D ir a c ) 확 률 함수
fr 차 단 주 파 수 (H z )
8 생성 률 (c m _3 se c 一1)
r
容 과잉 캐리어의 생 성 률 ( c m 3 s e c - 1)
g( E ) 상태 밀도 함 수 (c m - 3 e V * 1)
용c.，용V 가 전 자 대 와 전도대에서 상태 밀도 함 수 ( c m _ 3 e V 1)
8d 채널 컨덕턴 스 ( S ), 소신 호 확 산 컨덕 턴스 ( S)
Sm 전달 컨덕턴 스 ( A A
容 /j Sp 전 자 와 정공의 생 성 률 (c m - 3 s - 1)
h 플 랑 크 ( P la nck ) 상 수 (J-sec)，J抑 T 에 서 유기 된 공 간 전하 폭 (cm )
h 수정 된 플 랑 크 ( P la nck ) 상 수 여/2규)

hf 소 신호 이미터 접지 전류이득
j 영상 상수
足 볼 츠 만 ( B olz m a nn ) 상 수 (J/ K ), 파수 (cm 이)
K 전도 파라미터 ( A /2)
m 질량 (k g )
7 11
71 2 A P P E N DIX

mo 전자의 정지 질량 (k g )
*
m 유효 질량 ( k g )
，
，4 , m *cP 전자 와 정공의 전도성 유효 질량 (k g )
m*dn m*dp 전자 와 정공의 상 태 유 효 질량의 밀도 (k g )
* *
mn^ mp 전자와 정공의 유 효 질 량 (k g )
n 정수
n ，/ ，m, s 양자수
n, p 전자 와 정 공농도 (c m - 3)
n 굴 절률
r r
n ， p 포획 에너지에 관련된 상 수 (c m _ 3)
nB , Peq Pcq 베이스에서 열평형 소 수 캐리어 전 자 농 도 와 이 미 터 와 컬렉터에서
소 수 캐리어 정공농도
nd 도너 에너지 준위에서 전자의 밀도 (c m - 3)
ni 전자의 진성 농 도 (c m - 3)
아》 Po 전자 와 정공의 열평형 농 도 (c m —3)
n p ，P n 소 수 캐리어 전자 와 소 수 캐리어 정 공능도 (c m _ 3)
가pO, PnO 열평형 소 수 캐리어 전자 와 소 수 캐리어 정공농도 (c m - 3)
ns 2차원 전자가스의 밀도 (c m - 2)
P 운동량
Pa 억셉터 에너지 놈위에서 정공의 밀도 (c m _ 3)
Pi 진성 정 공농도(= «,) (c m - 3)
公 전하 ( C )
， , (t) 공간좌표
선，rn 소신 호 확 산 저항 (f l )
^ds 소신 호 드 레 인 -소 스 간 저항 (n )

r 출력 저항 (이
S 표면 재 결 합 속 도 (cm / s)
t 시 간 ( s)
ld 지 연시간 (S )

’ ox 게이트 산 화 막 두께 (cm 혹 은 A )
h 축적 시 간 (s)
u{x ) 주기 적 파 동 함 수
속 도 ( cm / s)
Vd 캐리어 표 동 {드 리 프 트 ，유 동 ) 속 도 (cm/ s)
H 九，” s，^sat 캐리어 포 화 표동 속 도 (cm / s)
，:，八 z 카태시 안( C arte sia n ) 좌표
X 화합 물 반도체에서 몰비
 APPENDIX A 선택한 부호의 목록 7 13

XB X E X C 중성 베이스, 이 미 터 와 컬렉터 영역폭 ( cm )

Xd 유기 된 공 간 전 하폭 (cm )
X dB X dC 베 이 스 와 컬렉터에서 공 간 전하폭 (cm )
XB0 금속학적 베이스폭 (cm )
X dT 최 대 공 간 전하폭 (cm )
x n, xp n 형 과 p 형 반도체 영 역 내에서 금속학적 접합으로부터 공 핍 폭 ( cm )
A 면적 (cm 2)
A* 유효 리 처드슨( R ich ardson ) 상 수 ( A / K 2八;m 2)
公 자기 플 럭스 밀도 (W b /m 2)
公，E , C 베 이스，이미터 ，컬렉터
B V Cb o 이미터 개방에서 컬 렉 터 -베 이 스 접합의 항 복 전압 ( V )
B ^ ceo 베이스 개방에서 컬렉터 -이 미 터 의 항 복 전압 (V )
C 커패시턴스 ( F )
c 단위 면적당 커패시턴스 ( F /cm 2)
Cd, 확 산 커패시 턴스 ( F )
Cfb 평탄대 커패시턴스 ( F )
Cgs， Cgd，c 소 게 이 트 -소 스 ，게 이 트 -드 레 인 ，드 레 인 -소 스 커패시턴스 ( F )

CJ 단위 면적당 접 합 커패시턴스 ( F /cm 2)

Cm 밀러(M ill e r ) 커패시턴스 ( F )
C n, c p 전자 와 정공의 포획률에 관련 된 상수
C0X 단위 면적당 게이트 산 화 막 커패 시 턴 스 ( F /cm 2)
c , 역방향 바 이 어 스 B -C 접합 커패시턴스 ( F )
D, S, G F E T 의 드 레 인 ，소 스 ，게이트
D' 엠비폴러 확 산 계수 (cm 2/s)
[、 ， e> D c 베이스, 이미터 ，컬렉터의 소 수 캐리어 확 산 계수 (cin2/s)

i, 계면 상태의 밀도 (#/e V -cm 3)

Dn, p 소 수 캐리어 전 자 와 소 수 캐리어 정공의 확 산 계수 (cm 2/s)
E 에너지 (J 혹 은 … )
Ea 억셉터 에너지 준위 ( e V )
E c，E v 전도대의 바 닥 가장자리의 에 너 지 와 가전대의 상위 가장자리의
에너지 ( e V )
A f , A v, 이종 접합에서 전도대 에 너 지 와 가전자대 에너지의 차이 ( e V )
Ed 도너 에너지 준위 ( e V )
Ef 페르 미 ( F e rm i ) 에너지 준위 (e V )
E Fl 진성 페르 미 ( F e rm i ) 에너지 준위 ( e V )
E f 、” Epp 전 자 와 정공에 대한 의사-페르미 에너지 준위 (e V )
£g 밴드캡 에너지 ( e V )
 밴드캡 협 소인자 ( e V ), 이종접합에서 밴드캡 에너지의 차이 (e V )
Et 포획 에너지 준위 ( e V )
F 힘 (N )
n F p 전자 와 정공 입자 플 럭 스 (c m - 2 s _ 1 )
F m (v) 페 르 미 -디 락 ( F e rm i -D ira c ) 적분함수
G 전자 정공 쌍 생성 률 (c m _ 3 s _ 1 )
Gl 과잉 캐리어 생성 률 (c m _ 3 s - 1)
G „ , GpQ 전자 와 정공에 대한 열평형 생 성 률 (c m 3 s ' 1)
G이 컨덕턴스 ( S )
I 전류 ( A )
I b，I e 1c 소 신 호 베이 스 ，이 미 터 와 컬렉터 전류 ( A )
lA 애 노 드 (양 극 ) 전류 ( A )

’ S，’ £，Ic 베이 스 ，이미터，컬렉터 전류 ( A )

h :B O 이미터 개방에서 역방향 바이어스의 컬 렉 터 -베 이 스 접 합전류 ( A )

I CE O 베이스 개방에서 역방향 바 이 어 스 컬렉터-이미터 전류 ( A )
Id 다 이 오 드 전류 ( A )，드레 인 전류 ( A )
/ D(sat) 포 화 드레 인 전류 ( A )

k 광전 류 ( A )
b \ 핀 치오프 전류 ( A )

’s 이상적 인 역 방향 바이 어 스 포 화 전 류 ( A )
he 단 락 회 로 전류 ( A )

K 광 자 세기 (en ergy /cm 2/ s)

J 전류밀도 ( A /cm 2)
생성 전 류밀도 ( A 人:m 2)
광 전 류 밀도 ( A /cm 2)

’，
•!’ Jp 전 자 와 정공 전 류밀도 ( A / cm 2)
전 자 와 정 공입자 전류밀도 ( c m - 2 s _ 1 )
■^rec 재 결 합 전류밀도 (A 八;m 2)
Jr公
영 바 이 어 스 재 결 합 전류밀도 ( A /cm 2)

Jr 역방 향 인가 전 류밀도 ( A 八;m 2)
Js 이상적인 역방향 인가의 포 화 전류밀도 ( A / cm 2)
JsT 쇼트키 다이오드에서 이상적 인 역방향 인가 포 화 전류밀도 (A /cm 2)
L 길이 (c m ), 인덕턴스 ( H ), 채널길이 (cm )
AL 채널길이 변조인자 (cm )
쇼fi，쇼 ，쇼C 베이 스，이 미터와 컬렉터에서 소 수 캐리어 확산길이 (c m )
디바이 ( D e by e ) 길이 (c m )
I’ L p
己， 소 수 캐리어 전 자와 정공 확산길이 (cm )
 APPENDIX A 선택한 부호의 목록 7 15

M, Mn 증배상수
N 수 밀도 (c m —3)
Na 엑셉터 불 순 물 원자의 밀도 (c m - 3)
n b, n e, Nc 베이스, 이미터 ，컬렉터의 도 핑 농 도 (c m - 3)
NC NV 전도 대 ，가전자대에서 상태함수의 유 효 밀 도 (c m - 3)
Nd 도너 불 순 물 원자의 밀도 (c m - 3)
Nit 계면상태 밀도 (c m - 2)
N, 포획 밀도 (err 3)
P 전력 (w a tt )
P(r) 확률밀도 함수
Q 전하 ( C )
Q ' 단위 면적당 전하 (c /cm 2)
Q b 게이트 조절 벌크 전하 ( C )
公n 단위 면적당 반전 채널 전하밀도 ( C /cm 2)
e ig 단위 면적당 신호 전하밀도 ( C /cm 2)
g 느(m a x ) 단위 면적당 최 대공간 전하밀도 ( C /cm 2)
Q 's s 단위 면적당 등가포획 산 화 막 전하 ( C /cm 2)
R 반 사 계수，재 결 합 률 (c m - 3 s - 1)，저항 ((!)
R( r ) 방 사 파 함수
비접촉 저항 (f t -cm 2)
Ren Rep 전 자 와 정공에 대한 포 획 률 (c m - 3 s ' 1)
D D
八이2 , ^ep 전 자 와 정공에 대한 발산 률 (c m 3 s - 1)
Rn Rp 전자 와 정공에 대한 재 결합률 (c m _ 3 s ' 1)
Rn , Rp 전자 와 정공의 열평형 재결합률 (c m 3 s -')
T 온 도 (k e lv in ), 운 동 에너지 (J 혹 은 e V )，전달계수
V 전위 ( V )，위치 에너지 (J 혹 은 e V )
Va 순 방 향 인가 전압 (V )
VA E a rly 전압 (V )，애 노 드 (양 극 ) 전압 (V t )

Vbi 내부 전위장벽 ( V )
VB 항 복 전 압 (V )
^BD 드레인에서 항 복 전 압 ( V )
Vbe [C 公，^CE 베 이 스 -이 미 터 ，컬 렉 터 -베 이 스 ，컬렉터-이미터 전압 (V )
V公5 , ^GS 드 레 인 -소 스 , 게 이 트 -소 스 전압 ( V )
V公5( sat) c 레 인 -소 ^', 포 화 전압 ( V )

Vf b 평탄대 전압 ( V )
VG 게이트 전압 ( V )
VH 홀( H a ll ) 전압 ( V )
 개 방 -회 로 전압 ( V )
Vox 산 화 막 양단 전 위 차 ( V )
^pO 핀치오프 전 압 … )
펀치스루 전압 ( V )
인가된 역방향 바 이 어 스 전압 ( V )
^SB 소스-몸 체 전압 ( V )
Vt 열전압 ( kT / e)
VT 문턱(임 계 )전 압 ( V )
a v t 문턱(임 계 )전 압 이동 ( V )
w 전체 공 간 전 하 폭 (c m ), 채 널 폭 (c m )
WB 금속학적 베 이스폭 (c m )
Y 어드미 턴스
a 광 자 흡 수 계 수 (c m -1)，ac 공 통 {접 지 ) 베이스 전류이득
an^ ap 전자 와 정공 이온화율 (c m - 1)
a 0 dc 공 통 {접 지 ) 베이스 전 류이득
〔父 T 베이스 전 송 인 자
공 통 이미터 전류이득
y 이미터 주입 효 율 인 자
s 재결 합 인자
8 n , 8p 과잉 전 자 와 정공농도 (c m - 3)
Snp , 8 p n 과잉 소수 캐리어 전 자 와 과잉 소 수 캐리어 정 공 농 도 (c m _ 3)
유 전 률 ( F /cm 2)

eo 자유공간의 유 전 률 ( F /cm 2)
ox 산화막의 유 전 률 ( FA: m 2)
er 비유전률，유 전 상 수
es 반도체의 유 전 률 ( F /cm 2)
入 파 장 (cm 혹 은 /m i )
사 투 자 률 ( H /cm )
r
사 엠비폴러 이동도 (cm 2八 나 )
A야 ，l^i 전자 와 정공 이동도 (cm 2AV-s)
사o 자유공간의 투 자 율 (H /cm )
V 주 파 수 (H z )
p 저항도 ( n -cm )，체적 전 하밀도 (〔 7 cm 3)
a 전 도 도 (f T 1 cm - 1)

Aa 광 전 도 도 (f T 1 cm —1)

아 진성 전도도 ( ( ! 一1 c m - 1)
 APPENDIX A 선택한 부호의 목록 71 7

、， o-p n -형 과 p -형 반도체의 광 전 도 도 (f i - 1 c m - 1)
T 수명시 간 (S)

r n, r p 전 자 와 정공 수명 시 간 ( s)
r„ , xp0 과잉 소 수 캐 리 어 전자와 정공의 수명 시 간 ( s)
r 공 간 전하 영 역 에서 수명 시 간 ( s)
4〉 전위 ( V )
m 시간 종속 파동함수
ZW) 쇼트키 장벽의 낮아진 전위 ( V )
(h n 쇼트키 장벽 높이 ( V )
(h o 이상적 쇼트키 장벽 높이 (V )
如 ，如 n 형과 p 형 반도체에서 ‘ 와 E f 사이의 전 위차 (크 기 ) (V )
(h n ，K n 형 과 p 형 반도체에서 하,.와 E f 사이의 전위 차 (부 호 와 함 께 ) ( V )

九 금 속 일함수 ( V )
수 정 한 금 속 일함수 ( V )
4>ms 금속•
반 도체 일함수 차이 (v )
K 4>P n 형에서 .와 E f 사 이 ，p 형 반도체에서 & 와 E f 사이의 전위차
(크 기 ) ( V )
九 반도체 일함수 ( V )，표면전위 (V )
^ 전자 친화력 ( V )
/ 수 정 한 전자 친화력 ( V )
m 시간독립파동함수
( 각(R a dia n , 라디 안) 주 파 수 (s 一1)
r 반 사계수
E 전계 ( V /cm )
Eh 흘<H a ll ) 전계 (V 八:m )
E crit 항복에서 임계 전계 ( V /cm )
&( ) 각파동함수
O 광 자 플 럭 스 (c m - 2 s _ 1 )
則切 각 파동함수
방江，0 전체 파 동 함 수
 x
•
•
z
u l
CL
CL
•

단위 체 계 ，전 환 인 자 와 일반 상 수

표 B .1 국 제 단 위 체 계 *

Quantity Unit Symbol Dimension

길이 미 터 m
질량 킬 로
그램 kg
시간 초 so e
s<
온도 캘 빈 K
전류 암 페
주파 헤 르어 A
힘 수 뉴 톤쯔 HZ 1/s
압력 파 스 N
에너 울칼 pa
kg-m/s2
주 트 N/m2
전력 지 와 롱 J
전하 트 W N-m
전위 맨 C J/s
컨덕 옴 A-s
저항 #- 라스 V
커패 턴 볼 버 S J/C
자속 스 지 스 A /
a
자속 시 오 리드 V/A
패 라 F
인덕 턴 CN
스 웨 wb
밀 태 T V-s
턴도 헨
스 H Wb/m2
Wb/A
*cm는 길 이 의 일 반 단 위 이 고 ， 전 자 -볼 트 는 반 도 체 의 연 구 에 서 사 용 되 는 에 너 지
(부 록 D참 고 )의 일 반 단 위 이 다 .그 러 나 줄 과 미 터 의 어 떤 경 우 는 대 부 분 공 식 적
으 로 사 용 한 다 .
 APPENDIX B 단 위 체 계 ，전 환 인 자 와 일 반 상 수 71 9

표 B.2 변환인자

접두사
1 A (angstrom) = 1 0_ 8 cm = 1 0-10m 1 0_ 15 femto- = f
1 jLtm (micrometer) = 1 0_ 4 cm 1 0_ 12 pico- = P
1 m il = 1 0-3 in. = 25.4 jitm l -9 nano- = n
2.54 cm = 1 in. l -6 micro- = M
1 e V = 1 .6 X 1 0_19 J 10 一3 m illi- = m
1 J = 1 07 erg 1 0+3 kilo- = k
1 0+6 mega- = M
1 0+9 giga- = G
1 0+12 tera = T

표 B.3 물리상수

아보가드로(Avogadro) 수 n a = : 6.02 X 1 0+23

그램당 원자수
분자수
볼즈만(Bolzmann) 상수 k = 1 .38 X 1 - 23 J/K
= 8.62 X 1 - 5 e V/K
전자의 전하(크기) e = 1 .60 X 1 0~1 9C

자유전자의 정지질량 m = 9.1 1 X 1 0一 31 kg

자유공간의 투자율 ， = 47T X l -7 H/m
자유공간의 유전률 € = 8.85 父 1 0—14F/cm
= 8.85 X 1 0_ 12F/m
프랑크(Plack) 상수 h = 6.625 父 1 0- 34 J-s
= 4.1 35 X 1 0—15eV-s
_ h_ =
2 tt
h= 1 .054 X l -34j-s

양자 정지 질량 M = 1 .67 X l - 27 kg
진공에서의 빛의 속도 c = 2.998 父 1 010 cm/s

열전압( r = 300 K) v,= ^ = 0.0259 V

k T = 0.0259 eV
7 20 A P P E N D IX

표 B.4 실 리 콘 ,갈 륨 비 소 와 게 르 마 늄 특 성 (r = 300 K)

Property Si GaAs Ge

원 자 {cm- 3) 5.0 X 1022 4.42 X 1022 4.42 X 1022

원 자 량 28.09 144.63 72.60
결 정 구 조 다 이 아 몬 드 섬 아 연 광 다 이 아 몬 드
밀 도 (g/cm-3) 2.33 5.32 5.33
격 자 상 수 (A) 5.43 5.65 5.65
워 녹 는 )점 ( 切 1415 1238 937
유 전 상 수 11.7 13.1 16.0
밴 드 갭 에 너 지 (eV) 1.12 1.42 0.66
전 자 친 화 력 ， X(V) 4.01 4.07 4.13
전 도 대 역 에 서 유 효 상 태 2.8 X 1019 4.7 X 1017 1.04 X 1019
밀 도 八 ^ (cm- 3)
가 전 자 대 역 에 서 유 효 1.04 X 1019 7.0 X 1018 6.0 X 1018
상 태 밀 도 A노 (cm-3)
진 성 캐 리 어 농 도 (cm—3) 1.5 X 1010 1.8 X 106 2.4 X 1013
이 동 도 (cm2八가 -s)

전 자 ，
1350 8500 3900
480 400 1900
정 공 ，

유 효 질 량 (S )
전 자 m* = 0.98 0.067 1.64
= 0.19 0.082
정 공
m*^ = 0.16 0.082 0.044
<h= -49 0.45 0.28
유 효 질 량 (상 태 밀 도 )
1.08 0.067 0.55
전 자 ， )
0.56 0.48 0.37
정 공 ©
전 도 성 유 효 질 량

전 자 ， 0.26 0.067 0.12

정 공 (mf) 0.37 0.34 0.21

표 B.5 다 른 반 도 체 파 라 미 터

물질 Eg(e\) a (A) €r 요
n
알 루 미 늄 비 소 (AlAs) 2.16 5.66 12.0 3.5 2.97
갈 륨 인 (GaP) 2.26 5.45 10 4.3 3.37
알 루 미 늄 인 (A1P) 2.43 5.46 9.8 3.0
인 둠 인 (InP) 1.35 5.87 12.1 4.35 3.37
 APPENDIX B 단위 체계, 전 환 인 자 와 일반 상 수 7 21

표 B.6 산 화 막 (Si02) 과 질 화 막 (Si3N4) 의 특 성 (T = 300 K)

특 성 Si02 Si3N4

결 정 구 조 [대 부 분 집 적 회 로 응 용 을 위 한
]
비 정 질
원 자 또 는 분 자 밀 도 (cm- 3) 2.2 X 1022 1.48 X 1 22
밀 도 (g-cn 3) 2.2 3.4
에 너 지 캡 ~ 9 eV 4.7 eV
유 전 상 수 3.9 7.5
융 점 (切 어 1700 어 1900
 x
E
N
UJ
•
•
v

주기율표

I족 II 족 III 족 IV 족 V 족 VI족 V II 족 V III 족

주기 a b a b a b a b a b a b a b a b

I 1H 2 He
1.0079 4.003
II 3 Li 4 Be 5B 6C 7N 80 9F 10 Ne
6.94 9.02 10.82 12.이 14.01 16.00 19.00 20.18
III 11 Na 12 Mg 13 A1 14 Si — 15P^ 16 S 17 Cl 18Ar
22.99 24.32 26.97 28.06 30.98 32.06 35.45 39.94
IV 19 K 20 Ca 21 Sc 22 Ti 23 V 24 Cr 25 Mn 26 Fe 27 Co 28 Ni
39.09 40.08 44.96 47.90 50.95 52.01 54.93 55.85 58.94 58.69
29 Cu 30 Zn 31 Ga 32 Ge 33 As 34 Se 35 Br 36 Kr
63.54 65.38 69.72 72.60 74.91 78.96 79.91 83.7
V 37 Rb 38 Sr 39 Y 40 Zr 41 Nb 42 Mo 43 Tc 44 Ru 45 Rh 46 Pd
85.48 87.63 88.92 91.22 92.91 95.95 99 1이 .7 102.91 106.4
47 Ag 48 Cd 49 In 50 Sn 51 Sb 52 Te 531 54 X e
107.88 112.41 114.76 118.70 121.76 127.61 126.92 131.3
VI 55 Cs 56 Ba 57-71 72 Hf 73 Ta 74 W 75 Re 76 Os 77 Ir 28 Pt
132.91 137.36 희토류 178.6 180.88 183.92 186.31 190.2 193.1 195.2
79 Au 80 Hg 81 T1 82 Pb 83 Bi 84 Po 85 At 86 Rn
197.2 200.61 204.39 207.21 209.00 210 211 222
VII 87 Fr 88 Ra 89 Ac 90 Th 91 Pa 92U 93 Np 94Pu 95Am 96 Cm 97 Bk 98Ct 99 Es 100Fm 101 Md
223 226.05 227 232.12 231 238.07 237 239 241 242 246 249 254 256 256
희토류
VI 57 La 58 Ce 59 Pr 60 Nd 61 Pm 62 Sm 63 Eu 64 Gd 65 Tb 66 Dy 67 Ho 68 Er 69 Tm 70 Yb 71 Lu
57-71 138.92 140.13 140.92 144.27 147 150.43 152.0 156.9 159.2 162.46 164.90 167.2 169.4 173.04 174.99

원소의 표시 앞 수는 원자번호를 나타내 며，아래 수는 원자량이 다 .

7 22
 X

에너지 단위-전자-볼트

전 자 -볼 트 ( e V )는 반도체 물 리 와 소 자 연 구 에 끊 임 없 이 사 용 하 는 에너지 단 위 이 다 . 이
짧 은 논 의 가 전자-볼 트에 대해서 “감 을 잡는” 데 도움이 될 것이다.
그림 D .1 에 보 여 준 것처럼 인가된 전압 을 가진 평행 판 커 패 시 터 를 고 려 하 자 . 전자
는 시간 t = 에서 x = 0에 방 출 하 는 것으로 가정하자.

F = ma = = ( D -l )
dr

여기 에서 e 는 전하의 크 기 이 고 , 표는 보 여 준 것 과 같이 전계의 크 기 이 다 . 시간에 대해

적분 을 함으로써 속 도 와 거리 대 시간 은 식 ( D .2)에 의해 주어진다.

( D .2)

그리 고

r _ e Et2 (D .3)
2 mn

여기에서 t = 에서 " = 0이라고 가정한다.

t = V 게서 전자 가 X = 이도록 커패시터의 양극판에 도 달 한 다 고 가 정하자. 그때

- v + o-

몸-전계

=0 x= d

그림 D1 .1 평행판 커패시터

7 23
 (D.4a)
d= 픈

또는

a /2 m d
( D .4b )
V_등
『

전 자가 커패시터 엠비폴러에 도 달 할 때 전자의 속 도 는

u X _ eEtQ ( D .5)
/2 e E d
1사 ) ~ ~ m ^ m

이 시간에 전자의 운 동 에너지는

( D .6)
T = 2 m 녀구 )2 = ^T m m = eEd

전계는 다음 식이다.

(D .7)
E = V
d

그래서 에 너 지 는 다음 식이다.

T = e V ( D .8)

만약 전 자 가 1볼트의 전위로 가 속 되 면 ，그때 에 너 지 는 다음 식이다.

T = e W = (1 .6 X 1 0_ 19)(1 ) = 1 .6 X 1 0시9joule (J) ( D .9)

에너지의 전 자 -볼 트 ( e V ) 단위 는 (D .1 0)으로 정의한다.

전 자-볼 트 = (D .10)

그 때 ，1볼트의 전위로 가 속 되 어 지 는 전자는 ( D .1 1 )의 에너지를 갖게 되거나

T = 1.6 X 1 0- 19J = (D . l l )

또 는 1 e V 이다.
전위 (1 볼 트 )의 크 기 와 전자 에너지 (1 e V )의 크 기 가 같 음 을 주 목 할 수 있다. 그러
나 각각의 수에 관련된 단 위 가 다 르 다 는 것을 유 념 하 는 것이 중 요하다.
 X

S c h r o d i n g e r 의 파동 방정식의
“

S c hro din g e r 의 파 동 방 정 식 은 식 (2.6)에서 언 급 되 었 다 . 시 불 변 형태의 S c hro din g e r 의

파 동 방 정 식 은 앞에서 유 도 하 였 고 ，식 (2.1 3)에 의해 주 어 진 다 . 시불변의 S chroding e r의
파 동 방 정 식 은 또 한 고 전 적 인 파 동 방 정 식 으 로 부 터 유 도 할 수 있다. 오히려 엄밀 한 유
도 보 다 S chro din g e r의 시 불 변 파 동 방 정식이 정 당 함 을 증 명 하 는 관 점 에 서 더 발전되
었다고 생 각 할 수 있다.
전압에 관 한 고 전적인 시불변 파 동 방 정 식 은 다 음 과 같이 주어진다.

d 2V ( x ) (E . l )
dx2

여기서 이는 각 주 파 수 이 고 ，'는 위상속 도이다.

만약 변수의 변화가 있고，다切 = V (x) 둔 다 면 ，그때 ( E .2)가 된다.

d 2ijj(x) ( E .2)
= 0
dx2

다음 과 같이 쓸 수 있다.

( E .3)

여기에서 V와 A 각 각 파 동 주 파 수 와 파장이다.
파 동 -입 자 이중성 원 리 로 부 터 ，다 음 과 같이 파 장 과 운 동 량 으 로 관 계 를 지 을 수 있
다.

그때

卜 ( 사 (E’5)
7 25
그 리 고 ft = i 이기 때문에，( E .6)으로 쓸 수 있다.
2tt
( E .6)
(2K)2= (P)2= 2m(_t_)
l A ) \ h) h2 \2 ml

바로

( E .7)
_p ! T = E -V
2m

여기에서 T ， 와 V 는 각 각 은 운 동 에너지, 전체 에 너 지 ，그 리 고 위치 에너지 항이다.

그때 ( E .8)로 쓸 수 있다.

( E .8)
풀 = (xF = f (춥 )=
식 ( E .8)을 식 ( E .2)에 대 입하면,

( E .9)
^ + ^ ( - y )^( x ) = 0

일차원, 시불변 S chroding er의 파 동 방 정 식 을 얻는다.

 유효질량개념

3장에서 전 자 와 정공의 유 효 질 량 과 대 k 그림 사이에 관 련 성 을 논 의 하 였 다 . 그 논의

에서 k 공간에서 일-차 원 분 석 은 우리자신이 한 계 가 있었다.

F.1 에 너 지 대 구 조
G a A s 에너지대 G a A s 에 대 한 표 대 k 도식이 그림 3.25 a 에 주 어 진 다 . 최소 전도대 에
너 지 와 최대 가전자대 에 너 지 는 k = 0에서 일어난 다 . 3차원에서 k ' - ky - L ‘ 좌 표 시스
템에서 최소 전도대 에너지 근처 일정한 에너지 표 면 은 그림 F .1 에서 보 여 준 것과 같이
본 질 적 으 로 구면이다. 전자 유 효 질 량 은 앞선 논 의 에 서 와 같이 결정 할 수 있으며，m*n =
0.067 ~ 인 것을 발 견하였고, 여기에서 이e는 전자의 정지 질량이다.

실리 콘 전도 에너지대 실리콘에 대한 표 대 쇼도식이 그림 3.25b 에 주어진다. 최소 전도대

에너지는 [1 이 방향에 있다. 3차원에서 kx - ky - k: 좌표 시스템에서 최소 전도대 에너지 근
처 일정한 에너지 표면 은 타원체이다 . 그림 F .2 a 에서 보여준 것과 같이 결정에서 6 등가
[1 0이 방향으로 대응하는 실제 6 타원체 에너지 표면이 있다. 쇼,와 '방 향 양쪽 모두에서 유
효질량은 장축 유효질량 … 라 부르고 ，K 방향에서 유효질량은 세로 유효질량 하이라 부른

그림 F.1 GaAs의 전도대에서 그림 F.2 (a) 실리콘의 전도대에서 6 등가 타원체의 에너지

구면의 불변 에너지 표면 표면，(b ) 유효 질량을 보여주는 한개 타원체의 에너지 표면
다. 이런 유효 질량은 그 림 「 개에서 보여준 것과 같이 단순 타원체를 가리킨다. 실리콘에
서 이런 유효 질량의 값은 … = 0 . 1 9 ' 와 께 = 0.98 m。으로 나타났다.
전자 는 임의 산 란 효 과 를 계 속 적 으 로 발 생 하 고 있으며(5장 참 조 )，어떤 주 어진 시간
에 서 도 전자의 1 /3 은 유 효 질 량 m, 로 kx 방 향 으 로 이 동 을 하 고 있 으 며 ，전자의 1 /3 은 유
효 질 량 마 로 ky 방 향 으 로 이 동을 하 고 있으 며 ，전자의 1 /3 은 유 효 질 량 께 로 kz 방 향 으 로
이동 을 하고 있다. 상태함수의 밀도에서 유 효 질 량 파 라 미 터 와 전도도 계산에서 유효질
량은 수 직 과 수 평적인 유효질량 의 평균의 어떤 형 태 를 포 함 하 여 야 만 한다.

실리콘 가전 자 에너지 대 실리콘에서 가전자대의 최대 에 너 지 는 /: = 에서 일어난다.

실제 가 전 자 대 는 대략 포 물 선 모 양 을 하 고 두 가 지 (그 림 3.25 b 에서 나타내지 않 은 )를
가진다. 더 날 카 로 운 타원체여2 /씨:2)는 가 벼 운 정공에 대 응 하 고 ，넓은 타 원 체 ( ' /씨:2)
는 무 거 운 정공에 대응한다. 실리콘에서 가 볍 고 무 거 운 정공의 유 효 질 량 은 각 각 mlh =

0.1 6m 。와 = 0.49/기이다.

F. 2 상태 유 효 질 량 의 밀도

상태 유 효 질 량 의 밀 도 -전 자 전자의 운 동 에 너 지 는 실 리 콘 (그 림 F .2b 참 조 )에 서 일정
타원형 에너지 표면에 대응한다. 다음 과 같이 쓸 수 있다.

e = a + a + a

x= j L + ^ + j L
2 mt E 2 m, E 2 m，E

운 동 량 공각에서 타원체의 일반식은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

i = K + d + d
a2 b2 c2

여기에서 a , 사와 c 는 타 원체 의 축 이 다 . 그림 F .2b 에서 에너지 타 원 체 에 대해서 다 음 과

같이 쓸 수 있다.

田2 = 2m, E , 公2 = 2m, E , c2 = 2m, E

타원체의 부 피 는 곱 a •스 •c 에 비 례하며 다 음과 같다.

부피 a V (w ,)2m

여 기에는 6개의 에너 지 타 원 체 가 있으며，그래서 전체 부 피 는 다 음 과 같이 비례한다.

 전체 부피 (乂 6 V { mt) 2 mt

전도대에서 상 태 함 수 의 밀도 유 도 에 서 ，k 공 간 (운 동 량 공 간 )에 서 부 피 는 포 함 된 다 . 그
래서 식 (3.72)로부터 상태 함수의 밀도는 다 음 과 같이 비례한다.

gc(E) cc 부피 OC(m*)3/2 = 6 ^ ) ^

상 태 함 수 전자 유효질량의 밀도는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

m%, = 62/3[(m,)2m,]1/3

실리콘에 대해서，mt = 0 . 1 9 '와 지 = 0.98~ 를 가진다. 그때 다음 식을 구 할 수 있다.

m*„ = 62/3[(0.1 9 m0) 2 (0.98m0)]1/3 = 1 .08mo

여기에서 m 노 은 상태 전자 유효질량의 밀도이다.

상 태 유 효 질 량 의 밀 도 -정 공 3차원 kx — ky - kz 좌 표 시스템에서 일정 에 너 지 는 무겁거

나 가 벼 운 정 공 모두 에 대해서 본 질 적 으 로 구 면 체 이 다 . 운 동 량 공 간에서 구의 부 피 는
다음 관계이 다.

부피 oc p 3

여기에서 무 겁 거 나 가벼 운 정공에 대해 서 ，각 각 다음 관 계 를 갖는다.

Phh ~ ^ mhhE 9 \ p i2h - 2 mihE

전체 부 피 는 두 구의 부피 합이다. 그래서 다음 관 계 와 같다.

전체 부피 次' ( mhhy /2 + 、mlhf n

가 전 자 대 에 서 상 태 함 수 의 밀도의 유 도 식 에 서 , 쇼공 간 (운 동 량 공 간 )에 대한 부 피 가 포
함 되 었 다 . 그래서 식 (3.75)로 부 터 ，정공에 대 한 상태 함수의 밀도 는 다 음 과 같이 비례
한다.

g A E ) “ 부피 « « ) 3/2 = (m태)3/2 + (mtt)3,2

유 효 정공 질량의 상 태 함 수 밀도는 그때 다 음 과 같다.

m% = [( w M)3’ 2 + ( mtt)3' /3

실리콘에 대해서, mhh = 0.49w o^ mlh = 0.1 6m /> l 며，다 음 과 같다.

m% = [(0.49m。)3-2 + (0.1 6m。)3’2]2’3 = 0.55mo

여기에서 쎄 는 상태 정공 유효질량의 밀도이다-

F. 3 전 도 성 유 효 질 량
전도성 유 효 질 량 -전 자 5장으로부 터 인가 전계에 기 인 한 캐리어의 평균 드 리 프 트 속
도 는 다음 식으 로 주어 진다.

여기에서 '는 충돌사 이의 평균 시 간 이 고 ，E 는 전계， 는 현재 전도성 유효질량이다.

간 단 한 전자가스에 대 해 서 ，전자의 운 동 에 너 지 는 다 음 과 같이 쓸 수 있다.

E = = ^ + 2 ^ + ^

실 리 콘 과 타원면 에너지 표면의 경우에 대해서，다음 식 을 갖는다.

F _ P ,2 + 넜 + P i
E ~ 2 ^ + 2 ^ + 2^

운동에너지에 대해서 두 식이 만약 다 음 과 같다면 운 동 에 너 지 는 동일하다.

2m

혹은

* + 士

다 시 ，실리콘에서 전자에 대해 서 ，mt = 0 . 1 9 '와 = 0.98m 를 가진다. 그때

3 _ 2 , 1
m*n 0.1 9m0 0.98mo

위 식은 에 = 0.26m o, 여기에서 은 전자에 대한 전도성 유효질량이다.

전도성 유 효 질 량 -정 공 5장 으 로 부 터 ，정공에 기 인 한 드 리 프 트 전류 밀 도 는 다 음 식에
의해서 주어진다.

J = e ^ pPE = e (돕 )pE

충 돌 사이에 평균 시간이 무 거 운 정 공 과 가 벼 운 정공이 동 일 하 다 고 가 정 하 면 ，다 음 과

같이 쓸 수 있다.

JTotal = Jhh + Jlh

위 식은 다 음 과 같이 쓸 수 있다.
 APPENDIX F 유 효 질 량 개념 7 31

■ 으 (쿨 )«)3/2
여기에서 p 는 전체 정 공 농 도 이 고 , 네 ) 3/2에 비례한다. 파라미터 는 정공에 대한 전
도성 유 효 질 량 이 고 , m*dp는 정공에 대 한 상태 유효질량의 밀도이다.
무 거 운 정공 과 가 벼 운 정공에 대한 각 전류 는 다 음 식에 비례한다.

■hh a e (둔 ) ( m M)3/2 = e (e T c)(m hh)l/2

J ih a e (움 ) = e (e T c )(m „,y /2

그때 다음 식을 가진다.

쓰벌— = (mhhy/2 + (m,hy/2

'^cp

혹은

* = (^ dp)3/2 = (m hhy /2 4- (m ih )3/2

m cp (f n hh)1/2 + (r n lhy /2 (m hh)l/2 + (m lh)l/2

실리콘에 대해 서，다시 mhh = 0.49m 와 m/ J = 0.1 6m 을 가 지 며 ，그래서

* (0.49 3/2 + (0. \ 6 m y /2 세

∼ - (0.49” 마 + (0.1 6하,y /2 = °-37^

과 는 정공에 대한 전도성 유효 질 량 이 다 .

F .“ 요약

게르 마늄 의 에너지대 구 조 는 전도대 에서 4 타원 면 에너지 표 면 과 무 겁 고 가 벼 운 정공

에 대 응 하 는 가 전 자 대 에 서 2 구면 에너지 표 면 을 갖 는 실 리 콘 과 본 질 적 으 로 동 일 하
다. 상태 유 효 질량의 밀 도 와 전도성 유 효 질 량 에 대 한 계 산 은 실 리 콘 에 대해서 그때
그 러 한 것 들 과 동 일 하 다 . 갈 륨 아 세 나 이 드 또 한 무 겁 고 가 벼 운 정공에 대 응 하 는 가전
자대에서 2 구면 에너지 표 면 을 갖 는 다 . 그래서 정공에 대한 상태 유 효 질량의 밀 도와
정공에 대 한 전도성 유 효 질 량 에 대 한 계산 은 실 리 콘 에 대해서 그때 그 러 한 것 들 과 동
일하다.
전 자 와 정공에 대 한 유 효 질량의 밀 도 는 각 각 과 로서 각 각 표 기 한 다 . 전자
와 정공에 대한 전도성 유 효 질 량 은 각각 乂™ 과 로서 각 각 표기한다. 상태 유 효 질량
의 밀도 와 전도성 유효질량이 이용되든지 아니든지 간에 문제의 전후 관계로부터 명확
해야 한다.
 x
_
•
z

LLI
a.
•
<

오류 함수
、、 빼^^^설li혈

e rf⑵ = w L e" dt
e rf (0) = 0 e rf ( )= 1

e rfc (z ) = 1 - e rf (z )

z erf(z) Z erf(z)
0.00 0.00000 1.00 0.84270
0.05 0.05637 1 .05 0.86244
0.10 0.1 1 246 1.10 0.88021
0.1 5 0.1 6800 1 .1 5 0.8961 2
0.20 0.22270 1.20 0.91 031
0.25 0.27633 1 .25 0.92290
0.30 0.32863 1 .30 0.93401
0.35 0.37938 1 .35 0.94376
0.40 0.42839 1 .40 0.95229
0.45 0.47548 1 .45 0.95970
0.50 0.52050 1 .50 0.9661 1
0.55 0.56332 1 .55 0.971 62
0.60 0.60386 1 .60 0.97635
0.65 0.64203 1 .65 0.98038
0.70 0.67780 1 .70 0.98379
0.75 0.71 1 1 6 1 .75 0.98667
0.80 0.7421 0 1 .80 0.98909
0.85 0.77067 1 .85 0.991 1 1
0.90 0.79691 1 .90 0.99279
0.95 0.82089 1 .95 0.9941 8
1.00 0.84270 2.00 0.99532

7 32
 선택된 문제의 해답

C hapter 1 Chapter 2
1.1 的 4 원 자 ， ( 切 2 원 자 ， (a) 8원 자 2.5 A = 0.254 ju-m(금 ) ，A = 0.654 /xm ( 세 슘 )
1 .3 (a) 2.35 A, (b ) 5 X 1022 원 자 /cm3 2.7 (a) ( 11.2 A, (ii) 3.54 A, (Hi) 1.12 A; (b) 0.262 A
(c) 2.33 gm/cm3 2.9 10.3 keV
1 .5 (a) 2.447 A, (b) 3.995 A 2.1 1 (a) 12.4 kV, (b) 0.11 A
1 .7 (a) 3.9 A, (公) 5.515 A, 2.1 3 (a) ( p = 8.783 X 1( 26kg-m/s,
(c) 4.503 A, (d) 9.007 A (ii) A E = 1.31 eV;
1 .9 (a) 0.228 gm/cm3, (b) 0.296 gm/cm3 (公) ( Ap = 8.783 X 10~26kg-m/s,
1 .1 1 (b) a = 2.8 A, (c) 2.28 X 1022cm— 3Na와 Cl (ii) A E = 5.55 X 10_2eV
양 쪽 에 대 해 서 ， (d) 2.21 gm/cm3 2.1 5 (a) At = 8.23 X 10~16s, (公 ) = 7.03 X 10一25kg-m/s
1 .1 3 (a) A와 B원 자 에 대 해 서 ，4.687 X 1014cm 2,
2,17 |A| = w
( 切 A와 B원 자 에 대 해 서 ，3.315 X 1014cm-1
2.1 9 ( a ) P = 0.393, (b) P = 0.239, (c) P = 0.865
1.15 (a) (i_) 그 림 1.10b 참 고 ，
2.21 (a) P = 0.25, (公 ) P = 0.25, (c) P = 1
(i/) 그 림 1.10c 참 고 , 2.23 (a) 小(jc, t) = A e \ p [—j(k x + co ],
(m) (110) 면 과 동 일 ,
( 公) k = 8.097 X 108n r 1, A= 7.76 X 10一9 m,
(iv) p = 2, 公 = 3, i = 6에 서 교 차 ) = 7.586 X 1013rad/s
(的 수 직 면 방 향 2.25 E, =6.69 X 10 3eV, E 2 = 2.67 X l ~2eV,
1 .1 7 (634) plane E3 = 6.02 X l -2eV
1 .1 9 (a) (i) 4.47 X 1014cm-2, (ii) 3.16 X 1014cm-2, 2.27 (a) n = 7.688 X 1029, (公) E n+i = 15 mJ, (c) No
(iii) 2.58 父 1014cnr2;
2.29 少i = A cos ( 풍 ) ，ijj2 = B sin ( 으등프),
(b) ( 4.47 X 1014cm-2, (ii) 6.32 X 1014cm-2,
(Hi) 2.58 X 1014cm-2; .A3 = C c o s ( ^ ) ^ 4 = D Sin (4 M )
(c) (/) 8.94 X 1014cm-2, (ii) 6.32 X l 14cm-2,
(H i) 1.03 X 1015cm-2 2.31
( 싸 =£ 陰 + )
1 .21 (公 ) 1.328 X 1022cm'3, 2.33 ( a) i h M = B i e x p i-jk ix X kx = 뿔 '
(b ) 3.148 X 1014cm-2,
小 2(x) = A 2exp (j k 2x) + B 2e x p (- j k 2x),
(c) 4.74 A, (d) 5.14 X 1014cm'2, 3.87 A
1 .23 1.77 父 1023cm-3
1 .25 (a) 1.542 X 10_7, (公 ) 2.208 X 10~5 h - h \2 T = k jc 2
( b)R =
스

1 .27 d /a = 116 k2 + kl ) ， _ 此 + 切 2
734 A P P E N D IX

2.35 (公) T = 0.0295, ib) T = 1 .24 X 1 0_ 5, (c) rii = 1.38 cm-3; 3.28 X 109 cm-3;
( c ) N = 1 .357 X 1 010 cm- 3 5.72 X 1 012 cm- 3
2.37 (次) T = 5.875 X 1 0-7, (公) a = 0.842 父 1 0시4 m 4.3 (次) T = 367.5 K, (b) T = 41 7.5 K
T = 4 kjk 3 4.5 (a) 9.325 X 10_6, (b) 4.43 X 10_4, (c) 3.05 X 10~3
2.39
—(ki + w 4.7 0.0854
2.41 E x = -1 3.5 8 eV, E 2 = 一3.395 eV, 4.1 1 F or T = 200 K, E Fi 一 Emidgap = -0.0086 e V;
E t, = —1 .51 eV, E 4 = —0.849 eV F or T = 400 K, E Fi — Emidgap = —0.01 71 e V;
For T = 600 K, E Fi 一 Emidgap = -0.025 7 eV
Chapter 3
A -t-y ^ jrj, ~ { E C一 E F)]
3.5 (b) (/) a a = t t, a a = 1.72977 4.1 3 n = K • kT exp ----- 관 -----1
(ii) a a = 2 t t , a a = 2.61 77T
4.1 5 n = 1 5.4 A, E = 0.029 eV
3.9 (a) \ E = 0.559 e V, (b) 표 = 2.1 5 eV
4.1 7 (公) 0.2148 e V ，(公) 0.9052 e V, (c) 6.90 X 103 cm-3,
3.1 1 (a) = 1 .005 eV, (公) A E = 3.635 eV
(d) Holes, (e) 0.338 e V
3 3 m*(쇼) < m*(公) 4.1 9 (a) 0.2764 e V, (公) 2.414 X 1014cm-3, (c) p type
3.1 5 A， B: 속도 = 방향; 4.21 (a) n = 6.86 X 1015 cm-3, p = 7.84 X 107 cm— 3;
C, D: 속도 = +;c 방 향 ; (公) Ec — E F = 0.2153 eV, p = 7.04 X 103 cm-3
B, C: 양 질량 ; A, D: 음 질량
4.23 (a) n = 7.33 X 1013cm-3, p = 3.07 X 106 cm 一3;
3.1 7 A: m* = —0.976mo; B: m* = —0.081 3斤i0
(公) n = 8.80 X 1 09 cm-3, p = 3.68 X 1 02 cm- 3
3.21 (a) m^n — 0.56m。
，(公) m*n = 0.1 2m0 4.25 (a) 0.2787 e V, (b) 0.841 3 e V, 切 1 .1 34 X 1 09 cm -3,
(d) Holes, (e) 0.2642 e V
3.2s ^ = ^ V ¥ = L 25t 4 i ^ m" r ，
4.27 (a) p = 6.68 X 1014cm-3, n = 7.23 X 104 cm 一3;
3.27 (公) ( gv = 4.1 2 X 1 019 cm 3, (公) E F - E v = 0.3482 eV, n = 8.49 X 1 09 cm"3
(ii) gv = 6.34 X 1 019 cm-3;
4.29 0.0777 eV
(公) ( gv = 3.27 X 1 019 cm -3,
(ii) gv = 5.03 X 1 019 cm"3 4.31 E = Ec + \k T , E = E v - ^ k T
3.29 (a) 2.68, (公) 0.0521 4.35 (a) p = 3 X 1015cm-3, n = 1.08 X 10'3 cm 一3;
3.31 (a) 1 20; (公) (i) 66, (ii) 495 (公) n = 3 X 1016cm一3, p = 1.08 X 10-4 cm-3;
3.33 (a) 0.269, (b) 6.69 X 1 0_ 3, (c) 4.54 X 1 0~5 (c) n = p = 1 .8 X 1 06 cm"3;
(d) p = 4 X 1 015 cm-3, n = 1 .44 X 1 02 cm—
3;
3.35 E f = E( \ Ev = Emidgap
(e) n = 1014cm"3,p 0 = 1.48 X 107 cm-3
3.37 (公) E f = 2.35 e V, (公) E F = 5.746 eV
4.37 (a) = 8.85 X l - ' (b)fF(E) = 2.87 X 10_5
3.39 (a) E 1 = E f + 4.6소r ，(b )f( E = 0.01
4.39 (a) n 형; (公) n„ = 8 X 1014 cm"3,
3.41 (a) 0.00304, (b) 0.1 496, (c) 0.997, (d) 0.50
p = 2.81 X 105 cm-3;
3.43 (公) A t E = E u f( E ) = 9.3 X 1 0_ 6;
(c) N'a = 4.8 X 1 015 cm-3, n = 5.625 X 1 04 cm-3
A t E = E2, 1 -/( ) = 1 .66 X 1 0—19
4.41 n = 6.88 X 1 011 cm-3，/ = 2.75 X 1 012 cm-3,
(b) A t E = E u f{ E ) = 7.88 X 1 0_ 18;
N a = 2.064 X 1012cm-3
A t E = E2, 1 -/( ) = 1 .96 X l -7
4.45 rii = 5.74 X 1013 cm-3, p = 3 X 1013 cm-3
3.45 (公) Si: /( ) = 4.07 X 1 0_ 10; Ge: f( E ) = 2.93 X 1 0_6;
4.47 (fl)n 형 ; (公) … = 1.125 X 1016cm一3,
G a A s :/(公) = 1 .24 X 1 0_ 12;
= 2 X 104 cm-3;
(b) (a) 부분과 같은 값
(c) Nd = 1 .825 X 1 016 cm- 3
3.47 (公) A E = 0.1 01 7 e V, (公) A E = 0.2034 eV
4.49 For 1 014 c m -3, E C- E F = 0.3249 eV,
Chapter 4 E f — E Fi = 0.2280 e V;
4.1 (a) Hi = 7.68 X 104 cm— 3; 2.38 X 1 012cm-3; 1 015 cm-3, Ec — E F = 0.2652 eV,
9.74 X 1 014cm-3, E f 一 E Fi = 0.2877 eV;
(公) n, = 2.1 6 X 1 010cm-3; 8.60 X 1 014cm一3; 1 016 cm 3, Ec — E F = 0.2056 eV,
3.82 X 1 016cm' 3, E f - E Fi = 0.3473 eV,
 APPENDIX H 선택된 문제의 해답 7 35

1 017 cm -3, E c - E f = 0.1 459 eV, (비 n 형 : E = 1 3.6 V/cm;

E f 一 E Fi = 0.4070 eV p 형 : E = 93.75 V/cm;
4.51 T = 200 K, E Fi - E f = 0.421 2 eV, 보 상 : E = 25 V /cm
T = 400 K, E Fi - E f = 0.2465 eV, 5.25 (a) 2388 cm2/V-s, (公) 844 cm W -s
T = 600 K, E Fi — E f = 0.0630 eV 5.29 n(0) = 0.25 X 1 014 cm- 3
4.53 (a) E Fi - Emidgap = +0.0447 e V; 5.31 (a) n(x\) = 1 .67 X 1 014 cm-3,
(公) ( Acceptors, (ii) Na = 1 .97 X 1 013 cm-3 (公) n{xx) = 8.91 X 1014cm-3
4.55 (a) ( Ec - E f = 0.21 88 eV, 5.33 JT mi = -1 8 A/cm2
( ii ) N'd = 1 .031 X 1 016 cm 3; 5.35 E — 1 4.5 — 26 exp ( 끊 ) V/cm
(b) ( Ec - E f = 0.1 594 eV,
(ii) K = 1 .71 8 X 1 015 cm- 3 5.37 (a) n(x) = 6.51 X 1 015 —(3.255 X 1 0l5) e x p|^p
4.57 억셉터 추 가 ，紙 = 4 X m 15cm- 3 (b) n(0) = 3.26 父 1 015 cm_ 3,
4.59 (a) 0.2009 e V, (b) 1 .360 e V, (c) 0.7508 eV, n(50) = 6.1 9 X l 15 cm-3;
(d) 0.2526 e V, (e) 1 .068 eV (c) Jdrf = 95.08 A/cm2, Jdiff —4.92 A/cm2
5.39 ( a)E 24.1 _ 1 3.4
r, (b) E :
C h a pter 5 - 1
(i z)
5.1 (a) p = 4.808 fl-c m , (公) a = 0.208(ft-cm)_1 5.41
5.3 (a) Nd = 6 X 1 016 cm -3, = 1 050 cm2八， -s; 5.43 (a) Jdiff — —(1 .24 X 1 05) e x p (—중) A/cm2,
(公) N a = 1 017 cm-3, tip = 320 cm2/V-s (b) E = 2.59 X l 3 V/cm
5.5 卜 = 1 1 1 6 cm W -s 5.45 (公) ( 29.8 cm2/s, (ii) 1 60.6 cm2/s;
5.7 (公) R = 1 00 0, (公) ■= O. Ol(H-cm)-1 , (公) ( 308.9 cm W -s, (ii) 1 351 cm W -s
(c) Nd = 4.63 X 1 015 cm 3, 5.47 (a) VH = -0.31 25 mV, (b) EH = -1 .5 6 X 1 0一2 V/cm,
(d) Na = 1 .1 3 X 1 015 cm-3 (c) i n = 31 25 cm W -s
5.9 (次) L = 0.0256 cm, (公) vd = 1 .56 X 1 06 cm/s, 5.49 (公) VH = -0.825 m V, (公) n 형，
(c) / = 80 m A (c) n = 4.92 X 1 015 cm-3, (d )! n = 1 01 5 cm W -s
5.1 1 (a) Si: t, = 8.33 X 1 0시 1s, GaAs: tt = 1 .33 X 1 0一11 s;
(公) Si: t, = 1 .05 X 1 0- 11 s, GaAs: tt = 1 .43 X 1 0-11 s C h a pter 6
5.1 3 (a) /? = 1 .3 X 1 017 cm-3, n = 2.49 X 1 0_5 cm 一3; 6.1 (a) n = 5 X 1 015cm-3, p = 4.5 X 104cm-3;
(b) n = 5.79 X l 14 c m~\ p = 3.89 X l 5 cm一3 ib) R' = 5 X 1020 cm-3s ' 1
5.1 5 (a) ( 4.39 父 1 0一6(Q-cm)-1， 6.3 (幻) T„ = 8.89 X 10+6s,
(ii) 2.23 X l - 2 (n_ cm)一1， (b ) G : =1 .1 25 X 1 09 c m ^ s -1,
(iii) 2.56 X l _9 (fl-c m 1; ( c ) G -^ = 1 .1 25 X 1 09 cm- 3 s' 1
(b) ( 5.36 X 109a (ii) 1.06 X 106 dF _
(iii) 9.19 X 1012a 6.7 —2 X 1 019 cm-3 s_1
~ dx ~ ~
5.1 7 cravg = 3.97 (fl-cm)-1 6.9 (公) i i ' = t i n = 1 300 cm2/V-s;
5.21 (公) / = 1.60 A/cm2, (公) T 프 456 K ib) D ' = Dn = 33.67 cm2/s;
5.23 ( a ) n형 : = 5 X 1016cm-3, p = 4.5 X 103cm-3; ( ) Tnt = Tn — 10-7 S, = 2.18 X 104 s
p 혀 : p = 2 X 1016cm-3, 6.13 (a) 0 5_ , _ 10_6s。 에. ， 대해서 :
_

n °= 1.125 X 104 cm-3; 보상 : 8n = 8p = ( 2 X l 14)[f l

n = 3 X 1016cm~3, p = 7.5 X 103 cm '3; exp ( 곬 ) ] c m_
t > 10_6s 에 대해서 :
(公) n 형 : f in = 1100 cm W -s; ~ ( f - 10 一«)
8n = 8p = (2 X 1 014) exp
p 형 : iJip = 400 cm W -s; T"pO
(^7) 0 < r < 10_6s 에 대해‘_서 :
보 상 : 卜 = 1000 cm2八， -s;
( j — 6.0 + 0.25 |^1 — e x p ( y f ) l (d-cm)
(c) n 형 : ■= 8.8 (O-cm 1;
p 형 : a = 1 .28 (H-cm)-1 ; r $ l ( r 6s 에 대 해 서 :
~ (t - 10"6)
보 상 : • = 4.8 (fl-c m )-1; : 6.0 + 0.250 exp Tp
7 36 A P P E N D IX

6.1 5 (次) Tn = 2.5 X l _7 S Chapter 7

(公) 8n = 8p = (5 X 1014)[1 — exp ( 근 )] cm-3, 7.1 (a) ( 0.611 V, (ii) 0.671 V, (iii) 0.731 V;
(公 ) ( 0.731 V, (ii) 0.790 V, (iii) 0.850 V
Rr = (2 X 1021)[1 — exp ( 근 )] cm-3 s-1;
7.3 (公 ) Na = Nd =- 1014cm-3, Vbi = 0.4561 V에 대 해 서
(c) ( 7.19 X l -8 s, (ii) 1.73 X 10~7 s,
0.5754 V
1015cm-3,
(iii) 3.47 父 10一7 s, (iv) 7.49 X 10—7 s
1016cm-3, 0.6946 V
6.1 7 (a) (/) 0 < r < 5 X l -7s에 대해서 : 0.8139 V
1017cm-3,
8p = (2.5 X 1014)[l - exp ]cm -3,
(公 ) Na = Nd == 1014cm-3, Vbi = 0.9237 V 에 대 해 서
수 5 X 10_7s에 대해하 _ : 1015cm-3, 1.043 V
8p = (1.58 X 1014) exp — - — y ~ ~ — ~ cm-3; 1016cm-3, 1.162 V
(ii) At f = 5 X 10"7 s: 8p = 1.58 X 1014cm"3; 1017cm—3, 1.282 V
(b) ( 0 < f < 2 X 10_6s 에 대 해 서 : (c) 실 리 콘 :
8p = (2.5 父 1014) [1 - exp (국^ )] cm 一3, Na = Nd ==1014cm-3, Vbi = 0.2582 V에 대 해 서
r 는 2 X 10_6s 에 대 해 서 : _ 1015cm- 3, 0.4172 V
Sp = (2.454 X 1014)exp _ { t _ 유으 1 &) cm—3; 1016cm-3, 0.5762 V
(ii) At r = 2 x 10_6 s: 8p = 2.454 X 1014cm_3 1017cm-3, 0.7353 V
6.1 9 (a) 8n = 8p = (2 X 1014) exp (호 프 ) c m '3, GaAs:
Ln = 5.575 X 10'3 cm; Na = Nd == 1014cm-3, Vbi = 0.7129 V에 대 해 서

(b) Jn = 一 0.1 개 4 exp (7 프) A/cm2, 1015cm-3, 0.8719 V

1016cm-3, 1.031 V
Jp = +0.1 784 exp ( 귀 A/cm2 1017cm-3, 1.190 V
6.21 8n(x) = (5 X 1 014) exp(-^~) cm一
3, L„ =5X 1 0_3 cm; 7.5 (a) n : Ef - E Fi = 0.3653 eV,
측

p측 : E Fi —E F = 0.3653 eV;
Jn(x) = -0. 4 exj슈 ) A/cm2, (b) Vbi = 0.7306 V;
Jp{x) = +0.4 exp (고 스 ) A/cm2 (c) Vbi = 0.7305 V;
(d) xn = 0.154 /Lim, xp = 0.154 /im,
6.25 0 드 f 드 : = 에 대해서 |Emax| = 4.75 X 104V/cm
t ^ T : 8 n = ( r 에 대해서 7.7 T = 200 K, Vbi = 1.257 V에 대 해 서
6.27 lip = 390.6 cm2/V-s, Dp = 10.42 cm2/s 300 K, 1.157 V
6.31 (a) EFi - Ef = 0.3294 eV; 400 K, 1.023 V
(b) EFn - EFi = 0.2697 eV, EFi 一 EFp = 0.3318 eV 7.9 (a) = 0.635 V;
6.33 (a) 8n = 8p = 5.05 X 1014cm—
3; (公 ) xn = 0.864 m,
(公) EFi —EFp = 0.3362 eV; xp = 0.0864 /Ltm;
(J)|Emax| = 1 .34 X 104V/cm
(c) ( Ef - EFp = kT\n (P p f P), 7.1 1 7 = 380K
(ii) Ef 一 EFp = 2.093 meV 7.1 3 ( a) Vbi = 0.456 V,
6.39 (a) R = — 우 ( b) xn = 2.43 X 10_7cm,
Tp + 一Tn
6.41 (a) (i) Sp = 1014cm (c) xp = 2.43 父 10'3cm,
(ii) 8p = 1014■1 0.167 exp |- ^ j | cm-3, (J)|Emax| = 3.75 X 102V/cm
7.1 7 (a) Vbi = 0.8081 V;
(iii) bp = 1014 1 - exp 유 께 cm-3, Lp = 10-3cm; (公 ) 지 = 0.2987 [im,
(公) (/) 5p(0) = 1 014cm 一3， xp = 0.0597 /xm, W = 0.3584 /xm;
( ii ) 5/?(0) = 0.833 X 1 014cm-3, (c) |Emax| = 1.85 X 105V/cm;
( iii ) 8p(0) = 0 (d) C = 5.78 pF
6.43 (a) 8p(x) = 1 018(20 X 1 0'4 —x) cm-3, 7.1 9 ( a) A V bi = 0.02845 V, ( b) 1.732
(公) = 1 018(70 X l -4 - x) c u t 3 7.21 (公) 3.13, (公) 0.316, (c) 0.319
 APPENDIX H 선택된 문제의 해답 737

7.23 ∼ = 2.58 V 8.23 r s 5 0 2 K , 역 바이 너스 전류

7.25 (a) L = 3.306 mH; 8.29 (a) T = 567 K, I s = /gen = 2.31 4 )uA;
(公 ) ( / = 0.794 MHz, ( ii ) f = 1.069 MHz (公) Va = 0.5366 V
7.27 ( a ) Na = 6.016 X 1015cm-3, Nd = 1.504 X 1015c n r3; 8.31 Va = O A W :Id = 7.64 X l —16A, Irec == 1 .35 X l - 10A;
(b) Na = 1.19 X l 16 cm-3, Nd = 2.976 X 1015cm 一3 0.6 V: 1 .73 X l - 12 A, 6.44 X 1 0~9 A ;
7.29 (a) VR = 193 V, (b) xn = 0.5 사 m, 0.8 V: 3.90 X l -9 A, 3.06 X 1 0_ 7 A ;
(c) |Emax| = 7.65 X 104 V/cm 1 .0 V: 8.80 X 1 0~6 A, 1 .45 X 1 0~5 A ;
7.31 (公) N = 5.36 X 1015cm-3, (公) A = 7.56 父 10_5 cm2, 1 .2 V: 1 .99 X 1 0~2 A, 6.90 X 1 0—4 A
(c) V/? = 2.96 V 8.35 Jgen 一 1 .5 X 1 0~3 A/cm2
7.33 (a) Vbi = V M \N^ d l 8.37 (a) rd — 21 .6 Q — 1 1 .6 nF;
. 미 . (b) ^ = 21 6 f l, Cd — 1 .1 6 nF
_ eNa0
아나영역내: (x + X p) 8.39 1 0kH z, Z = 25.9 - _ /0.081 4에 대해서 ;
eNd x _ eNd 1 00 kH z, Z = 25.9 - y'0.81 4에 대해서 ;
n 영역 : 0 < jc < jco，
E 1 M H z, Z = 23.6 - y'7.41 에 대해서 ;
2e
X (xn 1 0 MH z, Z = 2.38 一/7 .49 에 대해서
f);
~eNd 8.41 Tp = 1 .3 X 1 0_7 s; Cd = 2.5 X 1 - 9 F
x < x < xn, E (X n 一 X )

7.35 ( a) N a = 1 .29 X 1016cm-3, 8.43 (a) R = 72.3 f l, / = 1 .38 mA

(b )N a = 2.59 X 1 016 cm- 3 8.45 (a) Va = 0.4896 V ，(公) Va = 0.4733 V
7.37 (a) VB = 75 V, (b) VB = 450 V 8.47 (a) 는 = 0.956, (b) 는 = 0.228
7.39 xn (min) = 5.09 人 tm 8.49 2.21 X l -7 s
7.41 (a) VR = 4.35 X l 3 V ，(公) = 1 .74 X 1 04 V
C h a pter 9
(항복이 각각 경우에는 먼저 도달하는 것을 주의)
9.1 (c) (j)n = 0.206 V, (j) B = 0.27 V,
C h a pter 8 Vbi — 0. 06 4 V ，| E max| = 1 .41 父 1 04 V /c m ,

8.1 (a) 60 mV, (b) 1 20 mV (d ) (f )Bn = 0. 5 5 V ，|匕 = 3 . 2 6 X l 4 V /c m

8.3 (a) p„ (xn) = 4.0 X 1 0" cm-3, 9.3 (a) cf>B \.09 V;

np ( —Xp) = 1 .0 X 1 011 cm-3; ( 公) V bi = 0. 8 8 4 4 V ;

(公) p n (xn) = 9.03 X 1 014 cm 一3， (c ) ( /) x „ = 0. 4 9 3 9 /jim , |Emax| = 7 . 6 3 X 1 04 V /c m ;

np ( —Xp) = 2.26 X 1 014 cm-3; (ii) x n = 0. 8 7 2 8 /x. m, |Emax| = 1 .35 X 1 05 V /c m
(c) p n ( = 0, np (~ x p) = 0 9.5 ( 公 )如 = 0 . 1 1 7 7 V ;

8.5 (a) In = 1 .85 mA, (公) Ip = 4.52 mA, (c) I = 6.37 mA (c ) Vbi = 0. 7 6 2 3 V ;

8.7 (次) I = 0.244 mA, (公) / = -1 .5 68 X 10_8 A (d) (i) xn = 0.7147 fxm, |Emax| = 4.93 X 104 V/cm,
8.9 V = -5 9.6 mV (ii) xn = 1.292 /Lim, |Emax| = 8.92 X 104 V/cm
8.1 1 (公) j f - = 1 2.73, (公) j f - = 0.354 9.7 (a) Vbi = 0. 9 0 V ，(b) N d = 1 .05 X 1 016 c m -3,
( c ) ( j) n = 0. 09 8 5 V , ( d ) (f>Bn = 0. 9 9 8 5 V
8.1 5 (公) p 美 : E Fi - E f = 0:329 e V ，n 측 :
9.1 3 D [t = 4.9 7 父 1 0 " c m -2 e V 1
E f - E Fi = 0.407 e V;
9.15 (a) (/>B = 0. 6 3 V ; ( 0. 1 5 1 V , (ii) 0. 2 1 1 V ,
(公) Is = 4.426 X 1 0시5 A, / = 1 .07 /xA;
(in) 0. 2 7 0 V ;
(c) 1곡 = 0.0741 (b) (i) 0. 06 5 4 V , (ii) 0. 1 3 1 7 V , (Hi) 0. 2 01 V
9.21 p n 접 합 : (a) 0. 6 7 8 V , (公) 0. 7 1 8 V , ( c ) 0. 7 3 2 V;
8.1 7 (a) 8pn(x) = (3.81 X 1 014) exp (2 83 x^l O "4) cm 3,
쇼트키 접합 : ⑷ 0. 4 4 7 V , (公) 0. 4 8 7 V ,
(公) Jp = 0.597 A/cm2, (c) J„ = 1 .39 A/cm2 ( c ) 0. 5 01 V
8.1 9 (a) Np = 1 .51 X 1 04, Nn = 2.41 X 1 03; 9.23 pn 접 합 : (a) 0 . 6 9 1 V ，(公) / = 1 2 0 m A ;
(公) Np= 7.1 7 X 1 05, Nn = 1 .1 5 X 1 05; 쇼트키 접 합 : (비 0. 4 4 5 V ，(公) I = 5 3 . 3 m A
(c) Np= 3.40 X 1 07, Nn = 5.45 X 1 06 9.25 (a) R = 0.1 O , (b) R = l ( c ) /? = 1 0 (1
8.21 (b) (i) = 1 383, (ii) = 1 .1 7 X 1 05 9.27 ( 次) <\>Bn = 0. 2 5 8 V , ( 公) (f>Brt = 0. 1 9 8 V
738 A P P E N D IX

9.29 Nd = 3.5 X 1 01 8c m -3 10.47 (a) ( k'n = 86.29 fiAJW2, (/;) ^ = 7.24;

9.33 |A C| = 0. 1 7 e V
(b) (i) k; = 40.27 /xA八' (ii) ^ = 1 5.5
Chapter 10 10.49 (a) gmL = 0.1 92 m A A ’ ，(公) gms = 2.21 mA 八가
10.1 (a) 형 , 반전 10.51 VT = 0.386 V
(的 형，공핍 10.53 (a) Vr = -0.35 7 V, (b) VSB = 5.43 V
(c) 형，축적 10.55 (a) rs = 1 98 f l , (公) 1 2% 감소
(幻 형，반전 10.57 ( a )f T = 3.1 8 G Hz, (b )fr = 0.83 G H z
10.3 ( a ) Nd = 8. 3 8 X 1 014 c m - 3, (公) ( j) s = 0. 5 6 6 V
Chapter 11
10.5 (f )ms = -0 . 9 9 3 2 V
10.7 ( a ) V F B = -1 . 0 4 V , ( b ) V F B = -1 . 0 1 2 V
11.1 I d = l - ,5e x p ( ^ ^ ) , I t = ( l 6)/D,
10.9 Q ' J e = 1 .2 X 1 01 0c m -2 P = I t * V d d \ for V g s = -5 V,
10.11 ( a ) V TP = -1 . 2 0 V , ( 公) V TP = + 0 . 2 1 0 V , I D = 9.83 pA, I T = 9.83 /liA,
(c ) V TP = -1 . 0 8 V P = 49.2 사W ; for VGS = 0.7 V,
10.13 A^fl = 4 X 1 016 c m '3 I D — 0.388 nA, I T = 0.388 mA,
10.15 Nd = 5 X 1 01 4c m _ 3 P = 1 .94 mW; for VG5 = 0.9 V,
10.17 ( 公) t c = 0. 8 6 3 /x m , ( 公) V T = -1 .07 V I D = 1 5.4 nA, I T = 1 5.4 mA, P = 77 mW
10.23 ( a ) C ox = 2 . 8 7 6 X 1 0~ 7 F /c m 2, 11.3 (a) A L = 0.1 41 3 /xm, (b) A L = 0.281 6
C F B = 1 . 3 46 X l - 7 F /c m 2, ( c ) A L = 0.0346 jum, ( d ) A L = 0.1 749 /Ltm
C ^ n = 3 . 083 X 1 0_ 8 F /c m 2, 11.5 (公) ( A L = 0.0735 /xm, (i i) A L = 0.1 303 jam,
C \ in v ) = 2.87 6 X 1 0_ 7 F /c m 2;
(ii i) A L = 0.2205 )arn;
( b ) C ox, C FB, a n d 부 분 에 서 불 변 (비 ，
(公) L = 1 .84 /xm
C ( i n v ) = 3 . 083 X 1 0_ 8 F /c m 2;
11.7 (a) (i) ID = 75.94 /xA, (ii) VD = 78.22 [ i K
( c ) V F B = -1 . 1 0 V , V T = -0 . 2 3 8 5 V
(iii) r = 658 k ft;
10.29 ( b ) V FB = -0 . 6 9 5 V ;
(b) ( ID = 0.30375 mA, (i i) VD = 0.31 29 mA,
(c ) ( F o r V G = + 3 V , V ox = 0. 3 5 9 V
(i i i) r = 1 65 k f l
10.31 점 1:반 전 ，2 : 임계 , 3 : 공 핍 ，
11.9 (a) VDS(sat) = 1 V 가정 하면 ; 그때
4 : 평 탄 대 ，5 : 축 적
L = 3 /xm => Esat = 3.33 X 1 03 V/cm
10.33 ( a ) 0. 08 6 4 m A , ( b ) 0. 1 1 5 2 m A , ( c ) 0. 1 1 5 2 m A ,
L = 1 fim 각 Esat = l 4 V/cm
( d ) 0. 4 6 08 m A
L = 0.5 /xm =>•Esat = 2 X 104 V/cm
10.35 ( a ) j - = 9.26, (b ) / = 3 . 06 m A , ( c ) I D = 0. 2 7 1 m A
(公) fJLn = 500 cm W -s, v = „Esat 가정하면，
10.37 ( a ) V g s = 0. 6 V , I D (s a t) = 0. 02 5 m A L = 3 /Ltm =>• = 1 .67 X 1 06 cm/s
1 .2 V , 0. 6 2 5 m A L = 1 /m i =>• = 5 X 1 06 cm/s
1 .8 V , 2 . 02 5 m A L < 0.5 /xm 101 cm/s
2.4 V , 4.2 25 m A 11.13 (a) (/) I D = 0.71 75 m A, (ii) I D = 1 .23 mA,
(c ) = 0. 6 V , I D = 0. 02 2 2 m A (iii) I D = 1 .409 mA, (iv) I D = 1 .64 m A;
1 .2 V , 0. 1 5 6 m A (公) (i) I D = 0.552 mA, (ii) I D = 1 .1 0 mA,
1 .8 V , 0. 2 8 9 m A (iii) I D = 1 .38 mA, (iv) I D = 1 .38 mA;
2.4 V , 0. 4 2 2 m A (c) (功에 대해서，V ds(sat) = 2 V ; (公)에 대해서, Vds(sal
10.39 ( a ) V GS = V , / D (s a t) = 0. 7 1 1 m A 11.15 (비양 바이어스 조 건 , IDe k I D，
0. 8 V , 2 .84 m A (公) P « k2P
1 .6 V , 6.40 m A 11.17 (次) (/) /D(max) = 2.438 mA, (ii) I D(max) = 1 .298 mA;
10.43 V SG < 0. 3 5 V , g d = 0 에 대 해 서 ; (公) (/) P(max) = 7.31 4 mW, (ii) P(max) = 2.531 mW
V s g > 0. 3 5 V , g d = 2 (0. 9 6 1 )( V 5 g 一 0. 3 5 ) 에 대 해 서 11.19 VT = 0.389 V
10.45 V t ^ 0 . 2 V , jLi„ = 3 4 2 c m W -s 11.25 A Vt -> k \ V T
 APPENDIX H 선택된 문제의 해답 739

11.27 W = 1.11 12.27 (a ) x b/ L b = 0. 01 : (xT = 0. 9 9 9 9 5 , /3 = 1 9,999

11.29 A V t ^ k A V T 0. 1 0: 0. 9 9 5 1 99
11.31 (次 ) t ox = 400 A , (公 ) t ox = 600 A 1 .0: 0. 6 4 8 1 .84
11.33 근 처 펀 치 - 스 루 ，。 = 2.08 V; 10.0: = 0 = 0
이 상 적 펀 치 - 스 루 ，外 , = 4.9 V (公) N b/ N e = 0. 01 : 7 = 0. 9 9 0, P = 99
11.35 L = 1.08 jLim 0. 1 0: 0. 9 09 9.99
11.37 도 너 이 온 ，公 / = 7.19 X 10" cm-2 1 .0: 0. 5 0 1 .0
11.39 ( a ) V T = -0.0969 V ; 1 0.0: 0. 09 09 0. 1 0
( 公) 도 너 이 온 ，D, = 3.63 X 1011cm-2 12.29 ( a ) x B = 0.80 /im 놓 자 ，그때 N E — 4.61 X 1018 cm-3;
11.41 VSB = 1 V: A V t = 0.0443 V 에 대 해 서 ( ) ol t
公 = 0. 9 9 9 3 0, 7= 0. 9 9 6 5 6
3 V: 0.0987 V 12.35 ( 次) ( r = 1 0 1 . 7 k H , (i i) g = 9 . 8 4 X 1 0_ 6 ( f l 1，
5 V: 0.138 V ( i i i ) I c = 1 .22 m A ;
11.43 A V t = -2.09 V (公) ( r = 6 4 8 k f t , (i i) g = 1 . 5 4 X 1 0_ 6 ( n ) - 1，
( i i i ) I c = 0. 2 5 3 m A
Chapter 12
12.37 (a ) ( J c = 5 2 . 1 6 A /c m 2, ( i i ) J c = 5 7 . 1 8 A /c m 2,
12.3 (a) Is = 1 .2 X 10 ,5A; (i ii) J c = 6 1 . 85 A /c m 2
(公) ( I c = 38.27 /xA, (/ I c = 0.571 mA,
( 公) V A = 3 8 . 4 V
(m) Ic = 8.519 mA
1 2.39 (a ) 노x dB = 0. 1 1 8 8 다m ，( 公) A /c = 0. 5 1 9 m A ,
12.5 (公 ) p = 65.7;
( c ) V A = 1 3.3 V ，( d ) r = 7 . 7 05 k O
(公 ) (/) 1B = 0.5828 서 A, l E = 38.85 나 A;
12.41 ( a ) N b = 1 .83 X 1 015 c m -3,
(if) IB — 8.695 jiiA, IE = 0.5797 mA;
(公) N b = 4.02 X 1016cm 一3
(iii) I b = 0.1297 mA, IE = 8.649 mA;
12.43 S = 1.42 /xm
(c) p = 165.7;
12.45 ( a ) B V b c o = 1 80 V , ( b ) 公 匕 c(? = 34.5 V ，
( IB = 0.2310 /liA, lE = 38.50 사 A;
( c ) B V eb = 1 9 V
(ii) IB = 3.446 /xA, IE = 0.5744 mA;
12.47 ( a ) B V c b o = 6 4 V ，( b ) V pt = 7 0. 0 V
(iii) IB = 51.41 사 A ， IE = 8.570 mA
12.49 x B — 0. 1 4 8 3 / i m
12.9 (a) p E = 2.8125 X 102cm-3,
12.55 (次) ( i ) r e = 36.26 ps, (i i) T b = 84.5 ps,
n B = 1.125 X 104cm-3,
(i i i) Td = 22 ps, (iv) r c = 0.72 ps;
p c = 2 . 2 5 X 1 05 c m -3 ;
(公) T ec = 143.48 ps;
( b ) n B ( 0 ) = 6 . 06 4 X 1 01 4c m _ 3，
(c ) f T = 1 . 1 09 G H z ;
P e ( ) = 1 . 5 1 6 X 1 013 c m -3
(d ) f p = 8. 87 M H z
12.11 (公 ) VBE = 0.6709 V , (公 ) p E (0) = 5.0 X 1013cm—
3
12.15 (公 ) 0.126%, (公 ) 11.32% C h a pter 1 3
12.19 ( 公) nB(xB) = 6 . 7 X 1 012 c m - 3,
13.3 (a) (/) Vp = 3.31 2 V ，(ii) Vp = -1 .984 V ;
p c ( ) = 9 . 5 6 X 1 013 c m -3 ;
(公) (/) a — h = 0A03 /Lim, (ii) a — h = 0.065 사m,
( c ) x B = 0. 9 9 4 [ x m
(iii) a — h = 0;
12.21 (a) ( y = 0.99305, (ii) a T = 0.990，
( c ) (!) VD5(sat) = 1 .984 V , (ii) 어 sat) = 0.984 V
(iii) 8= 0.990167, (/v) a = 0.97345,
1 3.5 (a ) N a = 9.433 父 1 015 cm 3, (公) Vp = 1 .47 V,
( v ) j3 = 3 6 . 7 ;
(c) VGS = 0.347 V, (d) VSD = 1 .47 V
(公 ) I n = 0.4986 mA, IpE = 1.38 /xA, IR = 1.39 A 1 3.7 (幻) a = 0.50 fim ;
12.23 (a) JnE = 1.779 A/cm2, JpE = 0.0425 A/cm2,
( b ) V p = 3.86 V ;
Jnc — 1.773 A/cm2, JR = 3.22 X 10-3 A/cm2;
( c ) ( V松(sat) = 3.0 V , ( i i ) V SD( s a t ) = 1 .5 V
( 公) y = 0. 9 7 6 7 , a r = 0. 9 9 6 6 , 8 = 0. 9 9 8 2 ,
1 3.9 (a) a = 0.436 /im ;
(x = 0. 9 7 1 6 , j3 = 3 4 . 2
(公) ( V p = 5.886 V , (ii) Vp = 一5.0 V
12.25 (公 ) (/) M 公 ) = 1，(H)
«r (A ) «r(A )
7 40 A P P E N D IX

13.11 (a) Ip\ = 1.03 mA; 14.11 (a) V c = 0.4847 V, (b) V = 0.4383 V,
(公) ( V뇨 (sat) = 1.056 V，(ii) V노 (sat) = 0.792 V, (c) Pm= 46.5 mW, (d) RL = 3.65 n
(ii) V노 (sat) = 0.528 V, (iv) V노 (sat) = 0.264 V; 14.15 (公) V c = 0.474 V, (公) Pm = 67.9 mW,
(c) (/) I i = 0.258 mA, (ii) I D[ = 0.141 mA, (c) R l = 2.37 9 1 ，(넜) P = 55.2 mW

13.13
(ni) I D\ = 0.061 mA, (iv) I D\ = 0.0148 mA
(公) G i = 2.69 X l - 3 S;
1417 =J좃:' 卜(근)_대
Snp 미-떼
14.19 (公) I = 1 20 mA, (b) 8p = 1 014 cm-3,
(公) (/) 어 sat) = 0.35 V, ( i i ) VzM(sat) = 0.175 V;
(c) A a = 2.56 X 1 0_2 (Q -cm)一1，
(c) (z) I i (sat) = 50.6 /xA, (ii) I D\ (sat) = 12.4 /xA
id) 1L = 3.2 m A, (e) yph = 3.33
13.15 (a) gms(max) = 0.295 mS, (公) ^ (m a x ) = 1.48 mS
13.17 (a) Nd = 8.1 X 1015 cm-3, (公) VT = 0.051 V 14.21 /L = 0.131 /xA
14.25 (a) G l ( x ) = (3.33 X 1 020) e x p [-(1 03)x] cm-3 s_1,
13.19 (a) VT = -0.1103 V, (公) a = 0.2095 /xm
(公) 가 = 53.3 m A/cm2
13.21 (a) a = 0.26 ^m ,VT = 0.092 V;
14.27 d = 230 /xm
(公) V 5 (sat) = 0.258 V
14.29 (a) ( Eg = 1 .64 eV, (ii) A = 0.756 /xm;
13.23 (a )k n = 1.206 mAA^2;
(公) (i) I D\ (sat) = 12.06 juA, (ii) /이 (sat) = 0.1085 mA; (公) (i) Eg = 1 .78 e V, (ii) A = 0.697 /xm
14.31 x = 0.38, Eg = 1 .85 eV
(c) ( VD5(sat) = 0.10 V, (ii) V쌔 (sat) = 0.30 V
14.35 AA = 5.08 X 1 0~3
13.27 (a) L = 2.333 /xm, (公) L = 2.946 /xm
13.29 (公) VDS = 2 V, (公) hsal = 0.306 사 m,
Chapter 15
(c) I D\ (sat) = 3.72 mA, (d) I D\ (sat) = 9.05 mA
15.1 그림 8.29 참조
13.31 (公) td = 5 ps, (公) td = 20 ps
13.33 (次) Idg = 0.39 pA, (公) I DG = 0.42 pA, 15.3 fr = 23.9 M H z
15.5 (a) E = 6 X 1 03 V/cm, (公) vd = 1.5 X 1 07 cm/s,
(c) I DG = 0.50 pA
( c ) /= 1 0 G Hz
13.35 f T = 9.76 GHz
13.37 ( a )f T = 8.74 GHz, ( b) f T = 35.0 GHz 15.7 (a) ( VBE = 0.5696 V, (ii) I c = 0.640 A ;
(公) ( VBE = 0.6234 V , (ii) Ic = 5.1 2 A
13.39 (a) Voff = -2.07 V, (b) n5 = 3.25 X 1012cm—2
15.9 N C = 2 X 1 014 cm-3, 베이스폭 = 3.1 6 /사n,
13.41 J = 251 A
컬렉터폭 = 78.9 fim
15.11 (a) p B = 5.96, (公) I ca = 3.23 A
Chapter 14
15.13 (公) R l = 3.60 n , (公) /c,max = 3.33 A
14.1 (公) 1.11 jam, (公) 1.88 ftm, (c) 0.873 /xm, 15.17 (公) Let Nd = 1 014cm 一 3, 채 널 길 이 = 4.86 jam,
(d) 0.919 /i-m
표동 영 역 = 48.6 /xm;
14.3 (a) ( a = 9 X 103 cm—1, ( i i ) 0.66; (公) L et Nd = 1 014 cm-3, 채 널 길이 = 3.08 /xm,
(公) ( a = 2.6 X 104 cm -1, ( i i ) 0.875 표동 영역 = 30.8iL tm
14.5 (a) I v = 0.733 W/cm2, (公) d = 2.56 ixm 15.19 (a) R l = 20 IDttDax = 3 A;
14.7 = 1 . 6 5 eV,A = 0.75 (b) VDD = 42.4 V
 찾아보기

계단 접합 (step junction) 242

계 단 공 핍 증 (abrupt depletion layer) 471
가 속 전 계 (accelerating field) 531
가 전 자 궤도 12, 13 계면 상 태 (interface states) 433
계면 준 위 (interface states) 342
가전자대 73, 74
고 -수 준 주 입 (high-level injection) 195, 303,
가전자대 의 유효상태 밀 도 함 수 111
간섭성 (coherent) 657
322
간접 밴드겝 반 도 체 (indirect bandgap 고 •주입 수 준 296
고 립 된 수 소 원자 60
semiconductor) 84
고온 코일 17
갇힌 입자 36
고 온 전 자 (hot electron) 480, 482
갈 름 비 소 (GaAs) 2
갈륨인 (GaP) 2 고전물리 42
감 마 (gamma) 함수 109 고정 (pinned) 343
강 반 전 (strong inversion) 434 고 체 양 자 이 론 59
개 방 회 로 666 고체의 전기 전도 72
개방회로 전압 627, 628 공 간 전 하 영 역(space charge region) 242,
개별 도너 에너지 상태 118 268
공 간 전 하 재 결 합 전 류 652
개별 억셉터 에너지 상태 119
공 간 전 하 폭 249, 268
거의 비 어 있 는 밴 드 82
공 간 전 하 폭 과 전계 251
거의 채워져 있 는 밴 드 82
공 간 좌 표 205
건 다 이 오 드 675
공 유 결 합 (covalent bond) 12，13, 20, 73
건 (GUNN) 673
공정 전도 파라미 터 (process conduction
격자 결함 15
격자 구 조 19
parameter) 412, 420, 434
격자 (lattice) 3, 20 공 통 이미터 전 류 이 득 (Common base current
격 자 산 란 (lattice scatteing) 160, 182 gain) 497, 560
격자점 (lattice point) 3 공 통 베이스 전 류 이 득 (common-base current
gain) 496, 508, 537, 560
격 자 진 동 14
공 통 베이스 dc 전 류 이 득 510
결정 운 동 량 기
공핍 모드 JFET(Depletion mode JFET) 611
결 정 면 (crystal plane) 6
공 핍 모 드 (depletion mode) 576
결정방향 9
공핍 영 역 (depletion region) 242, 268
결 정 방 향 은 니 11] 9
공 핍 층 커 패 시 턴 스 (depletion layer
결함 14
capacitance) 255, 268
결 합 과 불 순 물 14
공핍 형 MOSFET(depletion mode MOSFET)
경계조건 280
433
경 사 불 순 물 분 포 175
경사형 채널 근 사 (gradual channel 과잉 다수 캐리어 전자 211
과 잉 소 수 캐 리 어 640
approximation) 413
과잉 소 수 캐리어 수명 230
계 단 접 합 근 사 268
과잉 소 수 캐리어 정공 211
계 단 전 위 함 수 39

1 U\
과잉 소수 캐리어의 드 리 프 트 205 voltage) 612
과잉 전자 (excess electrons) 193, 230 내부 양자 효 율 652, 653, 666
과잉 정공 (excess holes) 193, 230 내부 전위 장 벽 (built-in potential barrier)
과잉 캐리어 230 243, 268, 277, 335
과잉 캐리어 농 도 195,210,303 내부 (built-in) 전위 장벽 580
과잉 캐리어 생성 193 내부 (intrinsic) 각 운 동 량 50
과잉 캐리어 수명 219 네온 50
과잉 캐리어의 특성 197 농 도 106
광 다 이 오 드 638 높 은 밴드 ( 전 도 대 ; conduction band) 63
광 트 랜 지 스 터 645
광 흡 수 622
광 흡 수 계 수 622 다 결 정 (P ly crystal)
2
광검출기 621,635,636 다 수 캐 리 어 이동도 166
광 자 (photon) 26, 51 다 수 캐 리 어 전 자 농 도 139,281
광 전 류 666 다수 캐리어 정 공 농 도 138,180
광 전 도 도 637 다 이 아 몬 드 격자 20
광전도체 636 다 이 아 몬 드 구조 10,11,13
광 전 도 체 의 이득 637 다이 아 몬 드 와 섬 아 연 광 격 자 84
광 전 효 과 (photoelectric effect) 26 다이오드의 과도특성 315
광학적 공진 상 자 660 단결정 실 리 콘 격 자 117
구대칭적 확 률 함 수 49 단결정 영역 2
구 불 구 불 한 선 (wiggles) 312 단 결 정 (single crystal) 2
그 레 인 (grain) 2 단 락 회 로 전류 627, 666
그레인 경계 (grain boundary) 2 단 순 입 방 19
금 16 단 순 입 방 (sc) 구조 5 ,7
금 속 82 단 순 입 방 (sc; simple cubic crystal) 4
금 속 -반 도 체 일함수 차 (metal-semiconductor 단 위 셀 (unit cell) 3, 20
work function difference) 434 단일 전자 원자 46, 50
금 속 -반 도 체 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 (Metal- 단채널 효 과 (Short-channel effect) 482
Semiconductor Field-Effect Transistor: 달 링 톤 쌍 (Darlington Pair) 685
MESFET) 573 대규모 집 적 회 로 (VLSI) 16
금 속 -반 도 체 접합 333 대칭성질 96
금 속 결 합 (metallic bond) 13 댕글링 본 드 (dangling bond) 634
금속학적 접합 (metallurgical junction) 242, 댕글링 (dangling) 480
268 도너 불 순 물 원자 175
금 지 에 너 지 밴 드 72,99 도너 불 순 물 (donor impurity) 원 자 118
금지대의 에너지 폭 63 도너 원자 146
기 본 셀 (primitive unit cell) 4, 20 도너 전자 119, 121，128
기생 BJT 692 도너 (donor) 전자 117
기판 (substrate) 17,19,20 도 너 농 도 128
기 판 효 과 계 수 423 도 너 와 억셉터의 통계 149
긴(1 ong) 다 이 오 드 322 도메인 677
깍 지 낀 모양 681 도식적 표현 62
도 펀 트 원자 117
도 펀 트 혹 은 불 순 물 원 자 117
나 트 름 13 도 핑 (doping) 16, 17,20, 117
낮은 밴드 ( 가 전 자 대 ; valence band) 63 도 핑 농 도 139, 166
내부 핀 치 오 프 전압 (Internal pinchoff 동결 (freeze-out) 132, 143, 146
동종에 피 택 시 (homoepitaxy) 18 물질파 27,28
동 종 접 합 333 미분체적 197
동형 (isotype) 357 밀러 효 과 (Miller effects) 543, 646
동형 (isotype) 접합 367 밀 러 지 수 7,20
드레 인 유기 장벽 감 소 (drain-induced barrier
lowering) 471
드 리 프 트 (Drift) 155, 156, 182 반경 60
드 리 프 트 속도 74, 156, 168, 169, 170, 182 반도체 재료 1
드 리 프 트 전류 74, 156, 182 반도체의 성장 16
드 리 프 트 전류 밀도 74, 75, 156, 157, 158, 반 사 확 률 밀 도 함 수 42
182 반 사 계 수 42, 654
등 가 고정 산 화 막 전하 (equivalent fixed oxide 반전 분 포 659, 666
charge) 433 반전 활 성 (Inverse active) 560
등 가 회 로 313,599 반전 활성 모드 499
디 브로이 31 반 전 층 (inversion layer) 378
디 브로이 물 질 파 引 반 전 층 이 동 도 (inversion layer mobility) 434
디 브로이 파 장 (de Broglie wavelength) 28, 반 전 층 전하 (inversion layer charge) 433
36 반전활성 508
발 광 666
발 광 다 이 오 드 (LED: Light Emitting Diode)
라플라스작용자 47 621，651, 666
레이저 다 이 오 드 621, 657, 666 방사성 재 결 합 률 649
리툼 50 방출성 재 결 합 666
방 출 효 율 653
밴드 캡 협 소 (Bandgap narrowing) 559
막스 본 引 밴드 분리 81
맥 스 웰 -볼 츠 만 근 사 96 밴 드 간 천이 647
맥 스 웰 - 볼 츠 만 (Maxwell-Boltzmann) 확 률 함 수 밴드캡 에너지 82
91 밴드캡 중 앙 116
면심 입방 (fee; face centered cubic crystal) 4, 버 렉 터 (varactor) 266
7, 19 버렉터 다 이 오 드 (varactor diodes) 266,268
면심 입방 (fee) 구조 5 베 릴 륨 50
면캐 리 어 (sheet carrier) 605 베이 스 전 송 인 자 (Base transport factor) 560
몰 분 율 650 베 이 스 주행시 간 (Base transit time) 560
무 한 전 위 우 물 36,38 베 이 스 전 류 497
문 지 르 는 과 정 17 베이스 전 송 인 자 (base transport factor) 511,
문턱 반 전 점 (Threshold inversion point) 381, 514
434 베 이스폭 변 조 효 과 541
문턱 아래 전 도 (Subthashold conduction) 베 이스폭 변조 (base width modulation) 522,
482 560
문턱 조 정 (Threshold adjustment) 482 베타 차 단 주 파 수 (Beta cutoff frequency)
문턱 (threshold) 579 548, 549, 560
문 턱 (threshold) 전압 581 변수분리 48
문턱아래 전류 446 변수분리 방법 47
문턱 아 래 (subthreshold) 594, 598 변수분리 상 수 47
문턱 전류 661 변조 도핑 604
문턱 전 압 (threshold voltage) 381, 391, 434 변조-도핑 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 (Modulation
물리적 현상의 요 약 291 Doped Field-Effect Transistor: MODFET)
 605 빈자리-틈새 결함 15
변질 (degenerately) 318 빈 자 리 와 틈 새 결함 15
변 형 된 프 랑 크 상 수 30
변 환 효 율 665
보 상 (compensated) 반도체 133，135，146 사 면 체 (tetra he dral) 구 조 1 0，11
보 상 반 도 체 의 에 너 지 밴 드 134 사이리스터 705
보 스 - 아 인 슈 타 인 (Bose-Einstein) 함 수 91 산 란 1 60, 1 78
보어 반경 49, 120 산 란 현 상 (s c att ering) 1 56
보어 이론 47, 119 산 소 1 6, 50
보어의 원자 모델 119 산 화 막 커 패 시 터 (oxide capacitance) 434
볼츠만 근사 96, 98 산 화 막 항 복 (Oxide Breakdown) 465
부 분 이 온 화 132, 137, 138 삼각형태 전 위 우 물 359
부 분 적 으 로 채워진 밴드 82 상 승 시 간 551
부성 미분 이동도 704 상 태 들 은 비 어 있 다 74
부성 미분 저항 705 상 태 밀 도 함 수 89,98
부성 미분 저항 소 자 675 상 호 작 용 494
부성 미분 저항 현상 674 생성 전류 322
부성 미분 전자 이동도 676 생성 (generation) 192
부 성 (negative) 미분 이동도 170 생 성 -재 결 합 전 류 296
부피 밀도 5 생성률 230
부 하 선 (Load Line) 499 선 결 함 (line defect) 15
분 자 빔 에 피 택 시 (Molecular Beam Epitaxy; 선 단 층 (line dislocation) 15
MBE) 19 선별적 도핑 이 종 접 합 전 계 효 과 트랜지스터
분 포 법칙 91 (Selectively Doped Heterojunction field
불균일 도핑된 반도체 175 effect Transistor: SDHT) 605
불균일 하 게 도 핑 된 접합 262 선형적 기 울 기 를 갖 는 접 합 268
불 소 50 섬 아 연 광 격 자 11，20
불 순 물 15 섬 아 연 광 (zincblend) 구조 11
불 순 물 도 핑 농 도 133 섬 아 연 광 격 자 19
불 순 물 원자 128 소수 캐리어 값 203
불 순 물 확 산 (diffusion) 16 소 수 캐 리 어 농 도 내9
불순물들의 이 온 화 에너 지 122 소수 캐리어 분 포 283
불 화 수 소 (HF) 14 소 수 캐리어 수 명 (excess minority carrier
불확정성의 원리 (uncertainty principle) 26, lifetime) 195
30 소수 캐리어 전자농도 138, 139, 281
붕소 \1 ，50, 118 소수 캐리어 정공 206
비 례 상 수 156 소 수 캐 리 어 정 공 농 도 139
비 방 출 성 재 결합 666 소 수 캐 리 어 확산길이 230
비방출형 과정 647 소 수 -캐 리 어 전자 파라미터 값 203
비 이 온 화 도 너 134 소 신 호 모델 305
비 이 온 화 억셉터 134 소 신 호 어 드 미 턴 스 306
비정질 실 리 콘 태 양 전 지 634 속 도 포 화 168, 182
비 정 질 (amorphous) 2 쇼트키 장벽 저하 340, 341
비죽퇴 (nondegenerate) 반도체 128，146 쇼트키 크 램 프 (S chottky clamped) 350, 552
비평형 과잉캐리어 191 쇼트키 효 과 340, 367
빈상태 73, 74, 78, 106 쇼트키 (Schottky) 장벽 335
빈자리 결함 15 쇼트키 (S chottky) 장벽 높이 367
빈자리 (vacancy) 14 쇼트키 (S chottky) 장벽 다 이 오 드 333, 334
쇼트키 (Schottky) 접촉 606 엠비폴러 이 동 도 계 수 203
수소 50 앰비폴러 전송 (ambipolar transport) 191,
수소 모델 121 197, 200, 230
수 소 분 자 12 앰비폴러 전 송 방 정 식 (ambipolar transport
수 소 원 자 12 equation) 200, 202, 205, 206, 210, 230
수소 원 자 의 가 전 자 13 엠비폴러 파 라 미 터 는 상 수 203
수직 9 엠비폴러 확 산 (ambipolar diffusion) 200
수학적 해석 307 앰비폴러 확 산 계수 (ambipolar diffusion
순 바 이어스 322 coefficient) 202, 203, 230
순바이어스재결합전류 299 약 반 전 (weak inversion) 434, 446
순 방 향 활 성 (Forward active) 560 양 방 향 사 이 리스터 700
순 방 향 바 이 어스 366 양 자 (quanta) 26, 51
순 방 향 -활 성 (Forward-active) 493 양자 우 물 (Quantum Well) 605
순 수 한 단결정 반도체 16 양자 효 율 649
순 전 하 밀 도 (net charge density) 475 양 자 수 37, 48, 50, 52
슈뢰딩거 방정식 32 양 자 역 학 (Quantum Mechanics) 25, 43, 51
슈뢰딩 거 (Schrodinger) 파동방정 식 31, 34, 양 자 역 학 을 고 전 역 학 과 연관 짖기 위하여
35, 47, 51 80
스냅 백 (Snapback) 482 양자의 원리 31
스냅백 항 복 (snapback breakdown) 현상 693 양 자 화 된 에너지 51
스냅백 항 복 466 양 자 화 된 에너지 준위 60
스 넬 (Snell)의 법칙 655 양쪽성 (amphoteric) 121
시간 독립 슈뢰딩거 방정식 32 억셉 터 불 순 물 (acceptor impurity) 원자 119
시간 독립 슈뢰딩 거 파동방정 식 36 억셉터 원자 146
시 간 독립 슈뢰 딩 거 파동방정 식 32 에너지 표와 운 동 량 "의 포물선 관계 68
시 간 독 립 파동방정식 35 에너지 상 태 가 분리 81
시 간 의 존 확 산 방 정 식 198 에너지 상 태 밀 도 함 수 (energy density of
실 리 콘 83 states function) 85
실 리 콘 격자의 2 차원 그림 118 에너지 양자 26
실 리 콘 원자의 가 전 자 13 에너지 준위 117
실 리 콘 주 괴 18 에 너 지 밴 드 60,82
씨앗 17 에 너 지 밴 드 구 조 170
에 너 지 밴 드 다이어그램 270, 299
에 너 지 밴 드 갭 (energy bandgap) 63
아 인 슈 타 인 관계 177, 182 에 너 지 밴 드 로 분 리 61,62
안전동작영 역 683, 705 에 너 지 와 운동 량 과 의 포물선 관계 89
알파 차단 주 파 수 (Alpha cutoff frequency) 에사키 (Esaki) 다 이 오 드 674
547, 559 에 피 성 장 (epitaxial growth) 17
애벌런치 (avalanche) 533 에피층 18,20
애벌런치 항 복 (Avalanche Breakdown) 268, 역바이 어스 생성 전류 (reverse-biased
465 generation current) 296
애벌런치 광 다 이 오 드 645 역 방향 바이 어스 268, 366
애벌런치 항 복 과정 259 역방향 인가 바 이 어 스 251, 271
애벌런치 항 복 현 상 682 역방향 (backward) 다 이 오 드 330
애벌런치 효 과 (avalanche effect) 258 역포화 전 류 밀 도 288, 302, 346
액상에피 택 시 (liquid epitaxy) 19 연소 (burn-out) 689
앰비폴러 이 동 도 (ambipolar mobility) 202, 연속방정식 197
230 열 속 도 (random thermal velocity) 158
열에너지 14, 118 21 8

열전압 245 유 사 -페 르 미 준위 219, 230, 286, 299

열전자 방출 344, 367 유 전 완 화 시 정 수 213
열처리 16 유 전 률 (permittivity) 47，119
열평형 144 유효 상태 밀도 146
열평형 에 너 지 밴 드 다이어그램 219 유 효 Richardson 상 수 345
열평형 정 공 농 도 138 유효 이동도 M4
열평형 정 전 기 학 360 유효상태 밀 도 함 수 (effective density of states
열평형 캐리어 농 도 195 function) 109，112
열평형상태 12,144,243 유 효 질 량 (effective mass) 76, 80，84，85,
열 평 형 상 태 (thermal equilibrium) 105 1 1 1 , 112
열평형상태의 전자 106, 133, 134 유효질 량 의 값 112
열평형상태의 전 자 농 도 108 윤 을 내는 공정 17
열 평형 상태 의 전 자 와 정 공 농 도 106, 122, 음의 에너지 48
123, 126 음의 유 효 질 량 80
열평형상태의 정 공 농 도 110 이동 전자 효과 705
염 화 나 트 륨 12 이동 전자 소자 (Transferred Electron Device)
영상력 - 유 발 ( 장 벽 ) 저하 367 675
영 상 력 -유 발 저 하 341 이동도 156, 161，162, 166, 167, 178, 182
영 상 전 하 340 이 동 도 값 163
오믹 (ohmic) 접촉 294 이동도 효 과 158
오 제 이 (Auger) 재 결 합 647 이동도의 값 157
온 도 효 과 292 이동도의 함수 182
옴 (ohmic: 저 항 성 ) 접촉 502 이 미 터 주입 효 율 인 자 (Emitter injection
옴 ( 저 항 성 ) 접촉 574 efficiency factor) 560
완 전 이 온 화 (complete ionization) 130, 131, 이 미 터 -베 이 스 접합 커패 시 턴 스 충 전 시 간
145, 146 (Emitter-base junction capacitance
외 각 전 자 궤 도 12 charging time) 560
외부 양자 효 율 665 이미터 전류 496
외인성 P-형 반도체 203 이미터 전 류 밀 집 효 과 681
외 인 성 도 핑 202,223 이미터 주입 효율 557
외인성 반도체 (extrinsic semiconductor) 이 미터 주입 효 율 인 자 (emitter injection
117, 119, 122, 145, 146 efficiency factor) 511
용 융 18 이상 인자 (ickality factor) 303
운동 에 너 지 42 이상적 전 류 -전 압 관계 279
원소 반 도 체 (elementary semiconductor) 1, 이상적 인 다 이 오 드 방정식 288
20 이상적인 진성반도체 106
원자결합 12 이온 주입 20
원 자 들 사 이 의 결합 12 이 온 결 합 (ionic bond) 12, 14
원자의 표 면 밀 도 9 이 온 방 사 (ionizing radiation) 475
원자핵 47 이 온 주 입 (ion implantation) 16
유 도 방출 666 이 온 화 도너 134
유 도 전계 175 이 온 화 불 순 물 산 란 (ionized impurity
유 도 천이 확 률 659 scattering) 160, 182
유 도 흡 수 (induced absorption) 657 이 온 화 억셉터 134
유 도 된 전계 176 이 온 화 에 너 지 119,121
유 도 전 계 175 이 온 화 현 상 131
유 사 - 페 르 미 (Quasi-Fermi) 에너지 준위 217, 이온화되지 않은 도 너 와 억셉터 134
이종(Hetero) 접합 356 전도 파라미 터(conduction jwrameter) 412,
이종에 피 택시(heteroepitaxy) 18 420, 433, 594
이종접합 367, 607 전도대 73, 74, 75, 76
이종접합레이저 663 전도대 하단에서 전자 89
이종접합 바이폴러 트랜지스터(heterojunction 전도대의 열평형상태 전자농도 108
bipolar transistor: HBT) 553 전도도 (conductivity) 81, 163, 165, 166,
이종접합태양전지 632 167, 168, 182
이중 확산 구조 MOSFET(DMOS) 704 전력 MOSFET 686
이차원 전자가스(2-DEG) 367, 359 전류 105, 106
이형(anisotype) 접합 366 전류 밀집(Current crowding) 560
인 16, 117 전류-전압 관계 344
일방 접합 256, 268 전반사 655
일함수(work function) 26, 384 전송(Transport) 155
임계 전계 268 전압 이득 501
임파트(IMPATT) 다이오드 673 전압 증폭기 501
입사광자에너지 27 전압항복(voltage breakdown) 465
입사와반사입자 40 전위장벽 44
입사입자 41 전위장벽 함수 44
입자에너지의 양자화 38 전위함수 64, 83
입자의 투과 길이 43 전자 98, 106, 107
전자 드 리 프 트 174
전자 스핀 50
자유공간에서 전자 35 전자유효질량 99
자유공간의 전자 35 전자 이동도 174
자유입자 36 전자 친화력 334
자유전자 76 전자 친화력 규칙 366
재결합(recombination) 192, 205 전자 확산계수 172,174
재결합 전류 323 전자 확산전류밀도 (electron diffusion current
재결합 인자■(recombination factor) 511, 515 density) 172
재 결합 중심(recombination center) 220 전자-정공쌍 생성률 625
재결합률 230 전자기파 30
재결합전류밀도 302 전자기파의 주파수 스펙트럼 29
저 주입(low injection) 조건 202 전자와정공 이동도 162
저 주입에 의한 제한 202, 223 전자와정공농도 112
저-수준 주입(low-level injection) 195, 202, 전자와 정공의 평형상태 분포 122
230 전자유효질량 75
저준 위도핑 트랜지스터(Lightly doped drain: 전자의 비대칭 분포 75
LDD) 482 전자의 상태밀도 유효질량(density of ststae
저항도(resistivity) 81, 163, 164, 165, 166, effective mass) 109
167, 168, 182 전자의 유효질량 78
저항성 접촉 333, 367 전하 캐리어 106,146
적합 파라미 터(fitting parameter) 463 전하흐름의 정성적 고찰 278
전계 246 전하중성 133
전계 효과(field-effect) 433 전하중성조건(charge neutrality condition)
전달 컨덕턴스(transconductance) 434, 580, 134
589 전하축적 315
전도 파라미 터(Conduction parameter) 611 절연체 (insulator) 81
전도도 182 점결함(point defect) 14
점 접 촉 다 이 오 드 334 진성 페르미 에너지 준위의 위치 116
접촉 비저항 354,367 진성 페르미 준위 116,299
접합 전 계 효 과 트 랜 지 스 터 (Junction Field- 진성 페르미 준위 E Fl 146
Effect Transistor: JFET) 573 진성 페르미 준위 위치 115
접합 커 패 시 턴 스 254,268,338 진성반도체 119,224
접 합 항 복 258,274 진성에 가 까 운 반 도 체 161
정공 99, 105, 106, 107 진 성 전 자 농 도 112
정공 (hole) 78 진 성 전 자 와 정공농도 126
정 공 유 효 질 량 99 진 성 정 공 농 도 112
정 공 이 동 도 156 진 성 캐 리 어 농 도 112, 113, 114, 145
정공 축 적 층 (accumulation layer) 377 질소 50
정 공 확 산 계 수 173 짧 은 (Short) 다 이 오 드 323
정 공 농 도 134 짧은 다 이 오 드 294
정공의 농도 106
정 공 입 자 흐 름 197
정류성 접촉 578 차 단 주 파 수 (cutoff frequency) 433, 545,
정 상 동 작 576 548, 560, 603, 611
정상상태 (steady-state) 194 차 단 상 태 (Cutoff) 560
정성적 해석 306 채널 컨 덕 턴 스 (Channel condutance) 433,
정 전 용 량 충전 시 간 (Capacitance charging 587, 611
time) 611 채널 컨 덕 턴 스 변조 (Channel condutance
제 너 항 복 메 커 니 즘 259 modulation) 433,611
제로 인가 바 이 어 스 243,269 채널 길이 변조 (Channel length modulation)
주 기 율 표 50, 51 482, 596, 611
준 중 성 조 건 (quasi-neuatral condition) 176 채널 저항 688
준애벌런치 466 채널 주 행 시 간 602
준 위 밀 도 함 수 85 채널 길이 변조 파라미터 451
준펀 치 스 루 (New punch-through) 482 체심 대각선 9
중간에너지 1 7 체 심 입 방 (bcc; body centered cubic crystal)
중간갭 (midgap) 404 7, 19
중간집에너지 107,108 체 심 입 방 (bcc) 구조 5
중 성 자 30 초계단형 접합 (Hyperabrupt junction) 265,
즉시 응 답 광 전 류 666 266, 268
증 가 모드 JFET(Enhancement mode JFET) 총 순 바 이 어 스 전 류 3이
612 총 순 바 이 어 스 전 류 밀 도 302
증가형 MOSFET(enhancement mode 총 전 류 밀 도 174
MOSFET) 433 최대 저항성 차 단 주 파 수 675
증 배 인 자 (multiplication factor) 534 최대 전력 직사각형 629
지 역 정 제 (zone refining) 17 최대 전력 소모 정격 683
지 연 광 전 류 665 최대 정격 전력 소모 680
직 류 과 잉 캐리어의 농 도 309 최대 정격 전류 680, 7 4
직 접 밴드캡 반 도 체 (direct bandgap 최대 정격 전압 680, 704
semiconductor) 84 최대 정격 컬렉터 전류 681
진성 캐리어 농 도 미 146 축 소 된 영역 72
진성 반도체 146 축적 시 간 (storage time) 316, 323, 552
진성 방출 647 축 적 층 전하 (Accumulation layer charge)
진성 캐리어 농 도 136, 166 433
진성 페르미 에너지 113 축퇴 반도체 146
축퇴 n 형 128 투 과 계 수 45
축 퇴 (degenerate) n 형 반도체 128，129 트 라 이 액 (triac) 700, 705
축퇴 p 형 반도체 128, 129 트랜지스터 이득 580
출력 임피던스 597 트랩 (trap) 220
줄력 저항 (Output resistance) 612 특성 82
줄력 컨턱 턴 스 (Output conductance) 523， 틈새 (interstitial) 14
560 틈새 불 순 물 (interstitial impurity) 15
충격 이 온 화 645
중 돌 이 온 화 (impact ionization) 475
충 진 율 (fill factor) 665 파 동 -입 자 이중성 52
충진 인자 (fill factor) 630 파 동 과 입자의 이중성 원리 30
치환 불 순 물 (substitutional impurity) 15，16 파 동 과 입자의 이 중 성 (Wave-Particle Duality)
27
파동역학 25
카드뮴 122 파동이론 31
캐리어 농 도 182 파동함수 32, 33
캐리어 농 도 와 전 도 도 166 파라미 터 소 는 운 동 상 수 65
캐리어 드 리 프 트 155, 158 파 수 (wave number) M
캐리어 드 리 프 트 속 도 169 파 수 (waver number) 35
캐리어 생성 192, 230 파울리 의 배 타 원 리 (Pauli’ s Exclusion
캐리어 이 동 도 (Mobility) 155, 159, 160, 182 Principle) 50
캐리어 재 결 합 230 파울리의 배 타 율 (Pauli’ s Exclusion Principle)
캐리어 전 송 현 상 155 60, 85, 91, 129
캐리어 주입 322 파 장 27
캐리어 확 산 171 패 브 리 - 페 로 (Fabry-Perot) 공진기 660
캐리어의 드 리 프 트 속 도 169 펀 치 -스 루 항복 현상 (punch-through
컬렉터 공핍영역 주 행 시 간 (Collector breakdown phenomenon) 532
depletion region transit time) 560 펀 치 -스 루 (punch-through) 531
컬렉터 전류 496 페르미 에너지 93, 94, 96, 99, 108, 113,
컬렉터 전 류 와 전 류 이득 효 과 555 122, 123, 124, 131, 135, 142, 144
컬렉터 커 패 시 턴 스 충 전 시 간 (Collector 페르미 에너지 이하 93
capacitance charging time) 560 페르미 에너지 준위 115,142,143
콤 프 턴 (Compton) 효 과 27 페르미 에너지 준위의 위치 139, 144
쿨 롱 인력 47 페르미 준위 위치 143
크로 니 -페 니 모델 99 페르미 확 률 함 수 95
페 르 미 -디 락 분 포 함 수 93, 94, 96, 99
페 르 미 -디 락 적 분 126, 127, 128
탄 도 전 송 456 페 르 미 -디 락 확 률 함 수 91
탄소 50 페르미-디 락 (Fermi-Dirac) 분 포 93
태양전지 621 페 르 미 - 디락 (Fermi-Dirac) 확 률 함 수 91
터널 다 이 오 드 (tunnel diode) 318, 673, 674 편 석 계 수 (segregation coefficient) 17
터 널 링 (tunneling) 52, 258 편 재 화 된 (localized) 자 유 전 자 36
터널링 과정 355 평균 드 리 프 트 속도 九 156, 169, 181, 182
터널링 장벽 353,367 평 균 자 유 행 정 (mean free path) 171
턴 - 오 프 (turn-off) 전압 581 평탄대 378
통 계 역 학 91 평탄대 전 압 (Flat-band voltage) 388, 433
통 과 시간 모 드 (transit-time mode) 678 평행이동 3
투 과 (tunneling) 45 평형상태 (equilibrium) 105
평형상태의 반도체 105, 192 322
평형상태의 전 자 와 정공 분포 1 6 확 산 전 류 171, 182
포논산弓Kphonon scattering) 160 확 산 전 류 밀 도 171, 172, 173, 174, 302
포 화 (saturation) 434, 498 확 산 커 패 시 턴 스 (diffusion capacitance) 307,
포 화 속 도 170 312, 322
포화영 역(saturation region) 411 확 산 컨 덕 턴 스 (diffusion conductance) 312,
표 동 (drift: 드 리 프 트 ) 531 322
표면 산 란 (Surface scattering) 482 흡수계수 665
표면 재 결 합 속 도 (surface recombination
velocity)
227, 228, 230 기타
표면 준위 225, 230 (110) 결정면 8
표면 준위 분 포 225 (111) 결정면 8
표 면 산 란 452 (hkl) 결정면 9
표 면 효 과 225 1족 원소 12, 13
프 랑 크 상 수 26, 30 1 차원 86
프 랭 캘 (Frenkel) 결합 14 1차원 Kronig-Penney 모델 64, 72
프 레 넬 (Fresnel) 손실 653, 665 2 원소 반도체 19, 20
플 랑 크 26 2원 소 화 합 물 2
핀 치 오 프 (Pinchoff) 576, 578, 583, 612 2족 과 6족의 원소 1
핀 치 오 프 전류 586 2차 항 복 682
2 차 항 복 현 상 705
2 차원 격자 3
하 이 브 리 드 - 파 이 (hybrid-pi) 모델 537 3 원소 반도체 20
하 이 젠 버 그 (Heisenberg)의 불 확 정 성 원 리 30, 3 원 소 로 이루어 진 화 합 물 반도체 2
51 3 족 원소 118
항 복 전 압 (breakdown voltage) 258, 531 3 족 과 5 족 원 소 1,2
핵 48 3 차원 결정 83
허용에너지밴드 6 2 ,7 0 ,7 2 ,9 8 3차 원 단 위 셀 4
허용된 에 너 지 밴 드 60,61 4 염 화 실 리 콘 (SiC14) 19
헬 륨 50 4족 1
협채널 효 과 (Narrow-channel effects) 482 4 족 원소 10, 13
호핑 전송과정 (Hopping transport process) 5족의 원소 117
476 7족의 원소 12
홀 전계 179 AlAs 2
홀 전압 179,182 A1P 2
홀 효 과 178, 179, 181，182 Aluminum 121
화 학 결 합 14 A/xGal-xAs 2
화 학 기 상 증 착 (Chemical Vapor Deposition; Arsenic 121
CVD) 18 Be 121
화 합 물 반 도 체 (compound semiconductor) 1 Bloch의 정리 65
확 률 (probability) 30 Boron 121
확 률 밀 도 함 수 (probability density function) broken gap 357
31 Cd 121
확 률 함 수 31 CMOS 상보형 MOS(complementary MOS)
확 산 (Diffusion) 155, 171，182, 205 433
확 산 계 수 177, 178, 182 Compound semiconductors 2
확 산 계 수 의 값 178 Czochralski 17, 19
확 산 저 항 (diffusion resistance) 305, 306, Czochralski 방법 17
 찾아보기 751

Davison 28 n- 채널 pn JFET 580

DMOS 687 n0 109
E -k 도표 83, 84 사 •/? 곱 125
Early 전 압 (Early voltage) 560 해 와 / 의 표현식 123
Early 효 과 (Early effect) 522, 541, 560 Ny 111
Ebers-Moll 모델 537 n 형 반도체 118
Einstein 관계 202 n 형 129
GaAs 2, 84 n 형 보 상 반 도 체 133
Gap 2 on 저항 705
Germer에 의한 한 실험 28 Po 11
Gummel 수 541 "형 반도체 119
Gummel-Poon 모델 540 Pauli 51
Haynes-Shockley 실험 214 Phosphorus 121
Haynes-Shockley 실험 배치도 215 PIN 다 이 오 드 643
HC1 19 pn 접합 241, 242, 305
HEMT 610 pn 접합 다 이 오 드 241，277
HEX FET 687, 704 pn 접합 전류 286, 324
HF 분 자 14 Poission 방정식 200, 213, 241, 336
III-V 족 화 합 물 19 p 형 반도체 129, 133
III-V족 화 합 물 반도체 121 RF 코일 17
II 족 원소 121 Richardson 상 수 367
Inp 2 SCR 693, 705
k -공 간 다 이 어 그 램 99 SCR 의 트 리 거 링 (Triggering) 696
쇼-공간 83 Shockley-Read-Hall 이론 220
쇼-공간 그림 68 Shockley-Read-Hall 재 결 합 이론 220, 226
k -공간 도표 83 staggered 357
Kronig-Penney 모델 63, 64, 65, 72, 98 straddling 357
LED 621 straddling 형태 364
써*은 전자의 유 효 질 량 78 Turn-Off 과 도 특성 315, 317
m* 을 유 효 질 량 11 turn-on 전압 350
mn^ 109 V- 그 루 브 MOSFET(VMOS) 705
Max Born 33 V -홈 MOS 게 이 티 드 사이 리스터 702
Maxwell-Boltzmann 근 사 99，145 Van der Waals 결합 14
MODFET 609 VI족 원소 121
MOS turn-off 사이 리스터 703 VMOS 687
MOS 게이 티 드 사이 리스터 702 m -v 족 반 도 체 121