LỜI CAM ĐOAN

Tôi xin cam đoan rằng các kết quả khoa học được trình bày trong luận án này là thành
quả nghiên cứu của bản thân tôi trong suốt thời gian làm nghiên cứu sinh và chưa từng xuất
hiện trong công bố của các tác giả khác. Các kết quả đạt được là chính xác và trung thực.

Hà nội, ngày .... tháng .... năm 2020

Nghiên cứu sinh

Đoàn Thị Ngọc Hiền

Tập thể hướng dẫn

PGS. TS. Nguyễn Văn Khang PGS. TS. Đào Ngọc Chiến

i
 LỜI CẢM ƠN

Trước tiên, tôi xin gửi lời biết ơn sâu sắc tới PGS.TS. Nguyễn Văn Khang và đặc biệt
là PGS.TS. Đào Ngọc Chiến đã trực tiếp hướng dẫn, định hướng khoa học, dành nhiều thời
gian hỗ trợ tôi về mọi mặt để hoàn thành luận án này.
Tác giả chân thành cảm ơn Viện nghiên cứu quốc tế MICA, trường Đại học Bách Khoa
Hà Nội đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tác giả được tập trung nghiên cứu trong thời gian
qua. Chân thành cảm ơn Bộ môn Điện tử hàng không vũ trụ, Viện Điện tử Viễn thông, Phòng
Đào tạo- Bộ phận Đào tạo sau Đại học, trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã tạo mọi điều
kiện thuận lợi cho nghiên cứu sinh trong suốt quá trình nghiên cứu, học tập và thực hiện luận
án. Xin chân thành cảm ơn sự quan tâm, giúp đỡ, động viên của các đồng nghiệp, các thành
viên phòng thí nghiệm CRD lab – Viện Điện tử Viễn thông đã dành cho tôi.
Đồng thời, tôi xin gửi lời cảm ơn phòng thí nghiệm đo lường, Viện Điện tử - Viễn thông
đã tạo điều kiện giúp đỡ trong quá trình đo đạc mô hình chế tạo thực nghiệm.
Cuối cùng, tôi xin dành tất cả sự yêu thương và lời cảm ơn đến các thành viên trong gia
đình, những người đã luôn động viên, giúp đỡ tôi rất nhiều trong thời gian vừa qua. Đây
chính là động lực to lớn giúp tôi vượt qua khó khăn và hoàn thành luận án này.

Hà Nội, ngày .... tháng .... năm 2020

Nghiên cứu sinh

Đoàn Thị Ngọc Hiền

ii
 MỤC LỤC

LỜI CAM ĐOAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . i

LỜI CẢM ƠN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ii
MỤC LỤC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iii
BẢNG CÁC KÝ HIỆU TOÁN HỌC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . vi
DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . vii
DANH SÁCH BẢNG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . viii
DANH SÁCH HÌNH VẼ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ix
MỞ ĐẦU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Chương 1. ANTEN RFID 7

1.1 Công nghệ RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.1.1 Hệ thống RFID trường gần . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.2 Hệ thống RFID trường xa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2 Thẻ RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3 Các tham số chính của anten thẻ RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.1 Trở kháng đầu vào của anten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.2 Băng thông . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3.3 Hệ số định hướng của anten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3.4 Hệ số tăng ích của anten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.3.5 Hiệu suất bức xạ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.3.6 Phân cực . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3.7 Khoảng đọc của anten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.4 Các loại vật liệu đế điện môi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.1 Vật liệu truyền thống . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.1.1 Các loại vật liệu polymer . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.1.2 Bìa các tông và giấy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.4.1.3 Gỗ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.4.1.4 Ván ép . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.4.1.5 Gốm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.4.2 Vật liệu tiên tiến . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.2.1 Vải cách điện . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4.2.2 Siêu vật liệu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.5 Phối hợp trở kháng giữa anten và chip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

iii
 1.5.1 Kỹ thuật phối hợp trở kháng sử dụng vòng ghép điện cảm . . . . . . 21
1.5.2 Kỹ thuật phối hợp trở kháng sử dụng mạng chữ T . . . . . . . . . . 25
1.5.3 Kỹ thuật phối hợp trở kháng sử dụng khe lồng nhau . . . . . . . . 26
1.6 Các kỹ thuật giảm nhỏ kích thước anten thẻ RFID . . . . . . . . . . . . . . 27
1.6.1 Kỹ thuật uốn gấp khúc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.6.2 Kỹ thuật sử dụng cấu trúc anten PIFA . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.6.3 Kỹ thuật dùng tải thuần kháng dung . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.7 Các kỹ thuật cải thiện hệ số tăng ích và độ định hướng của anten thẻ RFID . 31
1.7.1 Phương pháp sử dụng bề mặt phản xạ . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.7.2 Phương pháp sử dụng tấm patch ký sinh . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.7.3 Phương pháp sử dụng cấu trúc chắn dải điện từ . . . . . . . . . . . 32
1.7.4 Phương pháp sử dụng cấu trúc mặt phẳng đất không hoàn hảo . . . 33
1.8 Kết luận chương 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

Chương 2. THIẾT KẾ ANTEN THẺ RFID CÓ THỂ TÍCH HỢP SỬ DỤNG CẤU TRÚC
DỆT 35
2.1 Giới thiệu chương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.2 Anten có thể tích hợp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.3 Vật liệu đế điện môi của anten có thể tích hợp . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.4 Các kỹ thuật chế tạo anten có thể tích hợp . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.4.1 Anten có thể tích hợp dạng cứng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.4.2 Anten có thể tích hợp dạng mềm dẻo . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.5 Các bước thiết kế anten thẻ RFID có thể tích hợp . . . . . . . . . . . . . . 38
2.6 Đề xuất cấu trúc và đặc tính của anten thẻ RFID có thể tích hợp . . . . . . . 38
2.6.1 Lựa chọn vật liệu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.6.2 Tính toán các tham số kích thước của anten . . . . . . . . . . . . . 39
2.6.3 Cấu trúc anten đề xuất . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.6.4 Kết quả mô phỏng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.6.5 Đánh giá ảnh hưởng của vật liệu đến đặc tính của anten . . . . . . . 44
2.6.5.1 Độ dày của đế vải . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.6.5.2 Hệ số điện môi của đế vải . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.6.5.3 Đường kính sợi dây đồng . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.6.6 Thực nghiệm và đo đạc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.7 Kết luận chương 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Chương 3. THIẾT KẾ ANTEN THẺ RFID HAI BĂNG TẦN, ĐỘ ĐỊNH HƯỚNG CAO

iv
SỬ DỤNG BỀ MẶT DẪN TỪ NHÂN TẠO 51
3.1 Giới thiệu chương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.2 Thiết kế anten lưỡng cực đơn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.3 Cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo (AMC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.3.1 Nguyên lý hoạt động của cấu trúc AMC . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.3.2 Thiết kế cấu trúc AMC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.3.2.1 Cấu trúc AMC hình vuông . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.3.2.2 Cấu trúc AMC một khe . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.3.2.3 Cấu trúc ba khe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.3.3 Khảo sát đặc tính của cấu trúc AMC ba khe . . . . . . . . . . . . . 66
3.4 Cấu trúc và các đặc tính của anten đề xuất . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.4.1 Cấu trúc của anten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.4.2 Khảo sát đặc tính của bề mặt dẫn từ nhân tạo . . . . . . . . . . . . 71
3.4.3 Khảo sát đặc tính của mạng phối hợp trở kháng chữ T . . . . . . . . 74
3.4.4 Cơ chế hoạt động hai băng tần . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3.5 Thực nghiệm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.6 Kết luận chương 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
KẾT LUẬN CHUNG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN . . . . . . . . . 88
TÀI LIỆU THAM KHẢO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89

v
 BẢNG CÁC KÝ HIỆU TOÁN HỌC

BW Băng thông của anten

D Hệ số định hướng của anten
ε Hằng số điện môi
f Tần số hoạt động của anten
G Hệ số tăng ích của anten
Gt Hệ số tăng ích của anten đầu đọc
λ Bước sóng
µ Độ từ thẩm
η Hiệu suất bức xạ của anten
P Công suất bức xạ của anten
Pt Công suất phát của đầu đọc
Ptag Công suất yêu cầu tối thiểu đối với thẻ
Q Hệ số phẩm chất của anten
Rmax Khoảng đọc tối đa của thẻ
S Mật độ công suất bức xạ của anten
S11 Hệ số phản xạ của anten
tanδ Hệ số tổn hao của vật liệu
Za Trở kháng vào của anten
Zc Trở kháng của chip
4ϕ Độ lệch pha giữa sóng bức xạ chính và sóng phản xạ

vi
 DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT

AM Amplitude Modulation Điều chế biên độ

AMC Artificial Magnetic Conductor Vật dẫn từ nhân tạo

ASK Amplitude Shift Keying Modulation Điều chế khóa dịch biên độ

CST Computer Simulation Technology Công nghệ mô phỏng bằng máy tính

DC Direct Current Dòng điện một chiều

DGS Defected Ground Structure Cấu trúc mặt phẳng đất không hoàn hảo

EBG Electromagnetic Band Gap Dải chắn điện từ

FM Frequency Modulation Điều chế tần số

FSK Frequency Shift Keying Modulation Điều chế dịch chuyển theo tần số

IC Intergrated Circuit Mạch tích hợp

MLA Meander Line Antenna Anten uốn gấp khúc

PDMS Polydimethylsiloxane Polydimethylsiloxane

PIFA Planar Inverted-F Antenna Anten PIFA

PSK Phase Shift Keying Modulation Điều chế khóa dịch pha

RFID Radio Frequency Identification Nhận dạng tần số vô tuyến

UHF Ultra High Frequency Tần số cực cao

PEC Perfect Electrical Conductor Vật liệu dẫn điện hoàn hảo

PRS Partially Reflective Surface Bề mặt phản xạ một phần

vii
 DANH SÁCH BẢNG

1.1 Các quy định về dải tần và băng thông của hệ thống RFID UHF tại một số
khu vực trên thế giới . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2 Các thông số của anten sử dụng mặt phản xạ . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.3 Các thông số của anten sử dụng cấu trúc EBG . . . . . . . . . . . . . . . . 33

2.1 Bảng các tham số đặc tính của các loại đế điện môi cho anten có thể tích hợp 36
2.2 Bảng các tham số kích thước của anten dệt đề xuất (mm) . . . . . . . . . . 41
2.3 So sánh kết quả mô phỏng của anten đề xuất với một số anten đã công bố . 49

3.1 Bảng các tham số kích thước của anten lưỡng cực (mm) . . . . . . . . . . . 52
3.2 Các tham số kích thước của cấu trúc phần tử AMC hình vuông (mm) . . . 62
3.3 Các tham số kích thước của cấu trúc phần tử AMC một khe (mm) . . . . . 63
3.4 Các tham số kích thước của cấu trúc phần tử AMC ba khe (mm) . . . . . . 65
3.5 Bảng các tham số thước của anten đề xuất (mm) . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.6 Bảng các giá trị khoảng đọc tối đa đo được (m) . . . . . . . . . . . . . . . 84
3.7 So sánh kết quả mô phỏng của anten đề xuất với một số anten đã công bố . 85

viii
 DANH SÁCH HÌNH VẼ

1.1 Hệ thống RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.2 Mô hình mạch điện phối hợp trở kháng giữa anten và chip . . . . . . . . . . 9
1.3 Thẻ RFID Avery Dennison AD-301R6-P bằng giấy . . . . . . . . . . . . . 14
1.4 Thẻ RFID UHF0055 bằng gốm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.5 Gradient của bước nhảy pha giao thoa dφ/dr tạo ra véc tơ sóng trên bề mặt
có thể bẻ cong ánh sáng truyền và phản xạ theo các hướng tùy ý . . . . . . 18
1.6 Anten dipole với mạng phối hợp trở kháng vòng ghép hỗ cảm: (a) Cấu trúc
anten, (b) Mô hình mạch điện tương đương [1] . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.7 (a) Mô hình mạch điện tương đương của vòng tiếp điện, (b) Mô hình tự cảm
LL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.8 Mô hình tính độ tự cảm tương hỗ của hai dây dẫn song song . . . . . . . . 24
1.9 Anten dipole với mạng phối hợp trở kháng chữ T: (a) Cấu trúc anten, (b) Mô
hình mạch điện tương đương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.10 Anten lưỡng cực với mạng phối hợp trở kháng khe lồng nhau: (a) Hình chiều
đứng của anten, (b) Hình chiếu bằng của anten (c) Mô hình mạch điện tương
đương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.11 Cấu trúc anten lưỡng cực sử dụng kỹ thuật uốn gấp khúc . . . . . . . . . . 28
1.12 Một số cấu trúc anten thẻ RFID lưỡng cực sử dụng kỹ thuật uốn gấp khúc để
giảm nhỏ kích thước anten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.13 Anten PIFA có tấm phát xạ hình vuông . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.14 Anten lưỡng cực với tải thuần dung kháng mắc ở đầu cuối . . . . . . . . . . 30
1.15 Anten sử dụng mặt phẳng phản xạ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.16 Cấu trúc thiết kế của anten sử dụng tấm patch ký sinh . . . . . . . . . . . . 32
1.17 Cấu trúc chắn dải điện từ có dạng hình nấm . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
1.18 Mô hình mạch cộng hưởng LC của cấu trúc EBG . . . . . . . . . . . . . . 33
1.19 Anten sử dụng cấu trúc chắn dải điện từ có dạng hình nấm . . . . . . . . . 33
1.20 Mặt trước và mặt sau của anten có cấu trúc mặt phẳng đất không hoàn hảo . 34

2.1 Anten có thể tích hợp sử dụng phiến đồng gắn lên đế vải . . . . . . . . . . 37
2.2 Các bước thiết kế anten thẻ RFID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.3 Cấu trúc hình học của anten lưỡng cực vi dải: (a) Hình chiếu bằng, (b) Hình
chiếu đứng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

ix
2.4 Cấu trúc hình học của anten dệt được đề xuất: (a) Mặt trước của anten, (b)
Mặt sau của anten, (c) Hình chiếu đứng của anten . . . . . . . . . . . . . . 41
2.5 Hệ số phản xạ của anten dệt đề xuất . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.6 Đồ thị bức xạ phương hướng của anten dệt đề xuất: (a) Mặt phẳng E, (b) Mặt
phẳng H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.7 Hệ số tăng ích của anten dệt đề xuất . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.8 Mật độ phân bố dòng điện mặt của anten dệt đề xuất . . . . . . . . . . . . 43
2.9 Đồ thị bức xạ 3D của anten dệt đề xuất . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.10 Hệ số phản xạ của anten với đế điện môi có độ dày khác nhau . . . . . . . . 44
2.11 Hệ số tăng ích của anten với đế điện môi có độ dày khác nhau . . . . . . . . 45
2.12 Hệ số phản xạ của anten với các loại đế vải khác nhau . . . . . . . . . . . . 45
2.13 Hệ số tăng ích của anten với các loại đế vải khác nhau . . . . . . . . . . . . 46
2.14 Hệ số phản xạ của anten với sợi đồng có đường kính khác nhau . . . . . . . 47
2.15 Hệ số tăng ích của anten với sợi đồng có đường kính khác nhau . . . . . . . 47
2.16 Mẫu anten chế tạo: (a) Mặt trước, (b) Mặt sau . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.17 Hệ thống đo đạc hệ số phản xạ của anten dệt đề xuất . . . . . . . . . . . . 48
2.18 Hệ số phản xạ của anten dệt đề xuất . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

3.1 Cấu trúc hình học anten lưỡng cực với tải thuần dung kháng mắc ở đầu cuối
chưa có mạng phối hợp trở kháng chữ T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2 Mô hình ứng dụng của chip UCODE G2XM . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.3 Cấu trúc hình học của anten lưỡng cực đơn . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.4 Kết quả mô phỏng trở kháng đầu vào của anten lưỡng cực đơn . . . . . . . 53
3.5 Kết quả mô phỏng hệ số phản xạ của anten lưỡng cực đơn . . . . . . . . . . 54
3.6 Đồ thị bức xạ phương hướng của anten lưỡng cực đơn . . . . . . . . . . . . 54
3.7 Đồ thị bức xạ ba chiều của anten lưỡng cực đơn . . . . . . . . . . . . . . . 55
3.8 Cấu trúc anten sử dụng mặt phản xạ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.9 Khoang cộng hưởng giữa mặt phẳng đất và bề mặt PRS . . . . . . . . . . . 57
3.10 Một số cấu trúc AMC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.11 Cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo: (a) Cấu trúc hình học, (b) Sơ đồ mạch điện
tương đương . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.12 Vùng điện trường giữa hai phần tử cấu trúc AMC tạo ra điện dung C0 . . . 59
3.13 Cấu trúc phần tử AMC hình vuông: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình chiếu
bằng, (c) Vùng điện trường giữa hai phần tử . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.14 Pha phản xạ của cấu trúc phần tử AMC hình vuông . . . . . . . . . . . . . 61

x
3.15 Cấu trúc phần tử AMC một khe: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình chiếu bằng,
(c) Vùng điện trường giữa hai phần tử của bề mặt dẫn từ nhân tạo được đề xuất 62
3.16 Pha phản xạ của cấu trúc AMC một khe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.17 Cấu trúc phần tử AMC ba khe: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình chiếu bằng, (c)
Vùng điện trường giữa hai phần tử của bề mặt dẫn từ nhân tạo được đề xuất 64
3.18 Pha phản xạ của cấu trúc AMC ba khe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.19 Pha phản xạ của ba cấu trúc phần tử bề mặt dẫn từ nhân tạo . . . . . . . . . 65
3.20 Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Lb thay đổi, các tham số còn lại
giữ nguyên . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.21 Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Le thay đổi, các tham số còn lại
giữ nguyên . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.22 Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Wa thay đổi, các tham số còn lại
giữ nguyên . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.23 Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Wbs thay đổi, các tham số còn
lại giữ nguyên . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.24 Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Ha thay đổi, các tham số còn lại
giữ nguyên . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.25 Cấu trúc hình học của lưỡng cực . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.26 Cấu trúc hình học của anten thẻ được đề xuất: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình
chiếu bằng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.27 Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước g, các tham số khác
giữ nguyên (a) Phần thực, (b) Phần ảo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.28 Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Wa , các tham số
khác giữ nguyên (a) Phần thực, (b) Phần ảo . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.29 Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Ha , các tham số
khác giữ nguyên (a) Phần thực, (b) Phần ảo . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.30 Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Lm , các tham số
khác giữ nguyên: (a) Phần thực, (b) Phần ảo . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.31 Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Wm , các tham số
khác giữ nguyên: (a) Phần thực, (b) Phần ảo . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
3.32 Trở kháng đầu vào của anten lưỡng cực đơn và anten kết hợp bề mặt dẫn từ
nhân tạo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3.33 Hệ số phản xạ của anten lưỡng cực đơn và anten kết hợp bề mặt dẫn từ nhân
tạo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3.34 Đồ thị bức xạ phương hướng của anten lưỡng cực ở hai tần số 845 MHz và
925 MHz: (a) Lưỡng cực đơn, (b) Lưỡng cực có bề mặt dẫn từ nhân tạo . . . 77

xi
3.35 Kết quả mô phỏng băng thông của anten đề xuất . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.36 Anten đề xuất với bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm 2 x 2 phần tử: (a) Hình chiếu
đứng, (b) Hình chiếu bằng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.37 Anten đề xuất với bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm 6 x 6 phần tử: (a) Hình chiếu
đứng, (b) Hình chiếu bằng . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.38 Trở kháng đầu vào (a) và hệ số phản xạ (b) của anten đề xuất với bề mặt dẫn
từ nhân tạo có kích thước khác nhau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.39 Mẫu anten chế tạo: (a) Mắt cắt đứng, (a) Mặt cắt ngang, (c) Lưỡng cực và chip 82
3.40 Sơ đồ khối hệ thống đo khoảng cách đọc của anten thẻ RFID UHF . . . . . 82
3.41 Giao diện phần mềm Universal Reader Assistant của đầu đọc RFID Thing-
magic Me6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.42 So sánh kết quả tính toán và đo đạc thực nghiệm khoảng đọc tối đa của anten
thẻ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84

xii
 MỞ ĐẦU

1. Anten RFID sử dụng vật liệu tiên tiến

Trong những năm gần đây, công nghệ truyền thông không dây kỹ thuật số trên thế giới
đang phát triển mạnh mẽ đáp ứng các nhu cầu của người dùng trong liên lạc trao đổi thông
tin. Thời đại của Internet vạn vật (IoT) đòi hỏi các phương pháp mới cho phép liên lạc giữa
các đối tượng khác nhau với chi phí thấp, yêu cầu độ tin cậy và độ bền cao trong các môi
trường khác nhau [2]. Cùng với sự phát triển nhanh chóng của công nghệ nhận dạng tần số
vô tuyến, các thẻ RFID UHF thụ động được sử dụng ngày càng phổ biến trong quá trình
nhận dạng [3]. Những thẻ này cho phép nhận dạng không dây các đối tượng một cách nhanh
chóng. Ngoài ra, khả năng tích hợp các chức năng cảm biến vào thẻ RFID là một ưu điểm
của công nghệ này. Các ứng dụng này đòi hỏi anten cho các hệ thống RFID phải có các đặc
tính vượt trội cụ thể như sau:

• Anten có độ mềm dẻo và độ bền cao để có thể tích hợp vào nhiều dạng đối tượng trong
các ứng dụng truyền thông không dây.

• Anten có kích thước nhỏ gọn.

• Anten có hệ số tăng ích lớn.

Hệ thống RFID được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác nhau trong đời sống
như các hệ thống điều khiển truy nhập, hậu cần, hệ thống theo dõi giám sát,... Trước đây, các
thẻ RFID được chế tạo từ các vật liệu thông thường như composite, giấy, gỗ, sứ,... Ưu điểm
của các vật liệu này là giá thành rẻ. Tuy nhiên, với các ứng dụng truyền thông không dây, ví
dụ như thẻ đeo gắn trên người, đòi hỏi anten có độ mềm dẻo, có độ bền cao và trọng lượng
nhẹ thì các vật liệu này không đáp ứng được.
Sự xuất hiện của các cấu trúc vật liệu tiên tiến trong những năm gần đây đã giúp giải
quyết những vấn đề này. Đầu tiên phải kể đến cấu trúc anten đeo được. Anten đeo được là
một loại anten đặc biệt được thiết kế cho phép có thể gắn trên quần áo hoặc cơ thể người [4].
Cấu trúc này phù hợp với các ứng dụng gắn trên cơ thể người do bức xạ điện từ chủ yếu theo
hướng vuông góc với bề mặt anten. Anten có kích thước nhỏ, mỏng, trọng lượng nhẹ, chi phí
chế tạo thấp. Thành phần bức xạ và mặt phẳng đất của anten đều được chế tạo từ vật liệu
đồng [5]. Các vật liệu dẫn điện (Zelt, Electron và đồng nguyên chất) được sử dụng để chế
tạo thành phần bức xạ trong khi các vật liệu không dẫn điện (lụa, nỉ, len, polyeste...) được sử
dụng làm đế của anten.
Bên cạnh cấu trúc anten đeo được, các cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo cũng rất được
quan tâm nghiên cứu. Cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo là một dạng của siêu vật liệu. Siêu vật

1
liệu là loại vật liệu nhân tạo được chế tạo bằng cách sắp xếp những cấu trúc "nguyên tử" để
có thể tạo ra các vật liệu có tính chất điện từ theo ý muốn. Những tính chất này không tồn
tại trong những vật liệu tự nhiên mà con người từng biết. Sự sắp xếp các cấu trúc này có thể
theo một trật tự hoặc hỗn loạn. Ngoài ra các cấu trúc này có kích thước nhỏ hơn nhiều lần so
với bước sóng hoạt động của siêu vật liệu [6].
Tính chất điện từ của mỗi một loại vật liệu được đặc trưng bởi hai đại lượng vật lý: độ từ
thẩm và hằng số điện môi. Nguyên lý cơ bản của siêu vật liệu là tạo ra các mạch cộng hưởng
điện từ nhờ những cấu trúc "nguyên tử", có khả năng điều khiển riêng biệt hai đại lượng này,
điều mà không thể làm được với các vật liệu tự nhiên. Nhờ đó, sự truyền sóng điện từ trong
các cấu trúc siêu vật liệu cũng có thể tính toán được trước và điều chỉnh theo ý muốn. Về mặt
lý thuyết khi thiết kế anten, kích thước của anten phụ thuộc vào tần số hoạt động và hằng số
điện môi của vật liệu chế tạo anten. Vật liệu có hằng số điện môi càng lớn thì kích thước của
anten càng nhỏ. Đặc tính này là cố định đối với từng loại vật liệu có sẵn trong tự nhiên. Tuy
nhiên, vật liệu có hằng số điện môi lớn có giá thành rất đắt. Vì vậy siêu vật liệu có ưu điểm
vượt trội so với vật liệu thông thường nhờ vào khả năng có thể điều chỉnh hằng số điện môi.
Các thông số của anten sử dụng siêu vật liệu được cải thiện đáng kể như giảm suy hao phản
xạ [7], tăng hiệu suất [8–12], băng thông [13–16], hệ số tăng ích [14, 17, 18], độ định hướng
[11, 14, 16, 19]. Ở tài liệu [7], hệ số suy hao phản xạ của anten vi dải hình chữ nhật giảm
hơn 5dB từ -12,68 dB xuống -17,72 dB khi có thêm cấu trúc siêu vật liệu dạng chữ E. Anten
siêu vật liệu với bộ cộng hưởng vòng kín giới thiệu trong tài liệu [9] hoạt động ở hai dải tần
từ 2,15 GHz đến 2,19 GHz và 3,2 GHz đến 5,25 GHz, có kích thước giảm đáng kể so với
anten không sử dụng bộ cộng hưởng vòng kín, đồng thời hiệu suất bức xạ của anten lên tới
97%. Tài liệu [19] đã trình bày một cấu trúc anten siêu vật liệu băng rộng có độ định hướng
cao sử dụng bề mặt chọn lọc tần số. Anten thu được có độ định hướng 13, 6dBi, băng thông
cũng tăng 10% so với anten không có cấu trúc siêu vật liệu. Ngoài ra vấn đề giảm kích thước
của anten cũng là một đòi hỏi của hệ thống nhận dạng sóng vô tuyến. Việc ứng dụng siêu vật
liệu cũng giúp cải thiện được vấn đề này [12, 14, 18, 20–22].

2. Những vấn đề còn tồn tại

Hệ thống nhận dạng vô tuyến RFID được giới thiệu vào những năm 1980. Tuy nhiên
trong vòng hơn mười năm qua mới có nhiều công trình công bố về anten dành cho thẻ RFID
và được các nhà nghiên cứu trên thế giới ngày càng quan tâm. Ở Việt Nam đã có nhiều công
trình nghiên cứu về anten RFID [23–26], các nghiên cứu phát triển anten thẻ RFID còn rất
hạn chế [27, 28], chủ yếu là các nghiên cứu thiết kế anten cho đầu đọc RFID [29–31]. Anten
thẻ RFID dựa trên vật liệu tiên tiến hiện vẫn còn là lĩnh vực chưa được tập trung nghiên cứu
phát triển nhiều ở Việt Nam.

2
 Trong các ứng dụng phổ biến của công nghệ RFID như hệ thống điều khiển truy nhập,
hệ thống hậu cần logistic, hệ thống định vị trong nhà,..., thẻ RFID thường được chế tạo sử
dụng các vật liệu truyền thống như polymer, gỗ, giấy, sứ. Ưu điểm của các vật liệu này là
giá thành rẻ, dễ dàng chế tạo. Tuy nhiên với các ứng dụng thẻ đeo trên cơ thể người, các vật
liệu này chưa phù hợp vì chúng là vật liệu cứng, tạo cảm giác không thoải mái cho người
sử dụng. Vì vậy hướng nghiên cứu phát triển anten dệt cho các ứng dụng thẻ đeo đã được
quan tâm nghiên cứu trong những năm gần đây. Anten dệt thường được thiết kế dựa trên các
anten truyền thống như bow-tie, lưỡng cực, xoắn ốc [32] và sử dụng đế điện môi bằng vải.
Tính chất của vật liệu chế tạo anten góp phần quyết định đến hoạt động của anten, ví dụ độ
từ thẩm và độ dày của đế điện môi quyết định chủ yếu đến băng thông của anten trong khi
độ dẫn điện của thành phần phát xạ là nhân tố quan trọng quyết định hiệu suất của anten.
Anten dệt được đề xuất trong [33] sử dụng đế cao su có độ dày 3,94mm, hằng số điện môi
εr = 1, 52 có băng thông rộng, phân cực tròn và độ mềm dẻo cao tuy nhiên hệ số tăng ích
của anten chưa lớn.
Trong [34, 35], chất liệu nỉ được sử dụng để chế tạo anten có băng thông rộng nhưng hiệu
suất bức xạ chưa cao, kích thước anten lớn. Anten hai băng tần giới thiệu trong [36] được chế
tạo dựa trên vật liệu PDMS mềm dẻo có kích thước khá nhỏ, băng thông rộng nhưng cấu trúc
của anten phức tạp, khó chế tạo. Thêm vào đó, các anten được giới thiệu ở trên chủ yếu đều
có cấu trúc hình học dạng anten dipole. Các ứng dụng ngày càng phát triển hiện nay, ngoài
các yêu cầu về đặc tính, thẻ RFID khi gắn trên các sản phẩm may mặc còn cần có tính thẩm
mỹ. Ví dụ, thẻ có thể cần có cấu trúc hình học dạng chữ hoặc logo của sản phẩm. Vì vậy,
việc nghiên cứu thiết kế anten dệt có kích thước nhỏ gọn, cấu trúc dạng chữ hoặc logo là một
thách thức cần được nghiên cứu giải quyết.
Một vấn đề nữa đặt ra là có rất nhiều ứng dụng của công nghệ RFID đòi hỏi anten có
khoảng cách đọc xa, thậm chí từ 10m đến 20m. Ví dụ các ứng dụng trong kho hàng, bến bãi
hay cầu cảng,.... Điều này có nghĩa bên cạnh việc đầu đọc RFID phải có công suất lớn thì
anten thẻ cũng phải có độ định hướng cao, hệ số tăng ích lớn. Một kỹ thuật đơn giản thường
được sử dụng để tăng độ định hướng của anten là sử dụng bề mặt phản xạ. Tuy nhiên kỹ thuật
này đòi hỏi bề mặt phản xạ phải đặt cách phần tử bức xạ của anten một khoảng λ/4, điều này
dẫn đến anten có kích thước rất lớn. Sự ra đời của siêu vật liệu với các đặc tính riêng của nó
mà các vật liệu truyền thống không có được đã góp phần giải quyết vấn đề này. Các nghiên
cứu thiết kế anten dành cho thẻ RFID sử dụng siêu vật liệu để cải thiện các đặc tính của anten
đã thu được một số thành tựu đáng kể. Năm 2014, một cấu trúc anten thẻ thụ động RFID kết
hợp sử dụng vật dẫn từ nhân tạo đã được trình bày trong [37, 38]. Nhờ đó đã cải thiện được
khoảng cách đọc của anten. Tuy nhiên anten này có nhược điểm là kích thước lớn, cấu trúc
phức tạp và là anten đơn băng tần.
Các cấu trúc anten sử dụng siêu vật liệu để cải thiện hệ số tăng ích, độ định hướng, hiệu

3
suất bức xạ và giảm nhỏ kích thước của anten đã được trình bày trong các tài liệu [10, 12, 20].
Tuy nhiên các cấu trúc này được thiết kế dành cho anten đầu đọc của hệ thống RFID. Vì vậy
việc nghiên cứu thiết kế anten thẻ RFID sử dụng nguyên lý siêu vật liệu có cấu trúc thấp, độ
định hướng cao, khoảng cách đọc lớn là một vấn đề cần được nghiên cứu có tính thời sự và
thực tiễn.

3. Mục tiêu, đối tượng và phạm vi nghiên cứu

Mục tiêu nghiên cứu

• Nghiên cứu, đề xuất cấu trúc anten đeo được dạng chữ sử dụng cấu trúc dệt dành cho
thẻ thụ động RFID SHF.

• Nghiên cứu, đề xuất cấu trúc anten sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo dành cho thẻ thụ
động RFID UHF có cấu hình thấp, độ định hướng cao và khoảng cách đọc lớn .

Đối tượng nghiên cứu

• Anten đeo được cấu trúc dệt dạng chữ dành cho thẻ thụ động RFID SHF.

• Anten sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo dành cho thẻ thụ động RFID UHF.

Phạm vi nghiên cứu

• Anten sử dụng cấu trúc dệt và bề mặt dẫn từ nhân tạo dành cho thẻ thụ động RFID.

• Dải tần RFID UHF từ 860MHz-940MHz và dải tần 2,45GHz.

4. Ý nghĩa khoa học của đề tài

Về lý luận:

• Các kết quả nghiên cứu của luận án góp phần phát triển các giải pháp để giảm nhỏ kích
thước, cải thiện một số tham số cho anten thẻ thụ động RFID UHF với cấu trúc đơn
giản, dễ dàng chế tạo.

• Các kết quả nghiên cứu của luận án được các công bố trong các bài báo có giá trị khoa
học, góp phần tạo ra các sản phẩm thương mại trong tương lai.

Về thực tiễn:

• Các giải pháp giúp tăng độ linh hoạt, độ định hướng và các mô hình anten RFID được
thiết kế trong luận án có thể làm cơ sở và gợi ý cho các nhà sản xuất ứng dụng trong
chế tạo các anten thẻ thụ động RFID.

4
5. Phương pháp nghiên cứu
Luận án sử dụng phương pháp phân tích mô hình, biễu diễn cấu trúc anten RFID dưới
dạng sơ đồ mạch điện tương đương. Các nghiên cứu thiết kế anten thẻ RFID được kiểm chứng
bằng mô phỏng trên hai phần mềm mô phỏng số CST và ANSYS HFSS kết hợp với chế tạo,
đo đạc thực nghiệm.

6. Nội dung nghiên cứu

Nội dung của luận án được trình bày trong ba chương.

• Chương 1: Anten RFID

Tổng quan về công nghệ RFID, cấu trúc và các tham số chính của anten thẻ RFID, kỹ
thuật phối hợp trở kháng giữa anten và chip được trình bày trong chương này. Vật liệu
đế điện môi được sử dụng để chế tạo anten, một số kỹ thuật để cải thiện hệ số tăng ích
và giảm nhỏ kích thước của anten RFID cũng được phân tích chi tiết. Ngoài ra, các kỹ
thuật giảm nhỏ kích thước cũng như kỹ thuật tăng độ định hướng của anten cũng được
giới thiệu trong chương này.

• Chương 2: Thiết kế anten RFID sử dụng cấu trúc dệt

Chương 2 trình bày các kỹ thuật phổ biến trong chế tạo anten đeo được và đế điện môi
bằng vải áp dụng trong việc thiết kế anten thẻ RFID UHF có cấu trúc mềm dẻo. Anten
bao gồm một lưỡng cực nhỏ gọn được dệt trên đế điện môi bằng vải. Cấu trúc anten
có dạng chữ viết tắt Đại học Bách Khoa Hà Nội (HUST). Anten có kích thước tổng
thể 45 mm × 16 mm × 0.254 mm (0,37λ × 0, 13λ × 0, 002λ), băng thông mô phỏng
|S11|<-10 dB là 15 MHz (dải tần số 840 MHz - 855 MHz), bức xạ đơn hướng với độ
định hướng là 1,63 dB. Anten chế tạo được phối hợp trở kháng và kết nối với cáp đồng
trục 50 Ω, hệ số phản xạ đo đạc |S11| = -13,3 dB tại tần số 2,45 GHz. Kết quả này
chứng minh tính khả thi của việc sử dụng kỹ thuật dệt và đế điện môi bằng vải trong
các mô hình anten thẻ RFID.

• Chương 3: Thiết kế anten thẻ RFID hai băng tần độ định hướng cao sử dụng bề
mặt dẫn từ nhân tạo
Chương 3 đề xuất giải pháp sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo trong việc thiết kế anten
thẻ RFID UHF có cấu trúc thấp, độ định hướng cao, khoảng cách đọc lớn. Anten bao
gồm một lưỡng cực nhỏ gọn, một bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm các miếng kim loại định
kỳ 4 × 4 kích thước 34 mm × 34 mm và một mặt phản xạ. Anten lưỡng cực được phối
hợp trở kháng với chip UCODE G2XM bởi một mạng phối hợp trở kháng dạng chữ
T. Bề mặt dẫn từ nhân tạo được thiết kế để hoạt động như một bề mặt dây dẫn từ tính

5
 nhân tạo, cho phép anten có cấu hình thấp và bức xạ đơn hướng. Bề mặt dẫn từ nhân
tạo có kích thước hữu hạn tạo ra tần số cộng hưởng bổ sung cho hệ thống anten, kết
hợp với tần số cộng hưởng của lưỡng cực cho anten hoạt động băng tần kép. Lưỡng
cực và bề mặt dẫn từ nhân tạo được thiết kế ở mặt trên và mặt dưới của đế FR-4 giúp
tiết kiệm chi phí và việc chế tạo anten dễ dàng hơn. Anten có kích thước tổng thể 190
mm × 190 mm × 15.8 mm (tương ứng với 0, 55λ × 0, 55λ × 0, 046λ), băng thông
mô phỏng |S11|<-10 dB là 15 MHz (dải tần số 840 MHz - 855 MHz) và 16 MHz (dải
tần số 916 MHz - 932 MHz), bức xạ đơn hướng với độ định hướng lần lượt là 7,0 dB
và 5,8 dB tương ứng với tần số 925 MHz và 845 MHz. Sau khi chế tạo và đo đạc thử
nghiệm, anten thu được có khoảng đọc lớn nhất là 6 m và 4,4 m tương ứng với dải tần
(902 MHz – 928 MHz) theo chuẩn Bắc Mỹ và (840 MHz – 845 MHz) theo chuẩn Ấn
Độ. Các khoảng đọc này phù hợp với tính toán lý thuyết và việc mô phỏng kết quả này
đã chứng minh tính khả thi của việc sử dụng cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo trong các
mô hình anten thẻ RFID.

7. Những đóng góp chính của luận án

Những đóng góp khoa học của luận án bao gồm:

• Đề xuất cấu trúc anten dệt dạng chữ, đế vải, kích thước nhỏ, dùng cho thẻ thụ động
RFID làm việc ở tần số 2,45 GHz. Anten có kích thước 45mm × 16 mm × 0,254 mm,
băng thông 20 MHz và hệ số tăng ích 2,2 dBi. Cấu trúc anten đề xuất có thể mở rộng
ứng dụng cho việc thiết kế anten thẻ RFID thụ động ở các dải tần khác.

• Đề xuất mẫu anten sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo có kích thước nhỏ dùng cho thẻ
RFID thụ động hai băng tần dải UHF có độ định hướng cao, nâng cao khoảng cách
đọc. Anten có kích thước 190 mm × 190 mm × 15.8 mm, băng thông 15 MHz (840
MHz - 855 MHz) và 16 MHz (916 MHz - 932 MHz), bức xạ đơn hướng với độ định
hướng lần lượt là 7,0 dB và 5,8 dB tương ứng với tần số 925 MHz và 845 MHz. Việc sử
dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo không chỉ cải thiện đáng kể độ định hướng của anten mà
còn tạo ra tần số cộng hưởng bổ sung cho hệ thống anten. Anten chế tạo thử nghiệm
có khoảng đọc lớn nhất là 6,0 m và 4,4 m tương ứng với dải tần 902 MHz – 928 MHz
theo chuẩn Bắc Mỹ và 840 MHz – 845 MHz theo chuẩn Ấn Độ.

6
 CHƯƠNG 1
ANTEN RFID

1.1 Công nghệ RFID

RFID là một công nghệ nhận dạng không dây bằng sóng vô tuyến (Radio Frequency
Identification). Hệ thống RFID thiết lập liên lạc tần số vô tuyến giữa hai phần: đầu đọc và
thẻ. Hệ thống nhận dạng RFID xác định duy nhất một đối tượng. Ưu điểm của hệ thống RFID
là không yêu cầu điều kiện nhìn thẳng như hệ thống mã vạch và có thể nhận dạng nhiều đối
tượng tại cùng một thời điểm. Hiện nay công nghệ RFID được ứng dụng rộng rãi ở các thư
viện, trong các hệ thống điều khiển truy nhập và các hệ thống hậu cần. Hình 1.1 minh họa
một hệ thống RFID cơ bản. Hệ thống bao gồm ba thành phần chính: đầu đọc, thẻ và máy
tính. Thẻ bao gồm đế cùng với anten được chế tạo trên đó và chip gắn trên anten. Thẻ RFID
được bảo vệ bởi một lớp nhựa nằm phía trên cùng. Mỗi thẻ có một mã định danh riêng và
duy nhất. Đầu đọc gửi và nhận thông tin từ thẻ sau đó gửi đến máy tính. Trong thực tế, các hệ
thống RFID được phân thành hai loại: hệ thống RFID trường gần và hệ thống RFID trường
xa.

Hình 1.1: Hệ thống RFID

7
1.1.1 Hệ thống RFID trường gần
Trong hệ thống RFID trường gần, đầu đọc truyền một dòng điện xoay chiều qua cuộn dây
tạo ra một từ trường biến thiên xung quanh anten đầu đọc. Khi thẻ RFID nằm trong vùng từ
trường của đầu đọc sẽ xuất hiện dòng điện xoay chiều trên anten của thẻ do hiện tượng cảm
ứng điện từ. Kỹ thuật điều chế được sử dụng trong việc truyền thông tin từ thẻ đến đầu đọc.
Tín hiệu được giải mã nhờ sự thay đổi của cường độ điện trường. Đầu đọc có thể phát hiện
ra sự thay đổi rất nhỏ của dòng điện gây ra bởi sự biến thiên của từ trường. Cảm ứng điện từ
là một cách đơn giản để thực hiện các hệ thống RFID. Tuy nhiên phương pháp này có nhược
điểm lớn là khoảng cách phát hiện ngắn, đặc biệt, khi tần số càng cao thì khoảng cách phát
hiện càng nhỏ. Đối với yêu cầu của các ứng dụng hiện nay và trong tương lai, các thuộc tính
của các hệ thống RFID trường gần không đáp ứng được. Do đó, các hệ thống RFID trường
xa có lẽ là sự lựa chọn cho tương lai trong nhiều lĩnh vực ứng dụng.

1.1.2 Hệ thống RFID trường xa

Nguyên lý hoạt động của hệ thống RFID trường xa dựa trên hiện tượng cảm ứng điện từ
của các sóng điện từ [39]. Kỹ thuật tán xạ ngược được sử dụng để truyền dữ liệu [40]. Anten
lưỡng cực của đầu đọc sẽ truyền và nhận sóng. Điện trường và từ trường vuông góc với nhau
và vuông góc với hướng lan truyền của sóng điện từ. Sóng điện từ, khi được cảm ứng bởi
anten thẻ, tạo ra một điện áp xoay chiều trên các cực của anten. IC điều chỉnh điện áp cung
cấp dòng điện một chiều (DC) cần thiết từ điện áp xoay chiều. Tín hiệu kích hoạt IC cũng có
thể mang theo thông tin mới được ghi vào bộ nhớ của IC. Thẻ điều chế tín hiệu số để truyền
thông tin được lưu trữ vào IC [41]. Đầu đọc bắt được sóng truyền từ thẻ và chuyển đổi thông
tin nhận được thành mã nhị phân. Dữ liệu nhị phân sẽ được chuyển đến máy tính xử lý.
Anten có thể được điều chỉnh theo tần số mong muốn bằng cách điều chỉnh kích thước
và hình dạng của nó. Trường hợp anten không phối hợp trở kháng, anten thẻ phản hồi lại một
phần năng lượng từ sóng điện từ và đầu đọc có thể phát hiện ra năng lượng này. Lượng năng
lượng được tán xạ ngược từ thẻ có thể thay đổi tùy theo trở kháng anten thẻ khác nhau. Trở
kháng anten có thể được thay đổi bởi các phần tử tích cực (tranzitor hoặc diode) nằm trong
IC, được đặt giữa hai nhánh của anten. Khi tranzitor hoặc diode dẫn điện, nó sẽ ngắn mạch
hai nhánh của anten, theo đó trở kháng của anten sẽ thay đổi. Thông tin từ thẻ đến đầu đọc
được truyền bằng phương pháp điều chế biên độ (AM), điều chế tần số (FM) hoặc điều chế
dịch pha (PM), điều chế dịch chuyển theo biên độ (ASK), điều chế dịch chuyển theo tần số
(FSK) và điều chế dịch chuyển theo pha (PSK) [41]. Điều chế biên độ là biên độ của tín hiệu
truyền từ thẻ đến đầu đọc thay đổi theo mã nhị phân của IC [39]. Điều chế tần số là thay đổi
tần số tín hiệu theo mã nhận dạng của IC.

8
1.2 Thẻ RFID
Thẻ RFID về cơ bản là một bộ thu và phát tín hiệu vô tuyến. Thẻ bao gồm hai phần, anten
và chip (IC). Chức năng chính của anten là thu các trường điện từ bức xạ bởi đầu đọc ở tần
số xác định. Năng lượng điện từ nhận được được chuyển đổi thành năng lượng điện và được
cung cấp cho mạch tích hợp. Chip gắn trên thẻ có khả năng lưu trữ thông tin, thực thi chuỗi
lệnh và trao đổi thông tin với đầu đọc. Anten thẻ hoạt động ở tần số cộng hưởng xác định. Vì
vậy, khi đầu đọc truyền tín hiệu RF với tần số xác định, thẻ sẽ nhận tín hiệu và cung cấp cho
chip. Sau khi nhận đủ điện áp chip sẽ truyền lại tín hiệu ở cùng tần số đến đầu đọc. Mục đích
của việc phối hợp trở kháng anten với tải của nó là để đảm bảo rằng công suất tối đa được
truyền từ anten sang chip. Phối hợp trở kháng giữa anten và chip có thể đạt được bằng cách
thay đổi kích thước của anten hoặc bằng cách bớt các phần tử thụ động.

Rant Xant Xic

V1 Ric

Anten M
ch tích hp

Hình 1.2: Mô hình mạch điện phối hợp trở kháng giữa anten và chip

Hình 1.2 minh họa mô hình mạch điện phối hợp trở kháng giữa anten và chip. Công suất
truyền từ anten đến tải hay chip được tính theo công thức sau:
Ric
Pt = V2 (1.1)
2[(Rant + Ric )2+ (Xant + Xic )2 ] ant

Từ phương trình trên có thể thấy rằng công suất tối đa có thể được truyền từ anten đến chip
khi Ric = Rant và Xic = −Xant . Trong thực tế, trở kháng chip thường có tính dung kháng,
nên trở kháng anten sẽ được thiết kế có tính cảm kháng.

1.3 Các tham số chính của anten thẻ RFID

1.3.1 Trở kháng đầu vào của anten

Đối với thẻ RFID thụ động, trở kháng đầu vào của anten là tham số đầu tiên cần được
quan tâm khi thiết kế. Khác với thẻ RFID tích cực, anten thẻ RFID thụ động thực hiện cả

9
hai chức năng truyền tin và truyền năng lượng. Hiệu suất truyền năng lượng của anten được
quyết định bởi hai yếu tố: sự phối hợp trở kháng giữa anten - chip và sự biến đổi năng lượng
thành dòng điện cung cấp cho mạch điện. Trong phạm vi luận án này, tác giả chỉ nghiên cứu
sự phối hợp trở kháng giữa anten và chip.

1.3.2 Băng thông

Băng thông của anten được định nghĩa là khoảng tần số mà anten đáp ứng được các yêu
cầu đầu ra như trở kháng đầu vào, hệ số tăng ích, hiệu suất bức xạ,... Độ rộng băng thông của
một anten thường được xác định thông qua hệ số sóng đứng cho phép trên một khoảng tần
số nào đó. Phần lớn các anten trong thương mại đều sử dụng tỷ số 2:1 hoặc 1,5:1 [42]. Bảng
1.1 minh họa quy định về dải tần và băng thông của hệ thống RFID UHF tại một số khu vực
trên thế giới [43].

Bảng 1.1: Các quy định về dải tần và băng thông của hệ thống RFID UHF tại một số khu
vực trên thế giới

Khu vực Quy định Dải tần Băng thông Công suất tối đa
Mỹ FCC 902–928 MHz 26 MHz 4W EIRP
Châu Âu EIST 865–868 MHz 3 MHz 2W ERP
Nhật MIC 952–954 MHz 2 MHz 4W EIRP
Ấn Độ DOT 865–867 MHz 2 MHz 4W EIRP
Singapore IDA 923–925 MHz 2 MHz 2W ERP

1.3.3 Hệ số định hướng của anten

Hệ số định hướng của anten theo một hướng được định nghĩa là tỷ số giữa mật độ công
suất bức xạ của anten ở hướng và khoảng cách đã cho với mật độ công suất bức xạ cũng ở
khoảng cách như trên khi giả thiết anten bức xạ vô hướng, với điều kiện công suất bức xạ
giống nhau trong cả hai trường hợp [42].
S (θ, φ)
D (θ, φ) = (1.2)
S0
trong đó, S (θ, φ) là mật độ công suất bức xạ của anten ở hướng (θ, φ) đã cho ở khoảng cách
R, S0 là mật độ công suất cũng tại hướng và khoảng cách như trên với giả thiết anten bức xạ
đồng đều theo các hướng.
Bằng cách sử dụng anten đẳng hướng, đầu đọc RFID có thể phát hiện được thẻ trong
pham vi vài mét với công suất đầu ra 1 watt. Cấu hình này khả thi nếu các thẻ RFID được đặt

10
ở bất kỳ hướng nào đối với đầu đọc. Trong thực tế, anten của đầu đọc được đặt ở rìa và các
thẻ được đặt ở vị trí trung tâm, mối quan hệ góc với anten đầu đọc được xác định khá rõ. Vì
vậy công suất được bức xạ theo các hướng khác trở nên lãng phí. Anten định hướng thường
được đề xuất để hạn chế hiện tượng này. Khi đó, công suất phát bức xạ mạnh hơn theo các
hướng mà thẻ có thể được tìm thấy nhiều nhất.

1.3.4 Hệ số tăng ích của anten

Hệ số tăng ích của anten được xác định bằng cách so sánh mật độ công suất bức xạ của
anten thực ở hướng khảo sát và mật độ công suất bức xạ của anten chuẩn ở cùng hướng và
cùng khoảng cách với giả thiết công suất đặt vào hai anten bằng nhau và anten chuẩn có hiệu
suất quy ước bằng 1. Hệ số tăng ích của anten được tính theo công thức sau [42]:

ηA S (θ, φ)
G (θ, φ) = = ηA D (θ, φ) (1.3)
S0

trong đó ηA là hiệu suất bức xạ của anten được xác định bởi tỷ số của công suất bức xạ trên
công suất đặt vào anten.
PP
ηA = (1.4)
P0
Hệ số tăng ích của anten thẻ là một trong những yếu tố ảnh hưởng đến khoảng đọc của
hệ thống RFID. Anten có hệ số tăng ích càng lớn thì phạm vi phát hiện được thẻ của đầu đọc
càng xa. Điều này có được là do anten có hệ số tăng ích lớn hơn sẽ nhận được từ đầu đọc
năng lượng lớn hơn.

1.3.5 Hiệu suất bức xạ

Hiệu suất bức xạ được định nghĩa là tỷ số giữa công suất được bức xạ từ anten và công
suất mà anten nhận được [44]:
Pr
η= (1.5)
Pin
Trong đó, Pr là công suất bức xạ từ anten và Pin là công suất mà anten nhận được. Anten có
hiệu suất bức xạ cao khi bức xạ phần lớn công suất nhận được. Nếu hầu hết công suất đầu
vào của anten được hấp thụ dưới dạng tổn thất trong anten và chỉ một phần trong số đó được
truyền đi thì được cho là có hiệu suất bức xạ thấp. Điều này là do công suất bị phản xạ trở
lại dẫn đến phối hợp trở kháng kém hoặc công suất bị tổn hao do điện trở của phần tử bức
xạ lớn. Anten thẻ RFID thường được gắn với chip có trở kháng phức vì vậy việc phối hợp trở
kháng giữa anten và chip sao cho hiệu suất bức xạ đạt được tối đa luôn là vấn đề được quan
tâm khi thiết kế và chế tạo.

11
1.3.6 Phân cực
→
−
Phân cực của anten là sự định hướng của các véc tơ trường điện từ E tại một vài điểm
→
−
trong không gian. Nếu véc tơ E giữ nguyên sự định hướng tại mỗi điểm trong không gian
→
−
thì đó là sự phân cực tuyến tính. Còn nếu véc tơ E quay trong không gian, thì đó là sự phân
cực tròn hoặc elip [42].
Trong hệ thống RFID, nếu các thẻ được căn chỉnh đúng vị trí với phân cực anten, anten
phân cực tuyến tính sẽ đọc được xa hơn so với anten phân cực tròn. Do công suất bức xạ
không bị chia thành nhiều trục, trường của anten phân cực tuyến tính sẽ mở rộng ra xa hơn
so với anten phân cực tròn nên cho phép phạm vi đọc lớn hơn.

1.3.7 Khoảng đọc của anten

Dựa vào phương trình truyền Friis, khoảng đọc tối đa của hệ thống RFID được tính theo
công thức sau [45]: s
λ0 Pt Gt Gtag ρ
Rmax = (1.6)
4π Ptag

Trong đó Rmax là khoảng đọc tối đa, Pt là công suất phát của đầu đọc, λ0 là bước sóng
trong không gian tự do, Gt là độ lợi của anten đầu đọc, Gtag là độ lợi của anten thẻ, ρ là hệ
số suy hao do sự khác nhau về phân cực giữa anten thẻ và anten đầu đọc, Ptag là công suất
yêu cầu tối thiểu đối với thẻ.
Ngoài ra, khoảng đọc của hệ thống RFID còn phụ thuộc vào một số yếu tố khác như
hướng của thẻ và góc đọc, vị trí đặt thẻ, độ dài cáp kết nối giữa anten và đầu đọc.

• Hướng của thẻ: Đặc tính này không quan trọng đối với anten phân cực tròn mà chỉ cần
lưu ý với anten phân cực tuyến tính. Với anten phân cực tuyến tính, ta có thể thực hiện
xoay thẻ để giải quyết vấn đề này. Ví dụ, nếu thẻ được định hướng từ 9 giờ - 3 giờ trên
mặt đồng hồ và đầu đọc không đọc được thẻ, ta có thể xoay thẻ sang hướng 6 giờ - 12
giờ. Giải pháp này áp dụng cho trường hợp thẻ có anten lưỡng cực đơn.

• Góc đọc: Để anten thẻ nhận được năng lượng nhiều nhất từ anten đầu đọc, thẻ RFID
phải đối diện trực tiếp với anten.

• Vị trí đặt thẻ tương đối giữa đầu đọc và thẻ là phần diện tích hiệu dụng "tiếp xúc" giữa
thẻ và đầu đọc.

• Độ dài cáp kết nối giữa anten và đầu đọc ảnh hưởng đến suy hao tín hiệu truyền giữa
anten và đầu đọc.

12
1.4 Các loại vật liệu đế điện môi
Để tiết kiệm chi phí chế tạo, vật liệu đế điện môi phải có giá thành rẻ. Ngoài ra, các vật
liệu này phải thân thiện với môi trường và không gây hại cho môi trường. Thậm chí sẽ tốt
hơn nữa, nếu thẻ RFID có thể được sản xuất trực tiếp trên bề mặt của đối tượng hoặc được
nhúng bên trong cấu trúc đối tượng [46].
Về cơ bản vật liệu làm đế điện môi sẽ ảnh hưởng đến hiệu suất bức xạ của thẻ thông qua
các đặc tính của nó, như hệ số suy hao và hằng số điện môi [47]. Hằng số điện môi của vật
liệu đặc trưng cho tính chất điện của vật liệu đó [48]. Hệ số suy hao là một thước đo tiêu
chuẩn về tổn thất của điện môi được dùng để mô tả tỷ lệ giữa cường độ dòng dẫn với cường
độ dòng dịch chuyển [49]. Hệ số suy hao đặc trưng cho chất lượng của chất điện môi, chất
điện môi tốt sẽ có độ suy hao rất nhỏ. Hiện nay, chưa có nghiên cứu nào đưa ra chuẩn về vật
liệu tiên tiến trong lĩnh vực thiết kế anten RFID. Trong luận án này tác giả đề xuất phân chia
các loại vật liệu đế điện môi được chia thành hai nhóm:

• Vật liệu truyền thống: bao gồm các loại vật liệu phổ biến như polymer, gỗ, giấy, ván
ép.

• Vật liệu tiên tiến: bao gồm các loại vật liệu có các tính chất đặc biệt mà vật liệu truyền
thống không có được như vật liệu vải cách điện và siêu vật liệu.

1.4.1 Vật liệu truyền thống

1.4.1.1 Các loại vật liệu polymer

Các loại vật liệu đế điện môi polymer giá thành thấp bao gồm polyesters (PE), polycar-
bonate (PC) và polyethylene terephthalate (PET). Những vật liệu này có khả năng chịu nhiệt
độ kém, vì vậy sử dụng chúng trong quá trình gia công nhiệt trở nên khó khăn [50]. Đặc biệt
là vật liệu PET ngày nay được sử dụng rộng rãi trong sản xuất thẻ RFID với kỹ thuật ăn mòn
truyền thống. Vật liệu PE có các đặc tính kém hơn nên không được sử dụng rộng rãi trong
sản xuất hàng loạt thẻ RFID.

1.4.1.2 Bìa các tông và giấy

Lợi ích của giấy làm đế điện môi là: giá thành rẻ, sẵn có, bề mặt khá đồng nhất và có
khả năng phân hủy sinh học [51]. Giấy chỉ mất vài tháng để phân hủy. Tuy nhiên nhược điểm
của loại vật liệu này là dễ bị thấm nước. Có nhiều loại giấy khác nhau về độ dày, kết cấu và
tính chất điện môi. Giấy và các tông không chịu được quá trình ăn mòn truyền thống, do đó
cần có các phương pháp chế tao anten mới. Nói chung, các tông có tính chất tương tự như

13
giấy. Do cấu trúc của các tông dày hơn so với giấy, các quy trình ứng dụng mực dẫn điện
cùng với các quy trình gia công dễ thực hiện hơn. Hình minh họa thẻ RFID Avery Dennison
AD-301R6-P bằng giấy.

Hình 1.3: Thẻ RFID Avery Dennison AD-301R6-P bằng giấy

1.4.1.3 Gỗ

Gỗ cũng có thể được lựa chọn làm đế điện môi cho thẻ RFID. Vật liệu này có khả năng
phân hủy sinh học, thẩm mỹ và được sử dụng nhiều trong nhiều lĩnh vực ứng dụng RFID,
như hậu cần, xây dựng và bán lẻ. Tuy nhiên, gỗ có nhược điểm là dễ hấp thụ độ ẩm. Vì vậy
gỗ không phù hợp với phương pháp chế tạo sử dụng kỹ thuật vẽ cọ, do không đủ mềm dẻo.
Nếu đế điện môi rất mỏng, gỗ trở nên mềm dẻo hơn và dễ bị nứt.

1.4.1.4 Ván ép

Ván ép được làm bằng các tấm gỗ veneer mỏng [52]. Các tấm veneer này được dán lại
với nhau. Cấu trúc lớp veneer và đặc biệt là lớp dính giữa các lớp veneer có khả năng chống
lại sự hấp thụ nước. Sự phân bố độ ẩm bên trong ván ép không phải lúc nào cũng đồng nhất,
các lớp bên ngoài ván ép hút ẩm nhanh hơn các lớp bên trong [53]. Các thẻ RFID sử dụng vật
liệu đế điện môi bằng gỗ dán có thể được đặt ở nhiều khu vực khác nhau, từ điều kiện bên
ngoài với nhiệt độ và độ ẩm không khí khác nhau, đến điều kiện bên trong có không khí khá
ổn định. Bề mặt gỗ dán có độ nhám lớn gây khó khăn cho quá trình sản xuất anten RFID,
đặc biệt với kỹ thuật in phun [52].

1.4.1.5 Gốm

Gốm thường được sử dụng làm chất điện môi cho thẻ RFID gắn với các đối tượng bằng
kim loại. Ưu điểm của vật liệu gốm là có hệ số điện môi lớn làm cho các đặc tính của anten
như trở kháng, hiệu suất bức xạ cũng như đồ thị phương hướng bức xạ ít bị ảnh hưởng bởi
môi trường xung quanh. Thêm vào đó thẻ RFID sử dụng đế bằng vật liệu gốm có khả năng
chịu nhiệt, chịu va đập tốt hơn các vật liệu khác. Hình 1.4 minh họa thẻ RFID UHF0055

14
bằng gốm của hãng ADC [54]. Anten có kích thước 25mm × 9mm × 3mm, hoạt động ở tần
số 860 − 960M Hz.

Hình 1.4: Thẻ RFID UHF0055 bằng gốm

1.4.2 Vật liệu tiên tiến

1.4.2.1 Vải cách điện

Một trong những vật liệu được nghiên cứu chế tạo phổ biến cho thẻ RFID trong những
năm gần đây là vải cách điện. Vật liệu này được sử dụng nhiều nhất cho các ứng dụng thẻ
đeo. Các ứng dụng này đòi hỏi anten có độ mềm dẻo, kích thước nhỏ gon, giá thành hợp lý
và dễ dàng gắn trên cơ thể người. Vật liệu được sử dụng là các loại vải có tính chất tương tự
với đế điện môi. Phần dẫn điện của anten có thể làm bằng sợi đồng mảnh. Vải dệt thường có
hằng số điện môi rất thấp, giúp giảm suy hao sóng bề mặt và cải thiện băng thông của anten.
Vải được sử dụng làm đế điện môi của anten có hai loại: sợi tự nhiên và sợi nhân tạo. Một
số tính chất của vải ảnh hưởng đến các thông số của anten sẽ được trình bày dưới đây:

• Hệ số điện môi của vải

Một trong những thông số quan trọng nhất ảnh hưởng đến đặc tính của anten là độ điện
thẩm phức của đế điện môi. Độ điện thẩm phức được định nghĩa là [55]:

ε = ε0 εr = ε0 (εr1 − jεr2 ) (1.7)

trong đó ε0 là độ điện thẩm của chân không

ε0 = 8.854.10−12 F/m (1.8)

Ngoài ra, tần số, nhiệt độ, độ nhám bề mặt và cả độ ẩm của vật liệu đều ảnh hưởng đến
tính chất điện môi của vật liệu. Phần thực của hằng số điện môi tương đối, εr1 , được
gọi là hằng số điện môi. Tỷ lệ của phần ảo so với phần thực được gọi là hệ số tổn hao.

tanδ = −εr2 /εr1 (1.9)

15
 Suy hao sóng bề mặt có thể giảm do hằng số điện môi của vải thấp, từ đó cải thiện
được băng thông và hiệu suất của anten [56, 57].

• Hấp thụ độ ẩm
Độ ẩm làm thay đổi đáng kể hiệu suất của anten khi vải hấp thụ nước vì nước có hằng
số điện môi cao hơn nhiều so với vải. Các sợi liên tục trao đổi các phân tử nước với
không khí và thay đổi trạng thái cân bằng động với nhiệt độ và độ ẩm của môi trường
xung quanh. Tần số cộng hưởng và băng thông của anten cũng bị ảnh hưởng. Do anten
dệt được sử dụng gần da, nên độ ẩm của vải do mồ hôi của con người cũng cần được
lưu ý khi khảo sát đặc tính của anten. Bên cạnh đó, khi sợi vải hấp thụ nước, chúng
phồng lên theo chiều ngang gây ra sự co giãn của vải làm ảnh hưởng đến cấu trúc của
anten.

• Độ dày của đế điện môi

Băng thông và hiệu suất của anten vi dải chủ yếu được xác định bởi hằng số điện môi
và độ dày của đế. Để tối đa hóa băng thông của anten, độ dày lớp đế có độ từ thấm
tương đối cố định trước được lựa chọn. Tuy nhiên, giá trị này có thể không tối ưu hóa
hiệu suất anten nên độ dày của vật liệu điện môi là sự thỏa hiệp giữa hiệu suất và băng
thông của anten. Băng thông của anten được tính xấp xỉ theo công thức sau [44]:

BW = 1/Q (1.10)

trong đó Q là hệ số phẩm chất của anten. Hệ số Q bị ảnh hưởng bởi suy hao sóng không
gian Qrad , suy hao Ohmic Qc , các sóng bề mặt Qsw và suy hao chất điện môi Qd được
xác định bằng biểu thức sau:

1/Q = 1/Qrad + 1/Qc + 1/Qd + 1/Qsw (1.11)

Đối với các đế điện môi mỏng, h << λ0 , hệ số phẩm chất liên quan đến bức xạ (Qrad )
tỷ lệ nghịch với độ dày của đế điện môi. Do đó, việc tăng độ dày của đế làm giảm hệ
số phẩm chất Q và tăng băng thông của anten. Hơn thế nữa, bề dày của đế cũng ảnh
hưởng kích thước hình học của anten.

1.4.2.2 Siêu vật liệu

Siêu vật liệu là một loại vật chất nhân tạo được chế tạo bằng cách sắp xếp những cấu trúc
vi mô, được gọi là các "nguyên tử", để tạo ra các tính chất điện từ theo ý muốn. Các cấu trúc
"nguyên tử" được làm từ kim loại hoặc điện môi, có kích thước nhỏ hơn từ 7 đến 10 lần so
với bước sóng hoạt động của siêu vật liệu. Sự sắp xếp các cấu trúc vi mô có thể theo một trật
tự hoặc hỗn loạn.

16
 Tính chất điện từ của mỗi loại vật liệu được đặc trưng bởi hai đại lượng vật lý: độ từ thẩm
và hằng số điện môi. Nguyên lý cơ bản của siêu vật liệu là tạo ra các mạch cộng hưởng điện
từ có khả năng điều khiển riêng biệt hai đại lượng vật lý trên, điều mà không thể làm được
với các vật liệu tự nhiên. Thách thức trong các nghiên cứu ứng dụng siêu vật liệu là việc chế
tạo vi mô các cấu trúc ba chiều. Trong khi đó, siêu vật liệu phẳng có thể dễ dàng chế tạo bằng
các công nghệ hiện có vì vậy nhiều nhà nghiên cứu siêu vật liệu tập trung vào các cấu trúc
phẳng một lớp hoặc vài lớp có thể dễ tiếp cận hơn. Các cấu trúc này được gọi là bề mặt dẫn
từ nhân tạo. Điểm đáng quan tâm lớn nhất được tập trung nghiên cứu đó là sự phản xạ và lan
truyền sóng bề mặt. Các bề mặt dẫn từ nhân tạo làm giảm hiệu ứng lan truyền bằng cách đưa
ra những thay đổi đột ngột về tính chất quang học. Ảnh hưởng của các hiện tượng vật lý như
sự phản xạ, khúc xạ dị thường, sự chuyển đổi phân cực được trình bày trong phần dưới đây.

• Phản xạ, khúc xạ dị thường

Khi sóng điện từ phẳng gặp ranh giới giữa hai môi trường đồng nhất với các chỉ số
khúc xạ khác nhau sẽ bị tách thành chùm phản xạ truyền trở lại môi trường thứ nhất và
chùm truyền đi vào môi trường thứ hai. Các hệ số phản xạ và truyền, hướng của chúng
được xác định bởi tính liên tục của các thành phần trường tại biên và được đưa ra bởi
các phương trình Fresnel và định luật Snell, tương ứng.
Nếu thêm vào bề mặt điện môi một mảng theo chu kỳ các bộ cộng hưởng bước sóng
con có độ dày không đáng kể tạo thành một bề mặt dẫn từ nhân tạo thì hệ số phản xạ
và hệ số truyền sẽ bị thay đổi đáng kể do các điều kiện biên bị thay đổi bởi sự kích
thích của dòng điện hiệu dụng trên bề mặt dẫn từ nhân tạo. Các sóng phản xạ và sóng
truyền có sự thay đổi pha từ −π đến π (tùy thuộc vào bước sóng của sóng tới so với
bộ cộng hưởng trên bề mặt dẫn từ nhân tạo). Khi sự thay đổi pha là đồng nhất dọc trên
toàn bộ bề mặt, các hướng phản xạ và khúc xạ không thay đổi. Tuy nhiên, một trong
những ưu điểm của bề mặt dẫn từ nhân tạo là có thể tạo ra sự biến đổi pha không gian
để kiểm soát hiệu quả hướng truyền sóng và hình dạng của mặt sóng. Hướng truyền
sóng có thể được điều khiển bằng nguyên lý Fermat, trong đó đường truyền tối ưu để
truyền chùm sáng phải đứng yên trong thời gian truyền tương ứng với các thay đổi nhỏ
của đường truyền. Ví dụ, bề mặt dẫn từ nhân tạo có sự phân bố không gian của các pha
thay đổi do sự tán xạ điện từ tại các anten. Định luật về pha tĩnh này đảm bảo rằng các
sóng con bắt đầu từ một điểm nguồn sẽ có cùng pha khi đến điểm đích sau khi phản xạ
hoặc truyền qua mặt siêu âm. Một tập hợp các định luật khúc xạ và phản xạ tổng quát
có thể được bắt nguồn từ định luật pha tĩnh:

nt sin (θt ) − ni sin (θi ) = 1 dφ
k0 dx
(1.12)
cos (θ ) sin (ϕ ) = 1 dφ
t t nt k0 dy

17
 trong đó, định nghĩa các góc được minh họa trong hình 1.5; dφ/dx, dφ/dy là các thành
phần gradient pha song song và vuông góc với mặt phẳng sóng tới.

M
t phng
sóng ti
Sóng t
i

Phn x
d th ng

Siêu b mt in t

Khúc x
d th ng
z
x
y

Hình 1.5: Gradient của bước nhảy pha giao thoa dφ/dr tạo ra véc tơ sóng trên bề mặt có
thể bẻ cong ánh sáng truyền và phản xạ theo các hướng tùy ý

Định luật này chỉ ra rằng các chùm ánh sáng truyền qua và phản xạ có thể bị bẻ cong
theo các hướng tùy ý trong nửa không gian tương ứng của chúng, tùy thuộc vào hướng
và độ lớn của gradient pha giao thoa, cũng như các chỉ số khúc xạ của môi trường xung
quanh.
Để chứng minh bằng thực nghiệm các luật tổng quát, người ta phải chia ra các bộ tán
xạ nhỏ có thể điều khiển thay đổi pha của các sóng tán xạ và đặt vào một mảng, tạo
thành một bề mặt nhân tạo. Biên độ tán xạ phải giống nhau cho tất cả các bộ tán xạ
và khoảng cách giữa các bộ tán xạ lân cận trong mảng phải nhỏ hơn nhiều so với bước
sóng. Những điều kiện này đảm bảo rằng sự chồng chất của sóng hình cầu phát ra
từ các bộ tán xạ tạo ra sóng khúc xạ và phản xạ với mặt sóng phẳng, theo nguyên lý
Huygens. Khi một chùm ánh sáng chiếu vào anten, năng lượng quang được ghép thành
sóng điện từ bề mặt truyền qua lại trên bề mặt anten, chúng đi kèm với dao động điện
tích bên trong anten. Những sóng điện từ bề mặt kết hợp với điện tích dao động này
được gọi là plasmon bề mặt. Đối với sóng kích thích có độ dài cố định, cộng hưởng
xảy ra khi độ dài anten L ≈ λ/2 , trong đó λ là bước sóng plasmon bề mặt. Khi đó

18
 sóng điện từ tới cùng pha với dòng anten bị kích thích. Do đó, pha của dòng anten và
pha của sóng điện từ được tạo bởi dòng dao động (tức là sóng tán xạ từ anten) có thể
được điều khiển bằng cách chọn độ dài anten thích hợp.

• Chuyển đổi phân cực

Trạng thái phân cực là đặc tính của sóng điện từ và sự chuyển đổi giữa các trạng thái
phân cực cần thiết cho nhiều ứng dụng điện từ và quang tử hiện đại. Ví dụ trong cảm
biến tiên tiến, chuyển đổi phân cực tuyến tính sang phân cực tròn làm cho chùm tia
chống lại sự biến đổi môi trường, tán xạ và nhiễu xạ. Trong những năm gần đây, việc
chuyển đổi giữa các trạng thái phân cực bằng cách sử dụng các bề mặt dẫn từ nhân tạo
ngày càng được quan tâm nghiên cứu do tính linh hoạt trong thiết kế của chúng. Các
nguyên tử meta đơn có tính đối xứng có thể duy trì trạng thái phân cực. Tuy nhiên, khi
tính đối xứng bị phá vỡ các trạng thái phân cực có thể được tùy chỉnh. Chuyển đổi phân
cực băng hẹp giữa các trạng thái phân cực tuyến tính và phân cực tròn ( 4φ = π/2,
1/4 bước sóng) hoặc xoay phân cực tuyến tính (4φ = π, nửa bước sóng) được thực
hiện bằng cách sử dụng các bề mặt dẫn từ nhân tạo một lớp hay nhiều lớp.
Theo ma trận Jones [43, 44], việc truyền các sóng tới phân cực tuyến tính (Ex , Ey ) qua
một bề mặt dẫn từ nhân tạo có thể được mô tả như sau:
! ! ! !
Ext Txx Txy Exi Exi
= = Tblin (1.13)
Eyt Tyx Tyy Eyi Eyi

Đối với các sóng tới phân cực tròn, phương trình trên có dạng:
! ! ! !
E+t T++ T+− E i+ E+
i

t
= i
= Tbcirc (1.14)
E− T−+ T−− E− E−i

trong đó T±± = 12 (Txx + Tyy )± 2i (Txy − Tyx ) và T±∓ = 21 (Txx − Tyy )∓ 2i (Txy + Tyx ).
Nói chung, các hướng x và y không nhất thiết trùng với các trục chính của cấu trúc.
Một vài tính chất của ma trận Jones liên quan đến các đối xứng cấu trúc của bề mặt
dẫn từ nhân tạo:

– Tất cả các thành phần trong ma trận Jones có thể khác nhau nếu bề mặt dẫn từ
nhân tạo thiếu sự đối xứng phản xạ hoặc đối xứng quay.
– Nếu cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo có đối xứng gương, Txy = Tyx và T++ = T−−
và nếu phân cực tuyến tính song song hoặc vuông góc với mặt phẳng đối xứng,
Txy = Tyx = 0.

Khi thiết kế các siêu bề mặt điện từ để chuyển đổi phân cực giữa các loại tương tự
(phân cực tuyến tính x và y hoặc phân cực tròn trái hoặc phải), chúng ta cần tối đa hóa

19
các thành phần ngoài đường chéo của ma trận Jones. Để chuyển đổi giữa các phân cực
tuyến tính và tròn, các bề mặt dẫn từ nhân tạo cần phải cho phép độ lệch pha π/2 giữa
các thành phần trực giao.

– Chuyển đổi phân cực tuyến tính sang tròn

Một mảng anten có mặt phẳng mặt đất hoạt động ở tần số microwave để tăng
cường hiệu quả bức xạ và hướng chùm tia. Sự kết hợp này cũng tăng cường
chuyển đổi phân cực trong phản xạ cho các mảng cộng hưởng kim loại không
đẳng hướng. Công việc ban đầu ở tần số microwave đã chứng minh rằng chuyển
đổi băng hẹp sang các trạng thái phân cực khác nhau, bao gồm phân cực tuyến
tính và phân cực vuông góc với sóng tới, có thể tùy thuộc vào các tham số cấu
trúc, góc tới và tần số hoạt động. Người ta cũng đã chứng minh rằng có thể sử
dụng một cặp lưỡng cực điện được định hướng vuông góc (ví dụ như các bộ cộng
hưởng chéo hình chữ nhật, hình elip, v.v. ,để điều khiển các trạng thái phân cực.
Kiểu cấu trúc này tương tự như cấu trúc trong các chất hấp thụ hoàn hảo, trong
đó giao thoa Fabry Pérot đóng vai trò quan trọng. Khi bề mặt dẫn từ nhân tạo bị
kích thích bởi sóng tới phân cực tuyến tính tạo ra hai sóng có biên độ bằng nhau,
phân cực tuyến tính trực giao và độ lệch pha π/2, tạo ra chùm tia khúc xạ phân
cực tròn. uốn cong khỏi bề mặt. Bằng cách tăng số lượng lớp lên hai hoặc ba,
trường gần có thể tăng cường đáng kể chuyển đổi phân cực tuyến tính sang vòng
tròn cũng như băng thông hoạt động.
– Xoay phân cực tuyến tính
Đáp ứng đối kháng phẳng có thể thực hiện xoay theo hướng phân cực tuyến tính.
Chuyển đổi phân cực tuyến tính sử dụng các tính chất dị hướng của siêu vật liệu.
Để tán xạ về phía trước, lưới được đặt phía sau cho phép thành phần phân cực y
được đi qua trong khi chặn thành phần phân cực x; để tán xạ trở lại, lưới được đặt
phía trước phản xạ thành phần phân cực và cho phép thành phần phân cực x đi
qua. Khi độ dày của các lớp đế polyimide được điều chỉnh cẩn thận, nhiễu giao
thoa tăng cường chuyển đổi phân cực và giao thoa triệt tiêu của các phản xạ đồng
phân cực làm giảm phần lớn sự mất phản xạ ở nhiều tần số.
Khi độ dày của các lớp đệm polyimide được điều chỉnh cẩn thận, nhiễu giao thoa
tăng cường chuyển đổi phân cực và giao thoa triệt tiêu của các phản xạ đồng phân
cực làm giảm phần lớn sự mất phản xạ (mất chèn) ở nhiều tần số [58] , một cơ
chế tương tự như lớp phủ chống phản xạ siêu vật liệu và chất hấp thụ hoàn hảo.

20
1.5 Phối hợp trở kháng giữa anten và chip
Anten dipole được sử dụng rất phổ biến trong các ứng dụng không dây do có cấu trúc
đơn giản, bức xạ đa hướng, dễ điều chỉnh trở kháng của anten, hệ số phẩm chất và anten có
kích thước nhỏ. Đặc biệt, trong ứng dụng RFID, anten dipole microstrip được sử dụng làm
anten thẻ. Để phối hợp trở kháng với chip RFID điện dung trong thực tế, người ta sử dụng
các phương pháp bao gồm vòng ghép điện cảm, cấu trúc ghép điện dung hay mạng phối hợp
trở kháng chữ T [59]. Phần này sẽ trình bày phương pháp phối hợp trở kháng mạng chữ T
bằng cách sử dụng mạch tương đương.

1.5.1 Kỹ thuật phối hợp trở kháng sử dụng vòng ghép điện cảm
Cấu trúc anten dipole phối hợp trở kháng bằng kỹ thuật sử dụng vòng ghép điện cảm và
mô hình mạch điện tương đương được minh họa trong hình 1.6 . Thẻ bao gồm một anten
lưỡng cực, một vòng ghép điện cảm và chip. Thành phần phát xạ được mô hình hóa thành
một mạch RLC nối tiếp (Ra , La , Ca ). Vòng ghép hỗ cảm tương đương điện trở RLoop nối tiếp
với cuộn cảm LLoop . Chip được mô hình hóa tương đương mạch RC song song (RC , CC ).
Trở kháng vào của anten nhìn từ chip được tính theo công thức sau [1]:
(2πf M )2
Za = ZL + (1.15)
Za
Trong đó,
ZL : trở kháng của vòng ghép điện cảm
Za : trở kháng vào của thành phần phát xạ
M : độ tự cảm tương hỗ giữa vòng ghép điện cảm và thành phần phát xạ
Để tần số hoạt động của anten gần với tần số cộng hưởng f0 , trở kháng đầu vào của thành
phần phát xạ và vòng ghép điện cảm được tính theo công thức sau [1]:
 
f f0
Za = Ra,0 + jRa,0 Qa − (1.16)
f0 f
ZL = j2πf LL (1.17)
Trong đó,
Ra,0 : điện trở của thành phần phát xạ
Qa : hệ số phẩm chất của thành phần phát xạ
LL : độ tự cảm của vòng ghép điện cảm
Thay thế phương trình 1.16 và 1.17 vào phương trình 1.15, thu được phần thực và phần
ảo của trở kháng anten Zant như sau [1]:
(2πf M )2 1
Ra = i2 (1.18)
Ra,0
h 
1 + Qa ff0 − f0
f

21
 XD(=XTag)

YD

WT
Tag chip YT

XT
(a)

Zant

RL M Ca

Is Rc Cc LL La Ra

Chip Vòng tip in Ph
n t phát x

(b)

Hình 1.6: Anten dipole với mạng phối hợp trở kháng vòng ghép hỗ cảm: (a) Cấu trúc anten,
(b) Mô hình mạch điện tương đương [1]

 
f f0
(2πf M )2 Qa − f0 f
Xa = 2πf LL − i2 (1.19)
Ra,0
h 
1 + Qa ff0 − f0
f

Nếu anten hoạt động ở chế độ cộng hưởng (f = f0 ), các thành phần thực và ảo của Zant
được tính như sau [1]:

(2πf M )2
Ra = Ra (f = f0 ) = (1.20)
Ra,0
Xa = Xa (f = f0 ) = 2πf0 LL (1.21)

Để tính gần đúng các tham số của mạch, các đoạn dây dẫn được coi là dây dẫn hoàn hảo
với dòng điện đồng nhất và tổn thất không đáng kể. Hình 1.6(a) cho thấy mạch tương đương
của vòng ghép điện cảm gồm một điện trở và một cuộn cảm. Giả thiết chu vi của vòng ghép
hỗ cảm là P, với một vòng kích thước nhỏ (P < λ0 /3), điện trở được tính như sau [1]:
 4
2 P
RL = 20π (1.22)
λ0

22
 Hình 1.7(b) minh họa mô hình tính điện cảm. Với công thức Grover [60], độ tự cảm của
dây dẫn hình chữ nhật thẳng có chiều dài l, chiều rộng w và độ dày t được tính như sau [1]:
    
µ0 2l w+t
L= l ln + 0.50049 + /103 (1.23)
2π w+t 3l

Độ tự cảm tương hỗ Mp giữa hai dây dẫn song song được tính như sau [1]:
" s ! r #
l l2 d2ab dab
Qp = ln + 1+ 2 − 1+ 2 + (1.24)
dab dab l l

Mp = 2lQp (1.25)

Trong đó,
dab : khoảng cách giữa hai dây dẫn
l: độ dài của dây dẫn (hình 1.8)
Qp : hệ số tự cảm

lx RL L2

M13

ly LL L3 L1
M24

Vòng ti
p in L4

(a) (b)

Hình 1.7: (a) Mô hình mạch điện tương đương của vòng tiếp điện, (b) Mô hình tự cảm LL

Giả sử Lgap là độ tự cảm của khe giữa các đầu cuối tiếp điện. Độ tự cảm tổng của vòng
ghép với khoảng cách được tính như sau:

LL = (L1 +L2 +L3 +L4 )−Lgap −2(M13 +M24 ) = 2(L1 +L2 −M13 −M24 )−Lgap (1.26)

Thành phần phát xạ của anten được mô hình hóa thành một mạch RLC nối tiếp. Trong
đó, cuộn cảm kết hợp với tụ điện nối tiếp tạo thành mạch cộng hưởng ở tần số cộng hưởng
của anten. Với một vòng dây dẫn có chu vi (λ0 /3 ≤ P < πλ0 ), điện trở bức xạ của anten có
thể mô hình hóa. Điện trở bức xạ tương đương với tổn thất của anten trong quá trình biến đổi
dòng điện thành sóng bức xạ. Tóm lại, điện trở tổng bao gồm điện trở bức xạ và điện trở suy
hao. Giả sử dây dẫn của anten được coi là không tổn hao, Ra,0 bằng tổng điện trở và được
tính như sau:

23
 x

z
l
a b
t

w y
dab

Hình 1.8: Mô hình tính độ tự cảm tương hỗ của hai dây dẫn song song

 2  
P (1) P
Ra,0 = ηπ Q11 (1.27)
λ0 λ0
(1)
Trong đó, η = 120π (Ω), P là chu vi của vòng tiếp điện, Q11 ( λP0 ) là tích phân của chuỗi
các hàm Bessel:   ∞  
(1) P 1 X P
Q11 = P
J2m+3 2 (1.28)
λ0 λ0 m=0
λ0
(1)
Thay thế P vào phương trình 1.28 để tính Q11 ( λP0 ), sau đó thay thế tiếp vào phương trình
1.27 ta sẽ tính được Ra . Mặt khác, độ tự cảm của anten được tính theo công thức trong tài
liệu [60]:  
2la .lb
La = 0, 4(la + lb ). ln (1.29)
w(la + lb )
Điện dung và hệ số phẩm chất của anten ở tần số cộng hưởng được tính như sau [1]:
1
ω0 = √ (1.30)
LC
1
Ca = (1.31)
(ω0 )2 La
ω0 L0 1
Qa,0 = = (1.32)
Ra ω0 Ra Ca
Độ tự cảm giữa vòng tiếp điện và anten lưỡng cực được tính theo công thức sau [1]:
 
µ0 (lx + d0 )(la − d0 )
M= ln (1.33)
2π d0 (la − lx − d0 )

Trong đó, µ0 là độ từ thẩm chân không và d0 là khoảng cách giữa vòng tiếp điện và thành
phần bức xạ của anten.

24
1.5.2 Kỹ thuật phối hợp trở kháng sử dụng mạng chữ T
Cấu trúc anten dipole sử dụng mạng phối hợp trở kháng chữ T và mô hình mạch điện
tương đương được minh họa trong hình 1.9. Thẻ bao gồm một anten dipole, một đường
stripline mạng chữ T và chip. Mạng chữ T hoạt động như một bộ biến đổi để phối hợp trở
kháng giữa trở kháng của anten và trở kháng của chip thông qua việc điều chỉnh hệ số α [61].
Các tham số kích thước của thẻ như sau:
XD(=XTag)

YD
YTag
YT YCTC
Tag chip

WT
XT
(a)

(1+
) : 1

ZChip 2ZT ZD

ZChip ZTag
(b)

Hình 1.9: Anten dipole với mạng phối hợp trở kháng chữ T: (a) Cấu trúc anten, (b) Mô hình
mạch điện tương đương

• Kích thước thẻ: XT ag × YT ag

• Kích thước dipole: XD × YD

• Kích thước mạng chữ T: XT × YT

• Độ rộng đường vi dải: WT

• YCT C : Khoảng cách giữa dipole và đường stripline của mạng chữ T

• ZT : Trở kháng dây chêm tạo bởi đường stripline của mạng chữ T và dipole

• ZD : Trở kháng dipole

25
 • ZT : Trở kháng chip

• K: số sóng

Công suất truyền từ chip được tính theo công thức sau [61]:
∗
ZAnt − ZChip
 
2 2
PChip = PAnt (1− | ηtag |) = PAnt 1− | | (1.34)
ZAnt − ZChip

Trong đó, ηtag là hệ số suy hao phản xạ.

∗ 2ZT [(1 + α)2 ZD ]

ZAnt = ZChip = (1.35)
2ZT + (1 + α)2 ZD

Tham số α và ZT được định nghĩa như sau:

 
YCT C
loge WT
0
α=   (1.36)
YCT C
loge 0
YD

 
KXT
ZT = jZ0 tan (1.37)
2
0 0
Trong đó, WT = 0, 25WT , YD = 0, 25YD
!
Y
Z0 = 276log10 p CT0 C 0 (1.38)
W T YD
" ! #   
2 2
2 (1 + α) ZD 1 2 (1 + α) ZD  1 
XT = arctan (1+α)2 ZD
= arctan  (1+α)2 Z (1.39)
k −2 jZ0 k D
− 2 jZ0
ZAnt Z∗ Chip

Từ phương trình (1.34) ta thấy anten dipole phối hợp trở kháng với chip khi trở kháng của
anten có giá trị bằng liên hợp phức của trở kháng chip. Từ phương trình (1.39) ta tính được
tham số kích thước XT của mạng phối hợp trở kháng chữ T theo các tham số α và ZD . Các
tham số kích thước XT , YT , WT được hiệu chỉnh trong quá trình mô phỏng thiết kế để thu
được phối hợp trở kháng giữa anten và chip.

1.5.3 Kỹ thuật phối hợp trở kháng sử dụng khe lồng nhau
Mô hình anten sử dụng kỹ thuật sử dụng khe lồng nhau để phối hợp trở kháng và mô
hình mạch điện tương đương được minh họa trong hình 1.10. Kỹ thuật phù hợp với các anten
lưỡng cực kích thước lớn. Việc phối hợp trở kháng giữa chip và anten được thực hiện nhờ vào
thành phần trở kháng ảo của khe có tính cảm kháng. Trở kháng của anten được điều chỉnh
bởi tỷ số giữa a và b. Tùy thuộc vào hình dạng và kích thước của khe, anten hoạt động như

26
một lưỡng cực băng thông rộng có dạng khe hình chữ H. Khi độ rộng của khe b  l, thành
phần trở kháng ảo lớn. Ngược lại khi tăng b, thành phần trở kháng ảo giảm.

l a g
Tm silicon
d

Thành ph
n phát x

l
(a) (b)

b g/2 g/2 b

Zs,a Zs,g ZA Zs,a

(c)

Hình 1.10: Anten lưỡng cực với mạng phối hợp trở kháng khe lồng nhau: (a) Hình chiều
đứng của anten, (b) Hình chiếu bằng của anten (c) Mô hình mạch điện tương đương

1.6 Các kỹ thuật giảm nhỏ kích thước anten thẻ RFID
Do phần lớn các thẻ RFID được gắn trên các đối tượng có kích thước nhỏ vì vậy yêu cầu
giảm nhỏ kích thước mà không làm giảm hiệu suất bức xạ luôn được đặt ra trong quá trình
thiết kế anten thẻ RFID. Hiện nay, hai kỹ thuật giảm nhỏ kích thước được sử dụng phổ biến
cho anten thẻ RFID bao gồm: kỹ thuật uốn gấp khúc và kỹ thuật sử dụng cấu trúc anten chữ
F ngược [59].

1.6.1 Kỹ thuật uốn gấp khúc

Kỹ thuật này được thực hiện bằng cách uốn gấp khúc hai nhánh của anten lưỡng cực, tạo
ra các cuộn cảm và điện dung phân tán tác động đến trở kháng vào của anten [62]. Hình 1.11
minh họa cấu trúc của anten lưỡng cực sử dụng kỹ thuật uốn gấp khúc (MLA). Mật độ dòng
điện phân bố chủ yếu ở các đường nằm ngang của anten. Tần số cộng hưởng của anten uốn
gấp khúc thấp hơn nhiều so với anten lưỡng cực truyền thống. Tuy nhiên anten thu được có
băng thông hẹp và hiệu suất bức xạ thấp hơn.

27
 Hình 1.11: Cấu trúc anten lưỡng cực sử dụng kỹ thuật uốn gấp khúc

0,05 × 0,04

(a)

0,24 × 0,05

(b)

0,27 × 0,01

(c)

Hình 1.12: Một số cấu trúc anten thẻ RFID lưỡng cực sử dụng kỹ thuật uốn gấp khúc để
giảm nhỏ kích thước anten

Một số mẫu anten thẻ RFID sử dụng kỹ thuật uốn gấp khúc nhằm giảm nhỏ kích thước
của anten được trình bày trong hình 1.12. Hình 1.12(a) minh họa cấu trúc anten thẻ RFID
MLA ở tần số f = 953M Hz tiếp điện bằng mạng phối hợp trở kháng chữ T [63]. Cấu trúc
anten thẻ RFID MLA ở tần số f = 915M Hz phối hợp trở kháng bằng vòng ghép điện cảm
được mô tả trong hình 1.12(b) [64]. Hình 1.12(c) minh họa cấu trúc anten thẻ RFID MLA

28
gấp xoắn ốc tiếp điện bằng mạng phối hợp trở kháng chữ T hoạt động ở tần số f = 900M Hz
[65].

1.6.2 Kỹ thuật sử dụng cấu trúc anten PIFA

Anten PIFA là một anten vi dải hình chữ nhật được kết nối với mặt phẳng đất bởi một
phiến kim loại được gọi là chốt ngắn mạch. Anten được gọi là PIFA vì hình chiếu cạnh của
anten với lớp điện môi không khí có dạng như hình chữ F úp mặt xuống nhằm giảm chiều
cao của anten. Anten PIFA thường được thiết kế để hoạt động với kích thước tấm phát xạ
bằng 1/4 bước sóng cộng hưởng. Điều này có được là do sự xuất hiện của chốt ngắn mạch
giúp giảm nhỏ kích thước của anten đi 1/4 lần so với anten vi dải khác (thường cộng hưởng
với kích thước tấm phát xạ bằng 1/2 lần bước sóng hoạt động). Hình 1.13 minh họa cấu trúc
anten PIFA có tấm phát xạ hình vuông hoạt động ở tần số f = 870M Hz [66].

0,19 × 0,19

εr
Hình 1.13: Anten PIFA có tấm phát xạ hình vuông

1.6.3 Kỹ thuật dùng tải thuần kháng dung

Kỹ thuật dùng tải thuần kháng dung được sử dụng để giảm nhỏ kích thước anten lưỡng
cực. Phân bố dòng điện trên chấn tử được xác định theo phương pháp gần đúng, khi đó chấn
tử tương đương một đoạn dây song hành mắc tải điện dung ở đầu cuối. Do mắc tải nên trở
kháng đầu cuối có giá trị hữu hạn, dòng điện đầu cuối khác không tức là phân bố dòng điện
sẽ tương tự trường hợp chấn tử được kéo dài thêm một đoạn. Hình 1.14 minh họa anten lưỡng
cực với tải thuần dung kháng mắc ở đầu cuối. Hàm phân bố dòng điện trên chấn tử mắc tải
điện dung ở đầu cuối được tính theo công thức sau [42]:
Uc
I(z) = Ic coskz + i sinkz (1.40)
ρ

Trong đó,
Ic , Uc : dòng điện, điện áp ở cuối chấn tử

29
 l td
I0
~

l/ 2

L/2

Hình 1.14: Anten lưỡng cực với tải thuần dung kháng mắc ở đầu cuối

ρ: trở kháng sóng của chấn tử

z: khoảng cách của điểm khảo sát tính từ cuối chấn tử
Với:
IC
UC = (1.41)
iωC
1
Iz = IC (cos kz + sin kz) (1.42)
ωCρ
Trong đó, C là điện dung của tải
Nếu đặt:

 sin θ = 1
1 (1.43)
 cos θ =
ωCρ

Thì,

I(z) = IC A sin(kz + ψ) (1.44)

Như vậy phân bố dòng điện trên chấn tử có nút dòng điện không ở cuối chấn tử mà dịch
ra phía ngoài ở vị trí kz = −ψ. Do đó có thể thay thế tải dung tính của chấn tử đối xứng bởi
một đoạn dây kéo dài tương đương có độ dài điện kltd = ψ.
l
Chấn tử đối xứng có tải với chiều dài mỗi nhánh 2
được thay thế bởi một chấn tử đối
xứng không tải với độ dài mỗi nhánh bằng:
L l ψ
= + (1.45)
2 2 k
Trong luận án này, hai kỹ thuật bao gồm uốn gấp khúc và dùng tải thuần kháng dung sẽ
được áp dụng để giảm nhỏ kích thước của anten thẻ RFID. Cấu trúc thiết kế của các anten sẽ
được trình bày trong chương 2 và 3.

30
1.7 Các kỹ thuật cải thiện hệ số tăng ích và độ định hướng
của anten thẻ RFID
Có nhiều phương pháp khác nhau đã được các nhà nghiên cứu sử dụng để cải thiện hệ số
tăng ích và độ định hướng của anten như mảng nhiều anten, thay đổi vật liệu đế điện môi,
trong phạm vi luận án này sẽ giới thiệu một số kỹ thuật phù hợp với thiết kế thẻ RFID.

1.7.1 Phương pháp sử dụng bề mặt phản xạ

Anten bao gồm hai lớp trong đó lớp thứ nhất là một anten vi dải truyền thống. Lớp thứ
hai cũng là vật liệu FR4 được phủ đồng cả hai mặt đặt cách lớp thứ nhất một khoảng 0, 04λ0 .
Lớp FR4 thứ hai hoạt động như một mặt phản xạ để chuyển hướng mật độ lan truyền từ búp
sóng phụ sang búp sóng chính. Tài liệu [67] giới thiệu một mô hình anten vi dải sử dụng mặt
phẳng phản xạ để cải thiện độ tăng ích của anten. Cấu trúc của anten được minh họa trong
hình 1.15. Anten hoạt động ở tần số 2,45 GHz với kích thước tổng cộng 60 mm × 55 mm ×
8,37 mm, sử dụng đế FR4 có hằng số điện môi εr = 4, 3, độ dày 1,6 mm. Kết quả mô phỏng
cho thấy anten thu được có hệ số tăng ích lớn hơn 2,29 dBi so với anten truyền thống. Kết
quả so sánh các thông số của anten được trình bày trong bảng 1.2.

Hình 1.15: Anten sử dụng mặt phẳng phản xạ

Bảng 1.2: Các thông số của anten sử dụng mặt phản xạ

Thiết kế S11 (dB) G(dBi) D(dB) η

Anten truyền thống -12,60 3,11 5,02 0,64
Anten sử dụng mặt phản xạ -28,02 5,40 7,75 0,582

1.7.2 Phương pháp sử dụng tấm patch ký sinh

Cấu trúc của anten sử dụng tấm patch ký sinh được giới thiệu trong tài liệu [68]. Anten
này cũng bao gồm hai lớp đế điện môi. Thành phần phát xạ nằm ở mặt trên của lớp điện môi

31
thứ nhất, trong khi đường cấp điện nằm ở mặt trên của lớp đế điện môi thứ hai. Mặt phẳng
đất nằm ở mặt dưới của lớp đế điện môi thứ hai. Độ dày và hằng số điện môi của hai lớp đế
điện môi có thể khác nhau. Hình 1.16 minh họa cấu trúc của anten. Anten có kích thước tổng
cộng 75 mm × 75 mm × 3,2 mm, hoạt động ở tần số 2,836 MHz. Các tham số kích thước
của anten bao gồm Lsb = 75 mm, Wsb = 75 mm, Lp = 8 mm, Wp = 24,2 mm, Lp1 = 3 mm,
Wp1 = 24.2 mm, Lp2 = 7 mm, Wp2 = 24,2 mm, Hp = 1,6 mm, Hf = 1,6 mm, Lf = 37,5 mm,
Wf = 1,33 mm. Kết quả mô phỏng cho thấy anten có hệ số tăng ích tăng từ 4.23 dBi lên 5.57
dBi, băng thông của anten cũng được cải thiện đáng kể, từ 80 MHz lên 300 MHz.

Hình 1.16: Cấu trúc thiết kế của anten sử dụng tấm patch ký sinh

1.7.3 Phương pháp sử dụng cấu trúc chắn dải điện từ

Cấu trúc chắn dải điện từ bao gồm một dãy các phiến kim loại nhô lên nằm trên một tấm
kim loại phẳng [69]. Các tấm kim loại ở trên được nối với vật dẫn ở dưới bằng các cột kim
loại thẳng đứng. Chúng có thể được xem như dạng hình nấm nhô lên từ bề mặt. Ưu điểm
chính của cấu trúc chắn dải điện từ làm giảm sóng bề mặt. Nhờ đó hiệu suất của anten được
cải thiện so với anten vi dải thông thường. Khi sóng bề mặt giảm hệ số tăng ích của anten sẽ
tăng.

(a) Hình chi
u  ng (b) Hình chiu bằng

Hình 1.17: Cấu trúc chắn dải điện từ có dạng hình nấm

Hình 1.17 minh họa cấu một cấu trúc chắn dải điện từ có dạng hình nấm. Cấu trúc EBG
được mô hình hóa tương đương mạch cộng hưởng LC được chỉ ra trên hình 1.18. Tài liệu [70]

32
 ++C- -
+ -
L

Hình 1.18: Mô hình mạch cộng hưởng LC của cấu trúc EBG

Bảng 1.3: Các thông số của anten sử dụng cấu trúc EBG

Thiết kế D (dBi) G (dB) n (%) B (MHz)

Anten truyền thống 5,66 4,74 95 181
Anten sử dụng cầu trúc EBG 9,55 9,16 97 191

giới thiệu một mô hình anten sử dụng cấu trúc chắn dải điện từ có kích thước tổng cộng 49
mm × 52 mm × 3,2 mm. Cấu trúc của anten được mô tả trong hình 1.19. Kết quả mô phỏng
cho thấy anten thu được có hệ số tăng ích lớn hơn 3,89 dBi so với anten truyền thống. Kết
quả so sánh các thông số của anten được trình bày trong bảng 1.3.

Hình 1.19: Anten sử dụng cấu trúc chắn dải điện từ có dạng hình nấm

1.7.4 Phương pháp sử dụng cấu trúc mặt phẳng đất không hoàn hảo
Mặt phẳng đất bao gồm các khe hình học nhỏ định kỳ khuyết trên đó được gọi là mặt
phẳng đất không hoàn hảo. Các cấu trúc khuyết này làm xáo trộn sự phân bố dòng điện của
mặt phẳng đất dẫn đến thay đổi các đặc tính của đường truyền bao gồm các tham số như điện
trở, điện dung và độ tự cảm của đường truyền. Từ đó làm suy giảm sự lan truyền sóng trên bề
mặt đế điện môi. Kết quả là hệ số tăng ích và hiệu suất bức xạ của anten được cải thiện đáng
kể. Một anten có cấu trúc DGS được giới thiệu trong tài liệu [71]. Hình 1.20 dưới đây minh
họa cấu trúc của anten. Anten có kích thước tổng cộng 59 mm × 52 mm × 1,6 mm, hoạt

33
động ở tần số 2,45 GHz, có đế điện môi sử dụng vật liệu FR4 với hằng số điện môi εr = 4, 3
và độ dày h = 1,6 mm. Hệ số tăng ích của anten tăng từ 2,96 dBi lên 3,45 dBi so với anten
truyền thống.

Hình 1.20: Mặt trước và mặt sau của anten có cấu trúc mặt phẳng đất không hoàn hảo

1.8 Kết luận chương 1

Chương 1 đã trình bày tổng quan về công nghệ RFID, các kỹ thuật chế tạo anten và các
vật liệu được sử dụng làm đế điện môi. Các tham số và các kỹ thuật cải thiện hệ số tăng ích
và độ định hướng của anten thẻ RFID cũng đã được giới thiệu chi tiết. Xu hướng tích hợp
đa phương tiện, yêu cầu kích thước nhỏ gọn, tính linh hoạt cao, khoảng cách đọc lớn của
các hệ thống RFID đã đặt ra nhiều thách thức cho các nhà nghiên cứu khi thiết kế các anten
thẻ RFID. Các phân tích trong chương này đã chỉ rõ những tham số cơ bản ảnh hưởng đến
khoảng cách đọc của anten RFID và các giải pháp cải thiện hệ số tăng ích và độ định hướng
của anten... Tiếp theo luận án sẽ trình bày giải pháp nhằm tăng độ linh hoạt của thẻ RFID
bằng cách sử dụng cấu trúc dệt trong chương 2 và giải pháp cải thiện hệ số tăng ích, khoảng
cách đọc của anten RFID sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo trong chương 3 của luận án.

34
 CHƯƠNG 2
THIẾT KẾ ANTEN THẺ RFID CÓ THỂ TÍCH HỢP SỬ DỤNG CẤU
TRÚC DỆT

2.1 Giới thiệu chương

Chương này trình bày tổng quan về anten có thể tích hợp, các loại vật liệu đế điện môi
và các kỹ thuật phổ biến trong chế tạo anten có thể tích hợp. Tiếp đó, giải pháp sử dụng cấu
trúc dệt và đế điện môi bằng vải được phân tích và và áp dụng trong việc thiết kế anten thẻ
RFID UHF có cấu trúc hình học dạng uốn gấp khúc. Anten hoạt động ở tần số 2.45 GHz
bao gồm một thành phần phát xạ và một lớp điện môi. Vật liệu điện môi được sử dụng trong
quá trình mô phỏng thiết kế anten là Kevlar có hằng số điện môi εr = 3,58, hệ số suy hao
tanδ = 0, 019 và độ dày h = 0.254 mm. Vật liệu này thỏa mãn yêu cầu về độ mềm dẻo của
anten thẻ đeo. Thành phần bức xạ của anten được thiết kế sử dụng kỹ thuật uốn gấp khúc,
viết tắt của tên trường đại học Bách Khoa Hà Nội (HUST) sử dụng vật liệu sợi đồng. Thành
phần đế có kích thước chiều dài L = 45 mm và chiều rộng W = 16 mm. Anten được thiết kế
và mô phỏng sử dụng phần mềm CST (Computer Simulation Technology). Anten mô phỏng
có hệ số phản xạ S11 là -18.26 dB và hệ số khuếch đại là 2.2 dB ở tần số 2,45 GHz.

2.2 Anten có thể tích hợp

Việc nghiên cứu thiết kế chế tạo anten có thể tích hợp ngày càng phát triển trong những
năm gần đây. Ưu điểm của loại anten này là có tính thẩm mỹ cao, anten được tích hợp vào
quần áo thay vi phải gắn lên chúng. Thêm vào đó, hiện nay anten này có thể sản xuất hàng
loạt bằng máy thêu kỹ thuật số. Anten có thể tích hợp định nghĩa là một phần của quần áo
được mặc bởi con người. Do đó, anten cần có độ mềm dẻo hoặc kích thước nhỏ để không ức
chế chuyển động của cơ thể con người. Với sự phát triển của công nghệ, anten có thể tích hợp
cho phép định vị các đối tượng sử dụng quần áo thông minh. Hiện nay, quần áo thông minh
xuất hiện ngày càng nhiều trong các ứng dụng khác nhau bao gồm: thể thao, nhân viên cấp
cứu, ứng dụng quân sự, y tế hay thời trang [72].

2.3 Vật liệu đế điện môi của anten có thể tích hợp
Việc lựa chọn vật liệu đế điện môi khi thiết kế anten có thể tích hợp rất quan trọng. Đế
điện môi cần có độ tổn hao thấp nhằm tăng hiệu suất bức xạ khi anten đặt gần cơ thể người.

35
Đổi với anten có thể tích hợp, vật liệu đế điện môi cần có độ linh hoạt nhằm tránh hạn chế
ảnh hưởng đến hoạt động của người đeo thẻ. Bảng 2.1 giới thiệu các đặc tính của một số loại
vật liệu được sử dụng trong thiết kế anten có thể tích hợp [73].

Bảng 2.1: Bảng các tham số đặc tính của các loại đế điện môi cho anten có thể tích hợp

Vật liệu h(m) r tanδ

Lông cừu 3 1,04 0,024
Vải Cordura 0,5 1,1-1,7 0,02

Bọt Polyurethane 11 1,16 0,01

Nỉ 1,1 1,3 0,02

Vải cotton/Polyester 2,8 1,6 0,02
Polydimethylsiloxane
- 3,0-13 0,02
(PDMS)
Len 3,5 1,45 0,02
Vải Kevlar 0,254 3,58 0,019

Từ bảng trên có thể thấy vật liệu vải nói chung thường có hệ số điện môi thấp, đặc tính
này giúp làm giảm sóng bề mặt và cải thiện băng thông của anten. Tuy nhiên kích thước của
anten sẽ lớn hơn so với anten sử dụng vật liệu có hệ số điện môi lớn. Ví dụ vải Cordura là vật
liệu làm từ sợi polyamide với màng nylon và Gore-Tex. Vải Cordura được sử dụng khá nhiều
trong các thiết kế anten dệt do có độ bền và đặc tính chống nước cao. Độ cứng của vật liệu
đế điện môi có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của anten dệt. Vải nỉ có bề mặt mềm mịn, nhưng
có nhược điểm là dễ bị nén và độ dày thay đổi ảnh hưởng đến các đặc tính của anten.

2.4 Các kỹ thuật chế tạo anten có thể tích hợp

Do anten được dệt trực tiếp trên quần áo và sẽ hoạt động trong các điều kiện khác nhau
(chuyển động của người mặc, điều kiện thời tiết, nhiệt độ, uốn cong), quy trình chế tạo anten
đeo phải đảm bảo được sự thống nhất với mô hình thiết kế và kết quả mô phỏng nhằm tăng
khả năng hoạt động và độ bền của anten. Anten này được chia làm hai nhóm bao gồm anten
cứng và anten mềm dẻo (thường là anten dệt).

36
2.4.1 Anten có thể tích hợp dạng cứng
Quá trình sản xuất anten có thể tích hợp dạng cứng tuân theo các kỹ thuật thông thường
ví dụ bằng cách sử dụng phương pháp ăn mòn kim loại. Anten loại này đòi hỏi có kích thước
nhỏ gọn nhằm giảm thiểu sự bất tiện cho người dùng vì vậy cần sử dụng các phương pháp
giảm nhỏ kích thước anten khi nghiên cứu thiết kế anten loại này.

2.4.2 Anten có thể tích hợp dạng mềm dẻo

Kỹ thuật chế tạo anten dệt được chia thành các loại bao gồm: kỹ thuật sử dụng các lớp
kim loại mỏng và đồng nhất gắn vào vải không dẫn điện, kỹ thuật sử dụng sợi dẫn điện để
dệt hoặc thêu các mẫu anten, sau đó gắn hoặc khâu chúng lên vải không dẫn điện, kỹ thuật
dệt và kỹ thuật in phun hoặc in lụa lên vải không dẫn điện [74]. Các sợi dẫn điện đòi hỏi phải
có độ dẫn điện tốt và được dệt với mật độ cao. Sợi dẫn điện khác nhau sẽ dẫn đến hiệu suất
bức xạ của anten khác nhau.

• Kỹ thuật sử dụng các lớp kim loại mỏng và đồng nhất gắn vào vải không dẫn điện
Đây là kỹ thuật chế tạo anten có thể tích hợp đơn giản nhất, tiết kiệm thời gian và chi
phí chế tạo. Tuy nhiên kỹ thuật này chỉ phù hợp với việc chế tạo anten thử nghiệm. Các
băng đồng hoặc giấy bạc có thể dễ dàng gắn lên đế vải nhưng cũng rất dễ bị bong ra
khi bị uốn cong hoặc thậm chí do điều kiện môi trường (ví dụ nhiệt độ, độ ẩm). Hình
2.1 minh họa anten có thể tích hợp sử dụng phiến đồng gắn lên đế vải hoạt động ở tần
số 2,45GHz [75].

Hình 2.1: Anten có thể tích hợp sử dụng phiến đồng gắn lên đế vải

• Kỹ thuật sử dụng sợi dẫn điện để dệt hoặc thêu các mẫu anten, sau đó gắn hoặc khâu
chúng lên vải không dẫn điện
Thời gian chế tạo anten theo kỹ thuật này sẽ nhiều hơn nhưng anten thu được có độ
mềm dẻo cao hơn so với kỹ thuật sử dụng băng đồng.

37
 • Kỹ thuật dệt
Bằng cách sử dụng các sợi dẫn điện chuyên biệt, anten có thể được thêu lên vải bằng
máy dệt kỹ thuật số. Các sợi dẫn điện phải có sự mềm dẻo và không bị đứt trong quá
trình dệt. Yêu cầu đặt ra cần lựa chọn sợi dẫn phù hợp về độ dẫn điện; độ bền, độ mềm
dẻo và đánh giá đặc tính của các sợi dẫn khi chúng được thêu để tạo thành một vật
thể xấp xỉ liên tục nhằm cải thiện hiệu suất bức xạ của anten. Cấu trúc hình học của
kỹ thuật thêu ảnh hưởng tới hiệu suất bức xạ của anten [76]. Nhìn chung, khoảng cách
giữa các sợi dẫn điện càng nhỏ thi hiệu suất bức xạ của anten càng lớn.

• Kỹ thuật in phun hoặc in lụa lên vải không dẫn điện

Kỹ thuật in phun và in lụa cũng có thể được sử dụng trong chế tạo các anten có thể tích
hợp. Tuy nhiên, giấy hoặc bìa carton thường được sử dụng làm đế điện môi do vật liệu
vải không phù hợp [77]. Ưu điểm của kỹ thuật in phun là không yêu cầu mặt nạ, thời
gian chế tạo nhanh. Tuy nhiên do các hạt nano bạc trong dung dịch được sử dụng để
tạo ra các dây dẫn mỏng có độ dày xấp xỉ 1 µm nên việc in trên các bề mặt thô ráp như
vải là rất khó. Bên cạnh đó, trong kỹ thuật in phun để tạo ra đường dẫn liên tục với độ
dẫn và độ bền cao, có khả năng chịu va đập và chịu nhiệt cao cần thiết phải loại bỏ
dung môi không dẫn điện có trong mực in.

2.5 Các bước thiết kế anten thẻ RFID có thể tích hợp
Các bước thiết kế anten thẻ RFID được mô tả trong hình 2.2. Đầu tiên cần xác định các
yêu cầu về đặc tính hoạt động của anten. Bước tiếp theo tiến hành lựa chọn vật liệu chế tạo,
mô hình thiết kế anten và phương pháp phối hợp trở kháng giữa anten và chip. Sau đó thực
hiện tính toán các tham số kích thước của anten. Bước tiếp theo là quá trình mô phỏng mô
hình thiết kế và tối ưu các tham số kích thước của anten. Bước cuối cùng thực hiện chế tạo
và đo đạc thực nghiệm.

2.6 Đề xuất cấu trúc và đặc tính của anten thẻ RFID có thể
tích hợp

2.6.1 Lựa chọn vật liệu

Khi thiết kế anten, các vật liệu của các thành phần bức xạ và đế điện môi của anten được
chọn để phù hợp với các ứng dụng cụ thể. Đối với các anten thẻ đeo RFID, vật liệu dùng để
chế tạo đế anten cần có độ mềm dẻo và độ bền cao. Vật liệu dẫn điện yêu cầu điện trở thấp

38
 Xác nh yêu c u c tính ho t ng c a anten

L a ch n v t li u ch t o và mô hình thi t k anten

L a ch n ph ng pháp ph i h p trở kháng giữa

anten và chip

Tính toán các tham s kích th c c a anten

Mô ph ng mô hình thi t k và t i u các tham s kích th c

c a anten

Ch t o và o c th nghi m

Hình 2.2: Các bước thiết kế anten thẻ RFID

và ổn định để giảm thiểu tổn thất. Các loại vải không dẫn điện như polydimethylsiloxane
(PDMS), vải lông cừu, nỉ được sử dụng làm đế điện môi. Trong nghiên cứu này, Kevlar được
chọn làm đế có hằng số điện môi εr = 3,58, hệ số suy hao tanδ = 0,019 và độ dày h = 0.254
mm. Kevlar được lựa chọn do có hằng số điện môi lớn, hệ số suy hao nhỏ và độ bền cao hơn
các loại vải khác. Dây đồng có đường kính d = 0,4 mm được lựa chọn để chế tạo phần tử bức
xạ.

2.6.2 Tính toán các tham số kích thước của anten

Anten được thiết kế dựa trên mô hình anten lưỡng cực vi dải. Trước tiên, các tham số
kích thước của anten được tính toán dựa trên cấu trúc anten lưỡng cực vi dải cơ bản. Hình 2.3
minh họa cấu trúc hình học của một anten lưỡng cực vi dải. Anten bao gồm hai nhánh, có độ
rộng W và chiều dài tổng cộng L. Đế điện môi Kevlar có hằng số điện môi εr = 3,58, hệ số
suy hao tanδ = 0,019 và độ dày h = 0.254 mm.
Độ rộng của anten được tính theo công thức sau [78]:

W = 0, 05λ0 = 6(mm) (2.1)

39
 L

x
L1 G L2
y
(a)
Lng cực

in môi
z
y
(b)

Hình 2.3: Cấu trúc hình học của anten lưỡng cực vi dải: (a) Hình chiếu bằng, (b) Hình
chiếu đứng

Từ đó tính được hằng số điện môi hiệu dụng [44]:

 
εr + 1 εr − 1  1
εref f = + q  = 3, 34 (2.2)
2 2 1+ 12h
W

Trong đó, εr , h lần lượt là hệ số điện môi và độ dày của đế vải, W là độ rộng của đường
vi dải. Độ dài hiệu dụng của đường vi dải được tính theo công thức sau:
c 1
Lef f = √ = 33, 5(mm) (2.3)
2f εref f

Độ dài tăng thêm của đường vi dải:

(εref f + 0, 3)( Wh + 0, 264)

4Ls = 0, 412 ∗ h = 0, 12(mm) (2.4)
(εref f − 0, 258)( Wh + 0, 8)

Chiều dài thực L của đường vi dải đươc tính theo công thức sau:

L = Lef f − 24Ls = 33, 25(mm) (2.5)

2.6.3 Cấu trúc anten đề xuất

Cấu trúc hình học của anten đề xuất được mô tả trong hình 2.4. Anten bao gồm thành
phần phát xạ và lớp điện môi. Anten hoạt động ở tần số 2.45 GHz. Vật liệu điện môi được
sử dụng trong quá trình mô phỏng thiết kế anten là Kevlar có hằng số điện môi εr = 3,58,
hệ số suy hao tanδ = 0,019 và độ dày h = 0.254 mm. Vật liệu này thỏa mãn yêu cầu về độ
mềm dẻo của anten đeo. Thành phần bức xạ được thiết kế dùng kỹ thuật uốn gấp khúc, viết
tắt của tên trường đại học Bách Khoa Hà Nội (HUST) sử dụng vật liệu sợi đồng. Thành phần
đế có kích thước chiều dài Lsub = 45 mm và chiều rộng Wsub = 16 mm. Anten được thiết kế

40
và mô phỏng sử dụng phần mềm CST (Computer Simulation Technology). Các chữ cái của
logo được kết nối với nhau và được sắp xếp sao cho hai nhánh có độ dài anten gần bằng nhau.
Dây đồng được dệt từ mặt trước ra mặt sau của đế vải. Anten được phối hợp trở kháng với
cáp đồng trục 50 Ω. Bề rộng đường vi dải của mỗi nhánh trong cấu trúc anten thiết kế được
chọn bằng 2 mm tương đương 1/3 độ rộng của đường vi dải theo tính toán lý thuyết, vì vậy
chiều dài tổng cộng của anten mô phỏng xấp xỉ 100 mm gấp ba lần so với tính toán lý thuyết.
Bảng 2.2 minh họa các tham số kích thước của anten đề xuất.

Hình 2.4: Cấu trúc hình học của anten dệt được đề xuất: (a) Mặt trước của anten, (b) Mặt
sau của anten, (c) Hình chiếu đứng của anten

Bảng 2.2: Bảng các tham số kích thước của anten dệt đề xuất (mm)

Wsub 45 Lsub 16 gap 0,2

l1 4,1 l2 2,4 l3 2,05
l4 2,05 l5 1,5 l6 3,55
l 14,35 d 0,4

41
2.6.4 Kết quả mô phỏng
Với các tham số kích thước nêu ra trong bảng trên, anten mô phỏng thu được các kết quả
như sau. Hình 2.5 biểu diễn giá trị hệ số phản xạ của anten dệt đề xuất. Anten mô phỏng có
hệ số phản xạ là -18.26 dB ở tần số 2,45 GHz. Đồ thị bức xạ của anten trong mặt phẳng E và
H được minh họa trong hình 2.6. Anten mô phỏng có hệ số tăng ích 2,2 dBi và băng thông
20 MHz (dải tần số mà |S11 | < -10 dB) ở tần số 2,45 GHz. Băng thông này đảm bảo anten
hoạt động được đối với hệ thống RFID tiêu chuẩn.
0

-5
S11(dB)

BW = 20 MHz
-10

-15

-20
2.30 2.35 2.40 2.45 2.50 2.55 2.60
T
n s (GHz)

Hình 2.5: Hệ số phản xạ của anten dệt đề xuất

Hình 2.6: Đồ thị bức xạ phương hướng của anten dệt đề xuất: (a) Mặt phẳng E, (b) Mặt
phẳng H

42
 Hình 2.7: Hệ số tăng ích của anten dệt đề xuất

Hình 2.8: Mật độ phân bố dòng điện mặt của anten dệt đề xuất

Hình 2.9: Đồ thị bức xạ 3D của anten dệt đề xuất

43
 Hình 2.7 minh họa hệ số tăng ích của anten mô phỏng trong dải tần từ 2,3 GHz đến 2,6
GHz, anten đạt hệ số tăng ích lớn nhất ở tần số 2,45 GHz. Mật độ phân bố dòng điện của
anten mô phỏng được minh họa trong hình 2.8. Hình vẽ cho thấy phân bố dòng điện trên hai
nhánh của anten lưỡng cực là không đối xứng, điều này có thể được giải thích là do hướng
dệt của sợi đồng ở các vị trí của anten là khác nhau.

2.6.5 Đánh giá ảnh hưởng của vật liệu đến đặc tính của anten
Các đặc tính của anten dệt đề xuất phụ thuộc đáng kể vào vật liệu sử dụng để chế tạo đế
điện môi và thành phần bức xạ. Do đó, cần phải nghiên cứu các đặc tính của vật liệu trước
khi chế tạo anten.

2.6.5.1 Độ dày của đế vải

Anten được mô phỏng với đế điện môi Kevlar có độ dày lần lượt là 0.09 mm, 0.13 mm và
0.24 mm [79]. Hình 2.10 minh họa hệ số phản xạ của anten với đế điện môi có độ dày khác
nhau. Kết quả cho thấy độ dày đế điện môi càng lớn, tần số cộng hưởng của anten càng thấp.
Từ đó có thể sử dụng tính chất này của vật liệu đế vải để thu nhỏ kích thước của anten. Hệ số
tăng ích của anten với đế điện môi có độ dày khác nhau được minh họa trong hình 2.11. Khi
độ dày của đế điện môi tăng thì hệ số tăng ích của anten giảm một lượng nhỏ không đáng kể.

-5
S11(dB)

-10

-15
h = 0.24mm
h = 0.13mm
h = 0.09mm
-20
2.30 2.35 2.40 2.45 2.50 2.55 2.60
T
n s (GHz)

Hình 2.10: Hệ số phản xạ của anten với đế điện môi có độ dày khác nhau

44
 Hình 2.11: Hệ số tăng ích của anten với đế điện môi có độ dày khác nhau

2.6.5.2 Hệ số điện môi của đế vải

Tiếp theo luận án khảo sát đặc tính của anten đề xuất với các đế vải có hệ số điện môi và
độ suy hao khác nhau. Anten được mô phỏng với ba loại đế vải bao gồm: nỉ, len lông cừu và
len. Vật liệu nỉ có hệ số điện môi εr = 1,22, hệ số tổn hao tanδ = 0,016 và độ dày h = 2,0
mm [80]. Vật liệu len lông cừu có hệ số điện môi εr = 1,04, hệ số tổn hao tanδ = 0, 024 và
độ dày h = 3 mm.

Hình 2.12: Hệ số phản xạ của anten với các loại đế vải khác nhau

45
 Hình 2.13: Hệ số tăng ích của anten với các loại đế vải khác nhau

Cuối cùng là vật liệu len có hệ số điện môi εr = 3,5, hệ số tổn hao tanδ = 0,02 và độ dày
h = 1,45 mm [73]. Hệ số phản xạ và hệ số tăng ích của anten đề xuất với các đế vải khác nhau
được minh họa trong hình 2.12 và 2.13. Kết quả mô phỏng cho thấy đế vải có hệ số điện môi
càng lớn, anten có tần số cộng hưởng càng thấp. Anten sử dụng đế nỉ với hệ số suy hao nhỏ
nhất có hệ số tăng ích lớn nhất.

2.6.5.3 Đường kính sợi dây đồng

Cuối cùng luận án khảo sát đặc tính của anten đề xuất với sợi dây đồng dùng để dệt nên
thành phần phát xạ của anten có đường kính khác nhau. Hình 2.14 và 2.15 minh họa hệ số
phản xạ và hệ số tăng ích của anten đề xuất với sợi dây đồng có đường kính khác nhau. Kết
quả mô phỏng cho thấy đường kính sợi đồng càng tăng thì tần số cộng hưởng của anten càng
lớn và hệ số suy hao càng nhỏ. Ngoài ra, dựa vào hình 2.15 có thể thấy được ở tần số 2,45
GHz anten mô phỏng có hệ số tăng ích lớn nhất với sợi đồng có đường kính 0,4 mm. [81].

46
 Hình 2.14: Hệ số phản xạ của anten với sợi đồng có đường kính khác nhau

Hình 2.15: Hệ số tăng ích của anten với sợi đồng có đường kính khác nhau

2.6.6 Thực nghiệm và đo đạc

Do chưa có điều kiện để thực hiện phương pháp dệt bằng máy, anten được chế tạo bằng
phương pháp thủ công thêu tay. Hình 2.16 minh họa mẫu anten chế tạo thử nghiệm với sợi
đồng có đường kính 0,4 mm. Anten có kích thước tổng 45 mm × 16 mm × 0,254 mm. Anten
được kết nối với cáp đồng trục 50Ω. Hệ số phản xạ của anten được đo đạc bởi máy phân tích
mạng véc tơ N 5244A PNA-X được chế tạo bởi hãng Keysight có dải tần đo từ 900 Hz đến
43,5 GHz. Kết quả đo đạc cho thấy hệ số phản xạ của anten đạt giá trị -13,3 dB ở tần số 2,45

47
GHz.

Hình 2.16: Mẫu anten chế tạo: (a) Mặt trước, (b) Mặt sau

Hình 2.17: Hệ thống đo đạc hệ số phản xạ của anten dệt đề xuất

Hình 2.18: Hệ số phản xạ của anten dệt đề xuất

48
 Kết quả đo đạc hệ số phản xạ của mẫu anten chế tạo thử nghiệm được minh họa trong
hình 2.18. Kết quả cho thấy anten hoạt động ở tần số được thiết kế. Tuy nhiên vẫn có sự sai
khác giữa kết quả mô phỏng và kết quả thực nghiệm, điều này là do mẫu anten thử nghiệm
chưa được chế tạo chính xác như mô hình anten thiết kế.

Bảng 2.3: So sánh kết quả mô phỏng của anten đề xuất với một số anten đã công bố

Hệ số
Anten Đế điện môi Kích thước (mm)
tăng ích (dBi)
Vải bò,
εr = 1,68,
[82] 90 mm × 90 mm × 1 mm 2,2
h = 1,0 mm,
tanδ = 0, 03
Vải bò,
εr = 1, 68,
[83] 90 mm × 18 mm × 1 mm 1,9
h = 1,0 mm,
tanδ = 0, 025
Kevlar,
εr = 3,58,
Anten đề xuất 45 mm × 16 mm × 0,254 mm 2,2
h = 0,254 mm,
tanδ = 0, 019

Bảng 2.3 trình bày kết quả so sánh anten đề xuất với một số anten thẻ RFID sử dụng cấu
trúc dệt đã công bố có dải tần hoạt động tương tự. Bảng 2.3 cho thấy anten đề xuất sử dụng
cấu trúc dệt có thể ứng dụng trong trường hợp chế tạo anten thẻ đeo dạng chữ. Tuy nhiên so
với các anten vi dải thông thường việc chế tạo anten dạng dệt phức tạp hơn và đòi hỏi cần có
máy dệt chuyên dụng.

2.7 Kết luận chương 2

Chương này đã đề xuất cấu trúc của anten dệt sử dụng đế vải dành cho các ứng dụng
RFID thẻ đeo. Anten hoạt động ở tần số 2.45 GHz bao gồm một thành phần phát xạ và một
lớp điện môi. Vật liệu điện môi được sử dụng trong quá trình mô phỏng thiết kế anten là
Kevlar có hằng số điện môi εr = 3, 58, hệ số suy hao tanδ = 0, 019 và độ dày h=0.254 mm.
Thành phần bức xạ được thiết kế dùng kỹ thuật uốn gấp khúc viết tắt của tên trường đại học
Bách Khoa Hà Nội (HUST) sử dụng vật liệu sợi đồng. Anten có kích thước tổng cộng 45 mm
× 16 mm × 0,254 mm (0, 37λ × 0, 13λ × 0, 002λ), được thiết kế và mô phỏng bởi phần mềm
CST (Computer Simulation Technology). Anten mô phỏng có hệ số phản xạ S11 là -18.26

49
dB và hệ số tăng ích là 2,2 dBi ở tần số 2,45 GHz. Hệ số phản xạ đo đạc của anten mẫu chế
tạo là -13,3 dB ở tần số 2,45 GHz. Kết quả nghiên cứu cho thấy cấu trúc dệt và đế điện môi
bằng vải có thể được áp dụng để thiết kế và chế tạo anten cho các ứng dụng RFID thẻ đeo.
Kết quả nghiên cứu được trình bày trong danh mục các công trình đã công bố của luận án.

50
 CHƯƠNG 3
THIẾT KẾ ANTEN THẺ RFID HAI BĂNG TẦN, ĐỘ ĐỊNH HƯỚNG
CAO SỬ DỤNG BỀ MẶT DẪN TỪ NHÂN TẠO

3.1 Giới thiệu chương

Trong chương này, giải pháp sử dụng siêu bề mặt điện từ được phân tích và áp dụng trong
việc thiết kế anten thẻ RFID UHF hai băng tần, đơn hướng, có cấu trúc nhỏ gọn. Bên cạnh đó
giải pháp này còn được sử dụng nhằm tăng khoảng cách đọc của anten thẻ RFID. Anten bao
gồm một lưỡng cực nhỏ gọn, một bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm các miếng kim loại định kỳ 4
× 4 và một mặt phản xạ. Anten lưỡng cực được phối hợp trở kháng với chip UCODE G2XM
bởi một mạng phối hợp trở kháng dạng chữ T. Bề mặt dẫn từ nhân tạo được thiết kế để hoạt
động như một bề mặt dây dẫn từ tính nhân tạo, cho phép cấu hình thấp và bức xạ đơn hướng.
Bề mặt dẫn từ nhân tạo có kích thước hữu hạn tạo ra tần số cộng hưởng bổ sung cho hệ thống
anten, kết hợp với tần số cộng hưởng của lưỡng cực cho anten hoạt động băng tần kép. Lưỡng
cực và metasurface được thiết kế ở mặt trên và mặt dưới của đế FR-4 giúp tiết kiệm chi phí
và việc chế tạo anten dễ dàng hơn. Anten có kích thước tổng thể 190 mm × 190 mm × 15.8
mm (0.55λ × 0.55λ × 0.046λ), băng thông mô phỏng |S11|<-10 dB là 15 MHz (840 MHz -
855 MHz) và 16 MHz (916 MHz - 932 MHz), bức xạ đơn hướng với độ định hướng lần lượt
là 7,0 dB và 5,8 dB tương ứng với tần số 925 MHz và 845 MHz. Sau khi chế tạo và đo đạc
thử nghiệm, anten thu được có khoảng đọc lớn nhất là 6,0 m và 4,4 m tương ứng với dải tần
902 MHz – 928 MHz theo chuẩn Bắc Mỹ và 840 MHz – 845 MHz theo chuẩn Ấn Độ. Các
khoảng đọc này khá gần với tính toán theo lý thuyết và kết quả mô phỏng, chứng minh tính
khả thi của việc sử dụng cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo trong các mô hình anten thẻ RFID.

3.2 Thiết kế anten lưỡng cực đơn

Trước khi nghiên cứu cấu trúc anten sử dụng cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo, luận án tập
trung nghiên cứu thiết kế cấu trúc anten thẻ RFID lưỡng cực đơn. Anten hoạt động ở tần số
900MHz. Anten sử dụng đế điện môi FR-4 có hằng số điện môi r = 4,4, hệ số tổn hao tanδ
= 0,025 và độ dày h = 0,8 mm. Kỹ thuật uốn gấp khúc và dùng tải đầu cuối thuần dung kháng
được áp dụng để giảm nhỏ kích thước anten. Bên cạnh đó, luận án cũng sử dụng mạng chữ T
để phối hợp trở kháng giữa anten và chip UCODE G2XM.
Cấu trúc hình học của anten lưỡng cực với tải thuần dung kháng mắc ở đầu cuối khi chưa
có mạch phối hợp trở kháng chữ T được minh họa trong hình 3.1. Anten có hai đầu cuối dạng

51
chữ E và các đường gấp khúc để thu nhỏ kích thước của anten.

Hình 3.1: Cấu trúc hình học anten lưỡng cực với tải thuần dung kháng mắc ở đầu cuối chưa
có mạng phối hợp trở kháng chữ T

Lưỡng cực được tiếp điện bởi mạng chữ T [86] trong đó mạng chữ T này có thể được điều
chỉnh để phối hợp trở kháng với chip UCODE G2XM [87]. Hình 3.2 mình họa mô hình ứng
dụng của chip UCODE G2XM. Tụ điện và điện trở của chip mắc song song với nhau. Chip
có trở kháng vào bằng 24 − j195(Ω) ở tần số 915 MHz. Vì vậy, để anten thẻ được đề xuất
phối hợp trở kháng với chip, anten phải có trở kháng vào xấp xỉ bằng 24 + j195(Ω) ở dải tần
mong muốn.
Anten lưỡng cực đơn có hai đầu cuối dạng chữ E. Các đường gấp khúc cũng được sử dụng
trong thiết kế mạng phối hợp trở kháng chữ T để thu nhỏ kích thước của anten. Cấu trúc hình
học của anten lưỡng cực khi có mạng phối hợp trở kháng chữ T được minh họa trong hình
3.3. Các thông số của anten lưỡng cực sau khi tối ưu được trình bày trong bảng 3.2.
Kết quả mô phỏng trở kháng đầu vào của anten lưỡng cực đơn được minh họa trong hình
3.4. Anten phối hợp trở kháng với chip UCODE G2XM. Phần thực và phần ảo của trở kháng
đầu vào của anten xấp xỉ với trở kháng của chip, đạt giá trị 20 + j195(Ω) ở tần số 900MHz.
Hệ số phản xạ |S11 | được tính theo công thức sau [88]:
Za − ZC∗
| S11 |= −20 log | | (3.1)
Za + ZC

Trong đó Za , Zc lần lượt là trở kháng của anten và chip.

Bảng 3.1: Bảng các tham số kích thước của anten lưỡng cực (mm)

Lsub 70 Wsub 20 Lt1 6

Rt1 4 Lb1 18 Lb2 10
Wb1 3 Wb2 3 Ws1 0,4
g1 1 g2 0,09 Ls1 10
Wt 1 Lt 2,48 Lm 2,05
Wm 0,54 Lf 15,3 Wf 0,8
L1 2 Wf f 0,585

52
 Mô hình IC

Anten C
ng hưởng

Anten

Hình 3.2: Mô hình ứng dụng của chip UCODE G2XM

L1 Wff

Wm
Lm
Wf g2
Lf
Lt1

Wt
Wsub

Lsub

Hình 3.3: Cấu trúc hình học của anten lưỡng cực đơn

250 Tr kháng mô phng

Tr kháng chip

200
Tr kháng ( )

 150
Phn o

100
Ph n th
c

50

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
Tn s (MHz)

Hình 3.4: Kết quả mô phỏng trở kháng đầu vào của anten lưỡng cực đơn
53
 Hình 3.5 minh họa kết quả mô phỏng hệ số phản xạ của anten. Băng thông của anten thu
được khoảng 16 MHz. Hình 3.6 minh họa đồ thị bức xạ của anten trong mặt phẳng E và mặt
phẳng H. Đố thị bức xạ ba chiều của anten được minh họa trong hình 3.7. Hệ số tăng ích của
anten là 1,3 dB ở tần số 910 MHz.

-5

-10
|S11|(dB)

-15

-20

-25
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)

Hình 3.5: Kết quả mô phỏng hệ số phản xạ của anten lưỡng cực đơn

Hình 3.6: Đồ thị bức xạ phương hướng của anten lưỡng cực đơn

54
 Hình 3.7: Đồ thị bức xạ ba chiều của anten lưỡng cực đơn

3.3 Cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo (AMC)

3.3.1 Nguyên lý hoạt động của cấu trúc AMC

Bề mặt dẫn từ nhân tạo được xem là một kỹ thuật rất hiệu quả trong việc tăng độ lợi và độ
định hướng của anten RFID. Phần này sẽ phân tích nguyên lý hoạt động của cấu trúc AMC
làm cơ sở cho việc sử dụng cấu trúc này trong thiết kế các anten thẻ RFID. Thông thường
trong thiết kế anten, một tấm kim loại phẳng thường dùng như là mặt phản xạ hay mặt phẳng
đế. Mặt phẳng này làm lệch pha sóng phản xạ một góc π, tạo ra thành phần đồng pha với
sóng bức xạ chính, từ đó cải thiện được độ định hướng của anten. Hình 3.8 minh họa cấu trúc
anten sử dụng mặt phản xạ [89].
Khi đó, độ định hướng của anten được tính theo công thức sau [90]:

PT 1 − R2
D= = (3.2)
P0 1 + R2 − 2R cos [4ϕ]

trong đó, RejφR là hệ số phản xạ phức của anten, λ là bước sóng trong không gian tự do,
PT là công suất phát, P0 là công suất nguồn kích thích, 4ϕ là độ lệch pha giữa sóng bức xạ
chính và sóng phản xạ.
4ϕ = ϕ2 − ϕ1 (3.3)

Điều kiện cộng hưởng đạt được khi độ lệch pha bằng không, 4ϕ = 2πN .
2π
4ϕ = φR − π − 2h = 2N π (3.4)
λ
với N = 0, 1, 2...

55
 Anten
Sóng ph
n x
φ2

φ1
Sóng bc x chính
h

PEC
Hình 3.8: Cấu trúc anten sử dụng mặt phản xạ

 
φR λ λ
h= −1 +N (3.5)
π 4 2
Khi đó, độ định hướng của anten có giá trị:
1+R
D= (3.6)
1−R

Vì vậy, khoảng cách giữa phần tử bức xạ và mặt phẳng đế tối thiểu phải bằng λ/4. Khi
đó sẽ tạo ra sự giao thoa đồng pha giữa sóng bức xạ chính và sóng phản xạ. Tuy nhiên điều
này dẫn đến kích thước của anten khá lớn do độ dày tối thiểu của anten là λ/4.
Bề mặt dẫn từ nhân tạo bao gồm mảng các phiến kim loại in trên bề mặt đế điện môi nối
đất được đề xuất để giải quyết vấn đề này. Cấu trúc đơn vị của bề mặt siêu vật liệu điện từ
được xem như vật dẫn từ nhân tạo (AMC). Cấu trúc AMC được thiết kế sao cho pha phản xạ
bằng không tại tần số cộng hưởng. Băng thông của cấu trúc AMC thường được định nghĩa từ
+90° đến -90° ở hai bên của tần số trung tâm vì các giá trị pha này sẽ không gây ra giao thoa
triệt tiêu giữa sóng bức xạ chính và sóng phản xạ. Cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo dựa trên
sự hình thành khoang cộng hưởng giữa mặt phẳng mặt đất và mảng các phiến kim loại hoạt
động như một bề mặt phản xạ một phần (PRS). Hình 3.9 minh họa khoang cộng hưởng giữa
mặt phẳng đất và bề mặt PRS. Cấu trúc AMC đơn vị là cấu trúc bao gồm một phiến kim loại
được in trên bề mặt đế điện môi nối với mặt phẳng đất. Hình 3.10 minh họa cấu trúc đơn vị
của một số loại AMC [91]. Mỗi loại cấu trúc này khác nhau ở hình dạng phiến kim loại được
phủ dẫn đến các tham số L, C tương đương khác nhau. Việc sử dụng cầu trúc nào phụ thuộc
vào ứng dụng cụ thể.

56
 Ngun bc x

Sóng ph
n x
φ2

φ1
Sóng bc x chính

h
PEC PRS

Hình 3.9: Khoang cộng hưởng giữa mặt phẳng đất và bề mặt PRS

Hình 3.10: Một số cấu trúc AMC

Trước tiên, luận án tiến hành xét cấu trúc AMC hình vuông. Trên cơ sở mạch tương
đương, hiện tượng cộng hưởng sẽ xảy ra ở một số tần số tương ứng khi mạch LC song song
cộng hưởng. Giả sử bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm một mảng các phiến kim loại in trên đế điện
môi có hằng số điện môi εr và độ dày d. Để phân biệt với các bề mặt lựa chọn tần số, các
phiến kim loại của bề mặt dẫn từ nhân tạo có kích thước rất nhỏ hơn độ dài bước sóng. Cấu
trúc hình học của bề mặt dẫn từ nhân tạo được minh họa trong hình 3.11(a).
Đầu tiên ta khảo sát một sóng phẳng tới một phiến kim loại của bề mặt dẫn từ nhân tạo
bằng cách thiết lập các tấm PEC và PMC xung quanh ô vuông góc với điện trường và từ
trường tới. Cấu trúc kết quả có thể được mô hình hóa bằng cách sử dụng đường truyền như

57
 a PEC

Λz Ɛ

Λy d

(a)
PEC

PEC d
_

+++++++
Z0 Zd C L

PMC
PMC
Ei
Hi PEC
(b)

Hình 3.11: Cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo: (a) Cấu trúc hình học, (b) Sơ đồ mạch điện
tương đương

trong hình 3.11(b). Phiến kim loại hình vuông hoạt động như một tụ điện, lớp điện môi ngắn
mạch được mô hình hóa tương đương một cuộn cảm song song với tụ điện. Hình 3.12 minh
họa vùng điện trường giữa hai phần tử cấu trúc AMC tạo ra điện dung C0 . Tần số cộng hưởng
của bề mặt dẫn từ nhân tạo được xác định bởi giá trị của tụ điện và cuộn cảm. Trở kháng của
bề mặt được xác định theo công thức sau [92]:
XL X C
η = ZLC = j = jXLC (3.7)
XL − X C
Trong đó,
XL = Zd tan kd (3.8)
√
k = k0 εr (3.9)
η0
Zd = √ (3.10)
εr
1
XC = (3.11)
ωC

58
 z
z2

z1
_ _ _ _ _ _ _ _-V0
---------
-z1
+ + + + + +V0+ +
-z2

Hình 3.12: Vùng điện trường giữa hai phần tử cấu trúc AMC tạo ra điện dung C0

Giá trị điện dung trên một đơn vị chiều dài được tính xấp xỉ theo công thức sau [93, 94]:
q 
εK 1 − ( zz12 )2
C0 =   (3.12)
K zz12

ε = ε0 εr (3.13)

Trong đó, ε0 = 8, 854.10−12 F/m, εr là hằng số điện môi của đế cách điện, K(z) là tích phân
elip đầy đủ được định nghĩa theo công thức sau:
Z π/2
12 2 12 .32 4 12 .32 .52 6
 
dφ π
K(z) = p = 1 + 2 z + 2 2 z + 2 2 2 z + ... (3.14)
0 (1 − z 2 sin φ2 ) 2 2 2 .4 2 .4 .6

[z 2 < 1], trong đó z1 , z2 là tọa độ theo trục tung của các cạnh được minh họa trong hình 3.11.
Giá trị điện dung C được tính bằng cách nhân C0 với chiều dài hiệu dụng e
a của phiến kim
loại.
C =e
aC0 (3.15)

Điện cảm được tạo ra bởi bề mặt kim loại ở mặt sau của đế điện môi và được tính theo
công thức sau:
L = µ0 µr h (3.16)

trong đó µ0 = 4π.10−7 H/m, µr là độ từ thẩm và h là độ dày của đế điện môi.

Tần số cộng hưởng của cấu trúc một phiến kim loại được tính theo công thức sau:
1
f= √ (3.17)
2π LC

3.3.2 Thiết kế cấu trúc AMC

Một số cấu trúc AMC được ứng dụng trong thiết kế anten thẻ RFID đã được đề xuất trước
đây [37, 38, 95, 96]. Ở bài báo [37], việc sử dụng mặt phẳng AMC cho phép thẻ RFID có

59
thể gắn trực tiếp lên các bề mặt kim loại hoặc các vật liệu có hằng số điện môi lớn mà không
làm giảm hiệu suất bức xạ của anten. Mặt phẳng AMC cũng được ứng dụng trong thiết kế
anten thẻ RFID phân cực tròn có khoảng cách đọc lớn [95]. Bên cạnh đó, bài báo [38] cũng
đã giới thiệu anten RFID UHF dipole kết hợp với mặt phẳng AMC cho các ứng dụng gắn
trên cơ thể người. Tuy nhiên hạn chế của các anten nêu trên là đều hoạt động đơn băng tần.
Anten dipole hai băng tần sử dụng mặt phẳng AMC hoạt động ở hai dải tần Châu Âu (869,5
MHz – 869,7 MHz) và Hàn Quốc (910 Mhz – 914 MHz) đã được trình bày trong bài báo
[96]. Tuy nhiên cơ chế hoạt động hai băng tần của anten này chưa được phân tích rõ ràng. Để
khắc phục những hạn chế trên, một cấu trúc AMC đã được đề xuất trong chương này. Cấu
trúc đề xuất được thiết kế để hoạt động ở dải tần UHF của hệ thống RFID. Các phân tích,
khảo sát, mô phỏng và tối ưu cấu trúc anten thẻ RFID sử dụng bề mặt AMC sẽ được trình
bày trong các phần tiếp theo của chương này. Mô hình anten cũng được chế tạo và đo đạc
thực nghiệm để kiểm chứng tính khả thi của cấu trúc. Cấu trúc AMC được thiết kế lần lượt
qua ba mô hình sau:

• Cấu trúc AMC hình vuông

• Cấu trúc AMC một khe

• Cấu trúc AMC ba khe

Luận án tiến hành thiết kế cấu trúc AMC qua 3 mô hình trên nhằm làm tăng chiều dài
hiệu dụng của phiến kim loại, từ đó tăng giá trị điện dung C ( theo công thức 3.15 ) dẫn đến
tần số cộng hưởng của cấu trúc AMC giảm và hướng tiếp cận này được xem là một trong
những kỹ thuật thu nhỏ kích thước của anten. Cả ba cấu trúc này đều được thiết kế mô phỏng
bởi phần mềm ANSYS HFSS với cùng một điều kiện và sử dụng đế điện môi FR-4 với hằng
số điện môi εr = 4,4, hệ số suy hao tanδ = 0,025 và độ dày h = 0,8 mm.

3.3.2.1 Cấu trúc AMC hình vuông

Hình 3.13 minh họa cấu trúc hình học của phần tử AMC hình vuông. Các tham số kích
thước của cấu trúc được trình bày trong bảng 3.2. Cấu trúc phần tử của bề mặt dẫn từ nhân
tạo được mô hình hóa thành mạch điện tương đương bao gồm một cuộn cảm mắc song song
với một tụ điện như hình 3.11(b). Giá trị điện dung và điện cảm được tính như đã trình bày
trong phần 3.3.1. Với các tham số kích thước của phần tử AMC ta có z1 = 0,5 mm, z2 = 17,5
a = 87 mm. Lớp điện môi không khí được đặc trưng bởi các thông số
mm, ước lượng giá trị e
εr = 1, µr = 1, h = 15 mm. Áp dụng các công thức (3.12), (3.14 ÷ 3.17) luận án thu được C
= 1,11 pF, L = 18,8 nH, f = 1100 MHz. Đồ thị pha phản xạ mô phỏng của cấu trúc phần tử
AMC hình vuông được minh họa trong hình 3.14. Kết quả mô phỏng cho thấy pha phản xạ
bằng 0° ở tần số 1039 MHz.

60
 y g/2

x

FR-4
L
z Phin kim loi
Ha
Không khí

y PEC
(a) (b)
z
y y
A A’
z2
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _---------
_ -V0
B B’ z1
C C’
O x -z1 x
D D’ +++++++++++ V
0

-z2
E E’
(c)

Hình 3.13: Cấu trúc phần tử AMC hình vuông: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình chiếu bằng,
(c) Vùng điện trường giữa hai phần tử

180

120

60
Pha ph n x (°)



0

-60

-120

-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)

Hình 3.14: Pha phản xạ của cấu trúc phần tử AMC hình vuông

61
 Bảng 3.2: Các tham số kích thước của cấu trúc phần tử AMC hình vuông (mm)

L g Ha
34 1 15

3.3.2.2 Cấu trúc AMC một khe

Hình 3.15 minh họa cấu trúc hình học của phần tử AMC một khe, phần tử có dạng hình
vuông với một khe như mô tả trong hình. Các tham số kích thước của cấu trúc được trình bày
trong bảng 3.3. Cấu trúc phần tử một khe được mô hình hóa thành mạch điện tương đương
bao gồm một cuộn cảm mắc song song với một tụ điện. Để ước tính giá trị điện dung của
cấu trúc phần tử bề mặt dẫn từ nhân tạo, cần phải đánh giá khoảng cách trung bình vì khoảng
cách giữa hai phần tử liền kề dọc theo hướng y là không đồng nhất. Khoảng cách trung bình
có thể được xác định bằng cách xem xét vùng điện trường tối đa giữa các phần tử liền kề.

Le
g/2
y

x

FR-4 Wa L
z Phin kim loi
Ha
Không khí

y PEC
(a) (b)
y
y
A A’

B B’ ---------
----------
---

---

E C C’ E’ z2 -V0
++++

++++

I D O D’ I’ x
x z1
V0
++++++++++
+++++++++++

(c)

Hình 3.15: Cấu trúc phần tử AMC một khe: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình chiếu bằng, (c)
Vùng điện trường giữa hai phần tử của bề mặt dẫn từ nhân tạo được đề xuất

Vùng điện trường tối đa được hiển thị trong hình 3.15(c) và được đánh dấu bằng phần

62
 0 0 0
diện tích IECBB C 0 E I I [97].
0 0
g S(BB C C)
z1 = + n1 (3.18)
2 AA0
0 0
S(BB C C)
z2 = z1 + AE − n2 (3.19)
AA0
Trong đó, n1 , n2 được ước lượng gần đúng bằng cách xem xét vùng điện trường tối đa
dọc theo trục hoành. Từ đó, giá trị điện dung, điện cảm và tần số cộng hưởng của cấu trúc
được tính tương ứng theo các công thức 3.12, 3.16, 3.17. Lớp điện môi không khí được đặc
trưng bởi các thông số εr = 1, µr = 1, h = 15 mm. Với các tham số kích thước của phần tử
AMC ta có z1 = 3,4 mm, z2 = 14,5 mm, ước lượng các giá trị n1 = n2 = 0,5, e
a = 112 mm.
Lớp điện môi không khí được đặc trưng bởi các thông số εr = 1, µr = 1, h = 15mm.

Bảng 3.3: Các tham số kích thước của cấu trúc phần tử AMC một khe (mm)

L g Ha Wa Le

34 1 15 9,6 33

180

120
Pha ph n x (°)

 60


0

-60

-120

-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)

Hình 3.16: Pha phản xạ của cấu trúc AMC một khe

Áp dụng các công thức (3.12), (3.14 ÷ 3.17) luận án thu được C = 1,4 pF, L = 18,8 nH, f
= 980 MHz. Đồ thị pha phản xạ mô phỏng của cấu trúc phần tử AMC hình vuông được minh
họa trong hình 3.16. Kết quả mô phỏng cho thấy pha phản xạ bằng 0° ở tần số 930 MHz.

63
3.3.2.3 Cấu trúc ba khe

Hình 3.17 minh họa cấu trúc hình học của phần tử AMC ba khe, phần tử có dạng hình
vuông với ba khe như mô tả trong hình. Tương tự như cấu trúc AMC hình vuông và một khe,
cấu trúc AMC ba khe được mô hình hóa thành mạch điện tương đương bao gồm một cuộn
cảm mắc song song với một tụ điện. Khoảng cách trung bình cũng được xác định bằng cách
xem xét vùng điện trường tối đa giữa các phần tử liền kề. Vùng điện trường tối đa được hiển
0 0 0 0
thị trong hình 3.17(c) và được đánh dấu bằng phần diện tích IGBF F B G I I.
0 0 0 0
g S(F F B B) + S(HH E E)
z1 = + n1 (3.20)
2 AA0
0 0 0 0 0 0
S(F F B B) + S(HH E E) + S(DD C C)
z2 = z1 + AG − n2 (3.21)
AA0

g/2 Lbd
y
Wbs
x

FR-4 Wa
L Wb
z Phin kim loi
Ha
Không khí

y PEC Lb
Le
(a) (b)
y
y
A C C’ A’
D D’
----
----

----
----

H H’
-

F F’
G
E E’
G’ z2 ------- ---------
--------- ------- -V
0
B B’
I O I’ x
x z1
+++++

+++++

+++++++++
+++++++++
V0
++++++++++++++

(c)

Hình 3.17: Cấu trúc phần tử AMC ba khe: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình chiếu bằng, (c)
Vùng điện trường giữa hai phần tử của bề mặt dẫn từ nhân tạo được đề xuất

Với các tham số kích thước của phần tử AMC và ước lượng các giá trị n1 = n2 = 0,5, e
a=
112 mm ta có z1 = 2,8 mm, z2 = 15,2 mm, . Lớp điện môi không khí được đặc trưng bởi các
thông số εr = 1, µr = 1, h = 15 mm. Từ đó, giá trị của tụ điện và cuộn cảm được tính lần lượt

64
là C =1,49 pF và L = 18,8 nH, f = 950MHz. Đồ thị pha phản xạ mô phỏng của cấu trúc
phần tử AMC hình vuông được minh họa trong hình 3.18. Kết quả mô phỏng cho thấy pha
phản xạ bằng 0° ở tần số 910 MHz.

Bảng 3.4: Các tham số kích thước của cấu trúc phần tử AMC ba khe (mm)

L g Ha Wa Le Wb Lbd Wbs Lb

34 1 15 9,6 33 16 30 6 14

180

120
Pha ph n x (°)

 60


0

-60

-120

-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)

Hình 3.18: Pha phản xạ của cấu trúc AMC ba khe

180

120
Pha ph n x (°)

 60

0

-60

C
u trúc hình vuông

-120
C u trúc mt khe
Cu trúc  xut
-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
T n s
(MHz)

Hình 3.19: Pha phản xạ của ba cấu trúc phần tử bề mặt dẫn từ nhân tạo

65
 Pha phản xạ của ba cấu trúc phần tử bề mặt dẫn từ nhân tạo được minh họa trong hình
3.19. Theo đó, cấu trúc đầu tiên cộng hưởng ở tần số 1039 MHz với pha phản xạ bằng 0◦ .
Bằng việc thêm vào các khe trên bề mặt miếng kim loại, tần số cộng hưởng của cấu trúc bề
mặt dẫn từ nhân tạo dịch chuyển sang vùng tần số thấp hơn so với thiết kế ban đầu. Tần số
cộng hưởng của cấu trúc thứ hai là 930 MHz. Để tiếp tục giảm tần số cộng hưởng, hai khe
hình chữ T được thêm vào miếng kim loại của thiết kế thứ hai. Cấu trúc đề xuất có tần số
cộng hưởng bằng 910 MHz với pha phản xạ 0°. Điều này chỉ ra rằng việc sử dụng các khe
trên cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo là một trong những kỹ thuật thu nhỏ kích thước của
anten. Theo hình 3.19, băng thông của bề mặt dẫn từ nhân tạo được đề xuất là 850 - 950
MHz cho pha phản xạ từ -90° đến +90°.

3.3.3 Khảo sát đặc tính của cấu trúc AMC ba khe
Ảnh hưởng của các tham số kích thước đến sự thay đổi pha phản xạ của cấu trúc AMC
được khảo sát qua các kết quả mô phỏng.

• Khảo sát tham số Lb

180

120
g/2 Lbd
Wbs 60
Pha ph n x (°)


0
L Wb Wa

Lb = 13.0 mm
-60 Lb = 13.5 mm
L = 14.0 mm
b
Lb -120 Lb = 14.5 mm
Le Lb = 15.0 mm
-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)

Hình 3.20: Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Lb thay đổi, các tham số còn lại giữ
nguyên

Nhìn vào hình 3.20, tần số cộng hưởng có xu hướng giảm khi tăng Lb . Điều này có thể
chứng minh từ công thức (3.12), khi Lb tăng, S(F F 0 B 0 B) giảm, dẫn đến z1 giảm, z2
tăng, từ đó điện dung tăng dẫn đến tần số cộng hưởng của cấu trúc đơn vị AMC giảm.

• Khảo sát tham số Le

66
 180

120
g/2 Lbd
60
Wbs

Pha ph n x (°)
 0
L Wb Wa

Le = 31.0 mm
-60
Le = 31.5 mm
Le = 32.0 mm
-120 Le = 32.5 mm
Lb
Le = 33.0 mm
Le
-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)

Hình 3.21: Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Le thay đổi, các tham số còn lại giữ
nguyên

• Khảo sát tham số Wa

180

120
g/2 Lbd
60
Pha ph n x (°)

Wbs


0
L Wb Wa
Wa = 8.0 mm
-60 Wa = 8.5 mm
Wa = 9.0 mm
-120 Wa = 9.5 mm
Lb Wa = 10.0 mm
Le
-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)
(a)

Hình 3.22: Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Wa thay đổi, các tham số còn lại
giữ nguyên

• Khảo sát tham số Wbs

67
 180

g/2 Lbd 120

Wbs 60

Pha ph n x (°)

Wa
0
L Wb
Wbs = 5.0 mm
-60
Wbs = 5.5 mm
Wbs = 6.0 mm
Lb -120 Wbs = 6.5 mm
Le Wbs = 7.0 mm
-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)

Hình 3.23: Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Wbs thay đổi, các tham số còn lại
giữ nguyên

Tương tự như vậy, khi Le , Wa tăng, tần số cộng hưởng giảm. Hình 3.23 cho thấy khi
Wbs thay đổi thì tần số cộng hưởng của cấu trúc AMC thay đổi không đáng kể, điều
này là do điện trường tập trung trong vùng diện tích HH’E’E không đáng kể.

• Khảo sát tham số Ha

180 H a = 8 mm
H a = 10 mm
120 H a = 12 mm
H a = 14 mm
60
Pha ph n x (°)


0
 FR-4

-60
Phin kim loi
Ha
Không khí -120
PEC
-180
600 700 800 900 1000 1100 1200
Tn s (MHz)

Hình 3.24: Pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Ha thay đổi, các tham số còn lại giữ
nguyên

Hình 3.24 minh họa pha phản xạ của cấu trúc AMC với tham số Ha thay đổi, các tham
số còn lại giữ nguyên. Kết quả cho thấy chỉ cần thay đổi Ha một lượng rất nhỏ thì pha

68
 phản xạ của cấu trúc AMC đã thay đổi rất lớn. Bề dày lớp không khí càng lớn thì tần
số cộng hưởng của cấu trúc AMC càng giảm. Điều này là do khi Ha tăng thì giá trị L
tăng (công thức 3.16) dẫn đến tần số cộng hưởng giảm.

3.4 Cấu trúc và các đặc tính của anten đề xuất

3.4.1 Cấu trúc của anten

Cấu trúc hình học của anten đề xuất được mô tả trong hình 3.26. Anten bao gồm một
lưỡng cực, một bề mặt dẫn từ nhân tạo và mặt phản xạ kim loại. Lưỡng cực và bề mặt dẫn từ
nhân tạo được in ở mặt trên và mặt dưới của đế Epoxy FR-4 với hằng số điện môi εr = 4,4,
hệ số tổn hao tanδ = 0,025 và độ dày h = 0,8 mm. Đế điện môi nằm cách mặt phẳng phản
xạ ở khoảng cách Ha = 15 mm. bề mặt dẫn từ nhân tạo bao gồm các miếng kim loại định kỳ
4 × 4 có kích thước L mm × L mm và khoảng cách g giữa hai miếng liền kề. Cấu trúc hình
học của lưỡng cực được minh họa trong hình 3.25. Mỗi nhánh của lưỡng cực bao gồm đường
uốn khúc với phần cuối được mở rộng có tác dụng thu nhỏ kích thước anten [98]. Lưỡng cực
được tiếp điện bởi mạng chữ T [86] trong đó mạng chữ T này có thể được điều chỉnh để phối
hợp trở kháng với chip UCODE G2XM [87]. Chip UCODE G2XM có trở kháng vào bằng
22 - j195 (Ω) ở tần số 925 MHz. Vì vậy, để anten thẻ đề xuất phối hợp trở kháng với chip,
anten phải có trở kháng vào xấp xỉ bằng 22 + j195(Ω) ở dải tần mong muốn. bề mặt dẫn từ
nhân tạo được thiết kế để hoạt động như một bề mặt AMC giữa lưỡng cực và mặt phẳng đất.
Nhờ đó anten thu được có cấu trúc nhỏ gọn và bức xạ đơn hướng. Để thu nhỏ kích thước của
anten, mỗi miếng kim loại của cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo được thiết kế bao gồm ba khe
như minh họa trong hình 3.17.
Wm Lm Chip L1

Wf g2 Wm

Lf

Ws1 Lt Wb1 Wt
Lb2 Ls1
Wsub
Lb1 Wb2
g1
Lsub

Hình 3.25: Cấu trúc hình học của lưỡng cực

69
 z

Hình 3.26: Cấu trúc hình học của anten thẻ được đề xuất: (a) Hình chiếu đứng, (b) Hình
chiếu bằng

Bảng 3.5: Bảng các tham số thước của anten đề xuất (mm)

Wgnd L g Ha Wa Le Wb Lbd Wbs

190,0 34,0 0,89 15,0 9,6 33,0 16,0 60,0 6,0
Lb Lsub Wsub Wb1 Wb2 Lb1 Lb2 Ls1 Ws1
14,0 70,0 20,0 3,0 3,0 5,0 13,0 13,0 0,4
g1 g2 Wt Wf Lf Lt Wm Lm L1
1,6 0,9 1,5 0,5 14,0 5,4 0,5 2,5 2,0

Anten được thiết kế dựa trên phần mềm mô phỏng ANSYS HFSS. Các tham số kích
thước của anten sau khi tối ưu được trình bày trong bảng 3.5. Luận án thực hiện tối ưu hóa

70
các tham số kích thước của anten qua ba bước, đầu tiên kích thước của lưỡng cực được giảm
nhỏ bằng cách sử dụng hai kỹ thuật uốn gấp khúc và dùng tải thuần kháng dung, tiếp theo
luận án tiến hành tối ưu kích thước phần tử của bề mặt dẫn từ nhân tạo bằng cách sử dụng mô
hình ba khe, cuối cùng luận án thực hiện phối hợp trở kháng giữa anten và chip bằng mạng
phối hợp trở kháng chữ T.

3.4.2 Khảo sát đặc tính của bề mặt dẫn từ nhân tạo

140 g = 0. 7 mm
g = 0. 8 mm
120 g = 0. 9 mm
g = 1. 0 mm
100 g = 1. 1 mm
Ph n th c (Ω)

 80

60

40

20

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)
(a)
300 g = 0.7 mm
g = 0.8 mm
g = 0.9 mm
g = 1.0 mm
250 g = 1.1 mm
Ph n o (Ω)

 200

150

100
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)
(b)

Hình 3.27: Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước g, các tham số khác giữ
nguyên (a) Phần thực, (b) Phần ảo

71
 Để hiểu rõ hơn về cơ chế bức xạ của anten được đề xuất, tiểu mục này trình bày một số
thí nghiệm được thực hiện cho các tham số chính của cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo. Như
đã đề cập ở trên, trở kháng đầu vào của anten được điều chỉnh bằng cách sử dụng mạng phối
hợp trở kháng chữ T. Hình 3.27, 3.28, 3.29 minh họa trở kháng đầu vào của anten được đề
xuất là hàm của các giá trị khác nhau của g, Wa và Ha .

200 Wa = 9.4 mm
Wa = 9.5 mm
Wa = 9.6 mm
150 Wa = 9.7 mm
Wa = 9.8 mm
Ph n th c (Ω)

 100

50

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)
(a)

350 Wa = 9.4 mm
Wa = 9.5 mm
Wa = 9.6 mm
300 Wa = 9.7 mm
Wa = 9.8 mm
Ph n o (Ω)

250

200

150

100
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)
(b)

Hình 3.28: Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Wa , các tham số khác
giữ nguyên (a) Phần thực, (b) Phần ảo

Như được hiển thị trong hình 3.27, phần thực của trở kháng đầu vào có xu hướng tăng

72
lên khi g tăng trong khi phần ảo của đại lượng này thay đổi không đáng kể. Ngược lại, phần
thực của trở kháng đầu vào giảm khi Wa tăng và phần ảo của trở kháng vào thay đổi không
đáng kể, hình 3.28. Hình 3.29 cho thấy trở kháng đầu vào thay đổi không theo quy luật khi
thay đổi giá trị Ha .

100 Ha = 5 mm
Ha = 10 mm
Ha = 15 mm
80 Ha = 20 mm
Ha = 25 mm
Ph n th c ( )

 60

40

20

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T n s (MHz)
(a)

350 Ha = 5 mm
Ha = 10 mm
Ha = 15 mm
300 Ha = 20 mm
Ha = 25 mm
Ph n o (Ω)

250

200

150

100
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)
(b)

Hình 3.29: Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Ha , các tham số khác
giữ nguyên (a) Phần thực, (b) Phần ảo

73
3.4.3 Khảo sát đặc tính của mạng phối hợp trở kháng chữ T
Ảnh hưởng của các tham số kích thước của mạng phối hợp trở kháng chữ T đến sự thay
đổi của trở kháng anten được khảo sát qua các kết quả mô phỏng.

100 Lm = 2,4 mm
Lm = 2,5 mm
80 Lm = 2,6 mm
Lm = 2,7 mm
)

 60
Ph n th c (

40

20

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T n s (MHz)
(a)

300

250

200
)


Ph n o (

 150


100 Lm = 2,4 mm
Lm = 2,5 mm
50 Lm = 2,6 mm
Lm = 2,7 mm
0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T n s (MHz)
(b)

Hình 3.30: Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Lm , các tham số khác
giữ nguyên: (a) Phần thực, (b) Phần ảo

74
 200
Wm = 0,48 mm
Wm = 0,50 mm
150
Wm = 0,52 mm

Ph n th c ( )
 Wm = 0,54 mm
 100

50

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T n s (MHz)
(a)

300

250

200
Ph n o ( )



150


Wm = 0,48 mm
100 Wm = 0,50 mm
50 Wm = 0,52 mm
Wm = 0,54 mm
0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T n s (MHz)
(b)

Hình 3.31: Trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Wm , các tham số khác
giữ nguyên: (a) Phần thực, (b) Phần ảo

Hình 3.30 mình họa trở kháng của anten khi thay đổi tham số kích thước Lm , các tham số
khác giữ nguyên. Hình 3.30(a) cho thấy phần thực của trở kháng vào biến thiên không theo
quy luật trong khi phần ảo của đại lượng này có xu hướng giảm khi giá trị Lm tăng (hình
3.30(b). Hình 3.31 minh họa trở kháng vào của anten khi thay đổi tham số kích thước Wm ,
các tham số khác giữ nguyên. Quan sát hình vẽ có thể thấy cả phần thực và phần ảo của trở
kháng vào của anten đều có xu hướng tăng khi giá trị Wm giảm.

75
3.4.4 Cơ chế hoạt động hai băng tần
Để phân tích những điểm vượt trội của cấu trúc anten đề xuất, việc so sánh đặc tính của
anten sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo với anten lưỡng cực đơn được thực hiện. Cả hai cấu
trúc anten đều được tối ưu hóa để phối hợp trở kháng với chip UCODE G2XM ở tần số 925
MHz. Kết quả mô phỏng trở kháng đầu vào và hệ số phản xạ |S11 | của anten lưỡng cực đơn
và anten thẻ đề xuất được minh họa trong hình 3.32 và 3.33 .

300
Tag-chip
L ng c
c n
250 Anten  xuất
Tr kháng vào ( )

 200

150
Phn o

100

Ph n thc
50

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
Tn s (MHz)

Hình 3.32: Trở kháng đầu vào của anten lưỡng cực đơn và anten kết hợp bề mặt dẫn từ nhân
tạo

-5

-10
|S11| (dB)

-15

-20

-25

-30 Anten
xut

Lng cc n
-35
800 820 840 860 880 900 920 940 960
Tn s (MHz)

Hình 3.33: Hệ số phản xạ của anten lưỡng cực đơn và anten kết hợp bề mặt dẫn từ nhân tạo

76
 Theo như hình 3.32, trở kháng vào của anten lưỡng cực đơn có một điểm giao trong khi
trở kháng vào của anten đề xuất có hai điểm giao với trở kháng vào của chip. Anten lưỡng
cực đơn có trở kháng vào Z11 = 22 + j189(Ω) ở tần số 925 MHz, trong khi anten đề xuất có
trở kháng vào Z11 = 19 + j190(Ω) ở tần số 845 MHz và Z11 = 23 + j192(Ω) ở tần số 925
MHz. Hệ số phản xạ |S11 | của hai cấu hình anten được tính bằng cách sử dụng công thức sau
sẽ minh họa rõ hơn điều này [88]:

Za − Zc∗
|S11 | = −20 log10 | | (3.22)
Za + Zc
Trong đó Za và Zc là trở kháng vào tương ứng của anten và chip. Hình 3.33 minh họa đồ thị
hệ số phản xạ của hai anten. Anten lưỡng cực đơn hoạt động ở một dải tần với tấn số cộng
hưởng 925 MHz, hệ số phản xạ |S11 | = -31,0 dB và băng thông thu được là 34 MHz với |S11 |
< - 10 dB (910 – 944 MHz).

(a)

(b)

Hình 3.34: Đồ thị bức xạ phương hướng của anten lưỡng cực ở hai tần số 845 MHz và 925
MHz: (a) Lưỡng cực đơn, (b) Lưỡng cực có bề mặt dẫn từ nhân tạo

77
 0 BW = 15 MHz BW = 18 MHz

-5

-10

|S11| (dB)
-15

-20

-25

-30

-35
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)

Hình 3.35: Kết quả mô phỏng băng thông của anten đề xuất

Hình 3.36: Anten đề xuất với bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm 2 x 2 phần tử: (a) Hình chiếu
đứng, (b) Hình chiếu bằng

78
 Hình 3.35 minh họa kết quả mô phỏng băng thông của cấu trúc anten đề xuất, anten hoạt
động ở hai dải tần với băng thông thu được là 15 MHz (840 Mhz – 855 MHz) và 18 MHz
(916 MHz – 932 MHz), cộng hưởng ở hai tần số 845 MHz (|S11 | = −21dB) và 925 MHz
(|S11 | = −26dB). Những kết quả này đã chứng minh rằng bề mặt dẫn từ nhân tạo đã tạo ra
đặc tính băng tần kép cho hệ thống anten. Hình 3.34 minh họa đồ thị bức xạ phương hướng
3 chiều (3D) của hai anten. Anten lưỡng cực đơn có bức xạ đẳng hướng với độ định hướng
bằng 2 dB. Trong khi anten sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo và mặt phẳng phản xạ có độ định
hướng là 5,8 dB và 7,0 dB tương ứng với hai tần số 845 MHz và 925 MHz.

Hình 3.37: Anten đề xuất với bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm 6 x 6 phần tử: (a) Hình chiếu
đứng, (b) Hình chiếu bằng

Bên cạnh đó, để làm rõ hơn cơ chế hoạt động hai băng tần của anten đề xuất, tác giả đã
khảo sát độ định hướng của anten với ba kích thước khác nhau của bề mặt dẫn từ nhân tạo
bao gồm bề mặt dẫn từ nhân tạo có 2 × 2 phần tử, 4 × 4 phần tử và 6 × 6 phần tử.

79
 300 2×2 ph
n t
4×4 ph n t
6×6 phn t
250

Tr kháng vào ( )
 200

150
Ph
n o

100 Phn th c

50

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
Tn s (MHz)
(a)
0

-5

-10
|S11 | (dB)

-15

-20

2×2 phn t
-25
4×4 phn t
6×6 phn t
-30
800 820 840 860 880 900 920 940 960
Tn s (MHz)
(b)

Hình 3.38: Trở kháng đầu vào (a) và hệ số phản xạ (b) của anten đề xuất với bề mặt dẫn từ
nhân tạo có kích thước khác nhau

Hình 3.36 và 3.37 minh họa cấu trúc anten đề xuất với bề mặt dẫn từ nhân tạo gồm 2 × 2
và 6 × 6 phần tử. Kết quả mô phỏng trở kháng đầu vào và hệ số phản xạ của anten với bề mặt
dẫn từ nhân tạo có kích thước khác nhau được minh họa trong hình 3.38, trong đó trở kháng
của nguồn cấp bằng 50 Ω. Từ kết quả mô phỏng trong hình 3.38(a) có thể nhận thấy rằng trở
kháng vào của anten thay đổi khi thay đổi kích thước bề mặt dẫn từ nhân tạo. Hệ số phản xạ
của anten với bề mặt dẫn từ nhân tạo có số phần tử khác nhau được tính theo công thức (1)
và minh họa trong hình 3.38(b). Khi số phần tử của bề mặt dẫn từ nhân tạo tăng, tần số cộng
hưởng của anten giảm. Anten với bề mặt dẫn từ nhân tạo có 2 × 2 phần tử cộng hưởng ở hai

80
tần số, tần số cộng hưởng thứ nhất bằng 845 MHz (|S11 | = -4,9 dB), tần số cộng hưởng thứ
hai nằm ngoài dải tần khảo sát. Bề mặt AMC có số phần tử càng lớn thì anten có độ định
hướng càng cao tuy nhiên việc này làm tăng kích thước của anten vì vậy sau khi đánh giá kết
quả mô phỏng luận án lựa chọn bề mặt AMC có 4 × 4 phần tử nhằm đảm bảo anten có độ
định hướng cao và kích thước không quá lớn.
Anten với bề mặt dẫn từ nhân tạo có 4 × 4 phần tử (anten đề xuất) cộng hưởng ở hai tần
số 845 MHz (|S11 | = -21 dB) và 925 MHz (|S11 | = -26 dB). Với bề mặt dẫn từ nhân tạo có 6
× 6 phần tử, anten cộng hưởng ở hai tần số 838 MHz (|S11 | = -18 dB) và 885 MHz (|S11 | =
-6 dB). Từ kết quả mô phỏng trên có thể nhận thấy cộng hưởng ở mức tần số thấp được tạo ra
bởi lưỡng cực còn cộng hưởng ở mức tần số cao hơn được tạo ra bởi bề mặt dẫn từ nhân tạo.
Hiện tượng này là do sóng bề mặt lan truyền trên bề mặt dẫn từ nhân tạo được kích thích tạo
ra cộng hưởng bổ sung cho hệ thống anten [99] .

3.5 Thực nghiệm

Hình 3.39 minh họa anten thẻ RFID UHF được đề xuất sau khi chế tạo thử nghiệm. Lưỡng
cực và bề mặt dẫn từ nhân tạo được in trên hai mặt của đế điện môi FR-4 theo công nghệ
PCB tiêu chuẩn. Bốn chốt nhựa được sử dụng để tao ra lớp không khí giữa mặt phẳng đất
và đế điện môi FR-4. Việc đo khoảng cách đọc của anten thẻ RFID được thực hiện để kiểm
tra hiệu năng của anten. Hình 3.40 mô tả hệ thống RFID được sử dụng để đo khoảng cách
đọc của anten. Hệ thống bao gồm một máy tính, một đầu đọc RFID UHF, anten của đầu đọc
và anten thẻ RFID được đề xuất. Đầu đọc Thingmagic Me6 phát triển bởi công ty JADAK
[100] được kết nối với máy tính qua cổng USB. Anten phân cực tròn MT-242025/TRH/A/A
[101] kết nối với đầu đọc bằng cáp đồng trục 50Ω. Anten thẻ và anten của đầu đọc được gắn
cố định trên hai giá gỗ ở độ cao 1,2 m so với mặt đất. Dựa vào phương trình truyền Friis,
khoảng đọc tối đa của anten được tính toán theo lý thuyết bằng cách sử dụng công thức sau
[45] : s
λ0 Pt Gt Gtag ρ
Rmax = (3.23)
4π Ptag

Trong đó Rmax là khoảng đọc tối đa, Pt là công suất phát của đầu đọc, λ0 là bước sóng
trong không gian tự do, Gt là độ lợi của anten đầu đọc, Gtag là độ lợi của anten thẻ, ρ là hệ
số suy hao do sự khác nhau về phân cực giữa anten thẻ và anten đầu đọc, Ptag là công suất
yêu cầu tối thiểu đối với thẻ.

81
 (a)

(b)

(c)

Hình 3.39: Mẫu anten chế tạo: (a) Mắt cắt đứng, (a) Mặt cắt ngang, (c) Lưỡng cực và chip

Anten u c RFID Anten th

R
ng trục

Cáp

u c RFID Cáp USB

Máy tính
UHF

(a)

Hình 3.40: Sơ đồ khối hệ thống đo khoảng cách đọc của anten thẻ RFID UHF

82
 Độ lợi của anten thẻ được định nghĩa như sau:

Gtag = η.Dtag (3.24)

Trong đó η và Dtag là hiệu suất bức xạ và độ định hướng của anten thẻ. Hiệu suất bức xạ
của anten chủ yếu phụ thuộc vào sự không phối hợp trở kháng, do đó:

η = 1− | Γ2 | (3.25)

Thay hai công thức (3.24) và (3.25) vào (3.23) ta có công thức tính khoảng đọc tối đa của
anten thẻ như sau: s
λ Pt Gt Dtag (1 − Γ2 )ρ
Rmax = (3.26)
4π Ptag
Từ các tài liệu về thông số kỹ thuật của đầu đọc [100], anten đầu đọc [101] và chip [87],
chúng ta có Pt = 30 dBm, Gt = 7 dBic và Ptag = -15 dBm. Vì anten đầu đọc có phân cực tròn
và anten thẻ có phân cực tuyến tính, ρ được giả sử bằng 0,5. Bằng cách thay giá trị của Dtag
và Γ từ kết quả mô phỏng bởi phần mềm HFSS vào công thức 3.26, khoảng đọc tối đa của
anten thẻ được tính toán và minh họa trong hình 3.42. Kết quả cho thấy khoảng đọc tối đa của
anten là 6,9 m và 7,4 m tương ứng với tần số 845 MHz và 925 MHz. Khoảng đọc của anten
mẫu chế tạo được đo bằng cách dịch cột gỗ gắn anten thẻ trên một đường thẳng ra xa khỏi vị
trí cột gỗ gắn anten đầu đọc. Khoảng đọc tối đa được xác định tại vị trí xa nhất mà đầu đọc
vẫn còn phát hiện được thẻ, cụ thể là mã định danh của thẻ vẫn còn hiện trên cột thứ hai trên
màn hình giao diện của phần mềm Universal Reader Assistant được cung cấp bởi mô đun
đầu đọc RFID Thingmagic Me6. Hình 3.41 minh họa giao diện phần mềm Universal Reader
Assistant của đầu đọc khi phát hiện thẻ RFID có ID bằng 3005FB63AC1F3841EC880467.
Phép đo khoảng cách được thực hiện bằng máy đo khoảng cách laser Bosch GLM30 với
phạm vi đo từ 0,15 m đến 30 m và độ chính xác ± 2 mm. Thí nghiệm được thực hiện với bảy
dải tần số tiêu chuẩn bao gồm ETSI cho Liên minh Châu Âu (866 MHz - 869 MHz), FCC
cho Bắc Mỹ (902 MHz - 928 MHz), SRRC (920 MHz - 925 MHz ) cho Cộng hòa Nhân dân
Trung Hoa, KR2 (917 MHz - 923 MHz) cho Hàn Quốc, IN (840 MHz - 845 MHz) cho Ấn
Độ, AU (920 MHz - 925 MHz) cho Úc và NZ (922 MHz - 927 MHz) cho New Zealand.

Hình 3.41: Giao diện phần mềm Universal Reader Assistant của đầu đọc RFID Thingmagic
Me6

83
 Các giá trị khoảng đọc đo được được trình bày trong bảng 3.6 và minh họa trong hình
3.42. Mặc dù thí nghiệm không thể thực hiện đo trên toàn bộ dải tần khảo sát do giới hạn lựa
chọn tần số của đầu đọc, các kết quả đo ở bảy dải tần tiêu chuẩn trên cũng đã cho phép xác
nhận hiệu năng của anten đề xuất. Anten mẫu chế tạo thu được hai khoảng đọc lớn nhất ở dải
tần theo tiêu chuẩn Ấn Độ và Bắc Mỹ với các giá trị tương ứng là 4,4 m và 6,0 m. Điều này
khẳng định cơ chế hoạt động hai băng tần của cấu trúc anten được đề xuất. Kết quả cho thấy
khoảng đọc đo được ngắn hơn so với tính toán, điều này có thể giải thích được nguyên nhân
do độ chính xác trong quá trình chế tạo anten.

Bảng 3.6: Bảng các giá trị khoảng đọc tối đa đo được (m)

Dải tần Khoảng đọc tối đa

IN (840-845 MHz) 4,4 m
ETSI (865-869 MHz) 2,8 m
FCC (902-928 MHz) 6,0 m
KR2 (917-923 MHz) 4,0 m
SRRC (920-925 MHz) 2,2 m
AU (920-925 MHz) 2,3 m
NZ (922-927 MHz) 2,0 m

10
Tính toán

8 Thc nghim

( FCC
a 6
Khoảng đọc tối đ

IN
4 KR2
ETSI
AU/ SRRC
2 NZ

0
800 820 840 860 880 900 920 940 960
T
n s (MHz)

Hình 3.42: So sánh kết quả tính toán và đo đạc thực nghiệm khoảng đọc tối đa của anten thẻ

84
 Bảng 3.7: So sánh kết quả mô phỏng của anten đề xuất với một số anten đã công bố

Hệ số
Anten Đế điện môi Kích thước (mm)
khuếch đại (dBi)
FR-4,
[102] εr = 4,4 84 mm × 42 mm × 14 mm 2,18
h = 1,0 mm
FR-4,
[103] εr = 4,4, 210 mm × 210 mm × 6,4 mm 5,13
h = 3,2 mm
FR-4,
[104] εr = 4,4, 160 mm × 80 mm × 15mm 4,53
h = 1,6 mm
FR-4,
Anten đề xuất εr = 4,4, 190 mm × 190 mm × 15,8 mm 6.75
h = 0,8 mm

Bảng 3.7 so sánh anten đề xuất với một số anten thẻ RFID sử dụng cấu trúc siêu vật liệu
điện từ đã công bố có dải tần hoạt động tương tự. Bảng 3.7 cho thấy, anten thu được có hệ
số tăng ích lớn, hoạt động ở hai băng tần trong khi các anten khác chỉ hoạt động ở một băng
tần. Tuy nhiên, để anten thu được có các tham số đặc tính như trên đòi hỏi việc chế tạo anten
phải có độ chính xác cao do anten có dải tần hẹp.

3.6 Kết luận chương 3

Chương này đã mô tả cấu trúc của anten đơn hướng, cấu hình nhỏ gọn với hai băng tần
dành cho các ứng dụng RFID UHF. Anten bao gồm một lưỡng cực kết hợp với bề mặt dẫn
từ nhân tạo được in ở mặt trên và mặt dưới của đế điện môi FR-4. Anten được phối hợp trở
kháng với chip UCODE G2XM bằng mạng phối hợp trở kháng chữ T. Anten được thiết kế
và mô phỏng dựa trên phần mềm mô phỏng ANSYS HFSS. Anten có kích thước tổng cộng
190 mm × 190 mm × 15.8 mm (tương ứng với 0, 55λ × 0, 55λ × 0, 046λ) ở tần số 925 MHz,
băng thông thu được là 15 MHz (840 MHz – 855 MHz) và 18 MHz (916 MHz – 932 MHz)
với độ định hướng 5.8 dB và 7.0 dB tương ứng với tần số 845 MHz và 925 MHz. Khoảng đọc
tối đa của anten chế tạo thử nghiệm là 6,0 m và 4.4 m tương ứng với hai dải tần tiêu chuẩn
FCC (902 MHz – 928 MHz) và IN (840 MHz – 845 MHz). Kết quả nghiên cứu của chương
được trình bày trong danh mục các công trình đã công bố của luận án.

85
 KẾT LUẬN CHUNG

Cùng với việc các hệ thống RFID ngày càng được ứng dụng phổ biến trong mọi lĩnh vực
của đời sống, yêu cầu đặt ra đối với thẻ RFID cũng khắt khe hơn. Các ứng dụng thẻ đeo đòi
hỏi anten không chỉ có hình dạng thông thường như anten lưỡng cực, anten bowtie,...mà còn
có thể có dạng chữ, logo,... Trên cơ sở phân tích các loại vật liệu đế điện môi, các kỹ thuật
giảm nhỏ kích thước anten, luận án đã đề xuất giải pháp thiết kế anten thẻ thụ động RFID
sử dụng cấu trúc dệt và đế điện môi bằng vải. Trường hợp cụ thể với thẻ RFID có thành
phần phát xạ được thiết kế dưới dạng chữ viết tắt của tên trường đại học Bách Khoa Hà Nội
(HUST) đã được giới thiệu trong luận án này. Mô hình anten đề xuất đã được chế tạo và đo
đạc thử nghiệm. Kết quả đo đạc hệ số phản xạ của anten phù hợp với kết quả mô phỏng.
Bên cạnh đó, một số kỹ thuật để cải thiện hệ số tăng ích và hệ số định hướng của anten
RFID cũng được phân tích chi tiết. Kỹ thuật phổ biến thường được sử dụng để cải thiện độ
tăng ích của anten đó là sử dụng bề mặt phản xạ. Tuy nhiên việc này làm tăng đáng kể kích
thước của anten. Với những đặc tính vượt trội của siêu vật liệu điện từ mà các vật liệu thông
thường trong tự nhiên không có được, các cấu trúc này ngày càng được quan tâm nghiên cứu
ứng dụng trong các thiết kế anten nói chung cũng như anten thẻ RFID nói riêng. Trên cơ
sở đó, luận án đã đề xuất một cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo mới. Cấu trúc đề xuất được
áp dụng cho thiết kế anten thẻ RFID UHF hai băng tần, cấu trúc thấp, độ định hướng cao,
khoảng cách đọc lớn. Bề mặt dẫn từ nhân tạo được thiết kế để hoạt động như một bề mặt dây
dẫn từ tính nhân tạo đồng thời có kích thước hữu hạn tạo ra tần số cộng hưởng bổ sung cho
hệ thống anten, kết hợp với tần số cộng hưởng của lưỡng cực giúp cho anten hoạt động băng
tần kép. Bằng cách sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo, hệ số định hướng của anten đã được cải
thiện đáng kể. Luận án đã đề xuất giải pháp thiết kế anten thẻ thụ động RFID có cấu trúc bao
gồm một lưỡng cực kết hợp với bề mặt dẫn từ nhân tạo. Kết quả mô phỏng cho thấy cấu trúc
anten đề xuất có hệ số định hướng cao hơn nhiều so với cấu trúc anten lưỡng cực đơn không
sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo. Anten đã được chế tạo và đo đạc thử nghiệm. Kết quả thực
nghiệm này chứng minh tính khả thi của việc sử dụng cấu trúc bề mặt dẫn từ nhân tạo trong
các mô hình anten thẻ RFID.

Đóng góp khoa học của luận án

Luận án đã có những đóng góp khoa học như sau:

• Đề xuất cấu trúc anten dệt dạng chữ, đế vải, kích thước nhỏ, dùng cho thẻ RFID thụ
động làm việc ở dải tần 2,45GHz.

86
 • Đề xuất mẫu anten sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo có kích thước nhỏ dùng cho thẻ
RFID thụ động hai băng tần dải UHF có độ định hướng cao, nâng cao khoảng cách
đọc.

Hướng phát triển của luận án

• Nghiên cứu thiết kế anten phân cực tròn sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo dành cho thẻ
thụ động RFID UHF.

• Nghiên cứu thiết kế anten sử dụng bề mặt dẫn từ nhân tạo dành cho đầu đọc RFID
UHF.

87
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN

• Tạp chí Scopus:

1. Doan Thi Ngoc Hien, Ta Son Xuat, Nguyen Van Khang, Nguyen Khac Kiem, Dao
Ngoc Chien (2019). Low-Profile, Dual-Band, Unidirectional RFID Tag Antenna Using
Metasurface. Progress In Electromagnetics Research C (PIER C), vol. 93, pp. 131-141.

• Tạp chí trong nước:

2. Doan Thi Ngoc Hien, Nguyen Van Khang, Dao Ngoc Chien (2017). A textile RFID
antenna for wearable applications.Journal of Science and Technology Technical Uni-
versities, vol. 2017, no. 120c, pp. 109-113.
3. Doan Thi Ngoc Hien, Nguyen Van Khang, Dao Ngoc Chien (2017). A low-cost
compact RFID tag antenna for toll-gate Proc. The University of Danang Journal of
Science and Technology, vol. 4, no. 11(120) pp. 12-15.

• Hội thảo quốc tế:

4. Doan Thi Ngoc Hien,Nguyen Van Khang, Dao Ngoc Chien (2016). A textile an-
tenna for wearable applications using RFID technology. International Conference on
Ubiquitous Information Management and Communication, Danang, Vietnam.

• Công trình có liên quan:

5. S. Xuat Ta, D. Ngoc Chien, K. Kiem Nguyen, Doan Thi Ngoc Hien (2017). Single-
feed, compact, GPS patch antenna using metasurface. 2017 International Conference
on Advanced Technologies for Communications (ATC), pp. 60-63, Quynhon, Vietnam.

88
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Hwang-Cheng Wang Ter-Feng Wu Min-Chuan Tsai, Chien-Wen Chiu. Inductively-

coupled loop antenna design for uhf rfid on-body applications. Progress In Electro-
magnetics Research, 143:315–330, Nov 2013.

[2] R. Vyas, V. Lakafosis, A. Rida, N. Chaisilwattana, S. Travis, J. Pan, and M. M.

Tentzeris. Paper-based rfid-enabled wireless platforms for sensing applications. IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, 57(5):1370–1382, May 2009.

[3] G. Marrocco. Pervasive electromagnetics: sensing paradigms by passive rfid technol-

ogy. IEEE Wireless Communications, 5(4):35–39, December 2016.

[4] Shivani Bisht Shalini Kumari-Shivani Rai Brajlata Chauhan Tulika, Yashika Manwal.
Literature review on wearable textile antennas. International Journal On Advanced
Computer Theory And Engineering (IJACTE), 17(6):10–17, December 2010.

[5] Brajlata Chauhan Ankita Priya, Ayush Kumar. A review of textile and cloth fabric
wearable antennas. International Journal of Computer Applications), 16, Aprilr 2015.

[6] T Koschny, M Kafesaki, E Economou, and Costas Soukoulis. Effective medium theory
of left-handed materials. Physical review letters, 93:107402–10745, 10 2004.

[7] Rajkumar Rajoria Pankaj Gupta. Enhancement of the rectangular microstrip patch an-
tenna performance using new e shaped metamaterial structure at 2.684 ghz. In Inter-
national Journal of Advanced Research in Electrical, Electronics and Instrumentation
Engineering, volume 2, pages 4219–4223, September 2013.

[8] F. Jangal and N. Bourey. Enhance efficiency of high frequency antennas using
lossy metamaterials. In 2012 International Symposium on Antennas and Propaga-
tion (ISAP), pages 874–877, Oct 2012.

[9] A. Gupta, S. K. Sharma, and R. K. Chaudhary. A compact cpw-fed metamaterial

antenna for high efficiency and wideband applications. In 2015 Twenty First National
Conference on Communications (NCC), pages 1–4, Feb 2015.

[10] M. Abdelkarim, S. Naoui, L. Latrach, and A. Gharsallah. Radiation efficiency im-

provement of rfid patch antenna using metamaterials. In 2017 International Confer-
ence on Green Energy Conversion Systems (GECS), pages 1–6, March 2017.

89
[11] S. Bhattacharjee, R. Saha, and S. Maity. Metamaterial based patch antenna with
omega shaped slot for rfid system. In 2014 International Conference on Advances
in Engineering Technology Research (ICAETR - 2014), pages 1–5, Aug 2014.

[12] S. Naoui and A. Gharsallah. Improved microstrip dipole antenna by using metamateri-
als for rfid technology. In Proceedings of 2014 Mediterranean Microwave Symposium
(MMS2014), pages 1–4, Dec 2014.

[13] J. K. Ji, G. H. Kim, and W. M. Seong. Bandwidth enhancement of metamaterial

antennas based on composite right/left-handed transmission line. IEEE Antennas and
Wireless Propagation Letters, 9:36–39, September 2010.

[14] S. Naoui, L. Latrach, and A. Gharsallah. Rfid antenna by using metamaterials with
negative effective permeability. In 2015 2nd World Symposium on Web Applications
and Networking (WSWAN), pages 1–4, March 2015.

[15] H. X. Araujo, S. E. Barbin, and L. C. Kretly. Metamaterial cell patterns applied to

quasi-yagi antenna for rfid applications. In 2012 IEEE Radio and Wireless Sympo-
sium, pages 383–386, Jan 2012.

[16] K. Kanjanasit and C. Wang. A high directivity broadband aperture coupled patch
antenna using a metamaterial based superstrate. In 2012 Loughborough Antennas
Propagation Conference (LAPC), pages 1–4, Nov 2012.

[17] M. A. Antoniades, S. A. Rezaeieh, and A. M. Abbosh. Bandwidth and directivity en-

hancement of metamaterial-loaded loop antennas for microwave imaging applications.
In 2017 International Workshop on Antenna Technology: Small Antennas, Innovative
Structures, and Applications (iWAT), pages 249–252, March 2017.

[18] V. Upadhyaya and V. Sawant. Low-profile high-gain micro-strip patch antenna using
meta-materials for wireless applications. In 2017 International Conference on Wire-
less Communications, Signal Processing and Networking (WiSPNET), pages 1111–
1114, March 2017.

[19] D. Mitra, A. Sarkhel, O. Kundu, and S. R. B. Chaudhuri. Design of compact and

high directive slot antennas using grounded metamaterial slab. IEEE Antennas and
Wireless Propagation Letters, 14:811–814, Dec 2015.

[20] E. Y. Ahmed and E. Abdenacer. Miniaturization of a printed dipole antenna using

metamaterials for rfid uhf technology. In 2018 International Conference on Advanced
Communication Technologies and Networking (CommNet), pages 1–5, April 2018.

90
[21] T. K. Upadhyaya, V. V. Dwivedi, S. P. Kosta, and Y. P. Kosta. Miniaturization of tri
band patch antenna using metamaterials. In 2012 Fourth International Conference on
Computational Intelligence and Communication Networks, pages 45–48, Nov 2012.

[22] S. K. Jain, A. Shrivastava, and G. Shrivas. Miniaturization of microstrip patch antenna

using metamaterial loaded with srr. In 2015 International Conference on Electromag-
netics in Advanced Applications (ICEAA), pages 1224–1227, Sept 2015.

[23] Nguyễn Ngọc Lan. Nghiên cứu giải pháp cải thiện một số tham số của anten mảng
trong hệ thống thông tin vô tuyến. In Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà
Nội, 2018.

[24] Hoàng Thị Phương Thảo. Nghiên cứu phát triển anten tái cấu hình theo tần số sử dụng
chuyển mạch điện từ. In Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, 2018.

[25] Nguyễn Khắc Kiểm. Nghiên cứu phát triển anten mimo cho các thiết bị đầu cuối di
động thế hệ mới. In Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, 2016.

[26] Huỳnh Nguyên Bảo Phương. Nghiên cứu phát triển cấu trúc ebg ứng dụng cho các hệ
thống thông tin vô tuyến thế hệ mới. In Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa
Hà Nội, 2014.

[27] Tran Nhan Ai Lam Tan Phat Dang Mau Chien Pham Viet Thong, Nguyen Viet Hoa.
Chế tạo anten cho thẻ rfid thụ động ở băng tần uhf và vi ba. Tạp chí Phát triển Khoa
học và Công nghệ, 2013.

[28] Nguyen Linh Lan. Nghiên cứu thiết kế hệ thống nhận dạng thẻ vô tuyến thông minh
rfid ứng dụng trong quản lý nhân sự. Luận văn thạc sĩ, 2008.

[29] Le Cong Cuong. Thiết kế mô phỏng và chế tạo anten cho đầu đọc rfid 13,56 mhz. In
Luận văn thạc sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, October 2011.

[30] Nguyễn Thế Anh. Nghiên cứu, thiết kế và mô phỏng anten rfid. In Luận văn thạc sĩ,
Trường Đại học Công nghệ, Đại học quốc gia Hà Nội, 2007.

[31] Phan Đăng Huân. Nghiên cứu và thiết kế anten cho hệ thống rfid. In Luận văn thạc
sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, 2014.

[32] J. C. G. Matthews and G. Pettitt. Development of flexible, wearable antennas. In

2009 3rd European Conference on Antennas and Propagation, pages 273–277, March
2009.

91
[33] C. Hertleer, H. Rogier, L. Vallozzi, and L. Van Langenhove. A textile antenna for
off-body communication integrated into protective clothing for firefighters. IEEE
Transactions on Antennas and Propagation, 57(4):919–925, April 2009.

[34] C. Hertleer, H. Rogier, L. Vallozzi, and F. Declercq. A textile antenna based on high-
performance fabrics. In The Second European Conference on Antennas and Propaga-
tion, EuCAP 2007, pages 1–5, Nov 2007.

[35] I. Locher, M. Klemm, T. Kirstein, and G. Trster. Design and characterization of purely
textile patch antennas. IEEE Transactions on Advanced Packaging, 29(4):777–788,
Nov 2006.

[36] R. B. V. B. Simorangkir, Y. Yang, L. Matekovits, and K. P. Esselle. Dual-band dual-

mode textile antenna on pdms substrate for body-centric communications. IEEE An-
tennas and Wireless Propagation Letters, 16:677–680, 2017.

[37] D. Kim. Advanced design of rfid tag antennas using artificial magnetic conductors.
In 2014 International Symposium on Antennas and Propagation Conference Proceed-
ings, pages 627–628, Dec 2014.

[38] R. C. Hadarig, M. E. de Cos, and F. Las-Heras. Uhf dipole-amc combination for rfid
applications. IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, 12:1041–1044, 2013.

[39] Finkenzeller. Rfid handbook: Fundamentals and applications in contactless smart

cards and identification. John Wiley, Sons Ltd, Chichester, UK, 12:427–430, 2003.

[40] Stockman. Communication by means of reflected power”, proceedings of the institute

of radio engineers. 36:1196–1204, 1948.

[41] Hamam H. Dahmane Fennani, B. Rfid overview. pages 5–9, 2011.

[42] Phan Anh. Lý thuyết và kỹ thuật anten. Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật, 2007.

[43] Basics – rfid regulations.

[44] C.A Balanis. Antenna theory: Analysis and design, 3rd ed. Wiley Interscience: Hobo-
ken, 2005.

[45] Friis transmission equation.

[46] S. L. Merilampi, T. Bjorninen, A. Vuorimaki, L. Ukkonen, P. Ruuskanen, and

L. Sydanheimo. The effect of conductive ink layer thickness on the functioning of
printed uhf rfid antennas. Proceedings of the IEEE, 98(9):1610–1619, Sep. 2010.

92
[47] Virkki J. Merilampi S. Ukkonen L. Kellomäki, T. Towards washable wearable anten-
nas: a comparison of coating materials for screen-printed textile-based uhf rfid tags.
International Journal of Antennas and Propagation, 2012.

[48] Virkki J. Ukkonen L. Sydänheimo L. Virtanen, J. Inkjet-printed uhf rfid tags on

renewable materials. Advances in Internet of Things, 2(4):79–85, 2012.

[49] S. M. Wentworth. Fundamentals of electromagnetics with engineering applications.

John Wiley and Sons Inc,, page 590, 2005.

[50] Nguyen H. A. D. Park S. Lee J. Kim B. Park, J. Roll-to-roll gravure printed silver pat-
terns to guarantee printability and functionality for mass production. Current Applied
Physics, 15(3):367–376, 2015.

[51] A. Rida, L. Yang, R. Vyas, and M. M. Tentzeris. Conductive inkjet-printed anten-

nas on flexible low-cost paper-based substrates for rfid and wsn applications. IEEE
Antennas and Propagation Magazine, 51(3):13–23, June 2009.

[52] J. Virtanen, J. Virkki, L. Sydänheimo, M. Tentzeris, and L. Ukkonen. Automated

identification of plywood using embedded inkjet-printed passive uhf rfid tags. IEEE
Transactions on Automation Science and Engineering, 10(3):796–806, July 2013.

[53] Van den Bulcke J. De Windt I. Dhaene J. Van Acker J. Li, W. Moisture behaviour and
structural changes of plywood during outdoor exposure. European Journal of Wood
and Wood Products, 74(2):211–221, 2015.

[54] Industrial ceramic rfid tag uhf0055.

[55] J. Baker-Jarvis, M. D. Janezic, and D. C. Degroot. High-frequency dielectric mea-

surements. IEEE Instrumentation Measurement Magazine, 13(2):24–31, April 2010.

[56] B. Gupta, S. Sankaralingam, and S. Dhar. Development of wearable and implantable

antennas in the last decade: A review. In 2010 10th Mediterranean Microwave Sym-
posium, pages 251–267, Aug 2010.

[57] P. Salonen, Y. Rahmat-Samii, M. Schaffrath, and M. Kivikoski. Effect of textile ma-

terials on wearable antenna performance: a case study of gps antennas. In IEEE An-
tennas and Propagation Society Symposium, 2004., volume 1, pages 459–462 Vol.1,
June 2004.

[58] Hou-Tong Chen et al. A review of metasurfaces: physics and applications. Reports on
Progress in Physics, 2016.

93
[59] G. Marrocco. The art of uhf rfid antenna design: impedance-matching and size-
reduction techniques. IEEE Antennas and Propagation Magazine, 50(1):66–79, Feb
2008.

[60] Grover F. W. Inductance calculations: Working formulas and tables. Progress In

Electromagnetics Research, 1946.

[61] J. Hong H. Jeon C. Choi Manos M. Tentzeris J. Choo, J. Ryoo. T-matching networks
for the efficient matching of practical rfid tags. 39th European Microwave Conference,
2009.

[62] G. Marrocco. Gain-optimized self-resonant meander line antennas for rfid applica-
tions. IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, 2:302–305, 2003.

[63] N. Michishita and Y. Yamada. A novel impedance matching structure for a dielectric
loaded 0.05 wavelength small meander line antenna. In 2006 IEEE Antennas and
Propagation Society International Symposium, pages 1347–1350, July 2006.

[64] Wonkyu Choi, H. W. Son, Chansoo Shin, Ji-Hoon Bae, and Gilyoung Choi. Rfid tag
antenna with a meandered dipole and inductively coupled feed. In 2006 IEEE Anten-
nas and Propagation Society International Symposium, pages 619–622, July 2006.

[65] Chihyun Cho, Hosung Choo, and Ikmo Park. Design of novel rfid tag antennas for
metallic objects. In 2006 IEEE Antennas and Propagation Society International Sym-
posium, pages 3245–3248, July 2006.

[66] M. Hirvonen, P. Pursula, K. Jaakkola, and K. Laukkanen. Planar inverted-f antenna

for radio frequency identification. Electronics Letters, 40(14):848–850, July 2004.

[67] Alyani Ismail Adam R. H. Alhawari Anwer Sabah Mekki, Mohd Nizar Hamidon. Gain
enhancement of a microstrip patch antenna using a reflecting layer. International
Journal of Antennas and Propagation, 2015:1–8, Dec 2014.

[68] Basari Eko Tjipto Rahardjo Taufal Hidayat, Fitri Yuli Zulkifli. Bandwidth and gain
enhancement of proximity coupled microstrip antenna using side parasitic patch.
The 2nd International Conference on Radar, Antenna, Microwave, Electronics and
Telecommunications, pages 95–98, Mar 2013.

[69] Md Ruhul Amin Md Mortuza Ali Mst Nargis Aktar, Muhammad Shahin Uddin. En-
hanced gain and bandwidth of patch antenna using ebg substrates.

94
[70] M Abdulhameed, Mohamad Isa, Imran Ibrahim, Mowafak Mohsen, S R Hashim,
Mothana Attiah, and Corresponding Author. Improvement of microstrip antenna per-
formance on thick and high permittivity substrate with electromagnetic band gap.
Journal of Advanced Research in Dynamical and Control Systems, 10:661–669, 05
2018.

[71] Nada N. Tawfeeq. Size reduction and gain enhancement of a microstrip antenna using
partially defected ground structure and circular/cross slots. International Journal of
Electrical and Computer Engineering, 7:894–898, 04 2017.

[72] Antonis A. Alexandridis Aris Tsolis, William. Whittow and J. (Yiannis) C. Vardax-
oglou. Embroidery and related manufacturing techniques for wearable antennas: Chal-
lenges and opportunities. Electronics, 3:314–338, 2014.

[73] Ricardo Gonçalves Pedro Pinho Rita Salvado, Caroline Loss. Textile materials for the
design of wearable antennas: A survey. Sensors Journal, 12:15841–15857, 2012.

[74] T. Maleszka and P. Kabacik. Bandwidth properties of embroidered loop antenna for
wearable applications. In The 3rd European Wireless Technology Conference, pages
89–92, Sep. 2010.

[75] Falguni Raval Sweety Purohit. Wearable textile patch antenna using jeans as substrate
at 2.45 ghz. volume 3, pages 2456–2460, 2014.

[76] S. Zhang, A. Chauraya, W. Whittow, R. Seager, T. Acti, T. Dias, and Y. Vardaxoglou.

Embroidered wearable antennas using conductive threads with different stitch spac-
ings. In 2012 Loughborough Antennas Propagation Conference (LAPC), pages 1–4,
Nov 2012.

[77] Carla Hertleer Hendrik Rogier Gilbert De Mey Genti Guxho Lieva Van Langenhove1g
Ilda Kazani1a, Maria Lucia Scarpello. Washable screen printed textile antennas. Ad-
vances in Science and Technology, 80:118–122, 2013.

[78]

[79] Kevlar fabric.

[80] H. A. Rahim, M. F. Abd Malek, I. Adam, N. A. Mohd Affendi, N. Saudin, L. Mo-

hamed, A. b. Ali, L. Y. Seng, and P. S. Hall. Effect of different substrate materials on
a wearable textile monopole antenna. In 2012 IEEE Symposium on Wireless Technol-
ogy and Applications (ISWTA), pages 245–247, Sep. 2012.

95
[81] Copper wire.

[82] Leena Ukkonen Muhammad Rizwan, Yahya Rahmat-Samii. Circularly polarized tex-
tile antenna for 2.45 ghz. International Microwave Workshop Series on RF and Wire-
less Technologies for Biomedical and Healthcare Applications, pages 21–23, Sept
2015.

[83] Meriah Sidi Mohammed Belgacem wahiba, Bousahla Miloud. Design of a wearable
monopole rfid antenna integrated in smart clothing for tracking human movements.
International Symposium on Advanced Electrical and Communication Technologies
(ISAECT), 6:1–6, Nov 2018.

[84] Dao Ngoc Chien Doan Thi Ngoc Hien, Nguyen Van Khang. A textile antenna for
wearable applications using rfid technology. International Conference on Ubiquitous
Information Management and Communication, 2016.

[85] Dao Ngoc Chien Doan Thi Ngoc Hien, Nguyen Van Khang. A textile rfid antenna
for wearable applications. Journal of Science and Technology Technical Universities,
2017.

[86] H. H. Tran, S. X. Ta, and I. Park. A compact circularly polarized crossed-dipole

antenna for an rfid tag. IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, 14:674–
677, 2015.

[87] Ucode g2xm datasheet.

[88] S. F. Lam V. Pillai P. V. Nikitin, K. V. S. Rao, R. Martinez, and H. Heinrich. Power

reflection coefficient analysis for complex impedances in rfid tag design. IEEE Trans-
actions on Microwave Theory and Techniques, 53(9):2721–2725, Sep. 2005.

[89] D. F. Sievenpiper. High-impedance electromagnetic surfaces.

[90] A. P. Feresidis, G. Goussetis, Shenhong Wang, and J. C. Vardaxoglou. Artificial mag-

netic conductor surfaces and their application to low-profile high-gain planar anten-
nas. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 53(1):209–215, Jan 2005.

[91] M. Mantash and A. Tarot. On the bandwidth and geometry of dual-band amc struc-
tures. In 2016 10th European Conference on Antennas and Propagation (EuCAP),
pages 1–4, April 2016.

[92] H. Mosallaei and K. Sarabandi. Antenna miniaturization and bandwidth enhancement

using a reactive impedance substrate. IEEE Transactions on Antennas and Propaga-
tion, 52(9):2403–2414, Sep. 2004.

96
 [93] W. R. Smythe. Static and Dynamic Electricity. New York: McGrawHill, 1968.

[94] H. B. Dwight. Tables of Integrals and other Mathematical Data. New York: Macmil-
lan, 1961.

[95] C. Chiu and J. H. Hong. Circularly polarized tag antenna on an amc substrate for
wearable uhf rfid applications. In 2017 IEEE-APS Topical Conference on Antennas
and Propagation in Wireless Communications (APWC), pages 71–74, Sep. 2017.

[96] D. Kim and J. Yeo. Dual-band long-range passive rfid tag antenna using an amc
ground plane. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 60(6):2620–2626,
June 2012.

[97] S. R. Bhadra Chaudhuri G. Samanta. Design of a compact cp antenna with enhanced

bandwidth using a novel hexagonal ring based reactive impedance substrate. 69:115–
125.

[98] S. X. Ta, I. Park, and R. W. Ziolkowski. Crossed dipole antennas: A review. IEEE
Antennas and Propagation Magazine, 57(5):107–122, Oct 2015.

[99] F.Costa, O. Luukkonen, C. R. Simovski, A. Monorchio, S. A. Tretyakov, and P. M.de

Maagt. Te surface wave resonances on high-impedance surface based antennas: Anal-
ysis and modeling. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 59(10):3588–
3596, Oct 2011.

[100] Thingmagic m6e uhf rfid.

[101] Mt-242025/trh/a/a reader antenna.

[102] Kuang Zhang Qun Wu Xumin Ding, Shengying Liu. A broadband anti-metal rfid tag
with amc ground. 3rd Asia-Pacific Conference on Antennas and Propagation, pages
647–649, 2014.

[103] J. H. Hong C. Chiu. Circularly polarized tag antenna on an amc substrate for wearable
uhf rfid applications. IEEE-APS Topical Conference on Antennas and Propagation in
Wireless Communications (APWC), pages 71–74, 2017.

[104] E. E. Hussin M. Abu T. Annandarajah, T. H. Tan. Design and simulation of rfid tag
with artificial magnetic conductor at 0.92 ghz for green projects. 2015 International
Conference on Communications, Management and Telecommunications, pages 210–
213, 2015.

97
[105] Nguyen Van Khang Nguyen Khac Kiem Dao Ngoc Chien Doan Thi Ngoc Hien, Ta
Son Xuat. Low-profile, dual-band, unidirectional rfid tag antenna using metasurface.
Progress In Electromagnetics Research, 2019.

[106] Dao Ngoc Chien Doan Thi Ngoc Hien, Nguyen Van Khang. A low-cost compact rfid
tag antenna for toll-gate. The University of Danang Journal of Science and Technol-
ogy, 2017.

98